有機ＥＬパネルの製造方法及び有機ＥＬパネル並びに電子機器
【課題】密閉された筐体中に収められた有機ＥＬパネルを、筐体に配置された封止板を介してレーザリペアする方法では、カラーフィルタを配置することが極めて困難であり、カラー表示に対応可能な有機ＥＬパネルを得る方法に制限が発生する。また、上部電極を形成した状態で、レーザリペアを行うとその飛沫は、上部電極上に堆積される。この飛沫の影響により、上部電極の構造が不均一となり、表示性能が低下する。
【解決手段】有機ＥＬパネル上に配置される、欠陥部分１０５を含む有機ＥＬ素子１７Ａのレーザリペアを、封止層１３１を介して行う。封止層１３１の形成工程で生じる応力等に起因する欠陥（例えばウィスカー）を含めてリペアできるため、良品率を向上させることができる。また、レーザリペアに伴う飛沫１０４は、絶縁性を有する封止層１３１に付着するため、電気的な副次不良発生を回避することができる。
【解決手段】有機ＥＬパネル上に配置される、欠陥部分１０５を含む有機ＥＬ素子１７Ａのレーザリペアを、封止層１３１を介して行う。封止層１３１の形成工程で生じる応力等に起因する欠陥（例えばウィスカー）を含めてリペアできるため、良品率を向上させることができる。また、レーザリペアに伴う飛沫１０４は、絶縁性を有する封止層１３１に付着するため、電気的な副次不良発生を回避することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機ＥＬパネルの製造方法及び有機ＥＬパネル並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬパネルは、自発光性の有機ＥＬ素子を用いて形成される。自発光性を有することから液晶パネルと比べ広い視野角を有している。また、黒の表現力に優れており、次世代の表示パネルとして高く評価されている。
【０００３】
表示パネルとして、特に大面積の有機ＥＬパネルを形成する場合には、異物や応力起因のウィスカーの影響で有機ＥＬパネルを構成する有機ＥＬ素子の電極がショートし、常時消灯してしまう欠陥が発生する場合がある。この場合、例えば特許文献１に記載されるように、密閉された筐体中に収められた有機ＥＬパネルに対してレーザリペアを行い、ショートした部分を焼き切り、ショートを解消する方法が知られている。
【０００４】
また、有機ＥＬ素子を駆動する電極間がショートすることで発生する欠陥が生じた場合に、上部電極を形成する工程後に欠陥と欠陥周囲とにレーザ照射を行い、電極間をショートさせている欠陥を電気的に高抵抗な状態に変質させ、表示機能を復元させる方法が特許文献２に記載されている。この場合には、欠陥に与えるレーザ光強度を抑えて照射するため、欠陥部分の有機ＥＬ素子を電気的に高抵抗な状態に変質させることで、常時消灯状態となる欠陥が修復される。
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−２０８２５２号公報
【特許文献２】特開２００４−２２７８５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の技術では、レーザリペアを可能とするためにカラーフィルタを配置することが極めて困難であり、カラー表示に対応可能な有機ＥＬパネルを得る方法に制限が発生する。特に、白色発光させ、カラーフィルタを用いてカラー表現を行う有機ＥＬパネルを提供することは極めて困難となるという課題がある。さらに、筐体に収められた有機ＥＬパネルを用いる場合、有機ＥＬパネルに望まれる薄型化が困難となるという課題がある。
【０００７】
また、特許文献２の技術では、電極を形成した状態でレーザリペアを行っている。この場合、レーザリペアにより発生した飛沫は、上部電極上に堆積される。この飛沫の影響により、上部電極の構造が不均一となり、電気特性に分布が発生する。そのため、表示性能が低下するという課題が発生する。また、欠陥部分にもレーザ光が照射されるため、欠陥を構成する汚染物質の飛沫が上部電極上に付着し、予期せぬ不良を発生させるおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］本適用例にかかる有機ＥＬパネルの製造方法は、有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬパネルの製造方法であって、基板上に前記有機ＥＬ素子を形成する工程と、前記有機ＥＬ素子を封止層で覆う工程と、前記封止層又は前記基板を通して前記有機ＥＬ素子にエネルギーを印加して、前記有機ＥＬ素子が有する欠陥に起因する電気的不良を修復する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１０】
これによれば、有機ＥＬパネルを構成する有機ＥＬ素子を、封止層で覆った後にエネルギーを印加して、有機ＥＬ素子の欠陥に起因する電気的影響を修復させている。そのため、封止層形成に伴う影響で発生するウィスカーに起因する欠陥についても対処することが可能となり、有機ＥＬ素子形成後に、欠陥に起因する電気的影響を修復する工程を用いる場合と比べ、より高い確実性をもって、欠陥に起因する電気的影響を修復することが可能となる。
【００１１】
［適用例２］上記適用例にかかる有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記エネルギーとしてＮｄ：ＹＡＧレーザの基本波、第２高調波、第３高調波の少なくとも一つを用いることを特徴とする。
【００１２】
上記した適用例によれば、エネルギーにＮｄ：ＹＡＧレーザの基本波、第２高調波、第３高調波の少なくとも一つを用いることで、狭い領域にエネルギーを集中させることが可能となる。そのため、欠陥に起因する電気的影響を変調する場合に、他の領域に与える影響を抑えることが可能となる。また、エネルギー量が空間的、時間的に安定したＮｄ：ＹＡＧレーザを用いることで再現性高くエネルギーの印加が可能となる。
【００１３】
［適用例３］上記適用例にかかる有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記基板又は前記封止層が、前記Ｎｄ：ＹＡＧレーザの基本波、第２高調波、第３高調波の少なくともいずれか一つの波長に対して、８０％以上の透過率を有することを特徴とする。
【００１４】
上記した適用例によれば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを効率良く有機ＥＬ素子に照射させることが可能となり、処理時間の短縮を図ることが可能となる。また、標的となる有機ＥＬ素子以外の領域に吸収されるエネルギーを低減できるため、基板又は封止層でのエネルギー吸収による温度上昇を抑えることが可能となり、標的となる有機ＥＬ素子以外の素子に与える影響を抑制することが可能となる。
【００１５】
［適用例４］上記適用例にかかる有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記Ｎｄ：ＹＡＧレーザを前記欠陥に照射し、前記欠陥の状態を変調することを特徴とする。
【００１６】
上記した適用例によれば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを照射する領域を小さく抑えることが可能となり、欠陥に起因する有機ＥＬパネルの画質低下を狭い領域に局在させて変調することが可能となる。
【００１７】
［適用例５］上記適用例にかかる有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記欠陥の状態を変調する工程は、前記欠陥を焼失させる工程であることを特徴とする。
【００１８】
上記した適用例によれば、焼失に伴い、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ照射領域から発生する飛沫は、電気的に絶縁性を有する封止層上に付着するため、この飛沫に起因して有機ＥＬパネルが受ける、電気的特性の変動を抑えて焼失させることが可能となる。
【００１９】
［適用例６］上記適用例にかかる有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記Ｎｄ：ＹＡＧレーザを用いて前記欠陥を囲い、かつ前記欠陥を避けた領域に照射し、前記欠陥を電気的に隔離することを特徴とする。
【００２０】
上記した適用例によれば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ照射に伴う挙動が不明な欠陥に対して、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ照射を避けて電気的に隔離するため、新たな不良発生を抑制しうる状態で欠陥を隔離することができる。
【００２１】
［適用例７］上記適用例にかかる有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記欠陥を電気的に隔離する工程は、前記欠陥を囲う領域を焼失させる工程であることを特徴とする。
【００２２】
上記した適用例によれば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを、欠陥を避けて照射し焼失させることで、欠陥を構成する汚染物質の拡散を避けて欠陥を隔離することが可能となる。
【００２３】
［適用例８］上記適用例にかかる有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記有機ＥＬ素子はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）層を含むことを特徴とする。
【００２４】
上記した適用例によれば、ＩＴＯは近赤外光を吸収する性質がある。そのため、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを用いる場合に、ＩＴＯ層に効率良くエネルギーを伝達することが可能となる。
【００２５】
［適用例９］上記適用例にかかる有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記封止層は窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテルケトン樹脂及びこれらの混合物又は化合物を単層、又は複数の材質を積層した層を用いることを特徴とする。
【００２６】
上記した適用例によれば、これらの物質はＮｄ：ＹＡＧレーザの波長に対して透明である。これらの物質を用いることで、Ｎｄ：ＹＡＧレーザのレーザ光の吸収に伴う発熱を抑制することが可能となり、熱伝導により隣接する素子に与える損傷が抑制される。
【００２７】
［適用例１０］上記適用例にかかる有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記Ｎｄ：ＹＡＧレーザがなすビーム形状は縦横比が異なる形状を有し、短辺側の法線と比べ長辺側の法線が前記欠陥に近い向きに配置することを特徴とする。
【００２８】
上記した適用例によれば、一回の照射で欠陥を囲える範囲が広がり、短い時間で欠陥を囲む処理を行うことが可能となる。
【００２９】
