説明

Fターム[5F044CC00]の内容

ボンディング (23,044) | ワイヤボンディング方法 (382)

Fターム[5F044CC00]の下位に属するFターム

Fターム[5F044CC00]に分類される特許

1 - 20 / 50


【課題】 注入された樹脂によるワイヤ流れやワイヤショートを防止可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では、半導体チップ109を配線基板100上に搭載し、配線基板100と半導体チップ109とを、第1のワイヤ群120と、前記第1のワイヤ群よりもワイヤ長が短い第2のワイヤ群118とを張設して接続し、第1のワイヤ群120から第2のワイヤ群118に向けて封止樹脂307を注入して半導体チップ109、第1のワイヤ群120、第2のワイヤ群118を覆う封止体401を形成する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置のコストの低減化を図る。
【解決手段】半導体チップ3の電極パッド3cとこれに対応するインナリード2aとが複数のボンディングワイヤ6によって電気的に接続された半導体パッケージにおいて、センシングワイヤA,B(第2ボンディングワイヤ6b,第4ボンディングワイヤ6d)を、同一のインナリード2aに接続された他のボンディングワイヤ6(第1ボンディングワイヤ6a,第3ボンディングワイヤ6c)より細くすることで、金ワイヤに掛かるコストを減らして前記半導体パッケージの原価低減を図る。 (もっと読む)


【課題】半導体素子の接続に用いられる金属細線の線長を短縮化することにより材料コストを低減する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では、リード16A−16Dの先端部をCCDカメラで撮影することにより画像を取得し、この画像に映し出されるリード16A−16Dの先端部に、レクチル54A−54Dを重畳している。その後に、レクチル54A−54Dの中央部と重なり合うリード16A−16Dの上面に、金属細線22の端部をワイヤボンディングしている。この様にすることで、各リード16A−16Dと金属細線22とが重畳する長さが短縮化されるので、金属細線22に係る材料コストが低減される。 (もっと読む)


【課題】
背の高い電子部品や部材などの障害物を迂回してボンディングワイヤを配線する場合、ボンディングワイヤを曲げて迂回していた。しかし、従来方法では、任意の位置で任意の角度を持ってボンディングワイヤを屈曲することが極めて難しく、またボンディングワイヤ弛みによる、ボンディングワイヤと別部品(基板等)との接触する恐れがあった。
【解決手段】
本発明は、上記問題を解決する為に、ボンディングワイヤを支えるための支持体であって、ボンディングワイヤを支持する支持部と、基板上の任意の位置に固定する土台部を備えることで、ボンディングワイヤ屈曲作業の簡略と、ボンディングワイヤ弛みによる基板面と接触するのを防ぐものである。 (もっと読む)


【課題】切断刃を用いることなく線材を切断することができ、溶接用電極の周りが小型化可能な抵抗溶接機を提供する。
【解決手段】線材供給ユニット3から供給された銅リボン線(線材)4を基材たる配線基板5aの電極ランド5b上に圧接する一対の溶接用電極2a,2bを備え、一対の溶接用電極2a,2bの先端部2ab,2bbで銅リボン線4を配線基板5aの電極ランド5b上に溶接する抵抗溶接機1であって、銅リボン線4を溶接用電極2a,2bの少なくとも一方と挟持し銅リボン線4に通電することにより銅リボン線4を熱切断する熱切断用電極2cと、前記熱切断に際し銅リボン線4の長手方向に沿って銅リボン線4に張力を付与する張力付与手段6と、を有している。 (もっと読む)


【課題】多ピンの半導体装置における信頼性の向上を図る。
【解決手段】多ピンのBGA9において、半導体チップ1と配線基板2とを電気的に接続する複数のワイヤ7が、短くかつ細くて内側に配置される複数の第1のワイヤ7aと、第1のワイヤ7aより長くかつ太い複数の第2のワイヤ7bとを有することで、樹脂モールディング時のレジンが細い第1のワイヤ7a間から流れ込むため、レジンによって空気が押し出されてボイドの形成を抑えることができ、多ピンのBGA9の信頼性の向上を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】Cuよりなるワイヤを被接合用ランドにワイヤボンディングするにあたって、一般的なワイヤボンディング装置を用いて、より低温で接合を行えるようにする。
【解決手段】被接合用ランドである1次ボンディングランドとは別部位に、メタライズ層51の上にAuメッキ層52を形成してなるダミーランド50を配置しておき、イニシャルボール41を形成する前に、ワイヤ40の引き出し部40aをダミーランド50のAuメッキ層52に押し付けて離脱させることで、Auメッキ層52を剥離させて、引き出し部40aの先端部に付着させ、次に、Auが付着したワイヤ40の引き出し部40aに対して放電を行って溶融させることで、先端部側がAuよりなるイニシャルボール41を形成し、続いて、そのボール41の先端部側を、1次ボンディングランドに押し当てて1次ボンディングを行う。 (もっと読む)


