有機ＥＬ装置用光学部材及び有機ＥＬ装置
【課題】光取り出し効率をさらに向上し、多重干渉に特有の視野角依存性を低減することが可能な有機ＥＬ装置用光学部材、及びこれを用いた有機ＥＬ装置の提供。
【解決手段】有機ＥＬ装置用光学部材は、発光層を有する有機ＥＬ装置に用いる有機ＥＬ装置用光学部材であって：前記発光層からの光を反射する反射層と；前記発光層からの光を取り出す光取り出し層と；前記反射層と前記光取り出し層との間に光路長調整層と；を有する。
【解決手段】有機ＥＬ装置用光学部材は、発光層を有する有機ＥＬ装置に用いる有機ＥＬ装置用光学部材であって：前記発光層からの光を反射する反射層と；前記発光層からの光を取り出す光取り出し層と；前記反射層と前記光取り出し層との間に光路長調整層と；を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置用光学部材及び有機ＥＬ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置は、液晶ディスプレイなどの従来の薄型表示装置と比較して、応答速度の速さ、視野角の広さ、解像度の高さ、色再現域の広さ、エネルギー変換効率の高さ、コントラスト比の高さ、及び大型化が容易であること等から、盛んに研究開発が行われ、上市もされている。
【０００３】
有機ＥＬ装置は、一般的に、有機発光材料などからなる発光層と、この発光層を挟むように配置された一対の電極とを有し、その他、必要に応じて、発光層からの発光を一方向に出射するための反射層や、発光材料の酸素等による劣化を防ぐための封止層など、複数の層構造を有する。このような複数の層構造を経て発光層からの発光を出射面に出射させる場合、層間で発生する、各層の屈折率の相違に起因した反射を無視し得ない。したがって、発光層からこれらの複数の層を経て出射面に効率的に出射させるには、層間の屈折界面での反射率を考慮して、屈折界面での反射が発生しないように、発光材料からの光の進行方向を効率的に制御する必要がある。そこで、回折格子を有する層、微粒子を有する層、高い屈折率を有する層と低い屈折率を有する層とを組み合わせた層など、光取り出し（光散乱）機能を有する層を設けて、発光材料からの光の進行方向を制御する技術が開示されている（特許文献１及び２）。
【０００４】
特許文献１では、背面電極と、前面電極と、この背面電極と前面電極との間に介在するように配置された発光層を含んだ活性層と、発光層からの光を反射する反射層と、活性層の主面に平行な方向に伝播している光を出射方向に取り出す、反射層に接するように設けられた取り出し層とを具備する表示装置を開示する。また、特許文献２は、発光材料等からなる有機材料層と、この有機材料層に接するように配置された反射性を有する反射電極と、高い屈折率を有する層と低い屈折率を有する層とを有する光取出しフィルムとからなる有機発光ダイオードディスプレイ装置を開示する。
【０００５】
これらのいずれも、発光材料からの発光を出射面に効率的に出射させるために、上記の光取り出し（光散乱）機能を有する層を設けているものの、その光取り出し効率は、十分ではない。なかでも、発光素子からの発光が、発光素子と反射層との間で反射を繰り返し、多重的な干渉が生じる光共振構造（マイクロキャビティー構造；ＭＣ構造）を有する有機ＥＬ装置では、色純度が向上するものの、さらに光取出し効率を向上させる必要がある。
【０００６】
また、ＭＣ構造を有することにより生じる多重干渉に特有の現象として、視野角に依存して輝度が低下したり、視野角に依存して色度が異なるといった、視野角に依存した画像再現性に関する問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−５１５１２９号公報
【特許文献２】米国特許出願公開２００９／００１５１４２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、光取り出し効率をさらに向上し、多重干渉に特有の視野角依存性を低減することが可能な有機ＥＬ装置用光学部材、及びこれを用いた有機ＥＬ装置を提供することを目的とする。
【０００９】
また、画素毎に最適な構造設計が可能な有機ＥＬ装置用光学部材及びこれを用いた有機ＥＬ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、前記目的を達成すべく鋭意検討を行った結果、反射層と光取り出し層との間に光路長調整層を設けることにより前記目的が達成されることを見出し、本発明の完成に至った。
【００１１】
本発明は、本発明者らによる前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては以下の通りである。即ち、
＜１＞ 発光層を有する有機ＥＬ装置に用いる有機ＥＬ装置用光学部材であって：前記発光層からの光を反射する反射層と；前記発光層からの光を取り出す光取り出し層と；前記反射層と前記光取り出し層との間に光路長調整層と；を有することを特徴とする有機ＥＬ装置用光学部材である。
反射層と光取り出し層との間に光路長調整層が位置することで、より高い光取り出し効率が達成される。
＜２＞ 光路長調整層の厚みが、画素毎に異なる前記＜１＞から＜１４＞のいずれかに記載の有機ＥＬ装置用光学部材である。
＜３＞光取り出し層からみて光出射方向に電極をさらに有する前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の有機ＥＬ装置用光学部材である。
前記＜３＞に記載の有機ＥＬ装置用光学部材である。
＜４＞ 光取り出し層からみて反射層の反対側に基板をさらに有する前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の有機ＥＬ装置用光学部材である。
【００１２】
また、＜５＞ 請求項１から４のいずれかに記載の有機ＥＬ装置用光学部材を有することを特徴とする有機ＥＬ装置である。
＜６＞ 第１の基板と；一対の電極間に配置された発光層と；を有する有機ＥＬ装置であって、光取り出し層が、前記発光層に対して前記有機ＥＬ装置の光出射方向の反対側に位置する前記＜５＞に記載の有機ＥＬ装置である。
＜７＞ 光路長調整層の厚みが、画素毎に異なる前記＜５＞から＜６＞のいずれかに記載の有機ＥＬ装置である。
＜８＞ 光取り出し層からみて反射層の反対側に第２の基板をさらに有する前記＜５＞から＜１６＞のいずれかに記載の有機ＥＬ装置である。
＜９＞ 第２の基板がバリアフィルム基板である前記＜８＞に記載の有機ＥＬ装置である。
＜１０＞ 発光層からみて光出射方向に低屈折率層をさらに有する前記＜５＞から＜９＞のいずれかに記載の有機ＥＬ装置である。
＜１１＞ トップエミッション型である前記＜５＞から＜１０＞のいずれかに記載の有機ＥＬ装置である。
＜１２＞ ボトムエミッション型である前記＜５＞から＜１０＞のいずれかに記載の有機ＥＬ装置である。
＜１３＞ 光路長調整層が反射層と光取り出し層とに接するように配置される前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の有機ＥＬ装置用光学部材である。
＜１４＞ 光取り出し層と電極との間に高屈折率平滑層をさらに有する前記＜１＞から＜４＞及び前記＜１３＞のいずれかに記載の有機ＥＬ装置用光学部材である。
＜１５＞ 高屈折率平滑層が光取り出し層と電極とに接するように配置される前記＜１４＞に記載の有機ＥＬ装置用光学部材である。
＜１６＞ 光路長調整層が反射層と光取り出し層とに接するように配置される前記＜５＞から＜１２＞のいずれかに記載の有機ＥＬ装置である。
＜１７＞ 光取り出し層と電極との間に高屈折率平滑層をさらに有する前記＜５＞から＜１２＞及び前記＜１６＞のいずれかに記載の有機ＥＬ装置である。
＜１８＞ 高屈折率平滑層が光取り出し層と電極とに接するように配置される前記＜１７＞に記載の有機ＥＬ装置である。
＜１９＞ 低屈折率層が中空で構成される前記＜１０＞から＜１２＞及び前記＜１６＞から＜１８＞のいずれかに記載の有機ＥＬ装置である。
＜２０＞ 低屈折率層が材料充填されて構成される前記＜１０＞から＜１２＞及び前記＜１６＞から＜１８＞のいずれかに記載の有機ＥＬ装置である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、従来における前記諸問題を解決し、前記目的を達成することができ、光取り出し効率をさらに向上し、多重干渉に特有の視野角依存性を低減することが可能な有機ＥＬ装置用光学部材、及びこれを用いた有機ＥＬ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本発明による有機ＥＬ装置用光学部材の一例を示す概略断面図である。
【図２】図２は、本発明による有機ＥＬ装置用光学部材の他の例を示す概略断面図である。
【図３】図３は、本発明による有機ＥＬ装置の一例であるトップエミッション型の有機ＥＬ装置を示す概略断面図である。
【図４】図４は、本発明による有機ＥＬ装置の一例であるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明による有機ＥＬ装置用光学部材及びこれを有する有機ＥＬ装置について、詳細に説明する。
【００１６】
＜有機ＥＬ装置用光学部材＞
本発明による有機ＥＬ装置用光学部材は、後述の発光層を有する有機ＥＬ装置に用いるものであって、発光層からの光を反射する反射層と、発光層からの発光を取り出す光取り出し層と、この反射層と光取り出し層との間に光路長調整層とを有し、さらに必要に応じて、その他の層構造を有してなる。図１及び２は、有機ＥＬ装置用光学部材の概略断面図を示したものであって、図１は、本発明による有機ＥＬ装置用光学部材の一例を示す概略断面図であり、図２は、本発明による有機ＥＬ装置用光学部材の他の例を示す概略断面図である。なお、各図において、点線で囲み且つ点線で矢示した部分は、各図に記載の態様に含まれるものではないが、各態様をより容易に理解するために記したものである。
【００１７】
図１を参照すると、本発明による有機ＥＬ装置用光学部材は、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置に用いられてもよく、後述する発光層１０２からの光を反射する反射層１６と、反射層１６からみて有機ＥＬ装置の光出射方向に形成された光取り出し層１４と、反射層１６と光取り出し層１４との間に光路長調整層１２とを有する。また、本発明による有機ＥＬ装置用光学部材は、その他、後述する電極２２、高屈折率平滑層２４、基板２６及びガスバリア層２８を適宜有してもよい。
【００１８】
また、図２を参照すると、本発明による有機ＥＬ装置用光学部材は、いわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置に用いられてもよく、図１に示す有機ＥＬ装置用光学部材と同様に、後述する発光層１０２からの光を反射する反射層１６と、反射層１６からみて有機ＥＬ装置の光出射方向に形成された光取り出し層１４と、反射層１６と光取り出し層１４との間に光路長調整層１２とを有する。また、本発明による有機ＥＬ装置用光学部材は、その他、後述する接合層２５及びバリアフィルム基板１０６を適宜有してもよい。
【００１９】
本発明による有機ＥＬ装置用光学部材は、反射層、光取り出し層及び光路長調整層並びに、必要に応じて、その他の層構造からなる光学部材として、供給されてもよい。
【００２０】
なお、本発明において、「光出射方向」とは、発光層からの光が、最終的に有機ＥＬ装置の所望する出射面から装置の外部に出射される方向を示し、例えば、図１に示すトップエミッション型の有機ＥＬ装置に用いる有機ＥＬ装置用光学部材の場合、矢印で示した通り、発光層１０２からみて基板２６と反対側（図面に平行に上方に）向かう方向を示し、図２に示すボトムエミッション型の有機ＥＬ装置に用いる有機ＥＬ装置用光学部材の場合、矢印で示した通り、発光層１０２からみて図示されていない基板方向（図面に平行に下方に）向かう方向を示す。
【００２１】
＜＜反射層＞＞
本発明において、反射層としては、後述の発光層からの光を反射するものであれば、特に制約はなく、本発明の目的に応じて適宜選択することができる。反射層の形状、構造、大きさとしては、本発明の目的に応じて適宜選択すればよく、反射層の厚みは、本発明の目的に応じて適宜選択すればよく、１０ｎｍ〜１，０００ｎｍの範囲であってもよい。
【００２２】
反射層の配置位置としては、有機ＥＬ装置用光学部材が装着される有機ＥＬ装置の態様に応じて、適宜選択すればよく、有機ＥＬ装置用光学部材をＴＦＴ基板を有するトップエミッション型の有機ＥＬ装置に用いる場合、反射層は、この基板のチャネル側と後述の発光層との間に配置すればよく、有機ＥＬ装置用光学部材をＴＦＴ基板を有するトップエミッション型の有機ＥＬ装置に用いる場合、反射層は、この基板のゲート側と後述の発光層との間に配置すればよい。
【００２３】
反射層の材料としては、発光層からの光を反射するものであれば特に制約はなく、例えば、この発光に対して７０％以上の反射率を有するものであってもよい。反射層の材料としては、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｗなどの金属、又はこれらの合金、例えば、Ａｇ−Ｍｇ、Ａｌ−Ｍｏなどが挙げられる。
【００２４】
＜＜光取り出し層＞＞
本発明において、光取り出し層は、後述の発光層からの光の方向を積極的に変えて有機ＥＬ装置の外部へ光を取り出すものであれば、特に制約はない。光取り出し層の形状としては、本発明の目的に応じて適宜選択すればよく、例えば、微細な凹凸を光取り出し層の表面に設けたもの、微粒子を光取出し層内に分散させたもの、プリズムやレンズなどの形状物を光取り出し層に設けたものであってもよい。光取り出し層の厚みは、本発明の目的に応じて適宜選択すればよく、１０ｎｍ〜５，０００ｎｍの範囲であってもよい。
【００２５】
光取り出し層の配置位置としては、反射層と発光層との間であれば、有機ＥＬ装置用光学部材が装着される有機ＥＬ装置の態様に応じて、適宜選択すればよい。例えば、所望の層（例えば、後述の高屈折率平滑層）を挟むように後述の電極との間に配置されてもよい。また、後述の光取出し効率や画質を制御する点で、反射層と接しないように配置してもよい。
【００２６】
粒子を用いた光取り出し層の材料としては、発光層からの光の方向を積極的に変えてパネル外部へ光を取り出すものであれば特に制約はなく、例えば、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２などの高い屈折率を有する粒子が挙げられる。
【００２７】
粒子を用いて光取り出し効果を達成する光取り出し層の場合、光取り出し層における粒子の含有量としては、光取り出し層への入射光が所定の程度に散乱されるものであれば、特に制約はないが、光取り出し層の質量に対して１質量％〜５０質量％の範囲であることが好ましく、５質量％〜２０質量％の範囲であることがより好ましく、６質量％〜１０質量％の範囲であることが特に好ましい。粒子の含有量が１質量％未満であると、所望の効果が得られないことがあり、５０質量％を超えると、光が透過しないことがある。一方、粒子の含有量が前記の特に好ましい範囲内であると、光取出しの点で有利である。
【００２８】
なお、本発明において、光取り出し層による発光層からの光を取り出すとは、光取り出し層に入射した光（以下、光取り出し層に限らず、入射光とも称する。）が、最終的に有機ＥＬ装置の出射方向に出射し得るように光路を変更することをいう。このような変更の態様としては、例えば、光取り出し層への入射光を任意に散乱したり、入射光を回折したり、屈折率の異なる複数の層を通過させることで入射光を任意に屈折したり、散乱する態様が挙げられる。なかでも、光取出し効率、画像（にじみ等）の点で、発光源に近い位置に光取出し構造を設置する態様を採用することが好ましい。
【００２９】
＜＜光路長調整層＞＞
本発明において、光路長調整層としては、入射光が光路長調整層内を進行する長さを調整し得るものであれば、特に制約はなく、例えば、反射層から半透明電極までの光路長を、発光層からの発光の波長をλとしたときにλ／２の整数倍となるように調整するものなどが挙げられる。光路長調整層は、このような態様であれば、形状、構造、大きさ等について、特に制約はない。光路長調整層の厚みとしては、１０ｎｍ〜１，０００ｎｍの範囲であればよく、また、画素毎に同一の厚みであっても、異なる厚みであってもよい。なかでも、各画素に最適な構造設計が可能な点で、異なる厚みを有することが好ましい。
【００３０】
光路長調整層の配置位置としては、反射層と光取り出し層との間に配置されたものであれば、特に制約はないが、例えば、反射層と光取り出し層とに接するように配置する態様が挙げられる。
【００３１】
光路長調整層の材料としては、入射光の波長や光強度に有意な影響を与えないものであれば、特に制約はなく、光学的に透明な無機及び有機の各種の材料、例えば、ポリアクリレート、ポリメタクリ酸メチル、ポリイミドなどの透明樹脂が挙げられる。
【００３２】
＜＜電極＞＞
本発明において、電極としては、後述の発光層に電界を印加し得るものであれば、特に制約はない。電極は、有機ＥＬ装置用光学部材又は有機ＥＬ装置への配置の形態に応じて、陽極若しくは陰極又は透明若しくは半透明等、適宜選択すればよく、例えば、有機ＥＬ装置の発光層からみて、光出射方向に位置する電極を透明としてもよい。
【００３３】
＜＜＜陽極＞＞＞
陽極は、通常、上述の発光層を構成する有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、有機ＥＬ装置の用途、目的に応じて、公知の電極材料のなかから適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常、透明陽極として設けられる。
【００３４】
陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられる。陽極材料の具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。このなかで好ましいのは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはＩＴＯが好ましい。
【００３５】
陽極は、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などのなかから、陽極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って、前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料として、ＩＴＯを選択する場合には、陽極の形成は、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って行うことができる。
【００３６】
本発明において、陽極の配置位置としては、発光層に接するように設けられれば、特に制限はなく、有機ＥＬ装置の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、陽極は、発光層における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
【００３７】
なお、陽極を形成する際のパターニングとしては、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【００３８】
陽極の厚みとしては、陽極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、１０ｎｍ〜５０μｍ程度であり、５０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。
【００３９】
陽極の抵抗値としては、１０３Ω／□以下が好ましく、１０２Ω／□以下がより好ましい。陽極が透明である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。透明陽極側から発光を出射ためには、その透過率としては、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。
【００４０】
なお、透明陽極については、沢田豊監修「透明導電膜の新展開」シーエムシー刊（１９９９）に詳述があり、ここに記載される事項を本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ＩＴＯ又はＩＺＯを使用し、１５０℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。
【００４１】
＜＜＜陰極＞＞＞
陰極は、通常、上述の発光層を構成する有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、有機ＥＬ装置の用途、目的に応じて、公知の電極材料のなかから適宜選択することができる。
【００４２】
陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としてはアルカリ金属（例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、及びイッテルビウム等の希土類金属などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。
【００４３】
これらのなかでも、陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１質量％〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。
【００４４】
なお、陰極の材料については、特開平２−１５５９５号公報、特開平５−１２１１７２号公報に詳述されており、これらの広報に記載の材料は、本発明においても適用することができる。
【００４５】
陰極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などのなかから、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その１種単独又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。
【００４６】
陰極を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【００４７】
本発明において、陰極の配置位置は、発光層に電界を印加し得るように設けられれば、特に制限はなく、発光層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
【００４８】
また、陰極と前記有機化合物層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を０．１ｎｍ〜５ｎｍの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層とみることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。
【００４９】
陰極の厚みは、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常１０ｎｍ〜５μｍ程度であり、５０ｎｍ〜１μｍが好ましい。
【００５０】
また、陰極は、透明であってもよいし、半透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を１ｎｍ〜１０ｎｍの厚さに薄く成膜し、さらにＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
【００５１】
＜＜基板＞＞
本発明による有機ＥＬ装置用光学部材において、光を透過し、パネル全体を支えるだけでなく、有機ＥＬ装置の外部からの水侵入を防ぐことを目的として、基板を有してもよい。基板としては、この目的を満たす限り、特に制約はなく、その形状、構造、大きさ等を適宜選択すればよく、一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。基板は、無色透明であっても、有色透明であってもよいが、発光層から発せられる光が通過する側の基板が光を散乱又は減衰等させることがない点で、無色透明であることが好ましい。
