【課題】ワイヤーの接合強度を維持しつつ、ワイヤーの高さをさらに低くできるようにした半導体装置及びワイヤーボンディング方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１と、リードと、半導体チップ１が有するパッド電極２に一端１１ａが接合され、リードに他端１１ｂが接合されたワイヤー１１と、を備える。ワイヤー１１の一端１１ａと他端１１ｂとの間の最も高い位置であるワイヤートップ１１ｃは、ワイヤー１１の一端１１ａの直上の位置となっている。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディングを実行したときに、ループ高さを低くする。
【解決手段】本実施形態のワイヤボンディング装置は、キャピラリと、ボンディングステージと、前記ボンディングステージに対して前記キャピラリを相対移動させる移動機構と、前記移動機構を制御する制御部とを有する。前記制御部は、キャピラリに挿通されたワイヤを、前記キャピラリにより第１のパッドに１回目のボンディングを行い、第２のパッドが設けられた基板の上面における前記第２のパッドに近い部位に前記ワイヤを前記キャピラリにより接触させて押圧変形させることによりボンディング用の接続部を形成する。そして、前記制御部は、前記ワイヤの接続部を前記第２のパッドにボンディングする様に、前記移動機構を制御する。 （もっと読む）

【課題】リードフレームへ導電性リボンや太線ワイヤなどの接続体をボンディングする際に、高い超音波出力を用いる。その際、インナーリードの超音波振動方向への振動を規制し、高品質で且つ信頼性が高いボンディングを実現できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】インナーリード７ａを有するリードフレーム４と、リードフレーム４に搭載された、電極パッド３ａを有する半導体素子２と、電極パッド３ａとインナーリード７ａとを接続する導電性の接続体８とを有し、インナーリード７ａにおける、接続体８が接合される接合領域１１の近傍に、凹部１２を配置された半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 発光装置等における素子と配線パターンとを接続するワイヤーの断線が起き難いワイヤーボンディング構造を提供することにある。
【解決手段】 このワイヤーボンディング構造のワイヤー１７，１８は、発光素子１５から発光素子近傍の基板１１の表面に接近した位置まで垂れ下がる降下部１７ａ，１８ａと、この降下部の先端から基板１１の表面近くで且つ基板１１の表面に沿って延伸する延伸部１７ｂ，１８ｂを有している。このため、封止樹脂１９の上部に位置する部分が減り、ワイヤー１７，１８は封止樹脂１９の変形による影響を受けにくくなる。また、延伸部１７ｂ，１８ｂは、封止樹脂１１の変形が最も少ない下部内に位置しているので、ワイヤー１７，１８が動くことを防いでいる。 （もっと読む）

【課題】隣接する電極パッド間のショート不良を起こすことが無く、安定的にボンディングする。
【解決手段】まず、キャピラリ３００の先端部からボンディングワイヤ４００を延出させる（延出ステップ）。次いで、キャピラリ３００をボンド点（例えば半導体チップ１０）に近づけるように移動させる（移動ステップ）。次いで、ボンディングワイヤ４００の先端を、キャピラリ３００の先端面（非図示）でボンド点（例えば半導体チップ１０）に接触させて圧着する（圧着ステップ）。このとき、延出ステップにおいて、ボンディングワイヤ４００の先端にボールを形成せずに、圧着ステップを行う。 （もっと読む）

【課題】実施形態によれば、オーバーハング部に対するワイヤボンディング不良を防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、実ボンディング時におけるボンディングヘッドが接地基準位置をサーチする下降速度及び荷重と同じ下降速度及び荷重でもってボンディングヘッドをオーバーハング部のボンディングパッドに対して下降させて接触させ、接地基準位置を予め取得する。実ボンディングでは、半導体チップにおける下方の支持体から張り出したオーバーハング部に形成されたボンディングパッドに対する前記接地基準位置までボンディングヘッドを下降させて、ボンディングヘッドの先端でワイヤをボンディングパッドに押し付けて接合する。 （もっと読む）

