放射線画像変換パネル
【課題】耐久性を有する放射線画像変換パネルを実現する。
【解決手段】 支持体１１上に、輝尽性蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層１２を有する蛍光体シート２０を被覆する保護フィルム１３を備える放射線画像変換パネル１０において、蛍光体シートの輝尽性蛍光体層の表面と、保護フィルムの輝尽性蛍光体層側の面の少なくとも一方に、導電性膜（１４ａ、１４ｂ）を備える構成にし、輝尽性蛍光体層に生じた不要な電子を、導電性膜を介して排除するようにし、その電子による輝尽性蛍光体の劣化を防ぎ、耐久性を向上させるようにした。
【解決手段】 支持体１１上に、輝尽性蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層１２を有する蛍光体シート２０を被覆する保護フィルム１３を備える放射線画像変換パネル１０において、蛍光体シートの輝尽性蛍光体層の表面と、保護フィルムの輝尽性蛍光体層側の面の少なくとも一方に、導電性膜（１４ａ、１４ｂ）を備える構成にし、輝尽性蛍光体層に生じた不要な電子を、導電性膜を介して排除するようにし、その電子による輝尽性蛍光体の劣化を防ぎ、耐久性を向上させるようにした。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像変換パネルに係り、特に輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、病気診断等を目的として、Ｘ線画像に代表される放射線画像が用いられている。このような放射線画像を得るための方式として、近年においては、輝尽性蛍光体を採用した放射線画像読取方式が提案され、実用化されている。この方式においては、被写体を透過させた放射線を放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に照射して、被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させる。そして、この輝尽性蛍光体層を輝尽励起光で走査することによって蓄積させた放射線エネルギーを輝尽発光光として放出させ、光電変換手段を用いてこの輝尽発光光を画像信号に変換して、デジタル画像データとして放射線画像を得ている。
【０００３】
このような放射線画像読取方式に用いられる放射線画像変換パネルとして、支持体上に輝尽性蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層が形成されたパネルが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−２７７５９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１の場合、放射線画像変換パネルを長期使用する間に、輝尽性蛍光体がＸ線の照射を繰り返し受けることにより劣化してしまうことがあった。輝尽性蛍光体層の輝尽性蛍光体が劣化してしまうと、輝尽発光光が放出されにくくなり、放射線画像を得にくくなるという問題があった。
【０００５】
本発明の課題は、耐久性を有する放射線画像変換パネルを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
以上の課題を解決するため、請求項１記載の発明は、
支持体上に、輝尽性蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層を有する蛍光体シートと、前記蛍光体シートの前記輝尽性蛍光体層側と前記支持体側に接するように配置され、前記蛍光体シートを被覆する保護フィルムと、を備える放射線画像変換パネルであって、
前記蛍光体シートの前記輝尽性蛍光体層の表面と、前記保護フィルムの前記輝尽性蛍光体層側の面の少なくとも一方に、導電性膜を備えることを特徴とする。
【０００７】
請求項１記載の発明によれば、放射線画像変換パネルにおいて、支持体上に備えられている輝尽性蛍光体層の表面と、蛍光体シートを被覆する保護フィルムの輝尽性蛍光体層側の面の少なくとも一方には導電性膜が備えられている。
輝尽性蛍光体層の表面に導電性膜が備えられることにより、輝尽性蛍光体層の表面に導電性が付与されることとなる。同様に、蛍光体シートを被覆する保護フィルムの輝尽性蛍光体層側の面に導電性膜が備えられることにより、その導電性膜が輝尽性蛍光体層に接することで輝尽性蛍光体層の表面に導電性を付与するようになる。
そして、輝尽性蛍光体層に導電性が付与されたことにより、輝尽性蛍光体層に生じた不要な電子が、輝尽性蛍光体層から逃げやすくなる。
【０００８】
つまり、輝尽性蛍光体層に照射されたＸ線などが有するエネルギーによって励起し、輝尽性蛍光体層中に生じてしまった不要な電子が、輝尽性蛍光体層から導電性膜を介して、蛍光体シートや放射線画像変換パネルの外へ、効率的に逃げやすくなる。
そして、導電性膜によって、Ｘ線などが有するエネルギーによって励起してしまった不要な輝尽性蛍光体層中の電子を、輝尽性蛍光体層から効率的に排除することができる。
よって、この導電性膜により、不要な輝尽性蛍光体層中の電子を輝尽性蛍光体層から排除することができるので、その電子により輝尽性蛍光体層中の輝尽性蛍光体が劣化してしまうことを低減することができる。
【０００９】
このように、輝尽性蛍光体層の表面と、蛍光体シートを被覆する保護フィルムの輝尽性蛍光体層側の面の少なくとも一方には導電性膜を備えることにより、光の照射に伴い発生した電子により輝尽性蛍光体が劣化してしまうことを低減することができるので、Ｘ線などに対する耐久性を有する輝尽性蛍光体パネルとすることができる。
【００１０】
請求項２記載の発明は、請求項１に記載の放射線画像変換パネルにおいて、
前記導電性膜の表面抵抗率が、２．０×１０１０（Ω）以下であることを特徴とする。
【００１１】
請求項２記載の発明によれば、請求項１に記載の発明と同様の作用を奏するとともに、導電性膜の表面抵抗率が、２．０×１０１０（Ω）以下であるので、輝尽性蛍光体層に生じてしまった不要な電子を放射線画像変換パネルの外部へと導電性膜が伝達するように逃がしやすく、効率的に不要な電子を排除することができる。
よって、輝尽性蛍光体層中の輝尽性蛍光体の劣化を低減することができる。
そして、Ｘ線などに対する耐久性を有する輝尽性蛍光体パネルとすることができる。
【００１２】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２に記載の放射線画像変換パネルにおいて、
前記輝尽性蛍光体は、下記一般式（１）で表される希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体であることを特徴とする。
一般式；Ｂａ（１−ｘ）Ｍ２（ｘ）ＦＢｒ（ｙ）Ｘ（１−ｙ）：ａＭ１，ｂＬｎ，ｃＯ ・・・（１）
〔式中、Ｍ２はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ及びＣｄの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属原子であり、ＸはＣｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子であり、Ｍ１はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子であり、ＬｎはＣｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｅｒ及びＹｂの各原子から選ばれる少なくとも１種の希土類原子であり、また、ｘ、ｙ、ａ、ｂ及びｃはそれぞれ０≦ｘ≦０．３、０≦ｙ≦０．３、０≦ａ≦０．０５、０＜ｂ≦０．２、０＜ｃ≦０．１の範囲の数値を表す。〕
【００１３】
請求項３記載の発明によれば、請求項１又は２に記載の発明と同様の作用を奏するとともに、輝尽性蛍光体は、一般式（１）で表される希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体である。希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系の輝尽性蛍光体は、放射線（Ｘ線）吸収率がよいので、高感度の輝尽性蛍光体層を形成することができる。よって、より画質が良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる放射線画像変換パネルとすることができる。
【００１４】
請求項４記載の発明は、請求項１〜３の何れか一項に記載の放射線画像変換パネルにおいて、
前記輝尽性蛍光体は、ＢａＦＩを母体とする輝尽性蛍光体であることを特徴とする。
【００１５】
請求項４記載の発明によれば、請求項１〜３の何れか一項に記載の発明と同様の作用を奏するとともに、輝尽性蛍光体は、ＢａＦＩを母体とする輝尽性蛍光体であるので、より高感度の輝尽性蛍光体層を形成することができる。
よって、より画質が良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる放射線画像変換パネルとすることができる。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１記載の発明によれば、放射線画像変換パネルにおいて、輝尽性蛍光体層の表面に導電性膜が備えられることにより、輝尽性蛍光体層の表面に導電性が付与されることとなる。同様に、蛍光体シートを被覆する保護フィルムの輝尽性蛍光体層側の面に導電性膜が備えられることにより、その導電性膜が輝尽性蛍光体層に接することで輝尽性蛍光体層の表面に導電性を付与するようになる。
そして、輝尽性蛍光体層に導電性が付与されたことにより、輝尽性蛍光体層に生じた不要な電子が、輝尽性蛍光体層から逃げやすくなる。
つまり、導電性膜によって、Ｘ線などが有するエネルギーによって励起してしまった不要な輝尽性蛍光体層中の電子を、輝尽性蛍光体層から効率的に排除することができる。
よって、この導電性膜により、不要な輝尽性蛍光体層中の電子を輝尽性蛍光体層から排除することができるので、その電子により輝尽性蛍光体層中の輝尽性蛍光体が劣化してしまうことを低減することができる。
