無電解めっき方法及びＬＥＤ実装用基板
【課題】 光の反射率を向上させるとともに高温条件下での銀めっき皮膜の変色を防止する。
【解決手段】 本発明に係る無電解めっき方法は、被めっき物上に形成されたＮｉ−Ｐめっき皮膜上に、パラジウム処理を施すパラジウム処理工程と、パラジウム処理が施された被めっき物に対して、無電解銀めっきを施す無電解銀めっき工程とを有する。
【解決手段】 本発明に係る無電解めっき方法は、被めっき物上に形成されたＮｉ−Ｐめっき皮膜上に、パラジウム処理を施すパラジウム処理工程と、パラジウム処理が施された被めっき物に対して、無電解銀めっきを施す無電解銀めっき工程とを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜に無電解銀めっきを施す無電解めっき方法及びＬＥＤ実装用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気銀めっきは、古くから装飾用途として多用されている技術である。近年では、電気特性を生かして電子工業分野に、反射率の高さを生かしてＬＥＤ（Light Emitting Diode）の反射板、車のヘッドライト等の光工業分野、その他電磁波シールド、殺菌コート等の分野に多く用いられている。
【０００３】
現在、非常に注目を浴びているＬＥＤの反射板に、電気ニッケル−電気銀をめっきするプロセスが多用されている（例えば、特許文献１、特許文献２を参照）。しかし、電気銀は、高アルカリ浴、シアン浴が一般的であるため、環境面や作業面が悪い。また、電気銀めっきでは、基板の独立した配線パターンへの対応が不可能であり、また、高い反射率を得るために膜厚を厚くする必要があるため、コストが高くなってしまう。
【０００４】
また、無電解めっきで置換めっきを行うプロセスでは、液として比較的安定であるが、めっき対象の素材が限定されてしまう。また、無電解めっきで置換めっきを行うプロセスでは、素材の下地を荒らしてしまうため、高い反射率や光沢度が得られにくいという問題がある。
【０００５】
一方、無電解還元反応による無電解銀めっき（以下、「無電解還元銀めっき」という）では、基板の独立した配線パターンへの対応が可能であり、無電解めっきでの置換銀めっきとは異なって銀の被覆が非常に高くレベリング効果もあるため、膜厚を薄くしても高反射率や高光沢度を得ることが可能である。また、無電解還元銀めっきでは、薄い膜厚でも反射率などの十分な特性が得られるため、コストの低減化を図るとともに、パターン幅が狭い基板への対応も可能である。
【０００６】
しかし、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上に無電解還元銀めっきを施すと、下地のＮｉ−Ｐめっき皮膜が溶解しやすいため、ニッケルと銀との間の密着性が不良となり、例えばＮｉ−Ｐめっき皮膜と銀めっき皮膜との間から光が漏れて、光の反射率が低下してしまう問題があった。また、銀めっき皮膜は、高温条件下において変色してしまう問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−２５８５１４号公報
【特許文献２】特許第４３６７４５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、このような実情に鑑みて提案されたものであり、光の反射率を向上させるとともに、高温条件下での銀めっき皮膜の変色を防止することができる無電解めっき方法及びＬＥＤ実装用基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る無電解めっき方法は、被めっき物上に形成されたＮｉ−Ｐめっき皮膜上に、パラジウム処理を施すパラジウム処理工程と、パラジウム処理が施された被めっき物に対して、無電解銀めっきを施す無電解銀めっき工程とを有する。
【００１０】
本発明に係るＬＥＤ実装用基板は、被めっき物上にＮｉ−Ｐめっき皮膜が形成され、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上にパラジウムが存在し、無電解銀めっきを施すことによりパラジウムが存在するＮｉ−Ｐめっき皮膜上に銀めっき皮膜が形成されている銀膜を反射面として有する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜と銀めっき皮膜との間の密着性を向上させ、光の反射率を向上させるとともに、高温条件下での銀めっき皮膜の変色を防止することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明を適用した無電解めっき方法及びＬＥＤ実装用基板の一例について、次の順序で説明する。
１．無電解めっき方法
１−１．Ｎｉ−Ｐめっき工程
１−２．パラジウム処理工程
１−３．無電解銀めっき工程
２．ＬＥＤ実装用基板
３．他の実施形態
４．実施例
【００１３】
１．無電解めっき方法
本実施の形態に係る無電解めっき方法は、被めっき物に無電解Ｎｉ−Ｐめっきを施すＮｉ−Ｐめっき工程と、被めっき物上に形成された無電解Ｎｉ−Ｐめっき皮膜（以下、「Ｎｉ−Ｐめっき皮膜」という）上に、パラジウム処理を施すパラジウム処理工程と、パラジウム処理が施された被めっき物に対して、無電解銀めっきを施す無電解銀めっき工程とを有する。
【００１４】
１−１．Ｎｉ−Ｐめっき工程
Ｎｉ−Ｐめっき工程では、めっき厚さを均一にすることができ、耐摩耗性に優れている等の観点から、基材となる被めっき物に無電解Ｎｉ−Ｐめっきを施す。
【００１５】
Ｎｉ−Ｐめっき工程では、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の膜厚が０．１〜５０μｍとなるように、被めっき物に無電解Ｎｉ−Ｐめっきを施すことが好ましい。Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の膜厚が０．１μｍ未満の場合には、光の反射率が低下してしまう。また、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の膜厚が５０μｍを超える場合には、コストが高くなり、作業性が悪くなってしまう。
【００１６】
Ｎｉ−Ｐめっき工程では、無電解ニッケルめっき浴を用いて被めっき物に無電解Ｎｉ−Ｐめっきを施す。めっき浴としては、例えば、リン含量が１．５〜１３％（低濃度から高濃度）であるものを用いることができる。具体的に、めっき浴としては、例えば、ニムデン ＬＰＸ（商品名）、ニムデン ＫＬＰ（商品名）（低濃度のリンを含む）、ニムデン ＮＫＹシリーズ（商品名）、ニムデン ＮＰＧシリーズ（商品名）、ニムデン ＮＥＬシリーズ（商品名）、ニムデン ＫＴＹシリーズ（商品名）（中高濃度〜高濃度のリンを含む）等（以上、上村工業株式会社製）を用いることができる。
【００１７】
Ｎｉ−Ｐめっき工程におけるめっき条件は、例えば、温度を約７０〜１００℃、めっき時間を２０〜３０分とすることができる。
【００１８】
１−２．パラジウム処理工程
パラジウム処理工程では、被めっき物上に形成されたＮｉ−Ｐめっき皮膜上にパラジウム処理を施すことにより、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上にパラジウムを存在させる。このように、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上にパラジウム処理を施すことにより、後述する無電解銀めっき工程において、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の溶解を抑制し、下地のニッケルへの影響を少なくすることができる。これにより、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜と、無電解銀めっき工程で形成される無電解還元による銀めっき皮膜との間の密着性を向上させることができ、高温条件下での銀の変色（例えば、色ムラの発生や黄色への変色）を防止するとともに、光の反射率を向上させることができる。さらに、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上にパラジウム処理を施すことにより、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜及び銀めっき皮膜の相互拡散層を薄くすることができる。
