画像形成装置及び画像形成方法
【課題】感光体の繰り返し使用における残留電位上昇を抑制し、高耐久で高精細な画像形成が可能な画像形成装置及び画像形成方法を提供する。
【解決手段】静電潜像担持体１と、該静電潜像担持体上に静電潜像を形成する静電潜像形成手段４と、該静電潜像をトナーを用いて現像して可視像を形成する現像手段５と、該可視像を記録媒体に転写する転写手段８と、記録媒体に転写された転写像を定着させる定着手段と、静電潜像担持体の残留電荷を光除電する除電手段とを少なくとも有する画像形成装置であって、前記除電手段が５００ｎｍよりも短波長の光を静電潜像担持体の内側より照射する除電手段であると共に、前記静電潜像担持体が、除電光を透過する透光性支持体と、該支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層とからなる感光層を有し、該電荷発生層中に有機電荷発生物質を含有する画像形成装置。
【解決手段】静電潜像担持体１と、該静電潜像担持体上に静電潜像を形成する静電潜像形成手段４と、該静電潜像をトナーを用いて現像して可視像を形成する現像手段５と、該可視像を記録媒体に転写する転写手段８と、記録媒体に転写された転写像を定着させる定着手段と、静電潜像担持体の残留電荷を光除電する除電手段とを少なくとも有する画像形成装置であって、前記除電手段が５００ｎｍよりも短波長の光を静電潜像担持体の内側より照射する除電手段であると共に、前記静電潜像担持体が、除電光を透過する透光性支持体と、該支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層とからなる感光層を有し、該電荷発生層中に有機電荷発生物質を含有する画像形成装置。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電潜像担持体と、該静電潜像担持体上に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、該静電潜像をトナーを用いて現像して可視像を形成する現像手段と、該可視像を記録媒体に転写する転写手段と、記録媒体に転写された転写像を定着させる定着手段と、静電潜像担持体の残留電荷を光除電する除電手段とを少なくとも有する画像形成装置であって、前記除電手段が５００ｎｍよりも短波長の光を静電潜像担持体の内側より照射する除電手段であると共に、前記静電潜像担持体が、除電光を透過する透光性支持体と、該支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層とからなる感光層を有し、該電荷発生層中に有機電荷発生物質を含有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記除電手段に用いられる光源が、ＬＤもしくはＬＥＤであることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記電荷輸送層に含有される電荷輸送物質が下記一般式（Ｉ）〜（VI）で表される物質より選ばれる少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
【化１】
（（Ｉ）式中、Ｒ8、Ｒ9およびＲ10は、水素原子、アミノ基、アルコキシ基、チオアルコキシ基、アリールオキシ基、メチレンジオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、ハロゲン原子、又は置換もしくは無置換のアリール基を表す。ｍは１〜３の整数を表す。）
【化２】
（（II）式中、Ｒ5は低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を表し、ｌは０〜４の整数を表し、Ｒ6、Ｒ7は同一でも異なっていてもよく、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を表わす。）
【化３】
（（III）式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は水素原子、置換もしくは無置換の低級アルキル基、置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａｒ1は置換又は無置換のアリール基を表し、Ａｒ2は置換もしくは無置換のアリーレン基を表し、Ｒ1とＡｒ1は共同で環を形成してもよく、またｋは０または１の整数である。）
【化４】
（（IV）式中、Ａ1、Ａ2は置換もしくは無置換のアルキル基又は置換もしくは無置換のアリール基を表し、それぞれ同一でも異なっていても良い。Ａｒ3は置換または無置換の縮合多環式炭化水素基を表す。）
【化５】
（（Ｖ）式中、Ａｒ4は芳香族基、Ｒ11は水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基またはアリール基を表す。ｐは０又は１、ｑは１または２であって、ｐ＝０、ｑ＝１の場合、Ａｒ4とＲ11は共同で環を形成しても良い。）
【化６】
（（VI）式中、Ｒ12、Ｒ13は水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、置換もしくは無置換のアルキル基を表し、Ｒ14、Ｒ15は水素原子、シアノ基、アルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ｒ16は水素原子、低級アルキル基又はアルコキシ基を表す。Ｗは水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基又はアルキレン基、置換もしくは無置換のアリール基又はアリーレン基を表し、ｒは１〜５の整数、ｓは１〜４の整数、ｔは０〜２の整数、ｕは１〜３の整数、ｖは１〜２の整数を表す。）
【請求項４】
前記電荷輸送層に高分子電荷輸送物質を含有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記高分子電荷輸送物質が少なくともトリアリールアミン構造を主鎖および／または側鎖に含むポリカーボネートであることを特徴とする請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記高分子電荷輸送物質が下記一般式（VII）〜（XVI）で表される物質より選ばれる少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項４又は５に記載の画像形成装置。
【化７】
（（VII）式中、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3はそれぞれ独立して置換もしくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ4は水素原子又は置換もしくは無置換のアルキル基、Ｒ5，Ｒ6は置換もしくは無置換のアリール基、ｏ，ｐ，ｑはそれぞれ独立して０〜４の整数、ｋ，ｊは組成を表し、０．１≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表し５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基、または下記一般式で表される２価基を表す。
