有機ＥＬおよびそのテスト方法
発光領域、リード領域、ボンディング領域とリード延長領域（３００）を含む有機ELであって、発光領域は陽極、有機機能層、陰極を含み；リード領域は陽極と陰極をドライバチップまたは回路基板と接続するリードを含み；ボンディング領域はリードとドライバチップまたは回路基板が接続される領域であり；リードの末端はリード延長領域に位置しており、リード延長領域のリードとリード領域のリードは平行または所定の角度を形成している有機ELを提供する。また有機ELのテスト方法を提供する。有機ELのリード配置を変えることにより、導電性テープとリードをより容易かつ正確に圧着することができ、パネル体テスト工程において行リードと列リードがショートするのを防ぐことができる。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
〔技術分野〕
本発明は有機EL（Organic Light Emitting Device、以下OLEDと称す）およびそのテスト方法に関し、特にOLEDのリードの設計に関する。
【０００２】
〔背景技術〕
OLEDとは、キャリヤーが電界の働きで陽極、陰極より有機機能層に入り込み複合して発光する現象を利用したフラットパネルディスプレイである。OLEDは、全体が固体状態、自己発光、ハイコントラスト、極めて薄い、柔軟ディスプレイが実現可能などの特徴を持つ。
【０００３】
従来の電子デバイスは、工場出荷前に全てテスト、エイジングなどのプロセスを経て、デバイスの性能をテストする。様々なチップボンディング技術に対し、テスト・エイジング段階ではそれぞれの問題が現れる。COG(Chip on glass)方式を採用しパネル体とチップをボンティングする場合、OLEDは、図１−１及び図１−２に示すように、基板１０３と発光領域１０２を含み、発光領域１０２は基板１０３上に位置する陽極１００２、有機機能層１００３と陰極１００４からなる。発光領域１０２の左右両側及び下端にはリード領域１０１が設置され、リード領域１０１の下端にボンディング領域１０４を設置する。奇数行リード１０１[１]は発光領域１０２の左側より引き出され、偶数行リード１０１[２]は発光領域１０２の右側より引き出され、左側列リード１０１[３]と右側列リード１０１[４]は発光領域１０２の下側より引き出される。行方向リード及び列方向リードは別々に引き出された後、互い絶縁的にボンディング領域１０４に集まり、基板の片側にてボンディングされ、即ち片側ボンディングされる。
【０００４】
図示をはっきりさせるため、全ての行、列方向リードを表していない。COG型パネル製品は、リード同士の隙間が小さすぎるため、狭すぎるスペースにはさらに幅が狭い導電性テープを用いざるを得ず、結果として導電性テープとリードが圧着される際、（１）導電性テープがずれることによりパネル体のショートを引き起こし易い、（２）導電性テープの寿命が縮まる、（３）リードが折れやすくなるなどの問題点がある。リード同士の隙間がテスト、エイジング装置で実現できる最小アライメント精度よりも小さい場合、フルスクリーン発光（short bar）方式でパネル体を発光させることができず、パネル体のテストとエイジングを行うことができなくなる。そのため、製品の欠陥はドライバチップと組み合わせた後でしか発見されない。従来、この種の製品に対して、パネル体テストとエイジングができず、高い良品率を保証するのは困難であった。
【０００５】
OLEDのリードはホトリソグラフィ技術を採用して制作され、重要なプロセス条件として、エッチング温度、速度、時間、エッチング液の濃度などが挙げられる。いずれのプロセスパラメータが正確に制御されない場合、オーバーエッチングを引き起こす可能がある。リード延長領域を設けない場合、リードの末端がドライバチップとボンディングされることになる。オーバーエッチングされたリードはボンディングに必要な長さより短いため、これらオーバーエッチングされたリードは相応のチップピンと接触できなく、または接触不良になり、結果として、発光領域内の対応する行または列が発光できなくなる。図２−１に示すように、左側列リード２０１、右側列リード２０２にオーバーエッチングが生じ、その長さはボンディングに必要な長さより短いため、チップピンと接触できない。ボンディング位置を上方へ移動させれば、図２−２に示すように、左側列リード２０１、右側列リード２０２は正常にボンディングされることができるが、この場合、チップピンが左側列リード２０３、右側列リード２０４の湾曲した部位にまで伸びてしまい、左側列リード２０３、右側列リード２０４は相応のチップピンと正常にボンディングされることができない。
【０００６】
〔発明の開示〕
本発明の目的は、テストでき、且つテストの効果を保証できるOLEDにおけるリードの設計を提供することにある。
【０００７】
この目的を実現するため、本発明の有機ELは、発光領域、リード領域、ボンディング領域を含み、発光領域は陽極、有機機能層、陰極を含み；リード領域は陽極と陰極をドライバチップまたは回路基板に接続するリードで構成され、ボンディング領域はリードとドライバチップが接続される領域であり、更にリード延長領域を含み、リードの末端はリード延長領域内に位置しており、リード延長領域内のリードとリード領域内のリードとが形成する角度は０°より大きく、且つ９０°未満である。
【０００８】
リード延長領域内のリードとリード領域内のリードが形成する角度は２０°より大きく８０°未満で、３０°、４５°、６０°あるいは７５°であることが好ましい。
【０００９】
リードに対し片側ボンディングを採用する場合、リードを奇数行リード、偶数行リード、左列リードと右列リードに分け、列リードは中央部に位置し、奇数行リード及び偶数行リードはそれぞれ列リードの両側に分けられる。左列リードと右列リードが互いに離れる方向に伸びる場合、奇数行リードと偶数行リードは向かい合う方向に伸びてもよいし、互いに離れる方向に伸びてもよく、また全ての行、列リードは互いに交差することがない。同じく、左列リードと右列リードが向かい合う方向に伸びる場合でも、奇数行リードと偶数行リードは向かい合う方向または互いに離れる方向どちらに伸びてもよく、また全ての行、列リードは互いに交差することがない。また、これらの奇数行リード、偶数行リード、左列リードと右列リードの延長部分の角度は一致しなくてもよい。
【００１０】
リード延長領域内のリードはリード領域内のリードより少なくてもよい。即ち、リード延長領域内のリードが垂直方向に対し所定の角度を成して伸びる場合、全ての行、列リードが互いに交差しないことを保証するため、一部のリードの末端をリード延長領域まで伸ばさず、ボンディング領域内に位置させてもよい。
【００１１】
リード延長領域内のリードの長さは０．１ｍｍ〜０．５ｍｍであることが好ましい。
本発明の他の目的は、OLEDのテスト方法を提供することにある。
【００１２】
この目的を実現するため、本発明のテスト方法は、（１）点灯待機の行リードをショートさせ、点灯待機の列リードをショートさせるステップと、（２）ステップ（１）にてショートさせた行または列リードに点灯電圧を与えるステップと、（３）テストの状況に基づきテスト結果を出すとのステップを含む。
【００１３】
ステップ（１）では全ての奇数行リードをショートさせ、全ての偶数行リードをショートさせ、全ての列リードをショートさせても良い。またステップ（１）では全ての行リードをショートさせ、全ての列リードをショートさせても良い。
【００１４】
ステップ（１）では導電性材料を採用してショートすべきリードを接続し、導電性材料は金属フィルムまたは導電性テープとする。
【００１５】
