表示装置
【課題】有機ＥＬ素子などの表示素子は、発光によって劣化が進み、表示素子に同じ電圧
を印加しても発光輝度が低下する。よって、経時的に使用することにより、画素毎に発光
のバラツキが生じるため、いわゆる「焼き付き」現象が生じてしまう。そこで、画素毎の
表示素子の劣化の差を小さくし、画素の表示素子の発光のバラツキを低減する表示装置を
提供することを課題とする。
【解決手段】特定の画素のみ累積点灯時間が長くならないようにする。そのため、表示パ
ターンの階調を変化させ、画素毎の表示素子の劣化の差が大きくならないようにする。ま
たは、特定の表示パターンを特定の領域で固定表示しないようにする。または、画素毎の
累積点灯時間が等しくなるように、劣化の遅れている画素を劣化させる。
を印加しても発光輝度が低下する。よって、経時的に使用することにより、画素毎に発光
のバラツキが生じるため、いわゆる「焼き付き」現象が生じてしまう。そこで、画素毎の
表示素子の劣化の差を小さくし、画素の表示素子の発光のバラツキを低減する表示装置を
提供することを課題とする。
【解決手段】特定の画素のみ累積点灯時間が長くならないようにする。そのため、表示パ
ターンの階調を変化させ、画素毎の表示素子の劣化の差が大きくならないようにする。ま
たは、特定の表示パターンを特定の領域で固定表示しないようにする。または、画素毎の
累積点灯時間が等しくなるように、劣化の遅れている画素を劣化させる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置及びその表示方法に関し、特に、複数の画素がマトリクスに配置され
たアクティブマトリクス型表示装置における画素の劣化により生じる焼き付き現象を低減
する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶などの表示素子で形成した表示装置である液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）が広く普及
している。しかし、近年、画素に発光ダイオード（ＬＥＤ）などの表示素子を備える、い
わゆる自発光型の表示装置、つまり、発光装置が注目を浴びている。このような自発光型
の表示装置に用いられる表示素子としては、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎ
ｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ素子、エレクトロルミネ
ッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）素子などとも言う）が注
目を集めており、ＥＬディスプレイなどに用いられるようになってきている。ＯＬＥＤな
どの表示素子は自発光型であるため、液晶ディスプレイに比べて画素の視認性が高く、バ
ックライトが不要で応答速度が速い等の利点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、有機ＥＬ素子などの表示素子は、発光によって劣化が進むと、表示素子に同じ
電圧を印加しても発光輝度が低下する。よって、経時的に使用することにより、画素毎に
発光のバラツキが生じるため、いわゆる「焼き付き」現象が生じてしまう。
【０００４】
そこで本発明は、画素毎の表示素子の劣化の差を小さくし、画素毎の表示素子の発光のバ
ラツキを低減する表示装置を提供することを課題とする。また、その表示方法を提供する
ことを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
そこで、特定の画素のみ累積点灯時間が長くならないようにする。そのため、表示パター
ンの階調を変化させ、画素毎の表示素子の劣化の差が大きくならないようにする。または
、特定の表示パターンを特定の領域で固定表示しないようにする。または、画素毎の累積
点灯時間が等しくなるように、劣化の遅れている画素を劣化させる。
【０００６】
まず、表示パターンの階調を変化させ、画素毎の劣化の差が大きくならないようにする具
体的構成を以下に示す。
【０００７】
本発明の表示装置は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モードと、文
字を白表示とし、文字の背景を黒表示とする白文字モードとのモード切り替え可能な画像
処理回路と、前記画像処理回路の切り替えを制御する制御回路と、を有する。
【０００８】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、前記制御回路は、周囲の明るさによりモ
ードを切り替える。
【０００９】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、前記制御回路は、日毎にモードを切り替
える。
【００１０】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、前記制御回路は、時間毎にモードを切り
替える。
【００１１】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、前記制御回路は、電池の残量でモードを
切り替える。
【００１２】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、前記制御回路は、一定期間操作しないと
モードを切り替える。
【００１３】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、前記制御回路は、電源投入の度にモード
を切り替える。
【００１４】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、前記制御回路は、電子メールの受信と送
信とでモードを切り替える。
【００１５】
また、本発明の表示装置は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モード
と、文字の芯を白表示とし、文字の芯周辺を囲むように縁を黒表示とし、文字の芯及び文
字の芯の縁の背景を白表示とする黒縁白抜きモードとのモード切り替え可能な画像処理回
路と、前記画像処理回路の切り替えを制御する制御回路と、を有する。
【００１６】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、前記制御回路は、日毎にモードを切り替
える。
【００１７】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、前記制御回路は、時間毎にモードを切り
替える。
【００１８】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、前記制御回路は、一定期間操作しないと
モードを切り替える。
【００１９】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、前記制御回路は、電源投入の度にモード
を切り替える。
【００２０】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、前記制御回路は、電子メールの受信と送
信とでモードを切り替える。
【００２１】
本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モードと、文
字を白表示とし、文字の背景を黒表示とする白文字モードと、を周囲の明るさにより切り
替える。
【００２２】
また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モード
と、文字を白表示とし、文字の背景を黒表示とする白文字モードと、を日毎に切り替える
。
【００２３】
また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モード
と、文字を白表示とし、文字の背景を黒表示とする白文字モードと、を時間毎に切り替え
る。
【００２４】
また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モード
と、文字を白表示とし、文字の背景を黒表示とする白文字モードと、を電池の残量で切り
替える。
【００２５】
また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モード
と、文字を白表示とし、文字の背景を黒表示とする白文字モードと、を一定期間操作しな
いと切り替える。
【００２６】
また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モード
と、文字を白表示とし、文字の背景を黒表示とする白文字モードと、を電源投入の度に切
り替える。
【００２７】
また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モード
と、文字を白表示とし、文字の背景を黒表示とする白文字モードと、を電子メールの受信
と送信とで切り替える。
【００２８】
また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モード
と、文字の芯を白表示とし、文字の芯周辺を囲むように縁を黒表示とし、文字の芯及び文
字の芯の縁の背景を白表示とする黒縁白抜きモードと、を日毎に切り替えることを特徴と
する表示方法。
【００２９】
また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モード
と、文字の芯を白表示とし、文字の芯周辺を囲むように縁を黒表示とし、文字の芯及び文
字の芯の縁の背景を白表示とする黒縁白抜きモードと、を時間毎に切り替える。
【００３０】
また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モード
と、文字の芯を白表示とし、文字の芯周辺を囲むように縁を黒表示とし、文字の芯及び文
字の芯の縁の背景を白表示とする黒縁白抜きモードと、を一定期間操作しないと切り替え
る。
【００３１】
また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モード
と、文字の芯を白表示とし、文字の芯周辺を囲むように縁を黒表示とし、文字の芯及び文
字の芯の縁の背景を白表示とする黒縁白抜きモードと、を電源投入の度に切り替える。
【００３２】
また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モード
と、文字の芯を白表示とし、文字の芯周辺を囲むように縁を黒表示とし、文字の芯及び文
字の芯の縁の背景を白表示とする黒縁白抜きモードと、を電子メールの受信と送信とで切
り替える。
【００３３】
また、特定の表示パターンを特定の領域で固定表示しないようにする本発明の具体的構成
を以下に示す。
【００３４】
また、本発明の表示装置は、文字の書体を変更する画像処理が可能な画像処理回路と、該
画像処理回路の動作を制御する制御回路と、を有する。
【００３５】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、日毎に文字の書体を変更
させる。
【００３６】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、時間毎に文字の書体を変
更させる。
【００３７】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、一定期間操作しないと文
字の書体を変更させる。
【００３８】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、電源投入の度に文字の書
体を変更させる。
【００３９】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、電子メールの受信と送信
とで文字の書体を変更させる。
【００４０】
また、本発明の表示装置は、文字をシフトさせる画像処理が可能な画像処理回路と、該画
像処理回路の動作を制御する制御回路と、を有する。
【００４１】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、日毎に文字をシフトさせ
る。
【００４２】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、時間毎に文字をシフトさ
せる。
【００４３】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、一定期間操作しないと文
字をシフトさせる。
【００４４】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、電源投入の度に文字をシ
フトさせる。
【００４５】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、文字を入力する度に文字
をシフトさせる。
【００４６】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、一行分の文字を入力する
度に文字をシフトさせる。
【００４７】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該文字を構成する矩形型の画素のブロッ
クの横方向の長さをａ、縦方向の長さをｂとし、該シフトさせる移動範囲の横方向をｘ、
縦方向をｙとすると、移動範囲の横方向ｘ及び縦方向ｙは、それぞれａ＜ｘ≦３ａ及びｂ
＜ｘ≦３ｂである。
【００４８】
また、本発明の表示装置は、アイコンをシフトする画像処理が可能な画像処理回路と、該
画像処理回路の動作を制御する制御回路と、を有する。
【００４９】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、日毎にアイコンをシフト
させる。
【００５０】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、時間毎にアイコンをシフ
トさせる。
【００５１】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、一定期間操作しないとア
イコンをシフトさせる。
【００５２】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、電源投入の度にアイコン
をシフトさせる。
【００５３】
また、本発明の表示装置は、アイコンの累積表示時間及びアイコンの表示されない画素累
積点灯時間をカウントするカウンタと、該カウンタによりカウントされたデータを記憶す
る記憶回路部と、該記憶回路部に記憶されたデータを用いて、該アイコン部の画素の輝度
と該アイコンの表示されない画素との輝度を等しくなるように画像信号を補正する補正回
路とを有する。
【００５４】
また、本発明の表示装置は、ピクトをシフトさせる画像処理が可能な画像処理回路と、該
画像処理回路の動作を制御する制御回路と、を有する。
【００５５】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、日毎にピクトをシフトさ
せる。
【００５６】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、時間毎にピクトをシフト
させる。
【００５７】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、一定期間操作しないとピ
クトをシフトさせる。
【００５８】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、電源投入の度にピクトを
シフトさせる。
【００５９】
本発明の表示方法は、日毎に文字の書体を変更させる。
【００６０】
また、本発明の表示方法は、時間毎に文字の書体を変更させる。
【００６１】
また、本発明の表示方法は、一定期間操作しないと文字の書体を変更させる。
【００６２】
また、本発明の表示方法は、電源投入の度に文字の書体を変更させる。
【００６３】
また、本発明の表示方法は、電子メールの受信と送信とで文字の書体を変更させる。
【００６４】
また、本発明の表示方法は、日毎に文字をシフトさせる。
【００６５】
また、本発明の表示方法は、時間毎に文字をシフトさせる。
【００６６】
また、本発明の表示方法は、一定期間操作しないと文字をシフトさせる。
【００６７】
また、本発明の表示方法は、電源投入の度に文字をシフトさせる。
【００６８】
また、本発明の表示方法は、文字を入力する度に文字をシフトさせる。
【００６９】
また、本発明の表示方法は、一行分の文字を入力する度に文字をシフトさせる。
【００７０】
また、本発明の表示方法は、上記構成において、該文字のブロックの横方向の長さをａ、
縦方向の長さをｂとし、該シフトさせる移動範囲の横方向をｘ、縦方向をｙとすると、移
動範囲の横方向ｘ及び縦方向ｙは、それぞれａ＜ｘ≦３ａ及びｂ＜ｘ≦３ｂである。
【００７１】
また、本発明の表示方法は、日毎にアイコンをシフトさせる。
【００７２】
また、本発明の表示方法は、時間毎にアイコンをシフトさせる。
【００７３】
また、本発明の表示方法は、一定期間操作しないとアイコンをシフトさせる。
【００７４】
また、本発明の表示方法は、電源投入の度にアイコンをシフトさせる。
【００７５】
また、本発明の表示方法は、日毎にピクトをシフトさせる。
【００７６】
また、本発明の表示方法は、時間毎にピクトをシフトさせる。
【００７７】
また、本発明の表示方法は、一定期間操作しないとピクトをシフトさせる。
【００７８】
なお、明細書に示すピクト（ピクトグラムともいう）とは図形、絵、文字等の予め定めら
れたパターンをいい、ピクト表示領域とは、そのパターンの表示に寄与する画素が配置さ
れた領域をいう。
【００７９】
なお、本発明に示すスイッチは、様々な形態のものを用いることができ、一例として、
電気的スイッチや機械的なスイッチなどがある。つまり、電流の流れを制御できるもので
あればよく、特定のものに限定されず、様々なものを用いることができる。例えば、トラ
ンジスタでもよいし、ダイオード（例えば、ＰＮダイオード、ＰＩＮダイオード、ショッ
トキーダイオード、ダイオード接続のトランジスタなど）でもよいし、サイリスタでもよ
いし、それらを組み合わせた論理回路でもよい。よって、スイッチとしてトランジスタを
用いる場合、そのトランジスタは、単なるスイッチとして動作するため、トランジスタの
極性（導電型）は特に限定されない。ただし、オフ電流が少ない方が望ましい場合、オフ
電流が少ない方の極性のトランジスタを用いることが望ましい。オフ電流が少ないトラン
ジスタとしては、ＬＤＤ領域を設けているものやマルチゲート構造にしているもの等があ
る。また、スイッチとして動作させるトランジスタのソース端子の電位が、低電位側電源
（Ｖｓｓ、ＧＮＤ、０Ｖなど）に近い状態で動作する場合はＮチャネル型を、反対に、ソ
ース端子の電位が、高電位側電源（Ｖｄｄなど）に近い状態で動作する場合はＰチャネル
型を用いることが望ましい。なぜなら、ゲートソース間電圧の絶対値を大きくできるため
、スイッチとして、動作しやすいからである。
【００８０】
なお、Ｎチャネル型とＰチャネル型の両方を用いて、ＣＭＯＳ型のスイッチにしてもよ
い。ＣＭＯＳ型のスイッチにすると、Ｐチャネル型かＮチャネル型かのどちらかのスイッ
チが導通すれば電流を流すことができるため、スイッチとして機能しやすくなる。例えば
、スイッチへの入力信号の電圧が高い場合でも、低い場合でも、適切に電圧を出力させる
ことが出来る。また、スイッチをオン・オフさせるための信号の電圧振幅値を小さくする
ことが出来るので、消費電力を小さくすることも出来る。
なお、スイッチとしてトランジスタを用いる場合は、入力端子（ソース端子またはドレ
イン端子の一方）と、出力端子（ソース端子またはドレイン端子の他方）と、導通を制御
する端子（ゲート端子）とを有している。一方、スイッチとしてダイオードを用いる場合
は、導通を制御する端子を有していない場合がある。そのため、端子を制御するための配
線を少なくすることが出来る。
【００８１】
なお、本発明において接続されているとは、電気的に接続されていることと同義である。
したがって、間に別の素子やスイッチなどが配置されていてもよい。
【００８２】
なお、表示素子や表示装置や発光素子や発光装置は、様々な形態を用いたり、様々な素子
を有したりすることが出来る。例えば、表示素子や表示装置や発光素子や発光装置として
は、ＥＬ素子（有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子又は有機物及び無機物を含むＥＬ素子）、電
子放出素子、液晶素子、電子インク、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマ
ディスプレイ（ＰＤＰ）、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、圧電セラミック
ディスプレイ、カーボンナノチューブ、など、電気磁気的作用によりコントラストが変化
する表示媒体を適用することができる。なお、ＥＬ素子を用いた表示装置としてはＥＬデ
ィスプレイ、電子放出素子を用いた表示装置としてはフィールドエミッションディスプレ
イ（ＦＥＤ）やＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃ
ｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌｙ）など、液晶素子を用いた
表示装置としては液晶ディスプレイ、透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレ
イ、反射型液晶ディスプレイ、電子インクを用いた表示装置としては電子ペーパーがある
。
【００８３】
なお、本発明において、適用可能なトランジスタの種類に限定はなく、非晶質シリコン
や多結晶シリコンに代表される非単結晶半導体膜を用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、
半導体基板やＳＯＩ基板を用いて形成されるＭＯＳ型トランジスタ、接合型トランジスタ
、バイポーラトランジスタ、有機半導体やカーボンナノチューブを用いたトランジスタ、
その他のトランジスタを適用することができる。また、トランジスタが配置されている基
板の種類に限定はなく、単結晶基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板、プラスチック基板などに
配置することが出来る。
【００８４】
なお、すでに述べたように、本発明におけるトランジスタは、どのようなタイプのトラン
ジスタでもよいし、どのような基板上に形成されていてもよい。したがって、回路の全て
ガラス基板上に形成されていてもよいし、プラスチック基板に形成されていてもよいし、
単結晶基板に形成されていてもよいし、ＳＯＩ基板上に形成されていてもよいし、どのよ
うな基板上に形成されていてもよい。あるいは、回路の一部が、ある基板に形成されてお
り、回路の別の一部が、別の基板に形成されていてもよい。つまり、回路の全てが同じ基
板上に形成されていなくてもよい。例えば、回路の一部は、ガラス基板上にＴＦＴを用い
