画像表示装置
【課題】ＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）において、白色均一性を損なうことなく、また、輝度低下をもたらすことなく所望の白色色温度を達成する。
【解決手段】赤蛍光体２１と青蛍光体２３の中にブラックマトリクスと同じ材料、同じプロセスで形成される複数のストライプ２４１を設けて赤蛍光体２１の透過率と青蛍光体２３の透過率を緑蛍光体２２の透過率に対して相対的に下げる。また、赤蛍光体２１の透過率は青蛍光体２３の透過率よりも下げる。これによって、白色色温度９３００Ｋを達成する。
【解決手段】赤蛍光体２１と青蛍光体２３の中にブラックマトリクスと同じ材料、同じプロセスで形成される複数のストライプ２４１を設けて赤蛍光体２１の透過率と青蛍光体２３の透過率を緑蛍光体２２の透過率に対して相対的に下げる。また、赤蛍光体２１の透過率は青蛍光体２３の透過率よりも下げる。これによって、白色色温度９３００Ｋを達成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、内部を真空にし、背面基板に電子源をマトリクス状に配置し、前面基板に対応する蛍光体を配置したフラット型表示装置に係り、特に白色を表示したときの色温度および、白色の均一性に関する。
【背景技術】
【０００２】
高輝度、高精細に優れたディスプレイデバイスとして、従来からカラー陰極線管が広く用いられている。しかし、省スペース、軽量等の観点から平面型画像表示装置の需要が拡大している。液晶表示装置、プラズマ表示装置等は３０インチ以上の大画面としてもそれほど大きな重量にならないこと等から、ＴＶ等の大型表示装置の分野で需要が拡大している。
【０００３】
一方、２枚のガラス基板に挟まれた内部を真空にして、一方の基板上に電子源をマトリクス状に配置し、対向基板に蛍光体を配置したいわゆるフィールドエミッションディスプレイ（以後ＦＥＤという）の開発が進んでいる。ＦＥＤは電子源からの電子が蛍光体に射突して発光することによって画像を形成するもので、明るさ、コントラスト、動画特性等でブラウン管並の優れた性能を得ることが出来るので、将来のＴＶ用ディスプレイとして期待されている。
【０００４】
ＦＥＤの問題点の一つとして白色を表示したときの色温度の問題がある。ＦＥＤの蛍光面構造は、赤、緑、青の蛍光体をマトリクス状に形成し、この赤、緑、青の蛍光体の間をブラックマトリクス（ＢＭ）によって充填または遮蔽している。逆にいえば、蛍光面全面にブラックマトリクスを形成し、このブラックマトリクスのホールに赤、緑、青の蛍光体を充填、または、ブラックマトリクスパターン上にまたがって赤、緑、青の蛍光体をパターニングしている。従来技術では、この赤、緑、青の蛍光体の大きさは同一である。
【０００５】
しかし、このような蛍光面構造では、ＮＴＳＣ標準白色の色温度９３００Ｋを出すことは困難である。すなわち、赤、緑、青の蛍光体の発光効率が異なるために、色温度９３００Ｋを出そうとすると、相対的には緑色の発光が不足する。したがって、赤、緑、青の蛍光体を同一の大きさに形成すると、全体的にはマゼンタ系の白色となる。このときの色温度は例えば、４５００Ｋである。
【０００６】
この問題を対策する従来技術として、「特許文献１」があげられる。特許文献１には、所定の色バランスを得るために、赤および青の蛍光体の面積を緑の蛍光体の面積よりも小さくすることが記載されている。具体的には、赤および青の蛍光体の長径を緑の蛍光体の長径よりも小さくすること、あるいは、赤および青の蛍光体を分割して遮蔽部を設けることによって赤および青の蛍光体の面積を緑の蛍光体の面積よりも相対的に小さくすること等が記載されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−７３３８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、「特許文献１」に記載の技術では、色温度を所定の温度にするために緑の蛍光体の面積を大きくする等の必要があるために、蛍光体間のブラックマトリクスの幅が異なってくるために色純度が劣化するという問題点がある。また、「特許文献１」に記載の他の技術では例えば、赤蛍光体を中央で分割して、左右面積の等しい２個の蛍光体とし、赤蛍光体の面積を小さくすることによって色温度を合わせる技術が記載されている。しかし、この技術では電子ビーム密度の最も大きい蛍光体の中央部付近において遮蔽体であるブラックマトリクスが形成されるので、電子ビームの利用効率が下がり、表示装置の明るさとともに、色純度の劣化が問題になる。
【０００９】
以上のように、ＦＥＤにおいて従来の技術によって所定の色温度を得ようとすると色純度の劣化の問題、画面明るさの低下の問題が生ずる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、前述した従来の課題を解決するためになされたもので、赤または青の蛍光体の領域内にブラックマトリクスによる遮蔽物を形成し、明るさの低下を最低限におさえつつ色温度の調整を行うものである。具体的な手段は次のとおりである。
【００１１】
（１）電子源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、前記アノード基板にはブラックマトリクスが形成され、ブラックマトリクスの開口部には赤蛍光体、緑蛍光体、青蛍光体が並んで配置され、前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる複数のストライプが形成されていることを特徴とする表示装置。
（２）前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内の中央には前記ブラックマトリクスによるストライプが形成されていないことを特徴とする（１）に記載の表示装置。
（３）前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる複数のストライプが形成されていることを特徴とする（１）に記載の表示装置。
（４）前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率は前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率より小さいことを特徴とする（１）に記載の表示装置。
（５）前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率は前記開口部の中央部のほうが前記開口部の周辺部よりも大きいことを特徴とする（１）に記載の表示装置。
【００１２】
（６）電子源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、前記アノード基板にはブラックマトリクスが形成され、ブラックマトリクスの開口部には赤蛍光体、緑蛍光体、青蛍光体が並んで配置され、前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる遮蔽物が形成され、前記遮蔽物のパターンは前記開口部中央と前記開口部周辺とで異なっていることを特徴とする表示装置。
（７）前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクス開口部の周辺部には遮蔽物としてブラックマトリクスによる複数のストライプが形成され、前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクス開口部の中央部には遮蔽物としてブラックマトリクスによるモザイクパターンが形成されていることを特徴とする（６）に記載の表示装置。
（８）前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる遮蔽物が形成され、前記遮蔽物のパターンは前記開口部中央と前記開口部周辺とで異なり、開口部の透過率は前記開口部中央において、前記開口部周辺よりも透過率が大きいことを特徴とする（６）に記載の表示装置。
（９）前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率は前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率より小さいことを特徴とする（６）に記載の表示装置。
（１０）前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率は前記開口部中央のほうが前記開口部周辺よりも大きいことを特徴とする（６）に記載の表示装置。
【００１３】
（１１）電子源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、前記アノード基板にはブラックマトリクスが形成され、ブラックマトリクスの開口部には赤蛍光体、緑蛍光体、青蛍光体が並んで配置され、前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる遮蔽物が形成され、前記赤蛍光体用のブラックマトリクス開口部の透過率は該開口部の中央部と周辺部で等しいか、中央部が周辺部より大きいことを特徴とする表示装置。
（１２）前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる遮蔽物が形成され、前記青蛍光体用のブラックマトリクス開口部の透過率は該開口部の中央と周辺で等しいか、中央部が周辺部より大きいことを特徴とする（１１）に記載の表示装置。
（１３）前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率は前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率より小さいことを特徴とする（１１）に記載の表示装置。
（１４）前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の中央部に形成される前記遮蔽物のパターンと前記開口部の周辺部に形成される遮蔽物のバターンとは同じパターンであることを特徴とする（１１）に記載の表示装置。
【００１４】
（１５）電子源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、前記アノード基板にはブラックマトリクスが形成され、ブラックマトリクスの開口部には赤蛍光体、緑蛍光体、青蛍光体が並んで配置され、前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる複数の遮蔽物が形成されていることを特徴とする表示装置。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によって色純度を低下させることなく、また、画面輝度の明るさの低下を最低限におさえつつ所定の色温度を得ることができる。本発明の手段ごとの効果は次のとおりである。
【００１６】
手段（１）によれば、赤蛍光体のＢＭホール内に複数のストライプを形成するので、ＢＭホール内の透過率を制御して色純度を劣化させることなく白色色温度の調整をすることができる。
【００１７】
手段（２）によれば、赤蛍光体のＢＭホールの中央にはＢＭストライプが形成されていないのでＢＭホールの中央部の透過率をＢＭホールの周辺部よりも透過率を大きくすることが出来る。したがって、色純度の劣化を最小限に保ちながら、白色色温度の制御をすることが出来る。
【００１８】
手段（３）によれば、青蛍光体のＢＭホールにも複数のＢＭストライプが形成されているので、白色色温度を９３００Ｋに設定することが容易となる。
【００１９】
手段（４）によれば、赤蛍光体のＢＭホールの透過率が青蛍光体のＢＭホールの透過率よりも小さいために、白色色温度を９３００Ｋに設定することが容易となる。
【００２０】
手段（５）によれば、赤蛍光体のＢＭホールはＢＭホールの中央部では透過率が大きくＢＭホールの周辺部は透過率が小さいために色純度の劣化を最低限にとどめながら白色色温度を９３００Ｋに近づけることが出来る。
【００２１】
手段（６）によれば、赤蛍光体のＢＭホールには周辺部と中央部とで異なった遮蔽パターンが形成されるためにＢＭホールの透過率をＢＭホール中央部と周辺とで、容易に差をつけることが出来る。
【００２２】
手段（７）によれば、赤蛍光体のＢＭホールの周辺に複数のストライプを形成し、中央部にモザイクパターンを形成するので、ＢＭホールの中央と周辺とで透過率の差をつけることが容易となる。
【００２３】
