絶縁ワイヤのワイヤボンディング及びワイヤボンディングに用いるキャピラリ
一端が第１ボンディングパッド（１６）に接続される絶縁ワイヤ（１４）を第２ボンディングパッド（１８）にボンディングする改良型方法であって、この方法では、ボンディングワイヤ（１４）を保持するキャピラリ（２０）の先端を第２ボンディングパッド（１８）の表面の上を移動させて、ボンディングワイヤ（１４）をキャピラリ先端（２０）と第２ボンディングパッド（１８）との間で擦ってボンディングワイヤの絶縁を破り、ワイヤ（１４）の金属コアの少なくとも一部が第２ボンディングパッド（１８）に接触するようにする。次に、ワイヤ（１４）を第２ボンディングパッド（１８）に熱圧着ボンディングを使用して接着させる。キャピラリ（２０）の先端を粗くしてボンディングワイヤの絶縁が破れ易くなるようにする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路（ＩＣ）チップをリードに接続するワイヤ及びワイヤボンディングに関し、特に絶縁ワイヤをワイヤボンディングする方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣチップは、シリコンウェハのような半導体ウェハに形成される小さなデバイスである。このようなチップは通常、ウェハから切り出され、そして基板またはベースキャリアに取り付けて再配線（ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ）を行なう。チップ上のボンディングパッドは基板上のリードにワイヤを使用してワイヤボンディングにより電気的に接続される。ワイヤを使用してチップの複数のボンディングパッドの間の交差接続を行なう、または基板の複数のリードの間の交差接続を行なうこともできる。次に、チップ、ワイヤ、及び基板を封止してパッケージデバイスを形成する。
【０００３】
集積回路を高密度にしつつ、それに伴なってパッケージデバイスのサイズ及び実装占有面積が増大するということがないようにしたいという絶え間ない要求がある。また、ＩＣの入力及び出力を更に増やしてＩＣチップと基板との間の接続密度を高くしたいという要望及びファインピッチワイヤボンディング及びウルトラファインピッチワイヤボンディングに対する要求がある。ボンディングワイヤの直径も小さくなっている。例えば、６３μｍピッチ用途では２５μｍ径ワイヤを使用し、５２μｍ及び４４μｍピッチ用途では２０．３μｍ径ワイヤを使用する。１７μｍ径ワイヤを使用する３７μｍピッチ用途に関する開発が行われている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ピッチ及びワイヤ径が小さくなると、ハンドリング及びワイヤボンディングが難しくなる。例えば、ワイヤが誤って、他のワイヤ、パッド、リード、またはチップのようなパッケージデバイスの他の導電構造に短絡する可能性がある。この短絡はＩＣチップの封止中に、例えば液状成形材料の射出または移送によってワイヤが別の導電構造に向かって移動するワイヤスイープとして生じ得る。小さい径ワイヤを使用する部品はワイヤスイープによる不良率が高くなり易い。絶縁ワイヤまたはコーティングワイヤを使用することにより、このようなワイヤスイープ及び短絡を減らすことができる。しかしながら、コーティングワイヤを特に第２ボンドに使用する場合には、良好なボンディング品質を得ることは難しい。すなわち、ワイヤボンダーによって第１ボンドをチップのボンディングパッドに対して行ない、第２ボンドをキャリアのリードに対して行なう。絶縁ワイヤでは、リードとの接着性が得られないという大きな問題がある。第２ボンドの接着性が悪いという問題を解決する一つの試みとして、絶縁物を電子式フレームオフ（ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆｌａｍｅ ｏｆｆ：ＥＦＯ）を利用して除去していた。ＥＦＯを第２ボンドで実行するには、特殊なワイヤボンディングマシンが必要であり、余分な時間を要する。
【０００５】
本発明は、絶縁ワイヤまたはコーティングワイヤを標準のワイヤボンダーを使用してワイヤボンディングして第２ボンドのボンディング品質を改善する方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
添付の図と関連させながら以下に示す詳細な記述は、本発明の現時点における好適な実施形態についての記述であり、かつ本発明を実施することができる形態のみを表わすためのものではない。同じ、または等価な機能が、本発明の技術思想及び技術範囲に包含され
るべき、異なる実施形態によって達成され得ることを理解されたい。
【０００７】
図における或る形状は説明を容易にするために拡大されており、かつ図の構成要素が必ずしも正しい寸法にはなっていない。しかしながら、この技術分野の当業者であれば、このような詳細については容易に理解できるものと思われる。これらの図においては、同様の番号は図全体を通じて同様の構成要素を指すために使用される。
【０００８】
本発明は、第１デバイスを第２デバイスに絶縁ワイヤで電気的に接続する方法を提供する。本方法は、第１ボンドを、絶縁ワイヤの第１端を第１デバイスの第１ボンディングパッドにワイヤボンディングしてボンディングワイヤ及び第１デバイスを電気的に接続することにより形成する工程と、ボンディングワイヤを保持するキャピラリの先端を第２デバイスの第２ボンディングパッドの表面の上で移動させて、ボンディングワイヤをキャピラリ先端と第２ボンディングパッドとの間で擦ってボンディングワイヤの絶縁を破り、ワイヤの金属コアの少なくとも一部が第２ボンディングパッドに接触するようにする工程と、そしてボンディングワイヤの少なくとも露出した部分を第２ボンディングパッドに熱圧着ボンディングを使用して接着させて第１デバイス及び第２デバイスを電気的に接続する工程と、を含む。
【０００９】
本発明はまた、ワイヤボンダーのキャピラリであり、このキャピラリは円筒状の先端を有して、この先端を通してボンディングワイヤが飛び出し、かつキャピラリの外側表面を粗くし、粗くした表面によってコーティングワイヤ上の絶縁コーティングを破る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以上の要約だけでなく、本発明の好適な実施形態に関する次の詳細な記述は、添付の図と関連させながら一読することによって、より一層深く理解されると考えられる。本発明について例示するために、現時点で好適である実施形態を図に示す。しかしながら、本発明はここに示す正確な構成及び手段に限定されないことを理解されたい。