本発明ではOLEDのリード配置を変え、行、列リードをそれぞれ互いに離れる方向または向かい合う方向に伸ばした。これにより、下記の効果が実現できる。（１）行リードと列リードはそれぞれOLEDの陽極または陰極と接続されているため、行リードは列リードと接触してはならない。本発明のリード設計によれば、行リードと列リードの間隔を拡大し、パネル体のテスト段階で行リード、列リードがショートするのを防ぐことができる。（２）行、列リードは所定の角度で傾斜しており、傾斜しない場合と比べ、限られた延長領域のスペース内でリードを延長する長さをより大きくすることができ、よって導電性テープとの接触面積が増え、単位面積当たりの導電媒体が負担する電流負荷が減るため、導電性テープの寿命を延ばすことができる。（３）行、列リードの水平方向における幅を増やし、従来テスト、エイジング装置で実現できる最小アライメント精度の条件を満たし、導電性テープがより容易かつ正確にリードと圧着することができる。
【００１６】
本発明のテスト方法によれば、OLEDのエイジングとテストを保証でき、高い良品率を確保することができる。
【００１７】
また、リードの末端はリード延長領域内に位置しており、即ちボンディングはリードの末端では行われない。これにより、リードをエッチングする際オーバーエッチングが生じたとしても、リードの末端はボンディングに使用されないために、全てのリードとチップピンの良好な接触を保証でき、ボンディングの効果を確保することができる。
【００１８】
〔図面の簡単な説明〕
〔図１−１〕従来の有機ELパネル体の概略図である。
【００１９】
〔図１−２〕有機EL構造の縦断面の断面図である。
【００２０】
〔図２−１〕リードがオーバーエッチングされた場合従来技術によるボンディングの概略図である。
【００２１】
〔図２−２〕リードがオーバーエッチングされた場合ボンディング領域を上方へ移動させた概略図である。
【００２２】
〔図３〕本発明の実施例１にかかるボンディングの概略図である。
【００２３】
〔図４〕図３において３０１に示された領域の拡大図である。
【００２４】
〔図５〕本発明の実施例２にかかるボンディングの概略図である。
【００２５】
〔図６〕本発明の実施例３にかかるボンディングの概略図である。
【００２６】
〔図７〕図６において６０３に示された領域の拡大図である。
【００２７】
〔図８〕本発明の実施例４にかかるボンディングの概略図である。
【００２８】
〔発明を実施するための形態〕
本発明ではOLEDの基板から陰極への方向を垂直方向とし、これに垂直となる方向を水平方向とする。なお、表現の便宜上リード領域、ボンディング領域、リード延長領域を定義したが、これらの領域内のリードが互いに独立しているとは意味せず、それらは全体的なものであり、ホトリソグラフィ技術により一括に形成されるものである。発光領域とボンディング領域の間に位置する部分がリード領域となり、ボンディング領域と基板の下端の間に位置する部分がリード延長領域となる。
【００２９】
本発明では新しいマスクを採用するため、ホトリソグラフィによるリードのパターンは従来技術とは異なる。
【００３０】
OLEDの製造工程は通常以下のステップを含む：
（１）ガラス基板上にスパッタ法により一層の電極材料を形成する。この電極材料は、通常酸化インジウムスズ（以下ITOと略称）またはインジウム亜鉛酸化物などの透明導電材で構成され、ホトリソグラフィを施した後のITOのパターンはOLEDの陽極となる部分及び電極のリードとなる部分を含む。リードが長すぎるか細すぎる場合、リードに大きな電圧降下が起き、ディスプレイ領域の発光強度が減少する。電気抵抗を可能な限り減らすため、通常リードとなるITOにさらにクロムを付加する。よって、電極リードは通常ITO層とクロム層の二層を含む。
【００３１】
（２）ホトリソグラフィにより絶縁層とスペーサーを形成する。これは、RGBカラーを実現するため必須なステップであり、これにより、それぞれの画素を隔て画素アレーを実現する。
【００３２】
（３）真空蒸着法で有機エレクトロルミネッセンス材料を堆積させ、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層などを含む有機機能層を形成する。
【００３３】
（４）真空蒸着法で陰極部材を覆う。
【００３４】
（５）乾燥シートを貼り付けくぼみをつけたガラス基材をOLED基板と圧着し、密封を実現することで、水気と酸素成分のデバイスに対するダメージを軽減する。
【００３５】
（６）電極リードとドライバチップまたは回路基板をボンディングし、発光領域とドライバチップまたは回路基板の接続を実現する。リードとチップのボンディング方法には、片側ボンディングと両側ボンディングがある。片側ボンディングとは、図１−１に示すように、全ての行、列リードを基板の同じ側に配列するとともに、一つのチップと接続する方法である。また、両側ボンディングとは、行リードを基板の一側に配列し、そして列リードを基板の他側に配列するとともに、それぞれ一つのチップと接続する方法である。デバイスの端部のスペース及びチップの数を抑えるため、通常片側ボンディングを行う。
【００３６】
以下に、実施例及び図面に基づいて本発明を更に説明する。
【００３７】
〔実施例１〕
図３、４に示すように、実施例１は９６行×１６列の有機ELに関わる。
【００３８】
発光領域から水平方向に奇数行リード４０１［１］と偶数行リード４０１［２］を引き出し、垂直方向に左列リード４０１［３］と右列リード４０１［４］を引き出す。リードの末端はリード延長領域３００に位置する。左列リード４０１［３］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と３０°を成すように左側に伸びる。右列リード４０１［４］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と３０°を成すように右側に伸びる。奇数行リード４０１［１］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と３０°を成すように右側に伸びる。偶数行リード４０１［２］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と３０°を成すように左側に伸びる。リードのリード延長領域内における長さは０．４ｍｍとする。奇数行リード４０１［１］、偶数行リード４０１［２］、左列リード４０１［３］、右列リード４０１［４］は互いに交差しない。
【００３９】
本実施例にかかる有機ELのリードを制作する方法は、以下のステップを含む：
（１）洗浄して乾燥させたガラス基板をホトリソグラフィ装置内に載置る。ガラス基板上には既にITO層、及びその上の金属クロム層を形成してある。
【００４０】
（２）スピンコート法を用いてITO及びクロム層上にフォトレジストを塗布し焼き付ける。
【００４１】
（３）マスクでフォトレジストを覆い、マスクを介して紫外線（UV）でフォトレジスト表面を照らし、フォトレジストに選択的露光を施す。
【００４２】
（４）現像、硬膜。
【００４３】
（５）エッチング。ITOとクロムのエッチングに使用するエッチング液は異なり、それぞれ、濃度の割合が１０：１０：１の水、塩酸、硝酸からなる混合エッチング液と、濃度の割合が１０：２：１の水、硝酸セリウムアンモニウム、硝酸からなる混合エッチング液である。
【００４４】
