有機ＥＬ表示装置
【課題】有機ＥＬ素子が配列された領域に水分が侵入することを抑制する。
【解決手段】複数のＴＦＴ素子が形成された基板ＧＡと、複数のＴＦＴ素子の上側に形成される第１の無機絶縁膜ＩＬ１と、第１の無機絶縁膜ＩＬ１の上側に配列される複数の有機ＥＬ素子によって形成される素子配列領域と、素子配列領域内の各画素を隔て、かつ外側を覆う第１の有機絶縁膜ＯＬ１と、第１の有機絶縁膜ＯＬ１を上側から覆って、第１の無機絶縁膜ＩＬ１の第１の有機絶縁膜ＯＬ１から露出する部分で重複して密着される第２の無機絶縁膜ＩＬ２と、第１の無機絶縁膜ＩＬ１に埋設される配線ＥＳ３と、を有する有機ＥＬ表示装置であって、配線ＥＳ３は、第２の無機絶縁膜ＩＬ２が密着される密着領域ＳＬの下側を通過する密着領域通過部を有し、密着領域通過部は、主配線部と、主配線部から側方に突出する少なくとも１つの突出部と、を有する、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【解決手段】複数のＴＦＴ素子が形成された基板ＧＡと、複数のＴＦＴ素子の上側に形成される第１の無機絶縁膜ＩＬ１と、第１の無機絶縁膜ＩＬ１の上側に配列される複数の有機ＥＬ素子によって形成される素子配列領域と、素子配列領域内の各画素を隔て、かつ外側を覆う第１の有機絶縁膜ＯＬ１と、第１の有機絶縁膜ＯＬ１を上側から覆って、第１の無機絶縁膜ＩＬ１の第１の有機絶縁膜ＯＬ１から露出する部分で重複して密着される第２の無機絶縁膜ＩＬ２と、第１の無機絶縁膜ＩＬ１に埋設される配線ＥＳ３と、を有する有機ＥＬ表示装置であって、配線ＥＳ３は、第２の無機絶縁膜ＩＬ２が密着される密着領域ＳＬの下側を通過する密着領域通過部を有し、密着領域通過部は、主配線部と、主配線部から側方に突出する少なくとも１つの突出部と、を有する、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置（Organic Electro-Luminescence display）は、複数の有機ＥＬ素子が配列された素子配列領域を有する基板を備えている。
【０００３】
ここで、有機ＥＬ素子は、水分によって劣化が生じる性質を有しているため、素子配列領域を水分から保護する必要がある。水分から保護する１つの方法としては、例えば、単層あるいは複数層の無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いることにより、素子配列領域を封止することが考えられる（薄膜封止）。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、無機絶縁膜および有機絶縁膜を用いて素子配列領域を水分から保護をする有機ＥＬ表示装置の一例としては、図５Ａおよび図５Ｂで示される有機ＥＬ表示装置が考えられる。この有機ＥＬ表示装置においては、図５Ａで示されるように、素子配列領域ＤＰの外周は有機絶縁膜ＯＬ１で覆われて、さらに有機絶縁膜ＯＬ１が無機絶縁膜ＩＬ２で覆われる。そして、図５Ｂにおいても示されるように、無機絶縁膜ＩＬ２と、基板ＧＡ上の保護絶縁膜として形成された無機絶縁膜ＩＬ１とが、素子配列領域ＤＰ外で互いに密着し、これにより有機ＥＬ素子が水分から保護される。
【０００５】
しかしながら、無機絶縁膜ＩＬ１には配線が埋設される。この配線が、２つの無機絶縁膜が密着する部分の下側を通過する場合には、当該配線を介して素子配列領域ＤＰに水分が侵入することがある。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みて、有機絶縁膜を間に介在させた２層の無機絶縁膜が素子配列領域ＤＰ外で密着した有機ＥＬ表示装置において、２層のうちの下側の無機絶縁膜に埋設された配線を介して、素子配列領域ＤＰに水分が侵入するのを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明にかかる有機ＥＬ表示装置は、上記課題に鑑みて、複数のＴＦＴ素子が配列された基板と、前記複数のＴＦＴ素子の上側に形成される第１の無機絶縁膜と、前記第１の無機絶縁膜の上側に配列される複数の有機ＥＬ素子によって形成される素子配列領域と、前記素子配列領域内の各画素を隔て、かつ外側を覆う第１の有機絶縁膜と、前記第１の有機絶縁膜を上側から覆って、かつ、前記第１の無機絶縁膜の前記第１の有機絶縁膜から露出する部分に重複して密着される第２の無機絶縁膜と、前記第１の無機絶縁膜に埋設される配線と、を有する有機ＥＬ表示装置であって、前記配線は、前記第２の無機絶縁膜が密着される密着領域の下側を通過する密着領域通過部を有し、前記密着領域通過部は、さらに、主配線部と、前記主配線部から側方に突出する少なくとも１つの突出部と、を有する、ことを特徴とする。
【０００８】
また、本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の一態様では、前記配線は、前記複数の有機ＥＬ素子を駆動するための電源を供給する電源線である、ことを特徴としてもよい。
【０００９】
また、本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の一態様では、前記主配線部は、少なくとも一カ所で方向を変えて前記密着領域の下側を通過する、ことを特徴としてもよい。
【００１０】
また、本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の一態様では、前記主配線部は、コの字型に敷設される部分を有している、ことを特徴としてもよい。
【００１１】
また、本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の一態様では、前記主配線部は、クランク型に敷設される、ことを特徴としてもよい。
【００１２】