【００１１】
次に図１を参照すると、封止前に、第１デバイス１０が第２デバイス１２にコーティングワイヤまたは絶縁ワイヤ１４により取り付けられる様子を描いた拡大部分側面図が示される。第１デバイス１０は、シリコン基板上に形成される集積回路のような半導体装置とすることができる。第２デバイス１２も、積層チップ構造における下部チップまたは下側チップのような半導体装置とすることができる。しかしながら、現時点で好適な実施形態では、第２デバイス１２はキャリアまたは基板である。更に詳細には、図１は、第１デバイス１０のチップボンディングパッド１６が、この場合はリードフレームである第２デバイス１２のリードフィンガー１８に電気的に接続される様子を示している。第１デバイス１０及び第２デバイス１２、及びこれらのデバイスのボンディングパッド１６，１８は、この技術分野の当業者に公知のタイプであり、これらについての詳細な記述は本発明を完全に理解するためには必要ではない。
【００１２】
本発明の絶縁ボンディングワイヤ１４は、電気絶縁材料をコーティングした導電コアを含み、かつファインピッチワイヤボンディング及びウルトラファインピッチワイヤボンディングに適する。絶縁材料は、ワイヤが他のワイヤまたは他の導電構造に短絡することを防止するように作用する。一般的に、金及びアルミニウムが、ボンディングワイヤ１４の導電コアを作製するために最も広く使用される元素である。金及びアルミニウムはともに、高い強度及び延性を示し、かつほとんどの環境において同様の抵抗を有する。金ワイヤには、ベリリウム、カルシウムのようなドーパントを添加してワイヤを安定化させる場合がある。短い直径のアルミニウムワイヤには多くの場合、シリコンまたは時にはマグネシウムを添加してワイヤの破壊荷重及び伸長パラメータを改善する。金及びアルミニウムの他に、銅、パラジウム合金、白金、及び銀から成るボンディングワイヤも知られている。
この技術分野の当業者には公知のように、種々のサイズのワイヤを利用してチップを基板に接続することができ、ワイヤサイズはとりわけパッドピッチに基づいて選択される。ボンディングワイヤ１４は約１５μｍ〜約５５μｍの直径を有するが、他の直径のボンディングワイヤを使用することができ、本発明は特定のボンディングワイヤ径に制限されない。好適な実施形態では、絶縁ワイヤ１４は約２５μｍ未満の直径を有する。絶縁コーティングは好適には、約０．５μｍ〜約２．０μｍの厚さを有し、かつワイヤの先端にボール（ＦＡＢ：Ｆｒｅｅ Ａｉｒ Ｂａｌｌ）を形成している間に熱分解する、有機物を含有する絶縁コーティングである。更に、ワイヤ１４は好適には、約１８０°〜３５０°の融点（Ｔｇ）を有する。
【００１３】
ワイヤ１４のチップボンディングパッド１６との接続は、本明細書では第１ボンドと呼び、そしてワイヤ１４のリードフィンガー１８との接続は第２ボンドと呼ぶ。現時点で好適な実施形態では、第１ボンドはボールボンドを行なうことにより形成され、第２ボンドはウェッジボンドを行なうことにより形成される。「ワイヤボンディング」という用語は通常、チップと基板との間の配線をワイヤを通して行なう操作を指すものとして使用することができる。ボールボンディングでは、キャピラリでワイヤを保持する。ボールをワイヤの一端に形成し、そしてキャピラリ端面に押し付ける。ボールは水素炎または短絡放電により形成する。キャピラリはボールをボンディングパッドに押し付け、次に、ボールを第１ボンディングパッドに押し付けながら超音波振動を加えると、ボールがチップに接着する。一旦、ボールがチップパッドに接着すると、ワイヤを保持し続けているキャピラリをリードフレームフィンガー１８のような第２ボンディングパッドの上に移動させ、この第２ボンディングパッドに第１パッドを電気的に接続することになる。ワイヤを第２ボンディングパッドに押し付け、そして再度超音波エネルギーを、ワイヤが第２ボンディングパッドに接着するまで加える。次に、キャピラリを接合部から離れる方向に持ち上げると、接合部がワイヤから分離する。ウェッジボンディング及びボールボンディングはともにこの技術分野の当業者には公知である。
【００１４】
ウェッジボンディングは公知であるが、絶縁ワイヤを使用する場合にワイヤボンディングによる良好な第２ボンドを得ることが難しい。多くの場合、第２ボンドの接着性が悪くなるのは、ワイヤ絶縁物がワイヤとボンディングリードとの間に残留して良好な接着の邪魔になっていることによる。すなわち、ワイヤとリードとの間の、第２ボンドのテイル領域の位置における接触面積が非常に小さくなる。ワイヤの反対側では、絶縁物の大部分がウェッジボンディングによるボンドの形成中に取り除かれる。弱い接着力はワイヤ剥離テスト結果により判明する。ワイヤ剥離テストにおいては、フックを第２ボンド近傍のワイヤの下に配置し、そして持ち上げる力を加えて、第２ボンドがリード／ポストに接着する力をテストする。絶縁ファインワイヤ及び絶縁ウルトラファインワイヤは普通、ワイヤ剥離強度が非常に小さい。ワイヤの剥離強度が小さい問題を解決するために、本発明は機械的磨耗工程（ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ａｂｒａｓｉｏｎ ｓｔｅｐ）を含む絶縁ワイヤのウェッジボンディング法を提供し、この機械的磨耗工程では、ボンディングワイヤを保持するキャピラリの先端を第２ボンディングパッドの上に移動させて、ボンディングワイヤをキャピラリ先端と第２ボンディングパッドとの間で擦って、ワイヤの金属コアの少なくとも一部が第２ボンディングパッドに接触するようにボンディングワイヤの絶縁を破る。好適な実施形態では、粗くした特殊なキャピラリ先端を使用して機械的磨耗を増大させる。
【００１５】
次に、図２Ａ〜２Ｃを参照すると、本発明の一の実施形態に従って絶縁ワイヤ１４をリードフィンガー１８にボンディングする方法を示すワイヤボンダーキャピラリ２０の断面図が示される。ワイヤ１４はキャピラリ２０の穴２２を挿通して延びる。図２Ａは、ワイヤ１４がリードフィンガー１８にキャピラリ２０によって押し付けられる様子を示している。本発明によれば、キャピラリ２０は次に、リードフィンガー１８の表面の上を水平に