［適用例１１］本適用例にかかる有機ＥＬパネルは、基板側に下部電極を備え、前記下部電極と有機機能層を挟んで配置される上部電極を含む有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬパネルであって、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ照射により副次的に発生する飛沫に起因する付着物を前記有機ＥＬ素子の上部電極上に配置する構造に代えて、前記上部電極を覆い電気的に絶縁性を有する封止層上に配置することを特徴とする。
【００３０】
これによれば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ照射により発生する飛沫起因の付着物は、電気的に敏感な上部電極に代えて電気的に絶縁性を有する封止層上に配置される。そのため、電気的特性の安定性に優れた有機ＥＬパネルを提供することが可能となる。
【００３１】
［適用例１２］上記適用例にかかる有機ＥＬパネルであって、前記飛沫を発生する領域が欠陥を囲んでいることを特徴とする。
【００３２】
上記した適用例によれば、欠陥を構成する汚染物質を閉じ込めた状態で有機ＥＬパネルを提供することが可能となる。
【００３３】
［適用例１３］本適用例にかかる電子機器であって、上記記載の構造を持つ有機ＥＬパネルを含む、又は上記記載の有機ＥＬパネルの製造方法で作られた有機ＥＬパネルを含むことを特徴とする。
【００３４】
これによれば、欠陥変調に起因する副次的欠陥の発生を抑え、欠陥数が少ない有機ＥＬパネルを用いるため、表示特性に優れた電子機器を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
（有機ＥＬパネルの構成）
以下、本実施形態にかかる有機ＥＬパネルについて、図面を参照して説明する。図１は、本実施形態の有機ＥＬパネルの配線構造を示す模式図である。この有機ＥＬパネル１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下ＴＦＴと称する。）を用いたアクティブマトリクス方式のもので、複数の走査線１０１と、各走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とからなる配線構成を有するとともに、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近には、画素（サブ画素４０）が設けられている。
【００３６】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続されている。
【００３７】
サブ画素４０の各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用のＴＦＴ１２２と、スイッチング用のＴＦＴ１２２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量１１３と、を含んでいる。さらに、保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用のＴＦＴ１２３と、駆動用のＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続した場合に当該電源線１０３から駆動電流が与えられる画素電極２３と、画素電極２３と対向する対向電極５０との間に挟み込まれた有機ＥＬ素子１７（Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青））とを含んでいる。
【００３８】
次に、本実施形態の有機ＥＬパネル１の具体的な態様を、図２を参照して説明する。ここで、図２は、有機ＥＬパネル１の構成を模式的に示す平面図である。
【００３９】
図２に示すように、基板２０上の実表示領域４４には、Ｒ，Ｇ，Ｂ各色に対応して設けられたサブ画素４０がマトリクス状に規則的に配置されている。また、Ｒ，Ｇ，Ｂ各色のサブ画素４０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）は一つの基本単位となって表示単位画素４１を構成している。また、サブ画素４０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の各々は、ＴＦＴ１２２，１２３（図１参照）の動作に伴って、赤色発光（Ｒ）、緑色発光（Ｇ）、及び青色発光（Ｂ）に対応する有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を備える構成を有している。
【００４０】
本実施形態では有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）（図１参照）の光を、各有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）に対応するカラーフィルタを透過させることで、各サブ画素４０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）からＲＧＢの発光をそれぞれ得ることが可能となる。これによって表示単位画素４１は、ＲＧＢの発光を混色させてフルカラー表示を行うようになっている。
【００４１】
なお、本実施形態において画素部４３（図中一点鎖線）は、中央部分の実表示領域４４（図中二点鎖線枠内）と、実表示領域４４の周囲に配置されたダミー領域４５（一点鎖線及び二点鎖線の間の領域）とに区画されている。そして、実表示領域４４の図２中両側には、走査線駆動回路８０が配置されている。この走査線駆動回路８０は、ダミー領域４５の下層側に位置して設けられている。
【００４２】
また、実表示領域４４の図２中上方側には検査回路９０が配置されており、この検査回路９０はダミー領域４５の下層側に配置されて設けられている。この検査回路９０は、有機ＥＬパネル１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）を備え、製造途中や出荷時における有機ＥＬパネルの品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。
【００４３】
図１に示す有機ＥＬパネル１を構成する有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の一つに欠陥が生じた場合（図中×で示し、当該素子を有機ＥＬ素子１７Ａとして説明する）、有機ＥＬ素子１７Ａは、例えば画素電極２３と対向電極５０とが短絡した状態となる。この場合、有機ＥＬ素子１７Ａを駆動するための電流が印加された場合でも、電流は短絡された領域を流れ、有機ＥＬ素子１７Ａは点灯せず、黒く表示されたままとなり、図２で示すサブ画素４０（図中×で示す）が点灯しない欠陥が発生する。また、欠陥の抵抗値が低い場合、１ライン分の電圧降下が生じ線欠陥を発生する場合もある。そのため、有機ＥＬ素子１７Ａを点灯させるためには、この欠陥に起因する電気的特性の不良を修復する必要がある。以下、有機ＥＬ素子１７についてその概要を説明した後、欠陥を含む領域を同定する手法について説明し、続けて有機ＥＬ素子１７Ａを含む有機ＥＬパネル１を修復する手法について説明する。
【００４４】
（有機ＥＬ素子の概要）
以下、有機ＥＬパネル１の構成要素である有機ＥＬ素子について説明を行う。図３は、第１実施形態の有機ＥＬ素子１７を示す概略断面図である。なお、便宜上、図面上方向を「上」として定義し、以下の説明を行う。
【００４５】
有機ＥＬ素子１７は、基板２０上に、光反射層９、層間絶縁層２を含む層構造を覆う領域に配置される。有機ＥＬ素子１７は陽極３、正孔注入層４、発光層５、電子輸送層６、陰極８を順に備えている。そして、有機ＥＬ素子１７を覆う領域には封止層１３１が配置されている。正孔注入層４、発光層５及び電子輸送層６は有機物材料によって形成されており、これら有機物層によって有機機能層７が形成されている。また、有機機能層７は陽極３と陰極８との間に挟持されており、これら陽極３、有機機能層７及び陰極８によって、有機ＥＬ素子１７が形成されている。ここで、構造によってはいくつかの層を省略しても良い。また、封止層１３１に重ねて、有機ＥＬパネル１の修復後、カラーフィルタ等を形成しても良い。
【００４６】
陽極３と陰極８には、駆動電圧を印加するための配線が接続されている。そして、この配線を介して電極間に電源２１を用いて駆動電圧を印加すると、陰極８より電子が、陽極３より正孔が発光層５に注入され、印加された電場により発光層５中を移動し、再結合する。この再結合の際に放出されたエネルギーにより、励起子が生成し、この励起子が基底状態に戻る際に蛍光や燐光という形でエネルギーを放出する。有機ＥＬ素子１７から放出された光は、例えば窒化酸化珪素層／エポキシ樹脂層／窒化酸化珪素層の３層構造を有する封止層１３１から射出され、外部に取り出される。本実施形態にかかる有機ＥＬ素子１７は、所謂トップエミッション方式のものである。
【００４７】
基板２０上には、ガラス基板等の透明基板上にＴＦＴ１２２やＴＦＴ１２３（図１参照）等が配置され、これら駆動素子上に配置される層間絶縁層２を介して陽極３が形成されている。なお、基板２０に適用可能な材料としては、上記透明なガラス以外にも、石英、サファイア、あるいはポリエステル樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルケトン樹脂等の透明な合成樹脂等が挙げられる。また、トップエミッション方式を用いる場合、シリコン基板や金属、金属酸化物等、光学的に不透明な材質を用いても良い。
【００４８】
光反射層９にはアルミニウムを用いており、基板２０側に射出される光を封止層１３１側に折り返して光を射出させる。層間絶縁層２は、アルミニウムを用いた光反射層９と、後述する陽極３との接触による電蝕を防止する機能も兼ね備えている。なお、電蝕が抑えられる場合には、層間絶縁層２は省略可能である。
【００４９】
正孔注入層４は、陽極３上に形成されている。正孔注入層４は、陽極３から注入した正孔を発光層５に注入する。正孔注入層４の形成材料としては、アリールアミン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポリアニリン誘導体＋有機酸、ポリチオフェン誘導体＋ポリマー酸等を用いることができる。特に、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルフォン酸との混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）が好適である。低分子材料の構成では、正孔注入層４の上にさらに正孔輸送層４’（図示せず）が形成されることがある。正孔注入層４の形成材料としては、銅フタロシアニンやアリールアミン等の低分子材料が用いられる。正孔輸送層４’としては、ジフェニルアミンやトリフェニルアミン等のフェニルアミン系誘導体、芳香族アミン系材料、スチリルアリーレン誘導体等を用いることができる。
【００５０】