【００５２】
基板の配置位置としては、発光層からの光の特性に影響を及ぼさない限りは、特に制約はない。なかでも、光取り出し層からみて、反射層の反対側に配置されることが、発光層からの光の特性に影響を及ぼさない点、有機ＥＬ装置を封止する点等で、好ましい。
【００５３】
基板の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、その具体例としては、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、及びポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料が挙げられる。
【００５４】
例えば、基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したもの（例えば、バリアフィルム基板）を使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性及び加工性に優れていることが好ましい。
【００５５】
熱可塑性基板を用いる場合には、さらに必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。
【００５６】
＜＜その他の層構成＞＞
＜＜＜高屈折率平滑層＞＞＞
本発明において、高屈折率平滑層は、光を吸収して影響を及ぼさないものであれば、特に制約はない。高屈折率平滑層の形状については、光取り出し層、例えば散乱粒子層と接する面がＲａ１００ｎｍ以下の平滑度を有すれば、特に制約はなく、この平滑度は１〜５０ｎｍであることが好ましく、１０ｎｍ以下であることがより好ましく、５ｎｍ以下であることが特に好ましい。平滑度が１００ｎｍ以上であると、短絡することがあり、１００ｎｍを超えると、短絡することがある。一方、平滑度が前記の特に好ましい範囲内であると、信頼性（多画素パネルでの欠陥発生率の低下）の点で有利である。なお、平滑度の測定方法としては、表面粗さ計、レーザー顕微鏡、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて観察する方法が挙げられる。高屈折率平滑層の構造及び大きさ等については、上記の条件を満たすものであれば、特に制約はないが、屈折率が１．７以上であることが好ましい。なお、本発明において、高屈折率平滑層の「高屈折率」とは、有機ＥＬ装置に装着される発光層の屈折率と同じ屈折率をいう。
【００５７】
高屈折率平滑層の配置位置としては、絶縁層や封止層と発光層の近傍であれば、特に制約はなく、例えば、電極と光取り出し層との間に配置されてもよい。
【００５８】
高屈折率平滑層の材料については、上記の要件を満たすものであれば、特に制約はなく、例えば、高い屈折率微粒子（ＺｒＯ２、ＴｉＯ２など）を分散させたアクリル樹脂などの高い屈折率を有する樹脂が挙げられる。
【００５９】
＜＜＜ガスバリア層＞＞＞
本発明において、空気や水分などの透過を防止することを目的として、ガスバリア層を設けてもよい。ガスバリア層の形状、構造、大きさについては、本発明の目的に応じて適宜選択すればよい。ガスバリア層の配置位置としては、空気や水分などの透過により各層の特性に影響を与えないような態様であれば特に制約はなく、目的に応じて適宜選択すればよい。ガスバリア層の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物、無機／有機物の積層構造が好適に用いられる。ガスバリア層は、例えば、高周波スパッタリング法などにより、基板上に形成してもよい。
【００６０】
（有機ＥＬ装置用光学部材における層の形成方法）
本発明による有機ＥＬ装置用光学部材において、有機ＥＬ装置用光学部材の各層の形成方法としては、特に言及しない限りは特に制限はなく、本技術分野公知の方法により形成すればよい。例えば、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法、塗布法、インクジェット法、及びスプレー法等から適宜選択することができる。
【００６１】
＜有機ＥＬ装置＞
本発明による有機ＥＬ装置は、発光層を有する有機ＥＬ装置に用いるものであって、基板と、一対の電極間に配置された発光層と、発光層からの光を反射する反射層と、発光層からの光を取り出す光取り出し層と、反射層と光取り出し層との間に光路長調整層とを有し、さらに必要に応じて、その他の層構造を有してなる。図３及び４は、その概略断面図を示したものであって、図３は、本発明による有機ＥＬ装置の一例であるトップエミッション型の有機ＥＬ装置を示す概略断面図であり、図４は、本発明による有機ＥＬ装置の一例であるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を示す概略断面図である。なお、図３及び４において、上記の本発明による有機ＥＬ装置用光学部材と重複する層構造については、同様の符号を付した。
【００６２】
図３を参照すると、本発明によるトップエミッション型の有機ＥＬ装置１００は、ガラス等からなる第１の基板２６と、一対の電極２２、１２２間に配置された発光層１０２と、発光層１０２からの光を反射する反射層１６と、発光層１０２からの光を取り出す光取り出し層１４と、反射層１６と光取り出し層１４との間に配置された光路長調整層１２とを有し、さらに必要に応じて、高屈折率平滑層２４、ガスバリア層２８、低屈折率層１０４、第２の基板であるバリアフィルム基板１０６、保護層１２４、反射防止層１２６等のその他の層構造を有する。
【００６３】
また、図４を参照すると、本発明によるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置１００は、バリアコートされてなるバリアフィルム基板１０６と、一対の電極２２、１２２間に配置された発光層１０２と、発光層１０２からの光を反射する反射層１６と、発光層１０２からの光を取り出す光取り出し層１４と、反射層１６と光取り出し層１４との間の光路長調整層１２とを有し、さらに必要に応じて、接合層２５、基板２６、ガスバリア層２８、低屈折率層１０４、保護層１２４、反射防止層１２６等のその他の層構造を有する。
【００６４】
本発明による有機ＥＬ装置において、上記の本発明による有機ＥＬ装置用光学部材で説明した反射層、光取り出し層、光路長調整層等の各層の形状、構造、大きさ、材料等の構成は、本発明による有機ＥＬ装置においても適用し得る。したがって、以下、本発明による有機ＥＬ装置に用い得るその他の層構成について、説明する。
【００６５】
＜＜＜発光層＞＞＞
本発明において、発光層としては、電界を印加されて光を発するものであれば、特に制約はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００６６】
例えば、発光層は、有機発光材料からなるものであっても、無機発光材料からなるものであってもよいが、なかでも、発光効率、装置の大型化が可能、高い色純度の点で、有機発光材料が好ましい。以下、有機発光材料を用いた発光層を有する有機化合物層について、説明する。
【００６７】
＜＜有機化合物層＞＞
有機化合物層の積層の形態としては、陽極側から、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。さらに、正孔輸送層と陽極との間に正孔注入層、及び／又は有機発光層と電子輸送層との間に、電子輸送性中間層を有する。また、有機発光層と正孔輸送層との間に正孔輸送性中間層を、同様に陰極と電子輸送層との間に電子注入層を設けてもよい。尚、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。
【００６８】
有機発光層は、前記発光層に、陽極と陰極、及び有機発光層以外の各層は前記その他の層に、それぞれ対応する。
【００６９】
有機化合物層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法、塗布法、インクジェット法、及びスプレー法等いずれによっても好適に形成することができる。
【００７０】
本発明による有機ＥＬ装置は、有機発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有しており、有機発光層以外の他の有機化合物層としては、正孔輸送層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、正孔注入層、電子注入層、等の各層が挙げられる。
【００７１】
本発明による有機ＥＬ装置において、有機化合物層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、湿式塗布方式、転写法、印刷法、インクジェット方式等いずれによっても好適に形成することができる。
【００７２】
＜＜＜有機発光層＞＞＞
有機発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
【００７３】
有機発光層は、発光材料のみで構成されていてもよく、ホスト材料と発光性ドーパントの混合層とした構成でもよい。発光性ドーパントは蛍光発光材料でも燐光発光材料であってもよく、２種以上であってもよい。ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は１種単独であっても２種以上であってもよく、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。さらに、有機発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいてもよい。
【００７４】
また、有機発光層は、１層単独であっても２層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。
【００７５】
前記発光性ドーパントとしては、燐光性発光材料、蛍光性発光材料等いずれもドーパント（燐光発光性ドーパント、蛍光発光性ドーパント）として用いることができる。
【００７６】
有機発光層は、色純度を向上させるためや発光波長領域を広げるために２種類以上の発光性ドーパントを含有することもできる。前記発光性ドーパントは、さらに前記ホスト化合物との間で、イオン化ポテンシャルの差（ΔＩｐ）と電子親和力の差（ΔＥａ）が、１．２ｅＶ＞△Ｉｐ＞０．２ｅＶ、及び／又は１．２ｅＶ＞△Ｅａ＞０．２ｅＶの関係を満たすドーパントであることが駆動耐久性の観点で好ましい。
【００７７】
前記燐光発光性ドーパントとしては、特に限定はなく、目的に応じて適宜選択することができ、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体を挙げることができる。
【００７８】
前記遷移金属原子としては、特に限定はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、金、銀、銅、及び白金が好ましく、レニウム、イリジウム、及び白金がより好ましく、イリジウム、白金が特に好ましい。
【００７９】
ランタノイド原子としては、特に限定はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、及びルテシウムが挙げられる。なかでも、ネオジム、ユーロピウム、及びガドリニウムが好ましい。
【００８０】
錯体の配位子としては、例えば、Ｇ．Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ等著，Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｐｅｒｇａｍｏｎ Ｐｒｅｓｓ社１９８７年発行、Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著，「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」 Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社１９８７年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社１９８２年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
【００８１】
配位子としては、ハロゲン配位子（塩素配位子が好ましい）、芳香族炭素環配位子（例えば、シクロペンタジエニルアニオン、ベンゼンアニオン、ナフチルアニオンなどが挙げられ、炭素数５〜３０が好ましく、炭素数６〜３０がより好ましく、炭素数６〜２０がさらにより好ましく、炭素数６〜１２が特に好ましい）、含窒素ヘテロ環配位子（例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、フェナントロリンなどが挙げられ、炭素数５〜３０が好ましく、炭素数６〜３０がより好ましく、炭素数６〜２０がさらにより好ましく、炭素数６〜１２が特に好ましい）、ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトンなどが挙げられる）、カルボン酸配位子（例えば、酢酸配位子などが挙げられ、炭素数２〜３０が好ましく、炭素数２〜２０がより好ましく、炭素数２〜１６が特に好ましい）、アルコラト配位子（例えば、フェノラト配位子などが挙げられ、炭素数１〜３０が好ましく、炭素数１〜２０がより好ましく、炭素数６〜２０がさらに好ましい）、シリルオキシ配位子（例えば、トリメチルシリルオキシ配位子、ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリルオキシ配位子、トリフェニルシリルオキシ配位子などが挙げられ、炭素数３〜４０が好ましく、炭素数３〜３０がより好ましく、炭素数３〜２０が特に好ましい）、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子、リン配位子（例えば、トリフェニルフォスフィン配位子などが挙げられ、炭素数３〜４０が好ましく、炭素数３〜３０がより好ましく、炭素数３〜２０がさらにより好ましく、炭素数６〜２０が特に好ましい）、チオラト配位子（例えば、フェニルチオラト配位子などが挙げられ、炭素数１〜３０が好ましく、炭素数１〜２０がより好ましく、炭素数６〜２０が特に好ましい）、フォスフィンオキシド配位子（例えば、トリフェニルフォスフィンオキシド配位子などが挙げられ、炭素数３〜３０が好ましく、炭素数８〜３０がより好ましく、炭素数１８〜３０が特に好ましくい）が好ましく、含窒素ヘテロ環配位子がより好ましい。
【００８２】
上記錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、２つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。
【００８３】
これらのなかでも、発光性ドーパントとしては、例えば、ＵＳ６，３０３，２３８Ｂ１、ＵＳ６，０９７，１４７、ＷＯ００／５７６７６、ＷＯ００／７０６５５、ＷＯ０１／０８２３０、ＷＯ０１／３９２３４Ａ２、ＷＯ０１／４１５１２Ａ１、ＷＯ０２／０２７１４Ａ２、ＷＯ０２／１５６４５Ａ１、ＷＯ０２／４４１８９Ａ１、ＷＯ０５／１９３７３Ａ２、特開２００１−２４７８５９、特開２００２−３０２６７１、特開２００２−１１７９７８、特開２００３−１３３０７４、特開２００２−２３５０７６、特開２００３−１２３９８２、特開２００２−１７０６８４、ＥＰ１２１１２５７、特開２００２−２２６４９５、特開２００２−２３４８９４、特開２００１−２４７８５９、特開２００１−２９８４７０、特開２００２−１７３６７４、特開２００２−２０３６７８、特開２００２−２０３６７９、特開２００４−３５７７９１、特開２００６−２５６９９９、特開２００７−１９４６２、特開２００７−８４６３５、特開２００７−９６２５９等の特許文献に記載の燐光発光化合物などが挙げられる。なかでも、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、Ｃｕ錯体、Ｒｅ錯体、Ｗ錯体、Ｒｈ錯体、Ｒｕ錯体、Ｐｄ錯体、Ｏｓ錯体、Ｅｕ錯体、Ｔｂ錯体、Ｇｄ錯体、Ｄｙ錯体、Ｃｅ錯体が好ましく、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、Ｒｅ錯体がより好ましい。なかでも、金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含むＩｒ錯体、Ｐｔ錯体、Ｒｅ錯体が、さらにより好ましい。さらに、発光効率、駆動耐久性、色度等の観点で、３座以上の多座配位子を含むＩｒ錯体、Ｐｔ錯体、Ｒｅ錯体が特に好ましい。
【００８４】
前記蛍光発光性ドーパントとしては、特に限定はなく、目的に応じて適宜選択することができ、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ピラン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、縮合多環芳香族化合物（アントラセン、フェナントロリン、ピレン、ペリレン、ルブレン、又はペンタセンなど）、８−キノリノールの金属錯体、ピロメテン錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン、及びこれらの誘導体などが挙げられる。
【００８５】
発光性ドーパントとしては、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００８６】
【化１】
【００８７】
【化２】
【００８８】
【化３】
【００８９】
【化４】
ｖ
【００９０】
【化５】
【００９１】
【化６】
【００９２】
有機発光層中の発光性ドーパントは、有機発光層中に一般的に有機発光層を形成する全化合物質量に対して、０．１質量％〜５０質量％含有されるが、耐久性、外部量子効率の観点から１質量％〜５０質量％含有されることが好ましく、２質量％〜４０質量％含有されることがより好ましい。
【００９３】
有機発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、２ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、なかでも、外部量子効率の観点で、３ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、５ｎｍ〜１００ｎｍであるのが特に好ましい。
【００９４】
前記ホスト材料としては、正孔輸送性に優れる正孔輸送性ホスト材料（正孔輸送性ホストと記載する場合がある）及び電子輸送性に優れる電子輸送性ホスト化合物（電子輸送性ホストと記載する場合がある）を用いることができる。
【００９５】
有機発光層内の正孔輸送性ホストとしては、例えば、以下の材料が挙げられる。即ち、ピロール、インドール、カルバゾール、アザインドール、アザカルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ピラゾール、イミダゾール、チオフェン、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、及び、それらの誘導体等が挙げられる。
【００９６】
なかでも、インドール誘導体、カルバゾール誘導体、芳香族第三級アミン化合物、チオフェン誘導体であることが好ましく、分子内にカルバゾール基を有するものがより好ましく、ｔ−ブチル置換カルバゾール基を有する化合物が特に好ましい。
【００９７】
有機発光層内の電子輸送性ホストとしては、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、電子親和力Ｅａが２．５ｅＶ以上３．５ｅＶ以下であることが好ましく、２．６ｅＶ以上３．４ｅＶ以下であることがより好ましく、２．８ｅＶ以上３．３ｅＶ以下であることが特に好ましい。また、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、イオン化ポテンシャルＩｐが５．７ｅＶ以上７．５ｅＶ以下であることが好ましく、５．８ｅＶ以上７．０ｅＶ以下であることがより好ましく、５．９ｅＶ以上６．５ｅＶ以下であることが特に好ましい。
【００９８】
このような電子輸送性ホストとしては、具体的には、例えば、以下の材料が挙げられる。即ち、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾ−ル、オキサゾ−ル、オキサジアゾ−ル、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、及びそれらの誘導体（他の環と縮合環を形成してもよい）、８−キノリノ−ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体等が挙げられる。
【００９９】
電子輸送性ホストとしては、金属錯体、アゾール誘導体（ベンズイミダゾール誘導体、イミダゾピリジン誘導体等）、アジン誘導体（ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体等）が好ましく、なかでも、耐久性の点から、金属錯体化合物がより好ましい。金属錯体化合物（Ａ）は、金属に配位する窒素原子、酸素原子及び硫黄原子の少なくともいずれかを有する配位子を有する金属錯体が好ましい。
【０１００】
金属錯体中の金属イオンは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、ベリリウムイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオン、インジウムイオン、錫イオン、白金イオン、又はパラジウムイオンであることが好ましく、ベリリウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオン、白金イオン、又はパラジウムイオンがより好ましく、アルミニウムイオン、亜鉛イオン、又はパラジウムイオンが特に好ましい。
【０１０１】
前記金属錯体中に含まれる配位子としては、種々の公知の配位子であればよく、例えば、「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」、Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社、Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著、１９８７年発行、「有機金属化学−基礎と応用−」、裳華房社、山本明夫著、１９８２年発行等に記載の配位子が挙げられる。
【０１０２】
前記配位子としては、含窒素ヘテロ環配位子（炭素数１〜３０が好ましく、炭素数２〜２０がより好ましく、炭素数３〜１５が特に好ましい）が好ましい。また、前記配位子としては、単座配位子であっても２座以上の配位子であってもよいが、２座以上６座以下の配位子であることが好ましい。また、２座以上６座以下の配位子と単座の混合配位子も好ましい。
【０１０３】
前記配位子としては、例えば、アジン配位子（例えば、ピリジン配位子、ビピリジル配位子、ターピリジン配位子などが挙げられる。）、ヒドロキシフェニルアゾール配位子（例えば、ヒドロキシフェニルベンズイミダゾール配位子、ヒドロキシフェニルベンズオキサゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾピリジン配位子などが挙げられる。）、アルコキシ配位子（例えば、メトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられ、炭素数１〜３０が好ましく、炭素数１〜２０がより好ましく、炭素数１〜１０が特に好ましい。）、アリールオキシ配位子（例えば、フェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシ、２，４，６−トリメチルフェニルオキシ、４−ビフェニルオキシなどが挙げられ、炭素数６〜３０が好ましく、炭素数６〜２０がより好ましく、炭素数６〜１２が特に好ましい）などが挙げられる。
【０１０４】
