【課題】シリコンよりなるシリコン部品の一面側に設けられたワイヤボンディング用のパッドに、ウェッジボンディングによりワイヤを接続するワイヤボンディング方法において、パッドの下地であるシリコンよりなる基部を傷つけることなく、接合後のワイヤに対して確実にワイヤカットを行えるようにする。
【解決手段】ワイヤカット工程では、ワイヤ３０を加熱して溶融させるプラズマ照射手段２００を用い、ワイヤ３０における外れ部３０ｂがシリコンよりなる基部２１の一面２１ａから浮いた状態となるように、外れ部３０ｂをワイヤ３０における接合部３０ａよりも上方に引っ張り上げつつ、プラズマ照射手段２００のトーチ２１０によって、基部２１の一面２１ａと平行な方向Ｙから外れ部３０ｂにプラズマを照射して加熱を続けながら、外れ部３０ｂを溶融させて接合部３０ａから引きちぎるようにした。 （もっと読む）

【課題】被接続部材との接続部におけるクラックの発生および進展を抑止する。
【解決手段】半導体装置１０は、少なくともマグネシウムおよびシリコンを含有し、且つマグネシウムおよびシリコンの含有量の合計が０．０３ｗｔ％以上１．０ｗｔ％以下であるアルミニウム合金からなるボンディングワイヤ１７と、このボンディングワイヤ１７が接続されるシリコンチップ１６と、の接続部構造１５を備える。シリコンチップ１６の表面には、アルミニウム−シリコンフィルム１６ａが形成されている。接続部構造１５は、ボンディングワイヤ１７を構成するマトリクス層１７ａ内と、このマトリクス層１７ａおよびアルミニウム−シリコンフィルム１６ａの間に形成されるアルミニウム合金の微細粒層１７ｂ内と、マトリクス層１７ａおよび微細粒層１７ｂの界面とに、マグネシウムおよびシリコンを含む化合物１８を備えている。 （もっと読む）

【課題】安定的にインナリードの高さが交互に異なる半導体装置を製造する。
【解決手段】ダイパッド２２０上に固定された半導体チップ１２０の複数の電極パッドと、複数のインナリード２４０と、をそれぞれボンディングワイヤ１４０で接続したリードフレーム２００を準備する。次いで、リードフレーム２００を準備する工程の後、少なくとも一部のインナリード２４０の高さが交互に異なるように、少なくとも一部のインナリード２４０を屈曲させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、湿気の多い外気によるセンサの金属電極の腐食を防止し、かつセンサの樹脂封止によるセンサの反りの発生を防止してセンサ特性への影響を低減するセンサデバイスの製造方法及びセンサデバイスを提供する。
【解決手段】センサデバイスの製造方法は、固定部、前記固定部の内側に位置する可動部、前記固定部と前記可動部を接続する可撓部、及び複数の金属電極を有するセンサを基板上に配置し、前記センサの複数の金属電極及び前記基板の複数の端子をボンディングワイヤにより電気的に接続し、前記複数の金属電極と前記複数の端子の間にある前記ボンディングワイヤの一部が露出するように、前記センサの複数の金属電極の前記ボンディングワイヤと接続された部位を樹脂により覆う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、材料費が安価で、Ａｌ電極との接合部の長期信頼性に優れ、車載用ＬＳＩ用途にも適用できる接合構造、または半導体用銅ボンディングワイヤを提供することを目的とする。
【解決手段】銅ボンディングワイヤの先端に形成したボール部をアルミ電極に接合したボール接合部を形成し、銅ボンディングワイヤの先端に形成したボール部をアルミ電極に接合したボール接合部であって、前記ボール接合部を１３０〜２００℃のいずれかの温度で加熱した後において、前記ボール接合部の断面に有するＣｕとＡｌで構成される金属間化合物の厚さに対して、ＣｕＡｌ相の金属間化合物の厚さの割合である相対化合物比率Ｒ１が、４０％以上１００％以下となるものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温環境下にさらされても劣化せず、高い接続／接合信頼性を有するフリップチップ実装構造を提供する。
【解決手段】Ａｌ電極２２を有するＩＣチップ２１とＡｕ電極４３を有する基板４１とをワイヤレスに接続するフリップチップ実装構造において、ＩＣチップ２１のＡｌ電極２２上にＡｌもしくはＡｌ合金よりなるバンプ５２を形成し、そのバンプ５２を介してＩＣチップ２１のＡｌ電極２２と基板４１のＡｕ電極４３とを接合する。 （もっと読む）