移動させて、ボンディングワイヤ１４をキャピラリ２０の先端とリードフィンガー１８との間で擦るようにする。図２Ｂは、ワイヤ１４が右から左にリードフィンガー１８を横断して移動した後のワイヤ１４を示している。リードフィンガー１８に対するワイヤ１４のこのような移動によって、ボンディングワイヤの絶縁が破れてワイヤ１４の金属コアの少なくとも一部がリードフィンガー１８に接触するようになる。ボンディングワイヤ１４をリードフィンガー１８を横断するように移動させた後、熱圧着ボンディングを行なってワイヤ１４をリードフィンガー１８に接着させ、第１デバイス１０及び第２デバイス１２を電気的に接続する。ワイヤ１４を１回以上リードフィンガー１８の上を往復移動させて、ワイヤ１４上の絶縁コーティングを破るために必要な量だけ機械的に磨耗させることができる。現時点で好適な実施形態では、熱圧着工程、超音波併用の熱圧着工程または超音波ワイヤボンディング工程を行なう前には必ず、ワイヤ１４を２回〜３回だけ水平方向に移動させて、リードフィンガー１８の表面の上での正方向の１つのシフト移動（第２ボンド位置から離れる方向）及び負の方向の２つのシフト移動（第２ボンド位置に向かう方向）を組み合わせたキャピラリ移動が行なわれるようにする。超音波ボンディングに必要なエネルギーの量は非常に小さく、超音波ボンディングに使用される超音波エネルギーの最小量程度である。図２Ｃは、機械的移動及び熱圧着ボンディングの後に、キャピラリ２０がボンディングパッド１８から離れる方向に持ち上げられる様子を示している。キャピラリ２０を持ち上げることによりワイヤ１４が接合部で切れる。
【００１６】
熱圧着ボンディング工程では、熱及び圧力を組み合わせてワイヤ１４をリードフィンガー１８に取り付ける。加熱キャピラリ、またはリードフレームを載せる加熱台（図示せず）のいずれか、または両方を使用して熱を発生させることができる。本発明では、温度は１００℃〜２００℃の範囲である。ワイヤボンディングは、ＥＳＥＣ ３０８８ ｉＰ及びＫｕｌｉｃｋｅ ＆ Ｓｏｆｆａ ８０６０のような現時点で利用可能なワイヤボンダーを使用して行なうことができ、この場合、以下に記載するように、キャピラリ先端に若干の変更を加える必要がある。任意選択の実施形態では、ワイヤ１４をリードフィンガー１８に対して移動させる前に、リードフィンガー１８を局所熱源２４により加熱して、上に記載した機械的移動によって絶縁を破る作用を強めることができる。
【００１７】
次に図３を参照すると、キャピラリ２０の先端を非常に大きく拡大した透視図が示される。図に示すように、キャピラリ２０は円筒状の先端を有し、この先端には穴が設けられ、この穴を通ってボンディングワイヤが飛び出す。キャピラリはセラミック、タングステン、または通常使用されるルビー材により作製することができる。しかしながら、光沢のあるボンドを形成するために通常のキャピラリに研磨仕上げを行なっている場合には、本発明に従って、キャピラリ２０の先端を粗くして、移動させる工程の間の絶縁の磨耗を増大させる。更に詳細には、キャピラリ２０の外側表面を粗くし、そしてキャピラリに現状のキャピラリの表面粗さの約２〜５倍の粗さを持たせる。
【００１８】
本発明は、次の利点をもたらすことが判明している。すなわち、（ａ）絶縁ワイヤを標準のワイヤボンディングマシンに使用する場合の第２ボンドにおいてリードとの接着性が得られないことに起因する部品の不良がほぼゼロになり、（ｂ）絶縁ワイヤの第２ボンドにおける接着性が向上してワイヤ引っ張り／ワイヤ剥離強度が高くなり、（ｃ）キャピラリの先端に関するものを除いて、ワイヤボンディング設備を新規の設備にする、またはワイヤボンディング設備に変更を加える必要がなく、（ｄ）成形時のワイヤ短絡不良が減り、（ｅ）非常に細かいフィラーを含む高価なモールド化合物が必要ではなく、（ｆ）細いコーティングワイヤを使用するボンディングによる交差接続が可能になる、（ｇ）パッド／チップ設計ルールを周辺パッドにのみ限定する必要がない、そして（ｈ）電気的なオープン不良及びショート不良が減る。
【００１９】
本発明の好適な実施形態についての記述を提示して例示及び説明を行なってきたが、こ
の記述が全てを網羅する、またはこの記述によって本発明が、開示した形態に限定されるものではない。この技術分野の当業者であれば、変更を上に記載した実施形態に、本発明の広い独創的なコンセプトから逸脱しない範囲において加え得ることが分かるであろう。本発明は、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）、テープボールグリッドアレイ（ＴＢＧＡ）、プラスチックボールグリッドアレイ（ＰＢＧＡ）、クワッドフラットノンリード（ＱＦＮ）、クワッドフラットパッケージ（ＱＦＰ）、スモールアウトライン集積回路（ＳＯＩＣ）、及びチップスケールパッケージ（ＣＳＰ）を含む全てのワイヤボンディングパッケージタイプに適用することができるが、これらに限定されるものではない。更に、絶縁コーティングを有するワイヤを使用して、他のタイプの導電構造をパッケージＩＣの中で接続することもできる。従って、本発明は開示した特定の実施形態に制限されるものではなく、種々の変形を添付の請求項に定義される本発明の技術思想及び技術範囲に包含することを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明による電気的接続を示す拡大側面図。
【図２Ａ】本発明の一の実施形態による、絶縁ワイヤをボンディングパッドにボンディングする方法を示すワイヤボンダーキャピラリの断面図。
【図２Ｂ】本発明の一の実施形態による、絶縁ワイヤをボンディングパッドにボンディングする方法を示すワイヤボンダーキャピラリの断面図。
【図２Ｃ】本発明の一の実施形態による、絶縁ワイヤをボンディングパッドにボンディングする方法を示すワイヤボンダーキャピラリの断面図。
