有機ＥＬディスプレイの製造方法
【課題】 光透過性が高く且つ防湿性に優れたパッシベーション層を形成することで、優れた発光特性を長期にわたって安定して維持することができる有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供する。
【解決手段】 透明な基板１０上に、色変換フィルタ層２１、２２、２３、オーバーコート層３０、パッシベーション層４０、有機発光素子５０、６０、７０、８０が順次積層されている有機ＥＬディスプレイの製造方法において、パッシベーション層４０を形成するために、Ｔｉ、ＡｌおよびＳｉからなる群から選ばれる１つの薄膜４２を形成する工程と、この薄膜４２を紫外線オゾン処理または酸素プラズマ処理により酸化処理する工程とを含むことを特徴とする。
【解決手段】 透明な基板１０上に、色変換フィルタ層２１、２２、２３、オーバーコート層３０、パッシベーション層４０、有機発光素子５０、６０、７０、８０が順次積層されている有機ＥＬディスプレイの製造方法において、パッシベーション層４０を形成するために、Ｔｉ、ＡｌおよびＳｉからなる群から選ばれる１つの薄膜４２を形成する工程と、この薄膜４２を紫外線オゾン処理または酸素プラズマ処理により酸化処理する工程とを含むことを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、色変換フィルタ層を備えたカラーの有機ＥＬディスプレイの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
１９８７年にイーストマンコダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇにより２層積層構成のデバイスで高い効率の有機ＥＬ素子が発表されて以来（C.W.Tang, S.A.VanSlyke, Appl. Phys. Lett., 51, 913 (1987)）、現在に至る間に様々な有機ＥＬ素子が開発されて一部は実用化され始めている。こうした中、フルカラー有機ＥＬパネルの実用化は次世代の有機ＥＬ素子パネルとしてその開発が急がれている。
【０００３】
カラー化の方法には、３色塗分け法、色変換法（以下ＣＣＭ法）、カラーフィルタ法等がある。この方式の中で、ＣＣＭ法、カラーフィルタ法は、成膜時にメタルマスクを用いる必要が無く、色変換層やカラーフィルタはフォトプロセスで基板上に作製すればよいため大面積、高精細化に関して有利である。色変換方式でパッシブマトリックス駆動の有機ＥＬパネルを作製する場合、基板上にカラーフィルタや色変換層を設けた後、その上にオーバーコート層を設けて平坦化を行う。これらカラーフィルタ、色変換層及びオーバーコート層はフォトリソグラフィにより形成されるため水分が含有されたまま形成される。この水分は駆動等により有機ＥＬ層へ拡散しダークスポットの発生、成長を促進する要因となる。よって下の層から水分が有機ＥＬ層へ浸入するのを防ぐ必要がある。
【０００４】
水分の浸入を防ぐ方法として、絶縁性の無機酸化物層をパッシベーション膜として形成する方法が知られている（特開平８−２７９３９４号公報）。パッシベーション膜には高い防湿性が求められる。その製法としては特開平１０−８３８８７号公報や特開平１０−１０５１８号公報に示されるようにスパッタリングによりＳｉＯｘやＳｉＮｘを形成する方法が知られている。カラーフィルタや色変換層は熱に弱いため低温での成膜が必要であり、大面積への対応、量産性の点からもパッシベーション膜の形成にはスパッタリング法が望ましく、主に用いられる。
【０００５】
しかしながら前記の方法では十分な防湿性は得られずダークスポットの発生は押さえられていない。これはパッシベーション膜を形成する際の膜に欠陥が多く、この欠陥からオーバーコート層等の水分が有機ＥＬ層に拡散してダークスポットが生じるためである。ＳｉＯ2をスパッタリングで形成する場合、ＳｉターゲットにＡｒおよび酸素を反応性ガスとして用いる方法や、ＳｉＯ2をターゲットにする方法があるが、いずれもパーティクル起因の膜欠陥を生じ、防湿性を低下させている。この膜欠陥は、チャンバ内の壁面等から生じるパーティクル起因の膜欠陥と異なり、防着板やチャンバ内及びターゲット表面のクリーニングによっても低減することはできないという問題がある。
【０００６】
また、パッシベーション膜として、特開２００３−２１７８５１号公報には、ＳｉＯ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＡｌＯ、ＡｌＮ、ＡｌＯＮ等の絶縁膜に金属膜を積層させた構造が、また特開平１０−２７５６８０号公報には、有機層と金属層の２層または無機層と金属層の２層を含む多層構造が開示されている。前者の金属膜は、駆動時の放熱と有機ＥＬ層への水分浸入防止のために形成されたものであるが、本公報に記載されているように金属膜（Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｒ）の厚さを３０ｎｍと薄くしても依然として光透過性は低く、発光効率の低下をもたらすという問題がある。また、後者の金属層も厚さが２００ｎｍあり、光透過性が非常に低いという問題がある。
【特許文献１】特開２００３−２１７８５１号公報
【特許文献２】特開平１０−２７５６８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで本発明は、上記の問題点に鑑み、光透過性が高く且つ防湿性に優れたパッシベーション層を形成することで、優れた発光特性を長期にわたって安定して維持することができる有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために、本発明は、色変換フィルタ層、オーバーコート層、パッシベーション層、有機発光素子が順次積層されている有機ＥＬディスプレイの製造方法において、前記パッシベーション層を形成するために、Ｔｉ、ＡｌおよびＳｉからなる群から選ばれる１つの薄膜を形成する工程と、この薄膜を紫外線オゾン処理または酸素プラズマ処理により酸化処理する工程とを含むことを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明は、別の態様として、色変換フィルタ層、オーバーコート層、パッシベーション層、有機発光素子が順次積層されている有機ＥＬディスプレイの製造方法において、前記パッシベーション層を形成するために、Ｍｏ、Ｔｉ、ＡｌおよびＳｉからなる群から選ばれる１つの薄膜を形成する工程と、この薄膜を窒素プラズマ処理により窒化処理する工程とを含むことを特徴とするものである。
