有機ＥＬ表示装置の製造方法
【課題】第１絶縁層の下部電極層との剥がれを抑制することにより、製品の寿命を向上させることができる有機ＥＬ表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
下部電極層と、該下部電極層上に形成された複数の発光素子と、該発光素子上に形成された上部電極層と、第１絶縁層および第２絶縁層を有するとともに前記発光素子同士の間に配置され隔壁と、を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、前記隔壁を形成する工程は、前記第１電極上にフォトリソグラフィ法により、感光性樹脂からなる第１絶縁層を形成する第１工程と、前記第１絶縁層上にフォトリソグラフィ法により、前記第１絶縁層の外周端部が露出するように感光性樹脂からなる第２絶縁層を形成する第２工程と、前記第１絶縁層の外周端部を除去する第３工程と、を備えることを特徴とする
【解決手段】
下部電極層と、該下部電極層上に形成された複数の発光素子と、該発光素子上に形成された上部電極層と、第１絶縁層および第２絶縁層を有するとともに前記発光素子同士の間に配置され隔壁と、を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、前記隔壁を形成する工程は、前記第１電極上にフォトリソグラフィ法により、感光性樹脂からなる第１絶縁層を形成する第１工程と、前記第１絶縁層上にフォトリソグラフィ法により、前記第１絶縁層の外周端部が露出するように感光性樹脂からなる第２絶縁層を形成する第２工程と、前記第１絶縁層の外周端部を除去する第３工程と、を備えることを特徴とする
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パーソナルコンピュータや携帯電話等に用いられる有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機ＥＬ表示装置は、複数の発光部を有する素子基板に封止基板を被せて、接合材を用いて素子基板と封止基板とを接着し、これによって形成されたマザー基板を個々の表示装置に切断することにより作製している。そして、有機ＥＬ表示装置においては、個々の表示装置の素子基板における少なくとも１辺の周辺部に、駆動ＩＣが実装される回路層、あるいはＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の外部接続部材等が電気的に接続される回路層が設けられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このような有機ＥＬ表示装置においては、下部電極層は平坦であることが望まれている。しかし、下部電極層の下側（素子基板側）には種々の画像回路が設けられた回路部が設けられてれおり、該回路部の表面は平坦ではない。そこで回路部上に例えば、有機感光材料等からなる絶縁層によって平坦面を設けて、その上に下部電極層を形成している。
【０００４】
ここで、従来の有機ＥＬ表示装置の製造方法について図９〜１１を参照して簡単に説明する。まず、素子基板２１２上に薄膜トランジスタを有する回路部２１８を形成する。そして、回路部２１８を覆うように下部絶縁膜２２０を形成する。次いで、下部絶縁膜２２０上に有機材料からなる絶縁性膜を形成し、該絶縁性膜に対して露光マスクを用いて露光し、さらに現像、ベークを行って、回路部２１８上の一部に穴構造を有する所定形状の平坦化膜２２２を形成する。
【０００５】
さらに、導電層２２４および下部電極層２２８となる導電性膜を平坦化膜２２２上の一面に形成し、該導電性膜上にレジストを塗布する。次いで露光マスクを用いて該レジストを露光し、さらに現像、ベークを行って前記穴構造上を含む所定の形状のパターニングしたレジストを得る。そして、このパターニングしたレジストをエッチングマスクとして用いて導電性膜のエッチングを行い、平坦化膜２２２上および穴構造上に所定の形状の下部電極層２２８および第２導電層２２４を形成する。これにより、穴構造部において回路部２１８と導電層２２４とが電気的に接続されるコンタクト部を形成する。
【０００６】
次いで、コンタクト部上を含む領域に有機材料からなる絶縁膜を形成し、露光および現像を行い、図９に示すように、下部電極層２２８上に有機ＥＬ表示装置の発光領域を定める第１絶縁層２２６(エッジインシュレータ：ＥＩ)を形成する。
【０００７】
そして、第１絶縁層２２６上に有機材料からなる絶縁膜を形成し、露光および現像を行い、図１０に示すように、第１絶縁層２２６上の一部に所定形状の第２絶縁層２３０（リブ）を形成する。
【０００８】
その後、第２絶縁層２３０上にマスクを載置し、正孔注入層、有機材料からなる発光層、電子注入層等を有する発光素子２３２を蒸着等により形成する。次いで、発光素子２３２上に導電層２２４と電気的に接続された上部電極層２３４を形成する。そして、上部電極層２３４上をＳｉＮｘ、ＳｉＯＸ、ＳｉＮＸＯｙ等からなる保護膜２３５を形成し、最後に素子基板２１２と封止基板２１４とを有機材料からなる接合材２３６により封止して図１１に示す有機ＥＬ表示装置２００を製造する。
【特許文献１】特開２００５−７８９４６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記構造の有機ＥＬ表示装置２００において、エッジインシュレータとして機能する平坦化膜２２６とリブとして機能する第２絶縁層２３０はともに感光性樹脂等の有機材料が用いられている。そして、所定形状の形状に成型するために、露光工程、現像工程およびベーク工程などを有するフォトリソグラフィ法を用いている。
【００１０】
第２絶縁層２３０は、発光素子２３２の形成のためのマスクなどを載置するためのものであり、広い面積は必要ない。そのため、平坦化膜２２６上の一部の領域にのみ形成されている。これにより、平坦化膜２２６の外周端部は、第２絶縁層２３０の現像工程時においても、現像液やプラズマ照射等に曝されることとなる。
【００１１】
金属材料からなる導電層２２４および下部電極２２８と、感光性樹脂からなる平坦化膜２２６との密着性はそれほど高くない。そのため、第２絶縁層２３０と同様の感光性樹脂からなる平坦化膜２２６の外周端部が、導電層２２４や下部電極層２２８から剥がれが発生するという問題があった。
【００１２】
そこで、本発明は、上記問題に鑑み、第１絶縁層の下部電極層との剥がれを抑制することにより、製品の寿命を向上させることができる有機ＥＬ表示装置およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法は、下部電極層と、該下部電極層上に形成された複数の発光素子と、該発光素子上に形成された上部電極層と、第１絶縁層および第２絶縁層を有するとともに前記発光素子同士の間に配置され隔壁と、を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、前記隔壁を形成する工程は、前記第１電極上にフォトリソグラフィ法により、感光性樹脂からなる第１絶縁層を形成する第１工程と、前記第１絶縁層上にフォトリソグラフィ法により、前記第１絶縁層の外周端部が露出するように感光性樹脂からなる第２絶縁層を形成する第２工程と、前記第１絶縁層の外周端部を除去する第３工程と、を備えることを特徴とする。
