液晶装置の製造方法及び製造装置
【課題】生産性の低下を抑制し、所望の品質が得られる液晶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】無機配向膜を備えた液晶装置は、基板上に無機配向膜を形成する工程と、基板上に帯電する静電気量を測定する工程とを含む。
【解決手段】無機配向膜を備えた液晶装置は、基板上に無機配向膜を形成する工程と、基板上に帯電する静電気量を測定する工程とを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置の製造方法及び製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、液晶を配向させる配向膜を備えている。配向膜として、ポリイミド等の有機材料からなる高分子膜をラビング処理したものを用いる場合が多いが、近時においては、耐熱性や耐光性の向上等を目的として、窒化珪素等の無機材料からなる配向膜、すなわち無機配向膜を用いることが提案されている。下記特許文献１、２には、無機配向膜を備えた液晶装置に関する技術の一例が開示されている。
【特許文献１】特開平１１−１６０７１１号公報
【特許文献２】特開２０００−４７２１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、液晶装置の品質は水分により劣化する可能性が高いので、液晶装置の製造工程中においても、無機配向膜など、液晶装置を構成する部材が吸湿したり、その部材に水分が付着することを抑える必要がある。液晶装置の製造工程中において、液晶装置を構成する部材が吸湿した状態、あるいはその部材に水分が付着した状態を放置したままで、その部材を用いた液晶装置の製造を続行すると、製造後の液晶装置の品質は不十分なものとなり、生産性の低下にもつながる。また、水分のみならず、液晶装置を構成する部材の表面が異常な状態を放置したままで、その部材を用いた液晶装置の製造を続行した場合にも、製造後の液晶装置の品質は不十分なものとなり、生産性の低下にもつながる。
【０００４】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、生産性の低下を抑制し、所望の品質が得られる液晶装置の製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明は、無機配向膜を備えた液晶装置の製造方法において、基板上に前記無機配向膜を形成する工程と、前記基板上に帯電する静電気量を測定する工程とを含む製造方法を提供する。
【０００６】
本発明によれば、液晶装置の製造工程中において、液晶装置を構成する部材の状態を把握することができる。例えば、液晶装置を構成する部材の静電気量は、その部材の吸湿状態（水分の付着状態）に応じて変化するので、基板上に帯電する静電気量を測定することにより、その測定結果に基づいて、部材の吸湿状態（水分の付着状態）を把握することができる。また、製造工程中において、部材の表面処理を実行した場合、その表面処理が良好に実行できたかどうかを、静電気量の測定結果に基づいて判別することもできる。また、静電気量の測定結果に基づいて部材の状態を把握するので、部材に影響を与えることなく、簡易な手法で短時間のうちにその部材の状態を把握することができる。そして、静電気量の測定結果に基づいて、例えば液晶装置を構成する部材の状態が異常であると判断された場合には、例えばその部材を用いずに液晶装置の製造を実行したり、あるいはその部材を正常な状態に戻すような処理を実行する等、適切な処置を講ずることができる。したがって、生産性の低下を抑制し、所望の品質が得られる液晶装置を製造することができる。
【０００７】
本発明の製造方法において、前記基板上に前記無機配向膜を形成する前に、前記基板の表面の静電気量を測定する構成を採用することができる。これにより、無機配向膜を形成する前に、基板の状態を静電気量の測定結果に基づいて把握することができる。
【０００８】
本発明の製造方法において、前記基板上に前記無機配向膜を形成した後に、前記基板上の前記無機配向膜の表面の静電気量を測定する構成を採用することができる。これにより、形成された無機配向膜の状態を静電気量の測定結果に基づいて把握することができる。
【０００９】
本発明の製造方法において、前記無機配向膜を形成した後、前記無機配向膜の表面を処理する工程を有し、前記処理された前記無機配向膜上に帯電する静電気量を測定する構成を採用することができる。これにより、製造工程中において、無機配向膜の表面に施した処理が良好に実行できたかどうかを、静電気量の測定結果に基づいて判別することもできる。
【００１０】
本発明の製造方法において、前記処理は、前記無機配向膜を撥水性にする処理を含む構成を採用することができる。これにより、無機配向膜が吸湿したり、無機配向膜に水分が付着することを抑えることができ、液晶装置の品質の劣化を抑えることができる。そして、静電気量の測定結果に基づいて、無機配向膜を撥水性にする処理が良好に実行されたかどうかを判別することができる。
【００１１】
本発明の製造方法において、前記処理は、所定の材料を前記無機配向膜の表面に供給する処理を含む構成を採用することができる。これにより、無機配向膜に所定の性能を与えることができ、液晶装置の品質の劣化を抑えることができる。そして、静電気量の測定結果に基づいて、所定の材料を供給する処理が良好に実行されたかどうかを判別することができる。
【００１２】
本発明の製造方法において、前記材料は、アルコールを含むものであってもよいし、シランカップリング剤を含むものであってもよい。これにより、無機配向膜に所定の性能を与えることができる。
【００１３】
また、本発明は、無機配向膜を備えた液晶装置の製造装置において、基板上に前記無機配向膜を形成する形成装置と、前記基板上に帯電する静電気量を測定する測定装置とを備えた製造装置を提供する。
【００１４】
本発明によれば、液晶装置の製造工程中において、液晶装置を構成する部材の状態を把握することができる。例えば、液晶装置を構成する部材の静電気量は、その部材の吸湿状態（水分の付着状態）に応じて変化するので、基板上に帯電する静電気量を測定することにより、その測定結果に基づいて、部材の吸湿状態（水分の付着状態）を把握することができる。また、製造工程中において、部材の表面処理を実行した場合、その表面処理が良好に実行できたかどうかを、静電気量の測定結果に基づいて判別することもできる。また、静電気量の測定結果に基づいて部材の状態を把握するので、部材に影響を与えることなく、簡易な手法で短時間のうちにその部材の状態を把握することができる。そして、静電気量の測定結果に基づいて、例えば液晶装置を構成する部材の状態が異常であると判断された場合には、例えばその部材を用いずに液晶装置の製造を実行したり、あるいはその部材を正常な状態に戻すような処理を実行する等、適切な処置を講ずることができる。したがって、生産性の低下を抑制し、所望の品質が得られる液晶装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る液晶装置の製造方法を示すフローチャート図である。図１に示すように、本実施形態に係る製造方法は、無機配向膜を備えた液晶装置の製造方法であって、基板上に無機配向膜を形成する工程（ステップＳ５）と、基板上に帯電する静電気量を測定する工程（ステップＳ３、Ｓ６、Ｓ９）とを含む。また、本実施形態の製造方法は、基板上に無機配向膜を形成する前に、基板の表面の静電気量を測定する工程（ステップＳ３）と、基板上に無機配向膜を形成した後に、基板上の無機配向膜の表面の静電気量を測定する工程（ステップＳ６）と有している。また、本実施形態の製造方法は、無機配向膜を形成した後、無機配向膜の表面を処理する工程（ステップＳ８）と、その処理された無機配向膜上に帯電する静電気量を測定する工程（ステップＳ９）とを有している。
【００１６】
図１に示すように、本実施形態においては、まず、基板作成工程が行われる（ステップＳ１）。基板作成工程は、アレイ基板を製造する工程と、対向基板を製造する工程とを含む。
【００１７】
アレイ基板（ＴＦＴアレイ基板）を製造する工程では、ガラス基板上に、画素電極、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、及び蓄積コンデンサ等を含む画素部分と、画素に電気信号等を供給する配線部分とが、例えばフォトリソグラフィ法、あるいはインクジェット法等の所定の手法を用いて形成される。アレイ基板は、ガラス基板上に形成された種々の金属膜、絶縁膜、半導体層、及び不純物層等を含む。
【００１８】
対向基板（カラーフィルタ基板）を製造する工程では、ガラス基板上に、ブラックマトリクス、着色パターン（カラーフィルタ）、保護膜、及び電極等が、例えばフォトリソグラフィ法、あるいはインクジェット法等の所定の手法を用いて形成される。
【００１９】
基板作成工程の後、洗浄工程が行われる（ステップＳ２）。洗浄工程では、ステップＳ１で形成されたアレイ基板と対向基板とが洗浄される。洗浄工程では、ウエット洗浄処理及びドライ洗浄処理の少なくとも一方が実行される。ウエット洗浄処理は、例えば、洗浄液を用いて基板を洗浄する動作、純水等でリンスする動作、及び超音波等を用いて微粒子を除去する動作を含む。ドライ洗浄処理は、例えば基板に紫外光を照射する動作を含む。
【００２０】
洗浄工程が終了した後、基板上に残留している水分を除去するために、乾燥処理が実行される。乾燥処理は、例えばホットプレートを用いて基板を乾燥する動作、及び基板に遠赤外光等を照射してその基板を乾燥する動作等を含む。乾燥処理された後の基板は、温度調整（冷却）される。
【００２１】
洗浄工程の後、基板上に帯電する静電気量を測定する工程（第１の静電気量測定工程）が行われる（ステップＳ３）。第１の静電気量測定工程では、アレイ基板の表面の静電気量を測定する動作、及び対向基板の表面の静電気量を測定する動作のそれぞれが実行される。
【００２２】
図２は、アレイ基板１の表面１Ａの静電気量を測定する動作を説明するための模式図である。静電気量の測定は、液晶装置を製造する製造装置ＬＳの一部である静電気量測定装置（帯電量測定装置）１１によって行われる。静電気量測定装置１１を含む製造装置ＬＳの動作は、制御装置１０に制御される。また、制御装置１０には記憶装置１２が接続されている。ここで、アレイ基板１の表面１Ａは、無機配向膜が形成される側の面（液晶層が形成される側の面）であり、静電気量測定装置１１は、少なくともそのアレイ基板１の表面１Ａの静電気量を測定する。なお、静電気量測定装置１１は、アレイ基板１の表面１Ａと反対側の面（裏面）の静電気量を測定することももちろん可能である。
【００２３】
静電気量測定装置１１は、アレイ基板１の表面１Ａと対向する配置され、そのアレイ基板１の表面１Ａの静電気量を測定するプローブを含む。静電気量測定装置１１は、アレイ基板１の表面１Ａの静電気量を非接触で測定し、その測定結果を制御装置１０に出力する。
【００２４】
制御装置１０は、静電気量の測定結果が正常かどうかを判別する（ステップＳ４）。ここで、静電気量の測定結果が正常であるとは、静電気量測定装置１１で測定された静電気量が予め定められている許容レベルである状態をいう。
【００２５】
本実施形態においては、制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果に基づいて、アレイ基板１の表面１Ａの状態が正常かどうかを判別する。制御装置１０は、静電気量測定装置１１で測定された静電気量が予め定められている許容レベルである場合、そのアレイ基板１の表面１Ａの状態が正常であると判断する。ここで、静電気量の測定結果が正常である、すなわちアレイ基板１の表面１Ａの状態が正常であるとは、製造後における液晶装置が所望レベルの品質を得られる状態をいう。
【００２６】
静電気量とアレイ基板１の表面１Ａの状態との関係、ひいては静電気量と製造後における液晶装置の品質との関係は、例えば実験等により予め求めることができ、記憶装置１２に記憶されている。制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果と、記憶装置１２の記憶情報とに基づいて、アレイ基板１の表面１Ａの状態を求めることができる。
【００２７】
本実施形態においては、静電気量の許容レベルに関する情報が予め記憶装置１２に記憶されており、制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果と、記憶装置１２の記憶情報とに基づいて、静電気量の測定結果が正常かどうか、すなわちアレイ基板１の表面１Ａの状態が正常かどうかを判別する。制御装置１０は、静電気量測定装置１１で測定された静電気量が予め定められている許容レベルである場合、その静電気量の測定結果が正常である、すなわちアレイ基板１の表面１Ａが正常であると判断する。
【００２８】
ここで、アレイ基板１の表面１Ａの状態とは、アレイ基板１の表面１Ａの吸湿状態（水分の付着状態、水分の残留状態、水分量）を含む。水（水分）は極性を有しており、アレイ基板１の表面１Ａの静電気量は、そのアレイ基板１の表面１Ａの水分量に応じて変化するので、制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果に基づいて、アレイ基板１の表面１Ａの吸湿状態（水分の付着状態、水分の残留状態、水分量）を把握することができる。
【００２９】
本実施形態においては、制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果に基づいて、アレイ基板１の表面１Ａの吸湿状態（水分の付着状態、水分の残留状態、水分量）が正常かどうかを判別する。制御装置１０は、静電気量測定装置１１で測定された静電気量が予め定められている許容レベルである場合、そのアレイ基板１の表面１Ａの吸湿状態が正常であると判断する。
【００３０】
アレイ基板１の表面１Ａの吸湿状態と、その吸湿状態に対応するアレイ基板１の表面１Ａの静電気量との関係は、例えば実験又はシミュレーション等により予め求めることができ、記憶装置１２に記憶されている。制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果と、記憶装置１２の記憶情報とに基づいて、アレイ基板１の表面１Ａの吸湿状態を求めることができる。すなわち、本実施形態においては、静電気量測定装置１１を含む製造装置ＬＳは、静電気量測定装置１１を用いてアレイ基板１の表面１Ａの静電気量を測定し、その測定結果に基づいて、アレイ基板１の表面１Ａの吸湿状態を求める。
【００３１】
アレイ基板１の表面１Ａの水分量が少ないほど、製造後の液晶装置の品質を良好にすることができる。したがって、静電気量測定装置１１の測定結果、すなわちアレイ基板１の表面１Ａの静電気量の値は大きい方が望ましい。本実施形態においては、制御装置１０は、静電気量測定装置１１の測定結果の値が、予め定められている許容値よりも高い場合に、アレイ基板１の表面１Ａの水分量が許容値以下に抑えられている（正常である）と判断する。
【００３２】
同様に、制御装置１０は、対向基板２の表面２Ａの静電気量を静電気量測定装置１１を用いて測定し、その測定結果が正常かどうか、すなわち対向基板２の表面２Ａの状態（水分量）が正常かどうかを判別する。ここで、対向基板２の表面２Ａは、無機配向膜が形成される側の面（液晶層が形成される側の面）であり、静電気量測定装置１１は、少なくともその対向基板２の表面２Ａの静電気量を測定する。なお、静電気量測定装置１１は、対向基板２の表面２Ａと反対側の面（裏面）の静電気量を測定することももちろん可能である。
