有機ＥＬ装置の製造方法、有機ＥＬ装置、および電子機器
【課題】ダークスポット等の不具合の発生や輝度、寿命低下を抑え信頼性がより高い有機ＥＬ装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】有機ＥＬ装置１００は、基体２０と、基体２０上に配列された画素２と、基体２０上に、画素２毎に配置された陽極２４と、陽極２４上に配置された少なくとも発光層を含む有機機能層３０と、有機機能層３０上に配置された陰極３２と、陰極３２の表面に接して設けられ、少なくとも互いに隣り合う画素２同士の間の領域に配置された補助陰極３４と、を備えている。有機ＥＬ装置１００の製造方法は、蒸着マスク５０を用いた蒸着法により補助陰極３４を形成する工程を有し、補助陰極３４を形成する工程では、蒸着マスク５０は、補助陰極３４を形成する前の基体２０の蒸着マスク５０に対向する面のうち、互いに隣り合う画素２同士の間の領域の一部である部分３２ｂに接触する。
【解決手段】有機ＥＬ装置１００は、基体２０と、基体２０上に配列された画素２と、基体２０上に、画素２毎に配置された陽極２４と、陽極２４上に配置された少なくとも発光層を含む有機機能層３０と、有機機能層３０上に配置された陰極３２と、陰極３２の表面に接して設けられ、少なくとも互いに隣り合う画素２同士の間の領域に配置された補助陰極３４と、を備えている。有機ＥＬ装置１００の製造方法は、蒸着マスク５０を用いた蒸着法により補助陰極３４を形成する工程を有し、補助陰極３４を形成する工程では、蒸着マスク５０は、補助陰極３４を形成する前の基体２０の蒸着マスク５０に対向する面のうち、互いに隣り合う画素２同士の間の領域の一部である部分３２ｂに接触する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置の製造方法、有機ＥＬ装置、および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネセンス装置（以下有機ＥＬ装置と呼ぶ）は、陽極と、少なくとも発光層を含む有機機能層と、陰極とが積層された有機エレクトロルミネセンス素子（以下有機ＥＬ素子と呼ぶ）を有している。有機ＥＬ装置では、発光層で発生した光が陽極側または陰極側へ射出される。有機ＥＬ素子は酸素や水分等で特性が劣化し易いため、有機ＥＬ装置内部に酸素や水分等が浸入するのを防止する目的で、例えば無機材料からなる保護膜等が有機ＥＬ素子上に設けられる。
【０００３】
また、有機ＥＬ装置の輝度や効率を高めるとともに均一な発光を実現するため、陰極の上面または下面に接するように補助陰極を設けて、陰極および補助陰極の延在方向に沿って電流が流れる際の電圧降下を小さくする方法が提案されている（例えば、特許文献１）。補助陰極の形成に適用可能な方法としては、例えば、蒸着マスクを用いて蒸着法により有機機能層等を形成する方法が開示されている（例えば、特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１２３９８８号公報
【特許文献２】特開２００５−１５８５７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、蒸着マスクを用いた蒸着法では、蒸着マスクが基板の表面に接触することにより、基板表面に既に形成されている層が損傷を受けることがある。例えば、補助陰極を形成する際に、基板表面に既に形成されている有機機能層あるいは陰極が損傷を受けると、その表面を覆う保護層が損傷を受けた部分を被覆しきれない場合がある。そこから水分等が侵入すると有機ＥＬ素子が劣化するため、有機ＥＬ装置の輝度や寿命が低下してしまうという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、基体と、前記基体上に配列された画素と、前記基体上に、前記画素毎に配置された第１の電極と、前記第１の電極上に配置された少なくとも発光層を含む有機機能層と、前記有機機能層上に配置された第２の電極と、前記第２の電極の表面に接して設けられ、少なくとも互いに隣り合う前記画素同士の間の領域に配置された補助電極と、を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、蒸着マスクを用いた蒸着法により前記補助電極を形成する工程を有し、前記補助電極を形成する工程では、前記蒸着マスクは、前記補助電極を形成する前の前記基体の前記蒸着マスクに対向する面のうち、互いに隣り合う前記画素同士の間の領域の一部に接触することを特徴とする。
【０００８】
この方法によれば、補助電極を有機機能層上または第２の電極上に形成する工程において、蒸着マスクは、基体の蒸着マスクに対向する面のうち画素同士の間の領域の一部に接触するが、画素の領域を含むその他の領域には接触しない。このため、画素の領域において有機機能層や第２の電極が損傷を受けるリスクを回避できる。これにより、水分等が侵入することによる有機機能層や第２の電極の劣化が抑えられる。この結果、輝度や寿命の低下が少ない有機ＥＬ装置を製造することができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記蒸着マスクが接触する前記一部は、前記補助電極を形成する前の前記基体において、前記蒸着マスクに対向する面の前記一部を除く領域よりも前記蒸着マスク側に張り出していてもよい。
【００１０】
この方法によれば、蒸着マスクが接する一部は、他の部分よりも蒸着マスク側に張り出している。これにより、蒸着マスクがこの張り出した部分以外において基体に接触するのを避けることができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記蒸着マスクは、前記基体に対向する側に張り出した張出し部を有し、前記張出し部が前記基体の前記一部に接触してもよい。
【００１２】
この方法によれば、蒸着マスクの張出し部が基体に接触するので、蒸着マスクの張出し部以外の部分が基体に接触するのを避けることができる。また、蒸着マスクと基体とのクリアランスが張出し部の高さに相当する分だけ大きくなるので、蒸着マスクの基体に対向する面に異物が付着している場合、その異物が基体の表面に接触するリスクを低減できる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記補助電極を形成する工程は、前記蒸着マスクを用いて順に行う第１の成膜工程と第２の成膜工程とを少なくとも含み、前記第１の成膜工程において前記蒸着マスクが接触する前記一部は、前記第２の成膜工程において前記基体上に前記補助電極が成膜される領域に位置しており、前記第２の成膜工程において前記蒸着マスクが接触する前記一部は、前記第１の成膜工程において前記基体上に前記補助電極が成膜された領域に位置していてもよい。
【００１４】
この方法によれば、第１の成膜工程で蒸着マスクが接触することにより有機機能層や第２の電極が損傷を受けた場合でも、第２の成膜工程でこの部分を覆って補助電極が形成される。また、第２の成膜工程で蒸着マスクが接触する部分には、第１の成膜工程で補助電極が形成されている。これにより、蒸着マスクが接触する部分が補助電極により保護されるので、この部分から水分等が侵入することによる有機機能層や第２の電極の損傷の発生を抑えることができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記蒸着マスクが接触する前記一部は、形成される前記補助電極の延在方向と交差する方向において、形成される前記補助電極の略中央部に位置していてもよい。
【００１６】
この方法によれば、蒸着マスクが接触する部分は、補助電極が形成される領域の略中央部に位置している。このため、基体の表面に対する蒸着マスクの相対的位置がずれた場合でも、蒸着マスクが接触する部分を補助電極が形成される領域内とすることができる。
【００１７】
［適用例６］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記第１の成膜工程と前記第２の成膜工程とでは、異なる前記蒸着マスクを用いてもよい。
【００１８】
この方法によれば、異なる蒸着マスクを用いることにより、補助電極を形成できる。
【００１９】
［適用例７］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記第１の成膜工程と前記第２の成膜工程とでは、同一の前記蒸着マスクを用い、前記蒸着マスクの前記基体に対する相対的な位置を異ならせてもよい。
【００２０】
この方法によれば、同一の蒸着マスクの位置を異ならせることにより、補助電極を形成できる。
【００２１】
［適用例８］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記表面に接して前記補助電極が配置された前記第２の電極を覆って形成された保護層をさらに備えていてもよい。
【００２２】
この方法によれば、補助電極が形成された第２の電極の表面をさらに保護層で覆うので、水分等が侵入することによる有機機能層や第２の電極の損傷の発生をより効果的に抑えることができる。
【００２３】
［適用例９］本適用例に係る有機ＥＬ装置は、基体と、前記基体上に配列された画素と、前記基体上に、前記画素毎に配置された第１の電極と、前記第１の電極上に配置された少なくとも発光層を含む有機機能層と、前記有機機能層上に配置された第２の電極と、前記第２の電極の表面に接して設けられ、少なくとも互いに隣り合う前記画素同士の間の領域に配置された補助電極と、を備え、前記補助電極が接する前記基体側の表面のうち互いに隣り合う前記画素同士の間の領域の一部が、前記一部を除く領域よりも張り出していることを特徴とする。
【００２４】
この構成によれば、補助電極を形成する際に、補助電極が形成される基体側の表面のうち互いに隣り合う画素同士の間の領域の一部が他の領域よりも張り出している。このため、補助電極を形成する工程で用いる治具等が、この張り出した部分以外で基体に接触しにくくなるので、画素の領域において有機機能層や第２の電極が損傷を受けるリスクを低減できる。これにより、水分等が侵入することによる有機機能層や第２の電極の劣化が抑えられる。この結果、輝度や寿命の低下が少ない有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００２５】
［適用例１０］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記一部は、蒸着マスクを用いた蒸着法により前記補助電極を形成する際に前記蒸着マスクが接触する部分であってもよい。
【００２６】
この構成によれば、蒸着マスクを用いて有機機能層上または第２の電極上に補助電極を形成する際に、蒸着マスクは、基体の蒸着マスクに対向する面のうち画素同士の間の領域の一部に接触するが、画素の領域を含むその他の領域には接触しない。このため、画素の領域において有機機能層や第２の電極が損傷を受けるリスクを回避できる。
【００２７】
［適用例１１］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記一部は、前記補助電極の延在方向と交差する方向における前記補助電極の略中央部に位置していてもよい。
【００２８】
この構成によれば、蒸着マスクが接触する部分は、補助電極が形成される領域の略中央部に位置している。このため、基体の表面に対する蒸着マスクの相対的位置がずれた場合でも、蒸着マスクが接触する部分を補助電極が形成される領域内とすることができる。
【００２９】
［適用例１２］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする。
【００３０】
この構成によれば、電子機器は上記の有機ＥＬ装置を備えているので、表示部において輝度や寿命の低下が少ない電子機器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的構成を示すブロック図。
【図２】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す平面図。
【図３】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の発光領域の要部を示す平面図。
【図４】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図。
【図５】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明するフローチャート。
【図６】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。
【図７】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。
【図８】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。
【図９】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。
【図１０】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。
【図１１】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。
【図１２】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。
【図１３】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。
【図１４】第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図。
【図１５】第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図。
【図１６】電子機器としての携帯電話機を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下に、本実施の形態について図面を参照して説明する。なお、参照する図面において、構成をわかりやすく示すため、構成要素の層厚や寸法の比率等は適宜異ならせてある。また、それぞれの図面において、説明する構成要素を誇張して示す場合や、説明に必要な構成要素以外は図示を省略する場合がある。
【００３３】
（第１の実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
まず、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成について図を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的構成を示すブロック図である。図２は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す平面図である。図３は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の発光領域の要部を示す平面図である。図４は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。詳しくは、図４（ａ）は図３のＡ−Ａ’線に沿った部分断面図であり、図４（ｂ）は図３のＢ−Ｂ’線に沿った部分断面図である。なお、本明細書では、有機ＥＬ装置の光が射出される側表面の法線方向から見ることを「平面視」とも呼ぶ。
【００３４】
図１に示すように、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００は、スイッチング素子として薄膜トランジスター（Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと呼ぶ）を用いたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置である。有機ＥＬ装置１００は、基板１０と、基板１０上に設けられた走査線１６と、走査線１６に対して交差する方向に延在する信号線１７と、信号線１７に並列に延在する電源線１８とを備えている。有機ＥＬ装置１００において、これら走査線１６と信号線１７とに囲まれた領域に画素２が配置されている。画素２は、例えば、走査線１６の延在方向と信号線１７の延在方向とに沿ってマトリクス状に配列されている。
【００３５】
画素２には、スイッチング用ＴＦＴ１１と、駆動用ＴＦＴ１２と、保持容量１３と、第１の電極としての陽極２４と、有機機能層３０と、第２の電極としての陰極３２と、を備えている。有機機能層３０は、発光層を含んでいる。陽極２４と、有機機能層３０と、陰極３２とによって有機エレクトロルミネセンス素子（有機ＥＬ素子）８が構成される。有機ＥＬ素子８では、陽極２４から注入される正孔と、陰極３２から注入される電子とが、発光層で再結合することにより発光が得られる。
【００３６】
信号線１７には、シフトレジスター、レベルシフター、ビデオライン、およびアナログスイッチを備えたデータ線駆動回路１４が接続されている。また、走査線１６には、シフトレジスターおよびレベルシフターを備えた走査線駆動回路１５が接続されている。
【００３７】
有機ＥＬ装置１００では、走査線１６が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１がオン状態になると、信号線１７を介して供給される画像信号が保持容量１３に保持され、保持容量１３の状態に応じて駆動用ＴＦＴ１２のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２を介して電源線１８に導電接続したとき、電源線１８から陽極２４に駆動電流が流れ、さらに有機機能層３０を通じて陰極３２に電流が流れる。有機機能層３０の発光層は、陽極２４と陰極３２との間に流れる電流量に応じた輝度で発光する。
【００３８】