【００１９】
パラジウム処理では、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上に１×１０−４〜０．２ｍｇ／ｄｍ２のパラジウムを存在させることが好ましい。パラジウムの量（パラジウムの濃度）が１×１０−４ｍｇ／ｄｍ２未満の場合には、パラジウムの量が十分ではないため、上述したＮｉ−Ｐめっき皮膜と銀めっき皮膜との間の密着性が悪化したり、外観不良が発生してしまうおそれがある。パラジウムの量が０．２ｍｇ／ｄｍ２を超える場合には、処理コストが高くなり、作業性が悪化してしまう。
【００２０】
パラジウム処理に用いるパラジウム溶液としては、従来のアクチベータ（キャタリスト）用の液や、無電解パラジウム液を用いることができる。パラジウム溶液の浴種としては、例えば、置換型のパラジウム浴としては、アクセマルタ ＭＰＤ−２２（商品名）、アクセマルタ ＭＰＤ−３２（商品名）、アクセマルタ ＭＮＫ−４（商品名）、ＫＡＴ−４５０（商品名）、ＡＴ−７００（商品名）、アクセマルタ ＭＳＲ−４１（商品名）等が挙げられ、還元型のパラジウム浴としてはアルタレア ＴＰＤ−２０（商品名）等（以上、上村工業株式会社製）が挙げられる。
【００２１】
パラジウム処理後のパラジウムは、パラジウム処理に用いる処理液やパラジウムの量によってＮｉ−Ｐめっき皮膜上に存在する状態が異なる。例えば、下地であるＮｉ−Ｐめっき皮膜に対して、パラジウムが膜状に略均一な広がりをもつ状態やパラジウムがドット状に略均一に分布している状態（以下、これらの状態を「層状」という）、パラジウムが不均一に点在している状態、パラジウムが斑に存在する状態（斑状）が挙げられる。
【００２２】
パラジウム処理方法としては、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上に、上述した量のパラジウムを存在させることができる方法であれば特に限定されず、例えば、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上にパラジウムを析出させる方法、具体的には、置換や還元による方法が挙げられる。パラジウム処理の条件は、例えば、温度を５０〜７０℃、処理時間を１〜５分とすることができる。
【００２３】
例えば、還元型のパラジウム浴を用いてパラジウム処理を施した場合には、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜に対してパラジウムが均一な状態で析出する。すなわち、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上のパラジウムが層状となる。また、置換型のパラジウム浴を用いてパラジウム処理を施した場合には、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜に対してパラジウムが不均一な状態で析出する。すなわち、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上にパラジウムが不均一に点在したり、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上のパラジウムが斑状となる。
【００２４】
ここで、パラジウムがＮｉ−Ｐめっき皮膜上に均一に存在していると想定したときのパラジウムの層厚は、０．８ｎｍ（パラジウムの量：１×１０−４ｍｇ／ｄｍ２）〜１６００ｎｍ（パラジウムの量：０．２ｍｇ／ｄｍ２）とすることが好ましい。
【００２５】
１−３．無電解銀めっき工程
無電解銀めっき工程では、パラジウム処理工程でパラジウム処理が施された被めっき物に対して、無電解銀めっきを施して銀めっき皮膜を形成する。無電解銀めっき工程では、置換銀めっきではなく無電解還元銀めっきを施すことが好ましい。このように、無電解還元銀めっきを施すことにより、置換銀めっきの場合とは異なり無電解銀めっきの膜厚を薄くしても反射率等の特性を十分に得ることができる。
【００２６】
無電解銀めっき工程では、銀めっき皮膜の膜厚が０．０１〜５μｍとなるように、被めっき物に無電解銀めっきを施すことが好ましい。銀めっき皮膜の膜厚が０．０１μｍ未満の場合には、膜厚が十分ではないため光の反射率が低下するおそれがある。また、銀めっき皮膜の膜厚が５μｍを超える場合には、コストが高くなり、作業性が悪化してしまう。
【００２７】
めっき液としては、例えば、銀濃度が０．１〜１０ｇ／Ｌ、ｐＨが２〜１２、還元剤の濃度が０．１〜２０ｇ／Ｌであるものを用いることができる。
【００２８】
還元剤としては、例えば、ヒドラジン誘導体、ホルムアルデヒド化合物、ヒドロキシルアミン類、糖類、ロッセル塩、水素化ホウ素化合物、次亜リン酸塩、ジメチルアミンボラン（ＤＭＡＢ）、アスコルビン酸を用いることができる。
【００２９】
無電解銀めっき工程におけるめっき条件は、例えば、上述した濃度の無電解銀めっき液を用い、めっき浴の温度を３０〜５０℃とし、めっき時間を１０〜２０分とすることができる。めっき時間が短すぎると、十分な膜厚の無電解銀めっきが施されず、めっき時間が長すぎると、コストが高くなり、作業性が悪化してしまう。なお、無電解銀めっき工程におけるめっき時間は、使用する還元剤や、目的とする銀めっきの膜厚に応じて変化させてもよい。
【００３０】
以上説明したように、本実施の形態に係る無電解めっき方法では、被めっき物上に形成されたＮｉ−Ｐめっき皮膜上に、パラジウム処理を施すパラジウム処理工程と、パラジウム処理が施された被めっき物に対して、無電解銀めっきを施す無電解銀めっき工程とを有する。すなわち、本実施の形態に係る無電解めっき方法では、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜と銀めっき皮膜との間に、パラジウム処理によってパラジウムを存在させることにより、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の溶解を抑制し、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜と銀めっき皮膜との密着性を向上させることができる。これにより、高温条件下での銀めっき皮膜の変色を防止するとともに、光の反射率を向上させることができる。
【００３１】
また、本実施の形態に係る無電解めっき方法では、無電解プロセスを用いることにより、銀めっき皮膜の膜厚を容易に制御して、銀めっき皮膜の膜厚を容易に薄くすることができる。
【００３２】
したがって、本実施の形態に係る無電解めっき方法では、銀めっき皮膜の膜厚が薄くても高い光の反射率を維持することができるため、電気めっきプロセスを用いた場合のように、光の反射率の性能を得る目的で銀めっき皮膜を厚くする必要がなく、コストを低減することができる。
【００３３】
上述した本実施の形態に係る無電解めっき方法で製造された銀膜は、被めっき物上にＮｉ−Ｐめっき皮膜が形成され、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上に１×１０−４ｍｇ／ｄｍ２以上のパラジウムが存在し、無電解銀めっきを施すことによりパラジウムが存在するＮｉ−Ｐめっき皮膜上に銀めっき皮膜が形成されている。
【００３４】
本実施の形態に係る無電解めっき方法で製造された銀膜は、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜と銀めっき皮膜との密着性が良好であるため、高温条件下での銀めっき皮膜の変色を防止するとともに、光の反射率を向上させることができる。
【００３５】
２．ＬＥＤ実装用基板