従って、輝尽性蛍光体層の表面と、蛍光体シートを被覆する保護フィルムの輝尽性蛍光体層側の面の少なくとも一方には導電性膜を備えることにより、Ｘ線などの照射に伴い発生した電子により輝尽性蛍光体が劣化してしまうことを低減することができるので、Ｘ線などに対する耐久性を有する輝尽性蛍光体パネルとすることができる。
【００１７】
請求項２記載の発明によれば、請求項１に記載の発明と同様の作用を奏するとともに、導電性膜の表面抵抗率が、２．０×１０１０（Ω）以下であるので、輝尽性蛍光体層に生じてしまった不要な電子を放射線画像変換パネルの外部へと導電性膜が伝達するように逃がしやすく、効率的に不要な電子を排除することができる。
よって、輝尽性蛍光体層中の輝尽性蛍光体の劣化を低減することができる。そして、Ｘ線などに対する耐久性を有する輝尽性蛍光体パネルとすることができる。
【００１８】
請求項３記載の発明によれば、請求項１又は２に記載の発明と同様の作用を奏するとともに、輝尽性蛍光体は、一般式（１）で表される希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体である。希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系の輝尽性蛍光体は、放射線（Ｘ線）吸収率がよいので、高感度の輝尽性蛍光体層を形成することができる。よって、より画質が良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる放射線画像変換パネルとすることができる。
【００１９】
請求項４記載の発明によれば、請求項１〜３の何れか一項に記載の発明と同様の作用を奏するとともに、輝尽性蛍光体は、ＢａＦＩを母体とする輝尽性蛍光体であるので、より高感度の輝尽性蛍光体層を形成することができる。よって、より画質が良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる放射線画像変換パネルとすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
本発明にかかる放射線画像変換パネルは、被写体を透過させたＸ線などの放射線を放射線画像変換パネル内の輝尽性蛍光体層に照射して、被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させるものである。そして、この輝尽性蛍光体層を輝尽励起光で走査することによって蓄積させた放射線エネルギーを輝尽発光光として放出させ、この輝尽発光光を画像信号に変換して、放射線画像を得るためのものである。
特に、本発明においては、輝尽性蛍光体層に接するように導電性金属からなる導電性膜を設け、輝尽性蛍光体層に生ずる不要な電子を、その導電性膜を介して排除することで、電子による輝尽性蛍光体層の劣化を低減するようにした放射線画像変換パネルである。
【００２１】
図１は、本発明にかかる放射線画像変換パネル１０の断面図である。
図１に示されるように、放射線画像変換パネル１０は、支持体１１と、支持体１１上に形成された輝尽性蛍光体層１２と、支持体１１上に輝尽性蛍光体層１２が形成された蛍光体シート２０を被覆する保護フィルム１３等により構成されている。
そして、蛍光体シート２０における輝尽性蛍光体層１２の表面には導電性膜１４ａが形成されており、また、蛍光体シート２０の輝尽性蛍光体層１２側に配置された保護フィルム１３の、輝尽性蛍光体層１２側の面には導電性膜１４ｂが形成されている。
【００２２】
支持体１１は、その表面に形成される輝尽性蛍光体層１２を支持する支持部材である。支持体１１の材料としては、例えば、各種高分子材料や金属、ガラス等が用いられる。特に、可撓性のあるフィルム状、シート状のものが取り扱い上好適であり、例えば、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラスチックフィルム、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属シートを用いることができる。
【００２３】
また、これら支持体１１の厚さは、用いる素材の材質によって異なるが、一般的には３〜１０００μｍの厚さのものを用い、より好ましくは８０〜５００μｍの厚さのものを用いる。この支持体１１の表面は、滑面であってもよく、輝尽性蛍光体層１２の付着性を向上させる目的でマット面としてもよい。
【００２４】
輝尽性蛍光体層１２は、以下の一般式（１）で表される希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系の輝尽性蛍光体が結合剤中に分散含有されている層状体であり、輝尽性蛍光体の粒子を含む輝尽性蛍光体層用の塗布液が、支持体１１に塗工されて、所定の厚みに形成されたものである。この場合、この輝尽性蛍光体の平均粒子径は２〜２０μｍで、好ましくは３〜１５μｍである。
一般式；Ｂａ（１−ｘ）Ｍ２（ｘ）ＦＢｒ（ｙ）Ｘ（１−ｙ）：ａＭ１，ｂＬｎ，ｃＯ ・・・（１）
また、これらの蛍光体層は蒸着法等の気相堆積法で形成することもできる。この場合、蛍光体層には、ＣｓＢｒ、ＲｂＢｒ等のアルカリ金属ハロゲン化物が一般に使用されている。
なお、気相堆積法の事例は特開昭６２−１３３３９９及び特開昭６２−１３３４００に記載されている。
【００２５】
一般式（１）で表される輝尽性蛍光体において、Ｍ２はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ及びＣｄの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属原子である。
ＸはＣｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子であり、なかでもＩが好ましい。
Ｍ１はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子である。
ＬｎはＣｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｅｒ及びＹｂの各原子から選ばれる少なくとも１種の希土類原子であり、なかでもＥｕが好ましい。これら金属は、例えば、付活剤として用いられる。
【００２６】
また、化学量論的に一般式（１）で表される輝尽性蛍光体において、ｘ、ｙ、ａ、ｂ、ｃはそれぞれ０≦ｘ≦０．３、０≦ｙ≦０．３、０≦ａ≦０．０５、０＜ｂ≦０．２、０＜ｃ≦０．１の範囲である。
ここで、ｙ＝０であることが好ましい。
【００２７】
そして、特に、本実施の形態においては、前述の一般式（１）における好適な原子（Ｘ；Ｉ、Ｌｎ；Ｅｕ）や条件（ｙ＝０）の組み合わせであるＥｕ付活ＢａＦＩを母体とする輝尽性蛍光体を用いることとする。
【００２８】
このような輝尽性蛍光体を含む塗布液は、輝尽性蛍光体と、その輝尽性蛍光体を支持体１１に付着させる結合剤が、所定の有機溶媒に混合されて調整されている。
【００２９】
本発明において、結合剤としては、例えば、ゼラチン等の蛋白質、デキストラン等のポリサッカライド、アラビアゴムのような天然高分子物質、またはポリビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル、ニトロセルロース、エチルセルロース、塩化ビニリデン・塩化ビニルコポリマー、ポリアルキル（メタ）アクリレート、塩化ビニル・酢酸ビニルコポリマー、ポリウレタン、セルロースアセテートブチレート、ポリビニルアルコール、線状ポリエステルなどのような合成高分子物質、樹脂などを用いることができる。このような結合剤の中で、特に好ましいものは、ニトロセルロース、線状ポリエステル、ポリアルキル（メタ）アクリレート、ニトロセルロースと線状ポリエステルとの混合物、ニトロセルロースとポリアルキル（メタ）アクリレートとの混合物およびポリウレタンとポリビニルブチラールとの混合物である。なお、これらの結合剤は、架橋剤によって架橋されたものであってもよい。
【００３０】
塗布液における結合剤と輝尽性蛍光体との混合比は、目的とする放射線画像変換パネルの特性、輝尽性蛍光体の種類等によって異なるが、結合剤は輝尽性蛍光体に対し１〜２０質量部用いることが好ましく、さらには２〜１０質量部用いることがより好ましい。
【００３１】
また、本発明において塗布液の調製に用いられる有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール等の低級アルコール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル等の低級脂肪酸と低級アルコールとのエステル、ジオキサン、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル、トリオール、キシロールなどの芳香族化合物、メチレンクロライド、エチレンクロライドなどのハロゲン化炭化水素およびそれらの混合物などが挙げられる。
【００３２】
なお、塗布液には、該塗布液中における輝尽性蛍光体の分散性を向上させるための分散剤や、形成後の輝尽性蛍光体層中における結合剤と輝尽性蛍光体との間の結合力を向上させるための可塑剤など、種々の添加剤が混合されていてもよい。
そのような分散剤としては、例えば、フタル酸、ステアリン酸、カプロン酸、親油性界面活性剤などを挙げることができる。また、可塑剤としては、例えば、燐酸トリフェニル、燐酸トリクレジル、燐酸ジフェニルなどの燐酸エステル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジメトキシエチル等のフタル酸エステル、グリコール酸エチルフタリルエチル、グリコール酸ブチルフタリルブチルなどのグリコール酸エステル、そして、トリエチレングリコールとアジピン酸とのポリエステル、ジエチレングリコールとコハク酸とのポリエステルなどのポリエチレングリコールと脂肪族二塩基酸とのポリエステルなどを挙げることができる。
【００３３】
塗布液の調製は、例えば、ボールミル、ビーズミル、サンドミル、アトライター、三本ロールミル、高速インペラー分散機、Ｋａｄｙミル、あるいは超音波分散機などの分散装置、ミキサーを用いて、所定の有機溶媒に輝尽性蛍光体、結合剤等を混合させることで行われる。
【００３４】