【課題】基板上のボンディングランドを2次ボンディング側として、ウェッジボンディングによってワイヤを接続するワイヤボンディング方法において、ボンディングランドの材料として特殊な材料を用いることなく、また、基板とランドとの剥離を防止しつつ、ボンディング性を向上させる
【解決手段】キャピラリ100を用いて、基板10の一面に設けられたICチップ20に1次ボンディングした後、基板10の一面上に突出して設けられたボンディングランド30にワイヤ40を2次ボンディングするワイヤボンディング方法において、2次ボンディング工程の前に、キャピラリ100の先端部102における内孔101の周囲部を、ボンディングランド30に押し付けてランド30を平坦化した後、2次ボンディング工程にて、ランド30の平坦化された部位31に対してワイヤ40の接合を行う。 (もっと読む)


【課題】ワイヤボンディングに要する時間が短い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップTの接合電極ETをパッケージPのポスト電極EPにワイヤボンディングして半導体装置を製造する際に、所定の長さに切断されたワイヤWを金型11により所定の形状に成形し、その後、成形されたワイヤWの一端部を接合電極ETに接合すると共に他端部をポスト電極EPに接合する。 (もっと読む)


【課題】自動でワイヤの不着原因を特定する。
【解決手段】ワイヤボンディング装置1は、接続端子上の所定のボンディング位置でキャピラリのZ軸移動速度を検出し、キャピラリのZ軸移動速度が所定のしきい値以下になったとき、移動機構によるキャピラリのZ軸移動を制御し、Z軸制御基板がしきい値以下になったときからのZ軸位置の変位量をキャピラリのZ軸位置の経時変化から算出し、ワイヤと接続端子との間の通電状態からワイヤの不着を検出し、不着検出部がワイヤの不着を検出したときの変位量と基準変位量との差分が所定範囲内にあるか否かを判定し、補正/判定部が不着検出部によりワイヤの不着が検出されたときの変位量と基準変位量との差分が所定範囲を超えていると判定したとき、しきい値および超音波の発振出力量のいずれかを補正する。 (もっと読む)


【課題】
破損しやすいワイヤボンドを保護する。
【解決手段】
ワイヤボンドプロテクタは、超小型電子デバイスの端部に沿った、半導体ダイを基板上の導体に接続するワイヤボンドの長いアレイに対応して細長い形状を有する。ワイヤボンドが保護された超小型電子デバイスを作る場合には、まずワイヤボンドが従来の方法により形成される。その後、ワイヤボンドプロテクタが、ワイヤボンドを少なくとも部分的に覆うようにワイヤボンドのアレイに沿って延びる方向に超小型電子デバイスへ取り付けられる。 (もっと読む)


【課題】信号配線とリターンパス配線とにより形成される電流ループにより生じる磁界を抑制し、高速信号の伝送損失を低減する。
【解決手段】信号パッド204から第1のボンディングワイヤ203とパッケージ基板206を経由して第1の外部端子211Aまで接続された信号電流パス401と、第1の外部端子211Aに近接して設けられた第2の外部端子211Bから基板を経由して前記信号パッドに近接して設けられた第2のパッド215まで接続されたリターン電流パスと、を実質的に同一平面上に設け、信号電流パスとリターン電流パスとを途中で交差させて、電流の流れるループの向きを逆にすることによって、信号電流パスとリターン電流パスとにより形成される電流ループにより生じる磁界を互いに打ち消しあうようにする。 (もっと読む)


【課題】ボンディングワイヤの間隔を離すことなく配線密度の低下を防ぎ、ボンディングワイヤ間に生じるクロストークノイズを減少することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、信号線ボンディングワイヤの第1端部を集積回路チップに接続するボールボンディング部21B、23B、25Bと、信号線ボンディングワイヤの第2端部を信号配線に接続するウェッジボンディング部21C、23C、25Cとを有する正ボンディングワイヤと、信号線ボンディングワイヤの第1端部を信号配線に接続するボールボンディング部22B、24B、26B、信号線ボンディングワイヤの第2端部を集積回路チップに接続するウェッジボンディング部22C、24C、26Cとを有する逆ボンディングワイヤと、を交互に配列させている。 (もっと読む)


本発明は、第1電気コンタクト面と第2コンタクト面との間の電気的なボンディング接続構造であって、少なくとも1つの第1ボンディング接続部によって前記コンタクト面の少なくとも1つの上にボンディングされている少なくとも1つの第1電気導体を備えたボンディング接続構造に関する。ここでは、前記第1電気導体(8)の上に、少なくとも1つの第2ボンディング接続部(10,13)によってボンディングされている少なくとも1つの別の第2電気導体(9)が設けられており、前記2つのボンディング接続部(10)は互いにずらされて位置している。本発明はさらに、第1電気コンタクト面と第2電気コンタクト面の間に存在する電気的なボンディング接続構造を形成するための方法に関する。
(もっと読む)