【００１４】
また、上記発明において、前記第３工程は、ドライエッチング法を用いて前記第１絶縁層の外周端部を除去することが好ましい。
【００１５】
また、上記発明において、前記第３絶縁層は、前記第１絶縁層よりも厚みが厚いことが好ましい。
【００１６】
また、上記発明において、前記第１絶縁層は、各発光素子の開口範囲を規定するエッジインシュレータであり、前記第１工程において、前記第１絶縁層を所定の前記開口範囲よりも広く形成し、前記第３工程において、前記第１絶縁層を所定の開口範囲に形成することが好ましい。
【００１７】
また、上記発明において、前記第２絶縁層は、前記発光素子を形成するためのマスク又は、封止基板が載置されるリブであることが好ましい。
【００１８】
また、上記発明において、前記第１絶縁層と、前記第２絶縁層は、同じ材料から形成されることが好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の製造方法によれば、第１絶縁層の形成工程および第２絶縁層の形成工程において、現像液に曝された第１絶縁層の外周端部を除去することにより、第１絶縁層の下部電極層からの剥がれの発生を抑制することができる。そのため、第１絶縁層の剥がれを抑制することが可能となり、有機ＥＬ表示装置の製品の寿命を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に本発明の一実施例により製造された有機ＥＬ表示装置を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、図面は本発明の理解を容易にするための概略図であり、実際の寸法および縮尺とは異なる場合がある。
【００２１】
図１は、一実施例により製造された有機ＥＬ表示装置の概略構造を示す平面図である。また、図２は、一実施例により製造されたかかる有機ＥＬ表示装置の画素部における概略構成を示す断面図である。
【００２２】
この有機ＥＬ表示装置１は、素子基板１２と、素子基板１２上にマトリクス状に配列した複数の発光素子３２と、素子基板１２に対向して設けられた封止基板１４と、を備えている。素子基板１２の周囲辺のうちの一辺には、発光素子３２を点灯駆動さえるためのドライバが実装されたり、ＦＰＣ等の外部接続部材が電気的に接続される外部接続回路５０を形成されている。
【００２３】
素子基板１２および封止基板１４は、ガラス、石英、樹脂、プラスチック、金属等を用いることが可能である。本実施形態においては、封止基板１４側から光を取り出す構造となっているため、封止基板１４は透明性又は半透明性の材料を採用している。また、素子基板１２側から光を取り出す構造においては、素子基板１２について透明性又は半透明性の材料を用いる必要がある。
【００２４】
素子基板１２上には、薄膜トランジスタを備える回路部１８が形成されている。素子基板１２と封止基板１４との間には、複数の発光素子３２を有する表示領域を含んで素子基板１２と封止基板１４とを接合する接合材１６を備えている。これにより、表示領域１０は外気から遮断される状態で封止されている。接合材１６としては、有機材料が用いられ、例えば光硬化性または熱硬化性のアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコン樹脂等を用いることができる。
【００２５】
素子基板１２上および回路部１８上には、有機物または無機物等の材料からなる平坦化膜２２を備えている。この平坦化膜２２は、該平坦化膜２２上に形成する下部電極層２８を形成するための平坦化膜として機能する。また平坦化膜２２は、回路部１８の第１導電層２２の領域上に穴構造を有している。なお、平坦化膜２２として有機材料を用いる場合は、例えばアクリル樹脂やポリイミド樹脂等を用いることができる。また、無機物を用いる場合は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物等を用いることができる。
【００２６】
平坦化膜２２上には、金属材料を有する下部電極層２８が形成されている。また、穴構造上には、金属材料からなる導電層２４が形成されている。この導電層２４は、回路部１８と電気的に接続されている。この穴構造における回路部１８および導電層２４はコンタクト部として機能する。なお、下部電極層は、アノード電極として機能するものであり、アルミニウム、銀、銅または金等の金属或いはこれらの合金等を用いることができる。
【００２７】
下部電極層２８上には、正孔注入層、有機材料からなる発光層、電子注入層等を備える発光素子３２を備えている。
【００２８】
正孔注入層は、例えば、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンまたはその誘導体等を、ポリスチレンスルホン酸等の分散媒に分散させたものを用いることができる。
【００２９】
発光層は、蛍光または燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。また、赤、緑、青（Ｒ，Ｇ、Ｂ）の各色の発光層をそれぞれ設けることで、フルカラー表示が可能な有機ＥＬ表示装置にすることが可能となる。発光層は、例えば、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフィニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体やポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）等のポリシラン系等を用いることができる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素等の高分子材料や、ルブレン、ペリレン、テトラフェニルブタジエン、キナクリドン、ナイルレッド等の低分子材料をドープすることも可能である。
【００３０】
電子注入層としては、例えば、ＬｉＦ（フッ化リチウム）、ＮａＦ（フッ化ナトリウム）、ＫＦ（フッ化カリウム）、ＲｂＦ（フッ化ルビジウム）、ＣｓＦ（フッ化セリウム）等や、Ｌｉ２Ｏ（酸化リチウム）、Ｎａ２Ｏ（酸化ナトリウム）等のアルカリ金属の酸化物等を用いることができる。
【００３１】
発光素子３２上には、金属材料を有する上部電極層３４が形成されている。当該上部電極層は、隣り合う発光素子上に形成された上部電極層をそれぞれ接続されている。なお、上部電極層３４はカソード電極として機能するものであり、材料としてはインジウム錫酸化膜（ＩＴＯ）または錫酸化膜等の光透過性を有する導電材料を用いることができる。また、マグネシウム、銀、アルミニウム、カルシウム等の材料またはこれらの合金等を用いることができ、その厚みを３０ｎｍ以下とすることによって、光透過性の電極をすることができる。
【００３２】