【図３】本発明の一の実施形態によるキャピラリ先端の拡大透視図。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路（ＩＣ）チップをリードに接続するワイヤ及びワイヤボンディングに関し、特に絶縁ワイヤをワイヤボンディングする方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣチップは、シリコンウェハのような半導体ウェハに形成される小さなデバイスである。このようなチップは通常、ウェハから切り出され、そして基板またはベースキャリアに取り付けて再配線（ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ）を行なう。チップ上のボンディングパッドは基板上のリードにワイヤを使用してワイヤボンディングにより電気的に接続される。ワイヤを使用してチップの複数のボンディングパッドの間の交差接続を行なう、または基板の複数のリードの間の交差接続を行なうこともできる。次に、チップ、ワイヤ、及び基板を封止してパッケージデバイスを形成する。
【０００３】
集積回路を高密度にしつつ、それに伴なってパッケージデバイスのサイズ及び実装占有面積が増大するということがないようにしたいという絶え間ない要求がある。また、ＩＣの入力及び出力を更に増やしてＩＣチップと基板との間の接続密度を高くしたいという要望及びファインピッチワイヤボンディング及びウルトラファインピッチワイヤボンディングに対する要求がある。ボンディングワイヤの直径も小さくなっている。例えば、６３μｍピッチ用途では２５μｍ径ワイヤを使用し、５２μｍ及び４４μｍピッチ用途では２０．３μｍ径ワイヤを使用する。１７μｍ径ワイヤを使用する３７μｍピッチ用途に関する開発が行われている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ピッチ及びワイヤ径が小さくなると、ハンドリング及びワイヤボンディングが難しくなる。例えば、ワイヤが誤って、他のワイヤ、パッド、リード、またはチップのようなパッケージデバイスの他の導電構造に短絡する可能性がある。この短絡はＩＣチップの封止中に、例えば液状成形材料の射出または移送によってワイヤが別の導電構造に向かって移動するワイヤスイープとして生じ得る。小さい径ワイヤを使用する部品はワイヤスイープによる不良率が高くなり易い。絶縁ワイヤまたはコーティングワイヤを使用することにより、このようなワイヤスイープ及び短絡を減らすことができる。しかしながら、コーティングワイヤを特に第２ボンドに使用する場合には、良好なボンディング品質を得ることは難しい。すなわち、ワイヤボンダーによって第１ボンドをチップのボンディングパッドに対して行ない、第２ボンドをキャリアのリードに対して行なう。絶縁ワイヤでは、リードとの接着性が得られないという大きな問題がある。第２ボンドの接着性が悪いという問題を解決する一つの試みとして、絶縁物を電子式フレームオフ（ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆｌａｍｅ ｏｆｆ：ＥＦＯ）を利用して除去していた。ＥＦＯを第２ボンドで実行するには、特殊なワイヤボンディングマシンが必要であり、余分な時間を要する。
【０００５】
本発明は、絶縁ワイヤまたはコーティングワイヤを標準のワイヤボンダーを使用してワイヤボンディングして第２ボンドのボンディング品質を改善する方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
添付の図と関連させながら以下に示す詳細な記述は、本発明の現時点における好適な実施形態についての記述であり、かつ本発明を実施することができる形態のみを表わすためのものではない。同じ、または等価な機能が、本発明の技術思想及び技術範囲に包含され
るべき、異なる実施形態によって達成され得ることを理解されたい。
【０００７】
図における或る形状は説明を容易にするために拡大されており、かつ図の構成要素が必ずしも正しい寸法にはなっていない。しかしながら、この技術分野の当業者であれば、このような詳細については容易に理解できるものと思われる。これらの図においては、同様の番号は図全体を通じて同様の構成要素を指すために使用される。
【０００８】
本発明は、第１デバイスを第２デバイスに絶縁ワイヤで電気的に接続する方法を提供する。本方法は、第１ボンドを、絶縁ワイヤの第１端を第１デバイスの第１ボンディングパッドにワイヤボンディングしてボンディングワイヤ及び第１デバイスを電気的に接続することにより形成する工程と、ボンディングワイヤを保持するキャピラリの先端を第２デバイスの第２ボンディングパッドの表面の上で移動させて、ボンディングワイヤをキャピラリ先端と第２ボンディングパッドとの間で擦ってボンディングワイヤの絶縁を破り、ワイヤの金属コアの少なくとも一部が第２ボンディングパッドに接触するようにする工程と、そしてボンディングワイヤの少なくとも露出した部分を第２ボンディングパッドに熱圧着ボンディングを使用して接着させて第１デバイス及び第２デバイスを電気的に接続する工程と、を含む。
【０００９】
本発明はまた、ワイヤボンダーのキャピラリであり、このキャピラリは円筒状の先端を有して、この先端を通してボンディングワイヤが飛び出し、かつキャピラリの外側表面を粗くし、粗くした表面によってコーティングワイヤ上の絶縁コーティングを破る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以上の要約だけでなく、本発明の好適な実施形態に関する次の詳細な記述は、添付の図と関連させながら一読することによって、より一層深く理解されると考えられる。本発明について例示するために、現時点で好適である実施形態を図に示す。しかしながら、本発明はここに示す正確な構成及び手段に限定されないことを理解されたい。
【００１１】
次に図１を参照すると、封止前に、第１デバイス１０が第２デバイス１２にコーティングワイヤまたは絶縁ワイヤ１４により取り付けられる様子を描いた拡大部分側面図が示される。第１デバイス１０は、シリコン基板上に形成される集積回路のような半導体装置とすることができる。第２デバイス１２も、積層チップ構造における下部チップまたは下側チップのような半導体装置とすることができる。しかしながら、現時点で好適な実施形態では、第２デバイス１２はキャリアまたは基板である。更に詳細には、図１は、第１デバイス１０のチップボンディングパッド１６が、この場合はリードフレームである第２デバイス１２のリードフィンガー１８に電気的に接続される様子を示している。第１デバイス１０及び第２デバイス１２、及びこれらのデバイスのボンディングパッド１６，１８は、この技術分野の当業者に公知のタイプであり、これらについての詳細な記述は本発明を完全に理解するためには必要ではない。
【００１２】
