薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置
【課題】バッキングコイルを備えることなくＷＡＴＥの改善効果が高められるようにする。
【解決手段】薄膜磁気ヘッド３００は主磁極層２６と、ライトシールド層６０と、ギャップ層２９と、薄膜コイル５１とが基板１上に積層された構成を有している。また、薄膜磁気ヘッド３００はリターン磁極層４７と、接続磁性層４０とを有している。リターン磁極層４７は、ＡＢＳ３０から離れた位置に形成されている。接続磁性層４０は、リターン磁極層４７をライトシールド層６０に接続するように、磁性材を用いて形成されている。薄膜コイル５１の平面渦巻き状に巻回されている部分が主磁極層２６よりも基板１から離れた位置にだけ配置されている。
【解決手段】薄膜磁気ヘッド３００は主磁極層２６と、ライトシールド層６０と、ギャップ層２９と、薄膜コイル５１とが基板１上に積層された構成を有している。また、薄膜磁気ヘッド３００はリターン磁極層４７と、接続磁性層４０とを有している。リターン磁極層４７は、ＡＢＳ３０から離れた位置に形成されている。接続磁性層４０は、リターン磁極層４７をライトシールド層６０に接続するように、磁性材を用いて形成されている。薄膜コイル５１の平面渦巻き状に巻回されている部分が主磁極層２６よりも基板１から離れた位置にだけ配置されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置は、大容量の記録容量を備え、ストレージ装置の中心として広く用いられている。ハードディスク装置は、薄膜磁気ヘッドによってハードディスク（記録媒体）に対するデータの記録再生を行う。
【０００３】
薄膜磁気ヘッドは、記録方式により大別すると、長手磁気記録方式と垂直磁気記録方式とに分けることができる。長手磁気記録方式はハードディスク（記録媒体）の記録面内（長手）方向にデータを記録する方式であり、垂直磁気記録方式はハードディスクに形成する記録磁化の向きを記録面の垂直方向に形成してデータを記録する方式である。このうち、垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドは長手磁気記録方式に比べて格段に高い記録密度を実現できる上に、記録済のハードディスクが熱揺らぎの影響を受けにくいので、長手磁気記録方式よりも有望視されている。
【０００４】
ところで、従来、垂直磁気記録方式の磁気ヘッド（perpendicular
magnetic recording head：以下「ＰＭＲ」ともいう）は、磁極層と薄膜コイルとを有し、磁極層に薄膜コイルを巻き回した電磁石の構造を有している。
【０００５】
従来のＰＭＲは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、主磁極層の内部を通る磁界を発生する薄膜コイルと、連結部を介して主磁極層に連結されているリターン磁極層とを有している。
【０００６】
ところで、従来のＰＭＲには、隣接トラック消去（ＡＴＥ）および広域トラック消去（ＷＡＴＥ，Wide Area Track Erasure）とよばれる課題があった。ＰＭＲでは、記録媒体の半径方向の位置に応じ、トラックの接線に対してＰＭＲが傾きを生じる。この傾きはスキューと呼ばれる。スキューが発生する場合、データが記録されるトラックに隣接しているトラックに記録されているデータが記録磁界に起因した磁束によって消去されることがあり、この現象を隣接トラック消去（ＡＴＥ）という。
【０００７】
また、データの書き込みを行うトラックから数μｍ〜数十μｍ程度離れた位置に配置されているトラックに記録されているデータを消去してしまう現象がＷＡＴＥである。ＷＡＴＥは、主磁極層から放出された後、リターン磁極層に還流してきた磁束の一部が再生ヘッドに形成されているシールド層を通って媒体対向面から放出されることに起因している。
【０００８】
そして、ＡＴＥを改善する技術として、従来例えば、主磁極層の媒体対向面側の形状を、下側よりも上側の幅が大きくなるような逆テーパ状にして、ＡＴＥが起きないようにしたことが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
また、ＷＡＴＥを改善する技術として、記録磁界を発生する薄膜コイルに加えてバッキングコイルを設けることが知られていた（例えば、特許文献２、特許文献３、特許文献４、特許文献５参照）。バッキングコイルを設けたＰＭＲでは、バッキングコイルを流れる電流によって、シールド層を通る磁束の磁気的な作用を弱め得る磁束が生成される。この磁束が生成されることによって、ＷＡＴＥが改善される。
【００１０】
そして、バッキングコイルを備えたＰＭＲとして、従来の例えば図２６に示すＰＭＲ６００があった。ＰＭＲ６００は、記録磁界を発生する主磁極層６０１と、主磁極層６０１に接合されているヨーク層６０２と、媒体対向面（以下「ＡＢＳ」ともいう）６０３内において主磁極層６０１に接合されている第１のライトシールド層６０４と、ＡＢＳ６０３において第１のライトシールド層６０４に接合されている第２のライトシールド層６０５と、第２のライトシールド層６０５の周りに巻回された薄膜コイル６０６と、バックギャップ連結部６０７を介して主磁極層６０１に接合されているシールド磁極層６０８と、バックギャップ連結部６０７の回りに巻回されているバッキングコイル６０９とを有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００４−１７１７６２号公報
【特許文献２】特開２００６−３２３９３２号公報
【特許文献３】特開２００７−１２１０８号公報
【特許文献４】特開２００９−２５２３４３号公報
【特許文献５】特開２０１０−２８２７１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
前述した従来のＰＭＲ６００では、ＡＢＳ６０３内において第１のライトシールド層６０４が主磁極層６０１の近傍に配置されている。そのため、主磁極層６０１から放出された磁束は記録媒体を磁化した後、第１のライトシールド層６０４に取り込まれる。その磁束は第１のライトシールド層６０４から第２のライトシールド層６０５に流れるが、その一部がバックギャップ連結部６０７を通り、磁束ｈ６０５となってシールド磁極層６０８をＡＢＳ６０３に向かって通る。ＰＭＲ６００では、この磁束ｈ６０５の磁気的な作用を弱め得る磁束ｈ６０９がバッキングコイル６０９を流れる電流により生成されることによってＷＡＴＥの改善効果が得られる。
【００１３】
しかしながら、ＰＭＲ６００には、バッキングコイル６０９に起因した次のような課題があった。
一般に、磁束に関しては、磁束の保存則が成立することが知られている。すなわち、磁束密度を表わす磁束線は、連続的な輪になり、途中で途切れたり、湧いたりすることがないことが知られている。すると、シールド磁極層６０８の内部では、磁束ｈ６０５の磁気的な作用と、磁束ｈ６０９の磁気的な作用とが互いに打ち消し合うが、その後も磁束ｈ６０９は消滅せずに主磁極層６０１に向かい、主磁極層６０１の内部をＡＢＳ６０３に向かって通る。そのため、薄膜コイル６０６に起因した磁束のほかに磁束ｈ６０９が主磁極層６０１を通ってＡＢＳ６０３に放出されるおそれがあり、このことで記録媒体に影響が及ぶおそれがあった。
【００１４】
また、ＰＭＲ６００では、バッキングコイル６０９を有するため、バッキングコイル６０９を形成するための工程が必要であり、その分、製造工程を簡略化することが困難であった。
【００１５】
さらに、バッキングコイル６０９を流れる電流により、バッキングコイル６０９が発熱するため、バッキングコイル６０９の周囲にある部材が膨張するおそれがあった。バッキングコイル６０９の周囲にある部材が膨張すると、ＡＢＳ６０３の一部が突出するおそれがある。そうすると、ＰＭＲ６００が記録媒体に接触し、破損しやすくなる。
【００１６】
このように、ＰＭＲ６００のような、バッキングコイルを備えることによってＷＡＴＥの改善効果を得ている従来のＰＭＲには、上述したような未解決の課題があった。
【００１７】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、垂直磁気記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置において、バッキングコイルを備えることなくＷＡＴＥの改善効果が高められるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記課題を解決するため、本発明は記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、ライトシールド層の主磁極層を挟んだ反対側において媒体対向面から離れた位置に形成されているリターン磁極層と、薄膜コイルよりも媒体対向面側においてリターン磁極層をライトシールド層に接続するようにして、磁性材を用いて形成された接続磁性層とを有し、薄膜コイルは、ライトシールド層の回りに平面渦巻き状に巻回され、かつその平面渦巻き状に巻回された部分が主磁極層よりも基板から離れた位置にだけ形成されている単層構造を有する薄膜磁気ヘッドを特徴とする。
【００１９】
上記薄膜磁気ヘッドの場合、接続磁性層を有するから、主磁極層から放出され、記録媒体に対して垂直な方向とは異なる方向に進む磁束がライトシールド層と接続磁性層とに分流して取り込まれる。そのため、薄膜コイルが単層構造でも、その接続磁性層に取り込まれる磁束によって、リターン磁極層を媒体対向面に向かって通る磁束の磁気的な作用が弱められる。
【００２０】
上記薄膜磁気ヘッドの場合、接続磁性層は、媒体対向面内においてライトシールド端面に接続されたシールド端面を有する前端シールド部を有し、ライトシールド端面およびシールド端面が磁極端面の全体を取り囲み、かつその磁極端面の近傍に配置されていることが好ましい。
【００２１】
上記薄膜磁気ヘッドでは、記録媒体に対して垂直な方向とは異なる方向の磁束が磁極端面から放出されたあと、記録媒体に対して影響を及ぼす前にライトシールド端面またはシールド端面を通りやすくなっている。
【００２２】
また、薄膜磁気ヘッドの場合、媒体対向面から離れた位置においてリターン磁極層と主磁極層とを連結する連結磁性層を更に有し、接続磁性層から、リターン磁極層および連結磁性層を通って主磁極層に達し、コイルが巻き回されていない磁気回路が形成されていることが好ましい。
【００２３】
この薄膜磁気ヘッドでは、接続磁性層に取り込まれる磁束がリターン磁極層および連結磁性層を通って主磁極層に戻りやすくなっている。
【００２４】
さらに、薄膜磁気ヘッドの場合、接続磁性層は、媒体対向面から離れた位置に配置され、かつリターン磁極層の主磁極層側の上面に接続されている後退接続部と、前端シールド部と後退接続部とを接続する中間接続部とを有することが好ましい。
【００２５】
また、中間接続部は、媒体対向面内においてシールド端面に接続されている中間シールド端面を有し、かつ後退接続部の主磁極層側の上面に接続されていることが好ましい。
【００２６】
さらに、中間接続部は、媒体対向面から後退接続部の媒体対向面から最も離れた後端部に達する奥行きを備えていることが好ましい。
【００２７】
また、上記薄膜磁気ヘッドでは、後退接続部の媒体対向面側に配置されている対向絶縁層を更に有するようにすることができる。
【００２８】
さらに、上記薄膜磁気ヘッドでは、前端シールド部は、媒体対向面に沿った方向の断面がＶ字状に形成されたＶ溝部を有し、そのＶ溝部の内側表面上に形成された非磁性薄膜を更に有し、その非磁性薄膜上に主磁極層が形成されていることが好ましい。
【００２９】
そして、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、以下の（１）から（５）までの各工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
（１）媒体対向面から離れた位置に配置されるようにリターン磁極層を形成するリターン磁極層形成工程
（２）リターン磁極層にそれぞれ接続される接続磁性層および連結磁性層を、その接続磁性層がその連結磁性層よりも媒体対向面側に配置され、かつ接続磁性層が媒体対向面内に配置されるシールド端面を有するように形成する磁性層形成工程
（３）接続磁性層および連結磁性層上に主磁極層を形成する主磁極層形成工程
（４）ライトシールド層の回りに平面渦巻き状に巻回され、かつその平面渦巻き状に巻回された部分が主磁極層よりも基板から離れた位置にだけ配置されている単層構造を有するようにして薄膜コイルを形成する薄膜コイル形成工程
（５）媒体対向面内においてシールド端面に接続されるライトシールド端面を有するように、ライトシールド層を形成するライトシールド層形成工程
【００３０】
上記製造方法の場合、接続磁性層が薄膜コイルよりも媒体対向面側に配置されるようにして磁性層形成工程を実行することが好ましい。
【００３１】
また、上記製造方法の場合、磁性層形成工程は、媒体対向面から離れた位置に配置され、かつリターン磁極層の主磁極層側の上面に接続される後退接続部と、シールド端面を有する前端シールド部と、その前端シールド部と後退接続部とを接続する中間接続部とを、後退接続部、中間接続部、前端シールド部の順にそれぞれ形成することによって接続磁性層を形成することが好ましい。
【００３２】
さらに、接続磁性層から、コイルを跨ぐことなくリターン磁極層および連結磁性層を通って主磁極層に達する磁気回路が形成されるようにして磁性層形成工程を実行することが好ましい。
【００３３】
また、磁性層形成工程において、媒体対向面から、媒体対向面から最も離れた後端部に達する奥行きを備えるようにして、中間接続部を形成することが好ましい。
【００３４】
そして、本発明は、基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、基台を固定するジンバルとを備え、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、ライトシールド層の主磁極層を挟んだ反対側において媒体対向面から離れた位置に形成されているリターン磁極層と、薄膜コイルよりも媒体対向面側においてリターン磁極層をライトシールド層に接続するようにして、磁性材を用いて形成された接続磁性層とを有し、薄膜コイルは、ライトシールド層の回りに平面渦巻き状に巻回され、かつその平面渦巻き状に巻回された部分が主磁極層よりも基板から離れた位置にだけ配置されている単層構造を有するヘッドジンバルアセンブリを提供する。
【００３５】
また、本発明は、薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、薄膜磁気ヘッドに対向する記録媒体とを備え、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、ライトシールド層の主磁極層を挟んだ反対側において媒体対向面から離れた位置に形成されているリターン磁極層と、薄膜コイルよりも媒体対向面側においてリターン磁極層をライトシールド層に接続するようにして、磁性材を用いて形成された接続磁性層とを有し、薄膜コイルは、ライトシールド層の回りに平面渦巻き状に巻回され、かつその平面渦巻き状に巻回された部分が主磁極層よりも基板から離れた位置にだけ配置されている単層構造を有するハードディスク装置を提供する。
【発明の効果】
【００３６】
以上詳述したように、本発明によれば、垂直磁気記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置において、バッキングコイルを備えることなくＷＡＴＥの改善効果が高められるようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面と交差する方向に沿った図２の１-１線断面図である。
【図２】薄膜磁気ヘッドのＡＢＳを示す正面図である。
【図３】主磁極層と前端シールド部を示す平面図である。
【図４】薄膜コイルを示す平面図である。
【図５】主磁極層、接続磁性層およびリターン磁極層を示す一部省略した斜視図である。
【図６】前端シールド部および対向シールド部の要部を示す正面図である。
【図７】主磁極層のＡＢＳ付近を示す一部省略した斜視図である。
【図８】図１の要部を示す断面図である。
【図９】図１に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す図１に対応した断面図である。
【図１０】図９の後続の工程を示す図１に対応した断面図である。
【図１１】図１０の後続の工程を示す図１に対応した断面図である。
【図１２】図１１の後続の工程を示す図１に対応した断面図である。
【図１３】図１２の後続の工程を示す図１に対応した断面図である。
【図１４】図１３の後続の工程を示す図１に対応した断面図である。
【図１５】図１４の後続の工程を示す図１に対応した断面図である。
【図１６】図１５の後続の工程を示す図１に対応した断面図である。
【図１７】図１６の後続の工程を示す図１に対応した断面図である。
【図１８】図１に示した薄膜磁気ヘッドの磁束の流れを模式的に示す図である。
【図１９】変形例に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面と交差する方向に沿った図１に対応した断面図である。
【図２０】別の変形例に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面と交差する方向に沿った図１に対応した断面図である。
【図２１】本発明に関連する薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面と交差する方向に沿った図１に対応した断面図である。
【図２２】記録対象となるセクタからのずれごとの符号誤り率の分布を示したグラフで、（ａ）は図１に示した薄膜磁気ヘッド、（ｂ）は図２０に示した薄膜磁気ヘッドのグラフである。
【図２３】記録対象となるセクタからのずれごとの符号誤り率の分布を示したグラフで、（ａ）は図１９に示した薄膜磁気ヘッド、（ｂ）は図２１に示した薄膜磁気ヘッドのグラフである。
【図２４】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを備えたハードディスク装置を示す斜視図である。
【図２５】ＨＧＡの裏面側を示す斜視図である。
【図２６】従来の薄膜磁気ヘッドの一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
第１の実施の形態
（薄膜磁気ヘッドの構造）
まず、図１〜図８を参照して本発明の第１の実施の形態に係る垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドの構造について説明する。ここで、図１は本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３００のエアベアリング面（以下「ＡＢＳ」という）と交差する方向に沿った図２の１-１線断面図、図２は薄膜磁気ヘッド３００のＡＢＳ３０を示す正面図である。図３は主磁極層２６と前端シールド部４３を示す平面図、図４は薄膜コイル５１を示す平面図である。図５は主磁極層２６、接続磁性層４０およびリターン磁極層４７を示す一部省略した斜視図である。図６は前端シールド部４３および対向シールド部６１の要部を示す正面図である。図７は主磁極層２６のＡＢＳ付近を示す一部省略した斜視図、図８は図１の要部を示す断面図である。
【００３９】
薄膜磁気ヘッド３００は、基板１と、基板１に積層された再生ヘッドおよび記録ヘッドを有し、記録媒体に対向する媒体対向面としてのＡＢＳ３０を有している。なお、以下では、薄膜磁気ヘッド３００の主要部の構造について説明し、主要部以外の部分の構造は後述する製造工程の中で説明する。
