発光装置、電子機器、および照明装置
【課題】色純度のよい発光素子を備えた発光装置、電子機器、および照明装置を提供する。
【解決手段】異なる波長の光を呈する発光素子を複数有する発光装置、電子機器、および照明装置において、各発光素子からは、所望の波長の光のみが射出される素子構造とすることにより色純度のよい発光素子を備えた発光装置、電子機器、および照明装置を提供する。異なる波長の光のうち、最も波長の長い光（λＲ）を射出する発光素子において、反射電極とＥＬ層に含まれる発光層（発光領域）との光学距離をλＲ／４とし、反射電極と半透過・半反射電極との光学距離をλＲ／２とする。
【解決手段】異なる波長の光を呈する発光素子を複数有する発光装置、電子機器、および照明装置において、各発光素子からは、所望の波長の光のみが射出される素子構造とすることにより色純度のよい発光素子を備えた発光装置、電子機器、および照明装置を提供する。異なる波長の光のうち、最も波長の長い光（λＲ）を射出する発光素子において、反射電極とＥＬ層に含まれる発光層（発光領域）との光学距離をλＲ／４とし、反射電極と半透過・半反射電極との光学距離をλＲ／２とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセンスを利用した発光装置、電子機器、および照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の物質を含む層（ＥＬ層）を挟んだものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の物質からの発光を得ることができる。
【０００３】
このような発光素子は自発光型であるため、液晶ディスプレイに比べ画素の視認性が高く、バックライトが不要である等の利点があり、フラットパネルディスプレイ素子として好適であると考えられている。また、このような発光素子は、薄型軽量に作製できることも大きな利点である。さらに非常に応答速度が速いことも特徴の一つである。
【０００４】
そして、これらの発光素子は膜状に形成することが可能であるため、面状の発光を容易に得ることができる。よって、面状の発光を利用した大面積の素子を形成することができる。このことは、白熱電球やＬＥＤに代表される点光源、あるいは蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。
【０００５】
なお、発光素子を発光装置に適用する上では、発光素子からの光の取り出し効率を向上させることが要求される。発光素子からの光の取り出し効率を向上させる方法としては、一対の電極間で光の共振効果を利用した微小光共振器（マイクロキャビティ）を採用し、キャビティ長の異なる領域を設けることで、発光素子の視野角依存性を改善する構造などが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−０３２３２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
マイクロキャビティ方式を利用する発光素子は、フルカラー化を実現する上でも有利である。例えば、ＲＧＢの塗り分け方式による発光素子と比較した場合には、ＲＧＢの塗り分けが不要であるため高精細化を実現することが容易である。また、ＣＦ（カラーフィルタ）方式による発光素子と比較した場合には低消費電力化を図ることができる。
【０００８】
しかしながら、マイクロキャビティ方式を利用するフルカラー化の発光素子の場合において、発光色の異なる画素毎に一対の電極間の距離を調節する必要があるが、画素によっては、複数の波長が存在することによる色純度の低下が問題となっている。さらに、一対の電極間の距離を調節する上でのマスク枚数や工程の増加も問題になっている。
【０００９】
そこで、本発明の一態様では、異なる波長の光を呈する発光素子を複数有するマイクロキャビティ方式を利用した発光装置、電子機器、および照明装置において、各発光素子から所望の波長の光のみが射出される素子構造とすることにより、色純度が良く、光取り出し効率の良い発光素子を備えた発光装置、電子機器、および照明装置を提供する。さらに、工程数およびコストの削減を図ることとする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様は、異なる波長の光を呈する発光素子を複数有する発光装置、電子機器、および照明装置において、各発光素子から所望の波長の光のみが射出される素子構造とすることにより、色純度のよい発光素子を備えた発光装置、電子機器、および照明装置を提供する。すなわち、異なる波長の光のうち、最も波長の長い光（λＲ）を射出する発光素子において、反射電極とＥＬ層に含まれる発光層（発光領域）との光学距離をλＲ／４とし、反射電極と半透過・半反射電極との光学距離をλＲ／２とする。
【００１１】
なお、λＲ＞λＧ＞λＢなる関係を有する波長の光（λＲ、λＧ、λＢ）をそれぞれ射出する三種類の発光素子を有する発光装置において、λＲの波長の光を射出する第１の発光層、λＧの波長の光を射出する第２の発光層、λＢの波長の光を射出する第３の発光層が形成される場合には、光（λＧ）を射出する第１の発光素子において、反射電極とＥＬ層に含まれる第２の発光層（Ｇ）（発光領域）との光学距離を３λＧ／４として反射電極と半透過・半反射電極との光学距離をλＧとし、光（λＢ）を射出する第２の発光素子において、反射電極とＥＬ層に含まれる第３の発光層（Ｂ）（発光領域）との光学距離を３λＢ／４として反射電極と半透過・半反射電極との光学距離をλＢとし、光（λＲ）を射出する第３の発光素子において、反射電極とＥＬ層に含まれる第１の発光層（Ｒ）（発光領域）との光学距離をλＲ／４として反射電極と半透過・半反射電極との光学距離をλＲ／２とする。この場合、光学距離を調節するために第１の発光素子には、反射電極とＥＬ層との間に第１の透明導電層を設け、第２の発光素子には、反射電極とＥＬ層との間に第２の透明導電層を設ける。なお、第１の透明導電層は、第２の透明導電層の膜厚よりも、厚くする必要がある。
【００１２】
本発明の一態様は、第１の反射電極、第１の反射電極に接して形成された第１の透明導電層、第１の透明導電層に接して形成されたＥＬ層、およびＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第１の発光素子と、第２の反射電極、第２の反射電極に接して形成された第２の透明導電層、第２の透明導電層に接して形成されたＥＬ層、およびＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第２の発光素子と、第３の反射電極、第３の反射電極に接して形成されたＥＬ層、ＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第３の発光素子と、を有し、第３の発光素子からは、第１の発光素子及び第２の発光素子よりも波長の長い光が射出されることを特徴とする発光装置である。
【００１３】
本発明の一態様は、第１の反射電極、第１の反射電極に接して形成された第１の透明導電層、第１の透明導電層に接して形成されたＥＬ層、およびＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第１の発光素子と、第２の反射電極、第２の反射電極に接して形成された第２の透明導電層、第２の透明導電層に接して形成されたＥＬ層、およびＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第２の発光素子と、第３の反射電極、第３の反射電極に接して形成されたＥＬ層、ＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第３の発光素子と、を有し、ＥＬ層は、λＲの波長の光を射出する第１の発光層を含み、第３の発光素子からは、λＲの波長の光が射出され、第３の発光素子における第３の反射電極と第１の発光層との光学距離はλＲ／４であり、第３の反射電極と半透過・半反射電極との光学距離はλＲ／２であることを特徴とする発光装置である。
【００１４】
本発明の一態様は、第１の反射電極、第１の反射電極に接して形成された第１の透明導電層、第１の透明導電層に接して形成されたＥＬ層、およびＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第１の発光素子と、第２の反射電極、第２の反射電極に接して形成された第２の透明導電層、第２の透明導電層に接して形成されたＥＬ層、およびＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第２の発光素子と、第３の反射電極、第３の反射電極に接して形成されたＥＬ層、ＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第３の発光素子と、を有し、ＥＬ層は、λＲ＞λＧ＞λＢなる波長の関係においてλＲの波長の光を射出する第１の発光層、λＧの波長の光を射出する第２の発光層、λＢの波長の光を射出する第３の発光層を含み、第１の発光素子からは、λＧの波長の光が射出され、第１の発光素子における第１の反射電極と第２の発光層との光学距離は３λＧ／４であり、第１の反射電極と半透過・半反射電極との光学距離はλＧであり、第２の発光素子からは、λＢの波長の光が射出され、第２の発光素子における第２の反射電極と第３の発光層との光学距離は３λＢ／４であり、第２の反射電極と半透過・半反射電極との光学距離はλＢであり、第３の発光素子からは、λＲの波長の光が射出され、第３の発光素子における第３の反射電極と第１の発光層との光学距離はλＲ／４であり、第３の反射電極と半透過・半反射電極との光学距離はλＲ／２であることを特徴とする発光装置である。
【００１５】
さらに、λＲ＞λＧ＞λＢなる関係を有する波長の光（λＲ、λＧ、λＢ）をそれぞれ射出する三種類の発光素子を有する発光装置において、λＹの波長の光を射出する第１の発光層、λＢの波長の光を射出する第２の発光層が形成される場合には、光（λＧ）を射出する第１の発光素子において、反射電極とＥＬ層に含まれる第１の発光層（Ｙ）（発光領域）との光学距離を３λＧ／４として反射電極と半透過・半反射電極との光学距離をλＧとし、光（λＢ）を射出する第２の発光素子において、反射電極とＥＬ層に含まれる第２の発光層（Ｂ）（発光領域）との光学距離を３λＢ／４として反射電極と半透過・半反射電極との光学距離をλＢとし、光（λＲ）を射出する第３の発光素子において、反射電極とＥＬ層に含まれる第１の発光層（Ｙ）（発光領域）との光学距離をλＲ／４として反射電極と半透過・半反射電極との光学距離をλＲ／２とする。この場合も、光学距離を調節するために第１の発光素子には、反射電極とＥＬ層との間に第１の透明導電層を設け、第２の発光素子には、反射電極とＥＬ層との間に第２の透明導電層を設ける。なお、第１の透明導電層は、第２の透明導電層の膜厚よりも、厚くする必要がある。
【００１６】
本発明の一態様は、第１の反射電極、第１の反射電極に接して形成された第１の透明導電層、第１の透明導電層に接して形成されたＥＬ層、およびＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第１の発光素子と、第２の反射電極、第２の反射電極に接して形成された第２の透明導電層、第２の透明導電層に接して形成されたＥＬ層、およびＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第２の発光素子と、第３の反射電極、第３の反射電極に接して形成されたＥＬ層、ＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第３の発光素子と、を有し、ＥＬ層は、λＹの波長の光を射出する第１の発光層を含み、第３の発光素子からは、λＲの波長の光が射出され、第３の発光素子における第３の反射電極と第１の発光層との光学距離はλＲ／４であり、第３の反射電極と半透過・半反射電極との光学距離はλＲ／２であることを特徴とする発光装置である。
【００１７】
本発明の一態様は、第１の反射電極、第１の反射電極に接して形成された第１の透明導電層、第１の透明導電層に接して形成されたＥＬ層、およびＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第１の発光素子と、第２の反射電極、第２の反射電極に接して形成された第２の透明導電層、第２の透明導電層に接して形成されたＥＬ層、およびＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第２の発光素子と、第３の反射電極、第３の反射電極に接して形成されたＥＬ層、ＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第３の発光素子と、を有し、ＥＬ層は、λＲ＞λＹ＞λＧ＞λＢなる波長の関係においてλＹの波長の光を射出する第１の発光層、λＢの波長の光を射出する第２の発光層を含み、第１の発光素子からは、λＧの波長の光が射出され、第１の発光素子における第１の反射電極と第１の発光層との光学距離は３λＧ／４であり、第１の反射電極と半透過・半反射電極との光学距離はλＧであり、第２の発光素子からは、λＢの波長の光が射出され、第２の発光素子における第２の反射電極と第２の発光層との光学距離は３λＢ／４であり、第２の反射電極と半透過・半反射電極との光学距離はλＢであり、第３の発光素子からは、λＲの波長の光が射出され、第３の発光素子における第３の反射電極と第１の発光層との光学距離はλＲ／４であり、第３の反射電極と半透過・半反射電極との光学距離はλＲ／２であることを特徴とする発光装置である。
【００１８】
上記各構成において、ＥＬ層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、および電子注入層のいずれか一つ、または複数を有することを特徴とする。
【００１９】
上記各構成において、第１の透明導電層は、第２の透明導電層よりも膜厚が厚いことを特徴とする。
【００２０】
上記各構成において、第１の発光素子、第２の発光素子、および第３の発光素子は、いずれも異なる波長の光を射出することを特徴とする。
【００２１】
また、本発明の一態様は、上記発光装置を用いたことを特徴とする電子機器または照明装置である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の一態様では、異なる波長の光を呈する発光素子を複数有するマイクロキャビティ方式を利用した発光装置、電子機器、および照明装置において、反射電極と発光層（発光領域）との光学距離及び反射電極と半透過・半反射電極との光学距離を上記所定なものとして各発光素子から所望の波長の光が射出される素子構造とすることにより、色純度が良く、光取り出し効率の良い発光素子を備えた発光装置、電子機器、および照明装置を提供することができる。また、本発明の一態様では、最も長い波長の光を取り出す発光素子において、透明導電層の形成が不要であるため、工程数、及びコストの削減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一態様である発光装置について説明する図。
【図２】本発明の一態様である発光装置について説明する図。
【図３】本発明の一態様である発光装置について説明する図。
【図４】本発明の一態様である発光装置について説明する図。
【図５】電子機器を示す図。
【図６】照明装置を示す図。
【図７】本発明の一態様である発光装置について示す図。
【図８】発光スペクトルの測定結果を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、異なる図面であっても共通の符号が付されているものは同じものを示すこととし、説明は省略する。
【００２５】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置について図１を用いて説明する。なお、以下において厚みはすべて光学距離で示すこととする。
【００２６】
本発明の一態様における発光装置は、図１に示すように構造の異なる発光素子（第１の発光素子（Ｇ）１１０Ｇ、第２の発光素子（Ｂ）１１０Ｂ、第３の発光素子（Ｒ）１１０Ｒ）を有して構成される。
【００２７】
第１の発光素子（Ｇ）１１０Ｇは、反射電極１０２上に第１の透明導電層１０３ａと、第１の発光層（Ｒ）１０４Ｒ、第２の発光層（Ｇ）１０４Ｇ、第３の発光層（Ｂ）１０４Ｂを一部に含むＥＬ層１０５と、半透過・半反射電極１０６とが順次積層された構造を有する。また、第２の発光素子（Ｂ）１１０Ｂは、反射電極１０２上に第２の透明導電層１０３ｂと、ＥＬ層１０５と、半透過・半反射電極１０６とが順次積層された構造を有する。また、第３の発光素子（Ｒ）１１０Ｒは、反射電極１０２上にＥＬ層１０５と、半透過・半反射電極１０６とが順次積層された構造を有する。
【００２８】
なお、上記発光素子（第１の発光素子（Ｇ）１１０Ｇ、第２の発光素子（Ｂ）１１０Ｂ、第３の発光素子（Ｒ）１１０Ｒ）において、反射電極１０２、ＥＬ層１０５、半透過・半反射電極１０６は共通である。また、第１の発光層（Ｒ）１０４Ｒでは、６００ｎｍ以上７６０ｎｍ以下の波長領域にピークを持つ光（λＲ）を発光させ、第２の発光層（Ｇ）１０４Ｇでは、５００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長領域にピークを持つ光（λＧ）を発光させ、第３の発光層（Ｂ）１０４Ｂでは、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長領域にピークをもつ光（λＢ）を発光させる。これにより、いずれの発光素子（第１の発光素子（Ｇ）１１０Ｇ、第２の発光素子（Ｂ）１１０Ｂ、第３の発光素子（Ｒ）１１０Ｒ）でも、第１の発光層（Ｒ）１０４Ｒ、第２の発光層（Ｇ）１０４Ｇ、および第３の発光層（Ｂ）１０４Ｂからの発光が重ね合わされた、すなわち可視光領域に渡るブロードな発光スペクトルを有する光を発光させることができる。なお、上記より、波長の長さは、λＢ＜λＧ＜λＲなる関係であるとする。
【００２９】
本実施の形態に示す各発光素子は、それぞれ反射電極１０２と半透過・半反射電極１０６との間にＥＬ層１０５を挟んでなる構造を有しており、ＥＬ層１０５に含まれる各発光層から全方向に射出される発光は、微小光共振器（マイクロキャビティ）としての機能を有する反射電極１０２と半透過・半反射電極１０６とによって共振される。なお、反射電極１０２は、反射性を有する導電性材料により形成され、その膜に対する可視光の反射率が４０％〜１００％、好ましくは７０％〜１００％であり、かつその抵抗率が１×１０−２Ωｃｍ以下の膜であるとする。また、半透過・半反射電極１０６は、反射性を有する導電性材料と透光性を有する導電性材料とにより形成され、その膜に対する可視光の反射率が２０％〜８０％、好ましくは４０％〜７０％であり、かつその抵抗率が１×１０−２Ωｃｍ以下の膜であるとする。
【００３０】
また、本実施の形態では、各発光素子で、第１の発光素子（Ｇ）１１０Ｇと第２の発光素子（Ｂ）１１０Ｂにそれぞれ設けられた透明導電層（第１の透明導電層１０３ａ、第２の透明導電層１０３ｂ）の厚みを変えることにより、発光素子毎に反射電極１０２と半透過・半反射電極１０６の間の光学距離を変えている。つまり、各発光素子の各発光層から発光するブロードな発光スペクトルを有する光は、反射電極１０２と半透過・半反射電極１０６との間において、共振する波長の光を強め、共振しない波長の光を減衰させることができるため、素子毎に反射電極１０２と半透過・半反射電極１０６の間の光学距離を変えることにより、異なる波長の光を取り出すことができる。
【００３１】
なお、第１の発光素子（Ｇ）１１０Ｇでは、反射電極１０２から半透過・半反射電極１０６までの総厚（光学距離）をλＧ、第２の発光素子（Ｂ）１１０Ｂでは、反射電極１０２から半透過・半反射電極１０６までの総厚（光学距離）をλＢ、第３の発光素子（Ｒ）１１０Ｒでは、反射電極１０２から半透過・半反射電極１０６までの総厚（光学距離）をλＲ／２としている。
【００３２】
以上より、第１の発光素子（Ｇ）１１０Ｇからは、主としてＥＬ層１０５に含まれる第２の発光層（Ｇ）１０４Ｇで発光した光（λＧ）が取り出され、第２の発光素子（Ｂ）１１０Ｂからは、主としてＥＬ層１０５に含まれる第３の発光層（Ｂ）１０４Ｂで発光した光（λＢ）が取り出され、第３の発光素子（Ｒ）１１０Ｒからは、主としてＥＬ層１０５に含まれる第１の発光層（Ｒ）１０４Ｒで発光した光（λＲ）が取り出される。なお、各発光素子から取り出される光は、半透過・半反射電極１０６側からそれぞれ射出される。
【００３３】
また、上記構成において、第３の発光素子（Ｒ）１１０Ｒは、反射電極１０２から半透過・半反射電極１０６までの総厚（光学距離）をλＲ／２としているが、最も波長の長い光（λＲ）を取り出す第３の発光素子（Ｒ）１１０Ｒの反射電極１０２から半透過・半反射電極１０６までの総厚（光学距離）をλＲとすると、光（λＢ）も共振されてしまう。従って、第３の発光素子（Ｒ）１１０Ｒにおける反射電極１０２から半透過・半反射電極１０６までの総厚（光学距離）をλＲ／２とすることにより、光（λＲ）のみを取り出すことが可能となる。なお、第３の発光素子（Ｒ）１１０Ｒよりも波長の短い光を取り出す、第１の発光素子（Ｇ）１１０Ｇおよび第２の発光素子（Ｂ）１１０Ｂについては、反射電極１０２から半透過・半反射電極１０６までの総厚（光学距離）をそれぞれλＧ、λＢとしても所望の波長の光のみを取り出すことが可能である。また、反射電極１０２から半透過・半反射電極１０６までの総厚（光学距離）は、厳密には反射電極１０２における反射領域から半透過・半反射電極１０６における反射領域までの総厚（光学距離）ということができる。しかし、反射電極１０２や半透過・半反射電極１０６における反射領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極１０２と半透過・半反射電極１０６の任意の位置を反射領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。なお、各発光素子から取り出す光は、発光した光と同じピークを持つ必要はない。例えば、発光層で４６０ｎｍにピークを持つ光を発光させ、第１の発光素子（Ｇ）１１０Ｇから４５０ｎｍにピークを持つ光を取り出してもよい。
【００３４】
次に、第１の発光素子（Ｇ）１１０Ｇにおいて、反射電極１０２から第２の発光層（Ｇ）１０４Ｇへの光学距離を所望の膜厚（３λＧ／４）に調節することにより、第２の発光層（Ｇ）１０４Ｇからの発光を増幅させることができる。第２の発光層（Ｇ）１０４Ｇからの発光のうち、反射電極１０２によって反射されて戻ってきた光（第１の反射光）は、第２の発光層（Ｇ）１０４Ｇから半透過・半反射電極１０６に直接入射する光（第１の入射光）と干渉を起こすため、反射電極１０２から第２の発光層（Ｇ）１０４Ｇへの光学距離を所望の値（３λＧ／４）に調節して設けることにより、第１の反射光と第１の入射光との位相を合わせ、第２の発光層（Ｇ）１０４Ｇからの発光を増幅させることができる。
【００３５】
なお、反射電極１０２から第２の発光層（Ｇ）１０４Ｇへの光学距離をλＧ／４としても、第１の入射光と第１の反射光は干渉して強めあうが、第１の透明導電層１０３ａの厚みがλＧ／４よりも厚いため、λＧ／４よりも厚く、第１の入射光と第１の反射光とが干渉して強めあう距離である３λＧ／４に調整している。また、反射電極１０２と第２の発光層（Ｇ）１０４Ｇとの光学距離とは、厳密には反射電極１０２における反射領域と第２の発光層（Ｇ）１０４Ｇにおける発光領域との光学距離ということができる。しかし、反射電極１０２における反射領域や第２の発光層（Ｇ）１０４Ｇにおける発光領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極１０２の任意の位置を反射領域、第２の発光層（Ｇ）１０４Ｇの任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
【００３６】
次に、第２の発光素子（Ｂ）１１０Ｂにおいて、反射電極１０２から第３の発光層（Ｂ）１０４Ｂへの光学距離を所望の膜厚（３λＢ／４）に調節することにより、第３の発光層（Ｂ）１０４Ｂからの発光を増幅させることができる。第３の発光層（Ｂ）１０４Ｂからの発光のうち、反射電極１０２によって反射されて戻ってきた光（第２の反射光）は、第３の発光層（Ｂ）１０４Ｂから半透過・半反射電極１０６に直接入射する光（第２の入射光）と干渉を起こすため、反射電極１０２から第３の発光層（Ｂ）１０４Ｂへの光学距離を所望の値（３λＢ／４）に調節して設けることにより、第２の反射光と第２の入射光との位相を合わせ、第３の発光層（Ｂ）１０４Ｂからの発光を増幅させることができる。
【００３７】
なお、反射電極１０２から第３の発光層（Ｂ）１０４Ｂへの光学距離をλＢ／４としても、第２の入射光と第２の反射光は干渉して強めあうが、第２の透明導電層１０３ｂの厚みがλＢ／４よりも厚いため、λＢ／４よりも厚く、第２の入射光と第２の反射光とが干渉して強めあう距離である３λＢ／４に調整している。また、反射電極１０２と第３の発光層（Ｂ）１０４Ｂとの光学距離とは、厳密には反射電極１０２における反射領域と第３の発光層（Ｂ）１０４Ｂにおける発光領域との光学距離ということができる。しかし、反射電極１０２における反射領域や第３の発光層（Ｂ）１０４Ｂにおける発光領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極１０２の任意の位置を反射領域、第３の発光層（Ｂ）１０４Ｂの任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
【００３８】
次に、第３の発光素子（Ｒ）１１０Ｒにおいて、反射電極１０２から第１の発光層（Ｒ）１０４Ｒへの光学距離を所望の膜厚（λＲ／４）に調節することにより、第１の発光層（Ｒ）１０４Ｒからの発光を増幅させることができる。第１の発光層（Ｒ）１０４Ｒからの発光のうち、反射電極１０２によって反射されて戻ってきた光（第３の反射光）は、第１の発光層（Ｒ）１０４Ｒから半透過・半反射電極１０６に直接入射する光（第３の入射光）と干渉を起こすため、反射電極１０２から第１の発光層（Ｒ）１０４Ｒへの光学距離を所望の値（λＲ／４）に調節して設けることにより、第３の反射光と第３の入射光との位相を合わせ、第１の発光層（Ｒ）１０４Ｒからの発光を増幅させることができる。
【００３９】
なお、第３の発光素子において、反射電極１０２と第１の発光層（Ｒ）１０４Ｒとの光学距離とは、厳密には反射電極１０２における反射領域と第１の発光層（Ｒ）１０４Ｒにおける発光領域との光学距離ということができる。しかし、反射電極１０２における反射領域や第１の発光層（Ｒ）１０４Ｒにおける発光領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極１０２の任意の位置を反射領域、第１の発光層（Ｒ）１０４Ｒの任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