手段（８）によれば、青蛍光体のＢＭホールにもホール中央とホール周辺とで遮蔽パターンを異ならせるので、ＢＭホールの中央部と周辺部とで透過率の差を容易につけることが出来る。
【００２４】
手段（９）によれば、赤蛍光体のＢＭホールの透過率は青蛍光体のＢＭホールの透過率よりも小さいので、白色色温度を９３００Ｋに設定することが容易となる。
【００２５】
手段（１０）によれば、赤蛍光体のＢＭホールの遮蔽パターンをＢＭホール中央部と周辺部とで異ならせ、赤蛍光体のＢＭホールの中央部の透過率がＢＭホールの周辺部の透過率よりも大きくするために、色純度の劣化を最低限にとどめながら、白色色温度を制御することが出来る。
【００２６】
手段（１１）によれば、赤蛍光体が形成されるＢＭホールの透過率をＢＭホールの中央部で大きく、ＢＭホールの周辺部で小さくしたので、色純度の劣化を最低限におさえつつ、白色色温度を制御することが出来る。
【００２７】
手段（１２）によれば、赤蛍光体が形成されるＢＭホールの透過率をＢＭホールの中央部で大きく、ＢＭホールの周辺部で小さくしたので、色純度の劣化を最低限におさえつつ、白色色温度を９３００Ｋに近づけることが出来る。
【００２８】
手段（１３）によれば、赤蛍光体のＢＭホールの透過率は青蛍光体のＢＭホールの透過率よりも小さいので、白色色温度を９３００Ｋに容易に近づけることが出来る。
【００２９】
手段（１４）によれば、赤蛍光体のＢＭホールには同じパターンの遮蔽物が形成されているので、ＢＭホール内の遮蔽物の形成を単純化することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の最良の形態を実施例の図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００３１】
図１は本発明の第１の実施例を示す平面図である。図１において、カソード基板１の上には封着部３を介してアノード基板２が設置されている。カソード基板上には横方向には走査線１１が、縦方向にはデータ信号線１２が延在している。走査線１１には走査線端子５１から、データ信号線１２にはデータ信号線端子５２を介して外部から信号が供給される。走査線１１とデータ信号線１２の交差部付近には電子源が配置されている。したがって、多数の電子源がマトリクス状に配列されている。電子源としては、いわゆるＭＩＭ方式、ＳＩＤ方式、Ｓｐｉｎｄｔ方式等種々のもが開発されているが、いずれの電子源も本発明に適用可能である。本実施例では電子源の例としてＭＩＭ方式の電子源を用いている。
【００３２】
カソード基板１とアノード基板２と周辺を囲む封着部３の内部は真空に保たれる。したがって、大気圧によってアノード基板２、カソード基板１が撓み、カソード基板１とアノード基板２の間隔が確保できなくなる。あるいは、カソード基板１またはアノード基板２が破壊してしまう。これを避けるために、カソード基板１とアノード基板２との間にスペーサ４が設置される。このスペーサ４はセラミックスまたはガラスで形成され、画像形成の妨げにならないように一般的には走査線上に設置される。
【００３３】
アノード基板上には電子ビーム１５の射突によって光を発する赤、緑、青の蛍光体が電子源に対応して形成されている。蛍光体の周囲にはブラックマトリクス（ＢＭ）が形成されており、画像のコントラスを向上させる。ブラックマトリクス２４を覆ってＡｌによるメタルバクが形成されている。メタルバック２５には高電圧が印加され、カソードから出射する電子ビーム１５を加速して赤蛍光体２１、緑蛍光体２２、青蛍光体２３に射突させる。
【００３４】
電子ビーム１５によって蛍光体から光を発生させるためには電子ビーム１５はある程度のエネルギーをもっていなければならないので、アノード基板２のメタルバック２５には８ＫＶから１０ＫＶの高電圧が印加される。本実施例では外部から高電圧を供給するための高電圧導入端子はカソード基板側に設けられ、コンタクトスプリングを介してアノード基板２に高電圧が供給される。図１おいて、コンタクトスプリングとアノード基板２が接触するアノード端子が表示装置のコーナー部に形成されている。表示装置の内部は真空に保たなければならないので、図１における表示装置のコーナー部に排気のための排気孔８１が形成されている。
【００３５】
図２は図１をＤ方向から見た側面図である。図２において、カソード基板１とアノード基板２は封着部３を介して所定の距離を持って対向している。カソード基板１のほうが端子５等が設置される分大きく形成されている。カソード基板１の下には、排気管８、高電圧導入ボタン６０を取り付けるための排気基板６が取り付けられている。排気基板６は排気基板封着部７を介してカソード基板１に取り付けられている。図２では排気基板６には表示装置の内部を真空にするための排気管８がチップオフされた状態で描かれている。排気管８の近くに高電圧導入ボタン６０が取り付けられている。
【００３６】
図３は図１のＡ−Ａ断面図である。図３において、データ信号線１２が紙面と垂直方向に延在している。本実施例ではこのデータ信号線１２の上に電子源１４が形成されている。絶縁膜１３を介して走査線１１がデータ信号線１２と直角方向に形成されている。図３において、走査線１１は封着部３の外部に延在している。走査線１１の上にはカソード基板１とアノード基板２との距離を保つためのスペーサ４が設置されている。スペーサ４は固着材４１によってカソード基板側では走査線上に、アノード基板側ではメタルバック２５に固着されている。このスペーサ４には１０８から１０９Ω程度の導電性が与えられ、カソードとアノードとの間にわずかに電流を流すことによってスペーサ４の帯電を防止している。
【００３７】
アノード基板側では、電子源１４に対応する場所には、赤蛍光体２１、緑蛍光体２２、青蛍光体２３が配置され、この赤蛍光体２１、緑蛍光体２２、青蛍光体２３は電子ビーム１５に射突されることによって発光し、画像が形成される。赤蛍光体２１、緑蛍光体２２、青蛍光体２３の間はＢＭ２４で充填され、画像のコントラスの向上に寄与する。ＢＭ２４は例えば、クロムおよび酸化クロムの２層構造になっている。赤蛍光体２１、緑蛍光体２２、青蛍光体２３およびＢＭ２４を覆ってＡｌによるメタルバック２５が形成されている。メタルバック２５には約８ＫＶから１０ＫＶ程度の高電圧が印加され、電子ビーム１５を加速する。加速された電子ビーム１５はメタルバック２５を突き抜けて赤蛍光体２１、緑蛍光体２２、青蛍光体２３に射突し、赤蛍光体２１、緑蛍光体２２、青蛍光体２３を発光させる。
【００３８】
表示装置の内部を真空に保つために、枠部材３１と封着材３２によってカソード基板１とアノード基板２がシールされている。カソード基板１の厚さおよびアノード基板２の厚さは３ｍｍ程度である。また、カソード基板１とアノード基板２との距離は約２．８ｍｍ程度であり、表示装置の内側は高電界となっている。
【００３９】
図４は図１のＢ‐Ｂ断面図である。図４において、カソード基板１には通孔１０が形成されており、この通孔１０を通して表示装置の排気あるいは高電圧の供給が行なわれる。カソード基板１の通孔１０を覆って排気基板６が排気基板用封着部７を介して設置され、表示装置の内部を真空に保つ。排気基板用封着部７はカソード基板１とアノード基板２の封着部３と基本的な構成は同じである。すなわち、排気基板用枠体７１が封着材３２を介してカソード基板１およびアノード基板２と封着されている。
【００４０】
高電圧導入ボタン６０が封着材３２によってカソード基板１にとりつけられ、外部と気密を保っている。この封着材３２にはフリットガラスが用いられる。高電圧導入ボタンにはＦｅ−Ｎｉ合金が用いられる。Ｆｅ−Ｎｉ合金の成分比は封着材３２と熱膨張係数を合わせるように選定される。高電圧導入ボタン６０にはコンタクトスプリング５０がスポット溶接される。コンタクトスプリング５０はインコネルによって形成されるが、インコネルはＦｅ−Ｎｉ合金と容易にスポット溶接を行うことが出来る。
【００４１】
コンタクトスプリング５０は高電圧導入ボタン６０と接続するベース部とアーム部とコンタクト部とから形成されている。コンタクトスプリング５０のアーム部が湾曲することによる曲げ応力によって、コンタクトスプリング５０のコンタクト部が適切な力によってアノード基板２に形成されたメタルバック２５に接触する。本実施例でのコンタクトスプリング５０の接触圧は約１０ｇである。コンタクトスプリング５０のコンタクト部は球面等の適切な曲面となっており、メタルバック２５と安定に接触をとれるように形成されている。コンタクトスプリング５０の材料は耐熱性等を考慮してインコネルが使用され、厚さは０．１ｍｍである。
【００４２】
アノード基板２にはコンタクトスプリング５０と接触するためのアノード端子２６が形成されている。アノード端子２６には比較的大きな電流が流れるために、信頼性が重要である。本実施例ではアノード端子２６部分の構造は次のようになっている。アノード基板上にはクロムと酸化クロムのＢＭ２４が形成され、これを覆ってＡｌによるメタルバック２５が形成されている。これは画面の有効面と同じ構成である。本実施例ではメタルバック２５の上に、アノード端子２６として導電膜が厚さ１０μｍから３０μｍで形成される。本実施例では導電膜は銀ペーストを印刷によって塗布し、その後、焼成することによって形成される。この導電膜の焼成は特別なプロセスを設ける必要は無く、例えば、スペーサ４を固着するときの焼成プロセスと同時に行なえばよい。
【００４３】
銀ペーストは直径1ミクロンから数μｍの銀粒子を粘度の高い有機溶媒に分散させたものである。焼成後、銀粒子同士がつながることによって導電性を持つことになる。導電膜はある程度の抵抗を持ったほうが良い場合もある。このような場合は通常の銀ペーストにさらにフリットガラス用のペーストを混合して抵抗を調整することができる。なお、導電膜の材料としては、銀ペーストに限る必要は無く、Ｎｉ粒子を分散させたＮｉペースト、Ａｌ粒子を分散させたＡｌペースト等を用いることもできる。また、バインダによって結合した黒鉛膜を用いることも出来る。この場合の黒鉛はグラファイトが好適である。黒鉛膜の抵抗は、例えば、黒鉛にベンガラ（酸化鉄）を混合することによって調整することができる。
【００４４】
導電膜を１０μｍから３０μｍと厚く形成することによって、コンタクトスプリング５０と導電膜の接触を安定に行なうことができる。すなわち金属膜であれば、コンタクトスプリング５０と金属膜とは点接触となり、この点接触部分に電流が集中して導電膜が破壊する危険が大きいが、本実施例のような導電膜であれば、導電膜とコンタクトスプリング５０とは金属膜の場合と比較して接触面積を大きくとることができ、面接触に近い状態となり、接触が安定する。また、本実施例のような導電膜であれば、金属に比べて抵抗が大きいため、コンタクト部に大電流が流れることを抑止することができる。この点からも接触による導通の安定性を向上することが出来る。
【００４５】
排気基板６には排気孔８１が形成され、この排気孔８１には排気管８が封着材３２としてのフリットガラスを介して設置される。排気管８を通して表示装置の内部が真空排気され、その後、排気管８はチップオフされて表示装置の内部は真空に保持される。図４は排気管８がチップオフされた状態を示している。
【００４６】
図５は図１のＣ−Ｃ断面を示す模式図である。図５において、カソード基板上には横方向にデータ信号線１２が延在している。データ信号線１２と直角に走査線１１が紙面の法線方向に延在している。走査線１１は２層構造となっている。配線抵抗を減らすためである。走査線と走査線の間のデータ信号線１２の上には電子源１４が配置されている。電子源１４はデータ信号線１２が下部電極となり、トンネル絶縁膜を介して走査線１１と電気的に接続する上部電極によって構成される。
【００４７】
アノード基板２には赤蛍光体２１、緑蛍光体２２、青蛍光体２３が形成されているが、図５においては緑蛍光体２２のみが表示されている。蛍光体と蛍光体の間はＢＭ２４によって覆われている。蛍光体およびＢＭ２４を覆ってＡｌをスパッタリングすることによって、メタルバック２５が形成される。メタルバック２５には約８ＫＶから１０ＫＶの高電圧であるアノード電圧が印加されている。このアノード電圧によって電子源１４から放出された電子ビーム１５は加速される。電子源１４から放出された電子ビーム１５はメタルバック２５を突き抜けて赤蛍光体２１、緑蛍光体２２、青蛍光体２３に射突することによってカラー画像が形成される。電子ビーム１５は電子源１４から放出されると広がるが、蛍光面上では、各蛍光体よりも若干大きくなるように設計されている。
【００４８】
アノード基板２とカソード基板１の距離を保つために、図３で説明したように、スペーサ４が設置される。スペーサ４はカソード基板上の走査線１１とアノード基板上のメタルバック２５の間に設置される。この位置であれば、スペーサ４が画像形成の妨げにならない。
