有機エレクトロルミネッセンス素子
【課題】 透明電極の表面の凹凸による影響を解消し、大面積で均一発光が可能な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】 少なくとも有機発光層を含む有機化合物薄膜が陽極上に形成されるとともに、有機化合物薄膜上に陰極が形成されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子である。陽極は、無機透明導電膜表面に低抵抗有機膜が形成された複合電極とする。無機透明導電膜のシート抵抗は５０Ω／□〜１５０Ω／□である。低抵抗有機膜は、厚さが２００ｎｍ以上、厚さ２００ｎｍにおける抵抗値が３００Ω／ｃｍ以下、最高占有軌道レベルのイオン化ポテンシャルが４．９〜５．４ｅＶである。低抵抗有機膜は、例えば２−ＴＮＡＴＡにＦ４−ＴＣＮＱをドープすることにより形成される。
【解決手段】 少なくとも有機発光層を含む有機化合物薄膜が陽極上に形成されるとともに、有機化合物薄膜上に陰極が形成されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子である。陽極は、無機透明導電膜表面に低抵抗有機膜が形成された複合電極とする。無機透明導電膜のシート抵抗は５０Ω／□〜１５０Ω／□である。低抵抗有機膜は、厚さが２００ｎｍ以上、厚さ２００ｎｍにおける抵抗値が３００Ω／ｃｍ以下、最高占有軌道レベルのイオン化ポテンシャルが４．９〜５．４ｅＶである。低抵抗有機膜は、例えば２−ＴＮＡＴＡにＦ４−ＴＣＮＱをドープすることにより形成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光層を有する自発光型の有機エレクトロルミネッセンス素子に関するものであり、特に、いわゆるボトムエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極（透明電極）の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と称する。）は、自発光型の面状光源であり、大型化やフレキシブル化等が比較的容易であるため、照明装置やディスプレイ等、幅広い分野への応用が期待されている。そして、有機ＥＬ素子の構成としては、例えば透明基板上に陽極として機能する透明電極、有機発光層を含む有機化合物薄膜、及び陰極をこの順に積層することにより素子部が形成される、いわゆるボトムエミッション型の構成が広く採用されている。このボトムエミッション型の有機ＥＬ素子では、有機化合物薄膜に電流を流すことにより有機発光層で発生した光を、前記透明基板側から取り出す形になり、陽極は前述の通り透明電極である必要がある。
【０００３】
ところで、これまで発光エリアの小さい有機ＥＬ素子については、例えばディスプレイの開発等において数多く検討されてきたが、照明用等の発光エリアが大きい有機ＥＬ素子についてはあまり研究が進んでおらず、輝度や色のムラが生じ易く、均一に発光する大面積の素子を作製することは難しい。
【０００４】
その理由としては、面積の増大に伴う透明電極の抵抗値の増大を挙げることができる。前述のように、有機ＥＬ素子は、正負の電極間に有機化合物薄膜を挟んだ構造を採っており、有機化合物薄膜の厚さは、一般的なもので１００ｎｍ程度である。光の取り出し方向に形成される陽極は、透明電極材料、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等で形成する必要があるが、陽極を透明電極材料で形成した場合、素子の発光面積が拡大するにつれ陽極（透明電極）の抵抗値が増大する。その結果、陽極に接続される取り出し電極からの距離に応じて駆動電圧が低下し、輝度低下を引き起こす。
【０００５】
このような輝度低下は、有機ＥＬ素子を厚膜化することである程度の改善は見込めるが、駆動電圧の上昇や、輝度低下等の素子特性の低下を招くので、効果的な対策とは言い難い。一方、透明電極の抵抗値を下げることも改善策として検討されているが、透明電極の低抵抗化は厚膜化と同義であり、厚膜化に伴い表面が粗くなることが大きな問題である。電極間の膜厚が１００ｎｍ程度しかない有機ＥＬ素子では、凹凸の影響を受け易く、下地となる透明電極の表面粗さが粗いと、ライトスポット（過剰発光点）やダークスポット、電極間ショートの原因となる虞れがある。
【０００６】
この問題を解決するための対策としては、成膜手法を改善して形成される膜を平坦化したり、透明電極の表面を研磨することによって平坦化する試みも行われている（例えば、特許文献１や特許文献２等を参照）。例えば特許文献１には、透明基板上に形成した透明電極にこれと同組成の電極材料を相対向するように押し当て、これらの間に非水系の液体を介在させて摺動させることにより、表面が平滑な透明電極を作製し、透明電極上に少なくとも有機層および透明電極と対向する電極を積層することが開示されている。また、特許文献２には、透明基板上に形成した透明電極（陽極）上に、有機ＥＬ層及び透明電極を順次積層する工程を有する有機ＥＬ素子の製造方法において、前記有機ＥＬ層及び透明電極を順次積層する工程の前に、前記透明基板上に形成した透明電極（陽極）表面の最大高低差Ｘを４０ｎｍ以下に研磨することが開示されている。
【特許文献１】特開２００４−１４６０９１号公報
【特許文献２】特開２００３−３０８９７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前記各特許文献記載の発明のように透明電極に対して表面研磨を行ったり、あるいは平坦化のために成膜手法を改善する場合、コストの著しい増大を招き、量産を考えた場合には現実的でない。したがって、大面積の有機ＥＬ素子を量産レベルで作製することは、現状の構造では非常に難しいのが実情である。
【０００８】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものである。すなわち、本発明は、透明電極の表面の凹凸による影響を解消し、大面積で均一発光が可能な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することを目的とする。また、本発明は、透明電極の表面研磨や成膜手法の改善が不要で、生産性に優れ製造コストも抑えることができ、量産レベルで作製することが可能な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、種々の研究を重ねた結果、透明で且つ低抵抗電極となるような無機・有機複合電極を陽極とした有機ＥＬ素子を作製することで、大面積な発光面を均一に発光させることに成功した。本発明は、このような研究結果に基づいて完成されたものであり、少なくとも有機発光層を含む有機化合物薄膜が陽極上に形成されるとともに、前記有機化合物薄膜上に陰極が形成されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記陽極は、無機透明導電膜表面に低抵抗有機膜が形成された複合電極であることを特徴とする。
