液晶組成物、抵抗値調整方法及び置換フェノール
【課題】予め特定された比抵抗を有する液晶混合物を提供する。液晶の比抵抗が再現可能に調整される物質を選択又は提供する。
【解決手段】１０ｐｐｍから１０％の濃度の、例えば下式で例示される酸性化合物を含む液晶混合物で、該酸性化合物は比抵抗を予め設定された範囲、典型的には１０９Ωｃｍから数１０１２Ωｃｍの範囲に調整する機能を有する。
【解決手段】１０ｐｐｍから１０％の濃度の、例えば下式で例示される酸性化合物を含む液晶混合物で、該酸性化合物は比抵抗を予め設定された範囲、典型的には１０９Ωｃｍから数１０１２Ωｃｍの範囲に調整する機能を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一定の抵抗値を有する液晶混合物、及び液晶混合物の比抵抗を予め特定された値、典型的には１０９Ωｃｍから数１０１２Ωｃｍの範囲に調整する方法に関するものである。本発明は、特に末端でフッ化された化合物又は末端でフッ化された置換基を持つ化合物を含むか又はそれらからなる液晶混合物、一般的には低極性の高抵抗液晶混合物に関するものである。
【０００２】
特に、抵抗値は酸性化合物、特に好ましくはフェノールを使用して調整される。本発明はまた，新規な置換フェノールに関するものである。本発明はさらに、本発明による液晶混合物を含有する液晶表示体に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
高い比抵抗値を有する液晶混合物は、数タイプの液晶表示体に問題を引き起こす。
これらの高抵抗液晶混合物の大部分の問題は静電荷の発生である。これは例えば、偏光子又は補償フィルムの例では、表示体の生産中に保護膜の剥離工程で時々簡単に生ずる。しかしながら、静電荷帯電はこのような表示体の作動中例えば、プラスチック部品又は衣服との接触及び摩擦又はそのいずれかによっても生ずる。例えば、自動車用ラジオ表示体では、この種類の静電荷帯電は手が表示体に接触しても生ずることがある。最も簡単な場合では、この静電荷はスイッチオフ表示又は表示体の一部の望ましくないスイッチオンを生ずることがある。
【０００４】
しかしながら、頻繁に表示体に対する不可逆変化が観測される。例えば、これらは静電荷による配向膜に対する変化により引き起こされる。この現象は特にＴＮ及びＳＴＮ表示体において観測される。この種類の表示体では、液晶混合物の高い比抵抗値により、表示体がスイッチオフされた後でも、しばしば長期間にわたって表示された情報が残ってしまう。液晶混合物の比抵抗値が高いと、蓄積電荷キャリアが分散することは困難であり、いわゆる「残像」又は「ゴーストイメージ」、しばしば「ステイッキング(焼付き)効果」又は「画像ステイッキング(焼付き)効果」とも称される、)の発生を引き起こす。アクテイブマトリクスアドレシング方式（例えば、ＴＮ−ＡＭＤ又はＩＰＳ−ＡＭＤ）の表示では、アクテイブマトリクスの非線形スイッチ（例えば、ＴＦＴ）は特に、損傷又は破損さえ起こす。「画像ステイッキング(焼付き)効果」もＡＭＤ方式で生ずる。
【０００５】
この問題を解決する多数の提案が従来技術において行われてきた。例えば、液晶表示体の生産における静電荷帯電の発生を防止ようとする装置対策のほか、液晶混合物を最適化する多数の示唆がなされてきた。
これらの示唆の殆どが望ましい抵抗値を得るため各種ドーパントの使用を提案している。しかしながら、液晶混合物におけるドーパントの溶解度がこの場合問題である。さらに、例えば、クリアリングポイントの低下及び他の物理的特性の変化などの望ましくない効果がしばしば生ずる。望ましい抵抗値の設定値の再現性はおうおうにして好適でないか，又は達成可能な抵抗値の範囲は比較的狭い。
【０００６】
液晶混合物の導電率又は比抵抗を調整するため使用される化合物のさらに必須な特性はそれらの蒸気圧である。さもないと組成の変化が生じ、この場合まさに望ましくない抵抗変化を生ずるため，液晶混合物の他の成分の蒸気圧がそうでなければならないようにこの蒸気圧は高すぎてはならない。表示体製造における真空充填用装置の極めて広範な用途で特に重要なものである。生ずる変化は生ずる圧力の持続時間及び大きさによると考えられる。
【０００７】
液晶混合物におけるある一定の比抵抗値を設定するため最近使用された化合物の代表的な例はクラウンエーテルであり、ＷＯ９７−０３１６４に記載されたように使用されている。しかしながら、少量使用した場合でも、これらは抵抗値のかなりの低下をもたらす。
さらに、各種不純物を含有するクラウンエーテルの相互作用により、液晶混合物内部及び内部表示面上の両方で、即ち、本質的には配向膜で、達成された結果は使用した材料にかなり強く依存し、かつ再現性はしばしば不十分になる。このように、容易に液晶混合物に溶解しかつ多くの配向膜に対して汎用性を示す、比抵抗の再現可能な調整用物質に対する要求が存在した。
【０００８】
下記式の化合物；
【化４】
及び
【化５】
の化合物が知られている。例えば、ケミカルアブストラクト（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ）ＣＡＳ−２８９４−８７−３及びＣＡＳ−２２００−７０−６を参照されたい。
【０００９】
ＪＰ−Ａ０８−０６７ ５７７は液晶混合物の比抵抗を低下させるのにトリ（ポリオキシアルキレン）アミンを提案している。
ＪＰ−Ａ０８−３３７ ７７８はＳＴＮ表示体に使用するため過酸化物−破壊化合物を含有する液晶混合物を記載している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は予め特定された比抵抗を有する液晶混合物を提供することである。本発明の別の目的は液晶の比抵抗が再現可能に調整される物質を選択又は提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
驚くべきことに、この目的が酸性化合物、特に酸性フェノール、とりわけ一般式Ｉ；
【化６】
式中、
Ａ１及びＡ２は互いに独立して、かつＡ１が多数回生ずる場合にも互いに独立して、それぞれ
ａ）１,４−シクロヘキシレン又はトランス−１,４シクロヘキセニレンであり、式においてさらに、１個又は多数の非−隣接ＣＨ２基がＯ及び／又はＳで交換でき、
ｂ）１,４−フェニレン、その中でさらに、１個又は２個のＣＨ２基がＮで交換でき、
ｃ）１,４−ビシクロ[２．２．２]オクチレン、ピペリジン−１,４−ジイル，ナフタレン−２,６−ジイル、デカハイドロナフタレン−３,６−ジイル、又は１,２,３,４−テトラハイドロナフタレン−２,６−ジイルであり、この一般式において（ａ）及び（ｂ）はＦ原子による一置換体又は二置換体であることができ；
Ｚ１及びＺ２は、互いに独立して、かつＺ１が多数回生ずる場合にも互いに独立して、それぞれ-CO-O-、-O-CO-、-CO-CH2-、-CH2-CO-、-CH2O-、-OCH2-、-CH2CH2-、-CH=CH-、-C≡C-であるか又は単結合であり、
又はＺ１及びＺ２基の１つは、
-(CH2)4-、-(CH2)3CO-、-(CH2)2-O-CO-、-(CH2)2-(CO-O)-、CH=CH-CH2CH2-、-CH2-CH2-CH=CH-又はCH2-CH=CH-CH2-であり、
ＲはＨ、それぞれ１又は２から１５の炭素原子を有するアルキル又はアルケニルであり、それらは未置換であるか、ＣＮ又はＣＦ３により一置換されているか、又は
ハロゲン、特にF又はClで一置換されるか又は多置換され、さらにこれらのラジカルの１個又は多数のＣＨ２基が互いに独立して、
-O-、-S-、
【化７】
、-CO-、-CO-O-、-O-CO-又は-O-CO-O-により２つのＯ原子が直接互いに結合されない条件で交換でき、Ｒは又、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ又はＣＯＯＲ’、適当であればＯＨであり、
Ｒ’はＨ又はＲであり、（ここでＣＮ、Ｆ、ＯＨ又はＣＯＯＲ’は除かれる）
ｎは０、１又は２であり、
ｍは０又は１であり、
ｏは１、２又は３であり、
ｎ＋ｍ＋ｏは２、３又は４であり；
Ｘ及びＹはそれぞれ互いに独立して、Ｘ及び／又はＹが多数回存在する場合にも、それぞれ互いに独立して、Ｆ、Ｃｌ、ＣＯＯＲ’、ＮＯ２、又はＣＮであり、ここで、ＸはＦであることが好ましくかつＹはＣＮであることが好ましく；
ｐ１、ｐ２、ｑ１及びｑ２はそれぞれ０、１、２、３又は４であり、
ｏが１、ｑ２が０の場合、ｐ２は３又は４であり、
ｏが１、ｑ２が１、２又は３の場合、ｐ２+ｑ２は１、２、３又は４、
好ましくはｑ２は１でｐ２は１又は２であり、
ｏが２又は３の場合、ｐ１＋ｐ２＋ｑ１＋ｑ２は１、２、３、４、５、６、７又は８であり、
ｑ１＋ｑ２が１又は２の場合、ｐ１＋ｐ２は１、２、３又は４、好ましくは、
ｑ１＋ｑ２が１で、ｐ１＋ｐ２が１又は２であり、
ｑ１＋ｑ２が０の場合、ｐ１＋ｐ２は３、４、５、６、７又は８、好ましくは、６、７又は８である、
で示される酸性化合物を使用することによって達成された。
【００１２】
好ましくは式Ｉａ；
【化８】
式中、
Ａ１及びＡ２は互いに独立して、かつＡ１が多数回生ずる場合にも互いに独立して、それぞれ
ａ）１,４−シクロヘキシレン又はトランス−１,４シクロヘキセニレンであり、式においてさらに、１個又は多数の非−隣接ＣＨ２基がＯ及び／又はＳで交換でき、
ｂ）１,４−フェニレン、その中でさらに、１個又は２個のＣＨ２基がＮで交換でき、
ｃ）１,４−ビシクロ[２．２．２]オクチレン、ピペリジン−１,４−ジイル，ナフタレン−２,６−ジイル、デカハイドロナフタレン−３,６−ジイル、又は１,２,３,４−テトラハイドロナフタレン−２,６−ジイルであり、この一般式において（ａ）及び（ｂ）はＦ原子による一置換体又は二置換体であることができ；
Ｚ１及びＺ２は、互いに独立して、かつＺ１が多数回生ずる場合にも互いに独立して、それぞれ-CO-O-、-O-CO-、-CO-CH2-、-CH2-CO-、-CH2O-、-OCH2-、-CH2CH2-、-CH=CH-、-C≡C-であるか又は単結合であり、
又はＺ１及びＺ２基の１つは、
-(CH2)4-、-(CH2)3CO-、-(CH2)2-O-CO-、-(CH2)2-(CO-O)-、CH=CH-CH2-CH2-、-CH2-CH2-CH=CH-又は-CH2-CH=CH-CH2-であり、
ＲはＨ、それぞれ１又は２から１５の炭素原子を有するアルキル又はアルケニルであり、それらは未置換であるか、ＣＮ又はＣＦ３により一置換されているか、又は
ハロゲン、特にF又はClで一置換されるか又は多置換され、さらにこれらのラジカルの１個又は多数のＣＨ２基が互いに独立して、
-O-、-S-、
【化９】
、-CO-、-CO-O-、-O-CO-又は-O-CO-O-により２つのＯ原子が直接互いに結合されない条件で交換でき、Ｒは又、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ又はＣＯＯＲ’、適当であればＯＨであり、
Ｒ’はＨ又はＲであり、（ここでＣＮ、Ｆ、ＯＨ又はＣＯＯＲ’は除かれる）
ｎは０、１又は２であり、
ｍは０又は１であり、
ｏは１、２又は３であり、
ｎ＋ｍ＋ｏは２、３又は４であり；
Ｘ及びＹはそれぞれ互いに独立して、Ｘ及び／又はＹが多数回存在する場合にも、それぞれ互いに独立して、Ｆ、Ｃｌ、ＣＯＯＲ’、ＮＯ２、又はＣＮであり、ここで、ＸはＦであることが好ましくかつＹはＣＮであることが好ましく；
ｐ１、ｐ２、ｑ１及びｑ２はそれぞれ０、１、２、３又は４であり、
ｏが１、ｑ２が０の場合、ｐ２は３又は４であり、
ｏが１、ｑ２が１、２又は３の場合、ｐ２+ｑ２は１、２、３又は４、
好ましくはｑ２は１でｐ２は１又は２であり、
ｏが２又は３の場合、ｐ１＋ｐ２＋ｑ１＋ｑ２は１、２、３、４、５、６、７又は８であり、
ｑ１＋ｑ２が１又は２の場合、ｐ１＋ｐ２は１、２、３又は４、好ましくは、
ｑ１＋ｑ２が１で、ｐ１＋ｐ２が１又は２であり、
ｑ１＋ｑ２が０の場合、ｐ１＋ｐ２は３、４、５、６、７又は８、好ましくは、６、７又は８である、
で示される化合物が使用される。
【００１３】
また、好ましくは式Ｉｂ；
【化１０】
式中、
Ａ１及びＡ２は、互いに独立して、かつＡ１が多数回存在する場合にも互いに独立して、
ａ）１,４−シクロヘキシレン又はトランス−１,４シクロヘキセニレンであり、式においてさらに、１個又は多数の非−隣接ＣＨ２基がＯ及び／又はＳで交換でき、
ｂ）１,４−フェニレン、その中でさらに、１個又は２個のＣＨ２基がＮで交換でき、
ｃ）１,４−ビシクロ[２．２．２]オクチレン、ピペリジン−１,４−ジイル、ナフタレン−２,６−ジイル、デカハイドロナフタレン−３,６−ジイル、又は１,２,３,４−テトラハイドロナフタレン−２,６−ジイルもまた独立であり，
この式において（ａ）及び（ｂ）はＦ原子による一置換体又は二置換体であることができ；
Ｚ１及びＺ２は、互いに独立して、かつＺ１が多数回存在する場合にも互いに独立なそれぞれ互いに独立で、かつＺ１が多数回生ずる場合にも互いに独立して、それぞれ-CO-O-、-O-CO-、-CO-CH2-、-CH2-CO-、-CH2O-、-OCH2-、-CH2CH2-、-CH=CH-、-C≡C-であるか又は単結合であり、
又はＺ１及びＺ２基の１つは、
-(CH2)4-、-(CH2)3CO-、-(CH2)2-O-CO-、-(CH2)2-(CO-O)-、CH=CH-CH2CH2-、-CH2-CH2-CH=CH-又はCH2-CH=CH-CH2-であり、
ＲはＨ、それぞれ１又は２から１５の炭素原子を有するアルキル又はアルケニルであり、それらは未置換であるか、ＣＮ又はＣＦ３により一置換されているか、又はハロゲン、特にＦ又はＣｌで一置換又は多置換され、さらにこれらの基の１個又は多数のＣＨ２基が互いに独立して、-O-、-S-、
【化１１】
、-CO-、-CO-O-、-O-CO-又は-O-CO-O-により２つのＯ原子が直接互いに結合されない条件で交換でき、Ｒは又はＣＮ、Ｆ、Ｃｌ又はＣＯＯＲ’、適当であればＯＨであり、
Ｒ’はＨ又はＲであり、（ここでＣＮ、Ｆ又はＣＯＯＲ’は除く）
ｎは０、１又は２であり、
ｍは０又は１であり、
ｏは１、２又は３であり、
ｎ＋ｍ＋ｏは２、３又は４であり；