また、本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の一態様では、前記密着領域は、前記素子配列領域を取り囲むように形成される、ことを特徴としてもよい。
【００１３】
また、本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の一態様では、第２の無機絶縁膜の上側に形成される第２の有機絶縁膜と、前記第２の有機絶縁膜を上側から覆って、前記第２の無機絶縁膜の前記第２の有機絶縁膜から露出する部分と密着する第３の無機絶縁膜と、をさらに有し、前記第１の無機絶縁膜は、前記第１の有機絶縁膜から露出する部分で前記第２の無機絶縁膜と密着し、前記第３の無機絶縁膜と前記第２の無機絶縁膜とが密着する領域の少なくとも一部は、前記第１の無機絶縁膜と前記第２の無機絶縁膜とが密着する前記密着領域と、重複する、ことを特徴としてもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、有機絶縁膜を間に介在させた２つの無機絶縁膜が素子配列領域ＤＰ外で密着した有機ＥＬ表示装置において、２つのうちの下側の無機絶縁膜に埋設された配線を介して、素子配列領域ＤＰに水分が侵入するのが抑制される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の上面概略図である。
【図２】本発明の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の基板上に敷設される一部の配線の様子を説明するための図である。
【図３】図２のIII−III断面の様子を説明する図である。
【図４Ａ】本発明の実施形態における走査回路電源線およびアノード電源線の密着領域通過部を示す図である。
【図４Ｂ】本発明の実施形態におけるカソード電源線の密着領域通過部の様子を示す図である。
【図４Ｃ】本発明の実施形態における配線の密着領域通過部の変形例を示す図である。
【図５Ａ】無機絶縁膜および有機絶縁膜を用いて、素子配列領域を水分から保護をする有機ＥＬ表示装置の一例を示す図である。
【図５Ｂ】図５ＡのＶＢ−ＶＢ断面の様子を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置について、図面を参照しながら説明する。
【００１７】
図１は、本発明の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の上面を概略的に示す図である。本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、複数の有機ＥＬ素子が配列される素子配列領域ＤＰを基板ＧＡ上に有しており、素子配列領域ＤＰは、各画素間を有機絶縁膜ＯＬ１（以下、本明細書において第１の有機絶縁膜とも言う。）によって隔離され、有機絶縁膜ＯＬ１は、さらに、素子配列領域ＤＰの外周を覆っている。さらに、第１の無機絶縁膜ＩＬ１と第２の無機絶縁膜ＩＬ２とが互いに密着する領域に取り囲まれている。
【００１８】
まず、素子配列領域ＤＰには、多数の走査信号線ＧＬが互いに等間隔を置いて敷設されるとともに、多数の映像信号線ＤＬが、走査信号線ＧＬが敷設される方向とは垂直となる方向に互いに等間隔をおいて敷設される。そして、これら走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬとによって区画される各画素領域には、ＭＩＳ（Metal-Insulator-Semiconductor）構造のスイッチングに用いる薄膜トランジスタが配置される。各走査信号線ＧＬおよび各映像信号線ＤＬには、走査信号線駆動回路（不図示）および映像信号線駆動回路（不図示）が接続される。これらの駆動回路から信号が出力されることにより、各画素に配置された有機ＥＬ素子の発光が制御される。
【００１９】
素子配列領域ＤＰの各有機ＥＬ素子は、アノード電極（陽極）とカソード電極（陰極）と、これらの間に挟持される有機層と、を含んで構成される。アノード電極およびカソード電極間に挟持された有機層は、発光層の他に、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層等の層を含んで構成されて、両電極間に生じた電位差により有機ＥＬ素子の発光が制御される。
【００２０】
つぎに、素子配列領域ＤＰを水分から保護するための、第１の無機絶縁膜ＩＬ１と、有機絶縁膜ＯＬ１と、第２の無機絶縁膜ＩＬ２について順番に説明をする。
【００２１】
第１の無機絶縁膜ＩＬ１は、基板ＧＡ上に窒化シリコン（ＳｉＮ）で形成されている。本実施形態の第１の無機絶縁膜ＩＬ１は、素子配列領域ＤＰの下地として基板ＧＡのほぼ全体に形成されて、薄膜トランジスタ等を保護する保護絶縁膜となっている。
【００２２】
有機絶縁膜ＯＬ１は、樹脂によって形成されて、素子配列領域ＤＰの外側を覆って配置される。本実施形態における有機絶縁膜ＯＬ１は、図１で示されるように、素子配列領域ＤＰの外側に広がって形成され、第１の無機絶縁膜ＩＬ１の一部が、有機絶縁膜ＯＬ１から露出するようになっている。有機絶縁膜ＯＬ１は、具体的には、各有機ＥＬ素子のカソード電極に接して下側に配置されて、表示制御の対象となる各有機ＥＬ素子それぞれを隔てている。
【００２３】
そして、第２の無機絶縁膜ＩＬ２は、有機絶縁膜ＯＬ１の上側に、窒化シリコン（ＳｉＮ）で形成される。本実施形態の第２の無機絶縁膜ＩＬ２は、図１で示すように、有機絶縁膜ＯＬ１よりもさらに広がって有機絶縁膜ＯＬ１の全体を覆うように形成される。そして図１で示されるように、第２の無機絶縁膜ＩＬ２は、有機絶縁膜ＯＬ１よりも広がって形成される部分が第１の無機絶縁膜ＩＬ１に成膜されて、これにより、第１の無機絶縁膜ＩＬ１の有機絶縁膜ＯＬ１から露出した部分と重複して密着されることとなる。