本実施の形態に係る無電解めっき方法で製造された銀膜は、青色ＬＥＤの励起波長近傍の４００〜５００ｎｍの波長領域における反射率を向上させることができるため、例えば、ＬＥＤ実装用基板に好ましく適用することができる。ＬＥＤ実装用基板は、図示しないが、上述した本実施の形態に係る銀膜を反射面として有する。
【００３６】
ＬＥＤ実装用基板の製造工程の一例として、例えば、被めっき物としてＢＧＡ（Ball grid array）基板を用いた場合には、まず、ＢＧＡ基板に対し無電解Ｎｉ−Ｐめっきを施すことによりＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成する。次に、被めっき物上に形成されたＮｉ−Ｐめっき皮膜上に、パラジウム処理を施すことにより、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上に、上述の如くパラジウムを存在させる。次に、パラジウム処理が施された被めっき物に対して無電解銀めっきを施すことにより、パラジウムが存在するＮｉ−Ｐめっき皮膜上に銀めっき皮膜を形成する。
【００３７】
このように本実施の形態に係る銀膜をＬＥＤ実装用基板の反射部に適用する場合には、実際の使用において高温条件下に置かれたときに、上述の如く銀めっき皮膜の膜厚を薄くしても銀めっき皮膜の変色が少ないため、光の反射率の低下を防止することができる。
【００３８】
３．他の実施形態
上述した無電解めっき方法では、周知の前処理を行うようにしてもよい。例えば、上述した無電解めっき方法では、Ｎｉ−Ｐめっき工程の前に、周知の前処理を行うようにしてもよい。
【実施例】
【００３９】
以下、本発明の具体的な実施例について説明する。なお、下記の実施例に本発明の範囲が限定されるものではない。
【００４０】
【表１】
【００４１】
（実施例１）
実施例１では、表１に示すように、被めっき物であるＢＧＡ基板（上村工業株式会社製）に対して、ＡＣＬ−７３８（上村工業株式会社製）によるクリーナー処理（脱脂）後、１００ｇ／Ｌの過硫酸ナトリウム溶液（ＳＰＳ）にてソフトエッチングした。続いて、１０％硫酸溶液でエッチング残渣を除去し（酸洗）、３％硫酸溶液でプリディップ後、ＭＮＫ−４（上村工業株式会社製）でＰｄ触媒付与（キャタリスト）した。
【００４２】
Ｎｉ−Ｐめっき工程において、上記前処理後のＢＧＡ基板に、無電解Ｎｉ−Ｐめっき液（ニムデンＮＰＲ−４ 上村工業株式会社製）を用いた浴を用いて、８０℃、２５分間のめっき条件で、無電解Ｎｉ−Ｐめっきを施して、膜厚が４μｍのＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成した。
【００４３】
パラジウム処理工程では、置換型のパラジウム浴であるアクセマルタ ＭＰＤ−２２（上村工業株式会社製）を用い、ＢＧＡ基板上に形成されたＮｉ−Ｐめっき皮膜上に、５５℃で２分間パラジウム処理を施すことにより、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上に、１０００×１０−４ｍｇ／ｄｍ２のパラジウムを析出させた。
【００４４】
無電解銀めっき工程では、パラジウム処理が施されたＢＧＡ基板に、４０℃、１５分間のめっき条件で無電解銀めっきを施して、膜厚が０．１μｍである銀めっき皮膜を形成した。なお、各工程間では、被めっき物であるＢＧＡ基板を水洗した。
【００４５】
（実施例２）
実施例２では、実施例１で得られたＢＧＡ基板に対して、熱処理を１７５℃で１６時間施した。
【００４６】
（実施例３）
実施例３では、Ｎｉ−Ｐめっき工程で、前処理後のＢＧＡ基板に、膜厚が１μｍのＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成したこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００４７】
（実施例４）
実施例４では、Ｎｉ−Ｐめっき工程で、前処理後のＢＧＡ基板に、膜厚が２μｍのＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成したこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００４８】
（実施例５）
実施例５では、Ｎｉ−Ｐめっき工程で、前処理後のＢＧＡ基板に、膜厚が５μｍのＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成したこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００４９】
（実施例６）
実施例６では、Ｎｉ−Ｐめっき工程で、前処理後のＢＧＡ基板に、膜厚が２０μｍのＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成したこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００５０】
（実施例７）
実施例７では、Ｎｉ−Ｐめっき工程で、リン含量が１．５ｗｔ％の無電解Ｎｉ−Ｐめっき液を用いて、前処理後のＢＧＡ基板にＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成したこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００５１】
（実施例８）
実施例８では、Ｎｉ−Ｐめっき工程で、リン含量が６ｗｔ％の無電解Ｎｉ−Ｐめっき液を用いて、前処理後のＢＧＡ基板にＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成したこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００５２】
（実施例９）
実施例９では、Ｎｉ−Ｐめっき工程で、リン含量が９ｗｔ％の無電解Ｎｉ−Ｐめっき液を用いて、前処理後のＢＧＡ基板にＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成したこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００５３】
（実施例１０）
実施例１０では、Ｎｉ−Ｐめっき工程で、リン含量が１１ｗｔ％の無電解Ｎｉ−Ｐめっき液を用いて、前処理後のＢＧＡ基板にＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成したこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００５４】
（実施例１１）
実施例１１では、パラジウム処理工程において、ＢＧＡ基板上に形成されたＮｉ−Ｐめっき皮膜上に１×１０−４（０．０００１）ｍｇ／ｄｍ２のパラジウムを析出させたこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００５５】
（実施例１２）
実施例１２では、パラジウム処理工程において、ＢＧＡ基板上に形成されたＮｉ−Ｐめっき皮膜上に１０×１０−４（０．００１）ｍｇ／ｄｍ２のパラジウムを析出させたこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００５６】
（実施例１３）
実施例１３では、パラジウム処理工程において、ＢＧＡ基板上に形成されたＮｉ−Ｐめっき皮膜上に１００×１０−４（０．０１）ｍｇ／ｄｍ２のパラジウムを析出させたこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００５７】
（実施例１４）
実施例１４では、パラジウム処理工程において、ＢＧＡ基板上に形成されたＮｉ−Ｐめっき皮膜上に５００×１０−４（０．０５）ｍｇ／ｄｍ２のパラジウムを析出させたこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００５８】
（実施例１５）
実施例１５では、実施例１と同様にして行った。
【００５９】
（実施例１６）
