発光素子
【課題】高効率発光が可能で、塗布型プロセスで形成可能な発光素子を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）に示す銅複核錯体を発光材料として用いる発光素子。
［配位子Ａは配位原子である窒素を含むピリジン誘導体から選ばれる。
Ｘはハロゲン原子であり、Ｃｌ、ＢｒまたはＩから選ばれる。
ＰＲ3はＰが配位原子である３級フォスフィンであり、下記構造式（２）に示すものから選ばれる。
Ｒ2とＲ3は、炭素原子数６以下の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基である。］
【解決手段】下記一般式（１）に示す銅複核錯体を発光材料として用いる発光素子。
［配位子Ａは配位原子である窒素を含むピリジン誘導体から選ばれる。
Ｘはハロゲン原子であり、Ｃｌ、ＢｒまたはＩから選ばれる。
ＰＲ3はＰが配位原子である３級フォスフィンであり、下記構造式（２）に示すものから選ばれる。
Ｒ2とＲ3は、炭素原子数６以下の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基である。］
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銅を用いた銅複核錯体を発光材料に用いた発光素子に関するものであり、さらに詳しくはハロゲン架橋された複核錯体を、好ましくは発光ドーパントに用いた、有機ＥＬ素子等の発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
下記化学式（４）に示す発光性の複核銅錯体は、非特許文献１に記載されている。
【０００３】
【化１】
【０００４】
非特許文献１によると、上記構造式中のピリジン環の置換基やハロゲン原子を変更することにより発光波長を制御できることが示されている。また、発光量子収率は０．１以上と高い値を示す。
【０００５】
また、上記化学式（４）と類似の構造で高分子銅錯体が知られている（非特許文献２）。
【０００６】
【非特許文献１】Ｆｉｒｓｔ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ｔｈｅ Ｐｈｏｔｏｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｃｏｍｐｌｅｘ Ｓｙｓｔｅｍｓ（ＩＳＰＣＣＳ）、［Ｋｏｎａ，Ｈａｗａｉｉ，ＵＳＡ，１２−１４ Ｄｅｃｅｍｂｅｒ ２００５］ 講演番号：ＩＬ−０５ Ｅｍｉｓｓｉｏｎｓ ｏｆ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｃｏｐｐｅｒ ｄｉｎｕｃｌｅａｒ ｃｏｍｐｌｅｘｅｓ ｗｉｔｈ ｈａｌｉｄｅ ｂｒｉｄｇｅｓ Ｙｕｋｏ Ｃｈｉｓｈｉｎａ，Ｋｉｙｏｓｈｉ Ｔｓｕｇｅ，Ｙｏｉｃｈｉ Ｓａｓａｋｉ，Ｓｈｏｊｉ Ｉｓｈｉｚａｋａ，Ｎｏｂｏｒｕ Ｋｉｔａｍｕｒａ
【非特許文献２】Ｈ．Ａｒａｋｉ，Ｋ．Ｔｓｕｇｅ，Ｙ．Ｓａｓａｋｉ，Ｓ．Ｉｓｈｉｚａｋａ，ａｎｄ Ｎ．Ｋｉｔａｍｕｒａ，ＩｎｏｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，２００５；４４（２６）；９６６７−９６７５．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
非特許文献１では、上記化学式（４）で示す銅複核錯体の発光特性を議論している。しかしながら、これらの錯体を発光素子に用いる発光材料としての応用に関する記述はなく、分子構造や光物理特性の研究に限定されたものである。
【０００８】
また、非特許文献２に開示されている銅錯体は高い発光特性を持つが、一般的な有機溶媒に不溶である。従って、発光素子を作成するのに必要な薄膜を形成することが困難で、発光素子への応用が難しかった。
【０００９】
そこで、本発明は、高効率発光が可能で、塗布型プロセスで形成可能な発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
すなわち、本発明の発光素子は、下記一般式（１）に示す銅複核錯体を発光材料として用いることを特徴とする。
【００１１】
【化２】
【００１２】
［但し、配位子Ａは配位原子である窒素を含むピリジン誘導体から選ばれ、それらは置換基を有していても良い。該置換基は、アルキル基、アルコキシル基、フェニル基、ベンジル基、ベンゾイル基、ジアルキルアミノ基、カルボキシル基から選ばれる。
【００１３】
Ｘはハロゲン原子であり、Ｃｌ、ＢｒまたはＩから選ばれる。
【００１４】
ＰＲ3はＰが配位原子である３級フォスフィンであり、下記構造式（２）に示すものから選ばれる。
【００１５】
【化３】
【００１６】
但し、上記構造式（２）中、フェニル基の水素原子はハロゲン原子または炭素原子数６以下の分岐または直鎖状のアルキル基、アルコキシル基に置換されても良い。
【００１７】
Ｒ2とＲ3は、炭素原子数６以下の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基である。］
【発明の効果】
【００１８】
本発明の銅複核錯体は、一般的な有機溶媒に可溶である。そのため、本発明の銅複核錯体を用いた発光素子は塗布型プロセスで形成することができる。
【００１９】
また、本発明の銅複核錯体は、室温で安定な高効率発光が得られるため、これを用いた発光素子は、高効率発光が可能である。
【００２０】
更に、本発明の銅複核錯体を発光ドーパントとして用いる場合、ホスト材料中に均一に分散することが可能で、濃度消光が回避され高効率の発光が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００２２】
