発光装置、その製造方法および電子機器
【課題】 光反射層の劣化を防止する。
【解決手段】 各単位素子Ｕは、基板１０に形成された光反射層２１と、光反射層２１を挟んで基板１０とは反対側に配置された半透過反射性の第２電極３５と、光反射層２１と第２電極３５との間に介在する発光体３３と、光反射層２１と発光体３３との間に介在する光透過性の第１電極２５とを含む。各単位素子Ｕにおいては、発光体３３からの出射光を光反射層２１と第２電極３５との間で共振させる共振器構造が形成される。透光層２３は、光透過性の絶縁材料によって形成され、単位素子Ｕrの光反射層２１と第１電極２５との間に介在して共振器構造を構成する一方、単位素子Ｕrとは共振波長が相違する単位素子Ｕbの光反射層２１のうち少なくとも一部とは重なり合わない。
【解決手段】 各単位素子Ｕは、基板１０に形成された光反射層２１と、光反射層２１を挟んで基板１０とは反対側に配置された半透過反射性の第２電極３５と、光反射層２１と第２電極３５との間に介在する発光体３３と、光反射層２１と発光体３３との間に介在する光透過性の第１電極２５とを含む。各単位素子Ｕにおいては、発光体３３からの出射光を光反射層２１と第２電極３５との間で共振させる共振器構造が形成される。透光層２３は、光透過性の絶縁材料によって形成され、単位素子Ｕrの光反射層２１と第１電極２５との間に介在して共振器構造を構成する一方、単位素子Ｕrとは共振波長が相違する単位素子Ｕbの光反射層２１のうち少なくとも一部とは重なり合わない。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光層を発光させる構造およびその構造を作成する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（ElectroLuminescent）材料などの発光材料からなる発光層を第１電極と第２電極との間に介在させた素子（以下「単位素子」という）が基板上に配列された発光装置は従来から提案されている。この種の発光装置においては、発光層による出射光のスペクトルのピーク幅が広くその強度も低いため、例えば表示装置として採用されたときに充分な色再現性の確保が困難であるという問題がある。
【０００３】
この問題を解決するために、例えば特許文献１には、発光層からの出射光を共振させる共振器構造を各単位素子に形成した構成が開示されている。この構成においては、発光層に対して基板側に位置する光透過性の第１電極と当該基板との間に光反射層（誘電体ミラー）が配置される。発光層からの出射光は、この発光層を挟んで相互に対向する光反射層と第２電極との間で往復する。そして、光反射層と第２電極との光学的距離に応じた共振波長の光が選択的に増幅されたうえで観察側に出射する。したがって、スペクトルのピーク幅が狭く強度も高い光を表示に利用することができ、これによって表示装置の色再現性を向上させることが可能となる。また、単位素子ごとに光反射層と第２電極との光学的距離を調整することによって複数の色彩（例えば赤色や緑色や青色）に対応した波長の光を取り出すこともできる。
【特許文献１】国際公開第０１／０３９５５４号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、以上の構成においては、基板の表面に形成された光反射層を被覆するように第１電極を形成する必要がある。したがって、例えば第１電極のパターニングに使用されるエッチングの溶液が付着することによって光反射層の表面が損傷（腐食）するという問題がある。光反射層の材料としてはアルミニウムや銀などの材料が好適に採用されるが、この種の材料は耐蝕性が低いから、エッチングの溶液による損傷や劣化は特に顕著である。そして、このような損傷によって光反射層の反射特性（例えば反射率）が劣化すると、共振器構造による共振の効率が低下するという問題がある。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、光反射層の劣化を防止するという課題の解決を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、基板上に形成された光反射層と、光反射層を挟んで基板とは反対側に配置された半透過反射層（例えば各実施形態の第２電極３５）と、反射層と半透過反射層との間に介在する発光層と、光反射層と発光層との間に介在する光透過性の電極（例えば各実施形態の第１電極２５）とを各々が含む複数の単位素子が配列され、発光層からの出射光を光反射層と半透過反射層との間で共振させる共振器構造が各単位素子に形成される発光装置であって、光透過性の絶縁材料によって形成され、複数の単位素子のうち第１の単位素子（例えば各実施形態の単位素子Ｕrまたは単位素子Ｕg）の光反射層と電極との間に介在して当該第１の単位素子の共振器構造を構成するとともに、共振器構造における共振波長が第１の単位素子とは相違する第２の単位素子（例えば各実施形態の単位素子Ｕb）の光反射層のうち少なくとも一部とは重なり合わない第１透光層（例えば第１実施形態の透光層２３や第２実施形態の第１透光層２３１）を具備する。例えば、第１透光層は、第２の単位素子の光反射層に対応する位置に開口部（例えば図１や図６の開口部２３ａ）を有する。
この構成によれば、第１の単位素子の光反射層を被覆するように透光層が形成されるから、電極の形成時における光反射層の劣化を防止することができる。さらに、第１の単位素子の光反射層を被覆するとともに第２の単位素子の光反射層と重なり合わないように第１透光層が形成されるから、共振器構造における共振波長を第１透光層の有無に応じて第１の単位素子と第２の単位素子とで個別に調整することができる。したがって、例えば電極の膜厚のみに応じて各単位素子の共振波長が調整される構成と比較して製造工程の簡素化や製造コストの低減を図ることができる。
【０００６】
本発明の望ましい態様において、光透過性の絶縁材料によって形成されて複数の単位素子にわたり分布する第２透光層（例えば第２実施形態の第２透光層２３２）がさらに設けられ、第２透光層は、複数の単位素子のうち第１群に属する各単位素子（例えば第２実施形態における単位素子Ｕr）の光反射層と電極との間に介在して当該各単位回路の共振器構造を構成するとともに、第１群とは異なる第２群に属する各単位回路（例えば第２実施形態における単位素子Ｕgまたは単位素子Ｕb）の光反射層と基板との間に介在する。この態様によれば、第１透光層の有無に加えて、第２透光層を光反射層と電極との間に介在させるか否かに応じて共振器構造における共振波長を単位素子ごとに調整することが可能となる。なお、この態様の具体例は第２実施形態として後述される。
【０００７】
本発明の具体的な態様において、電極はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）など光透過性の導電材料によって形成される一方、第１透光層や第２透光層は酸化珪素や窒化珪素など光透過性の絶縁材料によって形成される。ただし、電極と各透光層との屈折率を略等しくして両者の界面での屈折や散乱を防止するという観点からすると、電極がＩＴＯによって形成されるとともに第１透光層や第２透光層が窒化珪素によって形成された構成が望ましい。
【０００８】
本発明は、以上に説明した第２透光層のみを含む発光装置（すなわち第１透光層を含まない発光装置）としても特定される。すなわち、この発光装置は、基板上に形成された光反射層と、光反射層を挟んで基板とは反対側に配置された半透過反射層と、光反射層と半透過反射層との間に介在する発光層と、光反射層と発光層との間に介在する光透過性の電極とを各々が含む複数の単位素子が配列され、発光層からの出射光を光反射層と半透過反射層との間で共振させる共振器構造が各単位素子に形成される発光装置であって、光透過性の絶縁材料によって形成されて複数の単位素子にわたり分布し、複数の単位素子のうち第１の単位素子（例えば第２実施形態における単位素子Ｕr）の光反射層と電極との間に介在して当該第１の単位素子の共振器構造を構成するとともに、共振器構造における共振波長が第１の単位素子とは相違する第２の単位素子（例えば第２実施形態における単位素子Ｕgまたは単位素子Ｕb）の光反射層と基板との間に介在する透光層（例えば第２実施形態における第２透光層２３２）を具備する。
この構成によれば、第１の単位素子の光反射層を被覆するように透光層が形成されるから、電極の形成時における光反射層の劣化を防止することができる。また、第１の単位素子の光反射層と電極との間に介在するとともに第２の単位素子の光反射層と基板との間に介在するように光反射層が形成されるから、共振器構造における共振波長を透光層の有無に応じて第１の単位素子と第２の単位素子とで個別に調整することができる。したがって、例えば電極の膜厚のみに応じて各単位素子の共振波長が調整される構成と比較して製造工程の簡素化や製造コストの低減を図ることができる。
【０００９】
本発明の望ましい態様において、複数の単位素子のうち一の単位素子と他の単位素子とは、電極の膜厚が互いに相違する。この態様によれば、各単位素子における電極の膜厚に応じて各単位素子の共振器構造における共振波長を高精度に調整することが可能となる。なお、本態様においては、単一の導電膜からなる電極の膜厚を単位素子ごとに相違させてもよいが、より望ましい態様において、一の単位素子の電極との単位素子の電極とは、各々を構成する導電膜の積層数が相違する。この態様によれば、電極を構成する導電膜の積総数を単位素子ごとに決定することによって共振波長が単位素子ごとに調整される。
【００１０】
本発明に係る発光装置は各種の電子機器に利用される。この電子機器の典型例は、発光装置を表示装置として利用した機器である。この種の電子機器としては、パーソナルコンピュータや携帯電話機などがある。もっとも、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成するための露光装置（露光ヘッド）としても本発明の発光装置を適用することができる。また、例えば液晶パネルの背面に設置される照明装置（バックライト）としても本発明の発光装置を採用することができる。
【００１１】
本発明に係る発光装置の製造方法は、各単位素子の光反射層を基板上に形成する光反射層形成工程（例えば図２の工程Ａ3および工程Ａ4または図７の工程Ｃ1ないし工程Ｃ5）と、複数の単位素子のうち第１の単位素子の光反射層を被覆するとともに、共振器構造における共振波長が第１の単位素子とは相違する第２の単位素子の光反射層のうち少なくとも一部とは重なり合わない第１透光層を、光透過性の絶縁材料によって形成する透光層形成工程（例えば図２の工程Ａ5および工程Ａ6または図８の工程Ｃ6および工程Ｃ7）と、透光層形成工程後に各単位素子の電極を形成する電極形成工程（例えば図３の工程Ａ7ないし工程Ａ10または図８の工程Ｃ8および工程Ｃ9）とを含む。この方法によれば、電極形成工程に先立って第１の単位素子の光反射層が第１透光層によって被覆されるから、電極形成工程における光反射層の劣化（例えば電極の形成時に使用されるエッチング液による腐食）は防止される。また、第１透光層の有無に応じて第１の単位素子と第２の単位素子とで共振波長が個別に調整されるから、例えば電極の膜厚のみに応じて各単位素子の共振波長が調整される構成と比較して製造工程の簡素化や製造コストの低減を図ることができる。
【００１２】
本発明に係る製造方法の望ましい態様において、電極形成工程は、複数の単位素子のうち少なくとも一部の単位素子の電極を構成する第１層を形成する第１層形成工程（例えば図３の工程Ａ7および工程Ａ8）と、複数の単位素子のうち少なくとも一部の単位素子の電極を形成する第２層を第１層形成工程の後に形成する第２層形成工程（例えば図３の工程Ａ9および工程Ａ10）とを含み、第２の単位素子の電極は、第１層形成工程にて形成された第１層を含む。透光層形成工程にて形成される第１透光層は第２の単位素子における光反射層の少なくとも一部を被覆しないが、本態様においては、第２の単位素子の光反射層が第１層によって被覆されるから、第１層や第２層の形成に際して第２の単位素子における光反射層の劣化を有効に防止することができる。
【００１３】
また、本発明の望ましい態様において、光反射層形成工程は、複数の単位素子のうち第１群に属する各単位素子の光反射層を基板上に形成する第１工程（例えば図７の工程Ｃ1および工程Ｃ2）と、第１工程で形成された光反射層を被覆する第１絶縁膜（例えば図７の絶縁膜Ｌb1）を光透過性の絶縁材料によって形成する第２工程（例えば図７の工程Ｃ3）と、複数の単位素子のうち第１群とは異なる第２群に属する各単位素子の光反射層を第１絶縁膜の面上に形成する第３工程（例えば図７の工程Ｃ4および工程Ｃ5）とを含む。この態様によれば、第１透光層の有無に加えて、第２透光層を光反射層と電極との間に介在させるか否かに応じて共振器構造における共振波長を単位素子ごとに調整することが可能となる。なお、この態様の具体例は第２実施形態として後述される。