【化８】
式中、Ｒ101，Ｒ102は各々独立して置換もしくは無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を表す。ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ−，−ＳＯ2−，−ＣＯ−，−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表す。）または、
【化９】
（式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ103、Ｒ104は置換または無置換のアルキル基又はアリール基を表す。）を表す。ここで、Ｒ101 とＲ102，Ｒ103とＲ104は、それぞれ同一でも異なってもよい。）
【化１０】
（（VIII）式中、Ｒ7,Ｒ8は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ1,Ａｒ2,Ａｒ3は同一又は異なるアリーレン基を表す。Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、（VII）式の場合と同じである。）
【化１１】
（（IX）式中、Ｒ9,Ｒ10は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ4，Ａｒ5，Ａｒ6は同一又は異なるアリーレン基を表す。Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、（VII）式の場合と同じである。）
【化１２】
（（Ｘ）式中、Ｒ11,Ｒ12は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ7,Ａｒ8,Ａｒ9は同一又は異なるアリーレン基、ｐは１〜５の整数を表す。Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、（VII）式の場合と同じである。）
【化１３】
（（XI）式中、Ｒ13，Ｒ14は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ10，Ａｒ11，Ａｒ12は同一又は異なるアリーレン基、Ｘ1，Ｘ2は置換もしくは無置換のエチレン基、又は置換もしくは無置換のビニレン基を表す。Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、（VII）式の場合と同じである。）
【化１４】
（（XII）式中、Ｒ15，Ｒ16，Ｒ17，Ｒ18は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ13，Ａｒ14，Ａｒ15，Ａｒ16は同一又は異なるアリーレン基、Ｙ1，Ｙ2，Ｙ3は単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表し同一であっても異なってもよい。Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、（VII）式の場合と同じである。）
【化１５】
（（XIII）式中、Ｒ19，Ｒ20は水素原子、置換もしくは無置換のアリール基を表し，Ｒ19とＲ20は環を形成していてもよい。Ａｒ17，Ａｒ18，Ａｒ19 は同一又は異なるアリーレン基を表す。Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、（VII）式の場合と同じである。）
【化１６】
（（XIV）式中、Ｒ21は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ20，Ａｒ21，Ａｒ22，Ａｒ23 は同一又は異なるアリーレン基を表す。Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、（VII）式の場合と同じである。）
【化１７】
（（XV）式中、Ｒ22，Ｒ23，Ｒ24，Ｒ25は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ24，Ａｒ25，Ａｒ26，Ａｒ27，Ａｒ28は同一又は異なるアリーレン基を表す。Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、（VII）式の場合と同じである。）
【化１８】
（（XVI）式中、Ｒ26，Ｒ27は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ29，Ａｒ30，Ａｒ31は同一又は異なるアリーレン基を表す。Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、（VII）式の場合と同じである。）
【請求項７】
前記感光体の電荷輸送層上に保護層を設けたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記保護層がフィラーを含有することを特徴とする請求項７に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記保護層が電荷輸送物質を含有することを特徴とする請求項７又は８に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記保護層に含有される電荷輸送物質が、高分子電荷輸送物質であることを特徴とする請求項９に記載の画像形成装置。
【請求項１１】
前記保護層が、少なくとも電荷輸送性構造を有しない３官能以上のラジカル重合性モノマーと１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物とを硬化することにより形成されることを特徴とする請求項７に記載の画像形成装置。
【請求項１２】
前記保護層に用いられる１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物が、下記一般式（１）又は（２）の少なくとも一種以上であることを特徴とする請求項１１に記載の画像形成装置。
【化１９】
【化２０】