次に、有機ＥＬ装置１００の概略構成を説明する。図２に示すように、有機ＥＬ装置１００は、基板１０上に、略矩形の平面形状を有する発光領域４を備えている。発光領域４は、有機ＥＬ装置１００において、実質的に発光に寄与する領域である。有機ＥＬ装置１００は、発光領域４の周囲に、実質的に発光に寄与しないダミー領域を備えていてもよい。
【００３９】
発光領域４には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のいずれかの光を射出する画素２が配列されている。発光領域４の周囲には、２つの走査線駆動回路１５と検査回路１９とが配置されている。検査回路１９は、有機ＥＬ装置１００の作動状況を検査するための回路である。基板１０の外周部には、陰極用配線３３が配置されている。
【００４０】
図３に示すように、基板１０上には、格子状の形状を有する隔壁２８が設けられている。隔壁２８は、開口部２８ａを有しており、画素２の領域を区画している。画素２は、例えば、略矩形の平面形状を有している。画素２の矩形形状の４つの角は、丸く形成されていてもよい。画素２は、長辺と短辺とを有している。画素２の短辺に沿った方向が、走査線１６の延在方向である。また、画素２の長辺に沿った方向が、信号線１７の延在方向である。
【００４１】
画素２の長辺に沿った方向において隣り合う画素２同士の間の領域には、補助隔壁２９が設けられている。補助隔壁２９は、例えば、ストライプ状に形成されており、画素２の短辺に沿った方向に延在している。補助隔壁２９の延在方向における幅は、例えば５μｍ以下である。補助隔壁２９は、画素２の長辺に沿った方向において隣り合う画素２同士の間の略中央部に位置している。
【００４２】
また、画素２の長辺に沿った方向において隣り合う画素２同士の間の領域には、補助電極としての補助陰極３４が配置されている。補助陰極３４は、例えば、ストライプ状に形成されており、画素２の短辺に沿った方向に延在している。補助陰極３４の延在方向における幅Ｗ１は、例えば１５μｍ程度である。補助陰極３４は、画素２の長辺に沿った方向において、画素２の配置ピッチと略同一のピッチで配置されている。
【００４３】
画素２は、有機ＥＬ装置１００の表示の最小単位であり、赤色（Ｒ）光を射出する画素２Ｒと、緑色（Ｇ）光を射出する画素２Ｇと、青色（Ｂ）光を射出する画素２Ｂとを有している（以下では、対応する色を区別しない場合には単に画素２とも呼ぶ）。有機ＥＬ装置１００では、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂから一つの画素群６が構成され、それぞれの画素群６において画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのそれぞれの輝度を適宜変えることで、種々の色の表示を行うことができる。
【００４４】
図４（ａ）は、画素２の短辺に沿った方向における断面を示している。図４（ａ）に示すように、有機ＥＬ装置１００は、基板１０上に、駆動用ＴＦＴ１２と、層間絶縁層２２と、平坦化層２６と、陽極２４と、隔壁２８と、補助隔壁２９（図４（ｂ）参照）と、有機機能層３０と、陰極３２と、補助陰極３４（図４（ｂ）参照）と、保護層３６と、カラーフィルター３８と、封止部４０とを備えている。有機ＥＬ装置１００は、有機機能層３０から発した光が封止部４０側に射出されるトップエミッション型である。
【００４５】
基板１０は、有機ＥＬ装置１００がトップエミッション型であることから、透光性材料および不透光性材料のいずれを用いてもよい。透光性材料としては、例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等があげられる。不透光性材料としては、例えば、アルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化等の絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、およびそのフィルム（プラスチックフィルム）等があげられる。基板１０は、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ2）等からなる保護層に覆われていてもよい。
【００４６】
駆動用ＴＦＴ１２は、基板１０上に、画素２に対応して設けられている。駆動用ＴＦＴ１２は、半導体膜１２ａと、ゲート絶縁層２１と、ゲート電極１２ｇと、ドレイン電極１２ｄと、ソース電極１２ｓとを備えている。半導体膜１２ａには、ソース領域と、ドレイン領域と、チャネル領域とが形成されている。半導体膜１２ａは、ゲート絶縁層２１に覆われている。ゲート電極１２ｇは、ゲート絶縁層２１を間に挟んで平面視で半導体膜１２ａのチャネル領域に重なるように位置している。
【００４７】
層間絶縁層２２は、ゲート電極１２ｇとゲート絶縁層２１とを覆っている。ドレイン電極１２ｄは、層間絶縁層２２に設けられたコンタクトホールを介して、半導体膜１２ａのドレイン領域に導電接続されている。ソース電極１２ｓは、同様にコンタクトホールを介して、半導体膜１２ａのソース領域に導電接続されている。なお、層間絶縁層２２とドレイン電極１２ｄとソース電極１２ｓとを覆って、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮ）等からなる保護層が設けられていてもよい。
【００４８】
平坦化層２６は、層間絶縁層２２とドレイン電極１２ｄとソース電極１２ｓとを覆うように形成されている。平坦化層２６は、ドレイン電極１２ｄおよびソース電極１２ｓやその他の配線部による凹凸を反映しないほぼ平坦な表面を有している。平坦化層２６は、例えばアクリル樹脂等からなる。なお、以降の説明では、基板１０と、基板１０上に形成された駆動用ＴＦＴ１２と層間絶縁層２２と平坦化層２６とを含めて基体２０と呼ぶ。
【００４９】
陽極２４は、基体２０上に画素２毎に設けられている。陽極２４は、透光性導電材料からなり、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる。なお、反射性をより高めるために、例えば反射層上に無機絶縁層を間に介して陽極２４が積層された構成であってもよい。陽極２４は、平坦化層２６に設けられたコンタクトホールを介して駆動用ＴＦＴ１２に導電接続されている。
【００５０】
隔壁２８は、基体２０上に形成されている。隔壁２８は開口部２８ａを有しており、画素２の領域を区画している。隔壁２８は、開口部２８ａの周囲に沿って陽極２４の周縁部に所定幅で乗り上げるように形成されている。隔壁２８の厚さは、例えば２μｍ程度である。なお、基体２０と隔壁２８との間に、開口部２８ａよりも一回り小さい開口部を有する無機絶縁層が設けられていてもよい。
【００５１】
有機機能層３０は、隔壁２８と陽極２４との上に配置されている。図示を省略するが、有機機能層３０は、例えば、順に積層された正孔輸送層と発光層と電子輸送層とで構成されている。正孔輸送層は、例えば、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等によって形成されている。発光層は、例えば、アルミノウムキノリノール錯体（Ａｌｑ3）等をホスト材料とし、ルブレン等をドーパントとして形成されている。電子輸送層は、例えば、Ａｌｑ3等によって形成されている。
【００５２】
有機ＥＬ装置１００では、正孔輸送層から注入される正孔と、電子輸送層から注入される電子とが発光層で再結合することにより、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおいて同一色の発光が得られる。有機機能層３０の発光色は、例えば白色である。有機機能層３０は、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおいて同一の膜で形成され、隔壁２８と陽極２４とを覆うように配置されている。
【００５３】
陰極３２は、隔壁２８と有機機能層３０とを覆うように形成されている。陰極３２は、発光領域４（図２参照）よりも広い領域を有しており、基体２０の外周部で陰極用配線３３に導電接続されている。陰極３２は、例えばマグネシウムと銀との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）からなる。陰極３２の材料は、カルシウム、ナトリウム、リチウム、またはこれらの金属化合物等であってもよい。有機ＥＬ装置１００がトップエミッション方式であることから、陰極３２は、透光性が得られる層厚に形成されている。陰極３２の層厚は、例えば１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度である。
【００５４】
保護層３６は、陰極３２と補助陰極３４とを覆うように形成されている。保護層３６は、陰極３２よりも広い領域に形成されている。保護層３６は、有機ＥＬ装置１００の内部に酸素や水分等が浸入するのを防止する役割を果たす。保護層３６は、高密度の膜で構成され、陰極３２と補助陰極３４との表面を良好に被覆していることが望ましい。保護層３６は、無機材料からなり、例えば酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）からなる。
【００５５】
一般に、有機ＥＬ素子は大気中の酸素や水分等により劣化することが知られている。このような劣化は、有機ＥＬ素子の電極や有機機能層の材料が酸素や水分等と反応して酸化あるいは変質することにより生じる。有機ＥＬ素子が劣化すると、例えば暗点やダークスポット等の不具合の発生や輝度低下、寿命低下の原因となる。
【００５６】
ここで、暗点とは、例えば電極間ショート等の電気的な不具合により画素の領域が発光しなくなる状態を指す。また、ダークスポットとは、有機機能層の劣化や剥がれ等により、画素内の一部または複数の画素に跨った部分で発光しなくなる状態を指す。有機ＥＬ装置１００では、大気中の酸素や水分の侵入による有機ＥＬ素子８の劣化を防止するため、保護層３６によって有機ＥＬ素子８を保護している。
【００５７】
保護層３６上には、封止部４０が配置されている。封止部４０は、封止基板４２と接着層４４とを含む。封止基板４２および接着層４４は、外部からの衝撃等から有機ＥＬ素子８を保護する機能を有している。接着層４４は、陰極３２を覆うように形成されており、陰極３２上に封止基板４２を固定させている。接着層４４は、例えば、透光性を有するウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリオレフィン系樹脂等からなる。封止基板４２は、透光性を有するガラス、またはアクリル系樹脂やスチレン系樹脂等の樹脂類からなる。
【００５８】
カラーフィルター３８は、封止基板４２の有機ＥＬ素子８側に設けられている。カラーフィルター３８は、赤色のカラーフィルター３８Ｒと、緑色のカラーフィルター３８Ｇと、青色のカラーフィルター３８Ｂとを有している（以下では、対応する色を区別しない場合には単にカラーフィルター３８とも呼ぶ）。カラーフィルター３８Ｒ，３８Ｇ，３８Ｂは、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応して配置され、平面視で有機ＥＬ素子８に重なるように設けられている。
【００５９】
有機ＥＬ素子８により発せられる光が、カラーフィルター３８Ｒ，３８Ｇ，３８Ｂを透過することで、画素２Ｒ，２Ｇ，２ＢにおいてＲ、Ｇ、Ｂの３つの異なる色の光が射出される。なお、隣り合うカラーフィルター３８Ｒ，３８Ｇ，３８Ｂ同士の間に、遮光層が設けられていてもよい。また、カラーフィルター３８Ｒ，３８Ｇ，３８Ｂの有機ＥＬ素子８側の表面を覆うとともにその表面の凹凸を緩和する平坦化層が設けられていてもよい。
【００６０】
なお、有機ＥＬ装置１００では、有機機能層３０から陰極３２側に発せられた光は、封止部４０側に射出される。また、有機機能層３０から陽極２４側に発せられた光は、例えば陽極２４により反射されて、封止部４０側に射出される。
【００６１】
次に、図４（ｂ）は、画素２の長辺に沿った方向における断面を示している。図４（ｂ）に示すように、補助隔壁２９は、隔壁２８上に設けられている。補助隔壁２９は、画素２の長辺に沿った方向における隔壁２８の略中央部に位置している。したがって、隔壁２８と補助隔壁２９とで構成される積層体において、補助隔壁２９は隔壁２８の上面（有機機能層３０に接する面）から有機機能層３０側に凸状に張り出した部分となっている。補助隔壁２９の厚さは、例えば１００ｎｍ〜２μｍ程度である。
【００６２】
有機機能層３０は、隔壁２８と補助隔壁２９とを覆うように形成されている。また、陰極３２は、有機機能層３０を覆うように形成されている。したがって、有機機能層３０および陰極３２は、隔壁２８の上面から張り出した補助隔壁２９の形状を反映した表面を有している。陰極３２は、平面視で補助隔壁２９に重なり封止部４０側に張り出した張出し部３２ａを有している。したがって、張出し部３２ａは、補助隔壁２９の延在方向に沿って延在している。張出し部３２ａの延在方向における幅Ｗ２は、補助隔壁２９の幅と同じかやや大きく、例えば５μｍ程度である。
【００６３】
補助陰極３４は、陰極３２の封止部４０側の表面に接して設けられている。補助陰極３４は、平面視で隔壁２８と補助隔壁２９とに重なっている。したがって、補助陰極３４は、有機機能層３０および陰極３２と同様に、隔壁２８の上面から張り出した補助隔壁２９の形状を反映した表面を有している。陰極３２の張出し部３２ａは、画素２の長辺に沿った方向において補助陰極３４の略中央部に位置している。補助陰極３４は、その延在方向において発光領域４（図２参照）よりも広い領域を有しており、基体２０の外周部で陰極用配線３３に導電接続されている。
【００６４】
補助陰極３４は、陰極３２の表面に接して設けられることで、陰極３２の延在方向に沿って電流が流れる際の電圧降下を小さくする役割を果たす。これにより、有機ＥＬ装置１００において、発光の輝度や効率が高められるとともにより均一な発光が得られる。補助陰極３４は、例えばアルミニウム（Ａｌ）等の高い導電性を有する金属材料で形成される。補助陰極３４の層厚は、例えば１００ｎｍ〜６００ｎｍ程度である。
【００６５】
保護層３６は、陰極３２と補助陰極３４とを覆うように形成されている。したがって、保護層３６は、陰極３２および補助陰極３４と同様に、隔壁２８の上面から張り出した補助隔壁２９の形状を反映した表面を有している。
【００６６】
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法について図を参照して説明する。図５は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明するフローチャートである。図６から図１３は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図である。詳しくは、図６、図７、および図１３は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造プロセスを示す図である。なお、図６、図７、および図１３では、図の左側に図３のＡ−Ａ’線に沿った断面を示し、図の右側に図３のＢ−Ｂ’線に沿った断面を並べて示す。図８は、補助陰極の形成に用いる蒸着装置の一例の構成を説明する図である。図９および図１０は、補助陰極の形成に用いる蒸着マスクの構成を説明する図である。図１１および図１２は、補助陰極の形成方法を説明する図である。
【００６７】
図５に示すように、有機ＥＬ装置の製造方法は、基体準備工程Ｓ１０と、陽極形成工程Ｓ２０と、隔壁形成工程Ｓ３０と、有機機能層形成工程Ｓ４０と、陰極形成工程Ｓ５０と、補助陰極形成工程Ｓ６０と、保護層形成工程Ｓ７０と、カラーフィルター形成工程Ｓ８０と、封止部形成工程Ｓ９０と、を含んでいる。
【００６８】
基体準備工程Ｓ１０では、基板１０上に駆動用ＴＦＴ１２と層間絶縁層２２と平坦化層２６とを公知の方法で形成し、基体２０を準備する。
【００６９】
次に、陽極形成工程Ｓ２０では、図６（ａ）に示すように、基体２０上に画素２毎に陽極２４を形成する。まず、平坦化層２６を貫通しドレイン電極１２ｄに到達するコンタクトホールを形成する。続いて、スパッタリング法等によりＩＴＯからなる導電性膜を成膜し、フォトリソグラフィ法等によりパターニングすることにより陽極２４が形成される。陽極２４は、コンタクトホールを介してドレイン電極１２ｄに導電接続される。
【００７０】
次に、隔壁形成工程Ｓ３０では、図６（ｂ）に示すように、基体２０上に隔壁２８を形成し、隔壁２８上に補助隔壁２９を形成する。まず、スピンコート法等により、基体２０と陽極２４とを覆うようにアクリル樹脂等からなる隔壁層を形成する。そして、隔壁層をパターニングすることにより画素２の領域を区画する開口部２８ａを形成する。これにより、隔壁２８が形成され、開口部２８ａにおいて陽極２４が露出する。開口部２８ａは、陽極２４の領域よりも一回り小さく形成される。
【００７１】
続いて、上記と同様の方法で、隔壁２８上に補助隔壁２９を形成する。補助隔壁２９は、画素２の長辺に沿った方向において、隔壁２８の略中央部に配置するように形成される。画素２の長辺に沿った方向における補助隔壁２９の幅は、後の陰極形成工程Ｓ５０で形成される陰極３２の張出し部３２ａの幅Ｗ２が所定の値となるように設定される。なお、パターニングを２回行う方法やハーフトーンマスクを用いる方法等により、同一の隔壁層から隔壁２８と補助隔壁２９とを形成してもよい。
【００７２】
次に、有機機能層形成工程Ｓ４０では、図７（ａ）に示すように、陽極２４と隔壁２８と補助隔壁２９とを覆うように有機機能層３０を形成する。例えば真空蒸着法により、白色の発光が得られる材料を用いて、少なくとも発光領域４内に正孔輸送層と発光層と電子輸送層とを順に積層して成膜する。形成された有機機能層３０の表面には、隔壁２８の上面から張り出した補助隔壁２９の形状が反映される。なお、有機ＥＬ装置１００が発光領域４の周囲にダミー領域を備えている場合は、有機機能層３０を発光領域４とダミー領域とに亘って形成してもよい。
【００７３】