【００３３】
ステップＳ４において、アレイ基板１の表面１Ａの静電気量の測定結果が正常であると判断された場合、すなわち、アレイ基板１の表面１Ａの状態が正常である（表面１Ａの水分量が許容値以下である）と判断された場合、その正常であると判断されたアレイ基板１上に無機配向膜を形成する工程が実行される（ステップＳ５）。
【００３４】
本実施形態においては、製造装置ＬＳは、例えば特開平１１−１６０７１１号公報、特開２０００−４７２１１号公報等に開示されているような、斜方蒸着法によって、アレイ基板１の表面１Ａに無機配向膜を形成する。無機配向膜は、ＳｉＯ２、ＳｉＯ等の珪素酸化物、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＭｇＯ、及びＩＴＯ等の金属酸化物等を含む無機材料により形成される。
【００３５】
図３は、アレイ基板１の表面１Ａ及び対向基板２の表面２Ａのそれぞれに無機配向膜を形成するための無機配向膜形成装置１３を示す図、図４は、アレイ基板１の表面１Ａ及び対向基板２の表面２Ａに無機配向膜が形成される様子を説明するための模式図、図５は、アレイ基板１の表面１Ａ及び対向基板２の表面２Ａに形成された無機配向膜１６、２２を示す模式図である。
【００３６】
図３に示すように、製造装置ＬＳは、蒸着装置を含む無機配向膜形成装置１３を備えている。無機配向膜形成装置１３を含む製造装置ＬＳの動作は、制御装置１０に制御される。本実施形態においては、無機配向膜形成装置１３は、アレイ基板１上に無機配向膜を形成するための無機材料の蒸気を発生させる蒸着源１４と、アレイ基板１を保持する保持機構１５とを備えている。保持機構１５は、蒸着源１４とアレイ基板１の重心位置とを結ぶ基準線Ｘ１とアレイ基板１の表面１Ａと垂直に交わる直線Ｘ２とのなす角θ０が所定値となるように、アレイ基板１を保持する。無機配向膜形成装置１３は、角度θ０を変化させることによって、蒸着源１４で発生させた無機材料の蒸気の進行方向（図３中、矢印Ｙ１参照）とアレイ基板１の表面１Ａとがなす角度θ１を調整可能である。
【００３７】
無機配向膜形成装置１３の蒸着源１４から発生した無機材料の蒸気は、図４中、矢印Ｙ１で示すように、アレイ基板１の表面１Ａに対して略一定の入射角度（傾斜角度）で連続して入射する。
【００３８】
これにより、図５の模式図に示すように、アレイ基板１の表面１Ａには、無機材料の柱状構造体１６Ａが形成される。そして、この柱状構造体１６Ａが多数形成されることによって、アレイ基板１の表面１Ａに無機配向膜１６が形成される。
【００３９】
同様に、ステップＳ４において、対向基板２の表面２Ａの静電気量の測定結果が正常であると判断された場合、すなわち、対向基板２の表面２Ａの状態が正常である（表面２Ａの水分量が許容値以下である）と判断された場合、その正常であると判断された対向基板２上に無機配向膜を形成する工程が実行される。対向基板２の表面２Ａには、無機材料の柱状構造体２２Ａが形成される。そして、この柱状構造体２２Ａが多数形成されることによって、対向基板２の表面２Ａに無機配向膜２２が形成される。
【００４０】
なおここでは、製造装置ＬＳは、斜方蒸着法によって無機配向膜を形成しているが、例えばイオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法等のスパッタ法、蒸着法、ゾルゲル法、自己組織化法等の所定の手法を用いて無機配向膜１６、２２を形成してもよい。
【００４１】
基板上に無機配向膜を形成した後に、基板上の無機配向膜の表面の静電気量を測定する工程（第２の静電気量測定工程）が行われる（ステップＳ６）。第２の静電気量測定工程では、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量を測定する動作、及び対向基板２上の無機配向膜２２の表面の静電気量を測定する動作のそれぞれが実行される。
【００４２】
アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量の測定は、図２を参照して説明した静電気量測定装置（帯電量測定装置）１１によって行われる。静電気量測定装置１１は、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量を測定し、その測定結果を制御装置１０に出力する。
【００４３】
制御装置１０は、静電気量の測定結果が正常かどうかを判別する（ステップＳ７）。ここで、静電気量の測定結果が正常であるとは、静電気量測定装置１１で測定された静電気量が予め定められている許容レベルである状態をいう。
【００４４】
本実施形態においては、制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果に基づいて、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態が正常かどうかを判別する。制御装置１０は、静電気量測定装置１１で測定された静電気量が予め定められている許容レベルである場合、そのアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態が正常であると判断する。ここで、静電気量の測定結果が正常である、すなわちアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態が正常であるとは、製造後における液晶装置が所望レベルの品質を得られる状態をいう。
【００４５】
静電気量とアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態との関係、ひいては静電気量と製造後における液晶装置の品質との関係は、例えば実験等により予め求めることができ、記憶装置１２に記憶されている。制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果と、記憶装置１２の記憶情報とに基づいて、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態を求めることができる。
【００４６】
本実施形態においては、静電気量の許容レベルに関する情報が予め記憶装置１２に記憶されており、制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果と、記憶装置１２の記憶情報とに基づいて、静電気量の測定結果が正常かどうか、すなわちアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態が正常かどうかを判別する。制御装置１０は、静電気量測定装置１１で測定された静電気量が予め定められている許容レベルである場合、その静電気量の測定結果が正常である、すなわちアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面が正常であると判断する。
【００４７】
ここで、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態とは、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の吸湿状態（水分の付着状態、水分の残留状態、水分量）を含む。水（水分）は極性を有しており、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量は、そのアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の水分量に応じて変化するので、制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果に基づいて、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の吸湿状態（水分の付着状態、水分の残留状態、水分量）を把握することができる。
【００４８】
本実施形態においては、制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果に基づいて、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の吸湿状態（水分の付着状態、水分の残留状態、水分量）が正常かどうかを判別する。制御装置１０は、静電気量測定装置１１で測定された静電気量が予め定められている許容レベルである場合、そのアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の吸湿状態が正常であると判断する。
【００４９】
アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の吸湿状態と、その吸湿状態に対応するアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量との関係は、例えば実験又はシミュレーション等により予め求めることができ、記憶装置１２に記憶されている。制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果と、記憶装置１２の記憶情報とに基づいて、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の吸湿状態を求めることができる。すなわち、本実施形態においては、静電気量測定装置１１を含む製造装置ＬＳは、静電気量測定装置１１を用いてアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量を測定し、その測定結果に基づいて、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の吸湿状態を求める。
【００５０】
アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の水分量が少ないほど、製造後の液晶装置の品質を良好にすることができる。したがって、静電気量測定装置１１の測定結果、すなわちアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量の値は大きい方が望ましい。本実施形態においては、制御装置１０は、静電気量測定装置１１の測定結果の値が、予め定められている許容値よりも高い場合に、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の水分量が許容値以下に抑えられている（正常である）と判断する。
【００５１】
同様に、制御装置１０は、対向基板２上の無機配向膜２２の表面の静電気量を静電気量測定装置１１を用いて測定し、その測定結果が正常かどうか、すなわち対向基板２上の無機配向膜２２の表面の状態（水分量）が正常かどうかを判別する。
【００５２】
ステップＳ７において、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量の測定結果が正常であると判断された場合、すなわち、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態が正常である（無機配向膜１６の表面の水分量が許容値以下である）と判断された場合、その正常であると判断されたアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面を処理する工程（表面処理工程）が実行される（ステップＳ８）。
【００５３】
無機配向膜１６の表面処理は、例えば特開平１１−１６０７１１号公報、特開２０００−４７２１１号公報等に開示されているような、その無機配向膜１６の表面に、アルコールを供給するアルコール処理を含む。アルコール処理は、直鎖の高級アルコール、例えばオクタデカノールの蒸気中に無機配向膜を晒す処理を含む。また、そのアルコール処理は、ヘキシルアルコール、オクチルアルコール、セチルアルコール、ステアリルアルコール、セリルアルコール、及びミリシルアルコール等の高級アルコールを無機配向膜１６に吸着させる処理、その高級アルコールで無機配向膜１６を化学的に変化させる処理、及びその高級アルコールで無機配向膜１６を湿潤させる処理を含む。
【００５４】
また、無機配向膜１６の表面処理は、例えば特開２００６−３０６４６号公報等に開示されているような、フルオロアルコール、イソプロピルアルコール、オクタノール、ヘプタデカノール、ベンジルアルコール、エトキシシラン系材料、及びメトキシシラン系材料を供給する処理を含む。
【００５５】
無機配向膜１６の表面処理に用いるアルコールとしては、側鎖をもつものであってもよいし、水素原子の一部又は全部をフッ素、窒素等で置換したものであってもよい。また、置換基としては、水素基、フッ素基、窒素基のみならず、その他の置換基であってもよい。
【００５６】
そして、これらアルコール類を用いて無機配向膜１６を表面処理することにより、無機配向膜１６を撥水性にすることができる。すなわち、上述のアルコールを含む撥水性有機材料により、無機配向膜１６の表面を撥水性にすることができる。
【００５７】
また、無機配向膜１６の表面処理として、異なる分子量の複数の撥水性有機材料（アルコール）で疎水化処理（撥水化処理）してもよい。例えば、斜方蒸着法等によって形成された無機配向膜は、その表層に小さな間隙を多数形成される可能性が高いため、例えば大きな分子量の撥水性有機材料によって主に無機配向膜の表面を疎水化（撥水化）し、小さな分子量の撥水性有機材料によって主に無機配向膜の表層の間隙内を疎水化することができる。例えば、炭素数が８のオクチルアルコール（オクタノール；Ｃ８Ｈ１７ＯＨ）と、炭素数が３のイソプロピルアルコール（イソプロパノール；（ＣＨ３）２ＣＨＯＨ）とを用い、無機配向膜１６を疎水化処理することができる。
【００５８】
無機配向膜１６の表面にアルコールを供給する手法としては、気相法及び液相法の少なくとも一方を用いることができる。気相法は、例えば密閉容器中に、無機配向膜１６を有するアレイ基板１とアルコールとを入れ、必要に応じて加熱する処理を含む。これにより、密閉容器内で蒸発したアルコールが無機配向膜１６の表面に供給される。液相法は、液体状のアルコール中に、無機配向膜１６を有するアレイ基板１を浸漬する処理を含む。
【００５９】
また、無機配向膜１６の表面処理は、シランカップリング剤を無機配向膜１６の表面に供給する処理を含む。シランカップリング剤を無機配向膜１６の表面に供給することによっても、その無機配向膜１６の表面を撥液性にすることができる。
【００６０】
シランカップリング剤としては、有機官能基としてアルキル基を有するものが好ましい。また、無機配向膜１６の表面処理として、異なる分子量の複数のシランカップリング剤を供給するようにしてもよい。分子量が大きい方のシランカップリング剤のアルキル基は、分子量が小さい方のシランカップリング剤のアルキル基より炭素数が多いものとなっているのが好ましい。分子量が大きい方のシランカップリング剤は、そのアルキル基によって良好な撥水性、耐光性を発揮する。一方、分子量が小さい方のシランカップリング剤は、そのアルキル基が短い（炭素数が少ない）ので、分子量が大きい方のシランカップリング剤に対して立体障害を起こすことなく、無機配向膜１６の表面に容易に反応し、付着する。