実施例１６では、パラジウム処理工程において、ＢＧＡ基板上に形成されたＮｉ−Ｐめっき皮膜上に５０００×１０−４（０．５）ｍｇ／ｄｍ２のパラジウムを析出させたこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００６０】
（実施例１７）
実施例１７では、パラジウム処理工程において、酸性で置換型のパラジウム浴であるアクセマルタ ＭＮＫ−４（上村工業株式会社製）を用いて、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上に、３×１０−４（０．０００３）ｍｇ／ｄｍ２のパラジウムを析出させたこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００６１】
（実施例１８）
実施例１８では、パラジウム処理工程において、中性で置換型のパラジウム浴であるアクセマルタ ＭＰＤ−２２（上村工業株式会社製）を用いて、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上に、２０×１０−４（０．００２）ｍｇ／ｄｍ２のパラジウムを析出させたこと以外は、実施例１と同様にして行った。
（実施例１９）
実施例１９では、パラジウム処理工程において、中性で還元型のパラジウム浴であるアルタレア ＴＰＤ−２０（上村工業株式会社製）を用いて、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上に、１００×１０−４（０．０１）ｍｇ／ｄｍ２のパラジウムを析出させたこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００６２】
（比較例１）
比較例１では、パラジウム処理工程を行わなかったこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００６３】
（比較例２）
比較例２では、パラジウム処理工程を行なわず、無電解銀めっき工程の代わりに、光沢銀めっき液（Ａｇ濃度：４５ｇ／Ｌ、アルカリ−シアン浴、光沢剤：アルグナＳ（上村工業株式会社製）を用いて、電気めっきにより膜厚が５μｍの銀めっき皮膜を形成したこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００６４】
（比較例３）
比較例３では、比較例１で得られたＢＧＡ基板に対して、熱処理を１７５℃で１６時間施した。
【００６５】
（比較例４）
比較例４では、パラジウム処理工程において、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上に検出下限未満のパラジウム、すなわち、パラジウム処理の時間が短すぎて濃度の測定が不可能な量のパラジウムを析出させたこと以外は、実施例１と同様にして行った。
（評価結果）
【００６６】
【表２】
【００６７】
表２において、「反射率」とは、熱処理前における各実施例及び比較例で得られたＢＧＡ基板における各波長（４００ｎｍ、４５０ｎｍ又は５００ｎｍ）の反射率（％）を示す。また、「ｂ値」とは、黄色の度合いを表す値であり、その値が高いほど測定物の黄色が濃くなり、評価として悪いことを示す。さらに、「密着性」とは、熱処理前における目視確認によるＮｉ−Ｐめっき皮膜と銀めっき皮膜との密着性の良否をいう。密着性が「○」とは、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜と、銀めっき皮膜との密着性が良好であることを示し、密着性が「×」とは、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜と、銀めっき皮膜との密着性が良好でないことを示す。
【００６８】
実施例１では、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上にパラジウム処理を施しているため、反射率、ｂ値及び密着性が、全て良好であった。
【００６９】
比較例１では、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上にパラジウム処理を施していないため、実施例１と比較して光の反射率が良好ではなかった。また、比較例１では、実施例１よりもｂ値が高く、実施例１と比較してＮｉ−Ｐめっき皮膜と銀めっき皮膜との密着性が良好ではなかった。
【００７０】
比較例２では、パラジウム処理工程を行わずに、電気銀めっき皮膜の膜厚を５μｍとした実施例１と比較してＮｉ−Ｐめっき皮膜と銀めっき皮膜との密着性は良好であるが、また、実施例１と比較して波長が長くなるほど光の反射率が悪くなった。
【００７１】
【表３】
【００７２】
実施例２では、パラジウム処理工程で無電解Ｎｉ−Ｐめっきに対してパラジウム処理を施しているため、高温条件下での熱処理後において外観変色が観察されなかった。
【００７３】
比較例３では、パラジウム処理工程でＮｉ−Ｐめっき皮膜上に、パラジウム処理を施していないため、高温条件下での熱処理後において外観変色が観察された。
【００７４】
【表４】
【００７５】
実施例３〜実施例６の結果から、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜膜厚を種々の厚さとしても、光の反射率及び密着性が良好であり、熱処理後において外観への影響がないことがわかる。
【００７６】
【表５】
【００７７】
実施例７〜実施例１０の結果から、無電解Ｎｉ−Ｐめっき浴のリン含量が低濃度から高濃度の範囲において、光の反射率及び密着性が良好であり、熱処理後において外観への影響がないことがわかる。
【００７８】
【表６】
【００７９】
実施例１１〜実施例１６の結果から、パラジウムの量が１×１０−４以上の範囲において、光の反射率及び密着性が良好であり、熱処理後において外観への影響がないことがわかる。
【００８０】
一方、比較例４では、パラジウムの量が１×１０−４ｍｇ／ｄｍ２未満であるため、密着性が良好でなく、４５０ｎｍでの光の反射率が８９％未満と良好ではなかった。また、比較例４では、パラジウムの量が１×１０−４ｍｇ／ｄｍ２未満であるため、熱処理後において外観変色が観察された。
【００８１】
【表７】
【００８２】
実施例１７〜実施例１９の結果から、パラジウム処理に用いる液種にかかわらず、光の反射率及び密着性が良好であり、熱処理後において外観への影響がないことがわかる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜に無電解銀めっきを施す無電解めっき方法及びＬＥＤ実装用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気銀めっきは、古くから装飾用途として多用されている技術である。近年では、電気特性を生かして電子工業分野に、反射率の高さを生かしてＬＥＤ（Light Emitting Diode）の反射板、車のヘッドライト等の光工業分野、その他電磁波シールド、殺菌コート等の分野に多く用いられている。
【０００３】
現在、非常に注目を浴びているＬＥＤの反射板に、電気ニッケル−電気銀をめっきするプロセスが多用されている（例えば、特許文献１、特許文献２を参照）。しかし、電気銀は、高アルカリ浴、シアン浴が一般的であるため、環境面や作業面が悪い。また、電気銀めっきでは、基板の独立した配線パターンへの対応が不可能であり、また、高い反射率を得るために膜厚を厚くする必要があるため、コストが高くなってしまう。
【０００４】
また、無電解めっきで置換めっきを行うプロセスでは、液として比較的安定であるが、めっき対象の素材が限定されてしまう。また、無電解めっきで置換めっきを行うプロセスでは、素材の下地を荒らしてしまうため、高い反射率や光沢度が得られにくいという問題がある。
【０００５】
一方、無電解還元反応による無電解銀めっき（以下、「無電解還元銀めっき」という）では、基板の独立した配線パターンへの対応が可能であり、無電解めっきでの置換銀めっきとは異なって銀の被覆が非常に高くレベリング効果もあるため、膜厚を薄くしても高反射率や高光沢度を得ることが可能である。また、無電解還元銀めっきでは、薄い膜厚でも反射率などの十分な特性が得られるため、コストの低減化を図るとともに、パターン幅が狭い基板への対応も可能である。
