弾性波装置の製造方法
【課題】IDT電極の電気抵抗が低い弾性波装置を製造し得る弾性波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板10の上に第1のマスク21を配置する工程を行う。第1のマスク21の上から第1の導電層11aを形成する第1の導電層工程を行う。第1の導電層形成工程の後に、第1のマスク21を除去する第1の除去工程を行う。第1の除去工程の後に、圧電基板10上に第2のマスク23を配置する工程を行う。第2のマスク23の上から第2の導電層11bを形成する第2の導電層形成工程を行う。
【解決手段】圧電基板10の上に第1のマスク21を配置する工程を行う。第1のマスク21の上から第1の導電層11aを形成する第1の導電層工程を行う。第1の導電層形成工程の後に、第1のマスク21を除去する第1の除去工程を行う。第1の除去工程の後に、圧電基板10上に第2のマスク23を配置する工程を行う。第2のマスク23の上から第2の導電層11bを形成する第2の導電層形成工程を行う。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、弾性波装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、弾性表面波や弾性境界波などの弾性波を利用した弾性波共振子や弾性波フィルタ装置などの弾性波装置が広く用いられるようになってきている。
【0003】
一般的に、弾性波装置は、圧電基板と、圧電基板の上に形成されており、弾性波を励振させるIDT電極とを備えている。弾性境界波装置は、IDT電極を覆うように圧電基板の上に形成された誘電体層をさらに備えており、この誘電体層によりIDT電極で励振された弾性波が閉じ込められ、弾性境界波となる。
【0004】
例えば下記の特許文献1に記載のように、IDT電極は、一般的に、フォトレジストからなるレジストマスクの上から導電層を成膜することにより形成される。具体的には、下記の特許文献1には、圧電基板の上に配置したレジストマスクの上から、下層電極膜、上層電極膜及び被覆電極膜をこの順番で形成した後に、被覆電極膜の上面のみをエッチングすることによりIDT電極を形成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開2002−26686号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、特許文献1に記載の方法では、IDT電極の形成工程において、圧電基板上に導電材料の体積が進むにつれて、レジストマスクの開口部にも導電材料が堆積していく。このため、IDT電極の形成工程において、レジストマスクの開口面積が徐々に小さくなっていく。よって、IDT電極の頂部の幅がIDT電極の底部の幅よりも小さくなってしまう。従って、横断面積が十分に大きく、電気抵抗が十分に低いIDT電極を形成することが困難であるという問題がある。
【0007】
本発明は、係る点に鑑みてなされたものであり、その目的は、IDT電極の電気抵抗が低い弾性波装置を製造し得る弾性波装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明に係る弾性波装置の製造方法は、圧電基板と、圧電基板の上に形成されており、第1及び第2の導電層を含む複数の導電層の積層体により構成されているIDT電極とを備える弾性波装置の製造方法に関する。本発明に係る弾性波装置の製造方法は、圧電基板の上に第1のマスクを配置する工程と、第1のマスクの上から第1の導電層を形成する第1の導電層形成工程と、第1の導電層形成工程の後に、第1のマスクを除去する第1の除去工程と、第1の除去工程の後に、圧電基板上に第2のマスクを配置する工程と、第2のマスクの上から第2の導電層を形成する第2の導電層形成工程とを備えている。
【0009】
本発明に係る弾性波装置の製造方法のある特定の局面では、第1の導電層形成工程の前に、溝を形成し、第1の導電層の少なくとも一部が溝の内部に位置するように第1の導電層を形成する。
【0010】
本発明に係る弾性波装置の製造方法の他の特定の局面では、第1のマスクを用いて溝を形成し、第1の導電層の全体が溝の内部に位置するように第1の導電層を形成する。この構成によれば、第1の導電層の形成に用いるマスクと溝を形成するために用いるマスクとを別個に設ける必要がない。従って、溝形成用のマスクの形成工程及び除去工程を省略することができる。従って、弾性波装置の製造が容易となる。
【0011】
本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、第1及び第2のマスクとは異なるマスクを用いて第1の導電層を形成する。この場合、第1の導電層の一部が溝の外部に位置している弾性波装置であっても好適に形成することができる。
【発明の効果】
【0012】
