発光装置
【課題】 有機系の発光素子を用いた発光装置において、外部より侵入する水の影響を抑制し、また、信頼性を得ることができるような封止構造を提供する。
【解決手段】第一の基板上の外周に備えられたシール剤で第二の基板を固着させることにより、第一の基板上に形成された発光素子を封止する場合において、シール剤を発光素子の電極の外側に備え、シール剤が電極と重ならないように形成することで、外部からの水分の侵入を防ぐ封止構造を形成することを特徴とする。なお、本発明においては、シール剤が電極と重なる場合であっても、その接触幅が１５μｍ以下である場合には外部からの水分の侵入を防ぐ封止構造を形成することができる。
【解決手段】第一の基板上の外周に備えられたシール剤で第二の基板を固着させることにより、第一の基板上に形成された発光素子を封止する場合において、シール剤を発光素子の電極の外側に備え、シール剤が電極と重ならないように形成することで、外部からの水分の侵入を防ぐ封止構造を形成することを特徴とする。なお、本発明においては、シール剤が電極と重なる場合であっても、その接触幅が１５μｍ以下である場合には外部からの水分の侵入を防ぐ封止構造を形成することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の電極間に有機エレクトロルミネセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ；以下、ＥＬと略記する）材料などの有機化合物を含む層（発光層）を介在させた発光素子を有する発光装置に関し、特に発光素子の封止技術に関する。なお、上記発光装置をその一部に用いた電子機器も本発明に含むこととする。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光素子を用いた薄型軽量ディスプレイの開発が盛んに行われている。発光素子は、一対の電極間に電流を流すことで発光する材料を挟み込むことで作製されるが、液晶と異なりそれ自体が発光するのでバックライトなどの光源が不要なうえ、素子自体が非常に薄いため薄型軽量ディスプレイを作製するにあたり非常に有利である。
【０００３】
しかし、このような大きな長所を備えながら実用化に至っていない背景の一つに、信頼性の問題がある。有機系の材料を用いた発光素子は湿気（水）により劣化を起こすものが多く、長期の信頼性を得にくいという欠点を有する。水により劣化を起こした発光素子は輝度低下を起こしたり、発光しなくなってしまったりする。これが発光素子を用いた発光装置におけるダークスポット（黒点）や発光装置周辺からの輝度劣化（発光装置端部から発光面積が徐々に減少していく輝度劣化）の原因になっていると考えられており、このような劣化を抑制するために様々な対策が提案されている（例えば特許文献１、特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開平９−１４８０６６号公報
【特許文献２】特開平７−１６９５６７号公報
【０００４】
しかし、これらのような対策を適用したとしても未だ十分な信頼性を得るまでには至っておらず、さらなる信頼性の向上が望まれている。
【０００５】
また、発光装置は、基板の上に発光素子を有する画素部（表示領域）があって、基板と対向基板とがシール材で固着された構造をしている。最近では、画素部以外の面積を減らす必要性が高いことから、シール材で固着する位置が画素部のごく近傍にくるようになっている。このため、様々な膜が積層されている部分にシール材が形成されることが多い。
【０００６】
発光装置に用いられているシール材には透湿性の低いものが用いられているが、有機樹脂であるため無機膜に比べて水分をある程度通すことが知られている。このため、発光素子の一部に重ねてシール材が形成されると大気中に含まれる水分が、発光装置の端部からシール材を通して発光装置内部へ侵入してしまう。
【０００７】
なお、有機系の材料を用いた発光素子は水により劣化を起こすものが多く、このように発光装置端部から侵入した水分により輝度低下を起こしたり、発光しなくなってしまう等の問題が生じている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで本発明では、有機系の発光素子を用いた発光装置において、外部より侵入する水の影響を抑制し、また、信頼性を得ることができるような封止構造を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の発光装置は、第一の基板上の外周に備えられたシール材で第二の基板を固着させることにより、第一の基板上に形成された発光素子を封止する場合において、シール材を発光素子の電極の外側に備え、シール材が電極と重ならないように形成することで、外部からの水分の侵入を防ぐ封止構造を形成することを特徴とする。なお、本発明においては、シール材が電極と重なる場合であっても、その接触幅が１５μｍ以下である場合には外部からの水分の侵入を防ぐ封止構造を形成することができる。
【００１０】
なお、本発明の発光装置の構成は、第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール材で固着され、かつ前記シール材と前記第二の電極との接触幅が１５μｍ以下であることを特徴とする発光装置である。
【００１１】
本発明の発光装置の別の構成は、第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール材で固着され、かつ前記シール材は、前記第二の電極の外部に備えられていることを特徴とする発光装置である。
【００１２】
また、本発明の発光装置の第二の電極上に無機絶縁膜が形成されている場合の本発明の構成は、第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第二の電極上に無機絶縁膜が形成され、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール材で固着され、前記シール材と前記第二の電極との接触幅が１５μｍ以下であり、かつ前記シール材と前記無機絶縁膜との接触幅が１５μｍ以下であることを特徴とする発光装置である。
【００１３】
さらに本発明の発光装置の別の構成は、第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第二の電極上に無機絶縁膜が形成され、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール材で固着され、前記シール材は、前記第二の電極、および前記無機絶縁膜の外部に備えられていることを特徴とする発光装置である。
【００１４】
また、上記各構成において、前記第１の電極の端部が有機絶縁膜で覆われている場合には前記有機絶縁膜はアクリル、ポリアミド、ポリイミド、レジスト、ベンゾシクロブテン、シロキサンポリマー、またはアルキル基を含む酸化珪素から選ばれた一種、または複数種からなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明により、発光装置外部からの水分の侵入を防ぐことにより、周辺部からの輝度劣化の発生を抑制することができ、発光装置の信頼性を向上させることができる。また、本発明は発光装置を構成している物質の配置を変更することによるものであるため、工程数を増やすことなく、信頼性の高い発光装置を作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の主な趣旨は、外部より侵入してきた水が画素部の発光層へ到達する経路を遮断することでその影響を抑えることにある。
【００１７】
本発明者らは、無機膜と無機膜に有機樹脂膜が挟まれた構造では水の移動速度が速く、シール材など有機樹脂膜から発光装置内に侵入した水が、主に無機膜と無機膜の間に有機樹脂膜が挟まれた箇所（もしくは、有機樹脂膜上に無機膜が形成された構造）を通って画素部まで到達し発光装置周辺からの輝度劣化を引き起こすことを見いだした。
【００１８】
このため、水の移動速度が速い構造である無機膜と無機膜に有機樹脂膜が挟まれた構造を大気と画素部の間で遮断することにより発光装置周辺からの輝度劣化の発生を抑制することが可能である。
【００１９】
図１は本発明の発光装置の断面図（概略図）である。基板１００上に下地絶縁膜１０１が形成されている。図１では下地絶縁膜１０１に無機絶縁膜を用いているが、有機絶縁膜を用いて形成してもよい。下地絶縁膜１０１は単層でもよいし複数の膜の積層からなっていてもよい。下地絶縁膜１０１上には電極（配線）１０２，１０３が形成されており、電極１０３に接して、第１の電極１０４が形成されており、その端部を覆うように隔壁１０５が形成されている。隔壁１０５は主にアクリルやポリイミド、シロキサンなどの有機絶縁膜で形成されている。
【００２０】
また、第１の電極１０４に接して発光層１０６が形成されており、発光層１０６と隔壁１０５の一部を覆って第２の電極１０７が形成されている。発光素子１０８は第１の電極１０４と第２の電極１０７及びそれらに挟まれている発光層１０６からなっている。画素部１０９はこのような発光素子１０８がマトリクス状に配置されている。
【００２１】