【００１０】
前記パッシベーション層を形成するために、前記酸化処理または窒化処理した薄膜の前記オーバーコート層側または前記有機発光素子側の少なくとも一方に、無機絶縁膜を積層する工程を更に含むことがこのましい。
【発明の効果】
【００１１】
パッシベーション層としてシリコン酸化物または窒化物を形成する場合、酸素等の反応性ガスを用いると、またはシリコン酸化物もしくは窒化物のターゲットを用いると、ターゲット表面が部分的に酸化し絶縁化することでアーキングが起き易く、これによってパーティクルが発生し膜欠陥となる。一方、Ｔｉ、ＡｌまたはＳｉ単体の薄膜は、パーティクルの発生を極めて少なく抑えて成膜することができるので、欠陥が少なく優れた防湿性を有するとともに、成膜後に紫外線オゾン処理または酸素プラズマ処理により酸化処理することでその光透過性をシリコン酸化物と同等レベルまで向上させることができる。したがって、上記のようにＴｉ、ＡｌまたはＳｉの薄膜を形成した後これを上記酸化処理することによって、光透過性が高く且つ防湿性に優れたパッシベーション層を形成することができる。
【００１２】
また同様に、Ｍｏ、Ｔｉ、ＡｌまたはＳｉの薄膜は、パーティクルの発生を極めて少なく抑えて成膜することができるので、欠陥が少なく優れた防湿性を有するとともに、成膜後に窒素プラズマ処理により窒化処理することでその光透過性をシリコン窒化物と同等レベルまで向上させることができる。したがって、上記のようにＭｏ、Ｔｉ、ＡｌまたはＳｉの薄膜を形成した後これを上記窒化処理することによって、光透過性が高く且つ防湿性に優れたパッシベーション層を形成することができる。
【００１３】
さらに、前記酸化処理または窒化処理した薄膜の少なくとも一方の側に、無機絶縁膜を積層することで、無機絶縁膜の欠点でもあるピンホールの経路を絶つことができ、本来優れたバリア性を有する前記無機絶縁膜の特性を生かしたパッシベーション膜とすることができる。
【００１４】
このように、本発明によれば、光透過性が高く且つ防湿性に優れたパッシベーション層を形成して、優れた発光特性を長期にわたって安定して維持することができる有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照して、本発明に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法の一実施の形態について説明する。なお、色変換方式の有機ＥＬディスプレイを使って説明するが、本発明は白色カラーフィルタ方式の有機ＥＬディスプレイに対しても適用が可能である。図１は、本実施の形態の有機ＥＬディスプレイの構造を模式的に示す断面図である。
【００１６】
（１．色変換フィルタ層の形成）
本実施の形態では図１に示すように、先ず基板１０上に色変換フィルタ層を形成する。基板１０は、色変換フィルタ層によって変換された光に対して透明であり、色変換フィルタ層やオーバーコート層３０等の形成条件（溶媒、温度等）に耐えることができ、さらに寸法安定性に優れていることが好ましい。基板１０の材料としては、ガラスの他、ポリエチレンテレフタレートやポリメチルメタクリレート等の樹脂が好ましい。
【００１７】
本明細書において、色変換フィルタ層とは、カラーフィルタ層２１および／または色変換層２２並びにブラックマスク２３の積層体の総称である。フルカラー表示を可能にするためには、少なくとも赤、緑、青（以下ＲＧＢと略す）の３色の光を放出する必要がある。よってＲＧＢの３色を発光させるために基板１０上にカラーフィルタ２１および色変換層２２をフォトプロセスで形成する。
【００１８】
このときＲＧＢ各色の色変換層２２は有機ＥＬ層７０からの光をそれぞれの色に効率よく変換するために１２μｍ程度の厚さにする必要がある。また、色のにじみを防止するためにもブラックマスク２３を形成して各色変換層２２間の重なりがないようにする必要がある。例えば、７０ｄｐｉの場合、ＲＧＢのサブピクセルは１２０μｍ間隔で並ぶことになり、色のにじみを防止するためにＲＧＢの各色変換層２２を約１０μｍ離して形成する必要がある。その結果、サブピクセル間に幅１０μｍ深さ１２μｍの溝が形成される。
【００１９】
この上に第１電極５０や有機ＥＬ層７０を形成するためには、この溝を埋めて平坦化する必要がある。よって色変換フィルタ層を覆うように基板１０上にオーバーコート層３０を形成する。オーバーコート層３０としては、アクリル系のレジスト材料等が好ましい。また、オーバーコート層３０はスパッタ法等の乾式法や、スピンコート法等の湿式法といった慣用の手法により形成することができる。
【００２０】
（２．パッシベーション層の形成）
オーバーコート層３０に残留している微量の水分が有機ＥＬ層７０へ拡散してダークスポットを発生させるのを防ぐため、オーバーコート層３０上にパッシベーション層４０を形成する。本実施の形態では、パッシベーション層４０は、第１の無機絶縁膜４１と、酸化処理されたＴｉ、ＡｌまたはＳｉの薄膜４２と、第２の無機絶縁膜４３との３層により構成されている。
【００２１】
第１の無機絶縁膜４１は、電気的絶縁性を有し、ガス、有機溶剤及び水に対するバリア性を有し、可視域における高い光透過性を備えることが好ましい。第１の無機絶縁膜４１としては、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉの酸化物、酸窒化物、窒化物等が好ましく、コストの面からスパッタリングで形成することが好ましい。膜厚は１００ｎｍ以上が好ましい。この範囲の膜厚にすることで水分透過性を抑えることができる。
【００２２】
