画像表示装置、画像表示装置の製造方法、及び、機能付きフィルム
【課題】フェースプレートの画像表示面上に設けられる機能付きフィルムに、（１）画像表示面の帯電を防止しつつ、（２）メタルバックの電荷量増加を抑える、という電気的機能を満足する導電層を備えた画像表示装置を提供する。
【解決手段】電子放出素子を有する第１基板と、前記電子放出素子に対向するアノード電極を有する第２基板と、前記第２基板の、前記第１基板側に位置する第１面とは反対側に位置する、第２面側に積層された、導電層と、を備え、前記導電層の電位が、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低く設定され、前記導電層の表面抵抗が、前記アノード電極の表面抵抗よりも高い。
【解決手段】電子放出素子を有する第１基板と、前記電子放出素子に対向するアノード電極を有する第２基板と、前記第２基板の、前記第１基板側に位置する第１面とは反対側に位置する、第２面側に積層された、導電層と、を備え、前記導電層の電位が、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低く設定され、前記導電層の表面抵抗が、前記アノード電極の表面抵抗よりも高い。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示装置、画像表示装置の製造方法、及び、機能付きフィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電子放出素子として冷陰極電子放出素子が知られている。冷陰極電子放出素子として、表面伝導型電子放出素子や、電界放出型電子放出素子（以下ＦＥ型電子放出素子と記す）や、金属／絶縁層／金属型電子放出素子（以下ＭＩＭ型電子放出素子と記す）などが知られている。
【０００３】
特許文献１〜５には、表面伝導型電子放出素子やＦＥ型電子放出素子の画像表示装置への応用が開示されている。
【０００４】
特許文献６には、画像表示装置の表面に設ける光学フィルターが開示されている。そしてまた、特許文献７〜９には、電界放出型ディスプレイ用の、導電層付き反射防止フィルムが開示されている。
【０００５】
図９は、電子放出素子を用いた平面型の画像表示装置の表示パネルの一例を示す斜視図である。図９は、その内部構造もまた示している。
【０００６】
図９において、１０００５はリアプレート（第１基板）、１０００６は側壁、１０００７はフェースプレート（第２基板）である。リアプレート１０００５、側壁１０００６およびフェースプレート１０００７により、表示パネルの内部を真空に維持するための外囲器（気密容器）を形成している。
【０００７】
リアプレート（第１基板）１０００５上には電子放出素子１０００２が、Ｎ×Ｍ個形成されている。また、各電子放出素子１０００２は、図９に示す通り、行配線１０００３と列配線１０００４に接続されている。これら電子放出素子１０００２、行配線１０００３及び列配線１０００４によって構成される部分を電子源と呼ぶ。
【０００８】
フェースプレート（第２基板）１０００７の下面（第１基板側の面；第１面）には、発光体膜１０００８が設けられている。また、発光体膜１０００８のリアプレート１０００５側の面には、Ａｌ（アルミニウム）等からなるメタルバック（アノード電極）１０００９が設けられている。
【０００９】
容器外端子Ｄｘ１〜ＤｘＭ，容器外端子Ｄｙ１〜ＤｙＮおよび容器外端子Ｈｖは、この表示パネルと駆動回路とを電気的に接続するための端子である。そして、容器外端子Ｄｘ１〜ＤｘＭのそれぞれは電子源の各行配線１０００３と電気的に接続されている。容器外端子Ｄｙ１〜ＤｙＮのそれぞれは電子源の各列配線１０００４と電気的に接続されている。容器外端子Ｈｖはメタルバック１０００９と電気的に接続されている。
【００１０】
また、上記気密容器の内部は１０の−６乗［Ｔｏｒｒ］程度（ＳＩ単位系で表すと１．３３×１０−４［Ｐａ］程度）の真空に保持される。図９に示す表示パネルは、気密容器に加わる大気圧を気密容器内側から支えるための支持体（スペーサ或はリブと呼ばれる）１００１０を備えている。電子源が設けられた第１基板１０００５と発光体膜１０００８が設けられたフェースプレート１０００７との間は、実用的には５００μｍ以上１０ｍｍ以下に保たれる。
【００１１】
以上説明した表示パネルを用いた画像表示装置の駆動時（画像表示時）においては、容器外端子Ｄｘ１〜ＤｘＭ、及び、容器外端子Ｄｙ１〜ＤｙＮを通じて各電子放出素子１０００２に電圧が印加される。すると、各電子放出素子１０００２から電子が放出される。それと同時にメタルバック１０００９に容器外端子Ｈｖを通じて１［ｋＶ］ないし４０［ｋＶ］の高電圧を印加して、放出された電子を発光体膜１０００８に衝突させる。これにより、発光体膜１０００８が発光し、画像が表示される。このため、第２基板１０００７の上面（第１基板側に位置する第１面とは反対側に位置する面；第２面）の一部領域（発光体膜１０００８からの発光が視認できる領域）が画像表示領域となる。
【００１２】
このため、フェースプレート１０００７の表面（発光体膜１０００８が設けられた側とは反対側の表面；第２面）が、メタルバック１０００９の電位の影響を受けて高電位となる（帯電する）。従って、画像表示装置を駆動中（画像表示中）、もしくは駆動直後（画像表示直後）に、静電気により大気中の埃や塵がフェースプレート１０００７に付着してしまう。
【００１３】
そこで、フェースプレート（第２基板）１０００７の画像表示面の電位を緩和するために、フェースプレート１０００７の画像表示面に導電層を設ける。そして、この導電層を例えばアースに接地すれば第２基板の第２面の帯電を抑制することができる。
【００１４】
一方、メタルバック１０００９には高電圧を印加するので、メタルバックに対向するリアプレート１０００５上の電子放出素子１０００２、行配線１０００３、及び、列配線１０００４は、高電界にさらされる。その結果、リアプレート上に電界が集中するような３重点や異物などが存在すると、そこに電界が集中し、気密容器内部で放電が発生する場合がある。
【００１５】
放電が発生すると、電子放出素子１０００２、行配線１０００３、列配線１０００４等に、フェースプレート（典型的にはメタルバック１０００９）に蓄積された電荷が流れ込む。その結果、電子放出素子１０００２の破壊や行配線１０００３、及び、列配線１０００４に繋がる駆動回路の破壊などを引き起こし、深刻な画質劣化を発生させる場合がある。
【００１６】
そこで、アノード電極（メタルバック）１０００９に、特許文献１０で示されるような方法で、電流制限機能を持たせる方法が提案されている。
【００１７】
しかし、アノード電極に電流制限機能を持たせた状況で、上記した導電層を接地等することによりフェースプレート表面の帯電抑制処理を行うと、深刻な画素欠陥が発生することがある。
【００１８】
この原因は、導電層の表面抵抗（シート抵抗）をメタルバックの見かけの表面抵抗よりも低く設定していたために、メタルバックの電荷量が見かけ上増加し、画像表示装置内部で放電が発生したときの第２基板の電流制限効果が低下したためと考えられる。
【００１９】
従って、導電層は、メタルバック（アノード電極）１０００９の電流制限効果の低下を抑制するように、且つ、画像表示装置表面の帯電を抑制するように設ける必要がある。
【特許文献１】特開平１０−３２６５８３号公報
【特許文献２】米国特許第６６７７７０６号明細書
【特許文献３】欧州特許第０８６６４９１号明細書
【特許文献４】特開２００３−２２９０７９号公報
【特許文献５】米国特許第６８００９９５号明細書
【特許文献６】特開２００１−２８１４４２号公報
【特許文献７】特開２００６−１８９７８３号公報
【特許文献８】特開２００６−１８９７８４号公報
【特許文献９】国際公開第２００６／０６２２５１号パンフレット
【特許文献１０】特開平１０−３２６５８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
本発明ではフェースプレートの画像表示面上に設けられる機能付きフィルムに、（１）画像表示面の帯電を防止しつつ、（２）メタルバックの電荷量増加を抑える、という電気的機能を満足する導電層を備えた画像表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記目的を達成するために本発明の画像表示装置は以下の構成を備える。
【００２２】
即ち、電子放出素子を有する第１基板と、前記電子放出素子に対向するアノード電極を有する第２基板と、前記第２基板の、前記第１基板側に位置する第１面とは反対側に位置する、第２面上に積層された、導電層と、を備え、前記導電層の電位が、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低く設定され、前記導電層の表面抵抗が、前記アノード電極の表面抵抗よりも高い、事を特徴とする。
【００２３】
更に、前記第２基板の、前記第１面に、前記アノード電極から離れ且つ前記アノード電極の周りに、電位規定電極が設けられており、前記電位規定電極は、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低い電位に設定されることを特徴とする。
【００２４】
また、前記電位規定電極が、前記第２基板の前記アノード電極を取り囲むように設けられていることを特徴とする。
【００２５】
前記導電層の電位及び／又は前記電位規定電極の電位が、グランド電位であることを特徴とする。
【００２６】
前記電位規定電極と前記アノード電極が、抵抗膜を介して接続されていることを特徴とする。
【００２７】
さらに、前記第２基板の前記第２面側に設けられた、第３基板を備えており、前記第３基板は、前記第２面側において前記導電層と空間的に離れて設けられており、且つ、反射防止特性を有する事を特徴とする。
【００２８】