基板１００はシール材１１０により対向基板１１１に固着されている。シール材１１０は第２の電極１０７から離して形成する。対向基板１１１には凹部を形成し、乾燥剤１１２を設けてもよい。
【００２２】
発光装置周辺からの輝度劣化は、シール材１１０を通って侵入した水が、無機膜に有機樹脂膜が挟まれた構造を有する部分を通って、隔壁１０５側から画素部１０９へ侵入することによって発生する。
【００２３】
従って、本実施の形態で示したように画素部の外周部で第２の電極の端部からシール材を離して形成することにより、水の侵入経路となるシール材と画素部の間に有機樹脂膜である隔壁が無機膜に挟まれていない領域１１３ができるため、発光装置周辺からの輝度劣化の発生を抑制することが可能である。
【００２４】
（実施の形態１）
図２は本発明の発光装置の断面図である。基板２００上に下地絶縁膜２０１が形成されており、その上に半導体層２０２〜２０４が形成されている。下地絶縁膜２０１と半導体層２０２〜２０４はゲート絶縁膜２２８に覆われており、ゲート絶縁膜２２８上には半導体層２０２〜２０４と一部重なってゲート電極２０５〜２０７が形成されている。ゲート絶縁膜２２８とゲート電極２０５〜２０７は層間絶縁膜２０８で覆われており、層間絶縁膜２０８の上には絶縁膜２０９が成膜されている。
【００２５】
基板２００は薄膜トランジスタや発光素子を保持する為のものである。下地絶縁膜２０１は基板２００から薄膜トランジスタに悪影響を及ぼす物質が拡散するのを抑える為に設けられているため、必要がなければ設ける必要はない。半導体層２０２〜２０４、ゲート絶縁膜２２８及びゲート電極２０５〜２０７により薄膜トランジスタが形成されている。薄膜トランジスタは駆動回路などに用いられる駆動回路部２２５に設けられたものと発光素子２２０を駆動する為に画素部２２６に設けられたものがある。駆動回路は本実施の形態のように一体形成しても良いし、別に作製しても良い。
【００２６】
本実施の形態では、層間絶縁膜２０８は平坦性を持たせるため、アクリルやポリイミド、シロキサンなどの有機絶縁膜を用いて形成されている。また、絶縁膜２０９は窒化珪素や酸素を含む窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、酸化珪素など無機膜で形成する。なお、図２のように層間絶縁膜２０８が窒化珪素や酸素を含む窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、酸化珪素など無機膜で形成されていてもよいし、絶縁膜２０９が形成されていなくてもよい。また、層間絶縁膜２０８とゲート絶縁膜２２８、もしくは層間絶縁膜２０８とゲート電極２０５〜２０７との間に他の材料よりなる絶縁膜が設けられていても良い。
【００２７】
絶縁膜２０９の上には絶縁膜２０９と層間絶縁膜２０８に開口されたコンタクトホールを介して半導体層２０２〜２０４に電気的に接続する電極（配線）２１０〜２１２が形成されている。半導体層２０２、ゲート絶縁膜２２８、ゲート電極２０５及び電極（配線）２１０から薄膜トランジスタ２１３が、半導体層２０３、ゲート絶縁膜２２８、ゲート電極２０６及び電極（配線）２１１から薄膜トランジスタ２１４が形成され、半導体層２０４、ゲート絶縁膜２２８、ゲート電極２０７及び電極（配線）２１２は薄膜トランジスタ２１５の一部である。なお、薄膜トランジスタ２１３、２１４は発光装置における駆動回路部２２５の薄膜トランジスタの一部を表しており、薄膜トランジスタ２１５は画素部２２６における薄膜トランジスタのうちの一つである。
【００２８】
薄膜トランジスタ２１５の電極２１２に接して、第１の電極２１６が形成されており、その端部を覆うように隔壁２１７が形成されている。隔壁２１７は主にアクリルやポリイミド、シロキサンなどの有機絶縁膜で形成されている。
【００２９】
また、第１の電極２１６に接して発光層２１８が形成されており、発光層２１８と隔壁２１７の一部を覆って第２の電極２１９が形成されている。なお、発光素子２２０は第１の電極２１６と第２の電極２１９、及びそれらに挟まれている発光層２１８とからなっている。画素部２２６はこのような発光素子２２０がマトリクス状に配置されている。
【００３０】
基板１００はシール材２２１により対向基板２２２に固着されている。対向基板２２２には凹部２２３を形成し、乾燥材２２４を設けても良い。
【００３１】
発光装置周辺からの輝度劣化は、シール材を通して侵入した水が、隔壁２１７側から画素部２２６に侵入することによって発生する。水の移動速度は、無機膜間に挟まれた有機樹脂膜があると速いが、無機膜単独や有機樹脂膜と無機膜が積層されていても有機樹脂膜の上部が大気である場合には遅い。
【００３２】
図２の発光装置は領域２２７に有機樹脂膜上に無機膜が積層していない部位を有するため、水の移動速度が遅い。このため、隔壁を通って画素部まで水が侵入することを抑制することが可能である。
【００３３】
また、図２に示したように層間絶縁膜２０８の端面を無機膜２２９で覆うと層間絶縁膜２０８端部より侵入する水の量を更に減少させることができる為、好ましい構成である。無機膜２２９を電極（配線）２１０〜２１２と同じ材料で形成すれば、工程数を増やすことなく信頼性の高い発光装置を作製することができる。
【００３４】
（実施の形態２）
本実施の形態では、図３を用いて本発明の他の実施の形態について説明する。尚、図２と同じ部分に関しては一部説明を省略する。
【００３５】
本実施の形態では配線３０１〜３０５と画素電極（第１の電極）３０６が異なる層に形成されている場合の例を説明する。本実施の形態では、第１の層間絶縁膜３０７は酸化珪素や窒化珪素、窒素を含む酸化珪素及び酸素を含む窒化珪素などの材料でもって作製した例を示す。第１の層間絶縁膜３０７は単層でも良いし、複数層であっても良い。これらの材料は透湿性が低いため、外周部が外気に曝されていても水がほとんど侵入しないことから図２の２２９のように第１の層間絶縁膜の端面を無機膜で覆わずとも水は第１の層間絶縁膜３０７にほとんど侵入しない。
【００３６】
第１の層間絶縁膜３０７と電極（配線）３０１〜３０５は第２の層間絶縁膜３０８で覆われており、第２の層間絶縁膜３０８上には、当該第２の層間絶縁膜３０８に設けられたコンタクトホールを介して薄膜トランジスタの電極である配線３０５に電気的に接続する第１の電極３０６が形成されている。第２の層間絶縁膜３０８上には第１の電極３０６のコンタクトホール部及び端部を覆って隔壁３０９が形成されている。なお、第２の層間絶縁膜３０８及び隔壁３０９の材料にはアクリル、ポリイミド、シロキサンなどの有機絶縁膜が多く用いられ、これらは比較的高い透湿性を有していることが知られている。
【００３７】
また、第１の電極３０６に接して発光層３１０が形成されており、発光層３１０と隔壁３０９の一部を覆って第２の電極３１１が形成されている。
【００３８】
このように素子が形成された基板３１２はシール材３１３により対向基板３１４に固着され、発光装置となる。シール材３１３は第２の電極３１１から離して形成する。
【００３９】
発光装置周辺からの輝度劣化は、シール材を通して侵入した水が、隔壁側から画素部に侵入することによって発生する。水の移動速度は、無機膜間に挟まれた有機樹脂膜があると速いが、無機膜単独や有機樹脂膜と無機膜が積層されていても有機樹脂膜の上部が大気である場合には遅い。
【００４０】
図３の発光装置は、領域３１５に有機樹脂膜上に無機膜が積層していないため、水の移動速度が遅い。このため、隔壁を通って画素部まで水が侵入することを抑制することが可能である。
【００４１】
また、図３に示したように第２の層間絶縁膜３０８と隔壁３０９の端面をシールの内側に形成すると第２の層間絶縁膜３０８と隔壁３０９から侵入する水の量を更に減少させることができる為、好ましい構成である。
【００４２】
（実施の形態３）
図４を用いて本発明の他の実施形態について説明する。尚、図２、図３と同じ部分に関しては一部説明を省略する。
【００４３】
図４は、層間絶縁膜４００を酸化珪素や窒化珪素、窒素を含む酸化珪素及び酸素を含む窒化珪素などの材料でもって作製し、第２の電極４０１上に絶縁膜４０２を積層して作製した例を示す。
【００４４】
絶縁膜４０２は窒化珪素や酸素を含む窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、酸化珪素など無機膜で形成する。絶縁膜４０２は単層であっても、複数層であってもよい。
【００４５】
基板４０４はシール材４０５により対向基板４０６に固着され、発光装置となる。シール材４０５は第２の電極４０１と絶縁膜４０２から離して形成する。なお、その他の構成に関しては実施の形態２と同じであるため説明を省略する。なお、隔壁４０３は実施の形態における隔壁２１７に、領域４０７は領域２２７に相当する。
【００４６】
発光装置周辺からの輝度劣化は、シール材を通して侵入した水が、隔壁側から画素部に侵入することによって発生する。
水の移動速度は、無機膜間に挟まれた有機樹脂膜があると速いが、無機膜単独や有機樹脂膜と無機膜が積層されていても有機樹脂膜の上部が大気である場合には遅い。
【００４７】
図４の発光装置は、４０７に有機樹脂膜上に無機膜が積層していない部位を有するため、水の移動速度が遅い。このため、隔壁を通って画素部まで水が侵入することを抑制することが可能である。