て形成し、回路の別の一部は、単結晶基板上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（Ｃｈｉ
ｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）で接続してガラス基板上に配置してもよい。あるいは、そのＩＣ
チップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏ Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いてガラス
基板と接続してもよい。
【００８５】
なお、本発明においては、一画素とは画像の最小単位を示すものとする。よって、Ｒ（赤
）Ｇ（緑）Ｂ（青）の色要素からなるフルカラー表示装置の場合には、一画素とはＲの色
要素のドットとＧの色要素のドットとＢの色要素のドットとから構成されるものとする。
なお、色要素は、三色に限定されず、それ以上の数を用いても良いし、ＲＧＢ以外の色を
用いても良い。例えば、白色を加えて、ＲＧＢＷ（Ｗは白）としてもよい。また、ＲＧＢ
に、例えば、イエロー、シアン、マゼンタ、エメラルドグリーン、朱色などを一色以上追
加したものでもよい。また、例えばＲＧＢの中の少なくとも一色について、類似した色を
追加してもよい。例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂ１、Ｂ２としてもよい。Ｂ１とＢ２とは、どちらも
青色であるが、少し周波数が異なっている。このような色要素を用いることにより、より
実物に近い表示を行うことができたり、消費電力を低減したりすることが出来る。なお、
一画素に、ある色の色要素のドットが複数あってもよい。そのとき、その複数の色要素は
、各々、表示に寄与する領域の大きさが異なっていても良い。また、複数ある、ある色の
色要素のドットを各々制御することによって、階調を表現してもよい。これを、面積階調
方式と呼ぶ。あるいは、複数ある、ある色の色要素のドットを用いて、各々のドットに供
給する信号を僅かに異ならせるようにして、視野角を広げるようにしてもよい。
【００８６】
なお、本発明において、画素は、マトリクス状に配置（配列）されている場合を含んでい
る。ここで、画素がマトリクスに配置（配列）されているとは、縦方向もしくは横方向に
おいて、直線上に並んで配置されている場合や、ギザギザな線上に並んでいる場合を含ん
でいる。よって、例えば三色の色要素（例えばＲＧＢ）でフルカラー表示を行う場合に、
ストライプ配置されている場合や、三つの色要素のドットがいわゆるデルタ配置されてい
る場合も含むものとする。さらに、ベイヤー配置されている場合も含んでいる。なお、色
要素は、三色に限定されず、それ以上でもよく、例えば、ＲＧＢＷ（Ｗは白）や、ＲＧＢ
に、イエロー、シアン、マゼンタなどを一色以上追加したものなどがある。また、色要素
のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。これにより、消費電力を低下
させたり、表示素子の寿命を延ばしたりすることが出来る。
【００８７】
トランジスタとは、それぞれ、ゲート電極と、ドレイン領域と、ソース領域とを含む少な
くとも三つの端子を有する素子であり、ドレイン領域とソース領域の間にチャネル形成領
域を有する。ここで、ソース領域とドレイン領域とは、トランジスタの構造や動作条件等
によって変わるため、いずれがソース領域またはドレイン領域であるかを限定することが
困難である。そこで、本形態においては、ソース領域及びドレイン領域として機能する領
域を、それぞれ第１端子、第２端子と表記する。
【００８８】
なお、本発明において、半導体装置とは半導体素子（トランジスタやダイオードなど）を
含む回路を有する装置をいう。また、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般で
もよい。
【００８９】
また、表示装置とは、表示素子（液晶素子や発光素子など）を有する装置のことを言う
。なお、液晶素子やＥＬ素子などの表示素子を含む複数の画素やそれらの画素を駆動させ
る周辺駆動回路が同一基板上に形成された表示パネル本体のことでもよい。また、ワイヤ
ボンディングやバンプなどによって基板上に配置された周辺駆動回路、いわゆるチップオ
ングラス（ＣＯＧ）を含んでいても良い。さらに、フレキシブルプリントサーキット（Ｆ
ＰＣ）やプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられたもの（ＩＣや抵抗素子や容量素子
やインダクタやトランジスタなど）も含んでもよい。さらに、偏光板や位相差板などの光
学シートを含んでいても良い。さらに、バックライトユニット（導光板やプリズムシート
や拡散シートや反射シートや光源（ＬＥＤや冷陰極管など）を含んでいても良い）を含ん
でいても良い。
【００９０】
また、発光装置とは、特にＥＬ素子やＦＥＤで用いる素子などの自発光型の表示素子を
有している表示装置をいう。液晶表示装置とは、液晶素子を有している表示装置をいう。
【発明の効果】
【００９１】
本発明は、画素毎の表示素子の発光のバラツキを低減し、いわゆる「焼き付き」現象を低
減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】（Ａ）黒文字モードを説明する図、（Ｂ）白文字モードを説明する図。
【図２】（Ａ）黒文字モードを説明する図、（Ｂ）白文字モードを説明する図。
【図３】（Ａ）黒縁白抜き文字モードを説明する図、（Ｂ）白縁黒抜き文字モードを説明する図。
【図４】Ａ）黒縁白抜き文字モードを説明する図、（Ｂ）白縁黒抜き文字モードを説明する図。
【図５】文字のシフトを説明する図。
【図６】文字のシフトを説明する図。
【図７】文字のシフトを説明する図。
【図８】画像のシフトを説明する図。
【図９】文字の書体の変更を説明する図。
【図１０】文字の大きさの変更を説明する図。
【図１１】アイコンのシフトを説明する図。
【図１２】アイコンの回転を説明する図。
【図１３】アイコンのシフトを説明する図。
【図１４】アイコンのシフトを説明する図。
【図１５】ピクトのシフトを説明する図。
【図１６】ピクト表示領域の白黒反転を説明する図。
【図１７】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図１８】本発明の表示装置に適用可能な画素構成を示す図。
【図１９】本発明の表示装置に適用可能な画素構成を示す図。
【図２０】本発明の表示方法を説明する図。
【図２１】本発明の表示方法を説明する図。
【図２２】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図２３】文字の書体を説明する図。
【図２４】文字の書体を説明する図。
【図２５】文字の書体の変更を説明する図。
【図２６】本発明の表示装置に適用可能な画素構成を示す図。
【図２７】時間階調法の駆動方法を説明する図。
【図２８】画素のドットを説明する図。
【図２９】表示画面のシフトを説明する図。
【図３０】スタートパルス信号のタイミングチャート。
【図３１】本発明の表示装置のブロック図。
【図３２】遅延回路の構成を示す図。
【図３３】ＤＦＦの構成を示す図。
【図３４】本発明の表示装置のブロック図。
【図３５】本発明の表示装置を示す図。
【図３６】本発明の表示装置のブロック図。
【図３７】本発明の表示パネルを説明する図。
【図３８】本発明の表示装置に適用可能な発光素子を説明する図。
【図３９】本発明の表示パネルを説明する図。
【図４０】本発明の表示パネルを説明する図。
【図４１】本発明の画素に適用可能なトランジスタや容量素子の構成を説明する図。
【図４２】本発明の画素に適用可能なトランジスタや容量素子の構成を説明する図。
【図４３】本発明の表示パネルを説明する図。
【図４４】本発明の表示パネルを説明する図。
【図４５】本発明の画素に適用可能なトランジスタや容量素子の構成を説明する図。
【図４６】本発明の画素に適用可能なトランジスタや容量素子の構成を説明する図。
【図４７】本発明の画素に適用可能なトランジスタや容量素子の構成を説明する図。
【図４８】本発明の画素に適用可能なトランジスタや容量素子の構成を説明する図。
【図４９】本発明の表示装置が適用可能な電子機器を説明する図。
【図５０】ＥＬモジュールの例を示す図。
【図５１】ＥＬテレビ受像機の主要な構成を示すブロック図。
【図５２】携帯電話機の構成例を示す図。
【図５３】本発明の表示装置のブロック図。
【図５４】記憶回路部へデータを記憶させるフローチャート。
【図５５】記憶回路部へデータを記憶させるフローチャート。
【図５６】焼き付き補正のフローチャート。
【図５７】焼き付き補正のフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００９３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの
異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することな
くその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って
、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００９４】
本発明の表示装置の主要な構成のブロック図を図３６に示す。
【００９５】
本発明の表示装置は、画像処理回路３６０１と、制御回路３６０２と、コントローラ３６
０３と、表示パネル３６０４とを有する。
【００９６】
画像処理回路３６０１及び制御回路３６０２には、画像信号が入力される。そして、制御
回路３６０２は画像処理回路３６０１の動作を制御する。そして、画像処理回路３６０１
は、制御回路３６０２に従って、入力された画像信号を画像処理を施した信号へ変換する
。
【００９７】
そして、画像処理回路３６０１から出力された信号がコントローラ３６０３に入力され、
コントローラ３６０３から表示パネル３６０４に信号が入力される。
【００９８】
ここで、画像処理回路３６０１で画像処理が行われることにより、画素毎の表示素子の劣
化の差を小さくする処理を行うことができる。
【００９９】
以下の実施の形態において、画素毎の表示素子の劣化の差を小さくするための表示方法、
すなわち、画像処理回路３６０１によって画像処理を行うことにより実現する表示方法に
ついて説明する。
【０１００】
（実施の形態１）
本実施の形態では、条件を設定し、その条件を満たしたら表示画像の階調を反転させる。
つまり、表示画像の明暗を反転させる。そして、画素毎の表示素子の劣化の差を小さくす
ることで画素毎の輝度のバラツキを低減する。
【０１０１】
例えば、６４階調の表示の表示装置において、階調反転させる場合には、階調反転前の点
灯が階調０、階調１、階調２、階調３、・・・階調６２、階調６３の画素は、反転後はそ
れぞれ階調６３、階調６２、階調６１、階調６０、・・・階調１、階調０の点灯にする。
つまり、階調数Ｎの表示の表示装置において、階調反転前の階調を階調Ｘとし、階調反転
後の階調を階調Ｙとすると、Ｙ＝Ｎ−Ｘを満たす。
【０１０２】
また、表示画面に文字（ひらがな、カタカナ、漢字、数字、アルファベットなど）を表示
する場合においては、文字を白表示とする白文字モードと文字を黒表示とする黒文字モー
ドとを設定された条件を満たす毎に切り替える。図２（Ａ）には「あ」という文字の黒文
字モードの例を示している。そして、図２（Ｂ）には「あ」という文字の白文字モードの
例を示している。なお、文字を構成する画素数や文字の書体は例であってこれに限定され
ない。
【０１０３】
なお、図２（Ａ）、（Ｂ）において、四角形で表された１マスが１画素を示すものとする
。また、画素の表示素子の発光領域の形状はこのような四角形に限らず、他の多角形であ
ってもよいし、円形であってもよい。また、１画素は複数の色要素のドットから構成され
ていてもよい。
【０１０４】
なお、ここでの白表示とは、最も輝度の高い階調でなくともよい。つまり、黒表示よりも
輝度の高い階調であればよい。また、黒表示も最も輝度の低い階調でなくともよい。つま
り、白表示よりも輝度の低い階調であればよい。
【０１０５】
例えば、携帯電話機などの携帯端末機で文字を表示する場合において、周囲が明るいとき
（外光や室内光の得られる下）には、図２（Ｂ）のように、文字の背景を黒表示とし、文
字を白表示にする。そして、周囲が暗いとき（夜間の暗闇の中）には、図２（Ａ）に示す
ように文字の背景を白表示とし、文字を黒表示にする。なお、ここでは文字及び文字の背
景を階調反転させた図をしめしたが、文字のみ階調反転させたり、文字の背景のみ階調反
転させてもよい。
【０１０６】
こうすることで、外光や室内光の得られるような明るいところでは白文字モードにより消
費電力を低減できるとともに、焼き付き現象を低減することができる。つまり、文字の背
景は黒表示であるため焼き付き現象は生じないし、文字を表示するための画素の点灯領域
は狭く、焼き付き現象は視認しにくい。
【０１０７】
また、夜間の暗闇の中では、文字の背景を白表示にし、文字を黒表示にすることで、字を
見やすくすることができるし、白文字モードとは異なる領域（文字と文字の行間や文字と
文字の間隔の領域など）の画素を白表示にするため画素毎の表示素子の劣化の差を小さく
することができる。よって、焼き付き現象を低減することができる。
【０１０８】
また、白文字モードから黒文字モードに切り替わってから、文字の背景の白表示は徐々に
又は段階的に輝度を低くするようにしてもよい。つまり、暗闇の中で目が慣れてくれば、
コントラストを低くしても見えるようになるので、白表示の輝度を低くして消費電力の低
減を図ることができる。
【０１０９】
なお、階調反転表示の条件は上述したものに限らない。例えば、奇数日は白文字表示、偶
数日は黒文字表示にするなど日毎に切り替えてもいいし、奇数時間のときは白文字表示、
偶数時間のときは黒文字表示にするなど時間毎に切り替えてもいいし、電池の残量が充分
にあるときには、黒文字表示、電池の残量が少なくなると白文字表示にするなど電池の残
量によって切り替えてもいいし、電子機器を一定期間操作しないと黒文字表示から白文字
表示に切り替えるようにしてもいいし、電源の投入の度に白文字表示と黒文字表示を切り
替えてもいいし、電子メールの受信と送信のときで白文字表示と黒文字表示を切り替えて
もいい。
【０１１０】
なお、このような階調反転表示は画面上に現れる、あるウインドウ内で行うようにしても
よいし、表示画面全体で階調反転するようにしてもよい。画面上のウインドウ内で階調反
転表示を行う場合の例を図１（Ａ）、（Ｂ）に示す。図１（Ａ）はピクト表示領域１０１
と、メイン表示領域１０２とを有し、メイン表示領域１０２にウインドウ１０３が表示さ
れている。なお、ピクト表示領域１０１には、携帯端末機の状態（電池残量や電波受信状
態など）を表すピクトなどが表示される。そして、メイン表示領域１０２とは、携帯端末
機を操作して動画や静止画などを表示させることができるメインの表示領域をいう。また
、ウインドウ１０３とは、操作画面内にそれぞれ異なった情報を表示できる領域であって
、その中に画像や文書を表示する機能を有する。なお、ピクト表示領域１０１とメイン表
示領域１０２とは区別されていなくてもよい。つまり、メイン表示領域１０２にピクトが
表示されていてもよい。
【０１１１】
図１（Ａ）において、ウインドウ１０３は、文字が黒で背景が白である黒文字モードであ
る。そして、図１（Ｂ）においては、ウインドウ１０３は文字が白で背景が黒である白文
字モードである。ここで、ウインドウ１０３外のメイン表示領域１０２に表示される画像
は黒文字モードと白文字モードとで変化させなくてもいいし、階調反転させてもいい。ま
た、ピクト表示領域１０１も黒文字モードと白文字モードとで変化させなくてもいいし、
階調反転させてもいい。
【０１１２】
そして、文字以外の画像を階調反転させるときには、階調数の中間を境に反転させる。例
えば、簡単に説明するため８階調のグラデーション（明暗の段階的変化）を用いて説明す
る。図２１（Ａ）の第１領域２１０１、第２領域２１０２、第３領域２１０３、第４領域
２１０４、第５領域２１０５、第６領域２１０６は、それぞれ階調６、階調５、階調４、
階調３、階調２、階調１の表示を示し、第７領域２１０７は、背景を階調７とし、ピクト
を階調０で表示している。そして、図２１（Ａ）の表示を階調反転させた表示は図２１（
Ｂ）に示すように第１領域２１０１、第２領域２１０２、第３領域２１０３、第４領域２
１０４、第５領域２１０５、第６領域２１０６は、それぞれ階調１、階調２、階調３、階
調４、階調５、階調６の表示を示し、第７領域２１０７は、背景を階調０とし、ピクトを
階調７として表示している。
【０１１３】
なお、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の色要素を用いて、フルカラー表示を行う場合にお
いても反転表示を行うことができる。この場合には、例えばＲのドットのみ点灯していた
画素は、反転表示のとき、ＧとＢのドットを点灯にし、Ｒのドットを非点灯にする。また
、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｗ（白）の色要素を用いてフルカラー表示を行う場合
には、白表示をＲＧＢのドットを点灯させるか、Ｗのドットを点灯させるかを条件によっ
て切り替えてもよい。例えば、文字を表示する場合のように、焼き付きがシャープに見え
てしまうようなときに、劣化のしにくい色要素のドットを点灯させて白表示をする。また
は、白表示の輝度の半分は、ＲＧＢのドットの発光を用い、また半分はＷのドットの発光
を用いてもよい。図２８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）にＲのドット、Ｇのドット、Ｂのドット
、Ｗのドットでなる画素において、白表示を行う三通りの場合を示す。なお、点灯してい
るドットは点線で示しており、非点灯のドットは線で示してある。図２８（ａ）に示す場
合には、ＲＧＢのドット及びＷのドットを点灯させて白表示をしている。図２８（ｂ）に
示す場合には、Ｗのドットは非点灯の状態で、ＲＧＢのドットを点灯させて白表示をして
いる。図２８（ｃ）に示す場合には、ＲＧＢのドットは非点灯の状態で、Ｗのドットを点
灯させて白表示をしている。
【０１１４】
よって、本実施の形態で示したように階調反転表示を行うことで、画素毎の表示素子の劣
化の差を小さくすることができるため、画素の発光のバラツキを低減することができる。
つまり、焼き付きを低減することができる。
【０１１５】
なお。本実施の形態において示したような表示方法は、ハードウェアやソフトウェアを用
いて実現できる。ハードウェアとしては、ＣＰＵやメモリなどの機能回路、ソフトウェア
としては、メモリなどに記憶された手順や命令などの情報を含むプログラムがある。
【０１１６】
（実施の形態２）
本実施の形態では、表示画面に文字（ひらがな、カタカナ、漢字、数字、アルファベット
など）を表示する場合において、条件を設定し、その条件を満たしたら、文字を黒色とす
る黒文字モードと、文字の芯を白色とし文字の芯周辺を囲むように縁を黒色とした黒縁白
抜き文字モードとを切り替える。または、文字を白色とする白文字モードと、文字の芯を
黒色とし、文字の芯周辺を囲むように縁を白色とした白縁黒抜き文字モードとを切り替え
る。図４（Ａ）には「あ」という文字の黒縁白抜き文字モードの例を示している。また、
図４（Ｂ）には「あ」という文字の白縁黒抜き文字モードの例を示している。
【０１１７】
このように切り替えることにより、画素毎の表示素子の劣化の差を小さくすることができ
る。というのも、図２（Ａ）と図４（Ａ）を見ればわかるように、黒文字モードと黒縁白
抜き文字モードとを切り替える場合、黒文字モードで黒となっている文字を黒縁白抜き文
字モードでは白にすることができる。また、図２（Ｂ）と図４（Ｂ）を見ればわかるよう
に、白文字モードと白縁黒抜き文字モードとを切り替える場合、白文字モードで白となっ
ている文字を白縁黒抜き文字モードでは黒にすることができる。つまり、文字の画素を白
黒反転することができるので、焼き付き現象を低減することができる。
【０１１８】
また、このようなモードの切り替えは、画面上に現れる、あるウインドウ内で行うように
してもよいし、表示画面全体で行うようにしてもよい。画面上のウインドウ内で白黒反転
表示を行う場合の例を図３（Ａ）、（Ｂ）に示す。図３（Ａ）はピクト表示領域１０１と
、メイン表示領域１０２とを有し、メイン表示領域１０２にウインドウ１０３が表示され
ている。また、図３（Ａ）のウインドウ１０３には黒縁白抜き表示の表示例を示し、図３
（Ｂ）のウインドウ１０３には白縁黒抜き表示の表示例を示している。
【０１１９】
なお、モードの切り替えの条件は上述したものに限らない。例えば、奇数日は白文字モー
ド、偶数日は白縁黒抜き文字モードにする、または奇数日は黒文字モード、偶数日は黒縁
白抜き文字モードにするなど日毎に切り替えてもいいし、奇数時間のときは白文字モード
、偶数時間は白縁黒抜き文字モードにする、または奇数時間は黒文字モード、偶数時間は
黒縁白抜き文字モードにするなど時間毎に切り替えてもいいし、電池の残量が充分にある
ときには、黒縁白抜き文字モード、電池の残量が少なくなると白縁黒抜き文字モードにす
るなど電池の残量によって切り替えてもいいし、電子機器を一定期間操作しないと黒縁白
抜き文字モードから白縁黒抜き文字モードに切り替えるようにしてもいい。
【０１２０】
（実施の形態３）
本実施の形態では、画像をシフトさせることにより、焼き付き現象を低減する。特に、表
示画像が文字（ひらがな、カタカナ、漢字、数字、アルファベットなど）のようにグラデ
ーションの境界がはっきりしている場合などに有効である。
【０１２１】
図５に、「あ」という文字を右に一画素、下に一画素シフトさせたときの図を示す。シフ
ト前の文字「あ」は画素が斜線で塗られ、シフト後の文字「あ」は画素が黒で塗られてい
る。一例としてここでは、１文字を構成する文字ブロックを縦×横：７×７の矩形型に配
置された画素としている。なお、ここで、文字ブロックとは、同じ書体であり、同じサイ
ズの文字において、全ての種類の文字の一を表示することができる最少の矩形型の画素の
集まりをいうものとする。そして、シフト前の文字「あ」は文字ブロック５０１で構成さ
れ、シフト後の文字「あ」は文字ブロック５０２で構成される。つまり、シフト前の文字
ブロック５０１の中心の画素はｉ行ｊ列であり、シフト後の文字ブロック５０２の中心の
画素（ｉ＋１）行（ｊ＋１）列となる。
【０１２２】
なお、文字（文字ブロック）と文字（文字ブロック）の間には余白（文字を構成する画素
とは白黒反転表示する画素）がある。そして、黒文字モードの場合その余白は文字を構成
しないため白表示に偏ってしまう。もちろん文字が白文字表示のときには余白は黒表示に
偏ってしまう。また、文字ブロック内においても、中心付近と、四隅とでは、白表示にな
るか黒表示になるかの確率が偏ってしまう。
【０１２３】
そこで、図５に示すように文字をシフトさせることにより、画素毎の表示素子の劣化の差
が小さくなり、画素毎の発光のバラツキを低減することができる。なお、文字のシフト量
は、図６に示すように、縦横斜めにとなりあう一文字ブロック分までシフトさせてもいい