【００１０】
本発明の基本的な考えは、発光面積が例えば１０ｍｍ×１０ｍｍ（１００ｍｍ2）以上の大面積であるような有機ＥＬ素子において、通常の有機ＥＬ素子において陽極として汎用されている透明電極（無機透明導電膜）の厚さを抑えながら低抵抗化を実現し、大面積での均一発光を実現するという点にある。
【００１１】
本発明の有機ＥＬ素子における大きな特徴は、前記の通り、陽極を無機透明導電膜表面に低抵抗有機膜が形成された複合電極とすることであるが、ここで、前記低抵抗有機膜は、無機透明導電膜の厚さを抑えた場合の高抵抗化を抑え、複合電極全体の抵抗値を下げる機能を有する。したがって、取り出し電極からの距離による駆動電圧の降下が抑えられ、輝度低下が解消される。また、無機透明導電膜の厚さを抑えることで、表面の凹凸形成も抑えられるが、前記低抵抗有機膜は表面平坦化層としても機能し、仮に無機透明導電膜の表面に凹凸が形成されていたとしても、これを覆って確実に平坦化する。したがって、無機透明導電膜の凹凸の先端に起こる電場集中が分散され、ライトスポット（過剰発光点）やダークスポット、電極間ショート等が軽減される。
【００１２】
さらに、前記低抵抗有機膜の特性を適正に選定することで、前記複合電極は正孔注入電極としても機能する。通常の有機ＥＬ素子においては、陽極上には正孔注入層が形成されているが、この場合の正孔注入層は、正孔注入効率にのみ主眼が置かれており、電気抵抗が大きく、そのため膜厚は非常に薄くする必要がある。本発明の低抵抗有機膜は、正孔注入機能を有するのみならず、電気抵抗が低く、正孔のモビリティも高い。したがって、膜厚も厚く設定され、前記従来の正孔注入層とは一線を画するものである。
【発明の効果】
【００１３】
以上の構成を有する本発明の有機ＥＬ素子によれば、基板上の無機透明導電膜からなる陽極の電気伝導性を向上させることができ、発光面積が大面積であっても均一な発光を得ることができる。また、本発明の有機ＥＬ素子によれば、無機透明導電膜の表面粗さも無効にすることができ、ライトスポット（過剰発光点）やダークスポット、電極間ショート等を軽減する効果も得ることができる。
【００１４】
以上のことから、本発明の技術は、欠陥が少なく発光エリアが大きい有機ＥＬ素子の作製を可能とし、単色発光（例えば白色発光）の照明等の用途において、特に有効な技術であると言える。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を適用した有機ＥＬ素子の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１６】
本発明は、特に単色発光（例えば白色発光）で、発光面積が５０ｍｍ2（好ましくは１０ｍｍ×１０ｍｍ＝１００ｍｍ2）を越えるような大面積の有機ＥＬ素子、例えば照明用の有機ＥＬ素子等に適用して好適である。これは、大面積の有機ＥＬ素子では、透明電極の抵抗値に起因して場所によって駆動電圧が変わり、均一発光が難しいことによる。そこで、以下の実施形態においては、照明用等の大面積有機ＥＬ素子を想定して説明する。
【００１７】
本実施形態の有機ＥＬ素子は、例えば図１に示すように、基板１上に陽極として機能する複合電極２、有機化合物薄膜３、及び陰極４を順次積層形成することにより素子部を構成してなるものである。
【００１８】
基板１は、素子部を支持する支持体として機能する他、水分、酸素等の素子部への侵入を阻止するバリア層としても機能する。この基板１の構成材料は、特に限定されないが、本実施形態の有機ＥＬ素子はボトムエミッション型の有機ＥＬ素子であり、基板１を通して発光が取り出されることから、透明材料であることが好ましい。したがって、例えばガラスやプラスチック等を用いることができる。ガラスは、水分や酸素等のバリア性にも優れることから、好ましい材料である。プラスチックを用いる場合には、前記バリア性が不足する場合があるので、その場合には、表面にバリア層を形成することが好ましい。
【００１９】
前記基板１上に形成され陽極として機能する複合電極２は、無機透明導電膜２ａと低抵抗有機膜２ｂからなる２層構造を有しており、この点が本発明の有機ＥＬ素子における大きな特徴である。以下、この複合電極２について説明する。
【００２０】
複合電極２は、前述の通り、無機透明導電膜２ａの表面に低抵抗有機膜２ｂを形成し、２層構造としてなるものであるが、ここで無機透明導電膜２ａは、通常の有機ＥＬ素子において透明電極（陽極）として用いられているものと同様である。したがって、例えばインジウム錫酸化物等の無機透明導電材料を用いることができる。
【００２１】
この無機透明導電膜２ａは、特に大面積化による抵抗値の増大を考えると、なるべくその膜厚を厚くすることが好ましいが、無機透明導電膜２ａの厚さを厚くすると、表面粗さが粗くなり、突起等が形成されてライトスポット（過剰発光点）やダークスポット、電極間ショート等の原因となる。そこで、本実施形態の有機ＥＬ素子では、無機透明導電膜２ａの厚さを抑え、表面が粗くなることを抑制する。この場合、具体的な厚さの設定については、無機透明導電膜２ａの電気的特性等によっても変わり、ある程度、抵抗値の大きな状態、例えばシート抵抗が５０Ω／□〜１５０Ω／□となるような膜厚範囲で成膜することが好ましい。一般的なディスプレイ用の有機ＥＬ素子では、ＩＴＯ電極のシート抵抗は１０Ω／□以下とされているが、このような低抵抗ＩＴＯ電極では、表面にスパイクと称される突起が形成され易い。
【００２２】
前記のように無機透明導電膜２ａの厚さを抑えると、結果として抵抗値が大きくなり、そのまま陽極として利用すると、駆動電圧が低下して輝度の低下を招く。そこで、本実施形態では、無機透明導電膜２ａの表面に低抵抗有機膜２ｂを形成し、これを補うこととする。
【００２３】