【実施例１】
【００４８】
本実施例では、本発明の発光装置を作製する方法について、図１を参照しながら説明する。
【００４９】
基板１００上に下地絶縁膜１０１を形成する。下地絶縁膜１０１は基板１００中のアルカリ金属やアルカリ土類金属など、半導体層の特性に悪影響を及ぼすような元素が半導体層中に拡散するのを防ぐ為に設ける。材料としては酸化珪素、窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、酸素を含む窒化珪素などを用いることができ、単層、または積層構造とすることにより形成する。なお、アルカリ金属やアルカリ土類金属の拡散が心配ないようであれば特に下地絶縁膜１０１は設ける必要がない。
【００５０】
下地絶縁膜１０１を覆って導電層を形成する。当該導電層を所望の形状に加工し、配線（電極）１０３、引き回し配線１０２を形成する。これらはアルミニウム、銅等の単層でも良いが、本実施例では下からのチタン／アルミニウム／チタンの積層構造とする。積層配線としてはモリブデン／アルミニウム／モリブデンやチタン／アルミニウム／チタンやチタン／窒化チタン／アルミニウム／チタンといった構造でも良い。
【００５１】
下地絶縁膜１０１と引き回し配線１０２，配線１０３を覆って、透光性を有する導電層を形成したのち、当該透光性を有する導電層を加工して第１の電極１０４を形成する。ここで第１の電極１０４は電極１０３と電気的に接触している。第１の電極１０４の材料としてはインジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）や酸化珪素を含有するＩＴＯ、酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛を含有したＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）もしくは酸化亜鉛そのもの、そして酸化亜鉛にガリウムを含有したＧＺＯ（Ｇａｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等を用いるとよい。
【００５２】
次に下地絶縁膜１０１及び第１の電極１０４を覆って有機樹脂材料からなる絶縁膜を形成する。続いて当該絶縁膜は第１の電極の一部が露出するように加工し、隔壁１０５を形成する。隔壁１０５の材料としては、感光性を有する有機樹脂材料（アクリル、ポリイミドなど）が好適に用いられるが、感光性を有さない有機樹脂材料で形成してもかまわない。隔壁１０５の第１の電極に面した端面は曲率を有し、当該曲率が連続的に変化するテーパー形状をしていることが望ましい。なお、隔壁１０５に顔料やカーボンなど黒色の物質を混入し、ブラックマトリクスとして用いても良い。
【００５３】
次に、隔壁１０５から露出した第１の電極１０４を覆う発光層１０６を形成する。発光層１０６は蒸着法やインクジェット法、スピンコート法などいずれの方法を用いて形成してもかまわない。
【００５４】
続いて発光層１０６を覆う第２の電極１０７を形成する。これによって第１の電極１０４と発光層１０６と第２の電極１０７とからなる発光素子１０８を作製することができる。
【００５５】
その後、プラズマＣＶＤ法により窒素を含む酸化珪素膜をパッシベーション膜として形成しても良い。窒素を含む酸化珪素膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ、ＮＨ3から作製される酸化窒化ケイ素膜、またはＳｉＨ4、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化ケイ素膜、あるいはＳｉＨ4、Ｎ2ＯをＡｒで希釈したガスから形成される酸化窒化ケイ素膜を形成すれば良い。
【００５６】
また、パッシベーション膜としてＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ、Ｈ2から作製される酸化窒化水素化ケイ素膜を適用しても良い。もちろん、パッシベーション膜は単層構造に限定されるものではなく、他のケイ素を含む絶縁膜を単層構造、もしくは積層構造として用いても良い。また、窒化炭素膜と窒化ケイ素膜の多層膜やスチレンポリマーの多層膜、窒化ケイ素膜やダイヤモンドライクカーボン膜を窒素を含む酸化珪素膜の代わりに形成してもよい。
【００５７】
続いて表示部の封止を行う。対向基板１１１を封止に用いる場合は、絶縁性のシール材１１０により貼り合わせる。シール材１１０は第２の電極１０７から離して形成する。対向基板１１１には凹部を作製して乾燥材１１２を貼り付けても良い。対向基板１１１と素子が形成された基板１００との間の空間には乾燥した窒素などの不活性気体を充填しても良い。シール材には紫外線硬化樹脂などを用いると好適である。シール材には乾燥材やギャップを一定に保つための粒子を混入しておいても良い。
【００５８】
発光装置周辺からの輝度劣化は、シール材を通して侵入した水が、隔壁側から画素部に侵入することによって発生する。水の移動速度は、無機膜間に挟まれた有機樹脂膜があると速いが、無機膜単独や有機樹脂膜と無機膜が積層されていても有機樹脂膜の上部が大気である場合には遅い。
【００５９】
図１の発光装置は領域１１３に有機樹脂膜上に無機膜が積層していない部位を有するため、水の移動速度が遅い。このため、隔壁を通って画素部まで水が侵入することを抑制することが可能である。
【００６０】
以上より、本実施例で示すような封止構造を形成することにより、発光装置外部からの水分の侵入を防ぐことができるため、周辺部からの輝度劣化の発生を抑制することができ、発光装置の信頼性を向上させることができる。
【実施例２】
【００６１】
本実施例では実施例１の方法で作製した発光装置を６５℃、９５％に保った雰囲気にさらし、一定時間おきに発光装置の表示状態を顕微鏡で観察した結果について説明する。
【００６２】
図５（ａ）には、発光装置を６５℃、９５％雰囲気に５０時間保存した後の顕微鏡写真を示す。また、図５（ｂ）には、図５（ａ）の写真において、領域５００に示す部分の具体的な構造を示す。
【００６３】
図５（ａ）において、領域５００の部分にシール材が備えられており、基板上に形成された発光素子を含む画素部５０１が封止されている。
【００６４】
なお、領域５００においては、図５（ｂ）に示すように基板５０２上に形成された発光素子５０３は、第一の基板上に備えられたシール材５０５により第二の基板との間に封止されている。さらに、この場合、シール材５０５と発光素子の第二の電極（陰極）５０６とが接しない領域５０７を有している。
【００６５】
一方、図６には、従来の封止構造を有する発光装置を６５℃、９５％雰囲気に５０時間保存した後の顕微鏡写真を示す。図６（ａ）には、発光装置を６５℃、９５％雰囲気に５０時間保存した後の顕微鏡写真を示す。また、図６（ｂ）には、図６（ａ）の写真において、領域５００に示す部分の具体的な構造を示す。
【００６６】
図６（ａ）において、領域６００の部分にシール材が備えられており、基板上に形成された発光素子を含む画素部６０１が対向基板５０４によって封止されている。
【００６７】
なお、領域６００においては、図６（ｂ）に示すように基板６０２上に形成された発光素子６０３は、第一の基板上に備えられたシール材６０５により第二の基板６０４との間に封止されている。さらに、この場合、シール材６０５が発光素子の第二の電極（陰極）６０６上に形成されている。
【００６８】
なお、図５、図６の顕微鏡写真を比較すると、図６に示すシール材６０５と第二の電極６０６が接触した構造を有する発光装置では６５℃、９５％雰囲気に５０時間保存した後、発光装置周辺からの輝度劣化が図６（ａ）中の矢印（ａ）の方向に発生しているが、図５に示すシール材５０５と第二の電極５０６の間に領域５０７を有する構造の発光装置では、６５℃、９５％雰囲気に５０時間保存した後で発光装置周辺からの輝度劣化が発生していないことが分かる。なお、正常に発光しているエリアの輝度が約１００ｃｄ／Ａであるときに、非発光エリアの輝度は約１ｃｄ／Ａである。
【実施例３】
【００６９】
本実施例では、発光素子の第二の電極（陰極）とシール材が部分的に接触している発光装置を用いて、第二の電極とシール材の接触幅（ここでは、第二の電極端部からシール材端部までの距離を示す）に対する、６５℃、９５％雰囲気に１７０時間保存した後の発光装置の輝度劣化を示す劣化率（ここでは、画素全体の面積に対する輝度劣化した画素の面積比率を示す）について測定した結果を示す。図７（ａ）にグラフを示す。なお、図７（ａ）グラフでは、図７（ｂ）に示す発光装置における第二の電極７０２の端部を横軸の中心（０）とし、シール材が第二の電極７０２と重なる領域にある場合（領域７０４を有する場合）を矢印（ａ）の方向に接触幅（μｍ）で示し、シール材７０１と第二の電極７０２が接触しないように形成されている場合（領域７０３を有する場合）は、矢印（ｂ）の方向に非接触幅（μｍ）で示している。
【００７０】
