【課題】弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタの耐熱性を向上させて耐電力性を向上させる。
【解決手段】ＳＡＷフィルタは、基板と、この基板の表面に形成されたＳＡＷ共振子９０Ｓ１と、基板の表面にＳＡＷ共振子９０Ｓ１よりも厚く形成され、そのＳＡＷ共振子９０Ｓ１と接続された接続パターン９４と、基板の表面に形成され、接続パターン９４と接続されたボンディングパッドと、このボンディングパッド上に形成されたフェースダウン接続用のバンプとを有している。又、ボンディングパッドは、ＳＡＷ共振子９０Ｓ１よりも厚く形成されている。そのため、各ＳＡＷ共振子９０Ｓ１の振動により基板に発生した熱は、厚い膜の接続パターン９４及びボンディングパッドを伝わって逃げるので、放熱効果が向上し、各ＳＡＷ共振子９０Ｓ１での温度上昇を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタの耐熱性を向上させて耐電力性を向上させる。
【解決手段】基板３５上に第１の金属膜４１を形成することにより、ＳＡＷ共振子と、このＳＡＷ共振子と接続された接続パターンと、この接続パターンと接続されたボンディングパッドとを形成する。更に、接続パターン上に第２の金属膜４３を形成する。この第２の金属膜４３を形成する工程では、第１の金属膜４１が形成された基板３５上に、接続パターン形成領域の内側の領域上に位置する第１の金属膜４１を露出するレジストパターン４２を形成する工程と、そのレジストパターン４２が形成された基板３５上に第２の金属膜４３を形成する工程と、レジストパターン４２及びこのレジストパターン４２上に形成された第２の金属膜４３を除去する工程とを有している。ＳＡＷ共振子の振動で発生した熱は、第２の金属膜４３を伝わって放熱される。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタの耐熱性を向上させて耐電力性を向上させる。
【解決手段】ＳＡＷフィルタは、基板と、この基板に形成されたＳＡＷ共振子９０Ｓ１と、接続パターン９４とを有している。ＳＡＷ共振子９０Ｓ１を構成するＩＤＴ９０ａは、第１の櫛歯状電極とこれに対向する第２の櫛歯状電極とを有し、更に、第１の櫛歯状電極の電極指が延在する方向とは直交する方向に第１の幅を有している。接続パターン９４は、第１の櫛歯状電極上に形成された第１の部分９４ａと、第１の櫛歯状電極及び第１の部分９４ａと接続された第２の部分９４ｂとを具えている。第２の部分９４ｂは、第１の櫛歯状電極の電極指が延在する方向とは直交する方向に第１の幅より狭い第２の幅を有すると共に、ＳＡＷ共振子９０Ｓ１よりも厚く形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明はＦＢＡＲおよびＳＡＷ共振器が集積された集積フィルタ（Integrated Filter）が開示される。
【解決手段】本集積フィルタは、基板と、基板の上部表面上の所定第１領域に位置する第１電極と、第１電極上に位置する第１圧電層と、第１圧電層上に位置する第２電極と、基板の上部表面上の所定第２領域に位置する第２圧電層と、第２圧電層上に位置するＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極とを含む。ＩＤＴ電極が、第２圧電層上に位置し、コーム構造で製造された第１ＩＤＴ電極と、第１ＩＤＴ電極と噛み合ったコーム構造で製造された第２ＩＤＴ電極とを含むことができ、第１圧電層および第２圧電層が同一物質で製造されることができる。これによって様々な周波数帯域で動作するフィルタを小型で製造できる。 （もっと読む）

