説明

発光素子用材料、発光素子、発光装置、電子機器並びに照明装置

【課題】新規な発光素子用材料の提供。
【解決手段】下記一般式(G1)で表される発光素子用材料。


(ArはC6〜13の置換又は無置換のアリール基を、Ar〜ArはC6〜13の置換又は無置換のアリーレン基を、R〜RはH又は、C1〜4のアルキル基を、R11はC1〜4のアルキル基又は、C6〜13の置換又は無置換のアリール基を、R12はH又は、C1〜4のアルキル基又は、C6〜13のアリール基を表す。)

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、発光素子用材料、発光素子、発光装置、電子機器並びに照明装置に関する。
【背景技術】
【0002】
発光性の有機化合物を用いた発光素子は、有機化合物を含む層を一対の電極で挟持した構造を有している。この発光素子は薄型軽量に作製できること、直流電流を印加することで発光すること、液晶表示装置と比較して高速に応答することなどの特徴を有している。また、このような発光素子をマトリクス状に配置した発光装置、すなわちパッシブマトリクス型発光装置やアクティブマトリクス型発光装置は、従来の液晶表示装置と比較して視野角が広く視認性が優れる点に優位性がある。このような理由から、発光素子は次世代のフラットパネルディスプレイへとしての応用が期待されている。なお、この発光素子はエレクトロルミネッセンス素子、あるいはEL素子と呼ばれることもある。
【0003】
発光素子は、一対の電極間に挟まれた有機化合物を含む層に対して陰極から電子を注入し、これと同時に陽極から正孔を注入することで駆動される。陰極から注入された電子、および陽極から注入された正孔が有機化合物を含む層において再結合して分子励起子が形成され、その分子励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを放出する。このエネルギーが可視光として放出された場合、発光として認識することができる。有機化合物の励起状態には一重項励起状態と三重項励起状態が存在し、発光はどちらの励起状態からでも可能である。
【0004】
発光素子の発光波長は、基底状態と、再結合によって形成された励起状態とのエネルギー差、すなわちバンドギャップによって決定される。従って、発光を担う分子の構造を適宜選択、修飾することで、任意の発光色を得ることが可能である。そして光の三原色である赤、青、緑の発光が可能な発光素子を用いて発光装置を作製することで、フルカラー表示可能な発光装置を作製することができる。
【0005】
優れたフルカラーの発光装置を作製する為には、長寿命で発光効率が高く、且つ色純度に優れた赤、青、緑の発光素子が必要である。近年の材料開発の結果、赤色、および緑色の発光素子に関しては、良好な特性が達成されている。しかし、青色の発光素子に関しては、十分な特性を持つ発光素子は実現されていない。例えば、非特許文献1では、比較的長寿命な青色発光素子が報告されている。しかしながら、十分な発光効率と色は実現されていない。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0006】
【非特許文献1】J.シ等,アプライド・フィジックス・レターズ,Vol.80,No.17,pp.3201−3203、2002.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
上記問題に鑑み、本発明は、新規な発光素子用材料を提供することを目的とする。
【0008】
また、長寿命な発光素子を提供することを課題とする。また、発光効率の高い発光素子を提供することを課題とする。また、色純度の良い青色発光が得られる発光素子を提供することを課題とする。
【0009】
また、消費電力の低減された発光装置、電子機器および照明装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、下記一般式(G1)で表される発光素子用材料が、課題を解決できることを見出した。したがって本発明の一は、下記一般式(G1)で表される発光素子用材料である。
【0011】
【化1】

【0012】
上記一般式(G1)において、Arは炭素数6乃至13の置換又は無置換のアリール基を表す。Arが置換基を有している場合、置換基同士が互いに結合して環を形成していても良い。また、一つの炭素が2つの置換基を有している場合も、置換基同士が互いに結合して、スピロ環を形成していても良い。上記一般式(G1)において、Ar、Ar、Arは、それぞれ独立に、炭素数6乃至13の置換又は無置換のアリーレン基を表す。Ar、Ar、Arが置換基を有している場合、置換基同士が互いに結合して環を形成していても良い。また、一つの炭素が2つの置換基を有している場合も、置換基同士が互いに結合して、スピロ環を形成していても良い。上記一般式(G1)において、R乃至Rは、それぞれ独立に、水素、又は、炭素数1乃至4のアルキル基を表す。上記一般式(G1)において、R11は炭素数1乃至4のアルキル基、又は、炭素数6乃至13の置換又は無置換のアリール基を表す。R11が置換基を有するアリール基である場合、置換基同士が互いに結合して環を形成していても良い。また、一つの炭素が2つの置換基を有している場合も、置換基同士が互いに結合して、スピロ環を形成していても良い。上記一般式(G1)において、R12は水素、又は、炭素数1乃至4のアルキル基、又は、炭素数6乃至13の置換又は無置換のアリール基を表す。R12が置換基を有するアリール基である場合、置換基同士が互いに結合して環を形成していても良い。また、一つの炭素が2つの置換基を有している場合も、置換基同士が互いに結合して、スピロ環を形成していても良い。
【0013】
また、本発明の構成一は、下記一般式(G1−1)で表される発光素子用材料である。
【0014】
【化2】

【0015】
上記一般式(G1−1)において、Arは炭素数6乃至13の置換又は無置換のアリール基を表す。Arが置換基を有している場合、置換基同士が互いに結合して環を形成していても良い。また、一つの炭素が2つの置換基を有している場合も、置換基同士が互いに結合して、スピロ環を形成していても良い。上記一般式(G1−1)において、Ar、Ar、Arは、それぞれ独立に、パラ−フェニレン基、又は、ビフェニル−4,4’−ジイル基を表す。
【0016】
また、本発明の一は、上記発光素子用材料を含む発光素子である。つまり、一対の電極間に、上記発光素子用材料を含むことを特徴とする発光素子である。
【0017】
また、上記発光素子用材料は、発光効率が高いため、発光層に用いることが好ましい。よって、本発明の一は、一対の電極間に発光層を有し、発光層は上記発光素子用材料を含むことを特徴とする発光素子である。
【0018】
また、このようにして得られた本発明の発光素子は長寿命化であるため、これを発光素子として用いた発光装置(画像表示デバイスなど)も長寿命である。したがって本発明の一態様は、本発明の発光素子を用いた発光装置、電子機器及び照明装置も含むものする。
【0019】
本発明の一態様の発光装置は、上記の発光素子用材料を含む発光素子と、発光素子の発光を制御する制御回路とを有することを特徴とする。なお、本明細書中における発光装置とは、発光素子を用いた画像表示デバイスなどの発光デバイスを含む。また、発光素子にコネクター、例えば異方導電性フィルムもしくはTAB(Tape Automated Bonding)テープもしくはTCP(Tape Carrier Package)が取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にCOG(Chip On Glass)方式によりIC(集積回路)が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。さらに、照明機器等に用いられる発光装置も含むものとする。
【0020】
また、本発明の一態様の発光素子を表示部に用いた電子機器も本発明の範疇に含めるものとする。したがって、本発明の電子機器は、表示部を有し、表示部は、上述した発光素子と発光素子の発光を制御する制御回路とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【0021】
本発明の一態様の発光素子用材料は、発光効率が高い。また、本発明の発光素子用材料は、色純度の良い青色発光が可能である。また、本発明の発光素子用材料は、電気化学的に安定であり、繰り返しの酸化反応及び還元反応に対する耐性が高い。
【0022】
また、本発明の一態様の発光素子用材料を用いることにより、発光効率の高い発光素子を得ることができる。また、色純度の良い青色発光を示す発光素子を得ることができる。また、長寿命な青色発光を示す発光素子を得ることができる。
【0023】
また、本発明の一態様の発光素子用材料を用いることにより、消費電力の低減された発光装置、電子機器、及び照明装置をえることができる。
【図面の簡単な説明】
【0024】
【図1】本発明の一態様の発光素子を説明する図。
【図2】本発明の一態様の発光素子を説明する図。
【図3】本発明の一態様の発光装置を説明する図。
【図4】本発明の一態様の発光装置を説明する図。
【図5】本発明の一態様の電子機器を説明する図。
【図6】本発明の一態様の照明装置を説明する図。
【図7】本発明の一態様の照明装置を説明する図。
【図8】本発明の一態様の照明装置を説明する図。
【図9】本発明の一態様の発光素子を説明する図。
【図10】4−(1−ナフチル)−4’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)ジフェニルアミン(略称:PCBNA)の1H NMRチャートを示す図。
【図11】4−(1−ナフチル)−4’−(10−フェニル−9−アントリル)−4”−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBNAPA)の1H NMRチャートを示す図。
【図12】4−(1−ナフチル)−4’−(10−フェニル−9−アントリル)−4”−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBNAPA)のトルエン溶液の吸収スペクトルを示す図。
【図13】4−(1−ナフチル)−4’−(10−フェニル−9−アントリル)−4”−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBNAPA)のトルエン溶液の発光スペクトルを示す図。
【図14】4−(1−ナフチル)−4’−(10−フェニル−9−アントリル)−4”−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBNAPA)の薄膜の吸収スペクトルを示す図。
【図15】4−(1−ナフチル)−4’−(10−フェニル−9−アントリル)−4”−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBNAPA)の薄膜の発光スペクトルを示す図。
【図16】4−(1−ナフチル)−4’−(10−フェニル−9−アントリル)−4”−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBNAPA)のDMF溶液のCVチャートを示す図。
【図17】4−[4−(1−ナフチル)フェニル]−4’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)ジフェニルアミン(略称:PCBNBA)の1H NMRチャートを示す図。
【図18】4−[4−(1−ナフチル)フェニル]−4’−(10−フェニル−9−アントリル)−4”−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBNBAPA)の1H NMRチャートを示す図。
【図19】4−[4−(1−ナフチル)フェニル]−4’−(10−フェニル−9−アントリル)−4”−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBNBAPA)のトルエン溶液の吸収スペクトルを示す図。
【図20】4−[4−(1−ナフチル)フェニル]−4’−(10−フェニル−9−アントリル)−4”−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBNBAPA)のトルエン溶液の発光スペクトルを示す図。
【図21】4−[4−(1−ナフチル)フェニル]−4’−(10−フェニル−9−アントリル)−4”−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBNBAPA)の薄膜の吸収スペクトルを示す図。
【図22】4−[4−(1−ナフチル)フェニル]−4’−(10−フェニル−9−アントリル)−4”−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBNBAPA)の薄膜の発光スペクトルを示す図。
【図23】4−[4−(1−ナフチル)フェニル]−4’−(10−フェニル−9−アントリル)−4”−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBNBAPA)のDMF溶液のCVチャートを示す図。
【図24】実施例3で作製した発光素子の電流密度―輝度特性を示す図。
【図25】実施例3で作製した発光素子の電圧―輝度特性を示す図。
【図26】実施例3で作製した発光素子の輝度―電流効率特性を示す図。
【図27】実施例3で作製した発光素子の発光スペクトルを示す図。
【図28】実施例3で作製した発光素子の駆動試験結果を示す図。
【図29】4−(10−フェニル−9−アントリル)−4’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBAPA)の1H NMRチャートを示す図。
【図30】実施例4で作製した発光素子の電流密度―輝度特性を示す図。
【図31】実施例4で作製した発光素子の電圧―輝度特性を示す図。
【図32】実施例4で作製した発光素子の輝度―電流効率特性を示す図。
【図33】実施例4で作製した発光素子の発光スペクトルを示す図。
【図34】実施例4で作製した発光素子の駆動試験結果を示す図。
【図35】4−(6,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−イル)−4’−(1−ナフチル)−4’’−(10−フェニル−9−アントリル)トリフェニルアミン(略称:PPCBNAPA)の1H NMRチャートを示す図。
【図36】4−(6,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−イル)−4’−(1−ナフチル)−4’’−(10−フェニル−9−アントリル)トリフェニルアミン(略称:PPCBNAPA)のトルエン溶液の吸収スペクトルを示す図。
【図37】4−(6,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−イル)−4’−(1−ナフチル)−4’’−(10−フェニル−9−アントリル)トリフェニルアミン(略称:PPCBNAPA)のトルエン溶液の発光スペクトルを示す図。
【図38】4−(6,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−イル)−4’−(1−ナフチル)−4’’−(10−フェニル−9−アントリル)トリフェニルアミン(略称:PPCBNAPA)の薄膜の吸収スペクトルを示す図。
【図39】4−(6,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−イル)−4’−(1−ナフチル)−4’’−(10−フェニル−9−アントリル)トリフェニルアミン(略称:PPCBNAPA)の薄膜の発光スペクトルを示す図。
【図40】4−(6,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−イル)−4’−(1−ナフチル)−4’’−(10−フェニル−9−アントリル)トリフェニルアミン(略称:PPCBNAPA)のDMF溶液のCVチャートを示す図。
【図41】実施例6で作製した発光素子の電流密度―輝度特性を示す図。
【図42】実施例6で作製した発光素子の電圧―輝度特性を示す図。
【図43】実施例6で作製した発光素子の輝度―電流効率特性を示す図。
【図44】実施例6で作製した発光素子の発光スペクトルを示す図。
【図45】実施例6で作製した発光素子の駆動試験結果を示す図。
【発明を実施するための形態】
【0025】
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定されるものではない。
【0026】
(実施の形態1)
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子用材料について説明する。
【0027】
本実施の形態で示す発光素子用材料は、一般式(G1)で表される。
【0028】
【化3】

【0029】
上記一般式(G1)において、Arは炭素数6乃至13の置換又は無置換のアリール基を表す。Arが置換基を有している場合、置換基同士が互いに結合して環を形成していても良い。また、一つの炭素が2つの置換基を有している場合も、置換基同士が互いに結合して、スピロ環を形成していても良い。上記一般式(G1)において、Ar、Ar、Arは、それぞれ独立に、炭素数6乃至13の置換又は無置換のアリーレン基を表す。Ar、Ar、Arが置換基を有している場合、置換基同士が互いに結合して環を形成していても良い。また、一つの炭素が2つの置換基を有している場合も、置換基同士が互いに結合して、スピロ環を形成していても良い。上記一般式(G1)において、R乃至Rは、それぞれ独立に、水素、又は、炭素数1乃至4のアルキル基を表す。上記一般式(G1)において、R11は炭素数1乃至4のアルキル基、又は、炭素数6乃至13の置換又は無置換のアリール基を表す。R11が置換基を有するアリール基である場合、置換基同士が互いに結合して環を形成していても良い。また、一つの炭素が2つの置換基を有している場合も、置換基同士が互いに結合して、スピロ環を形成していても良い。上記一般式(G1)において、R12は水素、又は、炭素数1乃至4のアルキル基、又は、炭素数6乃至13の置換又は無置換のアリール基を表す。R12が置換基を有するアリール基である場合、置換基同士が互いに結合して環を形成していても良い。また、一つの炭素が2つの置換基を有している場合も、置換基同士が互いに結合して、スピロ環を形成していても良い。
【0030】
本実施の形態で示す一般式(G1)で表される発光素子用材料は、アミン骨格の末端にナフチル基を有することを特徴とする。つまり、Arに直接結合しているナフチル基を有する。アミン骨格の末端にナフチル基を導入することで、一般式(G1)で表される発光素子用材料は、効率よく発光し、又、電気化学的に安定な物質となる。
【0031】
上記一般式(G1)において、Arで表されるアリール基としては、例えば、構造式(1−1)乃至(1−20)に示す構造が挙げられる。
【0032】
【化4】

【0033】
また、上記一般式(G1)において、Ar、Ar、Arで表されるアリーレン基としては、例えば、構造式(2−1)乃至(2−11)に示す構造が挙げられる。
【0034】
【化5】

【0035】
また、上記一般式(G1)において、R乃至Rで表されるアリーレン基としては、例えば、構造式(8−1)乃至(8−8)に示す構造が挙げられる。
【0036】
【化6】

【0037】
また、上記一般式(G1)において、R11で表されるアリーレン基としては、例えば、構造式(3−1)乃至(3−28)に示す構造が挙げられる。
【0038】
【化7】