穴構造上を含む領域には、感光性を有する有機材料からなる第１絶縁層２６が形成されている。この第１絶縁層２６は、穴構造の内部を埋める部分と、平坦化膜２２上に形成された部分とを有している。第１絶縁層２６の材料としては、感光性を有する有機材料を用いることができる。具体的には、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂およびノボラック樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種を含むものを用いる場合は、成膜性、耐久性およびコスト面で優れているため好ましい。
【００３３】
また、第１絶縁層２６上の一部には、第２絶縁層３０が形成されている。第２絶縁層３０の材料としては、感光性を有する有機材料を用いることができる。特に、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂およびノボラック樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種を含むものを用いる場合は、成膜性、耐久性およびコスト面で優れているため好ましい。
【００３４】
なお、前記第１絶縁層２６および第２絶縁層３０は、各発光素子同士の間に配置された隔壁として機能する。
【００３５】
前記上部電極層３４上には、当該上部電極層３４を密封する保護膜３５を備えている。この保護膜３５は、発光素子３２の外気や水分との接触を防止するためのものであり、例えばＳｉＮｘ等を用いることができる。保護膜３５の厚みとしては、例えば１００ｎｍ以上、５μｍ以下で形成される。
【００３６】
（製造方法）
次に本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法の一実施例を、図３〜８を参照して説明する。まず、素子基板１２および封止基板１４を準備する。素子基板１２又は封止基板１４の少なくとも、例えばガラスなどの光透過性の基板を準備する。そして、薄膜トランジスタを含む各種回路が形成された回路層１８を素子基板１２上に形成する。また、素子基板１２の周囲辺のうちの一辺には、発光素子３２を点灯駆動さえるためのドライバが実装されたり、ＦＰＣ等の外部接続部材が電気的に接続される外部接続回路５０を形成する。次に、回路層１８を絶縁するために回路層１８を覆うように、に下部絶縁膜２０を形成する。
【００３７】
次いで、回路層１８上および下部絶縁膜２０上に有機膜からなる絶縁性膜２２ａを形成する。露光マスクを用いて有機材料からなる絶縁性膜に対して露光及び現像を行う。これにより、露光マスクに覆われていない絶縁性膜２２ａが除去される。次に、露光工程を終えた素子基板に対して、ベークを行って、回路部１８に対応する位置に穴構造を有し、平坦化膜２２を形成する。
【００３８】
続いて、平坦化膜２２上に金属材料からなる導電性膜を形成し、該導電性膜上にレジストを塗布する。そして、露光マスクを取付け、レジストに対して露光工程および現像工程を行い、所定形状にする。そして、エッチング工程により、導電性膜を穴構造に対応し、回路部１８と電気的に接続された導電部２４と、アノード電極として機能する下部電極層２８とをそれぞれ形成する。当該工程まで終了した時点の概略図を図３に示す。
【００３９】
次に、第１絶縁層２６および第２絶縁層からなる隔壁の形成方法を説明する。隔壁の形成は、第１絶縁層２６を形成する工程と、第２絶縁層３０を形成する工程と、第１絶縁層２６の外周端部を除去する工程とを備えている。以下に工程について詳細に説明する。
【００４０】
第１絶縁層２６の形成工程について、図４および図５を参照して説明する。第１絶縁層２６は露光工程、現像工程、ベーク工程を備えるフォトリソグラフィ法を用いて所定形状に形成される。具体的には、下部電極層２８上にＪＳＲ社製オプトマーＮＮ７００Ｇ又はオプトマーＰＣ４１５Ｇからなる絶縁膜２６ａを形成し、露光マスク６０で覆って露光工程を行う。なお、当該露光マスク６０は、リブとして機能する部分に対応する箇所の光透過率が低く、その他の箇所の光透過率が高いものを使用した。その後、現像液を用いて現像工程を行い、絶縁膜２６ａの不要な部分を除去し、ベーク工程を行い、図５に示すような所定形状の第１絶縁層２６を形成する。なお、リブとして機能する部分の厚みは０．４μｍ〜２．０μｍであり、その他の部分の厚みは０．２μｍ〜１．０μｍであることが好ましい。また、第１絶縁層２６は、各発光素子３２の開口範囲を規定するエッジインシュレータとして機能するものであるが、当該工程においては、規定される開口範囲の外周にダミー部Ａを形成する。即ち、規定された開口範囲より広い面積で第１絶縁層２６を形成する。なお、当該ダミー部Ａは、開口範囲の外周に０．１μｍ〜２．０μｍ程度の範囲で形成することが好ましい。当該範囲で形成した場合は、後の工程での除去が容易になり、第１絶縁層２６の外周端部を除去する工程における第２絶縁層３０の外周端部への影響を低減することができる。
【００４１】
なお、本実施例においては、現像工程は現像液としてＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム：０．４８％）を用いて行ったが、これに限らずプラズマ照射等を用いた所謂ドライエッチングを用いることも可能である。
【００４２】
次に、第２絶縁層３０の形成工程について、図６および図７を参照して説明する。第２絶縁層３０は第１絶縁層２６の形成と同様に露光工程、現像工程、ベーク工程を有するフォトリソグラフィ法を用いて所定形状に形成される。第１絶縁層２６上に該第１絶縁層２６と同じ材料である有機材料ＪＳＲ社製オプトマーＮＮ７００Ｇ又はオプトマーＰＣ４１５Ｇからなる絶縁膜３０ａを形成する。そして、発光領域に対応する部分に光が照射されるように露光マスク７０で覆って露光工程を行う。その後、現像液を用いて現像工程を行い、絶縁膜２６ａの不要な部分を除去し、ベーク工程を行い、図７に示すような所定形状の第２絶縁層３０を形成する。この第２絶縁層３０は、その後に形成する発光素子３２を形成するためのマスク又はその後に取り付けられる封止基板１４が載置されるリブとして機能する。そのため、前記マスク等を載置できれば良く、前記第１絶縁層２６よりも狭い面積で形成される。なお、第２絶縁層３０の厚みは、第１絶縁層２６の２倍程度の厚みであることが好ましく、具体的には０．５μｍ〜２．０μｍ程度で形成することが好ましい。さらに、リブとして機能する部分については、第１絶縁層２６と第２絶縁層３０を合わせた厚みが１．５μｍ〜４．０μｍであることが好ましい。
【００４３】
上記製造工程において、第１絶縁部２６の外周端部（即ち、ダミー部Ａ）は２度の現像工程を経ているため、密着性がそれほど高くない下部電極層２８から浮きまたは剥がれ等が発生している可能性がある。
【００４４】