【００４９】
図６は蛍光面に電子ビーム１５が射突している例であり、図７は電子源１４からの電子が蛍光面に射突する様子を示した模式図である。図６において、ブラックマトリクス２４にホールが形成されており、ホール部分に赤蛍光体２１、緑蛍光体２２、青蛍光体２３が形成されている。電子源１４から放出された電子ビーム１５は蛍光面上では楕円形状となって蛍光体に射突している。図６および図７においては楕円状の電子ビーム１５の短径は蛍光体の短径よりも大きい。図６において、赤蛍光体２１から赤蛍光体２１までのピッチは例えば、０．５１９ｍｍである。ＢＭ２４の幅は等しく０．０２４ｍｍである。一方、蛍光体の長径方向の縦ピッチは０．５１９ｍｍである。したがって３色の蛍光体を纏めた横ピッチと縦ピッチは等しく０．５１９ｍｍである。
【００５０】
図６は蛍光体と電子ビーム１５の中心が一致している例である。実際にはアノード基板２とカソード基板等の位置あわせの誤差等が存在しているために、蛍光体と電子ビーム１５の中心はずれる。電子ビーム１５の中心をと蛍光体の中心がずれた例を図８および図９に示す。図８および図９は緑蛍光体用の電子ビーム１５の中心が緑蛍光体２２の中止から赤蛍光体側にずれた例を示す。この結果緑蛍光体用の電子ビーム１５の一部が本来射突すべきでない赤蛍光体２１の他色打ち部分１５１に射突している。一方緑蛍光体２２には電子ビーム１５が射突しない欠け領域１５２が生じている。図８および図９は緑蛍光体２２の場合を例にとって説明したが、赤蛍光体２１、青蛍光体２３の場合も同様である。
【００５１】
図６に示すように、通常は赤蛍光体２１、緑蛍光体２２、青蛍光体２３とも同じ寸法である。また、各蛍光体の間のＢＭ２４の間隔も同じである。このように、各蛍光体の面積が同じ場合の色温度は４５００Ｋ程度であり、ＮＴＳＣの白色９３００Ｋよりも赤方向にシフトした白となっている。これをＮＴＳＣの白の色温度に近づけるためには緑の発光強度を強くしなければならない。緑の発光強度を強くする方法として、緑蛍光体用ＢＭのホールの面積、すなわち、緑蛍光体２２の面積を大きくする方法がある。しかし、この方法は図８および図９に示したように、他色打ち等による色純度の劣化を生ずる。ずなわち、蛍光体の面積を大きくすれば、蛍光体間のＢＭ２４の幅が狭くなり、より他色打ちをしやすくなる。
【００５２】
本実施例は色純度の劣化を防止するために、緑蛍光体２２の面積を大きくするのではなく、赤または青の蛍光体の内部にＢＭによる遮蔽部を形成し、赤または青の発光強度を下げることによって白色色温度を９３００Ｋに近づけるものである。図１０は本実施例の１形態であり蛍光面の構成を示す模式図である。赤、緑、青の蛍光体の回りはブラックマトリクスが形成されており、本来は黒色であるが、図面がわかりにくくなるので、白抜きとしている。赤、緑、青の各蛍光体の幅は等しく、また、赤、緑、青の各蛍光体の間のＢＭ幅も一定である。したがって、各蛍光体の間のピッチは等しい。蛍光体の間のピッチが等しければ対応する電子源１４のピッチ、ひいてはデータ信号線のピッチ等も等しい。
【００５３】
図１０において、赤蛍光体２１が形成されるＢＭホールにはストライプ状の遮蔽体であるＢＭストライプ２４１が形成されている。これは実際にはＢＭ２４と同じ物質でＢＭホールを形成時に同時に形成される。赤蛍光体２１はこのストライプ状にＢＭが形成された部分に被着される。ＢＭのホールおよびストライプは一般には次のようにして形成される。すなわち、酸化クロムとクロムをスパッタリングによってアノード基板全体に被着する。この酸化クロムとクロムの積層膜をフォトエッチングすることによって形成する。フォトエッチングで形成するので、ＢＭのホールだけを形成する場合も、ＢＭホール内にストライプを形成する場合も工程は同じである。
【００５４】
ＢＭホール内に形成されたＢＭストライプ２４１によって赤蛍光体２１から外部への発光面積は小さくなる。逆に赤蛍光体２１はＢＭホール内のＢＭストライプ２４１によって分断されるが、この分断の数は３以上である。言い換えれば、ＢＭホール内のＢＭストライプ２４１は２本以上とする必要がある。そしてＢＭホールの中央にはＢＭストライプ２４１は形成されないほうが良い。図８および図９で示したように、ＢＭホールの周辺は隣の電子ビーム１５によって他色打ちされやすい。したがって、ＢＭホールの周辺は蛍光体の発光面積が小さいほうが、他色打ちした場合の色純度の劣化は小さくて済む。一方、電子ビーム１５の密度は一定ではなく、例えば、ガウス分布をしている。そして電子ビーム１５の密度は中央でもっとも高い。したがって、ＢＭホールの中央において遮蔽物であるＢＭストライプ２４１が無ければ、明るさ低下への影響は小さくなる。ＢＭホール内のストライプをこのように配置することによって色温度の調整をしつつ、色純度の劣化を最小限におさえつつ白色色温度を９３００Ｋに近づけることが出来る。
【００５５】
図１０において、緑蛍光体２２には遮蔽物であるＢＭストライプ２４１は形成されていない。緑蛍光体２２の発光面積を他の蛍光体に比べて相対的に大きくしたいからである。青蛍光体２３には遮蔽対であるＢＭストライプ２４１が形成されている。ただし、ＢＭストライプ２４１の幅は赤蛍光体２１におけるＢＭストライプ２４１の幅よりも小さい。白色色温度を９３００Ｋに近づけるためには赤蛍光体２１の発光を最も抑え、次に青蛍光体２３の発光を抑える必要があるからである。したがって、発光面積は緑蛍光体２２が最も大きく次いで青蛍光体２３、そして、赤蛍光体２１がもっとも小さい。
【００５６】
以上のように、本実施例によれば、他色打ちによる色純度の劣化をおさえつつ、白色色温度をＮＴＳＣ標準である９３００Ｋに近づけることができる。また、赤蛍光体２１、緑蛍光体２２、青蛍光体２３の蛍光体間ピッチも一定である。蛍光体間ピッチが一定であれば、各電子源１４の間のピッチを一定にすることが出来、ひいては信号線のピッチ等も同じにすることができるので、ＦＥＤの特性確保、ＦＥＤの製造等が容易になる。
【００５７】
以上の例は赤蛍光体２１と青蛍光体２３の両方にＢＭによる遮蔽を形成した。しかし、白色色温度をかならずしも９３００Ｋとしなくとも、９３００Ｋに近づけばよいという場合もある。このような場合は、青蛍光体部分に遮蔽物は設けず、赤蛍光体２１のみに遮蔽物を設けてもよい。このことは以下に述べる本実施例の他の形態についても同様である。
【００５８】
図１１は本実施例の第２の形態であり蛍光面の構成を示す模式図である。赤、緑、青の各蛍光体の幅は等しく、また、赤、緑、青の各蛍光体の間のＢＭ幅も一定である。したがって、各蛍光体の間のピッチは等しい。図１１において、赤蛍光体２１にはストライプ状の遮蔽体であるＢＭストライプ２４１が形成されている。これは実際にはＢＭと同じ物質でＢＭホールを形成時に同時に形成される。図１０と異なるところは、ＢＭストライプ２４１が縦線ではなく、斜め線となっていることである。ＢＭストライプ２４１が斜めになっていることによって隣の電子ビーム１５が他色打ちをしたときに、その色純度への影響をスムースに変化させることが出来る。また、ＢＭホール内のＢＭストライプ２４１の数は２本以上である。
【００５９】
本実施形態における斜め方向のＢＭストライプ２４１の幅も赤蛍光体２１で大きく、青蛍光体２３において小さく、緑蛍光体２２においては斜めストライプは形成されていない。ＮＴＳＣ標準の白色色温度に合わせるためである。本実施形態における斜めのＢＭストライプ２４１の形成も実施形態１で説明したのと同様にして行うことができる。したがって、本実施形態によれば、色純度の劣化を最小限におさえつつ白色色温度をＮＴＳＣ標準の９３３０Ｋに近づけることが出来る。
【００６０】
図１２は本実施例の第３の形態であり蛍光面の構成を示す模式図である。赤、緑、青の各蛍光体の幅は等しく、また、赤、緑、青の各蛍光体の間のＢＭ幅も一定である。したがって、各蛍光体の間のピッチは等しい。図１２において、赤蛍光体２１にはストライプ状の遮蔽体であるＢＭストライプ２４１が形成されている。これは実際にはＢＭと同じ物質でＢＭホールを形成時に同時に形成される。図１０と異なるところは、ＢＭホール内のＢＭストライプ２４１が縦線ではなく、横線となっていることである。
【００６１】
他色打ちは蛍光体の縦方向ではなく横方向で生ずる。したがって、横方向からの隣の電子ビーム１５による他色打ちが問題である。本実施形態のように、ＢＭホール内のＢＭストライプ２４１が横線であれば、他色打ちが起こった場合でも、多色打ちの影響は段階的ではなく、連続的な影響とすることが出来る。本実施形態においてもＢＭホール内のＢＭストライプ２４１の数は２個以上である。そして、ＢＭホール中央部ではＢＭストライプ２４１は存在しないほうが良い。
【００６２】
本実施形態におけるＢＭホール内の横方向のＢＭストライプ２４１の幅も赤蛍光体２１で大きく、青蛍光体２３において小さく、緑蛍光体２２においてはＢＭストライプ２４１は形成されていない。ＮＴＳＣ標準の白色色温度に合わせるためである。本実施形態におけるＢＭホール内の横方向のＢＭストライプ２４１の形成も実施形態１で説明したのと同様にして行うことができる。したがって、本実施形態によれば、色純度の劣化を最小限におさえつつ白色色温度をＮＴＳＣ標準の９３００Ｋに近づけることが出来る。
【００６３】
図１３は本実施例の第４の形態であり蛍光面の構成を示す模式図である。赤、緑、青の各蛍光体の幅は等しく、また、赤、緑、青の各蛍光体の間のＢＭ幅も一定である。したがって、各蛍光体の間のピッチは等しい。図１３において、赤蛍光体２１にはモザイク状の遮蔽体が形成されている。本実施形態における遮蔽体は実施形態１から３の場合と異なり、モザイク状である。本実施形態におけるモザイク状の遮蔽体（ＢＭモザイク）もＢＭと同一物質で同一のプロセスで形成される。形成方法は実施形態１で述べたと同様であり、実施形態とはフォトマスクが異なるだけである。
【００６４】
ＢＭホール内の遮蔽体をモザイク状としたことで、隣の電子ビーム１５が他色打ちをした場合でも他色打ちの影響は段階的ではなく、連続的なものにすることが出来る。ＢＭホール中のＢＭモザイク２４２の全面積は白色色温度をどの程度にするかによって決められる。ＢＭモザイク２４２の全面積が同一であれば、各モザイクの面積を小さくしてモザイクピッチを小さくしたほうが他色打ちが生じた場合の影響を連続的にできるという点で有利である。
【００６５】
本実施形態におけるＢＭホール中のＢＭモザイク２４２の面積も赤蛍光体２１で大きく、青蛍光体２３において小さく、緑蛍光体２２においてはＢＭモザイク２４２は形成されていない。ＮＴＳＣ標準の白色色温度に合わせるためである。したがって、本実施形態によれば、色純度の劣化を最小限におさえつつ白色色温度をＮＴＳＣ標準の９３３０Ｋに近づけることが出来る。
【実施例２】
【００６６】
図１４は本発明の第２の実施例を示す蛍光面の模式図である。本実施例も色純度の劣化を防止するために、緑蛍光体２２の面積を大きくするのではなく、赤または青の蛍光体の内部にＢＭによる遮蔽部を形成し、赤または青の発光強度を下げることによって白色色温度を９３００Ｋに近づけるものである。図１４において、赤、緑、青の各蛍光体の幅は等しく、また、赤、緑、青の各蛍光体の間のＢＭ幅も一定である。したがって、各蛍光体の間のピッチは等しい。蛍光体の間のピッチが等しければ対応するカソード基板１の電子源１４のピッチ、ひいてはデータ信号線のピッチ等も等しい。
【００６７】
図１４において、赤蛍光体２１が形成されるＢＭホールにはストライプ状の遮蔽体であるＢＭストライプ２４１とモザイク状の遮蔽体であるＢＭモザイク２４２が形成されている。ＢＭホールの中央部にはＢＭモザイク２４２が形成され、ＢＭホールの周辺にはＢＭストライプ２４１が形成されている。ＢＭモザイク２４２のほうがＢＭストライプ２４１よりも透過率が大きい。すなわち、ＢＭホールの中央部のほうがＢＭホールの周辺部よりも透過率が大きい。これは次のような理由による。
【００６８】
図８および図９で示したように、ＢＭホールの周辺は隣の電子ビーム１５によって他色打ちされやすい。したがって、ＢＭホールの周辺はＢＭ透過率が小さいほうが、他色打ちした場合の色純度の劣化は小さくて済む。一方、電子ビーム１５の密度は一定ではなく、例えば、ガウス分布をしている。そして電子ビーム１５の密度は中央でもっとも高い。したがって、他色打ちがあった場合でもＢＭホールの周辺部においてＢＭ透過率が小さければ、他色打ちによる色純度の劣化は軽減することが出来る。一方、赤蛍光体２１からの発光を抑制するための遮蔽はＢＭホールのどこで行っても良い。したがって、本実施例のようにＢＭホールの周辺よりもＢＭホールの中央部でＢＭの透過率を上げることによって、多色打ちによる色純度の劣化を生ずることなく、効果的に色温度の調整を行うことが出来る。