より望ましくは、光反射層形成工程に先立って複数の配線を基板上に形成する配線形成工程（例えば図２の工程Ａ1）を含み、透光層形成工程は、光反射層形成工程で形成された光反射層を被覆する第２絶縁膜（例えば図８の絶縁膜Ｌb2）を形成する絶縁膜形成工程（例えば図８の工程Ｃ6）と、第１絶縁膜および第２絶縁膜を一括して選択的に除去する工程であって、第２絶縁膜のうち第２の単位素子の光反射層に対応する位置に開口部を形成して光反射層を作成するとともに、第１絶縁膜および第２絶縁膜を貫通して配線に至るコンタクトホールを形成する除去工程（例えば図８の工程Ｃ7）とを含み、電極形成工程においては、コンタクトホールを介して各単位素子の電極を配線に導通させる。この態様によれば、第１絶縁膜と第２絶縁膜とが一括して選択的に除去されるから、第１絶縁膜と第２絶縁膜とを個別にパターニングする方法と比較して製造工程の簡素化および製造コストの低減が図られる。
【００１４】
また、本発明に係る発光装置の製造方法は、複数の反射層のうち第１の単位素子の光反射層を基板上に形成する第１工程（例えば図７の工程Ｃ1および工程Ｃ2）と、複数の単位素子にわたって分布するとともに第１工程で形成された光反射層を被覆する透光層を光透過性の絶縁材料によって形成する第２工程（例えば図７の工程Ｃ3）と、共振器構造における共振波長が第１の単位素子とは相違する第２の単位素子の光反射層を透光層の面上に形成する第３工程（例えば図７の工程Ｃ4および工程Ｃ5）と、第２光反射層形成工程後に各単位素子の電極を形成する電極形成工程（例えば図８の工程Ｃ8および工程Ｃ9）とを含む。この方法によれば、電極形成工程に先立って第１の単位素子の光反射層を被覆する透光層が形成されるから、電極の形成時における光反射層の劣化を防止することができる。また、第１の単位素子の光反射層と電極との間に介在するとともに第２の単位素子の光反射層と基板との間に介在するように光反射層が形成されるから、共振器構造における共振波長を透光層の有無に応じて第１の単位素子と第２の単位素子とで個別に調整することができる。したがって、例えば電極の膜厚のみに応じて各単位素子の共振波長が調整される構成と比較して製造工程の簡素化や製造コストの低減を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
＜Ａ：第１実施形態＞
＜Ａ−１：発光装置の構造＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る発光装置の構造を示す断面図である。同図に示されるように、発光装置Ｄは、マトリクス状に配列された複数の単位素子Ｕ（Ｕr，Ｕg，Ｕb）が封止材３７によって基板１０の面上に封止された構成となっている。各単位素子Ｕは複数の色彩（赤色・緑色・青色）の何れかに対応した波長の光を発生する要素である。すなわち、単位素子Ｕrは赤色光を出射し、単位素子Ｕgは緑色光を出射し、単位素子Ｕbは青色光を出射する。本実施形態における発光装置Ｄは、各単位素子Ｕにて発生した光が基板１０とは反対側に向かって出射するトップエミッション型である。したがって、ガラスなどの光透過性を有する板材のほか、セラミックスや金属のシートなど不透明な板材を基板１０として採用することもできる
【００１６】
基板１０の表面には複数の配線１２が形成される。これらの配線１２は、各単位素子Ｕを駆動するための信号を伝送する配線（例えばデータ線や走査線）である。各配線１２が形成された基板１０の表面は下地層１４によって覆われる。この下地層１４は、例えばアクリル系やエポキシ系といった樹脂材料または酸化珪素（ＳｉＯx）や窒化珪素（ＳｉＮx）といった無機材料など各種の絶縁材料によって形成された膜体である。
【００１７】
下地層１４の表面上には各単位素子Ｕに対応するように光反射層２１が形成される。本実施形態における光反射層２１は、各単位素子Ｕの配列に沿うようにストライプ状に形成される。各光反射層２１は、光反射性を有する材料からなる。このような材料としては、アルミニウムや銀などの単体金属、またはアルミニウムや銀を主成分とする合金といった様々な材料がある。
【００１８】
光反射層２１が形成された下地層１４の表面は、複数の単位素子Ｕにわたって連続に分布する透光層２３によって被覆される。この透光層２３は、光反射層２１の保護に利用される膜体であり、例えば酸化珪素（ＳｉＯx）や窒化珪素（ＳｉＮx）といった光透過性の絶縁材料によって形成される。基板１０の表面と垂直な方向からみて配線１２と重なり合う位置には、透光層２３と下地層１４とを各々の厚さ方向に貫通するコンタクトホールＨが単位素子Ｕごとに形成される。
【００１９】
図１に示されるように、透光層２３は、赤色の単位素子Ｕrに対応する光反射層２１と緑色の単位素子Ｕgに対応する光反射層２１とを被覆する。一方、透光層２３のうち青色の単位素子Ｕbの光反射層２１と重なり合う領域は、この透光層２３を厚さ方向に貫通する開口部２３ａとなっている。したがって、青色の単位素子Ｕbの光反射層２１は開口部２３ａを介して透光層２３から露出する。
【００２０】
透光層２３が形成された基板１０の表面上には、第１電極２５が単位素子Ｕごとに相互に離間して形成される。各第１電極２５は、第１層２５１と第２層２５２とを基板１０側からこの順番に積層した構造となっている。第１層２５１および第２層２５２の各々は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）といった光透過性の導電材料によって形成される。第１電極２５は、その第１層２５１がコンタクトホールＨに入り込んで配線１２に接触することによって配線１２と電気的に接続される。
【００２１】
第１電極２５のうち光反射層２１と重なり合う部分の構造は単位素子Ｕの発光色ごとに相違する。例えば、赤色の単位素子Ｕrおよび青色の単位素子Ｕbの各々における第１電極２５の第１層２５１および第２層２５２は双方が光反射層２１と重なり合うように分布する。これに対し、緑色の単位素子Ｕgの第１電極２５においては第２層２５２のみが光反射層２１と重なり合う。すなわち、単位素子Ｕgの第１電極２５の第１層２５１は、コンタクトホールＨの近傍のみに形成されて光反射層２１とは重なり合わない。
【００２２】
第１電極２５が形成された基板１０の表面上にはバンク層３１が形成される。このバンク層３１は、基板１０の表面上の空間を単位素子Ｕごとに仕切るように格子状に形成された隔壁である。バンク層３１は、例えばアクリル系やエポキシ系といった樹脂材料または酸化珪素や窒化珪素といった無機材料など各種の絶縁材料によって形成される。
【００２３】
バンク層３１の内壁に包囲されて第１電極２５を底面とする空間には単位素子Ｕごとに発光体３３が形成される。この発光体３３は、有機ＥＬ材料からなる発光層を含む複数の機能層を積層した構造となっている。各単位素子Ｕの発光体３３は、その単位素子Ｕに対応した波長の光を発光する発光層を含む。各単位素子Ｕの第１電極２５は発光体３３に電気エネルギを付与するための陽極として機能する。一方、各発光体３３の表面には、発光体３３の陰極として機能する第２電極３５が形成される。ただし、第１電極２５が陰極として機能するとともに第２電極３５が陽極として機能する構成としてもよい。
【００２４】
本実施形態における発光体３３は、正孔輸送層と発光層と電子輸送層という３種類の機能層を基板１０側から第２電極３５側に向かってこの順番に積層した構造となっている。ただし、発光体３３の構造はこの例示に限定されない。例えば、正孔輸送層と第１電極２５との間に正孔注入層を介在させた構成や、電子輸送層と第２電極３５との間に電子注入層を介在させた構成としてもよい。すなわち、第１電極２５と第２電極３５との間に発光層が介在する構成であれば足りる。
【００２５】
第２電極３５は、その表面に到達した光の一部を透過するとともにその残りを反射する性質（すなわち半透過反射性）を持った半透過反射層として機能する。本実施形態における第２電極３５は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの光透過性を有する材料によって形成される。このように第２電極３５が光透過性の材料からなる場合であっても、第２電極３５よりも屈折率が低い材料によって封止材３７を形成すれば、第２電極３５と封止材３７との界面において光の一部が透過するとともに他の一部が反射するから、第２電極３５を半透過反射層として機能させることができる。また、アルミニウムや銀（あるいはこれらの金属を主成分とする合金）といった光反射性の材料を薄く形成して第２電極３５とした場合であっても、第２電極３５を半透過反射層として機能させることができる。
【００２６】
各単位素子Ｕは、光反射層２１と第１電極２５と発光体３３と第２電極３５とを含む要素である。各単位素子Ｕにおいては、光反射層２１と第２電極３５との間で発光層からの出射光を共振させる共振器構造が形成される。すなわち、発光体３３の発光層による出射光は光反射層２１と第２電極３５との間で往復し、共振器構造における共振波長の成分のみが選択的に増幅されたうえで第２電極３５を透過して観察側（図１の上方）に出射する。したがって、本実施形態によれば、スペクトルのピーク幅が狭く強度も高い光を表示に利用することができる。
【００２７】
共振器構造における共振波長λは、以下の式(1)で表現されるように、光反射層２１と第２電極３５との光学的距離Ｌに応じて決定される。ただし、式(1)における「Φ（rad）」は、共振器構造の両端部で発生する位相シフトであり、より具体的には、光反射層２１で反射するときに生じる位相シフトΦ1（rad）と第２電極３５で反射するときに生じる位相シフトΦ2と（rad）の和（Φ＝Φ1＋Φ2）である。また、「ｍ」は光学的距離Ｌが正となる整数である。
（２Ｌ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ ……(1)
各単位素子Ｕから出射されるべき所望の共振波長λを式(1)に代入することによって、この共振波長λによる光共振を実現するための光学的距離Ｌが決定される。
【００２８】
いま、発光体３３の屈折率および膜厚が各単位素子Ｕの発光色に拘わらず略同一であると仮定すれば、光反射層２１のうち発光体３３に対向する表面と発光体３３のうち光反射層２１に対向する表面との間の光学的距離に応じて共振波長が決定される。そして、本実施形態における光反射層２１と発光体３３との光学的距離は、以下に説明するように、第１電極２５の膜厚（積層数）と透光層２３の有無とに応じて単位素子Ｕの発光色ごとに個別に決定される。
【００２９】
図１を参照して説明したように、赤色の単位素子Ｕrにおける光反射層２１と発光体３３との間には、第１電極２５の第１層２５１および第２層２５２と透光層２３とが介在する。また、緑色の単位素子Ｕgの光反射層２１と発光体３３との間には第１電極２５の第２層２５２と透光層２３とが介在する。さらに、青色の単位素子Ｕbの光反射層２１と発光体３３との間には第１電極２５の第１層２５１と第２層２５２が介在する。いま、第１電極２５の第１層２５１および第２層２５２の膜厚を４０ｎｍとし、透光層２３の膜厚を７０ｎｍとすると、各発光色の単位素子Ｕにおける光反射層２１と発光体３３との間の幾何学的な距離は以下のように算定される。
単位素子Ｕr：１５０ｎｍ （＝７０ｎｍ［透光層２３］＋４０ｎｍ［第１層２５１］＋４０ｎｍ［第２層２５２］）
単位素子Ｕg：１１０ｎｍ （＝７０ｎｍ［透光層２３］＋４０ｎｍ［第２層２５２］）
単位素子Ｕb：８０ｎｍ （＝４０ｎｍ［第１層２５１］＋４０ｎｍ［第２層２５２］）
【００３０】
また、第１電極２５（第１層２５１および第２層２５２）がＩＴＯ（Indium Tin Oxide）によって形成され、この第１電極２５と屈折率が略同一である窒化珪素によって透光層２３が形成された場合を想定すると、光反射層２１と発光体３３との光学的距離は両者間の幾何学的な距離に比例する。すなわち、本実施形態においては、単位素子Ｕrの共振波長が単位素子Ｕgの共振波長よりも長く、単位素子Ｕgの共振波長が単位素子Ｕbの共振波長よりも長いといった具合に、各単位素子Ｕの共振器構造における単位素子Ｕが第１電極２５の膜厚と透光層２３の有無とによって決定される。
【００３１】
＜Ａ−２：製造方法＞
次に、図２および図３を参照しながら、本実施形態の発光装置Ｄを製造する方法について説明する。なお、以下に示す各層は、スパッタリングやＣＶＤ（Chemical Vapour Deposition）や蒸着など公知である様々な成膜技術によって形成される。また、各層のパターニングには、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術が利用される。
【００３２】
まず、基板１０の表面上に複数の配線１２が形成される（図２の工程Ａ1）。続いて、基板１０の表面上に下地層１４が形成される（工程Ａ2）。次に、基板１０の全面にわたって光反射性の導電膜Ｌa1が形成され（工程Ａ3）、この導電膜Ｌa1のパターニングによって光反射層２１が形成される（工程Ａ4）。さらに、基板１０の全面にわたって絶縁膜Ｌb1が７０ｎｍ程度の膜厚に形成される（工程Ａ5）。この絶縁膜Ｌb1のパターニングによって透光層２３が形成される（工程Ａ6）。工程Ａ6においては、絶縁膜Ｌb1のうち配線１２に重なり合う部分が除去されてコンタクトホールＨが形成されるとともに、青色の単位素子Ｕbの光反射層２１に重なり合う部分が除去されて開口部２３ａが形成される。
【００３３】
次に、第１電極２５の第１層２５１となる導電膜Ｌc1が基板１０の全面にわたって４０ｎｍ程度の膜厚に形成される（図３の工程Ａ7）。この導電膜Ｌc1はコンタクトホールＨを介して配線１２に導通する。続いて、導電膜Ｌc1のパターニングによって、各単位素子Ｕの第１層２５１が相互に離間した形状に形成される（工程Ａ8）。この工程Ａ8においては、導電膜Ｌc1のうち緑色の単位素子Ｕgの光反射層２１と重なり合う部分が除去される。
