膜の製造方法および表示装置の製造方法
【課題】微細な貫通孔を有する膜を形成することが可能な膜の製造方法、およびこの方法を用いた表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ペースト充填用の凹部を有すると共に凹部内に凸部を有し、凸部の上面に撥液性領域を有する凹版を用い、凹部に充填されたペーストを基材に転写することにより、基材上に、貫通孔を有する膜を形成する膜の製造方法。基板に、ＴＦＴ，絶縁膜および有機ＥＬ素子を順に形成する工程を含み、絶縁膜を形成する工程において、ペースト充填用の凹部を有すると共に凹部内に凸部を有し、凸部の上面に撥液性領域を有する凹版を用い、凹部に充填されたペーストを基材に転写することにより、基材上に、貫通孔を有する膜を形成する表示装置の製造方法。
【解決手段】ペースト充填用の凹部を有すると共に凹部内に凸部を有し、凸部の上面に撥液性領域を有する凹版を用い、凹部に充填されたペーストを基材に転写することにより、基材上に、貫通孔を有する膜を形成する膜の製造方法。基板に、ＴＦＴ，絶縁膜および有機ＥＬ素子を順に形成する工程を含み、絶縁膜を形成する工程において、ペースト充填用の凹部を有すると共に凹部内に凸部を有し、凸部の上面に撥液性領域を有する凹版を用い、凹部に充填されたペーストを基材に転写することにより、基材上に、貫通孔を有する膜を形成する表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、層間絶縁膜などの形成に好適な膜の製造方法、およびこの方法を用いた表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
トランジスタ素子を有するアクティブマトリクス基板上には、集積度を高めるために多層配線構造が多用されている。この多層配線構造においては、配線を電気的に接続するためのビアホールを有する層間絶縁膜が用いられている。近年、層間絶縁膜としては、酸化シリコン膜に代わり、低誘電率（約２．２〜４．０）の有機絶縁膜が広く用いられている。
【０００３】
層間絶縁膜の、従来における一般的な製造方法としては、絶縁膜上にフォトレジストを塗布し、露光、現像、エッチングを行ってパターンを形成する方法、あるいは、材料選定に制限はあるが、感光性材料を用い、露光、現像を行ってパターンを形成する方法等が挙げられる。しかし、フォトリソグラフィ技術を用いる層間絶縁膜の製造方法は、工程数が多く、コスト的に不利である。
【０００４】
そこで、印刷技術、中でも特にコスト的に有利であるスクリーン印刷法を用いることによって、貫通孔を有する絶縁膜を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１〜４参照。）。
【０００５】
スクリーン印刷は、印刷の不要な個所に乳剤を形成したスクリーンメッシュにインクを載せて、スキージで擦ることによってインクを転写する印刷方法であり、工程数を低減でき、材料の使用効率が高いという利点が期待されている。スクリーン印刷は、簡易な手法でファインパターンの形成が可能な印刷方法であり、近年、タッチパネルや太陽電池等の配線工程にも用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−１４７７８１号公報
【特許文献２】特開２００２−２７３９９９号公報
【特許文献３】特開２００７−９５７８３号公報
【特許文献４】特開２００８−１４７６１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、スクリーン印刷は、上述したように、非吐出領域（印刷しない部分）に乳剤を形成したメッシュを介しての印刷方法であるので、微小な非吐出領域を残す印刷には適さないという問題があった。特に、層間絶縁膜のようにドット状の非吐出領域を形成する場合、従来の手法では１００μｍ径の非吐出領域が印刷の限界とされていた。
【０００８】
この問題を解決するために、特許文献３，４に記載されているように、印刷工程を２工程に分け、工程数が少なく平易な方法で、貫通孔を有する層間絶縁膜を形成する方法が提案されている。しかしながら、スクリーン印刷法では、スクリーン版と基板の距離をある程度有し、かつ、スキージの角度、圧力、速度等の複数のパラメーターの影響を受けるため、５０μｍ四方、あるいはφ５０μｍ以下の貫通孔を有する層間絶縁膜を形成することは困難であった。
【０００９】
本開示の目的は、微細な貫通孔を有する膜を形成することが可能な膜の製造方法、およびこの方法を用いた表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本開示による膜の製造方法は、ペースト充填用の凹部を有すると共に凹部内に凸部を有し、凸部の上面に撥液性領域を有する凹版を用い、凹部に充填されたペーストを基材に転写することにより、基材上に、貫通孔を有する膜を形成するものである。
【００１１】
本開示による表示装置の製造方法は、基板に、ＴＦＴ，絶縁膜および表示素子を順に形成する工程を含み、絶縁膜を形成する工程を、上記本開示による膜の製造方法により行うようにしたものである。
【発明の効果】
【００１２】
本開示の膜の製造方法、または本開示の表示装置の製造方法によれば、凸部の上面に撥液性領域を設けるようにしたので、凹版上の過剰なペーストをブレードで掻き取る際に、掻き取りをマイルドに行っても凸部の上面にペーストが残りにくくなる。よって、微細な貫通孔を有する膜を形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本開示の第１の実施の形態に係る膜の製造方法に用いる凹版の構成を表す上面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線における断面図である。
【図３】図１に示した凹版を用いた膜の製造方法を工程順に表す図である。
【図４】図３に続く工程を表す図である。
【図５】変形例１に係る凹版の構成を表す断面図である。
【図６】変形例２に係る凹版およびこの凹版を用いた膜の製造方法を表す図である。
【図７】変形例３に係る凹版およびこの凹版を用いた膜の製造方法を表す図である。
【図８】本開示の第２の実施の形態に係る凹版の構成を表す断面図である。
【図９】本開示の膜の製造方法により製造される表示装置の構成を表す図である。
【図１０】図９に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図１１】図９に示した表示領域の構成を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（凹版が平版である例）
２．変形例１（凸部の高さが凹部の深さに等しい例）
３．変形例２（凹版が円筒版である例）
４．変形例３（ブランケットを中継せず、凹部に充填されたペーストを、基材に直接転写する例）
５．第２の実施の形態（凸部の高さが凹部の深さよりも小さく、凸部の上面に撥液性領域を有しない例）
６．適用例（表示装置）
【００１５】
（第１の実施の形態）
図１は、本開示の第１の実施の形態に係る膜の製造方法に用いられる凹版の平面構成を表したものであり、図２は、この凹版の断面構成を表したものである。この凹版１は、グラビアオフセット印刷法による層間絶縁膜の形成工程に用いられるものである。グラビアオフセット印刷法とは、凹版１内にブレードを用いてペーストを充填し、ブランケットと呼ばれる樹脂、またはゴム製の媒介物を介して基材（被印刷体）に印刷する手法である。
【００１６】
凹版１は、凹版本体１Ａの中央部にペースト充填用の凹部１Ｂを有する平版である。凹部１Ｂ内には、複数の凸部（柱）１Ｃが周期的に配置されている。この凸部１Ｃの上面には撥液性領域１Ｄが設けられている。これにより、この凹版１を用いた膜の製造方法では、微細な貫通孔を有する膜を形成することが可能となっている。
【００１７】
凹版１の構成は、各工程で印刷する領域の形状と、使用するペーストの粘度や固形分比率等に応じて、適宜選択することができる。凹版１の材料は、例えば、ガラス，石英，金属，樹脂，各種セラミックス等、ブレードの摺動に対して十分な耐久性を有する材料であれば何ら限定されることはない。また、機械的強度を向上させるため、あるいは印刷性を向上させるため、ＤＬＣ（Diamond like Carbon）等のコーティングまたは各種表面処理が施されていてもよい。
【００１８】
凹部１Ｂは、膜の材料となるペーストを受容するためのものであり、凹部１Ｂの深さＤによって膜の厚みが決定される。
【００１９】
凸部１Ｃは、膜に貫通孔を形成するためのものであり、その形状には特に制限はなく、四角形、円形等とすることが可能である。具体的には、凸部１Ｃは、例えば一辺１０μｍの正方形の形状を有する微細な柱である。この場合、基材やペーストの種類にもよるが、一辺５μｍ〜１５μｍ程度の貫通孔を形成することが可能である。凸部１Ｃの寸法は貫通孔の寸法を決定するものであり、必要とされる設計値に応じた任意の寸法を用いることができる。凸部１Ｃの間隔や数も、同様に用いるデバイスの設計値にあわせて任意に設定可能であり、何ら制限されるものではない。
【００２０】
凸部１Ｃの高さＨは、凹部１Ｂの深さＤより小さいことが好ましい。これは、印刷時に凹部１Ｂ内に充填されるペーストを掻き取る際、掻き取りに用いられるブレードが凸部１Ｃと接触し、凸部１Ｃを破損させることを回避するためである。具体的には、凸部１Ｃの高さＨは、凹部１Ｂの深さに対して９０％程度の高さであることが好ましい。９５％以上になるとブレードとの接触により凸部１Ｃが破損する可能性が高まる。一方、６０％以下になると凸部１Ｃ上にペーストが残存する確率が高まり、貫通孔形成の歩留まりが著しく低下する。このため、凸部１Ｃの高さＨは、凹部１Ｂの深さＤの９５％以下７０％以上であることが望ましい。
【００２１】
凸部１Ｃの上面には、上述したように撥液性領域１Ｄが設けられている。これは、凸部１Ｃの上面にペーストが残存しないようにするためである。凸部１Ｃの上面が親液性の場合、凸部１Ｃの上面にペーストが残存し、得られる膜に貫通孔を形成することができない。凸部１Ｃの上面に撥液性領域１Ｄを設けることにより、物理的にペーストを掻き取らなくても、凸部１Ｃの上面の撥液性領域１Ｄがペーストを化学的にはじき、凸部１Ｃの上面にペーストが残存しないようにすることが可能となる。
