有機電界発光装置
【課題】発光動作を行うために設けられる有機電界発光素子に逆バイアスを印加する有機電界発光装置を提供する。
【解決手段】走査ライン１０３とデータライン１０５が交差する領域に形成された有機電界発光装置において，第１電源ライン１０７に連結され，前記走査ライン１０３から走査信号を受け，前記データライン１０５から受信したデータ信号に相応する駆動電流を形成する画素駆動部１０１と，前記画素駆動部１０１と第２電源ライン１０９との間に連結され，前記駆動電流によって発光動作を行う有機電界発光素子ＯＬＥＤと，前記有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極と逆バイアス電源との間に連結された逆バイアストランジスタＭＲと，を含むことを特徴とする，有機電界発光装置が提供される。
【解決手段】走査ライン１０３とデータライン１０５が交差する領域に形成された有機電界発光装置において，第１電源ライン１０７に連結され，前記走査ライン１０３から走査信号を受け，前記データライン１０５から受信したデータ信号に相応する駆動電流を形成する画素駆動部１０１と，前記画素駆動部１０１と第２電源ライン１０９との間に連結され，前記駆動電流によって発光動作を行う有機電界発光素子ＯＬＥＤと，前記有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極と逆バイアス電源との間に連結された逆バイアストランジスタＭＲと，を含むことを特徴とする，有機電界発光装置が提供される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機電界発光装置に係り，より詳しくはそれぞれの画素に設けられた有機電界発光素子に逆バイアスを印加するための画素回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光装置は，自発光動作を行う有機電界発光素子にデータ信号を供給して所定の映像を表示するディスプレイ装置であり，駆動方式によって，受動（Ｐａｓｓｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ）型と能動（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ）型に分けられる。
【０００３】
受動型は，画面表示領域に陽極と陰極をマトリックス方式で交差配置し，陽極と陰極が交差する部位に画素を形成する方式である。
【０００４】
これに対し，能動型は，各画素に薄膜トランジスタを配置し，それぞれの画素を薄膜トランジスタで制御する。
【０００５】
能動型と受動型の最大の違いは，有機電界発光装置の発光時間の差にある。すなわち，受動型の場合，瞬間的に有機発光層を高輝度で発光させるが，能動型の場合，有機発光層を低輝度で続いて発光させる。
【０００６】
受動型の場合，解像度が高くなれば，瞬間発光輝度が高くならなければならない。また，高輝度の光を出すため，有機電界発光装置の劣化に大きい影響を及ぼすことになる。これに対し，能動型の場合，薄膜トランジスタを用いて駆動し，一フレームの間，画素で継続して光を発するので，低電流で駆動が可能である。よって，能動型の方が受動型に比べて寄生キャパシタンスが少なく，電力の消費量が少ない利点を有する。
【０００７】
しかし，能動型は輝度不均一の欠点を有する。能動型は，能動素子として能動ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙ Ｓｉｌｉｃｏｎ）薄膜トランジスタを使用する場合が大部分を占める。ＬＴＰＳ薄膜トランジスタは，低温状態で形成された非晶質シリコンをレーザーにより決定化する。このとき，決定化によってトランジスタの特性が変わる。すなわち，トランジスタのスレッショルド電圧などが画素別に一定でない特性不均一が発生する。したがって，同一画面信号に対し，それぞれの画素は相違なる輝度を表し，これを画面全体的に見ると，輝度の不均一として見えることになる。このような輝度不均一の問題を解決するために多様な試みがなされている。
【０００８】
輝度不均一の問題は駆動トランジスタの特性を補償する方法で解決する。駆動トランジスタの特性を補償する方法は，駆動方式によって，大きく２種に分けられる。すなわち，電圧書き込み方式を用いる方法，電流書き込み方式を用いる方法がある。
【０００９】
電圧書き込み方式を用いる方法は，駆動トランジスタのスレッショルド電圧をキャパシタに格納し，格納された駆動トランジスタのスレッショルド電圧を補償する方法である。
【００１０】
電流書き込み方式を用いる方法は，映像信号を電流で供給し，映像信号電流に相応する駆動トランジスタのソース−ゲート間の電圧差をキャパシタに格納する。その後，駆動トランジスタを電圧源に連結して，映像信号電流と同一電流が駆動トランジスタに流れるようにする。すなわち，駆動トランジスタの素子特性差にかかわらずに，有機発光層に印加される電流の値は映像信号として入る電流の値となる。よって，輝度の不均一性が改善される。
【００１１】
ただ，上述した輝度の不均一現象を改善する方法は，有機発光層を有する有機電界発光素子が正常である状況を前提とするものである。製造工程で有機発光層がピンホール（Ｐｉｎ Ｈｏｌｅ）などの欠陥を有する場合，駆動トランジスタの特性差を補償するとしても，有機電界発光装置は正常な発光を行うことができなくなる。
【００１２】
有機電界発光素子が欠陥を有する場合，これを確認する方法は，有機電界発光装置を正常に動作させて，表示される画面を観察する方法を用いる。しかし，このような方法は，有機電界発光素子が有する進行性不良を感知することができないし，画素を構成する多数のトランジスタを動作させなければならない負担を有する。
【００１３】
したがって，有機電界発光装置には，画面を表示しないで，電気的に有機電界発光素子の正常動作を確認することができる有機電界発光装置が要求されると言える。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
そこで，本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので，本発明の目的は，有機電界発光素子に逆バイアスを印加するための有機電界発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，走査ラインとデータラインが交差する領域に形成された有機電界発光装置において，第１電源ラインに連結され，前記走査ラインから走査信号を受け，前記データラインから受信されたデータ信号に相応する駆動電流を形成するための画素駆動部と；前記画素駆動部と第２電源ラインとの間に連結され，前記駆動電流によって発光動作を行うための有機電界発光素子と；前記有機電界発光素子のアノード電極と逆バイアス電源との間に連結された逆バイアストランジスタと；を含むことを特徴とする有機電界発光装置が提供される。
【００１６】
上記逆バイアストランジスタは，逆バイアス制御信号に応じてオン／オフ動作を行い，上記逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，上記画素駆動部は駆動電流を発生しないようにしてもよい。
【００１７】
上記逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，上記有機電界発光素子には逆バイアスが印加されるようにしてもよい。
【００１８】
上記有機電界発光素子のアノード電極とカソード電極との間の逆バイアス電圧差は−１４Ｖ〜−１０Ｖであるようにしてもよい。ここで，Ｖは電位（Ｖｏｌｔ）を表す。
【００１９】
上記画素駆動部は，上記データラインに連結され，走査信号に応答してオン／オフ動作を行うスイッチングトランジスタと，スイッチングトランジスタに連結され，スイッチングトランジスタを介して受信される上記データ信号を格納するキャパシタと，スイッチングトランジスタと上記第１電源ラインに連結され，上記キャパシタに格納された上記データ信号に相応する上記駆動電流を発生する駆動トランジスタと，を含んでいてもよい。
【００２０】
上記データ信号は電圧で表してもよい。
【００２１】
上記画素駆動部は，上記駆動トランジスタと上記有機電界発光素子との間に連結され，発光制御信号に応じてオン／オフ動作を行う発光制御トランジスタをさらに含んでいてもよい。
【００２２】
上記画素駆動部は，上記データラインに連結され，上記走査信号に応じてオン／オフ動作を行う第１スイッチングトランジスタと，第１スイッチングトランジスタと上記第１電源ラインとの間に連結され，データ電流に相応する電圧を格納するキャパシタと，第１スイッチングトランジスタと上記第１電源ラインに連結され，上記キャパシタに格納された電圧に相応する駆動電流を発生する駆動トランジスタと，駆動トランジスタと上記データラインとの間に連結され，上記走査信号に応じて上記データ電流を上記データラインに供給する第２スイッチングトランジスタと，駆動トランジスタと上記有機電界発光素子との間に連結され，発光制御信号に応じて駆動電流を上記有機電界発光素子に供給する発光制御トランジスタと，を含んでいてもよい。
【００２３】
また，上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，第１電源ラインに連結され，走査ラインを介して走査信号を受け，データラインから受信されるデータ信号に相応する駆動電流を形成するための画素駆動部と，前記画素駆動部と第２電源ラインとの間に連結され，前記駆動電流によって発光動作を行うための有機電界発光素子と，前記有機電界発光素子のアノード電極と前記第１電源ラインとの間に連結され，前記有機電界発光素子に逆バイアスを印加するための逆バイアストランジスタと，を含むことを特徴とする，有機電界発光装置が提供される。
【００２４】
上記逆バイアストランジスタは逆バイアス制御信号に応じてオン／オフ動作を行い，上記逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，上記画素駆動部は駆動電流を発生しないようにしてもよい。
【００２５】
上記逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，上記有機電界発光素子には逆バイアスが印加されるようにしてもよい。
【００２６】
上記有機電界発光素子のアノード電極とカソード電極との間の逆バイアス電圧差は−１４Ｖ〜−１０Ｖであるようにしてもよい。
【００２７】
また，上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，第１電源ラインに連結され，走査ラインを介して走査信号を受け，データラインから受信されるデータ信号に相応する駆動電流を形成するための画素駆動部と；前記画素駆動部と第２電源ラインとの間に連結され，前記駆動電流によって発光動作を行うための有機電界発光素子と；前記有機電界発光素子のアノードと前記データラインとの間に連結され，前記有機電界発光素子に逆バイアスを印加するための第１逆バイアストランジスタと；前記データラインと逆バイアス電源との間に連結され，前記第１逆バイアストランジスタに前記逆バイアスを供給するための第２逆バイアストランジスタと；を含むことを特徴とする，有機電界発光装置が提供される。
【００２８】
上記第１逆バイアストランジスタおよび上記第２逆バイアストランジスタは逆バイアス制御信号に応じてオン／オフ動作を行い，上記第１逆バイアストランジスタおよび上記第２逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，上記画素駆動部は駆動電流を発生しないようにしてもよい。
【００２９】
上記第１逆バイアストランジスタおよび上記第２逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，上記逆バイアス電源から上記有機電界発光素子に逆バイアスが印加されるようにしてもよい。
【００３０】
上記有機電界発光素子のアノード電極とカソード電極との間の逆バイアス電圧差は−１４Ｖ〜−１０Ｖであるようにしてもよい。
【００３１】
上記画素駆動部は，上記データラインに連結され，走査信号に応答してオン／オフ動作を行うスイッチングトランジスタと，スイッチングトランジスタに連結され，スイッチングトランジスタを介して受信される上記データ信号を格納するキャパシタと，スイッチングトランジスタと上記第１電源ラインに連結され，キャパシタに格納された上記データ信号に相応する上記駆動電流を発生する駆動トランジスタと，を含んでいてもよい。
【００３２】
上記データ信号は電圧で表してもよい。
【００３３】
上記画素駆動部は，上記駆動トランジスタと上記有機電界発光素子との間に連結され，発光制御信号に応じてオン／オフ動作を行う発光制御トランジスタをさらに含んでいてもよい。
【００３４】
上記画素駆動部は，上記データラインに連結され，上記走査信号に応じてオン／オフ動作を行う第１スイッチングトランジスタと，第１スイッチングトランジスタと上記第１電源ラインとの間に連結され，データ電流に相応する電圧を格納するキャパシタと，第１スイッチングトランジスタと上記第１電源ラインに連結され，キャパシタに格納された電圧に相応する駆動電流を発生する駆動トランジスタと，駆動トランジスタと上記データラインとの間に連結され，上記走査信号に応じて上記データ電流を上記データラインに供給する第２スイッチングトランジスタと，駆動トランジスタと上記有機電界発光素子との間に連結され，発光制御信号に応じて上記駆動電流を上記有機電界発光素子に供給する発光制御トランジスタと，を含んでいてもよい。
【００３５】
また，上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，第１電源ラインに連結され，１つ前の走査信号の制御によって，初期化ラインを介して初期化信号を受け，現在の走査信号に応じてデータラインからデータ信号を受信し，受信されるデータ信号に相応する駆動電流を形成するための画素駆動部と；前記画素駆動部と第２電源ラインとの間に連結され，前記駆動電流によって発光動作を行うための有機電界発光素子と；前記初期化ラインと前記有機電界発光素子のアノード電極との間に連結され，前記有機電界発光素子に逆バイアスを印加するための逆バイアストランジスタと；を含むことを特徴とする，有機電界発光装置が提供される。
【００３６】
上記逆バイアストランジスタは逆バイアス制御信号に応じてオン／オフ動作を行い，上記逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，上記画素駆動部は駆動電流を発生しないようにしてもよい。
【００３７】
上記逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，上記有機電界発光素子には上記初期化ラインを介して逆バイアスが印加されるようにしてもよい。
【００３８】
上記有機電界発光素子のアノード電極とカソード電極との間の逆バイアス電圧差は−１４Ｖ〜−１０Ｖであるようにしてもよい。
【００３９】
上記画素駆動部は，上記初期化ラインに連結され，上記１つ前の走査信号に応じて初期化信号を受信する初期化トランジスタと，上記データラインに連結され，上記現在の走査信号に応じて上記データラインからデータ信号を受信する第１スイッチングトランジスタと，第１スイッチングトランジスタと初期化トランジスタとの間に連結され，ダイオード連結された構造を有し，スレッショルド電圧を補償する補償トランジスタと，補償トランジスタと上記第１電源ラインとの間に連結され，上記初期化信号を受信して初期化動作を行うか，または第１スイッチングトランジスタおよび補償トランジスタを介して伝達されるデータ信号を格納するキャパシタと，上記第１電源ラインに連結され，キャパシタに格納された上記データ信号に相応する上記駆動電流を発生する駆動トランジスタと，駆動トランジスタと上記有機電界発光素子との間に連結され，発光制御信号に応じて上記駆動電流を上記有機電界発光素子に供給する発光制御トランジスタと，を含んでいてもよい。
【００４０】
上記画素駆動部は，上記初期化ラインに連結され，上記１つ前の走査信号に応じて初期化信号を受信する初期化トランジスタと，上記データラインに連結され，上記現在の走査信号に応じて上記データラインからデータ信号を受信する第１スイッチングトランジスタと，第１スイッチングトランジスタに連結され，上記データ信号に相応する駆動電流を発生する駆動トランジスタと，駆動トランジスタのゲート端子とドレイン端子との間に連結され，上記現在の走査信号に応じてオン／オフ動作を行う第２スイッチングトランジスタと，駆動トランジスタと上記第１電源ラインとの間に連結され，発光制御信号に応じてオン／オフ動作を行う第３スイッチングトランジスタと，上記第１電源ラインと初期化トランジスタとの間に連結され，初期化信号に応じて初期化動作を行い，駆動トランジスタの駆動電流形成に要求されるデータ信号を格納するキャパシタと，駆動トランジスタと上記有機電界発光素子との間に連結され，発光制御信号に応じて駆動電流を上記有機電界発光素子に供給する発光制御トランジスタと，を含んでいてもよい。
【発明の効果】
【００４１】
このような本発明によれば，映像を表示し，表示される映像信号を観察して有機電界発光素子の正常動作を確認する方法ではなく，有機電界発光装置に逆バイアスを印加して，逆バイアスが印加された状態で有機電界発光素子で発生する漏洩電流を検出して有機電界発光素子の正常動作を確認することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００４３】
（第１の実施形態）
図１は本発明の第１の実施形態による有機電界発光装置を示すブロック図である。
【００４４】
図１に示すように，本実施形態による有機電界発光装置は，画素駆動部１０１，有機電界発光素子ＯＬＥＤ，および逆バイアストランジスタＭＲを有する。
【００４５】
画素駆動部１０１は，複数のトランジスタおよびキャパシタ（図示せず）からなる。また，画素駆動部１０１は，走査ライン１０３とデータライン１０５が交差する領域に形成される。走査ライン１０３から供給される走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］（ｎは１以上の整数）が活性化されると，画素駆動部１０１は選択され，選択された画素駆動部１０１にデータ信号ＤＡＴＡ［ｍ］（ｍは１以上の整数）が印加される。データ信号ＤＡＴＡ［ｍ］は，データライン１０５を介して画素駆動部１０１に印加される。画素駆動部１０１に印加されたデータ信号ＤＡＴＡ［ｍ］は，画素駆動部１０１に設けられたキャパシタに電圧の形態として格納される。また，データ信号ＤＡＴＡ［ｍ］は電圧の形態として画素駆動部１０１に印加されることができ，電流の形態として画素駆動部１０１に印加されるか，あるいは所定の電流を画素駆動部１０１からシンク（ｓｉｎｋ）する形態となることができる。
【００４６】
また，画素駆動部１０１は，正の電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する第１電源ライン１０７に連結される。画素駆動部１０１は，第１電源ライン１０７を介して，駆動電流の発生に必要な電力を受ける。
【００４７】
また，画素駆動部１０１は，発光制御信号を受信して，駆動電流が有機電界発光素子ＯＬＥＤに印加されることを制御することができる。
【００４８】
有機電界発光素子ＯＬＥＤは，画素駆動部１０１と負の電源電圧ＥＬＶＳＳを供給する第２電源ライン１０９との間に連結される。有機電界発光素子ＯＬＥＤは，画素駆動部１０１に供給されたデータ信号ＤＡＴＡ［ｍ］に相応する駆動電流を受けて所定の輝度で発光する。
【００４９】
逆バイアストランジスタＭＲは，有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極と逆バイアス電源Ｖｒとの間に連結される。また，逆バイアストランジスタＭＲのゲート端子には逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌが印加される。
【００５０】
有機電界発光装置にデータ信号ＤＡＴＡ［ｍ］が印加されて有機電界発光素子ＯＬＥＤが発光動作を開始する前または後に，有機電界発光素子ＯＬＥＤに逆バイアスが印加されることができる。すなわち，有機電界発光装置が映像を表示する時間区間を除いた残り区間である非表示区間で有機電界発光素子ＯＬＥＤには逆バイアスが印加されることができる。すなわち，非表示区間で逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌがローレベルで活性化されると，逆バイアストランジスタＭＲはターンオンされ，逆バイアストランジスタＭＲを介して，逆バイアスが有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極に印加される。有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極とカソード電極との間の電圧差は−１４Ｖ〜−１０Ｖが維持されるようにする。この−１４Ｖ〜−１０Ｖの電圧差は，ＯＬＥＤに逆バイアスを印加する際に，発生する漏洩電流を確認するためのものである。逆バイアスが極端に小さい場合には漏洩電流を確認することが難しく，逆バイアスがあまりにも大きいと，正常なＯＬＥＤが破壊される恐れがある。望ましくは，有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極とカソード電極との間の電圧差はおよそ−１２Ｖである。この−１２Ｖの電圧差は，電源の電圧およびＯＬＥＤの特性を反映させて設定した値である。