そして、調製された塗布液を、支持体１１の表面上に均一に塗布、塗工することにより輝尽性蛍光体の塗工層が形成される。塗布液を支持体１１に塗工する方法としては、一般的な塗工技術を適用することができ、例えば、ブレードコーター、ロールコーター、ナイフコーター、コンマコーター、リップコーターなどを用いることができる。
次いで、形成された塗工層を加熱、乾燥することにより、支持体１１上に輝尽性蛍光体層１２が形成される。輝尽性蛍光体層１２の膜厚は、所望する放射線画像変換パネルの特性、輝尽性蛍光体の種類、結合剤と蛍光体との混合比などによって異なるが、通常は１０〜１０００μｍであり、より好ましくは１０〜５００μｍである。
【００３５】
このように形成された輝尽性蛍光体層１２の表面には、導電性膜１４ａが形成されている。
導電性膜１４ａは、所定の導電性金属が輝尽性蛍光体層１２の表面に数ｎｍ〜数百ｎｍの厚さに蒸着などによって形成される薄膜である。
所定の導電性金属としては、Ａｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｓｂ、Ａｕ、Ａｌ等から選ばれる少なくとも１種の導電性金属を用いることができる。
また、輝尽性蛍光体層１２の表面に導電性金属の薄膜を形成する装置としては、例えば、真空蒸着装置、分子線蒸着（ＭＢＥ）装置、イオンプレーティング装置、イオンビーム蒸着装置、スパッタリング装置、メッキ装置等を用いることができる。
なお、導電性層に用いられる物質として、導電性金属の他、導電性酸化物や有機導電性物質がある。導電性酸化物として、例えば、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、Ｉｎ−Ａｓ酸化物等があり、有機導電性物質として、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェンポリスチレンスルホナート、ポリ（２−メトキシ−５−（２’−エチル−ヘキシルオキシ）−１,４−フェニレンビニレン、セキシチオフェン、ポリ（３−アルキルチフェン）等がある。
【００３６】
このように輝尽性蛍光体層１２の表面に形成された導電性膜１４ａは、輝尽性蛍光体層１２に照射されたＸ線などが有するエネルギーによって励起してしまった不要な電子が、輝尽性蛍光体層１２から保護フィルム１３などを介して、蛍光体シート２０や放射線画像変換パネル１０の外へ、効率的に逃がすように作用する金属膜である。
つまり、導電性膜１４ａは、Ｘ線などが有するエネルギーによって励起してしまった不要な輝尽性蛍光体層１２中の電子を、輝尽性蛍光体層１２から排除するために作用する金属膜である。
そして、この導電性膜１４ａによって、不要な輝尽性蛍光体層１２中の電子を輝尽性蛍光体層１２から排除することができるので、その電子により輝尽性蛍光体層１２中の輝尽性蛍光体が劣化してしまうことを低減することができる。
【００３７】
上述のように支持体１１に形成された輝尽性蛍光体層１２や導電性膜１４ａを物理的、化学的に保護するために、支持体１１上に輝尽性蛍光体層１２が形成されて成る蛍光体シート２０は、保護フィルム１３により、外気との接触を遮断するように被覆される。
保護フィルム１３は、蛍光体シート２０の輝尽性蛍光体層１２側（導電性膜１４ａ側）と、支持体１１側に接するように配置され、蛍光体シート２０の周囲において、蛍光体シート２０の周辺に延出している保護フィルム１３が蛍光体シート２０の縁に沿うように接着剤等の接着手段によって接着されている。
このように、蛍光体シート２０が保護フィルム１３に被覆されることにより、輝尽性蛍光体層１２や導電性膜１４ａが傷つき、損傷することから防ぐことができるとともに、輝尽性蛍光体層１２が吸湿するなどして変質してしまうことから防ぐことができる。
【００３８】
保護フィルム１３としては、例えば、ポリエステルフィルム、ポリメタクリレートフィルム、ニトロセルロースフィルム、セルロースアセテートフィルム等を用いることができる。なかでも、ポリエチレンテレフタレートフィルムやポリエチレンナフタレートフィルム等の延伸加工されたフィルムが、透明性、強度の面で保護フィルムとして好ましい。更には、これらのポリエチレンテレフタレートフィルム等の表面に金属酸化物、窒化珪素などの薄膜を蒸着し、防湿性能を付与した蒸着フィルムを用いることがより好ましい。
【００３９】
また、保護フィルム１３は、ＡＳＴＭＤ−１００３に記載の方法により測定したヘイズ率が、５％以上６０％未満の励起光吸収層を備えるフィルムであることが好ましい。更に好ましいヘイズ率は、１０％以上５０％未満である。ヘイズ率が５％未満では、画像ムラや線状ノイズを解消する効果が低く、また６０％以上では画像の鮮鋭性が低下し、好ましくない。
【００４０】
この保護フィルム１３において、特に、本実施の形態においては、蛍光体シート２０の輝尽性蛍光体層１２側（導電性膜１４ａ側）に配置された保護フィルム１３の、輝尽性蛍光体層１２側（導電性膜１４ａ側）の面には、導電性膜１４ｂが形成されている。
この導電性膜１４ｂは、輝尽性蛍光体層１２に形成された導電性膜１４ａと同様の金属膜であり、所定の導電性金属が保護フィルム１３の表面に数ｎｍ〜数百ｎｍの厚さに蒸着などによって形成された薄膜である。
所定の導電性金属としては、Ａｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｓｂ、Ａｕ、Ａｌ等から選ばれる少なくとも１種の導電性金属を用いることができる。また、保護フィルム１３の表面に導電性金属の薄膜を形成する装置としては、例えば、真空蒸着装置、分子線蒸着（ＭＢＥ）装置、イオンプレーティング装置、イオンビーム蒸着装置、スパッタリング装置、メッキ装置等を用いることができる。
【００４１】
このように保護フィルム１３の表面に形成された導電性膜１４ｂは、対向する蛍光体シート２０の輝尽性蛍光体層１２に接触するように、その保護フィルム１３が配設されているので、輝尽性蛍光体層１２に照射されたＸ線などが有するエネルギーによって励起してしまった不要な電子が、輝尽性蛍光体層１２から保護フィルム１３などを介して、蛍光体シート２０や放射線画像変換パネル１０の外へ、効率的に逃がすように作用する。
つまり、導電性膜１４ｂは、Ｘ線などが有するエネルギーによって励起してしまった不要な輝尽性蛍光体層１２中の電子を、輝尽性蛍光体層１２から排除するために作用する金属膜である。
特に、導電性膜１４ｂは、保護フィルム１３に形成されているので、放射線画像変換パネル１０の外部物質と接触することにより、輝尽性蛍光体層１２の不要な電子を放射線画像変換パネル１０の外部物質へと伝達するように逃がしやすく、効率的に不要な電子を排除することができる。
そして、この導電性膜１４ｂによって、不要な輝尽性蛍光体層１２中の電子を輝尽性蛍光体層１２から排除することができるので、その電子により輝尽性蛍光体層１２中の輝尽性蛍光体が劣化してしまうことを低減することができる。
【００４２】
そして、本発明において、導電性膜１４ａと導電性膜１４ｂの表面抵抗率は、２．０×１０１０（Ω）以下であることが好ましく、より好ましくは１．０×１０８（Ω）以下である。
このような表面抵抗率を有する導電性膜であれば、輝尽性蛍光体層１２に生じてしまった不要な電子を放射線画像変換パネル１０の外部物質へと伝達するように逃がしやすく、効率的に不要な電子を排除することができる。
そして、輝尽性蛍光体層１２中の輝尽性蛍光体の劣化を低減することができる。
【００４３】
このように、蛍光体シート２０の輝尽性蛍光体層１２の表面や、蛍光体シート２０の輝尽性蛍光体層１２側に配置された保護フィルム１３の輝尽性蛍光体層１２側の面に、導電性膜（導電性膜１４ａ、導電性膜１４ｂ）を形成することにより、輝尽性蛍光体層１２の表面に導電性を付与することができる。そして、Ｘ線などの照射を受け、輝尽性蛍光体層１２中に生じてしまった不要な電子を、導電性膜を介して輝尽性蛍光体層１２から排除することができるので、その電子により輝尽性蛍光体層１２中の輝尽性蛍光体が劣化してしまうことを低減することができる。
【００４４】
このように、本発明に係る輝尽性蛍光体パネル１０は、輝尽性蛍光体層１２中の輝尽性蛍光体が劣化してしまうことを低減することができるので、光に対する耐久性を有する輝尽性蛍光体パネルとすることができる。
また、蛍光体シート２０（輝尽性蛍光体層１２）が保護フィルム１３に被覆されることにより、輝尽性蛍光体層１２が傷つき、損傷することから防ぐことができるとともに、吸湿するなどして変質してしまうことから防ぐことができる。
よって、この輝尽性蛍光体パネル１０は、耐久性を有する輝尽性蛍光体パネルであるといえる。
【００４５】
なお、以上の実施の形態においては、図１に輝尽性蛍光体層１２と保護フィルム１３の両方に導電性膜を備える放射線画像変換パネルを示して説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、導電性膜は輝尽性蛍光体層の表面と、保護フィルムの少なくとも一方に備えればよいので、輝尽性蛍光体層１２側にのみ導電性膜を備える放射線画像変換パネルや、保護フィルム１３の輝尽性蛍光体層１２側（導電性膜１４ａ側）の面にのみに導電性膜を備える放射線画像変換パネルであってもよい。
【００４６】
また、その他、具体的な細部構造等についても適宜に変更可能であることは勿論である。
【実施例】
【００４７】
以下に、実施例および比較例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、勿論本発明は以下の実施例に限定されるものではない。ここでは、輝尽性蛍光体粒子を含む輝尽性蛍光体が結合剤中に分散された蛍光体層について述べるが、蒸着で作製した蛍光体層についても同様に適用できる。
【００４８】
〔放射線画像変換パネルの作製〕
（輝尽性蛍光体の調製）
ユーロピウム付活弗化ヨウ化バリウム（Ｅｕ付活ＢａＦＩ）の輝尽性蛍光体前駆体を合成するために、ＢａＩ２水溶液（３．６ｍｏｌ／ｌ）２７８０ｍｌとＥｕＩ３水溶液（０．１５ｍｏｌ／ｌ）２７ｍｌを反応器に入れた。この反応器中の反応母液を撹拌しながら８３℃で保温した。次いで、弗化アンモニウム水溶液（８ｍｏｌ／ｌ）３２２ｍｌを反応母液中にローラーポンプを用いて注入し、沈澱物を生成させた。注入終了後も保温と撹拌を２時間続けて沈澱物の熟成を行った。次に、沈澱物をろ別後、エタノールにより洗浄した後、真空乾燥させてユーロピウム付活弗化ヨウ化バリウムの結晶を得た。焼成時の焼結により粒子形状の変化、粒子間融着による粒子サイズ分布の変化を防止するために、アルミナの超微粒子粉体を０．２質量％添加し、ミキサーで充分撹拌して結晶表面にアルミナの超微粒子粉体を均一に付着させた。これを石英ボートに充填して、チューブ炉を用いて水素ガス雰囲気下で、８５０℃で２時間焼成してユーロピウム付活弗化ヨウ化バリウム蛍光体粒子を得た。