さらに、前記導電層の前記第２基板側とは反対側に位置するように設けられ、且つ、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低く設定される、導電性の反射防止層を有しており、前記反射防止層の表面抵抗が、前記アノード電極の表面抵抗よりも高い、ことを特徴とする。
【００２９】
前記反射防止層の表面抵抗が、前記導電層の表面抵抗よりも高い、ことを特徴とする。
【００３０】
前記導電層が絶縁性基体に固定されており、前記導電層が、前記第２基板の、前記第２面に、粘着層を介して取り付けられている、ことを特徴とする。
【００３１】
前記導電層は、絶縁性基体の或る面に固定されており、前記反射防止層が前記絶縁性基体のもう１つの面に固定されており、前記導電層は、前記第２基板の、第２面に、粘着層
を介して取り付けられている、ことを特徴とする。
【００３２】
また、本発明に係る機能付きフィルムは、電子放出素子を有する第１基板と前記電子放出素子に対向するアノード電極を有する第２基板とを備える画像表示装置に設けられる機能付きフィルムであって、前記第２基板の、前記第１基板側に位置する第１面とは反対側に位置する、第２面側に設けられる導電層を備え、前記導電層の電位が、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低く設定され、前記導電層の表面抵抗が、前記アノード電極の表面抵抗よりも高いことを特徴とする。
【００３３】
また、本発明に係る画像表示装置の製造方法は、電子放出素子を有する第１基板と前記電子放出素子に対向するアノード電極を有する第２基板とを備える表示パネルを用意する工程と、前記第２基板の、前記第１基板側に位置する第１面とは反対側に位置する、第２面側に導電層を設ける工程と、を有し、前記導電層の電位が、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低く設定され、前記導電層の表面抵抗が、前記アノード電極の表面抵抗よりも高いことを特徴とする。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、画像表示装置内部で万一放電が発生しても、アノード電極の電流制限効果を保つことができると共に、画像表示装置の画像表示面の電位の上昇を抑えることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、図面を参照して本発明の好適な実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
【００３６】
（実施の形態１）
まず、この発明の第１の実施形態による画像表示装置について説明する。図１に、この第１の実施形態による画像表示装置の模式図を示す。
【００３７】
本実施形態の画像表示装置は画像表示装置本体（表示パネル）１０００、駆動回路１０１０、及び、機能付きフィルム１０２０により構成される。図１では画像表示装置本体１０００と機能付きフィルム１０２０が離れているが、本来の構成は画像表示装置本体１０００の画像表示領域１００１に機能付きフィルム１０２０を接触させた構成となる。また、図１では、駆動回路１０１０を画像表示装置本体１０００の裏面に設けているが、駆動回路の配置位置はこのような配置位置に限定されるものではない。
【００３８】
本実施形態では、符号１０００で示す画像表示装置本体（表示パネル）に電子放出素子として表面伝導型電子放出素子を用いた例を示すが、その他の電子放出素子を用いることもできる。符号１００１は画像表示装置本体１０００の画像表示領域（第２基板の画像表示領域）を示す。
【００３９】
図２に画像表示装置本体１０００の一部の断面模式図を示す。画像表示装置本体１０００は、電子放出素子１００６を有するリアプレート（第１基板）１００４と、メタルバック（アノード電極）１００７及び発光体膜１００８を有するフェースプレート（第２基板）１００３とを備える。図２に示すように、第１基板１００４と第２基板１００３が対向して配置されており、アノード電極１００７が電子放出素子１００６に対向している。
【００４０】
そして、第２基板１００３と第１基板１００４との間の空間は、大気圧よりも低い圧力に維持され（好ましくは真空に維持され）ている。この空間を維持するために、第１基板１００４と第２基板１００３との間に、枠部材１００５が設けられている。そして、図２
には図示していないが、従来公知の大気圧支持部材（スペーサ）を設けることもできる。
【００４１】
画像表示領域１００１は、フェースプレート（第２基板）１００３の上面（第１基板側に位置する第１面とは反対側に位置する面；第２面）の一部領域（発光体膜１００８からの発光が視認できる領域）である。
【００４２】
このように、画像表示装置本体の主要な構造は、図９で示した画像表示装置など、従来の画像表示装置と同様である。
【００４３】
リアプレート（第１基板）１００４とフェースプレート（第２基板）１００３としては、実用的には、ガラス基板を用いることができる。メタルバック（アノード電極）１００７としては、金属膜を用いることができ、実用的には、アルミ膜を用いることができる。
【００４４】
図３には、図２で示した第２基板１００３の上面（第１基板側に位置する面とは反対側に位置する面；第２面）上に機能付きフィルム１０２０を設けた状態の一部断面模式図を示す。ここで説明する機能付きフィルム１０２０は、図１、図３に示す様に、第２基板１００３の上面（第２面）上に、視聴者側に向かって、順に、粘着層１０２１、導電層１０２２、絶縁性基体１０２３、反射防止層１０２４、保護層１０２５の順番で積層されている。すなわち、導電層１０２２、絶縁性基体１０２３、反射防止層１０２４、保護層１０２５は、第２基板１００３の第２面側に設けられており、反射防止層１０２４は導電層１０２２の第２基板側とは反対側に位置するように設けられているということである。また、導電層１０２２は、絶縁性基体１０２３の一方の面に固定されており、反射防止層１０２４が絶縁性基体１０２３の他方の面に固定されているということである。
【００４５】
本実施形態では、機能付きフィルム１０２０として、複数の層が積層されたものを用いた例を示したが、機能付きフィルム１０２０は、少なくとも導電層１０２２を含んでいればよい。従って、基本的には、導電層１０２２以外の層は、必要に応じて適宜用いることができるものである。
【００４６】
また、導電層１０２２が反射防止機能を併せもつこともできる。反射防止機能を導電層１０２２に持たせれば、反射防止層１０２４を省略することもできる。また、機能付きフィルムは、画像表示装置本体１０００を用意し、そのフェースプレート１００３の上面（第２面）上に貼り付けるものであることが好ましい。即ち、機能付きフィルムを、導電層１０２２と粘着層１０２１で構成し、粘着層１０２１を介して導電層１０２２を第２基板の画像表示領域を含む第２基板の上面（第２面）に貼付けるのが好ましい。
【００４７】
しかし、通常、導電層１０２２は非常に薄いので、画像表示装置本体１０００を形成した後にフェースプレート１００３の上面（第２面）上に貼り付けるのは困難である。そのため、上記導電層１０２２と粘着層１０２１とを絶縁性基体上に予め成膜することで、機能付きフィルムを構成することがより好ましい。
【００４８】
絶縁性基体としては、比較的剛性があり、絶縁性であり、光学的に透明であることが好ましい。機能付きフィルムがこのような構成であれば、図１や図３で示した多数の他の機能を有する層をさらに積層しても、機能付きフィルムをフェースプレート１００３の上面（第２面）上に貼り付け易くなる。
【００４９】
また、導電層１０２２の電位は、画像表示時のアノード電極の電位よりも低く設定されることが好ましい。本実施形態では図３に示すように、機能付きフィルム１０２０の導電層１０２２をグランドに繋がる不図示の電極に接地することで、機能付きフィルム１０２０の表面電位をグランド電位（０［Ｖ］）となるようにする。
【００５０】
また、枠部材１００５の高さは実用的には５００μｍ以上１０ｍｍ以下であるが、本実施形態では枠部材１００５の高さを１ｍｍとした。
【００５１】
ここで、メタルバック１００７に印加するアノード電圧を約１２ｋＶとしたため、フェースプレート１００３とリアプレート１００４の間の電界は１０６（Ｖ／ｍ）以上の高電界となる。従って、画像表示装置内部に電界集中点が存在すると、予期しない放電が発生することがある。その結果、放電によりフェースプレート１００３上のメタルバック１００７の電荷がリアプレート１００４上の電子放出素子１００６や不図示の配線などへ流れ込んでしまう。すると、電子放出素子１００６の破壊や駆動回路の破壊を誘発することになり、画質上の大きな欠陥を引き起こす可能性がある。
【００５２】
そこで、本実施形態ではメタルバック１００７の表面抵抗を１０５（Ω／□）以上に設定する。それによって、画像表示装置に、万が一画像表示装置の内部で放電が発生しても一度に多量の電荷がリアプレート１００４上の電子放出素子１００６や不図示の配線や駆動回路などに流れ込まないように電流制限機能を持たせる。このようなメタルバック（アノード電極１００７）の表面抵抗を備える点が、本実施形態の画像表示装置本体（表示パネル）と従来の画像表示装置本体（表示パネル）との主要な差異の１つである。
【００５３】
尚、上記アノード電極１００７の表面抵抗は、アノード電極１００７上の２００ｍｍ×２００ｍｍエリアの、他の層の抵抗も合成された、シート抵抗を測定することで定義できる。具体的には２００ｍｍの長さをもつ２つの電極を、２００ｍｍ離間して、アノード電極１００７に接触させ、電極間の抵抗値を求めることで算出することができる。
【００５４】
上記のようなシート抵抗（表面抵抗）を増やすための手法としては、例えば、メタルバックを複数の領域に分割し、各領域間を抵抗体で接続する方法などの従来公知の手法を適宜採用することができる。
【００５５】
そのような手法の一例は、例えば、特開２００５−２３５４７０号公報（米国特許出願公開第２００５／０１７９３９８）に開示されている。
【００５６】