【0039】
また、上記一般式(G1)において、R12で表されるアリーレン基としては、例えば、構造式(4−0)乃至(4−28)に示す構造が挙げられる。
【0040】
【化8】

【0041】
上記一般式(G1)で表されるアントラセン誘導体において、合成の容易さの点から、Ar、Ar、Arは、パラ−フェニレン基であることが好ましい。また、パラ−フェニレン基が二つ結合したビフェニル−4,4’−ジイル基も合成の容易さの点から好ましい。つまり、一般式(G1−1)で表されるアントラセン誘導体であることが好ましい。
【0042】
【化9】

【0043】
上記一般式(G1−1)において、Arは炭素数6乃至13の置換又は無置換のアリール基を表し、Ar、Ar、Arは、それぞれ独立に、パラ−フェニレン基、又は、ビフェニル−4,4’−ジイル基を表す。
【0044】
一般式(G1)で表される発光素子用材料は、アミン骨格の末端にナフチル基を有する。そのため、一般式(G1)で表される発光素子用材料は、効率よく発光し、又、電気化学的に安定な物質となる。よって、一般式(G1)で表される発光素子用材料は、発光素子に好適である。
【0045】
また、一般式(G1)で表される発光素子用材料は、色純度のよい青色発光を示す。よって、発光素子の発光層に好適である。
【0046】
(実施の形態2)
本実施の形態では、本発明の発光素子用材料を用いた発光素子の一態様について、図1(A)を用いて以下に説明する。
【0047】
本実施の形態で示す発光素子は、一対の電極間に複数の層を有する。当該複数の層は、電極から離れた所に発光領域が形成されるように、つまり電極から離れた部位でキャリアの再結合が行われるように、キャリア注入性の高い物質やキャリア輸送性の高い物質からなる層を組み合わせて積層されたものである。
【0048】
本実施の形態において、図1(A)で表される発光素子は、第1の電極101と、第2の電極103と、第1の電極101と第2の電極103との間に設けられた有機化合物を含む層102とから構成されている。なお、本形態では第1の電極101は陽極として機能し、第2の電極103は陰極と機能するものとして、以下を説明する。つまり、第1の電極101の方が第2の電極103よりも電位が高くなるように、第1の電極101と第2の電極103に電圧を印加したときに、発光が得られるものとして、以下に説明をする。
【0049】
基板100は発光素子の支持体として用いられる。基板100としては、例えばガラス、またはプラスチックなどを用いることができる。なお、発光素子の作製工程において、発光素子に対して支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。
【0050】
第1の電極101としては、仕事関数の大きい(具体的には4.0eV以上であることが好ましい)金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ(ITO:Indium Tin Oxide)、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛(IZO:Indium Zinc Oxide)、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム(IWZO)等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作製しても構わない。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛(IZO)の膜は、酸化インジウムに対し1〜20wt%の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム(IWZO)の膜は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを0.5〜5wt%、酸化亜鉛を0.1〜1wt%含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。この他、金(Au)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、または金属の窒化物(例えば、窒化チタン)等が挙げられる。
【0051】
また、第1の電極101と接する層として、後述する複合材料を含む層を用いた場合には、第1の電極101として、仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。例えば、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、アルミニウムを含む合金(AlSi等)等を用いることができる。また、仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウム(Li)やセシウム(Cs)等のアルカリ金属、およびマグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金(MgAg、AlLi)、ユーロピウム(Eu)、イッテルビウム(Yb)等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金の膜は、真空蒸着法を用いて形成することができる。また、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金はスパッタリング法により形成することも可能である。また、銀ペーストなどをインクジェット法などにより塗布し、第1の電極101を形成することも可能である。
【0052】
有機化合物を含む層102は、層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポーラ性(電子及び正孔の輸送性の高い物質)の物質等から成る層と、本実施の形態で示す発光層とを適宜組み合わせて構成すればよい。例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等を本実施の形態で示す発光層と適宜組み合わせて有機化合物を含む層102を構成することができる。本実施の形態では、有機化合物を含む層102は、第1の電極101の上に順に積層した正孔注入層111、正孔輸送層112、発光層113、電子輸送層114を有する構成について説明する。各層を構成する材料について以下に具体的に示す。
【0053】
正孔注入層111は、正孔注入性の高い物質を含む層である。モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン(略称:HPc)や銅フタロシアニン(略称:CuPc)等のフタロシアニン系の化合物、4,4’−ビス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DPAB)、4,4’−ビス(N−{4−[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]フェニル}−N−フェニルアミノ)ビフェニル(略称:DNTPD)等の芳香族アミン化合物、或いはポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT/PSS)等の高分子等によっても正孔注入層111を形成することができる。
【0054】
また、正孔注入層111として、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることができる。なお、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させたものを用いることにより、電極の仕事関数に依らず電極を形成する材料を選ぶことができる。つまり、第1の電極101として仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料を用いることができる。アクセプター性物質としては、7,7,8,8−テトラシアノ−2,3,5,6−テトラフルオロキノジメタン(略称:F−TCNQ)、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
【0055】
複合材料に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)など、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる正孔輸送性の高い物質としては、10−6cm/Vs以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。
【0056】
例えば、複合材料に用いることのできる芳香族アミン化合物としては、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)、N,N’−ビス(4−メチルフェニル)(p−トリル)−N,N’−ジフェニル−p−フェニレンジアミン(略称:DTDPPA)、4,4’−ビス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DPAB)、4,4’−ビス(N−{4−[N,N−ビス(3−メチルフェニル)アミノ]フェニル}−N−フェニルアミノ)ビフェニル(略称:DNTPD)、1,3,5−トリス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ベンゼン(略称:DPA3B)等を挙げることができる。
【0057】
複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、3−[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA1)、3,6−ビス[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA2)、3−[N−(1−ナフチル)−N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)アミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCN1)、4,4’−ジ(N−カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)、1,3,5−トリス[4−(N−カルバゾリル)フェニル]ベンゼン(略称:TCPB)、9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)、1,4−ビス[4−(N−カルバゾリル)フェニル]−2,3,5,6−テトラフェニルベンゼン等を挙げることができる。
【0058】
また、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、2−tert−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:t−BuDNA)、2−tert−ブチル−9,10−ジ(1−ナフチル)アントラセン、9,10−ビス(3,5−ジフェニルフェニル)アントラセン(略称:DPPA)、2−tert−ブチル−9,10−ビス(4−フェニルフェニル)アントラセン(略称:t−BuDBA)、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、9,10−ジフェニルアントラセン(略称:DPAnth)、2−tert−ブチルアントラセン(略称:t−BuAnth)、9,10−ビス(4−メチル−1−ナフチル)アントラセン(略称:DMNA)、9,10−ビス[2−(1−ナフチル)フェニル]−2−tert−ブチル−アントラセン、9,10−ビス[2−(1−ナフチル)フェニル]アントラセン、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(1−ナフチル)アントラセン、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン、9,9’−ビアントリル、10,10’−ジフェニル−9,9’−ビアントリル、10,10’−ビス(2−フェニルフェニル)−9,9’−ビアントリル、10,10’−ビス[(2,3,4,5,6−ペンタフェニル)フェニル]−9,9’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11−テトラ(tert−ブチル)ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、1×10−6cm/Vs以上の正孔移動度を有し、炭素数14乃至42である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。
【0059】
なお、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、4,4’−ビス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニル(略称:DPVBi)、9,10−ビス[4−(2,2−ジフェニルビニル)フェニル]アントラセン(略称:DPVPA)等が挙げられる。
【0060】
また、正孔注入層111としては、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)を用いることができる。例えば、ポリ(N−ビニルカルバゾール)(略称:PVK)、ポリ(4−ビニルトリフェニルアミン)(略称:PVTPA)、ポリ[N−(4−{N’−[4−(4−ジフェニルアミノ)フェニル]フェニル−N’−フェニルアミノ}フェニル)メタクリルアミド](略称:PTPDMA)ポリ[N,N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)ベンジジン](略称:Poly−TPD)などの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT/PSS)、ポリアニリン/ポリ(スチレンスルホン酸)(PAni/PSS)等の酸を添加した高分子化合物を用いることができる。
【0061】
また、上述したPVK、PVTPA、PTPDMA、Poly−TPD等の高分子化合物と、上述したアクセプター性物質を用いて複合材料を形成し、正孔注入層111として用いてもよい。
【0062】
正孔輸送層112は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、例えば、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)やN,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(略称:TPD)、4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、4,4’−ビス[N−(スピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル)−N―フェニルアミノ]ビフェニル(略称:BSPB)などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に10−6cm/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【0063】
また、正孔輸送層112として、PVK、PVTPA、PTPDMA、Poly−TPDなどの高分子化合物を用いることもできる。
【0064】
発光層113は、発光性の高い物質を含む層である。本実施の形態で示す発光素子は、発光層113は実施の形態1で示した発光素子用材料で構成される。実施の形態1で示した発光素子用材料は、高い発光効率を示すため、発光性の高い物質として発光素子に好適に用いることができる。
【0065】
電子輸送層114は、電子輸送性の高い物質を含む層である。例えば、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Almq)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(略称:BeBq)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニルフェノラト)アルミニウム(略称:BAlq)など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を電子輸送層114に用いることができる。また、この他ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンズオキサゾラト]亜鉛(略称:Zn(BOX))、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(略称:Zn(BTZ))などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)や、1,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(略称:OXD−7)、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュプロイン(略称:BCP)なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に10−6cm/Vs以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【0066】
また、電子輸送層114として、高分子化合物を用いることができる。例えば、ポリ[(9,9−ジヘキシルフルオレン−2,7−ジイル)−co−(ピリジン−3,5−ジイル)](略称:PF−Py)、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−co−(2,2’−ビピリジン−6,6’−ジイル)](略称:PF−BPy)などを用いることができる。
【0067】
また、電子輸送層114と第2の電極103との間に電子注入層を設けてもよい。電子注入層としては、フッ化リチウム(LiF)、フッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF)等のようなアルカリ金属化合物、又はアルカリ土類金属化合物を用いることができる。さらに、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属が組み合わされた層も使用できる。例えばAlqからなる層中にマグネシウム(Mg)を含有させたものを用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属を組み合わせた層を用いることは、第2の電極103からの電子注入が効率良く起こるためより好ましい。
【0068】
第2の電極103を形成する物質としては、仕事関数の小さい(具体的には3.8eV以下であることが好ましい)金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウム(Li)やセシウム(Cs)等のアルカリ金属、およびマグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金(MgAg、AlLi)、ユ−ロピウム(Eu)、イッテルビウム(Yb)等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金の膜は、真空蒸着法を用いて形成することができる。また、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金はスパッタリング法により形成することも可能である。また、銀ペーストなどをインクジェット法などにより塗布して第2の電極103を形成することも可能である。
【0069】
また、第2の電極103と電子輸送層114との間に、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Al、Ag、ITO、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を第2の電極103として用いることができる。これら導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することが可能である。
【0070】
以上のような構成を有する本実施の形態で示した発光素子は、第1の電極101と第2の電極103との間に電圧を加えることにより電流が流れる。そして、発光性の高い物質を含む層である発光層113において正孔と電子とが再結合し、発光するものである。つまり発光層113に発光領域が形成されるような構成となっている。
【0071】
発光は、第1の電極101または第2の電極103のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第1の電極101または第2の電極103のいずれか一方または両方は、透光性を有する電極である。第1の電極101のみが透光性を有する電極である場合、光は第1の電極101を通って基板100側から取り出される。また、第2の電極103のみが透光性を有する電極である場合、光は第2の電極103を通って基板100と逆側から取り出される。第1の電極101および第2の電極103がいずれも透光性を有する電極である場合、光は第1の電極101および第2の電極103を通って、基板100側および基板100と逆側の両方から取り出される。
【0072】
なお、図1(A)では、陽極として機能する第1の電極101を基板100側に設けた構成について示したが、陰極として機能する第2の電極103を基板100側に設けてもよい。
【0073】
また、有機化合物を含む層102の形成方法としては、乾式法、湿式法を問わず、種々の方法を用いることができる。また各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。乾式法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。また、湿式法としては、インクジェット法またはスピンコート法などが挙げられる。
【0074】
電極についても、ゾル−ゲル法を用いて湿式法で形成しても良いし、金属材料のペーストを用いて湿式法で形成してもよい。また、スパッタリング法や真空蒸着法などの乾式法を用いて形成しても良い。
【0075】
以下、具体的な発光素子の形成方法を示す。本実施の形態で示す発光素子を表示装置に適用し、発光層を塗り分ける場合には、発光層は湿式法により形成することが好ましい。発光層をインクジェット法などの湿式法を用いて形成することにより、大型基板であっても発光層の塗り分けが容易となり、生産性が向上する。
【0076】
例えば、本実施の形態で示した構成において、第1の電極101を乾式法であるスパッタリング法、正孔注入層111を湿式法であるインクジェット法やスピンコート法、正孔輸送層112を乾式法である真空蒸着法、発光層113を湿式法であるインクジェット法、電子輸送層114を乾式法である共蒸着法、第2の電極103を湿式法であるインクジェット法やスピンコート法を用いて形成してもよい。また、第1の電極101を湿式法であるインクジェット法、正孔注入層111を乾式法である真空蒸着法、正孔輸送層112を湿式法であるインクジェット法やスピンコート法、発光層113を湿式法であるインクジェット法、電子輸送層114を湿式法であるインクジェット法やスピンコート法、第2の電極103を湿式法であるインクジェット法やスピンコート法を用いて形成してもよい。なお、上記の方法に限らず、湿式法と乾式法を適宜組み合わせればよい。
【0077】