このような観点から、前記低抵抗有機膜２ｂには、先ず、電気抵抗が小さいことが要求される。少なくとも、低抵抗有機膜２ｂの抵抗値は、前記無機透明導電膜２ａの抵抗値よりも小さいことが好ましい。また、具体的な数値で言えば、例えば膜厚２００ｎｍのときに３００Ω／ｃｍ以下であることが好ましい。低抵抗有機膜２ｂの電気抵抗が、前記値よりも大きいと、無機透明導電膜２ａの抵抗値が高いことを補うことができず、複合電極２全体の抵抗値が十分に低くならないので、全体の輝度低下が問題になる虞れがある。
【００２４】
また、前記低抵抗有機膜２ｂは、前記無機透明導電膜２ａの表面を覆って、これを平坦化する機能もある。この平坦化を考慮すると、低抵抗有機膜２ｂの膜厚は、２００ｎｍ以上であることが好ましい。前記膜厚を２００ｎｍ以上とすることで、通常想定されるインジウム錫酸化物膜の表面凹凸を確実にカバーすることができ、表面の平坦化を図ることができる。これに対して、低抵抗有機膜２ｂの厚さが２００ｎｍ未満であると、複合電極２の表面に凹凸が残り、これが特性に悪影響を及ぼす虞れがある。
【００２５】
以上が低抵抗有機膜２ｂに要求される事項であるが、複合電極２上に形成される有機化合物薄膜３に対する正孔注入効率を向上させることを目的に、前記低抵抗有機膜２ｂに正孔注入機能を持たせることも有効である。この場合、低抵抗有機膜２ｂにより、電極である無機透明導電膜２ａの仕事関数と有機化合物薄膜３の最高占有軌道レベル［ホモ（ＨＯＭＯ）レベル］をマッチングさせることが必要であり、そのためには、低抵抗有機膜２ｂのＨＯＭＯレベルのエネルギー（イオン化ポテンシャル）を４．９〜５．４ｅＶとすることが好ましい。
【００２６】
前記のように、低抵抗有機膜２ｂに正孔注入機能を持たせることにより、有機化合物薄膜３から正孔注入層を省略することが可能である。また、低抵抗有機膜２ｂは、抵抗値が小さく、移動度（モビリティ）の高い材料により形成されているので、輸送層としての機能も有し、したがって、前記正孔注入層ばかりでなく、正孔輸送層も省略することが可能である。勿論、必要に応じてこれら正孔注入層や正孔輸送層を形成しても良いことは言うまでもない。
【００２７】
前述の要件を満たす低抵抗有機膜２ｂとしては、例えばスターバースト系分子をホスト材料とし、これにテトラフルオロテトラシアノキノジメタン等のドーピング材料をドープした膜等を挙げることができる。スターバースト系分子は、結晶化し難く、アモルファス状態で成膜可能であることから、平坦化、均質化等の点で好適である。
【００２８】
ここで、ホスト材料であるスターバースト系分子は、点対称形状に分岐し、構造式で表した場合に星形形状を有する分子であり、例えば化１，化２に示すＴＮＡＴＡ系化合物、化３〜化６に示すＴＤＡＴＡ系化合物、化７に示すＴＤＡＢ系化合物、化８に示すＴＤＡＴｚ系化合物、化９に示すＴＤＡＰＢ系化合物、化１０〜化１２に示すＴＴＡ系化合物等を挙げることができる。中でも、４，４’，４”−トリス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］−トリフェニルアミン（＝２−ＴＮＡＴＡ）は好ましい材料である。
【００２９】
【化１】
【００３０】
【化２】
【００３１】
【化３】
【００３２】
【化４】
【００３３】
【化５】
【００３４】
【化６】
【００３５】
【化７】
【００３６】
【化８】
【００３７】
【化９】
【００３８】
【化１０】
【００３９】
【化１１】
【００４０】
【化１２】
【００４１】
前記ホスト材料にドーピングするドーピング材料としては、低抵抗化が図れ、さらには正孔注入層、正孔輸送層としての機能を付与し得る材料であれば如何なるものであってもよいが、例えば化１３に示すテトラフルオロテトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）等が好適である。その他、例えば正孔ドーパントとしては、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノ−１，４−ベンゾキノン（ＤＤＱ：2,3-dichrolo-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone）、７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ：7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane)、１，４，５，８−ナフタレン−テトラカルボン酸二無水物（ＮＴＣＤＡ：1,4,5,8-naphthalene-tetracaboxylic-dianhydride）、ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン酸−３，４，９，１０−二無水物（ＰＴＣＤＡ：perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic-3,4,9,10-dianhydride）等を例示することができる。ホスト材料として２−ＴＮＡＴＡを用い、Ｆ４−ＴＣＮＱをドープする場合、Ｆ４−ＴＣＮＱのドープ量は、０．２重量％〜３重量％の範囲とすることが好ましい。前記ドープ量とすることで、低抵抗有機膜２ｂとして適切な特性を付与することができる。
【００４２】
【化１３】
【００４３】
複合電極２の上には、有機化合物薄膜３が形成されるが、その構成としては、最低限、有機発光層を備えていれば良い。本実施形態では、有機化合物薄膜３は、正孔注入層及び正孔輸送層を省略し、有機発光層５、電子輸送層６、及び電子注入層７を順次積層することにより構成されている。先にも述べたように、複合電極２の低抵抗有機膜２ｂとは別に、正孔注入層や正孔輸送層を形成することも可能であり、この場合には、有機化合物薄膜３は５層構造となる。
【００４４】
各層を構成する材料としては、有機ＥＬ素子において公知のものがいずれも使用可能であり、特に制約はない。例示するならば、有機発光層５の材料としては、例えばトリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物等を挙げることができる。あるいは、アルミニウム錯体（Ａｌｑ3）やベリリウム錯体（Ｂｅｂｑ2）等をホスト材料とし、これにドーパント色素をドーピングしたもの等も使用可能である。この場合、ドーピング色素としては、ペリレン、Ｃｏ−６、キナクリドン（Ｑｄ）、ルブレン、ＤＣＭ等を挙げることができる。
【００４５】
