発光装置の作製方法、及び発光装置
【課題】信頼性の高い発光装置を提供する。また、メタルマスクに起因する不具合が抑制された発光装置を提供する。また、発光素子の上部電極層の抵抗に起因する不具合が抑制された発光装置を提供する。
【解決手段】あらかじめ基板上に電極層を設け、当該電極層と重なるようにＥＬ層及び上部電極層を、メタルマスクを用いずに同一パターンで形成し、その後、電極層と上部電極層とを電気的に接続する。接続方法として、レーザ光を照射する方法や、物理的に加圧する方法、また物理的に加圧しながら加熱する方法などを用いる。
【解決手段】あらかじめ基板上に電極層を設け、当該電極層と重なるようにＥＬ層及び上部電極層を、メタルマスクを用いずに同一パターンで形成し、その後、電極層と上部電極層とを電気的に接続する。接続方法として、レーザ光を照射する方法や、物理的に加圧する方法、また物理的に加圧しながら加熱する方法などを用いる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子が適用された発光装置の作製方法に関する。また、有機ＥＬ素子が適用された発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子の研究開発が盛んに行われている。有機ＥＬ素子の基本的な構成は、一対の電極の間に発光性の有機化合物を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物から発光を得ることができる。
【０００３】
有機ＥＬ素子は膜状に形成することが可能であるため大面積の素子を容易に形成することができ、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。
【０００４】
例えば、特許文献１には、有機ＥＬ素子を用いた照明器具が開示されている。
【０００５】
また、有機ＥＬ素子には、有機ＥＬ素子が形成された基板において、有機ＥＬ素子の形成面側に光を取り出す上面発光型と、有機ＥＬ素子の形成面とは反対の面側に光を取り出す下面発光型、またはその両面から光を取り出す両面発光型とがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−１３０１３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、有機ＥＬ素子（以下、ＥＬ素子、又は発光素子ともいう。）を照明装置に適用する場合、発光部の面積の増大に伴い、発光素子を構成する上部電極層や下部電極層の抵抗に起因する電圧降下が著しくなる傾向にある。当該電圧降下が顕著な場合、輝度の勾配が視認されてしまう問題が生じる。このような問題を回避するため、上部電極層や下部電極層に抵抗率の低い材料で形成された補助としての電極層（以下、補助電極層ともいう。）を設ける必要がある。
【０００８】
特に、光取り出し側に透明電極として用いられる光透過性を有する導電性材料は、比較的抵抗が高く、補助電極層を設ける必要性が高い。しかしながら、特に基板表面側に発光を得る上面発光型（両面発光型も含む）の場合、発光素子を形成した後に補助電極層のパターンを形成する必要があるため、発光素子にダメージが加わる場合がある。例えば、補助電極層となる導電膜をスパッタリング法で形成する場合には、発光素子への熱的、物理的なダメージが懸念される。また、当該導電膜をフォトリソグラフィ法などにより加工する際にも、発光素子への光や熱によるダメージや、レジスト除去時などに用いる有機溶媒による発光素子の溶解などの問題が挙げられる。
【０００９】
また、発光素子を形成する場合、絶縁表面を有する基板上に形成した下部電極層上に、発光性の有機化合物を含む層と、上部電極層とを順次積層する方法としては、例えば真空蒸着法がある。真空蒸着法を用いて島状の層を形成する方法としては、金属板に開口部を設けたメタルマスク（シャドーマスクともいう。）を用いる方法が知られている。基板に接して蒸着源との間にメタルマスクを設け、当該メタルマスクの開口部を介して基板に蒸着を行うと、開口部の形状に応じた島状のパターンを形成することができる。なお、メタルマスクと基板との距離が短いほど、開口部に応じた明瞭な形状で、言い換えると周辺部のボケの少ない形状で島状の層を形成できる。
【００１０】
一方、メタルマスクを基板に接して使用すると、不具合が生じる確率が高まる。例えば、メタルマスクの開口部を囲う開口端が基板表面を傷つけてしまう場合がある。具体的には、メタルマスクを基板に接触する際にメタルマスクが基板表面を擦り、基板上に形成済みの他の層を破壊してしまう場合がある。特に、発光領域に近い領域にメタルマスクの開口端が重なる場合には、発光素子がショートしてしまう恐れがある。また、メタルマスクに付着したゴミ（パーティクルと呼ばれる小さな異物を含む。）をメタルマスクから基板に転写してしまう場合もある。
【００１１】
さらに、メタルマスクを大型の基板に適用しようとすると、メタルマスクに用いる金属板のたわみなどによってパターンがずれてしまう問題がある。この問題を回避するため当該金属板を厚くすると、当該金属板の陰により島状のパターンの周辺部にボケ（発光性の有機化合物を含む層の厚さが薄い領域）が生じてしまう問題や、メタルマスク自体の重量が非常に大きくなり、取り扱いが困難になる問題がある。
【００１２】
本発明の一態様は、このような技術的背景のもとでなされたものである。したがって本発明は、信頼性の高い発光装置を提供することを課題とする。より具体的には、メタルマスクに起因する不具合が抑制された発光装置を提供することを課題の一とする。また、発光素子の上部電極層の抵抗に起因する不具合が抑制された発光装置を提供することを課題の一とする。
【００１３】
本発明の一態様は、上記課題の少なくとも一を解決するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記少なくとも一つの目的を達成するためには、発光素子を構成するＥＬ層及び上部電極層を、メタルマスクを用いることなく同一パターンで形成可能な発光装置の作製方法とすればよい。さらに、当該上部電極層と電気的に接続する電極層（接続電極層とも呼ぶ。）の形成工程を、上記ＥＬ層及び上部電極層を形成する工程より前に行えばよい。しかしながら、このような手法によれば、上部電極層と接続電極層との間に抵抗の高いＥＬ層が介在してしまい、そのままでは電気的に導通させることが困難である。
【００１５】
そこで本発明の一態様は、あらかじめ絶縁表面を有する基板上に接続電極層を設け、当該接続電極層と重なるようにＥＬ層及び上部電極層を同一パターンで形成し、その後、接続電極層と上部電極層とを電気的に接続する工程を行うことに想到した。当該接続電極層と上部電極層とを電気的に接続する方法としては、例えばレーザ光を照射する方法や、物理的に加圧する方法、また物理的に加圧しながら加熱する方法などを用いる。
【００１６】
また、このような接続電極層を、発光素子を構成する下部電極層と絶縁するように形成すると、当該接続電極層を発光素子の上部電極層の導電性を補助する補助電極層として用いることができる。また、基板上に設けられた配線（例えば外部電力を供給するための配線など）と電気的に接続するように当該接続電極層を設けることにより、発光素子を構成する上部電極層と当該配線とを当該接続電極層を介して電気的に接続することが出来る。すなわち、本発明の一態様の発光装置の作製方法によれば、上部電極層と電気的に接続し、その導電性を補助する補助電極層と、基板上に設けられた配線と電気的に接続する接続電極層とを、同一の工程で形成することができる。
【００１７】
すなわち、本発明の一態様は、絶縁表面上に接続電極層を形成し、当該接続電極層上に発光性の有機化合物を含む層を形成し、当該発光性の有機化合物を含む層上に第２の電極層を形成する工程と、接続電極層と第２の電極層とを電気的に接続する工程と、を有する発光装置の作製方法である。
【００１８】
このように、接続電極層を覆うように発光性の有機化合物を含む層（ＥＬ層とも呼ぶ。）と第２の電極層（上部電極層とも呼ぶ。）を形成し、その後に上部電極層と接続電極層とを電気的に接続することにより、ＥＬ層と上部電極層を形成する際にメタルマスクを用いることなく同一パターンで形成しても、上部電極層と確実に電気的に接続された接続電極層を形成することが可能となる。したがって、メタルマスクに起因する不具合が抑制された発光装置を作製することができる。
【００１９】
また、本発明の一態様は、絶縁表面上に第１の電極層を形成し、絶縁表面上に第１の電極層と電気的に絶縁する接続電極層を形成し、第１の電極層及び接続電極層上に発光性の有機化合物を含む層を形成し、発光性の有機化合物を含む層上に第２の電極層を形成する工程と、接続電極層と第２の電極層とを電気的に接続する工程と、を有する発光装置の作製方法である。
【００２０】
上記接続電極層を第１の電極層（以降、下部電極層とも呼ぶ。）と電気的に絶縁するように形成することにより、当該接続電極層を上部電極層の導電性を補助するための補助電極層として用いることができる。したがって、メタルマスクに起因する不具合が抑制され、且つ発光素子の上部電極層の抵抗に起因する不具合が抑制された発光装置を作製することが出来る。
【００２１】
また、上記発光装置の作製方法において、接続電極層と第２の電極層とが重なる領域にレーザ光を照射して、接続電極層と第２の電極層とを電気的に接続してもよい。
【００２２】
レーザ光を照射することにより、より簡便に上部電極層と接続電極層とを確実に電気的に接続することができる。
【００２３】
また、上記発光装置の作製方法において、上記レーザ光は、上記絶縁表面と対向して設けられる透光性の基板を介して照射することが出来る。
【００２４】
上記レーザ光の照射は、対向基板によって発光素子を封止した後に行うことが出来る。したがってレーザ光の照射工程を大気中で行うことが可能となるため、レーザ照射のための装置の構成が簡便となると同時に、大気中でレーザ照射を行っても発光素子を大気に曝すことがないため、信頼性の高い発光装置を作製できる。
【００２５】
また、上記発光装置の作製方法のいずれかにおいて、接続電極層と第２の電極層とを電気的に接続した後に、第１の電極層と第２の電極層との間に電圧を印加して、発光不良箇所を特定し、発光不良箇所にレーザ光を照射して、発光不良箇所を絶縁化する工程を有してもよい。
【００２６】
このようにして作製工程中に発光不良箇所を特定し、レーザ光を照射して当該発光不良箇所の絶縁化を行うことが出来る。したがって、発光不良が抑制された、信頼性の高い発光装置を作製することができる。
【００２７】
また、本発明の一態様は、絶縁表面上に第１の電極層と、接続電極層と、第１の電極層及び接続電極層上に発光性の有機化合物を含む層と、発光性の有機化合物を含む層上に第２の電極層と、を有し、接続電極層上のレーザ光が照射された領域において、接続電極層と第２の電極層とが電気的に接続された、発光装置である。
【００２８】
このように、レーザ光の照射領域において上部電極層と電気的に接続された接続電極層は、絶縁表面を有する基板上に設けられた配線と接続する接続電極層、または上部電極層の導電性を補助するための補助電極層として用いることができるため、発光素子の上部電極層の抵抗に起因する不具合が抑制された発光装置とすることが出来る。
【００２９】
レーザ光が照射された領域においては、上部電極層と接続電極層とが融着、合金化、又は物理的に接触する接続部が形成され、当該接続部を介して上部電極層と接続電極層とが電気的に接続される。
【００３０】
また、レーザ光が照射された領域と照射されない領域とでは、光学特性が変化する場合がある。レーザ光の照射によって上部電極層とＥＬ層の両方又はいずれかが蒸発、薄膜化、又は変質することにより、光反射率や光透過率などの光学特性の変化が生じる。このようにレーザ光の照射によって光学特性の変化が生じた領域は、例えば光学顕微鏡などで観察することにより特定することができる。
【００３１】
また、上記発光装置において、第２の電極層は、発光性の有機化合物を含む層からの発光に対して透光性を有してもよい。
【００３２】
また、上記発光装置において、第１の電極層及び第２の電極層は、発光性の有機化合物を含む層からの発光に対して透光性を有していてもよい。
【００３３】
特に、このような透光性を有する材料は導電性が低いため、上述の接続電極層を補助電極層として用いることは特に有効である。上部・下部電極層のうち上部電極層のみを透光性を有する層とすることにより、上面発光型の発光装置を形成することができ、また上部電極層と下部電極層の両方を透光性を有する層とすることにより、両面発光型の発光装置とすることができる。いずれの発光装置も、上部電極層の抵抗による不具合が改善された、信頼性の高い発光装置とすることができる。
【００３４】
なお、本明細書等において、メタルマスクとは１つの発光装置内に複数の島状のパターンを形成するための開口部を有するものである。したがって、発光装置の発光領域よりも十分に離れた領域（例えばシール材が設けられる領域と重なる領域など）に非成膜領域を設ける、又は隣接する発光装置間に非成膜領域を設けることを目的とする遮蔽マスクは、メタルマスクには含まれない。なお、発光装置に接続される配線のレイアウトによっては、当該遮蔽マスクは配線と重なる開口端を有している場合もある。
【００３５】
なお、本明細書において、ＥＬ層とは発光素子の一対の電極間に設けられる層を指し、少なくとも発光性の有機化合物を含む層、又は発光性の有機化合物を含む層を含む積層体を示すものとする。
【発明の効果】
【００３６】
本発明の一態様によれば、信頼性の高い発光装置の作製方法を提供できる。より具体的には、メタルマスクに起因する不具合が抑制された発光装置の作製方法を提供できる。また、発光素子の上部電極層の抵抗に起因する不具合が抑制された発光装置の作製方法を提供できる。また、信頼性の高い発光装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の一態様の、発光装置の作製方法を説明する図。
【図２】本発明の一態様の、発光装置の作製方法を説明する図。
【図３】本発明の一態様の、発光装置の作製方法を説明する図。
【図４】本発明の一態様の、発光装置の作製方法を説明する図。
【図５】本発明の一態様の、レーザ光の照射方法を説明する図。
【図６】本発明の一態様の、発光装置の作製方法を説明する図。
【図７】本発明の一態様の、発光装置の作製方法を説明する図。
【図８】本発明の一態様の、発光装置を説明する図。
【図９】本発明の一態様の、発光装置を説明する図。
【図１０】本発明の一態様の、発光装置を説明する図。
【図１１】本発明の一態様の、発光装置を説明する図。
【図１２】本発明の一態様の、ＥＬ層を説明する図。
【図１３】本発明の一態様の、照明装置を説明する図。
【図１４】実施例に係る、発光装置の写真像。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００３９】
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
【００４０】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の作製方法の例について、図１乃至図５を用いて説明する。
【００４１】
＜作製方法例＞
まず、基板１０１を準備し、基板１０１上に下部電極層１０３、絶縁層１０９及び絶縁層１１３を形成する（図１（Ａ）参照）。
【００４２】
下部電極層１０３はスパッタリング法などの成膜方法により導電膜を形成した後、フォトリソグラフィ法などのパターニング方法を用いて、不要な部分を除去することにより形成できる。
【００４３】
絶縁層１０９は、後に形成される接続電極層１１１と下部電極層１０３とを電気的に絶縁するために設けられる。絶縁層１０９は例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法、印刷法（スクリーン印刷法、オフセット印刷法を含む。）、インクジェット法などを用いて形成できる。
【００４４】
絶縁層１１３は、下部電極層１０３の端部を覆い、当該端部において後に形成される上部電極層１０７とのショートを抑制するために設けられる。絶縁層１１３は、上記絶縁層１０９と同様の方法により形成できる。また絶縁層１０９と絶縁層１１３とに同じ材料を用いて同時に形成してもよいし、異なる材料を用いて別々の工程で形成してもよい。また絶縁層１１３は必要ない場合は設けなくても良い。
【００４５】
また絶縁層１０９及び絶縁層１１３の形状は、その端部に近づくにしたがって膜厚が小さくなる、いわゆるテーパ形状を有していることが好ましい。特に絶縁層１０９もしくは絶縁層１１３の端部ではその段差によって後に形成されるＥＬ層１０５が分断、若しくは薄膜化すると上部電極層１０７と下部電極層１０３とがショートしてしまう恐れがあるため、緩やかな段差形状をなしていることが好ましい。
【００４６】
次に、絶縁層１０９上に接続電極層１１１を形成する（図１（Ｂ）参照）。接続電極層１１１は、後に形成される上部電極層１０７と電気的に接続し、上部電極層１０７の導電性を補助するための補助電極層として機能する。したがって、接続電極層１１１は、上部電極層１０７に用いる導電性材料よりも導電性の高い材料で形成されることが好ましい。接続電極層１１１としては、例えばスパッタリング法、印刷法などにより形成できる。
【００４７】
また、接続電極層１１１は、その表面に凹凸形状を有していることが好ましい。当該凹凸形状の起伏の大きさは、その上方から形成されるＥＬ層１０５の厚さと同程度か、それ以上をなしていることが好ましい。ここで、凹凸形状の起伏の大きさとは、表面の隣接する凸部と凹部において、最もせり出した高さと最も窪んだ高さの差のうち、表面全体にわたって最も大きい差のことをいう。
【００４８】
接続電極層１１１がその表面にこのような大きな起伏を有することにより、その上方から成膜されるＥＬ層１０５が物理的に分断される領域が形成されやすくなり、さらにその上方から成膜される上部電極層１０７が接続電極層１１１と物理的に接触する領域を形成することができる。また、接続電極層１１１の表面積を増大させることができるため、後に行われる接続電極層１１１と上部電極層１０７との接続処理によってこれらの接触面積を増大させ、これらの接触抵抗を効果的に低減させることができる。また、後の接続処理によって接続電極層１１１の表面の一部を融解させて上部電極層１０７との電気的接続を図る場合には、その表面の凸部が効率的に融解しやすくなるため好ましい。
【００４９】
上記のような凹凸形状を有する接続電極層１１１は、スクリーン印刷法などの印刷法を用いて形成することが好ましい。印刷法に用いられる導電性ペーストは、導電性粒子と有機樹脂及び有機溶媒を含み、熱処理によって当該有機溶媒を蒸発させると共に有機樹脂の一部が分解され、導電性粒子同士が融着して導電性の構造物が形成される。導電性ペーストに含まれる有機樹脂の材料や導電性粒子の粒径によっては、形成される構造物はポーラス状（多孔質状）となり、その表面に起伏の大きな凹凸形状が形成される。このように、スクリーン印刷法などの印刷法を用いて形成することにより、表面に起伏の大きな凹凸形状を有する接続電極層１１１を形成することができる。
【００５０】
また印刷法以外の接続電極層１１１の形成方法としては、スパッタリング法や蒸着法などの成膜方法によって導電膜を形成した後、不要な部分の膜をエッチングして絶縁層１０９上に接続電極層１１１のパターンを形成する。その後、当該接続電極層１１１の表面にスリット状、格子状、若しくはドット状にレジストを形成して導電膜が消失しない程度にハーフエッチングすることにより、接続電極層１１１の表面に凹凸形状を形成してもよい。また、接続電極層１１１の表面にプラズマ処理やブラスト処理、逆スパッタリング処理などを施すことにより凹凸形状を形成してもよい。
【００５１】
なお、本明細書に用いる図面においては、ＥＬ層１０５及び上部電極層１０７の厚さを明瞭化のため厚く明示している。
【００５２】
続いて、下部電極層１０３の露出した部分、及び接続電極層１１１上にＥＬ層１０５及び上部電極層１０７を形成する（図１（Ｃ）参照）。
【００５３】
ＥＬ層１０５は、少なくとも発光性の有機化合物を含む層（発光層ともいう）を有し、例えば真空蒸着法を用いてＥＬ層１０５を形成することができる。真空蒸着法でＥＬ層１０５を形成する場合には、ＥＬ層１０５が非成膜領域（基板１０１外周部や、シール材１２３が設けられる領域と重なる領域など、発光領域よりも十分に離れた領域）に成膜されないように遮蔽マスクを用いて成膜することが好ましい。このような遮蔽マスクは、発光領域よりも十分に離れた領域に開口端を有する。ＥＬ層１０５に用いることのできる構成については、実施の形態５で説明する。なお、ＥＬ層１０５の真空蒸着法以外の形成方法としては、インクジェット法などの液滴吐出法、塗布法などが挙げられる。
【００５４】
ここで、ＥＬ層１０５の形成時にＥＬ層１０５が局所的に成膜されない、又は薄く形成されてしまう領域が生じる場合がある。例えば、成膜に用いる真空蒸着装置の内壁や、成膜時に用いる遮蔽マスクなどに付着していた異物が基板１０１上に付着してしまうことが原因として挙げられる。ＥＬ層１０５として複数の膜を連続的に成膜して形成する場合には、成膜途中で当該異物が移動または消失してしまうと、局所的に薄いＥＬ層１０５が成膜される領域が形成される。このようなＥＬ層１０５が薄い領域では、他の領域に比べて膜厚方向の電気抵抗が低いために、多くの場合発光素子の上下の電極層に電圧を印加した際に電流が薄い領域に集中し、発光強度の高い輝点の不良として観測される。また、薄い領域において、他の領域よりも多くの電流が流れるために、ショート不良を引き起こしてしまう恐れもある。なお、当該異物は下部電極層１０３上に残存している場合もある。
【００５５】
本実施の形態では、このような局所的にＥＬ層１０５が薄い領域（領域１２５）が形成される場合について説明する。
【００５６】
続いて、ＥＬ層１０５上に上部電極層１０７を形成する。上部電極層１０７は、スパッタリング法、真空蒸着法などの成膜方法により導電膜を成膜することで形成することができる。また、上部電極層１０７は、ＥＬ層１０５の成膜時と同じ遮蔽マスクを用いて形成することができる。同じ遮蔽マスクを用いることにより、遮蔽マスクの共有化ができ、遮蔽マスクを入れ替える際に生じる不具合を抑制することができるため好ましい。
【００５７】
ここで、接続電極層１１１の表面に凹凸形状が形成されている場合には、ＥＬ層１０５は当該凹凸形状の起伏の大きさに比べて十分膜厚が薄いため、段差によって膜が分断され、接続電極層１１１の表面の一部が露出する領域が生じる。さらにその上方から成膜される上部電極層１０７が当該接続電極層１１１の表面の一部と接触することにより電気的に接続される領域が生じる。
【００５８】
この段階で、基板１０１上に下部電極層１０３、ＥＬ層１０５、及び上部電極層１０７が積層された発光素子が形成される。
【００５９】
続いて、基板１０１と対向基板１２１とをシール材１２３を用いて貼り合わせを行う（図１（Ｄ）参照）。本実施の形態では、シール材１２３として、熱硬化型の材料を用いる。まず、基板１０１又は対向基板１２１の外周部にシール材１２３を形成し、基板１０１と対向基板１２１を貼り合わせた後に減圧下で熱をかけながら真空圧着を行う。この工程により、シール材１２３は熱硬化して基板１０１と対向基板１２１とが接着される。シール材１２３の形成は、スクリーン印刷などの印刷法、又はインクジェット法、ディスペンス法などによって形成する。
【００６０】
次に、上部電極層１０７と接続電極層１１１とが重なる領域に、対向基板１２１を介してレーザ光１３１を照射し、上部電極層１０７と接続電極層１１１とを確実に電気的に接続する（図２（Ａ）参照）。
【００６１】
レーザ光１３１は、その一部が少なくとも対向基板１２１を透過する波長を有する光を用いる。また、レーザ光１３１として、少なくとも接続電極層１１１、上部電極層１０７、またはＥＬ層１０５のいずれかによって吸収される波長を有する光を用いる。レーザ光１３１の強度としては、接続電極層１１１、上部電極層１０７、及びＥＬ層１０５が消失してしまわない程度の強度であることが好ましい。
【００６２】
レーザ光１３１を照射することにより、接続電極層１１１の表面に接して接続部１３３が形成され、当該接続部１３３を介して接続電極層１１１と上部電極層１０７が電気的に接続される（図２（Ｂ）参照）。
【００６３】
ここで、レーザ光１３１の照射領域において、接続電極層１１１と上部電極層１０７とを電気的に接続する接続部１３３の形態としては、例えば、接続電極層１１１と上部電極層１０７の一部が融解して融着、又は合金化し、電気的に接続されていることが好ましい。これらの一部が融着、好ましくは合金化することにより、接触抵抗を低減することができ、さらに機械的な強度を高めることができる。なお、必ずしもこれらが融着、または合金化する必要は無く、例えばＥＬ層１０５が熱により溶解、または一部が消失し、接続電極層１１１の表面と上部電極層１０７とが物理的に接触することにより電気的に接続されていてもよい。また、ＥＬ層１０５が上部電極層１０７と共に消失（アブレーションともいう）してしまう程度にレーザ光１３１の強度が高い場合であっても、レーザ光１３１の照射領域内における照射されない領域に近い外周付近において、接続電極層１１１と上部電極層１０７とが接触、融着、又は合金化し、電気的に接続している場合がある。