Ｘ及びＹはそれぞれ互いに独立して、かつＸ及び／又はＹが多数回存在する場合にも、これらの化合物もまた独立して、Ｆ、Ｃｌ、ＣＯＯＲ’、ＮＯ２又はＣＮであり、ここで、ＸはＦであることが好ましくかつＹはＣＮであることが好ましく；
ｐ及びｑはそれぞれ０、１、２又は３であり、
ｐ＋ｑは１、２、３，４、５、６、７又は８であり、
ｑは０又は１であり、かつｑ＝０の場合、
ｐは３、４、５、６、７又は８であり、
ｑ＝１の場合、
ｐは１、２、３，４、５、６又は７であり、
かつＸはＦであることが好ましくかつＹはＣＮであることが好ましい、
で示される化合物が使用される。
【００１４】
式Ｉａにおいて、
【化１２】
この式において、Ｘｐ１、Ｘｐ２、Ｙｑ１及びＹｑ２は式Ｉａで上記に定義された通りである。
【００１５】
式Ｉｂでは、
【化１３】
この式において、
ＸはＦ、Ｃｌ又はＣＯＯＲ’、好ましくはＦであり、
ＹはＣＮ、又はＮＯ２、好ましくはＣＮであり、
ｐ及びｑはそれぞれ０、１、２又は３であり、かつ
ｐ＋ｑは２又は３であり、Ｒ＝ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、ＯＨ又はＣＯＯＲ’の場合には、それに代わり１である。
【００１６】
式Ｉｂにおいて、
【化１４】
この式において、Ｘｐ及びＹｑは式Ｉｂで定義された通りである。
Ｘは好ましくはＦであり、Ｙは好ましくはＣＮである。
【００１７】
特に好ましくは付属式Ｉａ−１からＩａ−６の化合物；
【化１５】
であり、
この式において，
Ｒ、Ａ１、Ａ２、Ｚ１、Ｚ２、ｎ、ｍ、Ｘ及びＹは式Ｉａで上記に定義された通りである。Ｙは好ましくはＣＮであり、Ｘは好ましくはＦであり、ｎは好ましくは０であり、かつＲは好ましくはＣＮ、Ｆ又はＯＨである。
【００１８】
特に好ましくは付属式Ｉｂ−１からＩｂ−５の化合物；
【化１６】
であり、
この式において、Ｒ、Ａ１、Ｚ１、ｎ、Ｘ及びＹは式Ｉｂで上記に定義された通りである。Ｙは好ましくはＣＮであり、Ｘは好ましくはＦである。
【００１９】
特に好ましくは付属式Ｉａ−３ａ、Ｉａ−４ａ、Ｉａ−５ａ及びＩａ−６ａの化合物；
【化１７】
であり、
この式において、Ｒ、Ａ２及びｍは式Ｉで上記に定義された通りである。
【００２０】
付属式Ｉａ−３ａ、Ｉａ−４ａ、Ｉａ−５ａ及びＩａ−６ａでは、
【化１８】
【００２１】
特に好ましくは付属式Ｉｂ−１ａ、Ｉｂ−２ａ及びＩｂ−２ｂの化合物；
【化１９】
であり、
この式において、Ｒは一般式Ｉで上記に定義された通りである。
【００２２】
付属式Ｉｂ−１ａ、Ｉｂ−２ａ及びＩｂ−２ｂでは、
【化２０】
【００２３】
格別に好ましくは付属式ＩＡ−１−１の化合物：
【化２１】
であり、
この式において、ＲはＣＮ、Ｆ、Ｃｌ又はＯＨであり、Ｆであることが好ましい。
【００２４】
さらに格別に好ましくは付属式Ｉｂ−１ａ１、Ｉｂ−２ａ１及びＩｂ−３ａ１の化合物；
【化２２】
であり、この式において、Ｒは一般式Ｉで上記に定義された通りである。式Ｉｂ−１ａ１の化合物の場合、Ｒは１から７の炭素原子を有するアルキル又はアルケニルであることが好ましく、エチル、プロピル、ブチル又はペンチルであることが格別に好ましい。式Ｉｂ−２ａ１の化合物の場合、Ｒは１から７の炭素原子を有するアルキル又はアルコキシであることが好ましく、メトキシ、エトキシ、プロポキシ又はブトキシであることが極めて好ましい。
【００２５】
上述のフェノール化合物を有する液晶混合物のほか、本願は、それらがなお未知である限りこれらの化合物自体にも関するものである。これらの液晶混合物は液晶表示体、特にＳＴＮ及びＩＰＳ表示体に使用するのに特に適当である。
【００２６】
ＳＴＮ表示体用液晶混合物及び特にこのような表示体用に好適な液晶混合物の概念はＥＰ ０ ３９４ ４１７に記載されており、かつＡＭＤ、表示体の概念はＥＰ ０ ３９４ ４１９に記載されている。
【００２７】
本願によるＴＮ表示体用液晶混合物は末端シアノ置換化合物を誘電的に正の化合物として有することが好ましい。それらは式II；
【化２３】
の化合物を有することが極めて好ましく、
この式において、Ａ３が多数回存在する場合には、これらＡ３は互いに独立して、
ａ）１,４−シクロヘキシレン又はトランス−１,４シクロヘキセニレン、式においてさらに、１個又は多数の非−隣接ＣＨ２基がＯ及び／又はＳで交換でき、
ｂ）１,４−フェニレン、その中でさらに、１個又は２個のＣＨ２基がＮで交換でき、
ｃ）１,４−ビシクロ[２．２．２]オクチレン、ピペリジン−１,４−ジイル、ナフタレン−２,６−ジイル、デカハイドロナフタレン−３,６−ジイル、又は１,２,３,４−テトラハイドロナフタレン−２,６−ジイルであり、
この一般式において（ａ）及び（ｂ）はＦ原子による一置換体又は二置換であることができ、
Ｚ３は、Ｚ３が多数存在する場合には、これらＺ３は互いに独立して、-CO-O-、-O-CO-、-CO-CH2-、-CH2-CO-、-CH2O-、-OCH2-、-CH2CH2-、-CH=CH-、-C≡C-であるか又は単結合であり、
Ｒ３はＨ、それぞれ１又は２から１５の炭素原子を有するアルキル又はアルケニルであり、それらは未置換であるか、ＣＮ又はＣＦ３により一置換され、又はハロゲン、特にＦ又はＣｌで一置換又は多置換され、さらにこれらの基の１個又は多数のＣＨ２基が互いに独立して、-O-、-S-、
【化２４】
、-CO-、-CO-O-、-O-CO-又は-O-CO-O-によりにより２つのＯ原子が直接互いに結合されない条件で交換でき；
ｒは１又は２であり、
Ｘ３はＨ又はＦであり、かつ
Ｙ３はＨ又はＦである。
【００２８】
混合物は式ＩＩ−１、必要であれば、ＩＩ−２；
【化２５】
この式において，Ｒ３は式ＩＩで上記に定義された通りであり、ｎ−アルキル又は１−Ｅ−アルケニルであることが好ましい。
【００２９】
好ましくは式ＩＩの誘電的に正の化合物を含む液晶混合物であり、ここでｒ＝１、Ａ３＝１、４−シクロヘキシレン、Ｘ３＝Ｈ、Ｚ３は単結合であり、Ｙ３＝Ｈであり、かつＲ＝１又は２から７の炭素原子をそれぞれ有するアルキル又はアルケニルである。特に、液晶混合物は少なくともそれらの誘電的に正の成分に関するこれらの化合物に基づいている。特に、これはＴＮ表示体用及びＳＴＮ表示体用混合物にも適用される。ｒ＝１、Ａ３＝１,４−フェニレン、Ｚ３＝-ＣＯ-Ｏ-、Ｘ３＝Ｈ、Ｙ３＝Ｆであり、かつＲ＝１又は２から７の炭素原子をそれぞれ有するアルキル又はアルケニルである場合の式ＩＩの化合物も好ましい液晶混合物中に存在する。しかしながら、式ＩＩ−２の化合物濃度は一般に式ＩＩ−１の化合物の濃度より著しく低い。好ましい液晶混合物のしきい値電圧は好ましくはＴＮセルで、好ましくは１．５Ｖから４．０Ｖ、特に好ましくは１．８Ｖから３．５Ｖ、特別に好ましくは２．０Ｖから３．０Ｖの範囲である。
【００３０】
液晶混合物及びＳＴＮ及びＡＭＤ表示体の液晶混合物の概念について、上述の２つの特許出願を引用することにより、これらが本出願に組込まれる。
【００３１】
ＴＮ及びＳＴＮ表示体についての、本願による特に好ましい液晶混合物は例えば、ベンゾニトリル及びシアノ基に対してオルト位にフッ素により一置換又は二置換されるベンゾニトリルなどの末端シアノ置換化合物を有する混合物である。
【００３２】
本願によるＳＴＮ表示体用液晶混合物も末端フッ化化合物及び／又は末端フッ素含有置換基を持つ化合物を含む。
本願によるＳＴＮ表示体用液晶混合物は、特に好ましくはアルケニル側鎖を有する化合物を含む。これらの化合物は誘電的に正でかつアルケニル側鎖を有するか又は誘電的中性のいずれかである。後者において、その化合物は、一つ又は二つのアルケニル側鎖を有することができる。
【００３３】
ＡＭＤ表示体用液晶混合物では、好ましくは本願において末端フッ化化合物及び末端フッ素含有置換基を有する化合物又はそのいずれかである。これらの混合物は約１％、特に約５％、格別には約１％のシアノ置換化合物を含んでいることが好ましい。特に、式Ｉ及びその付属式のそれらは別として、これらの混合物は非シアノ置換化合物を任意に含む。
【００３４】
本発明による化合物又は本発明により使用された化合物は、ＩＰＳ表示体用混合物に使用するのが特に好ましい。このようなＩＰＳ表示体に対しては、好ましくは本願においてＡＭＤ表示体用混合物のような末端フッ化化合物を含有する液晶混合物が挙げられる。しかしながら、ＩＰＳ表示体用混合物は、付加的に末端シアノ置換化合物を含んでいる。これらの末端シアノ置換化合物濃度は広い限界範囲内で変化する。
【００３５】
特に、ＡＭＤ表示体用混合物の場合におけるように低い上限値には制限されない。典型的には、１から５０％のシアノ置換化合物が使用される。好ましくは５から３５％、特に好ましくは７から２５％のシアノ置換化合物を含有する混合物である。
【００３６】
ＩＰＳ表示体用液晶混合物及びこれらの液晶表示体用の混合物の概念は、
ＧＢ ２３ １０ ６６９、ＥＰ ０ ８０７ １５３、ＤＥ １９５２８１０４、ＤＥ １９５２８１０７、ＥＰ ０ ７６８ ３５９、ＤＥ １９ ６１１ ０９６及びＤＥ １９ ６２５ １００に記載されている。ＩＰＳ表示体用液晶混合物及びそれらの混合物の概念については、これら７件の特許出願を引用することにより、これらは本明細書に組込まれる。
【００３７】
ＴＮ、ＳＴＮ、ＡＭＤ及びＩＰＳ表示体の構造は公知のものであるか又は公知のルールに従うものである。ここでは、ＴＮ、ＳＴＮ、ＡＭＤ及びＩＰＳという用語は本明細書では広い意味で引用され、かつそれらの典型的な変形をも網羅している。
【００３８】
ＳＴＮ表示体の構造は、ＥＰ ０ ０９８ ０７０、ＥＰ ０ １３１ ２１６，及びＥＰ ０ ２６０ ４５０、中でもＩＰＳの表示装置の構造は、ＵＳ５、５７６、８６７及びＥＰ ０５８８ ５６８に記載されている。ＳＴＮ及びＩＰＳ表示体の構造に関しては、上述の５件の特許出願を引用することにより、ここに組込まれる。
【００３９】
スキーム１
【化２６】
Ｒ、Ａ１、Ｚ１、Ａ２、Ｚ２、ｎ及びｍは式Ｉで上記に定義された通りである。
【００４０】
本発明による化合物は液晶混合物に１ｐｐｍから典型的には５０,０００ｐｐｍ、好ましくは１０ｐｐｍから１０,０００ｐｐｍ、特に好ましくは５０ｐｐｍから５,０００ｐｐｍ（重量比による）の濃度で加えられる。
【００４１】
物理的特性は特にそれ以外の記載がない限り、「液晶の物理的特性」（「Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｐｒｏｐｅｒｔｙ ｏｆ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ」），Ｍｅｒｃｋ ＫＧａＡ、Ｅｄ．Ｗ．Ｂｅｃｋｅｒ、１９９７年１１月に記載されているように決定される。
【００４２】
液晶混合物それ自体の比抵抗（略称ＳＲ）は「アクテイブマトリクス表示体用液晶」（「Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ ｆｏｒ ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ ｄｉｓｐｌａｙｓ」），Ｇ．Ｗｅｂｅｒ等，Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ，１９８９年，第５編，第５巻，１３８１〜１３８８ページに従い、ステンレス鋼製測定セル中の１ｍｌを使用して決定される。
【００４３】
液晶混合物の比抵抗はガラス製試験セル(ＳＲＺ)中でもさらに決定される。液晶表示体セルのようなこれらの試験セルは、互いに平行に互いに一定距離離して結合した２枚のガラス板から構成される。セルはＭｅｒｃｋ ＫＧａＡ社の試験セル製造装置で作製されている。それらのセルは配向膜のないインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）電極付の無アルカリガラスから構成される。層厚は２０μｍである。
セルには反対側に２つの充填開口を設けられる。電極は円形で、それぞれが１ｃｍ２の面積を有している。電磁輻射除去のため、セルにリング形状の保護電極を設ける。（ＳＲ）などの比抵抗のように、試験セルの液晶混合物の比抵抗（ＳＲＺ）は感度エレクトロメータ（ケースレー（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ)社製６５１７高抵抗装置）を使用して測定する。（ＳＲ）などの比抵抗の測定時には、ケースレー６１７を使用する。乾燥セルの充填や抵抗値の測定はすべてエアーロックで接続されたグローブボックス装置の中で行われる。乾燥窒素の流れを継続的にこれらのグローブボックスから通過させる。セルを収容するボックス内部の相対大気湿度は、特にセルの充填中及び測定中は１０％以下でなければならない。
抵抗値はアルミニウムハウジング内で測定されるが、ハウジング内で試験セルを加熱媒体としての水を有する２つの黄銅ブロックにより２０℃に保持する。
漏出磁場からの遮蔽のため、測定セルの防護リングをアルミニウムハウジングと共に接地する。
【００４４】
防護リングの接地は、測定系統の各々に対しては別々にかつアルミニウムハウジングの接地と共に、接地ループを形成しない方法で実施する。
放電状態のセル容量は充填前に別途測定する。それは代表的にはεempty=４５ｐＦである。
【００４５】
抵抗値を測定するため，電流を２０Ｖの直流定電圧で測定する。これが終了するまで、試験セルを次のように扱わなければならない。２０秒間待った後、交互の極性の４回の２０Ｖパルスを印可する。４回のパルスはすべてパルス幅２０秒でありかつ互いに０Ｖの２０秒間隔で分離される。４回のパルスの最後には０Ｖの１８０秒間隔が続きその後、最初のパルスの極性で２０Ｖを１８０秒間再び印可する。この最終パルスの終点で、１０回の測定読みが５秒以内に得られる：これらの読みは平均抵抗値を与える。
【００４６】
加熱は３個のグローブボックスの別のボックスで行う。加熱後、典型的には１２０℃で１時間、セルを冷却させその後、グローブボックス内に温度維持セル保持器と共に移す。
【００４７】
仕上げられた液晶混合物の、その結果得られた比抵抗（ＳＲ）値は該当面積及び仕様によって、１０９Ωｃｍから１０１２Ωｃｍの範囲にある。ＴＮ及びＳＴＮ表示体用液晶混合物は１０１０Ωｃｍから１０１３Ωｃｍ、特別には５・１０１０Ωｃｍから２・１０１１Ωｃｍの比抵抗値を有することが好ましく、かつ
