説明

磁気センサ及びEMC試験用検出装置

【課題】磁界に対する共振周波数の検出レベルが低下しない条件で、ビアの形成位置を工夫した小型の磁気センサを提供することを課題とする。
【解決手段】この磁気センサは、グランド線路12が形成された第1基板10と、信号線路22が形成された第2基板20と、グランド線路32が形成された第3基板30とを備える。第2基板20の信号線路22は、直線的形状の第1部分24と、第1部分24に隣接するループ形状の第2部分26と、第2部分26に隣接する円形状の第3部分28とが直列的に配置されている。第3部分28は、信号線路22の端部であって、第1部分24に並列的に配置されている。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、磁気センサ及びEMC試験用検出装置に関し、特に、GHz帯域の高周波磁界の検出に好適な磁気センサ及びEMC試験用検出装置に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献1には、高周波磁界強度に対して超高周波まで滑らから応答を示す磁気センサが開示されている。この種の磁気センサは、磁気を検出するセンサとして機能するシールディドループコイルと、同軸線等に接続される高周波接続部と、シールディドループコイルおよび高周波接続部とを接続する出力リード部とから構成されている。シールディドループコイル100のサイズは、外部が3.6[mm]×6.8[mm]の長方形、内部が1.8[mm]×4.8[mm]の長方形形状となっている、とされている。
【0003】
【特許文献1】特開2004−069337号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献1に開示されている磁気センサは、シールディドループコイルが相対的に大面積である。この場合には、ビアのサイズとの兼ね合いから、ビアの形成位置が問題となることはない。
【0005】
しかし、近年、部品の小型化に伴い高分解能が要求されることにより、シールディドループコイルの小面積化が進んでいる。このため、ビアをシールディドループコイル上に形成しにくい、或いは、形成できないという問題が生じている。ビアの形成位置が好ましくないと、例えば、自己共振用周波数の低下による周波数特性の劣化、或いは、電界遮蔽性の劣化を伴うなどの影響が出る。
【0006】
そこで、本発明は、自己共振用周波数の低下による周波数特性の劣化、或いは、電界遮蔽性の劣化が生じない条件で、ビアの形成位置を工夫した小型の磁気センサを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明は、上記課題を解決するために、本発明の磁気センサ及びEMC試験用検出装置は、
直線的形状の第1部分と、前記第1部分に隣接するループ形状の第2部分と、前記第2部分に隣接する円形状の第3部分とが直列的配置された信号線路を備え、
前記第3部分は、前記信号線路の端部であって、前記第1部分に並列的に配置されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【0008】
以下、添付図面を参照して本発明を実施するための最良の実施の形態を説明する。なお、各図において、同様の部分には、同一符号を付している。
【0009】
(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態1の磁気センサを構成するシールディドループコイルの模式的な分解図である。図1(a)にはグランド線路12が形成された第1基板10を示し、図1(b)には信号線路22が形成された第2基板20を示し、図1(c)にはグランド線路32が形成された第3基板30を示している。第1基板10,第2基板20,第3基板30は、いわゆる絶縁基板であり、これらを多層的に組み合わせることで、いわゆるトリプレート構造の磁気センサを形成している。
【0010】
まず、第2基板20の構成について説明する。図1(b)に示すように、信号線路22は、直線的形状のインピーダンスラインとも称される第1部分24と、第1部分24に隣接するループ部とも称されるループ形状の第2部分26と、第2部分26に隣接する週端部とも称される円形状の第3部分28とが直列的に配置されている。第3部分28は、信号線路22の端部であって、第1部分24に並列的に配置されている。なお、信号線路22の素材は、既知のように、例えば銅を用いることができる。
【0011】
ここで、信号線路22のサイズの一例を示すと、まず、信号線路22の幅を約0.02mmとしている。第2部分26のサイズは、主として、第2基板20の先端の幅によって決定される。
【0012】
すなわち、図1に示す例では、第2基板20の先端の幅として例えば2mm確保していて、この場合には、第2部分26は、例えば、長手方向の長さを1.86mmとし、短手方向の長さを0.24mmとすることができる。
【0013】
一方、第2基板20の先端の幅として例えば1mm確保できる場合には、第2部分26は、例えば、長手方向の長さを0.86mmとし、短手方向の長さを0.23mmとすることができる。
【0014】
さらに、第2基板20の先端の幅として例えば0.5mm確保できる場合には、第2部分26は、例えば、長手方向の長さを0.44mmとし、短手方向の長さを0.18mmとすることができる。