【００５１】
また，逆バイアス電圧は，有機電界発光装置の正常発光動作が開始される以前に有機電界発光素子ＯＬＥＤの不良有無を前もって検出するために印加されることもできる。
【００５２】
たとえば，有機電界発光素子ＯＬＥＤが正常特性を有する場合，逆バイアス電圧が印加される有機電界発光素子ＯＬＥＤで流れる漏洩電流は実質的に０Ａである。しかし，有機電界発光素子ＯＬＥＤが欠陥を有する場合，逆バイアス電圧によって漏洩電流が発生することになる。よって，逆バイアス電圧が印加される漏洩電流によって有機電界発光素子ＯＬＥＤが正常かどうかを確認することができる。
【００５３】
図２ａおよび図２ｂは本発明の第１の実施形態による有機電界発光装置の回路を示す説明図である。
【００５４】
図２ａに示すように，有機電界発光装置は，画素駆動部２０１，有機電界発光素子ＯＬＥＤ，および逆バイアストランジスタＭＲを有する。
【００５５】
画素駆動部２０１は，スイッチングトランジスタＭ１１，キャパシタＣ１，および駆動トランジスタＭ１２を有する。
【００５６】
スイッチングトランジスタＭ１１の第１電極はデータライン２０５に連結され，第２電極は駆動トランジスタＭ１２のゲートに連結される。また，スイッチングトランジスタＭ１１のゲートは走査ライン２０３に連結される。よって，走査ライン２０３を介して印加される走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］によって，スイッチングトランジスタＭ１１はオン／オフ動作を行う。走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］によってスイッチングトランジスタＭ１１がターンオンされる場合，データライン２０５からのデータ電圧Ｖｄａｔａは駆動トランジスタＭ１２およびキャパシタＣ１に印加される。
【００５７】
キャパシタＣ１はスイッチングトランジスタＭ１１の第２電極および第１電源ライン２０７との間に連結される。スイッチングトランジスタＭ１１を介して印加されるデータ電圧ＶｄａｔａはキャパシタＣ１に格納され，格納されたデータ電圧Ｖｄａｔａによって駆動電流が発生する。
【００５８】
駆動トランジスタＭ１２は，第１電源ライン２０７と有機電界発光素子ＯＬＥＤとの間に連結される。また，駆動トランジスタＭ１２のゲートはキャパシタＣ１およびスイッチングトランジスタＭ１１の第２電極に連結される。すなわち，駆動トランジスタＭ１２の第１電極は第１電源ライン２０７に連結され，駆動トランジスタＭ１２の第２電極は有機電界発光素子ＯＥＬＤのアノード電極に連結される。よって，駆動トランジスタＭ１２のソース−ゲートとの間の電圧差Ｖｇｓは，キャパシタＣ１両端に印加される電圧の差となる。
【００５９】
有機電界発光素子ＯＬＥＤは，画素駆動部２０１の駆動トランジスタＭ１２の第２電極と負の電源電圧ＥＬＶＳＳが印加される第２電源ライン２０９との間に連結される。有機電界発光素子ＯＬＥＤは，画素駆動部２０１の駆動トランジスタＭ１２から発生した駆動電流によって発光動作を行う。
【００６０】
逆バイアストランジスタＭＲは，逆バイアス電源Ｖｒと有機電界発光素子ＯＥＬＤのアノード電極との間に連結される。逆バイアストランジスタＭＲのゲート電極には逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌが印加される。逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌは，有機電界発光素子ＯＬＥＤが発光動作を行わない区間で逆バイアストランジスタＭＲをターンオンさせることができる。すなわち，有機電界発光装置が正常の発光動作を開始する以前に，有機電界発光素子ＯＬＥＤの不良有無を確認するために逆バイアスを印加することができ，垂直同期信号の非表示区間の間に逆バイアスを印加することができる。
【００６１】
図２ｂは，電流書き込み型有機電界発光装置を示す。図２ｂに示す有機電界発光装置は，データドライバにシンク（ｓｉｎｋ）されるデータ電流Ｉｄａｔａに相応するＶｇｓを画素駆動部２１１のキャパシタＣ２に格納し，有機電界発光素子ＯＬＥＤの発光動作時，データ電流（Ｉｄａｔａ）と同一の電流が有機電界発光素子ＯＬＥＤに印加される動作形態を有する。
【００６２】
電流書き込み型有機電界発光装置は，画素駆動部２１１，有機電界発光素子ＯＬＥＤ，および逆バイアストランジスタＭＲを有する。
【００６３】
画素駆動部２１１は，第１スイッチングトランジスタＭ２１，キャパシタＣ２，駆動トランジスタＭ２２，第２スイッチングトランジスタＭ２３，および発光制御トランジスタＭ２４を有する。
【００６４】
第１スイッチングトランジスタＭ２１は，走査ライン２１３を介して伝送される走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］（ｎは１以上の整数）の制御によってオン／オフ動作を行う。また，第１スイッチングトランジスタＭ２１の第１電極はデータライン２１５に連結され，第１スイッチングトランジスタＭ２１の第２電極はキャパシタＣ２および駆動トランジスタＭ２２に連結される。
【００６５】
キャパシタＣ２は，正の電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する第１電源ライン２１７と，第１スイッチングトランジスタＭ２１の第２電極との間に配置される。
【００６６】
また，駆動トランジスタＭ２２は第１電源ライン２１７と発光制御トランジスタＭ２４との間に連結され，駆動トランジスタＭ２２のゲートは第１スイッチングトランジスタＭ２１の第２電極およびキャパシタＣ２に連結される。駆動トランジスタＭ２２の第１電極は第１電源ライン２１７に連結され，駆動トランジスタＭ２２の第２電極は発光制御トランジスタＭ２４に連結される。
【００６７】
第２スイッチングトランジスタＭ２３は走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］の制御によってオン／オフ動作を行う。また，第２スイッチングトランジスタＭ２３の第１電極は駆動トランジスタＭ２２の第２電極に連結され，第２スイッチングトランジスタＭ２３の第２電極はデータライン２１５に連結される。
【００６８】
画素駆動部２１１にデータ電流Ｉｄａｔａが書き込まれる場合，走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］によって第１スイッチングトランジスタＭ２１および第２スイッチングトランジスタＭ２３はターンオンされる。また，データドライバによってデータ電流Ｉｄａｔａはシンクされる。よって，第２スイッチングトランジスタＭ２３を介してデータライン２１５にデータ電流Ｉｄａｔａが流れる。データ電流Ｉｄａｔａは，第１電源ライン２１７および駆動トランジスタＭ２２を介して供給される。よって，キャパシタＣ２にはデータ電流Ｉｄａｔａに相応するＶｇｓが格納される。
【００６９】
発光制御トランジスタＭ２４は駆動トランジスタＭ２２と有機電界発光素子ＯＬＥＤとの間に連結される。発光制御トランジスタＭ２４はゲートに印加される発光制御信号ＥＭＩ［ｎ］によってオン／オフされ，発光制御トランジスタＭ２４の第１電極は駆動トランジスタＭ２２および第２スイッチングトランジスタＭ２３に連結され，発光制御トランジスタＭ２４の第２電極は有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード端子に連結される。発光制御信号ＥＭＩ［ｎ］によって発光制御トランジスタＭ２４がターンオンされる場合，キャパシタＣ２に電圧形態として格納されたデータ信号Ｉｄａｔａは有機電界発光素子ＯＬＥＤに流れ，有機電界発光素子ＯＬＥＤは発光動作を開始する。
【００７０】
有機電界発光素子ＯＬＥＤは発光制御トランジスタＭ２４の第２電極と負の電源電圧ＥＬＶＳＳを供給する第２電源ライン２１９との間に連結され，駆動電流によって発光動作を行う。
【００７１】
また，逆バイアストランジスタＭＲは有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極と逆バイアス電源Ｖｒとの間に連結される。逆バイアストランジスタＭＲのゲート端子には逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌが印加され，逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌによって逆バイアストランジスタＭＲはオン／オフ動作を行う。
【００７２】
有機電界発光装置が正常の発光動作を行う以前に，逆バイアストランジスタＭＲはターンオンされ，有機電界発光素子ＯＬＥＤに逆バイアスが印加されることにより，有機電界発光素子ＯＬＥＤの不良有無を確認することができる。また，垂直同期信号が印加される期間の間に，非表示区間でも逆バイアスは有機電界発光素子ＯＬＥＤに印加されることができる。
【００７３】
（第２の実施形態）
図３は本発明の第２の実施形態による有機電界発光装置を示すブロック図である。
【００７４】
図３に示すように，本実施形態による有機電界発光装置は，画素駆動部３０１，有機電界発光素子ＯＬＥＤ，および逆バイアストランジスタＭＲを有する。
【００７５】
画素駆動部３０１は複数のトランジスタおよびキャパシタからなる。また，画素駆動部３０１は，走査ライン３０３とデータライン３０５が交差する領域に形成される。走査ライン３０３から供給される走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］（ｎは１以上の整数）が活性化されると，画素駆動部３０１は選択され，選択された画素駆動部３０１にデータ信号ＤＡＴＡ［ｍ］（ｍは１以上の整数）が印加される。データ信号ＤＡＴＡ［ｍ］はデータライン３０５を介して画素駆動部３０１に印加される。画素駆動部３０１に印加されたデータ信号ＤＡＴＡ［ｍ］は，画素駆動部３０１に設けられたキャパシタ（図示せず）に電圧の形態として格納される。また，データ信号ＤＡＴＡ［ｍ］は電圧の形態として画素駆動部３０１に印加されることができ，電流の形態として画素駆動部３０１に印加されるか，あるいは所定の電流を画素駆動部３０１からシンク（ｓｉｎｋ）する形態となることができる。
【００７６】
また，画素駆動部３０１は正の電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する第１電源ライン３０７に連結される。画素駆動部３０１は，第１電源ライン３０７を介して，駆動電流の発生に必要な電力を受ける。
【００７７】
また，画素駆動部３０１は発光制御信号を受信して，駆動電流が有機電界発光素子ＯＬＥＤに印加されることを制御することができる。
【００７８】
有機電界発光素子ＯＬＥＤは，画素駆動部３０１と負の電源電圧ＥＬＶＳＳを供給する第２電源ライン３０９との間に連結される。有機電界発光素子ＯＬＥＤは，画素駆動部３０１に供給されたデータ信号ＤＡＴＡ［ｍ］に相応する駆動電流を受けて所定の輝度で発光する。
【００７９】
逆バイアストランジスタＭＲは有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極と第１電源ライン３０７との間に連結される。また，逆バイアストランジスタＭＲのゲート端子には逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌが印加される。たとえば，逆バイアストランジスタＭＲが逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌによってターンオンされた場合，第１電源ライン３０７には正の電源電圧ＥＬＶＤＤの代わりに，アノード電極に印加される電圧よりカソード電極に印加される電圧のほうが低いレベルを有する電圧が印加され，第２電源ライン３０９には負の電源電圧ＥＬＶＳＳの代わりに，アノード電極に印加される電圧よりカソード電極に印加される電圧のほうが高いレベルを有する電圧が印加される。よって，逆バイアストランジスタＭＲがターンオンされる場合，有機電界発光素子ＯＬＥＤには逆バイアスが印加される。
【００８０】
有機電界発光装置に走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］が活性化され，データ信号ＤＡＴＡ［ｍ］が印加されて有機電界発光素子ＯＬＥＤが発光動作を開始する以前または以後に，有機電界発光素子ＯＬＥＤに逆バイアスを印加することができる。すなわち，有機電界発光装置が映像を表示する時間区間を除いた残り区間である非表示区間で，有機電界発光素子ＯＬＥＤには逆バイアスを印加することができる。すなわち，非表示区間で逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌがローレベルで活性化されると，逆バイアストランジスタＭＲはターンオンされ，逆バイアストランジスタＭＲを介して，逆バイアスが有機電界発光素子ＯＬＥＤに印加される。有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極とカソード電極との間の電圧差は−１４Ｖ〜−１０Ｖが維持されるようにする。この−１４Ｖ〜−１０Ｖの電圧差は，ＯＬＥＤに逆バイアスを印加する際に，発生する漏洩電流を確認するためのものである。逆バイアスが極端に小さい場合には漏洩電流を確認することが難しく，逆バイアスがあまりにも大きいと，正常なＯＬＥＤが破壊される恐れがある。望ましくは，前記有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極とカソード電極との間の電圧差はおよそ−１２Ｖである。この−１２Ｖの電圧差は，電源の電圧およびＯＬＥＤの特性を反映させて設定した値である。
【００８１】
また，逆バイアス電圧は，有機電界発光装置の正常の発光動作が開始される以前に，有機電界発光素子ＯＬＥＤの不良を前もって検出するために印加することもできる。
【００８２】
たとえば，有機電界発光素子ＯＬＥＤが正常の特性を有する場合，逆バイアス電圧が印加された時に有機電界発光素子ＯＬＥＤを流れる漏洩電流は，実質的に０Ａである。しかし，有機電界発光素子ＯＬＥＤが欠陥を有している場合，逆バイアス電圧によって漏洩電流が発生することになる。よって，逆バイアス電圧が印加された時に漏洩電流が発生するかどうかによって，有機電界発光素子ＯＬＥＤが正常かどうかを確認することができる。
【００８３】
図４ａおよび図４ｂは本発明の第２の実施形態による有機電界発光装置の回路を示す説明図である。
【００８４】
図４ａに示すように，有機電界発光装置は，画素駆動部４０１，有機電界発光素子ＯＬＥＤ，および逆バイアストランジスタＭＲを有する。
【００８５】
画素駆動部４０１は，スイッチングトランジスタＭ３１，キャパシタＣ３，および駆動トランジスタＭ３２を有する。図４ａに示す画素駆動部４０１の構成および動作は図２ａに基づいて説明したものと同一である。したがって，走査ライン４０３を介して走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］が活性化され，データライン４０５を介してデータ電圧Ｖｄａｔａが印加されると，キャパシタＣ３にはデータ電圧Ｖｄａｔａが格納される。
【００８６】
有機電界発光素子ＯＬＥＤは，画素駆動部４０１の駆動トランジスタと第２電源ライン４０９との間に連結される。有機電界発光素子ＯＬＥＤが正常の発光動作を行う場合，第２電源ライン４０９には負の電源電圧ＥＬＶＳＳが印加され，画素駆動部４０１に格納されたデータ電圧Ｖｄａｔａに相応する駆動電流によって，有機電界発光素子ＯＬＥＤは発光動作を開始する。
【００８７】
逆バイアストランジスタＭＲは，第１電源ライン４０７と有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極との間に連結され，逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌによってオン／オフ動作を行う。有機電界発光素子ＯＬＥＤが正常の発光動作を行う場合，第１電源ライン４０７には正の電源電圧ＥＬＶＤＤが印加され，第２電源ライン４０９には負の電源電圧ＥＬＶＳＳが印加される。しかし，逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌの活性化によって逆バイアストランジスタＭＲがターンオンされる場合，第１電源ライン４０７には正の電源電圧ＥＬＶＤＤより低い電圧が印加され，第２電源ライン４０９には負の電源電圧ＥＬＶＳＳより高い電圧が印加されることにより，有機電界発光素子ＯＬＥＤに逆バイアス電圧が印加される。
【００８８】
図４ｂに示すように，有機電界発光装置は，データ電流Ｉｄａｔａを電圧の形態として格納し，これに相応する駆動電流を発生するための画素駆動部４１１，画素駆動部４１１に連結され，発光動作を行うための有機電界発光素子ＯＬＥＤ，および有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極と第１電源ライン４１７との間に連結された逆バイアストランジスタＭＲを有する。
【００８９】
画素駆動部４１１は，第１スイッチングトランジスタＭ４１，キャパシタＣ４，駆動トランジスタＭ４２，第２スイッチングトランジスタＭ４３，および発光制御トランジスタＭ４４を有する。図４ｂに示す画素駆動部４１１の構成および動作は，図２ｂに示す画素駆動部２１１の構成および動作と同一である。したがって，走査ライン４１３を介して印加される走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］に応じて，第１スイッチングトランジスタＭ４１および第２スイッチングトランジスタＭ４３はターンオンされ，駆動トランジスタＭ４２からデータライン４１５を介してデータ電流Ｉｄａｔａはシンクされる。よって，キャパシタＣ４には，データ電流Ｉｄａｔａに相応するＶｇｓが格納される。発光制御信号ＥＭＩ［ｎ］が活性化される場合，発光制御トランジスタＭ４４はターンオンされ，データ電流Ｉｄａｔａと実質的に同一な駆動電流が有機電界発光素子ＯＬＥＤに流れることになる。
【００９０】
発光動作を行う有機電界発光素子ＯＬＥＤは，発光制御トランジスタＭ４４と第２電源ライン４１９との間に連結される。正常動作の場合，有機電界発光素子ＯＬＥＤのカソード電極には第２電源ライン４１９を介して負の電源電圧ＥＬＶＳＳが印加され，駆動電流が流れて発光動作を行う。有機電界発光装置が正常動作を行う以前，または非表示期間の間，有機電界発光素子ＯＬＥＤには逆バイアスが印加される。
【００９１】
逆バイアストランジスタＭＲは，有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極と第１電源ライン４１７との間に連結される。逆バイアストランジスタＭＲは逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌによってオン／オフ動作を行う。逆バイアストランジスタＭＲがオフ状態であるうちに，有機電界発光素子ＯＬＥＤは正常の発光動作を行い，逆バイアストランジスタＭＲがターンオンされた場合，有機電界発光素子ＯＬＥＤには逆バイアス電圧が印加される。
【００９２】
（第３の実施形態）
図５は本発明の第３の実施形態による有機電界発光装置を示すブロック図である。
【００９３】
図５に示すように，本実施形態による有機電界発光装置は，画素駆動部５０１，有機電界発光素子ＯＬＥＤ，第１逆バイアストランジスタＭＲ１，および第２逆バイアストランジスタＭＲ２を有する。
【００９４】
画素駆動部５０１は，走査ライン５０３を介して印加される走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］（ｎは１以上の整数）によって選択されて，データライン５０５を介して印加されるデータ信号ＤＡＴＡ［ｍ］（ｍは１以上の整数）を受信する。データ信号ＤＡＴＡ［ｍ］はデータ電圧またはデータ電流である。また，画素駆動部５０１は第１電源ライン５０７に連結され，有機電界発光素子ＯＬＥＤが発光動作を行う場合，第１電源ライン５０７から正の電源電圧ＥＬＶＤＤを受けて，有機電界発光素子ＯＬＥＤの発光に要求される電力を供給する。
【００９５】