本発明では、第1の導電層の形成に用いた第1のマスクとは異なる第2のマスクを用いて第2の導電層を形成する。このため、第2の導電層の形成時において、マスクの開口が狭くなりすぎることを抑制できる。よって、横断面積の広い第2の導電層を形成することができる。従って、本発明によれば、IDT電極の電気抵抗が低い弾性波装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1】第1の実施形態における弾性表面波装置の略図的平面図である。
【図2】図1の線II−IIにおける略図的断面図である。
【図3】第1の実施形態における第1のマスク配置工程を説明するための略図的断面図である。
【図4】第1の実施形態における第1の導電層形成工程を説明するための略図的断面図である。
【図5】第1の実施形態における第1の除去工程を説明するための略図的断面図である。
【図6】第1の実施形態における第2のマスク配置工程を説明するための略図的断面図である。
【図7】第1の実施形態における第2の導電層形成工程を説明するための略図的断面図である。
【図8】比較例におけるマスク形成工程を説明するための略図的断面図である。
【図9】比較例における第1の導電層形成工程を説明するための略図的断面図である。
【図10】比較例における第2の導電層形成工程を説明するための略図的断面図である。
【図11】第2の実施形態における弾性表面波装置の略図的断面図である。
【図12】第2の実施形態における第1のマスク配置工程を説明するための略図的断面図である。
【図13】第2の実施形態における溝形成工程を説明するための略図的断面図である。
【図14】第2の実施形態における第1の導電層形成工程を説明するための略図的断面図である。
【図15】第2の実施形態における第1の除去工程を説明するための略図的断面図である。
【図16】第2の実施形態における第2のマスク配置工程を説明するための略図的断面図である。
【図17】第2の実施形態における第2の導電層形成工程を説明するための略図的断面図である。
【図18】第1の変形例における弾性境界波装置の略図的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0014】
以下、本発明を実施した好ましい形態について説明する。但し、以下の実施形態は単なる例示である。本発明は、以下の実施形態に何ら限定されない。
【0015】
(第1の実施形態)
(弾性表面波装置1の構成)
図1は、第1の実施形態における弾性表面波装置の略図的平面図である。図2は、図1の線II−IIにおける略図的断面図である。まず、図1及び図2を参照しながら、本実施形態において製造する弾性表面波装置1の構成について説明する。
【0016】
図1及び図2に示すように、弾性表面波装置1は、圧電基板10を備えている。圧電基板10は、適宜の圧電材料からなる。圧電基板10は、例えば、LiNbO3、LiTaO3、水晶、ZnOなどにより形成することができる。
【0017】
圧電基板10の上には、IDT電極11と、一対のグレーティング反射器12,13が形成されている。グレーティング反射器12,13は、IDT電極11の弾性波伝搬方向両側に配置されている。
【0018】
図2に示すように、IDT電極11及び反射器12,13は、第1及び第2の導電層11a、11bを含む複数の導電層の積層体により構成されている。具体的には、本実施形態では、IDT電極11及び反射器12,13は、第1及び第2の導電層11a、11bの積層体により構成されている。もっとも、本発明においては、第1及び第2の導電層を含む3層以上の導電層の積層体によりIDT電極が構成されていてもよい。
【0019】
本実施形態では、第2の導電層11bは、第1の導電層11aの上面及び側面を覆うように形成されている。もっとも、本発明においては、第2の導電層は、第1の導電層の上にのみ形成されていてもよいし、第1の導電層の上面及び側面を覆うように形成されていてもよい。
【0020】
第1及び第2の導電層11a、11bは、適宜の導電材料からなる。第1及び第2の導電層11a、11bは、例えば、Al,Pt,Au,Ag,Cu,Ni及びPdからなる群から選ばれた金属、もしくは、Al,Pt,Au,Ag,Cu,Ni及びPdからなる群から選ばれた一種以上の金属を含む合金により形成することができる。なお、第1及び第2の導電層11a、11bは、互いに同じ材料からなるものであってもよいし、互いに異なる材料からなるものであってもよい。
【0021】
(弾性表面波装置1の製造方法)
次に、本実施形態における弾性表面波装置1の製造方法について説明する。
【0022】
まず、図3に示すように、圧電基板10の上に、第1のマスク21を配置する(第1のマスク配置工程)。第1のマスク21は、例えば、レジストなどにより形成することができる。
【0023】
次に、図4に示すように、第1のマスク21の上から、スパッタリング法やCVD法などの適宜の薄膜形成法により、第1の導電層11aを形成する(第1の導電層形成工程)。この第1の導電層形成工程においては、圧電基板10上に第1の導電層11aが形成されると共に、第1のマスク21の上にも導電層22が形成される。このため、第1の導電層11aの形成が進行するにつれて、第1のマスク21の開口面積が徐々に小さくなっていく。従って、作成された第1の導電層11aの横断面形状は、圧電基板10から離れるに従って先細る形状となる。具体的には、第1の導電層11aの横断面形状は、例えば、略台形状となる。