本発明の素子の発光材料に用いる銅複核錯体は、上記一般式（１）で示され、配位子Ａが、以下の構造式（３）に示す化合物から選ばれることが好ましい。
【００２３】
【化４】
【００２４】
以下に、本発明の素子の発光材料に用いる銅複核錯体の具体例を示す。式中、Ｘはハロゲン原子を示し、Ｉ、Ｂｒ、Ｃｌから選ばれる。
【００２５】
【化５】
【００２６】
【化６】
【００２７】
本発明の銅複核錯体は、２つのハロゲンによって架橋された［Ｃｕ2Ｘ2］ユニットを中心にもち、さらにフォスフィン配位子ＰＲ3とピリジン系配位子を持つ。本発明の銅複核錯体の発光スペクトルの代表例として、例示化合物００１乃至００６の発光スペクトルを図１に示す。図１に示す様に、ピリジン系の配位子の置換基を変更することにより、これら錯体の発光スペクトルを変化させることができる。図１（ａ）に示す様に、Ｘ＝Ｉの場合、各錯体の発光ピーク波長は、４３５ｎｍ乃至６２７ｎｍにわたり、これら錯体の発光は青色から赤色まで可視光領域の広い範囲をカバーしていることがわかる。
【００２８】
本発明者らは、これら銅複核錯体を有機ＥＬ素子の発光ドーパントに用いることを検討し、高効率の発光素子を得たものである。
【００２９】
本発明者等の検討により、本発明の銅複核錯体は、一般的な有機溶媒に可溶である。一般的な有機溶媒とは、例えば、トルエン、オルトキシレン、メタキシレン、パラキシレン、テトラヒドロフラン、クロロホルム、塩化メチレン、クロロベンゼン、四塩化炭素、オルトジクロロベンゼン、メタジクロロベンゼン、パラジクロロベンゼン、酢酸エチルなどである。従って本発明の銅複核錯体を用いて発光素子を作成する場合、有機溶媒に溶解してそれを塗布して発光層を形成する塗布型プロセスを用いる発光素子に適している。
【００３０】
塗布型プロセスには、スピンコーティング法、インクジェット法、印刷法、ディスペンサー法などの方法が挙げられる。
【００３１】
通常、塗布型プロセスで発光層を形成する場合、ホスト材料と発光ドーパントの混合溶液を作成し、それを所望のパターンで塗布した後、乾燥させることで発光層に対応する膜を形成する。従って、発光層は、ホスト材料と本発明の銅複核錯体である発光ドーパントにより構成されることが好ましい。
【００３２】
発光層のホスト材料として用いる有機化合物の具体例を以下に示した。ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリフルオレン（ＰＦ）やポリスチレン（ＰＳ）などのほかに、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）なども用いることができる。また、これらポリマーの他にも、有機ＥＬ材料として用いられる以下に示した化合物群（オリゴフルオレン、ＴＣＴＢ、ＮＰＤ、ＴＰＤ）も本発明のホスト材料として有用である。
【００３３】
【化７】
【００３４】
これらの有機化合物中に本発明の銅複核錯体を均一に分散することで、濃度消光が回避され高効率の発光が可能になる。本発明の銅複核錯体は、室温で安定な高効率発光が得られるため、発光素子への応用が可能である。
【００３５】
発光は励起状態からの励起エネルギーの輻射遷移であるため、励起状態の形成方法によって分類できる。
【００３６】
１．電流励起によりホールと電子を結合させ励起状態を形成するエレクトロルミネッセンス素子
２．励起光源により励起状態を形成するフォトルミネッセンス素子
３．電子線により励起状態を形成するカソードルミネッセンス素子
がある。
【００３７】
エレクトロルミネッセンス素子に関しては、有機ＬＥＤ素子の発光ドーパントとして本発明の銅複核錯体を用いる応用が可能である。その有機ＬＥＤ素子の素子構成の一例を図２に示した。図２に示した有機ＬＥＤ素子は、陽電極／ホール注入層／発光層／電子注入層／陰電極からなり、発光層は本発明の銅複核錯体をドープした有機化合物ホスト（図２ではＰＶＫ／ＰＢＤ）からなる。ＰＶＫとＰＢＤの分子構造式を以下に示した。
【００３８】
【化８】
【００３９】
この素子に電圧を２Ｖ乃至２０Ｖ程度印加することによりガラス基板側にＥＬ発光が確認される。
【００４０】
フォトルミネセンス素子は、有機または無機ＬＥＤを励起光源とした発光色変換材料としての応用が可能である。フォトルミネッセンス素子の構成の一例を図３に示した。例えば紫外光発光をする無機ＬＥＤ素子に電界を印加することにより、無機ＬＥＤ素子から紫外光（発光ピーク波長＝２５０ｎｍ乃至４００ｎｍ）を発光させる。その前面に設置した本発明の銅複核錯体を含む発光層を持つフォトルミネセンス素子に、無機ＬＥＤからの光が照射される。フォトルミネッセンス素子がこの光を吸収して励起状態を形成し、その励起状態からの発光が外部から観察されることになる。
【００４１】
カソードルミネッセンス素子としては、カソードレイチューブ（ＣＲＴ）の蛍光体などへの応用が可能である。
【００４２】
また、本発明の銅複核錯体は、特に混色または白色発光材料に応用可能である。
【実施例】
【００４３】
＜合成実験例＞
最初に本発明の銅複核錯体の合成実験例を示す。
【００４４】
（１）まず、本発明の銅錯体の原料となる錯体［Ｃｕ2Ｉ2（ＰＰｈ3）3］の合成法を示す。この方法は、参考文献１で報告されている。
（参考文献１：Ｇ．Ｃｏｓｔａ，Ｅ．Ｒｅｉｓｅｎｈｏｆｅｒ，Ｌ．ＳｔｅｆａｎｉＪ．Ｉｎｏｒｇ．Ｎｕｃｌ．Ｃｈｅｍ．，１９６５，２７，２５８１．）
【００４５】
ＣＨＣｌ3２０ｍｌにＰＰｈ3１０４．９ｍｇ（０．４ｍｍｏｌ）を溶かす。ここにＣｕＩ３８．１ｍｇ（０．２ｍｍｏｌ）を加え、約４時間撹拌する。約１ｍｌまでエバポレーターで濃縮した後、エーテル蒸気を拡散させると、無色結晶が析出する（収量５８．４ｍｇ（収率５０％ｖ．ｓ．ＰＰｈ3））。
【００４６】
