水の分析方法および水中で洗浄される基板の分析方法
半導体ウエハ(W)などの基板に付着する汚染物質の量を、ウエハを容器内の水と接触させた後に予測する方法について記載する。汚染物質は、ウエハの特性に悪影響を与える物質を含んでいてもよく、このとき、ウエハの表面に付着する汚染物質の量は既知のシステムの検出限界レベル未満の量であってもよい。当該方法は、第1の期間にわたって、前記ウエハを水と接触させる工程であって、前記ウエハがウエハ表面を有する、工程と、前記ウエハを乾燥させる工程と、前記ウエハ表面の汚染物質を決定するために前記ウエハを分析する工程と、第1の期間よりも短い第2の期間にわたって前記ウエハを水と接触させた場合に前記ウエハに付着する汚染物質の量を予測する工程とを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
水を分析する方法および水中で洗浄される基板を分析する方法。
【背景技術】
【0002】
(発明の背景)
半導体ウエハなどの基板の表面に存在する不純物は、基板の物性に悪影響を与え得る。基板を洗浄するのに使用する水が基板の表面に不純物を付着し得る場合もある。
従って、ウエハを洗浄する水中に含まれる不純物の量を低減または除去することが望ましい。基板を洗浄するのに使用する水を分析して、その中に存在する不純物の量や種類を決定することがよく行われている。そのために、適切なフィルターや他の改善システムを選択して使用し、水中に含まれる不純物を減少または除去する場合もある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
既知のシステムでは、様々な分析方法によって、基板の表面に付着する不純物の量や種類を決定している。このような分析方法では、所定の検出限界レベルに達するまでは不純物の存在や量を決定することができる。しかし、基板の表面に付着するこのような不純物は、所定の検出限界レベルよりも低い場合であっても、基板やこのような基板から形成される部品(成分、コンポーネント)の特性に悪影響を与え得る場合がある。従って、従来のシステムでは、基板の表面に付着して基板の特性に悪影響を与え得る不純物を検出することはできない。
【課題を解決するための手段】
【0004】
(簡単な要旨)
第1の態様は、容器内で半導体ウエハを水と接触させた後に半導体ウエハに付着する汚染物質(contaminants)を予測するための方法に関する。当該方法は、第1の期間にわたってウエハを水と接触させる工程を含む。その次に、そのウエハを乾燥し、分析して、ウエハ表面における汚染物質を決定する。第1の期間よりも短い第2の期間にわたってウエハを水と接触させた場合にウエハに付着する汚染物質を予測する。
【0005】
別の態様は、水を含む容器内の金属含量を決定するための方法に関する。当該方法は、予め決められた期間にわたって半導体ウエハを水と接触させる工程を含む。その次に、そのウエハを乾燥し、分析して、ウエハ表面の金属含量を決定する。次いで、ウエハ表面の金属から、水中の金属含量を決定する。
【0006】
さらに別の態様は、基板を容器内の水と接触させた後、基板に付着する汚染物質を予測するための方法に関する。当該方法は、第1の期間にわたって半導体ウエハを水と接触させる工程を含む。その次に、このウエハを乾燥し、分析して、ウエハ表面における汚染物質を決定する。第1の期間よりも短い第2の期間にわたって基板を容器内の水と接触させた場合に基板に付着する汚染物質を予測する。
【0007】
上記の態様に関連して記載した特徴について様々な改良が存在する。追加の特徴もまた同様に上記の態様に包含されていてもよい。これらの改良および追加の特徴は、単独あるいは任意の組み合わせで存在してもよい。例えば、以下に例示の実施形態のいずれかに関連して説明する様々な特徴は、上記の態様のいずれかに単独あるいは任意に組み合わせて包含されていてよい。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】図1は、1つの実施形態に従ってウエハを洗浄するのに用いるタンクの部分概略断面図である。
【図2】図2は、図1および図5に示すタンクに水を供給し、そしてタンクから水をレザバで受けるのに用いるシステムの概略図である。
【図3】図3は、具体的なウエハの上平面図である。
【図4】図4は、別の具体的なウエハの上平面図である。
【図5】図5は、別の実施形態に従ってウエハを洗浄するのに用いるタンクの部分概略断面図である。
【図6】図6は、ウエハの表面に付着する汚染物質の量を予測する方法を示すフロー図である。
【図7】図7は、ウエハの表面に付着する汚染物質の量を予測する別の方法を示すフロー図である。
【図8】図8は、基板の表面に付着する汚染物質の量を予測する方法を示すフロー図である。
【図9】図9は、グラフの形式で実験データを示すものであり、予め決めた期間でのウエハWの表面に付着する汚染物質の密度の関係を示す。
【図10】図10は、グラフの形式で実験データを示すものであり、予め決めた期間でのウエハWの表面に付着する汚染物質の密度の関係を示す。
【図11】図11は、グラフの形式で実験データを示すものであり、予め決めた期間でのウエハWの表面に付着する汚染物質の密度の関係を示す。
【発明を実施するための形態】
【0009】
(詳細な説明)
まず、図1および図2について言及する。ウエハW(広義には、基板)を洗浄する(rinsing)ためのシステムを概してシステム(装置)100と称する。ここで、ウエハWの表面に付着する汚染物質について言及する。ウエハWの表面に付着する汚染物質の量を汚染物質の濃度(すなわち、単位面積あたりの汚染物質の原子数)、パーツ・パー表記(すなわち、パーツ・パー・ミリオンまたはパーツ・パー・トリリオン)または単位面積あたりの質量(すなわち、1mm2あたりのグラム数)で表す場合もある。
【0010】
図2は、供給源50、システム100およびレザバ150(またはドレインレザバ)を示す概略図である。供給源50は、システム100に水(すなわち、流体)を供給する。供給源50は、1またはそれよりも多くの璧部または水の供給部(例えば、水道の供給システム(装置))を含んでいてもよい。供給源50は、1またはそれよりも多くの処理または濾過するための機構(メカニズム)を含んでいてもよく、それによって不純物(例えば、粒子および金属)を水から濾過し、その後、システム100に水を供給する。任意の適切な流体接続機構(例えば、ホースおよび/またはパイプ)を通して、システム100と供給源50とを互いに接続する。1つの実施形態では、供給源50は、1またはそれよりも多くのポンプを含み、供給源からシステム100へとポンプで水を供給する。システム100が供給源50から供給される水の一部をサンプルとして採取するだけのものであるという実施形態もある。他の実施形態では、システム100は、供給源50から供給される水の全部をサンプルとして採取する。従って、供給源50は、水の連続的な流れ(フロー)をシステム100に供給してもよく、その結果、水は、システム100に入り、システム100を通して、レザバ150に流れる。レザバ150は、システム100から水を受けた後、水を廃棄してもよい。レザバ150は、他の実施形態では、水を貯蔵したり、さらなる使用や処理のために別の工程(プロセス)に水を供給してもよい。
【0011】
ここで、図1を参照すると、システム100はタンク110(広義には、「容器」)を備え、タンク110は、1つの底部部材(ボトムメンバ)112と、この底部部材112に結合した4つの垂直な側部部材(サイドメンバ)114とを有する。底部部材112および側部部材116は、金属またはプラスチックなどの任意の適切な材料から形成されていてもよい。さらに、図1のタンク110の形状は矩形であるが、他の実施形態において、タンクを異なる形状にしてもよい。
【0012】
底部部材112および側部部材114は、水を漏らさない入れ物を形成するが、その上部116は、開いている。部材112、114は、溶接または接着剤結合などの任意の適切な結合手段(メカニズム)によって、互いに結合している。さらに、1つの実施形態では、部材112、114は、同じ材料のブランクから一体で成形される。このとき、結合手段は必要ない。他の実施形態では、タンク110は、側部部材114に結合した追加の上部部材(図示せず)を含み、このとき、タンクは密閉され、多面(マルチサイド)構造となる。
【0013】
液体130をタンク110に入れる。タンク110内の液体130の量を十分に増加させて、ウエハWを液体130に完全に沈める。しかし、ある実施形態では、ウエハWを液体130に完全に沈めない場合もある。この実施形態では、液体130は水である。他の実施形態では、液体130は、タンク110を通して流すのに十分な粘度を有する任意の適切な液体(例えば、溶媒)である。
【0014】
この実施形態のタンク110は、入口118および出口120(またはドレイン)を有し、これらを通して、流体130を流すことができる。入口118は、供給源50に接続され、出口120はレザバ150に接続される。図1の実施形態において、入口118および出口120は、フィッティング(図示せず)を有する管であり、フィッティングは、入口118および出口120のそれぞれの外側端部119、121に配置されている。このフィッティングにより、入口118および出口120と他の流体フロー手段(例えば、パイプ、ホースまたはチューブ)との接続が可能となり、続いて、この流体フロー手段によって、供給源50またはレザバ150とそれぞれ結合する。
【0015】
入口118および出口120の断面積は、タンク110を通過する所望の流速を達成するのに十分な大きさにする。例示的な実施形態では、入口118および出口120の断面積は、流速が0リットル/分〜50リットル/分であるような大きさにする。図1に示す入口118および出口120の位置は例示であり、入口118および出口120は、異なる位置にあってもよい。例えば、入口118および出口120のいずれか一方あるいは両方が、実施形態の範囲から逸脱することなく、タンク110の上部116または底部部材112に近接した位置であってもよい。さらに、出口120を通してタンクから液体130がオーバーフローするように出口120を形成および配置する実施形態もいくつかある。これらの実施形態では、出口130は、水吐き口(スピルウェイ)と機能および形状が似ている。