有機電界発光素子ＯＬＥＤは画素駆動部５０１と第２電源ライン５０９との間に配置される。すなわち，有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極は画素駆動部５０１に連結され，有機電界発光素子ＯＬＥＤのカソード電極は第２電源ライン５０９に連結される。有機電界発光素子ＯＬＥＤが発光動作を行う場合，第２電源ライン５０９を介して負の電源電圧ＥＬＶＳＳが印加される。
【００９６】
第１逆バイアストランジスタＭＲ１は，有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極とデータライン５０５との間に連結される。また，第１逆バイアストランジスタＭＲ１のゲート端子には逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌが印加される。逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌがローレベルで活性化される場合，第１逆バイアストランジスタＭＲ１はターンオンされ，データライン５０５と有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極は電気的に連結される。
【００９７】
第２逆バイアストランジスタＭＲ２は，逆バイアス電源Ｖｒとデータライン５０５の間に連結される。また，第２逆バイアストランジスタＭＲ２のゲート端子には逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌが印加される。したがって，逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌがローレベルで活性化される場合，第２逆バイアストランジスタＭＲ２はターンオンされ，データライン５０５と逆バイアス電源Ｖｒは電気的に連結される。すなわち，逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌは第１逆バイアストランジスタＭＲ１および第２逆バイアストランジスタＭＲ２に共通して連結される。
【００９８】
有機電界発光装置が映像を表示する場合，第１逆バイアストランジスタＭＲ１および第２逆バイアストランジスタＭＲ２はオフ状態を維持する。また，走査ライン５０３を介して走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］が画素駆動部５０１に印加され，データ信号ＤＡＴＡ［ｍ］はデータライン５０５を介して画素駆動部５０１に印加される。画素駆動部５０１は，印加されたデータ信号ＤＡＴＡ［ｍ］によって駆動電流を発生し，発生された駆動電流は有機電界発光素子ＯＬＥＤに流れ，有機電界発光素子ＯＬＥＤは発光動作を開始する。
【００９９】
しかし，有機電界発光装置が映像を表示する以前に有機電界発光素子ＯＬＥＤの不良有無を検出しようとするか，あるいは非表示期間の間に有機電界発光素子ＯＬＥＤの不良有無を検出しようとする場合，第１逆バイアストランジスタＭＲ１および第２逆バイアストランジスタＭＲ２はターンオンされる。したがって，ターンオンされた第１逆バイアストランジスタＭＲ１および第２逆バイアストランジスタＭＲ２を介して有機電界発光素子ＯＬＥＤには逆バイアスが印加される。すなわち，有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極には逆バイアス電源Ｖｒが印加され，画素駆動部５０１は駆動電流を発生しない。
【０１００】
逆バイアスが印加される場合，有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極とカソード電極との間の電圧差は−１４Ｖ〜−１０Ｖが維持されるようにする。この−１４Ｖ〜−１０Ｖの電圧差は，ＯＬＥＤに逆バイアスを印加する際に，発生する漏洩電流を確認するためのものである。逆バイアスが極端に小さい場合には漏洩電流を確認することが難しく，逆バイアスがあまりにも大きいと，正常なＯＬＥＤが破壊される恐れがある。望ましくは，有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極とカソード電極との間の電圧差はおよそ−１２Ｖである。この−１２Ｖの電圧差は，電源の電圧およびＯＬＥＤの特性を反映させて設定した値である。
【０１０１】
また，実施の形態によって，画素駆動部５０１は，発光制御信号が入力されて，発光制御信号に応じて駆動電流を有機電界発光素子ＯＬＥＤに供給することができる。
【０１０２】
図６ａおよび図６ｂは本発明の第３の実施形態よる有機電界発光装置の回路を示す説明図である。
【０１０３】
図６ａに示すように，有機電界発光装置は，画素駆動部６０１，有機電界発光素子ＯＬＥＤ，第１逆バイアストランジスタＭＲ１，および第２逆バイアストランジスタＭＲ２を有する。
【０１０４】
画素駆動部６０１は，正の電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する第１電源ライン６０７と有機電界発光素子ＯＬＥＤとの間に連結され，スイッチングトランジスタＭ５１，キャパシタＣ５，および駆動トランジスタＭ５２を有する。図６ａに示す画素駆動部６０１の構成および動作は，図２ａに基づいて説明したものと同一である。したがって，走査ライン６０３を介して走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］（ｎは１以上の整数）が活性化され，データライン６０５を介してデータ電圧Ｖｄａｔａが印加されると，キャパシタＣ５にはデータ電圧Ｖｄａｔａが格納される。
【０１０５】
有機電界発光素子ＯＬＥＤは，画素駆動部６０１の駆動トランジスタＭ５２と第２電源ライン６０９との間に連結される。有機電界発光素子ＯＬＥＤが正常の発光動作を行う場合，第２電源ライン６０９には負の電源電圧ＥＬＶＳＳが印加され，画素駆動部６０１に格納されたデータ電圧Ｖｄａｔａに相応する駆動電流によって有機電界発光素子ＯＬＥＤは発光動作を開始する。
【０１０６】
第１逆バイアストランジスタＭＲ１は，データライン６０５と有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極との間に連結され，第２逆バイアストランジスタＭＲ２はデータライン６０５と逆バイアス電源Ｖｒとの間に連結される。
【０１０７】
有機電界発光素子ＯＬＥＤが正常の発光動作を行う場合，逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌはハイレベルを維持し，第１逆バイアストランジスタＭＲ１および第２逆バイアストランジスタＭＲ２はオフ状態を維持する。したがって，逆バイアス電源Ｖｒと有機電界発光素子ＯＬＥＤとの間の電気的連結は遮断され，走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］およびデータ電圧Ｖｄａｔａによって有機電界発光素子ＯＬＥＤは発光動作を行う。
【０１０８】
有機電界発光装置が映像を表示する以前に有機電界発光素子ＯＬＥＤの不良有無を検出しようとするか，あるいは非表示期間の間に有機電界発光素子ＯＬＥＤの不良有無を検出しようとする場合，逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌに応じて第１逆バイアストランジスタＭＲ１および第２逆バイアストランジスタＭＲ２はターンオンされる。また，画素駆動部６０１は駆動電流を発生しない。逆バイアストランジスタのターンオンによって，有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極には逆バイアス電源Ｖｒが印加され，有機電界発光素子ＯＬＥＤには逆バイアスが印加される。
【０１０９】
図６ｂに示すように，有機電界発光装置は，画素駆動部６１１，有機電界発光素子ＯＬＥＤ，第１逆バイアストランジスタＭＲ１，および第２逆バイアストランジスタＭＲ２を有する。
【０１１０】
画素駆動部６１１は，図２ｂに示す画素駆動部とその構成および動作が同一である。したがって，有機電界発光素子ＯＬＥＤが発光動作を行う場合，走査ライン６１３を介して走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］（ｎは１以上の整数）が印加され，第１スイッチングトランジスタＭ６１および第２スイッチングトランジスタＭ６３はターンオンされる。また，データライン６１５で流れるデータ電流Ｉｄａｔａに相応する駆動トランジスタＭ６２のＶｇｓはキャパシタＣ６に格納される。また，発光制御信号ＥＭＩ［ｎ］の活性化によって，発光制御トランジスタＭ６４はターンオンされ，有機電界発光素子ＯＬＥＤの発光動作が行われる。
【０１１１】
有機電界発光装置が発光動作を行う以前に有機電界発光素子ＯＬＥＤの不良有無を確認するか，非表示期間の間に有機電界発光素子ＯＬＥＤの不良有無を確認しようとする場合，画素駆動部６１１は駆動電流を発生しない。また，逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌに応じて第１逆バイアストランジスタＭＲ１および第２逆バイアストランジスタＭＲ２はターンオンされ，有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極には逆バイアス電源Ｖｒが印加される。よって，有機電界発光素子ＯＬＥＤには逆バイアスが印加される。
【０１１２】
（第４の実施形態）
図７は本発明の第４の実施形態による有機電界発光装置を示すブロック図である。
【０１１３】
図７に示すように，本実施形態による有機電界発光装置は，初期化動作を行ってデータ信号ＤＡＴＡ［ｍ］（ｍは１以上の整数）に相応する駆動電流を発生するための画素駆動部７０１，画素駆動部７０１から発生した駆動電流によって発光動作を行うための有機電界発光素子ＯＬＥＤ，および初期化ライン７０９を介して有機電界発光素子ＯＬＥＤに逆バイアスを印加するための逆バイアストランジスタＭＲを有する。
【０１１４】
画素駆動部７０１は正の電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する第１電源ライン７０７と有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極との間に連結される。有機電界発光素子ＯＬＥＤが発光動作を行う場合，画素駆動部７０１には，１つ前の走査信号ＳＣＡＮ［ｎ−１］（ｎは２以上の整数）が活性化されて印加され，初期化ライン７０９を介して初期化信号Ｖｉｎｉｔが印加される。また，現在の走査ライン７０３を介して現在の走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］が画素駆動部７０１に印加される。活性化された現在の走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］に応じてデータ信号ＤＡＴＡ［ｍ］は画素駆動部７０１に入力され，データライン７０５を介して入力されたデータ信号ＤＡＴＡ［ｍ］は画素駆動部７０１のキャパシタ（図示せず）に格納される。続いて，発光制御信号ＥＭＩ［ｎ］が活性化されると，画素駆動部７０１から発生した駆動電流は有機電界発光素子ＯＬＥＤに流れ，有機電界発光素子ＯＬＥＤは発光動作を開始する。
【０１１５】
有機電界発光素子ＯＬＥＤは，画素駆動部７０１と負の電源電圧ＥＬＶＳＳを供給する第２電源ライン７０８との間に連結される。有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極は画素駆動部７０１に連結され，有機電界発光素子ＯＬＥＤのカソード電極は第２電源ライン７０８に連結される。
【０１１６】
逆バイアストランジスタＭＲは，初期化ライン７０９と有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極との間に連結される。また，逆バイアストランジスタＭＲのゲート端子には逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌが印加される。
【０１１７】
有機電界発光装置が発光動作を行う場合，逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌはハイレベルを維持し，逆バイアストランジスタＭＲはオフ状態を維持する。したがって，初期化ライン７０９と有機電界発光素子ＯＬＥＤとの間の電気的連結は遮断される。また，１つ前の走査信号ＳＣＡＮ［ｎ−１］および現在の走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］が連続して入力され，画素駆動部７０１はデータ信号ＤＡＴＡ［ｍ］を格納し，画素駆動部７０１から発生した駆動電流は発光制御信号ＥＭＩ［ｎ］に応じて有機電界発光素子ＯＬＥＤに流れる。駆動電流によって有機電界発光素子ＯＬＥＤは発光動作を行う。
【０１１８】
有機電界発光装置が発光動作を行う以前に，または非表示期間の間に有機電界発光素子ＯＬＥＤの不良有無を確認する場合，逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌはローレベルで活性化され，逆バイアストランジスタＭＲはターンオンされる。また，画素駆動部７０１は駆動電流を発生しない。ターンオンされた逆バイアストランジスタＭＲによって，有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極は初期化ライン７０９と電気的に連結される。初期化ライン７０９を介して逆バイアスが印加されると，有機電界発光素子ＯＬＥＤには逆バイアスが印加される。有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極とカソード電極との間の電圧差は−１４Ｖ〜−１０Ｖが維持されるようにする。この−１４Ｖ〜−１０Ｖの電圧差は，ＯＬＥＤに逆バイアスを印加する際に，発生する漏洩電流を確認するためのものである。逆バイアスが極端に小さい場合には漏洩電流を確認することが難しく，逆バイアスがあまりにも大きいと，正常なＯＬＥＤが破壊される恐れがある。望ましくは，有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極とカソード電極との間の電圧差はおよそ−１２Ｖである。この−１２Ｖの電圧差は，電源の電圧およびＯＬＥＤの特性を反映させて設定した値である。
【０１１９】
すなわち，有機電界発光素子ＯＬＥＤが所定の原因によって特性不良を起こす場合，逆バイアスが印加された有機電界発光素子ＯＬＥＤには漏洩電流が流れることになるので，有機電界発光素子の不良有無が検出される。
【０１２０】
図８ａおよび図８ｂは本発明の第４の実施形態による有機電界発光装置の回路を示す説明図である。
【０１２１】
図８ａに示すように，有機電界発光装置は，画素駆動部８０１，有機電界発光素子ＯＬＥＤ，および逆バイアストランジスタＭＲを有する。
【０１２２】
画素駆動部８０１は，初期化トランジスタＭ７１，スイッチングトランジスタＭ７２，補償トランジスタＭ７３，駆動トランジスタＭ７４，キャパシタＣ７，および発光制御トランジスタＭ７５を有する。
【０１２３】
初期化トランジスタＭ７１は初期化ライン８０９と補償トランジスタＭ７３との間に連結される。初期化トランジスタＭ７１は，１つ前の走査信号ＳＣＡＮ［ｎ−１］（ｎは２以上の整数）によってオン／オフ動作を行い，ターンオンされた場合，初期化ライン８０９を介して受信される初期化信号ＶｉｎｉｔをキャパシタＣ７に伝達する。
【０１２４】
スイッチングトランジスタＭ７２はデータライン８０５と補償トランジスタＭ７３との間に連結される。また，スイッチングトランジスタＭ７２は，現在の走査ライン８０３を介して受信される現在の走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］に応じてオン／オフ動作を行う。スイッチングトランジスタＭ７２がターンオンされた場合，データライン８０５を介して伝送されるデータ電圧Ｖｄａｔａは補償トランジスタＭ７３に印加される。
【０１２５】
補償トランジスタＭ７３は，スイッチングトランジスタＭ７２と初期化トランジスタＭ７１との間に連結される。補償トランジスタＭ７３は駆動トランジスタＭ７４が有するスレッショルド電圧を補償する。また，補償トランジスタＭ７３は，ゲート電極とドレイン電極が電気的に連結されたダイオード構造を有する。スイッチングトランジスタＭ７２のターンオンによってデータ電圧Ｖｄａｔａが補償トランジスタＭ７３に印加され，補償トランジスタＭ７３のスレッショルド電圧をＶｔｈ１とすると，ダイオード連結された構造によって，補償トランジスタＭ７３のゲート端子に印加される電圧はＶｄａｔａ−｜Ｖｔｈ１｜である。
【０１２６】
キャパシタＣ７は，正の電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する第１電源ライン８０７と補償トランジスタＭ７３のゲート端子との間に連結される。スイッチングトランジスタＭ７１がターンオンされた場合，補償トランジスタＭ７３のゲート端子に印加される電圧Ｖｄａｔａ−｜Ｖｔｈ１｜は，キャパシタＣ７に格納される。すなわち，キャパシタＣ７はＥＬＶＤＤ−（Ｖｄａｔａ−｜Ｖｔｈ１｜）の電圧差を格納する。
【０１２７】
駆動トランジスタＭ７４は第１電源ライン８０７と発光制御トランジスタＭ７５との間に連結され，駆動トランジスタＭ７４のゲート端子は補償トランジスタＭ７３のゲート端子およびキャパシタＣ７の一側端子に共通して連結される。駆動トランジスタＭ７４は，キャパシタＣ７の両端に印加された電圧差ＥＬＶＤＤ−（Ｖｄａｔａ−｜Ｖｔｈ１｜）に相応する駆動電流を形成する。駆動トランジスタＭ７４のスレッショルド電圧をＶｔｈ２，駆動トランジスタＭ７４のゲート電圧を基準としたソース−ゲート間の電圧差をＶｓｇとすると，駆動電流は（Ｖｓｇ−｜Ｖｔｈ２｜）２に比例する。したがって，駆動電流Ｉは次の数１によって求められる。
【０１２８】
【数１】
【０１２９】
発光制御トランジスタＭ７５は，駆動トランジスタＭ７４と有機電界発光素子ＯＬＥＤとの間に連結される。また，発光制御トランジスタＭ７５のゲート端子には発光制御信号ＥＭＩ［ｎ］が印加される。発光制御信号ＥＭＩ［ｎ］がローレベルで活性化される場合，駆動トランジスタＭ７４から発生した駆動電流は有機電界発光素子ＯＬＥＤに流れ，有機電界発光素子ＯＬＥＤは発光動作を開始する。
【０１３０】
有機電界発光素子ＯＬＥＤは発光制御トランジスタＭ７５と負の電源電圧ＥＬＶＳＳを供給する第２電源ライン８０８との間に連結される。発光制御トランジスタＭ７５のターンオンによって有機電界発光素子ＯＬＥＤは発光動作を行う。また，逆バイアストランジスタＭＲがターンオンされる場合，有機電界発光素子ＯＬＥＤには逆バイアスが印加される。
【０１３１】
逆バイアストランジスタＭＲは有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極と初期化ライン８０９との間に連結される。また，逆バイアストランジスタＭＲのゲート端子には逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌが印加される。
【０１３２】
有機電界発光装置が映像を表示するために発光動作を行う場合，逆バイアストランジスタＭＲは逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌに応じてオフ状態を維持する。
【０１３３】
しかし，有機電界発光装置が発光動作を行う以前に，または非表示区間で有機電界発光素子ＯＬＥＤの不良有無を確認する場合に，逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌに応じて逆バイアストランジスタＭＲはターンオンされる。また，画素駆動部８０１は駆動電流を発生しない。逆バイアストランジスタＭＲがターンオンされた場合，有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極と初期化ライン８０９との間には電気的連結がなされ，有機電界発光素子ＯＬＥＤには逆バイアスが印加される。逆バイアスの印加は，第２電源ライン８０８に負の電源電圧ＥＬＶＳＳより高い電圧を印加し，初期化ライン８０９に初期化信号Ｖｉｎｉｔより低い電圧を印加することにより達成される。
【０１３４】
図８ｂに示すように，有機電界発光装置は，画素駆動部８１１，有機電界発光素子ＯＬＥＤ，および逆バイアストランジスタＭＲを有する。
【０１３５】
画素駆動部８１１は，初期化トランジスタＭ８１，第１スイッチングトランジスタＭ８２，第２スイッチングトランジスタＭ８３，駆動トランジスタＭ８４，第３スイッチングトランジスタＭ８５，キャパシタＣ８，および発光制御トランジスタＭ８６を有する。
【０１３６】