元素分析の結果は以下であり、得られた化合物が錯体［Ｃｕ2Ｉ2（ＰＰｈ3）3］であることが確認できた。
【００４７】
Ｆｏｕｎｄ（％） Ｃ：５５．７７，Ｈ：３．９７，Ｎ：０．００
Ｃａｌｃｄ．（％）ｆｏｒ［Ｃｕ2Ｉ2（ＰＰｈ3）3］ Ｃ：５５．５４，Ｈ：３．８８，Ｎ：０
【００４８】
（２）原料錯体［Ｃｕ2Ｂｒ2（ＰＰｈ3）3］の合成法を示す。
【００４９】
ＣＨＣｌ3２０ｍｌにＰＰｈ3１０４．９ｍｇ（０．４ｍｍｏｌ）を溶かす。ここにＣｕＢｒ2８．７ｍｇ（０．２ｍｍｏｌ）を加え、約４時間撹拌する。約１ｍｌまでエバポレーターで濃縮した後エーテル蒸気を拡散させると、無色結晶が析出する（収量６５．２ｍｇ（収率６０．７％ｖ．ｓ．ＰＰｈ3））。
【００５０】
元素分析の結果は以下であり、得られた化合物が錯体［Ｃｕ2Ｂｒ2（ＰＰｈ3）3］であることが確認できた。
【００５１】
Ｆｏｕｎｄ Ｃ：６０．６７，Ｈ：４．３０，Ｎ：０．００
Ｃａｌｃｄ．ｆｏｒ［Ｃｕ2Ｂｒ2（ＰＰｈ3）3］ Ｃ：６０．４０，Ｈ：４．２２，Ｎ：０
【００５２】
（３）（１）及び（２）で合成した［Ｃｕ2Ｘ2（ＰＰｈ3）3］を出発化合物とした［Ｃｕ2Ｘ2（ＰＰｈ3）2（Ｌ）2］の合成
適切な溶媒中で、［Ｃｕ2Ｘ2（ＰＰｈ3）3］に１０倍量のピリジン類縁体配位子Ｌを反応させることにより［Ｃｕ2Ｘ2（ＰＰｈ3）2（Ｌ）2］が得られる。具体的な合成例を以下に示す。
【００５３】
（３−１）銅複核錯体［Ｃｕ2Ｉ2（ＰＰｈ3）2（４−Ｍｅｐｙ）2］（例示化合物００２（Ｘ＝Ｉ））の合成
［Ｃｕ2Ｉ2（ＰＰｈ3）3］３５ｍｇ（０．０３ｍｍｏｌ）をＣＨＣｌ3１．０ｍｌに溶かし、ここに４−Ｍｅｐｙ３０μｌ（０．３ｍｍｏｌ）を加えて静置すると、数日後、無色結晶が析出する（収量２２．２ｍｇ（収率６７．８％）。
【００５４】
元素分析の結果は以下であり、得られた化合物が目的の錯体であることが確認できた。
【００５５】
Ｆｏｕｎｄ Ｃ：５２．６８，Ｈ：４．００，Ｎ：２．５０
Ｃａｌｃｄ．ｆｏｒ［Ｃｕ2Ｉ2（ＰＰｈ3）2（３−Ｍｅｐｙ）2］ Ｃ：５２．８１，Ｈ：４．０６，Ｎ：２．５７
【００５６】
（３−２）銅複核錯体［Ｃｕ2Ｂｒ2（ＰＰｈ3）2（３−Ｍｅｐｙ）2］（例示化合物００３（Ｘ＝Ｂｒ））の合成
［Ｃｕ2Ｂｒ2（ＰＰｈ3）3］５３．７ｍｇ（０．０５ｍｍｏｌ）をＣＨＣｌ3１．０ｍｌに溶かし、ここに３−Ｍｅｐｙ５０μｌ（０．５ｍｍｏｌ）を加え、ｈｅｘａｎｅを加えて静置すると、数日後、無色結晶が析出する（収量２６．８ｍｇ（収率５３．７％））。
【００５７】
元素分析の結果は以下であり、得られた化合物が目的の錯体であることが確認できた。
【００５８】
Ｆｏｕｎｄ Ｃ：５７．６４，Ｈ：４．４０，Ｎ：２．８５
Ｃａｌｃｄ．ｆｏｒ［Ｃｕ2Ｂｒ2（ＰＰｈ3）2（３−Ｍｅｐｙ）2］ Ｃ：５７．７８，Ｈ：４．４５，Ｎ：２．８１
【００５９】
（３−３）銅複核錯体［Ｃｕ2Ｂｒ2（ＰＰｈ3）2（４−Ｐｈｐｙ）2］（例示化合物００６（Ｘ＝Ｂｒ））の合成
［Ｃｕ2Ｂｒ2（ＰＰｈ3）3］３２．２ｍｇ（０．０３ｍｍｏｌ）をＣＨＣｌ3０．８ｍｌに溶かし、ここに４−Ｐｈｐｙ４６．５ｍｇ（０．３ｍｍｏｌ）を加えてしばらく静置した後、ｈｅｘａｎｅを加えると、淡黄色結晶が析出する（収量１８．６ｍｇ（収率５５．３％））。
【００６０】
元素分析の結果は以下であり、得られた化合物が目的の錯体であることが確認できた。
【００６１】
Ｆｏｕｎｄ Ｃ：６２．２４，Ｈ：４．４１，Ｎ：２．４５
Ｃａｌｃｄ．ｆｏｒ［Ｃｕ2Ｂｒ2（ＰＰｈ3）2（４−Ｐｈｐｙ）2］ Ｃ：６２．０９，Ｈ：４．３１，Ｎ：２．５０
【００６２】
上記合成実験例の合成法によって得られる銅複核錯体の固体粉末の室温における発光スペクトルを図１に示した。図１（ａ）にはヨウ素原子を含む［Ｃｕ2Ｉ2（ＰＰｈ3）2（Ｌ）2］（例示化合物００１乃至００６（Ｘ＝Ｉ））の発光スペクトル、図１（ｂ）には臭素原子を含む［Ｃｕ2Ｂｒ2（ＰＰｈ3）2（Ｌ）2］（例示化合物００１乃至００６（Ｘ＝Ｂｒ））の発光スペクトルを示した。各錯体の発光ピーク波長は、Ｘ＝Ｉの場合、４３５ｎｍ乃至６２７ｎｍであり、また、Ｘ＝Ｂｒの場合、４７２ｎｍ乃至６５０ｎｍである。配位子を変化させることにより、可視光領域の広い範囲の領域をカバーできることがわかる。同じ配位子を持つヨウ素錯体と臭素錯体を比べると、ヨウ素錯体の方が発光ピーク波長が短いことがわかる。
【００６３】
２時間以上励起光によって発光させていても輝度の高い発光を得ることができ、本発明の銅錯体は安定な発光が得られることが判った。
【００６４】
＜実施例１＞
上に述べた合成実験例で合成した錯体を含む本発明の銅複核錯体（例示化合物００２乃至００６（Ｘ＝Ｂｒ））をポリマー中に分散して、励起光源を用いるフォトルミネセンス素子を作成した。
【００６５】
クロロホルム中に１４重量％の濃度でポリスチレン（ＡＣＲＯＳ ＯＲＧＡＮＩＣ社製）を溶解させた。また、銅錯体を同じ１．４重量％の濃度で溶解した。その後このポリスチレン溶液と銅錯体溶液を１：１の割合で混合した。この溶液をアセトンで洗浄したガラス基板上に数滴滴下し、２時間乾燥させてキャスト膜を形成した。このポリスチレン−銅錯体混合膜に波長３５５ｎｍの励起光でフォトルミネッセンスのスペクトルを測定した。また、ポリスチレンのみのキャスト膜についても同様にスペクトルを測定した。その発光スペクトルを図４に示した。
【００６６】
それぞれの発光スペクトルは、ポリスチレンのみのキャスト膜からの発光とは異なり、銅複核錯体由来の発光スペクトルであることがわかる。発光波長が大きな例示化合物００４（Ｘ＝Ｂｒ）、及び例示化合物００５（Ｘ＝Ｂｒ）は、発光スペクトルが短波長側にも伸びている。これは、ポリスチレンからの励起エネルギーのエネルギー転移が不十分なため、銅錯体の発光に付随してポリスチレン由来の発光も同時に観測されていると考えられる。従って、銅錯体とホスト化合物を適切に選択することによりホスト材料の発光との混色による多色発光または白色発光を得ることができる。
