真空チャンバの真空度制御機構、これを備えた接合装置、真空チャンバの真空度制御方法、及び接合装置の真空度制御方法
【課題】簡易な構成で、真空圧制御の精度を高めることができる真空チャンバの真空度制御機構、これを備えた接合装置、真空チャンバの真空度制御方法、及び接合装置の真空度制御方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバＤの真空圧力値を制御するための真空チャンバの真空度制御機構であって、真空チャンバＤを真空引きするための真空経路と、真空チャンバＤに気体を導入する流量調整弁３０と、流量調整弁３０の開閉率を制御する制御部３２と、を備え、制御部３２は、真空チャンバＤの真空圧力値に基づいて流量調整弁３０の開閉率を制御して、真空チャンバＤの真空圧力値を目標真空圧力値に調整する。
【解決手段】真空チャンバＤの真空圧力値を制御するための真空チャンバの真空度制御機構であって、真空チャンバＤを真空引きするための真空経路と、真空チャンバＤに気体を導入する流量調整弁３０と、流量調整弁３０の開閉率を制御する制御部３２と、を備え、制御部３２は、真空チャンバＤの真空圧力値に基づいて流量調整弁３０の開閉率を制御して、真空チャンバＤの真空圧力値を目標真空圧力値に調整する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、板状または箔状の貼り合せ用基材を熱圧着により接合させることに用いる真空チャンバの真空度制御機構、これを備えた接合装置、真空チャンバの真空度制御方法、及び接合装置の真空度制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、簡易で低コストであっても、真空ポンプを保護しつつ省電力で真空チャンバ内の真空度を制御することができる制御機構と制御方法に関する技術が提案されている。
【０００３】
この制御機構は、積層成形を実施する真空チャンバ内の真空度を制御する制御機構であって、真空チャンバ内の真空度を計測する真空センサの検出値に設定した所定幅値のヒステリシスに基づいて真空チャンバに接続された真空ポンプを起動・停止することにより、真空チャンバ内の真空度を制御する制御装置を備えている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２９８００７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記制御機構は、真空ポンプ、ガス供給手段を制御するバルブが開／閉、２者択一的に動作するタイプであるため、バルブ開／閉時に真空圧が大きく変動するため、真空圧制御の精度が悪いという問題がある。
【０００６】
そこで、本発明は、簡易な構成で、真空圧制御の精度を高めることができる真空チャンバの真空度制御機構、これを備えた接合装置、真空チャンバの真空度制御方法、及び接合装置の真空度制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１の発明は、真空チャンバの真空圧力値を制御するための真空チャンバの真空度制御機構であって、前記真空チャンバを真空引きするための真空経路と、前記真空チャンバに気体を導入する流量調整弁と、前記流量調整弁の開閉率を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記真空チャンバの真空圧力値に基づいて前記流量調整弁の開閉率を制御して、前記真空チャンバの真空圧力値を目標真空圧力値に調整することを特徴とする。
【０００８】
この場合、前記流量調整弁は、前記真空チャンバに不活性ガスを導入することが好ましい。
【０００９】
この場合、前記流量調整弁は、マスフローコントローラであり、前記制御部は、ＰＩＤコントローラであることが好ましい。
【００１０】
第２の発明は、加圧機構と、前記加圧機構から加圧力が付与される熱盤部と、を有し、前記熱盤部は、前記加圧力の作用方向に複数配置され、前記加圧力の作用方向に隣接する前記熱盤部同士が相互に積み重なることにより当該熱盤部間に真空チャンバが形成され、前記真空チャンバ内で貼り合せ用基材同士を熱圧着させて接合する接合装置であって、前記真空チャンバを真空引きするための真空経路と、前記真空チャンバに気体を導入する流量調整弁と、前記流量調整弁の開閉率を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記真空チャンバの真空圧力値に基づいて前記流量調整弁の開閉率を制御して、前記真空チャンバの真空圧力値を目標真空圧力値に調整することを特徴とする。
【００１１】
この場合、前記流量調整弁は、前記真空チャンバに不活性ガスを導入することが好ましい。
【００１２】
この場合、前記真空チャンバは、複数形成され、前記真空チャンバ同士を連通する連通路が形成され、複数の前記真空チャンバは、同時に真空引きされることが好ましい。
【００１３】
この場合、前記流量調整弁は、マスフローコントローラであり、前記制御部は、ＰＩＤコントローラであることが好ましい。
【００１４】
第３の発明は、真空チャンバの真空圧力値を制御するための真空チャンバの真空度制御方法であって、前記真空チャンバを真空引きするための真空経路と、前記真空チャンバに気体を導入する流量調整弁と、を用い、前記真空チャンバを真空引きした状態で、前記流量調整弁の開閉率を大きくすることにより前記真空チャンバに導入する気体の流量を増加させ、または、前記流量調整弁の開閉率を小さくすることにより前記真空チャンバに導入する気体の流量を減少させ、前記流量調整弁の開閉率を変えることにより真空チャンバの真空圧力値を制御する。
【００１５】
この場合、前記流量調整弁は、前記真空チャンバに不活性ガスを導入することが好ましい。
【００１６】
第４の発明は、加圧機構と、前記加圧機構から加圧力が付与される熱盤部と、を有し、前記熱盤部は、前記加圧力の作用方向に複数配置され、前記加圧力の作用方向に隣接する前記熱盤部同士が相互に積み重なることにより当該熱盤部間に真空チャンバが形成され、前記真空チャンバ内で貼り合せ用基材同士を熱圧着させて接合する接合装置の真空度制御方法であって、前記真空チャンバを真空引きするための真空経路と、前記真空チャンバに気体を導入する流量調整弁と、前記流量調整弁の開閉率を制御する制御部と、を用い、前記制御部は、前記真空チャンバの真空圧力値に基づいて前記流量調整弁の開閉率を制御して、前記真空チャンバの真空圧力値を目標真空圧力値に調整することを特徴とする。
