液晶表示装置
【課題】液晶表示装置の表示領域内にタッチパネル等のセンサーを組み込む場合、遮光層としては、第一に十分な遮光性を有することが求められるが、一方では液晶注入を妨げずさらにはギャップムラが発生しにくいように膜厚を薄くすることが望まれる。形成するセンサー特性によっては遮光層の誘電率がある程度高いことが望ましい。また画素間の狭い領域に形成できる加工性を有し、さらに低コストで生産性の高い材料およびプロセスが求められる。
【解決手段】センサー電極上および周囲の遮光層を高誘電率インクによるインクジェット工法で形成することにより、低コストで歩留りが良く、センサー感度の良い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】センサー電極上および周囲の遮光層を高誘電率インクによるインクジェット工法で形成することにより、低コストで歩留りが良く、センサー感度の良い液晶表示装置を提供する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態はセンサーを内蔵した液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示領域内にタッチパネル等のセンサーを組み込んだ液晶表示装置があるが、対向基板ではなくアレイ基板上に着色層を形成する場合には、センサー部等配線の隙間からの光漏れが問題となる。このため表示領域外周の額縁部分と同様に配線の隙間には遮光層を形成する必要がある。（例えば、特許文献１参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１０７３８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
遮光層としては、第一に十分な遮光性を有することが求められるが、一方では液晶注入を妨げずさらにはギャップムラが発生しにくいように膜厚を薄くすることが望まれる。形成するセンサー特性によっては遮光層の誘電率がある程度高いことが望ましい。また画素間の狭い領域に形成できる加工性を有し、さらに低コストで生産性の高い材料およびプロセスが求められる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態は、アレイ基板と、前記アレイ基板に対向して配置された対向基板と、前記アレイ基板上に設けられた複数の走査線及び信号線と、前記走査線及び信号線の交差部に設けられたスイッチング素子と、前記走査線、前記信号線及び前記スイッチング素子を覆うように前記アレイ基板上に形成され、レジストによりそれぞれ異なる色に着色された第一、第二、及び第三の有機絶縁膜と、前記第一、第二、及び第三の有機絶縁膜上に形成され表示領域を形成する画素電極と、前記アレイ基板上で前記表示領域内に形成されたセンサー電極と、前記アレイ基板と対向基板の間に配置され、両基板間を保持するスペーサと、前記画素電極及び前記センサー電極を遮光する遮光層と、前記遮光層の側面に形成され、前記第一、第二、及び第三の有機絶縁膜により形成されたバンク部と、を備える液晶表示装置であって、
前記遮光層はインクジェット工法により形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法を提供することで上記課題を解決する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本発明の実施形態による液晶表示装置の構成を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿う拡大断面図である。
【図４】本発明の実施形態のセンサー部の構造を示す平面図である。
【図５】本発明の実施形態センサー周辺の着色層構造を示す拡大平面図である。
【図６】図５のＢ−Ｂ線に沿う拡大断面図である。
【図７】本発明について説明する簡易図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本発明の実施形態による液晶表示装置の実施の形態を、図面を参照し説明する。
【０００８】
（実施の形態１）
本発明の実施形態による液晶表示装置の実施の形態１を図１から図４を参照して説明する。また同一部分は同一符号で示す。
【０００９】
図１は本発明による液晶表示装置の構成を示す斜視図であり、図２は図１の液晶パネル部分を示す平面図である。また図３は図２の破線部での拡大断面図であり、各着色層２４ａ、２４ｂ、２４ｃとスルーホール１５の関係を示す。図４はセンサー部の構造を説明する平面図であり、一部の着色層２４を省略している。
【００１０】