図１０，１１は本発明を好ましく適用できるフェースプレートの構成を示す。図１０はリアプレート側から見たフェースプレートの平面図である。図１１は、図１０のＡ−Ａ’断面の一部を拡大した図である。なお、図１１にはリアプレート２１及び電子放出素子２３も図示している。
【００５７】
図１０，１１に示すフェースプレートは例えば以下のような工程によって製造することができる。
【００５８】
先ず、洗浄したガラス基板１１上に導電性領域として、スパッタリング法にてＩＴＯ膜１２を画像表示領域全面に成膜する。ＩＴＯ膜１２のシート抵抗値は例えば１００Ω／□とする。ＩＴＯ膜１２はその一部が高圧電源と接続されており、高圧電位（アノード電位）が供給される。
【００５９】
次に、銀粒子及びガラスフリットを含むペーストを、スクリーン印刷法にて、図１０に示すようにＩＴＯ膜１２を囲む様に印刷し、４００℃にて焼成を行い、電位規定電極１００を形成する。電位規定電極１００は幅２ｍｍとし、ＩＴＯ膜１２の外周から４ｍｍ離れるように形成する。電位規定電極１００の抵抗値としては１Ω以下とする。なお、電位規定電極１００を設ける理由については後述する。
【００６０】
次に間隔規定部材として、酸化ルテニウムペーストを用い、スクリーン印刷法にて厚さ１０μｍ、幅２５０μｍ、２００μｍ×２００μｍの開口部を有する格子状の開口部を備える、高抵抗なブラックマトリクス１３を形成する。
【００６１】
次にスクリーン印刷法により、Ｒ，Ｇ，Ｂの各蛍光体１４を１色づつ３回に分けて厚さ１０μｍになるように、上記ブラックマトリクス１３の各開口部に充填する。スクリーン印刷法を用いて蛍光体を充填することができるが、もちろんこれに限定される訳ではなく、例えばフォトリソグラフィー法などを用いても良い。また蛍光体１４はＣＲＴの分野で用いられているＰ２２の蛍光体を用いる。蛍光体としては、赤色（Ｐ２２−ＲＥ３；Ｙ2
Ｏ2Ｓ：Ｅｕ3+）、青色（Ｐ２２−Ｂ２；ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ）、緑色（Ｐ２２−ＧＮ４
；ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ）のものを用いる。
【００６２】
次に、ブラウン管の製造技術として公知であるフィルミング工程（ラッカー（lacquer)等による平滑化処理）により、樹脂膜をブラックマトリクス１３及び蛍光体１４上に成膜する。そして、その後に、Ａｌ膜を蒸着法により上記樹脂膜上に堆積させる。そして、最後に樹脂膜を熱分解させて除去する事により、厚さ１００ｎｍの導電性膜（Ａｌ膜）をブラックマトリクス１３及び蛍光体１４上に配置する。
【００６３】
その後、ＹＡＧレーザー加工機にて、上記導電性膜（Ａｌ膜）を切断し、絵素毎の導電性膜１５に分割する。
【００６４】
このようにすることで、図１０，１１に示したフェースプレートを形成することができる。アノード電極の抵抗値は、各部材の大きさや材料を適宜選択することで、所定の値とすることができる。
【００６５】
図８は、本実施形態の画像表示装置における第２基板（フェースプレート）１００３を電子放出素子１００６側から見た平面模式図である。本実施形態の画像表示装置でも、図８に示す様に、フェースプレート１００３の第１面に、アノード電極１００７と所定距離離れて電位規定電極を設けることが好ましい。電位規定電極は、アノード電極１００７の周りに配置される。換言すると、アノード電極１００７の外周とフェースプレート１００３の外周との間に、アノード電極１００７と所定距離離れて電位規定電極を設けることが好ましい。
【００６６】
そして、電位規定電極を設ける場合には、図８に示す様に、アノード電極１００７の外周を取り囲むように、電位規定電極を配置することがより好ましい。
【００６７】
電位規定電極は、実用的には、フェースプレート上の枠部材１００５が固定される領域の内側に設けられる。尚、図８でも、枠部材１００５が固定される領域と電位規定電極とが所定距離離れて設けられているが、電位規定電極の一部が、枠部材１００５が固定される領域の一部領域にまで延在していてもよい。また、電位規定電極の一部が、枠部材１００５が固定される領域の全ての領域に延在していてもよい。
【００６８】
このような電位規定電極を設けることで、アノード電極１００７と枠部材との間などで生じる電界を抑制することができる。その結果、枠部材１００５とアノード電極１００７との距離を縮めることができる。
【００６９】
一方で、このような電位規定電極は、画像表示装置の駆動時（画像表示時）において、アノード電極の電位よりも十分に低い電位に維持される。典型的には、電位規定電極の電位はグランド電位に維持される。そのため、電位規定電極のアノード電極側の端部は高電界にさらされることになり、電位規定電極とアノード電極との間で放電が発生してしまう
場合がある。
【００７０】
そこで、電位規定電極のアノード電極側の端部に生じる電界強度を緩和するために、本実施形態では、機能付きフィルム１０２０を構成する導電性の膜で、第２基板１００３の上面（第２面）の全て又はほぼ全てを覆う様にする事が好ましい。換言すると、機能付きフィルム１０２０を構成する導電性の膜が、第２基板１００３の画像表示領域上だけでなく、電位規定電極のアノード電極側端部の真上に位置する、第２基板１００３の上面（第２面）も、覆う様にする事が好ましい。この様にすることで、電位規定電極のアノード電極側の端部に生じる電界強度を緩和することができる。尚、機能付きフィルム１０２０を構成する導電性の膜としては、例えば、導電層１０２２や導電性の反射防止層１０２４などが挙げられる。
【００７１】
また、図８に示した構成では、アノード電極１００７と所定距離離れて電位規定電極を設けているため、第２基板１００３の表面が、アノード電極１００７と電位規定電極との間で露出する構成となっている。第２基板は通常ガラス基板が使われる。そのため、絶縁性の表面がアノード電極１００７と電位規定電極との間で露出する。絶縁性の表面は帯電し易く、電位の制御が難しい。
【００７２】
そこで、アノード電極１００７と電位規定電極との間で露出する、第２基板１００３の表面（第１面）を抵抗膜で覆うことが好ましい。換言すると、アノード電極１００７と電位規定電極とを抵抗膜を介して接続することが好ましい。抵抗膜のシート抵抗としては、実用的には、１×１０７以上１×１０１５以下に設定される。
【００７３】
従って、図８に示す様に、アノード電極１００７の外周を取り囲むように電位規定電極を配置する場合には、上記抵抗膜で、アノード電極１００７の外周を取り囲む構成となる。
【００７４】
そして、本実施形態では、アノード電極の電流制限機能を維持するため、機能付きフィルム１０２０の導電層１０２２の表面抵抗を所定の関係に設定する。即ち、導電層１０２２の表面抵抗を、アノード電極の表面抵抗よりも高い表面抵抗に設定する。
【００７５】
なお、導電層１０２２の表面抵抗値はアノード電極の表面抵抗値よりも１桁以上高く且つ１×１０８（Ω／□）以下とすることが好ましい。機能付きフィルム１０２０の導電層１０２２の表面抵抗値は、後述する値に限定される必要はない。メタルバック１００７の表面抵抗、画像表示装置表面の最大許容到達電位、画像表示装置表面の電位が安定するまでの緩和時間などによって導電層１０２２の表面抵抗値は適宜設定することができる。
【００７６】
導電層１０２２の実用的な表面抵抗の値は具体的には、アノード電極の表面抵抗が１０４〜６（Ω／□）程度の場合、１×１０６（Ω／□）以上１×１０８（Ω／□）以下とすることが好ましい。
【００７７】
また、図３に示すように、機能付きフィルム１０２０が導電層１０２２に加え、導電性の反射防止層１０２４を備える場合には、反射防止層の表面抵抗もアノード電極の表面抵抗よりも高い表面抵抗に設定する。
【００７８】
具体的には、アノード電極の表面抵抗が１０４〜６（Ω／□）程度の場合、導電性の反射防止層の表面抵抗は１×１０９（Ω／□）以上１×１０１４（Ω／□）以下とすることが好ましい。
【００７９】
導電層や導電性の反射防止層の表面抵抗の測定方法は、アノード電極の表面抵抗の測定
方法と同様、２００ｍｍの長さをもつ２つの電極を、２００ｍｍ離間して、導電層や反射防止層に接触させ、電極間の抵抗値を求める事で算出できる。
【００８０】
機能付きフィルム１０２０が導電層１０２２や導電性の反射防止層１０２４を備える場合、機能付きフィルム１０２０の表面抵抗をメタルバック１００７の表面抵抗よりも低く設定すると、見かけ上メタルバックの電荷量が大幅に増えることになる。その結果、万が一画像表示装置内部で放電が発生した際には、メタルバック１００７による電流制限効果が低減する。よって、機能付きフィルム１０２０の表面抵抗はメタルバック１００７の表面抵抗に比べて十分に高いことが望ましい。
【００８１】
通常、機能付きフィルム１０２０は少なくとも導電層１０２２を備える。そして、機能付きフィルム１０２０は、さらに、導電性の反射防止層１０２４などの導電性の膜を単数または複数備える場合もある。従って、機能付きフィルム１０２０の導電層１０２２や導電性の反射防止層１０２４などの導電性の膜の表面抵抗を、いずれも、前述したように、メタルバック１００７の表面抵抗に比べて１桁以上高く設定する事が好ましい。
【００８２】
本実施形態においては、導電層１０２２をグランドに接地して画像表示装置表面の電位を規定するため、導電層１０２２の表面抵抗を反射防止層１０２４の表面抵抗よりも低く設定した。
【００８３】
機能付きフィルム１０２０が、導電層１０２２と導電性の反射防止層１０２４とを備える場合における、機能付きフィルム１０２０とフェースプレート１００３の等価回路を図４に示す。
【００８４】
導電層１０２２、導電性の反射防止層１０２４を上記した表面抵抗の範囲に設定することで、放電発生時のメタルバック１００７による電流制限効果を損なうことなく、表面の電位を規定することが可能となる。
【００８５】