ヘテロアリールオキシ配位子（例えば、ピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられ、炭素数１〜３０が好ましく、炭素数１〜２０がより好ましく、炭素数１〜１２が特に好ましい。）、アルキルチオ配位子（例えば、メチルチオ、エチルチオなどが挙げられ、炭素数１〜３０が好ましく、炭素数１〜２０がより好ましく、炭素数１〜１２が特に好ましい。）、アリールチオ配位子（例えば、フェニルチオなどが挙げられ、炭素数６〜３０が好ましく、炭素数６〜２０がより好ましく、炭素数６〜１２が特に好ましい。）、ヘテロアリールチオ配位子（例えば、ピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられ、炭素数１〜３０が好ましく、炭素数１〜２０がより好ましく、炭素数１〜１２が特に好ましい。）、シロキシ配位子（例えば、トリフェニルシロキシ基、トリエトキシシロキシ基、トリイソプロピルシロキシ基などが挙げられ、炭素数１〜３０が好ましい、炭素数３〜２５がより好ましい、炭素数６〜２０が特に好ましい。）、芳香族炭化水素アニオン配位子（例えば、フェニルアニオン、ナフチルアニオン、及びアントラニルアニオンなどが挙げられ、炭素数６〜３０が好ましく、炭素数６〜２５がより好ましく、炭素数６〜２０が特に好ましい。）、芳香族ヘテロ環アニオン配位子（例えば、ピロールアニオン、ピラゾールアニオン、ピラゾールアニオン、トリアゾールアニオン、オキサゾールアニオン、ベンゾオキサゾールアニオン、チアゾールアニオン、ベンゾチアゾールアニオン、チオフェンアニオン、及びベンゾチオフェンアニオンなどが挙げられ、炭素数１〜３０が好ましく、炭素数２〜２５がより好ましく、炭素数２〜２０が特に好ましい。）、インドレニンアニオン配位子などが挙げられ、含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ基、シロキシ配位子などが好ましく、含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、シロキシ配位子、芳香族炭化水素アニオン配位子、芳香族ヘテロ環アニオン配位子などがさらに好ましい。
【０１０５】
金属錯体電子輸送性ホストの例としては、例えば、特開２００２−２３５０７６、特開２００４−２１４１７９、特開２００４−２２１０６２、特開２００４−２２１０６５、特開２００４−２２１０６８、特開２００４−３２７３１３等に記載の化合物が挙げられる。
【０１０６】
有機発光層において、前記ホスト材料の三重項最低励起準位（Ｔ１）が、前記燐光発光材料のＴ１より高いことが色純度、発光効率、駆動耐久性の点で好ましい。
【０１０７】
また、ホスト化合物の含有量は、特に限定されるものではないが、発光効率、駆動電圧の観点から、発光層を形成する全化合物質量に対して１５質量％以上９５質量％以下であることが好ましい。
【０１０８】
＜＜＜正孔注入層、正孔輸送層＞＞＞
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる正孔注入材料、正孔輸送材料は、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
【０１０９】
具体的には、ピロール誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、チオフェン誘導体、有機シラン誘導体、カーボン、等を含有する層であることが好ましい。
【０１１０】
有機ＥＬ素子の正孔注入層あるいは正孔輸送層には、電子受容性ドーパントを含有させることができる。正孔注入層、あるいは正孔輸送層に導入する電子受容性ドーパントとしては、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有すれば、無機化合物でも有機化合物でも使用できる。
【０１１１】
具体的には、無機化合物は塩化第二鉄や塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモンなどのハロゲン化金属、五酸化バナジウム、及び三酸化モリブデンなどの金属酸化物などが挙げられる。
【０１１２】
有機化合物の場合は、置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基などを有する化合物、キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレンなどを好適に用いることができる。
【０１１３】
この他にも、特開平６−２１２１５３、特開平１１−１１１４６３、特開平１１−２５１０６７、特開２０００−１９６１４０、特開２０００−２８６０５４、特開２０００−３１５５８０、特開２００１−１０２１７５、特開２００１−１６０４９３、特開２００２−２５２０８５、特開２００２−５６９８５、特開２００３−１５７９８１、特開２００３−２１７８６２、特開２００３−２２９２７８、特開２００４−３４２６１４、特開２００５−７２０１２、特開２００５−１６６６３７、特開２００５−２０９６４３等に記載の化合物を好適に用いることができる。
【０１１４】
このうち、ヘキサシアノブタジエン、ヘキサシアノベンゼン、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、ｐ−フルオラニル、ｐ−クロラニル、ｐ−ブロマニル、ｐ−ベンゾキノン、２，６−ジクロロベンゾキノン、２，５−ジクロロベンゾキノン、１，２，４，５−テトラシアノベンゼン、１，４−ジシアノテトラフルオロベンゼン、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノベンゾキノン、ｐ−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、ｏ−ジニトロベンゼン、１，４−ナフトキノン、２，３−ジクロロナフトキノン、１，３−ジニトロナフタレン、１，５−ジニトロナフタレン、９，１０−アントラキノン、１，３，６，８−テトラニトロカルバゾール、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，３，５，６−テトラシアノピリジン、又はフラーレンＣ６０が好ましく、ヘキサシアノブタジエン、ヘキサシアノベンゼン、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、ｐ−フルオラニル、ｐ−クロラニル、ｐ−ブロマニル、２，６−ジクロロベンゾキノン、２，５−ジクロロベンゾキノン、２，３−ジクロロナフトキノン、１，２，４，５−テトラシアノベンゼン、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノベンゾキノン、又は２，３，５，６−テトラシアノピリジンがより好ましく、テトラフルオロテトラシアノキノジメタンが特に好ましい。
【０１１５】
これらの電子受容性ドーパントは、単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。電子受容性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、正孔輸送層材料に対して０．０１質量％〜５０質量％であることが好ましく、０．０５質量％〜２０質量％であることがさらに好ましく、０．１質量％〜１０質量％であることが特に好ましい。
【０１１６】
正孔注入層、正孔輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。正孔輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのがさらに好ましい。また、正孔注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．５ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、１ｎｍ〜１００ｎｍであるのがさらに好ましい。
【０１１７】
正孔注入層、正孔輸送層は、上述した材料の１種単独又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１１８】
＜＜＜電子注入層、電子輸送層＞＞＞
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる電子注入材料、電子輸送材料は、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
【０１１９】
具体的には、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、フタラジン誘導体、フェナントロリン誘導体、トリアジン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、シロールに代表される有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。
【０１２０】
本発明の有機ＥＬ素子の電子注入層あるいは電子輸送層には、電子供与性ドーパントを含有させることができる。電子注入層、あるいは電子輸送層に導入される電子供与性ドーパントとしては、電子供与性で有機化合物を還元する性質を有していればよく、Ｌｉなどのアルカリ金属、Ｍｇなどのアルカリ土類金属、希土類金属を含む遷移金属や還元性有機化合物などが好適に用いられる。金属としては、特に仕事関数が４．２ｅＶ以下の金属が好適に使用でき、具体的には、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、Ｃｓ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｇｄ、及びＹｂなどが挙げられる。また、還元性有機化合物としては、例えば、含窒素化合物、含硫黄化合物、含リン化合物などが挙げられる。
【０１２１】
この他にも、特開平６−２１２１５３、特開２０００−１９６１４０、特開２００３−６８４６８、特開２００３−２２９２７８、特開２００４−３４２６１４等に記載の材料を用いることができる。
【０１２２】
これらの電子供与性ドーパントは、１種単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。電子供与性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、電子輸送層材料に対して０．１質量％〜９９質量％であることが好ましく、１．０質量％〜８０質量％であることがさらに好ましく、２．０質量％〜７０質量％であることが特に好ましい。
【０１２３】
電子注入層、電子輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。電子輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが特に好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．２ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、０．５ｎｍ〜５０ｎｍであるのが特に好ましい。
【０１２４】
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の１種単独又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１２５】
＜＜＜正孔ブロック層＞＞＞
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として、正孔ブロック層を設けることができる。
【０１２６】
正孔ブロック層を構成する化合物の例としては、ＢＡｌｑ等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、ＢＣＰ等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。
【０１２７】
正孔ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが特に好ましい。
【０１２８】
正孔ブロック層は、上述した材料の１種単独又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１２９】
＜＜＜電子ブロック層＞＞＞
電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が、陽極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陽極側で隣接する有機化合物層として、電子ブロック層を設けることができる。
【０１３０】
電子ブロック層を構成する化合物の例としては、例えば前述の正孔輸送材料として挙げたものが適用できる。
【０１３１】
電子ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが特に好ましい。
【０１３２】
正孔ブロック層は、上述した材料の１種単独又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１３３】
発光層は、さらに発光効率を向上させるため、複数の発光層の間に電荷発生層が設けた構成をとることができる。
【０１３４】
電荷発生層は、電界印加時に電荷（正孔及び電子）を発生する機能を有すると共に、発生した電荷を電荷発生層と隣接する層に注入させる機能を有する層である。
【０１３５】
電荷発生層を形成する材料は、上記の機能を有する材料であれば、特に制約はなく、単一化合物で形成されていても、複数の化合物で形成されていてもよい。
【０１３６】
具体的には、導電性を有するものであっても、ドープされた有機層のように半導電性を有するものであっても、また、電気絶縁性を有するものであってもよく、特開平１１−３２９７４８や、特開２００３−２７２８６０や、特開２００４−３９６１７に記載の材料が挙げられる。
【０１３７】
さらに、具体的には、ＩＴＯ、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などの透明導電材料、Ｃ６０等のフラーレン類、オリゴチオフェン等の導電性有機物、金属フタロシアニン類、無金属フタロシアニン類、金属ポルフィリン類、無金属ポルフィリン類等などの導電性有機物、Ｃａ、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ：Ａｇ合金、Ａｌ：Ｌｉ合金、Ｍｇ：Ｌｉ合金などの金属材料、正孔伝導性材料、電子伝導性材料、及びそれらを混合させたものが挙げられる。
【０１３８】
前記正孔伝導性材料は、例えば、２−ＴＮＡＴＡ、ＮＰＤなどの正孔輸送有機材料にＦ４−ＴＣＮＱ、ＴＣＮＱ、ＦｅＣｌ３などの電子求引性を有する酸化剤をドープさせたものや、Ｐ型導電性高分子、Ｐ型半導体などが挙げられ、前記電子伝導性材料は電子輸送有機材料に４．０ｅＶ未満の仕事関数を有する金属若しくは金属化合物をドープしたものや、Ｎ型導電性高分子、Ｎ型半導体が挙げられる。Ｎ型半導体としては、Ｎ型Ｓｉ、Ｎ型ＣｄＳ、Ｎ型ＺｎＳなどが挙げられ、Ｐ型半導体としては、Ｐ型Ｓｉ、Ｐ型ＣｄＴｅ、Ｐ型ＣｕＯなどが挙げられる。
【０１３９】
また、前記電荷発生層として、Ｖ２Ｏ５などの電気絶縁性材料を用いることもできる。
【０１４０】
前記電荷発生層は、単層でも複数積層させたものでもよい。複数積層させた構造としては、透明伝導材料や金属材料などの導電性を有する材料と正孔伝導性材料、又は、電子伝導性材料を積層させた構造、上記の正孔伝導性材料と電子伝導性材料を積層させた構造の層などが挙げられる。
【０１４１】
前記電荷発生層は、一般に、可視光の透過率が５０％以上になるよう、膜厚・材料を選択することが好ましい。また膜厚は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、０．５〜２００ｎｍが好ましく、１〜１００ｎｍがより好ましく、３〜５０ｎｍがさらに好ましく、５〜３０ｎｍが特に好ましい。
【０１４２】
電荷発生層の形成方法は、特に限定されるものではなく、前述した有機化合物層の形成方法を用いることができる。
【０１４３】
電荷発生層は前記二層以上の発光層間に形成するが、電荷発生層の陽極側及び陰極側には、隣接する層に電荷を注入する機能を有する材料を含んでいてもよい。陽極側に隣接する層への電子の注入性を上げるため、例えば、ＢａＯ、ＳｒＯ、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＣｌ、ＬｉＦ、ＭｇＦ２、ＭｇＯ、ＣａＦ２などの電子注入性化合物を電荷発生層の陽極側に積層させてもよい。
【０１４４】
以上で挙げられた内容以外にも、特開２００３−４５６７６号公報、米国特許第６３３７４９２号、同第６１０７７３４号、同第６８７２４７２号等に記載を元にして、電荷発生層の材料を選択することができる。
【０１４５】
＜＜＜低屈折率層＞＞＞
本発明による有機ＥＬ装置において、低屈折率層は、基板の屈折率と差異を有するものであれば、特に制約はない。低屈折率層の屈折率としては、基板、封止板と接する面が１．４以下の屈折率を有すれば、特に制約はなく、この屈折率は１．０〜１．４であることが好ましく、１．０〜１．３であることがより好ましく、１．２以下であることが特に好ましい。屈折率が１．４未満であると、発光効率が上がることがあり、１．４を超えると、発光効率が低下することがある。一方、屈折率が前記の特に好ましい範囲内であると、光学的に有利である。なお、本発明において、屈折率の測定方法としては、エリプソメーターを用いた方法が挙げられる。低屈折率層の構造及び大きさ等については、上記の条件を満たすものであれば、特に制約はなく、加圧の点で、空気などからなる中空の層の態様であってもよく、パネル強度の点で、下記に例示する有体物である材料からなる層の態様であってもよい。なかでも、透明で低屈折率であることが、発光効率の向上、画質（着色なし）の点で、好ましい。
【０１４６】
低屈折率層の配置位置としては、反射層からみて光出射方向のいずれかに配置されれば、特に制約はないが、光学特性を発揮し得る点で、基板直下に配置する態様が好ましい。このように配置することで、ガラスバリア性及び封止性が維持される。
【０１４７】
低屈折率層の材料については、上記の要件を満たすものであれば、特に制約はなく、例えば、エアロゲル、フッ素系樹脂が挙げられる。
【０１４８】
＜＜その他の層構造＞＞
＜＜＜接合層＞＞＞
本発明による有機ＥＬ装置において、各層を接合する目的で、接合層を有してもよい。接合層は、その形状、構造、大きさ等、本発明の目的に応じて適宜選択すればよく、例えば、高屈折率を有するもの、接着性を有するものであってもよい。ここで、高屈折率とは、ガラスと比較して高い屈折率を有することをいう。接合層の材料としては、特に制約はないが、透明性及び低光吸収性を有するものが好ましく、具体的には、高屈折率微粒子（ＺｒＯ２、ＴｉＯ２など）を分散させたアクリル系やエポキシ系の接着剤が挙げられる。
【０１４９】
接合層の配置位置としては、各層を接合し得るものであれば、特に制約はないが、接合層を介して光取り出し層を他の層構造に接合するように配置する又は貼り付ける態様であることが好ましい。
【０１５０】
＜＜＜保護層＞＞＞
本発明による有機ＥＬ装置において、水分や酸素等による劣化を防止するなど、有機ＥＬ装置の機能を確保する目的で、保護層を有してもよい。
【０１５１】
保護層の配置位置としては、上記の目的が達成し得るものであれば、特に制約はないが、例えば、装置外部の水分から装置を保護するように配置する態様が挙げられる。なかでも、水分から保護する点で、電極及び／又は発光層に近い位置、特に、電極と接するように配置する態様が好ましい。
【０１５２】
保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の、発光層を有する有機化合物層の劣化を促進するものが有機化合物層に入ることを抑止する機能を有しているものであってもよい。その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２等の金属酸化物、ＳｉＮｘ、ＳｉＮｘＯｙ等の金属窒化物、ＭｇＦ２、ＬｉＦ、ＡｌＦ３、ＣａＦ２等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種単独のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
【０１５３】
保護層の形成方法については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法などが挙げられる。
【０１５４】
また、保護層は、水分吸収剤又は不活性液体を含有してもよい。水分吸収剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウムなどが挙げられる。不活性液体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類などが挙げられる。
【０１５５】
また、保護層は、大気との接触を防ぎ、酸素や水分による素子性能の劣化を抑制することを目的として、樹脂を含有してもよい。この樹脂素材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フッ素系樹脂、シリコン系樹脂、ゴム系樹脂、又はエステル系樹脂等が挙げられる。なかでも、エポキシ樹脂が、水分防止機能の点で、好ましい。エポキシ樹脂のなかでも熱硬化型エポキシ樹脂、光硬化型エポキシ樹脂がより好ましい。
【０１５６】
樹脂を有する保護層の形成方法は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、上記の保護層に含まれる材料に加えて樹脂を有する溶液／分散液を塗布する方法、樹脂シートを圧着又は熱圧着する方法、蒸着やスパッタリング等により乾式重合する方法などが挙げられる。
【０１５７】
樹脂を有する保護層の厚みは、１μｍ以上、１ｍｍ以下が好ましく、５μｍ以上、１００μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下が特に好ましい。１μｍよりも薄いと、第２の基板を装着時に無機膜を損傷する恐れがある。また、１ｍｍよりも厚いと有機ＥＬ装置自体の厚みが厚くなり、有機ＥＬ装置の特徴である薄膜性を損なうことになる。
【０１５８】
＜＜＜反射防止層＞＞＞
本発明による有機ＥＬ装置において、反射防止層としては、反射防止層への入射光がこの層内で反射することを防止するものであれば、特に制約はなく、その形状、構造、大きさは、適宜選択すればよい。
【０１５９】
本発明による有機ＥＬ装置において、反射防止層の配置位置としては、本発明の目的に応じて適宜選択すればよく、例えば、有機ＥＬ装置の出射方向の最表面に配置する態様、光出射側の基板や封止フィルム内部が挙げられる。なかでも、外光を最も効率よく反射する点で、有機ＥＬ装置の出射方向の最表面に配置する態様が好ましい。
【０１６０】
例えば、反射防止層としては、外光を吸収するものであってもよい。反射防止層の材料としては、上記の要件を満たすものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択すればよい。
【０１６１】
（有機ＥＬ装置における層の形成方法）
本発明による有機ＥＬ装置において、上記に特に言及しない限りは、有機ＥＬ装置用光学部材の各層の形成方法は、特に制限はなく、本技術分野公知の方法により形成すればよい。例えば、特に制限はなく、例えば、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法、塗布法、インクジェット法、及びスプレー法等から適宜選択することができる。
【０１６２】
（駆動）
本発明による有機ＥＬ装置は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）、電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
【０１６３】
有機ＥＬ装置の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。
