温度検出装置、電子閃光装置、およびカメラ
【課題】透光部材の温度を正確に検出すること。
【解決手段】温度検出装置は、光源４０からの光を透過する透光部材４４と、抵抗率に温度依存性を有し、透光部材４４の面に形成されている透明導電膜と、透明導電膜の抵抗値に基づいて透光部材４４の温度を検出する温度検出手段４２とを備える。
【解決手段】温度検出装置は、光源４０からの光を透過する透光部材４４と、抵抗率に温度依存性を有し、透光部材４４の面に形成されている透明導電膜と、透明導電膜の抵抗値に基づいて透光部材４４の温度を検出する温度検出手段４２とを備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度検出装置、電子閃光装置、およびカメラに関する。
【背景技術】
【０００２】
カメラに用いる電子閃光装置の過熱防止技術が知られている（特許文献１参照）。電子閃光装置では、発光管が光を放出すると同時に、大量の熱も発生する。また、発光管が発する光エネルギーがフレネルレンズなどの透光部材に集中するため、透光部材の温度が上昇する。温度検出のためにサーミスタや熱電対などの熱センサを透光部材に直接配設すると、該センサの影が生じる。そこで、従来の技術では影を生じさせない反射鏡に熱センサが配設されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２５５４４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、透光部材と異なる位置へ熱センサを配設すると、透光部材の正確な温度がわからないという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明による温度検出装置は、光源からの光を透過する透光部材と、抵抗率に温度依存性を有し、透光部材の面に形成されている透明導電膜と、透明導電膜の抵抗値に基づいて透光部材の温度を検出する温度検出手段と、を備えることを特徴とする。
本発明による電子閃光装置は、請求項１〜４のいずれか一項に記載の温度検出装置と、撮影補助光を発する発光体と、発光体からの光を透過した透光部材の温度が所定温度を超えたことが温度検出手段によって検出された場合にこれを知らせる報知手段と、を備えることを特徴とする。
本発明によるカメラは、請求項５〜７のいずれか一項に記載の電子閃光装置を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、透光部材の温度を正確に検出できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施の形態によるフラッシュ装置を装着したカメラシステムの外観図である。
【図２】カメラシステムの要部構成を説明するブロック図である。
【図３】フラッシュ装置の構成を例示する図である。
【図４】発光部の構成を説明する図である。
【図５】透光部材を被写体側から見た図である。
【図６】温度検出回路の構成を例示する図である。
【図７】検出電圧と検出温度との関係を例示する図である。
【図８】透明導電膜に対する配線例を説明する図である。
【図９】変形例２による透明導電膜の成膜パターンを例示する図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本発明を実施するための形態について説明する。図１は、本発明の一実施の形態によるフラッシュ装置を装着したカメラシステムの外観図である。図１において、カメラ本体１０に交換可能な撮影レンズ２０が装着されている。カメラ本体１０を被写体側から見て左上部に、レリーズボタン１１が設けられる。カメラ本体１０の中央上部に配設されているアクセサリシュー（不図示）に、フラッシュ装置３０が装着されている。
【０００９】
図２は、図１のカメラシステムの要部構成を説明するブロック図である。図２において、フラッシュ装置３０は、アクセサリシューに備えられている通信用端子５１を介して発光開始を指示するタイミング信号、発光量を指示する信号、発光準備中（充電中）や発光準備完了を示す信号などをＣＰＵ１０１との間で送受信する。
【００１０】
ＣＰＵ１０１はＡＳＩＣなどによって構成される。ＣＰＵ１０１は、後述する各ブロックから出力される信号を入力して所定の演算を行い、演算結果に基づく制御信号を各ブロックへ出力する。
【００１１】
撮影レンズ２０（図１）を通過してカメラ本体１０に入射した被写体光束は、シャッタユニット１０５を介してＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサなどによって構成される撮像素子（不図示）に導かれる。シャッタユニット１０５は、撮影時にＣＰＵ１０１からの指示に応じて所定のタイミングでシャッタ幕を開き、シャッタ速度に対応する露光時間が経過するとシャッタ幕を閉じる。
【００１２】
操作部材１０７は、レリーズボタン１１（図１）の押下げに連動するレリーズスイッチ、および各種設定を行う操作スイッチ群を含み、操作内容に応じた操作信号をＣＰＵ１０１へ出力する。たとえば、フラッシュ装置３０に対する発光許可／発光禁止、および赤目軽減発光などの設定操作に応じて設定操作信号をＣＰＵ１０１へ出力する。
【００１３】