次に、陰極形成工程Ｓ５０では、図７（ｂ）に示すように、例えば真空蒸着法により、有機機能層３０を覆うように、Ｍｇ−Ａｇ合金等からなる陰極３２を形成する。これにより、陽極２４と有機機能層３０と陰極３２とで有機ＥＬ素子８が形成される。陰極３２には、隔壁２８の上面から張り出した補助隔壁２９の形状が反映された張出し部３２ａが形成される。
【００７４】
張出し部３２ａの延在方向における幅Ｗ２は、後の補助陰極形成工程Ｓ６０で形成される補助隔壁２９の幅Ｗ１と、補助陰極形成工程Ｓ６０におけるパターニングの位置精度に基づき設定される。例えば、補助陰極３４の幅Ｗ１が１５μｍであり、パターニングの位置精度が±５μｍである場合、張出し部３２ａの幅Ｗ２は５μｍ以内に設定される。張出し部３２ａの幅Ｗ２をこのように設定すれば、補助陰極３４の形成位置が±５μｍの範囲でずれた場合でも、張出し部３２ａは補助陰極３４の形成位置の範囲内に相対的に配置されることになる。
【００７５】
次に、補助陰極形成工程Ｓ６０では、図８に示すように、蒸着装置６０内で２枚の異なる蒸着マスクを用いて真空蒸着法により、陰極３２上に補助陰極３４を形成する。補助陰極形成工程Ｓ６０は、蒸着マスク５０を用いて成膜する第１の成膜工程と、蒸着マスク５４（図１０参照）を用いて成膜する第２の成膜工程とを含む。なお、図８においては、基体２０および蒸着マスク５０の形状の詳細を省略している。
【００７６】
まず、蒸着装置６０を説明する。蒸着装置６０は、保持部６２と蒸発源６４とを備えている。保持部６２は、蒸着装置６０内の上部に設けられている。保持部６２により、蒸着マスク５０と基体２０とが保持される。蒸着マスク５０は、基体２０よりも底部側に配置され、張出し部５２（図９（ｂ）参照）が設けられた側が基体２０に対向するように保持される。基体２０は、蒸着マスク５０よりも上部側に配置され、基体２０（陰極３２）の表面が蒸着マスク５０に対向するように保持される。
【００７７】
蒸発源６４は、蒸着装置６０内の底部に設けられている。蒸発源６４には、補助陰極３４を形成するＡｌ等の材料が収容される。蒸発源６４に収容された補助陰極３４の形成材料は、例えば高周波誘導加熱方式等の加熱手段により加熱されて、蒸着装置６０内の上部に向かって蒸発する。このとき、基体２０（陰極３２）の表面が蒸発源６４に対向するように配置されているので、蒸発源６４から蒸発した補助陰極３４の形成材料は基体２０（陰極３２）の表面に堆積する。これにより、補助陰極３４が所定の膜パターンで成膜される。
【００７８】
次に、図９および図１０を参照して、蒸着マスク５０，５４を説明する。蒸着マスク５０と蒸着マスク５４とは、略同一の外形寸法を有している。図９（ａ）は、蒸着マスク５０を基体２０に対向配置される側、つまり張出し部５２が設けられた側から見た平面図である。図９（ｂ）は、図９（ａ）のＤ−Ｄ’線に沿った断面図である。図１０は、蒸着マスク５４と基体２０とが互いに対向して配置された状態において、図９（ａ）と同様に、蒸着マスク５４を基体２０に対向配置される側から見た平面図である。
【００７９】
図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、蒸着マスク５０は、開口部５１と張出し部５２とを有している。開口部５１は、スリット状の平面形状を有しており、蒸着マスク５０をその厚さ方向に貫通して形成されている。図９（ａ）に示すように、開口部５１は、ストライプ状に配置されており、補助陰極３４の所定の膜パターンの一部に対応している。開口部５１の幅は、補助陰極３４の幅Ｗ１と同じである。換言すれば、開口部５１の幅Ｗ１によって、補助陰極３４の幅が決まる。
【００８０】
開口部５１は、その延在方向に沿って所定のピッチおよび所定の間隔で配置されている。開口部５１の延在方向において隣り合う開口部５１同士の間の間隔Ｇは、開口部５１の延在方向における長さＦよりも小さい。開口部５１の延在方向と交差する方向における開口部５１の配置ピッチは、補助陰極３４の延在方向と交差する方向における配置ピッチに対応している。なお、開口部５１の長さＦおよび隣り合う開口部５１同士の間隔Ｇは、画素２の大きさや配置ピッチ等により適宜設定される。
【００８１】
張出し部５２は、開口部５１の延在方向と交差する方向に延在している。図９（ｂ）に示すように、張出し部５２は、蒸着マスク５０の他の領域から基体２０に対向配置される側に高さＨだけ張り出している。張出し部５２の高さＨは、例えば１μｍ程度である。蒸着マスク５０が基体２０に対向配置されたとき、張出し部５２の表面５２ａが、基体２０から張り出した陰極３２の張出し部３２ａ（図１２（ａ）参照）に接触する。
【００８２】
図１０に示すように、蒸着マスク５４は、開口部５５と張出し部５６とを有している。開口部５５および張出し部５６は、蒸着マスク５０の開口部５１および張出し部５２に対して配置位置が異なっているが、隣り合う開口部５５同士の間の間隔Ｇ、および開口部５５の延在方向における長さＦは同じである。開口部５５の幅は、開口部５１の幅と同様に、補助陰極３４の幅Ｗ１と同じである。
【００８３】
開口部５５の延在方向における配置ピッチは開口部５１の配置ピッチと同じであるが、開口部５１とは略半ピッチずれて配置されている。したがって、蒸着マスク５４を蒸着マスク５０に平面的に重ねた場合、開口部５５の延在方向における両側で、開口部５１に幅Ｊだけ重なることとなる。このとき、Ｊ≒（Ｆ−Ｇ）／２である。張出し部５６は、開口部５５の延在方向と交差する方向に延在している。
【００８４】
蒸着マスク５０，５４は、例えばシリコンからなる。シリコンは、金属に比べて引張り強度が高いので、引張り力に対する蒸着マスク５０，５４の延び量を小さくすることができ、厚さを低減できる。また、蒸着するワークがシリコン基板やガラス基板である場合、蒸着マスク５０，５４とワークとの熱膨張率がほぼ同じになるので、周囲温度の影響をほとんど受けることなく高精度に膜パターンを形成できる。
【００８５】
次に、図１１および図１２を参照して、補助陰極３４の形成方法を説明する。図１１（ａ）は、第１の成膜工程において基体２０に蒸着マスク５０が対向配置された状態を蒸着マスク５０側から見た平面図である。図１１（ｂ）は、第２の成膜工程において基体２０に蒸着マスク５４が対向配置された状態を蒸着マスク５４側から見た平面図である。
【００８６】
なお、図１１（ａ），（ｂ）における基体２０の平面は、図３に示す有機ＥＬ装置１００の平面に対応している。図１１（ａ）における蒸着マスク５０の平面は、図９（ａ）に示す蒸着マスク５０を張出し部５２が設けられていない側から見た平面であり、開口部５１の領域を右下方向の斜線で示している。また、図１１（ｂ）における蒸着マスク５４の平面は、図１０に示す蒸着マスク５４を張出し部５６が設けられていない側から見た平面であり、開口部５５の領域を左下方向の斜線で示している。
【００８７】
図１２（ａ），（ｂ）は、第１の成膜工程において基体２０に蒸着マスク５０が対向配置された状態を示す断面図である。図１２（ａ）における基体２０の断面は、図１１（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿った断面を示しており、図４（ｂ）に示す有機ＥＬ装置１００の断面に対応している。図１２（ａ）における蒸着マスク５０の断面は、図９（ａ）および図１１（ａ）のＥ−Ｅ’線に沿った断面を示している。図１２（ｂ）における基体２０の断面は、図１１（ａ）のＣ−Ｃ’線に沿った断面を示しており、図１２（ｂ）における蒸着マスク５０の断面は、図９（ａ）および図１１（ａ）のＤ−Ｄ’線に沿った断面を示している。なお、図１２（ａ），（ｂ）における基体２０と蒸着マスク５０との位置関係は、図８における基体２０と蒸着マスク５０との位置関係と上下が反転している。
【００８８】
まず、図１１（ａ）に示すように、基体２０に蒸着マスク５０を対向配置して第１の成膜工程を行う。第１の成膜工程では、基体２０（陰極３２）の表面のうち、開口部５１に平面視で重なる領域に補助陰極３４が成膜される。このとき、陰極３２の張出し部３２ａと蒸着マスク５０の張出し部５２とは、平面視で互いに交差する位置関係となる。そして、張出し部３２ａのうち張出し部５２に平面視で重なる部分３２ｂに、張出し部５２の表面５２ａが接触する。なお、この張出し部３２ａにおける一部としての部分３２ｂは、第２の成膜工程において補助陰極３４が成膜される部分である。
【００８９】
ここで、蒸着マスク５０が基体２０の表面に接触することにより、基体２０表面に既に形成されている陰極３２や有機機能層３０が傷や剥がれ等の損傷を受けることがある。陰極３２や有機機能層３０が傷や剥がれ等の損傷を受けると、損傷を受けた部分が画素２同士の間の領域に位置している場合であっても、後の保護層形成工程Ｓ７０で形成される保護層３６が損傷を受けた部分を被覆しきれないと、そこから水分等が侵入して有機ＥＬ素子８が劣化し、暗点やダークスポット等の不具合、輝度低下や寿命低下の原因となる。
【００９０】
本実施形態では、図１２（ａ），（ｂ）に示すように、基体２０（陰極３２）の表面のうち、張出し部３２ａが他の部分よりも蒸着マスク５０側に張り出している。これにより、蒸着マスク５０が基体２０の張出し部３２ａ以外の領域に接触するのを避けることができる。そして、蒸着マスク５０が接触するのは、張出し部３２ａのうちの一部（部分３２ｂ）である。このため、画素２の領域において陰極３２や有機機能層３０が損傷を受けるリスクを回避できるのは勿論のこと、画素２同士の間の領域においても陰極３２や有機機能層３０が損傷を受けるリスクを低減できる。
【００９１】
また、図１２（ｂ）に示すように、蒸着マスク５０の張出し部５２が基体２０に接触するので、蒸着マスク５０と基体２０の張出し部３２ａとの間には張出し部５２の高さＨに相当する間隙ができる。また、基体２０の張出し部３２ａ以外の領域においては、蒸着マスク５０との間のクリアランスが張出し部５２の高さＨに相当する分だけ大きくなる。このため、蒸着マスク５０の基体２０に対向する面に異物が付着している場合でも、その異物が基体２０の表面に接触するのをクリアランスが大きくなった分だけ避けることができる。これにより、基体２０の表面に異物が接触することにより陰極３２や有機機能層３０が損傷を受けるリスクを低減できる。
【００９２】
次に、第１の成膜工程に続いて、図１１（ｂ）に示すように、基体２０に蒸着マスク５４を対向配置して第２の成膜工程を行う。第２の成膜工程では、基体２０（陰極３２）の表面のうち、開口部５５に平面視で重なる領域に補助陰極３４が成膜される。第２の成膜工程においても、第１の成膜工程と同様に、画素２の領域および画素２同士の間の領域において陰極３２や有機機能層３０が損傷を受けるリスクを低減できる。
【００９３】
なお、蒸着マスク５４の開口部５５は蒸着マスク５０の開口部５１に幅Ｊだけ重なる位置関係にあるので、この幅Ｊの範囲では第１の成膜工程および第２の成膜工程において補助陰極３４が成膜される。これにより、補助陰極３４をその延在方向に沿って切れ目のないように形成できる。
【００９４】
ここで、第２の成膜工程において、蒸着マスク５４の張出し部５６が基体２０に接触するのは、第１の成膜工程で成膜された補助陰極３４のうち張出し部３２ａ上に位置する一部（部分３４ｂ）である。したがって、第２の成膜工程では、蒸着マスク５４が接触するこの部分３４ｂにおいて、その下層の陰極３２や有機機能層３０が第１の成膜工程で形成された補助陰極３４により保護される。これにより、蒸着マスク５４が接触することによる陰極３２や有機機能層３０の損傷を抑えることができる。
【００９５】
また、第１の成膜工程で蒸着マスク５０が接触した部分３２ｂには、第２の成膜工程において補助陰極３４が成膜される。したがって、第１の成膜工程で蒸着マスク５０が接触することにより陰極３２や有機機能層３０が損傷を受けた場合でも、この部分３２ｂを補助陰極３４によって覆うことができる。
【００９６】
ここで、図１２（ａ）に示すように、蒸着マスク５０が接触する部分３２ｂは、形成される補助陰極３４の延在方向における幅Ｗ１に対して略中央部に位置している。補助陰極３４の幅Ｗ１は１５μｍ程度であり、部分３２ｂ（張出し部３２ａ）の幅Ｗ２は５μｍ程度である。基体２０に対する蒸着マスク５０の相対的位置のずれが補助陰極３４の延在方向と交差する方向に±５μｍの範囲内であれば、蒸着マスク５０に接触する部分３２ｂの相対的な位置は、補助陰極３４が形成される領域（幅Ｗ１の範囲）内に収まることになる。したがって、基体２０に対する蒸着マスク５０の相対的位置がずれた場合でも、蒸着マスク５０が接触する部分を補助陰極３４が形成される領域内とすることができる。蒸着マスク５４についても同様である。
【００９７】
これにより、基体２０の表面の蒸着マスク５０，５４が接触する部分が補助陰極３４により保護されるとともに、補助陰極３４上に形成される保護層３６の被覆性がより良好になるので、この部分から水分等が侵入することによる陰極３２や有機機能層３０の損傷の発生を抑えることができる。以上の工程により、図１３（ａ）に示すように、補助陰極３４が形成される。
【００９８】
次に、保護層形成工程Ｓ７０では、図１３（ｂ）に示すように、陰極３２と補助陰極３４とを覆うように保護層３６を形成する。例えばイオンプレーティング法により、ＳｉＯＮ等の材料を用いて、陰極３２よりも広い領域に成膜する。
【００９９】
次に、カラーフィルター形成工程Ｓ８０では、図４（ａ），（ｂ）に示すように、封止基板４２上にカラーフィルター３８Ｒ，３８Ｇ，３８Ｂを形成する。図４（ａ），（ｂ）では、有機ＥＬ装置１００が完成した状態を示している。カラーフィルター３８Ｒ，３８Ｇ，３８Ｂは、例えばＲ、Ｇ、Ｂの異なる色の光を透過させるような顔料を含む感光性樹脂を塗布してパターン加工することにより形成する。
【０１００】
なお、互いに隣り合うカラーフィルター３８Ｒ，３８Ｇ，３８Ｂ同士の間に、例えばクロム（Ｃｒ）等からなる遮光層を形成してもよい。また、カラーフィルター３８Ｒ，３８Ｇ，３８Ｂの表面を覆うとともにその表面の凹凸を緩和する平坦化層をさらに形成してもよい。
【０１０１】
次に、封止部形成工程Ｓ９０では、図４（ａ），（ｂ）に示すように、保護層３６上に接着層４４を介して封止基板４２を配置し、封止部４０を形成する。封止基板４２は、カラーフィルター３８Ｒ，３８Ｇ，３８Ｂが有機ＥＬ素子８に対向するように配置される。以上により、有機ＥＬ装置１００が完成する。
【０１０２】
上記第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成および製造方法によれば、以下の効果が得られる。
【０１０３】
（１）基体２０の表面のうち画素２同士の間に位置する張出し部３２ａが他の部分よりも蒸着マスク５０，５４側に張り出している。このため、補助陰極３４を形成する際に、蒸着マスク５０，５４が基体２０の張出し部３２ａ以外の領域に接触するのを避けることができる。これにより、蒸着マスク５０，５４が接触することにより、画素２の領域において陰極３２や有機機能層３０が損傷を受けるリスクを回避できる。
【０１０４】
（２）基体２０の張出し部３２ａにおいても、蒸着マスク５０，５４が一部の領域（部分３２ｂ，３４ｂ）以外に接触するのを避けることができる。これにより、張出し部３２ａにおいても陰極３２や有機機能層３０が損傷を受けるリスクを低減できる。
【０１０５】
（３）蒸着マスク５０，５４と基体２０とのクリアランスを、張出し部５２，５６の高さＨに相当する分だけ大きくできる。このため、蒸着マスク５０，５４の基体２０に対向する面に異物が付着している場合でも、その異物が基体２０の表面に接触するリスクを低減できる。
【０１０６】
（４）第１の成膜工程で蒸着マスク５０が部分３２ｂに接触することにより陰極３２や有機機能層３０が損傷を受けた場合でも、第２の成膜工程でこの部分３２ｂを補助陰極３４によって覆うことができる。第２の成膜工程では、蒸着マスク５４が接触する部分３４ｂが第１の成膜工程で形成された補助陰極３４により保護される。これにより、蒸着マスク５０，５４が接触する部分が補助陰極３４により保護されるとともに、補助陰極３４上に形成される保護層３６の被覆性がより良好になるので、この部分から水分等が侵入することによる陰極３２や有機機能層３０の損傷の発生を抑えることができる。
【０１０７】
（５）蒸着マスク５０，５４が接触する部分３２ｂ，３４ｂは、形成される補助陰極３４の延在方向における幅Ｗ１に対して略中央部に位置している。これにより、基体２０に対する蒸着マスク５０，５４の相対的位置がずれた場合でも、蒸着マスク５０が接触する部分を補助陰極３４が形成される領域内とすることができる。
【０１０８】
以上により、有機ＥＬ素子８における暗点やダークスポット等の不具合の発生や輝度低下、寿命低下が抑えられるので、信頼性がより高い有機ＥＬ装置１００を提供することができる。
【０１０９】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成について図を参照して説明する。図１４は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。図１４は、図３のＢ−Ｂ’線に沿った断面に対応している。
【０１１０】
第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置２００は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００に対して、補助隔壁の代わりに基体にダミーパターンを設けることで基体の張出し部を形成している点が異なっているが、その他の構成はほぼ同じである。第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。
【０１１１】
有機ＥＬ装置２００は、図１４に示すように、基体２０にダミーパターン２３が設けられており、基体２０上に、陽極２４と、隔壁２８と、有機機能層３０と、陰極３２と、補助陰極３４と、保護層３６と、カラーフィルター３８と、封止部４０とを備えている。
【０１１２】
