有機発光装置
【課題】低抵抗特性を示し、透過率が高い電極を含む有機発光装置を提供する。
【解決手段】有機発光装置は、第１電極、それと対向する第２電極、及び第１電極及び第２電極の間に位置する発光層を含み、第１電極は、下記化学式１で示されるイッテルビウム（Ｙｂ）合金を含む：
式中、Ｍは銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、インジウム（Ｉｎ）、タングステン（Ｗ）及びこれらの組み合わせからなる群より選択される金属である。
【解決手段】有機発光装置は、第１電極、それと対向する第２電極、及び第１電極及び第２電極の間に位置する発光層を含み、第１電極は、下記化学式１で示されるイッテルビウム（Ｙｂ）合金を含む：
式中、Ｍは銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、インジウム（Ｉｎ）、タングステン（Ｗ）及びこれらの組み合わせからなる群より選択される金属である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年では、モニターまたはテレビなどの軽量化及び薄型化が要求されており、このような要求によって、陰極線管（ｃａｔｈｏｄｅ ｒａｙ ｔｕｂｅ、ＣＲＴ）が液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ−ｃｒｙｓｔａｌ−ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）によって代替されている。
【０００３】
しかし、液晶表示装置は、受発光素子であって、別途バックライト（ｂａｃｋ ｌｉｇｈｔ）が必要であり、応答速度及び視野角などに限界がある。
【０００４】
最近では、このような限界を克服することができる表示装置として、有機発光装置（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ｄｉｓｐｌａｙ、ＯＬＥＤ ｄｉｓｐｌａｙ）が注目されている。
【０００５】
有機発光装置は、二つの電極及びその間に位置する発光層を含み、一つの電極から注入された電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）及び他の電極から注入された正孔（ｈｏｌｅ）が発光層で結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を形成し、励起子がエネルギーを放出しながら発光する。
【０００６】
そして、発光層から発光した光は、二つの電極のうちの少なくとも一つを通過して外部に放出される。このときに、発光層から発光した光が電極によって失われるという問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、低抵抗特性を示し、透過率が高い電極を含む有機発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態によれば、第１電極、前記第１電極と対向する第２電極、並びに前記第１電極及び前記第２電極の間に位置する発光層を含み、前記第１電極は、下記化学式１：
【０００９】
【化１】
【００１０】
式中、Ｍは銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、インジウム（Ｉｎ）、タングステン（Ｗ）及びこれらの組み合わせからなる群より選択される金属である、
で示されるイッテルビウム（Ｙｂ）合金を含む、有機発光装置が提供される。
【００１１】
前記イッテルビウム合金は、Ｙｂ：Ｍの比率が約２０：１〜約１：２０である。
【００１２】
または、前記イッテルビウム合金は、Ｙｂ：Ｍの比率が約５：１〜約１：６である。
【００１３】
または、前記イッテルビウム合金は、Ｙｂ：Ｍの比率が約１：１である。
【００１４】
前記第１電極は、可視光線領域で光透過率が約４０％以上である。
【００１５】
好ましくは、前記第１電極は、可視光線領域で光透過率が約４０〜９５％である。
【００１６】
前記第１電極は、約５０〜５００Åの厚さの範囲で面抵抗が約５００Ω/ｃｍ２以下である。
【００１７】
好ましくは、前記第１電極は、約５０〜５００Åの厚さの範囲で面抵抗が約１〜５００Ω/ｃｍ２である。
【００１８】
前記第１電極は、厚さが約５０〜５００Åである。
【００１９】
前記イッテルビウム合金は、イッテルビウム−銀合金（ＹｂＡｇ）である。
【００２０】
本発明の他の実施形態によれば、前記第１電極は、前記化学式１で示されるイッテルビウム（Ｙｂ）合金を含む第１層、及び銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、インジウム（Ｉｎ）、タングステン（Ｗ）、これらの合金、またはこれらの組み合わせを含む第２層を含む、有機発光装置が提供される。
【００２１】
前記第１層は、厚さが約５〜２００Åであり、前記第２層は、厚さが約５０〜３００Åである。
【００２２】
前記第１層は、イッテルビウム−銀合金（ＹｂＡｇ）を含み、前記第２層は、銀（Ａｇ）または銀合金を含む。
【００２３】
前記第２電極は、透明導電層を含む。
【００２４】
前記第２電極は、反射層を含み、前記発光層は、白色発光する。
【００２５】
前記第２電極は、透明導電層をさらに含む。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、低抵抗特性を示し、透過率が高い電極を含む有機発光装置を提供しうる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施形態である有機発光装置を示した断面図である。
【図２】本発明の他の実施形態である有機発光装置を示した断面図である。
【図３】本発明の他の実施形態である有機発光装置を示した断面図である。
【図４】実施例１−１〜１−９及び比較例１及び２によって製作された有機発光素子の面抵抗を示した棒グラフである。
【図５】実施例２−１〜２−４及び比較例３によって製作された有機発光素子の面抵抗を示した棒グラフである。
【図６Ａ】実施例によって製造された有機発光素子の光透過率を示したグラフである。図６Ａは実施例１−４によって製作された有機発光素子の光透過率を示したグラフである。
【図６Ｂ】実施例によって製造された有機発光素子の光透過率を示したグラフである。図６Ｂは実施例２−１によって製作された有機発光素子の光透過率を示したグラフである。
【図６Ｃ】比較例によって製造された有機発光素子の光透過率を示したグラフである。図６Ｃは比較例３によって製作された有機発光素子の光透過率を示したグラフである。
【図７Ａ】実施例によって製造された有機発光素子の反射率を示したグラフである。図７Ａは実施例１−４によって製作された有機発光素子の反射率を示したグラフである。
【図７Ｂ】実施例によって製造された有機発光素子の反射率を示したグラフである。図７Ｂは実施例２−１によって製作された有機発光素子の反射率を示したグラフである。
【図７Ｃ】比較例によって製造された有機発光素子の反射率を示したグラフである。図７Ｃは比較例３によって製作された有機発光素子の反射率を示したグラフである。
【図８Ａ】実施例によって製造された有機発光素子の吸収率を示したグラフである。図８Ａは実施例１−４によって製作された有機発光素子の吸収率を示したグラフである。
【図８Ｂ】実施例によって製造された有機発光素子の吸収率を示したグラフである。図８Ｂは実施例２−１によって製作された有機発光素子の吸収率を示したグラフである。
【図８Ｃ】比較例によって製造された有機発光素子の吸収率を示したグラフである。図８Ｃは比較例３によって製作された有機発光素子の吸収率を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、添付した図面を参照しながら、本発明の実施形態について、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様な相異した形態で実施されうるため、ここで説明する実施形態に限定されない。
【００２９】
なお、図面の寸法比率は、説明の都合上誇張されており、実際の比率とは異なる場合がある。例えば、本明細書の図面では、多様な層及び領域を明確に示すために、厚さを拡大して示した。明細書全体を通して同一の要素については、同一の符号を付し、重複する説明を省略する。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上」にあるとするとき、これは他の部分の「直上」にある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も意味する。反対に、ある部分が他の部分の「直上」にあるとするとき、これはその中間に他の部分がないことを意味する。
【００３０】
ここで、図１を参照して、本発明の一実施形態である有機発光装置について説明する。
【００３１】
図１は本発明の一実施形態である有機発光装置を示した断面図である。
【００３２】
図１の実施形態によれば、有機発光装置は、基板１１０、前記基板１１０上に形成されている下部電極１９１、前記下部電極１９１と対向する上部電極２７０、並びに下部電極１９１及び上部電極２７０の間に介在されている発光部材３７０を含む。
【００３３】
基板１１０は、ガラス基板、シリコンウエハ、高分子膜などで形成される。
【００３４】
下部電極１９１及び上部電極２７０の一方はカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）であり、他方はアノード（ａｎｏｄｅ）である。