ＩＰＳ表示体用液晶混合物は５・１０１１Ωｃｍから８・１０１Ωｃｍ、好ましくは１０１２Ωｃｍから３・１０１２Ωｃｍの比抵抗値を有する。
【００４８】
１０から１０００ｐｐｍの範囲のドーパントの濃度が使用されることが特に好ましくかつ５・１０１１Ωｃｍから１・１０１３Ωｃｍのセル（ＳＲＺ）の比抵抗が得られる。相対的に小さなドーパント濃度が好ましい。
【００４９】
上記に与えられたかつ本願における以下の物理的特性は明確に述べられていない限り２０℃の温度に対して与えられる。
【００５０】
「電圧保持率」（ＶＨＲ又はＨＲ）は「液晶の物理的特性」、ＶＩＩＩ、電圧保持率（「Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｐｒｏｐｅｒｔｙ ｏｆ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ」，ＶＩＩＩ，Ｖｏｌｔａｇｅ Ｈｏｌｄｉｎｇ Ｒａｔｉｏ）、Ｍｅｒｃｋ ＫＧａＡ、Ｅｄ．Ｗ．Ｂｅｃｋｅｒ、１９９７年１１月に記載されているように測定される。約５μmの層厚及び１ｃｍ２の電極面積を有する試験セルが使用された。電圧保持率はアントニック−メルカー（Ａｎｔｏｎｉｃ−ＭｃＬｃｈｅｒ）、ドイツによる市場で入手可能な計測を使用して測定された。測定電圧は１Ｖであった。
【００５１】
電気光学特性、特にしきい値及び急峻性値はＭｅｒｃｋ ＫＧａＡで作製された試験セルで測定された。しきい値電圧Ｖｔｈ又はＶ１０は相対コントラストの１０％の変化、即ち、完全飽和状態のアドレスセルと非アドレスセル間に対して決定された。この急峻性はＶ９０／Ｖ１０として決定された。
【００５２】
９０℃のツイスト角度を有するセルが使用された。セルは通常ホワイトモードで作動された。液晶混合物はカイラルドーパントをドープしていなかった。セルの層厚は光学的リターデーションが０．５０μmになるように選択された。
使用された計測器は市場で入手可能なオーツカ、日本の計器及びＭｅｒｃｋ ＫＧａＡによる適合計測器であった。
【００５３】
本願は酸性メソゲン形成性化合物により、好ましくは適切に置換されたフェノールにより液晶混合物のある一定の比抵抗を達成又は調整する方法に関する。
本願は液晶混合物の抵抗値を酸性の、メソゲン形成性の又は液晶状の化合物を使用して望ましい値に調整する方法に関する。特に好ましくは十分高いｐＫａ値を有する酸性化合物が挙げられる。ｐＫａの最小値は液晶混合物の抵抗値及び極性（特に、誘電異方性）に依存する。例えば１０１０Ωｃｍから１０１１Ωｃｍの低抵抗値を有する液晶混合物の場合、より大きな抵抗値を有する液晶混合物の場合よりも、より大きなｐＫａ値を有する酸性化合物を使用することが必要である。
【００５４】
使用される化合物（好ましくはフェノール化合物）のｐＫａ値は少なくとも実施例２ｃ（物質例５）による化合物ＣＣＵ−３−ＣＮ．ＯＨ−ＦのｐＫａ値と同じ位大きくなければならない（例１０参照）。使用される化合物のｐＫａ値は、ＣＣＵ−３−ＣＮ．ＯＨ−ＦのｐＫａ値より大きいことが好ましい。
好ましく使用されるべき化合物は、ＯＨ置換リングに３つ以上のフッ素置換基を、又はビフェニル化合物の場合、各リングに２つ以上のフッ素置換基を有する。
【００５５】
化合物は、特に好ましくはそれらがＯＨ置換ビフェニル系を含有する限り７、８又は９個のフッ素置換基を有する。化合物は、特に好ましくは１個のＣＮ及び少なくとも１個のＦ置換基をＯＨ置換ベンゼン環に含んでいる。ＣＮ基はＯＨに対してオルト位又はパラ位、特に好ましくはオルト位にある。
【００５６】
蒸気圧が過剰に高くなる可能性のない化合物をどこでも使用することがさらに必要である。好ましくは蒸気圧が通常使用される液晶化合物の蒸気圧より高くない化合物、例えば、
【化２７】
である。
【００５７】
特に好ましくはその蒸気圧が、
【化２８】
の蒸気圧より高くない化合物である。
【００５８】
特に好ましくは酸性フェノール、特に本願の式Ｉ及びその付属式の化合物である。
本発明によれば、偏光子、電極基板及び電極、その表面が隣接する液晶分子の好ましい配向（デイレクタ）が通常、一方の電極から他方の電極まで約９０°の（特に、８０°から１１０°の）値又は１６０°から７２０°の値でねじられるように処理が施された電極からなる、液晶表示体部品の構造はこの種類の表示体部品の通常の設計に対応するものである。通常設計用語は本明細書では広く引用されかつＴＮ及びＳＴＮセル、特にマトリクス表示体部品及び補足的に磁石を含む表示体部品のすべての派生物及び変形例をも網羅している。
【００５９】
２枚の外側プレートでの表面チルト角は同一でも又は異なるものであってもよい。同一チルト角が好ましい。好ましいＴＮ表示体は外側プレート表面での分子の長軸と外側プレート間が０°から７°、好ましくは０．０１°から５°、特に０．１°から２°のチルト角を有する。ＳＴＮ表示体では、チルト角は１°から３０°、好ましくは１°から１２°、特に３°から８°である。
【００６０】
セル中のＴＮ混合物のねじれ角は２２．５°から１７０°、好ましくは４５°から１３０°、特に８０°から１１５°の値を有する。表示体では、配向膜から配向膜のＳＴＮ混合物のねじれ角は１００°から６００°、好ましくは１７０°から２７０°、特に１８０°から２５０°の値を有する。
本願のＩＰＳ表示体はねじれのないスタート状態を有しかつ基板に対して平行な電場成分により基板に対して垂直軸にねじられる。チルト角は０°から又は僅か０°以上（例えば、０．０１°）１５°、特に０．２°から６°の範囲であることが好ましい。
【００６１】
本発明に従って使用される液晶混合物はそれ自体通常の方法で作成される。一般に、微量で使用される所望量の成分を主要成分を構成する成分に昇温させて適宜に溶解させる。成分溶液を有機溶剤、例えばアセトン、クロロフォルム又はメタノールに混合し、混合後、溶剤を例えば蒸留により再び除去することも可能である。液晶混合物は当業者にとって公知のかつ文献に記載されている別の添加物を含有することがもきる。例えば、０から１５％の多色性染料を加えることができる。
【００６２】
下記例により本発明を説明するが、これは本発明を限定するものではない。
次の略号を使用する：
Ｔ（Ｓ，Ｎ） スメクチック−ネマチック相転移温度
Ｔ（Ｎ，Ｉ） ネマチック−アイソトロピック相転移温度
ｃｌ．ｐ． クリアリングポイント
ｔｏｎ スイッチオンから最大コントラストの９０％に達する
までの時間
ｔｏｆｆ スイッチオフから最大コントラストの１０％に達するま
での時間
Ｖ９０／Ｖ１０ 急峻性
ｔａｖｅ （ｔｏｎ＋ｔｏｆｆ）／２（平均応答時間）
Δ ε 誘電異方性
Δｎ 光学異方性
ＳＲ バルクの比抵抗
ＳＲＺ 試験セルの比抵抗
【００６３】
本明細書中、特に特定されない限り、すべての温度は℃で示され、百分率は重量パーセントであり、かつ物性値は２０℃での値である。本願及び以下の実施例において、液晶成分の構造は略号で表示し、式への変換は以下の表Ａ及びＢによって行われる。すべてのＣｎＨ２ｎ+１及びＣｍＨ２ｍ＋１基はｎ又はｍ個の炭素原子をそれぞれ有する直鎖アルキル基である。アルケニル基はトランス−構造を有する。表Ｂのコードは自明である。表Ａには、親構造の頭字語のみを示す。それぞれの場合、親構造の頭字語の次に、ハイフンで分離された置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｌ１、Ｌ２及びＬ３のコードが続く。
【化２９】
【００６４】
ＴＮ、ＳＴＮ及びＩＰＳ表示体は
表Ａ及びＢの１つ又は多数の化合物から構成された液晶混合物を含有することが好ましい。
【００６５】
表Ａ：（Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３：Ｈ又はＦ）
【表１】
【００６６】
【表２】
【００６７】
表Ｂ：
【表３】
【００６８】
【表４】
【００６９】
以下の実施例は本発明を、制限を表わすことなく説明しようとするものである。本明細書中、百分率は重量パーセントで示す。ｍ．ｐ．は融点、ｃｌ．ｐ．＝クリアリングポイントを示し、すべて温度は摂氏℃で示す。さらに、Ｃ＝結晶状態、Ｎ＝ネマチック相、Ｓ＝スメクチック相、及びＩ＝アイソトロピック相である。これらの記号間のデータは転移温度である。Δｎは光学異方性（５８９ｎｍ、２０℃）を示し、Δεは誘電異方性（１ｋＨｚ、２０℃）を示す。
【実施例】
【００７０】
例１（物質実施例）
化合物１
４．１ｇの２、６−ジフルオロ−４−（４−ｎ−プロピル−トランス−シクロヘキシル）ベンゾニトリル
【化３０】
を１５０ｍｌのＴＨＦに溶解し、その溶液を２５０ｍｌの４ネックフラスコに入れた。１．７５ｇのカリウム第３−ブトオキシドを３０ｍｌのＴＨＦに溶解し、その溶液をゆっくりと滴下し温度が３０℃を超えないような速さで攪拌しながら加えた。赤みをおびた反応混合物を１２時間攪拌し，その後、約４０ｍｌの濃縮ＨＣｌを使用して加水分解し，その結果、混合物は黄色に変色した。加水分解中、温度が３０℃を超えないことを確認した。混合物を３回５０ｍｌのメチル第３ブチルエーテル（ＭＴＢ）を用いてそれぞれの場合に抽出した。その後、有機相を５０ｍｌの水で２回洗浄し、乾燥し、蒸発させ、残渣をクロマトグラフィによりシリカゲル上でＭＴＢ／ヘキサン（１：１）中でフリットを介して精製した。その後、分留分を蒸散させ、その固形分2.5ｇを得、それをｎ−ヘプタンから再結晶し、１．７ｇの化合物２−シアノ−３−フルオロ−５−（４−ｎ−フェニル−トランス−シクロヘキシル）フェノール
【００７１】
【化３１】
、ＰＣＨ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨと略称される、を得た。
融点は１３８．６℃であった。
【００７２】
次の化合物を同様に作成した：
化合物２から７
【化３２】
【００７３】
例２（物質実施例２）
化合物番号８；
【化３３】
を例１の化合物１と同様に相当するスタート化合物使用して、次のスキームにより調製した。
【００７４】
スキーム２
【化３４】
Ｒ、Ａ１、Ｚ１、Ａ２、Ｚ２、ｍ及びｎは式Ｉ下上記に定義された通りである。
【００７５】
例２ａ（物質実施例３）
化合物番号９；
【化３５】
を作成した。
物性は次の通り：
相シーケンス Ｃ ７１℃ Ｎ ８３．４℃ Ｉ
【００７６】
例２ｂ（物質実施例４）
化合物番号１０；
【化３６】
を調製した。
Ｃ １１２℃ Ｉ
【００７７】
例２ｃ（物質実施例５）
化合物番号１１（ＣＣＰ−３−ＣＮ．ＯＨ−Ｆ．Ｆ．Ｆと略称）；
【化３７】
を調製した。
Ｃ ２２９℃ Ｉ
【００７８】
例２ｄ（物質実施例６）
化合物；
【化３８】
を調製した。
Ｋ ９４℃ Ｉ
【００７９】
例２ｅ（物質実施例７）
化合物；
【化３９】
を調製した。
Ｃ １４６℃ Ｉ
【００８０】
例３（使用実施例１）
例１による１０００ｐｐｍ又は１０，０００ｐｐｍ（重量による）の化合物ＰＬＨ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨを液晶混合物Ａ−０に加えた。
液晶混合物Ａ−０の組成及び物理的特性を以下の表（表１）に示す。本願のすべての濃度データのような個々の化合物の濃度データは明確に述べられていない限り重量による。
【００８１】
表１：混合物Ａ−０
組成
【表５】
物性
T(N,I)＝96℃
Δn(589nm)＝0.108
Δε(1kHz)＝3.1
V10＝2.8V
【００８２】
混合物Ａ−０、Ａ−１０００、Ａ−１０，０００の比抵抗を測定した。結果を下表（表２）に示す：
表２： ＰＣＮ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨを含有する液晶混合物Ａの比抵抗
【表６】
【００８３】
例４（使用実施例２）
例１による１０００ｐｐｍ（重量による）の化合物ＰＣＨ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨを実施例３の液晶混合物Ａ−０に加え，その結果得られた液晶混合物Ａ−１０００を２つの部分に分割し、その１つをミリポアフィルター（テフロン４０μm）で濾過した（Ａ−１０００Ｆ）。
【００８４】
このようにして得られた３種類の化合物Ａ−０、Ａ−１０００，Ａ−１０，０００及び実施例３の化合物Ａ−１０，０００の特性を別の試験セルで測定した。これらの試験セルはＭｅｒｃｋ ＫＧａＡ社の試験セル製造装置で作製されたものである。試験セルは６．０μmの層厚であった。
５つの異なる配向膜を有する試験セルを使用した。
【００８５】
これらの配向膜を下記表（表３）に示す。
表３：使用した配向膜の要約
【表７】
【００８６】
５つの異なる配向膜を有する試験セルの３種類の混合物の特性を以下の表（表４）に示す。与えらた値すべては全応用例におけるように、特に述べられていない限り少なくとも２つの個々の測定値の平均値である。
表４：異なる配向膜を有するＰＣＮ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨを含有する混合物Ａの物性
【表８】
【００８７】
例５（使用実施例３）
液晶混合物Ｂ−０を作成し、４つの部分に分割した。実施例１の化合物ＰＣＨ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨを３分割分に１００ｐｐｍ、１０００ｐｐｍ及び１０、０００ｐｐｍの濃度で加えた。
異なる濃度Ｂ−１００、Ｂ−１０００及びＢ−１０，０００の、その結果得られた３種類の混合物及びＰＣＨ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨを含有しない源混合物Ｂ−０をそれらの物理的特性に関して、特にそれらの比抵抗に関して調べた。その結果を下記表（表６）に示す。
液晶混合物Ｂ−０は下記表（表５）に示した組成及び物性を有する。
【００８８】
表５：混合物Ｂ−０
組成
【表９】
物性
T(N,I)＝72℃
Δn(589nm)＝0.075
Δε(1kHz)＝10.2
V0(フレデリック No.)＝1.0V
【００８９】
混合物Ｂ−０からＢ−１０，０００迄の比抵抗値を下記表（表６）に示す。