【００３４】
工程Ａ8に際して、単位素子Ｕrおよび単位素子Ｕgの各々における光反射層２１は透光層２３によって被覆されているから、工程Ａ8に使用されるエッチング液（エッチャント）がこれらの光反射層２１に付着することはない。また、青色の単位素子Ｕbの第１電極２５は第１層２５１を含むから（図１参照）、図３の工程Ａ8に示すように単位素子Ｕbについては第１層２５１が除去されない。したがって、工程Ａ6のパターニング後に青色の単位素子Ｕbの光反射層２１が開口部２３ａを介して透光層２３から露出するとは言っても、工程Ａ8において単位素子Ｕbの光反射層２１にエッチング液が付着することはない。以上のように、本実施形態によれば、工程Ａ8で使用されるエッチング液の付着に起因した各光反射層２１の劣化を有効に防止することができる。
【００３５】
次に、第２層２５２となる導電膜Ｌc2が基板１０の全面にわたって４０ｎｍ程度の膜厚に形成される（工程Ａ9）。そして、この導電膜Ｌc2のパターニングによって各第１電極２５の第２層２５２が形成される（工程Ａ10）。本実施形態においては、総ての単位素子Ｕの各々について第２層２５２が形成される。したがって、工程Ａ10で使用されるエッチング液によって光反射層２１が損傷することはない。
【００３６】
続いて、樹脂膜の形成およびそのパターニングによってバンク層３１が形成される（工程Ａ11）。さらに、このバンク層３１によって仕切られた単位素子Ｕごとの空間に、当該単位素子Ｕに対応した発光色の発光層を含む発光体３３が順次に形成される（工程Ａ12）。次いで、各発光体３３を挟んで第１電極２５と対向するように半透過反射性の第２電極３５が形成されたうえで（工程Ａ13）、基板１０の全面を覆うように封止材３７が設置される（図１参照）。
【００３７】
以上が本実施形態に係る発光装置Ｄの製造方法である。本実施形態の発光装置Ｄにおいては、第１電極２５の膜厚と透光層２３の有無とに応じて共振器構造の共振波長が単位素子Ｕの発光色ごとに調整されるから、各層の成膜やパターニングの回数を削減することができるという効果がある。この効果について詳述すると以下の通りである。
【００３８】
透光層２３によって光反射層２１の損傷を防止しながら共振器構造の共振波長を調整する構造としては、単一の透光層２３によって総ての単位素子Ｕの光反射層２１を被覆したうえで、第１電極２５の膜厚を単位素子Ｕの発光色ごとに個別に選定する構成（以下「対比例」という）も考えられる。図４および図５は、対比例に係る発光装置Ｄの製造方法の工程図である。
【００３９】
図５の工程Ｂ10に示すように、対比例の発光装置Ｄにおいては、総ての単位素子Ｕの光反射層２１が共通の透光層２３によって被覆される。一方、各第１電極２５を構成する導電層の総数は単位素子Ｕごとに相違する。すなわち、赤色の単位素子Ｕrの第１電極２５は第１層２５１・第２層２５２および第３層２５３の３層からなり、緑色の単位素子Ｕgの第１電極２５は第２層２５２および第３層２５３の２層からなり、青色の単位素子Ｕbの第１電極２５は第３層２５３のみからなる。つまり、本実施形態においては第１電極２５の膜厚の調整および透光層２３の有無の選定の双方によって共振波長が調整されるのに対し、対比例においては、第１電極２５の膜厚の調整のみによって共振波長が調整される。この対比例の構造を製造する場合には、図２の工程Ａ2に続いて、以下に説明する図４および図５の工程Ｂ1ないし工程Ｂ10が実施される。
【００４０】
まず、導電膜Ｌa1の成膜（図４の工程Ｂ1）およびそのパターニング（工程Ｂ2）によって光反射層２１が形成される。次いで、絶縁膜Ｌb1の成膜（工程Ｂ3）およびそのパターニング（工程Ｂ4）によって透光層２３が総ての単位素子Ｕにわたって連続に形成される。続いて、第１電極２５の第１層２５１ないし第３層２５３が順次に形成される。すなわち、第１に、導電膜Ｌc1の成膜（工程Ｂ5）およびそのパターニング（工程Ｂ6）によって単位素子Ｕrの光反射層２１のみと重なるように第１層２５１が形成される。第２に、導電膜Ｌc2の成膜（図５の工程Ｂ7）およびそのパターニング（工程Ｂ8）によって単位素子Ｕrおよび単位素子Ｕgの各光反射層２１と重なるように第２層２５２が形成される。そして第３に、導電膜Ｌc3の成膜（工程Ｂ9）およびそのパターニング（工程Ｂ10）によって総ての単位素子Ｕの各光反射層２１と重なるように第３層２５３が形成される。この後に図３の工程Ａ11ないし工程Ａ13が実施される。
【００４１】
以上に説明したように、対比例の発光装置Ｄを製造する場合には、光反射層２１の形成から第１電極２５の形成までに５回の成膜工程（Ｂ1・Ｂ3・Ｂ5・Ｂ7・Ｂ9）と５回のパターニング工程（Ｂ2・Ｂ4・Ｂ6・Ｂ8・Ｂ10）とを実施する必要がある。これに対し、本実施形態によれば、図２および図３に示すように、光反射層２１の形成から第１電極２５の形成までに４回の成膜工程（Ａ3・Ａ5・Ａ7・Ａ9）と４回のパターニング工程（Ａ4・Ａ6・Ａ8・Ａ10）を実施すれば足りる。つまり、対比例における第３層２５３の形成を不要とすることができるから、本実施形態によれば、製造工程の簡素化および製造コストの低減を図ることができる。
【００４２】
また、対比例の構成においては光反射層２１と発光体３３との間に透光層２３と第１電極２５の第１層２５１ないし第３層２５３という合計４層を介在させる必要があるから、所期の光学的距離を得るためには各層の膜厚を比較的に薄くしなければならない。これに対し、本実施形態によれば、光反射層２１と発光体３３との間に透光層２３と第１電極２５の第１層２５１および第２層２５２という合計３層を介在させれば足りるから、各層の膜厚を対比例よりも厚くしても所期の光学的距離を得ることができるという利点がある。
【００４３】
＜Ｂ：第２実施形態＞
＜Ｂ−１：発光装置Ｄの構造＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。なお、本実施形態のうち第１実施形態と同様の要素については共通の符号を付してその説明を適宜に省略する。
【００４４】
図６は、本実施形態に係る発光装置Ｄの構成を示す断面図である。同図に示されるように、本実施形態における総ての単位素子Ｕの第１電極２５は、基板１０の全面を被覆する単一の導電膜から形成された１層のみからなる。したがって、各単位素子Ｕの第１電極２５の膜厚は等しい。
【００４５】
また、本実施形態の発光装置Ｄは、各々が基板１０の全面を覆うように複数の単位素子Ｕにわたって連続に分布する第１透光層２３１および第２透光層２３２を含む。第１透光層２３１および第２透光層２３２は、第１実施形態の透光層２３と同様に、酸化珪素や酸化窒素といった光透過性の絶縁材料からなる。
【００４６】
第１透光層２３１の形状は第１実施形態の透光層２３と同様である。すなわち、第１透光層２３１は、赤色の単位素子Ｕrの光反射層２１１および緑色の単位素子Ｕgの光反射層２１２の双方を被覆する一方、青色の単位素子Ｕbの光反射層２１２に対応する部分は開口部２３ａとなっている。したがって、第１実施形態と同様に、青色の単位素子Ｕbの光反射層２１２は開口部２３ａを介して第１透光層２３１から露出する。
【００４７】
一方、第２透光層２３２は、第１透光層２３１よりも基板１０側に配置された膜体である。この第２透光層２３２は、赤色の単位素子Ｕrの光反射層２１１と発光体３３との間（より具体的には光反射層２１１と第１透光層２３１との間）に介在する。したがって、発光装置Ｄの製造工程において単位素子Ｕrの光反射層２１１は第２透光層２３２によって保護される。さらに、第２透光層２３２は、緑色の単位素子Ｕgおよび青色の単位素子Ｕbの各々の光反射層２１２と基板１０との間隙に介在する。以上のように、単位素子Ｕrにおいては第２透光層２３２が光反射層２１１と第２電極３５との間に介在して共振器構造を構成するのに対し、単位素子Ｕgおよび単位素子Ｕbの各々においては、光反射層２１２と第２電極３５との間に第２透光層２３２は介在しない。
【００４８】
以上の構成において、各単位素子Ｕの光反射層２１と第２電極３５との間の光学的距離は、両者間に介在する透光層２３の積層数に応じて決定される。本実施形態においては、各単位素子Ｕの光反射層２１と第２電極３５との間の光学的距離が、各単位素子Ｕの発光色に応じた共振波長に対応する数値となるように（すなわち式(1)を満たすように）、光反射層２１と第２電極３５との間に介在する透光層２３の総数が単位素子Ｕごとに決定される。さらに具体的に説明すると以下の通りである。
【００４９】
赤色の単位素子Ｕrの光反射層２１と第２電極３５との間には第１透光層２３１と第２透光層２３２と第１電極２５と発光体３３とが介在する。また、緑色の単位素子Ｕgの光反射層２１と第２電極３５との間には、第２透光層２３２と第１電極２５と発光体３３とが介在し第１透光層２３１は介在しない。さらに、青色の単位素子Ｕbの光反射層２１と第２電極３５との間には第１電極２５と発光体３３とが介在し第１透光層２３１および第２透光層２３２の何れも介在しない。いま、第１電極２５の膜厚を８０ｎｍとし、第２透光層２３２の膜厚を４０ｎｍとし、第１透光層２３１の膜厚を３０ｎｍとすると、各発光色の単位素子Ｕにおける光反射層２１と発光体３３との間の幾何学的な距離は以下のように算定される。
単位素子Ｕr：１５０ｎｍ （＝４０ｎｍ［第２透光層２３２］＋３０ｎｍ［第１透光層２３１］＋８０ｎｍ［第１電極２５］）
単位素子Ｕg：１１０ｎｍ （＝３０ｎｍ［第１透光層２３１］＋８０ｎｍ［第１電極２５］）
単位素子Ｕb：８０ｎｍ ［第１電極２５］
【００５０】
第１実施形態にて説明したように、第１電極２５の屈折率と第１透光層２３１および第２透光層２３２の各々の屈折率とが略同一であると仮定すると、光反射層２１と発光体３３との光学的距離は両者間の幾何学的な距離に比例する。したがって、本実施形態においても第１実施形態と同様に、単位素子Ｕrの共振波長が単位素子Ｕgの共振波長よりも長く、単位素子Ｕgの共振波長が単位素子Ｕbの共振波長よりも長いといった具合に、各単位素子Ｕの共振器構造における共振波長が第１透光層２３１や第２透光層２３２の有無に応じて決定される。
【００５１】
＜Ｂ−２：製造方法＞
次に、図７および図８を参照しながら、本実施形態の発光装置Ｄを製造する方法について説明する。図７の工程Ｃ1は、図２の工程Ａ2に続いて実施される工程である。また、各層の成膜やパターニングに利用される技術は第１実施形態と同様である。
【００５２】
まず、複数の配線１２と下地層１４とが形成された基板１０の全面にわたって導電膜Ｌa1が形成される（図７の工程Ｃ1）。そして、この導電膜Ｌa1のパターニングによって、赤色の単位素子Ｕrの各々に対応する領域に光反射層２１１が形成される（工程Ｃ2）。続いて、光反射層２１１が形成された下地層１４の全体を覆うように絶縁膜Ｌb1（第２透光層２３２）が形成される（工程Ｃ3）。この絶縁膜Ｌb1の膜厚は４０ｎｍ程度である。
【００５３】
次に、絶縁膜Ｌb1の全域を覆うように導電膜Ｌa2が形成される（工程Ｃ4）。そして、この導電膜Ｌa2のパターニングによって、緑色の単位素子Ｕgおよび青色の単位素子Ｕbの各々に対応する領域に光反射層２１２が形成される（工程Ｃ5）。
【００５４】
さらに、これらの光反射層２１２が形成された絶縁膜Ｌb1の全域を覆うように絶縁膜Ｌb2（第１透光層２３１）が形成される（図８の工程Ｃ6）。この絶縁膜Ｌb2の膜厚は３０ｎｍ程度である。続いて、絶縁膜Ｌb1および絶縁膜Ｌb2の一括的なパターニングによって第１透光層２３１と第２透光層２３２とが形成される（工程Ｃ7）。すなわち、この工程Ｃ7においては、絶縁膜Ｌb1のうちコンタクトホールＨとなる部分の除去によって第２透光層２３２が形成されるとともに、絶縁膜Ｌb2のうちコンタクトホールＨとなる部分と青色の単位素子Ｕbの光反射層２１に重なり合う部分（開口部２３ａ）との除去によって第１透光層２３１が形成される。この方法によれば、絶縁膜Ｌb1と絶縁膜Ｌb2とを別個の工程にてパターニングする方法と比較して製造工程の簡素化および製造コストの低減が図られる。
【００５５】
次に、第１電極２５となる導電膜Ｌc1が基板１０の全面にわたって８０ｎｍ程度の膜厚に形成される（工程Ｃ8）。そして、この導電膜Ｌc1のパターニングによって第１電極２５が単位素子Ｕごとに形成される（工程Ｃ9）。この後に図３の工程Ａ11ないし工程Ａ13が実施されることによって図６の発光装置Ｄが完成する。
【００５６】
以上に説明したように、本実施形態においては、光反射層２１１の形成から第１電極２５の形成までに５回の成膜工程（Ｃ1・Ｃ3・Ｃ4・Ｃ6・Ｃ8）と４回のパターニング工程（Ｃ2・Ｃ5・Ｃ7・Ｃ9）が実行される。すなわち、図４および図５に示した対比例の製造方法と比較して１回のパターニング工程を削減することができる。
【００５７】
また、本実施系形態においては、第１電極２５が１層で構成されるから、第１電極２５が複数層によって構成される第１実施形態や対比例と比較して第１電極２５の表面（発光体３３との対向面）を平坦化することが可能となる。第１電極２５の表面に段差があるとその近傍に電界の特異点（例えば電界が集中するか箇所）が発生して第１電極２５の劣化を促進する原因となり得る。本実施形態によれば、第１電極２５の表面が平坦化されるから、第１電極２５の表面における電界の集中は第１実施形態や対比例よりも少ない。したがって、本実施形態によれば第１電極２５の劣化を抑制することができる。
【００５８】
＜Ｃ：変形例＞