液晶表示装置は表示領域２５を有するアレイ基板１１０と、このアレイ基板１１０に所定の隙間を保持して対向配置された対向基板１２０と、を備え、アレイ基板１１０下面には光源となるLED等からなるバックライトユニット１３が配置される。
【００１１】
アレイ基板１１０はガラス等からなる基板１０と、この基板１０上に形成された着色層２４と図示しない配向膜を備えている。基板１０上には図３または図４に示す複数本の信号線１２及び走査線１１が多層薄膜を介して格子状に配置されている。また各走査線１１に沿って補助容量１６が配列され、補助容量１６と信号線１２がなすマス目上の画素開口にほぼ対応するようIndium-Tin-Oxide（以下ITOという）等の透明導電材料からなり表示領域２５を構成する画素電極３０が配設される。
【００１２】
走査線１１及び信号線１２の各交点部分には、画素電極３０を制御するためのスイッチング素子１４が形成され、スイッチング素子１４上に多層薄膜の一部である有機絶縁膜２４が皮膜されている。
【００１３】
有機絶縁膜２４はR、G、Bのうちのいずれかのレジストによって着色され、第一着色層２４ａ、第二着色層２４ｂ、第三着色層２４ｃを形成している。
【００１４】
また有機絶縁膜２４は表示領域２５以外の部分（以下非表示領域という）に形成される場合もある。
【００１５】
各着色層２４ａ、２４ｂ、２４ｃ上には画素電極３０が配される。画素電極３０は各着色層２４ａ、２４ｂ、２４ｃに形成されたスルーホール１５を介し、スイッチング素子と電気的に接続される。
【００１６】
ここで、スイッチング素子はゲート電極１４ｂ、ソース電極１４a、ドレイン電極１４ｃから構成される薄膜トランジスタ１４（以下TFTという）を用いる。ゲート電極１４ｂは走査線１１と、またソース電極１４aは信号線１２と夫々電気的に接続される。
【００１７】
走査線１１と接続されたゲート電極１４ｂに電圧が印加されると、ソース電極１４aとドレイン電極１４ｃ間が導通し、TFT１４が一定期間オン状態になる。この期間に画像表示に必要な信号が信号線１２から供給され所定のタイミングで書き込まれる。
【００１８】
ドレイン電極１４ｃは画素電極３０と有機絶縁膜２４の各着色層２４a、２４ｂ、２４ｃに形成されたスルーホール１５を介し電気的に接続される。
【００１９】
一方、表示領域２５内にはタッチパネル用センサーが形成されており、センサー電極５４は図４に示すように信号線１１と平行方向に配置されている。またセンサー制御のためにセンサー用走査線５０、センサー読み出し用走査線５１、センサー制御回路５２、センサー読み出し線５３、センサープリチャージ線５５が配置されている。センサー電極５４にはプリチャージ線５５からセンサー制御回路５２を通して電圧が印加され、一定の電荷がチャージされる。電圧印加タイミングはセンサー用走査線５０によって制御されている。印加された電圧は制御回路中のアンプによって増幅され、センサー読み出し線５３によって信号が戻される。読み出しタイミングはセンサー読み出し用走査線５１によって制御されている。表示領域５０上の対向基板１２０を指で触った部分では容量が変化し、制御回路５２で読み取る電圧に変化が生じる。この電圧変化を検知することにより表示領域２５にタッチパネル機能を付加することが可能となる。
【００２０】
対向基板１２０はガラス等からなる透明基板２１を有し、アレイ基板１１０と対向に配置される。また対向基板１２０は液晶層７０側にITOからなる透明電極２２と図示しない配向膜を有する。
【００２１】
アレイ基板１１０と対向基板１２０とは表示領域２５の周縁である額縁領域においてシール材２６を用いて接合され、アレイ基板１１０と対向基板１２０とシール材２６とで囲まれた領域に液晶層７０が形成されている。
【００２２】
シール材２６は液晶層７０を封止し、シール材２６内側にはブラックマトリクス層２７（以下BM層２７という）が遮光層として配置される。また表示領域２５内に形成されたセンサー電極５４周囲の光漏れを防止するために、センサー電極５４周囲にも遮光層が配置される。
【００２３】
アレイ基板１１０と対向基板１２０間の距離はスペーサ３１によって保持される。スペーサ３１は樹脂からなり、所望する距離に合わせて３〜７μm程度の高さで形成されることが多い。
【００２４】
さらにアレイ基板１１０及び対向基板１２０の夫々液晶層７０側と反対に位置する面には図示しない偏光板が夫々配設されている。
【００２５】
以下、本実施の形態の特徴的部分であるインクジェット工法によるＢＭ層２７形成について図５から図７を参照し詳細に説明する。なお同一部分は同一符号で示す。
【００２６】