図７（ａ）より、第二の電極とシール材が離れているときには劣化率は０％であることが分かる。一方、第二の電極とシール材がある程度以上接触すると（接触幅がある程度以上大きくなると）周辺劣化が発生し、第二の電極とシール材の接触幅が大きいほど劣化率も高くなることが分かる。第二の電極とシール材が接触する領域のデータを直線で近似し、劣化率が０％である点の第二の電極とシール材の接触幅を求めたところ、約１５μｍであった。このことから、第二の電極とシール材が接触する場合であっても、シール材と第二の電極の接触幅が１５μｍ以下であれば６５℃、９５％雰囲気に１７０時間保存しても発光装置周辺からの輝度劣化が発生しないことが分かる。もちろん、第二の電極とシール材が離れていれば発光装置周辺からの輝度劣化は発生しない。
【００７１】
本発明により、発光装置周辺からの輝度劣化の発生を抑制することができる。また、本発明は発光装置を構成している物質の配置を変更することによるものであるため、工程数を増やすことなく、信頼性の高い発光装置を作製することができる。
【実施例４】
【００７２】
本実施例では、実施例１にその一例を示したようなモジュールを搭載した本発明の電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。それらの電子機器の具体例を図８に示す。
【００７３】
図８（Ａ）は発光表示装置でありテレビ受像器などがこれに当たる。筐体２００１、表示部２００３、スピーカー部２００４等を含む。本発明の発光表示装置は、表示部２００３における発光素子の劣化が抑制され、信頼性が向上する。画素部にはコントラストを高めるため、偏光板、又は円偏光板を備えるとよい。例えば、封止基板へ１／４λ板、１／２λ板、偏光板の順にフィルムを設けるとよい。さらに偏光板上に反射防止膜を設けてもよい。
【００７４】
図８（Ｂ）は携帯電話であり、本体２１０１、筐体２１０２、表示部２１０３、音声入力部２１０４、音声出力部２１０５、操作キー２１０６、アンテナ２１０８等を含む。本発明の携帯電話は、表示部２１０３における発光素子の劣化が抑制され、信頼性が向上する。
【００７５】
図８（Ｃ）はノート型パーソナルコンピュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングマウス２２０６等を含む。本発明のノート型パーソナルコンピュータは、表示部２２０３における発光素子の劣化が抑制され、信頼性が向上する。
【００７６】
図８（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含む。本発明のモバイルコンピュータは、表示部２３０２における発光素子の劣化が抑制され、信頼性が向上する。
【００７７】
図８（Ｅ）は携帯型のゲーム機であり、筐体２４０１、表示部２４０２、スピーカー部２４０３、操作キー２４０４、記録媒体挿入部２４０５等を含む。本発明の携帯型ゲーム機は表示部２４０２における発光素子の劣化が抑制され、信頼性が向上する。
【００７８】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の発光装置の断面図。
【図２】本発明の発光装置の断面図。
【図３】本発明の発光装置の断面図。
【図４】本発明の発光装置の断面図。
【図５】本発明の発光装置の顕微鏡写真および断面図。
【図６】従来の発光装置の顕微鏡写真および断面図。
【図７】本発明の発光装置の特性を示すグラフ。
【図８】本発明を用いて作製される電子機器について説明する図。
【符号の説明】
【００８０】
１００ 基板
１０１ 下地絶縁膜
１０２ 電極
１０３ 電極
１０４ 電極
１０５ 隔壁
１０６ 発光層
１０７ 電極
１０８ 発光素子
１０９ 画素部
１１０ シール材
１１１ 対向基板
１１２ 乾燥剤
１１３ 領域
２００ 基板
２０１ 下地絶縁膜
２０２ 半導体層
２０３ 半導体層
２０４ 半導体層
２０５ ゲート電極
２０６ ゲート電極
２０７ ゲート電極
２０８ 層間絶縁膜
２０９ 絶縁膜
２１０ 電極
２１１ 電極
２１２ 電極
２１３ 薄膜トランジスタ
２１４ 薄膜トランジスタ
２１５ 薄膜トランジスタ
２１６ 電極
２１７ 隔壁
２１８ 発光層
２１９ 電極
２２０ 発光素子
２２１ シール材
２２２ 対向基板
２２３ 凹部
２２４ 乾燥材
２２５ 駆動回路部
２２６ 画素部
２２７ 領域
２２８ ゲート絶縁膜
２２９ 無機膜
３０１ 配線
３０２ 配線
３０３ 配線
３０４ 配線
３０５ 配線
３０６ 画素電極
３０７ 層間絶縁膜
３０８ 層間絶縁膜
３０９ 隔壁
３１０ 発光層
３１１ 電極
３１２ 基板
３１３ シール材
３１４ 対向基板
３１５ 領域
４００ 層間絶縁膜
４０１ 電極
４０２ 絶縁膜
４０３ 隔壁
４０４ 基板
４０５ シール材
４０６ 対向基板
４０７ 領域
５００ 領域
５０１ 画素部
５０２ 基板
５０３ 発光素子
５０４ 対向基板
５０５ シール材
５０６ 電極
５０７ 領域
６００ 領域
６０１ 画素部
６０２ 基板
６０３ 発光素子
６０４ 第２の基板
６０５ シール材
６０６ 電極
７０１ シール材
７０２ 電極
７０３ 領域
７０４ 領域
２００１ 筐体
２００３ 表示部
２００４ スピーカー部
２１０１ 本体
２１０２ 筐体
２１０３ 表示部
２１０４ 音声入力部
２１０５ 音声出力部
２１０６ 操作キー
２１０８ アンテナ
２２０１ 本体
２２０２ 筐体
２２０３ 表示部
２２０４ キーボード
２２０５ 外部接続ポート
２２０６ ポインティングマウス
２３０１ 本体
２３０２ 表示部
２３０３ スイッチ
２３０４ 操作キー
２３０５ 赤外線ポート
２４０１ 筐体
２４０２ 表示部
２４０３ スピーカー部
２４０４ 操作キー
２４０５ 記録媒体挿入部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の電極間に有機エレクトロルミネセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ；以下、ＥＬと略記する）材料などの有機化合物を含む層（発光層）を介在させた発光素子を有する発光装置に関し、特に発光素子の封止技術に関する。なお、上記発光装置をその一部に用いた電子機器も本発明に含むこととする。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光素子を用いた薄型軽量ディスプレイの開発が盛んに行われている。発光素子は、一対の電極間に電流を流すことで発光する材料を挟み込むことで作製されるが、液晶と異なりそれ自体が発光するのでバックライトなどの光源が不要なうえ、素子自体が非常に薄いため薄型軽量ディスプレイを作製するにあたり非常に有利である。
【０００３】
しかし、このような大きな長所を備えながら実用化に至っていない背景の一つに、信頼性の問題がある。有機系の材料を用いた発光素子は湿気（水）により劣化を起こすものが多く、長期の信頼性を得にくいという欠点を有する。水により劣化を起こした発光素子は輝度低下を起こしたり、発光しなくなってしまったりする。これが発光素子を用いた発光装置におけるダークスポット（黒点）や発光装置周辺からの輝度劣化（発光装置端部から発光面積が徐々に減少していく輝度劣化）の原因になっていると考えられており、このような劣化を抑制するために様々な対策が提案されている（例えば特許文献１、特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開平９−１４８０６６号公報
【特許文献２】特開平７−１６９５６７号公報
【０００４】
しかし、これらのような対策を適用したとしても未だ十分な信頼性を得るまでには至っておらず、さらなる信頼性の向上が望まれている。
【０００５】
また、発光装置は、基板の上に発光素子を有する画素部（表示領域）があって、基板と対向基板とがシール材で固着された構造をしている。最近では、画素部以外の面積を減らす必要性が高いことから、シール材で固着する位置が画素部のごく近傍にくるようになっている。このため、様々な膜が積層されている部分にシール材が形成されることが多い。
【０００６】
発光装置に用いられているシール材には透湿性の低いものが用いられているが、有機樹脂であるため無機膜に比べて水分をある程度通すことが知られている。このため、発光素子の一部に重ねてシール材が形成されると大気中に含まれる水分が、発光装置の端部からシール材を通して発光装置内部へ侵入してしまう。
【０００７】
なお、有機系の材料を用いた発光素子は水により劣化を起こすものが多く、このように発光装置端部から侵入した水分により輝度低下を起こしたり、発光しなくなってしまう等の問題が生じている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで本発明では、有機系の発光素子を用いた発光装置において、外部より侵入する水の影響を抑制し、また、信頼性を得ることができるような封止構造を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の発光装置は、第一の基板上の外周に備えられたシール材で第二の基板を固着させることにより、第一の基板上に形成された発光素子を封止する場合において、シール材を発光素子の電極の外側に備え、シール材が電極と重ならないように形成することで、外部からの水分の侵入を防ぐ封止構造を形成することを特徴とする。なお、本発明においては、シール材が電極と重なる場合であっても、その接触幅が１５μｍ以下である場合には外部からの水分の侵入を防ぐ封止構造を形成することができる。