し、図７に示すように二つの文字ブロック分までシフトさせてもいい。
【０１２４】
つまり、文字ブロックの横の長さをａとし、縦の長さをｂとすると、図６の場合の文字「
あ」の移動範囲６０１の横の移動幅ｘと縦の移動幅ｙはそれぞれ、ａ＜ｘ≦３ａ、ｂ＜ｙ
≦３ｂとなる。よって、図６のような移動範囲であれば、最大でシフトしたときには、シ
フト前の文字とシフト後の文字が重ならないため画素の累積点灯時間を平均化しやすい。
また、図７の場合の文字「あ」の移動範囲６０１の横の移動幅ｘ’と縦の移動幅ｙ’はそ
れぞれ、ａ＜ｘ’≦５ａ、ｂ＜ｙ’≦５ｂとなる。図７のような移動範囲であれば、より
画素の累積点灯時間を平均化しやすい。
【０１２５】
また、文字のシフトのさせ方は色要素（１ドット）ずつシフトさせてもよいし、一画素ず
つシフトさせてもいいし、数画素ずつシフトさせてもよい。例えば、図８に示すようにＲ
（赤）の色要素と、Ｇ（緑）の色要素と、Ｂ（青）の色要素で画素を構成する場合には、
右に１ドットシフトし、下に１画素シフトしていてもよい。つまり、シフト前の点灯領域
８０１、シフト後の点灯領域８０２とすると、シフト前は左からＲＧＢで１画素を構成し
ており、シフト後は左からＧＢＲで１画素を構成している。
【０１２６】
なお、画像をシフトさせる条件は上述したものに限らない。例えば、日毎にシフトさせて
もいいし、時間毎にシフトさせてもいいし、電子機器を一定期間操作しないとシフトする
ようにしてもいい。
【０１２７】
また、文字のシフトのさせ方としては、ソフトウェアを用いて、文字の背景画像を動かさ
ずに、文字情報の位置座標を変えることで文字をシフトさせることができる。また、ウイ
ンドウ単位で画像をシフトさせてもよい。つまり、文字の表示されるウインドウ毎シフト
させてもよい。
【０１２８】
また、画素部において、表示画面に必要な画素より冗長に画素を設け、画素部内で表示画
面として用いる画素領域を変更することにより表示画面自体をシフトさせてもよい。
【０１２９】
また、文字入力可能なウインドウ内で文字をシフトさせる場合、文字を入力する度に文字
をシフトさせてもいいし、一行分の文字を入力したら文字全体をシフトさせてもいい。ま
た、複数のウインドウを表示しているとき、いずれか一のウインドウを選択する度、文字
がシフトするようにしてもよい。
【０１３０】
（実施の形態４）
本実施の形態では、表示画面に文字（ひらがな、カタカナ、漢字、数字、アルファベット
など）を表示する場合において、条件を設定し、その条件を満たしたら、文字の書体（フ
ォント）や大きさ（サイズ）を変更する。そして、書体の変更前後で文字を構成する画素
の重複を少なくすれば画素毎の表示素子の劣化の差を小さくすることができる。よって、
画素毎の発光のバラツキを低減することができる。
【０１３１】
まず、文字の書体を変更する場合について説明する。例えば、縦×横：１０×１０の画素
で文字ブロックを構成する場合において、「あ」という文字を表示したときを例に説明す
る。あるときには、例えば図２３のような書体の「あ」を表示する。そして、ある条件を
満たしたら、図２４に示すような「あ」という文字の書体に変更する。すると、図２３の
書体のときには「あ」を構成する画素は４１個が黒表示となっている。また、図２４の書
体のときには「あ」を構成する画素は３８個が黒表示となっている。そして、図２５には
、図２３の書体の「あ」が右斜線で塗られた画素で構成され、図２４の書体の「あ」が左
斜線で塗られた画素で構成され、それぞれの書体の「あ」が重なっている画素が黒で塗ら
れている。つまり、ある条件を満たしたら、図２３の書体の「あ」から図２４の書体の「
あ」に変更すれば、どちらのときの文字も構成する画素は１３個の画素となる。つまり、
劣化の進行が進みやすい画素の数が減り、文字を構成する画素として用いられる画素が分
散する。よって、画素毎の表示素子の劣化の差を小さくし、焼き付き現象を低減すること
ができる。
【０１３２】
次に、文字の大きさを変更する場合について説明する。なお、図１０には、縦×横：１０
×１０の画素で文字ブロック１００１を構成する場合から縦×横：７×７の画素で文字ブ
ロック１００２を構成する場合へと変更する場合について示している。文字ブロック１０
０１の大きさの文字「あ」は、右斜線で塗られた画素で構成され、文字ブロック１００２
の大きさの文字「あ」は、左斜線で塗られた画素で構成され、それぞれの大きさの文字「
あ」が重なっている画素が黒で塗られている。文字ブロック１００１の大きさの文字「あ
」は３８個が黒表示となり、文字ブロック１００２の大きさの文字「あ」は２５個が黒表
示となる。つまり、ある条件を満たしたら、文字ブロック１００１の「あ」から文字ブロ
ック１００２の「あ」に変更すれば、どちらのときの文字も構成する画素は９個の画素と
なる。つまり、劣化の進行が進みやすい画素の数が減り、文字を構成する画素として用い
られる画素が分散する。よって、画素毎の表示素子の劣化の差を小さくし、焼き付き現象
を低減することができる。
【０１３３】
例えば、文字の書体の変更や大きさの変更はウインドウ内で行うようにしてもよい。図９
（Ａ）はピクト表示領域１０１と、メイン表示領域１０２とを有し、メイン表示領域１０
２にウインドウ１０３が表示されている。図９（Ａ）において、ウインドウ１０３には、
黒文字モードで文字が表示されている。そして、ある条件を満たしたら図９（Ｂ）のよう
にウインドウ１０３内に表示されている文字の書体を変更する。こうすることにより、劣
化の進行が進みやすい画素の数が減り、文字を構成する画素として用いられる画素が分散
する。よって、画素毎の表示素子の劣化の差を小さくし、焼き付き現象を低減することが
できる。
【０１３４】
また、大きさを工夫することにより、面内の画素の累積点灯時間が概略等しくなるように
するとよい。
【０１３５】
なお、書体の変更や大きさの変更の条件は上述したものに限らない。例えば、奇数日と、
偶数日とで変更するなど日毎に切り替えてもいいし、奇数時間と、偶数時間とで変更する
など時間毎に切り替えてもいいし、電子機器を一定期間操作しないと変更するようにして
もいい。
【０１３６】
（実施の形態５）
本実施の形態では、処理の内容や対象を小さな絵や記号で表現したもの（以下アイコンと
いう）のように、表示画面上に特定のパターンとして表示されることにより、そのパター
ンが焼き付いてしまうのを低減する方法を説明する。
【０１３７】
表示画面は、図１１のように、ピクト表示領域１０１と、メイン表示領域１０２とを有し
、メイン表示領域１０２にはアイコン１１０１やアイコン１１０２が表示されている。な
お、メイン表示領域１０２にはアイコン１１０１やアイコン１１０２の背景に背景画像が
表示されていてもよい。アイコン１１０１やアイコン１１０２は、ある条件を満たしたら
移動するようにする。移動方向としては、縦横斜めのいずれでもよい。
【０１３８】
なお、アイコンのシフト量としては、図１３に示すように、アイコンをブロックとして、
縦横斜めにとなりあうブロック分までシフトさせてもいいし、図１４に示すように二つの
ブロック分までシフトさせてもいい。なお、ここで、アイコンのブロックとは、アイコン
を構成することができる最少の矩形型の画素の集まりをいうものとする。
【０１３９】
つまり、アイコンのブロックの横の長さをａとし、縦の長さをｂとすると、図１３の場合
のアイコンの移動範囲１３０１の横の移動幅ｘと縦の移動幅ｙはそれぞれ、ａ＜ｘ≦３ａ
、ｂ＜ｙ≦３ｂとなる。よって、図１３のような移動範囲であれば、最大でシフトしたと
きには、シフト前のアイコンとシフト後のアイコンが重ならないため画素の累積点灯時間
を平均化しやすい。また、図１４の場合のアイコンの移動範囲１４０１の横の移動幅ｘ’
と縦の移動幅ｙ’はそれぞれ、ａ＜ｘ’≦５ａ、ｂ＜ｙ≦５ｂとなる。図１４のような移
動範囲であれば、より画素の累積点灯時間を平均化しやすい。
【０１４０】
また、文字のシフトのさせ方は色要素（１ドット）ずつシフトさせてもよいし、一画素ず
つシフトさせてもいいし、数画素ずつシフトさせてもよい。例えば、図８に示すようにＲ
（赤）の色要素と、Ｇ（緑）の色要素と、Ｂ（青）の色要素で画素を構成する場合には、
右に１ドットシフトし、下に１画素シフトしていてもよい。つまり、シフト前の点灯領域
８０１、シフト後の点灯領域８０２とすると、シフト前は左からＲＧＢで１画素を構成し
ており、シフト後は左からＧＢＲで１画素を構成している。
【０１４１】
また、移動しなくても、図１２（Ａ）に示すように、アイコン自身が回転してもよい。図
１２（Ａ）において、平面上に表示されるアイコン１１０１は表裏方向に回転している。
そして、平面上に表示されるアイコン１１０２は平面上の中心を軸として回転している。
よって、ある瞬間のアイコン１１０１は図１２（Ｂ）に示すように幅が狭くなっている。
また、ある瞬間のアイコン１１０２は図１２（Ｂ）に示すようにアイコン１１０２は傾い
ている。
【０１４２】
なお、アイコンをシフトさせる条件は上述したものに限らない。例えば、常に上下左右に
数画素分ずつシフトするようにしてもいいし、日毎にシフトさせてもいいし、時間毎にシ
フトさせてもいいし、電子機器を一定期間操作しないとシフトするようにしてもいい。ま
た、シフトする度に色を変えてもいいし、点滅させながらシフトさせてもいい。また、携
帯端末機がカメラ機能を搭載しているのであれば、シャッターを押すたびにシフトするよ
うにしてもいい。そして、露光スピードよりも速く動くようにするとよい。
【０１４３】
また、アイコンを半透明表示にしたり、アイコンをグラデーション表示にして、グラデー
ションを変化させてもいい。
【０１４４】
また、図２０に示すようにメイン表示領域１０２の背景画上にアイコン１１０１やアイコ
ン１１０２が表示されている場合において、携帯端末機を操作しない状態が続くとアイコ
ン１１０１やアイコン１１０２が表示されなくなるようにしてもよい。例えば、携帯端末
機を使用してから５分〜１０分くらい操作しない状態が続いたらアイコン１１０１やアイ
コン１１０２が表示されなくなるようにし、ボタンを押したり、携帯端末機を操作したと
きに、アイコン１１０１やアイコン１１０２が表示されるようにしてもよい。また、ボタ
ンを押すたびアイコン１１０１やアイコン１１０２の色が変わるようにしてもよい。
【０１４５】
また、起動時や設定した月日によって、アイコンの表示場所が変わるようにしてもいい。
【０１４６】
また、画素単位ではなく、アイコン単位でアイコンの表示時間をカウントし、アイコンを
構成する画素へ入力する信号の補正を行ってもよい。つまり、アイコンの表示累積時間と
、アイコンの表示されない領域の画素（以下、リファレンス画素という）の点灯累積時間
とをカウントして、累積時間からアイコン部の画素とリファレンス画素の表示素子の劣化
の差を求める。そして、アイコン部の画素とリファレンス画素の輝度が同じになるように
補正する。なお、画素の輝度の補正は、表示素子に印加する電流若しくは電圧または発光
時間などを制御して行うことができる。
【０１４７】
ここで、アイコン単位でアイコンの表示時間をカウントし、アイコンを構成する画素へ入
力する信号の補正を行うことが可能な表示装置のブロック図を図５３に示す。
【０１４８】
表示装置は、カウンタ５３０１、補正回路５３０２、揮発性メモリ５３０３、不揮発性メ
モリ５３０４、表示パネル５３０５及び補正データ格納部５３０６を有する。
【０１４９】
まず、表示パネルの有する表示素子の輝度特性の経時変化のデータを、補正データ格納部
５３０６にあらかじめ記憶させておく。このデータはアイコン部の画素とリファレンス画
素との輝度を同じにするため信号を補正する際に用いる。
【０１５０】
そして、カウンタ５３０１は、定期的に画像信号をサンプリングし、アイコンの表示、非
表示のデータと、リファレンス画素の点灯非点灯のデータをカウントする。カウンタ５３
０１によりカウントされたデータは、順次記憶回路部に記憶されていく。ここで、このデ
ータは累積していくため、記憶回路は不揮発性メモリを用いて構成するのが好ましいが、
不揮発性メモリは一般にその書き込み回数が限られているため、図５３に示すように、表
示装置の動作中は揮発性メモリ５３０３を用いて記憶を行い、一定時間毎に（例えば１時
間毎、あるいは電源のシャットダウン時など）に不揮発性メモリ５３０４に書き込むよう
にしてもよい。
【０１５１】
ここで、電源をシャットダウンするまでの、アイコンの表示時間及びリファレンス画素の
点灯時間のカウント動作と、表示時間と点灯時間のデータを記憶回路部へ記憶するまでの
フローチャートを図５４及び図５５に示す。
【０１５２】
図５４の場合には、定期的にアイコンの表示時間及びリファレンス画素の点灯時間をカウ
ントし、そのデータを揮発性メモリに記憶させる。そして、電源をシャットダウンすると
きには揮発性メモリに記憶されたデータを不揮発性メモリに記憶させる。
【０１５３】
図５５の場合には、定期的にアイコンの表示時間及びリファレンス画素の点灯時間をカウ
ントし、そのデータを揮発性メモリに記憶させる。そして、一定の期間が経過したら揮発
性メモリに記憶されたデータを不揮発性メモリに記憶させる。そして、電源をシャットダ
ウンしなければ、また上述の動作を繰り返す。なお、電源をシャットダウンするときにも
、揮発性メモリに記憶されたデータを不揮発性メモリに記憶させてもよい。
【０１５４】
また、表示素子を用いて階調表現が輝度制御によっても行われる場合には、そのときの表
示素子の点灯時間と点灯強度を共に検出し、点灯時間と点灯強度との両方から劣化の状態
を判断するとよい。この場合には、補正用のデータもそれに合わせて作成する。
【０１５５】
また、記憶回路に用いるメモリの種類としてはスタティックメモリ、ダイナミックメモリ
、強誘電体メモリ、フラッシュメモリなどがあげられるが、本発明の表示装置に適用する
ことができる記憶回路はこれに限定されない。ただし、揮発性メモリにダイナミックメモ
リを用いる場合には、定期的なリフレッシュ機能を付加する必要がある。
【０１５６】
次に、画像信号の補正動作に移る。補正回路５３０２には画像信号と、アイコンの累積表
示時間と、リファレンス画素の累積点灯時間とのデータが入力される。補正回路５３０２
は、アイコン累積表示時間とリファレンス画素の累積点灯時間のデータから、アイコン部
の画素とリファレンス画素との劣化の差を求め、あらかじめ補正データ格納部５３０６に
記憶されたデータを参照し、入力された画像信号の補正を行う。このようにして補正され
た画像信号が表示パネル５３０５へ入力される。なお、このときの補正とは、アイコン部
の画素とリファレンス画素との輝度の差が小さくなるようにすることをいう。
【０１５７】
電源遮断時には揮発性の記憶回路に記憶されている、アイコンの累積表示時間と、リファ
レンス画素の累積点灯時間とを、不揮発性の記憶回路に記憶されているアイコンの累積表
示時間と、リファレンス画素の累積点灯時間とにそれぞれ加算して記憶しておく。これに
より、次回の電源投入後、継続してアイコンの表示時間とリファレンス画素の点灯時間が
累積してカウントされる。
【０１５８】
以上のようにして、定期的にアイコンの表示時間とリファレンス画素の点灯時間の検出を
行い、累積表示時間と累積点灯時間を記憶しておくことで、表示頻度の高いアイコン部の
画素の劣化に対して補正をすることができる。つまり、画像信号を補正することにより、
アイコン部の画素の輝度と、リファレンス画素の輝度とを同等にすることができ、アイコ
ンのパターンの焼き付きを低減することができる。
【０１５９】
また、リファレンス画素は複数あってもよい。つまり、複数のリファレンス画素の平均の
点灯累積時間とアイコンの表示累積時間とから、複数のリファレンス画素の平均とアイコ
ン部の画素との劣化の差を求めてもよい。また、どのアイコンをティーチングするかユー
ザーが指定するようにしてもよい。
【０１６０】
また、アイコンの設定をユーザーが変えられるようにしてもよい。つまり、アイコンの表
示位置や色、輝度、アイコンの形、種類、大きさなどをユーザーが変更できるようにして
もよい。さらに、アイコンを点滅させたり、回転させたり、動く範囲を設定したりできる
ようにしてもよい。また、アニメーション（アイコンの形を連続的に変化（変化の前後で
動きにつながりがあれば不連続でもよい）させるような動き）の作成をユーザーができる
ようにしてもよい。
【０１６１】
（実施の形態６）
本実施の形態においては、ピクト表示領域に表示されるピクトのパターンが焼き付くのを
低減する方法について説明する。
【０１６２】
図１５に示すように、ピクト１５０１やピクト１５０２がピクト表示領域１０１をシフト
するようにしてもいい。なお、ここで、ピクトがシフトするとは、ピクトの表示に寄与す
る画素の組み合わせを変化させることをいう。なお、シフト方向は、図１５に示すように
横方向でなくとも縦方向であってもよい。また、ピクト１５０１やピクト１５０２が回転
するようにしてもよい。また、図１６に示すように、ピクト表示領域を白黒反転させても
よい。ある条件を満たすまでは図１６（Ａ）のようにピクト表示領域１０１の背景を白表
示とし、ピクト１５０１やピクト１５０２を黒表示とする。そしてある条件を満たしたら
、図１６（Ｂ）に示すようにピクト表示領域の背景を黒表示とし、ピクト１５０１やピク
ト１５０２を白表示とする。よって、本実施の形態で示したように白黒反転表示を行うこ
とで、画素毎の劣化の差を小さくすることができるため、画素の発光のバラツキを低減す
ることができる。
【０１６３】
なお、ピクトをシフトさせる条件は上述したものに限らない。例えば、日毎にシフトさせ
てもいいし、時間毎にシフトさせてもいいし、電子機器を一定期間操作しないとシフトす
るようにしてもいい。
【０１６４】
また、ピクトの焼き付きパターンをあらかじめ用意しておき、その部分の輝度をユーザー
が変えられるようにしてもよい。つまり、図１６（Ａ）のように、ピクト表示領域の背景
が白表示でピクト１５０１やピクト１５０２が黒表示の場合には、ユーザーの操作により
、背景の輝度を高くすることができる。また、図１６（Ｂ）のように、ピクト表示領域の
背景が黒表示でピクト１５０１やピクト１５０２が白表示の場合には、ユーザーの操作に
より、ピクト１５０１やピクト１５０２のそれぞれ輝度を高くすることができる。
【０１６５】
例えば、ボタンを押すたびにピクトやピクト表示領域の背景の輝度が変化するようにした
り、タッチパネル方式でタッチしたところの輝度が変化するようにしてもよい。以下にフ
ローチャートを用いて簡単に説明する。
【０１６６】
まず、ボタン操作によりピクトパターンの焼き付きを補正する場合のフローチャートを図
５７に示す。図５７に示すように、ピクトパターンの焼き付きが発生したら、その焼き付
きパターンの生じたピクト部の輝度を補正するためのボタンを押す。ボタンを押すたびに
ピクト又はピクトの背景の輝度が変化するようにする。そして、ピクトパターンの焼き付
きが低減されるまでボタンを押す。こうして、ピクトパターンの焼き付きが視認できなく
なるまでユーザーが自由にピクトパターンの焼き付き補正を行うことができる。
【０１６７】
また、タッチパネル式を採用し、タッチ操作によりピクトパターンの焼き付きを補正する
場合のフローチャートを図５６に示す。図５６に示すように、ピクトパターンの焼き付き
が発生したら、その焼き付きパターンの生じたピクト部をタッチする。そのピクト部をタ
ッチするたびにピクト又はピクトの背景の輝度が変化するようにする。そして、ピクトパ
ターンの焼き付きが低減されるまでそのピクト部をタッチする。こうして、ピクトパター
ンの焼き付きが視認できなくなるまでユーザーが自由にピクトパターンの焼き付き補正を
行うことができる。
【０１６８】
（実施の形態７）
本実施の形態においては、画素毎に発光のバラツキが生じ、焼き付きが生じたら、エージ
ングを行う。なお、ここで、エージングとは画素の表示素子に電流を流し、画素の表示素
子を積極的に劣化させることをいう。つまり、充電などを行う際に、画素を点灯させ、画
素の表示素子を劣化させる。そして、劣化の進行の遅れている画素の表示素子を積極的に
劣化させることにより、画素部内の各画素の表示素子の劣化の差を縮める。
【０１６９】
本実施の形態に示す表示装置の画素構成を図１８に示す。画素は、トランジスタ１８０１
と、第１のスイッチ１８０２と、容量素子１８０３と、表示素子１８０４と、電流源回路
１８０５と、第２のスイッチ１８０６と、第３のスイッチ１８０７と、第１の配線１８０
９と、第２の配線１８１０と、第３の配線１８１１とを有する。なお、トランジスタ１８
０１はＰチャネル型トランジスタである。
【０１７０】
第１のスイッチ１８０２は、トランジスタ１８０１のゲート端子と第２の配線１８１０と
の導通または非導通を制御するように接続されている。そして、第１のスイッチ１８０２
の制御端子には第１の配線１８０９に供給される信号が入力される。そして、この信号に
より第１のスイッチ１８０２がオンまたはオフする。第１のスイッチ１８０２がオンする
ときには第２の配線１８１０とトランジスタ１８０１のゲート端子が導通し、第１のスイ
ッチ１８０２がオフするときには第２の配線１８１０とトランジスタ１８０１のゲート端
子は非導通となる。
【０１７１】
また、トランジスタ１８０１は、ゲート端子が容量素子１８０３を介して第３の配線１８
１１と接続され、第１端子（ソース端子またはドレイン端子の一方）が第２のスイッチ１
８０６を介して第３の配線１８１１と接続され、第２端子（ソース端子またはドレイン端
子の他方）が表示素子１８０４の画素電極と接続されている。つまり、トランジスタ１８
０１の第１端子と第３の配線１８１１との導通または非導通を制御するように第２のスイ
ッチ１８０６が接続され、第２のスイッチ１８０６がオンするときにはトランジスタ１８
０１の第１端子と第３の配線１８１１が導通し、第２のスイッチ１８０６がオフするとき
にはトランジスタ１８０１の第１端子と第３の配線１８１１とは非導通となる。
【０１７２】
また、直列に接続された第３のスイッチ１８０７及び電流源回路１８０５が、第２のスイ
ッチ１８０６と並列に接続されている。つまり、第３のスイッチ１８０７がオンすると、
電流源回路１８０５とトランジスタ１８０１の第１端子とが導通する。
【０１７３】
なお、表示素子１８０４の対向電極１８０８には所定の電位が入力されている。
【０１７４】
続いて、本画素の動作について説明する。
【０１７５】
画素への書き込み動作時には第１のスイッチ１８０２と第２のスイッチ１８０６をオンに
する。そして、第２の配線１８１０からビデオ信号に相当する電圧分の電荷を容量素子１
８０３に蓄積する。つまり、この電圧はトランジスタ１８０１のゲートソース間電圧とな
る。よって、この電圧によってトランジスタ１８０１のオンオフが制御される。なお、ト
ランジスタ１８０１がオンするために入力されるビデオ信号はトランジスタ１８０１が線
形領域で動作するような電圧である。
【０１７６】
そして、トランジスタ１８０１がオンするときは、第３の配線１８１１に供給される電位
と表示素子１８０４の対向電極１８０８に印加される電位との電位差となる電圧が表示素
子１８０４の両電極間に印加されることになる。そして画素は点灯状態になる。
【０１７７】
各画素毎にビデオ信号を入力すると、信号の書き込み動作が完了し、各画素は点灯または
非点灯の２状態となる。したがって、このままでは２階調しか表現できない。そこで、時
間階調法や面積階調法などを用いることによって多階調表示を行うことができる。