次いで第１の無機絶縁膜４１上に、Ｔｉ、ＡｌまたはＳｉの薄膜４２を形成する。この薄膜４２は、Ａｒガスによるスパッタリングで形成することでパーティクルの発生を極めて少なく抑えることができる。実際、薄膜４２に発生した０．２μｍ以上の大きさの欠陥、パーティクルの数は約１個／ｃｍ2であった。一方、ＳｉＯ2、ＩＺＯ、ＩＴＯ等の酸化物やＳｉＮ等の窒化物ターゲットを用いてＲＦスパッタリングしても、上記したようにアーキングによるパーティクルの発生が多く、厚さ３００ｎｍのＳｉＯ2の場合、０．２μｍ以上の大きさの欠陥、パーティクルの数が２０個／ｃｍ2以上生じた。すなわち、酸化物または窒化物に比べて、欠陥、パーティクルの数を１／２０以下にすることができる。
【００２３】
薄膜４２を成膜後、紫外線オゾン処理または酸素プラズマ処理を行う。これによりＴｉ、ＡｌまたはＳｉの薄膜は酸化処理され、その光透過率が飛躍的に向上する。酸化処理の前後のＡｌの光透過率を図２に示す。図２に示すように、酸化処理前のＡｌの光透過率は、波長４００〜８００ｎｍの範囲で約５〜２５％と低かったが、酸化処理後の光透過率は約５０〜９５％と飛躍的に向上した。なお、Ａｌは膜厚が１５ｎｍと２５ｎｍの２種類を用い、酸化処理としてＵＶオゾン酸化処理を行った。
【００２４】
薄膜４２の膜厚は１０〜１００ｎｍが好ましい。膜厚が１０ｎｍ未満では薄膜４２の連続性を維持することが困難となる。一方、１００ｎｍを超えると酸化処理、窒化処理を行っても透過率が下がってしまうため好ましくない。より好ましい膜厚は２０〜６０ｎｍである。薄膜４２はスパッタリングで形成することが好ましい。紫外線オゾン処理は、エキシマランプまたは低圧水銀ランプを使用することが好ましく、また照射距離２〜２０ｍｍ、照度０．５〜３ｍＷ／ｃｍ2等の条件で行うことが好ましい。酸素プラズマ処理は、酸素ガス流量０．５〜５Ｌ／ｍｉｎ等の条件で行うことが好ましい。
【００２５】
さらに酸化処理をした薄膜４２上に第２の無機絶縁膜４３を形成する。第２の無機絶縁膜４３は、第１の無機絶縁膜４１と同じ材料および形成条件でよい。以上により３層からなるパッシベーション層４０を形成することができる。なお、パッシベーション層４０は、酸化処理を行った薄膜４２のみでもよいが、ガス及び水分透過性の点で、第１および第２の無機絶縁膜４１、４３を形成することが好ましい。
【００２６】
また、パッシベーション層４０として、本実施の形態では薄膜４２を紫外線オゾン処理または酸素プラズマ処理により酸化処理したが、薄膜４２を窒素プラズマ処理により窒化処理することもできる。この場合、薄膜４２としては、上記と同様に、Ａｒガスによるスパッタリングで形成することでパーティクルの発生を極めて少なく抑えることができるとともに、窒化処理により光透過率が飛躍的に向上する点から、Ｍｏ、Ｔｉ、ＡｌまたはＳｉを用いる。窒化処理する場合も上記と同様に薄膜４２の膜厚は１０〜１００ｎｍが好ましい。
【００２７】
（３．有機発光素子の形成）
次に、パッシベーション層４０上に有機発光素子を形成する。本明細書において、有機発光素子とは、第１電極５０、電極分離隔壁、有機ＥＬ層７０および第２電極８０の積層体の総称である。先ず、第２の無機絶縁膜４３上に第１電極５０を形成する。第１電極５０は、外部駆動回路との接続部から表示部まで形成される。第１電極５０の材料としては、第１電極５０を通して光が放出されるため、有機ＥＬ層７０の発する光の波長域において透明なＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物)やＩＺＯ（インジウム−亜鉛酸化物）等を用いることが好ましい。特にＩＺＯは、室温成膜により比較的低抵抗で平滑な膜が得られるとともに、弱酸によるパターニングが可能となる点でより好ましい。
【００２８】
第１電極５０を短冊状にパターニングした後、第１電極５０間の第２の無機絶縁膜４３上に、陰極分離隔壁６０を形成する。これにより陰極（第２電極８０）をパターニングすることができる。陰極分離隔壁６０は逆テーパー形状を有することが好ましい。陰極分離隔壁６０としては、アクリレート等のネガ型のフォトレジストやノボラック樹脂等のネガ型フォトレジストを用いることができる。なお、第２電極８０を目的の形状に開口部を形成したマスクにより成膜する場合には陰極分離隔壁６０を用いる必要はない。
【００２９】
第１電極５０上には表面処理として酸素プラズマ処理または紫外線オゾン処理を行う。紫外線オゾン処理には上記と同様にエキシマランプまたは低圧水銀ランプを用いる。第１電極５０のＩＺＯまたはＩＴＯの表面にこれらの処理を施すことで、レジスト残渣は分解除去され仕事関数は５．１ｅＶ程度に深くなる。
【００３０】
上記処理後、有機ＥＬ層７０を形成する。有機ＥＬ層７０は、少なくとも有機ＥＬ発光層を含み、必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層および／または電子注入層を介在させた構造を有する。具体的には、下記のような層構成からなるものが採用される。なお、下記において、陽極は有機ＥＬ発光層または正孔注入層に接続され、陰極は有機ＥＬ発光層または電子注入層に接続される。
（ａ）有機ＥＬ発光層
（ｂ）正孔注入層／有機ＥＬ発光層
（ｃ）有機ＥＬ発光層／電子注入層
（ｄ）正孔注入層／有機ＥＬ発光層／電子注入層
（ｅ）正孔注入層／正孔輸送層／有機ＥＬ発光層／電子注入層
【００３１】
上記各層の材料としては、公知のものが使用される。例えば、有機発光ＥＬ層として青色から青緑色の発光を得るためには、例えばベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤、金属キレート化オキソニウム化合物、スチリルベンゼン系化合物、芳香族ジメチリディン系化合物等が好ましく使用される。
【００３２】
有機ＥＬ層７０を形成した後、第１電極のラインと直交するパターンマスクを用いて、短冊状の第２電極８０を形成する。第２電極８０形成後、封止することで有機ＥＬディスプレイを得ることができる。封止としては、酸化シリコンや酸化窒化シリコン等の無機膜を連続的に形成する方法や、ガラス基板、ＳＵＳ缶、ポリカーボネート等のフィルム基板を用いてＵＶ硬化樹脂等により透明支持基板と接着する方法を用いて行うことができる。
