磁場形成装置
【課題】ソレノイド型超電導コイルを用いる磁場発生装置において、十分な磁場強さ及び安定したコイル設置状態を確保しながら装置の高さ寸法を有効に削減する。
【解決手段】磁場利用空間Ｓを挟んで一方の側に、複数個のソレノイド型超電導コイル１０をその磁場利用空間Ｓの半径方向に対して略直交する水平方向及び鉛直方向の双方に並ぶように複数個配列し、他方の側に前記一方の側に配列された各超電導コイル１０と前記磁場利用空間Ｓを挟んで対向するように複数個の超電導コイル１０を配列する。
【解決手段】磁場利用空間Ｓを挟んで一方の側に、複数個のソレノイド型超電導コイル１０をその磁場利用空間Ｓの半径方向に対して略直交する水平方向及び鉛直方向の双方に並ぶように複数個配列し、他方の側に前記一方の側に配列された各超電導コイル１０と前記磁場利用空間Ｓを挟んで対向するように複数個の超電導コイル１０を配列する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン単結晶の引き上げや、水平強磁場下での物性実験等に使用される磁場形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、るつぼ内のシリコン融液から大口径シリコン単結晶を引き上げて成長させる工程においては、前記るつぼ内のシリコン融液の対流を抑制するために強磁場を印加する手法がよく用いられる。また、その磁場方向としては、前記シリコン単結晶の引上げ軸に対して直交する方向（水平方向）がよく用いられる。
【０００３】
従来、強い水平磁場を形成する装置としては、その磁場利用空間を挟んで互いに対向する位置にそれぞれソレノイド型超電導コイルを配設したものが知られている。しかしながら、このような装置において十分な強さの磁場を形成するためには、超電導コイルの巻径を相当大きくしなければならず、このような超電導コイルの大径化は、装置全体の大型化、磁場発生効率の低下、漏れ磁場の増大といった不都合を招くことになる。
【０００４】
そこで、このような不都合を解消する手段として、特許文献１には、図１０（ａ）（ｂ）に示すような装置が開示されている。この装置は、軸方向が鉛直方向を向く円筒状の磁場利用空間Ｓを中央に有するクライオスタット１において、その磁場利用空間Ｓを挟んで一方の側（同図（ｂ）では左側）に３個のソレノイド型超電導コイルＣ１，Ｃ２，Ｃ３を周方向に並べて配列し、他方の側（同図（ｂ）では右側）に、前記磁場利用空間Ｓを挟んで前記各ソレノイド型超電導コイルＣ１，Ｃ２，Ｃ３にそれぞれ対向するように３個のソレノイド型超電導コイルＣ１’，Ｃ２’，Ｃ３’を配列したものである。
【０００５】
この装置によれば、磁場利用空間Ｓの両側にそれぞれ複数個の超電導コイルを配列しているため、相対向する超電導コイルを一対のみ配置するものに比べ、各コイルに要求される巻径を小さくすることができ、その分は磁場形成装置全体を小型化できる。
【特許文献１】特開２００１−２０３１０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前記の磁場形成装置では、その高さ寸法の削減が大きな課題となっている。特に、この磁場形成装置を前記のようなシリコン融液からの単結晶の引上げに利用する場合、当該装置の高さ寸法の削減は結晶製造効率の向上に大きく寄与することとなる。すなわち、当該シリコン融液の結晶化は磁場中心近傍の高さ位置で行われるため、当該位置を低く抑えるとその上方のシリコン引上げ空間をより広くとることが可能となり、その分製品結晶の長さを大きくとることが可能になるのである。
【０００７】
この点において、前記図１０（ａ）（ｂ）に示される従来装置では、磁場利用空間Ｓの両側にそれぞれ複数個の超電導コイルを配列している分、一対の超電導コイルのみを対向配置するものよりも磁場発生効率は向上するものの、その向上度合いには限りがあり、十分な磁場強さを維持しながら装置の高さ寸法を削減するには限度がある。
【０００８】
このような磁場強さの確保と必要高さ寸法の削減を両立する手段として、図１１に示すような一対の鞍型コイルＣｓを対向配置することが考えられるが、当該鞍型コイルＣｓを超伝導コイルとして用いた場合、これに大電流を流して強磁場を発生させたときに安定した設置状態を保つことが難しいという欠点がある。すなわち、前記各鞍型コイルＣｓは、直線状をなす左右の垂直部と、円弧状をなす上下の鞍部とを合成した形状となっているので、当該鞍型コイルＣｓを超電導コイルに適用した場合、その強磁場発生に伴って作用する大きな電磁力に抗して超電導線材を静止状態に保つように固定するのが難しいという事情がある。もし、前記静止状態が崩れて線材が動くと、その摩擦熱等によってクエンチを招くおそれがある。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑み、ソレノイド型超電導コイルを用いながら、十分な磁場強さを確保しつつ装置の高さ寸法を有効に削減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者等は、前記課題を解決すべく検討を重ねた結果、ソレノイド型超電導コイルを水平方向だけでなく鉛直方向すなわち磁場利用空間の軸方向と平行な方向にも複数個配列することにより、従来の装置よりも却って、十分な磁場強さを保ちながら超電導コイル配置のための必要高さ寸法を削減できることを見出した。
【００１１】
本発明は、このような観点からなされたものであり、中心軸が鉛直方向を向く磁場利用空間の周囲に複数個のソレノイド型超電導コイルが、その中心軸が略水平方向を向く姿勢で配列され、これらの超電導コイルの通電により前記磁場利用空間にその軸方向と直交する磁場が形成される磁場形成装置において、前記磁場利用空間を挟んで一方の側に複数個のソレノイド型超電導コイルが前記磁場利用空間の半径方向に対して略直交する水平方向及び鉛直方向の双方に並ぶように複数個配列され、他方の側に前記一方の側に配列された各超電導コイルと前記磁場利用空間を挟んで対向するように複数個の超電導コイルが配列されているものである。
【００１２】