【０１７８】
ここでは、デジタル時間階調法について図２７を用いて説明する。
【０１７９】
図２７は時間経過に伴った１フレーム期間の動作について説明する図である。図２７にお
いて、横方向は時間経過を表し、縦方向は走査線の走査行数を表している。
【０１８０】
画像表示を行うとき、書き込み動作と発光動作とが繰り返し行われる。一画面（１フレー
ム）分の書き込み動作と発光動作を行う期間を１フレーム期間という。１フレーム分の信
号の処理について特に限定はないが、画像をみる人がちらつき（フリッカ）を感じないよ
うに少なくとも１秒間に６０回程度とすることが好ましい。
【０１８１】
１フレーム期間は、図２７に示すように、アドレス期間Ｔａ１、Ｔａ２、Ｔａ３、Ｔａ
４とサスティン期間Ｔｓ１、Ｔｓ２、Ｔｓ３、Ｔｓ４とを含む４つのサブフレーム期間に
時分割されている。つまり、それぞれの画素行については、書き込み時間Ｔｂ１、Ｔｂ２
、Ｔｂ３、Ｔｂ４と発光時間Ｔｓ１（ｉ）、Ｔｓ２（ｉ）、Ｔｓ３（ｉ）、Ｔｓ４（ｉ）
とに時分割されている。発光するための信号が入力された画素の発光素子は、サスティン
期間において発光状態となっている。各々のサブフレーム期間における発光時間の長さの
比は、Ｔｓ１（ｉ）：Ｔｓ２（ｉ）：Ｔｓ３（ｉ）：Ｔｓ４（ｉ）＝２３：２２：２１：
２０＝８：４：２：１となっている。これによって４ビット階調を表現することができる
。但し、ビット数及び階調数はここに記すものに限定されず、例えば８つのサブフレーム
期間を設け８ビット階調を行えるようにしてもよい。
【０１８２】
１フレーム期間における動作について説明する。まず、アドレス期間Ｔａ１において、
１行目から最終行まで、それぞれの行の書き込み時間Ｔｂ１に書き込み動作が行われる。
つまり、１行目から順に走査線に走査信号が入力され、画素が選択される。そして、画素
が選択されているときに、信号線から画素へビデオ信号が入力され、その電位によってサ
スティン期間Ｔｓ１における各画素の点灯、非点灯が制御される。従って、行によって画
素の書き込み動作の開始時間が異なる。書き込み動作が終了した行から順にサスティン期
間Ｔｓ１へと移る。当該サスティン期間において、発光するための信号が入力されている
画素の発光素子は発光状態となっている。また、サスティン期間Ｔｓ１が終了した行から
順に次のサブフレーム期間の信号書き込み動作に移り、それぞれの信号書き込み時間Ｔｂ
２において、同様に１行目から最終行まで順に書き込み動作が行われる。このように、同
様にアドレス期間Ｔａ２、Ｔａ３、Ｔａ４において画素へビデオ信号が入力され、その電
位によってサスティン期間Ｔｓ２、Ｔｓ３、Ｔｓ４における各画素の点灯、非点灯が制御
される。以上のような動作を繰り返し、サスティン期間Ｔｓ４迄終了する。
【０１８３】
このように、各サブフレーム期間において発光した時間の積算時間が、１フレーム期間に
おける各々の画素の発光時間となり、これによって階調が表現される。
【０１８４】
なお、サブフレーム期間におけるサスティン期間の長いものから順に並んでいるが、必
ずしもこのような並びにする必要はなく、例えばサスティン期間の短いものから順に並べ
られていてもよいし、またはサスティン期間の長いものと短いものとがランダムに並んで
いてもよい。
【０１８５】
以上が表示中の画素の動作である。続いて、本発明の画素を有する表示装置を画素部に有
する電子機器を充電するときにエージングを行う場合の画素の動作について説明する。充
電を行う際には、まず、第１のスイッチ１８０２及び第２のスイッチ１８０６をオンにし
、第２の配線１８１０から画素を点灯にするビデオ信号を入力する。そしてトランジスタ
１８０１をオンにする。すると、表示素子１８０４に電流が流れる。このときの電流値を
測定する。そして、全部の画素の電流値を測定した上で、互いの画素の表示素子に流れる
電流値から画素の表示素子の劣化の程度を比較する。そして、画素の表示素子の劣化に応
じた電流値を電流源回路１８０５にプログラミングする。この画素の表示素子の劣化に応
じた電流値とは、ある画素の表示素子が他の画素の表示素子に流れる電流値より大きいと
きには、ある画素の表示素子は他の画素の表示素子よりも劣化していないことになるので
、ある画素へのプログラミングの電流値は他の画素へのプログラミングの電流値よりも大
きくする。これらの画素毎の比較は、まず一番劣化している画素を基準に行うのがよい。
つまり、劣化の激しい画素にはこれ以上劣化させる必要がないためプログラミングによる
電流値は０にしてよいからである。
【０１８６】
こうして画素の電流源回路１８０５へのプログラミングが完了すると、第２のスイッチ１
８０６をオフにし、第３のスイッチ１８０７をオンにする。そして、第１のスイッチ１８
０２をオンにし、画素を点灯にする信号をトランジスタ１８０１のゲート端子に入力する
。こうして、画素の劣化の程度に応じたエージングを行うことができるため、画素毎の劣
化の差を小さくすることができる。よって、焼き付きを低減することができる。
【０１８７】
なお、図１８の画素を有する表示装置を図１７に示す。信号線駆動回路１７０１と、走査
線駆動回路１７０２と、画素部１７０３とを有する。信号線駆動回路１７０１から画素部
１７０３へ信号線Ｓ１〜Ｓｎが延長し、走査線駆動回路１７０２から画素部１７０３へ走
査線Ｇ１〜Ｇｍが延長し、信号線Ｓ１〜Ｓｎと走査園Ｇ１〜Ｇｍに対応してマトリクスに
画素１７０４が配置されている。また、信号線Ｓ１〜Ｓｎに対応して電源線Ｐ１〜Ｐｊが
配置されている。また、対向電極１７０６が画素部１７０３を覆って形成されている。
【０１８８】
なお、画素１７０４には、図１８で示した画素を適用することができる。このとき、第１
の配線１８０９が走査線Ｇｉ（走査線Ｇ１〜Ｇｍのうちいずれか一）に相当し、第２の配
線１８１０が信号線Ｓｊ（信号線Ｓ１〜Ｓｎのうちいずれか一）に相当する。また、第３
の配線１８１１が電源線Ｐｊ（電源線Ｐ１〜Ｐｎのうちいずれか一）に相当する。よって
、ｉ行ｊ列の画素は、走査線Ｇｉにより選択され、信号線Ｓｊから信号が書き込まれる、
そして、電源線Ｐｊから電源が供給される。また、図１８で示した対向電極１８０８は図
１７の対向電極１７０６の一部をさすものとする。
【０１８９】
信号の書き込みは、走査線Ｇ１〜Ｇｍにより順次画素が選択され、それぞれの信号線Ｓ１
〜Ｓｎからビデオ信号がそれぞれの画素１７０４に供給されて行われる。
【０１９０】
また、エージングを行う際には、各画素１７０４へ順々に画素を点灯にする信号を入力し
、そのときに電源線と対向電極の間に流れる電流値を電流計１７０５により測定する。電
流計１７０５によって測定した電流値の情報を含むデータはメモリ１７０７に記憶される
。そして、メモリ１７０７に記憶されたデータはプログラミング電流設定回路１７０８に
入力される。そして、プログラミング電流設定回路１７０８は、電流値の情報を含むデー
タから各画素毎の表示素子の劣化の進み具合を割り出す。そして、各画素へ一定の時間電
流を流すと劣化の差が小さくなるように、それぞれの画素に応じた電流値を設定する。こ
のプログラミング電流設定回路１７０８により設定された電流値が、画素１７０４内の電
流源回路にプログラミングされる。そして、エージング中において、各画素の表示素子に
は各画素の表示素子の劣化の差が小さくなるように一定時間電流が供給される。こうして
、充電中に焼き付きを低減することができる。
【０１９１】
なお、図１８で示した画素の電流源回路１８０５の構成の一例を示す画素を図１９に示す
。図１８と共通するところは共通の符号を用いてその説明を省略する。
【０１９２】
電流源回路１８０５はトランジスタ１９０１と容量素子１９０２と第４のスイッチ１９０
３と第５のスイッチ１９０４とを有する。なお、トランジスタ１９０１はＮチャネル型ト
ランジスタである。トランジスタ１９０１は、第１端子（ソース端子またはドレイン端子
の一方）が第３のスイッチ１８０７を介してトランジスタ１８０１の第１端子と接続され
、第２端子（ソース端子またはドレイン端子の他方）が第３の配線１８１１と接続されて
いる。また、トランジスタ１９０１のゲート端子は第４のスイッチ１９０４を介して第３
の配線１８１１と接続され、さらに容量素子１９０２を介してトランジスタ１９０１の第
１端子と接続されている。また、トランジスタ１９０１の第１端子は第５のスイッチ１９
０３を介して第４の配線１９０５と接続されている。
【０１９３】
よって、プログラミングのとき、第４のスイッチ１９０３及び第５のスイッチ１９０４を
オンにする。すると、電流源１９０６から第４の配線１９０５に供給される電流が電流源
回路１８０５に書き込まれる。つまり、このとき、トランジスタ１９０１の第１端子がソ
ース端子となり、トランジスタ１９０１のゲートソース間電圧分の電荷が容量素子１９０
２に蓄積される。そして、第４のスイッチ１９０３及び第５のスイッチ１９０４をオフに
すると、容量素子１９０２はトランジスタ１９０１のゲートソース間電圧を保持する。こ
うして、電流源回路１８０５へのプログラミングが完了する。
【０１９４】
（実施の形態８）
本実施の形態では、実施の形態７とは異なる方法でエージングを行うときの表示装置の構
成とその駆動方法について説明する。
【０１９５】
まず、本実施の形態の表示装置に適用可能な画素について説明する。
【０１９６】
画素は、トランジスタ２６０１と、スイッチ２６０２と、容量素子２６０３と、表示素子
２６０４と、第１の配線２６０５と、第２の配線２６０６と、第３の配線２６０７とを有
する。なお、トランジスタ２６０１はＰチャネル型トランジスタである。スイッチ２６０
２は第２の配線２６０６とトランジスタ２６０１のゲート端子とを導通または非導通を制
御するように接続されている。つまり、第１の配線２６０５に供給される信号により、ス
イッチ２６０２がオンオフする。そして、スイッチ２６０２がオンするときは第２の配線
２６０６とトランジスタ２６０１のゲート端子が導通し、スイッチ２６０２がオフすると
きは第２の配線２６０６とトランジスタ２６０１のゲート端子は非導通となる。また、ト
ランジスタ２６０１は、第１端子（ソース端子またはドレイン端子の一方）が第３の配線
２６０７と接続され、第２の端子（ソース端子またはドレイン端子の他方）は表示素子２
６０４の画素電極と接続されている。そして、トランジスタ２６０１のゲート端子はさら
に容量素子２６０３を介して第３の配線２６０７と接続されている。なお、表示素子２６
０４の対向電極２６０８には所定の電位が印加されている。
【０１９７】
画素への書き込み動作時にはスイッチ２６０２をオンにする。そして、第２の配線２６０
６からビデオ信号に相当する電圧分の電荷を容量素子２６０３に蓄積する。つまり、この
電圧はトランジスタ２６０１のゲートソース間電圧となる。よって、この電圧によってト
ランジスタ２６０１のオンオフが制御される。なお、トランジスタ２６０１がオンするた
めに入力されるビデオ信号はトランジスタ２６０１が線形領域で動作するような電圧であ
る。
【０１９８】
そして、トランジスタ２６０１がオンするときは、第３の配線２６０７に供給される電位
と表示素子２６０４の対向電極２６０８に印加される電位との電位差となる電圧が表示素
子２６０４の両電極間に印加されることになる。そして画素は点灯状態になる。
【０１９９】
各画素毎にビデオ信号を入力すると、信号の書き込み動作が完了し、各画素は点灯または
非点灯の２状態となる。したがって、このままでは２階調しか表現できない。そこで、時
間階調法や面積階調法などを用いることによって多階調表示を行うことができる。
【０２００】
続いて、図２６に示した画素を有する本実施の形態の表示装置について図２２を用いて説
明する。表示装置は、信号線駆動回路２２０１と、走査線駆動回路２２０２と、画素部２
２０３とを有する。信号線駆動回路２２０１から画素部２２０３へ信号線Ｓ１〜Ｓｎが延
長し、走査線駆動回路２２０２から画素部２２０３へ延長して走査線Ｇ１〜Ｇｍが延長し
ている。そして、信号線Ｓ１〜Ｓｎと走査線Ｇ１〜Ｇｍに対応して複数の画素２２０４が
マトリクスに配置されている。また、画素部２２０３を覆うように全面に対向電極２２０
６が形成されている。
【０２０１】
なお、画素２２０４には、図２６で示した画素を適用することができる。このとき、第１
の配線２６０５が走査線Ｇｉ（走査線Ｇ１〜Ｇｍのうちいずれか一）に相当し、第２の配
線２６０６が信号線Ｓｊ（信号線Ｓ１〜Ｓｎのうちいずれか一）に相当する。また、第３
の配線２６０７が電源線Ｐｊ（電源線Ｐ１〜Ｐｎのうちいずれか一）に相当する。よって
、ｉ行ｊ列の画素は、走査線Ｇｉにより選択され、信号線Ｓｊにより信号が書き込まれる
、そして、電源線Ｐｊから電源が供給される。また、図２６で示した対向電極２６０８は
図２２の対向電極２２０６の一部をさすものとする。
【０２０２】
信号の書き込みは、走査線Ｇ１〜Ｇｍにより順次画素が選択され、それぞれの信号線Ｓ１
〜Ｓｎからビデオ信号がそれぞれの画素２２０４に供給されて行われる。
【０２０３】
また、エージングを行う際には、各画素２２０４へ順々に画素を点灯にする信号を入力し
、そのときに電源線と対向電極の間に流れる電流値を電流計２２０５により測定する。電
流計２２０５によって測定した電流値の情報を含むデータはメモリ２２０７に記憶される
。そして、メモリ２２０７に記憶されたデータは補正回路２２０８に入力される。そして
、補正回路２２０８は、電流値の情報を含むデータから各画素毎の表示素子の劣化の進み
具合を割り出す。そして、各画素へそれぞれの画素の劣化に応じた時間、点灯させるため
の信号を生成する。つまり、この信号は、上述したデジタル時間階調法の各サブフレーム
期間のうち、どのサブフレーム期間に画素を点灯させるかを制御する各ビットの信号であ
る。そして、補正回路２２０８によって生成されたこの信号がフレームメモリ２２０９に
記憶される。そして、エージング中において、フレームメモリ２２０９に記憶された各画
素へ入力する信号が補正回路２２０８から走査線駆動回路２２０２及び信号線駆動回路２
２０１に入力される。そして、各画素の表示素子には各画素の表示素子の劣化の差が小さ
くなるようにそれぞれの画素の点灯時間が制御される。こうして、充電中に焼き付きを低
減することができる。
【０２０４】
（実施の形態９）
本実施の形態に示す表示装置の表示パネルは、画素数が表示画素数よりも冗長に設けられ
た構成とする。つまり１フレームのデータに対応する画素数よりも多くの画素を表示パネ
ルに設ける。そして、１フレームのデータを入力する画素を選択することにより表示画面
をあるタイミングに従ってシフトさせる。
【０２０５】
本実施の形態の表示パネルについて図２９を用いて説明する。表示パネル２９００は画素
が複数設けられた画素部２９０１を有している。なお、画素部２９０１において、表示に
寄与する領域、つまり表示画面となる領域を表示領域という。そして、表示パネルが表示
中において、あるときは表示領域２９０２が図２９（ａ）のように画素部２９０１の左斜
め上にシフトしており、そしてまたあるときには、図２９（ｂ）のように表示領域２９０
２が画素部２９０１の右斜め上にシフトしており、そしてまたあるときには図２９（ｃ）
のように画素部２９０１の左下、図２９（ｄ）のように画素部２９０１の右下というよう
に表示領域２９０２がシフトする。
【０２０６】
こうすることで、表示画面の焼き付きを低減することができる。
【０２０７】
なお、図２９では表示領域２９０２が両角に最大限シフトしている図を示しているが、も
ちろん画素部２９０１の中心に表示領域が位置しても良く、画素部２９０１の中で様々な
方向にシフトするようにする。
【０２０８】
例えば、解像度がＱＶＧＡ（３２０×２４０＝７６８００画素）の表示パネルを用いて、
表示パネルの画素数を行列の各方向に４画素分の画素を冗長に設け、（３２４×２４４＝
７９０５６画素）の表示パネルとする。
【０２０９】
そして、表示領域をあるタイミングに従ってシフトさせる。例えば、シフトさせるタイミ
ングとしては、表示装置の電源投入の度にシフトさせる。なお、その度にシフト量をずら
すようにしてもよい。行方向及び列方向のそれぞれに４画素分、つまり、行方向に±２画
素、列方向に±２画素分の画素を冗長に設けた表示パネルにおいて、表示領域のシフト量
の幅は、行方向及び列方向とも±２画素である。そして、シフトパターンは、行方向に（
−２，−１，０，１，２）の５種類、列方向に（−２，−１，０，１，２）の５種類で、
計２５種類の組み合わせとなる。
【０２１０】
表示領域のシフトは走査開始信号ＳＰのタイミングをずらして行うことが出来る。表示領
域のシフト方法について図３０のタイミングチャートを用いて説明する。クロック信号Ｃ
ＬＫ、ＤＡＴＡ信号に対して、走査開始信号ＳＰとして、図３０に示すように信号ＳＰ１
、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４、ＳＰ５を生成することができるようにする。つまり、信号Ｓ
Ｐ１のときには＋２シフトし、信号ＳＰ２のときには＋１シフトし、信号ＳＰ３のときに
はシフトせず、信号ＳＰ４のときには−１シフトし、信号ＳＰ５のときには−２シフトす
る。
【０２１１】
ここで、本実施の形態の表示装置のブロック図の一例について図３１を用いて説明する。
図３１に示す表示装置は表示パネル３１０１、コントローラ３１０２、遅延回路３１０３
、メモリ３１０４を有する。
【０２１２】
コントローラ３１０２にＶＩＤＥＯ信号が入力される。そして、コントローラ３１０２は
表示パネルにＤＡＴＡ信号及びＣＬＫ信号を入力する。また、コントローラ３１０２は遅
延回路３１０３にＳＰ信号を入力する。そして、遅延回路３１０３はＳＰ信号をメモリ３
１０４から入力される遅延量に従って遅延させる。そして、その遅延させたＳＰ’信号を
表示パネル３１０１に入力する。このとき、メモリ３１０４から出力される遅延量は、例
えば前回の表示装置の電源投入時の遅延量などをメモリ３１０４に記憶させ、それに応じ
て前回とは異なる遅延量を決定すればよい。
（実施の形態１０）
【０２１３】
本実施の形態では、実施の形態９で示した表示装置の表示領域のシフトさせるタイミング
とは異なるタイミングで表示領域をシフトさせる方法について図３４に示す表示装置のブ
ロック図を用いて説明する。
【０２１４】
本実施の形態で示す表示装置は表示パネル３４０１、コントローラ３４０２、遅延回路３
４０３、メモリ３４０４、カウンタ３４０５を有する。
【０２１５】
コントローラ３４０２にＶＩＤＥＯ信号が入力される。そして、コントローラ３４０２は
表示パネルにＤＡＴＡ信号及びＣＬＫ信号を入力する。また、コントローラ３４０２は遅
延回路３４０３にＳＰ信号を入力する。そして、遅延回路３４０３はＳＰ信号をメモリ３
４０４から入力される遅延量に従って遅延させる。そして、その遅延させたＳＰ’信号を
表示パネル３４０１に入力する。
【０２１６】
なお、メモリ３４０４から遅延回路３４０３に入力される遅延量は次のように決定される
。カウンタ３４０５は表示装置の表示累積時間をカウントする。そして、カウンタ３４０
５によってカウントされた表示累積時間のデータがメモリ３４０４に入力される。この表
示累積時間のデータに基づき、メモリ３４０４は遅延量を決定し、遅延回路３４０３にこ
の遅延量を入力する。
【０２１７】
このように遅延量を決定すれば、各々の遅延パターンにおいての表示時間が平均化され、
より表示画面の焼き付きが低減される。
【０２１８】
この遅延量を決定する経過時間は例えば、１分単位や、約５分単位や、約１０分単位や、
約３０分単位や、約１時間単位等に設定するのが好ましい。短ければ短いほど遅延パター
ン毎の表示時間が頻繁に平均化され焼き付きの防止の効果は大きいが、あまり、短すぎる
と画面がちらついてしまうからである。
【０２１９】
なお、本実施の形態では、表示装置は表示中にも表示領域がシフトするため、シフトは少
しずつしていくようにして、シフトが目立たないようにするのが好ましい。
【０２２０】
（実施の形態１１）
本実施の形態では、実施の形態９及び１０の表示装置の具体的構成について説明する。
【０２２１】
まず、本発明をアクティブマトリクス型表示装置に適用した場合について、図３５を用い
て説明する。
【０２２２】
図３５のアクティブマトリクス型表示装置は行方向に配置されたゲート信号線Ｇ１〜Ｇｍ
に信号を出力するゲート信号線駆動回路３５０２と、列方向に配置されたソース信号線Ｓ
１〜Ｓｎへ信号を出力するソース信号線駆動回路３５０１と、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｍと
ソース信号線Ｓ１〜Ｓｎに対応してマトリクスに複数の画素３５０４が配置された画素部
３５０３を備えている。この画素３５０４は、１フレーム分の画素より行方向及び列方向
共、冗長に設けられている。好ましくは、画素部３５０３の画素数の１〜１０％の画素数
を冗長に設ける。より好ましくは画素部３５０３の画素数の１．５％〜７％、さらに好ま
しくは表示パネルの画素数の約３％の画素数を冗長に設けるようにするとよい。例えば、
解像度がＱＶＧＡ（３２０×２４０）の時は行方向及び列方向のそれぞれに２〜１０画素
分、ＣＩＦ（３５２×２８８）の時は行方向及び列方向のそれぞれに４〜１０画素分、Ｑ
ＣＩＦ（１７６×１４４）の時は行方向及び列方向のそれぞれに２〜５画素分、ＶＧＡ（
６４０×４８０）の時は行方向及び列方向のそれぞれに５〜２０画素分、ＳＶＧＡ（８０
０×６００）の時は行方向及び列方向のそれぞれに１０〜３０画素分、ＸＧＡ（１０２４
×７６８）の時は行方向及び列方向のそれぞれに１３〜３５画素分、ＳＸＧＡ（１２８０
×１０２４） の時は行方向及び列方向のそれぞれに１５〜４０画素分、ＵＸＧＡ（１６
００×１２００）の時は行方向及び列方向のそれぞれに、２０〜５０画素分、ＱＸＧＡ（
２０４８×１５３６）の時は行方向及び列方向のそれぞれに２５〜６０画素分の画素を冗
長に設けると良い。
【０２２３】
ソース信号線駆動回路３５０１にはシリアルにＤＡＴＡ信号が入力される。そしてパルス
出力回路３５０５にはＳＣＫ信号、ＳＣＫＢ信号が入力される。また、ＳＳＰ信号が遅延
回路３５１１を介してパルス出力回路に入力され、第１のラッチ回路３５０６の各列に順
次パルスが出力される。
【０２２４】
ここで、遅延回路３５１１では入力されたＳＳＰ信号を任意のタイミングに遅延させ、パ
ルス出力回路３５０５に入力する。つまり、メモリ３５０９により遅延量が入力され、そ
の遅延量にしたがって、ＳＳＰ信号を遅延させる。こうして、メモリ３５０９の遅延量に
より画素部において表示に寄与する画素列をシフトすることができる。
【０２２５】
つまり、このパルス出力回路３５０５から出力された信号に従って第１のラッチ回路３５
０６にＤＡＴＡ信号がパラレルに保存されることになる。そして、このとき、ＳＳＰ信号
の遅延量に従って、ＤＡＴＡ信号が入力されない画素列が決定される。
【０２２６】
そして、第２のラッチ回路３５０７にＳＬＡＴ信号が入力されると、この第１のラッチ回
路３５０６に保存されたＤＡＴＡ信号は第２のラッチ回路３５０７に転送される。この第
２のラッチ回路３５０７に保存されたＤＡＴＡ信号がソース信号線駆動回路３５０１から
出力される。
【０２２７】
また、ゲート信号線駆動回路３５０２にはＧＣＫ信号、ＧＣＫＢ信号が入力される。また
、ＧＳＰ信号が遅延回路３５０８を介してゲート信号線駆動回路３５０２に入力される。
すると、ゲート信号線駆動回路３５０２からゲート信号線Ｇ１〜Ｇｍに順次パルスが出力