また、電子輸送層６の材料としては、例えばアルミニウム錯体、オキサジアゾール類、トリアゾール類、フェナントロリン類等を挙げることができる。電子注入層７の材料としては、リチウム等のアルカリ金属、フッ化リチウム、酸化リチウム、リチウム錯体、アルカリ金属ドープ有機材料等を挙げることができる。
【００４６】
有機化合物薄膜３の上に重ねられる陰極４は、例えばアルミニウム等の金属材料や、アルミニウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金等の合金材料等によって構成される。これら金属材料や合金材料を、例えばスパッタや蒸着等の真空薄膜形成技術によって成膜することにより、陰極４が形成される。
【００４７】
以上、本発明を適用した有機ＥＬ素子の実施形態について説明してきたが、本発明の有機ＥＬ素子の構成がこの実施形態のものに限られるわけではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【実施例】
【００４８】
本実施例においては、本発明の効果を確認するため、実際に有機ＥＬ素子を作製し、輝度ムラの状況について調べた。
【００４９】
作製した有機ＥＬ素子は、図２（ａ）に示すようなものである。すなわち、ガラス基板１１上に陽極１２を成膜し、これと重ねて有機化合物層１３を形成した。有機化合物薄膜１３は、有機発光層、電子輸送層、電子注入層の３層構造とした。有機化合物薄膜１３上には、Ａｌからなる陰極１４を形成した。陽極１２の一端に取り出し電極を設け、陽極１２と陰極１４間に直流電源１５を接続した。
【００５０】
陽極１２については、先ず、通常の膜厚のＩＴＯ電極のみとした場合を比較例１、厚さの厚いＩＴＯ電極とした場合を比較例２、ＩＴＯ電極と低抵抗有機膜からなる複合電極とした場合を実施例とした。実施例において、低抵抗有機膜は、２−ＴＮＡＴＡにＦ４−ＴＣＮＱをドープすることにより形成した。２−ＴＮＡＴＡとＦ４−ＴＣＮＱの割合は、重量比で２−ＴＮＡＴＡ：Ｆ４−ＴＣＮＱ＝１００：０．５である。
【００５１】
これら実施例及び比較例１，２の有機ＥＬ素子について、発光面内における輝度分布を調べた。輝度分布は、陽極１２の取り出し電極からの距離による輝度依存性により評価した。結果を図２（ｂ）に示す。
【００５２】
図２（ｂ）から明らかなように、通常のＩＴＯ電極のみ（比較例１）では、陰極１４端部からの距離が大きくなるにしたがって、輝度が急激に低下しており、輝度低下が大きいことがわかる。比較例２のようにＩＴＯ電極の膜厚を厚くすることで、前記輝度低下はある程度抑えられているが、それでも完全に輝度低下を抑えるには至っていない。また、比較例２では、ＩＴＯ電極の膜厚が厚いため、サンプルによっては、ライトスポット（過剰発光点）やダークスポット、電極間ショート等が観察された。
【００５３】
これに対して、ＩＴＯ電極と低抵抗有機膜からなる複合電極とした実施例では、前記距離による輝度低下はほとんど見られず、輝度ムラがほぼ完全に抑えられている。また、ライトスポット（過剰発光点）やダークスポット、電極間ショート等も、全く認められなかった。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明を適用した有機ＥＬ素子の構成例を示す概略断面図である。
【図２】（ａ）は実施例において作製した有機ＥＬ素子の構成を示す概略平面図であり、（ｂ）は有機ＥＬ素子の発光面内における輝度と取り出し電極からの距離の関係を示す特性図である。
【符号の説明】
【００５５】
１ 基板、２ 複合電極、２ａ 無機透明導電膜、２ｂ 低抵抗有機膜、３ 有機化合物薄膜、４ 陰極、５ 有機発光層、６ 電子輸送層、７ 電子注入層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光層を有する自発光型の有機エレクトロルミネッセンス素子に関するものであり、特に、いわゆるボトムエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極（透明電極）の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と称する。）は、自発光型の面状光源であり、大型化やフレキシブル化等が比較的容易であるため、照明装置やディスプレイ等、幅広い分野への応用が期待されている。そして、有機ＥＬ素子の構成としては、例えば透明基板上に陽極として機能する透明電極、有機発光層を含む有機化合物薄膜、及び陰極をこの順に積層することにより素子部が形成される、いわゆるボトムエミッション型の構成が広く採用されている。このボトムエミッション型の有機ＥＬ素子では、有機化合物薄膜に電流を流すことにより有機発光層で発生した光を、前記透明基板側から取り出す形になり、陽極は前述の通り透明電極である必要がある。
【０００３】
ところで、これまで発光エリアの小さい有機ＥＬ素子については、例えばディスプレイの開発等において数多く検討されてきたが、照明用等の発光エリアが大きい有機ＥＬ素子についてはあまり研究が進んでおらず、輝度や色のムラが生じ易く、均一に発光する大面積の素子を作製することは難しい。
【０００４】
その理由としては、面積の増大に伴う透明電極の抵抗値の増大を挙げることができる。前述のように、有機ＥＬ素子は、正負の電極間に有機化合物薄膜を挟んだ構造を採っており、有機化合物薄膜の厚さは、一般的なもので１００ｎｍ程度である。光の取り出し方向に形成される陽極は、透明電極材料、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等で形成する必要があるが、陽極を透明電極材料で形成した場合、素子の発光面積が拡大するにつれ陽極（透明電極）の抵抗値が増大する。その結果、陽極に接続される取り出し電極からの距離に応じて駆動電圧が低下し、輝度低下を引き起こす。
【０００５】
このような輝度低下は、有機ＥＬ素子を厚膜化することである程度の改善は見込めるが、駆動電圧の上昇や、輝度低下等の素子特性の低下を招くので、効果的な対策とは言い難い。一方、透明電極の抵抗値を下げることも改善策として検討されているが、透明電極の低抵抗化は厚膜化と同義であり、厚膜化に伴い表面が粗くなることが大きな問題である。電極間の膜厚が１００ｎｍ程度しかない有機ＥＬ素子では、凹凸の影響を受け易く、下地となる透明電極の表面粗さが粗いと、ライトスポット（過剰発光点）やダークスポット、電極間ショートの原因となる虞れがある。