【０００６】
しかし、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上に無電解還元銀めっきを施すと、下地のＮｉ−Ｐめっき皮膜が溶解しやすいため、ニッケルと銀との間の密着性が不良となり、例えばＮｉ−Ｐめっき皮膜と銀めっき皮膜との間から光が漏れて、光の反射率が低下してしまう問題があった。また、銀めっき皮膜は、高温条件下において変色してしまう問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−２５８５１４号公報
【特許文献２】特許第４３６７４５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、このような実情に鑑みて提案されたものであり、光の反射率を向上させるとともに、高温条件下での銀めっき皮膜の変色を防止することができる無電解めっき方法及びＬＥＤ実装用基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る無電解めっき方法は、被めっき物上に形成されたＮｉ−Ｐめっき皮膜上に、パラジウム処理を施すパラジウム処理工程と、パラジウム処理が施された被めっき物に対して、無電解銀めっきを施す無電解銀めっき工程とを有する。
【００１０】
本発明に係るＬＥＤ実装用基板は、被めっき物上にＮｉ−Ｐめっき皮膜が形成され、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上にパラジウムが存在し、無電解銀めっきを施すことによりパラジウムが存在するＮｉ−Ｐめっき皮膜上に銀めっき皮膜が形成されている銀膜を反射面として有する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜と銀めっき皮膜との間の密着性を向上させ、光の反射率を向上させるとともに、高温条件下での銀めっき皮膜の変色を防止することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明を適用した無電解めっき方法及びＬＥＤ実装用基板の一例について、次の順序で説明する。
１．無電解めっき方法
１−１．Ｎｉ−Ｐめっき工程
１−２．パラジウム処理工程
１−３．無電解銀めっき工程
２．ＬＥＤ実装用基板
３．他の実施形態
４．実施例
【００１３】
１．無電解めっき方法
本実施の形態に係る無電解めっき方法は、被めっき物に無電解Ｎｉ−Ｐめっきを施すＮｉ−Ｐめっき工程と、被めっき物上に形成された無電解Ｎｉ−Ｐめっき皮膜（以下、「Ｎｉ−Ｐめっき皮膜」という）上に、パラジウム処理を施すパラジウム処理工程と、パラジウム処理が施された被めっき物に対して、無電解銀めっきを施す無電解銀めっき工程とを有する。
【００１４】
１−１．Ｎｉ−Ｐめっき工程
Ｎｉ−Ｐめっき工程では、めっき厚さを均一にすることができ、耐摩耗性に優れている等の観点から、基材となる被めっき物に無電解Ｎｉ−Ｐめっきを施す。
【００１５】
Ｎｉ−Ｐめっき工程では、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の膜厚が０．１〜５０μｍとなるように、被めっき物に無電解Ｎｉ−Ｐめっきを施すことが好ましい。Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の膜厚が０．１μｍ未満の場合には、光の反射率が低下してしまう。また、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の膜厚が５０μｍを超える場合には、コストが高くなり、作業性が悪くなってしまう。
【００１６】
Ｎｉ−Ｐめっき工程では、無電解ニッケルめっき浴を用いて被めっき物に無電解Ｎｉ−Ｐめっきを施す。めっき浴としては、例えば、リン含量が１．５〜１３％（低濃度から高濃度）であるものを用いることができる。具体的に、めっき浴としては、例えば、ニムデン ＬＰＸ（商品名）、ニムデン ＫＬＰ（商品名）（低濃度のリンを含む）、ニムデン ＮＫＹシリーズ（商品名）、ニムデン ＮＰＧシリーズ（商品名）、ニムデン ＮＥＬシリーズ（商品名）、ニムデン ＫＴＹシリーズ（商品名）（中高濃度〜高濃度のリンを含む）等（以上、上村工業株式会社製）を用いることができる。
【００１７】
Ｎｉ−Ｐめっき工程におけるめっき条件は、例えば、温度を約７０〜１００℃、めっき時間を２０〜３０分とすることができる。
【００１８】
１−２．パラジウム処理工程
パラジウム処理工程では、被めっき物上に形成されたＮｉ−Ｐめっき皮膜上にパラジウム処理を施すことにより、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上にパラジウムを存在させる。このように、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上にパラジウム処理を施すことにより、後述する無電解銀めっき工程において、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の溶解を抑制し、下地のニッケルへの影響を少なくすることができる。これにより、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜と、無電解銀めっき工程で形成される無電解還元による銀めっき皮膜との間の密着性を向上させることができ、高温条件下での銀の変色（例えば、色ムラの発生や黄色への変色）を防止するとともに、光の反射率を向上させることができる。さらに、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上にパラジウム処理を施すことにより、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜及び銀めっき皮膜の相互拡散層を薄くすることができる。
【００１９】
パラジウム処理では、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上に１×１０−４〜０．２ｍｇ／ｄｍ２のパラジウムを存在させることが好ましい。パラジウムの量（パラジウムの濃度）が１×１０−４ｍｇ／ｄｍ２未満の場合には、パラジウムの量が十分ではないため、上述したＮｉ−Ｐめっき皮膜と銀めっき皮膜との間の密着性が悪化したり、外観不良が発生してしまうおそれがある。パラジウムの量が０．２ｍｇ／ｄｍ２を超える場合には、処理コストが高くなり、作業性が悪化してしまう。
【００２０】
パラジウム処理に用いるパラジウム溶液としては、従来のアクチベータ（キャタリスト）用の液や、無電解パラジウム液を用いることができる。パラジウム溶液の浴種としては、例えば、置換型のパラジウム浴としては、アクセマルタ ＭＰＤ−２２（商品名）、アクセマルタ ＭＰＤ−３２（商品名）、アクセマルタ ＭＮＫ−４（商品名）、ＫＡＴ−４５０（商品名）、ＡＴ−７００（商品名）、アクセマルタ ＭＳＲ−４１（商品名）等が挙げられ、還元型のパラジウム浴としてはアルタレア ＴＰＤ−２０（商品名）等（以上、上村工業株式会社製）が挙げられる。
【００２１】
パラジウム処理後のパラジウムは、パラジウム処理に用いる処理液やパラジウムの量によってＮｉ−Ｐめっき皮膜上に存在する状態が異なる。例えば、下地であるＮｉ−Ｐめっき皮膜に対して、パラジウムが膜状に略均一な広がりをもつ状態やパラジウムがドット状に略均一に分布している状態（以下、これらの状態を「層状」という）、パラジウムが不均一に点在している状態、パラジウムが斑に存在する状態（斑状）が挙げられる。
【００２２】
パラジウム処理方法としては、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上に、上述した量のパラジウムを存在させることができる方法であれば特に限定されず、例えば、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上にパラジウムを析出させる方法、具体的には、置換や還元による方法が挙げられる。パラジウム処理の条件は、例えば、温度を５０〜７０℃、処理時間を１〜５分とすることができる。