【００４９】
次いで、上記調製したユーロピウム付活弗化ヨウ化バリウム蛍光体粒子１００ｇを、シリカ微粒子（日本アエロジル社製、平均粒子径１２ｎｍ）１．０ｇとシランカップリング剤（γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）５．０ｇを添加したエタノール分散液中に浸してスラリー状とした後、濾過、乳鉢解砕して、８０℃で３時間乾燥した後、分級して平均粒径７μｍの輝尽性蛍光体を調製した。
【００５０】
（輝尽性蛍光体層塗布液の調製）
上記調製した輝尽性蛍光体１００ｇと結合剤としてのポリエステル樹脂（東洋紡社製、バイロン６３ＳＳ）１６．７ｇをメチルエチルケトン−トルエン（１：１）混合溶媒に添加するとともに、それらをプロペラミキサーによって分散し、粘度２５〜３０Ｐａ・ｓの塗布液を調製した。なお、樹脂及び溶媒は、使用前にモレキュラーシーブ４Ａと混合した状態で１日静置し、予め充分に脱水を行ったものである。
【００５１】
（輝尽性蛍光体層、蛍光体シート、放射線画像変換パネルの形成）
上記調製した各塗布液を、ドクターブレードを用いて、厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムよりなる支持体１１上に、各々膜厚が２３０μｍとなるように塗布したのち、１００℃で１５分間乾燥させて輝尽性蛍光体層１２を形成して、蛍光体シート２０を作製した。
そして、蛍光体シート２０の輝尽性蛍光体層１２表面に導電性膜１４ａとしてのＡｕ蒸着膜を蒸着装置により形成した。
上記調製した蛍光体シート２０に保護フィルム１３を被覆し、放射線画像変換パネル１０を作製した。
なお、蛍光体シート２０の輝尽性蛍光体層１２側（導電性膜１４ａ側）に配置する保護フィルム１３の輝尽性蛍光体層１２側（導電性膜１４ａ側）の面に、導電性膜１４ｂとしてのＡｕ蒸着膜を蒸着装置により形成したものと、形成しないものとを用意し、以下の６種類の放射線画像変換パネル１０を作製した。
尚、導電性膜１４ａ及び１４ｂの表面抵抗率はJIS C2151に準拠して測定した。
【００５２】
〔実施例１〕
輝尽性蛍光体層１２表面に、表面抵抗率が２．０×１０１０（Ω）のＡｕ蒸着膜を形成した。
また、保護フィルム１３にはＡｕ蒸着膜を形成せず、その保護フィルム１３の表面抵抗率は２．０×１０１３（Ω）であった。
この放射線画像変換パネル１０の品質（輝度劣化）評価結果を表１に示す。
【００５３】
〔実施例２〕
輝尽性蛍光体層１２表面に、表面抵抗率が１．０×１０８（Ω）のＡｕ蒸着膜を形成した。
また、保護フィルム１３にはＡｕ蒸着膜を形成せず、その保護フィルム１３の表面抵抗率は２．０×１０１３（Ω）であった。
この放射線画像変換パネル１０の品質（輝度劣化）評価結果を表１に示す。
【００５４】
〔実施例３〕
輝尽性蛍光体層１２表面に、表面抵抗率が１．０×１０８（Ω）のＡｕ蒸着膜を形成した。
また、保護フィルム１３には、表面抵抗率が１．５×１０１０（Ω）のＡｕ蒸着膜を形成した。
この放射線画像変換パネル１０の品質（輝度劣化）評価結果を表１に示す。
【００５５】
〔実施例４〕
輝尽性蛍光体層１２表面に、表面抵抗率が１．０×１０８（Ω）のＡｕ蒸着膜を形成した。
また、保護フィルム１３には、表面抵抗率が１．０×１０８（Ω）のＡｕ蒸着膜を形成した。
この放射線画像変換パネル１０の品質（輝度劣化）評価結果を表１に示す。
【００５６】
〔実施例５〕
輝尽性蛍光体層１２表面にはＡｕ蒸着膜を形成せず、その輝尽性蛍光体層１２の表面抵抗率は１．０×１０13（Ω）であった。
また、保護フィルム１３には、表面抵抗率が１．０×１０8（Ω）のＡｕ蒸着膜を形成した。
この放射線画像変換パネル１０の品質（輝度劣化）評価結果を表１に示す。
【００５７】
〔比較例１〕
輝尽性蛍光体層１２表面にはＡｕ蒸着膜を形成せず、その輝尽性蛍光体層１２の表面抵抗率は１．３×１０１３（Ω）であった。
また、保護フィルム１３にもＡｕ蒸着膜を形成せず、その保護フィルム１３の表面抵抗率は２．０×１０１３（Ω）であった。
この放射線画像変換パネル１０の品質（輝度劣化）評価結果を表１に示す。
【００５８】
〔比較例２〕
輝尽性蛍光体層１２表面に、表面抵抗率が２．０×１０１１（Ω）のＡｕ蒸着膜を形成した。
また、保護フィルム１３には、Ａｕ蒸着膜を形成せず、その保護フィルム１３の表面抵抗率は２．０×１０１３（Ω）であった。
この放射線画像変換パネル１０の品質（輝度劣化）評価結果を表１に示す。
【００５９】
（放射線画像変換パネルにおける輝度劣化の評価）
輝度劣化の評価の測定は、以下のように行った。
【００６０】
（Ｘ線損傷）
輝度の測定は、レジウス１７０（コニカミノルタ社製）を用い、各々の放射線画像変換パネル（試料）に管電圧８０ｋＶｐ、２００ｍＲのＸ線を照射した後、レジウス１７０高精度モードで読み取った輝尽発光の信号値を輝度と定義し、基準試料を用いた放射線画像変換パネルに対する強制劣化処理試料を用いた放射線画像変換パネルの輝度劣化率を算出することにより評価し、ランク付けを行った。
強制劣化試料には、上記放射線画像変換パネル（試料）に管電圧８０ｋＶｐ、２００ｍＲのＸ線を照射し、レジウス１７０で消去することを、５００回行った後の輝度を測定した。そして、初期輝度に対する輝度劣化率を算出し、下記の基準によりランク付けを行った。
５ ； 輝度劣化率２％未満
４ ； 輝度劣化率２％以上、５％未満
３ ； 輝度劣化率５％以上、１０％未満
２ ； 輝度劣化率１０％以上、１５％未満
１ ； 輝度劣化率１５％以上
この１〜５までの５段階評価において、３以上であれば実用上問題のないものであると判断した。
【００６１】
以上により得られた結果を、表１に示す。
【００６２】
【表１】
【００６３】
表１から明らかなように、本発明の構成からなる放射線画像変換パネル１０において、輝尽性蛍光体層１２中に生じてしまった不要な電子を、輝尽性蛍光体層１２から排除するために作用する金属膜であるＡｕ蒸着膜を備え、その表面抵抗率が２．０×１０１０（Ω）以下であれば、輝度劣化が少ない放射線画像変換パネル１０が作製されることが判る。
また、そのＡｕ蒸着膜の表面抵抗率が１．０×１０８（Ω）以下であれば、輝度劣化がより少ない放射線画像変換パネル１０とすることができ、特に、輝尽性蛍光体層１２と保護フィルム１３の両方にＡｕ蒸着膜を備えることで、さらに輝度劣化が少ない放射線画像変換パネル１０とすることができる。
【００６４】
このように、蛍光体シート２０の輝尽性蛍光体層１２の表面や、蛍光体シート２０の輝尽性蛍光体層１２側に配置された保護フィルム１３の輝尽性蛍光体層１２側の面に、Ａｕ蒸着膜などの導電性膜（導電性膜１４ａ、導電性膜１４ｂ）を形成することにより、輝尽性蛍光体層１２の表面に導電性を付与することができる。そして、Ｘ線の照射を繰り返し受け、輝尽性蛍光体層１２中に生じてしまった不要な電子を、導電性膜を介して輝尽性蛍光体層１２から排除することができるので、その電子により輝尽性蛍光体層１２中の輝尽性蛍光体が劣化してしまうことを低減することができる。
そして、輝尽性蛍光体層１２中の輝尽性蛍光体が劣化してしまうことを低減することにより、Ｘ線などに対する耐久性を有する輝尽性蛍光体パネルとすることができる。つまり、本発明にかかる放射線画像変換パネル１０は、Ｘ線損傷による輝度劣化防止を図った放射線画像変換パネルであるといえる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明に係る放射線画像変換パネルを示す断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
１０ 放射線画像変換パネル
１１ 支持体
１２ 輝尽性蛍光体層
１３ 保護フィルム
１４ａ、１４ｂ 導電性膜
２０ 蛍光体シート
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像変換パネルに係り、特に輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、病気診断等を目的として、Ｘ線画像に代表される放射線画像が用いられている。このような放射線画像を得るための方式として、近年においては、輝尽性蛍光体を採用した放射線画像読取方式が提案され、実用化されている。この方式においては、被写体を透過させた放射線を放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に照射して、被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させる。そして、この輝尽性蛍光体層を輝尽励起光で走査することによって蓄積させた放射線エネルギーを輝尽発光光として放出させ、光電変換手段を用いてこの輝尽発光光を画像信号に変換して、デジタル画像データとして放射線画像を得ている。
【０００３】
このような放射線画像読取方式に用いられる放射線画像変換パネルとして、支持体上に輝尽性蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層が形成されたパネルが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−２７７５９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１の場合、放射線画像変換パネルを長期使用する間に、輝尽性蛍光体がＸ線の照射を繰り返し受けることにより劣化してしまうことがあった。輝尽性蛍光体層の輝尽性蛍光体が劣化してしまうと、輝尽発光光が放出されにくくなり、放射線画像を得にくくなるという問題があった。
【０００５】
本発明の課題は、耐久性を有する放射線画像変換パネルを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
以上の課題を解決するため、請求項１記載の発明は、