【００４０】
以上に示すような構造とすることにより、同じＥＬ層を有していても発光素子ごとに異なる波長の光を効率良く取り出すことができる。従って、色純度が良く、光取り出し効率の良い発光装置を提供することができる。また、本実施の形態に示す構成では、最も長い波長の光を取り出す発光素子において、透明導電層の形成が不要であるため、工程数、及びコストの削減を図ることができる。
【００４１】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【００４２】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１で説明した本発明の一態様である発光装置の具体的な構造について、図２を用いて説明する。
【００４３】
本実施の形態に示す発光装置は、基板２０１上に反射電極２０２、第１の透明導電層２０３ａ、発光層２０４を含むＥＬ層２０５、半透過・半反射電極２０６が順次積層されてなる第１の発光素子（Ｇ）２１０Ｇ、基板２０１上に反射電極２０２、第２の透明導電層２０３ｂ、発光層２０４を含むＥＬ層２０５、半透過・半反射電極２０６が順次積層されてなる第２の発光素子（Ｂ）２１０Ｂ、基板２０１上に反射電極２０２、発光層２０４を含むＥＬ層２０５、半透過・半反射電極２０６が順次積層されてなる第３の発光素子（Ｒ）２１０Ｒをそれぞれ有する。
【００４４】
基板２０１としては、プラスチック（有機樹脂）、ガラス、または石英などを用いることができる。プラスチックとしては、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン等からなる部材が挙げられる。なお、基板２０１として、プラスチックを用いると、発光装置の軽量化を実現することができるため好ましい。また、基板２０１として水蒸気に対するバリア性が高く、放熱性が高いシート（例えば、ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）を含むシート）を用いることもできる。
【００４５】
また、図示しないが、基板２０１上に無機絶縁体を設ける構成としてもよい。無機絶縁体は、外部からの水等の汚染物質から保護する保護層、封止膜として機能する。無機絶縁体を設けることで、発光素子の劣化を軽減し、発光装置の耐久性や寿命を向上させることができる。
【００４６】
無機絶縁体としては窒化膜、及び窒化酸化膜の単層又は積層を用いることができる。具体的には、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウムなどを用いて、材料に合わせてＣＶＤ法、スパッタ法等により形成することができる。好ましくは、窒化珪素を用いてＣＶＤ法により形成するとよい。無機絶縁体の膜厚は１００ｎｍ以上１μｍ以下程度とすればよい。また、無機絶縁体として、酸化アルミニウム膜、ＤＬＣ膜、窒素含有炭素膜、硫化亜鉛及び酸化珪素を含む膜（ＺｎＳ・ＳｉＯ２膜）を用いてもよい。
【００４７】
反射電極２０２は、反射性を有する導電性材料を用いて形成される。なお、反射性を有する導電性材料とは、それを用いて形成された膜に対する可視光の反射率が４０％〜１００％、好ましくは７０％〜１００％であり、かつその抵抗率が１×１０−２Ωｃｍ以下の膜であるとする。反射性を有する材料としては、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料を用いることができる。そのほか、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金などのアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）や銀と銅の合金などの銀を含む合金を用いることもできる。銀と銅の合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜、又は金属酸化物膜を積層することでアルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。
【００４８】
第１の透明導電層２０３ａ、および第２の透明導電層２０３ｂは、透光性を有する導電性材料を用いて単層または積層で形成される。なお、透光性を有する導電性材料とは、それを用いて形成された膜に対する可視光の透過率が、４０％以上であり、かつその抵抗率が１×１０−２Ωｃｍ以下の膜のことをいう。透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム酸化スズ（Ｉｎ２Ｏ３―ＳｎＯ２、ＩＴＯと略記する）、酸化インジウム酸化亜鉛（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ、ＩＺＯと略記する）、ガリウムを添加した酸化亜鉛、またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたもの、その他グラフェンなどを用いることができる。
【００４９】
また、第１の透明導電層２０３ａ、および第２の透明導電層２０３ｂは、導電性高分子（導電性ポリマーともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子を用いることができる。例えば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、若しくはアニリン、ピロールおよびチオフェンの２種以上の共重合体またはその誘導体などが挙げられる。
【００５０】
なお、第１の透明導電層２０３ａ、および第２の透明導電層２０３ｂの膜厚は、それぞれの発光素子からどの波長の光を発光するかによって適宜調節する必要がある。従って、第１の発光素子（Ｇ）２１０Ｇにおける第１の透明導電層２０３ａは、第２の発光層（Ｇ）２０４Ｇからの光のみが半透過・半反射電極２０６側から射出される膜厚で形成する。また、第２の発光素子（Ｂ）２１０Ｂにおける第２の透明導電層２０３ｂは、第３の発光層（Ｂ）２０４Ｂからの光のみが半透過・半反射電極２０６側から射出される膜厚で形成する。
【００５１】
なお、反射電極２０２、第１の透明導電層２０３ａ、および第２の透明導電層２０３ｂは、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程によって所定の形状に加工することができる。
【００５２】
各発光素子の間には、反射電極２０２、第１の透明導電層２０３ａ、および第２の透明導電層２０３ｂの端部を覆うように絶縁材料からなる絶縁層２０７を設ける。なお、絶縁材料としては、有機絶縁材料（ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、またはシロキサンポリマーを主成分とする材料）や、無機絶縁材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなどを主成分とする材料）などを用いて単層または積層で絶縁層２０７を形成することができる。
【００５３】
また、絶縁層２０７は、光を反射、又は吸収し、遮光性を有する材料を用いて形成しても良い。例えば、黒色の有機樹脂を用いることができ、感光性又は非感光性のポリイミドなどの樹脂材料に、顔料系の黒色樹脂やカーボンブラック、チタンブラック等を混合させて形成すればよい。また、遮光性の金属膜を用いることもでき、例えばクロム、モリブデン、ニッケル、チタン、コバルト、銅、タングステン、又はアルミニウムなどを用いればよい。遮光性を有する絶縁層２０７を形成する場合には、隣り合う発光素子への光漏れを防止することができるため、高コントラスト及び高精細な表示を行うことが可能になる。
【００５４】
なお、絶縁層２０７の形成方法は特に限定されず、材料に応じて、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などの乾式法、又はスピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法）、スクリーン印刷、オフセット印刷などの湿式法を用い、必要に応じてエッチング法（ドライエッチング又はウエットエッチング）により所望のパターンに加工すればよい。
【００５５】
ＥＬ層２０５には、少なくとも発光層２０４が含まれている。なお、ＥＬ層には、発光層２０４以外の機能層が含まれていても良い。具体的には、ＥＬ層２０５を正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層などを含めた積層構造とすることができる。
【００５６】
正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物を用いることができる。また、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物を用いることができる。
【００５７】
また、低分子の有機化合物である４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。
【００５８】
さらに、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる。例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることができる。
【００５９】
特に、正孔注入層として、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることが好ましい。正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることにより、陽極からの正孔注入性を良好にし、発光素子の駆動電圧を低減することができる。これらの複合材料は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質とを共蒸着することにより形成することができる。該複合材料を用いて正孔注入層を形成することにより、陽極からＥＬ層２０５への正孔注入が容易となる。
【００６０】
複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。
【００６１】
複合材料に用いることのできる有機化合物としては、例えば、ＴＤＡＴＡ、ＭＴＤＡＴＡ、ＤＰＡＢ、ＤＮＴＰＤ、ＤＰＡ３Ｂ、ＰＣｚＰＣＡ１、ＰＣｚＰＣＡ２、ＰＣｚＰＣＮ１、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ又はα−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）等の芳香族アミン化合物や、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等のカルバゾール誘導体を用いることができる。
【００６２】
また、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン等の芳香族炭化水素化合物を用いることができる。
【００６３】
さらに、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン、ペンタセン、コロネン、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等の芳香族炭化水素化合物を用いることができる。
【００６４】
また、電子受容体としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等の有機化合物や、遷移金属酸化物を挙げることができる。また、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
【００６５】
なお、上述したＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ、ＰＴＰＤＭＡ、Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ等の高分子化合物と、上述した電子受容体を用いて複合材料を形成し、正孔注入層に用いてもよい。
【００６６】
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、例えば、ＮＰＢ、ＴＰＤ、ＢＰＡＦＬＰ、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）等の芳香族アミン化合物を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【００６７】
また、正孔輸送層には、ＣＢＰ、ＣｚＰＡ、ＰＣｚＰＡのようなカルバゾール誘導体や、ｔ−ＢｕＤＮＡ、ＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈのようなアントラセン誘導体を用いても良い。
【００６８】
また、正孔輸送層には、ＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ、ＰＴＰＤＭＡ、Ｐｏｌｙ−ＴＰＤなどの高分子化合物を用いることもできる。
【００６９】
発光層２０４は、発光性の有機化合物を含む層である。発光性の有機化合物としては、例えば、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。図２（Ａ）に示す発光層２０４の詳細について、図２（Ｂ）に示す。図２（Ｂ）に示されているように、発光層２０４は、第１の発光層（Ｒ）２０４Ｒ、第２の発光層（Ｇ）２０４Ｇ、第３の発光層（Ｂ）２０４Ｂが順次積層された構造を有する。
【００７０】
なお、第１の発光層（Ｒ）２０４Ｒに用いることができる蛍光性化合物としては、例えば、赤色系の発光材料であるＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。また、燐光性化合物としては、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、（ジピバロイルメタナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙げられる。
【００７１】
また、第２の発光層（Ｇ）２０４Ｇに用いることができる蛍光性化合物としては、例えば、緑色系の発光材料であるＮ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）］−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる。また、燐光性化合物としては、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）３）などが挙げられる。
【００７２】
また、第３の発光層（Ｂ）２０４Ｂに用いることができる蛍光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料であるＮ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）などが挙げられる。また、燐光性化合物としては、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））などが挙げられる。
【００７３】
なお、上記各発光層２０４において、燐光性化合物を用いる場合には、ホスト材料となる他の物質に燐光性化合物を分散させた構成とすることが好ましい。ホスト材料としては、各種のものを用いることができ、発光性の物質よりも最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）が高く、最高被占有軌道準位（ＨＯＭＯ準位）が低い物質を用いることが好ましい。
【００７４】
ホスト材料としては、具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）などの複素環化合物や、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、３，３’，３’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリピレン（略称：ＴＰＢ３）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセンなどの縮合芳香族化合物、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、ＮＰＢ（またはα−ＮＰＤ）、ＴＰＤ、ＤＦＬＤＰＢｉ、ＢＳＰＢなどの芳香族アミン化合物などを用いることができる。
【００７５】
また、ホスト材料は複数種用いることができる。例えば、結晶化を抑制するためにルブレン等の結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、ゲスト材料である燐光性化合物へのエネルギー移動をより効率良く行うためにＮＰＢ、あるいはＡｌｑ等をさらに添加してもよい。
【００７６】
なお、ゲスト材料をホスト材料に分散させた構成とすることにより、各発光層２０４における結晶化を抑制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。
【００７７】
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送性の高い物質としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【００７８】
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層には、リチウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、リチウム酸化物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることができる。また、上述した電子輸送層を構成する物質を用いることもできる。
【００７９】
電荷発生層は、発光素子に電圧を印加することで電荷を発生し、陰極側からＥＬ層に正孔を注入し、陽極側からＥＬ層に電子を注入する機能を有する層である。
【００８０】
なお、電荷発生層は、上述した正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含有させた複合材料で形成することができる。また、電荷発生層は、複合材料からなる層と他の材料からなる層との積層構造でもよい。
【００８１】
また、上記ＥＬ層２０５は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法などの液滴吐出法、印刷法、スピンコート法等の種々の方法によって形成することができる。
【００８２】
半透過・半反射電極２０６は、反射性を有する導電性材料の薄膜（好ましくは２０ｎｍ以下、更に好ましくは１０ｎｍ以下）と、透光性を有する導電性材料の膜との組み合わせ（例えば、積層膜）により形成される。なお、半透過・半反射電極２０６は、半透過・半反射電極２０６を構成する膜に対する可視光の反射率が２０％〜８０％、好ましくは４０％〜７０％であり、かつその抵抗率が１×１０−２Ωｃｍ以下であるとする。
【００８３】
なお、半透過・半反射電極２０６に用いる反射性を有する導電性材料や透光性を有する導電性材料は、上述した材料を用いることができることとする。
【００８４】
本実施の形態においては、第１の発光素子（Ｇ）２１０Ｇにおいては、反射電極２０２と第１の透明導電層２０３ａが陽極（アノードともいう）として機能し、半透過・半反射電極２０６が陰極（カソードともいう）として機能する。また、第２の発光素子（Ｂ）２１０Ｂにおいては、反射電極２０２と第２の透明導電層２０３ｂが陽極として機能し、半透過・半反射電極２０６が陰極として機能する。また、第３の発光素子（Ｒ）２１０Ｒにおいては、反射電極２０２が陽極として機能し、半透過・半反射電極２０６が陰極として機能する。
【００８５】
以上のように、本実施の形態に示した発光装置は、第１の発光素子（Ｇ）２１０Ｇと、第２の発光素子（Ｂ）２１０Ｂと、第３の発光素子（Ｒ）２１０Ｒとで光学距離を変えることにより、マイクロキャビティを利用して発光素子毎に所望のスペクトルの光のみを取り出すことができると共に、所望の波長の光を増幅させることができるので、色純度がよく、光取り出し効率の良い発光装置を提供することができる。また、本実施の形態に示す構成では、最も長い波長の光を取り出す発光素子において、透明導電層の形成が不要であるため、工程数、及びコストの削減を図ることができる。
【００８６】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【００８７】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置が有する発光素子の構造について図３を用いて説明する。なお、以下において厚みはすべて光学距離で示すこととする。
【００８８】
本発明の一態様における発光装置は、図３に示すように構造の異なる発光素子（第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇ、第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂ、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒ）を有して構成される。
【００８９】
第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇは、反射電極３０２上に第１の透明導電層３０３ａと、第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙ、第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂを一部に含むＥＬ層３０５と、半透過・半反射電極３０６とが順次積層された構造を有する。また、第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂは、反射電極３０２上に第２の透明導電層３０３ｂと、ＥＬ層３０５と、半透過・半反射電極３０６とが順次積層された構造を有する。また、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒは、反射電極３０２上にＥＬ層３０５と、半透過・半反射電極３０６とが順次積層された構造を有する。
【００９０】
なお、上記発光素子（第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇ、第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂ、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒ）において、反射電極３０２、ＥＬ層３０５、半透過・半反射電極３０６は共通である。また、第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙでは、５５０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下の波長領域にピークを持つ光（λＹ）を発光させ、第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂでは、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長領域にピークをもつ光（λＢ）を発光させる。これにより、いずれの発光素子（第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇ、第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂ、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒ）でも、第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙ、および第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂからの発光が重ね合わされた光、すなわち可視光領域に渡るブロードな発光スペクトルを有する光を発光させることができる。なお、上記より、波長の長さは、λＢ＜λＹなる関係であるとする。
【００９１】
本実施の形態に示す各発光素子は、それぞれ反射電極３０２と半透過・半反射電極３０６との間にＥＬ層３０５を挟んでなる構造を有しており、ＥＬ層３０５に含まれる各発光層から全方向に射出される発光は、微小光共振器（マイクロキャビティ）としての機能を有する反射電極３０２と半透過・半反射電極３０６とによって共振される。なお、反射電極３０２は、反射性を有する導電性材料により形成され、その膜に対する可視光の反射率が４０％〜１００％、好ましくは７０％〜１００％であり、かつその抵抗率が１×１０−２Ωｃｍ以下の膜であるとする。また、半透過・半反射電極３０６は、反射性を有する導電性材料と透光性を有する導電性材料とにより形成され、その膜に対する可視光の反射率が２０％〜８０％、好ましくは４０％〜７０％であり、かつその抵抗率が１×１０−２Ωｃｍ以下の膜であるとする。
【００９２】
また、本実施の形態では、各発光素子で、第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇと第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂにそれぞれに設けられた透明導電層（第１の透明導電層３０３ａ、第２の透明導電層３０３ｂ）の厚みを変えることにより、発光素子毎に反射電極３０２と半透過・半反射電極３０６の間の光学距離を変えている。つまり、各発光素子の各発光層から発光するブロードな発光スペクトルを有する光は、反射電極３０２と半透過・半反射電極３０６との間において、共振する波長の光を強め、共振しない波長の光を減衰させることができるため、素子毎に反射電極３０２と半透過・半反射電極３０６の間の光学距離を変えることにより、異なる波長の光を取り出すことができる。
【００９３】
なお、第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇでは、反射電極３０２から半透過・半反射電極３０６までの総厚（光学距離）をλＧ、第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂでは、反射電極３０２から半透過・半反射電極３０６までの総厚（光学距離）をλＢ、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒでは、反射電極３０２から半透過・半反射電極３０６までの総厚（光学距離）をλＲ／２としている。
【００９４】