【課題】 バンプ接合により高密度実装が可能であり、かつ水分の侵入等による特性の変動が生じ難い、信頼性に優れた弾性境界波装置を得る。
【解決手段】 圧電基板１Ａ上にＩＤＴ９が形成されており、ＩＤＴ９を覆うように絶縁膜７が積層されており、絶縁膜７上に吸音膜８が積層されており、アンダーバンプメタルを電解メッキにより形成するためのＵＢＭ下地層１３が、絶縁膜７の開口部に至っており、絶縁膜７の開口部においてＩＤＴ９とＵＢＭ下地層１３と電気的に接続している配線１２に接続されており、吸音膜８にＵＢＭ下地層１３の一部を露出している吸音膜開口部８ａが形成されており、ＵＢＭ下地層１３が、絶縁膜７と吸音膜８との境界において給電ライン１４に接続されており、該給電ラインから電流を通電することによりＵＢＭ下地層１３上にＵＢＭが電解メッキにより形成されている、弾性境界波装置６。 （もっと読む）

【課題】 ダイシングに際しての層間剥離やチッピングが生じ難い弾性境界波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 圧電材料からなる母基板１上に、複数の弾性境界波装置２を構成するための複数のＩＤＴ５を形成し、ダイシングされる領域の少なくとも一部において、層間剥離防止用金属パターン７を形成し、ＩＤＴ及び層間剥離防止用金属パターン７が形成された後に、絶縁膜１０を形成し、しかる後、ダイシング領域においてウェハ１をダイシングし、弾性境界波装置２を取り出す、各工程を備える、弾性境界波装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 耐電力性が大きく、挿入損失が小さい弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】 この弾性表面波素子では、タンタル酸リチウムからなる圧電基板１上に、一対の簾状の電極２および３が、それぞれの電極指２ａおよび３ａが等間隔で交互に配列するように配置されている。また、電極２および３の両側には、格子状の電極４ａおよび５ａを有する反射器４および５が形成されている。電極指２ａは、圧電基板１上に形成されている約２０ｎｍの膜厚を有するチタンからなる第１層１２と、第１層１２上に形成されている約３７４ｎｍの膜厚を有するアルミニウムおよび銅を含む第２層２２とから構成されている。第２層２２では、アルミニウムからなる結晶粒２２ｂは、圧電基板１表面に概ね垂直な方向に伸びた柱状構造を有し、その結晶粒界には、第１層１２の表面から電極２の表面に至るアルミニウム銅合金からなる柱状の結晶粒２２ｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 強固で信頼性の高い配線構造を有する、圧電デバイスとその製造方法を提供する。
【解決手段】 圧電素子が形成された素子基板１１には、圧電素子の周囲に空間を残して圧電素子の周囲を覆うように、絶縁部材２０，２２が配置される。素子基板１１は、圧電素子の複数の電極にそれぞれ電気的に接続され、絶縁部材２０，２２により全部又は一部が覆われるパッド電極１３を有する。絶縁部材２０，２２は、素子基板１１とは反対側の面に形成された金属膜１４と、絶縁部材２０，２２を貫通する貫通孔と、貫通孔を介してパッド電極１３と金属膜１４とを電気的に接続する接続部材１５とを有する。接続部材１５は、パッド電極１３上から金属膜１４上まで、めっきにより金属を成長させることにより形成される。 （もっと読む）

【課題】 同一のウエハから形成した弾性表面波素子間における周波数温度特性のばらつきを小さくする。
【解決手段】 圧電体基板に設けたフォトレジストを露光するためのフォトマスクであって、フォトマスク４０は、透明基板４２に、圧電体基板に形成する電極に対応させて設けた複数の電極パターン４４（４４ａ〜４４ｃ）を有する。各電極パターン４４は、ＩＤＴ用パターン４６（４６ａ〜４６ｃ）と反射器用パターン４８（４８ａ〜４８ｃ）とからなっている。各ＩＤＴ用パターン４６を構成している電極指パターン５４（５４ａ〜５４ｃ）、５６（５６ａ〜５６ｃ）は、それぞれ電極指幅と電極指ピッチとが相互に異なっている。 （もっと読む）