測距装置１０２は、撮影レンズ２０による焦点調節状態を検出し、検出信号をＣＰＵ１０１へ出力する。焦点調節情報の取得は、たとえば、公知の位相差検出方式によって行う。ＣＰＵ１０１は、レンズ駆動ユニット１０４へ指示を送り、上記焦点調節状態に応じて撮影レンズ２０内のフォーカスレンズ（不図示）を光軸方向に進退駆動させ、撮影レンズ２０の焦点位置を調節する。なお、測距装置１０２による焦点検出信号は主要被写体までの距離（撮影距離）に対応する距離情報となる。
【００１４】
測光装置１０３は、撮影レンズ２０を通して被写体光量を検出し、検出信号をＣＰＵ１０１へ出力する。ＣＰＵ１０１は、この検出信号を用いて被写体輝度を算出し、算出した輝度情報を用いて露出演算を行う。ＣＰＵ１０１は、ＩＳＯ感度を変更して露出演算を行うこともできる。
【００１５】
図３は、フラッシュ装置３０の構成を例示する図である。図３において、フラッシュ装置３０は、制御回路３１と、カメラ通信回路３２と、昇圧回路３３と、定電圧回路３４と、充電電圧検出回路３５と、ダイオード３６と、主コンデンサ３７と、発光制御回路３８と、トリガー回路３９と、キセノン発光管４０と、倍電圧回路４１と、温度検出回路４２と、情報表示部４３と、透光部材４４とを有し、電池６０が装填されている。
【００１６】
制御回路３１は、フラッシュ装置３０内の各ブロックから出力される信号を入力して所定の演算を行い、演算結果に基づく制御信号を各ブロックへ出力する。制御回路３１は、カメラ通信回路３２を介してカメラ本体１０のＣＰＵ１０１（図２）との間で通信を行う。制御回路３１は、通信用端子５１を介して昇圧開始信号が入力されると、昇圧回路３３に昇圧開始を指示する。
【００１７】
昇圧回路３３は、ＤＣ−ＤＣコンバータによって構成され、電池６０による電圧を昇圧（たとえば、３３０Ｖ）する。主コンデンサ３７は、昇圧後の電圧でダイオード３６を介して充電される。充電電圧検出回路３５は、主コンデンサ３７の充電電圧が所定電圧Ｖｅに達すると、制御回路３１へ昇圧終了を知らせる。制御回路３１は、情報表示部４３にパイロットランプを点灯させるとともに、発光準備完了を示す信号をカメラ通信回路３２からカメラ本体１０のＣＰＵ１０１（図２）へ送信させる。
【００１８】
キセノン発光管４０は、以下のように放電制御される。カメラ本体１０のＣＰＵ１０１から通信用端子５１を介して発光を指示する信号が送信されると、制御回路３１は発光制御回路３８へ指示を送り、スイッチング素子３８ａをオンさせる。倍電圧回路４１は、スイッチング素子３８ａがオンされると、キセノン発光管４０の両電極間に主コンデンサ３７の充電電圧の２倍以上の電圧を生成し、キセノン発光管４０をより発光しやすくする。トリガー回路３９は、スイッチング素子３８ａがオンされるとトリガー用の電圧を発生し、このトリガー電圧をキセノン発光管４０のトリガー電極（不図示）へ印加する。印加されたトリガー電圧によってキセノン発光管４０内でキセノンガスが励起され、短期間に数十Ａ〜百Ａ以上の発光電流がキセノン発光管４０を流れ、キセノン発光管４０が閃光発光する。すなわち、主コンデンサ３７内に蓄積されていた電気エネルギーがキセノン発光管４０を通じて放電されることにより、撮影補助光を発する。
【００１９】
キセノン発光管４０は、スイッチング素子３８ａがオンすると直ちに発光を開始し、その発光強度は最大値まで上昇する。発光強度は主コンデンサ３７内の蓄積エネルギーの減少とともに低下し、主コンデンサ３７の蓄積エネルギーが空になると発光が終了する。なお、実際の撮影時には、蓄積エネルギーを全て放出する前にキセノン発光管４０への電力供給が停止されることにより、キセノン発光管４０が発する光量が所定光量に制御される。
【００２０】
温度検出回路４２は、透光部材４４の表面温度を示す信号を検出し、該検出信号を制御回路３１へ送出する。定電圧回路３４は、電池６０の残容量にかかわらず所定の電源電圧Ｖｃｃを発生し、該電圧を制御回路３１へ供給する。
【００２１】
図４は、発光部の構成を説明する図である。図４において、キセノン発光管４０の前方（被写体側であって図において右方）へ光を導くように反射鏡４６が配設される。反射鏡４６で反射された光、およびキセノン発光管４０からの直接光は、透光部材４４に集められる。透光部材４４は、たとえばフレネルレンズによって構成されており、キセノン発光管４０が発した光を被写体側へ所定パターンで配光する。
【００２２】
なお、キセノン発光管４０は、図において矢印方向に進退移動自在に構成されており、キセノン発光管４０と反射鏡４６との間隔を変更可能である。また、反射鏡４６と透光部材４４との間隔も変更可能である。広い照明画角を要する場合はキセノン発光管４０と反射鏡４６または反射鏡４６と透光部材４４との間隔を狭くし、狭い照明画角を要する場合はキセノン発光管４０と反射鏡４６または反射鏡４６と透光部材４４との間隔を広くする。
【００２３】
図５は、透光部材４４を被写体側から見た図である。透光部材４４の表面には、たとえば、錫ドープ酸化インジウム(Indium Tin Oxide)などの透明導電膜４５が成膜されている。透明導電膜４５は、たとえば、透光部材４４の略中央部を左右に横断するように設けられる。透明導電膜４５の成膜位置は、透光部材４４において最も温度上昇しやすい領域（すなわち、光のエネルギー密度が高い領域）を含む。
【００２４】
図６は、温度検出回路４２の構成を例示する図である。図６において、基準抵抗器４２１と透光部材４４上の透明導電膜４５とが直列に接続された上で、これらの合成抵抗に電圧Ｖｃｃが印加される。上記温度検出回路４２は、透明導電膜４５の抵抗値Ｒ４５に基づく電圧Ｖを検出する。
