【課題】大気圧下でプラズマ励起して被処理体のうちの表面処理が必要な領域にのみ、局所的に短時間で表面処理を行うことができるプラズマ照射装置及び表面改質方法を提供する。
【解決手段】板状の誘電体３を密着させたプレート電極４と誘電体３を介しての表面近傍に対向設置されたメッシュ電極５とが絶縁性の筐体１０内に格納され、プレート電極４及びメッシュ電極５が交流電源６に接続されたプラズマ生成装置１００であって、筐体１０の一方にガス導入部８を、筐体１０の他方にプラズマ照射部９をそれぞれ具備する。プラズマ生成装置１００によりプラズマ７を被処理体１に照射することで表面改質を行う。 （もっと読む）

【課題】モールド樹脂注入時にワイヤが倒れることを防止し、チップエッジからワイヤまでの距離を大きくして絶縁距離を確保する電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】ワイヤで接続された制御チップとパワーチップがモールド樹脂１０により封止された電力用半導体装置１００であって、パワーチップは、ワイヤがウエッジボンディングされた接合部と、接合部の近傍に設けられたバンプとをその表面上に有し、ワイヤは、バンプの上を通って延びる。 （もっと読む）

【課題】マルチチップモジュール構造を有する回路装置の低背化、機能向上、小型化、システム化が可能なワイヤボンディング方法、回路装置及び回路装置パッケイジ方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜被覆ワイヤを用いたボンディング方法は、絶縁膜被覆ワイヤの自由端である始端に対して、ボール２２０を形成するステップ（ａ）と、この形成されたボールを用いて第１ボンディングを行うステップ（ｂ）と、絶縁膜被覆ワイヤの第１ボンディングを行った部分の被覆の除去を行うとともに絶縁膜被覆ワイヤの終端に対する第２ボンディングを行う部分の被覆の除去を行うステップ（ｃ）と、第２ボンディングを行うステップ（ｄ）とを備える。本発明の回路装置はこのような絶縁膜被覆ワイヤを用いたボンディング方法を利用して作製されたものである。第２ボンディングについても、ボールの形成および被覆の除去を行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディングによる絶縁膜のクラックの発生を抑制することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁膜１上のパッド開口部の金属膜２の上にＡＣＦ４を設け、ＡＣＦ４の上からボンディングを行う。ＡＣＦ４には、複数の導電粒子４ｂがバインダ４ａの内部で分散しているので、ワイヤ５とパッドの金属膜２とはボンディングするときの応力により導通することができる。また、応力はＡＣＦ４の歪みにより、ＡＣＦ４に吸収され、これにより、金属膜２および絶縁膜１にクラックが発生するのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップの電極パッドを厚膜化あるいは大面積化することなく、電極パッドの溶断を防止し、電流パッドの許容電流値を高める。
【解決手段】 半導体チップ２０の少なくとも１つの電極パッド２１ｓ、２１ｄにおいて、単一の電極パッド２１上に、第１ワイヤ４１が複数箇所４５でボンディングされる。さらに、第１ワイヤ４１に沿って、第１ワイヤ上４１に、第２ワイヤ４２が複数箇所４６でボンディングされる。一部の実施形態において、第２ワイヤ４２のボンディングに先立って、電極パッド２１上の第１ワイヤ４１の頂部形状を加工してもよい。 （もっと読む）

【課題】プローブ跡を除去でき、かつ、製造コストが増加することを抑制できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、回路が形成された基板１００と、この基板１００上に形成され、表面に保護絶縁膜３００が形成された多層配線層と、この多層配線層の最上層の配線層に位置し、上記回路に接続し、かつ、表面が保護絶縁膜と略同一面となっている電極パッド２００と、を備える。また、このような半導体装置の製造方法は、回路が形成された基板１００上に、この回路に接続し、かつ、保護絶縁膜３００から突出した突出部２０１を有する電極パッド２００を形成する工程と、プローブ端子５００を電極パッド２００に接触させることにより、回路の動作テストを行う工程と、突出部２０１の少なくとも表面を研磨する工程と、有する。 （もっと読む）

【課題】監視したり人手を要したりすることなく、容易にかつ確実にプラズマを点火した
り再点火したりすることが可能なプラズマ点火技術を提供する。
【解決手段】所定の高周波信号ＨＳを発生しプラズマ発生させるための負荷電極１１４に
供給する高周波電源装置１０１、高周波電源装置側と負荷電極側とのインピーダンスを整
合させる整合装置１０５、高周波信号ＨＳの進行波および反射波を検出する進行波・反射
波検出装置１０２、所定の高電圧ＨＶを発生する高電圧発生装置１０３、反射波の進行波
に対する比率が第１のしきい値より大きい場合に高電圧ＨＶを高周波信号ＨＳに重畳する
制御装置１００を備える。 （もっと読む）