以上より、第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇからは、主としてＥＬ層３０５に含まれる第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙで発光した光（λＧ）が取り出され、第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂからは、主としてＥＬ層３０５に含まれる第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂで発光した光（λＢ）が取り出され、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒからは、主としてＥＬ層３０５に含まれる第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙで発光した光（λＲ）が取り出される。なお、光（λＧ）は、５００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長領域にピークを持つ光であり、光（λＢ）は、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長領域にピークをもつ光であり、光（λＲ）は、６００ｎｍ以上７６０ｎｍ以下の波長領域にピークを持つ光である。また、各発光素子から取り出される光は、半透過・半反射電極３０６側からそれぞれ射出される。
【００９５】
また、上記構成において、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒは、反射電極３０２から半透過・半反射電極３０６までの総厚（光学距離）をλＲ／２としているが、最も波長の長い光（λＲ）を取り出す第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒの反射電極３０２から半透過・半反射電極３０６までの総厚（光学距離）をλＲとすると、光（λＢ）も共振されてしまう。従って、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒにおける反射電極３０２から半透過・半反射電極３０６までの総厚（光学距離）をλＲ／２とすることにより、光（λＲ）のみを取り出すことが可能となる。なお、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒよりも波長の短い光を取り出す、第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇおよび第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂについては、反射電極３０２から半透過・半反射電極３０６までの総厚（光学距離）をそれぞれλＧ、λＢとしても所望の波長にピークを持つ光のみを取り出すことが可能である。また、反射電極３０２から半透過・半反射電極３０６までの総厚（光学距離）は、厳密には反射電極３０２における反射領域と半透過・半反射電極３０６における反射領域までの総厚（光学距離）ということができる。しかし、反射電極３０２における反射領域や半透過・半反射電極３０６における反射領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極３０２および半透過・半反射電極３０６のそれぞれの任意の位置を反射領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
【００９６】
次に、第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇにおいて、反射電極３０２から第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙへの光学距離を所望の膜厚（３λＧ／４）に調節することにより、第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙからの発光のうちλＧの発光を増幅させることができる。第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙからの発光のうち、反射電極３０２によって反射されて戻ってきた光（第１の反射光）は、第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙから半透過・半反射電極３０６に直接入射する光（第１の入射光）と干渉を起こすため、反射電極３０２から第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙへの光学距離を所望の値（３λＧ／４）に調節して設けることにより、第１の反射光と第１の入射光との位相を合わせ、第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙからの発光のうちλＧの発光を増幅させることができる。
【００９７】
なお、反射電極３０２から第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙへの光学距離をλＧ／４としても、第１の入射光と第１の反射光は干渉して強めあうが、第１の透明導電層３０３ａの厚みがλＧ／４よりも厚いため、λＧ／４よりも厚く、第１の入射光と第１の反射光とが干渉して強めあう距離である３λＧ／４に調整している。また、反射電極３０２と第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙとの光学距離とは、厳密には反射電極３０２における反射領域と第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙにおける発光領域との光学距離ということができる。しかし、反射電極３０２における反射領域や第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙにおける発光領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極３０２の任意の位置を反射領域、第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙの任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
【００９８】
次に、第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂにおいて、反射電極３０２から第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂへの光学距離を所望の膜厚（３λＢ／４）に調節することにより、第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂからの発光を増幅させることができる。第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂからの発光のうち、反射電極３０２によって反射されて戻ってきた光（第２の反射光）は、第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂから半透過・半反射電極３０６に直接入射する光（第２の入射光）と干渉を起こすため、反射電極３０２から第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂへの光学距離を所望の値（３λＢ／４）に調節して設けることにより、第２の反射光と第２の入射光との位相を合わせ、第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂからの発光を増幅させることができる。
【００９９】
なお、反射電極３０２から第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂへの光学距離をλＢ／４としても、第２の入射光と第２の反射光は干渉して強めあうが、第２の透明導電層３０３ｂの厚みがλＢ／４よりも厚いため、λＢ／４よりも厚く、第２の入射光と第２の反射光とが干渉して強めあう距離である３λＢ／４に調整している。また、反射電極３０２と第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂとの光学距離とは、厳密には反射電極３０２における反射領域と第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂにおける発光領域との光学距離ということができる。しかし、反射電極３０２における反射領域や第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂにおける発光領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極３０２の任意の位置を反射領域、第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂの任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
【０１００】
次に、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒにおいて、反射電極３０２から第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙへの光学距離を所望の膜厚（λＲ／４）に調節することにより、第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙからの発光のうちλＲの発光を増幅させることができる。第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙからの発光のうち、反射電極３０２によって反射されて戻ってきた光（第３の反射光）は、第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙから半透過・半反射電極３０６に直接入射する光（第３の入射光）と干渉を起こすため、反射電極３０２から第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙへの光学距離を所望の値（λＲ／４）に調節して設けることにより、第３の反射光と第３の入射光との位相を合わせ、第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙからの発光のうちλＲの発光を増幅させることができる。
【０１０１】
なお、第３の発光素子において、反射電極３０２と第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙとの光学距離とは、厳密には反射電極３０２における反射領域と第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙにおける発光領域との光学距離ということができる。しかし、反射電極３０２における反射領域や第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙにおける発光領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極３０２の任意の位置を反射領域、第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙの任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
【０１０２】
本実施の形態において、ＥＬ層３０５に形成される第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙと第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂのみが実施の形態１及び実施の形態２の構成と異なるため、共通の部分については、実施の形態１及び実施の形態２における説明を参照することができるものとする。
【０１０３】
第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙについて、第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙに用いることができる蛍光性化合物としては、例えば、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）などが挙げられる。また、燐光性化合物としては、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）−５−メチルピラジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｐｒ−Ｍｅ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス｛２−（４−メトキシフェニル）−３，５−ジメチルピラジナト｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｍｏｐｐｒ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。
【０１０４】
また、第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂにおいて用いることができる物質としては、実施の形態２において、第３の発光層（Ｂ）２０４Ｂに用いることができる物質としてあげたものを用いることができる。
【０１０５】
以上に示すような構造とすることにより、同じＥＬ層を有していても発光素子ごとに異なる波長の光を効率良く取り出すことができる。従って、色純度が良く、光取り出し効率の良い発光装置を提供することができる。また、本実施の形態に示す構成では、最も長い波長の光を取り出す発光素子において、透明導電層の形成が不要であるため、工程数、及びコストの削減を図ることができる。
【０１０６】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０１０７】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置の具体的な構成について図４を用いて説明する。なお、図４（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）をＡ−Ａ’およびＢ−Ｂ’で切断した断面図である。
【０１０８】
図４（Ａ）において、点線で示された４０１は駆動回路部（ソース線駆動回路）、４０２は画素部、４０３は駆動回路部（ゲート線駆動回路）である。また、４０４は封止基板、４０５はシール材であり、シール材４０５で囲まれた内側は、空間４０７になっている。
【０１０９】
なお、引き回し配線４０８はソース線駆動回路４０１及びゲート線駆動回路４０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）４０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。また、本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０１１０】
次に、断面構造について図４（Ｂ）を用いて説明する。素子基板４１０上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース線駆動回路４０１と、画素部４０２中の３つの発光素子（４１８Ｇ、４１８Ｂ、４１８Ｒ）が示されている。なお、ソース線駆動回路４０１はＮチャネル型ＴＦＴ４２３とＰチャネル型ＴＦＴ４２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。
【０１１１】
また、画素部４０２はＴＦＴ（４１１Ｇ、４１１Ｂ、４１１Ｒ）と、そのドレインに電気的に接続された反射電極４１２（発光素子によっては、透明導電層４１３との積層）、ＥＬ層４１６、および半透過・半反射電極４１７とを含む複数の発光素子（４１８Ｇ、４１８Ｂ、４１８Ｒ）により形成される。なお、反射電極４１２（透明導電層４１３が積層されている場合は、透明導電層も含む）の端部を覆って絶縁層４１４が形成される。
【０１１２】
また、被覆性を良好なものとするため、絶縁層４１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。例えば、絶縁層４１４の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いることで、絶縁層４１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることができる。また、絶縁層４１４として、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型の感光性材料を用いることができる。
【０１１３】
反射電極４１２上には、透明導電層４１３、ＥＬ層４１６、および半透過・半反射電極４１７が、各発光素子の構成に応じてそれぞれ形成される。ここで、反射電極４１２、透明導電層４１３、ＥＬ層４１６、および半透過・半反射電極４１７に用いる材料としては、実施の形態２で示した材料を用いることができる。
【０１１４】
また、ＥＬ層４１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法などの液滴吐出法、印刷法、スピンコート法等の種々の方法によって形成される。
【０１１５】
さらに、シール材４０５で封止基板４０４を素子基板４１０と貼り合わせることにより、素子基板４１０、封止基板４０４、およびシール材４０５で囲まれた空間４０７に発光素子４１８Ｇ、４１８Ｂ、４１８Ｒが備えられた構造になっている。なお、空間４０７には、充填材が充填されており、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材４０５で充填される場合もある。
【０１１６】
なお、シール材４０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板４０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【０１１７】
以上のようにして、本発明の一態様であるアクティブマトリクス型の発光装置を得ることができる。なお、本発明の一態様である発光装置は、上述したアクティブマトリクス型の発光装置のみならずパッシブマトリクス型の発光装置とすることもできる。
【０１１８】
なお、本発明の一態様である発光装置は、同じＥＬ層を有していても発光素子ごとに異なる波長の光を効率良く取り出すことができる。従って、色純度が良く、光取り出し効率の良い発光装置を提供することができる。また、本実施の形態に示す構成では、最も長い波長の光を取り出す発光素子において、透明導電層の形成が不要であるため、工程数、及びコストの削減を図ることができる。
【０１１９】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０１２０】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置を用いて完成させた様々な電子機器の一例について、図５を用いて説明する。
【０１２１】
発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図５に示す。
【０１２２】
図５（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７１０３が組み込まれている。表示部７１０３により、映像を表示することが可能であり、発光装置を表示部７１０３に用いることができる。また、ここでは、スタンド７１０５により筐体７１０１を支持した構成を示している。
【０１２３】
テレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キー７１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作機７１１０から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。
【０１２４】
なお、テレビジョン装置７１００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０１２５】
図５（Ｂ）はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む。なお、コンピュータは、発光装置をその表示部７２０３に用いることにより作製される。
【０１２６】
図５（Ｃ）は携帯型遊技機であり、筐体７３０１と筐体７３０２の２つの筐体で構成されており、連結部７３０３により、開閉可能に連結されている。筐体７３０１には表示部７３０４が組み込まれ、筐体７３０２には表示部７３０５が組み込まれている。また、図５（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部７３０６、記録媒体挿入部７３０７、ＬＥＤランプ７３０８、入力手段（操作キー７３０９、接続端子７３１０、センサ７３１１（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン７３１２）等を備えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部７３０４および表示部７３０５の両方、又は一方に発光装置を用いていればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図５（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図５（Ｃ）に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０１２７】
図５（Ｄ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、発光装置を表示部７４０２に用いることにより作製される。
【０１２８】
図５（Ｄ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報を携帯電話機７４００に入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。
【０１２９】
表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。
【０１３０】
例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好ましい。
【０１３１】
また、携帯電話機７４００内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機７４００の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
【０１３２】
また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、又は筐体７４０１の操作ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
【０１３３】
また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
【０１３４】
表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
【０１３５】
以上のようにして、本発明の一態様である発光装置を適用して電子機器を得ることができる。発光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【０１３６】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０１３７】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置を適用した照明装置の一例について、図６を用いて説明する。
【０１３８】
図６は、本発明の一態様である発光装置を室内の照明装置８００１として用いた例である。なお、発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置を形成することもできる。その他、曲面を有する筐体を用いることで、発光領域が曲面を有する照明装置８００２を形成することもできる。本実施の形態で示す発光装置に含まれる発光素子は薄膜状であり、筐体のデザインの自由度が高い。したがって、様々な意匠を凝らした照明装置を形成することができる。さらに、室内の壁面に大型の照明装置８００３を備えても良い。
【０１３９】
また、本発明の一態様である発光装置は、発光装置をテーブル８００４の表面に用いることによりテーブルとしても用いることができる。なお、その他の家具の一部に発光装置を用いることにより、家具として用いることができる。
【０１４０】
以上のようにして、本発明の一態様である発光装置は、様々な用途に用いることができる。なお、本発明の一態様である発光装置は、同じＥＬ層を有していても発光素子ごとに異なる波長の光を効率良く取り出すことができる。従って、色純度が良く、光取り出し効率の良い発光装置を提供することができる。また、最も長い波長の光を取り出す発光素子において、透明導電層の形成が不要であるため、工程数、及びコストの削減を図ることができる。
【０１４１】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【実施例】
【０１４２】
本実施例では、６００ｎｍ以上７６０ｎｍ以下の波長領域にピークを持つ光（λＲ）が射出される発光素子において、反射電極７０２から半透過・半反射電極７０６までの総厚（光学距離）がλＲとなるように作製された発光装置（１）と、上述した実施の形態において示したように光（λＲ）が射出される発光素子において、反射電極３０２から半透過・半反射電極３０６までの総厚（光学距離）がλＲ／２となるように作製された発光装置（２）とをそれぞれ作製し、それぞれの発光装置における発光スペクトルの測定結果を示す。
【０１４３】
本実施例における発光装置（１）の構成は、図７に示す通りであり、異なる発光素子（第１’の発光素子（Ｒ）７１０Ｒ、第２’の発光素子（Ｇ）７１０Ｇ、第３’の発光素子（Ｂ）７１０Ｂ）を有して構成される。
【０１４４】