この構成によれば、安定した設置を容易に行うことができるソレノイド型超電導コイルを用いながら、当該ソレノイド型超電導コイルを前記磁場利用空間の半径方向に対して略直交する水平方向だけでなく鉛直方向にも複数個配列することにより、従来装置と同様の磁場強度を確保しながら装置の高さ寸法を削減することができる。
【００１３】
その具体的なコイル配置としては、例えば、前記磁場利用空間を挟んでその両側に、当該磁場利用空間の半径方向と直交する平面状のコイル配列領域が軸方向及び半径方向の双方に直交する周方向に並ぶ複数箇所に設定され、各コイル配列領域上に複数個のソレノイド型超電導コイルが水平方向及び鉛直方向の双方に並ぶように配列されているものが好適である。この構成によれば、各コイル配設領域において複数個の超電導コイルを平面状に配列することによりその設置を容易にしながら、十分な磁場強度の確保及び装置高さ寸法の削減を図ることができる。
【００１４】
具体的に、前記各コイル配設領域に当該コイル配設領域と平行なコイル支持部材が配設され、各コイル支持部材に複数個のソレノイド型超電導コイルが水平方向及び鉛直方向の双方に並ぶように配列された状態で固定される構成とすれば、各コイルを適所に容易に配置することができるとともに、その位置に安定した状態で保持することができる。
【００１５】
その配列例としては、前記磁場利用空間を挟んでその両側に互いに対向する３つのコイル配列領域が設定され、各コイル配列領域上に６個のソレノイド型超電導コイルが水平方向に３個、鉛直方向に２個並ぶように配列されているものが、好適である。
【００１６】
また、別のコイル配置態様として、前記磁場利用空間を挟んでその両側に、当該磁場利用空間の中心軸と同軸の円筒面状のコイル配列領域が設定され、各コイル配列領域上に複数個のソレノイド型超電導コイルが当該コイル配設領域の周方向及び鉛直方向の双方に並ぶように配列されているものでもよい。この構成によれば、前記磁場利用空間の中心軸からの各コイルの距離（半径方向の距離）を統一することにより、コイルの配置スペースの直径を縮減することができる。
【発明の効果】
【００１７】
以上のように、本発明によれば、ソレノイド型超電導コイルを前記磁場利用空間の半径方向に対して略直交する水平方向だけでなく鉛直方向にも複数個配列することにより、従来装置と同様の磁場強度を確保しながら装置の高さ寸法を削減することができる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の好ましい実施の形態を図１〜図３に基づいて説明する。
【００１９】
この実施の形態に係る装置は、前記図１０（ａ）（ｂ）に示した装置と同様、図１に示すように、軸方向が鉛直方向を向く円筒状の磁場利用空間Ｓを中央に有するクライオスタット１に設けられる。
【００２０】
このクライオスタット１は、ドーナツ板状の天板２及び底板３と、その径方向内側及び外側にそれぞれ配される内筒４及び外筒５とを有し、これら両筒４，５の上下端が前記天板２，３に気密状態で接合され、前記内筒４の内側空間が前記磁場利用空間Ｓとされている。この磁場利用空間Ｓは、鉛直方向の両側に開放されたものであってもよいし、その上下いずれかの端縁が前記天板２または底板３で塞がれているものであってもよい。また、この磁場利用空間Ｓの軸方向は正確に鉛直方向と合致していなくてもよく、その用途によっては若干傾いていてもよい。
【００２１】
このクライオスタット１において、前記両筒４，５に挟まれる空間が冷却空間とされており、この冷却空間内に本発明に係る磁場形成装置が導入される。この磁場形成装置は、公知の冷却手段、例えば液体ヘリウム等の冷媒中の浸漬、あるいは、小型ＧＭ冷凍機やパルスチューブによって超電導状態になるまで冷却される。
【００２２】
前記磁場形成装置は複数のソレノイド型超電導コイル（以下、単に「超電導コイル」と称する。）１０が配列されることにより構成される。具体的には、前記磁場利用空間Ｓを挟んで一方の側に中央及びその左右の３つのコイル配設領域Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３が設定され、これらのコイル配設領域Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３にそれぞれ対向する（周方向に１８０°離間する）ように他方の側に３つのコイル配設領域Ｒ１′，Ｒ２′，Ｒ３′が設定されており、これらのコイル配設領域にそれぞれ前記超電導コイル１０が複数個配列されている。
【００２３】
前記各超伝導コイル１０は、例えばステンレス鋼からなる巻枠に適当な超電導線材（例えばＮｂ３Ｓｎ線材）を巻き付けることにより構成されている。
【００２４】
前記各コイル配設領域は、それぞれ、前記磁場利用空間Ｓの半径方向（図２に示す中心軸Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３の方向）と直交する平面状をなし、中央のコイル配設領域Ｒ１，Ｒ１′の中心軸（法線軸）Ｘ１に対して、その左側のコイル配設領域Ｒ２，Ｒ２′の中心軸Ｘ２及び右側のコイル配設領域Ｒ３，Ｒ３′の中心軸Ｘ３が前記磁場利用空間Ｓの周方向にそれぞれ所定の配置角度α（≦６０°）で振り分けられている。
【００２５】
前記各コイル配設領域においては、その平面上で図３に示すように計６個の超電導コイル１０が水平方向（図３の左右方向）に３個、鉛直方向（図３の上下方向）に２個並ぶように配列されている。図３に示すように、各超電導コイル１０は外径Ｄ、内径ｄをもつ円環体状（ドーナツ状）をなし、その中心軸が略水平方向を向く姿勢で配列されており、これら超電導コイル１０同士の間には電気的に絶縁された状態で水平方向及び鉛直方向にそれぞれ所定の隙間δ１，δ２（図３）が確保されている。各コイル配設領域における超電導コイル１０の巻線の向きは統一されており、これらの超電導コイル１０を同時に通電することによって各コイル軸に平行な磁界が形成されるようになっている。
【００２６】
なお、前記各超電導コイル１０は共通の電源に対して相互直列に接続されていてもよいし、並列に接続されていてもよい。あるいは各領域ごとに専用の電源を与えるようにしてもよい。
【００２７】