【００３３】
なお、基板１０および第１電極５０が透明であるボトムエミッション型の有機ＥＬディスプレイについて説明してきたが、本発明は、第２電極８０を透明にして、第２電極８０側にパッシベーション層４０、オーバーコート層５０、色変換フィルタを設けることで、トップエミッション型の有機ＥＬディスプレイにも適用することができる。
【実施例】
【００３４】
以下の手順にて有機ＥＬディスプレイを作製した。先ず、透明基板上に、ＲＧＢのカラーフィルタ層と厚さ１２μｍの色変換層を積層し、色変換フィルタ層を形成した。なお、７０ｄｐｉの解像度とするため、ＲＧＢの各サブピクセルの幅を１１０μｍ、サブピクセル間を１０μｍとした。そして、この色変換フィルタ層を平坦化するためにアクリル系のレジスト材料でオーバーコート層を形成した。
【００３５】
次に、第１の無機絶縁膜として、ＡＣスパタリングにより厚さ１５０ｎｍのＳｉＯ2膜を形成した。ターゲットには単結晶Ｓｉを用いてＡｒを２００ｓｃｃｍ、反応性ガスとしてＯ2ガスを８０ｓｃｃｍ流してガス圧０．５Ｐａとし、１．５ｋＷのパワーで成膜した。続いてＤＣスパッタリングで厚さ１０ｎｍのＴｉ金属膜を形成した。ターゲットにはＴｉ（９９．９９９％）を用いて、Ａｒガスを１５０ｓｃｃｍ流し、１ｋＷのパワーで成膜した。その後、紫外線オゾン処理を行った。大気環境下でエキシマランプを使用し、基板とランプハウスの距離を５ｍｍとし、１．５ｎＷ／ｃｍ2の照度で３０分処理した。そして、第２の無機絶縁膜層として、第１の無機絶縁膜層と同様の条件で厚さ１５０ｎｍのＳｉＯ2膜を形成した。
【００３６】
さらに、ＤＣスパッタリング法（ターゲット：ＩＺＯ（Ｉｎ２０３−１０％ＺｎＯ）、スパッタガス：Ａｒ、パワー２５０Ｗ）によって、厚さ２２０ｎｍのＩＺＯを積層して陽極を形成し、次にフォトリソグラフィによりＩＺＯを所定のパターンに形成した。その後、陰極分離隔壁用のネガ型ノボラック樹脂（ＺＰＮ１１６８：日本ゼオン社製）を塗布し、露光、現像、ボストベーク（１５０℃、３０分の加熱）を行い、所定のパターニングを行った。次に、紫外線照射処理を行った。エキシマランプを用いて照射距離５ｍｍで大気雰囲気中にて３分間照射した。その後、直ちに有機蒸着装置において陽極の上に有機ＥＬ層として、ＮＰＢからなる厚さ４０ｎｍの正孔注入層、Ａｌｑ3からなる厚さ６０ｎｍの有機ＥＬ発光層、ＬｉＦからなる厚さ１ｎｍの電子注入層を順に積層した。最後に厚さ１００ｎｍのＡｌ金属を陰極として製膜した。その際、１×１０-3Ｐａ以下の圧力、０．２ｎｍ／ｓの成膜速度とした。
【００３７】
（比較例）
パッシベーション層として、ＡＣスパタリングにより厚さ３００ｎｍのＳｉＯ2膜のみを形成したことを除いて、上記の実施例と同様の手順にて有機ＥＬディスプレイを作製した。なお、ＳｉＯ2の製膜条件は、実施例と同様にした。
【００３８】
（信頼性評価）
上記の実施例および比較例の有機ＥＬディスプレイの信頼性評価を行った。８０℃、１００ｃｄ／ｍ2で１０００時間の高温通電寿命試験を行った有機ＥＬディスプレイについて、ダークスポットの発生を調査した。その結果（３００ピクセルの平均値）を表１に示す。またその際の有機ＥＬディスプレイのピクセルの平面図を図３に示す（図３中、１がＲＧＢのサブピクセルであり、３がダークスポットである）。表１および図３に示すように、パッシベーション層としてＳｉＯ2スパッタ膜に加えて酸化処理したＴｉ金属膜を形成した実施例は、ＳｉＯ2スパッタ膜のみの比較例に比べて、ダークスポットの発生を極めて少なく抑えることができた。
【００３９】
【表１】
【００４０】
また、Ｔｉに代えてＳｉを用いたことを除き、同様の条件で信頼性評価を行った。その結果を表１に示す。Ｓｉを用いた場合も、Ｔｉと同様に、ダークスポットの発生を極めて少なく抑えることができた。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明に係る有機ＥＬディスプレイの構造の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】酸化処理によるＡｌ金属膜の光透過率の変化を示すグラフである。
【図３】有機ＥＬディスプレイのＲＧＢサブピクセルの発光写真に基づく図面である。
【符号の説明】
【００４２】
１ サブピクセル
３ ダークスポット
１０ 基板
２１ カラーフィルタ
２２ 色変換層
２３ ブラックマスク
３０ オーバーコート層
４０ パッシベーション層
４１ 第１の無機絶縁膜
４２ 酸化処理をした薄膜
４３ 第２の無機絶縁膜
５０ 第１電極
６０ 陰極分離隔壁
７０ 有機ＥＬ層
８０ 第２電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、色変換フィルタ層を備えたカラーの有機ＥＬディスプレイの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
１９８７年にイーストマンコダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇにより２層積層構成のデバイスで高い効率の有機ＥＬ素子が発表されて以来（C.W.Tang, S.A.VanSlyke, Appl. Phys. Lett., 51, 913 (1987)）、現在に至る間に様々な有機ＥＬ素子が開発されて一部は実用化され始めている。こうした中、フルカラー有機ＥＬパネルの実用化は次世代の有機ＥＬ素子パネルとしてその開発が急がれている。
【０００３】
カラー化の方法には、３色塗分け法、色変換法（以下ＣＣＭ法）、カラーフィルタ法等がある。この方式の中で、ＣＣＭ法、カラーフィルタ法は、成膜時にメタルマスクを用いる必要が無く、色変換層やカラーフィルタはフォトプロセスで基板上に作製すればよいため大面積、高精細化に関して有利である。色変換方式でパッシブマトリックス駆動の有機ＥＬパネルを作製する場合、基板上にカラーフィルタや色変換層を設けた後、その上にオーバーコート層を設けて平坦化を行う。これらカラーフィルタ、色変換層及びオーバーコート層はフォトリソグラフィにより形成されるため水分が含有されたまま形成される。この水分は駆動等により有機ＥＬ層へ拡散しダークスポットの発生、成長を促進する要因となる。よって下の層から水分が有機ＥＬ層へ浸入するのを防ぐ必要がある。