【００６９】
図１４において、青蛍光体２３が形成されるＢＭホールにもストライプ状の遮蔽物であるＢＭストライプ２４１とモザイク状の遮蔽物であるＢＭモザイク２４２が形成されている。ＢＭモザイク２４２はＢＭホールの中央部に形成され、ＢＭストライプ２４１はＢＭホールの周辺に形成される。ＢＭホールの中心部がＢＭホールの周辺部よりも透過率が大きいことは赤蛍光体２１の場合と同じである。ただし、青蛍光体２３に対する遮蔽の率は赤蛍光体２１に対する遮蔽の率よりも小さい。すなわち、青蛍光体２３のほうが赤蛍光体２１よりも透過率が大きい。緑蛍光体２２が形成されるＢＭホールにはＢＭストライプ２４１もＢＭモザイク２４２も形成されていない。このような構成とすることによって、色純度の劣化を伴うことなく、白色色温度を９３００Ｋに近づけることが出来る。
【００７０】
本実施例においてはＢＭホールの中心にＢＭモザイク２４２を、ＢＭホールの周辺にＢＭストライプ２４１を設けた。しかし、本発明の目的を達するためにはこのような構成に限定される必要が無いことは言うまでもない。すなわち、本実施例では、ＢＭホールの周辺よりもＢＭホールの中央部において透過率を上げることが目的である。このために、たまたま、ＢＭホールの中央部にＢＭモザイク２４２、周辺部にＢＭストライプ２４１を形成したものである。ＢＭストライプ２４１のほうがＢＭモザイク２４２よりも透過率を大きくした場合はＢＭホールの中心部にＢＭストライプ２４１を配置し、周辺にＢＭモザイク２４２を配置する構成でもよい。さらには、ＢＭホールの中央部と周辺でパターンをかえずに、例えば、ＢＭストライプ２４１のみを使用して、ＢＭストライプ２４１の幅あるいはピッチをＢＭホールの中心と周辺とで変えても良い。また、ＢＭモザイク２４２をＢＭホールの中央部と周辺部に形成し、モザイクの密度をＢＭホールの中央と周辺とで変化させても良い。
【００７１】
以上は赤蛍光体用のＢＭホールと青蛍光体用のＢＭホールの双方に遮蔽物を形成する場合を説明した。所望の白色色温度によっては必ずしも赤蛍光体２１と青蛍光体２３の部分のＢＭホールに遮蔽物を設ける必要がない場合もある。この場合は赤蛍光体２１のみにＢＭ遮蔽物を形成して、青蛍光体２３と緑蛍光体２２のＢＭホールには遮蔽物と設けない場合もありうる。
【００７２】
図１５は本実施例の第２の実施形態を示す蛍光面の模式図である。図１５において、赤、緑、青の各蛍光体の幅は等しく、また、赤、緑、青の各蛍光体の間のＢＭ幅も一定である。したがって、各蛍光体の間のピッチは等しい。蛍光体の間のピッチが等しければ対応するカソード基板１の電子源１４のピッチ、ひいてはデータ信号線のピッチ等も等しくなる。
【００７３】
図１５において、赤蛍光体２１が形成されるＢＭホールにはストライプ状の遮蔽体であるＢＭストライプ２４１とモザイク状の遮蔽体であるＢＭモザイク２４２が形成されている。本実施形態においても、ＢＭホールの中心部の透過率が大きく、ＢＭホールの周辺部の透過率が小さいことは実施形態１と同じてある。そしてＢＭ遮蔽物の形成方法も実施形態１と同様である。本実施形態が実施形態１と異なるところは、ＢＭホールの周辺に形成されるＢＭストライプ２４１が横方向に形成されていることである。
【００７４】
他色打ちは蛍光体の縦方向ではなく横方向で生ずる。したがって、横方向からの隣の電子ビーム１５によれ他色打ちが問題である。本実施形態のように、ＢＭホール内のＢＭストライプ２４１が横線であれば、他色打ちが起こった場合でも、多色打ちの影響は急激に生ずるのではなく、連続的な影響とすることが出来る。
【００７５】
図１５において、青蛍光体２３のＢＭホールにも周辺にＢＭストライプ２４１、中央部にＢＭモザイク２４２が形成されている。そしてＢＭホールの中央部が周辺よりも透過率が高いことは赤蛍光体２１の場合と同じである。青蛍光体２３のＢＭホールの遮蔽率は赤蛍光体２１のＢＭホールの遮蔽率よりも小さい。逆に言えば、赤蛍光体２１のＢＭホールの透過率が青蛍光体２３のＢＭホールの透過率よりも小さい。また、緑蛍光体２２のＢＭホールには遮蔽物は設けられていない。これによって白色色温度を９３００Ｋに設定することができる。なお、色温度を正確に９３００ｋにしなくとも、９３００Ｋに近づければよい場合は、青蛍光体２３のＢＭホールへの遮蔽物の形成は行わず、赤蛍光体２１のＢＭホールのみ遮蔽物を形成してもよい。
【００７６】
以上の説明はＢＭホール周辺に横方向のＢＭストライプ２４１を形成し、ＢＭホールの中心にＢＭモザイク２４２を形成してＢＭホールの中心の透過率をＢＭホールの周辺の透過率よりも大きくした。しかし、実施形態１において述べたように、本発明の目的を達するためにはこのような構成に限定される必要が無いことは言うまでもない。すなわち、本実施例では、ＢＭホールの周辺よりもＢＭホールの中央部において透過率を上げることが目的である。このために、たまたま、ＢＭホールの中央部にＢＭモザイク２４２、周辺部にＢＭストライプ２４１を形成したものである。ＢＭストライプ２４１のほうがＢＭモザイク２４２よりも透過率を大きくした場合はＢＭホールの中心部にＢＭストライプ２４１を配置し、周辺にＢＭモザイク２４２を配置する構成でもよい。さらには、ＢＭホールの中央部と周辺でパターンをかえずに、例えば、ＢＭストライプ２４１のみを使用して、ＢＭストライプ２４１の幅あるいはピッチをＢＭホールの中心と周辺とで変えても良い。また、ＢＭモザイク２４２をＢＭホールの中央部と周辺部に形成し、モザイクの密度をＢＭホールの中央と周辺とで変化させても良い。
【００７７】
以上のように本発明によれば、色純度の劣化を抑えつつ、ＮＴＳＣ標準の白色色温度である９３００Ｋ、あるいは、所望の白色色温度を得ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の実施例１を示す平面図である。
【図２】図１の側面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図４】図１のＢ−Ｂ断面図である。
【図５】図１のＣ−Ｃ断面図である。
【図６】蛍光面の平面模式図である。
【図７】ＦＥＤの断面模式図である。
【図８】他色打ちを示す平面模式図である。
【図９】他色打ちを示す断面模式図である。
【図１０】実施例１の蛍光面の平面模式図である。
【図１１】実施例１の第２の形態の蛍光面の平面模式図である。
【図１２】実施例１の第３の形態の蛍光面の平面模式図である。
【図１３】実施例１の第４の形態の蛍光面の平面模式図である。
【図１４】実施例２の蛍光面の平面模式図である。
【図１５】実施例２の第２の形態の蛍光面の平面模式図である。
【符号の説明】
【００７９】
１・・・カソード基板、２・・・アノード基板、３・・・封着部、４・・・スペーサ、５・・・端子、６・・・排気基板、７・・・排気基板封着部、８・・・排気管、１１・・・走査線、１２・・・データ信号線、１３・・・絶縁膜、１４・・・電子源、１５・・・電子ビーム、２１・・・赤蛍光体、２２・・・緑蛍光体、２３・・・青蛍光体、２４・・・ブラックマトリクス（ＢＭ）、２５・・・メタルバック、２６・・・アノード端子、５０・・・コンタクトスプリング、６０・・・高電圧導入ボタン、８１・・・排気孔、２４１・・・ＢＭストライプ、２４２・・・ＢＭモザイク
【技術分野】
【０００１】
本発明は、内部を真空にし、背面基板に電子源をマトリクス状に配置し、前面基板に対応する蛍光体を配置したフラット型表示装置に係り、特に白色を表示したときの色温度および、白色の均一性に関する。
【背景技術】
【０００２】
高輝度、高精細に優れたディスプレイデバイスとして、従来からカラー陰極線管が広く用いられている。しかし、省スペース、軽量等の観点から平面型画像表示装置の需要が拡大している。液晶表示装置、プラズマ表示装置等は３０インチ以上の大画面としてもそれほど大きな重量にならないこと等から、ＴＶ等の大型表示装置の分野で需要が拡大している。
【０００３】
一方、２枚のガラス基板に挟まれた内部を真空にして、一方の基板上に電子源をマトリクス状に配置し、対向基板に蛍光体を配置したいわゆるフィールドエミッションディスプレイ（以後ＦＥＤという）の開発が進んでいる。ＦＥＤは電子源からの電子が蛍光体に射突して発光することによって画像を形成するもので、明るさ、コントラスト、動画特性等でブラウン管並の優れた性能を得ることが出来るので、将来のＴＶ用ディスプレイとして期待されている。
【０００４】
ＦＥＤの問題点の一つとして白色を表示したときの色温度の問題がある。ＦＥＤの蛍光面構造は、赤、緑、青の蛍光体をマトリクス状に形成し、この赤、緑、青の蛍光体の間をブラックマトリクス（ＢＭ）によって充填または遮蔽している。逆にいえば、蛍光面全面にブラックマトリクスを形成し、このブラックマトリクスのホールに赤、緑、青の蛍光体を充填、または、ブラックマトリクスパターン上にまたがって赤、緑、青の蛍光体をパターニングしている。従来技術では、この赤、緑、青の蛍光体の大きさは同一である。
【０００５】
しかし、このような蛍光面構造では、ＮＴＳＣ標準白色の色温度９３００Ｋを出すことは困難である。すなわち、赤、緑、青の蛍光体の発光効率が異なるために、色温度９３００Ｋを出そうとすると、相対的には緑色の発光が不足する。したがって、赤、緑、青の蛍光体を同一の大きさに形成すると、全体的にはマゼンタ系の白色となる。このときの色温度は例えば、４５００Ｋである。
【０００６】
この問題を対策する従来技術として、「特許文献１」があげられる。特許文献１には、所定の色バランスを得るために、赤および青の蛍光体の面積を緑の蛍光体の面積よりも小さくすることが記載されている。具体的には、赤および青の蛍光体の長径を緑の蛍光体の長径よりも小さくすること、あるいは、赤および青の蛍光体を分割して遮蔽部を設けることによって赤および青の蛍光体の面積を緑の蛍光体の面積よりも相対的に小さくすること等が記載されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−７３３８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、「特許文献１」に記載の技術では、色温度を所定の温度にするために緑の蛍光体の面積を大きくする等の必要があるために、蛍光体間のブラックマトリクスの幅が異なってくるために色純度が劣化するという問題点がある。また、「特許文献１」に記載の他の技術では例えば、赤蛍光体を中央で分割して、左右面積の等しい２個の蛍光体とし、赤蛍光体の面積を小さくすることによって色温度を合わせる技術が記載されている。しかし、この技術では電子ビーム密度の最も大きい蛍光体の中央部付近において遮蔽体であるブラックマトリクスが形成されるので、電子ビームの利用効率が下がり、表示装置の明るさとともに、色純度の劣化が問題になる。
【０００９】
以上のように、ＦＥＤにおいて従来の技術によって所定の色温度を得ようとすると色純度の劣化の問題、画面明るさの低下の問題が生ずる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、前述した従来の課題を解決するためになされたもので、赤または青の蛍光体の領域内にブラックマトリクスによる遮蔽物を形成し、明るさの低下を最低限におさえつつ色温度の調整を行うものである。具体的な手段は次のとおりである。
【００１１】
（１）電子源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、前記アノード基板にはブラックマトリクスが形成され、ブラックマトリクスの開口部には赤蛍光体、緑蛍光体、青蛍光体が並んで配置され、前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる複数のストライプが形成されていることを特徴とする表示装置。
（２）前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内の中央には前記ブラックマトリクスによるストライプが形成されていないことを特徴とする（１）に記載の表示装置。
（３）前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる複数のストライプが形成されていることを特徴とする（１）に記載の表示装置。
（４）前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率は前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率より小さいことを特徴とする（１）に記載の表示装置。