ＩＤＴ電極を覆うように絶縁物層が形成されている構造を備えた弾性表面波装置であって、ＩＤＴの反射係数が十分に大きく、所望でないリップルによる特性の劣化を抑制し得る弾性表面波装置を提供する。
電気機械結合係数ｋの２乗が０．０２５以上のＬｉＮｂＯ_３からなる圧電性基板と、前記圧電性基板上に形成されており、Ａｌよりも密度の大きい金属もしくは該金属を主成分とする合金、またはＡｌよりも密度の大きい金属もしくは該金属を主成分とする合金と他の金属とからなる積層膜からなる少なくとも１つの電極と、前記少なくとも１つの電極が形成されている領域を除いた残りの領域において、前記電極と略等しい膜厚に形成された第１絶縁物層と、前記電極及び第１絶縁物層を被覆するように形成された第２絶縁物層とを備え、前記電極の密度が、前記第１絶縁物層の１．５倍以上である、弾性表面波装置。
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【課題】耐電力特性、温度特性の優れた弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】くし歯状電極部１３、１４と圧電性基板１２の間に、ＴｉＮ、またはＴｉＯｘＮｙ（ただし０＜ｘ＜０．２，ｘ＋ｙ＝１）からなる第１下地層２０、２４と、Ｃｒからなる第２下地層２１、２５を設けることにより、くし歯状電極部１３、１４に空隙部が発生することを防止でき、耐電力特性を向上させることができる。くし歯状電極部１３、１４に空隙部が発生することを防止できるとくし歯状電極部１３、１４の抵抗値の増加を抑えて電力損失を低減できる。また、直列共振周波数及び並列共振周波数の変動を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】 同一のウエハから形成した弾性表面波素子間における周波数温度特性のばらつきを小さくする。
【解決手段】 圧電体基板に設けたフォトレジストを露光するためのフォトマスクであって、フォトマスク３０は、透明基板３２に、圧電体基板に形成するすだれ状電極に対応した向きの異なる同一の電極パターン３４（３４ａ〜３４ｃ）が設けてある。これら電極パターン３４は、圧電体基板の位置による弾性表面波素子の周波数温度特性のばらつきに応じて、フォトレジストを露光する際に使い分ける。 （もっと読む）

【課題】本発明は、弾性表面波デバイスに関して、耐電力特性を備えた弾性表面波デバイスの挿入損失を向上させることを目的とする。
【解決手段】本発明は、特に、弾性表面波デバイスを構成する複数の弾性表面波共振器２，４のうち少なくとも一つの弾性表面波共振器２の電極構造を他の弾性表面波共振器４を構成する電極構造と積層数を異ならせた構造としたことにより、耐電力特性を備えた弾性表面波デバイスにおける挿入損失を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】電気機械結合係数が大きく、周波数温度特性が良いとともに、特に耐電力性が高く、大きな電力を印加しても電極が劣化しない複合圧電基板を提供する。
【解決手段】圧電基板と支持基板とを貼り合せて形成された複合圧電基板であって、前記圧電基板の表面には弾性表面波を励振するための金属電極が形成されており、該金属電極の厚さは、漏洩弾性表面波の波長で規格化した値で０．０４以上であり、前記支持基板と前記圧電基板とは接着剤を介して又は直接的に接合されたものであることを特徴とする複合圧電基板。 （もっと読む）