【００２４】
第１の無機絶縁膜ＩＬ１および第２の無機絶縁膜ＩＬ２が互いに密着する領域（以下、本実施形態において密着領域というものとする）は、平面的に見て、素子配列領域ＤＰおよび有機絶縁膜ＯＬ１を取り囲む枠のような形状となっている。すなわち、本実施形態の密着領域は枠状の領域となっており、耐水性に優れた２つの無機絶縁膜によって、密着領域の内側に存在する素子配列領域ＤＰおよび有機絶縁膜ＯＬ１が水分から封止される。なお、本実施形態では、第２の無機絶縁膜ＩＬ２の上層に、さらに、有機絶縁膜ＯＬ１とは異なる有機絶縁膜ＯＬ２（本明細書において、第２の有機絶縁膜ともいう。）と、第３の無機絶縁膜ＩＬ３とが積層されるが、図１においてはその表記を省略しており、後述する図３において説明をする。
【００２５】
次に、図２は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の基板ＧＡ上に敷設される一部の配線を説明する図であり、図３は、図２のIII−III断面の様子を説明する図である。
【００２６】
本実施形態では、図２で示されるように、走査回路電源線ＥＳ１と、カソード電源線ＥＳ２と、アノード電源線ＥＳ３は、フレキシブルプリント基板と接続するための端子部ＴＥから密着領域ＳＬによって保護された領域内へと敷設される。これらの電源線は、アルミニウムによって形成された配線であって、走査回路電源線ＥＳ１は、素子配列領域ＤＰの両側に配置された走査線駆動回路ＧＤＲに電源を供給するための配線となっており、カソード電源線ＥＳ２およびアノード電源線ＥＳ３は、素子配列領域ＤＰにおける各有機ＥＬ素子のカソード電極やアノード電極に電源を供給するための配線となっている。
【００２７】
また、走査回路電源線ＥＳ１は、図３で示されるように、第１の無機絶縁膜ＩＬ１に埋設されており、カソード電源線ＥＳ２およびアノード電源線ＥＳ３も同様に埋設されて、これらは第１の無機絶縁膜ＩＬ１に包み込まれるように覆われる。
【００２８】
しかしながら、第１の無機絶縁膜ＩＬ１の表面には配線に起因した段差が生じ、第２の無機絶縁膜ＩＬ２の上面から密着領域ＳＬを経て配線に到達してしまうような微小なクラックが形成される場合がある。そして、配線の側面においては、第１の無機絶縁膜ＩＬ１との密着性が悪くなって隙間が形成される場合もある。上述の電源線をはじめとする配線では、他の配線よりも比較的太い線幅となるため、配線材料と無機絶縁膜材料の間に生じる応力の差による歪みが生じやすくなり、密着性がさらに悪化するものと考えられる。
【００２９】
ここで特に、本実施形態の走査回路電源線ＥＳ１等の電源線では、密着領域ＳＬの下側を通過する部分（以下、本実施形態において、密着領域通過部というものとする。）が、電流が通過する主要な経路となる主配線部ＭＰと、主配線部ＭＰからその側方に突出する少なくとも１つの突出部Ｐｒと、を含んで構成される。図４Ａは、本実施形態における走査回路電源線ＥＳ１およびアノード電源線ＥＳ３の密着領域通過部の様子を示す図であり、図４Ｂは、本実施形態におけるカソード電源線ＥＳ２の密着領域通過部の様子を示す図である。図４の各図においては、端子部ＴＥが図中下側に、素子配列領域ＤＰが図中上側に配置されているものとしている。走査回路電源線ＥＳ１等は、主配線部ＭＰが直線状に敷設されて、突出部Ｐｒが主配線部ＭＰの側面の複数箇所から凸型の形状で形成され、カソード電源線ＥＳ２は、主配線部ＭＰがクランク状に蛇行して敷設されて、主配線部ＭＰの側面に複数の突出部Ｐｒが同様に形成される。
【００３０】
このように、主配線部ＭＰの側面に突出部Ｐｒが形成されると、第１の無機絶縁膜ＩＬ１との密着性が向上し、密着領域ＳＬの上側から配線に至る水分を、配線の側面で留めることができる。また、素子配列領域ＤＰへの水分の侵入を防ぐ上では、主配線部ＭＰが直線状となるよりも、主配線部ＭＰがクランク状に蛇行するのが好ましいが、図４Ｃのように主配線部ＭＰがコの字型に敷設される部分を有していたり、Ｓ字型に敷設される部分を有しているのがさらに好適である。このように主配線部ＭＰが少なくとも一カ所で方向を変えて、密着領域ＳＬの下側を通過することで、水分が侵入する経路が延長されて水分の侵入が抑制される。
【００３１】
なお、主配線部ＭＰは、数十ミクロン〜数百ミクロンのオーダーの線幅で形成され、これに対し突出部Ｐｒは、数ミクロン〜数十ミクロンのオーダーで形成されるのが望ましい。図４Ａ〜Ｃで示される突出部Ｐｒの線幅は、主配線部ＭＰの１０分の１程度になっているが、突出部Ｐｒの線幅は、主配線部ＭＰの１０分の１よりもさらに太くなってもよいし細くなっても良い。また、突出部Ｐｒは、主配線部ＭＰからほぼ垂直に突出して、数ミクロン〜数十ミクロンの長さを有して形成されるが、主配線部ＭＰの線幅よりも長く形成されても良い。
【００３２】
なお、本実施形態では、図３で示すように、樹脂によって形成された第２の有機絶縁膜ＯＬ２と、窒化シリコンによって形成された第３の無機絶縁膜ＩＬ３とがさらに形成されて、３層の無機絶縁膜と２層の有機絶縁膜によって素子配列領域ＤＰが保護される。第２の有機絶縁膜ＯＬ２は、第２の無機絶縁膜ＩＬ２の上側に形成され、第３の無機絶縁膜ＩＬ３は、第２の無機絶縁膜ＩＬ２の第２の有機絶縁膜ＯＬ２から露出した部分と密着する。第３の無機絶縁膜ＩＬ３と第２の無機絶縁膜ＩＬ２とが密着する領域は、図３で示されるように、第２の無機絶縁膜ＩＬ２と第１の無機絶縁膜ＩＬ１が密着する領域と、少なくとも一部が重複している。第２の有機絶縁膜ＯＬ２は、第１の有機絶縁膜ＯＬ１よりも厚く形成されて、第２の有機絶縁膜ＯＬ２の外周部分は滑らかに傾斜した曲面で形成される。
【００３３】