【0015】
また、第3部分28は、例えば、スルーホールの穴径が例えば0.2φで、パッドの外径が0.4φのドーナツ形状とすることができる。なお、スルーホールとは、ビアとパッドとによって構成される。
【0016】
つぎに、第1基板10及び第3基板30の構成について説明する。図1(a),図1(c)に示すように、グランド線路12,32は、第1部分24に対応する形状の第1領域14,34と、第2部分26に対応していて第1領域14,34の幅を超える幅の第2領域16,36と、第3部分28に対応していて第1領域14,34及び第2領域16,36と重なる態様で形成されている第3領域18,38とを有する。
【0017】
ここで、グランド線路12,32のサイズは、第1基板10及び第3基板30のサイズに依存する。グランド線路12,32のサイズの一例を示すと、第1領域14,34の幅は、約0.2mm〜0.3mmとしている。
【0018】
仮に、第1基板10及び第3基板30の先端の幅として例えば2mm確保できる場合には、例えば、0.16mmの幅で、約0.08mm×1.68mmのサイズの磁束変化検出領域となる条件で、第2領域16,36を形成することができる。
【0019】
一方、第1基板10及び第3基板30の先端の幅として例えば1mm確保できる場合には、例えば、0.15mmの幅で、約0.08mm×0.70mmのサイズの磁束変化検出領域となる条件で、第2領域16,36を形成することができる。
【0020】
さらに、第1基板10及び第3基板30の先端の幅として例えば0.5mm確保できる場合には、例えば、0.10mmの幅で、約0.08mm×0.38mmのサイズの磁束変化検出領域となる条件で、第2領域16,36を形成することができる。
【0021】
また、第3領域18,38は、約0.2φのビアとすることができる。
【0022】
ここで、図1(a)〜図1(c)から明らかなように、本実施形態に係るシールディドループコイルの場合、第3部分28のサイズは、第2領域16,36におけるグランド線路幅よりも大きい。
【0023】
とすれば、特許文献1の磁気センサにように、第2領域16,36に対応する位置に第3部分28を設けることができない。そこで、本実施形態では、第3部分28を、第2領域16,36に対応する位置ではなく、第1領域14,34に並列的に隣接する位置に設けている。
【0024】
(実施形態2)
図2は、本発明の実施形態2の磁気センサを構成するシールディドループコイルの模式的な分解図である。図2(a)〜図2(c)は、それぞれ、図1(a)〜図1(c)に対応する。
【0025】
図2に示すシールディドループコイルは、図1に示すシールディドループコイルと対比すると、以下の点が相違する。すなわち、
1.第3部分28の位置を、その中央部分が第2基板20の先端から例えば0.7mm〜0.85mm程度内側となるようにし、かつ、
2.更に、第3部分28の位置を、その中央部分が、第2基板20の短手方向の中央になるようにし、
3.これらに応じて、第3領域18,38の形成位置も変更し、かつ、
4.第1部分24は、第3部分28の位置に対応した凸部分24Aを有する、
という点が相違する。
【0026】
第2基板20の先端に対する第3部分28の距離は、磁束に対する共振周波数の観点から、可能な限り短いほうが好ましい。したがって、この点のみ考慮すれば、図2に示すシールディドループコイルよりも図1に示したものの方が好ましいので、上記1に係る変更はデメリットとなる。
【0027】
しかし、上記2に係る変更によって、本実施形態のシールディドループコイルは、信号線路22の形状の対称性を実現することができる。これは、磁界の検出面では、図1に示すシールディドループコイルより、電界遮蔽特性が向上するというメリットがある。
【0028】
(実施形態3)
図3は、本発明の実施形態3の磁気センサを構成するシールディドループコイルの模式的な分解図である。図3(a)〜図3(c)は、それぞれ、図2(a)〜図2(c)に対応する。
【0029】
図3に示すシールディドループコイルは、図2に示すシールディドループコイルと対比すると、以下の点が相違する。すなわち、
1.第3部分28の位置を、その中央部分が、第2基板20の短手方向の中央から偏心させている、
2.これらに応じて、第3領域18,38のサイズを小さくしている、
という点が相違する。
【0030】
第3領域18,38のサイズを小さくできると、電界の影響を低減でき、電界遮蔽性が向上する。また、図3に示すシールディドループコイルの場合には、図2に示すシールディドループコイルのような形状の対称性を維持することが可能となる。
【0031】
(実施形態4)
図4は、本発明の実施形態4に係るシールディドループコイルの模式的な構成図である。実施形態1〜3に係るシールディドループコイルの場合には、信号線路24を第1部分〜第3部分の全てにおいて同じ幅で形成している。
【0032】
これに対して、本実施形態のシールディドループコイルの場合には、第2部分26における信号線路幅を途中から広げている。具体的には、第2部分26の中央付近から信号線路幅を0.02mmから0.16mmに広げている。
【0033】
ここで、第2部分26の中央付近から信号線路幅を広げているが、これに限定されない。すなわち、第2部分26の中央付近よりも第1部分24側で信号線路幅を広げる、或いは、反対に、第2部分26の中央付近よりも第3部分28側で信号線路幅を広げることも可能である。