ダミーパターン２３は、図４（ａ）に示すドレイン電極１２ｄやソース電極１２ｓと同様に、層間絶縁層２２上に設けられている。ダミーパターン２３は、平面図での図示を省略するが、補助隔壁２９と同様に、画素２の短辺に沿った方向に延在するストライプ状に形成されており、隣り合う画素２同士の間の略中央部に位置している。ダミーパターン２３は、層間絶縁層２２の上面から平坦化層２６側に凸状に張り出した部分となっている。
【０１１３】
ダミーパターン２３の上層に位置する平坦化層２６と隔壁２８と有機機能層３０と陰極３２と補助陰極３４と保護層３６とは、ダミーパターン２３の形状を反映した表面を有している。これにより、第１の実施形態と同様に、陰極３２に張出し部３２ａが形成される。ダミーパターン２３の幅や厚さは、第１の実施形態における補助隔壁２９と同じ程度である。ただし、上層に位置する平坦化層２６や隔壁２８により、ダミーパターン２３による凸部がある程度緩和されるのを考慮して適宜設定される。
【０１１４】
次に、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法に対して、基体準備工程Ｓ１０においてダミーパターン２３を形成する点と、隔壁形成工程Ｓ３０において補助隔壁２９を形成しない点が異なっているが、その他の構成はほぼ同じである。第１の実施形態と共通する工程については説明を省略する。
【０１１５】
基体準備工程Ｓ１０において、ダミーパターン２３は、例えばドレイン電極１２ｄやソース電極１２ｓを形成する工程と同一の工程で形成される。また、隔壁形成工程Ｓ３０においては、補助隔壁２９を形成する工程が不要となる。したがって、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００の製造方法に比べて、製造工程が１工程少なくなり製造工数が低減される。
【０１１６】
第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置２００の構成および製造方法によれば、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００と同様の効果が得られる。なお、ダミーパターン２３を設ける代わりに、基体２０が備える配線部の引回しパターンを利用する構成としてもよい。
【０１１７】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成について図を参照して説明する。図１５は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。図１５は、図３のＡ−Ａ’線に沿った断面に対応している。
【０１１８】
第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置３００は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００に対して、陽極の下層に反射層を備え、反射層と陰極との間に光共振器を備えている点が異なっているが、その他の構成はほぼ同じである。第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。
【０１１９】
有機ＥＬ装置３００は、図１５に示すように、基体２０上に、反射層２５と、絶縁層２７と、陽極２４と、隔壁２８と、有機機能層３０と、陰極３２と、補助陰極３４（図４（ｂ）参照）と、保護層３６と、カラーフィルター３８と、封止部４０とを備えている。
【０１２０】
反射層２５は、基体２０上に画素２毎に設けられている。反射層２５は、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂから高い輝度の光が射出されるように、高い光反射性を有していることが好ましい。反射層２５は、例えば、銀または銀を含む合金からなる。反射層２５の材料は、アルミニウムまたはアルミニウムを含む合金であってもよい。
【０１２１】
絶縁層２７は、基体２０と反射層２５とを覆っている。絶縁層２７は、無機材料からなり、例えばＳｉＯ2やＳｉＮ等からなる。
【０１２２】
陽極２４は、絶縁層２７上に設けられている。陽極２４は、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応して層厚が異なっている。ここでは、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応させて、陽極２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂと呼ぶこととする。陽極２４Ｇの層厚は陽極２４Ｂの層厚よりも厚く、陽極２４Ｒの層厚は陽極２４Ｇの層厚よりも厚い。
【０１２３】
陰極３２は、光透過性と光反射性とを有している。つまり、陰極３２は、半透過反射性を有するハーフミラー状である。
【０１２４】
有機ＥＬ装置３００では、反射層２５と陰極３２との間に、有機機能層３０で発せられた光を共振させる光共振器が形成されている。有機機能層３０で発せられた光は、反射層２５と陰極３２との間で往復し、その光学的距離Ｌに対応した共振波長の光が増幅されて、陰極３２側に射出される。このため、射出される光の輝度を高めることができるとともに、幅が狭いスペクトルを有する光を取り出すことができる。
【０１２５】
光共振器における共振波長は、反射層２５と陰極３２との間の光学的距離Ｌを変えることによって調整が可能である。有機機能層３０で発せられた光のうち取り出したい光のスペクトルのピーク波長をλとすると、次のような関係式が成り立つ。Φ（ラジアン）は、有機機能層３０で発せられた光が光共振器の両端（例えば、反射層２５と陰極３２と）で反射する際に生じる位相シフトを表す。
（２Ｌ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ（ｍは整数）
【０１２６】
ここでは、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応させて、光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢと呼ぶこととする。有機ＥＬ装置３００では、Ｒ、Ｇ、Ｂの波長の光を射出する画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおいて、光共振器におけるそれぞれの共振波長が所定の波長λとなるように、陽極２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂの層厚を適宜設定することにより光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを調整する構成となっている。
【０１２７】
Ｒ、Ｇ、Ｂの光のうち最も波長が長いのはＲの波長の光であるので、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの中では、画素２Ｒにおける光学的距離ＬＲが最も長く設定される。このため、補助陰極形成工程Ｓ６０にける蒸着マスク５０，５４と基体２０とのクリアランスは、画素２Ｒにおいて最も小さくなる。また、基体２０が備える配線部の引回しパターン等と平面的に重なる部分では、蒸着マスク５０，５４と基体２０とのクリアランスがさらに小さくなる場合があり得る。
【０１２８】
したがって、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置３００では、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００に比べて、蒸着マスク５０，５４と基体２０とのクリアランスが小さくなる画素２Ｒ等において、蒸着マスク５０，５４や蒸着マスク５０，５４に付着した異物が基体２０に接触することにより、陰極３２や有機機能層３０が損傷を受けるリスクが高いといえる。
【０１２９】
第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置３００においても、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００と同様に、基体２０の表面のうち画素２同士の間に位置する張出し部３２ａ（図１２（ａ）参照）を有しており、この張出し部３２ａが他の部分よりも蒸着マスク５０，５４側に張り出している。このため、補助陰極３４を形成する際に、蒸着マスク５０，５４が基体２０の張出し部３２ａ以外の領域に接触するのを避けることができる。これにより、画素２Ｒの領域においても、蒸着マスク５０，５４が接触することにより陰極３２や有機機能層３０が損傷を受けるリスクを回避できる。
【０１３０】
また、蒸着マスク５０，５４は、基体２０に対向する側に張出し部５２，５６（図１２（ｂ）参照）を有している。このため、蒸着マスク５０，５４と基体２０とのクリアランスを、張出し部５２，５６の高さＨに相当する分だけ大きくできるので、蒸着マスク５０，５４の基体２０に対向する面に異物が付着している場合に、画素２Ｒの領域においても、その異物が基体２０の表面に接触するリスクを低減できる。
【０１３１】
なお、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置３００において、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置２００と同様に、ダミーパターン２３を設けることにより基体２０の表面に張出し部３２ａを形成する構成としてもよい。このような構成においても、上記と同様の効果が得られる。
【０１３２】
＜電子機器＞
上述した有機ＥＬ装置１００，２００，３００は、例えば、図１６に示すように、電子機器としての携帯電話機５００に搭載して用いることができる。携帯電話機５００は、表示部５０２に有機ＥＬ装置１００，２００，３００を備えている。この構成により、表示部５０２を有する携帯電話機５００は、輝度や寿命の低下が少なく信頼性が高い。
【０１３３】
また、電子機器は、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオカメラ、カーナビゲーション装置の車載モニター等であってもよい。
【０１３４】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
【０１３５】
（変形例１）
上記実施形態の有機ＥＬ装置は、補助陰極３４が、陰極３２上であって画素２同士の間の領域に、画素２の短辺に沿った方向にストライプ状に形成された構成を有していたが、上記の形態に限定されない。補助陰極３４は、陰極３２の表面に接していれば、有機機能層３０上に形成されていてもよい。このような構成であっても、補助陰極形成工程Ｓ６０において、蒸着マスク５０，５４が接触することにより有機機能層３０が損傷を受けるリスクを低減できる。
【０１３６】
また、補助陰極３４は、画素２同士の間の領域にストライプ状以外の形状で形成されていてもよいし、画素２同士の間の領域だけでなく画素２の領域に形成されていてもよい。このような構成であっても、補助陰極形成工程Ｓ６０において、蒸着マスク５０，５４が一部の領域（部分３２ｂ，３４ｂ）以外に接触するのを避けることができる。
【０１３７】
（変形例２）
上記実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法では、蒸着マスク５０，５４は張出し部５２，５６を有するシリコンマスクであったが、上記の形態に限定されない。蒸着マスクは、張出し部を有していなくてもよい。また、蒸着マスクは、シリコンマスクでなくメタルマスクであってもよい。このような構成の蒸着マスクであっても、補助陰極形成工程Ｓ６０において、蒸着マスクが一部の領域（張出し部３２ａ）以外に接触するのを避けることができる。
【０１３８】
（変形例３）
上記実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法では、補助陰極形成工程Ｓ６０の第１の成膜工程および第２の成膜工程において異なる２つの蒸着マスク５０，５４を成膜に用いたが、上記の形態に限定されない。例えば基体２０に対して蒸着マスクを移動させたり回転させたりする等により、蒸着マスクの基体２０に対する相対的な位置を異ならせることで、第１の成膜工程および第２の成膜工程において同一の蒸着マスクを用いるようにしてもよい。また、補助陰極形成工程Ｓ６０が第２の成膜工程以降の成膜工程をさらに有し、それらの成膜工程において異なる３つ以上の蒸着マスクを用いるようにしてもよい。
【０１３９】
（変形例４）
上記実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法では、有機機能層３０を白色の発光が得られる材料を用いて真空蒸着法により形成したが、上記の形態に限定されない。有機機能層３０を、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応して、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の異なる発光が得られる材料を用いて形成してもよい。また、有機機能層３０を、インクジェット法やスピンコート法等により塗布する方法を適用して形成してもよい。
【０１４０】
（変形例５）
上記実施形態の有機ＥＬ装置では、画素２は、略矩形の平面形状を有していたが、上記の形態に限定されない。画素２は、円形や楕円形等の他の平面形状を有していてもよい。
【符号の説明】
【０１４１】
２…画素、２０…基体、２４…第１の電極としての陽極、３０…有機機能層、３２…第２の電極としての陰極、３２ａ…張出し部、３２ｂ…一部としての部分、３４…補助電極としての補助陰極、３６…保護層、５０，５４…蒸着マスク、５２，５６…張出し部、１００，２００，３００…有機ＥＬ装置、５００…電子機器としての携帯電話機。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置の製造方法、有機ＥＬ装置、および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネセンス装置（以下有機ＥＬ装置と呼ぶ）は、陽極と、少なくとも発光層を含む有機機能層と、陰極とが積層された有機エレクトロルミネセンス素子（以下有機ＥＬ素子と呼ぶ）を有している。有機ＥＬ装置では、発光層で発生した光が陽極側または陰極側へ射出される。有機ＥＬ素子は酸素や水分等で特性が劣化し易いため、有機ＥＬ装置内部に酸素や水分等が浸入するのを防止する目的で、例えば無機材料からなる保護膜等が有機ＥＬ素子上に設けられる。
【０００３】
また、有機ＥＬ装置の輝度や効率を高めるとともに均一な発光を実現するため、陰極の上面または下面に接するように補助陰極を設けて、陰極および補助陰極の延在方向に沿って電流が流れる際の電圧降下を小さくする方法が提案されている（例えば、特許文献１）。補助陰極の形成に適用可能な方法としては、例えば、蒸着マスクを用いて蒸着法により有機機能層等を形成する方法が開示されている（例えば、特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１２３９８８号公報
【特許文献２】特開２００５−１５８５７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、蒸着マスクを用いた蒸着法では、蒸着マスクが基板の表面に接触することにより、基板表面に既に形成されている層が損傷を受けることがある。例えば、補助陰極を形成する際に、基板表面に既に形成されている有機機能層あるいは陰極が損傷を受けると、その表面を覆う保護層が損傷を受けた部分を被覆しきれない場合がある。そこから水分等が侵入すると有機ＥＬ素子が劣化するため、有機ＥＬ装置の輝度や寿命が低下してしまうという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、基体と、前記基体上に配列された画素と、前記基体上に、前記画素毎に配置された第１の電極と、前記第１の電極上に配置された少なくとも発光層を含む有機機能層と、前記有機機能層上に配置された第２の電極と、前記第２の電極の表面に接して設けられ、少なくとも互いに隣り合う前記画素同士の間の領域に配置された補助電極と、を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、蒸着マスクを用いた蒸着法により前記補助電極を形成する工程を有し、前記補助電極を形成する工程では、前記蒸着マスクは、前記補助電極を形成する前の前記基体の前記蒸着マスクに対向する面のうち、互いに隣り合う前記画素同士の間の領域の一部に接触することを特徴とする。
【０００８】
この方法によれば、補助電極を有機機能層上または第２の電極上に形成する工程において、蒸着マスクは、基体の蒸着マスクに対向する面のうち画素同士の間の領域の一部に接触するが、画素の領域を含むその他の領域には接触しない。このため、画素の領域において有機機能層や第２の電極が損傷を受けるリスクを回避できる。これにより、水分等が侵入することによる有機機能層や第２の電極の劣化が抑えられる。この結果、輝度や寿命の低下が少ない有機ＥＬ装置を製造することができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記蒸着マスクが接触する前記一部は、前記補助電極を形成する前の前記基体において、前記蒸着マスクに対向する面の前記一部を除く領域よりも前記蒸着マスク側に張り出していてもよい。
【００１０】
この方法によれば、蒸着マスクが接する一部は、他の部分よりも蒸着マスク側に張り出している。これにより、蒸着マスクがこの張り出した部分以外において基体に接触するのを避けることができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記蒸着マスクは、前記基体に対向する側に張り出した張出し部を有し、前記張出し部が前記基体の前記一部に接触してもよい。
【００１２】