【0024】
次に、図5に示すように、第1のマスク21を、溶剤などを用いて除去(リフトオフ)する(第1の除去工程)。この第1の除去工程において、第1のマスク21の上に形成されていた導電層22も除去され、圧電基板10の上に第1の導電層11aが残された状態となる。
【0025】
なお、上述の第1の導電層形成工程を長期間にわたって行った場合、圧電基板10上の第1の導電層11aと、第1のマスク21上の導電層22とが繋がってしまう場合がある。第1のマスク21と導電層22とが繋がってしまうとリフトオフが困難になる。従って、第1の導電層形成工程では、第1の導電層11aと導電層22とが繋がらないように成膜することが好ましい。
【0026】
次に、図6に示すように、圧電基板10上に第2のマスク23を配置する(第2のマスク配置工程)。第2のマスク23も、第1のマスク21と同様に、例えば、レジストにより形成することができる。
【0027】
次に、図7に示すように、第2のマスク23の上から、スパッタリング法やCVD法などの適宜の薄膜形成法により、第2の導電層11bを形成する(第2の導電層形成工程)。この第2の導電層形成工程においては、圧電基板10上に第2の導電層11bが形成されると共に、第2のマスク23の上にも導電層24が形成される。このため、第2の導電層11bの形成が進行するにつれて、第2のマスク23の開口面積が徐々に小さくなって行く。従って、作成された第2の導電層11bの横断面形状も、第1の導電層11aの横断面形状と同様に、圧電基板10から離れるに従って先細る形状となる。
【0028】
最後に、第2のマスク23を、溶剤などを用いて除去(リフトオフ)する(第2の除去工程)。この第2の除去工程において、第2のマスク23の上に形成されていた導電層24も除去され、図1及び図2に示す弾性表面波装置1が完成する。
【0029】
なお、この第2の除去工程において、リフトオフが困難とならないように、第2の導電層形成工程においては、第1の導電層形成工程と同様に、第2の導電層11bと導電層24とが繋がらないように成膜することが好ましい。
【0030】
ところで、本実施形態のように、IDT電極を複数の導電層の積層体により構成する場合、マスクの配置及び除去工程の数量を少なくするために、通常は、共通のマスクを用いて複数の導電層を成膜する。具体的には、まず、図8に示すように、圧電基板110の上にマスク121を形成する。その後、図9及び図10に示すように、マスク121の上から、第1の導電層111aと、第2の導電層111bとを連続して形成する。
【0031】
しかしながら、この場合は、第1の導電層111aの形成工程と、第2の導電層111bの形成工程とのそれぞれにおいて、マスク121の上に導電層122,124が堆積する。導電層122,124が堆積するにつれて、マスク121の開口面積が加速度的に小さくなって行く。このため、第2の導電層111b、特に第2の導電層111bの上部は幅狭となってしまう。よって、横断面積が大きな第2の導電層111bを形成し、IDT電極を低抵抗にすることは困難である。
【0032】
それに対して本実施形態では、上述のように、第1の導電層11aの形成に用いた第1のマスク21を除去し、新たな第2のマスク23を用いて第2の導電層11bを形成する。このため、第2の導電層11bを幅広に形成することができる。よって、横断面積が大きく、電気抵抗が低いIDT電極を形成することができる。
【0033】
また、第1の導電層11aの形成と、第2の導電層11bの形成とに異なるマスク21,23を用いることにより、第2の導電層11bを厚く付けた場合であっても、マスク上の導電層と、第2の導電層11bとが繋がりにくくなる。従って、第2の導電層11bを厚く付けた場合であっても、リフトオフ可能である。すなわち、本実施形態の弾性表面波装置の製造方法によれば、第2の導電層11bを厚く付けることが可能である。従って、より電気抵抗が低いIDT電極を形成することができる。
【0034】
以下、本発明を実施した好ましい形態の他の例や変形例について説明する。以下の説明において、上記第1の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。
【0035】
(第2の実施形態)
図11は、第2の実施形態における弾性表面波装置の略図的断面図である。
【0036】
上記第1の実施形態では、圧電基板10の平坦な表面の上にIDT電極11及び反射器12,13が形成されている例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。
【0037】
図11に示すように、本実施形態では、圧電基板10の表面に溝10aが形成されている。そして、その溝10a内に第1の導電層11aが形成されている。本実施形態では、具体的には、溝10aは、第1の導電層11aにより埋められており、第2の導電層11bは、溝10aの外に形成されている。
