【課題】溝形成時の圧電基板の削り屑の付着による特性の劣化や、ＩＤＴ電極の損傷が生じ難い、ＩＤＴ電極の電極指間に溝が形成されている弾性波装置の製造方法を得る。
【解決手段】ＬｉＴａＯ_３基板２などからなる圧電基板の上面２ａに溝２ｂが形成されるべき第１の領域以外の第２の領域を覆うように第１のレジストパターン４を形成し、第１の領域に溝２ｂを形成し、第１のレジストパターン４を除去するとともに、削り屑２ｃを除去して、溝２ｂが形成されているＬｉＴａＯ_３基板２を得、溝２ｂを形成した後にＩＤＴ電極５Ｂを形成する、弾性波装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 帯域外特性を改善できる弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】 ＳＡＷフィルタを２組備えた共振型フィルタを備え、１組目のＳＡＷフィルタに形成される複数のグランド電極７ａ，７ｂをパッケージ４０の第１のグランド電極パッド３０ａにワイヤー１２ａ，１２ｂで接続し、２組目のＳＡＷフィルタに形成される複数のグランド電極８ａ，８ｂをパッケージ４０の第２のグランド電極パッド３０ｃにワイヤー１２ｃ，１２ｄで接続し、第１、第２のグランド電極パッド３０ａ，３０ｃが、スルーホールで導通して下層の共通グランド電極に接続し、各組のグランド電極のパターンを、接続するグランド電極パッド側に近づけるよう引き出した形状とした弾性表面波デバイスである。 （もっと読む）

【課題】メアンダ構造のＩＤＴ電極を入力側電極及び出力側電極の少なくとも一方として用いると共に通過域よりも低域側及び高域側に各々減衰域を設けたバンドパス型の弾性波フィルタにおいて、減衰域にて良好な減衰特性を持つフィルタを提供する。
【解決手段】入力側ＩＤＴ電極１２及び出力側ＩＤＴ電極として、入力ポート２１や出力ポートと接地ポート２３との間に複数のＩＤＴブロック１を互いに直列に接続したメアンダ構造の電極を各々配置すると共に、互いに隣接するＩＤＴブロック１、１間において電極指１７を取り除いて、不要な弾性波が励振することを抑える。 （もっと読む）

【課題】Ｑ値を向上させ、弾性表面波共振子の小型化を可能とする。
【解決手段】水晶基板上に弾性表面波を励振する電極指を有するＩＤＴが設けられた弾性表面波共振子において、ＩＤＴは、中央部に配置された第１領域と、第１領域の両側に配置された第２領域および第３領域とを備え、第１領域では周波数が一定であり、第２領域および第３領域ではＩＤＴの端部に近づくに従い周波数が順次低くなる部分を含み、第１領域における周波数をＦａ、第２領域における端部の周波数をＦｂ_M、第３領域における端部の周波数をＦｃ_N、としたとき、０．９８１５＜Ｆｂ_M／Ｆａ＜０．９９５３、かつ、０．９８１５＜Ｆｃ_N／Ｆａ＜０．９９５３、である。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴの電極指の対数が異なる複数の弾性波共振子を直列腕共振子として有するラダー型フィルタにおいて、通過帯域高域側減衰量を大きくすることを可能とするラダー型フィルタを得る。
【解決手段】弾性波共振子Ｓ１〜Ｓ９からなる複数の直列腕共振子と弾性波共振子Ｐ１〜Ｐ６を有する複数の並列腕共振子を有するラダー型フィルタであって、少なくとも１つの弾性波共振子Ｓ５のＩＤＴの電極指の対数及び電極指ピッチが、残りの少なくとも１つの弾性波共振子Ｓ６のＩＤＴの電極指の対数及び電極指ピッチと異なっている、ラダー型フィルタ１。 （もっと読む）