【００１７】
この場合、前記流量調整弁は、前記真空チャンバに不活性ガスを導入することが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、簡易な構成で、真空チャンバの真空圧制御の精度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態に係る真空チャンバの真空度制御機構を備えた接合装置であって熱盤部が重ね合わされた状態の構成図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る真空チャンバの真空度制御機構を備えた接合装置であって熱盤部が重ね合わされていない状態の構成図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る真空チャンバの周辺部の構成を示した説明図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る真空チャンバの真空度制御機構を備えた接合装置の真空度制御を示すグラフである。
【図５】本発明の一実施形態に係る真空チャンバの真空度制御機構を備えた接合装置の真空度制御範囲を示すグラフである。
【図６】比較対象の真空チャンバの真空度制御機構の構成図である。
【図７】比較対象の真空チャンバの真空度制御機構による真空度の制御結果を制御機器の作動状況とともに示すグラフである。
【図８】比較対象の真空チャンバの真空度制御機構を備えた多段積層貼合装置のＯＮ／ＯＦＦ制御を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の一実施形態に係る真空チャンバの真空度制御機構、これを備えた接合装置、真空チャンバの真空度制御方法、及び接合装置の真空度制御方法について、図面を参照して説明する。
【００２１】
本実施形態では、真空チャンバの真空度制御機構が接合装置に適用された構成を一例として説明する。なお、真空チャンバの真空度制御機構は、接合装置に適用される構成に限られるものではなく、真空チャンバの真空度制御が必要となる装置に対して広く適用することができる。
【００２２】
（接合装置）
先ず、接合装置について説明する。接合装置は、貼り合せ用基材同士を熱圧着により接合させる装置である。なお、貼り合せ用基材は、貼り合せ前の基板であり、ウエハや集合基板の他に、個片化された子基板も含まれる。本実施形態の接合装置にて複数の貼り合せ用基板を貼り合せ、複合基板を作製する。複合基板を作製するための貼り合せ用基材は、異種でも同種でもよい。作製された複合基板は電子機器の部品として用いられる。
【００２３】
図１は、真空チャンバの真空度制御機構が接合装置に適用された状態を示す構成図である。図１の実線は、真空経路である配管の接続状態を示し、太字破線は、電気的な接続状態を示す。
【００２４】
図１に示すように、接合装置１０は、筐体１２を備えている。筐体１２の底部には、加圧機構１４が配置されている。加圧機構１４は、一例として、上下方向に伸縮可能な油圧式のピストンロッド１６が適用される。なお、加圧機構１４は、図示しない制御部により駆動制御される。
【００２５】
加圧機構１４のピストンロッド１６の先端部には、下側台座部１８が接続されている。このため、加圧機構１４の一部であるピストンロッド１６が上下方向に伸縮すると、下側台座部１８が上下方向に移動する。
【００２６】
また、筐体１２の上部には、上側台座部２０が固定されている。なお、下側台座部１８と上側台座部２０との間で、上下方向に積まれた複数の熱盤部２４が所定の加圧力で挟持される構造になっている。
【００２７】
筐体１２の内部には、上下方向に沿って複数の熱盤部２４が並んで配置されている。本実施形態の接合装置１０は、複数の熱盤部２４が筐体１２の内部に設けられており、多段積層貼合装置として機能する。
【００２８】
上下方向に沿って隣接する熱盤部２４同士が所定の加圧力で貼り合せ用基材Ｃを圧接する際、上の熱盤部と下の熱盤部とで囲まれた領域が、枠体２２により密閉されるため、真空チャンバＤが形成される。このように、複数の熱盤部２４を備えた接合装置１０では、複数の真空チャンバＤが形成され、複数の熱盤部２４が貼り合せ用基材Ｃを全て圧接した状態になることにより、各真空チャンバＤ内において貼り合せ用基材Ｃの接合処理が実行される。
【００２９】
図３に示すように、熱盤部本体２４Ａの下面には筒状空間が形成されている。各熱盤部２４が重なり合って加圧されたとき、熱盤部本体２４Ａの筒状空間と熱盤部本体２４Ａの上面との間に入れられた貼り合せ用基材Ｃ（図１参照）を圧接することができる。この筒状空間は、真空チャンバＤの一部を構成する。熱盤部本体２４Ａの側方には、枠体２２が摺動可能に配設されている。枠体２２と熱盤部本体２４Ａの間には圧縮バネ２９が配置されている。枠体２２は、この圧縮バネ２９により下側に付勢され、下の熱盤部２４にあるＯリング３１を押圧し、熱盤部本体２４Ａの側方にあるＯリング３３とともに密閉状態を形成する。
【００３０】
また、各熱盤部２４には、貫通孔による連通路２５が形成されている。このため、各熱盤部２４でそれぞれ区画形成される複数の真空チャンバＤが連通路２５を介して連通した構成になる。これにより、全ての真空チャンバＤは、全体として一つの真空空間を構成することになる。
【００３１】
連通路２５には、真空経路３９を通じて切換弁２７および真空ポンプ２６が接続されており、切換弁２７の作動により各真空チャンバＤが真空引きされる。後述する真空度制御時おいては、真空チャンバＤ内が常に真空引きされた状態となる。なお、切換弁２７は、図示しない制御部により駆動される。
【００３２】
（真空チャンバの真空度制御機構）
ここで、真空チャンバの真空度制御機構について説明する。
【００３３】
図１に示すように、真空チャンバの真空度制御機構は、真空チャンバＤの内部の真空度を計測する真空計２８と、真空チャンバＤに気体を導入する流量調整弁３０と、流量調整弁３０の開閉率を制御する制御部３２と、で構成されている。
【００３４】
流量調整弁３０は、真空チャンバＤの内部に、空気、その他ガス類（例えば、窒素を含んだ不活性ガス）を導入する。例えば、真空チャンバＤが真空ポンプ２６により常に真空引きされた状態で、流量調整弁３０が大きく開き、真空チャンバＤの内部に多量の空気・ガスが導入されると、真空チャンバＤの内部の真空度が下がる。一方、真空チャンバＤが真空ポンプ２６により常に真空引きされた状態で、流量調整弁３０が絞られて、真空チャンバＤの内部に少量の空気・ガスしか導入されなかったり、あるいは空気・ガスが全く導入されないと、真空チャンバＤの内部の真空度が上がる。