表６：ＰＣＮ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨを含有する混合物Ｂの比抵抗
【表１０】
【００９０】
例６（使用実施例４）
例５におけるように、化合物ＰＣＨ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨを使用したが、ここでは液晶混合物Ｃ−０から開始した。混合物の組成及び物性を下記表（表７）に示す。
表７：混合物Ｃ−０
組成
【表１１】
物性
T(N,I)＝67.5℃
Δn(589nm)＝0.085
Δε(1kHz)＝7.5
回転粘度＝74mPa・s
V0(フレデリック No.)＝1.2V
【００９１】
混合物の比抵抗値を下記表（表８）に示す。
表８：混合物Ｃの比抵抗
【表１２】
【００９２】
例７（使用実施例５）
例５で使用された液晶混合物Ｂ−０を化合物
【化４０】
（略称ＢＦ９−ＯＨ）と混合した。この物質の融点（結晶相からアイソトロピック相への転移）は１２０℃である。１０、１００又は１０００ｐｐｍの物質ＢＦ９−ＯＨをスタート混合物Ｂ−０の３つのサンプルに加え、その結果得られたＢＢ−１０、ＢＢ−１００及びＢＢ−１０００の比抵抗をスタート混合物Ｂ−０の比抵抗と比較した。２０℃での試験セルの比抵抗値に加えて、１２０℃で１時間加熱後の２０℃での試験セルの比抵抗値の測定した。
【００９３】
表９：ＢＦ９−ＯＨを含有する混合物Ｂの比抵抗
【表１３】
【００９４】
例８（使用実施例６）
例５におけるように、ＰＣＨ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨを使用した。これを液晶混合物Ｄ−０において調べ、その組成及び特性を下記表１０に示す。
表１０：混合物Ｄ−０の組成
組成
【表１４】
物性
T(N,I)＝70.0℃
Δn(589nm)＝0.0.076
Δε(1kHz)＝10.1
【００９５】
例７におけるように、混合物の比抵抗値を試験セルで測定した。その結果を下記表１１に示す。
表１１：試験セルにＰＣＨ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨを含有する混合物Ｄの比抵抗
【表１５】
【００９６】
例９（使用実施例７）
例８におけるように、液晶混合物Ｄを使用したが、ここではＢＦ９−ＯＨを、例２におけるように加えた。試験セルにおける比抵抗の結果を下記表１２に示す。
表１２：ＢＦ９−ＯＨを含有する混合物Ｄの比抵抗
【表１６】
【００９７】
例１０（使用実施例８）
例８におけるように、液晶混合物Ｄ−０を使用したが、例２ｃ（物質実施例５）の化合物番号１１
【化４１】
ＣＣＰ−３−ＣＮ．ＯＨ．Ｆ．Ｆ．Ｆと略称、をここでは使用した。試験セルにおける比抵抗値の結果を下記表１３に示す。
【００９８】
表１３：ＣＣＵ−３−ＣＮ．ＯＨ−Ｆを含有する混合物Ｄの比抵抗
【表１７】
化合物ＣＣＵ−３−ＣＮ．ＯＨ−Ｇの酸度は使用される値の範囲で明らかであり、いくつかの応用に十分である。
【００９９】
比較例１
それぞれの場合で、各種源状態及び前処理の４−シクロ−４’−ハイドロオキシビフェニルの１０００ｐｐｍ、
【化４２】
、ＯＣＢと略称、を実施例３の液晶混合物Ａ−０に加えた。対応する混合物を分割し、それぞれの場合において、一部を実施例４で説明したように濾過しかつある場合では、繰返し濾過した。下記表（表１４）は抵抗測定の結果を示す。
【０１００】
表１４：ＯＣＢを含有する混合物Ａの抵抗
【表１８】
【０１０１】
表１４に見られるように、化合物ＯＣＢは液晶混合物の抵抗を低減するのに適当であるが、しかしながら、結果には再現性がない。まず、結果はＯＣＢの源状態及び前プロセス（例えば、精製方法）に依存し、次に、混合物が標準作業，例えば濾過、処理を受けると、結果は著しく変化する。
【０１０２】
比較例２
２,６−ビス−第３−ブチル−４−（４−ｎ−プロピルトランス−シクロヘキシル）フェノール
【化４３】
、ＴＢＣＰと略称、の種々の量を液晶混合物Ｅ−０に加えた。
混合物Ｅ−０は下記（表１５）に示した組成を有し、かつそこに記載されている特性を有する。
【０１０３】
表１５：混合物Ｅ−０
組成
【表１９】
物性
T(N,5)＝92℃
Δn(589nm)＝0.097
Δε(1kHz)＝5.2
V10＝2.0V
【０１０４】
各種濃度を有する混合物に対して、電圧保持率が例４におけるように測定された。配向膜はここではＰＩ−１（日本合成ゴムの１０５１）であった。結果を下記表（表１６）に示す。
表１６：ＴＢＣＰを含有する混合物Ｅの電圧保持率
【表２０】
表１１の結果に見られるように、化合物ＴＢＣＰは液晶混合物の比抵抗又は電圧保持率を低減させるのに適当ではない。これは多分その低いｐｋａ値、即ち、その低い酸性度による。
【０１０５】
比較例３
下記表（表１７）に示した比抵抗値を与える化合物４−シアノ−３−フルオロフェノール
【化４４】
、ＣＦＰと略称、の種々の量を例３の液晶混合物Ａに溶解させ、
【０１０６】
表１７：ＣＦＰを含有する混合物Ａの比抵抗
【表２１】
表１２の結果から見られるように、比較的高いｐｋａ値を有する化合物ＣＦＰは液晶混合物の比抵抗を低減させるのに使用される。その後、電圧保持比をＰＩ−１を含有する液晶セルで測定した。結果を表１８に示す。
【０１０７】
表１８：ＣＦＰを含有する混合物Ａの電圧保持率
【表２２】
特に、低ＣＦＰ濃度で少しでもあるとしても精々小さな効果であるということが解る。さらに、種々の時間を置いて，窒素ガス中で容器を開放した状態で種々の時間を置いて、かつ真空セル充填装置で種々の時間を置いてサンプルを調べた。ＣＦＰを含有する混合物の抵抗値は特に窒素中で容器を開放した状態で増大し、特に真空セル充填装置で増大しかつ電圧保持率も同様に増大するということが解った。この挙動は多分化合物ＣＦＰの高蒸気圧によるものである。これはセルを実用的には不適当にし、表１２に示すように、ある場合には、液晶混合物の抵抗について望ましい効果を持たせる。
【０１０８】
比較例４
比較例３と同様に化合物４−エトキシ−３−シアノ−２−フルオロフェノール、
【化４５】
、ＥＣＦＰと略称、を液晶混合物Ａ−０で調べた。非常に類似した結果が得られた。ＣＦＰと同様に，ＥＣＦＰでも比抵抗の著しい低下を生じ，これは明らかに使用した濃度に依存している。効果はＣＦＰの場合におけるよりもＥＣＦＰの場合の方が幾分大きい。しかしながら、過剰蒸気圧の問題もＥＣＦＰでは生ずるが、ＣＦＰの場合より幾分その程度は小さい。従って、ＣＦＰと同様にＥＣＦＰは実用的応用には特別には適当ではない。
【０１０９】
比較例５
例１における化合物ＰＣＨ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨと同様の方法で作成した化合物２−シアノ−４−（４−ｎ−プロピル−トランス−シクロヘキシル）フェノール、
【化４６】
ＰＣＨ−３Ｎ．ＯＨと略称、の融点は１４５．４℃である。
例１におけるように、ＰＣＨ−３Ｎ．ＯＨの比抵抗を混合物Ａ−０で測定した。結果を下記表１９に示す。
【０１１０】
表１９：ＰＣＨ−３Ｎ．ＯＨを含有する混合物Ａの比抵抗
【表２３】
例３（表２、混合物Ａ−１０００）と比較して、ＰＣＨ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨの１０００ｐｐｍは混合物Ａ−０の比抵抗を１．９・１０１３Ωｃｍから１．０・１０１２Ωｃｍへ低下させるのみであるのに対して、同一濃度の例１の化合物ＰＣＨ−３Ｎ．ＯＨは１．０・１０１１Ωｃｍまで低下させることが解る。ＰＣＨ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨと比較してより低い酸度のため、従ってＰＣＨ−３Ｎ．ＯＨは混合物Ａ−０などの液晶混合物の比抵抗の調整には適当でない。
【０１１１】
比較例６
例８におけるように、化合物Ｄ−０を使用した。しかしながら、今回は
【化４７】
、ＣＣＰ−３ＯＨ−Ｆ．Ｆ．Ｆと略称、を使用した。試験化合物での比抵抗値の結果を下記表２０に示す。
【０１１２】
表２０：ＣＣＰ−３ＯＨ−Ｆ．Ｆ．Ｆを含有する混合物Ｄの抵抗
【表２４】
結果から見られるように、化合物ＣＣＰ−３ＯＨ−Ｆ．Ｆ．Ｆは抵抗値の調整には適当ではない。これはその不適当なｐｋａ値によるものであると見られる。
【０１１３】
比較例７
例８におけるように、化合物Ｄ−０を使用した。しかしながら、今回は
【化４８】
、ＬＵＵ−３−ＯＨと略称、を使用した。結果を下記表２１に示す。
【０１１４】
表２１：ＬＵＵ−３−ＯＨを含有する混合物Ｄの抵抗
【表２５】
比較例６のドーパントＣＣＰ−３ＯＨ−Ｆ．Ｆ．Ｆのように、ＬＵＵ−３−ＯＨも抵抗値の調整には適当ではない。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一定の抵抗値を有する液晶混合物、及び液晶混合物の比抵抗を予め特定された値、典型的には１０９Ωｃｍから数１０１２Ωｃｍの範囲に調整する方法に関するものである。本発明は、特に末端でフッ化された化合物又は末端でフッ化された置換基を持つ化合物を含むか又はそれらからなる液晶混合物、一般的には低極性の高抵抗液晶混合物に関するものである。
【０００２】
特に、抵抗値は酸性化合物、特に好ましくはフェノールを使用して調整される。本発明はまた，新規な置換フェノールに関するものである。本発明はさらに、本発明による液晶混合物を含有する液晶表示体に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
高い比抵抗値を有する液晶混合物は、数タイプの液晶表示体に問題を引き起こす。
これらの高抵抗液晶混合物の大部分の問題は静電荷の発生である。これは例えば、偏光子又は補償フィルムの例では、表示体の生産中に保護膜の剥離工程で時々簡単に生ずる。しかしながら、静電荷帯電はこのような表示体の作動中例えば、プラスチック部品又は衣服との接触及び摩擦又はそのいずれかによっても生ずる。例えば、自動車用ラジオ表示体では、この種類の静電荷帯電は手が表示体に接触しても生ずることがある。最も簡単な場合では、この静電荷はスイッチオフ表示又は表示体の一部の望ましくないスイッチオンを生ずることがある。
【０００４】
しかしながら、頻繁に表示体に対する不可逆変化が観測される。例えば、これらは静電荷による配向膜に対する変化により引き起こされる。この現象は特にＴＮ及びＳＴＮ表示体において観測される。この種類の表示体では、液晶混合物の高い比抵抗値により、表示体がスイッチオフされた後でも、しばしば長期間にわたって表示された情報が残ってしまう。液晶混合物の比抵抗値が高いと、蓄積電荷キャリアが分散することは困難であり、いわゆる「残像」又は「ゴーストイメージ」、しばしば「ステイッキング(焼付き)効果」又は「画像ステイッキング(焼付き)効果」とも称される、)の発生を引き起こす。アクテイブマトリクスアドレシング方式（例えば、ＴＮ−ＡＭＤ又はＩＰＳ−ＡＭＤ）の表示では、アクテイブマトリクスの非線形スイッチ（例えば、ＴＦＴ）は特に、損傷又は破損さえ起こす。「画像ステイッキング(焼付き)効果」もＡＭＤ方式で生ずる。
【０００５】
この問題を解決する多数の提案が従来技術において行われてきた。例えば、液晶表示体の生産における静電荷帯電の発生を防止ようとする装置対策のほか、液晶混合物を最適化する多数の示唆がなされてきた。
これらの示唆の殆どが望ましい抵抗値を得るため各種ドーパントの使用を提案している。しかしながら、液晶混合物におけるドーパントの溶解度がこの場合問題である。さらに、例えば、クリアリングポイントの低下及び他の物理的特性の変化などの望ましくない効果がしばしば生ずる。望ましい抵抗値の設定値の再現性はおうおうにして好適でないか，又は達成可能な抵抗値の範囲は比較的狭い。
【０００６】
液晶混合物の導電率又は比抵抗を調整するため使用される化合物のさらに必須な特性はそれらの蒸気圧である。さもないと組成の変化が生じ、この場合まさに望ましくない抵抗変化を生ずるため，液晶混合物の他の成分の蒸気圧がそうでなければならないようにこの蒸気圧は高すぎてはならない。表示体製造における真空充填用装置の極めて広範な用途で特に重要なものである。生ずる変化は生ずる圧力の持続時間及び大きさによると考えられる。
【０００７】
液晶混合物におけるある一定の比抵抗値を設定するため最近使用された化合物の代表的な例はクラウンエーテルであり、ＷＯ９７−０３１６４に記載されたように使用されている。しかしながら、少量使用した場合でも、これらは抵抗値のかなりの低下をもたらす。
さらに、各種不純物を含有するクラウンエーテルの相互作用により、液晶混合物内部及び内部表示面上の両方で、即ち、本質的には配向膜で、達成された結果は使用した材料にかなり強く依存し、かつ再現性はしばしば不十分になる。このように、容易に液晶混合物に溶解しかつ多くの配向膜に対して汎用性を示す、比抵抗の再現可能な調整用物質に対する要求が存在した。
【０００８】
下記式の化合物；
【化４】
及び
【化５】
の化合物が知られている。例えば、ケミカルアブストラクト（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ）ＣＡＳ−２８９４−８７−３及びＣＡＳ−２２００−７０−６を参照されたい。
【０００９】
ＪＰ−Ａ０８−０６７ ５７７は液晶混合物の比抵抗を低下させるのにトリ（ポリオキシアルキレン）アミンを提案している。
ＪＰ−Ａ０８−３３７ ７７８はＳＴＮ表示体に使用するため過酸化物−破壊化合物を含有する液晶混合物を記載している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は予め特定された比抵抗を有する液晶混合物を提供することである。本発明の別の目的は液晶の比抵抗が再現可能に調整される物質を選択又は提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
驚くべきことに、この目的が酸性化合物、特に酸性フェノール、とりわけ一般式Ｉ；
【化６】
式中、
Ａ１及びＡ２は互いに独立して、かつＡ１が多数回生ずる場合にも互いに独立して、それぞれ
ａ）１,４−シクロヘキシレン又はトランス−１,４シクロヘキセニレンであり、式においてさらに、１個又は多数の非−隣接ＣＨ２基がＯ及び／又はＳで交換でき、