【００６１】
分子量の大きい方のシランカップリング剤としては、炭素数が１８以上のアルキル基を有機官能基として有したものが好ましい。一方、このシランカップリング剤に対して分子量の小さいものとして、例えば炭素数が８以下のアルキル基を有機官能基として有したものが用いられる。例えば、分子量の大きい方のシランカップリング剤としては、以下のＡの化学式に示すもの（アルキル基の炭素数が１８のもの）を用いることができ、分子量の小さい方のシランカップリング剤としては、以下のＢの化学式に示すもの（アルキル基の炭素数が２のもの）を用いることができる。
Ａ；（Ｃ１８Ｈ３７）Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
Ｂ；（Ｃ２Ｈ５）Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
【００６２】
無機配向膜１６の表面にシランカップリング剤を供給する手法としては、気相法及び液相法の少なくとも一方を用いることができる。気相法は、例えばＣＶＤ装置に、無機配向膜１６を有するアレイ基板１を入れ、シランカップリング剤を蒸気として導入する処理を含む。液相法は、シランカップリング剤を適当な溶媒に溶解して溶液を生成し、その溶液中に、無機配向膜１６を有するアレイ基板１を浸漬する処理を含む。
【００６３】
なお、図６には、大きい分子量の撥水性有機材料（アルコール又はシランカップリング剤）Ａによって主に無機配向膜１６の表面が疎水化され、小さい分子量の撥水性有機材料（アルコール又はシランカップリング剤）Ｂによって主に無機配向膜１６の表層の間隙内が疎水化されている状態が模式的に示されている。
【００６４】
液晶装置の品質は水分により劣化する可能性が高いが、アルコールやシランカップリング剤等の撥液性を有する材料を無機配向膜１６の表面に供給することによって、その無機配向膜１６の表面を撥水性にすることにより、耐湿性を高め、液晶装置の品質の劣化を抑制することができる。
【００６５】
同様に、ステップＳ７において、対向基板２上の無機配向膜２２の表面の静電気量の測定結果が正常であると判断された場合、すなわち、対向基板２上の無機配向膜２２の表面の状態が正常である（無機配向膜２２の表面の水分量が許容値以下である）と判断された場合、その正常であると判断された対向基板２上の無機配向膜２２の表面を処理する工程（表面処理工程）が実行される。
【００６６】
無機配向膜の表面を処理した後、その処理された無機配向膜上に帯電する静電気量を測定する工程（第３の静電気量測定工程）が行われる（ステップＳ９）。第３の静電気量測定工程では、ステップＳ８における表面処理後のアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量を測定する動作、及びステップＳ８における表面処理後の対向基板２上の無機配向膜２２の表面の静電気量を測定する動作のそれぞれが実行される。
【００６７】
アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量の測定は、図２を参照して説明した静電気量測定装置（帯電量測定装置）１１によって行われる。静電気量測定装置１１は、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量を測定し、その測定結果を制御装置１０に出力する。
【００６８】
制御装置１０は、静電気量の測定結果が正常かどうかを判別する（ステップＳ１０）。ここで、静電気量の測定結果が正常であるとは、静電気量測定装置１１で測定された静電気量が予め定められている許容レベルである状態をいう。
【００６９】
本実施形態においては、制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果に基づいて、表面処理後のアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態が正常かどうか、すなわち無機配向膜１６が所望状態で表面処理されているかどうかを判別する。制御装置１０は、静電気量測定装置１１で測定された静電気量が予め定められている許容レベルである場合、そのアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態が正常である、すなわち無機配向膜１６が所望状態で表面処理されていると判断する。ここで、静電気量の測定結果が正常である、すなわちアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態が正常であるとは、無機配向膜１６が所望状態で表面処理されて十分な疎水性（耐湿性）を有し、製造後における液晶装置が所望レベルの品質を得られる状態をいう。
【００７０】
静電気量とアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態との関係、ひいては静電気量と製造後における液晶装置の品質との関係は、例えば実験等により予め求めることができ、記憶装置１２に記憶されている。制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果と、記憶装置１２の記憶情報とに基づいて、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態（表面処理の状態）を求めることができる。
【００７１】
本実施形態においては、静電気量の許容レベルに関する情報が予め記憶装置１２に記憶されており、制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果と、記憶装置１２の記憶情報とに基づいて、静電気量の測定結果が正常かどうか、すなわちアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態が正常かどうか（所望状態で表面処理されたかどうか）を判別する。制御装置１０は、静電気量測定装置１１で測定された静電気量が予め定められている許容レベルである場合、その静電気量の測定結果が正常である、すなわちアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面が正常である（所望状態で表面処理されている）と判断する。
【００７２】
ここで、表面処理後におけるアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態とは、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の疎水性の度合い（水に対する接触角）を含む。上述のように、本実施形態においては、ステップＳ８における表面処理は、無機配向膜１６を撥水性にする処理を含み、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量は、そのアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の疎水性の度合い（水に対する接触角）に応じて変化するので、制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果に基づいて、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の疎水性の度合い（水に対する接触角）を把握することができ、ステップＳ８において所望状態で表面処理できたかどうか（良好に疎水性に処理されたかどうか）を把握することができる。また、制御装置１０は、静電気量測定装置１１を用いて、無機配向膜１６のうち表面処理が十分にできていない領域の特定、すなわち無機配向膜１６の表面処理の分布の導出を行うこともできる。
【００７３】
本実施形態においては、制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果に基づいて、アレイ基板１上の無機配向膜１６の疎水性の度合い（水に対する接触角）が正常かどうかを判別する。制御装置１０は、静電気量測定装置１１で測定された静電気量が予め定められている許容レベルである場合、そのアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の疎水性の度合い（水に対する接触角）が正常であると判断する。
【００７４】
記憶装置１２には、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の疎水性の度合い（水に対する接触角）と、その疎水性の度合い（水に対する接触角）に対応するアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量との関係が、例えば実験又はシミュレーション等により予め求められており、記憶装置１２に記憶されている。制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果と、記憶装置１２の記憶情報とに基づいて、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の疎水性の度合い（水に対する接触角）を求めることができる。すなわち、本実施形態においては、静電気量測定装置１１を含む製造装置ＬＳは、静電気量測定装置１１を用いてアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量を測定し、その測定結果に基づいて、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の疎水性の度合い（水に対する接触角）を求める。
【００７５】
アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の疎水性が高いほど、耐湿性が向上され、製造後の液晶装置の品質を良好にすることができる。したがって、静電気量測定装置１１の測定結果、すなわちアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量の値は大きい方が望ましい。
【００７６】
本実施形態においては、制御装置１０は、静電気量測定装置１１の測定結果の値が、予め定められている許容値よりも高い場合に、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面が所望状態で疎水性に処理されていると判断する。
【００７７】
同様に、制御装置１０は、対向基板２上の無機配向膜２２の表面の静電気量を静電気量測定装置１１を用いて測定し、その測定結果が正常かどうか、すなわち対向基板２上の無機配向膜２２の表面の疎水性の度合い（水に対する接触角）が正常かどうか（所望状態で表面処理されたかどうか）を判別する。
【００７８】
静電気量の測定結果の一例として、クリーンルーム内大気中（温度約２０度、湿度５０〜６０％）における、表面処理前（疎水化処理前）におけるアレイ基板１上の無機配向膜１６の静電気量の測定値が、−０．０１〜−０．０７ｋＶであったものが表面処理後（疎水化処理後）においては、−０．１５ｋＶ程度となり、その絶対値は上昇する。更に、ドライエアを噴霧して乾燥させることにより、無機配向膜１６の静電気量の測定値は、＋０．３０ｋＶ程度となる。また、表面処理前（疎水化処理前）における対向基板２上の無機配向膜２２の静電気量の測定値が、−０．０３〜−０．０５ｋＶであったものが表面処理後（疎水化処理後）においては、−０．１５ｋＶ程度となり、その絶対値は上昇する。更に、ドライエアを噴霧して乾燥させることにより、無機配向膜２２の静電気量の測定値は、＋０．３０ｋＶ程度となる。このように、無機配向膜１６、２２に表面処理（疎水化処理）を行う前と後とでは、静電気量は、２〜１０倍程度変化（上昇）する。なお、表面処理（疎水化処理）を行う前における無機配向膜１６、２２の水に対する接触角は、５〜１５度程度であったが、表面処理（疎水化処理）を行った後においては、接触角は、７０〜９０度程度となった。
【００７９】
ステップＳ１０において、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量の測定結果が正常であると判断された場合、すなわち、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態が正常である（無機配向膜１６の表面の処理が良好に行われている）と判断された場合、その正常であると判断されたアレイ基板１を用いて、次の工程である組み立て工程が実行される。同様に、ステップＳ１０において、対向基板２上の無機配向膜２２の表面の静電気量の測定結果が正常であると判断された場合、すなわち、対向基板２上の無機配向膜２２の表面の状態が正常である（無機配向膜２２の表面の処理が良好に行われている）と判断された場合、その正常であると判断された対向基板２を用いて、次の工程である組み立て工程が実行される（ステップＳ１１）。
【００８０】
組み立て工程は、アレイ基板１と対向基板２との貼り合わせ工程、貼り合わせた基板どうしを所望の大きさに切断する工程等を含む。貼り合わせ工程は、貼り合わせた後のアレイ基板１と対向基板２とのギャップを規定するためのスペーサ部材を配置する工程と、アレイ基板１と対向基板２とのギャップからの液晶の流出を防止するためのシール材を配置する工程とを含む。
【００８１】
例えば、図７の模式図に示すように、アレイ基板１上及び対向基板２上の少なくとも一方に、スペーサ部材１８と、シール部材１７とが配置され、アレイ基板１と対向基板２とが貼り合わせられる。アレイ基板１と対向基板２とは、アレイ基板１の表面１Ａに形成された無機配向膜１６と、対向基板２の表面２Ａに形成された無機配向膜２２とが対向するように、貼り合わせられる。
【００８２】
次に、液晶注入工程が実行される（ステップＳ１２）。図８の模式図に示すように、注入口１９より、アレイ基板１と対向基板２とのギャップに液晶２０が注入される。ギャップに液晶２０が注入された後、注入口１９が封止される。そして、図９の模式図に示すように、アレイ基板１の裏面に偏光板２１Ａが設けられるとともに、対向基板２の裏面に偏光板２１Ｂが設けられ、液晶装置６０が形成される。
【００８３】
なお、ステップＳ８の表面処理工程とステップＳ１１の組み立て工程との間において、必要に応じて、基板の洗浄処理が行われる。また、ステップＳ１１の組み立て工程とステップＳ１２の液晶注入工程との間において、必要に応じて、基板の乾燥処理が実行される。
【００８４】
ステップＳ４において、アレイ基板１の表面１Ａの静電気量の測定結果が正常でない（異常である）と判断された場合、すなわち、アレイ基板１の表面１Ａの状態が正常でない（異常である）と判断された場合、制御装置１０は、そのアレイ基板１上に無機配向膜１６を形成する動作を実行せず、所定の処理（第１の処理）を実行する（ステップＳ１３）。第１の処理としては、その異常と判断されたアレイ基板１を正常な状態に戻すような処理、例えばその異常と判断されたアレイ基板１の表面１Ａの洗浄及び乾燥処理を再度実行する処理が挙げられる。また、第１の処理としては、その異常と判断されたアレイ基板１を廃棄する処理が挙げられる。
【００８５】