初期化トランジスタＭ８１は，初期化ライン８１９とキャパシタＣ８との間に連結される。初期化トランジスタＭ８１は，１つ前の走査信号ＳＣＡＮ［ｎ−１］（ｎは２以上の整数）に応じてオン／オフ動作を行い，ターンオンされた場合，初期化ライン８１９を介して受信される初期化信号ＶｉｎｉｔをキャパシタＣ８に伝達する。
【０１３７】
第１スイッチングトランジスタＭ８２は，データライン８１５と駆動トランジスタＭ８４との間に連結される。現在の走査ライン８１３を介して現在の走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］がローレベルで活性化されると，第１スイッチングトランジスタＭ８２はターンオンされ，データライン８１５上のデータ電圧Ｖｄａｔａは駆動トランジスタＭ８４に印加される。
【０１３８】
第２スイッチングトランジスタＭ８３は，発光制御トランジスタＭ８６と駆動トランジスタＭ８４のゲート端子との間に連結される。第２スイッチングトランジスタＭ８３は現在の走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］に応じてオン／オフ動作を行う。よって，現在の走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］によって第２スイッチングトランジスタＭ８３がターンオンされた場合，駆動トランジスタＭ８４のゲート端子とドレイン端子は電気的に短絡される構造を有する。
【０１３９】
駆動トランジスタＭ８４は，第１スイッチングトランジスタＭ８２と発光制御トランジスタＭ８６との間に連結される。駆動トランジスタＭ８４は，現在の走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］がローレベルで活性化されると，第２スイッチングトランジスタＭ８３のターンオンによってダイオード連結されたトランジスタとなる。また，第１スイッチング素子を介してデータ電圧Ｖｄａｔａが印加されるので，駆動トランジスタＭ８４のスレッショルド電圧をＶｔｈとすると，駆動トランジスタＭ８４のゲート端子電圧はＶｄａｔａ−｜Ｖｔｈ｜となる。したがって，キャパシタＣ８の一側端子にはＶｄａｔａ−｜Ｖｔｈ｜の電圧が印加される。
【０１４０】
第３スイッチングトランジスタＭ８５は，第１スイッチングトランジスタＭ８２および駆動トランジスタＭ８４が共通して連結されたノードと正の電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する第１電源ライン８１７との間に連結される。また，第３スイッチングトランジスタＭ８５のゲート端子には発光制御信号ＥＭＩ［ｎ］が入力される。したがって，第３スイッチングトランジスタＭ８５は発光制御信号ＥＭＩ［ｎ］に応じてオン／オフ動作を行う。第３スイッチングトランジスタＭ８５がターンオンされた場合，第１電源ライン８１７から供給される正の電源電圧ＥＬＶＤＤは駆動トランジスタＭ８４に印加され，駆動トランジスタは駆動電流を発生する。
【０１４１】
キャパシタＣ８は，第１電源ライン８１７と初期化トランジスタＭ８１との間に連結される。また，キャパシタＣ８は駆動トランジスタＭ８４のゲート端子にも連結される。現在の走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］がローレベルで活性化された場合，第２スイッチングトランジスタＭ８３のターンオン動作によって，駆動トランジスタＭ８４はダイオード連結された構造を有し，第１スイッチングトランジスタＭ８２のターンオン動作によって，データライン８１５上のデータ電圧Ｖｄａｔａは駆動トランジスタＭ８４に印加される。したがって，駆動トランジスタＭ８４のゲート端子およびキャパシタＣ８の一側端子にはＶｄａｔａ−｜Ｖｔｈ｜が印加される。すなわち，現在の走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］が印加されるうちに，キャパシタＣ８はＥＬＶＤＤ−（Ｖｄａｔａ−｜Ｖｔｈ｜）の電圧差を格納する。
【０１４２】
発光制御トランジスタＭ８６は，駆動トランジスタＭ８４と有機電界発光素子ＯＬＥＤとの間に連結される。また，発光制御トランジスタＭ８６のゲート端子には，発光制御信号ＥＭＩ［ｎ］が印加される。すなわち，発光制御信号ＥＭＩ［ｎ］は第３スイッチングトランジスタＭ８５と発光制御トランジスタＭ８６のゲート端子に共通に印加される。発光制御信号ＥＭＩ［ｎ］がローレベルで活性化される場合，第３スイッチングトランジスタＭ８５および発光制御トランジスタＭ８６はターンオンされる。第３スイッチングトランジスタＭ８５のターンオンによって正の電源電圧ＥＬＶＤＤは駆動トランジスタＭ８４に印加され，駆動トランジスタＭ８４はスレッショルド電圧を補償しつつ，データ電圧Ｖｄａｔａに相応する駆動電流を生成する。駆動トランジスタＭ８４から発生した駆動電流は，発光制御トランジスタＭ８６を介して有機電界発光素子ＯＬＥＤに流れ，有機電界発光素子ＯＬＥＤは発光動作を開始する。
【０１４３】
有機電界発光素子ＯＬＥＤは，発光制御トランジスタＭ８６と負の電源電圧ＥＬＶＳＳを供給する第２電源ライン８１８との間に連結される。有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極は，発光制御トランジスタＭ８６および逆バイアストランジスタＭＲに連結され，有機電界発光素子ＯＬＥＤのカソード電極は，負の電源電圧ＥＬＶＳＳを供給する第２電源ライン８１８に連結される。
【０１４４】
逆バイアストランジスタＭＲは，初期化ライン８１９と有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極との間に連結される。また，逆バイアストランジスタＭＲのゲート端子には逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌが印加される。したがって，逆バイアストランジスタＭＲは逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌに応じてオン／オフ動作を行う。
【０１４５】
有機電界発光装置が映像を表示する場合，逆バイアストランジスタはオフ状態を維持する。よって，初期化ライン８１９と有機電界発光素子ＯＬＥＤとの間の電気的連結は遮断された状態となる。すなわち，有機電界発光素子ＯＬＥＤには逆バイアスが印加されずに，キャパシタの初期化，データ電圧Ｖｄａｔａの格納および発光動作を順次行う。
【０１４６】
有機電界発光装置が映像を表示する以前に，または非表示期間の間に有機電界発光素子ＯＬＥＤの不良の有無を検出しようとする場合に，逆バイアストランジスタＭＲはターンオンされる。また，画素駆動部８１１は駆動電流を発生しない。逆バイアストランジスタＭＲのターンオンによって，初期化ライン８１９と有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極との間には電気的経路が形成され，有機電界発光素子ＯＬＥＤには逆バイアスが印加される。逆バイアスの印加は，第２電源ライン８１８に負の電源電圧ＥＬＶＳＳより高い電圧を印加し，初期化ライン８１９に初期化信号Ｖｉｎｉｔより低い電圧を印加することにより，達成される。
【０１４７】
したがって，上述した実施形態によれば，映像を表示する動作が行われる以前に，または非表示期間の間に，逆バイアストランジスタを用いて有機電界発光素子ＯＬＥＤに逆バイアスを印加する。有機電界発光素子ＯＬＥＤが所定の原因によって特性不良を起こす場合，逆バイアスが印加された有機電界発光素子ＯＬＥＤには漏洩電流が流れることになるので，有機電界発光素子の不良の有無が検出される。
【０１４８】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【０１４９】
本発明は，有機電界発光素子に逆バイアスを印加するための有機電界発光装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１５０】
【図１】本発明の第１実施形態による有機電界発光装置を示すブロック図である。
【図２ａ】本発明の第１実施形態による有機電界発光装置の回路を示す説明図である。
【図２ｂ】本発明の第１実施形態による有機電界発光装置の回路を示す説明図である。
【図３】本発明の第２実施形態による有機電界発光装置を示すブロック図である。
【図４ａ】本発明の第２実施形態よる有機電界発光装置の回路を示す説明図である。
【図４ｂ】本発明の第２実施形態よる有機電界発光装置の回路を示す説明図である。
【図５】本発明の第３実施形態による有機電界発光装置を示すブロック図である。
【図６ａ】本発明の第３実施形態よる有機電界発光装置の回路を示す説明図である。
【図６ｂ】本発明の第３実施形態よる有機電界発光装置の回路を示す説明図である。
【図７】本発明の第４実施形態による有機電界発光装置を示すブロック図である。
【図８ａ】本発明の第４実施形態よる有機電界発光装置の回路を示す説明図である。
【図８ｂ】本発明の第４実施形態よる有機電界発光装置の回路を示す説明図である。
【符号の説明】
【０１５１】
１０１，３０１，５０１，７０１ 画素駆動部
１０３，３０３，５０３ 走査ライン
１０５，３０５，５０５，７０５ データライン
１０７，３０７，５０７，７０７ 第１電源ライン
１０９，３０９，５０９，７０８ 第２電源ライン
７０９，８０９，８１９ 初期化ライン
ＯＬＥＤ 有機電界発光素子
ＭＲ 逆バイアストランジスタ
ＥＬＶＤＤ 正の電源電圧
ＥＬＶＳＳ 負の電源電圧
Ｖｒ 逆バイアス電源
Ｖｃｔｌ 逆バイアス制御信号
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機電界発光装置に係り，より詳しくはそれぞれの画素に設けられた有機電界発光素子に逆バイアスを印加するための画素回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光装置は，自発光動作を行う有機電界発光素子にデータ信号を供給して所定の映像を表示するディスプレイ装置であり，駆動方式によって，受動（Ｐａｓｓｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ）型と能動（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ）型に分けられる。
【０００３】
受動型は，画面表示領域に陽極と陰極をマトリックス方式で交差配置し，陽極と陰極が交差する部位に画素を形成する方式である。
【０００４】
これに対し，能動型は，各画素に薄膜トランジスタを配置し，それぞれの画素を薄膜トランジスタで制御する。
【０００５】
能動型と受動型の最大の違いは，有機電界発光装置の発光時間の差にある。すなわち，受動型の場合，瞬間的に有機発光層を高輝度で発光させるが，能動型の場合，有機発光層を低輝度で続いて発光させる。
【０００６】
受動型の場合，解像度が高くなれば，瞬間発光輝度が高くならなければならない。また，高輝度の光を出すため，有機電界発光装置の劣化に大きい影響を及ぼすことになる。これに対し，能動型の場合，薄膜トランジスタを用いて駆動し，一フレームの間，画素で継続して光を発するので，低電流で駆動が可能である。よって，能動型の方が受動型に比べて寄生キャパシタンスが少なく，電力の消費量が少ない利点を有する。
【０００７】
しかし，能動型は輝度不均一の欠点を有する。能動型は，能動素子として能動ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙ Ｓｉｌｉｃｏｎ）薄膜トランジスタを使用する場合が大部分を占める。ＬＴＰＳ薄膜トランジスタは，低温状態で形成された非晶質シリコンをレーザーにより決定化する。このとき，決定化によってトランジスタの特性が変わる。すなわち，トランジスタのスレッショルド電圧などが画素別に一定でない特性不均一が発生する。したがって，同一画面信号に対し，それぞれの画素は相違なる輝度を表し，これを画面全体的に見ると，輝度の不均一として見えることになる。このような輝度不均一の問題を解決するために多様な試みがなされている。
【０００８】
輝度不均一の問題は駆動トランジスタの特性を補償する方法で解決する。駆動トランジスタの特性を補償する方法は，駆動方式によって，大きく２種に分けられる。すなわち，電圧書き込み方式を用いる方法，電流書き込み方式を用いる方法がある。
【０００９】
電圧書き込み方式を用いる方法は，駆動トランジスタのスレッショルド電圧をキャパシタに格納し，格納された駆動トランジスタのスレッショルド電圧を補償する方法である。
【００１０】
電流書き込み方式を用いる方法は，映像信号を電流で供給し，映像信号電流に相応する駆動トランジスタのソース−ゲート間の電圧差をキャパシタに格納する。その後，駆動トランジスタを電圧源に連結して，映像信号電流と同一電流が駆動トランジスタに流れるようにする。すなわち，駆動トランジスタの素子特性差にかかわらずに，有機発光層に印加される電流の値は映像信号として入る電流の値となる。よって，輝度の不均一性が改善される。
【００１１】
ただ，上述した輝度の不均一現象を改善する方法は，有機発光層を有する有機電界発光素子が正常である状況を前提とするものである。製造工程で有機発光層がピンホール（Ｐｉｎ Ｈｏｌｅ）などの欠陥を有する場合，駆動トランジスタの特性差を補償するとしても，有機電界発光装置は正常な発光を行うことができなくなる。
【００１２】
有機電界発光素子が欠陥を有する場合，これを確認する方法は，有機電界発光装置を正常に動作させて，表示される画面を観察する方法を用いる。しかし，このような方法は，有機電界発光素子が有する進行性不良を感知することができないし，画素を構成する多数のトランジスタを動作させなければならない負担を有する。
【００１３】
したがって，有機電界発光装置には，画面を表示しないで，電気的に有機電界発光素子の正常動作を確認することができる有機電界発光装置が要求されると言える。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
そこで，本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので，本発明の目的は，有機電界発光素子に逆バイアスを印加するための有機電界発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，走査ラインとデータラインが交差する領域に形成された有機電界発光装置において，第１電源ラインに連結され，前記走査ラインから走査信号を受け，前記データラインから受信されたデータ信号に相応する駆動電流を形成するための画素駆動部と；前記画素駆動部と第２電源ラインとの間に連結され，前記駆動電流によって発光動作を行うための有機電界発光素子と；前記有機電界発光素子のアノード電極と逆バイアス電源との間に連結された逆バイアストランジスタと；を含むことを特徴とする有機電界発光装置が提供される。
【００１６】
上記逆バイアストランジスタは，逆バイアス制御信号に応じてオン／オフ動作を行い，上記逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，上記画素駆動部は駆動電流を発生しないようにしてもよい。
【００１７】
上記逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，上記有機電界発光素子には逆バイアスが印加されるようにしてもよい。
【００１８】
上記有機電界発光素子のアノード電極とカソード電極との間の逆バイアス電圧差は−１４Ｖ〜−１０Ｖであるようにしてもよい。ここで，Ｖは電位（Ｖｏｌｔ）を表す。
【００１９】
上記画素駆動部は，上記データラインに連結され，走査信号に応答してオン／オフ動作を行うスイッチングトランジスタと，スイッチングトランジスタに連結され，スイッチングトランジスタを介して受信される上記データ信号を格納するキャパシタと，スイッチングトランジスタと上記第１電源ラインに連結され，上記キャパシタに格納された上記データ信号に相応する上記駆動電流を発生する駆動トランジスタと，を含んでいてもよい。
【００２０】
上記データ信号は電圧で表してもよい。
【００２１】
上記画素駆動部は，上記駆動トランジスタと上記有機電界発光素子との間に連結され，発光制御信号に応じてオン／オフ動作を行う発光制御トランジスタをさらに含んでいてもよい。
【００２２】
上記画素駆動部は，上記データラインに連結され，上記走査信号に応じてオン／オフ動作を行う第１スイッチングトランジスタと，第１スイッチングトランジスタと上記第１電源ラインとの間に連結され，データ電流に相応する電圧を格納するキャパシタと，第１スイッチングトランジスタと上記第１電源ラインに連結され，上記キャパシタに格納された電圧に相応する駆動電流を発生する駆動トランジスタと，駆動トランジスタと上記データラインとの間に連結され，上記走査信号に応じて上記データ電流を上記データラインに供給する第２スイッチングトランジスタと，駆動トランジスタと上記有機電界発光素子との間に連結され，発光制御信号に応じて駆動電流を上記有機電界発光素子に供給する発光制御トランジスタと，を含んでいてもよい。
【００２３】
また，上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，第１電源ラインに連結され，走査ラインを介して走査信号を受け，データラインから受信されるデータ信号に相応する駆動電流を形成するための画素駆動部と，前記画素駆動部と第２電源ラインとの間に連結され，前記駆動電流によって発光動作を行うための有機電界発光素子と，前記有機電界発光素子のアノード電極と前記第１電源ラインとの間に連結され，前記有機電界発光素子に逆バイアスを印加するための逆バイアストランジスタと，を含むことを特徴とする，有機電界発光装置が提供される。
【００２４】
上記逆バイアストランジスタは逆バイアス制御信号に応じてオン／オフ動作を行い，上記逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，上記画素駆動部は駆動電流を発生しないようにしてもよい。
【００２５】
上記逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，上記有機電界発光素子には逆バイアスが印加されるようにしてもよい。
【００２６】
上記有機電界発光素子のアノード電極とカソード電極との間の逆バイアス電圧差は−１４Ｖ〜−１０Ｖであるようにしてもよい。
【００２７】
また，上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，第１電源ラインに連結され，走査ラインを介して走査信号を受け，データラインから受信されるデータ信号に相応する駆動電流を形成するための画素駆動部と；前記画素駆動部と第２電源ラインとの間に連結され，前記駆動電流によって発光動作を行うための有機電界発光素子と；前記有機電界発光素子のアノードと前記データラインとの間に連結され，前記有機電界発光素子に逆バイアスを印加するための第１逆バイアストランジスタと；前記データラインと逆バイアス電源との間に連結され，前記第１逆バイアストランジスタに前記逆バイアスを供給するための第２逆バイアストランジスタと；を含むことを特徴とする，有機電界発光装置が提供される。
【００２８】
上記第１逆バイアストランジスタおよび上記第２逆バイアストランジスタは逆バイアス制御信号に応じてオン／オフ動作を行い，上記第１逆バイアストランジスタおよび上記第２逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，上記画素駆動部は駆動電流を発生しないようにしてもよい。
【００２９】
上記第１逆バイアストランジスタおよび上記第２逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，上記逆バイアス電源から上記有機電界発光素子に逆バイアスが印加されるようにしてもよい。
【００３０】
上記有機電界発光素子のアノード電極とカソード電極との間の逆バイアス電圧差は−１４Ｖ〜−１０Ｖであるようにしてもよい。
【００３１】
上記画素駆動部は，上記データラインに連結され，走査信号に応答してオン／オフ動作を行うスイッチングトランジスタと，スイッチングトランジスタに連結され，スイッチングトランジスタを介して受信される上記データ信号を格納するキャパシタと，スイッチングトランジスタと上記第１電源ラインに連結され，キャパシタに格納された上記データ信号に相応する上記駆動電流を発生する駆動トランジスタと，を含んでいてもよい。
【００３２】
上記データ信号は電圧で表してもよい。
【００３３】
上記画素駆動部は，上記駆動トランジスタと上記有機電界発光素子との間に連結され，発光制御信号に応じてオン／オフ動作を行う発光制御トランジスタをさらに含んでいてもよい。
【００３４】