【0016】
図1では、適切な支持構造体140でタンク110の内部にウエハWを配置する。支持構造体140は、ウエハWの実質的に全ての外側表面の周りに液体130が自由に流れ得るように形成される。支持構造体140は、液体130と反応しない材料から形成されるものであり、なおかつ液体の存在下で汚染物質を放出しないものであり、反応性のない材料の層(例えば、テフロン(登録商標))でコーティングされていてもよい。図1の実施形態では、3つのウエハWは、支持構造体140によってタンク110内に配置されるが、他の実施形態では、それよりも多くのまたは数個のウエハWをタンク内に配置する。さらに、図1では、ウエハWは、実質的に垂直な配列で支持構造体140によって配置されているように示されているが、その代わりに、この開示の範囲を逸脱することなく、ウエハWは、異なる配向(orientation)で(例えば、図1および5に示すように、底部部材112に対して水平あるいは角度をつけて)支持されていてもよい。いくつかの実施形態では、支持構造体140は、タンク110と一体で形成されるが、他の実施形態では、支持構造体は、タンク110内に配置された別体の成分(コンポーネント)である。タンク110に液体130を充填する前または後のいずれかにおいて、ウエハWを支持構造体140内に配置してもよい。タンク110が空であり、液体を含まない実施形態では、バキュームワンド(テフロンまたは他の適切な材料から作製された先端部(チップ)を有するワンドなど)によって、ウエハWをタンク110内に配置してもよい。タンク110が実質的に液体130で満たされている実施形態では、テフロンまたはテフロンに似た材料でコーティングされたロボット効果器(ロボティック・エフェクタ)によって、タンク110内にウエハを配置してもよい。
【0017】
ここで図3および図4を参照すると、2種類の異なる形状のウエハが示されている。図3の実施形態では、工業上いつも行われるように、インゴットからのスライス加工でウエハWとし、シリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリウムまたは他の適切な材料からウエハWを作製することができる。あるいは、ウエハWは、図4に示す通り、正方形または矩形であってもよい(例えば、太陽電池の製造に一般に使用されるタイプのもの)。他の実施形態では、異なる種類の複数の基板をシステム100内で洗浄してもよい。基板は、その上に不純物が付着し得る表面を有するものであればどのような種類のものであってもよい。
【0018】
ここで図5を参照すると、システム(装置)200が示され、システム200は、図1のシステム100に類似するものであり、同様の符号を使用して、その類似する構成要素(コンポーネント)について言及する。システム200は、概して、ウエハWを異なる配置で位置決め(配置)する点、ならびに、ウエハWを液体130内に沈めたり浸漬しない点でシステム100とは異なる。システム200では、ウエハWをほぼ水平な向きで配置し、なおかつウエハWを支持部材(サポートメンバ)127で支持する。支持部材127は、タンク110内の液体130の液面よりも上の位置でウエハWを垂直に支持および配置する。いくつかの実施形態では、支持部材127を回転運動装置(例えば、モータ)に接続して、支持部材(すなわち、その上にウエハWを配置するもの)が選択的に回転できるようにする。ある実施形態によると、支持部材127およびその上に配置されたウエハWは、0RPM(すなわち、静止状態)〜2000RPMで回転することができる。
【0019】
タンク110の入口118は、そこに延長部125が取り付けられ、延長部125は、ウエハWの表面のほぼ幾何学上の中心に向けて液体を流せるような形状となっている。従って、延長部125は、液体130の流れの向きを決めて、液体130がウエハWの表面と接触するようにしたものである。液体130は、ウエハWの表面と接触した後、ウエハWの表面から流れ落ち、タンク110内に回収され、その後、そこから出口120を通して流れる。さらに、システム100で使用する液体の流速よりも遅い流速をシステム200で使用してもよい。例えば、ウエハWの表面を液体130で十分に濡らした後では、流速は、0リットル/分〜2リットル/分であってもよい。
【0020】
図6は、ウエハの表面に付着する汚染物質の量を予測する方法300を示すフロー図である。方法300において、液体130中にウエハを浸漬することによって、ウエハWを液体と接触させる。既知のシステムでは、典型的には、一定の期間(例えば、1〜10分間)、ウエハをタンク内で洗浄する。ウエハを洗浄するのに使用する液体(例えば、水)の中に存在する汚染物質は、タンク内でウエハを洗浄する間に、ウエハの表面に付着する場合がよくある。上記で説明したように、洗浄の間にウエハの表面に付着する一定量の汚染物質が以下のように存在していてもよい。汚染物質はウエハWの特性に悪影響を与えるが、既知の検出システム(例えば、誘導結合プラズマ質量分析法)では、このような量の汚染物質を検出することはできない。このような汚染物質の1つはニッケルであり、ニッケルがウエハWの表面に存在すると、ウエハに付着するニッケルの量が既知のシステムで検出可能なレベルを下回る場合であっても、ウエハの特性に悪影響を与える。付着し得る他の汚染物質としては、ナトリウム、アルミニウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、コバルト、銅および亜鉛が挙げられる。また、既知のシステムで金属汚染物質の存在が一定の濃度未満であり検出できない場合であっても、他の金属汚染物質がウエハWの物性に影響を与え得る場合もある。
【0021】
本明細書中に記載のように、方法300によれば、液体130に存在する汚染物混入(コンタミネーション)をかなり少ない量でも検出することができる。そうでなければ、既知のシステムではこのような汚染物混入を検出することはできない。例えば、既知のシステムでは、一般に、ウエハWの表面の汚染物質の濃度が約2e8原子/cm2(約2×e8原子/cm2)よりも大きいものについてだけ検出することができる。以下に説明する方法300では、汚染物質の濃度が実質的に2e8原子/cm2(2×e8原子/cm2)未満のものについても検出することができる。例えば、この方法300では、汚染物質の濃度が1e5原子/cm2(1×e5原子/cm2)の範囲のものを検出することができる。
【0022】
この実施形態の方法300は、ブロック310からはじまり、ここでウエハWをタンク110に配置する。タンク110を清掃した後にウエハWをタンク内に配置してもよく、それによって汚染物混入のないタンクを確保してもよい。いくつかの実施形態では、タンク110を酸で洗浄してもよい。ウエハWをタンク110内に入れ、ウエハ用の支持体でウエハWをタンク110内に位置決め(配置)する。ここでは複数のウエハWをタンク110内に配置することについて言及しているが、その代わりに、1つのウエハをタンク内に配置してもよい。タンク110内に複数のウエハWを配置することによって、それに対応して、方法300に従って得られるデータのサンプルが多く得られる。
【0023】
ブロック320では、タンク110を通して、液体130を流し始める。この実施形態では、液体130は水である。他の実施形態では、液体130は、任意の適切な液体(溶媒など)であってもよい。まず、入口118を通して、液体130をタンク110内に流す。最初に、液体130を濾過して、その後に、入口118を通してタンク110に液体を入れてもよい。1つの実施形態では、液体130(例えば、水)は、濾過してもよく、その結果、十分に低いレベルの汚染物質を含む超純水と呼ばれる水(すなわち、1パーツ・パー・トリリオン(ppt)未満の何らかの金属汚染物質を含む水)としてもよい。液体130をタンク110に流すと、液体の高さ(レベル)が上昇し、最終的にタンクの出口120の高さ(レベル)にまで達する。次に、液体130は、出口120を通してタンク110から流出する。次いで、液体130は、タンク110から流出した後、廃棄してもよいし、再利用してもよい。また、上記の通り、タンク110を液体130で満たした後に、ウエハWをタンク110内に配置してもよい。
【0024】
ブロック330では、予め決められた期間にわたって、タンク110を通して液体130を流し続ける。いくつかの実施形態では、この予め決められた期間を浸漬時間と称する。多数の因子(ファクター)に従って、この予め決められた期間を選択してもよい。例えば、ウエハWの表面における汚染物質の検出限界が2e8原子/cm2(2×e8原子/cm2)である場合、この予め決められた期間を選択して、ウエハWの表面に付着する汚染物混入の量がその検出限界レベルを超え得るようにしてもよい。いくつかの実施形態によると、この予め決められた期間は、通常の洗浄時間よりも約100〜150倍長い。従って、洗浄時間が5分間であると、この予め決められた期間は、500〜1000分間の範囲内である。1つの実施形態では、この予め決められた期間は、750分間である。
【0025】
ブロック340では、タンク110を通る液体130の流れを止める。液体130の流れを止めた後、この液体を排出してもよいし、あるいはタンクから除去してもよい。次いで、ウエハWを乾燥して、表面に存在し得る残渣の液体130を除去するようにしてもよい。別の実施形態では、ウエハWをタンク110から取り出してもよいが、このとき、液体はまだタンク内に存在するので、ウエハをこの液体に少なくとも部分的に浸漬した後にウエハを取り出してもよい。この実施形態では、上記と同じ種類のロボット機構(ロボティック・メカニズム)を用いて、タンク110からウエハWを取り出してもよい。
【0026】
