極端紫外光生成装置
【課題】極端紫外光生成装置において、ＥＵＶ集光ミラーによってＥＵＶ光が集光される位置のずれを低減する。
【解決手段】この極端紫外光生成装置は、ターゲット物質に少なくとも１つのレーザ光を照射してターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、ターゲット物質に照射される少なくとも１つのレーザ光が入射する開口部を有するチャンバと、チャンバが搭載された基準部材と、チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給装置と、ターゲット供給装置によって所定の領域に供給されるターゲット物質に少なくとも１つのレーザ光を集光してターゲット物質をプラズマ化するレーザ光集光光学系と、基準部材に固定され、プラズマから放射される極端紫外光を反射して集光する集光ミラーとを備えてもよい。
【解決手段】この極端紫外光生成装置は、ターゲット物質に少なくとも１つのレーザ光を照射してターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、ターゲット物質に照射される少なくとも１つのレーザ光が入射する開口部を有するチャンバと、チャンバが搭載された基準部材と、チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給装置と、ターゲット供給装置によって所定の領域に供給されるターゲット物質に少なくとも１つのレーザ光を集光してターゲット物質をプラズマ化するレーザ光集光光学系と、基準部材に固定され、プラズマから放射される極端紫外光を反射して集光する集光ミラーとを備えてもよい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１０／００５１８３２号明細書
【概要】
【０００５】
本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、ターゲット物質に少なくとも１つのレーザ光を照射して前記ターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成するための装置であって、前記ターゲット物質に照射される前記少なくとも１つのレーザ光を導入するための開口部が設けられたチャンバと、前記チャンバが搭載された基準部材と、前記チャンバ内の所定の領域に前記ターゲット物質を供給するためのターゲット供給装置と、前記ターゲット供給装置によって前記所定の領域に供給される前記ターゲット物質に前記少なくとも１つのレーザ光を集光するためのレーザ光集光光学系と、前記基準部材に固定され、プラズマ化した前記ターゲット物質から放射される極端紫外光を集光するための集光ミラーと、を備えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
【図２Ａ】図２Ａは、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置が露光装置に接続された状態を示す平面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、図２Ａに示すＥＵＶ光生成装置及び露光装置のＩＩＢ−ＩＩＢ面における断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の平面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の平面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の側面図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、図４Ａに示すＥＵＶ光生成装置のＩＶＣ−ＩＶＣ面における断面図である。
【図４Ｄ】図４Ｄは、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置においてチャンバ基準部材を移動させた状態を示す平面図である。
【図４Ｅ】図４Ｅは、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置においてチャンバ基準部材を移動させた状態を示す側面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、ＥＵＶ光生成装置にレーザ光を導入するためのレーザ光路制御システムが用いられる第４の実施形態を示す平面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、図５Ａに示すＥＵＶ光生成装置及びレーザ光路制御システムの断面図である。
【図６】図６は、プリパルスレーザ光が用いられる第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の断面図である。
【図７Ａ】図７Ａは、ＥＵＶ光生成装置にプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光を導入するためのレーザ光路制御システムが用いられる第６の実施形態を示す平面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、図７Ａに示すＥＵＶ光生成装置及びレーザ光路制御システムの断面図である。
【図８Ａ】図８Ａは、ＥＵＶ光生成装置にプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光を導入するためのレーザ光路制御システムが用いられる第７の実施形態を示す平面図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、図８Ａに示すＥＵＶ光生成装置及びレーザ光路制御システムの断面図である。
【図９】図９は、レーザ光計測器の一実施形態を示す図である。
【図１０】図１０は、レーザ光の進行方向調整機構の動作を説明するための図である。
【図１１】図１１は、レーザ光の進行方向調整機構の別の実施形態を示す図である。
【実施形態】
【０００７】
＜内容＞
１．概要
２．用語の説明
３．極端紫外光生成システムの全体説明
３．１ 構成
３．２ 動作
４．ＥＵＶ光生成装置と露光装置
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用
５．ＥＵＶ光生成装置の第２の実施形態
６．ＥＵＶ光生成装置の第３の実施形態
７．ＥＵＶ光生成装置にレーザ光を導入するためのレーザ光路制御システム
８．プリパルスレーザ光が用いられるＥＵＶ光生成装置
９．ＥＵＶ光生成装置に２系統のレーザ光を導入するためのレーザ光路制御システム（１）
１０．ＥＵＶ光生成装置に２系統のレーザ光を導入するためのレーザ光路制御システム（２）
１１．補足説明
１１．１ レーザ光計測器の実施形態
１１．２ レーザ光の進行方向調整機構の説明
【０００８】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【０００９】
１．概要
ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置では、チャンバ内のプラズマ生成領域にターゲット物質を供給し、ターゲット物質にレーザ光を照射してターゲット物質をプラズマ化することにより、ＥＵＶ光を生成してもよい。生成されたＥＵＶ光は、チャンバ内に配置されたＥＵＶ集光ミラーによって集光され、露光装置等に供給されてもよい。しかしながら、ＥＵＶ集光ミラーとレーザ光集光光学系との間の位置関係が変化すると、露光装置等に入射するＥＵＶ光の集光点の位置が変化してしまうおそれがある。
【００１０】
そこで、本開示の１つの観点によれば、ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置において、少なくともＥＵＶ集光ミラーが、チャンバが搭載されたチャンバ基準部材に固定されてもよい。また、チャンバ内のプラズマ生成領域に供給されるターゲット物質にレーザ光を集光するためのレーザ光集光光学系が、チャンバ基準部材に固定されてもよい。さらに、レーザ光集光光学系が固定されるチャンバ基準部材に、レーザ光を導入するためのレーザ光導入光学系が固定されてもよい。あるいは、レーザ光導入光学系に供給されるレーザ光を計測するためのレーザ光計測器が、チャンバ基準部材に固定されてもよい。このような構成によれば、各光学装置の位置、角度等の安定性が改善され得る。
【００１１】
２．用語の説明
本願において使用される幾つかの用語を以下に定義する。「チャンバ」は、ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置において、プラズマの生成が行われる空間を外部から隔絶するための容器である。「ターゲット供給装置」は、ＥＵＶ光を生成するために用いられる溶融スズ等のターゲット物質をドロップレットの形状でチャンバ内に供給するための装置である。「ＥＵＶ集光ミラー」は、プラズマから放射されるＥＵＶ光を反射してチャンバ外に出力するためのミラーである。
【００１２】
３．極端紫外光生成システムの全体説明
３．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２及びターゲット供給装置２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給装置２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給装置から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
【００１３】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されてレーザ光進行方向制御部３４を経由したパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点が、プラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が、中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には、パルスレーザ光３３を通過させるための貫通孔２４が設けられてもよい。
【００１４】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５及びターゲットセンサ４をさらに含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲットの存在、軌道、位置等を検出してもよい。
【００１５】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
【００１６】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
【００１７】
３．２ 動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。
【００１８】
ターゲット供給装置２６は、ターゲット２７をチャンバ２内のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射され得る。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光２５２は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
【００１９】
ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理してもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７を出力するタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
【００２０】
４．ＥＵＶ光生成装置と露光装置
４．１ 構成
図２Ａは、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置が露光装置に接続された状態を示す平面図であり、図２Ｂは、図２Ａに示すＥＵＶ光生成装置及び露光装置のＩＩＢ−ＩＩＢ面における断面図である。
【００２１】
図２Ａ及び図２Ｂに示すように、ＥＵＶ光生成装置１は、移動機構７と、位置決め機構８と、チャンバ基準部材９と、レーザ光導入光学系３５と、レーザ光集光光学系３６と、レーザ光計測器３７と、チャンバ２とを含んでもよい。図２Ｂに示す床の表面が、ＥＵＶ光生成装置１及び露光装置６等が設置される基準面とされてもよい。基準面である床の表面上に設置された移動機構７によってチャンバ基準部材９が支持され、ＥＵＶ光生成装置１の主要部が、移動機構７と共に、露光装置６に対して移動可能となってもよい。移動のための構造の例については、後で詳しく説明する。位置決め機構８によってチャンバ基準部材９が位置決めされて、ＥＵＶ光生成装置１が露光装置６に接続されてもよい。
【００２２】
図２Ｂに示すように、チャンバ２には、ターゲット物質に照射されるレーザ光を導入するための開口部２ａが設けられ、チャンバ２は、開口部２ａがチャンバ基準部材９によって覆われるように、チャンバ基準部材９上に搭載されてもよい。例えば、チャンバ基準部材９に傾斜面が形成され、チャンバ２がチャンバ基準部材９の傾斜面に固定されてもよい。
【００２３】
チャンバ２には、ターゲット供給装置２６（図１）が取り付けられ、チャンバ２内には、ＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ターゲット供給装置２６は、チャンバ２に固定されてもよく、プラズマ生成領域２５にターゲットを供給するよう構成されてもよい。
【００２４】