【課題】小型化及び低コスト化を図りつつ、導電ワイヤとの干渉を回避しながら、溝の底面に形成されたパッドと溝の外側周辺部の上面に形成されたパッドとをワイヤボンディングにより接続することができる電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置１００は、互いに対向する２つの壁面１０７、１０８からなる溝１０２が形成され、溝１０２の外側周辺部の上面側に第１のパッド１０４が設けられ、溝１０２の底面側に第２のパッド１０５が設けられ、ワイヤボンディングにより第１のパッド１０４と第２のパッド１０５とが接続されている。溝の１０２の底面に垂直な方向から見た場合における溝１０２の２つの壁面１０７、１０８のうち第１のパッド１０４により近い一方の壁面１０７の上端から第２のパッド１０５までの距離（ＬＷ）１０９よりも、もう一方の壁面１０８の上端から第２のパッド１０５までの距離（ＬＮ）１１０が短くなるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電極パッド間での電気的ショートの危険を低減して半導体装置の品質の向上を図る。
【解決手段】ワイヤボンディングのボールボンディングにおいて、超音波の印加方向（超音波振動方向）１２に沿って配列された半導体チップ４の電極パッド４ｃに対して、超音波の印加方向１２と交差する方向１３に銅ワイヤ５の先端のボール５ａと電極パッド４ｃとを擦り合わせながら接続することで、電極パッド４ｃ上でのＡＬ排斥４ｄの形成量を抑制してＡＬ排斥４ｄを小さくすることができ、その結果、前記ボールボンディングによって組み立てられた半導体装置の品質の向上を図れる。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップの電極パッドを厚膜化あるいは大面積化することなく、電極パッドの溶断を防止し、電流パッドの許容電流値を高める。
【解決手段】 半導体チップ２０の少なくとも１つの電極パッド２１ｓ、２１ｄにおいて、単一の電極パッド２１上に、第１ワイヤ４１が複数箇所４５でボンディングされる。さらに、第１ワイヤ４１に沿って、第１ワイヤ上４１に、第２ワイヤ４２が複数箇所４６でボンディングされる。一部の実施形態において、第２ワイヤ４２のボンディングに先立って、電極パッド２１上の第１ワイヤ４１の頂部形状を加工してもよい。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーボンディング工程の生産性の低下を抑制しつつ、キャピラリの内部や先端の残存金属を除去できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ワイヤー１１の一端の側に形成されたボールをパッド電極２に接合させて圧着ボール１３とボールネック１５とを形成し、キャピラリ５０の先端５２でボールネック１５にワイヤー１１を押しつける工程（１ｓｔボンド）と、キャピラリ５０をパッド電極２上からリード２３上へ移動させて、ワイヤー１１の他端の側をリード２３に接合する工程（２ｎｄボンド）と、１ｓｔボンドと２ｎｄボンドとが当該順で複数回、繰り返し行われた後で、キャピラリ５０をリードフレーム２０が有するダミー領域Ｒ２上へ移動させて、そこに接合する工程（クリーニングボンディング）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディングマシンを使用してワイヤボンドを形成する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの目標ボンディング制御値を選択する工程３００と、アルゴリズムおよび前記少なくとも１つの目標ボンディング制御値を使用して、ワイヤボンドを形成するためのボンディングパラメータを生成する工程３０２と、前記生成されたボンディングパラメータを使用して、ワイヤボンドを形成する工程３０４と、前記形成されたワイヤボンドの前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値が前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値の所定の許容範囲以内であるかを決定する工程３０６と、前記形成されたワイヤボンドの前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値が前記所定の許容範囲以内でない場合、少なくとも１つのボンディング調整値を調節する工程３１０とを含む。 （もっと読む）

【課題】 チップを積層させてワイヤ接続する構造であっても、半導体装置の大型化を極力抑制可能な構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置２００は、一方の面に接続パッド１５を有する配線基板１と、配線基板１の一方の面に階段状に積層され、回路と、表面に設けられた電極パッド１９を有する複数の半導体チップと、電極パッド１９と接続パッド１５を一段ずつ階段状に接続するワイヤ１７を有し、複数の半導体チップは、回路と共通された第１の電極パッド１９ａと、第２の電極パッド１９ｂと、回路から独立した中継パッド１９ｃとが階段部分に共通した順番で設けられ、第１の電極パッド１９ａは、互いに共通接続されて接続パッド１５に接続され、第２の電極パッド１９ｂは、中継パッド１９ｃを介して接続パッド１５に接続される。 （もっと読む）

【課題】ワイヤ量を削減した半導体装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１半導体素子５と、第１電極１０と、第２電極２０と、ボール部３０と、ワイヤ４０と、を備えた半導体装置が提供される。第１電極は、第１半導体素子５に電気的に接続される。ボール部は、第１電極の上に設けられる。ワイヤは、ボール部と第２電極とを接続する。ワイヤの第２電極とは反対側の端の折り返し部分４１の厚さ４１ｔは、ワイヤの径４０ｄよりも薄い。 （もっと読む）