【００４０】
再生ヘッドは、ＡＢＳ３０の近傍に配置された磁気的信号検出用のＭＲ素子５を有している。また、再生ヘッドは、基板１上に形成されている絶縁層２と、磁性材料からなる下部シールド層３と、ＭＲ素子５をシールドしているシールドギャップ膜４とを有している。さらに、再生ヘッドは、シールドギャップ膜４の上に形成されている磁性材料からなる上部シールド層６と、上部シールド層６の上に形成されている絶縁層７とを有している。再生ヘッドは、記録ヘッドよりも基板１に近い位置に配置されている。
【００４１】
ＭＲ素子５は、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子、ＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子などの磁気抵抗効果を示す感磁膜によって構成されている。
【００４２】
上部シールド層６は中間に絶縁部６ｂを有している。また、絶縁部６ｂよりも下側に第１のシールド部６ａが形成され、上側に第２のシールド部６ｃが形成されている。
【００４３】
薄膜磁気ヘッド３００では、加熱部８が絶縁層２に形成されている。加熱部８はＤＦＨ（Dynamic
fly heater）とも呼ばれ、電流が流されることによって発熱し、その熱を上部シールド層６などに伝達させる機能を有している。また、感熱部９が絶縁層７に形成されている。感熱部９はＨＤＩ（Head Disk Interlayer）センサとも呼ばれる。感熱部９は上部シールド層６付近の熱（温度）を感知し、その感知した熱に応じて抵抗値が変化する素子を用いて形成されている。
【００４４】
そして、薄膜磁気ヘッド３００では、加熱部８によって上部シールド層６や下部シールド層３を加熱する。上部シールド層６や下部シールド層３は加熱部８から受けた熱によって体積が膨張する。その結果、上部シールド層６や下部シールド層３が図１には図示しない記録媒体に接触したとすると、上部シールド層６や下部シールド層３のＡＢＳ３０付近が摩擦によって熱を帯びる。薄膜磁気ヘッド３００ではこの摩擦熱に伴う感熱部９の抵抗値の変化を検出することによって、上部シールド層６や下部シールド層３が記録媒体に接触したかどうかの判定が行われる。また、その判定結果に応じて加熱部８に流れる電流値を制御しながらフライングハイトを制御している。スライダを記録媒体から浮上させる高さがフライングハイトである。
【００４５】
記録ヘッドは主磁極層２６と、ギャップ層２９と、接続磁性層４０と、リターン磁極層４７と、連結磁性層４９と、薄膜コイル５１と、ライトシールド層６０と、上部ヨーク層６５および保護絶縁層９０を有し、これらが基板１上に積層された構成を有している。
【００４６】
主磁極層２６は、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて形成されている。ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ等の強磁性体は透磁率(magnetic permeability)が高い。したがって、主磁極層２６は、磁束が透過しやすく、より多くの磁束が通る。そのため、記録磁界に応じたより強い磁束が主磁極層２６からＡＢＳ３０に向かって放出される。
【００４７】
主磁極層２６は、図２、図５、図７に示すように、ＡＢＳ３０側に磁極端面２６ａを有している。磁極端面２６ａは基板１側よりも薄膜コイル５１側の幅が広く、その幅が基板１に近づくにつれて漸次狭まるベベル形状に形成されている。磁極端面２６ａの薄膜コイル５１側の幅がトラック幅を規定している。トラック幅は例えば０．０６〜０．１２μｍ程度である。磁極端面２６ａはＡＢＳ３０内に配置されている。
【００４８】
主磁極層２６は図５に示すように磁極端面２６ａを有するトラック幅規定部と、幅広部と、拡幅部とを有している。トラック幅規定部はＡＢＳ３０からの距離に応じて変化しない一定の幅を有している。また、幅広部はトラック幅規定部よりもＡＢＳ３０から離れた位置に配置され、トラック幅規定部よりも幅広に形成されている。また、幅広部はトラック幅規定部との境界部分でトラック幅規定部と同じ大きさの幅を有するとともに、その幅がＡＢＳ３０から離れるにしたがい漸次広がっている。拡幅部は幅広部よりも大きい一定の幅を有している。本実施の形態では、磁極端面２６ａから、幅が大きくなり始めるまでの部分をトラック幅規定部としている。
【００４９】
また、図７、図８に示すように、主磁極層２６では、トラック幅規定部に、第１の上傾斜面２６ｂおよび第２の上傾斜面２６ｃと、第１の下傾斜面２６ｈおよび第２の下傾斜面２６ｅとが形成されている。
【００５０】
第１の上傾斜面２６ｂおよび第２の上傾斜面２６ｃはいずれもＡＢＳ３０から離れるにしたがい基板１から離れるような上り傾斜状に形成されている。ただし、ＡＢＳ３０の交差方向からみた第１の上傾斜面２６ｂの傾斜角度よりも第２の上傾斜面２６ｃの傾斜角度が大きくなっている。そのため、トラック幅規定部の上面が２段傾斜構造に形成されている。第１の上傾斜面２６ｂは磁極端面２６ａと、第２の上傾斜面２６ｃとに接続されている。第２の上傾斜面２６ｃは第１の上傾斜面２６ｂと、幅広部の上面２６ｄとに接続されている。
【００５１】
第１の下傾斜面２６ｈおよび第２の下傾斜面２６ｅはいずれもＡＢＳ３０から離れるにしたがい基板１に近づくような下り傾斜状に形成されている。ただし、ＡＢＳ３０の交差方向からみた第１の下傾斜面２６ｈの傾斜角度よりも第２の下傾斜面２６ｅの傾斜角度が大きくなっている。そのため、トラック幅規定部の下面も２段傾斜構造に形成されている。第１の下傾斜面２６ｈは磁極端面２６ａと、第２の下傾斜面２６ｅとに接続されている。第２の下傾斜面２６ｅは第１の下傾斜面２６ｈと、幅広部の下面２６ｆとに接続されている。
【００５２】
主磁極層２６には、上面２６ｄ上の、後述する対向シールド部６１と上部ヨーク層６５との間の部分に非磁性層２７，２８が積層されている。
【００５３】
なお、前述のトラック幅規定部におけるＡＢＳ３０からの長さをネックハイトという。ネックハイトは例えば０．０５〜０．３μｍ程度である。
【００５４】
ギャップ層２９は主磁極層２６の第１の上傾斜面２６ｂ、第２の上傾斜面２６ｃおよび上面２６ｄに沿って、対向シールド部６１および絶縁層３１と、主磁極層２６および非磁性層２７，２８との間に形成されている。ギャップ層２９は、第１の上傾斜面２６ｂ、第２の上傾斜面２６ｃおよび上面２６ｄを被覆するようにして形成されている。ギャップ層２９は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の非磁性の絶縁材やＲｕ，ＮｉＣｕ、Ｔａ等の非磁性導電材料を用いて形成されている。
【００５５】
続いて、接続磁性層４０について説明する。図１に示すように、接続磁性層４０は薄膜コイル５１よりもＡＢＳ３０側において、リターン磁極層４７をライトシールド層６０に接続するように形成されている。接続磁性層４０はＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて形成されている。接続磁性層４０は後退接続部４１と、中間接続部４２と、前端シールド部４３とを有している。
【００５６】
後退接続部４１は薄膜コイル５１よりもＡＢＳ３０側のＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている。また、後退接続部４１の下面がリターン磁極層４７の主磁極層２６側の上面４７ｂに接続され、主磁極層２６側の上面４１ｂが中間接続部４２に接続されている（図５参照）。さらに、後退接続部４１のＡＢＳ３０側に対向絶縁層１９が形成されている。図１１に示すように、対向絶縁層１９の上面は後退接続部４１の上面４１ｂと段差なく平坦に形成されている（上面４１ｂは図５参照）。
【００５７】
中間接続部４２は後退接続部４１と前端シールド部４３とを接続し、その両者の中間に配置されている。中間接続部４２は、後退接続部４１の上面４１ｂに接続され、その反対側が前端シールド部４３に接続されている。また、中間接続部４２はＡＢＳ３０から後退接続部４１の後端部４１ｒに達する奥行きを有している。後端部４１ｒは後退接続部４１のＡＢＳ３０から最も離れた部分である。そして、中間接続部４２は中間シールド端面４２ａを有している。中間シールド端面４２ａはＡＢＳ３０内に配置されている。中間シールド端面４２ａは後述するシールド端面４３ａに接続され、シールド端面４３ａと段差なく平坦に形成されている。
【００５８】
前端シールド部４３は、中間接続部４２の上面４２ｂに接続され、その反対側上面に非磁性薄膜２５が形成されている。前端シールド部４３は、シールド端面４３ａを有している。シールド端面４３ａはＡＢＳ３０内に配置されている。図６にも示すように、シールド端面４３ａの上側に後述するライトシールド端面６１ａが接続され、その反対側に中間シールド端面４２ａが接続されている。
【００５９】
また、前端シールド部４３は幅方向中間部分にＶ溝部４３ｃが形成されている。Ｖ溝部４３ｃはＡＢＳ３０に沿った方向の断面が概ねＶ字状に形成されている。その底部は主磁極層２６のトラック幅規定部の下面に応じた２段傾斜構造を有している。図６にも示すように、Ｖ溝部４３ｃの内側に後述する非磁性薄膜２５と、主磁極層２６のトラック幅規定部とが納められている。非磁性薄膜２５はＶ溝部４３ｃの内側表面上に形成されている。Ｖ溝部４３ｃの上側に、Ｖ溝部４３ｃを覆うようにしてギャップ層２９が形成されている。
【００６０】
さらに、前端シールド部４３は切欠部４３ｄを有している。切欠部４３ｄはＶ溝部４３ｃの後側に形成されている。切欠部４３ｄの内側に主磁極層２６の幅広部の一部が納められている。
【００６１】
リターン磁極層４７はライトシールド層６０の主磁極層２６を挟んだ反対側に配置されている。また、リターン磁極層４７はＡＢＳ３０から離れた位置に形成されている。そして、リターン磁極層４７の上面４７ｂの後述するターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃよりもＡＢＳ３０側に後退接続部４１が接続され、ターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃよりもＡＢＳ３０から離れた位置に後述する第１の連結磁性部４４が接続されている。
【００６２】
次に、連結磁性層４９について説明する。連結磁性層４９は、ターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃよりもＡＢＳ３０から離れた位置において、リターン磁極層４７と主磁極層２６とを連結している。連結磁性層４９は、第１の連結磁性部４４と、第２の連結磁性部４５と、第３の連結磁性部４６とを有している。第１の連結磁性部４４では、上面が後退接続部４１の上面４１ｂと段差なく平坦に形成されている。第２の連結磁性部４５は、第１の連結磁性部４４の上面に接続され、第３の連結磁性部４６は、第２の連結磁性部４５の上面に接続されている。
【００６３】
そして、薄膜磁気ヘッド３００では、薄膜コイル５１が後述する単層構造を有していることにより、次のような磁気回路ＭＣ（図１８参照）が形成されている。すなわち、薄膜磁気ヘッド３００には、接続磁性層４０からコイルを跨ぐことなくリターン磁極層４７および連結磁性層４９を通って主磁極層２６に達し、さらに主磁極層２６の磁極端面２６ａからシールド端面４３ａに至るまでの空隙を有する磁気回路ＭＣが形成されている。この回路のように磁束が通る閉じた回路を磁気回路という。磁気回路ＭＣにはコイルが巻き回されていない。
【００６４】
続いて、薄膜コイル５１について説明する。図４に示すように、薄膜コイル５１は３つのターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃを有している。薄膜コイル５１は、記録媒体に記録されるデータに応じた電流が流される。その電流によって薄膜コイル５１の回りに記録磁界が発生する。薄膜コイル５１はライトシールド層６０の回りに平面渦巻き状に巻回され、しかも単層構造を有している。
【００６５】
ここで、単層構造とは、平面渦巻き状に巻回されている部分（平面渦巻き部分）が主磁極層２６よりも基板１から離れた位置にだけ形成されている構造を意味している。平面渦巻き部分が主磁極層の両側に形成されている場合、その場合のコイルは単層構造を有していない。例えば、従来のＰＭＲ６００のように、薄膜コイル６０６に加え、主磁極層６０１よりも基板側にバッキングコイル６０９が形成されている場合、ＰＭＲ６００におけるコイルは単層構造を有していない。
【００６６】
３つのターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃはそれぞれＡＢＳ３０からの距離が異なる位置に配置されている。薄膜コイル５１はターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃがフォトレジスト層５５を介して並んだ構造を有している。ターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃのうち、ターン部５１ｇがＡＢＳ３０に最も近い位置に配置されているのでターン部５１ｇが前側ターン部に対応している。ターン部５１ｃが後側ターン部に対応している。
【００６７】
薄膜コイル５１は、接続部５１ａからターン部５１ｃにつながるループ部５１ｂと、ターン部５１ｃからターン部５１ｅにつながるワンループ部５１ｄと、ターン部５１ｅからターン部５１ｇにつながるワンループ部５１ｆと、ターン部５１ｇからリード部１４Ａまでのハーフループ部５１ｈを有している。
【００６８】
薄膜コイル５１は、接続部５１ａからリード部１４Ａまでが一本につながり、全体で３ターンループを形成している。すなわち、接続部５１ａから、ループ部５１ｂ、ワンループ部５１ｄ、ワンループ部５１ｆ、ハーフループ部５１ｈを通ってリード部１４Ａにつながることにより、３ターンループが形成されている。
【００６９】
ターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃは、横幅よりも厚さ（ＡＢＳ３０に沿った方向（上下方向）の高さ）の大きい縦長の構造を有している。そして、ワンループ部５１ｆ、ワンループ部５１ｄ、ループ部５１ｂのうち、最も幅の狭い部分がそれぞれターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃとなっている。なお、本実施の形態において、横幅とはＡＢＳ３０と交差する方向（交差方向）の幅を意味している。
【００７０】
続いて、ライトシールド層６０について説明する。ライトシールド層６０は、対向シールド部６１と、カバーシールド部６２とを有している。
【００７１】
対向シールド部６１はギャップ層２９を挟んでＡＢＳ３０側から順に主磁極層２６、非磁性層２７、非磁性層２８に対向するようにして形成されている。また、対向シールド部６１は上端面が平坦になっていて、その上端面にカバーシールド部６２が接続されている。
【００７２】
対向シールド部６１は図６に示すようなライトシールド端面６１ａを有している。ライトシールド端面６１ａはＡＢＳ３０内に配置されている。対向シールド部６１はＡＢＳ３０内において前端シールド部４３に対峙している。また、ライトシールド端面６１ａはＡＢＳ３０内においてシールド端面４３ａに接続されている。そして、図６に示すように、ライトシールド端面６１ａおよびシールド端面４３ａが磁極端面２６ａの全体を取り囲んでいる。しかも、ライトシールド端面６１ａおよびシールド端面４３ａが磁極端面２６ａの、ギャップ層２９または非磁性薄膜２５だけを介したごく近傍に配置されている。ライトシールド端面６１ａおよびシールド端面４３ａは、ＡＢＳ３０内において、ギャップ層２９または非磁性薄膜２５を介して磁極端面２６ａの周囲に配置されている。
【００７３】
ライトシールド端面６１ａには、ギャップ層２９が配置される微小スペースが形成されている。その微小スペースにギャップ層２９のＡＢＳ３０側部分が形成されている。
【００７４】
カバーシールド部６２はＡＢＳ３０から奥行き方向に延び、薄膜コイル５１を跨いで上部ヨーク層６５につながる湾曲構造を有している。
【００７５】
上部ヨーク層６５は主磁極層２６の上面２６ｄのうちの非磁性層２７，２８よりもＡＢＳ３０から離れた後側に接続されている。上部ヨーク層６５の上面は対向シールド部６１の上面と段差なく形成されている。上部ヨーク層６５の上面は対向シールド部６１の上面とともに共通平坦面５９Ａ(図１６参照)を形成している。
【００７６】
さらに、薄膜磁気ヘッド３００は保護絶縁層９０を有している。保護絶縁層９０はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて形成されている。保護絶縁層９０はライトシールド層６０を覆うように形成されている。
【００７７】
（薄膜磁気ヘッドの製造方法）
次に、前述した図１、図２とともに図９〜図１７を参照して、前述の構造を有する薄膜磁気ヘッド３００の製造方法について説明する。
【００７８】
ここで、図９〜図１７は、薄膜磁気ヘッド３００の各製造工程における図１に対応した断面図である。
【００７９】
まず、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）等のセラミック材料からなる基板１を準備する。そして、図９に示すように、その基板１の上に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料からなる絶縁層２と、磁性材料からなる下部シールド層３を順に形成する。絶縁層２を形成するときに加熱部８が形成される。
【００８０】
次に、ＭＲ素子５をシールドするように絶縁材料を用いてシールドギャップ膜４を形成する。このとき、ＭＲ素子５に接続される図示しないリードを形成し、ＭＲ素子５およびリードをシールドギャップ膜４で覆う。それから、磁性材料と絶縁材料とを用いてシールドギャップ膜４の上に上部シールド層６（第１のシールド部６ａ、絶縁部６ｂ、第２のシールド部６ｃ）を形成する。
【００８１】
次に、上部シールド層６の上にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて、上部シールド層６と、後に形成される記録ヘッドとを分離するための絶縁層７を形成する。絶縁層７を形成するときに感熱部９が形成される。これまでの工程で記録ヘッドを形成するための積層体が得られる。
【００８２】
その後、リターン磁極層形成工程を実行する。この工程では、まず、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いてリターン磁極層４７を形成するための磁性層（厚さは０．６μｍ程度）を形成する。この磁性層は、ＡＢＳ３０から離れた位置に形成する。
【００８３】
続いて、積層体表面に絶縁層を形成し、化学機械研摩（以下「ＣＭＰ」という）によって積層体表面の平坦化を行う。すると、前端絶縁層１７とリターン磁極層４７が形成される。こうして、リターン磁極層４７がＡＢＳ３０から０．３μｍ〜１μｍ（本実施の形態では、０．５μｍ程度）離れた位置に配置されるように形成される。その後退したリターン磁極層４７のＡＢＳ３０側端部と、ＡＢＳ３０との間に前端絶縁層１７が形成される。
【００８４】
次に、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁層１８（膜厚は０．１μｍ〜０．３μｍ程度）を形成する。それから、積層体の表面全体にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、レジストパターン（図示せず）を形成する。このレジストパターンをマスクに用いて例えばＲＩＥ等のエッチングを行い、絶縁層１８を選択的に開口する。