【００２２】
具体的には、凸部１Ｃの上面の撥液性領域１Ｄは、各種表面処理が施されているか、あるいは凸部１Ｃの上面にミクロな凹凸が設けられて比表面積が増加していることにより、化学的に撥液性を示すようになっている。簡便には、撥液性領域１Ｄは、例えばフッ素の表面コーティング剤等により被覆されることにより撥液性が付与されている。
【００２３】
図３および図４は、この凹版１を用いたグラビアオフセット印刷法による膜の製造方法を工程順に表したものである。
【００２４】
この膜の製造方法では、図３（Ａ）に示したように、凹版１と、凹版１を載置するためのステージ（図示せず），ブレード２Ａおよびブランケット２Ｂを有するグラビアオフセット印刷機とを用いる。グラビアオフセット印刷機としては、従来公知のものを用いることが可能である。また、グラビアオフセット印刷機は、ブレード角度、圧力、ステージ速度、ブランケット胴回転速度等を自在に設定可能であることが必要であり、ステージの動作精度が５μｍ未満であることが望ましい。
【００２５】
まず、図３（Ａ）に示したように、凹部１Ｂにペースト３を供給し、過剰なペースト３をブレード２Ａで掻き取る。このとき、凸部１Ｃの上面に撥液性領域１Ｄが設けられているので、凹版１上の過剰なペースト３をブレード２Ａで掻き取る際に、掻き取りをマイルドに（弱く）行っても凸部１Ｃの上面にペースト３が残りにくくなる。
【００２６】
また、凸部１Ｃの高さＨが凹部１Ｂの深さＤよりも小さいので、凹版１上の過剰なペースト３をブレード２Ａで掻き取っても、凸部１Ｃを破損しにくくなる。よって、極めて微細な凸部１Ｃであっても破損のおそれが小さくなり、微細な貫通孔を有する膜を形成することが可能となる。
【００２７】
一方、同じく図３（Ａ）に示したように、凹版１上でブランケット２Ｂを矢印Ｒ方向に回転させる。これにより、凹部１Ｂに充填されたペースト３がブランケット２Ｂの表面に受理される。
【００２８】
次いで、図３（Ｂ）に示したように、ブランケット２Ｂ上のペースト３を基材４Ａに転写する。これにより、図３（Ｂ）および図４に示したように、基材４Ａ上に、貫通孔４Ｂを有する膜４Ｃが形成される。
【００２９】
ペースト３および膜４Ｃを構成する有機材料としては、例えば、ポリビニルアルコール、セルロース系ポリマー、シリコンポリマー、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリアミド、高分子量ポリエーテル、ポリビニルブチラール、メタクリル酸エステル重合体、アクリル酸エステル重合体、ブチルメタクリレート樹脂等のポリマー材料が挙げられ、二種以上併用してもよい。また、膜４Ｃの機械特性、電気特性、化学特性等を向上させるため、熱あるいは紫外線硬化させてもよい。
【００３０】
印刷性向上や電気特性向上を目的に、樹脂内に粒子を含有させてもよい。粒子は、膜中で粒子として存在することができれば、有機粒子及び無機粒子のいずれであってもよいが、粒度を制御しやすく、溶剤中で分散させることが可能であることから、無機粒子が好ましい。無機粒子の材料としては、シリカ（ＳｉＯ2 ）、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）等が挙げられるが、中でも、シリカ、アルミナ、酸化亜鉛等の比較的比誘電率の低い材料が好ましい。また、メソポーラスシリカのように、構造中にメソ孔あるいはマイクロ孔を有する多孔質粒子であってもよい。
【００３１】
このような膜４Ｃを形成する際には、有機材料及び粒子を溶剤と混合し、必要に応じて、分散剤、可塑剤、粘度調整剤等を添加した絶縁ペーストを用いることができる。有機材料と粒子の混合比率は、特に制限されず、形成するパターンに応じて、最適な物性のペーストとなるように適宜調整することが可能であるが、膜４Ｃの柔軟性を確保するためには、有機材料が多いことが好ましい。具体的には、膜４Ｃに対する有機材料の体積比は、４０％以上であることが好ましく、５０％以上であれば更に好ましい。これにより、可撓性を有する基板上であっても対応可能な膜４Ｃを形成することが可能となる。
【００３２】
このように本実施の形態では、凸部１Ｃの上面に撥液性領域１Ｄを設けるようにしたので、凹版１上の過剰なペースト３をブレード２Ａで掻き取る際に、掻き取りをマイルドに行っても凸部１Ｃの上面にペースト３が残りにくくなる。よって、微細な貫通孔４Ｂを有する膜４Ｃを形成することが可能となる。また、グラビアオフセット方式を用いることにより、工程数が少なく、簡易な方法で、微細かつ均一な貫通孔４Ｂを有する膜４Ｃを形成することが可能となる。また、高い重ね合わせ精度を有する印刷が可能となり、微細かつ高集積化に対応すべく、デバイス作製に応用可能である。
【００３３】
特に、凸部１Ｃの高さＨを凹部１Ｂの深さＤよりも小さくするようにしたので、凹版１上の過剰なペースト３をブレード２Ａで掻き取っても、凸部１Ｃを破損しにくくなる。よって、極めて微細な凸部１Ｃであっても破損のおそれが小さくなり、微細な貫通孔４Ｂを有する膜４Ｃを形成することが可能となる。
【００３４】
（変形例１）
なお、上記実施の形態では、凸部１Ｃの高さＨが凹部１Ｂの深さＤより小さい場合について説明したが、図５に示したように、凸部１Ｃの高さＨは、凹部１Ｂの深さＤに等しくてもよい。
【００３５】
（変形例２）
また、上記実施の形態では、凹版１が平版である場合について説明したが、図６に示したように、凹版１を円筒版とすることにより量産性を更に向上させることも可能である。
【００３６】
（変形例３）
更に、上記実施の形態では、凹部１Ｂに充填されたペースト３を、ブランケット２Ｂを介して基材４Ａに転写する場合について説明した。しかしながら、ブランケット２Ｂを用いず、図７に示したように、円筒版の凹版１を用い、凹部１Ｂに充填されたペースト３を、基材４Ａに直接転写するようにすることも可能である。
【００３７】
（第２の実施の形態）
図８は、本開示の第２の実施の形態に係る膜の製造方法に用いられる凹版の断面構成を表したものである。この凹版１は、凸部１Ｃの上面に撥液性領域１Ｄを設けないことを除いては、第１の実施の形態の凹版１と同一の構成を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
【００３８】
凸部１Ｃの高さＨは、第１の実施の形態と同様に、凹部１Ｂの深さＤより小さい。これは、印刷時に凹部１Ｂ内に充填されるペースト３を掻き取る際、掻き取りに用いられるブレードが凸部１Ｃと接触し、凸部１Ｃを破損させることを防ぐためである。具体的には、凸部１Ｃの高さＨは、凹部１Ｂの深さに対して９０％程度の高さであることが好ましい。９５％以上になるとブレードとの接触により凸部１Ｃが破損する可能性が高まる。一方、６０％以下になると凸部１Ｃ上にペースト３が残存する確率が高まり、貫通孔４Ｂ形成の歩留まりが著しく低下する。このため、凸部１Ｃの高さＨは、凹部１Ｂの深さＤの９５％以下７０％以上であることが望ましい。
【００３９】
この凹版１は、第１の実施の形態と同様にして、グラビアオフセット印刷法による膜の製造方法に用いられる。その際、凸部１Ｃの高さＨが凹部１Ｂの深さＤよりも小さいので、凹版１上の過剰なペースト３をブレード２Ａで掻き取っても、凸部１Ｃを破損しにくくなる。よって、極めて微細な凸部１Ｃであっても破損のおそれが小さくなり、微細な貫通孔４Ｂを有する膜４Ｃを形成することが可能となる。
【００４０】
このように本実施の形態では、凸部１Ｃの高さＨを凹部１Ｂの深さＤよりも小さくするようにしたので、凹版１上の過剰なペースト３をブレード２Ａで掻き取っても、凸部１Ｃを破損しにくくなる。よって、極めて微細な凸部１Ｃであっても破損のおそれが小さくなり、微細な貫通孔４Ｂを有する膜４Ｃを形成することが可能となる。
【００４１】
なお、本実施の形態は、変形例２のように凹版１が円筒版である場合にも適用可能である。
【００４２】
（適用例）
本実施の形態に係る膜の製造方法は、例えば、図９ないし図１１に示した表示装置の製造に用いることが可能である。この表示装置は、有機ＥＬテレビジョン装置などに用いられるものであり、図９に示したように、ガラスなどの基板１１の上に、後述する複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が設けられたものである。表示領域１１０の周辺には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。
【００４３】
表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が設けられている。図１０は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。この画素駆動回路１４０は、後述する第１電極２０の下層に設けられたアクティブ型の駆動回路である。画素駆動回路１４０は、例えば、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、キャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂとを有している。キャパシタＣｓの一方の電極は駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２の間に接続され、他方の電極は駆動トランジスタＴｒ１および有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂとの間に接続されている。
【００４４】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（副画素）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００４５】
図１１は、図９に示した表示領域１１０の断面構成を表したものである。基板１１上には、上述した画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１としてのＴＦＴ１２，第１絶縁膜１３，および有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが基板１１側からこの順に設けられている。有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、必要に応じて、窒化シリコン（ＳｉＮ）などの保護膜（図示せず）により覆われている。保護膜の上には、ガラス等の封止用基板が、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂などの接着層により貼り合わせられている。