この方法によれば、蒸着マスクの張出し部が基体に接触するので、蒸着マスクの張出し部以外の部分が基体に接触するのを避けることができる。また、蒸着マスクと基体とのクリアランスが張出し部の高さに相当する分だけ大きくなるので、蒸着マスクの基体に対向する面に異物が付着している場合、その異物が基体の表面に接触するリスクを低減できる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記補助電極を形成する工程は、前記蒸着マスクを用いて順に行う第１の成膜工程と第２の成膜工程とを少なくとも含み、前記第１の成膜工程において前記蒸着マスクが接触する前記一部は、前記第２の成膜工程において前記基体上に前記補助電極が成膜される領域に位置しており、前記第２の成膜工程において前記蒸着マスクが接触する前記一部は、前記第１の成膜工程において前記基体上に前記補助電極が成膜された領域に位置していてもよい。
【００１４】
この方法によれば、第１の成膜工程で蒸着マスクが接触することにより有機機能層や第２の電極が損傷を受けた場合でも、第２の成膜工程でこの部分を覆って補助電極が形成される。また、第２の成膜工程で蒸着マスクが接触する部分には、第１の成膜工程で補助電極が形成されている。これにより、蒸着マスクが接触する部分が補助電極により保護されるので、この部分から水分等が侵入することによる有機機能層や第２の電極の損傷の発生を抑えることができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記蒸着マスクが接触する前記一部は、形成される前記補助電極の延在方向と交差する方向において、形成される前記補助電極の略中央部に位置していてもよい。
【００１６】
この方法によれば、蒸着マスクが接触する部分は、補助電極が形成される領域の略中央部に位置している。このため、基体の表面に対する蒸着マスクの相対的位置がずれた場合でも、蒸着マスクが接触する部分を補助電極が形成される領域内とすることができる。
【００１７】
［適用例６］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記第１の成膜工程と前記第２の成膜工程とでは、異なる前記蒸着マスクを用いてもよい。
【００１８】
この方法によれば、異なる蒸着マスクを用いることにより、補助電極を形成できる。
【００１９】
［適用例７］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記第１の成膜工程と前記第２の成膜工程とでは、同一の前記蒸着マスクを用い、前記蒸着マスクの前記基体に対する相対的な位置を異ならせてもよい。
【００２０】
この方法によれば、同一の蒸着マスクの位置を異ならせることにより、補助電極を形成できる。
【００２１】
［適用例８］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記表面に接して前記補助電極が配置された前記第２の電極を覆って形成された保護層をさらに備えていてもよい。
【００２２】
この方法によれば、補助電極が形成された第２の電極の表面をさらに保護層で覆うので、水分等が侵入することによる有機機能層や第２の電極の損傷の発生をより効果的に抑えることができる。
【００２３】
［適用例９］本適用例に係る有機ＥＬ装置は、基体と、前記基体上に配列された画素と、前記基体上に、前記画素毎に配置された第１の電極と、前記第１の電極上に配置された少なくとも発光層を含む有機機能層と、前記有機機能層上に配置された第２の電極と、前記第２の電極の表面に接して設けられ、少なくとも互いに隣り合う前記画素同士の間の領域に配置された補助電極と、を備え、前記補助電極が接する前記基体側の表面のうち互いに隣り合う前記画素同士の間の領域の一部が、前記一部を除く領域よりも張り出していることを特徴とする。
【００２４】
この構成によれば、補助電極を形成する際に、補助電極が形成される基体側の表面のうち互いに隣り合う画素同士の間の領域の一部が他の領域よりも張り出している。このため、補助電極を形成する工程で用いる治具等が、この張り出した部分以外で基体に接触しにくくなるので、画素の領域において有機機能層や第２の電極が損傷を受けるリスクを低減できる。これにより、水分等が侵入することによる有機機能層や第２の電極の劣化が抑えられる。この結果、輝度や寿命の低下が少ない有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００２５】
［適用例１０］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記一部は、蒸着マスクを用いた蒸着法により前記補助電極を形成する際に前記蒸着マスクが接触する部分であってもよい。
【００２６】
この構成によれば、蒸着マスクを用いて有機機能層上または第２の電極上に補助電極を形成する際に、蒸着マスクは、基体の蒸着マスクに対向する面のうち画素同士の間の領域の一部に接触するが、画素の領域を含むその他の領域には接触しない。このため、画素の領域において有機機能層や第２の電極が損傷を受けるリスクを回避できる。
【００２７】
［適用例１１］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記一部は、前記補助電極の延在方向と交差する方向における前記補助電極の略中央部に位置していてもよい。
【００２８】
この構成によれば、蒸着マスクが接触する部分は、補助電極が形成される領域の略中央部に位置している。このため、基体の表面に対する蒸着マスクの相対的位置がずれた場合でも、蒸着マスクが接触する部分を補助電極が形成される領域内とすることができる。
【００２９】
［適用例１２］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする。
【００３０】
この構成によれば、電子機器は上記の有機ＥＬ装置を備えているので、表示部において輝度や寿命の低下が少ない電子機器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的構成を示すブロック図。
【図２】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す平面図。
【図３】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の発光領域の要部を示す平面図。
【図４】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図。
【図５】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明するフローチャート。
【図６】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。
【図７】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。
【図８】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。
【図９】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。
【図１０】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。
【図１１】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。
【図１２】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。
【図１３】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。
【図１４】第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図。
【図１５】第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図。
【図１６】電子機器としての携帯電話機を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下に、本実施の形態について図面を参照して説明する。なお、参照する図面において、構成をわかりやすく示すため、構成要素の層厚や寸法の比率等は適宜異ならせてある。また、それぞれの図面において、説明する構成要素を誇張して示す場合や、説明に必要な構成要素以外は図示を省略する場合がある。
【００３３】
（第１の実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
まず、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成について図を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的構成を示すブロック図である。図２は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す平面図である。図３は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の発光領域の要部を示す平面図である。図４は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。詳しくは、図４（ａ）は図３のＡ−Ａ’線に沿った部分断面図であり、図４（ｂ）は図３のＢ−Ｂ’線に沿った部分断面図である。なお、本明細書では、有機ＥＬ装置の光が射出される側表面の法線方向から見ることを「平面視」とも呼ぶ。
【００３４】
図１に示すように、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００は、スイッチング素子として薄膜トランジスター（Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと呼ぶ）を用いたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置である。有機ＥＬ装置１００は、基板１０と、基板１０上に設けられた走査線１６と、走査線１６に対して交差する方向に延在する信号線１７と、信号線１７に並列に延在する電源線１８とを備えている。有機ＥＬ装置１００において、これら走査線１６と信号線１７とに囲まれた領域に画素２が配置されている。画素２は、例えば、走査線１６の延在方向と信号線１７の延在方向とに沿ってマトリクス状に配列されている。
【００３５】
画素２には、スイッチング用ＴＦＴ１１と、駆動用ＴＦＴ１２と、保持容量１３と、第１の電極としての陽極２４と、有機機能層３０と、第２の電極としての陰極３２と、を備えている。有機機能層３０は、発光層を含んでいる。陽極２４と、有機機能層３０と、陰極３２とによって有機エレクトロルミネセンス素子（有機ＥＬ素子）８が構成される。有機ＥＬ素子８では、陽極２４から注入される正孔と、陰極３２から注入される電子とが、発光層で再結合することにより発光が得られる。
【００３６】
信号線１７には、シフトレジスター、レベルシフター、ビデオライン、およびアナログスイッチを備えたデータ線駆動回路１４が接続されている。また、走査線１６には、シフトレジスターおよびレベルシフターを備えた走査線駆動回路１５が接続されている。
【００３７】
有機ＥＬ装置１００では、走査線１６が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１がオン状態になると、信号線１７を介して供給される画像信号が保持容量１３に保持され、保持容量１３の状態に応じて駆動用ＴＦＴ１２のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２を介して電源線１８に導電接続したとき、電源線１８から陽極２４に駆動電流が流れ、さらに有機機能層３０を通じて陰極３２に電流が流れる。有機機能層３０の発光層は、陽極２４と陰極３２との間に流れる電流量に応じた輝度で発光する。
【００３８】
次に、有機ＥＬ装置１００の概略構成を説明する。図２に示すように、有機ＥＬ装置１００は、基板１０上に、略矩形の平面形状を有する発光領域４を備えている。発光領域４は、有機ＥＬ装置１００において、実質的に発光に寄与する領域である。有機ＥＬ装置１００は、発光領域４の周囲に、実質的に発光に寄与しないダミー領域を備えていてもよい。
【００３９】
発光領域４には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のいずれかの光を射出する画素２が配列されている。発光領域４の周囲には、２つの走査線駆動回路１５と検査回路１９とが配置されている。検査回路１９は、有機ＥＬ装置１００の作動状況を検査するための回路である。基板１０の外周部には、陰極用配線３３が配置されている。
【００４０】
図３に示すように、基板１０上には、格子状の形状を有する隔壁２８が設けられている。隔壁２８は、開口部２８ａを有しており、画素２の領域を区画している。画素２は、例えば、略矩形の平面形状を有している。画素２の矩形形状の４つの角は、丸く形成されていてもよい。画素２は、長辺と短辺とを有している。画素２の短辺に沿った方向が、走査線１６の延在方向である。また、画素２の長辺に沿った方向が、信号線１７の延在方向である。
【００４１】
画素２の長辺に沿った方向において隣り合う画素２同士の間の領域には、補助隔壁２９が設けられている。補助隔壁２９は、例えば、ストライプ状に形成されており、画素２の短辺に沿った方向に延在している。補助隔壁２９の延在方向における幅は、例えば５μｍ以下である。補助隔壁２９は、画素２の長辺に沿った方向において隣り合う画素２同士の間の略中央部に位置している。
【００４２】
また、画素２の長辺に沿った方向において隣り合う画素２同士の間の領域には、補助電極としての補助陰極３４が配置されている。補助陰極３４は、例えば、ストライプ状に形成されており、画素２の短辺に沿った方向に延在している。補助陰極３４の延在方向における幅Ｗ１は、例えば１５μｍ程度である。補助陰極３４は、画素２の長辺に沿った方向において、画素２の配置ピッチと略同一のピッチで配置されている。
【００４３】
画素２は、有機ＥＬ装置１００の表示の最小単位であり、赤色（Ｒ）光を射出する画素２Ｒと、緑色（Ｇ）光を射出する画素２Ｇと、青色（Ｂ）光を射出する画素２Ｂとを有している（以下では、対応する色を区別しない場合には単に画素２とも呼ぶ）。有機ＥＬ装置１００では、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂから一つの画素群６が構成され、それぞれの画素群６において画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのそれぞれの輝度を適宜変えることで、種々の色の表示を行うことができる。
【００４４】
図４（ａ）は、画素２の短辺に沿った方向における断面を示している。図４（ａ）に示すように、有機ＥＬ装置１００は、基板１０上に、駆動用ＴＦＴ１２と、層間絶縁層２２と、平坦化層２６と、陽極２４と、隔壁２８と、補助隔壁２９（図４（ｂ）参照）と、有機機能層３０と、陰極３２と、補助陰極３４（図４（ｂ）参照）と、保護層３６と、カラーフィルター３８と、封止部４０とを備えている。有機ＥＬ装置１００は、有機機能層３０から発した光が封止部４０側に射出されるトップエミッション型である。
【００４５】
基板１０は、有機ＥＬ装置１００がトップエミッション型であることから、透光性材料および不透光性材料のいずれを用いてもよい。透光性材料としては、例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等があげられる。不透光性材料としては、例えば、アルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化等の絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、およびそのフィルム（プラスチックフィルム）等があげられる。基板１０は、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ2）等からなる保護層に覆われていてもよい。
【００４６】
駆動用ＴＦＴ１２は、基板１０上に、画素２に対応して設けられている。駆動用ＴＦＴ１２は、半導体膜１２ａと、ゲート絶縁層２１と、ゲート電極１２ｇと、ドレイン電極１２ｄと、ソース電極１２ｓとを備えている。半導体膜１２ａには、ソース領域と、ドレイン領域と、チャネル領域とが形成されている。半導体膜１２ａは、ゲート絶縁層２１に覆われている。ゲート電極１２ｇは、ゲート絶縁層２１を間に挟んで平面視で半導体膜１２ａのチャネル領域に重なるように位置している。
【００４７】
層間絶縁層２２は、ゲート電極１２ｇとゲート絶縁層２１とを覆っている。ドレイン電極１２ｄは、層間絶縁層２２に設けられたコンタクトホールを介して、半導体膜１２ａのドレイン領域に導電接続されている。ソース電極１２ｓは、同様にコンタクトホールを介して、半導体膜１２ａのソース領域に導電接続されている。なお、層間絶縁層２２とドレイン電極１２ｄとソース電極１２ｓとを覆って、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮ）等からなる保護層が設けられていてもよい。
【００４８】
平坦化層２６は、層間絶縁層２２とドレイン電極１２ｄとソース電極１２ｓとを覆うように形成されている。平坦化層２６は、ドレイン電極１２ｄおよびソース電極１２ｓやその他の配線部による凹凸を反映しないほぼ平坦な表面を有している。平坦化層２６は、例えばアクリル樹脂等からなる。なお、以降の説明では、基板１０と、基板１０上に形成された駆動用ＴＦＴ１２と層間絶縁層２２と平坦化層２６とを含めて基体２０と呼ぶ。
【００４９】
陽極２４は、基体２０上に画素２毎に設けられている。陽極２４は、透光性導電材料からなり、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる。なお、反射性をより高めるために、例えば反射層上に無機絶縁層を間に介して陽極２４が積層された構成であってもよい。陽極２４は、平坦化層２６に設けられたコンタクトホールを介して駆動用ＴＦＴ１２に導電接続されている。