【００３５】
下部電極１９１及び上部電極２７０の少なくとも一方は透明電極であり、下部電極１９１が透明電極である場合には、基板１１０側に光を放出する背面発光（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）である。これに対し、上部電極２７０が透明電極である場合には、基板１１０の反対側に光を放出する前面発光（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）である。また、下部電極１９１及び上部電極２７０の両方が透明電極である場合には、基板１１０側及び基板１１０の反対側に両面発光することができる。
【００３６】
前記透明電極は、イッテルビウム（Ｙｂ）合金で形成される。
【００３７】
イッテルビウム（Ｙｂ）合金は、下記化学式１で示され、
【００３８】
【化２】
【００３９】
化学式１において、Ｍは銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、インジウム（Ｉｎ）、タングステン（Ｗ）、これらの合金及びこれらの組み合わせからなる群より選択される金属である。
【００４０】
イッテルビウム（Ｙｂ）は、仕事関数（ｗｏｒｋ ｆｕｎｃｔｉｏｎ）が約２．６程度と比較的低く、発光層への電子の注入が容易であり、可視光線領域での屈折率及び吸収率が低く、光透過率が高い。また、イッテルビウム（Ｙｂ）は、厚さを薄く形成する場合にもバルク特性を示して、安定した薄膜を形成することができる。
【００４１】
銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、インジウム（Ｉｎ）及びタングステン（Ｗ）は、比抵抗が約１５μΩｃｍ以下の低抵抗金属で、前記イッテルビウム（Ｙｂ）と合金を構成することによって、電極の抵抗を低くすることができる。さらに、低抵抗の観点から、これらのうち、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）が好ましく、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）がより好ましく、銀（Ａｇ）がさらに好ましい。
【００４２】
このようなイッテルビウム（Ｙｂ）及び低抵抗金属を含むイッテルビウム合金を透明電極として使用すると、厚さを薄く積層する場合にも低い屈折率及び吸収率が維持され、光透過率を高くすることができると同時に、低抵抗特性を示すことができる。
【００４３】
イッテルビウム合金を含む透明電極は、可視光線領域で光透過率が約４０％以上であり、好ましくは約４０〜９５％である。
【００４４】
また、イッテルビウム合金は、このように光透過率が高いにもかかわらず、約５０〜５００Åの厚さを基準にして面抵抗が約５００Ω／ｃｍ２以下と低い。イッテルビウム合金の面抵抗は、前記厚さの範囲で約１〜５００Ω／ｃｍ２である。また、イッテルビウム合金の面抵抗は、前記厚さの範囲で、好ましくは、約１〜４００Ω／ｃｍ２であり、より好ましくは約１〜３００Ω／ｃｍ２であり、さらに好ましくは約１〜２００Ω／ｃｍ２である。イッテルビウム合金の面抵抗が、前記厚さの範囲で、１〜５００Ω／ｃｍ２の範囲にある場合、電極の抵抗を低くして導電性を改善することができる。
【００４５】
イッテルビウム合金は、イッテルビウム及び金属の比率が約２０：１〜約１：２０の範囲で組み合わせられ、この中でも好ましくは約５：１〜約１：６の範囲で組み合わせられる。Ｙｂ：Ｍの比率が２０：１〜１：２０の範囲にある場合、光透過率を高くすると共に、低抵抗特性を維持することができる。このような光透過率および低抵抗特性を同時に満たすためには、前記範囲内でＹｂ：Ｍの比率が約５：１〜約１：６の範囲であるのが好ましく、前記範囲内でもＹｂ：Ｍの比率が１：１の場合がさらに好ましい。
【００４６】
なお、本明細書において、イッテルビウム及び金属の比率（Ｙｂ：Ｍの比率）は、モル比率を意味する。
【００４７】
イッテルビウム合金で形成された透明電極は、厚さが約５０〜５００Åである。また、好ましくは厚さが５０〜３００Åであり、さらに好ましくは５０〜２００Åである。厚さが５０〜５００Åの範囲であることによって、光透過率及び低抵抗特性を同時により満たすことができる。
【００４８】
下部電極１９１及び上部電極２７０の両方が透明電極である場合には、これらの一方は前記イッテルビウム合金で形成された電極であり、他方は透明導電性酸化物で形成された電極でありうる。透明導電性酸化物は、例えば、インジウム錫酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎ ｃｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）などがある。
【００４９】
下部電極１９１及び上部電極２７０の一方が透明電極である場合には、透明電極は前記イッテルビウム合金で形成され、他方は不透明導電層である。不透明導電層は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）またはこれらの組み合わせなどの金属で形成される。
【００５０】
発光部材３７０は、通常、発光層（ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）及び発光層の発光効率を改善させるための補助層（ａｕｘｉｌｉａｒｙ ｌａｙｅｒ）を含む多層構造からなる。
【００５１】
発光層は、赤色、緑色、青色の三原色などの基本色（ｐｒｉｍａｒｙ ｃｏｌｏｒ）のうちのいずれか一つの光を固有に放出する有機物質または有機物質及び無機物質の混合物で形成され、例えばポリフルオレン（ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ）誘導体、（ポリ）パラフェニレンビニレン（（ｐｏｌｙ）ｐａｒａｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）誘導体、ポリフェニレン（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）誘導体、ポリフルオレン（ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ）誘導体、ポリビニルカルバゾール（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅ）誘導体、ポリチオフェン（ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）誘導体、またはこれらの高分子材料にペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）、ペリレン系色素、クマリン（ｃｏｕｍａｒｉｎ）、クマリン系色素、ローダミン系色素、ルブレン（ｒｕｂｒｅｎｅ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（９，１０−ｄｉｐｈｅｎｙｌａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、テトラフェニルブタジエン（ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｂｕｔａｄｉｅｎｅ）、ナイルレッド（Ｎｉｌｅ ｒｅｄ）、キナクリドン（ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）などをドーピングした化合物を含む。有機発光装置は、発光層から放出される基本色の光の空間的な合計によって所望の画像を表示する。
【００５２】
補助層としては、電子及び正孔の均衡を合わせるための電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）及び正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）、そして電子及び正孔の注入を強化するための電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）及び正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）などがあり、これらの中から選択された一つまたは二つ以上の層を含む。
【００５３】
以下、図２を参照して、本発明の他の実施形態である有機発光装置について説明する。前述した実施形態と重複する説明は省略する。
【００５４】
図２は本発明の他の実施形態である有機発光装置を示した断面図である。
【００５５】
図２を参照すれば、本実施形態である有機発光装置は、基板１１０、前記基板１１０上に形成されている下部電極１９１、前記下部電極１９１と対向して、下部層２７０ａ及び上部層２７０ｂを含む上部電極２７０、並びに下部電極１９１及び上部電極２７０の間に介在されている発光部材３７０を含む。
【００５６】
本実施形態による有機発光装置は、前述した実施形態とは異なって、上部電極２７０が下部層２７０ａ及び上部層２７０ｂを含む複数の層で形成されている。
【００５７】
下部層２７０ａは、イッテルビウム（Ｙｂ）合金で形成される。
【００５８】
イッテルビウム（Ｙｂ）合金は、下記化学式１で示され、
【００５９】
【化３】
【００６０】
化学式１において、Ｍは銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、インジウム（Ｉｎ）、タングステン（Ｗ）及びこれらの組み合わせからなる群より選択される金属である。
【００６１】