支持体上に、輝尽性蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層を有する蛍光体シートと、前記蛍光体シートの前記輝尽性蛍光体層側と前記支持体側に接するように配置され、前記蛍光体シートを被覆する保護フィルムと、を備える放射線画像変換パネルであって、
前記蛍光体シートの前記輝尽性蛍光体層の表面と、前記保護フィルムの前記輝尽性蛍光体層側の面の少なくとも一方に、導電性膜を備えることを特徴とする。
【０００７】
請求項１記載の発明によれば、放射線画像変換パネルにおいて、支持体上に備えられている輝尽性蛍光体層の表面と、蛍光体シートを被覆する保護フィルムの輝尽性蛍光体層側の面の少なくとも一方には導電性膜が備えられている。
輝尽性蛍光体層の表面に導電性膜が備えられることにより、輝尽性蛍光体層の表面に導電性が付与されることとなる。同様に、蛍光体シートを被覆する保護フィルムの輝尽性蛍光体層側の面に導電性膜が備えられることにより、その導電性膜が輝尽性蛍光体層に接することで輝尽性蛍光体層の表面に導電性を付与するようになる。
そして、輝尽性蛍光体層に導電性が付与されたことにより、輝尽性蛍光体層に生じた不要な電子が、輝尽性蛍光体層から逃げやすくなる。
【０００８】
つまり、輝尽性蛍光体層に照射されたＸ線などが有するエネルギーによって励起し、輝尽性蛍光体層中に生じてしまった不要な電子が、輝尽性蛍光体層から導電性膜を介して、蛍光体シートや放射線画像変換パネルの外へ、効率的に逃げやすくなる。
そして、導電性膜によって、Ｘ線などが有するエネルギーによって励起してしまった不要な輝尽性蛍光体層中の電子を、輝尽性蛍光体層から効率的に排除することができる。
よって、この導電性膜により、不要な輝尽性蛍光体層中の電子を輝尽性蛍光体層から排除することができるので、その電子により輝尽性蛍光体層中の輝尽性蛍光体が劣化してしまうことを低減することができる。
【０００９】
このように、輝尽性蛍光体層の表面と、蛍光体シートを被覆する保護フィルムの輝尽性蛍光体層側の面の少なくとも一方には導電性膜を備えることにより、光の照射に伴い発生した電子により輝尽性蛍光体が劣化してしまうことを低減することができるので、Ｘ線などに対する耐久性を有する輝尽性蛍光体パネルとすることができる。
【００１０】
請求項２記載の発明は、請求項１に記載の放射線画像変換パネルにおいて、
前記導電性膜の表面抵抗率が、２．０×１０１０（Ω）以下であることを特徴とする。
【００１１】
請求項２記載の発明によれば、請求項１に記載の発明と同様の作用を奏するとともに、導電性膜の表面抵抗率が、２．０×１０１０（Ω）以下であるので、輝尽性蛍光体層に生じてしまった不要な電子を放射線画像変換パネルの外部へと導電性膜が伝達するように逃がしやすく、効率的に不要な電子を排除することができる。
よって、輝尽性蛍光体層中の輝尽性蛍光体の劣化を低減することができる。
そして、Ｘ線などに対する耐久性を有する輝尽性蛍光体パネルとすることができる。
【００１２】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２に記載の放射線画像変換パネルにおいて、
前記輝尽性蛍光体は、下記一般式（１）で表される希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体であることを特徴とする。
一般式；Ｂａ（１−ｘ）Ｍ２（ｘ）ＦＢｒ（ｙ）Ｘ（１−ｙ）：ａＭ１，ｂＬｎ，ｃＯ ・・・（１）
〔式中、Ｍ２はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ及びＣｄの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属原子であり、ＸはＣｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子であり、Ｍ１はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子であり、ＬｎはＣｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｅｒ及びＹｂの各原子から選ばれる少なくとも１種の希土類原子であり、また、ｘ、ｙ、ａ、ｂ及びｃはそれぞれ０≦ｘ≦０．３、０≦ｙ≦０．３、０≦ａ≦０．０５、０＜ｂ≦０．２、０＜ｃ≦０．１の範囲の数値を表す。〕
【００１３】
請求項３記載の発明によれば、請求項１又は２に記載の発明と同様の作用を奏するとともに、輝尽性蛍光体は、一般式（１）で表される希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体である。希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系の輝尽性蛍光体は、放射線（Ｘ線）吸収率がよいので、高感度の輝尽性蛍光体層を形成することができる。よって、より画質が良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる放射線画像変換パネルとすることができる。
【００１４】
請求項４記載の発明は、請求項１〜３の何れか一項に記載の放射線画像変換パネルにおいて、
前記輝尽性蛍光体は、ＢａＦＩを母体とする輝尽性蛍光体であることを特徴とする。
【００１５】
請求項４記載の発明によれば、請求項１〜３の何れか一項に記載の発明と同様の作用を奏するとともに、輝尽性蛍光体は、ＢａＦＩを母体とする輝尽性蛍光体であるので、より高感度の輝尽性蛍光体層を形成することができる。
よって、より画質が良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる放射線画像変換パネルとすることができる。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１記載の発明によれば、放射線画像変換パネルにおいて、輝尽性蛍光体層の表面に導電性膜が備えられることにより、輝尽性蛍光体層の表面に導電性が付与されることとなる。同様に、蛍光体シートを被覆する保護フィルムの輝尽性蛍光体層側の面に導電性膜が備えられることにより、その導電性膜が輝尽性蛍光体層に接することで輝尽性蛍光体層の表面に導電性を付与するようになる。
そして、輝尽性蛍光体層に導電性が付与されたことにより、輝尽性蛍光体層に生じた不要な電子が、輝尽性蛍光体層から逃げやすくなる。
つまり、導電性膜によって、Ｘ線などが有するエネルギーによって励起してしまった不要な輝尽性蛍光体層中の電子を、輝尽性蛍光体層から効率的に排除することができる。
よって、この導電性膜により、不要な輝尽性蛍光体層中の電子を輝尽性蛍光体層から排除することができるので、その電子により輝尽性蛍光体層中の輝尽性蛍光体が劣化してしまうことを低減することができる。
従って、輝尽性蛍光体層の表面と、蛍光体シートを被覆する保護フィルムの輝尽性蛍光体層側の面の少なくとも一方には導電性膜を備えることにより、Ｘ線などの照射に伴い発生した電子により輝尽性蛍光体が劣化してしまうことを低減することができるので、Ｘ線などに対する耐久性を有する輝尽性蛍光体パネルとすることができる。
【００１７】
請求項２記載の発明によれば、請求項１に記載の発明と同様の作用を奏するとともに、導電性膜の表面抵抗率が、２．０×１０１０（Ω）以下であるので、輝尽性蛍光体層に生じてしまった不要な電子を放射線画像変換パネルの外部へと導電性膜が伝達するように逃がしやすく、効率的に不要な電子を排除することができる。
よって、輝尽性蛍光体層中の輝尽性蛍光体の劣化を低減することができる。そして、Ｘ線などに対する耐久性を有する輝尽性蛍光体パネルとすることができる。
【００１８】
請求項３記載の発明によれば、請求項１又は２に記載の発明と同様の作用を奏するとともに、輝尽性蛍光体は、一般式（１）で表される希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体である。希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系の輝尽性蛍光体は、放射線（Ｘ線）吸収率がよいので、高感度の輝尽性蛍光体層を形成することができる。よって、より画質が良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる放射線画像変換パネルとすることができる。
【００１９】
請求項４記載の発明によれば、請求項１〜３の何れか一項に記載の発明と同様の作用を奏するとともに、輝尽性蛍光体は、ＢａＦＩを母体とする輝尽性蛍光体であるので、より高感度の輝尽性蛍光体層を形成することができる。よって、より画質が良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる放射線画像変換パネルとすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
本発明にかかる放射線画像変換パネルは、被写体を透過させたＸ線などの放射線を放射線画像変換パネル内の輝尽性蛍光体層に照射して、被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させるものである。そして、この輝尽性蛍光体層を輝尽励起光で走査することによって蓄積させた放射線エネルギーを輝尽発光光として放出させ、この輝尽発光光を画像信号に変換して、放射線画像を得るためのものである。
特に、本発明においては、輝尽性蛍光体層に接するように導電性金属からなる導電性膜を設け、輝尽性蛍光体層に生ずる不要な電子を、その導電性膜を介して排除することで、電子による輝尽性蛍光体層の劣化を低減するようにした放射線画像変換パネルである。
【００２１】
図１は、本発明にかかる放射線画像変換パネル１０の断面図である。
図１に示されるように、放射線画像変換パネル１０は、支持体１１と、支持体１１上に形成された輝尽性蛍光体層１２と、支持体１１上に輝尽性蛍光体層１２が形成された蛍光体シート２０を被覆する保護フィルム１３等により構成されている。
そして、蛍光体シート２０における輝尽性蛍光体層１２の表面には導電性膜１４ａが形成されており、また、蛍光体シート２０の輝尽性蛍光体層１２側に配置された保護フィルム１３の、輝尽性蛍光体層１２側の面には導電性膜１４ｂが形成されている。
【００２２】