【００５０】
隔壁２８は、基体２０上に形成されている。隔壁２８は開口部２８ａを有しており、画素２の領域を区画している。隔壁２８は、開口部２８ａの周囲に沿って陽極２４の周縁部に所定幅で乗り上げるように形成されている。隔壁２８の厚さは、例えば２μｍ程度である。なお、基体２０と隔壁２８との間に、開口部２８ａよりも一回り小さい開口部を有する無機絶縁層が設けられていてもよい。
【００５１】
有機機能層３０は、隔壁２８と陽極２４との上に配置されている。図示を省略するが、有機機能層３０は、例えば、順に積層された正孔輸送層と発光層と電子輸送層とで構成されている。正孔輸送層は、例えば、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等によって形成されている。発光層は、例えば、アルミノウムキノリノール錯体（Ａｌｑ3）等をホスト材料とし、ルブレン等をドーパントとして形成されている。電子輸送層は、例えば、Ａｌｑ3等によって形成されている。
【００５２】
有機ＥＬ装置１００では、正孔輸送層から注入される正孔と、電子輸送層から注入される電子とが発光層で再結合することにより、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおいて同一色の発光が得られる。有機機能層３０の発光色は、例えば白色である。有機機能層３０は、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおいて同一の膜で形成され、隔壁２８と陽極２４とを覆うように配置されている。
【００５３】
陰極３２は、隔壁２８と有機機能層３０とを覆うように形成されている。陰極３２は、発光領域４（図２参照）よりも広い領域を有しており、基体２０の外周部で陰極用配線３３に導電接続されている。陰極３２は、例えばマグネシウムと銀との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）からなる。陰極３２の材料は、カルシウム、ナトリウム、リチウム、またはこれらの金属化合物等であってもよい。有機ＥＬ装置１００がトップエミッション方式であることから、陰極３２は、透光性が得られる層厚に形成されている。陰極３２の層厚は、例えば１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度である。
【００５４】
保護層３６は、陰極３２と補助陰極３４とを覆うように形成されている。保護層３６は、陰極３２よりも広い領域に形成されている。保護層３６は、有機ＥＬ装置１００の内部に酸素や水分等が浸入するのを防止する役割を果たす。保護層３６は、高密度の膜で構成され、陰極３２と補助陰極３４との表面を良好に被覆していることが望ましい。保護層３６は、無機材料からなり、例えば酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）からなる。
【００５５】
一般に、有機ＥＬ素子は大気中の酸素や水分等により劣化することが知られている。このような劣化は、有機ＥＬ素子の電極や有機機能層の材料が酸素や水分等と反応して酸化あるいは変質することにより生じる。有機ＥＬ素子が劣化すると、例えば暗点やダークスポット等の不具合の発生や輝度低下、寿命低下の原因となる。
【００５６】
ここで、暗点とは、例えば電極間ショート等の電気的な不具合により画素の領域が発光しなくなる状態を指す。また、ダークスポットとは、有機機能層の劣化や剥がれ等により、画素内の一部または複数の画素に跨った部分で発光しなくなる状態を指す。有機ＥＬ装置１００では、大気中の酸素や水分の侵入による有機ＥＬ素子８の劣化を防止するため、保護層３６によって有機ＥＬ素子８を保護している。
【００５７】
保護層３６上には、封止部４０が配置されている。封止部４０は、封止基板４２と接着層４４とを含む。封止基板４２および接着層４４は、外部からの衝撃等から有機ＥＬ素子８を保護する機能を有している。接着層４４は、陰極３２を覆うように形成されており、陰極３２上に封止基板４２を固定させている。接着層４４は、例えば、透光性を有するウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリオレフィン系樹脂等からなる。封止基板４２は、透光性を有するガラス、またはアクリル系樹脂やスチレン系樹脂等の樹脂類からなる。
【００５８】
カラーフィルター３８は、封止基板４２の有機ＥＬ素子８側に設けられている。カラーフィルター３８は、赤色のカラーフィルター３８Ｒと、緑色のカラーフィルター３８Ｇと、青色のカラーフィルター３８Ｂとを有している（以下では、対応する色を区別しない場合には単にカラーフィルター３８とも呼ぶ）。カラーフィルター３８Ｒ，３８Ｇ，３８Ｂは、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応して配置され、平面視で有機ＥＬ素子８に重なるように設けられている。
【００５９】
有機ＥＬ素子８により発せられる光が、カラーフィルター３８Ｒ，３８Ｇ，３８Ｂを透過することで、画素２Ｒ，２Ｇ，２ＢにおいてＲ、Ｇ、Ｂの３つの異なる色の光が射出される。なお、隣り合うカラーフィルター３８Ｒ，３８Ｇ，３８Ｂ同士の間に、遮光層が設けられていてもよい。また、カラーフィルター３８Ｒ，３８Ｇ，３８Ｂの有機ＥＬ素子８側の表面を覆うとともにその表面の凹凸を緩和する平坦化層が設けられていてもよい。
【００６０】
なお、有機ＥＬ装置１００では、有機機能層３０から陰極３２側に発せられた光は、封止部４０側に射出される。また、有機機能層３０から陽極２４側に発せられた光は、例えば陽極２４により反射されて、封止部４０側に射出される。
【００６１】
次に、図４（ｂ）は、画素２の長辺に沿った方向における断面を示している。図４（ｂ）に示すように、補助隔壁２９は、隔壁２８上に設けられている。補助隔壁２９は、画素２の長辺に沿った方向における隔壁２８の略中央部に位置している。したがって、隔壁２８と補助隔壁２９とで構成される積層体において、補助隔壁２９は隔壁２８の上面（有機機能層３０に接する面）から有機機能層３０側に凸状に張り出した部分となっている。補助隔壁２９の厚さは、例えば１００ｎｍ〜２μｍ程度である。
【００６２】
有機機能層３０は、隔壁２８と補助隔壁２９とを覆うように形成されている。また、陰極３２は、有機機能層３０を覆うように形成されている。したがって、有機機能層３０および陰極３２は、隔壁２８の上面から張り出した補助隔壁２９の形状を反映した表面を有している。陰極３２は、平面視で補助隔壁２９に重なり封止部４０側に張り出した張出し部３２ａを有している。したがって、張出し部３２ａは、補助隔壁２９の延在方向に沿って延在している。張出し部３２ａの延在方向における幅Ｗ２は、補助隔壁２９の幅と同じかやや大きく、例えば５μｍ程度である。
【００６３】
補助陰極３４は、陰極３２の封止部４０側の表面に接して設けられている。補助陰極３４は、平面視で隔壁２８と補助隔壁２９とに重なっている。したがって、補助陰極３４は、有機機能層３０および陰極３２と同様に、隔壁２８の上面から張り出した補助隔壁２９の形状を反映した表面を有している。陰極３２の張出し部３２ａは、画素２の長辺に沿った方向において補助陰極３４の略中央部に位置している。補助陰極３４は、その延在方向において発光領域４（図２参照）よりも広い領域を有しており、基体２０の外周部で陰極用配線３３に導電接続されている。
【００６４】
補助陰極３４は、陰極３２の表面に接して設けられることで、陰極３２の延在方向に沿って電流が流れる際の電圧降下を小さくする役割を果たす。これにより、有機ＥＬ装置１００において、発光の輝度や効率が高められるとともにより均一な発光が得られる。補助陰極３４は、例えばアルミニウム（Ａｌ）等の高い導電性を有する金属材料で形成される。補助陰極３４の層厚は、例えば１００ｎｍ〜６００ｎｍ程度である。
【００６５】
保護層３６は、陰極３２と補助陰極３４とを覆うように形成されている。したがって、保護層３６は、陰極３２および補助陰極３４と同様に、隔壁２８の上面から張り出した補助隔壁２９の形状を反映した表面を有している。
【００６６】
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法について図を参照して説明する。図５は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明するフローチャートである。図６から図１３は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図である。詳しくは、図６、図７、および図１３は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造プロセスを示す図である。なお、図６、図７、および図１３では、図の左側に図３のＡ−Ａ’線に沿った断面を示し、図の右側に図３のＢ−Ｂ’線に沿った断面を並べて示す。図８は、補助陰極の形成に用いる蒸着装置の一例の構成を説明する図である。図９および図１０は、補助陰極の形成に用いる蒸着マスクの構成を説明する図である。図１１および図１２は、補助陰極の形成方法を説明する図である。
【００６７】
図５に示すように、有機ＥＬ装置の製造方法は、基体準備工程Ｓ１０と、陽極形成工程Ｓ２０と、隔壁形成工程Ｓ３０と、有機機能層形成工程Ｓ４０と、陰極形成工程Ｓ５０と、補助陰極形成工程Ｓ６０と、保護層形成工程Ｓ７０と、カラーフィルター形成工程Ｓ８０と、封止部形成工程Ｓ９０と、を含んでいる。
【００６８】
基体準備工程Ｓ１０では、基板１０上に駆動用ＴＦＴ１２と層間絶縁層２２と平坦化層２６とを公知の方法で形成し、基体２０を準備する。
【００６９】
次に、陽極形成工程Ｓ２０では、図６（ａ）に示すように、基体２０上に画素２毎に陽極２４を形成する。まず、平坦化層２６を貫通しドレイン電極１２ｄに到達するコンタクトホールを形成する。続いて、スパッタリング法等によりＩＴＯからなる導電性膜を成膜し、フォトリソグラフィ法等によりパターニングすることにより陽極２４が形成される。陽極２４は、コンタクトホールを介してドレイン電極１２ｄに導電接続される。
【００７０】
次に、隔壁形成工程Ｓ３０では、図６（ｂ）に示すように、基体２０上に隔壁２８を形成し、隔壁２８上に補助隔壁２９を形成する。まず、スピンコート法等により、基体２０と陽極２４とを覆うようにアクリル樹脂等からなる隔壁層を形成する。そして、隔壁層をパターニングすることにより画素２の領域を区画する開口部２８ａを形成する。これにより、隔壁２８が形成され、開口部２８ａにおいて陽極２４が露出する。開口部２８ａは、陽極２４の領域よりも一回り小さく形成される。
【００７１】
続いて、上記と同様の方法で、隔壁２８上に補助隔壁２９を形成する。補助隔壁２９は、画素２の長辺に沿った方向において、隔壁２８の略中央部に配置するように形成される。画素２の長辺に沿った方向における補助隔壁２９の幅は、後の陰極形成工程Ｓ５０で形成される陰極３２の張出し部３２ａの幅Ｗ２が所定の値となるように設定される。なお、パターニングを２回行う方法やハーフトーンマスクを用いる方法等により、同一の隔壁層から隔壁２８と補助隔壁２９とを形成してもよい。
【００７２】
次に、有機機能層形成工程Ｓ４０では、図７（ａ）に示すように、陽極２４と隔壁２８と補助隔壁２９とを覆うように有機機能層３０を形成する。例えば真空蒸着法により、白色の発光が得られる材料を用いて、少なくとも発光領域４内に正孔輸送層と発光層と電子輸送層とを順に積層して成膜する。形成された有機機能層３０の表面には、隔壁２８の上面から張り出した補助隔壁２９の形状が反映される。なお、有機ＥＬ装置１００が発光領域４の周囲にダミー領域を備えている場合は、有機機能層３０を発光領域４とダミー領域とに亘って形成してもよい。
【００７３】
次に、陰極形成工程Ｓ５０では、図７（ｂ）に示すように、例えば真空蒸着法により、有機機能層３０を覆うように、Ｍｇ−Ａｇ合金等からなる陰極３２を形成する。これにより、陽極２４と有機機能層３０と陰極３２とで有機ＥＬ素子８が形成される。陰極３２には、隔壁２８の上面から張り出した補助隔壁２９の形状が反映された張出し部３２ａが形成される。
【００７４】
張出し部３２ａの延在方向における幅Ｗ２は、後の補助陰極形成工程Ｓ６０で形成される補助隔壁２９の幅Ｗ１と、補助陰極形成工程Ｓ６０におけるパターニングの位置精度に基づき設定される。例えば、補助陰極３４の幅Ｗ１が１５μｍであり、パターニングの位置精度が±５μｍである場合、張出し部３２ａの幅Ｗ２は５μｍ以内に設定される。張出し部３２ａの幅Ｗ２をこのように設定すれば、補助陰極３４の形成位置が±５μｍの範囲でずれた場合でも、張出し部３２ａは補助陰極３４の形成位置の範囲内に相対的に配置されることになる。
【００７５】
次に、補助陰極形成工程Ｓ６０では、図８に示すように、蒸着装置６０内で２枚の異なる蒸着マスクを用いて真空蒸着法により、陰極３２上に補助陰極３４を形成する。補助陰極形成工程Ｓ６０は、蒸着マスク５０を用いて成膜する第１の成膜工程と、蒸着マスク５４（図１０参照）を用いて成膜する第２の成膜工程とを含む。なお、図８においては、基体２０および蒸着マスク５０の形状の詳細を省略している。
【００７６】
まず、蒸着装置６０を説明する。蒸着装置６０は、保持部６２と蒸発源６４とを備えている。保持部６２は、蒸着装置６０内の上部に設けられている。保持部６２により、蒸着マスク５０と基体２０とが保持される。蒸着マスク５０は、基体２０よりも底部側に配置され、張出し部５２（図９（ｂ）参照）が設けられた側が基体２０に対向するように保持される。基体２０は、蒸着マスク５０よりも上部側に配置され、基体２０（陰極３２）の表面が蒸着マスク５０に対向するように保持される。
【００７７】
蒸発源６４は、蒸着装置６０内の底部に設けられている。蒸発源６４には、補助陰極３４を形成するＡｌ等の材料が収容される。蒸発源６４に収容された補助陰極３４の形成材料は、例えば高周波誘導加熱方式等の加熱手段により加熱されて、蒸着装置６０内の上部に向かって蒸発する。このとき、基体２０（陰極３２）の表面が蒸発源６４に対向するように配置されているので、蒸発源６４から蒸発した補助陰極３４の形成材料は基体２０（陰極３２）の表面に堆積する。これにより、補助陰極３４が所定の膜パターンで成膜される。
【００７８】
次に、図９および図１０を参照して、蒸着マスク５０，５４を説明する。蒸着マスク５０と蒸着マスク５４とは、略同一の外形寸法を有している。図９（ａ）は、蒸着マスク５０を基体２０に対向配置される側、つまり張出し部５２が設けられた側から見た平面図である。図９（ｂ）は、図９（ａ）のＤ−Ｄ’線に沿った断面図である。図１０は、蒸着マスク５４と基体２０とが互いに対向して配置された状態において、図９（ａ）と同様に、蒸着マスク５４を基体２０に対向配置される側から見た平面図である。
【００７９】
図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、蒸着マスク５０は、開口部５１と張出し部５２とを有している。開口部５１は、スリット状の平面形状を有しており、蒸着マスク５０をその厚さ方向に貫通して形成されている。図９（ａ）に示すように、開口部５１は、ストライプ状に配置されており、補助陰極３４の所定の膜パターンの一部に対応している。開口部５１の幅は、補助陰極３４の幅Ｗ１と同じである。換言すれば、開口部５１の幅Ｗ１によって、補助陰極３４の幅が決まる。
【００８０】
開口部５１は、その延在方向に沿って所定のピッチおよび所定の間隔で配置されている。開口部５１の延在方向において隣り合う開口部５１同士の間の間隔Ｇは、開口部５１の延在方向における長さＦよりも小さい。開口部５１の延在方向と交差する方向における開口部５１の配置ピッチは、補助陰極３４の延在方向と交差する方向における配置ピッチに対応している。なお、開口部５１の長さＦおよび隣り合う開口部５１同士の間隔Ｇは、画素２の大きさや配置ピッチ等により適宜設定される。
【００８１】
張出し部５２は、開口部５１の延在方向と交差する方向に延在している。図９（ｂ）に示すように、張出し部５２は、蒸着マスク５０の他の領域から基体２０に対向配置される側に高さＨだけ張り出している。張出し部５２の高さＨは、例えば１μｍ程度である。蒸着マスク５０が基体２０に対向配置されたとき、張出し部５２の表面５２ａが、基体２０から張り出した陰極３２の張出し部３２ａ（図１２（ａ）参照）に接触する。
【００８２】
図１０に示すように、蒸着マスク５４は、開口部５５と張出し部５６とを有している。開口部５５および張出し部５６は、蒸着マスク５０の開口部５１および張出し部５２に対して配置位置が異なっているが、隣り合う開口部５５同士の間の間隔Ｇ、および開口部５５の延在方向における長さＦは同じである。開口部５５の幅は、開口部５１の幅と同様に、補助陰極３４の幅Ｗ１と同じである。
【００８３】
開口部５５の延在方向における配置ピッチは開口部５１の配置ピッチと同じであるが、開口部５１とは略半ピッチずれて配置されている。したがって、蒸着マスク５４を蒸着マスク５０に平面的に重ねた場合、開口部５５の延在方向における両側で、開口部５１に幅Ｊだけ重なることとなる。このとき、Ｊ≒（Ｆ−Ｇ）／２である。張出し部５６は、開口部５５の延在方向と交差する方向に延在している。
【００８４】
蒸着マスク５０，５４は、例えばシリコンからなる。シリコンは、金属に比べて引張り強度が高いので、引張り力に対する蒸着マスク５０，５４の延び量を小さくすることができ、厚さを低減できる。また、蒸着するワークがシリコン基板やガラス基板である場合、蒸着マスク５０，５４とワークとの熱膨張率がほぼ同じになるので、周囲温度の影響をほとんど受けることなく高精度に膜パターンを形成できる。
【００８５】