【００２５】
検出電圧Ｖは、次式（１）によって算出される。
Ｖ＝Ｖｃｃ×Ｒ４５／(Ｒ４２１＋Ｒ４５) （１）
ただし、Ｖｃｃは定電圧回路３４から供給される電圧である。Ｒ４２１は基準抵抗器４２１の抵抗値である。
【００２６】
図７は、検出電圧Ｖと検出温度（透光部材４４の表面温度）との関係を例示する図である。透明導電膜４５を構成する錫ドープ酸化インジウムは、その抵抗率が温度依存性を有する。このため、透明導電膜４５の抵抗値Ｒ４５は、透光部材４４の温度の上昇とともに増加し、温度が高いほど検出温度Ｖが高くなる。検出温度Ｖの読み取りは、たとえばキセノン発光管４０による１回の発光終了直後に行えばよい（発光時の電磁波ノイズによる誤認識を防ぐため）。制御回路３１は、たとえば、検出電圧Ｖを引数として検出温度を読み出すように構成したＬＵＴ（ルックアップテーブル）をあらかじめ内部の不揮発性メモリに記憶している。制御回路３１は、温度検出回路４２からの検出信号を用いて、透光部材４４の表面温度をＬＵＴから取得する。なお、ルックアップテーブルを記憶する代わりに検出電圧Ｖを変数とする関数を記憶するようにしてもよい。この場合は、検出電圧Ｖを変数に代入することによって透光部材４４の表面温度を算出する。
【００２７】
図８は、透明導電膜４５に対する配線材４９ａ、４９ｂの配線例を説明する図である。透光部材４４の両端（図５の左右端に対応）において、透明導電膜４５に導電性ゴム４７ａ、４７ｂを接着する。そして、透光部材４４との間で導電性ゴム４７ａ、４７ｂを挟むように、配線用基板４８ａ、４８ｂをさらに接着する。配線用基板４８ａ、４８ｂには、それぞれ配線材４９ａ、４９ｂをハンダ付けする。配線材４９ａ、４９ｂは、一方をＧＮＤに接続し、他方は基準抵抗器４２と接続する。これは、透明導電膜４５の抵抗値を温度検出回路に接続するための一例であり、これに限定するものではない。
【００２８】
透光部材４４の表面温度は、キセノン発光管４０による単位時間当たりの放電エネルギーが高いほど上昇する。具体的には、フラッシュ装置３０を発光させるフラッシュ撮影を連続して行う場合に温度が上昇しやすい。制御装置３１は、検出温度が透光部材４４を構成する材料の融点より低い材料軟化温度よりさらに所定値低い温度に達すると、カメラ通信回路３２へ指示を送り、カメラ本体１０側のＣＰＵ１０１へ透光部材４４の温度上昇を伝える。
【００２９】
制御回路３１はさらに、情報表示部４３に透光部材４４の温度上昇を示す表示を行うことにより、撮影者に対して透光部材４４の温度上昇を知らせる。撮影者は、たとえば、フラッシュ装置３０を発光させないで撮影を行うなどの対処が可能になる。
【００３０】
一方、透光部材４４の温度上昇を伝えられたカメラ本体１０は、たとえば、ＩＳＯ感度を上げてフラッシュ装置３０に新たに指示する発光量を低下させることにより、さらなる温度上昇を抑えるようにフラッシュ装置３０に対する制御を行う。
【００３１】
また、透光部材４４の温度上昇を伝えられたカメラ本体１０は、撮影画角を狭く変更するとともに、フラッシュ装置３０に新たに指示する照明画角を狭くする。すなわち、キセノン発光管４０と反射鏡４６や透光部材４４との間隔を広くすることによって、さらなる温度上昇を抑えるようにフラッシュ装置３０に対する制御を行う。
【００３２】
以上説明した実施形態によれば、次の作用効果が得られる。
（１）フラッシュ装置３０の温度検出部は、キセノン発光管４０からの光を透過する透光部材４４と、抵抗率に温度依存性を有し、透光部材４４の面に形成されている透明導電膜４５と、透明導電膜４５の抵抗値Ｒ４５に基づいて透光部材４４の温度を検出する温度検出回路４２とを備える。これにより、透明導電膜４５による影を生じさせることなく、透光部材４４の温度を直接的に、かつ正確に検出できる。正確に検出できることで、透光部材４４以外の他の部材についての検出温度から透光部材４４の温度を推定する場合に比べてマージンを大きく確保しなくてよいので、温度上昇が許容範囲いっぱいになるまでフラッシュ発光させることができる。
【００３３】
（２）透明導電膜４５は、錫ドープ酸化インジウムで構成するので、キセノン発光管４０からの光の減衰を抑えて適切に透光部材４４の温度を検出できる。
【００３４】
（３）透明導電膜４５は、透光部材４４の一方の面に形成するので、両方の面に形成する場合に比べて簡単に構成できる。
【００３５】
（４）フラッシュ装置３０は、上述した温度検出部と、撮影補助光を発する発光体キセノン発光管４０と、該キセノン発光管４０からの光を透過した透光部材４４の温度が所定温度を超えたことが上記温度検出部によって検出された場合にこれを知らせる情報表示部４３とを備えるようにした。これにより、撮影者は、フラッシュ装置３０を発光させないで撮影を行うなどのさらなる温度上昇を避けるように対処できる。
【００３６】
（５）上記所定温度は、カメラ本体１０のＩＳＯ感度を高く変更し、当該ＩＳＯ感度の変更に応じて撮影補助光の光量を低減するための温度としたので、撮影者が温度上昇に気づかなくても、さらなる温度上昇を防止できる。また、撮影補助光の光量を低減することによる露出不足をＩＳＯ感度のアップで補うことができる。
【００３７】
（６）上記所定温度は、カメラ本体１０の撮影画角を狭く変更し、当該撮影画角の変更に応じて撮影補助光の照明画角を狭く変更するための温度としたので、撮影者が温度上昇に気づかなくても、さらなる温度上昇を防止できる。また、照明画角と撮影画角のミスマッチを防ぐことができる。