支持体１１は、その表面に形成される輝尽性蛍光体層１２を支持する支持部材である。支持体１１の材料としては、例えば、各種高分子材料や金属、ガラス等が用いられる。特に、可撓性のあるフィルム状、シート状のものが取り扱い上好適であり、例えば、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラスチックフィルム、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属シートを用いることができる。
【００２３】
また、これら支持体１１の厚さは、用いる素材の材質によって異なるが、一般的には３〜１０００μｍの厚さのものを用い、より好ましくは８０〜５００μｍの厚さのものを用いる。この支持体１１の表面は、滑面であってもよく、輝尽性蛍光体層１２の付着性を向上させる目的でマット面としてもよい。
【００２４】
輝尽性蛍光体層１２は、以下の一般式（１）で表される希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系の輝尽性蛍光体が結合剤中に分散含有されている層状体であり、輝尽性蛍光体の粒子を含む輝尽性蛍光体層用の塗布液が、支持体１１に塗工されて、所定の厚みに形成されたものである。この場合、この輝尽性蛍光体の平均粒子径は２〜２０μｍで、好ましくは３〜１５μｍである。
一般式；Ｂａ（１−ｘ）Ｍ２（ｘ）ＦＢｒ（ｙ）Ｘ（１−ｙ）：ａＭ１，ｂＬｎ，ｃＯ ・・・（１）
また、これらの蛍光体層は蒸着法等の気相堆積法で形成することもできる。この場合、蛍光体層には、ＣｓＢｒ、ＲｂＢｒ等のアルカリ金属ハロゲン化物が一般に使用されている。
なお、気相堆積法の事例は特開昭６２−１３３３９９及び特開昭６２−１３３４００に記載されている。
【００２５】
一般式（１）で表される輝尽性蛍光体において、Ｍ２はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ及びＣｄの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属原子である。
ＸはＣｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子であり、なかでもＩが好ましい。
Ｍ１はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子である。
ＬｎはＣｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｅｒ及びＹｂの各原子から選ばれる少なくとも１種の希土類原子であり、なかでもＥｕが好ましい。これら金属は、例えば、付活剤として用いられる。
【００２６】
また、化学量論的に一般式（１）で表される輝尽性蛍光体において、ｘ、ｙ、ａ、ｂ、ｃはそれぞれ０≦ｘ≦０．３、０≦ｙ≦０．３、０≦ａ≦０．０５、０＜ｂ≦０．２、０＜ｃ≦０．１の範囲である。
ここで、ｙ＝０であることが好ましい。
【００２７】
そして、特に、本実施の形態においては、前述の一般式（１）における好適な原子（Ｘ；Ｉ、Ｌｎ；Ｅｕ）や条件（ｙ＝０）の組み合わせであるＥｕ付活ＢａＦＩを母体とする輝尽性蛍光体を用いることとする。
【００２８】
このような輝尽性蛍光体を含む塗布液は、輝尽性蛍光体と、その輝尽性蛍光体を支持体１１に付着させる結合剤が、所定の有機溶媒に混合されて調整されている。
【００２９】
本発明において、結合剤としては、例えば、ゼラチン等の蛋白質、デキストラン等のポリサッカライド、アラビアゴムのような天然高分子物質、またはポリビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル、ニトロセルロース、エチルセルロース、塩化ビニリデン・塩化ビニルコポリマー、ポリアルキル（メタ）アクリレート、塩化ビニル・酢酸ビニルコポリマー、ポリウレタン、セルロースアセテートブチレート、ポリビニルアルコール、線状ポリエステルなどのような合成高分子物質、樹脂などを用いることができる。このような結合剤の中で、特に好ましいものは、ニトロセルロース、線状ポリエステル、ポリアルキル（メタ）アクリレート、ニトロセルロースと線状ポリエステルとの混合物、ニトロセルロースとポリアルキル（メタ）アクリレートとの混合物およびポリウレタンとポリビニルブチラールとの混合物である。なお、これらの結合剤は、架橋剤によって架橋されたものであってもよい。
【００３０】
塗布液における結合剤と輝尽性蛍光体との混合比は、目的とする放射線画像変換パネルの特性、輝尽性蛍光体の種類等によって異なるが、結合剤は輝尽性蛍光体に対し１〜２０質量部用いることが好ましく、さらには２〜１０質量部用いることがより好ましい。
【００３１】
また、本発明において塗布液の調製に用いられる有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール等の低級アルコール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル等の低級脂肪酸と低級アルコールとのエステル、ジオキサン、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル、トリオール、キシロールなどの芳香族化合物、メチレンクロライド、エチレンクロライドなどのハロゲン化炭化水素およびそれらの混合物などが挙げられる。
【００３２】
なお、塗布液には、該塗布液中における輝尽性蛍光体の分散性を向上させるための分散剤や、形成後の輝尽性蛍光体層中における結合剤と輝尽性蛍光体との間の結合力を向上させるための可塑剤など、種々の添加剤が混合されていてもよい。
そのような分散剤としては、例えば、フタル酸、ステアリン酸、カプロン酸、親油性界面活性剤などを挙げることができる。また、可塑剤としては、例えば、燐酸トリフェニル、燐酸トリクレジル、燐酸ジフェニルなどの燐酸エステル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジメトキシエチル等のフタル酸エステル、グリコール酸エチルフタリルエチル、グリコール酸ブチルフタリルブチルなどのグリコール酸エステル、そして、トリエチレングリコールとアジピン酸とのポリエステル、ジエチレングリコールとコハク酸とのポリエステルなどのポリエチレングリコールと脂肪族二塩基酸とのポリエステルなどを挙げることができる。
【００３３】
塗布液の調製は、例えば、ボールミル、ビーズミル、サンドミル、アトライター、三本ロールミル、高速インペラー分散機、Ｋａｄｙミル、あるいは超音波分散機などの分散装置、ミキサーを用いて、所定の有機溶媒に輝尽性蛍光体、結合剤等を混合させることで行われる。
【００３４】
そして、調製された塗布液を、支持体１１の表面上に均一に塗布、塗工することにより輝尽性蛍光体の塗工層が形成される。塗布液を支持体１１に塗工する方法としては、一般的な塗工技術を適用することができ、例えば、ブレードコーター、ロールコーター、ナイフコーター、コンマコーター、リップコーターなどを用いることができる。
次いで、形成された塗工層を加熱、乾燥することにより、支持体１１上に輝尽性蛍光体層１２が形成される。輝尽性蛍光体層１２の膜厚は、所望する放射線画像変換パネルの特性、輝尽性蛍光体の種類、結合剤と蛍光体との混合比などによって異なるが、通常は１０〜１０００μｍであり、より好ましくは１０〜５００μｍである。
【００３５】
このように形成された輝尽性蛍光体層１２の表面には、導電性膜１４ａが形成されている。
導電性膜１４ａは、所定の導電性金属が輝尽性蛍光体層１２の表面に数ｎｍ〜数百ｎｍの厚さに蒸着などによって形成される薄膜である。
所定の導電性金属としては、Ａｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｓｂ、Ａｕ、Ａｌ等から選ばれる少なくとも１種の導電性金属を用いることができる。
また、輝尽性蛍光体層１２の表面に導電性金属の薄膜を形成する装置としては、例えば、真空蒸着装置、分子線蒸着（ＭＢＥ）装置、イオンプレーティング装置、イオンビーム蒸着装置、スパッタリング装置、メッキ装置等を用いることができる。
なお、導電性層に用いられる物質として、導電性金属の他、導電性酸化物や有機導電性物質がある。導電性酸化物として、例えば、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、Ｉｎ−Ａｓ酸化物等があり、有機導電性物質として、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェンポリスチレンスルホナート、ポリ（２−メトキシ−５−（２’−エチル−ヘキシルオキシ）−１,４−フェニレンビニレン、セキシチオフェン、ポリ（３−アルキルチフェン）等がある。
【００３６】
このように輝尽性蛍光体層１２の表面に形成された導電性膜１４ａは、輝尽性蛍光体層１２に照射されたＸ線などが有するエネルギーによって励起してしまった不要な電子が、輝尽性蛍光体層１２から保護フィルム１３などを介して、蛍光体シート２０や放射線画像変換パネル１０の外へ、効率的に逃がすように作用する金属膜である。
つまり、導電性膜１４ａは、Ｘ線などが有するエネルギーによって励起してしまった不要な輝尽性蛍光体層１２中の電子を、輝尽性蛍光体層１２から排除するために作用する金属膜である。
そして、この導電性膜１４ａによって、不要な輝尽性蛍光体層１２中の電子を輝尽性蛍光体層１２から排除することができるので、その電子により輝尽性蛍光体層１２中の輝尽性蛍光体が劣化してしまうことを低減することができる。
【００３７】
上述のように支持体１１に形成された輝尽性蛍光体層１２や導電性膜１４ａを物理的、化学的に保護するために、支持体１１上に輝尽性蛍光体層１２が形成されて成る蛍光体シート２０は、保護フィルム１３により、外気との接触を遮断するように被覆される。
保護フィルム１３は、蛍光体シート２０の輝尽性蛍光体層１２側（導電性膜１４ａ側）と、支持体１１側に接するように配置され、蛍光体シート２０の周囲において、蛍光体シート２０の周辺に延出している保護フィルム１３が蛍光体シート２０の縁に沿うように接着剤等の接着手段によって接着されている。
このように、蛍光体シート２０が保護フィルム１３に被覆されることにより、輝尽性蛍光体層１２や導電性膜１４ａが傷つき、損傷することから防ぐことができるとともに、輝尽性蛍光体層１２が吸湿するなどして変質してしまうことから防ぐことができる。