そこで、前記第１絶縁層２６の外周端部（即ち、ダミー部Ａ）を除去する工程を行う。当該除去工程としては、露光工程、現像工程およびベーク工程を含むフォ トリソグラフィ法や、エッチング液を用いたエッチング法等を用いることができるが、特に好ましいのが、ドライエッチング法である。このエッチング法は、感光性を有する有機材料を酸素ガス、あるいは酸素ガスとおよびその他のエッチングガスとをプラズマ下において反応させて除去する方法をいう。エッチングガス としては、酸素、フッ素系ガス、例えばＳＦ６、ＣＦ４などがよく用いられるが、これらに限られない。また、ドライエッチング方法に ついては、プラズマエッチング法、反応性イオンエッチング法、ＩＣＰ法、ケミカルドライエッチング法などが用いられる。この方法を用いた場合、第２絶縁層 ３０の外周端部に与える影響が、他の方法を用いた場合と比べて小さいため好ましい。
【００４５】
第１絶縁層２６の外周端部（ダミー部Ａ）を除去する工程を以下に説明する。第２絶縁層３０をマスクして用い、当該第１絶縁層２６に対して酸素ガスを注入する。すると、剥がれや浮きが発生している可能性のあるダミー部Ａが除去される。このとき、第２絶縁層３０の一部の一部除去されるが、第２絶縁部３０の直下に位置する第１絶縁層２６は除去されない。これにより、第１絶縁層２６は発光素子３２の所定の形状になり、開口範囲を規定するエッジインシュレータとして機能する。当該工程後を図８に示す。
【００４６】
なお、第２絶縁層３０は、第１絶縁層２６より厚みが厚いことが好ましい。第２絶縁層３０は第１絶縁層２６の外周端部を除去する工程において、第１絶縁層２６のマスクとして機能する。従って、当該工程において、第２絶縁層３０の一部が除去されたとしてもリブとしての機能に与える影響を低減することができる。
【００４７】
第１絶縁膜２６と下部電極との外周端部での剥がれは、フォトリソグラフィ工程におけるばらつきなどに起因するものであるが、長さにすると１μｍ程度である。 つまり、このはがれ易い第１絶縁膜２６の外周端部を、あらかじめ第２絶縁層３０から突出させておいて、その後、第２絶縁膜３０をマスクとしてドライエッチング等により除去することによって、剥がれ易い部分を取り除き、密着力において完全な開口部を形成することが可能となる。
【００４８】
また、実施例のように、第１絶縁層２６と第２絶縁層３０を同一の感光性樹脂から形成することにより、製造装置の簡素化および製造時間の短縮が可能となるとともに、絶縁層同士の密着性が向上し、さらには、熱膨張係数も略同一となるため、熱応力や機械的応力に対して安定した構造となる。また、現像工程を現像液で行う場合、同一の現像液を使用可能となり、材料費の削減および製造装置の簡素化が可能になる。さらに、第１絶縁層２６と第２絶縁層３０を異なる感光性樹脂を使用下場合であっても、現像工程を同一の現像液で行う場合は、製造装置の簡素化および製造時間の短縮が可能となる。
【００４９】
上記工程の後に、下部電極層２８上に、正孔注入層、有機材料からなる発光層、電子注入層等を備える発光素子３２を形成する。この発光素子３２は、例えば、所定のマスクを用いて上述の所定の材料を蒸着等により堆積することにより形成する。
【００５０】
そして、発光素子３２上に、カソード電極としてマグネシウム、銀等の材料からなる上部電極層３４を形成する。そして、当該上部電極層３４上にＳｉＮｘ、ＳｉＯＸ、ＳｉＮＸＯｙ等からなる保護膜３５により封止した上で接合材１６により素子基板１２と封止基板１４とを接合し、図１に示す有機ＥＬ表示装置を製造した。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明にかかる有機ＥＬ表示装置は、例えば携帯電話やパーソナルコンピュータ等の携帯情報端末の表示部として用いることができる。本発明を用いることにおり、有機ＥＬ表示装置の製品寿命を向上させることができるため、当該有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器の製品寿命を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の画素部における概略断面図を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【図４】本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【図５】本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【図６】本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【図７】本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【図８】本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【図９】従来の有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【図１０】従来の有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【図１１】従来の有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１ 有機ＥＬ表示装置
１０ 表示領域
１２ 素子基板
１４ 封止基板
１６ 接合材
１８ 回路部
２０ 下部絶縁層
２２ 平坦化膜
２４ 導電層
２６ 第１絶縁層
２６ａ 絶縁膜
２８ 下部電極層
３０ 第２絶縁層
３０ａ 絶縁層
３２ 発光素子
３４ 上部電極層
３５ 保護膜
５０ 外部接続回路
６０、７０ 露光マスク
Ａ ダミー部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パーソナルコンピュータや携帯電話等に用いられる有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機ＥＬ表示装置は、複数の発光部を有する素子基板に封止基板を被せて、接合材を用いて素子基板と封止基板とを接着し、これによって形成されたマザー基板を個々の表示装置に切断することにより作製している。そして、有機ＥＬ表示装置においては、個々の表示装置の素子基板における少なくとも１辺の周辺部に、駆動ＩＣが実装される回路層、あるいはＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の外部接続部材等が電気的に接続される回路層が設けられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このような有機ＥＬ表示装置においては、下部電極層は平坦であることが望まれている。しかし、下部電極層の下側（素子基板側）には種々の画像回路が設けられた回路部が設けられてれおり、該回路部の表面は平坦ではない。そこで回路部上に例えば、有機感光材料等からなる絶縁層によって平坦面を設けて、その上に下部電極層を形成している。
【０００４】
ここで、従来の有機ＥＬ表示装置の製造方法について図９〜１１を参照して簡単に説明する。まず、素子基板２１２上に薄膜トランジスタを有する回路部２１８を形成する。そして、回路部２１８を覆うように下部絶縁膜２２０を形成する。次いで、下部絶縁膜２２０上に有機材料からなる絶縁性膜を形成し、該絶縁性膜に対して露光マスクを用いて露光し、さらに現像、ベークを行って、回路部２１８上の一部に穴構造を有する所定形状の平坦化膜２２２を形成する。