【００４６】
ＴＦＴ１２は、画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１を構成するものであり、例えば、基板１１上に、モリブデン（Ｍｏ）よりなるゲート電極１２Ａ，窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等よりなるゲート絶縁膜１２Ｂ，非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）よりなる半導体膜１２Ｃ，窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等よりなるチャネル保護膜１２Ｄ，層間絶縁膜１２Ｅ，アルミニウム（Ａｌ）等よりなる配線１２Ｆがこの順に積層されたボトムゲート型（逆スタガ型）のＴＦＴである。なお、図１０に示した書き込みトランジスタＴｒ２も、ＴＦＴ１２と同様の構成を有している。ＴＦＴ１２は、酸化物半導体または有機半導体（半導体の性質を示す有機材料）よりなる半導体膜を備えたものであることも可能である。
【００４７】
第１絶縁膜１３は、上記膜の製造方法により形成された貫通孔４Ｂを有する膜４Ｃにより構成されている。貫通孔４Ｂは、ＴＦＴ１２のドレインと有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第１電極（下部電極）とを接続するための接続孔としての機能を有している。
【００４８】
積層構造を有するトランジスタにおいては、高集積化が進むほど第１電極（下部電極）との高い重ね合わせ精度を要求されるが、従来のスクリーン印刷法では３０μｍ以下の重ね合わせ精度を実現することは困難であった。これに対して、本実施の形態では、第１絶縁膜１３が、上記膜の製造方法により形成されているので、一辺が１０μｍ程度の微細な貫通孔４Ｂを設けることが可能となる。
【００４９】
有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、第１絶縁膜１３の上に設けられ、基板１１の側から、第１電極２１，第２絶縁膜２２，発光層を含む有機層２３，および第２電極２４がこの順に積層された構成を有している。
【００５０】
第１電極２１は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対応して形成されている。第１電極２１は、例えば、厚みが２０ｎｍ程度のチタン（Ｔｉ）層と、厚みが１００ｎｍ程度のアルミニウム（Ａｌ）合金層とを基板１１側からこの順に積層した構成を有し、発光層で発生した光を第２電極７０側から取り出すようになっている（トップエミッション）。なお、第１電極２０の構成材料としては、アルミニウム（Ａｌ）またはその合金のほか、金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金よりなる反射電極が挙げられる。また、第１電極２１は、第１絶縁膜１３すなわち膜４Ｃの貫通孔４Ｂ内にも延在し、ＴＦＴ１２のドレイン配線に接続されている。
【００５１】
第２絶縁膜２２は、第１電極２１と第２電極２４との絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするためのものであり、例えば、厚みが１μｍ程度であり、シリコン酸化物またはポリイミドなどの感光性樹脂により構成されている。第２絶縁膜２２には、発光領域に対応して開口部２２Ａが設けられている。なお、有機層２３および第２電極２４は、第２絶縁膜２２の上にも連続して設けられているが、発光が生じるのは第２絶縁膜２２の開口部２２Ａだけである。
【００５２】
有機層２３は、例えば、第１電極２１の側から順に、正孔注入層，正孔輸送層，発光層，電子輸送層および電子注入層を積層した構成を有するが、これらのうち発光層以外の層は必要に応じて設ければよい。また、有機層２３は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。正孔注入層は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。電子注入層は、例えば厚みが０．３ｎｍ程度であり、ＬｉＦ，Ｌｉ２ Ｏなどにより構成されている。
【００５３】
有機ＥＬ素子１０Ｒの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）により構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｒの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｒの赤色発光層は、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、９，１０−ジ−（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）に２，６≡ビス［４´≡メトキシジフェニルアミノ）スチリル］≡１，５≡ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｒの電子輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、８≡ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３ ）により構成されている。
【００５４】
有機ＥＬ素子１０Ｇの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｇの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｇの緑色発光層は、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＡＤＮにクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を５体積％混合したものにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｇの電子輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ３ により構成されている。
【００５５】
有機ＥＬ素子１０Ｂの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｂの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｂの青色発光層は、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＡＤＮに４，４´≡ビス［２≡｛４≡（Ｎ，Ｎ≡ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｂの電子輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ３ により構成されている。
【００５６】
第２電極２４は、有機層２３の上面に、表示領域１１０の全体にわたり複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通に設けられている。第２電極２４は、例えば、第１電極２１の側から順に、厚みが約０．３ｎｍでありフッ化リチウム（ＬｉＦ）よりなる第１層と、厚みが３ｎｍでありカルシウム（Ｃａ）よりなる第２層と、厚みが５ｎｍでありＭｇ−Ａｇ合金よりなる第３層とを積層した構成を有している。第２電極２４は、表示領域１１０の外側の領域で、図示しない補助配線に接続されている。この補助配線は、表示領域１１０を囲む枠状の導電膜により構成されている。
【００５７】
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。
【００５８】
まず、上述した材料よりなる基板１１にＴＦＴ１２を形成し、画素駆動回路１４０を形成する。次いで、画素駆動回路１４０を形成した基板１１を基材４Ａとして、上述した膜の製造方法により、貫通孔４Ｂを有する膜４Ｃを形成する。これにより、第１絶縁膜１３が形成される。
【００５９】
続いて、例えばスパッタリング法によりチタン（Ｔｉ）膜およびアルミニウム（Ａｌ）合金膜を形成し、例えばフォトリソグラフィ法およびドライエッチングにより所定の形状に成形する。これにより、表示領域１１０内に、チタン層とアルミニウム合金層とを積層した第１電極２１が形成される。
【００６０】
そののち、第１電極２１が設けられた基板１１にポリイミド等の感光性絶縁材料を塗布し、フォトリソグラフィによる露光および現像を行う。これにより、開口部２２Ａを有する第２絶縁膜２２を形成する
【００６１】
続いて、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる有機層２３および第２電極２４を形成する。これにより、図１１に示した有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される
【００６２】
そののち、必要に応じて、例えばＣＶＤ法またはスパッタ法により、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に上述した材料よりなる保護膜（図示せず）を形成する。また、カラーフィルタ等を形成した封止用基板（図示せず）を用意し、この封止用基板を、保護膜の上に、接着層（図示せず）により貼り合わせる。以上により、図９ないし図１１に示した表示装置が完成する。
【００６３】
この表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、各有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄｓが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第２電極２４，保護膜，接着層，カラーフィルタおよび封止用基板（第２電極２４以外はいずれも図示せず）を透過して（トップエミッション）取り出される。