ブロック350では、ウエハWの表面に付着する汚染物質の量を決定する。様々な方法を使用して、ウエハWの表面に付着する汚染物質の量および/または濃度を決定してもよい。例えば、誘導結合プラズマ質量分析法(ICP−MS)を使用してウエハWの表面を分析して、方法300の間にウエハに付着する汚染物質の量および/または濃度を決定してもよい。汚染物質の濃度は、ウエハ表面の所定の面積に付着する汚染物質の原子数として示してもよい(例えば、1cm2あたりの原子数)。他の実施形態では、異なる方法を使用して、ウエハWの表面に付着する汚染物質の量および/または濃度を決定してもよい(例えば、全反射蛍光X線分析法(TXRF))。
【0027】
ブロック360において、ブロック330で予め決められた期間よりも短い期間にわたってウエハWの表面に付着する汚染物質の量を予測する。ある実施形態では、この予め決められた期間よりも短い期間は、ウエハWの典型的な洗浄時間(例えば、1〜10分間)である。ある実施形態では、この典型的な洗浄時間が5分間であり、この予め決められた期間が750分間である。
【0028】
いくつかの実施形態において、ブロック310〜350で行われる工程は、汚染物混入のベースラインレベルを確立するため、あるいは、予測した汚染物混入のレベルを確かめるためだけに実施してもよい。ブロック350で決定を一度行うと、ウエハをこの液体中で洗浄するごとに毎回独立して、ブロック360で行う予測を実施してもよい。つまり、ブロック350で行う決定は、ブロック360での予測を行うごとに毎回実施する必要はない。あるいは、ブロック310〜350で行われる工程を実施して、洗浄システムを較正してもよく、この洗浄システムで洗浄された各ウエハについて、ブロック360で行う予測を実施する。
【0029】
ウエハWの表面への汚染物混入の付着の割合(速度)がほぼ直線的(一次関数)であると仮定する。つまり、このような線形補間法を使用して、典型的なウエハの洗浄時間にわたってウエハの表面に付着する汚染物質の量および/または濃度を予測または決定する。例えば、ある実施形態では、750分間でウエハの表面に付着したのは2e10原子/cm2(2×e10原子/cm2)であり、ウエハWの洗浄時間は5分間である。従って、ブロック350で決定した汚染物質の濃度と、典型的な洗浄時間(例えば、5分間)/予め決められた期間(例えば、750分間)の比とを積算することによって、ウエハWの表面に付着する汚染物混入の濃度を決定する。従って、この実施形態では、典型的な洗浄の間にウエハの表面に付着する汚染物質の濃度を1.33e8原子/cm2(1.33×e8原子/cm2)であると決定する。従って、線形補間法は、このように以下の方程式で示される。
c=(Tr/Tp)×Ec
式中、
cは、ウエハWの典型的な洗浄の間にウエハの表面に付着する汚染物質の濃度であり、
Trは、典型的なウエハの洗浄にかかる期間(時間の長さ)であり、
Tpは、予め決められた期間であり、
Ecは、ブロック350で決定した汚染物質の濃度である。
【0030】
他の実施形態では、表面Wへの汚染物混入の付着の割合(速度)は、一般に、直線的(一次関数)ではない。これらの実施形態では、方法300を数回繰り返してもよく、毎回、予め決められた期間を変更してもよい。従って、汚染物質の濃度レベルの値と、それに対応する予め決められた期間の値との組み合わせを多数決定する。次いで、これらの値の組み合わせを数値補間法(任意の回数)にあてはめて、ウエハWのその表面への汚染物質の付着の割合(速度)を決定してもよい。次いで、決定した付着の割合(速度)をウエハの洗浄時間(その量に到達するまでの時間)および/またはウエハの表面に付着する汚染物質の濃度と積算してもよい。
【0031】
従って、上記の方法300によって、液体130中の汚染物質の量を検出することができ、この量は、既知のシステムによって検出可能な量よりもずいぶん低い量である。既知のシステムにおいて、最も感度の高いICP−MS法でも検出限界の下限は約0.1pptである。従って、液体130中の汚染物質の存在およびウエハWの表面における汚染物質の存在は、この方法300によって検出することが可能であり、汚染物質の量が既知のシステムでの検出可能な量よりもずいぶん低くても、検出可能である。
【0032】
図7は、ウエハの表面に付着する汚染物質の量を予測する方法400を示すフロー図である。この方法400では、液体130がウエハWの表面と接触するようにその流れ(フロー)を向けることによって、ウエハWを液体と接触させる。この方法400は、概して、上記の方法300と同様である。ただし、方法400では、ウエハに向けて液体を流すことが方法300とは異なる。いくつかの実施形態では、上記のシステム100またはシステム200とともに、この方法400を使用する。この実施形態の方法400は、ブロック410からはじまり、ここでタンク110にウエハWを配置する。タンク110を清掃した後にウエハWをタンク内に配置してもよく、汚染物混入のないタンクを確保してもよい。いくつかの実施形態では、タンク110を酸で洗浄してもよい。ウエハWをタンク110内に入れ、支持部材127でウエハをタンク内に位置決め(配置)する。
【0033】
ブロック420でウエハWの表面に液体130を流しはじめる。この実施形態では、液体130は水である。他の実施形態では、液体130は、任意の適切な液体(溶媒など)であってもよい。まず、入口118を通してタンク110内に液体130を流す。最初に、液体130を濾過した後に、入口118を通してタンク110に液体を入れてもよい。ある実施形態では、液体130(例えば、水)を濾過して、汚染物質のレベルが十分に低く、超純水と呼ばれるものとなるようにしてもよい。入口118に接続した延長部125によって、液体130をウエハWの表面に向けて流してもよい。ウエハWの表面の全域にわたって液体を流した後、液体130は、次いで、タンク110内に流れる。次に、液体130は、出口120を通って、タンク110から流出する。次いで、液体130をタンク110から廃棄してもよく、タンク110から流出した後に再使用してもよい。別の実施形態では、ウエハWの表面に液体を流しながらウエハWを支持部材127で回転させてもよい。
【0034】
ブロック430では、予め決められた期間にわたって、ウエハWの表面に液体130を流し続ける。例えば、ウエハWの表面での汚染物質の検出の限界値が2e8原子/cm2(2×e8原子/cm2)である場合、この予め決められた期間を選択して、ウエハWの表面に付着する汚染物の量がその検出限界レベルを超え得るようにしてもよい。いくつかの実施形態によると、この予め決められた期間は、通常の洗浄時間よりも長く、その約100〜150倍である。洗浄時間が5分間であると、この予め決められた期間は、従って、500〜1000分間の範囲内である。1つの実施形態では、この予め決められた期間は750分間である。
【0035】
ブロック440では、ウエハWの表面に液体130を流すのを止める。液体130の流れを止めた後、この液体を排出してもよく、あるいは、タンクから液体を除去してもよい。次にウエハWを乾燥し、その表面に存在し得る残渣の液体130を除去するようにしてもよい。
【0036】
ブロック450では、ブロック350で上記で記載した方法と同様の方法または同じ方法でウエハWの表面に付着する汚染物質の量を決定する。ブロック460では、ブロック430において予め決められた期間よりも短い期間にわたって、ウエハWの表面に付着する汚染物質の量を予測する。ある実施形態では、この予め決められた期間よりも短い期間は、ウエハWの典型的な洗浄時間(例えば、1〜10分間)である。ある実施形態では、この典型的な洗浄時間は5分間であり、この予め決められた期間は750分間である。ブロック460で行う予測は、ブロック360で上記で記載した方法と実質的に同様の方法または同一の方法で行う。
【0037】
従って、上記の方法400によって、液体130内の汚染物質の量の検出が可能となり、既知のシステムで検出可能な量よりもずいぶん低い量での検出が可能となる。従って、液体130内の汚染物質の存在およびウエハWの表面における汚染物質の存在を検出することが可能であり、汚染物質の量が既知のシステムで検出が可能な量よりもずいぶんと低い量であっても、検出することができる。
【0038】
図8は、基板の表面に付着する汚染物質の量を予測する方法500を示すフロー図である。方法500は、概して、上記の方法300と同様である。ただし、方法500は、ウエハではなく、方法500が基板の表面に付着する汚染物質を予測するのに使用される点で、方法300とは異なる。この方法500は、ウエハWの表面に付着する汚染物質の量を用いて、基板の表面に付着する汚染物質の量を予測する。この方法500は、基板に付着する汚染物質の量を予測するのに有用であり、典型的な汚染物質の試験方法(例えば、ICP−MS)では不適切となる物性を有し得る基板の場合に有用である。それは、これらの試験方法では酸や他の薬品を使用するからである。このような基板の例としては、石英、サファイア、ゲルマニウム、または典型的な汚染物質の試験方法に不適切な任意の他の物質を含むものが挙げられる。ウエハを使用して、この実施形態の基板の表面に付着する汚染物質の量を予測するが、このウエハの代わりに別の基板を使用してこの目的を達成してもよい。さらに、また、この方法500を使用して、ウエハWを入れる水中の金属含量を決定する。
【0039】
本明細書中、方法500をシステム100とともに使用すると記載するが、この方法は、システム100あるいは上記のシステム200とともに使用してもよい。従って、ウエハWを液体130に沈めてもよく、あるいは、ウエハWの表面を液体130の流れ(フロー)と接触させてもよい。
【0040】
この実施形態の方法500は、ブロック510からはじまり、ここでタンク110にウエハWを位置決め(配置)する。上記のような適切なバキュームワンドでタンク内にウエハWを配置してもよい。タンク110を洗浄した後にウエハWをタンク内に配置し、汚染物混入のないタンクを確保してもよい。いくつかの実施形態では、タンク110を酸で洗浄してもよい。ウエハWをタンク110内の支持部材140に配置する。
【0041】