エッチングされて得たリードのパターンは図３に示すようになる。エッチング完成後、蒸着チャンバー内に移して有機機能層及び陰極の製作を行い、そして隔離チャンバー内での密封カバーを被る工程を行う。密封工程が完成した基板を取り出し、ボンディング前のテストを行う。本実施例では、導電性テープを採用し各部分のリードのショートを実現する。図４における、破線で囲まれた４０２、４０３、４０４が導電性テープ圧着領域であり、４０２内の導電性テープはパネル体の全ての奇数行リード４０１［１］を連結し導通させ、４０３内の導電性テープはパネル体の全ての列リード４０１［３］と列リード４０１［４］を連結し導通させ、４０４内の導電性テープはパネル体の全ての偶数行リード４０１［２］を連結し導通させる。三ヶ所の導電性テープの互いに離れた距離は約１．６ｍｍであり、テスト装置の最小アライメント精度である０．８ｍｍよりもはるかに大きく、有効なテストを実現できる。テスト装置のPCB上の導電ランドをそれぞれ三ヶ所の導通位置の導電性テープと電気的に接続し、パネル体のフールスクリン発光をテストし、その結果を記録する。テスト後、三ヶ所の導電性テープをパネル体から剥がし、パネル体はこれに続くドライバチップとのボンディング工程に移行する。
【００４５】
〔実施例２〕
図５に示すように、実施例２も同様に９６行×１６列の有機ELに関わる。発光領域から水平方向に奇数行リード５０１［１］と偶数行リード５０１［２］を引き出し、垂直方向に左列リード５０１［３］と右列リード５０１［４］を引き出す。リードの末端はリード延長領域５００に位置する。左列リード５０１［３］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と４５°を成すように左側に伸びる。右列リード５０１［４］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と４５°を成すように右側に伸びる。奇数行リード５０１［１］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と４５°を成すように左側に伸びる。偶数行リード５０１［２］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と４５°を成すように右側に伸びる。リードのリード延長領域内における長さは０．５ｍｍとする。奇数行リード５０１［１］、偶数行リード５０１［２］、左列リード５０１［３］、右列リード５０１［４］は互いに交差しない。
【００４６】
本実施例にかかる有機ELのリードを製造する方法は実施例１と同じであるため、ここでは省略とする。
【００４７】
エッチング完成後、蒸着チャンバー内に移して有機機能層及び陰極の製作を行い、そして隔離チャンバー内で密封カバーを被る工程を行う。密封工程が完成した基板を取り出し、ボンディング前のテストを行う。テスト方法は実施例１とほぼ同じだが、本実施例ではゼブラコネクターを採用し各部分のリードのショートを実現する。図５に示すリード延長領域５００はゼブラコネクターの貼りつけ位置である。テスト後、ゼブラコネクターをパネル体から剥がし、パネル体はこれに続くドライバチップとのボンディング工程に移行する。
【００４８】
〔実施例３〕
図６、７に示すように、実施例３は６４行×１２８列の有機ELに関わる。発光領域から水平方向に奇数行リード７０１［１］と偶数行リード７０１［２］を引き出し、垂直方向に左列リード７０１［３］と右列リード７０１［４］を引き出す。リードの末端はリード延長領域７００に位置する。左列リード７０１［３］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と６０°を成すように右側に伸びる。右列リード７０１［４］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と６０°を成すように左側に伸びる。奇数行リード７０１［１］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と６０°を成すように右側に伸びる。偶数行リード７０１［２］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と６０°を成すように左側に伸びる。リードのリード延長領域内における長さは０．１ｍｍとする。奇数行リード７０１［１］、偶数行リード７０１［２］、左列リード７０１［３］、右列リード７０１［４］は互いに交差しない。
【００４９】
本実施例にかかる有機ELのリードを製造する方法は実施例１と同じであるため、ここでは省略とする。
【００５０】
左列リードの一本のリード６０１と右列リードの一本のリード６０２は隣接するリードであり、チップを超した後それぞれ右側と左側に伸びると、交差する可能性がある。よって、左列リード６０１と右列リード６０２の末端が交差するのを防止するため、左列リード６０１と右列リード６０２の末端をボンディング領域内に位置させ、即ちこの二本のリードはチップピンとボンディングされた後リード延長領域まで伸びていない。
テスト方法は実施例１と同じであるため、ここでは省略とする。
【００５１】
〔実施例４〕
図８に示すように、実施例４も同様に６４行×１２８列の有機ELに関わる。発光領域から水平方向に奇数行リード８０１［１］と偶数行リード８０１［２］を引き出し、垂直方向に左列リード８０１［３］と右列リード８０１［４］を引き出す。リードの末端はリード延長領域８００に位置する。左列リード８０１［３］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と７５°を成すように右側に伸びる。右列リード８０１［４］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と７５°を成すように左側に伸びる。奇数行リード８０１［１］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と７５°を成すように左側に伸びる。偶数行リード８０１［２］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と７５°を成すように右側に伸びる。リードのリード延長領域内における長さは０．２ｍｍとする。奇数行リード８０１［１］、偶数行リード８０１［２］、左列リード８０１［３］、右列リード８０１［４］は互いに交差しない。
【００５２】
本実施例にかかる有機ELのリードを製造する方法、テスト方法は実施例２と同じであるため、ここでは省略とする。
【００５３】
実施例２、３、４は、実施例１のホトリソグラフィ工程と同じであるが、リードのパターンが異なるため、ホトリソグラフィを施す際に使用するマスクは異なるものである。
実施例１ないし実施例４に述べたリードの構造から分かるように、本発明は新しいマスクを採用し、ホトリソグラフィによるリードのパターンは従来技術とは異なり、行リード、列リードをそれぞれ互いに離れる方向または向かい合う方向に伸ばした。本発明のリード設計によれば、行リードと列リードの間隔を拡大し、パネル体のテスト段階中で行リード、列リードがショートするのを防ぐことができる。行リード、列リードは所定の角度で傾斜しており、導電性テープとの接触面積が増え、単位面積当たりの導電媒体が負担する電流負荷が減るため、導電性テープの寿命を延ばすことができる。
【００５４】
実施例１ないし実施例４におけるリード構造及びテスト方法を採用すれば、従来のテスト、エイジング装置でCOG製品に対するテストとエイジングが成功をおさめ、高い良品率を確保することができた。
【００５５】
また、リードの末端はリード延長領域内に位置しており、即ちボンディングはリードの末端では行われない。これにより、リードをエッチングする際オーバーエッチングが生じたとしても、リードの末端はボンディングに使用されないために、リードとチップピンの良好な接触を保証でき、しかもこのようなリードの構造は工程を増やすことがない。
【００５６】
