有機ＥＬ表示装置の製造方法
【課題】マスクの開口幅を確保しつつマスクの寿命を長くさせると共に作業効率を良好にする有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、二種類以上の副画素（１１ｇ、１１ｒ、１１ｂ）からなる複数の画素１１と、から構成され、画素１１が、基板１０の表示領域上に並置して設けられ、該副画素のうち一種類の副画素が、所定の間隔を持って設けられる特定副画素である有機ＥＬ表示装置１の製造方法において、該特定副画素を、以下の工程（ｉ）〜（ｉｉ）により形成することを特徴とする、有機ＥＬ表示装置１の製造方法。
（ｉ）表示領域の側端から数えて２ｎ−１（ｎは、１以上の整数を表す。）番目の特定副画素に対応する位置に開口を有するマスクを使用し、該側端から数えて２ｎ−１番目の特定副画素を選択的に形成する工程
（ｉｉ）該側端から数えて２ｎ（ｎは、１以上の整数を表す。）番目の特定副画素に対応する位置に開口を有するマスクを使用し、該側端から数えて２ｎ番目の特定副画素を選択的に形成する工程
【解決手段】基板１０と、二種類以上の副画素（１１ｇ、１１ｒ、１１ｂ）からなる複数の画素１１と、から構成され、画素１１が、基板１０の表示領域上に並置して設けられ、該副画素のうち一種類の副画素が、所定の間隔を持って設けられる特定副画素である有機ＥＬ表示装置１の製造方法において、該特定副画素を、以下の工程（ｉ）〜（ｉｉ）により形成することを特徴とする、有機ＥＬ表示装置１の製造方法。
（ｉ）表示領域の側端から数えて２ｎ−１（ｎは、１以上の整数を表す。）番目の特定副画素に対応する位置に開口を有するマスクを使用し、該側端から数えて２ｎ−１番目の特定副画素を選択的に形成する工程
（ｉｉ）該側端から数えて２ｎ（ｎは、１以上の整数を表す。）番目の特定副画素に対応する位置に開口を有するマスクを使用し、該側端から数えて２ｎ番目の特定副画素を選択的に形成する工程
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置は、自発光素子である有機ＥＬ素子からなる表示装置（ディスプレイ）である。このため、液晶のようにバックライトが不要であるだけでなく、軽量薄型が実現できるため、優れた応答速度、視野角、色再現性を備えた次世代ディスプレイとして注目されている。
【０００３】
しかし、このように優れた性能を有する表示装置であるにもかかわらず、有機ＥＬ表示装置が、なかなか市場に出回らなかったのは、発光性能を有する有機化合物層（発光層）の加工が難しかったためである。一般に、フルカラーの有機ＥＬ表示装置を製造する際には、有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子を、発光色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）ごとに塗り分ける必要がある。ここで有機ＥＬ素子の塗り分ける際に、特に、発光層の構成材料が低分子系の材料である場合は、マスクを用いた蒸着プロセスが常用されている。しかし、この蒸着プロセスで用いられるマスクは、高価である。またこのマスク精度が、有機ＥＬ表示装置の精度を決定するため、フォトリソ工程で精度が決定する液晶ディスプレイと比べて、特に、表示装置の高精細化という点ではまだ十分とはいえなかった。
【０００４】
ところで有機ＥＬ表示装置を製造するのに使用されるシャドウマスクは、大別すると、メッキにより形成されるメッキマスクと、エッチングにより形成されるエッチングマスクがある。有機ＥＬ表示装置を構成し、発光色が赤、青、緑のいずれかである有機ＥＬ素子の発光層は、シャドウマスクを用いて各発光色毎に形成される。具体的には、所定の発光層を形成するために用いられるシャドウマスクを、蒸着源とＴＦＴ等が形成された基板との間に置き、蒸着源とシャドウマスクとの間に設けられた遮蔽板が開閉することにより、蒸着時間を制御して、所定の膜厚とパターンで形成される。
【０００５】
このとき、蒸着によって各色発光層を塗り分ける方法として、具体的には、特許文献１及び２にて示される方法が開示されている。
【０００６】
一方、近年、携帯機器等に求められるディスプレイ（有機ＥＬ表示装置）の高精細化は、急激な勢いで進展をみせている。例えば、３インチ相当のディスプレイにおいては、ＶＧＡ（縦４８０画素Ｘ横６４０画素）仕様が、一般的になって来ている。
【０００７】
しかしながら、ＶＧＡ仕様で有機ＥＬ表示装置を構築する場合、有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子を形成する際に使用されるシャドウマスクの開口部のピッチ間隔は９５μｍになる。また有機ＥＬ表示装置に並置される有機ＥＬ素子の所定箇所に発光層を設ける際には、マスクと発光層形成前の基板とのアライメント精度が問題となる。シャドウマスクの開口部のピッチ間隔から、アライメント精度を差し引いた分が、有機ＥＬ素子を構成する発光層の幅となるからである。ＶＧＡ仕様の場合、発光層の開口幅は、４０μｍ以下にする必要があるため、マスクの開口幅も４０μｍ以下に設計する必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−１１０３４５号公報
【特許文献２】特開平１０−３１２８８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、有機ＥＬ表示装置を高精細化する際には、マスクの開口幅に応じてマスクの膜厚を薄くする必要がある。これは、マスクを形成する時に、エッチングを用いることに起因する。つまり開口幅が狭いマスクを製作する場合、マスクの精度を確保するために、マスクの膜厚を薄くする必要がある。しかし膜厚が薄くすると、マスクの機械強度が低下してしまう。ここでマスクの機械強度が低下していると、例えば、マスクに付着した有機ＥＬ層の構成材料を除去してマスクを再生利用するために、マスクを定期的に液中で洗浄する際に、マスクが変形しやすくなってしまう。具体的には、洗浄液からマスクを取り出した際に、マスク開口部に付着した洗浄液の表面張力により、開口部同士が引きつけ合い、マスクにスリット変形が発生してしまう。このため、マスクの膜厚を薄くすると、マスクの寿命が短くなり、有機ＥＬの製造コストが大幅に上昇する問題があった。
【００１０】
上記のマスクの膜厚の問題を解消するための方法として、マスク表面にメッキを形成させる方法がある。こうすることにより開口幅の狭さを確保しながら、マスクの膜厚を稼ぐことができる。
【００１１】
しかしこの方法では、コストが大きくなり得られるマスクが非常に高価なものになってしまう。またメッキ形成する場合に常用されるＮｉＣｏは、一般に使われるマスクのインバー材に対して熱膨張係数が高く、使用上の精度を出すには、マスクを枠材に貼る際のテンションを、インバー材より大きくする必要がある。このため得られるマスクは塑性変形しやすいものとなる。従って、マスク製造における歩止まりが低下して、マスク自体がさらに高価になるため、有機ＥＬの製造コストが大幅に上昇する問題があった。
【００１２】
また上記のメッキ法を採用して、開口幅を狭くした上でマスク膜厚を厚くした場合は、蒸着源からマスクに向かって進む蒸着物質がどの入射角でマスク開口部に入るかによって有機ＥＬ素子の膜厚にばらつきが生じてしまう。なぜなら蒸着源は、一般的には、マスクに対して十分小さい点又は線状の開口から蒸着物質を放出するためである。従って蒸着物質がマスク開口部に入るときの入射角にとっては、蒸着物質はマスク開口部の壁面によって跳ね返される「けられ」が発生する。この「けられ」によりパターン形成された薄膜には膜厚むらが発生する。また「けられ」は、マスクの膜厚と蒸着物質がマスク開口部に入るときの入射角に由来するもので、マスクの開口は幅によらないが、マスクの開口幅が狭くなるほど、その影響度は大きくなるため、有機ＥＬパネルの色純度に大きな影響を与える問題があった。
【００１３】
マスクの強度を上げる別の手法としては、マスクの開口部に、一定間隔でブリッジを形成する事が考えられる。しかしながら、ブリッジを形成すれば、マスクのアライメント精度は、従来からの横方向のアライメント精度だけでなく、縦方向のアライメント精度も問題になる。その結果、有機ＥＬ素子の有機発光層の開口は、横方向だけでなく縦方向にも、予め小さく作る必要が生じるため、有機ＥＬ素子の発光部分の画素あたりの開口率が、大幅に低下する問題がある。
【００１４】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、マスクの開口幅を確保しつつマスクの寿命を長くさせると共に作業効率を良好にする有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、基板と、
二種類以上の副画素からなる複数の画素と、から構成され、
該画素が、該基板の表示領域上に並置して設けられ、
該副画素のうち一種類の副画素が、所定の間隔を持って設けられる特定副画素である有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
該特定副画素を、以下の工程（ｉ）〜（ｉｉ）により形成することを特徴とする。
（ｉ）表示領域の側端から数えて２ｎ−１（ｎは、１以上の整数を表す。）番目の特定副画素に対応する位置に開口を有するマスクを使用し、該側端から数えて２ｎ−１番目の特定副画素を選択的に形成する工程
（ｉｉ）該側端から数えて２ｎ（ｎは、１以上の整数を表す。）番目の特定副画素に対応する位置に開口を有するマスクを使用し、該側端から数えて２ｎ番目の特定副画素を選択的に形成する工程
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、マスクの開口幅を確保しつつマスクの寿命を長くさせると共に作業効率を良好にする有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ表示装置の第一の例を示す模式図であり、（ａ）は、有機ＥＬ表示装置の平面該略図であり、（ｂ）は、有機ＥＬ表示装置の断面該略図である。
【図２】本発明の製造方法の第一の実施形態における有機ＥＬ層の形成工程を示す概略図である。
【図３】特定副画素に対応する有機ＥＬ層を形成する際に使用した３種類のマスクを洗浄した後で発生するスリット変形の数を表すグラフである。
【図４】本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ表示装置の第二の例を示す模式図であり、（ａ）は、有機ＥＬ表示装置の平面模式図であり、（ｂ）は、有機ＥＬ表示装置の断面模式図である。
【図５】本発明の製造方法の第二の実施形態における有機ＥＬ層の形成工程を示す概略図である。
【図６】本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ表示装置の第三の例を示す模式図であり、（ａ）は、有機ＥＬ表示装置の平面模式図であり、（ｂ）は、有機ＥＬ表示装置の断面模式図である。
【図７】本発明の製造方法の第三の実施形態における有機ＥＬ層の形成工程を示す概略図である。
【図８】バンクを形成する際に使用したマスクを示す概略図である。
【図９】実施例１で使用した有機ＥＬ層の形成装置を示す概略図である。
【図１０】実施例１における有機ＥＬ層、上部電極の形成プロセスを示す断面模式図である。
【図１１】実施例１のＧ発光層の形成工程で使用したマスクの概略図である。
【図１２】実施例２で使用した有機ＥＬ層及び上部電極の形成装置を示す概略図である。
【図１３】実施例２における有機ＥＬ層、上部電極の形成プロセスを示す断面模式図である。
【図１４】実施例２のＲ発光層・Ｂ発光層の形成工程で使用したマスクの概略図であり、（ａ）は、Ｒ発光層の形成工程で使用したマスクの概略図であり、（ｂ）は、Ｂ発光層の形成工程で使用したマスクの概略図である。
【図１５】実施例３における有機ＥＬ層、上部電極の形成プロセスを示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
〔第一の実施形態〕
まず本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ表示装置について説明する。
【００１９】
本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ表示装置とは、基板と、二種類以上の副画素からなる複数の画素と、から構成される。
【００２０】
以下、図面を参照しながら、この有機ＥＬ表示装置について説明する。
【００２１】
図１は、本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ表示装置の第一の例を示す模式図であり、（ａ）は、有機ＥＬ表示装置の平面該略図であり、（ｂ）は、有機ＥＬ表示装置の断面該略図である。
【００２２】
図１の有機ＥＬ表示装置１は、基板１０上の所定の領域、具体的には基板１０の表示領域上に、複数の画素１１が並置して設けられている。ここで並置とは、具体的には、図１に示すように画素１１をマトリックス状に配置することをいう。尚、以下の説明において、画素１１が設けられている基板１０上の領域を表示領域という場合がある。
【００２３】
有機ＥＬ表示装置１を構成する画素１１は、Ｒ副画素１１ｒと、Ｇ副画素１１ｇと、Ｂ副画素１１ｂとからなる部材である。ここで、画素１１を構成する三種類の副画素（１１ｒ、１１ｇ、１１ｂ）は、それぞれ矩形形状であって、赤色、緑色又は青色の光を発する有機ＥＬ素子である。これら有機ＥＬ素子は、それぞれ、基板１０上に設けられ、下部電極１２と、有機ＥＬ層１３と、上部電極１４と、がこの順に積層されてなる電子素子である。尚、以下の説明において、有機ＥＬ層１３を、各副画素（１１ｒ、１１ｇ、１１ｂ）に対応して、１３ｒ、１３ｇ、１３ｂと言う場合がある。
【００２４】
図１の有機ＥＬ表示装置１において、各副画素（１１ｒ、１１ｇ、１１ｂ）に対応する有機ＥＬ素子には、画素単位で電気信号が送られる。そしてこの電気信号によって各副画素（１１ｒ、１１ｇ、１１ｂ）に対応する有機ＥＬ素子のいずれかが駆動することにより、図１の有機ＥＬ表示装置１は、フルカラーの表示が可能となる。
【００２５】
図１の有機ＥＬ表示装置１において、画素１１を構成する各副画素（１１ｒ、１１ｇ、１１ｂ）の面積はほぼ等しい。また各副画素（１１ｒ、１１ｇ、１１ｂ）は、一定の間隔を持って均等に配列されている。ここで副画素の配列シークエンスは、図１より、表示領域の左端からＲＧＢＲＧＢ・・・であるが、これに限定されるものではない。
【００２６】
図１の有機ＥＬ表示装置１は、例えば、対角が約３インチ、縦横比が３対４の表示領域を有し、各色のラインが水平方向で４８０行、垂直方向で６４０列あるものから構成される表示装置である。説明の都合上、図１ではその一部を示している。
【００２７】
図１の有機ＥＬ表示装置１の駆動方式としては、パッシブマトリクス方式でもよいし、アクティブマトリックス方式でもよい。ここで、アクティブマトリクス方式を採用する場合は、図１に示されるように、基材１０１上にＴＦＴ回路１０２が設けられるものを基板として使用してもよい。尚、図１の有機ＥＬ表示装置１において、ＴＦＴ回路１０２は、下部電極１２と電気接続され、外部回路１５からの電気信号を制御するために設けられる。
【００２８】
次に、図１の有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。
【００２９】
［基板の準備工程］
まず有機ＥＬ表示装置の構成部材である基板１０を準備する。
【００３０】
基板１０として、ガラス等の基材１０１をそのまま使用し、後述する工程でこの基材上に電極層や有機ＥＬ層を形成してもよい。尚、アクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置として製造する場合は、本工程において、基材上に、ＴＦＴ回路１０２、具体的には、各有機ＥＬ素子を動作させるための素子回路、及び素子回路を動作させるための駆動回路をそれぞれ設ける。このとき各回路を接続する配線及び外部と接続するための接続端子も同時に設ける。
【００３１】
ここで素子回路は、後の工程で有機ＥＬ素子が形成される表示領域に形成される。一方、駆動回路は、表示領域外に形成される。また各回路は、薄膜トランジスタ技術を用いて形成される。
【００３２】