ブロック520でウエハWの表面に液体130を流しはじめる。この実施形態において液体130は水である。他の実施形態では、液体130は、任意の適切な液体(溶媒など)であってもよい。まず、入口118を通してタンク110に液体130を流す。最初に、液体130を濾過した後、入口118を通してタンク110に液体を入れてもよい。ある実施形態では、液体130(例えば、水)を濾過し、その汚染物質のレベルを十分に低くして、超純水と呼ばれるようにしてもよい。次いで、出口120を通して、タンク110から液体130を流出させる。次に、液体130をタンク110から流出させた後、液体を廃棄または再使用してもよい。
【0042】
ブロック530では、一定の予め決められた期間にわたって、タンク110に液体130を流し続ける。例えば、ウエハWの表面への汚染物質の検出限界値が、2e8原子/cm2(2×e8原子/cm2)である場合、この予め決められた期間を選択して、ウエハWの表面に付着する汚染物混入の量がこの検出限界レベルを超え得るようにしてもよい。いくつかの実施形態によると、この予め決められた期間は、通常の洗浄時間よりも長く、その約100〜150倍である。洗浄時間が5分間であると、この予め決められた期間は、従って、500〜1000分間の範囲内である。ある実施形態では、この予め決められた期間は、750分間である。
【0043】
ブロック540では、タンク110に液体130を流すのを止める。液体130の流れ(フロー)を止めた後、タンク110からこの液体を廃棄あるいは除去してもよい。次いで、ウエハWを乾燥して、その表面上に存在し得る残渣の液体130を除去するようにしてもよい。
【0044】
ブロック550では、ブロック350またはブロック450で上記に記載の方法と同様の方法または同じ方法によって、ウエハWの表面に付着する汚染物質の量を決定する。ブロック560では、ブロック530で予め決められた期間よりも短い期間にわたって、基板の表面に付着する汚染物質の量を予測する。ある実施形態では、この予め決められた期間よりも短い期間は、基板の典型的な洗浄時間(例えば、1〜10分間)である。ある実施形態では、この典型的な洗浄時間は5分間であり、この予め決められた期間は750分間である。ブロック560で行われる予測は、ブロック360において上記に記載の方法と実質的に類似する方法または同一の方法によって行われる。
【実施例】
【0045】
(実験データ)
図9〜11では、グラフの形式で実験データを例示する。これらのグラフは、概して、予め決められた時間(例えば、「浸漬(soak)時間」または「浸漬(immersion)時間」)においてウエハWの表面に付着する様々な汚染物質の密度を示す。
【0046】
図9において、グラフ600は、コバルトおよび銅の密度を様々な浸漬(soak)時間との関数として示す。グラフ600に示す通り、ウエハWの表面のコバルトおよび銅の密度は、浸漬時間が増加するにつれて、ほぼ一次関数の様式で増加する。
【0047】
図10および図11のグラフ700、800に示すデータは、そのいくつかは、それぞれ、汚染物質を含む溶液を用いて、ウエハを浸漬した水を「スパイク(spiking))」することによって得られた。異なる浸漬(immersion)時間のそれぞれについて、3つのデータ値を示す。第1のデータ値を「ブランク」と称し、これは、汚染物質を含む溶液による水のスパイクを行わなかった場合を示す。しかし、スパイクしなかった水の場合であっても、比較的低いバックグラウンド(背景)レベルの汚染物質が水中に存在していた。第2のデータ値は、汚染物質を含む溶液(60ppq(パーツ・パー・クアドリリオン)の汚染物質濃度)を用いて水をスパイクした場合を示す。第3のデータ値は、汚染物質を含む溶液(600ppq(パーツ・パー・クアドリリオン)の汚染物質濃度)を用いて水をスパイクした場合を示す。
【0048】
図10のグラフ700は、ニッケルを含む3種類の溶液について、ウエハWの表面でのニッケルの密度を様々な浸漬(immersion)時間との関数として示す。ウエハWの表面のニッケルの密度は、ニッケル600ppq(パーツ・パー・クアドリリオン)の溶液に関しては、浸漬(immersion)時間が増加するにつれて、ほぼ一次関数の様式で増加する。
【0049】
図11(グラフ800)は、クロムを含む3種類の溶液について、ウエハWの表面でのクロムの密度を様々な浸漬時間との関数として示す。また、第1のデータ値を「ブランク」と称し、これは、汚染物質を含む溶液で水をスパイクしなかった場合を示す。グラフ800に示す通り、クロム600ppq(パーツ・パー・クアドリリオン)の溶液については、浸漬(immersion)時間が増加するにつれて、ウエハWの表面でのクロムの密度は、ほぼ一次関数の様式で増加する。
【0050】
本発明またはその実施形態(単数または複数)の構成要素(成分、エレメント)を説明する際、冠詞「ある〜(a)」、「ある〜(an)」、「前記の〜、この〜(the)」および「前記の〜(said)」は、1またはそれよりも多くの構成要素が存在することを意味することを意図する。用語「含む(含有する、備える、包含する、挙げられる)(comprising)」、「含む(含有する、備える、包含する、挙げられる)(including)」、「有する(having)」は、包含的であることを意図し、記載した構成要素以外の他のさらなる構成要素が存在していてもよいことを意味する。
【0051】
本発明の範囲から逸脱することなく様々な変更が上記構成でなされ得るが、その意図するところは、上記説明に含まれ添付の図面に示されるすべての事項は、例示的であり、限定的な意味はないと解釈されるべきであることである。
【技術分野】
【0001】
水を分析する方法および水中で洗浄される基板を分析する方法。
【背景技術】
【0002】
(発明の背景)
半導体ウエハなどの基板の表面に存在する不純物は、基板の物性に悪影響を与え得る。基板を洗浄するのに使用する水が基板の表面に不純物を付着し得る場合もある。
従って、ウエハを洗浄する水中に含まれる不純物の量を低減または除去することが望ましい。基板を洗浄するのに使用する水を分析して、その中に存在する不純物の量や種類を決定することがよく行われている。そのために、適切なフィルターや他の改善システムを選択して使用し、水中に含まれる不純物を減少または除去する場合もある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
既知のシステムでは、様々な分析方法によって、基板の表面に付着する不純物の量や種類を決定している。このような分析方法では、所定の検出限界レベルに達するまでは不純物の存在や量を決定することができる。しかし、基板の表面に付着するこのような不純物は、所定の検出限界レベルよりも低い場合であっても、基板やこのような基板から形成される部品(成分、コンポーネント)の特性に悪影響を与え得る場合がある。従って、従来のシステムでは、基板の表面に付着して基板の特性に悪影響を与え得る不純物を検出することはできない。
【課題を解決するための手段】
【0004】
(簡単な要旨)
第1の態様は、容器内で半導体ウエハを水と接触させた後に半導体ウエハに付着する汚染物質(contaminants)を予測するための方法に関する。当該方法は、第1の期間にわたってウエハを水と接触させる工程を含む。その次に、そのウエハを乾燥し、分析して、ウエハ表面における汚染物質を決定する。第1の期間よりも短い第2の期間にわたってウエハを水と接触させた場合にウエハに付着する汚染物質を予測する。
【0005】
別の態様は、水を含む容器内の金属含量を決定するための方法に関する。当該方法は、予め決められた期間にわたって半導体ウエハを水と接触させる工程を含む。その次に、そのウエハを乾燥し、分析して、ウエハ表面の金属含量を決定する。次いで、ウエハ表面の金属から、水中の金属含量を決定する。
【0006】
さらに別の態様は、基板を容器内の水と接触させた後、基板に付着する汚染物質を予測するための方法に関する。当該方法は、第1の期間にわたって半導体ウエハを水と接触させる工程を含む。その次に、このウエハを乾燥し、分析して、ウエハ表面における汚染物質を決定する。第1の期間よりも短い第2の期間にわたって基板を容器内の水と接触させた場合に基板に付着する汚染物質を予測する。
【0007】
上記の態様に関連して記載した特徴について様々な改良が存在する。追加の特徴もまた同様に上記の態様に包含されていてもよい。これらの改良および追加の特徴は、単独あるいは任意の組み合わせで存在してもよい。例えば、以下に例示の実施形態のいずれかに関連して説明する様々な特徴は、上記の態様のいずれかに単独あるいは任意に組み合わせて包含されていてよい。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】図1は、1つの実施形態に従ってウエハを洗浄するのに用いるタンクの部分概略断面図である。
【図2】図2は、図1および図5に示すタンクに水を供給し、そしてタンクから水をレザバで受けるのに用いるシステムの概略図である。
【図3】図3は、具体的なウエハの上平面図である。
【図4】図4は、別の具体的なウエハの上平面図である。
【図5】図5は、別の実施形態に従ってウエハを洗浄するのに用いるタンクの部分概略断面図である。
【図6】図6は、ウエハの表面に付着する汚染物質の量を予測する方法を示すフロー図である。
【図7】図7は、ウエハの表面に付着する汚染物質の量を予測する別の方法を示すフロー図である。
【図8】図8は、基板の表面に付着する汚染物質の量を予測する方法を示すフロー図である。
【図9】図9は、グラフの形式で実験データを示すものであり、予め決めた期間でのウエハWの表面に付着する汚染物質の密度の関係を示す。
【図10】図10は、グラフの形式で実験データを示すものであり、予め決めた期間でのウエハWの表面に付着する汚染物質の密度の関係を示す。
【図11】図11は、グラフの形式で実験データを示すものであり、予め決めた期間でのウエハWの表面に付着する汚染物質の密度の関係を示す。
【発明を実施するための形態】
【0009】
(詳細な説明)
