情報記憶媒体、再生方法、再生装置、記録方法、記録装置、記録材料及び材料
【課題】本発明は620nm以下の波長の光で記録/再生できる有機色素材料を用いた記憶媒体、及びそれを用いる記録方法,記録装置を提供することである。
【解決手段】一般的な有機色素材料の吸収分光特性の影響で620nmよりも短い波長の光では大幅に光吸収率が低下して記録感度が下がる。記録された部分(記録マーク)内で非記録部分より反射率が上がる“L→H”有機色素記録材料を採用する事で、電子結合の分離による脱色作用を用いた記録マークの形成により基板変形を不要とし、記録感度が向上する。
【解決手段】一般的な有機色素材料の吸収分光特性の影響で620nmよりも短い波長の光では大幅に光吸収率が低下して記録感度が下がる。記録された部分(記録マーク)内で非記録部分より反射率が上がる“L→H”有機色素記録材料を採用する事で、電子結合の分離による脱色作用を用いた記録マークの形成により基板変形を不要とし、記録感度が向上する。
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【特許請求の範囲】
【請求項1】
光反射層と、
前記光反射層の上に形成される記録層と、
前記記録層の上に形成される透明層とを具備し、
波長405nmの光で情報が記録可能であり、光が前記透明層を介して前記記録層に入射される構造を有し、L→H特性を持ち、
前記記録層はアゾ金属錯体を含み、
前記記録層における未記録領域での特性として極大吸収波長が405nmよりも長く、355nmでの光吸収量が前記極大吸収波長での光吸収量の40%以上となることを特徴とする情報記憶媒体。
【請求項2】
光反射層と、
前記光反射層の上に形成される記録層と、
前記記録層の上に形成される透明層とを具備し、
波長405nmの光で情報が記録可能であり、光が前記透明層を介して前記記録層に入射される構造を有し、L→H特性を持ち、
前記記録層はアゾ金属錯体を含み、
前記記録層における未記録領域での特性として極大吸収波長が405nmよりも長く、355nmでの光吸収量が前記極大吸収波長での光吸収量の40%以上となることを特徴とする情報記憶媒体に対して620nm以下の光を照射して、前記情報記憶媒体に記録された情報を再生することを特徴とする再生方法。
【請求項3】
光反射層と、
前記光反射層の上に形成される記録層と、
前記記録層の上に形成される透明層とを具備し、
波長405nmの光で情報が記録可能であり、光が前記透明層を介して前記記録層に入射される構造を有し、L→H特性を持ち、
前記記録層はアゾ金属錯体を含み、
前記記録層における未記録領域での特性として極大吸収波長が405nmよりも長く、355nmでの光吸収量が前記極大吸収波長での光吸収量の40%以上となることを特徴とする情報記憶媒体に対して620nm以下の光を照射して、前記情報記憶媒体に記録された情報を再生する手段を具備することを特徴とする再生装置。
【請求項4】
光反射層と、
前記光反射層の上に形成される記録層と、
前記記録層の上に形成される透明層とを具備し、
波長405nmの光で情報が記録可能であり、光が前記透明層を介して前記記録層に入射される構造を有し、L→H特性を持ち、
前記記録層はアゾ金属錯体を含み、
前記記録層における未記録領域での特性として極大吸収波長が405nmよりも長く、355nmでの光吸収量が前記極大吸収波長での光吸収量の40%以上となることを特徴とする情報記憶媒体に対して620nm以下の光を照射して、前記情報記憶媒体に情報を記録することを特徴とする記録方法。
【請求項5】
光反射層と、
前記光反射層の上に形成される記録層と、
前記記録層の上に形成される透明層とを具備し、
波長405nmの光で情報が記録可能であり、光が前記透明層を介して前記記録層に入射される構造を有し、L→H特性を持ち、
前記記録層はアゾ金属錯体を含み、
前記記録層における未記録領域での特性として極大吸収波長が405nmよりも長く、355nmでの光吸収量が前記極大吸収波長での光吸収量の40%以上となることを特徴とする情報記憶媒体に対して620nm以下の光を照射して、前記情報記憶媒体に情報を記録する手段を具備することを特徴とする記録装置。
【請求項6】
光反射層と、
前記光反射層の上に形成される記録層と、
前記記録層の上に形成される透明層とを具備し、
波長405nmの光で情報が記録可能であり、光が前記透明層を介して前記記録層に入射される構造を有し、L→H特性を持ち、
前記記録層はアゾ金属錯体を含む記憶媒体に用いられる記録材料であって、
前記記録層における未記録領域での特性として極大吸収波長が405nmよりも長く、355nmでの光吸収量が前記極大吸収波長での光吸収量の40%以上となることを特徴とする記録材料。
【請求項7】
光反射層と、
前記光反射層の上に形成される記録層と、
前記記録層の上に形成される透明層とを具備し、
波長405nmの光で情報が記録可能であり、光が前記透明層を介して前記記録層に入射される構造を有し、L→H特性を持ち、
前記記録層はアゾ金属錯体を含む記憶媒体に用いられる記録材料であって、
前記記録層における未記録領域での特性として極大吸収波長が405nmよりも長く、355nmでの光吸収量が前記極大吸収波長での光吸収量の40%以上であり、
波長355nmから455nmの範囲の光において未記録領域の光吸収は既記録領域の光吸収より小さいことを特徴とする記録材料。
【請求項8】
アゾ金属錯体を含み、
極大吸収波長が405nmよりも長く、355nmでの光吸収量が前記極大吸収波長での光吸収量の40%以上であり、
波長355nmから455nmの範囲の光により部分的に分子構造変化が可能であり、
波長355nmから455nmの範囲の光において前記部分的に分子構造が変化した部分の光吸収は分子構造が変化していない部分の光吸収より小さいことを特徴とする材料。
【請求項1】
光反射層と、
前記光反射層の上に形成される記録層と、
前記記録層の上に形成される透明層とを具備し、
波長405nmの光で情報が記録可能であり、光が前記透明層を介して前記記録層に入射される構造を有し、L→H特性を持ち、