【０１６４】
（マイクロキャビティー構造）
本発明による有機ＥＬ装置は、反射層と、透明電極、有機化合物層を含む発光層を介した、半透明電極との間で、反射／干渉を生じる、いわゆる光共振構造（マイクロキャビティー構造）を有してもよい。この光共振構造としては、例えば、光共振構造を構成する電極として半透明電極を用いて、これを一方の反射板とし、他方の反射板として反射層を構成することで、これらの反射板間で反射を繰り返し共振するように構成してもよい。これにより、多重干渉による色強度が増大し、より高い光強度を出射し得る有機ＥＬ装置が得られる。
【０１６５】
図を参照して、光の発生から出射までの経過を説明する。なお、図３及び４のいずれも、トップエミッション型又はボトムエミッション型の別はあるものの、発光から光の出射までの経過は、略同様であるので、図３に示したトップエミッション型の有機ＥＬ装置を参照して、説明する。
【０１６６】
図３に示すトップエミッション型の有機ＥＬ装置において、電極２２、１２２に電界を印加すると、有機化合物層を構成する発光層１０２の発光材料により発光が生じ、発光層１０２から全方向に光が進行する。発光層１０２から有機ＥＬ装置１００の出射方向に進行する光は、電極１２２で反射されるものもあり、電極１２２で反射されずに出射方向に進行するものもある。
【０１６７】
電極１２２で反射された光は、有機ＥＬ装置の出射方向とは反対の方向に進行し、複数の層を経て、最終的に反射層１６で大部分が反射される。反射層１６で反射された光は、発光層１０２の発光材料により生じた発光と略同様の経過をたどる。なお、電極１２２反射された光は、上記のマイクロキャビティー構造内において反射／干渉現象を生じることとなる。
【０１６８】
一方、電極１２２で反射されずに有機ＥＬ装置の出射方向に進行した光、及び反射層１６で反射されて複数の層を経て電極１２２で反射されずに有機ＥＬ装置の出射方向に進行した光は、複数の層を介して、最終的に反射防止層１２６の出射面から、空気中へと進行し、大気中で観察される。このようにして、本発明による有機ＥＬ装置から、発光材料に由来する光が観察される。
【０１６９】
本発明による有機ＥＬ装置は、フルカラーで表示し得る装置として構成されてもよい。本発明による有機ＥＬ装置をフルカラータイプのものとする方法としては、例えば「月刊ディスプレイ」、２０００年９月号、３３〜３７ページに記載されているように、色の３原色（青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ））に対応する光をそれぞれ発光する層構造を基板上に配置する３色発光法、白色発光用の層構造による白色発光をカラーフィルターを通して３原色に分ける白色法、青色発光用の層構造による青色発光を蛍光色素層を通して赤色（Ｒ）及び緑色（Ｇ）に変換する色変換法、などが知られている。
【０１７０】
また、上記方法により得られる異なる発光色の層構造を複数組み合わせて用いることにより、所望の発光色の平面型光源を得ることができる。例えば、青色及び黄色の発光素子を組み合わせた白色発光光源、青色、緑色、赤色の発光素子を組み合わせた白色発光光源、等である。
【実施例】
【０１７１】
次に、実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない。
【０１７２】
（実施例１）
表１及び図３に示した層構成となるように、下記の通り、本発明によるトップエミッション型の有機ＥＬ装置１を作製した。なお、表１において、「光出射方向」に示した“Ｔ”は、表１に記載の各実施例で得た有機ＥＬ装置がいわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置であることを示す。また、表１の層構成の上段から下段の方向が、光出射方向に対応する。また、「散乱粒子」、「微細凹凸」、「中空」及び「材料充填」は、それぞれ、散乱粒子を含有する光取り出し層、微細な凹凸で構成された光取り出し層、中空で構成された低屈折率層、及び材料充填して構成された低屈折率層に対応する。また、「−」は、対応する層を設けなかったことを示す。下記の通り作製した。なお、有機ＥＬ装置の光出射面から最も離れた位置に配置された基板としては、トップエミッション型である場合には、ガラス又はフィルム上に画素毎の駆動を可能とするＴＦＴを設けた基板であり、ボトムエミッション型では、封止フィルム基板又はガラス基板である。
【０１７３】
（ガスバリア層の形成方法）
ＳｉＮの成分からなるガスバリア層を下記の製法で作製した。すなわち、基板上に、ＣＶＤ法を用い、１３．５６ＭＨｚのＲＦプロズマによりシランガスと窒素ガスとを反応させ、ＳｉＮ膜を形成して、膜厚５０ｎｍのガスバリア層を形成した。
【０１７４】
（反射層の形成方法）
上記の通り形成されたガスバリア層上に、スパッタ法によりＡｌを蒸着し、膜厚２００ｎｍの反射層を形成した。
【０１７５】
（光路長調整層の形成方法）
上記の通り形成された反射層上に、光硬化性の透明なアクリル樹脂（東レ製）をスピンコートし、必要な場所に露光できるように作製された露光マスクを介してＵＶ露光を行い、樹脂を硬化させ、必要のない部分を除去して、膜厚１０〜２００ｎｍの光路長調整層を形成した。
【０１７６】
（散乱粒子を含有する光取り出し層の形成方法）
下記の成分からなる散乱粒子を含有する光取り出し層用組成物を調製した。
【０１７７】
光硬化性アクリル樹脂（東レ社製） ９９〜８０体積％
ＺｒＯ２（フルウチ社製） １〜２０体積％
（粒子径 １〜５μｍ）
【０１７８】
次に、上記の通り形成された光路長調整層上に、光取り出し層用組成物を、スピンコート法により積層し、ＵＶ照射により硬化して、膜厚２，０００ｎｍの散乱粒子を含有する光取り出し層を形成した。
【０１７９】
（高屈折率平滑層の形成方法）
下記の成分からなる高屈折率平滑層用組成物を調製した。
【０１８０】
熱硬化性アクリル樹脂（東レ社製） ７０質量部
ＺｒＯ２（フルウチ社製） ３０質量％
（粒子径 １０〜１００ｎｍ）
【０１８１】
次に、上記の通り形成された光取り出し層上に、高屈折率平滑層用組成物を、スピンコート法により積層し、１２０℃で２時間加熱して硬化して、膜厚２，０００ｎｍの高屈折率平滑層を形成した。
【０１８２】
（透明電極の形成方法）
上記の通り形成された高屈折率平滑層上に、ＩＴＯ（フルウチ社製）をターゲット材としてスパッタ法（スパッタ装置：アルバック製）により積層し膜厚１５０ｎｍの透明電極を形成した。
【０１８３】
（発光層を有する有機化合物層の形成方法）
下記の成分からなる正孔注入層用及び輸送層用組成物を調製した。
２−ＴＮＡＴＡ（バンドー化学）
ＮＰＤ（新日鉄化学）
【０１８４】
また、下記の成分からなる発光層兼電子輸送層用組成物を調製した。
【０１８５】
Ａｌｑ３（新日鉄化学）
【０１８６】
次に、上記の通り形成された透明電極上に、正孔注入用及び輸送層用組成物を、真空蒸着法により積層し、それぞれ膜厚２００ｎｍ及び５０ｎｍの正孔注入層及び正孔輸送層を形成した。
【０１８７】
その後、形成した正孔輸送層上に、発光層兼電子輸送層用組成物（Ａｌｑ３）を、真空蒸着法により成膜し、膜厚１００ｎｍの発光層を形成した。
【０１８８】
その後、形成した発光層上に、電子注入層用組成物（ＬｉＦ（フルウチ社製））を、真空蒸着法により積層し、膜厚０．５ｎｍの電子輸送層を形成した。
【０１８９】
このようにして、膜厚２００ｎｍの正孔輸送層と、膜厚１００ｎｍの発光層兼電子輸送層と、膜厚０．５ｎｍの電子注入層とからなる、発光層を有する有機化合物層を形成した。
【０１９０】
（半透明電極の形成方法）
下記の成分からなる半透明電極用組成物を調製した。
【０１９１】
Ａｇ（フルウチ社製）
ＩＴＯ（フルウチ社製）
【０１９２】
次に、上記の通り形成された有機化合物層上に、半透明電極用組成物を、スパッタ法により積層し、膜厚がそれぞれ５ｎｍ（Ａｇ）及び１００ｎｍ（ＩＴＯ）の半透明電極を形成した。
【０１９３】
（保護層の形成方法）
下記の成分からなる保護層用組成物を調製した。
【０１９４】
ＳｉＯ２（ターゲット）（フルウチ社製）
Ｎ２ガス（日本酸素社製）
【０１９５】
次に、上記の通り形成された半透明電極上に、保護層用組成物を、反応性スパッタ法により反応させ、ＳｉＯＮ膜を成膜して、膜厚１５０ｎｍの保護層を形成した。
【０１９６】
（中空で構成された低屈折率層の形成方法）
下記の製法により中空で構成された低屈折率層を形成した。即ち、上記の通り形成された保護層まで形成された基板上に、光及び熱硬化性接着材を介して中空ザグリ加工された封止用ガラス部材を接着した。この封止用ガラス部材においてこのようにしてザグリ加工された部分には、空気（屈折率ｎ＝１）で満たされた中空で構成された低屈折率層が形成された。
【０１９７】
（封止フィルム／基板の形成方法）
本実施例において、上記の中空で構成された低屈折率層の形成に用いた封止用ガラス部材は、封止基板を兼ねる。なお、封止に封止フィルムを使う場合は、あらかじめバリア性能を有するバリアフィルムを熱硬化性接着剤をスペーサー（高さ１００μｍ）を介してＥＬ成膜された基板に貼り付け、８０℃１時間の熱硬化処理によって貼り付けた。バリアフィルムはＰＥＮフィルム（厚み１００μｍ）の両面にＳｉＯＮをスパッタ又はＣＶＤ法でコーティングしたものを用いた。バリアフィルムはＳｉＯＮ／アクリル樹脂の積層タイプを用いることも可能である。
【０１９８】
（反射防止層の形成方法）
上記の通り形成された封止フィルム／基板上に、ＡＲコート（Ｃｒ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉなどの薄膜積層コート）を用いて、スパッタ法により積層し、膜厚５０ｎｍの反射防止層を形成した。
【０１９９】
このようにして、実施例１の有機ＥＬ装置１を得た。
【０２００】
（実施例２）
実施例１において、散乱粒子を含有する光取り出し層の代わりに、下記の通り、微細な凹凸で構成された光取り出し層を形成したこと以外は、表１及び図３に示した層構成となるように、有機ＥＬ装置２を作製した。
【０２０１】
（微細な凹凸で構成された光取り出し層の形成方法）
実施例１と同様に形成された光路長調整層上に、ナノインプリント法を用い、微細凹凸形状とした熱硬化型アクリル樹脂で形成された光取り出し層組成物を積層し、これを硬化して、光取り出し層を形成した。微細凹凸形状の凸部の形状は、円柱状で、高さ１００ｎｍ、直径１００ｎｍ、ピッチ３００ｎｍの微細な形状を構成した。
【０２０２】
（実施例３）
実施例１において、中空で構成された低屈折率層の代わりに、下記の通り、材料充填して構成された低屈折率層を形成したこと以外は、実施例１と同様に、表１及び図３に示した層構成となるように、有機ＥＬ装置３を作製した。
【０２０３】
（材料充填して構成された低屈折率層の形成方法）
下記の成分からなる、材料充填して構成された低屈折率層用組成物を調製した。
【０２０４】
フッ素系樹脂（ポリヘキサフルオロイソプロピルアクリレート）（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社製）
【０２０５】
次に、上記の通り形成された保護層上に、この低屈折率層用組成物を、スピンコート法により積層し、熱硬化して、膜厚２，０００ｎｍの材料充填して構成された低屈折率層を形成した。
【０２０６】
（実施例４）
実施例３において、散乱粒子を含有する光取り出し層の代わりに、上記の通り、微細な凹凸で構成された光取り出し層を形成したこと以外は、実施例３と同様にして、表１及び図３に示した層構成となるように、有機ＥＬ装置４を作製した。
【０２０７】
（実施例５）
実施例１において、低屈折率層を形成しなかったこと以外は、実施例１と同様に、表１及び図３に示した層構成となるように、有機ＥＬ装置５を作製した。
【０２０８】
（実施例６）
実施例２において、低屈折率層を形成しなかったこと以外は、実施例２と同様に、表１及び図３に示した層構成となるように、有機ＥＬ装置６を作製した。
【０２０９】
【表１】
【０２１０】
（実施例７）
ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置として、表２及び図４に示した層構成となるように、下記の通り、有機ＥＬ装置７を作製した。なお、表２において、「光出射方向」に示した“Ｂ”は、表１に記載の各実施例で得た有機ＥＬ装置がいわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置であることを示す。また、表２の層構成の上段から下段の方向が、光出射方向に対応する。また、その他の表示は、表１と同様である。
【０２１１】
即ち、基板として、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置の形成に用いる基板上に、実施例１と同様に、低屈折率層、ガスバリア層、透明電極、有機層、第二電極、封止保護層まで積層し、接着層を介して反対側の封止フィルム基板、反射層、光路長調整層及び光取り出し層を形成した部材を接合した。
【０２１２】
実施例１と同様に、封止フィルム／基板上に、反射層、光路長調整層を形成し、その後、このように形成された光取り出し層上に、下記の通り、接合層を形成した。
【０２１３】
（接合層の形成方法）
下記の成分からなる接合層用組成物を調製した。
【０２１４】
紫外線及び熱硬化型接着剤 ７０質量部
（変性エポキシ樹脂）（ナガセケムテック株式会社製）
ＺｒＯ２粒子（粒径５０〜１００ｎｍ）（フルウチ社製） ３０質量％
【０２１５】
次に、上記の通り形成された光取り出し層上に、高屈折率（ｎ＝１．７）の接合層用組成物を、加圧ラミネート法により積層し、ＵＶ光を照射して仮接着して、膜厚２，０００ｎｍの接合層を形成した。
【０２１６】
このように形成された接合層と、実施例１と同様に、ＴＦＴ基板上に低屈折率層、ガスバリア層、透明電極、有機化合物層、第二電極、封止／保護層が形成された基板を張り合わせ、８０℃１時間加熱して、硬化させた。
【０２１７】
その後、このように形成された有機ＥＬ基板上に、実施例１と同様に反射防止層を形成した。
【０２１８】
このようにして、実施例７の有機ＥＬ装置７を得た。
【０２１９】
（実施例８）
実施例７において、散乱粒子を含有する光取り出し層の代わりに、上記の微細な凹凸で構成された光取り出し層を形成したこと以外は、実施例７と同様に、表２及び図４に示した層構成となるように、有機ＥＬ装置８を作製した。
【０２２０】
（実施例９）
実施例７において、中空で構成された低屈折率層の代わりに、上記の材料充填して構成された低屈折率層を形成したこと以外は、実施例７と同様に、表２及び図４に示した層構成となるように、有機ＥＬ装置９を作製した。
【０２２１】
（実施例１０）
実施例９において、散乱粒子を含有する光取り出し層に代えて、上記の微細な凹凸で構成された光取り出し層を形成したこと以外は、実施例９と同様に、表２及び図４に示した層構成となるように、有機ＥＬ装置１０を作製した。
【０２２２】
（実施例１１）
実施例７において、低屈折率層を形成しなかったこと以外は、実施例７と同様に、表２及び図４に示した層構成となるように、有機ＥＬ装置１１を作製した。
【０２２３】
（実施例１２）
実施例８において、低屈折率層を形成しなかったこと以外は、実施例８と同様に、表２及び図４に示した層構成となるように、有機ＥＬ装置１２を作製した。
【０２２４】
【表２】
【０２２５】
（比較例１）
トップエミッション型の有機ＥＬ装置として、表３に示した層構成となるように、下記の通り、比較有機ＥＬ装置１を作製した。なお、表３において、「光出射方向」に示した“Ｔ”は、表１に記載の各実施例で得た有機ＥＬ装置がいわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置であることを示す。また、表１の層構成の上段から下段の方向が、光出射方向に対応する。また、その他の表示は、表１と同様である。
【０２２６】
即ち、実施例１において、光路長調整層及び光取り出し層を形成しなかったこと以外は、実施例１と同様にして、比較有機ＥＬ装置１を作製した。
【０２２７】
（比較例２）
実施例１において、光路長調整層及び低屈折率層を形成しなかったこと以外は、実施例１と同様に、表３に示した層構成となるように、比較有機ＥＬ装置２を作製した。
【０２２８】
（比較例３）
実施例２において、光路長調整層及び低屈折率層を形成しなかったこと以外は、実施例２と同様に、表３に示した層構成となるように、比較有機ＥＬ装置３を作製した。
【０２２９】
（比較例４）
実施例１において、光路長調整層を形成しなかったこと、及び有機化合物層上に形成された半透明電極に代えて透明電極を形成したこと以外は、実施例１と同様に、表３に示した層構成となるように、比較有機ＥＬ装置４を作製した。
【０２３０】
（比較例５）
比較例４において、散乱粒子を含有する光取り出し層に代えて、上記の微細な凹凸で構成された光取り出し層を形成したこと以外は、比較例４と同様に、表３に示した層構成となるように、比較有機ＥＬ装置５を作製した。
【０２３１】
（比較例６）
比較例４において、中空で構成された低屈折率層に代えて、上記の材料充填して構成された低屈折率層を形成したこと以外は、比較例４と同様に、表３に示した層構成となるように、比較有機ＥＬ装置６を作製した。
【０２３２】
（比較例７）
比較例６において、散乱粒子を含有する光取り出し層に代えて、微細な凹凸で構成された光取り出し層を形成したこと以外は、比較例６と同様に、表３に示した層構成となるように、比較有機ＥＬ装置７を作製した。
【０２３３】
【表３】
【０２３４】
（比較例８）
ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置として、表４に示した層構成となるように、下記の通り、比較有機ＥＬ装置８を作製した。なお、表４において、「光出射方向」に示した“Ｂ”は、表１に記載の各実施例で得た有機ＥＬ装置がいわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置であることを示す。また、表１の層構成の上段から下段の方向が、光出射方向に対応する。また、「−」は、対応する層を設けなかったことを示す。また、その他の表示は、表１と同様である。
【０２３５】
即ち、実施例７において、光路長調整層及び光取り出し層を形成しなかったこと、並びに半透明電極に代えて透明電極を形成したこと以外は、実施例７と同様にして、比較有機ＥＬ装置８を得た。
【０２３６】
（比較例９）
実施例７において、光路長調整層を形成しなかったこと、及び半透明電極に代えて透明電極を形成したこと以外は、実施例７と同様に、表４に示した層構成となるように、比較有機ＥＬ装置９を作製した。
【０２３７】
（比較例１０）
比較例９において、散乱粒子を含有する光取り出し層に代えて、上記の微細な凹凸で構成された光取り出し層を形成したこと以外は、比較例９と同様に、表４に示した層構成となるように、比較有機ＥＬ装置１０を作製した。
【０２３８】
（比較例１１）
比較例９において、中空で構成された低屈折率層に代えて、上記の材料充填して構成された低屈折率層を形成したこと以外は、比較例９と同様に、表４に示した層構成となるように、比較有機ＥＬ装置１１を作製した。
【０２３９】
（比較例１２）
比較例１１において、散乱粒子を含有する光取り出し層に代えて、上記の微細な凹凸で構成された光取り出し層を形成したこと以外は、比較例１１と同様に、表４に示した層構成となるように、比較有機ＥＬ装置１２を作製した。
【０２４０】
【表４】
【０２４１】
＜評価方法＞
＜＜視野角に関する評価＞＞
（１）４５°輝度
得た装置の光が射出する面における正面（０°）の輝度（ｃｄ／ｍ２）及び正面に対して上下（又は左右）４５°の輝度（ｃｄ／ｍ２）をそれぞれ放射輝度計（コニカミノルタ製ＣＳ−１０００）により測定し、０°における輝度に対する４５°における輝度の割合を算出した。
【０２４２】
（２）色度差
上記の放射輝度計を用いて、正面（０°）からみた色度と、４５°からみた色度との差（ΔＵ’Ｖ’）を計測した。
【０２４３】
＜＜＜視野角に関する総合評価＞＞＞
上記（１）及び（２）の結果をそれぞれ、下記の基準で評価した。
−（１）４５°視野角−
○：上記４５°輝度が６０％以上である場合
×：上記４５°輝度が６０％未満である場合
−（２）色度差−
○：上記色度差が０．０２以下である場合
×：上記色度差が０．０２未満である場合
−綜合評価−
○：（１）及び（２）の両方が○である場合
△：（１）及び（２）のいずれか一方が×である場合
×：（１）及び（２）のいずれも×である場合
【０２４４】
＜＜光取り出し効果＞＞
得た装置の光が射出する面における正面輝度（ｃｄ／ｍ２）を放射輝度計（コニカミノルタ製ＣＳ−１０００）により測定し、光取り出し構造がない場合を１．０とした場合における各装置で得た正面輝度の割合を示した。
【０２４５】
【表５】
【０２４６】
【表６】
【産業上の利用可能性】
【０２４７】
本発明による有機ＥＬ装置用光学部材は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）を利用した表示装置に好適に利用できる。
【０２４８】
本発明による有機ＥＬ装置は、高精彩なフルカラー表示が可能であるため、携帯電話ディスプレイ、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、コンピュータディスプレイ、自動車の情報ディスプレイ、ＴＶモニター、又は一般照明を含む幅広い分野、好適に利用可能である。
【符号の説明】
【０２４９】
１０ 有機ＥＬ装置用光学部材
１２ 光路長調整層
１４ 光取り出し層
１６ 反射層
２２ 電極
２４ 高屈折率平滑層
２５ 接合層
２６ 基板
２８ ガスバリア層
１００ 有機ＥＬ装置
１０２ 発光層
１０４ 低屈折率層
１０６ バリアフィルム基板
１２２ 電極
１２４ 保護層
１２６ 反射防止層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置用光学部材及び有機ＥＬ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置は、液晶ディスプレイなどの従来の薄型表示装置と比較して、応答速度の速さ、視野角の広さ、解像度の高さ、色再現域の広さ、エネルギー変換効率の高さ、コントラスト比の高さ、及び大型化が容易であること等から、盛んに研究開発が行われ、上市もされている。
【０００３】
有機ＥＬ装置は、一般的に、有機発光材料などからなる発光層と、この発光層を挟むように配置された一対の電極とを有し、その他、必要に応じて、発光層からの発光を一方向に出射するための反射層や、発光材料の酸素等による劣化を防ぐための封止層など、複数の層構造を有する。このような複数の層構造を経て発光層からの発光を出射面に出射させる場合、層間で発生する、各層の屈折率の相違に起因した反射を無視し得ない。したがって、発光層からこれらの複数の層を経て出射面に効率的に出射させるには、層間の屈折界面での反射率を考慮して、屈折界面での反射が発生しないように、発光材料からの光の進行方向を効率的に制御する必要がある。そこで、回折格子を有する層、微粒子を有する層、高い屈折率を有する層と低い屈折率を有する層とを組み合わせた層など、光取り出し（光散乱）機能を有する層を設けて、発光材料からの光の進行方向を制御する技術が開示されている（特許文献１及び２）。
【０００４】
特許文献１では、背面電極と、前面電極と、この背面電極と前面電極との間に介在するように配置された発光層を含んだ活性層と、発光層からの光を反射する反射層と、活性層の主面に平行な方向に伝播している光を出射方向に取り出す、反射層に接するように設けられた取り出し層とを具備する表示装置を開示する。また、特許文献２は、発光材料等からなる有機材料層と、この有機材料層に接するように配置された反射性を有する反射電極と、高い屈折率を有する層と低い屈折率を有する層とを有する光取出しフィルムとからなる有機発光ダイオードディスプレイ装置を開示する。
【０００５】
これらのいずれも、発光材料からの発光を出射面に効率的に出射させるために、上記の光取り出し（光散乱）機能を有する層を設けているものの、その光取り出し効率は、十分ではない。なかでも、発光素子からの発光が、発光素子と反射層との間で反射を繰り返し、多重的な干渉が生じる光共振構造（マイクロキャビティー構造；ＭＣ構造）を有する有機ＥＬ装置では、色純度が向上するものの、さらに光取出し効率を向上させる必要がある。