ｂ）１,４−フェニレン、その中でさらに、１個又は２個のＣＨ２基がＮで交換でき、
ｃ）１,４−ビシクロ[２．２．２]オクチレン、ピペリジン−１,４−ジイル，ナフタレン−２,６−ジイル、デカハイドロナフタレン−３,６−ジイル、又は１,２,３,４−テトラハイドロナフタレン−２,６−ジイルであり、この一般式において（ａ）及び（ｂ）はＦ原子による一置換体又は二置換体であることができ；
Ｚ１及びＺ２は、互いに独立して、かつＺ１が多数回生ずる場合にも互いに独立して、それぞれ-CO-O-、-O-CO-、-CO-CH2-、-CH2-CO-、-CH2O-、-OCH2-、-CH2CH2-、-CH=CH-、-C≡C-であるか又は単結合であり、
又はＺ１及びＺ２基の１つは、
-(CH2)4-、-(CH2)3CO-、-(CH2)2-O-CO-、-(CH2)2-(CO-O)-、CH=CH-CH2CH2-、-CH2-CH2-CH=CH-又はCH2-CH=CH-CH2-であり、
ＲはＨ、それぞれ１又は２から１５の炭素原子を有するアルキル又はアルケニルであり、それらは未置換であるか、ＣＮ又はＣＦ３により一置換されているか、又は
ハロゲン、特にF又はClで一置換されるか又は多置換され、さらにこれらのラジカルの１個又は多数のＣＨ２基が互いに独立して、
-O-、-S-、
【化７】
、-CO-、-CO-O-、-O-CO-又は-O-CO-O-により２つのＯ原子が直接互いに結合されない条件で交換でき、Ｒは又、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ又はＣＯＯＲ’、適当であればＯＨであり、
Ｒ’はＨ又はＲであり、（ここでＣＮ、Ｆ、ＯＨ又はＣＯＯＲ’は除かれる）
ｎは０、１又は２であり、
ｍは０又は１であり、
ｏは１、２又は３であり、
ｎ＋ｍ＋ｏは２、３又は４であり；
Ｘ及びＹはそれぞれ互いに独立して、Ｘ及び／又はＹが多数回存在する場合にも、それぞれ互いに独立して、Ｆ、Ｃｌ、ＣＯＯＲ’、ＮＯ２、又はＣＮであり、ここで、ＸはＦであることが好ましくかつＹはＣＮであることが好ましく；
ｐ１、ｐ２、ｑ１及びｑ２はそれぞれ０、１、２、３又は４であり、
ｏが１、ｑ２が０の場合、ｐ２は３又は４であり、
ｏが１、ｑ２が１、２又は３の場合、ｐ２+ｑ２は１、２、３又は４、
好ましくはｑ２は１でｐ２は１又は２であり、
ｏが２又は３の場合、ｐ１＋ｐ２＋ｑ１＋ｑ２は１、２、３、４、５、６、７又は８であり、
ｑ１＋ｑ２が１又は２の場合、ｐ１＋ｐ２は１、２、３又は４、好ましくは、
ｑ１＋ｑ２が１で、ｐ１＋ｐ２が１又は２であり、
ｑ１＋ｑ２が０の場合、ｐ１＋ｐ２は３、４、５、６、７又は８、好ましくは、６、７又は８である、
で示される酸性化合物を使用することによって達成された。
【００１２】
好ましくは式Ｉａ；
【化８】
式中、
Ａ１及びＡ２は互いに独立して、かつＡ１が多数回生ずる場合にも互いに独立して、それぞれ
ａ）１,４−シクロヘキシレン又はトランス−１,４シクロヘキセニレンであり、式においてさらに、１個又は多数の非−隣接ＣＨ２基がＯ及び／又はＳで交換でき、
ｂ）１,４−フェニレン、その中でさらに、１個又は２個のＣＨ２基がＮで交換でき、
ｃ）１,４−ビシクロ[２．２．２]オクチレン、ピペリジン−１,４−ジイル，ナフタレン−２,６−ジイル、デカハイドロナフタレン−３,６−ジイル、又は１,２,３,４−テトラハイドロナフタレン−２,６−ジイルであり、この一般式において（ａ）及び（ｂ）はＦ原子による一置換体又は二置換体であることができ；
Ｚ１及びＺ２は、互いに独立して、かつＺ１が多数回生ずる場合にも互いに独立して、それぞれ-CO-O-、-O-CO-、-CO-CH2-、-CH2-CO-、-CH2O-、-OCH2-、-CH2CH2-、-CH=CH-、-C≡C-であるか又は単結合であり、
又はＺ１及びＺ２基の１つは、
-(CH2)4-、-(CH2)3CO-、-(CH2)2-O-CO-、-(CH2)2-(CO-O)-、CH=CH-CH2-CH2-、-CH2-CH2-CH=CH-又は-CH2-CH=CH-CH2-であり、
ＲはＨ、それぞれ１又は２から１５の炭素原子を有するアルキル又はアルケニルであり、それらは未置換であるか、ＣＮ又はＣＦ３により一置換されているか、又は
ハロゲン、特にF又はClで一置換されるか又は多置換され、さらにこれらのラジカルの１個又は多数のＣＨ２基が互いに独立して、
-O-、-S-、
【化９】
、-CO-、-CO-O-、-O-CO-又は-O-CO-O-により２つのＯ原子が直接互いに結合されない条件で交換でき、Ｒは又、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ又はＣＯＯＲ’、適当であればＯＨであり、
Ｒ’はＨ又はＲであり、（ここでＣＮ、Ｆ、ＯＨ又はＣＯＯＲ’は除かれる）
ｎは０、１又は２であり、
ｍは０又は１であり、
ｏは１、２又は３であり、
ｎ＋ｍ＋ｏは２、３又は４であり；
Ｘ及びＹはそれぞれ互いに独立して、Ｘ及び／又はＹが多数回存在する場合にも、それぞれ互いに独立して、Ｆ、Ｃｌ、ＣＯＯＲ’、ＮＯ２、又はＣＮであり、ここで、ＸはＦであることが好ましくかつＹはＣＮであることが好ましく；
ｐ１、ｐ２、ｑ１及びｑ２はそれぞれ０、１、２、３又は４であり、
ｏが１、ｑ２が０の場合、ｐ２は３又は４であり、
ｏが１、ｑ２が１、２又は３の場合、ｐ２+ｑ２は１、２、３又は４、
好ましくはｑ２は１でｐ２は１又は２であり、
ｏが２又は３の場合、ｐ１＋ｐ２＋ｑ１＋ｑ２は１、２、３、４、５、６、７又は８であり、
ｑ１＋ｑ２が１又は２の場合、ｐ１＋ｐ２は１、２、３又は４、好ましくは、
ｑ１＋ｑ２が１で、ｐ１＋ｐ２が１又は２であり、
ｑ１＋ｑ２が０の場合、ｐ１＋ｐ２は３、４、５、６、７又は８、好ましくは、６、７又は８である、
で示される化合物が使用される。
【００１３】
また、好ましくは式Ｉｂ；
【化１０】
式中、
Ａ１及びＡ２は、互いに独立して、かつＡ１が多数回存在する場合にも互いに独立して、
ａ）１,４−シクロヘキシレン又はトランス−１,４シクロヘキセニレンであり、式においてさらに、１個又は多数の非−隣接ＣＨ２基がＯ及び／又はＳで交換でき、
ｂ）１,４−フェニレン、その中でさらに、１個又は２個のＣＨ２基がＮで交換でき、
ｃ）１,４−ビシクロ[２．２．２]オクチレン、ピペリジン−１,４−ジイル、ナフタレン−２,６−ジイル、デカハイドロナフタレン−３,６−ジイル、又は１,２,３,４−テトラハイドロナフタレン−２,６−ジイルもまた独立であり，
この式において（ａ）及び（ｂ）はＦ原子による一置換体又は二置換体であることができ；
Ｚ１及びＺ２は、互いに独立して、かつＺ１が多数回存在する場合にも互いに独立なそれぞれ互いに独立で、かつＺ１が多数回生ずる場合にも互いに独立して、それぞれ-CO-O-、-O-CO-、-CO-CH2-、-CH2-CO-、-CH2O-、-OCH2-、-CH2CH2-、-CH=CH-、-C≡C-であるか又は単結合であり、
又はＺ１及びＺ２基の１つは、
-(CH2)4-、-(CH2)3CO-、-(CH2)2-O-CO-、-(CH2)2-(CO-O)-、CH=CH-CH2CH2-、-CH2-CH2-CH=CH-又はCH2-CH=CH-CH2-であり、
ＲはＨ、それぞれ１又は２から１５の炭素原子を有するアルキル又はアルケニルであり、それらは未置換であるか、ＣＮ又はＣＦ３により一置換されているか、又はハロゲン、特にＦ又はＣｌで一置換又は多置換され、さらにこれらの基の１個又は多数のＣＨ２基が互いに独立して、-O-、-S-、
【化１１】
、-CO-、-CO-O-、-O-CO-又は-O-CO-O-により２つのＯ原子が直接互いに結合されない条件で交換でき、Ｒは又はＣＮ、Ｆ、Ｃｌ又はＣＯＯＲ’、適当であればＯＨであり、
Ｒ’はＨ又はＲであり、（ここでＣＮ、Ｆ又はＣＯＯＲ’は除く）
ｎは０、１又は２であり、
ｍは０又は１であり、
ｏは１、２又は３であり、
ｎ＋ｍ＋ｏは２、３又は４であり；
Ｘ及びＹはそれぞれ互いに独立して、かつＸ及び／又はＹが多数回存在する場合にも、これらの化合物もまた独立して、Ｆ、Ｃｌ、ＣＯＯＲ’、ＮＯ２又はＣＮであり、ここで、ＸはＦであることが好ましくかつＹはＣＮであることが好ましく；
ｐ及びｑはそれぞれ０、１、２又は３であり、
ｐ＋ｑは１、２、３，４、５、６、７又は８であり、
ｑは０又は１であり、かつｑ＝０の場合、
ｐは３、４、５、６、７又は８であり、
ｑ＝１の場合、
ｐは１、２、３，４、５、６又は７であり、
かつＸはＦであることが好ましくかつＹはＣＮであることが好ましい、
で示される化合物が使用される。
【００１４】
式Ｉａにおいて、
【化１２】
この式において、Ｘｐ１、Ｘｐ２、Ｙｑ１及びＹｑ２は式Ｉａで上記に定義された通りである。
【００１５】
式Ｉｂでは、
【化１３】
この式において、
ＸはＦ、Ｃｌ又はＣＯＯＲ’、好ましくはＦであり、
ＹはＣＮ、又はＮＯ２、好ましくはＣＮであり、
ｐ及びｑはそれぞれ０、１、２又は３であり、かつ
ｐ＋ｑは２又は３であり、Ｒ＝ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、ＯＨ又はＣＯＯＲ’の場合には、それに代わり１である。
【００１６】
式Ｉｂにおいて、
【化１４】
この式において、Ｘｐ及びＹｑは式Ｉｂで定義された通りである。
Ｘは好ましくはＦであり、Ｙは好ましくはＣＮである。
【００１７】
特に好ましくは付属式Ｉａ−１からＩａ−６の化合物；
【化１５】
であり、
この式において，
Ｒ、Ａ１、Ａ２、Ｚ１、Ｚ２、ｎ、ｍ、Ｘ及びＹは式Ｉａで上記に定義された通りである。Ｙは好ましくはＣＮであり、Ｘは好ましくはＦであり、ｎは好ましくは０であり、かつＲは好ましくはＣＮ、Ｆ又はＯＨである。
【００１８】
特に好ましくは付属式Ｉｂ−１からＩｂ−５の化合物；
【化１６】
であり、
この式において、Ｒ、Ａ１、Ｚ１、ｎ、Ｘ及びＹは式Ｉｂで上記に定義された通りである。Ｙは好ましくはＣＮであり、Ｘは好ましくはＦである。
【００１９】
特に好ましくは付属式Ｉａ−３ａ、Ｉａ−４ａ、Ｉａ−５ａ及びＩａ−６ａの化合物；
【化１７】
であり、
この式において、Ｒ、Ａ２及びｍは式Ｉで上記に定義された通りである。
【００２０】
付属式Ｉａ−３ａ、Ｉａ−４ａ、Ｉａ−５ａ及びＩａ−６ａでは、
【化１８】
【００２１】
特に好ましくは付属式Ｉｂ−１ａ、Ｉｂ−２ａ及びＩｂ−２ｂの化合物；
【化１９】
であり、
この式において、Ｒは一般式Ｉで上記に定義された通りである。
【００２２】
付属式Ｉｂ−１ａ、Ｉｂ−２ａ及びＩｂ−２ｂでは、
【化２０】
【００２３】
格別に好ましくは付属式ＩＡ−１−１の化合物：
【化２１】
であり、
この式において、ＲはＣＮ、Ｆ、Ｃｌ又はＯＨであり、Ｆであることが好ましい。
【００２４】
さらに格別に好ましくは付属式Ｉｂ−１ａ１、Ｉｂ−２ａ１及びＩｂ−３ａ１の化合物；
【化２２】
であり、この式において、Ｒは一般式Ｉで上記に定義された通りである。式Ｉｂ−１ａ１の化合物の場合、Ｒは１から７の炭素原子を有するアルキル又はアルケニルであることが好ましく、エチル、プロピル、ブチル又はペンチルであることが格別に好ましい。式Ｉｂ−２ａ１の化合物の場合、Ｒは１から７の炭素原子を有するアルキル又はアルコキシであることが好ましく、メトキシ、エトキシ、プロポキシ又はブトキシであることが極めて好ましい。
【００２５】
上述のフェノール化合物を有する液晶混合物のほか、本願は、それらがなお未知である限りこれらの化合物自体にも関するものである。これらの液晶混合物は液晶表示体、特にＳＴＮ及びＩＰＳ表示体に使用するのに特に適当である。
【００２６】
ＳＴＮ表示体用液晶混合物及び特にこのような表示体用に好適な液晶混合物の概念はＥＰ ０ ３９４ ４１７に記載されており、かつＡＭＤ、表示体の概念はＥＰ ０ ３９４ ４１９に記載されている。
【００２７】
本願によるＴＮ表示体用液晶混合物は末端シアノ置換化合物を誘電的に正の化合物として有することが好ましい。それらは式II；
【化２３】
の化合物を有することが極めて好ましく、
この式において、Ａ３が多数回存在する場合には、これらＡ３は互いに独立して、
ａ）１,４−シクロヘキシレン又はトランス−１,４シクロヘキセニレン、式においてさらに、１個又は多数の非−隣接ＣＨ２基がＯ及び／又はＳで交換でき、
ｂ）１,４−フェニレン、その中でさらに、１個又は２個のＣＨ２基がＮで交換でき、
ｃ）１,４−ビシクロ[２．２．２]オクチレン、ピペリジン−１,４−ジイル、ナフタレン−２,６−ジイル、デカハイドロナフタレン−３,６−ジイル、又は１,２,３,４−テトラハイドロナフタレン−２,６−ジイルであり、
この一般式において（ａ）及び（ｂ）はＦ原子による一置換体又は二置換であることができ、
Ｚ３は、Ｚ３が多数存在する場合には、これらＺ３は互いに独立して、-CO-O-、-O-CO-、-CO-CH2-、-CH2-CO-、-CH2O-、-OCH2-、-CH2CH2-、-CH=CH-、-C≡C-であるか又は単結合であり、
Ｒ３はＨ、それぞれ１又は２から１５の炭素原子を有するアルキル又はアルケニルであり、それらは未置換であるか、ＣＮ又はＣＦ３により一置換され、又はハロゲン、特にＦ又はＣｌで一置換又は多置換され、さらにこれらの基の１個又は多数のＣＨ２基が互いに独立して、-O-、-S-、
【化２４】
、-CO-、-CO-O-、-O-CO-又は-O-CO-O-によりにより２つのＯ原子が直接互いに結合されない条件で交換でき；
ｒは１又は２であり、
Ｘ３はＨ又はＦであり、かつ
Ｙ３はＨ又はＦである。
【００２８】
混合物は式ＩＩ−１、必要であれば、ＩＩ−２；
【化２５】
この式において，Ｒ３は式ＩＩで上記に定義された通りであり、ｎ−アルキル又は１−Ｅ−アルケニルであることが好ましい。
【００２９】
好ましくは式ＩＩの誘電的に正の化合物を含む液晶混合物であり、ここでｒ＝１、Ａ３＝１、４−シクロヘキシレン、Ｘ３＝Ｈ、Ｚ３は単結合であり、Ｙ３＝Ｈであり、かつＲ＝１又は２から７の炭素原子をそれぞれ有するアルキル又はアルケニルである。特に、液晶混合物は少なくともそれらの誘電的に正の成分に関するこれらの化合物に基づいている。特に、これはＴＮ表示体用及びＳＴＮ表示体用混合物にも適用される。ｒ＝１、Ａ３＝１,４−フェニレン、Ｚ３＝-ＣＯ-Ｏ-、Ｘ３＝Ｈ、Ｙ３＝Ｆであり、かつＲ＝１又は２から７の炭素原子をそれぞれ有するアルキル又はアルケニルである場合の式ＩＩの化合物も好ましい液晶混合物中に存在する。しかしながら、式ＩＩ−２の化合物濃度は一般に式ＩＩ−１の化合物の濃度より著しく低い。好ましい液晶混合物のしきい値電圧は好ましくはＴＮセルで、好ましくは１．５Ｖから４．０Ｖ、特に好ましくは１．８Ｖから３．５Ｖ、特別に好ましくは２．０Ｖから３．０Ｖの範囲である。