ＥＵＶ集光ミラー２３は、好ましくは、ＥＵＶ集光ミラーホルダ２３ａを介してチャンバ基準部材９に固定されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３をチャンバ基準部材９に固定することにより、チャンバ基準部材９を基準としてＥＵＶ集光ミラー２３の位置、姿勢等の精度が高められると共に、位置、姿勢等の変動が抑制され得る。従って、露光装置６に対するチャンバ基準部材９の位置を正確に調整することにより、露光装置６に対するＥＵＶ集光ミラー２３の位置も正確に調整されてもよい。
【００２５】
また、レーザ光導入光学系３５、レーザ光集光光学系３６、及び、レーザ光計測器３７等の光学素子も、チャンバ基準部材９に固定されることが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３と同様に、レーザ光集光光学系３６をチャンバ基準部材９に固定することにより、ＥＵＶ集光ミラー２３に対するレーザ光集光光学系３６の相対的な位置、姿勢等の精度が高められると共に、位置、姿勢等の変動が抑制され得る。従って、レーザ光集光光学系３６によってレーザ光が集光される位置が、ＥＵＶ集光ミラー２３に対して正確に設定され得る。
【００２６】
さらに、レーザ光導入光学系３５をチャンバ基準部材９に固定することにより、レーザ光集光光学系３６に対するレーザ光導入光学系３５の相対的な位置、姿勢等の精度が高められると共に、位置、姿勢等の変動が抑制され得る。従って、レーザ光がレーザ光集光光学系３６に入射する位置が正確に設定され得る。加えて、レーザ光計測器３７をチャンバ基準部材９に固定することにより、レーザ光導入光学系３５に対するレーザ光計測器３７の相対的な位置、姿勢等の精度が高められると共に、位置、姿勢等の変動が抑制され得る。従って、レーザ光導入光学系３５を介して供給されるレーザ光の断面強度プロファイル、ポインティング、広がり角度等を正確に計測することが可能となる。
【００２７】
レーザ光導入光学系３５、レーザ光集光光学系３６、及び、レーザ光計測器３７等の光学素子を収納するために、チャンバ基準部材９は、貫通孔を介してチャンバ２の開口部２ａに連通する収納室９ａと、収納室９ａに隣接する収納室９ｂとを含んでもよい。収納室９ａと収納室９ｂとの間には、ウインドウ３８が設けられてもよい。これにより、チャンバ２内の圧力が維持されると共に、チャンバ２内のガスが密閉されてもよい。例えば、収納室９ａ内にレーザ光集光光学系３６が配置され、収納室９ｂ内にレーザ光導入光学系３５及びレーザ光計測器３７が配置されてもよい。
【００２８】
チャンバ基準部材９には、フレキシブル管４４を介して光学ユニット４２が取り付けられてもよい。光学ユニット４２には、光路管４１が接続されると共に、少なくとも１つの高反射ミラー４３が配置されてもよい。光路管４１内を、例えば、レーザ装置３０（図５Ｂ）から出力されるレーザ光が光学ユニット４２に向かって通過してもよい。光学ユニット４２において、高反射ミラー４３で、光路管４１を通過したレーザ光がチャンバ基準部材９の収納室９ｂに向けて反射されることにより、レーザ光がレーザ光導入光学系３５に供給されてもよい。
【００２９】
レーザ光導入光学系３５は、光学ユニット４２を経由して供給されるレーザ光を、ウインドウ３８を介してチャンバ基準部材９の収納室９ａ内に導入するよう構成されてもよい。レーザ光導入光学系３５は、高反射ミラー５１と、ビームスプリッタ５２と、高反射ミラー５３と、それらのミラー及びビームスプリッタを保持するホルダとを含んでもよい。
【００３０】
高反射ミラー５１は、光学ユニット４２を経由して供給されるレーザ光をビームスプリッタ５２に向けて反射してもよい。ビームスプリッタ５２は、入射したレーザ光を高い透過率で高反射ミラー５３に向けて透過させると共に、入射したレーザ光の一部をレーザ光計測器３７に向けて反射してもよい。高反射ミラー５３は、入射したレーザ光を、ウインドウ３８及びレーザ光集光光学系３６に向けて反射してもよい。
【００３１】
レーザ光集光光学系３６は、レーザ光導入光学系３５によって収納室９ａ内に導入されたレーザ光が、ターゲット供給装置２６（図１）からプラズマ生成領域２５に供給されるターゲットに集光されるよう構成されてもよい。レーザ光集光光学系３６は、高反射ミラー６１と、レーザ光集光ミラー６２と、それらのミラーを保持するホルダとを含んでもよい。
【００３２】
高反射ミラー６１は、レーザ光導入光学系３５から供給されるレーザ光をレーザ光集光ミラー６２に向けて反射してもよい。レーザ光集光ミラー６２は、例えば、軸外放物面ミラーでよく、入射したレーザ光をプラズマ生成領域２５に集光してもよい。プラズマ生成領域２５において、レーザ光がターゲット物質に照射されることにより、ターゲット物質がプラズマ化し、ＥＵＶ光が生成され得る。
【００３３】
ＥＵＶ集光ミラー２３は、チャンバ２内において、ＥＵＶ集光ミラーホルダ２３ａを介して、チャンバ基準部材９の傾斜面に固定されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するミラーでよく、第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されてもよい。
【００３４】
露光装置６は、マスク照射部６ａと、ワークピース照射部６ｂとを含んでもよい。マスク照射部６ａは、マスクテーブルＭＴ上のマスクにＥＵＶ光を照射するための光学系であり、複数の高反射ミラーを含む反射光学系として構成されてもよい。ワークピース照射部６ｂは、マスクの像をワークピーステーブルＷＴ上のワークピース（半導体ウエハ等）に投影するための光学系であり、複数の高反射ミラーを含む反射光学系として構成されてもよい。
【００３５】
４．２ 動作
レーザ装置から出力されるレーザ光は、光学ユニット４２の高反射ミラー４３によって反射され、レーザ光導入光学系３５の高反射ミラー５１に入射してもよい。高反射ミラー５１によって反射されたレーザ光は、ビームスプリッタ５２に入射してもよい。ビームスプリッタ５２に入射したレーザ光の大部分は、ビームスプリッタ５２を透過して、高反射ミラー５３に入射してもよい。ビームスプリッタ５２に入射したレーザ光の一部は、ビームスプリッタ５２によって反射され、レーザ光計測器３７に入射してもよい。レーザ光計測器３７は、レーザ光の断面強度プロファイル、ポインティング、広がり角度等を計測してもよい。
【００３６】
高反射ミラー５３によって反射されたレーザ光は、ウインドウ３８を介して、レーザ光集光光学系３６に入射してもよい。ウインドウ３８を透過したレーザ光は、レーザ光集光光学系３６の高反射ミラー６１及びレーザ光集光ミラー６２によって反射され、チャンバ基準部材９に形成された貫通孔を通過してチャンバ２の開口部２ａに入射してもよい。さらに、開口部２ａに入射したレーザ光は、ＥＵＶ集光ミラー２３に形成された貫通孔を通過してプラズマ生成領域２５に集光されてもよい。
【００３７】
プラズマ生成領域２５に集光されたレーザ光は、ターゲット供給装置２６から出力されてプラズマ生成領域２５に供給されるターゲット物質に照射されてもよい。その結果、ターゲット物質がプラズマ化し、ＥＵＶ光が生成され得る。生成されたＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって中間集光点２９２に集光されて、露光装置６に入射してもよい。
【００３８】
露光装置６において、マスク照射部６ａによって、中間集光点２９２に集光されたＥＵＶ光が、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴ上のマスクに照射されてもよい。また、ワークピース照射部６ｂによって、マスクによって反射されたＥＵＶ光が、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上のワークピース（半導体ウエハ等）上に結像されてもよい。ここで、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同時に平行移動させることにより、マスクのパターンがワークピース上に転写され得る。
【００３９】
４．３ 作用
第１の実施形態によれば、ＥＵＶ集光ミラー２３をチャンバ基準部材９に固定することにより、チャンバ基準部材９を基準としてＥＵＶ集光ミラー２３の位置、姿勢等の精度が高められ得る。また、ＥＵＶ集光ミラー２３と同様に、レーザ光導入光学系３５及びレーザ光集光光学系３６をチャンバ基準部材９に固定することにより、ＥＵＶ集光ミラー２３に対するレーザ光導入光学系３５及びレーザ光集光光学系３６の相対的な位置、姿勢等の精度が高められ、相対的な位置、姿勢等の変動が抑制され得る。従って、光学ユニット４２を経由して供給されるレーザ光がＥＵＶ集光ミラー２３の第１の焦点が位置するプラズマ生成領域２５に集光される際の位置精度が向上すると共に、ＥＵＶ光が中間集光点２９２に集光される際の位置精度が向上し得る。
【００４０】
５．ＥＵＶ光生成装置の第２の実施形態
図３Ａは、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の平面図であり、図３Ｂは、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の断面図である。第２の実施形態においては、図２Ａ及び図２Ｂに示す第１の実施形態における移動機構７として、複数のガイドレール７１及び複数の車輪７２が用いられ、位置決め機構８として、位置決めブロック８１、固定プレート８２、及び、ボルト又はピン８３が用いられてもよい。なお、車輪７２の替わりに、車輪を備えたキャスタが用いられてもよい。その他の点に関しては、第１の実施形態と同様でよい。
【００４１】
図３Ａ及び図３Ｂに示すように、基準面となる床上に、２本のガイドレール７１が設置されてもよい。チャンバ基準部材９には、複数の車輪７２が回転可能に取り付けられてもよい。それらの車輪７２が２本のガイドレール７１上で回転することにより、ＥＵＶ光生成装置１の主要部が、露光装置６に対して移動可能となってもよい。
【００４２】
このように、複数のガイドレール７１及び複数の車輪７２が用いられることにより、チャンバ基準部材９の移動が容易となり得る。従って、露光装置６に対するチャンバ基準部材９の位置を正確に調整することにより、露光装置６に対するＥＵＶ集光ミラー２３の位置も正確に調整され得る。
【００４３】
ここで、チャンバ基準部材９の露光装置側における第１の面（図中右側の正面）を位置決めブロック８１に当接させることにより、チャンバ基準部材９の位置決めを行うように構成されてもよい。及び／又は、チャンバ基準部材９の第１の面と反対側の第２の面（図中左側の背面）に固定プレート８２を当接させて、ボルト又はピン８３によって固定プレート８２をガイドレール７１に固定することにより、位置決め後のチャンバ基準部材９の移動を抑制してもよい。
【００４４】
６．ＥＵＶ光生成装置の第３の実施形態
図４Ａは、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の平面図であり、図４Ｂは、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の側面図である。また、図４Ｃは、図４Ａに示すＥＵＶ光生成装置のＩＶＣ−ＩＶＣ面における断面図である。
【００４５】
第３の実施形態においては、図２Ａ及び図２Ｂに示す第１の実施形態における移動機構７として、複数のガイドレール７１と、複数の車輪７２及び複数のエアシリンダ７３を備えた台車７４とが用いられてもよい。また、図２Ａ及び図２Ｂに示す第１の実施形態における位置決め機構８として、位置決め台８４が用いられてもよい。チャンバ基準部材９は、少なくとも３つのキネマティックマウント１００を用いて位置決め台８４上に配置されてもよい。さらに、図４Ｃに示すように、チャンバ２とチャンバ基準部材９との接続部において、Ｏリングシール９３が用いられてもよい。その他の点に関しては、第１の実施形態と同様でよい。
【００４６】
図４Ａ及び図４Ｂに示すように、基準面となる床上に、２本のガイドレール７１が設置されてもよい。チャンバ基準部材９は、台車７４のエアシリンダ７３上に載置されてもよい。台車７４には、複数の車輪７２が回転可能に取り付けられてもよい。それらの車輪７２が２本のガイドレール７１上で回転することにより、ＥＵＶ光生成装置１の主要部が、露光装置６に対して移動可能となってもよい。
【００４７】
第３実施形態においては、チャンバ基準部材９を位置決め台８４上に配置する際に、台車７４のエアシリンダ７３を用いてチャンバ基準部材９を降下させてもよい。これにより、チャンバ基準部材９が、キネマティックマウント１００を介して、位置決め台８４によって支持されてもよい。
【００４８】
キネマティックマウント１００は、位置決め台８４に一体化又は固定されたハウジング部材８５と、チャンバ基準部材９に一体化又は固定されたハウジング部材９１と、ハウジング部材８５とハウジング部材９１との間に配置された内部球体９２とを含んでもよい。内部球体９２は、ハウジング部材８５とハウジング部材９１との間にゴム、バネ等の弾性材を介して配置されてもよい。また、弾性部材を配さない場合には、ハウジング部材８５の幾つかは、内部球体９２と接する部分にＶ溝が構成されていてもよい。これにより、キネマティックマウント１００は、位置決め台８４とチャンバ基準部材９との間に生じる構造歪や熱歪等を吸収して、位置決め台８４に対するチャンバ基準部材９の位置を正確に設定してもよい。
【００４９】
図４Ｄは、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置においてチャンバ基準部材を移動させた状態を示す平面図であり、図４Ｅは、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置においてチャンバ基準部材を移動させた状態を示す側面図である。部品の交換等のためにチャンバ２を露光装置から切り離す場合には、台車７４のエアシリンダ７３を用いてチャンバ基準部材９を持ち上げ、ハウジング部材９１及び内部球体９２をハウジング部材８５から分離してもよい。その後、チャンバ基準部材９を載せた台車７４を水平方向（図中左方向）に移動させてもよい。この例においては、内部球体９２がハウジング部材９１と共に移動するようになっているが、内部球体９２がハウジング部材８５と共に残留するように構成されてもよい。