このような磁場発生装置によれば、鉛直方向に複数の超電導コイル１０を配列しているものの、十分な磁場を形成するために必要とされる各超電導コイル１０のコイル径を縮減できる結果として、鉛直方向について単一の超電導コイルのみを配する従来装置（例えば前記図１０（ａ）（ｂ）に示す装置）に比べ、これと同じ強さの磁場を形成するために必要な装置高さ寸法を削減することが可能となる。すなわち、従来のように鉛直方向について単一の大径コイルを設置する場合、その磁界はコイル形状に従うが、コイル設置隙間が大きく、これにより磁場発生効率が低下し、装置高さは大きくなる。これに対し、図３に示すように複数の小径コイルを縦横に配列した場合、コイル間の隙間を小さくできるため、磁場発生効率が高くなり、装置高さを縮減することができる。
【００２８】
なお、本発明において、各超電導コイル１０の具体的な個数や配置、形状は図示のものに限られず、適宜設定可能である。
【００２９】
例えば、図４（ａ）（ｂ）に示すように、磁場利用空間Ｓを挟んでその両側（同図（ｂ）では上側及び下側）に、当該磁場利用空間Ｓの中心軸と同軸の円筒面状のコイル配列領域Ｒｓ，Ｒｓ′を設定し、各コイル配列領域Ｒｓ，Ｒｓ′上に複数個のソレノイド型超電導コイルが当該コイル配設領域の周方向及び鉛直方向の双方に並ぶ（図例では周方向に９個、鉛直方向に２個並ぶ）ように配列してもよい。
【００３０】
また、要求される磁場が強い場合には、前記超電導コイル１０を鉛直方向に３個以上配列するようにしてもよいし、水平方向の配列個数も適宜設定可能である。また、コイル配設領域の総数も適宜増減可能である。
【００３１】
各超電導コイル１０の形状は図示のような円環体状（ドーナツ状）が一般的であるが、その中心軸と平行な方向から見た形状を縦長または横長の楕円形あるいはその他の閉曲線形状としてもよい。いずれの場合も、コイルの全周にわたって巻線張力が作用することにより、ワイヤムーブメント（超電導線材の微小な動き）が有効に抑制されることになる。電磁力が大きくて巻線張力のみではワイヤムーブメントを抑えられない場合には、周知の手段、例えばコイルの外周に別のバインド線を巻いたり、エポキシ樹脂やワックスからなる含浸材を含浸させたりする手段を用いてワイヤムーブメントを規制すればよい。
【００３２】
各超電導コイル１０を所定位置に保持するための具体的な手段については、種々設定が可能である。例として、前記図２に示す配列でコイル配設領域の配置角度αが６０°に設定された場合に好適なコイル支持構造を図５（ａ）（ｂ）に示す。
【００３３】
同図（ａ）に示すコイル支持枠１４は、計６個の平板部１１，１２，１３，１１′，１２′，１３′が平面視正六角形状となるように相互接合された六角筒状をなし、前記各平板部１１，１２，１３，１１′，１２′，１３′の外側面上に計６個（水平方向３個、垂直方向２個）の超電導コイル１０が配列され、同図（ｂ）に示すボルト１６により前記各平板部に固定されている。つまり、前記各平板部１１，１２，１３，１１′，１２′，１３′は、それぞれ、前記図２（ａ）（ｂ）に示したコイル配設領域Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ１′，Ｒ２′，Ｒ３′と平行なコイル支持部材を構成している。
【００３４】
なお、前記コイル支持枠１４や前記ボルト１６の材質としては、ＳＵＳ３１６等のステンレス鋼、純アルミニウム、アルミニウム合金等を用いることが可能である。また、ボルト１６以外の固定手段としては、例えば溶接が好適であり、また接着剤による固定も可能である。
【００３５】
図６は、前記図５に示すコイル支持枠１４に保持されて液体ヘリウム温度で運転される各超電導コイル１０を冷媒式のクライオスタット１内に導入した例を示したものである。
【００３６】
同図に示すクライオスタット１は、中空ドーナツ状の真空槽３０を有し、この真空槽３０の内部に液体窒素槽３２、輻射シールド板３３、及び液体ヘリウム槽３４が収容されている。前記液体窒素槽３２は、中空ドーナツ状をなし、その内部に液体窒素が収容されている。前記液体ヘリウム槽３４は前記液体窒素槽３２の径方向内側に配置され、この液体ヘリウム槽３４を上側及び下側並びに径方向内側から覆うように前記輻射シールド板３３が配置されている。
【００３７】
前記液体ヘリウム槽３４には、冷媒として液体ヘリウム３６が収容され、この液体ヘリウム３６内に前記コイル支持枠１４及びこのコイル支持枠１４に保持された多数の超電導コイル１０が浸漬されている。前記コイル支持枠１４は、その各平板部１１，１２，１３，１１′，１２′，１３′が立直する姿勢で、クライオスタット１により囲まれる磁場利用空間Ｓの中心軸と同軸となる位置に配置され、その下端部が前記液体ヘリウム槽３４の底壁に固定されている。これにより、前記各超電導コイル１０は、前記各平板部１１，１２，１３，１１′，１２′，１３′にそれぞれ平行なコイル配列領域上に水平方向及び鉛直方向の双方に並ぶように配列され、かつ保持された状態となっている。そして、これらの超電導コイル１０が通電されることにより、前記磁場利用空間Ｓに図６に示すような水平方向の磁束線３８をもつ強磁場が形成されることになる。
【００３８】
なお、図例では全平板部１１，１２，１３，１１′，１２′，１３′が相互つながって単一のコイル支持枠１４を構成するものとなっているが、これらの平板部は相互独立して個別に配置されるものであってもよい。
【実施例１】
【００３９】
図７に示すような比較例装置（鉛直方向について超電導コイルのコイルが単数である装置）と、前記図１〜図３に示すような本発明装置の双方において、磁場中心で０．４Ｔの磁束密度を発生させるためのコイル設計及びその配置設計を行った。その諸元を下記の表１（比較例）と表２（本実施例１）に示す。
【００４０】
【表１】
【００４１】
【表２】
【００４２】
なお、前記比較例装置は、図７に示すように、磁場利用空間Ｓを挟んで一方の側（同図左側）に中央及びその左右の３つの超電導コイル２０，２２，２４が配置され、他方の側に前記超電導コイル２０，２２，２４とそれぞれ対向するように３つの超電導コイル２０′，２２′，２４′が配置されたものであり、これらの超電導コイル２０，２２，２４，２０′，２２′，２４のレイアウトは、図１〜図３に示される本発明装置での各コイル配設領域Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ１′，Ｒ２′，Ｒ３′のレイアウトに近似するものである。
【００４３】