（５）前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率は前記開口部の中央部のほうが前記開口部の周辺部よりも大きいことを特徴とする（１）に記載の表示装置。
【００１２】
（６）電子源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、前記アノード基板にはブラックマトリクスが形成され、ブラックマトリクスの開口部には赤蛍光体、緑蛍光体、青蛍光体が並んで配置され、前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる遮蔽物が形成され、前記遮蔽物のパターンは前記開口部中央と前記開口部周辺とで異なっていることを特徴とする表示装置。
（７）前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクス開口部の周辺部には遮蔽物としてブラックマトリクスによる複数のストライプが形成され、前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクス開口部の中央部には遮蔽物としてブラックマトリクスによるモザイクパターンが形成されていることを特徴とする（６）に記載の表示装置。
（８）前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる遮蔽物が形成され、前記遮蔽物のパターンは前記開口部中央と前記開口部周辺とで異なり、開口部の透過率は前記開口部中央において、前記開口部周辺よりも透過率が大きいことを特徴とする（６）に記載の表示装置。
（９）前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率は前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率より小さいことを特徴とする（６）に記載の表示装置。
（１０）前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率は前記開口部中央のほうが前記開口部周辺よりも大きいことを特徴とする（６）に記載の表示装置。
【００１３】
（１１）電子源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、前記アノード基板にはブラックマトリクスが形成され、ブラックマトリクスの開口部には赤蛍光体、緑蛍光体、青蛍光体が並んで配置され、前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる遮蔽物が形成され、前記赤蛍光体用のブラックマトリクス開口部の透過率は該開口部の中央部と周辺部で等しいか、中央部が周辺部より大きいことを特徴とする表示装置。
（１２）前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる遮蔽物が形成され、前記青蛍光体用のブラックマトリクス開口部の透過率は該開口部の中央と周辺で等しいか、中央部が周辺部より大きいことを特徴とする（１１）に記載の表示装置。
（１３）前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率は前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率より小さいことを特徴とする（１１）に記載の表示装置。
（１４）前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の中央部に形成される前記遮蔽物のパターンと前記開口部の周辺部に形成される遮蔽物のバターンとは同じパターンであることを特徴とする（１１）に記載の表示装置。
【００１４】
（１５）電子源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、前記アノード基板にはブラックマトリクスが形成され、ブラックマトリクスの開口部には赤蛍光体、緑蛍光体、青蛍光体が並んで配置され、前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる複数の遮蔽物が形成されていることを特徴とする表示装置。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によって色純度を低下させることなく、また、画面輝度の明るさの低下を最低限におさえつつ所定の色温度を得ることができる。本発明の手段ごとの効果は次のとおりである。
【００１６】
手段（１）によれば、赤蛍光体のＢＭホール内に複数のストライプを形成するので、ＢＭホール内の透過率を制御して色純度を劣化させることなく白色色温度の調整をすることができる。
【００１７】
手段（２）によれば、赤蛍光体のＢＭホールの中央にはＢＭストライプが形成されていないのでＢＭホールの中央部の透過率をＢＭホールの周辺部よりも透過率を大きくすることが出来る。したがって、色純度の劣化を最小限に保ちながら、白色色温度の制御をすることが出来る。
【００１８】
手段（３）によれば、青蛍光体のＢＭホールにも複数のＢＭストライプが形成されているので、白色色温度を９３００Ｋに設定することが容易となる。
【００１９】
手段（４）によれば、赤蛍光体のＢＭホールの透過率が青蛍光体のＢＭホールの透過率よりも小さいために、白色色温度を９３００Ｋに設定することが容易となる。
【００２０】
手段（５）によれば、赤蛍光体のＢＭホールはＢＭホールの中央部では透過率が大きくＢＭホールの周辺部は透過率が小さいために色純度の劣化を最低限にとどめながら白色色温度を９３００Ｋに近づけることが出来る。
【００２１】
手段（６）によれば、赤蛍光体のＢＭホールには周辺部と中央部とで異なった遮蔽パターンが形成されるためにＢＭホールの透過率をＢＭホール中央部と周辺とで、容易に差をつけることが出来る。
【００２２】
手段（７）によれば、赤蛍光体のＢＭホールの周辺に複数のストライプを形成し、中央部にモザイクパターンを形成するので、ＢＭホールの中央と周辺とで透過率の差をつけることが容易となる。
【００２３】
手段（８）によれば、青蛍光体のＢＭホールにもホール中央とホール周辺とで遮蔽パターンを異ならせるので、ＢＭホールの中央部と周辺部とで透過率の差を容易につけることが出来る。
【００２４】
手段（９）によれば、赤蛍光体のＢＭホールの透過率は青蛍光体のＢＭホールの透過率よりも小さいので、白色色温度を９３００Ｋに設定することが容易となる。
【００２５】
手段（１０）によれば、赤蛍光体のＢＭホールの遮蔽パターンをＢＭホール中央部と周辺部とで異ならせ、赤蛍光体のＢＭホールの中央部の透過率がＢＭホールの周辺部の透過率よりも大きくするために、色純度の劣化を最低限にとどめながら、白色色温度を制御することが出来る。
【００２６】
手段（１１）によれば、赤蛍光体が形成されるＢＭホールの透過率をＢＭホールの中央部で大きく、ＢＭホールの周辺部で小さくしたので、色純度の劣化を最低限におさえつつ、白色色温度を制御することが出来る。
【００２７】
手段（１２）によれば、赤蛍光体が形成されるＢＭホールの透過率をＢＭホールの中央部で大きく、ＢＭホールの周辺部で小さくしたので、色純度の劣化を最低限におさえつつ、白色色温度を９３００Ｋに近づけることが出来る。
【００２８】
手段（１３）によれば、赤蛍光体のＢＭホールの透過率は青蛍光体のＢＭホールの透過率よりも小さいので、白色色温度を９３００Ｋに容易に近づけることが出来る。
【００２９】
手段（１４）によれば、赤蛍光体のＢＭホールには同じパターンの遮蔽物が形成されているので、ＢＭホール内の遮蔽物の形成を単純化することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の最良の形態を実施例の図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００３１】
図１は本発明の第１の実施例を示す平面図である。図１において、カソード基板１の上には封着部３を介してアノード基板２が設置されている。カソード基板上には横方向には走査線１１が、縦方向にはデータ信号線１２が延在している。走査線１１には走査線端子５１から、データ信号線１２にはデータ信号線端子５２を介して外部から信号が供給される。走査線１１とデータ信号線１２の交差部付近には電子源が配置されている。したがって、多数の電子源がマトリクス状に配列されている。電子源としては、いわゆるＭＩＭ方式、ＳＩＤ方式、Ｓｐｉｎｄｔ方式等種々のもが開発されているが、いずれの電子源も本発明に適用可能である。本実施例では電子源の例としてＭＩＭ方式の電子源を用いている。
【００３２】
カソード基板１とアノード基板２と周辺を囲む封着部３の内部は真空に保たれる。したがって、大気圧によってアノード基板２、カソード基板１が撓み、カソード基板１とアノード基板２の間隔が確保できなくなる。あるいは、カソード基板１またはアノード基板２が破壊してしまう。これを避けるために、カソード基板１とアノード基板２との間にスペーサ４が設置される。このスペーサ４はセラミックスまたはガラスで形成され、画像形成の妨げにならないように一般的には走査線上に設置される。
【００３３】
アノード基板上には電子ビーム１５の射突によって光を発する赤、緑、青の蛍光体が電子源に対応して形成されている。蛍光体の周囲にはブラックマトリクス（ＢＭ）が形成されており、画像のコントラスを向上させる。ブラックマトリクス２４を覆ってＡｌによるメタルバクが形成されている。メタルバック２５には高電圧が印加され、カソードから出射する電子ビーム１５を加速して赤蛍光体２１、緑蛍光体２２、青蛍光体２３に射突させる。
【００３４】
電子ビーム１５によって蛍光体から光を発生させるためには電子ビーム１５はある程度のエネルギーをもっていなければならないので、アノード基板２のメタルバック２５には８ＫＶから１０ＫＶの高電圧が印加される。本実施例では外部から高電圧を供給するための高電圧導入端子はカソード基板側に設けられ、コンタクトスプリングを介してアノード基板２に高電圧が供給される。図１おいて、コンタクトスプリングとアノード基板２が接触するアノード端子が表示装置のコーナー部に形成されている。表示装置の内部は真空に保たなければならないので、図１における表示装置のコーナー部に排気のための排気孔８１が形成されている。
【００３５】
図２は図１をＤ方向から見た側面図である。図２において、カソード基板１とアノード基板２は封着部３を介して所定の距離を持って対向している。カソード基板１のほうが端子５等が設置される分大きく形成されている。カソード基板１の下には、排気管８、高電圧導入ボタン６０を取り付けるための排気基板６が取り付けられている。排気基板６は排気基板封着部７を介してカソード基板１に取り付けられている。図２では排気基板６には表示装置の内部を真空にするための排気管８がチップオフされた状態で描かれている。排気管８の近くに高電圧導入ボタン６０が取り付けられている。
【００３６】
図３は図１のＡ−Ａ断面図である。図３において、データ信号線１２が紙面と垂直方向に延在している。本実施例ではこのデータ信号線１２の上に電子源１４が形成されている。絶縁膜１３を介して走査線１１がデータ信号線１２と直角方向に形成されている。図３において、走査線１１は封着部３の外部に延在している。走査線１１の上にはカソード基板１とアノード基板２との距離を保つためのスペーサ４が設置されている。スペーサ４は固着材４１によってカソード基板側では走査線上に、アノード基板側ではメタルバック２５に固着されている。このスペーサ４には１０８から１０９Ω程度の導電性が与えられ、カソードとアノードとの間にわずかに電流を流すことによってスペーサ４の帯電を防止している。
【００３７】
アノード基板側では、電子源１４に対応する場所には、赤蛍光体２１、緑蛍光体２２、青蛍光体２３が配置され、この赤蛍光体２１、緑蛍光体２２、青蛍光体２３は電子ビーム１５に射突されることによって発光し、画像が形成される。赤蛍光体２１、緑蛍光体２２、青蛍光体２３の間はＢＭ２４で充填され、画像のコントラスの向上に寄与する。ＢＭ２４は例えば、クロムおよび酸化クロムの２層構造になっている。赤蛍光体２１、緑蛍光体２２、青蛍光体２３およびＢＭ２４を覆ってＡｌによるメタルバック２５が形成されている。メタルバック２５には約８ＫＶから１０ＫＶ程度の高電圧が印加され、電子ビーム１５を加速する。加速された電子ビーム１５はメタルバック２５を突き抜けて赤蛍光体２１、緑蛍光体２２、青蛍光体２３に射突し、赤蛍光体２１、緑蛍光体２２、青蛍光体２３を発光させる。