【００３８】
（変形例１）
透光部材４４の面に成膜する透明導電膜４５の形状は、図５に例示するものに限らず、透光部材４４の面を覆うように成膜させたものでもよい。なお、配線材４９ａ、４９ｂを図５に例示する透光部材４４の左右両端に配線する場合、透明導電膜４５の抵抗値Ｒ４５に寄与するのは、主として左右両端の配線材取付け部を結ぶ直線状部分であるので、該直線状部分が上記最も温度上昇しやすい領域と合致するように構成する。
【００３９】
（変形例２）
また、透光部材４４の面に成膜する透明導電膜４５の形状を図９に例示するように螺旋状にしてもよい。図９の場合は、透明導電膜４５の螺旋パターンの全てが抵抗値Ｒ４５に寄与する。図９の場合の配線材４９ａ、４９ｂの配線位置は、ともに透光部材４４の左端である。
【００４０】
（変形例３）
透光部材４４を二枚重ねで構成する場合、第１透光部材と第２透光部材の間に透明導電膜を挟むように構成してもよい。
【００４１】
（変形例４）
フラッシュ装置３０の発光体としてキセノン発光管４０を用いる例を説明したが、発光体はキセノン発光管４０以外の他の放電発光管を使用してもよい。また、放電発光管の代わりに、ＬＥＤ光源を使用してもよい。
【００４２】
（変形例５）
透光部材４４はフレネルレンズに限らず、フィルタなどの他の光学部材にも適用してよい。
【００４３】
（変形例６）
フラッシュ装置３０をカメラ本体１０に直接装着する場合に限らず、カメラ本体１０とフラッシュ装置３０との間で無線通信を介して発光制御を行う場合にも、本発明を適用してよい。フラッシュ装置３０が撮影者の近傍に配設されておらず、撮影者がフラッシュ装置３０に備えられている情報表示部４３を直接確認できない場合でも、無線通信によって透光部材４４の温度上昇を撮影者に伝えることができる。
【００４４】
（変形例７）
本発明は、フラッシュ装置３０のみならず、フラッシュ装置を内蔵するカメラにも適用してよい。また、本発明を、光源部における発熱が生じるプロジェクタ装置にも適用して構わない。
【００４５】
（変形例８）
透明導電膜４５の構成例として錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）を説明したが、透明性および導電性を有する他の構成例として、アンチモンドープ酸化錫（ＡＴＯ）、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）等を用いることができる。また、金の微細な繊維を配合した高分子膜、マグネシウムを用いるものでもよい。
【００４６】
以上の説明はあくまで一例であり、上記の実施形態の構成に何ら限定されるものではない。
【符号の説明】
【００４７】
１０…カメラ本体
３０…フラッシュ装置
３１…制御回路
３２…カメラ通信回路
３３…昇圧回路
３７…主コンデンサ
３８…発光制御回路
４０…キセノン発光管
４２…温度検出回路
４３…情報表示部
４４…透光部材
４５…透明導電膜
４６…反射鏡
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度検出装置、電子閃光装置、およびカメラに関する。
【背景技術】
【０００２】
カメラに用いる電子閃光装置の過熱防止技術が知られている（特許文献１参照）。電子閃光装置では、発光管が光を放出すると同時に、大量の熱も発生する。また、発光管が発する光エネルギーがフレネルレンズなどの透光部材に集中するため、透光部材の温度が上昇する。温度検出のためにサーミスタや熱電対などの熱センサを透光部材に直接配設すると、該センサの影が生じる。そこで、従来の技術では影を生じさせない反射鏡に熱センサが配設されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２５５４４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、透光部材と異なる位置へ熱センサを配設すると、透光部材の正確な温度がわからないという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明による温度検出装置は、光源からの光を透過する透光部材と、抵抗率に温度依存性を有し、透光部材の面に形成されている透明導電膜と、透明導電膜の抵抗値に基づいて透光部材の温度を検出する温度検出手段と、を備えることを特徴とする。
本発明による電子閃光装置は、請求項１〜４のいずれか一項に記載の温度検出装置と、撮影補助光を発する発光体と、発光体からの光を透過した透光部材の温度が所定温度を超えたことが温度検出手段によって検出された場合にこれを知らせる報知手段と、を備えることを特徴とする。
本発明によるカメラは、請求項５〜７のいずれか一項に記載の電子閃光装置を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、透光部材の温度を正確に検出できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施の形態によるフラッシュ装置を装着したカメラシステムの外観図である。
【図２】カメラシステムの要部構成を説明するブロック図である。
【図３】フラッシュ装置の構成を例示する図である。
【図４】発光部の構成を説明する図である。
【図５】透光部材を被写体側から見た図である。