【００３８】
保護フィルム１３としては、例えば、ポリエステルフィルム、ポリメタクリレートフィルム、ニトロセルロースフィルム、セルロースアセテートフィルム等を用いることができる。なかでも、ポリエチレンテレフタレートフィルムやポリエチレンナフタレートフィルム等の延伸加工されたフィルムが、透明性、強度の面で保護フィルムとして好ましい。更には、これらのポリエチレンテレフタレートフィルム等の表面に金属酸化物、窒化珪素などの薄膜を蒸着し、防湿性能を付与した蒸着フィルムを用いることがより好ましい。
【００３９】
また、保護フィルム１３は、ＡＳＴＭＤ−１００３に記載の方法により測定したヘイズ率が、５％以上６０％未満の励起光吸収層を備えるフィルムであることが好ましい。更に好ましいヘイズ率は、１０％以上５０％未満である。ヘイズ率が５％未満では、画像ムラや線状ノイズを解消する効果が低く、また６０％以上では画像の鮮鋭性が低下し、好ましくない。
【００４０】
この保護フィルム１３において、特に、本実施の形態においては、蛍光体シート２０の輝尽性蛍光体層１２側（導電性膜１４ａ側）に配置された保護フィルム１３の、輝尽性蛍光体層１２側（導電性膜１４ａ側）の面には、導電性膜１４ｂが形成されている。
この導電性膜１４ｂは、輝尽性蛍光体層１２に形成された導電性膜１４ａと同様の金属膜であり、所定の導電性金属が保護フィルム１３の表面に数ｎｍ〜数百ｎｍの厚さに蒸着などによって形成された薄膜である。
所定の導電性金属としては、Ａｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｓｂ、Ａｕ、Ａｌ等から選ばれる少なくとも１種の導電性金属を用いることができる。また、保護フィルム１３の表面に導電性金属の薄膜を形成する装置としては、例えば、真空蒸着装置、分子線蒸着（ＭＢＥ）装置、イオンプレーティング装置、イオンビーム蒸着装置、スパッタリング装置、メッキ装置等を用いることができる。
【００４１】
このように保護フィルム１３の表面に形成された導電性膜１４ｂは、対向する蛍光体シート２０の輝尽性蛍光体層１２に接触するように、その保護フィルム１３が配設されているので、輝尽性蛍光体層１２に照射されたＸ線などが有するエネルギーによって励起してしまった不要な電子が、輝尽性蛍光体層１２から保護フィルム１３などを介して、蛍光体シート２０や放射線画像変換パネル１０の外へ、効率的に逃がすように作用する。
つまり、導電性膜１４ｂは、Ｘ線などが有するエネルギーによって励起してしまった不要な輝尽性蛍光体層１２中の電子を、輝尽性蛍光体層１２から排除するために作用する金属膜である。
特に、導電性膜１４ｂは、保護フィルム１３に形成されているので、放射線画像変換パネル１０の外部物質と接触することにより、輝尽性蛍光体層１２の不要な電子を放射線画像変換パネル１０の外部物質へと伝達するように逃がしやすく、効率的に不要な電子を排除することができる。
そして、この導電性膜１４ｂによって、不要な輝尽性蛍光体層１２中の電子を輝尽性蛍光体層１２から排除することができるので、その電子により輝尽性蛍光体層１２中の輝尽性蛍光体が劣化してしまうことを低減することができる。
【００４２】
そして、本発明において、導電性膜１４ａと導電性膜１４ｂの表面抵抗率は、２．０×１０１０（Ω）以下であることが好ましく、より好ましくは１．０×１０８（Ω）以下である。
このような表面抵抗率を有する導電性膜であれば、輝尽性蛍光体層１２に生じてしまった不要な電子を放射線画像変換パネル１０の外部物質へと伝達するように逃がしやすく、効率的に不要な電子を排除することができる。
そして、輝尽性蛍光体層１２中の輝尽性蛍光体の劣化を低減することができる。
【００４３】
このように、蛍光体シート２０の輝尽性蛍光体層１２の表面や、蛍光体シート２０の輝尽性蛍光体層１２側に配置された保護フィルム１３の輝尽性蛍光体層１２側の面に、導電性膜（導電性膜１４ａ、導電性膜１４ｂ）を形成することにより、輝尽性蛍光体層１２の表面に導電性を付与することができる。そして、Ｘ線などの照射を受け、輝尽性蛍光体層１２中に生じてしまった不要な電子を、導電性膜を介して輝尽性蛍光体層１２から排除することができるので、その電子により輝尽性蛍光体層１２中の輝尽性蛍光体が劣化してしまうことを低減することができる。
【００４４】
このように、本発明に係る輝尽性蛍光体パネル１０は、輝尽性蛍光体層１２中の輝尽性蛍光体が劣化してしまうことを低減することができるので、光に対する耐久性を有する輝尽性蛍光体パネルとすることができる。
また、蛍光体シート２０（輝尽性蛍光体層１２）が保護フィルム１３に被覆されることにより、輝尽性蛍光体層１２が傷つき、損傷することから防ぐことができるとともに、吸湿するなどして変質してしまうことから防ぐことができる。
よって、この輝尽性蛍光体パネル１０は、耐久性を有する輝尽性蛍光体パネルであるといえる。
【００４５】
なお、以上の実施の形態においては、図１に輝尽性蛍光体層１２と保護フィルム１３の両方に導電性膜を備える放射線画像変換パネルを示して説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、導電性膜は輝尽性蛍光体層の表面と、保護フィルムの少なくとも一方に備えればよいので、輝尽性蛍光体層１２側にのみ導電性膜を備える放射線画像変換パネルや、保護フィルム１３の輝尽性蛍光体層１２側（導電性膜１４ａ側）の面にのみに導電性膜を備える放射線画像変換パネルであってもよい。
【００４６】
また、その他、具体的な細部構造等についても適宜に変更可能であることは勿論である。
【実施例】
【００４７】
以下に、実施例および比較例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、勿論本発明は以下の実施例に限定されるものではない。ここでは、輝尽性蛍光体粒子を含む輝尽性蛍光体が結合剤中に分散された蛍光体層について述べるが、蒸着で作製した蛍光体層についても同様に適用できる。
【００４８】
〔放射線画像変換パネルの作製〕
（輝尽性蛍光体の調製）
ユーロピウム付活弗化ヨウ化バリウム（Ｅｕ付活ＢａＦＩ）の輝尽性蛍光体前駆体を合成するために、ＢａＩ２水溶液（３．６ｍｏｌ／ｌ）２７８０ｍｌとＥｕＩ３水溶液（０．１５ｍｏｌ／ｌ）２７ｍｌを反応器に入れた。この反応器中の反応母液を撹拌しながら８３℃で保温した。次いで、弗化アンモニウム水溶液（８ｍｏｌ／ｌ）３２２ｍｌを反応母液中にローラーポンプを用いて注入し、沈澱物を生成させた。注入終了後も保温と撹拌を２時間続けて沈澱物の熟成を行った。次に、沈澱物をろ別後、エタノールにより洗浄した後、真空乾燥させてユーロピウム付活弗化ヨウ化バリウムの結晶を得た。焼成時の焼結により粒子形状の変化、粒子間融着による粒子サイズ分布の変化を防止するために、アルミナの超微粒子粉体を０．２質量％添加し、ミキサーで充分撹拌して結晶表面にアルミナの超微粒子粉体を均一に付着させた。これを石英ボートに充填して、チューブ炉を用いて水素ガス雰囲気下で、８５０℃で２時間焼成してユーロピウム付活弗化ヨウ化バリウム蛍光体粒子を得た。
【００４９】
次いで、上記調製したユーロピウム付活弗化ヨウ化バリウム蛍光体粒子１００ｇを、シリカ微粒子（日本アエロジル社製、平均粒子径１２ｎｍ）１．０ｇとシランカップリング剤（γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）５．０ｇを添加したエタノール分散液中に浸してスラリー状とした後、濾過、乳鉢解砕して、８０℃で３時間乾燥した後、分級して平均粒径７μｍの輝尽性蛍光体を調製した。
【００５０】
（輝尽性蛍光体層塗布液の調製）
上記調製した輝尽性蛍光体１００ｇと結合剤としてのポリエステル樹脂（東洋紡社製、バイロン６３ＳＳ）１６．７ｇをメチルエチルケトン−トルエン（１：１）混合溶媒に添加するとともに、それらをプロペラミキサーによって分散し、粘度２５〜３０Ｐａ・ｓの塗布液を調製した。なお、樹脂及び溶媒は、使用前にモレキュラーシーブ４Ａと混合した状態で１日静置し、予め充分に脱水を行ったものである。
【００５１】
（輝尽性蛍光体層、蛍光体シート、放射線画像変換パネルの形成）
上記調製した各塗布液を、ドクターブレードを用いて、厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムよりなる支持体１１上に、各々膜厚が２３０μｍとなるように塗布したのち、１００℃で１５分間乾燥させて輝尽性蛍光体層１２を形成して、蛍光体シート２０を作製した。
そして、蛍光体シート２０の輝尽性蛍光体層１２表面に導電性膜１４ａとしてのＡｕ蒸着膜を蒸着装置により形成した。
上記調製した蛍光体シート２０に保護フィルム１３を被覆し、放射線画像変換パネル１０を作製した。
なお、蛍光体シート２０の輝尽性蛍光体層１２側（導電性膜１４ａ側）に配置する保護フィルム１３の輝尽性蛍光体層１２側（導電性膜１４ａ側）の面に、導電性膜１４ｂとしてのＡｕ蒸着膜を蒸着装置により形成したものと、形成しないものとを用意し、以下の６種類の放射線画像変換パネル１０を作製した。
尚、導電性膜１４ａ及び１４ｂの表面抵抗率はJIS C2151に準拠して測定した。
【００５２】
〔実施例１〕
輝尽性蛍光体層１２表面に、表面抵抗率が２．０×１０１０（Ω）のＡｕ蒸着膜を形成した。
また、保護フィルム１３にはＡｕ蒸着膜を形成せず、その保護フィルム１３の表面抵抗率は２．０×１０１３（Ω）であった。
この放射線画像変換パネル１０の品質（輝度劣化）評価結果を表１に示す。
【００５３】
〔実施例２〕
輝尽性蛍光体層１２表面に、表面抵抗率が１．０×１０８（Ω）のＡｕ蒸着膜を形成した。
また、保護フィルム１３にはＡｕ蒸着膜を形成せず、その保護フィルム１３の表面抵抗率は２．０×１０１３（Ω）であった。
この放射線画像変換パネル１０の品質（輝度劣化）評価結果を表１に示す。
【００５４】
〔実施例３〕
輝尽性蛍光体層１２表面に、表面抵抗率が１．０×１０８（Ω）のＡｕ蒸着膜を形成した。
また、保護フィルム１３には、表面抵抗率が１．５×１０１０（Ω）のＡｕ蒸着膜を形成した。
この放射線画像変換パネル１０の品質（輝度劣化）評価結果を表１に示す。
【００５５】
〔実施例４〕
輝尽性蛍光体層１２表面に、表面抵抗率が１．０×１０８（Ω）のＡｕ蒸着膜を形成した。