【００３０】
液晶混合物及びＳＴＮ及びＡＭＤ表示体の液晶混合物の概念について、上述の２つの特許出願を引用することにより、これらが本出願に組込まれる。
【００３１】
ＴＮ及びＳＴＮ表示体についての、本願による特に好ましい液晶混合物は例えば、ベンゾニトリル及びシアノ基に対してオルト位にフッ素により一置換又は二置換されるベンゾニトリルなどの末端シアノ置換化合物を有する混合物である。
【００３２】
本願によるＳＴＮ表示体用液晶混合物も末端フッ化化合物及び／又は末端フッ素含有置換基を持つ化合物を含む。
本願によるＳＴＮ表示体用液晶混合物は、特に好ましくはアルケニル側鎖を有する化合物を含む。これらの化合物は誘電的に正でかつアルケニル側鎖を有するか又は誘電的中性のいずれかである。後者において、その化合物は、一つ又は二つのアルケニル側鎖を有することができる。
【００３３】
ＡＭＤ表示体用液晶混合物では、好ましくは本願において末端フッ化化合物及び末端フッ素含有置換基を有する化合物又はそのいずれかである。これらの混合物は約１％、特に約５％、格別には約１％のシアノ置換化合物を含んでいることが好ましい。特に、式Ｉ及びその付属式のそれらは別として、これらの混合物は非シアノ置換化合物を任意に含む。
【００３４】
本発明による化合物又は本発明により使用された化合物は、ＩＰＳ表示体用混合物に使用するのが特に好ましい。このようなＩＰＳ表示体に対しては、好ましくは本願においてＡＭＤ表示体用混合物のような末端フッ化化合物を含有する液晶混合物が挙げられる。しかしながら、ＩＰＳ表示体用混合物は、付加的に末端シアノ置換化合物を含んでいる。これらの末端シアノ置換化合物濃度は広い限界範囲内で変化する。
【００３５】
特に、ＡＭＤ表示体用混合物の場合におけるように低い上限値には制限されない。典型的には、１から５０％のシアノ置換化合物が使用される。好ましくは５から３５％、特に好ましくは７から２５％のシアノ置換化合物を含有する混合物である。
【００３６】
ＩＰＳ表示体用液晶混合物及びこれらの液晶表示体用の混合物の概念は、
ＧＢ ２３ １０ ６６９、ＥＰ ０ ８０７ １５３、ＤＥ １９５２８１０４、ＤＥ １９５２８１０７、ＥＰ ０ ７６８ ３５９、ＤＥ １９ ６１１ ０９６及びＤＥ １９ ６２５ １００に記載されている。ＩＰＳ表示体用液晶混合物及びそれらの混合物の概念については、これら７件の特許出願を引用することにより、これらは本明細書に組込まれる。
【００３７】
ＴＮ、ＳＴＮ、ＡＭＤ及びＩＰＳ表示体の構造は公知のものであるか又は公知のルールに従うものである。ここでは、ＴＮ、ＳＴＮ、ＡＭＤ及びＩＰＳという用語は本明細書では広い意味で引用され、かつそれらの典型的な変形をも網羅している。
【００３８】
ＳＴＮ表示体の構造は、ＥＰ ０ ０９８ ０７０、ＥＰ ０ １３１ ２１６，及びＥＰ ０ ２６０ ４５０、中でもＩＰＳの表示装置の構造は、ＵＳ５、５７６、８６７及びＥＰ ０５８８ ５６８に記載されている。ＳＴＮ及びＩＰＳ表示体の構造に関しては、上述の５件の特許出願を引用することにより、ここに組込まれる。
【００３９】
スキーム１
【化２６】
Ｒ、Ａ１、Ｚ１、Ａ２、Ｚ２、ｎ及びｍは式Ｉで上記に定義された通りである。
【００４０】
本発明による化合物は液晶混合物に１ｐｐｍから典型的には５０,０００ｐｐｍ、好ましくは１０ｐｐｍから１０,０００ｐｐｍ、特に好ましくは５０ｐｐｍから５,０００ｐｐｍ（重量比による）の濃度で加えられる。
【００４１】
物理的特性は特にそれ以外の記載がない限り、「液晶の物理的特性」（「Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｐｒｏｐｅｒｔｙ ｏｆ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ」），Ｍｅｒｃｋ ＫＧａＡ、Ｅｄ．Ｗ．Ｂｅｃｋｅｒ、１９９７年１１月に記載されているように決定される。
【００４２】
液晶混合物それ自体の比抵抗（略称ＳＲ）は「アクテイブマトリクス表示体用液晶」（「Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ ｆｏｒ ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ ｄｉｓｐｌａｙｓ」），Ｇ．Ｗｅｂｅｒ等，Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ，１９８９年，第５編，第５巻，１３８１〜１３８８ページに従い、ステンレス鋼製測定セル中の１ｍｌを使用して決定される。
【００４３】
液晶混合物の比抵抗はガラス製試験セル(ＳＲＺ)中でもさらに決定される。液晶表示体セルのようなこれらの試験セルは、互いに平行に互いに一定距離離して結合した２枚のガラス板から構成される。セルはＭｅｒｃｋ ＫＧａＡ社の試験セル製造装置で作製されている。それらのセルは配向膜のないインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）電極付の無アルカリガラスから構成される。層厚は２０μｍである。
セルには反対側に２つの充填開口を設けられる。電極は円形で、それぞれが１ｃｍ２の面積を有している。電磁輻射除去のため、セルにリング形状の保護電極を設ける。（ＳＲ）などの比抵抗のように、試験セルの液晶混合物の比抵抗（ＳＲＺ）は感度エレクトロメータ（ケースレー（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ)社製６５１７高抵抗装置）を使用して測定する。（ＳＲ）などの比抵抗の測定時には、ケースレー６１７を使用する。乾燥セルの充填や抵抗値の測定はすべてエアーロックで接続されたグローブボックス装置の中で行われる。乾燥窒素の流れを継続的にこれらのグローブボックスから通過させる。セルを収容するボックス内部の相対大気湿度は、特にセルの充填中及び測定中は１０％以下でなければならない。
抵抗値はアルミニウムハウジング内で測定されるが、ハウジング内で試験セルを加熱媒体としての水を有する２つの黄銅ブロックにより２０℃に保持する。
漏出磁場からの遮蔽のため、測定セルの防護リングをアルミニウムハウジングと共に接地する。
【００４４】
防護リングの接地は、測定系統の各々に対しては別々にかつアルミニウムハウジングの接地と共に、接地ループを形成しない方法で実施する。
放電状態のセル容量は充填前に別途測定する。それは代表的にはεempty=４５ｐＦである。
【００４５】
抵抗値を測定するため，電流を２０Ｖの直流定電圧で測定する。これが終了するまで、試験セルを次のように扱わなければならない。２０秒間待った後、交互の極性の４回の２０Ｖパルスを印可する。４回のパルスはすべてパルス幅２０秒でありかつ互いに０Ｖの２０秒間隔で分離される。４回のパルスの最後には０Ｖの１８０秒間隔が続きその後、最初のパルスの極性で２０Ｖを１８０秒間再び印可する。この最終パルスの終点で、１０回の測定読みが５秒以内に得られる：これらの読みは平均抵抗値を与える。
【００４６】
加熱は３個のグローブボックスの別のボックスで行う。加熱後、典型的には１２０℃で１時間、セルを冷却させその後、グローブボックス内に温度維持セル保持器と共に移す。
【００４７】
仕上げられた液晶混合物の、その結果得られた比抵抗（ＳＲ）値は該当面積及び仕様によって、１０９Ωｃｍから１０１２Ωｃｍの範囲にある。ＴＮ及びＳＴＮ表示体用液晶混合物は１０１０Ωｃｍから１０１３Ωｃｍ、特別には５・１０１０Ωｃｍから２・１０１１Ωｃｍの比抵抗値を有することが好ましく、かつ
ＩＰＳ表示体用液晶混合物は５・１０１１Ωｃｍから８・１０１Ωｃｍ、好ましくは１０１２Ωｃｍから３・１０１２Ωｃｍの比抵抗値を有する。
【００４８】
１０から１０００ｐｐｍの範囲のドーパントの濃度が使用されることが特に好ましくかつ５・１０１１Ωｃｍから１・１０１３Ωｃｍのセル（ＳＲＺ）の比抵抗が得られる。相対的に小さなドーパント濃度が好ましい。
【００４９】
上記に与えられたかつ本願における以下の物理的特性は明確に述べられていない限り２０℃の温度に対して与えられる。
【００５０】
「電圧保持率」（ＶＨＲ又はＨＲ）は「液晶の物理的特性」、ＶＩＩＩ、電圧保持率（「Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｐｒｏｐｅｒｔｙ ｏｆ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ」，ＶＩＩＩ，Ｖｏｌｔａｇｅ Ｈｏｌｄｉｎｇ Ｒａｔｉｏ）、Ｍｅｒｃｋ ＫＧａＡ、Ｅｄ．Ｗ．Ｂｅｃｋｅｒ、１９９７年１１月に記載されているように測定される。約５μmの層厚及び１ｃｍ２の電極面積を有する試験セルが使用された。電圧保持率はアントニック−メルカー（Ａｎｔｏｎｉｃ−ＭｃＬｃｈｅｒ）、ドイツによる市場で入手可能な計測を使用して測定された。測定電圧は１Ｖであった。
【００５１】
電気光学特性、特にしきい値及び急峻性値はＭｅｒｃｋ ＫＧａＡで作製された試験セルで測定された。しきい値電圧Ｖｔｈ又はＶ１０は相対コントラストの１０％の変化、即ち、完全飽和状態のアドレスセルと非アドレスセル間に対して決定された。この急峻性はＶ９０／Ｖ１０として決定された。
【００５２】
９０℃のツイスト角度を有するセルが使用された。セルは通常ホワイトモードで作動された。液晶混合物はカイラルドーパントをドープしていなかった。セルの層厚は光学的リターデーションが０．５０μmになるように選択された。
使用された計測器は市場で入手可能なオーツカ、日本の計器及びＭｅｒｃｋ ＫＧａＡによる適合計測器であった。
【００５３】
本願は酸性メソゲン形成性化合物により、好ましくは適切に置換されたフェノールにより液晶混合物のある一定の比抵抗を達成又は調整する方法に関する。
本願は液晶混合物の抵抗値を酸性の、メソゲン形成性の又は液晶状の化合物を使用して望ましい値に調整する方法に関する。特に好ましくは十分高いｐＫａ値を有する酸性化合物が挙げられる。ｐＫａの最小値は液晶混合物の抵抗値及び極性（特に、誘電異方性）に依存する。例えば１０１０Ωｃｍから１０１１Ωｃｍの低抵抗値を有する液晶混合物の場合、より大きな抵抗値を有する液晶混合物の場合よりも、より大きなｐＫａ値を有する酸性化合物を使用することが必要である。
【００５４】
使用される化合物（好ましくはフェノール化合物）のｐＫａ値は少なくとも実施例２ｃ（物質例５）による化合物ＣＣＵ−３−ＣＮ．ＯＨ−ＦのｐＫａ値と同じ位大きくなければならない（例１０参照）。使用される化合物のｐＫａ値は、ＣＣＵ−３−ＣＮ．ＯＨ−ＦのｐＫａ値より大きいことが好ましい。
好ましく使用されるべき化合物は、ＯＨ置換リングに３つ以上のフッ素置換基を、又はビフェニル化合物の場合、各リングに２つ以上のフッ素置換基を有する。
【００５５】
化合物は、特に好ましくはそれらがＯＨ置換ビフェニル系を含有する限り７、８又は９個のフッ素置換基を有する。化合物は、特に好ましくは１個のＣＮ及び少なくとも１個のＦ置換基をＯＨ置換ベンゼン環に含んでいる。ＣＮ基はＯＨに対してオルト位又はパラ位、特に好ましくはオルト位にある。
【００５６】
蒸気圧が過剰に高くなる可能性のない化合物をどこでも使用することがさらに必要である。好ましくは蒸気圧が通常使用される液晶化合物の蒸気圧より高くない化合物、例えば、
【化２７】
である。
【００５７】
特に好ましくはその蒸気圧が、
【化２８】
の蒸気圧より高くない化合物である。
【００５８】
特に好ましくは酸性フェノール、特に本願の式Ｉ及びその付属式の化合物である。
本発明によれば、偏光子、電極基板及び電極、その表面が隣接する液晶分子の好ましい配向（デイレクタ）が通常、一方の電極から他方の電極まで約９０°の（特に、８０°から１１０°の）値又は１６０°から７２０°の値でねじられるように処理が施された電極からなる、液晶表示体部品の構造はこの種類の表示体部品の通常の設計に対応するものである。通常設計用語は本明細書では広く引用されかつＴＮ及びＳＴＮセル、特にマトリクス表示体部品及び補足的に磁石を含む表示体部品のすべての派生物及び変形例をも網羅している。
【００５９】
２枚の外側プレートでの表面チルト角は同一でも又は異なるものであってもよい。同一チルト角が好ましい。好ましいＴＮ表示体は外側プレート表面での分子の長軸と外側プレート間が０°から７°、好ましくは０．０１°から５°、特に０．１°から２°のチルト角を有する。ＳＴＮ表示体では、チルト角は１°から３０°、好ましくは１°から１２°、特に３°から８°である。
【００６０】
セル中のＴＮ混合物のねじれ角は２２．５°から１７０°、好ましくは４５°から１３０°、特に８０°から１１５°の値を有する。表示体では、配向膜から配向膜のＳＴＮ混合物のねじれ角は１００°から６００°、好ましくは１７０°から２７０°、特に１８０°から２５０°の値を有する。
本願のＩＰＳ表示体はねじれのないスタート状態を有しかつ基板に対して平行な電場成分により基板に対して垂直軸にねじられる。チルト角は０°から又は僅か０°以上（例えば、０．０１°）１５°、特に０．２°から６°の範囲であることが好ましい。
【００６１】
本発明に従って使用される液晶混合物はそれ自体通常の方法で作成される。一般に、微量で使用される所望量の成分を主要成分を構成する成分に昇温させて適宜に溶解させる。成分溶液を有機溶剤、例えばアセトン、クロロフォルム又はメタノールに混合し、混合後、溶剤を例えば蒸留により再び除去することも可能である。液晶混合物は当業者にとって公知のかつ文献に記載されている別の添加物を含有することがもきる。例えば、０から１５％の多色性染料を加えることができる。
【００６２】
下記例により本発明を説明するが、これは本発明を限定するものではない。
次の略号を使用する：