また、例えば、第1の電極101を乾式法であるスパッタリング法、正孔注入層111および正孔輸送層112を湿式法であるインクジェット法やスピンコート法、発光層113を湿式法であるインクジェット法、電子輸送層114を乾式法である真空蒸着法、第2の電極103を乾式法である真空蒸着法で形成することができる。つまり、第1の電極101が所望の形状で形成されている基板上に、正孔注入層111から発光層113までを湿式法で形成し、電子輸送層114から第2の電極103までを乾式法で形成することができる。この方法では、正孔注入層111から発光層113までを大気圧で形成することができ、発光層113の塗り分けも容易である。また、電子輸送層114から第2の電極103までは、真空一貫で形成することができる。よって、工程を簡略化し、生産性を向上させることができる。
【0078】
また、湿式法により発光層113を成膜する場合、実施の形態1で示した発光素子用材料が溶媒に溶解した溶液状の組成物を用いる事ができる。この場合、実施の形態1で示した発光素子用材料及び溶媒からなる溶液状の組成物を発光層113が形成される領域に付着させた後、加熱処理などにより溶媒を除去して実施の形態1で示した発光素子用材料を固化させることにより、発光層113の薄膜として形成する。
【0079】
以上のような構成を有する本実施の形態で示す発光素子は、第1の電極101と第2の電極103との間に電位差を与えることにより電流が流れ、発光性の高い物質を含む層である発光層113において正孔と電子とが再結合し、発光するものである。つまり発光層113に発光領域が形成されるような構成となっている。
【0080】
なお第1の電極101と第2の電極103との間に設けられる層の構成は、上記のものには限定されない。発光領域と金属とが近接することによって生じる消光を防ぐように、第1の電極101および第2の電極103から離れた部位に正孔と電子とが再結合する発光領域を設けた構成であれば、上記以外のものでもよい。
【0081】
実施の形態1で示した発光素子用材料は発光効率が高いため、本実施の形態に示すように、他の発光性物質を含有させることなく発光層として用いることが可能である。また、実施の形態1で示した発光素子用材料は発光効率が高いため、発光効率の高い発光素子を得ることができる。
【0082】
実施の形態1で示した発光素子用材料は、色純度の良い青色発光を示すため、色純度の良い青色発光を示す発光素子を得ることができる。
【0083】
また、実施の形態1で示した発光素子用材料は、色純度がよく且つ高効率な青色発光を示すため、視感効率の高い青色発光を示す発光素子を得ることができる。
【0084】
また、実施の形態1で示した発光素子用材料は、電気化学的に安定であるため、長寿命な青色発光素子を得ることができる。
【0085】
また、実施の形態1で示した発光素子用材料を用いた発光素子は、高効率な青色発光が可能なため、フルカラーディスプレイに好適に用いることができる。さらに、長寿命な青色発光が可能であるため、フルカラーディスプレイに好適に用いることができる。特に、青色発光素子は、緑色発光素子、赤色発光素子に比べ、寿命、効率の点で開発が遅れており、良好な特性を有する青色発光素子が望まれている。実施の形態1で示した発光素子用材料を用いた発光素子は、高効率で、長寿命な青色発光が可能であり、フルカラーディスプレイに好適である。
【0086】
(実施の形態3)
本実施の形態では、実施の形態2で示した構成と異なる構成の発光素子について説明する。
【0087】
実施の形態2で示した発光層113を、実施の形態1で示した発光素子用材料を他の物質に分散させた構成とすることで、実施の形態1で示した発光素子用材料からの発光を得ることができる。実施の形態1で示した発光素子用材料は青色の発光を示すため、青色の発光を示す発光素子を得ることができる。
【0088】
ここで、実施の形態1で示した発光素子用材料を分散させる物質としては、種々の材料を用いることができ、実施の形態2で述べた正孔輸送の高い物質や電子輸送性の高い物質の他、4,4’−ビス(N−カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)や、2,2’,2”−(1,3,5−ベンゼントリイル)トリス[1−フェニル−1H−ベンゾイミダゾール](略称:TPBI)、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、2−tert−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:t−BuDNA)、9−[4−(N−カルバゾリル)]フェニル−10−フェニルアントラセン(略称:CzPA)などが挙げられる。また、実施の形態1で示した発光素子用材料を分散させる物質として高分子材料を用いることができる。例えば、ポリ(N−ビニルカルバゾール)(略称:PVK)やポリ(4−ビニルトリフェニルアミン)(略称:PVTPA)、ポリ[N−(4−{N’−[4−(4−ジフェニルアミノ)フェニル]フェニル−N’−フェニルアミノ}フェニル)メタクリルアミド](略称:PTPDMA)、ポリ[N,N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)ベンジジン](略称:Poly−TPD)などや、ポリ[(9,9−ジヘキシルフルオレン−2,7−ジイル)−co−(ピリジン−3,5−ジイル)](略称:PF−Py)、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−co−(2,2’−ビピリジン−6,6’−ジイル)](略称:PF−BPy)などを用いることができる。
【0089】
実施の形態1で示した発光素子用材料は発光効率が高いため、これを用いることにより、発光効率の高い発光素子を得ることができる。
【0090】
また、実施の形態1で示した発光素子用材料は、色純度の高い青色発光を示すため、色純度の高い青色発光を示す発光素子を得ることができる。
【0091】
また、実施の形態1で示した発光素子用材料は、効率良く発光するため、視感効率の高い青色発光が得られる発光素子を得ることができる。
【0092】
また、実施の形態1で示した発光素子用材料を用いることにより、長寿命な発光素子を得ることができる。
【0093】
また、実施の形態1で示した発光素子用材料を用いた発光素子は、高効率かつ色純度の高い青色発光が可能なため、フルカラーディスプレイに好適に用いることができる。また、長寿命の青色発光が可能であるため、フルカラーディスプレイに好適に用いることができる。
【0094】
なお、発光層113以外は、実施の形態2に示した構成を適宜用いることができる。
【0095】
(実施の形態4)
本実施の形態では、実施の形態2および実施の形態3で示した構成と異なる構成の発光素子について、図1(A)を用いて説明する。
【0096】
実施の形態2で示した発光層113を、実施の形態1で示した発光素子用材料に発光性の物質を分散させた構成とすることで、発光性の物質からの発光を得ることができる。
【0097】
実施の形態1で示した発光素子用材料を他の発光性物質を分散させる材料として用いる場合、発光性物質に起因した発光色を得ることができる。また、実施の形態1で示した発光素子用材料に起因した発光色と、実施の形態1で示した発光素子用材料中に分散されている発光性物質に起因した発光色との混色の発光色を得ることもできる。
【0098】
ここで、実施の形態1で示した発光素子用材料に分散させる発光性物質としては、種々の材料を用いることができる。具体的には、N,N’−ジフェニルキナクリドン(略称:DPQd)、クマリン6、クマリン545T、4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピラン(略称:DCM1)、4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−(ジュロリジン−4−イル−ビニル)−4H−ピラン(略称:DCM2)、N,N’−ジメチルキナクリドン(略称:DMQd)、{2−(1,1−ジメチルエチル)−6−[2−(2,3,6,7−テトラヒドロ−1,1,7,7−テトラメチル−1H,5H−ベンゾ[ij]キノリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン−4−イリデン}プロパンジニトリル(略称:DCJTB)、5,12−ジフェニルテトラセン(略称:DPT)、N,9−ジフェニル−N−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:PCAPA)、N,N’’−(2−tert−ブチルアントラセン−9,10−ジイルジ−4,1−フェニレン)ビス[N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレンジアミン](略称:DPABPA)、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(9−フェニルカルバゾール−3−イル)スチルベン−4,4’−ジアミン(略称:PCA2S)、2,5,8,11−テトラ(tert−ブチル)ペリレン(略称:TBP)、ペリレン、ルブレン、1,3,6,8−テトラフェニルピレンなどの蛍光を発光する蛍光発光性物質を用いることができる。また、(アセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス(4−フルオロフェニル)キノキサリナト]イリジウム(III)(略称:Ir(Fdpq)(acac))、2,3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−21H,23H−ポルフィリン白金(II)(略称:PtOEP)などの燐光を発光する燐光発光性物質を用いることができる。
【0099】
なお、発光層113以外は、実施の形態2に示した構成を適宜用いることができる。
【0100】
(実施の形態5)
本実施の形態では、実施の形態2乃至実施の形態4で示した構成と、異なる構成の発光素子について図1(B)を用いて説明する。
【0101】
本実施の形態で示す発光素子は、実施の形態2で示した発光素子における発光層113に第1の層121と第2の層122を設けたものである。
【0102】
発光層113は、発光性の高い物質を含む層であり、本実施の形態で示す発光素子において、発光層113は、第1の層121と第2の層122を有する。第1の層121は、第1の有機化合物と正孔輸送性の有機化合物とを有し、第2の層122は、第2の有機化合物と電子輸送性の有機化合物を有する。第1の層121は、第2の層122の第1の電極側、つまり陽極側に接して設けられている。
【0103】
第1の有機化合物および第2の有機化合物は、発光性の高い物質である。本実施の形態で示す発光素子は、第1の有機化合物または第2の有機化合物に実施の形態1で示した発光素子用材料を含む。実施の形態1で示した発光素子用材料は、色純度の高い青色発光を示すため、発光性の高い物質として本実施の形態で示す発光素子に好適に用いることができる。また、第1の有機化合物と第2の有機化合物は、同一であっても異なっていてもよい。
【0104】
第1の有機化合物または第2の有機化合物の一方に実施の形態1で示した発光素子用材料を用いた場合には、他方に、例えば、4−(9H−カルバゾール−9−イル)−4’−(10−フェニル−9−アントリル)トリフェニルアミン(略称:YGAPA)、4,4’−(2−tert−ブチルアントラセン−9,10−ジイル)ビス{N−[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]−N−フェニルアニリン}(略称:YGABPA)、N,9−ジフェニル−N−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:PCAPA)、N,N’’−(2−tert−ブチルアントラセン−9,10−ジイルジ−4,1−フェニレン)ビス[N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレンジアミン](略称:DPABPA)、N,N’−ビス[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]−N,N’−ジフェニルスチルベン−4,4’−ジアミン(略称:YGA2S)、N−[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]−N−フェニルスチルベン−4−アミン(略称:YGAS)、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(9−フェニルカルバゾール−3−イル)スチルベン−4,4’−ジアミン(略称:PCA2S)、4,4’−ビス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニル(略称:DPVBi)、2,5,8,11−テトラ(tert−ブチル)ペリレン(略称:TBP)、ペリレン、ルブレン、1,3,6,8−テトラフェニルピレンなどの青色系の発光を示す物質を用いることができる。これらの物質は、実施の形態1で示した発光素子用材料と同系色の発光を示すため、本実施の形態の発光素子に好適に用いることができる。
【0105】
また、第1の層121に含まれる正孔輸送性の有機化合物は、電子輸送性よりも正孔輸送性の方が高い物質である。また、第2の層122に含まれる電子輸送性の有機化合物は、正孔輸送性よりも電子輸送性の方が高い物質である。
【0106】
以上のような構成を有する本実施の形態で示す発光素子に関し、図1(B)を用い動作原理を説明する。
【0107】
図1(B)において、第1の電極101から注入された正孔は、正孔注入層111、正孔輸送層112を経由して、発光層113の第1の層121に注入される。第1の層121に注入された正孔は、第1の層121を経由してさらに第2の層122にも注入される。ここで、第2の層122に含まれる電子輸送性の有機化合物は正孔輸送性よりも電子輸送性の方が高い物質であるため、第2の層122に注入された正孔は移動しにくくなる。その結果、正孔は第1の層121と第2の層122の界面付近に多く存在するようになる。また、正孔が電子と再結合することなく電子輸送層114にまで達してしまう現象が抑制される。
【0108】
一方、第2の電極103から注入された電子は、電子輸送層114を経由して、発光層113の第2の層122に注入される。第2の層122に注入された電子は、第2の層122だけではなく、さらに第1の層121にも注入される。ここで、第1の層121に含まれる正孔輸送性の有機化合物は、電子輸送性よりも正孔輸送性の方が高い物質であるため、第1の層121に注入された電子は移動しにくくなる。その結果、電子が正孔と再結合することなく正孔輸送層112にまで達してしまう現象が抑制される。
【0109】
以上のことから、発光層113の第1の層121と第2の層122の界面付近の領域に正孔と電子が多く存在するようになり、その界面付近における再結合の確率が高くなる。すなわち、発光層113の中央付近に発光領域が形成される。またその結果、正孔が再結合することなく電子輸送層114に達してしまう、あるいは電子が再結合することなく正孔輸送層112に達してしまうことが抑制されるため、再結合の確率の低下を防ぐことが出来る。これにより、経時的なキャリアバランスの低下が防げるため、信頼性の向上に繋がる。
【0110】
発光層113の第1の層121に正孔および電子が注入されるようにするためには、正孔輸送性の有機化合物は酸化反応および還元反応が可能な有機化合物であり、最高被占軌道準位(HOMO準位)は−6.0eV以上−5.0eV以下であることが好ましい。また、正孔輸送性の有機化合物は最低空軌道準位(LUMO準位)は、−3.0eV以上−2.0eV以下であることが好ましい。
【0111】
このように酸化反応および還元反応が可能な有機化合物としては、3環以上6環以下のポリアセン誘導体のうち、特に、実施の形態1で示した発光素子用材料が好適であり、発光層113の第1の層121に含まれる正孔輸送性の有機化合物としては、具体的には、9,10−ジフェニルアントラセン(略称:DPAnth)、N,N−ジフェニル−9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:CzA1PA)、4−(10−フェニル−9−アントリル)トリフェニルアミン(略称:DPhPA)、N,9−ジフェニル−N−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:PCAPA)、N,9−ジフェニル−N−{4−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]フェニル}−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:PCAPBA)等が挙げられる。
【0112】
同様に、発光層113の第2の層122に正孔および電子が注入されるようにするためには、電子輸送性の有機化合物は酸化反応および還元反応が可能な有機化合物であり、HOMO準位は−6.0eV以上−5.0eV以下であることが好ましい。また、電子輸送性の有機化合物は最低空軌道準位(LUMO準位)は、−3.0eV以上−2.0eV以下であることが好ましい。
【0113】
このように酸化反応および還元反応が可能な有機化合物としては、3環以上6環以下のポリアセン誘導体が挙げられ、具体的には、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、ジベンゾ[g,p]クリセン誘導体等が挙げられる。例えば、発光層113の第2の層122に用いることのできる電子輸送性の化合物としては、9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)、3,6−ジフェニル−9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:DPCzPA)、9,10−ビス(3,5−ジフェニルフェニル)アントラセン(略称:DPPA)、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、2−tert−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:t−BuDNA)、9,9’−ビアントリル(略称:BANT)、9,9’−(スチルベン−3,3’−ジイル)ジフェナントレン(略称:DPNS)、9,9’−(スチルベン−4,4’−ジイル)ジフェナントレン(略称:DPNS2)、3,3’,3’’−(ベンゼン−1,3,5−トリイル)トリピレン(略称:TPB3)などが挙げられる。
【0114】
また、図1(B)を用いて先に説明した通り、本実施の形態で示す発光素子においては、発光層113の第1の層121から第2の層122に正孔が注入されるように素子を構成するため、正孔輸送性の有機化合物のHOMO準位と電子輸送性の有機化合物のHOMO準位との差は小さい方が好ましい。また、発光層113の第2の層122から第1の層121に電子が注入されるように素子を構成するため、正孔輸送性の有機化合物のLUMO準位と電子輸送性の有機化合物のLUMO準位との差は小さい方が好ましい。正孔輸送性の有機化合物のHOMO準位と電子輸送性の有機化合物のHOMO準位との差が大きいと、第1の層121から第2の層122へ正孔が注入されにくくなるため、発光領域が第1の層121に偏ってしまう。同様に、正孔輸送性の有機化合物のLUMO準位と電子輸送性の有機化合物のLUMO準位との差が大きい場合も、第2の層122から第1の層121へ電子が注入されにくくなるため、発光領域が第2の層122に偏ってしまう。よって、正孔輸送性の有機化合物のHOMO準位と電子輸送性の有機化合物のHOMO準位との差、及び、正孔輸送性の有機化合物のLUMO準位と電子輸送性の有機化合物のLUMO準位との差は、0.3eV以下であることが好ましい。より好ましくは、0.1eV程度である。
【0115】
また、発光素子は電子と正孔が再結合することにより発光が得られるため、発光層113に用いられる有機化合物は、酸化反応および還元反応を繰り返しても安定であることが好ましい。つまり、酸化反応および還元反応に対して可逆的であることが好ましい。特に、正孔輸送性の有機化合物および電子輸送性の有機化合物は、酸化反応および還元反応を繰り返しても安定であることが好ましい。酸化反応および還元反応を繰り返しても安定であることは、サイクリックボルタンメトリー(CV)測定によって、確認することが出来る。
【0116】
具体的には、有機化合物の酸化反応の酸化ピーク電位(Epa)の値や還元反応の還元ピーク電位(Epc)の値の変化、CV曲線の変化等を測定することにより、酸化反応および還元反応を繰り返しても安定であるかどうか確認することができる。発光層113に用いる正孔輸送性の有機化合物および電子輸送性の有機化合物は、酸化ピーク電位における電流値および還元ピーク電位における電流値の変化が、酸化反応と還元反応を繰り返してもできるだけ変化しないことが好ましい。また、酸化ピーク電位および還元ピーク電位も酸化反応と還元反応を繰り返してもできるだけ変化しないことが好ましい。
【0117】
また、発光層113の第1の層121に含まれる第1の有機化合物と、第2の層122に含まれる第2の有機化合物が異なる構成とすると、第1の層121と第2の層122のどちらか一方の層からのみ発光が得られる恐れがあるが、第1の層121に含まれる第1の有機化合物と第2の層122に含まれる第2の有機化合物とを同じ物質とすることにより、発光層113の中央付近で発光させることが可能となる。よって、第1の層121に含まれる第1の有機化合物と第2の層122に含まれる第2の有機化合物とを実施の形態1で示した発光素子用材料から選ばれた同一の有機化合物とすることが好ましい。実施の形態1で示した発光素子用材料は発光効率が高いため、本実施の形態で示す構成に適用することにより、発光効率が高く長寿命の発光素子を得ることができる。
【0118】
また、実施の形態1で示した発光素子用材料はバイポーラ性であり、正孔輸送性も有するため、本実施の形態における発光層113の第1の層121に単独で用いることができる。また、第2の層122は、実施の形態1で示した発光素子用材料を発光中心としてホスト材料に分散する構成となっているため、第2の層122の発光中心物質が、第1の層121を構成している構造となっている。この様に発光層113の第1の層121に実施の形態1で示した発光素子用材料を単独で用いる場合でも、発光層113の第1の層121が正孔輸送性を有するため、第1の層121と第2の層122の両方からの発光が得られる。つまり、実施の形態1で示した発光素子用材料のみから成る第1の層121からの発光も得られることとなる。
【0119】
以上のように第1の層121に実施の形態1で示した発光素子用材料を単独で用いた構成の発光素子では、発光効率が向上する。特に発光効率の向上と長寿命化の両方を実現できる発光素子とすることが可能である。発光効率の向上は、第2の層122で再結合に関与しなかった電子が、第1の層121において発光に関与することが一つの理由と考えられる。また、寿命の向上は、第2の層122で再結合に関与しなかった電子が第1の層121で再結合することによって、正孔輸送層112に到達する電子の数が減少し、正孔輸送層112を構成する材料の劣化を引き起こすことが抑制されたことが理由の一つであると考えられる。これらは、第1の層121が、第2の層122における発光中心物質である実施の形態1で示した発光素子用材料により構成されていることにより実現するものである。
【0120】
本実施の形態で示す発光素子は、発光層113と正孔輸送層112との界面または発光層113と電子輸送層114との界面に発光領域が形成されているのではなく、発光層113の中央付近に発光領域が形成されている。よって、正孔輸送層112や電子輸送層114に発光領域が近接することによる劣化の影響を受けることがない。したがって、劣化が少なく、寿命の長い発光素子を得ることができる。また、本実施の形態で示す発光素子の発光層113は、酸化反応および還元反応を繰り返しても安定な化合物で形成されているため、正孔と電子の再結合による発光を繰り返しても劣化しにくい。よって、より長寿命な発光素子を得ることができる。