【課題】１次ボンディングとしてボールボンディングを行い、２次ボンディングとしてステッチボンディングを行うことによってワイヤの接続を行うワイヤボンディング方法において、２次ボンディングにおけるワイヤの接合面積を適切に増加できるようにする。
【解決手段】キャピラリ１００として、その先端部１０２の平面形状が、内孔１０１を中心に位置させた楕円形状であって、その楕円の長径方向ｙにおける内孔１０１と先端部１０２の外郭との間の幅が、短径方向ｘにおける内孔１０１と先端部１０２の外郭との幅よりも大きい楕円形状をなすものを用い、２次ボンディング工程では、パッド２１に接合され且つボンディングランド３０まで引き回されたワイヤ４０に対して、キャピラリ１００の先端部１０２の長径方向ｙをワイヤ４０の長手方向に揃えた状態で、キャピラリ１００の先端部１０２にてワイヤ４０をランド３０に押し当てる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディングのステッチボンディングにおいてその接合強度を確保して接合信頼性の向上を図る手段を提供する。
【解決手段】ワイヤボンディングのステッチボンディング（２ｎｄボンディング）においてキャピラリ６ｅの高さ制御を行うことにより、ステッチ部５ａにおいてその厚さ制御を行うことが可能になり、その接合強度を確保して接合信頼性の向上を図ることができる。さらに、ステッチ部５ａにおいて、肉厚部分５ｅを有しているとともに、この肉厚部分５ｅの下部にワイヤ５とインナリード２ａの接合領域５ｂの一部（α部）が形成されたことで、ステッチ部５ａの厚さと接合領域５ｂを十分に確保することができる。 （もっと読む）

【課題】材料コストが安い銅線を用いたワイヤボンド方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、金属細線として銅線２１を用いることで、材料コストが低減される。また、ワイヤーボンディング領域である開口部１５近傍にヒーターコイル２２が巻き付けられたノズル２０を配置することで、ワイヤーボンディング領域には加熱された不活性ガスが吹き込まれる。この製造方法により、半導体素子１２の電極パッドの温度が不活性ガスにより大幅に低下し、銅線２１と電極パッドとが接続不良となることが防止される。 （もっと読む）

【課題】金属細線として銅線を用いることで、材料コストが低減される手段を提供する。
【解決手段】半導体チップ１１の周囲のアイランド５上面にプレボンディング領域１０を形成し、プレボンディング領域１０を利用してキャピラリ１９先端のイニシャルボール２６を変形させた後に、電極パッド１２上にワイヤーボンディングを行う。この製造方法により、銅線によるワイヤーボンディング性が向上し、スプラッシュの発生量が大幅に低減し、電極パッド１２間がスプラッシュによりショートすることが防止される。 （もっと読む）

【課題】プレボールボンディングを用いたワイヤボンディング方法において、プレボールのホール部を切断し、その切断面上に２次ボンディングしてワイヤを接合するにあたって、当該切断面の平坦性を極力損なうことなく、ホール部の切断におけるワイヤカットのタイミングを管理できるようにする。
【解決手段】プレボール３０を形成し、キャピラリ４０によってプレボール３０のホール部３２を、その径方向の一端から他端側に向かって切断するとともに当該他端部では切断されないでワイヤ２０と繋がった繋がり部３４を残すようにし、次に、繋がり部３４を水平方向に延びるように曲げ、さらに、繋がり部３４に繋がっているワイヤ２０を、プレボール３０の隣に接合し、その後、このワイヤ２０を切断する。 （もっと読む）

【課題】 半導体モジュールなどの小型化を図ることが可能なワイヤボンディング構造、ボンディングツールおよびワイヤボンディング方法を提供すること。
【解決手段】 電極パッド８１に接合されたファーストボンディング部６Ａ、およびパッド部７１Ｂに接合されたセカンドボンディング部６Ｂ、を有するワイヤ６を備える、ワイヤボンディング構造Ｂであって、ファーストボンディング部６Ａは、セカンドボンディング部６Ｂに対して近い側に位置する前方接合部６１、セカンドボンディング部６Ｂに対して遠い側に位置する後方接合部６３、およびこれらの前方接合部６１および後方接合部６３に挟まれており、かつ電極パッド８１に対する接合の度合いが、上記前方接合部６１および後方接合部６３のいずれよりも弱い中間部６２を有しており、セカンドボンディング部６Ｂは、ワイヤ６の長手方向における接合長さがファーストボンディング部６Ａより小である。 （もっと読む）

【課題】コンパクトで接合強度の大きいワイヤループを提供する。
【解決手段】キャピラリの先端をリード７４の上の第２ボンディング工程の際のキャピラリの中心位置である点８６ａから点ｐまで高さＨ_１だけ上昇し、その後パッド７３の方向に向かって水平に第１の距離Ｌ_１だけ移動し、荷重センサによって検出する荷重が所定の荷重となる点ｒまで先端を降下させる第１折り返し工程と、点ｒからキャピラリの先端高さがＨ_２となるまで上昇させた後、リード７４の方向に向かって第２の距離Ｌ_２だけ水平に移動させる第２折り返し工程と、キャピラリ１６の中心を点８６ａ近傍の点８７ａの位置とした後、リード７４の上の点８７ａまで降下させる第３ボンディング工程と、によってワイヤループの端末を形成する。 （もっと読む）