また、前記比較例装置及び本発明装置における各超電導コイルは、ステンレス鋼製の巻枠にＮｂ３Ｓｎ製の超電導線材を巻付けることにより構成されている。
【００４４】
前記表１と表２とを対照すると、本実施例１の効果はきわめて明らかである。すなわち、前記比較例装置での超電導コイルの巻線外径Ｄは６９４ｍｍであり、少なくともこれと同等の装置高さ寸法が要求されるのに対し、本実施例１の装置での各超電導コイル１０の巻線外径Ｄは２６８ｍｍであり、かつ、鉛直方向のコイル間距離（隙間）δ２は１ｍｍであるため、必要な高さ寸法は２６８ｍｍ×２＋１ｍｍ＝５３７ｍｍに収まる。従って、本実施例では前記比較例に比して高さ寸法を６９４ｍｍ−５３７ｍｍ＝１１０ｍｍも削減することが期待できる。
【００４５】
また、図８は、前記比較例装置（同図上段）及び本実施例装置（同図下段）における磁場分布をシミュレーション解析したヒストグラムを示しているが、両図を比較して明らかなように、本発明の適用により装置の高さ寸法を抑えながらも磁場の均一度は前記比較例以上のレベルに保つことができる。
【実施例２】
【００４６】
前記実施例１と同様に、前記図４に示すような本発明装置において、磁場中心で０．４Ｔの磁束密度を発生させるためのコイル設計及びその配置設計を行った。その諸元を下記表３（本実施例２）に示す。
【００４７】
【表３】
【００４８】
この表３と前記表１とを対照しても、本実施例２の効果はきわめて明らかである。すなわち、前記比較例装置での超電導コイルの巻線外径Ｄは６９４ｍｍであり、少なくともこれと同等の装置高さ寸法が要求されるのに対し、本実施例２の装置では前記実施例１と同様に各超電導コイル１０の巻線外径Ｄは２６８ｍｍであり、かつ、鉛直方向のコイル間距離（隙間）δ２は１ｍｍであるため、必要な高さ寸法は２６８ｍｍ×２＋１ｍｍ＝５３７ｍｍに収まる。従って、前記実施例１と同様に前記比較例に比して高さ寸法を６９４ｍｍ−５３７ｍｍ＝１１０ｍｍも削減することが期待できる。
【００４９】
また、図９は、前記図８と同様に本実施例２の装置における磁場分布をシミュレーション解析したヒストグラムを示しているが、この図９と前記図８の上段図を比較して明らかなように、本発明の適用により装置の高さ寸法を抑えながらも磁場の均一度は前記比較例以上のレベルに保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施の形態に係る磁場形成装置が導入されるクライオスタットの概略斜視図である。
【図２】（ａ）は前記磁場形成装置における超電導コイルの配列を示す斜視図、（ｂ）はその平面図である。
【図３】前記磁場形成装置の各コイル配設領域における超電導コイルの配列を示す正面図である。
【図４】（ａ）は図２とは別の実施の形態に係る磁場形成装置における超電導コイルの配列を示す斜視図、（ｂ）はその平面図である。
【図５】図２に示される配列で各超電導コイルを支持するためのコイル支持枠を示す斜視図である。
【図６】前記コイル支持枠及びこのコイル支持枠に支持される各超電導コイルがクライオスタットに導入された例を示す断面正面図である。
【図７】比較例での各超電導コイルの配置を示す平面図である。
【図８】前記比較例及び本発明の実施例１の装置により形成される磁場の分布を示すヒストグラムである。
【図９】本発明の実施例２の装置により形成される磁場の分布を示すヒストグラムである。
【図１０】（ａ）は従来の磁場形成装置におけるコイルの配置例を示す斜視図、（ｂ）はその平面図である。
【図１１】鞍型コイルの例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５１】
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒｓ，Ｒ１′，Ｒ２′，Ｒ３′，Ｒｓ′ コイル配設領域
Ｓ 磁場利用空間
Ｘ１〜Ｘ３ 中心軸
α コイル配設領域の配置角度
θ コイルの配置角度
１ クライオスタット
１０ ソレノイド型超電導コイル
１１，１２，１３，１１′，１２′，１３′ 平板部（コイル支持部材）
１４ コイル支持枠
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン単結晶の引き上げや、水平強磁場下での物性実験等に使用される磁場形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、るつぼ内のシリコン融液から大口径シリコン単結晶を引き上げて成長させる工程においては、前記るつぼ内のシリコン融液の対流を抑制するために強磁場を印加する手法がよく用いられる。また、その磁場方向としては、前記シリコン単結晶の引上げ軸に対して直交する方向（水平方向）がよく用いられる。
【０００３】
従来、強い水平磁場を形成する装置としては、その磁場利用空間を挟んで互いに対向する位置にそれぞれソレノイド型超電導コイルを配設したものが知られている。しかしながら、このような装置において十分な強さの磁場を形成するためには、超電導コイルの巻径を相当大きくしなければならず、このような超電導コイルの大径化は、装置全体の大型化、磁場発生効率の低下、漏れ磁場の増大といった不都合を招くことになる。
【０００４】
そこで、このような不都合を解消する手段として、特許文献１には、図１０（ａ）（ｂ）に示すような装置が開示されている。この装置は、軸方向が鉛直方向を向く円筒状の磁場利用空間Ｓを中央に有するクライオスタット１において、その磁場利用空間Ｓを挟んで一方の側（同図（ｂ）では左側）に３個のソレノイド型超電導コイルＣ１，Ｃ２，Ｃ３を周方向に並べて配列し、他方の側（同図（ｂ）では右側）に、前記磁場利用空間Ｓを挟んで前記各ソレノイド型超電導コイルＣ１，Ｃ２，Ｃ３にそれぞれ対向するように３個のソレノイド型超電導コイルＣ１’，Ｃ２’，Ｃ３’を配列したものである。
【０００５】
この装置によれば、磁場利用空間Ｓの両側にそれぞれ複数個の超電導コイルを配列しているため、相対向する超電導コイルを一対のみ配置するものに比べ、各コイルに要求される巻径を小さくすることができ、その分は磁場形成装置全体を小型化できる。