【００６４】
なお明瞭化のため、以降で用いる図面においては図２（Ｂ）に示すように、接続電極層１１１上に当該接続電極層１１１と上部電極層１０７とに接触する接続部１３３が形成されている形態として明示することとする。接続部１３３の態様としては、上述のように、接続電極層１１１と上部電極層１０７との融着部、合金化した領域、又はこれらの物理的な接触部が挙げられ、当該接続部１３３を介して上部電極層１０７と接続電極層１１１とが電気的に接続する。
【００６５】
ここで、接続電極層１１１上のＥＬ層１０５と上部電極層１０７がレーザ光１３１の照射によってアブレーションさせた場合の、接続部の構成例を図４に示す。図４において、レーザ照射領域１３２の接続電極層１１１上のＥＬ層１０５と上部電極層１０７が消失している。ここで、レーザ照射領域１３２の外周部の一部の領域において、上部電極層１０７と接続電極層１１１が物理的に接触する接続部１３４が形成されている。このような接続部１３４によって、上部電極層１０７と接続電極層１１１とが電気的に接続されている。
【００６６】
レーザ光１３１は、接続電極層１１１に沿って走査させながら照射することができる。ここで、図３を用いてレーザ光１３１の照射方法について説明する。図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、レーザ光１３１の照射工程における接続電極層１１１に沿った断面概略図である。
【００６７】
図３（Ａ）は対向基板１２１を介してレーザ光１３１を接続電極層１１１に沿って走査しながら連続的に照射している様子を示している。レーザ光１３１を照射することにより、接続電極層１１１と上部電極層１０７とが確実に電気的に接続される接続部１３３が形成される。このように、連続的にレーザ光１３１を照射することにより、接続部１３３の面積を増大させることができるため、接続電極層１１１と上部電極層１０７との接触抵抗を極めて低減することができる。
【００６８】
また、図３（Ｂ）のように、レーザ光１３１を断続的に照射することもできる。レーザ光１３１を断続的に照射することにより、照射時間を低減することができるため、基板１０１に大型の基板を用いた場合でも、レーザ照射装置への負荷を低減でき、また工程時間を短縮することができる。
【００６９】
接続電極層１１１上のレーザ光１３１を照射した領域は、レーザ光１３１を照射していない領域と比較して光学特性が変化する場合がある。例えば、レーザ光１３１によってＥＬ層１０５の一部が蒸発し薄膜化することにより、光反射率や光透過率が変化する。ここで例えば光学顕微鏡などで観察することにより、このような光学特性の変化からレーザ光１３１が照射された領域を特定することが出来る。この他の光学特性の変化の要因としては、例えば、上部電極層１０７とＥＬ層１０５の両方又はいずれかが蒸発、消失、薄膜化することや、これらの両方又はいずれかがレーザ光１３１の照射エネルギーによって変質してしまうことなどが挙げられる。
【００７０】
本実施の形態で例示した発光装置の作製方法によれば、レーザ光１３１の照射工程は、基板１０１と対向基板１２１とを貼り合わせた後に行うことが出来る。したがって、当該レーザ光１３１の照射工程を大気雰囲気下で行っても発光素子への水分や酸素などの不純物の浸入の恐れが無く、簡便に処理を行うことが出来る。また、レーザ光１３１の照射を大気中で行うことが可能となるため、レーザ光１３１の照射装置の構成を簡略化できる。
【００７１】
なお、本実施の形態では、接続電極層１１１は下部電極層１０３上に絶縁層１０９を介して形成する構成としたが、接続電極層１１１と下部電極層１０３とが電気的に絶縁されていればよい。例えば、下部電極層１０３に開口部を設け、当該開口部に下部電極層１０３と接しない接続電極層１１１を形成する構成としてもよい。
【００７２】
以上の工程により、上部電極層１０７と接続電極層１１１とが確実に電気的に接続される接続部１３３を有する発光装置１００を形成することができる（図２（Ｂ）参照）。ここで接続電極層１１１は、上部電極層１０７の導電性を補助するための補助電極層として機能する。したがってこのような方法により作製された発光装置１００は、上部電極層１０７の抵抗に起因した電圧降下による発光不良が低減され、輝度ムラが抑制された信頼性の高い発光装置とすることが出来る。
【００７３】
ここで、発光装置を駆動させ発光部の発光不良箇所を特定し、さらに当該発光不良箇所の絶縁化を行うこともできる。以下では、発光装置１００に対して発光不良箇所の特定とその絶縁化を行う工程について説明する（図２（Ｃ）参照）。
【００７４】
発光装置を駆動させて、すなわち上部電極層１０７と下部電極層１０３との間に電圧を印加し、発光部を発光させることにより、他の領域よりも発光強度の高い輝点の不良や、発光しない暗点の不良を観測することができる。例えば領域１２５では、ＥＬ層１０５が他の領域よりも薄く形成されているため、当該領域に発光層が残存している場合には輝点の不良として観測することが出来る。
【００７５】
発光不良箇所の特定には、目視、若しくは光学顕微鏡による観察や、可視光または赤外光を観測可能な撮像装置などの観測方法を適用できる。目視で確認しづらい場合でも、電流が大きい領域では発熱が大きい場合があるため、当該発熱によって発生する赤外光の観測も有効である。特に発光強度に明確な差がないような潜在的な不良に対しては、他の領域に比べて電流値が比較的高いため、赤外光の観測により検出しやすくなる。
【００７６】
また、発光部を発光させる際に、発光部に印加する電圧に対する電流値を測定しておくことが好ましい。想定される以上の電流が流れている場合には、発光部のいずれかの箇所にショート、又はＥＬ層１０５の薄い箇所を有している可能性が高いため、不良の有無の判断がしやすくなる。特に上述のような潜在的な不良を有している場合には、可視光を観測した際にみられる輝度の違いにより不良の有無を判断しづらいため、測定した電流値から不良の有無を判断することは特に有効である。
【００７７】
このようにして、発光不良箇所の特定を行った後に、当該発光不良箇所に対してレーザ光を照射し不良を絶縁化する。具体的には、レーザ光を照射して不良が発生している領域の上部電極層１０７、又は上部電極層１０７及びＥＬ層１０５の２層、若しくは上部電極層１０７、ＥＬ層１０５及び下部電極層１０３の３層を除去して絶縁化させる。
【００７８】
上記で観測された発光不良を含む領域１２５に対して、選択的にレーザ光１３５を照射することにより、発光不良箇所を絶縁化する。
【００７９】
レーザ光１３５を照射することにより、発光不良箇所の少なくとも上部電極層１０７を除去することができる。なお、使用するレーザ光１３５の波長やエネルギー密度によっては上部電極層１０７に加えてＥＬ層１０５、又はＥＬ層１０５及び下部電極層１０３も同時に除去される。
【００８０】
図２（Ｄ）に発光不良が絶縁化された後の発光装置１００の概略図を示す。図２（Ｄ）に示す発光不良にレーザ光１３５が照射された領域１２７は、ＥＬ層１０５及び上部電極層１０７が除去され、絶縁化された状態となっている。
【００８１】
このように、発光不良箇所の絶縁化工程においても、基板１０１と対向基板１２１とを貼り合わせた後に行うことが出来るため、大気雰囲気中で簡便に絶縁化工程を行うことが出来る。また、レーザ光１３５の照射を大気中で行うことが可能となるため、レーザ光１３５の照射装置の構成を簡略化できる。
【００８２】
また、その後、対向基板１２１の基板１０１と対向しない面に、発光を拡散するためのレンズアレイを形成してもよい。当該レンズアレイは、レンズアレイが形成されたシートを貼り付けることにより形成することができる。当該シートは高屈折率な材料で構成されていることが好ましい。レンズアレイを光射出側に設けることにより、不良が絶縁化され、暗点として観測される領域は、当該レンズアレイによって拡散される他の領域からの発光によって目立たなくなる効果を奏する。
【００８３】
以上の工程により、上部電極層１０７と接続電極層１１１とが確実に電気的に接続され、且つ発光不良が低減された発光装置１００を作製することができる（図２（Ｄ）参照）。このような方法により作製された発光装置１００は、上部電極層１０７の抵抗に起因した電圧降下による発光不良が低減され、輝度ムラが抑制された信頼性の高い発光装置とすることが出来る。さらに、事前に発光不良や潜在的な不良が低減されているため、極めて信頼性の高い発光装置１００とすることができる。
【００８４】
＜材料及び形成方法について＞
ここで、各構成に用いることのできる材料と、その形成方法について説明する。なお、材料については以下に限られず、同様の機能を有する材料であれば適宜用いることができる。
【００８５】
［基板］
光射出側に設けられる基板の材料としては、ガラス、石英、有機樹脂などの透光性を有する材料を用いることができる。また光射出とは反対側に設けられる基板の場合は、透光性を有していなくともよく、上記の材料に加え金属、半導体、セラミック、有色の有機樹脂などの材料を用いることができる。導電性の基板を用いる場合、その表面を酸化させる、若しくは表面に絶縁膜を形成することにより絶縁を持たせることが好ましい。
【００８６】
金属や合金などの導電性の基板の表面を絶縁処理する方法としては、陽極酸化法や電着法などがある。例えば基板としてアルミニウム基板を用いた場合、陽極酸化法により表面に形成される酸化アルミニウムは絶縁性が高いため、薄く形成できるため好ましい。また、電着法ではポリアミドイミド樹脂やエポキシ樹脂などの有機樹脂を基板表面に形成することができる。このような有機樹脂は絶縁性が高く、可撓性を有しているため、基板を曲げて使用した場合であっても表面にクラックが発生しにくいため好ましい。また、耐熱性の高い材料を選択して用いると、発光装置を駆動させたときに発生する熱で基板表面が変形してしまうことを抑制できる。
【００８７】
基板として有機樹脂を用いる場合、有機樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、またはポリ塩化ビニル樹脂などを用いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜた基板を使用することもできる。
【００８８】
特に、上面発光型の発光装置の場合、発光素子が形成される光射出とは反対側の基板には金属や合金などの熱伝導性の高い基板を用いることが好ましい。発光素子を用いた大型の照明装置の場合、発光素子からの発熱が問題となる場合があるため、このような熱伝導性の高い基板を用いると放熱性が高まる。例えば、ステンレス基板のほかに、アルミニウム酸化物、ジュラルミンなどを用いると、軽量且つ放熱性を高めることができる。また、アルミニウムとアルミニウム酸化物との積層、ジュラルミンとアルミニウム酸化物との積層、ジュラルミンとマグネシウム酸化物との積層などを用いると、基板表面を絶縁性とすることができるため好ましい。
【００８９】
［発光素子］
光射出側の電極層に用いることができる透光性を有する材料としては、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ、酸化インジウム酸化亜鉛、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、グラフェンなどを用いることができる。
【００９０】
また、上記電極層として、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又はチタン等の金属材料や、これらの合金を用いることができる。または、それら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等を用いてもよい。なお、金属材料（又はその窒化物）を用いる場合、透光性を有する程度に薄くすればよい。
【００９１】
また、上記材料の積層膜を電極層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金と酸化インジウム酸化スズとの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。
【００９２】
光射出側の電極層の膜厚は、例えば５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、好ましくは８０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下、さらに好ましくは１００ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。
【００９３】
ＥＬ層は、少なくとも発光性の有機化合物を含む層を有する。そのほか、電子輸送性の高い物質を含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）を含む層等を適宜組み合わせた積層構造を構成することができる。
【００９４】
なお、本発明の一態様では、上部電極層と下部電極層との間に、複数のＥＬ層が設けられた発光素子（タンデム型発光素子）を適用することができる。好ましくは、２〜４層（特に３層）構造とする。また、これらのＥＬ層の間に電子輸送性の高い材料や正孔輸送性の高い材料などを含む中間層を有していても良い。ＥＬ層の構成例は実施の形態５で詳細に説明する。
【００９５】
光射出とは反対側に設けられる電極層は、反射性を有する材料を用いて形成される。反射性を有する材料としては、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料を用いることができる。そのほか、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金などのアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）や銀と銅の合金、銀とマグネシウムの合金などの銀を含む合金を用いることもできる。銀と銅の合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜、又は金属酸化物膜を積層することでアルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、電極層の材料としてアルミニウムを用いることもできるが、その場合には酸化インジウム酸化スズなどと直接接して設けるとアルミニウムは腐食する恐れがある。よって、電極層を積層構造とし、酸化インジウム酸化スズなどと接しない層にアルミニウムを用いればよい。
【００９６】
なお、発光素子に用いられる導電膜は、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などの成膜方法により形成することができる。また、ＥＬ層は蒸着法などの成膜方法や、インクジェット法などにより形成できる。
【００９７】
［絶縁層］
絶縁層に用いられる材料としては、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、エポキシ等の有機樹脂や、無機絶縁材料を用いることができる。また形成方法は特に限定されないが、スパッタ法、蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷等）などを用いればよい。
【００９８】
また絶縁層には乾燥剤が含まれていても良い。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸収する物質を用いることができる。その他の乾燥剤として、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。
【００９９】
［接続電極層］
接続電極層をスクリーン印刷などの印刷法で形成する場合には、粒径が数ｎｍから数十μｍの導電性粒子を有機樹脂に溶解または分散させた導電性ペーストを選択的に印刷する。導電性粒子としては、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）およびチタン（Ｔｉ）等のいずれか一つ以上の金属粒子やハロゲン化銀の微粒子、または分散性ナノ粒子を用いることができる。また、導電性ペーストに含まれる有機樹脂は、金属粒子のバインダー、溶媒、分散剤および被覆材として機能する有機樹脂から選ばれた一つまたは複数を用いることができる。代表的には、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の有機樹脂が挙げられる。また、接続電極層の形成にあたり、導電性ペーストを印刷した後に焼成することが好ましい。
【０１００】
また、導電膜をスパッタリング法やＣＶＤ法などの成膜方法で成膜した後に、選択的にエッチングして接続電極層を形成する場合では、導電膜としては上記発光素子に用いられる導電性の材料を適宜用いることができる。また、接続電極層をめっき法により形成してもよい。
【０１０１】
［シール材］
シール材としては公知の材料を用いることができる。例えば、熱硬化型の材料、紫外線硬化型の材料を用いても良い。また二液混合型のエポキシ樹脂などを用いることができる。またシール材はその接着部位によって、無機材料同士、有機材料同士、又は無機材料と有機材料とを接着することができる材料を用いる。またシール材に用いる材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。
【０１０２】
また、シール材として、ガラス粒子が分散された有機樹脂や、極めて薄いガラス薄膜を用い、基板と対向基板との間に挟持した後にレーザ処理によって当該材料を溶解させて基板同士を接着させてもよい。また、レーザ処理を行う前に熱処理により仮接着を行っても良い。このようにガラスを用いて接着された接合部は、水分や酸素などの不純物を透過しにくいため、信頼性のよい発光装置を実現できる。
【０１０３】
またシール材には乾燥剤が含まれていても良い。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸収する物質を用いることができる。その他の乾燥剤として、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。
【０１０４】
シール材は、スクリーン印刷などの印刷法、インクジェット法、ディスペンス法などによって形成することができる。
【０１０５】
＜レーザ照射機構について＞
ここで、レーザ光１３１又はレーザ光１３５の照射機構と、発光不良箇所の特定機構とを備えた装置構成の一例について、図５を用いて説明する。本構成では、レーザ光を選択的に照射できると共に、基板上に設けられた発光素子に電圧を印加し、その際に発光素子に流れる電流を測定し、同時に発光素子からの発光をエミッション顕微鏡を用いて観測して発光不良箇所を特定できる構成について説明する。
【０１０６】
なお、図５には明瞭化のため、基板２０１、対向基板２０２、基板２０１上に設けられた発光素子２０３及び素子に電圧印加を行うための電極２０７を模式的に図示している。なお、実際には電極２０７として、少なくとも発光素子の上部電極層及び下部電極層に電気的に接続する２つの電極が配置されている。
【０１０７】
発光素子２０３が設けられた基板２０１は、ステージ２１５に備えられている。また基板２０１に設けられた電極２０７は、ソースメータ２１３を介して外部電源２１１に電気的に接続されている。したがって、基板２０１上に形成された発光素子は外部電源２１１によって発光させることができる。またその際にソースメータ２１３によって発光素子２０３に流れる電流値を測定する。
【０１０８】
エミッション顕微鏡２２５は、カメラ２１９、画像処理機構２２１、及び表示装置２２３を有する。エミッション顕微鏡２２５に搭載されたカメラ２１９によって、発光素子からの発光における光子（Ｐｈｏｔｏｎ）数の分布を観察し、画像処理機構２２１を介してその結果を表示装置２２３に出力することができる。
【０１０９】
カメラ２１９の構成としては、超高感度カメラ（フォトンカウンティングカメラ）を具備した光学顕微鏡などを用いることができる。ここで検出された発光は、映像信号として画像処理機構２２１に取り込まれ、画像処理を施されて表示装置２２３に表示される。このとき、あらかじめ撮影しておいた基板２０１上のパターン像と検出された発光の画像とを重ね合わせることにより、発光箇所を特定することが出来る。例えば、表示装置２２３には、発光素子２０３が有する発光不良箇所の発光の光子数の分布として色表示されるため、他の領域と異なる色表示がなされたところが発光不良箇所であるとして、その位置の特定が可能となる。
【０１１０】
輝点や暗点などの可視光で検知可能な発光不良に関しては、可視光の領域の発光の光子数の分布を検知することにより、発光不良箇所を特定することが出来る。
【０１１１】
また一般的に、電極間のショートによる電流のリークが生じたときには、可視光から赤外光に及ぶ広い連続スペクトルの発光が検出されることが知られている。本発明の一態様で用いる超高感度カメラ（フォトンカウンティングカメラ）は、Ｓｉを含む結晶がそのバンドギャップエネルギーに相当する波長よりも長波長の赤外光を透過する現象を利用して観測するため、ショートによる発光不良箇所を特定することが出来る。
【０１１２】
エミッション顕微鏡２２５は、ステージ２１５を動かすための位置合わせ機構２１７と接続されており、ステージ２１５を動かしながら基板２０１を観測することにより被照射領域２０５の位置を特定する。また、位置合わせ機構２１７は、特定された被照射領域２０５の位置データを元に被照射領域２０５がレーザ光２３５を照射される位置にステージ２１５を移動させる。ここで被照射領域とは、例えば接続電極層１１１と重なる領域や、検出された発光不良箇所を含む領域のことを指す。
【０１１３】
レーザ装置２３３は、接続電極層１１１と上部電極層１０７とを電気的に接続するためのレーザ光や、発光不良箇所を絶縁化させるレーザ光を発振することが出来る装置である。これらに異なる波長のレーザ光を用いる場合は、レーザ装置２３３に複数のレーザ光源を配置し、必要に応じて照射するレーザ光の波長を切り替える機構を有していても良い。複数のレーザ光源を備えることにより、接続電極層１１１へのレーザ光の照射工程と発光不良箇所への照射工程の２つの工程で装置を共有化できるため好ましい。
【０１１４】
レーザ装置２３３の有するレーザ光源としては、用途に応じて適当な波長を出力するレーザ光源を用いればよいが、例えばＡｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、上記固体レーザから発振される第２高調波や第３高調波、さらに高次の高調波を用いることもできる。なお、レーザ媒体が固体である固体レーザを用いると、メンテナンスフリーの状態を長く保てるという利点や、レーザ光の出力が比較的に安定している利点を有している。また、ナノ秒、ピコ秒、フェムト秒等の短時間のパルスレーザが本工程に適している。短時間のパルスレーザを用いると、多光子吸収現象を引き起こす高密度のエネルギーを被照射領域２０５に与えることができる。
【０１１５】
続いて、上記構成を用いて被照射領域２０５の位置を特定し、レーザ光２３５を照射する方法について説明する。
【０１１６】
基板２０１上の接続電極層１１１のパターンや発光素子２０３からの発光２０９は、シャッター２３１ａが開くと集光レンズ２２７、ハーフミラー２２９、及びシャッター２３１ａを介してエミッション顕微鏡２２５内のカメラ２１９によって検出され、その検出結果は画像処理機構２２１を介して表示装置２２３に表示される。このとき、シャッター２３１ｂは閉じている。
【０１１７】
発光素子２０３を発光させて発光不良箇所を特定する場合には、外部電源２１１から電極２０７を介して発光素子２０３の上下電極層間に電圧を印加して発光させればよい。またこの際、ソースメータ２１３で発光素子２０３に流れる電流を測定する。
【０１１８】
被照射領域２０５の位置を特定すると、位置合わせ機構２１７によってステージ２１５を、被照射領域２０５がレーザ照射される位置になるように移動する。
【０１１９】
続いて、シャッター２３１ａを閉じ、シャッター２３１ｂを開いて、レーザ装置２３３からレーザ光２３５を発振する。レーザ光２３５は、ハーフミラー２２９、集光レンズ２２７を介して基板２０１上の被照射領域２０５に照射される。
【０１２０】
また基板上のパターンに沿ってレーザ光２３５を走査させる場合には、ステージ２１５を動かしながらレーザ光２３５を照射すればよい。その際の走査速度は、レーザ光２３５の波長や強度に応じて適宜調整すればよい。
【０１２１】
以上のようにして位置が特定された被照射領域２０５に対してレーザ光２３５を照射することができる。したがって、接続電極層１１１と上部電極層１０７とを電気的に確実に接続する、または発光不良箇所の絶縁化を行うことができる。
【０１２２】
ここで、対向基板２０２を介してレーザ光２３５を照射する際には、対向基板２０２及びその表面に焦点が合わないように（デフォーカス）して照射を行う。さらに、接続電極層１１１上にレーザ光２３５を照射する場合には、少なくとも接続電極層１１１に重なる領域に焦点が合うようにしてレーザ光２３５の照射を行う。また、発光不良箇所にレーザ光２３５を照射する場合には、発光不良箇所における上部電極層１０７、ＥＬ層１０５又は下部電極層１０３のいずれかに焦点が合うようにしてレーザ光２３５を照射する。