同様に、ステップＳ４において、対向基板２の表面２Ａの静電気量の測定結果が正常でない（異常である）と判断された場合、すなわち、対向基板２の表面２Ａの状態が正常でない（異常である）と判断された場合、制御装置１０は、その対向基板２上に無機配向膜２２を形成する動作を実行せず、所定の処理（第１の処理）を実行する（ステップＳ１３）。すなわち、制御装置１０は、その異常と判断した対向基板２を正常な状態に戻すような処理、例えばその異常と判断した対向基板２の表面２Ａの洗浄及び乾燥処理を再度実行する処理、あるいは、その異常と判断した対向基板２を廃棄する処理等を実行する。
【００８６】
ステップＳ７において、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量の測定結果が正常でない（異常である）と判断された場合、すなわち、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態が正常でない（異常である）と判断された場合、制御装置１０は、そのアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面を処理する動作を実行せず、所定の処理（第２の処理）を実行する（ステップＳ１４）。第２の処理としては、その異常と判断された無機配向膜１６を有するアレイ基板１を廃棄する処理が挙げられる。また、無機配向膜１６をアレイ基板１上に再度形成することが可能であるならば、異常と判断された無機配向膜１６を除去し、アレイ基板１上に無機配向膜１６を再度形成するようにしてもよい。
【００８７】
同様に、ステップＳ７において、対向基板２上の無機配向膜２２の表面の静電気量の測定結果が正常でない（異常である）と判断された場合、すなわち、対向基板２上の無機配向膜２２の表面の状態が正常でない（異常である）と判断された場合、制御装置１０は、その対向基板２上の無機配向膜２２の表面を処理する動作を実行せず、所定の処理（第２の処理）を実行する。すなわち、制御装置１０は、例えば、その異常と判断した無機配向膜２２を有する対向基板２を廃棄する処理等を実行する。
【００８８】
ステップＳ１０において、表面処理後のアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量の測定結果が正常でない（異常である）と判断された場合、すなわち、表面処理後のアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態が正常でない（異常である）と判断された場合、制御装置１０は、そのアレイ基板１を用いた組み立て工程を実行せず、所定の処理（第３の処理）を実行する（ステップＳ１５）。第３の処理としては、その異常と判断された無機配向膜１６を正常な状態に戻すような処理、例えば、その異常と判断された無機配向膜１６の表面に対して再度、表面処理を行う処理が挙げられる。また、第３の処理としては、そのアレイ基板１を廃棄する処理が挙げられる。
【００８９】
同様に、ステップＳ１０において、表面処理後の対向基板２上の無機配向膜２２の表面の静電気量の測定結果が正常でない（異常である）と判断された場合、すなわち、表面処理後の対向基板２上の無機配向膜２２の表面の状態が正常でない（異常である）と判断された場合、制御装置１０は、その対向基板２を用いた組み立て工程を実行せず、所定の処理（第３の処理）を実行する。すなわち、制御装置１０は、その異常と判断した無機配向膜２２を正常な状態に戻すような処理、例えば、その異常と判断された無機配向膜２２の表面に対して再度、表面処理を行う処理を実行する。また、制御装置１０は、第３の処理として、その対向基板２を廃棄するようにしてもよい。
【００９０】
なお、本実施形態におけるステップＳ３、Ｓ６、Ｓ９それぞれの静電気量の測定動作は、ほぼ同一の環境下（温度、湿度、材料）で実行される。
【００９１】
以上説明したように、液晶装置６０の製造工程中において、液晶装置を構成する部材、本実施形態においては、アレイ基板１、対向基板２、アレイ基板１の表面１Ａに形成された無機配向膜１６、対向基板２の表面２Ａに形成された無機配向膜２２、表面処理（撥液性にする処理）された後の無機配向膜１６、２２の静電気量を測定することによって、その測定結果を用いて、それら各部材の状態を把握することができる。本実施形態においては、それら部材の吸湿状態や、表面処理状態（表面処理（疎水化処理）が良好に行われたかどうか）を把握することができる。また、本実施形態のように、複数の工程（Ｓ２、Ｓ５、Ｓ８など）が終了した毎に、静電気量を測定する工程を実行することにより、各工程毎で静電気量の管理（部材の状態の管理）を実行することができる。
【００９２】
そして、静電気量の測定結果に基づいて、その液晶装置を構成する部材の状態が異常であると判断された場合には、例えばその部材を用いずに液晶装置の製造を実行したり、あるいはその部材を正常な状態に戻すような処理を実行する等、適切な処置を講ずることができる。したがって、生産性の低下を抑制し、所望の品質が得られる液晶装置を製造することができる。
【００９３】
液晶装置の製造工程においては、経時的、物性的に製造条件が変動する可能性がある。例えば製造中に温度、湿度、汚染状態等の環境条件が変動したり、ロットぶれや経時的な劣化などに起因して、使用する材料や部材の物性が変動したり、あるいは各工程毎に部材が滞留する滞留時間に応じて部材の状態が変動したりする可能性がある。そのため、同じ工程を経た部材であっても、最終的な製品になった場合、その性能にばらつきが生じる可能性がある。本実施形態においては、製造工程中における各部材の状態や、各処理が良好に行われたかどうかを、静電気量を指標として簡易に求めることができる。
【００９４】
特に、本実施形態においては、液晶装置を構成する無機配向膜１６、２２の状態、その無機配向膜１６、２２に接触する基板１、２の表面１Ａ、２Ａの状態、及び無機配向膜１６、２２を表面処理した後のその無機配向膜１６、２２の状態を、静電気量の測定結果に用いて求めている。液晶装置の性能は、水分により劣化しやすい可能性が高いが、無機配向膜１６、２２が吸湿しやすい場合であっても、その無機配向膜１６、２２や、その無機配向膜１６、２２に接触する面の状態を静電気量の測定結果に基づいて求めることにより、その求めた結果を用いて、生産性の低下を抑制し、所望の品質を有する液晶装置を製造するための適切な処置を講ずることができる。
【００９５】
また、本実施形態においては、静電気量の測定結果に基づいて、液晶装置を構成する部材の状態を把握するので、部材に影響を与えることなく、簡易な手法で短時間のうちにその部材の状態を把握することができる。例えば、製造工程中に、液晶装置を構成する部材を適宜サンプリングして、その部材（ダミーサンプル）を分解（破壊）して、その部材の状態を把握する構成が考えられるが、本実施形態においては、部材を破壊することなく（非破壊で）、簡易な手法で短時間のうちに非接触で部材の状態を把握することができる。また、ダミーサンプルを用意する必要もない。
【００９６】
また、静電気量測定装置１１の測定結果を用いて、製造条件を調整（再設定）することもできる。すなわち、静電気量測定装置１１の測定結果が異常値を示す場合には、異常値を示さないように、製造条件を調整（再設定）することができる。例えば、ステップＳ１０において、静電気量測定装置１１の測定結果が異常であると判断され続ける場合には、その静電気量測定装置１１の測定結果が正常と判断されるように、ステップＳ８の表面処理条件を調整（再設定）することができる。
【００９７】
なお、本実施形態においては、静電気量の測定の結果から、液晶装置を構成する部材（基板１、２、無機配向膜１６、２２）の吸湿状態や疎水性の度合いを求めているが、静電気量を指標として、撥液化処理状態のみならず、種々の表面処理状態を把握することができる。すなわち、静電気量測定装置１１によって測定される対象の表面に分極性を有する材料（誘電率を有する材料）が存在し、その材料を含む表面（部材）の状態を把握したい場合に、本発明を適用することができる。例えば、部材の表面を窒化処理した場合、フッ化処理した場合、アルキル化処理した場合等において、それら表面処理の状態を、静電気量の測定結果から把握することができる。また、表面処理としては、疎水化処理のみならず、所定の材料をコーティングする処理、保護膜を形成する処理、水以外の液体（例えば油）に対して撥液性（疎油性）を発現させる処理、親水化処理、水以外の液体（例えば油）に対して親液性（親油性）を発現させる処理などが挙げられる。
【００９８】
なお、本実施形態においては、液晶装置を構成する部材の静電気量を測定しているが、例えば有機ＥＬ装置を構成する部材などの静電気量を測定するようにしてもよい。
【００９９】
図１０は、本実施形態に係る製造方法を用いて製造された液晶装置６０を備えたプロジェクタを示す図である。図１０に示すプロジェクタＰＪは、上述の実施形態に係る液晶装置を光変調手段として備えたものである。
【０１００】
図１０において、プロジェクタＰＪは、光源８１０と、ダイクロイックミラー８１３、８１４と、反射ミラー８１５、８１６、８１７と、入射レンズ８１８と、リレーレンズ８１９と、射出レンズ８２０と、液晶装置６０からなる光変調手段８２２、８２３、８２４と、クロスダイクロイックプリズム８２５と、投射レンズ８２６とを備えている。光源８１０は、メタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とを含む。
【０１０１】
ダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの白色光に含まれる赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射して、赤色光用光変調手段８２２に入射される。また、ダイクロイックミラー８１３で反射した緑色光は、ダイクロイックミラー８１４によって反射し、緑色光用光変調手段８２３に入射する。さらに、ダイクロイックミラー８１３で反射した青色光は、ダイクロイックミラー８１４を透過する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９および射出レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられている。この導光手段８２１を介して、青色光が青色光用光変調手段８２４に入射される。
【０１０２】
各光変調手段８２２、８２３、８２４により変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このクロスダイクロイックプリズム８２５は４つの直角プリズムを貼り合わせたものであり、その界面には赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とがＸ字状に形成されている。これらの誘電体多層膜により３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投影され、スクリーン８２７上に画像を形成する。
【０１０３】
上述の構成を有するプロジェクタＰＪは、上述の製造方法で製造された液晶装置６０を光変調手段として備えている。液晶装置６０の無機配向膜１６、２２は、耐光性および耐熱性に優れており、光源８１０から照射される強い光や熱による劣化が抑えられる。また、プロジェクタＰＪは、吸湿に起因する品質の劣化が抑制された液晶装置６０を備えているので、そのプロジェクタＰＪ自体の吸湿に起因する品質の劣化も抑制される。
【０１０４】
なお、本発明の技術的範囲は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、上述の実施形態に種々の変更を加えたものを含む。例えば、上述の実施形態においては、スイッチング素子としてＴＦＴを備えた液晶装置を例にして説明したが、スイッチング素子として薄膜ダイオード（Thin Film Diode）等の二端子型素子を備えた液晶装置に本発明を適用することも可能である。また、液晶装置としては、透過型液晶装置であってもよいし、反射型液晶装置であってもよい。
【０１０５】
また、液晶装置としては、ＴＮ（Twisted Nematic）モードで機能する液晶装置であってもよいし、ＶＡ（Vertical Alignment）モードで機能する液晶装置であってもよい。また、上述の実施形態においては、３板式の投射型表示装置（プロジェクタ）を例にして説明したが、単板式の投射型表示装置や直視型表示装置であってもよい。
【０１０６】
また、本発明の液晶装置を、プロジェクタ以外の電子機器に適用することも可能である。その具体例として、携帯電話を挙げることができる。この携帯電話は、上述の実施形態、またはその変形例に係る液晶装置を表示部に備えたものである。また、その他の電子機器としては、例えばＩＣカード、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】本実施形態に係る液晶装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図２】本実施形態に係る静電気量測定装置を示す図である。
【図３】本実施形態に係る無機配向膜形成装置を示す図である。
【図４】基板の表面に無機配向膜が形成される様子を説明するための模式図である。
【図５】基板の表面に形成された無機配向膜を示す模式図である。
【図６】表面処理された後の無機配向膜を示す模式図である。
【図７】本実施形態に係る製造方法を説明するための模式図である。
【図８】本実施形態に係る製造方法を説明するための模式図である。
【図９】本実施形態に係る製造方法を説明するための模式図である。
【図１０】プロジェクタの要部を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１…アレイ基板、２…対向基板、１１…静電気量測定装置、１３…無機配向膜形成装置、１６…無機配向膜、２２…無機配向膜、２０…液晶、６０…液晶装置、ＬＳ…製造装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置の製造方法及び製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、液晶を配向させる配向膜を備えている。配向膜として、ポリイミド等の有機材料からなる高分子膜をラビング処理したものを用いる場合が多いが、近時においては、耐熱性や耐光性の向上等を目的として、窒化珪素等の無機材料からなる配向膜、すなわち無機配向膜を用いることが提案されている。下記特許文献１、２には、無機配向膜を備えた液晶装置に関する技術の一例が開示されている。
【特許文献１】特開平１１−１６０７１１号公報
【特許文献２】特開２０００−４７２１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、液晶装置の品質は水分により劣化する可能性が高いので、液晶装置の製造工程中においても、無機配向膜など、液晶装置を構成する部材が吸湿したり、その部材に水分が付着することを抑える必要がある。液晶装置の製造工程中において、液晶装置を構成する部材が吸湿した状態、あるいはその部材に水分が付着した状態を放置したままで、その部材を用いた液晶装置の製造を続行すると、製造後の液晶装置の品質は不十分なものとなり、生産性の低下にもつながる。また、水分のみならず、液晶装置を構成する部材の表面が異常な状態を放置したままで、その部材を用いた液晶装置の製造を続行した場合にも、製造後の液晶装置の品質は不十分なものとなり、生産性の低下にもつながる。