Ｔ（Ｓ，Ｎ） スメクチック−ネマチック相転移温度
Ｔ（Ｎ，Ｉ） ネマチック−アイソトロピック相転移温度
ｃｌ．ｐ． クリアリングポイント
ｔｏｎ スイッチオンから最大コントラストの９０％に達する
までの時間
ｔｏｆｆ スイッチオフから最大コントラストの１０％に達するま
での時間
Ｖ９０／Ｖ１０ 急峻性
ｔａｖｅ （ｔｏｎ＋ｔｏｆｆ）／２（平均応答時間）
Δ ε 誘電異方性
Δｎ 光学異方性
ＳＲ バルクの比抵抗
ＳＲＺ 試験セルの比抵抗
【００６３】
本明細書中、特に特定されない限り、すべての温度は℃で示され、百分率は重量パーセントであり、かつ物性値は２０℃での値である。本願及び以下の実施例において、液晶成分の構造は略号で表示し、式への変換は以下の表Ａ及びＢによって行われる。すべてのＣｎＨ２ｎ+１及びＣｍＨ２ｍ＋１基はｎ又はｍ個の炭素原子をそれぞれ有する直鎖アルキル基である。アルケニル基はトランス−構造を有する。表Ｂのコードは自明である。表Ａには、親構造の頭字語のみを示す。それぞれの場合、親構造の頭字語の次に、ハイフンで分離された置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｌ１、Ｌ２及びＬ３のコードが続く。
【化２９】
【００６４】
ＴＮ、ＳＴＮ及びＩＰＳ表示体は
表Ａ及びＢの１つ又は多数の化合物から構成された液晶混合物を含有することが好ましい。
【００６５】
表Ａ：（Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３：Ｈ又はＦ）
【表１】
【００６６】
【表２】
【００６７】
表Ｂ：
【表３】
【００６８】
【表４】
【００６９】
以下の実施例は本発明を、制限を表わすことなく説明しようとするものである。本明細書中、百分率は重量パーセントで示す。ｍ．ｐ．は融点、ｃｌ．ｐ．＝クリアリングポイントを示し、すべて温度は摂氏℃で示す。さらに、Ｃ＝結晶状態、Ｎ＝ネマチック相、Ｓ＝スメクチック相、及びＩ＝アイソトロピック相である。これらの記号間のデータは転移温度である。Δｎは光学異方性（５８９ｎｍ、２０℃）を示し、Δεは誘電異方性（１ｋＨｚ、２０℃）を示す。
【実施例】
【００７０】
例１（物質実施例）
化合物１
４．１ｇの２、６−ジフルオロ−４−（４−ｎ−プロピル−トランス−シクロヘキシル）ベンゾニトリル
【化３０】
を１５０ｍｌのＴＨＦに溶解し、その溶液を２５０ｍｌの４ネックフラスコに入れた。１．７５ｇのカリウム第３−ブトオキシドを３０ｍｌのＴＨＦに溶解し、その溶液をゆっくりと滴下し温度が３０℃を超えないような速さで攪拌しながら加えた。赤みをおびた反応混合物を１２時間攪拌し，その後、約４０ｍｌの濃縮ＨＣｌを使用して加水分解し，その結果、混合物は黄色に変色した。加水分解中、温度が３０℃を超えないことを確認した。混合物を３回５０ｍｌのメチル第３ブチルエーテル（ＭＴＢ）を用いてそれぞれの場合に抽出した。その後、有機相を５０ｍｌの水で２回洗浄し、乾燥し、蒸発させ、残渣をクロマトグラフィによりシリカゲル上でＭＴＢ／ヘキサン（１：１）中でフリットを介して精製した。その後、分留分を蒸散させ、その固形分2.5ｇを得、それをｎ−ヘプタンから再結晶し、１．７ｇの化合物２−シアノ−３−フルオロ−５−（４−ｎ−フェニル−トランス−シクロヘキシル）フェノール
【００７１】
【化３１】
、ＰＣＨ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨと略称される、を得た。
融点は１３８．６℃であった。
【００７２】
次の化合物を同様に作成した：
化合物２から７
【化３２】
【００７３】
例２（物質実施例２）
化合物番号８；
【化３３】
を例１の化合物１と同様に相当するスタート化合物使用して、次のスキームにより調製した。
【００７４】
スキーム２
【化３４】
Ｒ、Ａ１、Ｚ１、Ａ２、Ｚ２、ｍ及びｎは式Ｉ下上記に定義された通りである。
【００７５】
例２ａ（物質実施例３）
化合物番号９；
【化３５】
を作成した。
物性は次の通り：
相シーケンス Ｃ ７１℃ Ｎ ８３．４℃ Ｉ
【００７６】
例２ｂ（物質実施例４）
化合物番号１０；
【化３６】
を調製した。
Ｃ １１２℃ Ｉ
【００７７】
例２ｃ（物質実施例５）
化合物番号１１（ＣＣＰ−３−ＣＮ．ＯＨ−Ｆ．Ｆ．Ｆと略称）；
【化３７】
を調製した。
Ｃ ２２９℃ Ｉ
【００７８】
例２ｄ（物質実施例６）
化合物；
【化３８】
を調製した。
Ｋ ９４℃ Ｉ
【００７９】
例２ｅ（物質実施例７）
化合物；
【化３９】
を調製した。
Ｃ １４６℃ Ｉ
【００８０】
例３（使用実施例１）
例１による１０００ｐｐｍ又は１０，０００ｐｐｍ（重量による）の化合物ＰＬＨ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨを液晶混合物Ａ−０に加えた。
液晶混合物Ａ−０の組成及び物理的特性を以下の表（表１）に示す。本願のすべての濃度データのような個々の化合物の濃度データは明確に述べられていない限り重量による。
【００８１】
表１：混合物Ａ−０
組成
【表５】
物性
T(N,I)＝96℃
Δn(589nm)＝0.108
Δε(1kHz)＝3.1
V10＝2.8V
【００８２】
混合物Ａ−０、Ａ−１０００、Ａ−１０，０００の比抵抗を測定した。結果を下表（表２）に示す：
表２： ＰＣＮ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨを含有する液晶混合物Ａの比抵抗
【表６】
【００８３】
例４（使用実施例２）
例１による１０００ｐｐｍ（重量による）の化合物ＰＣＨ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨを実施例３の液晶混合物Ａ−０に加え，その結果得られた液晶混合物Ａ−１０００を２つの部分に分割し、その１つをミリポアフィルター（テフロン４０μm）で濾過した（Ａ−１０００Ｆ）。
【００８４】
このようにして得られた３種類の化合物Ａ−０、Ａ−１０００，Ａ−１０，０００及び実施例３の化合物Ａ−１０，０００の特性を別の試験セルで測定した。これらの試験セルはＭｅｒｃｋ ＫＧａＡ社の試験セル製造装置で作製されたものである。試験セルは６．０μmの層厚であった。
５つの異なる配向膜を有する試験セルを使用した。
【００８５】
これらの配向膜を下記表（表３）に示す。
表３：使用した配向膜の要約
【表７】
【００８６】
５つの異なる配向膜を有する試験セルの３種類の混合物の特性を以下の表（表４）に示す。与えらた値すべては全応用例におけるように、特に述べられていない限り少なくとも２つの個々の測定値の平均値である。
表４：異なる配向膜を有するＰＣＮ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨを含有する混合物Ａの物性
【表８】
【００８７】
例５（使用実施例３）
液晶混合物Ｂ−０を作成し、４つの部分に分割した。実施例１の化合物ＰＣＨ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨを３分割分に１００ｐｐｍ、１０００ｐｐｍ及び１０、０００ｐｐｍの濃度で加えた。
異なる濃度Ｂ−１００、Ｂ−１０００及びＢ−１０，０００の、その結果得られた３種類の混合物及びＰＣＨ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨを含有しない源混合物Ｂ−０をそれらの物理的特性に関して、特にそれらの比抵抗に関して調べた。その結果を下記表（表６）に示す。
液晶混合物Ｂ−０は下記表（表５）に示した組成及び物性を有する。
【００８８】
表５：混合物Ｂ−０
組成
【表９】
物性
T(N,I)＝72℃
Δn(589nm)＝0.075
Δε(1kHz)＝10.2
V0(フレデリック No.)＝1.0V
【００８９】
混合物Ｂ−０からＢ−１０，０００迄の比抵抗値を下記表（表６）に示す。
表６：ＰＣＮ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨを含有する混合物Ｂの比抵抗
【表１０】
【００９０】
例６（使用実施例４）
例５におけるように、化合物ＰＣＨ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨを使用したが、ここでは液晶混合物Ｃ−０から開始した。混合物の組成及び物性を下記表（表７）に示す。
表７：混合物Ｃ−０
組成
【表１１】
物性
T(N,I)＝67.5℃
Δn(589nm)＝0.085
Δε(1kHz)＝7.5
回転粘度＝74mPa・s
V0(フレデリック No.)＝1.2V
【００９１】
混合物の比抵抗値を下記表（表８）に示す。
表８：混合物Ｃの比抵抗
【表１２】
【００９２】
例７（使用実施例５）
例５で使用された液晶混合物Ｂ−０を化合物
【化４０】
（略称ＢＦ９−ＯＨ）と混合した。この物質の融点（結晶相からアイソトロピック相への転移）は１２０℃である。１０、１００又は１０００ｐｐｍの物質ＢＦ９−ＯＨをスタート混合物Ｂ−０の３つのサンプルに加え、その結果得られたＢＢ−１０、ＢＢ−１００及びＢＢ−１０００の比抵抗をスタート混合物Ｂ−０の比抵抗と比較した。２０℃での試験セルの比抵抗値に加えて、１２０℃で１時間加熱後の２０℃での試験セルの比抵抗値の測定した。
【００９３】
表９：ＢＦ９−ＯＨを含有する混合物Ｂの比抵抗
【表１３】
【００９４】
例８（使用実施例６）
例５におけるように、ＰＣＨ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨを使用した。これを液晶混合物Ｄ−０において調べ、その組成及び特性を下記表１０に示す。
表１０：混合物Ｄ−０の組成
組成
【表１４】
物性
T(N,I)＝70.0℃
Δn(589nm)＝0.0.076
Δε(1kHz)＝10.1
【００９５】
例７におけるように、混合物の比抵抗値を試験セルで測定した。その結果を下記表１１に示す。
表１１：試験セルにＰＣＨ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨを含有する混合物Ｄの比抵抗
【表１５】
【００９６】
例９（使用実施例７）
例８におけるように、液晶混合物Ｄを使用したが、ここではＢＦ９−ＯＨを、例２におけるように加えた。試験セルにおける比抵抗の結果を下記表１２に示す。
表１２：ＢＦ９−ＯＨを含有する混合物Ｄの比抵抗
【表１６】
【００９７】
例１０（使用実施例８）
例８におけるように、液晶混合物Ｄ−０を使用したが、例２ｃ（物質実施例５）の化合物番号１１
【化４１】
ＣＣＰ−３−ＣＮ．ＯＨ．Ｆ．Ｆ．Ｆと略称、をここでは使用した。試験セルにおける比抵抗値の結果を下記表１３に示す。
【００９８】
表１３：ＣＣＵ−３−ＣＮ．ＯＨ−Ｆを含有する混合物Ｄの比抵抗
【表１７】
化合物ＣＣＵ−３−ＣＮ．ＯＨ−Ｇの酸度は使用される値の範囲で明らかであり、いくつかの応用に十分である。
【００９９】
比較例１
それぞれの場合で、各種源状態及び前処理の４−シクロ−４’−ハイドロオキシビフェニルの１０００ｐｐｍ、
【化４２】
、ＯＣＢと略称、を実施例３の液晶混合物Ａ−０に加えた。対応する混合物を分割し、それぞれの場合において、一部を実施例４で説明したように濾過しかつある場合では、繰返し濾過した。下記表（表１４）は抵抗測定の結果を示す。
【０１００】
表１４：ＯＣＢを含有する混合物Ａの抵抗
【表１８】
【０１０１】
表１４に見られるように、化合物ＯＣＢは液晶混合物の抵抗を低減するのに適当であるが、しかしながら、結果には再現性がない。まず、結果はＯＣＢの源状態及び前プロセス（例えば、精製方法）に依存し、次に、混合物が標準作業，例えば濾過、処理を受けると、結果は著しく変化する。
【０１０２】
比較例２
２,６−ビス−第３−ブチル−４−（４−ｎ−プロピルトランス−シクロヘキシル）フェノール
【化４３】
、ＴＢＣＰと略称、の種々の量を液晶混合物Ｅ−０に加えた。
混合物Ｅ−０は下記（表１５）に示した組成を有し、かつそこに記載されている特性を有する。
【０１０３】
表１５：混合物Ｅ−０
組成
【表１９】
物性
T(N,5)＝92℃
Δn(589nm)＝0.097
Δε(1kHz)＝5.2
V10＝2.0V
【０１０４】
各種濃度を有する混合物に対して、電圧保持率が例４におけるように測定された。配向膜はここではＰＩ−１（日本合成ゴムの１０５１）であった。結果を下記表（表１６）に示す。
表１６：ＴＢＣＰを含有する混合物Ｅの電圧保持率
【表２０】
表１１の結果に見られるように、化合物ＴＢＣＰは液晶混合物の比抵抗又は電圧保持率を低減させるのに適当ではない。これは多分その低いｐｋａ値、即ち、その低い酸性度による。
【０１０５】
比較例３
下記表（表１７）に示した比抵抗値を与える化合物４−シアノ−３−フルオロフェノール
【化４４】
、ＣＦＰと略称、の種々の量を例３の液晶混合物Ａに溶解させ、
【０１０６】
表１７：ＣＦＰを含有する混合物Ａの比抵抗
【表２１】
表１２の結果から見られるように、比較的高いｐｋａ値を有する化合物ＣＦＰは液晶混合物の比抵抗を低減させるのに使用される。その後、電圧保持比をＰＩ−１を含有する液晶セルで測定した。結果を表１８に示す。
【０１０７】
表１８：ＣＦＰを含有する混合物Ａの電圧保持率
【表２２】
特に、低ＣＦＰ濃度で少しでもあるとしても精々小さな効果であるということが解る。さらに、種々の時間を置いて，窒素ガス中で容器を開放した状態で種々の時間を置いて、かつ真空セル充填装置で種々の時間を置いてサンプルを調べた。ＣＦＰを含有する混合物の抵抗値は特に窒素中で容器を開放した状態で増大し、特に真空セル充填装置で増大しかつ電圧保持率も同様に増大するということが解った。この挙動は多分化合物ＣＦＰの高蒸気圧によるものである。これはセルを実用的には不適当にし、表１２に示すように、ある場合には、液晶混合物の抵抗について望ましい効果を持たせる。
【０１０８】
比較例４
比較例３と同様に化合物４−エトキシ−３−シアノ−２−フルオロフェノール、
【化４５】