第１’の発光素子（Ｒ）７１０Ｒは、反射電極７０２上に第１の透明導電層７０３ａと、第１の発光層（Ｙ）７０４Ｙ、第２の発光層（Ｂ）７０４Ｂを一部に含むＥＬ層７０５と、半透過・半反射電極７０６とが順次積層された構造を有する。また、第２’の発光素子（Ｇ）７１０Ｇは、反射電極７０２上に第２の透明導電層７０３ｂと、ＥＬ層７０５と、半透過・半反射電極７０６とが順次積層された構造を有する。また、第３’の発光素子（Ｂ）７１０Ｂは、反射電極７０２上にＥＬ層７０５と、半透過・半反射電極７０６とが順次積層された構造を有する。
【０１４５】
上記発光素子（第１’の発光素子（Ｒ）７１０Ｒ、第２’の発光素子（Ｇ）７１０Ｇ、第３’の発光素子（Ｂ）７１０Ｂ）において、反射電極７０２、ＥＬ層７０５、半透過・半反射電極７０６は共通である。また、第１の発光層（Ｙ）７０４Ｙでは、５５０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下の波長領域にピークを持つ光（λＹ）を発光させ、第２の発光層（Ｂ）７０４Ｂでは、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長領域にピークをもつ光（λＢ）を発光させる。これにより、いずれの発光素子（第１’の発光素子（Ｒ）７１０Ｒ、第２’の発光素子（Ｇ）７１０Ｇ、第３’の発光素子（Ｂ）７１０Ｂ）でも、第１の発光層（Ｙ）７０４Ｙ、および第２の発光層（Ｂ）７０４Ｂからの発光が重ね合わされた光、すなわち可視光領域に渡るブロードな発光スペクトルを有する光を発光させることができる。なお、上記より、波長の長さは、λＢ＜λＹなる関係であるとする。
【０１４６】
発光装置（１）において、第１’の発光素子（Ｒ）７１０Ｒでは、反射電極７０２から半透過・半反射電極７０６までの総厚（光学距離）をλＲ、第２’の発光素子（Ｇ）７１０Ｇでは、反射電極７０２から半透過・半反射電極７０６までの総厚（光学距離）をλＧ、第３’の発光素子（Ｂ）７１０Ｂでは、反射電極７０２から半透過・半反射電極７０６までの総厚（光学距離）をλＢとしている。なお、第１’の発光素子（Ｒ）７１０Ｒは、主としてλＲの光を射出させる発光素子であり、第２’の発光素子（Ｇ）７１０Ｇは、主としてλＧの光を射出させる発光素子であり、第３’の発光素子（Ｂ）７１０Ｂは、主としてλＢの光を射出させる発光素子として形成される。
【０１４７】
また、発光装置（１）において、第１’の発光素子（Ｒ）７１０Ｒでは、反射電極７０２から第１の発光層（Ｙ）７０４Ｙまでの総厚（光学距離）を３λＲ／４、第２’の発光素子（Ｇ）７１０Ｇでは、反射電極７０２から第１の発光層（Ｙ）７０４Ｙまでの総厚（光学距離）を３λＧ／４、第３’の発光素子（Ｂ）７１０Ｂでは、反射電極７０２から第２の発光層（Ｂ）７０４Ｂまでの総厚（光学距離）をλＢ／４としている。
【０１４８】
本実施例における発光装置（２）の構成は、実施の形態３における図３に示す通りであり、異なる発光素子（第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇ、第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂ、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒ）を有して構成される。
【０１４９】
発光装置（２）における第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇは、反射電極３０２上に第１の透明導電層３０３ａと、第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙ、第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂを一部に含むＥＬ層３０５と、半透過・半反射電極３０６とが順次積層された構造を有する。また、第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂは、反射電極３０２上に第２の透明導電層３０３ｂと、ＥＬ層３０５と、半透過・半反射電極３０６とが順次積層された構造を有する。また、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒは、反射電極３０２上にＥＬ層３０５と、半透過・半反射電極３０６とが順次積層された構造を有する。
【０１５０】
上記発光素子（第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇ、第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂ、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒ）においても、反射電極３０２、ＥＬ層３０５、半透過・半反射電極３０６は共通である。また、第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙでは、５５０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下の波長領域にピークを持つ光（λＹ）を発光させ、第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂでは、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長領域にピークをもつ光（λＢ）を発光させる。
【０１５１】
発光装置（２）において、第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇでは、反射電極３０２から半透過・半反射電極３０６までの総厚（光学距離）をλＧ、第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂでは、反射電極３０２から半透過・半反射電極３０６までの総厚（光学距離）をλＢ、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒでは、反射電極３０２から半透過・半反射電極３０６までの総厚（光学距離）をλＲ／２としている。なお、第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇは、主としてλＧの光を射出させる発光素子であり、第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂは、主としてλＢの光を射出させる発光素子であり、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒは、主としてλＲの光を射出させる発光素子として形成される。
【０１５２】
また、発光装置（２）において、第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇでは、反射電極３０２から第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙまでの総厚（光学距離）を３λＧ／４、第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂでは、反射電極３０２から第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂまでの総厚（光学距離）を３λＢ／４、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒでは、反射電極３０２から第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙまでの総厚（光学距離）をλＲ／４としている。
【０１５３】
上述した発光装置（１）および発光装置（２）の具体的な作製方法について、以下に説明する。なお、発光装置（１）と発光装置（２）において、特に断らない場合は共通であるとし、異なる箇所については、その都度示すこととする。
【０１５４】
まず、ガラス基板である基板上に、チタン−アルミニウム（Ｔｉ−Ａｌ）合金膜と酸化チタン（ＴｉＯ２）膜の積層膜をスパッタリング法にて成膜し、反射電極７０２（３０２）を形成した。なお、その膜厚は１１０ｎｍとした。また、本実施例において、反射電極７０２（３０２）は、陽極として作製した。
【０１５５】
次に透明導電層を形成する。発光装置（１）および発光装置（２）のいずれの場合も第１の透明導電層（７０３ａ、３０３ａ）、第２の透明導電層（７０３ｂ、３０３ｂ）は、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により形成した。各膜厚は、以下に示す。
【０１５６】
発光装置（１）において、第１’の発光素子（Ｒ）７１０Ｒは、第１の透明導電層７０３ａを膜厚９０ｎｍで形成し、第２’の発光素子（Ｇ）７１０Ｇは、第２の透明導電層７０３ｂを膜厚４５ｎｍで形成した。第３’の発光素子（Ｂ）７１０Ｂは、透明導電層を作製しなかった。また、発光装置（２）において、第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇは、第１の透明導電層３０３ａを膜厚９０ｎｍで形成し、第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂは、第２の透明導電層３０３ｂを膜厚４５ｎｍで形成した。また、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒは、透明導電層を作製しなかった。なお、発光装置（１）において、第１’の発光素子（Ｒ）７１０Ｒは、赤色を呈し、第２’の発光素子（Ｇ）７１０Ｇは、緑色を呈し、第３’の発光素子（Ｂ）７１０Ｂは、青色を呈する。また、発光装置（２）において、第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇは、緑色を呈し、第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂは、青色を呈し、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒは、赤色を呈する。
【０１５７】
次に、反射電極７０２（３０２）上に複数の層が積層されたＥＬ層７０５（３０５）を形成する。本実施例において、ＥＬ層７０５（３０５）は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層である第１の発光層（Ｙ）７０４Ｙ（３０４Ｙ）、発光層である第２の発光層（Ｂ）７０４Ｂ（３０４Ｂ）、電子輸送層、電子注入層が順次積層された構造を有する。
【０１５８】
反射電極７０２（３０２）が形成された面が下方となるように、反射電極７０２（３０２）が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、１０−４Ｐａ程度まで減圧した後、反射電極７０２（３０２）上に４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）と酸化モリブデン（ＶＩ）とを共蒸着することにより、正孔注入層を形成した。その膜厚は発光装置（１）の場合には、１２０ｎｍとし、発光装置（２）の場合には、５０ｎｍとした。ＮＰＢと酸化モリブデンの比率は、重量比で２：０．２２２＝（ＮＰＢ：酸化モリブデン）となるように蒸着レートを調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。
【０１５９】
次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、正孔注入層上に正孔輸送性材料を１０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層を形成した。なお、正孔輸送層には、ＮＰＢ（略称）を用いた。
【０１６０】
次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、正孔輸送層上に、発光層である第１の発光層（Ｙ）７０４Ｙ（３０４Ｙ）を形成した。なお、第１の発光層（Ｙ）７０４Ｙ（３０４Ｙ）を形成する場合には、ホスト材料として９−フェニル−９’−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−３，３’−ビ（９Ｈ−カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰＡ）、ゲスト材料としてＲｕｂｒｅｎｅ（ルブレン）を共蒸着してなる膜を２０ｎｍの膜厚で形成した。なお、ＰＣＣＰＡ（略称）とＲｕｂｒｅｎｅとの重量比は、１：０．０１（＝ＰＣＣＰＡ（略称）：Ｒｕｂｒｅｎｅ）となるように蒸着レートを調節した。
【０１６１】
さらに、第１の発光層（Ｙ）７０４Ｙ（３０４Ｙ）上に第２の発光層（Ｂ）７０４Ｂ（３０４Ｂ）を形成した。なお、第２の発光層（Ｂ）７０４Ｂ（３０４Ｂ）を形成する場合には、ホスト材料として９−［４−（Ｎ−カルバゾリル）］フェニル−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）、ゲスト材料として４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）とを共蒸着してなる膜を３０ｎｍの膜厚で形成した。なお、ＣｚＰＡ（略称）とＰＣＢＡＰＡ（略称）との重量比は、１：０．１（＝ＣｚＰＡ（略称）：ＰＣＢＡＰＡ（略称））となるように蒸着レートを調節した。
【０１６２】
さらに、第２の発光層（Ｂ）７０４Ｂ（３０４Ｂ）上に抵抗加熱による蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）を１０ｎｍ、その上にバソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）を発光装置（１）の場合は２０ｎｍの膜厚、発光装置（２）の場合は１０ｎｍの膜厚となるように成膜し、電子輸送層を形成した。
【０１６３】
また、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍの膜厚となるように成膜し、電子注入層を形成した。
【０１６４】
最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、マグネシウム−銀合金（Ｍｇ−Ａｇ合金 Ｍｇ：Ａｇ＝０．０５：０．５）膜を形成した。その膜厚は発光装置（１）の場合には、１０ｎｍとし、発光装置（２）の場合には、１５ｎｍとした。さらに、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）を成膜した。その膜厚は発光装置（１）の場合には、５０ｎｍとし、発光装置（２）の場合には、９０ｎｍとした。マグネシウム−銀合金膜と酸化珪素を含むインジウム錫酸化物膜の積層膜である半透過・半反射電極７０６（３０６）を形成し、発光装置（１）および発光装置（２）を作製した。
【０１６５】
以上により得られた発光装置（１）および発光装置（２）の素子構造を表１に示す。
【０１６６】
【表１】
【０１６７】
本実施例において作製した発光装置（１）及び発光装置（２）における発光スペクトルの測定結果をそれぞれ図８（Ａ）および図８（Ｂ）に示す。
【０１６８】
スペクトル測定の結果から明らかなように、反射電極７０２から半透過・半反射電極７０６までの総厚（光学距離）をλＲとした、第１’の発光素子（Ｒ）７１０Ｒを有する発光装置（１）では、第１’の発光素子（Ｒ）７１０Ｒから得られる発光スペクトルが４６０ｎｍ付近と６１０ｎｍ付近で２種類のピークが見られた。これに対して、反射電極３０２から半透過・半反射電極３０６までの総厚（光学距離）をλＲ／２とした、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒを有する発光装置（２）では、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒから得られる発光スペクトルが６１０ｎｍ付近の１種類のみのピークとなっていた。
【０１６９】
従って、主としてλＲの光を射出させる発光素子において、反射電極から半透過・半反射電極までの総厚（光学距離）をλＲ／２とすることにより、１つの発光素子で発光スペクトルの異なる光が射出されるのを防ぐことができるという結果が得られた。
【符号の説明】
【０１７０】
１０２ 反射電極
１０３ａ 透明導電層
１０３ｂ 透明導電層
１０４Ｂ 発光層（Ｂ）
１０４Ｇ 発光層（Ｇ）
１０４Ｒ 発光層（Ｒ）
１０５ ＥＬ層
１０６ 半透過・半反射電極
１１０Ｂ 第２の発光素子（Ｂ）
１１０Ｇ 第１の発光素子（Ｇ）
１１０Ｒ 第３の発光素子（Ｒ）
２０１ 基板
２０２ 反射電極
２０３ａ 透明導電層
２０３ｂ 透明導電層
２０４ 発光層
２０４Ｒ 第１の発光層（Ｒ）
２０４Ｇ 第２の発光層（Ｇ）
２０４Ｂ 第３の発光層（Ｂ）
２０５ ＥＬ層
２０６ 半透過・半反射電極
２０７ 絶縁層
２１０Ｇ 第１の発光素子（Ｇ）
２１０Ｂ 第２の発光素子（Ｂ）
２１０Ｒ 第３の発光素子（Ｒ）
２Ｏ３ａ 第１の透明導電層
２Ｏ３ｂ 第２の透明導電層
３０２ 反射電極
３Ｏ３ａ 第１の透明導電層
３Ｏ３ｂ 第２の透明導電層
３０４Ｇ 第１の発光層（Ｇ）
３０４Ｂ 第２の発光層（Ｂ）
３０４Ｒ 第３の発光層（Ｒ）
３１０Ｇ 第１の発光素子（Ｇ）
３１０Ｂ 第２の発光素子（Ｂ）
３１０Ｒ 第３の発光素子（Ｒ）
３０５ ＥＬ層
３０６ 半透過・半反射電極
４０１ ソース線駆動回路
４０２ 画素部
４０３ ゲート線駆動回路
４０４ 封止基板
４０５ シール材
４０７ 空間
４０８ 配線
４０９ ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
４１０ 素子基板
４１２ 反射電極
４１３ 透明導電層
４１４ 絶縁層
４１６ ＥＬ層
４１７ 半透過・半反射電極
４１８ 発光素子
４２３ Ｎチャネル型ＴＦＴ
４２４ Ｐチャネル型ＴＦＴ
７０２ 反射電極
７Ｏ３ａ 第１の透明導電層
７Ｏ３ｂ 第２の透明導電層
７０４Ｒ 第１の発光層（Ｇ）
７０４Ｇ 第２の発光層（Ｂ）
７０４Ｂ 第３の発光層（Ｒ）
７０５ ＥＬ層
７０６ 半透過・半反射電極
７１０Ｒ 第１の発光素子（Ｇ）
７１０Ｇ 第２の発光素子（Ｂ）
７１０Ｂ 第３の発光素子（Ｒ）
７１００ テレビジョン装置
７１０１ 筐体
７１０３ 表示部
７１０５ スタンド
７１０７ 表示部
７１０９ 操作キー
７１１０ リモコン操作機
７２０１ 本体
７２０２ 筐体
７２０３ 表示部
７２０４ キーボード
７２０５ 外部接続ポート
７２０６ ポインティングデバイス
７３０１ 筐体
７３０２ 筐体
７３０３ 連結部
７３０４ 表示部
７３０５ 表示部
７３０６ スピーカ部
７３０７ 記録媒体挿入部
７３０８ ＬＥＤランプ
７３０９ 操作キー
７３１０ 接続端子
７３１１ センサ
７３１２ マイクロフォン
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
８００１ 照明装置
８００２ 照明装置
８００３ 照明装置
８００４ テーブル
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセンスを利用した発光装置、電子機器、および照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の物質を含む層（ＥＬ層）を挟んだものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の物質からの発光を得ることができる。
【０００３】
このような発光素子は自発光型であるため、液晶ディスプレイに比べ画素の視認性が高く、バックライトが不要である等の利点があり、フラットパネルディスプレイ素子として好適であると考えられている。また、このような発光素子は、薄型軽量に作製できることも大きな利点である。さらに非常に応答速度が速いことも特徴の一つである。
【０００４】
そして、これらの発光素子は膜状に形成することが可能であるため、面状の発光を容易に得ることができる。よって、面状の発光を利用した大面積の素子を形成することができる。このことは、白熱電球やＬＥＤに代表される点光源、あるいは蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。
【０００５】
なお、発光素子を発光装置に適用する上では、発光素子からの光の取り出し効率を向上させることが要求される。発光素子からの光の取り出し効率を向上させる方法としては、一対の電極間で光の共振効果を利用した微小光共振器（マイクロキャビティ）を採用し、キャビティ長の異なる領域を設けることで、発光素子の視野角依存性を改善する構造などが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−０３２３２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
マイクロキャビティ方式を利用する発光素子は、フルカラー化を実現する上でも有利である。例えば、ＲＧＢの塗り分け方式による発光素子と比較した場合には、ＲＧＢの塗り分けが不要であるため高精細化を実現することが容易である。また、ＣＦ（カラーフィルタ）方式による発光素子と比較した場合には低消費電力化を図ることができる。
【０００８】
しかしながら、マイクロキャビティ方式を利用するフルカラー化の発光素子の場合において、発光色の異なる画素毎に一対の電極間の距離を調節する必要があるが、画素によっては、複数の波長が存在することによる色純度の低下が問題となっている。さらに、一対の電極間の距離を調節する上でのマスク枚数や工程の増加も問題になっている。
【０００９】
そこで、本発明の一態様では、異なる波長の光を呈する発光素子を複数有するマイクロキャビティ方式を利用した発光装置、電子機器、および照明装置において、各発光素子から所望の波長の光のみが射出される素子構造とすることにより、色純度が良く、光取り出し効率の良い発光素子を備えた発光装置、電子機器、および照明装置を提供する。さらに、工程数およびコストの削減を図ることとする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様は、異なる波長の光を呈する発光素子を複数有する発光装置、電子機器、および照明装置において、各発光素子から所望の波長の光のみが射出される素子構造とすることにより、色純度のよい発光素子を備えた発光装置、電子機器、および照明装置を提供する。すなわち、異なる波長の光のうち、最も波長の長い光（λＲ）を射出する発光素子において、反射電極とＥＬ層に含まれる発光層（発光領域）との光学距離をλＲ／４とし、反射電極と半透過・半反射電極との光学距離をλＲ／２とする。
【００１１】
なお、λＲ＞λＧ＞λＢなる関係を有する波長の光（λＲ、λＧ、λＢ）をそれぞれ射出する三種類の発光素子を有する発光装置において、λＲの波長の光を射出する第１の発光層、λＧの波長の光を射出する第２の発光層、λＢの波長の光を射出する第３の発光層が形成される場合には、光（λＧ）を射出する第１の発光素子において、反射電極とＥＬ層に含まれる第２の発光層（Ｇ）（発光領域）との光学距離を３λＧ／４として反射電極と半透過・半反射電極との光学距離をλＧとし、光（λＢ）を射出する第２の発光素子において、反射電極とＥＬ層に含まれる第３の発光層（Ｂ）（発光領域）との光学距離を３λＢ／４として反射電極と半透過・半反射電極との光学距離をλＢとし、光（λＲ）を射出する第３の発光素子において、反射電極とＥＬ層に含まれる第１の発光層（Ｒ）（発光領域）との光学距離をλＲ／４として反射電極と半透過・半反射電極との光学距離をλＲ／２とする。この場合、光学距離を調節するために第１の発光素子には、反射電極とＥＬ層との間に第１の透明導電層を設け、第２の発光素子には、反射電極とＥＬ層との間に第２の透明導電層を設ける。なお、第１の透明導電層は、第２の透明導電層の膜厚よりも、厚くする必要がある。
【００１２】
本発明の一態様は、第１の反射電極、第１の反射電極に接して形成された第１の透明導電層、第１の透明導電層に接して形成されたＥＬ層、およびＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第１の発光素子と、第２の反射電極、第２の反射電極に接して形成された第２の透明導電層、第２の透明導電層に接して形成されたＥＬ層、およびＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第２の発光素子と、第３の反射電極、第３の反射電極に接して形成されたＥＬ層、ＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第３の発光素子と、を有し、第３の発光素子からは、第１の発光素子及び第２の発光素子よりも波長の長い光が射出されることを特徴とする発光装置である。
【００１３】
本発明の一態様は、第１の反射電極、第１の反射電極に接して形成された第１の透明導電層、第１の透明導電層に接して形成されたＥＬ層、およびＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第１の発光素子と、第２の反射電極、第２の反射電極に接して形成された第２の透明導電層、第２の透明導電層に接して形成されたＥＬ層、およびＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第２の発光素子と、第３の反射電極、第３の反射電極に接して形成されたＥＬ層、ＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第３の発光素子と、を有し、ＥＬ層は、λＲの波長の光を射出する第１の発光層を含み、第３の発光素子からは、λＲの波長の光が射出され、第３の発光素子における第３の反射電極と第１の発光層との光学距離はλＲ／４であり、第３の反射電極と半透過・半反射電極との光学距離はλＲ／２であることを特徴とする発光装置である。
【００１４】
本発明の一態様は、第１の反射電極、第１の反射電極に接して形成された第１の透明導電層、第１の透明導電層に接して形成されたＥＬ層、およびＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第１の発光素子と、第２の反射電極、第２の反射電極に接して形成された第２の透明導電層、第２の透明導電層に接して形成されたＥＬ層、およびＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第２の発光素子と、第３の反射電極、第３の反射電極に接して形成されたＥＬ層、ＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第３の発光素子と、を有し、ＥＬ層は、λＲ＞λＧ＞λＢなる波長の関係においてλＲの波長の光を射出する第１の発光層、λＧの波長の光を射出する第２の発光層、λＢの波長の光を射出する第３の発光層を含み、第１の発光素子からは、λＧの波長の光が射出され、第１の発光素子における第１の反射電極と第２の発光層との光学距離は３λＧ／４であり、第１の反射電極と半透過・半反射電極との光学距離はλＧであり、第２の発光素子からは、λＢの波長の光が射出され、第２の発光素子における第２の反射電極と第３の発光層との光学距離は３λＢ／４であり、第２の反射電極と半透過・半反射電極との光学距離はλＢであり、第３の発光素子からは、λＲの波長の光が射出され、第３の発光素子における第３の反射電極と第１の発光層との光学距離はλＲ／４であり、第３の反射電極と半透過・半反射電極との光学距離はλＲ／２であることを特徴とする発光装置である。