以上、本発明の好ましい実施形態を説明したが、本発明を制限するものではなく、当業者にとって自明であるような変更はすべて、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能であり、よって本発明の保護範囲は次に続くクレームの範囲に従うべきである。
【００５７】
〔符号の説明〕
１０１ リード領域
１０２ 発光領域
１０３ 基板
１０４、２０５ ボンディング領域
１００２ 陽極
１００３ 有機機能層
１００４ 陰極
３００、５００、７００、８００ リード延長領域
４０２、４０３、４０４ 導電性テープ圧着領域
１０１［１］、４０１［１］、５０１［１］、７０１［１］、８０１［１］ 奇数行リード
１０１［２］、４０１［２］、５０１［２］、７０１［２］、８０１［２］ 偶数行リード
１０１［３］、４０１［３］、５０１［３］、７０１［３］、８０１［３］、２０１、２０３、６０１ 左列リード
１０１［４］、４０１［４］、５０１［４］、７０１［４］、８０１［４］、２０２、２０４、６０２ 右列リード
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１−１】従来の有機ELパネル体の概略図である。
【図１−２】有機EL構造の縦断面の断面図である。
【図２−１】リードがオーバーエッチングされた場合従来技術によるボンディングの概略図である。
【図２−２】リードがオーバーエッチングされた場合ボンディング領域を上方へ移動させた概略図である。
【図３】本発明の実施例１にかかるボンディングの概略図である。
【図４】図３において３０１に示された領域の拡大図である。
【図５】本発明の実施例２にかかるボンディングの概略図である。
【図６】本発明の実施例３にかかるボンディングの概略図である。
【図７】図６において６０３に示された領域の拡大図である。
【図８】本発明の実施例４にかかるボンディングの概略図である。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
〔技術分野〕
本発明は有機EL（Organic Light Emitting Device、以下OLEDと称す）およびそのテスト方法に関し、特にOLEDのリードの設計に関する。
【０００２】
〔背景技術〕
OLEDとは、キャリヤーが電界の働きで陽極、陰極より有機機能層に入り込み複合して発光する現象を利用したフラットパネルディスプレイである。OLEDは、全体が固体状態、自己発光、ハイコントラスト、極めて薄い、柔軟ディスプレイが実現可能などの特徴を持つ。
【０００３】
従来の電子デバイスは、工場出荷前に全てテスト、エイジングなどのプロセスを経て、デバイスの性能をテストする。様々なチップボンディング技術に対し、テスト・エイジング段階ではそれぞれの問題が現れる。COG(Chip on glass)方式を採用しパネル体とチップをボンティングする場合、OLEDは、図１−１及び図１−２に示すように、基板１０３と発光領域１０２を含み、発光領域１０２は基板１０３上に位置する陽極１００２、有機機能層１００３と陰極１００４からなる。発光領域１０２の左右両側及び下端にはリード領域１０１が設置され、リード領域１０１の下端にボンディング領域１０４を設置する。奇数行リード１０１[１]は発光領域１０２の左側より引き出され、偶数行リード１０１[２]は発光領域１０２の右側より引き出され、左側列リード１０１[３]と右側列リード１０１[４]は発光領域１０２の下側より引き出される。行方向リード及び列方向リードは別々に引き出された後、互い絶縁的にボンディング領域１０４に集まり、基板の片側にてボンディングされ、即ち片側ボンディングされる。
【０００４】
図示をはっきりさせるため、全ての行、列方向リードを表していない。COG型パネル製品は、リード同士の隙間が小さすぎるため、狭すぎるスペースにはさらに幅が狭い導電性テープを用いざるを得ず、結果として導電性テープとリードが圧着される際、（１）導電性テープがずれることによりパネル体のショートを引き起こし易い、（２）導電性テープの寿命が縮まる、（３）リードが折れやすくなるなどの問題点がある。リード同士の隙間がテスト、エイジング装置で実現できる最小アライメント精度よりも小さい場合、フルスクリーン発光（short bar）方式でパネル体を発光させることができず、パネル体のテストとエイジングを行うことができなくなる。そのため、製品の欠陥はドライバチップと組み合わせた後でしか発見されない。従来、この種の製品に対して、パネル体テストとエイジングができず、高い良品率を保証するのは困難であった。
【０００５】
OLEDのリードはホトリソグラフィ技術を採用して制作され、重要なプロセス条件として、エッチング温度、速度、時間、エッチング液の濃度などが挙げられる。いずれのプロセスパラメータが正確に制御されない場合、オーバーエッチングを引き起こす可能がある。リード延長領域を設けない場合、リードの末端がドライバチップとボンディングされることになる。オーバーエッチングされたリードはボンディングに必要な長さより短いため、これらオーバーエッチングされたリードは相応のチップピンと接触できなく、または接触不良になり、結果として、発光領域内の対応する行または列が発光できなくなる。図２−１に示すように、左側列リード２０１、右側列リード２０２にオーバーエッチングが生じ、その長さはボンディングに必要な長さより短いため、チップピンと接触できない。ボンディング位置を上方へ移動させれば、図２−２に示すように、左側列リード２０１、右側列リード２０２は正常にボンディングされることができるが、この場合、チップピンが左側列リード２０３、右側列リード２０４の湾曲した部位にまで伸びてしまい、左側列リード２０３、右側列リード２０４は相応のチップピンと正常にボンディングされることができない。
【０００６】
〔発明の開示〕
本発明の目的は、テストでき、且つテストの効果を保証できるOLEDにおけるリードの設計を提供することにある。
【０００７】
この目的を実現するため、本発明の有機ELは、発光領域、リード領域、ボンディング領域を含み、発光領域は陽極、有機機能層、陰極を含み；リード領域は陽極と陰極をドライバチップまたは回路基板に接続するリードで構成され、ボンディング領域はリードとドライバチップが接続される領域であり、更にリード延長領域を含み、リードの末端はリード延長領域内に位置しており、リード延長領域内のリードとリード領域内のリードとが形成する角度は０°より大きく、且つ９０°未満である。
【０００８】
リード延長領域内のリードとリード領域内のリードが形成する角度は２０°より大きく８０°未満で、３０°、４５°、６０°あるいは７５°であることが好ましい。
【０００９】
リードに対し片側ボンディングを採用する場合、リードを奇数行リード、偶数行リード、左列リードと右列リードに分け、列リードは中央部に位置し、奇数行リード及び偶数行リードはそれぞれ列リードの両側に分けられる。左列リードと右列リードが互いに離れる方向に伸びる場合、奇数行リードと偶数行リードは向かい合う方向に伸びてもよいし、互いに離れる方向に伸びてもよく、また全ての行、列リードは互いに交差することがない。同じく、左列リードと右列リードが向かい合う方向に伸びる場合でも、奇数行リードと偶数行リードは向かい合う方向または互いに離れる方向どちらに伸びてもよく、また全ての行、列リードは互いに交差することがない。また、これらの奇数行リード、偶数行リード、左列リードと右列リードの延長部分の角度は一致しなくてもよい。
【００１０】
リード延長領域内のリードはリード領域内のリードより少なくてもよい。即ち、リード延長領域内のリードが垂直方向に対し所定の角度を成して伸びる場合、全ての行、列リードが互いに交差しないことを保証するため、一部のリードの末端をリード延長領域まで伸ばさず、ボンディング領域内に位置させてもよい。
【００１１】