【０００４】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、生産性の低下を抑制し、所望の品質が得られる液晶装置の製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明は、無機配向膜を備えた液晶装置の製造方法において、基板上に前記無機配向膜を形成する工程と、前記基板上に帯電する静電気量を測定する工程とを含む製造方法を提供する。
【０００６】
本発明によれば、液晶装置の製造工程中において、液晶装置を構成する部材の状態を把握することができる。例えば、液晶装置を構成する部材の静電気量は、その部材の吸湿状態（水分の付着状態）に応じて変化するので、基板上に帯電する静電気量を測定することにより、その測定結果に基づいて、部材の吸湿状態（水分の付着状態）を把握することができる。また、製造工程中において、部材の表面処理を実行した場合、その表面処理が良好に実行できたかどうかを、静電気量の測定結果に基づいて判別することもできる。また、静電気量の測定結果に基づいて部材の状態を把握するので、部材に影響を与えることなく、簡易な手法で短時間のうちにその部材の状態を把握することができる。そして、静電気量の測定結果に基づいて、例えば液晶装置を構成する部材の状態が異常であると判断された場合には、例えばその部材を用いずに液晶装置の製造を実行したり、あるいはその部材を正常な状態に戻すような処理を実行する等、適切な処置を講ずることができる。したがって、生産性の低下を抑制し、所望の品質が得られる液晶装置を製造することができる。
【０００７】
本発明の製造方法において、前記基板上に前記無機配向膜を形成する前に、前記基板の表面の静電気量を測定する構成を採用することができる。これにより、無機配向膜を形成する前に、基板の状態を静電気量の測定結果に基づいて把握することができる。
【０００８】
本発明の製造方法において、前記基板上に前記無機配向膜を形成した後に、前記基板上の前記無機配向膜の表面の静電気量を測定する構成を採用することができる。これにより、形成された無機配向膜の状態を静電気量の測定結果に基づいて把握することができる。
【０００９】
本発明の製造方法において、前記無機配向膜を形成した後、前記無機配向膜の表面を処理する工程を有し、前記処理された前記無機配向膜上に帯電する静電気量を測定する構成を採用することができる。これにより、製造工程中において、無機配向膜の表面に施した処理が良好に実行できたかどうかを、静電気量の測定結果に基づいて判別することもできる。
【００１０】
本発明の製造方法において、前記処理は、前記無機配向膜を撥水性にする処理を含む構成を採用することができる。これにより、無機配向膜が吸湿したり、無機配向膜に水分が付着することを抑えることができ、液晶装置の品質の劣化を抑えることができる。そして、静電気量の測定結果に基づいて、無機配向膜を撥水性にする処理が良好に実行されたかどうかを判別することができる。
【００１１】
本発明の製造方法において、前記処理は、所定の材料を前記無機配向膜の表面に供給する処理を含む構成を採用することができる。これにより、無機配向膜に所定の性能を与えることができ、液晶装置の品質の劣化を抑えることができる。そして、静電気量の測定結果に基づいて、所定の材料を供給する処理が良好に実行されたかどうかを判別することができる。
【００１２】
本発明の製造方法において、前記材料は、アルコールを含むものであってもよいし、シランカップリング剤を含むものであってもよい。これにより、無機配向膜に所定の性能を与えることができる。
【００１３】
また、本発明は、無機配向膜を備えた液晶装置の製造装置において、基板上に前記無機配向膜を形成する形成装置と、前記基板上に帯電する静電気量を測定する測定装置とを備えた製造装置を提供する。
【００１４】
本発明によれば、液晶装置の製造工程中において、液晶装置を構成する部材の状態を把握することができる。例えば、液晶装置を構成する部材の静電気量は、その部材の吸湿状態（水分の付着状態）に応じて変化するので、基板上に帯電する静電気量を測定することにより、その測定結果に基づいて、部材の吸湿状態（水分の付着状態）を把握することができる。また、製造工程中において、部材の表面処理を実行した場合、その表面処理が良好に実行できたかどうかを、静電気量の測定結果に基づいて判別することもできる。また、静電気量の測定結果に基づいて部材の状態を把握するので、部材に影響を与えることなく、簡易な手法で短時間のうちにその部材の状態を把握することができる。そして、静電気量の測定結果に基づいて、例えば液晶装置を構成する部材の状態が異常であると判断された場合には、例えばその部材を用いずに液晶装置の製造を実行したり、あるいはその部材を正常な状態に戻すような処理を実行する等、適切な処置を講ずることができる。したがって、生産性の低下を抑制し、所望の品質が得られる液晶装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る液晶装置の製造方法を示すフローチャート図である。図１に示すように、本実施形態に係る製造方法は、無機配向膜を備えた液晶装置の製造方法であって、基板上に無機配向膜を形成する工程（ステップＳ５）と、基板上に帯電する静電気量を測定する工程（ステップＳ３、Ｓ６、Ｓ９）とを含む。また、本実施形態の製造方法は、基板上に無機配向膜を形成する前に、基板の表面の静電気量を測定する工程（ステップＳ３）と、基板上に無機配向膜を形成した後に、基板上の無機配向膜の表面の静電気量を測定する工程（ステップＳ６）と有している。また、本実施形態の製造方法は、無機配向膜を形成した後、無機配向膜の表面を処理する工程（ステップＳ８）と、その処理された無機配向膜上に帯電する静電気量を測定する工程（ステップＳ９）とを有している。
【００１６】
図１に示すように、本実施形態においては、まず、基板作成工程が行われる（ステップＳ１）。基板作成工程は、アレイ基板を製造する工程と、対向基板を製造する工程とを含む。
【００１７】
アレイ基板（ＴＦＴアレイ基板）を製造する工程では、ガラス基板上に、画素電極、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、及び蓄積コンデンサ等を含む画素部分と、画素に電気信号等を供給する配線部分とが、例えばフォトリソグラフィ法、あるいはインクジェット法等の所定の手法を用いて形成される。アレイ基板は、ガラス基板上に形成された種々の金属膜、絶縁膜、半導体層、及び不純物層等を含む。
【００１８】
対向基板（カラーフィルタ基板）を製造する工程では、ガラス基板上に、ブラックマトリクス、着色パターン（カラーフィルタ）、保護膜、及び電極等が、例えばフォトリソグラフィ法、あるいはインクジェット法等の所定の手法を用いて形成される。
【００１９】
基板作成工程の後、洗浄工程が行われる（ステップＳ２）。洗浄工程では、ステップＳ１で形成されたアレイ基板と対向基板とが洗浄される。洗浄工程では、ウエット洗浄処理及びドライ洗浄処理の少なくとも一方が実行される。ウエット洗浄処理は、例えば、洗浄液を用いて基板を洗浄する動作、純水等でリンスする動作、及び超音波等を用いて微粒子を除去する動作を含む。ドライ洗浄処理は、例えば基板に紫外光を照射する動作を含む。
【００２０】
洗浄工程が終了した後、基板上に残留している水分を除去するために、乾燥処理が実行される。乾燥処理は、例えばホットプレートを用いて基板を乾燥する動作、及び基板に遠赤外光等を照射してその基板を乾燥する動作等を含む。乾燥処理された後の基板は、温度調整（冷却）される。
【００２１】
洗浄工程の後、基板上に帯電する静電気量を測定する工程（第１の静電気量測定工程）が行われる（ステップＳ３）。第１の静電気量測定工程では、アレイ基板の表面の静電気量を測定する動作、及び対向基板の表面の静電気量を測定する動作のそれぞれが実行される。
【００２２】
図２は、アレイ基板１の表面１Ａの静電気量を測定する動作を説明するための模式図である。静電気量の測定は、液晶装置を製造する製造装置ＬＳの一部である静電気量測定装置（帯電量測定装置）１１によって行われる。静電気量測定装置１１を含む製造装置ＬＳの動作は、制御装置１０に制御される。また、制御装置１０には記憶装置１２が接続されている。ここで、アレイ基板１の表面１Ａは、無機配向膜が形成される側の面（液晶層が形成される側の面）であり、静電気量測定装置１１は、少なくともそのアレイ基板１の表面１Ａの静電気量を測定する。なお、静電気量測定装置１１は、アレイ基板１の表面１Ａと反対側の面（裏面）の静電気量を測定することももちろん可能である。
【００２３】
静電気量測定装置１１は、アレイ基板１の表面１Ａと対向する配置され、そのアレイ基板１の表面１Ａの静電気量を測定するプローブを含む。静電気量測定装置１１は、アレイ基板１の表面１Ａの静電気量を非接触で測定し、その測定結果を制御装置１０に出力する。
【００２４】
制御装置１０は、静電気量の測定結果が正常かどうかを判別する（ステップＳ４）。ここで、静電気量の測定結果が正常であるとは、静電気量測定装置１１で測定された静電気量が予め定められている許容レベルである状態をいう。
【００２５】
本実施形態においては、制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果に基づいて、アレイ基板１の表面１Ａの状態が正常かどうかを判別する。制御装置１０は、静電気量測定装置１１で測定された静電気量が予め定められている許容レベルである場合、そのアレイ基板１の表面１Ａの状態が正常であると判断する。ここで、静電気量の測定結果が正常である、すなわちアレイ基板１の表面１Ａの状態が正常であるとは、製造後における液晶装置が所望レベルの品質を得られる状態をいう。
【００２６】
静電気量とアレイ基板１の表面１Ａの状態との関係、ひいては静電気量と製造後における液晶装置の品質との関係は、例えば実験等により予め求めることができ、記憶装置１２に記憶されている。制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果と、記憶装置１２の記憶情報とに基づいて、アレイ基板１の表面１Ａの状態を求めることができる。
【００２７】
本実施形態においては、静電気量の許容レベルに関する情報が予め記憶装置１２に記憶されており、制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果と、記憶装置１２の記憶情報とに基づいて、静電気量の測定結果が正常かどうか、すなわちアレイ基板１の表面１Ａの状態が正常かどうかを判別する。制御装置１０は、静電気量測定装置１１で測定された静電気量が予め定められている許容レベルである場合、その静電気量の測定結果が正常である、すなわちアレイ基板１の表面１Ａが正常であると判断する。
【００２８】
ここで、アレイ基板１の表面１Ａの状態とは、アレイ基板１の表面１Ａの吸湿状態（水分の付着状態、水分の残留状態、水分量）を含む。水（水分）は極性を有しており、アレイ基板１の表面１Ａの静電気量は、そのアレイ基板１の表面１Ａの水分量に応じて変化するので、制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果に基づいて、アレイ基板１の表面１Ａの吸湿状態（水分の付着状態、水分の残留状態、水分量）を把握することができる。
【００２９】
本実施形態においては、制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果に基づいて、アレイ基板１の表面１Ａの吸湿状態（水分の付着状態、水分の残留状態、水分量）が正常かどうかを判別する。制御装置１０は、静電気量測定装置１１で測定された静電気量が予め定められている許容レベルである場合、そのアレイ基板１の表面１Ａの吸湿状態が正常であると判断する。
【００３０】
アレイ基板１の表面１Ａの吸湿状態と、その吸湿状態に対応するアレイ基板１の表面１Ａの静電気量との関係は、例えば実験又はシミュレーション等により予め求めることができ、記憶装置１２に記憶されている。制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果と、記憶装置１２の記憶情報とに基づいて、アレイ基板１の表面１Ａの吸湿状態を求めることができる。すなわち、本実施形態においては、静電気量測定装置１１を含む製造装置ＬＳは、静電気量測定装置１１を用いてアレイ基板１の表面１Ａの静電気量を測定し、その測定結果に基づいて、アレイ基板１の表面１Ａの吸湿状態を求める。
【００３１】
アレイ基板１の表面１Ａの水分量が少ないほど、製造後の液晶装置の品質を良好にすることができる。したがって、静電気量測定装置１１の測定結果、すなわちアレイ基板１の表面１Ａの静電気量の値は大きい方が望ましい。本実施形態においては、制御装置１０は、静電気量測定装置１１の測定結果の値が、予め定められている許容値よりも高い場合に、アレイ基板１の表面１Ａの水分量が許容値以下に抑えられている（正常である）と判断する。
【００３２】
同様に、制御装置１０は、対向基板２の表面２Ａの静電気量を静電気量測定装置１１を用いて測定し、その測定結果が正常かどうか、すなわち対向基板２の表面２Ａの状態（水分量）が正常かどうかを判別する。ここで、対向基板２の表面２Ａは、無機配向膜が形成される側の面（液晶層が形成される側の面）であり、静電気量測定装置１１は、少なくともその対向基板２の表面２Ａの静電気量を測定する。なお、静電気量測定装置１１は、対向基板２の表面２Ａと反対側の面（裏面）の静電気量を測定することももちろん可能である。
【００３３】
ステップＳ４において、アレイ基板１の表面１Ａの静電気量の測定結果が正常であると判断された場合、すなわち、アレイ基板１の表面１Ａの状態が正常である（表面１Ａの水分量が許容値以下である）と判断された場合、その正常であると判断されたアレイ基板１上に無機配向膜を形成する工程が実行される（ステップＳ５）。
【００３４】
本実施形態においては、製造装置ＬＳは、例えば特開平１１−１６０７１１号公報、特開２０００−４７２１１号公報等に開示されているような、斜方蒸着法によって、アレイ基板１の表面１Ａに無機配向膜を形成する。無機配向膜は、ＳｉＯ２、ＳｉＯ等の珪素酸化物、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＭｇＯ、及びＩＴＯ等の金属酸化物等を含む無機材料により形成される。
【００３５】
図３は、アレイ基板１の表面１Ａ及び対向基板２の表面２Ａのそれぞれに無機配向膜を形成するための無機配向膜形成装置１３を示す図、図４は、アレイ基板１の表面１Ａ及び対向基板２の表面２Ａに無機配向膜が形成される様子を説明するための模式図、図５は、アレイ基板１の表面１Ａ及び対向基板２の表面２Ａに形成された無機配向膜１６、２２を示す模式図である。
【００３６】
図３に示すように、製造装置ＬＳは、蒸着装置を含む無機配向膜形成装置１３を備えている。無機配向膜形成装置１３を含む製造装置ＬＳの動作は、制御装置１０に制御される。本実施形態においては、無機配向膜形成装置１３は、アレイ基板１上に無機配向膜を形成するための無機材料の蒸気を発生させる蒸着源１４と、アレイ基板１を保持する保持機構１５とを備えている。保持機構１５は、蒸着源１４とアレイ基板１の重心位置とを結ぶ基準線Ｘ１とアレイ基板１の表面１Ａと垂直に交わる直線Ｘ２とのなす角θ０が所定値となるように、アレイ基板１を保持する。無機配向膜形成装置１３は、角度θ０を変化させることによって、蒸着源１４で発生させた無機材料の蒸気の進行方向（図３中、矢印Ｙ１参照）とアレイ基板１の表面１Ａとがなす角度θ１を調整可能である。