【特許文献１】特開２００１−２０３１０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前記の磁場形成装置では、その高さ寸法の削減が大きな課題となっている。特に、この磁場形成装置を前記のようなシリコン融液からの単結晶の引上げに利用する場合、当該装置の高さ寸法の削減は結晶製造効率の向上に大きく寄与することとなる。すなわち、当該シリコン融液の結晶化は磁場中心近傍の高さ位置で行われるため、当該位置を低く抑えるとその上方のシリコン引上げ空間をより広くとることが可能となり、その分製品結晶の長さを大きくとることが可能になるのである。
【０００７】
この点において、前記図１０（ａ）（ｂ）に示される従来装置では、磁場利用空間Ｓの両側にそれぞれ複数個の超電導コイルを配列している分、一対の超電導コイルのみを対向配置するものよりも磁場発生効率は向上するものの、その向上度合いには限りがあり、十分な磁場強さを維持しながら装置の高さ寸法を削減するには限度がある。
【０００８】
このような磁場強さの確保と必要高さ寸法の削減を両立する手段として、図１１に示すような一対の鞍型コイルＣｓを対向配置することが考えられるが、当該鞍型コイルＣｓを超伝導コイルとして用いた場合、これに大電流を流して強磁場を発生させたときに安定した設置状態を保つことが難しいという欠点がある。すなわち、前記各鞍型コイルＣｓは、直線状をなす左右の垂直部と、円弧状をなす上下の鞍部とを合成した形状となっているので、当該鞍型コイルＣｓを超電導コイルに適用した場合、その強磁場発生に伴って作用する大きな電磁力に抗して超電導線材を静止状態に保つように固定するのが難しいという事情がある。もし、前記静止状態が崩れて線材が動くと、その摩擦熱等によってクエンチを招くおそれがある。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑み、ソレノイド型超電導コイルを用いながら、十分な磁場強さを確保しつつ装置の高さ寸法を有効に削減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者等は、前記課題を解決すべく検討を重ねた結果、ソレノイド型超電導コイルを水平方向だけでなく鉛直方向すなわち磁場利用空間の軸方向と平行な方向にも複数個配列することにより、従来の装置よりも却って、十分な磁場強さを保ちながら超電導コイル配置のための必要高さ寸法を削減できることを見出した。
【００１１】
本発明は、このような観点からなされたものであり、中心軸が鉛直方向を向く磁場利用空間の周囲に複数個のソレノイド型超電導コイルが、その中心軸が略水平方向を向く姿勢で配列され、これらの超電導コイルの通電により前記磁場利用空間にその軸方向と直交する磁場が形成される磁場形成装置において、前記磁場利用空間を挟んで一方の側に複数個のソレノイド型超電導コイルが前記磁場利用空間の半径方向に対して略直交する水平方向及び鉛直方向の双方に並ぶように複数個配列され、他方の側に前記一方の側に配列された各超電導コイルと前記磁場利用空間を挟んで対向するように複数個の超電導コイルが配列されているものである。
【００１２】
この構成によれば、安定した設置を容易に行うことができるソレノイド型超電導コイルを用いながら、当該ソレノイド型超電導コイルを前記磁場利用空間の半径方向に対して略直交する水平方向だけでなく鉛直方向にも複数個配列することにより、従来装置と同様の磁場強度を確保しながら装置の高さ寸法を削減することができる。
【００１３】
その具体的なコイル配置としては、例えば、前記磁場利用空間を挟んでその両側に、当該磁場利用空間の半径方向と直交する平面状のコイル配列領域が軸方向及び半径方向の双方に直交する周方向に並ぶ複数箇所に設定され、各コイル配列領域上に複数個のソレノイド型超電導コイルが水平方向及び鉛直方向の双方に並ぶように配列されているものが好適である。この構成によれば、各コイル配設領域において複数個の超電導コイルを平面状に配列することによりその設置を容易にしながら、十分な磁場強度の確保及び装置高さ寸法の削減を図ることができる。
【００１４】
具体的に、前記各コイル配設領域に当該コイル配設領域と平行なコイル支持部材が配設され、各コイル支持部材に複数個のソレノイド型超電導コイルが水平方向及び鉛直方向の双方に並ぶように配列された状態で固定される構成とすれば、各コイルを適所に容易に配置することができるとともに、その位置に安定した状態で保持することができる。
【００１５】
その配列例としては、前記磁場利用空間を挟んでその両側に互いに対向する３つのコイル配列領域が設定され、各コイル配列領域上に６個のソレノイド型超電導コイルが水平方向に３個、鉛直方向に２個並ぶように配列されているものが、好適である。
【００１６】
また、別のコイル配置態様として、前記磁場利用空間を挟んでその両側に、当該磁場利用空間の中心軸と同軸の円筒面状のコイル配列領域が設定され、各コイル配列領域上に複数個のソレノイド型超電導コイルが当該コイル配設領域の周方向及び鉛直方向の双方に並ぶように配列されているものでもよい。この構成によれば、前記磁場利用空間の中心軸からの各コイルの距離（半径方向の距離）を統一することにより、コイルの配置スペースの直径を縮減することができる。
【発明の効果】
【００１７】
以上のように、本発明によれば、ソレノイド型超電導コイルを前記磁場利用空間の半径方向に対して略直交する水平方向だけでなく鉛直方向にも複数個配列することにより、従来装置と同様の磁場強度を確保しながら装置の高さ寸法を削減することができる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の好ましい実施の形態を図１〜図３に基づいて説明する。
【００１９】
この実施の形態に係る装置は、前記図１０（ａ）（ｂ）に示した装置と同様、図１に示すように、軸方向が鉛直方向を向く円筒状の磁場利用空間Ｓを中央に有するクライオスタット１に設けられる。
【００２０】
このクライオスタット１は、ドーナツ板状の天板２及び底板３と、その径方向内側及び外側にそれぞれ配される内筒４及び外筒５とを有し、これら両筒４，５の上下端が前記天板２，３に気密状態で接合され、前記内筒４の内側空間が前記磁場利用空間Ｓとされている。この磁場利用空間Ｓは、鉛直方向の両側に開放されたものであってもよいし、その上下いずれかの端縁が前記天板２または底板３で塞がれているものであってもよい。また、この磁場利用空間Ｓの軸方向は正確に鉛直方向と合致していなくてもよく、その用途によっては若干傾いていてもよい。