【図６】温度検出回路の構成を例示する図である。
【図７】検出電圧と検出温度との関係を例示する図である。
【図８】透明導電膜に対する配線例を説明する図である。
【図９】変形例２による透明導電膜の成膜パターンを例示する図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本発明を実施するための形態について説明する。図１は、本発明の一実施の形態によるフラッシュ装置を装着したカメラシステムの外観図である。図１において、カメラ本体１０に交換可能な撮影レンズ２０が装着されている。カメラ本体１０を被写体側から見て左上部に、レリーズボタン１１が設けられる。カメラ本体１０の中央上部に配設されているアクセサリシュー（不図示）に、フラッシュ装置３０が装着されている。
【０００９】
図２は、図１のカメラシステムの要部構成を説明するブロック図である。図２において、フラッシュ装置３０は、アクセサリシューに備えられている通信用端子５１を介して発光開始を指示するタイミング信号、発光量を指示する信号、発光準備中（充電中）や発光準備完了を示す信号などをＣＰＵ１０１との間で送受信する。
【００１０】
ＣＰＵ１０１はＡＳＩＣなどによって構成される。ＣＰＵ１０１は、後述する各ブロックから出力される信号を入力して所定の演算を行い、演算結果に基づく制御信号を各ブロックへ出力する。
【００１１】
撮影レンズ２０（図１）を通過してカメラ本体１０に入射した被写体光束は、シャッタユニット１０５を介してＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサなどによって構成される撮像素子（不図示）に導かれる。シャッタユニット１０５は、撮影時にＣＰＵ１０１からの指示に応じて所定のタイミングでシャッタ幕を開き、シャッタ速度に対応する露光時間が経過するとシャッタ幕を閉じる。
【００１２】
操作部材１０７は、レリーズボタン１１（図１）の押下げに連動するレリーズスイッチ、および各種設定を行う操作スイッチ群を含み、操作内容に応じた操作信号をＣＰＵ１０１へ出力する。たとえば、フラッシュ装置３０に対する発光許可／発光禁止、および赤目軽減発光などの設定操作に応じて設定操作信号をＣＰＵ１０１へ出力する。
【００１３】
測距装置１０２は、撮影レンズ２０による焦点調節状態を検出し、検出信号をＣＰＵ１０１へ出力する。焦点調節情報の取得は、たとえば、公知の位相差検出方式によって行う。ＣＰＵ１０１は、レンズ駆動ユニット１０４へ指示を送り、上記焦点調節状態に応じて撮影レンズ２０内のフォーカスレンズ（不図示）を光軸方向に進退駆動させ、撮影レンズ２０の焦点位置を調節する。なお、測距装置１０２による焦点検出信号は主要被写体までの距離（撮影距離）に対応する距離情報となる。
【００１４】
測光装置１０３は、撮影レンズ２０を通して被写体光量を検出し、検出信号をＣＰＵ１０１へ出力する。ＣＰＵ１０１は、この検出信号を用いて被写体輝度を算出し、算出した輝度情報を用いて露出演算を行う。ＣＰＵ１０１は、ＩＳＯ感度を変更して露出演算を行うこともできる。
【００１５】
図３は、フラッシュ装置３０の構成を例示する図である。図３において、フラッシュ装置３０は、制御回路３１と、カメラ通信回路３２と、昇圧回路３３と、定電圧回路３４と、充電電圧検出回路３５と、ダイオード３６と、主コンデンサ３７と、発光制御回路３８と、トリガー回路３９と、キセノン発光管４０と、倍電圧回路４１と、温度検出回路４２と、情報表示部４３と、透光部材４４とを有し、電池６０が装填されている。
【００１６】
制御回路３１は、フラッシュ装置３０内の各ブロックから出力される信号を入力して所定の演算を行い、演算結果に基づく制御信号を各ブロックへ出力する。制御回路３１は、カメラ通信回路３２を介してカメラ本体１０のＣＰＵ１０１（図２）との間で通信を行う。制御回路３１は、通信用端子５１を介して昇圧開始信号が入力されると、昇圧回路３３に昇圧開始を指示する。
【００１７】
昇圧回路３３は、ＤＣ−ＤＣコンバータによって構成され、電池６０による電圧を昇圧（たとえば、３３０Ｖ）する。主コンデンサ３７は、昇圧後の電圧でダイオード３６を介して充電される。充電電圧検出回路３５は、主コンデンサ３７の充電電圧が所定電圧Ｖｅに達すると、制御回路３１へ昇圧終了を知らせる。制御回路３１は、情報表示部４３にパイロットランプを点灯させるとともに、発光準備完了を示す信号をカメラ通信回路３２からカメラ本体１０のＣＰＵ１０１（図２）へ送信させる。
【００１８】
キセノン発光管４０は、以下のように放電制御される。カメラ本体１０のＣＰＵ１０１から通信用端子５１を介して発光を指示する信号が送信されると、制御回路３１は発光制御回路３８へ指示を送り、スイッチング素子３８ａをオンさせる。倍電圧回路４１は、スイッチング素子３８ａがオンされると、キセノン発光管４０の両電極間に主コンデンサ３７の充電電圧の２倍以上の電圧を生成し、キセノン発光管４０をより発光しやすくする。トリガー回路３９は、スイッチング素子３８ａがオンされるとトリガー用の電圧を発生し、このトリガー電圧をキセノン発光管４０のトリガー電極（不図示）へ印加する。印加されたトリガー電圧によってキセノン発光管４０内でキセノンガスが励起され、短期間に数十Ａ〜百Ａ以上の発光電流がキセノン発光管４０を流れ、キセノン発光管４０が閃光発光する。すなわち、主コンデンサ３７内に蓄積されていた電気エネルギーがキセノン発光管４０を通じて放電されることにより、撮影補助光を発する。