【課題】 ワイヤボンディングの位置合わせを容易にし、電気的特性のばらつきを抑え、信頼性を向上させることができる弾性表面波素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 入力櫛形電極１が接続されるバスバー部３１，３２と、出力櫛形電極２が接続されるバスバー部３３，３４の長辺上に、電気的接続位置を示す指定パターン４１を形成した弾性表面波素子であり、また、凸形状又は凹形状の指定パターン４１をバスバー部と同時にパターニングして形成する弾性表面波素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】整合回路を内蔵した小型の圧電発振器または送信機を提供する。
【解決手段】ＩＣチップ４０とＳＡＷ共振子１０とがパッケージ２９内に気密に収容されたＳＡＷ発振器１であって、ＳＡＷ共振子１０は、圧電基板１１及び圧電基板１１の表面に形成されたＩＤＴ電極１２を有し、ＩＣチップ４０は、ＳＡＷ共振子１０を発振させる発振回路が形成されるとともに一方の主面４３側に突部４６が形成され、突部４６の上面４６ａにＳＡＷ共振子１０が接着剤９７を介して固定され、突部４６は、ＩＣチップ４０の一方の主面４３側に形成された第１の絶縁膜４２と、第１の絶縁膜４２上に形成され、発振回路に接続される伸張コイル６０と、第１の絶縁膜４２上に形成され、伸張コイル６０を覆う第２の絶縁膜５０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極形成に際してマスクとなるレジストパターンを高精度に形成することを可能とする電極構造を有する弾性波装置を提供する。
【解決手段】圧電基板２上にバスバー３ａ，３ｂを有するＩＤＴ電極である第１の電極３と、第１の電極３に弾性波伝搬方向において並設された第２の電極６とを有し、第１の電極３のバスバー３ａ，３ｂと、第２の電極６のバスバー６ａ，６ｂとがギャップを介して隣り合っている部分のうち少なくとも一つの部分において、ギャップ内またはギャップよりも弾性波伝搬方向と直交する方向において外側に、相手側のバスバー側に向かって突出する突出部１１が設けられている、弾性波装置１。 （もっと読む）

【課題】不要な寄生容量を減少し、圧電基板や支持基板へのダメージが抑制され、かつ、圧電基板材料の選択の自由度が高い電子部品の製造方法および電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品の製造方法は、圧電基板２００Ａに所定の幅および所定の深さを有する溝２１０Ａを形成する工程と、溝２１０Ａの開口が支持基板１００と対向するように、圧電基板２００Ａを支持基板１００に貼り合わせる工程と、支持基板１００に貼り合わせられた圧電基板２００Ａの厚みを減じる方向に圧電基板２００Ａを研磨し、溝２１０Ａが形成された部分において支持基板１００を露出させる工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】優れた信頼性を有する弾性波装置を提供する。
【解決手段】弾性波装置１は、圧電基板１０と、ＩＤＴ電極２０と、パッド部２６ａ、２６ｂと、接続部２７ａ、２７ｂとを備えている。ＩＤＴ電極２０は、圧電基板１０の上に配されている。ＩＤＴ電極２０は、複数の電極指２２ａ、２２ｂ及びバスバー２３ａ、２３ｂを有し、互いに間挿し合う一対のくし歯状電極２１ａ、２１ｂからなる。接続部２７ａ、２７ｂは、ＩＤＴ電極２０とパッド部２６ａ、２６ｂとを接続している。パッド部２６ａ、２６ｂの少なくとも表層はＰｕｒｅＡｌまたはＰｕｒｅＡｕからなる。接続部の表層は、ＰｕｒｅＡｌまたはＰｕｒｅＡｕ以外の構成材料により構成されている。 （もっと読む）

【課題】この弾性波素子は良好な温度特性と電気機械結合係数とを有する。
【解決手段】弾性波素子は、圧電体と、圧電体の上面上に設けられた第１と第２のインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極と、圧電体の上面上に設けられてかつ第１のＩＤＴ電極と第２のＩＤＴ電極とを覆う第１の誘電体層とを備える。第１のＩＤＴ電極の真上方における第１の誘電体層の第１の部分の上面の圧電体の上面からの高さより、第２のＩＤＴ電極の真上方における第１の誘電体層の第２の部分の上面の圧電体の上面からの高さが高い。 （もっと読む）

【課題】発振器における小型化の推進、生産性の向上を図ることが可能で、周波数可変幅のばらつきを抑制できるＳＡＷ素子、このＳＡＷ素子を備えた発振器及び電子機器の提供。
【解決手段】ＳＡＷ素子１は、水晶基板１０と、水晶基板１０の主面１１に形成されたＩＤＴ電極２０と、水晶基板１０の主面１１に形成され、ＩＤＴ電極２０と隣り合う反射器３０，３１と、水晶基板１０の主面１１に形成されると共に、一端がＩＤＴ電極２０と接続されたスパイラルインダクター４０と、を備え、スパイラルインダクター４０は、水晶基板１０に必要な周波数可変感度を得るための定数を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特性劣化がなく、ウェハ工程にて一括に形成することができ、小型で低背な弾性表面波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】弾性表面波装置は、圧電基板１と、前記圧電基板１の一方主面の上に形成され、櫛歯状電極を少なくとも１つ備えるＩＤＴ２と、前記一方主面の上において前記ＩＤＴ２を覆うことによって前記一方主面とともに中空の収容空間７を形成する保護カバー６と、を備え、前記保護カバー６は、貫通穴１５を有し、少なくとも一部がフッ素を含む酸発生材を含有する光硬化性材料からなる。貫通孔穴１５は、保護カバー６の蓋部のうちＩＤＴ２と対向する位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 同一チップ上において異なる２つ以上の電気機械結合係数を有する弾性波デバイス及びその製造方法を提供すること
【解決手段】 圧電基板１０と、圧電基板１０上に形成された誘電体層１２と、誘電体層上に形成された第１櫛形電極２２ａ及び第２櫛形電極２２ｂと、を備え、第１櫛形電極２２ａと圧電基板１０との間における誘電体層１２ａの厚みは、第２櫛形電極２２ｂと圧電基板１０との間における誘電体層１２ｂの厚みと異なることを特徴とする弾性波デバイス及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 基板上に、高い精度で、形成不良なく電極を形成し得る電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電子部品の製造方法は、平板状の基板１を準備する基板準備工程と、基板１の主面上にレジストパターン２ａを形成するレジストパターン形成工程と、基板１の主面上のレジストパターン２ａが形成されていない部分にＩＤＴ電極４を薄膜技術により形成する電極形成工程と、レジストパターン２ａを除去するレジストパターン除去工程とを含み、電極形成工程は、基板１を、電極が形成される側の主面が凹むように反らせておこなうようにした。 （もっと読む）