図５に画像表示装置表面の電位と導電層１０２２の抵抗との相関を示す。また、図６に放電によりリアプレートに流れ込む電荷量と導電層１０２２の抵抗との相関を示す。尚、図５および図６ともに、画像表示面の大きさ（対角）が５５インチの場合において、アノード電極の表面抵抗を１０５（Ω／□）程度として算出している。
【００８６】
図５において、Ａは導電層１０２２の表面抵抗が１×１０６Ω／□である場合、Ｂは導電層１０２２の表面抵抗が１×１０７Ω／□である場合、Ｃは導電層１０２２の表面抵抗が１×１０８Ω／□である場合を示している。また、Ｄは導電層１０２２の表面抵抗が１×１０９Ω／□である場合、Ｅは導電層１０２２の表面抵抗が１×１０１０Ω／□である場合を示している。
【００８７】
図５から、画像表示装置の駆動電源（アノード電源）を投入した直後数秒で画像表示装置の中央部の表面電位を十分に低い電位に下げるためには、シート抵抗が１×１０８（Ω／□）以下が望ましいことが分かる。
【００８８】
一方、図６から、シート抵抗が１×１０６（Ω／□）以上であれば、放電時にリアプレート側に移動する電荷が十分に低減され、１×１０６（Ω／□）以上に表面抵抗を上げてもほとんど減少しないことがわかる。
【００８９】
従って、アノード電極の表面抵抗が１０５（Ω／□）程度の場合、導電層１０２２の表面抵抗は１×１０６（Ω／□）以上１×１０８（Ω／□）以下とすることが好ましい。また、機能付きフィルムが導電層１０２２に加え、他の導電性の膜を備えた場合においても
、機能付きフィルムを構成するそれぞれの導電性の膜の表面抵抗値を１×１０６（Ω／□）以上１×１０８（Ω／□）以下とする。この様にすることで、放電時の被害が低減され、電源投入直後に表示領域の表面電位を十分に低い電位に下げることができる。
【００９０】
本実施形態の画像表示装置によれば、安定した表示画像を長期に渡って維持することができる。
【００９１】
（実施の形態２）
次に、この発明の第２の実施形態による画像表示装置について説明する。
【００９２】
図７に第２の実施の形態による画像表示装置の一部断面模式図を示す。基本的な機能としては、実施の形態１で示した構成に準ずるが、反射防止機能を前面板（第３基板）１０２６に持たせた構成であり、フェースプレート上に直接設置される機能付きフィルムには反射防止機能は含まれない。即ち、反射防止特性を備えた前面板（第３基板）１０２６は、第２基板（フェースプレート）１００３の第２面側に設けられる。
【００９３】
前面板１０２６は、光学的に透明な基板であり、第２基板（フェースプレート）の第２面側において導電層から空間的に離れて設けられている。換言すれば、前面板１０２６は、機能付きフィルムから空間的に離れて設けられている。前面板１０２６は、例えば、ポリカーボネートを用いることができる。
【００９４】
従って、各層の表面抵抗の制約としては実施の形態１に準ずる範囲となり、導電層１０２２の抵抗が、メタルバック１００７の抵抗よりも大きい必要がある。
【００９５】
本実施形態ではメタルバック１００７の表面抵抗を１×１０５（Ω／□）とし、機能付きフィルム１０２０の導電層１０２２の表面抵抗を１×１０６（Ω／□）以上１×１０８（Ω／□）以下とした。
【００９６】
機能付きフィルム１０２０の導電層１０２２の表面抵抗値としては、勿論、本実施形態で設定した値にこだわる必要はない。メタルバック１００７の表面抵抗、画像表示装置表面の最大許容到達電位、画像表示装置表面の電位が安定するまでの緩和時間などによって適宜設定される。即ち、表面抵抗値の関係が、”メタルバック１００７の表面抵抗値＜導電層１０２２の表面抵抗値”の関係を満たしていれば、画像表示装置内部で発生する放電時の電流制限機能を損なうことは無く、画像表示装置の表面電位を規定することが可能である。
【００９７】
本実施形態の画像表示装置によれば、安定した表示画像を長期に渡って維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】図１は本発明の第１の実施形態に係る画像表示装置の模式図である。
【図２】図２は画像表示装置本体の断面を示す模式図である。
【図３】図３は本発明の第１の実施形態に係る画像表示装置の断面模式図である。
【図４】図４は機能付きフィルム及びフェースプレートの等価回路を示すの図である。
【図５】図５は画像表示装置表面の電位と導電層の抵抗との相関を示す図である。
【図６】図６は放電によりリアプレートに流れ込む電荷量と導電層の抵抗との相関を示す図である。
【図７】図７は本発明の第２の実施形態に係る画像表示装置の断面を示す模式図である。
【図８】図８はフェースプレートの平面模式図である。
【図９】図９は従来の画像表示装置の表示パネルの一例を示す斜線図である。
【図１０】図１０は、リアプレート側から見たフェースプレートの平面図である。
【図１１】図１１は、図１０中のＡ−Ａ’断面を示す図である。
【符号の説明】
【００９９】
１１ ガラス基板
１２ ＩＴＯ膜
１３ ブラックマトリクス
１４ 蛍光体
１５ 導電性膜
２１ リアプレート
２３ 電子放出素子
１００ 電位規定電極
１０００ 画像表示装置本体
１００１ 画像表示領域
１００３ フェースプレート
１００４ リアプレート
１００５ 枠部材
１００６ 電子放出素子
１００７ メタルバック
１００８ 発光体膜
１０１０ 駆動回路
１０２０ 機能付きフィルム
１０２１ 粘着層
１０２２ 導電層
１０２３ 絶縁性基体
１０２４ 反射防止層
１０２５ 保護層
１０２６ 前面板
１０００２ 電子放出素子
１０００３ 行配線
１０００４ 列配線
１０００５ リアプレート
１０００６ 側壁
１０００７ フェースプレート
１０００８ 発光体膜
１０００９ メタルバック
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示装置、画像表示装置の製造方法、及び、機能付きフィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電子放出素子として冷陰極電子放出素子が知られている。冷陰極電子放出素子として、表面伝導型電子放出素子や、電界放出型電子放出素子（以下ＦＥ型電子放出素子と記す）や、金属／絶縁層／金属型電子放出素子（以下ＭＩＭ型電子放出素子と記す）などが知られている。
【０００３】
特許文献１〜５には、表面伝導型電子放出素子やＦＥ型電子放出素子の画像表示装置への応用が開示されている。
【０００４】
特許文献６には、画像表示装置の表面に設ける光学フィルターが開示されている。そしてまた、特許文献７〜９には、電界放出型ディスプレイ用の、導電層付き反射防止フィルムが開示されている。
【０００５】
図９は、電子放出素子を用いた平面型の画像表示装置の表示パネルの一例を示す斜視図である。図９は、その内部構造もまた示している。
【０００６】
図９において、１０００５はリアプレート（第１基板）、１０００６は側壁、１０００７はフェースプレート（第２基板）である。リアプレート１０００５、側壁１０００６およびフェースプレート１０００７により、表示パネルの内部を真空に維持するための外囲器（気密容器）を形成している。
【０００７】
リアプレート（第１基板）１０００５上には電子放出素子１０００２が、Ｎ×Ｍ個形成されている。また、各電子放出素子１０００２は、図９に示す通り、行配線１０００３と列配線１０００４に接続されている。これら電子放出素子１０００２、行配線１０００３及び列配線１０００４によって構成される部分を電子源と呼ぶ。
【０００８】
フェースプレート（第２基板）１０００７の下面（第１基板側の面；第１面）には、発光体膜１０００８が設けられている。また、発光体膜１０００８のリアプレート１０００５側の面には、Ａｌ（アルミニウム）等からなるメタルバック（アノード電極）１０００９が設けられている。
【０００９】
容器外端子Ｄｘ１〜ＤｘＭ，容器外端子Ｄｙ１〜ＤｙＮおよび容器外端子Ｈｖは、この表示パネルと駆動回路とを電気的に接続するための端子である。そして、容器外端子Ｄｘ１〜ＤｘＭのそれぞれは電子源の各行配線１０００３と電気的に接続されている。容器外端子Ｄｙ１〜ＤｙＮのそれぞれは電子源の各列配線１０００４と電気的に接続されている。容器外端子Ｈｖはメタルバック１０００９と電気的に接続されている。
【００１０】
また、上記気密容器の内部は１０の−６乗［Ｔｏｒｒ］程度（ＳＩ単位系で表すと１．３３×１０−４［Ｐａ］程度）の真空に保持される。図９に示す表示パネルは、気密容器に加わる大気圧を気密容器内側から支えるための支持体（スペーサ或はリブと呼ばれる）１００１０を備えている。電子源が設けられた第１基板１０００５と発光体膜１０００８が設けられたフェースプレート１０００７との間は、実用的には５００μｍ以上１０ｍｍ以下に保たれる。
【００１１】
以上説明した表示パネルを用いた画像表示装置の駆動時（画像表示時）においては、容器外端子Ｄｘ１〜ＤｘＭ、及び、容器外端子Ｄｙ１〜ＤｙＮを通じて各電子放出素子１０００２に電圧が印加される。すると、各電子放出素子１０００２から電子が放出される。それと同時にメタルバック１０００９に容器外端子Ｈｖを通じて１［ｋＶ］ないし４０［ｋＶ］の高電圧を印加して、放出された電子を発光体膜１０００８に衝突させる。これにより、発光体膜１０００８が発光し、画像が表示される。このため、第２基板１０００７の上面（第１基板側に位置する第１面とは反対側に位置する面；第２面）の一部領域（発光体膜１０００８からの発光が視認できる領域）が画像表示領域となる。
【００１２】
このため、フェースプレート１０００７の表面（発光体膜１０００８が設けられた側とは反対側の表面；第２面）が、メタルバック１０００９の電位の影響を受けて高電位となる（帯電する）。従って、画像表示装置を駆動中（画像表示中）、もしくは駆動直後（画像表示直後）に、静電気により大気中の埃や塵がフェースプレート１０００７に付着してしまう。
【００１３】
そこで、フェースプレート（第２基板）１０００７の画像表示面の電位を緩和するために、フェースプレート１０００７の画像表示面に導電層を設ける。そして、この導電層を例えばアースに接地すれば第２基板の第２面の帯電を抑制することができる。