｛式中、Ｒ1は水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基、置換基を有してもよいアリール基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、−ＣＯＯＲ7（Ｒ7は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基又は置換基を有してもよいアリール基）、ハロゲン化カルボニル基若しくはＣＯＮＲ8Ｒ9（Ｒ8及びＲ9は水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基又は置換基を有してもよいアリール基を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい）を表わし、Ａｒ1、Ａｒ2は置換もしくは無置換のアリーレン基を表わし、同一であっても異なってもよい。Ａｒ3、Ａｒ4は置換もしくは無置換のアリール基を表わし、同一であっても異なってもよい。Ｘは単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わす。Ｚは置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル２価基、アルキレンオキシカルボニル２価基を表わす。ｍ、ｎは０〜３の整数を表わす。｝
【請求項１３】
前記保護層に用いられる１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物が、下記一般式（３）の少なくとも一種以上であることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の画像形成装置。
【化２１】
（式中、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ０又は１の整数、Ｒａは水素原子、メチル基を表わし、Ｒｂ、Ｒｃは水素原子以外の置換基で炭素数１〜６のアルキル基を表わし、複数の場合は異なっても良い。ｓ、ｔは０〜３の整数を表わす。Ｚａは単結合、メチレン基、エチレン基、
【化２２】
を表わす。）
【請求項１４】
前記保護層の硬化手段が加熱又は光エネルギー照射手段であることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項１５】
前記静電潜像形成手段に用いられる画像書き込み光の光源波長が、４５０ｎｍよりも短波長の光源であることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項１６】
少なくとも静電潜像担持体、静電潜像形成手段、現像手段、及び除電手段を有する画像形成要素を複数備えたことを特徴とする請求項１乃至１５のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項１７】
静電潜像担持体と、静電潜像形成手段、現像手段、除電手段及びクリーニング手段から選択される１つ以上の手段とが一体となり、装置本体と着脱自在なプロセスカートリッジを搭載していることを特徴とする請求項１乃至１６のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項１８】
静電潜像担持体と、該静電潜像担持体上に静電潜像を形成する静電潜像形成工程と、該静電潜像をトナーを用いて現像して可視像を形成する現像工程と、該可視像を記録媒体に転写する転写工程と、記録媒体に転写された転写像を定着させる定着工程と、静電潜像担持体の残留電荷を光除電する除電工程とを少なくとも有する画像形成方法であって、前記除電手段が５００ｎｍよりも短波長の光を静電潜像担持体の内側より照射する除電手段であると共に、前記静電潜像担持体が、除電光を透過する透光性支持体と、該支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層とからなる感光層を有し、該電荷発生層中に有機電荷発生物質を含有することを特徴とする画像形成方法。
【請求項１９】
前記静電潜像形成工程に用いられる画像書き込み光の光源波長が、４５０ｎｍよりも短波長の光源であることを特徴とする請求項１８に記載の画像形成方法。
【請求項２０】
少なくとも静電潜像担持体、静電潜像形成工程、現像工程、及び除電工程を有する画像形成要素を複数備えたことを特徴とする請求項１８又は１９に記載の画像形成方法。
【請求項１】
静電潜像担持体と、該静電潜像担持体上に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、該静電潜像をトナーを用いて現像して可視像を形成する現像手段と、該可視像を記録媒体に転写する転写手段と、記録媒体に転写された転写像を定着させる定着手段と、静電潜像担持体の残留電荷を光除電する除電手段とを少なくとも有する画像形成装置であって、前記除電手段が５００ｎｍよりも短波長の光を静電潜像担持体の内側より照射する除電手段であると共に、前記静電潜像担持体が、除電光を透過する透光性支持体と、該支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層とからなる感光層を有し、該電荷発生層中に有機電荷発生物質を含有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記除電手段に用いられる光源が、ＬＤもしくはＬＥＤであることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記電荷輸送層に含有される電荷輸送物質が下記一般式（Ｉ）〜（VI）で表される物質より選ばれる少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
【化１】
（（Ｉ）式中、Ｒ8、Ｒ9およびＲ10は、水素原子、アミノ基、アルコキシ基、チオアルコキシ基、アリールオキシ基、メチレンジオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、ハロゲン原子、又は置換もしくは無置換のアリール基を表す。ｍは１〜３の整数を表す。）
【化２】
（（II）式中、Ｒ5は低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を表し、ｌは０〜４の整数を表し、Ｒ6、Ｒ7は同一でも異なっていてもよく、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を表わす。）
【化３】
（（III）式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は水素原子、置換もしくは無置換の低級アルキル基、置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａｒ1は置換又は無置換のアリール基を表し、Ａｒ2は置換もしくは無置換のアリーレン基を表し、Ｒ1とＡｒ1は共同で環を形成してもよく、またｋは０または１の整数である。）
【化４】
（（IV）式中、Ａ1、Ａ2は置換もしくは無置換のアルキル基又は置換もしくは無置換のアリール基を表し、それぞれ同一でも異なっていても良い。Ａｒ3は置換または無置換の縮合多環式炭化水素基を表す。）
【化５】
（（Ｖ）式中、Ａｒ4は芳香族基、Ｒ11は水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基またはアリール基を表す。ｐは０又は１、ｑは１または２であって、ｐ＝０、ｑ＝１の場合、Ａｒ4とＲ11は共同で環を形成しても良い。）
【化６】