【0121】
また、本実施の形態で示す発光素子は、発光層113の第1の層121に含まれる有機化合物の発光色と、第2の層122に含まれる有機化合物の発光色は同系色の発光色であるため、第1の層121に含まれる有機化合物だけでなく、第2の層122に含まれる有機化合物が発光しても、色純度の高い発光を得ることができる。また、実施の形態1で示した発光素子用材料は、青色の発光を示す発光性の高い物質でるため、本実施の形態で示す素子構造は、青色系の発光素子および青緑色系の発光素子に対して特に有効である。青色は、フルカラーディスプレイを作製する際には必要な色であり、本発明を適用することにより劣化を改善することができる。無論、緑や赤の発光素子に用いてもよい。また、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることも可能である。
【0122】
また、本実施の形態で示す発光素子では、発光層113の第1の層121及び、第2の層122の構成は、実施の形態1で示した発光素子用材料をホスト材料に分散させた構成でもよいし、実施の形態1で示した発光素子用材料をホスト材料に分散することなく、単独で用いた構成にしても良い。
【0123】
(実施の形態6)
本実施の形態は、本発明に係る複数の発光ユニットを積層した構成の発光素子(以下、積層型素子という)の態様について、図2を参照して説明する。この発光素子は、第1の電極と第2の電極との間に、複数の発光ユニットを有する発光素子である。発光ユニットとしては、実施の形態2で示した有機化合物を含む層102と同様な構成を用いることができる。つまり、実施の形態2で示した発光素子は、1つの発光ユニットを有する発光素子であり、本実施の形態では、複数の発光ユニットを有する発光素子について説明する。
【0124】
図2において、第1の電極501と第2の電極502との間には、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512が、電荷発生層513を介して積層されている。第1の電極501と第2の電極502は実施の形態2と同様なものを適用することができる。また、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512は同じ構成であっても異なる構成であってもよく、その構成は実施の形態2乃至実施の形態5に記載の有機化合物を含む層と同様なものを適用することができる。
【0125】
電荷発生層513には、有機化合物と金属酸化物の複合材料が含まれている。この有機化合物と金属酸化物の複合材料は、実施の形態2で示した複合材料であり、有機化合物とバナジウム酸化物やモリブデン酸化物やタングステン酸化物等の金属酸化物を含む。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)など、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔移動度が10−6cm/Vs以上である正孔輸送性有機化合物を適用することが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。有機化合物と金属酸化物の複合材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実現することができる。
【0126】
なお、電荷発生層513は、有機化合物と金属酸化物の複合材料と他の材料とを組み合わせて形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子供与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合わせて形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導電膜とを組み合わせて形成してもよい。
【0127】
いずれにしても、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512に挟まれる電荷発生層513は、第1の電極501と第2の電極502に電圧を印加したときに、一方の発光ユニットに電子を注入し、他方の発光ユニットに正孔を注入するものであれば良い。例えば、図2において、第1の電極501の電位の方が第2の電極502の電位よりも高くなるように電圧を印加した場合、電荷発生層513は、第1の発光ユニット511に電子を注入し、第2の発光ユニット512に正孔を注入するものであればよい。
【0128】
本実施の形態では、2つの発光ユニットを有する発光素子について説明したが、3つ以上の発光ユニットを電荷発生層を介して積層した発光素子についても、同様に適用することが可能である。本実施の形態に係る発光素子のように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で仕切って配置することで、低い電流密度で高輝度の発光が可能な長寿命素子を実現できる。また、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光装置を実現することができる。
【0129】
また、それぞれの発光ユニットの発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、2つの発光ユニットを有する発光素子において、第1の発光ユニットの発光色と第2の発光ユニットの発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり。補色の関係にある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、3つの発光ユニットを有する発光素子の場合でも同様であり、例えば、第1の発光ユニットの発光色が赤色であり、第2の発光ユニットの発光色が緑色であり、第3の発光ユニットの発光色が青色である場合、発光素子全体としては、白色発光を得ることができる。
【0130】
なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。
【0131】
(実施の形態7)
本実施の形態では、実施の形態1で示した発光素子用材料を用いて作製された発光装置について説明する。
【0132】
本実施の形態では、実施の形態1で示した発光素子用材料を用いて作製された発光装置について図3を用いて説明する。なお、図3(A)は、発光装置を示す上面図、図3(B)は図3(A)をA−A’およびB−B’で切断した断面図である。この発光装置は、画素部602に設置された発光素子の発光を制御するものとして、点線で示された駆動回路部(ソース側駆動回路)601と駆動回路部(ゲート側駆動回路)603を含んでいる。また、604は封止基板、605はシール材であり、シール材605で囲まれた内側は、空間607になっている。
【0133】
なお、引き回し配線608はソース側駆動回路601及びゲート側駆動回路603に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPC(フレキシブルプリントサーキット)609からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント配線基板(PWB)が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含むものとする。
【0134】
次に、断面構造について図3(B)を用いて説明する。素子基板610上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路601と、画素部602中の一つの画素が示されている。
【0135】
なお、ソース側駆動回路601はnチャネル型TFT623とpチャネル型TFT624とを組み合わせたCMOS回路が形成される。また、駆動回路は、種々のCMOS回路、PMOS回路もしくはNMOS回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、素子基板610上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を素子基板610上ではなく外部に形成することもできる。
【0136】
また、画素部602はスイッチング用TFT611と、電流制御用TFT612とそのドレインに電気的に接続された第1の電極613とを含む複数の画素により形成される。なお、第1の電極613の端部を覆って絶縁物614が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂を用いることにより形成する。
【0137】
また、被覆性を良好なものとするため、絶縁物614の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物614の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物614の上端部のみに曲率半径(0.2μm〜3μm)を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物614として、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。
【0138】
第1の電極613上には、有機化合物を含む層(EL層)616、および第2の電極617がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第1の電極613に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ITO膜、または珪素を含有したインジウム錫酸化物膜、2〜20wt%の酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Zn膜、Pt膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との3層構造等の積層膜を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。
【0139】
また、EL層616は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート法等の種々の方法によって形成される。EL層616は、実施の形態1で示した発光素子用材料を含んでいる。また、EL層616を構成する他の材料としては、低分子化合物、または高分子化合物(オリゴマー、デンドリマーを含む)であっても良い。また、EL層616に用いる材料としては、有機化合物だけでなく、無機化合物を用いてもよい。
【0140】
さらに、EL層616上に形成され、陰極として機能する第2の電極617に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料(Al、Mg、Li、Ca、またはこれらの合金や化合物、Mg−Ag、Mg−In、Al−Li、LiF、CaF等)を用いることが好ましい。なお、EL層616で生じた光が第2の電極617を透過させる場合には、第2の電極617として、金属薄膜と、透明導電膜(ITO、2〜20wt%の酸化亜鉛を含む酸化インジウム、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化亜鉛等)との積層を用いるのが良い。
【0141】
さらにシール材605で封止基板604を素子基板610と貼り合わせることにより、素子基板610、封止基板604、およびシール材605で囲まれた空間607に発光素子618が備えられた構造になっている。なお、空間607には、充填材が充填されており、不活性気体(窒素やアルゴン等)が充填される場合の他、シール材605で充填される場合もある。
【0142】
なお、シール材605にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板604に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、FRP(Fiberglass−Reinforced Plastics)、PVF(ポリビニルフロライド)、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【0143】
以上のようにして、実施の形態1で示した発光素子用材料を用いて作製された発光装置を得ることができる。
【0144】
本実施の形態で示す発光装置は、実施の形態1で示した発光素子用材料を用いているため、良好な特性を備えた発光装置を得ることができる。具体的には、寿命の長い発光装置を得ることができる。
【0145】
また、実施の形態1で示した発光素子用材料を用いた発光素子は、発光効率が高いため、低消費電力の発光装置を得ることができる。
【0146】
また、実施の形態1で示した発光素子用材料を用いた発光素子は、高効率で色純度の高い青色発光が可能なため、フルカラーディスプレイに好適に用いることができる。また、消費電力が低く、長寿命の青色発光が可能であるため、フルカラーディスプレイに好適に用いることができる。
【0147】
以上のように、本実施の形態では、トランジスタによって発光素子の駆動を制御するアクティブマトリクス型の発光装置について説明したが、この他、パッシブマトリクス型の発光装置であってもよい。図4には本発明を適用して作製したパッシブマトリクス型の発光装置を示す。なお、図4(A)は、発光装置を示す斜視図、図4(B)は図4(A)をX−Yで切断した断面図である。図4において、基板951上には、電極952と電極956との間には有機化合物を含む層(EL層)955が設けられている。電極952の端部は絶縁層953で覆われている。そして、絶縁層953上には隔壁層954が設けられている。隔壁層954の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層954の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺(絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953と接する辺)の方が上辺(絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953と接しない辺)よりも短い。このように、隔壁層954を設けることで、クロストーク等に起因した発光素子の不良を防ぐことが出来る。パッシブマトリクス型の発光装置においても、実施の形態1で示した発光素子用材料を含むことによって、寿命の長い発光装置を得ることができる。また、低消費電力の発光装置を得ることができる。
【0148】
(実施の形態8)
本実施の形態では、実施の形態7に示す発光装置をその一部に含む本発明の電子機器について説明する。本実施の形態で示す電子機器は、実施の形態1に示した発光素子用材料を含み、長寿命の表示部を有する。また、消費電力の低減された表示部を有する。
【0149】
実施の形態1に示した発光素子用材料を用いて作製された発光素子を有する電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、オーディオコンポ等)、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDigital Versatile Disc(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置)などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図5に示す。
【0150】
図5(A)は本発明に係るテレビ装置であり、筐体9101、支持台9102、表示部9103、スピーカー部9104、ビデオ入力端子9105等を含む。このテレビ装置において、表示部9103は、実施の形態2乃至実施の形態6で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率が高く、長寿命であるという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部9103も同様の特徴を有するため、このテレビ装置は画質の劣化が少なく、低消費電力化が図られている。このような特徴により、テレビ装置において、劣化補償機能回路や電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、筐体9101や支持台9102の小型軽量化を図ることが可能である。本発明に係るテレビ装置は、低消費電力、高画質及び小型軽量化が図られているので、それにより住環境に適合した製品を提供することができる。また、実施の形態1で示した発光素子用材料を用いた発光素子は、色純度の高い青色発光が可能であるため、フルカラー表示可能であり、長寿命な表示部を有するテレビ装置を得ることができる。
【0151】
図5(B)は本発明に係るコンピュータであり、本体9201、筐体9202、表示部9203、キーボード9204、外部接続ポート9205、ポインティングデバイス9206等を含む。このコンピュータにおいて、表示部9203は、実施の形態2乃至実施の形態6で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率が高く、長寿命であるという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部9203も同様の特徴を有するため、このコンピュータは画質の劣化が少なく、低消費電力化が図られている。このような特徴により、コンピュータにおいて、劣化補償機能回路や電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、本体9201や筐体9202の小型軽量化を図ることが可能である。本発明に係るコンピュータは、低消費電力、高画質及び小型軽量化が図られているので、環境に適合した製品を提供することができる。また、実施の形態1で示した発光素子用材料を用いた発光素子は、色純度の高い青色発光が可能であるため、フルカラー表示可能であり、長寿命な表示部を有するコンピュータを得ることができる。
【0152】
図5(C)は本発明に係る携帯電話であり、本体9401、筐体9402、表示部9403、音声入力部9404、音声出力部9405、操作キー9406、外部接続ポート9407、アンテナ9408等を含む。この携帯電話において、表示部9403は、実施の形態2乃至実施の形態6で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率が高く、長寿命であるという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部9403も同様の特徴を有するため、この携帯電話は画質の劣化が少なく、低消費電力化が図られている。このような特徴により、携帯電話において、劣化補償機能回路や電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、本体9401や筐体9402の小型軽量化を図ることが可能である。本発明に係る携帯電話は、低消費電力、高画質及び小型軽量化が図られているので、携帯に適した製品を提供することができる。また、実施の形態1で示した発光素子用材料を用いた発光素子は、色純度の高い青色発光が可能であるため、フルカラー表示可能であり、長寿命な表示部を有する携帯電話を得ることができる。
【0153】
図5(D)は本発明に係るカメラであり、本体9501、表示部9502、筐体9503、外部接続ポート9504、リモコン受信部9505、受像部9506、バッテリー9507、音声入力部9508、操作キー9509、接眼部9510等を含む。このカメラにおいて、表示部9502は、実施の形態2乃至実施の形態6で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率が高く、長寿命であるという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部9502も同様の特徴を有するため、このカメラは画質の劣化が少なく、低消費電力化が図られている。このような特徴により、カメラにおいて、劣化補償機能回路や電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、本体9501の小型軽量化を図ることが可能である。本発明に係るカメラは、低消費電力、高画質及び小型軽量化が図られているので、携帯に適した製品を提供することができる。また、実施の形態1で示した発光素子用材料を用いた発光素子は、色純度の高い青色発光が可能であるため、フルカラー表示可能であり、長寿命な表示部を有するカメラを得ることができる。
【0154】
以上の様に、本発明を適用した発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。実施の形態1で示した発光素子用材料を用いることにより、寿命の長い表示部を有する電子機器を提供することが可能となる。また、実施の形態1で示した発光素子用材料を用いることにより、低消費電力の表示部を有する電子機器を得ることができる。
【0155】
また、本発明を適用した発光装置は、照明装置として用いることもできる。本発明を適用した発光素子を照明装置として用いる一態様を、図6を用いて説明する。
【0156】
図6は、本発明を適用した発光装置をバックライトとして用いた液晶表示装置の一例である。図6に示した液晶表示装置は、筐体901、液晶層902、バックライト903、筐体904を有し、液晶層902は、ドライバIC905と接続されている。また、バックライト903は、本発明を適用した発光装置が用いられおり、端子906により、電流が供給されている。
【0157】
本発明を適用した発光装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることにより、発光効率が高く、消費電力の低減されたバックライトが得られる。また、本発明を適用した発光装置は、面発光の照明装置であり大面積化も可能であるため、バックライトの大面積化が可能であり、液晶表示装置の大面積化も可能になる。さらに、本発明を適用した発光装置は薄型で低消費電力であるため、表示装置の薄型化、低消費電力化も可能となる。また、本発明を適用した発光装置は長寿命であるため、本発明を適用した発光装置を用いた液晶表示装置も長寿命である。
【0158】
図7は、本発明を適用した発光装置を、照明装置である電気スタンドとして用いた例である。図7に示す電気スタンドは、筐体2001と、光源2002を有し、光源2002として、本発明を適用した発光装置が用いられている。本発明を適用した発光装置は、発光効率が高く、長寿命であるため、電気スタンドも発光効率が高く、長寿命である。
【0159】
図8は、本発明を適用した発光装置を、室内の照明装置3001として用いた例である。本発明を適用した発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、本発明を適用した発光装置は、薄型で低消費電力であるため、薄型化、低消費電力化の照明装置として用いることが可能となる。このように、本発明を適用した発光装置を、室内の照明装置3001として用いた部屋に、図5(A)で説明したような、本発明に係るテレビ装置3002を設置して公共放送や映画を鑑賞することができる。このような場合、両装置は低消費電力であるので、電気料金を心配せずに、明るい部屋で迫力のある映像を鑑賞することができる。
【実施例1】
【0160】
本実施例では、本発明の一態様の発光素子用材料である4−(1−ナフチル)−4’−(10−フェニル−9−アントリル)−4”−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBNAPA)の合成方法を具体的に説明する。
【0161】
【化10】