【００３７】
無機配向膜形成装置１３の蒸着源１４から発生した無機材料の蒸気は、図４中、矢印Ｙ１で示すように、アレイ基板１の表面１Ａに対して略一定の入射角度（傾斜角度）で連続して入射する。
【００３８】
これにより、図５の模式図に示すように、アレイ基板１の表面１Ａには、無機材料の柱状構造体１６Ａが形成される。そして、この柱状構造体１６Ａが多数形成されることによって、アレイ基板１の表面１Ａに無機配向膜１６が形成される。
【００３９】
同様に、ステップＳ４において、対向基板２の表面２Ａの静電気量の測定結果が正常であると判断された場合、すなわち、対向基板２の表面２Ａの状態が正常である（表面２Ａの水分量が許容値以下である）と判断された場合、その正常であると判断された対向基板２上に無機配向膜を形成する工程が実行される。対向基板２の表面２Ａには、無機材料の柱状構造体２２Ａが形成される。そして、この柱状構造体２２Ａが多数形成されることによって、対向基板２の表面２Ａに無機配向膜２２が形成される。
【００４０】
なおここでは、製造装置ＬＳは、斜方蒸着法によって無機配向膜を形成しているが、例えばイオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法等のスパッタ法、蒸着法、ゾルゲル法、自己組織化法等の所定の手法を用いて無機配向膜１６、２２を形成してもよい。
【００４１】
基板上に無機配向膜を形成した後に、基板上の無機配向膜の表面の静電気量を測定する工程（第２の静電気量測定工程）が行われる（ステップＳ６）。第２の静電気量測定工程では、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量を測定する動作、及び対向基板２上の無機配向膜２２の表面の静電気量を測定する動作のそれぞれが実行される。
【００４２】
アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量の測定は、図２を参照して説明した静電気量測定装置（帯電量測定装置）１１によって行われる。静電気量測定装置１１は、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量を測定し、その測定結果を制御装置１０に出力する。
【００４３】
制御装置１０は、静電気量の測定結果が正常かどうかを判別する（ステップＳ７）。ここで、静電気量の測定結果が正常であるとは、静電気量測定装置１１で測定された静電気量が予め定められている許容レベルである状態をいう。
【００４４】
本実施形態においては、制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果に基づいて、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態が正常かどうかを判別する。制御装置１０は、静電気量測定装置１１で測定された静電気量が予め定められている許容レベルである場合、そのアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態が正常であると判断する。ここで、静電気量の測定結果が正常である、すなわちアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態が正常であるとは、製造後における液晶装置が所望レベルの品質を得られる状態をいう。
【００４５】
静電気量とアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態との関係、ひいては静電気量と製造後における液晶装置の品質との関係は、例えば実験等により予め求めることができ、記憶装置１２に記憶されている。制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果と、記憶装置１２の記憶情報とに基づいて、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態を求めることができる。
【００４６】
本実施形態においては、静電気量の許容レベルに関する情報が予め記憶装置１２に記憶されており、制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果と、記憶装置１２の記憶情報とに基づいて、静電気量の測定結果が正常かどうか、すなわちアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態が正常かどうかを判別する。制御装置１０は、静電気量測定装置１１で測定された静電気量が予め定められている許容レベルである場合、その静電気量の測定結果が正常である、すなわちアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面が正常であると判断する。
【００４７】
ここで、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態とは、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の吸湿状態（水分の付着状態、水分の残留状態、水分量）を含む。水（水分）は極性を有しており、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量は、そのアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の水分量に応じて変化するので、制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果に基づいて、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の吸湿状態（水分の付着状態、水分の残留状態、水分量）を把握することができる。
【００４８】
本実施形態においては、制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果に基づいて、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の吸湿状態（水分の付着状態、水分の残留状態、水分量）が正常かどうかを判別する。制御装置１０は、静電気量測定装置１１で測定された静電気量が予め定められている許容レベルである場合、そのアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の吸湿状態が正常であると判断する。
【００４９】
アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の吸湿状態と、その吸湿状態に対応するアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量との関係は、例えば実験又はシミュレーション等により予め求めることができ、記憶装置１２に記憶されている。制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果と、記憶装置１２の記憶情報とに基づいて、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の吸湿状態を求めることができる。すなわち、本実施形態においては、静電気量測定装置１１を含む製造装置ＬＳは、静電気量測定装置１１を用いてアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量を測定し、その測定結果に基づいて、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の吸湿状態を求める。
【００５０】
アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の水分量が少ないほど、製造後の液晶装置の品質を良好にすることができる。したがって、静電気量測定装置１１の測定結果、すなわちアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量の値は大きい方が望ましい。本実施形態においては、制御装置１０は、静電気量測定装置１１の測定結果の値が、予め定められている許容値よりも高い場合に、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の水分量が許容値以下に抑えられている（正常である）と判断する。
【００５１】
同様に、制御装置１０は、対向基板２上の無機配向膜２２の表面の静電気量を静電気量測定装置１１を用いて測定し、その測定結果が正常かどうか、すなわち対向基板２上の無機配向膜２２の表面の状態（水分量）が正常かどうかを判別する。
【００５２】
ステップＳ７において、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量の測定結果が正常であると判断された場合、すなわち、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態が正常である（無機配向膜１６の表面の水分量が許容値以下である）と判断された場合、その正常であると判断されたアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面を処理する工程（表面処理工程）が実行される（ステップＳ８）。
【００５３】
無機配向膜１６の表面処理は、例えば特開平１１−１６０７１１号公報、特開２０００−４７２１１号公報等に開示されているような、その無機配向膜１６の表面に、アルコールを供給するアルコール処理を含む。アルコール処理は、直鎖の高級アルコール、例えばオクタデカノールの蒸気中に無機配向膜を晒す処理を含む。また、そのアルコール処理は、ヘキシルアルコール、オクチルアルコール、セチルアルコール、ステアリルアルコール、セリルアルコール、及びミリシルアルコール等の高級アルコールを無機配向膜１６に吸着させる処理、その高級アルコールで無機配向膜１６を化学的に変化させる処理、及びその高級アルコールで無機配向膜１６を湿潤させる処理を含む。
【００５４】
また、無機配向膜１６の表面処理は、例えば特開２００６−３０６４６号公報等に開示されているような、フルオロアルコール、イソプロピルアルコール、オクタノール、ヘプタデカノール、ベンジルアルコール、エトキシシラン系材料、及びメトキシシラン系材料を供給する処理を含む。
【００５５】
無機配向膜１６の表面処理に用いるアルコールとしては、側鎖をもつものであってもよいし、水素原子の一部又は全部をフッ素、窒素等で置換したものであってもよい。また、置換基としては、水素基、フッ素基、窒素基のみならず、その他の置換基であってもよい。
【００５６】
そして、これらアルコール類を用いて無機配向膜１６を表面処理することにより、無機配向膜１６を撥水性にすることができる。すなわち、上述のアルコールを含む撥水性有機材料により、無機配向膜１６の表面を撥水性にすることができる。
【００５７】
また、無機配向膜１６の表面処理として、異なる分子量の複数の撥水性有機材料（アルコール）で疎水化処理（撥水化処理）してもよい。例えば、斜方蒸着法等によって形成された無機配向膜は、その表層に小さな間隙を多数形成される可能性が高いため、例えば大きな分子量の撥水性有機材料によって主に無機配向膜の表面を疎水化（撥水化）し、小さな分子量の撥水性有機材料によって主に無機配向膜の表層の間隙内を疎水化することができる。例えば、炭素数が８のオクチルアルコール（オクタノール；Ｃ８Ｈ１７ＯＨ）と、炭素数が３のイソプロピルアルコール（イソプロパノール；（ＣＨ３）２ＣＨＯＨ）とを用い、無機配向膜１６を疎水化処理することができる。
【００５８】
無機配向膜１６の表面にアルコールを供給する手法としては、気相法及び液相法の少なくとも一方を用いることができる。気相法は、例えば密閉容器中に、無機配向膜１６を有するアレイ基板１とアルコールとを入れ、必要に応じて加熱する処理を含む。これにより、密閉容器内で蒸発したアルコールが無機配向膜１６の表面に供給される。液相法は、液体状のアルコール中に、無機配向膜１６を有するアレイ基板１を浸漬する処理を含む。
【００５９】
また、無機配向膜１６の表面処理は、シランカップリング剤を無機配向膜１６の表面に供給する処理を含む。シランカップリング剤を無機配向膜１６の表面に供給することによっても、その無機配向膜１６の表面を撥液性にすることができる。
【００６０】
シランカップリング剤としては、有機官能基としてアルキル基を有するものが好ましい。また、無機配向膜１６の表面処理として、異なる分子量の複数のシランカップリング剤を供給するようにしてもよい。分子量が大きい方のシランカップリング剤のアルキル基は、分子量が小さい方のシランカップリング剤のアルキル基より炭素数が多いものとなっているのが好ましい。分子量が大きい方のシランカップリング剤は、そのアルキル基によって良好な撥水性、耐光性を発揮する。一方、分子量が小さい方のシランカップリング剤は、そのアルキル基が短い（炭素数が少ない）ので、分子量が大きい方のシランカップリング剤に対して立体障害を起こすことなく、無機配向膜１６の表面に容易に反応し、付着する。
【００６１】
分子量の大きい方のシランカップリング剤としては、炭素数が１８以上のアルキル基を有機官能基として有したものが好ましい。一方、このシランカップリング剤に対して分子量の小さいものとして、例えば炭素数が８以下のアルキル基を有機官能基として有したものが用いられる。例えば、分子量の大きい方のシランカップリング剤としては、以下のＡの化学式に示すもの（アルキル基の炭素数が１８のもの）を用いることができ、分子量の小さい方のシランカップリング剤としては、以下のＢの化学式に示すもの（アルキル基の炭素数が２のもの）を用いることができる。
Ａ；（Ｃ１８Ｈ３７）Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
Ｂ；（Ｃ２Ｈ５）Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
【００６２】
無機配向膜１６の表面にシランカップリング剤を供給する手法としては、気相法及び液相法の少なくとも一方を用いることができる。気相法は、例えばＣＶＤ装置に、無機配向膜１６を有するアレイ基板１を入れ、シランカップリング剤を蒸気として導入する処理を含む。液相法は、シランカップリング剤を適当な溶媒に溶解して溶液を生成し、その溶液中に、無機配向膜１６を有するアレイ基板１を浸漬する処理を含む。
【００６３】
なお、図６には、大きい分子量の撥水性有機材料（アルコール又はシランカップリング剤）Ａによって主に無機配向膜１６の表面が疎水化され、小さい分子量の撥水性有機材料（アルコール又はシランカップリング剤）Ｂによって主に無機配向膜１６の表層の間隙内が疎水化されている状態が模式的に示されている。
【００６４】
液晶装置の品質は水分により劣化する可能性が高いが、アルコールやシランカップリング剤等の撥液性を有する材料を無機配向膜１６の表面に供給することによって、その無機配向膜１６の表面を撥水性にすることにより、耐湿性を高め、液晶装置の品質の劣化を抑制することができる。
【００６５】