【００１５】
さらに、λＲ＞λＧ＞λＢなる関係を有する波長の光（λＲ、λＧ、λＢ）をそれぞれ射出する三種類の発光素子を有する発光装置において、λＹの波長の光を射出する第１の発光層、λＢの波長の光を射出する第２の発光層が形成される場合には、光（λＧ）を射出する第１の発光素子において、反射電極とＥＬ層に含まれる第１の発光層（Ｙ）（発光領域）との光学距離を３λＧ／４として反射電極と半透過・半反射電極との光学距離をλＧとし、光（λＢ）を射出する第２の発光素子において、反射電極とＥＬ層に含まれる第２の発光層（Ｂ）（発光領域）との光学距離を３λＢ／４として反射電極と半透過・半反射電極との光学距離をλＢとし、光（λＲ）を射出する第３の発光素子において、反射電極とＥＬ層に含まれる第１の発光層（Ｙ）（発光領域）との光学距離をλＲ／４として反射電極と半透過・半反射電極との光学距離をλＲ／２とする。この場合も、光学距離を調節するために第１の発光素子には、反射電極とＥＬ層との間に第１の透明導電層を設け、第２の発光素子には、反射電極とＥＬ層との間に第２の透明導電層を設ける。なお、第１の透明導電層は、第２の透明導電層の膜厚よりも、厚くする必要がある。
【００１６】
本発明の一態様は、第１の反射電極、第１の反射電極に接して形成された第１の透明導電層、第１の透明導電層に接して形成されたＥＬ層、およびＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第１の発光素子と、第２の反射電極、第２の反射電極に接して形成された第２の透明導電層、第２の透明導電層に接して形成されたＥＬ層、およびＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第２の発光素子と、第３の反射電極、第３の反射電極に接して形成されたＥＬ層、ＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第３の発光素子と、を有し、ＥＬ層は、λＹの波長の光を射出する第１の発光層を含み、第３の発光素子からは、λＲの波長の光が射出され、第３の発光素子における第３の反射電極と第１の発光層との光学距離はλＲ／４であり、第３の反射電極と半透過・半反射電極との光学距離はλＲ／２であることを特徴とする発光装置である。
【００１７】
本発明の一態様は、第１の反射電極、第１の反射電極に接して形成された第１の透明導電層、第１の透明導電層に接して形成されたＥＬ層、およびＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第１の発光素子と、第２の反射電極、第２の反射電極に接して形成された第２の透明導電層、第２の透明導電層に接して形成されたＥＬ層、およびＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第２の発光素子と、第３の反射電極、第３の反射電極に接して形成されたＥＬ層、ＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第３の発光素子と、を有し、ＥＬ層は、λＲ＞λＹ＞λＧ＞λＢなる波長の関係においてλＹの波長の光を射出する第１の発光層、λＢの波長の光を射出する第２の発光層を含み、第１の発光素子からは、λＧの波長の光が射出され、第１の発光素子における第１の反射電極と第１の発光層との光学距離は３λＧ／４であり、第１の反射電極と半透過・半反射電極との光学距離はλＧであり、第２の発光素子からは、λＢの波長の光が射出され、第２の発光素子における第２の反射電極と第２の発光層との光学距離は３λＢ／４であり、第２の反射電極と半透過・半反射電極との光学距離はλＢであり、第３の発光素子からは、λＲの波長の光が射出され、第３の発光素子における第３の反射電極と第１の発光層との光学距離はλＲ／４であり、第３の反射電極と半透過・半反射電極との光学距離はλＲ／２であることを特徴とする発光装置である。
【００１８】
上記各構成において、ＥＬ層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、および電子注入層のいずれか一つ、または複数を有することを特徴とする。
【００１９】
上記各構成において、第１の透明導電層は、第２の透明導電層よりも膜厚が厚いことを特徴とする。
【００２０】
上記各構成において、第１の発光素子、第２の発光素子、および第３の発光素子は、いずれも異なる波長の光を射出することを特徴とする。
【００２１】
また、本発明の一態様は、上記発光装置を用いたことを特徴とする電子機器または照明装置である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の一態様では、異なる波長の光を呈する発光素子を複数有するマイクロキャビティ方式を利用した発光装置、電子機器、および照明装置において、反射電極と発光層（発光領域）との光学距離及び反射電極と半透過・半反射電極との光学距離を上記所定なものとして各発光素子から所望の波長の光が射出される素子構造とすることにより、色純度が良く、光取り出し効率の良い発光素子を備えた発光装置、電子機器、および照明装置を提供することができる。また、本発明の一態様では、最も長い波長の光を取り出す発光素子において、透明導電層の形成が不要であるため、工程数、及びコストの削減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一態様である発光装置について説明する図。
【図２】本発明の一態様である発光装置について説明する図。
【図３】本発明の一態様である発光装置について説明する図。
【図４】本発明の一態様である発光装置について説明する図。
【図５】電子機器を示す図。
【図６】照明装置を示す図。
【図７】本発明の一態様である発光装置について示す図。
【図８】発光スペクトルの測定結果を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、異なる図面であっても共通の符号が付されているものは同じものを示すこととし、説明は省略する。
【００２５】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置について図１を用いて説明する。なお、以下において厚みはすべて光学距離で示すこととする。
【００２６】
本発明の一態様における発光装置は、図１に示すように構造の異なる発光素子（第１の発光素子（Ｇ）１１０Ｇ、第２の発光素子（Ｂ）１１０Ｂ、第３の発光素子（Ｒ）１１０Ｒ）を有して構成される。
【００２７】
第１の発光素子（Ｇ）１１０Ｇは、反射電極１０２上に第１の透明導電層１０３ａと、第１の発光層（Ｒ）１０４Ｒ、第２の発光層（Ｇ）１０４Ｇ、第３の発光層（Ｂ）１０４Ｂを一部に含むＥＬ層１０５と、半透過・半反射電極１０６とが順次積層された構造を有する。また、第２の発光素子（Ｂ）１１０Ｂは、反射電極１０２上に第２の透明導電層１０３ｂと、ＥＬ層１０５と、半透過・半反射電極１０６とが順次積層された構造を有する。また、第３の発光素子（Ｒ）１１０Ｒは、反射電極１０２上にＥＬ層１０５と、半透過・半反射電極１０６とが順次積層された構造を有する。
【００２８】
なお、上記発光素子（第１の発光素子（Ｇ）１１０Ｇ、第２の発光素子（Ｂ）１１０Ｂ、第３の発光素子（Ｒ）１１０Ｒ）において、反射電極１０２、ＥＬ層１０５、半透過・半反射電極１０６は共通である。また、第１の発光層（Ｒ）１０４Ｒでは、６００ｎｍ以上７６０ｎｍ以下の波長領域にピークを持つ光（λＲ）を発光させ、第２の発光層（Ｇ）１０４Ｇでは、５００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長領域にピークを持つ光（λＧ）を発光させ、第３の発光層（Ｂ）１０４Ｂでは、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長領域にピークをもつ光（λＢ）を発光させる。これにより、いずれの発光素子（第１の発光素子（Ｇ）１１０Ｇ、第２の発光素子（Ｂ）１１０Ｂ、第３の発光素子（Ｒ）１１０Ｒ）でも、第１の発光層（Ｒ）１０４Ｒ、第２の発光層（Ｇ）１０４Ｇ、および第３の発光層（Ｂ）１０４Ｂからの発光が重ね合わされた、すなわち可視光領域に渡るブロードな発光スペクトルを有する光を発光させることができる。なお、上記より、波長の長さは、λＢ＜λＧ＜λＲなる関係であるとする。
【００２９】
本実施の形態に示す各発光素子は、それぞれ反射電極１０２と半透過・半反射電極１０６との間にＥＬ層１０５を挟んでなる構造を有しており、ＥＬ層１０５に含まれる各発光層から全方向に射出される発光は、微小光共振器（マイクロキャビティ）としての機能を有する反射電極１０２と半透過・半反射電極１０６とによって共振される。なお、反射電極１０２は、反射性を有する導電性材料により形成され、その膜に対する可視光の反射率が４０％〜１００％、好ましくは７０％〜１００％であり、かつその抵抗率が１×１０−２Ωｃｍ以下の膜であるとする。また、半透過・半反射電極１０６は、反射性を有する導電性材料と透光性を有する導電性材料とにより形成され、その膜に対する可視光の反射率が２０％〜８０％、好ましくは４０％〜７０％であり、かつその抵抗率が１×１０−２Ωｃｍ以下の膜であるとする。
【００３０】
また、本実施の形態では、各発光素子で、第１の発光素子（Ｇ）１１０Ｇと第２の発光素子（Ｂ）１１０Ｂにそれぞれ設けられた透明導電層（第１の透明導電層１０３ａ、第２の透明導電層１０３ｂ）の厚みを変えることにより、発光素子毎に反射電極１０２と半透過・半反射電極１０６の間の光学距離を変えている。つまり、各発光素子の各発光層から発光するブロードな発光スペクトルを有する光は、反射電極１０２と半透過・半反射電極１０６との間において、共振する波長の光を強め、共振しない波長の光を減衰させることができるため、素子毎に反射電極１０２と半透過・半反射電極１０６の間の光学距離を変えることにより、異なる波長の光を取り出すことができる。
【００３１】
なお、第１の発光素子（Ｇ）１１０Ｇでは、反射電極１０２から半透過・半反射電極１０６までの総厚（光学距離）をλＧ、第２の発光素子（Ｂ）１１０Ｂでは、反射電極１０２から半透過・半反射電極１０６までの総厚（光学距離）をλＢ、第３の発光素子（Ｒ）１１０Ｒでは、反射電極１０２から半透過・半反射電極１０６までの総厚（光学距離）をλＲ／２としている。
【００３２】
以上より、第１の発光素子（Ｇ）１１０Ｇからは、主としてＥＬ層１０５に含まれる第２の発光層（Ｇ）１０４Ｇで発光した光（λＧ）が取り出され、第２の発光素子（Ｂ）１１０Ｂからは、主としてＥＬ層１０５に含まれる第３の発光層（Ｂ）１０４Ｂで発光した光（λＢ）が取り出され、第３の発光素子（Ｒ）１１０Ｒからは、主としてＥＬ層１０５に含まれる第１の発光層（Ｒ）１０４Ｒで発光した光（λＲ）が取り出される。なお、各発光素子から取り出される光は、半透過・半反射電極１０６側からそれぞれ射出される。
【００３３】
また、上記構成において、第３の発光素子（Ｒ）１１０Ｒは、反射電極１０２から半透過・半反射電極１０６までの総厚（光学距離）をλＲ／２としているが、最も波長の長い光（λＲ）を取り出す第３の発光素子（Ｒ）１１０Ｒの反射電極１０２から半透過・半反射電極１０６までの総厚（光学距離）をλＲとすると、光（λＢ）も共振されてしまう。従って、第３の発光素子（Ｒ）１１０Ｒにおける反射電極１０２から半透過・半反射電極１０６までの総厚（光学距離）をλＲ／２とすることにより、光（λＲ）のみを取り出すことが可能となる。なお、第３の発光素子（Ｒ）１１０Ｒよりも波長の短い光を取り出す、第１の発光素子（Ｇ）１１０Ｇおよび第２の発光素子（Ｂ）１１０Ｂについては、反射電極１０２から半透過・半反射電極１０６までの総厚（光学距離）をそれぞれλＧ、λＢとしても所望の波長の光のみを取り出すことが可能である。また、反射電極１０２から半透過・半反射電極１０６までの総厚（光学距離）は、厳密には反射電極１０２における反射領域から半透過・半反射電極１０６における反射領域までの総厚（光学距離）ということができる。しかし、反射電極１０２や半透過・半反射電極１０６における反射領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極１０２と半透過・半反射電極１０６の任意の位置を反射領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。なお、各発光素子から取り出す光は、発光した光と同じピークを持つ必要はない。例えば、発光層で４６０ｎｍにピークを持つ光を発光させ、第１の発光素子（Ｇ）１１０Ｇから４５０ｎｍにピークを持つ光を取り出してもよい。
【００３４】
次に、第１の発光素子（Ｇ）１１０Ｇにおいて、反射電極１０２から第２の発光層（Ｇ）１０４Ｇへの光学距離を所望の膜厚（３λＧ／４）に調節することにより、第２の発光層（Ｇ）１０４Ｇからの発光を増幅させることができる。第２の発光層（Ｇ）１０４Ｇからの発光のうち、反射電極１０２によって反射されて戻ってきた光（第１の反射光）は、第２の発光層（Ｇ）１０４Ｇから半透過・半反射電極１０６に直接入射する光（第１の入射光）と干渉を起こすため、反射電極１０２から第２の発光層（Ｇ）１０４Ｇへの光学距離を所望の値（３λＧ／４）に調節して設けることにより、第１の反射光と第１の入射光との位相を合わせ、第２の発光層（Ｇ）１０４Ｇからの発光を増幅させることができる。
【００３５】
なお、反射電極１０２から第２の発光層（Ｇ）１０４Ｇへの光学距離をλＧ／４としても、第１の入射光と第１の反射光は干渉して強めあうが、第１の透明導電層１０３ａの厚みがλＧ／４よりも厚いため、λＧ／４よりも厚く、第１の入射光と第１の反射光とが干渉して強めあう距離である３λＧ／４に調整している。また、反射電極１０２と第２の発光層（Ｇ）１０４Ｇとの光学距離とは、厳密には反射電極１０２における反射領域と第２の発光層（Ｇ）１０４Ｇにおける発光領域との光学距離ということができる。しかし、反射電極１０２における反射領域や第２の発光層（Ｇ）１０４Ｇにおける発光領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極１０２の任意の位置を反射領域、第２の発光層（Ｇ）１０４Ｇの任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
【００３６】
次に、第２の発光素子（Ｂ）１１０Ｂにおいて、反射電極１０２から第３の発光層（Ｂ）１０４Ｂへの光学距離を所望の膜厚（３λＢ／４）に調節することにより、第３の発光層（Ｂ）１０４Ｂからの発光を増幅させることができる。第３の発光層（Ｂ）１０４Ｂからの発光のうち、反射電極１０２によって反射されて戻ってきた光（第２の反射光）は、第３の発光層（Ｂ）１０４Ｂから半透過・半反射電極１０６に直接入射する光（第２の入射光）と干渉を起こすため、反射電極１０２から第３の発光層（Ｂ）１０４Ｂへの光学距離を所望の値（３λＢ／４）に調節して設けることにより、第２の反射光と第２の入射光との位相を合わせ、第３の発光層（Ｂ）１０４Ｂからの発光を増幅させることができる。
【００３７】
なお、反射電極１０２から第３の発光層（Ｂ）１０４Ｂへの光学距離をλＢ／４としても、第２の入射光と第２の反射光は干渉して強めあうが、第２の透明導電層１０３ｂの厚みがλＢ／４よりも厚いため、λＢ／４よりも厚く、第２の入射光と第２の反射光とが干渉して強めあう距離である３λＢ／４に調整している。また、反射電極１０２と第３の発光層（Ｂ）１０４Ｂとの光学距離とは、厳密には反射電極１０２における反射領域と第３の発光層（Ｂ）１０４Ｂにおける発光領域との光学距離ということができる。しかし、反射電極１０２における反射領域や第３の発光層（Ｂ）１０４Ｂにおける発光領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極１０２の任意の位置を反射領域、第３の発光層（Ｂ）１０４Ｂの任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
【００３８】
次に、第３の発光素子（Ｒ）１１０Ｒにおいて、反射電極１０２から第１の発光層（Ｒ）１０４Ｒへの光学距離を所望の膜厚（λＲ／４）に調節することにより、第１の発光層（Ｒ）１０４Ｒからの発光を増幅させることができる。第１の発光層（Ｒ）１０４Ｒからの発光のうち、反射電極１０２によって反射されて戻ってきた光（第３の反射光）は、第１の発光層（Ｒ）１０４Ｒから半透過・半反射電極１０６に直接入射する光（第３の入射光）と干渉を起こすため、反射電極１０２から第１の発光層（Ｒ）１０４Ｒへの光学距離を所望の値（λＲ／４）に調節して設けることにより、第３の反射光と第３の入射光との位相を合わせ、第１の発光層（Ｒ）１０４Ｒからの発光を増幅させることができる。
【００３９】
なお、第３の発光素子において、反射電極１０２と第１の発光層（Ｒ）１０４Ｒとの光学距離とは、厳密には反射電極１０２における反射領域と第１の発光層（Ｒ）１０４Ｒにおける発光領域との光学距離ということができる。しかし、反射電極１０２における反射領域や第１の発光層（Ｒ）１０４Ｒにおける発光領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極１０２の任意の位置を反射領域、第１の発光層（Ｒ）１０４Ｒの任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
【００４０】
以上に示すような構造とすることにより、同じＥＬ層を有していても発光素子ごとに異なる波長の光を効率良く取り出すことができる。従って、色純度が良く、光取り出し効率の良い発光装置を提供することができる。また、本実施の形態に示す構成では、最も長い波長の光を取り出す発光素子において、透明導電層の形成が不要であるため、工程数、及びコストの削減を図ることができる。
【００４１】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【００４２】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１で説明した本発明の一態様である発光装置の具体的な構造について、図２を用いて説明する。
【００４３】
本実施の形態に示す発光装置は、基板２０１上に反射電極２０２、第１の透明導電層２０３ａ、発光層２０４を含むＥＬ層２０５、半透過・半反射電極２０６が順次積層されてなる第１の発光素子（Ｇ）２１０Ｇ、基板２０１上に反射電極２０２、第２の透明導電層２０３ｂ、発光層２０４を含むＥＬ層２０５、半透過・半反射電極２０６が順次積層されてなる第２の発光素子（Ｂ）２１０Ｂ、基板２０１上に反射電極２０２、発光層２０４を含むＥＬ層２０５、半透過・半反射電極２０６が順次積層されてなる第３の発光素子（Ｒ）２１０Ｒをそれぞれ有する。
【００４４】
基板２０１としては、プラスチック（有機樹脂）、ガラス、または石英などを用いることができる。プラスチックとしては、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン等からなる部材が挙げられる。なお、基板２０１として、プラスチックを用いると、発光装置の軽量化を実現することができるため好ましい。また、基板２０１として水蒸気に対するバリア性が高く、放熱性が高いシート（例えば、ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）を含むシート）を用いることもできる。
【００４５】
また、図示しないが、基板２０１上に無機絶縁体を設ける構成としてもよい。無機絶縁体は、外部からの水等の汚染物質から保護する保護層、封止膜として機能する。無機絶縁体を設けることで、発光素子の劣化を軽減し、発光装置の耐久性や寿命を向上させることができる。
【００４６】
無機絶縁体としては窒化膜、及び窒化酸化膜の単層又は積層を用いることができる。具体的には、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウムなどを用いて、材料に合わせてＣＶＤ法、スパッタ法等により形成することができる。好ましくは、窒化珪素を用いてＣＶＤ法により形成するとよい。無機絶縁体の膜厚は１００ｎｍ以上１μｍ以下程度とすればよい。また、無機絶縁体として、酸化アルミニウム膜、ＤＬＣ膜、窒素含有炭素膜、硫化亜鉛及び酸化珪素を含む膜（ＺｎＳ・ＳｉＯ２膜）を用いてもよい。
【００４７】
反射電極２０２は、反射性を有する導電性材料を用いて形成される。なお、反射性を有する導電性材料とは、それを用いて形成された膜に対する可視光の反射率が４０％〜１００％、好ましくは７０％〜１００％であり、かつその抵抗率が１×１０−２Ωｃｍ以下の膜であるとする。反射性を有する材料としては、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料を用いることができる。そのほか、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金などのアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）や銀と銅の合金などの銀を含む合金を用いることもできる。銀と銅の合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜、又は金属酸化物膜を積層することでアルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。
【００４８】
第１の透明導電層２０３ａ、および第２の透明導電層２０３ｂは、透光性を有する導電性材料を用いて単層または積層で形成される。なお、透光性を有する導電性材料とは、それを用いて形成された膜に対する可視光の透過率が、４０％以上であり、かつその抵抗率が１×１０−２Ωｃｍ以下の膜のことをいう。透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム酸化スズ（Ｉｎ２Ｏ３―ＳｎＯ２、ＩＴＯと略記する）、酸化インジウム酸化亜鉛（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ、ＩＺＯと略記する）、ガリウムを添加した酸化亜鉛、またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたもの、その他グラフェンなどを用いることができる。
【００４９】
また、第１の透明導電層２０３ａ、および第２の透明導電層２０３ｂは、導電性高分子（導電性ポリマーともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子を用いることができる。例えば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、若しくはアニリン、ピロールおよびチオフェンの２種以上の共重合体またはその誘導体などが挙げられる。
【００５０】
なお、第１の透明導電層２０３ａ、および第２の透明導電層２０３ｂの膜厚は、それぞれの発光素子からどの波長の光を発光するかによって適宜調節する必要がある。従って、第１の発光素子（Ｇ）２１０Ｇにおける第１の透明導電層２０３ａは、第２の発光層（Ｇ）２０４Ｇからの光のみが半透過・半反射電極２０６側から射出される膜厚で形成する。また、第２の発光素子（Ｂ）２１０Ｂにおける第２の透明導電層２０３ｂは、第３の発光層（Ｂ）２０４Ｂからの光のみが半透過・半反射電極２０６側から射出される膜厚で形成する。
【００５１】
なお、反射電極２０２、第１の透明導電層２０３ａ、および第２の透明導電層２０３ｂは、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程によって所定の形状に加工することができる。
【００５２】
各発光素子の間には、反射電極２０２、第１の透明導電層２０３ａ、および第２の透明導電層２０３ｂの端部を覆うように絶縁材料からなる絶縁層２０７を設ける。なお、絶縁材料としては、有機絶縁材料（ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、またはシロキサンポリマーを主成分とする材料）や、無機絶縁材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなどを主成分とする材料）などを用いて単層または積層で絶縁層２０７を形成することができる。
【００５３】
また、絶縁層２０７は、光を反射、又は吸収し、遮光性を有する材料を用いて形成しても良い。例えば、黒色の有機樹脂を用いることができ、感光性又は非感光性のポリイミドなどの樹脂材料に、顔料系の黒色樹脂やカーボンブラック、チタンブラック等を混合させて形成すればよい。また、遮光性の金属膜を用いることもでき、例えばクロム、モリブデン、ニッケル、チタン、コバルト、銅、タングステン、又はアルミニウムなどを用いればよい。遮光性を有する絶縁層２０７を形成する場合には、隣り合う発光素子への光漏れを防止することができるため、高コントラスト及び高精細な表示を行うことが可能になる。
【００５４】
なお、絶縁層２０７の形成方法は特に限定されず、材料に応じて、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などの乾式法、又はスピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法）、スクリーン印刷、オフセット印刷などの湿式法を用い、必要に応じてエッチング法（ドライエッチング又はウエットエッチング）により所望のパターンに加工すればよい。
【００５５】
ＥＬ層２０５には、少なくとも発光層２０４が含まれている。なお、ＥＬ層には、発光層２０４以外の機能層が含まれていても良い。具体的には、ＥＬ層２０５を正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層などを含めた積層構造とすることができる。
【００５６】
正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物を用いることができる。また、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物を用いることができる。
【００５７】
また、低分子の有機化合物である４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。
【００５８】
さらに、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる。例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることができる。