【００３５】
真空計２８は、真空チャンバＤの真空圧力値を計測する。ここで計測される真空圧力値は、全ての真空チャンバが連通路２５により連通した状態の真空圧力値である。真空計２８は、計測結果である真空圧力値をデータ信号として制御部３２に出力する。
【００３６】
制御部３２は、真空チャンバＤの真空圧力値を示す真空計２８の計測結果に基づいて流量調整弁３０の開閉率を制御することで流量調整弁３０からの気体導入量を調整する。そして、真空チャンバＤの真空圧力値を目標真空圧力値に調整する。
【００３７】
具体的には、制御部３２は、真空計２８から得た真空チャンバＤの真空圧力値を、換算された電圧値として受け取る。制御部３２は、ＲＯＭなどの記憶手段を有している。そして、ＲＯＭに、真空圧力値と電圧値との関係を示すデータテーブルが記憶されている。また、ＲＯＭには、真空チャンバＤの目標真空圧力値を実現するための電圧値が記憶されている。また、ＲＯＭには、流量調整弁３０の開閉率と電圧値との関係を示すデータテーブルが記憶されている。
【００３８】
制御部３２は、ＣＰＵを有している。ＣＰＵは、真空計２８から得た真空圧力値による電圧値と、目標真空圧力値の電圧値とを比較し、電圧値の差（電圧差）を算出する。さらに、ＣＰＵは、量調整弁３０の開閉率と電圧値との関係を示すデータテーブルと、及び前記電圧差と、に基づいて、流量調整弁３０を操作するための電圧値を示す信号（弁制御信号）を生成する。そして、制御部３２は、弁制御信号を流量調整弁３０に出力する。これにより、制御部３２からの弁制御信号に基づいて流量調整弁３０の開閉率を制御する。
【００３９】
制御部３２の一例としては、ＰＩＤコントローラ（比例積分微分操作装置）が用いられる。
【００４０】
流量調整弁３０の開閉率は、制御部３２からの弁制御信号に基づいて制御される。この結果、真空チャンバＤの真空圧力値が目標真空圧力値となるように、流量調整弁３０の開閉率が調整される。
【００４１】
導入する流体としては、窒素やアルゴンを含む不活性ガスのみを真空チャンバＤの内部に導入するのが好ましい。これにより、貼り合せ用基材の熱圧着により作製された複合基板の酸化を防ぐことができる。
【００４２】
流量調整弁３０の一例として、マスフローコントローラが用いられる。マスフローコントローラは、流体の質量流量を計測することにより流量制御を行うものであり、環境温度や使用圧力等の変化による補正を行う必要がなく、高精度で安定した流体計測・制御が可能な機器である。
【００４３】
なお、変形例として、流量調整弁３０の開閉率と電圧値との関係を示すデータテーブルが記憶されているＲＯＭは、制御部３２ではなく、流量調整弁３０に装備してもよい。これにより、制御部３２は、前記電圧差を示す信号を流量調整弁３０に出力するだけで、流量調整弁３０側で開閉率を制御・調整することができる。
【００４４】
（加熱・加圧処理）
次に、各熱盤部２４により加熱処理が実行される。各熱盤部２４には、ヒータが内蔵されているため、制御部でヒータを駆動することにより、加熱処理が可能になる。
【００４５】
また同時に、上下方向に隣接する熱盤部２４同士が相互に積み重ねられる。これにより、貼り合せ用基材同士が所定の加圧力で圧接される。また、貼り合せ用基材の圧接処理は、真空チャンバＤの内部で実行されるため、ゴミや粉塵が浸入しないクリーンな環境で実行できる。この結果、貼り合せ用基材により作製された複合基板の電気的特性を高品質に維持することができる。
【００４６】
なお、貼り合せ用基材同士の圧接処理は、各真空チャンバＤ内において行われる。単一の真空ポンプ２６によって各真空チャンバＤ内が連通して真空引きされるため、各真空チャンバＤおける真空度が一定（均一）になる。この結果、各真空チャンバＤにおける圧接処理が安定するため、複合基板の電気的特性のばらつきを低減することができる。
【００４７】
（真空解除）
次に、真空チャンバＤの真空状態を解除するために大気を導入し、全ての真空チャンバＤが同時に大気開放される。
【００４８】
（下側台座部の下降）
上記各工程が終了すると下側台座部１８が一定速度で下降し、図２のように熱盤部２４が積み重ねられていない状態になる。
【００４９】
次に、本発明の真空チャンバの真空度制御機構が適用された接合装置の作用について説明する。
【００５０】
（本実施形態の効果のねらい）
従来技術のように、隣接する熱盤部間に真空チャンバを形成し、真空チャンバ内で貼り合せ用基材同士を熱圧着させて接合する接合装置においては、最終的に到達する真空チャンバの真空度は、真空ポンプの能力や真空チャンバの大きさ、真空経路である配管部のリーク量等の要因に依存して決まるため、狙った真空度に制御することが困難であった。
【００５１】
その場合、真空ポンプ自体の真空到達能力などによるが、真空チャンバＤの真空度は、数１０〜１００Ｐａの間で安定することが想定される。
【００５２】
そこで、本実施形態では、上述したように、真空チャンバの真空度制御機構を、高精度な真空度制御が必要となる接合装置に適用した。
【００５３】
本発明の真空チャンバの真空度制御機構を適用した接合装置１０によれば、制御部によって開閉率が制御された流量調整弁３０により、真空チャンバＤに導入される気体（空気、その他不活性ガスなど）の流量を調整することにより、高精度な真空度制御を実現することができる。真空チャンバＤの真空圧力値を目標真空圧力値に調整することができる。
【００５４】
図４は、本発明の一実施形態に係る真空チャンバの真空度制御機構を備えた接合装置の真空度制御を示すグラフであり、縦軸に真空度（Ｐａ）をとり、横軸に時間（ｓｅｃ）をとっている。図４に示すように、平均値±２％以下の精度で真空チャンバＤの真空度を制御することが可能である。また、ＰＩＤコントローラを用いることにより、オーバーシュート及びアンダーシュートがなく、真空チャンバＤの真空度が一定になるまでの整定時間も４０秒以下と短くなっている。
【００５５】
また、図５は、本発明の一実施形態に係る真空チャンバの真空度制御機構を備えた接合装置の真空度制御範囲を示すグラフであり、縦軸に測定真空度（Ｐａ）をとり、横軸に設定真空度（Ｐａ）をとっている。図５に示すように、真空制御可能な真空度の範囲として、数１０Ｐａ〜２０００Ｐａの広範囲で制御可能である。また、設定真空度に対する測定値の関係おいても、直進性が確保されており、本発明は安定したかつ信頼度の高い制御方法であるといえる。