このように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、第１の無機絶縁膜ＩＬ１と第２の無機絶縁膜ＩＬ２と有機絶縁膜ＯＬ１に加えて、第３の無機絶縁膜ＩＬ３と第２の有機絶縁膜ＯＬ２を有しているが、これにより、密着領域ＳＬの内側がさらに保護されるので望ましい。しかしながら、必ずしも、第３の無機絶縁膜ＩＬ３および第２の有機絶縁膜ＯＬ２を有しておらずともよく、間に有機絶縁膜ＯＬ１を介在させた第１の無機絶縁膜ＩＬ１と第２の無機絶縁膜ＩＬ２とによる密着領域ＳＬにより、その内側が保護されることとなる。
【００３４】
なお、本実施形態では、図３で示すように、第１の無機絶縁膜ＩＬ１の平坦に形成された部分と第２の無機絶縁膜ＩＬ２とが密着して、密着領域ＳＬが形成されている。しかしながら、第１の無機絶縁膜ＩＬ１の表面に、素子配列領域ＤＰや有機絶縁膜ＯＬ１の外周を取り囲む少なくとも１つの溝や土手が形成されても良い。このような溝等が密着領域ＳＬに形成されることにより、有機絶縁膜ＯＬ１の密着領域ＳＬへのはみ出しが抑えられる。また、当該溝は、素子配列領域ＤＰや有機絶縁膜ＯＬ１の外周の一部に沿って形成されても良い。
【００３５】
なお、本実施形態のように、第１の無機絶縁膜ＩＬ１と第２の無機絶縁膜ＩＬ２と第３の無機絶縁膜ＩＬ３は、窒化シリコンで形成されるのが望ましいが、他の材料による無機絶縁膜であっても良いし、互いに異なる無機絶縁膜であってもよい。互いに異なる無機絶縁膜で形成される等の場合であっても、第１の無機絶縁膜ＩＬ１と第２の無機絶縁膜ＩＬ２とが重複する領域で密着されればよい。
【００３６】
なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置であっても良いし、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置であっても良い。
【００３７】
なお、本実施形態における主配線部ＭＰの側方には、複数の突出部Ｐｒが所定の間隔を置いて形成されているが、この間隔は、場所によって異なっていても良い。また、突出部Ｐｒは、主配線部ＭＰの両側面に形成されているが、主配線部ＭＰの２つの側面のうちの一方の側面に形成されてもよい。少なくとも１つの突出部Ｐｒが主配線部ＭＰに形成されることにより、密着領域通過部を介して水分が浸入することが抑制されることとなる。
【００３８】
なお、第１の無機絶縁膜ＩＬ１と第２の無機絶縁膜ＩＬ２の密着領域ＳＬに破損が生じうる衝撃が加わった場合であっても、突出部Ｐｒの存在によって無機絶縁膜の剥離が局所的な範囲に抑えられる。
【００３９】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成、又は同一の目的を達成することができる構成でおきかえることが出来る。
【符号の説明】
【００４０】
１ 有機ＥＬ表示装置、ＧＡ 基板、ＤＰ 素子配列領域、ＩＬ１ 第1の無機絶縁膜、ＯＬ１ 第１の有機絶縁膜、ＩＬ２ 第２の無機絶縁膜、ＯＬ２ 第２の有機絶縁膜、ＩＬ３ 第３の無機絶縁膜、ＤＬ 映像信号線、ＧＬ 走査信号線、ＴＥ 端子部、ＧＤＲ 走査線駆動回路、ＳＬ 密着領域、ＥＳ１ 走査回路電源線、ＥＳ２ カソード電源線ＥＳ２、ＥＳ３ アノード電源線、ＭＰ 主配線部、Ｐｒ 突出部。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置（Organic Electro-Luminescence display）は、複数の有機ＥＬ素子が配列された素子配列領域を有する基板を備えている。
【０００３】
ここで、有機ＥＬ素子は、水分によって劣化が生じる性質を有しているため、素子配列領域を水分から保護する必要がある。水分から保護する１つの方法としては、例えば、単層あるいは複数層の無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いることにより、素子配列領域を封止することが考えられる（薄膜封止）。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、無機絶縁膜および有機絶縁膜を用いて素子配列領域を水分から保護をする有機ＥＬ表示装置の一例としては、図５Ａおよび図５Ｂで示される有機ＥＬ表示装置が考えられる。この有機ＥＬ表示装置においては、図５Ａで示されるように、素子配列領域ＤＰの外周は有機絶縁膜ＯＬ１で覆われて、さらに有機絶縁膜ＯＬ１が無機絶縁膜ＩＬ２で覆われる。そして、図５Ｂにおいても示されるように、無機絶縁膜ＩＬ２と、基板ＧＡ上の保護絶縁膜として形成された無機絶縁膜ＩＬ１とが、素子配列領域ＤＰ外で互いに密着し、これにより有機ＥＬ素子が水分から保護される。
【０００５】
しかしながら、無機絶縁膜ＩＬ１には配線が埋設される。この配線が、２つの無機絶縁膜が密着する部分の下側を通過する場合には、当該配線を介して素子配列領域ＤＰに水分が侵入することがある。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みて、有機絶縁膜を間に介在させた２層の無機絶縁膜が素子配列領域ＤＰ外で密着した有機ＥＬ表示装置において、２層のうちの下側の無機絶縁膜に埋設された配線を介して、素子配列領域ＤＰに水分が侵入するのを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明にかかる有機ＥＬ表示装置は、上記課題に鑑みて、複数のＴＦＴ素子が配列された基板と、前記複数のＴＦＴ素子の上側に形成される第１の無機絶縁膜と、前記第１の無機絶縁膜の上側に配列される複数の有機ＥＬ素子によって形成される素子配列領域と、前記素子配列領域内の各画素を隔て、かつ外側を覆う第１の有機絶縁膜と、前記第１の有機絶縁膜を上側から覆って、かつ、前記第１の無機絶縁膜の前記第１の有機絶縁膜から露出する部分に重複して密着される第２の無機絶縁膜と、前記第１の無機絶縁膜に埋設される配線と、を有する有機ＥＬ表示装置であって、前記配線は、前記第２の無機絶縁膜が密着される密着領域の下側を通過する密着領域通過部を有し、前記密着領域通過部は、さらに、主配線部と、前記主配線部から側方に突出する少なくとも１つの突出部と、を有する、ことを特徴とする。