発光層５は、正孔注入層４上に形成されており、陰極８から注入される電子と、正孔注入層４から注入される正孔が結合して所定の波長を有する光を発光する。この発光層５の材料としては、具体的には、ポリフルオレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリメチルフェニルシラン誘導体等のポリシラン系等の高分子有機材料が好適に用いられる。低分子材料の構成で白色発光させる機能を有するものの場合、発光層５は、一例として、正孔注入層４側から順に、赤色発光層５Ｒ、青色発光層５Ｂ、及び緑色発光層５Ｇの構造を有する。これらの発光層は、それぞれホスト材料と発光ドーパントとを含む。ホスト材料は電子と正孔の両方を流すことのできる材料である。発光ドーパントとホスト材料とを併用した発光層では、ホスト材料からの発光はほとんど観察されず、発光ドーパントが主として発光する。ホスト材料と発光ドーパントとを併用した発光層において観察される発光スペクトルは、発光ドーパントの発光である。発光層の発光の波形は有機分子骨格によって決定される。
発光ドーパントは、一重項励起子から発光する蛍光発光性化合物、三重項励起子から発光する燐光発光性化合物のいずれであってもよく、たとえば、蛍光材料としては、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アントラセン誘導体、ルブレン誘導体、スチリルアミン誘導体、クマリン誘導体等を挙げることができる。燐光材料としては、イリジウム金属錯体、白金金属錯体などを用いることができる。好ましくは、赤色発光材料としては、ジベンゾジインデノペリレン誘導体を、緑色発光材料としては、クマリン誘導体、ナフタセン誘導体を用いる。青色発光材料としては、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、フルオランテン誘導体などを用いることができる。好ましくは、ジスチリルアミン誘導体を用いる。ホスト材料としては、アルミニウム錯体、ベリリウム錯体のほか、アントラセン（２量体を含む）誘導体、カルバゾール誘導体、スチリルアミン誘導体等の公知の材料が用いられる。
【００５１】
電子輸送層６を形成する形成材料としては、ポリフルオレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン等のポリシラン系等の高分子有機材料が好適に用いられる。
【００５２】
電子輸送層６は、陰極８から注入された電子を発光層５へ効率的に輸送するために、電気的な還元電位が発光層５を形成する発光材料の電気的な還元電位よりも小さい材料を用いることが望ましい。また、正孔注入層４から発光層５に注入された正孔が発光層内で再結合せずにそのまま陰極８側に通過するのを阻止するために、電気的な酸化電位が発光層５を形成する発光材料の電気的な酸化電位よりも大きい材料を用いることが望ましく、この構成により発光効率の向上を図ることができる。電子輸送層６としては、８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体とその金属錯体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体等が用いられる。
【００５３】
陽極３は、基板２０上にパターニングにより形成され、かつＴＦＴ素子からなる駆動素子や各種配線等と接続されたものである。ここでは陽極３として、膜厚が５０ｎｍのインジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：以下、ＩＴＯと称す）を用いている。ＩＴＯは近赤外光を吸収する性質がある。そのため、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを用いる場合に、ＩＴＯ層（陽極３）に効率良くエネルギーを伝達することが可能となる。
【００５４】
この陽極３を形成する方法としては、ＩＴＯ部材をターゲットとし、例えばイオンビームスパッタ法を用いて形成することができる。そして、陰極８は例えば、ＬｉＦ＋ＭｇＡｇを共蒸着したものを用いている。
【００５５】
このような構造を持つ有機ＥＬ素子１７を製造する工程で、異物の侵入や封止層１３１を形成する工程での応力等に起因する欠陥（ウィスカー等）が発生すると、陽極３と陰極８との短絡不良が発生する。短絡不良が発生した有機ＥＬ素子１７Ａ（図１参照）に電流を供給した場合、電流は短絡された流路を通り、有機ＥＬ素子１７Ａは発光しない。そのため、有機ＥＬ素子１７Ａが含む欠陥に起因する電気的特性の乱れを修復する必要が生じる。
【００５６】
（欠陥位置の同定手法）
有機ＥＬ素子１７Ａ（図１参照）が含む欠陥に起因する電気的特性の乱れを修復するためには、欠陥を含む有機ＥＬ素子１７Ａの位置を同定する必要がある。有機ＥＬ素子１７Ａの欠陥は、基本的にはショートにより発生するため、通常の駆動電流と逆方向に低いバイアス電圧をかけて、発光している領域（ショートしている領域）の座標を検出し、この座標を元に、欠陥位置の同定を行うことが可能となる。
【００５７】
より具体的には、有機ＥＬパネル１に低い逆バイアス電圧を掛けた状態で、欠陥部から射出される低輝度の赤外線をエミッション顕微鏡を用いて検出し、異常発光箇所の同定を行う。そして異常発光箇所の座標を記憶させた後、修復工程を行う。
【００５８】
図４は、異常発光箇所を検出する検査装置の概略図である。検査装置２００は、制御用コンピュータ２０１、表示装置２０２、ＸＹステージ２１０、撮像部２０５と、を含む。制御用コンピュータ２０１は表示装置２０２、ＸＹステージ２１０及び撮像部２０５を制御する。リペア対象の有機ＥＬパネル１は、ＸＹステージ２１０にセットされる。そして、制御用コンピュータ２０１の制御によって定められた電圧が有機ＥＬパネル１に印加される。
【００５９】
撮像部２０５は顕微鏡２０８及びＣＣＤカメラ２０６を含み、制御用コンピュータ２０１の指示により所定の条件で、有機ＥＬパネル１を撮像し、撮像データを制御用コンピュータ２０１に送る。表示装置２０２は制御用コンピュータ２０１の指示により、撮像部２０５が撮像した像を画面に表示する。ＸＹステージ２１０は、制御用コンピュータ２０１の制御によってＸ方向及びＹ方向に独立して移動する。
【００６０】
制御用コンピュータ２０１は、ＸＹステージ２１０の移動を制御するとともに、常にＸＹステージ２１０の位置を把握している。また、制御用コンピュータ２０１は表示装置２０２に表示されている像の１箇所がマウスでクリックされると、マウスでクリックされた有機ＥＬパネル１上の位置データを、クリックされた時点でのＸＹステージ２１０の位置データに基づき計算し、前記クリック位置を把握して、記憶する。この操作により、有機ＥＬパネル１を構成する有機ＥＬ素子１７のうち、欠陥を有する有機ＥＬ素子１７Ａを抽出することが可能となる。ここで、クリック操作に代えて、画像処理を行うことで自動的に欠陥を探査させ、欠陥を有する有機ＥＬ素子１７Ａを検出させても良い。
【００６１】
（有機ＥＬパネルの修復手法−１）
以下、有機ＥＬパネル１を修復する手法としての、修復手法−１について図面を用いて説明する。図５（ａ）は、図１に示す有機ＥＬパネル１を構成する、欠陥部分１０５を含む有機ＥＬ素子１７Ａの模式断面図、（ｂ）は、修復後における有機ＥＬ素子１７Ａの模式断面図である。
【００６２】
図３との相違は、欠陥部分１０５が陽極３と陰極８を短絡させている点である。他の点においては図３と同じ構成を有しており、基板２０上に、光反射層９、層間絶縁層２、陽極３、正孔注入層４、発光層５、電子輸送層６、陰極８、及び封止層１３１が配置されている。有機ＥＬ素子１７Ａには、異物や封止層１３１を形成する際の応力等に起因するウィスカー等より生じる欠陥部分１０５に起因する短絡不良が発生している。
【００６３】
この状態では有機ＥＬ素子１７Ａは点灯しない。この場合、封止層１３１を通してエネルギーを印加して、欠陥部分１０５に起因する短絡不良を起している領域の電気的特性を変調させることが有効な解決策となる。より具体的には、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの基本波、第２高調波、第３高調波のいずれか一つ（以下レーザ光と記す）を集光して照射し、欠陥部分１０５を含む領域を焼き切ることが有効となる。なお、レーザ光で焼き切るのは、陰極８だけでよい。陰極８を焼き切ることによって欠陥部分１０５は電気的に孤立するので、当該欠陥部分１０５に起因する電気的不良を解決することができる。また、陰極８を焼き切るだけなので、その他の電子輸送層６や発光層５などの層を余計に焼ききる必要がないので、飛沫１０４の発生を抑制することができる。
【００６４】
封止層１３１を通して上記レーザ光を照射することで、封止層１３１の形成工程で生じる応力等に起因する欠陥（例えばウィスカー）に対しても対応することが可能となり、より高い修復精度をもって欠陥の修復が行え、欠陥数の少ない有機ＥＬパネル１を提供するための製造方法を提供することが可能となる。
【００６５】
また、図５（ｂ）に示すように、封止層１３１を介して上記レーザ光を照射することで、短絡不良を起している領域を焼き切る場合に発生する飛沫１０４は封止層１３１上に配置される。この場合、陰極８上には飛沫１０４は付着しない。
【００６６】
このように、飛沫１０４を陰極８上に代えて封止層１３１上に配置することで、電気的に敏感な陰極８上への飛沫１０４の付着が防止される。従って、飛沫１０４の付着による初期不良や、飛沫１０４と陰極８との間で生じる電蝕による信頼性の低下を抑制することができる。即ち、飛沫１０４を陰極８上に代えて封止層１３１上に有する有機ＥＬパネル１は、優れた初期特性と、高い信頼性を有している。
【００６７】
また、上記レーザ光の照射は、封止層１３１を介して行うことに限定されず、特にボトムエミッション型の有機ＥＬパネル１を形成する場合には、基板２０側から短絡不良を起している領域に照射しても良い。この場合にも前述した効果を得ることができる。なお、ボトムエミッション型に対応させるためには、光反射層９を基板側に設ける構造に代えて、陰極８よりも上層に形成することで実現することができる。この場合、基板２０にレーザ光に対する光透過率が８０％以上となるガラス等を用いることが好ましい。
【００６８】
封止層１３１を介して上記レーザ光を照射する場合には、封止層１３１のレーザ光に対する光透過率が８０％以上であることが好ましい。例えば、無機物として、窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム等を用いることができる。又、例えば、有機物として、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテルケトン樹脂等を用いることができる。また、上記した材質の化合物、混合物を用いても良い。そして上記した素材を用いて単層、又は複数の材質を積層した層を用いることも好適である。
【００６９】
これらの材料を用いた場合、層厚は５μｍ程度の厚みを持たせることが好適である。光透過率が８０％以上である場合、レーザ光が効率良く有機ＥＬ素子１７Ａに照射されることで、処理時間の短縮を図ることが可能となる。上記した条件を満たすことで、標的となる有機ＥＬ素子１７Ａ以外の，例えば封止層１３１や基板２０に吸収されるエネルギーを低減できるため、封止層１３１又は基板２０でのエネルギー吸収による温度上昇を抑えることができる。従って、標的となる有機ＥＬ素子１７Ａ以外の領域に与える影響を抑制することが可能となる。