【０００６】
また、ＭＣ構造を有することにより生じる多重干渉に特有の現象として、視野角に依存して輝度が低下したり、視野角に依存して色度が異なるといった、視野角に依存した画像再現性に関する問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−５１５１２９号公報
【特許文献２】米国特許出願公開２００９／００１５１４２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、光取り出し効率をさらに向上し、多重干渉に特有の視野角依存性を低減することが可能な有機ＥＬ装置用光学部材、及びこれを用いた有機ＥＬ装置を提供することを目的とする。
【０００９】
また、画素毎に最適な構造設計が可能な有機ＥＬ装置用光学部材及びこれを用いた有機ＥＬ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、前記目的を達成すべく鋭意検討を行った結果、反射層と光取り出し層との間に光路長調整層を設けることにより前記目的が達成されることを見出し、本発明の完成に至った。
【００１１】
本発明は、本発明者らによる前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては以下の通りである。即ち、
＜１＞ 発光層を有する有機ＥＬ装置に用いる有機ＥＬ装置用光学部材であって：前記発光層からの光を反射する反射層と；前記発光層からの光を取り出す光取り出し層と；前記反射層と前記光取り出し層との間に光路長調整層と；を有することを特徴とする有機ＥＬ装置用光学部材である。
反射層と光取り出し層との間に光路長調整層が位置することで、より高い光取り出し効率が達成される。
＜２＞ 光路長調整層の厚みが、画素毎に異なる前記＜１＞から＜１４＞のいずれかに記載の有機ＥＬ装置用光学部材である。
＜３＞光取り出し層からみて光出射方向に電極をさらに有する前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の有機ＥＬ装置用光学部材である。
前記＜３＞に記載の有機ＥＬ装置用光学部材である。
＜４＞ 光取り出し層からみて反射層の反対側に基板をさらに有する前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の有機ＥＬ装置用光学部材である。
【００１２】
また、＜５＞ 請求項１から４のいずれかに記載の有機ＥＬ装置用光学部材を有することを特徴とする有機ＥＬ装置である。
＜６＞ 第１の基板と；一対の電極間に配置された発光層と；を有する有機ＥＬ装置であって、光取り出し層が、前記発光層に対して前記有機ＥＬ装置の光出射方向の反対側に位置する前記＜５＞に記載の有機ＥＬ装置である。
＜７＞ 光路長調整層の厚みが、画素毎に異なる前記＜５＞から＜６＞のいずれかに記載の有機ＥＬ装置である。
＜８＞ 光取り出し層からみて反射層の反対側に第２の基板をさらに有する前記＜５＞から＜１６＞のいずれかに記載の有機ＥＬ装置である。
＜９＞ 第２の基板がバリアフィルム基板である前記＜８＞に記載の有機ＥＬ装置である。
＜１０＞ 発光層からみて光出射方向に低屈折率層をさらに有する前記＜５＞から＜９＞のいずれかに記載の有機ＥＬ装置である。
＜１１＞ トップエミッション型である前記＜５＞から＜１０＞のいずれかに記載の有機ＥＬ装置である。
＜１２＞ ボトムエミッション型である前記＜５＞から＜１０＞のいずれかに記載の有機ＥＬ装置である。
＜１３＞ 光路長調整層が反射層と光取り出し層とに接するように配置される前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の有機ＥＬ装置用光学部材である。
＜１４＞ 光取り出し層と電極との間に高屈折率平滑層をさらに有する前記＜１＞から＜４＞及び前記＜１３＞のいずれかに記載の有機ＥＬ装置用光学部材である。
＜１５＞ 高屈折率平滑層が光取り出し層と電極とに接するように配置される前記＜１４＞に記載の有機ＥＬ装置用光学部材である。
＜１６＞ 光路長調整層が反射層と光取り出し層とに接するように配置される前記＜５＞から＜１２＞のいずれかに記載の有機ＥＬ装置である。
＜１７＞ 光取り出し層と電極との間に高屈折率平滑層をさらに有する前記＜５＞から＜１２＞及び前記＜１６＞のいずれかに記載の有機ＥＬ装置である。
＜１８＞ 高屈折率平滑層が光取り出し層と電極とに接するように配置される前記＜１７＞に記載の有機ＥＬ装置である。
＜１９＞ 低屈折率層が中空で構成される前記＜１０＞から＜１２＞及び前記＜１６＞から＜１８＞のいずれかに記載の有機ＥＬ装置である。
＜２０＞ 低屈折率層が材料充填されて構成される前記＜１０＞から＜１２＞及び前記＜１６＞から＜１８＞のいずれかに記載の有機ＥＬ装置である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、従来における前記諸問題を解決し、前記目的を達成することができ、光取り出し効率をさらに向上し、多重干渉に特有の視野角依存性を低減することが可能な有機ＥＬ装置用光学部材、及びこれを用いた有機ＥＬ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本発明による有機ＥＬ装置用光学部材の一例を示す概略断面図である。
【図２】図２は、本発明による有機ＥＬ装置用光学部材の他の例を示す概略断面図である。
【図３】図３は、本発明による有機ＥＬ装置の一例であるトップエミッション型の有機ＥＬ装置を示す概略断面図である。
【図４】図４は、本発明による有機ＥＬ装置の一例であるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明による有機ＥＬ装置用光学部材及びこれを有する有機ＥＬ装置について、詳細に説明する。
【００１６】
＜有機ＥＬ装置用光学部材＞
本発明による有機ＥＬ装置用光学部材は、後述の発光層を有する有機ＥＬ装置に用いるものであって、発光層からの光を反射する反射層と、発光層からの発光を取り出す光取り出し層と、この反射層と光取り出し層との間に光路長調整層とを有し、さらに必要に応じて、その他の層構造を有してなる。図１及び２は、有機ＥＬ装置用光学部材の概略断面図を示したものであって、図１は、本発明による有機ＥＬ装置用光学部材の一例を示す概略断面図であり、図２は、本発明による有機ＥＬ装置用光学部材の他の例を示す概略断面図である。なお、各図において、点線で囲み且つ点線で矢示した部分は、各図に記載の態様に含まれるものではないが、各態様をより容易に理解するために記したものである。
【００１７】
図１を参照すると、本発明による有機ＥＬ装置用光学部材は、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置に用いられてもよく、後述する発光層１０２からの光を反射する反射層１６と、反射層１６からみて有機ＥＬ装置の光出射方向に形成された光取り出し層１４と、反射層１６と光取り出し層１４との間に光路長調整層１２とを有する。また、本発明による有機ＥＬ装置用光学部材は、その他、後述する電極２２、高屈折率平滑層２４、基板２６及びガスバリア層２８を適宜有してもよい。
【００１８】
また、図２を参照すると、本発明による有機ＥＬ装置用光学部材は、いわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置に用いられてもよく、図１に示す有機ＥＬ装置用光学部材と同様に、後述する発光層１０２からの光を反射する反射層１６と、反射層１６からみて有機ＥＬ装置の光出射方向に形成された光取り出し層１４と、反射層１６と光取り出し層１４との間に光路長調整層１２とを有する。また、本発明による有機ＥＬ装置用光学部材は、その他、後述する接合層２５及びバリアフィルム基板１０６を適宜有してもよい。
【００１９】
本発明による有機ＥＬ装置用光学部材は、反射層、光取り出し層及び光路長調整層並びに、必要に応じて、その他の層構造からなる光学部材として、供給されてもよい。
【００２０】
なお、本発明において、「光出射方向」とは、発光層からの光が、最終的に有機ＥＬ装置の所望する出射面から装置の外部に出射される方向を示し、例えば、図１に示すトップエミッション型の有機ＥＬ装置に用いる有機ＥＬ装置用光学部材の場合、矢印で示した通り、発光層１０２からみて基板２６と反対側（図面に平行に上方に）向かう方向を示し、図２に示すボトムエミッション型の有機ＥＬ装置に用いる有機ＥＬ装置用光学部材の場合、矢印で示した通り、発光層１０２からみて図示されていない基板方向（図面に平行に下方に）向かう方向を示す。
【００２１】
＜＜反射層＞＞
本発明において、反射層としては、後述の発光層からの光を反射するものであれば、特に制約はなく、本発明の目的に応じて適宜選択することができる。反射層の形状、構造、大きさとしては、本発明の目的に応じて適宜選択すればよく、反射層の厚みは、本発明の目的に応じて適宜選択すればよく、１０ｎｍ〜１，０００ｎｍの範囲であってもよい。
【００２２】
反射層の配置位置としては、有機ＥＬ装置用光学部材が装着される有機ＥＬ装置の態様に応じて、適宜選択すればよく、有機ＥＬ装置用光学部材をＴＦＴ基板を有するトップエミッション型の有機ＥＬ装置に用いる場合、反射層は、この基板のチャネル側と後述の発光層との間に配置すればよく、有機ＥＬ装置用光学部材をＴＦＴ基板を有するトップエミッション型の有機ＥＬ装置に用いる場合、反射層は、この基板のゲート側と後述の発光層との間に配置すればよい。
【００２３】
反射層の材料としては、発光層からの光を反射するものであれば特に制約はなく、例えば、この発光に対して７０％以上の反射率を有するものであってもよい。反射層の材料としては、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｗなどの金属、又はこれらの合金、例えば、Ａｇ−Ｍｇ、Ａｌ−Ｍｏなどが挙げられる。
【００２４】
＜＜光取り出し層＞＞
本発明において、光取り出し層は、後述の発光層からの光の方向を積極的に変えて有機ＥＬ装置の外部へ光を取り出すものであれば、特に制約はない。光取り出し層の形状としては、本発明の目的に応じて適宜選択すればよく、例えば、微細な凹凸を光取り出し層の表面に設けたもの、微粒子を光取出し層内に分散させたもの、プリズムやレンズなどの形状物を光取り出し層に設けたものであってもよい。光取り出し層の厚みは、本発明の目的に応じて適宜選択すればよく、１０ｎｍ〜５，０００ｎｍの範囲であってもよい。
【００２５】
光取り出し層の配置位置としては、反射層と発光層との間であれば、有機ＥＬ装置用光学部材が装着される有機ＥＬ装置の態様に応じて、適宜選択すればよい。例えば、所望の層（例えば、後述の高屈折率平滑層）を挟むように後述の電極との間に配置されてもよい。また、後述の光取出し効率や画質を制御する点で、反射層と接しないように配置してもよい。
【００２６】
粒子を用いた光取り出し層の材料としては、発光層からの光の方向を積極的に変えてパネル外部へ光を取り出すものであれば特に制約はなく、例えば、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２などの高い屈折率を有する粒子が挙げられる。
【００２７】
粒子を用いて光取り出し効果を達成する光取り出し層の場合、光取り出し層における粒子の含有量としては、光取り出し層への入射光が所定の程度に散乱されるものであれば、特に制約はないが、光取り出し層の質量に対して１質量％〜５０質量％の範囲であることが好ましく、５質量％〜２０質量％の範囲であることがより好ましく、６質量％〜１０質量％の範囲であることが特に好ましい。粒子の含有量が１質量％未満であると、所望の効果が得られないことがあり、５０質量％を超えると、光が透過しないことがある。一方、粒子の含有量が前記の特に好ましい範囲内であると、光取出しの点で有利である。
【００２８】
なお、本発明において、光取り出し層による発光層からの光を取り出すとは、光取り出し層に入射した光（以下、光取り出し層に限らず、入射光とも称する。）が、最終的に有機ＥＬ装置の出射方向に出射し得るように光路を変更することをいう。このような変更の態様としては、例えば、光取り出し層への入射光を任意に散乱したり、入射光を回折したり、屈折率の異なる複数の層を通過させることで入射光を任意に屈折したり、散乱する態様が挙げられる。なかでも、光取出し効率、画像（にじみ等）の点で、発光源に近い位置に光取出し構造を設置する態様を採用することが好ましい。
【００２９】
＜＜光路長調整層＞＞
本発明において、光路長調整層としては、入射光が光路長調整層内を進行する長さを調整し得るものであれば、特に制約はなく、例えば、反射層から半透明電極までの光路長を、発光層からの発光の波長をλとしたときにλ／２の整数倍となるように調整するものなどが挙げられる。光路長調整層は、このような態様であれば、形状、構造、大きさ等について、特に制約はない。光路長調整層の厚みとしては、１０ｎｍ〜１，０００ｎｍの範囲であればよく、また、画素毎に同一の厚みであっても、異なる厚みであってもよい。なかでも、各画素に最適な構造設計が可能な点で、異なる厚みを有することが好ましい。
【００３０】
光路長調整層の配置位置としては、反射層と光取り出し層との間に配置されたものであれば、特に制約はないが、例えば、反射層と光取り出し層とに接するように配置する態様が挙げられる。
【００３１】
光路長調整層の材料としては、入射光の波長や光強度に有意な影響を与えないものであれば、特に制約はなく、光学的に透明な無機及び有機の各種の材料、例えば、ポリアクリレート、ポリメタクリ酸メチル、ポリイミドなどの透明樹脂が挙げられる。
【００３２】
＜＜電極＞＞
本発明において、電極としては、後述の発光層に電界を印加し得るものであれば、特に制約はない。電極は、有機ＥＬ装置用光学部材又は有機ＥＬ装置への配置の形態に応じて、陽極若しくは陰極又は透明若しくは半透明等、適宜選択すればよく、例えば、有機ＥＬ装置の発光層からみて、光出射方向に位置する電極を透明としてもよい。
【００３３】
＜＜＜陽極＞＞＞
陽極は、通常、上述の発光層を構成する有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、有機ＥＬ装置の用途、目的に応じて、公知の電極材料のなかから適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常、透明陽極として設けられる。
【００３４】
陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられる。陽極材料の具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。このなかで好ましいのは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはＩＴＯが好ましい。
【００３５】
陽極は、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などのなかから、陽極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って、前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料として、ＩＴＯを選択する場合には、陽極の形成は、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って行うことができる。
【００３６】
本発明において、陽極の配置位置としては、発光層に接するように設けられれば、特に制限はなく、有機ＥＬ装置の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、陽極は、発光層における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
【００３７】
なお、陽極を形成する際のパターニングとしては、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【００３８】
陽極の厚みとしては、陽極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、１０ｎｍ〜５０μｍ程度であり、５０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。
【００３９】
陽極の抵抗値としては、１０３Ω／□以下が好ましく、１０２Ω／□以下がより好ましい。陽極が透明である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。透明陽極側から発光を出射ためには、その透過率としては、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。
【００４０】
なお、透明陽極については、沢田豊監修「透明導電膜の新展開」シーエムシー刊（１９９９）に詳述があり、ここに記載される事項を本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ＩＴＯ又はＩＺＯを使用し、１５０℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。
【００４１】
＜＜＜陰極＞＞＞
陰極は、通常、上述の発光層を構成する有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、有機ＥＬ装置の用途、目的に応じて、公知の電極材料のなかから適宜選択することができる。
【００４２】
陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としてはアルカリ金属（例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、及びイッテルビウム等の希土類金属などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。
【００４３】
これらのなかでも、陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１質量％〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。
【００４４】
なお、陰極の材料については、特開平２−１５５９５号公報、特開平５−１２１１７２号公報に詳述されており、これらの広報に記載の材料は、本発明においても適用することができる。
【００４５】
陰極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などのなかから、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その１種単独又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。
【００４６】
陰極を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【００４７】
本発明において、陰極の配置位置は、発光層に電界を印加し得るように設けられれば、特に制限はなく、発光層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
【００４８】
また、陰極と前記有機化合物層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を０．１ｎｍ〜５ｎｍの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層とみることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。
【００４９】
陰極の厚みは、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常１０ｎｍ〜５μｍ程度であり、５０ｎｍ〜１μｍが好ましい。
【００５０】
また、陰極は、透明であってもよいし、半透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を１ｎｍ〜１０ｎｍの厚さに薄く成膜し、さらにＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
【００５１】
＜＜基板＞＞
本発明による有機ＥＬ装置用光学部材において、光を透過し、パネル全体を支えるだけでなく、有機ＥＬ装置の外部からの水侵入を防ぐことを目的として、基板を有してもよい。基板としては、この目的を満たす限り、特に制約はなく、その形状、構造、大きさ等を適宜選択すればよく、一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。基板は、無色透明であっても、有色透明であってもよいが、発光層から発せられる光が通過する側の基板が光を散乱又は減衰等させることがない点で、無色透明であることが好ましい。
【００５２】
基板の配置位置としては、発光層からの光の特性に影響を及ぼさない限りは、特に制約はない。なかでも、光取り出し層からみて、反射層の反対側に配置されることが、発光層からの光の特性に影響を及ぼさない点、有機ＥＬ装置を封止する点等で、好ましい。
【００５３】
基板の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、その具体例としては、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、及びポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料が挙げられる。
【００５４】
例えば、基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したもの（例えば、バリアフィルム基板）を使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性及び加工性に優れていることが好ましい。
【００５５】
熱可塑性基板を用いる場合には、さらに必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。
【００５６】
＜＜その他の層構成＞＞
＜＜＜高屈折率平滑層＞＞＞
本発明において、高屈折率平滑層は、光を吸収して影響を及ぼさないものであれば、特に制約はない。高屈折率平滑層の形状については、光取り出し層、例えば散乱粒子層と接する面がＲａ１００ｎｍ以下の平滑度を有すれば、特に制約はなく、この平滑度は１〜５０ｎｍであることが好ましく、１０ｎｍ以下であることがより好ましく、５ｎｍ以下であることが特に好ましい。平滑度が１００ｎｍ以上であると、短絡することがあり、１００ｎｍを超えると、短絡することがある。一方、平滑度が前記の特に好ましい範囲内であると、信頼性（多画素パネルでの欠陥発生率の低下）の点で有利である。なお、平滑度の測定方法としては、表面粗さ計、レーザー顕微鏡、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて観察する方法が挙げられる。高屈折率平滑層の構造及び大きさ等については、上記の条件を満たすものであれば、特に制約はないが、屈折率が１．７以上であることが好ましい。なお、本発明において、高屈折率平滑層の「高屈折率」とは、有機ＥＬ装置に装着される発光層の屈折率と同じ屈折率をいう。
【００５７】
高屈折率平滑層の配置位置としては、絶縁層や封止層と発光層の近傍であれば、特に制約はなく、例えば、電極と光取り出し層との間に配置されてもよい。
【００５８】
高屈折率平滑層の材料については、上記の要件を満たすものであれば、特に制約はなく、例えば、高い屈折率微粒子（ＺｒＯ２、ＴｉＯ２など）を分散させたアクリル樹脂などの高い屈折率を有する樹脂が挙げられる。
【００５９】
＜＜＜ガスバリア層＞＞＞