【００２３】
例えば、還元型のパラジウム浴を用いてパラジウム処理を施した場合には、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜に対してパラジウムが均一な状態で析出する。すなわち、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上のパラジウムが層状となる。また、置換型のパラジウム浴を用いてパラジウム処理を施した場合には、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜に対してパラジウムが不均一な状態で析出する。すなわち、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上にパラジウムが不均一に点在したり、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上のパラジウムが斑状となる。
【００２４】
ここで、パラジウムがＮｉ−Ｐめっき皮膜上に均一に存在していると想定したときのパラジウムの層厚は、０．８ｎｍ（パラジウムの量：１×１０−４ｍｇ／ｄｍ２）〜１６００ｎｍ（パラジウムの量：０．２ｍｇ／ｄｍ２）とすることが好ましい。
【００２５】
１−３．無電解銀めっき工程
無電解銀めっき工程では、パラジウム処理工程でパラジウム処理が施された被めっき物に対して、無電解銀めっきを施して銀めっき皮膜を形成する。無電解銀めっき工程では、置換銀めっきではなく無電解還元銀めっきを施すことが好ましい。このように、無電解還元銀めっきを施すことにより、置換銀めっきの場合とは異なり無電解銀めっきの膜厚を薄くしても反射率等の特性を十分に得ることができる。
【００２６】
無電解銀めっき工程では、銀めっき皮膜の膜厚が０．０１〜５μｍとなるように、被めっき物に無電解銀めっきを施すことが好ましい。銀めっき皮膜の膜厚が０．０１μｍ未満の場合には、膜厚が十分ではないため光の反射率が低下するおそれがある。また、銀めっき皮膜の膜厚が５μｍを超える場合には、コストが高くなり、作業性が悪化してしまう。
【００２７】
めっき液としては、例えば、銀濃度が０．１〜１０ｇ／Ｌ、ｐＨが２〜１２、還元剤の濃度が０．１〜２０ｇ／Ｌであるものを用いることができる。
【００２８】
還元剤としては、例えば、ヒドラジン誘導体、ホルムアルデヒド化合物、ヒドロキシルアミン類、糖類、ロッセル塩、水素化ホウ素化合物、次亜リン酸塩、ジメチルアミンボラン（ＤＭＡＢ）、アスコルビン酸を用いることができる。
【００２９】
無電解銀めっき工程におけるめっき条件は、例えば、上述した濃度の無電解銀めっき液を用い、めっき浴の温度を３０〜５０℃とし、めっき時間を１０〜２０分とすることができる。めっき時間が短すぎると、十分な膜厚の無電解銀めっきが施されず、めっき時間が長すぎると、コストが高くなり、作業性が悪化してしまう。なお、無電解銀めっき工程におけるめっき時間は、使用する還元剤や、目的とする銀めっきの膜厚に応じて変化させてもよい。
【００３０】
以上説明したように、本実施の形態に係る無電解めっき方法では、被めっき物上に形成されたＮｉ−Ｐめっき皮膜上に、パラジウム処理を施すパラジウム処理工程と、パラジウム処理が施された被めっき物に対して、無電解銀めっきを施す無電解銀めっき工程とを有する。すなわち、本実施の形態に係る無電解めっき方法では、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜と銀めっき皮膜との間に、パラジウム処理によってパラジウムを存在させることにより、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の溶解を抑制し、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜と銀めっき皮膜との密着性を向上させることができる。これにより、高温条件下での銀めっき皮膜の変色を防止するとともに、光の反射率を向上させることができる。
【００３１】
また、本実施の形態に係る無電解めっき方法では、無電解プロセスを用いることにより、銀めっき皮膜の膜厚を容易に制御して、銀めっき皮膜の膜厚を容易に薄くすることができる。
【００３２】
したがって、本実施の形態に係る無電解めっき方法では、銀めっき皮膜の膜厚が薄くても高い光の反射率を維持することができるため、電気めっきプロセスを用いた場合のように、光の反射率の性能を得る目的で銀めっき皮膜を厚くする必要がなく、コストを低減することができる。
【００３３】
上述した本実施の形態に係る無電解めっき方法で製造された銀膜は、被めっき物上にＮｉ−Ｐめっき皮膜が形成され、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上に１×１０−４ｍｇ／ｄｍ２以上のパラジウムが存在し、無電解銀めっきを施すことによりパラジウムが存在するＮｉ−Ｐめっき皮膜上に銀めっき皮膜が形成されている。
【００３４】
本実施の形態に係る無電解めっき方法で製造された銀膜は、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜と銀めっき皮膜との密着性が良好であるため、高温条件下での銀めっき皮膜の変色を防止するとともに、光の反射率を向上させることができる。
【００３５】
２．ＬＥＤ実装用基板
本実施の形態に係る無電解めっき方法で製造された銀膜は、青色ＬＥＤの励起波長近傍の４００〜５００ｎｍの波長領域における反射率を向上させることができるため、例えば、ＬＥＤ実装用基板に好ましく適用することができる。ＬＥＤ実装用基板は、図示しないが、上述した本実施の形態に係る銀膜を反射面として有する。
【００３６】
ＬＥＤ実装用基板の製造工程の一例として、例えば、被めっき物としてＢＧＡ（Ball grid array）基板を用いた場合には、まず、ＢＧＡ基板に対し無電解Ｎｉ−Ｐめっきを施すことによりＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成する。次に、被めっき物上に形成されたＮｉ−Ｐめっき皮膜上に、パラジウム処理を施すことにより、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上に、上述の如くパラジウムを存在させる。次に、パラジウム処理が施された被めっき物に対して無電解銀めっきを施すことにより、パラジウムが存在するＮｉ−Ｐめっき皮膜上に銀めっき皮膜を形成する。
【００３７】
このように本実施の形態に係る銀膜をＬＥＤ実装用基板の反射部に適用する場合には、実際の使用において高温条件下に置かれたときに、上述の如く銀めっき皮膜の膜厚を薄くしても銀めっき皮膜の変色が少ないため、光の反射率の低下を防止することができる。
【００３８】
３．他の実施形態
上述した無電解めっき方法では、周知の前処理を行うようにしてもよい。例えば、上述した無電解めっき方法では、Ｎｉ−Ｐめっき工程の前に、周知の前処理を行うようにしてもよい。
【実施例】
【００３９】
以下、本発明の具体的な実施例について説明する。なお、下記の実施例に本発明の範囲が限定されるものではない。
【００４０】
【表１】
【００４１】
（実施例１）
実施例１では、表１に示すように、被めっき物であるＢＧＡ基板（上村工業株式会社製）に対して、ＡＣＬ−７３８（上村工業株式会社製）によるクリーナー処理（脱脂）後、１００ｇ／Ｌの過硫酸ナトリウム溶液（ＳＰＳ）にてソフトエッチングした。続いて、１０％硫酸溶液でエッチング残渣を除去し（酸洗）、３％硫酸溶液でプリディップ後、ＭＮＫ−４（上村工業株式会社製）でＰｄ触媒付与（キャタリスト）した。
【００４２】
Ｎｉ−Ｐめっき工程において、上記前処理後のＢＧＡ基板に、無電解Ｎｉ−Ｐめっき液（ニムデンＮＰＲ−４ 上村工業株式会社製）を用いた浴を用いて、８０℃、２５分間のめっき条件で、無電解Ｎｉ−Ｐめっきを施して、膜厚が４μｍのＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成した。