【０１２３】
また、接続電極層１１１上にレーザ光２３５を照射した後に、再度発光素子２０３を発光させて発光が正常であるかを観測してもよい。接続電極層１１１と上部電極層１０７との電気的な接続が不十分である場合には、発光素子の輝度ムラとして観測されるため、再度レーザ照射を行えばよい。
【０１２４】
また、レーザ光２３５を照射して発光不良箇所の絶縁化を行った後に、ソースメータ２１３によって発光素子２０３に流れる電流を再度測定すると共に発光を確認してもよい。照射前後の電流を比較することにより、絶縁化が正常に行われていることを確認することが出来る。
【０１２５】
なお、発光不良箇所の特定とその絶縁化工程に用いない場合は、外部電源２１１、ソースメータ２１３を設けない構成とし、またカメラ２１９として光学顕微鏡のみを有する簡易な構成としてもよい。
【０１２６】
なお、レーザ光２３５を照射して発光不良箇所を絶縁化させる方法としては、下部電極層、または上部電極層を構成する材料をレーザ光２３５の照射により酸化物にすることで発光不良箇所を絶縁化させる、またはレーザ光２３５の照射により発光不良箇所を物理的に引き離すことにより絶縁化させる方法などがある。本発明の一様態においては、レーザ光２３５の出力を調節することによりいずれの絶縁化も可能である。
【０１２７】
また、レーザ光２３５を照射して接続電極層１１１と上部電極層１０７とを電気的に接続する場合、レーザ光２３５のビーム径は接続電極層１１１のパターン幅に対して５０％以上、好ましくは６０％以上９５％以下の径とすることが好ましい。ビーム径を大きくすることにより、一度の照射で形成できる接続部１３３の面積を大きくすることが出来るため、照射工程にかかる時間を短縮しつつ、接続電極層１１１と上部電極層１０７との接触抵抗を低減することができる。
【０１２８】
また、レーザ光２３５を照射して発光不良箇所の絶縁化を行う場合、発光不良箇所以外の正常な領域までも破壊されるなど、周辺部への影響が出来るだけ小さくなるようにレーザ光２３５の出力や照射時間を調整することが必要である。また、本発明の一様態に用いるレーザ光２３５のビーム径は、照射する発光不良箇所の径よりも大きい方が好ましく、具体的には１．０〜３．０μｍであるのが望ましい。ビーム径よりも発光不良箇所の径が大きい場合は、ステージ２１５を動かしながら複数回レーザ光２３５の照射を行う。
【０１２９】
以上がレーザ光を照射する機構とその方法の一例の説明である。
【０１３０】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１３１】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１とは異なる発光装置の作製方法の例について、図６及び図７を用いて説明する。なお、実施の形態１と重複する内容については説明を省略するか、簡略化して説明するものとする。
【０１３２】
＜作製方法例＞
まず、実施の形態１と同様に、基板１０１上に下部電極層１０３、絶縁層１０９及び１１３、接続電極層１１１、ＥＬ層１０５、並びに上部電極層１０７を順に形成する（図６（Ａ）参照）。なお、ここではＥＬ層１０５が局所的に薄く形成された領域１２５が形成されているとする。
【０１３３】
続いて、接続電極層１１１と重なる領域に対してレーザ光１３１を照射し、接続電極層１１１と上部電極層１０７とを電気的に接続する。レーザ光１３１の照射は、実施の形態１で例示した方法を用いればよい。
【０１３４】
ここで、本実施の形態では基板１０１と対向基板１２１を貼り合わせる工程よりも前に、接続電極層１１１と上部電極層１０７とを接続する工程を設ける。したがって、これらを接続する方法として、レーザ光１３１の照射以外の方法を適用することが出来る。
【０１３５】
レーザ光１３１の照射以外の接続方法の一例として、図７に超音波振動と熱を加えながら圧着することにより、接続電極層１１１と上部電極層１０７とを電気的に接続する様子について示す。
【０１３６】
プローブ１４１は、曲率を有する先端部を有し、当該先端部を加熱することができる。さらに、プローブ１４１は超音波振動を印加することができる。
【０１３７】
加熱されたプローブ１４１の先端を接続電極層１１１と重なる領域における上部電極層１０７に上方から接触させ、圧力を加えることにより、上部電極層１０７と接続電極層１１１とが圧着され、電気的に接続される。さらに、超音波振動を加えることにより、より効果的に接合しやすくなる。
【０１３８】
このようにプローブ１４１を用いて圧着することにより、接続電極層１１１と上部電極層１０７とが確実に電気的に接続される接続部１３３が形成される。
【０１３９】
プローブ１４１を接続電極層１１１に沿って走査させながら圧着してもよいし、接続電極層１１１と重なる複数の領域に断続的に圧着を行っても良い。また、複数のプローブ１４１を用いて同時に複数の領域に対して圧着を行っても良い。
【０１４０】
なお、上記では超音波振動と熱を加えながら圧着する構成について例示したが、超音波振動のみ、又は熱のみを加えながら圧着してもよいし、圧力のみを加えて圧着してもよい。
【０１４１】
また、プローブ１４１の代わりにナイフ形状の構造物を用いて、接続電極層１１１に沿って線状に圧着してもよい。ナイフ形状とすると、一度に処理できる面積を増加させることができるため、工程時間を短縮することが出来る。
【０１４２】
続いて、発光素子の上下電極層間に電圧を印加し、発光不良箇所を特定した後に当該発光不良箇所を絶縁化する工程を追加してもよい（図６（Ｃ）参照）。当該工程は、実施の形態１で例示した方法を適用できる。
【０１４３】
なお、接続電極層１１１と上部電極層１０７とを電気的に接続する工程や、発光不良箇所の特定及び絶縁化を行う工程は、上部電極層１０７を形成後、大気に曝すことなく減圧下、又は不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
【０１４４】
続いて、基板１０１と対向基板１２１との貼り合わせを行う。本実施の形態では、基板１０１と対向基板１２１との間に封止材を設ける構成について説明する。
【０１４５】
まず、基板１０１又は対向基板１２１上に封止材１４３とシール材１２３をそれぞれ形成する。
【０１４６】
封止材１４３としては、発光素子の発光に対する透光性を有する、無機材料、有機材料、又は無機材料と有機材料とを組み合わせた材料、又はこれらの積層を適宜用いることができる。また封止材１４３は、発光に対する屈折率が調整されていることが好ましい。また封止材１４３は上記シール材と同様、水分や酸素を透過しない材料であることが好ましい。また、封止材１４３とシール材１２３とに同じ材料を用いても良い。
【０１４７】
また封止材の形成方法としては、スパッタリング法、ＣＶＤ法などの成膜方法のほか、シール材と同様の印刷法や塗布法によって形成することができる。
【０１４８】
続いて、基板１０１と対向基板１２１とを貼り合わせた後、減圧下において熱をかけながら真空圧着を行う。この工程により、封止材１４３及びシール材１２３は熱硬化して基板１０１と対向基板１２１とが接着する。
【０１４９】
ここで、発光不良箇所の絶縁化を行った場合には、絶縁化箇所に封止材１４３を満たすことができる。そのため、当該絶縁化箇所において上部電極層１０７と下部電極層１０３とが再度接触し、ショートしてしまうような不具合を抑制できる。また、当該絶縁化箇所において露出したＥＬ層１０５の一部に封止材１４３が接して設けられることにより、当該絶縁化箇所からの不純物の侵入が抑制され、信頼性の高い発光装置とすることができる。
【０１５０】
以上の工程により、発光装置１５０を作製することができる（図６（Ｄ）参照）。上記作製方法によって作製された発光装置１５０は、上部電極層１０７の導電性が補助され、且つ発光不良が事前に低減された、信頼性の高い発光装置１５０とすることができる。
【０１５１】
その後、対向基板１２１の基板１０１と対向しない面に、発光を拡散するためのレンズアレイを形成してもよい。レンズアレイを光射出側に設けることにより、不良が絶縁化され、暗点として観測される領域は、当該レンズアレイによって拡散される他の領域からの発光によって目立たなくなる効果を奏する。
【０１５２】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１５３】
（実施の形態３）
本実施の形態では、上記実施の形態で例示した接続電極層の応用例について図８を用いて説明する。
【０１５４】
＜構成例１＞
図８（Ａ）は、接続電極層１１１を両面射出型の発光装置に適用した例である。
【０１５５】
図８（Ａ）に示す発光装置は、基板１０１上に下部電極層１６３、補助電極層１６５、絶縁層１６７、接続部１３３を有する接続電極層１１１、ＥＬ層１０５、及び上部電極層１０７を有する。
【０１５６】
ここで、下部電極層１６３は、上部電極層１０７と同様にＥＬ層１０５の発光に対して透光性を有する。したがって、ＥＬ層１０５からの発光は、基板１０１側と、基板１０１の表面側との両方向に射出される。
【０１５７】
また、補助電極層１６５は、下部電極層１６３に接して設けられ、下部電極層１６３の導電性を補助する機能を有する。補助電極層１６５は接続電極層１１１と同様の材料により形成することができる。なお、補助電極層１６５は、表面に凹凸形状を有していなくとも良い。
【０１５８】
絶縁層１６７は、補助電極層１６５上に形成され、補助電極層１６５と、接続電極層１１１及び上部電極層１０７とを電気的に絶縁するために設けられる。また、絶縁層１６７の端部は、その上方から成膜されるＥＬ層１０５及び上部電極層１０７が分断しないよう、テーパ形状を有していることが好ましい。絶縁層１６７は、上記実施の形態で例示した絶縁層と同様の材料、方法により形成できる。
【０１５９】
接続電極層１１１は、絶縁層１６７を介して補助電極層１６５上に形成される。また、接続電極層１１１の一部には、上部電極層１０７と電気的に接続される接続部１３３が形成され、接続電極層１１１と上部電極層１０７とは確実に電気的に接続されている。
【０１６０】
なお、本構成では、補助電極層１６５と接続電極層１１１とを重ねて形成する構成を例示したが、補助電極層１６５と接続電極層１１１とが重ならないように設ける構成としてもよい。補助電極層１６５と接続電極層１１１とを重ねて形成することにより、非発光領域の面積を小さくできる。
【０１６１】
このような構成とすることにより、上部電極層１０７の導電性を接続電極層１１１によって、また下部電極層１６３の導電性を補助電極層１６５によって補助することができ、それぞれの電極層の抵抗に起因した輝度ムラが抑制された、両面発光型の発光装置を実現できる。
【０１６２】
＜構成例２＞
図８（Ｂ）は、基板上に設けられた配線１７１と上部電極層１０７とを電気的に接続するために接続電極層１１１を適用した一例である。
【０１６３】
基板１０１上には、下部電極層１０３と同一の膜から形成された配線１７１が形成されている。また配線１７１上に接して、接続部１３３を有する接続電極層１１１が形成されている。
【０１６４】
接続電極層１１１を配線１７１に接して形成することにより、配線１７１上にＥＬ層１０５を介して形成された上部電極層１０７と当該配線１７１とを確実に電気的に接続することが出来る。配線１７１は、例えば上部電極層１０７に外部電源を接続する接続配線などに用いることができる。
【０１６５】
なお、本構成例では配線１７１は下部電極層１０３と同一の膜から形成されるものとしたが、異なる材料や厚さを有する導電膜から形成されていてもよい。その場合、下部電極層１０３に用いる材料よりも抵抗率の低い材料を用いる、又は膜厚を調整して下部電極層１０３よりも低抵抗化された配線１７１とすることが好ましい。
【０１６６】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１６７】
（実施の形態４）
本実施の形態では、上記接続電極層が適用された具体的な発光装置の構成例について、図９乃至図１１を用いて説明する。
【０１６８】
＜構成例１＞
図９（Ａ）は本実施の形態で例示する発光装置３００の上面概略図であり、図９（Ｂ）は図９（Ａ）中の切断線Ａ−Ａ’に沿った断面における断面概略図である。
【０１６９】
上面射出型の発光装置３００は、基板１０１上に下部電極層１０３、ＥＬ層１０５、上部電極層１０７、接続電極層３０１、接続電極層３０３、配線３０７、絶縁層３０９、及び絶縁層３１３を備え、基板１０１と対向基板１２１とがその外周部においてシール材３１１によって接着されている。また、図９（Ａ）には、ＥＬ層１０５と上部電極層１０７とが成膜される成膜領域３０５を点線で示している。ここで、対向基板１２１と重なる基板１０１上の領域を封止領域という。また発光装置３００は、封止領域内部において、封止材３１７が充填されている。さらに、対向基板１２１の基板１０１と対向しない面には、発光領域と重なる位置にレンズアレイ３１５を備える。
【０１７０】
また、発光装置３００は、封止領域内において下部電極層１０３、ＥＬ層１０５、上部電極層１０７が順に積層された発光素子が形成されている。当該発光素子は、下部電極層１０３と上部電極層１０７との間に電圧を印加することにより発光する。
【０１７１】
下部電極層１０３の一部は、封止領域外まで延在して設けられる。また、下部電極層１０３と同一の膜で形成された配線３０７の一部が、上記と同様に封止領域外まで延在して設けられる。また、少なくとも封止領域内において、下部電極層１０３と配線３０７の端部を覆う絶縁層３１３が設けられている。
【０１７２】
レンズアレイ３１５は、発光素子からの発光を拡散するために設けられる。したがって、レンズアレイ３１５によって、発光不良箇所をレーザ照射によって絶縁化された領域や、補助電極層として機能する接続電極層３０３などによる非発光領域を目立たなくする効果を奏する。
【０１７３】
また、発光素子からの発光の全反射を抑制し、発光を効率よく取り出すために、ＥＬ層１０５から遠い膜又は部材ほど屈折率が高くなるよう、上部電極層１０７、封止材３１７、対向基板１２１及びレンズアレイ３１５のそれぞれに用いる材料を選択することが好ましい。また、それぞれの膜又は部材の界面に全反射を抑制するための凹凸形状を設け、当該界面での全反射を抑制する構成としてもよい。
【０１７４】
封止領域内において、配線３０７上面に接して、接続部１３３を具備する接続電極層３０３が設けられ、上部電極層１０７と電気的に接続されている。
【０１７５】
したがって、下部電極層１０３と配線３０７との間に電圧を印加することにより、発光素子を発光させることができる。ここで、下部電極層１０３と配線３０７にはそれぞれ外部電源から電力を供給する電力供給線を電気的に接続することができる。また、例えば外部電源として家庭用電源を用いる場合には、外部電源と発光装置３００との間にＡＣ−ＤＣコンバータを設けて発光装置３００を駆動するための直流電力を発光装置３００に供給する構成としてもよい。また、当該ＡＣ−ＤＣコンバータは基板１０１上に設ける構成とすることが好ましい。
【０１７６】
また、下部電極層１０３上に絶縁層３０９を介して接続部１３３を具備する接続電極層３０１が形成されている。当該接続電極層３０１は、上部電極層１０７の導電性を補助するための補助電極層として機能する。
【０１７７】
ここで、図９（Ａ）内に示す、接続電極層３０１を含む領域Ｂを、対向基板１２１側から光学顕微鏡で観察した場合の観察像の一例について、図１０に示す。なお、ここでは明瞭化のため、レンズアレイ３１５は設けないものとして説明する。図１０（Ａ）は、接続電極層３０１に沿って連続的にレーザ光を照射した場合の観察像の一例であり、図１０（Ｂ）は、接続電極層３０１上に断続的にレーザ光を照射した場合の観察像の一例である。いずれの場合においても、上面射出型の発光装置３００では上部電極層１０７とＥＬ層１０５は透光性を有しているため、下部電極層１０３、絶縁層３０９、及び接続電極層３０１を、上部電極層１０７及びＥＬ層１０５を介して観察することができる。ここで、接続電極層３０１上のレーザ照射領域３１９においては、上述したように光学特性が変化するため、光学顕微鏡を用いて観察した場合には、色目が異なる領域として観測される。
【０１７８】
このような接続電極層３０１及び接続電極層３０３を設けることにより、これらと重なる同じ領域にＥＬ層１０５と上部電極層１０７を形成できるため、複数の島状のパターンを形成するためのメタルマスクを用いることなく発光装置３００を作製することができる。したがって、メタルマスクに起因する不具合が抑制され、信頼性の高い発光装置３００を実現できる。
【０１７９】
さらに補助電極層として機能する接続電極層３０１により、上部電極層１０７の抵抗に起因する発光不良が改善され、且つ発光装置の大型化に適した信頼性の高い発光装置３００とすることができる。
【０１８０】
＜構成例２＞
本構成例で例示する発光装置３５０は、基板１０１上に複数の発光素子を有する発光装置である。図１１（Ａ）は本構成例で例示する発光装置３５０の上面概略図であり、図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）中の切断線Ｃ−Ｃ’に沿った断面の断面概略図である。
【０１８１】
発光装置３５０は３個の発光素子を有する発光装置である。発光装置３５０は基板１０１上に下部電極層１０３ａ、下部電極層１０３ｂ、下部電極層１０３ｃ、ＥＬ層１０５、上部電極層１０７、配線３０７ａ、配線３０７ｂ、配線３０７ｃ、接続電極層３０１、接続電極層３０３、分離層３５１、絶縁層３０９、及び絶縁層３１３を備え、基板１０１と対向基板１２１とがその外周部においてシール材（図示しない）によって接着されている。また、図１１（Ａ）には、ＥＬ層１０５と上部電極層１０７とが成膜される成膜領域３０５を点線で示している。ここで、対向基板１２１と重なる基板１０１上の領域を封止領域という。また発光装置３５０は、封止領域内部において、封止材３１７が充填されている。さらに、対向基板１２１の基板１０１と対向しない面には、発光領域と重なる位置にレンズアレイ３１５を備える。
【０１８２】
発光装置３５０は下部電極層１０３ａを含む第１の発光素子と、下部電極層１０３ｂを含む第２の発光素子と、下部電極層１０３ｃを含む第３の発光素子の３つの発光素子を有する。下部電極層１０３ａ、下部電極層１０３ｂ、及び下部電極層１０３ｃの一部は封止領域外に延在して設けられる。また、配線３０７ａ、配線３０７ｂ及び配線３０７ｃは、封止領域内においてこれらの上面に接してそれぞれ接続部１３３を有する接続電極層３０３が接続されると共に、それらの一部が封止領域外に延在して設けられている。したがって、それぞれの発光素子は、当該発光素子に接続される下部電極層と配線との間に電圧を印加することにより発光する。
【０１８３】
また、下部電極層１０３ａと下部電極層１０３ｂとの間、及び下部電極層１０３ｂと下部電極層１０３ｃとの間には、ＥＬ層１０５及び上部電極層１０７を電気的に分断する分離層３５１が、成膜領域３０５よりも外側に延在して設けられている。
【０１８４】
分離層３５１は絶縁性を有し、その上方から成膜されるＥＬ層１０５及び上部電極層１０７を、当該分離層３５１を境界として物理的に分断するために設けられる。分離層３５１はＴ字形状若しくはその側面が逆テーパ形状を有する形状のように、少なくとも片方の側面が基板１０１と平行にせり出した形状とすることができる。このような形状を有する分離層３５１の上方から膜を成膜すると、その側面のせり出した領域に覆われた領域には膜が成膜されないため、当該分離層３５１を境界として成膜された膜を物理的に分断することができる。このように、分離層３５１を境界として、上部電極層１０７は電気的に分断される。
【０１８５】
分離層３５１を形成する方法としては、例えばネガ型の感光性を有する有機樹脂を用いて露光、現像処理を施すことにより形成することができる。このとき、露光量が基板１０１に近いほど小さくなるように露光条件を調整することにより、逆テーパ形状の分離層３５１を形成することができる。また、露光範囲と露光条件を調整して複数回露光してＴ字形状の分離層３５１を形成してもよい。また、複数の材料からなる膜を積層し、各々の膜をフォトリソグラフィ法により加工してＴ字形状の分離層３５１を形成してもよい。またエッチング速度の違いを利用して、下層の膜の側面が後退するようにエッチングするなどして、一度のフォトリソグラフィ工程でＴ字形状の分離層３５１を形成してもよい。
【０１８６】
このような構成の分離層３５１を発光素子間に設けることにより、当該分離層３５１を境界としてそれぞれの発光素子を電気的に分離することができる。
【０１８７】
上述のように、第１の発光素子、第２の発光素子、第３の発光素子のそれぞれに、個別に電力を供給できる下部電極層及び配線が封止領域外に延在して設けられている。それぞれの発光素子の下部電極層や配線の電気的な接続の仕方に応じて、それぞれの発光素子を直列に、または並列に、または直列と並列を組み合わせて接続することが出来る。また、上記と同様に外部電源と発光装置３５０との間にＡＣ−ＤＣコンバータを設ける構成としてもよく、当該ＡＣ−ＤＣコンバータは基板１０１上に設ける構成とすることが好ましい。
【０１８８】
また、下部電極層１０３ａ、下部電極層１０３ｂ、及び下部電極層１０３ｃのそれぞれは、その上面に絶縁層３０９を介して接続部１３３を具備する接続電極層３０１が形成されている。当該接続電極層３０１は、上部電極層１０７の導電性を補助するための補助電極層として機能する。
【０１８９】
なお、本構成例では発光装置３５０は３個の発光素子を有する構成としたが、その数はこれに限定されることはなく、２個以上の複数の発光素子を有する発光装置としてもよい。また、これらの発光素子は一列に配置する必要は無く、複数の発光素子を敷き詰めて配置すればよい。
【０１９０】
なお、下部電極層１０３、ＥＬ層１０５及び上部電極層１０７が積層された発光部において、下部電極層１０３と上部電極層１０７との間に光学調整層を設けても良い。光学調整層は、反射性を有する電極と透過性を有する電極との間の光学距離を調整する層である。光学調整層を設けることにより、特定の範囲の波長の光を強調することができるため、発光の演色性を高めることができる。また、一つの発光部に異なる厚さを有する複数の光学調整層を設ける構成としてもよい。また、複数の発光素子を有する発光装置とする場合に、それぞれの発光素子に異なる厚さの光学調整層を設け、それぞれの発光素子を個別に駆動可能な構成としてもよい。このような構成とすることにより、段階的に調光や調色が可能な発光装置とすることができる。
【０１９１】
このような分離層３５１、接続電極層３０１及び接続電極層３０３を設けることにより、これらと重なる同じ領域にＥＬ層１０５と上部電極層１０７を形成できるため、複数の島状のパターンを形成するためのメタルマスクを用いることなく、複数の発光素子を具備する発光装置３５０を作製することができる。したがって、メタルマスクに起因する不具合が抑制され、信頼性の高い発光装置３５０を実現できる。
【０１９２】
さらに補助電極層として機能する接続電極層３０１により、上部電極層１０７の抵抗に起因する発光不良が改善され、且つ発光装置の大型化に適した信頼性の高い発光装置３５０とすることができる。
【０１９３】
なお、本実施の形態では、上部電極層の補助電極層として機能する複数の接続電極層を並行に配置する構成としたが、接続電極層の配置方法はこれに限られず、格子状に配置してもよいし、必要な領域のみに島状に配置する構成としてもよい。
【０１９４】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１９５】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様に適用できるＥＬ層の一例について、図１２を用いて説明する。
【０１９６】
図１２（Ａ）に示すＥＬ層１０５は、第１の電極７１３と第２の電極７１７の間に設けられている。第１の電極７１３及び第２の電極７１７は、上記実施の形態で例示した下部電極層または上部電極層と同様の構成を適用することができる。
【０１９７】
本実施の形態で例示するＥＬ層１０５を有する発光素子は、上記実施の形態で例示した発光装置に適用可能である。
【０１９８】
ＥＬ層１０５は、少なくとも発光性の有機化合物を含む発光層が含まれていればよい。そのほか、ＥＬ層１０５は、電子輸送性の高い物質を含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）を含む層等を適宜組み合わせた積層構造を構成することができる。本実施の形態において、ＥＬ層１０５は、第１の電極７１３側から、正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光性の有機化合物を含む層７０３、電子輸送層７０４、及び電子注入層７０５の順で積層されている。なお、これらを反転させた積層構造としてもよい。
【０１９９】
図１２（Ａ）に示す発光素子の作製方法について説明する。
【０２００】
正孔注入層７０１は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物を用いることができる。また、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物を用いることができる。