【００２１】
このクライオスタット１において、前記両筒４，５に挟まれる空間が冷却空間とされており、この冷却空間内に本発明に係る磁場形成装置が導入される。この磁場形成装置は、公知の冷却手段、例えば液体ヘリウム等の冷媒中の浸漬、あるいは、小型ＧＭ冷凍機やパルスチューブによって超電導状態になるまで冷却される。
【００２２】
前記磁場形成装置は複数のソレノイド型超電導コイル（以下、単に「超電導コイル」と称する。）１０が配列されることにより構成される。具体的には、前記磁場利用空間Ｓを挟んで一方の側に中央及びその左右の３つのコイル配設領域Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３が設定され、これらのコイル配設領域Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３にそれぞれ対向する（周方向に１８０°離間する）ように他方の側に３つのコイル配設領域Ｒ１′，Ｒ２′，Ｒ３′が設定されており、これらのコイル配設領域にそれぞれ前記超電導コイル１０が複数個配列されている。
【００２３】
前記各超伝導コイル１０は、例えばステンレス鋼からなる巻枠に適当な超電導線材（例えばＮｂ３Ｓｎ線材）を巻き付けることにより構成されている。
【００２４】
前記各コイル配設領域は、それぞれ、前記磁場利用空間Ｓの半径方向（図２に示す中心軸Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３の方向）と直交する平面状をなし、中央のコイル配設領域Ｒ１，Ｒ１′の中心軸（法線軸）Ｘ１に対して、その左側のコイル配設領域Ｒ２，Ｒ２′の中心軸Ｘ２及び右側のコイル配設領域Ｒ３，Ｒ３′の中心軸Ｘ３が前記磁場利用空間Ｓの周方向にそれぞれ所定の配置角度α（≦６０°）で振り分けられている。
【００２５】
前記各コイル配設領域においては、その平面上で図３に示すように計６個の超電導コイル１０が水平方向（図３の左右方向）に３個、鉛直方向（図３の上下方向）に２個並ぶように配列されている。図３に示すように、各超電導コイル１０は外径Ｄ、内径ｄをもつ円環体状（ドーナツ状）をなし、その中心軸が略水平方向を向く姿勢で配列されており、これら超電導コイル１０同士の間には電気的に絶縁された状態で水平方向及び鉛直方向にそれぞれ所定の隙間δ１，δ２（図３）が確保されている。各コイル配設領域における超電導コイル１０の巻線の向きは統一されており、これらの超電導コイル１０を同時に通電することによって各コイル軸に平行な磁界が形成されるようになっている。
【００２６】
なお、前記各超電導コイル１０は共通の電源に対して相互直列に接続されていてもよいし、並列に接続されていてもよい。あるいは各領域ごとに専用の電源を与えるようにしてもよい。
【００２７】
このような磁場発生装置によれば、鉛直方向に複数の超電導コイル１０を配列しているものの、十分な磁場を形成するために必要とされる各超電導コイル１０のコイル径を縮減できる結果として、鉛直方向について単一の超電導コイルのみを配する従来装置（例えば前記図１０（ａ）（ｂ）に示す装置）に比べ、これと同じ強さの磁場を形成するために必要な装置高さ寸法を削減することが可能となる。すなわち、従来のように鉛直方向について単一の大径コイルを設置する場合、その磁界はコイル形状に従うが、コイル設置隙間が大きく、これにより磁場発生効率が低下し、装置高さは大きくなる。これに対し、図３に示すように複数の小径コイルを縦横に配列した場合、コイル間の隙間を小さくできるため、磁場発生効率が高くなり、装置高さを縮減することができる。
【００２８】
なお、本発明において、各超電導コイル１０の具体的な個数や配置、形状は図示のものに限られず、適宜設定可能である。
【００２９】
例えば、図４（ａ）（ｂ）に示すように、磁場利用空間Ｓを挟んでその両側（同図（ｂ）では上側及び下側）に、当該磁場利用空間Ｓの中心軸と同軸の円筒面状のコイル配列領域Ｒｓ，Ｒｓ′を設定し、各コイル配列領域Ｒｓ，Ｒｓ′上に複数個のソレノイド型超電導コイルが当該コイル配設領域の周方向及び鉛直方向の双方に並ぶ（図例では周方向に９個、鉛直方向に２個並ぶ）ように配列してもよい。
【００３０】
また、要求される磁場が強い場合には、前記超電導コイル１０を鉛直方向に３個以上配列するようにしてもよいし、水平方向の配列個数も適宜設定可能である。また、コイル配設領域の総数も適宜増減可能である。
【００３１】
各超電導コイル１０の形状は図示のような円環体状（ドーナツ状）が一般的であるが、その中心軸と平行な方向から見た形状を縦長または横長の楕円形あるいはその他の閉曲線形状としてもよい。いずれの場合も、コイルの全周にわたって巻線張力が作用することにより、ワイヤムーブメント（超電導線材の微小な動き）が有効に抑制されることになる。電磁力が大きくて巻線張力のみではワイヤムーブメントを抑えられない場合には、周知の手段、例えばコイルの外周に別のバインド線を巻いたり、エポキシ樹脂やワックスからなる含浸材を含浸させたりする手段を用いてワイヤムーブメントを規制すればよい。
【００３２】
各超電導コイル１０を所定位置に保持するための具体的な手段については、種々設定が可能である。例として、前記図２に示す配列でコイル配設領域の配置角度αが６０°に設定された場合に好適なコイル支持構造を図５（ａ）（ｂ）に示す。
【００３３】
同図（ａ）に示すコイル支持枠１４は、計６個の平板部１１，１２，１３，１１′，１２′，１３′が平面視正六角形状となるように相互接合された六角筒状をなし、前記各平板部１１，１２，１３，１１′，１２′，１３′の外側面上に計６個（水平方向３個、垂直方向２個）の超電導コイル１０が配列され、同図（ｂ）に示すボルト１６により前記各平板部に固定されている。つまり、前記各平板部１１，１２，１３，１１′，１２′，１３′は、それぞれ、前記図２（ａ）（ｂ）に示したコイル配設領域Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ１′，Ｒ２′，Ｒ３′と平行なコイル支持部材を構成している。
【００３４】