【０００６】
この問題を解決するための対策としては、成膜手法を改善して形成される膜を平坦化したり、透明電極の表面を研磨することによって平坦化する試みも行われている（例えば、特許文献１や特許文献２等を参照）。例えば特許文献１には、透明基板上に形成した透明電極にこれと同組成の電極材料を相対向するように押し当て、これらの間に非水系の液体を介在させて摺動させることにより、表面が平滑な透明電極を作製し、透明電極上に少なくとも有機層および透明電極と対向する電極を積層することが開示されている。また、特許文献２には、透明基板上に形成した透明電極（陽極）上に、有機ＥＬ層及び透明電極を順次積層する工程を有する有機ＥＬ素子の製造方法において、前記有機ＥＬ層及び透明電極を順次積層する工程の前に、前記透明基板上に形成した透明電極（陽極）表面の最大高低差Ｘを４０ｎｍ以下に研磨することが開示されている。
【特許文献１】特開２００４−１４６０９１号公報
【特許文献２】特開２００３−３０８９７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前記各特許文献記載の発明のように透明電極に対して表面研磨を行ったり、あるいは平坦化のために成膜手法を改善する場合、コストの著しい増大を招き、量産を考えた場合には現実的でない。したがって、大面積の有機ＥＬ素子を量産レベルで作製することは、現状の構造では非常に難しいのが実情である。
【０００８】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものである。すなわち、本発明は、透明電極の表面の凹凸による影響を解消し、大面積で均一発光が可能な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することを目的とする。また、本発明は、透明電極の表面研磨や成膜手法の改善が不要で、生産性に優れ製造コストも抑えることができ、量産レベルで作製することが可能な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、種々の研究を重ねた結果、透明で且つ低抵抗電極となるような無機・有機複合電極を陽極とした有機ＥＬ素子を作製することで、大面積な発光面を均一に発光させることに成功した。本発明は、このような研究結果に基づいて完成されたものであり、少なくとも有機発光層を含む有機化合物薄膜が陽極上に形成されるとともに、前記有機化合物薄膜上に陰極が形成されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記陽極は、無機透明導電膜表面に低抵抗有機膜が形成された複合電極であることを特徴とする。
【００１０】
本発明の基本的な考えは、発光面積が例えば１０ｍｍ×１０ｍｍ（１００ｍｍ2）以上の大面積であるような有機ＥＬ素子において、通常の有機ＥＬ素子において陽極として汎用されている透明電極（無機透明導電膜）の厚さを抑えながら低抵抗化を実現し、大面積での均一発光を実現するという点にある。
【００１１】
本発明の有機ＥＬ素子における大きな特徴は、前記の通り、陽極を無機透明導電膜表面に低抵抗有機膜が形成された複合電極とすることであるが、ここで、前記低抵抗有機膜は、無機透明導電膜の厚さを抑えた場合の高抵抗化を抑え、複合電極全体の抵抗値を下げる機能を有する。したがって、取り出し電極からの距離による駆動電圧の降下が抑えられ、輝度低下が解消される。また、無機透明導電膜の厚さを抑えることで、表面の凹凸形成も抑えられるが、前記低抵抗有機膜は表面平坦化層としても機能し、仮に無機透明導電膜の表面に凹凸が形成されていたとしても、これを覆って確実に平坦化する。したがって、無機透明導電膜の凹凸の先端に起こる電場集中が分散され、ライトスポット（過剰発光点）やダークスポット、電極間ショート等が軽減される。
【００１２】
さらに、前記低抵抗有機膜の特性を適正に選定することで、前記複合電極は正孔注入電極としても機能する。通常の有機ＥＬ素子においては、陽極上には正孔注入層が形成されているが、この場合の正孔注入層は、正孔注入効率にのみ主眼が置かれており、電気抵抗が大きく、そのため膜厚は非常に薄くする必要がある。本発明の低抵抗有機膜は、正孔注入機能を有するのみならず、電気抵抗が低く、正孔のモビリティも高い。したがって、膜厚も厚く設定され、前記従来の正孔注入層とは一線を画するものである。
【発明の効果】
【００１３】
以上の構成を有する本発明の有機ＥＬ素子によれば、基板上の無機透明導電膜からなる陽極の電気伝導性を向上させることができ、発光面積が大面積であっても均一な発光を得ることができる。また、本発明の有機ＥＬ素子によれば、無機透明導電膜の表面粗さも無効にすることができ、ライトスポット（過剰発光点）やダークスポット、電極間ショート等を軽減する効果も得ることができる。
【００１４】
以上のことから、本発明の技術は、欠陥が少なく発光エリアが大きい有機ＥＬ素子の作製を可能とし、単色発光（例えば白色発光）の照明等の用途において、特に有効な技術であると言える。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を適用した有機ＥＬ素子の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１６】
本発明は、特に単色発光（例えば白色発光）で、発光面積が５０ｍｍ2（好ましくは１０ｍｍ×１０ｍｍ＝１００ｍｍ2）を越えるような大面積の有機ＥＬ素子、例えば照明用の有機ＥＬ素子等に適用して好適である。これは、大面積の有機ＥＬ素子では、透明電極の抵抗値に起因して場所によって駆動電圧が変わり、均一発光が難しいことによる。そこで、以下の実施形態においては、照明用等の大面積有機ＥＬ素子を想定して説明する。
【００１７】
本実施形態の有機ＥＬ素子は、例えば図１に示すように、基板１上に陽極として機能する複合電極２、有機化合物薄膜３、及び陰極４を順次積層形成することにより素子部を構成してなるものである。
【００１８】
基板１は、素子部を支持する支持体として機能する他、水分、酸素等の素子部への侵入を阻止するバリア層としても機能する。この基板１の構成材料は、特に限定されないが、本実施形態の有機ＥＬ素子はボトムエミッション型の有機ＥＬ素子であり、基板１を通して発光が取り出されることから、透明材料であることが好ましい。したがって、例えばガラスやプラスチック等を用いることができる。ガラスは、水分や酸素等のバリア性にも優れることから、好ましい材料である。プラスチックを用いる場合には、前記バリア性が不足する場合があるので、その場合には、表面にバリア層を形成することが好ましい。