【０００４】
水分の浸入を防ぐ方法として、絶縁性の無機酸化物層をパッシベーション膜として形成する方法が知られている（特開平８−２７９３９４号公報）。パッシベーション膜には高い防湿性が求められる。その製法としては特開平１０−８３８８７号公報や特開平１０−１０５１８号公報に示されるようにスパッタリングによりＳｉＯｘやＳｉＮｘを形成する方法が知られている。カラーフィルタや色変換層は熱に弱いため低温での成膜が必要であり、大面積への対応、量産性の点からもパッシベーション膜の形成にはスパッタリング法が望ましく、主に用いられる。
【０００５】
しかしながら前記の方法では十分な防湿性は得られずダークスポットの発生は押さえられていない。これはパッシベーション膜を形成する際の膜に欠陥が多く、この欠陥からオーバーコート層等の水分が有機ＥＬ層に拡散してダークスポットが生じるためである。ＳｉＯ2をスパッタリングで形成する場合、ＳｉターゲットにＡｒおよび酸素を反応性ガスとして用いる方法や、ＳｉＯ2をターゲットにする方法があるが、いずれもパーティクル起因の膜欠陥を生じ、防湿性を低下させている。この膜欠陥は、チャンバ内の壁面等から生じるパーティクル起因の膜欠陥と異なり、防着板やチャンバ内及びターゲット表面のクリーニングによっても低減することはできないという問題がある。
【０００６】
また、パッシベーション膜として、特開２００３−２１７８５１号公報には、ＳｉＯ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＡｌＯ、ＡｌＮ、ＡｌＯＮ等の絶縁膜に金属膜を積層させた構造が、また特開平１０−２７５６８０号公報には、有機層と金属層の２層または無機層と金属層の２層を含む多層構造が開示されている。前者の金属膜は、駆動時の放熱と有機ＥＬ層への水分浸入防止のために形成されたものであるが、本公報に記載されているように金属膜（Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｒ）の厚さを３０ｎｍと薄くしても依然として光透過性は低く、発光効率の低下をもたらすという問題がある。また、後者の金属層も厚さが２００ｎｍあり、光透過性が非常に低いという問題がある。
【特許文献１】特開２００３−２１７８５１号公報
【特許文献２】特開平１０−２７５６８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで本発明は、上記の問題点に鑑み、光透過性が高く且つ防湿性に優れたパッシベーション層を形成することで、優れた発光特性を長期にわたって安定して維持することができる有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために、本発明は、色変換フィルタ層、オーバーコート層、パッシベーション層、有機発光素子が順次積層されている有機ＥＬディスプレイの製造方法において、前記パッシベーション層を形成するために、Ｔｉ、ＡｌおよびＳｉからなる群から選ばれる１つの薄膜を形成する工程と、この薄膜を紫外線オゾン処理または酸素プラズマ処理により酸化処理する工程とを含むことを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明は、別の態様として、色変換フィルタ層、オーバーコート層、パッシベーション層、有機発光素子が順次積層されている有機ＥＬディスプレイの製造方法において、前記パッシベーション層を形成するために、Ｍｏ、Ｔｉ、ＡｌおよびＳｉからなる群から選ばれる１つの薄膜を形成する工程と、この薄膜を窒素プラズマ処理により窒化処理する工程とを含むことを特徴とするものである。
【００１０】
前記パッシベーション層を形成するために、前記酸化処理または窒化処理した薄膜の前記オーバーコート層側または前記有機発光素子側の少なくとも一方に、無機絶縁膜を積層する工程を更に含むことがこのましい。
【発明の効果】
【００１１】
パッシベーション層としてシリコン酸化物または窒化物を形成する場合、酸素等の反応性ガスを用いると、またはシリコン酸化物もしくは窒化物のターゲットを用いると、ターゲット表面が部分的に酸化し絶縁化することでアーキングが起き易く、これによってパーティクルが発生し膜欠陥となる。一方、Ｔｉ、ＡｌまたはＳｉ単体の薄膜は、パーティクルの発生を極めて少なく抑えて成膜することができるので、欠陥が少なく優れた防湿性を有するとともに、成膜後に紫外線オゾン処理または酸素プラズマ処理により酸化処理することでその光透過性をシリコン酸化物と同等レベルまで向上させることができる。したがって、上記のようにＴｉ、ＡｌまたはＳｉの薄膜を形成した後これを上記酸化処理することによって、光透過性が高く且つ防湿性に優れたパッシベーション層を形成することができる。
【００１２】
また同様に、Ｍｏ、Ｔｉ、ＡｌまたはＳｉの薄膜は、パーティクルの発生を極めて少なく抑えて成膜することができるので、欠陥が少なく優れた防湿性を有するとともに、成膜後に窒素プラズマ処理により窒化処理することでその光透過性をシリコン窒化物と同等レベルまで向上させることができる。したがって、上記のようにＭｏ、Ｔｉ、ＡｌまたはＳｉの薄膜を形成した後これを上記窒化処理することによって、光透過性が高く且つ防湿性に優れたパッシベーション層を形成することができる。
【００１３】
さらに、前記酸化処理または窒化処理した薄膜の少なくとも一方の側に、無機絶縁膜を積層することで、無機絶縁膜の欠点でもあるピンホールの経路を絶つことができ、本来優れたバリア性を有する前記無機絶縁膜の特性を生かしたパッシベーション膜とすることができる。
【００１４】