【０００５】
さらに、導電層２２４および下部電極層２２８となる導電性膜を平坦化膜２２２上の一面に形成し、該導電性膜上にレジストを塗布する。次いで露光マスクを用いて該レジストを露光し、さらに現像、ベークを行って前記穴構造上を含む所定の形状のパターニングしたレジストを得る。そして、このパターニングしたレジストをエッチングマスクとして用いて導電性膜のエッチングを行い、平坦化膜２２２上および穴構造上に所定の形状の下部電極層２２８および第２導電層２２４を形成する。これにより、穴構造部において回路部２１８と導電層２２４とが電気的に接続されるコンタクト部を形成する。
【０００６】
次いで、コンタクト部上を含む領域に有機材料からなる絶縁膜を形成し、露光および現像を行い、図９に示すように、下部電極層２２８上に有機ＥＬ表示装置の発光領域を定める第１絶縁層２２６(エッジインシュレータ：ＥＩ)を形成する。
【０００７】
そして、第１絶縁層２２６上に有機材料からなる絶縁膜を形成し、露光および現像を行い、図１０に示すように、第１絶縁層２２６上の一部に所定形状の第２絶縁層２３０（リブ）を形成する。
【０００８】
その後、第２絶縁層２３０上にマスクを載置し、正孔注入層、有機材料からなる発光層、電子注入層等を有する発光素子２３２を蒸着等により形成する。次いで、発光素子２３２上に導電層２２４と電気的に接続された上部電極層２３４を形成する。そして、上部電極層２３４上をＳｉＮｘ、ＳｉＯＸ、ＳｉＮＸＯｙ等からなる保護膜２３５を形成し、最後に素子基板２１２と封止基板２１４とを有機材料からなる接合材２３６により封止して図１１に示す有機ＥＬ表示装置２００を製造する。
【特許文献１】特開２００５−７８９４６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記構造の有機ＥＬ表示装置２００において、エッジインシュレータとして機能する平坦化膜２２６とリブとして機能する第２絶縁層２３０はともに感光性樹脂等の有機材料が用いられている。そして、所定形状の形状に成型するために、露光工程、現像工程およびベーク工程などを有するフォトリソグラフィ法を用いている。
【００１０】
第２絶縁層２３０は、発光素子２３２の形成のためのマスクなどを載置するためのものであり、広い面積は必要ない。そのため、平坦化膜２２６上の一部の領域にのみ形成されている。これにより、平坦化膜２２６の外周端部は、第２絶縁層２３０の現像工程時においても、現像液やプラズマ照射等に曝されることとなる。
【００１１】
金属材料からなる導電層２２４および下部電極２２８と、感光性樹脂からなる平坦化膜２２６との密着性はそれほど高くない。そのため、第２絶縁層２３０と同様の感光性樹脂からなる平坦化膜２２６の外周端部が、導電層２２４や下部電極層２２８から剥がれが発生するという問題があった。
【００１２】
そこで、本発明は、上記問題に鑑み、第１絶縁層の下部電極層との剥がれを抑制することにより、製品の寿命を向上させることができる有機ＥＬ表示装置およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法は、下部電極層と、該下部電極層上に形成された複数の発光素子と、該発光素子上に形成された上部電極層と、第１絶縁層および第２絶縁層を有するとともに前記発光素子同士の間に配置され隔壁と、を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、前記隔壁を形成する工程は、前記第１電極上にフォトリソグラフィ法により、感光性樹脂からなる第１絶縁層を形成する第１工程と、前記第１絶縁層上にフォトリソグラフィ法により、前記第１絶縁層の外周端部が露出するように感光性樹脂からなる第２絶縁層を形成する第２工程と、前記第１絶縁層の外周端部を除去する第３工程と、を備えることを特徴とする。
【００１４】
また、上記発明において、前記第３工程は、ドライエッチング法を用いて前記第１絶縁層の外周端部を除去することが好ましい。
【００１５】
また、上記発明において、前記第３絶縁層は、前記第１絶縁層よりも厚みが厚いことが好ましい。
【００１６】
また、上記発明において、前記第１絶縁層は、各発光素子の開口範囲を規定するエッジインシュレータであり、前記第１工程において、前記第１絶縁層を所定の前記開口範囲よりも広く形成し、前記第３工程において、前記第１絶縁層を所定の開口範囲に形成することが好ましい。
【００１７】
また、上記発明において、前記第２絶縁層は、前記発光素子を形成するためのマスク又は、封止基板が載置されるリブであることが好ましい。
【００１８】
また、上記発明において、前記第１絶縁層と、前記第２絶縁層は、同じ材料から形成されることが好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の製造方法によれば、第１絶縁層の形成工程および第２絶縁層の形成工程において、現像液に曝された第１絶縁層の外周端部を除去することにより、第１絶縁層の下部電極層からの剥がれの発生を抑制することができる。そのため、第１絶縁層の剥がれを抑制することが可能となり、有機ＥＬ表示装置の製品の寿命を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に本発明の一実施例により製造された有機ＥＬ表示装置を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、図面は本発明の理解を容易にするための概略図であり、実際の寸法および縮尺とは異なる場合がある。
【００２１】
図１は、一実施例により製造された有機ＥＬ表示装置の概略構造を示す平面図である。また、図２は、一実施例により製造されたかかる有機ＥＬ表示装置の画素部における概略構成を示す断面図である。
【００２２】
この有機ＥＬ表示装置１は、素子基板１２と、素子基板１２上にマトリクス状に配列した複数の発光素子３２と、素子基板１２に対向して設けられた封止基板１４と、を備えている。素子基板１２の周囲辺のうちの一辺には、発光素子３２を点灯駆動さえるためのドライバが実装されたり、ＦＰＣ等の外部接続部材が電気的に接続される外部接続回路５０を形成されている。
【００２３】
素子基板１２および封止基板１４は、ガラス、石英、樹脂、プラスチック、金属等を用いることが可能である。本実施形態においては、封止基板１４側から光を取り出す構造となっているため、封止基板１４は透明性又は半透明性の材料を採用している。また、素子基板１２側から光を取り出す構造においては、素子基板１２について透明性又は半透明性の材料を用いる必要がある。
【００２４】
素子基板１２上には、薄膜トランジスタを備える回路部１８が形成されている。素子基板１２と封止基板１４との間には、複数の発光素子３２を有する表示領域を含んで素子基板１２と封止基板１４とを接合する接合材１６を備えている。これにより、表示領域１０は外気から遮断される状態で封止されている。接合材１６としては、有機材料が用いられ、例えば光硬化性または熱硬化性のアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコン樹脂等を用いることができる。