【００６７】
発光は、キャスト膜全体に均一な発光が確認され、クロロホルムに溶解することが可能な銅錯体を用いることで、ポリスチレン中に銅錯体を均一に分散できたためと考えられる。本実施例から、ホストに分散して銅錯体を発光させることにより励起光による高輝度の安定したフォトルミネッセンスを得ることができ、本発明の銅複核錯体は励起光源を持つフォトルミネッセンス素子に有用であることを明らかにした。
【００６８】
＜実施例２＞
本実施例では、銅錯体を用いて有機ＥＬ素子を作成した。
【００６９】
素子構成を図２に示す。素子構成は、
ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ（３０ｎｍ）／発光層（１００ｎｍ）／Ｃｓ2ＣＯ3（２ｎｍ）／Ａｌ（７０ｎｍ）
である。ＰＥＤＯＴは、ベイトロン社製ＡＩ１０８３を用いた。
【００７０】
発光層は、ＰＶＫとＰＢＤの混合ホスト材料に銅錯体を混合して用いた。ここで銅錯体は、例示化合物００５（Ｘ＝Ｂｒ）である。ＰＶＫは、ホール輸送性であり、ＰＢＤは電子輸送性である。従って、これらを混合して発光層を形成することにより、電圧印加時に電子とホールを効率良く発光層に注入することができる。発光層中のこれら材料の混合比は、混合ホスト材料の混合重量比は、ＰＶＫ：ＰＢＤ＝７：３とした。この混合ホスト材料に対して、例示化合物００５（Ｘ＝Ｂｒ）を３重量％、５重量％及び１０重量％の割合で混合した発光層を持つ素子をそれぞれ作成した。
【００７１】
素子作成は、まず、ＩＴＯ上に４０００回転／分（６０秒）でＰＥＤＯＴをスピンコートし、２００℃１０分間で乾燥した。次に、混合ホスト材料（混合重量比はＰＶＫ：ＰＢＤ＝７：３）に対して例示化合物００５（Ｘ＝Ｂｒ）を３重量％、５重量％及び１０重量％を加えたオルトジクロロベンゼン混合溶液をそれぞれ調整した。これらの溶液をそれぞれＰＥＤＯＴ上に１０００回転／分（６０秒）でスピンコートし、７０℃３０分間で乾燥した。その後、真空蒸着装置にこの基板をセットし、Ｃｓ2ＣＯ3とアルミニウムを連続して蒸着した。
【００７２】
これらの素子における電圧印加時のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）特性を評価した。まず、図５に銅錯体（例示化合物００５（Ｘ＝Ｂｒ））の濃度が３重量％、５重量％及び１０重量％のＥＬスペクトルを示す。図５において４２０ｎｍ付近にある発光バンドはＰＶＫに由来するものであり、５５０ｎｍ付近の発光バンドは、例示化合物００５（Ｘ＝Ｂｒ）由来の発光である。例示化合物００５（Ｘ＝Ｂｒ）の濃度が高い方が、ＰＶＫの発光強度に対する例示化合物００５（Ｘ＝Ｂｒ）の発光強度が相対的に強くなっていることがわかる。
【００７３】
この発光スペクトルから、銅錯体の濃度を変化させることにより、ホスト材料と銅錯体からの発光の比率を変化させることができ、混色による発光色を変化させることができる。また、銅錯体の比率を適切に選択することにより白色発光がえられる。
【００７４】
図６に銅錯体のドーピング濃度５％と１０％の電圧−輝度カーブと、電流−パワー効率カーブを示した。濃度５％と１０％のこれらの特性には大きな差はない。ＥＬ発光効率は、最大で０．７ｌｍ／（５％）０．４ｌｍ／Ｗ（１０％）が得られた。この結果から、本発明の銅複核錯体は、有機ＥＬ素子の発光ドーパントとして有用なことがわかった。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】例示化合物００１乃至００６の発光スペクトルを示す図である。
【図２】本発明の有機ＬＥＤ素子の素子構成の一例を示す図である。
【図３】本発明のフォトルミネッセンス素子の構成の一例を示す図である。
【図４】実施例で製造したフォトルミネッセンス素子の発光スペクトルを示す図である。
【図５】実施例で製造した有機ＥＬ素子の発光スペクトルを示す図である。
【図６】実施例で製造した有機ＥＬ素子の電圧−輝度カーブと、電流−パワー効率カーブを示す図である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銅を用いた銅複核錯体を発光材料に用いた発光素子に関するものであり、さらに詳しくはハロゲン架橋された複核錯体を、好ましくは発光ドーパントに用いた、有機ＥＬ素子等の発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
下記化学式（４）に示す発光性の複核銅錯体は、非特許文献１に記載されている。
【０００３】
【化１】
【０００４】
非特許文献１によると、上記構造式中のピリジン環の置換基やハロゲン原子を変更することにより発光波長を制御できることが示されている。また、発光量子収率は０．１以上と高い値を示す。
【０００５】
また、上記化学式（４）と類似の構造で高分子銅錯体が知られている（非特許文献２）。
【０００６】
【非特許文献１】Ｆｉｒｓｔ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ｔｈｅ Ｐｈｏｔｏｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｃｏｍｐｌｅｘ Ｓｙｓｔｅｍｓ（ＩＳＰＣＣＳ）、［Ｋｏｎａ，Ｈａｗａｉｉ，ＵＳＡ，１２−１４ Ｄｅｃｅｍｂｅｒ ２００５］ 講演番号：ＩＬ−０５ Ｅｍｉｓｓｉｏｎｓ ｏｆ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｃｏｐｐｅｒ ｄｉｎｕｃｌｅａｒ ｃｏｍｐｌｅｘｅｓ ｗｉｔｈ ｈａｌｉｄｅ ｂｒｉｄｇｅｓ Ｙｕｋｏ Ｃｈｉｓｈｉｎａ，Ｋｉｙｏｓｈｉ Ｔｓｕｇｅ，Ｙｏｉｃｈｉ Ｓａｓａｋｉ，Ｓｈｏｊｉ Ｉｓｈｉｚａｋａ，Ｎｏｂｏｒｕ Ｋｉｔａｍｕｒａ