【0162】
[ステップ1:9−フェニルアントラセンの合成]
【0163】
200mL三口フラスコに、9−ブロモアントラセン6.4g(25mmol)、フェニルボロン酸3.0g(25mmol)、トリ(オルト−トリル)ホスフィン0.76g(2.5mmol)、1,2−ジメトキシエタン(DME)60mL、2.0M炭酸カリウム水溶液25mLを加えた。この混合物を減圧下で攪拌することで脱気し、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に、酢酸パラジウム(II)0.11g(0.50mmol)を加えた。この混合物を、窒素気流下、80℃で3時間攪拌した。所定時間後、この混合物に水を加え、有機層と水層を分離し、水層をさらにトルエンで抽出した。得られた抽出溶液と有機層とを合わせ、飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を、セライト(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531−16855)、フロリジール(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540−00135)、アルミナを通して吸引濾過し、得られた濾液を濃縮して固体を得た。この固体をトルエンとメタノールの混合溶媒で再結晶した所、目的物の白色粉末を収量5.8g、収率92%で得た。9−フェニルアントラセンの合成スキームを下記(A−1)に示す。
【0164】
【化11】

【0165】
[ステップ2:9−ヨード−10−フェニルアントラセンの合成]
【0166】
4.5g(18mmol)の9−フェニルアントラセンを500mLエーレンマイヤーフラスコへ入れた。このフラスコへ200mLの酢酸を加えて、70℃に加熱して9−フェニルアントラセンを溶かした。この溶液へ、5.2g(13mmol)の1,3−ジヨード−5,5−ジメチルイミダゾリジン−2,4−ジオン(DIH)を加えた。この溶液を70℃、空気下で3時間攪拌した。反応後、この溶液へ約100mLの水と約200mLのクロロホルムを加えた。この混合物を、水で2回洗浄し、有機層を分離し、水層をクロロホルムで抽出した。抽出溶液と有機層を合わせて、飽和食塩水で洗浄した後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を自然ろ過し、得られたろ液を濃縮したところ、褐色固体を得た。この固体をヘキサンで洗浄したところ、目的物の黄色固体を5.8g、収率86%で得た。合成スキームを(A−2)に示す。
【化12】

【0167】
[ステップ3:9−(4−ブロモフェニル)−10−フェニルアントラセンの合成]
【0168】
9−ヨード−10−フェニルアントラセン1.0g(2.6mmol)、p−ブロモフェニルボロン酸540mg(2.7mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(Pd(PPh)46mg(30μmol)、3.0mLの炭酸カリウム水溶液(2.0mol/L)、トルエン10mLの混合物を80℃、9時間撹拌した。反応後、この混合物へトルエンを加えてからフロリジール(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540−00135)、セライト(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531−16855)、アルミナを通してろ過をした。得られたろ液を水、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を自然ろ過し、ろ液を濃縮し、得られた固体をクロロホルムとヘキサンの混合溶媒により再結晶したところ目的物の淡褐色固体を560mg、収率45%で得た。9−(4−ブロモフェニル)−10−フェニルアントラセンの合成スキームを(A−3)に示す。
【0169】
【化13】


[ステップ4:3−(4−ブロモフェニル)−9−フェニル−9H−カルバゾールの合成]
【0170】
3−ヨード−9−フェニル−9H−カルバゾールを3.7g(9.9mmol)、4−ブロモフェニルボロン酸を2.0g(9.9mmol)、トリ(オルト−トリル)ホスフィンを0.61g(2.0mmol)、200mLの三口フラスコへ入れ、この混合物へ、50mLの1,2−ジメトキシエタン(略称:DME)と、10mLの炭酸カリウム水溶液(2.0mol/L)を加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気し、脱気後、フラスコ内の雰囲気を窒素置換した。この混合物へ、0.11g(0.50mmol)の酢酸パラジウム(II)を加えた。この混合物を、80℃で9.5時間攪拌した。反応後、この混合物を室温まで冷ました後、水で2回洗浄した。有機層を分離し、得られた水層をトルエンで2回抽出し、抽出液と有機層を合わせて、飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、この混合物を自然ろ過してから、ろ液を濃縮した。得られた油状物を約20mLのトルエンに溶かし、この溶液をセライト(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531−16855)、アルミナ、フロリジール(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540−00135)を通して吸引ろ過した。得られたろ液を濃縮して得た固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒 トルエン:ヘキサン=1:4)により精製したところ、目的物の白色粉末状固体を1.9g、収率49%で得た。3−(4−ブロモフェニル)−9−フェニル−9H−カルバゾールの合成スキームを下記反応式(A−4)に示す。
【0171】
【化14】

【0172】
[ステップ5:4−(1−ナフチル)アニリンの合成法]
【0173】
4−ブロモアニリン5.0g(29mmol)、1−ナフチルボロン酸5.0g(29mmol)、トリ(オルト−トリル)ホスフィン0.45g(1.5mmol)を500mL三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にトルエン100mL、エタノール50mL、炭酸カリウム水溶液(2mol/L)31mLを加えた。フラスコ内を減圧しながら攪拌して脱気し、脱気後、混合物を60℃にした後、酢酸パラジウム(II)66.2mg(0.29mmol)を加えた。この混合物を80℃で2.3時間還流した。反応後、この混合物にトルエンと水を加え、有機層と水層を分離し、水層をトルエンで2回抽出した。この抽出溶液と有機層を合わせて飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を自然ろ過して硫酸マグネシウムを除去し、ろ液を濃縮し油状物を得た。この油状物をフロリジール(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540−00135)、セライト(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531−16855)、アルミナを通して吸引ろ過し、ろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、目的物の油状物を2.5g、収率40%で得た。4−(1−ナフチル)アニリンの合成スキームを(A−5)に示す。
【0174】
【化15】

【0175】
[ステップ6:4−(1−ナフチル)−4’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)ジフェニルアミン(略称:PCBNA)の合成]
【0176】
3−(4−ブロモフェニル)−9−フェニル−9H−カルバゾール0.8g(2.0mmol)、ナトリウム tert−ブトキシド0.6g(6.0mmol)、を50mL三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にトルエン4mLに溶かした4−(1−ナフチル)アニリン0.4g(2.0mmol)を加えた後、トルエンを1.8mL、トリ(tert−ブチル)ホスフィン(10wt%ヘキサン溶液)0.1mLを加えた。この混合物を60℃にした後、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)37mg(0.06mmol)を加えた。この混合物を80℃で3時間攪拌した。反応後、混合物にトルエンを加え、セライト(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531−16855)、アルミナを通して吸引ろ過し、ろ液を得た。得られたろ液を濃縮して得た固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒はヘキサン:トルエン=3:2)により精製した。得られたフラクションを濃縮し、目的物の褐色固体を0.7g 収率63%で得た。PCBNAの合成スキームを下記(A−6)に示す。
【0177】
【化16】

【0178】
なお、上記実施例1のステップ6で得られた固体を、核磁気共鳴分光法(NMR)により測定した。H NMRチャートを図10に示す。また、図10(B)は図10(A)における7.0ppm〜8.5ppmの範囲を拡大して表したチャートである。測定結果から、本発明の一態様である発光素子用材料であるPCBNAPAを合成するための原料となるPCBNAが得られたことがわかった。以下にH NMR測定データを示す。
【0179】
H NMR(CDCl,300MHz):δ=7.25−7.70(m、23H)、7.84(d,J=7.8Hz、1H)、7.91(d,J=7.2Hz、1H)、8.03(d,J=8.1Hz、1H)、8.12(d、J=7.2Hz、1H)、8.34(s、1H)
【0180】
[ステップ7:4−(1−ナフチル)−4’−(10−フェニル−9−アントリル)−4”−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBNAPA)の合成]
【0181】
9−(4−ブロモフェニル)−10−フェニルアントラセン0.45g(1.1mmol)、ナトリウムtert−ブトキシド0.4g(4.3mmol)を50mL三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にトルエン10mLに溶かしたPCBNA0.8g(1.4mmol)を入れた後、トルエンを4.3mL、トリ(tert−ブチル)ホスフィン(10wt%ヘキサン溶液)0.1mLを加えた。この混合物を60℃にした後、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)23mg(0.04mmol)を加えた。この混合物を80℃で2時間攪拌した。反応後、フロリジール(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540−00135)、セライト(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531−16855)、アルミナを通して吸引ろ過し、ろ液を得た。得られたろ液を濃縮して得た固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒はヘキサン:トルエン=3:7)により精製し、得られたフラクションを濃縮し、目的物の黄色固体を得た。得られた固体を、トルエンとヘキサンの混合溶媒により再結晶したところ、目的物の淡黄色粉末状固体を1.07g、収率85%で得た。また、PCBNAPAの合成スキームを下記(A−7)に示す。
【0182】
【化17】

【0183】
得られた黄色固体0.84gを、トレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製条件は、圧力4.5Pa、アルゴンガスを流量5mL/minでながしながら、380℃で淡黄色固体を加熱した。昇華精製後、目的物の黄色プリズム結晶を0.76g、回収率91%で得た。
【0184】
なお、上記ステップ7で得られた固体のH NMRを測定した。H NMRチャートを図11に示す。図11(B)は図11(A)における7.0ppm〜8.5ppmの範囲を拡大して表したチャートである。測定結果から、上述の本発明の一態様である発光素子用材料PCBNAPAが得られたことがわかった。以下に測定データを示す。
【0185】
H NMR(CDCl,300MHz):δ=7.28−7.66(m、31H),7.70−7.78(m,6H),7.85−7.94(m、4H)、8.09−8.12(m、1H)、8.20(d、J=7.8Hz、1H)、8.40(d,J=1.2Hz、1H)
【0186】
得られたPCBNAPAの熱重量測定−示差熱分析(TG−DTA:Thermogravimetry−Differential Thermal Analysis)を行った。測定には高真空差動型示差熱天秤(ブルカー・エイエックスエス株式会社製、TG−DTA2410SA)を用いた。常圧、昇温速度10℃/min、窒素気流下(流速200mL/min)の条件で測定したところ、重量変化と温度の関係(熱重量測定)から、5%重量減少温度は500℃以上であり、良好な耐熱性を示した。
【0187】
また、PCBNAPAのトルエン溶液の吸収スペクトルを図12、発光スペクトルを図13に示す。吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、V550型)を用いた。溶液は石英セルに入れて測定を行った。吸収スペクトルについては、石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。図12において横軸は波長(nm)、縦軸は吸収強度(任意単位)を表す。また、図13において横軸は波長(nm)、縦軸は発光強度(任意単位)を表す。このトルエン溶液は、337nm、375nm、397nm付近に吸収が見られた。また、この溶液の最大発光波長は457nm(励起波長370nm)であった。
【0188】
また、PCBNAPAの薄膜の吸収スペクトルを図14に、PCBNAPAの薄膜の発光スペクトルを図15に示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、V550型)を用いた。石英基板に蒸着してサンプルを作製し、測定を行った。吸収スペクトルについては石英のみの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。図14において横軸は波長(nm)、縦軸は吸収強度(任意単位)を表す。また、図15において横軸は波長(nm)、縦軸は発光強度(任意単位)を表す。薄膜の場合では339nm、357nm、375nm、401nm付近に吸収が見られた。また、最大発光波長は薄膜の場合では476nm(励起波長401nm)であった。
【0189】
このように、構造式(101)で表される本発明の一態様の発光素子用材料であるPCBNAPAは、トルエン溶液、薄膜共に充分に短波長である良好な青色の発光を呈することがわかった。
【0190】
また、PCBNAPAの酸化反応特性および還元反応特性を測定した。酸化反応特性および還元反応特性は、サイクリックボルタンメトリ(CV)測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザー(ビー・エー・エス(株)製、型番:ALSモデル600A)を用いた。
【0191】
CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)(Sigma−Aldrich社製、99.8%、カタログ番号;22705−6)を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ−n−ブチルアンモニウム(n−BuNClO)((株)東京化成製、カタログ番号;T0836)を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を1mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極(ビー・エー・エス(株)製、PTE白金電極)を、補助電極としては白金電極(ビー・エー・エス(株)製、VC−3用Ptカウンター電極(5cm))を、参照電極としてはAg/Ag電極(ビー・エー・エス(株)製、RE5非水溶媒系参照電極)をそれぞれ用いた。なお、測定は室温で行った。なお、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。
【0192】
PCBNAPAの還元反応特性については、参照電極に対する作用電極の電位を−1.22Vから−2.40Vまで変化させた後、−2.40Vから−1.22Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。酸化反応特性については、同様に0.28Vから0.60Vまで変化させた後、0.60Vから0.28Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。
【0193】
図16(A)にPCBNAPAの酸化側のCV測定結果を、図16(B)に還元側のCV測定結果をそれぞれ示す。図16において、横軸は参照電極に対する作用電極の電位(V)を表し、縦軸は作用電極と補助電極との間に流れた電流値(μA)を表す。
【0194】
図16(A)から、0.50V(vs.Ag/Ag)付近に酸化を示す電流が、図16(B)から−2.24V(vs.Ag/Ag)付近に還元を示す電流が観測された。
【0195】
100サイクルもの走査を繰り返しているにもかかわらず、PCBNAPAは酸化反応及び還元反応におけるCV曲線のピーク位置に大きな変化が見られず、ピーク強度も酸化側でイニシャルの96%、還元側で86%の強度を保っていた。これによりPCBNAPAは、中性状態から酸化状態への酸化反応と酸化状態から中性状態への還元の繰り返し及び中性状態から還元状態への還元反応と還元状態から中性状態への酸化の繰り返しに対して比較的安定な物質であることがわかった。
【0196】
また、薄膜状態のPCBNAPAを大気中にて光電子分光法(理研計器社製、AC−2)で測定した結果、HOMO準位は−5.47eVであった。更に、図14の吸収スペクトルを用い、直接遷移を仮定したTaucプロットから吸収端を求め、その吸収端を光学的エネルギーギャップとして見積もったところ、そのエネルギーギャップは2.92eVであった。得られたエネルギーギャップとHOMOの値から、LUMO準位を求めたところ−2.55eVであった。このように、PCBNAPAは2.92eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。
【実施例2】
【0197】
本実施例では、本発明の一態様の発光素子用材料である4−[4−(1−ナフチル)フェニル]−4’−(10−フェニル−9−アントリル)−4”−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBNBAPA)の合成方法を具体的に説明する。
【0198】
【化18】