【００５０】
７．ＥＵＶ光生成装置にレーザ光を導入するためのレーザ光路制御システム
以下において、ＥＵＶ光生成装置にレーザ光を導入するためにレーザ光の光路を制御するシステムのことを、レーザ光路制御システムという。図５Ａは、レーザ光路制御システムが用いられる第４の実施形態を示す平面図であり、図５Ｂは、図５Ａに示すＥＵＶ光生成装置及びレーザ光路制御システムの断面図である。第４の実施形態においては、レーザ装置３０からＥＵＶ光生成装置１に供給されるレーザ光の光路を制御するために、レーザ光路制御システムが用いられてもよい。ＥＵＶ光生成装置１は、第１〜第３の実施形態において説明したものと同様でもよい。図５Ｂに示すように、ＥＵＶ光生成装置１がクリーンルームフロアに設置され、レーザ装置３０がサブファブフロアに設置されてもよい。
【００５１】
レーザ装置３０から出力されるレーザ光は、複数の高反射ミラー４５〜４７及び４３によって反射されて、ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ基準部材９内に供給されてもよい。高反射ミラー４５及び４６は、それぞれ、アクチュエータ部４５ｂ及び４６ｂが取り付けられたミラーホルダ４５ａ及び４６ａに装着されてもよい。以下において、高反射ミラー４５及び４６、ミラーホルダ４５ａ及び４６ａ、並びに、アクチュエータ部４５ｂ及び４６ｂが構成する機構を、レーザ光の進行方向調整機構という。
【００５２】
ドライバ４８及び４９がアクチュエータ部４５ｂ及び４６ｂをそれぞれ駆動することにより、アクチュエータ部４５ｂ及び４６ｂが高反射ミラー４５及び４６の姿勢をそれぞれ調整するよう構成されてもよい。レーザ光軸制御部３９は、レーザ光計測器３７の計測結果から、レーザ光の断面における中心位置等を算出してもよい。レーザ光軸制御部３９が、この検出結果に基づいてドライバ４８及び４９を制御することにより、高反射ミラー４５及び４６の姿勢が制御されて、レーザ光がチャンバ基準部材９内の所定の位置に所定の角度で供給されてもよい。ここで、レーザ光計測器３７、レーザ光軸制御部３９、ドライバ４８及び４９は、レーザ光の進行方向調整機構と共に、レーザ光路制御システムを構成してもよい。
【００５３】
８．プリパルスレーザ光が用いられるＥＵＶ光生成装置
図６は、プリパルスレーザ光が用いられる第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の断面図である。第５の実施形態は、プリパルスレーザ光が用いられるように第１〜第３の実施形態を変形したものであり、その他の点に関しては第１〜第３の実施形態と同様でよい。以下においては、少なくとも３つのキネマティックマウントが用いられる第３の実施形態を変形した例について説明する。
【００５４】
第５の実施形態においては、１次ターゲットにプリパルスレーザ光を照射して２次ターゲットを生成し、この２次ターゲットにメインパルスレーザ光を照射してプラズマを生成する方式が用いられてもよい。例えば、プリパルスレーザ光を生成するためにＹＡＧレーザ装置が用いられ、メインパルスレーザ光を生成するために炭酸ガス（ＣＯ２）レーザ装置が用いられてもよい。
【００５５】
ドロップレット形状のターゲットの径やプリパルスレーザ光の光強度等の条件にもよるが、ターゲットにプリパルスレーザ光を照射すると、プリパルスレーザ光が照射されたターゲットの表面からプリプラズマが生成され得る。プリプラズマとは、ターゲットの内で、プリパルスレーザ光が照射された表面付近の部分がイオン又は中性粒子を含む蒸気になったものをいう。このようなプリプラズマが生成される現象を、レーザアブレーションともいう。
【００５６】
あるいは、ターゲットにプリパルスレーザ光を照射すると、ターゲットが破壊され得る。破壊されたターゲットは、プリプラズマの噴出による反力等によって、プリパルスレーザ光の進行方向に対してほぼ同方向に拡散し得る。
【００５７】
このように、ターゲットに対するプリパルスレーザ光の照射により生成されたプリプラズマ及び破壊されたターゲットの内の少なくとも一方を含むターゲットを、以下では拡散ターゲットと称する。
【００５８】
次に、プリパルスレーザ光の照射により生成された拡散ターゲットにメインパルスレーザ光を照射することにより、拡散ターゲットがプラズマ化し得る。この方式によれば、メインパルスレーザ光のみでターゲットをプラズマ化してＥＵＶ光を生成する方式よりも、デブリの発生量を抑制することができると推測される。
【００５９】
図６に示すように、チャンバ基準部材９の内部には、レーザ光導入光学系３５ａ、レーザ光集光光学系３６、及び、レーザ光計測器３７ａが設けられてもよい。図６に示すレーザ光導入光学系３５ａが図４Ｃ等に示すレーザ光導入光学系３５と異なる点は、メインパルスレーザ光（実線）を導入するための高反射ミラー５１に加えて、プリパルスレーザ光（破線）を導入するための高反射ミラー５４が追加されていることである。
【００６０】
高反射ミラー５４は、プリパルスレーザ光を高い反射率で反射してもよい。高反射ミラー５１は、メインパルスレーザ光を高い反射率で反射してもよい。高反射ミラー５４によって反射されたプリパルスレーザ光は、ビームスプリッタ５２ａの第１の面（図中右側の面）に入射し、高反射ミラー５１によって反射されたメインパルスレーザ光は、ビームスプリッタ５２ａの第２の面（図中左側の面）に入射してもよい。
【００６１】
ビームスプリッタ５２ａは、第１の面に入射したプリパルスレーザ光を高い反射率で高反射ミラー５３に向けて反射すると共に、入射したプリパルスレーザ光の一部をレーザ光計測器３７ａに向けて透過させてもよい。また、ビームスプリッタ５２ａは、第２の面に入射したメインパルスレーザ光を高い透過率で高反射ミラー５３に向けて透過させると共に、入射したメインパルスレーザ光の一部をレーザ光計測器３７ａに向けて反射してもよい。
【００６２】
ビームスプリッタ５２ａによって反射されたプリパルスレーザ光、及び、ビームスプリッタ５２ａを透過したメインパルスレーザ光は、高反射ミラー５３に入射してもよい。高反射ミラー５３は、入射したプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光を、ウインドウ３８及びレーザ光集光光学系３６に向けて高い反射率で反射してもよい。
【００６３】
ビームスプリッタ５２ａを透過したプリパルスレーザ光、及び、ビームスプリッタ５２ａによって反射されたメインパルスレーザ光は、レーザ光計測器３７ａに入射してもよい。レーザ光計測器３７ａは、入射したプリパルスレーザ光の断面強度プロファイル、ポインティング、広がり角度等と、入射したメインパルスレーザ光の断面強度プロファイル、ポインティング、広がり角度等とを計測してもよい。ここで、レーザ光計測器３７ａは、プリパルスレーザ光を計測するためのプリパルスレーザ光計測器と、メインパルスレーザ光を計測するためのメインパルスレーザ光計測器とによって構成されていてもよい。
【００６４】
このように、ビームスプリッタ５２ａによって、プリパルスレーザ光とメインパルスレーザ光とが略同一方向に進行するように調節されるので、ビームスプリッタ５２ａは、プリパルスレーザ光の進行方向とメインパルスレーザ光の進行方向とを一致させるビームコンバイナーとして機能してもよい。ビームスプリッタ５２ａの材料としては、ダイアモンドが用いられてもよい。また、ビームスプリッタ５２ａのプリパルスレーザ光の入射面には、プリパルスレーザ光に対して高い反射率を有し、メインパルスレーザ光に対して高い透過率を有する光学薄膜がコーティングされていてもよい。
【００６５】
高反射ミラー５３によって反射されたプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光は、ウインドウ３８を介して、レーザ光集光光学系３６に入射してもよい。レーザ光集光光学系３６において、高反射ミラー６１及びレーザ光集光ミラー６２は、プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光を高い反射率で反射してもよい。これにより、プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光は、ターゲット供給装置２６からプラズマ生成領域２５に供給されるターゲットに集光されてもよい。ターゲットにプリパルスレーザ光を照射することによって拡散ターゲットが生成され、この拡散ターゲットにメインパルスレーザ光を照射することによってプラズマが生成され、このプラズマからＥＵＶ光が放射され得る。
【００６６】
以上において、高反射ミラー５１を介してプリパルスレーザ光がチャンバ基準部材９内に導入され、高反射ミラー５４を介してメインパルスレーザ光がチャンバ基準部材９内に導入されるように構成されてもよい。その場合、ビームスプリッタ５２ａは、第２の面（図中左側の面）に入射したプリパルスレーザ光を高い透過率で高反射ミラー５３に向けて透過させると共に、入射したプリパルスレーザ光の一部をレーザ光計測器３７ａに向けて反射してもよい。また、ビームスプリッタ５２ａは、第１の面（図中右側の面）に入射したメインパルスレーザ光を高い反射率で高反射ミラー５３に向けて反射すると共に、入射したメインパルスレーザ光の一部をレーザ光計測器３７ａに向けて透過させてもよい。
【００６７】
第５の実施形態によれば、ターゲットにプリパルスレーザ光を照射してから拡散ターゲットにメインパルスレーザ光を照射する場合においても、ＥＵＶ集光ミラー２３をチャンバ基準部材９に固定することにより、チャンバ基準部材９を基準としてＥＵＶ集光ミラー２３の位置、姿勢等の精度が高められる。また、ＥＵＶ集光ミラー２３と同様に、レーザ光導入光学系３５ａ及びレーザ光集光光学系３６をチャンバ基準部材９に固定することにより、ＥＵＶ集光ミラー２３に対するレーザ光導入光学系３５ａ及びレーザ光集光光学系３６の相対的な位置、姿勢等の精度が高められ、相対的な位置、姿勢等の変動が抑制され得る。従って、プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光がＥＵＶ集光ミラー２３の第１の焦点が位置するプラズマ生成領域２５に集光される際の位置精度が向上すると共に、ＥＵＶ光が中間集光点２９２に集光される際の位置精度が向上し得る。
【００６８】
９．ＥＵＶ光生成装置に２系統のレーザ光を導入するためのレーザ光路制御システム（１）
図７Ａは、ＥＵＶ光生成装置にプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光を導入するためのレーザ光路制御システムが用いられる第６の実施形態を示す平面図であり、図７Ｂは、図７Ａに示すＥＵＶ光生成装置及びレーザ光路制御システムの断面図である。第６の実施形態においては、プリパルスレーザ装置１３１及びメインパルスレーザ装置１３２からＥＵＶ光生成装置１にそれぞれ供給されるプリパルスレーザ光（破線）及びメインパルスレーザ光（実線）の光路を制御するために、レーザ光路制御システムが用いられてもよい。図７Ｂに示すように、ＥＵＶ光生成装置１がクリーンルームフロアに設置され、プリパルスレーザ装置１３１及びメインパルスレーザ装置１３２がサブファブフロアに設置されてもよい。
【００６９】
メインパルスレーザ装置１３２から出力されるメインパルスレーザ光は、複数の高反射ミラー４５〜４７及び４３によって反射されて、ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ基準部材９内に供給されてもよい。高反射ミラー４５及び４６は、それぞれ、アクチュエータ部４５ｂ及び４６ｂが取り付けられたミラーホルダ４５ａ及び４６ａに装着されてもよい。ここで、高反射ミラー４５及び４６、ミラーホルダ４５ａ及び４６ａ、及び、アクチュエータ部４５ｂ及び４６ｂは、メインパルスレーザ光の進行方向調整機構を構成してもよい。
【００７０】
ドライバ（メインパルスレーザ光用）１４８がアクチュエータ部４５ｂ及び４６ｂを駆動することにより、アクチュエータ部４５ｂ及び４６ｂが高反射ミラー４５及び４６の姿勢をそれぞれ調整してもよい。レーザ光軸制御部３９が、レーザ光計測器３７ａの計測結果に基づいてドライバ１４８を制御することにより、高反射ミラー４５及び４６の姿勢が制御されて、メインパルスレーザ光がチャンバ基準部材９内の所定の位置に所定の角度で供給されてもよい。
【００７１】
プリパルスレーザ装置１３１から出力されるプリパルスレーザ光は、複数の高反射ミラー１４５〜１４７及び１４３によって反射されて、ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ基準部材９内に供給されてもよい。高反射ミラー１４５及び１４６は、高反射ミラー４５及び４６と同様に、それぞれ、アクチュエータ部が取り付けられたミラーホルダに装着されてもよい。ここで、高反射ミラー１４５及び１４６、それらのミラーホルダ、及び、アクチュエータ部は、プリパルスレーザ光の進行方向調整機構を構成してもよい。
【００７２】
ドライバ（プリパルスレーザ光用）１４９が高反射ミラー１４５及び１４６のアクチュエータ部を駆動することにより、それらのアクチュエータ部が高反射ミラー１４５及び１４６の姿勢をそれぞれ調整してもよい。レーザ光軸制御部３９が、レーザ光計測器３７ａの計測結果に基づいてドライバ１４９を制御することにより、高反射ミラー１４５及び１４６の姿勢が制御されて、プリパルスレーザ光がチャンバ基準部材９内の所定の位置に所定の角度で供給されてもよい。ここで、レーザ光計測器３７ａ、レーザ光軸制御部３９、ドライバ１４８及び１４９は、メインパルスレーザ光の進行方向調整機構及びプリパルスレーザ光の進行方向調整機構と共に、レーザ光路制御システムを構成してもよい。