以上の各形態には様々な変形を加えることができる。具体的な変形の態様を例示すれば以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせてもよい。
【００５９】
（１）変形例１
第２実施形態においては、第１透光層２３１および第２透光層２３２の双方を備えた発光装置Ｄを例示したが、第２透光層２３２のみを備えた構成（図６の第１透光層２３１が省略された構成）も採用される。この構成においても、光反射層２１（２１１）と第１電極２５との間隙に第２透光層２３２が位置するか光反射層２１（２１２）と基板１０との間隙に第２透光層２３２が位置するかに応じて共振器構造における共振波長を単位素子Ｕごとに調整することができる。これに加えて、第１透光層２３１が省略された構成においては、第１実施形態に説明したように第１電極２５の膜厚を単位素子Ｕごとに選定することによって単位素子Ｕごとに共振波長を調整してもよい。
【００６０】
（２）変形例２
各実施形態においては、各発光色の単位素子Ｕを構成する要素が相互に離間して形成された構成を例示したが、各要素は各発光色の単位素子Ｕにわたって連続していてもよい。例えば、発光体３３の少なくともひとつの機能層や第２電極３５が総ての単位素子Ｕにわたって連続的に分布する構成としてもよい。発光層が総ての単位素子Ｕにわたって連続する構成であっても、各単位素子の共振波長を適宜に選定することによって各単位素子Ｕの発光色を相違させることは可能である。さらに、第１実施形態における光反射層２１が総ての単位素子Ｕにわたって連続的に分布する構成としてもよい。
【００６１】
また、各実施形態においては第２電極３５が共振器構造の半透過反射層として兼用される構成を例示したが、半透過反射層が第２電極３５とは別個に形成された構成としてもよい。この構成における半透過反射層は第２電極３５に対して発光体３３側に設置されてもよいしこれとは反対側（観察側）に配置されてもよい。
【００６２】
（３）変形例３
図９に示されるように、各単位素子Ｕの発光色に対応した色彩（赤色・緑色および青色）のカラーフィルタ４１（４１r・４１g・４１b）が設置された構成としてもよい。同図においては、光透過性を有する板材４０の表面に各色のカラーフィルタ４１が形成された場合が例示されている。各単位素子Ｕに対応するカラーフィルタは、その単位素子Ｕの共振波長に対応する波長の光を選択的に透過させる手段である。例えば、赤色の単位素子Ｕrの観察側には赤色に対応した光を透過させるカラーフィルタが設置される。この構成によれば、各単位素子Ｕからの出射光のうちカラーフィルタを透過した成分のみが観察側に出射するから、カラーフィルタが設置されない構成よりも色再現性を向上することができる。また、各カラーフィルタによって外光が吸収されるから、外光の反射が低減されるという利点もある。
【００６３】
（４）変形例４
発光装置Ｄを構成する各部の材料や各々を製造する方法は任意に変更される。例えば、各実施形態においては有機ＥＬ材料からなる発光層を例示したが、例えば無機ＥＬ材料からなる発光層を含む発光装置や、発光ダイオードを発光体に利用した発光装置にも本発明を同様に適用することができる。
【００６４】
＜Ｄ：応用例＞
次に、本発明に係る発光装置を利用した電子機器について説明する。図１０は、以上に説明した何れかの形態に係る発光装置Ｄを表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての発光装置Ｄと本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。
【００６５】
図１１に、実施形態に係る発光装置Ｄを適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての発光装置Ｄを備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、発光装置Ｄに表示される画面がスクロールされる。
【００６６】
図１２に、実施形態に係る発光装置Ｄを適用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての発光装置Ｄを備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が発光装置Ｄに表示される。
【００６７】
なお、本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図１０から図１２に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。また、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、液晶パネルのバックライトとして本発明の発光装置を利用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図２】発光装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図３】発光装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図４】対比例に係る発光装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図５】対比例に係る発光装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図７】発光装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図８】発光装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図９】変形例に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図１０】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【図１１】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【図１２】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６９】
Ｄ……発光装置、１０……基板、１２……配線、１４……下地層、Ｈ……コンタクトホール、２１，２１１，２１２……光反射層、２３……透光層、２３１……第１透光層、２３２……第２透光層、２５……第１電極、２５１……第１層、２５２……第２層、３１……バンク層、３３……発光体、３５……第２電極、３７……封止材３７。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光層を発光させる構造およびその構造を作成する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（ElectroLuminescent）材料などの発光材料からなる発光層を第１電極と第２電極との間に介在させた素子（以下「単位素子」という）が基板上に配列された発光装置は従来から提案されている。この種の発光装置においては、発光層による出射光のスペクトルのピーク幅が広くその強度も低いため、例えば表示装置として採用されたときに充分な色再現性の確保が困難であるという問題がある。
【０００３】
この問題を解決するために、例えば特許文献１には、発光層からの出射光を共振させる共振器構造を各単位素子に形成した構成が開示されている。この構成においては、発光層に対して基板側に位置する光透過性の第１電極と当該基板との間に光反射層（誘電体ミラー）が配置される。発光層からの出射光は、この発光層を挟んで相互に対向する光反射層と第２電極との間で往復する。そして、光反射層と第２電極との光学的距離に応じた共振波長の光が選択的に増幅されたうえで観察側に出射する。したがって、スペクトルのピーク幅が狭く強度も高い光を表示に利用することができ、これによって表示装置の色再現性を向上させることが可能となる。また、単位素子ごとに光反射層と第２電極との光学的距離を調整することによって複数の色彩（例えば赤色や緑色や青色）に対応した波長の光を取り出すこともできる。
【特許文献１】国際公開第０１／０３９５５４号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、以上の構成においては、基板の表面に形成された光反射層を被覆するように第１電極を形成する必要がある。したがって、例えば第１電極のパターニングに使用されるエッチングの溶液が付着することによって光反射層の表面が損傷（腐食）するという問題がある。光反射層の材料としてはアルミニウムや銀などの材料が好適に採用されるが、この種の材料は耐蝕性が低いから、エッチングの溶液による損傷や劣化は特に顕著である。そして、このような損傷によって光反射層の反射特性（例えば反射率）が劣化すると、共振器構造による共振の効率が低下するという問題がある。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、光反射層の劣化を防止するという課題の解決を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、基板上に形成された光反射層と、光反射層を挟んで基板とは反対側に配置された半透過反射層（例えば各実施形態の第２電極３５）と、反射層と半透過反射層との間に介在する発光層と、光反射層と発光層との間に介在する光透過性の電極（例えば各実施形態の第１電極２５）とを各々が含む複数の単位素子が配列され、発光層からの出射光を光反射層と半透過反射層との間で共振させる共振器構造が各単位素子に形成される発光装置であって、光透過性の絶縁材料によって形成され、複数の単位素子のうち第１の単位素子（例えば各実施形態の単位素子Ｕrまたは単位素子Ｕg）の光反射層と電極との間に介在して当該第１の単位素子の共振器構造を構成するとともに、共振器構造における共振波長が第１の単位素子とは相違する第２の単位素子（例えば各実施形態の単位素子Ｕb）の光反射層のうち少なくとも一部とは重なり合わない第１透光層（例えば第１実施形態の透光層２３や第２実施形態の第１透光層２３１）を具備する。例えば、第１透光層は、第２の単位素子の光反射層に対応する位置に開口部（例えば図１や図６の開口部２３ａ）を有する。
この構成によれば、第１の単位素子の光反射層を被覆するように透光層が形成されるから、電極の形成時における光反射層の劣化を防止することができる。さらに、第１の単位素子の光反射層を被覆するとともに第２の単位素子の光反射層と重なり合わないように第１透光層が形成されるから、共振器構造における共振波長を第１透光層の有無に応じて第１の単位素子と第２の単位素子とで個別に調整することができる。したがって、例えば電極の膜厚のみに応じて各単位素子の共振波長が調整される構成と比較して製造工程の簡素化や製造コストの低減を図ることができる。
【０００６】
本発明の望ましい態様において、光透過性の絶縁材料によって形成されて複数の単位素子にわたり分布する第２透光層（例えば第２実施形態の第２透光層２３２）がさらに設けられ、第２透光層は、複数の単位素子のうち第１群に属する各単位素子（例えば第２実施形態における単位素子Ｕr）の光反射層と電極との間に介在して当該各単位回路の共振器構造を構成するとともに、第１群とは異なる第２群に属する各単位回路（例えば第２実施形態における単位素子Ｕgまたは単位素子Ｕb）の光反射層と基板との間に介在する。この態様によれば、第１透光層の有無に加えて、第２透光層を光反射層と電極との間に介在させるか否かに応じて共振器構造における共振波長を単位素子ごとに調整することが可能となる。なお、この態様の具体例は第２実施形態として後述される。
【０００７】
本発明の具体的な態様において、電極はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）など光透過性の導電材料によって形成される一方、第１透光層や第２透光層は酸化珪素や窒化珪素など光透過性の絶縁材料によって形成される。ただし、電極と各透光層との屈折率を略等しくして両者の界面での屈折や散乱を防止するという観点からすると、電極がＩＴＯによって形成されるとともに第１透光層や第２透光層が窒化珪素によって形成された構成が望ましい。
【０００８】
本発明は、以上に説明した第２透光層のみを含む発光装置（すなわち第１透光層を含まない発光装置）としても特定される。すなわち、この発光装置は、基板上に形成された光反射層と、光反射層を挟んで基板とは反対側に配置された半透過反射層と、光反射層と半透過反射層との間に介在する発光層と、光反射層と発光層との間に介在する光透過性の電極とを各々が含む複数の単位素子が配列され、発光層からの出射光を光反射層と半透過反射層との間で共振させる共振器構造が各単位素子に形成される発光装置であって、光透過性の絶縁材料によって形成されて複数の単位素子にわたり分布し、複数の単位素子のうち第１の単位素子（例えば第２実施形態における単位素子Ｕr）の光反射層と電極との間に介在して当該第１の単位素子の共振器構造を構成するとともに、共振器構造における共振波長が第１の単位素子とは相違する第２の単位素子（例えば第２実施形態における単位素子Ｕgまたは単位素子Ｕb）の光反射層と基板との間に介在する透光層（例えば第２実施形態における第２透光層２３２）を具備する。