イッテルビウム合金を用いることで、厚さを薄く積層する場合にも低い屈折率及び吸収率が維持され、光透過率を高くすることができると同時に、低抵抗特性を示すことができる。
【００６２】
上部層２７０ｂは、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、インジウム（Ｉｎ）、タングステン（Ｗ）、これらの合金、またはこれらの組み合わせで形成される。このような金属は、各々比抵抗が約１５μΩｃｍ以下の低抵抗金属で、電極の抵抗を低くすることができる。
【００６３】
低抵抗の観点から、前記上部層２７０ｂは、Ｍが銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）であるイッテルビウム（Ｙｂ）合金が好ましい。
【００６４】
下部層２７０ａ及び上部層２７０ｂは、厚さが各々約５〜２００Å及び約５０〜３００Åである。よって、上部電極２７０が下部層２７０ａ及び上部層２７０ｂを含む場合、上部電極２７０の厚さは、５５〜５００Åである。下部層２７０ａの厚さは、５〜１５０Åが好ましく、５〜１００Åがより好ましい。また、上部層２７０ｂは、５０〜２００Åが好ましく、５０〜１００Åがより好ましい。上部電極２７０が下部層２７０ａ及び上部層２７０ｂを含む場合、上部電極２７０の厚さが５５〜５００Åの範囲であることによって、光透過率及び低抵抗特性を同時により満たすことができる。
【００６５】
このように、イッテルビウム合金で形成された下部層２７０ａ及び低抵抗金属で形成された上部層２７０ｂを含むことによって、イッテルビウム合金による高い光透過率を確保しつつ、低抵抗金属による低抵抗特性を示すことができる。
【００６６】
本実施形態では、上部電極２７０が透明電極である場合を例示して説明したが、これに限定されず、下部電極１９１が透明電極であってもよく、この場合には、下部電極１９１がイッテルビウム合金で形成された層及び低抵抗金属で形成された層を含む複数の層で形成されることができる。
【００６７】
また、上部電極２７０及び下部電極１９１の両方が透明電極である場合には、上部電極２７０及び下部電極１９１の一方はイッテルビウム合金で形成された層及び低抵抗金属で形成された層を含む複数の層で形成され、他方は透明導電性酸化物などのまた他の透明導電体で形成される。
【００６８】
以下、図３を参照して、本発明のさらに他の実施形態である有機発光装置について説明する。前述した実施形態と重複する説明は省略する。
【００６９】
図３は本発明のまた他の実施形態である有機発光装置を示した断面図である。
【００７０】
図３を参照すれば、本実施形態である有機発光装置は、基板１１０、前記基板１１０上に形成されて、反射層１９１ａ及び透明導電層１９１ｂを含む下部電極１９１、前記下部電極１９１と対向する上部電極２７０、並びに下部電極１９１及び上部電極２７０の間に介在されている発光部材３７０を含む。
【００７１】
本実施形態による有機発光装置は、前述した実施形態とは異なって、下部電極１９１が反射層１９１ａ及び透明導電層１９１ｂを含む複数の層で形成され、上部電極２７０は前述したイッテルビウム合金で形成される。
【００７２】
反射層１９１ａは、例えばアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、またはこれらの組み合わせなどの不透明金属で形成され、透明導電層１９１ｂは、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）で形成される。
【００７３】
反射層１９１ａは、イッテルビウム合金で形成された上部電極２７０と共に微細共振（ｍｉｃｒｏｃａｖｉｔｙ）効果を発生させることができる。微細共振効果は、光が所定の距離だけ離れている反射層及び透明層（半透明層）で反復的に反射することによって、特定の波長の光を増幅させるものである。
【００７４】
反射層１９１ａを含む下部電極１９１は、発光層から放出される光の発光特性を大きく改質する微細空洞を形成し、微細共振の共鳴波長に相応する波長付近の光は上部電極２７０を通じて強化され、他の波長の光は抑制される。このとき、特定の波長の光の強化及び抑制は、下部電極１９１及び上部電極２７０の間の距離によって決定される。下部電極１９１及び上部電極２７０の間の距離は、例えば発光部材３７０の厚さの調節によって制御することができ、これによって特定の波長の光を強化及び抑制することができる。しかし、これに限定されず、多様な方法で下部電極１９１及び上部電極２７０の間の距離を制御することができる。
【００７５】
発光部材３７０に含まれている発光層は、白色発光することができる。白色発光は、例えば赤色、緑色、及び青色発光層を組み合わせて実現することができる。
【００７６】
本発明において、イッテルビウム（Ｙｂ）合金は、市販品として入手することができる。
【００７７】
本発明において、イッテルビウム（Ｙｂ）合金を含む電極を作成する方法は、公知の方法を用いて、蒸着を行い、得ることができる。
【実施例】
【００７８】
以下、実施例を通して本発明をより詳細に説明する。しかし、下記の実施例は単に説明を目的とするものであり、本発明の範囲を制限するものではない。
【００７９】
＜有機発光素子の製作＞
［実施例１−１］
ガラス基板上にＩＴＯを積層してパターニングした後、電子伝達層としてＡｌｑ３（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム）を蒸着し、その上に発光層としてＡｌｑ３にクマリン６（ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を１重量％ドーピングして共蒸着し、正孔注入層及び正孔伝達層としてＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン）を蒸着した。次に、その上にイッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金（Ｙｂ：Ａｇ＝５：１）を１００Åの厚さに熱蒸着した。
【００８０】
［実施例１−２］
イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金をＹｂ：Ａｇ＝３：１となるように蒸着したことを除いては、実施例１−１と同様の方法で有機発光素子を製作した。
【００８１】
［実施例１−３］
イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金をＹｂ：Ａｇ＝２：１となるように蒸着したことを除いては、実施例１−１と同様の方法で有機発光素子を製作した。
【００８２】
［実施例１−４］
イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金をＹｂ：Ａｇ＝１：１となるように蒸着したことを除いては、実施例１−１と同様の方法で有機発光素子を製作した。
【００８３】
［実施例１−５］
イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金をＹｂ：Ａｇ＝１：１．５となるように蒸着したことを除いては、実施例１−１と同様の方法で有機発光素子を製作した。
【００８４】
［実施例１−６］
イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金をＹｂ：Ａｇ＝１：２となるように蒸着したことを除いては、実施例１−１と同様の方法で有機発光素子を製作した。
【００８５】
［実施例１−７］
イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金をＹｂ：Ａｇ＝１：３となるように蒸着したことを除いては、実施例１−１と同様の方法で有機発光素子を製作した。
【００８６】
［実施例１−８］
イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金をＹｂ：Ａｇ＝１：４となるように蒸着したことを除いては、実施例１−１と同様の方法で有機発光素子を製作した。
【００８７】
［実施例１−９］
イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金をＹｂ：Ａｇ＝１：６となるように蒸着したことを除いては、実施例１−１と同様の方法で有機発光素子を製作した。
【００８８】
［実施例２−１］
ガラス基板上にＩＴＯを積層してパターニングした後、電子伝達層としてＡｌｑ３（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム）を蒸着し、その上に発光層としてＡｌｑ３にクマリン６（ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を１重量％ドーピングして共蒸着し、正孔注入層及び正孔伝達層としてＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン）を蒸着した。次に、イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金（Ｙｂ：Ａｇ＝５：１）を４０Åの厚さに蒸着し、その上に銀（Ａｇ）を７０Åの厚さに蒸着した。
【００８９】
［実施例２−２］
イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金をＹｂ：Ａｇ＝３：１となるように蒸着したことを除いては、実施例２−１と同様の方法で有機発光素子を製作した。
【００９０】
［実施例２−３］
イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金をＹｂ：Ａｇ＝２：１となるように蒸着したことを除いては、実施例２−１と同様の方法で有機発光素子を製作した。
【００９１】
［実施例２−４］
イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金をＹｂ：Ａｇ＝１：１となるように蒸着したことを除いては、実施例２−１と同様の方法で有機発光素子を製作した。
【００９２】
［比較例１］
イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金の代わりに純粋なイッテルビウム（ｐｕｒｅＹｂ）を１００Åの厚さに蒸着したことを除いては、実施例１−１と同様の方法で有機発光素子を製作した。
【００９３】
［比較例２］
イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金の代わりに純粋なアルミニウム（ｐｕｒｅＡｌ）を１００Åの厚さに蒸着したことを除いては、実施例１−１と同様の方法で有機発光素子を製作した。
【００９４】
［比較例３］
イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金及び銀（Ａｇ）を順次に蒸着する代わりに、純粋なイッテルビウム（Ｙｂ）を４０Åの厚さに蒸着し、その上に純粋なアルミニウム（Ａｌ）を７０Åの厚さに蒸着したことを除いては、実施例２−１と同様の方法で有機発光素子を製作した。
【００９５】
＜評価−１＞
前記実施例１−１〜１−９及び比較例１及び２によって製作された有機発光素子の抵抗特性を評価した。ここで、抵抗は、面抵抗を測定し、面抵抗は、４端子測定（４ ｐｏｉｎｔ ｐｒｏｂｅ）法で測定した。
【００９６】
これについて、図４及び表１を参照して説明する。
【００９７】
図４は、実施例１−１〜１−９並びに比較例１及び２によって製作された有機発光素子の面抵抗を示した棒グラフである。
【００９８】
【表１】
【００９９】
表１及び図４を参照すれば、イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金を使用すると、純粋なイッテルビウムを使用した場合に比べて面抵抗が顕著に減少することが分かる。また、純粋なアルミニウムを１００Å程度の厚さに非常に薄く形成すると、抵抗が無限大に高くなって、面抵抗の測定が不可能であることが分かる。
【０１００】
＜評価−２＞
前記実施例２−１〜２−４及び比較例３によって製作された有機発光素子の抵抗特性を評価した。ここで、抵抗は、前記と同様な方法で測定した。
これについて、図５及び表２を参照して説明する。
【０１０１】
図５は実施例２−１〜２−４及び比較例３によって製作された有機発光素子の面抵抗を示した棒グラフである。
【０１０２】
【表２】
【０１０３】
表２及び図５を参照すれば、イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金を使用すると、イッテルビウム（Ｙｂ）層／銀（Ａｇ）層が積層された構造を適用した場合に比べて面抵抗が減少することが分かる。
【０１０４】
＜評価−３＞
実施例１−４、実施例２−１、及び比較例３による有機発光素子について、光透過率、反射率、及び吸収率を測定した。
【０１０５】
これについて図６Ａ〜図８Ｃを参照して説明する。
【０１０６】
図６Ａ〜図６Ｃは各々実施例１−４、実施例２−１、及び比較例３による有機発光素子の光透過率を示したグラフであり、図７Ａ〜図７Ｃは各々実施例１−４、実施例２−１、及び比較例３による有機発光素子の反射率を示したグラフであり、図８Ａ〜図８Ｃは各々実施例１−４、実施例２−１、及び比較例３による有機発光素子の吸収率を示したグラフである。
【０１０７】
図６Ａ〜図６Ｃを参照すれば、実施例１−４（図６Ａ）及び実施例２−１（図６Ｂ）による有機発光素子は、可視光線領域で約７０％以上の光透過率を示す反面、比較例３（図６Ｃ）による有機発光素子は、可視光線領域で５０〜６０％の範囲の比較的低い光透過率を示すことが分かる。特に、実施例１−４による有機発光素子、つまりイッテルビウム（Ｙｂ）及び銀（Ａｇ）が１：１に蒸着された場合に、透過率が最も高いことが分かる。
【０１０８】
図７Ａ〜図７Ｃを参照すれば、実施例１−４（図７Ａ）及び実施例２−１（図７Ｂ）による有機発光素子は、可視光線領域、特に長い波長領域で約１０％以下の低い反射率を示す反面、比較例２による有機発光素子（図７Ｃ）は、長い波長領域で約１５〜２０％の比較的高い反射率を示すことが分かる。電極の反射率が低いということは、電極の表面で反射される光の量を減少させて、効率を改善する可能性があることを意味する。
【０１０９】
図８Ａ〜図８Ｃを参照すれば、実施例１−４（図８Ａ）及び実施例２−１（図８Ｂ）による有機発光素子は、低い光吸収率を示す反面、比較例２（図８Ｃ）による有機発光素子は、これらより高い吸収率を示すことが分かる。電極の吸収率が低いということは、電極によって吸収される光の量を減少させて、効率を改善する可能性があることを意味する。
【０１１０】
このように、本実施例による有機発光素子は、比較例による有機発光素子に比べて反射率及び吸収率が低く、光透過率が高いので、効率を改善することができることが分かる。
【０１１１】
以上で、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も、本発明の権利範囲に属する。
【符号の説明】
【０１１２】
１１０ 基板、
１９１ 下部電極、
１９１ａ 反射層、
１９１ｂ 透明導電層、
２７０ 上部電極、
２７０ａ 下部層、
２７０ｂ 上部層、
３７０ 発光部材。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年では、モニターまたはテレビなどの軽量化及び薄型化が要求されており、このような要求によって、陰極線管（ｃａｔｈｏｄｅ ｒａｙ ｔｕｂｅ、ＣＲＴ）が液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ−ｃｒｙｓｔａｌ−ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）によって代替されている。
【０００３】
しかし、液晶表示装置は、受発光素子であって、別途バックライト（ｂａｃｋ ｌｉｇｈｔ）が必要であり、応答速度及び視野角などに限界がある。
【０００４】
最近では、このような限界を克服することができる表示装置として、有機発光装置（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ｄｉｓｐｌａｙ、ＯＬＥＤ ｄｉｓｐｌａｙ）が注目されている。
【０００５】
有機発光装置は、二つの電極及びその間に位置する発光層を含み、一つの電極から注入された電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）及び他の電極から注入された正孔（ｈｏｌｅ）が発光層で結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を形成し、励起子がエネルギーを放出しながら発光する。
【０００６】
そして、発光層から発光した光は、二つの電極のうちの少なくとも一つを通過して外部に放出される。このときに、発光層から発光した光が電極によって失われるという問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、低抵抗特性を示し、透過率が高い電極を含む有機発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態によれば、第１電極、前記第１電極と対向する第２電極、並びに前記第１電極及び前記第２電極の間に位置する発光層を含み、前記第１電極は、下記化学式１：
【０００９】
【化１】
【００１０】
式中、Ｍは銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、インジウム（Ｉｎ）、タングステン（Ｗ）及びこれらの組み合わせからなる群より選択される金属である、
で示されるイッテルビウム（Ｙｂ）合金を含む、有機発光装置が提供される。
【００１１】
前記イッテルビウム合金は、Ｙｂ：Ｍの比率が約２０：１〜約１：２０である。
【００１２】
または、前記イッテルビウム合金は、Ｙｂ：Ｍの比率が約５：１〜約１：６である。
【００１３】
または、前記イッテルビウム合金は、Ｙｂ：Ｍの比率が約１：１である。
【００１４】
前記第１電極は、可視光線領域で光透過率が約４０％以上である。
【００１５】
好ましくは、前記第１電極は、可視光線領域で光透過率が約４０〜９５％である。
【００１６】
前記第１電極は、約５０〜５００Åの厚さの範囲で面抵抗が約５００Ω/ｃｍ２以下である。
【００１７】
好ましくは、前記第１電極は、約５０〜５００Åの厚さの範囲で面抵抗が約１〜５００Ω/ｃｍ２である。
【００１８】
前記第１電極は、厚さが約５０〜５００Åである。
【００１９】
前記イッテルビウム合金は、イッテルビウム−銀合金（ＹｂＡｇ）である。
【００２０】
本発明の他の実施形態によれば、前記第１電極は、前記化学式１で示されるイッテルビウム（Ｙｂ）合金を含む第１層、及び銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、インジウム（Ｉｎ）、タングステン（Ｗ）、これらの合金、またはこれらの組み合わせを含む第２層を含む、有機発光装置が提供される。
【００２１】
前記第１層は、厚さが約５〜２００Åであり、前記第２層は、厚さが約５０〜３００Åである。
【００２２】