まず、図1および図2について言及する。ウエハW(広義には、基板)を洗浄する(rinsing)ためのシステムを概してシステム(装置)100と称する。ここで、ウエハWの表面に付着する汚染物質について言及する。ウエハWの表面に付着する汚染物質の量を汚染物質の濃度(すなわち、単位面積あたりの汚染物質の原子数)、パーツ・パー表記(すなわち、パーツ・パー・ミリオンまたはパーツ・パー・トリリオン)または単位面積あたりの質量(すなわち、1mm2あたりのグラム数)で表す場合もある。
【0010】
図2は、供給源50、システム100およびレザバ150(またはドレインレザバ)を示す概略図である。供給源50は、システム100に水(すなわち、流体)を供給する。供給源50は、1またはそれよりも多くの璧部または水の供給部(例えば、水道の供給システム(装置))を含んでいてもよい。供給源50は、1またはそれよりも多くの処理または濾過するための機構(メカニズム)を含んでいてもよく、それによって不純物(例えば、粒子および金属)を水から濾過し、その後、システム100に水を供給する。任意の適切な流体接続機構(例えば、ホースおよび/またはパイプ)を通して、システム100と供給源50とを互いに接続する。1つの実施形態では、供給源50は、1またはそれよりも多くのポンプを含み、供給源からシステム100へとポンプで水を供給する。システム100が供給源50から供給される水の一部をサンプルとして採取するだけのものであるという実施形態もある。他の実施形態では、システム100は、供給源50から供給される水の全部をサンプルとして採取する。従って、供給源50は、水の連続的な流れ(フロー)をシステム100に供給してもよく、その結果、水は、システム100に入り、システム100を通して、レザバ150に流れる。レザバ150は、システム100から水を受けた後、水を廃棄してもよい。レザバ150は、他の実施形態では、水を貯蔵したり、さらなる使用や処理のために別の工程(プロセス)に水を供給してもよい。
【0011】
ここで、図1を参照すると、システム100はタンク110(広義には、「容器」)を備え、タンク110は、1つの底部部材(ボトムメンバ)112と、この底部部材112に結合した4つの垂直な側部部材(サイドメンバ)114とを有する。底部部材112および側部部材116は、金属またはプラスチックなどの任意の適切な材料から形成されていてもよい。さらに、図1のタンク110の形状は矩形であるが、他の実施形態において、タンクを異なる形状にしてもよい。
【0012】
底部部材112および側部部材114は、水を漏らさない入れ物を形成するが、その上部116は、開いている。部材112、114は、溶接または接着剤結合などの任意の適切な結合手段(メカニズム)によって、互いに結合している。さらに、1つの実施形態では、部材112、114は、同じ材料のブランクから一体で成形される。このとき、結合手段は必要ない。他の実施形態では、タンク110は、側部部材114に結合した追加の上部部材(図示せず)を含み、このとき、タンクは密閉され、多面(マルチサイド)構造となる。
【0013】
液体130をタンク110に入れる。タンク110内の液体130の量を十分に増加させて、ウエハWを液体130に完全に沈める。しかし、ある実施形態では、ウエハWを液体130に完全に沈めない場合もある。この実施形態では、液体130は水である。他の実施形態では、液体130は、タンク110を通して流すのに十分な粘度を有する任意の適切な液体(例えば、溶媒)である。
【0014】
この実施形態のタンク110は、入口118および出口120(またはドレイン)を有し、これらを通して、流体130を流すことができる。入口118は、供給源50に接続され、出口120はレザバ150に接続される。図1の実施形態において、入口118および出口120は、フィッティング(図示せず)を有する管であり、フィッティングは、入口118および出口120のそれぞれの外側端部119、121に配置されている。このフィッティングにより、入口118および出口120と他の流体フロー手段(例えば、パイプ、ホースまたはチューブ)との接続が可能となり、続いて、この流体フロー手段によって、供給源50またはレザバ150とそれぞれ結合する。
【0015】
入口118および出口120の断面積は、タンク110を通過する所望の流速を達成するのに十分な大きさにする。例示的な実施形態では、入口118および出口120の断面積は、流速が0リットル/分〜50リットル/分であるような大きさにする。図1に示す入口118および出口120の位置は例示であり、入口118および出口120は、異なる位置にあってもよい。例えば、入口118および出口120のいずれか一方あるいは両方が、実施形態の範囲から逸脱することなく、タンク110の上部116または底部部材112に近接した位置であってもよい。さらに、出口120を通してタンクから液体130がオーバーフローするように出口120を形成および配置する実施形態もいくつかある。これらの実施形態では、出口130は、水吐き口(スピルウェイ)と機能および形状が似ている。
【0016】
図1では、適切な支持構造体140でタンク110の内部にウエハWを配置する。支持構造体140は、ウエハWの実質的に全ての外側表面の周りに液体130が自由に流れ得るように形成される。支持構造体140は、液体130と反応しない材料から形成されるものであり、なおかつ液体の存在下で汚染物質を放出しないものであり、反応性のない材料の層(例えば、テフロン(登録商標))でコーティングされていてもよい。図1の実施形態では、3つのウエハWは、支持構造体140によってタンク110内に配置されるが、他の実施形態では、それよりも多くのまたは数個のウエハWをタンク内に配置する。さらに、図1では、ウエハWは、実質的に垂直な配列で支持構造体140によって配置されているように示されているが、その代わりに、この開示の範囲を逸脱することなく、ウエハWは、異なる配向(orientation)で(例えば、図1および5に示すように、底部部材112に対して水平あるいは角度をつけて)支持されていてもよい。いくつかの実施形態では、支持構造体140は、タンク110と一体で形成されるが、他の実施形態では、支持構造体は、タンク110内に配置された別体の成分(コンポーネント)である。タンク110に液体130を充填する前または後のいずれかにおいて、ウエハWを支持構造体140内に配置してもよい。タンク110が空であり、液体を含まない実施形態では、バキュームワンド(テフロンまたは他の適切な材料から作製された先端部(チップ)を有するワンドなど)によって、ウエハWをタンク110内に配置してもよい。タンク110が実質的に液体130で満たされている実施形態では、テフロンまたはテフロンに似た材料でコーティングされたロボット効果器(ロボティック・エフェクタ)によって、タンク110内にウエハを配置してもよい。
【0017】
ここで図3および図4を参照すると、2種類の異なる形状のウエハが示されている。図3の実施形態では、工業上いつも行われるように、インゴットからのスライス加工でウエハWとし、シリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリウムまたは他の適切な材料からウエハWを作製することができる。あるいは、ウエハWは、図4に示す通り、正方形または矩形であってもよい(例えば、太陽電池の製造に一般に使用されるタイプのもの)。他の実施形態では、異なる種類の複数の基板をシステム100内で洗浄してもよい。基板は、その上に不純物が付着し得る表面を有するものであればどのような種類のものであってもよい。
【0018】
ここで図5を参照すると、システム(装置)200が示され、システム200は、図1のシステム100に類似するものであり、同様の符号を使用して、その類似する構成要素(コンポーネント)について言及する。システム200は、概して、ウエハWを異なる配置で位置決め(配置)する点、ならびに、ウエハWを液体130内に沈めたり浸漬しない点でシステム100とは異なる。システム200では、ウエハWをほぼ水平な向きで配置し、なおかつウエハWを支持部材(サポートメンバ)127で支持する。支持部材127は、タンク110内の液体130の液面よりも上の位置でウエハWを垂直に支持および配置する。いくつかの実施形態では、支持部材127を回転運動装置(例えば、モータ)に接続して、支持部材(すなわち、その上にウエハWを配置するもの)が選択的に回転できるようにする。ある実施形態によると、支持部材127およびその上に配置されたウエハWは、0RPM(すなわち、静止状態)〜2000RPMで回転することができる。
【0019】
タンク110の入口118は、そこに延長部125が取り付けられ、延長部125は、ウエハWの表面のほぼ幾何学上の中心に向けて液体を流せるような形状となっている。従って、延長部125は、液体130の流れの向きを決めて、液体130がウエハWの表面と接触するようにしたものである。液体130は、ウエハWの表面と接触した後、ウエハWの表面から流れ落ち、タンク110内に回収され、その後、そこから出口120を通して流れる。さらに、システム100で使用する液体の流速よりも遅い流速をシステム200で使用してもよい。例えば、ウエハWの表面を液体130で十分に濡らした後では、流速は、0リットル/分〜2リットル/分であってもよい。
【0020】
図6は、ウエハの表面に付着する汚染物質の量を予測する方法300を示すフロー図である。方法300において、液体130中にウエハを浸漬することによって、ウエハWを液体と接触させる。既知のシステムでは、典型的には、一定の期間(例えば、1〜10分間)、ウエハをタンク内で洗浄する。ウエハを洗浄するのに使用する液体(例えば、水)の中に存在する汚染物質は、タンク内でウエハを洗浄する間に、ウエハの表面に付着する場合がよくある。上記で説明したように、洗浄の間にウエハの表面に付着する一定量の汚染物質が以下のように存在していてもよい。汚染物質はウエハWの特性に悪影響を与えるが、既知の検出システム(例えば、誘導結合プラズマ質量分析法)では、このような量の汚染物質を検出することはできない。このような汚染物質の1つはニッケルであり、ニッケルがウエハWの表面に存在すると、ウエハに付着するニッケルの量が既知のシステムで検出可能なレベルを下回る場合であっても、ウエハの特性に悪影響を与える。付着し得る他の汚染物質としては、ナトリウム、アルミニウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、コバルト、銅および亜鉛が挙げられる。また、既知のシステムで金属汚染物質の存在が一定の濃度未満であり検出できない場合であっても、他の金属汚染物質がウエハWの物性に影響を与え得る場合もある。