上記の回路、配線及び接続端子をそれぞれ形成した後、各素子回路上にＳｉＮ等からなる保護膜やアクリル等からなる平坦化膜を設ける。保護膜・平坦化膜を形成した後、電気的な接続のためのコンタクトホールを、フォトリソグラフィ技術等を用いて形成する。
【００３３】
尚、基板１０は、有機ＥＬ表示装置１基よりも大きな基板を用意し、予め複数の有機ＥＬ表示装置の素子回路が基板に形成されているものも使用できる。
【００３４】
［下部電極の形成工程］
次に、基板１０上に下部電極１１を形成する。下部電極１２は、光反射性の電極層であってもよいし、光透過性の電極層であってもよい。ただし、下部電極１２及び後述する上部電極１４のいずれかが光透過性の電極層である。
【００３５】
光透過性の電極層として形成する場合、具体的な電極層として、酸化インジウム亜鉛や酸化インジウムスズ等の透明酸化物導電体からなる層が採用される。また透明酸化物導電体からなる層の代わりに、光を透過する程度に膜厚が薄い金属層を使用してよい。さらに上記透明酸化物導電体からなる層と、上記薄い金属層とを組合せた積層構成も採用される。
【００３６】
一方、光反射性の電極層として形成する場合、具体的な電極層として、金属単体又は合金からなる金属薄膜や、この金属薄膜と透明酸化物導電体からなる薄膜を組み合わせた積層体が挙げられる。また下部電極１２の形成方法として、公知の方法を用いることができる。
【００３７】
尚、下部電極１２を形成した後、必要に応じてアクリル等からなるバンク（図示せず）を設けてもよい。バンクは素子回路の下部電極１２の露出領域を規定し、後の工程で形成される有機ＥＬ層の発光領域を規定するものである。ここでバンクに、下部電極のパターンの段差を覆い短絡を防止する機能をさらに備えてもよい。また、後述する蒸着工程（有機ＥＬ層の形成工程）に使用するマスクが下部電極１２等の発光部に接触しないようスペーサの機能を兼ねてもよい。
【００３８】
次に、上記のように、バンクまで形成した基板を真空蒸着装置に投入し、加熱処理や表面処理を施す。加熱処理は、バンクや平坦化膜に付着又は吸着している水分を除くための加熱工程であり、ニクロム線等の熱線処理等が好ましい。表面処理は、下部電極の清浄化をするための工程であり、具体的には、減圧ＵＶ処理等を行う。
【００３９】
［有機ＥＬ層の形成工程］
次に、下部電極１２上に有機ＥＬ層１３を形成する。図２は、有機ＥＬ層の形成工程を示す概略図である。本工程は、図２に示されるように、基板１０を、成膜面が下に向くように設置し、下方にある蒸着源２１から有機ＥＬ層の構成材料を順次蒸着し有機ＥＬ層を堆積する。
【００４０】
本工程を行う前に、まず図１に示される副画素のうち一種類の副画素を特定副画素として特定し、この特定副画素に対応する有機ＥＬ層を形成する。この特定副画素は、他の副画素が一定のパターンでかつ一定の幅を持って設けられるために所定の間隔を持って設けられる副画素である。この特定副画素は、具体的には、図１に示されるＲ副画素１１ｒ、Ｇ副画素１１ｇ又はＢ副画素１１ｂである。
【００４１】
本発明においては、この特定副画素を、以下の工程（ｉ）〜（ｉｉ）により形成する。
（ｉ）表示領域の側端から数えて２ｎ−１（ｎは、１以上の整数を表す。）番目の特定副画素に対応する位置に開口を有するマスクを使用し、該側端から数えて２ｎ−１番目の特定副画素を選択的に形成する工程
（ｉｉ）該側端から数えて２ｎ（ｎは、１以上の整数を表す。）番目の特定副画素に対応する位置に開口を有するマスクを使用し、該側端から数えて２ｎ番目の特定副画素を選択的に形成する工程
【００４２】
上記工程（ｉ）及び（ｉｉ）において、表示領域の側端とは、有機ＥＬ表示装置を平面から見たときの、最も左側又は右側に設けられている画素の外周をいう。本発明において、表示領域の側端は、画素の右側外周でもよいし左側外周でもよい。また、工程（ｉ）及び工程（ｉｉ）を行う際に、その順番については、特に限定されない。
【００４３】
以下に、より具体的な方法について説明する。
【００４４】
まず図２（ａ）に示すように、特定副画素として選定したＧ副画素１１ｇのうち、表示領域の左端から数えて２ｎ−１番目のＧ副画素１１ｇに開口２２を有するマスク２３を基板１０の下方に位置合わせする。そして、蒸着源２１から有機ＥＬ層１３の構成材料を蒸着させて、表示領域の左端から数えて２ｎ−１番目のＧ副画素１１ｇに対応する有機ＥＬ層を選択的に形成する。これにより、図１（ａ）の「ア」に位置する副画素に対応する有機ＥＬ層１３ｇが形成される。
【００４５】
次に図２（ｂ）に示すように、Ｇ副画素１１ｇのうち、表示領域の左端から数えて２ｎ番目のＧ副画素１１ｇに開口２２を有するマスク２３を基板１０の下方に位置合わせする。そして、蒸着源２１から有機ＥＬ層１３の構成材料を蒸着させて、表示領域の左端から数えて２ｎ番目のＧ副画素１１ｇに対応する有機ＥＬ層を選択的に形成する。これにより、図１（ａ）の「イ」に位置する副画素に対応する有機ＥＬ層１３ｇが形成される。
【００４６】
次に、Ｒ副画素１１ｒのうち、表示領域の左端から数えて２ｎ−１番目のＲ副画素１１ｒに開口２２を有するマスク２３を基板１０の下方に位置合わせする。そして、蒸着源２１から有機ＥＬ層１３の構成材料を蒸着させて、表示領域の左端から数えて２ｎ−１番目のＲ副画素１１ｒに対応する有機ＥＬ層を選択的に形成する。これにより、図１（ａ）の「ウ」に位置する副画素に対応する有機ＥＬ層１３ｒが形成される。
【００４７】
次に、Ｒ副画素１１ｒのうち、表示領域の左端から数えて２ｎ番目のＲ副画素１１ｒに開口２２を有するマスク２３を基板１０の下方に位置合わせする。そして、蒸着源２１から有機ＥＬ層１３の構成材料を蒸着させて、表示領域の左端から数えて２ｎ番目のＲ副画素１１ｒに対応する有機ＥＬ層を選択的に形成する。これにより、図１（ａ）の「エ」に位置する副画素に対応する有機ＥＬ層１３ｒが形成される。
【００４８】
次に、Ｂ副画素１１ｂのうち、表示領域の左端から数えて２ｎ−１番目のＢ副画素１１ｂに開口２２を有するマスク２３を基板１０の下方に位置合わせする。そして、蒸着源２１から有機ＥＬ層１３の構成材料を蒸着させて、表示領域の左端から数えて２ｎ−１番目のＢ副画素１１ｂに対応する有機ＥＬ層を選択的に形成する。これにより、図１（ａ）の「オ」に位置する副画素に対応する有機ＥＬ層１３ｂが形成される。
【００４９】
次に、Ｂ副画素１１ｂのうち、表示領域の左端から数えて２ｎ番目のＢ副画素１１ｂに開口２２を有するマスク２３を基板１０の下方に位置合わせする。そして、蒸着源２１から有機ＥＬ層１３の構成材料を蒸着させて、表示領域の左端から数えて２ｎ番目のＢ副画素１１ｂに対応する有機ＥＬ層を選択的に形成する。これにより、図１（ａ）の「カ」に位置する副画素に対応する有機ＥＬ層１３ｂが形成される。
【００５０】
以上の工程を経ることにより、各副画素に対応する有機ＥＬ層がそれぞれ形成される。
【００５１】
Ｇ副画素１１ｇに対応する有機ＥＬ層１３ｇを形成する工程において、有機ＥＬ層１３ｇを形成する順番は、図１（ａ）の「ア」、「イ」の順番でもよいし、「イ」、「ア」の順番でもよい。同様に、Ｒ副画素１１ｒに対応する有機ＥＬ層１３ｒを形成する工程において、有機ＥＬ層１３ｒを形成する順番は、図１（ａ）の「ウ」、「エ」の順番でもよいし、「エ」、「ウ」の順番でもよい。またＢ副画素１１ｂに対応する有機ＥＬ層を形成する工程において、有機ＥＬ層１３ｂを形成する順番は、図１（ａ）の「オ」、「カ」の順番でもよいし、「カ」、「オ」の順番でもよい。
【００５２】
本工程で形成される有機ＥＬ層（１３ｇ、１３ｒ、１３ｂ）は、少なくとも発光層を含む一層又は複数の層が積層されている積層体からなる層である。本工程において、図１（ａ）の「ア」〜「カ」で示される副画素（１１ｇ、１１ｒ、１１ｂ）に対応する有機ＥＬ層（１３ｇ、１３ｒ、１３ｂ）を形成するときは、マスクの寿命を考慮して、別個のマスクを使用するのが望ましい。つまり、有機ＥＬ層を形成するときは、合計６枚のマスクを用意するのが望ましい。
【００５３】
ただし、発光層以外の有機化合物層を各副画素に共通する層として形成する場合、発光層以外の層を作成する際にマスクを使用する必要がないので、同色の副画素を形成するときに同じマスクを使用してもよい。このとき製造スループットは低下するが、同じマスクを各色の発光層を蒸着形成する工程で兼用することができると共に、マスクの枚数を減らすこともできる。また各色の蒸着装置は、同色の製造工程では、兼用してもかまわない。兼用する事で、蒸着装置内に仕込む有機ＥＬ層の構成材料を同じにすることができると共に、蒸着装置内の、るつぼ内の材料の容量が非常に似通った状態で、有機ＥＬ層の構成材料を蒸着することができる。この結果、材料のＬＯＴ違いによる材料起因の色ずれや、るつぼ内の材料容量差に基づく蒸着レートの違いから発生する膜厚ずれに基づく輝度ズレ等の不都合を未然に防止することが可能になる。
【００５４】
一方、各副画素に対応する有機ＥＬ層を蒸着形成する際に、マスクの開口幅を副画素ごとに変えてもよい。
【００５５】
ここで各副画素に対応する有機ＥＬ層を形成する際に使用されるマスクは、好ましくは、その開口ピッチが９５μ以上であり、かつ開口幅が４０μｍ以下である。各副画素に対応する有機ＥＬ層を形成する際に、加工精度の観点から、マスクの厚みはマスクの開口幅の約１．２倍未満とする必要がある。しかし、マスクの開口幅が４０μｍ以下とするとマスクの厚みが５０μｍ未満となるので、マスク自体の機械強度が大幅に低下する。そこで、マスク開口ピッチ９５μｍ以上とすることにより、マスクの洗浄時においてスリットが変形されにくくなる。尚、ここでいうピッチとは、隣接するマスクの開口間の間隔を示すものであり、具体的には、マスク開口の幅とマスク開口間の距離との和である。
【００５６】
以上のように、本工程においては、少なくとも特定副画素に対応する有機ＥＬ層を形成するにあたり、特定副画素１つおきに有機ＥＬ層が形成されるように開口が備わっているマスクを使用する。この結果、マスクの開口と開口との間の間隔を従来と比べて２倍以上の幅を取ることができるので、マスク自体の機械強度が増し、厚みの薄いマスクであってもマスク寿命が向上される。
【００５７】
ところで、有機ＥＬ層を形成する際に使用したマスクは洗浄して再利用する。ここでマスクを洗浄する際に、マスクが有する開口の一部が変形することがある。この開口の変形はスリット変形と呼ばれており、マスクの寿命を決める要素となっている。尚、スリット変形は、マスクを洗浄した後の工程によって修正することができるが、スリット変形を修正する度にマスク自体に機械変形が発生し、修復不能なスリット変形が発生する可能性が高くなる。そして修復不能のスリット変形が一箇所でも発生した時点で、そのマスクは使用不能となる。このため、マスクの寿命は、１スリット変形あたりの修正不能発生確率の積で表され、スリット変形の数の差以上に効いていることがわかる。
【００５８】
一方、少なくとも特定副画素に対応する有機ＥＬ層を２回に分けて形成する際に、マスクの使用方法としては、以下の２通りが考えられる。
（１）同じマスクを２回使う方法
（２）１回目、２回目にそれぞれ異なるマスクを使用する方法
【００５９】
図３は、特定副画素に対応する有機ＥＬ層を形成する際に使用した３種類のマスクを洗浄した後で発生するスリット変形の数を表すグラフである。このグラフの縦軸はスリット変形の数を表しており、この数が小さければ、マスクの再生回数は自ずと多くなる。
【００６０】
図３のグラフにおいて、サンプルＡ〜Ｃは、以下に説明するマスクである。尚、サンプルＡ〜Ｃの元となるマスクは、膜厚０．０３ｍｍ、３インチＶＧＡ仕様の共通したマスクである。
サンプルＡ：上記（１）の方法で特定副画素を形成する際に使用したマスク
サンプルＢ：上記（２）の方法で特定副画素を形成する際に使用したマスクのうち１回目に使用したマスク
サンプルＣ：上記（２）の方法で特定副画素を形成する際に使用したマスクのうち２回目に使用したマスク
【００６１】
ここで図３のグラフより、サンプルＢ及びサンプルＣは、いずれもマスク１枚あたりのスリット変形数がサンプルＡに対して半分未満になることが示されている。このため、特定副画素に対応する有機ＥＬ層を形成する際に使用するマスクを替えることにより、マスクの寿命を少なくとも２倍以上向上させることができる。
【００６２】
本工程のうち、少なくとも工程（ｉ）及び（ｉｉ）で使用されるマスクは、好ましくは、縦方向に連続した開口部を有するマスクを使用する。縦方向に連続した開口部を有するマスクを使用することにより、縦方向のアライメント精度を低減させることができる。その結果、高精細かつ高開口率なマスクとなるため、高精細かつ高寿命の有機ＥＬ表示装置を製造することができる。一方、縦方向に連続した開口部を有するマスクを使用することにより、マスク寿命も確保することができる。
【００６３】
本工程のうち、少なくとも工程（ｉ）及び（ｉｉ）において、好ましくは、同一の蒸着源を使用する。こうすることにより、同色の副画素に対応する有機ＥＬ層の塗り分け工程を２回に分けても、膜厚や材料組成の変化を最低限に抑えられる。これは、蒸着源から発生・蒸発する有機ＥＬ層の構成材料は、蒸発源に残る材料の残量や蒸着源の温度等により大きく影響を受けるため、塗り分けを行う際に蒸着源を別個に設けると、蒸着レート等を制御するのが非常に難しく大きくばらつくことがあるためである。そこで、塗り分けを行う際に、同一の蒸着源を使用することで、１回目の塗り分け工程と２回目の塗り分け工程のそれぞれにおいて、蒸発した有機ＥＬ材料がほぼ同時期に蒸発源から発生する環境下で、塗り分けをすることが可能になる。従って、膜厚や材料組成を均一にした状態で同色の副画素に対応する有機ＥＬ層を形成することが可能になる。
【００６４】
［上部電極の形成工程］
有機ＥＬ層１３を形成した後、有機ＥＬ層上に上部電極１４を形成する。上述したように、上部電極１４は、下部電極１１と同様に、光透過性の電極層であってもよいし、光反射性の電極層であってもよい。また下部電極１１又は上部電極１４を陽極あるいは陰極する必要があるが、どちらにするかは任意である。一方、下部電極１１を素子回路と接続し、上部電極１４を共通配線と接続してもよい。他方、上部電極１４を各副画素に対して個別に設けてもよい。個別に上部電極１４を設ける具体的な方法としては、有機ＥＬ層１３の一部にレーザアブレーションを施すことでコンタクトホールを形成し、マスクを用いて上部電極１４を素子個別の電極として形成し、素子回路と接続する。
【００６５】
［封止工程］
本発明の製造方法で製造される有機ＥＬ表示装置は、封止部材を用いて、大気中の水分や酸素から表示装置を構成する電極層や有機ＥＬ層を保護するのが望ましい。
【００６６】
例えば、接続端子以外の部材をガラスキャップで覆って基板とガラスキャップとを接着剤で接着することにより、副画素を構成する有機ＥＬ素子を外気から遮断する。これにより有機ＥＬ表示装置が完成する。尚、ガラスキャップの代わりに、ＳｉＮ等の保護膜を設けて有機ＥＬ素子を外気から遮断する方法も採用できる。
【００６７】
完成した有機ＥＬ表示装は、外部回路から電源と画像信号と駆動信号を供給し、ＴＦＴ回路をスイッチングすることで、表示領域に望みの画像を表示することができる。
【００６８】
〔第二の実施形態〕
次に、本発明の第二の実施形態について説明する。まず本実施形態によって製造される有機ＥＬ表示装置について説明する。
【００６９】
図４は、本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ表示装置の第二の例を示す模式図であり、（ａ）は、有機ＥＬ表示装置の平面模式図であり、（ｂ）は、有機ＥＬ表示装置の断面模式図である。尚、図１の有機ＥＬ表示装置１を同じ部材については同じ符号を付している。以下、第一の実施形態に示された第一の例との相違点を中心に説明する。
【００７０】
図４の有機ＥＬ表示装置４は、副画素の配列パターンが、表示領域の左からＲＧＢＧＲＧＢＧ・・・となっている。ただし、１つの画素に含まれる２つのＧ副画素は、それぞれ別個の信号で駆動することができる。このため、Ｇ副画素は、Ｒ副画素及びＢ副画素に対して２倍の精細度の信号で駆動することができる。本実施形態の場合、例えば、対角が約３インチの表示装置において、列方向のピッチ（繰り返し間隔）が９６μｍのＧ副画素が６４０本、列方向の幅が１９２μｍのＲ副画素及びＢ副画素がそれぞれ３２０本という形態が可能である。
【００７１】
次に、本実施形態について具体的に説明する。尚、以下の説明においては、第一の実施形態との相違点を中心に説明する。
【００７２】
本実施形態において、有機ＥＬ層の形成工程以外の工程については、第一の実施形態と同様に行うことができる。