【００５９】
特に、正孔注入層として、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることが好ましい。正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることにより、陽極からの正孔注入性を良好にし、発光素子の駆動電圧を低減することができる。これらの複合材料は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質とを共蒸着することにより形成することができる。該複合材料を用いて正孔注入層を形成することにより、陽極からＥＬ層２０５への正孔注入が容易となる。
【００６０】
複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。
【００６１】
複合材料に用いることのできる有機化合物としては、例えば、ＴＤＡＴＡ、ＭＴＤＡＴＡ、ＤＰＡＢ、ＤＮＴＰＤ、ＤＰＡ３Ｂ、ＰＣｚＰＣＡ１、ＰＣｚＰＣＡ２、ＰＣｚＰＣＮ１、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ又はα−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）等の芳香族アミン化合物や、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等のカルバゾール誘導体を用いることができる。
【００６２】
また、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン等の芳香族炭化水素化合物を用いることができる。
【００６３】
さらに、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン、ペンタセン、コロネン、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等の芳香族炭化水素化合物を用いることができる。
【００６４】
また、電子受容体としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等の有機化合物や、遷移金属酸化物を挙げることができる。また、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
【００６５】
なお、上述したＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ、ＰＴＰＤＭＡ、Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ等の高分子化合物と、上述した電子受容体を用いて複合材料を形成し、正孔注入層に用いてもよい。
【００６６】
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、例えば、ＮＰＢ、ＴＰＤ、ＢＰＡＦＬＰ、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）等の芳香族アミン化合物を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【００６７】
また、正孔輸送層には、ＣＢＰ、ＣｚＰＡ、ＰＣｚＰＡのようなカルバゾール誘導体や、ｔ−ＢｕＤＮＡ、ＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈのようなアントラセン誘導体を用いても良い。
【００６８】
また、正孔輸送層には、ＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ、ＰＴＰＤＭＡ、Ｐｏｌｙ−ＴＰＤなどの高分子化合物を用いることもできる。
【００６９】
発光層２０４は、発光性の有機化合物を含む層である。発光性の有機化合物としては、例えば、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。図２（Ａ）に示す発光層２０４の詳細について、図２（Ｂ）に示す。図２（Ｂ）に示されているように、発光層２０４は、第１の発光層（Ｒ）２０４Ｒ、第２の発光層（Ｇ）２０４Ｇ、第３の発光層（Ｂ）２０４Ｂが順次積層された構造を有する。
【００７０】
なお、第１の発光層（Ｒ）２０４Ｒに用いることができる蛍光性化合物としては、例えば、赤色系の発光材料であるＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。また、燐光性化合物としては、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、（ジピバロイルメタナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙げられる。
【００７１】
また、第２の発光層（Ｇ）２０４Ｇに用いることができる蛍光性化合物としては、例えば、緑色系の発光材料であるＮ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）］−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる。また、燐光性化合物としては、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）３）などが挙げられる。
【００７２】
また、第３の発光層（Ｂ）２０４Ｂに用いることができる蛍光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料であるＮ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）などが挙げられる。また、燐光性化合物としては、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））などが挙げられる。
【００７３】
なお、上記各発光層２０４において、燐光性化合物を用いる場合には、ホスト材料となる他の物質に燐光性化合物を分散させた構成とすることが好ましい。ホスト材料としては、各種のものを用いることができ、発光性の物質よりも最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）が高く、最高被占有軌道準位（ＨＯＭＯ準位）が低い物質を用いることが好ましい。
【００７４】
ホスト材料としては、具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）などの複素環化合物や、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、３，３’，３’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリピレン（略称：ＴＰＢ３）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセンなどの縮合芳香族化合物、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、ＮＰＢ（またはα−ＮＰＤ）、ＴＰＤ、ＤＦＬＤＰＢｉ、ＢＳＰＢなどの芳香族アミン化合物などを用いることができる。
【００７５】
また、ホスト材料は複数種用いることができる。例えば、結晶化を抑制するためにルブレン等の結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、ゲスト材料である燐光性化合物へのエネルギー移動をより効率良く行うためにＮＰＢ、あるいはＡｌｑ等をさらに添加してもよい。
【００７６】
なお、ゲスト材料をホスト材料に分散させた構成とすることにより、各発光層２０４における結晶化を抑制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。
【００７７】
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送性の高い物質としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【００７８】
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層には、リチウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、リチウム酸化物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることができる。また、上述した電子輸送層を構成する物質を用いることもできる。
【００７９】
電荷発生層は、発光素子に電圧を印加することで電荷を発生し、陰極側からＥＬ層に正孔を注入し、陽極側からＥＬ層に電子を注入する機能を有する層である。
【００８０】
なお、電荷発生層は、上述した正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含有させた複合材料で形成することができる。また、電荷発生層は、複合材料からなる層と他の材料からなる層との積層構造でもよい。
【００８１】
また、上記ＥＬ層２０５は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法などの液滴吐出法、印刷法、スピンコート法等の種々の方法によって形成することができる。
【００８２】
半透過・半反射電極２０６は、反射性を有する導電性材料の薄膜（好ましくは２０ｎｍ以下、更に好ましくは１０ｎｍ以下）と、透光性を有する導電性材料の膜との組み合わせ（例えば、積層膜）により形成される。なお、半透過・半反射電極２０６は、半透過・半反射電極２０６を構成する膜に対する可視光の反射率が２０％〜８０％、好ましくは４０％〜７０％であり、かつその抵抗率が１×１０−２Ωｃｍ以下であるとする。
【００８３】
なお、半透過・半反射電極２０６に用いる反射性を有する導電性材料や透光性を有する導電性材料は、上述した材料を用いることができることとする。
【００８４】
本実施の形態においては、第１の発光素子（Ｇ）２１０Ｇにおいては、反射電極２０２と第１の透明導電層２０３ａが陽極（アノードともいう）として機能し、半透過・半反射電極２０６が陰極（カソードともいう）として機能する。また、第２の発光素子（Ｂ）２１０Ｂにおいては、反射電極２０２と第２の透明導電層２０３ｂが陽極として機能し、半透過・半反射電極２０６が陰極として機能する。また、第３の発光素子（Ｒ）２１０Ｒにおいては、反射電極２０２が陽極として機能し、半透過・半反射電極２０６が陰極として機能する。
【００８５】
以上のように、本実施の形態に示した発光装置は、第１の発光素子（Ｇ）２１０Ｇと、第２の発光素子（Ｂ）２１０Ｂと、第３の発光素子（Ｒ）２１０Ｒとで光学距離を変えることにより、マイクロキャビティを利用して発光素子毎に所望のスペクトルの光のみを取り出すことができると共に、所望の波長の光を増幅させることができるので、色純度がよく、光取り出し効率の良い発光装置を提供することができる。また、本実施の形態に示す構成では、最も長い波長の光を取り出す発光素子において、透明導電層の形成が不要であるため、工程数、及びコストの削減を図ることができる。
【００８６】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【００８７】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置が有する発光素子の構造について図３を用いて説明する。なお、以下において厚みはすべて光学距離で示すこととする。
【００８８】
本発明の一態様における発光装置は、図３に示すように構造の異なる発光素子（第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇ、第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂ、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒ）を有して構成される。
【００８９】
第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇは、反射電極３０２上に第１の透明導電層３０３ａと、第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙ、第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂを一部に含むＥＬ層３０５と、半透過・半反射電極３０６とが順次積層された構造を有する。また、第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂは、反射電極３０２上に第２の透明導電層３０３ｂと、ＥＬ層３０５と、半透過・半反射電極３０６とが順次積層された構造を有する。また、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒは、反射電極３０２上にＥＬ層３０５と、半透過・半反射電極３０６とが順次積層された構造を有する。
【００９０】
なお、上記発光素子（第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇ、第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂ、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒ）において、反射電極３０２、ＥＬ層３０５、半透過・半反射電極３０６は共通である。また、第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙでは、５５０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下の波長領域にピークを持つ光（λＹ）を発光させ、第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂでは、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長領域にピークをもつ光（λＢ）を発光させる。これにより、いずれの発光素子（第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇ、第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂ、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒ）でも、第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙ、および第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂからの発光が重ね合わされた光、すなわち可視光領域に渡るブロードな発光スペクトルを有する光を発光させることができる。なお、上記より、波長の長さは、λＢ＜λＹなる関係であるとする。
【００９１】
本実施の形態に示す各発光素子は、それぞれ反射電極３０２と半透過・半反射電極３０６との間にＥＬ層３０５を挟んでなる構造を有しており、ＥＬ層３０５に含まれる各発光層から全方向に射出される発光は、微小光共振器（マイクロキャビティ）としての機能を有する反射電極３０２と半透過・半反射電極３０６とによって共振される。なお、反射電極３０２は、反射性を有する導電性材料により形成され、その膜に対する可視光の反射率が４０％〜１００％、好ましくは７０％〜１００％であり、かつその抵抗率が１×１０−２Ωｃｍ以下の膜であるとする。また、半透過・半反射電極３０６は、反射性を有する導電性材料と透光性を有する導電性材料とにより形成され、その膜に対する可視光の反射率が２０％〜８０％、好ましくは４０％〜７０％であり、かつその抵抗率が１×１０−２Ωｃｍ以下の膜であるとする。
【００９２】
また、本実施の形態では、各発光素子で、第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇと第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂにそれぞれに設けられた透明導電層（第１の透明導電層３０３ａ、第２の透明導電層３０３ｂ）の厚みを変えることにより、発光素子毎に反射電極３０２と半透過・半反射電極３０６の間の光学距離を変えている。つまり、各発光素子の各発光層から発光するブロードな発光スペクトルを有する光は、反射電極３０２と半透過・半反射電極３０６との間において、共振する波長の光を強め、共振しない波長の光を減衰させることができるため、素子毎に反射電極３０２と半透過・半反射電極３０６の間の光学距離を変えることにより、異なる波長の光を取り出すことができる。
【００９３】
なお、第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇでは、反射電極３０２から半透過・半反射電極３０６までの総厚（光学距離）をλＧ、第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂでは、反射電極３０２から半透過・半反射電極３０６までの総厚（光学距離）をλＢ、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒでは、反射電極３０２から半透過・半反射電極３０６までの総厚（光学距離）をλＲ／２としている。
【００９４】
以上より、第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇからは、主としてＥＬ層３０５に含まれる第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙで発光した光（λＧ）が取り出され、第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂからは、主としてＥＬ層３０５に含まれる第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂで発光した光（λＢ）が取り出され、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒからは、主としてＥＬ層３０５に含まれる第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙで発光した光（λＲ）が取り出される。なお、光（λＧ）は、５００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長領域にピークを持つ光であり、光（λＢ）は、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長領域にピークをもつ光であり、光（λＲ）は、６００ｎｍ以上７６０ｎｍ以下の波長領域にピークを持つ光である。また、各発光素子から取り出される光は、半透過・半反射電極３０６側からそれぞれ射出される。
【００９５】
また、上記構成において、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒは、反射電極３０２から半透過・半反射電極３０６までの総厚（光学距離）をλＲ／２としているが、最も波長の長い光（λＲ）を取り出す第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒの反射電極３０２から半透過・半反射電極３０６までの総厚（光学距離）をλＲとすると、光（λＢ）も共振されてしまう。従って、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒにおける反射電極３０２から半透過・半反射電極３０６までの総厚（光学距離）をλＲ／２とすることにより、光（λＲ）のみを取り出すことが可能となる。なお、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒよりも波長の短い光を取り出す、第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇおよび第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂについては、反射電極３０２から半透過・半反射電極３０６までの総厚（光学距離）をそれぞれλＧ、λＢとしても所望の波長にピークを持つ光のみを取り出すことが可能である。また、反射電極３０２から半透過・半反射電極３０６までの総厚（光学距離）は、厳密には反射電極３０２における反射領域と半透過・半反射電極３０６における反射領域までの総厚（光学距離）ということができる。しかし、反射電極３０２における反射領域や半透過・半反射電極３０６における反射領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極３０２および半透過・半反射電極３０６のそれぞれの任意の位置を反射領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
【００９６】
次に、第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇにおいて、反射電極３０２から第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙへの光学距離を所望の膜厚（３λＧ／４）に調節することにより、第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙからの発光のうちλＧの発光を増幅させることができる。第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙからの発光のうち、反射電極３０２によって反射されて戻ってきた光（第１の反射光）は、第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙから半透過・半反射電極３０６に直接入射する光（第１の入射光）と干渉を起こすため、反射電極３０２から第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙへの光学距離を所望の値（３λＧ／４）に調節して設けることにより、第１の反射光と第１の入射光との位相を合わせ、第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙからの発光のうちλＧの発光を増幅させることができる。
【００９７】
なお、反射電極３０２から第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙへの光学距離をλＧ／４としても、第１の入射光と第１の反射光は干渉して強めあうが、第１の透明導電層３０３ａの厚みがλＧ／４よりも厚いため、λＧ／４よりも厚く、第１の入射光と第１の反射光とが干渉して強めあう距離である３λＧ／４に調整している。また、反射電極３０２と第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙとの光学距離とは、厳密には反射電極３０２における反射領域と第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙにおける発光領域との光学距離ということができる。しかし、反射電極３０２における反射領域や第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙにおける発光領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極３０２の任意の位置を反射領域、第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙの任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
【００９８】
次に、第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂにおいて、反射電極３０２から第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂへの光学距離を所望の膜厚（３λＢ／４）に調節することにより、第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂからの発光を増幅させることができる。第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂからの発光のうち、反射電極３０２によって反射されて戻ってきた光（第２の反射光）は、第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂから半透過・半反射電極３０６に直接入射する光（第２の入射光）と干渉を起こすため、反射電極３０２から第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂへの光学距離を所望の値（３λＢ／４）に調節して設けることにより、第２の反射光と第２の入射光との位相を合わせ、第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂからの発光を増幅させることができる。
【００９９】
なお、反射電極３０２から第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂへの光学距離をλＢ／４としても、第２の入射光と第２の反射光は干渉して強めあうが、第２の透明導電層３０３ｂの厚みがλＢ／４よりも厚いため、λＢ／４よりも厚く、第２の入射光と第２の反射光とが干渉して強めあう距離である３λＢ／４に調整している。また、反射電極３０２と第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂとの光学距離とは、厳密には反射電極３０２における反射領域と第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂにおける発光領域との光学距離ということができる。しかし、反射電極３０２における反射領域や第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂにおける発光領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極３０２の任意の位置を反射領域、第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂの任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