（（VI）式中、Ｒ12、Ｒ13は水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、置換もしくは無置換のアルキル基を表し、Ｒ14、Ｒ15は水素原子、シアノ基、アルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ｒ16は水素原子、低級アルキル基又はアルコキシ基を表す。Ｗは水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基又はアルキレン基、置換もしくは無置換のアリール基又はアリーレン基を表し、ｒは１〜５の整数、ｓは１〜４の整数、ｔは０〜２の整数、ｕは１〜３の整数、ｖは１〜２の整数を表す。）
【請求項４】
前記電荷輸送層に高分子電荷輸送物質を含有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記高分子電荷輸送物質が少なくともトリアリールアミン構造を主鎖および／または側鎖に含むポリカーボネートであることを特徴とする請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記高分子電荷輸送物質が下記一般式（VII）〜（XVI）で表される物質より選ばれる少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項４又は５に記載の画像形成装置。
【化７】
（（VII）式中、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3はそれぞれ独立して置換もしくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ4は水素原子又は置換もしくは無置換のアルキル基、Ｒ5，Ｒ6は置換もしくは無置換のアリール基、ｏ，ｐ，ｑはそれぞれ独立して０〜４の整数、ｋ，ｊは組成を表し、０．１≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表し５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基、または下記一般式で表される２価基を表す。
【化８】
式中、Ｒ101，Ｒ102は各々独立して置換もしくは無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を表す。ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ−，−ＳＯ2−，−ＣＯ−，−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表す。）または、
【化９】
（式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ103、Ｒ104は置換または無置換のアルキル基又はアリール基を表す。）を表す。ここで、Ｒ101 とＲ102，Ｒ103とＲ104は、それぞれ同一でも異なってもよい。）
【化１０】
（（VIII）式中、Ｒ7,Ｒ8は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ1,Ａｒ2,Ａｒ3は同一又は異なるアリーレン基を表す。Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、（VII）式の場合と同じである。）
【化１１】
（（IX）式中、Ｒ9,Ｒ10は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ4，Ａｒ5，Ａｒ6は同一又は異なるアリーレン基を表す。Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、（VII）式の場合と同じである。）
【化１２】
（（Ｘ）式中、Ｒ11,Ｒ12は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ7,Ａｒ8,Ａｒ9は同一又は異なるアリーレン基、ｐは１〜５の整数を表す。Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、（VII）式の場合と同じである。）
【化１３】
（（XI）式中、Ｒ13，Ｒ14は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ10，Ａｒ11，Ａｒ12は同一又は異なるアリーレン基、Ｘ1，Ｘ2は置換もしくは無置換のエチレン基、又は置換もしくは無置換のビニレン基を表す。Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、（VII）式の場合と同じである。）
【化１４】
（（XII）式中、Ｒ15，Ｒ16，Ｒ17，Ｒ18は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ13，Ａｒ14，Ａｒ15，Ａｒ16は同一又は異なるアリーレン基、Ｙ1，Ｙ2，Ｙ3は単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表し同一であっても異なってもよい。Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、（VII）式の場合と同じである。）
【化１５】
（（XIII）式中、Ｒ19，Ｒ20は水素原子、置換もしくは無置換のアリール基を表し，Ｒ19とＲ20は環を形成していてもよい。Ａｒ17，Ａｒ18，Ａｒ19 は同一又は異なるアリーレン基を表す。Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、（VII）式の場合と同じである。）
【化１６】
（（XIV）式中、Ｒ21は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ20，Ａｒ21，Ａｒ22，Ａｒ23 は同一又は異なるアリーレン基を表す。Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、（VII）式の場合と同じである。）
【化１７】
（（XV）式中、Ｒ22，Ｒ23，Ｒ24，Ｒ25は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ24，Ａｒ25，Ａｒ26，Ａｒ27，Ａｒ28は同一又は異なるアリーレン基を表す。Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、（VII）式の場合と同じである。）
【化１８】
（（XVI）式中、Ｒ26，Ｒ27は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ29，Ａｒ30，Ａｒ31は同一又は異なるアリーレン基を表す。Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、（VII）式の場合と同じである。）
【請求項７】