【００４３】
パラジウム処理工程では、置換型のパラジウム浴であるアクセマルタ ＭＰＤ−２２（上村工業株式会社製）を用い、ＢＧＡ基板上に形成されたＮｉ−Ｐめっき皮膜上に、５５℃で２分間パラジウム処理を施すことにより、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上に、１０００×１０−４ｍｇ／ｄｍ２のパラジウムを析出させた。
【００４４】
無電解銀めっき工程では、パラジウム処理が施されたＢＧＡ基板に、４０℃、１５分間のめっき条件で無電解銀めっきを施して、膜厚が０．１μｍである銀めっき皮膜を形成した。なお、各工程間では、被めっき物であるＢＧＡ基板を水洗した。
【００４５】
（実施例２）
実施例２では、実施例１で得られたＢＧＡ基板に対して、熱処理を１７５℃で１６時間施した。
【００４６】
（実施例３）
実施例３では、Ｎｉ−Ｐめっき工程で、前処理後のＢＧＡ基板に、膜厚が１μｍのＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成したこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００４７】
（実施例４）
実施例４では、Ｎｉ−Ｐめっき工程で、前処理後のＢＧＡ基板に、膜厚が２μｍのＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成したこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００４８】
（実施例５）
実施例５では、Ｎｉ−Ｐめっき工程で、前処理後のＢＧＡ基板に、膜厚が５μｍのＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成したこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００４９】
（実施例６）
実施例６では、Ｎｉ−Ｐめっき工程で、前処理後のＢＧＡ基板に、膜厚が２０μｍのＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成したこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００５０】
（実施例７）
実施例７では、Ｎｉ−Ｐめっき工程で、リン含量が１．５ｗｔ％の無電解Ｎｉ−Ｐめっき液を用いて、前処理後のＢＧＡ基板にＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成したこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００５１】
（実施例８）
実施例８では、Ｎｉ−Ｐめっき工程で、リン含量が６ｗｔ％の無電解Ｎｉ−Ｐめっき液を用いて、前処理後のＢＧＡ基板にＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成したこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００５２】
（実施例９）
実施例９では、Ｎｉ−Ｐめっき工程で、リン含量が９ｗｔ％の無電解Ｎｉ−Ｐめっき液を用いて、前処理後のＢＧＡ基板にＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成したこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００５３】
（実施例１０）
実施例１０では、Ｎｉ−Ｐめっき工程で、リン含量が１１ｗｔ％の無電解Ｎｉ−Ｐめっき液を用いて、前処理後のＢＧＡ基板にＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成したこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００５４】
（実施例１１）
実施例１１では、パラジウム処理工程において、ＢＧＡ基板上に形成されたＮｉ−Ｐめっき皮膜上に１×１０−４（０．０００１）ｍｇ／ｄｍ２のパラジウムを析出させたこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００５５】
（実施例１２）
実施例１２では、パラジウム処理工程において、ＢＧＡ基板上に形成されたＮｉ−Ｐめっき皮膜上に１０×１０−４（０．００１）ｍｇ／ｄｍ２のパラジウムを析出させたこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００５６】
（実施例１３）
実施例１３では、パラジウム処理工程において、ＢＧＡ基板上に形成されたＮｉ−Ｐめっき皮膜上に１００×１０−４（０．０１）ｍｇ／ｄｍ２のパラジウムを析出させたこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００５７】
（実施例１４）
実施例１４では、パラジウム処理工程において、ＢＧＡ基板上に形成されたＮｉ−Ｐめっき皮膜上に５００×１０−４（０．０５）ｍｇ／ｄｍ２のパラジウムを析出させたこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００５８】
（実施例１５）
実施例１５では、実施例１と同様にして行った。
【００５９】
（実施例１６）
実施例１６では、パラジウム処理工程において、ＢＧＡ基板上に形成されたＮｉ−Ｐめっき皮膜上に５０００×１０−４（０．５）ｍｇ／ｄｍ２のパラジウムを析出させたこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００６０】
（実施例１７）
実施例１７では、パラジウム処理工程において、酸性で置換型のパラジウム浴であるアクセマルタ ＭＮＫ−４（上村工業株式会社製）を用いて、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上に、３×１０−４（０．０００３）ｍｇ／ｄｍ２のパラジウムを析出させたこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００６１】
（実施例１８）
実施例１８では、パラジウム処理工程において、中性で置換型のパラジウム浴であるアクセマルタ ＭＰＤ−２２（上村工業株式会社製）を用いて、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上に、２０×１０−４（０．００２）ｍｇ／ｄｍ２のパラジウムを析出させたこと以外は、実施例１と同様にして行った。
（実施例１９）
実施例１９では、パラジウム処理工程において、中性で還元型のパラジウム浴であるアルタレア ＴＰＤ−２０（上村工業株式会社製）を用いて、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上に、１００×１０−４（０．０１）ｍｇ／ｄｍ２のパラジウムを析出させたこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００６２】
（比較例１）
比較例１では、パラジウム処理工程を行わなかったこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００６３】
（比較例２）
比較例２では、パラジウム処理工程を行なわず、無電解銀めっき工程の代わりに、光沢銀めっき液（Ａｇ濃度：４５ｇ／Ｌ、アルカリ−シアン浴、光沢剤：アルグナＳ（上村工業株式会社製）を用いて、電気めっきにより膜厚が５μｍの銀めっき皮膜を形成したこと以外は、実施例１と同様にして行った。
【００６４】
（比較例３）
比較例３では、比較例１で得られたＢＧＡ基板に対して、熱処理を１７５℃で１６時間施した。
【００６５】
（比較例４）