同様に、ステップＳ７において、対向基板２上の無機配向膜２２の表面の静電気量の測定結果が正常であると判断された場合、すなわち、対向基板２上の無機配向膜２２の表面の状態が正常である（無機配向膜２２の表面の水分量が許容値以下である）と判断された場合、その正常であると判断された対向基板２上の無機配向膜２２の表面を処理する工程（表面処理工程）が実行される。
【００６６】
無機配向膜の表面を処理した後、その処理された無機配向膜上に帯電する静電気量を測定する工程（第３の静電気量測定工程）が行われる（ステップＳ９）。第３の静電気量測定工程では、ステップＳ８における表面処理後のアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量を測定する動作、及びステップＳ８における表面処理後の対向基板２上の無機配向膜２２の表面の静電気量を測定する動作のそれぞれが実行される。
【００６７】
アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量の測定は、図２を参照して説明した静電気量測定装置（帯電量測定装置）１１によって行われる。静電気量測定装置１１は、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量を測定し、その測定結果を制御装置１０に出力する。
【００６８】
制御装置１０は、静電気量の測定結果が正常かどうかを判別する（ステップＳ１０）。ここで、静電気量の測定結果が正常であるとは、静電気量測定装置１１で測定された静電気量が予め定められている許容レベルである状態をいう。
【００６９】
本実施形態においては、制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果に基づいて、表面処理後のアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態が正常かどうか、すなわち無機配向膜１６が所望状態で表面処理されているかどうかを判別する。制御装置１０は、静電気量測定装置１１で測定された静電気量が予め定められている許容レベルである場合、そのアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態が正常である、すなわち無機配向膜１６が所望状態で表面処理されていると判断する。ここで、静電気量の測定結果が正常である、すなわちアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態が正常であるとは、無機配向膜１６が所望状態で表面処理されて十分な疎水性（耐湿性）を有し、製造後における液晶装置が所望レベルの品質を得られる状態をいう。
【００７０】
静電気量とアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態との関係、ひいては静電気量と製造後における液晶装置の品質との関係は、例えば実験等により予め求めることができ、記憶装置１２に記憶されている。制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果と、記憶装置１２の記憶情報とに基づいて、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態（表面処理の状態）を求めることができる。
【００７１】
本実施形態においては、静電気量の許容レベルに関する情報が予め記憶装置１２に記憶されており、制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果と、記憶装置１２の記憶情報とに基づいて、静電気量の測定結果が正常かどうか、すなわちアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態が正常かどうか（所望状態で表面処理されたかどうか）を判別する。制御装置１０は、静電気量測定装置１１で測定された静電気量が予め定められている許容レベルである場合、その静電気量の測定結果が正常である、すなわちアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面が正常である（所望状態で表面処理されている）と判断する。
【００７２】
ここで、表面処理後におけるアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態とは、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の疎水性の度合い（水に対する接触角）を含む。上述のように、本実施形態においては、ステップＳ８における表面処理は、無機配向膜１６を撥水性にする処理を含み、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量は、そのアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の疎水性の度合い（水に対する接触角）に応じて変化するので、制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果に基づいて、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の疎水性の度合い（水に対する接触角）を把握することができ、ステップＳ８において所望状態で表面処理できたかどうか（良好に疎水性に処理されたかどうか）を把握することができる。また、制御装置１０は、静電気量測定装置１１を用いて、無機配向膜１６のうち表面処理が十分にできていない領域の特定、すなわち無機配向膜１６の表面処理の分布の導出を行うこともできる。
【００７３】
本実施形態においては、制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果に基づいて、アレイ基板１上の無機配向膜１６の疎水性の度合い（水に対する接触角）が正常かどうかを判別する。制御装置１０は、静電気量測定装置１１で測定された静電気量が予め定められている許容レベルである場合、そのアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の疎水性の度合い（水に対する接触角）が正常であると判断する。
【００７４】
記憶装置１２には、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の疎水性の度合い（水に対する接触角）と、その疎水性の度合い（水に対する接触角）に対応するアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量との関係が、例えば実験又はシミュレーション等により予め求められており、記憶装置１２に記憶されている。制御装置１０は、静電気量測定装置１１による静電気量の測定結果と、記憶装置１２の記憶情報とに基づいて、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の疎水性の度合い（水に対する接触角）を求めることができる。すなわち、本実施形態においては、静電気量測定装置１１を含む製造装置ＬＳは、静電気量測定装置１１を用いてアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量を測定し、その測定結果に基づいて、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の疎水性の度合い（水に対する接触角）を求める。
【００７５】
アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の疎水性が高いほど、耐湿性が向上され、製造後の液晶装置の品質を良好にすることができる。したがって、静電気量測定装置１１の測定結果、すなわちアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量の値は大きい方が望ましい。
【００７６】
本実施形態においては、制御装置１０は、静電気量測定装置１１の測定結果の値が、予め定められている許容値よりも高い場合に、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面が所望状態で疎水性に処理されていると判断する。
【００７７】
同様に、制御装置１０は、対向基板２上の無機配向膜２２の表面の静電気量を静電気量測定装置１１を用いて測定し、その測定結果が正常かどうか、すなわち対向基板２上の無機配向膜２２の表面の疎水性の度合い（水に対する接触角）が正常かどうか（所望状態で表面処理されたかどうか）を判別する。
【００７８】
静電気量の測定結果の一例として、クリーンルーム内大気中（温度約２０度、湿度５０〜６０％）における、表面処理前（疎水化処理前）におけるアレイ基板１上の無機配向膜１６の静電気量の測定値が、−０．０１〜−０．０７ｋＶであったものが表面処理後（疎水化処理後）においては、−０．１５ｋＶ程度となり、その絶対値は上昇する。更に、ドライエアを噴霧して乾燥させることにより、無機配向膜１６の静電気量の測定値は、＋０．３０ｋＶ程度となる。また、表面処理前（疎水化処理前）における対向基板２上の無機配向膜２２の静電気量の測定値が、−０．０３〜−０．０５ｋＶであったものが表面処理後（疎水化処理後）においては、−０．１５ｋＶ程度となり、その絶対値は上昇する。更に、ドライエアを噴霧して乾燥させることにより、無機配向膜２２の静電気量の測定値は、＋０．３０ｋＶ程度となる。このように、無機配向膜１６、２２に表面処理（疎水化処理）を行う前と後とでは、静電気量は、２〜１０倍程度変化（上昇）する。なお、表面処理（疎水化処理）を行う前における無機配向膜１６、２２の水に対する接触角は、５〜１５度程度であったが、表面処理（疎水化処理）を行った後においては、接触角は、７０〜９０度程度となった。
【００７９】
ステップＳ１０において、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量の測定結果が正常であると判断された場合、すなわち、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態が正常である（無機配向膜１６の表面の処理が良好に行われている）と判断された場合、その正常であると判断されたアレイ基板１を用いて、次の工程である組み立て工程が実行される。同様に、ステップＳ１０において、対向基板２上の無機配向膜２２の表面の静電気量の測定結果が正常であると判断された場合、すなわち、対向基板２上の無機配向膜２２の表面の状態が正常である（無機配向膜２２の表面の処理が良好に行われている）と判断された場合、その正常であると判断された対向基板２を用いて、次の工程である組み立て工程が実行される（ステップＳ１１）。
【００８０】
組み立て工程は、アレイ基板１と対向基板２との貼り合わせ工程、貼り合わせた基板どうしを所望の大きさに切断する工程等を含む。貼り合わせ工程は、貼り合わせた後のアレイ基板１と対向基板２とのギャップを規定するためのスペーサ部材を配置する工程と、アレイ基板１と対向基板２とのギャップからの液晶の流出を防止するためのシール材を配置する工程とを含む。
【００８１】
例えば、図７の模式図に示すように、アレイ基板１上及び対向基板２上の少なくとも一方に、スペーサ部材１８と、シール部材１７とが配置され、アレイ基板１と対向基板２とが貼り合わせられる。アレイ基板１と対向基板２とは、アレイ基板１の表面１Ａに形成された無機配向膜１６と、対向基板２の表面２Ａに形成された無機配向膜２２とが対向するように、貼り合わせられる。
【００８２】
次に、液晶注入工程が実行される（ステップＳ１２）。図８の模式図に示すように、注入口１９より、アレイ基板１と対向基板２とのギャップに液晶２０が注入される。ギャップに液晶２０が注入された後、注入口１９が封止される。そして、図９の模式図に示すように、アレイ基板１の裏面に偏光板２１Ａが設けられるとともに、対向基板２の裏面に偏光板２１Ｂが設けられ、液晶装置６０が形成される。
【００８３】
なお、ステップＳ８の表面処理工程とステップＳ１１の組み立て工程との間において、必要に応じて、基板の洗浄処理が行われる。また、ステップＳ１１の組み立て工程とステップＳ１２の液晶注入工程との間において、必要に応じて、基板の乾燥処理が実行される。
【００８４】
ステップＳ４において、アレイ基板１の表面１Ａの静電気量の測定結果が正常でない（異常である）と判断された場合、すなわち、アレイ基板１の表面１Ａの状態が正常でない（異常である）と判断された場合、制御装置１０は、そのアレイ基板１上に無機配向膜１６を形成する動作を実行せず、所定の処理（第１の処理）を実行する（ステップＳ１３）。第１の処理としては、その異常と判断されたアレイ基板１を正常な状態に戻すような処理、例えばその異常と判断されたアレイ基板１の表面１Ａの洗浄及び乾燥処理を再度実行する処理が挙げられる。また、第１の処理としては、その異常と判断されたアレイ基板１を廃棄する処理が挙げられる。
【００８５】
同様に、ステップＳ４において、対向基板２の表面２Ａの静電気量の測定結果が正常でない（異常である）と判断された場合、すなわち、対向基板２の表面２Ａの状態が正常でない（異常である）と判断された場合、制御装置１０は、その対向基板２上に無機配向膜２２を形成する動作を実行せず、所定の処理（第１の処理）を実行する（ステップＳ１３）。すなわち、制御装置１０は、その異常と判断した対向基板２を正常な状態に戻すような処理、例えばその異常と判断した対向基板２の表面２Ａの洗浄及び乾燥処理を再度実行する処理、あるいは、その異常と判断した対向基板２を廃棄する処理等を実行する。
【００８６】
ステップＳ７において、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量の測定結果が正常でない（異常である）と判断された場合、すなわち、アレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態が正常でない（異常である）と判断された場合、制御装置１０は、そのアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面を処理する動作を実行せず、所定の処理（第２の処理）を実行する（ステップＳ１４）。第２の処理としては、その異常と判断された無機配向膜１６を有するアレイ基板１を廃棄する処理が挙げられる。また、無機配向膜１６をアレイ基板１上に再度形成することが可能であるならば、異常と判断された無機配向膜１６を除去し、アレイ基板１上に無機配向膜１６を再度形成するようにしてもよい。
【００８７】
同様に、ステップＳ７において、対向基板２上の無機配向膜２２の表面の静電気量の測定結果が正常でない（異常である）と判断された場合、すなわち、対向基板２上の無機配向膜２２の表面の状態が正常でない（異常である）と判断された場合、制御装置１０は、その対向基板２上の無機配向膜２２の表面を処理する動作を実行せず、所定の処理（第２の処理）を実行する。すなわち、制御装置１０は、例えば、その異常と判断した無機配向膜２２を有する対向基板２を廃棄する処理等を実行する。
【００８８】