この構成によれば、第１の単位素子の光反射層を被覆するように透光層が形成されるから、電極の形成時における光反射層の劣化を防止することができる。また、第１の単位素子の光反射層と電極との間に介在するとともに第２の単位素子の光反射層と基板との間に介在するように光反射層が形成されるから、共振器構造における共振波長を透光層の有無に応じて第１の単位素子と第２の単位素子とで個別に調整することができる。したがって、例えば電極の膜厚のみに応じて各単位素子の共振波長が調整される構成と比較して製造工程の簡素化や製造コストの低減を図ることができる。
【０００９】
本発明の望ましい態様において、複数の単位素子のうち一の単位素子と他の単位素子とは、電極の膜厚が互いに相違する。この態様によれば、各単位素子における電極の膜厚に応じて各単位素子の共振器構造における共振波長を高精度に調整することが可能となる。なお、本態様においては、単一の導電膜からなる電極の膜厚を単位素子ごとに相違させてもよいが、より望ましい態様において、一の単位素子の電極との単位素子の電極とは、各々を構成する導電膜の積層数が相違する。この態様によれば、電極を構成する導電膜の積総数を単位素子ごとに決定することによって共振波長が単位素子ごとに調整される。
【００１０】
本発明に係る発光装置は各種の電子機器に利用される。この電子機器の典型例は、発光装置を表示装置として利用した機器である。この種の電子機器としては、パーソナルコンピュータや携帯電話機などがある。もっとも、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成するための露光装置（露光ヘッド）としても本発明の発光装置を適用することができる。また、例えば液晶パネルの背面に設置される照明装置（バックライト）としても本発明の発光装置を採用することができる。
【００１１】
本発明に係る発光装置の製造方法は、各単位素子の光反射層を基板上に形成する光反射層形成工程（例えば図２の工程Ａ3および工程Ａ4または図７の工程Ｃ1ないし工程Ｃ5）と、複数の単位素子のうち第１の単位素子の光反射層を被覆するとともに、共振器構造における共振波長が第１の単位素子とは相違する第２の単位素子の光反射層のうち少なくとも一部とは重なり合わない第１透光層を、光透過性の絶縁材料によって形成する透光層形成工程（例えば図２の工程Ａ5および工程Ａ6または図８の工程Ｃ6および工程Ｃ7）と、透光層形成工程後に各単位素子の電極を形成する電極形成工程（例えば図３の工程Ａ7ないし工程Ａ10または図８の工程Ｃ8および工程Ｃ9）とを含む。この方法によれば、電極形成工程に先立って第１の単位素子の光反射層が第１透光層によって被覆されるから、電極形成工程における光反射層の劣化（例えば電極の形成時に使用されるエッチング液による腐食）は防止される。また、第１透光層の有無に応じて第１の単位素子と第２の単位素子とで共振波長が個別に調整されるから、例えば電極の膜厚のみに応じて各単位素子の共振波長が調整される構成と比較して製造工程の簡素化や製造コストの低減を図ることができる。
【００１２】
本発明に係る製造方法の望ましい態様において、電極形成工程は、複数の単位素子のうち少なくとも一部の単位素子の電極を構成する第１層を形成する第１層形成工程（例えば図３の工程Ａ7および工程Ａ8）と、複数の単位素子のうち少なくとも一部の単位素子の電極を形成する第２層を第１層形成工程の後に形成する第２層形成工程（例えば図３の工程Ａ9および工程Ａ10）とを含み、第２の単位素子の電極は、第１層形成工程にて形成された第１層を含む。透光層形成工程にて形成される第１透光層は第２の単位素子における光反射層の少なくとも一部を被覆しないが、本態様においては、第２の単位素子の光反射層が第１層によって被覆されるから、第１層や第２層の形成に際して第２の単位素子における光反射層の劣化を有効に防止することができる。
【００１３】
また、本発明の望ましい態様において、光反射層形成工程は、複数の単位素子のうち第１群に属する各単位素子の光反射層を基板上に形成する第１工程（例えば図７の工程Ｃ1および工程Ｃ2）と、第１工程で形成された光反射層を被覆する第１絶縁膜（例えば図７の絶縁膜Ｌb1）を光透過性の絶縁材料によって形成する第２工程（例えば図７の工程Ｃ3）と、複数の単位素子のうち第１群とは異なる第２群に属する各単位素子の光反射層を第１絶縁膜の面上に形成する第３工程（例えば図７の工程Ｃ4および工程Ｃ5）とを含む。この態様によれば、第１透光層の有無に加えて、第２透光層を光反射層と電極との間に介在させるか否かに応じて共振器構造における共振波長を単位素子ごとに調整することが可能となる。なお、この態様の具体例は第２実施形態として後述される。
より望ましくは、光反射層形成工程に先立って複数の配線を基板上に形成する配線形成工程（例えば図２の工程Ａ1）を含み、透光層形成工程は、光反射層形成工程で形成された光反射層を被覆する第２絶縁膜（例えば図８の絶縁膜Ｌb2）を形成する絶縁膜形成工程（例えば図８の工程Ｃ6）と、第１絶縁膜および第２絶縁膜を一括して選択的に除去する工程であって、第２絶縁膜のうち第２の単位素子の光反射層に対応する位置に開口部を形成して光反射層を作成するとともに、第１絶縁膜および第２絶縁膜を貫通して配線に至るコンタクトホールを形成する除去工程（例えば図８の工程Ｃ7）とを含み、電極形成工程においては、コンタクトホールを介して各単位素子の電極を配線に導通させる。この態様によれば、第１絶縁膜と第２絶縁膜とが一括して選択的に除去されるから、第１絶縁膜と第２絶縁膜とを個別にパターニングする方法と比較して製造工程の簡素化および製造コストの低減が図られる。
【００１４】
また、本発明に係る発光装置の製造方法は、複数の反射層のうち第１の単位素子の光反射層を基板上に形成する第１工程（例えば図７の工程Ｃ1および工程Ｃ2）と、複数の単位素子にわたって分布するとともに第１工程で形成された光反射層を被覆する透光層を光透過性の絶縁材料によって形成する第２工程（例えば図７の工程Ｃ3）と、共振器構造における共振波長が第１の単位素子とは相違する第２の単位素子の光反射層を透光層の面上に形成する第３工程（例えば図７の工程Ｃ4および工程Ｃ5）と、第２光反射層形成工程後に各単位素子の電極を形成する電極形成工程（例えば図８の工程Ｃ8および工程Ｃ9）とを含む。この方法によれば、電極形成工程に先立って第１の単位素子の光反射層を被覆する透光層が形成されるから、電極の形成時における光反射層の劣化を防止することができる。また、第１の単位素子の光反射層と電極との間に介在するとともに第２の単位素子の光反射層と基板との間に介在するように光反射層が形成されるから、共振器構造における共振波長を透光層の有無に応じて第１の単位素子と第２の単位素子とで個別に調整することができる。したがって、例えば電極の膜厚のみに応じて各単位素子の共振波長が調整される構成と比較して製造工程の簡素化や製造コストの低減を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
＜Ａ：第１実施形態＞
＜Ａ−１：発光装置の構造＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る発光装置の構造を示す断面図である。同図に示されるように、発光装置Ｄは、マトリクス状に配列された複数の単位素子Ｕ（Ｕr，Ｕg，Ｕb）が封止材３７によって基板１０の面上に封止された構成となっている。各単位素子Ｕは複数の色彩（赤色・緑色・青色）の何れかに対応した波長の光を発生する要素である。すなわち、単位素子Ｕrは赤色光を出射し、単位素子Ｕgは緑色光を出射し、単位素子Ｕbは青色光を出射する。本実施形態における発光装置Ｄは、各単位素子Ｕにて発生した光が基板１０とは反対側に向かって出射するトップエミッション型である。したがって、ガラスなどの光透過性を有する板材のほか、セラミックスや金属のシートなど不透明な板材を基板１０として採用することもできる
【００１６】
基板１０の表面には複数の配線１２が形成される。これらの配線１２は、各単位素子Ｕを駆動するための信号を伝送する配線（例えばデータ線や走査線）である。各配線１２が形成された基板１０の表面は下地層１４によって覆われる。この下地層１４は、例えばアクリル系やエポキシ系といった樹脂材料または酸化珪素（ＳｉＯx）や窒化珪素（ＳｉＮx）といった無機材料など各種の絶縁材料によって形成された膜体である。
【００１７】
下地層１４の表面上には各単位素子Ｕに対応するように光反射層２１が形成される。本実施形態における光反射層２１は、各単位素子Ｕの配列に沿うようにストライプ状に形成される。各光反射層２１は、光反射性を有する材料からなる。このような材料としては、アルミニウムや銀などの単体金属、またはアルミニウムや銀を主成分とする合金といった様々な材料がある。
【００１８】
光反射層２１が形成された下地層１４の表面は、複数の単位素子Ｕにわたって連続に分布する透光層２３によって被覆される。この透光層２３は、光反射層２１の保護に利用される膜体であり、例えば酸化珪素（ＳｉＯx）や窒化珪素（ＳｉＮx）といった光透過性の絶縁材料によって形成される。基板１０の表面と垂直な方向からみて配線１２と重なり合う位置には、透光層２３と下地層１４とを各々の厚さ方向に貫通するコンタクトホールＨが単位素子Ｕごとに形成される。
【００１９】
図１に示されるように、透光層２３は、赤色の単位素子Ｕrに対応する光反射層２１と緑色の単位素子Ｕgに対応する光反射層２１とを被覆する。一方、透光層２３のうち青色の単位素子Ｕbの光反射層２１と重なり合う領域は、この透光層２３を厚さ方向に貫通する開口部２３ａとなっている。したがって、青色の単位素子Ｕbの光反射層２１は開口部２３ａを介して透光層２３から露出する。
【００２０】
透光層２３が形成された基板１０の表面上には、第１電極２５が単位素子Ｕごとに相互に離間して形成される。各第１電極２５は、第１層２５１と第２層２５２とを基板１０側からこの順番に積層した構造となっている。第１層２５１および第２層２５２の各々は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）といった光透過性の導電材料によって形成される。第１電極２５は、その第１層２５１がコンタクトホールＨに入り込んで配線１２に接触することによって配線１２と電気的に接続される。
【００２１】
第１電極２５のうち光反射層２１と重なり合う部分の構造は単位素子Ｕの発光色ごとに相違する。例えば、赤色の単位素子Ｕrおよび青色の単位素子Ｕbの各々における第１電極２５の第１層２５１および第２層２５２は双方が光反射層２１と重なり合うように分布する。これに対し、緑色の単位素子Ｕgの第１電極２５においては第２層２５２のみが光反射層２１と重なり合う。すなわち、単位素子Ｕgの第１電極２５の第１層２５１は、コンタクトホールＨの近傍のみに形成されて光反射層２１とは重なり合わない。
【００２２】
第１電極２５が形成された基板１０の表面上にはバンク層３１が形成される。このバンク層３１は、基板１０の表面上の空間を単位素子Ｕごとに仕切るように格子状に形成された隔壁である。バンク層３１は、例えばアクリル系やエポキシ系といった樹脂材料または酸化珪素や窒化珪素といった無機材料など各種の絶縁材料によって形成される。
【００２３】
バンク層３１の内壁に包囲されて第１電極２５を底面とする空間には単位素子Ｕごとに発光体３３が形成される。この発光体３３は、有機ＥＬ材料からなる発光層を含む複数の機能層を積層した構造となっている。各単位素子Ｕの発光体３３は、その単位素子Ｕに対応した波長の光を発光する発光層を含む。各単位素子Ｕの第１電極２５は発光体３３に電気エネルギを付与するための陽極として機能する。一方、各発光体３３の表面には、発光体３３の陰極として機能する第２電極３５が形成される。ただし、第１電極２５が陰極として機能するとともに第２電極３５が陽極として機能する構成としてもよい。
【００２４】
本実施形態における発光体３３は、正孔輸送層と発光層と電子輸送層という３種類の機能層を基板１０側から第２電極３５側に向かってこの順番に積層した構造となっている。ただし、発光体３３の構造はこの例示に限定されない。例えば、正孔輸送層と第１電極２５との間に正孔注入層を介在させた構成や、電子輸送層と第２電極３５との間に電子注入層を介在させた構成としてもよい。すなわち、第１電極２５と第２電極３５との間に発光層が介在する構成であれば足りる。
【００２５】
第２電極３５は、その表面に到達した光の一部を透過するとともにその残りを反射する性質（すなわち半透過反射性）を持った半透過反射層として機能する。本実施形態における第２電極３５は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの光透過性を有する材料によって形成される。このように第２電極３５が光透過性の材料からなる場合であっても、第２電極３５よりも屈折率が低い材料によって封止材３７を形成すれば、第２電極３５と封止材３７との界面において光の一部が透過するとともに他の一部が反射するから、第２電極３５を半透過反射層として機能させることができる。また、アルミニウムや銀（あるいはこれらの金属を主成分とする合金）といった光反射性の材料を薄く形成して第２電極３５とした場合であっても、第２電極３５を半透過反射層として機能させることができる。
【００２６】