比較例４では、パラジウム処理工程において、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上に検出下限未満のパラジウム、すなわち、パラジウム処理の時間が短すぎて濃度の測定が不可能な量のパラジウムを析出させたこと以外は、実施例１と同様にして行った。
（評価結果）
【００６６】
【表２】
【００６７】
表２において、「反射率」とは、熱処理前における各実施例及び比較例で得られたＢＧＡ基板における各波長（４００ｎｍ、４５０ｎｍ又は５００ｎｍ）の反射率（％）を示す。また、「ｂ値」とは、黄色の度合いを表す値であり、その値が高いほど測定物の黄色が濃くなり、評価として悪いことを示す。さらに、「密着性」とは、熱処理前における目視確認によるＮｉ−Ｐめっき皮膜と銀めっき皮膜との密着性の良否をいう。密着性が「○」とは、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜と、銀めっき皮膜との密着性が良好であることを示し、密着性が「×」とは、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜と、銀めっき皮膜との密着性が良好でないことを示す。
【００６８】
実施例１では、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上にパラジウム処理を施しているため、反射率、ｂ値及び密着性が、全て良好であった。
【００６９】
比較例１では、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上にパラジウム処理を施していないため、実施例１と比較して光の反射率が良好ではなかった。また、比較例１では、実施例１よりもｂ値が高く、実施例１と比較してＮｉ−Ｐめっき皮膜と銀めっき皮膜との密着性が良好ではなかった。
【００７０】
比較例２では、パラジウム処理工程を行わずに、電気銀めっき皮膜の膜厚を５μｍとした実施例１と比較してＮｉ−Ｐめっき皮膜と銀めっき皮膜との密着性は良好であるが、また、実施例１と比較して波長が長くなるほど光の反射率が悪くなった。
【００７１】
【表３】
【００７２】
実施例２では、パラジウム処理工程で無電解Ｎｉ−Ｐめっきに対してパラジウム処理を施しているため、高温条件下での熱処理後において外観変色が観察されなかった。
【００７３】
比較例３では、パラジウム処理工程でＮｉ−Ｐめっき皮膜上に、パラジウム処理を施していないため、高温条件下での熱処理後において外観変色が観察された。
【００７４】
【表４】
【００７５】
実施例３〜実施例６の結果から、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜膜厚を種々の厚さとしても、光の反射率及び密着性が良好であり、熱処理後において外観への影響がないことがわかる。
【００７６】
【表５】
【００７７】
実施例７〜実施例１０の結果から、無電解Ｎｉ−Ｐめっき浴のリン含量が低濃度から高濃度の範囲において、光の反射率及び密着性が良好であり、熱処理後において外観への影響がないことがわかる。
【００７８】
【表６】
【００７９】
実施例１１〜実施例１６の結果から、パラジウムの量が１×１０−４以上の範囲において、光の反射率及び密着性が良好であり、熱処理後において外観への影響がないことがわかる。
【００８０】
一方、比較例４では、パラジウムの量が１×１０−４ｍｇ／ｄｍ２未満であるため、密着性が良好でなく、４５０ｎｍでの光の反射率が８９％未満と良好ではなかった。また、比較例４では、パラジウムの量が１×１０−４ｍｇ／ｄｍ２未満であるため、熱処理後において外観変色が観察された。
【００８１】
【表７】
【００８２】
実施例１７〜実施例１９の結果から、パラジウム処理に用いる液種にかかわらず、光の反射率及び密着性が良好であり、熱処理後において外観への影響がないことがわかる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被めっき物上に形成されたＮｉ−Ｐめっき皮膜上に、パラジウム処理を施すパラジウム処理工程と、
上記パラジウム処理が施された被めっき物に対して、無電解銀めっきを施す無電解銀めっき工程と
を有する無電解めっき方法。
【請求項２】
上記パラジウム処理工程では、上記パラジウム処理として、上記Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上に、１×１０−４ｍｇ／ｄｍ２以上のパラジウムを存在させる請求項１記載の無電解めっき方法。
【請求項３】
上記Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の膜厚が、０．１〜５０μｍである請求項１又は２記載の無電解めっき方法。
【請求項４】
被めっき物上にＮｉ−Ｐめっき皮膜が形成され、該Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上にパラジウムが存在し、無電解銀めっきを施すことにより該パラジウムが存在するＮｉ−Ｐめっき皮膜上に銀めっき皮膜が形成されている銀膜を反射面として有するＬＥＤ実装用基板。
【請求項５】
上記Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上に、１×１０−４ｍｇ／ｄｍ２以上のパラジウムが存在する請求項４記載のＬＥＤ実装用基板。
【請求項６】
上記Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の膜厚が、０．１〜５０μｍである請求項４又は５記載のＬＥＤ実装用基板。
【請求項１】
被めっき物上に形成されたＮｉ−Ｐめっき皮膜上に、パラジウム処理を施すパラジウム処理工程と、
上記パラジウム処理が施された被めっき物に対して、無電解銀めっきを施す無電解銀めっき工程と
を有する無電解めっき方法。
【請求項２】
上記パラジウム処理工程では、上記パラジウム処理として、上記Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上に、１×１０−４ｍｇ／ｄｍ２以上のパラジウムを存在させる請求項１記載の無電解めっき方法。
【請求項３】
上記Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の膜厚が、０．１〜５０μｍである請求項１又は２記載の無電解めっき方法。
【請求項４】
被めっき物上にＮｉ−Ｐめっき皮膜が形成され、該Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上にパラジウムが存在し、無電解銀めっきを施すことにより該パラジウムが存在するＮｉ−Ｐめっき皮膜上に銀めっき皮膜が形成されている銀膜を反射面として有するＬＥＤ実装用基板。
【請求項５】
上記Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上に、１×１０−４ｍｇ／ｄｍ２以上のパラジウムが存在する請求項４記載のＬＥＤ実装用基板。
【請求項６】
上記Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の膜厚が、０．１〜５０μｍである請求項４又は５記載のＬＥＤ実装用基板。
【公開番号】特開２０１２−３６４２６（Ｐ２０１２−３６４２６Ａ）
【公開日】平成２４年２月２３日（２０１２．２．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１７５２８７（Ｐ２０１０−１７５２８７）
【出願日】平成２２年８月４日（２０１０．８．４）
【出願人】（０００１８９３２７）上村工業株式会社 (101)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年２月２３日（２０１２．２．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年８月４日（２０１０．８．４）
【出願人】（０００１８９３２７）上村工業株式会社 (101)
【Ｆターム（参考）】
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