【0038】
本実施形態においても、まず、図12に示すように、第1のマスク配置工程を行う。この本実施形態における第1のマスク配置工程は、上記第1の実施形態における第1のマスク配置工程と実質的に同様である。
【0039】
次に、本実施形態では、図13に示すように、第1のマスク21の上から圧電基板10をエッチングすることにより、圧電基板10の表面に溝10aを形成する。圧電基板10のエッチング方法は、特に限定されないが、例えば、CF4,CHF3,BCl3,NH3,Ar,Xe,O2,CO2,等のガスを用いるドライエッチングにより行うことができる。
【0040】
次に、図14に示すように、溝10aの形成にも用いた第1のマスク21を用いて、第1の導電層11aを形成する(第1の導電層形成工程)。この本実施形態における第1の導電層形成工程は、上記第1の実施形態における第1の導電層形成工程と実質的に同様である。
【0041】
次に、図15に示す、第1のマスク21と、第1のマスク21の上に形成されていた導電層22とを除去する第1の除去工程、図16に示す第2のマスク形成工程、図17に示す第2の導電層形成工程、及び第2の除去工程を行うことにより、弾性表面波装置を完成させる。なお、これら本実施形態における第1の除去工程、第2のマスク形成工程、第2の導電層形成工程及び第2の除去工程は、上記第1の実施形態における第1の除去工程、第2のマスク形成工程、第2の導電層形成工程及び第2の除去工程と実質的に同様である。
【0042】
以上説明したように、本実施形態でも、上記第1の実施形態と同様に、第1の導電層11aの形成と、第2の導電層11bの形成とで異なるマスクを使用する。従って、上記第1の実施形態と同様に、横断面積が大きく、電気抵抗が低いIDT電極を形成することができる。
【0043】
なお、本実施形態のように、第1のマスク21を用いて溝10aを形成する場合は、第1の導電層11aの全体が溝10a内に位置するように第1の導電層11aを形成することが好ましい。溝10aの形成に第1のマスク21を用いた場合、第1のマスク21の表面が劣化し、第1のマスク21の表面に導電層がより付着しやすくなる。このため、例えば、第1の導電層の一部が溝外に位置するように第1の導電層を形成すると、第1の導電層と、第1のマスクの上に形成された導電層とが繋がってしまい、リフトオフが困難となる場合がある。
【0044】
それに対して、本実施形態のように、第1の導電層11aの全体が溝10a内に位置するように第1の導電層11aを形成した場合は、第1の導電層11aと、第1のマスクの上に形成された導電層22とが繋がりにくい。従って、リフトオフが容易となる。
【0045】
(変形例)
上記第2の実施形態では、第1の導電層11aの形成に用いる第1のマスク21を用いて溝10aを形成する例について説明した。但し、本発明はこれに限定されない。第1及び第2のマスクとは異なるマスクを用いて溝10aを形成してもよい。この方法は、第1の導電層11aの一部が溝10a外に位置している弾性波装置の製造に好適である。
【0046】
上記第1及び第2の実施形態では、本発明を実施した好ましい形態の例について、弾性表面波装置の製造方法を例に挙げて説明した。但し、本発明はこれに限定されない。本発明は、弾性境界波を利用した弾性境界波装置の製造にも好適に適用されるものである。その場合は、図18に示すように、第2の導電層形成工程の後に、少なくとも一層の誘電体層30を形成すればよい。
【符号の説明】
【0047】
1…弾性表面波装置
10…圧電基板
10a…溝
11…IDT電極
11a…第1の導電層
11b…第2の導電層
12,13…反射器
21…第1のマスク
22,24…導電層
23…第2のマスク
30…誘電体層
【技術分野】
【0001】
本発明は、弾性波装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、弾性表面波や弾性境界波などの弾性波を利用した弾性波共振子や弾性波フィルタ装置などの弾性波装置が広く用いられるようになってきている。
【0003】
一般的に、弾性波装置は、圧電基板と、圧電基板の上に形成されており、弾性波を励振させるIDT電極とを備えている。弾性境界波装置は、IDT電極を覆うように圧電基板の上に形成された誘電体層をさらに備えており、この誘電体層によりIDT電極で励振された弾性波が閉じ込められ、弾性境界波となる。
【0004】
例えば下記の特許文献1に記載のように、IDT電極は、一般的に、フォトレジストからなるレジストマスクの上から導電層を成膜することにより形成される。具体的には、下記の特許文献1には、圧電基板の上に配置したレジストマスクの上から、下層電極膜、上層電極膜及び被覆電極膜をこの順番で形成した後に、被覆電極膜の上面のみをエッチングすることによりIDT電極を形成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開2002−26686号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、特許文献1に記載の方法では、IDT電極の形成工程において、圧電基板上に導電材料の体積が進むにつれて、レジストマスクの開口部にも導電材料が堆積していく。このため、IDT電極の形成工程において、レジストマスクの開口面積が徐々に小さくなっていく。よって、IDT電極の頂部の幅がIDT電極の底部の幅よりも小さくなってしまう。従って、横断面積が十分に大きく、電気抵抗が十分に低いIDT電極を形成することが困難であるという問題がある。