次に、図１１および図１２を参照して、補助陰極３４の形成方法を説明する。図１１（ａ）は、第１の成膜工程において基体２０に蒸着マスク５０が対向配置された状態を蒸着マスク５０側から見た平面図である。図１１（ｂ）は、第２の成膜工程において基体２０に蒸着マスク５４が対向配置された状態を蒸着マスク５４側から見た平面図である。
【００８６】
なお、図１１（ａ），（ｂ）における基体２０の平面は、図３に示す有機ＥＬ装置１００の平面に対応している。図１１（ａ）における蒸着マスク５０の平面は、図９（ａ）に示す蒸着マスク５０を張出し部５２が設けられていない側から見た平面であり、開口部５１の領域を右下方向の斜線で示している。また、図１１（ｂ）における蒸着マスク５４の平面は、図１０に示す蒸着マスク５４を張出し部５６が設けられていない側から見た平面であり、開口部５５の領域を左下方向の斜線で示している。
【００８７】
図１２（ａ），（ｂ）は、第１の成膜工程において基体２０に蒸着マスク５０が対向配置された状態を示す断面図である。図１２（ａ）における基体２０の断面は、図１１（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿った断面を示しており、図４（ｂ）に示す有機ＥＬ装置１００の断面に対応している。図１２（ａ）における蒸着マスク５０の断面は、図９（ａ）および図１１（ａ）のＥ−Ｅ’線に沿った断面を示している。図１２（ｂ）における基体２０の断面は、図１１（ａ）のＣ−Ｃ’線に沿った断面を示しており、図１２（ｂ）における蒸着マスク５０の断面は、図９（ａ）および図１１（ａ）のＤ−Ｄ’線に沿った断面を示している。なお、図１２（ａ），（ｂ）における基体２０と蒸着マスク５０との位置関係は、図８における基体２０と蒸着マスク５０との位置関係と上下が反転している。
【００８８】
まず、図１１（ａ）に示すように、基体２０に蒸着マスク５０を対向配置して第１の成膜工程を行う。第１の成膜工程では、基体２０（陰極３２）の表面のうち、開口部５１に平面視で重なる領域に補助陰極３４が成膜される。このとき、陰極３２の張出し部３２ａと蒸着マスク５０の張出し部５２とは、平面視で互いに交差する位置関係となる。そして、張出し部３２ａのうち張出し部５２に平面視で重なる部分３２ｂに、張出し部５２の表面５２ａが接触する。なお、この張出し部３２ａにおける一部としての部分３２ｂは、第２の成膜工程において補助陰極３４が成膜される部分である。
【００８９】
ここで、蒸着マスク５０が基体２０の表面に接触することにより、基体２０表面に既に形成されている陰極３２や有機機能層３０が傷や剥がれ等の損傷を受けることがある。陰極３２や有機機能層３０が傷や剥がれ等の損傷を受けると、損傷を受けた部分が画素２同士の間の領域に位置している場合であっても、後の保護層形成工程Ｓ７０で形成される保護層３６が損傷を受けた部分を被覆しきれないと、そこから水分等が侵入して有機ＥＬ素子８が劣化し、暗点やダークスポット等の不具合、輝度低下や寿命低下の原因となる。
【００９０】
本実施形態では、図１２（ａ），（ｂ）に示すように、基体２０（陰極３２）の表面のうち、張出し部３２ａが他の部分よりも蒸着マスク５０側に張り出している。これにより、蒸着マスク５０が基体２０の張出し部３２ａ以外の領域に接触するのを避けることができる。そして、蒸着マスク５０が接触するのは、張出し部３２ａのうちの一部（部分３２ｂ）である。このため、画素２の領域において陰極３２や有機機能層３０が損傷を受けるリスクを回避できるのは勿論のこと、画素２同士の間の領域においても陰極３２や有機機能層３０が損傷を受けるリスクを低減できる。
【００９１】
また、図１２（ｂ）に示すように、蒸着マスク５０の張出し部５２が基体２０に接触するので、蒸着マスク５０と基体２０の張出し部３２ａとの間には張出し部５２の高さＨに相当する間隙ができる。また、基体２０の張出し部３２ａ以外の領域においては、蒸着マスク５０との間のクリアランスが張出し部５２の高さＨに相当する分だけ大きくなる。このため、蒸着マスク５０の基体２０に対向する面に異物が付着している場合でも、その異物が基体２０の表面に接触するのをクリアランスが大きくなった分だけ避けることができる。これにより、基体２０の表面に異物が接触することにより陰極３２や有機機能層３０が損傷を受けるリスクを低減できる。
【００９２】
次に、第１の成膜工程に続いて、図１１（ｂ）に示すように、基体２０に蒸着マスク５４を対向配置して第２の成膜工程を行う。第２の成膜工程では、基体２０（陰極３２）の表面のうち、開口部５５に平面視で重なる領域に補助陰極３４が成膜される。第２の成膜工程においても、第１の成膜工程と同様に、画素２の領域および画素２同士の間の領域において陰極３２や有機機能層３０が損傷を受けるリスクを低減できる。
【００９３】
なお、蒸着マスク５４の開口部５５は蒸着マスク５０の開口部５１に幅Ｊだけ重なる位置関係にあるので、この幅Ｊの範囲では第１の成膜工程および第２の成膜工程において補助陰極３４が成膜される。これにより、補助陰極３４をその延在方向に沿って切れ目のないように形成できる。
【００９４】
ここで、第２の成膜工程において、蒸着マスク５４の張出し部５６が基体２０に接触するのは、第１の成膜工程で成膜された補助陰極３４のうち張出し部３２ａ上に位置する一部（部分３４ｂ）である。したがって、第２の成膜工程では、蒸着マスク５４が接触するこの部分３４ｂにおいて、その下層の陰極３２や有機機能層３０が第１の成膜工程で形成された補助陰極３４により保護される。これにより、蒸着マスク５４が接触することによる陰極３２や有機機能層３０の損傷を抑えることができる。
【００９５】
また、第１の成膜工程で蒸着マスク５０が接触した部分３２ｂには、第２の成膜工程において補助陰極３４が成膜される。したがって、第１の成膜工程で蒸着マスク５０が接触することにより陰極３２や有機機能層３０が損傷を受けた場合でも、この部分３２ｂを補助陰極３４によって覆うことができる。
【００９６】
ここで、図１２（ａ）に示すように、蒸着マスク５０が接触する部分３２ｂは、形成される補助陰極３４の延在方向における幅Ｗ１に対して略中央部に位置している。補助陰極３４の幅Ｗ１は１５μｍ程度であり、部分３２ｂ（張出し部３２ａ）の幅Ｗ２は５μｍ程度である。基体２０に対する蒸着マスク５０の相対的位置のずれが補助陰極３４の延在方向と交差する方向に±５μｍの範囲内であれば、蒸着マスク５０に接触する部分３２ｂの相対的な位置は、補助陰極３４が形成される領域（幅Ｗ１の範囲）内に収まることになる。したがって、基体２０に対する蒸着マスク５０の相対的位置がずれた場合でも、蒸着マスク５０が接触する部分を補助陰極３４が形成される領域内とすることができる。蒸着マスク５４についても同様である。
【００９７】
これにより、基体２０の表面の蒸着マスク５０，５４が接触する部分が補助陰極３４により保護されるとともに、補助陰極３４上に形成される保護層３６の被覆性がより良好になるので、この部分から水分等が侵入することによる陰極３２や有機機能層３０の損傷の発生を抑えることができる。以上の工程により、図１３（ａ）に示すように、補助陰極３４が形成される。
【００９８】
次に、保護層形成工程Ｓ７０では、図１３（ｂ）に示すように、陰極３２と補助陰極３４とを覆うように保護層３６を形成する。例えばイオンプレーティング法により、ＳｉＯＮ等の材料を用いて、陰極３２よりも広い領域に成膜する。
【００９９】
次に、カラーフィルター形成工程Ｓ８０では、図４（ａ），（ｂ）に示すように、封止基板４２上にカラーフィルター３８Ｒ，３８Ｇ，３８Ｂを形成する。図４（ａ），（ｂ）では、有機ＥＬ装置１００が完成した状態を示している。カラーフィルター３８Ｒ，３８Ｇ，３８Ｂは、例えばＲ、Ｇ、Ｂの異なる色の光を透過させるような顔料を含む感光性樹脂を塗布してパターン加工することにより形成する。
【０１００】
なお、互いに隣り合うカラーフィルター３８Ｒ，３８Ｇ，３８Ｂ同士の間に、例えばクロム（Ｃｒ）等からなる遮光層を形成してもよい。また、カラーフィルター３８Ｒ，３８Ｇ，３８Ｂの表面を覆うとともにその表面の凹凸を緩和する平坦化層をさらに形成してもよい。
【０１０１】
次に、封止部形成工程Ｓ９０では、図４（ａ），（ｂ）に示すように、保護層３６上に接着層４４を介して封止基板４２を配置し、封止部４０を形成する。封止基板４２は、カラーフィルター３８Ｒ，３８Ｇ，３８Ｂが有機ＥＬ素子８に対向するように配置される。以上により、有機ＥＬ装置１００が完成する。
【０１０２】
上記第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成および製造方法によれば、以下の効果が得られる。
【０１０３】
（１）基体２０の表面のうち画素２同士の間に位置する張出し部３２ａが他の部分よりも蒸着マスク５０，５４側に張り出している。このため、補助陰極３４を形成する際に、蒸着マスク５０，５４が基体２０の張出し部３２ａ以外の領域に接触するのを避けることができる。これにより、蒸着マスク５０，５４が接触することにより、画素２の領域において陰極３２や有機機能層３０が損傷を受けるリスクを回避できる。
【０１０４】
（２）基体２０の張出し部３２ａにおいても、蒸着マスク５０，５４が一部の領域（部分３２ｂ，３４ｂ）以外に接触するのを避けることができる。これにより、張出し部３２ａにおいても陰極３２や有機機能層３０が損傷を受けるリスクを低減できる。
【０１０５】
（３）蒸着マスク５０，５４と基体２０とのクリアランスを、張出し部５２，５６の高さＨに相当する分だけ大きくできる。このため、蒸着マスク５０，５４の基体２０に対向する面に異物が付着している場合でも、その異物が基体２０の表面に接触するリスクを低減できる。
【０１０６】
（４）第１の成膜工程で蒸着マスク５０が部分３２ｂに接触することにより陰極３２や有機機能層３０が損傷を受けた場合でも、第２の成膜工程でこの部分３２ｂを補助陰極３４によって覆うことができる。第２の成膜工程では、蒸着マスク５４が接触する部分３４ｂが第１の成膜工程で形成された補助陰極３４により保護される。これにより、蒸着マスク５０，５４が接触する部分が補助陰極３４により保護されるとともに、補助陰極３４上に形成される保護層３６の被覆性がより良好になるので、この部分から水分等が侵入することによる陰極３２や有機機能層３０の損傷の発生を抑えることができる。
【０１０７】
（５）蒸着マスク５０，５４が接触する部分３２ｂ，３４ｂは、形成される補助陰極３４の延在方向における幅Ｗ１に対して略中央部に位置している。これにより、基体２０に対する蒸着マスク５０，５４の相対的位置がずれた場合でも、蒸着マスク５０が接触する部分を補助陰極３４が形成される領域内とすることができる。
【０１０８】
以上により、有機ＥＬ素子８における暗点やダークスポット等の不具合の発生や輝度低下、寿命低下が抑えられるので、信頼性がより高い有機ＥＬ装置１００を提供することができる。
【０１０９】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成について図を参照して説明する。図１４は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。図１４は、図３のＢ−Ｂ’線に沿った断面に対応している。
【０１１０】
第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置２００は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００に対して、補助隔壁の代わりに基体にダミーパターンを設けることで基体の張出し部を形成している点が異なっているが、その他の構成はほぼ同じである。第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。
【０１１１】
有機ＥＬ装置２００は、図１４に示すように、基体２０にダミーパターン２３が設けられており、基体２０上に、陽極２４と、隔壁２８と、有機機能層３０と、陰極３２と、補助陰極３４と、保護層３６と、カラーフィルター３８と、封止部４０とを備えている。
【０１１２】
ダミーパターン２３は、図４（ａ）に示すドレイン電極１２ｄやソース電極１２ｓと同様に、層間絶縁層２２上に設けられている。ダミーパターン２３は、平面図での図示を省略するが、補助隔壁２９と同様に、画素２の短辺に沿った方向に延在するストライプ状に形成されており、隣り合う画素２同士の間の略中央部に位置している。ダミーパターン２３は、層間絶縁層２２の上面から平坦化層２６側に凸状に張り出した部分となっている。
【０１１３】
ダミーパターン２３の上層に位置する平坦化層２６と隔壁２８と有機機能層３０と陰極３２と補助陰極３４と保護層３６とは、ダミーパターン２３の形状を反映した表面を有している。これにより、第１の実施形態と同様に、陰極３２に張出し部３２ａが形成される。ダミーパターン２３の幅や厚さは、第１の実施形態における補助隔壁２９と同じ程度である。ただし、上層に位置する平坦化層２６や隔壁２８により、ダミーパターン２３による凸部がある程度緩和されるのを考慮して適宜設定される。
【０１１４】
次に、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法に対して、基体準備工程Ｓ１０においてダミーパターン２３を形成する点と、隔壁形成工程Ｓ３０において補助隔壁２９を形成しない点が異なっているが、その他の構成はほぼ同じである。第１の実施形態と共通する工程については説明を省略する。
【０１１５】
基体準備工程Ｓ１０において、ダミーパターン２３は、例えばドレイン電極１２ｄやソース電極１２ｓを形成する工程と同一の工程で形成される。また、隔壁形成工程Ｓ３０においては、補助隔壁２９を形成する工程が不要となる。したがって、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００の製造方法に比べて、製造工程が１工程少なくなり製造工数が低減される。
【０１１６】
第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置２００の構成および製造方法によれば、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００と同様の効果が得られる。なお、ダミーパターン２３を設ける代わりに、基体２０が備える配線部の引回しパターンを利用する構成としてもよい。
【０１１７】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成について図を参照して説明する。図１５は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。図１５は、図３のＡ−Ａ’線に沿った断面に対応している。
【０１１８】
第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置３００は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００に対して、陽極の下層に反射層を備え、反射層と陰極との間に光共振器を備えている点が異なっているが、その他の構成はほぼ同じである。第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。
【０１１９】
有機ＥＬ装置３００は、図１５に示すように、基体２０上に、反射層２５と、絶縁層２７と、陽極２４と、隔壁２８と、有機機能層３０と、陰極３２と、補助陰極３４（図４（ｂ）参照）と、保護層３６と、カラーフィルター３８と、封止部４０とを備えている。
【０１２０】
反射層２５は、基体２０上に画素２毎に設けられている。反射層２５は、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂから高い輝度の光が射出されるように、高い光反射性を有していることが好ましい。反射層２５は、例えば、銀または銀を含む合金からなる。反射層２５の材料は、アルミニウムまたはアルミニウムを含む合金であってもよい。
【０１２１】
絶縁層２７は、基体２０と反射層２５とを覆っている。絶縁層２７は、無機材料からなり、例えばＳｉＯ2やＳｉＮ等からなる。
【０１２２】
陽極２４は、絶縁層２７上に設けられている。陽極２４は、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応して層厚が異なっている。ここでは、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応させて、陽極２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂと呼ぶこととする。陽極２４Ｇの層厚は陽極２４Ｂの層厚よりも厚く、陽極２４Ｒの層厚は陽極２４Ｇの層厚よりも厚い。
【０１２３】
陰極３２は、光透過性と光反射性とを有している。つまり、陰極３２は、半透過反射性を有するハーフミラー状である。
【０１２４】
有機ＥＬ装置３００では、反射層２５と陰極３２との間に、有機機能層３０で発せられた光を共振させる光共振器が形成されている。有機機能層３０で発せられた光は、反射層２５と陰極３２との間で往復し、その光学的距離Ｌに対応した共振波長の光が増幅されて、陰極３２側に射出される。このため、射出される光の輝度を高めることができるとともに、幅が狭いスペクトルを有する光を取り出すことができる。
【０１２５】
光共振器における共振波長は、反射層２５と陰極３２との間の光学的距離Ｌを変えることによって調整が可能である。有機機能層３０で発せられた光のうち取り出したい光のスペクトルのピーク波長をλとすると、次のような関係式が成り立つ。Φ（ラジアン）は、有機機能層３０で発せられた光が光共振器の両端（例えば、反射層２５と陰極３２と）で反射する際に生じる位相シフトを表す。
（２Ｌ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ（ｍは整数）
【０１２６】