【００７３】
ＥＵＶ光生成装置１の光学系は、第５の実施形態において説明した光学系と同様でもよい。図７Ａに示すように、チャンバ基準部材９には、プリパルスレーザ光を導入するために、フレキシブル管１４４を介して光学ユニット１４２が取り付けられてもよい。光学ユニット１４２には、光路管１４１が接続されると共に、少なくとも１つの高反射ミラー１４３が配置されてもよい。光路管１４１を、プリパルスレーザ装置１３１（図７Ｂ）から出力されるプリパルスレーザ光が光学ユニット１４２に向けて通過してもよい。光学ユニット１４２において、高反射ミラー１４３が、光路管１４１を通過したプリパルスレーザ光をチャンバ基準部材９内の高反射ミラー５４に向けて反射することにより、プリパルスレーザ光をレーザ光導入光学系に供給してもよい。
【００７４】
さらに、チャンバ基準部材９には、メインパルスレーザ光を導入するために、フレキシブル管４４を介して光学ユニット４２が取り付けられてもよい。光学ユニット４２には、光路管４１が接続されると共に、少なくとも１つの高反射ミラー４３が配置されてもよい。光路管４１を、例えば、メインパルスレーザ装置１３２から出力されるメインパルスレーザ光が光学ユニット４２に向けて通過してもよい。光学ユニット４２において、高反射ミラー４３が、光路管４１を通過したメインパルスレーザ光をチャンバ基準部材９内の高反射ミラー５１に向けて反射することにより、メインパルスレーザ光をレーザ光導入光学系に供給してもよい。
【００７５】
１０．ＥＵＶ光生成装置に２系統のレーザ光を導入するためのレーザ光路制御システム（２）
図８Ａは、ＥＵＶ光生成装置にプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光を導入するためのレーザ光路制御システムが用いられる第７の実施形態を示す平面図であり、図８Ｂは、図８Ａに示すＥＵＶ光生成装置及びレーザ光路制御システムの断面図である。
【００７６】
第７の実施形態においては、プリパルスレーザ装置１３１及びメインパルスレーザ装置１３２を含むレーザ部１３０において、光路調節用ミラー１３３によって、プリパルスレーザ光の光路とメインパルスレーザ光の光路とが略一致するように調節されてもよい。さらに、プリパルスレーザ装置１３１及びメインパルスレーザ装置１３２からＥＵＶ光生成装置１にそれぞれ供給されるプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光の光路を制御するために、レーザ光路制御システムが用いられてもよい。図８Ｂに示すように、ＥＵＶ光生成装置１がクリーンルームフロアに設置され、プリパルスレーザ装置１３１及びメインパルスレーザ装置１３２がサブファブフロアに設置されてもよい。
【００７７】
レーザ部１３０に設けられた光路調節用ミラー１３３は、プリパルスレーザ装置１３１から出力されるプリパルスレーザ光を高い反射率で高反射ミラー４５に向けて反射すると共に、メインパルスレーザ装置１３２から出力されるメインパルスレーザ光を高い透過率で高反射ミラー４５に向けて透過させる。これにより、プリパルスレーザ光の光路とメインパルスレーザ光の光路とが略一致するように調節されてもよい。また、光路調節用ミラー１３３は、図６におけるビームスプリッタ５２ａと同様の構成であってもよい。
【００７８】
さらに、プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光は、高反射ミラー４５〜４７及び４３によって反射されて、ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ基準部材９内に供給されてもよい。高反射ミラー４５及び４６は、それぞれ、アクチュエータ部４５ｂ及び４６ｂが取り付けられたミラーホルダ４５ａ及び４６ａに装着されてもよい。ここで、高反射ミラー４５及び４６、ミラーホルダ４５ａ及び４６ａ、及び、アクチュエータ部４５ｂ及び４６ｂは、レーザ光の進行方向調整機構を構成してもよい。
【００７９】
ドライバ１３４がアクチュエータ部４５ｂ及び４６ｂを駆動することにより、アクチュエータ部４５ｂ及び４６ｂが高反射ミラー４５及び４６の姿勢をそれぞれ調整してもよい。レーザ光軸制御部３９が、レーザ光計測器３７ａの計測結果に基づいてドライバ１３４を制御することにより、高反射ミラー４５及び４６の姿勢が制御されて、プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光がチャンバ基準部材９内の所定の位置に所定の角度で供給されてもよい。ここで、レーザ光計測器３７ａ、レーザ光軸制御部３９、及び、ドライバ１３４は、レーザ光の進行方向調整機構と共に、レーザ光路制御システムを構成してもよい。
【００８０】
ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ基準部材９内において、レーザ光導入光学系は、高反射ミラー５４と、光路調節用ミラー（ビームスプリッタ）５２ｂと、高反射ミラー５３と、レーザ光計測器３７ａとを含んでもよい。
【００８１】
高反射ミラー５４は、プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光を高い反射率で反射してもよい。高反射ミラー５４によって反射されたプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光は、光路調節用ミラー５２ｂに入射してもよい。光路調節用ミラー５２ｂは、入射したプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光を高い反射率で高反射ミラー５３に向けて反射すると共に、入射したプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光の一部をレーザ光計測器３７ａに向けて透過させてもよい。
【００８２】
光路調節用ミラー５２ｂによって反射されたプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光は、高反射ミラー５３に入射してもよい。高反射ミラー５３は、入射したプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光を、ウインドウ３８及びレーザ光集光光学系に向けて高い反射率で反射してもよい。レーザ光集光光学系以降の構成及び動作は、第５の実施形態における構成及び動作と同様でもよい。
【００８３】
光路調節用ミラー５２ｂを透過したプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光は、レーザ光計測器３７ａに入射してもよい。レーザ光計測器３７ａは、入射したプリパルスレーザ光の断面強度プロファイル、ポインティング、広がり角度等と、入射したメインパルスレーザ光の断面強度プロファイル、ポインティング、広がり角度等とを計測してもよい。
【００８４】
第７の実施形態によれば、レーザ部１３０においてプリパルスレーザ光の光路とメインパルスレーザ光の光路とが略一致するように調節されるので、第６の実施形態と比較して、レーザ部１３０とチャンバ基準部材９との間の光路、及び、レーザ光導入光学系の構成を簡略化することができる。
１１．補足説明
１１．１ レーザ光計測器の実施形態
図９は、レーザ光計測器の一実施形態を示す図である。図９に示すように、レーザ光計測器３７は、ビームスプリッタ１０１と、レンズ１０２及び１０３と、ビームプロファイラ１０４及び１０５とを含んでもよい。ビームスプリッタ１０１は、ウェッジ（くさび）型の形状を有してもよく、入射するレーザ光の一部を透過させ、入射するレーザ光の他の一部を反射してもよい。
【００８５】
ビームスプリッタ１０１を透過したレーザ光は、レンズ１０２を介して、ビームプロファイラ１０４に入射してもよい。ビームスプリッタ１０１によって反射されたレーザ光は、レンズ１０３を介して、ビームプロファイラ１０５に入射してもよい。図９に示すように、ビームプロファイラ１０４は、レンズ１０２の焦点とは異なる位置に配置され、レーザ光の断面強度プロファイルを計測してもよい。ビームプロファイラ１０５は、焦点距離Ｆを有するレンズ１０３の焦点の位置に配置され、レーザ光の集光点におけるプロファイル（ポインティング及び広がり角度）を計測してもよい。
【００８６】
レーザ光の断面強度プロファイルの計測結果から、レーザ光の断面における中心位置及び大きさを算出してもよい。また、レーザ光の集光点におけるプロファイルの計測結果から、レーザ光のビームダイバージェンス（波面の曲率）及び進行方向を求めてもよい。
【００８７】
１１．２ レーザ光の進行方向調整機構の説明
図１０は、レーザ光の進行方向調整機構の動作を説明するための図である。２つの高反射ミラー４５及び４６のそれぞれの姿勢角度（θｘ、θｙ）を制御することによって、レーザ光路を所望の光路となるように調整してもよい。ここで、角度θｘの方向と角度θｙの方向とは、互いに直交してもよい。例えば、２つの高反射ミラー４５及び４６がそれぞれ装着されるミラーホルダ４５ａ及び４６ａ（図５Ｂ）は、互いに直交する２軸を中心として物体を回転させる回転台の一種であるジンバル機構を有してもよい。
【００８８】
図１１は、レーザ光の進行方向調整機構の別の実施形態を示す図である。図１０に示す高反射ミラー４５及び４６の替わりに、ウェッジ（くさび）型の形状を有し、レーザ光を透過させる２つの基板１１１及び１１２が用いられてもよい。レーザ光路に基板１１１及び１１２を配置して、レーザ光路を中心に基板１１１及び１１２を回転させることによって、レーザ光路を所望の光路となるように調節してもよい。その場合においても、基板１１１及び１１２の姿勢角度（θｘ、θｙ）を制御するために、ドライバによって駆動されるアクチュエータ部１１３及び１１４が設けられてもよい。または、このレーザ光の進行方向調整機構には図１０に示す高反射ミラー４５及び４６を設けて、アクチュエータ部１１３及び１１４を駆動することにより、高反射ミラー４５及び４６の姿勢角度を制御するように構成されてもよい。
【００８９】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【００９０】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００９１】
１…ＥＵＶ光生成装置、１１…ＥＵＶ光生成システム、２…チャンバ、２ａ…開口部、２１…ウインドウ、２２…レーザ光集光ミラー、２３…ＥＵＶ集光ミラー、２３ａ…ＥＵＶ集光ミラーホルダ、２４…貫通孔、２５…プラズマ生成領域、２５１、２５２…ＥＵＶ光、２６…ターゲット供給装置、２７…ターゲット、２８…ターゲット回収部、２９…接続部、２９１…壁、２９２…中間集光点（ＩＦ）、３…レーザ装置、３０…レーザ装置、３１〜３３…パルスレーザ光、３４…レーザ光進行方向制御部、３５、３５ａ…レーザ光導入光学系、３６…レーザ光集光光学系、３７、３７ａ…レーザ光計測器、３８…ウインドウ、３９…レーザ光軸制御部、４…ターゲットセンサ、４１、１４１…光路管、４２、１４２…光学ユニット、４３、４５〜４７、１４３、１４５〜１４７…高反射ミラー、４４、１４４…フレキシブル管、４５ａ、４６ａ…ミラーホルダ、４５ｂ、４６ｂ…アクチュエータ部、４８、４９、１３４、１４８、１４９…ドライバ、５…ＥＵＶ光生成制御部、５１、５３、５４…高反射ミラー、５２、５２ａ…ビームスプリッタ、５２ｂ、１３３…光路調節用ミラー、６…露光装置、６ａ…マスク照射部、６ｂ…ワークピース照射部、６１…高反射ミラー、６２…レーザ光集光ミラー、７…移動機構、７１…ガイドレール、７２…車輪、７３…エアシリンダ、７４…台車、８…位置決め機構、８１…位置決めブロック、８２…固定プレート、８３…ボルト又はピン、８４…位置決め台、８５…ハウジング部材、９…チャンバ基準部材、９ａ、９ｂ…収納室、９１…ハウジング部材、９２…内部球体、９３…Ｏリングシール、１００…キネマティックマウント、１０１…ビームスプリッタ、１０２、１０３…レンズ、１０４、１０５…ビームプロファイラ、１１１、１１２…基板、１１３、１１４…アクチュエータ部、１３０…レーザ部、１３１…プリパルスレーザ装置、１３２…メインパルスレーザ装置
【技術分野】
【０００１】
本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１０／００５１８３２号明細書
【概要】
【０００５】
本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、ターゲット物質に少なくとも１つのレーザ光を照射して前記ターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成するための装置であって、前記ターゲット物質に照射される前記少なくとも１つのレーザ光を導入するための開口部が設けられたチャンバと、前記チャンバが搭載された基準部材と、前記チャンバ内の所定の領域に前記ターゲット物質を供給するためのターゲット供給装置と、前記ターゲット供給装置によって前記所定の領域に供給される前記ターゲット物質に前記少なくとも１つのレーザ光を集光するためのレーザ光集光光学系と、前記基準部材に固定され、プラズマ化した前記ターゲット物質から放射される極端紫外光を集光するための集光ミラーと、を備えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
【図２Ａ】図２Ａは、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置が露光装置に接続された状態を示す平面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、図２Ａに示すＥＵＶ光生成装置及び露光装置のＩＩＢ−ＩＩＢ面における断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の平面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の平面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の側面図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、図４Ａに示すＥＵＶ光生成装置のＩＶＣ−ＩＶＣ面における断面図である。