【００７３】
［有機ＥＬ層の形成工程］
本実施形態にて有機ＥＬ層を形成する場合は、例えば、Ｇ副画素を特定副画素として選択して、上述した工程（ｉ）〜（ｉｉ）によりＧ副画素に対応する有機ＥＬ層を形成する。
【００７４】
具体的には、まず図５（ａ）に示すように、Ｇ副画素１１ｇのうち、表示領域の左端から数えて２ｎ−１番目のＧ副画素１１ｇに開口２２を有するマスク２３を基板１０の下方に位置合わせする。そして、蒸着源２１から有機ＥＬ層１３の構成材料を蒸着させて、表示領域の左端から数えて２ｎ−１番目のＧ副画素１１ｇに対応する有機ＥＬ層を選択的に形成する。これにより、図４（ａ）の「ア」に位置する副画素に対応する有機ＥＬ層１３ｇが形成される。
【００７５】
次に図５（ｂ）に示すように、Ｇ副画素１１ｇのうち、表示領域の左端から数えて２ｎ番目のＧ副画素１１ｇに開口２２を有するマスク２３を基板１０の下方に位置合わせする。そして、蒸着源２１から有機ＥＬ層１３の構成材料を蒸着させて、表示領域の左端から数えて２ｎ番目のＧ副画素１１ｇに対応する有機ＥＬ層を選択的に形成する。これにより、図４（ａ）の「イ」に位置する副画素に対応する有機ＥＬ層１３ｇが形成される。
【００７６】
尚、第一の実施形態と同様に、工程（ｉ）及び工程（ｉｉ）を行う際に、その順番については、特に限定されない。
【００７７】
工程（ｉｉ）を行った後、以下に示す工程（ｉｉｉ）〜（ｉｖ）により、Ｒ副画素と、Ｂ副画素とを順次形成する。
（ｉｉｉ）Ｒ副画素を形成する工程
（ｉｖ）Ｂ副画素を形成する工程
【００７８】
ここで工程（ｉｉｉ）は、具体的には、図５（ｃ）に示すように、Ｒ副画素１１ｒに開口２２を有するマスク２３を基板１０の下方に位置合わせした後、蒸着源２１から有機ＥＬ層１３の構成材料を蒸着させる工程である。これにより、図４（ａ）の「ウ」に位置するＲ副画素１１ｒに対応する有機ＥＬ層１３ｒが形成される。
【００７９】
また工程（ｉｖ）は、具体的には、図５（ｄ）に示すように、Ｂ副画素１１ｂに開口２２を有するマスク２３を基板１０の下方に位置合わせした後、蒸着源２１から有機ＥＬ層１３の構成材料を蒸着させ蒸着させる工程である。これにより、図４（ａ）の「エ」に位置するＢ副画素１１ｂに対応する有機ＥＬ層１３ｂが形成される。
【００８０】
ところで本実施形態では、図５に示されるように、Ｇ副画素に対応する有機ＥＬ素子を形成するのに使用するマスクに比べて、Ｒ副画素及びＢ副画素にそれぞれ対応する有機ＥＬ素子を形成するのに使用するマスクの方がその開口幅が広い。つまり、本実施形態では、Ｇ副画素の幅を狭く設け、Ｒ副画素及びＢ副画素の幅を広く設けている。これにより、マスク寿命を確保しつつ表示の解像感を大きく落とすことなく、使用するマスクの数とマスクによる有機ＥＬ層の塗り分け工程を減らすことが可能とある。
【００８１】
尚、Ｇ副画素１１ｇの幅を狭くしているのは、人間の視感度は、緑色に対して、一番鋭敏であるためである。つまり、少なくともＧ副画素に対応する有機ＥＬ素子を、高精細なピッチ間隔で基板１０上に並置すれば、解像感の低下をそれ程感じることなく、表示装置に表示される画像を見ることができるためである。
【００８２】
また本実施形態において、Ｒ副画素及びＢ副画素に対応する有機ＥＬ素子を形成するのに使用されるマスクの開口部は、Ｇ副画素に対応する有機ＥＬ素子を形成するのに使用されるマスクの開口部と同様のピッチである。その結果、Ｒ副画素及びＢ副画素に対応する有機ＥＬ素子を形成するのに使用されるマスクは、Ｇ副画素に対応する有機ＥＬ素子を形成するのに使用されるマスクと同等以上のマスク強度を得ることができる。また、Ｒ副画素及びＢ副画素に対応する有機ＥＬ素子を形成するのに使用されるマスクは、それぞれ１回使用すれば十分できるため、本実施形態において有機ＥＬ層を形成する工程で使用されるマスクの回数は、合計４回で済むので製造コストの削減に繋がる。
【００８３】
一方、本実施形態においては、工程（ｉ）で使用されるマスクと、前記工程（ｉｉ）で使用されるマスクとが異なる方が好ましい。本実施形態では、各副画素の形成工程において、有機ＥＬ層の塗り分け工程数が異なる。このため、塗り分け回数の多いＧ副画素１１ｇの塗り分けでは、塗り分け回数分のマスクを用意することにより、各塗り分け工程を、全て同時に実施することができる。従って、各工程で滞ることなく、一定の速度で生産プロセスを進めることができる。
【００８４】
〔第三の実施形態〕
次に、本発明の第三の実施形態について説明する。まず本実施形態によって製造される有機ＥＬ表示装置について説明する。
【００８５】
図６は、本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ表示装置の第三の例を示す模式図であり、（ａ）は、有機ＥＬ表示装置の平面模式図であり、（ｂ）は、有機ＥＬ表示装置の断面模式図である。尚、図１の有機ＥＬ表示装置１を同じ部材については同じ符号を付している。以下、第一の実施形態に示された第一の例との相違点を中心に説明する。
【００８６】
図６の有機ＥＬ表示装置６は、副画素の配列パターンが、表示領域の左から（Ｒ）ＲＧＢＢＧＲＲＧＢＢＧＲ・・・となっている。
【００８７】
次に、本実施形態について具体的に説明する。尚、以下の説明においては、第一の実施形態との相違点を中心に説明する。
【００８８】
本実施形態において、有機ＥＬ層の形成工程以外の工程については、第一の実施形態と同様に行うことができる。
【００８９】
［有機ＥＬ層の形成工程］
本実施形態にて有機ＥＬ層を形成する場合は、例えば、Ｇ副画素を特定副画素として選択して、上述した工程（ｉ）〜（ｉｉ）によりＧ副画素に対応する有機ＥＬ層を形成する。
【００９０】
具体的には、まず図７（ａ）に示すように、Ｇ副画素１１ｇのうち、表示領域の左端から数えて２ｎ−１番目のＧ副画素１１ｇに開口２２を有するマスク２３を基板１０の下方に位置合わせする。そして、蒸着源２１から有機ＥＬ層１３の構成材料を蒸着させて、表示領域の左端から数えて２ｎ−１番目のＧ副画素１１ｇに対応する有機ＥＬ層を選択的に形成する。これにより、図６（ａ）の「ア」に位置する副画素１１ｇに対応する有機ＥＬ層１３ｇが形成される。
【００９１】
次に図７（ｂ）に示すように、Ｇ副画素１１ｇのうち、表示領域の左端から数えて２ｎ番目のＧ副画素１１ｇに開口２２を有するマスク２３を基板１０の下方に位置合わせする。そして、蒸着源２１から有機ＥＬ層１３の構成材料を蒸着させて、表示領域の左端から数えて２ｎ番目のＧ副画素１１ｇに対応する有機ＥＬ層を選択的に形成する。これにより、図７（ａ）の「イ」に位置する副画素１１ｇに対応する有機ＥＬ層１３ｇが形成される。
【００９２】
尚、第一の実施形態と同様に、工程（ｉ）及び工程（ｉｉ）を行う際に、その順番については、特に限定されない。一方、第二の実施形態と同様の理由で、本実施形態においても、工程（ｉ）で使用されるマスクと、前記工程（ｉｉ）で使用されるマスクとが異なる方が好ましい。
【００９３】
工程（ｉｉ）を行った後、以下に示す工程（ｖ）〜（ｖｉ）により、Ｒ副画素と、Ｂ副画素とを順次形成する。
（ｖ）Ｒ副画素を形成する工程
（ｖｉ）Ｂ副画素を形成する工程
【００９４】
ここで工程（ｖ）は、具体的には、図８（ｃ）に示すように、Ｒ副画素１１ｒに開口２２を有するマスク２３を基板１０の下方に位置合わせした後、蒸着源２１から有機ＥＬ層１３の構成材料を蒸着させる工程である。これにより、図６（ａ）の「ウ」及び「エ」に位置するＲ副画素１１ｒに対応する有機ＥＬ層１３ｒが同時に形成される。
【００９５】
また工程（ｉｖ）は、具体的には、図７（ｄ）に示すように、Ｂ副画素１１ｂに開口２２を有するマスク２３を基板１０の下方に位置合わせした後、蒸着源２１から有機ＥＬ層１３の構成材料を蒸着させる工程である。これにより、図６（ａ）の「オ」及び「カ」に位置するＢ副画素１１ｂに対応する有機ＥＬ層が同時に形成される。
【００９６】
本実施形態によれば、本実施形態の場合、例えば、対角が約３インチの表示装置において、列方向のピッチが９６μｍである副画素が各副画素ごとに６４０本設けられる形態が可能である。
【００９７】
また本実施形態は、マスクの使用回数と蒸着回数は、上述した第二の実施形態と同じである。ただし１行あたりの各副画素の個数は同一であるため、第二の実施形態と比較して、解像感の向上ができるというメリットを有する。
【００９８】
尚、本実施形態では、Ｒ副画素及びＢ副画素の発光面積は、通常、Ｇ副画素より大きくなる。これは、同一種の副画素間（ＢＢ間、ＲＲ間）においては、マスク精度及び画素間感覚を加味してレイアウトを行う必要がないためである。このため、本実施形態では、同一種の画素間の間隔を、異種の画素間（ＢＧ間、ＲＧ間）の間隔よりも狭くすることができる。従って、第一の実施形態で示される方法と比較して、同一種の画素間の間隔を狭く取れる分だけ、この間隔に対応する面積を、副画素に対応する有機ＥＬ素子の発光面積の増大に振り向けることができる。この結果、Ｒ副画素及びＢ副画素に対応する有機ＥＬ素子の発光面積は大きくなる。
【００９９】
一方で、上述した有機ＥＬ素子の発光面積の増大分を、異種の副画素に対応する有機ＥＬ発光素子の発光面積に振り向けることもできる。この場合は、特に、Ｇ副画素に対応する有機ＥＬ素子の発光面積に振り向けることが好ましい。このようにすれば、Ｇ副画素と他の副画素との間隔を確保しつつＧ副画素自体の発光面積を大きくさせることができる。Ｇ副画素自体の発光面積を広げることができれば、Ｇ副画素に対応するマスクの開口部は広くなると共に、蒸着に使用されるマスクの膜厚を厚くすることができる。ここでマスクの膜厚が厚くなれば、マスクの洗浄工程において、スリット変形がおきにくくなり、マスクの寿命を延ばす効果がある。
【０１００】
また本実施形態は、消費電力的にも好ましい。これは、Ｇ副画素に対応する有機ＥＬ素子の発光面積を大きくすることで、単位発光面積あたりに流れる電流量が減るため、同じ量の電流を流した際の有機ＥＬ素子間にかかる電圧が低下するためである。またＧ副画素に対応する有機ＥＬ素子は、輝度信号に寄与する割合が高く、標準的な映像信号では，Ｒ副画素やＢ副画素に対応する有機ＥＬ発光素子に流す電流より格段に大きいため、消費電力低減の効果が最も大きいというメリットもある。
【０１０１】
尚、各色の発光層の作製順序は、特に限定されるものではない。
【実施例１】
【０１０２】
第一の実施形態の製造方法で図１に示される有機ＥＬ表示装置を作製した。以下、適宜図面を参照しながら具体的な製造方法について説明する。
【０１０３】
本実施例では、縦３６０ｍｍ、横４６０ｍｍのガラス基板上に、４行５列の計２０基の有機ＥＬ表示装置を同時に作製した。ここで、作製される有機ＥＬ表示装置は、対角が約３インチであり、縦方向に４８０画素、横方向に６４０画素を備えている。また各画素は、ＲＧＢという形式に配列した三種類のストライプ状の副画素で構成されている。また、各画素の形状は一辺（ｌ11）９６μｍの正方形であり、１つの副画素に対応する有機ＥＬ素子は、縦９６μｍ、横３２μｍの領域に設けた。
【０１０４】
［基板の準備工程］
ガラス基板（基材１０１）上にバリア層（不図示）を形成した。具体的には、プラズマＣＶＤ法により、ＳｉＨ4、ＮＨ3及びＨ2を原料ガスとしてＳｉＮ層を膜厚２００ｎｍで形成した。
【０１０５】
次に、プラズマＣＶＤ法により、上記バリア層上に、非晶質シリコンからなる薄膜を膜厚５０ｎｍで形成した。ここで当該非晶質シリコンからなる薄膜はチャネル層として機能する。次に、レーザアニールにより非晶質シリコンを多結晶化した後、フォトリソグラフィ技術を用いたパターニングにより所定の形状に加工した。これにより、駆動用とスイッチング用と制御回路用のトランジスタのチャネル層をそれぞれ形成した。
【０１０６】
次に、ＣＶＤ法により、チャネル層上に、ＳｉＯ2を成膜しゲート絶縁膜を形成した。このときゲート絶縁膜の膜厚を１００ｎｍとした。次に、スパッタリング法等により、ゲート絶縁膜上に、Ｔａ及びＡｌを順次成膜し、金属薄膜の積層体を形成した。このときＴａ薄膜の膜厚を５０ｎｍとし、Ａｌ薄膜の膜厚を２００ｎｍとした。次に、フォトリソグラフィ技術によるパターニングを行い、当該金属薄膜を所定の形状に加工してゲート電極を形成した。
【０１０７】
次に、チャネル層のＮ領域以外の領域についてレジストで保護した後、イオン打ち込み技術により、チャネル層のＮ領域にリンをドープした。次に、チャネル層のＰ領域以外の領域についてレジストで保護した後、イオン打ち込み技術により、チャネル層のＰ領域にボロンをドープした。次に、レーザー光をチャネル層に照射してドーパントの活性化を行った。
【０１０８】
次に、プラズマＣＶＤ法により、チャネル層及びゲート電極上に、ＳｉＮを成膜し保護膜を形成した。このとき保護層の膜厚を５００ｎｍとした。次に、フォトリソグラフィ技術を用いたパターニングにより、保護層の所定の場所に接続用のコンタクトホールを形成した。次に、スパッタリング法により、保護層上に、Ｔｉ及びＴｉＡｌ合金を順次成膜し、２層構成の電極層を形成した。このときＴｉ薄膜の膜厚を１００ｎｍとし、ＴｉＡｌ合金薄膜の膜厚を３００ｎｍとした。次に、フォトリソグラフィ技術によるパターニングより、この２層構成の電極層を所望の形状に加工した。尚、加工された２層構成の電極層は、設置場所によって、ソース電極、ドレイン電極、コンデンサ電極、接続端子のうちのいずれかの部材として機能する。
【０１０９】
次に、ＣＶＤ法により、上記２層構成の電極層上に、ＳｉＮを成膜して第一層間絶縁層を形成した。このとき第一層間絶縁層の膜厚を３００ｎｍとした。次に、フォトリソグラフィ技術により、所望の位置を下部電極の接続のためにエッチングした。
【０１１０】
次に、第一層間絶縁層上に、第２の層間絶縁層を作製する。アクリル樹脂（ＪＳＲ社製：ＰＣ４１５）を塗布し、回転数１２００回転／分でスピンコートを行い、薄膜を形成した。次に、この薄膜をプリベークした後、薄膜トランジスタ回路と下部電極とを電気接続するための開口部のパターンを有するフォトマスクを使い、１００ｍＷ／ｃｍ2の照度で露光した。次に、現像液（ＮＭＤ−３、東京応化工業製）で現像し、２００℃でポストベークすることにより、第一樹脂膜を形成した。このとき第一樹脂膜の膜厚は１．５μｍであった。以上に示す方法により作製したものを基板１０として、以下の工程で使用した。
【０１１１】
［下部電極の形成工程］
基板１０上に、スパッタリング法等により、ＡｌＳｉとＩＴＯとをこの順で成膜して電極積層薄膜を形成した。このときＡｌＳｉ薄膜の膜厚を５０ｎｍとし、ＩＴＯ薄膜の膜厚を１００ｎｍとした。次に、フォトリソグラフィ技術により、先程の電極積層薄膜を加工し下部電極１２を形成した。尚、下部電極１２は、薄膜トランジスタ回路との接続部を覆い、その寸法は、縦８５μｍ、幅２５μｍであり後述する有機ＥＬ層が形成される領域よりも広い。
【０１１２】
次に、スピンコートにより、基板１０及び下部電極１２上に、アクリル樹脂（ＪＳＲ社製：ＰＣ４１５）を塗布・成膜した。ここでスピンコートする際に、回転数を１２００回転／分とした。次に、成膜したアクリル樹脂をプリベークした後、図８に示される各副画素に対応する有機ＥＬ素子が設けられる位置に開口８１を有するフォトマスク８２を使用して、照度１００ｍＷ／ｃｍ2の光で露光した。次に、現像液（ＮＭＤ−３、東京応化工業製）で現像した後、２００℃でポストベークすることで、有機ＥＬ素子が設けられる領域以外の部分にバンクを形成した。ここでバンクの膜厚は１．５μｍであった。またこのバンクは、その端部が下部電極１２上に設けられており、約４０°のテーパ形状となっている。また下部電極が露出する領域は、縦７５μｍ、幅８μｍの矩形状であり、隣り合う露出領域間の横方向の間隔は２４μｍであった。尚、下部電極のパターン等フォトリソグラフィ技術による位置合わせ精度を考慮すると、隣り合う露出領域間の横方向の間隔を±５μｍ以下とすることも可能である。一方で、本実施例において隣り合う露出領域間の横方向の間隔を２４μｍとしたのは、金属マスクの合わせ精度（±１２μｍ程度）を考慮したためである。
【０１１３】
［有機ＥＬ層の形成工程］
次に、以下に示す方法により、有機ＥＬ層を形成した。図９は、有機ＥＬ層の形成装置を示す概略図である。また図１０は、有機ＥＬ層、上部電極の形成プロセスを示す断面模式図である。
【０１１４】
まずバンク１５まで形成された基板を、基板の処理面（下部電極１２、バンク１５等が設けられている面）が下方向に向くように設置した後、装置内を真空にした。次に、この基板１０を加熱することにより、基板１０の脱水処理を十分に行った。このとき基板１０の断面構造は、図１０（ａ）に示される構造である。