【００８５】
それから、磁性層形成工程を実行する。磁性層形成工程は、接続磁性層４０と連結磁性層４９とを形成する工程である。本実施の形態では、この磁性層形成工程の実行中にコイルを形成していない。こうすることで、前述した磁気回路ＭＣが形成されるように磁性層形成工程を実行することができる。
【００８６】
磁性層形成工程では、後退接続部４１および第１の連結磁性部４４の他、中間接続部４２および前端シールド部４３と、第２の連結磁性部４５および第３の連結磁性部４６を次のようにして形成する。詳しくは後述するが、磁性層形成工程では、接続磁性層４０については後退接続部４１、中間接続部４２および前端シールド部４３を、後退接続部４１、中間接続部４２、前端シールド部４３の順にそれぞれ形成する。また、接続磁性層４０は、薄膜コイル５１よりもＡＢＳ３０側に配置するように形成する。さらに、連結磁性層４９については、第１の連結磁性部４４、第２の連結磁性部４５および第３の連結磁性部４６を第１の連結磁性部４４、第２の連結磁性部４５、第３の連結磁性部４６の順にそれぞれ形成する。
【００８７】
まず、フレームめっき法により、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて、後退接続部４１と、第１の連結磁性部４４を厚さ１〜１．５μｍ程度で形成する。ただし、後退接続部４１は第１の連結磁性部４４よりもＡＢＳ３０側に配置される。
【００８８】
次に、図１０に示すように、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁層１９（膜厚は２μｍ〜３．５μｍ程度）をアトミックレイヤー法によるＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法で積層体の表面全体に形成する。絶縁層１９は、後退接続部４１、第１の連結磁性部４４を被覆するように形成される。
【００８９】
続いて、後退接続部４１と第１の連結磁性部４４が現われるまで積層体の表面をＣＭＰにより研摩して積層体表面の平坦化を行う。すると、図１１に示すように、後退接続部４１と第１の連結磁性部４４が形成される。
【００９０】
また、平坦化が行われたことによって、後退接続部４１よりもＡＢＳ３０側に対向絶縁層１９が形成される。さらに、同じ平坦化によって、後退接続部４１の上面４１ｂ、対向絶縁層１９の上面および第１の連結磁性部４４の上面が段差なく平坦に形成される。
【００９１】
続いて、図１２に示すように、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて、例えばフレームめっき法によって、後退接続部４１の上面４１ｂと、第１の連結磁性部４４の上面にそれぞれ中間接続部４２、第２の連結磁性部４５を形成する。このとき、中間接続部４２はＡＢＳ３０から後端部４１ｒに達する奥行きを備えるようにして形成する（後端部４１ｒについては図５参照）。
【００９２】
それから、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁層２１をアトミックレイヤー法によるＣＶＤ法で積層体の表面全体に形成する。その後、中間接続部４２と第２の連結磁性部４５が出現するまで積層体の表面をＣＭＰにより研摩して積層体表面の平坦化を行う。すると、図１３に示すように、中間接続部４２と第２の連結磁性部４５が形成される。
【００９３】
それから、図１４に示すように、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いてベース絶縁層２４を形成する。その後、ベース絶縁層２４を選択的に開口する。続いて、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて、フレームめっき法によって、開口した部分に前端シールド部４３となるべき磁性層と、第３の連結磁性部４６とをそれぞれ厚さ０．５μｍ〜１．０μｍ程度で形成する。第３の連結磁性部４６が形成されることによって、連結磁性層４９が形成される。
【００９４】
そして、積層体の表面にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、積層体の表面にレジストパターンを形成する。このレジストパターンは、前端シールド部４３となるべき磁性層の表面を、Ｖ溝部４３ｃおよび切欠部４３ｄに応じた形状に露出させる形状に形成する。そのレジストパターンをマスクにして反応性イオンエッチング（以下「ＲＩＥ」という）を行い、積層体の表面のレジストパターンで被覆されない部分を除去する。すると、前端シールド部４３となるべき磁性層にＶ溝部４３ｃおよび切欠部４３ｄが形成され、これによって、前端シールド部４３が形成される。前端シールド部４３が形成されることによって、接続磁性層４０が形成される。前端シールド部４３がシールド端面４３ａを有するので、シールド端面４３ａを有するように接続磁性層４０が形成される。
【００９５】
それから、図１５に示すように、ベース絶縁層２４および前端シールド部４３を被覆するようにして非磁性薄膜２５を形成する。非磁性薄膜２５はＲｕ，ＮｉＣｒ，ＮｉＣｕ等の非磁性金属材料や、アルミナ等の絶縁材料を用いてスパッタリングによって形成する。非磁性薄膜２５は前端シールド部４３のＶ溝部４３ｃにも形成される。
【００９６】
続いて、主磁極層形成工程を実行する。この工程では、接続磁性層４０および連結磁性層４９上に、次のようにして主磁極層２６を形成する。
【００９７】
まず、磁性層７５を０．４〜０．８μｍ程度の厚さで積層体の表面全体にスパッタリングによって形成する。磁性層７５はＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅなどの強磁性体からなる磁性材を用いて形成する。磁性層７５によって後に主磁極層２６が形成される。そして、積層体の表面全体をＣＭＰで研磨して、積層体表面の平坦化を行う。
【００９８】
その後、スパッタリングにより積層体の表面全体に、Ｒｕ，ＮｉＣｒ，ＮｉＣｕ等の金属材料を用いて非磁性層７７（厚さは約０．０４〜０．１μｍ程度）を形成する。非磁性層７７は後に一部がエッチングされることによって、前述の非磁性層２７となる。さらに、積層体の表面全体に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、シリコン酸化物等の無機絶縁材料を用いて非磁性層７８（厚さは約０．１〜０．３μｍ程度）を形成する。非磁性層７８は、後に一部がエッチングされることによって、前述の非磁性層２８となる。
【００９９】
続いて、積層体の表面全体にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、レジストパターン８１をＡＢＳ３０の近傍に形成する。
【０１００】
次に、レジストパターン８１をマスクに用いて例えばＲＩＥ等のエッチングを行い、非磁性層７８の一部を除去する。この場合のエッチングは、エッチングによって形成された溝の底部が非磁性層７７の上面に到達した時点で停止するようにして行われる。そのため、非磁性層７８には、非磁性層７７と比べて非磁性層７８をエッチングする際のエッチングレートの小さい材料を用いる。
【０１０１】
それからレジストパターン８１を除去する。続いて、残された非磁性層７８をマスクに用いて例えばイオンビームエッチング（ＩＢＥともいう）によって、非磁性層７７の一部をエッチングして除去する。さらに、残された非磁性層７７をマスクに用いて例えばＩＢＥにより、磁性層７５の一部をエッチングして除去する。この工程を経ることによって、磁性層７５のＡＢＳ側の上面が前述した２段傾斜構造で形成される。
【０１０２】
続いて、図１６に示すように、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料や、Ｒｕ，ＮｉＣｕ、Ｔａ等の非磁性導電材料を用いてスパッタ法またはＣＶＤによってギャップ層２９（厚さは約２５０Å〜３５０Å程度）を形成する。
【０１０３】
さらに、例えばスパッタ法により図示しないストッパ膜を形成し、その上に非磁性膜を形成する。その上で、積層体の表面全体に図示しないフォトレジストを塗布する。そして、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、図示しないレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクに用いて、例えばＲＩＥ等のエッチングを行い、非磁性膜をエッチングする。このエッチングはエッチングによって形成された溝の底部がストッパ膜の上面に到達した時点で停止するようにして行われる。
【０１０４】
それから、図示しないレジストパターンを除去した後、残された非磁性膜をマスクに用いてＲＩＥ等のエッチングを行い、ギャップ層２９、非磁性層７７および非磁性層７８の一部を除去する。ここで、ギャップ層２９、非磁性層７７および非磁性層７８の一部を除去することによって、上部ヨーク層６５を形成するためのスペースを確保している。
【０１０５】
続いて、ライトシールド層形成工程を実行する。この工程では、ライトシールド層６０を次のようにして形成する。まず、対向シールド部６１を形成する。次に、薄膜コイル５１を形成した後でカバーシールド部６２を形成することによってライトシールド層６０を形成する。
【０１０６】
そして、対向シールド部６１を形成するときは、積層体の表面全体に磁性層を形成する。この磁性層は、めっき法により、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮ，ＮｉＦｅなどの強磁性体からなる磁性材を用いて、０．５〜１．２μｍ程度の厚さで形成する。この磁性層によって、後に対向シールド部６１および上部ヨーク層６５が形成される。
【０１０７】
次に、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて絶縁層（厚さは１〜３μｍ程度）を形成する。さらに、磁性層の表面が露出するまで積層体の表面全体をＣＭＰにより研磨して積層体表面の平坦化を行う。すると、対向シールド部６１、上部ヨーク層６５および絶縁層３１が形成される。このとき、対向シールド部６１の厚さが０．５〜１．０μｍ程度になるようにして積層体の表面を研磨する。また、対向シールド部６１は、ライトシールド端面６１ａを有するようにして形成される。
【０１０８】
次に、図１７に示すように、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて絶縁層３２を形成する。続いて、絶縁層３２のうち、対向シールド部６１の上面に応じた位置と、上部ヨーク層６５の上面に応じた位置とにそれぞれ開口を形成する。
【０１０９】
その後、薄膜コイル形成工程を実行する。この工程では、単層構造を有するようにして、薄膜コイル５１を形成する。薄膜コイル形成工程を実行する前、すでに主磁極層形成工程が実行されている。しかも、これまでの工程でコイルは形成されていない。したがって、絶縁層３２上に薄膜コイル５１を例えばフレームめっき法により形成することによって、単層構造を有するようにして薄膜コイル５１を形成することができる。続いて、薄膜コイル５１を構成するターン部５１ｇ、５１ｅ，５１ｃ等の隙間を埋めるようにしてフォトレジスト層５５を形成する。
【０１１０】
その後、フォトレジスト層５５のＡＢＳ３０側部分を跨ぐようにしてカバーシールド部６２を形成する。それから、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて積層体の全体をカバーするようにして保護絶縁層９０を形成すると、薄膜磁気ヘッド３００が完成する。
【０１１１】
（薄膜磁気ヘッド３００の作用効果）
以上のように、薄膜磁気ヘッド３００は中間接続部４２を有している。中間接続部４２は、ＡＢＳ３０から、後退接続部４１の後端部４１ｒに到達する横幅を有している。そのため、接続磁性層４０が異距離構造を有しているにもかかわらず、中間接続部４２は、前端シールド部４３と後退接続部４１の双方に確実に接続されている。また、接続磁性層４０、リターン磁極層４７、連結磁性層４９および主磁極層２６によって、コイルが巻き回されていない磁気回路ＭＣが形成されている。なお、異距離構造とは、対向シールド部６１がＡＢＳ３０内に配置され、かつ連結シールド部６３がＡＢＳ３０から後退していることによって対向シールド部６１、連結シールド部６３それぞれのＡＢＳ３０からの距離が異なっている構造を意味している。
【０１１２】
ここで、薄膜コイル５１に記録電流が流された場合を考える。この場合、記録電流に応じた磁界（記録磁界）が主磁極層２６に形成される。この記録磁界から主磁極層２６の各点における磁束密度が求められ、その磁束密度を主磁極層２６の断面全体について積分することによって主磁極層２６を通る磁束が求められる。
【０１１３】
一般に、電流が形成する磁界は右ねじの法則にしたがった向きに形成される。そのため、図１８に示すように、薄膜コイル５１を流れる記録電流の紙面の表側から裏側に向かう方向の成分（正方向成分ともいう）は、主磁極層２６から記録媒体に向かう方向の記録磁界を形成する。そして、その記録磁界に応じた、磁極端面２６ａから記録媒体の垂直な方向に進む磁束ＷＨにより記録媒体の垂直記録層を磁化することによって、記録媒体にデータが記録される。
【０１１４】
一方、薄膜コイル５１はライトシールド層６０の回りに平面渦巻き状に巻き回されている。その薄膜コイル５１を流れる記録電流には、正方向成分とは異なる方向の成分も含まれている。したがって、主磁極層２６の磁極端面２６ａから外側に進む磁束には、磁束ＷＨとは異なる方向の磁束も含まれている。このような磁束のうち、ライトシールド層６０に近づく方向に進む磁束Ｈ１は、対向シールド部６１からカバーシールド部６２および上部ヨーク層６５を通り主磁極層２６に還流する。ライトシールド層６０は強磁性体からなる磁性材を用いて形成されているため、透磁率が高くて磁束が格段に通りやすい。そのようなライトシールド層６０の対向シールド部６１が磁極端面２６ａの近傍に配置されているため、磁束Ｈ１は対向シールド部６１を通る。
【０１１５】
しかしながら、主磁極層２６には連結磁性層４９が接続されているため、磁束Ｈ１が主磁極層２６に還流すると、磁束Ｈ１の一部が主磁極層２６から連結磁性層４９を通ってリターン磁極層４７に流れる。この磁束Ｈ１はリターン磁極層４７をＡＢＳ３０に向かう方向に進む。
【０１１６】
ところで、従来のＰＭＲ６００では、リターン磁極層に相当するシールド磁極層６０８がＡＢＳに露出していた。そのため、ＡＢＳ内のシールド磁極層６０８から磁束がＡＢＳ内に放出されやすかった。
【０１１７】
しかしながら、薄膜磁気ヘッド３００では、リターン磁極層４７がＡＢＳ３０から離れた位置に形成され、そのＡＢＳ３０側に前端絶縁層１７が形成されているため、リターン磁極層４７から磁束が放出され難くなっている。この点でも、ＷＡＴＥの改善効果は高められる。この点に加え、薄膜磁気ヘッド３００では、接続磁性層４０が形成されているため、ＷＡＴＥの高い改善効果が得られる。薄膜磁気ヘッド３００はバッキングコイルを備えることなくＷＡＴＥの改善効果が得られるが、その理由について述べれば次のとおりである。
【０１１８】
図１８に示すように、主磁極層２６から放出される磁束のうちの磁束ＷＨと異なる方向の磁束は、前述した磁束Ｈ１と、接続磁性層４０に近づく方向に進む磁束Ｈ２の２つに分流される。
【０１１９】
そして、薄膜磁気ヘッド３００では、接続磁性層４０によりライトシールド層６０とリターン磁極層４７とをつないだことによって、磁束Ｈ２が接続磁性層４０を通ってリターン磁極層４７に戻りやすくなっている。そのうえ、前述した磁気回路ＭＣが主磁極層２６よりも基板１側に形成されている。磁気回路ＭＣを構成する接続磁性層４０やリターン磁極層４７は、強磁性体からなる磁性材を用いて形成されている。そのため、磁束Ｈ１がライトシールド層６０を通るのと同様、磁束Ｈ２が磁気回路ＭＣを接続磁性層４０からリターン磁極層４７に向かい、そこから連結磁性層４９を通って主磁極層２６に向かう。磁束Ｈ２は、リターン磁極層４７をＡＢＳ３０から離れる方向に向かって通るため、リターン磁極層４７をとおる磁束Ｈ１と逆流することになる。
【０１２０】
磁束Ｈ２は、リターン磁極層４７の内部では磁束Ｈ１の磁気的な作用を弱めるように作用するため、バッキングコイルによる逆流磁束の代わりになる。そのため、薄膜磁気ヘッド３００では、バッキングコイルがなくても、リターン磁極層４７からＡＢＳ３０に向かって余分な磁束が放出され難くなる。こうして、薄膜磁気ヘッド３００では、バッキングコイルがなくても、従来技術より高いＷＡＴＥの改善効果が得られるようになっている。
【０１２１】
薄膜コイル５１は前述した単層構造を有する平面渦巻き状に形成され、磁気回路ＭＣはコイルが巻き回されていない。そうすると、接続磁性層４０から主磁極層２６に向かって磁気回路ＭＣを通る磁束は記録磁界に応じた磁束と同様に薄膜コイル５１を流れる記録電流によってもたらされることになる。そのため、バッキングコイルに起因する磁束とは異なり、磁束Ｈ２によって記録媒体に影響が及ぶおそれは少ないと考えられる。
【０１２２】
さらに、接続磁性層４０は前端シールド部４３を有し、その前端シールド部４３はシールド端面４３ａを有している。シールド端面４３ａは、ＡＢＳ３０内においてライトシールド端面６１ａに接続されている。ライトシールド端面６１ａおよびシールド端面４３ａがギャップ層２９または非磁性薄膜２５を介して磁極端面２６ａを取り囲み、かつ磁極端面２６ａの近傍に配置されている。そのため、磁極端面２６ａから磁束が放出されると、磁束ＷＨと異なる方向の磁束が記録媒体に対して影響を及ぼす前に、ライトシールド端面６１ａまたはシールド端面４３ａを通りやすく、磁束ＷＨと異なる方向の磁束がライトシールド端面６１ａまたはシールド端面４３ａによって取り込まれやすくなっている。したがって、薄膜磁気ヘッド３００では、磁束ＷＨと異なる方向の磁束が記録媒体に達することを効果的に阻止できるようになっている。
【０１２３】
また、ライトシールド端面６１ａおよびシールド端面４３ａがギャップ層２９または非磁性薄膜２５を介して磁極端面２６ａを取り囲んでおり、主磁極層２６と、ライトシールド６０および接続磁性層４０との間には、ギャップ層２９または非磁性薄膜２５が配置されている。そのため、ライトシールド６０や接続磁性層４０に主磁極層２６から磁束が漏れることはない。したがって、主磁極層２６の磁極端面２６ａから放出される磁束を強くすることができ、薄膜磁気ヘッド３００の記録特性を高めることもできる。
【０１２４】
ところで、ＡＢＳ３０に配置される前端シールド部４３と、ＡＢＳ３０から離れたリターン磁極層４７とを確実に接続するためには、後退接続部４１および中間接続部４２の代わりに次のような磁性層を含む接続磁性層４０を形成してもよい。この磁性層は、ＡＢＳ３０内に配置される端面を有し、しかも、前端シールド部４３に接しつつ、後端部４１ｒに接し得る大きさを有している。
【０１２５】
しかし、このような磁性層を備えた接続磁性層４０を形成した場合、その磁性層がＡＢＳ３０に大きく露出してしまう。かかる磁性層もＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮ、ＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて形成される。磁性層がＡＢＳ３０に大きく露出していると、薄膜コイル５１の発熱の影響を磁性層がより強く受けてしまう。