【００１４】
一方、メタルバック１０００９には高電圧を印加するので、メタルバックに対向するリアプレート１０００５上の電子放出素子１０００２、行配線１０００３、及び、列配線１０００４は、高電界にさらされる。その結果、リアプレート上に電界が集中するような３重点や異物などが存在すると、そこに電界が集中し、気密容器内部で放電が発生する場合がある。
【００１５】
放電が発生すると、電子放出素子１０００２、行配線１０００３、列配線１０００４等に、フェースプレート（典型的にはメタルバック１０００９）に蓄積された電荷が流れ込む。その結果、電子放出素子１０００２の破壊や行配線１０００３、及び、列配線１０００４に繋がる駆動回路の破壊などを引き起こし、深刻な画質劣化を発生させる場合がある。
【００１６】
そこで、アノード電極（メタルバック）１０００９に、特許文献１０で示されるような方法で、電流制限機能を持たせる方法が提案されている。
【００１７】
しかし、アノード電極に電流制限機能を持たせた状況で、上記した導電層を接地等することによりフェースプレート表面の帯電抑制処理を行うと、深刻な画素欠陥が発生することがある。
【００１８】
この原因は、導電層の表面抵抗（シート抵抗）をメタルバックの見かけの表面抵抗よりも低く設定していたために、メタルバックの電荷量が見かけ上増加し、画像表示装置内部で放電が発生したときの第２基板の電流制限効果が低下したためと考えられる。
【００１９】
従って、導電層は、メタルバック（アノード電極）１０００９の電流制限効果の低下を抑制するように、且つ、画像表示装置表面の帯電を抑制するように設ける必要がある。
【特許文献１】特開平１０−３２６５８３号公報
【特許文献２】米国特許第６６７７７０６号明細書
【特許文献３】欧州特許第０８６６４９１号明細書
【特許文献４】特開２００３−２２９０７９号公報
【特許文献５】米国特許第６８００９９５号明細書
【特許文献６】特開２００１−２８１４４２号公報
【特許文献７】特開２００６−１８９７８３号公報
【特許文献８】特開２００６−１８９７８４号公報
【特許文献９】国際公開第２００６／０６２２５１号パンフレット
【特許文献１０】特開平１０−３２６５８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
本発明ではフェースプレートの画像表示面上に設けられる機能付きフィルムに、（１）画像表示面の帯電を防止しつつ、（２）メタルバックの電荷量増加を抑える、という電気的機能を満足する導電層を備えた画像表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記目的を達成するために本発明の画像表示装置は以下の構成を備える。
【００２２】
即ち、電子放出素子を有する第１基板と、前記電子放出素子に対向するアノード電極を有する第２基板と、前記第２基板の、前記第１基板側に位置する第１面とは反対側に位置する、第２面上に積層された、導電層と、を備え、前記導電層の電位が、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低く設定され、前記導電層の表面抵抗が、前記アノード電極の表面抵抗よりも高い、事を特徴とする。
【００２３】
更に、前記第２基板の、前記第１面に、前記アノード電極から離れ且つ前記アノード電極の周りに、電位規定電極が設けられており、前記電位規定電極は、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低い電位に設定されることを特徴とする。
【００２４】
また、前記電位規定電極が、前記第２基板の前記アノード電極を取り囲むように設けられていることを特徴とする。
【００２５】
前記導電層の電位及び／又は前記電位規定電極の電位が、グランド電位であることを特徴とする。
【００２６】
前記電位規定電極と前記アノード電極が、抵抗膜を介して接続されていることを特徴とする。
【００２７】
さらに、前記第２基板の前記第２面側に設けられた、第３基板を備えており、前記第３基板は、前記第２面側において前記導電層と空間的に離れて設けられており、且つ、反射防止特性を有する事を特徴とする。
【００２８】
さらに、前記導電層の前記第２基板側とは反対側に位置するように設けられ、且つ、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低く設定される、導電性の反射防止層を有しており、前記反射防止層の表面抵抗が、前記アノード電極の表面抵抗よりも高い、ことを特徴とする。
【００２９】
前記反射防止層の表面抵抗が、前記導電層の表面抵抗よりも高い、ことを特徴とする。
【００３０】
前記導電層が絶縁性基体に固定されており、前記導電層が、前記第２基板の、前記第２面に、粘着層を介して取り付けられている、ことを特徴とする。
【００３１】
前記導電層は、絶縁性基体の或る面に固定されており、前記反射防止層が前記絶縁性基体のもう１つの面に固定されており、前記導電層は、前記第２基板の、第２面に、粘着層
を介して取り付けられている、ことを特徴とする。
【００３２】
また、本発明に係る機能付きフィルムは、電子放出素子を有する第１基板と前記電子放出素子に対向するアノード電極を有する第２基板とを備える画像表示装置に設けられる機能付きフィルムであって、前記第２基板の、前記第１基板側に位置する第１面とは反対側に位置する、第２面側に設けられる導電層を備え、前記導電層の電位が、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低く設定され、前記導電層の表面抵抗が、前記アノード電極の表面抵抗よりも高いことを特徴とする。
【００３３】
また、本発明に係る画像表示装置の製造方法は、電子放出素子を有する第１基板と前記電子放出素子に対向するアノード電極を有する第２基板とを備える表示パネルを用意する工程と、前記第２基板の、前記第１基板側に位置する第１面とは反対側に位置する、第２面側に導電層を設ける工程と、を有し、前記導電層の電位が、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低く設定され、前記導電層の表面抵抗が、前記アノード電極の表面抵抗よりも高いことを特徴とする。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、画像表示装置内部で万一放電が発生しても、アノード電極の電流制限効果を保つことができると共に、画像表示装置の画像表示面の電位の上昇を抑えることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、図面を参照して本発明の好適な実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
【００３６】
（実施の形態１）
まず、この発明の第１の実施形態による画像表示装置について説明する。図１に、この第１の実施形態による画像表示装置の模式図を示す。
【００３７】
本実施形態の画像表示装置は画像表示装置本体（表示パネル）１０００、駆動回路１０１０、及び、機能付きフィルム１０２０により構成される。図１では画像表示装置本体１０００と機能付きフィルム１０２０が離れているが、本来の構成は画像表示装置本体１０００の画像表示領域１００１に機能付きフィルム１０２０を接触させた構成となる。また、図１では、駆動回路１０１０を画像表示装置本体１０００の裏面に設けているが、駆動回路の配置位置はこのような配置位置に限定されるものではない。
【００３８】
本実施形態では、符号１０００で示す画像表示装置本体（表示パネル）に電子放出素子として表面伝導型電子放出素子を用いた例を示すが、その他の電子放出素子を用いることもできる。符号１００１は画像表示装置本体１０００の画像表示領域（第２基板の画像表示領域）を示す。
【００３９】
図２に画像表示装置本体１０００の一部の断面模式図を示す。画像表示装置本体１０００は、電子放出素子１００６を有するリアプレート（第１基板）１００４と、メタルバック（アノード電極）１００７及び発光体膜１００８を有するフェースプレート（第２基板）１００３とを備える。図２に示すように、第１基板１００４と第２基板１００３が対向して配置されており、アノード電極１００７が電子放出素子１００６に対向している。
【００４０】
そして、第２基板１００３と第１基板１００４との間の空間は、大気圧よりも低い圧力に維持され（好ましくは真空に維持され）ている。この空間を維持するために、第１基板１００４と第２基板１００３との間に、枠部材１００５が設けられている。そして、図２
には図示していないが、従来公知の大気圧支持部材（スペーサ）を設けることもできる。
【００４１】
画像表示領域１００１は、フェースプレート（第２基板）１００３の上面（第１基板側に位置する第１面とは反対側に位置する面；第２面）の一部領域（発光体膜１００８からの発光が視認できる領域）である。
【００４２】
このように、画像表示装置本体の主要な構造は、図９で示した画像表示装置など、従来の画像表示装置と同様である。
【００４３】
リアプレート（第１基板）１００４とフェースプレート（第２基板）１００３としては、実用的には、ガラス基板を用いることができる。メタルバック（アノード電極）１００７としては、金属膜を用いることができ、実用的には、アルミ膜を用いることができる。
【００４４】
図３には、図２で示した第２基板１００３の上面（第１基板側に位置する面とは反対側に位置する面；第２面）上に機能付きフィルム１０２０を設けた状態の一部断面模式図を示す。ここで説明する機能付きフィルム１０２０は、図１、図３に示す様に、第２基板１００３の上面（第２面）上に、視聴者側に向かって、順に、粘着層１０２１、導電層１０２２、絶縁性基体１０２３、反射防止層１０２４、保護層１０２５の順番で積層されている。すなわち、導電層１０２２、絶縁性基体１０２３、反射防止層１０２４、保護層１０２５は、第２基板１００３の第２面側に設けられており、反射防止層１０２４は導電層１０２２の第２基板側とは反対側に位置するように設けられているということである。また、導電層１０２２は、絶縁性基体１０２３の一方の面に固定されており、反射防止層１０２４が絶縁性基体１０２３の他方の面に固定されているということである。
