【課題】ワイヤーの接合強度を維持しつつ、ワイヤーの高さをさらに低くできるようにした半導体装置及びワイヤーボンディング方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１と、リードと、半導体チップ１が有するパッド電極２に一端１１ａが接合され、リードに他端１１ｂが接合されたワイヤー１１と、を備える。ワイヤー１１の一端１１ａと他端１１ｂとの間の最も高い位置であるワイヤートップ１１ｃは、ワイヤー１１の一端１１ａの直上の位置となっている。 （もっと読む）

【課題】基板と半導体チップとを電気的に接続する複数の導電性ワイヤが固定された後における、当該導電性ワイヤ同士の短絡を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の樹脂材料ＲＳが塗布された後に、導電性ワイヤＷＲにより接続パッドＰＤ１と電極パッドＰＤ２とがワイヤボンディングされ、ワイヤボンディングされる工程以降に、第１の樹脂材料ＲＳが固化される。基板ＳＵＢと半導体チップＣＨＰとは、第２の樹脂材料ＭＲＳが供給および硬化されることにより封止される。ワイヤボンディングする工程においては、第１の樹脂材料ＲＳの内部における複数の導電性ワイヤＷＲ同士が互いに接触しない。第１の樹脂材料ＲＳが軟化する温度は、第２の樹脂材料ＭＲＳが供給および硬化されることにより封止される工程以降の工程における処理温度より高い。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドの下の絶縁膜にクラックが入ることをより防止する。
【解決手段】三層構造のボンディングパッドを有する半導体装置とし、この三層構造のボンディングパッドは、第一金属膜と、第二金属膜と、第三金属膜とからなり、第二金属膜は、第一金属膜及び第三金属膜のヤング率よりも高いヤング率を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】第２メタル層が密着する絶縁層にクラックを生じさせ難い半導体装置の配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の配線構造は、絶縁層１２と、絶縁層１２によって覆われた第１メタル層１３と、互いに間隔をあけて絶縁層１２上に配列され且つ第１メタル層１３より厚く形成された複数の電極部分１０１，１０２，…を有する第２メタル層１４とを備え、絶縁層１２の複数のビアホール内に配置された第１メタル層１３と複数の電極部分１０１，１０２，…との間を繋ぐ複数の電極部分によって、複数の電極部分を第１メタル層１３に電気的に接続する複数の貫通配線１５を備えている。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップの電極パッドを厚膜化あるいは大面積化することなく、電極パッドの溶断を防止し、電流パッドの許容電流値を高める。
【解決手段】 半導体チップ２０の少なくとも１つの電極パッド２１ｓ、２１ｄにおいて、単一の電極パッド２１上に、第１ワイヤ４１が複数箇所４５でボンディングされる。さらに、第１ワイヤ４１に沿って、第１ワイヤ上４１に、第２ワイヤ４２が複数箇所４６でボンディングされる。一部の実施形態において、第２ワイヤ４２のボンディングに先立って、電極パッド２１上の第１ワイヤ４１の頂部形状を加工してもよい。 （もっと読む）

【課題】アルミワイヤ接合部の信頼性の劣化を防止し、ＳｉやＳｉＣデバイスの高温動作を可能にするパワーモジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかるパワーモジュールは、ケース８内に配置された絶縁基板５と、絶縁基板５上に接合されたパワー素子１と、パワー素子１の表面電極に第１側面が接合された、矩形筒状の金属である第１配線部材としての配線部材９と、配線部材９の第１側面と対向する第２側面に接続された配線としてのアルミワイヤ３と、絶縁基板５、パワー素子１、配線部材９、アルミワイヤ３を覆ってケース８内に充填される封止材２とを備える。 （もっと読む）