【００７０】
また、短絡不良を起している領域を焼き切った後、封止層１３１を覆うように保護層を形成しても良い。この場合、焼き切った領域に形成される空孔は保護層により覆われる。そのため、大気から空孔を介しての酸素や水分の侵入が抑えられる。従って、より信頼性高く修復処理を行うことが可能となる。
【００７１】
また、短絡不良を起している領域を焼き切る工程を真空、又は不活性ガス雰囲気で行い、大気に晒す事無く保護層を形成することも好適であり、大気から空孔を介して侵入する酸素や水分の影響をより確実に抑えることが可能となる。
【００７２】
（有機ＥＬパネルの修復手法−２）
以下、有機ＥＬパネルの修復手法−２について図面を用いて説明する。図６（ａ）は、図１に示す有機ＥＬパネル１を構成する、欠陥を含む有機ＥＬ素子１７Ａを修復した状態での模式平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線模式断面図である。有機ＥＬパネルの修復方法−１と異なる点は、図６（ａ），（ｂ）に示すように、有機ＥＬ素子１７Ａの欠陥部分１０５を囲うように焼き切っている点である。この場合には、欠陥部分１０５を避けるように焼き切っているため、欠陥部分１０５にはレーザ光は照射されていない。
【００７３】
欠陥部分１０５には、有機ＥＬパネル１を汚染する物質が混入しているおそれがあるため、ここに直接レーザ光を照射した場合、汚染物質が飛散し、有機ＥＬパネル１の特性の低下、及び周辺への汚染物質の拡散が生じるおそれがある。このように、欠陥部分１０５を避け、かつ欠陥部分１０５を囲うようにレーザ光を照射することで、欠陥そのものを封じ込めた状態で有機ＥＬパネル１の修復を行うことができる。なお、レーザ光で焼き切るのは、陰極８だけでよい。陰極８を焼き切ることによって欠陥部分１０５は電気的に孤立するので、当該欠陥部分１０５に起因する電気的不良を解決することができる。また、陰極８を焼き切るだけなので、その他の電子輸送層６や発光層５などの層を余計に焼ききる必要がないので、飛沫１０４の発生を抑制することができる。
【００７４】
即ち、陰極８上に代えて、欠陥部分１０５を囲うように、飛沫１０４が封止層１３１上に有する有機ＥＬパネル１は、優れた初期特性と、高い信頼性を有している。また、汚染物質の飛散が抑えられているため、想定外の悪影響の発生が抑えられ、さらに高い信頼性を有することを可能としている。
【００７５】
ここで、レーザ光のビーム形状を変えることで、より効率的に欠陥部分を囲うことが可能となる。具体的には、レーザ光のビーム形状を楕円形や長方形等、縦横比が異なる形状とし、短辺側の法線と比べ長辺側の法線が欠陥部分に近づくよう配置することで、欠陥部分１０５を囲う空孔領域を細い領域に抑えることができる。そのため、修復に必要とする面積を小さくでき、有機ＥＬ素子１７Ａの特性劣化を抑えて修復することができる。
【００７６】
また、空孔領域の面積を小さくできることから、修復処理に要する時間を短縮することができる。加えて、欠陥修復に要するレーザ光のエネルギーを低減することができる。従って、修復を行う領域外に与えるレーザ光起因のダメージを低減することが可能となる。この場合、レーザ光を連続的に走査して欠陥を囲う方法に代えて、空孔領域の平面形状を内側が埋められた多角形状にすべくステップ状にレーザ光を照射しても良い。また、レーザ光のビーム形状を中空の円形形状等に加工し、一回の照射で欠陥を囲うよう加工しても良い。
【００７７】
（電子機器への搭載例）
以下、図７を参照して、上述した有機ＥＬパネル１を含む電子機器について説明する。図７（ａ）に、有機ＥＬパネル１を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ２０００は、有機ＥＬパネル１と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。
【００７８】
図７（ｂ）に、有機ＥＬパネル１を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての有機ＥＬパネル１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、有機ＥＬパネル１に表示される画面がスクロールされる。
【００７９】
図７（ｃ）に、有機ＥＬパネル１を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての有機ＥＬパネル１を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が有機ＥＬパネル１に表示される。
【００８０】
なお、有機ＥＬパネル１が搭載される電子機器としては、図７に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した有機ＥＬパネル１が適用可能である。
【００８１】
また、有機ＥＬパネル１の視野角の広さ、画質の高さ、画像の動きに対する追従性の高さを活用して車載用のカーナビゲーションシステムやインパネにも適用できる。また、光電変換効率の高さを活かして、ページプリンタ等の露光光源、照明等にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】有機ＥＬパネルの配線構造を示す模式図。
【図２】有機ＥＬパネルの構成を模式的に示す平面図。
【図３】有機ＥＬ素子の概略構成図。
【図４】異常発光箇所を検出する検査装置の概略図。
【図５】（ａ）は、有機ＥＬパネルを構成する、欠陥部分を含む有機ＥＬ素子の模式断面図、（ｂ）は、修復後における有機ＥＬ素子の模式断面図。
【図６】（ａ）は、有機ＥＬパネルを構成する、欠陥を含む有機ＥＬ素子を修復した状態での模式平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線模式断面図。
【図７】（ａ），（ｂ），（ｃ）は有機ＥＬパネルを含む電子機器の模式図。
【符号の説明】
【００８３】
１…有機ＥＬパネル、２…層間絶縁層、３…陽極、４…正孔注入層、５…発光層、６…電子輸送層、７…有機機能層、８…陰極、９…光反射層、１７…有機ＥＬ素子、１７Ａ…有機ＥＬ素子、２０…基板、２１…電源、２３…画素電極、４０…サブ画素、４１…表示単位画素、４３…画素部、４４…実表示領域、４５…ダミー領域、５０…対向電極、８０…走査線駆動回路、９０…検査回路、１００…データ線駆動回路、１０１…走査線、１０２…信号線、１０３…電源線、１０４…飛沫、１０５…欠陥部分、１１３…保持容量、１２２…ＴＦＴ、１２３…ＴＦＴ、１３１…封止層、２００…検査装置、２０１…制御用コンピュータ、２０２…表示装置、２０５…撮像部、２０６…ＣＣＤカメラ、２０８…顕微鏡、２１０…ＸＹステージ、２０００…パーソナルコンピュータ、２００１…電源スイッチ、２００２…キーボード、２０１０…本体部、３０００…携帯電話機、３００１…操作ボタン、３００２…スクロールボタン、４０００…情報携帯端末、４００１…操作ボタン、４００２…電源スイッチ。
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機ＥＬパネルの製造方法及び有機ＥＬパネル並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬパネルは、自発光性の有機ＥＬ素子を用いて形成される。自発光性を有することから液晶パネルと比べ広い視野角を有している。また、黒の表現力に優れており、次世代の表示パネルとして高く評価されている。
【０００３】
表示パネルとして、特に大面積の有機ＥＬパネルを形成する場合には、異物や応力起因のウィスカーの影響で有機ＥＬパネルを構成する有機ＥＬ素子の電極がショートし、常時消灯してしまう欠陥が発生する場合がある。この場合、例えば特許文献１に記載されるように、密閉された筐体中に収められた有機ＥＬパネルに対してレーザリペアを行い、ショートした部分を焼き切り、ショートを解消する方法が知られている。
【０００４】
また、有機ＥＬ素子を駆動する電極間がショートすることで発生する欠陥が生じた場合に、上部電極を形成する工程後に欠陥と欠陥周囲とにレーザ照射を行い、電極間をショートさせている欠陥を電気的に高抵抗な状態に変質させ、表示機能を復元させる方法が特許文献２に記載されている。この場合には、欠陥に与えるレーザ光強度を抑えて照射するため、欠陥部分の有機ＥＬ素子を電気的に高抵抗な状態に変質させることで、常時消灯状態となる欠陥が修復される。
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−２０８２５２号公報
【特許文献２】特開２００４−２２７８５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の技術では、レーザリペアを可能とするためにカラーフィルタを配置することが極めて困難であり、カラー表示に対応可能な有機ＥＬパネルを得る方法に制限が発生する。特に、白色発光させ、カラーフィルタを用いてカラー表現を行う有機ＥＬパネルを提供することは極めて困難となるという課題がある。さらに、筐体に収められた有機ＥＬパネルを用いる場合、有機ＥＬパネルに望まれる薄型化が困難となるという課題がある。
【０００７】
また、特許文献２の技術では、電極を形成した状態でレーザリペアを行っている。この場合、レーザリペアにより発生した飛沫は、上部電極上に堆積される。この飛沫の影響により、上部電極の構造が不均一となり、電気特性に分布が発生する。そのため、表示性能が低下するという課題が発生する。また、欠陥部分にもレーザ光が照射されるため、欠陥を構成する汚染物質の飛沫が上部電極上に付着し、予期せぬ不良を発生させるおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］本適用例にかかる有機ＥＬパネルの製造方法は、有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬパネルの製造方法であって、基板上に前記有機ＥＬ素子を形成する工程と、前記有機ＥＬ素子を封止層で覆う工程と、前記封止層又は前記基板を通して前記有機ＥＬ素子にエネルギーを印加して、前記有機ＥＬ素子が有する欠陥に起因する電気的不良を修復する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１０】
これによれば、有機ＥＬパネルを構成する有機ＥＬ素子を、封止層で覆った後にエネルギーを印加して、有機ＥＬ素子の欠陥に起因する電気的影響を修復させている。そのため、封止層形成に伴う影響で発生するウィスカーに起因する欠陥についても対処することが可能となり、有機ＥＬ素子形成後に、欠陥に起因する電気的影響を修復する工程を用いる場合と比べ、より高い確実性をもって、欠陥に起因する電気的影響を修復することが可能となる。
【００１１】
［適用例２］上記適用例にかかる有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記エネルギーとしてＮｄ：ＹＡＧレーザの基本波、第２高調波、第３高調波の少なくとも一つを用いることを特徴とする。
【００１２】