【０１２６】
フライングハイトは極めて微小なので、接続磁性層４０の限られた微小部分が突出しただけでも、薄膜磁気ヘッド３００と記録媒体との衝突が発生してしまう可能性がある。磁性層がＡＢＳ３０に大きく露出しているということは、突出の対象となりえるそのような微小部分がＡＢＳ３０内にたくさん存在しているということを意味し、それだけ、記録媒体に衝突し得る突出の態様が多く、薄膜磁気ヘッド３００と記録媒体との衝突が発生しやすいということを意味している。
【０１２７】
そこで、薄膜磁気ヘッド３００では、後退接続部４１と中間接続部４２を有する接続磁性層４０を形成している。ＡＢＳ３０から離れた後退接続部４１と、ＡＢＳ３０に配置される中間接続部４２を形成し、両者が接続されるようにしている。こうして、ＡＢＳ３０に露出する部分が前端シールド部４３のほか、中間接続部４２だけになるようにしている。
【０１２８】
主磁極層２６から放出される磁束のうち、磁束ＷＨと異なる方向の磁束が磁束Ｈ１と磁束Ｈ２の２つに分流した後、記録媒体に影響が及ぶ前にそれぞれを取り込むには、薄膜コイル５１よりもＡＢＳ３０側の磁性層によってライトシールド層６０とリターン磁極層４７とを接続することが望ましい。しかし、この磁性層は薄膜コイル５１よりもＡＢＳ３０側に配置されるため、ＡＢＳ３０に露出する大きさが大きいと、薄膜コイル５１の発熱の影響を受けやすくなる。
【０１２９】
そこで、薄膜磁気ヘッド３００では、接続磁性層４０を形成している。接続磁性層４０は後退接続部４１と中間接続部４２を有している。そのため、前述の磁性層を形成した場合よりもＡＢＳ３０に露出する磁性層の大きさが小さくなる。したがって、薄膜コイル５１の発熱に伴う磁性層突出のおそれが少なくなる。よって、薄膜磁気ヘッド３００は、記録媒体と衝突する事態が抑制されている。
【０１３０】
よって、薄膜磁気ヘッド３００では、記録ヘッドの突出に伴う破損のおそれが極めて少なくなるから、記録メディアに接近させることができる。
【０１３１】
したがって、薄膜磁気ヘッド３００は、記録ヘッドおよび再生ヘッドの解像度（resolution）を高め、信号対雑音比を向上させることができる。また、薄膜磁気ヘッド３００は、記録密度を高めることができる。
【０１３２】
（変形例１）
次に、図１９を参照して薄膜磁気ヘッド３０１について説明する。薄膜磁気ヘッド３０１は、薄膜磁気ヘッド３００と比べて、接続磁性層４０の代わりに接続磁性層１４０を有する点で相違している。
【０１３３】
接続磁性層１４０は接続磁性層４０と比べて、後退接続部４１および中間接続部４２の代わりに対向接続部１４１および中間接続部１４２を有している点で相違している。
【０１３４】
対向接続部１４１は、ＡＢＳ３０内に配置される端面を有し、その端面の反対側がリターン磁極層４７のＡＢＳ３０側の端部に接続されている。また、対向接続部１４１は、中間接続部１４２に接続される上面を有し、その上面が第１の連結磁性部４４の上面と段差なく平坦に形成されている。中間接続部１４２は、対向接続部１４１と前端シールド部４３とに接続されている。また、中間接続部１４２は、中間接続部４２よりも幅が狭くなっている。
【０１３５】
このような薄膜磁気ヘッド３０１では、接続磁性層１４０が前端シールド部４３を有しているからライトシールド層６０に接続されている。また、接続磁性層１４０はリターン磁極層４７にも接続されている。そのため、薄膜磁気ヘッド３００と同様、主磁極層２６から放出される磁束のうち、磁束ＷＨと異なる方向の磁束が磁束Ｈ１と磁束Ｈ２の２つに分流した後、ライトシールド層６０と接続磁性層１４０とによって取り込まれる。磁束Ｈ２は、リターン磁極層４７の内部では磁束Ｈ１の磁気的な作用を弱めるように作用するため、バッキングコイルによる逆流磁束の代わりになる。そのため、薄膜磁気ヘッド３０１も薄膜磁気ヘッド３００と同様にバッキングコイルがなくても、リターン磁極層４７からＡＢＳ３０に向かって余分な磁束が放出され難くなり、従来技術よりも高いＷＡＴＥの改善効果が得られる。
【０１３６】
（変形例２）
次に、図２０を参照して薄膜磁気ヘッド３０２について説明する。この薄膜磁気ヘッド３０２は、前述した薄膜磁気ヘッド３００と比べて、連結磁性層４９を有しない点で相違している。
【０１３７】
薄膜磁気ヘッド３０２も薄膜磁気ヘッド３００と同様に、リターン磁極層４７がＡＢＳ３０から離れた位置に形成され、リターン磁極層４７のＡＢＳ３０側に前端絶縁層１７が形成されているので、磁束がリターン磁極層４７からＡＢＳ３０に放出され難くなっている。
【０１３８】
また、薄膜磁気ヘッド３０２は、接続磁性層４０を有しているから、薄膜磁気ヘッド３０２でも、薄膜磁気ヘッド３００と同様、主磁極層２６から放出される磁束のうち、磁束ＷＨと異なる方向の磁束が磁束Ｈ１と磁束Ｈ２の２つに分流した後、ライトシールド層６０と接続磁性層４０とによって取り込まれる。
【０１３９】
そのため、薄膜磁気ヘッド３０２も、薄膜磁気ヘッド３００と同様、リターン磁極層４７からＡＢＳ３０に向かって余分な磁束が放出され難くなるため、バッキングコイルがなくても、従来技術より高いＷＡＴＥの改善効果が得られる。
【０１４０】
（実施例）
前述した薄膜磁気ヘッド３００，３０１，３０２それぞれにおけるＷＡＴＥの改善効果に関する実施例について図２２〜図２３を参照して説明する。本件発明者は薄膜磁気ヘッド３００，３０１，３０２それぞれについて、ＷＡＴＥの改善効果を確認するための実験を行った。また、比較のため、図２１に示す薄膜磁気ヘッド４００についても、薄膜磁気ヘッド３００，３０１，３０２と同様の実験を行った。薄膜磁気ヘッド４００は図２１に示すように、薄膜磁気ヘッド３００と比較して、リターン磁極層４７および連結磁性層４９を有しない点で相違している。
【０１４１】
図２２、図２３は、記録対象となるセクタからのずれ（Write Offset）ごとの符号誤り率（Bit error rate）の分布を示したグラフである。符号誤り率は、薄膜磁気ヘッド３００，３０１，３０２それぞれによって記録したデータをそれぞれの再生ヘッドで再生したときに誤って再生される符号の割合を示している。
【０１４２】
図２２のうち（ａ）、（ｂ）はそれぞれ薄膜磁気ヘッド３００，３０２における符号誤り率の分布を示している。図２３のうち（ａ）、（ｂ）はそれぞれ薄膜磁気ヘッド３０１、４００における符号誤り率の分布を示している。また、各図において上段はWrite Offsetの０〜２μｍまでの０．５μｍ単位の分布を示している。下段はWrite
Offsetの０〜０．５μｍまでの０．１μｍ単位の分布を示している。
【０１４３】
図２２、図２３それぞれの下段に示すように、薄膜磁気ヘッド３００，３０１，３０２，４００は、いずれもWrite Offsetが０〜０．５μｍまでの間では、符号誤り率の分布がほぼ同様になっている。しかし、図２３（ｂ）の上段に示すように薄膜磁気ヘッド４００では、Write Offsetが０．５μｍを越えて１μｍ、２μｍ程度になると、符号誤り率の発生頻度が多くなる。
【０１４４】
これに対して、図２２（ａ）、（ｂ）の上段および図２３（ａ）の上段に示すように、薄膜磁気ヘッド３００，３０１，３０２では、Write Offsetが０．５μｍを越えて１μｍ、２μｍ程度になっても、符号誤り率の発生頻度は低いままで多くなってはいない。この結果から、薄膜磁気ヘッド３００，３０１，３０２のような構造にすることによって、従来技術よりも高いＷＡＴＥの改善効果が得られるという点が明らかになる。
【０１４５】
（ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態）
次に、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態について、図２４〜図２５を参照して説明する。
【０１４６】
図２４は、上述の薄膜磁気ヘッド３００を備えたハードディスク装置２０１を示す斜視図である。また、図２５はＨＧＡ２１０の裏面側を示す斜視図である。図２４に示すように、ハードディスク装置２０１は、高速回転するハードディスク（磁気記録媒体）２０２と、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ：Head Gimbals Assembly）２１０とを有している。ハードディスク装置２０１は、ＨＧＡ２１０を作動させて、ハードディスク２０２の記録面に、データの記録および再生を行う装置である。ハードディスク２０２は、複数枚（図では４枚）のディスクを有している。各ディスクは、それぞれの記録面が薄膜磁気ヘッド３００に対向している。
【０１４７】
ハードディスク装置２０１は、アセンブリキャリッジ装置２０３によって、図２５に示すスライダ２０８をトラック上に位置決めする。このスライダ２０８に薄膜磁気ヘッド３００が形成されている。また、ハードディスク装置２０１は、複数の駆動アーム２０９を有している。各駆動アームは、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２０５によってピボットベアリング軸２０６を中心に回動し、ピボットベアリング軸２０６に沿った方向にスタックされている。そして、各駆動アームの先端にＨＧＡ２１０が取りつけられている。
【０１４８】
さらに、ハードディスク装置２０１は、記録再生を制御する制御回路（control circuit）２０４を有している。
【０１４９】
次に、ＨＧＡ２１０について図２５を参照して説明する。ＨＧＡ２１０は、サスペンション２２０の先端部分にスライダ２０８が固着されている。また、ＨＧＡ２１０では、配線部材２２４の一端部がスライダ２０８の端子電極に電気的に接続されている。
【０１５０】
そして、サスペンション２２０は、ロードビーム２２２と、ロードビーム２２２の基部に設けられているベースプレート２２１と、ロードビーム２２２上の先端側からベースプレート２２１の手前側にかけて固着して支持され、弾性を備えたフレクシャ２２３と、配線部材２２４とを有している。配線部材２２４はリード導体およびその両端に電気的に接続された接続パッドを有している。
【０１５１】
ハードディスク装置２０１は、ＨＧＡ２１０を回転させると、スライダ２０８がハードディスク２０２の半径方向、すなわち、トラックラインを横切る方向に移動する。
【０１５２】
このようなＨＧＡ２１０およびハードディスク装置２０１は薄膜磁気ヘッド３００を有しているから、バッキングコイルを有していなくても従来技術よりも高いＷＡＴＥの改善効果が得られる。
【０１５３】
以上の説明は、本発明の実施の形態についての説明であって、この発明の装置及び方法を限定するものではなく、様々な変形例を容易に実施することができる。又、各実施形態における構成要素、機能、特徴あるいは方法ステップを適宜組み合わせて構成される装置又は方法も本発明に含まれるものである。
【産業上の利用可能性】
【０１５４】
本発明を適用することにより、バッキングコイルを備えることなくＷＡＴＥの改善効果が高められるようにすることができる。本発明は垂直磁気記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置に利用することができる。
【符号の説明】
【０１５５】
１…基板、２５…非磁性薄膜、２６…主磁極層、２６ａ…磁極端面、２６ｄ…上面、２９…ギャップ層、３０…ＡＢＳ、４０…接続磁性層、４１…後退接続部、４１ｂ…上面、４１ｒ…後端部、４２…中間接続部、４２ａ…中間シールド端面、４３…前端シールド部、４３ａ…シールド端面、４３ｃ…Ｖ溝部、４７…リターン磁極層、４９…連結磁性層、５１…薄膜コイル、６０…ライトシールド層、６１…対向シールド部、６１ａ…ライトシールド端面、６２…カバーシールド部、６５…上部ヨーク層、９０…保護絶縁層、ＭＣ…磁気回路、２０１…ハードディスク装置、２０２…ハードディスク、２１０…ＨＧＡ、３００,３０１，３０２…薄膜磁気ヘッド。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置は、大容量の記録容量を備え、ストレージ装置の中心として広く用いられている。ハードディスク装置は、薄膜磁気ヘッドによってハードディスク（記録媒体）に対するデータの記録再生を行う。
【０００３】
薄膜磁気ヘッドは、記録方式により大別すると、長手磁気記録方式と垂直磁気記録方式とに分けることができる。長手磁気記録方式はハードディスク（記録媒体）の記録面内（長手）方向にデータを記録する方式であり、垂直磁気記録方式はハードディスクに形成する記録磁化の向きを記録面の垂直方向に形成してデータを記録する方式である。このうち、垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドは長手磁気記録方式に比べて格段に高い記録密度を実現できる上に、記録済のハードディスクが熱揺らぎの影響を受けにくいので、長手磁気記録方式よりも有望視されている。
【０００４】
ところで、従来、垂直磁気記録方式の磁気ヘッド（perpendicular
magnetic recording head：以下「ＰＭＲ」ともいう）は、磁極層と薄膜コイルとを有し、磁極層に薄膜コイルを巻き回した電磁石の構造を有している。
【０００５】
従来のＰＭＲは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、主磁極層の内部を通る磁界を発生する薄膜コイルと、連結部を介して主磁極層に連結されているリターン磁極層とを有している。
【０００６】
ところで、従来のＰＭＲには、隣接トラック消去（ＡＴＥ）および広域トラック消去（ＷＡＴＥ，Wide Area Track Erasure）とよばれる課題があった。ＰＭＲでは、記録媒体の半径方向の位置に応じ、トラックの接線に対してＰＭＲが傾きを生じる。この傾きはスキューと呼ばれる。スキューが発生する場合、データが記録されるトラックに隣接しているトラックに記録されているデータが記録磁界に起因した磁束によって消去されることがあり、この現象を隣接トラック消去（ＡＴＥ）という。
【０００７】
また、データの書き込みを行うトラックから数μｍ〜数十μｍ程度離れた位置に配置されているトラックに記録されているデータを消去してしまう現象がＷＡＴＥである。ＷＡＴＥは、主磁極層から放出された後、リターン磁極層に還流してきた磁束の一部が再生ヘッドに形成されているシールド層を通って媒体対向面から放出されることに起因している。
【０００８】
そして、ＡＴＥを改善する技術として、従来例えば、主磁極層の媒体対向面側の形状を、下側よりも上側の幅が大きくなるような逆テーパ状にして、ＡＴＥが起きないようにしたことが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
また、ＷＡＴＥを改善する技術として、記録磁界を発生する薄膜コイルに加えてバッキングコイルを設けることが知られていた（例えば、特許文献２、特許文献３、特許文献４、特許文献５参照）。バッキングコイルを設けたＰＭＲでは、バッキングコイルを流れる電流によって、シールド層を通る磁束の磁気的な作用を弱め得る磁束が生成される。この磁束が生成されることによって、ＷＡＴＥが改善される。
【００１０】
そして、バッキングコイルを備えたＰＭＲとして、従来の例えば図２６に示すＰＭＲ６００があった。ＰＭＲ６００は、記録磁界を発生する主磁極層６０１と、主磁極層６０１に接合されているヨーク層６０２と、媒体対向面（以下「ＡＢＳ」ともいう）６０３内において主磁極層６０１に接合されている第１のライトシールド層６０４と、ＡＢＳ６０３において第１のライトシールド層６０４に接合されている第２のライトシールド層６０５と、第２のライトシールド層６０５の周りに巻回された薄膜コイル６０６と、バックギャップ連結部６０７を介して主磁極層６０１に接合されているシールド磁極層６０８と、バックギャップ連結部６０７の回りに巻回されているバッキングコイル６０９とを有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００４−１７１７６２号公報
【特許文献２】特開２００６−３２３９３２号公報
【特許文献３】特開２００７−１２１０８号公報
【特許文献４】特開２００９−２５２３４３号公報
【特許文献５】特開２０１０−２８２７１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
前述した従来のＰＭＲ６００では、ＡＢＳ６０３内において第１のライトシールド層６０４が主磁極層６０１の近傍に配置されている。そのため、主磁極層６０１から放出された磁束は記録媒体を磁化した後、第１のライトシールド層６０４に取り込まれる。その磁束は第１のライトシールド層６０４から第２のライトシールド層６０５に流れるが、その一部がバックギャップ連結部６０７を通り、磁束ｈ６０５となってシールド磁極層６０８をＡＢＳ６０３に向かって通る。ＰＭＲ６００では、この磁束ｈ６０５の磁気的な作用を弱め得る磁束ｈ６０９がバッキングコイル６０９を流れる電流により生成されることによってＷＡＴＥの改善効果が得られる。
【００１３】
しかしながら、ＰＭＲ６００には、バッキングコイル６０９に起因した次のような課題があった。
一般に、磁束に関しては、磁束の保存則が成立することが知られている。すなわち、磁束密度を表わす磁束線は、連続的な輪になり、途中で途切れたり、湧いたりすることがないことが知られている。すると、シールド磁極層６０８の内部では、磁束ｈ６０５の磁気的な作用と、磁束ｈ６０９の磁気的な作用とが互いに打ち消し合うが、その後も磁束ｈ６０９は消滅せずに主磁極層６０１に向かい、主磁極層６０１の内部をＡＢＳ６０３に向かって通る。そのため、薄膜コイル６０６に起因した磁束のほかに磁束ｈ６０９が主磁極層６０１を通ってＡＢＳ６０３に放出されるおそれがあり、このことで記録媒体に影響が及ぶおそれがあった。
【００１４】
また、ＰＭＲ６００では、バッキングコイル６０９を有するため、バッキングコイル６０９を形成するための工程が必要であり、その分、製造工程を簡略化することが困難であった。
【００１５】
さらに、バッキングコイル６０９を流れる電流により、バッキングコイル６０９が発熱するため、バッキングコイル６０９の周囲にある部材が膨張するおそれがあった。バッキングコイル６０９の周囲にある部材が膨張すると、ＡＢＳ６０３の一部が突出するおそれがある。そうすると、ＰＭＲ６００が記録媒体に接触し、破損しやすくなる。
【００１６】
このように、ＰＭＲ６００のような、バッキングコイルを備えることによってＷＡＴＥの改善効果を得ている従来のＰＭＲには、上述したような未解決の課題があった。
【００１７】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、垂直磁気記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置において、バッキングコイルを備えることなくＷＡＴＥの改善効果が高められるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記課題を解決するため、本発明は記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、ライトシールド層の主磁極層を挟んだ反対側において媒体対向面から離れた位置に形成されているリターン磁極層と、薄膜コイルよりも媒体対向面側においてリターン磁極層をライトシールド層に接続するようにして、磁性材を用いて形成された接続磁性層とを有し、薄膜コイルは、ライトシールド層の回りに平面渦巻き状に巻回され、かつその平面渦巻き状に巻回された部分が主磁極層よりも基板から離れた位置にだけ形成されている単層構造を有する薄膜磁気ヘッドを特徴とする。
【００１９】