【0021】
本明細書中に記載のように、方法300によれば、液体130に存在する汚染物混入(コンタミネーション)をかなり少ない量でも検出することができる。そうでなければ、既知のシステムではこのような汚染物混入を検出することはできない。例えば、既知のシステムでは、一般に、ウエハWの表面の汚染物質の濃度が約2e8原子/cm2(約2×e8原子/cm2)よりも大きいものについてだけ検出することができる。以下に説明する方法300では、汚染物質の濃度が実質的に2e8原子/cm2(2×e8原子/cm2)未満のものについても検出することができる。例えば、この方法300では、汚染物質の濃度が1e5原子/cm2(1×e5原子/cm2)の範囲のものを検出することができる。
【0022】
この実施形態の方法300は、ブロック310からはじまり、ここでウエハWをタンク110に配置する。タンク110を清掃した後にウエハWをタンク内に配置してもよく、それによって汚染物混入のないタンクを確保してもよい。いくつかの実施形態では、タンク110を酸で洗浄してもよい。ウエハWをタンク110内に入れ、ウエハ用の支持体でウエハWをタンク110内に位置決め(配置)する。ここでは複数のウエハWをタンク110内に配置することについて言及しているが、その代わりに、1つのウエハをタンク内に配置してもよい。タンク110内に複数のウエハWを配置することによって、それに対応して、方法300に従って得られるデータのサンプルが多く得られる。
【0023】
ブロック320では、タンク110を通して、液体130を流し始める。この実施形態では、液体130は水である。他の実施形態では、液体130は、任意の適切な液体(溶媒など)であってもよい。まず、入口118を通して、液体130をタンク110内に流す。最初に、液体130を濾過して、その後に、入口118を通してタンク110に液体を入れてもよい。1つの実施形態では、液体130(例えば、水)は、濾過してもよく、その結果、十分に低いレベルの汚染物質を含む超純水と呼ばれる水(すなわち、1パーツ・パー・トリリオン(ppt)未満の何らかの金属汚染物質を含む水)としてもよい。液体130をタンク110に流すと、液体の高さ(レベル)が上昇し、最終的にタンクの出口120の高さ(レベル)にまで達する。次に、液体130は、出口120を通してタンク110から流出する。次いで、液体130は、タンク110から流出した後、廃棄してもよいし、再利用してもよい。また、上記の通り、タンク110を液体130で満たした後に、ウエハWをタンク110内に配置してもよい。
【0024】
ブロック330では、予め決められた期間にわたって、タンク110を通して液体130を流し続ける。いくつかの実施形態では、この予め決められた期間を浸漬時間と称する。多数の因子(ファクター)に従って、この予め決められた期間を選択してもよい。例えば、ウエハWの表面における汚染物質の検出限界が2e8原子/cm2(2×e8原子/cm2)である場合、この予め決められた期間を選択して、ウエハWの表面に付着する汚染物混入の量がその検出限界レベルを超え得るようにしてもよい。いくつかの実施形態によると、この予め決められた期間は、通常の洗浄時間よりも約100〜150倍長い。従って、洗浄時間が5分間であると、この予め決められた期間は、500〜1000分間の範囲内である。1つの実施形態では、この予め決められた期間は、750分間である。
【0025】
ブロック340では、タンク110を通る液体130の流れを止める。液体130の流れを止めた後、この液体を排出してもよいし、あるいはタンクから除去してもよい。次いで、ウエハWを乾燥して、表面に存在し得る残渣の液体130を除去するようにしてもよい。別の実施形態では、ウエハWをタンク110から取り出してもよいが、このとき、液体はまだタンク内に存在するので、ウエハをこの液体に少なくとも部分的に浸漬した後にウエハを取り出してもよい。この実施形態では、上記と同じ種類のロボット機構(ロボティック・メカニズム)を用いて、タンク110からウエハWを取り出してもよい。
【0026】
ブロック350では、ウエハWの表面に付着する汚染物質の量を決定する。様々な方法を使用して、ウエハWの表面に付着する汚染物質の量および/または濃度を決定してもよい。例えば、誘導結合プラズマ質量分析法(ICP−MS)を使用してウエハWの表面を分析して、方法300の間にウエハに付着する汚染物質の量および/または濃度を決定してもよい。汚染物質の濃度は、ウエハ表面の所定の面積に付着する汚染物質の原子数として示してもよい(例えば、1cm2あたりの原子数)。他の実施形態では、異なる方法を使用して、ウエハWの表面に付着する汚染物質の量および/または濃度を決定してもよい(例えば、全反射蛍光X線分析法(TXRF))。
【0027】
ブロック360において、ブロック330で予め決められた期間よりも短い期間にわたってウエハWの表面に付着する汚染物質の量を予測する。ある実施形態では、この予め決められた期間よりも短い期間は、ウエハWの典型的な洗浄時間(例えば、1〜10分間)である。ある実施形態では、この典型的な洗浄時間が5分間であり、この予め決められた期間が750分間である。
【0028】
いくつかの実施形態において、ブロック310〜350で行われる工程は、汚染物混入のベースラインレベルを確立するため、あるいは、予測した汚染物混入のレベルを確かめるためだけに実施してもよい。ブロック350で決定を一度行うと、ウエハをこの液体中で洗浄するごとに毎回独立して、ブロック360で行う予測を実施してもよい。つまり、ブロック350で行う決定は、ブロック360での予測を行うごとに毎回実施する必要はない。あるいは、ブロック310〜350で行われる工程を実施して、洗浄システムを較正してもよく、この洗浄システムで洗浄された各ウエハについて、ブロック360で行う予測を実施する。
【0029】
ウエハWの表面への汚染物混入の付着の割合(速度)がほぼ直線的(一次関数)であると仮定する。つまり、このような線形補間法を使用して、典型的なウエハの洗浄時間にわたってウエハの表面に付着する汚染物質の量および/または濃度を予測または決定する。例えば、ある実施形態では、750分間でウエハの表面に付着したのは2e10原子/cm2(2×e10原子/cm2)であり、ウエハWの洗浄時間は5分間である。従って、ブロック350で決定した汚染物質の濃度と、典型的な洗浄時間(例えば、5分間)/予め決められた期間(例えば、750分間)の比とを積算することによって、ウエハWの表面に付着する汚染物混入の濃度を決定する。従って、この実施形態では、典型的な洗浄の間にウエハの表面に付着する汚染物質の濃度を1.33e8原子/cm2(1.33×e8原子/cm2)であると決定する。従って、線形補間法は、このように以下の方程式で示される。
c=(Tr/Tp)×Ec
式中、
cは、ウエハWの典型的な洗浄の間にウエハの表面に付着する汚染物質の濃度であり、
Trは、典型的なウエハの洗浄にかかる期間(時間の長さ)であり、
Tpは、予め決められた期間であり、
Ecは、ブロック350で決定した汚染物質の濃度である。
【0030】
他の実施形態では、表面Wへの汚染物混入の付着の割合(速度)は、一般に、直線的(一次関数)ではない。これらの実施形態では、方法300を数回繰り返してもよく、毎回、予め決められた期間を変更してもよい。従って、汚染物質の濃度レベルの値と、それに対応する予め決められた期間の値との組み合わせを多数決定する。次いで、これらの値の組み合わせを数値補間法(任意の回数)にあてはめて、ウエハWのその表面への汚染物質の付着の割合(速度)を決定してもよい。次いで、決定した付着の割合(速度)をウエハの洗浄時間(その量に到達するまでの時間)および/またはウエハの表面に付着する汚染物質の濃度と積算してもよい。
【0031】
従って、上記の方法300によって、液体130中の汚染物質の量を検出することができ、この量は、既知のシステムによって検出可能な量よりもずいぶん低い量である。既知のシステムにおいて、最も感度の高いICP−MS法でも検出限界の下限は約0.1pptである。従って、液体130中の汚染物質の存在およびウエハWの表面における汚染物質の存在は、この方法300によって検出することが可能であり、汚染物質の量が既知のシステムでの検出可能な量よりもずいぶん低くても、検出可能である。
【0032】
図7は、ウエハの表面に付着する汚染物質の量を予測する方法400を示すフロー図である。この方法400では、液体130がウエハWの表面と接触するようにその流れ(フロー)を向けることによって、ウエハWを液体と接触させる。この方法400は、概して、上記の方法300と同様である。ただし、方法400では、ウエハに向けて液体を流すことが方法300とは異なる。いくつかの実施形態では、上記のシステム100またはシステム200とともに、この方法400を使用する。この実施形態の方法400は、ブロック410からはじまり、ここでタンク110にウエハWを配置する。タンク110を清掃した後にウエハWをタンク内に配置してもよく、汚染物混入のないタンクを確保してもよい。いくつかの実施形態では、タンク110を酸で洗浄してもよい。ウエハWをタンク110内に入れ、支持部材127でウエハをタンク内に位置決め(配置)する。
【0033】