【0007】
本発明は、係る点に鑑みてなされたものであり、その目的は、IDT電極の電気抵抗が低い弾性波装置を製造し得る弾性波装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明に係る弾性波装置の製造方法は、圧電基板と、圧電基板の上に形成されており、第1及び第2の導電層を含む複数の導電層の積層体により構成されているIDT電極とを備える弾性波装置の製造方法に関する。本発明に係る弾性波装置の製造方法は、圧電基板の上に第1のマスクを配置する工程と、第1のマスクの上から第1の導電層を形成する第1の導電層形成工程と、第1の導電層形成工程の後に、第1のマスクを除去する第1の除去工程と、第1の除去工程の後に、圧電基板上に第2のマスクを配置する工程と、第2のマスクの上から第2の導電層を形成する第2の導電層形成工程とを備えている。
【0009】
本発明に係る弾性波装置の製造方法のある特定の局面では、第1の導電層形成工程の前に、溝を形成し、第1の導電層の少なくとも一部が溝の内部に位置するように第1の導電層を形成する。
【0010】
本発明に係る弾性波装置の製造方法の他の特定の局面では、第1のマスクを用いて溝を形成し、第1の導電層の全体が溝の内部に位置するように第1の導電層を形成する。この構成によれば、第1の導電層の形成に用いるマスクと溝を形成するために用いるマスクとを別個に設ける必要がない。従って、溝形成用のマスクの形成工程及び除去工程を省略することができる。従って、弾性波装置の製造が容易となる。
【0011】
本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、第1及び第2のマスクとは異なるマスクを用いて第1の導電層を形成する。この場合、第1の導電層の一部が溝の外部に位置している弾性波装置であっても好適に形成することができる。
【発明の効果】
【0012】
本発明では、第1の導電層の形成に用いた第1のマスクとは異なる第2のマスクを用いて第2の導電層を形成する。このため、第2の導電層の形成時において、マスクの開口が狭くなりすぎることを抑制できる。よって、横断面積の広い第2の導電層を形成することができる。従って、本発明によれば、IDT電極の電気抵抗が低い弾性波装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1】第1の実施形態における弾性表面波装置の略図的平面図である。
【図2】図1の線II−IIにおける略図的断面図である。
【図3】第1の実施形態における第1のマスク配置工程を説明するための略図的断面図である。
【図4】第1の実施形態における第1の導電層形成工程を説明するための略図的断面図である。
【図5】第1の実施形態における第1の除去工程を説明するための略図的断面図である。
【図6】第1の実施形態における第2のマスク配置工程を説明するための略図的断面図である。
【図7】第1の実施形態における第2の導電層形成工程を説明するための略図的断面図である。
【図8】比較例におけるマスク形成工程を説明するための略図的断面図である。
【図9】比較例における第1の導電層形成工程を説明するための略図的断面図である。
【図10】比較例における第2の導電層形成工程を説明するための略図的断面図である。
【図11】第2の実施形態における弾性表面波装置の略図的断面図である。
【図12】第2の実施形態における第1のマスク配置工程を説明するための略図的断面図である。
【図13】第2の実施形態における溝形成工程を説明するための略図的断面図である。
【図14】第2の実施形態における第1の導電層形成工程を説明するための略図的断面図である。
【図15】第2の実施形態における第1の除去工程を説明するための略図的断面図である。
【図16】第2の実施形態における第2のマスク配置工程を説明するための略図的断面図である。
【図17】第2の実施形態における第2の導電層形成工程を説明するための略図的断面図である。
【図18】第1の変形例における弾性境界波装置の略図的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0014】
以下、本発明を実施した好ましい形態について説明する。但し、以下の実施形態は単なる例示である。本発明は、以下の実施形態に何ら限定されない。
【0015】
(第1の実施形態)
(弾性表面波装置1の構成)
図1は、第1の実施形態における弾性表面波装置の略図的平面図である。図2は、図1の線II−IIにおける略図的断面図である。まず、図1及び図2を参照しながら、本実施形態において製造する弾性表面波装置1の構成について説明する。
【0016】