図５は本発明のセンサー周辺の着色層構造を示す拡大平面図である。また図６は図５のＢ−Ｂ線に沿う拡大断面図である。
【００２７】
TFT１４形成後のアレイ基板１１０上に第一着色層２４a、第二着色層２４ｂ、第三着色層２４ｃと順次形成するが、その際にインクジェット塗布領域の両側に第二着色層２４ｂを用いて堤防となる構造を形成する。通常インクジェット工法で使用するインクはインクジェットで飛ばす必要があることから流動性が高く、堤防を乗り越えて流れ出ると不良品となってしまう。このため塗布前に堤防を形成することによりインクあふれで表示領域２５内にインクが侵入するのを防ぐことができる。その後、インクジェット工法により遮光性インクを塗布して焼成することによりＢＭ層２７が得られる。
【００２８】
インクジェットによるＢＭ層形成は、ＢＭ層部分のみにインクを塗布すれば良いため材料使用量が非常に少なくて済むため、低コストでの生産が可能である。一方従来のフォトエッチング工法では基板全体に遮光レジストを塗布し、さらにマスクを用いて露光を行い、さらに現像する必要があるため工程が多く、マスクや現像液等の部材も必要となるためコストや歩留まりの面でインクジェットより不利となることが多い。
【００２９】
インクには遮光性を持たせるために顔料等を含ませるが、有機顔料だけではなく、例えばカーボンや酸化チタン等の使用も可能である。なおタッチパネルセンサーとして容量変動を検出する場合には、誘電率の高いインク材料を用いることが望ましい。
【００３０】
図７に示すように、センサー電極による容量をＣ１、プリチャージによる電荷をＱとした場合、電圧Ｖは Ｖ＝Ｑ／Ｃ１ となる。一方、センサー電極上にインクジェットにより誘電率の高い材料を塗布して遮光層を形成した場合、遮光層単体の容量をＣ２とする。仮にＣ２がＣ１の２倍の容量とすると、Ｃ２＝２×Ｃ１となる。Ｃ１とＣ２の合成容量をＣ‘とすると、Ｃ’＝（２／３）Ｃ１となる。プリチャージによる電荷Ｑが一定の場合、電圧Ｖ‘はＶ’＝Ｑ／Ｃ＝Ｑ／（（２／３）Ｃ１）＝（３／２）Ｑ／Ｃ１＝（３／２）Ｖ となることから、電圧が約１．５倍となる。このことから、誘電率の高い遮光層材料を使用することにより容量変動による電圧変化をより感度良く検出することが可能となる。
【００３１】
こうして本発明の実施形態の様にタッチパネル用センサー電極上にインクジェットによる遮光層構造を適用したところ、表示領域内に感度の良いタッチパネルを組み込むことができ、インクジェット工法による遮光性インクが画素に流れ込むことも無く、歩留り良く低コストで液晶表示装置を作製することができた。
【００３２】
なお、この発明は、上記実施形態そのものに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【符号の説明】
【００３３】
１０…基板
１１…走査線
１２…信号線
１３…バックライト
１４…スイッチング素子（薄膜トランジスタ）
１５…スルーホール
１６…補助容量
２１…透明基板
２２…透明電極
２４…着色層
２５…表示領域
２６…シール材
２７…ブラックマトリクス（BM）層
３０…画素電極
３１…スペーサ
４０…インク用バンク（土手構造）
５０…センサー用走査線
５１…センサー読み出し用走査線
５２…センサー用制御回路
５３…センサー読み出し線
５４…センサー電極
５５…プリチャージ線
７０…液晶層
１１０ … アレイ基板
１２０ …対向基板
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態はセンサーを内蔵した液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示領域内にタッチパネル等のセンサーを組み込んだ液晶表示装置があるが、対向基板ではなくアレイ基板上に着色層を形成する場合には、センサー部等配線の隙間からの光漏れが問題となる。このため表示領域外周の額縁部分と同様に配線の隙間には遮光層を形成する必要がある。（例えば、特許文献１参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１０７３８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