【００１９】
前記基板１上に形成され陽極として機能する複合電極２は、無機透明導電膜２ａと低抵抗有機膜２ｂからなる２層構造を有しており、この点が本発明の有機ＥＬ素子における大きな特徴である。以下、この複合電極２について説明する。
【００２０】
複合電極２は、前述の通り、無機透明導電膜２ａの表面に低抵抗有機膜２ｂを形成し、２層構造としてなるものであるが、ここで無機透明導電膜２ａは、通常の有機ＥＬ素子において透明電極（陽極）として用いられているものと同様である。したがって、例えばインジウム錫酸化物等の無機透明導電材料を用いることができる。
【００２１】
この無機透明導電膜２ａは、特に大面積化による抵抗値の増大を考えると、なるべくその膜厚を厚くすることが好ましいが、無機透明導電膜２ａの厚さを厚くすると、表面粗さが粗くなり、突起等が形成されてライトスポット（過剰発光点）やダークスポット、電極間ショート等の原因となる。そこで、本実施形態の有機ＥＬ素子では、無機透明導電膜２ａの厚さを抑え、表面が粗くなることを抑制する。この場合、具体的な厚さの設定については、無機透明導電膜２ａの電気的特性等によっても変わり、ある程度、抵抗値の大きな状態、例えばシート抵抗が５０Ω／□〜１５０Ω／□となるような膜厚範囲で成膜することが好ましい。一般的なディスプレイ用の有機ＥＬ素子では、ＩＴＯ電極のシート抵抗は１０Ω／□以下とされているが、このような低抵抗ＩＴＯ電極では、表面にスパイクと称される突起が形成され易い。
【００２２】
前記のように無機透明導電膜２ａの厚さを抑えると、結果として抵抗値が大きくなり、そのまま陽極として利用すると、駆動電圧が低下して輝度の低下を招く。そこで、本実施形態では、無機透明導電膜２ａの表面に低抵抗有機膜２ｂを形成し、これを補うこととする。
【００２３】
このような観点から、前記低抵抗有機膜２ｂには、先ず、電気抵抗が小さいことが要求される。少なくとも、低抵抗有機膜２ｂの抵抗値は、前記無機透明導電膜２ａの抵抗値よりも小さいことが好ましい。また、具体的な数値で言えば、例えば膜厚２００ｎｍのときに３００Ω／ｃｍ以下であることが好ましい。低抵抗有機膜２ｂの電気抵抗が、前記値よりも大きいと、無機透明導電膜２ａの抵抗値が高いことを補うことができず、複合電極２全体の抵抗値が十分に低くならないので、全体の輝度低下が問題になる虞れがある。
【００２４】
また、前記低抵抗有機膜２ｂは、前記無機透明導電膜２ａの表面を覆って、これを平坦化する機能もある。この平坦化を考慮すると、低抵抗有機膜２ｂの膜厚は、２００ｎｍ以上であることが好ましい。前記膜厚を２００ｎｍ以上とすることで、通常想定されるインジウム錫酸化物膜の表面凹凸を確実にカバーすることができ、表面の平坦化を図ることができる。これに対して、低抵抗有機膜２ｂの厚さが２００ｎｍ未満であると、複合電極２の表面に凹凸が残り、これが特性に悪影響を及ぼす虞れがある。
【００２５】
以上が低抵抗有機膜２ｂに要求される事項であるが、複合電極２上に形成される有機化合物薄膜３に対する正孔注入効率を向上させることを目的に、前記低抵抗有機膜２ｂに正孔注入機能を持たせることも有効である。この場合、低抵抗有機膜２ｂにより、電極である無機透明導電膜２ａの仕事関数と有機化合物薄膜３の最高占有軌道レベル［ホモ（ＨＯＭＯ）レベル］をマッチングさせることが必要であり、そのためには、低抵抗有機膜２ｂのＨＯＭＯレベルのエネルギー（イオン化ポテンシャル）を４．９〜５．４ｅＶとすることが好ましい。
【００２６】
前記のように、低抵抗有機膜２ｂに正孔注入機能を持たせることにより、有機化合物薄膜３から正孔注入層を省略することが可能である。また、低抵抗有機膜２ｂは、抵抗値が小さく、移動度（モビリティ）の高い材料により形成されているので、輸送層としての機能も有し、したがって、前記正孔注入層ばかりでなく、正孔輸送層も省略することが可能である。勿論、必要に応じてこれら正孔注入層や正孔輸送層を形成しても良いことは言うまでもない。
【００２７】
前述の要件を満たす低抵抗有機膜２ｂとしては、例えばスターバースト系分子をホスト材料とし、これにテトラフルオロテトラシアノキノジメタン等のドーピング材料をドープした膜等を挙げることができる。スターバースト系分子は、結晶化し難く、アモルファス状態で成膜可能であることから、平坦化、均質化等の点で好適である。
【００２８】
ここで、ホスト材料であるスターバースト系分子は、点対称形状に分岐し、構造式で表した場合に星形形状を有する分子であり、例えば化１，化２に示すＴＮＡＴＡ系化合物、化３〜化６に示すＴＤＡＴＡ系化合物、化７に示すＴＤＡＢ系化合物、化８に示すＴＤＡＴｚ系化合物、化９に示すＴＤＡＰＢ系化合物、化１０〜化１２に示すＴＴＡ系化合物等を挙げることができる。中でも、４，４’，４”−トリス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］−トリフェニルアミン（＝２−ＴＮＡＴＡ）は好ましい材料である。
【００２９】
【化１】
【００３０】
【化２】
【００３１】
【化３】
【００３２】
【化４】
【００３３】
【化５】
【００３４】
【化６】
【００３５】
【化７】
【００３６】
【化８】
【００３７】
【化９】
【００３８】
【化１０】
【００３９】
【化１１】
【００４０】
【化１２】
【００４１】
前記ホスト材料にドーピングするドーピング材料としては、低抵抗化が図れ、さらには正孔注入層、正孔輸送層としての機能を付与し得る材料であれば如何なるものであってもよいが、例えば化１３に示すテトラフルオロテトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）等が好適である。その他、例えば正孔ドーパントとしては、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノ−１，４−ベンゾキノン（ＤＤＱ：2,3-dichrolo-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone）、７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ：7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane)、１，４，５，８−ナフタレン−テトラカルボン酸二無水物（ＮＴＣＤＡ：1,4,5,8-naphthalene-tetracaboxylic-dianhydride）、ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン酸−３，４，９，１０−二無水物（ＰＴＣＤＡ：perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic-3,4,9,10-dianhydride）等を例示することができる。ホスト材料として２−ＴＮＡＴＡを用い、Ｆ４−ＴＣＮＱをドープする場合、Ｆ４−ＴＣＮＱのドープ量は、０．２重量％〜３重量％の範囲とすることが好ましい。前記ドープ量とすることで、低抵抗有機膜２ｂとして適切な特性を付与することができる。