前記第１層は、イッテルビウム−銀合金（ＹｂＡｇ）を含み、前記第２層は、銀（Ａｇ）または銀合金を含む。
【００２３】
前記第２電極は、透明導電層を含む。
【００２４】
前記第２電極は、反射層を含み、前記発光層は、白色発光する。
【００２５】
前記第２電極は、透明導電層をさらに含む。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、低抵抗特性を示し、透過率が高い電極を含む有機発光装置を提供しうる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施形態である有機発光装置を示した断面図である。
【図２】本発明の他の実施形態である有機発光装置を示した断面図である。
【図３】本発明の他の実施形態である有機発光装置を示した断面図である。
【図４】実施例１−１〜１−９及び比較例１及び２によって製作された有機発光素子の面抵抗を示した棒グラフである。
【図５】実施例２−１〜２−４及び比較例３によって製作された有機発光素子の面抵抗を示した棒グラフである。
【図６Ａ】実施例によって製造された有機発光素子の光透過率を示したグラフである。図６Ａは実施例１−４によって製作された有機発光素子の光透過率を示したグラフである。
【図６Ｂ】実施例によって製造された有機発光素子の光透過率を示したグラフである。図６Ｂは実施例２−１によって製作された有機発光素子の光透過率を示したグラフである。
【図６Ｃ】比較例によって製造された有機発光素子の光透過率を示したグラフである。図６Ｃは比較例３によって製作された有機発光素子の光透過率を示したグラフである。
【図７Ａ】実施例によって製造された有機発光素子の反射率を示したグラフである。図７Ａは実施例１−４によって製作された有機発光素子の反射率を示したグラフである。
【図７Ｂ】実施例によって製造された有機発光素子の反射率を示したグラフである。図７Ｂは実施例２−１によって製作された有機発光素子の反射率を示したグラフである。
【図７Ｃ】比較例によって製造された有機発光素子の反射率を示したグラフである。図７Ｃは比較例３によって製作された有機発光素子の反射率を示したグラフである。
【図８Ａ】実施例によって製造された有機発光素子の吸収率を示したグラフである。図８Ａは実施例１−４によって製作された有機発光素子の吸収率を示したグラフである。
【図８Ｂ】実施例によって製造された有機発光素子の吸収率を示したグラフである。図８Ｂは実施例２−１によって製作された有機発光素子の吸収率を示したグラフである。
【図８Ｃ】比較例によって製造された有機発光素子の吸収率を示したグラフである。図８Ｃは比較例３によって製作された有機発光素子の吸収率を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、添付した図面を参照しながら、本発明の実施形態について、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様な相異した形態で実施されうるため、ここで説明する実施形態に限定されない。
【００２９】
なお、図面の寸法比率は、説明の都合上誇張されており、実際の比率とは異なる場合がある。例えば、本明細書の図面では、多様な層及び領域を明確に示すために、厚さを拡大して示した。明細書全体を通して同一の要素については、同一の符号を付し、重複する説明を省略する。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上」にあるとするとき、これは他の部分の「直上」にある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も意味する。反対に、ある部分が他の部分の「直上」にあるとするとき、これはその中間に他の部分がないことを意味する。
【００３０】
ここで、図１を参照して、本発明の一実施形態である有機発光装置について説明する。
【００３１】
図１は本発明の一実施形態である有機発光装置を示した断面図である。
【００３２】
図１の実施形態によれば、有機発光装置は、基板１１０、前記基板１１０上に形成されている下部電極１９１、前記下部電極１９１と対向する上部電極２７０、並びに下部電極１９１及び上部電極２７０の間に介在されている発光部材３７０を含む。
【００３３】
基板１１０は、ガラス基板、シリコンウエハ、高分子膜などで形成される。
【００３４】
下部電極１９１及び上部電極２７０の一方はカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）であり、他方はアノード（ａｎｏｄｅ）である。
【００３５】
下部電極１９１及び上部電極２７０の少なくとも一方は透明電極であり、下部電極１９１が透明電極である場合には、基板１１０側に光を放出する背面発光（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）である。これに対し、上部電極２７０が透明電極である場合には、基板１１０の反対側に光を放出する前面発光（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）である。また、下部電極１９１及び上部電極２７０の両方が透明電極である場合には、基板１１０側及び基板１１０の反対側に両面発光することができる。
【００３６】
前記透明電極は、イッテルビウム（Ｙｂ）合金で形成される。
【００３７】
イッテルビウム（Ｙｂ）合金は、下記化学式１で示され、
【００３８】
【化２】
【００３９】
化学式１において、Ｍは銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、インジウム（Ｉｎ）、タングステン（Ｗ）、これらの合金及びこれらの組み合わせからなる群より選択される金属である。
【００４０】
イッテルビウム（Ｙｂ）は、仕事関数（ｗｏｒｋ ｆｕｎｃｔｉｏｎ）が約２．６程度と比較的低く、発光層への電子の注入が容易であり、可視光線領域での屈折率及び吸収率が低く、光透過率が高い。また、イッテルビウム（Ｙｂ）は、厚さを薄く形成する場合にもバルク特性を示して、安定した薄膜を形成することができる。
【００４１】
銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、インジウム（Ｉｎ）及びタングステン（Ｗ）は、比抵抗が約１５μΩｃｍ以下の低抵抗金属で、前記イッテルビウム（Ｙｂ）と合金を構成することによって、電極の抵抗を低くすることができる。さらに、低抵抗の観点から、これらのうち、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）が好ましく、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）がより好ましく、銀（Ａｇ）がさらに好ましい。
【００４２】
このようなイッテルビウム（Ｙｂ）及び低抵抗金属を含むイッテルビウム合金を透明電極として使用すると、厚さを薄く積層する場合にも低い屈折率及び吸収率が維持され、光透過率を高くすることができると同時に、低抵抗特性を示すことができる。
【００４３】
イッテルビウム合金を含む透明電極は、可視光線領域で光透過率が約４０％以上であり、好ましくは約４０〜９５％である。
【００４４】
また、イッテルビウム合金は、このように光透過率が高いにもかかわらず、約５０〜５００Åの厚さを基準にして面抵抗が約５００Ω／ｃｍ２以下と低い。イッテルビウム合金の面抵抗は、前記厚さの範囲で約１〜５００Ω／ｃｍ２である。また、イッテルビウム合金の面抵抗は、前記厚さの範囲で、好ましくは、約１〜４００Ω／ｃｍ２であり、より好ましくは約１〜３００Ω／ｃｍ２であり、さらに好ましくは約１〜２００Ω／ｃｍ２である。イッテルビウム合金の面抵抗が、前記厚さの範囲で、１〜５００Ω／ｃｍ２の範囲にある場合、電極の抵抗を低くして導電性を改善することができる。
【００４５】
イッテルビウム合金は、イッテルビウム及び金属の比率が約２０：１〜約１：２０の範囲で組み合わせられ、この中でも好ましくは約５：１〜約１：６の範囲で組み合わせられる。Ｙｂ：Ｍの比率が２０：１〜１：２０の範囲にある場合、光透過率を高くすると共に、低抵抗特性を維持することができる。このような光透過率および低抵抗特性を同時に満たすためには、前記範囲内でＹｂ：Ｍの比率が約５：１〜約１：６の範囲であるのが好ましく、前記範囲内でもＹｂ：Ｍの比率が１：１の場合がさらに好ましい。
【００４６】
なお、本明細書において、イッテルビウム及び金属の比率（Ｙｂ：Ｍの比率）は、モル比率を意味する。
【００４７】
イッテルビウム合金で形成された透明電極は、厚さが約５０〜５００Åである。また、好ましくは厚さが５０〜３００Åであり、さらに好ましくは５０〜２００Åである。厚さが５０〜５００Åの範囲であることによって、光透過率及び低抵抗特性を同時により満たすことができる。
【００４８】
下部電極１９１及び上部電極２７０の両方が透明電極である場合には、これらの一方は前記イッテルビウム合金で形成された電極であり、他方は透明導電性酸化物で形成された電極でありうる。透明導電性酸化物は、例えば、インジウム錫酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎ ｃｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）などがある。
【００４９】
下部電極１９１及び上部電極２７０の一方が透明電極である場合には、透明電極は前記イッテルビウム合金で形成され、他方は不透明導電層である。不透明導電層は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）またはこれらの組み合わせなどの金属で形成される。