【非特許文献２】Ｈ．Ａｒａｋｉ，Ｋ．Ｔｓｕｇｅ，Ｙ．Ｓａｓａｋｉ，Ｓ．Ｉｓｈｉｚａｋａ，ａｎｄ Ｎ．Ｋｉｔａｍｕｒａ，ＩｎｏｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，２００５；４４（２６）；９６６７−９６７５．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
非特許文献１では、上記化学式（４）で示す銅複核錯体の発光特性を議論している。しかしながら、これらの錯体を発光素子に用いる発光材料としての応用に関する記述はなく、分子構造や光物理特性の研究に限定されたものである。
【０００８】
また、非特許文献２に開示されている銅錯体は高い発光特性を持つが、一般的な有機溶媒に不溶である。従って、発光素子を作成するのに必要な薄膜を形成することが困難で、発光素子への応用が難しかった。
【０００９】
そこで、本発明は、高効率発光が可能で、塗布型プロセスで形成可能な発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
すなわち、本発明の発光素子は、下記一般式（１）に示す銅複核錯体を発光材料として用いることを特徴とする。
【００１１】
【化２】
【００１２】
［但し、配位子Ａは配位原子である窒素を含むピリジン誘導体から選ばれ、それらは置換基を有していても良い。該置換基は、アルキル基、アルコキシル基、フェニル基、ベンジル基、ベンゾイル基、ジアルキルアミノ基、カルボキシル基から選ばれる。
【００１３】
Ｘはハロゲン原子であり、Ｃｌ、ＢｒまたはＩから選ばれる。
【００１４】
ＰＲ3はＰが配位原子である３級フォスフィンであり、下記構造式（２）に示すものから選ばれる。
【００１５】
【化３】
【００１６】
但し、上記構造式（２）中、フェニル基の水素原子はハロゲン原子または炭素原子数６以下の分岐または直鎖状のアルキル基、アルコキシル基に置換されても良い。
【００１７】
Ｒ2とＲ3は、炭素原子数６以下の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基である。］
【発明の効果】
【００１８】
本発明の銅複核錯体は、一般的な有機溶媒に可溶である。そのため、本発明の銅複核錯体を用いた発光素子は塗布型プロセスで形成することができる。
【００１９】
また、本発明の銅複核錯体は、室温で安定な高効率発光が得られるため、これを用いた発光素子は、高効率発光が可能である。
【００２０】
更に、本発明の銅複核錯体を発光ドーパントとして用いる場合、ホスト材料中に均一に分散することが可能で、濃度消光が回避され高効率の発光が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００２２】
本発明の素子の発光材料に用いる銅複核錯体は、上記一般式（１）で示され、配位子Ａが、以下の構造式（３）に示す化合物から選ばれることが好ましい。
【００２３】
【化４】
【００２４】
以下に、本発明の素子の発光材料に用いる銅複核錯体の具体例を示す。式中、Ｘはハロゲン原子を示し、Ｉ、Ｂｒ、Ｃｌから選ばれる。
【００２５】
【化５】
【００２６】
【化６】
【００２７】
本発明の銅複核錯体は、２つのハロゲンによって架橋された［Ｃｕ2Ｘ2］ユニットを中心にもち、さらにフォスフィン配位子ＰＲ3とピリジン系配位子を持つ。本発明の銅複核錯体の発光スペクトルの代表例として、例示化合物００１乃至００６の発光スペクトルを図１に示す。図１に示す様に、ピリジン系の配位子の置換基を変更することにより、これら錯体の発光スペクトルを変化させることができる。図１（ａ）に示す様に、Ｘ＝Ｉの場合、各錯体の発光ピーク波長は、４３５ｎｍ乃至６２７ｎｍにわたり、これら錯体の発光は青色から赤色まで可視光領域の広い範囲をカバーしていることがわかる。
【００２８】
本発明者らは、これら銅複核錯体を有機ＥＬ素子の発光ドーパントに用いることを検討し、高効率の発光素子を得たものである。
【００２９】
本発明者等の検討により、本発明の銅複核錯体は、一般的な有機溶媒に可溶である。一般的な有機溶媒とは、例えば、トルエン、オルトキシレン、メタキシレン、パラキシレン、テトラヒドロフラン、クロロホルム、塩化メチレン、クロロベンゼン、四塩化炭素、オルトジクロロベンゼン、メタジクロロベンゼン、パラジクロロベンゼン、酢酸エチルなどである。従って本発明の銅複核錯体を用いて発光素子を作成する場合、有機溶媒に溶解してそれを塗布して発光層を形成する塗布型プロセスを用いる発光素子に適している。
【００３０】
塗布型プロセスには、スピンコーティング法、インクジェット法、印刷法、ディスペンサー法などの方法が挙げられる。
【００３１】
通常、塗布型プロセスで発光層を形成する場合、ホスト材料と発光ドーパントの混合溶液を作成し、それを所望のパターンで塗布した後、乾燥させることで発光層に対応する膜を形成する。従って、発光層は、ホスト材料と本発明の銅複核錯体である発光ドーパントにより構成されることが好ましい。
【００３２】
発光層のホスト材料として用いる有機化合物の具体例を以下に示した。ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリフルオレン（ＰＦ）やポリスチレン（ＰＳ）などのほかに、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）なども用いることができる。また、これらポリマーの他にも、有機ＥＬ材料として用いられる以下に示した化合物群（オリゴフルオレン、ＴＣＴＢ、ＮＰＤ、ＴＰＤ）も本発明のホスト材料として有用である。