【課題】コンパクトで接合強度の大きいワイヤループを提供する。
【解決手段】キャピラリの先端をリード７４の上の第２ボンディング工程の際のキャピラリの中心位置である点８６ａから点ｐまで高さＨ_１だけ上昇し、その後パッド７３の方向に向かって水平に第１の距離Ｌ_１だけ移動し、荷重センサによって検出する荷重が所定の荷重となる点ｒまで先端を降下させる第１折り返し工程と、点ｒからキャピラリの先端高さがＨ_２となるまで上昇させた後、リード７４の方向に向かって第２の距離Ｌ_２だけ水平に移動させる第２折り返し工程と、キャピラリ１６の中心を点８６ａ近傍の点８７ａの位置とした後、リード７４の上の点８７ａまで降下させる第３ボンディング工程と、によってワイヤループの端末を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を大容量化しても、小型軽量且つ安価で耐久性・信頼性が十分確保可能なワイヤボンディング構造が得られるようにする。
【解決手段】ベース体Ｂ上に半導体素子Ｓとこれに電気的に接続すべき回路部品Ｃとが間隔をおいて設置、固定され、その半導体素子Ｓの電極部と回路部品Ｃとの間が、その間に渡って延びる導電性の金属ワイヤＷで結線された半導体装置におけるワイヤボンディング構造であって、ワイヤＷが、半導体素子Ｓの電極部表面に接合される一端部Ｗａと、回路部品Ｃの、前記電極部表面と高低差ΔＬのある表面に接合される他端部Ｗａ′と、その一端部Ｗａ及び他端部Ｗａ′間を一体に接続し少なくとも中間部が上方に凸に彎曲したループ部Ｗｍとを備え、前記高低差ΔＬが１〜５ｍｍの設定範囲内に、また前記ループ部Ｗｍのループ高さｈが２〜７ｍｍの設定範囲内にそれぞれ設定される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置をプリント基板に実装する時の熱によって半導体チップと内部リードとを電気的に導通しているワイヤが切断されてしまうことを回避すること。
【解決手段】半導体チップ１０と、この半導体チップ１０に一端部が圧着されたワイヤ１２と、このワイヤ１２の他端部が圧着されて上記半導体チップ１０と電気的に導通させられている複数本の内部リード１３と、上記半導体チップ１０ないし上記各内部リード１３を包み込む樹脂パッケージ１４と、を備えた樹脂パッケージ型半導体装置１において、上記ワイヤ１２が上記内部リード１３との圧着部１２ｂの基端から延出する角度βを上記圧着部１２ｂの基端から少なくとも上記ワイヤ１２の直径の２倍に相当する長さまでは上記内部リード１３に対して１５度以下とした。 （もっと読む）

【課題】第１の電極端子と第２の電極端子間の配線におけるオン抵抗を低減する、半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、第１の電極端子と、第２の電極端子と、前記第１及び第２の電極端子を接続する少なくとも２本のワイヤー１４とを有する。少なくとも２本のワイヤー１４は、ワイヤー１４が延びる方向に沿って導電性接着剤１５を用いて互いに電気的に接続されている。第１の電極端子は、例えば外部引き出し電極２０の端子である。また、第２の電極端子は、例えばＭＯＳＦＥＴのソース電極２２の端子である。 （もっと読む）

【課題】異なる配線部材を電気的に確実に接続し、かつ接続状態を容易に確認することができる、配線接続構造を提供する。
【解決手段】回路基板１０の表面に設けられた凹部１１に形成された配線パターン２０と、配線パターン２０の表面に形成されたボンディングワイヤ３０とを、貫通するように形成された貫通穴３１に、導電固定部材５０の支持部５２が挿通されている。そして、支持部５２の上端と下端に、貫通穴３１の径よりも大きな径を有する上端固定部５１および下端固定部５３がそれぞれ溶着されるとともに、上端固定部５１はボンディングワイヤ３０にも溶着されている。したがって、配線接続構造は、支持部５２に溶着された上端固定部５１および下端固定部５３によって機械的に力を加えて圧着するとともに、上端固定部５１、支持部５２および下端固定部５３を介して接続することにより、ボンディングワイヤ３０と配線パターン２０を電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤと電子部品との接合箇所におけるショート、剥離を防止して、確実な接続を可能とするワイヤボンディング方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るワイヤボンディング方法は、第１の電子部品に設けられた第１の電極２１上にバンプ２２を形成する工程と、バンプ２２と第２の電子部品に設けられた第２の電極３１とをワイヤ１１で接合する工程と、を有し、バンプ２２およびワイヤ１１は、各々Ａｕを含む材料にて形成され、且つ、バンプ２２を形成する材料のＡｕ純度が、ワイヤ１１を形成する材料のＡｕ純度よりも低くなるように設定する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤループ高さの低い半導体装置を提供する。
【解決手段】イニシャルボールをパッド１３に接合させて圧着ボール２３とボールネック２５とを形成した後、キャピラリ４１を上昇させ、続いてリードと反対の方向に向かって移動させた後、降下させてリード側のフェイス部４３でボールネック２５を踏み付ける。その後キャピラリ４１を上昇させ、キャピラリ４１のフェイス部４３がボールネック２５の上に来るまでキャピラリ４１をリードに向かって移動させてリード１７に向かってワイヤ２１を折り返し、その後キャピラリ４１を降下させて踏み付けられたボールネック２５の上に折り返されたワイヤ側面をキャピラリ４１で押し付け、キャピラリ４１をリードに向かって斜め上方に移動させた後ルーピングしてワイヤ２１をリードに圧着させて接合する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ワイヤループ高さの低い半導体装置を提供する。
【解決手段】イニシャルボールをパッド１３に接合させて圧着ボール２３とボールネック２５とを形成した後、キャピラリ４１を上昇させ、続いてリード１７と反対の方向に向かって移動させた後、降下させてリード側のフェイス部４３でボールネック２５を踏み付ける。その後キャピラリ４１を上昇させ、キャピラリ４１のフェイス部４３がボールネック２５の上に来るまでキャピラリ４１をリードに向かって移動させてリード１７に向かってワイヤ２１を折り返し、その後キャピラリ４１を降下させて踏み付けられたボールネック２５の上に折り返されたワイヤ側面をキャピラリ４１で押し付け、キャピラリ４１をリードに向かって斜め上方に移動させた後ルーピングしてワイヤ２１をリードに圧着させて接合する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ワイヤループの高さをより低くするワイヤボンデイング方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】イニシャルボールをパッド１３に接合させて圧着ボール２３とボールネック２５とを形成した後、キャピラリ４１を上昇させ、続いてキャピラリ４１をリードと反対の方向に向かって移動させた後、キャピラリ４１を降下させてリード側のフェイス部４３でボールネック２５を踏み付ける。その後キャピラリ４１を上昇させ、キャピラリ４１のフェイス部４３がボールネック２５の上に来るまでキャピラリ４１をリードに向かって移動させてリードに向かってワイヤ２１を折り返し、その後キャピラリ４１を降下させて踏み付けられたボールネック２５の上に折り返されたワイヤ側面をキャピラリ４１で押し付け、キャピラリ４１をリードに向かって斜め上方に移動させた後キャピラリ４１をルーピングしてワイヤ２１をリードに圧着させて接合する。 （もっと読む）