【０１１５】
次に、基板を第一成膜室９１に搬送し、バンク１５及び下部電極１２上に、αＮＰＤを成膜し正孔輸送層１３１を形成した（図１０（ｂ））。正孔輸送層１３１を成膜する際には、図８に示される表示領域に対応する位置に開口を有するマスク８２を使用し、表示領域内で共通する層として成膜した。また正孔輸送層１３１を形成する際に、蒸着源はモリブデン製のルツボとし、シースヒータでらせん状に取り囲んで加熱することにより蒸着を行った。
【０１１６】
次に、正孔輸送層１３１まで形成された基板を、第二成膜室９２に移動し、真空蒸着法により、正孔輸送層１３１上にＧ発光層１３２ｇを形成した。図１１は、Ｇ発光層１３２ｇを形成するときに使用されるマスクの概略図であり、（ａ）は、マスク全体の概略図であり、（ｂ）は、（ａ）の部分拡大概略図である。尚、このマスク２３の材質はインバーであり、マスクの開口２２は、長さが４６．２ｍｍであり、幅（ｄ11）が３２μｍであり、開口と開口との間隔（ｄ12）が１６０μｍであり、繰返しのピッチ（ｄ13（＝ｄ11＋ｄ12））が１９２μｍである。またこのマスク２３は、幅及び膜厚が２０ｍｍのインバー製のフレーム２４が設けられている。一方、開口２２の周辺には、膜厚３０μｍの箔が設けられている。ここでこの箔は、エッチング法で形成したものであり、熱膨張の延びをキャンセルできる程度のテンションをかけてマスクに溶接している。
【０１１７】
実際にＧ発光層１３２ｇを設ける際には、まず上記のマスク２３を、表示領域の左端から数えて２ｎ−１番目にあるＧ副画素１１ｇに対応する領域に、マスクの開口２２の位置を合わせた。次に、蒸着源から発生するＧ発光層１３２ｇの構成材料を蒸着させることにより、正孔輸送層１３１上にＧ発光層１３２ｇを形成した（図１０（ｃ））。尚、Ｇ発光層１３２ｇは、ホストであるＡｌｑ3とゲスト（発光性化合物）であるクマリン６とを２つの蒸着源にそれぞれ仕込み、重量比が９９：１となるように共蒸着することにより形成した。またＧ発光層１３２ｇを成膜する際には、水晶振動子方式の膜厚計で堆積速度と膜厚を測定し、蒸着源の温度制御にフィードバックして堆積速度を制御しつつ、蒸着源上のシャッタを開閉することにより、層の膜厚を制御した。
【０１１８】
次に、同じ成膜室でマスクの位置を変え、表示領域の左端から数えて２ｎ番目にあるＧ副画素１１ｇに対応する領域に、マスクの開口の位置を合わせた。次に、蒸着源から発生するＧ発光層の構成材料を蒸着させることにより、正孔輸送層上１３１にＧ発光層１３２ｇを形成した（図１０（ｄ））。
【０１１９】
次に、基板１０を第四成膜室９４に移動し、Ｒ発光層１３２ｒを形成するために使用するマスクを、表示領域の左端から数えて２ｎ−１番目にあるＲ副画素１１ｒに対応する領域に、マスクの開口の位置を合わせた。次に、蒸着源から発生するＲ発光層１３２ｒの構成材料を蒸着させることにより、正孔輸送層１３１上にＲ発光層１３２ｒを形成した（図１０（ｅ））。尚、Ｒ発光層１３２ｒは、ホストであるＡｌｑ3とゲストであるＤＣＭ［４−（ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）−２−ｍｅｔｈｙｌ−６（ｐ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｔｙｒｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ］とを、重量比が９９：１となるように共蒸着して形成した。
【０１２０】
次に、同じ成膜室でマスクの位置を変え、表示領域の左端から数えて２ｎ番目にあるＲ副画素１１ｒに対応する領域に、マスクの開口の位置を合わせた。次に、蒸着源から発生するＲ発光層の構成材料を蒸着させることにより、正孔輸送層１３１上にＲ発光層１３２ｒを形成した（図１０（ｆ））。
【０１２１】
次に、基板を第五成膜室９５に移動し、Ｂ発光層１３２ｂを形成するために使用するマスクを、表示領域の左端から数えて２ｎ−１番目にあるＢ副画素に対応する領域に、マスクの開口の位置を合わせた。次に、蒸着源から発生するＢ発光層の構成材料を蒸着させることにより、正孔輸送層上にＢ発光層を形成した（図１０（ｇ））。尚、Ｂ発光層は、ペリレン色素とトリス［８−ヒドロキシキノリナート］アルミニウム（Ａｌｑ3）とを、体積比が１：９９となるように共蒸着して形成した。
【０１２２】
次に、同じ成膜室でマスクの位置を変え、表示領域の左端から数えて２ｎ番目にあるＢ副画素に対応する領域に、マスクの開口の位置を合わせた。次に、蒸着源から発生するＧ発光層の構成材料を蒸着させることにより、正孔輸送層１３１上にＢ発光層１３２ｂを形成した（図１０（ｈ））。
【０１２３】
次に、基板を第六成膜室９６に搬送し、この第六成膜室９６内で、表示領域に対応する領域に開口を有するマスクを使用し、フッ化リチウムとフェナントロリン化合物とを体積比で０．９：９９．１となりように共蒸着した。これにより、各発光層（１３２ｇ、１３２ｒ、１３２ｂ）上に電子輸送層１３３を形成した（図１０（ｉ））。
【０１２４】
［上部電極の形成工程］
次に、基板を第七成膜室９７に搬送し、この第七成膜室９７内で、スパッタリングにより、電子輸送層上にＩＺＯを成膜し上部電極１４を設けた（図１０（ｊ））このとき上部電極１４の膜厚を１００ｎｍとした。
【０１２５】
次に、上部電極１４まで形成された基板１０を、大気に曝すことなく、外部からの酸素や水等を遮断するために封止ガラスで基板を覆い両者を接着剤で接着した。尚、封止ガラスには掘り込みが設けられており、その内側の空間の周囲にはゼオライト（不図示）からなる吸湿材が設けられている。次に、合計２０基の有機ＥＬ表示装置が設けられている基材を、ダイヤモンドを固着した回転刃を用いスクライブして、有機ＥＬ表示装置を１基ずつ分離した。
【０１２６】
最後に、封止ガラスの表面に、市販のディスプレイ用偏光板を接着することにより、有機ＥＬ表示装置を得た。得られた有機ＥＬ表示装置について、接続端子（不図示）を外部回路１５と接続し、動作させたところ、掘り込みを設けたガラス側（上部電極１４側）へのフルカラーの表示が可能であった。
【実施例２】
【０１２７】
第二の実施形態の方法で図４に示される有機ＥＬ表示装置を作製した。尚、以下の説明においては、実施例１との相違点を中心に説明する。
【０１２８】
本実施例で製造される有機ＥＬ表示装置に含まれる画素は、ＲＧＢＧという形式に配列した三種類のストライプ状の副画素で構成されている。尚、本実施例では、表示領域内にＲ副画素１１ｒ及びＢ副画素１１ｂは、縦方向で４８０行、横方向で３２０列含まれている。一方、Ｇ副画素１１ｇは、縦方向で４８０行、横方向で６４０列含まれている。このため表示領域内に含まれる画素は、縦方向で４８０行、横方向で３２０列となるが、視感度の高いＧ副画素１１ｇが、縦方向で４８０行×横方向で６４０列存在するため、実施例１とほぼ同等の画質を得ることができる。また本実施例において、画素１つ分の寸法は、縦（ｌ21）９６μｍ、横（ｌ22）１９２μｍとした。
【０１２９】
［下部電極の形成工程］
実施例１と同様の方法で、基板上に、下部電極１２及びバンク１５を形成した。本実施例において、Ｇ副画素１１ｇが設けられる下部電極１２の幅は２６μｍであり、バンク１５の開口幅は１６μｍであった。一方、Ｒ副画素１１ｒ及びＢ副画素１１ｂが設けられる下部電極１２の幅は４２μｍであり、バンク１５の開口幅は３２μｍであった。
【０１３０】
［有機ＥＬ層の形成工程］
次に、図１２に示されるインラインタイプの装置で有機ＥＬ層１３及び上部電極１４を形成した。また図１３は、有機ＥＬ層１３及び上部電極１４の形成プロセスを示す断面模式図である。
【０１３１】
まずバンク１５まで形成された基板１０を、基板１０の処理面（下部電極１１、バンク１５等が設けられている面）が下方向に向くように設置した後、装置内を真空にした。次に、この基板１０を加熱することにより、基板１０の脱水処理を十分に行った。このとき基板１０の断面構造は、図１３（ａ）に示される構造である。
【０１３２】
次に、基板を第一成膜室１２１に搬送し、バンク１５及び下部電極１２上に、αＮＰＤを成膜し正孔輸送層１３１を形成した（図１３（ｂ））。正孔輸送層１３１を成膜する際には、図８に示されるように、表示領域に対応する位置に開口２２を有するマスク２３を使用し、表示領域内で共通する層として成膜した。また正孔輸送層１３１を形成する際に、蒸着源はモリブデン製の長方形の箱状ルツボとし、側面をシースヒータで加熱することにより蒸着を行った。
【０１３３】
次に、正孔輸送層１３１まで形成された基板を第二成膜室１２２に搬送し、Ｇ副画素１１ｇが設けられる領域にＧ発光層１３２ｇを形成した。このとき実施例１と同様に、表示領域の左端から数えて２ｎ−１番目にあるＧ副画素１１ｇに対応するＧ発光層１３２ｇを選択的に形成した（図１３（ｃ））。次に、基板を第三成膜室１２３に搬送し、表示領域の左端から数えて２ｎ番目にあるＧ副画素１１ｇを選択的に形成した（図１３（ｄ））。尚、図１２の装置でＧ発光層１３２ｇを形成すると、使用するマスクは適宜取り外してから併設するマスク搬送路１２０を通じて元の位置に戻すことができるので、１枚のマスクを複数回使用できる。
【０１３４】
次に、基板１０を第四成膜室１２４に搬送し、Ｒ発光層１３２ｒを形成するために使用するマスクを、所定の位置に位置合わせした。図１４（ａ）は、実施例２のＲ発光層１３２ｒの形成工程で使用したマスクの概略図である。使用するマスクは、開口の長さが４６．２ｍｍであり、幅（ｄ21）が５６μｍであり、開口と開口との間隔（ｄ22）が１３６μｍ、繰り返しのピッチ（ｄ23（＝ｄ21＋ｄ22））が１９２μｍである。またＲ発光層１３２ｒを形成する際に、実施例１で使用したホストとゲストとが、個別に入っている箱型ルツボをそれぞれ用意し、共蒸着を行った。
【０１３５】
次に、基板１０を第五成膜室１２５に搬送し、Ｂ発光層１３２ｂを形成するために使用するマスクを、所定の位置に位置合わせした。図１４（ｂ）は、実施例２のＢ発光層１３２ｂの形成工程で使用したマスクの概略図である。使用するマスクは、開口の長さ、幅、開口と開口の間隔、及び繰り返しのピッチの各寸法がＲ発光層１３２ｒを形成する際に使用されるマスクと同様である。
【０１３６】
次に、基板１０を第六成膜室１２６に搬送した。次に、この第六成膜室１２６内で、図８に示されるように、表示領域に対応する領域に開口２２を有するマスク２３を使用し、フッ化リチウムとフェナントロリン化合物とを体積比で０．９：９９．１となりように共蒸着した。これにより、各発光層（１３２ｇ、１３２ｒ、１３２ｂ）上に電子輸送層１３３を形成した（図１３（ｉ））。
【０１３７】
［上部電極の形成工程］
次に、基板１０を第七成膜室１２７に搬送し、この第七成膜室１２７内で、スパッタリングにより、電子輸送層１３３上にＩＺＯを成膜し上部電極１４を設けた（図１３（ｊ））このとき上部電極１４の膜厚を１００ｎｍとした。
【０１３８】
次に、上部電極１４まで形成された基板１０を、大気に曝すことなく、外部からの酸素や水等を遮断するために封止ガラスで基板を覆い両者を接着剤で接着した。尚、封止ガラスには掘り込みが設けられており、その内側の空間の周囲にはゼオライト（不図示）からなる吸湿材が設けられている。次に、合計２０基の有機ＥＬ表示装置が設けられている基材を、ダイヤモンドを固着した回転刃を用いスクライブして、有機ＥＬ表示装置を１基ずつ分離した。
【０１３９】
最後に、封止ガラスの表面に、市販のディスプレイ用偏光板を接着することにより、有機ＥＬ表示装置を得た。得られた有機ＥＬ表示装置について、接続端子（不図示）を外部回路１５と接続し、動作させたところ、掘り込みを設けたガラス側（上部電極１４側）へのフルカラーの表示が可能であった。
【実施例３】
【０１４０】
第三の実施形態の方法で図６に示される有機ＥＬ表示装置を作製した。尚、以下の説明においては、実施例１及び２との相違点を中心に説明する。
【０１４１】
本実施例で製造される有機ＥＬ表示装置に含まれる画素は、ＲＧＢ又はＢＧＲという形式に配列した三種類のストライプ状の副画素で構成されている。尚、本実施例では、表示領域内に各副画素は、縦方向で４８０行、横方向で６４０列含まれている。また本実施例において、各画素の形状は一辺（ｌ31）９６μｍの正方形であり、１つの副画素に対応する有機ＥＬ素子は、縦９６μｍ、横３２μｍの領域に設けた。
【０１４２】
［下部電極の形成工程］
実施例１と同様の方法で、基板１０上に、下部電極１１及びバンク１５を形成した（図１５（ａ））。本実施例において、Ｇ副画素１１ｇ及びＢ副画素１１ｂが設けられる下部電極の幅は２１μｍであり、バンクの開口幅は１１μｍであった。一方、Ｒ副画素１１ｒが設けられる下部電極の幅は２０μｍであり、バンクの開口幅は１０μｍであった。
【０１４３】
［有機ＥＬ層の形成工程］
実施例２と同様の方法により、各副画素に対応する発光層が含まれる有機ＥＬ層を形成した（図１５（ｂ）〜（ｇ））。尚、本実施例では、図６（ａ）に示されるように、表示領域の左端の副画素配列パターンがＲＲＧＢＢＧＲ・・・となっており、端部がＲＲ２列となっている。これは、Ｒ発光層を形成する際に使用するマスクの開口が、副画素２個分の幅があるためである。ここで、左端のＲ副画素はダミー副画素になる。ただし、使用するマスクが、表示領域の左端部に限って開口幅が狭いものであれば、表示領域左端部のＲ副画素の幅を副画素１個分にすることもできる。
【０１４４】
［上部電極の形成工程］
実施例２と同様の方法により、有機ＥＬ層１３上に、上部電極１４を形成した（図１５（ｈ））。
【０１４５】
次に、実施例２と同様に、有機ＥＬ素子の封止、及び基板の加工を行うことにより、有機ＥＬ表示装置を得た。
【０１４６】
最後に、封止ガラスの表面に、市販のディスプレイ用偏光板を接着することにより、有機ＥＬ表示装置を得た。得られた有機ＥＬ表示装置について、接続端子（不図示）を外部回路１５と接続し、動作させたところ、掘り込みを設けたガラス側（上部電極１４側）へのフルカラーの表示が可能であった。
【符号の説明】
【０１４７】
１，４，６：有機ＥＬ表示装置、１０：基板、１１：画素、１１ｇ：Ｇ副画素、１１ｒ：Ｒ副画素、１１ｂ：Ｂ副画素
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置は、自発光素子である有機ＥＬ素子からなる表示装置（ディスプレイ）である。このため、液晶のようにバックライトが不要であるだけでなく、軽量薄型が実現できるため、優れた応答速度、視野角、色再現性を備えた次世代ディスプレイとして注目されている。
【０００３】
しかし、このように優れた性能を有する表示装置であるにもかかわらず、有機ＥＬ表示装置が、なかなか市場に出回らなかったのは、発光性能を有する有機化合物層（発光層）の加工が難しかったためである。一般に、フルカラーの有機ＥＬ表示装置を製造する際には、有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子を、発光色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）ごとに塗り分ける必要がある。ここで有機ＥＬ素子の塗り分ける際に、特に、発光層の構成材料が低分子系の材料である場合は、マスクを用いた蒸着プロセスが常用されている。しかし、この蒸着プロセスで用いられるマスクは、高価である。またこのマスク精度が、有機ＥＬ表示装置の精度を決定するため、フォトリソ工程で精度が決定する液晶ディスプレイと比べて、特に、表示装置の高精細化という点ではまだ十分とはいえなかった。
【０００４】
ところで有機ＥＬ表示装置を製造するのに使用されるシャドウマスクは、大別すると、メッキにより形成されるメッキマスクと、エッチングにより形成されるエッチングマスクがある。有機ＥＬ表示装置を構成し、発光色が赤、青、緑のいずれかである有機ＥＬ素子の発光層は、シャドウマスクを用いて各発光色毎に形成される。具体的には、所定の発光層を形成するために用いられるシャドウマスクを、蒸着源とＴＦＴ等が形成された基板との間に置き、蒸着源とシャドウマスクとの間に設けられた遮蔽板が開閉することにより、蒸着時間を制御して、所定の膜厚とパターンで形成される。
【０００５】
このとき、蒸着によって各色発光層を塗り分ける方法として、具体的には、特許文献１及び２にて示される方法が開示されている。
【０００６】