ステップＳ１０において、表面処理後のアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の静電気量の測定結果が正常でない（異常である）と判断された場合、すなわち、表面処理後のアレイ基板１上の無機配向膜１６の表面の状態が正常でない（異常である）と判断された場合、制御装置１０は、そのアレイ基板１を用いた組み立て工程を実行せず、所定の処理（第３の処理）を実行する（ステップＳ１５）。第３の処理としては、その異常と判断された無機配向膜１６を正常な状態に戻すような処理、例えば、その異常と判断された無機配向膜１６の表面に対して再度、表面処理を行う処理が挙げられる。また、第３の処理としては、そのアレイ基板１を廃棄する処理が挙げられる。
【００８９】
同様に、ステップＳ１０において、表面処理後の対向基板２上の無機配向膜２２の表面の静電気量の測定結果が正常でない（異常である）と判断された場合、すなわち、表面処理後の対向基板２上の無機配向膜２２の表面の状態が正常でない（異常である）と判断された場合、制御装置１０は、その対向基板２を用いた組み立て工程を実行せず、所定の処理（第３の処理）を実行する。すなわち、制御装置１０は、その異常と判断した無機配向膜２２を正常な状態に戻すような処理、例えば、その異常と判断された無機配向膜２２の表面に対して再度、表面処理を行う処理を実行する。また、制御装置１０は、第３の処理として、その対向基板２を廃棄するようにしてもよい。
【００９０】
なお、本実施形態におけるステップＳ３、Ｓ６、Ｓ９それぞれの静電気量の測定動作は、ほぼ同一の環境下（温度、湿度、材料）で実行される。
【００９１】
以上説明したように、液晶装置６０の製造工程中において、液晶装置を構成する部材、本実施形態においては、アレイ基板１、対向基板２、アレイ基板１の表面１Ａに形成された無機配向膜１６、対向基板２の表面２Ａに形成された無機配向膜２２、表面処理（撥液性にする処理）された後の無機配向膜１６、２２の静電気量を測定することによって、その測定結果を用いて、それら各部材の状態を把握することができる。本実施形態においては、それら部材の吸湿状態や、表面処理状態（表面処理（疎水化処理）が良好に行われたかどうか）を把握することができる。また、本実施形態のように、複数の工程（Ｓ２、Ｓ５、Ｓ８など）が終了した毎に、静電気量を測定する工程を実行することにより、各工程毎で静電気量の管理（部材の状態の管理）を実行することができる。
【００９２】
そして、静電気量の測定結果に基づいて、その液晶装置を構成する部材の状態が異常であると判断された場合には、例えばその部材を用いずに液晶装置の製造を実行したり、あるいはその部材を正常な状態に戻すような処理を実行する等、適切な処置を講ずることができる。したがって、生産性の低下を抑制し、所望の品質が得られる液晶装置を製造することができる。
【００９３】
液晶装置の製造工程においては、経時的、物性的に製造条件が変動する可能性がある。例えば製造中に温度、湿度、汚染状態等の環境条件が変動したり、ロットぶれや経時的な劣化などに起因して、使用する材料や部材の物性が変動したり、あるいは各工程毎に部材が滞留する滞留時間に応じて部材の状態が変動したりする可能性がある。そのため、同じ工程を経た部材であっても、最終的な製品になった場合、その性能にばらつきが生じる可能性がある。本実施形態においては、製造工程中における各部材の状態や、各処理が良好に行われたかどうかを、静電気量を指標として簡易に求めることができる。
【００９４】
特に、本実施形態においては、液晶装置を構成する無機配向膜１６、２２の状態、その無機配向膜１６、２２に接触する基板１、２の表面１Ａ、２Ａの状態、及び無機配向膜１６、２２を表面処理した後のその無機配向膜１６、２２の状態を、静電気量の測定結果に用いて求めている。液晶装置の性能は、水分により劣化しやすい可能性が高いが、無機配向膜１６、２２が吸湿しやすい場合であっても、その無機配向膜１６、２２や、その無機配向膜１６、２２に接触する面の状態を静電気量の測定結果に基づいて求めることにより、その求めた結果を用いて、生産性の低下を抑制し、所望の品質を有する液晶装置を製造するための適切な処置を講ずることができる。
【００９５】
また、本実施形態においては、静電気量の測定結果に基づいて、液晶装置を構成する部材の状態を把握するので、部材に影響を与えることなく、簡易な手法で短時間のうちにその部材の状態を把握することができる。例えば、製造工程中に、液晶装置を構成する部材を適宜サンプリングして、その部材（ダミーサンプル）を分解（破壊）して、その部材の状態を把握する構成が考えられるが、本実施形態においては、部材を破壊することなく（非破壊で）、簡易な手法で短時間のうちに非接触で部材の状態を把握することができる。また、ダミーサンプルを用意する必要もない。
【００９６】
また、静電気量測定装置１１の測定結果を用いて、製造条件を調整（再設定）することもできる。すなわち、静電気量測定装置１１の測定結果が異常値を示す場合には、異常値を示さないように、製造条件を調整（再設定）することができる。例えば、ステップＳ１０において、静電気量測定装置１１の測定結果が異常であると判断され続ける場合には、その静電気量測定装置１１の測定結果が正常と判断されるように、ステップＳ８の表面処理条件を調整（再設定）することができる。
【００９７】
なお、本実施形態においては、静電気量の測定の結果から、液晶装置を構成する部材（基板１、２、無機配向膜１６、２２）の吸湿状態や疎水性の度合いを求めているが、静電気量を指標として、撥液化処理状態のみならず、種々の表面処理状態を把握することができる。すなわち、静電気量測定装置１１によって測定される対象の表面に分極性を有する材料（誘電率を有する材料）が存在し、その材料を含む表面（部材）の状態を把握したい場合に、本発明を適用することができる。例えば、部材の表面を窒化処理した場合、フッ化処理した場合、アルキル化処理した場合等において、それら表面処理の状態を、静電気量の測定結果から把握することができる。また、表面処理としては、疎水化処理のみならず、所定の材料をコーティングする処理、保護膜を形成する処理、水以外の液体（例えば油）に対して撥液性（疎油性）を発現させる処理、親水化処理、水以外の液体（例えば油）に対して親液性（親油性）を発現させる処理などが挙げられる。
【００９８】
なお、本実施形態においては、液晶装置を構成する部材の静電気量を測定しているが、例えば有機ＥＬ装置を構成する部材などの静電気量を測定するようにしてもよい。
【００９９】
図１０は、本実施形態に係る製造方法を用いて製造された液晶装置６０を備えたプロジェクタを示す図である。図１０に示すプロジェクタＰＪは、上述の実施形態に係る液晶装置を光変調手段として備えたものである。
【０１００】
図１０において、プロジェクタＰＪは、光源８１０と、ダイクロイックミラー８１３、８１４と、反射ミラー８１５、８１６、８１７と、入射レンズ８１８と、リレーレンズ８１９と、射出レンズ８２０と、液晶装置６０からなる光変調手段８２２、８２３、８２４と、クロスダイクロイックプリズム８２５と、投射レンズ８２６とを備えている。光源８１０は、メタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とを含む。
【０１０１】
ダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの白色光に含まれる赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射して、赤色光用光変調手段８２２に入射される。また、ダイクロイックミラー８１３で反射した緑色光は、ダイクロイックミラー８１４によって反射し、緑色光用光変調手段８２３に入射する。さらに、ダイクロイックミラー８１３で反射した青色光は、ダイクロイックミラー８１４を透過する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９および射出レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられている。この導光手段８２１を介して、青色光が青色光用光変調手段８２４に入射される。
【０１０２】
各光変調手段８２２、８２３、８２４により変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このクロスダイクロイックプリズム８２５は４つの直角プリズムを貼り合わせたものであり、その界面には赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とがＸ字状に形成されている。これらの誘電体多層膜により３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投影され、スクリーン８２７上に画像を形成する。
【０１０３】
上述の構成を有するプロジェクタＰＪは、上述の製造方法で製造された液晶装置６０を光変調手段として備えている。液晶装置６０の無機配向膜１６、２２は、耐光性および耐熱性に優れており、光源８１０から照射される強い光や熱による劣化が抑えられる。また、プロジェクタＰＪは、吸湿に起因する品質の劣化が抑制された液晶装置６０を備えているので、そのプロジェクタＰＪ自体の吸湿に起因する品質の劣化も抑制される。
【０１０４】
なお、本発明の技術的範囲は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、上述の実施形態に種々の変更を加えたものを含む。例えば、上述の実施形態においては、スイッチング素子としてＴＦＴを備えた液晶装置を例にして説明したが、スイッチング素子として薄膜ダイオード（Thin Film Diode）等の二端子型素子を備えた液晶装置に本発明を適用することも可能である。また、液晶装置としては、透過型液晶装置であってもよいし、反射型液晶装置であってもよい。
【０１０５】
また、液晶装置としては、ＴＮ（Twisted Nematic）モードで機能する液晶装置であってもよいし、ＶＡ（Vertical Alignment）モードで機能する液晶装置であってもよい。また、上述の実施形態においては、３板式の投射型表示装置（プロジェクタ）を例にして説明したが、単板式の投射型表示装置や直視型表示装置であってもよい。
【０１０６】
また、本発明の液晶装置を、プロジェクタ以外の電子機器に適用することも可能である。その具体例として、携帯電話を挙げることができる。この携帯電話は、上述の実施形態、またはその変形例に係る液晶装置を表示部に備えたものである。また、その他の電子機器としては、例えばＩＣカード、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】本実施形態に係る液晶装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図２】本実施形態に係る静電気量測定装置を示す図である。
【図３】本実施形態に係る無機配向膜形成装置を示す図である。
【図４】基板の表面に無機配向膜が形成される様子を説明するための模式図である。
【図５】基板の表面に形成された無機配向膜を示す模式図である。
【図６】表面処理された後の無機配向膜を示す模式図である。
【図７】本実施形態に係る製造方法を説明するための模式図である。
【図８】本実施形態に係る製造方法を説明するための模式図である。
【図９】本実施形態に係る製造方法を説明するための模式図である。
【図１０】プロジェクタの要部を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１…アレイ基板、２…対向基板、１１…静電気量測定装置、１３…無機配向膜形成装置、１６…無機配向膜、２２…無機配向膜、２０…液晶、６０…液晶装置、ＬＳ…製造装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機配向膜を備えた液晶装置の製造方法において、
基板上に前記無機配向膜を形成する工程と、
前記基板上に帯電する静電気量を測定する工程とを含む製造方法。
【請求項２】
前記基板上に前記無機配向膜を形成する前に、前記基板の表面の静電気量を測定する請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
前記基板上に前記無機配向膜を形成した後に、前記基板上の前記無機配向膜の表面の静電気量を測定する請求項１又は２記載の製造方法。
【請求項４】
前記無機配向膜を形成した後、前記無機配向膜の表面を処理する工程を有し、
前記処理された前記無機配向膜上に帯電する静電気量を測定する請求項１〜３のいずれか一項記載の製造方法。
【請求項５】
前記処理は、前記無機配向膜を撥水性にする処理を含む請求項４記載の製造方法。
【請求項６】
前記処理は、所定の材料を前記無機配向膜の表面に供給する処理を含む請求項４又は５記載の製造方法。
【請求項７】
前記材料は、アルコールを含む請求項６記載の製造方法。
【請求項８】
前記材料は、シランカップリング剤を含む請求項６記載の製造方法。
【請求項９】
無機配向膜を備えた液晶装置の製造装置において、
基板上に前記無機配向膜を形成する形成装置と、
前記基板上に帯電する静電気量を測定する測定装置とを備えた製造装置。
【請求項１】
無機配向膜を備えた液晶装置の製造方法において、
基板上に前記無機配向膜を形成する工程と、
前記基板上に帯電する静電気量を測定する工程とを含む製造方法。
【請求項２】
前記基板上に前記無機配向膜を形成する前に、前記基板の表面の静電気量を測定する請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
前記基板上に前記無機配向膜を形成した後に、前記基板上の前記無機配向膜の表面の静電気量を測定する請求項１又は２記載の製造方法。
【請求項４】
前記無機配向膜を形成した後、前記無機配向膜の表面を処理する工程を有し、
前記処理された前記無機配向膜上に帯電する静電気量を測定する請求項１〜３のいずれか一項記載の製造方法。
【請求項５】
前記処理は、前記無機配向膜を撥水性にする処理を含む請求項４記載の製造方法。
【請求項６】
前記処理は、所定の材料を前記無機配向膜の表面に供給する処理を含む請求項４又は５記載の製造方法。
【請求項７】
前記材料は、アルコールを含む請求項６記載の製造方法。
【請求項８】
前記材料は、シランカップリング剤を含む請求項６記載の製造方法。
【請求項９】
無機配向膜を備えた液晶装置の製造装置において、
基板上に前記無機配向膜を形成する形成装置と、
前記基板上に帯電する静電気量を測定する測定装置とを備えた製造装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２００７−２７９０８７（Ｐ２００７−２７９０８７Ａ）
【公開日】平成１９年１０月２５日（２００７．１０．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１０１５６９（Ｐ２００６−１０１５６９）
【出願日】平成１８年４月３日（２００６．４．３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１０月２５日（２００７．１０．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年４月３日（２００６．４．３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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