【0199】
[ステップ1:4’−(1−ナフチル)ビフェニル−4−アミンの合成]
【0200】
4−ブロモアニリン0.70g(4mmol)、4−(1−ナフチル)フェニルボロン酸1.0g(4mmol)、トリス(オルト−トリル)ホスフィン61.8mg(0.2mmol)を50mL三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にトルエン14mL、エタノール6mL、炭酸カリウム水溶液(2mol/L)4mLを加えた。フラスコ内を減圧しながら攪拌して脱気し、脱気後、混合物を60℃で撹拌した後、酢酸パラジウム(II)11.9mg(0.05mmol)を加えた。この混合物を80℃で1.5時間攪拌した。反応後、混合物にトルエンと水を加え、有機層と水層を分離し、水層をトルエンで2回抽出した。得られた抽出溶液と有機層を合わせて飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を自然ろ過して硫酸マグネシウムを除去し、ろ液を濃縮し油状物を得た。この油液物をフロリジール(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540−00135)、セライト(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531−16855)、アルミナを通して吸引ろ過し、ろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、目的物の油状物を1.1g、収率95%で得た。4’−(1−ナフチル)ビフェニル−4−アミンの合成スキームを下記(B−1)に示す。
【0201】
【化19】

【0202】
[ステップ2:4−[4−(1−ナフチル)フェニル]−4’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)ジフェニルアミン(略称:PCBNBA)の合成]
【0203】
ナトリウム tert−ブトキシド1.1g(11.4mmol)を50mL三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。フラスコにトルエン12mLに溶かした4’−(1−ナフチル)ビフェニル−4−アミン1.1g(3.8mmol)と、トルエン18mLに溶かした3−(4−ブロモフェニル)−9−フェニル−9H−カルバゾール1.5g(3.8mmol)を入れた後、トリ(tert−ブチル)ホスフィン(10wt%ヘキサン溶液)0.2mLを加えた。この混合物を60℃で撹拌した後、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)35.5mg(0.06mmol)を加えた。この混合物を80℃で4.5時間加熱攪拌した。反応後、この混合物をフロリジール(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540−00135)、セライト(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531−16855)、アルミナを通して吸引ろ過し、ろ液を得た。得られたろ液を濃縮して得た固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒はクロロホルム:ヘキサン=1:1)により精製した。得られたフラクションを濃縮し、目的物の褐色固体を1.8g、収率76%で得た。PCBNBAの合成スキームを下記(B−2)に示す。
【0204】
【化20】

【0205】
なお、上記実施例2のステップ2で得られた固体を、核磁気共鳴分光法(NMR)により測定した。H NMRチャートを図17に示す。図17(B)は図17(A)における7.0ppm〜8.5ppmの範囲を拡大して表したチャートである。測定結果から、上述のPCBNBAPAを合成するための原料であるPCBNBAが得られたことがわかった。以下にH NMRの測定データを示す。
【0206】
H NMR(CDCl,300MHz):δ=7.28−7.70(m、28H)、7.87(d,J=7.8Hz、1H)、7.92(d,J=7.8Hz、1H)、8.01(d,J=7.8Hz、1H)、8.20(d、J=7.8Hz、1H)
【0207】
[ステップ3:4−[4−(1−ナフチル)フェニル]−4’−(10−フェニル−9−アントリル)−4”−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBNBAPA)の合成]
【0208】
9−(4−ブロモフェニル)−10−フェニルアントラセン0.60g(1.5mmol)、ナトリウムtert−ブトキシド0.40g(4.4mmol)、PCBNBA0.90g(1.5mmol)を50mL三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にトルエンを10mL、トリ(tert−ブチル)ホスフィン(10wt%ヘキサン溶液)0.10mLを加えた。この混合物を60℃で撹拌した後、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)42mg(7.3mmol)を加えた。この混合物を80℃で6時間攪拌した。撹拌後、更にビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)23mg(0.04mmol)を加えた後、95℃で更に1時間攪拌した。反応後、この混合物をフロリジール(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540−00135)、セライト(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531−16855)、アルミナを通して吸引ろ過し、得られたろ液を濃縮して固体を得た。この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒はヘキサン:トルエン=3:7)により精製したところ、目的物の黄色固体を得た。得られた固体を、クロロホルムとヘキサンの混合溶媒により再結晶したところ、目的物の淡黄色粉末状固体を0.70g、収率52%で得た。また、PCBNBAPAの合成スキームを下記(B−3)に示す。
【0209】
【化21】

【0210】
得られた黄色固体0.70gを、トレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製条件は、圧力4.2Pa、アルゴンガスを流量10mL/minでながしながら、430℃で淡黄色固体を加熱した。昇華精製後、目的物の黄色プリズム結晶を0.50g、回収率68%で得た。
【0211】
なお、上記実施例2のステップ3で得られた固体を、核磁気共鳴法(NMR)により測定した。また、H NMRチャートを図18に示す。図18(B)は図18(A)における7.0ppm〜8.5ppmの範囲を拡大して表したチャートである。測定結果から、上述本発明の発光素子用材料PCBNBAPA(構造式(103))が得られたことがわかった。以下にH NMRの測定データを示す。
【0212】
H NMR(CDCl,300MHz):δ=7.31−7.78(m、41H),7.87−7.94(m,4H),8.01(d、J=8.1Hz、1H)、8.21(d、J=7.8Hz、1H)、8.42(d,J=0.9Hz、1H)
【0213】
得られたPCBNBAPAの熱重量測定−示差熱分析(TG−DTA:Thermogravimetry−Differential Thermal Analysis)を行った。測定には高真空差動型示差熱天秤(ブルカー・エイエックスエス株式会社製、TG−DTA2410SA)を用いた。常圧、昇温速度10℃/min、窒素気流下(流速200mL/min)の条件で測定したところ、重量変化と温度の関係(熱重量測定)から、5%重量減少温度は500℃以上であり、良好な耐熱性を示した。
【0214】
また、PCBNBAPAのトルエン溶液の吸収スペクトルを図19、発光スペクトルを図20に示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、V550型)を用いた。溶液は石英セルに入れて測定を行った。吸収スペクトルについては、石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。図19において横軸は波長(nm)、縦軸は吸収強度(任意単位)を表す。また、図20において横軸は波長(nm)、縦軸は発光強度(任意単位)を表す。このトルエン溶液は、353nm、395nm付近に吸収が見られた。また、この溶液の最大発光波長は459nm(励起波長370nm)であった。
【0215】
また、PCBNAPAの薄膜の吸収スペクトルを図21に、PCBNAPAの薄膜の発光スペクトルを図22に示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、V550型)を用いた。石英基板に蒸着してサンプルを作製し、測定を行った。吸収スペクトルについては石英のみの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。図21において横軸は波長(nm)、縦軸は吸収強度(任意単位)を表す。また、図22において横軸は波長(nm)、縦軸は発光強度(任意単位)を表す。薄膜の場合では345nm、403nm付近に吸収が見られた。また、最大発光波長は薄膜の場合では483nm(励起波長400nm)であった。
【0216】
このように、構造式(103)で表される本発明の一態様の発光素子用材料であるPCBNBAPAは、トルエン溶液、薄膜共に充分に短波長である良好な青色の発光を呈することがわかった。
【0217】
また、PCBNBAPAの酸化反応特性および還元反応特性を測定した。酸化反応特性および還元反応特性は、サイクリックボルタンメトリ(CV)測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザー(ビー・エー・エス(株)製、型番:ALSモデル600A)を用いた。
【0218】
CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)(Sigma−Aldrich社製、99.8%、カタログ番号;22705−6)を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ−n−ブチルアンモニウム(n−BuNClO)((株)東京化成製、カタログ番号;T0836)を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を1mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極(ビー・エー・エス(株)製、PTE白金電極)を、補助電極としては白金電極(ビー・エー・エス(株)製、VC−3用Ptカウンター電極(5cm))を、参照電極としてはAg/Ag電極(ビー・エー・エス(株)製、RE5非水溶媒系参照電極)をそれぞれ用いた。なお、測定は室温で行った。なお、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。
【0219】
PCBNBAPAの還元反応特性については、参照電極に対する作用電極の電位を−1.24Vから−2.35Vまで変化させた後、−2.35Vから−1.24Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。酸化反応特性については、同様に0.04Vから0.58Vまで変化させた後、0.58Vから0.04Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。
【0220】
図23(A)にPCBNBAPAの酸化側のCV測定結果を、図23(B)にPCBNBAPAの還元側のCV測定結果をそれぞれ示す。図23において、横軸は参照電極に対する作用電極の電位(V)を表し、縦軸は作用電極と補助電極との間に流れた電流値(μA)を表す。
【0221】
図23(A)から、0.50V(vs.Ag/Ag)付近に酸化を示す電流が、図23(B)から−2.24V(vs.Ag/Ag)付近に還元を示す電流が観測された。
【0222】
100サイクルもの走査を繰り返しているにもかかわらず、PCBNBAPAは酸化反応及び還元反応におけるCV曲線のピーク位置に大きな変化が見られず、ピーク強度も酸化側でイニシャルの87%、還元側で78%の強度を保っていた。これによりPCBNBAPAは、中性状態から酸化状態への酸化反応と酸化状態から中性状態への還元の繰り返し及び中性状態から還元状態への還元反応と還元状態から中性状態への酸化の繰り返しに対して比較的安定な物質であることがわかった。
【0223】
また、薄膜状態のPCBNBAPAを大気中にて光電子分光法(理研計器社製、AC−2)で測定した結果、HOMO準位は−5.43eVであった。更に、図21の吸収スペクトルを用い、直接遷移を仮定したTaucプロットから吸収端を求め、その吸収端を光学的エネルギーギャップとして見積もったところ、そのエネルギーギャップは2.84eVであった。得られたエネルギーギャップとHOMOの値から、LUMO準位を求めたところ−2.59eVであった。このように、PCBNBAPAは2.84eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。
【実施例3】
【0224】
本実施例では、本発明の発光素子の一例について、図9を用いて説明する。本実施例で用いた材料の化学式を以下に示す。
【0225】
【化22】

【0226】
(発光素子1)
発光素子1の構造を、図9(A)を用いて説明する。まず、ガラス基板1100上に、酸化珪素を含むインジウムスズ酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極1101を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
【0227】
次に、第1の電極が形成された面が下方となるように、第1の電極が形成されたガラス基板1100を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10−4Pa程度まで減圧した後、第1の電極1101上に、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)と酸化モリブデン(VI)とを共蒸着することにより、有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層1102を形成した。その膜厚は50nmとし、NPBと酸化モリブデンの比率は、重量比で4:1(=NPB:酸化モリブデン)となるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で、複数の蒸発源から複数の材料を同時に蒸着する、蒸着法である。
【0228】
次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、複合材料を含む層1102上にNPBを10nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層1103を形成した。
【0229】
さらに、9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)とPCBNAPAとを共蒸着することにより正孔輸送層1103上に30nmの膜厚の発光層1104を形成した。ここで、CzPAとPCBNAPAとの重量比は、1:0.10(=CzPA:PCBNAPA)となるように調節した。
【0230】
その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層1104上にトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)を10nmの膜厚となるように成膜し、続いてAlq層の上にバソフェナントロリン(略称:BPhen)を膜厚20nmとなるように成膜し、Alq及びBPhenからなる電子輸送層1105を形成した。
【0231】
さらに、電子輸送層1105上に、フッ化リチウムを1nmの膜厚で成膜し、電子注入層1106を形成した。
【0232】
最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層1106上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極1107を形成することで、発光素子1を作製した。
【0233】
(比較発光素子1)
次に、発光素子1の比較として、比較発光素子1を作成した。比較発光素子1の素子構造を、図9(A)を用いて説明する。比較発光素子1は、発光層1104に、本発明の一態様である発光素子用材料であるPCBNAPAの代わりに、4−(10−フェニル−9−アントリル)−4’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBAPA)を用いて作成した。ここで、CzPAとPCBAPAとの重量比は、1:0.10(=CzPA:PCBAPA)となるように調節した。比較発光素子1は、発光層1104以外の構成は全て発光素子1と同じ構成である。
【0234】
発光素子1及び比較発光素子1の電流密度−輝度特性を図24に示す。また、電圧−輝度特性を図25に示す。また、輝度−電流効率特性を図26に示す。また、1mAの電流を流した時の発光スペクトルを図27に示す。図27から、発光素子1の発光は、PCBNAPAからの発光であることがわかった。また、図27から、比較発光素子1の発光は、PCBAPAからの発光であることがわかった。960cd/mの輝度の時の発光素子1のCIE色度座標は(x,y)=(0.16,0.20)であり、色純度の高い青色発光が得られた。また、図26から分かるように、発光素子1の960d/mにおける電流効率は5.3cd/Aであり、高い電流効率を示すことがわかった。また、図25から、960cd/mにおける駆動電圧は4.2Vであり、パワー効率は3.9lm/Wであった。この結果から、発光素子1は、ある一定の輝度を得るための電圧が低く、低消費電力であることがわかった。一方、910cd/mの輝度のときの比較発光素子1のCIE色度座標は(x,y)=(0.15,0.18)であり、良好な青色発光が得られた。また、図26から、比較発光素子1の910ccd/mにおける電流効率は5.0cd/Aであり、比較的高い電流効率を有することがわかった。また、図25から、910cd/mにおける駆動電圧は4.2Vであり、パワー効率は3.7lm/Wであった。この結果から、比較発光素子1は、ある一定の輝度を得るための電圧が低く、低消費電力であることがわかった。
【0235】
発光素子1と比較発光素子1を比べると、発光素子1のほうが高い電流効率を示した。発光素子1と比較発光素子1における、発光層の発光材料の構造の違いは、発光材料である発光素子用材料が有するアミン骨格の末端に、1−ナフチル基を有するかどうかである。1−ナフチル基の有無により、発光素子1と比較発光素子1の発光効率に差が生じた。従って、本発明の一態様である発光素子用材料におけるアミン骨格末端の1−ナフチル基は、高い発光効率の実現に効果があることが明らかとなった。また、本発明の一態様である発光素子用材料を発光素子に用いることにより、低電圧駆動が可能な発光素子を提供できることが明らかとなった。また、高効率且つ、低電圧駆動が可能である、低消費電力の素子を提供できることが明らかとなった。
【0236】
次に、発光素子1および比較発光素子1の信頼性試験を行った。信頼性試験の結果を図28に示す。図28において、縦軸は初期輝度を100%とした時の規格化輝度(%)を示し、横軸は素子の駆動時間(h)を示す。信頼性試験は、初期輝度を1000cd/mに設定し、電流密度一定の条件で本実施例の発光素子1及び比較発光素子1を駆動した。図28から、発光素子1の150時間後の輝度は初期輝度の88%を保っていた。一方、比較発光素子1の150時間後の輝度は初期輝度の86%を保っていた。したがって、発光素子1および比較発光素子1どちらも高い信頼性を示すことが明らかとなったが、発光素子1の方が、比較発光素子1と比べてより高い信頼性を示すことが明らかとなった。従って、本発明の一態様である発光素子用材料を発光素子に用いることにより、長寿命の発光素子が得られることがわかった。また、この信頼性試験の結果から、本発明の一態様である発光素子用材料におけるアミン骨格末端の1−ナフチル基は、長寿命な発光素子の実現に効果があることが明らかとなった。
【0237】
本実施例で使用した、構造式(v)で表される4−(10−フェニル−9−アントリル)−4’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBAPA)は新規材料であるので、合成法を説明する。
【0238】
【化23】