一方、近年、携帯機器等に求められるディスプレイ（有機ＥＬ表示装置）の高精細化は、急激な勢いで進展をみせている。例えば、３インチ相当のディスプレイにおいては、ＶＧＡ（縦４８０画素Ｘ横６４０画素）仕様が、一般的になって来ている。
【０００７】
しかしながら、ＶＧＡ仕様で有機ＥＬ表示装置を構築する場合、有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子を形成する際に使用されるシャドウマスクの開口部のピッチ間隔は９５μｍになる。また有機ＥＬ表示装置に並置される有機ＥＬ素子の所定箇所に発光層を設ける際には、マスクと発光層形成前の基板とのアライメント精度が問題となる。シャドウマスクの開口部のピッチ間隔から、アライメント精度を差し引いた分が、有機ＥＬ素子を構成する発光層の幅となるからである。ＶＧＡ仕様の場合、発光層の開口幅は、４０μｍ以下にする必要があるため、マスクの開口幅も４０μｍ以下に設計する必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−１１０３４５号公報
【特許文献２】特開平１０−３１２８８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、有機ＥＬ表示装置を高精細化する際には、マスクの開口幅に応じてマスクの膜厚を薄くする必要がある。これは、マスクを形成する時に、エッチングを用いることに起因する。つまり開口幅が狭いマスクを製作する場合、マスクの精度を確保するために、マスクの膜厚を薄くする必要がある。しかし膜厚が薄くすると、マスクの機械強度が低下してしまう。ここでマスクの機械強度が低下していると、例えば、マスクに付着した有機ＥＬ層の構成材料を除去してマスクを再生利用するために、マスクを定期的に液中で洗浄する際に、マスクが変形しやすくなってしまう。具体的には、洗浄液からマスクを取り出した際に、マスク開口部に付着した洗浄液の表面張力により、開口部同士が引きつけ合い、マスクにスリット変形が発生してしまう。このため、マスクの膜厚を薄くすると、マスクの寿命が短くなり、有機ＥＬの製造コストが大幅に上昇する問題があった。
【００１０】
上記のマスクの膜厚の問題を解消するための方法として、マスク表面にメッキを形成させる方法がある。こうすることにより開口幅の狭さを確保しながら、マスクの膜厚を稼ぐことができる。
【００１１】
しかしこの方法では、コストが大きくなり得られるマスクが非常に高価なものになってしまう。またメッキ形成する場合に常用されるＮｉＣｏは、一般に使われるマスクのインバー材に対して熱膨張係数が高く、使用上の精度を出すには、マスクを枠材に貼る際のテンションを、インバー材より大きくする必要がある。このため得られるマスクは塑性変形しやすいものとなる。従って、マスク製造における歩止まりが低下して、マスク自体がさらに高価になるため、有機ＥＬの製造コストが大幅に上昇する問題があった。
【００１２】
また上記のメッキ法を採用して、開口幅を狭くした上でマスク膜厚を厚くした場合は、蒸着源からマスクに向かって進む蒸着物質がどの入射角でマスク開口部に入るかによって有機ＥＬ素子の膜厚にばらつきが生じてしまう。なぜなら蒸着源は、一般的には、マスクに対して十分小さい点又は線状の開口から蒸着物質を放出するためである。従って蒸着物質がマスク開口部に入るときの入射角にとっては、蒸着物質はマスク開口部の壁面によって跳ね返される「けられ」が発生する。この「けられ」によりパターン形成された薄膜には膜厚むらが発生する。また「けられ」は、マスクの膜厚と蒸着物質がマスク開口部に入るときの入射角に由来するもので、マスクの開口は幅によらないが、マスクの開口幅が狭くなるほど、その影響度は大きくなるため、有機ＥＬパネルの色純度に大きな影響を与える問題があった。
【００１３】
マスクの強度を上げる別の手法としては、マスクの開口部に、一定間隔でブリッジを形成する事が考えられる。しかしながら、ブリッジを形成すれば、マスクのアライメント精度は、従来からの横方向のアライメント精度だけでなく、縦方向のアライメント精度も問題になる。その結果、有機ＥＬ素子の有機発光層の開口は、横方向だけでなく縦方向にも、予め小さく作る必要が生じるため、有機ＥＬ素子の発光部分の画素あたりの開口率が、大幅に低下する問題がある。
【００１４】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、マスクの開口幅を確保しつつマスクの寿命を長くさせると共に作業効率を良好にする有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、基板と、
二種類以上の副画素からなる複数の画素と、から構成され、
該画素が、該基板の表示領域上に並置して設けられ、
該副画素のうち一種類の副画素が、所定の間隔を持って設けられる特定副画素である有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
該特定副画素を、以下の工程（ｉ）〜（ｉｉ）により形成することを特徴とする。
（ｉ）表示領域の側端から数えて２ｎ−１（ｎは、１以上の整数を表す。）番目の特定副画素に対応する位置に開口を有するマスクを使用し、該側端から数えて２ｎ−１番目の特定副画素を選択的に形成する工程
（ｉｉ）該側端から数えて２ｎ（ｎは、１以上の整数を表す。）番目の特定副画素に対応する位置に開口を有するマスクを使用し、該側端から数えて２ｎ番目の特定副画素を選択的に形成する工程
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、マスクの開口幅を確保しつつマスクの寿命を長くさせると共に作業効率を良好にする有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ表示装置の第一の例を示す模式図であり、（ａ）は、有機ＥＬ表示装置の平面該略図であり、（ｂ）は、有機ＥＬ表示装置の断面該略図である。
【図２】本発明の製造方法の第一の実施形態における有機ＥＬ層の形成工程を示す概略図である。
【図３】特定副画素に対応する有機ＥＬ層を形成する際に使用した３種類のマスクを洗浄した後で発生するスリット変形の数を表すグラフである。
【図４】本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ表示装置の第二の例を示す模式図であり、（ａ）は、有機ＥＬ表示装置の平面模式図であり、（ｂ）は、有機ＥＬ表示装置の断面模式図である。
【図５】本発明の製造方法の第二の実施形態における有機ＥＬ層の形成工程を示す概略図である。
【図６】本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ表示装置の第三の例を示す模式図であり、（ａ）は、有機ＥＬ表示装置の平面模式図であり、（ｂ）は、有機ＥＬ表示装置の断面模式図である。
【図７】本発明の製造方法の第三の実施形態における有機ＥＬ層の形成工程を示す概略図である。
【図８】バンクを形成する際に使用したマスクを示す概略図である。
【図９】実施例１で使用した有機ＥＬ層の形成装置を示す概略図である。
【図１０】実施例１における有機ＥＬ層、上部電極の形成プロセスを示す断面模式図である。
【図１１】実施例１のＧ発光層の形成工程で使用したマスクの概略図である。
【図１２】実施例２で使用した有機ＥＬ層及び上部電極の形成装置を示す概略図である。
【図１３】実施例２における有機ＥＬ層、上部電極の形成プロセスを示す断面模式図である。
【図１４】実施例２のＲ発光層・Ｂ発光層の形成工程で使用したマスクの概略図であり、（ａ）は、Ｒ発光層の形成工程で使用したマスクの概略図であり、（ｂ）は、Ｂ発光層の形成工程で使用したマスクの概略図である。
【図１５】実施例３における有機ＥＬ層、上部電極の形成プロセスを示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
〔第一の実施形態〕
まず本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ表示装置について説明する。
【００１９】
本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ表示装置とは、基板と、二種類以上の副画素からなる複数の画素と、から構成される。
【００２０】
以下、図面を参照しながら、この有機ＥＬ表示装置について説明する。
【００２１】
図１は、本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ表示装置の第一の例を示す模式図であり、（ａ）は、有機ＥＬ表示装置の平面該略図であり、（ｂ）は、有機ＥＬ表示装置の断面該略図である。
【００２２】
図１の有機ＥＬ表示装置１は、基板１０上の所定の領域、具体的には基板１０の表示領域上に、複数の画素１１が並置して設けられている。ここで並置とは、具体的には、図１に示すように画素１１をマトリックス状に配置することをいう。尚、以下の説明において、画素１１が設けられている基板１０上の領域を表示領域という場合がある。
【００２３】
有機ＥＬ表示装置１を構成する画素１１は、Ｒ副画素１１ｒと、Ｇ副画素１１ｇと、Ｂ副画素１１ｂとからなる部材である。ここで、画素１１を構成する三種類の副画素（１１ｒ、１１ｇ、１１ｂ）は、それぞれ矩形形状であって、赤色、緑色又は青色の光を発する有機ＥＬ素子である。これら有機ＥＬ素子は、それぞれ、基板１０上に設けられ、下部電極１２と、有機ＥＬ層１３と、上部電極１４と、がこの順に積層されてなる電子素子である。尚、以下の説明において、有機ＥＬ層１３を、各副画素（１１ｒ、１１ｇ、１１ｂ）に対応して、１３ｒ、１３ｇ、１３ｂと言う場合がある。
【００２４】
図１の有機ＥＬ表示装置１において、各副画素（１１ｒ、１１ｇ、１１ｂ）に対応する有機ＥＬ素子には、画素単位で電気信号が送られる。そしてこの電気信号によって各副画素（１１ｒ、１１ｇ、１１ｂ）に対応する有機ＥＬ素子のいずれかが駆動することにより、図１の有機ＥＬ表示装置１は、フルカラーの表示が可能となる。
【００２５】
図１の有機ＥＬ表示装置１において、画素１１を構成する各副画素（１１ｒ、１１ｇ、１１ｂ）の面積はほぼ等しい。また各副画素（１１ｒ、１１ｇ、１１ｂ）は、一定の間隔を持って均等に配列されている。ここで副画素の配列シークエンスは、図１より、表示領域の左端からＲＧＢＲＧＢ・・・であるが、これに限定されるものではない。
【００２６】
図１の有機ＥＬ表示装置１は、例えば、対角が約３インチ、縦横比が３対４の表示領域を有し、各色のラインが水平方向で４８０行、垂直方向で６４０列あるものから構成される表示装置である。説明の都合上、図１ではその一部を示している。
【００２７】
図１の有機ＥＬ表示装置１の駆動方式としては、パッシブマトリクス方式でもよいし、アクティブマトリックス方式でもよい。ここで、アクティブマトリクス方式を採用する場合は、図１に示されるように、基材１０１上にＴＦＴ回路１０２が設けられるものを基板として使用してもよい。尚、図１の有機ＥＬ表示装置１において、ＴＦＴ回路１０２は、下部電極１２と電気接続され、外部回路１５からの電気信号を制御するために設けられる。
【００２８】
次に、図１の有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。
【００２９】
［基板の準備工程］
まず有機ＥＬ表示装置の構成部材である基板１０を準備する。
【００３０】
基板１０として、ガラス等の基材１０１をそのまま使用し、後述する工程でこの基材上に電極層や有機ＥＬ層を形成してもよい。尚、アクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置として製造する場合は、本工程において、基材上に、ＴＦＴ回路１０２、具体的には、各有機ＥＬ素子を動作させるための素子回路、及び素子回路を動作させるための駆動回路をそれぞれ設ける。このとき各回路を接続する配線及び外部と接続するための接続端子も同時に設ける。
【００３１】
ここで素子回路は、後の工程で有機ＥＬ素子が形成される表示領域に形成される。一方、駆動回路は、表示領域外に形成される。また各回路は、薄膜トランジスタ技術を用いて形成される。
【００３２】
上記の回路、配線及び接続端子をそれぞれ形成した後、各素子回路上にＳｉＮ等からなる保護膜やアクリル等からなる平坦化膜を設ける。保護膜・平坦化膜を形成した後、電気的な接続のためのコンタクトホールを、フォトリソグラフィ技術等を用いて形成する。
【００３３】
尚、基板１０は、有機ＥＬ表示装置１基よりも大きな基板を用意し、予め複数の有機ＥＬ表示装置の素子回路が基板に形成されているものも使用できる。
【００３４】
［下部電極の形成工程］
次に、基板１０上に下部電極１１を形成する。下部電極１２は、光反射性の電極層であってもよいし、光透過性の電極層であってもよい。ただし、下部電極１２及び後述する上部電極１４のいずれかが光透過性の電極層である。
【００３５】
光透過性の電極層として形成する場合、具体的な電極層として、酸化インジウム亜鉛や酸化インジウムスズ等の透明酸化物導電体からなる層が採用される。また透明酸化物導電体からなる層の代わりに、光を透過する程度に膜厚が薄い金属層を使用してよい。さらに上記透明酸化物導電体からなる層と、上記薄い金属層とを組合せた積層構成も採用される。
【００３６】
一方、光反射性の電極層として形成する場合、具体的な電極層として、金属単体又は合金からなる金属薄膜や、この金属薄膜と透明酸化物導電体からなる薄膜を組み合わせた積層体が挙げられる。また下部電極１２の形成方法として、公知の方法を用いることができる。
【００３７】
尚、下部電極１２を形成した後、必要に応じてアクリル等からなるバンク（図示せず）を設けてもよい。バンクは素子回路の下部電極１２の露出領域を規定し、後の工程で形成される有機ＥＬ層の発光領域を規定するものである。ここでバンクに、下部電極のパターンの段差を覆い短絡を防止する機能をさらに備えてもよい。また、後述する蒸着工程（有機ＥＬ層の形成工程）に使用するマスクが下部電極１２等の発光部に接触しないようスペーサの機能を兼ねてもよい。
【００３８】
次に、上記のように、バンクまで形成した基板を真空蒸着装置に投入し、加熱処理や表面処理を施す。加熱処理は、バンクや平坦化膜に付着又は吸着している水分を除くための加熱工程であり、ニクロム線等の熱線処理等が好ましい。表面処理は、下部電極の清浄化をするための工程であり、具体的には、減圧ＵＶ処理等を行う。
【００３９】
［有機ＥＬ層の形成工程］
次に、下部電極１２上に有機ＥＬ層１３を形成する。図２は、有機ＥＬ層の形成工程を示す概略図である。本工程は、図２に示されるように、基板１０を、成膜面が下に向くように設置し、下方にある蒸着源２１から有機ＥＬ層の構成材料を順次蒸着し有機ＥＬ層を堆積する。
【００４０】
本工程を行う前に、まず図１に示される副画素のうち一種類の副画素を特定副画素として特定し、この特定副画素に対応する有機ＥＬ層を形成する。この特定副画素は、他の副画素が一定のパターンでかつ一定の幅を持って設けられるために所定の間隔を持って設けられる副画素である。この特定副画素は、具体的には、図１に示されるＲ副画素１１ｒ、Ｇ副画素１１ｇ又はＢ副画素１１ｂである。
【００４１】
本発明においては、この特定副画素を、以下の工程（ｉ）〜（ｉｉ）により形成する。
（ｉ）表示領域の側端から数えて２ｎ−１（ｎは、１以上の整数を表す。）番目の特定副画素に対応する位置に開口を有するマスクを使用し、該側端から数えて２ｎ−１番目の特定副画素を選択的に形成する工程
（ｉｉ）該側端から数えて２ｎ（ｎは、１以上の整数を表す。）番目の特定副画素に対応する位置に開口を有するマスクを使用し、該側端から数えて２ｎ番目の特定副画素を選択的に形成する工程
【００４２】
上記工程（ｉ）及び（ｉｉ）において、表示領域の側端とは、有機ＥＬ表示装置を平面から見たときの、最も左側又は右側に設けられている画素の外周をいう。本発明において、表示領域の側端は、画素の右側外周でもよいし左側外周でもよい。また、工程（ｉ）及び工程（ｉｉ）を行う際に、その順番については、特に限定されない。
【００４３】
以下に、より具体的な方法について説明する。
【００４４】
まず図２（ａ）に示すように、特定副画素として選定したＧ副画素１１ｇのうち、表示領域の左端から数えて２ｎ−１番目のＧ副画素１１ｇに開口２２を有するマスク２３を基板１０の下方に位置合わせする。そして、蒸着源２１から有機ＥＬ層１３の構成材料を蒸着させて、表示領域の左端から数えて２ｎ−１番目のＧ副画素１１ｇに対応する有機ＥＬ層を選択的に形成する。これにより、図１（ａ）の「ア」に位置する副画素に対応する有機ＥＬ層１３ｇが形成される。