【００５０】
発光部材３７０は、通常、発光層（ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）及び発光層の発光効率を改善させるための補助層（ａｕｘｉｌｉａｒｙ ｌａｙｅｒ）を含む多層構造からなる。
【００５１】
発光層は、赤色、緑色、青色の三原色などの基本色（ｐｒｉｍａｒｙ ｃｏｌｏｒ）のうちのいずれか一つの光を固有に放出する有機物質または有機物質及び無機物質の混合物で形成され、例えばポリフルオレン（ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ）誘導体、（ポリ）パラフェニレンビニレン（（ｐｏｌｙ）ｐａｒａｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）誘導体、ポリフェニレン（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）誘導体、ポリフルオレン（ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ）誘導体、ポリビニルカルバゾール（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅ）誘導体、ポリチオフェン（ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）誘導体、またはこれらの高分子材料にペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）、ペリレン系色素、クマリン（ｃｏｕｍａｒｉｎ）、クマリン系色素、ローダミン系色素、ルブレン（ｒｕｂｒｅｎｅ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（９，１０−ｄｉｐｈｅｎｙｌａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、テトラフェニルブタジエン（ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｂｕｔａｄｉｅｎｅ）、ナイルレッド（Ｎｉｌｅ ｒｅｄ）、キナクリドン（ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）などをドーピングした化合物を含む。有機発光装置は、発光層から放出される基本色の光の空間的な合計によって所望の画像を表示する。
【００５２】
補助層としては、電子及び正孔の均衡を合わせるための電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）及び正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）、そして電子及び正孔の注入を強化するための電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）及び正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）などがあり、これらの中から選択された一つまたは二つ以上の層を含む。
【００５３】
以下、図２を参照して、本発明の他の実施形態である有機発光装置について説明する。前述した実施形態と重複する説明は省略する。
【００５４】
図２は本発明の他の実施形態である有機発光装置を示した断面図である。
【００５５】
図２を参照すれば、本実施形態である有機発光装置は、基板１１０、前記基板１１０上に形成されている下部電極１９１、前記下部電極１９１と対向して、下部層２７０ａ及び上部層２７０ｂを含む上部電極２７０、並びに下部電極１９１及び上部電極２７０の間に介在されている発光部材３７０を含む。
【００５６】
本実施形態による有機発光装置は、前述した実施形態とは異なって、上部電極２７０が下部層２７０ａ及び上部層２７０ｂを含む複数の層で形成されている。
【００５７】
下部層２７０ａは、イッテルビウム（Ｙｂ）合金で形成される。
【００５８】
イッテルビウム（Ｙｂ）合金は、下記化学式１で示され、
【００５９】
【化３】
【００６０】
化学式１において、Ｍは銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、インジウム（Ｉｎ）、タングステン（Ｗ）及びこれらの組み合わせからなる群より選択される金属である。
【００６１】
イッテルビウム合金を用いることで、厚さを薄く積層する場合にも低い屈折率及び吸収率が維持され、光透過率を高くすることができると同時に、低抵抗特性を示すことができる。
【００６２】
上部層２７０ｂは、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、インジウム（Ｉｎ）、タングステン（Ｗ）、これらの合金、またはこれらの組み合わせで形成される。このような金属は、各々比抵抗が約１５μΩｃｍ以下の低抵抗金属で、電極の抵抗を低くすることができる。
【００６３】
低抵抗の観点から、前記上部層２７０ｂは、Ｍが銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）であるイッテルビウム（Ｙｂ）合金が好ましい。
【００６４】
下部層２７０ａ及び上部層２７０ｂは、厚さが各々約５〜２００Å及び約５０〜３００Åである。よって、上部電極２７０が下部層２７０ａ及び上部層２７０ｂを含む場合、上部電極２７０の厚さは、５５〜５００Åである。下部層２７０ａの厚さは、５〜１５０Åが好ましく、５〜１００Åがより好ましい。また、上部層２７０ｂは、５０〜２００Åが好ましく、５０〜１００Åがより好ましい。上部電極２７０が下部層２７０ａ及び上部層２７０ｂを含む場合、上部電極２７０の厚さが５５〜５００Åの範囲であることによって、光透過率及び低抵抗特性を同時により満たすことができる。
【００６５】
このように、イッテルビウム合金で形成された下部層２７０ａ及び低抵抗金属で形成された上部層２７０ｂを含むことによって、イッテルビウム合金による高い光透過率を確保しつつ、低抵抗金属による低抵抗特性を示すことができる。
【００６６】
本実施形態では、上部電極２７０が透明電極である場合を例示して説明したが、これに限定されず、下部電極１９１が透明電極であってもよく、この場合には、下部電極１９１がイッテルビウム合金で形成された層及び低抵抗金属で形成された層を含む複数の層で形成されることができる。
【００６７】
また、上部電極２７０及び下部電極１９１の両方が透明電極である場合には、上部電極２７０及び下部電極１９１の一方はイッテルビウム合金で形成された層及び低抵抗金属で形成された層を含む複数の層で形成され、他方は透明導電性酸化物などのまた他の透明導電体で形成される。
【００６８】
以下、図３を参照して、本発明のさらに他の実施形態である有機発光装置について説明する。前述した実施形態と重複する説明は省略する。
【００６９】
図３は本発明のまた他の実施形態である有機発光装置を示した断面図である。
【００７０】
図３を参照すれば、本実施形態である有機発光装置は、基板１１０、前記基板１１０上に形成されて、反射層１９１ａ及び透明導電層１９１ｂを含む下部電極１９１、前記下部電極１９１と対向する上部電極２７０、並びに下部電極１９１及び上部電極２７０の間に介在されている発光部材３７０を含む。
【００７１】
本実施形態による有機発光装置は、前述した実施形態とは異なって、下部電極１９１が反射層１９１ａ及び透明導電層１９１ｂを含む複数の層で形成され、上部電極２７０は前述したイッテルビウム合金で形成される。
【００７２】
反射層１９１ａは、例えばアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、またはこれらの組み合わせなどの不透明金属で形成され、透明導電層１９１ｂは、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）で形成される。
【００７３】
反射層１９１ａは、イッテルビウム合金で形成された上部電極２７０と共に微細共振（ｍｉｃｒｏｃａｖｉｔｙ）効果を発生させることができる。微細共振効果は、光が所定の距離だけ離れている反射層及び透明層（半透明層）で反復的に反射することによって、特定の波長の光を増幅させるものである。
【００７４】
反射層１９１ａを含む下部電極１９１は、発光層から放出される光の発光特性を大きく改質する微細空洞を形成し、微細共振の共鳴波長に相応する波長付近の光は上部電極２７０を通じて強化され、他の波長の光は抑制される。このとき、特定の波長の光の強化及び抑制は、下部電極１９１及び上部電極２７０の間の距離によって決定される。下部電極１９１及び上部電極２７０の間の距離は、例えば発光部材３７０の厚さの調節によって制御することができ、これによって特定の波長の光を強化及び抑制することができる。しかし、これに限定されず、多様な方法で下部電極１９１及び上部電極２７０の間の距離を制御することができる。
【００７５】
発光部材３７０に含まれている発光層は、白色発光することができる。白色発光は、例えば赤色、緑色、及び青色発光層を組み合わせて実現することができる。
【００７６】
本発明において、イッテルビウム（Ｙｂ）合金は、市販品として入手することができる。
【００７７】
本発明において、イッテルビウム（Ｙｂ）合金を含む電極を作成する方法は、公知の方法を用いて、蒸着を行い、得ることができる。
【実施例】
【００７８】