【実施例】
【００６４】
以下、本発明の具体的な実施例について説明する。
【００６５】
（実施例１）
第１の実施の形態と同様にして膜を作製した。その際、凹版１として、石英よりなる凹版本体１Ａに、深さＤが１０μｍの凹部１Ｂを有するものを用いた。凹部１Ｂ内には貫通孔を形成するための凸部１Ｃを、縦横１５０μｍの間隔で配置した。凸部１Ｃの形状は、一辺１０μｍの正方形、高さＨを９μｍとし、その上面１Ｄはフッ素樹脂（デュポン株式会社製「テフロン（登録商標）」）コーティングにより撥水性を持たせた（図１および図２参照。）。
【００６６】
ペースト３としては、ポリビニルアルコール樹脂をエチレングリコールモノブチルエーテルとα−テルピネオールとの混合溶媒に溶解させ、比表面積が５０ｍ2 ／ｇの酸化アルミニウム（アルミナ）フィラーを添加して粘度を約１５０Ｐａ・秒に調整したペーストを用いた。
【００６７】
このペースト３を、形成したい貫通孔の位置合わせを施した上で、凹版１の凹部１Ｂ内にブレード２Ａを用いて充填した。このペースト３が充填された凹版１を、ロール状のブランケット２Ｂへ押し付け、ペースト３をブランケット２Ｂ上に受理させた（図３（Ａ）参照。）。
【００６８】
続いて、貫通孔を基材４Ａと位置合わせし、ブランケット２Ｂ上のペースト３を基材４Ａに転写した（図３（Ｂ）参照。）。これにより、一辺約１２μｍでやや丸みを帯びた貫通孔４Ｂを複数有する膜４Ｃが形成された（図４参照。）。そののち、１００℃のオーブンで３０分間、膜４Ｃを乾燥させた。
【００６９】
（実施例２）
凸部１Ｃの高さＨを８μｍとした以外は、実施例１と同様にして膜を作製した。その結果、実測値で一辺１５μｍのやや丸みを帯びた正方形の形状を有する貫通孔４Ｂを複数有する膜４Ｃが形成された。
【００７０】
（実施例３）
凸部１Ｃの高さＨを７μｍとした以外は、実施例１と同様にして膜を作製した。その結果、実測値で一辺１２μｍのやや丸みを帯びた正方形の形状を有する貫通孔４Ｂを複数有する膜４Ｃが形成された。
【００７１】
（実施例４）
凸部１Ｃの形状を一辺１５μｍとした以外は、実施例１と同様にして膜を作製した。その結果、実測値で一辺１５μｍのやや丸みを帯びた正方形の形状を有する貫通孔４Ｂを複数有する膜４Ｃが形成された。
【００７２】
（実施例５）
凸部１Ｃの上面１Ｄをアモルファスフッ素樹脂（旭硝子株式会社製「ＣＹＴＯＰ（登録商標）」）を用いて表面処理することにより撥水性を持たせた以外は、実施例１と同様にして膜を作製した。その結果、実測値で一辺１２μｍのやや丸みを帯びた正方形の形状を有する貫通孔４Ｂを複数有する膜４Ｃが形成された。
【００７３】
（実施例６）
凸部１Ｃの高さを１０μｍとした以外は、実施例１と同様にして膜を作製した。その結果、ブレード２Ａにてペースト３を掻き取る際、凸部１Ｃの一部が破損し、一部に貫通孔４Ｂが形成されない膜４Ｃとなった。
【００７４】
（実施例７）
凸部１Ｃの高さを５μｍとした以外は、実施例１と同様にして膜を作製した。その結果、凸部１Ｃの上のペースト３が除去されず、一部に貫通孔４Ｂが形成されない膜４Ｃとなった。
【００７５】
（比較例１）
凸部の上面に撥液性処理を施さなかった以外は、実施例１と同様にして膜を作製した。その結果、ブレードにてペーストを掻き取る際、凸部の一部が破損した。また、凸部の上のペーストが除去されず、一部に貫通孔が形成されない膜となった。
【００７６】
（評価）
実施例１，４から分かるように、凸部１Ｃを一辺１０μｍの正方形とした実施例１では、貫通孔４Ｂの寸法は一辺１２μｍ、凸部１Ｃを一辺１５μｍの正方形とした実施例４では、貫通孔４Ｂの寸法は一辺１５μｍとなり、上記第１の実施の形態の膜の製造方法により微細な貫通孔４Ｂを形成することが可能となることが確認された。
【００７７】
また、実施例１，５と比較例１との比較から、凸部１Ｃの上面１Ｄが撥液性を有する実施例１，５では、凸部の上面に撥液性処理を施さなかった比較例１に比べて、貫通孔４Ｂが良好に形成されていた。これは、実施例１，５では、凹版１上の過剰なペースト３をブレード２Ａで掻き取る際に、掻き取りをマイルドに行っても凸部１Ｃの上面１Ｄにペースト３が残りにくくなったからであると考えられる。すなわち、凸部１Ｃの上面１Ｄが撥液性を有するようにすれば、微細な貫通孔４Ｂを有する膜４Ｃを形成することが可能となることが分かった。
【００７８】
更に、実施例６と比較例１とを比較すると、実施例６および比較例１ではいずれも凸部の高さが高いので、凸部の一部が破損し、一部に貫通孔が形成されない膜となった。しかしながら、実施例６では、ペースト３の掻き取りをマイルドに行うことで、凸部１Ｃの破損を少なくすると共に比較例１よりも良好な膜４Ｃを形成することができた。これに対して、比較例１では、凸部の破損を少なくするためにペーストの掻き取りをマイルドに行うと、凸部の上のペーストを除去できず、貫通孔を形成することができなくなった。すなわち、凸部１Ｃの上面１Ｄが撥液性を有するようにすれば、凸部１Ｃの破損を抑え、膜４Ｃを良好に形成することが可能となることが分かった。
【００７９】
また、実施例１〜３と実施例６，７との比較から、凸部１Ｃの高さＨを９μｍ，８μｍまたは７μｍとした実施例１，２，３では、１０μｍまたは５μｍとした実施例６，７よりも貫通孔４Ｂが良好に形成されていた。すなわち、凸部１Ｃの高さＨを凹部１Ｂの深さＤの７０％以上９０％以下とすれば、凸部１Ｃの破損を抑え、微細な貫通孔４Ｂを良好に形成することが可能となることが分かった。
【００８０】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態および実施例に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、本開示の膜の製造方法を、有機ＥＬ素子を備えた表示装置の製造方法に適用した場合について説明した。しかしながら、本開示の膜の製造方法は、無機ＥＬ素子，液晶素子などの他の表示素子を備えた表示装置の製造方法にも適用可能である。
【００８１】
例えば、上記実施の形態では、発光層で発生した光を第２電極２４側から取り出す場合（トップエミッション）を例として説明したが、発光層で発生した光を基板１１側から取り出すことも可能である（ボトムエミッション）。この場合には、カラーフィルタは基板１１上に設けることが可能である。また、ボトムエミッションの場合には、第１電極２１は、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ），ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）（登録商標），またはＳｎＯ2などの透明電極により構成され、第２電極２４は、金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ），アルミニウム（Ａｌ），モリブデン（Ｍｏ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金よりなる反射電極により構成されている。また、第２電極２４は、上述した反射電極と透明電極との複合膜により構成されていてもよい。
【００８２】
加えて、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００８３】
なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
ペースト充填用の凹部を有すると共に前記凹部内に凸部を有し、前記凸部の上面に撥液性領域を有する凹版を用い、
前記凹部に充填されたペーストを基材に転写することにより、前記基材上に、貫通孔を有する膜を形成する
膜の製造方法。
（２）
前記凸部の高さは、前記凹部の深さよりも小さい
前記（１）記載の膜の製造方法。
（３）
前記凹部に充填されたペーストを、前記基材に直接転写する
前記（１）または（２）記載の膜の製造方法。
（４）
前記凹部に充填されたペーストを、ブランケットを介して前記基材に転写する
前記（１）または（２）記載の膜の製造方法。
（５）
前記凹版は平版である
前記（１）ないし（４）のいずれか１項に記載の膜の製造方法。
（６）
前記凹版は円筒版である
前記（１）ないし（４）のいずれか１項に記載の膜の製造方法。
（７）
基板に、ＴＦＴ，絶縁膜および表示素子を順に形成する工程を含み、
前記絶縁膜を形成する工程において、
ペースト充填用の凹部を有すると共に前記凹部内に凸部を有し、前記凸部の上面に撥液性領域を有する凹版を用い、
前記凹部に充填されたペーストを基材に転写することにより、前記基材上に、貫通孔を有する膜を形成する
表示装置の製造方法。
【符号の説明】
【００８４】
１…凹版、１Ａ…凹版本体、１Ｂ…凹部、１Ｃ…凸部、１Ｄ…上面、２Ａ…ブレード、２Ｂ…ブランケット、３…ペースト、４Ａ…基材、４Ｂ…貫通孔、４Ｃ…膜、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機ＥＬ素子、１１…基板、１２…ＴＦＴ、１３…第１絶縁膜、２１…第１電極、２２…第２絶縁膜、２３…有機層、２４…第２電極、１１０…表示領域、１２０…信号線駆動回路、１３０…走査線駆動回路、１４０…画素駆動回路、Ｔｒ１，Ｔｒ２…トランジスタ。
【技術分野】
【０００１】
本開示は、層間絶縁膜などの形成に好適な膜の製造方法、およびこの方法を用いた表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
トランジスタ素子を有するアクティブマトリクス基板上には、集積度を高めるために多層配線構造が多用されている。この多層配線構造においては、配線を電気的に接続するためのビアホールを有する層間絶縁膜が用いられている。近年、層間絶縁膜としては、酸化シリコン膜に代わり、低誘電率（約２．２〜４．０）の有機絶縁膜が広く用いられている。
【０００３】
層間絶縁膜の、従来における一般的な製造方法としては、絶縁膜上にフォトレジストを塗布し、露光、現像、エッチングを行ってパターンを形成する方法、あるいは、材料選定に制限はあるが、感光性材料を用い、露光、現像を行ってパターンを形成する方法等が挙げられる。しかし、フォトリソグラフィ技術を用いる層間絶縁膜の製造方法は、工程数が多く、コスト的に不利である。