本発明において、空気や水分などの透過を防止することを目的として、ガスバリア層を設けてもよい。ガスバリア層の形状、構造、大きさについては、本発明の目的に応じて適宜選択すればよい。ガスバリア層の配置位置としては、空気や水分などの透過により各層の特性に影響を与えないような態様であれば特に制約はなく、目的に応じて適宜選択すればよい。ガスバリア層の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物、無機／有機物の積層構造が好適に用いられる。ガスバリア層は、例えば、高周波スパッタリング法などにより、基板上に形成してもよい。
【００６０】
（有機ＥＬ装置用光学部材における層の形成方法）
本発明による有機ＥＬ装置用光学部材において、有機ＥＬ装置用光学部材の各層の形成方法としては、特に言及しない限りは特に制限はなく、本技術分野公知の方法により形成すればよい。例えば、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法、塗布法、インクジェット法、及びスプレー法等から適宜選択することができる。
【００６１】
＜有機ＥＬ装置＞
本発明による有機ＥＬ装置は、発光層を有する有機ＥＬ装置に用いるものであって、基板と、一対の電極間に配置された発光層と、発光層からの光を反射する反射層と、発光層からの光を取り出す光取り出し層と、反射層と光取り出し層との間に光路長調整層とを有し、さらに必要に応じて、その他の層構造を有してなる。図３及び４は、その概略断面図を示したものであって、図３は、本発明による有機ＥＬ装置の一例であるトップエミッション型の有機ＥＬ装置を示す概略断面図であり、図４は、本発明による有機ＥＬ装置の一例であるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を示す概略断面図である。なお、図３及び４において、上記の本発明による有機ＥＬ装置用光学部材と重複する層構造については、同様の符号を付した。
【００６２】
図３を参照すると、本発明によるトップエミッション型の有機ＥＬ装置１００は、ガラス等からなる第１の基板２６と、一対の電極２２、１２２間に配置された発光層１０２と、発光層１０２からの光を反射する反射層１６と、発光層１０２からの光を取り出す光取り出し層１４と、反射層１６と光取り出し層１４との間に配置された光路長調整層１２とを有し、さらに必要に応じて、高屈折率平滑層２４、ガスバリア層２８、低屈折率層１０４、第２の基板であるバリアフィルム基板１０６、保護層１２４、反射防止層１２６等のその他の層構造を有する。
【００６３】
また、図４を参照すると、本発明によるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置１００は、バリアコートされてなるバリアフィルム基板１０６と、一対の電極２２、１２２間に配置された発光層１０２と、発光層１０２からの光を反射する反射層１６と、発光層１０２からの光を取り出す光取り出し層１４と、反射層１６と光取り出し層１４との間の光路長調整層１２とを有し、さらに必要に応じて、接合層２５、基板２６、ガスバリア層２８、低屈折率層１０４、保護層１２４、反射防止層１２６等のその他の層構造を有する。
【００６４】
本発明による有機ＥＬ装置において、上記の本発明による有機ＥＬ装置用光学部材で説明した反射層、光取り出し層、光路長調整層等の各層の形状、構造、大きさ、材料等の構成は、本発明による有機ＥＬ装置においても適用し得る。したがって、以下、本発明による有機ＥＬ装置に用い得るその他の層構成について、説明する。
【００６５】
＜＜＜発光層＞＞＞
本発明において、発光層としては、電界を印加されて光を発するものであれば、特に制約はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００６６】
例えば、発光層は、有機発光材料からなるものであっても、無機発光材料からなるものであってもよいが、なかでも、発光効率、装置の大型化が可能、高い色純度の点で、有機発光材料が好ましい。以下、有機発光材料を用いた発光層を有する有機化合物層について、説明する。
【００６７】
＜＜有機化合物層＞＞
有機化合物層の積層の形態としては、陽極側から、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。さらに、正孔輸送層と陽極との間に正孔注入層、及び／又は有機発光層と電子輸送層との間に、電子輸送性中間層を有する。また、有機発光層と正孔輸送層との間に正孔輸送性中間層を、同様に陰極と電子輸送層との間に電子注入層を設けてもよい。尚、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。
【００６８】
有機発光層は、前記発光層に、陽極と陰極、及び有機発光層以外の各層は前記その他の層に、それぞれ対応する。
【００６９】
有機化合物層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法、塗布法、インクジェット法、及びスプレー法等いずれによっても好適に形成することができる。
【００７０】
本発明による有機ＥＬ装置は、有機発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有しており、有機発光層以外の他の有機化合物層としては、正孔輸送層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、正孔注入層、電子注入層、等の各層が挙げられる。
【００７１】
本発明による有機ＥＬ装置において、有機化合物層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、湿式塗布方式、転写法、印刷法、インクジェット方式等いずれによっても好適に形成することができる。
【００７２】
＜＜＜有機発光層＞＞＞
有機発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
【００７３】
有機発光層は、発光材料のみで構成されていてもよく、ホスト材料と発光性ドーパントの混合層とした構成でもよい。発光性ドーパントは蛍光発光材料でも燐光発光材料であってもよく、２種以上であってもよい。ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は１種単独であっても２種以上であってもよく、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。さらに、有機発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいてもよい。
【００７４】
また、有機発光層は、１層単独であっても２層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。
【００７５】
前記発光性ドーパントとしては、燐光性発光材料、蛍光性発光材料等いずれもドーパント（燐光発光性ドーパント、蛍光発光性ドーパント）として用いることができる。
【００７６】
有機発光層は、色純度を向上させるためや発光波長領域を広げるために２種類以上の発光性ドーパントを含有することもできる。前記発光性ドーパントは、さらに前記ホスト化合物との間で、イオン化ポテンシャルの差（ΔＩｐ）と電子親和力の差（ΔＥａ）が、１．２ｅＶ＞△Ｉｐ＞０．２ｅＶ、及び／又は１．２ｅＶ＞△Ｅａ＞０．２ｅＶの関係を満たすドーパントであることが駆動耐久性の観点で好ましい。
【００７７】
前記燐光発光性ドーパントとしては、特に限定はなく、目的に応じて適宜選択することができ、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体を挙げることができる。
【００７８】
前記遷移金属原子としては、特に限定はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、金、銀、銅、及び白金が好ましく、レニウム、イリジウム、及び白金がより好ましく、イリジウム、白金が特に好ましい。
【００７９】
ランタノイド原子としては、特に限定はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、及びルテシウムが挙げられる。なかでも、ネオジム、ユーロピウム、及びガドリニウムが好ましい。
【００８０】
錯体の配位子としては、例えば、Ｇ．Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ等著，Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｐｅｒｇａｍｏｎ Ｐｒｅｓｓ社１９８７年発行、Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著，「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」 Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社１９８７年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社１９８２年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
【００８１】
配位子としては、ハロゲン配位子（塩素配位子が好ましい）、芳香族炭素環配位子（例えば、シクロペンタジエニルアニオン、ベンゼンアニオン、ナフチルアニオンなどが挙げられ、炭素数５〜３０が好ましく、炭素数６〜３０がより好ましく、炭素数６〜２０がさらにより好ましく、炭素数６〜１２が特に好ましい）、含窒素ヘテロ環配位子（例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、フェナントロリンなどが挙げられ、炭素数５〜３０が好ましく、炭素数６〜３０がより好ましく、炭素数６〜２０がさらにより好ましく、炭素数６〜１２が特に好ましい）、ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトンなどが挙げられる）、カルボン酸配位子（例えば、酢酸配位子などが挙げられ、炭素数２〜３０が好ましく、炭素数２〜２０がより好ましく、炭素数２〜１６が特に好ましい）、アルコラト配位子（例えば、フェノラト配位子などが挙げられ、炭素数１〜３０が好ましく、炭素数１〜２０がより好ましく、炭素数６〜２０がさらに好ましい）、シリルオキシ配位子（例えば、トリメチルシリルオキシ配位子、ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリルオキシ配位子、トリフェニルシリルオキシ配位子などが挙げられ、炭素数３〜４０が好ましく、炭素数３〜３０がより好ましく、炭素数３〜２０が特に好ましい）、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子、リン配位子（例えば、トリフェニルフォスフィン配位子などが挙げられ、炭素数３〜４０が好ましく、炭素数３〜３０がより好ましく、炭素数３〜２０がさらにより好ましく、炭素数６〜２０が特に好ましい）、チオラト配位子（例えば、フェニルチオラト配位子などが挙げられ、炭素数１〜３０が好ましく、炭素数１〜２０がより好ましく、炭素数６〜２０が特に好ましい）、フォスフィンオキシド配位子（例えば、トリフェニルフォスフィンオキシド配位子などが挙げられ、炭素数３〜３０が好ましく、炭素数８〜３０がより好ましく、炭素数１８〜３０が特に好ましくい）が好ましく、含窒素ヘテロ環配位子がより好ましい。
【００８２】
上記錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、２つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。
【００８３】
これらのなかでも、発光性ドーパントとしては、例えば、ＵＳ６，３０３，２３８Ｂ１、ＵＳ６，０９７，１４７、ＷＯ００／５７６７６、ＷＯ００／７０６５５、ＷＯ０１／０８２３０、ＷＯ０１／３９２３４Ａ２、ＷＯ０１／４１５１２Ａ１、ＷＯ０２／０２７１４Ａ２、ＷＯ０２／１５６４５Ａ１、ＷＯ０２／４４１８９Ａ１、ＷＯ０５／１９３７３Ａ２、特開２００１−２４７８５９、特開２００２−３０２６７１、特開２００２−１１７９７８、特開２００３−１３３０７４、特開２００２−２３５０７６、特開２００３−１２３９８２、特開２００２−１７０６８４、ＥＰ１２１１２５７、特開２００２−２２６４９５、特開２００２−２３４８９４、特開２００１−２４７８５９、特開２００１−２９８４７０、特開２００２−１７３６７４、特開２００２−２０３６７８、特開２００２−２０３６７９、特開２００４−３５７７９１、特開２００６−２５６９９９、特開２００７−１９４６２、特開２００７−８４６３５、特開２００７−９６２５９等の特許文献に記載の燐光発光化合物などが挙げられる。なかでも、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、Ｃｕ錯体、Ｒｅ錯体、Ｗ錯体、Ｒｈ錯体、Ｒｕ錯体、Ｐｄ錯体、Ｏｓ錯体、Ｅｕ錯体、Ｔｂ錯体、Ｇｄ錯体、Ｄｙ錯体、Ｃｅ錯体が好ましく、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、Ｒｅ錯体がより好ましい。なかでも、金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含むＩｒ錯体、Ｐｔ錯体、Ｒｅ錯体が、さらにより好ましい。さらに、発光効率、駆動耐久性、色度等の観点で、３座以上の多座配位子を含むＩｒ錯体、Ｐｔ錯体、Ｒｅ錯体が特に好ましい。
【００８４】
前記蛍光発光性ドーパントとしては、特に限定はなく、目的に応じて適宜選択することができ、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ピラン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、縮合多環芳香族化合物（アントラセン、フェナントロリン、ピレン、ペリレン、ルブレン、又はペンタセンなど）、８−キノリノールの金属錯体、ピロメテン錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン、及びこれらの誘導体などが挙げられる。
【００８５】
発光性ドーパントとしては、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００８６】
【化１】
【００８７】
【化２】
【００８８】
【化３】
【００８９】
【化４】
ｖ
【００９０】
【化５】
【００９１】
【化６】
【００９２】
有機発光層中の発光性ドーパントは、有機発光層中に一般的に有機発光層を形成する全化合物質量に対して、０．１質量％〜５０質量％含有されるが、耐久性、外部量子効率の観点から１質量％〜５０質量％含有されることが好ましく、２質量％〜４０質量％含有されることがより好ましい。
【００９３】
有機発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、２ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、なかでも、外部量子効率の観点で、３ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、５ｎｍ〜１００ｎｍであるのが特に好ましい。
【００９４】
前記ホスト材料としては、正孔輸送性に優れる正孔輸送性ホスト材料（正孔輸送性ホストと記載する場合がある）及び電子輸送性に優れる電子輸送性ホスト化合物（電子輸送性ホストと記載する場合がある）を用いることができる。
【００９５】
有機発光層内の正孔輸送性ホストとしては、例えば、以下の材料が挙げられる。即ち、ピロール、インドール、カルバゾール、アザインドール、アザカルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ピラゾール、イミダゾール、チオフェン、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、及び、それらの誘導体等が挙げられる。
【００９６】
なかでも、インドール誘導体、カルバゾール誘導体、芳香族第三級アミン化合物、チオフェン誘導体であることが好ましく、分子内にカルバゾール基を有するものがより好ましく、ｔ−ブチル置換カルバゾール基を有する化合物が特に好ましい。
【００９７】
有機発光層内の電子輸送性ホストとしては、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、電子親和力Ｅａが２．５ｅＶ以上３．５ｅＶ以下であることが好ましく、２．６ｅＶ以上３．４ｅＶ以下であることがより好ましく、２．８ｅＶ以上３．３ｅＶ以下であることが特に好ましい。また、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、イオン化ポテンシャルＩｐが５．７ｅＶ以上７．５ｅＶ以下であることが好ましく、５．８ｅＶ以上７．０ｅＶ以下であることがより好ましく、５．９ｅＶ以上６．５ｅＶ以下であることが特に好ましい。
【００９８】
このような電子輸送性ホストとしては、具体的には、例えば、以下の材料が挙げられる。即ち、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾ−ル、オキサゾ−ル、オキサジアゾ−ル、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、及びそれらの誘導体（他の環と縮合環を形成してもよい）、８−キノリノ−ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体等が挙げられる。
【００９９】
電子輸送性ホストとしては、金属錯体、アゾール誘導体（ベンズイミダゾール誘導体、イミダゾピリジン誘導体等）、アジン誘導体（ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体等）が好ましく、なかでも、耐久性の点から、金属錯体化合物がより好ましい。金属錯体化合物（Ａ）は、金属に配位する窒素原子、酸素原子及び硫黄原子の少なくともいずれかを有する配位子を有する金属錯体が好ましい。
【０１００】
金属錯体中の金属イオンは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、ベリリウムイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオン、インジウムイオン、錫イオン、白金イオン、又はパラジウムイオンであることが好ましく、ベリリウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオン、白金イオン、又はパラジウムイオンがより好ましく、アルミニウムイオン、亜鉛イオン、又はパラジウムイオンが特に好ましい。
【０１０１】
前記金属錯体中に含まれる配位子としては、種々の公知の配位子であればよく、例えば、「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」、Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社、Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著、１９８７年発行、「有機金属化学−基礎と応用−」、裳華房社、山本明夫著、１９８２年発行等に記載の配位子が挙げられる。
【０１０２】
前記配位子としては、含窒素ヘテロ環配位子（炭素数１〜３０が好ましく、炭素数２〜２０がより好ましく、炭素数３〜１５が特に好ましい）が好ましい。また、前記配位子としては、単座配位子であっても２座以上の配位子であってもよいが、２座以上６座以下の配位子であることが好ましい。また、２座以上６座以下の配位子と単座の混合配位子も好ましい。
【０１０３】
前記配位子としては、例えば、アジン配位子（例えば、ピリジン配位子、ビピリジル配位子、ターピリジン配位子などが挙げられる。）、ヒドロキシフェニルアゾール配位子（例えば、ヒドロキシフェニルベンズイミダゾール配位子、ヒドロキシフェニルベンズオキサゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾピリジン配位子などが挙げられる。）、アルコキシ配位子（例えば、メトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられ、炭素数１〜３０が好ましく、炭素数１〜２０がより好ましく、炭素数１〜１０が特に好ましい。）、アリールオキシ配位子（例えば、フェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシ、２，４，６−トリメチルフェニルオキシ、４−ビフェニルオキシなどが挙げられ、炭素数６〜３０が好ましく、炭素数６〜２０がより好ましく、炭素数６〜１２が特に好ましい）などが挙げられる。
【０１０４】
ヘテロアリールオキシ配位子（例えば、ピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられ、炭素数１〜３０が好ましく、炭素数１〜２０がより好ましく、炭素数１〜１２が特に好ましい。）、アルキルチオ配位子（例えば、メチルチオ、エチルチオなどが挙げられ、炭素数１〜３０が好ましく、炭素数１〜２０がより好ましく、炭素数１〜１２が特に好ましい。）、アリールチオ配位子（例えば、フェニルチオなどが挙げられ、炭素数６〜３０が好ましく、炭素数６〜２０がより好ましく、炭素数６〜１２が特に好ましい。）、ヘテロアリールチオ配位子（例えば、ピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられ、炭素数１〜３０が好ましく、炭素数１〜２０がより好ましく、炭素数１〜１２が特に好ましい。）、シロキシ配位子（例えば、トリフェニルシロキシ基、トリエトキシシロキシ基、トリイソプロピルシロキシ基などが挙げられ、炭素数１〜３０が好ましい、炭素数３〜２５がより好ましい、炭素数６〜２０が特に好ましい。）、芳香族炭化水素アニオン配位子（例えば、フェニルアニオン、ナフチルアニオン、及びアントラニルアニオンなどが挙げられ、炭素数６〜３０が好ましく、炭素数６〜２５がより好ましく、炭素数６〜２０が特に好ましい。）、芳香族ヘテロ環アニオン配位子（例えば、ピロールアニオン、ピラゾールアニオン、ピラゾールアニオン、トリアゾールアニオン、オキサゾールアニオン、ベンゾオキサゾールアニオン、チアゾールアニオン、ベンゾチアゾールアニオン、チオフェンアニオン、及びベンゾチオフェンアニオンなどが挙げられ、炭素数１〜３０が好ましく、炭素数２〜２５がより好ましく、炭素数２〜２０が特に好ましい。）、インドレニンアニオン配位子などが挙げられ、含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ基、シロキシ配位子などが好ましく、含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、シロキシ配位子、芳香族炭化水素アニオン配位子、芳香族ヘテロ環アニオン配位子などがさらに好ましい。
【０１０５】
金属錯体電子輸送性ホストの例としては、例えば、特開２００２−２３５０７６、特開２００４−２１４１７９、特開２００４−２２１０６２、特開２００４−２２１０６５、特開２００４−２２１０６８、特開２００４−３２７３１３等に記載の化合物が挙げられる。
【０１０６】
有機発光層において、前記ホスト材料の三重項最低励起準位（Ｔ１）が、前記燐光発光材料のＴ１より高いことが色純度、発光効率、駆動耐久性の点で好ましい。
【０１０７】
また、ホスト化合物の含有量は、特に限定されるものではないが、発光効率、駆動電圧の観点から、発光層を形成する全化合物質量に対して１５質量％以上９５質量％以下であることが好ましい。
【０１０８】
＜＜＜正孔注入層、正孔輸送層＞＞＞
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる正孔注入材料、正孔輸送材料は、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
【０１０９】