ここでは、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応させて、光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢと呼ぶこととする。有機ＥＬ装置３００では、Ｒ、Ｇ、Ｂの波長の光を射出する画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおいて、光共振器におけるそれぞれの共振波長が所定の波長λとなるように、陽極２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂの層厚を適宜設定することにより光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを調整する構成となっている。
【０１２７】
Ｒ、Ｇ、Ｂの光のうち最も波長が長いのはＲの波長の光であるので、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの中では、画素２Ｒにおける光学的距離ＬＲが最も長く設定される。このため、補助陰極形成工程Ｓ６０にける蒸着マスク５０，５４と基体２０とのクリアランスは、画素２Ｒにおいて最も小さくなる。また、基体２０が備える配線部の引回しパターン等と平面的に重なる部分では、蒸着マスク５０，５４と基体２０とのクリアランスがさらに小さくなる場合があり得る。
【０１２８】
したがって、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置３００では、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００に比べて、蒸着マスク５０，５４と基体２０とのクリアランスが小さくなる画素２Ｒ等において、蒸着マスク５０，５４や蒸着マスク５０，５４に付着した異物が基体２０に接触することにより、陰極３２や有機機能層３０が損傷を受けるリスクが高いといえる。
【０１２９】
第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置３００においても、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００と同様に、基体２０の表面のうち画素２同士の間に位置する張出し部３２ａ（図１２（ａ）参照）を有しており、この張出し部３２ａが他の部分よりも蒸着マスク５０，５４側に張り出している。このため、補助陰極３４を形成する際に、蒸着マスク５０，５４が基体２０の張出し部３２ａ以外の領域に接触するのを避けることができる。これにより、画素２Ｒの領域においても、蒸着マスク５０，５４が接触することにより陰極３２や有機機能層３０が損傷を受けるリスクを回避できる。
【０１３０】
また、蒸着マスク５０，５４は、基体２０に対向する側に張出し部５２，５６（図１２（ｂ）参照）を有している。このため、蒸着マスク５０，５４と基体２０とのクリアランスを、張出し部５２，５６の高さＨに相当する分だけ大きくできるので、蒸着マスク５０，５４の基体２０に対向する面に異物が付着している場合に、画素２Ｒの領域においても、その異物が基体２０の表面に接触するリスクを低減できる。
【０１３１】
なお、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置３００において、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置２００と同様に、ダミーパターン２３を設けることにより基体２０の表面に張出し部３２ａを形成する構成としてもよい。このような構成においても、上記と同様の効果が得られる。
【０１３２】
＜電子機器＞
上述した有機ＥＬ装置１００，２００，３００は、例えば、図１６に示すように、電子機器としての携帯電話機５００に搭載して用いることができる。携帯電話機５００は、表示部５０２に有機ＥＬ装置１００，２００，３００を備えている。この構成により、表示部５０２を有する携帯電話機５００は、輝度や寿命の低下が少なく信頼性が高い。
【０１３３】
また、電子機器は、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオカメラ、カーナビゲーション装置の車載モニター等であってもよい。
【０１３４】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
【０１３５】
（変形例１）
上記実施形態の有機ＥＬ装置は、補助陰極３４が、陰極３２上であって画素２同士の間の領域に、画素２の短辺に沿った方向にストライプ状に形成された構成を有していたが、上記の形態に限定されない。補助陰極３４は、陰極３２の表面に接していれば、有機機能層３０上に形成されていてもよい。このような構成であっても、補助陰極形成工程Ｓ６０において、蒸着マスク５０，５４が接触することにより有機機能層３０が損傷を受けるリスクを低減できる。
【０１３６】
また、補助陰極３４は、画素２同士の間の領域にストライプ状以外の形状で形成されていてもよいし、画素２同士の間の領域だけでなく画素２の領域に形成されていてもよい。このような構成であっても、補助陰極形成工程Ｓ６０において、蒸着マスク５０，５４が一部の領域（部分３２ｂ，３４ｂ）以外に接触するのを避けることができる。
【０１３７】
（変形例２）
上記実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法では、蒸着マスク５０，５４は張出し部５２，５６を有するシリコンマスクであったが、上記の形態に限定されない。蒸着マスクは、張出し部を有していなくてもよい。また、蒸着マスクは、シリコンマスクでなくメタルマスクであってもよい。このような構成の蒸着マスクであっても、補助陰極形成工程Ｓ６０において、蒸着マスクが一部の領域（張出し部３２ａ）以外に接触するのを避けることができる。
【０１３８】
（変形例３）
上記実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法では、補助陰極形成工程Ｓ６０の第１の成膜工程および第２の成膜工程において異なる２つの蒸着マスク５０，５４を成膜に用いたが、上記の形態に限定されない。例えば基体２０に対して蒸着マスクを移動させたり回転させたりする等により、蒸着マスクの基体２０に対する相対的な位置を異ならせることで、第１の成膜工程および第２の成膜工程において同一の蒸着マスクを用いるようにしてもよい。また、補助陰極形成工程Ｓ６０が第２の成膜工程以降の成膜工程をさらに有し、それらの成膜工程において異なる３つ以上の蒸着マスクを用いるようにしてもよい。
【０１３９】
（変形例４）
上記実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法では、有機機能層３０を白色の発光が得られる材料を用いて真空蒸着法により形成したが、上記の形態に限定されない。有機機能層３０を、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応して、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の異なる発光が得られる材料を用いて形成してもよい。また、有機機能層３０を、インクジェット法やスピンコート法等により塗布する方法を適用して形成してもよい。
【０１４０】
（変形例５）
上記実施形態の有機ＥＬ装置では、画素２は、略矩形の平面形状を有していたが、上記の形態に限定されない。画素２は、円形や楕円形等の他の平面形状を有していてもよい。
【符号の説明】
【０１４１】
２…画素、２０…基体、２４…第１の電極としての陽極、３０…有機機能層、３２…第２の電極としての陰極、３２ａ…張出し部、３２ｂ…一部としての部分、３４…補助電極としての補助陰極、３６…保護層、５０，５４…蒸着マスク、５２，５６…張出し部、１００，２００，３００…有機ＥＬ装置、５００…電子機器としての携帯電話機。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、
前記基体上に配列された画素と、
前記基体上に、前記画素毎に配置された第１の電極と、
前記第１の電極上に配置された少なくとも発光層を含む有機機能層と、
前記有機機能層上に配置された第２の電極と、
前記第２の電極の表面に接して設けられ、少なくとも互いに隣り合う前記画素同士の間の領域に配置された補助電極と、を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、
蒸着マスクを用いた蒸着法により前記補助電極を形成する工程を有し、
前記補助電極を形成する工程では、前記蒸着マスクは、前記補助電極を形成する前の前記基体の前記蒸着マスクに対向する面のうち、互いに隣り合う前記画素同士の間の領域の一部に接触することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記蒸着マスクが接触する前記一部は、前記補助電極を形成する前の前記基体において、前記蒸着マスクに対向する面の前記一部を除く領域よりも前記蒸着マスク側に張り出していることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記蒸着マスクは、前記基体に対向する側に張り出した張出し部を有し、
前記張出し部が前記基体の前記一部に接触することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記補助電極を形成する工程は、前記蒸着マスクを用いて順に行う第１の成膜工程と第２の成膜工程とを少なくとも含み、
前記第１の成膜工程において前記蒸着マスクが接触する前記一部は、前記第２の成膜工程において前記基体上に前記補助電極が成膜される領域に位置しており、
前記第２の成膜工程において前記蒸着マスクが接触する前記一部は、前記第１の成膜工程において前記基体上に前記補助電極が成膜された領域に位置していることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記蒸着マスクが接触する前記一部は、形成される前記補助電極の延在方向と交差する方向において、形成される前記補助電極の略中央部に位置していることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
請求項４または５に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記第１の成膜工程と前記第２の成膜工程とでは、異なる前記蒸着マスクを用いることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項７】
請求項４または５に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記第１の成膜工程と前記第２の成膜工程とでは、同一の前記蒸着マスクを用い、前記蒸着マスクの前記基体に対する相対的な位置を異ならせることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記表面に接して前記補助電極が配置された前記第２の電極を覆って形成された保護層をさらに備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項９】
基体と、
前記基体上に配列された画素と、
前記基体上に、前記画素毎に配置された第１の電極と、
前記第１の電極上に配置された少なくとも発光層を含む有機機能層と、
前記有機機能層上に配置された第２の電極と、
前記第２の電極の表面に接して設けられ、少なくとも互いに隣り合う前記画素同士の間の領域に配置された補助電極と、を備え、
前記補助電極が接する前記基体側の表面のうち互いに隣り合う前記画素同士の間の領域の一部が、前記一部を除く領域よりも張り出していることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記一部は、蒸着マスクを用いた蒸着法により前記補助電極を形成する際に前記蒸着マスクが接触する部分であることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記一部は、前記補助電極の延在方向と交差する方向における前記補助電極の略中央部に位置していることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項１２】
請求項９から１１のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
基体と、
前記基体上に配列された画素と、
前記基体上に、前記画素毎に配置された第１の電極と、
前記第１の電極上に配置された少なくとも発光層を含む有機機能層と、
前記有機機能層上に配置された第２の電極と、
前記第２の電極の表面に接して設けられ、少なくとも互いに隣り合う前記画素同士の間の領域に配置された補助電極と、を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、
蒸着マスクを用いた蒸着法により前記補助電極を形成する工程を有し、
前記補助電極を形成する工程では、前記蒸着マスクは、前記補助電極を形成する前の前記基体の前記蒸着マスクに対向する面のうち、互いに隣り合う前記画素同士の間の領域の一部に接触することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記蒸着マスクが接触する前記一部は、前記補助電極を形成する前の前記基体において、前記蒸着マスクに対向する面の前記一部を除く領域よりも前記蒸着マスク側に張り出していることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記蒸着マスクは、前記基体に対向する側に張り出した張出し部を有し、
前記張出し部が前記基体の前記一部に接触することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記補助電極を形成する工程は、前記蒸着マスクを用いて順に行う第１の成膜工程と第２の成膜工程とを少なくとも含み、
前記第１の成膜工程において前記蒸着マスクが接触する前記一部は、前記第２の成膜工程において前記基体上に前記補助電極が成膜される領域に位置しており、
前記第２の成膜工程において前記蒸着マスクが接触する前記一部は、前記第１の成膜工程において前記基体上に前記補助電極が成膜された領域に位置していることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記蒸着マスクが接触する前記一部は、形成される前記補助電極の延在方向と交差する方向において、形成される前記補助電極の略中央部に位置していることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
請求項４または５に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記第１の成膜工程と前記第２の成膜工程とでは、異なる前記蒸着マスクを用いることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項７】
請求項４または５に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記第１の成膜工程と前記第２の成膜工程とでは、同一の前記蒸着マスクを用い、前記蒸着マスクの前記基体に対する相対的な位置を異ならせることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記表面に接して前記補助電極が配置された前記第２の電極を覆って形成された保護層をさらに備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項９】
基体と、
前記基体上に配列された画素と、
前記基体上に、前記画素毎に配置された第１の電極と、
前記第１の電極上に配置された少なくとも発光層を含む有機機能層と、
前記有機機能層上に配置された第２の電極と、
前記第２の電極の表面に接して設けられ、少なくとも互いに隣り合う前記画素同士の間の領域に配置された補助電極と、を備え、
前記補助電極が接する前記基体側の表面のうち互いに隣り合う前記画素同士の間の領域の一部が、前記一部を除く領域よりも張り出していることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記一部は、蒸着マスクを用いた蒸着法により前記補助電極を形成する際に前記蒸着マスクが接触する部分であることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記一部は、前記補助電極の延在方向と交差する方向における前記補助電極の略中央部に位置していることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項１２】
請求項９から１１のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
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【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２０１０−２２５４１６（Ｐ２０１０−２２５４１６Ａ）
【公開日】平成２２年１０月７日（２０１０．１０．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−７１４６６（Ｐ２００９−７１４６６）
【出願日】平成２１年３月２４日（２００９．３．２４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１０月７日（２０１０．１０．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月２４日（２００９．３．２４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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