上記薄膜磁気ヘッドの場合、接続磁性層を有するから、主磁極層から放出され、記録媒体に対して垂直な方向とは異なる方向に進む磁束がライトシールド層と接続磁性層とに分流して取り込まれる。そのため、薄膜コイルが単層構造でも、その接続磁性層に取り込まれる磁束によって、リターン磁極層を媒体対向面に向かって通る磁束の磁気的な作用が弱められる。
【００２０】
上記薄膜磁気ヘッドの場合、接続磁性層は、媒体対向面内においてライトシールド端面に接続されたシールド端面を有する前端シールド部を有し、ライトシールド端面およびシールド端面が磁極端面の全体を取り囲み、かつその磁極端面の近傍に配置されていることが好ましい。
【００２１】
上記薄膜磁気ヘッドでは、記録媒体に対して垂直な方向とは異なる方向の磁束が磁極端面から放出されたあと、記録媒体に対して影響を及ぼす前にライトシールド端面またはシールド端面を通りやすくなっている。
【００２２】
また、薄膜磁気ヘッドの場合、媒体対向面から離れた位置においてリターン磁極層と主磁極層とを連結する連結磁性層を更に有し、接続磁性層から、リターン磁極層および連結磁性層を通って主磁極層に達し、コイルが巻き回されていない磁気回路が形成されていることが好ましい。
【００２３】
この薄膜磁気ヘッドでは、接続磁性層に取り込まれる磁束がリターン磁極層および連結磁性層を通って主磁極層に戻りやすくなっている。
【００２４】
さらに、薄膜磁気ヘッドの場合、接続磁性層は、媒体対向面から離れた位置に配置され、かつリターン磁極層の主磁極層側の上面に接続されている後退接続部と、前端シールド部と後退接続部とを接続する中間接続部とを有することが好ましい。
【００２５】
また、中間接続部は、媒体対向面内においてシールド端面に接続されている中間シールド端面を有し、かつ後退接続部の主磁極層側の上面に接続されていることが好ましい。
【００２６】
さらに、中間接続部は、媒体対向面から後退接続部の媒体対向面から最も離れた後端部に達する奥行きを備えていることが好ましい。
【００２７】
また、上記薄膜磁気ヘッドでは、後退接続部の媒体対向面側に配置されている対向絶縁層を更に有するようにすることができる。
【００２８】
さらに、上記薄膜磁気ヘッドでは、前端シールド部は、媒体対向面に沿った方向の断面がＶ字状に形成されたＶ溝部を有し、そのＶ溝部の内側表面上に形成された非磁性薄膜を更に有し、その非磁性薄膜上に主磁極層が形成されていることが好ましい。
【００２９】
そして、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、以下の（１）から（５）までの各工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
（１）媒体対向面から離れた位置に配置されるようにリターン磁極層を形成するリターン磁極層形成工程
（２）リターン磁極層にそれぞれ接続される接続磁性層および連結磁性層を、その接続磁性層がその連結磁性層よりも媒体対向面側に配置され、かつ接続磁性層が媒体対向面内に配置されるシールド端面を有するように形成する磁性層形成工程
（３）接続磁性層および連結磁性層上に主磁極層を形成する主磁極層形成工程
（４）ライトシールド層の回りに平面渦巻き状に巻回され、かつその平面渦巻き状に巻回された部分が主磁極層よりも基板から離れた位置にだけ配置されている単層構造を有するようにして薄膜コイルを形成する薄膜コイル形成工程
（５）媒体対向面内においてシールド端面に接続されるライトシールド端面を有するように、ライトシールド層を形成するライトシールド層形成工程
【００３０】
上記製造方法の場合、接続磁性層が薄膜コイルよりも媒体対向面側に配置されるようにして磁性層形成工程を実行することが好ましい。
【００３１】
また、上記製造方法の場合、磁性層形成工程は、媒体対向面から離れた位置に配置され、かつリターン磁極層の主磁極層側の上面に接続される後退接続部と、シールド端面を有する前端シールド部と、その前端シールド部と後退接続部とを接続する中間接続部とを、後退接続部、中間接続部、前端シールド部の順にそれぞれ形成することによって接続磁性層を形成することが好ましい。
【００３２】
さらに、接続磁性層から、コイルを跨ぐことなくリターン磁極層および連結磁性層を通って主磁極層に達する磁気回路が形成されるようにして磁性層形成工程を実行することが好ましい。
【００３３】
また、磁性層形成工程において、媒体対向面から、媒体対向面から最も離れた後端部に達する奥行きを備えるようにして、中間接続部を形成することが好ましい。
【００３４】
そして、本発明は、基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、基台を固定するジンバルとを備え、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、ライトシールド層の主磁極層を挟んだ反対側において媒体対向面から離れた位置に形成されているリターン磁極層と、薄膜コイルよりも媒体対向面側においてリターン磁極層をライトシールド層に接続するようにして、磁性材を用いて形成された接続磁性層とを有し、薄膜コイルは、ライトシールド層の回りに平面渦巻き状に巻回され、かつその平面渦巻き状に巻回された部分が主磁極層よりも基板から離れた位置にだけ配置されている単層構造を有するヘッドジンバルアセンブリを提供する。
【００３５】
また、本発明は、薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、薄膜磁気ヘッドに対向する記録媒体とを備え、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、ライトシールド層の主磁極層を挟んだ反対側において媒体対向面から離れた位置に形成されているリターン磁極層と、薄膜コイルよりも媒体対向面側においてリターン磁極層をライトシールド層に接続するようにして、磁性材を用いて形成された接続磁性層とを有し、薄膜コイルは、ライトシールド層の回りに平面渦巻き状に巻回され、かつその平面渦巻き状に巻回された部分が主磁極層よりも基板から離れた位置にだけ配置されている単層構造を有するハードディスク装置を提供する。
【発明の効果】
【００３６】
以上詳述したように、本発明によれば、垂直磁気記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置において、バッキングコイルを備えることなくＷＡＴＥの改善効果が高められるようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面と交差する方向に沿った図２の１-１線断面図である。
【図２】薄膜磁気ヘッドのＡＢＳを示す正面図である。
【図３】主磁極層と前端シールド部を示す平面図である。
【図４】薄膜コイルを示す平面図である。
【図５】主磁極層、接続磁性層およびリターン磁極層を示す一部省略した斜視図である。
【図６】前端シールド部および対向シールド部の要部を示す正面図である。
【図７】主磁極層のＡＢＳ付近を示す一部省略した斜視図である。
【図８】図１の要部を示す断面図である。
【図９】図１に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す図１に対応した断面図である。
【図１０】図９の後続の工程を示す図１に対応した断面図である。
【図１１】図１０の後続の工程を示す図１に対応した断面図である。
【図１２】図１１の後続の工程を示す図１に対応した断面図である。
【図１３】図１２の後続の工程を示す図１に対応した断面図である。
【図１４】図１３の後続の工程を示す図１に対応した断面図である。
【図１５】図１４の後続の工程を示す図１に対応した断面図である。
【図１６】図１５の後続の工程を示す図１に対応した断面図である。
【図１７】図１６の後続の工程を示す図１に対応した断面図である。
【図１８】図１に示した薄膜磁気ヘッドの磁束の流れを模式的に示す図である。
【図１９】変形例に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面と交差する方向に沿った図１に対応した断面図である。
【図２０】別の変形例に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面と交差する方向に沿った図１に対応した断面図である。
【図２１】本発明に関連する薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面と交差する方向に沿った図１に対応した断面図である。
【図２２】記録対象となるセクタからのずれごとの符号誤り率の分布を示したグラフで、（ａ）は図１に示した薄膜磁気ヘッド、（ｂ）は図２０に示した薄膜磁気ヘッドのグラフである。
【図２３】記録対象となるセクタからのずれごとの符号誤り率の分布を示したグラフで、（ａ）は図１９に示した薄膜磁気ヘッド、（ｂ）は図２１に示した薄膜磁気ヘッドのグラフである。
【図２４】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを備えたハードディスク装置を示す斜視図である。
【図２５】ＨＧＡの裏面側を示す斜視図である。
【図２６】従来の薄膜磁気ヘッドの一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
第１の実施の形態
（薄膜磁気ヘッドの構造）
まず、図１〜図８を参照して本発明の第１の実施の形態に係る垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドの構造について説明する。ここで、図１は本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３００のエアベアリング面（以下「ＡＢＳ」という）と交差する方向に沿った図２の１-１線断面図、図２は薄膜磁気ヘッド３００のＡＢＳ３０を示す正面図である。図３は主磁極層２６と前端シールド部４３を示す平面図、図４は薄膜コイル５１を示す平面図である。図５は主磁極層２６、接続磁性層４０およびリターン磁極層４７を示す一部省略した斜視図である。図６は前端シールド部４３および対向シールド部６１の要部を示す正面図である。図７は主磁極層２６のＡＢＳ付近を示す一部省略した斜視図、図８は図１の要部を示す断面図である。
【００３９】
薄膜磁気ヘッド３００は、基板１と、基板１に積層された再生ヘッドおよび記録ヘッドを有し、記録媒体に対向する媒体対向面としてのＡＢＳ３０を有している。なお、以下では、薄膜磁気ヘッド３００の主要部の構造について説明し、主要部以外の部分の構造は後述する製造工程の中で説明する。
【００４０】
再生ヘッドは、ＡＢＳ３０の近傍に配置された磁気的信号検出用のＭＲ素子５を有している。また、再生ヘッドは、基板１上に形成されている絶縁層２と、磁性材料からなる下部シールド層３と、ＭＲ素子５をシールドしているシールドギャップ膜４とを有している。さらに、再生ヘッドは、シールドギャップ膜４の上に形成されている磁性材料からなる上部シールド層６と、上部シールド層６の上に形成されている絶縁層７とを有している。再生ヘッドは、記録ヘッドよりも基板１に近い位置に配置されている。
【００４１】
ＭＲ素子５は、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子、ＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子などの磁気抵抗効果を示す感磁膜によって構成されている。
【００４２】
上部シールド層６は中間に絶縁部６ｂを有している。また、絶縁部６ｂよりも下側に第１のシールド部６ａが形成され、上側に第２のシールド部６ｃが形成されている。
【００４３】
薄膜磁気ヘッド３００では、加熱部８が絶縁層２に形成されている。加熱部８はＤＦＨ（Dynamic
fly heater）とも呼ばれ、電流が流されることによって発熱し、その熱を上部シールド層６などに伝達させる機能を有している。また、感熱部９が絶縁層７に形成されている。感熱部９はＨＤＩ（Head Disk Interlayer）センサとも呼ばれる。感熱部９は上部シールド層６付近の熱（温度）を感知し、その感知した熱に応じて抵抗値が変化する素子を用いて形成されている。
【００４４】
そして、薄膜磁気ヘッド３００では、加熱部８によって上部シールド層６や下部シールド層３を加熱する。上部シールド層６や下部シールド層３は加熱部８から受けた熱によって体積が膨張する。その結果、上部シールド層６や下部シールド層３が図１には図示しない記録媒体に接触したとすると、上部シールド層６や下部シールド層３のＡＢＳ３０付近が摩擦によって熱を帯びる。薄膜磁気ヘッド３００ではこの摩擦熱に伴う感熱部９の抵抗値の変化を検出することによって、上部シールド層６や下部シールド層３が記録媒体に接触したかどうかの判定が行われる。また、その判定結果に応じて加熱部８に流れる電流値を制御しながらフライングハイトを制御している。スライダを記録媒体から浮上させる高さがフライングハイトである。
【００４５】
記録ヘッドは主磁極層２６と、ギャップ層２９と、接続磁性層４０と、リターン磁極層４７と、連結磁性層４９と、薄膜コイル５１と、ライトシールド層６０と、上部ヨーク層６５および保護絶縁層９０を有し、これらが基板１上に積層された構成を有している。
【００４６】
主磁極層２６は、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて形成されている。ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ等の強磁性体は透磁率(magnetic permeability)が高い。したがって、主磁極層２６は、磁束が透過しやすく、より多くの磁束が通る。そのため、記録磁界に応じたより強い磁束が主磁極層２６からＡＢＳ３０に向かって放出される。
【００４７】
主磁極層２６は、図２、図５、図７に示すように、ＡＢＳ３０側に磁極端面２６ａを有している。磁極端面２６ａは基板１側よりも薄膜コイル５１側の幅が広く、その幅が基板１に近づくにつれて漸次狭まるベベル形状に形成されている。磁極端面２６ａの薄膜コイル５１側の幅がトラック幅を規定している。トラック幅は例えば０．０６〜０．１２μｍ程度である。磁極端面２６ａはＡＢＳ３０内に配置されている。
【００４８】
主磁極層２６は図５に示すように磁極端面２６ａを有するトラック幅規定部と、幅広部と、拡幅部とを有している。トラック幅規定部はＡＢＳ３０からの距離に応じて変化しない一定の幅を有している。また、幅広部はトラック幅規定部よりもＡＢＳ３０から離れた位置に配置され、トラック幅規定部よりも幅広に形成されている。また、幅広部はトラック幅規定部との境界部分でトラック幅規定部と同じ大きさの幅を有するとともに、その幅がＡＢＳ３０から離れるにしたがい漸次広がっている。拡幅部は幅広部よりも大きい一定の幅を有している。本実施の形態では、磁極端面２６ａから、幅が大きくなり始めるまでの部分をトラック幅規定部としている。
【００４９】
また、図７、図８に示すように、主磁極層２６では、トラック幅規定部に、第１の上傾斜面２６ｂおよび第２の上傾斜面２６ｃと、第１の下傾斜面２６ｈおよび第２の下傾斜面２６ｅとが形成されている。
【００５０】
第１の上傾斜面２６ｂおよび第２の上傾斜面２６ｃはいずれもＡＢＳ３０から離れるにしたがい基板１から離れるような上り傾斜状に形成されている。ただし、ＡＢＳ３０の交差方向からみた第１の上傾斜面２６ｂの傾斜角度よりも第２の上傾斜面２６ｃの傾斜角度が大きくなっている。そのため、トラック幅規定部の上面が２段傾斜構造に形成されている。第１の上傾斜面２６ｂは磁極端面２６ａと、第２の上傾斜面２６ｃとに接続されている。第２の上傾斜面２６ｃは第１の上傾斜面２６ｂと、幅広部の上面２６ｄとに接続されている。
【００５１】
第１の下傾斜面２６ｈおよび第２の下傾斜面２６ｅはいずれもＡＢＳ３０から離れるにしたがい基板１に近づくような下り傾斜状に形成されている。ただし、ＡＢＳ３０の交差方向からみた第１の下傾斜面２６ｈの傾斜角度よりも第２の下傾斜面２６ｅの傾斜角度が大きくなっている。そのため、トラック幅規定部の下面も２段傾斜構造に形成されている。第１の下傾斜面２６ｈは磁極端面２６ａと、第２の下傾斜面２６ｅとに接続されている。第２の下傾斜面２６ｅは第１の下傾斜面２６ｈと、幅広部の下面２６ｆとに接続されている。
【００５２】
主磁極層２６には、上面２６ｄ上の、後述する対向シールド部６１と上部ヨーク層６５との間の部分に非磁性層２７，２８が積層されている。
【００５３】
なお、前述のトラック幅規定部におけるＡＢＳ３０からの長さをネックハイトという。ネックハイトは例えば０．０５〜０．３μｍ程度である。
【００５４】
ギャップ層２９は主磁極層２６の第１の上傾斜面２６ｂ、第２の上傾斜面２６ｃおよび上面２６ｄに沿って、対向シールド部６１および絶縁層３１と、主磁極層２６および非磁性層２７，２８との間に形成されている。ギャップ層２９は、第１の上傾斜面２６ｂ、第２の上傾斜面２６ｃおよび上面２６ｄを被覆するようにして形成されている。ギャップ層２９は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の非磁性の絶縁材やＲｕ，ＮｉＣｕ、Ｔａ等の非磁性導電材料を用いて形成されている。
【００５５】
続いて、接続磁性層４０について説明する。図１に示すように、接続磁性層４０は薄膜コイル５１よりもＡＢＳ３０側において、リターン磁極層４７をライトシールド層６０に接続するように形成されている。接続磁性層４０はＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて形成されている。接続磁性層４０は後退接続部４１と、中間接続部４２と、前端シールド部４３とを有している。
【００５６】
後退接続部４１は薄膜コイル５１よりもＡＢＳ３０側のＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている。また、後退接続部４１の下面がリターン磁極層４７の主磁極層２６側の上面４７ｂに接続され、主磁極層２６側の上面４１ｂが中間接続部４２に接続されている（図５参照）。さらに、後退接続部４１のＡＢＳ３０側に対向絶縁層１９が形成されている。図１１に示すように、対向絶縁層１９の上面は後退接続部４１の上面４１ｂと段差なく平坦に形成されている（上面４１ｂは図５参照）。
【００５７】
中間接続部４２は後退接続部４１と前端シールド部４３とを接続し、その両者の中間に配置されている。中間接続部４２は、後退接続部４１の上面４１ｂに接続され、その反対側が前端シールド部４３に接続されている。また、中間接続部４２はＡＢＳ３０から後退接続部４１の後端部４１ｒに達する奥行きを有している。後端部４１ｒは後退接続部４１のＡＢＳ３０から最も離れた部分である。そして、中間接続部４２は中間シールド端面４２ａを有している。中間シールド端面４２ａはＡＢＳ３０内に配置されている。中間シールド端面４２ａは後述するシールド端面４３ａに接続され、シールド端面４３ａと段差なく平坦に形成されている。
【００５８】
前端シールド部４３は、中間接続部４２の上面４２ｂに接続され、その反対側上面に非磁性薄膜２５が形成されている。前端シールド部４３は、シールド端面４３ａを有している。シールド端面４３ａはＡＢＳ３０内に配置されている。図６にも示すように、シールド端面４３ａの上側に後述するライトシールド端面６１ａが接続され、その反対側に中間シールド端面４２ａが接続されている。
【００５９】