上記した適用例によれば、エネルギーにＮｄ：ＹＡＧレーザの基本波、第２高調波、第３高調波の少なくとも一つを用いることで、狭い領域にエネルギーを集中させることが可能となる。そのため、欠陥に起因する電気的影響を変調する場合に、他の領域に与える影響を抑えることが可能となる。また、エネルギー量が空間的、時間的に安定したＮｄ：ＹＡＧレーザを用いることで再現性高くエネルギーの印加が可能となる。
【００１３】
［適用例３］上記適用例にかかる有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記基板又は前記封止層が、前記Ｎｄ：ＹＡＧレーザの基本波、第２高調波、第３高調波の少なくともいずれか一つの波長に対して、８０％以上の透過率を有することを特徴とする。
【００１４】
上記した適用例によれば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを効率良く有機ＥＬ素子に照射させることが可能となり、処理時間の短縮を図ることが可能となる。また、標的となる有機ＥＬ素子以外の領域に吸収されるエネルギーを低減できるため、基板又は封止層でのエネルギー吸収による温度上昇を抑えることが可能となり、標的となる有機ＥＬ素子以外の素子に与える影響を抑制することが可能となる。
【００１５】
［適用例４］上記適用例にかかる有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記Ｎｄ：ＹＡＧレーザを前記欠陥に照射し、前記欠陥の状態を変調することを特徴とする。
【００１６】
上記した適用例によれば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを照射する領域を小さく抑えることが可能となり、欠陥に起因する有機ＥＬパネルの画質低下を狭い領域に局在させて変調することが可能となる。
【００１７】
［適用例５］上記適用例にかかる有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記欠陥の状態を変調する工程は、前記欠陥を焼失させる工程であることを特徴とする。
【００１８】
上記した適用例によれば、焼失に伴い、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ照射領域から発生する飛沫は、電気的に絶縁性を有する封止層上に付着するため、この飛沫に起因して有機ＥＬパネルが受ける、電気的特性の変動を抑えて焼失させることが可能となる。
【００１９】
［適用例６］上記適用例にかかる有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記Ｎｄ：ＹＡＧレーザを用いて前記欠陥を囲い、かつ前記欠陥を避けた領域に照射し、前記欠陥を電気的に隔離することを特徴とする。
【００２０】
上記した適用例によれば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ照射に伴う挙動が不明な欠陥に対して、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ照射を避けて電気的に隔離するため、新たな不良発生を抑制しうる状態で欠陥を隔離することができる。
【００２１】
［適用例７］上記適用例にかかる有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記欠陥を電気的に隔離する工程は、前記欠陥を囲う領域を焼失させる工程であることを特徴とする。
【００２２】
上記した適用例によれば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを、欠陥を避けて照射し焼失させることで、欠陥を構成する汚染物質の拡散を避けて欠陥を隔離することが可能となる。
【００２３】
［適用例８］上記適用例にかかる有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記有機ＥＬ素子はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）層を含むことを特徴とする。
【００２４】
上記した適用例によれば、ＩＴＯは近赤外光を吸収する性質がある。そのため、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを用いる場合に、ＩＴＯ層に効率良くエネルギーを伝達することが可能となる。
【００２５】
［適用例９］上記適用例にかかる有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記封止層は窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテルケトン樹脂及びこれらの混合物又は化合物を単層、又は複数の材質を積層した層を用いることを特徴とする。
【００２６】
上記した適用例によれば、これらの物質はＮｄ：ＹＡＧレーザの波長に対して透明である。これらの物質を用いることで、Ｎｄ：ＹＡＧレーザのレーザ光の吸収に伴う発熱を抑制することが可能となり、熱伝導により隣接する素子に与える損傷が抑制される。
【００２７】
［適用例１０］上記適用例にかかる有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記Ｎｄ：ＹＡＧレーザがなすビーム形状は縦横比が異なる形状を有し、短辺側の法線と比べ長辺側の法線が前記欠陥に近い向きに配置することを特徴とする。
【００２８】
上記した適用例によれば、一回の照射で欠陥を囲える範囲が広がり、短い時間で欠陥を囲む処理を行うことが可能となる。
【００２９】
［適用例１１］本適用例にかかる有機ＥＬパネルは、基板側に下部電極を備え、前記下部電極と有機機能層を挟んで配置される上部電極を含む有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬパネルであって、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ照射により副次的に発生する飛沫に起因する付着物を前記有機ＥＬ素子の上部電極上に配置する構造に代えて、前記上部電極を覆い電気的に絶縁性を有する封止層上に配置することを特徴とする。
【００３０】
これによれば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ照射により発生する飛沫起因の付着物は、電気的に敏感な上部電極に代えて電気的に絶縁性を有する封止層上に配置される。そのため、電気的特性の安定性に優れた有機ＥＬパネルを提供することが可能となる。
【００３１】
［適用例１２］上記適用例にかかる有機ＥＬパネルであって、前記飛沫を発生する領域が欠陥を囲んでいることを特徴とする。
【００３２】
上記した適用例によれば、欠陥を構成する汚染物質を閉じ込めた状態で有機ＥＬパネルを提供することが可能となる。
【００３３】
［適用例１３］本適用例にかかる電子機器であって、上記記載の構造を持つ有機ＥＬパネルを含む、又は上記記載の有機ＥＬパネルの製造方法で作られた有機ＥＬパネルを含むことを特徴とする。
【００３４】
これによれば、欠陥変調に起因する副次的欠陥の発生を抑え、欠陥数が少ない有機ＥＬパネルを用いるため、表示特性に優れた電子機器を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
（有機ＥＬパネルの構成）
以下、本実施形態にかかる有機ＥＬパネルについて、図面を参照して説明する。図１は、本実施形態の有機ＥＬパネルの配線構造を示す模式図である。この有機ＥＬパネル１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下ＴＦＴと称する。）を用いたアクティブマトリクス方式のもので、複数の走査線１０１と、各走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とからなる配線構成を有するとともに、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近には、画素（サブ画素４０）が設けられている。
【００３６】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続されている。
【００３７】
サブ画素４０の各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用のＴＦＴ１２２と、スイッチング用のＴＦＴ１２２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量１１３と、を含んでいる。さらに、保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用のＴＦＴ１２３と、駆動用のＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続した場合に当該電源線１０３から駆動電流が与えられる画素電極２３と、画素電極２３と対向する対向電極５０との間に挟み込まれた有機ＥＬ素子１７（Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青））とを含んでいる。
【００３８】
次に、本実施形態の有機ＥＬパネル１の具体的な態様を、図２を参照して説明する。ここで、図２は、有機ＥＬパネル１の構成を模式的に示す平面図である。
【００３９】
図２に示すように、基板２０上の実表示領域４４には、Ｒ，Ｇ，Ｂ各色に対応して設けられたサブ画素４０がマトリクス状に規則的に配置されている。また、Ｒ，Ｇ，Ｂ各色のサブ画素４０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）は一つの基本単位となって表示単位画素４１を構成している。また、サブ画素４０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の各々は、ＴＦＴ１２２，１２３（図１参照）の動作に伴って、赤色発光（Ｒ）、緑色発光（Ｇ）、及び青色発光（Ｂ）に対応する有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を備える構成を有している。
【００４０】
本実施形態では有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）（図１参照）の光を、各有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）に対応するカラーフィルタを透過させることで、各サブ画素４０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）からＲＧＢの発光をそれぞれ得ることが可能となる。これによって表示単位画素４１は、ＲＧＢの発光を混色させてフルカラー表示を行うようになっている。
【００４１】
なお、本実施形態において画素部４３（図中一点鎖線）は、中央部分の実表示領域４４（図中二点鎖線枠内）と、実表示領域４４の周囲に配置されたダミー領域４５（一点鎖線及び二点鎖線の間の領域）とに区画されている。そして、実表示領域４４の図２中両側には、走査線駆動回路８０が配置されている。この走査線駆動回路８０は、ダミー領域４５の下層側に位置して設けられている。