具体的には、ピロール誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、チオフェン誘導体、有機シラン誘導体、カーボン、等を含有する層であることが好ましい。
【０１１０】
有機ＥＬ素子の正孔注入層あるいは正孔輸送層には、電子受容性ドーパントを含有させることができる。正孔注入層、あるいは正孔輸送層に導入する電子受容性ドーパントとしては、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有すれば、無機化合物でも有機化合物でも使用できる。
【０１１１】
具体的には、無機化合物は塩化第二鉄や塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモンなどのハロゲン化金属、五酸化バナジウム、及び三酸化モリブデンなどの金属酸化物などが挙げられる。
【０１１２】
有機化合物の場合は、置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基などを有する化合物、キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレンなどを好適に用いることができる。
【０１１３】
この他にも、特開平６−２１２１５３、特開平１１−１１１４６３、特開平１１−２５１０６７、特開２０００−１９６１４０、特開２０００−２８６０５４、特開２０００−３１５５８０、特開２００１−１０２１７５、特開２００１−１６０４９３、特開２００２−２５２０８５、特開２００２−５６９８５、特開２００３−１５７９８１、特開２００３−２１７８６２、特開２００３−２２９２７８、特開２００４−３４２６１４、特開２００５−７２０１２、特開２００５−１６６６３７、特開２００５−２０９６４３等に記載の化合物を好適に用いることができる。
【０１１４】
このうち、ヘキサシアノブタジエン、ヘキサシアノベンゼン、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、ｐ−フルオラニル、ｐ−クロラニル、ｐ−ブロマニル、ｐ−ベンゾキノン、２，６−ジクロロベンゾキノン、２，５−ジクロロベンゾキノン、１，２，４，５−テトラシアノベンゼン、１，４−ジシアノテトラフルオロベンゼン、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノベンゾキノン、ｐ−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、ｏ−ジニトロベンゼン、１，４−ナフトキノン、２，３−ジクロロナフトキノン、１，３−ジニトロナフタレン、１，５−ジニトロナフタレン、９，１０−アントラキノン、１，３，６，８−テトラニトロカルバゾール、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，３，５，６−テトラシアノピリジン、又はフラーレンＣ６０が好ましく、ヘキサシアノブタジエン、ヘキサシアノベンゼン、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、ｐ−フルオラニル、ｐ−クロラニル、ｐ−ブロマニル、２，６−ジクロロベンゾキノン、２，５−ジクロロベンゾキノン、２，３−ジクロロナフトキノン、１，２，４，５−テトラシアノベンゼン、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノベンゾキノン、又は２，３，５，６−テトラシアノピリジンがより好ましく、テトラフルオロテトラシアノキノジメタンが特に好ましい。
【０１１５】
これらの電子受容性ドーパントは、単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。電子受容性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、正孔輸送層材料に対して０．０１質量％〜５０質量％であることが好ましく、０．０５質量％〜２０質量％であることがさらに好ましく、０．１質量％〜１０質量％であることが特に好ましい。
【０１１６】
正孔注入層、正孔輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。正孔輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのがさらに好ましい。また、正孔注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．５ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、１ｎｍ〜１００ｎｍであるのがさらに好ましい。
【０１１７】
正孔注入層、正孔輸送層は、上述した材料の１種単独又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１１８】
＜＜＜電子注入層、電子輸送層＞＞＞
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる電子注入材料、電子輸送材料は、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
【０１１９】
具体的には、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、フタラジン誘導体、フェナントロリン誘導体、トリアジン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、シロールに代表される有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。
【０１２０】
本発明の有機ＥＬ素子の電子注入層あるいは電子輸送層には、電子供与性ドーパントを含有させることができる。電子注入層、あるいは電子輸送層に導入される電子供与性ドーパントとしては、電子供与性で有機化合物を還元する性質を有していればよく、Ｌｉなどのアルカリ金属、Ｍｇなどのアルカリ土類金属、希土類金属を含む遷移金属や還元性有機化合物などが好適に用いられる。金属としては、特に仕事関数が４．２ｅＶ以下の金属が好適に使用でき、具体的には、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、Ｃｓ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｇｄ、及びＹｂなどが挙げられる。また、還元性有機化合物としては、例えば、含窒素化合物、含硫黄化合物、含リン化合物などが挙げられる。
【０１２１】
この他にも、特開平６−２１２１５３、特開２０００−１９６１４０、特開２００３−６８４６８、特開２００３−２２９２７８、特開２００４−３４２６１４等に記載の材料を用いることができる。
【０１２２】
これらの電子供与性ドーパントは、１種単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。電子供与性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、電子輸送層材料に対して０．１質量％〜９９質量％であることが好ましく、１．０質量％〜８０質量％であることがさらに好ましく、２．０質量％〜７０質量％であることが特に好ましい。
【０１２３】
電子注入層、電子輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。電子輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが特に好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．２ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、０．５ｎｍ〜５０ｎｍであるのが特に好ましい。
【０１２４】
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の１種単独又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１２５】
＜＜＜正孔ブロック層＞＞＞
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として、正孔ブロック層を設けることができる。
【０１２６】
正孔ブロック層を構成する化合物の例としては、ＢＡｌｑ等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、ＢＣＰ等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。
【０１２７】
正孔ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが特に好ましい。
【０１２８】
正孔ブロック層は、上述した材料の１種単独又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１２９】
＜＜＜電子ブロック層＞＞＞
電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が、陽極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陽極側で隣接する有機化合物層として、電子ブロック層を設けることができる。
【０１３０】
電子ブロック層を構成する化合物の例としては、例えば前述の正孔輸送材料として挙げたものが適用できる。
【０１３１】
電子ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが特に好ましい。
【０１３２】
正孔ブロック層は、上述した材料の１種単独又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１３３】
発光層は、さらに発光効率を向上させるため、複数の発光層の間に電荷発生層が設けた構成をとることができる。
【０１３４】
電荷発生層は、電界印加時に電荷（正孔及び電子）を発生する機能を有すると共に、発生した電荷を電荷発生層と隣接する層に注入させる機能を有する層である。
【０１３５】
電荷発生層を形成する材料は、上記の機能を有する材料であれば、特に制約はなく、単一化合物で形成されていても、複数の化合物で形成されていてもよい。
【０１３６】
具体的には、導電性を有するものであっても、ドープされた有機層のように半導電性を有するものであっても、また、電気絶縁性を有するものであってもよく、特開平１１−３２９７４８や、特開２００３−２７２８６０や、特開２００４−３９６１７に記載の材料が挙げられる。
【０１３７】
さらに、具体的には、ＩＴＯ、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などの透明導電材料、Ｃ６０等のフラーレン類、オリゴチオフェン等の導電性有機物、金属フタロシアニン類、無金属フタロシアニン類、金属ポルフィリン類、無金属ポルフィリン類等などの導電性有機物、Ｃａ、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ：Ａｇ合金、Ａｌ：Ｌｉ合金、Ｍｇ：Ｌｉ合金などの金属材料、正孔伝導性材料、電子伝導性材料、及びそれらを混合させたものが挙げられる。
【０１３８】
前記正孔伝導性材料は、例えば、２−ＴＮＡＴＡ、ＮＰＤなどの正孔輸送有機材料にＦ４−ＴＣＮＱ、ＴＣＮＱ、ＦｅＣｌ３などの電子求引性を有する酸化剤をドープさせたものや、Ｐ型導電性高分子、Ｐ型半導体などが挙げられ、前記電子伝導性材料は電子輸送有機材料に４．０ｅＶ未満の仕事関数を有する金属若しくは金属化合物をドープしたものや、Ｎ型導電性高分子、Ｎ型半導体が挙げられる。Ｎ型半導体としては、Ｎ型Ｓｉ、Ｎ型ＣｄＳ、Ｎ型ＺｎＳなどが挙げられ、Ｐ型半導体としては、Ｐ型Ｓｉ、Ｐ型ＣｄＴｅ、Ｐ型ＣｕＯなどが挙げられる。
【０１３９】
また、前記電荷発生層として、Ｖ２Ｏ５などの電気絶縁性材料を用いることもできる。
【０１４０】
前記電荷発生層は、単層でも複数積層させたものでもよい。複数積層させた構造としては、透明伝導材料や金属材料などの導電性を有する材料と正孔伝導性材料、又は、電子伝導性材料を積層させた構造、上記の正孔伝導性材料と電子伝導性材料を積層させた構造の層などが挙げられる。
【０１４１】
前記電荷発生層は、一般に、可視光の透過率が５０％以上になるよう、膜厚・材料を選択することが好ましい。また膜厚は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、０．５〜２００ｎｍが好ましく、１〜１００ｎｍがより好ましく、３〜５０ｎｍがさらに好ましく、５〜３０ｎｍが特に好ましい。
【０１４２】
電荷発生層の形成方法は、特に限定されるものではなく、前述した有機化合物層の形成方法を用いることができる。
【０１４３】
電荷発生層は前記二層以上の発光層間に形成するが、電荷発生層の陽極側及び陰極側には、隣接する層に電荷を注入する機能を有する材料を含んでいてもよい。陽極側に隣接する層への電子の注入性を上げるため、例えば、ＢａＯ、ＳｒＯ、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＣｌ、ＬｉＦ、ＭｇＦ２、ＭｇＯ、ＣａＦ２などの電子注入性化合物を電荷発生層の陽極側に積層させてもよい。
【０１４４】
以上で挙げられた内容以外にも、特開２００３−４５６７６号公報、米国特許第６３３７４９２号、同第６１０７７３４号、同第６８７２４７２号等に記載を元にして、電荷発生層の材料を選択することができる。
【０１４５】
＜＜＜低屈折率層＞＞＞
本発明による有機ＥＬ装置において、低屈折率層は、基板の屈折率と差異を有するものであれば、特に制約はない。低屈折率層の屈折率としては、基板、封止板と接する面が１．４以下の屈折率を有すれば、特に制約はなく、この屈折率は１．０〜１．４であることが好ましく、１．０〜１．３であることがより好ましく、１．２以下であることが特に好ましい。屈折率が１．４未満であると、発光効率が上がることがあり、１．４を超えると、発光効率が低下することがある。一方、屈折率が前記の特に好ましい範囲内であると、光学的に有利である。なお、本発明において、屈折率の測定方法としては、エリプソメーターを用いた方法が挙げられる。低屈折率層の構造及び大きさ等については、上記の条件を満たすものであれば、特に制約はなく、加圧の点で、空気などからなる中空の層の態様であってもよく、パネル強度の点で、下記に例示する有体物である材料からなる層の態様であってもよい。なかでも、透明で低屈折率であることが、発光効率の向上、画質（着色なし）の点で、好ましい。
【０１４６】
低屈折率層の配置位置としては、反射層からみて光出射方向のいずれかに配置されれば、特に制約はないが、光学特性を発揮し得る点で、基板直下に配置する態様が好ましい。このように配置することで、ガラスバリア性及び封止性が維持される。
【０１４７】
低屈折率層の材料については、上記の要件を満たすものであれば、特に制約はなく、例えば、エアロゲル、フッ素系樹脂が挙げられる。
【０１４８】
＜＜その他の層構造＞＞
＜＜＜接合層＞＞＞
本発明による有機ＥＬ装置において、各層を接合する目的で、接合層を有してもよい。接合層は、その形状、構造、大きさ等、本発明の目的に応じて適宜選択すればよく、例えば、高屈折率を有するもの、接着性を有するものであってもよい。ここで、高屈折率とは、ガラスと比較して高い屈折率を有することをいう。接合層の材料としては、特に制約はないが、透明性及び低光吸収性を有するものが好ましく、具体的には、高屈折率微粒子（ＺｒＯ２、ＴｉＯ２など）を分散させたアクリル系やエポキシ系の接着剤が挙げられる。
【０１４９】
接合層の配置位置としては、各層を接合し得るものであれば、特に制約はないが、接合層を介して光取り出し層を他の層構造に接合するように配置する又は貼り付ける態様であることが好ましい。
【０１５０】
＜＜＜保護層＞＞＞
本発明による有機ＥＬ装置において、水分や酸素等による劣化を防止するなど、有機ＥＬ装置の機能を確保する目的で、保護層を有してもよい。
【０１５１】
保護層の配置位置としては、上記の目的が達成し得るものであれば、特に制約はないが、例えば、装置外部の水分から装置を保護するように配置する態様が挙げられる。なかでも、水分から保護する点で、電極及び／又は発光層に近い位置、特に、電極と接するように配置する態様が好ましい。
【０１５２】
保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の、発光層を有する有機化合物層の劣化を促進するものが有機化合物層に入ることを抑止する機能を有しているものであってもよい。その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２等の金属酸化物、ＳｉＮｘ、ＳｉＮｘＯｙ等の金属窒化物、ＭｇＦ２、ＬｉＦ、ＡｌＦ３、ＣａＦ２等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種単独のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
【０１５３】
保護層の形成方法については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法などが挙げられる。
【０１５４】
また、保護層は、水分吸収剤又は不活性液体を含有してもよい。水分吸収剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウムなどが挙げられる。不活性液体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類などが挙げられる。
【０１５５】
また、保護層は、大気との接触を防ぎ、酸素や水分による素子性能の劣化を抑制することを目的として、樹脂を含有してもよい。この樹脂素材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フッ素系樹脂、シリコン系樹脂、ゴム系樹脂、又はエステル系樹脂等が挙げられる。なかでも、エポキシ樹脂が、水分防止機能の点で、好ましい。エポキシ樹脂のなかでも熱硬化型エポキシ樹脂、光硬化型エポキシ樹脂がより好ましい。
【０１５６】
樹脂を有する保護層の形成方法は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、上記の保護層に含まれる材料に加えて樹脂を有する溶液／分散液を塗布する方法、樹脂シートを圧着又は熱圧着する方法、蒸着やスパッタリング等により乾式重合する方法などが挙げられる。
【０１５７】
樹脂を有する保護層の厚みは、１μｍ以上、１ｍｍ以下が好ましく、５μｍ以上、１００μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下が特に好ましい。１μｍよりも薄いと、第２の基板を装着時に無機膜を損傷する恐れがある。また、１ｍｍよりも厚いと有機ＥＬ装置自体の厚みが厚くなり、有機ＥＬ装置の特徴である薄膜性を損なうことになる。
【０１５８】
＜＜＜反射防止層＞＞＞
本発明による有機ＥＬ装置において、反射防止層としては、反射防止層への入射光がこの層内で反射することを防止するものであれば、特に制約はなく、その形状、構造、大きさは、適宜選択すればよい。
【０１５９】
本発明による有機ＥＬ装置において、反射防止層の配置位置としては、本発明の目的に応じて適宜選択すればよく、例えば、有機ＥＬ装置の出射方向の最表面に配置する態様、光出射側の基板や封止フィルム内部が挙げられる。なかでも、外光を最も効率よく反射する点で、有機ＥＬ装置の出射方向の最表面に配置する態様が好ましい。
【０１６０】
例えば、反射防止層としては、外光を吸収するものであってもよい。反射防止層の材料としては、上記の要件を満たすものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択すればよい。
【０１６１】
（有機ＥＬ装置における層の形成方法）
本発明による有機ＥＬ装置において、上記に特に言及しない限りは、有機ＥＬ装置用光学部材の各層の形成方法は、特に制限はなく、本技術分野公知の方法により形成すればよい。例えば、特に制限はなく、例えば、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法、塗布法、インクジェット法、及びスプレー法等から適宜選択することができる。
【０１６２】
（駆動）
本発明による有機ＥＬ装置は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）、電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
【０１６３】
有機ＥＬ装置の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。
【０１６４】
（マイクロキャビティー構造）
本発明による有機ＥＬ装置は、反射層と、透明電極、有機化合物層を含む発光層を介した、半透明電極との間で、反射／干渉を生じる、いわゆる光共振構造（マイクロキャビティー構造）を有してもよい。この光共振構造としては、例えば、光共振構造を構成する電極として半透明電極を用いて、これを一方の反射板とし、他方の反射板として反射層を構成することで、これらの反射板間で反射を繰り返し共振するように構成してもよい。これにより、多重干渉による色強度が増大し、より高い光強度を出射し得る有機ＥＬ装置が得られる。
【０１６５】
図を参照して、光の発生から出射までの経過を説明する。なお、図３及び４のいずれも、トップエミッション型又はボトムエミッション型の別はあるものの、発光から光の出射までの経過は、略同様であるので、図３に示したトップエミッション型の有機ＥＬ装置を参照して、説明する。
【０１６６】
図３に示すトップエミッション型の有機ＥＬ装置において、電極２２、１２２に電界を印加すると、有機化合物層を構成する発光層１０２の発光材料により発光が生じ、発光層１０２から全方向に光が進行する。発光層１０２から有機ＥＬ装置１００の出射方向に進行する光は、電極１２２で反射されるものもあり、電極１２２で反射されずに出射方向に進行するものもある。
【０１６７】
電極１２２で反射された光は、有機ＥＬ装置の出射方向とは反対の方向に進行し、複数の層を経て、最終的に反射層１６で大部分が反射される。反射層１６で反射された光は、発光層１０２の発光材料により生じた発光と略同様の経過をたどる。なお、電極１２２反射された光は、上記のマイクロキャビティー構造内において反射／干渉現象を生じることとなる。
【０１６８】
一方、電極１２２で反射されずに有機ＥＬ装置の出射方向に進行した光、及び反射層１６で反射されて複数の層を経て電極１２２で反射されずに有機ＥＬ装置の出射方向に進行した光は、複数の層を介して、最終的に反射防止層１２６の出射面から、空気中へと進行し、大気中で観察される。このようにして、本発明による有機ＥＬ装置から、発光材料に由来する光が観察される。
【０１６９】
本発明による有機ＥＬ装置は、フルカラーで表示し得る装置として構成されてもよい。本発明による有機ＥＬ装置をフルカラータイプのものとする方法としては、例えば「月刊ディスプレイ」、２０００年９月号、３３〜３７ページに記載されているように、色の３原色（青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ））に対応する光をそれぞれ発光する層構造を基板上に配置する３色発光法、白色発光用の層構造による白色発光をカラーフィルターを通して３原色に分ける白色法、青色発光用の層構造による青色発光を蛍光色素層を通して赤色（Ｒ）及び緑色（Ｇ）に変換する色変換法、などが知られている。
【０１７０】
また、上記方法により得られる異なる発光色の層構造を複数組み合わせて用いることにより、所望の発光色の平面型光源を得ることができる。例えば、青色及び黄色の発光素子を組み合わせた白色発光光源、青色、緑色、赤色の発光素子を組み合わせた白色発光光源、等である。
【実施例】
【０１７１】