【００５６】
また、バルブを頻繁にＯＮ／ＯＦＦする必要がなく、配管部品の寿命を長くすることができる。また、従来のように、バルブ開閉時の騒音が発生しない。
【００５７】
さらに、従来に比べ配管構成が簡易であるため、装置価格を下げることができる。
（比較例）
次に、特許文献１に記載されている真空チャンバの真空度制御機構を接合装置に適用した場合と比較検討する。
【００５８】
図６は、特許文献１に記載されている真空チャンバの真空度制御機構である。１００はチャンバ大気開放（パージ）用のバルブ、１０２は真空度制御用のバルブ、１０４は真空ポンプのオイルバック防止用のバルブである。図６の各バルブのうち、真空度制御に関わっているバルブは、１０２のみである。１０２のバルブを開閉することにより、真空チャンバ１０６の真空度を制御する。制御方式としては、ＯＮ／ＯＦＦ制御である。
【００５９】
図７は、特許文献１に記載されている真空チャンバの真空度制御機構による真空度の制御結果を制御機器の作動状況とともに示すグラフである。特許文献１に記載されている真空チャンバの真空度制御機構によれば、図７のＨＬとＨＨの間に真空度を調整することができる。
【００６０】
図８は、特許文献１に記載されている真空チャンバの真空度制御機構を多段積層貼合装置に適用した結果である。図８に示すように、真空チャンバの真空度を６００〜７００Ｐａに制御する場合、真空チャンバの真空度が振動的になってしまう問題があった。また、４００Ｐａ程度までランダムにオーバーシュートしており、良好な制御が実現できない問題がある。さらに、ＨＬとＨＨの幅を狭くしようとすると、バルブ開閉速度が上がり、騒音が発生したり、バルブの寿命が低下するなどの問題が生じる。
【００６１】
これに対して、本発明の真空チャンバの真空度制御機構を多段積層貼合装置に適用した場合は、図４に示すようになる。本発明の場合には、真空チャンバの真空度が振動的にならず、安定している。この結果、本発明の真空チャンバの真空度制御機構を多段積層貼合装置に適用した場合は、真空チャンバの真空度を目標真空圧力値に調整することができ、かつ目標真空圧力値を安定して維持することができる。
【符号の説明】
【００６２】
１０ 接合装置
１４ 加圧機構
２２ 枠体
２４ 熱盤部
２６ 真空ポンプ（真空源）
２８ 真空計
３０ 流量調整弁
３２ 制御部
３９ 真空経路
Ｃ 貼り合せ用基材
Ｄ 真空チャンバ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、板状または箔状の貼り合せ用基材を熱圧着により接合させることに用いる真空チャンバの真空度制御機構、これを備えた接合装置、真空チャンバの真空度制御方法、及び接合装置の真空度制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、簡易で低コストであっても、真空ポンプを保護しつつ省電力で真空チャンバ内の真空度を制御することができる制御機構と制御方法に関する技術が提案されている。
【０００３】
この制御機構は、積層成形を実施する真空チャンバ内の真空度を制御する制御機構であって、真空チャンバ内の真空度を計測する真空センサの検出値に設定した所定幅値のヒステリシスに基づいて真空チャンバに接続された真空ポンプを起動・停止することにより、真空チャンバ内の真空度を制御する制御装置を備えている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２９８００７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記制御機構は、真空ポンプ、ガス供給手段を制御するバルブが開／閉、２者択一的に動作するタイプであるため、バルブ開／閉時に真空圧が大きく変動するため、真空圧制御の精度が悪いという問題がある。
【０００６】
そこで、本発明は、簡易な構成で、真空圧制御の精度を高めることができる真空チャンバの真空度制御機構、これを備えた接合装置、真空チャンバの真空度制御方法、及び接合装置の真空度制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１の発明は、真空チャンバの真空圧力値を制御するための真空チャンバの真空度制御機構であって、前記真空チャンバを真空引きするための真空経路と、前記真空チャンバに気体を導入する流量調整弁と、前記流量調整弁の開閉率を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記真空チャンバの真空圧力値に基づいて前記流量調整弁の開閉率を制御して、前記真空チャンバの真空圧力値を目標真空圧力値に調整することを特徴とする。
【０００８】
この場合、前記流量調整弁は、前記真空チャンバに不活性ガスを導入することが好ましい。
【０００９】
この場合、前記流量調整弁は、マスフローコントローラであり、前記制御部は、ＰＩＤコントローラであることが好ましい。
【００１０】
第２の発明は、加圧機構と、前記加圧機構から加圧力が付与される熱盤部と、を有し、前記熱盤部は、前記加圧力の作用方向に複数配置され、前記加圧力の作用方向に隣接する前記熱盤部同士が相互に積み重なることにより当該熱盤部間に真空チャンバが形成され、前記真空チャンバ内で貼り合せ用基材同士を熱圧着させて接合する接合装置であって、前記真空チャンバを真空引きするための真空経路と、前記真空チャンバに気体を導入する流量調整弁と、前記流量調整弁の開閉率を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記真空チャンバの真空圧力値に基づいて前記流量調整弁の開閉率を制御して、前記真空チャンバの真空圧力値を目標真空圧力値に調整することを特徴とする。
【００１１】
この場合、前記流量調整弁は、前記真空チャンバに不活性ガスを導入することが好ましい。
【００１２】
この場合、前記真空チャンバは、複数形成され、前記真空チャンバ同士を連通する連通路が形成され、複数の前記真空チャンバは、同時に真空引きされることが好ましい。
【００１３】
この場合、前記流量調整弁は、マスフローコントローラであり、前記制御部は、ＰＩＤコントローラであることが好ましい。
【００１４】