【０００４】
そこで、印刷技術、中でも特にコスト的に有利であるスクリーン印刷法を用いることによって、貫通孔を有する絶縁膜を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１〜４参照。）。
【０００５】
スクリーン印刷は、印刷の不要な個所に乳剤を形成したスクリーンメッシュにインクを載せて、スキージで擦ることによってインクを転写する印刷方法であり、工程数を低減でき、材料の使用効率が高いという利点が期待されている。スクリーン印刷は、簡易な手法でファインパターンの形成が可能な印刷方法であり、近年、タッチパネルや太陽電池等の配線工程にも用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−１４７７８１号公報
【特許文献２】特開２００２−２７３９９９号公報
【特許文献３】特開２００７−９５７８３号公報
【特許文献４】特開２００８−１４７６１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、スクリーン印刷は、上述したように、非吐出領域（印刷しない部分）に乳剤を形成したメッシュを介しての印刷方法であるので、微小な非吐出領域を残す印刷には適さないという問題があった。特に、層間絶縁膜のようにドット状の非吐出領域を形成する場合、従来の手法では１００μｍ径の非吐出領域が印刷の限界とされていた。
【０００８】
この問題を解決するために、特許文献３，４に記載されているように、印刷工程を２工程に分け、工程数が少なく平易な方法で、貫通孔を有する層間絶縁膜を形成する方法が提案されている。しかしながら、スクリーン印刷法では、スクリーン版と基板の距離をある程度有し、かつ、スキージの角度、圧力、速度等の複数のパラメーターの影響を受けるため、５０μｍ四方、あるいはφ５０μｍ以下の貫通孔を有する層間絶縁膜を形成することは困難であった。
【０００９】
本開示の目的は、微細な貫通孔を有する膜を形成することが可能な膜の製造方法、およびこの方法を用いた表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本開示による膜の製造方法は、ペースト充填用の凹部を有すると共に凹部内に凸部を有し、凸部の上面に撥液性領域を有する凹版を用い、凹部に充填されたペーストを基材に転写することにより、基材上に、貫通孔を有する膜を形成するものである。
【００１１】
本開示による表示装置の製造方法は、基板に、ＴＦＴ，絶縁膜および表示素子を順に形成する工程を含み、絶縁膜を形成する工程を、上記本開示による膜の製造方法により行うようにしたものである。
【発明の効果】
【００１２】
本開示の膜の製造方法、または本開示の表示装置の製造方法によれば、凸部の上面に撥液性領域を設けるようにしたので、凹版上の過剰なペーストをブレードで掻き取る際に、掻き取りをマイルドに行っても凸部の上面にペーストが残りにくくなる。よって、微細な貫通孔を有する膜を形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本開示の第１の実施の形態に係る膜の製造方法に用いる凹版の構成を表す上面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線における断面図である。
【図３】図１に示した凹版を用いた膜の製造方法を工程順に表す図である。
【図４】図３に続く工程を表す図である。
【図５】変形例１に係る凹版の構成を表す断面図である。
【図６】変形例２に係る凹版およびこの凹版を用いた膜の製造方法を表す図である。
【図７】変形例３に係る凹版およびこの凹版を用いた膜の製造方法を表す図である。
【図８】本開示の第２の実施の形態に係る凹版の構成を表す断面図である。
【図９】本開示の膜の製造方法により製造される表示装置の構成を表す図である。
【図１０】図９に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図１１】図９に示した表示領域の構成を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（凹版が平版である例）
２．変形例１（凸部の高さが凹部の深さに等しい例）
３．変形例２（凹版が円筒版である例）
４．変形例３（ブランケットを中継せず、凹部に充填されたペーストを、基材に直接転写する例）
５．第２の実施の形態（凸部の高さが凹部の深さよりも小さく、凸部の上面に撥液性領域を有しない例）
６．適用例（表示装置）
【００１５】
（第１の実施の形態）
図１は、本開示の第１の実施の形態に係る膜の製造方法に用いられる凹版の平面構成を表したものであり、図２は、この凹版の断面構成を表したものである。この凹版１は、グラビアオフセット印刷法による層間絶縁膜の形成工程に用いられるものである。グラビアオフセット印刷法とは、凹版１内にブレードを用いてペーストを充填し、ブランケットと呼ばれる樹脂、またはゴム製の媒介物を介して基材（被印刷体）に印刷する手法である。
【００１６】
凹版１は、凹版本体１Ａの中央部にペースト充填用の凹部１Ｂを有する平版である。凹部１Ｂ内には、複数の凸部（柱）１Ｃが周期的に配置されている。この凸部１Ｃの上面には撥液性領域１Ｄが設けられている。これにより、この凹版１を用いた膜の製造方法では、微細な貫通孔を有する膜を形成することが可能となっている。
【００１７】
凹版１の構成は、各工程で印刷する領域の形状と、使用するペーストの粘度や固形分比率等に応じて、適宜選択することができる。凹版１の材料は、例えば、ガラス，石英，金属，樹脂，各種セラミックス等、ブレードの摺動に対して十分な耐久性を有する材料であれば何ら限定されることはない。また、機械的強度を向上させるため、あるいは印刷性を向上させるため、ＤＬＣ（Diamond like Carbon）等のコーティングまたは各種表面処理が施されていてもよい。
【００１８】
凹部１Ｂは、膜の材料となるペーストを受容するためのものであり、凹部１Ｂの深さＤによって膜の厚みが決定される。
【００１９】
凸部１Ｃは、膜に貫通孔を形成するためのものであり、その形状には特に制限はなく、四角形、円形等とすることが可能である。具体的には、凸部１Ｃは、例えば一辺１０μｍの正方形の形状を有する微細な柱である。この場合、基材やペーストの種類にもよるが、一辺５μｍ〜１５μｍ程度の貫通孔を形成することが可能である。凸部１Ｃの寸法は貫通孔の寸法を決定するものであり、必要とされる設計値に応じた任意の寸法を用いることができる。凸部１Ｃの間隔や数も、同様に用いるデバイスの設計値にあわせて任意に設定可能であり、何ら制限されるものではない。
【００２０】
凸部１Ｃの高さＨは、凹部１Ｂの深さＤより小さいことが好ましい。これは、印刷時に凹部１Ｂ内に充填されるペーストを掻き取る際、掻き取りに用いられるブレードが凸部１Ｃと接触し、凸部１Ｃを破損させることを回避するためである。具体的には、凸部１Ｃの高さＨは、凹部１Ｂの深さに対して９０％程度の高さであることが好ましい。９５％以上になるとブレードとの接触により凸部１Ｃが破損する可能性が高まる。一方、６０％以下になると凸部１Ｃ上にペーストが残存する確率が高まり、貫通孔形成の歩留まりが著しく低下する。このため、凸部１Ｃの高さＨは、凹部１Ｂの深さＤの９５％以下７０％以上であることが望ましい。
【００２１】
凸部１Ｃの上面には、上述したように撥液性領域１Ｄが設けられている。これは、凸部１Ｃの上面にペーストが残存しないようにするためである。凸部１Ｃの上面が親液性の場合、凸部１Ｃの上面にペーストが残存し、得られる膜に貫通孔を形成することができない。凸部１Ｃの上面に撥液性領域１Ｄを設けることにより、物理的にペーストを掻き取らなくても、凸部１Ｃの上面の撥液性領域１Ｄがペーストを化学的にはじき、凸部１Ｃの上面にペーストが残存しないようにすることが可能となる。
【００２２】
具体的には、凸部１Ｃの上面の撥液性領域１Ｄは、各種表面処理が施されているか、あるいは凸部１Ｃの上面にミクロな凹凸が設けられて比表面積が増加していることにより、化学的に撥液性を示すようになっている。簡便には、撥液性領域１Ｄは、例えばフッ素の表面コーティング剤等により被覆されることにより撥液性が付与されている。
【００２３】
図３および図４は、この凹版１を用いたグラビアオフセット印刷法による膜の製造方法を工程順に表したものである。
【００２４】
この膜の製造方法では、図３（Ａ）に示したように、凹版１と、凹版１を載置するためのステージ（図示せず），ブレード２Ａおよびブランケット２Ｂを有するグラビアオフセット印刷機とを用いる。グラビアオフセット印刷機としては、従来公知のものを用いることが可能である。また、グラビアオフセット印刷機は、ブレード角度、圧力、ステージ速度、ブランケット胴回転速度等を自在に設定可能であることが必要であり、ステージの動作精度が５μｍ未満であることが望ましい。
【００２５】
まず、図３（Ａ）に示したように、凹部１Ｂにペースト３を供給し、過剰なペースト３をブレード２Ａで掻き取る。このとき、凸部１Ｃの上面に撥液性領域１Ｄが設けられているので、凹版１上の過剰なペースト３をブレード２Ａで掻き取る際に、掻き取りをマイルドに（弱く）行っても凸部１Ｃの上面にペースト３が残りにくくなる。
【００２６】
また、凸部１Ｃの高さＨが凹部１Ｂの深さＤよりも小さいので、凹版１上の過剰なペースト３をブレード２Ａで掻き取っても、凸部１Ｃを破損しにくくなる。よって、極めて微細な凸部１Ｃであっても破損のおそれが小さくなり、微細な貫通孔を有する膜を形成することが可能となる。
【００２７】
一方、同じく図３（Ａ）に示したように、凹版１上でブランケット２Ｂを矢印Ｒ方向に回転させる。これにより、凹部１Ｂに充填されたペースト３がブランケット２Ｂの表面に受理される。
【００２８】
次いで、図３（Ｂ）に示したように、ブランケット２Ｂ上のペースト３を基材４Ａに転写する。これにより、図３（Ｂ）および図４に示したように、基材４Ａ上に、貫通孔４Ｂを有する膜４Ｃが形成される。
【００２９】