図1及び図2に示すように、弾性表面波装置1は、圧電基板10を備えている。圧電基板10は、適宜の圧電材料からなる。圧電基板10は、例えば、LiNbO3、LiTaO3、水晶、ZnOなどにより形成することができる。
【0017】
圧電基板10の上には、IDT電極11と、一対のグレーティング反射器12,13が形成されている。グレーティング反射器12,13は、IDT電極11の弾性波伝搬方向両側に配置されている。
【0018】
図2に示すように、IDT電極11及び反射器12,13は、第1及び第2の導電層11a、11bを含む複数の導電層の積層体により構成されている。具体的には、本実施形態では、IDT電極11及び反射器12,13は、第1及び第2の導電層11a、11bの積層体により構成されている。もっとも、本発明においては、第1及び第2の導電層を含む3層以上の導電層の積層体によりIDT電極が構成されていてもよい。
【0019】
本実施形態では、第2の導電層11bは、第1の導電層11aの上面及び側面を覆うように形成されている。もっとも、本発明においては、第2の導電層は、第1の導電層の上にのみ形成されていてもよいし、第1の導電層の上面及び側面を覆うように形成されていてもよい。
【0020】
第1及び第2の導電層11a、11bは、適宜の導電材料からなる。第1及び第2の導電層11a、11bは、例えば、Al,Pt,Au,Ag,Cu,Ni及びPdからなる群から選ばれた金属、もしくは、Al,Pt,Au,Ag,Cu,Ni及びPdからなる群から選ばれた一種以上の金属を含む合金により形成することができる。なお、第1及び第2の導電層11a、11bは、互いに同じ材料からなるものであってもよいし、互いに異なる材料からなるものであってもよい。
【0021】
(弾性表面波装置1の製造方法)
次に、本実施形態における弾性表面波装置1の製造方法について説明する。
【0022】
まず、図3に示すように、圧電基板10の上に、第1のマスク21を配置する(第1のマスク配置工程)。第1のマスク21は、例えば、レジストなどにより形成することができる。
【0023】
次に、図4に示すように、第1のマスク21の上から、スパッタリング法やCVD法などの適宜の薄膜形成法により、第1の導電層11aを形成する(第1の導電層形成工程)。この第1の導電層形成工程においては、圧電基板10上に第1の導電層11aが形成されると共に、第1のマスク21の上にも導電層22が形成される。このため、第1の導電層11aの形成が進行するにつれて、第1のマスク21の開口面積が徐々に小さくなっていく。従って、作成された第1の導電層11aの横断面形状は、圧電基板10から離れるに従って先細る形状となる。具体的には、第1の導電層11aの横断面形状は、例えば、略台形状となる。
【0024】
次に、図5に示すように、第1のマスク21を、溶剤などを用いて除去(リフトオフ)する(第1の除去工程)。この第1の除去工程において、第1のマスク21の上に形成されていた導電層22も除去され、圧電基板10の上に第1の導電層11aが残された状態となる。
【0025】
なお、上述の第1の導電層形成工程を長期間にわたって行った場合、圧電基板10上の第1の導電層11aと、第1のマスク21上の導電層22とが繋がってしまう場合がある。第1のマスク21と導電層22とが繋がってしまうとリフトオフが困難になる。従って、第1の導電層形成工程では、第1の導電層11aと導電層22とが繋がらないように成膜することが好ましい。
【0026】
次に、図6に示すように、圧電基板10上に第2のマスク23を配置する(第2のマスク配置工程)。第2のマスク23も、第1のマスク21と同様に、例えば、レジストにより形成することができる。
【0027】
次に、図7に示すように、第2のマスク23の上から、スパッタリング法やCVD法などの適宜の薄膜形成法により、第2の導電層11bを形成する(第2の導電層形成工程)。この第2の導電層形成工程においては、圧電基板10上に第2の導電層11bが形成されると共に、第2のマスク23の上にも導電層24が形成される。このため、第2の導電層11bの形成が進行するにつれて、第2のマスク23の開口面積が徐々に小さくなって行く。従って、作成された第2の導電層11bの横断面形状も、第1の導電層11aの横断面形状と同様に、圧電基板10から離れるに従って先細る形状となる。
【0028】
最後に、第2のマスク23を、溶剤などを用いて除去(リフトオフ)する(第2の除去工程)。この第2の除去工程において、第2のマスク23の上に形成されていた導電層24も除去され、図1及び図2に示す弾性表面波装置1が完成する。
【0029】
なお、この第2の除去工程において、リフトオフが困難とならないように、第2の導電層形成工程においては、第1の導電層形成工程と同様に、第2の導電層11bと導電層24とが繋がらないように成膜することが好ましい。
【0030】
ところで、本実施形態のように、IDT電極を複数の導電層の積層体により構成する場合、マスクの配置及び除去工程の数量を少なくするために、通常は、共通のマスクを用いて複数の導電層を成膜する。具体的には、まず、図8に示すように、圧電基板110の上にマスク121を形成する。その後、図9及び図10に示すように、マスク121の上から、第1の導電層111aと、第2の導電層111bとを連続して形成する。