【００２５】
素子基板１２上および回路部１８上には、有機物または無機物等の材料からなる平坦化膜２２を備えている。この平坦化膜２２は、該平坦化膜２２上に形成する下部電極層２８を形成するための平坦化膜として機能する。また平坦化膜２２は、回路部１８の第１導電層２２の領域上に穴構造を有している。なお、平坦化膜２２として有機材料を用いる場合は、例えばアクリル樹脂やポリイミド樹脂等を用いることができる。また、無機物を用いる場合は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物等を用いることができる。
【００２６】
平坦化膜２２上には、金属材料を有する下部電極層２８が形成されている。また、穴構造上には、金属材料からなる導電層２４が形成されている。この導電層２４は、回路部１８と電気的に接続されている。この穴構造における回路部１８および導電層２４はコンタクト部として機能する。なお、下部電極層は、アノード電極として機能するものであり、アルミニウム、銀、銅または金等の金属或いはこれらの合金等を用いることができる。
【００２７】
下部電極層２８上には、正孔注入層、有機材料からなる発光層、電子注入層等を備える発光素子３２を備えている。
【００２８】
正孔注入層は、例えば、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンまたはその誘導体等を、ポリスチレンスルホン酸等の分散媒に分散させたものを用いることができる。
【００２９】
発光層は、蛍光または燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。また、赤、緑、青（Ｒ，Ｇ、Ｂ）の各色の発光層をそれぞれ設けることで、フルカラー表示が可能な有機ＥＬ表示装置にすることが可能となる。発光層は、例えば、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフィニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体やポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）等のポリシラン系等を用いることができる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素等の高分子材料や、ルブレン、ペリレン、テトラフェニルブタジエン、キナクリドン、ナイルレッド等の低分子材料をドープすることも可能である。
【００３０】
電子注入層としては、例えば、ＬｉＦ（フッ化リチウム）、ＮａＦ（フッ化ナトリウム）、ＫＦ（フッ化カリウム）、ＲｂＦ（フッ化ルビジウム）、ＣｓＦ（フッ化セリウム）等や、Ｌｉ２Ｏ（酸化リチウム）、Ｎａ２Ｏ（酸化ナトリウム）等のアルカリ金属の酸化物等を用いることができる。
【００３１】
発光素子３２上には、金属材料を有する上部電極層３４が形成されている。当該上部電極層は、隣り合う発光素子上に形成された上部電極層をそれぞれ接続されている。なお、上部電極層３４はカソード電極として機能するものであり、材料としてはインジウム錫酸化膜（ＩＴＯ）または錫酸化膜等の光透過性を有する導電材料を用いることができる。また、マグネシウム、銀、アルミニウム、カルシウム等の材料またはこれらの合金等を用いることができ、その厚みを３０ｎｍ以下とすることによって、光透過性の電極をすることができる。
【００３２】
穴構造上を含む領域には、感光性を有する有機材料からなる第１絶縁層２６が形成されている。この第１絶縁層２６は、穴構造の内部を埋める部分と、平坦化膜２２上に形成された部分とを有している。第１絶縁層２６の材料としては、感光性を有する有機材料を用いることができる。具体的には、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂およびノボラック樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種を含むものを用いる場合は、成膜性、耐久性およびコスト面で優れているため好ましい。
【００３３】
また、第１絶縁層２６上の一部には、第２絶縁層３０が形成されている。第２絶縁層３０の材料としては、感光性を有する有機材料を用いることができる。特に、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂およびノボラック樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種を含むものを用いる場合は、成膜性、耐久性およびコスト面で優れているため好ましい。
【００３４】
なお、前記第１絶縁層２６および第２絶縁層３０は、各発光素子同士の間に配置された隔壁として機能する。
【００３５】
前記上部電極層３４上には、当該上部電極層３４を密封する保護膜３５を備えている。この保護膜３５は、発光素子３２の外気や水分との接触を防止するためのものであり、例えばＳｉＮｘ等を用いることができる。保護膜３５の厚みとしては、例えば１００ｎｍ以上、５μｍ以下で形成される。
【００３６】
（製造方法）
次に本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法の一実施例を、図３〜８を参照して説明する。まず、素子基板１２および封止基板１４を準備する。素子基板１２又は封止基板１４の少なくとも、例えばガラスなどの光透過性の基板を準備する。そして、薄膜トランジスタを含む各種回路が形成された回路層１８を素子基板１２上に形成する。また、素子基板１２の周囲辺のうちの一辺には、発光素子３２を点灯駆動さえるためのドライバが実装されたり、ＦＰＣ等の外部接続部材が電気的に接続される外部接続回路５０を形成する。次に、回路層１８を絶縁するために回路層１８を覆うように、に下部絶縁膜２０を形成する。
【００３７】
次いで、回路層１８上および下部絶縁膜２０上に有機膜からなる絶縁性膜２２ａを形成する。露光マスクを用いて有機材料からなる絶縁性膜に対して露光及び現像を行う。これにより、露光マスクに覆われていない絶縁性膜２２ａが除去される。次に、露光工程を終えた素子基板に対して、ベークを行って、回路部１８に対応する位置に穴構造を有し、平坦化膜２２を形成する。
【００３８】
続いて、平坦化膜２２上に金属材料からなる導電性膜を形成し、該導電性膜上にレジストを塗布する。そして、露光マスクを取付け、レジストに対して露光工程および現像工程を行い、所定形状にする。そして、エッチング工程により、導電性膜を穴構造に対応し、回路部１８と電気的に接続された導電部２４と、アノード電極として機能する下部電極層２８とをそれぞれ形成する。当該工程まで終了した時点の概略図を図３に示す。
【００３９】
次に、第１絶縁層２６および第２絶縁層からなる隔壁の形成方法を説明する。隔壁の形成は、第１絶縁層２６を形成する工程と、第２絶縁層３０を形成する工程と、第１絶縁層２６の外周端部を除去する工程とを備えている。以下に工程について詳細に説明する。
【００４０】