【０２０１】
また、低分子の有機化合物である芳香族アミン化合物等を用いることができる。
【０２０２】
さらに、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる。また、酸を添加した高分子化合物を用いることができる。
【０２０３】
特に、正孔注入層７０１として、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることが好ましい。正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることにより、第１の電極７１３からの正孔注入性を良好にし、発光素子の駆動電圧を低減することができる。これらの複合材料は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター物質とを共蒸着することにより形成することができる。該複合材料を用いて正孔注入層７０１を形成することにより、第１の電極７１３からＥＬ層１０５への正孔注入が容易となる。
【０２０４】
複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。
【０２０５】
また、電子受容体としては、遷移金属酸化物を挙げることができる。また、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
【０２０６】
正孔輸送層７０２は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、例えば、芳香族アミン化合物を用いることができる。これらは主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【０２０７】
また、正孔輸送層７０２には、カルバゾール誘導体や、アントラセン誘導体や、そのほか正孔輸送性の高い高分子化合物を用いてもよい。
【０２０８】
発光性の有機化合物を含む層７０３は、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。
【０２０９】
なお、発光性の有機化合物を含む層７０３としては、発光性の有機化合物（ゲスト材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成としてもよい。ホスト材料としては、各種のものを用いることができ、発光性の物質よりも最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）が高く、最高被占有軌道準位（ＨＯＭＯ準位）が低い物質を用いることが好ましい。
【０２１０】
また、ホスト材料は複数種用いることができる。例えば、結晶化を抑制するために結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、ゲスト材料へのエネルギー移動をより効率良く行うために、さらに異なる物質を添加してもよい。
【０２１１】
ゲスト材料をホスト材料に分散させた構成とすることにより、発光性の有機化合物を含む層７０３の結晶化を抑制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。
【０２１２】
また、発光性の有機化合物を含む層７０３として高分子化合物を用いることができる。
【０２１３】
また、発光性の有機化合物を含む層を複数設け、それぞれの層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、発光性の有機化合物を含む層を２つ有する発光素子において、第１の発光性の有機化合物を含む層の発光色と第２の発光性の有機化合物を含む層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、発光性の有機化合物を含む層を３つ以上有する発光素子の場合でも同様である。
【０２１４】
電子輸送層７０４は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送性の高い物質としては、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【０２１５】
電子注入層７０５は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層７０５には、リチウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、リチウム酸化物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることができる。また、上述した電子輸送層７０４を構成する物質を用いることもできる。
【０２１６】
なお、上述した正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光性の有機化合物を含む層７０３、電子輸送層７０４、電子注入層７０５は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
【０２１７】
ＥＬ層は、図１２（Ｂ）に示すように、第１の電極７１３と第２の電極７１７との間に複数積層されていてもよい。この場合、積層された第１のＥＬ層８００と第２のＥＬ層８０１との間には、電荷発生層８０３を設けることが好ましい。電荷発生層８０３は上述の複合材料で形成することができる。また、電荷発生層８０３は複合材料からなる層と他の材料からなる層との積層構造でもよい。この場合、他の材料からなる層としては、電子供与性物質と電子輸送性の高い物質とを含む層や、透明導電膜からなる層などを用いることができる。このような構成を有する発光素子は、エネルギーの移動や消光などの問題が起こり難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容易である。また、一方のＥＬ層で燐光発光、他方で蛍光発光を呈する発光素子を得ることも容易である。この構造は上述のＥＬ層の構造と組み合わせて用いることができる。
【０２１８】
また、それぞれのＥＬ層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、２つのＥＬ層を有する発光素子において、第１のＥＬ層の発光色と第２のＥＬ層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。また、３つ以上のＥＬ層を有する発光素子の場合でも同様である。
【０２１９】
また、演色性の良い白色発光を得る場合、発光スペクトルが可視光全域に広がるものとする必要があり、３つ以上のＥＬ層が積層された発光素子とすることが好ましい。例えばそれぞれ赤色、青色、緑色の発光色のＥＬ層を積層して発光素子を形成することができる。このように異なる３色以上のＥＬ層が積層された発光素子とすることにより演色性を高めることが出来る。
【０２２０】
第１の電極７１３と第２の電極７１７との間に光学調整層を形成してもよい。光学調整層は、反射性を有する電極と透過性を有する電極との間の光学距離を調整する層である。光学調整層を設けることにより、特定の範囲の波長の光を強調することができるため、色調を調整することができる。
【０２２１】
ＥＬ層１０５は、図１２（Ｃ）に示すように、第１の電極７１３と第２の電極７１７との間に、正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光性の有機化合物を含む層７０３、電子輸送層７０４、電子注入バッファー層７０６、電子リレー層７０７、及び第２の電極７１７と接する複合材料層７０８を有していてもよい。
【０２２２】
第２の電極７１７と接する複合材料層７０８を設けることで、特にスパッタリング法を用いて第２の電極７１７を形成する際に、ＥＬ層１０５が受けるダメージを低減することができるため、好ましい。複合材料層７０８は、前述の、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることができる。
【０２２３】
さらに、電子注入バッファー層７０６を設けることで、複合材料層７０８と電子輸送層７０４との間の注入障壁を緩和することができるため、複合材料層７０８で生じた電子を電子輸送層７０４に容易に注入することができる。
【０２２４】
電子注入バッファー層７０６には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。
【０２２５】
また、電子注入バッファー層７０６が、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで形成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、０．００１以上０．１以下の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもできる。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した電子輸送層７０４の材料と同様の材料を用いて形成することができる。
【０２２６】
さらに、電子注入バッファー層７０６と複合材料層７０８との間に、電子リレー層７０７を形成することが好ましい。電子リレー層７０７は、必ずしも設ける必要は無いが、電子輸送性の高い電子リレー層７０７を設けることで、電子注入バッファー層７０６へ電子を速やかに送ることが可能となる。
【０２２７】
複合材料層７０８と電子注入バッファー層７０６との間に電子リレー層７０７が挟まれた構造は、複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質と、電子注入バッファー層７０６に含まれるドナー性物質とが相互作用を受けにくく、互いの機能を阻害しにくい構造である。したがって、駆動電圧の上昇を防ぐことができる。
【０２２８】
電子リレー層７０７は、電子輸送性の高い物質を含み、該電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位は、複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送層７０４に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位との間となるように形成する。また、電子リレー層７０７がドナー性物質を含む場合には、当該ドナー性物質のドナー準位も複合材料層７０８におけるアクセプター性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送層７０４に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位との間となるようにする。具体的なエネルギー準位の数値としては、電子リレー層７０７に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位は−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下とするとよい。
【０２２９】
電子リレー層７０７に含まれる電子輸送性の高い物質としてはフタロシアニン系の材料又は金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。
【０２３０】
電子リレー層７０７に含まれる金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としては、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることが好ましい。金属−酸素の二重結合はアクセプター性（電子を受容しやすい性質）を有するため、電子の移動（授受）がより容易になる。また、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体は安定であると考えられる。したがって、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることにより発光素子を低電圧でより安定に駆動することが可能になる。
【０２３１】
金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としてはフタロシアニン系材料が好ましい。特に、分子構造的に金属−酸素の二重結合が他の分子に対して作用しやすく、アクセプター性が高い材料を用いることが好ましい。
【０２３２】
なお、上述したフタロシアニン系材料としては、フェノキシ基を有するものが好ましい。具体的にはＰｈＯ−ＶＯＰｃのような、フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体が好ましい。フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体は、溶媒に可溶である。そのため、発光素子を形成する上で扱いやすいという利点を有する。また、溶媒に可溶であるため、成膜に用いる装置のメンテナンスが容易になるという利点を有する。
【０２３３】
電子リレー層７０７はさらにドナー性物質を含んでいてもよい。ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属及びこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウムなどの酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウムなどの炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、又は希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセンなどの有機化合物を用いることができる。電子リレー層７０７にこれらドナー性物質を含ませることによって、電子の移動が容易となり、発光素子をより低電圧で駆動することが可能になる。
【０２３４】
電子リレー層７０７にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質としては上記した材料の他、複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質のアクセプター準位より高いＬＵＭＯ準位を有する物質を用いることができる。具体的なエネルギー準位としては、−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下の範囲にＬＵＭＯ準位を有する物質を用いることが好ましい。このような物質としては例えば、ペリレン誘導体や、含窒素縮合芳香族化合物などが挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安定であるため、電子リレー層７０７を形成する為に用いる材料として、好ましい材料である。
【０２３５】
なお、電子リレー層７０７にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質とドナー性物質との共蒸着などの方法によって電子リレー層７０７を形成すればよい。
【０２３６】
正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光性の有機化合物を含む層７０３、及び電子輸送層７０４は前述の材料を用いてそれぞれ形成すればよい。
【０２３７】
以上により、本実施の形態のＥＬ層１０５を作製することができる。
【０２３８】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０２３９】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を用いて完成させた照明装置の一例について、図１３を用いて説明する。
【０２４０】
本発明の一態様では、発光部が曲面を有する照明装置を実現することができる。
【０２４１】
本発明の一態様の発光装置は、自動車の照明にも適用することができ、例えば、ダッシュボードや、天井等に照明を設置することもできる。
【０２４２】
図１３（Ａ）では、本発明の一態様の発光装置を適用した、室内の照明装置９０１、卓上照明器具９０３、及び面状照明装置９０４を示す。発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、厚みが薄いため、壁に取り付けて使用することができる。その他、ロール型の照明装置９０２として用いることもできる。
【０２４３】
図１３（Ｂ）に別の照明装置の例を示す。図１３（Ｂ）に示す卓上照明装置は、照明部９５０１、支柱９５０３、支持台９５０５等を含む。照明部９５０１は、本発明の一態様の発光装置を含む。このように、本発明の一態様では、曲面を有する照明装置、又はフレキシブルに曲がる照明部を有する照明装置を実現することができる。このように、フレキシブルな発光装置を照明装置として用いることで、照明装置のデザインの自由度が向上するのみでなく、例えば、自動車の天井、ダッシュボード等の曲面を有する場所にも照明装置を設置することが可能となる。
【０２４４】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【実施例】
【０２４５】
本実施例では、本発明の一態様の作製方法を用いて作製した発光装置について、図１４を用いて説明する。
【０２４６】
本実施例で示す発光装置は上面射出型である。また、該発光装置が備える発光素子は、緑色の発光を呈する。まず、本実施例において作製した発光装置の作製方法について説明する。
【０２４７】
３００ｍｍ×３６０ｍｍの大きさのガラス基板上に、スパッタリング法によって、チタン膜５０ｎｍ、アルミニウム膜２００ｎｍ、チタン膜１００ｎｍを順に積層して下部電極層を形成した。本実施例において下部電極層は陽極として用いた。なお、本実施例では下部電極層を基板の長手方向において４分割して配置することで、ガラス基板上に４つの発光素子を形成した。
【０２４８】
続いて、下部電極層上にスクリーン印刷法を用いて線幅４００μｍのストライプ状にエポキシ樹脂（太陽インキ製造株式会社製Ｓ−３０Ｆ Ｂ２０６）を印刷した後、大気雰囲気下で１４０℃、５５分間の焼成を行った。さらに、同様の方法、条件で、エポキシ樹脂の印刷及び焼成を行い、絶縁層を形成した。なお、エポキシ樹脂の印刷及び焼成を２回行ったのは、絶縁層の厚膜化を図り、下部電極層と、後に形成する接続電極層との絶縁性を確実にするためである。絶縁層は、１つの発光領域あたり、３５本形成した。
【０２４９】
さらに絶縁層上に、銀粒子を含む導電性ペースト（住友電気工業社製ＡＧＥＰ−２０１Ｘ）を線幅が約２００μｍ、中央部における厚さが約１８μｍとなるようにスクリーン印刷法により印刷した後、大気雰囲気下で２００℃、８０分の焼成を行い、接続電極層を形成した。
【０２５０】
その後、真空蒸着法により、緑色の発光を呈する発光性の有機化合物を含む層を含む厚さ約１５７ｎｍのＥＬ層を形成した。さらに、ＥＬ層上に、スパッタリング法を用いて厚さ約１１０ｎｍの酸化インジウム酸化スズ膜を成膜することで、上部電極層を形成し、ガラス基板上に発光素子を形成した。なお、ＥＬ層及び上部電極層は、４つの発光素子間や外部電源に接続する電極上に非成膜領域を設けるための遮蔽マスクとして同一のものを用いて形成した。
【０２５１】
そして、３００×３６０ｍｍの大きさのガラス基板を対向基板として用い、発光素子が形成されたガラス基板の外周部において熱硬化性のエポキシ樹脂により当該ガラス基板と対向基板とを接着し、発光素子を封止した。その後、約２５４ｍｍ×３１４ｍｍの大きさになるように対向基板の周辺部を切り取った。
【０２５２】
以上により作製した発光装置を発光させた際の写真を図１４（Ａ）に示す。なお、ここでは、４つの発光素子のうち２つを発光させた。図１４（Ａ）に示すようにそれぞれの発光素子は発光領域全面での発光が確認できた。
【０２５３】
次に、接続電極層と上部電極層とが重なる領域に、対向基板を介して、レーザ光を照射した。具体的には、波長２６６ｎｍ、出力３．０Ｗ、ビーム幅１５μｍ、走査速度１００ｍｍ／ｓ、Ｑスイッチ周波数２９ｋＨｚの条件で、レーザ光を照射した。
【０２５４】
レーザ光照射後に、発光装置を発光させた際の写真を図１４（Ｂ）に示す。なお、図１４（Ｂ）に示す発光素子は、図１４（Ａ）に示した発光素子と同じである。図１４（Ｂ）でも２つの発光素子は発光領域の全面での発光が確認できたことに加え、図１４（Ａ）に比べて輝度のムラが極めて低減され、図１４（Ｂ）において発光領域に渡って均一な発光が得られた。
【０２５５】
以上に示した通り、接続電極層と上部電極層とが重なる領域に、レーザ光を照射し、接続電極層と上部電極層とが確実に電気的に接続される構成とすることで、上部電極層の抵抗に起因した電圧降下による発光不良が低減され、輝度ムラが抑制された信頼性の高い発光装置を作製することができる。
【符号の説明】
【０２５６】
１００ 発光装置
１０１ 基板
１０３ 下部電極層
１０５ ＥＬ層
１０７ 上部電極層
１０９ 絶縁層
１１１ 接続電極層
１１３ 絶縁層
１２１ 対向基板
１２３ シール材
１２５ 領域
１２７ 領域
１３１ レーザ光
１３２ レーザ照射領域
１３３ 接続部
１３４ 接続部
１３５ レーザ光
１４１ プローブ
１４３ 封止材
１５０ 発光装置
１６３ 下部電極層
１６５ 補助電極層
１６７ 絶縁層
１７１ 配線
２０１ 基板
２０２ 対向基板
２０３ 発光素子
２０５ 被照射領域
２０７ 電極
２０９ 発光
２１１ 外部電源
２１３ ソースメータ
２１５ ステージ
２１７ 位置合わせ機構
２１９ カメラ
２２１ 画像処理機構
２２３ 表示装置
２２５ エミッション顕微鏡
２２７ 集光レンズ
２２９ ハーフミラー
２３１ａ シャッター
２３１ｂ シャッター
２３３ レーザ装置
２３５ レーザ光
３００ 発光装置
３０１ 接続電極層
３０３ 接続電極層
３０５ 成膜領域
３０７ 配線
３０９ 絶縁層
３１１ シール材
３１３ 絶縁層
３１５ レンズアレイ
３１７ 封止材
３１９ レーザ照射領域
３５０ 発光装置
３５１ 分離層
７０１ 正孔注入層
７０２ 正孔輸送層
７０３ 発光性の有機化合物を含む層
７０４ 電子輸送層
７０５ 電子注入層
７０６ 電子注入バッファー層
７０７ 電子リレー層
７０８ 複合材料層
７１３ 第１の電極
７１７ 第２の電極
８００ 第１のＥＬ層
８０１ 第２のＥＬ層
８０３ 電荷発生層
９０１ 照明装置
９０２ 照明装置
９０３ 卓上照明器具
９０４ 面状照明装置
９５０１ 照明部
９５０３ 支柱
９５０５ 支持台
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子が適用された発光装置の作製方法に関する。また、有機ＥＬ素子が適用された発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子の研究開発が盛んに行われている。有機ＥＬ素子の基本的な構成は、一対の電極の間に発光性の有機化合物を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物から発光を得ることができる。
【０００３】
有機ＥＬ素子は膜状に形成することが可能であるため大面積の素子を容易に形成することができ、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。
【０００４】
例えば、特許文献１には、有機ＥＬ素子を用いた照明器具が開示されている。
【０００５】
また、有機ＥＬ素子には、有機ＥＬ素子が形成された基板において、有機ＥＬ素子の形成面側に光を取り出す上面発光型と、有機ＥＬ素子の形成面とは反対の面側に光を取り出す下面発光型、またはその両面から光を取り出す両面発光型とがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−１３０１３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、有機ＥＬ素子（以下、ＥＬ素子、又は発光素子ともいう。）を照明装置に適用する場合、発光部の面積の増大に伴い、発光素子を構成する上部電極層や下部電極層の抵抗に起因する電圧降下が著しくなる傾向にある。当該電圧降下が顕著な場合、輝度の勾配が視認されてしまう問題が生じる。このような問題を回避するため、上部電極層や下部電極層に抵抗率の低い材料で形成された補助としての電極層（以下、補助電極層ともいう。）を設ける必要がある。
【０００８】
特に、光取り出し側に透明電極として用いられる光透過性を有する導電性材料は、比較的抵抗が高く、補助電極層を設ける必要性が高い。しかしながら、特に基板表面側に発光を得る上面発光型（両面発光型も含む）の場合、発光素子を形成した後に補助電極層のパターンを形成する必要があるため、発光素子にダメージが加わる場合がある。例えば、補助電極層となる導電膜をスパッタリング法で形成する場合には、発光素子への熱的、物理的なダメージが懸念される。また、当該導電膜をフォトリソグラフィ法などにより加工する際にも、発光素子への光や熱によるダメージや、レジスト除去時などに用いる有機溶媒による発光素子の溶解などの問題が挙げられる。