以下、実施例を通して本発明をより詳細に説明する。しかし、下記の実施例は単に説明を目的とするものであり、本発明の範囲を制限するものではない。
【００７９】
＜有機発光素子の製作＞
［実施例１−１］
ガラス基板上にＩＴＯを積層してパターニングした後、電子伝達層としてＡｌｑ３（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム）を蒸着し、その上に発光層としてＡｌｑ３にクマリン６（ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を１重量％ドーピングして共蒸着し、正孔注入層及び正孔伝達層としてＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン）を蒸着した。次に、その上にイッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金（Ｙｂ：Ａｇ＝５：１）を１００Åの厚さに熱蒸着した。
【００８０】
［実施例１−２］
イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金をＹｂ：Ａｇ＝３：１となるように蒸着したことを除いては、実施例１−１と同様の方法で有機発光素子を製作した。
【００８１】
［実施例１−３］
イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金をＹｂ：Ａｇ＝２：１となるように蒸着したことを除いては、実施例１−１と同様の方法で有機発光素子を製作した。
【００８２】
［実施例１−４］
イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金をＹｂ：Ａｇ＝１：１となるように蒸着したことを除いては、実施例１−１と同様の方法で有機発光素子を製作した。
【００８３】
［実施例１−５］
イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金をＹｂ：Ａｇ＝１：１．５となるように蒸着したことを除いては、実施例１−１と同様の方法で有機発光素子を製作した。
【００８４】
［実施例１−６］
イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金をＹｂ：Ａｇ＝１：２となるように蒸着したことを除いては、実施例１−１と同様の方法で有機発光素子を製作した。
【００８５】
［実施例１−７］
イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金をＹｂ：Ａｇ＝１：３となるように蒸着したことを除いては、実施例１−１と同様の方法で有機発光素子を製作した。
【００８６】
［実施例１−８］
イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金をＹｂ：Ａｇ＝１：４となるように蒸着したことを除いては、実施例１−１と同様の方法で有機発光素子を製作した。
【００８７】
［実施例１−９］
イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金をＹｂ：Ａｇ＝１：６となるように蒸着したことを除いては、実施例１−１と同様の方法で有機発光素子を製作した。
【００８８】
［実施例２−１］
ガラス基板上にＩＴＯを積層してパターニングした後、電子伝達層としてＡｌｑ３（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム）を蒸着し、その上に発光層としてＡｌｑ３にクマリン６（ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を１重量％ドーピングして共蒸着し、正孔注入層及び正孔伝達層としてＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン）を蒸着した。次に、イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金（Ｙｂ：Ａｇ＝５：１）を４０Åの厚さに蒸着し、その上に銀（Ａｇ）を７０Åの厚さに蒸着した。
【００８９】
［実施例２−２］
イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金をＹｂ：Ａｇ＝３：１となるように蒸着したことを除いては、実施例２−１と同様の方法で有機発光素子を製作した。
【００９０】
［実施例２−３］
イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金をＹｂ：Ａｇ＝２：１となるように蒸着したことを除いては、実施例２−１と同様の方法で有機発光素子を製作した。
【００９１】
［実施例２−４］
イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金をＹｂ：Ａｇ＝１：１となるように蒸着したことを除いては、実施例２−１と同様の方法で有機発光素子を製作した。
【００９２】
［比較例１］
イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金の代わりに純粋なイッテルビウム（ｐｕｒｅＹｂ）を１００Åの厚さに蒸着したことを除いては、実施例１−１と同様の方法で有機発光素子を製作した。
【００９３】
［比較例２］
イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金の代わりに純粋なアルミニウム（ｐｕｒｅＡｌ）を１００Åの厚さに蒸着したことを除いては、実施例１−１と同様の方法で有機発光素子を製作した。
【００９４】
［比較例３］
イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金及び銀（Ａｇ）を順次に蒸着する代わりに、純粋なイッテルビウム（Ｙｂ）を４０Åの厚さに蒸着し、その上に純粋なアルミニウム（Ａｌ）を７０Åの厚さに蒸着したことを除いては、実施例２−１と同様の方法で有機発光素子を製作した。
【００９５】
＜評価−１＞
前記実施例１−１〜１−９及び比較例１及び２によって製作された有機発光素子の抵抗特性を評価した。ここで、抵抗は、面抵抗を測定し、面抵抗は、４端子測定（４ ｐｏｉｎｔ ｐｒｏｂｅ）法で測定した。
【００９６】
これについて、図４及び表１を参照して説明する。
【００９７】
図４は、実施例１−１〜１−９並びに比較例１及び２によって製作された有機発光素子の面抵抗を示した棒グラフである。
【００９８】
【表１】
【００９９】
表１及び図４を参照すれば、イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金を使用すると、純粋なイッテルビウムを使用した場合に比べて面抵抗が顕著に減少することが分かる。また、純粋なアルミニウムを１００Å程度の厚さに非常に薄く形成すると、抵抗が無限大に高くなって、面抵抗の測定が不可能であることが分かる。
【０１００】
＜評価−２＞
前記実施例２−１〜２−４及び比較例３によって製作された有機発光素子の抵抗特性を評価した。ここで、抵抗は、前記と同様な方法で測定した。
これについて、図５及び表２を参照して説明する。
【０１０１】
図５は実施例２−１〜２−４及び比較例３によって製作された有機発光素子の面抵抗を示した棒グラフである。
【０１０２】
【表２】
【０１０３】
表２及び図５を参照すれば、イッテルビウム（Ｙｂ）−銀（Ａｇ）合金を使用すると、イッテルビウム（Ｙｂ）層／銀（Ａｇ）層が積層された構造を適用した場合に比べて面抵抗が減少することが分かる。
【０１０４】
＜評価−３＞
実施例１−４、実施例２−１、及び比較例３による有機発光素子について、光透過率、反射率、及び吸収率を測定した。
【０１０５】
これについて図６Ａ〜図８Ｃを参照して説明する。
【０１０６】
図６Ａ〜図６Ｃは各々実施例１−４、実施例２−１、及び比較例３による有機発光素子の光透過率を示したグラフであり、図７Ａ〜図７Ｃは各々実施例１−４、実施例２−１、及び比較例３による有機発光素子の反射率を示したグラフであり、図８Ａ〜図８Ｃは各々実施例１−４、実施例２−１、及び比較例３による有機発光素子の吸収率を示したグラフである。
【０１０７】
図６Ａ〜図６Ｃを参照すれば、実施例１−４（図６Ａ）及び実施例２−１（図６Ｂ）による有機発光素子は、可視光線領域で約７０％以上の光透過率を示す反面、比較例３（図６Ｃ）による有機発光素子は、可視光線領域で５０〜６０％の範囲の比較的低い光透過率を示すことが分かる。特に、実施例１−４による有機発光素子、つまりイッテルビウム（Ｙｂ）及び銀（Ａｇ）が１：１に蒸着された場合に、透過率が最も高いことが分かる。
【０１０８】
図７Ａ〜図７Ｃを参照すれば、実施例１−４（図７Ａ）及び実施例２−１（図７Ｂ）による有機発光素子は、可視光線領域、特に長い波長領域で約１０％以下の低い反射率を示す反面、比較例２による有機発光素子（図７Ｃ）は、長い波長領域で約１５〜２０％の比較的高い反射率を示すことが分かる。電極の反射率が低いということは、電極の表面で反射される光の量を減少させて、効率を改善する可能性があることを意味する。
【０１０９】
図８Ａ〜図８Ｃを参照すれば、実施例１−４（図８Ａ）及び実施例２−１（図８Ｂ）による有機発光素子は、低い光吸収率を示す反面、比較例２（図８Ｃ）による有機発光素子は、これらより高い吸収率を示すことが分かる。電極の吸収率が低いということは、電極によって吸収される光の量を減少させて、効率を改善する可能性があることを意味する。
【０１１０】