【００４５】
次に図２（ｂ）に示すように、Ｇ副画素１１ｇのうち、表示領域の左端から数えて２ｎ番目のＧ副画素１１ｇに開口２２を有するマスク２３を基板１０の下方に位置合わせする。そして、蒸着源２１から有機ＥＬ層１３の構成材料を蒸着させて、表示領域の左端から数えて２ｎ番目のＧ副画素１１ｇに対応する有機ＥＬ層を選択的に形成する。これにより、図１（ａ）の「イ」に位置する副画素に対応する有機ＥＬ層１３ｇが形成される。
【００４６】
次に、Ｒ副画素１１ｒのうち、表示領域の左端から数えて２ｎ−１番目のＲ副画素１１ｒに開口２２を有するマスク２３を基板１０の下方に位置合わせする。そして、蒸着源２１から有機ＥＬ層１３の構成材料を蒸着させて、表示領域の左端から数えて２ｎ−１番目のＲ副画素１１ｒに対応する有機ＥＬ層を選択的に形成する。これにより、図１（ａ）の「ウ」に位置する副画素に対応する有機ＥＬ層１３ｒが形成される。
【００４７】
次に、Ｒ副画素１１ｒのうち、表示領域の左端から数えて２ｎ番目のＲ副画素１１ｒに開口２２を有するマスク２３を基板１０の下方に位置合わせする。そして、蒸着源２１から有機ＥＬ層１３の構成材料を蒸着させて、表示領域の左端から数えて２ｎ番目のＲ副画素１１ｒに対応する有機ＥＬ層を選択的に形成する。これにより、図１（ａ）の「エ」に位置する副画素に対応する有機ＥＬ層１３ｒが形成される。
【００４８】
次に、Ｂ副画素１１ｂのうち、表示領域の左端から数えて２ｎ−１番目のＢ副画素１１ｂに開口２２を有するマスク２３を基板１０の下方に位置合わせする。そして、蒸着源２１から有機ＥＬ層１３の構成材料を蒸着させて、表示領域の左端から数えて２ｎ−１番目のＢ副画素１１ｂに対応する有機ＥＬ層を選択的に形成する。これにより、図１（ａ）の「オ」に位置する副画素に対応する有機ＥＬ層１３ｂが形成される。
【００４９】
次に、Ｂ副画素１１ｂのうち、表示領域の左端から数えて２ｎ番目のＢ副画素１１ｂに開口２２を有するマスク２３を基板１０の下方に位置合わせする。そして、蒸着源２１から有機ＥＬ層１３の構成材料を蒸着させて、表示領域の左端から数えて２ｎ番目のＢ副画素１１ｂに対応する有機ＥＬ層を選択的に形成する。これにより、図１（ａ）の「カ」に位置する副画素に対応する有機ＥＬ層１３ｂが形成される。
【００５０】
以上の工程を経ることにより、各副画素に対応する有機ＥＬ層がそれぞれ形成される。
【００５１】
Ｇ副画素１１ｇに対応する有機ＥＬ層１３ｇを形成する工程において、有機ＥＬ層１３ｇを形成する順番は、図１（ａ）の「ア」、「イ」の順番でもよいし、「イ」、「ア」の順番でもよい。同様に、Ｒ副画素１１ｒに対応する有機ＥＬ層１３ｒを形成する工程において、有機ＥＬ層１３ｒを形成する順番は、図１（ａ）の「ウ」、「エ」の順番でもよいし、「エ」、「ウ」の順番でもよい。またＢ副画素１１ｂに対応する有機ＥＬ層を形成する工程において、有機ＥＬ層１３ｂを形成する順番は、図１（ａ）の「オ」、「カ」の順番でもよいし、「カ」、「オ」の順番でもよい。
【００５２】
本工程で形成される有機ＥＬ層（１３ｇ、１３ｒ、１３ｂ）は、少なくとも発光層を含む一層又は複数の層が積層されている積層体からなる層である。本工程において、図１（ａ）の「ア」〜「カ」で示される副画素（１１ｇ、１１ｒ、１１ｂ）に対応する有機ＥＬ層（１３ｇ、１３ｒ、１３ｂ）を形成するときは、マスクの寿命を考慮して、別個のマスクを使用するのが望ましい。つまり、有機ＥＬ層を形成するときは、合計６枚のマスクを用意するのが望ましい。
【００５３】
ただし、発光層以外の有機化合物層を各副画素に共通する層として形成する場合、発光層以外の層を作成する際にマスクを使用する必要がないので、同色の副画素を形成するときに同じマスクを使用してもよい。このとき製造スループットは低下するが、同じマスクを各色の発光層を蒸着形成する工程で兼用することができると共に、マスクの枚数を減らすこともできる。また各色の蒸着装置は、同色の製造工程では、兼用してもかまわない。兼用する事で、蒸着装置内に仕込む有機ＥＬ層の構成材料を同じにすることができると共に、蒸着装置内の、るつぼ内の材料の容量が非常に似通った状態で、有機ＥＬ層の構成材料を蒸着することができる。この結果、材料のＬＯＴ違いによる材料起因の色ずれや、るつぼ内の材料容量差に基づく蒸着レートの違いから発生する膜厚ずれに基づく輝度ズレ等の不都合を未然に防止することが可能になる。
【００５４】
一方、各副画素に対応する有機ＥＬ層を蒸着形成する際に、マスクの開口幅を副画素ごとに変えてもよい。
【００５５】
ここで各副画素に対応する有機ＥＬ層を形成する際に使用されるマスクは、好ましくは、その開口ピッチが９５μ以上であり、かつ開口幅が４０μｍ以下である。各副画素に対応する有機ＥＬ層を形成する際に、加工精度の観点から、マスクの厚みはマスクの開口幅の約１．２倍未満とする必要がある。しかし、マスクの開口幅が４０μｍ以下とするとマスクの厚みが５０μｍ未満となるので、マスク自体の機械強度が大幅に低下する。そこで、マスク開口ピッチ９５μｍ以上とすることにより、マスクの洗浄時においてスリットが変形されにくくなる。尚、ここでいうピッチとは、隣接するマスクの開口間の間隔を示すものであり、具体的には、マスク開口の幅とマスク開口間の距離との和である。
【００５６】
以上のように、本工程においては、少なくとも特定副画素に対応する有機ＥＬ層を形成するにあたり、特定副画素１つおきに有機ＥＬ層が形成されるように開口が備わっているマスクを使用する。この結果、マスクの開口と開口との間の間隔を従来と比べて２倍以上の幅を取ることができるので、マスク自体の機械強度が増し、厚みの薄いマスクであってもマスク寿命が向上される。
【００５７】
ところで、有機ＥＬ層を形成する際に使用したマスクは洗浄して再利用する。ここでマスクを洗浄する際に、マスクが有する開口の一部が変形することがある。この開口の変形はスリット変形と呼ばれており、マスクの寿命を決める要素となっている。尚、スリット変形は、マスクを洗浄した後の工程によって修正することができるが、スリット変形を修正する度にマスク自体に機械変形が発生し、修復不能なスリット変形が発生する可能性が高くなる。そして修復不能のスリット変形が一箇所でも発生した時点で、そのマスクは使用不能となる。このため、マスクの寿命は、１スリット変形あたりの修正不能発生確率の積で表され、スリット変形の数の差以上に効いていることがわかる。
【００５８】
一方、少なくとも特定副画素に対応する有機ＥＬ層を２回に分けて形成する際に、マスクの使用方法としては、以下の２通りが考えられる。
（１）同じマスクを２回使う方法
（２）１回目、２回目にそれぞれ異なるマスクを使用する方法
【００５９】
図３は、特定副画素に対応する有機ＥＬ層を形成する際に使用した３種類のマスクを洗浄した後で発生するスリット変形の数を表すグラフである。このグラフの縦軸はスリット変形の数を表しており、この数が小さければ、マスクの再生回数は自ずと多くなる。
【００６０】
図３のグラフにおいて、サンプルＡ〜Ｃは、以下に説明するマスクである。尚、サンプルＡ〜Ｃの元となるマスクは、膜厚０．０３ｍｍ、３インチＶＧＡ仕様の共通したマスクである。
サンプルＡ：上記（１）の方法で特定副画素を形成する際に使用したマスク
サンプルＢ：上記（２）の方法で特定副画素を形成する際に使用したマスクのうち１回目に使用したマスク
サンプルＣ：上記（２）の方法で特定副画素を形成する際に使用したマスクのうち２回目に使用したマスク
【００６１】
ここで図３のグラフより、サンプルＢ及びサンプルＣは、いずれもマスク１枚あたりのスリット変形数がサンプルＡに対して半分未満になることが示されている。このため、特定副画素に対応する有機ＥＬ層を形成する際に使用するマスクを替えることにより、マスクの寿命を少なくとも２倍以上向上させることができる。
【００６２】
本工程のうち、少なくとも工程（ｉ）及び（ｉｉ）で使用されるマスクは、好ましくは、縦方向に連続した開口部を有するマスクを使用する。縦方向に連続した開口部を有するマスクを使用することにより、縦方向のアライメント精度を低減させることができる。その結果、高精細かつ高開口率なマスクとなるため、高精細かつ高寿命の有機ＥＬ表示装置を製造することができる。一方、縦方向に連続した開口部を有するマスクを使用することにより、マスク寿命も確保することができる。
【００６３】
本工程のうち、少なくとも工程（ｉ）及び（ｉｉ）において、好ましくは、同一の蒸着源を使用する。こうすることにより、同色の副画素に対応する有機ＥＬ層の塗り分け工程を２回に分けても、膜厚や材料組成の変化を最低限に抑えられる。これは、蒸着源から発生・蒸発する有機ＥＬ層の構成材料は、蒸発源に残る材料の残量や蒸着源の温度等により大きく影響を受けるため、塗り分けを行う際に蒸着源を別個に設けると、蒸着レート等を制御するのが非常に難しく大きくばらつくことがあるためである。そこで、塗り分けを行う際に、同一の蒸着源を使用することで、１回目の塗り分け工程と２回目の塗り分け工程のそれぞれにおいて、蒸発した有機ＥＬ材料がほぼ同時期に蒸発源から発生する環境下で、塗り分けをすることが可能になる。従って、膜厚や材料組成を均一にした状態で同色の副画素に対応する有機ＥＬ層を形成することが可能になる。
【００６４】
［上部電極の形成工程］
有機ＥＬ層１３を形成した後、有機ＥＬ層上に上部電極１４を形成する。上述したように、上部電極１４は、下部電極１１と同様に、光透過性の電極層であってもよいし、光反射性の電極層であってもよい。また下部電極１１又は上部電極１４を陽極あるいは陰極する必要があるが、どちらにするかは任意である。一方、下部電極１１を素子回路と接続し、上部電極１４を共通配線と接続してもよい。他方、上部電極１４を各副画素に対して個別に設けてもよい。個別に上部電極１４を設ける具体的な方法としては、有機ＥＬ層１３の一部にレーザアブレーションを施すことでコンタクトホールを形成し、マスクを用いて上部電極１４を素子個別の電極として形成し、素子回路と接続する。
【００６５】
［封止工程］
本発明の製造方法で製造される有機ＥＬ表示装置は、封止部材を用いて、大気中の水分や酸素から表示装置を構成する電極層や有機ＥＬ層を保護するのが望ましい。
【００６６】
例えば、接続端子以外の部材をガラスキャップで覆って基板とガラスキャップとを接着剤で接着することにより、副画素を構成する有機ＥＬ素子を外気から遮断する。これにより有機ＥＬ表示装置が完成する。尚、ガラスキャップの代わりに、ＳｉＮ等の保護膜を設けて有機ＥＬ素子を外気から遮断する方法も採用できる。
【００６７】
完成した有機ＥＬ表示装は、外部回路から電源と画像信号と駆動信号を供給し、ＴＦＴ回路をスイッチングすることで、表示領域に望みの画像を表示することができる。
【００６８】
〔第二の実施形態〕
次に、本発明の第二の実施形態について説明する。まず本実施形態によって製造される有機ＥＬ表示装置について説明する。
【００６９】
図４は、本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ表示装置の第二の例を示す模式図であり、（ａ）は、有機ＥＬ表示装置の平面模式図であり、（ｂ）は、有機ＥＬ表示装置の断面模式図である。尚、図１の有機ＥＬ表示装置１を同じ部材については同じ符号を付している。以下、第一の実施形態に示された第一の例との相違点を中心に説明する。
【００７０】
図４の有機ＥＬ表示装置４は、副画素の配列パターンが、表示領域の左からＲＧＢＧＲＧＢＧ・・・となっている。ただし、１つの画素に含まれる２つのＧ副画素は、それぞれ別個の信号で駆動することができる。このため、Ｇ副画素は、Ｒ副画素及びＢ副画素に対して２倍の精細度の信号で駆動することができる。本実施形態の場合、例えば、対角が約３インチの表示装置において、列方向のピッチ（繰り返し間隔）が９６μｍのＧ副画素が６４０本、列方向の幅が１９２μｍのＲ副画素及びＢ副画素がそれぞれ３２０本という形態が可能である。
【００７１】
次に、本実施形態について具体的に説明する。尚、以下の説明においては、第一の実施形態との相違点を中心に説明する。
【００７２】
本実施形態において、有機ＥＬ層の形成工程以外の工程については、第一の実施形態と同様に行うことができる。
【００７３】
［有機ＥＬ層の形成工程］
本実施形態にて有機ＥＬ層を形成する場合は、例えば、Ｇ副画素を特定副画素として選択して、上述した工程（ｉ）〜（ｉｉ）によりＧ副画素に対応する有機ＥＬ層を形成する。
【００７４】
具体的には、まず図５（ａ）に示すように、Ｇ副画素１１ｇのうち、表示領域の左端から数えて２ｎ−１番目のＧ副画素１１ｇに開口２２を有するマスク２３を基板１０の下方に位置合わせする。そして、蒸着源２１から有機ＥＬ層１３の構成材料を蒸着させて、表示領域の左端から数えて２ｎ−１番目のＧ副画素１１ｇに対応する有機ＥＬ層を選択的に形成する。これにより、図４（ａ）の「ア」に位置する副画素に対応する有機ＥＬ層１３ｇが形成される。
【００７５】
次に図５（ｂ）に示すように、Ｇ副画素１１ｇのうち、表示領域の左端から数えて２ｎ番目のＧ副画素１１ｇに開口２２を有するマスク２３を基板１０の下方に位置合わせする。そして、蒸着源２１から有機ＥＬ層１３の構成材料を蒸着させて、表示領域の左端から数えて２ｎ番目のＧ副画素１１ｇに対応する有機ＥＬ層を選択的に形成する。これにより、図４（ａ）の「イ」に位置する副画素に対応する有機ＥＬ層１３ｇが形成される。
【００７６】
尚、第一の実施形態と同様に、工程（ｉ）及び工程（ｉｉ）を行う際に、その順番については、特に限定されない。
【００７７】
工程（ｉｉ）を行った後、以下に示す工程（ｉｉｉ）〜（ｉｖ）により、Ｒ副画素と、Ｂ副画素とを順次形成する。
（ｉｉｉ）Ｒ副画素を形成する工程
（ｉｖ）Ｂ副画素を形成する工程
【００７８】
ここで工程（ｉｉｉ）は、具体的には、図５（ｃ）に示すように、Ｒ副画素１１ｒに開口２２を有するマスク２３を基板１０の下方に位置合わせした後、蒸着源２１から有機ＥＬ層１３の構成材料を蒸着させる工程である。これにより、図４（ａ）の「ウ」に位置するＲ副画素１１ｒに対応する有機ＥＬ層１３ｒが形成される。
【００７９】
また工程（ｉｖ）は、具体的には、図５（ｄ）に示すように、Ｂ副画素１１ｂに開口２２を有するマスク２３を基板１０の下方に位置合わせした後、蒸着源２１から有機ＥＬ層１３の構成材料を蒸着させ蒸着させる工程である。これにより、図４（ａ）の「エ」に位置するＢ副画素１１ｂに対応する有機ＥＬ層１３ｂが形成される。
【００８０】
ところで本実施形態では、図５に示されるように、Ｇ副画素に対応する有機ＥＬ素子を形成するのに使用するマスクに比べて、Ｒ副画素及びＢ副画素にそれぞれ対応する有機ＥＬ素子を形成するのに使用するマスクの方がその開口幅が広い。つまり、本実施形態では、Ｇ副画素の幅を狭く設け、Ｒ副画素及びＢ副画素の幅を広く設けている。これにより、マスク寿命を確保しつつ表示の解像感を大きく落とすことなく、使用するマスクの数とマスクによる有機ＥＬ層の塗り分け工程を減らすことが可能とある。
【００８１】
尚、Ｇ副画素１１ｇの幅を狭くしているのは、人間の視感度は、緑色に対して、一番鋭敏であるためである。つまり、少なくともＧ副画素に対応する有機ＥＬ素子を、高精細なピッチ間隔で基板１０上に並置すれば、解像感の低下をそれ程感じることなく、表示装置に表示される画像を見ることができるためである。
【００８２】
また本実施形態において、Ｒ副画素及びＢ副画素に対応する有機ＥＬ素子を形成するのに使用されるマスクの開口部は、Ｇ副画素に対応する有機ＥＬ素子を形成するのに使用されるマスクの開口部と同様のピッチである。その結果、Ｒ副画素及びＢ副画素に対応する有機ＥＬ素子を形成するのに使用されるマスクは、Ｇ副画素に対応する有機ＥＬ素子を形成するのに使用されるマスクと同等以上のマスク強度を得ることができる。また、Ｒ副画素及びＢ副画素に対応する有機ＥＬ素子を形成するのに使用されるマスクは、それぞれ１回使用すれば十分できるため、本実施形態において有機ＥＬ層を形成する工程で使用されるマスクの回数は、合計４回で済むので製造コストの削減に繋がる。
【００８３】
一方、本実施形態においては、工程（ｉ）で使用されるマスクと、前記工程（ｉｉ）で使用されるマスクとが異なる方が好ましい。本実施形態では、各副画素の形成工程において、有機ＥＬ層の塗り分け工程数が異なる。このため、塗り分け回数の多いＧ副画素１１ｇの塗り分けでは、塗り分け回数分のマスクを用意することにより、各塗り分け工程を、全て同時に実施することができる。従って、各工程で滞ることなく、一定の速度で生産プロセスを進めることができる。