【００４５】
本実施形態では、機能付きフィルム１０２０として、複数の層が積層されたものを用いた例を示したが、機能付きフィルム１０２０は、少なくとも導電層１０２２を含んでいればよい。従って、基本的には、導電層１０２２以外の層は、必要に応じて適宜用いることができるものである。
【００４６】
また、導電層１０２２が反射防止機能を併せもつこともできる。反射防止機能を導電層１０２２に持たせれば、反射防止層１０２４を省略することもできる。また、機能付きフィルムは、画像表示装置本体１０００を用意し、そのフェースプレート１００３の上面（第２面）上に貼り付けるものであることが好ましい。即ち、機能付きフィルムを、導電層１０２２と粘着層１０２１で構成し、粘着層１０２１を介して導電層１０２２を第２基板の画像表示領域を含む第２基板の上面（第２面）に貼付けるのが好ましい。
【００４７】
しかし、通常、導電層１０２２は非常に薄いので、画像表示装置本体１０００を形成した後にフェースプレート１００３の上面（第２面）上に貼り付けるのは困難である。そのため、上記導電層１０２２と粘着層１０２１とを絶縁性基体上に予め成膜することで、機能付きフィルムを構成することがより好ましい。
【００４８】
絶縁性基体としては、比較的剛性があり、絶縁性であり、光学的に透明であることが好ましい。機能付きフィルムがこのような構成であれば、図１や図３で示した多数の他の機能を有する層をさらに積層しても、機能付きフィルムをフェースプレート１００３の上面（第２面）上に貼り付け易くなる。
【００４９】
また、導電層１０２２の電位は、画像表示時のアノード電極の電位よりも低く設定されることが好ましい。本実施形態では図３に示すように、機能付きフィルム１０２０の導電層１０２２をグランドに繋がる不図示の電極に接地することで、機能付きフィルム１０２０の表面電位をグランド電位（０［Ｖ］）となるようにする。
【００５０】
また、枠部材１００５の高さは実用的には５００μｍ以上１０ｍｍ以下であるが、本実施形態では枠部材１００５の高さを１ｍｍとした。
【００５１】
ここで、メタルバック１００７に印加するアノード電圧を約１２ｋＶとしたため、フェースプレート１００３とリアプレート１００４の間の電界は１０６（Ｖ／ｍ）以上の高電界となる。従って、画像表示装置内部に電界集中点が存在すると、予期しない放電が発生することがある。その結果、放電によりフェースプレート１００３上のメタルバック１００７の電荷がリアプレート１００４上の電子放出素子１００６や不図示の配線などへ流れ込んでしまう。すると、電子放出素子１００６の破壊や駆動回路の破壊を誘発することになり、画質上の大きな欠陥を引き起こす可能性がある。
【００５２】
そこで、本実施形態ではメタルバック１００７の表面抵抗を１０５（Ω／□）以上に設定する。それによって、画像表示装置に、万が一画像表示装置の内部で放電が発生しても一度に多量の電荷がリアプレート１００４上の電子放出素子１００６や不図示の配線や駆動回路などに流れ込まないように電流制限機能を持たせる。このようなメタルバック（アノード電極１００７）の表面抵抗を備える点が、本実施形態の画像表示装置本体（表示パネル）と従来の画像表示装置本体（表示パネル）との主要な差異の１つである。
【００５３】
尚、上記アノード電極１００７の表面抵抗は、アノード電極１００７上の２００ｍｍ×２００ｍｍエリアの、他の層の抵抗も合成された、シート抵抗を測定することで定義できる。具体的には２００ｍｍの長さをもつ２つの電極を、２００ｍｍ離間して、アノード電極１００７に接触させ、電極間の抵抗値を求めることで算出することができる。
【００５４】
上記のようなシート抵抗（表面抵抗）を増やすための手法としては、例えば、メタルバックを複数の領域に分割し、各領域間を抵抗体で接続する方法などの従来公知の手法を適宜採用することができる。
【００５５】
そのような手法の一例は、例えば、特開２００５−２３５４７０号公報（米国特許出願公開第２００５／０１７９３９８）に開示されている。
【００５６】
図１０，１１は本発明を好ましく適用できるフェースプレートの構成を示す。図１０はリアプレート側から見たフェースプレートの平面図である。図１１は、図１０のＡ−Ａ’断面の一部を拡大した図である。なお、図１１にはリアプレート２１及び電子放出素子２３も図示している。
【００５７】
図１０，１１に示すフェースプレートは例えば以下のような工程によって製造することができる。
【００５８】
先ず、洗浄したガラス基板１１上に導電性領域として、スパッタリング法にてＩＴＯ膜１２を画像表示領域全面に成膜する。ＩＴＯ膜１２のシート抵抗値は例えば１００Ω／□とする。ＩＴＯ膜１２はその一部が高圧電源と接続されており、高圧電位（アノード電位）が供給される。
【００５９】
次に、銀粒子及びガラスフリットを含むペーストを、スクリーン印刷法にて、図１０に示すようにＩＴＯ膜１２を囲む様に印刷し、４００℃にて焼成を行い、電位規定電極１００を形成する。電位規定電極１００は幅２ｍｍとし、ＩＴＯ膜１２の外周から４ｍｍ離れるように形成する。電位規定電極１００の抵抗値としては１Ω以下とする。なお、電位規定電極１００を設ける理由については後述する。
【００６０】
次に間隔規定部材として、酸化ルテニウムペーストを用い、スクリーン印刷法にて厚さ１０μｍ、幅２５０μｍ、２００μｍ×２００μｍの開口部を有する格子状の開口部を備える、高抵抗なブラックマトリクス１３を形成する。
【００６１】
次にスクリーン印刷法により、Ｒ，Ｇ，Ｂの各蛍光体１４を１色づつ３回に分けて厚さ１０μｍになるように、上記ブラックマトリクス１３の各開口部に充填する。スクリーン印刷法を用いて蛍光体を充填することができるが、もちろんこれに限定される訳ではなく、例えばフォトリソグラフィー法などを用いても良い。また蛍光体１４はＣＲＴの分野で用いられているＰ２２の蛍光体を用いる。蛍光体としては、赤色（Ｐ２２−ＲＥ３；Ｙ2
Ｏ2Ｓ：Ｅｕ3+）、青色（Ｐ２２−Ｂ２；ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ）、緑色（Ｐ２２−ＧＮ４
；ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ）のものを用いる。
【００６２】
次に、ブラウン管の製造技術として公知であるフィルミング工程（ラッカー（lacquer)等による平滑化処理）により、樹脂膜をブラックマトリクス１３及び蛍光体１４上に成膜する。そして、その後に、Ａｌ膜を蒸着法により上記樹脂膜上に堆積させる。そして、最後に樹脂膜を熱分解させて除去する事により、厚さ１００ｎｍの導電性膜（Ａｌ膜）をブラックマトリクス１３及び蛍光体１４上に配置する。
【００６３】
その後、ＹＡＧレーザー加工機にて、上記導電性膜（Ａｌ膜）を切断し、絵素毎の導電性膜１５に分割する。
【００６４】
このようにすることで、図１０，１１に示したフェースプレートを形成することができる。アノード電極の抵抗値は、各部材の大きさや材料を適宜選択することで、所定の値とすることができる。
【００６５】
図８は、本実施形態の画像表示装置における第２基板（フェースプレート）１００３を電子放出素子１００６側から見た平面模式図である。本実施形態の画像表示装置でも、図８に示す様に、フェースプレート１００３の第１面に、アノード電極１００７と所定距離離れて電位規定電極を設けることが好ましい。電位規定電極は、アノード電極１００７の周りに配置される。換言すると、アノード電極１００７の外周とフェースプレート１００３の外周との間に、アノード電極１００７と所定距離離れて電位規定電極を設けることが好ましい。
【００６６】
そして、電位規定電極を設ける場合には、図８に示す様に、アノード電極１００７の外周を取り囲むように、電位規定電極を配置することがより好ましい。
【００６７】
電位規定電極は、実用的には、フェースプレート上の枠部材１００５が固定される領域の内側に設けられる。尚、図８でも、枠部材１００５が固定される領域と電位規定電極とが所定距離離れて設けられているが、電位規定電極の一部が、枠部材１００５が固定される領域の一部領域にまで延在していてもよい。また、電位規定電極の一部が、枠部材１００５が固定される領域の全ての領域に延在していてもよい。
【００６８】
このような電位規定電極を設けることで、アノード電極１００７と枠部材との間などで生じる電界を抑制することができる。その結果、枠部材１００５とアノード電極１００７との距離を縮めることができる。
【００６９】
一方で、このような電位規定電極は、画像表示装置の駆動時（画像表示時）において、アノード電極の電位よりも十分に低い電位に維持される。典型的には、電位規定電極の電位はグランド電位に維持される。そのため、電位規定電極のアノード電極側の端部は高電界にさらされることになり、電位規定電極とアノード電極との間で放電が発生してしまう
場合がある。
【００７０】
そこで、電位規定電極のアノード電極側の端部に生じる電界強度を緩和するために、本実施形態では、機能付きフィルム１０２０を構成する導電性の膜で、第２基板１００３の上面（第２面）の全て又はほぼ全てを覆う様にする事が好ましい。換言すると、機能付きフィルム１０２０を構成する導電性の膜が、第２基板１００３の画像表示領域上だけでなく、電位規定電極のアノード電極側端部の真上に位置する、第２基板１００３の上面（第２面）も、覆う様にする事が好ましい。この様にすることで、電位規定電極のアノード電極側の端部に生じる電界強度を緩和することができる。尚、機能付きフィルム１０２０を構成する導電性の膜としては、例えば、導電層１０２２や導電性の反射防止層１０２４などが挙げられる。
【００７１】