リード延長領域内のリードの長さは０．１ｍｍ〜０．５ｍｍであることが好ましい。
本発明の他の目的は、OLEDのテスト方法を提供することにある。
【００１２】
この目的を実現するため、本発明のテスト方法は、（１）点灯待機の行リードをショートさせ、点灯待機の列リードをショートさせるステップと、（２）ステップ（１）にてショートさせた行または列リードに点灯電圧を与えるステップと、（３）テストの状況に基づきテスト結果を出すとのステップを含む。
【００１３】
ステップ（１）では全ての奇数行リードをショートさせ、全ての偶数行リードをショートさせ、全ての列リードをショートさせても良い。またステップ（１）では全ての行リードをショートさせ、全ての列リードをショートさせても良い。
【００１４】
ステップ（１）では導電性材料を採用してショートすべきリードを接続し、導電性材料は金属フィルムまたは導電性テープとする。
【００１５】
本発明ではOLEDのリード配置を変え、行、列リードをそれぞれ互いに離れる方向または向かい合う方向に伸ばした。これにより、下記の効果が実現できる。（１）行リードと列リードはそれぞれOLEDの陽極または陰極と接続されているため、行リードは列リードと接触してはならない。本発明のリード設計によれば、行リードと列リードの間隔を拡大し、パネル体のテスト段階で行リード、列リードがショートするのを防ぐことができる。（２）行、列リードは所定の角度で傾斜しており、傾斜しない場合と比べ、限られた延長領域のスペース内でリードを延長する長さをより大きくすることができ、よって導電性テープとの接触面積が増え、単位面積当たりの導電媒体が負担する電流負荷が減るため、導電性テープの寿命を延ばすことができる。（３）行、列リードの水平方向における幅を増やし、従来テスト、エイジング装置で実現できる最小アライメント精度の条件を満たし、導電性テープがより容易かつ正確にリードと圧着することができる。
【００１６】
本発明のテスト方法によれば、OLEDのエイジングとテストを保証でき、高い良品率を確保することができる。
【００１７】
また、リードの末端はリード延長領域内に位置しており、即ちボンディングはリードの末端では行われない。これにより、リードをエッチングする際オーバーエッチングが生じたとしても、リードの末端はボンディングに使用されないために、全てのリードとチップピンの良好な接触を保証でき、ボンディングの効果を確保することができる。
【００１８】
〔図面の簡単な説明〕
〔図１−１〕従来の有機ELパネル体の概略図である。
【００１９】
〔図１−２〕有機EL構造の縦断面の断面図である。
【００２０】
〔図２−１〕リードがオーバーエッチングされた場合従来技術によるボンディングの概略図である。
【００２１】
〔図２−２〕リードがオーバーエッチングされた場合ボンディング領域を上方へ移動させた概略図である。
【００２２】
〔図３〕本発明の実施例１にかかるボンディングの概略図である。
【００２３】
〔図４〕図３において３０１に示された領域の拡大図である。
【００２４】
〔図５〕本発明の実施例２にかかるボンディングの概略図である。
【００２５】
〔図６〕本発明の実施例３にかかるボンディングの概略図である。
【００２６】
〔図７〕図６において６０３に示された領域の拡大図である。
【００２７】
〔図８〕本発明の実施例４にかかるボンディングの概略図である。
【００２８】
〔発明を実施するための形態〕
本発明ではOLEDの基板から陰極への方向を垂直方向とし、これに垂直となる方向を水平方向とする。なお、表現の便宜上リード領域、ボンディング領域、リード延長領域を定義したが、これらの領域内のリードが互いに独立しているとは意味せず、それらは全体的なものであり、ホトリソグラフィ技術により一括に形成されるものである。発光領域とボンディング領域の間に位置する部分がリード領域となり、ボンディング領域と基板の下端の間に位置する部分がリード延長領域となる。
【００２９】
本発明では新しいマスクを採用するため、ホトリソグラフィによるリードのパターンは従来技術とは異なる。
【００３０】
OLEDの製造工程は通常以下のステップを含む：
（１）ガラス基板上にスパッタ法により一層の電極材料を形成する。この電極材料は、通常酸化インジウムスズ（以下ITOと略称）またはインジウム亜鉛酸化物などの透明導電材で構成され、ホトリソグラフィを施した後のITOのパターンはOLEDの陽極となる部分及び電極のリードとなる部分を含む。リードが長すぎるか細すぎる場合、リードに大きな電圧降下が起き、ディスプレイ領域の発光強度が減少する。電気抵抗を可能な限り減らすため、通常リードとなるITOにさらにクロムを付加する。よって、電極リードは通常ITO層とクロム層の二層を含む。
【００３１】
（２）ホトリソグラフィにより絶縁層とスペーサーを形成する。これは、RGBカラーを実現するため必須なステップであり、これにより、それぞれの画素を隔て画素アレーを実現する。
【００３２】
（３）真空蒸着法で有機エレクトロルミネッセンス材料を堆積させ、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層などを含む有機機能層を形成する。
【００３３】
（４）真空蒸着法で陰極部材を覆う。
【００３４】
（５）乾燥シートを貼り付けくぼみをつけたガラス基材をOLED基板と圧着し、密封を実現することで、水気と酸素成分のデバイスに対するダメージを軽減する。
【００３５】
（６）電極リードとドライバチップまたは回路基板をボンディングし、発光領域とドライバチップまたは回路基板の接続を実現する。リードとチップのボンディング方法には、片側ボンディングと両側ボンディングがある。片側ボンディングとは、図１−１に示すように、全ての行、列リードを基板の同じ側に配列するとともに、一つのチップと接続する方法である。また、両側ボンディングとは、行リードを基板の一側に配列し、そして列リードを基板の他側に配列するとともに、それぞれ一つのチップと接続する方法である。デバイスの端部のスペース及びチップの数を抑えるため、通常片側ボンディングを行う。
【００３６】
以下に、実施例及び図面に基づいて本発明を更に説明する。
【００３７】
〔実施例１〕
図３、４に示すように、実施例１は９６行×１６列の有機ELに関わる。
【００３８】
発光領域から水平方向に奇数行リード４０１［１］と偶数行リード４０１［２］を引き出し、垂直方向に左列リード４０１［３］と右列リード４０１［４］を引き出す。リードの末端はリード延長領域３００に位置する。左列リード４０１［３］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と３０°を成すように左側に伸びる。右列リード４０１［４］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と３０°を成すように右側に伸びる。奇数行リード４０１［１］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と３０°を成すように右側に伸びる。偶数行リード４０１［２］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と３０°を成すように左側に伸びる。リードのリード延長領域内における長さは０．４ｍｍとする。奇数行リード４０１［１］、偶数行リード４０１［２］、左列リード４０１［３］、右列リード４０１［４］は互いに交差しない。
【００３９】
本実施例にかかる有機ELのリードを制作する方法は、以下のステップを含む：
（１）洗浄して乾燥させたガラス基板をホトリソグラフィ装置内に載置る。ガラス基板上には既にITO層、及びその上の金属クロム層を形成してある。
【００４０】
（２）スピンコート法を用いてITO及びクロム層上にフォトレジストを塗布し焼き付ける。