される。そして、順次ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｍを選択する。
【０２２８】
ここで、遅延回路３５０８では入力されたＧＳＰ信号を任意のタイミングに遅延させ、ゲ
ート信号線駆動回路３５０２に出力する。この遅延させるタイミングはメモリ３５１０に
より遅延量が入力され、その遅延量にしたがって、ＧＳＰ信号を遅延させる。こうして、
メモリ３５１０からの遅延量により画素部において表示画面の表示に寄与する画素行をシ
フトすることができる。つまり、ＧＳＰ信号の遅延量に従って、ＤＡＴＡ信号が入力され
ない画素行が決定される。
【０２２９】
こうして、表示に寄与する画素行をシフトさせることができる。よって、表示装置の表示
画面の焼き付きを低減することができる。
【０２３０】
本実施の形態の表示装置に適用可能な遅延回路の構成の一例を図３２を用いて説明する。
なお、本実施例に示す遅延回路は例えば図３１の表示装置のブロック図における遅延回路
３１０３や図３４の遅延回路３４０３に用いることができる。
【０２３１】
本実施の形態に示す遅延回路はＤＦＦ３２０１〜３２０８が直列に接続されている。前列
のＤＦＦにＳＰ信号が入力される。すると出力２から信号が出力されるときにはＳＰ信号
が１パルス分遅延することになる。そして、さらに、出力３から信号が出力されるときに
はＳＰ信号が２パルス分遅延する。このように出力４、出力５となるにつれてさらに１パ
ルス分ずつ遅延する。つまり、ＳＰ信号が図３０のタイミングチャートのＳＰ１信号であ
るとすると、出力２から出力される信号はＳＰ２、出力３から出力される信号はＳＰ３、
出力４から出力される信号はＳＰ４、出力５から出力される信号はＳＰ５に対応すること
になる。
【０２３２】
つまり、上述したように表示装置の電源投入の度に遅延量を異ならせる場合には、電源投
入時に遅延回路からの出力として出力１、出力２、出力３、出力４、出力５のいずれかを
選択するようにすればよい。
【０２３３】
続いて、図３２に示した遅延回路のＤＦＦ３２０１〜３２０８の構成の一例を図３３に示
す。ＤＦＦ３３０１は、クロックドインバータ３３０２とクロックドインバータ３３０３
とインバータ３３０４とを有する。
【０２３４】
クロックドインバータ３３０２の入力端子にはＳＰ信号が入力され、出力端子はインバー
タ３３０４の入力端子に接続されている。インバータ３３０４の出力端子は次の列のＤＦ
Ｆの入力端子と接続されている。また、クロックドインバータ３３０３の入力端子はイン
バータ３３０４の出力端子と接続され、出力端子はインバータ３３０４の入力端子及びク
ロックドインバータ３３０２の出力端子と接続されている。
【０２３５】
なお、本実施の形態の表示装置の遅延回路に適用可能な構成はこれに限られないことは言
うまでもなく、図３２には一例として遅延回路の構成を示している。
【０２３６】
（実施の形態１２）
本実施の形態では、表示素子としてＥＬ素子を適用した表示パネルの構成について図３７
（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。
【０２３７】
なお、図３７（ａ）は、表示パネルを示す上面図、図３７（ｂ）は図３７（ａ）をＡ−Ａ
’で切断した断面図である。点線で示された信号線駆動回路３７０１、画素部３７０２、
第１の走査線駆動回路３７０３、を有する。また、封止基板３７０４、シール材３７０５
を有し、シール材３７０５で囲まれた内側は、空間３７０７になっている。
【０２３８】
なお、配線３７０８は第１の走査線駆動回路３７０３及び信号線駆動回路３７０１に入
力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプ
リントサーキット）３７０９からビデオ信号、クロック信号（ＣＬＫ）、スタートパルス
信号（ＳＰ）等を受け取る。ＦＰＣ３７０９と表示パネルとの接続部上にはＩＣチップ（
メモリ回路や、バッファ回路などが形成された半導体チップ）３７１９、３７２２がＣＯ
Ｇ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）等で実装されている。なお、ここではＦＰＣしか図示
されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良
い。本明細書における表示装置とは、表示パネル本体だけでなく、それにＦＰＣもしくは
ＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０２３９】
次に、断面構造について図３７（ｂ）を用いて説明する。基板３７１０上には画素部３
７０２とその周辺駆動回路（走査線駆動回路３７０３、及び信号線駆動回路３７０１）が
形成されているが、ここでは、信号線駆動回路３７０１と、画素部３７０２が示されてい
る。
【０２４０】
なお、信号線駆動回路３７０１はＴＦＴ３７２０やＴＦＴ３７２１を有している。また
、本実施の形態では、基板上に周辺駆動回路を一体形成した表示パネルを示すが、必ずし
もその必要はなく、周辺駆動回路の全部若しくは一部をＩＣチップなどに形成し、ＣＯＧ
などで実装しても良い。
【０２４１】
また、画素部３７０２はＴＦＴ３７１１と、ＴＦＴ３７１２とを有している。なお、Ｔ
ＦＴ３７１２のソース電極は第１の電極（画素電極）３７１３と接続されている。また、
第１の電極３７１３の端部を覆って絶縁物３７１４が形成されている。ここでは、ポジ型
の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。
【０２４２】
また、カバレッジを良好なものとするため、絶縁物３７１４の上端部または下端部に曲
率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物３７１４の材料としてポジ型の
感光性アクリルを用いた場合、絶縁物３７１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３
μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物３７１４として、感光性の
光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解
性となるポジ型のいずれも使用することができる。
【０２４３】
第１の電極３７１３上には、有機化合物を含む層３７１６、および第２の電極（対向電
極）３７１７がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第１の電極３７１
３に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴ
Ｏ（インジウムスズ酸化物）膜、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜、窒化チタン膜、ク
ロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウム
を主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン
膜との３層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も
低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。
【０２４４】
また、有機化合物を含む層３７１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、またはインクジェ
ット法によって形成される。有機化合物を含む層３７１６には、元素周期表第４族金属錯
体をその一部に用いることとし、その他、組み合わせて用いることのできる材料としては
、低分子系材料であっても高分子系材料であっても良い。また、有機化合物を含む層に用
いる材料としては、通常、有機化合物を単層もしくは積層で用いる場合が多いが、本実施
の形態においては、有機化合物からなる膜の一部に無機化合物を用いる構成も含めること
とする。さらに、公知の三重項材料を用いることも可能である。
【０２４５】
さらに、有機化合物を含む層３７１６上に形成される第２の電極３７１７に用いる材料
としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡ
ｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ２、またはＣａ３Ｎ２）を用いればよい。なお、有機化
合物を含む層３７１６で生じた光が第２の電極３７１７を透過させる場合には、第２の電
極（陰極）３７１７として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（酸化イン
ジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛
（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。
【０２４６】
さらにシール材３７０５で封止基板３７０４を基板３７１０と貼り合わせることにより
、基板３７１０、封止基板３７０４、およびシール材３７０５で囲まれた空間３７０７に
ＥＬ素子３７１８が備えられた構造になっている。なお、空間３７０７には、不活性気体
（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材３７０５で充填される構成も含む
ものとする。
【０２４７】
なお、シール材３７０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材
料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板３７
０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒ
ｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイラー
、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【０２４８】
以上のようにして、本発明の画素構成を有する表示パネルを得ることができる。なお、
上述した構成は一例であって本発明の表示パネルの構成はこれに限定されない。
【０２４９】
図３７示すように、信号線駆動回路３７０１、画素部３７０２及び第１の走査線駆動回路
３７０３及びを一体形成することで、表示装置の低コスト化が図れる。
【０２５０】
なお、表示パネルの構成としては、図３７（ａ）に示したように信号線駆動回路３７０１
、画素部３７０２及び走査線駆動回路３７０３を一体形成した構成に限られず、信号線駆
動回路３７０１に相当する図４３に示す信号線駆動回路４３０１をＩＣチップ上に形成し
て、ＣＯＧ等で表示パネルに実装した構成としても良い。なお、図４３（ａ）の基板４３
００、画素部４３０２、走査線駆動回路４３０３、ＦＰＣ４３０５、ＩＣチップ４３０６
、ＩＣチップ４３０７、封止基板４３０８、シール材４３０９は図３７（ａ）の基板３７
１０、画素部３７０２、走査線駆動回路３７０３、ＦＰＣ３７０９、ＩＣチップ３７１９
、ＩＣチップ３７２２、封止基板３７０４、シール材３７０５に相当する。
【０２５１】
つまり、駆動回路の高速動作が要求される信号線駆動回路のみを、ＣＭＯＳ等を用いてＩ
Ｃチップに形成し、低消費電力化を図る。また、ＩＣチップはシリコンウエハ等の半導体
チップとすることで、より高速動作且つ低消費電力化を図れる。
【０２５２】
そして、走査線駆動回路４３０３を画素部４３０２と一体形成することで、低コスト化が
図れる。
【０２５３】
こうして、高精細な表示装置の低コスト化が図れる。また、ＦＰＣ４３０５と基板４３０
０との接続部において機能回路（メモリやバッファ）が形成されたＩＣチップを実装する
ことで基板面積を有効利用することができる。
【０２５４】
また、図４３（ａ）の信号線駆動回路４３０１、走査線駆動回路４３０３に相当する図４
３（ｂ）の信号線駆動回路４３１１、走査線駆動回路４３１３をＩＣチップ上に形成して
、ＣＯＧ等で表示パネルに実装した構成としても良い。この場合には高精細な表示装置を
より低消費電力にすることが可能である。よって、より消費電力が少ない表示装置とする
ためには、画素部に用いられるトランジスタの半導体層にはポリシリコンを用いることが
望ましい。なお、図４３（ｂ）の基板４３１０、画素部４３１２、ＦＰＣ４３１５、ＩＣ
チップ４３１６、ＩＣチップ４３１７、封止基板４３１８、シール材４３１９は図４３（
ａ）の基板４３００、画素部４３０２、ＦＰＣ４３０５、ＩＣチップ４３０６、ＩＣチッ
プ４３０７、封止基板４３０８、シール材４３０９に相当する。
【０２５５】
また、画素部４３１２のトランジスタの半導体層にアモルファスシリコンを用いることに
より低コスト化を図ることができる。さらに、大型の表示パネルを作製することも可能と
なる。
【０２５６】
また、画素の行方向及び列方向のそれぞれに信号線駆動回路及び走査線駆動回路を設けな
くても良い。例えば、図４４（ａ）に示すようにＩＣチップ上に形成された周辺駆動回路
４４０１が図４３（ｂ）に示す、走査線駆動回路４３１３及び信号線駆動回路４３１１の
機能を有するようにしても良い。なお、図４４（ａ）の基板４４００、画素部４４０２、
ＦＰＣ４４０４、ＩＣチップ４４０５、ＩＣチップ４４０６、封止基板４４０７、シール
材４４０８は図４３（ｂ）の基板４３１０、画素部４３１２、ＦＰＣ４３１５、ＩＣチッ
プ４３１６、ＩＣチップ４３１７、封止基板４３１８、シール材４３１９に相当する。
【０２５７】
なお、図４４（ａ）の表示装置の配線の接続を説明する模式図を図４４（ｂ）に示す。基
板４４１０、周辺駆動回路４４１１、画素部４４１２、ＦＰＣ４４１３、ＦＰＣ４４１４
有する。ＦＰＣ４４１３より周辺駆動回路４４１１に外部からの信号及び電源電位が入力
される。そして、周辺駆動回路４４１１からの出力は、画素部４４１２の有する画素に接
続された行方向及び列方向の配線に入力される。
【０２５８】
さらに、ＥＬ素子３７１８に適用可能なＥＬ素子の例を図３８（ａ）、（ｂ）に示す。つ
まり、実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、実施の形態４及び本実施の形態で示
した画素に適用可能なＥＬ素子の構成について図３８（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。
【０２５９】
図３８（ａ）のＥＬ素子は、基板３８０１の上に陽極３８０２、正孔注入材料からなる正
孔注入層３８０３、その上に正孔輸送材料からなる正孔輸送層３８０４、発光層３８０５
、電子輸送材料からなる電子輸送層３８０６、電子注入材料からなる電子注入層３８０７
、そして陰極３８０８を積層させた素子構造である。ここで、発光層３８０５は、一種類
の発光材料のみから形成されることもあるが、２種類以上の材料から形成されてもよい。
また本発明の素子の構造は、この構造に限定されない。
【０２６０】
また、図３８（ａ）で示した各機能層を積層した積層構造の他、高分子化合物を用いた
素子、発光層に三重項励起状態から発光する三重項発光材料を利用した高効率素子など、
バリエーションは多岐にわたる。ホールブロック層によってキャリヤの再結合領域を制御
し、発光領域を二つの領域にわけることによって得られる白色ＥＬ素子などにも応用可能
である。
【０２６１】
図３８（ａ）に示す本発明の素子作製方法は、まず、陽極３８０２（ＩＴＯ）を有する
基板３８０１に正孔注入材料、正孔輸送材料、発光材料を順に蒸着する。次に電子輸送材
料、電子注入材料を蒸着し、最後に陰極３８０８を蒸着で形成する。
【０２６２】
次に、正孔注入材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料の材料に
好適な材料を以下に列挙する。
【０２６３】
正孔注入材料としては、有機化合物でればポルフィリン系の化合物や、フタロシアニン（
以下「Ｈ２Ｐｃ」と記す）、銅フタロシアニン（以下「ＣｕＰｃ」と記す）などが有効で
ある。また、使用する正孔輸送材料よりもイオン化ポテンシャルの値が小さく、かつ、正
孔輸送機能をもつ材料であれば、これも正孔注入材料として使用できる。導電性高分子化
合物に化学ドーピングを施した材料もあり、ポリスチレンスルホン酸（以下「ＰＳＳ」と
記す）をドープしたポリエチレンジオキシチオフェン（以下「ＰＥＤＯＴ」と記す）や、
ポリアニリンなどが挙げられる。また、絶縁体の高分子化合物も陽極の平坦化の点で有効
であり、ポリイミド（以下「ＰＩ」と記す）がよく用いられる。さらに、無機化合物も用
いられ、金や白金などの金属薄膜の他、酸化アルミニウム（以下「アルミナ」と記す）の
超薄膜などがある。
【０２６４】
正孔輸送材料として最も広く用いられているのは、芳香族アミン系（すなわち、ベンゼ
ン環−窒素の結合を有するもの）の化合物である。広く用いられている材料として、４，
４’−ビス（ジフェニルアミノ）−ビフェニル（以下、「ＴＡＤ」と記す）や、その誘導
体である４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフ
ェニル（以下、「ＴＰＤ」と記す）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェ
ニル−アミノ］−ビフェニル（以下、「α−ＮＰＤ」と記す）がある。４，４’，４”−
トリス（Ｎ，Ｎ− ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（以下、「ＴＤＡＴＡ」
と記す）、４，４’，４”−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ− フェニル−ア
ミノ］−トリフェニルアミン（以下、「ＭＴＤＡＴＡ」と記す）などのスターバースト型
芳香族アミン化合物が挙げられる。
【０２６５】
電子輸送材料としては、金属錯体がよく用いられ、先に述べたＡｌｑ、ＢＡｌｑ、トリ
ス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（以下、「Ａｌｍｑ」と記す）、ビス
（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（以下、「ＢｅＢｑ」と記す
）などのキノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体などがある。また、ビ
ス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾラト］亜鉛（以下、「Ｚｎ（ＢＯ
Ｘ）２」と記す）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾチアゾラト］亜鉛（
以下、「Ｚｎ（ＢＴＺ）２」と記す）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有す
る金属錯体もある。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−
ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（以下、「ＰＢＤ」と記す
）、ＯＸＤ−７などのオキサジアゾール誘導体、ＴＡＺ、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−２，３、４−トリ
アゾール（以下、「ｐ−ＥｔＴＡＺ」と記す）などのトリアゾール誘導体、バソフェナン
トロリン（以下、「ＢＰｈｅｎ」と記す）、ＢＣＰなどのフェナントロリン誘導体が電子
輸送性を有する。
【０２６６】
電子注入材料としては、上で述べた電子輸送材料を用いることができる。その他に、フッ
化カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウムなどの金属ハロゲン化物や、酸化リチウ
ムなどのアルカリ金属酸化物のような絶縁体の、超薄膜がよく用いられる。また、リチウ
ムアセチルアセトネート（以下、「Ｌｉ（ａｃａｃ）」と記す）や８−キノリノラト−リ
チウム（以下、「Ｌｉｑ」と記す）などのアルカリ金属錯体も有効である。
【０２６７】
発光材料としては、先に述べたＡｌｑ、Ａｌｍｑ、ＢｅＢｑ、ＢＡｌｑ、Ｚｎ（ＢＯＸ）
２、Ｚｎ（ＢＴＺ）２などの金属錯体の他、各種蛍光色素が有効である。蛍光色素として
は、青色の４，４’−ビス（２，２ − ジフェニル−ビニル）−ビフェニルや、赤橙色
の４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ
−ピランなどがある。また、三重項発光材料も可能であり、白金ないしはイリジウムを中
心金属とする錯体が主体である。三重項発光材料として、トリス（２−フェニルピリジン
）イリジウム、ビス（２−（４’−トリル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）アセチルアセトナ
トイリジウム（以下「ａｃａｃＩｒ（ｔｐｙ）２」と記す）、 ２，３，７，８，１２，
１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈポルフィリン−白金などが知られてい
る。
【０２６８】
以上で述べたような各機能を有する材料を、各々組み合わせ、高信頼性のＥＬ素子を作製
することができる。
【０２６９】
また、図３８（ｂ）に示すように図３８（ａ）とは逆の順番に層を形成したＥＬ素子を用
いることができる。つまり、基板３８１１の上に陰極３８１８、電子注入材料からなる電
子注入層３８１７、その上に電子輸送材料からなる電子輸送層３８１６、発光層３８１５
、正孔輸送材料からなる正孔輸送層３８１４、正孔注入材料からなる正孔注入層３８１３
、そして陽極３８１２を積層させた素子構造である。
【０２７０】
また、ＥＬ素子は発光を取り出すために少なくとも陽極又は陰極の一方が透明であればよ
い。そして、基板上にＴＦＴ及びＥＬ素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取り出
す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反対側の
面から発光を取り出す両面射出構造のＥＬ素子があり、本発明の画素構成はどの射出構造
のＥＬ素子にも適用することができる。
【０２７１】
上面射出構造のＥＬ素子について図３９（ａ）を用いて説明する。
【０２７２】
基板３９００上に駆動用ＴＦＴ３９０１が形成され、駆動用ＴＦＴ３９０１のソース電極
に接して第１の電極３９０２が形成され、その上に有機化合物を含む層３９０３と第２の
電極３９０４が形成されている。
【０２７３】
また、第１の電極３９０２はＥＬ素子の陽極である。そして第２の電極３９０４はＥＬ素
子の陰極である。つまり、第１の電極３９０２と第２の電極３９０４とで有機化合物を含
む層３９０３が挟まれているところがＥＬ素子となる。
【０２７４】
また、ここで、陽極として機能する第１の電極３９０２に用いる材料としては、仕事関数
の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン
膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との
積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用
いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミッ
クコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。光を反射する金属膜を
用いることで光を透過させない陽極を形成することができる。
【０２７５】
また、陰極として機能する第２の電極３９０４に用いる材料としては、仕事関数の小さい
材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、Ｃ
ａＦ２、またはＣａ３Ｎ２）からなる金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（インジウムスズ
酸化物）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いる
のが良い。こうして薄い金属薄膜と、透明性を有する透明導電膜を用いることで光を透過
させることが可能な陰極を形成することができる。
【０２７６】
こうして、図３９（ａ）の矢印に示すようにＥＬ素子からの光を上面に取り出すことが可
能になる。つまり、図３７の表示パネルに適用した場合には、封止基板３７０４側に光が
射出することになる。従って上面射出構造のＥＬ素子を表示装置に用いる場合には封止基
板３７０４は光透過性を有する基板を用いる。
【０２７７】
また、光学フィルムを設ける場合には、封止基板３７０４に光学フィルムを設ければよ
い。
【０２７８】
なお、第１の電極３９０２を陰極として機能するＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ等の仕事
関数の小さい材料からなる金属膜を用いることができる。そして、第２の電極３９０４に
はＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電
膜を用いることができる。よって、この構成によれば、上面射出の透過率を高くすること
ができる。
【０２７９】
また、下面射出構造のＥＬ素子について図３９（ｂ）を用いて説明する。射出構造以外は
図３９（ａ）と同じ構造のＥＬ素子であるため同じ符号を用いて説明する。
【０２８０】
ここで、陽極として機能する第１の電極３９０２に用いる材料としては、仕事関数の大き
い材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、インジウ
ム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜などの透明導電膜を用いることができる。透明性を有する透明
導電膜を用いることで光を透過させることが可能な陽極を形成することができる。
【０２８１】
また、陰極として機能する第２の電極３９０４に用いる材料としては、仕事関数の小さい
材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、Ｃ
ａＦ２、またはＣａ３Ｎ２）からなる金属膜を用いることができる。こうして、光を反射
する金属膜を用いることで光が透過しない陰極を形成することができる。
【０２８２】
こうして、図３９（ｂ）の矢印に示すようにＥＬ素子からの光を下面に取り出すことが可
能になる。つまり、図３７の表示パネルに適用した場合には、基板３７１０側に光が射出
することになる。従って下面射出構造のＥＬ素子を表示装置に用いる場合には封止基板３
７０４は光透過性を有する基板を用いる。
【０２８３】
また、光学フィルムを設ける場合には、基板３７１０に光学フィルムを設ければよい。
【０２８４】
両面射出構造のＥＬ素子について図３９（ｃ）を用いて説明する。射出構造以外は図３９
（ａ）と同じ構造のＥＬ素子であるため同じ符号を用いて説明する。
【０２８５】
ここで、陽極として機能する第１の電極３９０２に用いる材料としては、仕事関数の大き
い材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、インジウ
ム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜などの透明導電膜を用いることができる。透明性を有する透明
導電膜を用いることで光を透過させることが可能な陽極を形成することができる。
【０２８６】
また、陰極として機能する第２の電極３９０４に用いる材料としては、仕事関数の小さい
材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、Ｃ
ａＦ２、またはＣａ３Ｎ２）からなる金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（インジウムスズ
酸化物）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等
）との積層を用いるのが良い。こうして薄い金属薄膜と、透明性を有する透明導電膜を用
いることで光を透過させることが可能な陰極を形成することができる。
【０２８７】
こうして、図３９（ｃ）の矢印に示すようにＥＬ素子からの光を両面に取り出すことが可
能になる。つまり、図３７の表示パネルに適用した場合には、基板３７１０側と封止基板
３７０４側に光が射出することになる。従って両面射出構造のＥＬ素子を表示装置に用い
る場合には基板３７１０および封止基板３７０４は、ともに光透過性を有する基板を用い
る。
【０２８８】
また、光学フィルムを設ける場合には、基板３７１０および封止基板３７０４の両方に
光学フィルムを設ければよい。
【０２８９】
また、白色のＥＬ素子とカラーフィルターを用いてフルカラー表示を実現する表示装置に
も本発明を適用することが可能である。
【０２９０】
図４０に示すように、基板４０００上に下地膜４００２が形成され、その上に駆動用ＴＦ
Ｔ４００１が形成され、駆動用ＴＦＴ４００１のソース電極に接して第１の電極４００３
が形成され、その上に有機化合物を含む層４００４と第２の電極４００５が形成されてい
る。
【０２９１】
また、第１の電極４００３はＥＬ素子の陽極である。そして第２の電極４００５はＥＬ素
子の陰極である。つまり、第１の電極４００３と第２の電極４００５とで有機化合物を含
む層４００４が挟まれているところがＥＬ素子となる。図４０の構成では白色光を発光す
る。そして、ＥＬ素子の上部に赤色のカラーフィルター４００６Ｒ、緑色のカラーフィル
ター４００６Ｇ、青色のカラーフィルター４００６Ｂを設けられており、フルカラー表示
を行うことができる。また、これらのカラーフィルターを隔離するブラックマトリクス（
ＢＭともいう）４００７が設けられている。
【０２９２】
上述したＥＬ素子の構成は組み合わせて用いることができ、本発明の画素構成を有する
表示装置に適宜用いることができる。また、上述した表示パネルの構成や、ＥＬ素子は例
示であり、もちろん本発明の画素構成は他の構成の表示装置に適用することもできる。
【０２９３】
次に、表示パネルの画素部の部分断面図を示す。
【０２９４】
まず、トランジスタの半導体層に結晶性半導体膜（ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）膜）を用い
た場合について図４１及び図４２を用いて説明する。
【０２９５】
ここで、半導体層は、例えば基板上にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を公知の成膜
法で形成する。なお、アモルファスシリコン膜に限定する必要はなく、非晶質構造を含む
半導体膜（微結晶半導体膜を含む）であれば良い。さらに非晶質シリコンゲルマニウム膜
などの非晶質構造を含む化合物半導体膜でも良い。
【０２９６】
そして、アモルファスシリコン膜をレーザ結晶化法や、ＲＴＡやファーネスアニール炉を
用いた熱結晶化法や、結晶化を助長する金属元素を用いた熱結晶化法などとにより結晶化
させる。もちろん、これらを組み合わせて行っても良い。
【０２９７】
上述した結晶化によって、非晶質半導体膜に部分的に結晶化された領域が形成される。
【０２９８】
さらに、部分的に結晶性が高められた結晶性半導体膜を所望の形状にパターニングして
、結晶化された領域から島状の半導体膜を形成する。この半導体膜をトランジスタの半導
体層に用いる。なお、パターニングとは、膜を形状加工することをいい、フォトリソグラ
フィー技術によって膜のパターンを形成すること（例えば、感光性アクリルにコンタクト
ホールを形成することや、感光性アクリルをスペーサとなるように形状加工することも含
む）や、フォトリソグラフィー技術によってマスクパターンを形成し、当該マスクパター
ンを用いてエッチング加工を行うことなどをいう。
【０２９９】
図４１に示すように、基板４１０１上に下地膜４１０２が形成され、その上に半導体層が
形成されている。半導体層は駆動トランジスタ４１１８のチャネル形成領域４１０３及び
ソース又はドレイン領域となる不純物領域４１０５、並びに容量素子４１１９の下部電極
となるチャネル形成領域４１０６、ＬＤＤ領域４１０７及び不純物領域４１０８を有する
。なお、チャネル形成領域４１０３及びチャネル形成領域４１０６にはチャネルドープが
行われていても良い。
【０３００】
基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板、プラスチック基板などを用いることがで
きる。また、下地膜４１０２としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ
２）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）などの単層やこれらの積層を用いることができる。
【０３０１】
半導体層上にはゲート絶縁膜４１０９を介してゲート電極４１１０及び容量素子の上部電
極４１１１が形成されている。
【０３０２】
駆動トランジスタ４１１８及び容量素子４１１９を覆って層間絶縁膜４１１２が形成され
、層間絶縁膜４１１２上にコンタクトホールを介して配線４１１３が不純物領域４１０５
と接している。配線４１１３に接して画素電極４１１４が形成され、画素電極４１１４の
端部及び配線４１１３を覆って絶縁物４１１５が形成されている。ここでは、ポジ型の感
光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。そして、画素電極４１１４上に有機化
合物を含む層４１１６及び対向電極４１１７が形成され、画素電極４１１４と対向電極４
１１７とで有機化合物を含む層４１１６が挟まれた領域ではＥＬ素子４１２０が形成され
ている。
【０３０３】
また、図４１（ｂ）に示すように、容量素子４１１９の下部電極の一部を構成するＬＤＤ
領域が、上部電極４１１１と重なるような領域４１２３を設けても良い。なお、図４１（
ａ）と共通するところは共通の符号を用い、説明は省略する。
【０３０４】
また、図４２（ａ）に示すように、駆動トランジスタ４１１８の不純物領域４１０５と接
する配線４１１３と同じ層に形成された第２の上部電極４１２１を有していても良い。な
お、図４１（ａ）と共通するところは共通の符号を用い、説明は省略する。第２の上部電
極４１２１と上部電極４１１１とで層間絶縁膜４１１２を挟みこみ、第２の容量素子を構
成している。また、第２の上部電極４１２１は不純物領域４１０８と接しているため、上
部電極４１１１とチャネル形成領域４１０６とでゲート絶縁膜４１０９を挟みこんで構成
される第１の容量素子と、上部電極４１１１と第２の上部電極４１２１とで層間絶縁膜４
１１２を挟みこんで構成される第２の容量素子と、が並列に接続され、第１の容量素子と
第２の容量素子からなる容量素子４１２２を構成している。この容量素子４１２２の容量
は第１の容量素子と第２の容量素子の容量を加算した合成容量であるため、小さい面積で
大きな容量の容量素子を形成することができる。つまり、本発明の画素構成の容量素子と
して用いるとより開口率の向上が図れる。
【０３０５】
また、図４２（ｂ）に示すような容量素子の構成としても良い。基板４２０１上に下地膜
４２０２が形成され、その上に半導体層が形成されている。半導体層は駆動トランジスタ
４２１８のチャネル形成領域４２０３及びソース又はドレイン領域となる不純物領域４２
０５を有する。なお、チャネル形成領域４２０３はチャネルドープが行われていても良い
。
【０３０６】
基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板、プラスチック基板などを用いることがで
きる。また、下地膜４１０２としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ
２）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）などの単層やこれらの積層を用いることができる。
【０３０７】
半導体層上にはゲート絶縁膜４２０６を介してゲート電極４２０７及び第１の電極４２０
８が形成されている。
【０３０８】
駆動トランジスタ４２１８及び第１の電極４２０８を覆って第１の層間絶縁膜４２０９が
形成され、第１の層間絶縁膜４２０９上にコンタクトホールを介して配線４２１０が不純
物領域４２０５と接している。また、配線４２１０と同じ材料からなる同層の第２の電極
４２１１が形成される。
【０３０９】
さらに、配線４２１０及び第２の電極４２１１を覆うように第２の層間絶縁膜４２１２が
形成され、第２の層間絶縁膜４２１２上にコンタクトホールを介して、配線４２１０と接
して画素電極４２１３が形成されている。また、画素電極４２１３のと同じ材料からなる
同層の第３の電極４２１４が形成されている。ここで、第１の電極４２０８、第２の電極
４２１１及び第３の電極４２１４からなる容量素子４２１９が形成される。
【０３１０】
画素電極４２１３と第３の電極４２１４の端部を覆って絶縁物４２１５が形成され、第３
の絶縁物４２１５及び第３の電極４２１４上に有機化合物を含む層４２１６及び対向電極
４２１７が形成され、画素電極４２１３と対向電極４２１７とで有機化合物を含む層４２
１６が挟まれた領域ではＥＬ素子４２２０が形成されている。
【０３１１】
上述したように、結晶性半導体膜を半導体層に用いたトランジスタの構成は図４１及び図
４２に示したような構成が挙げられる。なお、図４１及び図４２に示したトランジスタの
構造はトップゲートの構造のトランジスタの一例である。つまり、トランジスタはＰ型で
もＮ型でもよい。Ｎ型の場合には、ＬＤＤ領域はゲート電極と重なっていても良いし、ゲ
ート電極と重なっていなくても良いし、又はＬＤＤ領域の一部の領域が重なっていてもよ
い。さらに、ゲート電極はテーパー形状でもよく、ゲート電極のテーパー部の下部にＬＤ
Ｄ領域が自己整合的に設けられていても良い。また、ゲート電極は二つに限られず三以上
のマルチゲート構造でも良いし、一つのゲート電極でも良い。
【０３１２】
また、半導体層にポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）を用いたトランジスタの構成として、基板と
半導体層の間にゲート電極が挟まれた構造、つまり、半導体層の下にゲート電極が位置す
るボトムゲートのトランジスタを適用した表示パネルの部分断面を図４５に示す。
【０３１３】
基板４５０１上に下地膜４５０２が形成されている。さらに下地膜４５０２上にゲート
電極４５０３が形成されている。また、ゲート電極と同層に同じ材料からなる第１の電極
４５０４が形成されている。ゲート電極４５０３の材料にはリンが添加された多結晶シリ
コンを用いることができる。多結晶シリコンの他に、金属とシリコンの化合物であるシリ
サイドでもよい。
【０３１４】
また、ゲート電極４５０３及び第１の電極４５０４を覆うようにゲート絶縁膜４５０５が
形成されている。ゲート絶縁膜４５０５としては酸化珪素膜や窒化珪素膜などが用いられ
る。
【０３１５】
また、ゲート絶縁膜４５０５上に、半導体層が形成されている。半導体層は駆動トラン
ジスタ４５２２のチャネル形成領域４５０６、ＬＤＤ領域４５０７及びソース又はドレイ
ン領域となる不純物領域４５０８、並びに容量素子４５２３の第２の電極となるチャネル
形成領域４５０９、ＬＤＤ領域４５１０及び不純物領域４５１１を有する。なお、チャネ
ル形成領域４５０６及びチャネル形成領域４５０９はチャネルドープが行われていても良
い。
【０３１６】
基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板、プラスチック基板などを用いることがで
きる。また、下地膜４５０２としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ
２）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）などの単層やこれらの積層を用いることができる。
【０３１７】
半導体層を覆って第１の層間絶縁膜４５１２が形成され、第１の層間絶縁膜４５１２上に
コンタクトホールを介して配線４５１３が不純物領域４５０８と接している。また、配線
４５１３と同層に同じ材料で第３の電極４５１４が形成されている。第１の電極４５０４
、第２の電極、第３の電極４５１４によって容量素子４５２３が構成されている。
【０３１８】
また、第１の層間絶縁膜４５１２には開口部４５１５が形成されている。駆動トランジス
タ４５２２、容量素子４５２３及び開口部４５１５を覆うように第２の層間絶縁膜４５１
６が形成され、第２の層間絶縁膜４５１６上にコンタクトホールを介して、画素電極４５
１７が形成されている。また、画素電極４５１７の端部を覆って絶縁物４５１８が形成さ
れている。例えば、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることができる。そして、画素
電極４５１７上に有機化合物を含む層４５１９及び対向電極４５２０が形成され、画素電
極４５１７と対向電極４５２０とで有機化合物を含む層４５１９が挟まれた領域ではＥＬ
素子４５２１が形成されている。そして、ＥＬ素子４５２１の下部に開口部４５１５が位
置している。つまり、ＥＬ素子４５２１からの発光を基板側から取り出すときには開口部
４５１５を有するため透過率を高めることができる。
【０３１９】
また、図４５（ａ）において画素電極４５１７と同層に同じ材料を用いて第４の電極４５
２４を形成して、図４５（ｂ）のような構成としてもよい。すると、第１の電極４５０４
、第２の電極、第３の電極４５１４及び第４の電極４５２４によって構成される容量素子
４５２５を形成することができる。
【０３２０】
次に、トランジスタの半導体層にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜を用いた場合
について説明する。図４６にはトップゲートのトランジスタ、図４７及び図４５にはボト
ムゲートのトランジスタの場合について示す。
【０３２１】
アモルファスシリコンを半導体層に用いた順スタガ構造のトランジスタの断面を図４６（
ａ）に示す。に示すように、基板４６０１上に下地膜４６０２が形成されている。さらに
下地膜４６０２上に画素電極４６０３が形成されている。また、画素電極４６０３と同層
に同じ材料からなる第１の電極４６０４が形成されている。
【０３２２】
基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板、プラスチック基板などを用いることがで
きる。また、下地膜４６０２としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ
２）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）などの単層やこれらの積層を用いることができる。
【０３２３】
また、下地膜４６０２上に配線４６０５及び配線４６０６が形成され、画素電極４６０３
の端部が配線４６０５で覆われている。配線４６０５及び配線４６０６の上部にＮ型の導
電型を有するＮ型半導体層４６０７及びＮ型半導体層４６０８が形成されている。また、
配線４６０６と配線４６０５の間であって、下地膜４６０２上に半導体層４６０９が形成
されている。そして、半導体層４６０９の一部はＮ型半導体層４６０７及びＮ型半導体層
４６０８上にまで延長されている。なお、この半導体層はアモルファスシリコン（ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ）、微結晶半導体（μ−Ｓｉ：Ｈ）等の非結晶性を有する半導体膜で形成されてい
る。また、半導体層４６０９上にゲート絶縁膜４６１０が形成されている。また、ゲート
絶縁膜４６１０と同層の同じ材料からなる絶縁膜４６１１が第１の電極４６０４上にも形
成されている。なお、ゲート絶縁膜４６１０としては酸化珪素膜や窒化珪素膜などが用い
られる。
【０３２４】
また、ゲート絶縁膜４６１０上に、ゲート電極４６１２が形成されている。また、ゲー
ト電極と同層に同じ材料でなる第２の電極４６１３が第１の電極４６０４上に絶縁膜４６
１１を介して形成されている。第１の電極４６０４及び第２の電極４６１３で絶縁膜４６
１１を挟まれた容量素子４６１９が形成されている。また、画素電極４６０３の端部、駆
動トランジスタ４６１８及び容量素子４６１９を覆い、層間絶縁膜４６１４が形成されて
いる。
【０３２５】
層間絶縁膜４６１４及びその開口部に位置する画素電極４６０３上に有機化合物を含む層
４６１５及び対向電極４６１６が形成され、画素電極４６０３と対向電極４６１６とで有
機化合物を含む層４６１５が挟まれた領域ではＥＬ素子４６１７が形成されている。
【０３２６】
また、図４６（ａ）に示す第１の電極４６０４を図４６（ｂ）に示すように第１の電極４
６２０で形成してもよい。第１の電極４６２０は配線４６０５及び４６０６と同層の同一
材料で形成されている。
【０３２７】
また、アモルファスシリコンを半導体層に用いたボトムゲート構造のトランジスタを用い
た表示パネルの部分断面を図４７に示す。
【０３２８】
基板４７０１上に下地膜４７０２が形成されている。さらに下地膜４７０２上にゲート
電極４７０３が形成されている。また、ゲート電極と同層に同じ材料からなる第１の電極
４７０４が形成されている。ゲート電極４７０３の材料にはリンが添加された多結晶シリ
コンを用いることができる。多結晶シリコンの他に、金属とシリコンの化合物であるシリ
サイドでもよい。
【０３２９】
また、ゲート電極４７０３及び第１の電極４７０４を覆うようにゲート絶縁膜４７０５が
形成されている。ゲート絶縁膜４７０５としては酸化珪素膜や窒化珪素膜などが用いられ
る。
【０３３０】
また、ゲート絶縁膜４７０５上に、半導体層４７０６が形成されている。また、半導体
層４７０６と同層に同じ材料からなる半導体層４７０７が形成されている。
【０３３１】
基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板、プラスチック基板などを用いることがで
きる。また、下地膜４７０２としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ
２）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）などの単層やこれらの積層を用いることができる。
【０３３２】
半導体層４７０６上にはＮ型の導電性を有するＮ型半導体層４７０８、４７０９が形成さ
れ、半導体層４７０７上にはＮ型半導体層４７１０が形成されている。
【０３３３】
Ｎ型半導体層４７０８、４７０９、４７１０上にはそれぞれ配線４７１１、４７１２が形
成され、Ｎ型半導体層４７１０上には配線４７１１及び４７１２と同層の同一材料からな
る導電層４７１３が形成されている。
【０３３４】
半導体層４７０７、Ｎ型半導体層４７１０及び導電層４７１３からなる第２の電極が構成
される。なお、この第２の電極と第１の電極４７０４でゲート絶縁膜４７０５を挟み込ん
だ構造の容量素子４７２０が形成されている。
【０３３５】
また、配線４７１１の一方の端部は延在し、その延在した配線４７１１上部に接して画素
電極４７１４が形成されている。
【０３３６】
また、画素電極４７１４の端部、駆動トランジスタ４７１９及び容量素子４７２０を覆う
ように絶縁物４７１５が形成されている。
【０３３７】
画素電極４７１４及び絶縁物４７１５上には有機化合物を含む層４７１６及び対向電極４
７１７が形成され、画素電極４７１４と対向電極４７１７とで有機化合物を含む層４７１
６が挟まれた領域ではＥＬ素子４７１８が形成されている。
【０３３８】
容量素子の第２の電極の一部となる半導体層４７０７及びＮ型半導体層４７１０は設けな
くても良い。つまり第２の電極は導電層４７１３とし、第１の電極４７０４と導電層４７
１３でゲート絶縁膜４７０５が挟まれた構造の容量素子としてもよい。
【０３３９】
なお、図４７（ａ）において、配線４７１１を形成する前に画素電極４７１４を形成する
ことで、図４７（ｂ）に示すような、画素電極４７１４からなる第２の電極４７２１と第
１の電極４７０４でゲート絶縁膜４７０５が挟まれた構造の容量素子４７２２を形成する
ことができる。
【０３４０】
なお、図４７では、逆スタガ型のチャネルエッチ構造のトランジスタについて示したが、
もちろんチャネル保護構造のトランジスタでも良い。チャネル保護構造のトランジスタの
場合について、図４８（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。
【０３４１】
図４８（ａ）に示すチャネル保護型構造のトランジスタは図４７（ａ）に示したチャネル
エッチ構造の駆動トランジスタ４７１９の半導体層４７０６のチャネルが形成される領域
上にエッチングのマスクとなる絶縁物４８０１が設けられている点が異なり、他の共通し
ているところは共通の符号を用いている。
【０３４２】
また、同様に、図４５（ｂ）に示すチャネル保護型構造のトランジスタは図４７（ｂ）に
示したチャネルエッチ構造の駆動トランジスタ４７１９の半導体層４７０６のチャネルが
形成される領域上にエッチングのマスクとなる絶縁物４８０１が設けられている点が異な
り、他の共通しているところは共通の符号を用いている。
【０３４３】
画素を構成するトランジスタの半導体層（チャネル形成領域やソース領域やドレイン領域
など）に非晶質半導体膜を用いることで、製造コストを削減することができる。
【０３４４】
なお、本発明の表示パネルに適用することができるトランジスタの構造や、容量素子の構
造は上述した構成に限られず、さまざまな構成のトランジスタの構造や、容量素子の構造
のものを用いることができる。
【０３４５】
（実施の形態１３）
本発明の表示装置は様々な電子機器に適用することができる。具体的には電子機器の表示
部に適用することができる。そのような電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ
、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、
オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュー
タ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体
的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し
、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。
【０３４６】
図４９（Ａ）はディスプレイであり、筐体４９００１、支持台４９００２、表示部４９０
０３、スピーカー部４９００４、ビデオ入力端子４９００５等を含む。本発明の表示装置
を表示部４９００３に用いることができる。なお、ディスプレイは、パーソナルコンピュ
ータ用、テレビジョン放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用表示装置が含まれ
る。本発明の表示装置を表示部４９００３に用いたディスプレイは、画面の焼き付きを低
減することができる。
【０３４７】
近年、ディスプレイの大型化のニーズが強くなっている。そして、ディスプレイの大型化
に伴い価格の上昇が問題となっている、よって、いかに製造コストの削減を図り、高品質
な製品を少しでも低価格に抑えるかが課題となる。
【０３４８】
図４９（Ｂ）はカメラであり、本体４９１０１、表示部４９１０２、受像部４９１０３、
操作キー４９１０４、外部接続ポート４９１０５、シャッター４９１０６等を含む。
【０３４９】
近年、デジタルカメラなどの高性能化に伴い、生産競争は激化している。そして、いかに
高性能なものを低価格に抑えるかが重要となる。本発明の表示装置を表示部４９１０２に
用いたデジタルカメラは、画面の焼き付きを低減することができる。
【０３５０】
図４９（Ｃ）はコンピュータであり、本体４９２０１、筐体４９２０２、表示部４９２
０３、キーボード４９２０４、外部接続ポート４９２０５、ポインティングマウス４９２
０６等を含む。本発明の表示装置を表示部４９２０３に用いたコンピュータは、画面の焼
き付きを低減することができる。
【０３５１】
図４９（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体４９３０１、表示部４９３０２、ス
イッチ４９３０３、操作キー４９３０４、赤外線ポート４９３０５等を含む。本発明の表
示装置を表示部４９３０２に用いたモバイルコンピュータは、画面の焼き付きを低減する
ことができる。
【０３５２】
図４９（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）で
あり、本体４９４０１、筐体４９４０２、表示部Ａ４９４０３、表示部Ｂ４９４０４、記
録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部４９４０５、操作キー４９４０６、スピーカー部４９４０
７等を含む。表示部Ａ４９４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ４９４０４は主
として文字情報を表示することができる。本発明の表示装置を表示部Ａ４９４０３や表示
部Ｂ４９４０４に用いた画像再生装置は、画面の焼き付きを低減することができる。
【０３５３】
図４９（Ｆ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体４９５０１、表示部４９５０２、
アーム部４９５０３を含む。本発明の表示装置を表示部４９５０２に用いたゴーグル型デ
ィスプレイは、画面の焼き付きを低減することができる。
【０３５４】
図４９（Ｇ）はビデオカメラであり、本体４９６０１、表示部４９６０２、筐体４９６
０３、外部接続ポート４９６０４、リモコン受信部４９６０５、受像部４９６０６、バッ
テリー４９６０７、音声入力部４９６０８、操作キー４９６０９、接眼部４９６１０等を
含む。本発明の表示装置を表示部４９６０２に用いたビデオカメラは、画面の焼き付きを
低減することができる。
【０３５５】
図４９（Ｈ）は携帯電話機であり、本体４９７０１、筐体４９７０２、表示部４９７０
３、音声入力部４９７０４、音声出力部４９７０５、操作キー４９７０６、外部接続ポー
ト４９７０７、アンテナ４９７０８等を含む。
【０３５６】
このように本発明は、あらゆる電子機器に適用することが可能である。
【０３５７】
（実施の形態１４）
本実施の形態において、本発明の表示装置を表示部に有する携帯電話機の構成例について
図５２を用いて説明する。
【０３５８】
表示パネル５２１０はハウジング５２００に脱着自在に組み込まれる。ハウジング５２
００は表示パネル５２１０のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる
。表示パネル５２１０を固定したハウジング５２００はプリント基板５２０１に嵌入され
モジュールとして組み立てられる。
【０３５９】
表示パネル５２１０はＦＰＣ５２１１を介してプリント基板５２０１に接続される。プ
リント基板５２０１には、スピーカ５２０２、マイクロフォン５２０３、送受信回路５２
０４、ＣＰＵ及びコントローラなどを含む信号処理回路５２０５が形成されている。この
ようなモジュールと、入力手段５２０６、バッテリ５２０７を組み合わせ、筐体５２０９
に収納する。表示パネル５２１０の画素部は筐体５２０９に形成された開口窓から視認で
きように配置する。
【０３６０】
表示パネル５２１０は、画素部と一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周波
数の低い駆動回路）を基板上にＴＦＴを用いて一体形成し、一部の周辺駆動回路（複数の
駆動回路のうち動作周波数の高い駆動回路）をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップを
ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）で表示パネル５２１０に実装しても良い。あるい
は、そのＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏ Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を
用いてガラス基板と接続してもよい。なお、一部の周辺駆動回路を基板上に画素部と一体
形成し、他の周辺駆動回路を形成したＩＣチップをＣＯＧ等で実装した表示パネルの構成
は図４３（ａ）に一例を示してある。このような構成とすることで、表示装置の低消費電
力化を図り、携帯電話機の一回の充電による使用時間を長くすることができる。また、携
帯電話機の低コスト化を図ることができる。
【０３６１】
また、本実施の形態に示した構成は携帯電話の一例であって、本発明の表示装置はこのよ
うな構成の携帯電話機に限られず様々な構成の携帯電話機に適用することができる。
【０３６２】
（実施の形態１５）
図５０は表示パネル５００１と、回路基板５００２を組み合わせたＥＬモジュールを示
している。表示パネル５００１は画素部５００３、走査線駆動回路５００４及び信号線駆
動回路５００５を有している。回路基板５００２には、例えば、コントロール回路５００
６や信号分割回路５００７などが形成されている。表示パネル５００１と回路基板５００
２は接続配線５００８によって接続されている。接続配線にはＦＰＣ等を用いることがで
きる。
【０３６３】
表示パネル５００１は、画素部と一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周波数
の低い駆動回路）を基板上にＴＦＴを用いて一体形成し、一部の周辺駆動回路（複数の駆
動回路のうち動作周波数の高い駆動回路）をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップをＣ
ＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）などで表示パネル５００１に実装するとよい。ある
いは、そのＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏ Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板
を用いて表示パネル５００１に実装しても良い。なお、一部の周辺駆動回路を基板上に画
素部と一体形成し、他の周辺駆動回路を形成したＩＣチップをＣＯＧ等で実装した構成は
図４３（ａ）に一例を示してある。
【０３６４】
また、さらに消費電力の低減を図るため、ガラス基板上にＴＦＴを用いて画素部を形成し
、全ての周辺駆動回路をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏ
ｎ Ｇｌａｓｓ）表示パネルに実装してもよい。
【０３６５】
なお、非晶質半導体膜を、画素を構成するトランジスタの半導体層に適用する場合には、
基板上にＴＦＴを用いて画素部を形成し、全ての周辺駆動回路をＩＣチップ上に形成し、
そのＩＣチップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）で表示パネルに実装するとよい
。なお、基板上に画素部を形成し、その基板上に周辺駆動回路を形成したＩＣチップをＣ
ＯＧ等で実装した構成は図４３（ｂ）に一例を示してある。
【０３６６】
このＥＬモジュールによりＥＬテレビ受像機を完成させることができる。図５１は、Ｅ
Ｌテレビ受像機の主要な構成を示すブロック図である。チューナ５１０１は映像信号と音
声信号を受信する。映像信号は、映像信号増幅回路５１０２と、そこから出力される信号
を赤、緑、青の各色に対応した色信号に変換する映像信号処理回路５１０３と、その映像
信号を駆動回路の入力仕様に変換するためのコントロール回路５００６により処理される
。コントロール回路５００６は、走査線側と信号線側にそれぞれ信号が出力する。デジタ
ル駆動する場合には、信号線側に信号分割回路５００７を設け、入力デジタル信号をｍ個
に分割して供給する構成としても良い。
【０３６７】
チューナ５１０１で受信した信号のうち、音声信号は音声信号増幅回路５１０４に送ら
れ、その出力は音声信号処理回路５１０５を経てスピーカー５１０６に供給される。制御
回路５１０７は受信局（受信周波数）や音量の制御情報を入力部５１０８から受け、チュ
ーナ５１０１や音声信号処理回路５１０５に信号を送出する。
【０３６８】
図４９（Ａ）に示すように、図５０のＥＬモジュールを筐体４９００１に組みこんで、
テレビ受像機を完成させることができる。ＥＬモジュールにより、表示部４９００３が形
成される。また、スピーカー部４９００４、ビデオ入力端子４９００５などが適宜備えら
れている。
【０３６９】
勿論、本発明はテレビ受像機に限定されず、パーソナルコンピュータのモニタをはじめ
、鉄道の駅や空港などにおける情報表示盤や、街頭における広告表示盤など特に大面積の
表示媒体として様々な用途に適用することができる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置及びその表示方法に関し、特に、複数の画素がマトリクスに配置され
たアクティブマトリクス型表示装置における画素の劣化により生じる焼き付き現象を低減
する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶などの表示素子で形成した表示装置である液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）が広く普及
している。しかし、近年、画素に発光ダイオード（ＬＥＤ）などの表示素子を備える、い
わゆる自発光型の表示装置、つまり、発光装置が注目を浴びている。このような自発光型
の表示装置に用いられる表示素子としては、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎ
ｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ素子、エレクトロルミネ
ッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）素子などとも言う）が注
目を集めており、ＥＬディスプレイなどに用いられるようになってきている。ＯＬＥＤな
どの表示素子は自発光型であるため、液晶ディスプレイに比べて画素の視認性が高く、バ
ックライトが不要で応答速度が速い等の利点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、有機ＥＬ素子などの表示素子は、発光によって劣化が進むと、表示素子に同じ
電圧を印加しても発光輝度が低下する。よって、経時的に使用することにより、画素毎に
発光のバラツキが生じるため、いわゆる「焼き付き」現象が生じてしまう。
【０００４】
そこで本発明は、画素毎の表示素子の劣化の差を小さくし、画素毎の表示素子の発光のバ
ラツキを低減する表示装置を提供することを課題とする。また、その表示方法を提供する
ことを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
そこで、特定の画素のみ累積点灯時間が長くならないようにする。そのため、表示パター
ンの階調を変化させ、画素毎の表示素子の劣化の差が大きくならないようにする。または
、特定の表示パターンを特定の領域で固定表示しないようにする。または、画素毎の累積
点灯時間が等しくなるように、劣化の遅れている画素を劣化させる。
【０００６】
まず、表示パターンの階調を変化させ、画素毎の劣化の差が大きくならないようにする具
体的構成を以下に示す。
【０００７】
本発明の表示装置は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モードと、文
字を白表示とし、文字の背景を黒表示とする白文字モードとのモード切り替え可能な画像
処理回路と、前記画像処理回路の切り替えを制御する制御回路と、を有する。
【０００８】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、前記制御回路は、周囲の明るさによりモ
ードを切り替える。
【０００９】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、前記制御回路は、日毎にモードを切り替
える。
【００１０】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、前記制御回路は、時間毎にモードを切り
替える。
【００１１】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、前記制御回路は、電池の残量でモードを
切り替える。
【００１２】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、前記制御回路は、一定期間操作しないと
モードを切り替える。
【００１３】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、前記制御回路は、電源投入の度にモード
を切り替える。
【００１４】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、前記制御回路は、電子メールの受信と送
信とでモードを切り替える。
【００１５】
また、本発明の表示装置は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モード
と、文字の芯を白表示とし、文字の芯周辺を囲むように縁を黒表示とし、文字の芯及び文
字の芯の縁の背景を白表示とする黒縁白抜きモードとのモード切り替え可能な画像処理回
路と、前記画像処理回路の切り替えを制御する制御回路と、を有する。
【００１６】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、前記制御回路は、日毎にモードを切り替
える。
【００１７】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、前記制御回路は、時間毎にモードを切り
替える。
【００１８】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、前記制御回路は、一定期間操作しないと
モードを切り替える。
【００１９】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、前記制御回路は、電源投入の度にモード
を切り替える。
【００２０】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、前記制御回路は、電子メールの受信と送
信とでモードを切り替える。
【００２１】
本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モードと、文
字を白表示とし、文字の背景を黒表示とする白文字モードと、を周囲の明るさにより切り
替える。
【００２２】
また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モード
と、文字を白表示とし、文字の背景を黒表示とする白文字モードと、を日毎に切り替える
。
【００２３】
また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モード
と、文字を白表示とし、文字の背景を黒表示とする白文字モードと、を時間毎に切り替え
る。
【００２４】
また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モード
と、文字を白表示とし、文字の背景を黒表示とする白文字モードと、を電池の残量で切り
替える。
【００２５】
また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モード
と、文字を白表示とし、文字の背景を黒表示とする白文字モードと、を一定期間操作しな
いと切り替える。
【００２６】
また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モード
と、文字を白表示とし、文字の背景を黒表示とする白文字モードと、を電源投入の度に切
り替える。
【００２７】
また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モード
と、文字を白表示とし、文字の背景を黒表示とする白文字モードと、を電子メールの受信
と送信とで切り替える。
【００２８】
また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モード
と、文字の芯を白表示とし、文字の芯周辺を囲むように縁を黒表示とし、文字の芯及び文
字の芯の縁の背景を白表示とする黒縁白抜きモードと、を日毎に切り替えることを特徴と
する表示方法。
【００２９】
また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モード
と、文字の芯を白表示とし、文字の芯周辺を囲むように縁を黒表示とし、文字の芯及び文
字の芯の縁の背景を白表示とする黒縁白抜きモードと、を時間毎に切り替える。
【００３０】
また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モード