【００４２】
また、実表示領域４４の図２中上方側には検査回路９０が配置されており、この検査回路９０はダミー領域４５の下層側に配置されて設けられている。この検査回路９０は、有機ＥＬパネル１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）を備え、製造途中や出荷時における有機ＥＬパネルの品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。
【００４３】
図１に示す有機ＥＬパネル１を構成する有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の一つに欠陥が生じた場合（図中×で示し、当該素子を有機ＥＬ素子１７Ａとして説明する）、有機ＥＬ素子１７Ａは、例えば画素電極２３と対向電極５０とが短絡した状態となる。この場合、有機ＥＬ素子１７Ａを駆動するための電流が印加された場合でも、電流は短絡された領域を流れ、有機ＥＬ素子１７Ａは点灯せず、黒く表示されたままとなり、図２で示すサブ画素４０（図中×で示す）が点灯しない欠陥が発生する。また、欠陥の抵抗値が低い場合、１ライン分の電圧降下が生じ線欠陥を発生する場合もある。そのため、有機ＥＬ素子１７Ａを点灯させるためには、この欠陥に起因する電気的特性の不良を修復する必要がある。以下、有機ＥＬ素子１７についてその概要を説明した後、欠陥を含む領域を同定する手法について説明し、続けて有機ＥＬ素子１７Ａを含む有機ＥＬパネル１を修復する手法について説明する。
【００４４】
（有機ＥＬ素子の概要）
以下、有機ＥＬパネル１の構成要素である有機ＥＬ素子について説明を行う。図３は、第１実施形態の有機ＥＬ素子１７を示す概略断面図である。なお、便宜上、図面上方向を「上」として定義し、以下の説明を行う。
【００４５】
有機ＥＬ素子１７は、基板２０上に、光反射層９、層間絶縁層２を含む層構造を覆う領域に配置される。有機ＥＬ素子１７は陽極３、正孔注入層４、発光層５、電子輸送層６、陰極８を順に備えている。そして、有機ＥＬ素子１７を覆う領域には封止層１３１が配置されている。正孔注入層４、発光層５及び電子輸送層６は有機物材料によって形成されており、これら有機物層によって有機機能層７が形成されている。また、有機機能層７は陽極３と陰極８との間に挟持されており、これら陽極３、有機機能層７及び陰極８によって、有機ＥＬ素子１７が形成されている。ここで、構造によってはいくつかの層を省略しても良い。また、封止層１３１に重ねて、有機ＥＬパネル１の修復後、カラーフィルタ等を形成しても良い。
【００４６】
陽極３と陰極８には、駆動電圧を印加するための配線が接続されている。そして、この配線を介して電極間に電源２１を用いて駆動電圧を印加すると、陰極８より電子が、陽極３より正孔が発光層５に注入され、印加された電場により発光層５中を移動し、再結合する。この再結合の際に放出されたエネルギーにより、励起子が生成し、この励起子が基底状態に戻る際に蛍光や燐光という形でエネルギーを放出する。有機ＥＬ素子１７から放出された光は、例えば窒化酸化珪素層／エポキシ樹脂層／窒化酸化珪素層の３層構造を有する封止層１３１から射出され、外部に取り出される。本実施形態にかかる有機ＥＬ素子１７は、所謂トップエミッション方式のものである。
【００４７】
基板２０上には、ガラス基板等の透明基板上にＴＦＴ１２２やＴＦＴ１２３（図１参照）等が配置され、これら駆動素子上に配置される層間絶縁層２を介して陽極３が形成されている。なお、基板２０に適用可能な材料としては、上記透明なガラス以外にも、石英、サファイア、あるいはポリエステル樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルケトン樹脂等の透明な合成樹脂等が挙げられる。また、トップエミッション方式を用いる場合、シリコン基板や金属、金属酸化物等、光学的に不透明な材質を用いても良い。
【００４８】
光反射層９にはアルミニウムを用いており、基板２０側に射出される光を封止層１３１側に折り返して光を射出させる。層間絶縁層２は、アルミニウムを用いた光反射層９と、後述する陽極３との接触による電蝕を防止する機能も兼ね備えている。なお、電蝕が抑えられる場合には、層間絶縁層２は省略可能である。
【００４９】
正孔注入層４は、陽極３上に形成されている。正孔注入層４は、陽極３から注入した正孔を発光層５に注入する。正孔注入層４の形成材料としては、アリールアミン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポリアニリン誘導体＋有機酸、ポリチオフェン誘導体＋ポリマー酸等を用いることができる。特に、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルフォン酸との混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）が好適である。低分子材料の構成では、正孔注入層４の上にさらに正孔輸送層４’（図示せず）が形成されることがある。正孔注入層４の形成材料としては、銅フタロシアニンやアリールアミン等の低分子材料が用いられる。正孔輸送層４’としては、ジフェニルアミンやトリフェニルアミン等のフェニルアミン系誘導体、芳香族アミン系材料、スチリルアリーレン誘導体等を用いることができる。
【００５０】
発光層５は、正孔注入層４上に形成されており、陰極８から注入される電子と、正孔注入層４から注入される正孔が結合して所定の波長を有する光を発光する。この発光層５の材料としては、具体的には、ポリフルオレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリメチルフェニルシラン誘導体等のポリシラン系等の高分子有機材料が好適に用いられる。低分子材料の構成で白色発光させる機能を有するものの場合、発光層５は、一例として、正孔注入層４側から順に、赤色発光層５Ｒ、青色発光層５Ｂ、及び緑色発光層５Ｇの構造を有する。これらの発光層は、それぞれホスト材料と発光ドーパントとを含む。ホスト材料は電子と正孔の両方を流すことのできる材料である。発光ドーパントとホスト材料とを併用した発光層では、ホスト材料からの発光はほとんど観察されず、発光ドーパントが主として発光する。ホスト材料と発光ドーパントとを併用した発光層において観察される発光スペクトルは、発光ドーパントの発光である。発光層の発光の波形は有機分子骨格によって決定される。
発光ドーパントは、一重項励起子から発光する蛍光発光性化合物、三重項励起子から発光する燐光発光性化合物のいずれであってもよく、たとえば、蛍光材料としては、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アントラセン誘導体、ルブレン誘導体、スチリルアミン誘導体、クマリン誘導体等を挙げることができる。燐光材料としては、イリジウム金属錯体、白金金属錯体などを用いることができる。好ましくは、赤色発光材料としては、ジベンゾジインデノペリレン誘導体を、緑色発光材料としては、クマリン誘導体、ナフタセン誘導体を用いる。青色発光材料としては、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、フルオランテン誘導体などを用いることができる。好ましくは、ジスチリルアミン誘導体を用いる。ホスト材料としては、アルミニウム錯体、ベリリウム錯体のほか、アントラセン（２量体を含む）誘導体、カルバゾール誘導体、スチリルアミン誘導体等の公知の材料が用いられる。
【００５１】
電子輸送層６を形成する形成材料としては、ポリフルオレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン等のポリシラン系等の高分子有機材料が好適に用いられる。
【００５２】
電子輸送層６は、陰極８から注入された電子を発光層５へ効率的に輸送するために、電気的な還元電位が発光層５を形成する発光材料の電気的な還元電位よりも小さい材料を用いることが望ましい。また、正孔注入層４から発光層５に注入された正孔が発光層内で再結合せずにそのまま陰極８側に通過するのを阻止するために、電気的な酸化電位が発光層５を形成する発光材料の電気的な酸化電位よりも大きい材料を用いることが望ましく、この構成により発光効率の向上を図ることができる。電子輸送層６としては、８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体とその金属錯体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体等が用いられる。
【００５３】
陽極３は、基板２０上にパターニングにより形成され、かつＴＦＴ素子からなる駆動素子や各種配線等と接続されたものである。ここでは陽極３として、膜厚が５０ｎｍのインジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：以下、ＩＴＯと称す）を用いている。ＩＴＯは近赤外光を吸収する性質がある。そのため、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを用いる場合に、ＩＴＯ層（陽極３）に効率良くエネルギーを伝達することが可能となる。
【００５４】
この陽極３を形成する方法としては、ＩＴＯ部材をターゲットとし、例えばイオンビームスパッタ法を用いて形成することができる。そして、陰極８は例えば、ＬｉＦ＋ＭｇＡｇを共蒸着したものを用いている。
【００５５】
このような構造を持つ有機ＥＬ素子１７を製造する工程で、異物の侵入や封止層１３１を形成する工程での応力等に起因する欠陥（ウィスカー等）が発生すると、陽極３と陰極８との短絡不良が発生する。短絡不良が発生した有機ＥＬ素子１７Ａ（図１参照）に電流を供給した場合、電流は短絡された流路を通り、有機ＥＬ素子１７Ａは発光しない。そのため、有機ＥＬ素子１７Ａが含む欠陥に起因する電気的特性の乱れを修復する必要が生じる。
【００５６】
（欠陥位置の同定手法）
有機ＥＬ素子１７Ａ（図１参照）が含む欠陥に起因する電気的特性の乱れを修復するためには、欠陥を含む有機ＥＬ素子１７Ａの位置を同定する必要がある。有機ＥＬ素子１７Ａの欠陥は、基本的にはショートにより発生するため、通常の駆動電流と逆方向に低いバイアス電圧をかけて、発光している領域（ショートしている領域）の座標を検出し、この座標を元に、欠陥位置の同定を行うことが可能となる。
【００５７】
より具体的には、有機ＥＬパネル１に低い逆バイアス電圧を掛けた状態で、欠陥部から射出される低輝度の赤外線をエミッション顕微鏡を用いて検出し、異常発光箇所の同定を行う。そして異常発光箇所の座標を記憶させた後、修復工程を行う。
【００５８】
図４は、異常発光箇所を検出する検査装置の概略図である。検査装置２００は、制御用コンピュータ２０１、表示装置２０２、ＸＹステージ２１０、撮像部２０５と、を含む。制御用コンピュータ２０１は表示装置２０２、ＸＹステージ２１０及び撮像部２０５を制御する。リペア対象の有機ＥＬパネル１は、ＸＹステージ２１０にセットされる。そして、制御用コンピュータ２０１の制御によって定められた電圧が有機ＥＬパネル１に印加される。