第１絶縁層２６の形成工程について、図４および図５を参照して説明する。第１絶縁層２６は露光工程、現像工程、ベーク工程を備えるフォトリソグラフィ法を用いて所定形状に形成される。具体的には、下部電極層２８上にＪＳＲ社製オプトマーＮＮ７００Ｇ又はオプトマーＰＣ４１５Ｇからなる絶縁膜２６ａを形成し、露光マスク６０で覆って露光工程を行う。なお、当該露光マスク６０は、リブとして機能する部分に対応する箇所の光透過率が低く、その他の箇所の光透過率が高いものを使用した。その後、現像液を用いて現像工程を行い、絶縁膜２６ａの不要な部分を除去し、ベーク工程を行い、図５に示すような所定形状の第１絶縁層２６を形成する。なお、リブとして機能する部分の厚みは０．４μｍ〜２．０μｍであり、その他の部分の厚みは０．２μｍ〜１．０μｍであることが好ましい。また、第１絶縁層２６は、各発光素子３２の開口範囲を規定するエッジインシュレータとして機能するものであるが、当該工程においては、規定される開口範囲の外周にダミー部Ａを形成する。即ち、規定された開口範囲より広い面積で第１絶縁層２６を形成する。なお、当該ダミー部Ａは、開口範囲の外周に０．１μｍ〜２．０μｍ程度の範囲で形成することが好ましい。当該範囲で形成した場合は、後の工程での除去が容易になり、第１絶縁層２６の外周端部を除去する工程における第２絶縁層３０の外周端部への影響を低減することができる。
【００４１】
なお、本実施例においては、現像工程は現像液としてＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム：０．４８％）を用いて行ったが、これに限らずプラズマ照射等を用いた所謂ドライエッチングを用いることも可能である。
【００４２】
次に、第２絶縁層３０の形成工程について、図６および図７を参照して説明する。第２絶縁層３０は第１絶縁層２６の形成と同様に露光工程、現像工程、ベーク工程を有するフォトリソグラフィ法を用いて所定形状に形成される。第１絶縁層２６上に該第１絶縁層２６と同じ材料である有機材料ＪＳＲ社製オプトマーＮＮ７００Ｇ又はオプトマーＰＣ４１５Ｇからなる絶縁膜３０ａを形成する。そして、発光領域に対応する部分に光が照射されるように露光マスク７０で覆って露光工程を行う。その後、現像液を用いて現像工程を行い、絶縁膜２６ａの不要な部分を除去し、ベーク工程を行い、図７に示すような所定形状の第２絶縁層３０を形成する。この第２絶縁層３０は、その後に形成する発光素子３２を形成するためのマスク又はその後に取り付けられる封止基板１４が載置されるリブとして機能する。そのため、前記マスク等を載置できれば良く、前記第１絶縁層２６よりも狭い面積で形成される。なお、第２絶縁層３０の厚みは、第１絶縁層２６の２倍程度の厚みであることが好ましく、具体的には０．５μｍ〜２．０μｍ程度で形成することが好ましい。さらに、リブとして機能する部分については、第１絶縁層２６と第２絶縁層３０を合わせた厚みが１．５μｍ〜４．０μｍであることが好ましい。
【００４３】
上記製造工程において、第１絶縁部２６の外周端部（即ち、ダミー部Ａ）は２度の現像工程を経ているため、密着性がそれほど高くない下部電極層２８から浮きまたは剥がれ等が発生している可能性がある。
【００４４】
そこで、前記第１絶縁層２６の外周端部（即ち、ダミー部Ａ）を除去する工程を行う。当該除去工程としては、露光工程、現像工程およびベーク工程を含むフォ トリソグラフィ法や、エッチング液を用いたエッチング法等を用いることができるが、特に好ましいのが、ドライエッチング法である。このエッチング法は、感光性を有する有機材料を酸素ガス、あるいは酸素ガスとおよびその他のエッチングガスとをプラズマ下において反応させて除去する方法をいう。エッチングガス としては、酸素、フッ素系ガス、例えばＳＦ６、ＣＦ４などがよく用いられるが、これらに限られない。また、ドライエッチング方法に ついては、プラズマエッチング法、反応性イオンエッチング法、ＩＣＰ法、ケミカルドライエッチング法などが用いられる。この方法を用いた場合、第２絶縁層 ３０の外周端部に与える影響が、他の方法を用いた場合と比べて小さいため好ましい。
【００４５】
第１絶縁層２６の外周端部（ダミー部Ａ）を除去する工程を以下に説明する。第２絶縁層３０をマスクして用い、当該第１絶縁層２６に対して酸素ガスを注入する。すると、剥がれや浮きが発生している可能性のあるダミー部Ａが除去される。このとき、第２絶縁層３０の一部の一部除去されるが、第２絶縁部３０の直下に位置する第１絶縁層２６は除去されない。これにより、第１絶縁層２６は発光素子３２の所定の形状になり、開口範囲を規定するエッジインシュレータとして機能する。当該工程後を図８に示す。
【００４６】
なお、第２絶縁層３０は、第１絶縁層２６より厚みが厚いことが好ましい。第２絶縁層３０は第１絶縁層２６の外周端部を除去する工程において、第１絶縁層２６のマスクとして機能する。従って、当該工程において、第２絶縁層３０の一部が除去されたとしてもリブとしての機能に与える影響を低減することができる。
【００４７】
第１絶縁膜２６と下部電極との外周端部での剥がれは、フォトリソグラフィ工程におけるばらつきなどに起因するものであるが、長さにすると１μｍ程度である。 つまり、このはがれ易い第１絶縁膜２６の外周端部を、あらかじめ第２絶縁層３０から突出させておいて、その後、第２絶縁膜３０をマスクとしてドライエッチング等により除去することによって、剥がれ易い部分を取り除き、密着力において完全な開口部を形成することが可能となる。
【００４８】
また、実施例のように、第１絶縁層２６と第２絶縁層３０を同一の感光性樹脂から形成することにより、製造装置の簡素化および製造時間の短縮が可能となるとともに、絶縁層同士の密着性が向上し、さらには、熱膨張係数も略同一となるため、熱応力や機械的応力に対して安定した構造となる。また、現像工程を現像液で行う場合、同一の現像液を使用可能となり、材料費の削減および製造装置の簡素化が可能になる。さらに、第１絶縁層２６と第２絶縁層３０を異なる感光性樹脂を使用下場合であっても、現像工程を同一の現像液で行う場合は、製造装置の簡素化および製造時間の短縮が可能となる。
【００４９】
上記工程の後に、下部電極層２８上に、正孔注入層、有機材料からなる発光層、電子注入層等を備える発光素子３２を形成する。この発光素子３２は、例えば、所定のマスクを用いて上述の所定の材料を蒸着等により堆積することにより形成する。
【００５０】