【００８４】
〔第三の実施形態〕
次に、本発明の第三の実施形態について説明する。まず本実施形態によって製造される有機ＥＬ表示装置について説明する。
【００８５】
図６は、本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ表示装置の第三の例を示す模式図であり、（ａ）は、有機ＥＬ表示装置の平面模式図であり、（ｂ）は、有機ＥＬ表示装置の断面模式図である。尚、図１の有機ＥＬ表示装置１を同じ部材については同じ符号を付している。以下、第一の実施形態に示された第一の例との相違点を中心に説明する。
【００８６】
図６の有機ＥＬ表示装置６は、副画素の配列パターンが、表示領域の左から（Ｒ）ＲＧＢＢＧＲＲＧＢＢＧＲ・・・となっている。
【００８７】
次に、本実施形態について具体的に説明する。尚、以下の説明においては、第一の実施形態との相違点を中心に説明する。
【００８８】
本実施形態において、有機ＥＬ層の形成工程以外の工程については、第一の実施形態と同様に行うことができる。
【００８９】
［有機ＥＬ層の形成工程］
本実施形態にて有機ＥＬ層を形成する場合は、例えば、Ｇ副画素を特定副画素として選択して、上述した工程（ｉ）〜（ｉｉ）によりＧ副画素に対応する有機ＥＬ層を形成する。
【００９０】
具体的には、まず図７（ａ）に示すように、Ｇ副画素１１ｇのうち、表示領域の左端から数えて２ｎ−１番目のＧ副画素１１ｇに開口２２を有するマスク２３を基板１０の下方に位置合わせする。そして、蒸着源２１から有機ＥＬ層１３の構成材料を蒸着させて、表示領域の左端から数えて２ｎ−１番目のＧ副画素１１ｇに対応する有機ＥＬ層を選択的に形成する。これにより、図６（ａ）の「ア」に位置する副画素１１ｇに対応する有機ＥＬ層１３ｇが形成される。
【００９１】
次に図７（ｂ）に示すように、Ｇ副画素１１ｇのうち、表示領域の左端から数えて２ｎ番目のＧ副画素１１ｇに開口２２を有するマスク２３を基板１０の下方に位置合わせする。そして、蒸着源２１から有機ＥＬ層１３の構成材料を蒸着させて、表示領域の左端から数えて２ｎ番目のＧ副画素１１ｇに対応する有機ＥＬ層を選択的に形成する。これにより、図７（ａ）の「イ」に位置する副画素１１ｇに対応する有機ＥＬ層１３ｇが形成される。
【００９２】
尚、第一の実施形態と同様に、工程（ｉ）及び工程（ｉｉ）を行う際に、その順番については、特に限定されない。一方、第二の実施形態と同様の理由で、本実施形態においても、工程（ｉ）で使用されるマスクと、前記工程（ｉｉ）で使用されるマスクとが異なる方が好ましい。
【００９３】
工程（ｉｉ）を行った後、以下に示す工程（ｖ）〜（ｖｉ）により、Ｒ副画素と、Ｂ副画素とを順次形成する。
（ｖ）Ｒ副画素を形成する工程
（ｖｉ）Ｂ副画素を形成する工程
【００９４】
ここで工程（ｖ）は、具体的には、図８（ｃ）に示すように、Ｒ副画素１１ｒに開口２２を有するマスク２３を基板１０の下方に位置合わせした後、蒸着源２１から有機ＥＬ層１３の構成材料を蒸着させる工程である。これにより、図６（ａ）の「ウ」及び「エ」に位置するＲ副画素１１ｒに対応する有機ＥＬ層１３ｒが同時に形成される。
【００９５】
また工程（ｉｖ）は、具体的には、図７（ｄ）に示すように、Ｂ副画素１１ｂに開口２２を有するマスク２３を基板１０の下方に位置合わせした後、蒸着源２１から有機ＥＬ層１３の構成材料を蒸着させる工程である。これにより、図６（ａ）の「オ」及び「カ」に位置するＢ副画素１１ｂに対応する有機ＥＬ層が同時に形成される。
【００９６】
本実施形態によれば、本実施形態の場合、例えば、対角が約３インチの表示装置において、列方向のピッチが９６μｍである副画素が各副画素ごとに６４０本設けられる形態が可能である。
【００９７】
また本実施形態は、マスクの使用回数と蒸着回数は、上述した第二の実施形態と同じである。ただし１行あたりの各副画素の個数は同一であるため、第二の実施形態と比較して、解像感の向上ができるというメリットを有する。
【００９８】
尚、本実施形態では、Ｒ副画素及びＢ副画素の発光面積は、通常、Ｇ副画素より大きくなる。これは、同一種の副画素間（ＢＢ間、ＲＲ間）においては、マスク精度及び画素間感覚を加味してレイアウトを行う必要がないためである。このため、本実施形態では、同一種の画素間の間隔を、異種の画素間（ＢＧ間、ＲＧ間）の間隔よりも狭くすることができる。従って、第一の実施形態で示される方法と比較して、同一種の画素間の間隔を狭く取れる分だけ、この間隔に対応する面積を、副画素に対応する有機ＥＬ素子の発光面積の増大に振り向けることができる。この結果、Ｒ副画素及びＢ副画素に対応する有機ＥＬ素子の発光面積は大きくなる。
【００９９】
一方で、上述した有機ＥＬ素子の発光面積の増大分を、異種の副画素に対応する有機ＥＬ発光素子の発光面積に振り向けることもできる。この場合は、特に、Ｇ副画素に対応する有機ＥＬ素子の発光面積に振り向けることが好ましい。このようにすれば、Ｇ副画素と他の副画素との間隔を確保しつつＧ副画素自体の発光面積を大きくさせることができる。Ｇ副画素自体の発光面積を広げることができれば、Ｇ副画素に対応するマスクの開口部は広くなると共に、蒸着に使用されるマスクの膜厚を厚くすることができる。ここでマスクの膜厚が厚くなれば、マスクの洗浄工程において、スリット変形がおきにくくなり、マスクの寿命を延ばす効果がある。
【０１００】
また本実施形態は、消費電力的にも好ましい。これは、Ｇ副画素に対応する有機ＥＬ素子の発光面積を大きくすることで、単位発光面積あたりに流れる電流量が減るため、同じ量の電流を流した際の有機ＥＬ素子間にかかる電圧が低下するためである。またＧ副画素に対応する有機ＥＬ素子は、輝度信号に寄与する割合が高く、標準的な映像信号では，Ｒ副画素やＢ副画素に対応する有機ＥＬ発光素子に流す電流より格段に大きいため、消費電力低減の効果が最も大きいというメリットもある。
【０１０１】
尚、各色の発光層の作製順序は、特に限定されるものではない。
【実施例１】
【０１０２】
第一の実施形態の製造方法で図１に示される有機ＥＬ表示装置を作製した。以下、適宜図面を参照しながら具体的な製造方法について説明する。
【０１０３】
本実施例では、縦３６０ｍｍ、横４６０ｍｍのガラス基板上に、４行５列の計２０基の有機ＥＬ表示装置を同時に作製した。ここで、作製される有機ＥＬ表示装置は、対角が約３インチであり、縦方向に４８０画素、横方向に６４０画素を備えている。また各画素は、ＲＧＢという形式に配列した三種類のストライプ状の副画素で構成されている。また、各画素の形状は一辺（ｌ11）９６μｍの正方形であり、１つの副画素に対応する有機ＥＬ素子は、縦９６μｍ、横３２μｍの領域に設けた。
【０１０４】
［基板の準備工程］
ガラス基板（基材１０１）上にバリア層（不図示）を形成した。具体的には、プラズマＣＶＤ法により、ＳｉＨ4、ＮＨ3及びＨ2を原料ガスとしてＳｉＮ層を膜厚２００ｎｍで形成した。
【０１０５】
次に、プラズマＣＶＤ法により、上記バリア層上に、非晶質シリコンからなる薄膜を膜厚５０ｎｍで形成した。ここで当該非晶質シリコンからなる薄膜はチャネル層として機能する。次に、レーザアニールにより非晶質シリコンを多結晶化した後、フォトリソグラフィ技術を用いたパターニングにより所定の形状に加工した。これにより、駆動用とスイッチング用と制御回路用のトランジスタのチャネル層をそれぞれ形成した。
【０１０６】
次に、ＣＶＤ法により、チャネル層上に、ＳｉＯ2を成膜しゲート絶縁膜を形成した。このときゲート絶縁膜の膜厚を１００ｎｍとした。次に、スパッタリング法等により、ゲート絶縁膜上に、Ｔａ及びＡｌを順次成膜し、金属薄膜の積層体を形成した。このときＴａ薄膜の膜厚を５０ｎｍとし、Ａｌ薄膜の膜厚を２００ｎｍとした。次に、フォトリソグラフィ技術によるパターニングを行い、当該金属薄膜を所定の形状に加工してゲート電極を形成した。
【０１０７】
次に、チャネル層のＮ領域以外の領域についてレジストで保護した後、イオン打ち込み技術により、チャネル層のＮ領域にリンをドープした。次に、チャネル層のＰ領域以外の領域についてレジストで保護した後、イオン打ち込み技術により、チャネル層のＰ領域にボロンをドープした。次に、レーザー光をチャネル層に照射してドーパントの活性化を行った。
【０１０８】
次に、プラズマＣＶＤ法により、チャネル層及びゲート電極上に、ＳｉＮを成膜し保護膜を形成した。このとき保護層の膜厚を５００ｎｍとした。次に、フォトリソグラフィ技術を用いたパターニングにより、保護層の所定の場所に接続用のコンタクトホールを形成した。次に、スパッタリング法により、保護層上に、Ｔｉ及びＴｉＡｌ合金を順次成膜し、２層構成の電極層を形成した。このときＴｉ薄膜の膜厚を１００ｎｍとし、ＴｉＡｌ合金薄膜の膜厚を３００ｎｍとした。次に、フォトリソグラフィ技術によるパターニングより、この２層構成の電極層を所望の形状に加工した。尚、加工された２層構成の電極層は、設置場所によって、ソース電極、ドレイン電極、コンデンサ電極、接続端子のうちのいずれかの部材として機能する。
【０１０９】
次に、ＣＶＤ法により、上記２層構成の電極層上に、ＳｉＮを成膜して第一層間絶縁層を形成した。このとき第一層間絶縁層の膜厚を３００ｎｍとした。次に、フォトリソグラフィ技術により、所望の位置を下部電極の接続のためにエッチングした。
【０１１０】
次に、第一層間絶縁層上に、第２の層間絶縁層を作製する。アクリル樹脂（ＪＳＲ社製：ＰＣ４１５）を塗布し、回転数１２００回転／分でスピンコートを行い、薄膜を形成した。次に、この薄膜をプリベークした後、薄膜トランジスタ回路と下部電極とを電気接続するための開口部のパターンを有するフォトマスクを使い、１００ｍＷ／ｃｍ2の照度で露光した。次に、現像液（ＮＭＤ−３、東京応化工業製）で現像し、２００℃でポストベークすることにより、第一樹脂膜を形成した。このとき第一樹脂膜の膜厚は１．５μｍであった。以上に示す方法により作製したものを基板１０として、以下の工程で使用した。
【０１１１】
［下部電極の形成工程］
基板１０上に、スパッタリング法等により、ＡｌＳｉとＩＴＯとをこの順で成膜して電極積層薄膜を形成した。このときＡｌＳｉ薄膜の膜厚を５０ｎｍとし、ＩＴＯ薄膜の膜厚を１００ｎｍとした。次に、フォトリソグラフィ技術により、先程の電極積層薄膜を加工し下部電極１２を形成した。尚、下部電極１２は、薄膜トランジスタ回路との接続部を覆い、その寸法は、縦８５μｍ、幅２５μｍであり後述する有機ＥＬ層が形成される領域よりも広い。
【０１１２】
次に、スピンコートにより、基板１０及び下部電極１２上に、アクリル樹脂（ＪＳＲ社製：ＰＣ４１５）を塗布・成膜した。ここでスピンコートする際に、回転数を１２００回転／分とした。次に、成膜したアクリル樹脂をプリベークした後、図８に示される各副画素に対応する有機ＥＬ素子が設けられる位置に開口８１を有するフォトマスク８２を使用して、照度１００ｍＷ／ｃｍ2の光で露光した。次に、現像液（ＮＭＤ−３、東京応化工業製）で現像した後、２００℃でポストベークすることで、有機ＥＬ素子が設けられる領域以外の部分にバンクを形成した。ここでバンクの膜厚は１．５μｍであった。またこのバンクは、その端部が下部電極１２上に設けられており、約４０°のテーパ形状となっている。また下部電極が露出する領域は、縦７５μｍ、幅８μｍの矩形状であり、隣り合う露出領域間の横方向の間隔は２４μｍであった。尚、下部電極のパターン等フォトリソグラフィ技術による位置合わせ精度を考慮すると、隣り合う露出領域間の横方向の間隔を±５μｍ以下とすることも可能である。一方で、本実施例において隣り合う露出領域間の横方向の間隔を２４μｍとしたのは、金属マスクの合わせ精度（±１２μｍ程度）を考慮したためである。
【０１１３】
［有機ＥＬ層の形成工程］
次に、以下に示す方法により、有機ＥＬ層を形成した。図９は、有機ＥＬ層の形成装置を示す概略図である。また図１０は、有機ＥＬ層、上部電極の形成プロセスを示す断面模式図である。
【０１１４】
まずバンク１５まで形成された基板を、基板の処理面（下部電極１２、バンク１５等が設けられている面）が下方向に向くように設置した後、装置内を真空にした。次に、この基板１０を加熱することにより、基板１０の脱水処理を十分に行った。このとき基板１０の断面構造は、図１０（ａ）に示される構造である。
【０１１５】
次に、基板を第一成膜室９１に搬送し、バンク１５及び下部電極１２上に、αＮＰＤを成膜し正孔輸送層１３１を形成した（図１０（ｂ））。正孔輸送層１３１を成膜する際には、図８に示される表示領域に対応する位置に開口を有するマスク８２を使用し、表示領域内で共通する層として成膜した。また正孔輸送層１３１を形成する際に、蒸着源はモリブデン製のルツボとし、シースヒータでらせん状に取り囲んで加熱することにより蒸着を行った。
【０１１６】
次に、正孔輸送層１３１まで形成された基板を、第二成膜室９２に移動し、真空蒸着法により、正孔輸送層１３１上にＧ発光層１３２ｇを形成した。図１１は、Ｇ発光層１３２ｇを形成するときに使用されるマスクの概略図であり、（ａ）は、マスク全体の概略図であり、（ｂ）は、（ａ）の部分拡大概略図である。尚、このマスク２３の材質はインバーであり、マスクの開口２２は、長さが４６．２ｍｍであり、幅（ｄ11）が３２μｍであり、開口と開口との間隔（ｄ12）が１６０μｍであり、繰返しのピッチ（ｄ13（＝ｄ11＋ｄ12））が１９２μｍである。またこのマスク２３は、幅及び膜厚が２０ｍｍのインバー製のフレーム２４が設けられている。一方、開口２２の周辺には、膜厚３０μｍの箔が設けられている。ここでこの箔は、エッチング法で形成したものであり、熱膨張の延びをキャンセルできる程度のテンションをかけてマスクに溶接している。
【０１１７】
実際にＧ発光層１３２ｇを設ける際には、まず上記のマスク２３を、表示領域の左端から数えて２ｎ−１番目にあるＧ副画素１１ｇに対応する領域に、マスクの開口２２の位置を合わせた。次に、蒸着源から発生するＧ発光層１３２ｇの構成材料を蒸着させることにより、正孔輸送層１３１上にＧ発光層１３２ｇを形成した（図１０（ｃ））。尚、Ｇ発光層１３２ｇは、ホストであるＡｌｑ3とゲスト（発光性化合物）であるクマリン６とを２つの蒸着源にそれぞれ仕込み、重量比が９９：１となるように共蒸着することにより形成した。またＧ発光層１３２ｇを成膜する際には、水晶振動子方式の膜厚計で堆積速度と膜厚を測定し、蒸着源の温度制御にフィードバックして堆積速度を制御しつつ、蒸着源上のシャッタを開閉することにより、層の膜厚を制御した。
【０１１８】
次に、同じ成膜室でマスクの位置を変え、表示領域の左端から数えて２ｎ番目にあるＧ副画素１１ｇに対応する領域に、マスクの開口の位置を合わせた。次に、蒸着源から発生するＧ発光層の構成材料を蒸着させることにより、正孔輸送層上１３１にＧ発光層１３２ｇを形成した（図１０（ｄ））。
【０１１９】
次に、基板１０を第四成膜室９４に移動し、Ｒ発光層１３２ｒを形成するために使用するマスクを、表示領域の左端から数えて２ｎ−１番目にあるＲ副画素１１ｒに対応する領域に、マスクの開口の位置を合わせた。次に、蒸着源から発生するＲ発光層１３２ｒの構成材料を蒸着させることにより、正孔輸送層１３１上にＲ発光層１３２ｒを形成した（図１０（ｅ））。尚、Ｒ発光層１３２ｒは、ホストであるＡｌｑ3とゲストであるＤＣＭ［４−（ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）−２−ｍｅｔｈｙｌ−６（ｐ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｔｙｒｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ］とを、重量比が９９：１となるように共蒸着して形成した。
【０１２０】
次に、同じ成膜室でマスクの位置を変え、表示領域の左端から数えて２ｎ番目にあるＲ副画素１１ｒに対応する領域に、マスクの開口の位置を合わせた。次に、蒸着源から発生するＲ発光層の構成材料を蒸着させることにより、正孔輸送層１３１上にＲ発光層１３２ｒを形成した（図１０（ｆ））。
【０１２１】