【０００９】
また、発光素子を形成する場合、絶縁表面を有する基板上に形成した下部電極層上に、発光性の有機化合物を含む層と、上部電極層とを順次積層する方法としては、例えば真空蒸着法がある。真空蒸着法を用いて島状の層を形成する方法としては、金属板に開口部を設けたメタルマスク（シャドーマスクともいう。）を用いる方法が知られている。基板に接して蒸着源との間にメタルマスクを設け、当該メタルマスクの開口部を介して基板に蒸着を行うと、開口部の形状に応じた島状のパターンを形成することができる。なお、メタルマスクと基板との距離が短いほど、開口部に応じた明瞭な形状で、言い換えると周辺部のボケの少ない形状で島状の層を形成できる。
【００１０】
一方、メタルマスクを基板に接して使用すると、不具合が生じる確率が高まる。例えば、メタルマスクの開口部を囲う開口端が基板表面を傷つけてしまう場合がある。具体的には、メタルマスクを基板に接触する際にメタルマスクが基板表面を擦り、基板上に形成済みの他の層を破壊してしまう場合がある。特に、発光領域に近い領域にメタルマスクの開口端が重なる場合には、発光素子がショートしてしまう恐れがある。また、メタルマスクに付着したゴミ（パーティクルと呼ばれる小さな異物を含む。）をメタルマスクから基板に転写してしまう場合もある。
【００１１】
さらに、メタルマスクを大型の基板に適用しようとすると、メタルマスクに用いる金属板のたわみなどによってパターンがずれてしまう問題がある。この問題を回避するため当該金属板を厚くすると、当該金属板の陰により島状のパターンの周辺部にボケ（発光性の有機化合物を含む層の厚さが薄い領域）が生じてしまう問題や、メタルマスク自体の重量が非常に大きくなり、取り扱いが困難になる問題がある。
【００１２】
本発明の一態様は、このような技術的背景のもとでなされたものである。したがって本発明は、信頼性の高い発光装置を提供することを課題とする。より具体的には、メタルマスクに起因する不具合が抑制された発光装置を提供することを課題の一とする。また、発光素子の上部電極層の抵抗に起因する不具合が抑制された発光装置を提供することを課題の一とする。
【００１３】
本発明の一態様は、上記課題の少なくとも一を解決するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記少なくとも一つの目的を達成するためには、発光素子を構成するＥＬ層及び上部電極層を、メタルマスクを用いることなく同一パターンで形成可能な発光装置の作製方法とすればよい。さらに、当該上部電極層と電気的に接続する電極層（接続電極層とも呼ぶ。）の形成工程を、上記ＥＬ層及び上部電極層を形成する工程より前に行えばよい。しかしながら、このような手法によれば、上部電極層と接続電極層との間に抵抗の高いＥＬ層が介在してしまい、そのままでは電気的に導通させることが困難である。
【００１５】
そこで本発明の一態様は、あらかじめ絶縁表面を有する基板上に接続電極層を設け、当該接続電極層と重なるようにＥＬ層及び上部電極層を同一パターンで形成し、その後、接続電極層と上部電極層とを電気的に接続する工程を行うことに想到した。当該接続電極層と上部電極層とを電気的に接続する方法としては、例えばレーザ光を照射する方法や、物理的に加圧する方法、また物理的に加圧しながら加熱する方法などを用いる。
【００１６】
また、このような接続電極層を、発光素子を構成する下部電極層と絶縁するように形成すると、当該接続電極層を発光素子の上部電極層の導電性を補助する補助電極層として用いることができる。また、基板上に設けられた配線（例えば外部電力を供給するための配線など）と電気的に接続するように当該接続電極層を設けることにより、発光素子を構成する上部電極層と当該配線とを当該接続電極層を介して電気的に接続することが出来る。すなわち、本発明の一態様の発光装置の作製方法によれば、上部電極層と電気的に接続し、その導電性を補助する補助電極層と、基板上に設けられた配線と電気的に接続する接続電極層とを、同一の工程で形成することができる。
【００１７】
すなわち、本発明の一態様は、絶縁表面上に接続電極層を形成し、当該接続電極層上に発光性の有機化合物を含む層を形成し、当該発光性の有機化合物を含む層上に第２の電極層を形成する工程と、接続電極層と第２の電極層とを電気的に接続する工程と、を有する発光装置の作製方法である。
【００１８】
このように、接続電極層を覆うように発光性の有機化合物を含む層（ＥＬ層とも呼ぶ。）と第２の電極層（上部電極層とも呼ぶ。）を形成し、その後に上部電極層と接続電極層とを電気的に接続することにより、ＥＬ層と上部電極層を形成する際にメタルマスクを用いることなく同一パターンで形成しても、上部電極層と確実に電気的に接続された接続電極層を形成することが可能となる。したがって、メタルマスクに起因する不具合が抑制された発光装置を作製することができる。
【００１９】
また、本発明の一態様は、絶縁表面上に第１の電極層を形成し、絶縁表面上に第１の電極層と電気的に絶縁する接続電極層を形成し、第１の電極層及び接続電極層上に発光性の有機化合物を含む層を形成し、発光性の有機化合物を含む層上に第２の電極層を形成する工程と、接続電極層と第２の電極層とを電気的に接続する工程と、を有する発光装置の作製方法である。
【００２０】
上記接続電極層を第１の電極層（以降、下部電極層とも呼ぶ。）と電気的に絶縁するように形成することにより、当該接続電極層を上部電極層の導電性を補助するための補助電極層として用いることができる。したがって、メタルマスクに起因する不具合が抑制され、且つ発光素子の上部電極層の抵抗に起因する不具合が抑制された発光装置を作製することが出来る。
【００２１】
また、上記発光装置の作製方法において、接続電極層と第２の電極層とが重なる領域にレーザ光を照射して、接続電極層と第２の電極層とを電気的に接続してもよい。
【００２２】
レーザ光を照射することにより、より簡便に上部電極層と接続電極層とを確実に電気的に接続することができる。
【００２３】
また、上記発光装置の作製方法において、上記レーザ光は、上記絶縁表面と対向して設けられる透光性の基板を介して照射することが出来る。
【００２４】
上記レーザ光の照射は、対向基板によって発光素子を封止した後に行うことが出来る。したがってレーザ光の照射工程を大気中で行うことが可能となるため、レーザ照射のための装置の構成が簡便となると同時に、大気中でレーザ照射を行っても発光素子を大気に曝すことがないため、信頼性の高い発光装置を作製できる。
【００２５】
また、上記発光装置の作製方法のいずれかにおいて、接続電極層と第２の電極層とを電気的に接続した後に、第１の電極層と第２の電極層との間に電圧を印加して、発光不良箇所を特定し、発光不良箇所にレーザ光を照射して、発光不良箇所を絶縁化する工程を有してもよい。
【００２６】
このようにして作製工程中に発光不良箇所を特定し、レーザ光を照射して当該発光不良箇所の絶縁化を行うことが出来る。したがって、発光不良が抑制された、信頼性の高い発光装置を作製することができる。
【００２７】
また、本発明の一態様は、絶縁表面上に第１の電極層と、接続電極層と、第１の電極層及び接続電極層上に発光性の有機化合物を含む層と、発光性の有機化合物を含む層上に第２の電極層と、を有し、接続電極層上のレーザ光が照射された領域において、接続電極層と第２の電極層とが電気的に接続された、発光装置である。
【００２８】
このように、レーザ光の照射領域において上部電極層と電気的に接続された接続電極層は、絶縁表面を有する基板上に設けられた配線と接続する接続電極層、または上部電極層の導電性を補助するための補助電極層として用いることができるため、発光素子の上部電極層の抵抗に起因する不具合が抑制された発光装置とすることが出来る。
【００２９】
レーザ光が照射された領域においては、上部電極層と接続電極層とが融着、合金化、又は物理的に接触する接続部が形成され、当該接続部を介して上部電極層と接続電極層とが電気的に接続される。
【００３０】
また、レーザ光が照射された領域と照射されない領域とでは、光学特性が変化する場合がある。レーザ光の照射によって上部電極層とＥＬ層の両方又はいずれかが蒸発、薄膜化、又は変質することにより、光反射率や光透過率などの光学特性の変化が生じる。このようにレーザ光の照射によって光学特性の変化が生じた領域は、例えば光学顕微鏡などで観察することにより特定することができる。
【００３１】
また、上記発光装置において、第２の電極層は、発光性の有機化合物を含む層からの発光に対して透光性を有してもよい。
【００３２】
また、上記発光装置において、第１の電極層及び第２の電極層は、発光性の有機化合物を含む層からの発光に対して透光性を有していてもよい。
【００３３】
特に、このような透光性を有する材料は導電性が低いため、上述の接続電極層を補助電極層として用いることは特に有効である。上部・下部電極層のうち上部電極層のみを透光性を有する層とすることにより、上面発光型の発光装置を形成することができ、また上部電極層と下部電極層の両方を透光性を有する層とすることにより、両面発光型の発光装置とすることができる。いずれの発光装置も、上部電極層の抵抗による不具合が改善された、信頼性の高い発光装置とすることができる。
【００３４】
なお、本明細書等において、メタルマスクとは１つの発光装置内に複数の島状のパターンを形成するための開口部を有するものである。したがって、発光装置の発光領域よりも十分に離れた領域（例えばシール材が設けられる領域と重なる領域など）に非成膜領域を設ける、又は隣接する発光装置間に非成膜領域を設けることを目的とする遮蔽マスクは、メタルマスクには含まれない。なお、発光装置に接続される配線のレイアウトによっては、当該遮蔽マスクは配線と重なる開口端を有している場合もある。
【００３５】
なお、本明細書において、ＥＬ層とは発光素子の一対の電極間に設けられる層を指し、少なくとも発光性の有機化合物を含む層、又は発光性の有機化合物を含む層を含む積層体を示すものとする。
【発明の効果】
【００３６】
本発明の一態様によれば、信頼性の高い発光装置の作製方法を提供できる。より具体的には、メタルマスクに起因する不具合が抑制された発光装置の作製方法を提供できる。また、発光素子の上部電極層の抵抗に起因する不具合が抑制された発光装置の作製方法を提供できる。また、信頼性の高い発光装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の一態様の、発光装置の作製方法を説明する図。
【図２】本発明の一態様の、発光装置の作製方法を説明する図。
【図３】本発明の一態様の、発光装置の作製方法を説明する図。
【図４】本発明の一態様の、発光装置の作製方法を説明する図。
【図５】本発明の一態様の、レーザ光の照射方法を説明する図。
【図６】本発明の一態様の、発光装置の作製方法を説明する図。
【図７】本発明の一態様の、発光装置の作製方法を説明する図。
【図８】本発明の一態様の、発光装置を説明する図。
【図９】本発明の一態様の、発光装置を説明する図。
【図１０】本発明の一態様の、発光装置を説明する図。
【図１１】本発明の一態様の、発光装置を説明する図。
【図１２】本発明の一態様の、ＥＬ層を説明する図。
【図１３】本発明の一態様の、照明装置を説明する図。
【図１４】実施例に係る、発光装置の写真像。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００３９】
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
【００４０】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の作製方法の例について、図１乃至図５を用いて説明する。
【００４１】
＜作製方法例＞
まず、基板１０１を準備し、基板１０１上に下部電極層１０３、絶縁層１０９及び絶縁層１１３を形成する（図１（Ａ）参照）。
【００４２】
下部電極層１０３はスパッタリング法などの成膜方法により導電膜を形成した後、フォトリソグラフィ法などのパターニング方法を用いて、不要な部分を除去することにより形成できる。
【００４３】
絶縁層１０９は、後に形成される接続電極層１１１と下部電極層１０３とを電気的に絶縁するために設けられる。絶縁層１０９は例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法、印刷法（スクリーン印刷法、オフセット印刷法を含む。）、インクジェット法などを用いて形成できる。
【００４４】
絶縁層１１３は、下部電極層１０３の端部を覆い、当該端部において後に形成される上部電極層１０７とのショートを抑制するために設けられる。絶縁層１１３は、上記絶縁層１０９と同様の方法により形成できる。また絶縁層１０９と絶縁層１１３とに同じ材料を用いて同時に形成してもよいし、異なる材料を用いて別々の工程で形成してもよい。また絶縁層１１３は必要ない場合は設けなくても良い。
【００４５】
また絶縁層１０９及び絶縁層１１３の形状は、その端部に近づくにしたがって膜厚が小さくなる、いわゆるテーパ形状を有していることが好ましい。特に絶縁層１０９もしくは絶縁層１１３の端部ではその段差によって後に形成されるＥＬ層１０５が分断、若しくは薄膜化すると上部電極層１０７と下部電極層１０３とがショートしてしまう恐れがあるため、緩やかな段差形状をなしていることが好ましい。
【００４６】
次に、絶縁層１０９上に接続電極層１１１を形成する（図１（Ｂ）参照）。接続電極層１１１は、後に形成される上部電極層１０７と電気的に接続し、上部電極層１０７の導電性を補助するための補助電極層として機能する。したがって、接続電極層１１１は、上部電極層１０７に用いる導電性材料よりも導電性の高い材料で形成されることが好ましい。接続電極層１１１としては、例えばスパッタリング法、印刷法などにより形成できる。
【００４７】
また、接続電極層１１１は、その表面に凹凸形状を有していることが好ましい。当該凹凸形状の起伏の大きさは、その上方から形成されるＥＬ層１０５の厚さと同程度か、それ以上をなしていることが好ましい。ここで、凹凸形状の起伏の大きさとは、表面の隣接する凸部と凹部において、最もせり出した高さと最も窪んだ高さの差のうち、表面全体にわたって最も大きい差のことをいう。
【００４８】
接続電極層１１１がその表面にこのような大きな起伏を有することにより、その上方から成膜されるＥＬ層１０５が物理的に分断される領域が形成されやすくなり、さらにその上方から成膜される上部電極層１０７が接続電極層１１１と物理的に接触する領域を形成することができる。また、接続電極層１１１の表面積を増大させることができるため、後に行われる接続電極層１１１と上部電極層１０７との接続処理によってこれらの接触面積を増大させ、これらの接触抵抗を効果的に低減させることができる。また、後の接続処理によって接続電極層１１１の表面の一部を融解させて上部電極層１０７との電気的接続を図る場合には、その表面の凸部が効率的に融解しやすくなるため好ましい。
【００４９】
上記のような凹凸形状を有する接続電極層１１１は、スクリーン印刷法などの印刷法を用いて形成することが好ましい。印刷法に用いられる導電性ペーストは、導電性粒子と有機樹脂及び有機溶媒を含み、熱処理によって当該有機溶媒を蒸発させると共に有機樹脂の一部が分解され、導電性粒子同士が融着して導電性の構造物が形成される。導電性ペーストに含まれる有機樹脂の材料や導電性粒子の粒径によっては、形成される構造物はポーラス状（多孔質状）となり、その表面に起伏の大きな凹凸形状が形成される。このように、スクリーン印刷法などの印刷法を用いて形成することにより、表面に起伏の大きな凹凸形状を有する接続電極層１１１を形成することができる。
【００５０】
また印刷法以外の接続電極層１１１の形成方法としては、スパッタリング法や蒸着法などの成膜方法によって導電膜を形成した後、不要な部分の膜をエッチングして絶縁層１０９上に接続電極層１１１のパターンを形成する。その後、当該接続電極層１１１の表面にスリット状、格子状、若しくはドット状にレジストを形成して導電膜が消失しない程度にハーフエッチングすることにより、接続電極層１１１の表面に凹凸形状を形成してもよい。また、接続電極層１１１の表面にプラズマ処理やブラスト処理、逆スパッタリング処理などを施すことにより凹凸形状を形成してもよい。
【００５１】
なお、本明細書に用いる図面においては、ＥＬ層１０５及び上部電極層１０７の厚さを明瞭化のため厚く明示している。
【００５２】
続いて、下部電極層１０３の露出した部分、及び接続電極層１１１上にＥＬ層１０５及び上部電極層１０７を形成する（図１（Ｃ）参照）。
【００５３】
ＥＬ層１０５は、少なくとも発光性の有機化合物を含む層（発光層ともいう）を有し、例えば真空蒸着法を用いてＥＬ層１０５を形成することができる。真空蒸着法でＥＬ層１０５を形成する場合には、ＥＬ層１０５が非成膜領域（基板１０１外周部や、シール材１２３が設けられる領域と重なる領域など、発光領域よりも十分に離れた領域）に成膜されないように遮蔽マスクを用いて成膜することが好ましい。このような遮蔽マスクは、発光領域よりも十分に離れた領域に開口端を有する。ＥＬ層１０５に用いることのできる構成については、実施の形態５で説明する。なお、ＥＬ層１０５の真空蒸着法以外の形成方法としては、インクジェット法などの液滴吐出法、塗布法などが挙げられる。
【００５４】
ここで、ＥＬ層１０５の形成時にＥＬ層１０５が局所的に成膜されない、又は薄く形成されてしまう領域が生じる場合がある。例えば、成膜に用いる真空蒸着装置の内壁や、成膜時に用いる遮蔽マスクなどに付着していた異物が基板１０１上に付着してしまうことが原因として挙げられる。ＥＬ層１０５として複数の膜を連続的に成膜して形成する場合には、成膜途中で当該異物が移動または消失してしまうと、局所的に薄いＥＬ層１０５が成膜される領域が形成される。このようなＥＬ層１０５が薄い領域では、他の領域に比べて膜厚方向の電気抵抗が低いために、多くの場合発光素子の上下の電極層に電圧を印加した際に電流が薄い領域に集中し、発光強度の高い輝点の不良として観測される。また、薄い領域において、他の領域よりも多くの電流が流れるために、ショート不良を引き起こしてしまう恐れもある。なお、当該異物は下部電極層１０３上に残存している場合もある。
【００５５】
本実施の形態では、このような局所的にＥＬ層１０５が薄い領域（領域１２５）が形成される場合について説明する。
【００５６】
続いて、ＥＬ層１０５上に上部電極層１０７を形成する。上部電極層１０７は、スパッタリング法、真空蒸着法などの成膜方法により導電膜を成膜することで形成することができる。また、上部電極層１０７は、ＥＬ層１０５の成膜時と同じ遮蔽マスクを用いて形成することができる。同じ遮蔽マスクを用いることにより、遮蔽マスクの共有化ができ、遮蔽マスクを入れ替える際に生じる不具合を抑制することができるため好ましい。
【００５７】
ここで、接続電極層１１１の表面に凹凸形状が形成されている場合には、ＥＬ層１０５は当該凹凸形状の起伏の大きさに比べて十分膜厚が薄いため、段差によって膜が分断され、接続電極層１１１の表面の一部が露出する領域が生じる。さらにその上方から成膜される上部電極層１０７が当該接続電極層１１１の表面の一部と接触することにより電気的に接続される領域が生じる。
【００５８】
この段階で、基板１０１上に下部電極層１０３、ＥＬ層１０５、及び上部電極層１０７が積層された発光素子が形成される。
【００５９】
続いて、基板１０１と対向基板１２１とをシール材１２３を用いて貼り合わせを行う（図１（Ｄ）参照）。本実施の形態では、シール材１２３として、熱硬化型の材料を用いる。まず、基板１０１又は対向基板１２１の外周部にシール材１２３を形成し、基板１０１と対向基板１２１を貼り合わせた後に減圧下で熱をかけながら真空圧着を行う。この工程により、シール材１２３は熱硬化して基板１０１と対向基板１２１とが接着される。シール材１２３の形成は、スクリーン印刷などの印刷法、又はインクジェット法、ディスペンス法などによって形成する。
【００６０】
次に、上部電極層１０７と接続電極層１１１とが重なる領域に、対向基板１２１を介してレーザ光１３１を照射し、上部電極層１０７と接続電極層１１１とを確実に電気的に接続する（図２（Ａ）参照）。
【００６１】
レーザ光１３１は、その一部が少なくとも対向基板１２１を透過する波長を有する光を用いる。また、レーザ光１３１として、少なくとも接続電極層１１１、上部電極層１０７、またはＥＬ層１０５のいずれかによって吸収される波長を有する光を用いる。レーザ光１３１の強度としては、接続電極層１１１、上部電極層１０７、及びＥＬ層１０５が消失してしまわない程度の強度であることが好ましい。
【００６２】
レーザ光１３１を照射することにより、接続電極層１１１の表面に接して接続部１３３が形成され、当該接続部１３３を介して接続電極層１１１と上部電極層１０７が電気的に接続される（図２（Ｂ）参照）。
【００６３】
ここで、レーザ光１３１の照射領域において、接続電極層１１１と上部電極層１０７とを電気的に接続する接続部１３３の形態としては、例えば、接続電極層１１１と上部電極層１０７の一部が融解して融着、又は合金化し、電気的に接続されていることが好ましい。これらの一部が融着、好ましくは合金化することにより、接触抵抗を低減することができ、さらに機械的な強度を高めることができる。なお、必ずしもこれらが融着、または合金化する必要は無く、例えばＥＬ層１０５が熱により溶解、または一部が消失し、接続電極層１１１の表面と上部電極層１０７とが物理的に接触することにより電気的に接続されていてもよい。また、ＥＬ層１０５が上部電極層１０７と共に消失（アブレーションともいう）してしまう程度にレーザ光１３１の強度が高い場合であっても、レーザ光１３１の照射領域内における照射されない領域に近い外周付近において、接続電極層１１１と上部電極層１０７とが接触、融着、又は合金化し、電気的に接続している場合がある。
【００６４】
なお明瞭化のため、以降で用いる図面においては図２（Ｂ）に示すように、接続電極層１１１上に当該接続電極層１１１と上部電極層１０７とに接触する接続部１３３が形成されている形態として明示することとする。接続部１３３の態様としては、上述のように、接続電極層１１１と上部電極層１０７との融着部、合金化した領域、又はこれらの物理的な接触部が挙げられ、当該接続部１３３を介して上部電極層１０７と接続電極層１１１とが電気的に接続する。
【００６５】
ここで、接続電極層１１１上のＥＬ層１０５と上部電極層１０７がレーザ光１３１の照射によってアブレーションさせた場合の、接続部の構成例を図４に示す。図４において、レーザ照射領域１３２の接続電極層１１１上のＥＬ層１０５と上部電極層１０７が消失している。ここで、レーザ照射領域１３２の外周部の一部の領域において、上部電極層１０７と接続電極層１１１が物理的に接触する接続部１３４が形成されている。このような接続部１３４によって、上部電極層１０７と接続電極層１１１とが電気的に接続されている。
【００６６】
レーザ光１３１は、接続電極層１１１に沿って走査させながら照射することができる。ここで、図３を用いてレーザ光１３１の照射方法について説明する。図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、レーザ光１３１の照射工程における接続電極層１１１に沿った断面概略図である。
【００６７】
図３（Ａ）は対向基板１２１を介してレーザ光１３１を接続電極層１１１に沿って走査しながら連続的に照射している様子を示している。レーザ光１３１を照射することにより、接続電極層１１１と上部電極層１０７とが確実に電気的に接続される接続部１３３が形成される。このように、連続的にレーザ光１３１を照射することにより、接続部１３３の面積を増大させることができるため、接続電極層１１１と上部電極層１０７との接触抵抗を極めて低減することができる。
【００６８】
また、図３（Ｂ）のように、レーザ光１３１を断続的に照射することもできる。レーザ光１３１を断続的に照射することにより、照射時間を低減することができるため、基板１０１に大型の基板を用いた場合でも、レーザ照射装置への負荷を低減でき、また工程時間を短縮することができる。
【００６９】
接続電極層１１１上のレーザ光１３１を照射した領域は、レーザ光１３１を照射していない領域と比較して光学特性が変化する場合がある。例えば、レーザ光１３１によってＥＬ層１０５の一部が蒸発し薄膜化することにより、光反射率や光透過率が変化する。ここで例えば光学顕微鏡などで観察することにより、このような光学特性の変化からレーザ光１３１が照射された領域を特定することが出来る。この他の光学特性の変化の要因としては、例えば、上部電極層１０７とＥＬ層１０５の両方又はいずれかが蒸発、消失、薄膜化することや、これらの両方又はいずれかがレーザ光１３１の照射エネルギーによって変質してしまうことなどが挙げられる。
【００７０】
本実施の形態で例示した発光装置の作製方法によれば、レーザ光１３１の照射工程は、基板１０１と対向基板１２１とを貼り合わせた後に行うことが出来る。したがって、当該レーザ光１３１の照射工程を大気雰囲気下で行っても発光素子への水分や酸素などの不純物の浸入の恐れが無く、簡便に処理を行うことが出来る。また、レーザ光１３１の照射を大気中で行うことが可能となるため、レーザ光１３１の照射装置の構成を簡略化できる。