【００４１】
（３）マスクでフォトレジストを覆い、マスクを介して紫外線（UV）でフォトレジスト表面を照らし、フォトレジストに選択的露光を施す。
【００４２】
（４）現像、硬膜。
【００４３】
（５）エッチング。ITOとクロムのエッチングに使用するエッチング液は異なり、それぞれ、濃度の割合が１０：１０：１の水、塩酸、硝酸からなる混合エッチング液と、濃度の割合が１０：２：１の水、硝酸セリウムアンモニウム、硝酸からなる混合エッチング液である。
【００４４】
エッチングされて得たリードのパターンは図３に示すようになる。エッチング完成後、蒸着チャンバー内に移して有機機能層及び陰極の製作を行い、そして隔離チャンバー内での密封カバーを被る工程を行う。密封工程が完成した基板を取り出し、ボンディング前のテストを行う。本実施例では、導電性テープを採用し各部分のリードのショートを実現する。図４における、破線で囲まれた４０２、４０３、４０４が導電性テープ圧着領域であり、４０２内の導電性テープはパネル体の全ての奇数行リード４０１［１］を連結し導通させ、４０３内の導電性テープはパネル体の全ての列リード４０１［３］と列リード４０１［４］を連結し導通させ、４０４内の導電性テープはパネル体の全ての偶数行リード４０１［２］を連結し導通させる。三ヶ所の導電性テープの互いに離れた距離は約１．６ｍｍであり、テスト装置の最小アライメント精度である０．８ｍｍよりもはるかに大きく、有効なテストを実現できる。テスト装置のPCB上の導電ランドをそれぞれ三ヶ所の導通位置の導電性テープと電気的に接続し、パネル体のフールスクリン発光をテストし、その結果を記録する。テスト後、三ヶ所の導電性テープをパネル体から剥がし、パネル体はこれに続くドライバチップとのボンディング工程に移行する。
【００４５】
〔実施例２〕
図５に示すように、実施例２も同様に９６行×１６列の有機ELに関わる。発光領域から水平方向に奇数行リード５０１［１］と偶数行リード５０１［２］を引き出し、垂直方向に左列リード５０１［３］と右列リード５０１［４］を引き出す。リードの末端はリード延長領域５００に位置する。左列リード５０１［３］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と４５°を成すように左側に伸びる。右列リード５０１［４］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と４５°を成すように右側に伸びる。奇数行リード５０１［１］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と４５°を成すように左側に伸びる。偶数行リード５０１［２］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と４５°を成すように右側に伸びる。リードのリード延長領域内における長さは０．５ｍｍとする。奇数行リード５０１［１］、偶数行リード５０１［２］、左列リード５０１［３］、右列リード５０１［４］は互いに交差しない。
【００４６】
本実施例にかかる有機ELのリードを製造する方法は実施例１と同じであるため、ここでは省略とする。
【００４７】
エッチング完成後、蒸着チャンバー内に移して有機機能層及び陰極の製作を行い、そして隔離チャンバー内で密封カバーを被る工程を行う。密封工程が完成した基板を取り出し、ボンディング前のテストを行う。テスト方法は実施例１とほぼ同じだが、本実施例ではゼブラコネクターを採用し各部分のリードのショートを実現する。図５に示すリード延長領域５００はゼブラコネクターの貼りつけ位置である。テスト後、ゼブラコネクターをパネル体から剥がし、パネル体はこれに続くドライバチップとのボンディング工程に移行する。
【００４８】
〔実施例３〕
図６、７に示すように、実施例３は６４行×１２８列の有機ELに関わる。発光領域から水平方向に奇数行リード７０１［１］と偶数行リード７０１［２］を引き出し、垂直方向に左列リード７０１［３］と右列リード７０１［４］を引き出す。リードの末端はリード延長領域７００に位置する。左列リード７０１［３］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と６０°を成すように右側に伸びる。右列リード７０１［４］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と６０°を成すように左側に伸びる。奇数行リード７０１［１］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と６０°を成すように右側に伸びる。偶数行リード７０１［２］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と６０°を成すように左側に伸びる。リードのリード延長領域内における長さは０．１ｍｍとする。奇数行リード７０１［１］、偶数行リード７０１［２］、左列リード７０１［３］、右列リード７０１［４］は互いに交差しない。
【００４９】
本実施例にかかる有機ELのリードを製造する方法は実施例１と同じであるため、ここでは省略とする。
【００５０】
左列リードの一本のリード６０１と右列リードの一本のリード６０２は隣接するリードであり、チップを超した後それぞれ右側と左側に伸びると、交差する可能性がある。よって、左列リード６０１と右列リード６０２の末端が交差するのを防止するため、左列リード６０１と右列リード６０２の末端をボンディング領域内に位置させ、即ちこの二本のリードはチップピンとボンディングされた後リード延長領域まで伸びていない。
テスト方法は実施例１と同じであるため、ここでは省略とする。
【００５１】
〔実施例４〕
図８に示すように、実施例４も同様に６４行×１２８列の有機ELに関わる。発光領域から水平方向に奇数行リード８０１［１］と偶数行リード８０１［２］を引き出し、垂直方向に左列リード８０１［３］と右列リード８０１［４］を引き出す。リードの末端はリード延長領域８００に位置する。左列リード８０１［３］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と７５°を成すように右側に伸びる。右列リード８０１［４］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と７５°を成すように左側に伸びる。奇数行リード８０１［１］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と７５°を成すように左側に伸びる。偶数行リード８０１［２］がチップピンとボンディングされた後、その末端はチップピンを超えて垂直方向と７５°を成すように右側に伸びる。リードのリード延長領域内における長さは０．２ｍｍとする。奇数行リード８０１［１］、偶数行リード８０１［２］、左列リード８０１［３］、右列リード８０１［４］は互いに交差しない。
【００５２】
本実施例にかかる有機ELのリードを製造する方法、テスト方法は実施例２と同じであるため、ここでは省略とする。
【００５３】
実施例２、３、４は、実施例１のホトリソグラフィ工程と同じであるが、リードのパターンが異なるため、ホトリソグラフィを施す際に使用するマスクは異なるものである。
実施例１ないし実施例４に述べたリードの構造から分かるように、本発明は新しいマスクを採用し、ホトリソグラフィによるリードのパターンは従来技術とは異なり、行リード、列リードをそれぞれ互いに離れる方向または向かい合う方向に伸ばした。本発明のリード設計によれば、行リードと列リードの間隔を拡大し、パネル体のテスト段階中で行リード、列リードがショートするのを防ぐことができる。行リード、列リードは所定の角度で傾斜しており、導電性テープとの接触面積が増え、単位面積当たりの導電媒体が負担する電流負荷が減るため、導電性テープの寿命を延ばすことができる。