前記記録層はアゾ金属錯体を含み、
前記記録層における未記録領域での特性として極大吸収波長が405nmよりも長く、355nmでの光吸収量が前記極大吸収波長での光吸収量の40%以上となることを特徴とする情報記憶媒体。
【請求項2】
光反射層と、
前記光反射層の上に形成される記録層と、
前記記録層の上に形成される透明層とを具備し、
波長405nmの光で情報が記録可能であり、光が前記透明層を介して前記記録層に入射される構造を有し、L→H特性を持ち、
前記記録層はアゾ金属錯体を含み、
前記記録層における未記録領域での特性として極大吸収波長が405nmよりも長く、355nmでの光吸収量が前記極大吸収波長での光吸収量の40%以上となることを特徴とする情報記憶媒体に対して620nm以下の光を照射して、前記情報記憶媒体に記録された情報を再生することを特徴とする再生方法。
【請求項3】
光反射層と、
前記光反射層の上に形成される記録層と、
前記記録層の上に形成される透明層とを具備し、
波長405nmの光で情報が記録可能であり、光が前記透明層を介して前記記録層に入射される構造を有し、L→H特性を持ち、
前記記録層はアゾ金属錯体を含み、
前記記録層における未記録領域での特性として極大吸収波長が405nmよりも長く、355nmでの光吸収量が前記極大吸収波長での光吸収量の40%以上となることを特徴とする情報記憶媒体に対して620nm以下の光を照射して、前記情報記憶媒体に記録された情報を再生する手段を具備することを特徴とする再生装置。
【請求項4】
光反射層と、
前記光反射層の上に形成される記録層と、
前記記録層の上に形成される透明層とを具備し、
波長405nmの光で情報が記録可能であり、光が前記透明層を介して前記記録層に入射される構造を有し、L→H特性を持ち、
前記記録層はアゾ金属錯体を含み、
前記記録層における未記録領域での特性として極大吸収波長が405nmよりも長く、355nmでの光吸収量が前記極大吸収波長での光吸収量の40%以上となることを特徴とする情報記憶媒体に対して620nm以下の光を照射して、前記情報記憶媒体に情報を記録することを特徴とする記録方法。
【請求項5】
光反射層と、
前記光反射層の上に形成される記録層と、
前記記録層の上に形成される透明層とを具備し、
波長405nmの光で情報が記録可能であり、光が前記透明層を介して前記記録層に入射される構造を有し、L→H特性を持ち、
前記記録層はアゾ金属錯体を含み、
前記記録層における未記録領域での特性として極大吸収波長が405nmよりも長く、355nmでの光吸収量が前記極大吸収波長での光吸収量の40%以上となることを特徴とする情報記憶媒体に対して620nm以下の光を照射して、前記情報記憶媒体に情報を記録する手段を具備することを特徴とする記録装置。
【請求項6】
光反射層と、
前記光反射層の上に形成される記録層と、
前記記録層の上に形成される透明層とを具備し、
波長405nmの光で情報が記録可能であり、光が前記透明層を介して前記記録層に入射される構造を有し、L→H特性を持ち、
前記記録層はアゾ金属錯体を含む記憶媒体に用いられる記録材料であって、
前記記録層における未記録領域での特性として極大吸収波長が405nmよりも長く、355nmでの光吸収量が前記極大吸収波長での光吸収量の40%以上となることを特徴とする記録材料。
【請求項7】
光反射層と、
前記光反射層の上に形成される記録層と、
前記記録層の上に形成される透明層とを具備し、
波長405nmの光で情報が記録可能であり、光が前記透明層を介して前記記録層に入射される構造を有し、L→H特性を持ち、
前記記録層はアゾ金属錯体を含む記憶媒体に用いられる記録材料であって、
前記記録層における未記録領域での特性として極大吸収波長が405nmよりも長く、355nmでの光吸収量が前記極大吸収波長での光吸収量の40%以上であり、
波長355nmから455nmの範囲の光において未記録領域の光吸収は既記録領域の光吸収より小さいことを特徴とする記録材料。
【請求項8】
アゾ金属錯体を含み、
極大吸収波長が405nmよりも長く、355nmでの光吸収量が前記極大吸収波長での光吸収量の40%以上であり、
波長355nmから455nmの範囲の光により部分的に分子構造変化が可能であり、
波長355nmから455nmの範囲の光において前記部分的に分子構造が変化した部分の光吸収は分子構造が変化していない部分の光吸収より小さいことを特徴とする材料。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図65】
【図66】
【図67】
【図68】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図65】
【図66】
【図67】
【図68】
【公開番号】特開2011−141946(P2011−141946A)
【公開日】平成23年7月21日(2011.7.21)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−82719(P2011−82719)
【出願日】平成23年4月4日(2011.4.4)
【分割の表示】特願2009−271961(P2009−271961)の分割
【原出願日】平成17年3月15日(2005.3.15)
【出願人】(000003078)株式会社東芝 (54,554)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成23年7月21日(2011.7.21)
【国際特許分類】
【出願日】平成23年4月4日(2011.4.4)
【分割の表示】特願2009−271961(P2009−271961)の分割
【原出願日】平成17年3月15日(2005.3.15)
【出願人】(000003078)株式会社東芝 (54,554)
【Fターム(参考)】
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