上記画素駆動部は，上記データラインに連結され，上記走査信号に応じてオン／オフ動作を行う第１スイッチングトランジスタと，第１スイッチングトランジスタと上記第１電源ラインとの間に連結され，データ電流に相応する電圧を格納するキャパシタと，第１スイッチングトランジスタと上記第１電源ラインに連結され，キャパシタに格納された電圧に相応する駆動電流を発生する駆動トランジスタと，駆動トランジスタと上記データラインとの間に連結され，上記走査信号に応じて上記データ電流を上記データラインに供給する第２スイッチングトランジスタと，駆動トランジスタと上記有機電界発光素子との間に連結され，発光制御信号に応じて上記駆動電流を上記有機電界発光素子に供給する発光制御トランジスタと，を含んでいてもよい。
【００３５】
また，上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，第１電源ラインに連結され，１つ前の走査信号の制御によって，初期化ラインを介して初期化信号を受け，現在の走査信号に応じてデータラインからデータ信号を受信し，受信されるデータ信号に相応する駆動電流を形成するための画素駆動部と；前記画素駆動部と第２電源ラインとの間に連結され，前記駆動電流によって発光動作を行うための有機電界発光素子と；前記初期化ラインと前記有機電界発光素子のアノード電極との間に連結され，前記有機電界発光素子に逆バイアスを印加するための逆バイアストランジスタと；を含むことを特徴とする，有機電界発光装置が提供される。
【００３６】
上記逆バイアストランジスタは逆バイアス制御信号に応じてオン／オフ動作を行い，上記逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，上記画素駆動部は駆動電流を発生しないようにしてもよい。
【００３７】
上記逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，上記有機電界発光素子には上記初期化ラインを介して逆バイアスが印加されるようにしてもよい。
【００３８】
上記有機電界発光素子のアノード電極とカソード電極との間の逆バイアス電圧差は−１４Ｖ〜−１０Ｖであるようにしてもよい。
【００３９】
上記画素駆動部は，上記初期化ラインに連結され，上記１つ前の走査信号に応じて初期化信号を受信する初期化トランジスタと，上記データラインに連結され，上記現在の走査信号に応じて上記データラインからデータ信号を受信する第１スイッチングトランジスタと，第１スイッチングトランジスタと初期化トランジスタとの間に連結され，ダイオード連結された構造を有し，スレッショルド電圧を補償する補償トランジスタと，補償トランジスタと上記第１電源ラインとの間に連結され，上記初期化信号を受信して初期化動作を行うか，または第１スイッチングトランジスタおよび補償トランジスタを介して伝達されるデータ信号を格納するキャパシタと，上記第１電源ラインに連結され，キャパシタに格納された上記データ信号に相応する上記駆動電流を発生する駆動トランジスタと，駆動トランジスタと上記有機電界発光素子との間に連結され，発光制御信号に応じて上記駆動電流を上記有機電界発光素子に供給する発光制御トランジスタと，を含んでいてもよい。
【００４０】
上記画素駆動部は，上記初期化ラインに連結され，上記１つ前の走査信号に応じて初期化信号を受信する初期化トランジスタと，上記データラインに連結され，上記現在の走査信号に応じて上記データラインからデータ信号を受信する第１スイッチングトランジスタと，第１スイッチングトランジスタに連結され，上記データ信号に相応する駆動電流を発生する駆動トランジスタと，駆動トランジスタのゲート端子とドレイン端子との間に連結され，上記現在の走査信号に応じてオン／オフ動作を行う第２スイッチングトランジスタと，駆動トランジスタと上記第１電源ラインとの間に連結され，発光制御信号に応じてオン／オフ動作を行う第３スイッチングトランジスタと，上記第１電源ラインと初期化トランジスタとの間に連結され，初期化信号に応じて初期化動作を行い，駆動トランジスタの駆動電流形成に要求されるデータ信号を格納するキャパシタと，駆動トランジスタと上記有機電界発光素子との間に連結され，発光制御信号に応じて駆動電流を上記有機電界発光素子に供給する発光制御トランジスタと，を含んでいてもよい。
【発明の効果】
【００４１】
このような本発明によれば，映像を表示し，表示される映像信号を観察して有機電界発光素子の正常動作を確認する方法ではなく，有機電界発光装置に逆バイアスを印加して，逆バイアスが印加された状態で有機電界発光素子で発生する漏洩電流を検出して有機電界発光素子の正常動作を確認することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００４３】
（第１の実施形態）
図１は本発明の第１の実施形態による有機電界発光装置を示すブロック図である。
【００４４】
図１に示すように，本実施形態による有機電界発光装置は，画素駆動部１０１，有機電界発光素子ＯＬＥＤ，および逆バイアストランジスタＭＲを有する。
【００４５】
画素駆動部１０１は，複数のトランジスタおよびキャパシタ（図示せず）からなる。また，画素駆動部１０１は，走査ライン１０３とデータライン１０５が交差する領域に形成される。走査ライン１０３から供給される走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］（ｎは１以上の整数）が活性化されると，画素駆動部１０１は選択され，選択された画素駆動部１０１にデータ信号ＤＡＴＡ［ｍ］（ｍは１以上の整数）が印加される。データ信号ＤＡＴＡ［ｍ］は，データライン１０５を介して画素駆動部１０１に印加される。画素駆動部１０１に印加されたデータ信号ＤＡＴＡ［ｍ］は，画素駆動部１０１に設けられたキャパシタに電圧の形態として格納される。また，データ信号ＤＡＴＡ［ｍ］は電圧の形態として画素駆動部１０１に印加されることができ，電流の形態として画素駆動部１０１に印加されるか，あるいは所定の電流を画素駆動部１０１からシンク（ｓｉｎｋ）する形態となることができる。
【００４６】
また，画素駆動部１０１は，正の電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する第１電源ライン１０７に連結される。画素駆動部１０１は，第１電源ライン１０７を介して，駆動電流の発生に必要な電力を受ける。
【００４７】
また，画素駆動部１０１は，発光制御信号を受信して，駆動電流が有機電界発光素子ＯＬＥＤに印加されることを制御することができる。
【００４８】
有機電界発光素子ＯＬＥＤは，画素駆動部１０１と負の電源電圧ＥＬＶＳＳを供給する第２電源ライン１０９との間に連結される。有機電界発光素子ＯＬＥＤは，画素駆動部１０１に供給されたデータ信号ＤＡＴＡ［ｍ］に相応する駆動電流を受けて所定の輝度で発光する。
【００４９】
逆バイアストランジスタＭＲは，有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極と逆バイアス電源Ｖｒとの間に連結される。また，逆バイアストランジスタＭＲのゲート端子には逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌが印加される。
【００５０】
有機電界発光装置にデータ信号ＤＡＴＡ［ｍ］が印加されて有機電界発光素子ＯＬＥＤが発光動作を開始する前または後に，有機電界発光素子ＯＬＥＤに逆バイアスが印加されることができる。すなわち，有機電界発光装置が映像を表示する時間区間を除いた残り区間である非表示区間で有機電界発光素子ＯＬＥＤには逆バイアスが印加されることができる。すなわち，非表示区間で逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌがローレベルで活性化されると，逆バイアストランジスタＭＲはターンオンされ，逆バイアストランジスタＭＲを介して，逆バイアスが有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極に印加される。有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極とカソード電極との間の電圧差は−１４Ｖ〜−１０Ｖが維持されるようにする。この−１４Ｖ〜−１０Ｖの電圧差は，ＯＬＥＤに逆バイアスを印加する際に，発生する漏洩電流を確認するためのものである。逆バイアスが極端に小さい場合には漏洩電流を確認することが難しく，逆バイアスがあまりにも大きいと，正常なＯＬＥＤが破壊される恐れがある。望ましくは，有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極とカソード電極との間の電圧差はおよそ−１２Ｖである。この−１２Ｖの電圧差は，電源の電圧およびＯＬＥＤの特性を反映させて設定した値である。
【００５１】
また，逆バイアス電圧は，有機電界発光装置の正常発光動作が開始される以前に有機電界発光素子ＯＬＥＤの不良有無を前もって検出するために印加されることもできる。
【００５２】
たとえば，有機電界発光素子ＯＬＥＤが正常特性を有する場合，逆バイアス電圧が印加される有機電界発光素子ＯＬＥＤで流れる漏洩電流は実質的に０Ａである。しかし，有機電界発光素子ＯＬＥＤが欠陥を有する場合，逆バイアス電圧によって漏洩電流が発生することになる。よって，逆バイアス電圧が印加される漏洩電流によって有機電界発光素子ＯＬＥＤが正常かどうかを確認することができる。
【００５３】
図２ａおよび図２ｂは本発明の第１の実施形態による有機電界発光装置の回路を示す説明図である。
【００５４】
図２ａに示すように，有機電界発光装置は，画素駆動部２０１，有機電界発光素子ＯＬＥＤ，および逆バイアストランジスタＭＲを有する。
【００５５】
画素駆動部２０１は，スイッチングトランジスタＭ１１，キャパシタＣ１，および駆動トランジスタＭ１２を有する。
【００５６】
スイッチングトランジスタＭ１１の第１電極はデータライン２０５に連結され，第２電極は駆動トランジスタＭ１２のゲートに連結される。また，スイッチングトランジスタＭ１１のゲートは走査ライン２０３に連結される。よって，走査ライン２０３を介して印加される走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］によって，スイッチングトランジスタＭ１１はオン／オフ動作を行う。走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］によってスイッチングトランジスタＭ１１がターンオンされる場合，データライン２０５からのデータ電圧Ｖｄａｔａは駆動トランジスタＭ１２およびキャパシタＣ１に印加される。
【００５７】
キャパシタＣ１はスイッチングトランジスタＭ１１の第２電極および第１電源ライン２０７との間に連結される。スイッチングトランジスタＭ１１を介して印加されるデータ電圧ＶｄａｔａはキャパシタＣ１に格納され，格納されたデータ電圧Ｖｄａｔａによって駆動電流が発生する。
【００５８】
駆動トランジスタＭ１２は，第１電源ライン２０７と有機電界発光素子ＯＬＥＤとの間に連結される。また，駆動トランジスタＭ１２のゲートはキャパシタＣ１およびスイッチングトランジスタＭ１１の第２電極に連結される。すなわち，駆動トランジスタＭ１２の第１電極は第１電源ライン２０７に連結され，駆動トランジスタＭ１２の第２電極は有機電界発光素子ＯＥＬＤのアノード電極に連結される。よって，駆動トランジスタＭ１２のソース−ゲートとの間の電圧差Ｖｇｓは，キャパシタＣ１両端に印加される電圧の差となる。
【００５９】
有機電界発光素子ＯＬＥＤは，画素駆動部２０１の駆動トランジスタＭ１２の第２電極と負の電源電圧ＥＬＶＳＳが印加される第２電源ライン２０９との間に連結される。有機電界発光素子ＯＬＥＤは，画素駆動部２０１の駆動トランジスタＭ１２から発生した駆動電流によって発光動作を行う。
【００６０】
逆バイアストランジスタＭＲは，逆バイアス電源Ｖｒと有機電界発光素子ＯＥＬＤのアノード電極との間に連結される。逆バイアストランジスタＭＲのゲート電極には逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌが印加される。逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌは，有機電界発光素子ＯＬＥＤが発光動作を行わない区間で逆バイアストランジスタＭＲをターンオンさせることができる。すなわち，有機電界発光装置が正常の発光動作を開始する以前に，有機電界発光素子ＯＬＥＤの不良有無を確認するために逆バイアスを印加することができ，垂直同期信号の非表示区間の間に逆バイアスを印加することができる。
【００６１】
図２ｂは，電流書き込み型有機電界発光装置を示す。図２ｂに示す有機電界発光装置は，データドライバにシンク（ｓｉｎｋ）されるデータ電流Ｉｄａｔａに相応するＶｇｓを画素駆動部２１１のキャパシタＣ２に格納し，有機電界発光素子ＯＬＥＤの発光動作時，データ電流（Ｉｄａｔａ）と同一の電流が有機電界発光素子ＯＬＥＤに印加される動作形態を有する。
【００６２】
電流書き込み型有機電界発光装置は，画素駆動部２１１，有機電界発光素子ＯＬＥＤ，および逆バイアストランジスタＭＲを有する。
【００６３】
画素駆動部２１１は，第１スイッチングトランジスタＭ２１，キャパシタＣ２，駆動トランジスタＭ２２，第２スイッチングトランジスタＭ２３，および発光制御トランジスタＭ２４を有する。
【００６４】
第１スイッチングトランジスタＭ２１は，走査ライン２１３を介して伝送される走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］（ｎは１以上の整数）の制御によってオン／オフ動作を行う。また，第１スイッチングトランジスタＭ２１の第１電極はデータライン２１５に連結され，第１スイッチングトランジスタＭ２１の第２電極はキャパシタＣ２および駆動トランジスタＭ２２に連結される。
【００６５】
キャパシタＣ２は，正の電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する第１電源ライン２１７と，第１スイッチングトランジスタＭ２１の第２電極との間に配置される。
【００６６】
また，駆動トランジスタＭ２２は第１電源ライン２１７と発光制御トランジスタＭ２４との間に連結され，駆動トランジスタＭ２２のゲートは第１スイッチングトランジスタＭ２１の第２電極およびキャパシタＣ２に連結される。駆動トランジスタＭ２２の第１電極は第１電源ライン２１７に連結され，駆動トランジスタＭ２２の第２電極は発光制御トランジスタＭ２４に連結される。
【００６７】
第２スイッチングトランジスタＭ２３は走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］の制御によってオン／オフ動作を行う。また，第２スイッチングトランジスタＭ２３の第１電極は駆動トランジスタＭ２２の第２電極に連結され，第２スイッチングトランジスタＭ２３の第２電極はデータライン２１５に連結される。
【００６８】
画素駆動部２１１にデータ電流Ｉｄａｔａが書き込まれる場合，走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］によって第１スイッチングトランジスタＭ２１および第２スイッチングトランジスタＭ２３はターンオンされる。また，データドライバによってデータ電流Ｉｄａｔａはシンクされる。よって，第２スイッチングトランジスタＭ２３を介してデータライン２１５にデータ電流Ｉｄａｔａが流れる。データ電流Ｉｄａｔａは，第１電源ライン２１７および駆動トランジスタＭ２２を介して供給される。よって，キャパシタＣ２にはデータ電流Ｉｄａｔａに相応するＶｇｓが格納される。
【００６９】
発光制御トランジスタＭ２４は駆動トランジスタＭ２２と有機電界発光素子ＯＬＥＤとの間に連結される。発光制御トランジスタＭ２４はゲートに印加される発光制御信号ＥＭＩ［ｎ］によってオン／オフされ，発光制御トランジスタＭ２４の第１電極は駆動トランジスタＭ２２および第２スイッチングトランジスタＭ２３に連結され，発光制御トランジスタＭ２４の第２電極は有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード端子に連結される。発光制御信号ＥＭＩ［ｎ］によって発光制御トランジスタＭ２４がターンオンされる場合，キャパシタＣ２に電圧形態として格納されたデータ信号Ｉｄａｔａは有機電界発光素子ＯＬＥＤに流れ，有機電界発光素子ＯＬＥＤは発光動作を開始する。
【００７０】
有機電界発光素子ＯＬＥＤは発光制御トランジスタＭ２４の第２電極と負の電源電圧ＥＬＶＳＳを供給する第２電源ライン２１９との間に連結され，駆動電流によって発光動作を行う。
【００７１】
また，逆バイアストランジスタＭＲは有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極と逆バイアス電源Ｖｒとの間に連結される。逆バイアストランジスタＭＲのゲート端子には逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌが印加され，逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌによって逆バイアストランジスタＭＲはオン／オフ動作を行う。
【００７２】
有機電界発光装置が正常の発光動作を行う以前に，逆バイアストランジスタＭＲはターンオンされ，有機電界発光素子ＯＬＥＤに逆バイアスが印加されることにより，有機電界発光素子ＯＬＥＤの不良有無を確認することができる。また，垂直同期信号が印加される期間の間に，非表示区間でも逆バイアスは有機電界発光素子ＯＬＥＤに印加されることができる。
【００７３】
（第２の実施形態）
図３は本発明の第２の実施形態による有機電界発光装置を示すブロック図である。
【００７４】
図３に示すように，本実施形態による有機電界発光装置は，画素駆動部３０１，有機電界発光素子ＯＬＥＤ，および逆バイアストランジスタＭＲを有する。
【００７５】
画素駆動部３０１は複数のトランジスタおよびキャパシタからなる。また，画素駆動部３０１は，走査ライン３０３とデータライン３０５が交差する領域に形成される。走査ライン３０３から供給される走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］（ｎは１以上の整数）が活性化されると，画素駆動部３０１は選択され，選択された画素駆動部３０１にデータ信号ＤＡＴＡ［ｍ］（ｍは１以上の整数）が印加される。データ信号ＤＡＴＡ［ｍ］はデータライン３０５を介して画素駆動部３０１に印加される。画素駆動部３０１に印加されたデータ信号ＤＡＴＡ［ｍ］は，画素駆動部３０１に設けられたキャパシタ（図示せず）に電圧の形態として格納される。また，データ信号ＤＡＴＡ［ｍ］は電圧の形態として画素駆動部３０１に印加されることができ，電流の形態として画素駆動部３０１に印加されるか，あるいは所定の電流を画素駆動部３０１からシンク（ｓｉｎｋ）する形態となることができる。
【００７６】
また，画素駆動部３０１は正の電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する第１電源ライン３０７に連結される。画素駆動部３０１は，第１電源ライン３０７を介して，駆動電流の発生に必要な電力を受ける。
【００７７】
また，画素駆動部３０１は発光制御信号を受信して，駆動電流が有機電界発光素子ＯＬＥＤに印加されることを制御することができる。
【００７８】
有機電界発光素子ＯＬＥＤは，画素駆動部３０１と負の電源電圧ＥＬＶＳＳを供給する第２電源ライン３０９との間に連結される。有機電界発光素子ＯＬＥＤは，画素駆動部３０１に供給されたデータ信号ＤＡＴＡ［ｍ］に相応する駆動電流を受けて所定の輝度で発光する。
【００７９】
逆バイアストランジスタＭＲは有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極と第１電源ライン３０７との間に連結される。また，逆バイアストランジスタＭＲのゲート端子には逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌが印加される。たとえば，逆バイアストランジスタＭＲが逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌによってターンオンされた場合，第１電源ライン３０７には正の電源電圧ＥＬＶＤＤの代わりに，アノード電極に印加される電圧よりカソード電極に印加される電圧のほうが低いレベルを有する電圧が印加され，第２電源ライン３０９には負の電源電圧ＥＬＶＳＳの代わりに，アノード電極に印加される電圧よりカソード電極に印加される電圧のほうが高いレベルを有する電圧が印加される。よって，逆バイアストランジスタＭＲがターンオンされる場合，有機電界発光素子ＯＬＥＤには逆バイアスが印加される。
【００８０】