、ＥＣＦＰと略称、を液晶混合物Ａ−０で調べた。非常に類似した結果が得られた。ＣＦＰと同様に，ＥＣＦＰでも比抵抗の著しい低下を生じ，これは明らかに使用した濃度に依存している。効果はＣＦＰの場合におけるよりもＥＣＦＰの場合の方が幾分大きい。しかしながら、過剰蒸気圧の問題もＥＣＦＰでは生ずるが、ＣＦＰの場合より幾分その程度は小さい。従って、ＣＦＰと同様にＥＣＦＰは実用的応用には特別には適当ではない。
【０１０９】
比較例５
例１における化合物ＰＣＨ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨと同様の方法で作成した化合物２−シアノ−４−（４−ｎ−プロピル−トランス−シクロヘキシル）フェノール、
【化４６】
ＰＣＨ−３Ｎ．ＯＨと略称、の融点は１４５．４℃である。
例１におけるように、ＰＣＨ−３Ｎ．ＯＨの比抵抗を混合物Ａ−０で測定した。結果を下記表１９に示す。
【０１１０】
表１９：ＰＣＨ−３Ｎ．ＯＨを含有する混合物Ａの比抵抗
【表２３】
例３（表２、混合物Ａ−１０００）と比較して、ＰＣＨ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨの１０００ｐｐｍは混合物Ａ−０の比抵抗を１．９・１０１３Ωｃｍから１．０・１０１２Ωｃｍへ低下させるのみであるのに対して、同一濃度の例１の化合物ＰＣＨ−３Ｎ．ＯＨは１．０・１０１１Ωｃｍまで低下させることが解る。ＰＣＨ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨと比較してより低い酸度のため、従ってＰＣＨ−３Ｎ．ＯＨは混合物Ａ−０などの液晶混合物の比抵抗の調整には適当でない。
【０１１１】
比較例６
例８におけるように、化合物Ｄ−０を使用した。しかしながら、今回は
【化４７】
、ＣＣＰ−３ＯＨ−Ｆ．Ｆ．Ｆと略称、を使用した。試験化合物での比抵抗値の結果を下記表２０に示す。
【０１１２】
表２０：ＣＣＰ−３ＯＨ−Ｆ．Ｆ．Ｆを含有する混合物Ｄの抵抗
【表２４】
結果から見られるように、化合物ＣＣＰ−３ＯＨ−Ｆ．Ｆ．Ｆは抵抗値の調整には適当ではない。これはその不適当なｐｋａ値によるものであると見られる。
【０１１３】
比較例７
例８におけるように、化合物Ｄ−０を使用した。しかしながら、今回は
【化４８】
、ＬＵＵ−３−ＯＨと略称、を使用した。結果を下記表２１に示す。
【０１１４】
表２１：ＬＵＵ−３−ＯＨを含有する混合物Ｄの抵抗
【表２５】
比較例６のドーパントＣＣＰ−３ＯＨ−Ｆ．Ｆ．Ｆのように、ＬＵＵ−３−ＯＨも抵抗値の調整には適当ではない。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１０ｐｐｍから１０％の濃度の酸性化合物を含むことを特徴とする、特定の比抵抗を有する液晶混合物。
【請求項２】
酸性化合物が、フェノールであることを特徴とする、請求項１に記載の液晶混合物。
【請求項３】
酸性化合物が、式Ｉのフェノール；
【化１】
式中、
Ａ１及びＡ２は互いに独立して、かつＡ１が多数回生ずる場合にも互いに独立して、それぞれ
ａ）１,４−シクロヘキシレン又はトランス−１,４シクロヘキセニレンであり、式においてさらに、１個又は多数の非−隣接ＣＨ２基がＯ及び／又はＳで交換でき、
ｂ）１,４−フェニレン、その中でさらに、１個又は２個のＣＨ２基がＮで交換でき、
ｃ）１,４−ビシクロ[２．２．２]オクチレン、ピペリジン−１,４−ジイル，ナフタレン−２,６−ジイル、デカハイドロナフタレン−３,６−ジイル、又は１,２,３,４−テトラハイドロナフタレン−２,６−ジイルであり、この一般式において（ａ）及び（ｂ）はＦ原子による一置換体又は二置換体であることができ；
Ｚ１及びＺ２は、互いに独立して、かつＺ１が多数回生ずる場合にも互いに独立して、それぞれ-CO-O-、-O-CO-、-COCH2-、-CH2-CO-、-CH2O-、-OCH2-、-CH2CH2-、-CH=CH-、-C≡C-であるか又は単結合であり、
又はＺ１及びＺ２基の１つは、
-(CH2)4-、-(CH2)3CO-、-(CH2)2-O-CO-、-(CH2)2-(CO-O)-、CH=CH-CH2-CH2-、-CH2-CH2-CH=CH-又は-CH2-CH=CH-CH2-であり、
ＲはＨ、それぞれ１又は２から１５の炭素原子を有するアルキル又はアルケニルであり、それらは未置換であるか、ＣＮ又はＣＦ３により一置換されているか、又は
ハロゲン、特にF又はClで一置換されるか又は多置換され、さらにこれらの基の１個又は多数のＣＨ２基が互いに独立して、
-O-、-S-、
【化２】
、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-により２つのＯ原子が直接互いに結合されない条件で交換でき、Ｒは又、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ又はＣＯＯＲ’、適当であればＯＨであり、
Ｒ’はＨ又はＲであり、（ここでＣＮ、Ｆ、ＯＨ又はＣＯＯＲ’は除かれる）
ｎは０、１又は２であり、
ｍは０又は１であり、
ｏは１、２又は３であり、
ｎ＋ｍ＋ｏは２、３又は４であり；
Ｘ及びＹはそれぞれ互いに独立して、又Ｘ及び／又はＹが多数回存在する場合には、それぞれ互いに独立して、Ｆ、Ｃｌ、ＣＯＯＲ’、ＮＯ２、又はＣＮであり、ここで、ＸはＦであることが好ましくかつＹはＣＮであることが好ましく；
ｐ１、ｐ２、ｑ１及びｑ２はそれぞれ０、１、２、３又は４であり、
ｏが１、ｑ２が０の場合、ｐ２は３又は４であり、
ｏが１、ｑ２が１、２又は３の場合、ｐ２+ｑ２は１、２、３又は４、
好ましくはｑ２は１でｐ２は１又は２であり、
ｏが２又は３の場合、ｐ１＋ｐ２＋ｑ１＋ｑ２は１、２、３、４、５、６、７又は８であり、
ｑ１＋ｑ２が１又は２の場合、ｐ１＋ｐ２は１、２、３又は４、好ましくは、
ｑ１＋ｑ２が１で、ｐ１＋ｐ２が１又は２であり、
ｑ１＋ｑ２が０の場合、ｐ１＋ｐ２は３、４、５、６、７又は８、好ましくは、６、７又は８である、
ことを特徴とする、請求項１に記載の液晶混合物。
【請求項４】
液晶表示体における請求項１に記載の液晶混合物の使用。
【請求項５】
請求項１に記載の液晶混合物を含有する液晶表示体。
【請求項６】
液晶表示体が、ＳＴＮ、ＡＭＤ、ＴＮ又はＩＰＳ表示体であることを特徴とする、請求項５に記載の液晶表示体。
【請求項７】
酸性化合物が液晶混合物に加えられることを特徴とする液晶混合物の比抵抗の調整方法。
【請求項８】
酸性化合物が、適当な低蒸気圧かつ適当な高酸度（ｐｋａ）のメソゲン形成性化合物であることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
酸性化合物が、請求項３に記載の式Ｉの化合物であることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
下記式の化合物；
【化３】
を除く、請求項３に記載の式Ｉの化合物。
【請求項１１】
フェノール系ＯＨ基が、例えば、ハロゲンなどの置換基の求核性置換により導入されることを特徴とする、請求項１０に記載の式Ｉの化合物の製造方法。
【請求項１】
１０ｐｐｍから１０％の濃度の酸性化合物を含むことを特徴とする、特定の比抵抗を有する液晶混合物。
【請求項２】
酸性化合物が、フェノールであることを特徴とする、請求項１に記載の液晶混合物。
【請求項３】
酸性化合物が、式Ｉのフェノール；
【化１】
式中、
Ａ１及びＡ２は互いに独立して、かつＡ１が多数回生ずる場合にも互いに独立して、それぞれ
ａ）１,４−シクロヘキシレン又はトランス−１,４シクロヘキセニレンであり、式においてさらに、１個又は多数の非−隣接ＣＨ２基がＯ及び／又はＳで交換でき、
ｂ）１,４−フェニレン、その中でさらに、１個又は２個のＣＨ２基がＮで交換でき、
ｃ）１,４−ビシクロ[２．２．２]オクチレン、ピペリジン−１,４−ジイル，ナフタレン−２,６−ジイル、デカハイドロナフタレン−３,６−ジイル、又は１,２,３,４−テトラハイドロナフタレン−２,６−ジイルであり、この一般式において（ａ）及び（ｂ）はＦ原子による一置換体又は二置換体であることができ；
Ｚ１及びＺ２は、互いに独立して、かつＺ１が多数回生ずる場合にも互いに独立して、それぞれ-CO-O-、-O-CO-、-COCH2-、-CH2-CO-、-CH2O-、-OCH2-、-CH2CH2-、-CH=CH-、-C≡C-であるか又は単結合であり、
又はＺ１及びＺ２基の１つは、
-(CH2)4-、-(CH2)3CO-、-(CH2)2-O-CO-、-(CH2)2-(CO-O)-、CH=CH-CH2-CH2-、-CH2-CH2-CH=CH-又は-CH2-CH=CH-CH2-であり、
ＲはＨ、それぞれ１又は２から１５の炭素原子を有するアルキル又はアルケニルであり、それらは未置換であるか、ＣＮ又はＣＦ３により一置換されているか、又は
ハロゲン、特にF又はClで一置換されるか又は多置換され、さらにこれらの基の１個又は多数のＣＨ２基が互いに独立して、
-O-、-S-、
【化２】
、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-により２つのＯ原子が直接互いに結合されない条件で交換でき、Ｒは又、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ又はＣＯＯＲ’、適当であればＯＨであり、
Ｒ’はＨ又はＲであり、（ここでＣＮ、Ｆ、ＯＨ又はＣＯＯＲ’は除かれる）
ｎは０、１又は２であり、
ｍは０又は１であり、
ｏは１、２又は３であり、
ｎ＋ｍ＋ｏは２、３又は４であり；
Ｘ及びＹはそれぞれ互いに独立して、又Ｘ及び／又はＹが多数回存在する場合には、それぞれ互いに独立して、Ｆ、Ｃｌ、ＣＯＯＲ’、ＮＯ２、又はＣＮであり、ここで、ＸはＦであることが好ましくかつＹはＣＮであることが好ましく；
ｐ１、ｐ２、ｑ１及びｑ２はそれぞれ０、１、２、３又は４であり、
ｏが１、ｑ２が０の場合、ｐ２は３又は４であり、
ｏが１、ｑ２が１、２又は３の場合、ｐ２+ｑ２は１、２、３又は４、
好ましくはｑ２は１でｐ２は１又は２であり、
ｏが２又は３の場合、ｐ１＋ｐ２＋ｑ１＋ｑ２は１、２、３、４、５、６、７又は８であり、
ｑ１＋ｑ２が１又は２の場合、ｐ１＋ｐ２は１、２、３又は４、好ましくは、
ｑ１＋ｑ２が１で、ｐ１＋ｐ２が１又は２であり、
ｑ１＋ｑ２が０の場合、ｐ１＋ｐ２は３、４、５、６、７又は８、好ましくは、６、７又は８である、
ことを特徴とする、請求項１に記載の液晶混合物。
【請求項４】
液晶表示体における請求項１に記載の液晶混合物の使用。
【請求項５】
請求項１に記載の液晶混合物を含有する液晶表示体。
【請求項６】
液晶表示体が、ＳＴＮ、ＡＭＤ、ＴＮ又はＩＰＳ表示体であることを特徴とする、請求項５に記載の液晶表示体。
【請求項７】
酸性化合物が液晶混合物に加えられることを特徴とする液晶混合物の比抵抗の調整方法。
【請求項８】
酸性化合物が、適当な低蒸気圧かつ適当な高酸度（ｐｋａ）のメソゲン形成性化合物であることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
酸性化合物が、請求項３に記載の式Ｉの化合物であることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
下記式の化合物；
【化３】
を除く、請求項３に記載の式Ｉの化合物。
【請求項１１】
フェノール系ＯＨ基が、例えば、ハロゲンなどの置換基の求核性置換により導入されることを特徴とする、請求項１０に記載の式Ｉの化合物の製造方法。
【公開番号】特開２０１０−５９４３０（Ｐ２０１０−５９４３０Ａ）
【公開日】平成２２年３月１８日（２０１０．３．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２４８２３０（Ｐ２００９−２４８２３０）
【出願日】平成２１年１０月２８日（２００９．１０．２８）
【分割の表示】特願平１１−２７０６５の分割
【原出願日】平成１１年２月４日（１９９９．２．４）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．テフロン
【出願人】（５９１０３２５９６）メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング (1,043)
【氏名又は名称原語表記】Ｍｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｍｉｔ ｂｅｓｃｈｒａｅｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ
【住所又は居所原語表記】Ｆｒａｎｋｆｕｒｔｅｒ Ｓｔｒ． ２５０，Ｄ−６４２９３ Ｄａｒｍｓｔａｄｔ，Ｆｅｄｅｒａｌ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｇｅｒｍａｎｙ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年３月１８日（２０１０．３．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１０月２８日（２００９．１０．２８）
【分割の表示】特願平１１−２７０６５の分割
【原出願日】平成１１年２月４日（１９９９．２．４）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．テフロン
【出願人】（５９１０３２５９６）メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング (1,043)
【氏名又は名称原語表記】Ｍｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｍｉｔ ｂｅｓｃｈｒａｅｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ
【住所又は居所原語表記】Ｆｒａｎｋｆｕｒｔｅｒ Ｓｔｒ． ２５０，Ｄ−６４２９３ Ｄａｒｍｓｔａｄｔ，Ｆｅｄｅｒａｌ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｇｅｒｍａｎｙ
【Ｆターム（参考）】
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