【００１９】
キセノン発光管４０は、スイッチング素子３８ａがオンすると直ちに発光を開始し、その発光強度は最大値まで上昇する。発光強度は主コンデンサ３７内の蓄積エネルギーの減少とともに低下し、主コンデンサ３７の蓄積エネルギーが空になると発光が終了する。なお、実際の撮影時には、蓄積エネルギーを全て放出する前にキセノン発光管４０への電力供給が停止されることにより、キセノン発光管４０が発する光量が所定光量に制御される。
【００２０】
温度検出回路４２は、透光部材４４の表面温度を示す信号を検出し、該検出信号を制御回路３１へ送出する。定電圧回路３４は、電池６０の残容量にかかわらず所定の電源電圧Ｖｃｃを発生し、該電圧を制御回路３１へ供給する。
【００２１】
図４は、発光部の構成を説明する図である。図４において、キセノン発光管４０の前方（被写体側であって図において右方）へ光を導くように反射鏡４６が配設される。反射鏡４６で反射された光、およびキセノン発光管４０からの直接光は、透光部材４４に集められる。透光部材４４は、たとえばフレネルレンズによって構成されており、キセノン発光管４０が発した光を被写体側へ所定パターンで配光する。
【００２２】
なお、キセノン発光管４０は、図において矢印方向に進退移動自在に構成されており、キセノン発光管４０と反射鏡４６との間隔を変更可能である。また、反射鏡４６と透光部材４４との間隔も変更可能である。広い照明画角を要する場合はキセノン発光管４０と反射鏡４６または反射鏡４６と透光部材４４との間隔を狭くし、狭い照明画角を要する場合はキセノン発光管４０と反射鏡４６または反射鏡４６と透光部材４４との間隔を広くする。
【００２３】
図５は、透光部材４４を被写体側から見た図である。透光部材４４の表面には、たとえば、錫ドープ酸化インジウム(Indium Tin Oxide)などの透明導電膜４５が成膜されている。透明導電膜４５は、たとえば、透光部材４４の略中央部を左右に横断するように設けられる。透明導電膜４５の成膜位置は、透光部材４４において最も温度上昇しやすい領域（すなわち、光のエネルギー密度が高い領域）を含む。
【００２４】
図６は、温度検出回路４２の構成を例示する図である。図６において、基準抵抗器４２１と透光部材４４上の透明導電膜４５とが直列に接続された上で、これらの合成抵抗に電圧Ｖｃｃが印加される。上記温度検出回路４２は、透明導電膜４５の抵抗値Ｒ４５に基づく電圧Ｖを検出する。
【００２５】
検出電圧Ｖは、次式（１）によって算出される。
Ｖ＝Ｖｃｃ×Ｒ４５／(Ｒ４２１＋Ｒ４５) （１）
ただし、Ｖｃｃは定電圧回路３４から供給される電圧である。Ｒ４２１は基準抵抗器４２１の抵抗値である。
【００２６】
図７は、検出電圧Ｖと検出温度（透光部材４４の表面温度）との関係を例示する図である。透明導電膜４５を構成する錫ドープ酸化インジウムは、その抵抗率が温度依存性を有する。このため、透明導電膜４５の抵抗値Ｒ４５は、透光部材４４の温度の上昇とともに増加し、温度が高いほど検出温度Ｖが高くなる。検出温度Ｖの読み取りは、たとえばキセノン発光管４０による１回の発光終了直後に行えばよい（発光時の電磁波ノイズによる誤認識を防ぐため）。制御回路３１は、たとえば、検出電圧Ｖを引数として検出温度を読み出すように構成したＬＵＴ（ルックアップテーブル）をあらかじめ内部の不揮発性メモリに記憶している。制御回路３１は、温度検出回路４２からの検出信号を用いて、透光部材４４の表面温度をＬＵＴから取得する。なお、ルックアップテーブルを記憶する代わりに検出電圧Ｖを変数とする関数を記憶するようにしてもよい。この場合は、検出電圧Ｖを変数に代入することによって透光部材４４の表面温度を算出する。
【００２７】
図８は、透明導電膜４５に対する配線材４９ａ、４９ｂの配線例を説明する図である。透光部材４４の両端（図５の左右端に対応）において、透明導電膜４５に導電性ゴム４７ａ、４７ｂを接着する。そして、透光部材４４との間で導電性ゴム４７ａ、４７ｂを挟むように、配線用基板４８ａ、４８ｂをさらに接着する。配線用基板４８ａ、４８ｂには、それぞれ配線材４９ａ、４９ｂをハンダ付けする。配線材４９ａ、４９ｂは、一方をＧＮＤに接続し、他方は基準抵抗器４２と接続する。これは、透明導電膜４５の抵抗値を温度検出回路に接続するための一例であり、これに限定するものではない。
【００２８】
透光部材４４の表面温度は、キセノン発光管４０による単位時間当たりの放電エネルギーが高いほど上昇する。具体的には、フラッシュ装置３０を発光させるフラッシュ撮影を連続して行う場合に温度が上昇しやすい。制御装置３１は、検出温度が透光部材４４を構成する材料の融点より低い材料軟化温度よりさらに所定値低い温度に達すると、カメラ通信回路３２へ指示を送り、カメラ本体１０側のＣＰＵ１０１へ透光部材４４の温度上昇を伝える。
【００２９】
制御回路３１はさらに、情報表示部４３に透光部材４４の温度上昇を示す表示を行うことにより、撮影者に対して透光部材４４の温度上昇を知らせる。撮影者は、たとえば、フラッシュ装置３０を発光させないで撮影を行うなどの対処が可能になる。
【００３０】
一方、透光部材４４の温度上昇を伝えられたカメラ本体１０は、たとえば、ＩＳＯ感度を上げてフラッシュ装置３０に新たに指示する発光量を低下させることにより、さらなる温度上昇を抑えるようにフラッシュ装置３０に対する制御を行う。
【００３１】