また、前端シールド部４３は幅方向中間部分にＶ溝部４３ｃが形成されている。Ｖ溝部４３ｃはＡＢＳ３０に沿った方向の断面が概ねＶ字状に形成されている。その底部は主磁極層２６のトラック幅規定部の下面に応じた２段傾斜構造を有している。図６にも示すように、Ｖ溝部４３ｃの内側に後述する非磁性薄膜２５と、主磁極層２６のトラック幅規定部とが納められている。非磁性薄膜２５はＶ溝部４３ｃの内側表面上に形成されている。Ｖ溝部４３ｃの上側に、Ｖ溝部４３ｃを覆うようにしてギャップ層２９が形成されている。
【００６０】
さらに、前端シールド部４３は切欠部４３ｄを有している。切欠部４３ｄはＶ溝部４３ｃの後側に形成されている。切欠部４３ｄの内側に主磁極層２６の幅広部の一部が納められている。
【００６１】
リターン磁極層４７はライトシールド層６０の主磁極層２６を挟んだ反対側に配置されている。また、リターン磁極層４７はＡＢＳ３０から離れた位置に形成されている。そして、リターン磁極層４７の上面４７ｂの後述するターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃよりもＡＢＳ３０側に後退接続部４１が接続され、ターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃよりもＡＢＳ３０から離れた位置に後述する第１の連結磁性部４４が接続されている。
【００６２】
次に、連結磁性層４９について説明する。連結磁性層４９は、ターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃよりもＡＢＳ３０から離れた位置において、リターン磁極層４７と主磁極層２６とを連結している。連結磁性層４９は、第１の連結磁性部４４と、第２の連結磁性部４５と、第３の連結磁性部４６とを有している。第１の連結磁性部４４では、上面が後退接続部４１の上面４１ｂと段差なく平坦に形成されている。第２の連結磁性部４５は、第１の連結磁性部４４の上面に接続され、第３の連結磁性部４６は、第２の連結磁性部４５の上面に接続されている。
【００６３】
そして、薄膜磁気ヘッド３００では、薄膜コイル５１が後述する単層構造を有していることにより、次のような磁気回路ＭＣ（図１８参照）が形成されている。すなわち、薄膜磁気ヘッド３００には、接続磁性層４０からコイルを跨ぐことなくリターン磁極層４７および連結磁性層４９を通って主磁極層２６に達し、さらに主磁極層２６の磁極端面２６ａからシールド端面４３ａに至るまでの空隙を有する磁気回路ＭＣが形成されている。この回路のように磁束が通る閉じた回路を磁気回路という。磁気回路ＭＣにはコイルが巻き回されていない。
【００６４】
続いて、薄膜コイル５１について説明する。図４に示すように、薄膜コイル５１は３つのターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃを有している。薄膜コイル５１は、記録媒体に記録されるデータに応じた電流が流される。その電流によって薄膜コイル５１の回りに記録磁界が発生する。薄膜コイル５１はライトシールド層６０の回りに平面渦巻き状に巻回され、しかも単層構造を有している。
【００６５】
ここで、単層構造とは、平面渦巻き状に巻回されている部分（平面渦巻き部分）が主磁極層２６よりも基板１から離れた位置にだけ形成されている構造を意味している。平面渦巻き部分が主磁極層の両側に形成されている場合、その場合のコイルは単層構造を有していない。例えば、従来のＰＭＲ６００のように、薄膜コイル６０６に加え、主磁極層６０１よりも基板側にバッキングコイル６０９が形成されている場合、ＰＭＲ６００におけるコイルは単層構造を有していない。
【００６６】
３つのターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃはそれぞれＡＢＳ３０からの距離が異なる位置に配置されている。薄膜コイル５１はターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃがフォトレジスト層５５を介して並んだ構造を有している。ターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃのうち、ターン部５１ｇがＡＢＳ３０に最も近い位置に配置されているのでターン部５１ｇが前側ターン部に対応している。ターン部５１ｃが後側ターン部に対応している。
【００６７】
薄膜コイル５１は、接続部５１ａからターン部５１ｃにつながるループ部５１ｂと、ターン部５１ｃからターン部５１ｅにつながるワンループ部５１ｄと、ターン部５１ｅからターン部５１ｇにつながるワンループ部５１ｆと、ターン部５１ｇからリード部１４Ａまでのハーフループ部５１ｈを有している。
【００６８】
薄膜コイル５１は、接続部５１ａからリード部１４Ａまでが一本につながり、全体で３ターンループを形成している。すなわち、接続部５１ａから、ループ部５１ｂ、ワンループ部５１ｄ、ワンループ部５１ｆ、ハーフループ部５１ｈを通ってリード部１４Ａにつながることにより、３ターンループが形成されている。
【００６９】
ターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃは、横幅よりも厚さ（ＡＢＳ３０に沿った方向（上下方向）の高さ）の大きい縦長の構造を有している。そして、ワンループ部５１ｆ、ワンループ部５１ｄ、ループ部５１ｂのうち、最も幅の狭い部分がそれぞれターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃとなっている。なお、本実施の形態において、横幅とはＡＢＳ３０と交差する方向（交差方向）の幅を意味している。
【００７０】
続いて、ライトシールド層６０について説明する。ライトシールド層６０は、対向シールド部６１と、カバーシールド部６２とを有している。
【００７１】
対向シールド部６１はギャップ層２９を挟んでＡＢＳ３０側から順に主磁極層２６、非磁性層２７、非磁性層２８に対向するようにして形成されている。また、対向シールド部６１は上端面が平坦になっていて、その上端面にカバーシールド部６２が接続されている。
【００７２】
対向シールド部６１は図６に示すようなライトシールド端面６１ａを有している。ライトシールド端面６１ａはＡＢＳ３０内に配置されている。対向シールド部６１はＡＢＳ３０内において前端シールド部４３に対峙している。また、ライトシールド端面６１ａはＡＢＳ３０内においてシールド端面４３ａに接続されている。そして、図６に示すように、ライトシールド端面６１ａおよびシールド端面４３ａが磁極端面２６ａの全体を取り囲んでいる。しかも、ライトシールド端面６１ａおよびシールド端面４３ａが磁極端面２６ａの、ギャップ層２９または非磁性薄膜２５だけを介したごく近傍に配置されている。ライトシールド端面６１ａおよびシールド端面４３ａは、ＡＢＳ３０内において、ギャップ層２９または非磁性薄膜２５を介して磁極端面２６ａの周囲に配置されている。
【００７３】
ライトシールド端面６１ａには、ギャップ層２９が配置される微小スペースが形成されている。その微小スペースにギャップ層２９のＡＢＳ３０側部分が形成されている。
【００７４】
カバーシールド部６２はＡＢＳ３０から奥行き方向に延び、薄膜コイル５１を跨いで上部ヨーク層６５につながる湾曲構造を有している。
【００７５】
上部ヨーク層６５は主磁極層２６の上面２６ｄのうちの非磁性層２７，２８よりもＡＢＳ３０から離れた後側に接続されている。上部ヨーク層６５の上面は対向シールド部６１の上面と段差なく形成されている。上部ヨーク層６５の上面は対向シールド部６１の上面とともに共通平坦面５９Ａ(図１６参照)を形成している。
【００７６】
さらに、薄膜磁気ヘッド３００は保護絶縁層９０を有している。保護絶縁層９０はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて形成されている。保護絶縁層９０はライトシールド層６０を覆うように形成されている。
【００７７】
（薄膜磁気ヘッドの製造方法）
次に、前述した図１、図２とともに図９〜図１７を参照して、前述の構造を有する薄膜磁気ヘッド３００の製造方法について説明する。
【００７８】
ここで、図９〜図１７は、薄膜磁気ヘッド３００の各製造工程における図１に対応した断面図である。
【００７９】
まず、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）等のセラミック材料からなる基板１を準備する。そして、図９に示すように、その基板１の上に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料からなる絶縁層２と、磁性材料からなる下部シールド層３を順に形成する。絶縁層２を形成するときに加熱部８が形成される。
【００８０】
次に、ＭＲ素子５をシールドするように絶縁材料を用いてシールドギャップ膜４を形成する。このとき、ＭＲ素子５に接続される図示しないリードを形成し、ＭＲ素子５およびリードをシールドギャップ膜４で覆う。それから、磁性材料と絶縁材料とを用いてシールドギャップ膜４の上に上部シールド層６（第１のシールド部６ａ、絶縁部６ｂ、第２のシールド部６ｃ）を形成する。
【００８１】
次に、上部シールド層６の上にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて、上部シールド層６と、後に形成される記録ヘッドとを分離するための絶縁層７を形成する。絶縁層７を形成するときに感熱部９が形成される。これまでの工程で記録ヘッドを形成するための積層体が得られる。
【００８２】
その後、リターン磁極層形成工程を実行する。この工程では、まず、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いてリターン磁極層４７を形成するための磁性層（厚さは０．６μｍ程度）を形成する。この磁性層は、ＡＢＳ３０から離れた位置に形成する。
【００８３】
続いて、積層体表面に絶縁層を形成し、化学機械研摩（以下「ＣＭＰ」という）によって積層体表面の平坦化を行う。すると、前端絶縁層１７とリターン磁極層４７が形成される。こうして、リターン磁極層４７がＡＢＳ３０から０．３μｍ〜１μｍ（本実施の形態では、０．５μｍ程度）離れた位置に配置されるように形成される。その後退したリターン磁極層４７のＡＢＳ３０側端部と、ＡＢＳ３０との間に前端絶縁層１７が形成される。
【００８４】
次に、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁層１８（膜厚は０．１μｍ〜０．３μｍ程度）を形成する。それから、積層体の表面全体にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、レジストパターン（図示せず）を形成する。このレジストパターンをマスクに用いて例えばＲＩＥ等のエッチングを行い、絶縁層１８を選択的に開口する。
【００８５】
それから、磁性層形成工程を実行する。磁性層形成工程は、接続磁性層４０と連結磁性層４９とを形成する工程である。本実施の形態では、この磁性層形成工程の実行中にコイルを形成していない。こうすることで、前述した磁気回路ＭＣが形成されるように磁性層形成工程を実行することができる。
【００８６】
磁性層形成工程では、後退接続部４１および第１の連結磁性部４４の他、中間接続部４２および前端シールド部４３と、第２の連結磁性部４５および第３の連結磁性部４６を次のようにして形成する。詳しくは後述するが、磁性層形成工程では、接続磁性層４０については後退接続部４１、中間接続部４２および前端シールド部４３を、後退接続部４１、中間接続部４２、前端シールド部４３の順にそれぞれ形成する。また、接続磁性層４０は、薄膜コイル５１よりもＡＢＳ３０側に配置するように形成する。さらに、連結磁性層４９については、第１の連結磁性部４４、第２の連結磁性部４５および第３の連結磁性部４６を第１の連結磁性部４４、第２の連結磁性部４５、第３の連結磁性部４６の順にそれぞれ形成する。
【００８７】
まず、フレームめっき法により、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて、後退接続部４１と、第１の連結磁性部４４を厚さ１〜１．５μｍ程度で形成する。ただし、後退接続部４１は第１の連結磁性部４４よりもＡＢＳ３０側に配置される。
【００８８】
次に、図１０に示すように、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁層１９（膜厚は２μｍ〜３．５μｍ程度）をアトミックレイヤー法によるＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法で積層体の表面全体に形成する。絶縁層１９は、後退接続部４１、第１の連結磁性部４４を被覆するように形成される。
【００８９】
続いて、後退接続部４１と第１の連結磁性部４４が現われるまで積層体の表面をＣＭＰにより研摩して積層体表面の平坦化を行う。すると、図１１に示すように、後退接続部４１と第１の連結磁性部４４が形成される。
【００９０】
また、平坦化が行われたことによって、後退接続部４１よりもＡＢＳ３０側に対向絶縁層１９が形成される。さらに、同じ平坦化によって、後退接続部４１の上面４１ｂ、対向絶縁層１９の上面および第１の連結磁性部４４の上面が段差なく平坦に形成される。
【００９１】
続いて、図１２に示すように、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて、例えばフレームめっき法によって、後退接続部４１の上面４１ｂと、第１の連結磁性部４４の上面にそれぞれ中間接続部４２、第２の連結磁性部４５を形成する。このとき、中間接続部４２はＡＢＳ３０から後端部４１ｒに達する奥行きを備えるようにして形成する（後端部４１ｒについては図５参照）。
【００９２】
それから、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁層２１をアトミックレイヤー法によるＣＶＤ法で積層体の表面全体に形成する。その後、中間接続部４２と第２の連結磁性部４５が出現するまで積層体の表面をＣＭＰにより研摩して積層体表面の平坦化を行う。すると、図１３に示すように、中間接続部４２と第２の連結磁性部４５が形成される。
【００９３】
それから、図１４に示すように、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いてベース絶縁層２４を形成する。その後、ベース絶縁層２４を選択的に開口する。続いて、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて、フレームめっき法によって、開口した部分に前端シールド部４３となるべき磁性層と、第３の連結磁性部４６とをそれぞれ厚さ０．５μｍ〜１．０μｍ程度で形成する。第３の連結磁性部４６が形成されることによって、連結磁性層４９が形成される。
【００９４】
そして、積層体の表面にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、積層体の表面にレジストパターンを形成する。このレジストパターンは、前端シールド部４３となるべき磁性層の表面を、Ｖ溝部４３ｃおよび切欠部４３ｄに応じた形状に露出させる形状に形成する。そのレジストパターンをマスクにして反応性イオンエッチング（以下「ＲＩＥ」という）を行い、積層体の表面のレジストパターンで被覆されない部分を除去する。すると、前端シールド部４３となるべき磁性層にＶ溝部４３ｃおよび切欠部４３ｄが形成され、これによって、前端シールド部４３が形成される。前端シールド部４３が形成されることによって、接続磁性層４０が形成される。前端シールド部４３がシールド端面４３ａを有するので、シールド端面４３ａを有するように接続磁性層４０が形成される。
【００９５】
それから、図１５に示すように、ベース絶縁層２４および前端シールド部４３を被覆するようにして非磁性薄膜２５を形成する。非磁性薄膜２５はＲｕ，ＮｉＣｒ，ＮｉＣｕ等の非磁性金属材料や、アルミナ等の絶縁材料を用いてスパッタリングによって形成する。非磁性薄膜２５は前端シールド部４３のＶ溝部４３ｃにも形成される。
【００９６】
続いて、主磁極層形成工程を実行する。この工程では、接続磁性層４０および連結磁性層４９上に、次のようにして主磁極層２６を形成する。
【００９７】
まず、磁性層７５を０．４〜０．８μｍ程度の厚さで積層体の表面全体にスパッタリングによって形成する。磁性層７５はＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅなどの強磁性体からなる磁性材を用いて形成する。磁性層７５によって後に主磁極層２６が形成される。そして、積層体の表面全体をＣＭＰで研磨して、積層体表面の平坦化を行う。
【００９８】
その後、スパッタリングにより積層体の表面全体に、Ｒｕ，ＮｉＣｒ，ＮｉＣｕ等の金属材料を用いて非磁性層７７（厚さは約０．０４〜０．１μｍ程度）を形成する。非磁性層７７は後に一部がエッチングされることによって、前述の非磁性層２７となる。さらに、積層体の表面全体に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、シリコン酸化物等の無機絶縁材料を用いて非磁性層７８（厚さは約０．１〜０．３μｍ程度）を形成する。非磁性層７８は、後に一部がエッチングされることによって、前述の非磁性層２８となる。
【００９９】
続いて、積層体の表面全体にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、レジストパターン８１をＡＢＳ３０の近傍に形成する。
【０１００】
次に、レジストパターン８１をマスクに用いて例えばＲＩＥ等のエッチングを行い、非磁性層７８の一部を除去する。この場合のエッチングは、エッチングによって形成された溝の底部が非磁性層７７の上面に到達した時点で停止するようにして行われる。そのため、非磁性層７８には、非磁性層７７と比べて非磁性層７８をエッチングする際のエッチングレートの小さい材料を用いる。
【０１０１】
それからレジストパターン８１を除去する。続いて、残された非磁性層７８をマスクに用いて例えばイオンビームエッチング（ＩＢＥともいう）によって、非磁性層７７の一部をエッチングして除去する。さらに、残された非磁性層７７をマスクに用いて例えばＩＢＥにより、磁性層７５の一部をエッチングして除去する。この工程を経ることによって、磁性層７５のＡＢＳ側の上面が前述した２段傾斜構造で形成される。
【０１０２】
続いて、図１６に示すように、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料や、Ｒｕ，ＮｉＣｕ、Ｔａ等の非磁性導電材料を用いてスパッタ法またはＣＶＤによってギャップ層２９（厚さは約２５０Å〜３５０Å程度）を形成する。
【０１０３】
さらに、例えばスパッタ法により図示しないストッパ膜を形成し、その上に非磁性膜を形成する。その上で、積層体の表面全体に図示しないフォトレジストを塗布する。そして、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、図示しないレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクに用いて、例えばＲＩＥ等のエッチングを行い、非磁性膜をエッチングする。このエッチングはエッチングによって形成された溝の底部がストッパ膜の上面に到達した時点で停止するようにして行われる。
【０１０４】
それから、図示しないレジストパターンを除去した後、残された非磁性膜をマスクに用いてＲＩＥ等のエッチングを行い、ギャップ層２９、非磁性層７７および非磁性層７８の一部を除去する。ここで、ギャップ層２９、非磁性層７７および非磁性層７８の一部を除去することによって、上部ヨーク層６５を形成するためのスペースを確保している。
【０１０５】