【0239】
[ステップ1:3−ブロモ−9−フェニル−9H−カルバゾールの合成]
【0240】
1000mLエーレンマイヤーフラスコに、9−フェニル−9H−カルバゾールを24g(100mmol)、N−ブロモこはく酸イミドを18g(100mmol)、トルエンを450mL、酢酸エチルを200mL加え、この溶液を室温にて45時間撹拌した。反応後、得られた混合物を、水で洗浄した後、有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。この混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮したところ、目的物である3−ブロモ−9−フェニル−9H−カルバゾールを収量32g、収率99%で得た。3−ブロモ−9−フェニル−9H−カルバゾールの合成スキームを(C−1)に示す。
【0241】
【化24】

【0242】
[ステップ2:9−フェニル−9H−カルバゾール−3−ボロン酸の合成]
【0243】
3−ブロモ−9−フェニル−9H−カルバゾール10g(31mmol)を500mLの三口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。テトラヒドロフラン(THF)150mLをフラスコに加えて、3−ブロモ−9−フェニル−9H−カルバゾールを溶かした。この溶液を−80℃に冷却した。この溶液へn−ブチルリチウム(1.58mol/Lヘキサン溶液)20mL(32mmol)を、シリンジにより滴下して加えた。滴下終了後、溶液を同温度で1時間攪拌した。攪拌後、この溶液へホウ酸トリメチル3.8mL(34mmol)を加え、室温に戻しながら約15時間攪拌した。攪拌後、この溶液に希塩酸(1.0mol/L)約150mLを加えて、1時間攪拌した。攪拌後、有機層を分離し、水層を酢酸エチルで抽出し、抽出溶液と有機層を合わせて、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥し、乾燥後この混合物を自然ろ過した。得られたろ液を濃縮したところ、淡褐色の油状物を得た。この油状物を減圧乾燥したところ、目的物の淡褐色固体を7.5g、収率86%で得た。9−フェニル−9H−カルバゾール−3−ボロン酸の合成スキームを(C−2)に示す。
【0244】
【化25】

【0245】
[ステップ3:4−ブロモジフェニルアミンの合成]
【0246】
ジフェニルアミンを51g(0.3mol)、1Lエーレンマイヤーフラスコに入れ、酢酸エチル700mLに溶かした。この溶液にN−ブロモこはく酸イミド(略称;NBS)を54g(0.3mol)加え、約30時間撹拌した。反応後、この混合物を水で洗浄した後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を濾過して濾液を濃縮したところ、目的物の褐色油状物を、収量70g、収率94%で得た。4−ブロモジフェニルアミンの合成スキームを(C−3)に示す。
【0247】
【化26】

【0248】
[ステップ4:4−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)ジフェニルアミン(略称:PCBA)の合成]
【0249】
4−ブロモジフェニルアミン6.5g(26mmol)、9−フェニル−9H−カルバゾール−3−ボロン酸7.5g(26mmol)、トリ(オルト−トリル)ホスフィン400mg(1.3mmol)を500mL三口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物へトルエン100mL、エタノール50mL、炭酸カリウム水溶液(2.0mol/L)14mLを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気し、脱気後、酢酸パラジウム(II)67mg(0.3mmol)を加えた。この混合物を100℃で10時間還流した。還流後、有機層を分離し、この混合物の水層をトルエンで抽出し、抽出溶液と有機層を合わせ、飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥し、乾燥後この混合物を自然ろ過し、得られたろ液を濃縮したところ、淡褐色の油状物を得た。この油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒ヘキサン:トルエン=4:6)により精製し、精製後に得られた白色固体をジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒にて再結晶し、目的物である白色固体を得た。なお、収量は4.9g、収率は45%であった。PCBAの合成スキームを(C−4)に示す。
【0250】
【化27】

【0251】
[ステップ5:4−(10−フェニル−9−アントリル)−4’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBAPA)の合成]
【0252】
9−(4−ブロモフェニル)−10−フェニルアントラセン4.8g(12mmol)、4−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)ジフェニルアミン(略称:PCBA)4.8g(12mmol)、ナトリウムtert−ブトキシド5.2g(52mmol)を300mL三口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物へ、トルエン60mL、トリ(tert−ブチル)ホスフィン(10wt%ヘキサン溶液)0.30mLを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気し、脱気後、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)136mg(0.24mmol)を加えた。この混合物を、100℃で3時間攪拌した。攪拌後、この混合物に約50mLのトルエンを加え、セライト(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531−16855)、アルミナ、フロリジール(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540−00135)を通して吸引ろ過した。得られたろ液を濃縮し、黄色固体を得た。この固体をトルエンとヘキサンの混合溶媒により再結晶し、目的物であるPCBAPAの淡黄色固体を6.6g、収率75%で得た。PCBAPAの合成スキームを(C−5)に示す。
【0253】
【化28】

【0254】
得られた淡黄色粉末状固体3.0gをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製条件は、圧力8.7Pa、アルゴンガスを流量3.0mL/minで流しながら、350℃でPCBAPAを加熱した。昇華精製後、PCBAPAの淡黄色固体を2.7g、回収率90%で得た。
【0255】
得られた固体のH NMRを測定した。また、H NMRチャートを図29に示す。図29(B)は図29(A)における7.0ppm〜8.5ppmの範囲を拡大して表したチャートである。測定結果から、上述の構造式(v)で表される発光素子用材料PCBAPAが得られたことがわかった。以下に測定データを示す。
【0256】
H NMR(CDCl,300MHz):δ=7.09−7.14(m,1H),7.28−7.72(m,33H),7.88(d,J=8.4Hz,2H),8.19(d,J=7.2Hz,1H),8.37(d,J=1.5Hz,1H)
【実施例4】
【0257】
本実施例では、本発明の一態様の発光素子の一例について、図9(B)を用いて説明する。本実施例で用いた材料は、実施例3で用いた材料と同じである。
【0258】
(発光素子2)
まず、ガラス基板1100上に、酸化珪素を含むインジウムスズ酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極1101を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
【0259】
次に、第1の電極1101が形成された面が下方となるように、第1の電極1101が形成されたガラス基板1100を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10−4Pa程度まで減圧した後、第1の電極1101上に、NPBと酸化モリブデン(VI)と共蒸着することにより、有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層1102を形成した。その膜厚は50nmとし、NPBと酸化モリブデンの比率は、重量比で4:1(=NPB:酸化モリブデン)となるように調節した。
【0260】
次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、複合材料を含む層1102上にNPBを10nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層1103を形成した。
【0261】
次に、正孔輸送層1103上に、本発明の一態様である発光素子用材料PCBNAPAを膜厚20nmとなるように蒸着することで、第1の発光層1200を形成した。
【0262】
さらに、CzPAとPCBNAPAとを共蒸着することにより、第1の発光層1200上に30nmの膜厚の第2の発光層1201を形成した。ここで、CzPAとPCBNAPAの重量比は1:0.05(=CzPA:PCBNAPA)となるように調節した。
【0263】
その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、第2の発光層1201上にAlqを30nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送層1105を形成した。
【0264】
続いて、電子輸送層1105上に、フッ化リチウムを蒸着することにより、1nmの膜厚で電子注入層1106を形成した。
【0265】
最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層1106上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極1107を形成することで、発光素子2を作製した。
【0266】
(比較発光素子2)
次に、発光素子2の比較発光素子2を作成した。比較発光素子2の素子構造を、図9(B)を用いて説明する。比較発光素子2は、発光素子2の第1の発光層1200及び第2の発光層1201に、本発明の発光素子用材料であるPCBNAPAの代わりに、構造式(v)で表されるPCBAPAを用いて作成した。ここで、第1の発光層1200はPCBAPAを用い、第2の発光層1201においてCzPAとPCBAPAの重量比は1:0.05(=CzPA:PCBAPA)となるように調節した。比較発光素子2は、第1の発光層1200及び第2の発光層1201以外の構成は、全て発光素子2と同じである。
【0267】
発光素子2及び比較発光素子2の電流密度−輝度特性を図30に示す。また、電圧−輝度特性を図31に示す。また、輝度−電流効率特性を図32に示す。また、1mAの電流を流した時の発光スペクトルを図33に示す。図33から、発光素子2の発光は、PCBNAPAからの発光であることがわかった。また、比較発光素子2の発光は、PCBAPAからの発光であることがわかった。1010cd/mの輝度のときの発光素子2のCIE色度座標は(x,y)=(0.16,0.22)であり、青色発光が得られた。また、図32から、発光素子2の1010cd/mにおける電流効率は6.3cd/Aであり、高い電流効率を示すことがわかった。また、図31から、1010cd/mにおける駆動電圧は5.6Vであり、パワー効率は3.9lm/Wであった。この結果から、発光素子2は、ある一定の輝度を得るための電圧が低く、低消費電力であることがわかった。一方、910cd/mの輝度の時の比較発光素子2のCIE色度座標は(x,y)=(0.16,0.22)であり、青色発光が得られた。また、図32から、比較発光素子2の910ccd/mにおける電流効率は5.4cd/Aであり、比較的高い電流効率を示すことがわかった。また、図31から、910cd/mにおける駆動電圧は6.2Vであり、パワー効率は3.7lm/Wであった。この結果から、比較発光素子2は、ある一定の輝度を得るための電圧が低く、低消費電力であることがわかった。
【0268】
発光素子2と比較発光素子2を比べると、発光素子2のほうが高い電流効率を示した。発光素子2と比較発光素子2における、発光層の発光材料の違いは、発光材料である発光素子用材料が有するアミン骨格の末端に、1−ナフチル基を有するかどうかである。1−ナフチル基の有無により、発光素子2と比較発光素子2の発光効率に差が生じた。従って、本発明の一態様である発光素子用材料におけるアミン骨格末端の1−ナフチル基は、高い発光効率の実現に効果があることが実施例4からも明らかとなった。また、本発明の一態様である発光素子用材料を発光素子に用いることにより、低電圧で駆動可能な発光素子を提供できることが明らかとなった。また、高効率且つ、低電圧駆動が可能である、低消費電力の素子を提供できることが明らかとなった。
【0269】
次に、発光素子2および比較発光素子2の信頼性試験を行った。信頼性試験の結果を図34に示す。図34において、縦軸は初期輝度を100%とした時の規格化輝度(%)を示し、横軸は素子の駆動時間(h)を示す。信頼性試験は、初期輝度を1000cd/mに設定し、電流密度一定の条件で本実施例の発光素子2及び比較発光素子2を駆動した。図34から、発光素子2の1000時間後の輝度は初期輝度の86%を保っていた。一方、比較発光素子2の1000時間後の輝度は初期輝度の75%を保っていた。したがって、発光素子2および比較発光素子2どちらも高い信頼性を示すことが明らかとなったが、発光素子2の方が、比較発光素子2と比べてより高い信頼性を示すことが明らかとなった。従って、本発明の一態様である発光素子用材料を発光素子に用いることにより、長寿命の発光素子が得られることがわかった。また、この信頼性試験の結果から、本発明の一態様である発光素子用材料におけるアミン骨格末端の1−ナフチル基は、長寿命な発光素子の実現に効果があることが明らかとなった。
【実施例5】
【0270】
本実施例では、本発明の一態様の発光素子用材料である4−(6,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−イル)−4’−(1−ナフチル)−4’’−(10−フェニル−9−アントリル)トリフェニルアミン(略称:PPCBNAPA)の合成方法を具体的に説明する。
【0271】
【化29】

【0272】
[ステップ1:3−ブロモ−9−フェニル−9H−カルバゾール]
【0273】
9−フェニル−9H−カルバゾール20.0g(0.08mol)を1000mLマイヤーフラスコへ入れ、200mLの酢酸エチルを加えて溶かした。この溶液にN−ブロモこはく酸イミド(NBS)14.6g(0.18mol)を加え、300mLの酢酸エチルを加え、室温で12日間攪拌した。反応後、この混合物へ水を加え、有機層と水層を分離した。得られた有機層を水で3回、飽和食塩水の順で洗浄した後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を自然ろ過し、得られたろ液を濃縮し、目的物を21.2g、収率77%で得た。3−ブロモ−9−フェニル−9H−カルバゾールの合成スキームを下記(D−1)に示す。
【0274】
【化30】

【0275】
[ステップ2:3,9−ジフェニル−9H−カルバゾール]
【0276】
フェニルボロン酸15.1g(0.1mol)、トリス(2−メチルフェニル)ホスフィン1.3g(4.1mol)を1000mL三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にトルエン100mLに溶かした3−ヨード−9−フェニル−9H−カルバゾール21.2g(63.9mmol)、トルエン210mL、エタノール103mL、炭酸カリウム水溶液(2mol/L)82mLを加え、フラスコ内を減圧しながら攪拌して、この混合物を脱気した。脱気後、この混合物を80℃にした後、酢酸パラジウム(II)0.23mg(1.0mmol)を加えた。この混合物を80℃で2.0時間還流した。反応後、この混合物にトルエンと水を加え、有機層と水層を分離し、水層をトルエンで3回抽出した。この抽出溶液と有機層を合わせて飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を自然ろ過し、得られたろ液を濃縮し、褐色の固体を得た。得られた固体をクロロホルム/メタノールにより再結晶を行い、目的物の白色固体を14.0g、収率53%で得た。ステップ2:3,9−ジフェニル−9H−カルバゾールの合成スキームを下記(D−2)に示す。
【0277】
【化31】

【0278】
[ステップ3:3−ヨード−6,9−ジフェニル−9H−カルバゾール]
【0279】
3,9−ジフェニル−9H−カルバゾール7.0g(22.0mmol)を1000mLマイヤーフラスコへ入れた。フラスコへ140mLの酢酸を加えて、60℃に加熱して3,9−ジフェニル−9H−カルバゾールを溶かした。この溶液へ、N−ヨードこはく酸イミド(NIS)4.9g(22.0mmol)を加えた。この溶液を室温で4日間攪拌した。反応後、クロロホルム200mL、水100mLを加え、有機層と水層を分離した。得られた有機層を水で3回、飽和食塩水の順で洗浄した後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を自然ろ過し、得られたろ液を濃縮し、濃縮して得られた固体をトルエン/ヘキサンにより再結晶を行い、目的物を7.9g、収率81%で得た。3−ヨード−6,9−ジフェニル−9H−カルバゾールの合成スキームを下記(D−3)に示す。
【0280】
【化32】

【0281】
[ステップ4:3−(4−ブロモフェニル)−6,9−ジフェニル−9H−カルバゾール]
3−ヨード−6,9−ジフェニル−9H−カルバゾール5.0g(11.2mmol)、4−フェニルボロン酸3.2g(16.1mmol)、トリス(2−メチルフェニル)ホスフィン0.2g(0.6mmol)を300mL三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にトルエン84.0mL、エタノール28.0mL、炭酸カリウム水溶液(2mol/L)11.6mLを加えた。フラスコ内を減圧しながら攪拌して脱気し、脱気後、混合物を60℃にした後、酢酸パラジウム(II)62.3mg(0.3mmol)を加えた。この混合物を80℃で6時間攪拌した後、酢酸パラジウム(II)52.6mg(0.2mmol)を加え、1時間半攪拌した後、酢酸パラジウム(II)50.3mg(0.2mmol)を加え、1時間攪拌した。反応後、この混合物にトルエンを加え、セライトに通して吸引ろ過し、ろ液を得た。得られたろ液に水と酢酸エチルを加え、有機層と水層を分離し、水層を酢酸エチルで3回抽出した。この抽出溶液と有機層を合わせて飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物を自然ろ過して硫酸マグネシウムを除去し、ろ液を濃縮し油状物を得た。得られたろ液を濃縮して得た固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒はヘキサン:クロロホルム=6:1)により精製した。得られたフラクションを濃縮し、クロロホルム/ヘキサンにより再結晶を行い、目的の白色固体を2.4g、収率40%で得た。3−(4−ブロモフェニル)−6,9−ジフェニル−9H−カルバゾールの合成スキームを下記(D−4)に示す。
【0282】
【化33】