有機電界発光装置に走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］が活性化され，データ信号ＤＡＴＡ［ｍ］が印加されて有機電界発光素子ＯＬＥＤが発光動作を開始する以前または以後に，有機電界発光素子ＯＬＥＤに逆バイアスを印加することができる。すなわち，有機電界発光装置が映像を表示する時間区間を除いた残り区間である非表示区間で，有機電界発光素子ＯＬＥＤには逆バイアスを印加することができる。すなわち，非表示区間で逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌがローレベルで活性化されると，逆バイアストランジスタＭＲはターンオンされ，逆バイアストランジスタＭＲを介して，逆バイアスが有機電界発光素子ＯＬＥＤに印加される。有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極とカソード電極との間の電圧差は−１４Ｖ〜−１０Ｖが維持されるようにする。この−１４Ｖ〜−１０Ｖの電圧差は，ＯＬＥＤに逆バイアスを印加する際に，発生する漏洩電流を確認するためのものである。逆バイアスが極端に小さい場合には漏洩電流を確認することが難しく，逆バイアスがあまりにも大きいと，正常なＯＬＥＤが破壊される恐れがある。望ましくは，前記有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極とカソード電極との間の電圧差はおよそ−１２Ｖである。この−１２Ｖの電圧差は，電源の電圧およびＯＬＥＤの特性を反映させて設定した値である。
【００８１】
また，逆バイアス電圧は，有機電界発光装置の正常の発光動作が開始される以前に，有機電界発光素子ＯＬＥＤの不良を前もって検出するために印加することもできる。
【００８２】
たとえば，有機電界発光素子ＯＬＥＤが正常の特性を有する場合，逆バイアス電圧が印加された時に有機電界発光素子ＯＬＥＤを流れる漏洩電流は，実質的に０Ａである。しかし，有機電界発光素子ＯＬＥＤが欠陥を有している場合，逆バイアス電圧によって漏洩電流が発生することになる。よって，逆バイアス電圧が印加された時に漏洩電流が発生するかどうかによって，有機電界発光素子ＯＬＥＤが正常かどうかを確認することができる。
【００８３】
図４ａおよび図４ｂは本発明の第２の実施形態による有機電界発光装置の回路を示す説明図である。
【００８４】
図４ａに示すように，有機電界発光装置は，画素駆動部４０１，有機電界発光素子ＯＬＥＤ，および逆バイアストランジスタＭＲを有する。
【００８５】
画素駆動部４０１は，スイッチングトランジスタＭ３１，キャパシタＣ３，および駆動トランジスタＭ３２を有する。図４ａに示す画素駆動部４０１の構成および動作は図２ａに基づいて説明したものと同一である。したがって，走査ライン４０３を介して走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］が活性化され，データライン４０５を介してデータ電圧Ｖｄａｔａが印加されると，キャパシタＣ３にはデータ電圧Ｖｄａｔａが格納される。
【００８６】
有機電界発光素子ＯＬＥＤは，画素駆動部４０１の駆動トランジスタと第２電源ライン４０９との間に連結される。有機電界発光素子ＯＬＥＤが正常の発光動作を行う場合，第２電源ライン４０９には負の電源電圧ＥＬＶＳＳが印加され，画素駆動部４０１に格納されたデータ電圧Ｖｄａｔａに相応する駆動電流によって，有機電界発光素子ＯＬＥＤは発光動作を開始する。
【００８７】
逆バイアストランジスタＭＲは，第１電源ライン４０７と有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極との間に連結され，逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌによってオン／オフ動作を行う。有機電界発光素子ＯＬＥＤが正常の発光動作を行う場合，第１電源ライン４０７には正の電源電圧ＥＬＶＤＤが印加され，第２電源ライン４０９には負の電源電圧ＥＬＶＳＳが印加される。しかし，逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌの活性化によって逆バイアストランジスタＭＲがターンオンされる場合，第１電源ライン４０７には正の電源電圧ＥＬＶＤＤより低い電圧が印加され，第２電源ライン４０９には負の電源電圧ＥＬＶＳＳより高い電圧が印加されることにより，有機電界発光素子ＯＬＥＤに逆バイアス電圧が印加される。
【００８８】
図４ｂに示すように，有機電界発光装置は，データ電流Ｉｄａｔａを電圧の形態として格納し，これに相応する駆動電流を発生するための画素駆動部４１１，画素駆動部４１１に連結され，発光動作を行うための有機電界発光素子ＯＬＥＤ，および有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極と第１電源ライン４１７との間に連結された逆バイアストランジスタＭＲを有する。
【００８９】
画素駆動部４１１は，第１スイッチングトランジスタＭ４１，キャパシタＣ４，駆動トランジスタＭ４２，第２スイッチングトランジスタＭ４３，および発光制御トランジスタＭ４４を有する。図４ｂに示す画素駆動部４１１の構成および動作は，図２ｂに示す画素駆動部２１１の構成および動作と同一である。したがって，走査ライン４１３を介して印加される走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］に応じて，第１スイッチングトランジスタＭ４１および第２スイッチングトランジスタＭ４３はターンオンされ，駆動トランジスタＭ４２からデータライン４１５を介してデータ電流Ｉｄａｔａはシンクされる。よって，キャパシタＣ４には，データ電流Ｉｄａｔａに相応するＶｇｓが格納される。発光制御信号ＥＭＩ［ｎ］が活性化される場合，発光制御トランジスタＭ４４はターンオンされ，データ電流Ｉｄａｔａと実質的に同一な駆動電流が有機電界発光素子ＯＬＥＤに流れることになる。
【００９０】
発光動作を行う有機電界発光素子ＯＬＥＤは，発光制御トランジスタＭ４４と第２電源ライン４１９との間に連結される。正常動作の場合，有機電界発光素子ＯＬＥＤのカソード電極には第２電源ライン４１９を介して負の電源電圧ＥＬＶＳＳが印加され，駆動電流が流れて発光動作を行う。有機電界発光装置が正常動作を行う以前，または非表示期間の間，有機電界発光素子ＯＬＥＤには逆バイアスが印加される。
【００９１】
逆バイアストランジスタＭＲは，有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極と第１電源ライン４１７との間に連結される。逆バイアストランジスタＭＲは逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌによってオン／オフ動作を行う。逆バイアストランジスタＭＲがオフ状態であるうちに，有機電界発光素子ＯＬＥＤは正常の発光動作を行い，逆バイアストランジスタＭＲがターンオンされた場合，有機電界発光素子ＯＬＥＤには逆バイアス電圧が印加される。
【００９２】
（第３の実施形態）
図５は本発明の第３の実施形態による有機電界発光装置を示すブロック図である。
【００９３】
図５に示すように，本実施形態による有機電界発光装置は，画素駆動部５０１，有機電界発光素子ＯＬＥＤ，第１逆バイアストランジスタＭＲ１，および第２逆バイアストランジスタＭＲ２を有する。
【００９４】
画素駆動部５０１は，走査ライン５０３を介して印加される走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］（ｎは１以上の整数）によって選択されて，データライン５０５を介して印加されるデータ信号ＤＡＴＡ［ｍ］（ｍは１以上の整数）を受信する。データ信号ＤＡＴＡ［ｍ］はデータ電圧またはデータ電流である。また，画素駆動部５０１は第１電源ライン５０７に連結され，有機電界発光素子ＯＬＥＤが発光動作を行う場合，第１電源ライン５０７から正の電源電圧ＥＬＶＤＤを受けて，有機電界発光素子ＯＬＥＤの発光に要求される電力を供給する。
【００９５】
有機電界発光素子ＯＬＥＤは画素駆動部５０１と第２電源ライン５０９との間に配置される。すなわち，有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極は画素駆動部５０１に連結され，有機電界発光素子ＯＬＥＤのカソード電極は第２電源ライン５０９に連結される。有機電界発光素子ＯＬＥＤが発光動作を行う場合，第２電源ライン５０９を介して負の電源電圧ＥＬＶＳＳが印加される。
【００９６】
第１逆バイアストランジスタＭＲ１は，有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極とデータライン５０５との間に連結される。また，第１逆バイアストランジスタＭＲ１のゲート端子には逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌが印加される。逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌがローレベルで活性化される場合，第１逆バイアストランジスタＭＲ１はターンオンされ，データライン５０５と有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極は電気的に連結される。
【００９７】
第２逆バイアストランジスタＭＲ２は，逆バイアス電源Ｖｒとデータライン５０５の間に連結される。また，第２逆バイアストランジスタＭＲ２のゲート端子には逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌが印加される。したがって，逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌがローレベルで活性化される場合，第２逆バイアストランジスタＭＲ２はターンオンされ，データライン５０５と逆バイアス電源Ｖｒは電気的に連結される。すなわち，逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌは第１逆バイアストランジスタＭＲ１および第２逆バイアストランジスタＭＲ２に共通して連結される。
【００９８】
有機電界発光装置が映像を表示する場合，第１逆バイアストランジスタＭＲ１および第２逆バイアストランジスタＭＲ２はオフ状態を維持する。また，走査ライン５０３を介して走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］が画素駆動部５０１に印加され，データ信号ＤＡＴＡ［ｍ］はデータライン５０５を介して画素駆動部５０１に印加される。画素駆動部５０１は，印加されたデータ信号ＤＡＴＡ［ｍ］によって駆動電流を発生し，発生された駆動電流は有機電界発光素子ＯＬＥＤに流れ，有機電界発光素子ＯＬＥＤは発光動作を開始する。
【００９９】
しかし，有機電界発光装置が映像を表示する以前に有機電界発光素子ＯＬＥＤの不良有無を検出しようとするか，あるいは非表示期間の間に有機電界発光素子ＯＬＥＤの不良有無を検出しようとする場合，第１逆バイアストランジスタＭＲ１および第２逆バイアストランジスタＭＲ２はターンオンされる。したがって，ターンオンされた第１逆バイアストランジスタＭＲ１および第２逆バイアストランジスタＭＲ２を介して有機電界発光素子ＯＬＥＤには逆バイアスが印加される。すなわち，有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極には逆バイアス電源Ｖｒが印加され，画素駆動部５０１は駆動電流を発生しない。
【０１００】
逆バイアスが印加される場合，有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極とカソード電極との間の電圧差は−１４Ｖ〜−１０Ｖが維持されるようにする。この−１４Ｖ〜−１０Ｖの電圧差は，ＯＬＥＤに逆バイアスを印加する際に，発生する漏洩電流を確認するためのものである。逆バイアスが極端に小さい場合には漏洩電流を確認することが難しく，逆バイアスがあまりにも大きいと，正常なＯＬＥＤが破壊される恐れがある。望ましくは，有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極とカソード電極との間の電圧差はおよそ−１２Ｖである。この−１２Ｖの電圧差は，電源の電圧およびＯＬＥＤの特性を反映させて設定した値である。
【０１０１】
また，実施の形態によって，画素駆動部５０１は，発光制御信号が入力されて，発光制御信号に応じて駆動電流を有機電界発光素子ＯＬＥＤに供給することができる。
【０１０２】
図６ａおよび図６ｂは本発明の第３の実施形態よる有機電界発光装置の回路を示す説明図である。
【０１０３】
図６ａに示すように，有機電界発光装置は，画素駆動部６０１，有機電界発光素子ＯＬＥＤ，第１逆バイアストランジスタＭＲ１，および第２逆バイアストランジスタＭＲ２を有する。
【０１０４】
画素駆動部６０１は，正の電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する第１電源ライン６０７と有機電界発光素子ＯＬＥＤとの間に連結され，スイッチングトランジスタＭ５１，キャパシタＣ５，および駆動トランジスタＭ５２を有する。図６ａに示す画素駆動部６０１の構成および動作は，図２ａに基づいて説明したものと同一である。したがって，走査ライン６０３を介して走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］（ｎは１以上の整数）が活性化され，データライン６０５を介してデータ電圧Ｖｄａｔａが印加されると，キャパシタＣ５にはデータ電圧Ｖｄａｔａが格納される。
【０１０５】
有機電界発光素子ＯＬＥＤは，画素駆動部６０１の駆動トランジスタＭ５２と第２電源ライン６０９との間に連結される。有機電界発光素子ＯＬＥＤが正常の発光動作を行う場合，第２電源ライン６０９には負の電源電圧ＥＬＶＳＳが印加され，画素駆動部６０１に格納されたデータ電圧Ｖｄａｔａに相応する駆動電流によって有機電界発光素子ＯＬＥＤは発光動作を開始する。
【０１０６】
第１逆バイアストランジスタＭＲ１は，データライン６０５と有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極との間に連結され，第２逆バイアストランジスタＭＲ２はデータライン６０５と逆バイアス電源Ｖｒとの間に連結される。
【０１０７】
有機電界発光素子ＯＬＥＤが正常の発光動作を行う場合，逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌはハイレベルを維持し，第１逆バイアストランジスタＭＲ１および第２逆バイアストランジスタＭＲ２はオフ状態を維持する。したがって，逆バイアス電源Ｖｒと有機電界発光素子ＯＬＥＤとの間の電気的連結は遮断され，走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］およびデータ電圧Ｖｄａｔａによって有機電界発光素子ＯＬＥＤは発光動作を行う。
【０１０８】
有機電界発光装置が映像を表示する以前に有機電界発光素子ＯＬＥＤの不良有無を検出しようとするか，あるいは非表示期間の間に有機電界発光素子ＯＬＥＤの不良有無を検出しようとする場合，逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌに応じて第１逆バイアストランジスタＭＲ１および第２逆バイアストランジスタＭＲ２はターンオンされる。また，画素駆動部６０１は駆動電流を発生しない。逆バイアストランジスタのターンオンによって，有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極には逆バイアス電源Ｖｒが印加され，有機電界発光素子ＯＬＥＤには逆バイアスが印加される。
【０１０９】
図６ｂに示すように，有機電界発光装置は，画素駆動部６１１，有機電界発光素子ＯＬＥＤ，第１逆バイアストランジスタＭＲ１，および第２逆バイアストランジスタＭＲ２を有する。
【０１１０】
画素駆動部６１１は，図２ｂに示す画素駆動部とその構成および動作が同一である。したがって，有機電界発光素子ＯＬＥＤが発光動作を行う場合，走査ライン６１３を介して走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］（ｎは１以上の整数）が印加され，第１スイッチングトランジスタＭ６１および第２スイッチングトランジスタＭ６３はターンオンされる。また，データライン６１５で流れるデータ電流Ｉｄａｔａに相応する駆動トランジスタＭ６２のＶｇｓはキャパシタＣ６に格納される。また，発光制御信号ＥＭＩ［ｎ］の活性化によって，発光制御トランジスタＭ６４はターンオンされ，有機電界発光素子ＯＬＥＤの発光動作が行われる。
【０１１１】
有機電界発光装置が発光動作を行う以前に有機電界発光素子ＯＬＥＤの不良有無を確認するか，非表示期間の間に有機電界発光素子ＯＬＥＤの不良有無を確認しようとする場合，画素駆動部６１１は駆動電流を発生しない。また，逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌに応じて第１逆バイアストランジスタＭＲ１および第２逆バイアストランジスタＭＲ２はターンオンされ，有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極には逆バイアス電源Ｖｒが印加される。よって，有機電界発光素子ＯＬＥＤには逆バイアスが印加される。
【０１１２】
（第４の実施形態）
図７は本発明の第４の実施形態による有機電界発光装置を示すブロック図である。
【０１１３】
図７に示すように，本実施形態による有機電界発光装置は，初期化動作を行ってデータ信号ＤＡＴＡ［ｍ］（ｍは１以上の整数）に相応する駆動電流を発生するための画素駆動部７０１，画素駆動部７０１から発生した駆動電流によって発光動作を行うための有機電界発光素子ＯＬＥＤ，および初期化ライン７０９を介して有機電界発光素子ＯＬＥＤに逆バイアスを印加するための逆バイアストランジスタＭＲを有する。
【０１１４】
画素駆動部７０１は正の電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する第１電源ライン７０７と有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極との間に連結される。有機電界発光素子ＯＬＥＤが発光動作を行う場合，画素駆動部７０１には，１つ前の走査信号ＳＣＡＮ［ｎ−１］（ｎは２以上の整数）が活性化されて印加され，初期化ライン７０９を介して初期化信号Ｖｉｎｉｔが印加される。また，現在の走査ライン７０３を介して現在の走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］が画素駆動部７０１に印加される。活性化された現在の走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］に応じてデータ信号ＤＡＴＡ［ｍ］は画素駆動部７０１に入力され，データライン７０５を介して入力されたデータ信号ＤＡＴＡ［ｍ］は画素駆動部７０１のキャパシタ（図示せず）に格納される。続いて，発光制御信号ＥＭＩ［ｎ］が活性化されると，画素駆動部７０１から発生した駆動電流は有機電界発光素子ＯＬＥＤに流れ，有機電界発光素子ＯＬＥＤは発光動作を開始する。
【０１１５】
有機電界発光素子ＯＬＥＤは，画素駆動部７０１と負の電源電圧ＥＬＶＳＳを供給する第２電源ライン７０８との間に連結される。有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極は画素駆動部７０１に連結され，有機電界発光素子ＯＬＥＤのカソード電極は第２電源ライン７０８に連結される。
【０１１６】
逆バイアストランジスタＭＲは，初期化ライン７０９と有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極との間に連結される。また，逆バイアストランジスタＭＲのゲート端子には逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌが印加される。
【０１１７】
有機電界発光装置が発光動作を行う場合，逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌはハイレベルを維持し，逆バイアストランジスタＭＲはオフ状態を維持する。したがって，初期化ライン７０９と有機電界発光素子ＯＬＥＤとの間の電気的連結は遮断される。また，１つ前の走査信号ＳＣＡＮ［ｎ−１］および現在の走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］が連続して入力され，画素駆動部７０１はデータ信号ＤＡＴＡ［ｍ］を格納し，画素駆動部７０１から発生した駆動電流は発光制御信号ＥＭＩ［ｎ］に応じて有機電界発光素子ＯＬＥＤに流れる。駆動電流によって有機電界発光素子ＯＬＥＤは発光動作を行う。