このように、本発明によれば、光透過性が高く且つ防湿性に優れたパッシベーション層を形成して、優れた発光特性を長期にわたって安定して維持することができる有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照して、本発明に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法の一実施の形態について説明する。なお、色変換方式の有機ＥＬディスプレイを使って説明するが、本発明は白色カラーフィルタ方式の有機ＥＬディスプレイに対しても適用が可能である。図１は、本実施の形態の有機ＥＬディスプレイの構造を模式的に示す断面図である。
【００１６】
（１．色変換フィルタ層の形成）
本実施の形態では図１に示すように、先ず基板１０上に色変換フィルタ層を形成する。基板１０は、色変換フィルタ層によって変換された光に対して透明であり、色変換フィルタ層やオーバーコート層３０等の形成条件（溶媒、温度等）に耐えることができ、さらに寸法安定性に優れていることが好ましい。基板１０の材料としては、ガラスの他、ポリエチレンテレフタレートやポリメチルメタクリレート等の樹脂が好ましい。
【００１７】
本明細書において、色変換フィルタ層とは、カラーフィルタ層２１および／または色変換層２２並びにブラックマスク２３の積層体の総称である。フルカラー表示を可能にするためには、少なくとも赤、緑、青（以下ＲＧＢと略す）の３色の光を放出する必要がある。よってＲＧＢの３色を発光させるために基板１０上にカラーフィルタ２１および色変換層２２をフォトプロセスで形成する。
【００１８】
このときＲＧＢ各色の色変換層２２は有機ＥＬ層７０からの光をそれぞれの色に効率よく変換するために１２μｍ程度の厚さにする必要がある。また、色のにじみを防止するためにもブラックマスク２３を形成して各色変換層２２間の重なりがないようにする必要がある。例えば、７０ｄｐｉの場合、ＲＧＢのサブピクセルは１２０μｍ間隔で並ぶことになり、色のにじみを防止するためにＲＧＢの各色変換層２２を約１０μｍ離して形成する必要がある。その結果、サブピクセル間に幅１０μｍ深さ１２μｍの溝が形成される。
【００１９】
この上に第１電極５０や有機ＥＬ層７０を形成するためには、この溝を埋めて平坦化する必要がある。よって色変換フィルタ層を覆うように基板１０上にオーバーコート層３０を形成する。オーバーコート層３０としては、アクリル系のレジスト材料等が好ましい。また、オーバーコート層３０はスパッタ法等の乾式法や、スピンコート法等の湿式法といった慣用の手法により形成することができる。
【００２０】
（２．パッシベーション層の形成）
オーバーコート層３０に残留している微量の水分が有機ＥＬ層７０へ拡散してダークスポットを発生させるのを防ぐため、オーバーコート層３０上にパッシベーション層４０を形成する。本実施の形態では、パッシベーション層４０は、第１の無機絶縁膜４１と、酸化処理されたＴｉ、ＡｌまたはＳｉの薄膜４２と、第２の無機絶縁膜４３との３層により構成されている。
【００２１】
第１の無機絶縁膜４１は、電気的絶縁性を有し、ガス、有機溶剤及び水に対するバリア性を有し、可視域における高い光透過性を備えることが好ましい。第１の無機絶縁膜４１としては、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉの酸化物、酸窒化物、窒化物等が好ましく、コストの面からスパッタリングで形成することが好ましい。膜厚は１００ｎｍ以上が好ましい。この範囲の膜厚にすることで水分透過性を抑えることができる。
【００２２】
次いで第１の無機絶縁膜４１上に、Ｔｉ、ＡｌまたはＳｉの薄膜４２を形成する。この薄膜４２は、Ａｒガスによるスパッタリングで形成することでパーティクルの発生を極めて少なく抑えることができる。実際、薄膜４２に発生した０．２μｍ以上の大きさの欠陥、パーティクルの数は約１個／ｃｍ2であった。一方、ＳｉＯ2、ＩＺＯ、ＩＴＯ等の酸化物やＳｉＮ等の窒化物ターゲットを用いてＲＦスパッタリングしても、上記したようにアーキングによるパーティクルの発生が多く、厚さ３００ｎｍのＳｉＯ2の場合、０．２μｍ以上の大きさの欠陥、パーティクルの数が２０個／ｃｍ2以上生じた。すなわち、酸化物または窒化物に比べて、欠陥、パーティクルの数を１／２０以下にすることができる。
【００２３】
薄膜４２を成膜後、紫外線オゾン処理または酸素プラズマ処理を行う。これによりＴｉ、ＡｌまたはＳｉの薄膜は酸化処理され、その光透過率が飛躍的に向上する。酸化処理の前後のＡｌの光透過率を図２に示す。図２に示すように、酸化処理前のＡｌの光透過率は、波長４００〜８００ｎｍの範囲で約５〜２５％と低かったが、酸化処理後の光透過率は約５０〜９５％と飛躍的に向上した。なお、Ａｌは膜厚が１５ｎｍと２５ｎｍの２種類を用い、酸化処理としてＵＶオゾン酸化処理を行った。
【００２４】
薄膜４２の膜厚は１０〜１００ｎｍが好ましい。膜厚が１０ｎｍ未満では薄膜４２の連続性を維持することが困難となる。一方、１００ｎｍを超えると酸化処理、窒化処理を行っても透過率が下がってしまうため好ましくない。より好ましい膜厚は２０〜６０ｎｍである。薄膜４２はスパッタリングで形成することが好ましい。紫外線オゾン処理は、エキシマランプまたは低圧水銀ランプを使用することが好ましく、また照射距離２〜２０ｍｍ、照度０．５〜３ｍＷ／ｃｍ2等の条件で行うことが好ましい。酸素プラズマ処理は、酸素ガス流量０．５〜５Ｌ／ｍｉｎ等の条件で行うことが好ましい。
【００２５】
さらに酸化処理をした薄膜４２上に第２の無機絶縁膜４３を形成する。第２の無機絶縁膜４３は、第１の無機絶縁膜４１と同じ材料および形成条件でよい。以上により３層からなるパッシベーション層４０を形成することができる。なお、パッシベーション層４０は、酸化処理を行った薄膜４２のみでもよいが、ガス及び水分透過性の点で、第１および第２の無機絶縁膜４１、４３を形成することが好ましい。
【００２６】
また、パッシベーション層４０として、本実施の形態では薄膜４２を紫外線オゾン処理または酸素プラズマ処理により酸化処理したが、薄膜４２を窒素プラズマ処理により窒化処理することもできる。この場合、薄膜４２としては、上記と同様に、Ａｒガスによるスパッタリングで形成することでパーティクルの発生を極めて少なく抑えることができるとともに、窒化処理により光透過率が飛躍的に向上する点から、Ｍｏ、Ｔｉ、ＡｌまたはＳｉを用いる。窒化処理する場合も上記と同様に薄膜４２の膜厚は１０〜１００ｎｍが好ましい。