【００４２】
【化１３】
【００４３】
複合電極２の上には、有機化合物薄膜３が形成されるが、その構成としては、最低限、有機発光層を備えていれば良い。本実施形態では、有機化合物薄膜３は、正孔注入層及び正孔輸送層を省略し、有機発光層５、電子輸送層６、及び電子注入層７を順次積層することにより構成されている。先にも述べたように、複合電極２の低抵抗有機膜２ｂとは別に、正孔注入層や正孔輸送層を形成することも可能であり、この場合には、有機化合物薄膜３は５層構造となる。
【００４４】
各層を構成する材料としては、有機ＥＬ素子において公知のものがいずれも使用可能であり、特に制約はない。例示するならば、有機発光層５の材料としては、例えばトリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物等を挙げることができる。あるいは、アルミニウム錯体（Ａｌｑ3）やベリリウム錯体（Ｂｅｂｑ2）等をホスト材料とし、これにドーパント色素をドーピングしたもの等も使用可能である。この場合、ドーピング色素としては、ペリレン、Ｃｏ−６、キナクリドン（Ｑｄ）、ルブレン、ＤＣＭ等を挙げることができる。
【００４５】
また、電子輸送層６の材料としては、例えばアルミニウム錯体、オキサジアゾール類、トリアゾール類、フェナントロリン類等を挙げることができる。電子注入層７の材料としては、リチウム等のアルカリ金属、フッ化リチウム、酸化リチウム、リチウム錯体、アルカリ金属ドープ有機材料等を挙げることができる。
【００４６】
有機化合物薄膜３の上に重ねられる陰極４は、例えばアルミニウム等の金属材料や、アルミニウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金等の合金材料等によって構成される。これら金属材料や合金材料を、例えばスパッタや蒸着等の真空薄膜形成技術によって成膜することにより、陰極４が形成される。
【００４７】
以上、本発明を適用した有機ＥＬ素子の実施形態について説明してきたが、本発明の有機ＥＬ素子の構成がこの実施形態のものに限られるわけではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【実施例】
【００４８】
本実施例においては、本発明の効果を確認するため、実際に有機ＥＬ素子を作製し、輝度ムラの状況について調べた。
【００４９】
作製した有機ＥＬ素子は、図２（ａ）に示すようなものである。すなわち、ガラス基板１１上に陽極１２を成膜し、これと重ねて有機化合物層１３を形成した。有機化合物薄膜１３は、有機発光層、電子輸送層、電子注入層の３層構造とした。有機化合物薄膜１３上には、Ａｌからなる陰極１４を形成した。陽極１２の一端に取り出し電極を設け、陽極１２と陰極１４間に直流電源１５を接続した。
【００５０】
陽極１２については、先ず、通常の膜厚のＩＴＯ電極のみとした場合を比較例１、厚さの厚いＩＴＯ電極とした場合を比較例２、ＩＴＯ電極と低抵抗有機膜からなる複合電極とした場合を実施例とした。実施例において、低抵抗有機膜は、２−ＴＮＡＴＡにＦ４−ＴＣＮＱをドープすることにより形成した。２−ＴＮＡＴＡとＦ４−ＴＣＮＱの割合は、重量比で２−ＴＮＡＴＡ：Ｆ４−ＴＣＮＱ＝１００：０．５である。
【００５１】
これら実施例及び比較例１，２の有機ＥＬ素子について、発光面内における輝度分布を調べた。輝度分布は、陽極１２の取り出し電極からの距離による輝度依存性により評価した。結果を図２（ｂ）に示す。
【００５２】
図２（ｂ）から明らかなように、通常のＩＴＯ電極のみ（比較例１）では、陰極１４端部からの距離が大きくなるにしたがって、輝度が急激に低下しており、輝度低下が大きいことがわかる。比較例２のようにＩＴＯ電極の膜厚を厚くすることで、前記輝度低下はある程度抑えられているが、それでも完全に輝度低下を抑えるには至っていない。また、比較例２では、ＩＴＯ電極の膜厚が厚いため、サンプルによっては、ライトスポット（過剰発光点）やダークスポット、電極間ショート等が観察された。
【００５３】
これに対して、ＩＴＯ電極と低抵抗有機膜からなる複合電極とした実施例では、前記距離による輝度低下はほとんど見られず、輝度ムラがほぼ完全に抑えられている。また、ライトスポット（過剰発光点）やダークスポット、電極間ショート等も、全く認められなかった。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明を適用した有機ＥＬ素子の構成例を示す概略断面図である。
【図２】（ａ）は実施例において作製した有機ＥＬ素子の構成を示す概略平面図であり、（ｂ）は有機ＥＬ素子の発光面内における輝度と取り出し電極からの距離の関係を示す特性図である。
【符号の説明】
【００５５】
１ 基板、２ 複合電極、２ａ 無機透明導電膜、２ｂ 低抵抗有機膜、３ 有機化合物薄膜、４ 陰極、５ 有機発光層、６ 電子輸送層、７ 電子注入層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも有機発光層を含む有機化合物薄膜が陽極上に形成されるとともに、前記有機化合物薄膜上に陰極が形成されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記陽極は、無機透明導電膜表面に低抵抗有機膜が形成された複合電極であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