【図４Ｄ】図４Ｄは、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置においてチャンバ基準部材を移動させた状態を示す平面図である。
【図４Ｅ】図４Ｅは、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置においてチャンバ基準部材を移動させた状態を示す側面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、ＥＵＶ光生成装置にレーザ光を導入するためのレーザ光路制御システムが用いられる第４の実施形態を示す平面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、図５Ａに示すＥＵＶ光生成装置及びレーザ光路制御システムの断面図である。
【図６】図６は、プリパルスレーザ光が用いられる第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の断面図である。
【図７Ａ】図７Ａは、ＥＵＶ光生成装置にプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光を導入するためのレーザ光路制御システムが用いられる第６の実施形態を示す平面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、図７Ａに示すＥＵＶ光生成装置及びレーザ光路制御システムの断面図である。
【図８Ａ】図８Ａは、ＥＵＶ光生成装置にプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光を導入するためのレーザ光路制御システムが用いられる第７の実施形態を示す平面図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、図８Ａに示すＥＵＶ光生成装置及びレーザ光路制御システムの断面図である。
【図９】図９は、レーザ光計測器の一実施形態を示す図である。
【図１０】図１０は、レーザ光の進行方向調整機構の動作を説明するための図である。
【図１１】図１１は、レーザ光の進行方向調整機構の別の実施形態を示す図である。
【実施形態】
【０００７】
＜内容＞
１．概要
２．用語の説明
３．極端紫外光生成システムの全体説明
３．１ 構成
３．２ 動作
４．ＥＵＶ光生成装置と露光装置
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用
５．ＥＵＶ光生成装置の第２の実施形態
６．ＥＵＶ光生成装置の第３の実施形態
７．ＥＵＶ光生成装置にレーザ光を導入するためのレーザ光路制御システム
８．プリパルスレーザ光が用いられるＥＵＶ光生成装置
９．ＥＵＶ光生成装置に２系統のレーザ光を導入するためのレーザ光路制御システム（１）
１０．ＥＵＶ光生成装置に２系統のレーザ光を導入するためのレーザ光路制御システム（２）
１１．補足説明
１１．１ レーザ光計測器の実施形態
１１．２ レーザ光の進行方向調整機構の説明
【０００８】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【０００９】
１．概要
ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置では、チャンバ内のプラズマ生成領域にターゲット物質を供給し、ターゲット物質にレーザ光を照射してターゲット物質をプラズマ化することにより、ＥＵＶ光を生成してもよい。生成されたＥＵＶ光は、チャンバ内に配置されたＥＵＶ集光ミラーによって集光され、露光装置等に供給されてもよい。しかしながら、ＥＵＶ集光ミラーとレーザ光集光光学系との間の位置関係が変化すると、露光装置等に入射するＥＵＶ光の集光点の位置が変化してしまうおそれがある。
【００１０】
そこで、本開示の１つの観点によれば、ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置において、少なくともＥＵＶ集光ミラーが、チャンバが搭載されたチャンバ基準部材に固定されてもよい。また、チャンバ内のプラズマ生成領域に供給されるターゲット物質にレーザ光を集光するためのレーザ光集光光学系が、チャンバ基準部材に固定されてもよい。さらに、レーザ光集光光学系が固定されるチャンバ基準部材に、レーザ光を導入するためのレーザ光導入光学系が固定されてもよい。あるいは、レーザ光導入光学系に供給されるレーザ光を計測するためのレーザ光計測器が、チャンバ基準部材に固定されてもよい。このような構成によれば、各光学装置の位置、角度等の安定性が改善され得る。
【００１１】
２．用語の説明
本願において使用される幾つかの用語を以下に定義する。「チャンバ」は、ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置において、プラズマの生成が行われる空間を外部から隔絶するための容器である。「ターゲット供給装置」は、ＥＵＶ光を生成するために用いられる溶融スズ等のターゲット物質をドロップレットの形状でチャンバ内に供給するための装置である。「ＥＵＶ集光ミラー」は、プラズマから放射されるＥＵＶ光を反射してチャンバ外に出力するためのミラーである。
【００１２】
３．極端紫外光生成システムの全体説明
３．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２及びターゲット供給装置２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給装置２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給装置から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
【００１３】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されてレーザ光進行方向制御部３４を経由したパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点が、プラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が、中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には、パルスレーザ光３３を通過させるための貫通孔２４が設けられてもよい。
【００１４】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５及びターゲットセンサ４をさらに含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲットの存在、軌道、位置等を検出してもよい。
【００１５】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
【００１６】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
【００１７】
３．２ 動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。
【００１８】
ターゲット供給装置２６は、ターゲット２７をチャンバ２内のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射され得る。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光２５２は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
【００１９】
ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理してもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７を出力するタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
【００２０】
４．ＥＵＶ光生成装置と露光装置
４．１ 構成
図２Ａは、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置が露光装置に接続された状態を示す平面図であり、図２Ｂは、図２Ａに示すＥＵＶ光生成装置及び露光装置のＩＩＢ−ＩＩＢ面における断面図である。
【００２１】
図２Ａ及び図２Ｂに示すように、ＥＵＶ光生成装置１は、移動機構７と、位置決め機構８と、チャンバ基準部材９と、レーザ光導入光学系３５と、レーザ光集光光学系３６と、レーザ光計測器３７と、チャンバ２とを含んでもよい。図２Ｂに示す床の表面が、ＥＵＶ光生成装置１及び露光装置６等が設置される基準面とされてもよい。基準面である床の表面上に設置された移動機構７によってチャンバ基準部材９が支持され、ＥＵＶ光生成装置１の主要部が、移動機構７と共に、露光装置６に対して移動可能となってもよい。移動のための構造の例については、後で詳しく説明する。位置決め機構８によってチャンバ基準部材９が位置決めされて、ＥＵＶ光生成装置１が露光装置６に接続されてもよい。
【００２２】
図２Ｂに示すように、チャンバ２には、ターゲット物質に照射されるレーザ光を導入するための開口部２ａが設けられ、チャンバ２は、開口部２ａがチャンバ基準部材９によって覆われるように、チャンバ基準部材９上に搭載されてもよい。例えば、チャンバ基準部材９に傾斜面が形成され、チャンバ２がチャンバ基準部材９の傾斜面に固定されてもよい。
【００２３】
チャンバ２には、ターゲット供給装置２６（図１）が取り付けられ、チャンバ２内には、ＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ターゲット供給装置２６は、チャンバ２に固定されてもよく、プラズマ生成領域２５にターゲットを供給するよう構成されてもよい。
【００２４】
ＥＵＶ集光ミラー２３は、好ましくは、ＥＵＶ集光ミラーホルダ２３ａを介してチャンバ基準部材９に固定されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３をチャンバ基準部材９に固定することにより、チャンバ基準部材９を基準としてＥＵＶ集光ミラー２３の位置、姿勢等の精度が高められると共に、位置、姿勢等の変動が抑制され得る。従って、露光装置６に対するチャンバ基準部材９の位置を正確に調整することにより、露光装置６に対するＥＵＶ集光ミラー２３の位置も正確に調整されてもよい。
【００２５】
また、レーザ光導入光学系３５、レーザ光集光光学系３６、及び、レーザ光計測器３７等の光学素子も、チャンバ基準部材９に固定されることが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３と同様に、レーザ光集光光学系３６をチャンバ基準部材９に固定することにより、ＥＵＶ集光ミラー２３に対するレーザ光集光光学系３６の相対的な位置、姿勢等の精度が高められると共に、位置、姿勢等の変動が抑制され得る。従って、レーザ光集光光学系３６によってレーザ光が集光される位置が、ＥＵＶ集光ミラー２３に対して正確に設定され得る。
【００２６】
さらに、レーザ光導入光学系３５をチャンバ基準部材９に固定することにより、レーザ光集光光学系３６に対するレーザ光導入光学系３５の相対的な位置、姿勢等の精度が高められると共に、位置、姿勢等の変動が抑制され得る。従って、レーザ光がレーザ光集光光学系３６に入射する位置が正確に設定され得る。加えて、レーザ光計測器３７をチャンバ基準部材９に固定することにより、レーザ光導入光学系３５に対するレーザ光計測器３７の相対的な位置、姿勢等の精度が高められると共に、位置、姿勢等の変動が抑制され得る。従って、レーザ光導入光学系３５を介して供給されるレーザ光の断面強度プロファイル、ポインティング、広がり角度等を正確に計測することが可能となる。
【００２７】
レーザ光導入光学系３５、レーザ光集光光学系３６、及び、レーザ光計測器３７等の光学素子を収納するために、チャンバ基準部材９は、貫通孔を介してチャンバ２の開口部２ａに連通する収納室９ａと、収納室９ａに隣接する収納室９ｂとを含んでもよい。収納室９ａと収納室９ｂとの間には、ウインドウ３８が設けられてもよい。これにより、チャンバ２内の圧力が維持されると共に、チャンバ２内のガスが密閉されてもよい。例えば、収納室９ａ内にレーザ光集光光学系３６が配置され、収納室９ｂ内にレーザ光導入光学系３５及びレーザ光計測器３７が配置されてもよい。
【００２８】
チャンバ基準部材９には、フレキシブル管４４を介して光学ユニット４２が取り付けられてもよい。光学ユニット４２には、光路管４１が接続されると共に、少なくとも１つの高反射ミラー４３が配置されてもよい。光路管４１内を、例えば、レーザ装置３０（図５Ｂ）から出力されるレーザ光が光学ユニット４２に向かって通過してもよい。光学ユニット４２において、高反射ミラー４３で、光路管４１を通過したレーザ光がチャンバ基準部材９の収納室９ｂに向けて反射されることにより、レーザ光がレーザ光導入光学系３５に供給されてもよい。
【００２９】
レーザ光導入光学系３５は、光学ユニット４２を経由して供給されるレーザ光を、ウインドウ３８を介してチャンバ基準部材９の収納室９ａ内に導入するよう構成されてもよい。レーザ光導入光学系３５は、高反射ミラー５１と、ビームスプリッタ５２と、高反射ミラー５３と、それらのミラー及びビームスプリッタを保持するホルダとを含んでもよい。
【００３０】