【課題】接合強度が高く、導電層との間隔がファインピッチの場合であっても、隣接するワイヤ同士の接触を防止し、小型・薄型化を実現する半導体装置及びそのワイヤボンディング方法を提供する。
【解決手段】本発明のワイヤボンディング方法は、ボンディング用ワイヤ１の先端に形成した第１ボールを第１導電層上に接合する第１工程と、この後、キャピラリー６によりボンディング用ワイヤ１ａを引き出し、キャピラリー６の先端部６ａ，６ｂが電極パッド２ａの表面に接触しないように維持し、ボンディング用ワイヤ１ａをステッチボンディング法で電極パッド２ａ上に接合する第２工程と、ボンディング用ワイヤ１ａを電極パッド２ａ上の接合部２ｂの根元部分で切断する第３工程と、ボンディング用ワイヤ１ａの先端に形成したボール５’を、ボールボンディング法で前記第３工程の切断により形成されたワイヤ切断部の上部に接合する第４工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体素子とリード端子とを接続するワイヤが、ワイヤ流れにより隣接リード端子に接触することを、完全に防止することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子１を載置する載置片１０及び基端部１１ａ〜１５ａを備えたリード端子１１〜１５で構成されるリードフレーム９において、半導体素子１の接続端子とリード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａとの間にワイヤ２１〜２５が接続されると共に、封止樹脂によりモールドされて形成される半導体装置１ａを、封止樹脂によりモールドされる際に、注入された該封止樹脂の流動圧力により生じるワイヤ流れによりリード端子１２，１４と隣接する隣接リード端子１１，１５の基端部１１ａ，１５ａに接続されたワイヤ２１，２５が、リード端子１２，１４に接触することを防止するための接触防止手段３１ａ，３１ｂを、リード端子１２，１４の基端部１２ａ，１４ａに備えて構成する。 （もっと読む）

【課題】大型化を抑制しつつ、熱膨張によるボンディングワイヤまたはその接続部の断線や損傷を生成する応力の緩和を実現した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子２と、半導体素子２の周囲に設けられた導体部材３と、半導体素子２の一面と導体部材３とを接続するボンディングワイヤ４と、半導体素子２、導体部材３及びボンディングワイヤ４を封止するモールド樹脂５とを備えた半導体装置。半導体素子２とボンディングワイヤ４の接続部は、モールド樹脂５よりも柔らかく且つ熱膨張率がボンディングワイヤ４と同程度である保護樹脂６で被覆されている。 （もっと読む）

【課題】セカンドボンディングの接続強度を維持しつつ、更なる小型化が可能なワイヤボンディング接続構造およびワイヤボンディング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子４のｐ電極にファーストボンディングされ、リードフレーム３にセカンドボンディングされた第１ワイヤ１１と、セカンドボンディングの接合部分より上流側にボールボンディングされた第２ボール部１２１と、第２ボール部１２１から第１ワイヤ１１の配線方向にワイヤループが形成された第２ワイヤ１２と、第２ワイヤ１２がウェッジボンディングされた第２ウェッジボンド部１２２とを備え、第２ウェッジボンド部１２２は、セカンドボンディングの接合部分である第１ウェッジボンド部１１２に形成したものである。 （もっと読む）

【課題】ボンディング強度を確保しつつ、ボンディングに伴う層間絶縁膜の破壊や電極の破壊を防止することができ、電気的特性を向上することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置に搭載された半導体素子１は、ゲート電極１１６上を覆い第１の方向に延伸する延伸部１２１、第２の方向に隣接する延伸部１２１同士を第１の方向に一定間隔において連結する連結部１２２及び延伸部１２１と連結部１２２とにより開口形状が規定されベース領域１１２の主面とエミッタ領域１１３の主面とを露出する開口部１２３を有する層間絶縁膜１２を備える。 （もっと読む）