このように、本実施例による有機発光素子は、比較例による有機発光素子に比べて反射率及び吸収率が低く、光透過率が高いので、効率を改善することができることが分かる。
【０１１１】
以上で、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も、本発明の権利範囲に属する。
【符号の説明】
【０１１２】
１１０ 基板、
１９１ 下部電極、
１９１ａ 反射層、
１９１ｂ 透明導電層、
２７０ 上部電極、
２７０ａ 下部層、
２７０ｂ 上部層、
３７０ 発光部材。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極、
前記第１電極と対向する第２電極、並びに
前記第１電極及び前記第２電極の間に位置する発光層を含み、
前記第１電極は、下記化学式１で示されるイッテルビウム（Ｙｂ）合金を含む、有機発光装置：
【化１】
式中、Ｍは、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、インジウム（Ｉｎ）、タングステン（Ｗ）及びこれらの組み合わせからなる群より選択される金属である。
【請求項２】
前記イッテルビウム合金のＹｂ：Ｍの比率が、２０：１〜１：２０である、請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項３】
前記イッテルビウム合金のＹｂ：Ｍの比率が、５：１〜１：６である、請求項２に記載の有機発光装置。
【請求項４】
前記イッテルビウム合金のＹｂ：Ｍの比率が、１：１である、請求項３に記載の有機発光装置。
【請求項５】
前記第１電極の可視光線領域の光透過率が４０％以上である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項６】
前記第１電極の可視光線領域の光透過率が４０〜９５％である、請求項５に記載の有機発光装置。
【請求項７】
前記第１電極の厚さが５０〜５００Åである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項８】
前記第１電極の面抵抗が５００Ω/ｃｍ２以下である、請求項７に記載の有機発光装置。
【請求項９】
前記第１電極の面抵抗が１〜５００Ω/ｃｍ２である、請求項８に記載の有機発光装置。
【請求項１０】
前記イッテルビウム合金が、イッテルビウム−銀合金（ＹｂＡｇ）である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項１１】
前記第１電極が、前記化学式１で示されるイッテルビウム（Ｙｂ）合金を含む第１層、及び銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、インジウム（Ｉｎ）、タングステン（Ｗ）、これらの合金、またはこれらの組み合わせを含む第２層を含む、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項１２】
前記第１層の厚さが５〜２００Åであり、前記第２層の厚さが５０〜３００Åである、請求項１１に記載の有機発光装置。
【請求項１３】
前記第１層が、イッテルビウム−銀合金（ＹｂＡｇ）を含み、前記第２層が、銀（Ａｇ）または銀合金を含む、請求項１１または１２に記載の有機発光装置。
【請求項１４】
前記第２電極が、透明導電層を含む、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項１５】
前記第２電極が反射層を含み、前記発光層が白色発光する、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項１６】
前記第２電極が、透明導電層をさらに含む、請求項１５に記載の有機発光装置。
【請求項１】
第１電極、
前記第１電極と対向する第２電極、並びに
前記第１電極及び前記第２電極の間に位置する発光層を含み、
前記第１電極は、下記化学式１で示されるイッテルビウム（Ｙｂ）合金を含む、有機発光装置：
【化１】
式中、Ｍは、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、インジウム（Ｉｎ）、タングステン（Ｗ）及びこれらの組み合わせからなる群より選択される金属である。
【請求項２】
前記イッテルビウム合金のＹｂ：Ｍの比率が、２０：１〜１：２０である、請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項３】
前記イッテルビウム合金のＹｂ：Ｍの比率が、５：１〜１：６である、請求項２に記載の有機発光装置。
【請求項４】
前記イッテルビウム合金のＹｂ：Ｍの比率が、１：１である、請求項３に記載の有機発光装置。
【請求項５】
前記第１電極の可視光線領域の光透過率が４０％以上である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項６】
前記第１電極の可視光線領域の光透過率が４０〜９５％である、請求項５に記載の有機発光装置。
【請求項７】
前記第１電極の厚さが５０〜５００Åである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項８】
前記第１電極の面抵抗が５００Ω/ｃｍ２以下である、請求項７に記載の有機発光装置。
【請求項９】
前記第１電極の面抵抗が１〜５００Ω/ｃｍ２である、請求項８に記載の有機発光装置。
【請求項１０】
前記イッテルビウム合金が、イッテルビウム−銀合金（ＹｂＡｇ）である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項１１】
前記第１電極が、前記化学式１で示されるイッテルビウム（Ｙｂ）合金を含む第１層、及び銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、インジウム（Ｉｎ）、タングステン（Ｗ）、これらの合金、またはこれらの組み合わせを含む第２層を含む、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項１２】
前記第１層の厚さが５〜２００Åであり、前記第２層の厚さが５０〜３００Åである、請求項１１に記載の有機発光装置。
【請求項１３】
前記第１層が、イッテルビウム−銀合金（ＹｂＡｇ）を含み、前記第２層が、銀（Ａｇ）または銀合金を含む、請求項１１または１２に記載の有機発光装置。
【請求項１４】
前記第２電極が、透明導電層を含む、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項１５】
前記第２電極が反射層を含み、前記発光層が白色発光する、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項１６】
前記第２電極が、透明導電層をさらに含む、請求項１５に記載の有機発光装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図６Ｃ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図８Ｃ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図６Ｃ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図８Ｃ】
【公開番号】特開２０１１−１２４２１０（Ｐ２０１１−１２４２１０Ａ）
【公開日】平成２３年６月２３日（２０１１．６．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１７６４３３（Ｐ２０１０−１７６４３３）
【出願日】平成２２年８月５日（２０１０．８．５）
【出願人】（３０８０４０３５１）三星モバイルディスプレイ株式會社 (764)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｍｏｂｉｌｅ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】Ｓａｎ ＃２４ Ｎｏｎｇｓｅｏ−Ｄｏｎｇ，Ｇｉｈｅｕｎｇ−Ｇｕ，Ｙｏｎｇｉｎ−Ｃｉｔｙ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−Ｄｏ ４４６−７１１ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ ＫＯＲＥＡ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年６月２３日（２０１１．６．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年８月５日（２０１０．８．５）
【出願人】（３０８０４０３５１）三星モバイルディスプレイ株式會社 (764)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｍｏｂｉｌｅ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】Ｓａｎ ＃２４ Ｎｏｎｇｓｅｏ−Ｄｏｎｇ，Ｇｉｈｅｕｎｇ−Ｇｕ，Ｙｏｎｇｉｎ−Ｃｉｔｙ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−Ｄｏ ４４６−７１１ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ ＫＯＲＥＡ
【Ｆターム（参考）】
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