【００５４】
実施例１ないし実施例４におけるリード構造及びテスト方法を採用すれば、従来のテスト、エイジング装置でCOG製品に対するテストとエイジングが成功をおさめ、高い良品率を確保することができた。
【００５５】
また、リードの末端はリード延長領域内に位置しており、即ちボンディングはリードの末端では行われない。これにより、リードをエッチングする際オーバーエッチングが生じたとしても、リードの末端はボンディングに使用されないために、リードとチップピンの良好な接触を保証でき、しかもこのようなリードの構造は工程を増やすことがない。
【００５６】
以上、本発明の好ましい実施形態を説明したが、本発明を制限するものではなく、当業者にとって自明であるような変更はすべて、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能であり、よって本発明の保護範囲は次に続くクレームの範囲に従うべきである。
【００５７】
〔符号の説明〕
１０１ リード領域
１０２ 発光領域
１０３ 基板
１０４、２０５ ボンディング領域
１００２ 陽極
１００３ 有機機能層
１００４ 陰極
３００、５００、７００、８００ リード延長領域
４０２、４０３、４０４ 導電性テープ圧着領域
１０１［１］、４０１［１］、５０１［１］、７０１［１］、８０１［１］ 奇数行リード
１０１［２］、４０１［２］、５０１［２］、７０１［２］、８０１［２］ 偶数行リード
１０１［３］、４０１［３］、５０１［３］、７０１［３］、８０１［３］、２０１、２０３、６０１ 左列リード
１０１［４］、４０１［４］、５０１［４］、７０１［４］、８０１［４］、２０２、２０４、６０２ 右列リード
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１−１】従来の有機ELパネル体の概略図である。
【図１−２】有機EL構造の縦断面の断面図である。
【図２−１】リードがオーバーエッチングされた場合従来技術によるボンディングの概略図である。
【図２−２】リードがオーバーエッチングされた場合ボンディング領域を上方へ移動させた概略図である。
【図３】本発明の実施例１にかかるボンディングの概略図である。
【図４】図３において３０１に示された領域の拡大図である。
【図５】本発明の実施例２にかかるボンディングの概略図である。
【図６】本発明の実施例３にかかるボンディングの概略図である。
【図７】図６において６０３に示された領域の拡大図である。
【図８】本発明の実施例４にかかるボンディングの概略図である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光領域、リード領域、ボンディング領域を含む有機ELであって、
発光領域は陽極、有機機能層、陰極を含み、
リード領域は陽極と陰極をドライバチップまたは回路基板に接続するリードで構成され、
ボンディング領域はリードとドライバチップまたは回路基板とが接続される領域であり、
更に、リード延長領域を含み、前記リードの末端はリード延長領域に位置しており、
リード延長領域のリードとリード領域のリードが形成する角度は０°より大きく９０°未満であることを特徴とする有機EL。
【請求項２】
前記リード延長領域のリードとリード領域のリードが形成する角度は、２０°より大きく８０°未満であることを特徴とする請求項１に記載の有機EL。
【請求項３】
前記リード延長領域のリードとリード領域のリードが形成する角度は、３０°、４５°、６０°あるいは７５°であることを特徴とする請求項１に記載の有機EL。
【請求項４】
前記リードには片側ボンディングを採用し、リードはそれぞれ奇数行リード、偶数行リード、左列リードと右列リードであり、列リードは中央部に位置し、奇数行リード及び偶数行リードはそれぞれ列リードの両側に位置することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の有機EL。
【請求項５】
前記リード延長領域の左列リード（４０１［３］）と右列リード（４０１［４］）は互いに離れる方向に伸びるとともに、互いに交差しないことを特徴とする請求項４に記載の有機EL。
【請求項６】
前記リード延長領域の奇数行リード（４０１［１］）と偶数行リード（４０１［２］）は向かい合う方向に伸び、前記左列リード（４０１［３］）、右列リード（４０１［４］）、奇数行リード（４０１［１］）、偶数行リード（４０１［２］）はいずれも互いに交差しないことを特徴とする請求項５に記載の有機EL。
【請求項７】
前記リード延長領域の奇数行リード（５０１［１］）と偶数行リード（５０１［２］）は互いに離れる方向に伸び、前記左列リード（５０１［３］）、右列リード（５０１［４］）、奇数行リード（５０１［１］）、偶数行リード（５０１［２］）はいずれも互いに交差しないことを特徴とする請求項５に記載の有機EL。
【請求項８】
前記リード延長領域の左列リード（７０１［３］）と右列リード（７０１［４］）は向かい合う方向に伸びるとともに、互いに交差しないことを特徴とする請求項４に記載の有機EL。
【請求項９】
前記リード延長領域の奇数行リード（７０１［１］）と偶数行リード（７０１［２］）は向かい合う方向に伸び、前記左列リード（７０１［３］）、右列リード（７０１［４］）、奇数行リード（７０１［１］）、偶数行リード（７０１［２］）はいずれも互いに交差しないことを特徴とする請求項８に記載の有機EL。
【請求項１０】
前記リード延長領域の奇数行リード（８０１［１］）と偶数行リード（８０１［２］）は互いに離れる方向に伸び、前記左列リード（８０１［３］）、右列リード（８０１［４］）、奇数行リード（８０１［１］）、偶数行リード（８０１［２］）はいずれも互いに交差しないことを特徴とする請求項８に記載の有機EL。
【請求項１１】
前記リード延長領域のリードはリード領域のリードより少ないことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の有機EL。
【請求項１２】
前記リード延長領域のリードの長さは０．１ｍｍ〜０．５ｍｍであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の有機EL。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれか一項に記載の有機ELに使用されるテスト方法であって、
ａ）点灯待機の行リードをショートさせ、点灯待機の列リードをショートさせるステップと、
ｂ）ステップａ）にてショートさせた行または列リードに点灯電圧を与えるステップと、
ｃ）テストの状況に基づきテスト結果を出すステップと、を含むことを特徴とする有機ELのテスト方法。
【請求項１４】
前記ステップａ）では全ての奇数行リードをショートさせ、全ての偶数行リードをショートさせ、全ての列リードをショートさせることを特徴とする請求項１３に記載の有機ELのテスト方法。
【請求項１５】
前記ステップａ）では全ての行リードをショートさせ、全ての列リードをショートさせることを特徴とする請求項１３に記載の有機ELのテスト方法。
【請求項１６】
前記ステップａ）では導電性材料を採用してショートすべきリードを接続することを特徴とする請求項１３ないし１５のいずれか一項に記載の有機ELのテスト方法。
【請求項１７】
前記導電性材料は金属フィルムまたは導電性テープであることを特徴とする請求項１６に記載の有機ELのテスト方法。
【請求項１】
発光領域、リード領域、ボンディング領域を含む有機ELであって、