遮光層としては、第一に十分な遮光性を有することが求められるが、一方では液晶注入を妨げずさらにはギャップムラが発生しにくいように膜厚を薄くすることが望まれる。形成するセンサー特性によっては遮光層の誘電率がある程度高いことが望ましい。また画素間の狭い領域に形成できる加工性を有し、さらに低コストで生産性の高い材料およびプロセスが求められる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態は、アレイ基板と、前記アレイ基板に対向して配置された対向基板と、前記アレイ基板上に設けられた複数の走査線及び信号線と、前記走査線及び信号線の交差部に設けられたスイッチング素子と、前記走査線、前記信号線及び前記スイッチング素子を覆うように前記アレイ基板上に形成され、レジストによりそれぞれ異なる色に着色された第一、第二、及び第三の有機絶縁膜と、前記第一、第二、及び第三の有機絶縁膜上に形成され表示領域を形成する画素電極と、前記アレイ基板上で前記表示領域内に形成されたセンサー電極と、前記アレイ基板と対向基板の間に配置され、両基板間を保持するスペーサと、前記画素電極及び前記センサー電極を遮光する遮光層と、前記遮光層の側面に形成され、前記第一、第二、及び第三の有機絶縁膜により形成されたバンク部と、を備える液晶表示装置であって、
前記遮光層はインクジェット工法により形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法を提供することで上記課題を解決する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本発明の実施形態による液晶表示装置の構成を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿う拡大断面図である。
【図４】本発明の実施形態のセンサー部の構造を示す平面図である。
【図５】本発明の実施形態センサー周辺の着色層構造を示す拡大平面図である。
【図６】図５のＢ−Ｂ線に沿う拡大断面図である。
【図７】本発明について説明する簡易図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本発明の実施形態による液晶表示装置の実施の形態を、図面を参照し説明する。
【０００８】
（実施の形態１）
本発明の実施形態による液晶表示装置の実施の形態１を図１から図４を参照して説明する。また同一部分は同一符号で示す。
【０００９】
図１は本発明による液晶表示装置の構成を示す斜視図であり、図２は図１の液晶パネル部分を示す平面図である。また図３は図２の破線部での拡大断面図であり、各着色層２４ａ、２４ｂ、２４ｃとスルーホール１５の関係を示す。図４はセンサー部の構造を説明する平面図であり、一部の着色層２４を省略している。
【００１０】
液晶表示装置は表示領域２５を有するアレイ基板１１０と、このアレイ基板１１０に所定の隙間を保持して対向配置された対向基板１２０と、を備え、アレイ基板１１０下面には光源となるLED等からなるバックライトユニット１３が配置される。
【００１１】
アレイ基板１１０はガラス等からなる基板１０と、この基板１０上に形成された着色層２４と図示しない配向膜を備えている。基板１０上には図３または図４に示す複数本の信号線１２及び走査線１１が多層薄膜を介して格子状に配置されている。また各走査線１１に沿って補助容量１６が配列され、補助容量１６と信号線１２がなすマス目上の画素開口にほぼ対応するようIndium-Tin-Oxide（以下ITOという）等の透明導電材料からなり表示領域２５を構成する画素電極３０が配設される。
【００１２】
走査線１１及び信号線１２の各交点部分には、画素電極３０を制御するためのスイッチング素子１４が形成され、スイッチング素子１４上に多層薄膜の一部である有機絶縁膜２４が皮膜されている。
【００１３】
有機絶縁膜２４はR、G、Bのうちのいずれかのレジストによって着色され、第一着色層２４ａ、第二着色層２４ｂ、第三着色層２４ｃを形成している。
【００１４】
また有機絶縁膜２４は表示領域２５以外の部分（以下非表示領域という）に形成される場合もある。
【００１５】
各着色層２４ａ、２４ｂ、２４ｃ上には画素電極３０が配される。画素電極３０は各着色層２４ａ、２４ｂ、２４ｃに形成されたスルーホール１５を介し、スイッチング素子と電気的に接続される。
【００１６】
ここで、スイッチング素子はゲート電極１４ｂ、ソース電極１４a、ドレイン電極１４ｃから構成される薄膜トランジスタ１４（以下TFTという）を用いる。ゲート電極１４ｂは走査線１１と、またソース電極１４aは信号線１２と夫々電気的に接続される。
【００１７】
走査線１１と接続されたゲート電極１４ｂに電圧が印加されると、ソース電極１４aとドレイン電極１４ｃ間が導通し、TFT１４が一定期間オン状態になる。この期間に画像表示に必要な信号が信号線１２から供給され所定のタイミングで書き込まれる。
【００１８】
ドレイン電極１４ｃは画素電極３０と有機絶縁膜２４の各着色層２４a、２４ｂ、２４ｃに形成されたスルーホール１５を介し電気的に接続される。