ペースト３および膜４Ｃを構成する有機材料としては、例えば、ポリビニルアルコール、セルロース系ポリマー、シリコンポリマー、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリアミド、高分子量ポリエーテル、ポリビニルブチラール、メタクリル酸エステル重合体、アクリル酸エステル重合体、ブチルメタクリレート樹脂等のポリマー材料が挙げられ、二種以上併用してもよい。また、膜４Ｃの機械特性、電気特性、化学特性等を向上させるため、熱あるいは紫外線硬化させてもよい。
【００３０】
印刷性向上や電気特性向上を目的に、樹脂内に粒子を含有させてもよい。粒子は、膜中で粒子として存在することができれば、有機粒子及び無機粒子のいずれであってもよいが、粒度を制御しやすく、溶剤中で分散させることが可能であることから、無機粒子が好ましい。無機粒子の材料としては、シリカ（ＳｉＯ2 ）、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）等が挙げられるが、中でも、シリカ、アルミナ、酸化亜鉛等の比較的比誘電率の低い材料が好ましい。また、メソポーラスシリカのように、構造中にメソ孔あるいはマイクロ孔を有する多孔質粒子であってもよい。
【００３１】
このような膜４Ｃを形成する際には、有機材料及び粒子を溶剤と混合し、必要に応じて、分散剤、可塑剤、粘度調整剤等を添加した絶縁ペーストを用いることができる。有機材料と粒子の混合比率は、特に制限されず、形成するパターンに応じて、最適な物性のペーストとなるように適宜調整することが可能であるが、膜４Ｃの柔軟性を確保するためには、有機材料が多いことが好ましい。具体的には、膜４Ｃに対する有機材料の体積比は、４０％以上であることが好ましく、５０％以上であれば更に好ましい。これにより、可撓性を有する基板上であっても対応可能な膜４Ｃを形成することが可能となる。
【００３２】
このように本実施の形態では、凸部１Ｃの上面に撥液性領域１Ｄを設けるようにしたので、凹版１上の過剰なペースト３をブレード２Ａで掻き取る際に、掻き取りをマイルドに行っても凸部１Ｃの上面にペースト３が残りにくくなる。よって、微細な貫通孔４Ｂを有する膜４Ｃを形成することが可能となる。また、グラビアオフセット方式を用いることにより、工程数が少なく、簡易な方法で、微細かつ均一な貫通孔４Ｂを有する膜４Ｃを形成することが可能となる。また、高い重ね合わせ精度を有する印刷が可能となり、微細かつ高集積化に対応すべく、デバイス作製に応用可能である。
【００３３】
特に、凸部１Ｃの高さＨを凹部１Ｂの深さＤよりも小さくするようにしたので、凹版１上の過剰なペースト３をブレード２Ａで掻き取っても、凸部１Ｃを破損しにくくなる。よって、極めて微細な凸部１Ｃであっても破損のおそれが小さくなり、微細な貫通孔４Ｂを有する膜４Ｃを形成することが可能となる。
【００３４】
（変形例１）
なお、上記実施の形態では、凸部１Ｃの高さＨが凹部１Ｂの深さＤより小さい場合について説明したが、図５に示したように、凸部１Ｃの高さＨは、凹部１Ｂの深さＤに等しくてもよい。
【００３５】
（変形例２）
また、上記実施の形態では、凹版１が平版である場合について説明したが、図６に示したように、凹版１を円筒版とすることにより量産性を更に向上させることも可能である。
【００３６】
（変形例３）
更に、上記実施の形態では、凹部１Ｂに充填されたペースト３を、ブランケット２Ｂを介して基材４Ａに転写する場合について説明した。しかしながら、ブランケット２Ｂを用いず、図７に示したように、円筒版の凹版１を用い、凹部１Ｂに充填されたペースト３を、基材４Ａに直接転写するようにすることも可能である。
【００３７】
（第２の実施の形態）
図８は、本開示の第２の実施の形態に係る膜の製造方法に用いられる凹版の断面構成を表したものである。この凹版１は、凸部１Ｃの上面に撥液性領域１Ｄを設けないことを除いては、第１の実施の形態の凹版１と同一の構成を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
【００３８】
凸部１Ｃの高さＨは、第１の実施の形態と同様に、凹部１Ｂの深さＤより小さい。これは、印刷時に凹部１Ｂ内に充填されるペースト３を掻き取る際、掻き取りに用いられるブレードが凸部１Ｃと接触し、凸部１Ｃを破損させることを防ぐためである。具体的には、凸部１Ｃの高さＨは、凹部１Ｂの深さに対して９０％程度の高さであることが好ましい。９５％以上になるとブレードとの接触により凸部１Ｃが破損する可能性が高まる。一方、６０％以下になると凸部１Ｃ上にペースト３が残存する確率が高まり、貫通孔４Ｂ形成の歩留まりが著しく低下する。このため、凸部１Ｃの高さＨは、凹部１Ｂの深さＤの９５％以下７０％以上であることが望ましい。
【００３９】
この凹版１は、第１の実施の形態と同様にして、グラビアオフセット印刷法による膜の製造方法に用いられる。その際、凸部１Ｃの高さＨが凹部１Ｂの深さＤよりも小さいので、凹版１上の過剰なペースト３をブレード２Ａで掻き取っても、凸部１Ｃを破損しにくくなる。よって、極めて微細な凸部１Ｃであっても破損のおそれが小さくなり、微細な貫通孔４Ｂを有する膜４Ｃを形成することが可能となる。
【００４０】
このように本実施の形態では、凸部１Ｃの高さＨを凹部１Ｂの深さＤよりも小さくするようにしたので、凹版１上の過剰なペースト３をブレード２Ａで掻き取っても、凸部１Ｃを破損しにくくなる。よって、極めて微細な凸部１Ｃであっても破損のおそれが小さくなり、微細な貫通孔４Ｂを有する膜４Ｃを形成することが可能となる。
【００４１】
なお、本実施の形態は、変形例２のように凹版１が円筒版である場合にも適用可能である。
【００４２】
（適用例）
本実施の形態に係る膜の製造方法は、例えば、図９ないし図１１に示した表示装置の製造に用いることが可能である。この表示装置は、有機ＥＬテレビジョン装置などに用いられるものであり、図９に示したように、ガラスなどの基板１１の上に、後述する複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が設けられたものである。表示領域１１０の周辺には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。
【００４３】
表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が設けられている。図１０は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。この画素駆動回路１４０は、後述する第１電極２０の下層に設けられたアクティブ型の駆動回路である。画素駆動回路１４０は、例えば、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、キャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂとを有している。キャパシタＣｓの一方の電極は駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２の間に接続され、他方の電極は駆動トランジスタＴｒ１および有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂとの間に接続されている。
【００４４】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（副画素）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００４５】
図１１は、図９に示した表示領域１１０の断面構成を表したものである。基板１１上には、上述した画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１としてのＴＦＴ１２，第１絶縁膜１３，および有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが基板１１側からこの順に設けられている。有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、必要に応じて、窒化シリコン（ＳｉＮ）などの保護膜（図示せず）により覆われている。保護膜の上には、ガラス等の封止用基板が、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂などの接着層により貼り合わせられている。
【００４６】
ＴＦＴ１２は、画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１を構成するものであり、例えば、基板１１上に、モリブデン（Ｍｏ）よりなるゲート電極１２Ａ，窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等よりなるゲート絶縁膜１２Ｂ，非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）よりなる半導体膜１２Ｃ，窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等よりなるチャネル保護膜１２Ｄ，層間絶縁膜１２Ｅ，アルミニウム（Ａｌ）等よりなる配線１２Ｆがこの順に積層されたボトムゲート型（逆スタガ型）のＴＦＴである。なお、図１０に示した書き込みトランジスタＴｒ２も、ＴＦＴ１２と同様の構成を有している。ＴＦＴ１２は、酸化物半導体または有機半導体（半導体の性質を示す有機材料）よりなる半導体膜を備えたものであることも可能である。
【００４７】
第１絶縁膜１３は、上記膜の製造方法により形成された貫通孔４Ｂを有する膜４Ｃにより構成されている。貫通孔４Ｂは、ＴＦＴ１２のドレインと有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第１電極（下部電極）とを接続するための接続孔としての機能を有している。
【００４８】
積層構造を有するトランジスタにおいては、高集積化が進むほど第１電極（下部電極）との高い重ね合わせ精度を要求されるが、従来のスクリーン印刷法では３０μｍ以下の重ね合わせ精度を実現することは困難であった。これに対して、本実施の形態では、第１絶縁膜１３が、上記膜の製造方法により形成されているので、一辺が１０μｍ程度の微細な貫通孔４Ｂを設けることが可能となる。
【００４９】
有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、第１絶縁膜１３の上に設けられ、基板１１の側から、第１電極２１，第２絶縁膜２２，発光層を含む有機層２３，および第２電極２４がこの順に積層された構成を有している。