各単位素子Ｕは、光反射層２１と第１電極２５と発光体３３と第２電極３５とを含む要素である。各単位素子Ｕにおいては、光反射層２１と第２電極３５との間で発光層からの出射光を共振させる共振器構造が形成される。すなわち、発光体３３の発光層による出射光は光反射層２１と第２電極３５との間で往復し、共振器構造における共振波長の成分のみが選択的に増幅されたうえで第２電極３５を透過して観察側（図１の上方）に出射する。したがって、本実施形態によれば、スペクトルのピーク幅が狭く強度も高い光を表示に利用することができる。
【００２７】
共振器構造における共振波長λは、以下の式(1)で表現されるように、光反射層２１と第２電極３５との光学的距離Ｌに応じて決定される。ただし、式(1)における「Φ（rad）」は、共振器構造の両端部で発生する位相シフトであり、より具体的には、光反射層２１で反射するときに生じる位相シフトΦ1（rad）と第２電極３５で反射するときに生じる位相シフトΦ2と（rad）の和（Φ＝Φ1＋Φ2）である。また、「ｍ」は光学的距離Ｌが正となる整数である。
（２Ｌ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ ……(1)
各単位素子Ｕから出射されるべき所望の共振波長λを式(1)に代入することによって、この共振波長λによる光共振を実現するための光学的距離Ｌが決定される。
【００２８】
いま、発光体３３の屈折率および膜厚が各単位素子Ｕの発光色に拘わらず略同一であると仮定すれば、光反射層２１のうち発光体３３に対向する表面と発光体３３のうち光反射層２１に対向する表面との間の光学的距離に応じて共振波長が決定される。そして、本実施形態における光反射層２１と発光体３３との光学的距離は、以下に説明するように、第１電極２５の膜厚（積層数）と透光層２３の有無とに応じて単位素子Ｕの発光色ごとに個別に決定される。
【００２９】
図１を参照して説明したように、赤色の単位素子Ｕrにおける光反射層２１と発光体３３との間には、第１電極２５の第１層２５１および第２層２５２と透光層２３とが介在する。また、緑色の単位素子Ｕgの光反射層２１と発光体３３との間には第１電極２５の第２層２５２と透光層２３とが介在する。さらに、青色の単位素子Ｕbの光反射層２１と発光体３３との間には第１電極２５の第１層２５１と第２層２５２が介在する。いま、第１電極２５の第１層２５１および第２層２５２の膜厚を４０ｎｍとし、透光層２３の膜厚を７０ｎｍとすると、各発光色の単位素子Ｕにおける光反射層２１と発光体３３との間の幾何学的な距離は以下のように算定される。
単位素子Ｕr：１５０ｎｍ （＝７０ｎｍ［透光層２３］＋４０ｎｍ［第１層２５１］＋４０ｎｍ［第２層２５２］）
単位素子Ｕg：１１０ｎｍ （＝７０ｎｍ［透光層２３］＋４０ｎｍ［第２層２５２］）
単位素子Ｕb：８０ｎｍ （＝４０ｎｍ［第１層２５１］＋４０ｎｍ［第２層２５２］）
【００３０】
また、第１電極２５（第１層２５１および第２層２５２）がＩＴＯ（Indium Tin Oxide）によって形成され、この第１電極２５と屈折率が略同一である窒化珪素によって透光層２３が形成された場合を想定すると、光反射層２１と発光体３３との光学的距離は両者間の幾何学的な距離に比例する。すなわち、本実施形態においては、単位素子Ｕrの共振波長が単位素子Ｕgの共振波長よりも長く、単位素子Ｕgの共振波長が単位素子Ｕbの共振波長よりも長いといった具合に、各単位素子Ｕの共振器構造における単位素子Ｕが第１電極２５の膜厚と透光層２３の有無とによって決定される。
【００３１】
＜Ａ−２：製造方法＞
次に、図２および図３を参照しながら、本実施形態の発光装置Ｄを製造する方法について説明する。なお、以下に示す各層は、スパッタリングやＣＶＤ（Chemical Vapour Deposition）や蒸着など公知である様々な成膜技術によって形成される。また、各層のパターニングには、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術が利用される。
【００３２】
まず、基板１０の表面上に複数の配線１２が形成される（図２の工程Ａ1）。続いて、基板１０の表面上に下地層１４が形成される（工程Ａ2）。次に、基板１０の全面にわたって光反射性の導電膜Ｌa1が形成され（工程Ａ3）、この導電膜Ｌa1のパターニングによって光反射層２１が形成される（工程Ａ4）。さらに、基板１０の全面にわたって絶縁膜Ｌb1が７０ｎｍ程度の膜厚に形成される（工程Ａ5）。この絶縁膜Ｌb1のパターニングによって透光層２３が形成される（工程Ａ6）。工程Ａ6においては、絶縁膜Ｌb1のうち配線１２に重なり合う部分が除去されてコンタクトホールＨが形成されるとともに、青色の単位素子Ｕbの光反射層２１に重なり合う部分が除去されて開口部２３ａが形成される。
【００３３】
次に、第１電極２５の第１層２５１となる導電膜Ｌc1が基板１０の全面にわたって４０ｎｍ程度の膜厚に形成される（図３の工程Ａ7）。この導電膜Ｌc1はコンタクトホールＨを介して配線１２に導通する。続いて、導電膜Ｌc1のパターニングによって、各単位素子Ｕの第１層２５１が相互に離間した形状に形成される（工程Ａ8）。この工程Ａ8においては、導電膜Ｌc1のうち緑色の単位素子Ｕgの光反射層２１と重なり合う部分が除去される。
【００３４】
工程Ａ8に際して、単位素子Ｕrおよび単位素子Ｕgの各々における光反射層２１は透光層２３によって被覆されているから、工程Ａ8に使用されるエッチング液（エッチャント）がこれらの光反射層２１に付着することはない。また、青色の単位素子Ｕbの第１電極２５は第１層２５１を含むから（図１参照）、図３の工程Ａ8に示すように単位素子Ｕbについては第１層２５１が除去されない。したがって、工程Ａ6のパターニング後に青色の単位素子Ｕbの光反射層２１が開口部２３ａを介して透光層２３から露出するとは言っても、工程Ａ8において単位素子Ｕbの光反射層２１にエッチング液が付着することはない。以上のように、本実施形態によれば、工程Ａ8で使用されるエッチング液の付着に起因した各光反射層２１の劣化を有効に防止することができる。
【００３５】
次に、第２層２５２となる導電膜Ｌc2が基板１０の全面にわたって４０ｎｍ程度の膜厚に形成される（工程Ａ9）。そして、この導電膜Ｌc2のパターニングによって各第１電極２５の第２層２５２が形成される（工程Ａ10）。本実施形態においては、総ての単位素子Ｕの各々について第２層２５２が形成される。したがって、工程Ａ10で使用されるエッチング液によって光反射層２１が損傷することはない。
【００３６】
続いて、樹脂膜の形成およびそのパターニングによってバンク層３１が形成される（工程Ａ11）。さらに、このバンク層３１によって仕切られた単位素子Ｕごとの空間に、当該単位素子Ｕに対応した発光色の発光層を含む発光体３３が順次に形成される（工程Ａ12）。次いで、各発光体３３を挟んで第１電極２５と対向するように半透過反射性の第２電極３５が形成されたうえで（工程Ａ13）、基板１０の全面を覆うように封止材３７が設置される（図１参照）。
【００３７】
以上が本実施形態に係る発光装置Ｄの製造方法である。本実施形態の発光装置Ｄにおいては、第１電極２５の膜厚と透光層２３の有無とに応じて共振器構造の共振波長が単位素子Ｕの発光色ごとに調整されるから、各層の成膜やパターニングの回数を削減することができるという効果がある。この効果について詳述すると以下の通りである。
【００３８】
透光層２３によって光反射層２１の損傷を防止しながら共振器構造の共振波長を調整する構造としては、単一の透光層２３によって総ての単位素子Ｕの光反射層２１を被覆したうえで、第１電極２５の膜厚を単位素子Ｕの発光色ごとに個別に選定する構成（以下「対比例」という）も考えられる。図４および図５は、対比例に係る発光装置Ｄの製造方法の工程図である。
【００３９】
図５の工程Ｂ10に示すように、対比例の発光装置Ｄにおいては、総ての単位素子Ｕの光反射層２１が共通の透光層２３によって被覆される。一方、各第１電極２５を構成する導電層の総数は単位素子Ｕごとに相違する。すなわち、赤色の単位素子Ｕrの第１電極２５は第１層２５１・第２層２５２および第３層２５３の３層からなり、緑色の単位素子Ｕgの第１電極２５は第２層２５２および第３層２５３の２層からなり、青色の単位素子Ｕbの第１電極２５は第３層２５３のみからなる。つまり、本実施形態においては第１電極２５の膜厚の調整および透光層２３の有無の選定の双方によって共振波長が調整されるのに対し、対比例においては、第１電極２５の膜厚の調整のみによって共振波長が調整される。この対比例の構造を製造する場合には、図２の工程Ａ2に続いて、以下に説明する図４および図５の工程Ｂ1ないし工程Ｂ10が実施される。
【００４０】
まず、導電膜Ｌa1の成膜（図４の工程Ｂ1）およびそのパターニング（工程Ｂ2）によって光反射層２１が形成される。次いで、絶縁膜Ｌb1の成膜（工程Ｂ3）およびそのパターニング（工程Ｂ4）によって透光層２３が総ての単位素子Ｕにわたって連続に形成される。続いて、第１電極２５の第１層２５１ないし第３層２５３が順次に形成される。すなわち、第１に、導電膜Ｌc1の成膜（工程Ｂ5）およびそのパターニング（工程Ｂ6）によって単位素子Ｕrの光反射層２１のみと重なるように第１層２５１が形成される。第２に、導電膜Ｌc2の成膜（図５の工程Ｂ7）およびそのパターニング（工程Ｂ8）によって単位素子Ｕrおよび単位素子Ｕgの各光反射層２１と重なるように第２層２５２が形成される。そして第３に、導電膜Ｌc3の成膜（工程Ｂ9）およびそのパターニング（工程Ｂ10）によって総ての単位素子Ｕの各光反射層２１と重なるように第３層２５３が形成される。この後に図３の工程Ａ11ないし工程Ａ13が実施される。
【００４１】
以上に説明したように、対比例の発光装置Ｄを製造する場合には、光反射層２１の形成から第１電極２５の形成までに５回の成膜工程（Ｂ1・Ｂ3・Ｂ5・Ｂ7・Ｂ9）と５回のパターニング工程（Ｂ2・Ｂ4・Ｂ6・Ｂ8・Ｂ10）とを実施する必要がある。これに対し、本実施形態によれば、図２および図３に示すように、光反射層２１の形成から第１電極２５の形成までに４回の成膜工程（Ａ3・Ａ5・Ａ7・Ａ9）と４回のパターニング工程（Ａ4・Ａ6・Ａ8・Ａ10）を実施すれば足りる。つまり、対比例における第３層２５３の形成を不要とすることができるから、本実施形態によれば、製造工程の簡素化および製造コストの低減を図ることができる。
【００４２】
また、対比例の構成においては光反射層２１と発光体３３との間に透光層２３と第１電極２５の第１層２５１ないし第３層２５３という合計４層を介在させる必要があるから、所期の光学的距離を得るためには各層の膜厚を比較的に薄くしなければならない。これに対し、本実施形態によれば、光反射層２１と発光体３３との間に透光層２３と第１電極２５の第１層２５１および第２層２５２という合計３層を介在させれば足りるから、各層の膜厚を対比例よりも厚くしても所期の光学的距離を得ることができるという利点がある。
【００４３】
＜Ｂ：第２実施形態＞
＜Ｂ−１：発光装置Ｄの構造＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。なお、本実施形態のうち第１実施形態と同様の要素については共通の符号を付してその説明を適宜に省略する。
【００４４】
図６は、本実施形態に係る発光装置Ｄの構成を示す断面図である。同図に示されるように、本実施形態における総ての単位素子Ｕの第１電極２５は、基板１０の全面を被覆する単一の導電膜から形成された１層のみからなる。したがって、各単位素子Ｕの第１電極２５の膜厚は等しい。
【００４５】
また、本実施形態の発光装置Ｄは、各々が基板１０の全面を覆うように複数の単位素子Ｕにわたって連続に分布する第１透光層２３１および第２透光層２３２を含む。第１透光層２３１および第２透光層２３２は、第１実施形態の透光層２３と同様に、酸化珪素や酸化窒素といった光透過性の絶縁材料からなる。
【００４６】
第１透光層２３１の形状は第１実施形態の透光層２３と同様である。すなわち、第１透光層２３１は、赤色の単位素子Ｕrの光反射層２１１および緑色の単位素子Ｕgの光反射層２１２の双方を被覆する一方、青色の単位素子Ｕbの光反射層２１２に対応する部分は開口部２３ａとなっている。したがって、第１実施形態と同様に、青色の単位素子Ｕbの光反射層２１２は開口部２３ａを介して第１透光層２３１から露出する。
【００４７】
一方、第２透光層２３２は、第１透光層２３１よりも基板１０側に配置された膜体である。この第２透光層２３２は、赤色の単位素子Ｕrの光反射層２１１と発光体３３との間（より具体的には光反射層２１１と第１透光層２３１との間）に介在する。したがって、発光装置Ｄの製造工程において単位素子Ｕrの光反射層２１１は第２透光層２３２によって保護される。さらに、第２透光層２３２は、緑色の単位素子Ｕgおよび青色の単位素子Ｕbの各々の光反射層２１２と基板１０との間隙に介在する。以上のように、単位素子Ｕrにおいては第２透光層２３２が光反射層２１１と第２電極３５との間に介在して共振器構造を構成するのに対し、単位素子Ｕgおよび単位素子Ｕbの各々においては、光反射層２１２と第２電極３５との間に第２透光層２３２は介在しない。
【００４８】
以上の構成において、各単位素子Ｕの光反射層２１と第２電極３５との間の光学的距離は、両者間に介在する透光層２３の積層数に応じて決定される。本実施形態においては、各単位素子Ｕの光反射層２１と第２電極３５との間の光学的距離が、各単位素子Ｕの発光色に応じた共振波長に対応する数値となるように（すなわち式(1)を満たすように）、光反射層２１と第２電極３５との間に介在する透光層２３の総数が単位素子Ｕごとに決定される。さらに具体的に説明すると以下の通りである。