【課題】基板毎に成膜の目標膜厚を設定でき、ひいては電極線幅に対応した膜厚を形成することができる成膜システム及び成膜方法を提供する。
【解決手段】基板１８上に形成された複数箇所のレジスト１９を測定する測定室１０２と、基板１８を１枚ずつ成膜して基板１８上に電極２１を形成する枚葉式成膜室１０４と、を有する成膜システム１００であって、基板１８上にて隣接するレジスト１９のレジスト間距離またはレジスト線幅を測定する測定手段１１６を測定室１０２に有し、測定手段１１６によって測定したレジスト間距離またはレジスト線幅に基づいて、基板１８から作製される電気素子が所定の周波数を得るための最適な電極膜厚を算出する制御手段１１４を有し、枚葉式成膜室１０４は、基板１８の電極膜厚が制御手段１１４で算出された最適な電極膜厚となるように、基板１８に電極を形成する成膜手段１０を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】優れたデバイス特性を有する弾性波デバイスを、優れた生産性で容易に製造することが可能な弾性波デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、第１支持基板１２の上面に圧電基板１０を接合する工程と、圧電基板１０を接合する工程の後に圧電基板１０を薄層化させて圧電層１４を形成する工程と、圧電層１４の上面に第１電極１６を形成する工程と、第１支持基板１２に第１電極１６の下方に位置する孔部２２を形成する工程と、孔部２２を形成する工程の後に第１支持基板１２の下面に第２支持基板２４を接合する工程と、を有する弾性波デバイスの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 弾性波デバイスにおけるフィルタ特性の安定及び信頼性の向上。
【解決手段】 圧電基板１０と、圧電基板１０上に形成された櫛形電極１２と、櫛形電極１２の表面にＡＬＤ法により形成された酸化アルミニウムを含む絶縁膜１６と、を備えることを特徴とする弾性波デバイス。圧電基板１０上に櫛形電極１２を形成する工程と、櫛形電極１２の表面に、ＡＬＤ法により酸化アルミニウムを含む絶縁膜１６を形成する工程と、を備えることを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。絶縁膜１６をＡＬＤ法により形成することで、フィルタ特性の安定及び信頼性の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】大型化を招くことなく、導電補助層を積層した電極部分を設けて、電気的抵抗を低めることができ、しかも電極を覆う誘電体層表面の段差や誘電体層の膜厚のばらつきを小さくすることができる、弾性波素子を提供する。
【解決手段】圧電基板１上にＩＤＴ電極３及び誘電体層１０が形成されており、ＩＤＴ電極３が、電極指６，７と、電極指６，７にそれぞれ連ねられているバスバー４，５とを有し、バスバー４，５の少なくとも一部に積層されるように導電補助層２が設けられており、該導電補助層２が、圧電基板１の上面１ａに形成された溝１ｃ，１ｄ内に埋め込まれている、弾性波素子１１。 （もっと読む）

【課題】弾性波デバイスの開発及び製造の費用を削減すると共に、その設計自由度を高める技術を提供すること。
【解決手段】ＳＡＷ共振子１１〜１６と信号路２とが同一基板上に形成される弾性波デバイスを用いたフィルタ回路において、ＳＡＷ共振子１１〜１６により決定される通過域の中心周波数の仕様は限られているが、一方で信号路２の設計により決定される阻止域の性能については要求される仕様が多様である。そこで、その形成において、高コストである精度の高いフォトマスクが必要でありまた材質や膜厚などの条件が制限されるＳＡＷ共振子１１〜１６と、ＳＡＷ共振子に比べてパターン形成における制限が緩やかな信号路２とを別々の工程により形成する。 （もっと読む）