また、保護フィルム１３には、表面抵抗率が１．０×１０８（Ω）のＡｕ蒸着膜を形成した。
この放射線画像変換パネル１０の品質（輝度劣化）評価結果を表１に示す。
【００５６】
〔実施例５〕
輝尽性蛍光体層１２表面にはＡｕ蒸着膜を形成せず、その輝尽性蛍光体層１２の表面抵抗率は１．０×１０13（Ω）であった。
また、保護フィルム１３には、表面抵抗率が１．０×１０8（Ω）のＡｕ蒸着膜を形成した。
この放射線画像変換パネル１０の品質（輝度劣化）評価結果を表１に示す。
【００５７】
〔比較例１〕
輝尽性蛍光体層１２表面にはＡｕ蒸着膜を形成せず、その輝尽性蛍光体層１２の表面抵抗率は１．３×１０１３（Ω）であった。
また、保護フィルム１３にもＡｕ蒸着膜を形成せず、その保護フィルム１３の表面抵抗率は２．０×１０１３（Ω）であった。
この放射線画像変換パネル１０の品質（輝度劣化）評価結果を表１に示す。
【００５８】
〔比較例２〕
輝尽性蛍光体層１２表面に、表面抵抗率が２．０×１０１１（Ω）のＡｕ蒸着膜を形成した。
また、保護フィルム１３には、Ａｕ蒸着膜を形成せず、その保護フィルム１３の表面抵抗率は２．０×１０１３（Ω）であった。
この放射線画像変換パネル１０の品質（輝度劣化）評価結果を表１に示す。
【００５９】
（放射線画像変換パネルにおける輝度劣化の評価）
輝度劣化の評価の測定は、以下のように行った。
【００６０】
（Ｘ線損傷）
輝度の測定は、レジウス１７０（コニカミノルタ社製）を用い、各々の放射線画像変換パネル（試料）に管電圧８０ｋＶｐ、２００ｍＲのＸ線を照射した後、レジウス１７０高精度モードで読み取った輝尽発光の信号値を輝度と定義し、基準試料を用いた放射線画像変換パネルに対する強制劣化処理試料を用いた放射線画像変換パネルの輝度劣化率を算出することにより評価し、ランク付けを行った。
強制劣化試料には、上記放射線画像変換パネル（試料）に管電圧８０ｋＶｐ、２００ｍＲのＸ線を照射し、レジウス１７０で消去することを、５００回行った後の輝度を測定した。そして、初期輝度に対する輝度劣化率を算出し、下記の基準によりランク付けを行った。
５ ； 輝度劣化率２％未満
４ ； 輝度劣化率２％以上、５％未満
３ ； 輝度劣化率５％以上、１０％未満
２ ； 輝度劣化率１０％以上、１５％未満
１ ； 輝度劣化率１５％以上
この１〜５までの５段階評価において、３以上であれば実用上問題のないものであると判断した。
【００６１】
以上により得られた結果を、表１に示す。
【００６２】
【表１】
【００６３】
表１から明らかなように、本発明の構成からなる放射線画像変換パネル１０において、輝尽性蛍光体層１２中に生じてしまった不要な電子を、輝尽性蛍光体層１２から排除するために作用する金属膜であるＡｕ蒸着膜を備え、その表面抵抗率が２．０×１０１０（Ω）以下であれば、輝度劣化が少ない放射線画像変換パネル１０が作製されることが判る。
また、そのＡｕ蒸着膜の表面抵抗率が１．０×１０８（Ω）以下であれば、輝度劣化がより少ない放射線画像変換パネル１０とすることができ、特に、輝尽性蛍光体層１２と保護フィルム１３の両方にＡｕ蒸着膜を備えることで、さらに輝度劣化が少ない放射線画像変換パネル１０とすることができる。
【００６４】
このように、蛍光体シート２０の輝尽性蛍光体層１２の表面や、蛍光体シート２０の輝尽性蛍光体層１２側に配置された保護フィルム１３の輝尽性蛍光体層１２側の面に、Ａｕ蒸着膜などの導電性膜（導電性膜１４ａ、導電性膜１４ｂ）を形成することにより、輝尽性蛍光体層１２の表面に導電性を付与することができる。そして、Ｘ線の照射を繰り返し受け、輝尽性蛍光体層１２中に生じてしまった不要な電子を、導電性膜を介して輝尽性蛍光体層１２から排除することができるので、その電子により輝尽性蛍光体層１２中の輝尽性蛍光体が劣化してしまうことを低減することができる。
そして、輝尽性蛍光体層１２中の輝尽性蛍光体が劣化してしまうことを低減することにより、Ｘ線などに対する耐久性を有する輝尽性蛍光体パネルとすることができる。つまり、本発明にかかる放射線画像変換パネル１０は、Ｘ線損傷による輝度劣化防止を図った放射線画像変換パネルであるといえる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明に係る放射線画像変換パネルを示す断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
１０ 放射線画像変換パネル
１１ 支持体
１２ 輝尽性蛍光体層
１３ 保護フィルム
１４ａ、１４ｂ 導電性膜
２０ 蛍光体シート
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に、輝尽性蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層を有する蛍光体シートと、前記蛍光体シートの前記輝尽性蛍光体層側と前記支持体側に接するように配置され、前記蛍光体シートを被覆する保護フィルムと、を備える放射線画像変換パネルであって、
前記蛍光体シートの前記輝尽性蛍光体層の表面と、前記保護フィルムの前記輝尽性蛍光体層側の面の少なくとも一方に、導電性膜を備えることを特徴とする放射線画像変換パネル。
【請求項２】
前記導電性膜の表面抵抗率が、２．０×１０１０（Ω）以下であることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項３】
前記輝尽性蛍光体は、下記一般式（１）で表される希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体であることを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線画像変換パネル。
一般式；Ｂａ（１−ｘ）Ｍ２（ｘ）ＦＢｒ（ｙ）Ｘ（１−ｙ）：ａＭ１，ｂＬｎ，ｃＯ ・・・（１）
〔式中、Ｍ２はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ及びＣｄの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属原子であり、ＸはＣｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子であり、Ｍ１はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子であり、ＬｎはＣｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｅｒ及びＹｂの各原子から選ばれる少なくとも１種の希土類原子であり、また、ｘ、ｙ、ａ、ｂ及びｃはそれぞれ０≦ｘ≦０．３、０≦ｙ≦０．３、０≦ａ≦０．０５、０＜ｂ≦０．２、０＜ｃ≦０．１の範囲の数値を表す。〕
【請求項４】
前記輝尽性蛍光体は、ＢａＦＩを母体とする輝尽性蛍光体であることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項１】
支持体上に、輝尽性蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層を有する蛍光体シートと、前記蛍光体シートの前記輝尽性蛍光体層側と前記支持体側に接するように配置され、前記蛍光体シートを被覆する保護フィルムと、を備える放射線画像変換パネルであって、
前記蛍光体シートの前記輝尽性蛍光体層の表面と、前記保護フィルムの前記輝尽性蛍光体層側の面の少なくとも一方に、導電性膜を備えることを特徴とする放射線画像変換パネル。
【請求項２】
前記導電性膜の表面抵抗率が、２．０×１０１０（Ω）以下であることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項３】
前記輝尽性蛍光体は、下記一般式（１）で表される希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体であることを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線画像変換パネル。
一般式；Ｂａ（１−ｘ）Ｍ２（ｘ）ＦＢｒ（ｙ）Ｘ（１−ｙ）：ａＭ１，ｂＬｎ，ｃＯ ・・・（１）
〔式中、Ｍ２はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ及びＣｄの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属原子であり、ＸはＣｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子であり、Ｍ１はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子であり、ＬｎはＣｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｅｒ及びＹｂの各原子から選ばれる少なくとも１種の希土類原子であり、また、ｘ、ｙ、ａ、ｂ及びｃはそれぞれ０≦ｘ≦０．３、０≦ｙ≦０．３、０≦ａ≦０．０５、０＜ｂ≦０．２、０＜ｃ≦０．１の範囲の数値を表す。〕
【請求項４】
前記輝尽性蛍光体は、ＢａＦＩを母体とする輝尽性蛍光体であることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の放射線画像変換パネル。
【図１】
【公開番号】特開２００６−１０５９７０（Ｐ２００６−１０５９７０Ａ）
【公開日】平成１８年４月２０日（２００６．４．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２５３４０３（Ｐ２００５−２５３４０３）
【出願日】平成１７年９月１日（２００５．９．１）
【出願人】（３０３０００４２０）コニカミノルタエムジー株式会社 (2,950)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年４月２０日（２００６．４．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年９月１日（２００５．９．１）
【出願人】（３０３０００４２０）コニカミノルタエムジー株式会社 (2,950)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]