【００２７】
（３．有機発光素子の形成）
次に、パッシベーション層４０上に有機発光素子を形成する。本明細書において、有機発光素子とは、第１電極５０、電極分離隔壁、有機ＥＬ層７０および第２電極８０の積層体の総称である。先ず、第２の無機絶縁膜４３上に第１電極５０を形成する。第１電極５０は、外部駆動回路との接続部から表示部まで形成される。第１電極５０の材料としては、第１電極５０を通して光が放出されるため、有機ＥＬ層７０の発する光の波長域において透明なＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物)やＩＺＯ（インジウム−亜鉛酸化物）等を用いることが好ましい。特にＩＺＯは、室温成膜により比較的低抵抗で平滑な膜が得られるとともに、弱酸によるパターニングが可能となる点でより好ましい。
【００２８】
第１電極５０を短冊状にパターニングした後、第１電極５０間の第２の無機絶縁膜４３上に、陰極分離隔壁６０を形成する。これにより陰極（第２電極８０）をパターニングすることができる。陰極分離隔壁６０は逆テーパー形状を有することが好ましい。陰極分離隔壁６０としては、アクリレート等のネガ型のフォトレジストやノボラック樹脂等のネガ型フォトレジストを用いることができる。なお、第２電極８０を目的の形状に開口部を形成したマスクにより成膜する場合には陰極分離隔壁６０を用いる必要はない。
【００２９】
第１電極５０上には表面処理として酸素プラズマ処理または紫外線オゾン処理を行う。紫外線オゾン処理には上記と同様にエキシマランプまたは低圧水銀ランプを用いる。第１電極５０のＩＺＯまたはＩＴＯの表面にこれらの処理を施すことで、レジスト残渣は分解除去され仕事関数は５．１ｅＶ程度に深くなる。
【００３０】
上記処理後、有機ＥＬ層７０を形成する。有機ＥＬ層７０は、少なくとも有機ＥＬ発光層を含み、必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層および／または電子注入層を介在させた構造を有する。具体的には、下記のような層構成からなるものが採用される。なお、下記において、陽極は有機ＥＬ発光層または正孔注入層に接続され、陰極は有機ＥＬ発光層または電子注入層に接続される。
（ａ）有機ＥＬ発光層
（ｂ）正孔注入層／有機ＥＬ発光層
（ｃ）有機ＥＬ発光層／電子注入層
（ｄ）正孔注入層／有機ＥＬ発光層／電子注入層
（ｅ）正孔注入層／正孔輸送層／有機ＥＬ発光層／電子注入層
【００３１】
上記各層の材料としては、公知のものが使用される。例えば、有機発光ＥＬ層として青色から青緑色の発光を得るためには、例えばベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤、金属キレート化オキソニウム化合物、スチリルベンゼン系化合物、芳香族ジメチリディン系化合物等が好ましく使用される。
【００３２】
有機ＥＬ層７０を形成した後、第１電極のラインと直交するパターンマスクを用いて、短冊状の第２電極８０を形成する。第２電極８０形成後、封止することで有機ＥＬディスプレイを得ることができる。封止としては、酸化シリコンや酸化窒化シリコン等の無機膜を連続的に形成する方法や、ガラス基板、ＳＵＳ缶、ポリカーボネート等のフィルム基板を用いてＵＶ硬化樹脂等により透明支持基板と接着する方法を用いて行うことができる。
【００３３】
なお、基板１０および第１電極５０が透明であるボトムエミッション型の有機ＥＬディスプレイについて説明してきたが、本発明は、第２電極８０を透明にして、第２電極８０側にパッシベーション層４０、オーバーコート層５０、色変換フィルタを設けることで、トップエミッション型の有機ＥＬディスプレイにも適用することができる。
【実施例】
【００３４】
以下の手順にて有機ＥＬディスプレイを作製した。先ず、透明基板上に、ＲＧＢのカラーフィルタ層と厚さ１２μｍの色変換層を積層し、色変換フィルタ層を形成した。なお、７０ｄｐｉの解像度とするため、ＲＧＢの各サブピクセルの幅を１１０μｍ、サブピクセル間を１０μｍとした。そして、この色変換フィルタ層を平坦化するためにアクリル系のレジスト材料でオーバーコート層を形成した。
【００３５】
次に、第１の無機絶縁膜として、ＡＣスパタリングにより厚さ１５０ｎｍのＳｉＯ2膜を形成した。ターゲットには単結晶Ｓｉを用いてＡｒを２００ｓｃｃｍ、反応性ガスとしてＯ2ガスを８０ｓｃｃｍ流してガス圧０．５Ｐａとし、１．５ｋＷのパワーで成膜した。続いてＤＣスパッタリングで厚さ１０ｎｍのＴｉ金属膜を形成した。ターゲットにはＴｉ（９９．９９９％）を用いて、Ａｒガスを１５０ｓｃｃｍ流し、１ｋＷのパワーで成膜した。その後、紫外線オゾン処理を行った。大気環境下でエキシマランプを使用し、基板とランプハウスの距離を５ｍｍとし、１．５ｎＷ／ｃｍ2の照度で３０分処理した。そして、第２の無機絶縁膜層として、第１の無機絶縁膜層と同様の条件で厚さ１５０ｎｍのＳｉＯ2膜を形成した。
【００３６】
さらに、ＤＣスパッタリング法（ターゲット：ＩＺＯ（Ｉｎ２０３−１０％ＺｎＯ）、スパッタガス：Ａｒ、パワー２５０Ｗ）によって、厚さ２２０ｎｍのＩＺＯを積層して陽極を形成し、次にフォトリソグラフィによりＩＺＯを所定のパターンに形成した。その後、陰極分離隔壁用のネガ型ノボラック樹脂（ＺＰＮ１１６８：日本ゼオン社製）を塗布し、露光、現像、ボストベーク（１５０℃、３０分の加熱）を行い、所定のパターニングを行った。次に、紫外線照射処理を行った。エキシマランプを用いて照射距離５ｍｍで大気雰囲気中にて３分間照射した。その後、直ちに有機蒸着装置において陽極の上に有機ＥＬ層として、ＮＰＢからなる厚さ４０ｎｍの正孔注入層、Ａｌｑ3からなる厚さ６０ｎｍの有機ＥＬ発光層、ＬｉＦからなる厚さ１ｎｍの電子注入層を順に積層した。最後に厚さ１００ｎｍのＡｌ金属を陰極として製膜した。その際、１×１０-3Ｐａ以下の圧力、０．２ｎｍ／ｓの成膜速度とした。
【００３７】