本発明の絶縁ボンディングワイヤ１４は、電気絶縁材料をコーティングした導電コアを含み、かつファインピッチワイヤボンディング及びウルトラファインピッチワイヤボンディングに適する。絶縁材料は、ワイヤが他のワイヤまたは他の導電構造に短絡することを防止するように作用する。一般的に、金及びアルミニウムが、ボンディングワイヤ１４の導電コアを作製するために最も広く使用される元素である。金及びアルミニウムはともに、高い強度及び延性を示し、かつほとんどの環境において同様の抵抗を有する。金ワイヤには、ベリリウム、カルシウムのようなドーパントを添加してワイヤを安定化させる場合がある。短い直径のアルミニウムワイヤには多くの場合、シリコンまたは時にはマグネシウムを添加してワイヤの破壊荷重及び伸長パラメータを改善する。金及びアルミニウムの他に、銅、パラジウム合金、白金、及び銀から成るボンディングワイヤも知られている。
この技術分野の当業者には公知のように、種々のサイズのワイヤを利用してチップを基板に接続することができ、ワイヤサイズはとりわけパッドピッチに基づいて選択される。ボンディングワイヤ１４は約１５μｍ〜約５５μｍの直径を有するが、他の直径のボンディングワイヤを使用することができ、本発明は特定のボンディングワイヤ径に制限されない。好適な実施形態では、絶縁ワイヤ１４は約２５μｍ未満の直径を有する。絶縁コーティングは好適には、約０．５μｍ〜約２．０μｍの厚さを有し、かつワイヤの先端にボール（ＦＡＢ：Ｆｒｅｅ Ａｉｒ Ｂａｌｌ）を形成している間に熱分解する、有機物を含有する絶縁コーティングである。更に、ワイヤ１４は好適には、約１８０°〜３５０°の融点（Ｔｇ）を有する。
【００１３】
ワイヤ１４のチップボンディングパッド１６との接続は、本明細書では第１ボンドと呼び、そしてワイヤ１４のリードフィンガー１８との接続は第２ボンドと呼ぶ。現時点で好適な実施形態では、第１ボンドはボールボンドを行なうことにより形成され、第２ボンドはウェッジボンドを行なうことにより形成される。「ワイヤボンディング」という用語は通常、チップと基板との間の配線をワイヤを通して行なう操作を指すものとして使用することができる。ボールボンディングでは、キャピラリでワイヤを保持する。ボールをワイヤの一端に形成し、そしてキャピラリ端面に押し付ける。ボールは水素炎または短絡放電により形成する。キャピラリはボールをボンディングパッドに押し付け、次に、ボールを第１ボンディングパッドに押し付けながら超音波振動を加えると、ボールがチップに接着する。一旦、ボールがチップパッドに接着すると、ワイヤを保持し続けているキャピラリをリードフレームフィンガー１８のような第２ボンディングパッドの上に移動させ、この第２ボンディングパッドに第１パッドを電気的に接続することになる。ワイヤを第２ボンディングパッドに押し付け、そして再度超音波エネルギーを、ワイヤが第２ボンディングパッドに接着するまで加える。次に、キャピラリを接合部から離れる方向に持ち上げると、接合部がワイヤから分離する。ウェッジボンディング及びボールボンディングはともにこの技術分野の当業者には公知である。
【００１４】
ウェッジボンディングは公知であるが、絶縁ワイヤを使用する場合にワイヤボンディングによる良好な第２ボンドを得ることが難しい。多くの場合、第２ボンドの接着性が悪くなるのは、ワイヤ絶縁物がワイヤとボンディングリードとの間に残留して良好な接着の邪魔になっていることによる。すなわち、ワイヤとリードとの間の、第２ボンドのテイル領域の位置における接触面積が非常に小さくなる。ワイヤの反対側では、絶縁物の大部分がウェッジボンディングによるボンドの形成中に取り除かれる。弱い接着力はワイヤ剥離テスト結果により判明する。ワイヤ剥離テストにおいては、フックを第２ボンド近傍のワイヤの下に配置し、そして持ち上げる力を加えて、第２ボンドがリード／ポストに接着する力をテストする。絶縁ファインワイヤ及び絶縁ウルトラファインワイヤは普通、ワイヤ剥離強度が非常に小さい。ワイヤの剥離強度が小さい問題を解決するために、本発明は機械的磨耗工程（ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ａｂｒａｓｉｏｎ ｓｔｅｐ）を含む絶縁ワイヤのウェッジボンディング法を提供し、この機械的磨耗工程では、ボンディングワイヤを保持するキャピラリの先端を第２ボンディングパッドの上に移動させて、ボンディングワイヤをキャピラリ先端と第２ボンディングパッドとの間で擦って、ワイヤの金属コアの少なくとも一部が第２ボンディングパッドに接触するようにボンディングワイヤの絶縁を破る。好適な実施形態では、粗くした特殊なキャピラリ先端を使用して機械的磨耗を増大させる。
【００１５】
次に、図２Ａ〜２Ｃを参照すると、本発明の一の実施形態に従って絶縁ワイヤ１４をリードフィンガー１８にボンディングする方法を示すワイヤボンダーキャピラリ２０の断面図が示される。ワイヤ１４はキャピラリ２０の穴２２を挿通して延びる。図２Ａは、ワイヤ１４がリードフィンガー１８にキャピラリ２０によって押し付けられる様子を示している。本発明によれば、キャピラリ２０は次に、リードフィンガー１８の表面の上を水平に
移動させて、ボンディングワイヤ１４をキャピラリ２０の先端とリードフィンガー１８との間で擦るようにする。図２Ｂは、ワイヤ１４が右から左にリードフィンガー１８を横断して移動した後のワイヤ１４を示している。リードフィンガー１８に対するワイヤ１４のこのような移動によって、ボンディングワイヤの絶縁が破れてワイヤ１４の金属コアの少なくとも一部がリードフィンガー１８に接触するようになる。ボンディングワイヤ１４をリードフィンガー１８を横断するように移動させた後、熱圧着ボンディングを行なってワイヤ１４をリードフィンガー１８に接着させ、第１デバイス１０及び第２デバイス１２を電気的に接続する。ワイヤ１４を１回以上リードフィンガー１８の上を往復移動させて、ワイヤ１４上の絶縁コーティングを破るために必要な量だけ機械的に磨耗させることができる。現時点で好適な実施形態では、熱圧着工程、超音波併用の熱圧着工程または超音波ワイヤボンディング工程を行なう前には必ず、ワイヤ１４を２回〜３回だけ水平方向に移動させて、リードフィンガー１８の表面の上での正方向の１つのシフト移動（第２ボンド位置から離れる方向）及び負の方向の２つのシフト移動（第２ボンド位置に向かう方向）を組み合わせたキャピラリ移動が行なわれるようにする。超音波ボンディングに必要なエネルギーの量は非常に小さく、超音波ボンディングに使用される超音波エネルギーの最小量程度である。図２Ｃは、機械的移動及び熱圧着ボンディングの後に、キャピラリ２０がボンディングパッド１８から離れる方向に持ち上げられる様子を示している。キャピラリ２０を持ち上げることによりワイヤ１４が接合部で切れる。