【００１０】
なお、本発明の発光装置の構成は、第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール材で固着され、かつ前記シール材と前記第二の電極との接触幅が１５μｍ以下であることを特徴とする発光装置である。
【００１１】
本発明の発光装置の別の構成は、第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール材で固着され、かつ前記シール材は、前記第二の電極の外部に備えられていることを特徴とする発光装置である。
【００１２】
また、本発明の発光装置の第二の電極上に無機絶縁膜が形成されている場合の本発明の構成は、第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第二の電極上に無機絶縁膜が形成され、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール材で固着され、前記シール材と前記第二の電極との接触幅が１５μｍ以下であり、かつ前記シール材と前記無機絶縁膜との接触幅が１５μｍ以下であることを特徴とする発光装置である。
【００１３】
さらに本発明の発光装置の別の構成は、第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第二の電極上に無機絶縁膜が形成され、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール材で固着され、前記シール材は、前記第二の電極、および前記無機絶縁膜の外部に備えられていることを特徴とする発光装置である。
【００１４】
また、上記各構成において、前記第１の電極の端部が有機絶縁膜で覆われている場合には前記有機絶縁膜はアクリル、ポリアミド、ポリイミド、レジスト、ベンゾシクロブテン、シロキサンポリマー、またはアルキル基を含む酸化珪素から選ばれた一種、または複数種からなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明により、発光装置外部からの水分の侵入を防ぐことにより、周辺部からの輝度劣化の発生を抑制することができ、発光装置の信頼性を向上させることができる。また、本発明は発光装置を構成している物質の配置を変更することによるものであるため、工程数を増やすことなく、信頼性の高い発光装置を作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の主な趣旨は、外部より侵入してきた水が画素部の発光層へ到達する経路を遮断することでその影響を抑えることにある。
【００１７】
本発明者らは、無機膜と無機膜に有機樹脂膜が挟まれた構造では水の移動速度が速く、シール材など有機樹脂膜から発光装置内に侵入した水が、主に無機膜と無機膜の間に有機樹脂膜が挟まれた箇所（もしくは、有機樹脂膜上に無機膜が形成された構造）を通って画素部まで到達し発光装置周辺からの輝度劣化を引き起こすことを見いだした。
【００１８】
このため、水の移動速度が速い構造である無機膜と無機膜に有機樹脂膜が挟まれた構造を大気と画素部の間で遮断することにより発光装置周辺からの輝度劣化の発生を抑制することが可能である。
【００１９】
図１は本発明の発光装置の断面図（概略図）である。基板１００上に下地絶縁膜１０１が形成されている。図１では下地絶縁膜１０１に無機絶縁膜を用いているが、有機絶縁膜を用いて形成してもよい。下地絶縁膜１０１は単層でもよいし複数の膜の積層からなっていてもよい。下地絶縁膜１０１上には電極（配線）１０２，１０３が形成されており、電極１０３に接して、第１の電極１０４が形成されており、その端部を覆うように隔壁１０５が形成されている。隔壁１０５は主にアクリルやポリイミド、シロキサンなどの有機絶縁膜で形成されている。
【００２０】
また、第１の電極１０４に接して発光層１０６が形成されており、発光層１０６と隔壁１０５の一部を覆って第２の電極１０７が形成されている。発光素子１０８は第１の電極１０４と第２の電極１０７及びそれらに挟まれている発光層１０６からなっている。画素部１０９はこのような発光素子１０８がマトリクス状に配置されている。
【００２１】
基板１００はシール材１１０により対向基板１１１に固着されている。シール材１１０は第２の電極１０７から離して形成する。対向基板１１１には凹部を形成し、乾燥剤１１２を設けてもよい。
【００２２】
発光装置周辺からの輝度劣化は、シール材１１０を通って侵入した水が、無機膜に有機樹脂膜が挟まれた構造を有する部分を通って、隔壁１０５側から画素部１０９へ侵入することによって発生する。
【００２３】
従って、本実施の形態で示したように画素部の外周部で第２の電極の端部からシール材を離して形成することにより、水の侵入経路となるシール材と画素部の間に有機樹脂膜である隔壁が無機膜に挟まれていない領域１１３ができるため、発光装置周辺からの輝度劣化の発生を抑制することが可能である。
【００２４】
（実施の形態１）
図２は本発明の発光装置の断面図である。基板２００上に下地絶縁膜２０１が形成されており、その上に半導体層２０２〜２０４が形成されている。下地絶縁膜２０１と半導体層２０２〜２０４はゲート絶縁膜２２８に覆われており、ゲート絶縁膜２２８上には半導体層２０２〜２０４と一部重なってゲート電極２０５〜２０７が形成されている。ゲート絶縁膜２２８とゲート電極２０５〜２０７は層間絶縁膜２０８で覆われており、層間絶縁膜２０８の上には絶縁膜２０９が成膜されている。
【００２５】
基板２００は薄膜トランジスタや発光素子を保持する為のものである。下地絶縁膜２０１は基板２００から薄膜トランジスタに悪影響を及ぼす物質が拡散するのを抑える為に設けられているため、必要がなければ設ける必要はない。半導体層２０２〜２０４、ゲート絶縁膜２２８及びゲート電極２０５〜２０７により薄膜トランジスタが形成されている。薄膜トランジスタは駆動回路などに用いられる駆動回路部２２５に設けられたものと発光素子２２０を駆動する為に画素部２２６に設けられたものがある。駆動回路は本実施の形態のように一体形成しても良いし、別に作製しても良い。
【００２６】
本実施の形態では、層間絶縁膜２０８は平坦性を持たせるため、アクリルやポリイミド、シロキサンなどの有機絶縁膜を用いて形成されている。また、絶縁膜２０９は窒化珪素や酸素を含む窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、酸化珪素など無機膜で形成する。なお、図２のように層間絶縁膜２０８が窒化珪素や酸素を含む窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、酸化珪素など無機膜で形成されていてもよいし、絶縁膜２０９が形成されていなくてもよい。また、層間絶縁膜２０８とゲート絶縁膜２２８、もしくは層間絶縁膜２０８とゲート電極２０５〜２０７との間に他の材料よりなる絶縁膜が設けられていても良い。
【００２７】
絶縁膜２０９の上には絶縁膜２０９と層間絶縁膜２０８に開口されたコンタクトホールを介して半導体層２０２〜２０４に電気的に接続する電極（配線）２１０〜２１２が形成されている。半導体層２０２、ゲート絶縁膜２２８、ゲート電極２０５及び電極（配線）２１０から薄膜トランジスタ２１３が、半導体層２０３、ゲート絶縁膜２２８、ゲート電極２０６及び電極（配線）２１１から薄膜トランジスタ２１４が形成され、半導体層２０４、ゲート絶縁膜２２８、ゲート電極２０７及び電極（配線）２１２は薄膜トランジスタ２１５の一部である。なお、薄膜トランジスタ２１３、２１４は発光装置における駆動回路部２２５の薄膜トランジスタの一部を表しており、薄膜トランジスタ２１５は画素部２２６における薄膜トランジスタのうちの一つである。
【００２８】
薄膜トランジスタ２１５の電極２１２に接して、第１の電極２１６が形成されており、その端部を覆うように隔壁２１７が形成されている。隔壁２１７は主にアクリルやポリイミド、シロキサンなどの有機絶縁膜で形成されている。
【００２９】
また、第１の電極２１６に接して発光層２１８が形成されており、発光層２１８と隔壁２１７の一部を覆って第２の電極２１９が形成されている。なお、発光素子２２０は第１の電極２１６と第２の電極２１９、及びそれらに挟まれている発光層２１８とからなっている。画素部２２６はこのような発光素子２２０がマトリクス状に配置されている。
【００３０】
基板１００はシール材２２１により対向基板２２２に固着されている。対向基板２２２には凹部２２３を形成し、乾燥材２２４を設けても良い。
【００３１】
発光装置周辺からの輝度劣化は、シール材を通して侵入した水が、隔壁２１７側から画素部２２６に侵入することによって発生する。水の移動速度は、無機膜間に挟まれた有機樹脂膜があると速いが、無機膜単独や有機樹脂膜と無機膜が積層されていても有機樹脂膜の上部が大気である場合には遅い。
【００３２】
図２の発光装置は領域２２７に有機樹脂膜上に無機膜が積層していない部位を有するため、水の移動速度が遅い。このため、隔壁を通って画素部まで水が侵入することを抑制することが可能である。
【００３３】