【００３８】
表示装置の内部を真空に保つために、枠部材３１と封着材３２によってカソード基板１とアノード基板２がシールされている。カソード基板１の厚さおよびアノード基板２の厚さは３ｍｍ程度である。また、カソード基板１とアノード基板２との距離は約２．８ｍｍ程度であり、表示装置の内側は高電界となっている。
【００３９】
図４は図１のＢ‐Ｂ断面図である。図４において、カソード基板１には通孔１０が形成されており、この通孔１０を通して表示装置の排気あるいは高電圧の供給が行なわれる。カソード基板１の通孔１０を覆って排気基板６が排気基板用封着部７を介して設置され、表示装置の内部を真空に保つ。排気基板用封着部７はカソード基板１とアノード基板２の封着部３と基本的な構成は同じである。すなわち、排気基板用枠体７１が封着材３２を介してカソード基板１およびアノード基板２と封着されている。
【００４０】
高電圧導入ボタン６０が封着材３２によってカソード基板１にとりつけられ、外部と気密を保っている。この封着材３２にはフリットガラスが用いられる。高電圧導入ボタンにはＦｅ−Ｎｉ合金が用いられる。Ｆｅ−Ｎｉ合金の成分比は封着材３２と熱膨張係数を合わせるように選定される。高電圧導入ボタン６０にはコンタクトスプリング５０がスポット溶接される。コンタクトスプリング５０はインコネルによって形成されるが、インコネルはＦｅ−Ｎｉ合金と容易にスポット溶接を行うことが出来る。
【００４１】
コンタクトスプリング５０は高電圧導入ボタン６０と接続するベース部とアーム部とコンタクト部とから形成されている。コンタクトスプリング５０のアーム部が湾曲することによる曲げ応力によって、コンタクトスプリング５０のコンタクト部が適切な力によってアノード基板２に形成されたメタルバック２５に接触する。本実施例でのコンタクトスプリング５０の接触圧は約１０ｇである。コンタクトスプリング５０のコンタクト部は球面等の適切な曲面となっており、メタルバック２５と安定に接触をとれるように形成されている。コンタクトスプリング５０の材料は耐熱性等を考慮してインコネルが使用され、厚さは０．１ｍｍである。
【００４２】
アノード基板２にはコンタクトスプリング５０と接触するためのアノード端子２６が形成されている。アノード端子２６には比較的大きな電流が流れるために、信頼性が重要である。本実施例ではアノード端子２６部分の構造は次のようになっている。アノード基板上にはクロムと酸化クロムのＢＭ２４が形成され、これを覆ってＡｌによるメタルバック２５が形成されている。これは画面の有効面と同じ構成である。本実施例ではメタルバック２５の上に、アノード端子２６として導電膜が厚さ１０μｍから３０μｍで形成される。本実施例では導電膜は銀ペーストを印刷によって塗布し、その後、焼成することによって形成される。この導電膜の焼成は特別なプロセスを設ける必要は無く、例えば、スペーサ４を固着するときの焼成プロセスと同時に行なえばよい。
【００４３】
銀ペーストは直径1ミクロンから数μｍの銀粒子を粘度の高い有機溶媒に分散させたものである。焼成後、銀粒子同士がつながることによって導電性を持つことになる。導電膜はある程度の抵抗を持ったほうが良い場合もある。このような場合は通常の銀ペーストにさらにフリットガラス用のペーストを混合して抵抗を調整することができる。なお、導電膜の材料としては、銀ペーストに限る必要は無く、Ｎｉ粒子を分散させたＮｉペースト、Ａｌ粒子を分散させたＡｌペースト等を用いることもできる。また、バインダによって結合した黒鉛膜を用いることも出来る。この場合の黒鉛はグラファイトが好適である。黒鉛膜の抵抗は、例えば、黒鉛にベンガラ（酸化鉄）を混合することによって調整することができる。
【００４４】
導電膜を１０μｍから３０μｍと厚く形成することによって、コンタクトスプリング５０と導電膜の接触を安定に行なうことができる。すなわち金属膜であれば、コンタクトスプリング５０と金属膜とは点接触となり、この点接触部分に電流が集中して導電膜が破壊する危険が大きいが、本実施例のような導電膜であれば、導電膜とコンタクトスプリング５０とは金属膜の場合と比較して接触面積を大きくとることができ、面接触に近い状態となり、接触が安定する。また、本実施例のような導電膜であれば、金属に比べて抵抗が大きいため、コンタクト部に大電流が流れることを抑止することができる。この点からも接触による導通の安定性を向上することが出来る。
【００４５】
排気基板６には排気孔８１が形成され、この排気孔８１には排気管８が封着材３２としてのフリットガラスを介して設置される。排気管８を通して表示装置の内部が真空排気され、その後、排気管８はチップオフされて表示装置の内部は真空に保持される。図４は排気管８がチップオフされた状態を示している。
【００４６】
図５は図１のＣ−Ｃ断面を示す模式図である。図５において、カソード基板上には横方向にデータ信号線１２が延在している。データ信号線１２と直角に走査線１１が紙面の法線方向に延在している。走査線１１は２層構造となっている。配線抵抗を減らすためである。走査線と走査線の間のデータ信号線１２の上には電子源１４が配置されている。電子源１４はデータ信号線１２が下部電極となり、トンネル絶縁膜を介して走査線１１と電気的に接続する上部電極によって構成される。
【００４７】
アノード基板２には赤蛍光体２１、緑蛍光体２２、青蛍光体２３が形成されているが、図５においては緑蛍光体２２のみが表示されている。蛍光体と蛍光体の間はＢＭ２４によって覆われている。蛍光体およびＢＭ２４を覆ってＡｌをスパッタリングすることによって、メタルバック２５が形成される。メタルバック２５には約８ＫＶから１０ＫＶの高電圧であるアノード電圧が印加されている。このアノード電圧によって電子源１４から放出された電子ビーム１５は加速される。電子源１４から放出された電子ビーム１５はメタルバック２５を突き抜けて赤蛍光体２１、緑蛍光体２２、青蛍光体２３に射突することによってカラー画像が形成される。電子ビーム１５は電子源１４から放出されると広がるが、蛍光面上では、各蛍光体よりも若干大きくなるように設計されている。
【００４８】
アノード基板２とカソード基板１の距離を保つために、図３で説明したように、スペーサ４が設置される。スペーサ４はカソード基板上の走査線１１とアノード基板上のメタルバック２５の間に設置される。この位置であれば、スペーサ４が画像形成の妨げにならない。
【００４９】
図６は蛍光面に電子ビーム１５が射突している例であり、図７は電子源１４からの電子が蛍光面に射突する様子を示した模式図である。図６において、ブラックマトリクス２４にホールが形成されており、ホール部分に赤蛍光体２１、緑蛍光体２２、青蛍光体２３が形成されている。電子源１４から放出された電子ビーム１５は蛍光面上では楕円形状となって蛍光体に射突している。図６および図７においては楕円状の電子ビーム１５の短径は蛍光体の短径よりも大きい。図６において、赤蛍光体２１から赤蛍光体２１までのピッチは例えば、０．５１９ｍｍである。ＢＭ２４の幅は等しく０．０２４ｍｍである。一方、蛍光体の長径方向の縦ピッチは０．５１９ｍｍである。したがって３色の蛍光体を纏めた横ピッチと縦ピッチは等しく０．５１９ｍｍである。
【００５０】
図６は蛍光体と電子ビーム１５の中心が一致している例である。実際にはアノード基板２とカソード基板等の位置あわせの誤差等が存在しているために、蛍光体と電子ビーム１５の中心はずれる。電子ビーム１５の中心をと蛍光体の中心がずれた例を図８および図９に示す。図８および図９は緑蛍光体用の電子ビーム１５の中心が緑蛍光体２２の中止から赤蛍光体側にずれた例を示す。この結果緑蛍光体用の電子ビーム１５の一部が本来射突すべきでない赤蛍光体２１の他色打ち部分１５１に射突している。一方緑蛍光体２２には電子ビーム１５が射突しない欠け領域１５２が生じている。図８および図９は緑蛍光体２２の場合を例にとって説明したが、赤蛍光体２１、青蛍光体２３の場合も同様である。
【００５１】
図６に示すように、通常は赤蛍光体２１、緑蛍光体２２、青蛍光体２３とも同じ寸法である。また、各蛍光体の間のＢＭ２４の間隔も同じである。このように、各蛍光体の面積が同じ場合の色温度は４５００Ｋ程度であり、ＮＴＳＣの白色９３００Ｋよりも赤方向にシフトした白となっている。これをＮＴＳＣの白の色温度に近づけるためには緑の発光強度を強くしなければならない。緑の発光強度を強くする方法として、緑蛍光体用ＢＭのホールの面積、すなわち、緑蛍光体２２の面積を大きくする方法がある。しかし、この方法は図８および図９に示したように、他色打ち等による色純度の劣化を生ずる。ずなわち、蛍光体の面積を大きくすれば、蛍光体間のＢＭ２４の幅が狭くなり、より他色打ちをしやすくなる。
【００５２】
本実施例は色純度の劣化を防止するために、緑蛍光体２２の面積を大きくするのではなく、赤または青の蛍光体の内部にＢＭによる遮蔽部を形成し、赤または青の発光強度を下げることによって白色色温度を９３００Ｋに近づけるものである。図１０は本実施例の１形態であり蛍光面の構成を示す模式図である。赤、緑、青の蛍光体の回りはブラックマトリクスが形成されており、本来は黒色であるが、図面がわかりにくくなるので、白抜きとしている。赤、緑、青の各蛍光体の幅は等しく、また、赤、緑、青の各蛍光体の間のＢＭ幅も一定である。したがって、各蛍光体の間のピッチは等しい。蛍光体の間のピッチが等しければ対応する電子源１４のピッチ、ひいてはデータ信号線のピッチ等も等しい。
【００５３】
図１０において、赤蛍光体２１が形成されるＢＭホールにはストライプ状の遮蔽体であるＢＭストライプ２４１が形成されている。これは実際にはＢＭ２４と同じ物質でＢＭホールを形成時に同時に形成される。赤蛍光体２１はこのストライプ状にＢＭが形成された部分に被着される。ＢＭのホールおよびストライプは一般には次のようにして形成される。すなわち、酸化クロムとクロムをスパッタリングによってアノード基板全体に被着する。この酸化クロムとクロムの積層膜をフォトエッチングすることによって形成する。フォトエッチングで形成するので、ＢＭのホールだけを形成する場合も、ＢＭホール内にストライプを形成する場合も工程は同じである。
【００５４】
ＢＭホール内に形成されたＢＭストライプ２４１によって赤蛍光体２１から外部への発光面積は小さくなる。逆に赤蛍光体２１はＢＭホール内のＢＭストライプ２４１によって分断されるが、この分断の数は３以上である。言い換えれば、ＢＭホール内のＢＭストライプ２４１は２本以上とする必要がある。そしてＢＭホールの中央にはＢＭストライプ２４１は形成されないほうが良い。図８および図９で示したように、ＢＭホールの周辺は隣の電子ビーム１５によって他色打ちされやすい。したがって、ＢＭホールの周辺は蛍光体の発光面積が小さいほうが、他色打ちした場合の色純度の劣化は小さくて済む。一方、電子ビーム１５の密度は一定ではなく、例えば、ガウス分布をしている。そして電子ビーム１５の密度は中央でもっとも高い。したがって、ＢＭホールの中央において遮蔽物であるＢＭストライプ２４１が無ければ、明るさ低下への影響は小さくなる。ＢＭホール内のストライプをこのように配置することによって色温度の調整をしつつ、色純度の劣化を最小限におさえつつ白色色温度を９３００Ｋに近づけることが出来る。
【００５５】
図１０において、緑蛍光体２２には遮蔽物であるＢＭストライプ２４１は形成されていない。緑蛍光体２２の発光面積を他の蛍光体に比べて相対的に大きくしたいからである。青蛍光体２３には遮蔽対であるＢＭストライプ２４１が形成されている。ただし、ＢＭストライプ２４１の幅は赤蛍光体２１におけるＢＭストライプ２４１の幅よりも小さい。白色色温度を９３００Ｋに近づけるためには赤蛍光体２１の発光を最も抑え、次に青蛍光体２３の発光を抑える必要があるからである。したがって、発光面積は緑蛍光体２２が最も大きく次いで青蛍光体２３、そして、赤蛍光体２１がもっとも小さい。
【００５６】
以上のように、本実施例によれば、他色打ちによる色純度の劣化をおさえつつ、白色色温度をＮＴＳＣ標準である９３００Ｋに近づけることができる。また、赤蛍光体２１、緑蛍光体２２、青蛍光体２３の蛍光体間ピッチも一定である。蛍光体間ピッチが一定であれば、各電子源１４の間のピッチを一定にすることが出来、ひいては信号線のピッチ等も同じにすることができるので、ＦＥＤの特性確保、ＦＥＤの製造等が容易になる。
【００５７】
以上の例は赤蛍光体２１と青蛍光体２３の両方にＢＭによる遮蔽を形成した。しかし、白色色温度をかならずしも９３００Ｋとしなくとも、９３００Ｋに近づけばよいという場合もある。このような場合は、青蛍光体部分に遮蔽物は設けず、赤蛍光体２１のみに遮蔽物を設けてもよい。このことは以下に述べる本実施例の他の形態についても同様である。