前記感光体の電荷輸送層上に保護層を設けたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記保護層がフィラーを含有することを特徴とする請求項７に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記保護層が電荷輸送物質を含有することを特徴とする請求項７又は８に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記保護層に含有される電荷輸送物質が、高分子電荷輸送物質であることを特徴とする請求項９に記載の画像形成装置。
【請求項１１】
前記保護層が、少なくとも電荷輸送性構造を有しない３官能以上のラジカル重合性モノマーと１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物とを硬化することにより形成されることを特徴とする請求項７に記載の画像形成装置。
【請求項１２】
前記保護層に用いられる１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物が、下記一般式（１）又は（２）の少なくとも一種以上であることを特徴とする請求項１１に記載の画像形成装置。
【化１９】
【化２０】
｛式中、Ｒ1は水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基、置換基を有してもよいアリール基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、−ＣＯＯＲ7（Ｒ7は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基又は置換基を有してもよいアリール基）、ハロゲン化カルボニル基若しくはＣＯＮＲ8Ｒ9（Ｒ8及びＲ9は水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基又は置換基を有してもよいアリール基を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい）を表わし、Ａｒ1、Ａｒ2は置換もしくは無置換のアリーレン基を表わし、同一であっても異なってもよい。Ａｒ3、Ａｒ4は置換もしくは無置換のアリール基を表わし、同一であっても異なってもよい。Ｘは単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わす。Ｚは置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル２価基、アルキレンオキシカルボニル２価基を表わす。ｍ、ｎは０〜３の整数を表わす。｝
【請求項１３】
前記保護層に用いられる１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物が、下記一般式（３）の少なくとも一種以上であることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の画像形成装置。
【化２１】
（式中、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ０又は１の整数、Ｒａは水素原子、メチル基を表わし、Ｒｂ、Ｒｃは水素原子以外の置換基で炭素数１〜６のアルキル基を表わし、複数の場合は異なっても良い。ｓ、ｔは０〜３の整数を表わす。Ｚａは単結合、メチレン基、エチレン基、
【化２２】
を表わす。）
【請求項１４】
前記保護層の硬化手段が加熱又は光エネルギー照射手段であることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項１５】
前記静電潜像形成手段に用いられる画像書き込み光の光源波長が、４５０ｎｍよりも短波長の光源であることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項１６】
少なくとも静電潜像担持体、静電潜像形成手段、現像手段、及び除電手段を有する画像形成要素を複数備えたことを特徴とする請求項１乃至１５のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項１７】
静電潜像担持体と、静電潜像形成手段、現像手段、除電手段及びクリーニング手段から選択される１つ以上の手段とが一体となり、装置本体と着脱自在なプロセスカートリッジを搭載していることを特徴とする請求項１乃至１６のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項１８】
静電潜像担持体と、該静電潜像担持体上に静電潜像を形成する静電潜像形成工程と、該静電潜像をトナーを用いて現像して可視像を形成する現像工程と、該可視像を記録媒体に転写する転写工程と、記録媒体に転写された転写像を定着させる定着工程と、静電潜像担持体の残留電荷を光除電する除電工程とを少なくとも有する画像形成方法であって、前記除電手段が５００ｎｍよりも短波長の光を静電潜像担持体の内側より照射する除電手段であると共に、前記静電潜像担持体が、除電光を透過する透光性支持体と、該支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層とからなる感光層を有し、該電荷発生層中に有機電荷発生物質を含有することを特徴とする画像形成方法。
【請求項１９】
前記静電潜像形成工程に用いられる画像書き込み光の光源波長が、４５０ｎｍよりも短波長の光源であることを特徴とする請求項１８に記載の画像形成方法。
【請求項２０】
少なくとも静電潜像担持体、静電潜像形成工程、現像工程、及び除電工程を有する画像形成要素を複数備えたことを特徴とする請求項１８又は１９に記載の画像形成方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１６】
【図６】
【図７】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１６】
【図６】
【図７】
【図１５】
【公開番号】特開２００７−３２２８４５（Ｐ２００７−３２２８４５Ａ）
【公開日】平成１９年１２月１３日（２００７．１２．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１５４１８６（Ｐ２００６−１５４１８６）
【出願日】平成１８年６月２日（２００６．６．２）
【出願人】（０００００６７４７）株式会社リコー (37,907)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１２月１３日（２００７．１２．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年６月２日（２００６．６．２）
【出願人】（０００００６７４７）株式会社リコー (37,907)
【Ｆターム（参考）】
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