続いて、ライトシールド層形成工程を実行する。この工程では、ライトシールド層６０を次のようにして形成する。まず、対向シールド部６１を形成する。次に、薄膜コイル５１を形成した後でカバーシールド部６２を形成することによってライトシールド層６０を形成する。
【０１０６】
そして、対向シールド部６１を形成するときは、積層体の表面全体に磁性層を形成する。この磁性層は、めっき法により、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮ，ＮｉＦｅなどの強磁性体からなる磁性材を用いて、０．５〜１．２μｍ程度の厚さで形成する。この磁性層によって、後に対向シールド部６１および上部ヨーク層６５が形成される。
【０１０７】
次に、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて絶縁層（厚さは１〜３μｍ程度）を形成する。さらに、磁性層の表面が露出するまで積層体の表面全体をＣＭＰにより研磨して積層体表面の平坦化を行う。すると、対向シールド部６１、上部ヨーク層６５および絶縁層３１が形成される。このとき、対向シールド部６１の厚さが０．５〜１．０μｍ程度になるようにして積層体の表面を研磨する。また、対向シールド部６１は、ライトシールド端面６１ａを有するようにして形成される。
【０１０８】
次に、図１７に示すように、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて絶縁層３２を形成する。続いて、絶縁層３２のうち、対向シールド部６１の上面に応じた位置と、上部ヨーク層６５の上面に応じた位置とにそれぞれ開口を形成する。
【０１０９】
その後、薄膜コイル形成工程を実行する。この工程では、単層構造を有するようにして、薄膜コイル５１を形成する。薄膜コイル形成工程を実行する前、すでに主磁極層形成工程が実行されている。しかも、これまでの工程でコイルは形成されていない。したがって、絶縁層３２上に薄膜コイル５１を例えばフレームめっき法により形成することによって、単層構造を有するようにして薄膜コイル５１を形成することができる。続いて、薄膜コイル５１を構成するターン部５１ｇ、５１ｅ，５１ｃ等の隙間を埋めるようにしてフォトレジスト層５５を形成する。
【０１１０】
その後、フォトレジスト層５５のＡＢＳ３０側部分を跨ぐようにしてカバーシールド部６２を形成する。それから、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて積層体の全体をカバーするようにして保護絶縁層９０を形成すると、薄膜磁気ヘッド３００が完成する。
【０１１１】
（薄膜磁気ヘッド３００の作用効果）
以上のように、薄膜磁気ヘッド３００は中間接続部４２を有している。中間接続部４２は、ＡＢＳ３０から、後退接続部４１の後端部４１ｒに到達する横幅を有している。そのため、接続磁性層４０が異距離構造を有しているにもかかわらず、中間接続部４２は、前端シールド部４３と後退接続部４１の双方に確実に接続されている。また、接続磁性層４０、リターン磁極層４７、連結磁性層４９および主磁極層２６によって、コイルが巻き回されていない磁気回路ＭＣが形成されている。なお、異距離構造とは、対向シールド部６１がＡＢＳ３０内に配置され、かつ連結シールド部６３がＡＢＳ３０から後退していることによって対向シールド部６１、連結シールド部６３それぞれのＡＢＳ３０からの距離が異なっている構造を意味している。
【０１１２】
ここで、薄膜コイル５１に記録電流が流された場合を考える。この場合、記録電流に応じた磁界（記録磁界）が主磁極層２６に形成される。この記録磁界から主磁極層２６の各点における磁束密度が求められ、その磁束密度を主磁極層２６の断面全体について積分することによって主磁極層２６を通る磁束が求められる。
【０１１３】
一般に、電流が形成する磁界は右ねじの法則にしたがった向きに形成される。そのため、図１８に示すように、薄膜コイル５１を流れる記録電流の紙面の表側から裏側に向かう方向の成分（正方向成分ともいう）は、主磁極層２６から記録媒体に向かう方向の記録磁界を形成する。そして、その記録磁界に応じた、磁極端面２６ａから記録媒体の垂直な方向に進む磁束ＷＨにより記録媒体の垂直記録層を磁化することによって、記録媒体にデータが記録される。
【０１１４】
一方、薄膜コイル５１はライトシールド層６０の回りに平面渦巻き状に巻き回されている。その薄膜コイル５１を流れる記録電流には、正方向成分とは異なる方向の成分も含まれている。したがって、主磁極層２６の磁極端面２６ａから外側に進む磁束には、磁束ＷＨとは異なる方向の磁束も含まれている。このような磁束のうち、ライトシールド層６０に近づく方向に進む磁束Ｈ１は、対向シールド部６１からカバーシールド部６２および上部ヨーク層６５を通り主磁極層２６に還流する。ライトシールド層６０は強磁性体からなる磁性材を用いて形成されているため、透磁率が高くて磁束が格段に通りやすい。そのようなライトシールド層６０の対向シールド部６１が磁極端面２６ａの近傍に配置されているため、磁束Ｈ１は対向シールド部６１を通る。
【０１１５】
しかしながら、主磁極層２６には連結磁性層４９が接続されているため、磁束Ｈ１が主磁極層２６に還流すると、磁束Ｈ１の一部が主磁極層２６から連結磁性層４９を通ってリターン磁極層４７に流れる。この磁束Ｈ１はリターン磁極層４７をＡＢＳ３０に向かう方向に進む。
【０１１６】
ところで、従来のＰＭＲ６００では、リターン磁極層に相当するシールド磁極層６０８がＡＢＳに露出していた。そのため、ＡＢＳ内のシールド磁極層６０８から磁束がＡＢＳ内に放出されやすかった。
【０１１７】
しかしながら、薄膜磁気ヘッド３００では、リターン磁極層４７がＡＢＳ３０から離れた位置に形成され、そのＡＢＳ３０側に前端絶縁層１７が形成されているため、リターン磁極層４７から磁束が放出され難くなっている。この点でも、ＷＡＴＥの改善効果は高められる。この点に加え、薄膜磁気ヘッド３００では、接続磁性層４０が形成されているため、ＷＡＴＥの高い改善効果が得られる。薄膜磁気ヘッド３００はバッキングコイルを備えることなくＷＡＴＥの改善効果が得られるが、その理由について述べれば次のとおりである。
【０１１８】
図１８に示すように、主磁極層２６から放出される磁束のうちの磁束ＷＨと異なる方向の磁束は、前述した磁束Ｈ１と、接続磁性層４０に近づく方向に進む磁束Ｈ２の２つに分流される。
【０１１９】
そして、薄膜磁気ヘッド３００では、接続磁性層４０によりライトシールド層６０とリターン磁極層４７とをつないだことによって、磁束Ｈ２が接続磁性層４０を通ってリターン磁極層４７に戻りやすくなっている。そのうえ、前述した磁気回路ＭＣが主磁極層２６よりも基板１側に形成されている。磁気回路ＭＣを構成する接続磁性層４０やリターン磁極層４７は、強磁性体からなる磁性材を用いて形成されている。そのため、磁束Ｈ１がライトシールド層６０を通るのと同様、磁束Ｈ２が磁気回路ＭＣを接続磁性層４０からリターン磁極層４７に向かい、そこから連結磁性層４９を通って主磁極層２６に向かう。磁束Ｈ２は、リターン磁極層４７をＡＢＳ３０から離れる方向に向かって通るため、リターン磁極層４７をとおる磁束Ｈ１と逆流することになる。
【０１２０】
磁束Ｈ２は、リターン磁極層４７の内部では磁束Ｈ１の磁気的な作用を弱めるように作用するため、バッキングコイルによる逆流磁束の代わりになる。そのため、薄膜磁気ヘッド３００では、バッキングコイルがなくても、リターン磁極層４７からＡＢＳ３０に向かって余分な磁束が放出され難くなる。こうして、薄膜磁気ヘッド３００では、バッキングコイルがなくても、従来技術より高いＷＡＴＥの改善効果が得られるようになっている。
【０１２１】
薄膜コイル５１は前述した単層構造を有する平面渦巻き状に形成され、磁気回路ＭＣはコイルが巻き回されていない。そうすると、接続磁性層４０から主磁極層２６に向かって磁気回路ＭＣを通る磁束は記録磁界に応じた磁束と同様に薄膜コイル５１を流れる記録電流によってもたらされることになる。そのため、バッキングコイルに起因する磁束とは異なり、磁束Ｈ２によって記録媒体に影響が及ぶおそれは少ないと考えられる。
【０１２２】
さらに、接続磁性層４０は前端シールド部４３を有し、その前端シールド部４３はシールド端面４３ａを有している。シールド端面４３ａは、ＡＢＳ３０内においてライトシールド端面６１ａに接続されている。ライトシールド端面６１ａおよびシールド端面４３ａがギャップ層２９または非磁性薄膜２５を介して磁極端面２６ａを取り囲み、かつ磁極端面２６ａの近傍に配置されている。そのため、磁極端面２６ａから磁束が放出されると、磁束ＷＨと異なる方向の磁束が記録媒体に対して影響を及ぼす前に、ライトシールド端面６１ａまたはシールド端面４３ａを通りやすく、磁束ＷＨと異なる方向の磁束がライトシールド端面６１ａまたはシールド端面４３ａによって取り込まれやすくなっている。したがって、薄膜磁気ヘッド３００では、磁束ＷＨと異なる方向の磁束が記録媒体に達することを効果的に阻止できるようになっている。
【０１２３】
また、ライトシールド端面６１ａおよびシールド端面４３ａがギャップ層２９または非磁性薄膜２５を介して磁極端面２６ａを取り囲んでおり、主磁極層２６と、ライトシールド６０および接続磁性層４０との間には、ギャップ層２９または非磁性薄膜２５が配置されている。そのため、ライトシールド６０や接続磁性層４０に主磁極層２６から磁束が漏れることはない。したがって、主磁極層２６の磁極端面２６ａから放出される磁束を強くすることができ、薄膜磁気ヘッド３００の記録特性を高めることもできる。
【０１２４】
ところで、ＡＢＳ３０に配置される前端シールド部４３と、ＡＢＳ３０から離れたリターン磁極層４７とを確実に接続するためには、後退接続部４１および中間接続部４２の代わりに次のような磁性層を含む接続磁性層４０を形成してもよい。この磁性層は、ＡＢＳ３０内に配置される端面を有し、しかも、前端シールド部４３に接しつつ、後端部４１ｒに接し得る大きさを有している。
【０１２５】
しかし、このような磁性層を備えた接続磁性層４０を形成した場合、その磁性層がＡＢＳ３０に大きく露出してしまう。かかる磁性層もＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮ、ＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて形成される。磁性層がＡＢＳ３０に大きく露出していると、薄膜コイル５１の発熱の影響を磁性層がより強く受けてしまう。
【０１２６】
フライングハイトは極めて微小なので、接続磁性層４０の限られた微小部分が突出しただけでも、薄膜磁気ヘッド３００と記録媒体との衝突が発生してしまう可能性がある。磁性層がＡＢＳ３０に大きく露出しているということは、突出の対象となりえるそのような微小部分がＡＢＳ３０内にたくさん存在しているということを意味し、それだけ、記録媒体に衝突し得る突出の態様が多く、薄膜磁気ヘッド３００と記録媒体との衝突が発生しやすいということを意味している。
【０１２７】
そこで、薄膜磁気ヘッド３００では、後退接続部４１と中間接続部４２を有する接続磁性層４０を形成している。ＡＢＳ３０から離れた後退接続部４１と、ＡＢＳ３０に配置される中間接続部４２を形成し、両者が接続されるようにしている。こうして、ＡＢＳ３０に露出する部分が前端シールド部４３のほか、中間接続部４２だけになるようにしている。
【０１２８】
主磁極層２６から放出される磁束のうち、磁束ＷＨと異なる方向の磁束が磁束Ｈ１と磁束Ｈ２の２つに分流した後、記録媒体に影響が及ぶ前にそれぞれを取り込むには、薄膜コイル５１よりもＡＢＳ３０側の磁性層によってライトシールド層６０とリターン磁極層４７とを接続することが望ましい。しかし、この磁性層は薄膜コイル５１よりもＡＢＳ３０側に配置されるため、ＡＢＳ３０に露出する大きさが大きいと、薄膜コイル５１の発熱の影響を受けやすくなる。
【０１２９】
そこで、薄膜磁気ヘッド３００では、接続磁性層４０を形成している。接続磁性層４０は後退接続部４１と中間接続部４２を有している。そのため、前述の磁性層を形成した場合よりもＡＢＳ３０に露出する磁性層の大きさが小さくなる。したがって、薄膜コイル５１の発熱に伴う磁性層突出のおそれが少なくなる。よって、薄膜磁気ヘッド３００は、記録媒体と衝突する事態が抑制されている。
【０１３０】
よって、薄膜磁気ヘッド３００では、記録ヘッドの突出に伴う破損のおそれが極めて少なくなるから、記録メディアに接近させることができる。
【０１３１】
したがって、薄膜磁気ヘッド３００は、記録ヘッドおよび再生ヘッドの解像度（resolution）を高め、信号対雑音比を向上させることができる。また、薄膜磁気ヘッド３００は、記録密度を高めることができる。
【０１３２】
（変形例１）
次に、図１９を参照して薄膜磁気ヘッド３０１について説明する。薄膜磁気ヘッド３０１は、薄膜磁気ヘッド３００と比べて、接続磁性層４０の代わりに接続磁性層１４０を有する点で相違している。
【０１３３】
接続磁性層１４０は接続磁性層４０と比べて、後退接続部４１および中間接続部４２の代わりに対向接続部１４１および中間接続部１４２を有している点で相違している。
【０１３４】
対向接続部１４１は、ＡＢＳ３０内に配置される端面を有し、その端面の反対側がリターン磁極層４７のＡＢＳ３０側の端部に接続されている。また、対向接続部１４１は、中間接続部１４２に接続される上面を有し、その上面が第１の連結磁性部４４の上面と段差なく平坦に形成されている。中間接続部１４２は、対向接続部１４１と前端シールド部４３とに接続されている。また、中間接続部１４２は、中間接続部４２よりも幅が狭くなっている。
【０１３５】
このような薄膜磁気ヘッド３０１では、接続磁性層１４０が前端シールド部４３を有しているからライトシールド層６０に接続されている。また、接続磁性層１４０はリターン磁極層４７にも接続されている。そのため、薄膜磁気ヘッド３００と同様、主磁極層２６から放出される磁束のうち、磁束ＷＨと異なる方向の磁束が磁束Ｈ１と磁束Ｈ２の２つに分流した後、ライトシールド層６０と接続磁性層１４０とによって取り込まれる。磁束Ｈ２は、リターン磁極層４７の内部では磁束Ｈ１の磁気的な作用を弱めるように作用するため、バッキングコイルによる逆流磁束の代わりになる。そのため、薄膜磁気ヘッド３０１も薄膜磁気ヘッド３００と同様にバッキングコイルがなくても、リターン磁極層４７からＡＢＳ３０に向かって余分な磁束が放出され難くなり、従来技術よりも高いＷＡＴＥの改善効果が得られる。
【０１３６】
（変形例２）
次に、図２０を参照して薄膜磁気ヘッド３０２について説明する。この薄膜磁気ヘッド３０２は、前述した薄膜磁気ヘッド３００と比べて、連結磁性層４９を有しない点で相違している。
【０１３７】
薄膜磁気ヘッド３０２も薄膜磁気ヘッド３００と同様に、リターン磁極層４７がＡＢＳ３０から離れた位置に形成され、リターン磁極層４７のＡＢＳ３０側に前端絶縁層１７が形成されているので、磁束がリターン磁極層４７からＡＢＳ３０に放出され難くなっている。
【０１３８】
また、薄膜磁気ヘッド３０２は、接続磁性層４０を有しているから、薄膜磁気ヘッド３０２でも、薄膜磁気ヘッド３００と同様、主磁極層２６から放出される磁束のうち、磁束ＷＨと異なる方向の磁束が磁束Ｈ１と磁束Ｈ２の２つに分流した後、ライトシールド層６０と接続磁性層４０とによって取り込まれる。
【０１３９】
そのため、薄膜磁気ヘッド３０２も、薄膜磁気ヘッド３００と同様、リターン磁極層４７からＡＢＳ３０に向かって余分な磁束が放出され難くなるため、バッキングコイルがなくても、従来技術より高いＷＡＴＥの改善効果が得られる。
【０１４０】
（実施例）
前述した薄膜磁気ヘッド３００，３０１，３０２それぞれにおけるＷＡＴＥの改善効果に関する実施例について図２２〜図２３を参照して説明する。本件発明者は薄膜磁気ヘッド３００，３０１，３０２それぞれについて、ＷＡＴＥの改善効果を確認するための実験を行った。また、比較のため、図２１に示す薄膜磁気ヘッド４００についても、薄膜磁気ヘッド３００，３０１，３０２と同様の実験を行った。薄膜磁気ヘッド４００は図２１に示すように、薄膜磁気ヘッド３００と比較して、リターン磁極層４７および連結磁性層４９を有しない点で相違している。
【０１４１】
図２２、図２３は、記録対象となるセクタからのずれ（Write Offset）ごとの符号誤り率（Bit error rate）の分布を示したグラフである。符号誤り率は、薄膜磁気ヘッド３００，３０１，３０２それぞれによって記録したデータをそれぞれの再生ヘッドで再生したときに誤って再生される符号の割合を示している。
【０１４２】
図２２のうち（ａ）、（ｂ）はそれぞれ薄膜磁気ヘッド３００，３０２における符号誤り率の分布を示している。図２３のうち（ａ）、（ｂ）はそれぞれ薄膜磁気ヘッド３０１、４００における符号誤り率の分布を示している。また、各図において上段はWrite Offsetの０〜２μｍまでの０．５μｍ単位の分布を示している。下段はWrite
Offsetの０〜０．５μｍまでの０．１μｍ単位の分布を示している。
【０１４３】
図２２、図２３それぞれの下段に示すように、薄膜磁気ヘッド３００，３０１，３０２，４００は、いずれもWrite Offsetが０〜０．５μｍまでの間では、符号誤り率の分布がほぼ同様になっている。しかし、図２３（ｂ）の上段に示すように薄膜磁気ヘッド４００では、Write Offsetが０．５μｍを越えて１μｍ、２μｍ程度になると、符号誤り率の発生頻度が多くなる。
【０１４４】
これに対して、図２２（ａ）、（ｂ）の上段および図２３（ａ）の上段に示すように、薄膜磁気ヘッド３００，３０１，３０２では、Write Offsetが０．５μｍを越えて１μｍ、２μｍ程度になっても、符号誤り率の発生頻度は低いままで多くなってはいない。この結果から、薄膜磁気ヘッド３００，３０１，３０２のような構造にすることによって、従来技術よりも高いＷＡＴＥの改善効果が得られるという点が明らかになる。
【０１４５】
（ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態）
次に、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態について、図２４〜図２５を参照して説明する。
【０１４６】
図２４は、上述の薄膜磁気ヘッド３００を備えたハードディスク装置２０１を示す斜視図である。また、図２５はＨＧＡ２１０の裏面側を示す斜視図である。図２４に示すように、ハードディスク装置２０１は、高速回転するハードディスク（磁気記録媒体）２０２と、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ：Head Gimbals Assembly）２１０とを有している。ハードディスク装置２０１は、ＨＧＡ２１０を作動させて、ハードディスク２０２の記録面に、データの記録および再生を行う装置である。ハードディスク２０２は、複数枚（図では４枚）のディスクを有している。各ディスクは、それぞれの記録面が薄膜磁気ヘッド３００に対向している。
【０１４７】
ハードディスク装置２０１は、アセンブリキャリッジ装置２０３によって、図２５に示すスライダ２０８をトラック上に位置決めする。このスライダ２０８に薄膜磁気ヘッド３００が形成されている。また、ハードディスク装置２０１は、複数の駆動アーム２０９を有している。各駆動アームは、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２０５によってピボットベアリング軸２０６を中心に回動し、ピボットベアリング軸２０６に沿った方向にスタックされている。そして、各駆動アームの先端にＨＧＡ２１０が取りつけられている。
【０１４８】