また、図８に示した構成では、アノード電極１００７と所定距離離れて電位規定電極を設けているため、第２基板１００３の表面が、アノード電極１００７と電位規定電極との間で露出する構成となっている。第２基板は通常ガラス基板が使われる。そのため、絶縁性の表面がアノード電極１００７と電位規定電極との間で露出する。絶縁性の表面は帯電し易く、電位の制御が難しい。
【００７２】
そこで、アノード電極１００７と電位規定電極との間で露出する、第２基板１００３の表面（第１面）を抵抗膜で覆うことが好ましい。換言すると、アノード電極１００７と電位規定電極とを抵抗膜を介して接続することが好ましい。抵抗膜のシート抵抗としては、実用的には、１×１０７以上１×１０１５以下に設定される。
【００７３】
従って、図８に示す様に、アノード電極１００７の外周を取り囲むように電位規定電極を配置する場合には、上記抵抗膜で、アノード電極１００７の外周を取り囲む構成となる。
【００７４】
そして、本実施形態では、アノード電極の電流制限機能を維持するため、機能付きフィルム１０２０の導電層１０２２の表面抵抗を所定の関係に設定する。即ち、導電層１０２２の表面抵抗を、アノード電極の表面抵抗よりも高い表面抵抗に設定する。
【００７５】
なお、導電層１０２２の表面抵抗値はアノード電極の表面抵抗値よりも１桁以上高く且つ１×１０８（Ω／□）以下とすることが好ましい。機能付きフィルム１０２０の導電層１０２２の表面抵抗値は、後述する値に限定される必要はない。メタルバック１００７の表面抵抗、画像表示装置表面の最大許容到達電位、画像表示装置表面の電位が安定するまでの緩和時間などによって導電層１０２２の表面抵抗値は適宜設定することができる。
【００７６】
導電層１０２２の実用的な表面抵抗の値は具体的には、アノード電極の表面抵抗が１０４〜６（Ω／□）程度の場合、１×１０６（Ω／□）以上１×１０８（Ω／□）以下とすることが好ましい。
【００７７】
また、図３に示すように、機能付きフィルム１０２０が導電層１０２２に加え、導電性の反射防止層１０２４を備える場合には、反射防止層の表面抵抗もアノード電極の表面抵抗よりも高い表面抵抗に設定する。
【００７８】
具体的には、アノード電極の表面抵抗が１０４〜６（Ω／□）程度の場合、導電性の反射防止層の表面抵抗は１×１０９（Ω／□）以上１×１０１４（Ω／□）以下とすることが好ましい。
【００７９】
導電層や導電性の反射防止層の表面抵抗の測定方法は、アノード電極の表面抵抗の測定
方法と同様、２００ｍｍの長さをもつ２つの電極を、２００ｍｍ離間して、導電層や反射防止層に接触させ、電極間の抵抗値を求める事で算出できる。
【００８０】
機能付きフィルム１０２０が導電層１０２２や導電性の反射防止層１０２４を備える場合、機能付きフィルム１０２０の表面抵抗をメタルバック１００７の表面抵抗よりも低く設定すると、見かけ上メタルバックの電荷量が大幅に増えることになる。その結果、万が一画像表示装置内部で放電が発生した際には、メタルバック１００７による電流制限効果が低減する。よって、機能付きフィルム１０２０の表面抵抗はメタルバック１００７の表面抵抗に比べて十分に高いことが望ましい。
【００８１】
通常、機能付きフィルム１０２０は少なくとも導電層１０２２を備える。そして、機能付きフィルム１０２０は、さらに、導電性の反射防止層１０２４などの導電性の膜を単数または複数備える場合もある。従って、機能付きフィルム１０２０の導電層１０２２や導電性の反射防止層１０２４などの導電性の膜の表面抵抗を、いずれも、前述したように、メタルバック１００７の表面抵抗に比べて１桁以上高く設定する事が好ましい。
【００８２】
本実施形態においては、導電層１０２２をグランドに接地して画像表示装置表面の電位を規定するため、導電層１０２２の表面抵抗を反射防止層１０２４の表面抵抗よりも低く設定した。
【００８３】
機能付きフィルム１０２０が、導電層１０２２と導電性の反射防止層１０２４とを備える場合における、機能付きフィルム１０２０とフェースプレート１００３の等価回路を図４に示す。
【００８４】
導電層１０２２、導電性の反射防止層１０２４を上記した表面抵抗の範囲に設定することで、放電発生時のメタルバック１００７による電流制限効果を損なうことなく、表面の電位を規定することが可能となる。
【００８５】
図５に画像表示装置表面の電位と導電層１０２２の抵抗との相関を示す。また、図６に放電によりリアプレートに流れ込む電荷量と導電層１０２２の抵抗との相関を示す。尚、図５および図６ともに、画像表示面の大きさ（対角）が５５インチの場合において、アノード電極の表面抵抗を１０５（Ω／□）程度として算出している。
【００８６】
図５において、Ａは導電層１０２２の表面抵抗が１×１０６Ω／□である場合、Ｂは導電層１０２２の表面抵抗が１×１０７Ω／□である場合、Ｃは導電層１０２２の表面抵抗が１×１０８Ω／□である場合を示している。また、Ｄは導電層１０２２の表面抵抗が１×１０９Ω／□である場合、Ｅは導電層１０２２の表面抵抗が１×１０１０Ω／□である場合を示している。
【００８７】
図５から、画像表示装置の駆動電源（アノード電源）を投入した直後数秒で画像表示装置の中央部の表面電位を十分に低い電位に下げるためには、シート抵抗が１×１０８（Ω／□）以下が望ましいことが分かる。
【００８８】
一方、図６から、シート抵抗が１×１０６（Ω／□）以上であれば、放電時にリアプレート側に移動する電荷が十分に低減され、１×１０６（Ω／□）以上に表面抵抗を上げてもほとんど減少しないことがわかる。
【００８９】
従って、アノード電極の表面抵抗が１０５（Ω／□）程度の場合、導電層１０２２の表面抵抗は１×１０６（Ω／□）以上１×１０８（Ω／□）以下とすることが好ましい。また、機能付きフィルムが導電層１０２２に加え、他の導電性の膜を備えた場合においても
、機能付きフィルムを構成するそれぞれの導電性の膜の表面抵抗値を１×１０６（Ω／□）以上１×１０８（Ω／□）以下とする。この様にすることで、放電時の被害が低減され、電源投入直後に表示領域の表面電位を十分に低い電位に下げることができる。
【００９０】
本実施形態の画像表示装置によれば、安定した表示画像を長期に渡って維持することができる。
【００９１】
（実施の形態２）
次に、この発明の第２の実施形態による画像表示装置について説明する。
【００９２】
図７に第２の実施の形態による画像表示装置の一部断面模式図を示す。基本的な機能としては、実施の形態１で示した構成に準ずるが、反射防止機能を前面板（第３基板）１０２６に持たせた構成であり、フェースプレート上に直接設置される機能付きフィルムには反射防止機能は含まれない。即ち、反射防止特性を備えた前面板（第３基板）１０２６は、第２基板（フェースプレート）１００３の第２面側に設けられる。
【００９３】
前面板１０２６は、光学的に透明な基板であり、第２基板（フェースプレート）の第２面側において導電層から空間的に離れて設けられている。換言すれば、前面板１０２６は、機能付きフィルムから空間的に離れて設けられている。前面板１０２６は、例えば、ポリカーボネートを用いることができる。
【００９４】
従って、各層の表面抵抗の制約としては実施の形態１に準ずる範囲となり、導電層１０２２の抵抗が、メタルバック１００７の抵抗よりも大きい必要がある。
【００９５】
本実施形態ではメタルバック１００７の表面抵抗を１×１０５（Ω／□）とし、機能付きフィルム１０２０の導電層１０２２の表面抵抗を１×１０６（Ω／□）以上１×１０８（Ω／□）以下とした。
【００９６】
機能付きフィルム１０２０の導電層１０２２の表面抵抗値としては、勿論、本実施形態で設定した値にこだわる必要はない。メタルバック１００７の表面抵抗、画像表示装置表面の最大許容到達電位、画像表示装置表面の電位が安定するまでの緩和時間などによって適宜設定される。即ち、表面抵抗値の関係が、”メタルバック１００７の表面抵抗値＜導電層１０２２の表面抵抗値”の関係を満たしていれば、画像表示装置内部で発生する放電時の電流制限機能を損なうことは無く、画像表示装置の表面電位を規定することが可能である。
【００９７】
本実施形態の画像表示装置によれば、安定した表示画像を長期に渡って維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】図１は本発明の第１の実施形態に係る画像表示装置の模式図である。
【図２】図２は画像表示装置本体の断面を示す模式図である。
【図３】図３は本発明の第１の実施形態に係る画像表示装置の断面模式図である。
【図４】図４は機能付きフィルム及びフェースプレートの等価回路を示すの図である。
【図５】図５は画像表示装置表面の電位と導電層の抵抗との相関を示す図である。
【図６】図６は放電によりリアプレートに流れ込む電荷量と導電層の抵抗との相関を示す図である。
【図７】図７は本発明の第２の実施形態に係る画像表示装置の断面を示す模式図である。
【図８】図８はフェースプレートの平面模式図である。
【図９】図９は従来の画像表示装置の表示パネルの一例を示す斜線図である。
【図１０】図１０は、リアプレート側から見たフェースプレートの平面図である。
【図１１】図１１は、図１０中のＡ−Ａ’断面を示す図である。
【符号の説明】
【００９９】
１１ ガラス基板
１２ ＩＴＯ膜
１３ ブラックマトリクス
１４ 蛍光体
１５ 導電性膜
２１ リアプレート
２３ 電子放出素子
１００ 電位規定電極
１０００ 画像表示装置本体
１００１ 画像表示領域
１００３ フェースプレート
１００４ リアプレート
１００５ 枠部材
１００６ 電子放出素子
１００７ メタルバック
１００８ 発光体膜
１０１０ 駆動回路
１０２０ 機能付きフィルム
１０２１ 粘着層
１０２２ 導電層
１０２３ 絶縁性基体
１０２４ 反射防止層
１０２５ 保護層
１０２６ 前面板
１０００２ 電子放出素子
１０００３ 行配線
１０００４ 列配線
１０００５ リアプレート
１０００６ 側壁
１０００７ フェースプレート
１０００８ 発光体膜
１０００９ メタルバック
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子放出素子を有する第１基板と、