【課題】１次ボンディングとしてボールボンディングを行い、２次ボンディングとしてステッチボンディングを行うワイヤボンディング方法において、２次ボンディング後のワイヤ引き出し工程によって引き出されたワイヤが、放電不可能なレベルまで曲がったとしても、適切なイニシャルボールの形成が可能なワイヤボンディング方法を提供する。
【解決手段】ワイヤ引き出し工程後にイニシャルボール４１を形成するとき、引き出されたワイヤ４０への放電を行い、この放電状態に基づいて、引き出されたワイヤ４０がキャピラリ１００の内孔１０１の延びる方向に延長した仮想線Ｓに対して曲がった状態となっているかどうかを検出し、当該曲がった状態が検出された場合には、当該ワイヤ４０が仮想線Ｓと同一方向に延びた状態となるように、当該ワイヤ４０の曲がりを矯正し、その後、再び放電加工を行ってイニシャルボール４１を形成する。 （もっと読む）

【課題】スピンコート法で保護膜を形成する際にクラウンの発生を抑制できるボンディングパッド部に通じるパッド窓の形成方法、及びこのようなパッド窓の形成方法に使用できる保護膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】マイクロレンズを覆うように、水溶性重合体と下記式（１）に示す化合物とを含有する保護膜形成用組成物をスピンコート法により塗布する。


（式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴はそれぞれ炭素数１〜５のアルキル基、Ｒ⁵及びＲ⁶はそれぞれ炭素数２〜４のアルキレン基、ｎ及びｍはそれぞれ０〜５０の整数を示す。）
【効果】スピンコート法で形成した保護膜が段差部分を確実に被覆でき、クラウンの発生を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】金属細線として銅線を用いることで、材料コストが低減される手段を提供する。
【解決手段】半導体チップ１１の周囲のアイランド５上面にプレボンディング領域１０を形成し、プレボンディング領域１０を利用してキャピラリ１９先端のイニシャルボール２６を変形させた後に、電極パッド１２上にワイヤーボンディングを行う。この製造方法により、銅線によるワイヤーボンディング性が向上し、スプラッシュの発生量が大幅に低減し、電極パッド１２間がスプラッシュによりショートすることが防止される。 （もっと読む）

【課題】最高到達温度が高く、温度変化量が大きくなっても、信頼性の高い半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】帯状の第１の金属板６_ＭＣの一端６_Ｅ１側から所定長さの領域に第２の金属板６_ＭＢが張り合わされた帯状材６_Ｂを、第２の金属板６_ＭＢが張り合わされた領域６_ＦＢよりも他端６_Ｅ２側の部分を折り曲げて第１の金属板６_ＭＣが第２の金属板６_ＭＢの外側に位置するＵ字形状となし、Ｕ字形状の外側となった面において、一端６_Ｅ１側に半導体素子３との接合面６_ｔ１が、他端６_Ｅ２側に配線部材４との接合面６_ｔ２が設けられ、第１の金属板６_ＭＣの線膨張係数は、半導体素子３の線膨張係数よりも配線部材４の線膨張係数に近く、第２の金属板６_ＭＢが張り合わされた領域６_ＦＢにおける帯状材６_Ｂの線膨張係数は、配線部材４の線膨張係数よりも半導体素子３の線膨張係数に近い、ように構成した。 （もっと読む）

【課題】クランパーの位置でボンディングワイヤーの摩擦抵抗力を簡単に測定できるようにし、クランプ荷重のミスセッティング、ボンディングワイヤーの変形を防止し、ワイヤーボンディング装置の生産性を向上させる。
【解決手段】ボンディングワイヤー１の繰り出し部（２、３、４）から繰り出されるボンディングワイヤー１の経路に、ボンディングワイヤー１を把持するクランパー６およびクランパー６のクランプ力を数値化するための荷重付与ゲージ５を配した装置において、ボンディングワイヤー１の摩擦抵抗力を検出する検出部（７、１４、１５、１８）を付加し、クランパー６で把持されているボンディングワイヤー１の滑り発生時に、検出部（７、１４、１５、１８）にてクランパー６におけるボンディングワイヤー１の摩擦抵抗力の測定を行う、クランパー摩擦抵抗測定装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージや電子部品の実装基板で用いられるワイヤボンディングの接合性を向上させる。
【解決手段】ワイヤ１２の先端に形成されたボール１４の表面にフェムト秒レーザを照射して縞状の第１の凹凸１６を形成する。次に、ボール１４を第１の電極２０に接触させて超音波振動を印加しながら押し潰すことにより、ワイヤ１２を第１の電極２０にボンディングする。ここで、第１の凹凸１６が延びる方向は、超音波振動の振幅方向に直交する。これにより、接合界面の結晶が微細化されるため、低荷重でも塑性変形がしやすく、金属拡散接合しやすくなり、接合性が向上する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子搭載時の加熱による外部接続端子の累積ピッチの変化が小さく、外部機器との接続性を向上させることができると共に、導電性異物の発生を抑制することができ、また、電気信号を取り扱う配線パターンにおいてその信号に対して不適切な挙動が起きないようにこれを抑制することができる、半導体装置用テープキャリア及びそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】基材２上に微細な配線パターン３を形成してなると共に搭載すべき半導体素子４を位置させるためのデバイスホールを有しない構造の半導体装置用テープキャリアであって、配線パターン３は、その一端に半導体素子４の電極端子１６と接続される内部接続端子６を有し、他端に外部機器と接続される外部接続端子７ａ，７ｂを有する配線５を備えており、基材２の裏面に、外部機器を構成すると共に外部接続端子７ａ，７ｂと接続される配線５を備えた配線基板と同等の熱膨張係数を有する非導電性部材１１が設けられている、半導体装置用テープキャリア。 （もっと読む）