【課題】第１の電極端子と第２の電極端子間の配線におけるオン抵抗を低減する、半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、第１の電極端子と、第２の電極端子と、前記第１及び第２の電極端子を接続する少なくとも２本のワイヤー１４とを有する。少なくとも２本のワイヤー１４は、ワイヤー１４が延びる方向に沿って導電性接着剤１５を用いて互いに電気的に接続されている。第１の電極端子は、例えば外部引き出し電極２０の端子である。また、第２の電極端子は、例えばＭＯＳＦＥＴのソース電極２２の端子である。 （もっと読む）

【課題】
破損しやすいワイヤボンドを保護する。
【解決手段】
ワイヤボンドプロテクタは、超小型電子デバイスの端部に沿った、半導体ダイを基板上の導体に接続するワイヤボンドの長いアレイに対応して細長い形状を有する。ワイヤボンドが保護された超小型電子デバイスを作る場合には、まずワイヤボンドが従来の方法により形成される。その後、ワイヤボンドプロテクタが、ワイヤボンドを少なくとも部分的に覆うようにワイヤボンドのアレイに沿って延びる方向に超小型電子デバイスへ取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子とリード端子とを接続するワイヤが、ワイヤ流れにより隣接リード端子に接触することを、完全に防止することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子１を載置する載置片１０及び基端部１１ａ〜１５ａを備えたリード端子１１〜１５で構成されるリードフレーム９において、半導体素子１の接続端子とリード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａとの間にワイヤ２１〜２５が接続されると共に、封止樹脂によりモールドされて形成される半導体装置１ａを、封止樹脂によりモールドされる際に、注入された該封止樹脂の流動圧力により生じるワイヤ流れによりリード端子１２，１４と隣接する隣接リード端子１１，１５の基端部１１ａ，１５ａに接続されたワイヤ２１，２５が、リード端子１２，１４に接触することを防止するための接触防止手段３１ａ，３１ｂを、リード端子１２，１４の基端部１２ａ，１４ａに備えて構成する。 （もっと読む）

【課題】熱膨張によるボンディングワイヤまたはその接続部の断線や損傷を生成する応力の緩和を低コストで実現することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子２と、半導体素子２の周囲に設けられた導体部材と、半導体素子２の一面と導体部材とを接続するボンディングワイヤ４と、半導体素子２、導体部材およびボンディングワイヤ４を封止するモールド樹脂５とを備えた半導体装置。ボンディングワイヤ４とモールド樹脂５とが、接着しておらず、滑りが可能であるように構成されている。 （もっと読む）

半導体デバイスの製造中のワイヤ押し流し及び短絡を低減させる方法には、ワイヤ結合に硬化可能な組成物をスプレーすることと、その硬化可能な組成物をフリーラジカル重合によりＢステージにすることと、次にＣステージに熱硬化させることとが含まれる。スプレー可能な硬化可能組成物も開示される。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、かつ、容易に製造することができるとともに、半導体装置の大きさを大きくすることなく内部抵抗の一層の低抵抗化を図ることのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子２と、リード３と、半導体素子２の電極２ａとリード３とを電気的に接続する配線部材４と、を備え、配線部材４は、少なくとも導電性を有する材料によって被覆されている。 （もっと読む）

【課題】回路基板に電子部品が実装されて構成される半導体装置において、容易に確認することができる管理用情報を付与すること。
【解決手段】回路基板（２０）に電子部品（１０）が実装されて構成される半導体装置（１）であって、前記電子部品と前記回路基板の電極同士をワイヤボンディング方式により接続する接続部材（３０）に、当該半導体装置の管理用情報が付与されていることを特徴とする、半導体装置。電子部品は、半導体素子（チップ）、ＬＳＩ、ＩＣ、コンデンサ、リレー、コネクタ等、如何なるものであってもよい。 （もっと読む）