高反射ミラー５１は、光学ユニット４２を経由して供給されるレーザ光をビームスプリッタ５２に向けて反射してもよい。ビームスプリッタ５２は、入射したレーザ光を高い透過率で高反射ミラー５３に向けて透過させると共に、入射したレーザ光の一部をレーザ光計測器３７に向けて反射してもよい。高反射ミラー５３は、入射したレーザ光を、ウインドウ３８及びレーザ光集光光学系３６に向けて反射してもよい。
【００３１】
レーザ光集光光学系３６は、レーザ光導入光学系３５によって収納室９ａ内に導入されたレーザ光が、ターゲット供給装置２６（図１）からプラズマ生成領域２５に供給されるターゲットに集光されるよう構成されてもよい。レーザ光集光光学系３６は、高反射ミラー６１と、レーザ光集光ミラー６２と、それらのミラーを保持するホルダとを含んでもよい。
【００３２】
高反射ミラー６１は、レーザ光導入光学系３５から供給されるレーザ光をレーザ光集光ミラー６２に向けて反射してもよい。レーザ光集光ミラー６２は、例えば、軸外放物面ミラーでよく、入射したレーザ光をプラズマ生成領域２５に集光してもよい。プラズマ生成領域２５において、レーザ光がターゲット物質に照射されることにより、ターゲット物質がプラズマ化し、ＥＵＶ光が生成され得る。
【００３３】
ＥＵＶ集光ミラー２３は、チャンバ２内において、ＥＵＶ集光ミラーホルダ２３ａを介して、チャンバ基準部材９の傾斜面に固定されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するミラーでよく、第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されてもよい。
【００３４】
露光装置６は、マスク照射部６ａと、ワークピース照射部６ｂとを含んでもよい。マスク照射部６ａは、マスクテーブルＭＴ上のマスクにＥＵＶ光を照射するための光学系であり、複数の高反射ミラーを含む反射光学系として構成されてもよい。ワークピース照射部６ｂは、マスクの像をワークピーステーブルＷＴ上のワークピース（半導体ウエハ等）に投影するための光学系であり、複数の高反射ミラーを含む反射光学系として構成されてもよい。
【００３５】
４．２ 動作
レーザ装置から出力されるレーザ光は、光学ユニット４２の高反射ミラー４３によって反射され、レーザ光導入光学系３５の高反射ミラー５１に入射してもよい。高反射ミラー５１によって反射されたレーザ光は、ビームスプリッタ５２に入射してもよい。ビームスプリッタ５２に入射したレーザ光の大部分は、ビームスプリッタ５２を透過して、高反射ミラー５３に入射してもよい。ビームスプリッタ５２に入射したレーザ光の一部は、ビームスプリッタ５２によって反射され、レーザ光計測器３７に入射してもよい。レーザ光計測器３７は、レーザ光の断面強度プロファイル、ポインティング、広がり角度等を計測してもよい。
【００３６】
高反射ミラー５３によって反射されたレーザ光は、ウインドウ３８を介して、レーザ光集光光学系３６に入射してもよい。ウインドウ３８を透過したレーザ光は、レーザ光集光光学系３６の高反射ミラー６１及びレーザ光集光ミラー６２によって反射され、チャンバ基準部材９に形成された貫通孔を通過してチャンバ２の開口部２ａに入射してもよい。さらに、開口部２ａに入射したレーザ光は、ＥＵＶ集光ミラー２３に形成された貫通孔を通過してプラズマ生成領域２５に集光されてもよい。
【００３７】
プラズマ生成領域２５に集光されたレーザ光は、ターゲット供給装置２６から出力されてプラズマ生成領域２５に供給されるターゲット物質に照射されてもよい。その結果、ターゲット物質がプラズマ化し、ＥＵＶ光が生成され得る。生成されたＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって中間集光点２９２に集光されて、露光装置６に入射してもよい。
【００３８】
露光装置６において、マスク照射部６ａによって、中間集光点２９２に集光されたＥＵＶ光が、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴ上のマスクに照射されてもよい。また、ワークピース照射部６ｂによって、マスクによって反射されたＥＵＶ光が、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上のワークピース（半導体ウエハ等）上に結像されてもよい。ここで、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同時に平行移動させることにより、マスクのパターンがワークピース上に転写され得る。
【００３９】
４．３ 作用
第１の実施形態によれば、ＥＵＶ集光ミラー２３をチャンバ基準部材９に固定することにより、チャンバ基準部材９を基準としてＥＵＶ集光ミラー２３の位置、姿勢等の精度が高められ得る。また、ＥＵＶ集光ミラー２３と同様に、レーザ光導入光学系３５及びレーザ光集光光学系３６をチャンバ基準部材９に固定することにより、ＥＵＶ集光ミラー２３に対するレーザ光導入光学系３５及びレーザ光集光光学系３６の相対的な位置、姿勢等の精度が高められ、相対的な位置、姿勢等の変動が抑制され得る。従って、光学ユニット４２を経由して供給されるレーザ光がＥＵＶ集光ミラー２３の第１の焦点が位置するプラズマ生成領域２５に集光される際の位置精度が向上すると共に、ＥＵＶ光が中間集光点２９２に集光される際の位置精度が向上し得る。
【００４０】
５．ＥＵＶ光生成装置の第２の実施形態
図３Ａは、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の平面図であり、図３Ｂは、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の断面図である。第２の実施形態においては、図２Ａ及び図２Ｂに示す第１の実施形態における移動機構７として、複数のガイドレール７１及び複数の車輪７２が用いられ、位置決め機構８として、位置決めブロック８１、固定プレート８２、及び、ボルト又はピン８３が用いられてもよい。なお、車輪７２の替わりに、車輪を備えたキャスタが用いられてもよい。その他の点に関しては、第１の実施形態と同様でよい。
【００４１】
図３Ａ及び図３Ｂに示すように、基準面となる床上に、２本のガイドレール７１が設置されてもよい。チャンバ基準部材９には、複数の車輪７２が回転可能に取り付けられてもよい。それらの車輪７２が２本のガイドレール７１上で回転することにより、ＥＵＶ光生成装置１の主要部が、露光装置６に対して移動可能となってもよい。
【００４２】
このように、複数のガイドレール７１及び複数の車輪７２が用いられることにより、チャンバ基準部材９の移動が容易となり得る。従って、露光装置６に対するチャンバ基準部材９の位置を正確に調整することにより、露光装置６に対するＥＵＶ集光ミラー２３の位置も正確に調整され得る。
【００４３】
ここで、チャンバ基準部材９の露光装置側における第１の面（図中右側の正面）を位置決めブロック８１に当接させることにより、チャンバ基準部材９の位置決めを行うように構成されてもよい。及び／又は、チャンバ基準部材９の第１の面と反対側の第２の面（図中左側の背面）に固定プレート８２を当接させて、ボルト又はピン８３によって固定プレート８２をガイドレール７１に固定することにより、位置決め後のチャンバ基準部材９の移動を抑制してもよい。
【００４４】
６．ＥＵＶ光生成装置の第３の実施形態
図４Ａは、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の平面図であり、図４Ｂは、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の側面図である。また、図４Ｃは、図４Ａに示すＥＵＶ光生成装置のＩＶＣ−ＩＶＣ面における断面図である。
【００４５】
第３の実施形態においては、図２Ａ及び図２Ｂに示す第１の実施形態における移動機構７として、複数のガイドレール７１と、複数の車輪７２及び複数のエアシリンダ７３を備えた台車７４とが用いられてもよい。また、図２Ａ及び図２Ｂに示す第１の実施形態における位置決め機構８として、位置決め台８４が用いられてもよい。チャンバ基準部材９は、少なくとも３つのキネマティックマウント１００を用いて位置決め台８４上に配置されてもよい。さらに、図４Ｃに示すように、チャンバ２とチャンバ基準部材９との接続部において、Ｏリングシール９３が用いられてもよい。その他の点に関しては、第１の実施形態と同様でよい。
【００４６】
図４Ａ及び図４Ｂに示すように、基準面となる床上に、２本のガイドレール７１が設置されてもよい。チャンバ基準部材９は、台車７４のエアシリンダ７３上に載置されてもよい。台車７４には、複数の車輪７２が回転可能に取り付けられてもよい。それらの車輪７２が２本のガイドレール７１上で回転することにより、ＥＵＶ光生成装置１の主要部が、露光装置６に対して移動可能となってもよい。
【００４７】
第３実施形態においては、チャンバ基準部材９を位置決め台８４上に配置する際に、台車７４のエアシリンダ７３を用いてチャンバ基準部材９を降下させてもよい。これにより、チャンバ基準部材９が、キネマティックマウント１００を介して、位置決め台８４によって支持されてもよい。
【００４８】
キネマティックマウント１００は、位置決め台８４に一体化又は固定されたハウジング部材８５と、チャンバ基準部材９に一体化又は固定されたハウジング部材９１と、ハウジング部材８５とハウジング部材９１との間に配置された内部球体９２とを含んでもよい。内部球体９２は、ハウジング部材８５とハウジング部材９１との間にゴム、バネ等の弾性材を介して配置されてもよい。また、弾性部材を配さない場合には、ハウジング部材８５の幾つかは、内部球体９２と接する部分にＶ溝が構成されていてもよい。これにより、キネマティックマウント１００は、位置決め台８４とチャンバ基準部材９との間に生じる構造歪や熱歪等を吸収して、位置決め台８４に対するチャンバ基準部材９の位置を正確に設定してもよい。
【００４９】
図４Ｄは、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置においてチャンバ基準部材を移動させた状態を示す平面図であり、図４Ｅは、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置においてチャンバ基準部材を移動させた状態を示す側面図である。部品の交換等のためにチャンバ２を露光装置から切り離す場合には、台車７４のエアシリンダ７３を用いてチャンバ基準部材９を持ち上げ、ハウジング部材９１及び内部球体９２をハウジング部材８５から分離してもよい。その後、チャンバ基準部材９を載せた台車７４を水平方向（図中左方向）に移動させてもよい。この例においては、内部球体９２がハウジング部材９１と共に移動するようになっているが、内部球体９２がハウジング部材８５と共に残留するように構成されてもよい。
【００５０】
７．ＥＵＶ光生成装置にレーザ光を導入するためのレーザ光路制御システム
以下において、ＥＵＶ光生成装置にレーザ光を導入するためにレーザ光の光路を制御するシステムのことを、レーザ光路制御システムという。図５Ａは、レーザ光路制御システムが用いられる第４の実施形態を示す平面図であり、図５Ｂは、図５Ａに示すＥＵＶ光生成装置及びレーザ光路制御システムの断面図である。第４の実施形態においては、レーザ装置３０からＥＵＶ光生成装置１に供給されるレーザ光の光路を制御するために、レーザ光路制御システムが用いられてもよい。ＥＵＶ光生成装置１は、第１〜第３の実施形態において説明したものと同様でもよい。図５Ｂに示すように、ＥＵＶ光生成装置１がクリーンルームフロアに設置され、レーザ装置３０がサブファブフロアに設置されてもよい。
【００５１】
レーザ装置３０から出力されるレーザ光は、複数の高反射ミラー４５〜４７及び４３によって反射されて、ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ基準部材９内に供給されてもよい。高反射ミラー４５及び４６は、それぞれ、アクチュエータ部４５ｂ及び４６ｂが取り付けられたミラーホルダ４５ａ及び４６ａに装着されてもよい。以下において、高反射ミラー４５及び４６、ミラーホルダ４５ａ及び４６ａ、並びに、アクチュエータ部４５ｂ及び４６ｂが構成する機構を、レーザ光の進行方向調整機構という。
【００５２】
ドライバ４８及び４９がアクチュエータ部４５ｂ及び４６ｂをそれぞれ駆動することにより、アクチュエータ部４５ｂ及び４６ｂが高反射ミラー４５及び４６の姿勢をそれぞれ調整するよう構成されてもよい。レーザ光軸制御部３９は、レーザ光計測器３７の計測結果から、レーザ光の断面における中心位置等を算出してもよい。レーザ光軸制御部３９が、この検出結果に基づいてドライバ４８及び４９を制御することにより、高反射ミラー４５及び４６の姿勢が制御されて、レーザ光がチャンバ基準部材９内の所定の位置に所定の角度で供給されてもよい。ここで、レーザ光計測器３７、レーザ光軸制御部３９、ドライバ４８及び４９は、レーザ光の進行方向調整機構と共に、レーザ光路制御システムを構成してもよい。
【００５３】
８．プリパルスレーザ光が用いられるＥＵＶ光生成装置
図６は、プリパルスレーザ光が用いられる第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の断面図である。第５の実施形態は、プリパルスレーザ光が用いられるように第１〜第３の実施形態を変形したものであり、その他の点に関しては第１〜第３の実施形態と同様でよい。以下においては、少なくとも３つのキネマティックマウントが用いられる第３の実施形態を変形した例について説明する。
【００５４】
第５の実施形態においては、１次ターゲットにプリパルスレーザ光を照射して２次ターゲットを生成し、この２次ターゲットにメインパルスレーザ光を照射してプラズマを生成する方式が用いられてもよい。例えば、プリパルスレーザ光を生成するためにＹＡＧレーザ装置が用いられ、メインパルスレーザ光を生成するために炭酸ガス（ＣＯ２）レーザ装置が用いられてもよい。