【００７１】
なお、本実施の形態では、接続電極層１１１は下部電極層１０３上に絶縁層１０９を介して形成する構成としたが、接続電極層１１１と下部電極層１０３とが電気的に絶縁されていればよい。例えば、下部電極層１０３に開口部を設け、当該開口部に下部電極層１０３と接しない接続電極層１１１を形成する構成としてもよい。
【００７２】
以上の工程により、上部電極層１０７と接続電極層１１１とが確実に電気的に接続される接続部１３３を有する発光装置１００を形成することができる（図２（Ｂ）参照）。ここで接続電極層１１１は、上部電極層１０７の導電性を補助するための補助電極層として機能する。したがってこのような方法により作製された発光装置１００は、上部電極層１０７の抵抗に起因した電圧降下による発光不良が低減され、輝度ムラが抑制された信頼性の高い発光装置とすることが出来る。
【００７３】
ここで、発光装置を駆動させ発光部の発光不良箇所を特定し、さらに当該発光不良箇所の絶縁化を行うこともできる。以下では、発光装置１００に対して発光不良箇所の特定とその絶縁化を行う工程について説明する（図２（Ｃ）参照）。
【００７４】
発光装置を駆動させて、すなわち上部電極層１０７と下部電極層１０３との間に電圧を印加し、発光部を発光させることにより、他の領域よりも発光強度の高い輝点の不良や、発光しない暗点の不良を観測することができる。例えば領域１２５では、ＥＬ層１０５が他の領域よりも薄く形成されているため、当該領域に発光層が残存している場合には輝点の不良として観測することが出来る。
【００７５】
発光不良箇所の特定には、目視、若しくは光学顕微鏡による観察や、可視光または赤外光を観測可能な撮像装置などの観測方法を適用できる。目視で確認しづらい場合でも、電流が大きい領域では発熱が大きい場合があるため、当該発熱によって発生する赤外光の観測も有効である。特に発光強度に明確な差がないような潜在的な不良に対しては、他の領域に比べて電流値が比較的高いため、赤外光の観測により検出しやすくなる。
【００７６】
また、発光部を発光させる際に、発光部に印加する電圧に対する電流値を測定しておくことが好ましい。想定される以上の電流が流れている場合には、発光部のいずれかの箇所にショート、又はＥＬ層１０５の薄い箇所を有している可能性が高いため、不良の有無の判断がしやすくなる。特に上述のような潜在的な不良を有している場合には、可視光を観測した際にみられる輝度の違いにより不良の有無を判断しづらいため、測定した電流値から不良の有無を判断することは特に有効である。
【００７７】
このようにして、発光不良箇所の特定を行った後に、当該発光不良箇所に対してレーザ光を照射し不良を絶縁化する。具体的には、レーザ光を照射して不良が発生している領域の上部電極層１０７、又は上部電極層１０７及びＥＬ層１０５の２層、若しくは上部電極層１０７、ＥＬ層１０５及び下部電極層１０３の３層を除去して絶縁化させる。
【００７８】
上記で観測された発光不良を含む領域１２５に対して、選択的にレーザ光１３５を照射することにより、発光不良箇所を絶縁化する。
【００７９】
レーザ光１３５を照射することにより、発光不良箇所の少なくとも上部電極層１０７を除去することができる。なお、使用するレーザ光１３５の波長やエネルギー密度によっては上部電極層１０７に加えてＥＬ層１０５、又はＥＬ層１０５及び下部電極層１０３も同時に除去される。
【００８０】
図２（Ｄ）に発光不良が絶縁化された後の発光装置１００の概略図を示す。図２（Ｄ）に示す発光不良にレーザ光１３５が照射された領域１２７は、ＥＬ層１０５及び上部電極層１０７が除去され、絶縁化された状態となっている。
【００８１】
このように、発光不良箇所の絶縁化工程においても、基板１０１と対向基板１２１とを貼り合わせた後に行うことが出来るため、大気雰囲気中で簡便に絶縁化工程を行うことが出来る。また、レーザ光１３５の照射を大気中で行うことが可能となるため、レーザ光１３５の照射装置の構成を簡略化できる。
【００８２】
また、その後、対向基板１２１の基板１０１と対向しない面に、発光を拡散するためのレンズアレイを形成してもよい。当該レンズアレイは、レンズアレイが形成されたシートを貼り付けることにより形成することができる。当該シートは高屈折率な材料で構成されていることが好ましい。レンズアレイを光射出側に設けることにより、不良が絶縁化され、暗点として観測される領域は、当該レンズアレイによって拡散される他の領域からの発光によって目立たなくなる効果を奏する。
【００８３】
以上の工程により、上部電極層１０７と接続電極層１１１とが確実に電気的に接続され、且つ発光不良が低減された発光装置１００を作製することができる（図２（Ｄ）参照）。このような方法により作製された発光装置１００は、上部電極層１０７の抵抗に起因した電圧降下による発光不良が低減され、輝度ムラが抑制された信頼性の高い発光装置とすることが出来る。さらに、事前に発光不良や潜在的な不良が低減されているため、極めて信頼性の高い発光装置１００とすることができる。
【００８４】
＜材料及び形成方法について＞
ここで、各構成に用いることのできる材料と、その形成方法について説明する。なお、材料については以下に限られず、同様の機能を有する材料であれば適宜用いることができる。
【００８５】
［基板］
光射出側に設けられる基板の材料としては、ガラス、石英、有機樹脂などの透光性を有する材料を用いることができる。また光射出とは反対側に設けられる基板の場合は、透光性を有していなくともよく、上記の材料に加え金属、半導体、セラミック、有色の有機樹脂などの材料を用いることができる。導電性の基板を用いる場合、その表面を酸化させる、若しくは表面に絶縁膜を形成することにより絶縁を持たせることが好ましい。
【００８６】
金属や合金などの導電性の基板の表面を絶縁処理する方法としては、陽極酸化法や電着法などがある。例えば基板としてアルミニウム基板を用いた場合、陽極酸化法により表面に形成される酸化アルミニウムは絶縁性が高いため、薄く形成できるため好ましい。また、電着法ではポリアミドイミド樹脂やエポキシ樹脂などの有機樹脂を基板表面に形成することができる。このような有機樹脂は絶縁性が高く、可撓性を有しているため、基板を曲げて使用した場合であっても表面にクラックが発生しにくいため好ましい。また、耐熱性の高い材料を選択して用いると、発光装置を駆動させたときに発生する熱で基板表面が変形してしまうことを抑制できる。
【００８７】
基板として有機樹脂を用いる場合、有機樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、またはポリ塩化ビニル樹脂などを用いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜた基板を使用することもできる。
【００８８】
特に、上面発光型の発光装置の場合、発光素子が形成される光射出とは反対側の基板には金属や合金などの熱伝導性の高い基板を用いることが好ましい。発光素子を用いた大型の照明装置の場合、発光素子からの発熱が問題となる場合があるため、このような熱伝導性の高い基板を用いると放熱性が高まる。例えば、ステンレス基板のほかに、アルミニウム酸化物、ジュラルミンなどを用いると、軽量且つ放熱性を高めることができる。また、アルミニウムとアルミニウム酸化物との積層、ジュラルミンとアルミニウム酸化物との積層、ジュラルミンとマグネシウム酸化物との積層などを用いると、基板表面を絶縁性とすることができるため好ましい。
【００８９】
［発光素子］
光射出側の電極層に用いることができる透光性を有する材料としては、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ、酸化インジウム酸化亜鉛、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、グラフェンなどを用いることができる。
【００９０】
また、上記電極層として、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又はチタン等の金属材料や、これらの合金を用いることができる。または、それら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等を用いてもよい。なお、金属材料（又はその窒化物）を用いる場合、透光性を有する程度に薄くすればよい。
【００９１】
また、上記材料の積層膜を電極層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金と酸化インジウム酸化スズとの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。
【００９２】
光射出側の電極層の膜厚は、例えば５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、好ましくは８０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下、さらに好ましくは１００ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。
【００９３】
ＥＬ層は、少なくとも発光性の有機化合物を含む層を有する。そのほか、電子輸送性の高い物質を含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）を含む層等を適宜組み合わせた積層構造を構成することができる。
【００９４】
なお、本発明の一態様では、上部電極層と下部電極層との間に、複数のＥＬ層が設けられた発光素子（タンデム型発光素子）を適用することができる。好ましくは、２〜４層（特に３層）構造とする。また、これらのＥＬ層の間に電子輸送性の高い材料や正孔輸送性の高い材料などを含む中間層を有していても良い。ＥＬ層の構成例は実施の形態５で詳細に説明する。
【００９５】
光射出とは反対側に設けられる電極層は、反射性を有する材料を用いて形成される。反射性を有する材料としては、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料を用いることができる。そのほか、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金などのアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）や銀と銅の合金、銀とマグネシウムの合金などの銀を含む合金を用いることもできる。銀と銅の合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜、又は金属酸化物膜を積層することでアルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、電極層の材料としてアルミニウムを用いることもできるが、その場合には酸化インジウム酸化スズなどと直接接して設けるとアルミニウムは腐食する恐れがある。よって、電極層を積層構造とし、酸化インジウム酸化スズなどと接しない層にアルミニウムを用いればよい。
【００９６】
なお、発光素子に用いられる導電膜は、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などの成膜方法により形成することができる。また、ＥＬ層は蒸着法などの成膜方法や、インクジェット法などにより形成できる。
【００９７】
［絶縁層］
絶縁層に用いられる材料としては、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、エポキシ等の有機樹脂や、無機絶縁材料を用いることができる。また形成方法は特に限定されないが、スパッタ法、蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷等）などを用いればよい。
【００９８】
また絶縁層には乾燥剤が含まれていても良い。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸収する物質を用いることができる。その他の乾燥剤として、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。
【００９９】
［接続電極層］
接続電極層をスクリーン印刷などの印刷法で形成する場合には、粒径が数ｎｍから数十μｍの導電性粒子を有機樹脂に溶解または分散させた導電性ペーストを選択的に印刷する。導電性粒子としては、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）およびチタン（Ｔｉ）等のいずれか一つ以上の金属粒子やハロゲン化銀の微粒子、または分散性ナノ粒子を用いることができる。また、導電性ペーストに含まれる有機樹脂は、金属粒子のバインダー、溶媒、分散剤および被覆材として機能する有機樹脂から選ばれた一つまたは複数を用いることができる。代表的には、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の有機樹脂が挙げられる。また、接続電極層の形成にあたり、導電性ペーストを印刷した後に焼成することが好ましい。
【０１００】
また、導電膜をスパッタリング法やＣＶＤ法などの成膜方法で成膜した後に、選択的にエッチングして接続電極層を形成する場合では、導電膜としては上記発光素子に用いられる導電性の材料を適宜用いることができる。また、接続電極層をめっき法により形成してもよい。
【０１０１】
［シール材］
シール材としては公知の材料を用いることができる。例えば、熱硬化型の材料、紫外線硬化型の材料を用いても良い。また二液混合型のエポキシ樹脂などを用いることができる。またシール材はその接着部位によって、無機材料同士、有機材料同士、又は無機材料と有機材料とを接着することができる材料を用いる。またシール材に用いる材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。
【０１０２】
また、シール材として、ガラス粒子が分散された有機樹脂や、極めて薄いガラス薄膜を用い、基板と対向基板との間に挟持した後にレーザ処理によって当該材料を溶解させて基板同士を接着させてもよい。また、レーザ処理を行う前に熱処理により仮接着を行っても良い。このようにガラスを用いて接着された接合部は、水分や酸素などの不純物を透過しにくいため、信頼性のよい発光装置を実現できる。
【０１０３】
またシール材には乾燥剤が含まれていても良い。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸収する物質を用いることができる。その他の乾燥剤として、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。
【０１０４】
シール材は、スクリーン印刷などの印刷法、インクジェット法、ディスペンス法などによって形成することができる。
【０１０５】
＜レーザ照射機構について＞
ここで、レーザ光１３１又はレーザ光１３５の照射機構と、発光不良箇所の特定機構とを備えた装置構成の一例について、図５を用いて説明する。本構成では、レーザ光を選択的に照射できると共に、基板上に設けられた発光素子に電圧を印加し、その際に発光素子に流れる電流を測定し、同時に発光素子からの発光をエミッション顕微鏡を用いて観測して発光不良箇所を特定できる構成について説明する。
【０１０６】
なお、図５には明瞭化のため、基板２０１、対向基板２０２、基板２０１上に設けられた発光素子２０３及び素子に電圧印加を行うための電極２０７を模式的に図示している。なお、実際には電極２０７として、少なくとも発光素子の上部電極層及び下部電極層に電気的に接続する２つの電極が配置されている。
【０１０７】
発光素子２０３が設けられた基板２０１は、ステージ２１５に備えられている。また基板２０１に設けられた電極２０７は、ソースメータ２１３を介して外部電源２１１に電気的に接続されている。したがって、基板２０１上に形成された発光素子は外部電源２１１によって発光させることができる。またその際にソースメータ２１３によって発光素子２０３に流れる電流値を測定する。
【０１０８】
エミッション顕微鏡２２５は、カメラ２１９、画像処理機構２２１、及び表示装置２２３を有する。エミッション顕微鏡２２５に搭載されたカメラ２１９によって、発光素子からの発光における光子（Ｐｈｏｔｏｎ）数の分布を観察し、画像処理機構２２１を介してその結果を表示装置２２３に出力することができる。
【０１０９】
カメラ２１９の構成としては、超高感度カメラ（フォトンカウンティングカメラ）を具備した光学顕微鏡などを用いることができる。ここで検出された発光は、映像信号として画像処理機構２２１に取り込まれ、画像処理を施されて表示装置２２３に表示される。このとき、あらかじめ撮影しておいた基板２０１上のパターン像と検出された発光の画像とを重ね合わせることにより、発光箇所を特定することが出来る。例えば、表示装置２２３には、発光素子２０３が有する発光不良箇所の発光の光子数の分布として色表示されるため、他の領域と異なる色表示がなされたところが発光不良箇所であるとして、その位置の特定が可能となる。
【０１１０】
輝点や暗点などの可視光で検知可能な発光不良に関しては、可視光の領域の発光の光子数の分布を検知することにより、発光不良箇所を特定することが出来る。
【０１１１】
また一般的に、電極間のショートによる電流のリークが生じたときには、可視光から赤外光に及ぶ広い連続スペクトルの発光が検出されることが知られている。本発明の一態様で用いる超高感度カメラ（フォトンカウンティングカメラ）は、Ｓｉを含む結晶がそのバンドギャップエネルギーに相当する波長よりも長波長の赤外光を透過する現象を利用して観測するため、ショートによる発光不良箇所を特定することが出来る。
【０１１２】
エミッション顕微鏡２２５は、ステージ２１５を動かすための位置合わせ機構２１７と接続されており、ステージ２１５を動かしながら基板２０１を観測することにより被照射領域２０５の位置を特定する。また、位置合わせ機構２１７は、特定された被照射領域２０５の位置データを元に被照射領域２０５がレーザ光２３５を照射される位置にステージ２１５を移動させる。ここで被照射領域とは、例えば接続電極層１１１と重なる領域や、検出された発光不良箇所を含む領域のことを指す。
【０１１３】
レーザ装置２３３は、接続電極層１１１と上部電極層１０７とを電気的に接続するためのレーザ光や、発光不良箇所を絶縁化させるレーザ光を発振することが出来る装置である。これらに異なる波長のレーザ光を用いる場合は、レーザ装置２３３に複数のレーザ光源を配置し、必要に応じて照射するレーザ光の波長を切り替える機構を有していても良い。複数のレーザ光源を備えることにより、接続電極層１１１へのレーザ光の照射工程と発光不良箇所への照射工程の２つの工程で装置を共有化できるため好ましい。
【０１１４】
レーザ装置２３３の有するレーザ光源としては、用途に応じて適当な波長を出力するレーザ光源を用いればよいが、例えばＡｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、上記固体レーザから発振される第２高調波や第３高調波、さらに高次の高調波を用いることもできる。なお、レーザ媒体が固体である固体レーザを用いると、メンテナンスフリーの状態を長く保てるという利点や、レーザ光の出力が比較的に安定している利点を有している。また、ナノ秒、ピコ秒、フェムト秒等の短時間のパルスレーザが本工程に適している。短時間のパルスレーザを用いると、多光子吸収現象を引き起こす高密度のエネルギーを被照射領域２０５に与えることができる。
【０１１５】
続いて、上記構成を用いて被照射領域２０５の位置を特定し、レーザ光２３５を照射する方法について説明する。
【０１１６】
基板２０１上の接続電極層１１１のパターンや発光素子２０３からの発光２０９は、シャッター２３１ａが開くと集光レンズ２２７、ハーフミラー２２９、及びシャッター２３１ａを介してエミッション顕微鏡２２５内のカメラ２１９によって検出され、その検出結果は画像処理機構２２１を介して表示装置２２３に表示される。このとき、シャッター２３１ｂは閉じている。
【０１１７】
発光素子２０３を発光させて発光不良箇所を特定する場合には、外部電源２１１から電極２０７を介して発光素子２０３の上下電極層間に電圧を印加して発光させればよい。またこの際、ソースメータ２１３で発光素子２０３に流れる電流を測定する。
【０１１８】
被照射領域２０５の位置を特定すると、位置合わせ機構２１７によってステージ２１５を、被照射領域２０５がレーザ照射される位置になるように移動する。
【０１１９】
続いて、シャッター２３１ａを閉じ、シャッター２３１ｂを開いて、レーザ装置２３３からレーザ光２３５を発振する。レーザ光２３５は、ハーフミラー２２９、集光レンズ２２７を介して基板２０１上の被照射領域２０５に照射される。
【０１２０】
また基板上のパターンに沿ってレーザ光２３５を走査させる場合には、ステージ２１５を動かしながらレーザ光２３５を照射すればよい。その際の走査速度は、レーザ光２３５の波長や強度に応じて適宜調整すればよい。
【０１２１】
以上のようにして位置が特定された被照射領域２０５に対してレーザ光２３５を照射することができる。したがって、接続電極層１１１と上部電極層１０７とを電気的に確実に接続する、または発光不良箇所の絶縁化を行うことができる。
【０１２２】
ここで、対向基板２０２を介してレーザ光２３５を照射する際には、対向基板２０２及びその表面に焦点が合わないように（デフォーカス）して照射を行う。さらに、接続電極層１１１上にレーザ光２３５を照射する場合には、少なくとも接続電極層１１１に重なる領域に焦点が合うようにしてレーザ光２３５の照射を行う。また、発光不良箇所にレーザ光２３５を照射する場合には、発光不良箇所における上部電極層１０７、ＥＬ層１０５又は下部電極層１０３のいずれかに焦点が合うようにしてレーザ光２３５を照射する。
【０１２３】
また、接続電極層１１１上にレーザ光２３５を照射した後に、再度発光素子２０３を発光させて発光が正常であるかを観測してもよい。接続電極層１１１と上部電極層１０７との電気的な接続が不十分である場合には、発光素子の輝度ムラとして観測されるため、再度レーザ照射を行えばよい。
【０１２４】
また、レーザ光２３５を照射して発光不良箇所の絶縁化を行った後に、ソースメータ２１３によって発光素子２０３に流れる電流を再度測定すると共に発光を確認してもよい。照射前後の電流を比較することにより、絶縁化が正常に行われていることを確認することが出来る。
【０１２５】
なお、発光不良箇所の特定とその絶縁化工程に用いない場合は、外部電源２１１、ソースメータ２１３を設けない構成とし、またカメラ２１９として光学顕微鏡のみを有する簡易な構成としてもよい。
【０１２６】
なお、レーザ光２３５を照射して発光不良箇所を絶縁化させる方法としては、下部電極層、または上部電極層を構成する材料をレーザ光２３５の照射により酸化物にすることで発光不良箇所を絶縁化させる、またはレーザ光２３５の照射により発光不良箇所を物理的に引き離すことにより絶縁化させる方法などがある。本発明の一様態においては、レーザ光２３５の出力を調節することによりいずれの絶縁化も可能である。
【０１２７】
また、レーザ光２３５を照射して接続電極層１１１と上部電極層１０７とを電気的に接続する場合、レーザ光２３５のビーム径は接続電極層１１１のパターン幅に対して５０％以上、好ましくは６０％以上９５％以下の径とすることが好ましい。ビーム径を大きくすることにより、一度の照射で形成できる接続部１３３の面積を大きくすることが出来るため、照射工程にかかる時間を短縮しつつ、接続電極層１１１と上部電極層１０７との接触抵抗を低減することができる。
【０１２８】
また、レーザ光２３５を照射して発光不良箇所の絶縁化を行う場合、発光不良箇所以外の正常な領域までも破壊されるなど、周辺部への影響が出来るだけ小さくなるようにレーザ光２３５の出力や照射時間を調整することが必要である。また、本発明の一様態に用いるレーザ光２３５のビーム径は、照射する発光不良箇所の径よりも大きい方が好ましく、具体的には１．０〜３．０μｍであるのが望ましい。ビーム径よりも発光不良箇所の径が大きい場合は、ステージ２１５を動かしながら複数回レーザ光２３５の照射を行う。
【０１２９】
以上がレーザ光を照射する機構とその方法の一例の説明である。
【０１３０】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１３１】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１とは異なる発光装置の作製方法の例について、図６及び図７を用いて説明する。なお、実施の形態１と重複する内容については説明を省略するか、簡略化して説明するものとする。
【０１３２】
＜作製方法例＞
まず、実施の形態１と同様に、基板１０１上に下部電極層１０３、絶縁層１０９及び１１３、接続電極層１１１、ＥＬ層１０５、並びに上部電極層１０７を順に形成する（図６（Ａ）参照）。なお、ここではＥＬ層１０５が局所的に薄く形成された領域１２５が形成されているとする。
【０１３３】
続いて、接続電極層１１１と重なる領域に対してレーザ光１３１を照射し、接続電極層１１１と上部電極層１０７とを電気的に接続する。レーザ光１３１の照射は、実施の形態１で例示した方法を用いればよい。