第３の発明は、真空チャンバの真空圧力値を制御するための真空チャンバの真空度制御方法であって、前記真空チャンバを真空引きするための真空経路と、前記真空チャンバに気体を導入する流量調整弁と、を用い、前記真空チャンバを真空引きした状態で、前記流量調整弁の開閉率を大きくすることにより前記真空チャンバに導入する気体の流量を増加させ、または、前記流量調整弁の開閉率を小さくすることにより前記真空チャンバに導入する気体の流量を減少させ、前記流量調整弁の開閉率を変えることにより真空チャンバの真空圧力値を制御する。
【００１５】
この場合、前記流量調整弁は、前記真空チャンバに不活性ガスを導入することが好ましい。
【００１６】
第４の発明は、加圧機構と、前記加圧機構から加圧力が付与される熱盤部と、を有し、前記熱盤部は、前記加圧力の作用方向に複数配置され、前記加圧力の作用方向に隣接する前記熱盤部同士が相互に積み重なることにより当該熱盤部間に真空チャンバが形成され、前記真空チャンバ内で貼り合せ用基材同士を熱圧着させて接合する接合装置の真空度制御方法であって、前記真空チャンバを真空引きするための真空経路と、前記真空チャンバに気体を導入する流量調整弁と、前記流量調整弁の開閉率を制御する制御部と、を用い、前記制御部は、前記真空チャンバの真空圧力値に基づいて前記流量調整弁の開閉率を制御して、前記真空チャンバの真空圧力値を目標真空圧力値に調整することを特徴とする。
【００１７】
この場合、前記流量調整弁は、前記真空チャンバに不活性ガスを導入することが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、簡易な構成で、真空チャンバの真空圧制御の精度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態に係る真空チャンバの真空度制御機構を備えた接合装置であって熱盤部が重ね合わされた状態の構成図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る真空チャンバの真空度制御機構を備えた接合装置であって熱盤部が重ね合わされていない状態の構成図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る真空チャンバの周辺部の構成を示した説明図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る真空チャンバの真空度制御機構を備えた接合装置の真空度制御を示すグラフである。
【図５】本発明の一実施形態に係る真空チャンバの真空度制御機構を備えた接合装置の真空度制御範囲を示すグラフである。
【図６】比較対象の真空チャンバの真空度制御機構の構成図である。
【図７】比較対象の真空チャンバの真空度制御機構による真空度の制御結果を制御機器の作動状況とともに示すグラフである。
【図８】比較対象の真空チャンバの真空度制御機構を備えた多段積層貼合装置のＯＮ／ＯＦＦ制御を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の一実施形態に係る真空チャンバの真空度制御機構、これを備えた接合装置、真空チャンバの真空度制御方法、及び接合装置の真空度制御方法について、図面を参照して説明する。
【００２１】
本実施形態では、真空チャンバの真空度制御機構が接合装置に適用された構成を一例として説明する。なお、真空チャンバの真空度制御機構は、接合装置に適用される構成に限られるものではなく、真空チャンバの真空度制御が必要となる装置に対して広く適用することができる。
【００２２】
（接合装置）
先ず、接合装置について説明する。接合装置は、貼り合せ用基材同士を熱圧着により接合させる装置である。なお、貼り合せ用基材は、貼り合せ前の基板であり、ウエハや集合基板の他に、個片化された子基板も含まれる。本実施形態の接合装置にて複数の貼り合せ用基板を貼り合せ、複合基板を作製する。複合基板を作製するための貼り合せ用基材は、異種でも同種でもよい。作製された複合基板は電子機器の部品として用いられる。
【００２３】
図１は、真空チャンバの真空度制御機構が接合装置に適用された状態を示す構成図である。図１の実線は、真空経路である配管の接続状態を示し、太字破線は、電気的な接続状態を示す。
【００２４】
図１に示すように、接合装置１０は、筐体１２を備えている。筐体１２の底部には、加圧機構１４が配置されている。加圧機構１４は、一例として、上下方向に伸縮可能な油圧式のピストンロッド１６が適用される。なお、加圧機構１４は、図示しない制御部により駆動制御される。
【００２５】
加圧機構１４のピストンロッド１６の先端部には、下側台座部１８が接続されている。このため、加圧機構１４の一部であるピストンロッド１６が上下方向に伸縮すると、下側台座部１８が上下方向に移動する。
【００２６】
また、筐体１２の上部には、上側台座部２０が固定されている。なお、下側台座部１８と上側台座部２０との間で、上下方向に積まれた複数の熱盤部２４が所定の加圧力で挟持される構造になっている。
【００２７】
筐体１２の内部には、上下方向に沿って複数の熱盤部２４が並んで配置されている。本実施形態の接合装置１０は、複数の熱盤部２４が筐体１２の内部に設けられており、多段積層貼合装置として機能する。
【００２８】
上下方向に沿って隣接する熱盤部２４同士が所定の加圧力で貼り合せ用基材Ｃを圧接する際、上の熱盤部と下の熱盤部とで囲まれた領域が、枠体２２により密閉されるため、真空チャンバＤが形成される。このように、複数の熱盤部２４を備えた接合装置１０では、複数の真空チャンバＤが形成され、複数の熱盤部２４が貼り合せ用基材Ｃを全て圧接した状態になることにより、各真空チャンバＤ内において貼り合せ用基材Ｃの接合処理が実行される。
【００２９】
図３に示すように、熱盤部本体２４Ａの下面には筒状空間が形成されている。各熱盤部２４が重なり合って加圧されたとき、熱盤部本体２４Ａの筒状空間と熱盤部本体２４Ａの上面との間に入れられた貼り合せ用基材Ｃ（図１参照）を圧接することができる。この筒状空間は、真空チャンバＤの一部を構成する。熱盤部本体２４Ａの側方には、枠体２２が摺動可能に配設されている。枠体２２と熱盤部本体２４Ａの間には圧縮バネ２９が配置されている。枠体２２は、この圧縮バネ２９により下側に付勢され、下の熱盤部２４にあるＯリング３１を押圧し、熱盤部本体２４Ａの側方にあるＯリング３３とともに密閉状態を形成する。
【００３０】