【0031】
しかしながら、この場合は、第1の導電層111aの形成工程と、第2の導電層111bの形成工程とのそれぞれにおいて、マスク121の上に導電層122,124が堆積する。導電層122,124が堆積するにつれて、マスク121の開口面積が加速度的に小さくなって行く。このため、第2の導電層111b、特に第2の導電層111bの上部は幅狭となってしまう。よって、横断面積が大きな第2の導電層111bを形成し、IDT電極を低抵抗にすることは困難である。
【0032】
それに対して本実施形態では、上述のように、第1の導電層11aの形成に用いた第1のマスク21を除去し、新たな第2のマスク23を用いて第2の導電層11bを形成する。このため、第2の導電層11bを幅広に形成することができる。よって、横断面積が大きく、電気抵抗が低いIDT電極を形成することができる。
【0033】
また、第1の導電層11aの形成と、第2の導電層11bの形成とに異なるマスク21,23を用いることにより、第2の導電層11bを厚く付けた場合であっても、マスク上の導電層と、第2の導電層11bとが繋がりにくくなる。従って、第2の導電層11bを厚く付けた場合であっても、リフトオフ可能である。すなわち、本実施形態の弾性表面波装置の製造方法によれば、第2の導電層11bを厚く付けることが可能である。従って、より電気抵抗が低いIDT電極を形成することができる。
【0034】
以下、本発明を実施した好ましい形態の他の例や変形例について説明する。以下の説明において、上記第1の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。
【0035】
(第2の実施形態)
図11は、第2の実施形態における弾性表面波装置の略図的断面図である。
【0036】
上記第1の実施形態では、圧電基板10の平坦な表面の上にIDT電極11及び反射器12,13が形成されている例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。
【0037】
図11に示すように、本実施形態では、圧電基板10の表面に溝10aが形成されている。そして、その溝10a内に第1の導電層11aが形成されている。本実施形態では、具体的には、溝10aは、第1の導電層11aにより埋められており、第2の導電層11bは、溝10aの外に形成されている。
【0038】
本実施形態においても、まず、図12に示すように、第1のマスク配置工程を行う。この本実施形態における第1のマスク配置工程は、上記第1の実施形態における第1のマスク配置工程と実質的に同様である。
【0039】
次に、本実施形態では、図13に示すように、第1のマスク21の上から圧電基板10をエッチングすることにより、圧電基板10の表面に溝10aを形成する。圧電基板10のエッチング方法は、特に限定されないが、例えば、CF4,CHF3,BCl3,NH3,Ar,Xe,O2,CO2,等のガスを用いるドライエッチングにより行うことができる。
【0040】
次に、図14に示すように、溝10aの形成にも用いた第1のマスク21を用いて、第1の導電層11aを形成する(第1の導電層形成工程)。この本実施形態における第1の導電層形成工程は、上記第1の実施形態における第1の導電層形成工程と実質的に同様である。
【0041】
次に、図15に示す、第1のマスク21と、第1のマスク21の上に形成されていた導電層22とを除去する第1の除去工程、図16に示す第2のマスク形成工程、図17に示す第2の導電層形成工程、及び第2の除去工程を行うことにより、弾性表面波装置を完成させる。なお、これら本実施形態における第1の除去工程、第2のマスク形成工程、第2の導電層形成工程及び第2の除去工程は、上記第1の実施形態における第1の除去工程、第2のマスク形成工程、第2の導電層形成工程及び第2の除去工程と実質的に同様である。
【0042】
以上説明したように、本実施形態でも、上記第1の実施形態と同様に、第1の導電層11aの形成と、第2の導電層11bの形成とで異なるマスクを使用する。従って、上記第1の実施形態と同様に、横断面積が大きく、電気抵抗が低いIDT電極を形成することができる。
【0043】
なお、本実施形態のように、第1のマスク21を用いて溝10aを形成する場合は、第1の導電層11aの全体が溝10a内に位置するように第1の導電層11aを形成することが好ましい。溝10aの形成に第1のマスク21を用いた場合、第1のマスク21の表面が劣化し、第1のマスク21の表面に導電層がより付着しやすくなる。このため、例えば、第1の導電層の一部が溝外に位置するように第1の導電層を形成すると、第1の導電層と、第1のマスクの上に形成された導電層とが繋がってしまい、リフトオフが困難となる場合がある。
【0044】
それに対して、本実施形態のように、第1の導電層11aの全体が溝10a内に位置するように第1の導電層11aを形成した場合は、第1の導電層11aと、第1のマスクの上に形成された導電層22とが繋がりにくい。従って、リフトオフが容易となる。