ブロック420でウエハWの表面に液体130を流しはじめる。この実施形態では、液体130は水である。他の実施形態では、液体130は、任意の適切な液体(溶媒など)であってもよい。まず、入口118を通してタンク110内に液体130を流す。最初に、液体130を濾過した後に、入口118を通してタンク110に液体を入れてもよい。ある実施形態では、液体130(例えば、水)を濾過して、汚染物質のレベルが十分に低く、超純水と呼ばれるものとなるようにしてもよい。入口118に接続した延長部125によって、液体130をウエハWの表面に向けて流してもよい。ウエハWの表面の全域にわたって液体を流した後、液体130は、次いで、タンク110内に流れる。次に、液体130は、出口120を通って、タンク110から流出する。次いで、液体130をタンク110から廃棄してもよく、タンク110から流出した後に再使用してもよい。別の実施形態では、ウエハWの表面に液体を流しながらウエハWを支持部材127で回転させてもよい。
【0034】
ブロック430では、予め決められた期間にわたって、ウエハWの表面に液体130を流し続ける。例えば、ウエハWの表面での汚染物質の検出の限界値が2e8原子/cm2(2×e8原子/cm2)である場合、この予め決められた期間を選択して、ウエハWの表面に付着する汚染物の量がその検出限界レベルを超え得るようにしてもよい。いくつかの実施形態によると、この予め決められた期間は、通常の洗浄時間よりも長く、その約100〜150倍である。洗浄時間が5分間であると、この予め決められた期間は、従って、500〜1000分間の範囲内である。1つの実施形態では、この予め決められた期間は750分間である。
【0035】
ブロック440では、ウエハWの表面に液体130を流すのを止める。液体130の流れを止めた後、この液体を排出してもよく、あるいは、タンクから液体を除去してもよい。次にウエハWを乾燥し、その表面に存在し得る残渣の液体130を除去するようにしてもよい。
【0036】
ブロック450では、ブロック350で上記で記載した方法と同様の方法または同じ方法でウエハWの表面に付着する汚染物質の量を決定する。ブロック460では、ブロック430において予め決められた期間よりも短い期間にわたって、ウエハWの表面に付着する汚染物質の量を予測する。ある実施形態では、この予め決められた期間よりも短い期間は、ウエハWの典型的な洗浄時間(例えば、1〜10分間)である。ある実施形態では、この典型的な洗浄時間は5分間であり、この予め決められた期間は750分間である。ブロック460で行う予測は、ブロック360で上記で記載した方法と実質的に同様の方法または同一の方法で行う。
【0037】
従って、上記の方法400によって、液体130内の汚染物質の量の検出が可能となり、既知のシステムで検出可能な量よりもずいぶん低い量での検出が可能となる。従って、液体130内の汚染物質の存在およびウエハWの表面における汚染物質の存在を検出することが可能であり、汚染物質の量が既知のシステムで検出が可能な量よりもずいぶんと低い量であっても、検出することができる。
【0038】
図8は、基板の表面に付着する汚染物質の量を予測する方法500を示すフロー図である。方法500は、概して、上記の方法300と同様である。ただし、方法500は、ウエハではなく、方法500が基板の表面に付着する汚染物質を予測するのに使用される点で、方法300とは異なる。この方法500は、ウエハWの表面に付着する汚染物質の量を用いて、基板の表面に付着する汚染物質の量を予測する。この方法500は、基板に付着する汚染物質の量を予測するのに有用であり、典型的な汚染物質の試験方法(例えば、ICP−MS)では不適切となる物性を有し得る基板の場合に有用である。それは、これらの試験方法では酸や他の薬品を使用するからである。このような基板の例としては、石英、サファイア、ゲルマニウム、または典型的な汚染物質の試験方法に不適切な任意の他の物質を含むものが挙げられる。ウエハを使用して、この実施形態の基板の表面に付着する汚染物質の量を予測するが、このウエハの代わりに別の基板を使用してこの目的を達成してもよい。さらに、また、この方法500を使用して、ウエハWを入れる水中の金属含量を決定する。
【0039】
本明細書中、方法500をシステム100とともに使用すると記載するが、この方法は、システム100あるいは上記のシステム200とともに使用してもよい。従って、ウエハWを液体130に沈めてもよく、あるいは、ウエハWの表面を液体130の流れ(フロー)と接触させてもよい。
【0040】
この実施形態の方法500は、ブロック510からはじまり、ここでタンク110にウエハWを位置決め(配置)する。上記のような適切なバキュームワンドでタンク内にウエハWを配置してもよい。タンク110を洗浄した後にウエハWをタンク内に配置し、汚染物混入のないタンクを確保してもよい。いくつかの実施形態では、タンク110を酸で洗浄してもよい。ウエハWをタンク110内の支持部材140に配置する。
【0041】
ブロック520でウエハWの表面に液体130を流しはじめる。この実施形態において液体130は水である。他の実施形態では、液体130は、任意の適切な液体(溶媒など)であってもよい。まず、入口118を通してタンク110に液体130を流す。最初に、液体130を濾過した後、入口118を通してタンク110に液体を入れてもよい。ある実施形態では、液体130(例えば、水)を濾過し、その汚染物質のレベルを十分に低くして、超純水と呼ばれるようにしてもよい。次いで、出口120を通して、タンク110から液体130を流出させる。次に、液体130をタンク110から流出させた後、液体を廃棄または再使用してもよい。
【0042】
ブロック530では、一定の予め決められた期間にわたって、タンク110に液体130を流し続ける。例えば、ウエハWの表面への汚染物質の検出限界値が、2e8原子/cm2(2×e8原子/cm2)である場合、この予め決められた期間を選択して、ウエハWの表面に付着する汚染物混入の量がこの検出限界レベルを超え得るようにしてもよい。いくつかの実施形態によると、この予め決められた期間は、通常の洗浄時間よりも長く、その約100〜150倍である。洗浄時間が5分間であると、この予め決められた期間は、従って、500〜1000分間の範囲内である。ある実施形態では、この予め決められた期間は、750分間である。
【0043】
ブロック540では、タンク110に液体130を流すのを止める。液体130の流れ(フロー)を止めた後、タンク110からこの液体を廃棄あるいは除去してもよい。次いで、ウエハWを乾燥して、その表面上に存在し得る残渣の液体130を除去するようにしてもよい。
【0044】
ブロック550では、ブロック350またはブロック450で上記に記載の方法と同様の方法または同じ方法によって、ウエハWの表面に付着する汚染物質の量を決定する。ブロック560では、ブロック530で予め決められた期間よりも短い期間にわたって、基板の表面に付着する汚染物質の量を予測する。ある実施形態では、この予め決められた期間よりも短い期間は、基板の典型的な洗浄時間(例えば、1〜10分間)である。ある実施形態では、この典型的な洗浄時間は5分間であり、この予め決められた期間は750分間である。ブロック560で行われる予測は、ブロック360において上記に記載の方法と実質的に類似する方法または同一の方法によって行われる。
【実施例】
【0045】
(実験データ)
図9〜11では、グラフの形式で実験データを例示する。これらのグラフは、概して、予め決められた時間(例えば、「浸漬(soak)時間」または「浸漬(immersion)時間」)においてウエハWの表面に付着する様々な汚染物質の密度を示す。
【0046】
図9において、グラフ600は、コバルトおよび銅の密度を様々な浸漬(soak)時間との関数として示す。グラフ600に示す通り、ウエハWの表面のコバルトおよび銅の密度は、浸漬時間が増加するにつれて、ほぼ一次関数の様式で増加する。
【0047】
図10および図11のグラフ700、800に示すデータは、そのいくつかは、それぞれ、汚染物質を含む溶液を用いて、ウエハを浸漬した水を「スパイク(spiking))」することによって得られた。異なる浸漬(immersion)時間のそれぞれについて、3つのデータ値を示す。第1のデータ値を「ブランク」と称し、これは、汚染物質を含む溶液による水のスパイクを行わなかった場合を示す。しかし、スパイクしなかった水の場合であっても、比較的低いバックグラウンド(背景)レベルの汚染物質が水中に存在していた。第2のデータ値は、汚染物質を含む溶液(60ppq(パーツ・パー・クアドリリオン)の汚染物質濃度)を用いて水をスパイクした場合を示す。第3のデータ値は、汚染物質を含む溶液(600ppq(パーツ・パー・クアドリリオン)の汚染物質濃度)を用いて水をスパイクした場合を示す。
【0048】
図10のグラフ700は、ニッケルを含む3種類の溶液について、ウエハWの表面でのニッケルの密度を様々な浸漬(immersion)時間との関数として示す。ウエハWの表面のニッケルの密度は、ニッケル600ppq(パーツ・パー・クアドリリオン)の溶液に関しては、浸漬(immersion)時間が増加するにつれて、ほぼ一次関数の様式で増加する。
【0049】
図11(グラフ800)は、クロムを含む3種類の溶液について、ウエハWの表面でのクロムの密度を様々な浸漬時間との関数として示す。また、第1のデータ値を「ブランク」と称し、これは、汚染物質を含む溶液で水をスパイクしなかった場合を示す。グラフ800に示す通り、クロム600ppq(パーツ・パー・クアドリリオン)の溶液については、浸漬(immersion)時間が増加するにつれて、ウエハWの表面でのクロムの密度は、ほぼ一次関数の様式で増加する。
【0050】
本発明またはその実施形態(単数または複数)の構成要素(成分、エレメント)を説明する際、冠詞「ある〜(a)」、「ある〜(an)」、「前記の〜、この〜(the)」および「前記の〜(said)」は、1またはそれよりも多くの構成要素が存在することを意味することを意図する。用語「含む(含有する、備える、包含する、挙げられる)(comprising)」、「含む(含有する、備える、包含する、挙げられる)(including)」、「有する(having)」は、包含的であることを意図し、記載した構成要素以外の他のさらなる構成要素が存在していてもよいことを意味する。
【0051】