【0034】
前者の場合、自己共振周波数が上昇するため、周波数特性が改善される可能性がある、一方で、線幅の増大により位置の不明確性が増加し、分解能が低下する可能性がある。分解能とは、後述するように、磁気センサ直下にEMCノイズ源が位置する場合に、磁気センサの出力が最大値となるが、この最大値から例えば6dBの電界強度の低下が生じる位置まで磁気センサを水平方向に移動させたときの当該移動距離のことをいう。また、分解の低下の原因は、グランド線路12,32の第2領域16,36は、その中央から第1領域14,34側が通過伝送線路とみなせ、かつ、その中央から第3領域18,38側が終端短絡した伝送線路とみなすことができることによる。
【0035】
したがって、反対に、後者の場合には、これとは逆に、周波数特性が低下する可能性がある、一方で、分解能が向上する可能性があるという、トレードオフの関係にある。
【0036】
このことから、優れた周波数特性が要求される分野については、第2部分26の中央付近よりも第1部分24側で信号線路幅が広がっているシールディドループコイルを備える磁気センサが好適である。
【0037】
一方、優れた分解能が要求される分野については、第2部分26の中央付近よりも第3部分28側で信号線路幅が広がっているシールディドループコイルを備える磁気センサが好適である。
【0038】
図4に示す例は、図1に示したものに対して、周波数特性と分解能とをバランスよく向上させるためのものであり、上記事情に鑑みて第2部分26の中央付近から信号線路幅を広げている。
【0039】
図5は、図3及び図4に示すシールディドループコイルに係る磁気センサの周波数特性を示す図である。図5の横軸は周波数[GHz]、縦軸は感度を示している。図5に示すように、図3に示すシールディドループコイルに係る磁気センサに比して、図4に示すシールディドループコイルに係る磁気センサの周波数特性が優れていることが分かる。
【0040】
図6は、図3に示すシールディドループコイルに係るいわゆる垂直コイルタイプの空間分解能の測定結果を示す図である。図6の横軸は磁気センサと測定対象との水平方向距離[mm]を示し、縦軸は電界強度[dB]を示している。
【0041】
ここでは、図示しない一本の信号線に電流を流した状態で、図6内の枠内に示すように、磁気センサと測定対象との垂直方向距離[mm]を変更して空間分解能を測定している。図6によれば、信号線と磁気コイルとの垂直距離により磁気センサからの出力がどのように変化するかが分かる。
【0042】
図6に示すように、磁気センサと測定対象との水平方向距離が0mmに近いほど、電界強度が優れていることがわかる。また、磁気センサと測定対象との垂直方向距離が0mmに近いほど、電界強度が優れていることがわかる。さらに、磁気センサと測定対象との水平方向距離がプラス方向に増加した場合とマイナス方向に増加した場合とでは略同じ電界強度であることがわかる。
【0043】
図7は、図3に示すシールディドループコイルに係るいわゆる水平コイルタイプの空間分解能の測定結果を示す図である。図7の横軸は磁気センサと測定対象との水平方向距離[mm]を示し、縦軸は電界強度[dB]を示している。
【0044】
ここでも、図6の場合と同様に、磁気センサと測定対象との垂直方向距離[mm]を変更して、空間分解能を測定している。図7に示すように、磁気センサと測定対象との水平方向距離が0mm付近では電界強度が劣化することがわかる。また、磁気センサと測定対象との水平方向距離が0mmに近いほど、電界強度が優れていることがわかる。さらに、磁気センサと測定対象との水平方向距離がプラス方向に増加した場合とマイナス方向に増加した場合とでは略同じ電界強度であることがわかる。
【0045】
(実施形態5)
図8は、本発明の実施形態のEMC試験用検出装置の模式的な外観図である。図8に示すEMC試験用検出装置は、検査対象が裁置される裁置台100と、裁置台100に設けられている非常停止ボタン110A及び操作ボタン110Bと、実施形態1等の磁気センサが先端に取り付けられているプローブ150と、プローブ150を把持するプローブチャック130と、プローブ150と検査対象との位置を規定するためのレーザ120と、レーザ120の発光及び受光処理及びプローブチャック130の回転処理及び磁気センサからの信号増幅処理等を行う処理部140と、処理部140をそれぞれXYZ方向に移動させるX方向移動部160及びY方向移動部170及びZ方向移動部180と、裁置台100に裁置される検査対象を撮像する撮像部190と、撮像部190を平面方向に移動させるアーム部200と、各部の動作の制御を司るコントローラ部210とを備える。
【0046】
このEMC試験用検出装置は、パーソナルコンピュータなどに接続されている。マウスなどの入力デバイスからの信号に応じて、コントローラ部210が各部に対して動作命令を出力し、その結果、撮像部190からの画像データがディスプレイなどの出力デバイスに表示される。
【0047】
つぎに、図8に示すEMC試験用検出装置の使用方法及び動作について説明する。まず、EMC試験用検出装置の裁置台100に対して検査対象を裁置する。つぎに、EMC試験用検出装置がオンされている状態で、操作ボタン110Bが押下されると、それに応じて、コントローラ部210からプローブチャック130,X方向移動部160,Y方向移動部170,Z方向移動部180に対して、適宜、駆動信号が出力される。その結果、処理部140が回転又は移動を開始する。