【００５０】
第１電極２１は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対応して形成されている。第１電極２１は、例えば、厚みが２０ｎｍ程度のチタン（Ｔｉ）層と、厚みが１００ｎｍ程度のアルミニウム（Ａｌ）合金層とを基板１１側からこの順に積層した構成を有し、発光層で発生した光を第２電極７０側から取り出すようになっている（トップエミッション）。なお、第１電極２０の構成材料としては、アルミニウム（Ａｌ）またはその合金のほか、金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金よりなる反射電極が挙げられる。また、第１電極２１は、第１絶縁膜１３すなわち膜４Ｃの貫通孔４Ｂ内にも延在し、ＴＦＴ１２のドレイン配線に接続されている。
【００５１】
第２絶縁膜２２は、第１電極２１と第２電極２４との絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするためのものであり、例えば、厚みが１μｍ程度であり、シリコン酸化物またはポリイミドなどの感光性樹脂により構成されている。第２絶縁膜２２には、発光領域に対応して開口部２２Ａが設けられている。なお、有機層２３および第２電極２４は、第２絶縁膜２２の上にも連続して設けられているが、発光が生じるのは第２絶縁膜２２の開口部２２Ａだけである。
【００５２】
有機層２３は、例えば、第１電極２１の側から順に、正孔注入層，正孔輸送層，発光層，電子輸送層および電子注入層を積層した構成を有するが、これらのうち発光層以外の層は必要に応じて設ければよい。また、有機層２３は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。正孔注入層は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。電子注入層は、例えば厚みが０．３ｎｍ程度であり、ＬｉＦ，Ｌｉ２ Ｏなどにより構成されている。
【００５３】
有機ＥＬ素子１０Ｒの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）により構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｒの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｒの赤色発光層は、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、９，１０−ジ−（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）に２，６≡ビス［４´≡メトキシジフェニルアミノ）スチリル］≡１，５≡ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｒの電子輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、８≡ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３ ）により構成されている。
【００５４】
有機ＥＬ素子１０Ｇの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｇの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｇの緑色発光層は、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＡＤＮにクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を５体積％混合したものにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｇの電子輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ３ により構成されている。
【００５５】
有機ＥＬ素子１０Ｂの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｂの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｂの青色発光層は、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＡＤＮに４，４´≡ビス［２≡｛４≡（Ｎ，Ｎ≡ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｂの電子輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ３ により構成されている。
【００５６】
第２電極２４は、有機層２３の上面に、表示領域１１０の全体にわたり複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通に設けられている。第２電極２４は、例えば、第１電極２１の側から順に、厚みが約０．３ｎｍでありフッ化リチウム（ＬｉＦ）よりなる第１層と、厚みが３ｎｍでありカルシウム（Ｃａ）よりなる第２層と、厚みが５ｎｍでありＭｇ−Ａｇ合金よりなる第３層とを積層した構成を有している。第２電極２４は、表示領域１１０の外側の領域で、図示しない補助配線に接続されている。この補助配線は、表示領域１１０を囲む枠状の導電膜により構成されている。
【００５７】
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。
【００５８】
まず、上述した材料よりなる基板１１にＴＦＴ１２を形成し、画素駆動回路１４０を形成する。次いで、画素駆動回路１４０を形成した基板１１を基材４Ａとして、上述した膜の製造方法により、貫通孔４Ｂを有する膜４Ｃを形成する。これにより、第１絶縁膜１３が形成される。
【００５９】
続いて、例えばスパッタリング法によりチタン（Ｔｉ）膜およびアルミニウム（Ａｌ）合金膜を形成し、例えばフォトリソグラフィ法およびドライエッチングにより所定の形状に成形する。これにより、表示領域１１０内に、チタン層とアルミニウム合金層とを積層した第１電極２１が形成される。
【００６０】
そののち、第１電極２１が設けられた基板１１にポリイミド等の感光性絶縁材料を塗布し、フォトリソグラフィによる露光および現像を行う。これにより、開口部２２Ａを有する第２絶縁膜２２を形成する
【００６１】
続いて、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる有機層２３および第２電極２４を形成する。これにより、図１１に示した有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される
【００６２】
そののち、必要に応じて、例えばＣＶＤ法またはスパッタ法により、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に上述した材料よりなる保護膜（図示せず）を形成する。また、カラーフィルタ等を形成した封止用基板（図示せず）を用意し、この封止用基板を、保護膜の上に、接着層（図示せず）により貼り合わせる。以上により、図９ないし図１１に示した表示装置が完成する。
【００６３】
この表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、各有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄｓが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第２電極２４，保護膜，接着層，カラーフィルタおよび封止用基板（第２電極２４以外はいずれも図示せず）を透過して（トップエミッション）取り出される。
【実施例】
【００６４】
以下、本発明の具体的な実施例について説明する。
【００６５】
（実施例１）
第１の実施の形態と同様にして膜を作製した。その際、凹版１として、石英よりなる凹版本体１Ａに、深さＤが１０μｍの凹部１Ｂを有するものを用いた。凹部１Ｂ内には貫通孔を形成するための凸部１Ｃを、縦横１５０μｍの間隔で配置した。凸部１Ｃの形状は、一辺１０μｍの正方形、高さＨを９μｍとし、その上面１Ｄはフッ素樹脂（デュポン株式会社製「テフロン（登録商標）」）コーティングにより撥水性を持たせた（図１および図２参照。）。
【００６６】
ペースト３としては、ポリビニルアルコール樹脂をエチレングリコールモノブチルエーテルとα−テルピネオールとの混合溶媒に溶解させ、比表面積が５０ｍ2 ／ｇの酸化アルミニウム（アルミナ）フィラーを添加して粘度を約１５０Ｐａ・秒に調整したペーストを用いた。
【００６７】
このペースト３を、形成したい貫通孔の位置合わせを施した上で、凹版１の凹部１Ｂ内にブレード２Ａを用いて充填した。このペースト３が充填された凹版１を、ロール状のブランケット２Ｂへ押し付け、ペースト３をブランケット２Ｂ上に受理させた（図３（Ａ）参照。）。
【００６８】
続いて、貫通孔を基材４Ａと位置合わせし、ブランケット２Ｂ上のペースト３を基材４Ａに転写した（図３（Ｂ）参照。）。これにより、一辺約１２μｍでやや丸みを帯びた貫通孔４Ｂを複数有する膜４Ｃが形成された（図４参照。）。そののち、１００℃のオーブンで３０分間、膜４Ｃを乾燥させた。
【００６９】
（実施例２）
凸部１Ｃの高さＨを８μｍとした以外は、実施例１と同様にして膜を作製した。その結果、実測値で一辺１５μｍのやや丸みを帯びた正方形の形状を有する貫通孔４Ｂを複数有する膜４Ｃが形成された。
【００７０】
（実施例３）
凸部１Ｃの高さＨを７μｍとした以外は、実施例１と同様にして膜を作製した。その結果、実測値で一辺１２μｍのやや丸みを帯びた正方形の形状を有する貫通孔４Ｂを複数有する膜４Ｃが形成された。
【００７１】
（実施例４）
凸部１Ｃの形状を一辺１５μｍとした以外は、実施例１と同様にして膜を作製した。その結果、実測値で一辺１５μｍのやや丸みを帯びた正方形の形状を有する貫通孔４Ｂを複数有する膜４Ｃが形成された。
【００７２】