【００５８】
図１１は本実施例の第２の形態であり蛍光面の構成を示す模式図である。赤、緑、青の各蛍光体の幅は等しく、また、赤、緑、青の各蛍光体の間のＢＭ幅も一定である。したがって、各蛍光体の間のピッチは等しい。図１１において、赤蛍光体２１にはストライプ状の遮蔽体であるＢＭストライプ２４１が形成されている。これは実際にはＢＭと同じ物質でＢＭホールを形成時に同時に形成される。図１０と異なるところは、ＢＭストライプ２４１が縦線ではなく、斜め線となっていることである。ＢＭストライプ２４１が斜めになっていることによって隣の電子ビーム１５が他色打ちをしたときに、その色純度への影響をスムースに変化させることが出来る。また、ＢＭホール内のＢＭストライプ２４１の数は２本以上である。
【００５９】
本実施形態における斜め方向のＢＭストライプ２４１の幅も赤蛍光体２１で大きく、青蛍光体２３において小さく、緑蛍光体２２においては斜めストライプは形成されていない。ＮＴＳＣ標準の白色色温度に合わせるためである。本実施形態における斜めのＢＭストライプ２４１の形成も実施形態１で説明したのと同様にして行うことができる。したがって、本実施形態によれば、色純度の劣化を最小限におさえつつ白色色温度をＮＴＳＣ標準の９３３０Ｋに近づけることが出来る。
【００６０】
図１２は本実施例の第３の形態であり蛍光面の構成を示す模式図である。赤、緑、青の各蛍光体の幅は等しく、また、赤、緑、青の各蛍光体の間のＢＭ幅も一定である。したがって、各蛍光体の間のピッチは等しい。図１２において、赤蛍光体２１にはストライプ状の遮蔽体であるＢＭストライプ２４１が形成されている。これは実際にはＢＭと同じ物質でＢＭホールを形成時に同時に形成される。図１０と異なるところは、ＢＭホール内のＢＭストライプ２４１が縦線ではなく、横線となっていることである。
【００６１】
他色打ちは蛍光体の縦方向ではなく横方向で生ずる。したがって、横方向からの隣の電子ビーム１５による他色打ちが問題である。本実施形態のように、ＢＭホール内のＢＭストライプ２４１が横線であれば、他色打ちが起こった場合でも、多色打ちの影響は段階的ではなく、連続的な影響とすることが出来る。本実施形態においてもＢＭホール内のＢＭストライプ２４１の数は２個以上である。そして、ＢＭホール中央部ではＢＭストライプ２４１は存在しないほうが良い。
【００６２】
本実施形態におけるＢＭホール内の横方向のＢＭストライプ２４１の幅も赤蛍光体２１で大きく、青蛍光体２３において小さく、緑蛍光体２２においてはＢＭストライプ２４１は形成されていない。ＮＴＳＣ標準の白色色温度に合わせるためである。本実施形態におけるＢＭホール内の横方向のＢＭストライプ２４１の形成も実施形態１で説明したのと同様にして行うことができる。したがって、本実施形態によれば、色純度の劣化を最小限におさえつつ白色色温度をＮＴＳＣ標準の９３００Ｋに近づけることが出来る。
【００６３】
図１３は本実施例の第４の形態であり蛍光面の構成を示す模式図である。赤、緑、青の各蛍光体の幅は等しく、また、赤、緑、青の各蛍光体の間のＢＭ幅も一定である。したがって、各蛍光体の間のピッチは等しい。図１３において、赤蛍光体２１にはモザイク状の遮蔽体が形成されている。本実施形態における遮蔽体は実施形態１から３の場合と異なり、モザイク状である。本実施形態におけるモザイク状の遮蔽体（ＢＭモザイク）もＢＭと同一物質で同一のプロセスで形成される。形成方法は実施形態１で述べたと同様であり、実施形態とはフォトマスクが異なるだけである。
【００６４】
ＢＭホール内の遮蔽体をモザイク状としたことで、隣の電子ビーム１５が他色打ちをした場合でも他色打ちの影響は段階的ではなく、連続的なものにすることが出来る。ＢＭホール中のＢＭモザイク２４２の全面積は白色色温度をどの程度にするかによって決められる。ＢＭモザイク２４２の全面積が同一であれば、各モザイクの面積を小さくしてモザイクピッチを小さくしたほうが他色打ちが生じた場合の影響を連続的にできるという点で有利である。
【００６５】
本実施形態におけるＢＭホール中のＢＭモザイク２４２の面積も赤蛍光体２１で大きく、青蛍光体２３において小さく、緑蛍光体２２においてはＢＭモザイク２４２は形成されていない。ＮＴＳＣ標準の白色色温度に合わせるためである。したがって、本実施形態によれば、色純度の劣化を最小限におさえつつ白色色温度をＮＴＳＣ標準の９３３０Ｋに近づけることが出来る。
【実施例２】
【００６６】
図１４は本発明の第２の実施例を示す蛍光面の模式図である。本実施例も色純度の劣化を防止するために、緑蛍光体２２の面積を大きくするのではなく、赤または青の蛍光体の内部にＢＭによる遮蔽部を形成し、赤または青の発光強度を下げることによって白色色温度を９３００Ｋに近づけるものである。図１４において、赤、緑、青の各蛍光体の幅は等しく、また、赤、緑、青の各蛍光体の間のＢＭ幅も一定である。したがって、各蛍光体の間のピッチは等しい。蛍光体の間のピッチが等しければ対応するカソード基板１の電子源１４のピッチ、ひいてはデータ信号線のピッチ等も等しい。
【００６７】
図１４において、赤蛍光体２１が形成されるＢＭホールにはストライプ状の遮蔽体であるＢＭストライプ２４１とモザイク状の遮蔽体であるＢＭモザイク２４２が形成されている。ＢＭホールの中央部にはＢＭモザイク２４２が形成され、ＢＭホールの周辺にはＢＭストライプ２４１が形成されている。ＢＭモザイク２４２のほうがＢＭストライプ２４１よりも透過率が大きい。すなわち、ＢＭホールの中央部のほうがＢＭホールの周辺部よりも透過率が大きい。これは次のような理由による。
【００６８】
図８および図９で示したように、ＢＭホールの周辺は隣の電子ビーム１５によって他色打ちされやすい。したがって、ＢＭホールの周辺はＢＭ透過率が小さいほうが、他色打ちした場合の色純度の劣化は小さくて済む。一方、電子ビーム１５の密度は一定ではなく、例えば、ガウス分布をしている。そして電子ビーム１５の密度は中央でもっとも高い。したがって、他色打ちがあった場合でもＢＭホールの周辺部においてＢＭ透過率が小さければ、他色打ちによる色純度の劣化は軽減することが出来る。一方、赤蛍光体２１からの発光を抑制するための遮蔽はＢＭホールのどこで行っても良い。したがって、本実施例のようにＢＭホールの周辺よりもＢＭホールの中央部でＢＭの透過率を上げることによって、多色打ちによる色純度の劣化を生ずることなく、効果的に色温度の調整を行うことが出来る。
【００６９】
図１４において、青蛍光体２３が形成されるＢＭホールにもストライプ状の遮蔽物であるＢＭストライプ２４１とモザイク状の遮蔽物であるＢＭモザイク２４２が形成されている。ＢＭモザイク２４２はＢＭホールの中央部に形成され、ＢＭストライプ２４１はＢＭホールの周辺に形成される。ＢＭホールの中心部がＢＭホールの周辺部よりも透過率が大きいことは赤蛍光体２１の場合と同じである。ただし、青蛍光体２３に対する遮蔽の率は赤蛍光体２１に対する遮蔽の率よりも小さい。すなわち、青蛍光体２３のほうが赤蛍光体２１よりも透過率が大きい。緑蛍光体２２が形成されるＢＭホールにはＢＭストライプ２４１もＢＭモザイク２４２も形成されていない。このような構成とすることによって、色純度の劣化を伴うことなく、白色色温度を９３００Ｋに近づけることが出来る。
【００７０】
本実施例においてはＢＭホールの中心にＢＭモザイク２４２を、ＢＭホールの周辺にＢＭストライプ２４１を設けた。しかし、本発明の目的を達するためにはこのような構成に限定される必要が無いことは言うまでもない。すなわち、本実施例では、ＢＭホールの周辺よりもＢＭホールの中央部において透過率を上げることが目的である。このために、たまたま、ＢＭホールの中央部にＢＭモザイク２４２、周辺部にＢＭストライプ２４１を形成したものである。ＢＭストライプ２４１のほうがＢＭモザイク２４２よりも透過率を大きくした場合はＢＭホールの中心部にＢＭストライプ２４１を配置し、周辺にＢＭモザイク２４２を配置する構成でもよい。さらには、ＢＭホールの中央部と周辺でパターンをかえずに、例えば、ＢＭストライプ２４１のみを使用して、ＢＭストライプ２４１の幅あるいはピッチをＢＭホールの中心と周辺とで変えても良い。また、ＢＭモザイク２４２をＢＭホールの中央部と周辺部に形成し、モザイクの密度をＢＭホールの中央と周辺とで変化させても良い。
【００７１】
以上は赤蛍光体用のＢＭホールと青蛍光体用のＢＭホールの双方に遮蔽物を形成する場合を説明した。所望の白色色温度によっては必ずしも赤蛍光体２１と青蛍光体２３の部分のＢＭホールに遮蔽物を設ける必要がない場合もある。この場合は赤蛍光体２１のみにＢＭ遮蔽物を形成して、青蛍光体２３と緑蛍光体２２のＢＭホールには遮蔽物と設けない場合もありうる。
【００７２】
図１５は本実施例の第２の実施形態を示す蛍光面の模式図である。図１５において、赤、緑、青の各蛍光体の幅は等しく、また、赤、緑、青の各蛍光体の間のＢＭ幅も一定である。したがって、各蛍光体の間のピッチは等しい。蛍光体の間のピッチが等しければ対応するカソード基板１の電子源１４のピッチ、ひいてはデータ信号線のピッチ等も等しくなる。
【００７３】
図１５において、赤蛍光体２１が形成されるＢＭホールにはストライプ状の遮蔽体であるＢＭストライプ２４１とモザイク状の遮蔽体であるＢＭモザイク２４２が形成されている。本実施形態においても、ＢＭホールの中心部の透過率が大きく、ＢＭホールの周辺部の透過率が小さいことは実施形態１と同じてある。そしてＢＭ遮蔽物の形成方法も実施形態１と同様である。本実施形態が実施形態１と異なるところは、ＢＭホールの周辺に形成されるＢＭストライプ２４１が横方向に形成されていることである。
【００７４】
他色打ちは蛍光体の縦方向ではなく横方向で生ずる。したがって、横方向からの隣の電子ビーム１５によれ他色打ちが問題である。本実施形態のように、ＢＭホール内のＢＭストライプ２４１が横線であれば、他色打ちが起こった場合でも、多色打ちの影響は急激に生ずるのではなく、連続的な影響とすることが出来る。
【００７５】
図１５において、青蛍光体２３のＢＭホールにも周辺にＢＭストライプ２４１、中央部にＢＭモザイク２４２が形成されている。そしてＢＭホールの中央部が周辺よりも透過率が高いことは赤蛍光体２１の場合と同じである。青蛍光体２３のＢＭホールの遮蔽率は赤蛍光体２１のＢＭホールの遮蔽率よりも小さい。逆に言えば、赤蛍光体２１のＢＭホールの透過率が青蛍光体２３のＢＭホールの透過率よりも小さい。また、緑蛍光体２２のＢＭホールには遮蔽物は設けられていない。これによって白色色温度を９３００Ｋに設定することができる。なお、色温度を正確に９３００ｋにしなくとも、９３００Ｋに近づければよい場合は、青蛍光体２３のＢＭホールへの遮蔽物の形成は行わず、赤蛍光体２１のＢＭホールのみ遮蔽物を形成してもよい。
【００７６】
以上の説明はＢＭホール周辺に横方向のＢＭストライプ２４１を形成し、ＢＭホールの中心にＢＭモザイク２４２を形成してＢＭホールの中心の透過率をＢＭホールの周辺の透過率よりも大きくした。しかし、実施形態１において述べたように、本発明の目的を達するためにはこのような構成に限定される必要が無いことは言うまでもない。すなわち、本実施例では、ＢＭホールの周辺よりもＢＭホールの中央部において透過率を上げることが目的である。このために、たまたま、ＢＭホールの中央部にＢＭモザイク２４２、周辺部にＢＭストライプ２４１を形成したものである。ＢＭストライプ２４１のほうがＢＭモザイク２４２よりも透過率を大きくした場合はＢＭホールの中心部にＢＭストライプ２４１を配置し、周辺にＢＭモザイク２４２を配置する構成でもよい。さらには、ＢＭホールの中央部と周辺でパターンをかえずに、例えば、ＢＭストライプ２４１のみを使用して、ＢＭストライプ２４１の幅あるいはピッチをＢＭホールの中心と周辺とで変えても良い。また、ＢＭモザイク２４２をＢＭホールの中央部と周辺部に形成し、モザイクの密度をＢＭホールの中央と周辺とで変化させても良い。
【００７７】
以上のように本発明によれば、色純度の劣化を抑えつつ、ＮＴＳＣ標準の白色色温度である９３００Ｋ、あるいは、所望の白色色温度を得ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の実施例１を示す平面図である。
【図２】図１の側面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図４】図１のＢ−Ｂ断面図である。
【図５】図１のＣ−Ｃ断面図である。
【図６】蛍光面の平面模式図である。
【図７】ＦＥＤの断面模式図である。
【図８】他色打ちを示す平面模式図である。