【課題】リードの幅や厚みの変更を伴うことなく、1つの半導体素子に接続できるリードの配線本数を増加できる高密度TCPおよび製造方法を提供する。
【解決手段】フレキシブルなベース基材11と、ベース基材11のデバイスホール15の内部に突出するフライングリード12aを有する導体パターン12と、実装面14aを上向けにしてデバイスホール15に配置する半導体素子14とを備え、半導体素子14の実装面14aの上にバンプ13でフライングリード12aを接続するとともに、半導体素子14の実装面14aのボンディングパット16とベース基材11の上のボンディングパット17とをワイヤーボンディングした。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】列状に配置された複数の電極パッド20paと、電極パッド20paの夫々に電気的に接続され、電極パッド20paの列より外側に位置する、列状に配置された複数の試験パッド20taと、を有する半導体素子20と、半導体素子20を搭載し、半導体素子20の搭載領域以外に、複数の電極端子10aを列状に配置した配線基板10と、を備え、全ての試験パッド20taが、電極端子10aと電極パッド20taとを電気的に接続するボンディングワイヤ40aの下に位置している半導体装置が提供される。当該半導体装置1aによれば、ボンディングワイヤ40a自体の変形によってもたらされる、半導体素子20の電極パッド20pa,20pb間の短絡を解除し、半導体装置の製造歩留りを高め、より高い信頼性を有する半導体装置を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】 アイランド現象を発生させないでアルミ薄膜にアルミ線でワイヤーボンドする方法の提供。
【解決手段】 水晶基板11にアルミで成膜した薄膜にアルミ線13を超音波で接合し配線を作るワイヤーボンド方法であって、ウエッジヘッドでアルミ線13をアルミ薄膜12の上に押しつける工程と、アルミ線13とアルミ薄膜12に超音波振動を印加する工程とを含み、前記超音波振動の強度を所定値より低く、前記超音波振動の印加時間を所定値より長くする。 (もっと読む)


【課題】ボンディング装置10において、電極とパッド及びワイヤ双方の表面洗浄を効果的に行う。
【解決手段】内部を不活性ガス雰囲気に保持するチャンバ12と、チャンバ12に取付けられ、プラズマ化したガスをチャンバ12内に置かれた基板41と半導体チップ42に照射してパッドと電極の表面処理を行う第1のプラズマトーチ20と、チャンバ12に取付けられ、プラズマ化したガスをチャンバ12内に位置するキャピラリ17先端のイニシャルボール19又はワイヤ18に照射してイニシャルボール19又はワイヤ18の表面処理を行う第2のプラズマトーチ30と、表面処理されたパッドと電極とに表面処理されたイニシャルボール19、ワイヤ18をチャンバ12内でボンディングするボンディング処理部100を備える。 (もっと読む)


【課題】ボンディング装置において、ボンディング処理中にボンディング対象及びワイヤ双方の表面処理を効果的に行う。
【解決手段】不活性ガス雰囲気中で、キャピラリ17に挿通したワイヤ18によってパッド又は電極にワイヤ18のボンディングを行うボンディング処理部100と、不活性ガス雰囲気中で、ボンディング中にパッド又は電極とキャピラリ17先端のイニシャルボール19にプラズマ化したガスを照射してパッド又は電極とイニシャルボール19との表面処理を行う2本のプラズマトーチを備える。プラズマトーチ20は、基板41と半導体チップ42のボンディング面に対して傾斜して配置され、パッド又は電極とボンディングツール先端のイニシャルボール19に同時にプラズマを照射する。 (もっと読む)


【課題】超音波を印加してボンディングを行う前に、ボンディングで発生する異常を検出できるワイヤボンディング方法及び装置を提供する。
【解決手段】ワイヤボンディング装置1は、接合ヘッド2と、接合ヘッド2の位置情報を検出する検出器3と、制御回路等とを備える。接合ヘッド2は、ワイヤ11のボール部11aを電極等のボンディング部に接触させるボンディングツール4を含み、このボンディングツール4を上下動させる。制御回路は、ワイヤ11のボール部がボンディング部に接触した後から超音波を印加する前までの期間における、接合ヘッド2の動作軌跡を取得する。また、制御回路は、この取得した動作軌跡Aと、予め把握された正常な動作軌跡Bとを比較し、ボンディング条件を考慮した上で良否判定を行い、良好と判定されるとUS振動の印加に移行し、不良と判定されると警報を発生させ、ワイヤボンディングを中止する。 (もっと読む)


1 - 20 / 50