【００３３】
【化７】
【００３４】
これらの有機化合物中に本発明の銅複核錯体を均一に分散することで、濃度消光が回避され高効率の発光が可能になる。本発明の銅複核錯体は、室温で安定な高効率発光が得られるため、発光素子への応用が可能である。
【００３５】
発光は励起状態からの励起エネルギーの輻射遷移であるため、励起状態の形成方法によって分類できる。
【００３６】
１．電流励起によりホールと電子を結合させ励起状態を形成するエレクトロルミネッセンス素子
２．励起光源により励起状態を形成するフォトルミネッセンス素子
３．電子線により励起状態を形成するカソードルミネッセンス素子
がある。
【００３７】
エレクトロルミネッセンス素子に関しては、有機ＬＥＤ素子の発光ドーパントとして本発明の銅複核錯体を用いる応用が可能である。その有機ＬＥＤ素子の素子構成の一例を図２に示した。図２に示した有機ＬＥＤ素子は、陽電極／ホール注入層／発光層／電子注入層／陰電極からなり、発光層は本発明の銅複核錯体をドープした有機化合物ホスト（図２ではＰＶＫ／ＰＢＤ）からなる。ＰＶＫとＰＢＤの分子構造式を以下に示した。
【００３８】
【化８】
【００３９】
この素子に電圧を２Ｖ乃至２０Ｖ程度印加することによりガラス基板側にＥＬ発光が確認される。
【００４０】
フォトルミネセンス素子は、有機または無機ＬＥＤを励起光源とした発光色変換材料としての応用が可能である。フォトルミネッセンス素子の構成の一例を図３に示した。例えば紫外光発光をする無機ＬＥＤ素子に電界を印加することにより、無機ＬＥＤ素子から紫外光（発光ピーク波長＝２５０ｎｍ乃至４００ｎｍ）を発光させる。その前面に設置した本発明の銅複核錯体を含む発光層を持つフォトルミネセンス素子に、無機ＬＥＤからの光が照射される。フォトルミネッセンス素子がこの光を吸収して励起状態を形成し、その励起状態からの発光が外部から観察されることになる。
【００４１】
カソードルミネッセンス素子としては、カソードレイチューブ（ＣＲＴ）の蛍光体などへの応用が可能である。
【００４２】
また、本発明の銅複核錯体は、特に混色または白色発光材料に応用可能である。
【実施例】
【００４３】
＜合成実験例＞
最初に本発明の銅複核錯体の合成実験例を示す。
【００４４】
（１）まず、本発明の銅錯体の原料となる錯体［Ｃｕ2Ｉ2（ＰＰｈ3）3］の合成法を示す。この方法は、参考文献１で報告されている。
（参考文献１：Ｇ．Ｃｏｓｔａ，Ｅ．Ｒｅｉｓｅｎｈｏｆｅｒ，Ｌ．ＳｔｅｆａｎｉＪ．Ｉｎｏｒｇ．Ｎｕｃｌ．Ｃｈｅｍ．，１９６５，２７，２５８１．）
【００４５】
ＣＨＣｌ3２０ｍｌにＰＰｈ3１０４．９ｍｇ（０．４ｍｍｏｌ）を溶かす。ここにＣｕＩ３８．１ｍｇ（０．２ｍｍｏｌ）を加え、約４時間撹拌する。約１ｍｌまでエバポレーターで濃縮した後、エーテル蒸気を拡散させると、無色結晶が析出する（収量５８．４ｍｇ（収率５０％ｖ．ｓ．ＰＰｈ3））。
【００４６】
元素分析の結果は以下であり、得られた化合物が錯体［Ｃｕ2Ｉ2（ＰＰｈ3）3］であることが確認できた。
【００４７】
Ｆｏｕｎｄ（％） Ｃ：５５．７７，Ｈ：３．９７，Ｎ：０．００
Ｃａｌｃｄ．（％）ｆｏｒ［Ｃｕ2Ｉ2（ＰＰｈ3）3］ Ｃ：５５．５４，Ｈ：３．８８，Ｎ：０
【００４８】
（２）原料錯体［Ｃｕ2Ｂｒ2（ＰＰｈ3）3］の合成法を示す。
【００４９】
ＣＨＣｌ3２０ｍｌにＰＰｈ3１０４．９ｍｇ（０．４ｍｍｏｌ）を溶かす。ここにＣｕＢｒ2８．７ｍｇ（０．２ｍｍｏｌ）を加え、約４時間撹拌する。約１ｍｌまでエバポレーターで濃縮した後エーテル蒸気を拡散させると、無色結晶が析出する（収量６５．２ｍｇ（収率６０．７％ｖ．ｓ．ＰＰｈ3））。
【００５０】
元素分析の結果は以下であり、得られた化合物が錯体［Ｃｕ2Ｂｒ2（ＰＰｈ3）3］であることが確認できた。
【００５１】
Ｆｏｕｎｄ Ｃ：６０．６７，Ｈ：４．３０，Ｎ：０．００
Ｃａｌｃｄ．ｆｏｒ［Ｃｕ2Ｂｒ2（ＰＰｈ3）3］ Ｃ：６０．４０，Ｈ：４．２２，Ｎ：０
【００５２】
（３）（１）及び（２）で合成した［Ｃｕ2Ｘ2（ＰＰｈ3）3］を出発化合物とした［Ｃｕ2Ｘ2（ＰＰｈ3）2（Ｌ）2］の合成
適切な溶媒中で、［Ｃｕ2Ｘ2（ＰＰｈ3）3］に１０倍量のピリジン類縁体配位子Ｌを反応させることにより［Ｃｕ2Ｘ2（ＰＰｈ3）2（Ｌ）2］が得られる。具体的な合成例を以下に示す。
【００５３】
（３−１）銅複核錯体［Ｃｕ2Ｉ2（ＰＰｈ3）2（４−Ｍｅｐｙ）2］（例示化合物００２（Ｘ＝Ｉ））の合成
［Ｃｕ2Ｉ2（ＰＰｈ3）3］３５ｍｇ（０．０３ｍｍｏｌ）をＣＨＣｌ3１．０ｍｌに溶かし、ここに４−Ｍｅｐｙ３０μｌ（０．３ｍｍｏｌ）を加えて静置すると、数日後、無色結晶が析出する（収量２２．２ｍｇ（収率６７．８％）。
【００５４】
元素分析の結果は以下であり、得られた化合物が目的の錯体であることが確認できた。
【００５５】
Ｆｏｕｎｄ Ｃ：５２．６８，Ｈ：４．００，Ｎ：２．５０
Ｃａｌｃｄ．ｆｏｒ［Ｃｕ2Ｉ2（ＰＰｈ3）2（３−Ｍｅｐｙ）2］ Ｃ：５２．８１，Ｈ：４．０６，Ｎ：２．５７
【００５６】
（３−２）銅複核錯体［Ｃｕ2Ｂｒ2（ＰＰｈ3）2（３−Ｍｅｐｙ）2］（例示化合物００３（Ｘ＝Ｂｒ））の合成
［Ｃｕ2Ｂｒ2（ＰＰｈ3）3］５３．７ｍｇ（０．０５ｍｍｏｌ）をＣＨＣｌ3１．０ｍｌに溶かし、ここに３−Ｍｅｐｙ５０μｌ（０．５ｍｍｏｌ）を加え、ｈｅｘａｎｅを加えて静置すると、数日後、無色結晶が析出する（収量２６．８ｍｇ（収率５３．７％））。
【００５７】
元素分析の結果は以下であり、得られた化合物が目的の錯体であることが確認できた。
【００５８】
Ｆｏｕｎｄ Ｃ：５７．６４，Ｈ：４．４０，Ｎ：２．８５