【０１００】
次に、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒにおいて、反射電極３０２から第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙへの光学距離を所望の膜厚（λＲ／４）に調節することにより、第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙからの発光のうちλＲの発光を増幅させることができる。第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙからの発光のうち、反射電極３０２によって反射されて戻ってきた光（第３の反射光）は、第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙから半透過・半反射電極３０６に直接入射する光（第３の入射光）と干渉を起こすため、反射電極３０２から第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙへの光学距離を所望の値（λＲ／４）に調節して設けることにより、第３の反射光と第３の入射光との位相を合わせ、第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙからの発光のうちλＲの発光を増幅させることができる。
【０１０１】
なお、第３の発光素子において、反射電極３０２と第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙとの光学距離とは、厳密には反射電極３０２における反射領域と第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙにおける発光領域との光学距離ということができる。しかし、反射電極３０２における反射領域や第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙにおける発光領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極３０２の任意の位置を反射領域、第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙの任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
【０１０２】
本実施の形態において、ＥＬ層３０５に形成される第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙと第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂのみが実施の形態１及び実施の形態２の構成と異なるため、共通の部分については、実施の形態１及び実施の形態２における説明を参照することができるものとする。
【０１０３】
第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙについて、第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙに用いることができる蛍光性化合物としては、例えば、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）などが挙げられる。また、燐光性化合物としては、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）−５−メチルピラジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｐｒ−Ｍｅ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス｛２−（４−メトキシフェニル）−３，５−ジメチルピラジナト｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｍｏｐｐｒ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。
【０１０４】
また、第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂにおいて用いることができる物質としては、実施の形態２において、第３の発光層（Ｂ）２０４Ｂに用いることができる物質としてあげたものを用いることができる。
【０１０５】
以上に示すような構造とすることにより、同じＥＬ層を有していても発光素子ごとに異なる波長の光を効率良く取り出すことができる。従って、色純度が良く、光取り出し効率の良い発光装置を提供することができる。また、本実施の形態に示す構成では、最も長い波長の光を取り出す発光素子において、透明導電層の形成が不要であるため、工程数、及びコストの削減を図ることができる。
【０１０６】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０１０７】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置の具体的な構成について図４を用いて説明する。なお、図４（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）をＡ−Ａ’およびＢ−Ｂ’で切断した断面図である。
【０１０８】
図４（Ａ）において、点線で示された４０１は駆動回路部（ソース線駆動回路）、４０２は画素部、４０３は駆動回路部（ゲート線駆動回路）である。また、４０４は封止基板、４０５はシール材であり、シール材４０５で囲まれた内側は、空間４０７になっている。
【０１０９】
なお、引き回し配線４０８はソース線駆動回路４０１及びゲート線駆動回路４０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）４０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。また、本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０１１０】
次に、断面構造について図４（Ｂ）を用いて説明する。素子基板４１０上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース線駆動回路４０１と、画素部４０２中の３つの発光素子（４１８Ｇ、４１８Ｂ、４１８Ｒ）が示されている。なお、ソース線駆動回路４０１はＮチャネル型ＴＦＴ４２３とＰチャネル型ＴＦＴ４２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。
【０１１１】
また、画素部４０２はＴＦＴ（４１１Ｇ、４１１Ｂ、４１１Ｒ）と、そのドレインに電気的に接続された反射電極４１２（発光素子によっては、透明導電層４１３との積層）、ＥＬ層４１６、および半透過・半反射電極４１７とを含む複数の発光素子（４１８Ｇ、４１８Ｂ、４１８Ｒ）により形成される。なお、反射電極４１２（透明導電層４１３が積層されている場合は、透明導電層も含む）の端部を覆って絶縁層４１４が形成される。
【０１１２】
また、被覆性を良好なものとするため、絶縁層４１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。例えば、絶縁層４１４の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いることで、絶縁層４１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることができる。また、絶縁層４１４として、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型の感光性材料を用いることができる。
【０１１３】
反射電極４１２上には、透明導電層４１３、ＥＬ層４１６、および半透過・半反射電極４１７が、各発光素子の構成に応じてそれぞれ形成される。ここで、反射電極４１２、透明導電層４１３、ＥＬ層４１６、および半透過・半反射電極４１７に用いる材料としては、実施の形態２で示した材料を用いることができる。
【０１１４】
また、ＥＬ層４１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法などの液滴吐出法、印刷法、スピンコート法等の種々の方法によって形成される。
【０１１５】
さらに、シール材４０５で封止基板４０４を素子基板４１０と貼り合わせることにより、素子基板４１０、封止基板４０４、およびシール材４０５で囲まれた空間４０７に発光素子４１８Ｇ、４１８Ｂ、４１８Ｒが備えられた構造になっている。なお、空間４０７には、充填材が充填されており、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材４０５で充填される場合もある。
【０１１６】
なお、シール材４０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板４０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【０１１７】
以上のようにして、本発明の一態様であるアクティブマトリクス型の発光装置を得ることができる。なお、本発明の一態様である発光装置は、上述したアクティブマトリクス型の発光装置のみならずパッシブマトリクス型の発光装置とすることもできる。
【０１１８】
なお、本発明の一態様である発光装置は、同じＥＬ層を有していても発光素子ごとに異なる波長の光を効率良く取り出すことができる。従って、色純度が良く、光取り出し効率の良い発光装置を提供することができる。また、本実施の形態に示す構成では、最も長い波長の光を取り出す発光素子において、透明導電層の形成が不要であるため、工程数、及びコストの削減を図ることができる。
【０１１９】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０１２０】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置を用いて完成させた様々な電子機器の一例について、図５を用いて説明する。
【０１２１】
発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図５に示す。
【０１２２】
図５（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７１０３が組み込まれている。表示部７１０３により、映像を表示することが可能であり、発光装置を表示部７１０３に用いることができる。また、ここでは、スタンド７１０５により筐体７１０１を支持した構成を示している。
【０１２３】
テレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キー７１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作機７１１０から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。
【０１２４】
なお、テレビジョン装置７１００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０１２５】
図５（Ｂ）はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む。なお、コンピュータは、発光装置をその表示部７２０３に用いることにより作製される。
【０１２６】
図５（Ｃ）は携帯型遊技機であり、筐体７３０１と筐体７３０２の２つの筐体で構成されており、連結部７３０３により、開閉可能に連結されている。筐体７３０１には表示部７３０４が組み込まれ、筐体７３０２には表示部７３０５が組み込まれている。また、図５（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部７３０６、記録媒体挿入部７３０７、ＬＥＤランプ７３０８、入力手段（操作キー７３０９、接続端子７３１０、センサ７３１１（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン７３１２）等を備えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部７３０４および表示部７３０５の両方、又は一方に発光装置を用いていればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図５（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図５（Ｃ）に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０１２７】
図５（Ｄ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、発光装置を表示部７４０２に用いることにより作製される。
【０１２８】
図５（Ｄ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報を携帯電話機７４００に入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。
【０１２９】
表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。
【０１３０】
例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好ましい。
【０１３１】
また、携帯電話機７４００内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機７４００の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
【０１３２】
また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、又は筐体７４０１の操作ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
【０１３３】
また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
【０１３４】
表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
【０１３５】
以上のようにして、本発明の一態様である発光装置を適用して電子機器を得ることができる。発光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【０１３６】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０１３７】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置を適用した照明装置の一例について、図６を用いて説明する。
【０１３８】
図６は、本発明の一態様である発光装置を室内の照明装置８００１として用いた例である。なお、発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置を形成することもできる。その他、曲面を有する筐体を用いることで、発光領域が曲面を有する照明装置８００２を形成することもできる。本実施の形態で示す発光装置に含まれる発光素子は薄膜状であり、筐体のデザインの自由度が高い。したがって、様々な意匠を凝らした照明装置を形成することができる。さらに、室内の壁面に大型の照明装置８００３を備えても良い。
【０１３９】
また、本発明の一態様である発光装置は、発光装置をテーブル８００４の表面に用いることによりテーブルとしても用いることができる。なお、その他の家具の一部に発光装置を用いることにより、家具として用いることができる。
【０１４０】
以上のようにして、本発明の一態様である発光装置は、様々な用途に用いることができる。なお、本発明の一態様である発光装置は、同じＥＬ層を有していても発光素子ごとに異なる波長の光を効率良く取り出すことができる。従って、色純度が良く、光取り出し効率の良い発光装置を提供することができる。また、最も長い波長の光を取り出す発光素子において、透明導電層の形成が不要であるため、工程数、及びコストの削減を図ることができる。
【０１４１】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【実施例】
【０１４２】
本実施例では、６００ｎｍ以上７６０ｎｍ以下の波長領域にピークを持つ光（λＲ）が射出される発光素子において、反射電極７０２から半透過・半反射電極７０６までの総厚（光学距離）がλＲとなるように作製された発光装置（１）と、上述した実施の形態において示したように光（λＲ）が射出される発光素子において、反射電極３０２から半透過・半反射電極３０６までの総厚（光学距離）がλＲ／２となるように作製された発光装置（２）とをそれぞれ作製し、それぞれの発光装置における発光スペクトルの測定結果を示す。
【０１４３】
本実施例における発光装置（１）の構成は、図７に示す通りであり、異なる発光素子（第１’の発光素子（Ｒ）７１０Ｒ、第２’の発光素子（Ｇ）７１０Ｇ、第３’の発光素子（Ｂ）７１０Ｂ）を有して構成される。
【０１４４】
第１’の発光素子（Ｒ）７１０Ｒは、反射電極７０２上に第１の透明導電層７０３ａと、第１の発光層（Ｙ）７０４Ｙ、第２の発光層（Ｂ）７０４Ｂを一部に含むＥＬ層７０５と、半透過・半反射電極７０６とが順次積層された構造を有する。また、第２’の発光素子（Ｇ）７１０Ｇは、反射電極７０２上に第２の透明導電層７０３ｂと、ＥＬ層７０５と、半透過・半反射電極７０６とが順次積層された構造を有する。また、第３’の発光素子（Ｂ）７１０Ｂは、反射電極７０２上にＥＬ層７０５と、半透過・半反射電極７０６とが順次積層された構造を有する。
【０１４５】
上記発光素子（第１’の発光素子（Ｒ）７１０Ｒ、第２’の発光素子（Ｇ）７１０Ｇ、第３’の発光素子（Ｂ）７１０Ｂ）において、反射電極７０２、ＥＬ層７０５、半透過・半反射電極７０６は共通である。また、第１の発光層（Ｙ）７０４Ｙでは、５５０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下の波長領域にピークを持つ光（λＹ）を発光させ、第２の発光層（Ｂ）７０４Ｂでは、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長領域にピークをもつ光（λＢ）を発光させる。これにより、いずれの発光素子（第１’の発光素子（Ｒ）７１０Ｒ、第２’の発光素子（Ｇ）７１０Ｇ、第３’の発光素子（Ｂ）７１０Ｂ）でも、第１の発光層（Ｙ）７０４Ｙ、および第２の発光層（Ｂ）７０４Ｂからの発光が重ね合わされた光、すなわち可視光領域に渡るブロードな発光スペクトルを有する光を発光させることができる。なお、上記より、波長の長さは、λＢ＜λＹなる関係であるとする。
【０１４６】
発光装置（１）において、第１’の発光素子（Ｒ）７１０Ｒでは、反射電極７０２から半透過・半反射電極７０６までの総厚（光学距離）をλＲ、第２’の発光素子（Ｇ）７１０Ｇでは、反射電極７０２から半透過・半反射電極７０６までの総厚（光学距離）をλＧ、第３’の発光素子（Ｂ）７１０Ｂでは、反射電極７０２から半透過・半反射電極７０６までの総厚（光学距離）をλＢとしている。なお、第１’の発光素子（Ｒ）７１０Ｒは、主としてλＲの光を射出させる発光素子であり、第２’の発光素子（Ｇ）７１０Ｇは、主としてλＧの光を射出させる発光素子であり、第３’の発光素子（Ｂ）７１０Ｂは、主としてλＢの光を射出させる発光素子として形成される。
【０１４７】
また、発光装置（１）において、第１’の発光素子（Ｒ）７１０Ｒでは、反射電極７０２から第１の発光層（Ｙ）７０４Ｙまでの総厚（光学距離）を３λＲ／４、第２’の発光素子（Ｇ）７１０Ｇでは、反射電極７０２から第１の発光層（Ｙ）７０４Ｙまでの総厚（光学距離）を３λＧ／４、第３’の発光素子（Ｂ）７１０Ｂでは、反射電極７０２から第２の発光層（Ｂ）７０４Ｂまでの総厚（光学距離）をλＢ／４としている。
【０１４８】
本実施例における発光装置（２）の構成は、実施の形態３における図３に示す通りであり、異なる発光素子（第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇ、第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂ、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒ）を有して構成される。
【０１４９】
発光装置（２）における第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇは、反射電極３０２上に第１の透明導電層３０３ａと、第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙ、第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂを一部に含むＥＬ層３０５と、半透過・半反射電極３０６とが順次積層された構造を有する。また、第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂは、反射電極３０２上に第２の透明導電層３０３ｂと、ＥＬ層３０５と、半透過・半反射電極３０６とが順次積層された構造を有する。また、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒは、反射電極３０２上にＥＬ層３０５と、半透過・半反射電極３０６とが順次積層された構造を有する。
【０１５０】
上記発光素子（第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇ、第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂ、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒ）においても、反射電極３０２、ＥＬ層３０５、半透過・半反射電極３０６は共通である。また、第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙでは、５５０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下の波長領域にピークを持つ光（λＹ）を発光させ、第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂでは、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長領域にピークをもつ光（λＢ）を発光させる。
【０１５１】
発光装置（２）において、第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇでは、反射電極３０２から半透過・半反射電極３０６までの総厚（光学距離）をλＧ、第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂでは、反射電極３０２から半透過・半反射電極３０６までの総厚（光学距離）をλＢ、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒでは、反射電極３０２から半透過・半反射電極３０６までの総厚（光学距離）をλＲ／２としている。なお、第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇは、主としてλＧの光を射出させる発光素子であり、第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂは、主としてλＢの光を射出させる発光素子であり、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒは、主としてλＲの光を射出させる発光素子として形成される。
【０１５２】
また、発光装置（２）において、第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇでは、反射電極３０２から第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙまでの総厚（光学距離）を３λＧ／４、第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂでは、反射電極３０２から第２の発光層（Ｂ）３０４Ｂまでの総厚（光学距離）を３λＢ／４、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒでは、反射電極３０２から第１の発光層（Ｙ）３０４Ｙまでの総厚（光学距離）をλＲ／４としている。
【０１５３】
上述した発光装置（１）および発光装置（２）の具体的な作製方法について、以下に説明する。なお、発光装置（１）と発光装置（２）において、特に断らない場合は共通であるとし、異なる箇所については、その都度示すこととする。
【０１５４】
まず、ガラス基板である基板上に、チタン−アルミニウム（Ｔｉ−Ａｌ）合金膜と酸化チタン（ＴｉＯ２）膜の積層膜をスパッタリング法にて成膜し、反射電極７０２（３０２）を形成した。なお、その膜厚は１１０ｎｍとした。また、本実施例において、反射電極７０２（３０２）は、陽極として作製した。
【０１５５】
次に透明導電層を形成する。発光装置（１）および発光装置（２）のいずれの場合も第１の透明導電層（７０３ａ、３０３ａ）、第２の透明導電層（７０３ｂ、３０３ｂ）は、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により形成した。各膜厚は、以下に示す。
【０１５６】
発光装置（１）において、第１’の発光素子（Ｒ）７１０Ｒは、第１の透明導電層７０３ａを膜厚９０ｎｍで形成し、第２’の発光素子（Ｇ）７１０Ｇは、第２の透明導電層７０３ｂを膜厚４５ｎｍで形成した。第３’の発光素子（Ｂ）７１０Ｂは、透明導電層を作製しなかった。また、発光装置（２）において、第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇは、第１の透明導電層３０３ａを膜厚９０ｎｍで形成し、第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂは、第２の透明導電層３０３ｂを膜厚４５ｎｍで形成した。また、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒは、透明導電層を作製しなかった。なお、発光装置（１）において、第１’の発光素子（Ｒ）７１０Ｒは、赤色を呈し、第２’の発光素子（Ｇ）７１０Ｇは、緑色を呈し、第３’の発光素子（Ｂ）７１０Ｂは、青色を呈する。また、発光装置（２）において、第１の発光素子（Ｇ）３１０Ｇは、緑色を呈し、第２の発光素子（Ｂ）３１０Ｂは、青色を呈し、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒは、赤色を呈する。