【００１６】
熱圧着ボンディング工程では、熱及び圧力を組み合わせてワイヤ１４をリードフィンガー１８に取り付ける。加熱キャピラリ、またはリードフレームを載せる加熱台（図示せず）のいずれか、または両方を使用して熱を発生させることができる。本発明では、温度は１００℃〜２００℃の範囲である。ワイヤボンディングは、ＥＳＥＣ ３０８８ ｉＰ及びＫｕｌｉｃｋｅ ＆ Ｓｏｆｆａ ８０６０のような現時点で利用可能なワイヤボンダーを使用して行なうことができ、この場合、以下に記載するように、キャピラリ先端に若干の変更を加える必要がある。任意選択の実施形態では、ワイヤ１４をリードフィンガー１８に対して移動させる前に、リードフィンガー１８を局所熱源２４により加熱して、上に記載した機械的移動によって絶縁を破る作用を強めることができる。
【００１７】
次に図３を参照すると、キャピラリ２０の先端を非常に大きく拡大した透視図が示される。図に示すように、キャピラリ２０は円筒状の先端を有し、この先端には穴が設けられ、この穴を通ってボンディングワイヤが飛び出す。キャピラリはセラミック、タングステン、または通常使用されるルビー材により作製することができる。しかしながら、光沢のあるボンドを形成するために通常のキャピラリに研磨仕上げを行なっている場合には、本発明に従って、キャピラリ２０の先端を粗くして、移動させる工程の間の絶縁の磨耗を増大させる。更に詳細には、キャピラリ２０の外側表面を粗くし、そしてキャピラリに現状のキャピラリの表面粗さの約２〜５倍の粗さを持たせる。
【００１８】
本発明は、次の利点をもたらすことが判明している。すなわち、（ａ）絶縁ワイヤを標準のワイヤボンディングマシンに使用する場合の第２ボンドにおいてリードとの接着性が得られないことに起因する部品の不良がほぼゼロになり、（ｂ）絶縁ワイヤの第２ボンドにおける接着性が向上してワイヤ引っ張り／ワイヤ剥離強度が高くなり、（ｃ）キャピラリの先端に関するものを除いて、ワイヤボンディング設備を新規の設備にする、またはワイヤボンディング設備に変更を加える必要がなく、（ｄ）成形時のワイヤ短絡不良が減り、（ｅ）非常に細かいフィラーを含む高価なモールド化合物が必要ではなく、（ｆ）細いコーティングワイヤを使用するボンディングによる交差接続が可能になる、（ｇ）パッド／チップ設計ルールを周辺パッドにのみ限定する必要がない、そして（ｈ）電気的なオープン不良及びショート不良が減る。
【００１９】
本発明の好適な実施形態についての記述を提示して例示及び説明を行なってきたが、こ
の記述が全てを網羅する、またはこの記述によって本発明が、開示した形態に限定されるものではない。この技術分野の当業者であれば、変更を上に記載した実施形態に、本発明の広い独創的なコンセプトから逸脱しない範囲において加え得ることが分かるであろう。本発明は、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）、テープボールグリッドアレイ（ＴＢＧＡ）、プラスチックボールグリッドアレイ（ＰＢＧＡ）、クワッドフラットノンリード（ＱＦＮ）、クワッドフラットパッケージ（ＱＦＰ）、スモールアウトライン集積回路（ＳＯＩＣ）、及びチップスケールパッケージ（ＣＳＰ）を含む全てのワイヤボンディングパッケージタイプに適用することができるが、これらに限定されるものではない。更に、絶縁コーティングを有するワイヤを使用して、他のタイプの導電構造をパッケージＩＣの中で接続することもできる。従って、本発明は開示した特定の実施形態に制限されるものではなく、種々の変形を添付の請求項に定義される本発明の技術思想及び技術範囲に包含することを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明による電気的接続を示す拡大側面図。
【図２Ａ】本発明の一の実施形態による、絶縁ワイヤをボンディングパッドにボンディングする方法を示すワイヤボンダーキャピラリの断面図。
【図２Ｂ】本発明の一の実施形態による、絶縁ワイヤをボンディングパッドにボンディングする方法を示すワイヤボンダーキャピラリの断面図。
【図２Ｃ】本発明の一の実施形態による、絶縁ワイヤをボンディングパッドにボンディングする方法を示すワイヤボンダーキャピラリの断面図。
【図３】本発明の一の実施形態によるキャピラリ先端の拡大透視図。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１デバイスを第２デバイスに絶縁ワイヤで電気的に接続する方法であって、
第１ボンドを、絶縁ワイヤの第１端を第１デバイスの第１ボンディングパッドにワイヤボンディングしてボンディングワイヤ及び第１デバイスを電気的に接続することにより形成する工程と、
ボンディングワイヤを保持するキャピラリの先端を第２デバイスの第２ボンディングパッドの表面の上で移動させて、ボンディングワイヤをキャピラリ先端と第２ボンディングパッドとの間で水平方向に擦ってボンディングワイヤの絶縁を破り、ワイヤの金属コアの少なくとも一部が第２ボンディングパッドに接触するようにする工程と、
ボンディングワイヤの少なくとも露出した部分を第２ボンディングパッドに接着させて第１デバイス及び第２デバイスを電気的に接続する工程とを備える、電気接続方法。
【請求項２】
前記移動させる工程では、キャピラリ先端を移動させて、キャピラリの移動が第２ボンディングパッド上での第１方向の正のシフト移動及び第２ボンディングパッド上での第２方向の負のシフト移動を組み合わせることにより行なわれるようにする、請求項１記載の電気接続方法。
【請求項３】
接着させる工程では、熱圧着ボンディング及び非常に小さな量の超音波エネルギーを使用する、請求項１記載の電気接続方法。
【請求項４】
粗くした先端を有するキャピラリを使用する工程をさらに備え、粗くした先端によって、絶縁の磨耗が移動させる前記工程の間に増大する、請求項１記載の電気接続方法。
【請求項５】
前記第１ボンドはボールボンドを行なうことにより形成される、請求項１記載の電気接続方法。