【0048】
この際、処理部140からレーザ120が出光され、かつ、処理部140でレーザ120が受光される。こうして、プローブ150と検査対象との距離を測定することによって、検査対象から所定の高さをトレースして、プローブ150と検査対象との衝突を回避して、プローブ150に取り付けられている磁気センサの破損を防止している。なお、ユーザが非常停止ボタン110Aを押下することで、処理部140の移動を停止させることも可能である。
【0049】
つぎに、プローブ150に取り付けられた磁気センサによって磁気ノイズのセンシングが行われる。センシング結果は、処理部140において信号増幅処理等がなされ、コントローラ部210を経由して、パーソナルコンピュータに出力される。
【0050】
これとは別に、パーソナルコンピュータに接続されているマウスなどの入力装置からの信号に応じて、コントローラ部210が、アーム部200を移動させ、かつ、撮像部190によって検査対象を撮像させ、撮像結果がパーソナルコンピュータに出力される。
【0051】
この結果、パーソナルコンピュータに接続されているディスプレイなどを通じて、撮像結果とセンシング結果とを表示させることが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【0052】
本発明は、EMCノイズの発生源に対する検査時に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【0053】
【図1】本発明の実施形態1の磁気センサを構成するシールディドループコイルの模式的な分解図である。
【図2】本発明の実施形態2の磁気センサを構成するシールディドループコイルの模式的な分解図である。
【図3】本発明の実施形態3の磁気センサを構成するシールディドループコイルの模式的な分解図である。
【図4】本発明の実施形態4に係るシールディドループコイルの模式的な構成図である。
【図5】図3及び図4に示すシールディドループコイルに係る磁気センサの周波数特性を示す図である。
【図6】図3に示すシールディドループコイルに係るいわゆる垂直コイルタイプの空間分解能の測定結果を示す図である。
【図7】図3に示すシールディドループコイルに係るいわゆる水平コイルタイプの空間分解能の測定結果を示す図である。
【図8】本発明の実施形態のEMC試験用検出装置の模式的な外観図である。
【符号の説明】
【0054】
10 第1基板
12,32 グランド線路
20 第2基板
22 信号線路
30 第3基板
100 裁置台
110A 非常停止ボタン
110B 操作ボタン
120 レーザ
130 プローブチャック
140 処理部
150 プローブ
160 X方向移動部
170 Y方向移動部
180 Z方向移動部
190 撮像部
200 アーム部
210 コントローラ部

【特許請求の範囲】
【請求項1】
直線的形状の第1部分と、前記第1部分に隣接するループ形状の第2部分と、前記第2部分に隣接する円形状の第3部分とが直列的に配置された信号線路を備え、
前記第3部分は、前記信号線路の端部であって、前記第1部分に並列的に配置されている磁気センサ。
【請求項2】
前記第1部分は、前記第3部分の位置に対応した凸部分を有する、請求項1記載の磁気センサ。
【請求項3】
前記第2部分は、相対的に信号線路幅が広い部分と狭い部分とを含む、請求項1記載の磁気センサ。
【請求項4】
前記第1部分に対応する形状の第1領域と、前記第2部分に対応していて前記第1領域の幅を超える幅の第2領域と、前記第3部分に対応していて前記第1領域と重なる態様で形成されている第3領域とを有するグランド線路を備える、請求項1記載の磁気センサ。
【請求項5】
前記第3領域は、更に、前記第2領域にも重なる態様で形成されている、請求項4記載の磁気センサ。
【請求項6】
前記第3部分は、前記第1領域の幅方向の中心位置に対して偏心した位置に形成されている、請求項4記載の磁気センサ。
【請求項7】
請求項1記載の磁気センサが取り付けられているプローブ。
【請求項8】
請求項1記載の磁気センサと、前記磁気センサが取り付けられているプローブと、前記磁気センサからの信号を処理する処理部とを備えるEMC試験用検出装置。

【図6】
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【図7】
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【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図8】
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【公開番号】特開2011−185857(P2011−185857A)
【公開日】平成23年9月22日(2011.9.22)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−53440(P2010−53440)
【出願日】平成22年3月10日(2010.3.10)
【出願人】(506428230)森田テック 株式会社 (3)
【Fターム(参考)】