【０１３４】
ここで、本実施の形態では基板１０１と対向基板１２１を貼り合わせる工程よりも前に、接続電極層１１１と上部電極層１０７とを接続する工程を設ける。したがって、これらを接続する方法として、レーザ光１３１の照射以外の方法を適用することが出来る。
【０１３５】
レーザ光１３１の照射以外の接続方法の一例として、図７に超音波振動と熱を加えながら圧着することにより、接続電極層１１１と上部電極層１０７とを電気的に接続する様子について示す。
【０１３６】
プローブ１４１は、曲率を有する先端部を有し、当該先端部を加熱することができる。さらに、プローブ１４１は超音波振動を印加することができる。
【０１３７】
加熱されたプローブ１４１の先端を接続電極層１１１と重なる領域における上部電極層１０７に上方から接触させ、圧力を加えることにより、上部電極層１０７と接続電極層１１１とが圧着され、電気的に接続される。さらに、超音波振動を加えることにより、より効果的に接合しやすくなる。
【０１３８】
このようにプローブ１４１を用いて圧着することにより、接続電極層１１１と上部電極層１０７とが確実に電気的に接続される接続部１３３が形成される。
【０１３９】
プローブ１４１を接続電極層１１１に沿って走査させながら圧着してもよいし、接続電極層１１１と重なる複数の領域に断続的に圧着を行っても良い。また、複数のプローブ１４１を用いて同時に複数の領域に対して圧着を行っても良い。
【０１４０】
なお、上記では超音波振動と熱を加えながら圧着する構成について例示したが、超音波振動のみ、又は熱のみを加えながら圧着してもよいし、圧力のみを加えて圧着してもよい。
【０１４１】
また、プローブ１４１の代わりにナイフ形状の構造物を用いて、接続電極層１１１に沿って線状に圧着してもよい。ナイフ形状とすると、一度に処理できる面積を増加させることができるため、工程時間を短縮することが出来る。
【０１４２】
続いて、発光素子の上下電極層間に電圧を印加し、発光不良箇所を特定した後に当該発光不良箇所を絶縁化する工程を追加してもよい（図６（Ｃ）参照）。当該工程は、実施の形態１で例示した方法を適用できる。
【０１４３】
なお、接続電極層１１１と上部電極層１０７とを電気的に接続する工程や、発光不良箇所の特定及び絶縁化を行う工程は、上部電極層１０７を形成後、大気に曝すことなく減圧下、又は不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
【０１４４】
続いて、基板１０１と対向基板１２１との貼り合わせを行う。本実施の形態では、基板１０１と対向基板１２１との間に封止材を設ける構成について説明する。
【０１４５】
まず、基板１０１又は対向基板１２１上に封止材１４３とシール材１２３をそれぞれ形成する。
【０１４６】
封止材１４３としては、発光素子の発光に対する透光性を有する、無機材料、有機材料、又は無機材料と有機材料とを組み合わせた材料、又はこれらの積層を適宜用いることができる。また封止材１４３は、発光に対する屈折率が調整されていることが好ましい。また封止材１４３は上記シール材と同様、水分や酸素を透過しない材料であることが好ましい。また、封止材１４３とシール材１２３とに同じ材料を用いても良い。
【０１４７】
また封止材の形成方法としては、スパッタリング法、ＣＶＤ法などの成膜方法のほか、シール材と同様の印刷法や塗布法によって形成することができる。
【０１４８】
続いて、基板１０１と対向基板１２１とを貼り合わせた後、減圧下において熱をかけながら真空圧着を行う。この工程により、封止材１４３及びシール材１２３は熱硬化して基板１０１と対向基板１２１とが接着する。
【０１４９】
ここで、発光不良箇所の絶縁化を行った場合には、絶縁化箇所に封止材１４３を満たすことができる。そのため、当該絶縁化箇所において上部電極層１０７と下部電極層１０３とが再度接触し、ショートしてしまうような不具合を抑制できる。また、当該絶縁化箇所において露出したＥＬ層１０５の一部に封止材１４３が接して設けられることにより、当該絶縁化箇所からの不純物の侵入が抑制され、信頼性の高い発光装置とすることができる。
【０１５０】
以上の工程により、発光装置１５０を作製することができる（図６（Ｄ）参照）。上記作製方法によって作製された発光装置１５０は、上部電極層１０７の導電性が補助され、且つ発光不良が事前に低減された、信頼性の高い発光装置１５０とすることができる。
【０１５１】
その後、対向基板１２１の基板１０１と対向しない面に、発光を拡散するためのレンズアレイを形成してもよい。レンズアレイを光射出側に設けることにより、不良が絶縁化され、暗点として観測される領域は、当該レンズアレイによって拡散される他の領域からの発光によって目立たなくなる効果を奏する。
【０１５２】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１５３】
（実施の形態３）
本実施の形態では、上記実施の形態で例示した接続電極層の応用例について図８を用いて説明する。
【０１５４】
＜構成例１＞
図８（Ａ）は、接続電極層１１１を両面射出型の発光装置に適用した例である。
【０１５５】
図８（Ａ）に示す発光装置は、基板１０１上に下部電極層１６３、補助電極層１６５、絶縁層１６７、接続部１３３を有する接続電極層１１１、ＥＬ層１０５、及び上部電極層１０７を有する。
【０１５６】
ここで、下部電極層１６３は、上部電極層１０７と同様にＥＬ層１０５の発光に対して透光性を有する。したがって、ＥＬ層１０５からの発光は、基板１０１側と、基板１０１の表面側との両方向に射出される。
【０１５７】
また、補助電極層１６５は、下部電極層１６３に接して設けられ、下部電極層１６３の導電性を補助する機能を有する。補助電極層１６５は接続電極層１１１と同様の材料により形成することができる。なお、補助電極層１６５は、表面に凹凸形状を有していなくとも良い。
【０１５８】
絶縁層１６７は、補助電極層１６５上に形成され、補助電極層１６５と、接続電極層１１１及び上部電極層１０７とを電気的に絶縁するために設けられる。また、絶縁層１６７の端部は、その上方から成膜されるＥＬ層１０５及び上部電極層１０７が分断しないよう、テーパ形状を有していることが好ましい。絶縁層１６７は、上記実施の形態で例示した絶縁層と同様の材料、方法により形成できる。
【０１５９】
接続電極層１１１は、絶縁層１６７を介して補助電極層１６５上に形成される。また、接続電極層１１１の一部には、上部電極層１０７と電気的に接続される接続部１３３が形成され、接続電極層１１１と上部電極層１０７とは確実に電気的に接続されている。
【０１６０】
なお、本構成では、補助電極層１６５と接続電極層１１１とを重ねて形成する構成を例示したが、補助電極層１６５と接続電極層１１１とが重ならないように設ける構成としてもよい。補助電極層１６５と接続電極層１１１とを重ねて形成することにより、非発光領域の面積を小さくできる。
【０１６１】
このような構成とすることにより、上部電極層１０７の導電性を接続電極層１１１によって、また下部電極層１６３の導電性を補助電極層１６５によって補助することができ、それぞれの電極層の抵抗に起因した輝度ムラが抑制された、両面発光型の発光装置を実現できる。
【０１６２】
＜構成例２＞
図８（Ｂ）は、基板上に設けられた配線１７１と上部電極層１０７とを電気的に接続するために接続電極層１１１を適用した一例である。
【０１６３】
基板１０１上には、下部電極層１０３と同一の膜から形成された配線１７１が形成されている。また配線１７１上に接して、接続部１３３を有する接続電極層１１１が形成されている。
【０１６４】
接続電極層１１１を配線１７１に接して形成することにより、配線１７１上にＥＬ層１０５を介して形成された上部電極層１０７と当該配線１７１とを確実に電気的に接続することが出来る。配線１７１は、例えば上部電極層１０７に外部電源を接続する接続配線などに用いることができる。
【０１６５】
なお、本構成例では配線１７１は下部電極層１０３と同一の膜から形成されるものとしたが、異なる材料や厚さを有する導電膜から形成されていてもよい。その場合、下部電極層１０３に用いる材料よりも抵抗率の低い材料を用いる、又は膜厚を調整して下部電極層１０３よりも低抵抗化された配線１７１とすることが好ましい。
【０１６６】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１６７】
（実施の形態４）
本実施の形態では、上記接続電極層が適用された具体的な発光装置の構成例について、図９乃至図１１を用いて説明する。
【０１６８】
＜構成例１＞
図９（Ａ）は本実施の形態で例示する発光装置３００の上面概略図であり、図９（Ｂ）は図９（Ａ）中の切断線Ａ−Ａ’に沿った断面における断面概略図である。
【０１６９】
上面射出型の発光装置３００は、基板１０１上に下部電極層１０３、ＥＬ層１０５、上部電極層１０７、接続電極層３０１、接続電極層３０３、配線３０７、絶縁層３０９、及び絶縁層３１３を備え、基板１０１と対向基板１２１とがその外周部においてシール材３１１によって接着されている。また、図９（Ａ）には、ＥＬ層１０５と上部電極層１０７とが成膜される成膜領域３０５を点線で示している。ここで、対向基板１２１と重なる基板１０１上の領域を封止領域という。また発光装置３００は、封止領域内部において、封止材３１７が充填されている。さらに、対向基板１２１の基板１０１と対向しない面には、発光領域と重なる位置にレンズアレイ３１５を備える。
【０１７０】
また、発光装置３００は、封止領域内において下部電極層１０３、ＥＬ層１０５、上部電極層１０７が順に積層された発光素子が形成されている。当該発光素子は、下部電極層１０３と上部電極層１０７との間に電圧を印加することにより発光する。
【０１７１】
下部電極層１０３の一部は、封止領域外まで延在して設けられる。また、下部電極層１０３と同一の膜で形成された配線３０７の一部が、上記と同様に封止領域外まで延在して設けられる。また、少なくとも封止領域内において、下部電極層１０３と配線３０７の端部を覆う絶縁層３１３が設けられている。
【０１７２】
レンズアレイ３１５は、発光素子からの発光を拡散するために設けられる。したがって、レンズアレイ３１５によって、発光不良箇所をレーザ照射によって絶縁化された領域や、補助電極層として機能する接続電極層３０３などによる非発光領域を目立たなくする効果を奏する。
【０１７３】
また、発光素子からの発光の全反射を抑制し、発光を効率よく取り出すために、ＥＬ層１０５から遠い膜又は部材ほど屈折率が高くなるよう、上部電極層１０７、封止材３１７、対向基板１２１及びレンズアレイ３１５のそれぞれに用いる材料を選択することが好ましい。また、それぞれの膜又は部材の界面に全反射を抑制するための凹凸形状を設け、当該界面での全反射を抑制する構成としてもよい。
【０１７４】
封止領域内において、配線３０７上面に接して、接続部１３３を具備する接続電極層３０３が設けられ、上部電極層１０７と電気的に接続されている。
【０１７５】
したがって、下部電極層１０３と配線３０７との間に電圧を印加することにより、発光素子を発光させることができる。ここで、下部電極層１０３と配線３０７にはそれぞれ外部電源から電力を供給する電力供給線を電気的に接続することができる。また、例えば外部電源として家庭用電源を用いる場合には、外部電源と発光装置３００との間にＡＣ−ＤＣコンバータを設けて発光装置３００を駆動するための直流電力を発光装置３００に供給する構成としてもよい。また、当該ＡＣ−ＤＣコンバータは基板１０１上に設ける構成とすることが好ましい。
【０１７６】
また、下部電極層１０３上に絶縁層３０９を介して接続部１３３を具備する接続電極層３０１が形成されている。当該接続電極層３０１は、上部電極層１０７の導電性を補助するための補助電極層として機能する。
【０１７７】
ここで、図９（Ａ）内に示す、接続電極層３０１を含む領域Ｂを、対向基板１２１側から光学顕微鏡で観察した場合の観察像の一例について、図１０に示す。なお、ここでは明瞭化のため、レンズアレイ３１５は設けないものとして説明する。図１０（Ａ）は、接続電極層３０１に沿って連続的にレーザ光を照射した場合の観察像の一例であり、図１０（Ｂ）は、接続電極層３０１上に断続的にレーザ光を照射した場合の観察像の一例である。いずれの場合においても、上面射出型の発光装置３００では上部電極層１０７とＥＬ層１０５は透光性を有しているため、下部電極層１０３、絶縁層３０９、及び接続電極層３０１を、上部電極層１０７及びＥＬ層１０５を介して観察することができる。ここで、接続電極層３０１上のレーザ照射領域３１９においては、上述したように光学特性が変化するため、光学顕微鏡を用いて観察した場合には、色目が異なる領域として観測される。
【０１７８】
このような接続電極層３０１及び接続電極層３０３を設けることにより、これらと重なる同じ領域にＥＬ層１０５と上部電極層１０７を形成できるため、複数の島状のパターンを形成するためのメタルマスクを用いることなく発光装置３００を作製することができる。したがって、メタルマスクに起因する不具合が抑制され、信頼性の高い発光装置３００を実現できる。
【０１７９】
さらに補助電極層として機能する接続電極層３０１により、上部電極層１０７の抵抗に起因する発光不良が改善され、且つ発光装置の大型化に適した信頼性の高い発光装置３００とすることができる。
【０１８０】
＜構成例２＞
本構成例で例示する発光装置３５０は、基板１０１上に複数の発光素子を有する発光装置である。図１１（Ａ）は本構成例で例示する発光装置３５０の上面概略図であり、図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）中の切断線Ｃ−Ｃ’に沿った断面の断面概略図である。
【０１８１】
発光装置３５０は３個の発光素子を有する発光装置である。発光装置３５０は基板１０１上に下部電極層１０３ａ、下部電極層１０３ｂ、下部電極層１０３ｃ、ＥＬ層１０５、上部電極層１０７、配線３０７ａ、配線３０７ｂ、配線３０７ｃ、接続電極層３０１、接続電極層３０３、分離層３５１、絶縁層３０９、及び絶縁層３１３を備え、基板１０１と対向基板１２１とがその外周部においてシール材（図示しない）によって接着されている。また、図１１（Ａ）には、ＥＬ層１０５と上部電極層１０７とが成膜される成膜領域３０５を点線で示している。ここで、対向基板１２１と重なる基板１０１上の領域を封止領域という。また発光装置３５０は、封止領域内部において、封止材３１７が充填されている。さらに、対向基板１２１の基板１０１と対向しない面には、発光領域と重なる位置にレンズアレイ３１５を備える。
【０１８２】
発光装置３５０は下部電極層１０３ａを含む第１の発光素子と、下部電極層１０３ｂを含む第２の発光素子と、下部電極層１０３ｃを含む第３の発光素子の３つの発光素子を有する。下部電極層１０３ａ、下部電極層１０３ｂ、及び下部電極層１０３ｃの一部は封止領域外に延在して設けられる。また、配線３０７ａ、配線３０７ｂ及び配線３０７ｃは、封止領域内においてこれらの上面に接してそれぞれ接続部１３３を有する接続電極層３０３が接続されると共に、それらの一部が封止領域外に延在して設けられている。したがって、それぞれの発光素子は、当該発光素子に接続される下部電極層と配線との間に電圧を印加することにより発光する。
【０１８３】
また、下部電極層１０３ａと下部電極層１０３ｂとの間、及び下部電極層１０３ｂと下部電極層１０３ｃとの間には、ＥＬ層１０５及び上部電極層１０７を電気的に分断する分離層３５１が、成膜領域３０５よりも外側に延在して設けられている。
【０１８４】
分離層３５１は絶縁性を有し、その上方から成膜されるＥＬ層１０５及び上部電極層１０７を、当該分離層３５１を境界として物理的に分断するために設けられる。分離層３５１はＴ字形状若しくはその側面が逆テーパ形状を有する形状のように、少なくとも片方の側面が基板１０１と平行にせり出した形状とすることができる。このような形状を有する分離層３５１の上方から膜を成膜すると、その側面のせり出した領域に覆われた領域には膜が成膜されないため、当該分離層３５１を境界として成膜された膜を物理的に分断することができる。このように、分離層３５１を境界として、上部電極層１０７は電気的に分断される。
【０１８５】
分離層３５１を形成する方法としては、例えばネガ型の感光性を有する有機樹脂を用いて露光、現像処理を施すことにより形成することができる。このとき、露光量が基板１０１に近いほど小さくなるように露光条件を調整することにより、逆テーパ形状の分離層３５１を形成することができる。また、露光範囲と露光条件を調整して複数回露光してＴ字形状の分離層３５１を形成してもよい。また、複数の材料からなる膜を積層し、各々の膜をフォトリソグラフィ法により加工してＴ字形状の分離層３５１を形成してもよい。またエッチング速度の違いを利用して、下層の膜の側面が後退するようにエッチングするなどして、一度のフォトリソグラフィ工程でＴ字形状の分離層３５１を形成してもよい。
【０１８６】
このような構成の分離層３５１を発光素子間に設けることにより、当該分離層３５１を境界としてそれぞれの発光素子を電気的に分離することができる。
【０１８７】
上述のように、第１の発光素子、第２の発光素子、第３の発光素子のそれぞれに、個別に電力を供給できる下部電極層及び配線が封止領域外に延在して設けられている。それぞれの発光素子の下部電極層や配線の電気的な接続の仕方に応じて、それぞれの発光素子を直列に、または並列に、または直列と並列を組み合わせて接続することが出来る。また、上記と同様に外部電源と発光装置３５０との間にＡＣ−ＤＣコンバータを設ける構成としてもよく、当該ＡＣ−ＤＣコンバータは基板１０１上に設ける構成とすることが好ましい。
【０１８８】
また、下部電極層１０３ａ、下部電極層１０３ｂ、及び下部電極層１０３ｃのそれぞれは、その上面に絶縁層３０９を介して接続部１３３を具備する接続電極層３０１が形成されている。当該接続電極層３０１は、上部電極層１０７の導電性を補助するための補助電極層として機能する。
【０１８９】
なお、本構成例では発光装置３５０は３個の発光素子を有する構成としたが、その数はこれに限定されることはなく、２個以上の複数の発光素子を有する発光装置としてもよい。また、これらの発光素子は一列に配置する必要は無く、複数の発光素子を敷き詰めて配置すればよい。
【０１９０】
なお、下部電極層１０３、ＥＬ層１０５及び上部電極層１０７が積層された発光部において、下部電極層１０３と上部電極層１０７との間に光学調整層を設けても良い。光学調整層は、反射性を有する電極と透過性を有する電極との間の光学距離を調整する層である。光学調整層を設けることにより、特定の範囲の波長の光を強調することができるため、発光の演色性を高めることができる。また、一つの発光部に異なる厚さを有する複数の光学調整層を設ける構成としてもよい。また、複数の発光素子を有する発光装置とする場合に、それぞれの発光素子に異なる厚さの光学調整層を設け、それぞれの発光素子を個別に駆動可能な構成としてもよい。このような構成とすることにより、段階的に調光や調色が可能な発光装置とすることができる。
【０１９１】
このような分離層３５１、接続電極層３０１及び接続電極層３０３を設けることにより、これらと重なる同じ領域にＥＬ層１０５と上部電極層１０７を形成できるため、複数の島状のパターンを形成するためのメタルマスクを用いることなく、複数の発光素子を具備する発光装置３５０を作製することができる。したがって、メタルマスクに起因する不具合が抑制され、信頼性の高い発光装置３５０を実現できる。
【０１９２】
さらに補助電極層として機能する接続電極層３０１により、上部電極層１０７の抵抗に起因する発光不良が改善され、且つ発光装置の大型化に適した信頼性の高い発光装置３５０とすることができる。
【０１９３】
なお、本実施の形態では、上部電極層の補助電極層として機能する複数の接続電極層を並行に配置する構成としたが、接続電極層の配置方法はこれに限られず、格子状に配置してもよいし、必要な領域のみに島状に配置する構成としてもよい。
【０１９４】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１９５】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様に適用できるＥＬ層の一例について、図１２を用いて説明する。
【０１９６】
図１２（Ａ）に示すＥＬ層１０５は、第１の電極７１３と第２の電極７１７の間に設けられている。第１の電極７１３及び第２の電極７１７は、上記実施の形態で例示した下部電極層または上部電極層と同様の構成を適用することができる。
【０１９７】
本実施の形態で例示するＥＬ層１０５を有する発光素子は、上記実施の形態で例示した発光装置に適用可能である。
【０１９８】
ＥＬ層１０５は、少なくとも発光性の有機化合物を含む発光層が含まれていればよい。そのほか、ＥＬ層１０５は、電子輸送性の高い物質を含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）を含む層等を適宜組み合わせた積層構造を構成することができる。本実施の形態において、ＥＬ層１０５は、第１の電極７１３側から、正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光性の有機化合物を含む層７０３、電子輸送層７０４、及び電子注入層７０５の順で積層されている。なお、これらを反転させた積層構造としてもよい。
【０１９９】
図１２（Ａ）に示す発光素子の作製方法について説明する。
【０２００】
正孔注入層７０１は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物を用いることができる。また、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物を用いることができる。
【０２０１】
また、低分子の有機化合物である芳香族アミン化合物等を用いることができる。
【０２０２】
さらに、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる。また、酸を添加した高分子化合物を用いることができる。
【０２０３】
特に、正孔注入層７０１として、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることが好ましい。正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることにより、第１の電極７１３からの正孔注入性を良好にし、発光素子の駆動電圧を低減することができる。これらの複合材料は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター物質とを共蒸着することにより形成することができる。該複合材料を用いて正孔注入層７０１を形成することにより、第１の電極７１３からＥＬ層１０５への正孔注入が容易となる。
【０２０４】
複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。
【０２０５】
また、電子受容体としては、遷移金属酸化物を挙げることができる。また、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
【０２０６】
正孔輸送層７０２は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、例えば、芳香族アミン化合物を用いることができる。これらは主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【０２０７】
また、正孔輸送層７０２には、カルバゾール誘導体や、アントラセン誘導体や、そのほか正孔輸送性の高い高分子化合物を用いてもよい。
【０２０８】
発光性の有機化合物を含む層７０３は、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。
【０２０９】
なお、発光性の有機化合物を含む層７０３としては、発光性の有機化合物（ゲスト材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成としてもよい。ホスト材料としては、各種のものを用いることができ、発光性の物質よりも最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）が高く、最高被占有軌道準位（ＨＯＭＯ準位）が低い物質を用いることが好ましい。
【０２１０】
また、ホスト材料は複数種用いることができる。例えば、結晶化を抑制するために結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、ゲスト材料へのエネルギー移動をより効率良く行うために、さらに異なる物質を添加してもよい。
【０２１１】
ゲスト材料をホスト材料に分散させた構成とすることにより、発光性の有機化合物を含む層７０３の結晶化を抑制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。
【０２１２】
また、発光性の有機化合物を含む層７０３として高分子化合物を用いることができる。
【０２１３】