また、図２に示したように層間絶縁膜２０８の端面を無機膜２２９で覆うと層間絶縁膜２０８端部より侵入する水の量を更に減少させることができる為、好ましい構成である。無機膜２２９を電極（配線）２１０〜２１２と同じ材料で形成すれば、工程数を増やすことなく信頼性の高い発光装置を作製することができる。
【００３４】
（実施の形態２）
本実施の形態では、図３を用いて本発明の他の実施の形態について説明する。尚、図２と同じ部分に関しては一部説明を省略する。
【００３５】
本実施の形態では配線３０１〜３０５と画素電極（第１の電極）３０６が異なる層に形成されている場合の例を説明する。本実施の形態では、第１の層間絶縁膜３０７は酸化珪素や窒化珪素、窒素を含む酸化珪素及び酸素を含む窒化珪素などの材料でもって作製した例を示す。第１の層間絶縁膜３０７は単層でも良いし、複数層であっても良い。これらの材料は透湿性が低いため、外周部が外気に曝されていても水がほとんど侵入しないことから図２の２２９のように第１の層間絶縁膜の端面を無機膜で覆わずとも水は第１の層間絶縁膜３０７にほとんど侵入しない。
【００３６】
第１の層間絶縁膜３０７と電極（配線）３０１〜３０５は第２の層間絶縁膜３０８で覆われており、第２の層間絶縁膜３０８上には、当該第２の層間絶縁膜３０８に設けられたコンタクトホールを介して薄膜トランジスタの電極である配線３０５に電気的に接続する第１の電極３０６が形成されている。第２の層間絶縁膜３０８上には第１の電極３０６のコンタクトホール部及び端部を覆って隔壁３０９が形成されている。なお、第２の層間絶縁膜３０８及び隔壁３０９の材料にはアクリル、ポリイミド、シロキサンなどの有機絶縁膜が多く用いられ、これらは比較的高い透湿性を有していることが知られている。
【００３７】
また、第１の電極３０６に接して発光層３１０が形成されており、発光層３１０と隔壁３０９の一部を覆って第２の電極３１１が形成されている。
【００３８】
このように素子が形成された基板３１２はシール材３１３により対向基板３１４に固着され、発光装置となる。シール材３１３は第２の電極３１１から離して形成する。
【００３９】
発光装置周辺からの輝度劣化は、シール材を通して侵入した水が、隔壁側から画素部に侵入することによって発生する。水の移動速度は、無機膜間に挟まれた有機樹脂膜があると速いが、無機膜単独や有機樹脂膜と無機膜が積層されていても有機樹脂膜の上部が大気である場合には遅い。
【００４０】
図３の発光装置は、領域３１５に有機樹脂膜上に無機膜が積層していないため、水の移動速度が遅い。このため、隔壁を通って画素部まで水が侵入することを抑制することが可能である。
【００４１】
また、図３に示したように第２の層間絶縁膜３０８と隔壁３０９の端面をシールの内側に形成すると第２の層間絶縁膜３０８と隔壁３０９から侵入する水の量を更に減少させることができる為、好ましい構成である。
【００４２】
（実施の形態３）
図４を用いて本発明の他の実施形態について説明する。尚、図２、図３と同じ部分に関しては一部説明を省略する。
【００４３】
図４は、層間絶縁膜４００を酸化珪素や窒化珪素、窒素を含む酸化珪素及び酸素を含む窒化珪素などの材料でもって作製し、第２の電極４０１上に絶縁膜４０２を積層して作製した例を示す。
【００４４】
絶縁膜４０２は窒化珪素や酸素を含む窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、酸化珪素など無機膜で形成する。絶縁膜４０２は単層であっても、複数層であってもよい。
【００４５】
基板４０４はシール材４０５により対向基板４０６に固着され、発光装置となる。シール材４０５は第２の電極４０１と絶縁膜４０２から離して形成する。なお、その他の構成に関しては実施の形態２と同じであるため説明を省略する。なお、隔壁４０３は実施の形態における隔壁２１７に、領域４０７は領域２２７に相当する。
【００４６】
発光装置周辺からの輝度劣化は、シール材を通して侵入した水が、隔壁側から画素部に侵入することによって発生する。
水の移動速度は、無機膜間に挟まれた有機樹脂膜があると速いが、無機膜単独や有機樹脂膜と無機膜が積層されていても有機樹脂膜の上部が大気である場合には遅い。
【００４７】
図４の発光装置は、４０７に有機樹脂膜上に無機膜が積層していない部位を有するため、水の移動速度が遅い。このため、隔壁を通って画素部まで水が侵入することを抑制することが可能である。
【実施例１】
【００４８】
本実施例では、本発明の発光装置を作製する方法について、図１を参照しながら説明する。
【００４９】
基板１００上に下地絶縁膜１０１を形成する。下地絶縁膜１０１は基板１００中のアルカリ金属やアルカリ土類金属など、半導体層の特性に悪影響を及ぼすような元素が半導体層中に拡散するのを防ぐ為に設ける。材料としては酸化珪素、窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、酸素を含む窒化珪素などを用いることができ、単層、または積層構造とすることにより形成する。なお、アルカリ金属やアルカリ土類金属の拡散が心配ないようであれば特に下地絶縁膜１０１は設ける必要がない。
【００５０】
下地絶縁膜１０１を覆って導電層を形成する。当該導電層を所望の形状に加工し、配線（電極）１０３、引き回し配線１０２を形成する。これらはアルミニウム、銅等の単層でも良いが、本実施例では下からのチタン／アルミニウム／チタンの積層構造とする。積層配線としてはモリブデン／アルミニウム／モリブデンやチタン／アルミニウム／チタンやチタン／窒化チタン／アルミニウム／チタンといった構造でも良い。
【００５１】
下地絶縁膜１０１と引き回し配線１０２，配線１０３を覆って、透光性を有する導電層を形成したのち、当該透光性を有する導電層を加工して第１の電極１０４を形成する。ここで第１の電極１０４は電極１０３と電気的に接触している。第１の電極１０４の材料としてはインジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）や酸化珪素を含有するＩＴＯ、酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛を含有したＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）もしくは酸化亜鉛そのもの、そして酸化亜鉛にガリウムを含有したＧＺＯ（Ｇａｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等を用いるとよい。
【００５２】
次に下地絶縁膜１０１及び第１の電極１０４を覆って有機樹脂材料からなる絶縁膜を形成する。続いて当該絶縁膜は第１の電極の一部が露出するように加工し、隔壁１０５を形成する。隔壁１０５の材料としては、感光性を有する有機樹脂材料（アクリル、ポリイミドなど）が好適に用いられるが、感光性を有さない有機樹脂材料で形成してもかまわない。隔壁１０５の第１の電極に面した端面は曲率を有し、当該曲率が連続的に変化するテーパー形状をしていることが望ましい。なお、隔壁１０５に顔料やカーボンなど黒色の物質を混入し、ブラックマトリクスとして用いても良い。
【００５３】
次に、隔壁１０５から露出した第１の電極１０４を覆う発光層１０６を形成する。発光層１０６は蒸着法やインクジェット法、スピンコート法などいずれの方法を用いて形成してもかまわない。
【００５４】
続いて発光層１０６を覆う第２の電極１０７を形成する。これによって第１の電極１０４と発光層１０６と第２の電極１０７とからなる発光素子１０８を作製することができる。
【００５５】
その後、プラズマＣＶＤ法により窒素を含む酸化珪素膜をパッシベーション膜として形成しても良い。窒素を含む酸化珪素膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ、ＮＨ3から作製される酸化窒化ケイ素膜、またはＳｉＨ4、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化ケイ素膜、あるいはＳｉＨ4、Ｎ2ＯをＡｒで希釈したガスから形成される酸化窒化ケイ素膜を形成すれば良い。
【００５６】
また、パッシベーション膜としてＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ、Ｈ2から作製される酸化窒化水素化ケイ素膜を適用しても良い。もちろん、パッシベーション膜は単層構造に限定されるものではなく、他のケイ素を含む絶縁膜を単層構造、もしくは積層構造として用いても良い。また、窒化炭素膜と窒化ケイ素膜の多層膜やスチレンポリマーの多層膜、窒化ケイ素膜やダイヤモンドライクカーボン膜を窒素を含む酸化珪素膜の代わりに形成してもよい。
【００５７】
続いて表示部の封止を行う。対向基板１１１を封止に用いる場合は、絶縁性のシール材１１０により貼り合わせる。シール材１１０は第２の電極１０７から離して形成する。対向基板１１１には凹部を作製して乾燥材１１２を貼り付けても良い。対向基板１１１と素子が形成された基板１００との間の空間には乾燥した窒素などの不活性気体を充填しても良い。シール材には紫外線硬化樹脂などを用いると好適である。シール材には乾燥材やギャップを一定に保つための粒子を混入しておいても良い。
【００５８】