【請求項６】
前記第２ボンドはステッチボンドを行なうことにより形成される、請求項１記載の電気接続方法。
【請求項７】
前記第２デバイスはキャリアを含み、かつ第２ボンディングパッドはリードフィンガーである、請求項１記載の電気接続方法。
【請求項８】
移動させる前記工程の前に、第２ボンディングパッドを加熱する工程をさらに備える、請求項１記載の電気接続方法。
【請求項９】
前記絶縁ワイヤは、有機物を含有する絶縁コーティングを有する金ワイヤ、銅ワイヤ、またはアルミニウムワイヤの内の一つを含む、請求項１記載の電気接続方法。
【請求項１０】
前記絶縁ワイヤは約２５μｍ未満の直径を有する、請求項９記載の電気接続方法。
【請求項１１】
絶縁コーティングは約０．５μｍ〜２．０μｍの厚さを有する、請求項１０記載の電気接続方法。
【請求項１２】
一端が第１ボンディングパッドに接続される絶縁ワイヤを第２ボンディングパッドにボンディングするための改良された方法であって、
ボンディングワイヤを保持するキャピラリの先端を第２ボンディングパッドの表面の上を移動させて、ボンディングワイヤをキャピラリ先端と第２ボンディングパッドとの間で擦ってボンディングワイヤの絶縁を破り、ワイヤの金属コアの少なくとも一部が第２ボンディングパッドに接触するようにする工程と、
ボンディングワイヤの露出した部分を第２ボンディングパッドに熱圧着ボンディングを使用して接着させる工程とを備える、改良されたボンディング方法。
【請求項１３】
移動させる工程では、キャピラリ先端を移動させて、キャピラリの移動が第２ボンディングパッド上での第１方向の正のシフト移動及び第２ボンディングパッド上での第２方向の負のシフト移動を組み合わせることにより行なわれるようにする、請求項１２記載の電気接続方法。
【請求項１４】
熱圧着ボンディングでは非常に小さな量の超音波エネルギーを使用する、請求項１２記載の電気接続方法。
【請求項１５】
粗くした先端を有するキャピラリを使用する工程をさらに備え、粗くした先端によって、絶縁の磨耗が移動させる前記工程の間に増大する、請求項１２記載の電気接続方法。
【請求項１６】
第２ボンドはステッチボンドを行なうことにより形成される、請求項１２記載の電気接続方法。
【請求項１７】
第２ボンディングパッドはキャリアフィンガーを含む、請求項１６記載の電気接続方法。
【請求項１８】
移動させる前記工程の前に、第２ボンディングパッドを加熱する工程をさらに備える、請求項１２記載の電気接続方法。
【請求項１９】
絶縁ワイヤは、有機物を含有する絶縁コーティングを有する金ワイヤ、銅ワイヤ、またはアルミニウムワイヤの内の一つを含む、請求項１２記載の電気接続方法。
【請求項２０】
前記絶縁ワイヤは約２５μｍ未満の直径を有し、かつ絶縁コーティングは約０．５μｍ〜２．０μｍの厚さを有する、請求項１９記載の電気接続方法。
【請求項２１】
一端が第１ボンディングパッドに接続される絶縁ワイヤを第２ボンディングパッドにボンディングするための改良された方法であって、
粗くした先端を有し、かつ絶縁ワイヤを保持するキャピラリを設ける工程と、
キャピラリの先端を第２ボンディングパッドの表面の上を移動させて、ワイヤをキャピラリ先端と第２ボンディングパッドとの間で擦って絶縁を破り、ワイヤの金属コアの少なくとも一部が第２ボンディングパッドに接触するようにする工程と、
ワイヤの露出した部分を第２ボンディングパッドに熱圧着ボンディングを使用して接着させる工程とを備える、改良されたボンディング方法。
【請求項２２】
移動させる前記工程の前に、第２ボンディングパッドを加熱する工程をさらに備える、請求項２１記載の電気接続方法。
【請求項２３】
絶縁ワイヤは、有機物を含有する絶縁コーティングを有する金ワイヤ、銅ワイヤ、またはアルミニウムワイヤの内の一つを含む、請求項２１記載の電気接続方法。
【請求項２４】
絶縁ワイヤは約２５μｍ未満の直径を有し、かつ絶縁コーティングは約０．５μｍ〜２．０μｍの厚さを有する、請求項２３記載の電気接続方法。
【請求項２５】
ワイヤボンダーの改良型キャピラリであって、改良が、キャピラリの外側表面を粗くし、粗くした前記表面によってコーティングワイヤ上の絶縁コーティングを破るようにして行なわれる改良型キャピラリ。
【請求項２６】
ワイヤボンダーのキャピラリであって、
穴を有する先端であって、この穴を通ってボンディングワイヤが飛び出す構成の先端を備え、先端の外側表面を粗くして、粗くした前記表面によってコーティングワイヤ上の絶縁コーティングを破るようにしたキャピラリ。
【請求項１】
第１デバイスを第２デバイスに絶縁ワイヤで電気的に接続する方法であって、
第１ボンドを、絶縁ワイヤの第１端を第１デバイスの第１ボンディングパッドにワイヤボンディングしてボンディングワイヤ及び第１デバイスを電気的に接続することにより形成する工程と、
ボンディングワイヤを保持するキャピラリの先端を第２デバイスの第２ボンディングパッドの表面の上で移動させて、ボンディングワイヤをキャピラリ先端と第２ボンディングパッドとの間で水平方向に擦ってボンディングワイヤの絶縁を破り、ワイヤの金属コアの少なくとも一部が第２ボンディングパッドに接触するようにする工程と、
ボンディングワイヤの少なくとも露出した部分を第２ボンディングパッドに接着させて第１デバイス及び第２デバイスを電気的に接続する工程とを備える、電気接続方法。
【請求項２】
前記移動させる工程では、キャピラリ先端を移動させて、キャピラリの移動が第２ボンディングパッド上での第１方向の正のシフト移動及び第２ボンディングパッド上での第２方向の負のシフト移動を組み合わせることにより行なわれるようにする、請求項１記載の電気接続方法。
【請求項３】
接着させる工程では、熱圧着ボンディング及び非常に小さな量の超音波エネルギーを使用する、請求項１記載の電気接続方法。
【請求項４】
粗くした先端を有するキャピラリを使用する工程をさらに備え、粗くした先端によって、絶縁の磨耗が移動させる前記工程の間に増大する、請求項１記載の電気接続方法。
【請求項５】
前記第１ボンドはボールボンドを行なうことにより形成される、請求項１記載の電気接続方法。
【請求項６】
前記第２ボンドはステッチボンドを行なうことにより形成される、請求項１記載の電気接続方法。
【請求項７】
前記第２デバイスはキャリアを含み、かつ第２ボンディングパッドはリードフィンガーである、請求項１記載の電気接続方法。