【００５５】
ドロップレット形状のターゲットの径やプリパルスレーザ光の光強度等の条件にもよるが、ターゲットにプリパルスレーザ光を照射すると、プリパルスレーザ光が照射されたターゲットの表面からプリプラズマが生成され得る。プリプラズマとは、ターゲットの内で、プリパルスレーザ光が照射された表面付近の部分がイオン又は中性粒子を含む蒸気になったものをいう。このようなプリプラズマが生成される現象を、レーザアブレーションともいう。
【００５６】
あるいは、ターゲットにプリパルスレーザ光を照射すると、ターゲットが破壊され得る。破壊されたターゲットは、プリプラズマの噴出による反力等によって、プリパルスレーザ光の進行方向に対してほぼ同方向に拡散し得る。
【００５７】
このように、ターゲットに対するプリパルスレーザ光の照射により生成されたプリプラズマ及び破壊されたターゲットの内の少なくとも一方を含むターゲットを、以下では拡散ターゲットと称する。
【００５８】
次に、プリパルスレーザ光の照射により生成された拡散ターゲットにメインパルスレーザ光を照射することにより、拡散ターゲットがプラズマ化し得る。この方式によれば、メインパルスレーザ光のみでターゲットをプラズマ化してＥＵＶ光を生成する方式よりも、デブリの発生量を抑制することができると推測される。
【００５９】
図６に示すように、チャンバ基準部材９の内部には、レーザ光導入光学系３５ａ、レーザ光集光光学系３６、及び、レーザ光計測器３７ａが設けられてもよい。図６に示すレーザ光導入光学系３５ａが図４Ｃ等に示すレーザ光導入光学系３５と異なる点は、メインパルスレーザ光（実線）を導入するための高反射ミラー５１に加えて、プリパルスレーザ光（破線）を導入するための高反射ミラー５４が追加されていることである。
【００６０】
高反射ミラー５４は、プリパルスレーザ光を高い反射率で反射してもよい。高反射ミラー５１は、メインパルスレーザ光を高い反射率で反射してもよい。高反射ミラー５４によって反射されたプリパルスレーザ光は、ビームスプリッタ５２ａの第１の面（図中右側の面）に入射し、高反射ミラー５１によって反射されたメインパルスレーザ光は、ビームスプリッタ５２ａの第２の面（図中左側の面）に入射してもよい。
【００６１】
ビームスプリッタ５２ａは、第１の面に入射したプリパルスレーザ光を高い反射率で高反射ミラー５３に向けて反射すると共に、入射したプリパルスレーザ光の一部をレーザ光計測器３７ａに向けて透過させてもよい。また、ビームスプリッタ５２ａは、第２の面に入射したメインパルスレーザ光を高い透過率で高反射ミラー５３に向けて透過させると共に、入射したメインパルスレーザ光の一部をレーザ光計測器３７ａに向けて反射してもよい。
【００６２】
ビームスプリッタ５２ａによって反射されたプリパルスレーザ光、及び、ビームスプリッタ５２ａを透過したメインパルスレーザ光は、高反射ミラー５３に入射してもよい。高反射ミラー５３は、入射したプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光を、ウインドウ３８及びレーザ光集光光学系３６に向けて高い反射率で反射してもよい。
【００６３】
ビームスプリッタ５２ａを透過したプリパルスレーザ光、及び、ビームスプリッタ５２ａによって反射されたメインパルスレーザ光は、レーザ光計測器３７ａに入射してもよい。レーザ光計測器３７ａは、入射したプリパルスレーザ光の断面強度プロファイル、ポインティング、広がり角度等と、入射したメインパルスレーザ光の断面強度プロファイル、ポインティング、広がり角度等とを計測してもよい。ここで、レーザ光計測器３７ａは、プリパルスレーザ光を計測するためのプリパルスレーザ光計測器と、メインパルスレーザ光を計測するためのメインパルスレーザ光計測器とによって構成されていてもよい。
【００６４】
このように、ビームスプリッタ５２ａによって、プリパルスレーザ光とメインパルスレーザ光とが略同一方向に進行するように調節されるので、ビームスプリッタ５２ａは、プリパルスレーザ光の進行方向とメインパルスレーザ光の進行方向とを一致させるビームコンバイナーとして機能してもよい。ビームスプリッタ５２ａの材料としては、ダイアモンドが用いられてもよい。また、ビームスプリッタ５２ａのプリパルスレーザ光の入射面には、プリパルスレーザ光に対して高い反射率を有し、メインパルスレーザ光に対して高い透過率を有する光学薄膜がコーティングされていてもよい。
【００６５】
高反射ミラー５３によって反射されたプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光は、ウインドウ３８を介して、レーザ光集光光学系３６に入射してもよい。レーザ光集光光学系３６において、高反射ミラー６１及びレーザ光集光ミラー６２は、プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光を高い反射率で反射してもよい。これにより、プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光は、ターゲット供給装置２６からプラズマ生成領域２５に供給されるターゲットに集光されてもよい。ターゲットにプリパルスレーザ光を照射することによって拡散ターゲットが生成され、この拡散ターゲットにメインパルスレーザ光を照射することによってプラズマが生成され、このプラズマからＥＵＶ光が放射され得る。
【００６６】
以上において、高反射ミラー５１を介してプリパルスレーザ光がチャンバ基準部材９内に導入され、高反射ミラー５４を介してメインパルスレーザ光がチャンバ基準部材９内に導入されるように構成されてもよい。その場合、ビームスプリッタ５２ａは、第２の面（図中左側の面）に入射したプリパルスレーザ光を高い透過率で高反射ミラー５３に向けて透過させると共に、入射したプリパルスレーザ光の一部をレーザ光計測器３７ａに向けて反射してもよい。また、ビームスプリッタ５２ａは、第１の面（図中右側の面）に入射したメインパルスレーザ光を高い反射率で高反射ミラー５３に向けて反射すると共に、入射したメインパルスレーザ光の一部をレーザ光計測器３７ａに向けて透過させてもよい。
【００６７】
第５の実施形態によれば、ターゲットにプリパルスレーザ光を照射してから拡散ターゲットにメインパルスレーザ光を照射する場合においても、ＥＵＶ集光ミラー２３をチャンバ基準部材９に固定することにより、チャンバ基準部材９を基準としてＥＵＶ集光ミラー２３の位置、姿勢等の精度が高められる。また、ＥＵＶ集光ミラー２３と同様に、レーザ光導入光学系３５ａ及びレーザ光集光光学系３６をチャンバ基準部材９に固定することにより、ＥＵＶ集光ミラー２３に対するレーザ光導入光学系３５ａ及びレーザ光集光光学系３６の相対的な位置、姿勢等の精度が高められ、相対的な位置、姿勢等の変動が抑制され得る。従って、プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光がＥＵＶ集光ミラー２３の第１の焦点が位置するプラズマ生成領域２５に集光される際の位置精度が向上すると共に、ＥＵＶ光が中間集光点２９２に集光される際の位置精度が向上し得る。
【００６８】
９．ＥＵＶ光生成装置に２系統のレーザ光を導入するためのレーザ光路制御システム（１）
図７Ａは、ＥＵＶ光生成装置にプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光を導入するためのレーザ光路制御システムが用いられる第６の実施形態を示す平面図であり、図７Ｂは、図７Ａに示すＥＵＶ光生成装置及びレーザ光路制御システムの断面図である。第６の実施形態においては、プリパルスレーザ装置１３１及びメインパルスレーザ装置１３２からＥＵＶ光生成装置１にそれぞれ供給されるプリパルスレーザ光（破線）及びメインパルスレーザ光（実線）の光路を制御するために、レーザ光路制御システムが用いられてもよい。図７Ｂに示すように、ＥＵＶ光生成装置１がクリーンルームフロアに設置され、プリパルスレーザ装置１３１及びメインパルスレーザ装置１３２がサブファブフロアに設置されてもよい。
【００６９】
メインパルスレーザ装置１３２から出力されるメインパルスレーザ光は、複数の高反射ミラー４５〜４７及び４３によって反射されて、ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ基準部材９内に供給されてもよい。高反射ミラー４５及び４６は、それぞれ、アクチュエータ部４５ｂ及び４６ｂが取り付けられたミラーホルダ４５ａ及び４６ａに装着されてもよい。ここで、高反射ミラー４５及び４６、ミラーホルダ４５ａ及び４６ａ、及び、アクチュエータ部４５ｂ及び４６ｂは、メインパルスレーザ光の進行方向調整機構を構成してもよい。
【００７０】
ドライバ（メインパルスレーザ光用）１４８がアクチュエータ部４５ｂ及び４６ｂを駆動することにより、アクチュエータ部４５ｂ及び４６ｂが高反射ミラー４５及び４６の姿勢をそれぞれ調整してもよい。レーザ光軸制御部３９が、レーザ光計測器３７ａの計測結果に基づいてドライバ１４８を制御することにより、高反射ミラー４５及び４６の姿勢が制御されて、メインパルスレーザ光がチャンバ基準部材９内の所定の位置に所定の角度で供給されてもよい。
【００７１】
プリパルスレーザ装置１３１から出力されるプリパルスレーザ光は、複数の高反射ミラー１４５〜１４７及び１４３によって反射されて、ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ基準部材９内に供給されてもよい。高反射ミラー１４５及び１４６は、高反射ミラー４５及び４６と同様に、それぞれ、アクチュエータ部が取り付けられたミラーホルダに装着されてもよい。ここで、高反射ミラー１４５及び１４６、それらのミラーホルダ、及び、アクチュエータ部は、プリパルスレーザ光の進行方向調整機構を構成してもよい。
【００７２】
ドライバ（プリパルスレーザ光用）１４９が高反射ミラー１４５及び１４６のアクチュエータ部を駆動することにより、それらのアクチュエータ部が高反射ミラー１４５及び１４６の姿勢をそれぞれ調整してもよい。レーザ光軸制御部３９が、レーザ光計測器３７ａの計測結果に基づいてドライバ１４９を制御することにより、高反射ミラー１４５及び１４６の姿勢が制御されて、プリパルスレーザ光がチャンバ基準部材９内の所定の位置に所定の角度で供給されてもよい。ここで、レーザ光計測器３７ａ、レーザ光軸制御部３９、ドライバ１４８及び１４９は、メインパルスレーザ光の進行方向調整機構及びプリパルスレーザ光の進行方向調整機構と共に、レーザ光路制御システムを構成してもよい。
【００７３】
ＥＵＶ光生成装置１の光学系は、第５の実施形態において説明した光学系と同様でもよい。図７Ａに示すように、チャンバ基準部材９には、プリパルスレーザ光を導入するために、フレキシブル管１４４を介して光学ユニット１４２が取り付けられてもよい。光学ユニット１４２には、光路管１４１が接続されると共に、少なくとも１つの高反射ミラー１４３が配置されてもよい。光路管１４１を、プリパルスレーザ装置１３１（図７Ｂ）から出力されるプリパルスレーザ光が光学ユニット１４２に向けて通過してもよい。光学ユニット１４２において、高反射ミラー１４３が、光路管１４１を通過したプリパルスレーザ光をチャンバ基準部材９内の高反射ミラー５４に向けて反射することにより、プリパルスレーザ光をレーザ光導入光学系に供給してもよい。
【００７４】
さらに、チャンバ基準部材９には、メインパルスレーザ光を導入するために、フレキシブル管４４を介して光学ユニット４２が取り付けられてもよい。光学ユニット４２には、光路管４１が接続されると共に、少なくとも１つの高反射ミラー４３が配置されてもよい。光路管４１を、例えば、メインパルスレーザ装置１３２から出力されるメインパルスレーザ光が光学ユニット４２に向けて通過してもよい。光学ユニット４２において、高反射ミラー４３が、光路管４１を通過したメインパルスレーザ光をチャンバ基準部材９内の高反射ミラー５１に向けて反射することにより、メインパルスレーザ光をレーザ光導入光学系に供給してもよい。
【００７５】
１０．ＥＵＶ光生成装置に２系統のレーザ光を導入するためのレーザ光路制御システム（２）
図８Ａは、ＥＵＶ光生成装置にプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光を導入するためのレーザ光路制御システムが用いられる第７の実施形態を示す平面図であり、図８Ｂは、図８Ａに示すＥＵＶ光生成装置及びレーザ光路制御システムの断面図である。
【００７６】
第７の実施形態においては、プリパルスレーザ装置１３１及びメインパルスレーザ装置１３２を含むレーザ部１３０において、光路調節用ミラー１３３によって、プリパルスレーザ光の光路とメインパルスレーザ光の光路とが略一致するように調節されてもよい。さらに、プリパルスレーザ装置１３１及びメインパルスレーザ装置１３２からＥＵＶ光生成装置１にそれぞれ供給されるプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光の光路を制御するために、レーザ光路制御システムが用いられてもよい。図８Ｂに示すように、ＥＵＶ光生成装置１がクリーンルームフロアに設置され、プリパルスレーザ装置１３１及びメインパルスレーザ装置１３２がサブファブフロアに設置されてもよい。
【００７７】
レーザ部１３０に設けられた光路調節用ミラー１３３は、プリパルスレーザ装置１３１から出力されるプリパルスレーザ光を高い反射率で高反射ミラー４５に向けて反射すると共に、メインパルスレーザ装置１３２から出力されるメインパルスレーザ光を高い透過率で高反射ミラー４５に向けて透過させる。これにより、プリパルスレーザ光の光路とメインパルスレーザ光の光路とが略一致するように調節されてもよい。また、光路調節用ミラー１３３は、図６におけるビームスプリッタ５２ａと同様の構成であってもよい。
【００７８】