そして、発光素子３２上に、カソード電極としてマグネシウム、銀等の材料からなる上部電極層３４を形成する。そして、当該上部電極層３４上にＳｉＮｘ、ＳｉＯＸ、ＳｉＮＸＯｙ等からなる保護膜３５により封止した上で接合材１６により素子基板１２と封止基板１４とを接合し、図１に示す有機ＥＬ表示装置を製造した。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明にかかる有機ＥＬ表示装置は、例えば携帯電話やパーソナルコンピュータ等の携帯情報端末の表示部として用いることができる。本発明を用いることにおり、有機ＥＬ表示装置の製品寿命を向上させることができるため、当該有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器の製品寿命を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の画素部における概略断面図を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【図４】本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【図５】本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【図６】本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【図７】本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【図８】本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【図９】従来の有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【図１０】従来の有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【図１１】従来の有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１ 有機ＥＬ表示装置
１０ 表示領域
１２ 素子基板
１４ 封止基板
１６ 接合材
１８ 回路部
２０ 下部絶縁層
２２ 平坦化膜
２４ 導電層
２６ 第１絶縁層
２６ａ 絶縁膜
２８ 下部電極層
３０ 第２絶縁層
３０ａ 絶縁層
３２ 発光素子
３４ 上部電極層
３５ 保護膜
５０ 外部接続回路
６０、７０ 露光マスク
Ａ ダミー部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極層と、該下部電極層上に形成された複数の発光素子と、該発光素子上に形成された上部電極層と、第１絶縁層および第２絶縁層を有するとともに前記発光素子同士の間に配置された隔壁と、を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
前記隔壁を形成する工程は、
前記第１電極上にフォトリソグラフィ法により、感光性樹脂からなる第１絶縁層を形成する第１工程と、
前記第１絶縁層上にフォトリソグラフィ法により、前記第１絶縁層の外周端部が露出するように感光性樹脂からなる第２絶縁層を形成する第２工程と、
前記第１絶縁層の外周端部を除去する第３工程と、
を備えることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第３工程は、ドライエッチング法を用いて前記第１絶縁層の外周端部を除去することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第３工程は、前記第２絶縁層をマスクとして用い、前記第１絶縁層の外周端部を除去することを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層よりも厚みが厚いことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１絶縁層は、各発光素子の開口範囲を規定するエッジインシュレータであり、
前記第１工程において、前記第１絶縁層を所定の前記開口範囲よりも広く形成し、
前記第３工程において、前記第１絶縁層を所定の開口範囲に形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２絶縁層は、前記発光素子を形成するためのマスク又は、封止基板が載置されるリブであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１絶縁層と、前記第２絶縁層は、同じ材料から形成されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１】
下部電極層と、該下部電極層上に形成された複数の発光素子と、該発光素子上に形成された上部電極層と、第１絶縁層および第２絶縁層を有するとともに前記発光素子同士の間に配置された隔壁と、を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
前記隔壁を形成する工程は、
前記第１電極上にフォトリソグラフィ法により、感光性樹脂からなる第１絶縁層を形成する第１工程と、
前記第１絶縁層上にフォトリソグラフィ法により、前記第１絶縁層の外周端部が露出するように感光性樹脂からなる第２絶縁層を形成する第２工程と、
前記第１絶縁層の外周端部を除去する第３工程と、
を備えることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第３工程は、ドライエッチング法を用いて前記第１絶縁層の外周端部を除去することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第３工程は、前記第２絶縁層をマスクとして用い、前記第１絶縁層の外周端部を除去することを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層よりも厚みが厚いことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１絶縁層は、各発光素子の開口範囲を規定するエッジインシュレータであり、
前記第１工程において、前記第１絶縁層を所定の前記開口範囲よりも広く形成し、
前記第３工程において、前記第１絶縁層を所定の開口範囲に形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２絶縁層は、前記発光素子を形成するためのマスク又は、封止基板が載置されるリブであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１絶縁層と、前記第２絶縁層は、同じ材料から形成されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００９−２８９５７４（Ｐ２００９−２８９５７４Ａ）
【公開日】平成２１年１２月１０日（２００９．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１４０６２１（Ｐ２００８−１４０６２１）
【出願日】平成２０年５月２９日（２００８．５．２９）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１２月１０日（２００９．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年５月２９日（２００８．５．２９）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
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