発光装置周辺からの輝度劣化は、シール材を通して侵入した水が、隔壁側から画素部に侵入することによって発生する。水の移動速度は、無機膜間に挟まれた有機樹脂膜があると速いが、無機膜単独や有機樹脂膜と無機膜が積層されていても有機樹脂膜の上部が大気である場合には遅い。
【００５９】
図１の発光装置は領域１１３に有機樹脂膜上に無機膜が積層していない部位を有するため、水の移動速度が遅い。このため、隔壁を通って画素部まで水が侵入することを抑制することが可能である。
【００６０】
以上より、本実施例で示すような封止構造を形成することにより、発光装置外部からの水分の侵入を防ぐことができるため、周辺部からの輝度劣化の発生を抑制することができ、発光装置の信頼性を向上させることができる。
【実施例２】
【００６１】
本実施例では実施例１の方法で作製した発光装置を６５℃、９５％に保った雰囲気にさらし、一定時間おきに発光装置の表示状態を顕微鏡で観察した結果について説明する。
【００６２】
図５（ａ）には、発光装置を６５℃、９５％雰囲気に５０時間保存した後の顕微鏡写真を示す。また、図５（ｂ）には、図５（ａ）の写真において、領域５００に示す部分の具体的な構造を示す。
【００６３】
図５（ａ）において、領域５００の部分にシール材が備えられており、基板上に形成された発光素子を含む画素部５０１が封止されている。
【００６４】
なお、領域５００においては、図５（ｂ）に示すように基板５０２上に形成された発光素子５０３は、第一の基板上に備えられたシール材５０５により第二の基板との間に封止されている。さらに、この場合、シール材５０５と発光素子の第二の電極（陰極）５０６とが接しない領域５０７を有している。
【００６５】
一方、図６には、従来の封止構造を有する発光装置を６５℃、９５％雰囲気に５０時間保存した後の顕微鏡写真を示す。図６（ａ）には、発光装置を６５℃、９５％雰囲気に５０時間保存した後の顕微鏡写真を示す。また、図６（ｂ）には、図６（ａ）の写真において、領域５００に示す部分の具体的な構造を示す。
【００６６】
図６（ａ）において、領域６００の部分にシール材が備えられており、基板上に形成された発光素子を含む画素部６０１が対向基板５０４によって封止されている。
【００６７】
なお、領域６００においては、図６（ｂ）に示すように基板６０２上に形成された発光素子６０３は、第一の基板上に備えられたシール材６０５により第二の基板６０４との間に封止されている。さらに、この場合、シール材６０５が発光素子の第二の電極（陰極）６０６上に形成されている。
【００６８】
なお、図５、図６の顕微鏡写真を比較すると、図６に示すシール材６０５と第二の電極６０６が接触した構造を有する発光装置では６５℃、９５％雰囲気に５０時間保存した後、発光装置周辺からの輝度劣化が図６（ａ）中の矢印（ａ）の方向に発生しているが、図５に示すシール材５０５と第二の電極５０６の間に領域５０７を有する構造の発光装置では、６５℃、９５％雰囲気に５０時間保存した後で発光装置周辺からの輝度劣化が発生していないことが分かる。なお、正常に発光しているエリアの輝度が約１００ｃｄ／Ａであるときに、非発光エリアの輝度は約１ｃｄ／Ａである。
【実施例３】
【００６９】
本実施例では、発光素子の第二の電極（陰極）とシール材が部分的に接触している発光装置を用いて、第二の電極とシール材の接触幅（ここでは、第二の電極端部からシール材端部までの距離を示す）に対する、６５℃、９５％雰囲気に１７０時間保存した後の発光装置の輝度劣化を示す劣化率（ここでは、画素全体の面積に対する輝度劣化した画素の面積比率を示す）について測定した結果を示す。図７（ａ）にグラフを示す。なお、図７（ａ）グラフでは、図７（ｂ）に示す発光装置における第二の電極７０２の端部を横軸の中心（０）とし、シール材が第二の電極７０２と重なる領域にある場合（領域７０４を有する場合）を矢印（ａ）の方向に接触幅（μｍ）で示し、シール材７０１と第二の電極７０２が接触しないように形成されている場合（領域７０３を有する場合）は、矢印（ｂ）の方向に非接触幅（μｍ）で示している。
【００７０】
図７（ａ）より、第二の電極とシール材が離れているときには劣化率は０％であることが分かる。一方、第二の電極とシール材がある程度以上接触すると（接触幅がある程度以上大きくなると）周辺劣化が発生し、第二の電極とシール材の接触幅が大きいほど劣化率も高くなることが分かる。第二の電極とシール材が接触する領域のデータを直線で近似し、劣化率が０％である点の第二の電極とシール材の接触幅を求めたところ、約１５μｍであった。このことから、第二の電極とシール材が接触する場合であっても、シール材と第二の電極の接触幅が１５μｍ以下であれば６５℃、９５％雰囲気に１７０時間保存しても発光装置周辺からの輝度劣化が発生しないことが分かる。もちろん、第二の電極とシール材が離れていれば発光装置周辺からの輝度劣化は発生しない。
【００７１】
本発明により、発光装置周辺からの輝度劣化の発生を抑制することができる。また、本発明は発光装置を構成している物質の配置を変更することによるものであるため、工程数を増やすことなく、信頼性の高い発光装置を作製することができる。
【実施例４】
【００７２】
本実施例では、実施例１にその一例を示したようなモジュールを搭載した本発明の電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。それらの電子機器の具体例を図８に示す。
【００７３】
図８（Ａ）は発光表示装置でありテレビ受像器などがこれに当たる。筐体２００１、表示部２００３、スピーカー部２００４等を含む。本発明の発光表示装置は、表示部２００３における発光素子の劣化が抑制され、信頼性が向上する。画素部にはコントラストを高めるため、偏光板、又は円偏光板を備えるとよい。例えば、封止基板へ１／４λ板、１／２λ板、偏光板の順にフィルムを設けるとよい。さらに偏光板上に反射防止膜を設けてもよい。
【００７４】
図８（Ｂ）は携帯電話であり、本体２１０１、筐体２１０２、表示部２１０３、音声入力部２１０４、音声出力部２１０５、操作キー２１０６、アンテナ２１０８等を含む。本発明の携帯電話は、表示部２１０３における発光素子の劣化が抑制され、信頼性が向上する。
【００７５】
図８（Ｃ）はノート型パーソナルコンピュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングマウス２２０６等を含む。本発明のノート型パーソナルコンピュータは、表示部２２０３における発光素子の劣化が抑制され、信頼性が向上する。
【００７６】
図８（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含む。本発明のモバイルコンピュータは、表示部２３０２における発光素子の劣化が抑制され、信頼性が向上する。
【００７７】
図８（Ｅ）は携帯型のゲーム機であり、筐体２４０１、表示部２４０２、スピーカー部２４０３、操作キー２４０４、記録媒体挿入部２４０５等を含む。本発明の携帯型ゲーム機は表示部２４０２における発光素子の劣化が抑制され、信頼性が向上する。
【００７８】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の発光装置の断面図。
【図２】本発明の発光装置の断面図。
【図３】本発明の発光装置の断面図。
【図４】本発明の発光装置の断面図。
【図５】本発明の発光装置の顕微鏡写真および断面図。
【図６】従来の発光装置の顕微鏡写真および断面図。
【図７】本発明の発光装置の特性を示すグラフ。
【図８】本発明を用いて作製される電子機器について説明する図。
【符号の説明】
【００８０】
１００ 基板
１０１ 下地絶縁膜
１０２ 電極
１０３ 電極
１０４ 電極
１０５ 隔壁
１０６ 発光層
１０７ 電極
１０８ 発光素子
１０９ 画素部
１１０ シール材
１１１ 対向基板
１１２ 乾燥剤
１１３ 領域
２００ 基板
２０１ 下地絶縁膜
２０２ 半導体層
２０３ 半導体層
２０４ 半導体層
２０５ ゲート電極
２０６ ゲート電極
２０７ ゲート電極
２０８ 層間絶縁膜
２０９ 絶縁膜
２１０ 電極
２１１ 電極
２１２ 電極
２１３ 薄膜トランジスタ
２１４ 薄膜トランジスタ
２１５ 薄膜トランジスタ
２１６ 電極
２１７ 隔壁
２１８ 発光層
２１９ 電極
２２０ 発光素子
２２１ シール材
２２２ 対向基板
２２３ 凹部
２２４ 乾燥材
２２５ 駆動回路部
２２６ 画素部
２２７ 領域
２２８ ゲート絶縁膜
２２９ 無機膜
３０１ 配線
３０２ 配線
３０３ 配線
３０４ 配線
３０５ 配線
３０６ 画素電極
３０７ 層間絶縁膜
３０８ 層間絶縁膜
３０９ 隔壁
３１０ 発光層
３１１ 電極
３１２ 基板
３１３ シール材
３１４ 対向基板
３１５ 領域
４００ 層間絶縁膜
４０１ 電極
４０２ 絶縁膜
４０３ 隔壁
４０４ 基板
４０５ シール材
４０６ 対向基板
４０７ 領域
５００ 領域
５０１ 画素部
５０２ 基板
５０３ 発光素子
５０４ 対向基板
５０５ シール材
５０６ 電極
５０７ 領域
６００ 領域
６０１ 画素部
６０２ 基板
６０３ 発光素子
６０４ 第２の基板
６０５ シール材
６０６ 電極
７０１ シール材
７０２ 電極
７０３ 領域
７０４ 領域
２００１ 筐体
２００３ 表示部