発光領域は陽極、有機機能層、陰極を含み、
リード領域は陽極と陰極をドライバチップまたは回路基板に接続するリードで構成され、
ボンディング領域はリードとドライバチップまたは回路基板とが接続される領域であり、
更に、リード延長領域を含み、前記リードの末端はリード延長領域に位置しており、
リード延長領域のリードとリード領域のリードが形成する角度は０°より大きく９０°未満であることを特徴とする有機EL。
【請求項２】
前記リード延長領域のリードとリード領域のリードが形成する角度は、２０°より大きく８０°未満であることを特徴とする請求項１に記載の有機EL。
【請求項３】
前記リード延長領域のリードとリード領域のリードが形成する角度は、３０°、４５°、６０°あるいは７５°であることを特徴とする請求項１に記載の有機EL。
【請求項４】
前記リードには片側ボンディングを採用し、リードはそれぞれ奇数行リード、偶数行リード、左列リードと右列リードであり、列リードは中央部に位置し、奇数行リード及び偶数行リードはそれぞれ列リードの両側に位置することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の有機EL。
【請求項５】
前記リード延長領域の左列リード（４０１［３］）と右列リード（４０１［４］）は互いに離れる方向に伸びるとともに、互いに交差しないことを特徴とする請求項４に記載の有機EL。
【請求項６】
前記リード延長領域の奇数行リード（４０１［１］）と偶数行リード（４０１［２］）は向かい合う方向に伸び、前記左列リード（４０１［３］）、右列リード（４０１［４］）、奇数行リード（４０１［１］）、偶数行リード（４０１［２］）はいずれも互いに交差しないことを特徴とする請求項５に記載の有機EL。
【請求項７】
前記リード延長領域の奇数行リード（５０１［１］）と偶数行リード（５０１［２］）は互いに離れる方向に伸び、前記左列リード（５０１［３］）、右列リード（５０１［４］）、奇数行リード（５０１［１］）、偶数行リード（５０１［２］）はいずれも互いに交差しないことを特徴とする請求項５に記載の有機EL。
【請求項８】
前記リード延長領域の左列リード（７０１［３］）と右列リード（７０１［４］）は向かい合う方向に伸びるとともに、互いに交差しないことを特徴とする請求項４に記載の有機EL。
【請求項９】
前記リード延長領域の奇数行リード（７０１［１］）と偶数行リード（７０１［２］）は向かい合う方向に伸び、前記左列リード（７０１［３］）、右列リード（７０１［４］）、奇数行リード（７０１［１］）、偶数行リード（７０１［２］）はいずれも互いに交差しないことを特徴とする請求項８に記載の有機EL。
【請求項１０】
前記リード延長領域の奇数行リード（８０１［１］）と偶数行リード（８０１［２］）は互いに離れる方向に伸び、前記左列リード（８０１［３］）、右列リード（８０１［４］）、奇数行リード（８０１［１］）、偶数行リード（８０１［２］）はいずれも互いに交差しないことを特徴とする請求項８に記載の有機EL。
【請求項１１】
前記リード延長領域のリードはリード領域のリードより少ないことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の有機EL。
【請求項１２】
前記リード延長領域のリードの長さは０．１ｍｍ〜０．５ｍｍであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の有機EL。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれか一項に記載の有機ELに使用されるテスト方法であって、
ａ）点灯待機の行リードをショートさせ、点灯待機の列リードをショートさせるステップと、
ｂ）ステップａ）にてショートさせた行または列リードに点灯電圧を与えるステップと、
ｃ）テストの状況に基づきテスト結果を出すステップと、を含むことを特徴とする有機ELのテスト方法。
【請求項１４】
前記ステップａ）では全ての奇数行リードをショートさせ、全ての偶数行リードをショートさせ、全ての列リードをショートさせることを特徴とする請求項１３に記載の有機ELのテスト方法。
【請求項１５】
前記ステップａ）では全ての行リードをショートさせ、全ての列リードをショートさせることを特徴とする請求項１３に記載の有機ELのテスト方法。
【請求項１６】
前記ステップａ）では導電性材料を採用してショートすべきリードを接続することを特徴とする請求項１３ないし１５のいずれか一項に記載の有機ELのテスト方法。
【請求項１７】
前記導電性材料は金属フィルムまたは導電性テープであることを特徴とする請求項１６に記載の有機ELのテスト方法。
【図１−１】
【図１−２】
【図２−１】
【図２−２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図１−２】
【図２−１】
【図２−２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公表番号】特表２０１２−５２７７１５（Ｐ２０１２−５２７７１５Ａ）
【公表日】平成２４年１１月８日（２０１２．１１．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−５１１１２２（Ｐ２０１２−５１１１２２）
【出願日】平成２１年１２月３０日（２００９．１２．３０）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＣＮ２００９／０７６２５７
【国際公開番号】ＷＯ２０１０／１３９１７５
【国際公開日】平成２２年１２月９日（２０１０．１２．９）
【出願人】（５０４３３７７１８）北京維信諾科技有限公司 (7)
【出願人】（５１１２７７３４２）昆山維信諾顕示技術有限公司 (2)
【氏名又は名称原語表記】ＫＵＮＳＨＡＮ ＶＩＳＩＯＮＯＸ ＤＩＳＰＬＡＹ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】１８８ Ｃｈｅｎｆｅｎｇ Ｒｄ．，Ｎｅｗ ＆ Ｈｉ−Ｔｅｃｈ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｚｏｎｅ，Ｋｕｎｓｈａｎ，Ｊｉａｎｇｓｈｕ ２１５３００，Ｃｈｉｎａ
【出願人】（５０６２５９６３４）清華大学 (13)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２４年１１月８日（２０１２．１１．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１２月３０日（２００９．１２．３０）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＣＮ２００９／０７６２５７
【国際公開番号】ＷＯ２０１０／１３９１７５
【国際公開日】平成２２年１２月９日（２０１０．１２．９）
【出願人】（５０４３３７７１８）北京維信諾科技有限公司 (7)
【出願人】（５１１２７７３４２）昆山維信諾顕示技術有限公司 (2)
【氏名又は名称原語表記】ＫＵＮＳＨＡＮ ＶＩＳＩＯＮＯＸ ＤＩＳＰＬＡＹ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】１８８ Ｃｈｅｎｆｅｎｇ Ｒｄ．，Ｎｅｗ ＆ Ｈｉ−Ｔｅｃｈ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｚｏｎｅ，Ｋｕｎｓｈａｎ，Ｊｉａｎｇｓｈｕ ２１５３００，Ｃｈｉｎａ
【出願人】（５０６２５９６３４）清華大学 (13)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]