Ｃａｌｃｄ．ｆｏｒ［Ｃｕ2Ｂｒ2（ＰＰｈ3）2（３−Ｍｅｐｙ）2］ Ｃ：５７．７８，Ｈ：４．４５，Ｎ：２．８１
【００５９】
（３−３）銅複核錯体［Ｃｕ2Ｂｒ2（ＰＰｈ3）2（４−Ｐｈｐｙ）2］（例示化合物００６（Ｘ＝Ｂｒ））の合成
［Ｃｕ2Ｂｒ2（ＰＰｈ3）3］３２．２ｍｇ（０．０３ｍｍｏｌ）をＣＨＣｌ3０．８ｍｌに溶かし、ここに４−Ｐｈｐｙ４６．５ｍｇ（０．３ｍｍｏｌ）を加えてしばらく静置した後、ｈｅｘａｎｅを加えると、淡黄色結晶が析出する（収量１８．６ｍｇ（収率５５．３％））。
【００６０】
元素分析の結果は以下であり、得られた化合物が目的の錯体であることが確認できた。
【００６１】
Ｆｏｕｎｄ Ｃ：６２．２４，Ｈ：４．４１，Ｎ：２．４５
Ｃａｌｃｄ．ｆｏｒ［Ｃｕ2Ｂｒ2（ＰＰｈ3）2（４−Ｐｈｐｙ）2］ Ｃ：６２．０９，Ｈ：４．３１，Ｎ：２．５０
【００６２】
上記合成実験例の合成法によって得られる銅複核錯体の固体粉末の室温における発光スペクトルを図１に示した。図１（ａ）にはヨウ素原子を含む［Ｃｕ2Ｉ2（ＰＰｈ3）2（Ｌ）2］（例示化合物００１乃至００６（Ｘ＝Ｉ））の発光スペクトル、図１（ｂ）には臭素原子を含む［Ｃｕ2Ｂｒ2（ＰＰｈ3）2（Ｌ）2］（例示化合物００１乃至００６（Ｘ＝Ｂｒ））の発光スペクトルを示した。各錯体の発光ピーク波長は、Ｘ＝Ｉの場合、４３５ｎｍ乃至６２７ｎｍであり、また、Ｘ＝Ｂｒの場合、４７２ｎｍ乃至６５０ｎｍである。配位子を変化させることにより、可視光領域の広い範囲の領域をカバーできることがわかる。同じ配位子を持つヨウ素錯体と臭素錯体を比べると、ヨウ素錯体の方が発光ピーク波長が短いことがわかる。
【００６３】
２時間以上励起光によって発光させていても輝度の高い発光を得ることができ、本発明の銅錯体は安定な発光が得られることが判った。
【００６４】
＜実施例１＞
上に述べた合成実験例で合成した錯体を含む本発明の銅複核錯体（例示化合物００２乃至００６（Ｘ＝Ｂｒ））をポリマー中に分散して、励起光源を用いるフォトルミネセンス素子を作成した。
【００６５】
クロロホルム中に１４重量％の濃度でポリスチレン（ＡＣＲＯＳ ＯＲＧＡＮＩＣ社製）を溶解させた。また、銅錯体を同じ１．４重量％の濃度で溶解した。その後このポリスチレン溶液と銅錯体溶液を１：１の割合で混合した。この溶液をアセトンで洗浄したガラス基板上に数滴滴下し、２時間乾燥させてキャスト膜を形成した。このポリスチレン−銅錯体混合膜に波長３５５ｎｍの励起光でフォトルミネッセンスのスペクトルを測定した。また、ポリスチレンのみのキャスト膜についても同様にスペクトルを測定した。その発光スペクトルを図４に示した。
【００６６】
それぞれの発光スペクトルは、ポリスチレンのみのキャスト膜からの発光とは異なり、銅複核錯体由来の発光スペクトルであることがわかる。発光波長が大きな例示化合物００４（Ｘ＝Ｂｒ）、及び例示化合物００５（Ｘ＝Ｂｒ）は、発光スペクトルが短波長側にも伸びている。これは、ポリスチレンからの励起エネルギーのエネルギー転移が不十分なため、銅錯体の発光に付随してポリスチレン由来の発光も同時に観測されていると考えられる。従って、銅錯体とホスト化合物を適切に選択することによりホスト材料の発光との混色による多色発光または白色発光を得ることができる。
【００６７】
発光は、キャスト膜全体に均一な発光が確認され、クロロホルムに溶解することが可能な銅錯体を用いることで、ポリスチレン中に銅錯体を均一に分散できたためと考えられる。本実施例から、ホストに分散して銅錯体を発光させることにより励起光による高輝度の安定したフォトルミネッセンスを得ることができ、本発明の銅複核錯体は励起光源を持つフォトルミネッセンス素子に有用であることを明らかにした。
【００６８】
＜実施例２＞
本実施例では、銅錯体を用いて有機ＥＬ素子を作成した。
【００６９】
素子構成を図２に示す。素子構成は、
ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ（３０ｎｍ）／発光層（１００ｎｍ）／Ｃｓ2ＣＯ3（２ｎｍ）／Ａｌ（７０ｎｍ）
である。ＰＥＤＯＴは、ベイトロン社製ＡＩ１０８３を用いた。
【００７０】
発光層は、ＰＶＫとＰＢＤの混合ホスト材料に銅錯体を混合して用いた。ここで銅錯体は、例示化合物００５（Ｘ＝Ｂｒ）である。ＰＶＫは、ホール輸送性であり、ＰＢＤは電子輸送性である。従って、これらを混合して発光層を形成することにより、電圧印加時に電子とホールを効率良く発光層に注入することができる。発光層中のこれら材料の混合比は、混合ホスト材料の混合重量比は、ＰＶＫ：ＰＢＤ＝７：３とした。この混合ホスト材料に対して、例示化合物００５（Ｘ＝Ｂｒ）を３重量％、５重量％及び１０重量％の割合で混合した発光層を持つ素子をそれぞれ作成した。
【００７１】
素子作成は、まず、ＩＴＯ上に４０００回転／分（６０秒）でＰＥＤＯＴをスピンコートし、２００℃１０分間で乾燥した。次に、混合ホスト材料（混合重量比はＰＶＫ：ＰＢＤ＝７：３）に対して例示化合物００５（Ｘ＝Ｂｒ）を３重量％、５重量％及び１０重量％を加えたオルトジクロロベンゼン混合溶液をそれぞれ調整した。これらの溶液をそれぞれＰＥＤＯＴ上に１０００回転／分（６０秒）でスピンコートし、７０℃３０分間で乾燥した。その後、真空蒸着装置にこの基板をセットし、Ｃｓ2ＣＯ3とアルミニウムを連続して蒸着した。
【００７２】
これらの素子における電圧印加時のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）特性を評価した。まず、図５に銅錯体（例示化合物００５（Ｘ＝Ｂｒ））の濃度が３重量％、５重量％及び１０重量％のＥＬスペクトルを示す。図５において４２０ｎｍ付近にある発光バンドはＰＶＫに由来するものであり、５５０ｎｍ付近の発光バンドは、例示化合物００５（Ｘ＝Ｂｒ）由来の発光である。例示化合物００５（Ｘ＝Ｂｒ）の濃度が高い方が、ＰＶＫの発光強度に対する例示化合物００５（Ｘ＝Ｂｒ）の発光強度が相対的に強くなっていることがわかる。