【００５９】
撮像部２０５は顕微鏡２０８及びＣＣＤカメラ２０６を含み、制御用コンピュータ２０１の指示により所定の条件で、有機ＥＬパネル１を撮像し、撮像データを制御用コンピュータ２０１に送る。表示装置２０２は制御用コンピュータ２０１の指示により、撮像部２０５が撮像した像を画面に表示する。ＸＹステージ２１０は、制御用コンピュータ２０１の制御によってＸ方向及びＹ方向に独立して移動する。
【００６０】
制御用コンピュータ２０１は、ＸＹステージ２１０の移動を制御するとともに、常にＸＹステージ２１０の位置を把握している。また、制御用コンピュータ２０１は表示装置２０２に表示されている像の１箇所がマウスでクリックされると、マウスでクリックされた有機ＥＬパネル１上の位置データを、クリックされた時点でのＸＹステージ２１０の位置データに基づき計算し、前記クリック位置を把握して、記憶する。この操作により、有機ＥＬパネル１を構成する有機ＥＬ素子１７のうち、欠陥を有する有機ＥＬ素子１７Ａを抽出することが可能となる。ここで、クリック操作に代えて、画像処理を行うことで自動的に欠陥を探査させ、欠陥を有する有機ＥＬ素子１７Ａを検出させても良い。
【００６１】
（有機ＥＬパネルの修復手法−１）
以下、有機ＥＬパネル１を修復する手法としての、修復手法−１について図面を用いて説明する。図５（ａ）は、図１に示す有機ＥＬパネル１を構成する、欠陥部分１０５を含む有機ＥＬ素子１７Ａの模式断面図、（ｂ）は、修復後における有機ＥＬ素子１７Ａの模式断面図である。
【００６２】
図３との相違は、欠陥部分１０５が陽極３と陰極８を短絡させている点である。他の点においては図３と同じ構成を有しており、基板２０上に、光反射層９、層間絶縁層２、陽極３、正孔注入層４、発光層５、電子輸送層６、陰極８、及び封止層１３１が配置されている。有機ＥＬ素子１７Ａには、異物や封止層１３１を形成する際の応力等に起因するウィスカー等より生じる欠陥部分１０５に起因する短絡不良が発生している。
【００６３】
この状態では有機ＥＬ素子１７Ａは点灯しない。この場合、封止層１３１を通してエネルギーを印加して、欠陥部分１０５に起因する短絡不良を起している領域の電気的特性を変調させることが有効な解決策となる。より具体的には、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの基本波、第２高調波、第３高調波のいずれか一つ（以下レーザ光と記す）を集光して照射し、欠陥部分１０５を含む領域を焼き切ることが有効となる。なお、レーザ光で焼き切るのは、陰極８だけでよい。陰極８を焼き切ることによって欠陥部分１０５は電気的に孤立するので、当該欠陥部分１０５に起因する電気的不良を解決することができる。また、陰極８を焼き切るだけなので、その他の電子輸送層６や発光層５などの層を余計に焼ききる必要がないので、飛沫１０４の発生を抑制することができる。
【００６４】
封止層１３１を通して上記レーザ光を照射することで、封止層１３１の形成工程で生じる応力等に起因する欠陥（例えばウィスカー）に対しても対応することが可能となり、より高い修復精度をもって欠陥の修復が行え、欠陥数の少ない有機ＥＬパネル１を提供するための製造方法を提供することが可能となる。
【００６５】
また、図５（ｂ）に示すように、封止層１３１を介して上記レーザ光を照射することで、短絡不良を起している領域を焼き切る場合に発生する飛沫１０４は封止層１３１上に配置される。この場合、陰極８上には飛沫１０４は付着しない。
【００６６】
このように、飛沫１０４を陰極８上に代えて封止層１３１上に配置することで、電気的に敏感な陰極８上への飛沫１０４の付着が防止される。従って、飛沫１０４の付着による初期不良や、飛沫１０４と陰極８との間で生じる電蝕による信頼性の低下を抑制することができる。即ち、飛沫１０４を陰極８上に代えて封止層１３１上に有する有機ＥＬパネル１は、優れた初期特性と、高い信頼性を有している。
【００６７】
また、上記レーザ光の照射は、封止層１３１を介して行うことに限定されず、特にボトムエミッション型の有機ＥＬパネル１を形成する場合には、基板２０側から短絡不良を起している領域に照射しても良い。この場合にも前述した効果を得ることができる。なお、ボトムエミッション型に対応させるためには、光反射層９を基板側に設ける構造に代えて、陰極８よりも上層に形成することで実現することができる。この場合、基板２０にレーザ光に対する光透過率が８０％以上となるガラス等を用いることが好ましい。
【００６８】
封止層１３１を介して上記レーザ光を照射する場合には、封止層１３１のレーザ光に対する光透過率が８０％以上であることが好ましい。例えば、無機物として、窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム等を用いることができる。又、例えば、有機物として、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテルケトン樹脂等を用いることができる。また、上記した材質の化合物、混合物を用いても良い。そして上記した素材を用いて単層、又は複数の材質を積層した層を用いることも好適である。
【００６９】
これらの材料を用いた場合、層厚は５μｍ程度の厚みを持たせることが好適である。光透過率が８０％以上である場合、レーザ光が効率良く有機ＥＬ素子１７Ａに照射されることで、処理時間の短縮を図ることが可能となる。上記した条件を満たすことで、標的となる有機ＥＬ素子１７Ａ以外の，例えば封止層１３１や基板２０に吸収されるエネルギーを低減できるため、封止層１３１又は基板２０でのエネルギー吸収による温度上昇を抑えることができる。従って、標的となる有機ＥＬ素子１７Ａ以外の領域に与える影響を抑制することが可能となる。
【００７０】
また、短絡不良を起している領域を焼き切った後、封止層１３１を覆うように保護層を形成しても良い。この場合、焼き切った領域に形成される空孔は保護層により覆われる。そのため、大気から空孔を介しての酸素や水分の侵入が抑えられる。従って、より信頼性高く修復処理を行うことが可能となる。
【００７１】
また、短絡不良を起している領域を焼き切る工程を真空、又は不活性ガス雰囲気で行い、大気に晒す事無く保護層を形成することも好適であり、大気から空孔を介して侵入する酸素や水分の影響をより確実に抑えることが可能となる。
【００７２】
（有機ＥＬパネルの修復手法−２）
以下、有機ＥＬパネルの修復手法−２について図面を用いて説明する。図６（ａ）は、図１に示す有機ＥＬパネル１を構成する、欠陥を含む有機ＥＬ素子１７Ａを修復した状態での模式平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線模式断面図である。有機ＥＬパネルの修復方法−１と異なる点は、図６（ａ），（ｂ）に示すように、有機ＥＬ素子１７Ａの欠陥部分１０５を囲うように焼き切っている点である。この場合には、欠陥部分１０５を避けるように焼き切っているため、欠陥部分１０５にはレーザ光は照射されていない。
【００７３】
欠陥部分１０５には、有機ＥＬパネル１を汚染する物質が混入しているおそれがあるため、ここに直接レーザ光を照射した場合、汚染物質が飛散し、有機ＥＬパネル１の特性の低下、及び周辺への汚染物質の拡散が生じるおそれがある。このように、欠陥部分１０５を避け、かつ欠陥部分１０５を囲うようにレーザ光を照射することで、欠陥そのものを封じ込めた状態で有機ＥＬパネル１の修復を行うことができる。なお、レーザ光で焼き切るのは、陰極８だけでよい。陰極８を焼き切ることによって欠陥部分１０５は電気的に孤立するので、当該欠陥部分１０５に起因する電気的不良を解決することができる。また、陰極８を焼き切るだけなので、その他の電子輸送層６や発光層５などの層を余計に焼ききる必要がないので、飛沫１０４の発生を抑制することができる。
【００７４】
即ち、陰極８上に代えて、欠陥部分１０５を囲うように、飛沫１０４が封止層１３１上に有する有機ＥＬパネル１は、優れた初期特性と、高い信頼性を有している。また、汚染物質の飛散が抑えられているため、想定外の悪影響の発生が抑えられ、さらに高い信頼性を有することを可能としている。
【００７５】
ここで、レーザ光のビーム形状を変えることで、より効率的に欠陥部分を囲うことが可能となる。具体的には、レーザ光のビーム形状を楕円形や長方形等、縦横比が異なる形状とし、短辺側の法線と比べ長辺側の法線が欠陥部分に近づくよう配置することで、欠陥部分１０５を囲う空孔領域を細い領域に抑えることができる。そのため、修復に必要とする面積を小さくでき、有機ＥＬ素子１７Ａの特性劣化を抑えて修復することができる。
【００７６】
また、空孔領域の面積を小さくできることから、修復処理に要する時間を短縮することができる。加えて、欠陥修復に要するレーザ光のエネルギーを低減することができる。従って、修復を行う領域外に与えるレーザ光起因のダメージを低減することが可能となる。この場合、レーザ光を連続的に走査して欠陥を囲う方法に代えて、空孔領域の平面形状を内側が埋められた多角形状にすべくステップ状にレーザ光を照射しても良い。また、レーザ光のビーム形状を中空の円形形状等に加工し、一回の照射で欠陥を囲うよう加工しても良い。
【００７７】
（電子機器への搭載例）
以下、図７を参照して、上述した有機ＥＬパネル１を含む電子機器について説明する。図７（ａ）に、有機ＥＬパネル１を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ２０００は、有機ＥＬパネル１と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。
【００７８】
図７（ｂ）に、有機ＥＬパネル１を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての有機ＥＬパネル１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、有機ＥＬパネル１に表示される画面がスクロールされる。
【００７９】
図７（ｃ）に、有機ＥＬパネル１を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての有機ＥＬパネル１を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が有機ＥＬパネル１に表示される。
【００８０】
なお、有機ＥＬパネル１が搭載される電子機器としては、図７に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した有機ＥＬパネル１が適用可能である。
【００８１】
また、有機ＥＬパネル１の視野角の広さ、画質の高さ、画像の動きに対する追従性の高さを活用して車載用のカーナビゲーションシステムやインパネにも適用できる。また、光電変換効率の高さを活かして、ページプリンタ等の露光光源、照明等にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】有機ＥＬパネルの配線構造を示す模式図。
【図２】有機ＥＬパネルの構成を模式的に示す平面図。
【図３】有機ＥＬ素子の概略構成図。