また、各熱盤部２４には、貫通孔による連通路２５が形成されている。このため、各熱盤部２４でそれぞれ区画形成される複数の真空チャンバＤが連通路２５を介して連通した構成になる。これにより、全ての真空チャンバＤは、全体として一つの真空空間を構成することになる。
【００３１】
連通路２５には、真空経路３９を通じて切換弁２７および真空ポンプ２６が接続されており、切換弁２７の作動により各真空チャンバＤが真空引きされる。後述する真空度制御時おいては、真空チャンバＤ内が常に真空引きされた状態となる。なお、切換弁２７は、図示しない制御部により駆動される。
【００３２】
（真空チャンバの真空度制御機構）
ここで、真空チャンバの真空度制御機構について説明する。
【００３３】
図１に示すように、真空チャンバの真空度制御機構は、真空チャンバＤの内部の真空度を計測する真空計２８と、真空チャンバＤに気体を導入する流量調整弁３０と、流量調整弁３０の開閉率を制御する制御部３２と、で構成されている。
【００３４】
流量調整弁３０は、真空チャンバＤの内部に、空気、その他ガス類（例えば、窒素を含んだ不活性ガス）を導入する。例えば、真空チャンバＤが真空ポンプ２６により常に真空引きされた状態で、流量調整弁３０が大きく開き、真空チャンバＤの内部に多量の空気・ガスが導入されると、真空チャンバＤの内部の真空度が下がる。一方、真空チャンバＤが真空ポンプ２６により常に真空引きされた状態で、流量調整弁３０が絞られて、真空チャンバＤの内部に少量の空気・ガスしか導入されなかったり、あるいは空気・ガスが全く導入されないと、真空チャンバＤの内部の真空度が上がる。
【００３５】
真空計２８は、真空チャンバＤの真空圧力値を計測する。ここで計測される真空圧力値は、全ての真空チャンバが連通路２５により連通した状態の真空圧力値である。真空計２８は、計測結果である真空圧力値をデータ信号として制御部３２に出力する。
【００３６】
制御部３２は、真空チャンバＤの真空圧力値を示す真空計２８の計測結果に基づいて流量調整弁３０の開閉率を制御することで流量調整弁３０からの気体導入量を調整する。そして、真空チャンバＤの真空圧力値を目標真空圧力値に調整する。
【００３７】
具体的には、制御部３２は、真空計２８から得た真空チャンバＤの真空圧力値を、換算された電圧値として受け取る。制御部３２は、ＲＯＭなどの記憶手段を有している。そして、ＲＯＭに、真空圧力値と電圧値との関係を示すデータテーブルが記憶されている。また、ＲＯＭには、真空チャンバＤの目標真空圧力値を実現するための電圧値が記憶されている。また、ＲＯＭには、流量調整弁３０の開閉率と電圧値との関係を示すデータテーブルが記憶されている。
【００３８】
制御部３２は、ＣＰＵを有している。ＣＰＵは、真空計２８から得た真空圧力値による電圧値と、目標真空圧力値の電圧値とを比較し、電圧値の差（電圧差）を算出する。さらに、ＣＰＵは、量調整弁３０の開閉率と電圧値との関係を示すデータテーブルと、及び前記電圧差と、に基づいて、流量調整弁３０を操作するための電圧値を示す信号（弁制御信号）を生成する。そして、制御部３２は、弁制御信号を流量調整弁３０に出力する。これにより、制御部３２からの弁制御信号に基づいて流量調整弁３０の開閉率を制御する。
【００３９】
制御部３２の一例としては、ＰＩＤコントローラ（比例積分微分操作装置）が用いられる。
【００４０】
流量調整弁３０の開閉率は、制御部３２からの弁制御信号に基づいて制御される。この結果、真空チャンバＤの真空圧力値が目標真空圧力値となるように、流量調整弁３０の開閉率が調整される。
【００４１】
導入する流体としては、窒素やアルゴンを含む不活性ガスのみを真空チャンバＤの内部に導入するのが好ましい。これにより、貼り合せ用基材の熱圧着により作製された複合基板の酸化を防ぐことができる。
【００４２】
流量調整弁３０の一例として、マスフローコントローラが用いられる。マスフローコントローラは、流体の質量流量を計測することにより流量制御を行うものであり、環境温度や使用圧力等の変化による補正を行う必要がなく、高精度で安定した流体計測・制御が可能な機器である。
【００４３】
なお、変形例として、流量調整弁３０の開閉率と電圧値との関係を示すデータテーブルが記憶されているＲＯＭは、制御部３２ではなく、流量調整弁３０に装備してもよい。これにより、制御部３２は、前記電圧差を示す信号を流量調整弁３０に出力するだけで、流量調整弁３０側で開閉率を制御・調整することができる。
【００４４】
（加熱・加圧処理）
次に、各熱盤部２４により加熱処理が実行される。各熱盤部２４には、ヒータが内蔵されているため、制御部でヒータを駆動することにより、加熱処理が可能になる。
【００４５】
また同時に、上下方向に隣接する熱盤部２４同士が相互に積み重ねられる。これにより、貼り合せ用基材同士が所定の加圧力で圧接される。また、貼り合せ用基材の圧接処理は、真空チャンバＤの内部で実行されるため、ゴミや粉塵が浸入しないクリーンな環境で実行できる。この結果、貼り合せ用基材により作製された複合基板の電気的特性を高品質に維持することができる。
【００４６】
なお、貼り合せ用基材同士の圧接処理は、各真空チャンバＤ内において行われる。単一の真空ポンプ２６によって各真空チャンバＤ内が連通して真空引きされるため、各真空チャンバＤおける真空度が一定（均一）になる。この結果、各真空チャンバＤにおける圧接処理が安定するため、複合基板の電気的特性のばらつきを低減することができる。
【００４７】
（真空解除）
次に、真空チャンバＤの真空状態を解除するために大気を導入し、全ての真空チャンバＤが同時に大気開放される。
【００４８】
（下側台座部の下降）
上記各工程が終了すると下側台座部１８が一定速度で下降し、図２のように熱盤部２４が積み重ねられていない状態になる。
【００４９】
次に、本発明の真空チャンバの真空度制御機構が適用された接合装置の作用について説明する。
【００５０】
（本実施形態の効果のねらい）
従来技術のように、隣接する熱盤部間に真空チャンバを形成し、真空チャンバ内で貼り合せ用基材同士を熱圧着させて接合する接合装置においては、最終的に到達する真空チャンバの真空度は、真空ポンプの能力や真空チャンバの大きさ、真空経路である配管部のリーク量等の要因に依存して決まるため、狙った真空度に制御することが困難であった。
【００５１】
その場合、真空ポンプ自体の真空到達能力などによるが、真空チャンバＤの真空度は、数１０〜１００Ｐａの間で安定することが想定される。
【００５２】
そこで、本実施形態では、上述したように、真空チャンバの真空度制御機構を、高精度な真空度制御が必要となる接合装置に適用した。