なお、前記コイル支持枠１４や前記ボルト１６の材質としては、ＳＵＳ３１６等のステンレス鋼、純アルミニウム、アルミニウム合金等を用いることが可能である。また、ボルト１６以外の固定手段としては、例えば溶接が好適であり、また接着剤による固定も可能である。
【００３５】
図６は、前記図５に示すコイル支持枠１４に保持されて液体ヘリウム温度で運転される各超電導コイル１０を冷媒式のクライオスタット１内に導入した例を示したものである。
【００３６】
同図に示すクライオスタット１は、中空ドーナツ状の真空槽３０を有し、この真空槽３０の内部に液体窒素槽３２、輻射シールド板３３、及び液体ヘリウム槽３４が収容されている。前記液体窒素槽３２は、中空ドーナツ状をなし、その内部に液体窒素が収容されている。前記液体ヘリウム槽３４は前記液体窒素槽３２の径方向内側に配置され、この液体ヘリウム槽３４を上側及び下側並びに径方向内側から覆うように前記輻射シールド板３３が配置されている。
【００３７】
前記液体ヘリウム槽３４には、冷媒として液体ヘリウム３６が収容され、この液体ヘリウム３６内に前記コイル支持枠１４及びこのコイル支持枠１４に保持された多数の超電導コイル１０が浸漬されている。前記コイル支持枠１４は、その各平板部１１，１２，１３，１１′，１２′，１３′が立直する姿勢で、クライオスタット１により囲まれる磁場利用空間Ｓの中心軸と同軸となる位置に配置され、その下端部が前記液体ヘリウム槽３４の底壁に固定されている。これにより、前記各超電導コイル１０は、前記各平板部１１，１２，１３，１１′，１２′，１３′にそれぞれ平行なコイル配列領域上に水平方向及び鉛直方向の双方に並ぶように配列され、かつ保持された状態となっている。そして、これらの超電導コイル１０が通電されることにより、前記磁場利用空間Ｓに図６に示すような水平方向の磁束線３８をもつ強磁場が形成されることになる。
【００３８】
なお、図例では全平板部１１，１２，１３，１１′，１２′，１３′が相互つながって単一のコイル支持枠１４を構成するものとなっているが、これらの平板部は相互独立して個別に配置されるものであってもよい。
【実施例１】
【００３９】
図７に示すような比較例装置（鉛直方向について超電導コイルのコイルが単数である装置）と、前記図１〜図３に示すような本発明装置の双方において、磁場中心で０．４Ｔの磁束密度を発生させるためのコイル設計及びその配置設計を行った。その諸元を下記の表１（比較例）と表２（本実施例１）に示す。
【００４０】
【表１】
【００４１】
【表２】
【００４２】
なお、前記比較例装置は、図７に示すように、磁場利用空間Ｓを挟んで一方の側（同図左側）に中央及びその左右の３つの超電導コイル２０，２２，２４が配置され、他方の側に前記超電導コイル２０，２２，２４とそれぞれ対向するように３つの超電導コイル２０′，２２′，２４′が配置されたものであり、これらの超電導コイル２０，２２，２４，２０′，２２′，２４のレイアウトは、図１〜図３に示される本発明装置での各コイル配設領域Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ１′，Ｒ２′，Ｒ３′のレイアウトに近似するものである。
【００４３】
また、前記比較例装置及び本発明装置における各超電導コイルは、ステンレス鋼製の巻枠にＮｂ３Ｓｎ製の超電導線材を巻付けることにより構成されている。
【００４４】
前記表１と表２とを対照すると、本実施例１の効果はきわめて明らかである。すなわち、前記比較例装置での超電導コイルの巻線外径Ｄは６９４ｍｍであり、少なくともこれと同等の装置高さ寸法が要求されるのに対し、本実施例１の装置での各超電導コイル１０の巻線外径Ｄは２６８ｍｍであり、かつ、鉛直方向のコイル間距離（隙間）δ２は１ｍｍであるため、必要な高さ寸法は２６８ｍｍ×２＋１ｍｍ＝５３７ｍｍに収まる。従って、本実施例では前記比較例に比して高さ寸法を６９４ｍｍ−５３７ｍｍ＝１１０ｍｍも削減することが期待できる。
【００４５】
また、図８は、前記比較例装置（同図上段）及び本実施例装置（同図下段）における磁場分布をシミュレーション解析したヒストグラムを示しているが、両図を比較して明らかなように、本発明の適用により装置の高さ寸法を抑えながらも磁場の均一度は前記比較例以上のレベルに保つことができる。
【実施例２】
【００４６】
前記実施例１と同様に、前記図４に示すような本発明装置において、磁場中心で０．４Ｔの磁束密度を発生させるためのコイル設計及びその配置設計を行った。その諸元を下記表３（本実施例２）に示す。
【００４７】
【表３】
【００４８】
この表３と前記表１とを対照しても、本実施例２の効果はきわめて明らかである。すなわち、前記比較例装置での超電導コイルの巻線外径Ｄは６９４ｍｍであり、少なくともこれと同等の装置高さ寸法が要求されるのに対し、本実施例２の装置では前記実施例１と同様に各超電導コイル１０の巻線外径Ｄは２６８ｍｍであり、かつ、鉛直方向のコイル間距離（隙間）δ２は１ｍｍであるため、必要な高さ寸法は２６８ｍｍ×２＋１ｍｍ＝５３７ｍｍに収まる。従って、前記実施例１と同様に前記比較例に比して高さ寸法を６９４ｍｍ−５３７ｍｍ＝１１０ｍｍも削減することが期待できる。
【００４９】
また、図９は、前記図８と同様に本実施例２の装置における磁場分布をシミュレーション解析したヒストグラムを示しているが、この図９と前記図８の上段図を比較して明らかなように、本発明の適用により装置の高さ寸法を抑えながらも磁場の均一度は前記比較例以上のレベルに保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施の形態に係る磁場形成装置が導入されるクライオスタットの概略斜視図である。
【図２】（ａ）は前記磁場形成装置における超電導コイルの配列を示す斜視図、（ｂ）はその平面図である。
【図３】前記磁場形成装置の各コイル配設領域における超電導コイルの配列を示す正面図である。
【図４】（ａ）は図２とは別の実施の形態に係る磁場形成装置における超電導コイルの配列を示す斜視図、（ｂ）はその平面図である。
【図５】図２に示される配列で各超電導コイルを支持するためのコイル支持枠を示す斜視図である。
【図６】前記コイル支持枠及びこのコイル支持枠に支持される各超電導コイルがクライオスタットに導入された例を示す断面正面図である。