（実施例５）
凸部１Ｃの上面１Ｄをアモルファスフッ素樹脂（旭硝子株式会社製「ＣＹＴＯＰ（登録商標）」）を用いて表面処理することにより撥水性を持たせた以外は、実施例１と同様にして膜を作製した。その結果、実測値で一辺１２μｍのやや丸みを帯びた正方形の形状を有する貫通孔４Ｂを複数有する膜４Ｃが形成された。
【００７３】
（実施例６）
凸部１Ｃの高さを１０μｍとした以外は、実施例１と同様にして膜を作製した。その結果、ブレード２Ａにてペースト３を掻き取る際、凸部１Ｃの一部が破損し、一部に貫通孔４Ｂが形成されない膜４Ｃとなった。
【００７４】
（実施例７）
凸部１Ｃの高さを５μｍとした以外は、実施例１と同様にして膜を作製した。その結果、凸部１Ｃの上のペースト３が除去されず、一部に貫通孔４Ｂが形成されない膜４Ｃとなった。
【００７５】
（比較例１）
凸部の上面に撥液性処理を施さなかった以外は、実施例１と同様にして膜を作製した。その結果、ブレードにてペーストを掻き取る際、凸部の一部が破損した。また、凸部の上のペーストが除去されず、一部に貫通孔が形成されない膜となった。
【００７６】
（評価）
実施例１，４から分かるように、凸部１Ｃを一辺１０μｍの正方形とした実施例１では、貫通孔４Ｂの寸法は一辺１２μｍ、凸部１Ｃを一辺１５μｍの正方形とした実施例４では、貫通孔４Ｂの寸法は一辺１５μｍとなり、上記第１の実施の形態の膜の製造方法により微細な貫通孔４Ｂを形成することが可能となることが確認された。
【００７７】
また、実施例１，５と比較例１との比較から、凸部１Ｃの上面１Ｄが撥液性を有する実施例１，５では、凸部の上面に撥液性処理を施さなかった比較例１に比べて、貫通孔４Ｂが良好に形成されていた。これは、実施例１，５では、凹版１上の過剰なペースト３をブレード２Ａで掻き取る際に、掻き取りをマイルドに行っても凸部１Ｃの上面１Ｄにペースト３が残りにくくなったからであると考えられる。すなわち、凸部１Ｃの上面１Ｄが撥液性を有するようにすれば、微細な貫通孔４Ｂを有する膜４Ｃを形成することが可能となることが分かった。
【００７８】
更に、実施例６と比較例１とを比較すると、実施例６および比較例１ではいずれも凸部の高さが高いので、凸部の一部が破損し、一部に貫通孔が形成されない膜となった。しかしながら、実施例６では、ペースト３の掻き取りをマイルドに行うことで、凸部１Ｃの破損を少なくすると共に比較例１よりも良好な膜４Ｃを形成することができた。これに対して、比較例１では、凸部の破損を少なくするためにペーストの掻き取りをマイルドに行うと、凸部の上のペーストを除去できず、貫通孔を形成することができなくなった。すなわち、凸部１Ｃの上面１Ｄが撥液性を有するようにすれば、凸部１Ｃの破損を抑え、膜４Ｃを良好に形成することが可能となることが分かった。
【００７９】
また、実施例１〜３と実施例６，７との比較から、凸部１Ｃの高さＨを９μｍ，８μｍまたは７μｍとした実施例１，２，３では、１０μｍまたは５μｍとした実施例６，７よりも貫通孔４Ｂが良好に形成されていた。すなわち、凸部１Ｃの高さＨを凹部１Ｂの深さＤの７０％以上９０％以下とすれば、凸部１Ｃの破損を抑え、微細な貫通孔４Ｂを良好に形成することが可能となることが分かった。
【００８０】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態および実施例に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、本開示の膜の製造方法を、有機ＥＬ素子を備えた表示装置の製造方法に適用した場合について説明した。しかしながら、本開示の膜の製造方法は、無機ＥＬ素子，液晶素子などの他の表示素子を備えた表示装置の製造方法にも適用可能である。
【００８１】
例えば、上記実施の形態では、発光層で発生した光を第２電極２４側から取り出す場合（トップエミッション）を例として説明したが、発光層で発生した光を基板１１側から取り出すことも可能である（ボトムエミッション）。この場合には、カラーフィルタは基板１１上に設けることが可能である。また、ボトムエミッションの場合には、第１電極２１は、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ），ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）（登録商標），またはＳｎＯ2などの透明電極により構成され、第２電極２４は、金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ），アルミニウム（Ａｌ），モリブデン（Ｍｏ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金よりなる反射電極により構成されている。また、第２電極２４は、上述した反射電極と透明電極との複合膜により構成されていてもよい。
【００８２】
加えて、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００８３】
なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
ペースト充填用の凹部を有すると共に前記凹部内に凸部を有し、前記凸部の上面に撥液性領域を有する凹版を用い、
前記凹部に充填されたペーストを基材に転写することにより、前記基材上に、貫通孔を有する膜を形成する
膜の製造方法。
（２）
前記凸部の高さは、前記凹部の深さよりも小さい
前記（１）記載の膜の製造方法。
（３）
前記凹部に充填されたペーストを、前記基材に直接転写する
前記（１）または（２）記載の膜の製造方法。
（４）
前記凹部に充填されたペーストを、ブランケットを介して前記基材に転写する
前記（１）または（２）記載の膜の製造方法。
（５）
前記凹版は平版である
前記（１）ないし（４）のいずれか１項に記載の膜の製造方法。
（６）
前記凹版は円筒版である
前記（１）ないし（４）のいずれか１項に記載の膜の製造方法。
（７）
基板に、ＴＦＴ，絶縁膜および表示素子を順に形成する工程を含み、
前記絶縁膜を形成する工程において、
ペースト充填用の凹部を有すると共に前記凹部内に凸部を有し、前記凸部の上面に撥液性領域を有する凹版を用い、
前記凹部に充填されたペーストを基材に転写することにより、前記基材上に、貫通孔を有する膜を形成する
表示装置の製造方法。
【符号の説明】
【００８４】
１…凹版、１Ａ…凹版本体、１Ｂ…凹部、１Ｃ…凸部、１Ｄ…上面、２Ａ…ブレード、２Ｂ…ブランケット、３…ペースト、４Ａ…基材、４Ｂ…貫通孔、４Ｃ…膜、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機ＥＬ素子、１１…基板、１２…ＴＦＴ、１３…第１絶縁膜、２１…第１電極、２２…第２絶縁膜、２３…有機層、２４…第２電極、１１０…表示領域、１２０…信号線駆動回路、１３０…走査線駆動回路、１４０…画素駆動回路、Ｔｒ１，Ｔｒ２…トランジスタ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペースト充填用の凹部を有すると共に前記凹部内に凸部を有し、前記凸部の上面に撥液性領域を有する凹版を用い、
前記凹部に充填されたペーストを基材に転写することにより、前記基材上に、貫通孔を有する膜を形成する
膜の製造方法。
【請求項２】
前記凸部の高さは、前記凹部の深さよりも小さい
請求項１記載の膜の製造方法。
【請求項３】
前記凹部に充填されたペーストを、前記基材に直接転写する
請求項１記載の膜の製造方法。
【請求項４】
前記凹部に充填されたペーストを、ブランケットを介して前記基材に転写する
請求項１記載の膜の製造方法。
【請求項５】
前記凹版は平版である
請求項１記載の膜の製造方法。
【請求項６】
前記凹版は円筒版である
請求項１記載の膜の製造方法。
【請求項７】
基板に、ＴＦＴ，絶縁膜および表示素子を順に形成する工程を含み、
前記絶縁膜を形成する工程において、
ペースト充填用の凹部を有すると共に前記凹部内に凸部を有し、前記凸部の上面に撥液性領域を有する凹版を用い、
前記凹部に充填されたペーストを基材に転写することにより、前記基材上に、貫通孔を有する膜を形成する
表示装置の製造方法。
【請求項１】
ペースト充填用の凹部を有すると共に前記凹部内に凸部を有し、前記凸部の上面に撥液性領域を有する凹版を用い、
前記凹部に充填されたペーストを基材に転写することにより、前記基材上に、貫通孔を有する膜を形成する
膜の製造方法。
【請求項２】
前記凸部の高さは、前記凹部の深さよりも小さい
請求項１記載の膜の製造方法。
【請求項３】
前記凹部に充填されたペーストを、前記基材に直接転写する
請求項１記載の膜の製造方法。
【請求項４】
前記凹部に充填されたペーストを、ブランケットを介して前記基材に転写する
請求項１記載の膜の製造方法。
【請求項５】
前記凹版は平版である
請求項１記載の膜の製造方法。
【請求項６】
前記凹版は円筒版である
請求項１記載の膜の製造方法。
【請求項７】
基板に、ＴＦＴ，絶縁膜および表示素子を順に形成する工程を含み、
前記絶縁膜を形成する工程において、
ペースト充填用の凹部を有すると共に前記凹部内に凸部を有し、前記凸部の上面に撥液性領域を有する凹版を用い、
前記凹部に充填されたペーストを基材に転写することにより、前記基材上に、貫通孔を有する膜を形成する
表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１２−２４３９４９（Ｐ２０１２−２４３９４９Ａ）
【公開日】平成２４年１２月１０日（２０１２．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１１２５６９（Ｐ２０１１−１１２５６９）
【出願日】平成２３年５月１９日（２０１１．５．１９）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１２月１０日（２０１２．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年５月１９日（２０１１．５．１９）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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