次に、基板を第五成膜室９５に移動し、Ｂ発光層１３２ｂを形成するために使用するマスクを、表示領域の左端から数えて２ｎ−１番目にあるＢ副画素に対応する領域に、マスクの開口の位置を合わせた。次に、蒸着源から発生するＢ発光層の構成材料を蒸着させることにより、正孔輸送層上にＢ発光層を形成した（図１０（ｇ））。尚、Ｂ発光層は、ペリレン色素とトリス［８−ヒドロキシキノリナート］アルミニウム（Ａｌｑ3）とを、体積比が１：９９となるように共蒸着して形成した。
【０１２２】
次に、同じ成膜室でマスクの位置を変え、表示領域の左端から数えて２ｎ番目にあるＢ副画素に対応する領域に、マスクの開口の位置を合わせた。次に、蒸着源から発生するＧ発光層の構成材料を蒸着させることにより、正孔輸送層１３１上にＢ発光層１３２ｂを形成した（図１０（ｈ））。
【０１２３】
次に、基板を第六成膜室９６に搬送し、この第六成膜室９６内で、表示領域に対応する領域に開口を有するマスクを使用し、フッ化リチウムとフェナントロリン化合物とを体積比で０．９：９９．１となりように共蒸着した。これにより、各発光層（１３２ｇ、１３２ｒ、１３２ｂ）上に電子輸送層１３３を形成した（図１０（ｉ））。
【０１２４】
［上部電極の形成工程］
次に、基板を第七成膜室９７に搬送し、この第七成膜室９７内で、スパッタリングにより、電子輸送層上にＩＺＯを成膜し上部電極１４を設けた（図１０（ｊ））このとき上部電極１４の膜厚を１００ｎｍとした。
【０１２５】
次に、上部電極１４まで形成された基板１０を、大気に曝すことなく、外部からの酸素や水等を遮断するために封止ガラスで基板を覆い両者を接着剤で接着した。尚、封止ガラスには掘り込みが設けられており、その内側の空間の周囲にはゼオライト（不図示）からなる吸湿材が設けられている。次に、合計２０基の有機ＥＬ表示装置が設けられている基材を、ダイヤモンドを固着した回転刃を用いスクライブして、有機ＥＬ表示装置を１基ずつ分離した。
【０１２６】
最後に、封止ガラスの表面に、市販のディスプレイ用偏光板を接着することにより、有機ＥＬ表示装置を得た。得られた有機ＥＬ表示装置について、接続端子（不図示）を外部回路１５と接続し、動作させたところ、掘り込みを設けたガラス側（上部電極１４側）へのフルカラーの表示が可能であった。
【実施例２】
【０１２７】
第二の実施形態の方法で図４に示される有機ＥＬ表示装置を作製した。尚、以下の説明においては、実施例１との相違点を中心に説明する。
【０１２８】
本実施例で製造される有機ＥＬ表示装置に含まれる画素は、ＲＧＢＧという形式に配列した三種類のストライプ状の副画素で構成されている。尚、本実施例では、表示領域内にＲ副画素１１ｒ及びＢ副画素１１ｂは、縦方向で４８０行、横方向で３２０列含まれている。一方、Ｇ副画素１１ｇは、縦方向で４８０行、横方向で６４０列含まれている。このため表示領域内に含まれる画素は、縦方向で４８０行、横方向で３２０列となるが、視感度の高いＧ副画素１１ｇが、縦方向で４８０行×横方向で６４０列存在するため、実施例１とほぼ同等の画質を得ることができる。また本実施例において、画素１つ分の寸法は、縦（ｌ21）９６μｍ、横（ｌ22）１９２μｍとした。
【０１２９】
［下部電極の形成工程］
実施例１と同様の方法で、基板上に、下部電極１２及びバンク１５を形成した。本実施例において、Ｇ副画素１１ｇが設けられる下部電極１２の幅は２６μｍであり、バンク１５の開口幅は１６μｍであった。一方、Ｒ副画素１１ｒ及びＢ副画素１１ｂが設けられる下部電極１２の幅は４２μｍであり、バンク１５の開口幅は３２μｍであった。
【０１３０】
［有機ＥＬ層の形成工程］
次に、図１２に示されるインラインタイプの装置で有機ＥＬ層１３及び上部電極１４を形成した。また図１３は、有機ＥＬ層１３及び上部電極１４の形成プロセスを示す断面模式図である。
【０１３１】
まずバンク１５まで形成された基板１０を、基板１０の処理面（下部電極１１、バンク１５等が設けられている面）が下方向に向くように設置した後、装置内を真空にした。次に、この基板１０を加熱することにより、基板１０の脱水処理を十分に行った。このとき基板１０の断面構造は、図１３（ａ）に示される構造である。
【０１３２】
次に、基板を第一成膜室１２１に搬送し、バンク１５及び下部電極１２上に、αＮＰＤを成膜し正孔輸送層１３１を形成した（図１３（ｂ））。正孔輸送層１３１を成膜する際には、図８に示されるように、表示領域に対応する位置に開口２２を有するマスク２３を使用し、表示領域内で共通する層として成膜した。また正孔輸送層１３１を形成する際に、蒸着源はモリブデン製の長方形の箱状ルツボとし、側面をシースヒータで加熱することにより蒸着を行った。
【０１３３】
次に、正孔輸送層１３１まで形成された基板を第二成膜室１２２に搬送し、Ｇ副画素１１ｇが設けられる領域にＧ発光層１３２ｇを形成した。このとき実施例１と同様に、表示領域の左端から数えて２ｎ−１番目にあるＧ副画素１１ｇに対応するＧ発光層１３２ｇを選択的に形成した（図１３（ｃ））。次に、基板を第三成膜室１２３に搬送し、表示領域の左端から数えて２ｎ番目にあるＧ副画素１１ｇを選択的に形成した（図１３（ｄ））。尚、図１２の装置でＧ発光層１３２ｇを形成すると、使用するマスクは適宜取り外してから併設するマスク搬送路１２０を通じて元の位置に戻すことができるので、１枚のマスクを複数回使用できる。
【０１３４】
次に、基板１０を第四成膜室１２４に搬送し、Ｒ発光層１３２ｒを形成するために使用するマスクを、所定の位置に位置合わせした。図１４（ａ）は、実施例２のＲ発光層１３２ｒの形成工程で使用したマスクの概略図である。使用するマスクは、開口の長さが４６．２ｍｍであり、幅（ｄ21）が５６μｍであり、開口と開口との間隔（ｄ22）が１３６μｍ、繰り返しのピッチ（ｄ23（＝ｄ21＋ｄ22））が１９２μｍである。またＲ発光層１３２ｒを形成する際に、実施例１で使用したホストとゲストとが、個別に入っている箱型ルツボをそれぞれ用意し、共蒸着を行った。
【０１３５】
次に、基板１０を第五成膜室１２５に搬送し、Ｂ発光層１３２ｂを形成するために使用するマスクを、所定の位置に位置合わせした。図１４（ｂ）は、実施例２のＢ発光層１３２ｂの形成工程で使用したマスクの概略図である。使用するマスクは、開口の長さ、幅、開口と開口の間隔、及び繰り返しのピッチの各寸法がＲ発光層１３２ｒを形成する際に使用されるマスクと同様である。
【０１３６】
次に、基板１０を第六成膜室１２６に搬送した。次に、この第六成膜室１２６内で、図８に示されるように、表示領域に対応する領域に開口２２を有するマスク２３を使用し、フッ化リチウムとフェナントロリン化合物とを体積比で０．９：９９．１となりように共蒸着した。これにより、各発光層（１３２ｇ、１３２ｒ、１３２ｂ）上に電子輸送層１３３を形成した（図１３（ｉ））。
【０１３７】
［上部電極の形成工程］
次に、基板１０を第七成膜室１２７に搬送し、この第七成膜室１２７内で、スパッタリングにより、電子輸送層１３３上にＩＺＯを成膜し上部電極１４を設けた（図１３（ｊ））このとき上部電極１４の膜厚を１００ｎｍとした。
【０１３８】
次に、上部電極１４まで形成された基板１０を、大気に曝すことなく、外部からの酸素や水等を遮断するために封止ガラスで基板を覆い両者を接着剤で接着した。尚、封止ガラスには掘り込みが設けられており、その内側の空間の周囲にはゼオライト（不図示）からなる吸湿材が設けられている。次に、合計２０基の有機ＥＬ表示装置が設けられている基材を、ダイヤモンドを固着した回転刃を用いスクライブして、有機ＥＬ表示装置を１基ずつ分離した。
【０１３９】
最後に、封止ガラスの表面に、市販のディスプレイ用偏光板を接着することにより、有機ＥＬ表示装置を得た。得られた有機ＥＬ表示装置について、接続端子（不図示）を外部回路１５と接続し、動作させたところ、掘り込みを設けたガラス側（上部電極１４側）へのフルカラーの表示が可能であった。
【実施例３】
【０１４０】
第三の実施形態の方法で図６に示される有機ＥＬ表示装置を作製した。尚、以下の説明においては、実施例１及び２との相違点を中心に説明する。
【０１４１】
本実施例で製造される有機ＥＬ表示装置に含まれる画素は、ＲＧＢ又はＢＧＲという形式に配列した三種類のストライプ状の副画素で構成されている。尚、本実施例では、表示領域内に各副画素は、縦方向で４８０行、横方向で６４０列含まれている。また本実施例において、各画素の形状は一辺（ｌ31）９６μｍの正方形であり、１つの副画素に対応する有機ＥＬ素子は、縦９６μｍ、横３２μｍの領域に設けた。
【０１４２】
［下部電極の形成工程］
実施例１と同様の方法で、基板１０上に、下部電極１１及びバンク１５を形成した（図１５（ａ））。本実施例において、Ｇ副画素１１ｇ及びＢ副画素１１ｂが設けられる下部電極の幅は２１μｍであり、バンクの開口幅は１１μｍであった。一方、Ｒ副画素１１ｒが設けられる下部電極の幅は２０μｍであり、バンクの開口幅は１０μｍであった。
【０１４３】
［有機ＥＬ層の形成工程］
実施例２と同様の方法により、各副画素に対応する発光層が含まれる有機ＥＬ層を形成した（図１５（ｂ）〜（ｇ））。尚、本実施例では、図６（ａ）に示されるように、表示領域の左端の副画素配列パターンがＲＲＧＢＢＧＲ・・・となっており、端部がＲＲ２列となっている。これは、Ｒ発光層を形成する際に使用するマスクの開口が、副画素２個分の幅があるためである。ここで、左端のＲ副画素はダミー副画素になる。ただし、使用するマスクが、表示領域の左端部に限って開口幅が狭いものであれば、表示領域左端部のＲ副画素の幅を副画素１個分にすることもできる。
【０１４４】
［上部電極の形成工程］
実施例２と同様の方法により、有機ＥＬ層１３上に、上部電極１４を形成した（図１５（ｈ））。
【０１４５】
次に、実施例２と同様に、有機ＥＬ素子の封止、及び基板の加工を行うことにより、有機ＥＬ表示装置を得た。
【０１４６】
最後に、封止ガラスの表面に、市販のディスプレイ用偏光板を接着することにより、有機ＥＬ表示装置を得た。得られた有機ＥＬ表示装置について、接続端子（不図示）を外部回路１５と接続し、動作させたところ、掘り込みを設けたガラス側（上部電極１４側）へのフルカラーの表示が可能であった。
【符号の説明】
【０１４７】
１，４，６：有機ＥＬ表示装置、１０：基板、１１：画素、１１ｇ：Ｇ副画素、１１ｒ：Ｒ副画素、１１ｂ：Ｂ副画素
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
二種類以上の副画素からなる複数の画素と、から構成され、
該画素が、該基板の表示領域上に並置して設けられ、
該副画素のうち一種類の副画素が、所定の間隔を持って設けられる特定副画素である有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
該特定副画素を、以下の工程（ｉ）〜（ｉｉ）により形成することを特徴とする、有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（ｉ）表示領域の側端から数えて２ｎ−１（ｎは、１以上の整数を表す。）番目の特定副画素に対応する位置に開口を有するマスクを使用し、該側端から数えて２ｎ−１番目の特定副画素を選択的に形成する工程
（ｉｉ）該側端から数えて２ｎ（ｎは、１以上の整数を表す。）番目の特定副画素に対応する位置に開口を有するマスクを使用し、該側端から数えて２ｎ番目の特定副画素を選択的に形成する工程
【請求項２】
前記工程（ｉ）及び（ｉｉ）を行うにあたり、縦方向に連続した開口部を有するマスクを使用することを特徴とする、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記工程（ｉ）及び（ｉｉ）を行うにあたり、同一の蒸着源を使用することを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記特定副画素がＧ副画素であり、
前記副画素の横方向の配列が、ＲＧＢＧＲＧＢＧ・・・であり、
前記工程（ｉｉ）の後、以下に示す工程（ｉｉｉ）〜（ｉｖ）により、Ｒ副画素と、Ｂ副画素とを順次形成することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（ｉｉｉ）Ｒ副画素を形成する工程
（ｉｖ）Ｂ副画素を形成する工程
【請求項５】
前記特定副画素がＧ副画素であり、
前記副画素の横方向の配列が、ＲＧＢＢＧＲＲＧＢＢＧＲ・・・であり、
前記工程（ｉｉ）の後、以下に示す工程（ｖ）〜（ｖｉ）により、Ｒ副画素と、Ｂ副画素とを順次形成することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（ｖ）Ｒ副画素を形成する工程
（ｖｉ）Ｂ副画素を形成する工程
【請求項６】
前記工程（ｉ）で使用されるマスクと、前記工程（ｉｉ）で使用されるマスクとが異なることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記マスクの開口ピッチが９５μｍであり、かつ開口幅が４０μｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１】
基板と、
二種類以上の副画素からなる複数の画素と、から構成され、
該画素が、該基板の表示領域上に並置して設けられ、
該副画素のうち一種類の副画素が、所定の間隔を持って設けられる特定副画素である有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
該特定副画素を、以下の工程（ｉ）〜（ｉｉ）により形成することを特徴とする、有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（ｉ）表示領域の側端から数えて２ｎ−１（ｎは、１以上の整数を表す。）番目の特定副画素に対応する位置に開口を有するマスクを使用し、該側端から数えて２ｎ−１番目の特定副画素を選択的に形成する工程
（ｉｉ）該側端から数えて２ｎ（ｎは、１以上の整数を表す。）番目の特定副画素に対応する位置に開口を有するマスクを使用し、該側端から数えて２ｎ番目の特定副画素を選択的に形成する工程
【請求項２】
前記工程（ｉ）及び（ｉｉ）を行うにあたり、縦方向に連続した開口部を有するマスクを使用することを特徴とする、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記工程（ｉ）及び（ｉｉ）を行うにあたり、同一の蒸着源を使用することを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記特定副画素がＧ副画素であり、
前記副画素の横方向の配列が、ＲＧＢＧＲＧＢＧ・・・であり、
前記工程（ｉｉ）の後、以下に示す工程（ｉｉｉ）〜（ｉｖ）により、Ｒ副画素と、Ｂ副画素とを順次形成することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（ｉｉｉ）Ｒ副画素を形成する工程
（ｉｖ）Ｂ副画素を形成する工程
【請求項５】
前記特定副画素がＧ副画素であり、
前記副画素の横方向の配列が、ＲＧＢＢＧＲＲＧＢＢＧＲ・・・であり、
前記工程（ｉｉ）の後、以下に示す工程（ｖ）〜（ｖｉ）により、Ｒ副画素と、Ｂ副画素とを順次形成することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（ｖ）Ｒ副画素を形成する工程
（ｖｉ）Ｂ副画素を形成する工程
【請求項６】
前記工程（ｉ）で使用されるマスクと、前記工程（ｉｉ）で使用されるマスクとが異なることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記マスクの開口ピッチが９５μｍであり、かつ開口幅が４０μｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１０−２７２３００（Ｐ２０１０−２７２３００Ａ）
【公開日】平成２２年１２月２日（２０１０．１２．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１２２１２８（Ｐ２００９−１２２１２８）
【出願日】平成２１年５月２０日（２００９．５．２０）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１２月２日（２０１０．１２．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年５月２０日（２００９．５．２０）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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