【００１９】
一方、表示領域２５内にはタッチパネル用センサーが形成されており、センサー電極５４は図４に示すように信号線１１と平行方向に配置されている。またセンサー制御のためにセンサー用走査線５０、センサー読み出し用走査線５１、センサー制御回路５２、センサー読み出し線５３、センサープリチャージ線５５が配置されている。センサー電極５４にはプリチャージ線５５からセンサー制御回路５２を通して電圧が印加され、一定の電荷がチャージされる。電圧印加タイミングはセンサー用走査線５０によって制御されている。印加された電圧は制御回路中のアンプによって増幅され、センサー読み出し線５３によって信号が戻される。読み出しタイミングはセンサー読み出し用走査線５１によって制御されている。表示領域５０上の対向基板１２０を指で触った部分では容量が変化し、制御回路５２で読み取る電圧に変化が生じる。この電圧変化を検知することにより表示領域２５にタッチパネル機能を付加することが可能となる。
【００２０】
対向基板１２０はガラス等からなる透明基板２１を有し、アレイ基板１１０と対向に配置される。また対向基板１２０は液晶層７０側にITOからなる透明電極２２と図示しない配向膜を有する。
【００２１】
アレイ基板１１０と対向基板１２０とは表示領域２５の周縁である額縁領域においてシール材２６を用いて接合され、アレイ基板１１０と対向基板１２０とシール材２６とで囲まれた領域に液晶層７０が形成されている。
【００２２】
シール材２６は液晶層７０を封止し、シール材２６内側にはブラックマトリクス層２７（以下BM層２７という）が遮光層として配置される。また表示領域２５内に形成されたセンサー電極５４周囲の光漏れを防止するために、センサー電極５４周囲にも遮光層が配置される。
【００２３】
アレイ基板１１０と対向基板１２０間の距離はスペーサ３１によって保持される。スペーサ３１は樹脂からなり、所望する距離に合わせて３〜７μm程度の高さで形成されることが多い。
【００２４】
さらにアレイ基板１１０及び対向基板１２０の夫々液晶層７０側と反対に位置する面には図示しない偏光板が夫々配設されている。
【００２５】
以下、本実施の形態の特徴的部分であるインクジェット工法によるＢＭ層２７形成について図５から図７を参照し詳細に説明する。なお同一部分は同一符号で示す。
【００２６】
図５は本発明のセンサー周辺の着色層構造を示す拡大平面図である。また図６は図５のＢ−Ｂ線に沿う拡大断面図である。
【００２７】
TFT１４形成後のアレイ基板１１０上に第一着色層２４a、第二着色層２４ｂ、第三着色層２４ｃと順次形成するが、その際にインクジェット塗布領域の両側に第二着色層２４ｂを用いて堤防となる構造を形成する。通常インクジェット工法で使用するインクはインクジェットで飛ばす必要があることから流動性が高く、堤防を乗り越えて流れ出ると不良品となってしまう。このため塗布前に堤防を形成することによりインクあふれで表示領域２５内にインクが侵入するのを防ぐことができる。その後、インクジェット工法により遮光性インクを塗布して焼成することによりＢＭ層２７が得られる。
【００２８】
インクジェットによるＢＭ層形成は、ＢＭ層部分のみにインクを塗布すれば良いため材料使用量が非常に少なくて済むため、低コストでの生産が可能である。一方従来のフォトエッチング工法では基板全体に遮光レジストを塗布し、さらにマスクを用いて露光を行い、さらに現像する必要があるため工程が多く、マスクや現像液等の部材も必要となるためコストや歩留まりの面でインクジェットより不利となることが多い。
【００２９】
インクには遮光性を持たせるために顔料等を含ませるが、有機顔料だけではなく、例えばカーボンや酸化チタン等の使用も可能である。なおタッチパネルセンサーとして容量変動を検出する場合には、誘電率の高いインク材料を用いることが望ましい。
【００３０】
図７に示すように、センサー電極による容量をＣ１、プリチャージによる電荷をＱとした場合、電圧Ｖは Ｖ＝Ｑ／Ｃ１ となる。一方、センサー電極上にインクジェットにより誘電率の高い材料を塗布して遮光層を形成した場合、遮光層単体の容量をＣ２とする。仮にＣ２がＣ１の２倍の容量とすると、Ｃ２＝２×Ｃ１となる。Ｃ１とＣ２の合成容量をＣ‘とすると、Ｃ’＝（２／３）Ｃ１となる。プリチャージによる電荷Ｑが一定の場合、電圧Ｖ‘はＶ’＝Ｑ／Ｃ＝Ｑ／（（２／３）Ｃ１）＝（３／２）Ｑ／Ｃ１＝（３／２）Ｖ となることから、電圧が約１．５倍となる。このことから、誘電率の高い遮光層材料を使用することにより容量変動による電圧変化をより感度良く検出することが可能となる。
【００３１】