前記無機透明導電膜は、インジウム錫酸化物膜であることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記無機透明導電膜のシート抵抗が５０Ω／□〜１５０Ω／□であることを特徴とする請求項１又は２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記低抵抗有機膜の厚さが２００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
前記低抵抗有機膜の抵抗値が前記無機透明導電膜の抵抗値よりも小であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
前記低抵抗有機膜は、厚さ２００ｎｍにおける抵抗値が３００Ω／ｃｍ以下であることを特徴とする請求項５記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
前記低抵抗有機膜は、最高占有軌道レベルのイオン化ポテンシャルが４．９〜５．４ｅＶであることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
前記低抵抗有機膜は、スターバースト系分子をホスト材料とし、これにテトラフルオロテトラシアノキノジメタンをドープした膜であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
前記スターバースト系分子は、４，４’，４”−トリス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］−トリフェニルアミンであることを特徴とする請求項８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１０】
前記有機化合物薄膜は、有機発光層、電子輸送層、及び電子注入層がこの順に積層されて構成されていることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１１】
１画素の大きさが５０ｍｍ2以上であることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１２】
照明用であることを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１】
少なくとも有機発光層を含む有機化合物薄膜が陽極上に形成されるとともに、前記有機化合物薄膜上に陰極が形成されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記陽極は、無機透明導電膜表面に低抵抗有機膜が形成された複合電極であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
前記無機透明導電膜は、インジウム錫酸化物膜であることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記無機透明導電膜のシート抵抗が５０Ω／□〜１５０Ω／□であることを特徴とする請求項１又は２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記低抵抗有機膜の厚さが２００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
前記低抵抗有機膜の抵抗値が前記無機透明導電膜の抵抗値よりも小であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
前記低抵抗有機膜は、厚さ２００ｎｍにおける抵抗値が３００Ω／ｃｍ以下であることを特徴とする請求項５記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
前記低抵抗有機膜は、最高占有軌道レベルのイオン化ポテンシャルが４．９〜５．４ｅＶであることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
前記低抵抗有機膜は、スターバースト系分子をホスト材料とし、これにテトラフルオロテトラシアノキノジメタンをドープした膜であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
前記スターバースト系分子は、４，４’，４”−トリス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］−トリフェニルアミンであることを特徴とする請求項８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１０】
前記有機化合物薄膜は、有機発光層、電子輸送層、及び電子注入層がこの順に積層されて構成されていることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１１】
１画素の大きさが５０ｍｍ2以上であることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１２】
照明用であることを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２００６−２４４３２（Ｐ２００６−２４４３２Ａ）
【公開日】平成１８年１月２６日（２００６．１．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−２００９６７（Ｐ２００４−２００９６７）
【出願日】平成１６年７月７日（２００４．７．７）
【出願人】（５０３３６０１１５）独立行政法人科学技術振興機構 (1,734)
【出願人】（５０４２２６５２６）
【出願人】（５９７１４０１４３）
【出願人】（５０４２２７４６４）
【出願人】（０００１８４６８７）小松精練株式会社 (110)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１月２６日（２００６．１．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年７月７日（２００４．７．７）
【出願人】（５０３３６０１１５）独立行政法人科学技術振興機構 (1,734)
【出願人】（５０４２２６５２６）
【出願人】（５９７１４０１４３）
【出願人】（５０４２２７４６４）
【出願人】（０００１８４６８７）小松精練株式会社 (110)
【Ｆターム（参考）】
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