【０００８】
また、本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の一態様では、前記配線は、前記複数の有機ＥＬ素子を駆動するための電源を供給する電源線である、ことを特徴としてもよい。
【０００９】
また、本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の一態様では、前記主配線部は、少なくとも一カ所で方向を変えて前記密着領域の下側を通過する、ことを特徴としてもよい。
【００１０】
また、本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の一態様では、前記主配線部は、コの字型に敷設される部分を有している、ことを特徴としてもよい。
【００１１】
また、本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の一態様では、前記主配線部は、クランク型に敷設される、ことを特徴としてもよい。
【００１２】
また、本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の一態様では、前記密着領域は、前記素子配列領域を取り囲むように形成される、ことを特徴としてもよい。
【００１３】
また、本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の一態様では、第２の無機絶縁膜の上側に形成される第２の有機絶縁膜と、前記第２の有機絶縁膜を上側から覆って、前記第２の無機絶縁膜の前記第２の有機絶縁膜から露出する部分と密着する第３の無機絶縁膜と、をさらに有し、前記第１の無機絶縁膜は、前記第１の有機絶縁膜から露出する部分で前記第２の無機絶縁膜と密着し、前記第３の無機絶縁膜と前記第２の無機絶縁膜とが密着する領域の少なくとも一部は、前記第１の無機絶縁膜と前記第２の無機絶縁膜とが密着する前記密着領域と、重複する、ことを特徴としてもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、有機絶縁膜を間に介在させた２つの無機絶縁膜が素子配列領域ＤＰ外で密着した有機ＥＬ表示装置において、２つのうちの下側の無機絶縁膜に埋設された配線を介して、素子配列領域ＤＰに水分が侵入するのが抑制される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の上面概略図である。
【図２】本発明の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の基板上に敷設される一部の配線の様子を説明するための図である。
【図３】図２のIII−III断面の様子を説明する図である。
【図４Ａ】本発明の実施形態における走査回路電源線およびアノード電源線の密着領域通過部を示す図である。
【図４Ｂ】本発明の実施形態におけるカソード電源線の密着領域通過部の様子を示す図である。
【図４Ｃ】本発明の実施形態における配線の密着領域通過部の変形例を示す図である。
【図５Ａ】無機絶縁膜および有機絶縁膜を用いて、素子配列領域を水分から保護をする有機ＥＬ表示装置の一例を示す図である。
【図５Ｂ】図５ＡのＶＢ−ＶＢ断面の様子を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置について、図面を参照しながら説明する。
【００１７】
図１は、本発明の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の上面を概略的に示す図である。本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、複数の有機ＥＬ素子が配列される素子配列領域ＤＰを基板ＧＡ上に有しており、素子配列領域ＤＰは、各画素間を有機絶縁膜ＯＬ１（以下、本明細書において第１の有機絶縁膜とも言う。）によって隔離され、有機絶縁膜ＯＬ１は、さらに、素子配列領域ＤＰの外周を覆っている。さらに、第１の無機絶縁膜ＩＬ１と第２の無機絶縁膜ＩＬ２とが互いに密着する領域に取り囲まれている。
【００１８】
まず、素子配列領域ＤＰには、多数の走査信号線ＧＬが互いに等間隔を置いて敷設されるとともに、多数の映像信号線ＤＬが、走査信号線ＧＬが敷設される方向とは垂直となる方向に互いに等間隔をおいて敷設される。そして、これら走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬとによって区画される各画素領域には、ＭＩＳ（Metal-Insulator-Semiconductor）構造のスイッチングに用いる薄膜トランジスタが配置される。各走査信号線ＧＬおよび各映像信号線ＤＬには、走査信号線駆動回路（不図示）および映像信号線駆動回路（不図示）が接続される。これらの駆動回路から信号が出力されることにより、各画素に配置された有機ＥＬ素子の発光が制御される。
【００１９】
素子配列領域ＤＰの各有機ＥＬ素子は、アノード電極（陽極）とカソード電極（陰極）と、これらの間に挟持される有機層と、を含んで構成される。アノード電極およびカソード電極間に挟持された有機層は、発光層の他に、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層等の層を含んで構成されて、両電極間に生じた電位差により有機ＥＬ素子の発光が制御される。
【００２０】
つぎに、素子配列領域ＤＰを水分から保護するための、第１の無機絶縁膜ＩＬ１と、有機絶縁膜ＯＬ１と、第２の無機絶縁膜ＩＬ２について順番に説明をする。