モノリシック電子デバイスは、基板と、基板上に形成された半絶縁圧電ＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層と、エピタキシャル層上に表面弾性波デバイスを形成する一対の入力および出力インターディジタル変換器と、基板上に形成された少なくとも１つの電子デバイス（ＨＥＭＴ、ＭＥＳＦＥＴ、ＪＦＥＴ、ＭＯＳＦＥＴ、フォトダイオード、ＬＥＤなど）とを含む。電子デバイスをＳＡＷデバイスから、反対にＳＡＷデバイスを電子デバイスから電気的かつ音響的に分離するための分離手段が開示される。いくつかの実施形態ではＳＡＷデバイスと電子デバイスとの間にトレンチが形成される。さらに、その上にＳＡＷデバイスを製造することができる半絶縁ＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層を形成するためのイオン注入が開示される。インターディジタル変換器に隣接した吸収および／または反射部品が、ＳＡＷデバイスの動作を妨害する可能性がある不要な反射を低減させる。
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【課題】櫛形電極を覆うように絶縁膜が形成された弾性波デバイスの損失を低減する。
【解決手段】圧電性基板１０上の所定方向において間隔が空けられた電極指形成領域１６の間の領域１８にＳｉＯ₂膜１４ａを形成する。ＳｉＯ₂膜１４ａの形成後は、電極指形成領域１６に各電極指１２ａを形成する。各電極指１２ａの形成後は、各電極指１２ａ上及びその間のＳｉＯ₂膜１４ａ上にＳｉＯ₂膜１４ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】 小型化に適した構造をもつ弾性表面波チップと弾性表面波装置ならびに効率よい保護膜形成手段を含む弾性表面波装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 圧電基板の一面にすだれ状電極３３を形成した弾性表面波チップ３１であって、前記すだれ状電極が、前記圧電基板３２の外周まで延長され、該延長された電極パターンの少なくとも一部でなる保護膜形成用パターン７１を備える例を含み、前記圧電基板の外周に、前記すだれ状電極が対となるように、電極パターンを分離するための分離部３５を、前記圧電基板の外周に達するように設けた弾性表面波チップおよび弾性表面波装置ならびに弾性表面波装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 膜パターンを形成する材料が無駄に消費されることを抑制できると共に、後工程において、不良品を良品と区別し易くすることができる、膜パターン形成方法、弾性表面波デバイスの製造方法、及び液滴吐出装置、並びに弾性表面波デバイス、弾性表面波発振装置、及び電子機器を実現する。
【解決手段】 本発明による膜パターン形成方法、弾性表面波デバイスの製造方法、及び液滴吐出装置は、ウェハ５１上に形成されたＳＡＷパターン５２の接続電極面に向けてレジスト膜材料の液滴を吐出することで、レジスト膜８３を形成する際に、不良であるＳＡＷパターン５２が形成された区画においては、レジスト膜８３を形成しない、又は不良マークを形成する。弾性表面波発振装置は、当該方法、製造方法、又は液滴吐出装置を用いて製造された弾性表面波デバイスを備え、電子機器は、当該弾性表面波発振装置を備える。 （もっと読む）

【課題】 非処理領域を覆う膜パターンを形成するための液滴の一部分が、処理対象領域に付着することを抑制できる、膜パターン形成方法、及び弾性表面波デバイスの製造方法、並びに弾性表面波デバイス、弾性表面波発振装置、及び電子機器を実現する。
【解決手段】 本発明による膜パターン形成方法及び弾性表面波デバイスの製造方法は、移動方向の変更を伴わない連続する相対的移動の間に、吐出ノズル４からウェハ１に向けて陽極酸化レジスト膜材料の液滴吐出を実行する吐出走査工程において、吐出ノズル４を塗布禁止領域であるＩＤＴ４４に対向させないことを特徴とする。弾性表面波発振装置は、当該方法で製造された弾性表面波デバイスを備え、電子機器は、当該弾性表面波波発振装置を備える。 （もっと読む）

【課題】 ＳＡＷデバイスをより薄型化し、簡単な構造でＩＤＴ電極と外部電極との電気的導通性を確保しかつ確実に気密に封止する。
【解決手段】 ＳＡＷデバイス１は、圧電基板４にＩＤＴ電極５、それから引き出した取出電極８、及び圧電基板の全周辺に沿って金属接合部９を設けたＳＡＷチップ２と、ガラス基板１０に取出電極８に対応する貫通孔１１、ガラス基板下面の全周辺に沿って金属接合部１３及び貫通孔の開口周辺に接続電極１２を設けたカバー３とを備える。ＳＡＷチップの金属接合部及び取出電極とカバーの金属接合部及び接続電極とをそれぞれ熱圧着で接合し、ＳＡＷチップとカバー間の空隙にＩＤＴ電極を気密に封止する。貫通孔内に形成した金属膜１４及び封止材１６でガラス基板上面の外部電極１５とＩＤＴ電極とを電気的に接続する。カバー上面には、外部電極と重なる位置に凹部１８を形成する。 （もっと読む）