さらに、プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光は、高反射ミラー４５〜４７及び４３によって反射されて、ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ基準部材９内に供給されてもよい。高反射ミラー４５及び４６は、それぞれ、アクチュエータ部４５ｂ及び４６ｂが取り付けられたミラーホルダ４５ａ及び４６ａに装着されてもよい。ここで、高反射ミラー４５及び４６、ミラーホルダ４５ａ及び４６ａ、及び、アクチュエータ部４５ｂ及び４６ｂは、レーザ光の進行方向調整機構を構成してもよい。
【００７９】
ドライバ１３４がアクチュエータ部４５ｂ及び４６ｂを駆動することにより、アクチュエータ部４５ｂ及び４６ｂが高反射ミラー４５及び４６の姿勢をそれぞれ調整してもよい。レーザ光軸制御部３９が、レーザ光計測器３７ａの計測結果に基づいてドライバ１３４を制御することにより、高反射ミラー４５及び４６の姿勢が制御されて、プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光がチャンバ基準部材９内の所定の位置に所定の角度で供給されてもよい。ここで、レーザ光計測器３７ａ、レーザ光軸制御部３９、及び、ドライバ１３４は、レーザ光の進行方向調整機構と共に、レーザ光路制御システムを構成してもよい。
【００８０】
ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ基準部材９内において、レーザ光導入光学系は、高反射ミラー５４と、光路調節用ミラー（ビームスプリッタ）５２ｂと、高反射ミラー５３と、レーザ光計測器３７ａとを含んでもよい。
【００８１】
高反射ミラー５４は、プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光を高い反射率で反射してもよい。高反射ミラー５４によって反射されたプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光は、光路調節用ミラー５２ｂに入射してもよい。光路調節用ミラー５２ｂは、入射したプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光を高い反射率で高反射ミラー５３に向けて反射すると共に、入射したプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光の一部をレーザ光計測器３７ａに向けて透過させてもよい。
【００８２】
光路調節用ミラー５２ｂによって反射されたプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光は、高反射ミラー５３に入射してもよい。高反射ミラー５３は、入射したプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光を、ウインドウ３８及びレーザ光集光光学系に向けて高い反射率で反射してもよい。レーザ光集光光学系以降の構成及び動作は、第５の実施形態における構成及び動作と同様でもよい。
【００８３】
光路調節用ミラー５２ｂを透過したプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光は、レーザ光計測器３７ａに入射してもよい。レーザ光計測器３７ａは、入射したプリパルスレーザ光の断面強度プロファイル、ポインティング、広がり角度等と、入射したメインパルスレーザ光の断面強度プロファイル、ポインティング、広がり角度等とを計測してもよい。
【００８４】
第７の実施形態によれば、レーザ部１３０においてプリパルスレーザ光の光路とメインパルスレーザ光の光路とが略一致するように調節されるので、第６の実施形態と比較して、レーザ部１３０とチャンバ基準部材９との間の光路、及び、レーザ光導入光学系の構成を簡略化することができる。
１１．補足説明
１１．１ レーザ光計測器の実施形態
図９は、レーザ光計測器の一実施形態を示す図である。図９に示すように、レーザ光計測器３７は、ビームスプリッタ１０１と、レンズ１０２及び１０３と、ビームプロファイラ１０４及び１０５とを含んでもよい。ビームスプリッタ１０１は、ウェッジ（くさび）型の形状を有してもよく、入射するレーザ光の一部を透過させ、入射するレーザ光の他の一部を反射してもよい。
【００８５】
ビームスプリッタ１０１を透過したレーザ光は、レンズ１０２を介して、ビームプロファイラ１０４に入射してもよい。ビームスプリッタ１０１によって反射されたレーザ光は、レンズ１０３を介して、ビームプロファイラ１０５に入射してもよい。図９に示すように、ビームプロファイラ１０４は、レンズ１０２の焦点とは異なる位置に配置され、レーザ光の断面強度プロファイルを計測してもよい。ビームプロファイラ１０５は、焦点距離Ｆを有するレンズ１０３の焦点の位置に配置され、レーザ光の集光点におけるプロファイル（ポインティング及び広がり角度）を計測してもよい。
【００８６】
レーザ光の断面強度プロファイルの計測結果から、レーザ光の断面における中心位置及び大きさを算出してもよい。また、レーザ光の集光点におけるプロファイルの計測結果から、レーザ光のビームダイバージェンス（波面の曲率）及び進行方向を求めてもよい。
【００８７】
１１．２ レーザ光の進行方向調整機構の説明
図１０は、レーザ光の進行方向調整機構の動作を説明するための図である。２つの高反射ミラー４５及び４６のそれぞれの姿勢角度（θｘ、θｙ）を制御することによって、レーザ光路を所望の光路となるように調整してもよい。ここで、角度θｘの方向と角度θｙの方向とは、互いに直交してもよい。例えば、２つの高反射ミラー４５及び４６がそれぞれ装着されるミラーホルダ４５ａ及び４６ａ（図５Ｂ）は、互いに直交する２軸を中心として物体を回転させる回転台の一種であるジンバル機構を有してもよい。
【００８８】
図１１は、レーザ光の進行方向調整機構の別の実施形態を示す図である。図１０に示す高反射ミラー４５及び４６の替わりに、ウェッジ（くさび）型の形状を有し、レーザ光を透過させる２つの基板１１１及び１１２が用いられてもよい。レーザ光路に基板１１１及び１１２を配置して、レーザ光路を中心に基板１１１及び１１２を回転させることによって、レーザ光路を所望の光路となるように調節してもよい。その場合においても、基板１１１及び１１２の姿勢角度（θｘ、θｙ）を制御するために、ドライバによって駆動されるアクチュエータ部１１３及び１１４が設けられてもよい。または、このレーザ光の進行方向調整機構には図１０に示す高反射ミラー４５及び４６を設けて、アクチュエータ部１１３及び１１４を駆動することにより、高反射ミラー４５及び４６の姿勢角度を制御するように構成されてもよい。
【００８９】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【００９０】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００９１】
１…ＥＵＶ光生成装置、１１…ＥＵＶ光生成システム、２…チャンバ、２ａ…開口部、２１…ウインドウ、２２…レーザ光集光ミラー、２３…ＥＵＶ集光ミラー、２３ａ…ＥＵＶ集光ミラーホルダ、２４…貫通孔、２５…プラズマ生成領域、２５１、２５２…ＥＵＶ光、２６…ターゲット供給装置、２７…ターゲット、２８…ターゲット回収部、２９…接続部、２９１…壁、２９２…中間集光点（ＩＦ）、３…レーザ装置、３０…レーザ装置、３１〜３３…パルスレーザ光、３４…レーザ光進行方向制御部、３５、３５ａ…レーザ光導入光学系、３６…レーザ光集光光学系、３７、３７ａ…レーザ光計測器、３８…ウインドウ、３９…レーザ光軸制御部、４…ターゲットセンサ、４１、１４１…光路管、４２、１４２…光学ユニット、４３、４５〜４７、１４３、１４５〜１４７…高反射ミラー、４４、１４４…フレキシブル管、４５ａ、４６ａ…ミラーホルダ、４５ｂ、４６ｂ…アクチュエータ部、４８、４９、１３４、１４８、１４９…ドライバ、５…ＥＵＶ光生成制御部、５１、５３、５４…高反射ミラー、５２、５２ａ…ビームスプリッタ、５２ｂ、１３３…光路調節用ミラー、６…露光装置、６ａ…マスク照射部、６ｂ…ワークピース照射部、６１…高反射ミラー、６２…レーザ光集光ミラー、７…移動機構、７１…ガイドレール、７２…車輪、７３…エアシリンダ、７４…台車、８…位置決め機構、８１…位置決めブロック、８２…固定プレート、８３…ボルト又はピン、８４…位置決め台、８５…ハウジング部材、９…チャンバ基準部材、９ａ、９ｂ…収納室、９１…ハウジング部材、９２…内部球体、９３…Ｏリングシール、１００…キネマティックマウント、１０１…ビームスプリッタ、１０２、１０３…レンズ、１０４、１０５…ビームプロファイラ、１１１、１１２…基板、１１３、１１４…アクチュエータ部、１３０…レーザ部、１３１…プリパルスレーザ装置、１３２…メインパルスレーザ装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット物質に少なくとも１つのレーザ光を照射して前記ターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成するための装置であって、
前記ターゲット物質に照射される前記少なくとも１つのレーザ光を導入するための開口部が設けられたチャンバと、
前記チャンバが搭載された基準部材と、
前記チャンバ内の所定の領域に前記ターゲット物質を供給するためのターゲット供給装置と、
前記ターゲット供給装置によって前記所定の領域に供給される前記ターゲット物質に前記少なくとも１つのレーザ光を集光するためのレーザ光集光光学系と、
前記基準部材に固定され、プラズマ化した前記ターゲット物質から放射される極端紫外光を集光するための集光ミラーと、
を備える装置。
【請求項２】
前記レーザ光集光光学系が、前記基準部材に固定されている、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記基準部材が、貫通孔を介して前記チャンバの前記開口部に連通する第１の収納室を含み、前記レーザ光集光光学系が、前記第１の収納室内に設けられる、請求項２記載の装置。
【請求項４】
前記基準部材に固定され、外部から供給される少なくとも１つのレーザ光を、前記第１の収納室内に導入するためのレーザ光導入光学系をさらに備える、請求項３記載の装置。
【請求項５】
前記基準部材が、ウインドウを介して前記第１の収納室に隣接する第２の収納室を含み、前記レーザ光導入光学系が、前記第２の収納室内に設けられる、請求項４記載の装置。
【請求項６】
前記基準部材に固定され、前記レーザ光導入光学系に供給される前記少なくとも１つのレーザ光を計測するための計測器をさらに備える、請求項４記載の装置。
【請求項７】
前記基準部材が、前記基準部材を配置するために用いられる少なくとも３つのキネマティックマウントのハウジング部材を含む、請求項１記載の装置。
【請求項１】
ターゲット物質に少なくとも１つのレーザ光を照射して前記ターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成するための装置であって、
前記ターゲット物質に照射される前記少なくとも１つのレーザ光を導入するための開口部が設けられたチャンバと、
前記チャンバが搭載された基準部材と、
前記チャンバ内の所定の領域に前記ターゲット物質を供給するためのターゲット供給装置と、
前記ターゲット供給装置によって前記所定の領域に供給される前記ターゲット物質に前記少なくとも１つのレーザ光を集光するためのレーザ光集光光学系と、
前記基準部材に固定され、プラズマ化した前記ターゲット物質から放射される極端紫外光を集光するための集光ミラーと、
を備える装置。
【請求項２】
前記レーザ光集光光学系が、前記基準部材に固定されている、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記基準部材が、貫通孔を介して前記チャンバの前記開口部に連通する第１の収納室を含み、前記レーザ光集光光学系が、前記第１の収納室内に設けられる、請求項２記載の装置。
【請求項４】
前記基準部材に固定され、外部から供給される少なくとも１つのレーザ光を、前記第１の収納室内に導入するためのレーザ光導入光学系をさらに備える、請求項３記載の装置。
【請求項５】
前記基準部材が、ウインドウを介して前記第１の収納室に隣接する第２の収納室を含み、前記レーザ光導入光学系が、前記第２の収納室内に設けられる、請求項４記載の装置。
【請求項６】
前記基準部材に固定され、前記レーザ光導入光学系に供給される前記少なくとも１つのレーザ光を計測するための計測器をさらに備える、請求項４記載の装置。
【請求項７】
前記基準部材が、前記基準部材を配置するために用いられる少なくとも３つのキネマティックマウントのハウジング部材を含む、請求項１記載の装置。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図４Ｅ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図４Ｅ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１３−６９６５５（Ｐ２０１３−６９６５５Ａ）
【公開日】平成２５年４月１８日（２０１３．４．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１０５２（Ｐ２０１２−１０５２）
【出願日】平成２４年１月６日（２０１２．１．６）
【出願人】（３０００７３９１９）ギガフォトン株式会社 (227)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月１８日（２０１３．４．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年１月６日（２０１２．１．６）
【出願人】（３０００７３９１９）ギガフォトン株式会社 (227)
【Ｆターム（参考）】
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