【００２１】
第１の無機絶縁膜ＩＬ１は、基板ＧＡ上に窒化シリコン（ＳｉＮ）で形成されている。本実施形態の第１の無機絶縁膜ＩＬ１は、素子配列領域ＤＰの下地として基板ＧＡのほぼ全体に形成されて、薄膜トランジスタ等を保護する保護絶縁膜となっている。
【００２２】
有機絶縁膜ＯＬ１は、樹脂によって形成されて、素子配列領域ＤＰの外側を覆って配置される。本実施形態における有機絶縁膜ＯＬ１は、図１で示されるように、素子配列領域ＤＰの外側に広がって形成され、第１の無機絶縁膜ＩＬ１の一部が、有機絶縁膜ＯＬ１から露出するようになっている。有機絶縁膜ＯＬ１は、具体的には、各有機ＥＬ素子のカソード電極に接して下側に配置されて、表示制御の対象となる各有機ＥＬ素子それぞれを隔てている。
【００２３】
そして、第２の無機絶縁膜ＩＬ２は、有機絶縁膜ＯＬ１の上側に、窒化シリコン（ＳｉＮ）で形成される。本実施形態の第２の無機絶縁膜ＩＬ２は、図１で示すように、有機絶縁膜ＯＬ１よりもさらに広がって有機絶縁膜ＯＬ１の全体を覆うように形成される。そして図１で示されるように、第２の無機絶縁膜ＩＬ２は、有機絶縁膜ＯＬ１よりも広がって形成される部分が第１の無機絶縁膜ＩＬ１に成膜されて、これにより、第１の無機絶縁膜ＩＬ１の有機絶縁膜ＯＬ１から露出した部分と重複して密着されることとなる。
【００２４】
第１の無機絶縁膜ＩＬ１および第２の無機絶縁膜ＩＬ２が互いに密着する領域（以下、本実施形態において密着領域というものとする）は、平面的に見て、素子配列領域ＤＰおよび有機絶縁膜ＯＬ１を取り囲む枠のような形状となっている。すなわち、本実施形態の密着領域は枠状の領域となっており、耐水性に優れた２つの無機絶縁膜によって、密着領域の内側に存在する素子配列領域ＤＰおよび有機絶縁膜ＯＬ１が水分から封止される。なお、本実施形態では、第２の無機絶縁膜ＩＬ２の上層に、さらに、有機絶縁膜ＯＬ１とは異なる有機絶縁膜ＯＬ２（本明細書において、第２の有機絶縁膜ともいう。）と、第３の無機絶縁膜ＩＬ３とが積層されるが、図１においてはその表記を省略しており、後述する図３において説明をする。
【００２５】
次に、図２は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の基板ＧＡ上に敷設される一部の配線を説明する図であり、図３は、図２のIII−III断面の様子を説明する図である。
【００２６】
本実施形態では、図２で示されるように、走査回路電源線ＥＳ１と、カソード電源線ＥＳ２と、アノード電源線ＥＳ３は、フレキシブルプリント基板と接続するための端子部ＴＥから密着領域ＳＬによって保護された領域内へと敷設される。これらの電源線は、アルミニウムによって形成された配線であって、走査回路電源線ＥＳ１は、素子配列領域ＤＰの両側に配置された走査線駆動回路ＧＤＲに電源を供給するための配線となっており、カソード電源線ＥＳ２およびアノード電源線ＥＳ３は、素子配列領域ＤＰにおける各有機ＥＬ素子のカソード電極やアノード電極に電源を供給するための配線となっている。
【００２７】
また、走査回路電源線ＥＳ１は、図３で示されるように、第１の無機絶縁膜ＩＬ１に埋設されており、カソード電源線ＥＳ２およびアノード電源線ＥＳ３も同様に埋設されて、これらは第１の無機絶縁膜ＩＬ１に包み込まれるように覆われる。
【００２８】
しかしながら、第１の無機絶縁膜ＩＬ１の表面には配線に起因した段差が生じ、第２の無機絶縁膜ＩＬ２の上面から密着領域ＳＬを経て配線に到達してしまうような微小なクラックが形成される場合がある。そして、配線の側面においては、第１の無機絶縁膜ＩＬ１との密着性が悪くなって隙間が形成される場合もある。上述の電源線をはじめとする配線では、他の配線よりも比較的太い線幅となるため、配線材料と無機絶縁膜材料の間に生じる応力の差による歪みが生じやすくなり、密着性がさらに悪化するものと考えられる。
【００２９】
ここで特に、本実施形態の走査回路電源線ＥＳ１等の電源線では、密着領域ＳＬの下側を通過する部分（以下、本実施形態において、密着領域通過部というものとする。）が、電流が通過する主要な経路となる主配線部ＭＰと、主配線部ＭＰからその側方に突出する少なくとも１つの突出部Ｐｒと、を含んで構成される。図４Ａは、本実施形態における走査回路電源線ＥＳ１およびアノード電源線ＥＳ３の密着領域通過部の様子を示す図であり、図４Ｂは、本実施形態におけるカソード電源線ＥＳ２の密着領域通過部の様子を示す図である。図４の各図においては、端子部ＴＥが図中下側に、素子配列領域ＤＰが図中上側に配置されているものとしている。走査回路電源線ＥＳ１等は、主配線部ＭＰが直線状に敷設されて、突出部Ｐｒが主配線部ＭＰの側面の複数箇所から凸型の形状で形成され、カソード電源線ＥＳ２は、主配線部ＭＰがクランク状に蛇行して敷設されて、主配線部ＭＰの側面に複数の突出部Ｐｒが同様に形成される。
【００３０】
このように、主配線部ＭＰの側面に突出部Ｐｒが形成されると、第１の無機絶縁膜ＩＬ１との密着性が向上し、密着領域ＳＬの上側から配線に至る水分を、配線の側面で留めることができる。また、素子配列領域ＤＰへの水分の侵入を防ぐ上では、主配線部ＭＰが直線状となるよりも、主配線部ＭＰがクランク状に蛇行するのが好ましいが、図４Ｃのように主配線部ＭＰがコの字型に敷設される部分を有していたり、Ｓ字型に敷設される部分を有しているのがさらに好適である。このように主配線部ＭＰが少なくとも一カ所で方向を変えて、密着領域ＳＬの下側を通過することで、水分が侵入する経路が延長されて水分の侵入が抑制される。
【００３１】
なお、主配線部ＭＰは、数十ミクロン〜数百ミクロンのオーダーの線幅で形成され、これに対し突出部Ｐｒは、数ミクロン〜数十ミクロンのオーダーで形成されるのが望ましい。図４Ａ〜Ｃで示される突出部Ｐｒの線幅は、主配線部ＭＰの１０分の１程度になっているが、突出部Ｐｒの線幅は、主配線部ＭＰの１０分の１よりもさらに太くなってもよいし細くなっても良い。また、突出部Ｐｒは、主配線部ＭＰからほぼ垂直に突出して、数ミクロン〜数十ミクロンの長さを有して形成されるが、主配線部ＭＰの線幅よりも長く形成されても良い。