【課題】従来のボンディング装置では、洗浄槽をボンディングステージに設置して、ツールを洗浄槽内の洗浄液に浸漬して超音波洗浄を行っていたが、これにはある程度の時間を要するので、さらなる洗浄作業時間の短縮が望まれていた。
【解決手段】半導体素子５２が載置されるボンディングステージ２０と、アルミテープ１５を半導体素子に対して圧接し、該アルミテープに超音波振動を付与して、アルミテープを半導体素子に超音波接合するツール１３と、ツールが装着され、超音波発振器１２を備え、ボンディングステージ２０に対して相対的に移動可能なボンディングヘッド１１と、ボンディングヘッドが移動可能であり、ツールによる接合動作が可能なボンディングエリアに設置されるバルク材３０とを備えており、バルク材はアルミテープよりも高い硬度を有する部材にて構成され、ツールがバルク材に対して接合動作を実施可能に構成されるボンディング装置。 （もっと読む）

【課題】使用時の大電流繰り返し通電によっても接続部に発生したクラックの進行を抑制して信頼性の高い接続部を実現するボンディングワイヤ及びボンディング方法を提供する。
【解決手段】ボンディングワイヤは、線材がＡｌ−０．１〜１ｗｔ％Ｘで、ＸがＣｕ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃｏ、Ｌｉ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆから選ばれた少なくとも一種類の金属であり、線の太さが断面を円形にしたときの直径が５０〜５００μｍである点を特徴とする。このボンディングワイヤによってＡｌを主成分とする電極と接続したとき微細粒層とマトリックスとの界面にＡｌとＸの金属間化合物が存在する接続部構造を得る。 （もっと読む）

【課題】ボールボンディング用のキャピラリにより被接合部材に対してワイヤを接合するワイヤボンディング方法において、キャピラリを交換することなく、キャピラリに付着した汚れを除去できるようにする。
【解決手段】キャピラリ１００の先端部を、配線５０上に形成され当該先端部をクリーニングするためのクリーニング部材としてのボール４１に押し当てた状態で、キャピラリ１００を振動させることにより、キャピラリ１００の先端部に付着した汚れＫを擦り落とすクリーニング工程を備える。 （もっと読む）

【課題】複数の電気接続端子を有する半導体チップと複数の電気接続端子を有する基板とが金属ワイヤによって導電接続されているワイヤ接続型に関し、特に小型化、高密度化したときに高い接続信頼性を発揮できる半導体装置、及び、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の電気接続端子を有する半導体チップと複数の電気接続端子を有する基板とが金属ワイヤによって導電接続されている半導体装置であって、前記金属ワイヤの表面が、平均粒子径０．１〜５μｍの絶縁粒子によって略均質に被覆されている半導体装置。 （もっと読む）

本発明は、パッケージ化された半導体デバイスを提供する。接合ワイヤがアルミニウムバンプ接合部によりリードに接合される。半導体デバイスは、リードを有するリードフレームに取り付けられ、当該リードはニッケルメッキ部を有している。５０μｍ（２ミル）のような細いアルミニウムワイヤとリードとの間にバンプ接合部を形成するために、アルミニウムバンプがニッケルメッキ部に接合され、ワイヤがバンプに接合される。バンプはニッケルをドープされたアルミニウムであり、１５０μｍ（６ミル）の直径のワイヤのような大きな直径のワイヤから形成される。
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【課題】狭ピッチの半導体チップを多層配線基板に搭載し、封止した半導体装置について、ワイヤボンディング工程時のワイヤボンダ装置を容易に特定する。
【解決手段】まず、多層配線基板を用意した後、半導体チップを多層配線基板上にダイボンディングする（工程Ｓ１）。次いで、ワイヤボンダ装置によって、半導体チップ上の電極パッド（第１電極）と多層配線基板上の金属配線（第２電極）とをワイヤボンディングする（工程Ｓ４）。このワイヤボンディング工程において、ワイヤボンダ装置に備え付けられたレーザマーカ機構によって、ワイヤボンディングされた多層配線基板にワイヤボンディング情報をレーザ刻印する。次いで、半導体チップを覆うように多層配線基板上にレジンからなる封止体を形成する（工程Ｓ５）。 （もっと読む）

装置および方法が、ＩＣパッケージ化工程において裸ボンディングワイヤを絶縁ボンディングワイヤと置き換えることの影響の低減を提供する。詳細には、組立工程に必要とされる変更を限定し、それによって、現在の組立プロセスのより速くより安価な転換を可能にするための方法および装置が提示される。
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