こうして本発明の実施形態の様にタッチパネル用センサー電極上にインクジェットによる遮光層構造を適用したところ、表示領域内に感度の良いタッチパネルを組み込むことができ、インクジェット工法による遮光性インクが画素に流れ込むことも無く、歩留り良く低コストで液晶表示装置を作製することができた。
【００３２】
なお、この発明は、上記実施形態そのものに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【符号の説明】
【００３３】
１０…基板
１１…走査線
１２…信号線
１３…バックライト
１４…スイッチング素子（薄膜トランジスタ）
１５…スルーホール
１６…補助容量
２１…透明基板
２２…透明電極
２４…着色層
２５…表示領域
２６…シール材
２７…ブラックマトリクス（BM）層
３０…画素電極
３１…スペーサ
４０…インク用バンク（土手構造）
５０…センサー用走査線
５１…センサー読み出し用走査線
５２…センサー用制御回路
５３…センサー読み出し線
５４…センサー電極
５５…プリチャージ線
７０…液晶層
１１０ … アレイ基板
１２０ …対向基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アレイ基板と、
前記アレイ基板に対向して配置された対向基板と、
前記アレイ基板上に設けられた複数の走査線及び信号線と、
前記走査線及び信号線の交差部に設けられたスイッチング素子と、
前記走査線、前記信号線及び前記スイッチング素子を覆うように前記アレイ基板上に形成され、レジストによりそれぞれ異なる色に着色された第一、第二、及び第三の有機絶縁膜と、
前記第一、第二、及び第三の有機絶縁膜上に形成され表示領域を形成する画素電極と、
前記アレイ基板上で前記表示領域内に形成されたセンサー電極と、
前記アレイ基板と対向基板の間に配置され、両基板間を保持するスペーサと、
前記画素電極及び前記センサー電極を遮光する遮光層と、
前記遮光層の側面に形成され、前記第一、第二、及び第三の有機絶縁膜により形成されたバンク部と、を備える液晶表示装置であって、
前記遮光層はインクジェット工法により形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記インクジェット工法は誘電率の高いインク材料を用いることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１】
アレイ基板と、
前記アレイ基板に対向して配置された対向基板と、
前記アレイ基板上に設けられた複数の走査線及び信号線と、
前記走査線及び信号線の交差部に設けられたスイッチング素子と、
前記走査線、前記信号線及び前記スイッチング素子を覆うように前記アレイ基板上に形成され、レジストによりそれぞれ異なる色に着色された第一、第二、及び第三の有機絶縁膜と、
前記第一、第二、及び第三の有機絶縁膜上に形成され表示領域を形成する画素電極と、
前記アレイ基板上で前記表示領域内に形成されたセンサー電極と、
前記アレイ基板と対向基板の間に配置され、両基板間を保持するスペーサと、
前記画素電極及び前記センサー電極を遮光する遮光層と、
前記遮光層の側面に形成され、前記第一、第二、及び第三の有機絶縁膜により形成されたバンク部と、を備える液晶表示装置であって、
前記遮光層はインクジェット工法により形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記インクジェット工法は誘電率の高いインク材料を用いることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１２−７８４８０（Ｐ２０１２−７８４８０Ａ）
【公開日】平成２４年４月１９日（２０１２．４．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２２２３２１（Ｐ２０１０−２２２３２１）
【出願日】平成２２年９月３０日（２０１０．９．３０）
【出願人】（３０２０２０２０７）東芝モバイルディスプレイ株式会社 (2,170)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月１９日（２０１２．４．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月３０日（２０１０．９．３０）
【出願人】（３０２０２０２０７）東芝モバイルディスプレイ株式会社 (2,170)
【Ｆターム（参考）】
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