【０１１８】
有機電界発光装置が発光動作を行う以前に，または非表示期間の間に有機電界発光素子ＯＬＥＤの不良有無を確認する場合，逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌはローレベルで活性化され，逆バイアストランジスタＭＲはターンオンされる。また，画素駆動部７０１は駆動電流を発生しない。ターンオンされた逆バイアストランジスタＭＲによって，有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極は初期化ライン７０９と電気的に連結される。初期化ライン７０９を介して逆バイアスが印加されると，有機電界発光素子ＯＬＥＤには逆バイアスが印加される。有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極とカソード電極との間の電圧差は−１４Ｖ〜−１０Ｖが維持されるようにする。この−１４Ｖ〜−１０Ｖの電圧差は，ＯＬＥＤに逆バイアスを印加する際に，発生する漏洩電流を確認するためのものである。逆バイアスが極端に小さい場合には漏洩電流を確認することが難しく，逆バイアスがあまりにも大きいと，正常なＯＬＥＤが破壊される恐れがある。望ましくは，有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極とカソード電極との間の電圧差はおよそ−１２Ｖである。この−１２Ｖの電圧差は，電源の電圧およびＯＬＥＤの特性を反映させて設定した値である。
【０１１９】
すなわち，有機電界発光素子ＯＬＥＤが所定の原因によって特性不良を起こす場合，逆バイアスが印加された有機電界発光素子ＯＬＥＤには漏洩電流が流れることになるので，有機電界発光素子の不良有無が検出される。
【０１２０】
図８ａおよび図８ｂは本発明の第４の実施形態による有機電界発光装置の回路を示す説明図である。
【０１２１】
図８ａに示すように，有機電界発光装置は，画素駆動部８０１，有機電界発光素子ＯＬＥＤ，および逆バイアストランジスタＭＲを有する。
【０１２２】
画素駆動部８０１は，初期化トランジスタＭ７１，スイッチングトランジスタＭ７２，補償トランジスタＭ７３，駆動トランジスタＭ７４，キャパシタＣ７，および発光制御トランジスタＭ７５を有する。
【０１２３】
初期化トランジスタＭ７１は初期化ライン８０９と補償トランジスタＭ７３との間に連結される。初期化トランジスタＭ７１は，１つ前の走査信号ＳＣＡＮ［ｎ−１］（ｎは２以上の整数）によってオン／オフ動作を行い，ターンオンされた場合，初期化ライン８０９を介して受信される初期化信号ＶｉｎｉｔをキャパシタＣ７に伝達する。
【０１２４】
スイッチングトランジスタＭ７２はデータライン８０５と補償トランジスタＭ７３との間に連結される。また，スイッチングトランジスタＭ７２は，現在の走査ライン８０３を介して受信される現在の走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］に応じてオン／オフ動作を行う。スイッチングトランジスタＭ７２がターンオンされた場合，データライン８０５を介して伝送されるデータ電圧Ｖｄａｔａは補償トランジスタＭ７３に印加される。
【０１２５】
補償トランジスタＭ７３は，スイッチングトランジスタＭ７２と初期化トランジスタＭ７１との間に連結される。補償トランジスタＭ７３は駆動トランジスタＭ７４が有するスレッショルド電圧を補償する。また，補償トランジスタＭ７３は，ゲート電極とドレイン電極が電気的に連結されたダイオード構造を有する。スイッチングトランジスタＭ７２のターンオンによってデータ電圧Ｖｄａｔａが補償トランジスタＭ７３に印加され，補償トランジスタＭ７３のスレッショルド電圧をＶｔｈ１とすると，ダイオード連結された構造によって，補償トランジスタＭ７３のゲート端子に印加される電圧はＶｄａｔａ−｜Ｖｔｈ１｜である。
【０１２６】
キャパシタＣ７は，正の電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する第１電源ライン８０７と補償トランジスタＭ７３のゲート端子との間に連結される。スイッチングトランジスタＭ７１がターンオンされた場合，補償トランジスタＭ７３のゲート端子に印加される電圧Ｖｄａｔａ−｜Ｖｔｈ１｜は，キャパシタＣ７に格納される。すなわち，キャパシタＣ７はＥＬＶＤＤ−（Ｖｄａｔａ−｜Ｖｔｈ１｜）の電圧差を格納する。
【０１２７】
駆動トランジスタＭ７４は第１電源ライン８０７と発光制御トランジスタＭ７５との間に連結され，駆動トランジスタＭ７４のゲート端子は補償トランジスタＭ７３のゲート端子およびキャパシタＣ７の一側端子に共通して連結される。駆動トランジスタＭ７４は，キャパシタＣ７の両端に印加された電圧差ＥＬＶＤＤ−（Ｖｄａｔａ−｜Ｖｔｈ１｜）に相応する駆動電流を形成する。駆動トランジスタＭ７４のスレッショルド電圧をＶｔｈ２，駆動トランジスタＭ７４のゲート電圧を基準としたソース−ゲート間の電圧差をＶｓｇとすると，駆動電流は（Ｖｓｇ−｜Ｖｔｈ２｜）２に比例する。したがって，駆動電流Ｉは次の数１によって求められる。
【０１２８】
【数１】
【０１２９】
発光制御トランジスタＭ７５は，駆動トランジスタＭ７４と有機電界発光素子ＯＬＥＤとの間に連結される。また，発光制御トランジスタＭ７５のゲート端子には発光制御信号ＥＭＩ［ｎ］が印加される。発光制御信号ＥＭＩ［ｎ］がローレベルで活性化される場合，駆動トランジスタＭ７４から発生した駆動電流は有機電界発光素子ＯＬＥＤに流れ，有機電界発光素子ＯＬＥＤは発光動作を開始する。
【０１３０】
有機電界発光素子ＯＬＥＤは発光制御トランジスタＭ７５と負の電源電圧ＥＬＶＳＳを供給する第２電源ライン８０８との間に連結される。発光制御トランジスタＭ７５のターンオンによって有機電界発光素子ＯＬＥＤは発光動作を行う。また，逆バイアストランジスタＭＲがターンオンされる場合，有機電界発光素子ＯＬＥＤには逆バイアスが印加される。
【０１３１】
逆バイアストランジスタＭＲは有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極と初期化ライン８０９との間に連結される。また，逆バイアストランジスタＭＲのゲート端子には逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌが印加される。
【０１３２】
有機電界発光装置が映像を表示するために発光動作を行う場合，逆バイアストランジスタＭＲは逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌに応じてオフ状態を維持する。
【０１３３】
しかし，有機電界発光装置が発光動作を行う以前に，または非表示区間で有機電界発光素子ＯＬＥＤの不良有無を確認する場合に，逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌに応じて逆バイアストランジスタＭＲはターンオンされる。また，画素駆動部８０１は駆動電流を発生しない。逆バイアストランジスタＭＲがターンオンされた場合，有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極と初期化ライン８０９との間には電気的連結がなされ，有機電界発光素子ＯＬＥＤには逆バイアスが印加される。逆バイアスの印加は，第２電源ライン８０８に負の電源電圧ＥＬＶＳＳより高い電圧を印加し，初期化ライン８０９に初期化信号Ｖｉｎｉｔより低い電圧を印加することにより達成される。
【０１３４】
図８ｂに示すように，有機電界発光装置は，画素駆動部８１１，有機電界発光素子ＯＬＥＤ，および逆バイアストランジスタＭＲを有する。
【０１３５】
画素駆動部８１１は，初期化トランジスタＭ８１，第１スイッチングトランジスタＭ８２，第２スイッチングトランジスタＭ８３，駆動トランジスタＭ８４，第３スイッチングトランジスタＭ８５，キャパシタＣ８，および発光制御トランジスタＭ８６を有する。
【０１３６】
初期化トランジスタＭ８１は，初期化ライン８１９とキャパシタＣ８との間に連結される。初期化トランジスタＭ８１は，１つ前の走査信号ＳＣＡＮ［ｎ−１］（ｎは２以上の整数）に応じてオン／オフ動作を行い，ターンオンされた場合，初期化ライン８１９を介して受信される初期化信号ＶｉｎｉｔをキャパシタＣ８に伝達する。
【０１３７】
第１スイッチングトランジスタＭ８２は，データライン８１５と駆動トランジスタＭ８４との間に連結される。現在の走査ライン８１３を介して現在の走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］がローレベルで活性化されると，第１スイッチングトランジスタＭ８２はターンオンされ，データライン８１５上のデータ電圧Ｖｄａｔａは駆動トランジスタＭ８４に印加される。
【０１３８】
第２スイッチングトランジスタＭ８３は，発光制御トランジスタＭ８６と駆動トランジスタＭ８４のゲート端子との間に連結される。第２スイッチングトランジスタＭ８３は現在の走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］に応じてオン／オフ動作を行う。よって，現在の走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］によって第２スイッチングトランジスタＭ８３がターンオンされた場合，駆動トランジスタＭ８４のゲート端子とドレイン端子は電気的に短絡される構造を有する。
【０１３９】
駆動トランジスタＭ８４は，第１スイッチングトランジスタＭ８２と発光制御トランジスタＭ８６との間に連結される。駆動トランジスタＭ８４は，現在の走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］がローレベルで活性化されると，第２スイッチングトランジスタＭ８３のターンオンによってダイオード連結されたトランジスタとなる。また，第１スイッチング素子を介してデータ電圧Ｖｄａｔａが印加されるので，駆動トランジスタＭ８４のスレッショルド電圧をＶｔｈとすると，駆動トランジスタＭ８４のゲート端子電圧はＶｄａｔａ−｜Ｖｔｈ｜となる。したがって，キャパシタＣ８の一側端子にはＶｄａｔａ−｜Ｖｔｈ｜の電圧が印加される。
【０１４０】
第３スイッチングトランジスタＭ８５は，第１スイッチングトランジスタＭ８２および駆動トランジスタＭ８４が共通して連結されたノードと正の電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する第１電源ライン８１７との間に連結される。また，第３スイッチングトランジスタＭ８５のゲート端子には発光制御信号ＥＭＩ［ｎ］が入力される。したがって，第３スイッチングトランジスタＭ８５は発光制御信号ＥＭＩ［ｎ］に応じてオン／オフ動作を行う。第３スイッチングトランジスタＭ８５がターンオンされた場合，第１電源ライン８１７から供給される正の電源電圧ＥＬＶＤＤは駆動トランジスタＭ８４に印加され，駆動トランジスタは駆動電流を発生する。
【０１４１】
キャパシタＣ８は，第１電源ライン８１７と初期化トランジスタＭ８１との間に連結される。また，キャパシタＣ８は駆動トランジスタＭ８４のゲート端子にも連結される。現在の走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］がローレベルで活性化された場合，第２スイッチングトランジスタＭ８３のターンオン動作によって，駆動トランジスタＭ８４はダイオード連結された構造を有し，第１スイッチングトランジスタＭ８２のターンオン動作によって，データライン８１５上のデータ電圧Ｖｄａｔａは駆動トランジスタＭ８４に印加される。したがって，駆動トランジスタＭ８４のゲート端子およびキャパシタＣ８の一側端子にはＶｄａｔａ−｜Ｖｔｈ｜が印加される。すなわち，現在の走査信号ＳＣＡＮ［ｎ］が印加されるうちに，キャパシタＣ８はＥＬＶＤＤ−（Ｖｄａｔａ−｜Ｖｔｈ｜）の電圧差を格納する。
【０１４２】
発光制御トランジスタＭ８６は，駆動トランジスタＭ８４と有機電界発光素子ＯＬＥＤとの間に連結される。また，発光制御トランジスタＭ８６のゲート端子には，発光制御信号ＥＭＩ［ｎ］が印加される。すなわち，発光制御信号ＥＭＩ［ｎ］は第３スイッチングトランジスタＭ８５と発光制御トランジスタＭ８６のゲート端子に共通に印加される。発光制御信号ＥＭＩ［ｎ］がローレベルで活性化される場合，第３スイッチングトランジスタＭ８５および発光制御トランジスタＭ８６はターンオンされる。第３スイッチングトランジスタＭ８５のターンオンによって正の電源電圧ＥＬＶＤＤは駆動トランジスタＭ８４に印加され，駆動トランジスタＭ８４はスレッショルド電圧を補償しつつ，データ電圧Ｖｄａｔａに相応する駆動電流を生成する。駆動トランジスタＭ８４から発生した駆動電流は，発光制御トランジスタＭ８６を介して有機電界発光素子ＯＬＥＤに流れ，有機電界発光素子ＯＬＥＤは発光動作を開始する。
【０１４３】
有機電界発光素子ＯＬＥＤは，発光制御トランジスタＭ８６と負の電源電圧ＥＬＶＳＳを供給する第２電源ライン８１８との間に連結される。有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極は，発光制御トランジスタＭ８６および逆バイアストランジスタＭＲに連結され，有機電界発光素子ＯＬＥＤのカソード電極は，負の電源電圧ＥＬＶＳＳを供給する第２電源ライン８１８に連結される。
【０１４４】
逆バイアストランジスタＭＲは，初期化ライン８１９と有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極との間に連結される。また，逆バイアストランジスタＭＲのゲート端子には逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌが印加される。したがって，逆バイアストランジスタＭＲは逆バイアス制御信号Ｖｃｔｌに応じてオン／オフ動作を行う。
【０１４５】
有機電界発光装置が映像を表示する場合，逆バイアストランジスタはオフ状態を維持する。よって，初期化ライン８１９と有機電界発光素子ＯＬＥＤとの間の電気的連結は遮断された状態となる。すなわち，有機電界発光素子ＯＬＥＤには逆バイアスが印加されずに，キャパシタの初期化，データ電圧Ｖｄａｔａの格納および発光動作を順次行う。
【０１４６】
有機電界発光装置が映像を表示する以前に，または非表示期間の間に有機電界発光素子ＯＬＥＤの不良の有無を検出しようとする場合に，逆バイアストランジスタＭＲはターンオンされる。また，画素駆動部８１１は駆動電流を発生しない。逆バイアストランジスタＭＲのターンオンによって，初期化ライン８１９と有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極との間には電気的経路が形成され，有機電界発光素子ＯＬＥＤには逆バイアスが印加される。逆バイアスの印加は，第２電源ライン８１８に負の電源電圧ＥＬＶＳＳより高い電圧を印加し，初期化ライン８１９に初期化信号Ｖｉｎｉｔより低い電圧を印加することにより，達成される。
【０１４７】
したがって，上述した実施形態によれば，映像を表示する動作が行われる以前に，または非表示期間の間に，逆バイアストランジスタを用いて有機電界発光素子ＯＬＥＤに逆バイアスを印加する。有機電界発光素子ＯＬＥＤが所定の原因によって特性不良を起こす場合，逆バイアスが印加された有機電界発光素子ＯＬＥＤには漏洩電流が流れることになるので，有機電界発光素子の不良の有無が検出される。
【０１４８】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【０１４９】
本発明は，有機電界発光素子に逆バイアスを印加するための有機電界発光装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１５０】
【図１】本発明の第１実施形態による有機電界発光装置を示すブロック図である。
【図２ａ】本発明の第１実施形態による有機電界発光装置の回路を示す説明図である。
【図２ｂ】本発明の第１実施形態による有機電界発光装置の回路を示す説明図である。
【図３】本発明の第２実施形態による有機電界発光装置を示すブロック図である。
【図４ａ】本発明の第２実施形態よる有機電界発光装置の回路を示す説明図である。
【図４ｂ】本発明の第２実施形態よる有機電界発光装置の回路を示す説明図である。
【図５】本発明の第３実施形態による有機電界発光装置を示すブロック図である。
【図６ａ】本発明の第３実施形態よる有機電界発光装置の回路を示す説明図である。
【図６ｂ】本発明の第３実施形態よる有機電界発光装置の回路を示す説明図である。
【図７】本発明の第４実施形態による有機電界発光装置を示すブロック図である。
【図８ａ】本発明の第４実施形態よる有機電界発光装置の回路を示す説明図である。
【図８ｂ】本発明の第４実施形態よる有機電界発光装置の回路を示す説明図である。
【符号の説明】
【０１５１】
１０１，３０１，５０１，７０１ 画素駆動部
１０３，３０３，５０３ 走査ライン
１０５，３０５，５０５，７０５ データライン
１０７，３０７，５０７，７０７ 第１電源ライン
１０９，３０９，５０９，７０８ 第２電源ライン
７０９，８０９，８１９ 初期化ライン
ＯＬＥＤ 有機電界発光素子
ＭＲ 逆バイアストランジスタ
ＥＬＶＤＤ 正の電源電圧
ＥＬＶＳＳ 負の電源電圧
Ｖｒ 逆バイアス電源
Ｖｃｔｌ 逆バイアス制御信号
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査ラインとデータラインが交差する領域に形成された有機電界発光装置において，
第１電源ラインに連結され，前記走査ラインから走査信号を受け，前記データラインから受信したデータ信号に相応する駆動電流を形成する画素駆動部と；
前記画素駆動部と第２電源ラインとの間に連結され，前記駆動電流によって発光動作を行う有機電界発光素子と；
前記有機電界発光素子のアノード電極と逆バイアス電源との間に連結された逆バイアストランジスタと；
を含むことを特徴とする，有機電界発光装置。
【請求項２】
前記逆バイアストランジスタは，逆バイアス制御信号に応じてオン／オフ動作を行い，前記逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，前記画素駆動部は駆動電流を発生しないことを特徴とする，請求項１に記載の有機電界発光装置。
【請求項３】
前記逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，前記有機電界発光素子には逆バイアスが印加されることを特徴とする，請求項１または２に記載の有機電界発光装置。
【請求項４】
前記有機電界発光素子のアノード電極とカソード電極との間の逆バイアス電圧差は−１４Ｖ〜−１０Ｖであることを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載の有機電界発光装置。
【請求項５】
前記画素駆動部は，
前記データラインに連結され，走査信号に応答してオン／オフ動作を行うスイッチングトランジスタと；
前記スイッチングトランジスタに連結され，前記スイッチングトランジスタを介して受信される前記データ信号を格納するキャパシタと；
前記スイッチングトランジスタと前記第１電源ラインに連結され，前記キャパシタに格納された前記データ信号に相応する前記駆動電流を発生する駆動トランジスタと；
を含むことを特徴とする，請求項４に記載の有機電界発光装置。
【請求項６】
前記データ信号は電圧で表すことを特徴とする，請求項５に記載の有機電界発光装置。
【請求項７】
前記画素駆動部は，前記駆動トランジスタと前記有機電界発光素子との間に連結され，発光制御信号に応じてオン／オフ動作を行う発光制御トランジスタをさらに含むことを特徴とする，請求項５または６に記載の有機電界発光装置。
【請求項８】
前記画素駆動部は，
前記データラインに連結され，前記走査信号に応じてオン／オフ動作を行う第１スイッチングトランジスタと；
前記第１スイッチングトランジスタと前記第１電源ラインとの間に連結され，データ電流に相応する電圧を格納するキャパシタと；
前記第１スイッチングトランジスタと前記第１電源ラインに連結され，前記キャパシタに格納された電圧に相応する駆動電流を発生する駆動トランジスタと；
前記駆動トランジスタと前記データラインとの間に連結され，前記走査信号に応じて前記データ電流を前記データラインに供給する第２スイッチングトランジスタと；
前記駆動トランジスタと前記有機電界発光素子との間に連結され，発光制御信号に応じて前記駆動電流を前記有機電界発光素子に供給する発光制御トランジスタと；
を含むことを特徴とする，請求項４に記載の有機電界発光装置。
【請求項９】
第１電源ラインに連結され，走査ラインを介して走査信号を受け，データラインから受信されるデータ信号に相応する駆動電流を形成する画素駆動部と；
前記画素駆動部と第２電源ラインとの間に連結され，前記駆動電流によって発光動作を行う有機電界発光素子と；