【0283】
[ステップ5:4−(6,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−イル)−4’−(1−ナフチル)ジフェニルアミン(略称:PPCBNA)の合成]
【0284】
3−(4−ブロモフェニル)−9−フェニル−9H−カルバゾール1.0g(2.1mmol)、ナトリウムtert−ブトキシド0.6g(6.3mmol)、を50mL三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にトルエン3mLに溶かした4−(1−ナフチル)アニリン0.5g(2.1mmol)を加えた後、トルエンを10.5mL、トリ(tert−ブチル)ホスフィンの10%ヘキサン溶液0.3mLを加えた。この混合物を60℃にし、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)31.2mg(0.05mmol)を加えた。この混合物を80℃で2時間攪拌した。反応後、混合物にトルエンを加え、セライト、アルミナを通して吸引ろ過し、ろ液を得た。得られたろ液を濃縮して得た固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒はヘキサン:トルエン=2:3)により精製した。得られたフラクションを濃縮し、クロロホルム/ヘキサンにより再結晶し、目的物の白色固体を0.7g、収率52%で得た。4−(6,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−イル)−4’−(1−ナフチル)ジフェニルアミンの合成スキームを下記(D−5)に示す。
【0285】
【化34】

【0286】
[ステップ6:4−(6,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−イル)−4’−(1−ナフチル)−4’’−(10−フェニル−9−アントリル)トリフェニルアミン(略称:PPCBNAPA)の合成]
【0287】
9−(4−ブロモフェニル)−10−フェニルアントラセン0.7g(1.6mmol)、ナトリウム tert−ブトキシド0.5g(4.9mmol)、4−(1−ナフチル)−4’−(6,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−イル)ジフェニルアミン1.0g(1.6mmol)を50mL三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にトルエンを12.2mL、トリ(tert−ブチル)ホスフィンの10%ヘキサン溶液0.3mLを加えた。この混合物を60℃にし、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)32.5mg(5.6mmol)を加えた。この混合物を80℃で2時間攪拌した。反応後、トルエンを20mL加え、フロリジール、セライト、アルミナを通して吸引ろ過し、ろ液を得た。得られたろ液を濃縮して得た固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒はヘキサン:トルエン=3:7)により精製し、得られたフラクションを濃縮し、得られた固体を、トルエン/ヘキサンにより再結晶し、目的物の黄色固体を1.1g、収率72%で得た。得られた黄色固体1.1gを、トレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製条件は、圧力2.7Pa、アルゴンガスを流量5.5mL/minでながしながら、390℃で黄色固体を加熱した。昇華精製後、目的物の黄色プリズム結晶を0.9g、回収率87%で得た。4−(6,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−イル)−4’−(1−ナフチル)−4’’−(10−フェニル−9−アントリル)トリフェニルアミンの合成スキームを下記(D−6)に示す。
【0288】
【化35】

【0289】
なお、上記ステップ6で得られた固体のH NMRを測定した。H NMRチャートを図35に示す。図35(B)は図35(A)における7.0ppm〜8.5ppmの範囲を拡大して表したチャートである。測定結果から、上述の本発明の発光素子用材料PPCBNAPAが得られたことがわかった。以下に測定データを示す。
【0290】
H NMR(CDCl,300MHz):δ=7.30−7.79(m、41H)、7.85−7.94(m、4H)、8.09−8.12(m、1H)、8.43(d,J=1.2Hz、1H)、8.45(d,J=1.5Hz、1H)、
【0291】
得られたPPCBNAPAの熱重量測定−示差熱分析(TG−DTA:Thermogravimetry−Differential Thermal Analysis)を行った。測定には高真空差動型示差熱天秤(ブルカー・エイエックスエス株式会社製、TG−DTA2410SA)を用いた。常圧、昇温速度10℃/min、窒素気流下(流速200mL/min)の条件で測定したところ、重量変化と温度の関係(熱重量測定)から、5%重量減少温度は500℃以上であり、良好な耐熱性を示した。
【0292】
また、PPCBNAPAのトルエン溶液の吸収スペクトルを図36、発光スペクトルを図37に示す。吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、V550型)を用いた。溶液は石英セルに入れて測定を行った。吸収スペクトルについては、石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。図36において横軸は波長(nm)、縦軸は吸収強度(任意単位)を表す。また、図37において横軸は波長(nm)、縦軸は発光強度(任意単位)を表す。このトルエン溶液は、293nm、338nm、397nm付近に吸収が見られた。また、この溶液の最大発光波長は458nm(励起波長370nm)であった。
【0293】
また、PPCBNAPAの薄膜の吸収スペクトルを図38に、PCBNAPAの薄膜の発光スペクトルを図39に示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、V550型)を用いた。石英基板に蒸着してサンプルを作製し、測定を行った。吸収スペクトルについては石英のみの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。図38において横軸は波長(nm)、縦軸は吸収強度(任意単位)を表す。また、図39において横軸は波長(nm)、縦軸は発光強度(任意単位)を表す。薄膜の場合では264nm、296nm、341nm、356nm、402nm付近に吸収が見られた。また、最大発光波長は薄膜の場合では483nm(励起波長399nm)であった。
【0294】
このように、本発明の一態様の発光素子用材料であるPPCBNAPAは、トルエン溶液、薄膜共に充分に短波長である良好な青色の発光を呈することがわかった。
【0295】
また、PPCBNAPAの酸化反応特性および還元反応特性を測定した。酸化反応特性および還元反応特性は、サイクリックボルタンメトリ(CV)測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザー(ビー・エー・エス(株)製、型番:ALSモデル600A)を用いた。
【0296】
CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)(Sigma−Aldrich社製、99.8%、カタログ番号;22705−6)を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ−n−ブチルアンモニウム(n−Bu4NClO4)((株)東京化成製、カタログ番号;T0836)を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を1mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極(ビー・エー・エス(株)製、PTE白金電極)を、補助電極としては白金電極(ビー・エー・エス(株)製、VC−3用Ptカウンター電極(5cm))を、参照電極としてはAg/Ag+電極(ビー・エー・エス(株)製、RE5非水溶媒系参照電極)をそれぞれ用いた。なお、測定は室温で行った。なお、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。
【0297】
PPCBNAPAの還元反応特性については、参照電極に対する作用電極の電位を−1.22Vから−2.40Vまで変化させた後、−2.40Vから−1.22Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。酸化反応特性については、同様に0.28Vから0.60Vまで変化させた後、0.60Vから0.28Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。
【0298】
図40(A)にPPCBNAPAの酸化側のCV測定結果を、図40(B)に還元側のCV測定結果をそれぞれ示す。図40において、横軸は参照電極に対する作用電極の電位(V)を表し、縦軸は作用電極と補助電極との間に流れた電流値(μA)を表す。
【0299】
図40(A)から、0.50V(vs.Ag/Ag+)付近に酸化を示す電流が、図40(B)から−2.24V(vs.Ag/Ag+)付近に還元を示す電流が観測された。
【0300】
100サイクルもの走査を繰り返しているにもかかわらず、PPCBNAPAは酸化反応及び還元反応におけるCV曲線のピーク位置に大きな変化が見られず、ピーク強度も酸化側でイニシャルの88%、還元側で88%の強度を保っていた。これによりPPCBNAPAは、中性状態から酸化状態への酸化反応と酸化状態から中性状態への還元の繰り返し及び中性状態から還元状態への還元反応と還元状態から中性状態への酸化の繰り返しに対して比較的安定な物質であることがわかった。
【0301】
また、薄膜状態のPPCBNAPAを大気中にて光電子分光法(理研計器社製、AC−2)で測定した結果、HOMO準位は−5.45eVであった。更に、図40の吸収スペクトルを用い、直接遷移を仮定したTaucプロットから吸収端を求め、その吸収端を光学的エネルギーギャップとして見積もったところ、そのエネルギーギャップは2.75eVであった。得られたエネルギーギャップとHOMOの値から、LUMO準位を求めたところ−2.70eVであった。このように、PPCBNAPAは2.75eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。
【実施例6】
【0302】
本実施例では、本発明の発光素子の一例について、図9(A)を用いて説明する。本実施例で用いた材料の化学式を以下に示す。
【0303】
【化36】

【0304】
(発光素子3)
まず、ガラス基板1100上に、酸化珪素を含むインジウムスズ酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極1101を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
【0305】
次に、第1の電極1101が形成された面が下方となるように、第1の電極1101が形成されたガラス基板1100を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10−4Pa程度まで減圧した後、第1の電極1101上に、NPBと酸化モリブデン(VI)と共蒸着することにより、有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層1102を形成した。その膜厚は50nmとし、NPBと酸化モリブデンの比率は、重量比で4:1(=NPB:酸化モリブデン)となるように調節した。
【0306】
次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、複合材料を含む層1102上にNPBを10nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層1103を形成した。
【0307】
さらに、CzPAとPPCBNAPAとを共蒸着することにより、正孔輸送層1103上に30nmの膜厚の発光層1104を形成した。ここで、CzPAとPPCBNAPAの重量比は1:0.10(=CzPA:PPCBNAPA)となるように調節した。
【0308】
その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層1104上にトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)を10nmの膜厚となるように成膜し、続いてAlq層の上にバソフェナントロリン(略称:BPhen)を膜厚15nmとなるように成膜し、Alq及びBPhenからなる電子輸送層1105を形成した。
【0309】
続いて、電子輸送層1105上に、フッ化リチウムを蒸着することにより、1nmの膜厚で電子注入層1106を形成した。
【0310】
最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層1106上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極1107を形成することで、発光素子3を作製した。
【0311】
発光素子3の電流密度−輝度特性を図41に示す。また、電圧−輝度特性を図42に示す。また、輝度−電流効率特性を図43に示す。また、1mAの電流を流した時の発光スペクトルを図44に示す。図44から、発光素子3の発光は、PPCBNAPAからの発光であることがわかった。814.7cd/mの輝度のときの発光素子3のCIE色度座標は(x,y)=(0.17,0.21)であり、青色発光が得られた。また、図43から、発光素子3の814.7cd/mにおける電流効率は4.3cd/Aであり、高い電流効率を示すことがわかった。また、図42から、814.7cd/mにおける駆動電圧は4.2Vであり、パワー効率は3.96lm/Wであった。この結果から、発光素子3は、ある一定の輝度を得るための電圧が低く、低消費電力であることがわかった。
【0312】
以上の結果により、本発明の一態様の発光素子用材料を発光素子に用いることにより、低電圧で駆動可能な発光素子を提供できることが明らかとなった。また、高効率且つ、低電圧駆動が可能である、低消費電力の素子を提供できることが明らかとなった。
【0313】
次に、発光素子3の信頼性試験を行った。信頼性試験の結果を図45に示す。図45において、縦軸は初期輝度を100%とした時の規格化輝度(%)を示し、横軸は素子の駆動時間を示す。信頼性試験は、初期輝度を1000cd/mに設定し、電流密度一定の条件で本実施例の発光素子3を駆動した。図45から、発光素子3の300時間後の輝度は初期輝度の81%を保っていた。従って、本発明の一態様の発光素子用材料を発光素子に用いることにより、長寿命の発光素子が得られることがわかった。また、この信頼性試験の結果から、本発明の一態様の発光素子用材料におけるアミン骨格末端の1−ナフチル基は、長寿命な発光素子の実現に効果があることが明らかとなった。
【符号の説明】
【0314】
100 基板
101 第1の電極
102 有機化合物を含む層
103 第2の電極
111 正孔注入層
112 正孔輸送層
113 発光層
114 電子輸送層
121 第1の層
122 第2の層
501 第1の電極
502 第2の電極
511 第1の発光ユニット
512 第2の発光ユニット
513 電荷発生層
601 駆動回路部(ソース側駆動回路)
601 ソース側駆動回路
602 画素部
603 駆動回路部(ゲート側駆動回路)
603 ゲート側駆動回路
604 封止基板
605 シール材
607 空間
608 配線
609 FPC(フレキシブルプリントサーキット)
610 素子基板
611 スイッチング用TFT
612 電流制御用TFT
613 第1の電極
614 絶縁物
616 有機化合物を含む層(EL層)
617 第2の電極
618 発光素子
623 nチャネル型TFT
624 pチャネル型TFT
901 筐体
902 液晶層
903 バックライト
904 筐体
905 ドライバIC
906 端子
951 基板
952 電極
953 絶縁層
954 隔壁層
955 有機化合物を含む層(EL層)
956 電極
1100 ガラス基板
1101 第1の電極
1102 複合材料を含む層
1103 正孔輸送層
1104 発光層
1105 電子輸送層
1106 電子注入層
1107 第2の電極
1200 第1の発光層
1201 第2の発光層
2001 筐体
2002 光源
3001 照明装置
3002 テレビ装置
9101 筐体
9102 支持台
9103 表示部
9104 スピーカー部
9105 ビデオ入力端子
9201 本体
9202 筐体
9203 表示部
9204 キーボード
9205 外部接続ポート
9206 ポインティングデバイス
9401 本体
9402 筐体
9403 表示部
9404 音声入力部
9405 音声出力部
9406 操作キー
9407 外部接続ポート
9408 アンテナ
9501 本体
9502 表示部
9503 筐体
9504 外部接続ポート
9505 リモコン受信部
9506 受像部
9507 バッテリー
9508 音声入力部
9509 操作キー
9510 接眼部

【特許請求の範囲】
【請求項1】
一般式(G1)で表される発光素子用材料。
【化1】


(一般式(G1)において、Arは炭素数6乃至13の置換又は無置換のアリール基を表し、Ar、Ar、Arは、それぞれ独立に、炭素数6乃至13の置換又は無置換のアリーレン基を表し、R乃至Rは、それぞれ独立に、水素、又は、炭素数1乃至4のアルキル基を表し、R11は炭素数1乃至4のアルキル基、又は、炭素数6乃至13の置換又は無置換のアリール基を表し、R12は水素、又は、炭素数1乃至4のアルキル基、又は、炭素数6乃至13の置換又は無置換のアリール基を表す。)
【請求項2】
一般式(G1−1)で表される発光素子用材料。
【化2】


(一般式(G1−1)において、Arは炭素数6乃至13の置換又は無置換のアリール基を表し、Ar、Ar、Arは、それぞれ独立に、パラ−フェニレン基、又は、ビフェニル−4,4’−ジイル基を表す。)
【請求項3】
一対の電極間に、請求項1または請求項2に記載の発光素子用材料を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項4】
一対の電極間に発光層を有し、前記発光層は請求項1または請求項2に記載の発光素子用材料を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項5】
請求項3または請求項4に記載の発光素子と、前記発光素子の発光を制御する制御回路とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項6】
表示部を有し、前記表示部は、請求項3または請求項4に記載の発光素子と前記発光素子の発光を制御する制御回路とを備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項7】
請求項5に記載の発光装置を用いて形成されたことを特徴とする照明装置。

【図1】
image rotate

【図2】
image rotate

【図3】
image rotate

【図4】
image rotate

【図5】
image rotate

【図6】
image rotate

【図7】
image rotate

【図8】
image rotate

【図9】
image rotate

【図10】
image rotate

【図11】
image rotate

【図12】
image rotate

【図13】
image rotate

【図14】
image rotate

【図15】
image rotate

【図16】
image rotate

【図17】
image rotate

【図18】
image rotate

【図19】
image rotate

【図20】
image rotate

【図21】
image rotate

【図22】
image rotate

【図23】
image rotate

【図24】
image rotate

【図25】
image rotate

【図26】
image rotate

【図27】
image rotate

【図28】
image rotate

【図29】
image rotate

【図30】
image rotate

【図31】
image rotate

【図32】
image rotate

【図33】
image rotate

【図34】
image rotate

【図35】
image rotate

【図36】
image rotate

【図37】
image rotate

【図38】
image rotate

【図39】
image rotate

【図40】
image rotate

【図41】
image rotate

【図42】
image rotate

【図43】
image rotate

【図44】
image rotate

【図45】
image rotate


【公開番号】特開2010−116552(P2010−116552A)
【公開日】平成22年5月27日(2010.5.27)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−238081(P2009−238081)
【出願日】平成21年10月15日(2009.10.15)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】