【請求項８】
移動させる前記工程の前に、第２ボンディングパッドを加熱する工程をさらに備える、請求項１記載の電気接続方法。
【請求項９】
前記絶縁ワイヤは、有機物を含有する絶縁コーティングを有する金ワイヤ、銅ワイヤ、またはアルミニウムワイヤの内の一つを含む、請求項１記載の電気接続方法。
【請求項１０】
前記絶縁ワイヤは約２５μｍ未満の直径を有する、請求項９記載の電気接続方法。
【請求項１１】
絶縁コーティングは約０．５μｍ〜２．０μｍの厚さを有する、請求項１０記載の電気接続方法。
【請求項１２】
一端が第１ボンディングパッドに接続される絶縁ワイヤを第２ボンディングパッドにボンディングするための改良された方法であって、
ボンディングワイヤを保持するキャピラリの先端を第２ボンディングパッドの表面の上を移動させて、ボンディングワイヤをキャピラリ先端と第２ボンディングパッドとの間で擦ってボンディングワイヤの絶縁を破り、ワイヤの金属コアの少なくとも一部が第２ボンディングパッドに接触するようにする工程と、
ボンディングワイヤの露出した部分を第２ボンディングパッドに熱圧着ボンディングを使用して接着させる工程とを備える、改良されたボンディング方法。
【請求項１３】
移動させる工程では、キャピラリ先端を移動させて、キャピラリの移動が第２ボンディングパッド上での第１方向の正のシフト移動及び第２ボンディングパッド上での第２方向の負のシフト移動を組み合わせることにより行なわれるようにする、請求項１２記載の電気接続方法。
【請求項１４】
熱圧着ボンディングでは非常に小さな量の超音波エネルギーを使用する、請求項１２記載の電気接続方法。
【請求項１５】
粗くした先端を有するキャピラリを使用する工程をさらに備え、粗くした先端によって、絶縁の磨耗が移動させる前記工程の間に増大する、請求項１２記載の電気接続方法。
【請求項１６】
第２ボンドはステッチボンドを行なうことにより形成される、請求項１２記載の電気接続方法。
【請求項１７】
第２ボンディングパッドはキャリアフィンガーを含む、請求項１６記載の電気接続方法。
【請求項１８】
移動させる前記工程の前に、第２ボンディングパッドを加熱する工程をさらに備える、請求項１２記載の電気接続方法。
【請求項１９】
絶縁ワイヤは、有機物を含有する絶縁コーティングを有する金ワイヤ、銅ワイヤ、またはアルミニウムワイヤの内の一つを含む、請求項１２記載の電気接続方法。
【請求項２０】
前記絶縁ワイヤは約２５μｍ未満の直径を有し、かつ絶縁コーティングは約０．５μｍ〜２．０μｍの厚さを有する、請求項１９記載の電気接続方法。
【請求項２１】
一端が第１ボンディングパッドに接続される絶縁ワイヤを第２ボンディングパッドにボンディングするための改良された方法であって、
粗くした先端を有し、かつ絶縁ワイヤを保持するキャピラリを設ける工程と、
キャピラリの先端を第２ボンディングパッドの表面の上を移動させて、ワイヤをキャピラリ先端と第２ボンディングパッドとの間で擦って絶縁を破り、ワイヤの金属コアの少なくとも一部が第２ボンディングパッドに接触するようにする工程と、
ワイヤの露出した部分を第２ボンディングパッドに熱圧着ボンディングを使用して接着させる工程とを備える、改良されたボンディング方法。
【請求項２２】
移動させる前記工程の前に、第２ボンディングパッドを加熱する工程をさらに備える、請求項２１記載の電気接続方法。
【請求項２３】
絶縁ワイヤは、有機物を含有する絶縁コーティングを有する金ワイヤ、銅ワイヤ、またはアルミニウムワイヤの内の一つを含む、請求項２１記載の電気接続方法。
【請求項２４】
絶縁ワイヤは約２５μｍ未満の直径を有し、かつ絶縁コーティングは約０．５μｍ〜２．０μｍの厚さを有する、請求項２３記載の電気接続方法。
【請求項２５】
ワイヤボンダーの改良型キャピラリであって、改良が、キャピラリの外側表面を粗くし、粗くした前記表面によってコーティングワイヤ上の絶縁コーティングを破るようにして行なわれる改良型キャピラリ。
【請求項２６】
ワイヤボンダーのキャピラリであって、
穴を有する先端であって、この穴を通ってボンディングワイヤが飛び出す構成の先端を備え、先端の外側表面を粗くして、粗くした前記表面によってコーティングワイヤ上の絶縁コーティングを破るようにしたキャピラリ。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図３】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図３】
【公表番号】特表２００７−５０４６４８（Ｐ２００７−５０４６４８Ａ）
【公表日】平成１９年３月１日（２００７．３．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−５２４６５０（Ｐ２００６−５２４６５０）
【出願日】平成１６年７月１５日（２００４．７．１５）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００４／０２２５１２
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０２４９０１
【国際公開日】平成１７年３月１７日（２００５．３．１７）
【出願人】（５０４１９９１２７）フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド (806)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成１９年３月１日（２００７．３．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年７月１５日（２００４．７．１５）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００４／０２２５１２
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０２４９０１
【国際公開日】平成１７年３月１７日（２００５．３．１７）
【出願人】（５０４１９９１２７）フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド (806)
【Ｆターム（参考）】
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