【００３２】
なお、本実施形態では、図３で示すように、樹脂によって形成された第２の有機絶縁膜ＯＬ２と、窒化シリコンによって形成された第３の無機絶縁膜ＩＬ３とがさらに形成されて、３層の無機絶縁膜と２層の有機絶縁膜によって素子配列領域ＤＰが保護される。第２の有機絶縁膜ＯＬ２は、第２の無機絶縁膜ＩＬ２の上側に形成され、第３の無機絶縁膜ＩＬ３は、第２の無機絶縁膜ＩＬ２の第２の有機絶縁膜ＯＬ２から露出した部分と密着する。第３の無機絶縁膜ＩＬ３と第２の無機絶縁膜ＩＬ２とが密着する領域は、図３で示されるように、第２の無機絶縁膜ＩＬ２と第１の無機絶縁膜ＩＬ１が密着する領域と、少なくとも一部が重複している。第２の有機絶縁膜ＯＬ２は、第１の有機絶縁膜ＯＬ１よりも厚く形成されて、第２の有機絶縁膜ＯＬ２の外周部分は滑らかに傾斜した曲面で形成される。
【００３３】
このように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、第１の無機絶縁膜ＩＬ１と第２の無機絶縁膜ＩＬ２と有機絶縁膜ＯＬ１に加えて、第３の無機絶縁膜ＩＬ３と第２の有機絶縁膜ＯＬ２を有しているが、これにより、密着領域ＳＬの内側がさらに保護されるので望ましい。しかしながら、必ずしも、第３の無機絶縁膜ＩＬ３および第２の有機絶縁膜ＯＬ２を有しておらずともよく、間に有機絶縁膜ＯＬ１を介在させた第１の無機絶縁膜ＩＬ１と第２の無機絶縁膜ＩＬ２とによる密着領域ＳＬにより、その内側が保護されることとなる。
【００３４】
なお、本実施形態では、図３で示すように、第１の無機絶縁膜ＩＬ１の平坦に形成された部分と第２の無機絶縁膜ＩＬ２とが密着して、密着領域ＳＬが形成されている。しかしながら、第１の無機絶縁膜ＩＬ１の表面に、素子配列領域ＤＰや有機絶縁膜ＯＬ１の外周を取り囲む少なくとも１つの溝や土手が形成されても良い。このような溝等が密着領域ＳＬに形成されることにより、有機絶縁膜ＯＬ１の密着領域ＳＬへのはみ出しが抑えられる。また、当該溝は、素子配列領域ＤＰや有機絶縁膜ＯＬ１の外周の一部に沿って形成されても良い。
【００３５】
なお、本実施形態のように、第１の無機絶縁膜ＩＬ１と第２の無機絶縁膜ＩＬ２と第３の無機絶縁膜ＩＬ３は、窒化シリコンで形成されるのが望ましいが、他の材料による無機絶縁膜であっても良いし、互いに異なる無機絶縁膜であってもよい。互いに異なる無機絶縁膜で形成される等の場合であっても、第１の無機絶縁膜ＩＬ１と第２の無機絶縁膜ＩＬ２とが重複する領域で密着されればよい。
【００３６】
なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置であっても良いし、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置であっても良い。
【００３７】
なお、本実施形態における主配線部ＭＰの側方には、複数の突出部Ｐｒが所定の間隔を置いて形成されているが、この間隔は、場所によって異なっていても良い。また、突出部Ｐｒは、主配線部ＭＰの両側面に形成されているが、主配線部ＭＰの２つの側面のうちの一方の側面に形成されてもよい。少なくとも１つの突出部Ｐｒが主配線部ＭＰに形成されることにより、密着領域通過部を介して水分が浸入することが抑制されることとなる。
【００３８】
なお、第１の無機絶縁膜ＩＬ１と第２の無機絶縁膜ＩＬ２の密着領域ＳＬに破損が生じうる衝撃が加わった場合であっても、突出部Ｐｒの存在によって無機絶縁膜の剥離が局所的な範囲に抑えられる。
【００３９】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成、又は同一の目的を達成することができる構成でおきかえることが出来る。
【符号の説明】
【００４０】
１ 有機ＥＬ表示装置、ＧＡ 基板、ＤＰ 素子配列領域、ＩＬ１ 第1の無機絶縁膜、ＯＬ１ 第１の有機絶縁膜、ＩＬ２ 第２の無機絶縁膜、ＯＬ２ 第２の有機絶縁膜、ＩＬ３ 第３の無機絶縁膜、ＤＬ 映像信号線、ＧＬ 走査信号線、ＴＥ 端子部、ＧＤＲ 走査線駆動回路、ＳＬ 密着領域、ＥＳ１ 走査回路電源線、ＥＳ２ カソード電源線ＥＳ２、ＥＳ３ アノード電源線、ＭＰ 主配線部、Ｐｒ 突出部。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＴＦＴ素子が配列された基板と、
前記複数のＴＦＴ素子の上側に形成される第１の無機絶縁膜と、
前記第１の無機絶縁膜の上側に配列される複数の有機ＥＬ素子によって形成される素子配列領域と、
前記素子配列領域内の各画素を隔て、かつ外側を覆う第１の有機絶縁膜と、
前記第１の有機絶縁膜を上側から覆って、かつ、前記第１の無機絶縁膜の前記第１の有機絶縁膜から露出する部分に重複して密着される第２の無機絶縁膜と、
前記第１の無機絶縁膜に埋設される配線と、を有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記配線は、前記第２の無機絶縁膜が密着される密着領域の下側を通過する密着領域通過部を有し、
前記密着領域通過部は、さらに、
主配線部と、
前記主配線部から側方に突出する少なくとも１つの突出部と、を有する、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された有機ＥＬ表示装置であって、
前記配線は、前記複数の有機ＥＬ素子を駆動するための電源を供給する電源線である、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載された有機ＥＬ表示装置であって、