【課題】低エネルギーで適切にワイヤを被接合用パッドに接合できるワイヤボンディング方法を提供する。
【解決手段】ボール形成工程の後、ツール１００の先端部から引き出されているボール形状の引き出し部４０ａを、表面が粗化された粗化部材２００に押し付けて、引き出し部４０ａが粗化部材２００に押し付けられた部位から潰れるように塑性変形させることにより、引き出し部４０ａの表面のうち粗化部材２００に押し付けられた部位を粗化する粗化工程を行い、その後、引き出し部４０ａの表面のうち粗化された部位を、被接合用パッド２１に押し当ててボンディング工程を行う。 （もっと読む）

【課題】ワイヤの経路が所望の経路から外れてしまうことにより、隣り合うワイヤどうしが接触することを抑制する。
【解決手段】半導体装置は、電極上に形成されたバンプ１０と、バンプ１０に一端が接続されたワイヤ１と、を有している。バンプ１０は、本体部１１と、本体部１１上に形成された複数の突起部１２と、を有している。ワイヤ１と、複数の突起部１２どうしの間に形成される谷間１３とが、平面視において重なっている。複数の突起部１２どうしの間に形成される谷間からのワイヤ１の脱落を抑制することができる。よって、ワイヤ１の経路が所望の経路から外れてしまうことにより隣り合うワイヤ１どうしが接触してしまうことを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 活性状態とされた酸素による処理をした後でも、金よりなる構造体の表面に、ボンディングワイヤーの形成や電着膜の形成が正常に行えるようにする。
【解決手段】 制御電極１１８及び可動部電極１０９の表面に残渣するカーボン系汚染物（有機物）を除去するために、これらの酸素プラズマが照射された状態とする。次に、この酸素プラズマによる処理がなされた基板１０１を、例えば、真空、不活性、もしくは還元性の雰囲気において加熱処理する。この加熱処理により、金からなる制御電極１１８及び可動部電極１０９の表面に、酸素を含むプラズマが照射されたことにより形成された酸化金が、除去されるようになる。 （もっと読む）

ダイの接地又は他の外部コンタクトへのワイヤボンディングの信頼性を改善する、種々の半導体パッケージ配置及び方法を説明する。１つの側面において、ダイ上の選択された接地パッドが、リードフレームのタイバー部上に位置するボンディング領域にワイヤボンディングされる。タイバーは、タイバーのボンディング領域からダウンセットされる露出されたダイ取り付けパッドに接続される。幾つかの実施例において、ボンディング領域及びリードは、ダイ及びダイ取り付けパッドより上で、実質的に同一の高さである。ダイと、ボンディングワイヤと、リードフレームの少なくとも一部とがプラスチック封止材材料で封止される一方で、ダイ取り付けパッドのコンタクト面を露出させておき、ダイ取り付けパッドの外部デバイスへの電気的結合を円滑化することができる。
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【課題】
本発明は、ボンディングをするときにキャピラリによる荷重を低減することが可能なボンディング装置及びその装置を用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体チップ３１の電極３３の露出面に、前記電極３３に使用されている金属の結合を分解するエネルギー以上のエネルギーを有するレーザー光を照射する照射工程と、前記照射工程の後、かつ、前記電極３３の露出面に酸化膜が形成される前に前記電極３３の露出面に接続部材２０をボンディングするボンディング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】種々の材料・形状を持つ被処理体の表面改質、特に親水性を高めるための表面処理などに好適な低温プラズマ照射装置及び低温プラズマ照射方法を提供する。
【解決手段】低温プラズマ照射装置１０は、筐体２０の内部に一対の電極４０が先端部が離間するように対向して設けられている。この電極４０の他端に電源５０を接続するための端子４２を有すると共に、筐体２０の内部にガスを導入するためのガス流入口２１及び筐体２０に導入されたガスを排出するためのガス流出口２３からなる流通通路とが設けられ、前記電極の離間部Ａに高速のガスを流しながら離間部Ａに電圧を印加する。そして、ガス流出口２３から低温プラズマを照射する。 （もっと読む）