前記電子放出素子に対向するアノード電極を有する第２基板と、
前記第２基板の、前記第１基板側に位置する第１面とは反対側に位置する、第２面側に設けられた、導電層と、
を備え、
前記導電層の電位が、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低く設定され、
前記導電層の表面抵抗が、前記アノード電極の表面抵抗よりも高い
ことを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記第２基板の前記第１面に、前記アノード電極から離れ且つ前記アノード電極の周りに、電位規定電極が設けられており、
前記電位規定電極は、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低い電位に設定される
ことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記電位規定電極が、前記第２基板の前記アノード電極を取り囲むように設けられている
ことを特徴とする請求項２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記電位規定電極の電位は、グランド電位である
ことを特徴とする請求項２または請求項３に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記電位規定電極と前記アノード電極が、抵抗膜を介して接続されている
ことを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記導電層の電位が、グランド電位である
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記第２基板の前記第２面側に設けられた、第３基板をさらに備えており、
前記第３基板は、前記第２面側において前記導電層と空間的に離れて設けられており、且つ、反射防止特性を有する
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記導電層の前記第２基板側とは反対側に位置するように設けられ、且つ、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低く設定される、導電性の反射防止層をさらに有しており、
前記反射防止層の表面抵抗が、前記アノード電極の表面抵抗よりも高い
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項９】
前記反射防止層の表面抵抗が、前記導電層の表面抵抗よりも高い
ことを特徴とする請求項８に記載の画像表示装置。
【請求項１０】
前記導電層が絶縁性基体に固定されており、
前記導電層が、前記第２基板の前記第２面に、粘着層を介して取り付けられている
ことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１１】
前記導電層は、絶縁性基体の一方の面に固定されており、前記反射防止層が前記絶縁性基体の他方の面に固定されており、
前記導電層は、前記第２基板の第２面に、粘着層を介して取り付けられている
ことを特徴とする請求項８または請求項９に記載の画像表示装置。
【請求項１２】
電子放出素子を有する第１基板と前記電子放出素子に対向するアノード電極を有する第２基板とを備える画像表示装置に設けられる機能付きフィルムであって、
前記第２基板の、前記第１基板側に位置する第１面とは反対側に位置する、第２面側に設けられる導電層を備え、
前記導電層の電位が、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低く設定され、
前記導電層の表面抵抗が、前記アノード電極の表面抵抗よりも高い
ことを特徴とする機能付きフィルム。
【請求項１３】
電子放出素子を有する第１基板と前記電子放出素子に対向するアノード電極を有する第２基板とを備える表示パネルを用意する工程と、
前記第２基板の、前記第１基板側に位置する第１面とは反対側に位置する、第２面側に導電層を設ける工程と、
を有し、
前記導電層の電位が、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低く設定され、
前記導電層の表面抵抗が、前記アノード電極の表面抵抗よりも高い
ことを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項１】
電子放出素子を有する第１基板と、
前記電子放出素子に対向するアノード電極を有する第２基板と、
前記第２基板の、前記第１基板側に位置する第１面とは反対側に位置する、第２面側に設けられた、導電層と、
を備え、
前記導電層の電位が、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低く設定され、
前記導電層の表面抵抗が、前記アノード電極の表面抵抗よりも高い
ことを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記第２基板の前記第１面に、前記アノード電極から離れ且つ前記アノード電極の周りに、電位規定電極が設けられており、
前記電位規定電極は、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低い電位に設定される
ことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記電位規定電極が、前記第２基板の前記アノード電極を取り囲むように設けられている
ことを特徴とする請求項２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記電位規定電極の電位は、グランド電位である
ことを特徴とする請求項２または請求項３に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記電位規定電極と前記アノード電極が、抵抗膜を介して接続されている
ことを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記導電層の電位が、グランド電位である
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記第２基板の前記第２面側に設けられた、第３基板をさらに備えており、
前記第３基板は、前記第２面側において前記導電層と空間的に離れて設けられており、且つ、反射防止特性を有する
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記導電層の前記第２基板側とは反対側に位置するように設けられ、且つ、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低く設定される、導電性の反射防止層をさらに有しており、
前記反射防止層の表面抵抗が、前記アノード電極の表面抵抗よりも高い
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項９】
前記反射防止層の表面抵抗が、前記導電層の表面抵抗よりも高い
ことを特徴とする請求項８に記載の画像表示装置。
【請求項１０】
前記導電層が絶縁性基体に固定されており、
前記導電層が、前記第２基板の前記第２面に、粘着層を介して取り付けられている
ことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１１】
前記導電層は、絶縁性基体の一方の面に固定されており、前記反射防止層が前記絶縁性基体の他方の面に固定されており、
前記導電層は、前記第２基板の第２面に、粘着層を介して取り付けられている
ことを特徴とする請求項８または請求項９に記載の画像表示装置。
【請求項１２】
電子放出素子を有する第１基板と前記電子放出素子に対向するアノード電極を有する第２基板とを備える画像表示装置に設けられる機能付きフィルムであって、
前記第２基板の、前記第１基板側に位置する第１面とは反対側に位置する、第２面側に設けられる導電層を備え、
前記導電層の電位が、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低く設定され、
前記導電層の表面抵抗が、前記アノード電極の表面抵抗よりも高い
ことを特徴とする機能付きフィルム。
【請求項１３】
電子放出素子を有する第１基板と前記電子放出素子に対向するアノード電極を有する第２基板とを備える表示パネルを用意する工程と、
前記第２基板の、前記第１基板側に位置する第１面とは反対側に位置する、第２面側に導電層を設ける工程と、
を有し、
前記導電層の電位が、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低く設定され、
前記導電層の表面抵抗が、前記アノード電極の表面抵抗よりも高い
ことを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００８−１８１８５７（Ｐ２００８−１８１８５７Ａ）
【公開日】平成２０年８月７日（２００８．８．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２６４７５１（Ｐ２００７−２６４７５１）
【出願日】平成１９年１０月１０日（２００７．１０．１０）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年８月７日（２００８．８．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１０月１０日（２００７．１０．１０）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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