また、発光性の有機化合物を含む層を複数設け、それぞれの層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、発光性の有機化合物を含む層を２つ有する発光素子において、第１の発光性の有機化合物を含む層の発光色と第２の発光性の有機化合物を含む層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、発光性の有機化合物を含む層を３つ以上有する発光素子の場合でも同様である。
【０２１４】
電子輸送層７０４は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送性の高い物質としては、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【０２１５】
電子注入層７０５は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層７０５には、リチウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、リチウム酸化物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることができる。また、上述した電子輸送層７０４を構成する物質を用いることもできる。
【０２１６】
なお、上述した正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光性の有機化合物を含む層７０３、電子輸送層７０４、電子注入層７０５は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
【０２１７】
ＥＬ層は、図１２（Ｂ）に示すように、第１の電極７１３と第２の電極７１７との間に複数積層されていてもよい。この場合、積層された第１のＥＬ層８００と第２のＥＬ層８０１との間には、電荷発生層８０３を設けることが好ましい。電荷発生層８０３は上述の複合材料で形成することができる。また、電荷発生層８０３は複合材料からなる層と他の材料からなる層との積層構造でもよい。この場合、他の材料からなる層としては、電子供与性物質と電子輸送性の高い物質とを含む層や、透明導電膜からなる層などを用いることができる。このような構成を有する発光素子は、エネルギーの移動や消光などの問題が起こり難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容易である。また、一方のＥＬ層で燐光発光、他方で蛍光発光を呈する発光素子を得ることも容易である。この構造は上述のＥＬ層の構造と組み合わせて用いることができる。
【０２１８】
また、それぞれのＥＬ層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、２つのＥＬ層を有する発光素子において、第１のＥＬ層の発光色と第２のＥＬ層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。また、３つ以上のＥＬ層を有する発光素子の場合でも同様である。
【０２１９】
また、演色性の良い白色発光を得る場合、発光スペクトルが可視光全域に広がるものとする必要があり、３つ以上のＥＬ層が積層された発光素子とすることが好ましい。例えばそれぞれ赤色、青色、緑色の発光色のＥＬ層を積層して発光素子を形成することができる。このように異なる３色以上のＥＬ層が積層された発光素子とすることにより演色性を高めることが出来る。
【０２２０】
第１の電極７１３と第２の電極７１７との間に光学調整層を形成してもよい。光学調整層は、反射性を有する電極と透過性を有する電極との間の光学距離を調整する層である。光学調整層を設けることにより、特定の範囲の波長の光を強調することができるため、色調を調整することができる。
【０２２１】
ＥＬ層１０５は、図１２（Ｃ）に示すように、第１の電極７１３と第２の電極７１７との間に、正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光性の有機化合物を含む層７０３、電子輸送層７０４、電子注入バッファー層７０６、電子リレー層７０７、及び第２の電極７１７と接する複合材料層７０８を有していてもよい。
【０２２２】
第２の電極７１７と接する複合材料層７０８を設けることで、特にスパッタリング法を用いて第２の電極７１７を形成する際に、ＥＬ層１０５が受けるダメージを低減することができるため、好ましい。複合材料層７０８は、前述の、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることができる。
【０２２３】
さらに、電子注入バッファー層７０６を設けることで、複合材料層７０８と電子輸送層７０４との間の注入障壁を緩和することができるため、複合材料層７０８で生じた電子を電子輸送層７０４に容易に注入することができる。
【０２２４】
電子注入バッファー層７０６には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。
【０２２５】
また、電子注入バッファー層７０６が、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで形成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、０．００１以上０．１以下の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもできる。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した電子輸送層７０４の材料と同様の材料を用いて形成することができる。
【０２２６】
さらに、電子注入バッファー層７０６と複合材料層７０８との間に、電子リレー層７０７を形成することが好ましい。電子リレー層７０７は、必ずしも設ける必要は無いが、電子輸送性の高い電子リレー層７０７を設けることで、電子注入バッファー層７０６へ電子を速やかに送ることが可能となる。
【０２２７】
複合材料層７０８と電子注入バッファー層７０６との間に電子リレー層７０７が挟まれた構造は、複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質と、電子注入バッファー層７０６に含まれるドナー性物質とが相互作用を受けにくく、互いの機能を阻害しにくい構造である。したがって、駆動電圧の上昇を防ぐことができる。
【０２２８】
電子リレー層７０７は、電子輸送性の高い物質を含み、該電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位は、複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送層７０４に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位との間となるように形成する。また、電子リレー層７０７がドナー性物質を含む場合には、当該ドナー性物質のドナー準位も複合材料層７０８におけるアクセプター性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送層７０４に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位との間となるようにする。具体的なエネルギー準位の数値としては、電子リレー層７０７に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位は−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下とするとよい。
【０２２９】
電子リレー層７０７に含まれる電子輸送性の高い物質としてはフタロシアニン系の材料又は金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。
【０２３０】
電子リレー層７０７に含まれる金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としては、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることが好ましい。金属−酸素の二重結合はアクセプター性（電子を受容しやすい性質）を有するため、電子の移動（授受）がより容易になる。また、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体は安定であると考えられる。したがって、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることにより発光素子を低電圧でより安定に駆動することが可能になる。
【０２３１】
金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としてはフタロシアニン系材料が好ましい。特に、分子構造的に金属−酸素の二重結合が他の分子に対して作用しやすく、アクセプター性が高い材料を用いることが好ましい。
【０２３２】
なお、上述したフタロシアニン系材料としては、フェノキシ基を有するものが好ましい。具体的にはＰｈＯ−ＶＯＰｃのような、フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体が好ましい。フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体は、溶媒に可溶である。そのため、発光素子を形成する上で扱いやすいという利点を有する。また、溶媒に可溶であるため、成膜に用いる装置のメンテナンスが容易になるという利点を有する。
【０２３３】
電子リレー層７０７はさらにドナー性物質を含んでいてもよい。ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属及びこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウムなどの酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウムなどの炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、又は希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセンなどの有機化合物を用いることができる。電子リレー層７０７にこれらドナー性物質を含ませることによって、電子の移動が容易となり、発光素子をより低電圧で駆動することが可能になる。
【０２３４】
電子リレー層７０７にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質としては上記した材料の他、複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質のアクセプター準位より高いＬＵＭＯ準位を有する物質を用いることができる。具体的なエネルギー準位としては、−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下の範囲にＬＵＭＯ準位を有する物質を用いることが好ましい。このような物質としては例えば、ペリレン誘導体や、含窒素縮合芳香族化合物などが挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安定であるため、電子リレー層７０７を形成する為に用いる材料として、好ましい材料である。
【０２３５】
なお、電子リレー層７０７にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質とドナー性物質との共蒸着などの方法によって電子リレー層７０７を形成すればよい。
【０２３６】
正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光性の有機化合物を含む層７０３、及び電子輸送層７０４は前述の材料を用いてそれぞれ形成すればよい。
【０２３７】
以上により、本実施の形態のＥＬ層１０５を作製することができる。
【０２３８】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０２３９】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を用いて完成させた照明装置の一例について、図１３を用いて説明する。
【０２４０】
本発明の一態様では、発光部が曲面を有する照明装置を実現することができる。
【０２４１】
本発明の一態様の発光装置は、自動車の照明にも適用することができ、例えば、ダッシュボードや、天井等に照明を設置することもできる。
【０２４２】
図１３（Ａ）では、本発明の一態様の発光装置を適用した、室内の照明装置９０１、卓上照明器具９０３、及び面状照明装置９０４を示す。発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、厚みが薄いため、壁に取り付けて使用することができる。その他、ロール型の照明装置９０２として用いることもできる。
【０２４３】
図１３（Ｂ）に別の照明装置の例を示す。図１３（Ｂ）に示す卓上照明装置は、照明部９５０１、支柱９５０３、支持台９５０５等を含む。照明部９５０１は、本発明の一態様の発光装置を含む。このように、本発明の一態様では、曲面を有する照明装置、又はフレキシブルに曲がる照明部を有する照明装置を実現することができる。このように、フレキシブルな発光装置を照明装置として用いることで、照明装置のデザインの自由度が向上するのみでなく、例えば、自動車の天井、ダッシュボード等の曲面を有する場所にも照明装置を設置することが可能となる。
【０２４４】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【実施例】
【０２４５】
本実施例では、本発明の一態様の作製方法を用いて作製した発光装置について、図１４を用いて説明する。
【０２４６】
本実施例で示す発光装置は上面射出型である。また、該発光装置が備える発光素子は、緑色の発光を呈する。まず、本実施例において作製した発光装置の作製方法について説明する。
【０２４７】
３００ｍｍ×３６０ｍｍの大きさのガラス基板上に、スパッタリング法によって、チタン膜５０ｎｍ、アルミニウム膜２００ｎｍ、チタン膜１００ｎｍを順に積層して下部電極層を形成した。本実施例において下部電極層は陽極として用いた。なお、本実施例では下部電極層を基板の長手方向において４分割して配置することで、ガラス基板上に４つの発光素子を形成した。
【０２４８】
続いて、下部電極層上にスクリーン印刷法を用いて線幅４００μｍのストライプ状にエポキシ樹脂（太陽インキ製造株式会社製Ｓ−３０Ｆ Ｂ２０６）を印刷した後、大気雰囲気下で１４０℃、５５分間の焼成を行った。さらに、同様の方法、条件で、エポキシ樹脂の印刷及び焼成を行い、絶縁層を形成した。なお、エポキシ樹脂の印刷及び焼成を２回行ったのは、絶縁層の厚膜化を図り、下部電極層と、後に形成する接続電極層との絶縁性を確実にするためである。絶縁層は、１つの発光領域あたり、３５本形成した。
【０２４９】
さらに絶縁層上に、銀粒子を含む導電性ペースト（住友電気工業社製ＡＧＥＰ−２０１Ｘ）を線幅が約２００μｍ、中央部における厚さが約１８μｍとなるようにスクリーン印刷法により印刷した後、大気雰囲気下で２００℃、８０分の焼成を行い、接続電極層を形成した。
【０２５０】
その後、真空蒸着法により、緑色の発光を呈する発光性の有機化合物を含む層を含む厚さ約１５７ｎｍのＥＬ層を形成した。さらに、ＥＬ層上に、スパッタリング法を用いて厚さ約１１０ｎｍの酸化インジウム酸化スズ膜を成膜することで、上部電極層を形成し、ガラス基板上に発光素子を形成した。なお、ＥＬ層及び上部電極層は、４つの発光素子間や外部電源に接続する電極上に非成膜領域を設けるための遮蔽マスクとして同一のものを用いて形成した。
【０２５１】
そして、３００×３６０ｍｍの大きさのガラス基板を対向基板として用い、発光素子が形成されたガラス基板の外周部において熱硬化性のエポキシ樹脂により当該ガラス基板と対向基板とを接着し、発光素子を封止した。その後、約２５４ｍｍ×３１４ｍｍの大きさになるように対向基板の周辺部を切り取った。
【０２５２】
以上により作製した発光装置を発光させた際の写真を図１４（Ａ）に示す。なお、ここでは、４つの発光素子のうち２つを発光させた。図１４（Ａ）に示すようにそれぞれの発光素子は発光領域全面での発光が確認できた。
【０２５３】
次に、接続電極層と上部電極層とが重なる領域に、対向基板を介して、レーザ光を照射した。具体的には、波長２６６ｎｍ、出力３．０Ｗ、ビーム幅１５μｍ、走査速度１００ｍｍ／ｓ、Ｑスイッチ周波数２９ｋＨｚの条件で、レーザ光を照射した。
【０２５４】
レーザ光照射後に、発光装置を発光させた際の写真を図１４（Ｂ）に示す。なお、図１４（Ｂ）に示す発光素子は、図１４（Ａ）に示した発光素子と同じである。図１４（Ｂ）でも２つの発光素子は発光領域の全面での発光が確認できたことに加え、図１４（Ａ）に比べて輝度のムラが極めて低減され、図１４（Ｂ）において発光領域に渡って均一な発光が得られた。
【０２５５】
以上に示した通り、接続電極層と上部電極層とが重なる領域に、レーザ光を照射し、接続電極層と上部電極層とが確実に電気的に接続される構成とすることで、上部電極層の抵抗に起因した電圧降下による発光不良が低減され、輝度ムラが抑制された信頼性の高い発光装置を作製することができる。
【符号の説明】
【０２５６】
１００ 発光装置
１０１ 基板
１０３ 下部電極層
１０５ ＥＬ層
１０７ 上部電極層
１０９ 絶縁層
１１１ 接続電極層
１１３ 絶縁層
１２１ 対向基板
１２３ シール材
１２５ 領域
１２７ 領域
１３１ レーザ光
１３２ レーザ照射領域
１３３ 接続部
１３４ 接続部
１３５ レーザ光
１４１ プローブ
１４３ 封止材
１５０ 発光装置
１６３ 下部電極層
１６５ 補助電極層
１６７ 絶縁層
１７１ 配線
２０１ 基板
２０２ 対向基板
２０３ 発光素子
２０５ 被照射領域
２０７ 電極
２０９ 発光
２１１ 外部電源
２１３ ソースメータ
２１５ ステージ
２１７ 位置合わせ機構
２１９ カメラ
２２１ 画像処理機構
２２３ 表示装置
２２５ エミッション顕微鏡
２２７ 集光レンズ
２２９ ハーフミラー
２３１ａ シャッター
２３１ｂ シャッター
２３３ レーザ装置
２３５ レーザ光
３００ 発光装置
３０１ 接続電極層
３０３ 接続電極層
３０５ 成膜領域
３０７ 配線
３０９ 絶縁層
３１１ シール材
３１３ 絶縁層
３１５ レンズアレイ
３１７ 封止材
３１９ レーザ照射領域
３５０ 発光装置
３５１ 分離層
７０１ 正孔注入層
７０２ 正孔輸送層
７０３ 発光性の有機化合物を含む層
７０４ 電子輸送層
７０５ 電子注入層
７０６ 電子注入バッファー層
７０７ 電子リレー層
７０８ 複合材料層
７１３ 第１の電極
７１７ 第２の電極
８００ 第１のＥＬ層
８０１ 第２のＥＬ層
８０３ 電荷発生層
９０１ 照明装置
９０２ 照明装置
９０３ 卓上照明器具
９０４ 面状照明装置
９５０１ 照明部
９５０３ 支柱
９５０５ 支持台
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に接続電極層を形成し、
前記接続電極層上に発光性の有機化合物を含む層を形成し、
前記発光性の有機化合物を含む層上に第２の電極層を形成する工程と、
前記接続電極層と前記第２の電極層とを電気的に接続する工程と、を有する発光装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に第１の電極層を形成し、
前記絶縁表面上に前記第１の電極層と電気的に絶縁する接続電極層を形成し、
前記第１の電極層及び前記接続電極層上に発光性の有機化合物を含む層を形成し、
前記発光性の有機化合物を含む層上に第２の電極層を形成する工程と、
前記接続電極層と前記第２の電極層とを電気的に接続する工程と、を有する発光装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の発光装置の作製方法において、
前記第２の電極層と前記接続電極層とが重なる領域にレーザ光を照射して、前記接続電極層と前記第２の電極層とを電気的に接続する、発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３に記載の発光装置の作製方法において、
前記レーザ光は、前記絶縁表面と対向して設けられる透光性の基板を介して照射する、発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４のいずれか一に記載の発光装置の作製方法において、
前記接続電極層と前記第２の電極層とを電気的に接続した後に、
前記第１の電極層と前記第２の電極層との間に電圧を印加して、発光不良箇所を特定し、
前記発光不良箇所にレーザ光を照射して、前記発光不良箇所を絶縁化する工程、を有する発光装置の作製方法。
【請求項６】
絶縁表面上に第１の電極層と、接続電極層と、
前記第１の電極層及び前記接続電極層上に発光性の有機化合物を含む層と、
前記発光性の有機化合物を含む層上に第２の電極層と、を有し、
前記接続電極層上のレーザ光が照射された領域において、前記接続電極層と前記第２の電極層とが電気的に接続された、発光装置。
【請求項７】
請求項６に記載の発光装置において、
前記第２の電極層は、前記発光性の有機化合物を含む層からの発光に対して透光性を有する、発光装置。
【請求項８】
請求項６に記載の発光装置において、
前記第１の電極層及び前記第２の電極層のうち少なくとも一方は、前記発光性の有機化合物を含む層からの発光に対して透光性を有する、発光装置。
【請求項１】
絶縁表面上に接続電極層を形成し、
前記接続電極層上に発光性の有機化合物を含む層を形成し、
前記発光性の有機化合物を含む層上に第２の電極層を形成する工程と、
前記接続電極層と前記第２の電極層とを電気的に接続する工程と、を有する発光装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に第１の電極層を形成し、
前記絶縁表面上に前記第１の電極層と電気的に絶縁する接続電極層を形成し、
前記第１の電極層及び前記接続電極層上に発光性の有機化合物を含む層を形成し、
前記発光性の有機化合物を含む層上に第２の電極層を形成する工程と、
前記接続電極層と前記第２の電極層とを電気的に接続する工程と、を有する発光装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の発光装置の作製方法において、
前記第２の電極層と前記接続電極層とが重なる領域にレーザ光を照射して、前記接続電極層と前記第２の電極層とを電気的に接続する、発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３に記載の発光装置の作製方法において、
前記レーザ光は、前記絶縁表面と対向して設けられる透光性の基板を介して照射する、発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４のいずれか一に記載の発光装置の作製方法において、
前記接続電極層と前記第２の電極層とを電気的に接続した後に、
前記第１の電極層と前記第２の電極層との間に電圧を印加して、発光不良箇所を特定し、
前記発光不良箇所にレーザ光を照射して、前記発光不良箇所を絶縁化する工程、を有する発光装置の作製方法。
【請求項６】
絶縁表面上に第１の電極層と、接続電極層と、
前記第１の電極層及び前記接続電極層上に発光性の有機化合物を含む層と、
前記発光性の有機化合物を含む層上に第２の電極層と、を有し、
前記接続電極層上のレーザ光が照射された領域において、前記接続電極層と前記第２の電極層とが電気的に接続された、発光装置。
【請求項７】
請求項６に記載の発光装置において、
前記第２の電極層は、前記発光性の有機化合物を含む層からの発光に対して透光性を有する、発光装置。
【請求項８】
請求項６に記載の発光装置において、
前記第１の電極層及び前記第２の電極層のうち少なくとも一方は、前記発光性の有機化合物を含む層からの発光に対して透光性を有する、発光装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１３−１２４７０（Ｐ２０１３−１２４７０Ａ）
【公開日】平成２５年１月１７日（２０１３．１．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１１７３５０（Ｐ２０１２−１１７３５０）
【出願日】平成２４年５月２３日（２０１２．５．２３）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月１７日（２０１３．１．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年５月２３日（２０１２．５．２３）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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