【図４】異常発光箇所を検出する検査装置の概略図。
【図５】（ａ）は、有機ＥＬパネルを構成する、欠陥部分を含む有機ＥＬ素子の模式断面図、（ｂ）は、修復後における有機ＥＬ素子の模式断面図。
【図６】（ａ）は、有機ＥＬパネルを構成する、欠陥を含む有機ＥＬ素子を修復した状態での模式平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線模式断面図。
【図７】（ａ），（ｂ），（ｃ）は有機ＥＬパネルを含む電子機器の模式図。
【符号の説明】
【００８３】
１…有機ＥＬパネル、２…層間絶縁層、３…陽極、４…正孔注入層、５…発光層、６…電子輸送層、７…有機機能層、８…陰極、９…光反射層、１７…有機ＥＬ素子、１７Ａ…有機ＥＬ素子、２０…基板、２１…電源、２３…画素電極、４０…サブ画素、４１…表示単位画素、４３…画素部、４４…実表示領域、４５…ダミー領域、５０…対向電極、８０…走査線駆動回路、９０…検査回路、１００…データ線駆動回路、１０１…走査線、１０２…信号線、１０３…電源線、１０４…飛沫、１０５…欠陥部分、１１３…保持容量、１２２…ＴＦＴ、１２３…ＴＦＴ、１３１…封止層、２００…検査装置、２０１…制御用コンピュータ、２０２…表示装置、２０５…撮像部、２０６…ＣＣＤカメラ、２０８…顕微鏡、２１０…ＸＹステージ、２０００…パーソナルコンピュータ、２００１…電源スイッチ、２００２…キーボード、２０１０…本体部、３０００…携帯電話機、３００１…操作ボタン、３００２…スクロールボタン、４０００…情報携帯端末、４００１…操作ボタン、４００２…電源スイッチ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬパネルの製造方法であって、
基板上に前記有機ＥＬ素子を形成する工程と、
前記有機ＥＬ素子を封止層で覆う工程と、
前記封止層又は前記基板を通して前記有機ＥＬ素子にエネルギーを印加して、前記有機ＥＬ素子が有する欠陥に起因する電気的不良を修復する工程と、を含むことを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記エネルギーとしてＮｄ：ＹＡＧレーザの基本波、第２高調波、第３高調波の少なくとも一つを用いることを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記基板又は前記封止層が、前記Ｎｄ：ＹＡＧレーザの基本波、第２高調波、第３高調波の少なくともいずれか一つの波長に対して、８０％以上の透過率を有することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記Ｎｄ：ＹＡＧレーザを前記欠陥に照射し、前記欠陥の状態を変調することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記欠陥の状態を変調する工程は、前記欠陥を焼失させる工程であることを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項６】
請求項１から３のいずれか一項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記Ｎｄ：ＹＡＧレーザを用いて前記欠陥を囲い、かつ前記欠陥を避けた領域に照射し、前記欠陥を電気的に隔離することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記欠陥を電気的に隔離する工程は、前記欠陥を囲う領域を焼失させる工程であることを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記有機ＥＬ素子はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）層を含むことを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記封止層は窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテルケトン樹脂及びこれらの混合物又は化合物を単層、又は複数の材質を積層した層を用いることを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項１０】
請求項６又は７に記載の有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記Ｎｄ：ＹＡＧレーザがなすビーム形状は縦横比が異なる形状を有し、短辺側の法線と比べ長辺側の法線を前記欠陥に近い向きに配置することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項１１】
基板側に下部電極を備え、前記下部電極と有機機能層を挟んで配置される上部電極を含む有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬパネルであって、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ照射により副次的に発生する飛沫に起因する付着物を前記有機ＥＬ素子の上部電極に配置する構造に代えて、前記上部電極を覆い電気的に絶縁性を有する封止層上に配置することを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項１２】
請求項１１に記載の有機ＥＬパネルであって、前記飛沫を発生する領域が欠陥を囲んでいることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項１３】
請求項１１又は１２に記載の構造を持つ有機ＥＬパネルを含む、又は請求項１から１０のいずれか一項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法で作られた有機ＥＬパネルを含むことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬパネルの製造方法であって、
基板上に前記有機ＥＬ素子を形成する工程と、
前記有機ＥＬ素子を封止層で覆う工程と、
前記封止層又は前記基板を通して前記有機ＥＬ素子にエネルギーを印加して、前記有機ＥＬ素子が有する欠陥に起因する電気的不良を修復する工程と、を含むことを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記エネルギーとしてＮｄ：ＹＡＧレーザの基本波、第２高調波、第３高調波の少なくとも一つを用いることを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記基板又は前記封止層が、前記Ｎｄ：ＹＡＧレーザの基本波、第２高調波、第３高調波の少なくともいずれか一つの波長に対して、８０％以上の透過率を有することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記Ｎｄ：ＹＡＧレーザを前記欠陥に照射し、前記欠陥の状態を変調することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記欠陥の状態を変調する工程は、前記欠陥を焼失させる工程であることを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項６】
請求項１から３のいずれか一項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記Ｎｄ：ＹＡＧレーザを用いて前記欠陥を囲い、かつ前記欠陥を避けた領域に照射し、前記欠陥を電気的に隔離することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記欠陥を電気的に隔離する工程は、前記欠陥を囲う領域を焼失させる工程であることを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記有機ＥＬ素子はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）層を含むことを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記封止層は窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテルケトン樹脂及びこれらの混合物又は化合物を単層、又は複数の材質を積層した層を用いることを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項１０】
請求項６又は７に記載の有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記Ｎｄ：ＹＡＧレーザがなすビーム形状は縦横比が異なる形状を有し、短辺側の法線と比べ長辺側の法線を前記欠陥に近い向きに配置することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項１１】
基板側に下部電極を備え、前記下部電極と有機機能層を挟んで配置される上部電極を含む有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬパネルであって、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ照射により副次的に発生する飛沫に起因する付着物を前記有機ＥＬ素子の上部電極に配置する構造に代えて、前記上部電極を覆い電気的に絶縁性を有する封止層上に配置することを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項１２】
請求項１１に記載の有機ＥＬパネルであって、前記飛沫を発生する領域が欠陥を囲んでいることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項１３】
請求項１１又は１２に記載の構造を持つ有機ＥＬパネルを含む、又は請求項１から１０のいずれか一項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法で作られた有機ＥＬパネルを含むことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２００９−１５８４３３（Ｐ２００９−１５８４３３Ａ）
【公開日】平成２１年７月１６日（２００９．７．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−３３８５９０（Ｐ２００７−３３８５９０）
【出願日】平成１９年１２月２８日（２００７．１２．２８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年７月１６日（２００９．７．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１２月２８日（２００７．１２．２８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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