【００４９】
赤色の単位素子Ｕrの光反射層２１と第２電極３５との間には第１透光層２３１と第２透光層２３２と第１電極２５と発光体３３とが介在する。また、緑色の単位素子Ｕgの光反射層２１と第２電極３５との間には、第２透光層２３２と第１電極２５と発光体３３とが介在し第１透光層２３１は介在しない。さらに、青色の単位素子Ｕbの光反射層２１と第２電極３５との間には第１電極２５と発光体３３とが介在し第１透光層２３１および第２透光層２３２の何れも介在しない。いま、第１電極２５の膜厚を８０ｎｍとし、第２透光層２３２の膜厚を４０ｎｍとし、第１透光層２３１の膜厚を３０ｎｍとすると、各発光色の単位素子Ｕにおける光反射層２１と発光体３３との間の幾何学的な距離は以下のように算定される。
単位素子Ｕr：１５０ｎｍ （＝４０ｎｍ［第２透光層２３２］＋３０ｎｍ［第１透光層２３１］＋８０ｎｍ［第１電極２５］）
単位素子Ｕg：１１０ｎｍ （＝３０ｎｍ［第１透光層２３１］＋８０ｎｍ［第１電極２５］）
単位素子Ｕb：８０ｎｍ ［第１電極２５］
【００５０】
第１実施形態にて説明したように、第１電極２５の屈折率と第１透光層２３１および第２透光層２３２の各々の屈折率とが略同一であると仮定すると、光反射層２１と発光体３３との光学的距離は両者間の幾何学的な距離に比例する。したがって、本実施形態においても第１実施形態と同様に、単位素子Ｕrの共振波長が単位素子Ｕgの共振波長よりも長く、単位素子Ｕgの共振波長が単位素子Ｕbの共振波長よりも長いといった具合に、各単位素子Ｕの共振器構造における共振波長が第１透光層２３１や第２透光層２３２の有無に応じて決定される。
【００５１】
＜Ｂ−２：製造方法＞
次に、図７および図８を参照しながら、本実施形態の発光装置Ｄを製造する方法について説明する。図７の工程Ｃ1は、図２の工程Ａ2に続いて実施される工程である。また、各層の成膜やパターニングに利用される技術は第１実施形態と同様である。
【００５２】
まず、複数の配線１２と下地層１４とが形成された基板１０の全面にわたって導電膜Ｌa1が形成される（図７の工程Ｃ1）。そして、この導電膜Ｌa1のパターニングによって、赤色の単位素子Ｕrの各々に対応する領域に光反射層２１１が形成される（工程Ｃ2）。続いて、光反射層２１１が形成された下地層１４の全体を覆うように絶縁膜Ｌb1（第２透光層２３２）が形成される（工程Ｃ3）。この絶縁膜Ｌb1の膜厚は４０ｎｍ程度である。
【００５３】
次に、絶縁膜Ｌb1の全域を覆うように導電膜Ｌa2が形成される（工程Ｃ4）。そして、この導電膜Ｌa2のパターニングによって、緑色の単位素子Ｕgおよび青色の単位素子Ｕbの各々に対応する領域に光反射層２１２が形成される（工程Ｃ5）。
【００５４】
さらに、これらの光反射層２１２が形成された絶縁膜Ｌb1の全域を覆うように絶縁膜Ｌb2（第１透光層２３１）が形成される（図８の工程Ｃ6）。この絶縁膜Ｌb2の膜厚は３０ｎｍ程度である。続いて、絶縁膜Ｌb1および絶縁膜Ｌb2の一括的なパターニングによって第１透光層２３１と第２透光層２３２とが形成される（工程Ｃ7）。すなわち、この工程Ｃ7においては、絶縁膜Ｌb1のうちコンタクトホールＨとなる部分の除去によって第２透光層２３２が形成されるとともに、絶縁膜Ｌb2のうちコンタクトホールＨとなる部分と青色の単位素子Ｕbの光反射層２１に重なり合う部分（開口部２３ａ）との除去によって第１透光層２３１が形成される。この方法によれば、絶縁膜Ｌb1と絶縁膜Ｌb2とを別個の工程にてパターニングする方法と比較して製造工程の簡素化および製造コストの低減が図られる。
【００５５】
次に、第１電極２５となる導電膜Ｌc1が基板１０の全面にわたって８０ｎｍ程度の膜厚に形成される（工程Ｃ8）。そして、この導電膜Ｌc1のパターニングによって第１電極２５が単位素子Ｕごとに形成される（工程Ｃ9）。この後に図３の工程Ａ11ないし工程Ａ13が実施されることによって図６の発光装置Ｄが完成する。
【００５６】
以上に説明したように、本実施形態においては、光反射層２１１の形成から第１電極２５の形成までに５回の成膜工程（Ｃ1・Ｃ3・Ｃ4・Ｃ6・Ｃ8）と４回のパターニング工程（Ｃ2・Ｃ5・Ｃ7・Ｃ9）が実行される。すなわち、図４および図５に示した対比例の製造方法と比較して１回のパターニング工程を削減することができる。
【００５７】
また、本実施系形態においては、第１電極２５が１層で構成されるから、第１電極２５が複数層によって構成される第１実施形態や対比例と比較して第１電極２５の表面（発光体３３との対向面）を平坦化することが可能となる。第１電極２５の表面に段差があるとその近傍に電界の特異点（例えば電界が集中するか箇所）が発生して第１電極２５の劣化を促進する原因となり得る。本実施形態によれば、第１電極２５の表面が平坦化されるから、第１電極２５の表面における電界の集中は第１実施形態や対比例よりも少ない。したがって、本実施形態によれば第１電極２５の劣化を抑制することができる。
【００５８】
＜Ｃ：変形例＞
以上の各形態には様々な変形を加えることができる。具体的な変形の態様を例示すれば以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせてもよい。
【００５９】
（１）変形例１
第２実施形態においては、第１透光層２３１および第２透光層２３２の双方を備えた発光装置Ｄを例示したが、第２透光層２３２のみを備えた構成（図６の第１透光層２３１が省略された構成）も採用される。この構成においても、光反射層２１（２１１）と第１電極２５との間隙に第２透光層２３２が位置するか光反射層２１（２１２）と基板１０との間隙に第２透光層２３２が位置するかに応じて共振器構造における共振波長を単位素子Ｕごとに調整することができる。これに加えて、第１透光層２３１が省略された構成においては、第１実施形態に説明したように第１電極２５の膜厚を単位素子Ｕごとに選定することによって単位素子Ｕごとに共振波長を調整してもよい。
【００６０】
（２）変形例２
各実施形態においては、各発光色の単位素子Ｕを構成する要素が相互に離間して形成された構成を例示したが、各要素は各発光色の単位素子Ｕにわたって連続していてもよい。例えば、発光体３３の少なくともひとつの機能層や第２電極３５が総ての単位素子Ｕにわたって連続的に分布する構成としてもよい。発光層が総ての単位素子Ｕにわたって連続する構成であっても、各単位素子の共振波長を適宜に選定することによって各単位素子Ｕの発光色を相違させることは可能である。さらに、第１実施形態における光反射層２１が総ての単位素子Ｕにわたって連続的に分布する構成としてもよい。
【００６１】
また、各実施形態においては第２電極３５が共振器構造の半透過反射層として兼用される構成を例示したが、半透過反射層が第２電極３５とは別個に形成された構成としてもよい。この構成における半透過反射層は第２電極３５に対して発光体３３側に設置されてもよいしこれとは反対側（観察側）に配置されてもよい。
【００６２】
（３）変形例３
図９に示されるように、各単位素子Ｕの発光色に対応した色彩（赤色・緑色および青色）のカラーフィルタ４１（４１r・４１g・４１b）が設置された構成としてもよい。同図においては、光透過性を有する板材４０の表面に各色のカラーフィルタ４１が形成された場合が例示されている。各単位素子Ｕに対応するカラーフィルタは、その単位素子Ｕの共振波長に対応する波長の光を選択的に透過させる手段である。例えば、赤色の単位素子Ｕrの観察側には赤色に対応した光を透過させるカラーフィルタが設置される。この構成によれば、各単位素子Ｕからの出射光のうちカラーフィルタを透過した成分のみが観察側に出射するから、カラーフィルタが設置されない構成よりも色再現性を向上することができる。また、各カラーフィルタによって外光が吸収されるから、外光の反射が低減されるという利点もある。
【００６３】
（４）変形例４
発光装置Ｄを構成する各部の材料や各々を製造する方法は任意に変更される。例えば、各実施形態においては有機ＥＬ材料からなる発光層を例示したが、例えば無機ＥＬ材料からなる発光層を含む発光装置や、発光ダイオードを発光体に利用した発光装置にも本発明を同様に適用することができる。
【００６４】
＜Ｄ：応用例＞
次に、本発明に係る発光装置を利用した電子機器について説明する。図１０は、以上に説明した何れかの形態に係る発光装置Ｄを表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての発光装置Ｄと本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。
【００６５】
図１１に、実施形態に係る発光装置Ｄを適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての発光装置Ｄを備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、発光装置Ｄに表示される画面がスクロールされる。
【００６６】
図１２に、実施形態に係る発光装置Ｄを適用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての発光装置Ｄを備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が発光装置Ｄに表示される。
【００６７】
なお、本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図１０から図１２に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。また、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、液晶パネルのバックライトとして本発明の発光装置を利用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図２】発光装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図３】発光装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図４】対比例に係る発光装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図５】対比例に係る発光装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図７】発光装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図８】発光装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図９】変形例に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図１０】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【図１１】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【図１２】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６９】
Ｄ……発光装置、１０……基板、１２……配線、１４……下地層、Ｈ……コンタクトホール、２１，２１１，２１２……光反射層、２３……透光層、２３１……第１透光層、２３２……第２透光層、２５……第１電極、２５１……第１層、２５２……第２層、３１……バンク層、３３……発光体、３５……第２電極、３７……封止材３７。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された光反射層と、前記光反射層を挟んで前記基板とは反対側に配置された半透過反射層と、前記光反射層と前記半透過反射層との間に介在する発光層と、前記光反射層と前記発光層との間に介在する光透過性の電極とを各々が含む複数の単位素子が配列され、前記発光層からの出射光を前記光反射層と前記半透過反射層との間で共振させる共振器構造が前記各単位素子に形成される発光装置であって、
光透過性の絶縁材料によって形成され、前記複数の単位素子のうち第１の単位素子の前記光反射層と前記電極との間に介在して当該第１の単位素子の共振器構造を構成するとともに、共振器構造における共振波長が前記第１の単位素子とは相違する第２の単位素子の前記光反射層のうち少なくとも一部とは重なり合わない第１透光層
を具備する発光装置。
【請求項２】
前記第１透光層は、前記第２の単位素子の前記光反射層に対応する位置に開口部を有する
請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
光透過性の絶縁材料によって形成されて複数の単位素子にわたり分布する第２透光層を具備し、
前記第２透光層は、前記複数の単位素子のうち第１群に属する各単位素子の前記光反射層と前記電極との間に介在して当該各単位回路の共振器構造を構成するとともに、前記第１群とは異なる第２群に属する各単位回路の前記光反射層と前記基板との間に介在する
請求項１または請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