【０１５７】
次に、反射電極７０２（３０２）上に複数の層が積層されたＥＬ層７０５（３０５）を形成する。本実施例において、ＥＬ層７０５（３０５）は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層である第１の発光層（Ｙ）７０４Ｙ（３０４Ｙ）、発光層である第２の発光層（Ｂ）７０４Ｂ（３０４Ｂ）、電子輸送層、電子注入層が順次積層された構造を有する。
【０１５８】
反射電極７０２（３０２）が形成された面が下方となるように、反射電極７０２（３０２）が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、１０−４Ｐａ程度まで減圧した後、反射電極７０２（３０２）上に４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）と酸化モリブデン（ＶＩ）とを共蒸着することにより、正孔注入層を形成した。その膜厚は発光装置（１）の場合には、１２０ｎｍとし、発光装置（２）の場合には、５０ｎｍとした。ＮＰＢと酸化モリブデンの比率は、重量比で２：０．２２２＝（ＮＰＢ：酸化モリブデン）となるように蒸着レートを調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。
【０１５９】
次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、正孔注入層上に正孔輸送性材料を１０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層を形成した。なお、正孔輸送層には、ＮＰＢ（略称）を用いた。
【０１６０】
次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、正孔輸送層上に、発光層である第１の発光層（Ｙ）７０４Ｙ（３０４Ｙ）を形成した。なお、第１の発光層（Ｙ）７０４Ｙ（３０４Ｙ）を形成する場合には、ホスト材料として９−フェニル−９’−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−３，３’−ビ（９Ｈ−カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰＡ）、ゲスト材料としてＲｕｂｒｅｎｅ（ルブレン）を共蒸着してなる膜を２０ｎｍの膜厚で形成した。なお、ＰＣＣＰＡ（略称）とＲｕｂｒｅｎｅとの重量比は、１：０．０１（＝ＰＣＣＰＡ（略称）：Ｒｕｂｒｅｎｅ）となるように蒸着レートを調節した。
【０１６１】
さらに、第１の発光層（Ｙ）７０４Ｙ（３０４Ｙ）上に第２の発光層（Ｂ）７０４Ｂ（３０４Ｂ）を形成した。なお、第２の発光層（Ｂ）７０４Ｂ（３０４Ｂ）を形成する場合には、ホスト材料として９−［４−（Ｎ−カルバゾリル）］フェニル−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）、ゲスト材料として４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）とを共蒸着してなる膜を３０ｎｍの膜厚で形成した。なお、ＣｚＰＡ（略称）とＰＣＢＡＰＡ（略称）との重量比は、１：０．１（＝ＣｚＰＡ（略称）：ＰＣＢＡＰＡ（略称））となるように蒸着レートを調節した。
【０１６２】
さらに、第２の発光層（Ｂ）７０４Ｂ（３０４Ｂ）上に抵抗加熱による蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）を１０ｎｍ、その上にバソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）を発光装置（１）の場合は２０ｎｍの膜厚、発光装置（２）の場合は１０ｎｍの膜厚となるように成膜し、電子輸送層を形成した。
【０１６３】
また、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍの膜厚となるように成膜し、電子注入層を形成した。
【０１６４】
最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、マグネシウム−銀合金（Ｍｇ−Ａｇ合金 Ｍｇ：Ａｇ＝０．０５：０．５）膜を形成した。その膜厚は発光装置（１）の場合には、１０ｎｍとし、発光装置（２）の場合には、１５ｎｍとした。さらに、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）を成膜した。その膜厚は発光装置（１）の場合には、５０ｎｍとし、発光装置（２）の場合には、９０ｎｍとした。マグネシウム−銀合金膜と酸化珪素を含むインジウム錫酸化物膜の積層膜である半透過・半反射電極７０６（３０６）を形成し、発光装置（１）および発光装置（２）を作製した。
【０１６５】
以上により得られた発光装置（１）および発光装置（２）の素子構造を表１に示す。
【０１６６】
【表１】
【０１６７】
本実施例において作製した発光装置（１）及び発光装置（２）における発光スペクトルの測定結果をそれぞれ図８（Ａ）および図８（Ｂ）に示す。
【０１６８】
スペクトル測定の結果から明らかなように、反射電極７０２から半透過・半反射電極７０６までの総厚（光学距離）をλＲとした、第１’の発光素子（Ｒ）７１０Ｒを有する発光装置（１）では、第１’の発光素子（Ｒ）７１０Ｒから得られる発光スペクトルが４６０ｎｍ付近と６１０ｎｍ付近で２種類のピークが見られた。これに対して、反射電極３０２から半透過・半反射電極３０６までの総厚（光学距離）をλＲ／２とした、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒを有する発光装置（２）では、第３の発光素子（Ｒ）３１０Ｒから得られる発光スペクトルが６１０ｎｍ付近の１種類のみのピークとなっていた。
【０１６９】
従って、主としてλＲの光を射出させる発光素子において、反射電極から半透過・半反射電極までの総厚（光学距離）をλＲ／２とすることにより、１つの発光素子で発光スペクトルの異なる光が射出されるのを防ぐことができるという結果が得られた。
【符号の説明】
【０１７０】
１０２ 反射電極
１０３ａ 透明導電層
１０３ｂ 透明導電層
１０４Ｂ 発光層（Ｂ）
１０４Ｇ 発光層（Ｇ）
１０４Ｒ 発光層（Ｒ）
１０５ ＥＬ層
１０６ 半透過・半反射電極
１１０Ｂ 第２の発光素子（Ｂ）
１１０Ｇ 第１の発光素子（Ｇ）
１１０Ｒ 第３の発光素子（Ｒ）
２０１ 基板
２０２ 反射電極
２０３ａ 透明導電層
２０３ｂ 透明導電層
２０４ 発光層
２０４Ｒ 第１の発光層（Ｒ）
２０４Ｇ 第２の発光層（Ｇ）
２０４Ｂ 第３の発光層（Ｂ）
２０５ ＥＬ層
２０６ 半透過・半反射電極
２０７ 絶縁層
２１０Ｇ 第１の発光素子（Ｇ）
２１０Ｂ 第２の発光素子（Ｂ）
２１０Ｒ 第３の発光素子（Ｒ）
２Ｏ３ａ 第１の透明導電層
２Ｏ３ｂ 第２の透明導電層
３０２ 反射電極
３Ｏ３ａ 第１の透明導電層
３Ｏ３ｂ 第２の透明導電層
３０４Ｇ 第１の発光層（Ｇ）
３０４Ｂ 第２の発光層（Ｂ）
３０４Ｒ 第３の発光層（Ｒ）
３１０Ｇ 第１の発光素子（Ｇ）
３１０Ｂ 第２の発光素子（Ｂ）
３１０Ｒ 第３の発光素子（Ｒ）
３０５ ＥＬ層
３０６ 半透過・半反射電極
４０１ ソース線駆動回路
４０２ 画素部
４０３ ゲート線駆動回路
４０４ 封止基板
４０５ シール材
４０７ 空間
４０８ 配線
４０９ ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
４１０ 素子基板
４１２ 反射電極
４１３ 透明導電層
４１４ 絶縁層
４１６ ＥＬ層
４１７ 半透過・半反射電極
４１８ 発光素子
４２３ Ｎチャネル型ＴＦＴ
４２４ Ｐチャネル型ＴＦＴ
７０２ 反射電極
７Ｏ３ａ 第１の透明導電層
７Ｏ３ｂ 第２の透明導電層
７０４Ｒ 第１の発光層（Ｇ）
７０４Ｇ 第２の発光層（Ｂ）
７０４Ｂ 第３の発光層（Ｒ）
７０５ ＥＬ層
７０６ 半透過・半反射電極
７１０Ｒ 第１の発光素子（Ｇ）
７１０Ｇ 第２の発光素子（Ｂ）
７１０Ｂ 第３の発光素子（Ｒ）
７１００ テレビジョン装置
７１０１ 筐体
７１０３ 表示部
７１０５ スタンド
７１０７ 表示部
７１０９ 操作キー
７１１０ リモコン操作機
７２０１ 本体
７２０２ 筐体
７２０３ 表示部
７２０４ キーボード
７２０５ 外部接続ポート
７２０６ ポインティングデバイス
７３０１ 筐体
７３０２ 筐体
７３０３ 連結部
７３０４ 表示部
７３０５ 表示部
７３０６ スピーカ部
７３０７ 記録媒体挿入部
７３０８ ＬＥＤランプ
７３０９ 操作キー
７３１０ 接続端子
７３１１ センサ
７３１２ マイクロフォン
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
８００１ 照明装置
８００２ 照明装置
８００３ 照明装置
８００４ テーブル
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の反射電極、前記第１の反射電極に接して形成された第１の透明導電層、前記第１の透明導電層に接して形成されたＥＬ層、および前記ＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第１の発光素子と、
第２の反射電極、前記第２の反射電極に接して形成された第２の透明導電層、前記第２の透明導電層に接して形成された前記ＥＬ層、および前記ＥＬ層に接して形成された前記半透過・半反射電極を有する第２の発光素子と、
第３の反射電極、前記第３の反射電極に接して形成された前記ＥＬ層、前記ＥＬ層に接して形成された前記半透過・半反射電極を有する第３の発光素子と、を有し、
前記第３の発光素子からは、前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子よりも波長の長い光が射出されることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
第１の反射電極、前記第１の反射電極に接して形成された第１の透明導電層、前記第１の透明導電層に接して形成されたＥＬ層、および前記ＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第１の発光素子と、
第２の反射電極、前記第２の反射電極に接して形成された第２の透明導電層、前記第２の透明導電層に接して形成された前記ＥＬ層、および前記ＥＬ層に接して形成された前記半透過・半反射電極を有する第２の発光素子と、
第３の反射電極、前記第３の反射電極に接して形成された前記ＥＬ層、前記ＥＬ層に接して形成された前記半透過・半反射電極を有する第３の発光素子と、を有し、
前記ＥＬ層は、λＲの波長の光を射出する第１の発光層を含み、
前記第３の発光素子からは、λＲの波長の光が射出され、前記第３の発光素子における前記第３の反射電極と前記第１の発光層との光学距離はλＲ／４であり、前記第３の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＲ／２であることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
第１の反射電極、前記第１の反射電極に接して形成された第１の透明導電層、前記第１の透明導電層に接して形成されたＥＬ層、および前記ＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第１の発光素子と、
第２の反射電極、前記第２の反射電極に接して形成された第２の透明導電層、前記第２の透明導電層に接して形成された前記ＥＬ層、および前記ＥＬ層に接して形成された前記半透過・半反射電極を有する第２の発光素子と、
第３の反射電極、前記第３の反射電極に接して形成された前記ＥＬ層、前記ＥＬ層に接して形成された前記半透過・半反射電極を有する第３の発光素子と、を有し、
前記ＥＬ層は、λＲ＞λＧ＞λＢなる波長の関係において
λＲの波長の光を射出する第１の発光層、λＧの波長の光を射出する第２の発光層、λＢの波長の光を射出する第３の発光層を含み、
前記第１の発光素子からは、λＧの波長の光が射出され、前記第１の発光素子における前記第１の反射電極と前記第２の発光層との光学距離は３λＧ／４であり、前記第１の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＧであり、
前記第２の発光素子からは、λＢの波長の光が射出され、前記第２の発光素子における前記第２の反射電極と前記第３の発光層との光学距離は３λＢ／４であり、前記第２の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＢであり、
前記第３の発光素子からは、λＲの波長の光が射出され、前記第３の発光素子における前記第３の反射電極と前記第１の発光層との光学距離はλＲ／４であり、前記第３の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＲ／２であることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
第１の反射電極、前記第１の反射電極に接して形成された第１の透明導電層、前記第１の透明導電層に接して形成されたＥＬ層、および前記ＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第１の発光素子と、
第２の反射電極、前記第２の反射電極に接して形成された第２の透明導電層、前記第２の透明導電層に接して形成された前記ＥＬ層、および前記ＥＬ層に接して形成された前記半透過・半反射電極を有する第２の発光素子と、
第３の反射電極、前記第３の反射電極に接して形成された前記ＥＬ層、前記ＥＬ層に接して形成された前記半透過・半反射電極を有する第３の発光素子と、を有し、
前記ＥＬ層は、λＹの波長の光を射出する第１の発光層を含み、
前記第３の発光素子からは、λＲの波長の光が射出され、前記第３の発光素子における前記第３の反射電極と前記第１の発光層との光学距離はλＲ／４であり、前記第３の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＲ／２であることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
第１の反射電極、前記第１の反射電極に接して形成された第１の透明導電層、前記第１の透明導電層に接して形成されたＥＬ層、および前記ＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第１の発光素子と、
第２の反射電極、前記第２の反射電極に接して形成された第２の透明導電層、前記第２の透明導電層に接して形成された前記ＥＬ層、および前記ＥＬ層に接して形成された前記半透過・半反射電極を有する第２の発光素子と、
第３の反射電極、前記第３の反射電極に接して形成された前記ＥＬ層、前記ＥＬ層に接して形成された前記半透過・半反射電極を有する第３の発光素子と、を有し、
前記ＥＬ層は、λＲ＞λＹ＞λＧ＞λＢなる波長の関係において
λＹの波長の光を射出する第１の発光層、λＢの波長の光を射出する第２の発光層を含み、
前記第１の発光素子からは、λＧの波長の光が射出され、前記第１の発光素子における前記第１の反射電極と前記第１の発光層との光学距離は３λＧ／４であり、前記第１の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＧであり、
前記第２の発光素子からは、λＢの波長の光が射出され、前記第２の発光素子における前記第２の反射電極と前記第２の発光層との光学距離は３λＢ／４であり、前記第２の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＢであり、
前記第３の発光素子からは、λＲの波長の光が射出され、前記第３の発光素子における前記第３の反射電極と前記第１の発光層との光学距離はλＲ／４であり、前記第３の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＲ／２であることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記ＥＬ層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、および電子注入層のいずれか一つ、または複数を有することを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１の透明導電層は、前記第２の透明導電層よりも膜厚が厚いことを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１の発光素子、前記第２の発光素子、および前記第３の発光素子は、いずれも異なる波長の光を射出することを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１、第２及び第３の反射電極は同じ材料を用いて形成されることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の発光装置を用いたことを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の発光装置を用いたことを特徴とする照明装置。
【請求項１】
第１の反射電極、前記第１の反射電極に接して形成された第１の透明導電層、前記第１の透明導電層に接して形成されたＥＬ層、および前記ＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第１の発光素子と、
第２の反射電極、前記第２の反射電極に接して形成された第２の透明導電層、前記第２の透明導電層に接して形成された前記ＥＬ層、および前記ＥＬ層に接して形成された前記半透過・半反射電極を有する第２の発光素子と、
第３の反射電極、前記第３の反射電極に接して形成された前記ＥＬ層、前記ＥＬ層に接して形成された前記半透過・半反射電極を有する第３の発光素子と、を有し、
前記第３の発光素子からは、前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子よりも波長の長い光が射出されることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
第１の反射電極、前記第１の反射電極に接して形成された第１の透明導電層、前記第１の透明導電層に接して形成されたＥＬ層、および前記ＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第１の発光素子と、
第２の反射電極、前記第２の反射電極に接して形成された第２の透明導電層、前記第２の透明導電層に接して形成された前記ＥＬ層、および前記ＥＬ層に接して形成された前記半透過・半反射電極を有する第２の発光素子と、
第３の反射電極、前記第３の反射電極に接して形成された前記ＥＬ層、前記ＥＬ層に接して形成された前記半透過・半反射電極を有する第３の発光素子と、を有し、
前記ＥＬ層は、λＲの波長の光を射出する第１の発光層を含み、
前記第３の発光素子からは、λＲの波長の光が射出され、前記第３の発光素子における前記第３の反射電極と前記第１の発光層との光学距離はλＲ／４であり、前記第３の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＲ／２であることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
第１の反射電極、前記第１の反射電極に接して形成された第１の透明導電層、前記第１の透明導電層に接して形成されたＥＬ層、および前記ＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第１の発光素子と、
第２の反射電極、前記第２の反射電極に接して形成された第２の透明導電層、前記第２の透明導電層に接して形成された前記ＥＬ層、および前記ＥＬ層に接して形成された前記半透過・半反射電極を有する第２の発光素子と、
第３の反射電極、前記第３の反射電極に接して形成された前記ＥＬ層、前記ＥＬ層に接して形成された前記半透過・半反射電極を有する第３の発光素子と、を有し、
前記ＥＬ層は、λＲ＞λＧ＞λＢなる波長の関係において
λＲの波長の光を射出する第１の発光層、λＧの波長の光を射出する第２の発光層、λＢの波長の光を射出する第３の発光層を含み、
前記第１の発光素子からは、λＧの波長の光が射出され、前記第１の発光素子における前記第１の反射電極と前記第２の発光層との光学距離は３λＧ／４であり、前記第１の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＧであり、
前記第２の発光素子からは、λＢの波長の光が射出され、前記第２の発光素子における前記第２の反射電極と前記第３の発光層との光学距離は３λＢ／４であり、前記第２の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＢであり、
前記第３の発光素子からは、λＲの波長の光が射出され、前記第３の発光素子における前記第３の反射電極と前記第１の発光層との光学距離はλＲ／４であり、前記第３の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＲ／２であることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
第１の反射電極、前記第１の反射電極に接して形成された第１の透明導電層、前記第１の透明導電層に接して形成されたＥＬ層、および前記ＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第１の発光素子と、
第２の反射電極、前記第２の反射電極に接して形成された第２の透明導電層、前記第２の透明導電層に接して形成された前記ＥＬ層、および前記ＥＬ層に接して形成された前記半透過・半反射電極を有する第２の発光素子と、
第３の反射電極、前記第３の反射電極に接して形成された前記ＥＬ層、前記ＥＬ層に接して形成された前記半透過・半反射電極を有する第３の発光素子と、を有し、
前記ＥＬ層は、λＹの波長の光を射出する第１の発光層を含み、
前記第３の発光素子からは、λＲの波長の光が射出され、前記第３の発光素子における前記第３の反射電極と前記第１の発光層との光学距離はλＲ／４であり、前記第３の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＲ／２であることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
第１の反射電極、前記第１の反射電極に接して形成された第１の透明導電層、前記第１の透明導電層に接して形成されたＥＬ層、および前記ＥＬ層に接して形成された半透過・半反射電極を有する第１の発光素子と、
第２の反射電極、前記第２の反射電極に接して形成された第２の透明導電層、前記第２の透明導電層に接して形成された前記ＥＬ層、および前記ＥＬ層に接して形成された前記半透過・半反射電極を有する第２の発光素子と、
第３の反射電極、前記第３の反射電極に接して形成された前記ＥＬ層、前記ＥＬ層に接して形成された前記半透過・半反射電極を有する第３の発光素子と、を有し、
前記ＥＬ層は、λＲ＞λＹ＞λＧ＞λＢなる波長の関係において
λＹの波長の光を射出する第１の発光層、λＢの波長の光を射出する第２の発光層を含み、
前記第１の発光素子からは、λＧの波長の光が射出され、前記第１の発光素子における前記第１の反射電極と前記第１の発光層との光学距離は３λＧ／４であり、前記第１の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＧであり、
前記第２の発光素子からは、λＢの波長の光が射出され、前記第２の発光素子における前記第２の反射電極と前記第２の発光層との光学距離は３λＢ／４であり、前記第２の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＢであり、
前記第３の発光素子からは、λＲの波長の光が射出され、前記第３の発光素子における前記第３の反射電極と前記第１の発光層との光学距離はλＲ／４であり、前記第３の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＲ／２であることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記ＥＬ層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、および電子注入層のいずれか一つ、または複数を有することを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１の透明導電層は、前記第２の透明導電層よりも膜厚が厚いことを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１の発光素子、前記第２の発光素子、および前記第３の発光素子は、いずれも異なる波長の光を射出することを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１、第２及び第３の反射電極は同じ材料を用いて形成されることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の発光装置を用いたことを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の発光装置を用いたことを特徴とする照明装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１２−２２７１３３（Ｐ２０１２−２２７１３３Ａ）
【公開日】平成２４年１１月１５日（２０１２．１１．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−８６２３８（Ｐ２０１２−８６２３８）
【出願日】平成２４年４月５日（２０１２．４．５）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月１５日（２０１２．１１．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年４月５日（２０１２．４．５）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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