また、透光部材４４の温度上昇を伝えられたカメラ本体１０は、撮影画角を狭く変更するとともに、フラッシュ装置３０に新たに指示する照明画角を狭くする。すなわち、キセノン発光管４０と反射鏡４６や透光部材４４との間隔を広くすることによって、さらなる温度上昇を抑えるようにフラッシュ装置３０に対する制御を行う。
【００３２】
以上説明した実施形態によれば、次の作用効果が得られる。
（１）フラッシュ装置３０の温度検出部は、キセノン発光管４０からの光を透過する透光部材４４と、抵抗率に温度依存性を有し、透光部材４４の面に形成されている透明導電膜４５と、透明導電膜４５の抵抗値Ｒ４５に基づいて透光部材４４の温度を検出する温度検出回路４２とを備える。これにより、透明導電膜４５による影を生じさせることなく、透光部材４４の温度を直接的に、かつ正確に検出できる。正確に検出できることで、透光部材４４以外の他の部材についての検出温度から透光部材４４の温度を推定する場合に比べてマージンを大きく確保しなくてよいので、温度上昇が許容範囲いっぱいになるまでフラッシュ発光させることができる。
【００３３】
（２）透明導電膜４５は、錫ドープ酸化インジウムで構成するので、キセノン発光管４０からの光の減衰を抑えて適切に透光部材４４の温度を検出できる。
【００３４】
（３）透明導電膜４５は、透光部材４４の一方の面に形成するので、両方の面に形成する場合に比べて簡単に構成できる。
【００３５】
（４）フラッシュ装置３０は、上述した温度検出部と、撮影補助光を発する発光体キセノン発光管４０と、該キセノン発光管４０からの光を透過した透光部材４４の温度が所定温度を超えたことが上記温度検出部によって検出された場合にこれを知らせる情報表示部４３とを備えるようにした。これにより、撮影者は、フラッシュ装置３０を発光させないで撮影を行うなどのさらなる温度上昇を避けるように対処できる。
【００３６】
（５）上記所定温度は、カメラ本体１０のＩＳＯ感度を高く変更し、当該ＩＳＯ感度の変更に応じて撮影補助光の光量を低減するための温度としたので、撮影者が温度上昇に気づかなくても、さらなる温度上昇を防止できる。また、撮影補助光の光量を低減することによる露出不足をＩＳＯ感度のアップで補うことができる。
【００３７】
（６）上記所定温度は、カメラ本体１０の撮影画角を狭く変更し、当該撮影画角の変更に応じて撮影補助光の照明画角を狭く変更するための温度としたので、撮影者が温度上昇に気づかなくても、さらなる温度上昇を防止できる。また、照明画角と撮影画角のミスマッチを防ぐことができる。
【００３８】
（変形例１）
透光部材４４の面に成膜する透明導電膜４５の形状は、図５に例示するものに限らず、透光部材４４の面を覆うように成膜させたものでもよい。なお、配線材４９ａ、４９ｂを図５に例示する透光部材４４の左右両端に配線する場合、透明導電膜４５の抵抗値Ｒ４５に寄与するのは、主として左右両端の配線材取付け部を結ぶ直線状部分であるので、該直線状部分が上記最も温度上昇しやすい領域と合致するように構成する。
【００３９】
（変形例２）
また、透光部材４４の面に成膜する透明導電膜４５の形状を図９に例示するように螺旋状にしてもよい。図９の場合は、透明導電膜４５の螺旋パターンの全てが抵抗値Ｒ４５に寄与する。図９の場合の配線材４９ａ、４９ｂの配線位置は、ともに透光部材４４の左端である。
【００４０】
（変形例３）
透光部材４４を二枚重ねで構成する場合、第１透光部材と第２透光部材の間に透明導電膜を挟むように構成してもよい。
【００４１】
（変形例４）
フラッシュ装置３０の発光体としてキセノン発光管４０を用いる例を説明したが、発光体はキセノン発光管４０以外の他の放電発光管を使用してもよい。また、放電発光管の代わりに、ＬＥＤ光源を使用してもよい。
【００４２】
（変形例５）
透光部材４４はフレネルレンズに限らず、フィルタなどの他の光学部材にも適用してよい。
【００４３】
（変形例６）
フラッシュ装置３０をカメラ本体１０に直接装着する場合に限らず、カメラ本体１０とフラッシュ装置３０との間で無線通信を介して発光制御を行う場合にも、本発明を適用してよい。フラッシュ装置３０が撮影者の近傍に配設されておらず、撮影者がフラッシュ装置３０に備えられている情報表示部４３を直接確認できない場合でも、無線通信によって透光部材４４の温度上昇を撮影者に伝えることができる。
【００４４】
（変形例７）
本発明は、フラッシュ装置３０のみならず、フラッシュ装置を内蔵するカメラにも適用してよい。また、本発明を、光源部における発熱が生じるプロジェクタ装置にも適用して構わない。
【００４５】
（変形例８）
透明導電膜４５の構成例として錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）を説明したが、透明性および導電性を有する他の構成例として、アンチモンドープ酸化錫（ＡＴＯ）、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）等を用いることができる。また、金の微細な繊維を配合した高分子膜、マグネシウムを用いるものでもよい。
【００４６】
以上の説明はあくまで一例であり、上記の実施形態の構成に何ら限定されるものではない。
【符号の説明】
【００４７】
１０…カメラ本体
３０…フラッシュ装置
３１…制御回路
３２…カメラ通信回路
３３…昇圧回路
３７…主コンデンサ
３８…発光制御回路
４０…キセノン発光管