（比較例）
パッシベーション層として、ＡＣスパタリングにより厚さ３００ｎｍのＳｉＯ2膜のみを形成したことを除いて、上記の実施例と同様の手順にて有機ＥＬディスプレイを作製した。なお、ＳｉＯ2の製膜条件は、実施例と同様にした。
【００３８】
（信頼性評価）
上記の実施例および比較例の有機ＥＬディスプレイの信頼性評価を行った。８０℃、１００ｃｄ／ｍ2で１０００時間の高温通電寿命試験を行った有機ＥＬディスプレイについて、ダークスポットの発生を調査した。その結果（３００ピクセルの平均値）を表１に示す。またその際の有機ＥＬディスプレイのピクセルの平面図を図３に示す（図３中、１がＲＧＢのサブピクセルであり、３がダークスポットである）。表１および図３に示すように、パッシベーション層としてＳｉＯ2スパッタ膜に加えて酸化処理したＴｉ金属膜を形成した実施例は、ＳｉＯ2スパッタ膜のみの比較例に比べて、ダークスポットの発生を極めて少なく抑えることができた。
【００３９】
【表１】
【００４０】
また、Ｔｉに代えてＳｉを用いたことを除き、同様の条件で信頼性評価を行った。その結果を表１に示す。Ｓｉを用いた場合も、Ｔｉと同様に、ダークスポットの発生を極めて少なく抑えることができた。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明に係る有機ＥＬディスプレイの構造の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】酸化処理によるＡｌ金属膜の光透過率の変化を示すグラフである。
【図３】有機ＥＬディスプレイのＲＧＢサブピクセルの発光写真に基づく図面である。
【符号の説明】
【００４２】
１ サブピクセル
３ ダークスポット
１０ 基板
２１ カラーフィルタ
２２ 色変換層
２３ ブラックマスク
３０ オーバーコート層
４０ パッシベーション層
４１ 第１の無機絶縁膜
４２ 酸化処理をした薄膜
４３ 第２の無機絶縁膜
５０ 第１電極
６０ 陰極分離隔壁
７０ 有機ＥＬ層
８０ 第２電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
色変換フィルタ層、オーバーコート層、パッシベーション層、有機発光素子が順次積層されている有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、前記パッシベーション層を形成するために、Ｔｉ、ＡｌおよびＳｉからなる群から選ばれる１つの薄膜を形成する工程と、この薄膜を紫外線オゾン処理または酸素プラズマ処理により酸化処理する工程とを含む有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項２】
色変換フィルタ層、オーバーコート層、パッシベーション層、有機発光素子が順次積層されている有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、前記パッシベーション層を形成するために、Ｍｏ、Ｔｉ、ＡｌおよびＳｉからなる群から選ばれる１つの薄膜を形成する工程と、この薄膜を窒素プラズマ処理により窒化処理する工程とを含む有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項３】
前記パッシベーション層を形成するために、前記酸化処理または窒化処理した薄膜の前記オーバーコート層側または前記有機発光素子側の少なくとも一方に、無機絶縁膜を積層する工程を更に含む請求項１または２に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項１】
色変換フィルタ層、オーバーコート層、パッシベーション層、有機発光素子が順次積層されている有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、前記パッシベーション層を形成するために、Ｔｉ、ＡｌおよびＳｉからなる群から選ばれる１つの薄膜を形成する工程と、この薄膜を紫外線オゾン処理または酸素プラズマ処理により酸化処理する工程とを含む有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項２】
色変換フィルタ層、オーバーコート層、パッシベーション層、有機発光素子が順次積層されている有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、前記パッシベーション層を形成するために、Ｍｏ、Ｔｉ、ＡｌおよびＳｉからなる群から選ばれる１つの薄膜を形成する工程と、この薄膜を窒素プラズマ処理により窒化処理する工程とを含む有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項３】
前記パッシベーション層を形成するために、前記酸化処理または窒化処理した薄膜の前記オーバーコート層側または前記有機発光素子側の少なくとも一方に、無機絶縁膜を積層する工程を更に含む請求項１または２に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２００８−１０８５１５（Ｐ２００８−１０８５１５Ａ）
【公開日】平成２０年５月８日（２００８．５．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２８８９８０（Ｐ２００６−２８８９８０）
【出願日】平成１８年１０月２４日（２００６．１０．２４）
【出願人】（０００００５２３４）富士電機ホールディングス株式会社 (3,146)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年５月８日（２００８．５．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１０月２４日（２００６．１０．２４）
【出願人】（０００００５２３４）富士電機ホールディングス株式会社 (3,146)
【Ｆターム（参考）】
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