本発明の範囲から逸脱することなく様々な変更が上記構成でなされ得るが、その意図するところは、上記説明に含まれ添付の図面に示されるすべての事項は、例示的であり、限定的な意味はないと解釈されるべきであることである。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体ウエハに付着する汚染物質を予測するための方法であって、前記半導体ウエハは少なくとも2つのウエハ表面を有し、当該方法が、
第1の期間にわたって、前記ウエハを水と接触させる工程、
前記ウエハを乾燥させる工程、
前記少なくとも一方のウエハ表面の汚染物質を決定するために前記ウエハを分析する工程、
第1の期間よりも短い第2の期間にわたって前記ウエハを水と接触させた場合に前記ウエハに付着するであろう汚染物質を予測する工程
を含む、方法。
【請求項2】
第1の期間が少なくとも500分間であり、第2の期間が50分間未満である、請求項1に記載の方法。
【請求項3】
第1の期間が少なくとも700分間であり、第2の期間が20分間未満である、請求項1に記載の方法。
【請求項4】
予測される汚染物質の濃度が2e8原子/cm2未満である、請求項1に記載の方法。
【請求項5】
予測される汚染物質の濃度が1e6原子/cm2未満である、請求項1に記載の方法。
【請求項6】
検出される汚染物質が金属である、請求項1記載の方法。
【請求項7】
検出される汚染物質がニッケルを含む、請求項6記載の方法。
【請求項8】
容器の垂直な側壁に対して実質的に平行となるように前記ウエハを配置する、請求項1に記載の方法。
【請求項9】
容器の垂直な側壁に対して実質的に垂直となるように前記ウエハを配置する、請求項1に記載の方法。
【請求項10】
前記ウエハ表面における前記金属含量に基づいて、前記水中の金属含量を決定する工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項11】
前記ウエハを前記水と接触させる前に、前記ウエハ表面における金属含量を決定するために前記ウエハを分析する工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項12】
前記ウエハを水と接触させる前に、容器内に前記ウエハを配置する工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項13】
容器内に水が存在する間に、前記容器内に前記ウエハを配置する工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項14】
前記ウエハを水の中に浸漬させることによって、前記ウエハを前記水と接触させる工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項15】
前記ウエハ表面と接触するように水を流して、前記ウエハを水と接触させる工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項16】
水を含む容器内の金属含量を決定するための方法であって、当該方法が、
予め決められた期間にわたって基板を水と接触させる工程であって、前記基板が表面を有する、工程、
前記基板を乾燥させる工程、
金属含量を決定するために前記基板表面を分析する工程、
前記基板表面における前記金属含量から、前記水中の金属含量を決定する工程
を含む、方法。
【請求項17】
前記予め決められた期間が少なくとも500分間である、請求項16に記載の方法。
【請求項18】
前記予め決められた期間が少なくとも700分間である、請求項16に記載の方法。
【請求項19】
検出される汚染物質が金属である、請求項16に記載の方法。
【請求項20】
検出される汚染物質がニッケルを含む請求項19に記載の方法。
【請求項21】
容器内で基板を水と接触させた後に前記基板に付着する汚染物質を予測するための方法であって、当該方法が、
第1の期間にわたってウエハを水と接触させる工程であって、前記ウエハがウエハ表面を有する、工程、
前記ウエハを乾燥させる工程、
前記ウエハ表面の汚染物質を決定するために前記ウエハを分析する工程、
第1の期間よりも短い第2の期間にわたって前記基板を容器内の水と接触させた場合に前記基板に付着する汚染物質を予測する工程
を含む、方法。
【請求項22】
前記基板が、石英、サファイア、ゲルマニウムの少なくとも1つを含む、請求項21に記載の方法。
【請求項1】
半導体ウエハに付着する汚染物質を予測するための方法であって、前記半導体ウエハは少なくとも2つのウエハ表面を有し、当該方法が、
第1の期間にわたって、前記ウエハを水と接触させる工程、
前記ウエハを乾燥させる工程、
前記少なくとも一方のウエハ表面の汚染物質を決定するために前記ウエハを分析する工程、
第1の期間よりも短い第2の期間にわたって前記ウエハを水と接触させた場合に前記ウエハに付着するであろう汚染物質を予測する工程
を含む、方法。
【請求項2】
第1の期間が少なくとも500分間であり、第2の期間が50分間未満である、請求項1に記載の方法。
【請求項3】
第1の期間が少なくとも700分間であり、第2の期間が20分間未満である、請求項1に記載の方法。
【請求項4】
予測される汚染物質の濃度が2e8原子/cm2未満である、請求項1に記載の方法。
【請求項5】
予測される汚染物質の濃度が1e6原子/cm2未満である、請求項1に記載の方法。
【請求項6】
検出される汚染物質が金属である、請求項1記載の方法。
【請求項7】
検出される汚染物質がニッケルを含む、請求項6記載の方法。
【請求項8】
容器の垂直な側壁に対して実質的に平行となるように前記ウエハを配置する、請求項1に記載の方法。
【請求項9】
容器の垂直な側壁に対して実質的に垂直となるように前記ウエハを配置する、請求項1に記載の方法。
【請求項10】
前記ウエハ表面における前記金属含量に基づいて、前記水中の金属含量を決定する工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項11】
前記ウエハを前記水と接触させる前に、前記ウエハ表面における金属含量を決定するために前記ウエハを分析する工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項12】
前記ウエハを水と接触させる前に、容器内に前記ウエハを配置する工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項13】
容器内に水が存在する間に、前記容器内に前記ウエハを配置する工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項14】
前記ウエハを水の中に浸漬させることによって、前記ウエハを前記水と接触させる工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項15】
前記ウエハ表面と接触するように水を流して、前記ウエハを水と接触させる工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項16】
水を含む容器内の金属含量を決定するための方法であって、当該方法が、
予め決められた期間にわたって基板を水と接触させる工程であって、前記基板が表面を有する、工程、
前記基板を乾燥させる工程、
金属含量を決定するために前記基板表面を分析する工程、
前記基板表面における前記金属含量から、前記水中の金属含量を決定する工程
を含む、方法。
【請求項17】
前記予め決められた期間が少なくとも500分間である、請求項16に記載の方法。
【請求項18】
前記予め決められた期間が少なくとも700分間である、請求項16に記載の方法。
【請求項19】
検出される汚染物質が金属である、請求項16に記載の方法。
【請求項20】
検出される汚染物質がニッケルを含む請求項19に記載の方法。
【請求項21】
容器内で基板を水と接触させた後に前記基板に付着する汚染物質を予測するための方法であって、当該方法が、
第1の期間にわたってウエハを水と接触させる工程であって、前記ウエハがウエハ表面を有する、工程、
前記ウエハを乾燥させる工程、
前記ウエハ表面の汚染物質を決定するために前記ウエハを分析する工程、
第1の期間よりも短い第2の期間にわたって前記基板を容器内の水と接触させた場合に前記基板に付着する汚染物質を予測する工程
を含む、方法。
【請求項22】
前記基板が、石英、サファイア、ゲルマニウムの少なくとも1つを含む、請求項21に記載の方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【公表番号】特表2013−516062(P2013−516062A)
【公表日】平成25年5月9日(2013.5.9)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−545504(P2012−545504)
【出願日】平成22年12月16日(2010.12.16)
【国際出願番号】PCT/IB2010/055900
【国際公開番号】WO2011/077339
【国際公開日】平成23年6月30日(2011.6.30)
【出願人】(392026316)エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド (74)
【氏名又は名称原語表記】MEMC ELECTRONIC MATERIALS,INCORPORATED
【Fターム(参考)】
【公表日】平成25年5月9日(2013.5.9)
【国際特許分類】
【出願日】平成22年12月16日(2010.12.16)
【国際出願番号】PCT/IB2010/055900
【国際公開番号】WO2011/077339
【国際公開日】平成23年6月30日(2011.6.30)
【出願人】(392026316)エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド (74)
【氏名又は名称原語表記】MEMC ELECTRONIC MATERIALS,INCORPORATED
【Fターム(参考)】
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