４２…温度検出回路
４３…情報表示部
４４…透光部材
４５…透明導電膜
４６…反射鏡
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光を透過する透光部材と、
抵抗率に温度依存性を有し、前記透光部材の面に形成されている透明導電膜と、
前記透明導電膜の抵抗値に基づいて前記透光部材の温度を検出する温度検出手段と、
を備えることを特徴とする温度検出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の温度検出装置において、
前記透明導電膜は、錫ドープ酸化インジウムで構成されることを特徴とする温度検出装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の温度検出装置において、
前記透明導電膜は、前記透光部材の一方の面に形成されていることを特徴とする温度検出装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の温度検出装置において、
前記透明導電膜は、前記透光部材を構成する第１透光部材および第２透光部材の間に形成されていることを特徴とする温度検出装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の温度検出装置と、
撮影補助光を発する発光体と、
前記発光体からの光を透過した前記透光部材の温度が所定温度を超えたことが前記温度検出手段によって検出された場合にこれを知らせる報知手段と、
を備えることを特徴とする電子閃光装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電子閃光装置において、
前記所定温度は、前記カメラのＩＳＯ感度を高く変更し、当該ＩＳＯ感度の変更に応じて前記撮影補助光の光量を低減するための温度であることを特徴とする電子閃光装置。
【請求項７】
請求項５に記載の電子閃光装置において、
前記所定温度は、前記カメラの撮影画角を狭く変更し、当該撮影画角の変更に応じて前記撮影補助光の照明画角を狭く変更するための温度であることを特徴とする電子閃光装置。
【請求項８】
請求項５〜７のいずれか一項に記載の電子閃光装置を備えることを特徴とするカメラ。
【請求項１】
光源からの光を透過する透光部材と、
抵抗率に温度依存性を有し、前記透光部材の面に形成されている透明導電膜と、
前記透明導電膜の抵抗値に基づいて前記透光部材の温度を検出する温度検出手段と、
を備えることを特徴とする温度検出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の温度検出装置において、
前記透明導電膜は、錫ドープ酸化インジウムで構成されることを特徴とする温度検出装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の温度検出装置において、
前記透明導電膜は、前記透光部材の一方の面に形成されていることを特徴とする温度検出装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の温度検出装置において、
前記透明導電膜は、前記透光部材を構成する第１透光部材および第２透光部材の間に形成されていることを特徴とする温度検出装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の温度検出装置と、
撮影補助光を発する発光体と、
前記発光体からの光を透過した前記透光部材の温度が所定温度を超えたことが前記温度検出手段によって検出された場合にこれを知らせる報知手段と、
を備えることを特徴とする電子閃光装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電子閃光装置において、
前記所定温度は、前記カメラのＩＳＯ感度を高く変更し、当該ＩＳＯ感度の変更に応じて前記撮影補助光の光量を低減するための温度であることを特徴とする電子閃光装置。
【請求項７】
請求項５に記載の電子閃光装置において、
前記所定温度は、前記カメラの撮影画角を狭く変更し、当該撮影画角の変更に応じて前記撮影補助光の照明画角を狭く変更するための温度であることを特徴とする電子閃光装置。
【請求項８】
請求項５〜７のいずれか一項に記載の電子閃光装置を備えることを特徴とするカメラ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１２−２６９２（Ｐ２０１２−２６９２Ａ）
【公開日】平成２４年１月５日（２０１２．１．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１３８４４１（Ｐ２０１０−１３８４４１）
【出願日】平成２２年６月１７日（２０１０．６．１７）
【出願人】（０００００４１１２）株式会社ニコン (12,601)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１月５日（２０１２．１．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年６月１７日（２０１０．６．１７）
【出願人】（０００００４１１２）株式会社ニコン (12,601)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]