【図９】他色打ちを示す断面模式図である。
【図１０】実施例１の蛍光面の平面模式図である。
【図１１】実施例１の第２の形態の蛍光面の平面模式図である。
【図１２】実施例１の第３の形態の蛍光面の平面模式図である。
【図１３】実施例１の第４の形態の蛍光面の平面模式図である。
【図１４】実施例２の蛍光面の平面模式図である。
【図１５】実施例２の第２の形態の蛍光面の平面模式図である。
【符号の説明】
【００７９】
１・・・カソード基板、２・・・アノード基板、３・・・封着部、４・・・スペーサ、５・・・端子、６・・・排気基板、７・・・排気基板封着部、８・・・排気管、１１・・・走査線、１２・・・データ信号線、１３・・・絶縁膜、１４・・・電子源、１５・・・電子ビーム、２１・・・赤蛍光体、２２・・・緑蛍光体、２３・・・青蛍光体、２４・・・ブラックマトリクス（ＢＭ）、２５・・・メタルバック、２６・・・アノード端子、５０・・・コンタクトスプリング、６０・・・高電圧導入ボタン、８１・・・排気孔、２４１・・・ＢＭストライプ、２４２・・・ＢＭモザイク
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、
前記アノード基板にはブラックマトリクスが形成され、ブラックマトリクスの開口部には赤蛍光体、緑蛍光体、青蛍光体が並んで配置され、前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる複数のストライプが形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内の中央には前記ブラックマトリクスによるストライプが形成されていないことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる複数のストライプが形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率は前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率より小さいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率は前記開口部の中央部のほうが前記開口部の周辺部よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
電子源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、
前記アノード基板にはブラックマトリクスが形成され、ブラックマトリクスの開口部には赤蛍光体、緑蛍光体、青蛍光体が並んで配置され、前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる遮蔽物が形成され、前記遮蔽物のパターンは前記開口部中央と前記開口部周辺とで異なっていることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクス開口部の周辺部には遮蔽物としてブラックマトリクスによる複数のストライプが形成され、前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクス開口部の中央部には遮蔽物としてブラックマトリクスによるモザイクパターンが形成されていることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる遮蔽物が形成され、前記遮蔽物のパターンは前記開口部中央と前記開口部周辺とで異なり、開口部の透過率は前記開口部中央において前記開口部周辺よりも透過率が大きいことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率は前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率より小さいことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率は前記開口部中央のほうが前記開口部周辺よりも大きいことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項１１】
電子源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、
前記アノード基板にはブラックマトリクスが形成され、ブラックマトリクスの開口部には赤蛍光体、緑蛍光体、青蛍光体が並んで配置され、前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる遮蔽物が形成され、前記赤蛍光体用のブラックマトリクス開口部の透過率は該開口部の中央部と周辺部で等しいか、中央部が周辺部より大きいことを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる遮蔽物が形成され、前記青蛍光体用のブラックマトリクス開口部の透過率は該開口部の中央と周辺で等しいか、中央部が周辺部より大きいことを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率は前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率より小さいことを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の中央部に形成される前記遮蔽物のパターンと前記開口部の周辺部に形成される遮蔽物のバターンとは同じパターンであることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１５】
電子源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、
前記アノード基板にはブラックマトリクスが形成され、ブラックマトリクスの開口部には赤蛍光体、緑蛍光体、青蛍光体が並んで配置され、前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる複数の遮蔽物が形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１】
電子源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、
前記アノード基板にはブラックマトリクスが形成され、ブラックマトリクスの開口部には赤蛍光体、緑蛍光体、青蛍光体が並んで配置され、前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる複数のストライプが形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内の中央には前記ブラックマトリクスによるストライプが形成されていないことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる複数のストライプが形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率は前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率より小さいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率は前記開口部の中央部のほうが前記開口部の周辺部よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
電子源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、
前記アノード基板にはブラックマトリクスが形成され、ブラックマトリクスの開口部には赤蛍光体、緑蛍光体、青蛍光体が並んで配置され、前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる遮蔽物が形成され、前記遮蔽物のパターンは前記開口部中央と前記開口部周辺とで異なっていることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクス開口部の周辺部には遮蔽物としてブラックマトリクスによる複数のストライプが形成され、前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクス開口部の中央部には遮蔽物としてブラックマトリクスによるモザイクパターンが形成されていることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる遮蔽物が形成され、前記遮蔽物のパターンは前記開口部中央と前記開口部周辺とで異なり、開口部の透過率は前記開口部中央において前記開口部周辺よりも透過率が大きいことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率は前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率より小さいことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率は前記開口部中央のほうが前記開口部周辺よりも大きいことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項１１】
電子源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、
前記アノード基板にはブラックマトリクスが形成され、ブラックマトリクスの開口部には赤蛍光体、緑蛍光体、青蛍光体が並んで配置され、前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる遮蔽物が形成され、前記赤蛍光体用のブラックマトリクス開口部の透過率は該開口部の中央部と周辺部で等しいか、中央部が周辺部より大きいことを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる遮蔽物が形成され、前記青蛍光体用のブラックマトリクス開口部の透過率は該開口部の中央と周辺で等しいか、中央部が周辺部より大きいことを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率は前記青蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の透過率より小さいことを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部の中央部に形成される前記遮蔽物のパターンと前記開口部の周辺部に形成される遮蔽物のバターンとは同じパターンであることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１５】
電子源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、
前記アノード基板にはブラックマトリクスが形成され、ブラックマトリクスの開口部には赤蛍光体、緑蛍光体、青蛍光体が並んで配置され、前記赤蛍光体の形成されるブラックマトリクスの開口部内にはブラックマトリクスによる複数の遮蔽物が形成されていることを特徴とする表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２００８−２８８１４６（Ｐ２００８−２８８１４６Ａ）
【公開日】平成２０年１１月２７日（２００８．１１．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１３４２４１（Ｐ２００７−１３４２４１）
【出願日】平成１９年５月２１日（２００７．５．２１）
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社 日立ディスプレイズ (2,552)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１１月２７日（２００８．１１．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年５月２１日（２００７．５．２１）
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社 日立ディスプレイズ (2,552)
【Ｆターム（参考）】
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