基板上に形成された光反射層と、前記光反射層を挟んで前記基板とは反対側に配置された半透過反射層と、前記光反射層と前記半透過反射層との間に介在する発光層と、前記光反射層と前記発光層との間に介在する光透過性の電極とを各々が含む複数の単位素子が配列され、前記発光層からの出射光を前記光反射層と前記半透過反射層との間で共振させる共振器構造が前記各単位素子に形成される発光装置であって、
光透過性の絶縁材料によって形成されて前記複数の単位素子にわたり分布し、前記複数の単位素子のうち第１の単位素子の前記光反射層と前記電極との間に介在して当該第１の単位素子の共振器構造を構成するとともに、共振器構造における共振波長が前記第１の単位素子とは相違する第２の単位素子の前記光反射層と前記基板との間に介在する透光層
を具備する発光装置。
【請求項５】
前記複数の単位素子のうち一の単位素子と他の単位素子とは前記電極の膜厚が互いに相違する
請求項１から請求項４の何れかに記載の発光装置。
【請求項６】
前記一の単位素子の前記電極と前記他の単位素子の前記電極とは各々を構成する導電膜の積層数が相違する
請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６の何れかに記載の発光装置を具備する電子機器。
【請求項８】
基板上に形成された光反射層と、前記光反射層を挟んで前記基板とは反対側に配置された半透過反射層と、前記光反射層と前記半透過反射層との間に介在する発光層と、前記光反射層と前記発光層との間に介在する光透過性の電極とを各々が含む複数の単位素子が配列され、前記発光層からの出射光を前記光反射層と前記半透過反射層との間で共振させる共振器構造が前記各単位素子に形成される発光装置を製造する方法であって、
前記各単位素子の前記光反射層を前記基板上に形成する光反射層形成工程と、
前記複数の単位素子のうち第１の単位素子の前記光反射層を被覆するとともに、共振器構造における共振波長が前記第１の単位素子とは相違する第２の単位素子の前記光反射層のうち少なくとも一部とは重なり合わない第１透光層を、光透過性の絶縁材料によって形成する透光層形成工程と、
前記透光層形成工程後に前記各単位素子の前記電極を形成する電極形成工程と
を含む発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記電極形成工程は、前記複数の単位素子のうち少なくとも一部の単位素子の前記電極を構成する第１層を形成する第１層形成工程と、前記複数の単位素子のうち少なくとも一部の単位素子の前記電極を形成する第２層を前記第１層形成工程の後に形成する第２層形成工程とを含み、
前記第２の単位素子の前記電極は、前記第１層形成工程にて形成された第１層を含む
請求項８に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記光反射層形成工程は、
前記複数の単位素子のうち第１群に属する各単位素子の前記光反射層を前記基板上に形成する第１工程と、
前記第１工程で形成された前記光反射層を被覆する第１絶縁膜を光透過性の絶縁材料によって形成する第２工程と、
前記複数の単位素子のうち前記第１群とは異なる第２群に属する各単位素子の前記光反射層を前記第１絶縁膜の面上に形成する第３工程と
を含む請求項８に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１１】
前記光反射層形成工程に先立って複数の配線を前記基板上に形成する配線形成工程を含み、
前記透光層形成工程は、
前記光反射層形成工程で形成された前記光反射層を被覆する第２絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜を一括して選択的に除去する工程であって、前記第２絶縁膜のうち前記第２の単位素子の前記光反射層に対応する位置に開口部を形成して前記光反射層を作成するとともに、前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜を貫通して前記配線に至るコンタクトホールを形成する除去工程と
を含み、前記電極形成工程においては、前記コンタクトホールを介して前記各単位素子の電極を前記配線に導通させる
請求項１０に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１２】
基板上に形成された光反射層と、前記光反射層を挟んで前記基板とは反対側に配置された半透過反射層と、前記光反射層と前記半透過反射層との間に介在する発光層と、前記光反射層と前記発光層との間に介在する光透過性の電極とを各々が含む複数の単位素子が配列され、前記発光層からの出射光を前記光反射層と前記半透過反射層との間で共振させる共振器構造が前記各単位素子に形成される発光装置を製造する方法であって、
前記複数の反射層のうち第１の単位素子の前記光反射層を前記基板上に形成する第１工程と、
前記複数の単位素子にわたって分布するとともに前記第１工程で形成された光反射層を被覆する透光層を光透過性の絶縁材料によって形成する第２工程と、
共振器構造における共振波長が前記第１の単位素子とは相違する第２の単位素子の前記光反射層を前記透光層の面上に形成する第３工程と、
前記第２光反射層形成工程後に前記各単位素子の前記電極を形成する電極形成工程と
を含む発光装置の製造方法。
【請求項１】
基板上に形成された光反射層と、前記光反射層を挟んで前記基板とは反対側に配置された半透過反射層と、前記光反射層と前記半透過反射層との間に介在する発光層と、前記光反射層と前記発光層との間に介在する光透過性の電極とを各々が含む複数の単位素子が配列され、前記発光層からの出射光を前記光反射層と前記半透過反射層との間で共振させる共振器構造が前記各単位素子に形成される発光装置であって、
光透過性の絶縁材料によって形成され、前記複数の単位素子のうち第１の単位素子の前記光反射層と前記電極との間に介在して当該第１の単位素子の共振器構造を構成するとともに、共振器構造における共振波長が前記第１の単位素子とは相違する第２の単位素子の前記光反射層のうち少なくとも一部とは重なり合わない第１透光層
を具備する発光装置。
【請求項２】
前記第１透光層は、前記第２の単位素子の前記光反射層に対応する位置に開口部を有する
請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
光透過性の絶縁材料によって形成されて複数の単位素子にわたり分布する第２透光層を具備し、
前記第２透光層は、前記複数の単位素子のうち第１群に属する各単位素子の前記光反射層と前記電極との間に介在して当該各単位回路の共振器構造を構成するとともに、前記第１群とは異なる第２群に属する各単位回路の前記光反射層と前記基板との間に介在する
請求項１または請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
基板上に形成された光反射層と、前記光反射層を挟んで前記基板とは反対側に配置された半透過反射層と、前記光反射層と前記半透過反射層との間に介在する発光層と、前記光反射層と前記発光層との間に介在する光透過性の電極とを各々が含む複数の単位素子が配列され、前記発光層からの出射光を前記光反射層と前記半透過反射層との間で共振させる共振器構造が前記各単位素子に形成される発光装置であって、
光透過性の絶縁材料によって形成されて前記複数の単位素子にわたり分布し、前記複数の単位素子のうち第１の単位素子の前記光反射層と前記電極との間に介在して当該第１の単位素子の共振器構造を構成するとともに、共振器構造における共振波長が前記第１の単位素子とは相違する第２の単位素子の前記光反射層と前記基板との間に介在する透光層
を具備する発光装置。
【請求項５】
前記複数の単位素子のうち一の単位素子と他の単位素子とは前記電極の膜厚が互いに相違する
請求項１から請求項４の何れかに記載の発光装置。
【請求項６】
前記一の単位素子の前記電極と前記他の単位素子の前記電極とは各々を構成する導電膜の積層数が相違する
請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６の何れかに記載の発光装置を具備する電子機器。
【請求項８】
基板上に形成された光反射層と、前記光反射層を挟んで前記基板とは反対側に配置された半透過反射層と、前記光反射層と前記半透過反射層との間に介在する発光層と、前記光反射層と前記発光層との間に介在する光透過性の電極とを各々が含む複数の単位素子が配列され、前記発光層からの出射光を前記光反射層と前記半透過反射層との間で共振させる共振器構造が前記各単位素子に形成される発光装置を製造する方法であって、
前記各単位素子の前記光反射層を前記基板上に形成する光反射層形成工程と、
前記複数の単位素子のうち第１の単位素子の前記光反射層を被覆するとともに、共振器構造における共振波長が前記第１の単位素子とは相違する第２の単位素子の前記光反射層のうち少なくとも一部とは重なり合わない第１透光層を、光透過性の絶縁材料によって形成する透光層形成工程と、
前記透光層形成工程後に前記各単位素子の前記電極を形成する電極形成工程と
を含む発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記電極形成工程は、前記複数の単位素子のうち少なくとも一部の単位素子の前記電極を構成する第１層を形成する第１層形成工程と、前記複数の単位素子のうち少なくとも一部の単位素子の前記電極を形成する第２層を前記第１層形成工程の後に形成する第２層形成工程とを含み、
前記第２の単位素子の前記電極は、前記第１層形成工程にて形成された第１層を含む
請求項８に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記光反射層形成工程は、
前記複数の単位素子のうち第１群に属する各単位素子の前記光反射層を前記基板上に形成する第１工程と、
前記第１工程で形成された前記光反射層を被覆する第１絶縁膜を光透過性の絶縁材料によって形成する第２工程と、
前記複数の単位素子のうち前記第１群とは異なる第２群に属する各単位素子の前記光反射層を前記第１絶縁膜の面上に形成する第３工程と
を含む請求項８に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１１】
前記光反射層形成工程に先立って複数の配線を前記基板上に形成する配線形成工程を含み、
前記透光層形成工程は、
前記光反射層形成工程で形成された前記光反射層を被覆する第２絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜を一括して選択的に除去する工程であって、前記第２絶縁膜のうち前記第２の単位素子の前記光反射層に対応する位置に開口部を形成して前記光反射層を作成するとともに、前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜を貫通して前記配線に至るコンタクトホールを形成する除去工程と
を含み、前記電極形成工程においては、前記コンタクトホールを介して前記各単位素子の電極を前記配線に導通させる
請求項１０に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１２】
基板上に形成された光反射層と、前記光反射層を挟んで前記基板とは反対側に配置された半透過反射層と、前記光反射層と前記半透過反射層との間に介在する発光層と、前記光反射層と前記発光層との間に介在する光透過性の電極とを各々が含む複数の単位素子が配列され、前記発光層からの出射光を前記光反射層と前記半透過反射層との間で共振させる共振器構造が前記各単位素子に形成される発光装置を製造する方法であって、
前記複数の反射層のうち第１の単位素子の前記光反射層を前記基板上に形成する第１工程と、
前記複数の単位素子にわたって分布するとともに前記第１工程で形成された光反射層を被覆する透光層を光透過性の絶縁材料によって形成する第２工程と、
共振器構造における共振波長が前記第１の単位素子とは相違する第２の単位素子の前記光反射層を前記透光層の面上に形成する第３工程と、
前記第２光反射層形成工程後に前記各単位素子の前記電極を形成する電極形成工程と
を含む発光装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
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【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００７−２６９７２（Ｐ２００７−２６９７２Ａ）
【公開日】平成１９年２月１日（２００７．２．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２０９５３８（Ｐ２００５−２０９５３８）
【出願日】平成１７年７月２０日（２００５．７．２０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年２月１日（２００７．２．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年７月２０日（２００５．７．２０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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