【００５３】
本発明の真空チャンバの真空度制御機構を適用した接合装置１０によれば、制御部によって開閉率が制御された流量調整弁３０により、真空チャンバＤに導入される気体（空気、その他不活性ガスなど）の流量を調整することにより、高精度な真空度制御を実現することができる。真空チャンバＤの真空圧力値を目標真空圧力値に調整することができる。
【００５４】
図４は、本発明の一実施形態に係る真空チャンバの真空度制御機構を備えた接合装置の真空度制御を示すグラフであり、縦軸に真空度（Ｐａ）をとり、横軸に時間（ｓｅｃ）をとっている。図４に示すように、平均値±２％以下の精度で真空チャンバＤの真空度を制御することが可能である。また、ＰＩＤコントローラを用いることにより、オーバーシュート及びアンダーシュートがなく、真空チャンバＤの真空度が一定になるまでの整定時間も４０秒以下と短くなっている。
【００５５】
また、図５は、本発明の一実施形態に係る真空チャンバの真空度制御機構を備えた接合装置の真空度制御範囲を示すグラフであり、縦軸に測定真空度（Ｐａ）をとり、横軸に設定真空度（Ｐａ）をとっている。図５に示すように、真空制御可能な真空度の範囲として、数１０Ｐａ〜２０００Ｐａの広範囲で制御可能である。また、設定真空度に対する測定値の関係おいても、直進性が確保されており、本発明は安定したかつ信頼度の高い制御方法であるといえる。
【００５６】
また、バルブを頻繁にＯＮ／ＯＦＦする必要がなく、配管部品の寿命を長くすることができる。また、従来のように、バルブ開閉時の騒音が発生しない。
【００５７】
さらに、従来に比べ配管構成が簡易であるため、装置価格を下げることができる。
（比較例）
次に、特許文献１に記載されている真空チャンバの真空度制御機構を接合装置に適用した場合と比較検討する。
【００５８】
図６は、特許文献１に記載されている真空チャンバの真空度制御機構である。１００はチャンバ大気開放（パージ）用のバルブ、１０２は真空度制御用のバルブ、１０４は真空ポンプのオイルバック防止用のバルブである。図６の各バルブのうち、真空度制御に関わっているバルブは、１０２のみである。１０２のバルブを開閉することにより、真空チャンバ１０６の真空度を制御する。制御方式としては、ＯＮ／ＯＦＦ制御である。
【００５９】
図７は、特許文献１に記載されている真空チャンバの真空度制御機構による真空度の制御結果を制御機器の作動状況とともに示すグラフである。特許文献１に記載されている真空チャンバの真空度制御機構によれば、図７のＨＬとＨＨの間に真空度を調整することができる。
【００６０】
図８は、特許文献１に記載されている真空チャンバの真空度制御機構を多段積層貼合装置に適用した結果である。図８に示すように、真空チャンバの真空度を６００〜７００Ｐａに制御する場合、真空チャンバの真空度が振動的になってしまう問題があった。また、４００Ｐａ程度までランダムにオーバーシュートしており、良好な制御が実現できない問題がある。さらに、ＨＬとＨＨの幅を狭くしようとすると、バルブ開閉速度が上がり、騒音が発生したり、バルブの寿命が低下するなどの問題が生じる。
【００６１】
これに対して、本発明の真空チャンバの真空度制御機構を多段積層貼合装置に適用した場合は、図４に示すようになる。本発明の場合には、真空チャンバの真空度が振動的にならず、安定している。この結果、本発明の真空チャンバの真空度制御機構を多段積層貼合装置に適用した場合は、真空チャンバの真空度を目標真空圧力値に調整することができ、かつ目標真空圧力値を安定して維持することができる。
【符号の説明】
【００６２】
１０ 接合装置
１４ 加圧機構
２２ 枠体
２４ 熱盤部
２６ 真空ポンプ（真空源）
２８ 真空計
３０ 流量調整弁
３２ 制御部
３９ 真空経路
Ｃ 貼り合せ用基材
Ｄ 真空チャンバ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバの真空圧力値を制御するための真空チャンバの真空度制御機構であって、
前記真空チャンバを真空引きするための真空経路と、
前記真空チャンバに気体を導入する流量調整弁と、
前記流量調整弁の開閉率を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記真空チャンバの真空圧力値に基づいて前記流量調整弁の開閉率を制御して、前記真空チャンバの真空圧力値を目標真空圧力値に調整することを特徴とする真空チャンバの真空度制御機構。
【請求項２】
前記流量調整弁は、前記真空チャンバに不活性ガスを導入することを特徴とする請求項１に記載の真空チャンバの真空度制御機構。
【請求項３】
前記流量調整弁は、マスフローコントローラであり、
前記制御部は、ＰＩＤコントローラであることを特徴とする請求項１又は２に記載の真空チャンバの真空度制御機構。
【請求項４】
加圧機構と、
前記加圧機構から加圧力が付与される熱盤部と、
を有し、
前記熱盤部は、前記加圧力の作用方向に複数配置され、
前記加圧力の作用方向に隣接する前記熱盤部同士が相互に積み重なることにより当該熱盤部間に真空チャンバが形成され、前記真空チャンバ内で貼り合せ用基材同士を熱圧着させて接合する接合装置であって、
前記真空チャンバを真空引きするための真空経路と、
前記真空チャンバに気体を導入する流量調整弁と、
前記流量調整弁の開閉率を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記真空チャンバの真空圧力値に基づいて前記流量調整弁の開閉率を制御して、前記真空チャンバの真空圧力値を目標真空圧力値に調整することを特徴とする接合装置。
【請求項５】
前記流量調整弁は、前記真空チャンバに不活性ガスを導入することを特徴とする請求項４に記載の接合装置。
【請求項６】
前記真空チャンバは、複数形成され、
前記真空チャンバ同士を連通する連通路が形成され、
複数の前記真空チャンバは、同時に真空引きされることを特徴とする請求項４又は５に記載の接合装置。
【請求項７】
前記流量調整弁は、マスフローコントローラであり、
前記制御部は、ＰＩＤコントローラであることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に記載の接合装置。
【請求項８】
真空チャンバの真空圧力値を制御するための真空チャンバの真空度制御方法であって、
前記真空チャンバを真空引きするための真空経路と、
前記真空チャンバに気体を導入する流量調整弁と、
を用い、