前記主配線部は、少なくとも一カ所で方向を変えて前記密着領域の下側を通過する、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載された有機ＥＬ表示装置であって、
前記主配線部は、コの字型に敷設される部分を有している、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項３に記載された有機ＥＬ表示装置であって、
前記主配線部は、クランク型に敷設される、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
請求項１に記載された有機ＥＬ表示装置であって、
前記密着領域は、前記素子配列領域を取り囲むように形成される、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
請求項１に記載された有機ＥＬ表示装置であって、
第２の無機絶縁膜の上側に形成される第２の有機絶縁膜と、
前記第２の有機絶縁膜を上側から覆って、前記第２の無機絶縁膜の前記第２の有機絶縁膜から露出する部分と密着する第３の無機絶縁膜と、をさらに有し、
前記第１の無機絶縁膜は、前記第１の有機絶縁膜から露出する部分で前記第２の無機絶縁膜と密着し、
前記第３の無機絶縁膜と前記第２の無機絶縁膜とが密着する領域の少なくとも一部は、前記第１の無機絶縁膜と前記第２の無機絶縁膜とが密着する前記密着領域と、重複する、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１】
複数のＴＦＴ素子が配列された基板と、
前記複数のＴＦＴ素子の上側に形成される第１の無機絶縁膜と、
前記第１の無機絶縁膜の上側に配列される複数の有機ＥＬ素子によって形成される素子配列領域と、
前記素子配列領域内の各画素を隔て、かつ外側を覆う第１の有機絶縁膜と、
前記第１の有機絶縁膜を上側から覆って、かつ、前記第１の無機絶縁膜の前記第１の有機絶縁膜から露出する部分に重複して密着される第２の無機絶縁膜と、
前記第１の無機絶縁膜に埋設される配線と、を有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記配線は、前記第２の無機絶縁膜が密着される密着領域の下側を通過する密着領域通過部を有し、
前記密着領域通過部は、さらに、
主配線部と、
前記主配線部から側方に突出する少なくとも１つの突出部と、を有する、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された有機ＥＬ表示装置であって、
前記配線は、前記複数の有機ＥＬ素子を駆動するための電源を供給する電源線である、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載された有機ＥＬ表示装置であって、
前記主配線部は、少なくとも一カ所で方向を変えて前記密着領域の下側を通過する、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載された有機ＥＬ表示装置であって、
前記主配線部は、コの字型に敷設される部分を有している、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項３に記載された有機ＥＬ表示装置であって、
前記主配線部は、クランク型に敷設される、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
請求項１に記載された有機ＥＬ表示装置であって、
前記密着領域は、前記素子配列領域を取り囲むように形成される、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
請求項１に記載された有機ＥＬ表示装置であって、
第２の無機絶縁膜の上側に形成される第２の有機絶縁膜と、
前記第２の有機絶縁膜を上側から覆って、前記第２の無機絶縁膜の前記第２の有機絶縁膜から露出する部分と密着する第３の無機絶縁膜と、をさらに有し、
前記第１の無機絶縁膜は、前記第１の有機絶縁膜から露出する部分で前記第２の無機絶縁膜と密着し、
前記第３の無機絶縁膜と前記第２の無機絶縁膜とが密着する領域の少なくとも一部は、前記第１の無機絶縁膜と前記第２の無機絶縁膜とが密着する前記密着領域と、重複する、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図２】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【公開番号】特開２０１２−９９２９０（Ｐ２０１２−９９２９０Ａ）
【公開日】平成２４年５月２４日（２０１２．５．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２４４７３８（Ｐ２０１０−２４４７３８）
【出願日】平成２２年１０月２９日（２０１０．１０．２９）
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社 日立ディスプレイズ (2,552)
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年５月２４日（２０１２．５．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１０月２９日（２０１０．１０．２９）
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社 日立ディスプレイズ (2,552)
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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