【0045】
(変形例)
上記第2の実施形態では、第1の導電層11aの形成に用いる第1のマスク21を用いて溝10aを形成する例について説明した。但し、本発明はこれに限定されない。第1及び第2のマスクとは異なるマスクを用いて溝10aを形成してもよい。この方法は、第1の導電層11aの一部が溝10a外に位置している弾性波装置の製造に好適である。
【0046】
上記第1及び第2の実施形態では、本発明を実施した好ましい形態の例について、弾性表面波装置の製造方法を例に挙げて説明した。但し、本発明はこれに限定されない。本発明は、弾性境界波を利用した弾性境界波装置の製造にも好適に適用されるものである。その場合は、図18に示すように、第2の導電層形成工程の後に、少なくとも一層の誘電体層30を形成すればよい。
【符号の説明】
【0047】
1…弾性表面波装置
10…圧電基板
10a…溝
11…IDT電極
11a…第1の導電層
11b…第2の導電層
12,13…反射器
21…第1のマスク
22,24…導電層
23…第2のマスク
30…誘電体層
【特許請求の範囲】
【請求項1】
圧電基板と、前記圧電基板の上に形成されており、第1及び第2の導電層を含む複数の導電層の積層体により構成されているIDT電極とを備える弾性波装置の製造方法であって、
前記圧電基板の上に第1のマスクを配置する工程と、
前記第1のマスクの上から前記第1の導電層を形成する第1の導電層形成工程と、
前記第1の導電層形成工程の後に、前記第1のマスクを除去する第1の除去工程と、
前記第1の除去工程の後に、前記圧電基板上に第2のマスクを配置する工程と、
前記第2のマスクの上から前記第2の導電層を形成する第2の導電層形成工程と、
を備える弾性波装置の製造方法。
【請求項2】
前記第1の導電層形成工程の前に、溝を形成する工程をさらに備え、
前記第1の導電層の少なくとも一部が前記溝の内部に位置するように前記第1の導電層を形成する、請求項1に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項3】
前記第1のマスクを用いて前記溝を形成し、
前記第1の導電層の全体が前記溝の内部に位置するように前記第1の導電層を形成する、請求項2に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項4】
前記第1及び第2のマスクとは異なるマスクを用いて前記第1の導電層を形成する、請求項2に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項1】
圧電基板と、前記圧電基板の上に形成されており、第1及び第2の導電層を含む複数の導電層の積層体により構成されているIDT電極とを備える弾性波装置の製造方法であって、
前記圧電基板の上に第1のマスクを配置する工程と、
前記第1のマスクの上から前記第1の導電層を形成する第1の導電層形成工程と、
前記第1の導電層形成工程の後に、前記第1のマスクを除去する第1の除去工程と、
前記第1の除去工程の後に、前記圧電基板上に第2のマスクを配置する工程と、
前記第2のマスクの上から前記第2の導電層を形成する第2の導電層形成工程と、
を備える弾性波装置の製造方法。
【請求項2】
前記第1の導電層形成工程の前に、溝を形成する工程をさらに備え、
前記第1の導電層の少なくとも一部が前記溝の内部に位置するように前記第1の導電層を形成する、請求項1に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項3】
前記第1のマスクを用いて前記溝を形成し、
前記第1の導電層の全体が前記溝の内部に位置するように前記第1の導電層を形成する、請求項2に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項4】
前記第1及び第2のマスクとは異なるマスクを用いて前記第1の導電層を形成する、請求項2に記載の弾性波装置の製造方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【公開番号】特開2012−34180(P2012−34180A)
【公開日】平成24年2月16日(2012.2.16)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−171813(P2010−171813)
【出願日】平成22年7月30日(2010.7.30)
【出願人】(000006231)株式会社村田製作所 (3,635)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成24年2月16日(2012.2.16)
【国際特許分類】
【出願日】平成22年7月30日(2010.7.30)
【出願人】(000006231)株式会社村田製作所 (3,635)
【Fターム(参考)】
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