前記有機電界発光素子のアノード電極と前記第１電源ラインとの間に連結され，前記有機電界発光素子に逆バイアスを印加する逆バイアストランジスタと；
を含むことを特徴とする，有機電界発光装置。
【請求項１０】
前記逆バイアストランジスタは逆バイアス制御信号に応じてオン／オフ動作を行い，前記逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，前記画素駆動部は駆動電流を発生しないことを特徴とする，請求項９に記載の有機電界発光装置。
【請求項１１】
前記逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，前記有機電界発光素子には逆バイアスが印加されることを特徴とする，請求項９または１０に記載の有機電界発光装置。
【請求項１２】
前記有機電界発光素子のアノード電極とカソード電極との間の逆バイアス電圧差は−１４Ｖ〜−１０Ｖであることを特徴とする，請求項９〜１１のいずれかに記載の有機電界発光装置。
【請求項１３】
第１電源ラインに連結され，走査ラインを介して走査信号を受け，データラインから受信されるデータ信号に相応する駆動電流を形成する画素駆動部と；
前記画素駆動部と第２電源ラインとの間に連結され，前記駆動電流によって発光動作を行う有機電界発光素子と；
前記有機電界発光素子のアノード電極と前記データラインとの間に連結され，前記有機電界発光素子に逆バイアスを印加する第1逆バイアストランジスタと；
前記データラインと逆バイアス電源との間に連結され，前記第１逆バイアストランジスタに前記逆バイアスを供給する第２逆バイアストランジスタと；
を含むことを特徴とする，有機電界発光装置。
【請求項１４】
前記第１逆バイアストランジスタおよび前記第２逆バイアストランジスタは逆バイアス制御信号に応じてオン／オフ動作を行い，前記第１逆バイアストランジスタおよび前記第２逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，前記画素駆動部は駆動電流を発生しないことを特徴とする，請求項１３に記載の有機電界発光装置。
【請求項１５】
前記第１逆バイアストランジスタおよび前記第２逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，前記逆バイアス電源から前記有機電界発光素子に逆バイアスが印加されることを特徴とする，請求項１３または１４に記載の有機電界発光装置。
【請求項１６】
前記有機電界発光素子のアノード電極とカソード電極との間の逆バイアス電圧差は−１４Ｖ〜−１０Ｖであることを特徴とする，請求項１３〜１５のいずれかに記載の有機電界発光装置。
【請求項１７】
前記画素駆動部は，
前記データラインに連結され，走査信号に応答してオン／オフ動作を行うスイッチングトランジスタと；
前記スイッチングトランジスタに連結され，前記スイッチングトランジスタを介して受信される前記データ信号を格納するキャパシタと；
前記スイッチングトランジスタと前記第１電源ラインに連結され，前記キャパシタに格納された前記データ信号に相応する前記駆動電流を発生する駆動トランジスタと；
を含むことを特徴とする，請求項１６に記載の有機電界発光装置。
【請求項１８】
前記データ信号は電圧で表すことを特徴とする，請求項１７に記載の有機電界発光装置。
【請求項１９】
前記画素駆動部は，前記駆動トランジスタと前記有機電界発光素子との間に連結され，発光制御信号に応じてオン／オフ動作を行う発光制御トランジスタをさらに含むことを特徴とする，請求項１７または１８に記載の有機電界発光装置。
【請求項２０】
前記画素駆動部は，
前記データラインに連結され，前記走査信号に応じてオン／オフ動作を行う第１スイッチングトランジスタと；
前記第１スイッチングトランジスタと前記第１電源ラインとの間に連結され，データ電流に相応する電圧を格納するキャパシタと；
前記第１スイッチングトランジスタと前記第１電源ラインに連結され，前記キャパシタに格納された電圧に相応する駆動電流を発生する駆動トランジスタと；
前記駆動トランジスタと前記データラインとの間に連結され，前記走査信号に応じて前記データ電流を前記データラインに供給する第２スイッチングトランジスタと；
前記駆動トランジスタと前記有機電界発光素子との間に連結され，発光制御信号に応じて前記駆動電流を前記有機電界発光素子に供給する発光制御トランジスタと；
を含むことを特徴とする，請求項１６に記載の有機電界発光装置。
【請求項２１】
第１電源ラインに連結され，１つ前の走査信号の制御によって，初期化ラインを介して初期化信号を受け，現在の走査信号に応じてデータラインからデータ信号を受信し，受信されるデータ信号に相応する駆動電流を形成する画素駆動部と；
前記画素駆動部と第２電源ラインとの間に連結され，前記駆動電流によって発光動作を行う有機電界発光素子と；
前記初期化ラインと前記有機電界発光素子のアノード電極との間に連結され，前記有機電界発光素子に逆バイアスを印加する逆バイアストランジスタと；
を含むことを特徴とする，有機電界発光装置。
【請求項２２】
前記逆バイアストランジスタは逆バイアス制御信号に応じてオン／オフ動作を行い，前記逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，前記画素駆動部は駆動電流を発生しないことを特徴とする，請求項２１に記載の有機電界発光装置。
【請求項２３】
前記逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，前記有機電界発光素子には前記初期化ラインを介して逆バイアスが印加されることを特徴とする，請求項２１または２２に記載の有機電界発光装置。
【請求項２４】
前記有機電界発光素子のアノード電極とカソード電極との間の逆バイアス電圧差は−１４Ｖ〜−１０Ｖであることを特徴とする，請求項２１〜２３のいずれかに記載の有機電界発光装置。
【請求項２５】
前記画素駆動部は，
前記初期化ラインに連結され，前記１つ前の走査信号に応じて初期化信号を受信する初期化トランジスタと；
前記データラインに連結され，前記現在の走査信号に応じて前記データラインからデータ信号を受信する第１スイッチングトランジスタと；
前記第１スイッチングトランジスタと前記初期化トランジスタとの間に連結され，ダイオード連結された構造を有し，スレッショルド電圧を補償する補償トランジスタと；
前記補償トランジスタと前記第１電源ラインとの間に連結され，前記初期化信号を受信して初期化動作を行うか，または前記第１スイッチングトランジスタおよび前記補償トランジスタを介して伝達されるデータ信号を格納するキャパシタと；
前記第１電源ラインに連結され，前記キャパシタに格納された前記データ信号に相応する前記駆動電流を発生する駆動トランジスタと；
前記駆動トランジスタと前記有機電界発光素子との間に連結され，発光制御信号に応じて前記駆動電流を前記有機電界発光素子に供給する発光制御トランジスタと；
を含むことを特徴とする，請求項２４に記載の有機電界発光装置。
【請求項２６】
前記画素駆動部は，
前記初期化ラインに連結され，前記１つ前の走査信号に応じて初期化信号を受信する初期化トランジスタと；
前記データラインに連結され，前記現在の走査信号に応じて前記データラインからデータ信号を受信する第１スイッチングトランジスタと；
前記第１スイッチングトランジスタに連結され，前記データ信号に相応する駆動電流を発生する駆動トランジスタと；
前記駆動トランジスタのゲート端子とドレイン端子との間に連結され，前記現在の走査信号に応じてオン／オフ動作を行う第２スイッチングトランジスタと；
前記駆動トランジスタと前記第１電源ラインとの間に連結され，発光制御信号に応じてオン／オフ動作を行う第３スイッチングトランジスタと；
前記第１電源ラインと前記初期化トランジスタとの間に連結され，前記初期化信号に応じて初期化動作を行い，前記駆動トランジスタの駆動電流形成に要求される前記データ信号を格納するキャパシタと；
前記駆動トランジスタと前記有機電界発光素子との間に連結され，前記発光制御信号に応じて前記駆動電流を前記有機電界発光素子に供給する発光制御トランジスタと；
を含むことを特徴とする，請求項２４に記載の有機電界発光装置。
【請求項１】
走査ラインとデータラインが交差する領域に形成された有機電界発光装置において，
第１電源ラインに連結され，前記走査ラインから走査信号を受け，前記データラインから受信したデータ信号に相応する駆動電流を形成する画素駆動部と；
前記画素駆動部と第２電源ラインとの間に連結され，前記駆動電流によって発光動作を行う有機電界発光素子と；
前記有機電界発光素子のアノード電極と逆バイアス電源との間に連結された逆バイアストランジスタと；
を含むことを特徴とする，有機電界発光装置。
【請求項２】
前記逆バイアストランジスタは，逆バイアス制御信号に応じてオン／オフ動作を行い，前記逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，前記画素駆動部は駆動電流を発生しないことを特徴とする，請求項１に記載の有機電界発光装置。
【請求項３】
前記逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，前記有機電界発光素子には逆バイアスが印加されることを特徴とする，請求項１または２に記載の有機電界発光装置。
【請求項４】
前記有機電界発光素子のアノード電極とカソード電極との間の逆バイアス電圧差は−１４Ｖ〜−１０Ｖであることを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載の有機電界発光装置。
【請求項５】
前記画素駆動部は，
前記データラインに連結され，走査信号に応答してオン／オフ動作を行うスイッチングトランジスタと；
前記スイッチングトランジスタに連結され，前記スイッチングトランジスタを介して受信される前記データ信号を格納するキャパシタと；
前記スイッチングトランジスタと前記第１電源ラインに連結され，前記キャパシタに格納された前記データ信号に相応する前記駆動電流を発生する駆動トランジスタと；
を含むことを特徴とする，請求項４に記載の有機電界発光装置。
【請求項６】
前記データ信号は電圧で表すことを特徴とする，請求項５に記載の有機電界発光装置。
【請求項７】
前記画素駆動部は，前記駆動トランジスタと前記有機電界発光素子との間に連結され，発光制御信号に応じてオン／オフ動作を行う発光制御トランジスタをさらに含むことを特徴とする，請求項５または６に記載の有機電界発光装置。
【請求項８】
前記画素駆動部は，
前記データラインに連結され，前記走査信号に応じてオン／オフ動作を行う第１スイッチングトランジスタと；
前記第１スイッチングトランジスタと前記第１電源ラインとの間に連結され，データ電流に相応する電圧を格納するキャパシタと；
前記第１スイッチングトランジスタと前記第１電源ラインに連結され，前記キャパシタに格納された電圧に相応する駆動電流を発生する駆動トランジスタと；
前記駆動トランジスタと前記データラインとの間に連結され，前記走査信号に応じて前記データ電流を前記データラインに供給する第２スイッチングトランジスタと；
前記駆動トランジスタと前記有機電界発光素子との間に連結され，発光制御信号に応じて前記駆動電流を前記有機電界発光素子に供給する発光制御トランジスタと；
を含むことを特徴とする，請求項４に記載の有機電界発光装置。
【請求項９】
第１電源ラインに連結され，走査ラインを介して走査信号を受け，データラインから受信されるデータ信号に相応する駆動電流を形成する画素駆動部と；
前記画素駆動部と第２電源ラインとの間に連結され，前記駆動電流によって発光動作を行う有機電界発光素子と；
前記有機電界発光素子のアノード電極と前記第１電源ラインとの間に連結され，前記有機電界発光素子に逆バイアスを印加する逆バイアストランジスタと；
を含むことを特徴とする，有機電界発光装置。
【請求項１０】
前記逆バイアストランジスタは逆バイアス制御信号に応じてオン／オフ動作を行い，前記逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，前記画素駆動部は駆動電流を発生しないことを特徴とする，請求項９に記載の有機電界発光装置。
【請求項１１】
前記逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，前記有機電界発光素子には逆バイアスが印加されることを特徴とする，請求項９または１０に記載の有機電界発光装置。
【請求項１２】
前記有機電界発光素子のアノード電極とカソード電極との間の逆バイアス電圧差は−１４Ｖ〜−１０Ｖであることを特徴とする，請求項９〜１１のいずれかに記載の有機電界発光装置。
【請求項１３】
第１電源ラインに連結され，走査ラインを介して走査信号を受け，データラインから受信されるデータ信号に相応する駆動電流を形成する画素駆動部と；
前記画素駆動部と第２電源ラインとの間に連結され，前記駆動電流によって発光動作を行う有機電界発光素子と；
前記有機電界発光素子のアノード電極と前記データラインとの間に連結され，前記有機電界発光素子に逆バイアスを印加する第1逆バイアストランジスタと；
前記データラインと逆バイアス電源との間に連結され，前記第１逆バイアストランジスタに前記逆バイアスを供給する第２逆バイアストランジスタと；
を含むことを特徴とする，有機電界発光装置。
【請求項１４】
前記第１逆バイアストランジスタおよび前記第２逆バイアストランジスタは逆バイアス制御信号に応じてオン／オフ動作を行い，前記第１逆バイアストランジスタおよび前記第２逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，前記画素駆動部は駆動電流を発生しないことを特徴とする，請求項１３に記載の有機電界発光装置。
【請求項１５】
前記第１逆バイアストランジスタおよび前記第２逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，前記逆バイアス電源から前記有機電界発光素子に逆バイアスが印加されることを特徴とする，請求項１３または１４に記載の有機電界発光装置。
【請求項１６】
前記有機電界発光素子のアノード電極とカソード電極との間の逆バイアス電圧差は−１４Ｖ〜−１０Ｖであることを特徴とする，請求項１３〜１５のいずれかに記載の有機電界発光装置。
【請求項１７】
前記画素駆動部は，
前記データラインに連結され，走査信号に応答してオン／オフ動作を行うスイッチングトランジスタと；
前記スイッチングトランジスタに連結され，前記スイッチングトランジスタを介して受信される前記データ信号を格納するキャパシタと；
前記スイッチングトランジスタと前記第１電源ラインに連結され，前記キャパシタに格納された前記データ信号に相応する前記駆動電流を発生する駆動トランジスタと；
を含むことを特徴とする，請求項１６に記載の有機電界発光装置。
【請求項１８】
前記データ信号は電圧で表すことを特徴とする，請求項１７に記載の有機電界発光装置。
【請求項１９】
前記画素駆動部は，前記駆動トランジスタと前記有機電界発光素子との間に連結され，発光制御信号に応じてオン／オフ動作を行う発光制御トランジスタをさらに含むことを特徴とする，請求項１７または１８に記載の有機電界発光装置。
【請求項２０】
前記画素駆動部は，
前記データラインに連結され，前記走査信号に応じてオン／オフ動作を行う第１スイッチングトランジスタと；
前記第１スイッチングトランジスタと前記第１電源ラインとの間に連結され，データ電流に相応する電圧を格納するキャパシタと；
前記第１スイッチングトランジスタと前記第１電源ラインに連結され，前記キャパシタに格納された電圧に相応する駆動電流を発生する駆動トランジスタと；
前記駆動トランジスタと前記データラインとの間に連結され，前記走査信号に応じて前記データ電流を前記データラインに供給する第２スイッチングトランジスタと；
前記駆動トランジスタと前記有機電界発光素子との間に連結され，発光制御信号に応じて前記駆動電流を前記有機電界発光素子に供給する発光制御トランジスタと；
を含むことを特徴とする，請求項１６に記載の有機電界発光装置。
【請求項２１】
第１電源ラインに連結され，１つ前の走査信号の制御によって，初期化ラインを介して初期化信号を受け，現在の走査信号に応じてデータラインからデータ信号を受信し，受信されるデータ信号に相応する駆動電流を形成する画素駆動部と；
前記画素駆動部と第２電源ラインとの間に連結され，前記駆動電流によって発光動作を行う有機電界発光素子と；
前記初期化ラインと前記有機電界発光素子のアノード電極との間に連結され，前記有機電界発光素子に逆バイアスを印加する逆バイアストランジスタと；
を含むことを特徴とする，有機電界発光装置。
【請求項２２】
前記逆バイアストランジスタは逆バイアス制御信号に応じてオン／オフ動作を行い，前記逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，前記画素駆動部は駆動電流を発生しないことを特徴とする，請求項２１に記載の有機電界発光装置。
【請求項２３】
前記逆バイアストランジスタがターンオンされた場合，前記有機電界発光素子には前記初期化ラインを介して逆バイアスが印加されることを特徴とする，請求項２１または２２に記載の有機電界発光装置。
【請求項２４】
前記有機電界発光素子のアノード電極とカソード電極との間の逆バイアス電圧差は−１４Ｖ〜−１０Ｖであることを特徴とする，請求項２１〜２３のいずれかに記載の有機電界発光装置。
【請求項２５】
前記画素駆動部は，
前記初期化ラインに連結され，前記１つ前の走査信号に応じて初期化信号を受信する初期化トランジスタと；
前記データラインに連結され，前記現在の走査信号に応じて前記データラインからデータ信号を受信する第１スイッチングトランジスタと；
前記第１スイッチングトランジスタと前記初期化トランジスタとの間に連結され，ダイオード連結された構造を有し，スレッショルド電圧を補償する補償トランジスタと；
前記補償トランジスタと前記第１電源ラインとの間に連結され，前記初期化信号を受信して初期化動作を行うか，または前記第１スイッチングトランジスタおよび前記補償トランジスタを介して伝達されるデータ信号を格納するキャパシタと；
前記第１電源ラインに連結され，前記キャパシタに格納された前記データ信号に相応する前記駆動電流を発生する駆動トランジスタと；
前記駆動トランジスタと前記有機電界発光素子との間に連結され，発光制御信号に応じて前記駆動電流を前記有機電界発光素子に供給する発光制御トランジスタと；
を含むことを特徴とする，請求項２４に記載の有機電界発光装置。
【請求項２６】
前記画素駆動部は，
前記初期化ラインに連結され，前記１つ前の走査信号に応じて初期化信号を受信する初期化トランジスタと；
前記データラインに連結され，前記現在の走査信号に応じて前記データラインからデータ信号を受信する第１スイッチングトランジスタと；
前記第１スイッチングトランジスタに連結され，前記データ信号に相応する駆動電流を発生する駆動トランジスタと；
前記駆動トランジスタのゲート端子とドレイン端子との間に連結され，前記現在の走査信号に応じてオン／オフ動作を行う第２スイッチングトランジスタと；
前記駆動トランジスタと前記第１電源ラインとの間に連結され，発光制御信号に応じてオン／オフ動作を行う第３スイッチングトランジスタと；
前記第１電源ラインと前記初期化トランジスタとの間に連結され，前記初期化信号に応じて初期化動作を行い，前記駆動トランジスタの駆動電流形成に要求される前記データ信号を格納するキャパシタと；
前記駆動トランジスタと前記有機電界発光素子との間に連結され，前記発光制御信号に応じて前記駆動電流を前記有機電界発光素子に供給する発光制御トランジスタと；
を含むことを特徴とする，請求項２４に記載の有機電界発光装置。
【図１】
【図２ａ】
【図２ｂ】
【図３】
【図４ａ】
【図４ｂ】
【図５】
【図６ａ】
【図６ｂ】
【図７】
【図８ａ】
【図８ｂ】
【図２ａ】
【図２ｂ】
【図３】
【図４ａ】
【図４ｂ】
【図５】
【図６ａ】
【図６ｂ】
【図７】
【図８ａ】
【図８ｂ】
【公開番号】特開２００６−３０９１１９（Ｐ２００６−３０９１１９Ａ）
【公開日】平成１８年１１月９日（２００６．１１．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２５５９２１（Ｐ２００５−２５５９２１）
【出願日】平成１７年９月５日（２００５．９．５）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１１月９日（２００６．１１．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年９月５日（２００５．９．５）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
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