【００７３】
この発光スペクトルから、銅錯体の濃度を変化させることにより、ホスト材料と銅錯体からの発光の比率を変化させることができ、混色による発光色を変化させることができる。また、銅錯体の比率を適切に選択することにより白色発光がえられる。
【００７４】
図６に銅錯体のドーピング濃度５％と１０％の電圧−輝度カーブと、電流−パワー効率カーブを示した。濃度５％と１０％のこれらの特性には大きな差はない。ＥＬ発光効率は、最大で０．７ｌｍ／（５％）０．４ｌｍ／Ｗ（１０％）が得られた。この結果から、本発明の銅複核錯体は、有機ＥＬ素子の発光ドーパントとして有用なことがわかった。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】例示化合物００１乃至００６の発光スペクトルを示す図である。
【図２】本発明の有機ＬＥＤ素子の素子構成の一例を示す図である。
【図３】本発明のフォトルミネッセンス素子の構成の一例を示す図である。
【図４】実施例で製造したフォトルミネッセンス素子の発光スペクトルを示す図である。
【図５】実施例で製造した有機ＥＬ素子の発光スペクトルを示す図である。
【図６】実施例で製造した有機ＥＬ素子の電圧−輝度カーブと、電流−パワー効率カーブを示す図である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）に示す銅複核錯体を発光材料として用いることを特徴とする発光素子。
【化１】
［但し、配位子Ａは配位原子である窒素を含むピリジン誘導体から選ばれ、それらは置換基を有していても良い。該置換基は、アルキル基、アルコキシル基、フェニル基、ベンジル基、ベンゾイル基、ジアルキルアミノ基、カルボキシル基から選ばれる。
Ｘはハロゲン原子であり、Ｃｌ、ＢｒまたはＩから選ばれる。
ＰＲ3はＰが配位原子である３級フォスフィンであり、下記構造式（２）に示すものから選ばれる。
【化２】
但し、上記構造式（２）中、フェニル基の水素原子はハロゲン原子または炭素原子数６以下の分岐または直鎖状のアルキル基、アルコキシル基に置換されても良い。
Ｒ2とＲ3は、炭素原子数６以下の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基である。］
【請求項２】
前記配位子Ａが、以下の構造式（３）に示す化合物から選ばれることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【化３】
【請求項３】
発光層を有し、該発光層は、発光ドーパントとホスト材料の混合物により形成され、該発光ドーパントとして前記一般式（１）に示す銅複核錯体を用い、該ホスト材料として有機化合物を用いることを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記発光ドーパント及び前記ホスト材料が同時に発光し、混色した発光を得ることを特徴とする請求項３に記載の発光素子。
【請求項１】
下記一般式（１）に示す銅複核錯体を発光材料として用いることを特徴とする発光素子。
【化１】
［但し、配位子Ａは配位原子である窒素を含むピリジン誘導体から選ばれ、それらは置換基を有していても良い。該置換基は、アルキル基、アルコキシル基、フェニル基、ベンジル基、ベンゾイル基、ジアルキルアミノ基、カルボキシル基から選ばれる。
Ｘはハロゲン原子であり、Ｃｌ、ＢｒまたはＩから選ばれる。
ＰＲ3はＰが配位原子である３級フォスフィンであり、下記構造式（２）に示すものから選ばれる。
【化２】
但し、上記構造式（２）中、フェニル基の水素原子はハロゲン原子または炭素原子数６以下の分岐または直鎖状のアルキル基、アルコキシル基に置換されても良い。
Ｒ2とＲ3は、炭素原子数６以下の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基である。］
【請求項２】
前記配位子Ａが、以下の構造式（３）に示す化合物から選ばれることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【化３】
【請求項３】
発光層を有し、該発光層は、発光ドーパントとホスト材料の混合物により形成され、該発光ドーパントとして前記一般式（１）に示す銅複核錯体を用い、該ホスト材料として有機化合物を用いることを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記発光ドーパント及び前記ホスト材料が同時に発光し、混色した発光を得ることを特徴とする請求項３に記載の発光素子。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００８−６３３９９（Ｐ２００８−６３３９９Ａ）
【公開日】平成２０年３月２１日（２００８．３．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２４１１４８（Ｐ２００６−２４１１４８）
【出願日】平成１８年９月６日（２００６．９．６）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年３月２１日（２００８．３．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年９月６日（２００６．９．６）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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