さらに、ハードディスク装置２０１は、記録再生を制御する制御回路（control circuit）２０４を有している。
【０１４９】
次に、ＨＧＡ２１０について図２５を参照して説明する。ＨＧＡ２１０は、サスペンション２２０の先端部分にスライダ２０８が固着されている。また、ＨＧＡ２１０では、配線部材２２４の一端部がスライダ２０８の端子電極に電気的に接続されている。
【０１５０】
そして、サスペンション２２０は、ロードビーム２２２と、ロードビーム２２２の基部に設けられているベースプレート２２１と、ロードビーム２２２上の先端側からベースプレート２２１の手前側にかけて固着して支持され、弾性を備えたフレクシャ２２３と、配線部材２２４とを有している。配線部材２２４はリード導体およびその両端に電気的に接続された接続パッドを有している。
【０１５１】
ハードディスク装置２０１は、ＨＧＡ２１０を回転させると、スライダ２０８がハードディスク２０２の半径方向、すなわち、トラックラインを横切る方向に移動する。
【０１５２】
このようなＨＧＡ２１０およびハードディスク装置２０１は薄膜磁気ヘッド３００を有しているから、バッキングコイルを有していなくても従来技術よりも高いＷＡＴＥの改善効果が得られる。
【０１５３】
以上の説明は、本発明の実施の形態についての説明であって、この発明の装置及び方法を限定するものではなく、様々な変形例を容易に実施することができる。又、各実施形態における構成要素、機能、特徴あるいは方法ステップを適宜組み合わせて構成される装置又は方法も本発明に含まれるものである。
【産業上の利用可能性】
【０１５４】
本発明を適用することにより、バッキングコイルを備えることなくＷＡＴＥの改善効果が高められるようにすることができる。本発明は垂直磁気記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置に利用することができる。
【符号の説明】
【０１５５】
１…基板、２５…非磁性薄膜、２６…主磁極層、２６ａ…磁極端面、２６ｄ…上面、２９…ギャップ層、３０…ＡＢＳ、４０…接続磁性層、４１…後退接続部、４１ｂ…上面、４１ｒ…後端部、４２…中間接続部、４２ａ…中間シールド端面、４３…前端シールド部、４３ａ…シールド端面、４３ｃ…Ｖ溝部、４７…リターン磁極層、４９…連結磁性層、５１…薄膜コイル、６０…ライトシールド層、６１…対向シールド部、６１ａ…ライトシールド端面、６２…カバーシールド部、６５…上部ヨーク層、９０…保護絶縁層、ＭＣ…磁気回路、２０１…ハードディスク装置、２０２…ハードディスク、２１０…ＨＧＡ、３００,３０１，３０２…薄膜磁気ヘッド。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、
前記ライトシールド層の前記主磁極層を挟んだ反対側において前記媒体対向面から離れた位置に形成されているリターン磁極層と、
前記薄膜コイルよりも前記媒体対向面側において前記リターン磁極層を前記ライトシールド層に接続するようにして、磁性材を用いて形成された接続磁性層とを有し、
前記薄膜コイルは、前記ライトシールド層の回りに平面渦巻き状に巻回され、かつ該平面渦巻き状に巻回された部分が前記主磁極層よりも前記基板から離れた位置にだけ形成されている単層構造を有する薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記接続磁性層は、前記媒体対向面内において前記ライトシールド端面に接続されたシールド端面を有する前端シールド部を有し、
前記ライトシールド端面および前記シールド端面が前記磁極端面の全体を取り囲み、かつ該磁極端面の近傍に配置されている請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記媒体対向面から離れた位置において前記リターン磁極層と前記主磁極層とを連結する連結磁性層を更に有し、
前記接続磁性層から、前記リターン磁極層および前記連結磁性層を通って前記主磁極層に達し、コイルが巻き回されていない磁気回路が形成されている請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記接続磁性層は、前記媒体対向面から離れた位置に配置され、かつ前記リターン磁極層の前記主磁極層側の上面に接続されている後退接続部と、
前記前端シールド部と前記後退接続部とを接続する中間接続部とを有する請求項２または３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記中間接続部は、前記媒体対向面内において前記シールド端面に接続されている中間シールド端面を有し、かつ前記後退接続部の前記主磁極層側の上面に接続されている請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記中間接続部は、前記媒体対向面から前記後退接続部の前記媒体対向面から最も離れた後端部に達する奥行きを備えている請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記後退接続部の前記媒体対向面側に配置されている対向絶縁層を更に有する請求項４〜６のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記前端シールド部は、前記媒体対向面に沿った方向の断面がＶ字状に形成されたＶ溝部を有し、
該Ｖ溝部の内側表面上に形成された非磁性薄膜を更に有し、該非磁性薄膜上に前記主磁極層が形成されている請求項２〜７のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記媒体対向面から離れた位置に配置されるようにリターン磁極層を形成するリターン磁極層形成工程と、
前記リターン磁極層にそれぞれ接続される接続磁性層および連結磁性層を、該接続磁性層が該連結磁性層よりも前記媒体対向面側に配置され、かつ前記接続磁性層が前記媒体対向面内に配置されるシールド端面を有するように形成する磁性層形成工程と、
前記接続磁性層および前記連結磁性層上に前記主磁極層を形成する主磁極層形成工程と、
前記ライトシールド層の回りに平面渦巻き状に巻回され、かつ該平面渦巻き状に巻回された部分が前記主磁極層よりも前記基板から離れた位置にだけ配置されている単層構造を有するようにして前記薄膜コイルを形成する薄膜コイル形成工程と、
前記媒体対向面内において前記シールド端面に接続されるライトシールド端面を有するように、前記ライトシールド層を形成するライトシールド層形成工程とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記接続磁性層が前記薄膜コイルよりも前記媒体対向面側に配置されるようにして前記磁性層形成工程を実行する請求項９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記磁性層形成工程は、前記媒体対向面から離れた位置に配置され、かつ前記リターン磁極層の前記主磁極層側の上面に接続される後退接続部と、前記シールド端面を有する前端シールド部と、該前端シールド部と前記後退接続部とを接続する中間接続部とを、前記後退接続部、前記中間接続部、前記前端シールド部の順にそれぞれ形成することによって前記接続磁性層を形成する請求項９または１０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記接続磁性層から、コイルを跨ぐことなく前記リターン磁極層および前記連結磁性層を通って前記主磁極層に達する磁気回路が形成されるようにして前記磁性層形成工程を実行する請求項９〜１１のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
前記磁性層形成工程において、前記媒体対向面から、前記媒体対向面から最も離れた後端部に達する奥行きを備えるようにして、前記中間接続部を形成する請求項１１または１２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、前記基台を固定するジンバルとを備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、
前記ライトシールド層の前記主磁極層を挟んだ反対側において前記媒体対向面から離れた位置に形成されているリターン磁極層と、
前記薄膜コイルよりも前記媒体対向面側において前記リターン磁極層を前記ライトシールド層に接続するようにして、磁性材を用いて形成された接続磁性層とを有し、
前記薄膜コイルは、前記ライトシールド層の回りに平面渦巻き状に巻回され、かつ該平面渦巻き状に巻回された部分が前記主磁極層よりも前記基板から離れた位置にだけ配置されている単層構造を有するヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１５】
薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、前記薄膜磁気ヘッドに対向する記録媒体とを備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、
前記ライトシールド層の前記主磁極層を挟んだ反対側において前記媒体対向面から離れた位置に形成されているリターン磁極層と、
前記薄膜コイルよりも前記媒体対向面側において前記リターン磁極層を前記ライトシールド層に接続するようにして、磁性材を用いて形成された接続磁性層とを有し、
前記薄膜コイルは、前記ライトシールド層の回りに平面渦巻き状に巻回され、かつ該平面渦巻き状に巻回された部分が前記主磁極層よりも前記基板から離れた位置にだけ配置されている単層構造を有するハードディスク装置。
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、
前記ライトシールド層の前記主磁極層を挟んだ反対側において前記媒体対向面から離れた位置に形成されているリターン磁極層と、
前記薄膜コイルよりも前記媒体対向面側において前記リターン磁極層を前記ライトシールド層に接続するようにして、磁性材を用いて形成された接続磁性層とを有し、
前記薄膜コイルは、前記ライトシールド層の回りに平面渦巻き状に巻回され、かつ該平面渦巻き状に巻回された部分が前記主磁極層よりも前記基板から離れた位置にだけ形成されている単層構造を有する薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記接続磁性層は、前記媒体対向面内において前記ライトシールド端面に接続されたシールド端面を有する前端シールド部を有し、
前記ライトシールド端面および前記シールド端面が前記磁極端面の全体を取り囲み、かつ該磁極端面の近傍に配置されている請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記媒体対向面から離れた位置において前記リターン磁極層と前記主磁極層とを連結する連結磁性層を更に有し、
前記接続磁性層から、前記リターン磁極層および前記連結磁性層を通って前記主磁極層に達し、コイルが巻き回されていない磁気回路が形成されている請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記接続磁性層は、前記媒体対向面から離れた位置に配置され、かつ前記リターン磁極層の前記主磁極層側の上面に接続されている後退接続部と、
前記前端シールド部と前記後退接続部とを接続する中間接続部とを有する請求項２または３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記中間接続部は、前記媒体対向面内において前記シールド端面に接続されている中間シールド端面を有し、かつ前記後退接続部の前記主磁極層側の上面に接続されている請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記中間接続部は、前記媒体対向面から前記後退接続部の前記媒体対向面から最も離れた後端部に達する奥行きを備えている請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記後退接続部の前記媒体対向面側に配置されている対向絶縁層を更に有する請求項４〜６のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記前端シールド部は、前記媒体対向面に沿った方向の断面がＶ字状に形成されたＶ溝部を有し、
該Ｖ溝部の内側表面上に形成された非磁性薄膜を更に有し、該非磁性薄膜上に前記主磁極層が形成されている請求項２〜７のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記媒体対向面から離れた位置に配置されるようにリターン磁極層を形成するリターン磁極層形成工程と、
前記リターン磁極層にそれぞれ接続される接続磁性層および連結磁性層を、該接続磁性層が該連結磁性層よりも前記媒体対向面側に配置され、かつ前記接続磁性層が前記媒体対向面内に配置されるシールド端面を有するように形成する磁性層形成工程と、
前記接続磁性層および前記連結磁性層上に前記主磁極層を形成する主磁極層形成工程と、
前記ライトシールド層の回りに平面渦巻き状に巻回され、かつ該平面渦巻き状に巻回された部分が前記主磁極層よりも前記基板から離れた位置にだけ配置されている単層構造を有するようにして前記薄膜コイルを形成する薄膜コイル形成工程と、
前記媒体対向面内において前記シールド端面に接続されるライトシールド端面を有するように、前記ライトシールド層を形成するライトシールド層形成工程とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記接続磁性層が前記薄膜コイルよりも前記媒体対向面側に配置されるようにして前記磁性層形成工程を実行する請求項９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記磁性層形成工程は、前記媒体対向面から離れた位置に配置され、かつ前記リターン磁極層の前記主磁極層側の上面に接続される後退接続部と、前記シールド端面を有する前端シールド部と、該前端シールド部と前記後退接続部とを接続する中間接続部とを、前記後退接続部、前記中間接続部、前記前端シールド部の順にそれぞれ形成することによって前記接続磁性層を形成する請求項９または１０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記接続磁性層から、コイルを跨ぐことなく前記リターン磁極層および前記連結磁性層を通って前記主磁極層に達する磁気回路が形成されるようにして前記磁性層形成工程を実行する請求項９〜１１のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
前記磁性層形成工程において、前記媒体対向面から、前記媒体対向面から最も離れた後端部に達する奥行きを備えるようにして、前記中間接続部を形成する請求項１１または１２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、前記基台を固定するジンバルとを備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、
前記ライトシールド層の前記主磁極層を挟んだ反対側において前記媒体対向面から離れた位置に形成されているリターン磁極層と、
前記薄膜コイルよりも前記媒体対向面側において前記リターン磁極層を前記ライトシールド層に接続するようにして、磁性材を用いて形成された接続磁性層とを有し、
前記薄膜コイルは、前記ライトシールド層の回りに平面渦巻き状に巻回され、かつ該平面渦巻き状に巻回された部分が前記主磁極層よりも前記基板から離れた位置にだけ配置されている単層構造を有するヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１５】
薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、前記薄膜磁気ヘッドに対向する記録媒体とを備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、
前記ライトシールド層の前記主磁極層を挟んだ反対側において前記媒体対向面から離れた位置に形成されているリターン磁極層と、
前記薄膜コイルよりも前記媒体対向面側において前記リターン磁極層を前記ライトシールド層に接続するようにして、磁性材を用いて形成された接続磁性層とを有し、
前記薄膜コイルは、前記ライトシールド層の回りに平面渦巻き状に巻回され、かつ該平面渦巻き状に巻回された部分が前記主磁極層よりも前記基板から離れた位置にだけ配置されている単層構造を有するハードディスク装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【公開番号】特開２０１２−２３４６１３（Ｐ２０１２−２３４６１３Ａ）
【公開日】平成２４年１１月２９日（２０１２．１１．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２７９７５９（Ｐ２０１１−２７９７５９）
【出願日】平成２３年１２月２１日（２０１１．１２．２１）
【出願人】（５００４７５６４９）ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド (251)
【出願人】（５００３９３８９３）新科實業有限公司 (361)
【氏名又は名称原語表記】ＳＡＥ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ（Ｈ．Ｋ．）Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】ＳＡＥ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｅｎｔｒｅ， ６ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｐａｒｋ Ｅａｓｔ Ａｖｅｎｕｅ， Ｈｏｎｇ Ｋｏｎｇ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｐａｒｋ， Ｓｈａｔｉｎ， Ｎ．Ｔ．， Ｈｏｎｇ Ｋｏｎｇ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月２９日（２０１２．１１．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１２月２１日（２０１１．１２．２１）
【出願人】（５００４７５６４９）ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド (251)
【出願人】（５００３９３８９３）新科實業有限公司 (361)
【氏名又は名称原語表記】ＳＡＥ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ（Ｈ．Ｋ．）Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】ＳＡＥ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｅｎｔｒｅ， ６ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｐａｒｋ Ｅａｓｔ Ａｖｅｎｕｅ， Ｈｏｎｇ Ｋｏｎｇ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｐａｒｋ， Ｓｈａｔｉｎ， Ｎ．Ｔ．， Ｈｏｎｇ Ｋｏｎｇ
【Ｆターム（参考）】
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