前記真空チャンバを真空引きした状態で、前記流量調整弁の開閉率を大きくすることにより前記真空チャンバに導入する気体の流量を増加させ、または、前記流量調整弁の開閉率を小さくすることにより前記真空チャンバに導入する気体の流量を減少させ、前記流量調整弁の開閉率を変えることにより真空チャンバの真空圧力値を制御する真空チャンバの真空度制御方法。
【請求項９】
前記流量調整弁は、前記真空チャンバに不活性ガスを導入することを特徴とする請求項８に記載の真空チャンバの真空度制御方法。
【請求項１０】
加圧機構と、
前記加圧機構から加圧力が付与される熱盤部と、
を有し、
前記熱盤部は、前記加圧力の作用方向に複数配置され、
前記加圧力の作用方向に隣接する前記熱盤部同士が相互に積み重なることにより当該熱盤部間に真空チャンバが形成され、前記真空チャンバ内で貼り合せ用基材同士を熱圧着させて接合する接合装置の真空度制御方法であって、
前記真空チャンバを真空引きするための真空経路と、
前記真空チャンバに気体を導入する流量調整弁と、
前記流量調整弁の開閉率を制御する制御部と、
を用い、
前記制御部は、前記真空チャンバの真空圧力値に基づいて前記流量調整弁の開閉率を制御して、前記真空チャンバの真空圧力値を目標真空圧力値に調整することを特徴とする接合装置の真空度制御方法。
【請求項１１】
前記流量調整弁は、前記真空チャンバに不活性ガスを導入することを特徴とする請求項１０に記載の接合装置の真空度制御方法。
【請求項１】
真空チャンバの真空圧力値を制御するための真空チャンバの真空度制御機構であって、
前記真空チャンバを真空引きするための真空経路と、
前記真空チャンバに気体を導入する流量調整弁と、
前記流量調整弁の開閉率を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記真空チャンバの真空圧力値に基づいて前記流量調整弁の開閉率を制御して、前記真空チャンバの真空圧力値を目標真空圧力値に調整することを特徴とする真空チャンバの真空度制御機構。
【請求項２】
前記流量調整弁は、前記真空チャンバに不活性ガスを導入することを特徴とする請求項１に記載の真空チャンバの真空度制御機構。
【請求項３】
前記流量調整弁は、マスフローコントローラであり、
前記制御部は、ＰＩＤコントローラであることを特徴とする請求項１又は２に記載の真空チャンバの真空度制御機構。
【請求項４】
加圧機構と、
前記加圧機構から加圧力が付与される熱盤部と、
を有し、
前記熱盤部は、前記加圧力の作用方向に複数配置され、
前記加圧力の作用方向に隣接する前記熱盤部同士が相互に積み重なることにより当該熱盤部間に真空チャンバが形成され、前記真空チャンバ内で貼り合せ用基材同士を熱圧着させて接合する接合装置であって、
前記真空チャンバを真空引きするための真空経路と、
前記真空チャンバに気体を導入する流量調整弁と、
前記流量調整弁の開閉率を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記真空チャンバの真空圧力値に基づいて前記流量調整弁の開閉率を制御して、前記真空チャンバの真空圧力値を目標真空圧力値に調整することを特徴とする接合装置。
【請求項５】
前記流量調整弁は、前記真空チャンバに不活性ガスを導入することを特徴とする請求項４に記載の接合装置。
【請求項６】
前記真空チャンバは、複数形成され、
前記真空チャンバ同士を連通する連通路が形成され、
複数の前記真空チャンバは、同時に真空引きされることを特徴とする請求項４又は５に記載の接合装置。
【請求項７】
前記流量調整弁は、マスフローコントローラであり、
前記制御部は、ＰＩＤコントローラであることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に記載の接合装置。
【請求項８】
真空チャンバの真空圧力値を制御するための真空チャンバの真空度制御方法であって、
前記真空チャンバを真空引きするための真空経路と、
前記真空チャンバに気体を導入する流量調整弁と、
を用い、
前記真空チャンバを真空引きした状態で、前記流量調整弁の開閉率を大きくすることにより前記真空チャンバに導入する気体の流量を増加させ、または、前記流量調整弁の開閉率を小さくすることにより前記真空チャンバに導入する気体の流量を減少させ、前記流量調整弁の開閉率を変えることにより真空チャンバの真空圧力値を制御する真空チャンバの真空度制御方法。
【請求項９】
前記流量調整弁は、前記真空チャンバに不活性ガスを導入することを特徴とする請求項８に記載の真空チャンバの真空度制御方法。
【請求項１０】
加圧機構と、
前記加圧機構から加圧力が付与される熱盤部と、
を有し、
前記熱盤部は、前記加圧力の作用方向に複数配置され、
前記加圧力の作用方向に隣接する前記熱盤部同士が相互に積み重なることにより当該熱盤部間に真空チャンバが形成され、前記真空チャンバ内で貼り合せ用基材同士を熱圧着させて接合する接合装置の真空度制御方法であって、
前記真空チャンバを真空引きするための真空経路と、
前記真空チャンバに気体を導入する流量調整弁と、
前記流量調整弁の開閉率を制御する制御部と、
を用い、
前記制御部は、前記真空チャンバの真空圧力値に基づいて前記流量調整弁の開閉率を制御して、前記真空チャンバの真空圧力値を目標真空圧力値に調整することを特徴とする接合装置の真空度制御方法。
【請求項１１】
前記流量調整弁は、前記真空チャンバに不活性ガスを導入することを特徴とする請求項１０に記載の接合装置の真空度制御方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図８】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図８】
【図７】
【公開番号】特開２０１３−９３９（Ｐ２０１３−９３９Ａ）
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１３２３７４（Ｐ２０１１−１３２３７４）
【出願日】平成２３年６月１４日（２０１１．６．１４）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年６月１４日（２０１１．６．１４）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
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