次に、実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない。
【０１７２】
（実施例１）
表１及び図３に示した層構成となるように、下記の通り、本発明によるトップエミッション型の有機ＥＬ装置１を作製した。なお、表１において、「光出射方向」に示した“Ｔ”は、表１に記載の各実施例で得た有機ＥＬ装置がいわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置であることを示す。また、表１の層構成の上段から下段の方向が、光出射方向に対応する。また、「散乱粒子」、「微細凹凸」、「中空」及び「材料充填」は、それぞれ、散乱粒子を含有する光取り出し層、微細な凹凸で構成された光取り出し層、中空で構成された低屈折率層、及び材料充填して構成された低屈折率層に対応する。また、「−」は、対応する層を設けなかったことを示す。下記の通り作製した。なお、有機ＥＬ装置の光出射面から最も離れた位置に配置された基板としては、トップエミッション型である場合には、ガラス又はフィルム上に画素毎の駆動を可能とするＴＦＴを設けた基板であり、ボトムエミッション型では、封止フィルム基板又はガラス基板である。
【０１７３】
（ガスバリア層の形成方法）
ＳｉＮの成分からなるガスバリア層を下記の製法で作製した。すなわち、基板上に、ＣＶＤ法を用い、１３．５６ＭＨｚのＲＦプロズマによりシランガスと窒素ガスとを反応させ、ＳｉＮ膜を形成して、膜厚５０ｎｍのガスバリア層を形成した。
【０１７４】
（反射層の形成方法）
上記の通り形成されたガスバリア層上に、スパッタ法によりＡｌを蒸着し、膜厚２００ｎｍの反射層を形成した。
【０１７５】
（光路長調整層の形成方法）
上記の通り形成された反射層上に、光硬化性の透明なアクリル樹脂（東レ製）をスピンコートし、必要な場所に露光できるように作製された露光マスクを介してＵＶ露光を行い、樹脂を硬化させ、必要のない部分を除去して、膜厚１０〜２００ｎｍの光路長調整層を形成した。
【０１７６】
（散乱粒子を含有する光取り出し層の形成方法）
下記の成分からなる散乱粒子を含有する光取り出し層用組成物を調製した。
【０１７７】
光硬化性アクリル樹脂（東レ社製） ９９〜８０体積％
ＺｒＯ２（フルウチ社製） １〜２０体積％
（粒子径 １〜５μｍ）
【０１７８】
次に、上記の通り形成された光路長調整層上に、光取り出し層用組成物を、スピンコート法により積層し、ＵＶ照射により硬化して、膜厚２，０００ｎｍの散乱粒子を含有する光取り出し層を形成した。
【０１７９】
（高屈折率平滑層の形成方法）
下記の成分からなる高屈折率平滑層用組成物を調製した。
【０１８０】
熱硬化性アクリル樹脂（東レ社製） ７０質量部
ＺｒＯ２（フルウチ社製） ３０質量％
（粒子径 １０〜１００ｎｍ）
【０１８１】
次に、上記の通り形成された光取り出し層上に、高屈折率平滑層用組成物を、スピンコート法により積層し、１２０℃で２時間加熱して硬化して、膜厚２，０００ｎｍの高屈折率平滑層を形成した。
【０１８２】
（透明電極の形成方法）
上記の通り形成された高屈折率平滑層上に、ＩＴＯ（フルウチ社製）をターゲット材としてスパッタ法（スパッタ装置：アルバック製）により積層し膜厚１５０ｎｍの透明電極を形成した。
【０１８３】
（発光層を有する有機化合物層の形成方法）
下記の成分からなる正孔注入層用及び輸送層用組成物を調製した。
２−ＴＮＡＴＡ（バンドー化学）
ＮＰＤ（新日鉄化学）
【０１８４】
また、下記の成分からなる発光層兼電子輸送層用組成物を調製した。
【０１８５】
Ａｌｑ３（新日鉄化学）
【０１８６】
次に、上記の通り形成された透明電極上に、正孔注入用及び輸送層用組成物を、真空蒸着法により積層し、それぞれ膜厚２００ｎｍ及び５０ｎｍの正孔注入層及び正孔輸送層を形成した。
【０１８７】
その後、形成した正孔輸送層上に、発光層兼電子輸送層用組成物（Ａｌｑ３）を、真空蒸着法により成膜し、膜厚１００ｎｍの発光層を形成した。
【０１８８】
その後、形成した発光層上に、電子注入層用組成物（ＬｉＦ（フルウチ社製））を、真空蒸着法により積層し、膜厚０．５ｎｍの電子輸送層を形成した。
【０１８９】
このようにして、膜厚２００ｎｍの正孔輸送層と、膜厚１００ｎｍの発光層兼電子輸送層と、膜厚０．５ｎｍの電子注入層とからなる、発光層を有する有機化合物層を形成した。
【０１９０】
（半透明電極の形成方法）
下記の成分からなる半透明電極用組成物を調製した。
【０１９１】
Ａｇ（フルウチ社製）
ＩＴＯ（フルウチ社製）
【０１９２】
次に、上記の通り形成された有機化合物層上に、半透明電極用組成物を、スパッタ法により積層し、膜厚がそれぞれ５ｎｍ（Ａｇ）及び１００ｎｍ（ＩＴＯ）の半透明電極を形成した。
【０１９３】
（保護層の形成方法）
下記の成分からなる保護層用組成物を調製した。
【０１９４】
ＳｉＯ２（ターゲット）（フルウチ社製）
Ｎ２ガス（日本酸素社製）
【０１９５】
次に、上記の通り形成された半透明電極上に、保護層用組成物を、反応性スパッタ法により反応させ、ＳｉＯＮ膜を成膜して、膜厚１５０ｎｍの保護層を形成した。
【０１９６】
（中空で構成された低屈折率層の形成方法）
下記の製法により中空で構成された低屈折率層を形成した。即ち、上記の通り形成された保護層まで形成された基板上に、光及び熱硬化性接着材を介して中空ザグリ加工された封止用ガラス部材を接着した。この封止用ガラス部材においてこのようにしてザグリ加工された部分には、空気（屈折率ｎ＝１）で満たされた中空で構成された低屈折率層が形成された。
【０１９７】
（封止フィルム／基板の形成方法）
本実施例において、上記の中空で構成された低屈折率層の形成に用いた封止用ガラス部材は、封止基板を兼ねる。なお、封止に封止フィルムを使う場合は、あらかじめバリア性能を有するバリアフィルムを熱硬化性接着剤をスペーサー（高さ１００μｍ）を介してＥＬ成膜された基板に貼り付け、８０℃１時間の熱硬化処理によって貼り付けた。バリアフィルムはＰＥＮフィルム（厚み１００μｍ）の両面にＳｉＯＮをスパッタ又はＣＶＤ法でコーティングしたものを用いた。バリアフィルムはＳｉＯＮ／アクリル樹脂の積層タイプを用いることも可能である。
【０１９８】
（反射防止層の形成方法）
上記の通り形成された封止フィルム／基板上に、ＡＲコート（Ｃｒ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉなどの薄膜積層コート）を用いて、スパッタ法により積層し、膜厚５０ｎｍの反射防止層を形成した。
【０１９９】
このようにして、実施例１の有機ＥＬ装置１を得た。
【０２００】
（実施例２）
実施例１において、散乱粒子を含有する光取り出し層の代わりに、下記の通り、微細な凹凸で構成された光取り出し層を形成したこと以外は、表１及び図３に示した層構成となるように、有機ＥＬ装置２を作製した。
【０２０１】
（微細な凹凸で構成された光取り出し層の形成方法）
実施例１と同様に形成された光路長調整層上に、ナノインプリント法を用い、微細凹凸形状とした熱硬化型アクリル樹脂で形成された光取り出し層組成物を積層し、これを硬化して、光取り出し層を形成した。微細凹凸形状の凸部の形状は、円柱状で、高さ１００ｎｍ、直径１００ｎｍ、ピッチ３００ｎｍの微細な形状を構成した。
【０２０２】
（実施例３）
実施例１において、中空で構成された低屈折率層の代わりに、下記の通り、材料充填して構成された低屈折率層を形成したこと以外は、実施例１と同様に、表１及び図３に示した層構成となるように、有機ＥＬ装置３を作製した。
【０２０３】
（材料充填して構成された低屈折率層の形成方法）
下記の成分からなる、材料充填して構成された低屈折率層用組成物を調製した。
【０２０４】
フッ素系樹脂（ポリヘキサフルオロイソプロピルアクリレート）（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社製）
【０２０５】
次に、上記の通り形成された保護層上に、この低屈折率層用組成物を、スピンコート法により積層し、熱硬化して、膜厚２，０００ｎｍの材料充填して構成された低屈折率層を形成した。
【０２０６】
（実施例４）
実施例３において、散乱粒子を含有する光取り出し層の代わりに、上記の通り、微細な凹凸で構成された光取り出し層を形成したこと以外は、実施例３と同様にして、表１及び図３に示した層構成となるように、有機ＥＬ装置４を作製した。
【０２０７】
（実施例５）
実施例１において、低屈折率層を形成しなかったこと以外は、実施例１と同様に、表１及び図３に示した層構成となるように、有機ＥＬ装置５を作製した。
【０２０８】
（実施例６）
実施例２において、低屈折率層を形成しなかったこと以外は、実施例２と同様に、表１及び図３に示した層構成となるように、有機ＥＬ装置６を作製した。
【０２０９】
【表１】
【０２１０】
（実施例７）
ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置として、表２及び図４に示した層構成となるように、下記の通り、有機ＥＬ装置７を作製した。なお、表２において、「光出射方向」に示した“Ｂ”は、表１に記載の各実施例で得た有機ＥＬ装置がいわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置であることを示す。また、表２の層構成の上段から下段の方向が、光出射方向に対応する。また、その他の表示は、表１と同様である。
【０２１１】
即ち、基板として、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置の形成に用いる基板上に、実施例１と同様に、低屈折率層、ガスバリア層、透明電極、有機層、第二電極、封止保護層まで積層し、接着層を介して反対側の封止フィルム基板、反射層、光路長調整層及び光取り出し層を形成した部材を接合した。
【０２１２】
実施例１と同様に、封止フィルム／基板上に、反射層、光路長調整層を形成し、その後、このように形成された光取り出し層上に、下記の通り、接合層を形成した。
【０２１３】
（接合層の形成方法）
下記の成分からなる接合層用組成物を調製した。
【０２１４】
紫外線及び熱硬化型接着剤 ７０質量部
（変性エポキシ樹脂）（ナガセケムテック株式会社製）
ＺｒＯ２粒子（粒径５０〜１００ｎｍ）（フルウチ社製） ３０質量％
【０２１５】
次に、上記の通り形成された光取り出し層上に、高屈折率（ｎ＝１．７）の接合層用組成物を、加圧ラミネート法により積層し、ＵＶ光を照射して仮接着して、膜厚２，０００ｎｍの接合層を形成した。
【０２１６】
このように形成された接合層と、実施例１と同様に、ＴＦＴ基板上に低屈折率層、ガスバリア層、透明電極、有機化合物層、第二電極、封止／保護層が形成された基板を張り合わせ、８０℃１時間加熱して、硬化させた。
【０２１７】
その後、このように形成された有機ＥＬ基板上に、実施例１と同様に反射防止層を形成した。
【０２１８】
このようにして、実施例７の有機ＥＬ装置７を得た。
【０２１９】
（実施例８）
実施例７において、散乱粒子を含有する光取り出し層の代わりに、上記の微細な凹凸で構成された光取り出し層を形成したこと以外は、実施例７と同様に、表２及び図４に示した層構成となるように、有機ＥＬ装置８を作製した。
【０２２０】
（実施例９）
実施例７において、中空で構成された低屈折率層の代わりに、上記の材料充填して構成された低屈折率層を形成したこと以外は、実施例７と同様に、表２及び図４に示した層構成となるように、有機ＥＬ装置９を作製した。
【０２２１】
（実施例１０）
実施例９において、散乱粒子を含有する光取り出し層に代えて、上記の微細な凹凸で構成された光取り出し層を形成したこと以外は、実施例９と同様に、表２及び図４に示した層構成となるように、有機ＥＬ装置１０を作製した。
【０２２２】
（実施例１１）
実施例７において、低屈折率層を形成しなかったこと以外は、実施例７と同様に、表２及び図４に示した層構成となるように、有機ＥＬ装置１１を作製した。
【０２２３】
（実施例１２）
実施例８において、低屈折率層を形成しなかったこと以外は、実施例８と同様に、表２及び図４に示した層構成となるように、有機ＥＬ装置１２を作製した。
【０２２４】
【表２】
【０２２５】
（比較例１）
トップエミッション型の有機ＥＬ装置として、表３に示した層構成となるように、下記の通り、比較有機ＥＬ装置１を作製した。なお、表３において、「光出射方向」に示した“Ｔ”は、表１に記載の各実施例で得た有機ＥＬ装置がいわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置であることを示す。また、表１の層構成の上段から下段の方向が、光出射方向に対応する。また、その他の表示は、表１と同様である。
【０２２６】
即ち、実施例１において、光路長調整層及び光取り出し層を形成しなかったこと以外は、実施例１と同様にして、比較有機ＥＬ装置１を作製した。
【０２２７】
（比較例２）
実施例１において、光路長調整層及び低屈折率層を形成しなかったこと以外は、実施例１と同様に、表３に示した層構成となるように、比較有機ＥＬ装置２を作製した。
【０２２８】
（比較例３）
実施例２において、光路長調整層及び低屈折率層を形成しなかったこと以外は、実施例２と同様に、表３に示した層構成となるように、比較有機ＥＬ装置３を作製した。
【０２２９】
（比較例４）
実施例１において、光路長調整層を形成しなかったこと、及び有機化合物層上に形成された半透明電極に代えて透明電極を形成したこと以外は、実施例１と同様に、表３に示した層構成となるように、比較有機ＥＬ装置４を作製した。
【０２３０】
（比較例５）
比較例４において、散乱粒子を含有する光取り出し層に代えて、上記の微細な凹凸で構成された光取り出し層を形成したこと以外は、比較例４と同様に、表３に示した層構成となるように、比較有機ＥＬ装置５を作製した。
【０２３１】
（比較例６）
比較例４において、中空で構成された低屈折率層に代えて、上記の材料充填して構成された低屈折率層を形成したこと以外は、比較例４と同様に、表３に示した層構成となるように、比較有機ＥＬ装置６を作製した。
【０２３２】
（比較例７）
比較例６において、散乱粒子を含有する光取り出し層に代えて、微細な凹凸で構成された光取り出し層を形成したこと以外は、比較例６と同様に、表３に示した層構成となるように、比較有機ＥＬ装置７を作製した。
【０２３３】
【表３】
【０２３４】
（比較例８）
ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置として、表４に示した層構成となるように、下記の通り、比較有機ＥＬ装置８を作製した。なお、表４において、「光出射方向」に示した“Ｂ”は、表１に記載の各実施例で得た有機ＥＬ装置がいわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置であることを示す。また、表１の層構成の上段から下段の方向が、光出射方向に対応する。また、「−」は、対応する層を設けなかったことを示す。また、その他の表示は、表１と同様である。
【０２３５】
即ち、実施例７において、光路長調整層及び光取り出し層を形成しなかったこと、並びに半透明電極に代えて透明電極を形成したこと以外は、実施例７と同様にして、比較有機ＥＬ装置８を得た。
【０２３６】
（比較例９）
実施例７において、光路長調整層を形成しなかったこと、及び半透明電極に代えて透明電極を形成したこと以外は、実施例７と同様に、表４に示した層構成となるように、比較有機ＥＬ装置９を作製した。
【０２３７】
（比較例１０）
比較例９において、散乱粒子を含有する光取り出し層に代えて、上記の微細な凹凸で構成された光取り出し層を形成したこと以外は、比較例９と同様に、表４に示した層構成となるように、比較有機ＥＬ装置１０を作製した。
【０２３８】
（比較例１１）
比較例９において、中空で構成された低屈折率層に代えて、上記の材料充填して構成された低屈折率層を形成したこと以外は、比較例９と同様に、表４に示した層構成となるように、比較有機ＥＬ装置１１を作製した。
【０２３９】
（比較例１２）
比較例１１において、散乱粒子を含有する光取り出し層に代えて、上記の微細な凹凸で構成された光取り出し層を形成したこと以外は、比較例１１と同様に、表４に示した層構成となるように、比較有機ＥＬ装置１２を作製した。
【０２４０】
【表４】
【０２４１】
＜評価方法＞
＜＜視野角に関する評価＞＞
（１）４５°輝度
得た装置の光が射出する面における正面（０°）の輝度（ｃｄ／ｍ２）及び正面に対して上下（又は左右）４５°の輝度（ｃｄ／ｍ２）をそれぞれ放射輝度計（コニカミノルタ製ＣＳ−１０００）により測定し、０°における輝度に対する４５°における輝度の割合を算出した。
【０２４２】
（２）色度差
上記の放射輝度計を用いて、正面（０°）からみた色度と、４５°からみた色度との差（ΔＵ’Ｖ’）を計測した。
【０２４３】
＜＜＜視野角に関する総合評価＞＞＞
上記（１）及び（２）の結果をそれぞれ、下記の基準で評価した。
−（１）４５°視野角−
○：上記４５°輝度が６０％以上である場合
×：上記４５°輝度が６０％未満である場合
−（２）色度差−
○：上記色度差が０．０２以下である場合
×：上記色度差が０．０２未満である場合
−綜合評価−
○：（１）及び（２）の両方が○である場合
△：（１）及び（２）のいずれか一方が×である場合
×：（１）及び（２）のいずれも×である場合
【０２４４】
＜＜光取り出し効果＞＞
得た装置の光が射出する面における正面輝度（ｃｄ／ｍ２）を放射輝度計（コニカミノルタ製ＣＳ−１０００）により測定し、光取り出し構造がない場合を１．０とした場合における各装置で得た正面輝度の割合を示した。
【０２４５】
【表５】
【０２４６】
【表６】
【産業上の利用可能性】
【０２４７】
本発明による有機ＥＬ装置用光学部材は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）を利用した表示装置に好適に利用できる。
【０２４８】
本発明による有機ＥＬ装置は、高精彩なフルカラー表示が可能であるため、携帯電話ディスプレイ、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、コンピュータディスプレイ、自動車の情報ディスプレイ、ＴＶモニター、又は一般照明を含む幅広い分野、好適に利用可能である。
【符号の説明】
【０２４９】
１０ 有機ＥＬ装置用光学部材
１２ 光路長調整層
１４ 光取り出し層
１６ 反射層
２２ 電極
２４ 高屈折率平滑層
２５ 接合層
２６ 基板
２８ ガスバリア層
１００ 有機ＥＬ装置
１０２ 発光層
１０４ 低屈折率層
１０６ バリアフィルム基板
１２２ 電極
１２４ 保護層
１２６ 反射防止層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層を有する有機ＥＬ装置に用いる有機ＥＬ装置用光学部材であって：
前記発光層からの光を反射する反射層と；
前記発光層からの光を取り出す光取り出し層と；
前記反射層と前記光取り出し層との間に光路長調整層と；
を有することを特徴とする有機ＥＬ装置用光学部材。
【請求項２】
光路長調整層の厚みが、画素毎に異なる請求項１に記載の有機ＥＬ装置用光学部材。
【請求項３】
光取り出し層からみて光出射方向に電極をさらに有する請求項１から２のいずれかに記載の有機ＥＬ装置用光学部材。
【請求項４】
光取り出し層からみて反射層の反対側に基板をさらに有する請求項１から３のいずれかに記載の有機ＥＬ装置用光学部材。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の有機ＥＬ装置用光学部材を有することを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項６】
第１の基板と；
一対の電極間に配置された発光層と；
を有する有機ＥＬ装置であって、
光取り出し層が、前記発光層に対して前記有機ＥＬ装置の光出射方向の反対側に位置する請求項５に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項７】
光路長調整層の厚みが、画素毎に異なる請求項５から６のいずれかに記載の有機ＥＬ装置。
【請求項８】
光取り出し層からみて反射層の反対側に第２の基板をさらに有する請求項５から７のいずれかに記載の有機ＥＬ装置。
【請求項９】
第２の基板がバリアフィルム基板である請求項８に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１０】
発光層からみて光出射方向に低屈折率層をさらに有する請求項５から９のいずれかに記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１１】
トップエミッション型である請求項５から１０のいずれかに記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１２】
ボトムエミッション型である請求項５から１０のいずれかに記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１】
発光層を有する有機ＥＬ装置に用いる有機ＥＬ装置用光学部材であって：
前記発光層からの光を反射する反射層と；
前記発光層からの光を取り出す光取り出し層と；
前記反射層と前記光取り出し層との間に光路長調整層と；
を有することを特徴とする有機ＥＬ装置用光学部材。
【請求項２】
光路長調整層の厚みが、画素毎に異なる請求項１に記載の有機ＥＬ装置用光学部材。
【請求項３】
光取り出し層からみて光出射方向に電極をさらに有する請求項１から２のいずれかに記載の有機ＥＬ装置用光学部材。
【請求項４】
光取り出し層からみて反射層の反対側に基板をさらに有する請求項１から３のいずれかに記載の有機ＥＬ装置用光学部材。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の有機ＥＬ装置用光学部材を有することを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項６】
第１の基板と；
一対の電極間に配置された発光層と；
を有する有機ＥＬ装置であって、
光取り出し層が、前記発光層に対して前記有機ＥＬ装置の光出射方向の反対側に位置する請求項５に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項７】
光路長調整層の厚みが、画素毎に異なる請求項５から６のいずれかに記載の有機ＥＬ装置。
【請求項８】
光取り出し層からみて反射層の反対側に第２の基板をさらに有する請求項５から７のいずれかに記載の有機ＥＬ装置。
【請求項９】
第２の基板がバリアフィルム基板である請求項８に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１０】
発光層からみて光出射方向に低屈折率層をさらに有する請求項５から９のいずれかに記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１１】
トップエミッション型である請求項５から１０のいずれかに記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１２】
ボトムエミッション型である請求項５から１０のいずれかに記載の有機ＥＬ装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１１−６０５４９（Ｐ２０１１−６０５４９Ａ）
【公開日】平成２３年３月２４日（２０１１．３．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２０８３０２（Ｐ２００９−２０８３０２）
【出願日】平成２１年９月９日（２００９．９．９）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年３月２４日（２０１１．３．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年９月９日（２００９．９．９）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
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