２００４ スピーカー部
２１０１ 本体
２１０２ 筐体
２１０３ 表示部
２１０４ 音声入力部
２１０５ 音声出力部
２１０６ 操作キー
２１０８ アンテナ
２２０１ 本体
２２０２ 筐体
２２０３ 表示部
２２０４ キーボード
２２０５ 外部接続ポート
２２０６ ポインティングマウス
２３０１ 本体
２３０２ 表示部
２３０３ スイッチ
２３０４ 操作キー
２３０５ 赤外線ポート
２４０１ 筐体
２４０２ 表示部
２４０３ スピーカー部
２４０４ 操作キー
２４０５ 記録媒体挿入部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール剤で固着され、かつ前記シール剤と前記第二の電極との接触幅が１５μｍ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール剤で固着され、かつ前記シール剤は、前記第二の電極の外部に備えられていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第二の電極上に無機絶縁膜が形成され、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール剤で固着され、前記シール剤と前記第二の電極との接触幅が１５μｍ以下であり、かつ前記シール剤と前記無機絶縁膜との接触幅が１５μｍ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第二の電極上に無機絶縁膜が形成され、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール剤で固着され、前記シール剤は、前記第二の電極、および前記無機絶縁膜の外部に備えられていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第一の電極は、その端部が有機絶縁膜で覆われており、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール剤で固着され、前記シール剤、前記発光層、および前記第二の電極の一部が前記有機樹脂膜と接しており、かつ前記シール剤と前記第二の電極との接触幅が１５μｍ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第一の電極は、その端部が有機絶縁膜で覆われており、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール剤で固着され、前記シール剤、前記発光層、および前記第二の電極の一部が前記有機樹脂膜と接しており、かつ前記シール剤は、前記第二の電極の外部に備えられていることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第一の電極は、その端部が有機絶縁膜で覆われており、前記第二の電極上に無機絶縁膜が形成され、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール剤で固着され、前記シール剤、前記発光層、および前記第二の電極の一部が前記有機樹脂膜と接しており、前記シール剤と前記第二の電極との接触幅が１５μｍ以下であり、かつ前記シール剤と前記無機絶縁膜との接触幅が１５μｍ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第一の電極は、その端部が有機絶縁膜で覆われており、前記第二の電極上に無機絶縁膜が形成され、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール剤で固着され、前記シール剤、前記発光層、および前記第二の電極の一部が前記有機樹脂膜と接しており、前記シール剤は、前記第二の電極、および前記無機絶縁膜の外部に備えられていることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項５乃至請求項８のいずれか一において、前記有機絶縁膜はアクリル、ポリアミド、ポリイミド、レジスト、ベンゾシクロブテン、シロキサンポリマー、またはアルキル基を含む酸化珪素から選ばれた一種、または複数種からなることを特徴とする発光装置。
【請求項１】
第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール剤で固着され、かつ前記シール剤と前記第二の電極との接触幅が１５μｍ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール剤で固着され、かつ前記シール剤は、前記第二の電極の外部に備えられていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第二の電極上に無機絶縁膜が形成され、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール剤で固着され、前記シール剤と前記第二の電極との接触幅が１５μｍ以下であり、かつ前記シール剤と前記無機絶縁膜との接触幅が１５μｍ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第二の電極上に無機絶縁膜が形成され、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール剤で固着され、前記シール剤は、前記第二の電極、および前記無機絶縁膜の外部に備えられていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第一の電極は、その端部が有機絶縁膜で覆われており、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール剤で固着され、前記シール剤、前記発光層、および前記第二の電極の一部が前記有機樹脂膜と接しており、かつ前記シール剤と前記第二の電極との接触幅が１５μｍ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第一の電極は、その端部が有機絶縁膜で覆われており、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール剤で固着され、前記シール剤、前記発光層、および前記第二の電極の一部が前記有機樹脂膜と接しており、かつ前記シール剤は、前記第二の電極の外部に備えられていることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第一の電極は、その端部が有機絶縁膜で覆われており、前記第二の電極上に無機絶縁膜が形成され、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール剤で固着され、前記シール剤、前記発光層、および前記第二の電極の一部が前記有機樹脂膜と接しており、前記シール剤と前記第二の電極との接触幅が１５μｍ以下であり、かつ前記シール剤と前記無機絶縁膜との接触幅が１５μｍ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第一の電極は、その端部が有機絶縁膜で覆われており、前記第二の電極上に無機絶縁膜が形成され、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール剤で固着され、前記シール剤、前記発光層、および前記第二の電極の一部が前記有機樹脂膜と接しており、前記シール剤は、前記第二の電極、および前記無機絶縁膜の外部に備えられていることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項５乃至請求項８のいずれか一において、前記有機絶縁膜はアクリル、ポリアミド、ポリイミド、レジスト、ベンゾシクロブテン、シロキサンポリマー、またはアルキル基を含む酸化珪素から選ばれた一種、または複数種からなることを特徴とする発光装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図７】
【図８】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図７】
【図８】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００６−８６０８５（Ｐ２００６−８６０８５Ａ）
【公開日】平成１８年３月３０日（２００６．３．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−２７２０７６（Ｐ２００４−２７２０７６）
【出願日】平成１６年９月１７日（２００４．９．１７）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年３月３０日（２００６．３．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年９月１７日（２００４．９．１７）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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