【図７】比較例での各超電導コイルの配置を示す平面図である。
【図８】前記比較例及び本発明の実施例１の装置により形成される磁場の分布を示すヒストグラムである。
【図９】本発明の実施例２の装置により形成される磁場の分布を示すヒストグラムである。
【図１０】（ａ）は従来の磁場形成装置におけるコイルの配置例を示す斜視図、（ｂ）はその平面図である。
【図１１】鞍型コイルの例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５１】
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒｓ，Ｒ１′，Ｒ２′，Ｒ３′，Ｒｓ′ コイル配設領域
Ｓ 磁場利用空間
Ｘ１〜Ｘ３ 中心軸
α コイル配設領域の配置角度
θ コイルの配置角度
１ クライオスタット
１０ ソレノイド型超電導コイル
１１，１２，１３，１１′，１２′，１３′ 平板部（コイル支持部材）
１４ コイル支持枠
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心軸が鉛直方向を向く磁場利用空間の周囲に、複数個のソレノイド型超電導コイルが、その中心軸が略水平方向を向く姿勢で配列され、これらの超電導コイルの通電により前記磁場利用空間にその軸方向と直交する磁場が形成される磁場形成装置において、前記磁場利用空間を挟んで一方の側に複数個のソレノイド型超電導コイルが前記磁場利用空間の半径方向に対して略直交する水平方向及び鉛直方向の双方に並ぶように複数個配列され、他方の側に前記一方の側に配列された各超電導コイルと前記磁場利用空間を挟んで対向するように複数個の超電導コイルが配列されていることを特徴とする磁場形成装置。
【請求項２】
請求項１記載の磁場形成装置において、前記磁場利用空間を挟んでその両側に、当該磁場利用空間の半径方向と直交する平面状のコイル配列領域が軸方向及び半径方向の双方に直交する周方向に並ぶ複数箇所に設定され、各コイル配列領域上に複数個のソレノイド型超電導コイルが水平方向及び鉛直方向の双方に並ぶように配列されていることを特徴とする磁場形成装置。
【請求項３】
請求項２記載の磁場形成装置において、前記磁場利用空間を挟んでその両側に互いに対向する３つのコイル配列領域が設定され、各コイル配列領域上に６個のソレノイド型超電導コイルが水平方向に３個、鉛直方向に２個並ぶように配列されていることを特徴とする磁場形成装置。
【請求項４】
請求項２または３記載の磁場形成装置において、前記各コイル配設領域に当該コイル配設領域と平行なコイル支持部材が配設され、各コイル支持部材に複数個のソレノイド型超電導コイルが水平方向及び鉛直方向の双方に並ぶように配列された状態で固定されていることを特徴とする磁場形成装置。
【請求項５】
請求項１記載の磁場形成装置において、前記磁場利用空間を挟んでその両側に、当該磁場利用空間の中心軸と同軸の円筒面状のコイル配列領域が設定され、各コイル配列領域上に複数個のソレノイド型超電導コイルが当該コイル配設領域の周方向及び鉛直方向の双方に並ぶように配列されていることを特徴とする磁場形成装置。
【請求項１】
中心軸が鉛直方向を向く磁場利用空間の周囲に、複数個のソレノイド型超電導コイルが、その中心軸が略水平方向を向く姿勢で配列され、これらの超電導コイルの通電により前記磁場利用空間にその軸方向と直交する磁場が形成される磁場形成装置において、前記磁場利用空間を挟んで一方の側に複数個のソレノイド型超電導コイルが前記磁場利用空間の半径方向に対して略直交する水平方向及び鉛直方向の双方に並ぶように複数個配列され、他方の側に前記一方の側に配列された各超電導コイルと前記磁場利用空間を挟んで対向するように複数個の超電導コイルが配列されていることを特徴とする磁場形成装置。
【請求項２】
請求項１記載の磁場形成装置において、前記磁場利用空間を挟んでその両側に、当該磁場利用空間の半径方向と直交する平面状のコイル配列領域が軸方向及び半径方向の双方に直交する周方向に並ぶ複数箇所に設定され、各コイル配列領域上に複数個のソレノイド型超電導コイルが水平方向及び鉛直方向の双方に並ぶように配列されていることを特徴とする磁場形成装置。
【請求項３】
請求項２記載の磁場形成装置において、前記磁場利用空間を挟んでその両側に互いに対向する３つのコイル配列領域が設定され、各コイル配列領域上に６個のソレノイド型超電導コイルが水平方向に３個、鉛直方向に２個並ぶように配列されていることを特徴とする磁場形成装置。
【請求項４】
請求項２または３記載の磁場形成装置において、前記各コイル配設領域に当該コイル配設領域と平行なコイル支持部材が配設され、各コイル支持部材に複数個のソレノイド型超電導コイルが水平方向及び鉛直方向の双方に並ぶように配列された状態で固定されていることを特徴とする磁場形成装置。
【請求項５】
請求項１記載の磁場形成装置において、前記磁場利用空間を挟んでその両側に、当該磁場利用空間の中心軸と同軸の円筒面状のコイル配列領域が設定され、各コイル配列領域上に複数個のソレノイド型超電導コイルが当該コイル配設領域の周方向及び鉛直方向の双方に並ぶように配列されていることを特徴とする磁場形成装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００７−１８４３８３（Ｐ２００７−１８４３８３Ａ）
【公開日】平成１９年７月１９日（２００７．７．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−９８６（Ｐ２００６−９８６）
【出願日】平成１８年１月６日（２００６．１．６）
【出願人】（０００００１１９９）株式会社神戸製鋼所 (5,860)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年７月１９日（２００７．７．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１月６日（２００６．１．６）
【出願人】（０００００１１９９）株式会社神戸製鋼所 (5,860)
【Ｆターム（参考）】
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