と、文字の芯を白表示とし、文字の芯周辺を囲むように縁を黒表示とし、文字の芯及び文
字の芯の縁の背景を白表示とする黒縁白抜きモードと、を一定期間操作しないと切り替え
る。
【００３１】
また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モード
と、文字の芯を白表示とし、文字の芯周辺を囲むように縁を黒表示とし、文字の芯及び文
字の芯の縁の背景を白表示とする黒縁白抜きモードと、を電源投入の度に切り替える。
【００３２】
また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モード
と、文字の芯を白表示とし、文字の芯周辺を囲むように縁を黒表示とし、文字の芯及び文
字の芯の縁の背景を白表示とする黒縁白抜きモードと、を電子メールの受信と送信とで切
り替える。
【００３３】
また、特定の表示パターンを特定の領域で固定表示しないようにする本発明の具体的構成
を以下に示す。
【００３４】
また、本発明の表示装置は、文字の書体を変更する画像処理が可能な画像処理回路と、該
画像処理回路の動作を制御する制御回路と、を有する。
【００３５】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、日毎に文字の書体を変更
させる。
【００３６】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、時間毎に文字の書体を変
更させる。
【００３７】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、一定期間操作しないと文
字の書体を変更させる。
【００３８】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、電源投入の度に文字の書
体を変更させる。
【００３９】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、電子メールの受信と送信
とで文字の書体を変更させる。
【００４０】
また、本発明の表示装置は、文字をシフトさせる画像処理が可能な画像処理回路と、該画
像処理回路の動作を制御する制御回路と、を有する。
【００４１】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、日毎に文字をシフトさせ
る。
【００４２】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、時間毎に文字をシフトさ
せる。
【００４３】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、一定期間操作しないと文
字をシフトさせる。
【００４４】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、電源投入の度に文字をシ
フトさせる。
【００４５】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、文字を入力する度に文字
をシフトさせる。
【００４６】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、一行分の文字を入力する
度に文字をシフトさせる。
【００４７】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該文字を構成する矩形型の画素のブロッ
クの横方向の長さをａ、縦方向の長さをｂとし、該シフトさせる移動範囲の横方向をｘ、
縦方向をｙとすると、移動範囲の横方向ｘ及び縦方向ｙは、それぞれａ＜ｘ≦３ａ及びｂ
＜ｘ≦３ｂである。
【００４８】
また、本発明の表示装置は、アイコンをシフトする画像処理が可能な画像処理回路と、該
画像処理回路の動作を制御する制御回路と、を有する。
【００４９】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、日毎にアイコンをシフト
させる。
【００５０】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、時間毎にアイコンをシフ
トさせる。
【００５１】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、一定期間操作しないとア
イコンをシフトさせる。
【００５２】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、電源投入の度にアイコン
をシフトさせる。
【００５３】
また、本発明の表示装置は、アイコンの累積表示時間及びアイコンの表示されない画素累
積点灯時間をカウントするカウンタと、該カウンタによりカウントされたデータを記憶す
る記憶回路部と、該記憶回路部に記憶されたデータを用いて、該アイコン部の画素の輝度
と該アイコンの表示されない画素との輝度を等しくなるように画像信号を補正する補正回
路とを有する。
【００５４】
また、本発明の表示装置は、ピクトをシフトさせる画像処理が可能な画像処理回路と、該
画像処理回路の動作を制御する制御回路と、を有する。
【００５５】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、日毎にピクトをシフトさ
せる。
【００５６】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、時間毎にピクトをシフト
させる。
【００５７】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、一定期間操作しないとピ
クトをシフトさせる。
【００５８】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、電源投入の度にピクトを
シフトさせる。
【００５９】
本発明の表示方法は、日毎に文字の書体を変更させる。
【００６０】
また、本発明の表示方法は、時間毎に文字の書体を変更させる。
【００６１】
また、本発明の表示方法は、一定期間操作しないと文字の書体を変更させる。
【００６２】
また、本発明の表示方法は、電源投入の度に文字の書体を変更させる。
【００６３】
また、本発明の表示方法は、電子メールの受信と送信とで文字の書体を変更させる。
【００６４】
また、本発明の表示方法は、日毎に文字をシフトさせる。
【００６５】
また、本発明の表示方法は、時間毎に文字をシフトさせる。
【００６６】
また、本発明の表示方法は、一定期間操作しないと文字をシフトさせる。
【００６７】
また、本発明の表示方法は、電源投入の度に文字をシフトさせる。
【００６８】
また、本発明の表示方法は、文字を入力する度に文字をシフトさせる。
【００６９】
また、本発明の表示方法は、一行分の文字を入力する度に文字をシフトさせる。
【００７０】
また、本発明の表示方法は、上記構成において、該文字のブロックの横方向の長さをａ、
縦方向の長さをｂとし、該シフトさせる移動範囲の横方向をｘ、縦方向をｙとすると、移
動範囲の横方向ｘ及び縦方向ｙは、それぞれａ＜ｘ≦３ａ及びｂ＜ｘ≦３ｂである。
【００７１】
また、本発明の表示方法は、日毎にアイコンをシフトさせる。
【００７２】
また、本発明の表示方法は、時間毎にアイコンをシフトさせる。
【００７３】
また、本発明の表示方法は、一定期間操作しないとアイコンをシフトさせる。
【００７４】
また、本発明の表示方法は、電源投入の度にアイコンをシフトさせる。
【００７５】
また、本発明の表示方法は、日毎にピクトをシフトさせる。
【００７６】
また、本発明の表示方法は、時間毎にピクトをシフトさせる。
【００７７】
また、本発明の表示方法は、一定期間操作しないとピクトをシフトさせる。
【００７８】
なお、明細書に示すピクト（ピクトグラムともいう）とは図形、絵、文字等の予め定めら
れたパターンをいい、ピクト表示領域とは、そのパターンの表示に寄与する画素が配置さ
れた領域をいう。
【００７９】
なお、本発明に示すスイッチは、様々な形態のものを用いることができ、一例として、
電気的スイッチや機械的なスイッチなどがある。つまり、電流の流れを制御できるもので
あればよく、特定のものに限定されず、様々なものを用いることができる。例えば、トラ
ンジスタでもよいし、ダイオード（例えば、ＰＮダイオード、ＰＩＮダイオード、ショッ
トキーダイオード、ダイオード接続のトランジスタなど）でもよいし、サイリスタでもよ
いし、それらを組み合わせた論理回路でもよい。よって、スイッチとしてトランジスタを
用いる場合、そのトランジスタは、単なるスイッチとして動作するため、トランジスタの
極性（導電型）は特に限定されない。ただし、オフ電流が少ない方が望ましい場合、オフ
電流が少ない方の極性のトランジスタを用いることが望ましい。オフ電流が少ないトラン
ジスタとしては、ＬＤＤ領域を設けているものやマルチゲート構造にしているもの等があ
る。また、スイッチとして動作させるトランジスタのソース端子の電位が、低電位側電源
（Ｖｓｓ、ＧＮＤ、０Ｖなど）に近い状態で動作する場合はＮチャネル型を、反対に、ソ
ース端子の電位が、高電位側電源（Ｖｄｄなど）に近い状態で動作する場合はＰチャネル
型を用いることが望ましい。なぜなら、ゲートソース間電圧の絶対値を大きくできるため
、スイッチとして、動作しやすいからである。
【００８０】
なお、Ｎチャネル型とＰチャネル型の両方を用いて、ＣＭＯＳ型のスイッチにしてもよ
い。ＣＭＯＳ型のスイッチにすると、Ｐチャネル型かＮチャネル型かのどちらかのスイッ
チが導通すれば電流を流すことができるため、スイッチとして機能しやすくなる。例えば
、スイッチへの入力信号の電圧が高い場合でも、低い場合でも、適切に電圧を出力させる
ことが出来る。また、スイッチをオン・オフさせるための信号の電圧振幅値を小さくする
ことが出来るので、消費電力を小さくすることも出来る。
なお、スイッチとしてトランジスタを用いる場合は、入力端子（ソース端子またはドレ
イン端子の一方）と、出力端子（ソース端子またはドレイン端子の他方）と、導通を制御
する端子（ゲート端子）とを有している。一方、スイッチとしてダイオードを用いる場合
は、導通を制御する端子を有していない場合がある。そのため、端子を制御するための配
線を少なくすることが出来る。
【００８１】
なお、本発明において接続されているとは、電気的に接続されていることと同義である。
したがって、間に別の素子やスイッチなどが配置されていてもよい。
【００８２】
なお、表示素子や表示装置や発光素子や発光装置は、様々な形態を用いたり、様々な素子
を有したりすることが出来る。例えば、表示素子や表示装置や発光素子や発光装置として
は、ＥＬ素子（有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子又は有機物及び無機物を含むＥＬ素子）、電
子放出素子、液晶素子、電子インク、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマ
ディスプレイ（ＰＤＰ）、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、圧電セラミック
ディスプレイ、カーボンナノチューブ、など、電気磁気的作用によりコントラストが変化
する表示媒体を適用することができる。なお、ＥＬ素子を用いた表示装置としてはＥＬデ
ィスプレイ、電子放出素子を用いた表示装置としてはフィールドエミッションディスプレ
イ（ＦＥＤ）やＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃ
ｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌｙ）など、液晶素子を用いた
表示装置としては液晶ディスプレイ、透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレ
イ、反射型液晶ディスプレイ、電子インクを用いた表示装置としては電子ペーパーがある
。
【００８３】
なお、本発明において、適用可能なトランジスタの種類に限定はなく、非晶質シリコン
や多結晶シリコンに代表される非単結晶半導体膜を用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、
半導体基板やＳＯＩ基板を用いて形成されるＭＯＳ型トランジスタ、接合型トランジスタ
、バイポーラトランジスタ、有機半導体やカーボンナノチューブを用いたトランジスタ、
その他のトランジスタを適用することができる。また、トランジスタが配置されている基
板の種類に限定はなく、単結晶基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板、プラスチック基板などに
配置することが出来る。
【００８４】
なお、すでに述べたように、本発明におけるトランジスタは、どのようなタイプのトラン
ジスタでもよいし、どのような基板上に形成されていてもよい。したがって、回路の全て
ガラス基板上に形成されていてもよいし、プラスチック基板に形成されていてもよいし、
単結晶基板に形成されていてもよいし、ＳＯＩ基板上に形成されていてもよいし、どのよ
うな基板上に形成されていてもよい。あるいは、回路の一部が、ある基板に形成されてお
り、回路の別の一部が、別の基板に形成されていてもよい。つまり、回路の全てが同じ基
板上に形成されていなくてもよい。例えば、回路の一部は、ガラス基板上にＴＦＴを用い
て形成し、回路の別の一部は、単結晶基板上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（Ｃｈｉ
ｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）で接続してガラス基板上に配置してもよい。あるいは、そのＩＣ
チップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏ Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いてガラス
基板と接続してもよい。
【００８５】
なお、本発明においては、一画素とは画像の最小単位を示すものとする。よって、Ｒ（赤
）Ｇ（緑）Ｂ（青）の色要素からなるフルカラー表示装置の場合には、一画素とはＲの色
要素のドットとＧの色要素のドットとＢの色要素のドットとから構成されるものとする。
なお、色要素は、三色に限定されず、それ以上の数を用いても良いし、ＲＧＢ以外の色を
用いても良い。例えば、白色を加えて、ＲＧＢＷ（Ｗは白）としてもよい。また、ＲＧＢ
に、例えば、イエロー、シアン、マゼンタ、エメラルドグリーン、朱色などを一色以上追
加したものでもよい。また、例えばＲＧＢの中の少なくとも一色について、類似した色を
追加してもよい。例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂ１、Ｂ２としてもよい。Ｂ１とＢ２とは、どちらも
青色であるが、少し周波数が異なっている。このような色要素を用いることにより、より
実物に近い表示を行うことができたり、消費電力を低減したりすることが出来る。なお、
一画素に、ある色の色要素のドットが複数あってもよい。そのとき、その複数の色要素は
、各々、表示に寄与する領域の大きさが異なっていても良い。また、複数ある、ある色の
色要素のドットを各々制御することによって、階調を表現してもよい。これを、面積階調
方式と呼ぶ。あるいは、複数ある、ある色の色要素のドットを用いて、各々のドットに供
給する信号を僅かに異ならせるようにして、視野角を広げるようにしてもよい。
【００８６】
なお、本発明において、画素は、マトリクス状に配置（配列）されている場合を含んでい
る。ここで、画素がマトリクスに配置（配列）されているとは、縦方向もしくは横方向に
おいて、直線上に並んで配置されている場合や、ギザギザな線上に並んでいる場合を含ん
でいる。よって、例えば三色の色要素（例えばＲＧＢ）でフルカラー表示を行う場合に、
ストライプ配置されている場合や、三つの色要素のドットがいわゆるデルタ配置されてい
る場合も含むものとする。さらに、ベイヤー配置されている場合も含んでいる。なお、色
要素は、三色に限定されず、それ以上でもよく、例えば、ＲＧＢＷ（Ｗは白）や、ＲＧＢ
に、イエロー、シアン、マゼンタなどを一色以上追加したものなどがある。また、色要素
のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。これにより、消費電力を低下
させたり、表示素子の寿命を延ばしたりすることが出来る。
【００８７】
トランジスタとは、それぞれ、ゲート電極と、ドレイン領域と、ソース領域とを含む少な
くとも三つの端子を有する素子であり、ドレイン領域とソース領域の間にチャネル形成領
域を有する。ここで、ソース領域とドレイン領域とは、トランジスタの構造や動作条件等
によって変わるため、いずれがソース領域またはドレイン領域であるかを限定することが
困難である。そこで、本形態においては、ソース領域及びドレイン領域として機能する領
域を、それぞれ第１端子、第２端子と表記する。
【００８８】
なお、本発明において、半導体装置とは半導体素子（トランジスタやダイオードなど）を
含む回路を有する装置をいう。また、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般で
もよい。
【００８９】
また、表示装置とは、表示素子（液晶素子や発光素子など）を有する装置のことを言う
。なお、液晶素子やＥＬ素子などの表示素子を含む複数の画素やそれらの画素を駆動させ
る周辺駆動回路が同一基板上に形成された表示パネル本体のことでもよい。また、ワイヤ
ボンディングやバンプなどによって基板上に配置された周辺駆動回路、いわゆるチップオ
ングラス（ＣＯＧ）を含んでいても良い。さらに、フレキシブルプリントサーキット（Ｆ
ＰＣ）やプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられたもの（ＩＣや抵抗素子や容量素子
やインダクタやトランジスタなど）も含んでもよい。さらに、偏光板や位相差板などの光
学シートを含んでいても良い。さらに、バックライトユニット（導光板やプリズムシート
や拡散シートや反射シートや光源（ＬＥＤや冷陰極管など）を含んでいても良い）を含ん
でいても良い。
【００９０】
また、発光装置とは、特にＥＬ素子やＦＥＤで用いる素子などの自発光型の表示素子を
有している表示装置をいう。液晶表示装置とは、液晶素子を有している表示装置をいう。
【発明の効果】
【００９１】
本発明は、画素毎の表示素子の発光のバラツキを低減し、いわゆる「焼き付き」現象を低
減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】（Ａ）黒文字モードを説明する図、（Ｂ）白文字モードを説明する図。
【図２】（Ａ）黒文字モードを説明する図、（Ｂ）白文字モードを説明する図。
【図３】（Ａ）黒縁白抜き文字モードを説明する図、（Ｂ）白縁黒抜き文字モードを説明する図。
【図４】Ａ）黒縁白抜き文字モードを説明する図、（Ｂ）白縁黒抜き文字モードを説明する図。
【図５】文字のシフトを説明する図。
【図６】文字のシフトを説明する図。
【図７】文字のシフトを説明する図。
【図８】画像のシフトを説明する図。
【図９】文字の書体の変更を説明する図。
【図１０】文字の大きさの変更を説明する図。
【図１１】アイコンのシフトを説明する図。
【図１２】アイコンの回転を説明する図。
【図１３】アイコンのシフトを説明する図。
【図１４】アイコンのシフトを説明する図。
【図１５】ピクトのシフトを説明する図。
【図１６】ピクト表示領域の白黒反転を説明する図。
【図１７】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図１８】本発明の表示装置に適用可能な画素構成を示す図。
【図１９】本発明の表示装置に適用可能な画素構成を示す図。
【図２０】本発明の表示方法を説明する図。
【図２１】本発明の表示方法を説明する図。
【図２２】本発明の表示装置の構成を説明する図。
【図２３】文字の書体を説明する図。
【図２４】文字の書体を説明する図。
【図２５】文字の書体の変更を説明する図。
【図２６】本発明の表示装置に適用可能な画素構成を示す図。
【図２７】時間階調法の駆動方法を説明する図。
【図２８】画素のドットを説明する図。
【図２９】表示画面のシフトを説明する図。
【図３０】スタートパルス信号のタイミングチャート。
【図３１】本発明の表示装置のブロック図。
【図３２】遅延回路の構成を示す図。
【図３３】ＤＦＦの構成を示す図。
【図３４】本発明の表示装置のブロック図。
【図３５】本発明の表示装置を示す図。
【図３６】本発明の表示装置のブロック図。
【図３７】本発明の表示パネルを説明する図。
【図３８】本発明の表示装置に適用可能な発光素子を説明する図。
【図３９】本発明の表示パネルを説明する図。
【図４０】本発明の表示パネルを説明する図。
【図４１】本発明の画素に適用可能なトランジスタや容量素子の構成を説明する図。
【図４２】本発明の画素に適用可能なトランジスタや容量素子の構成を説明する図。
【図４３】本発明の表示パネルを説明する図。
【図４４】本発明の表示パネルを説明する図。
【図４５】本発明の画素に適用可能なトランジスタや容量素子の構成を説明する図。
【図４６】本発明の画素に適用可能なトランジスタや容量素子の構成を説明する図。
【図４７】本発明の画素に適用可能なトランジスタや容量素子の構成を説明する図。
【図４８】本発明の画素に適用可能なトランジスタや容量素子の構成を説明する図。
【図４９】本発明の表示装置が適用可能な電子機器を説明する図。
【図５０】ＥＬモジュールの例を示す図。
【図５１】ＥＬテレビ受像機の主要な構成を示すブロック図。
【図５２】携帯電話機の構成例を示す図。
【図５３】本発明の表示装置のブロック図。
【図５４】記憶回路部へデータを記憶させるフローチャート。
【図５５】記憶回路部へデータを記憶させるフローチャート。
【図５６】焼き付き補正のフローチャート。
【図５７】焼き付き補正のフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００９３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの
異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することな
くその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って
、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００９４】
本発明の表示装置の主要な構成のブロック図を図３６に示す。
【００９５】
本発明の表示装置は、画像処理回路３６０１と、制御回路３６０２と、コントローラ３６
０３と、表示パネル３６０４とを有する。
【００９６】
画像処理回路３６０１及び制御回路３６０２には、画像信号が入力される。そして、制御
回路３６０２は画像処理回路３６０１の動作を制御する。そして、画像処理回路３６０１
は、制御回路３６０２に従って、入力された画像信号を画像処理を施した信号へ変換する
。
【００９７】
そして、画像処理回路３６０１から出力された信号がコントローラ３６０３に入力され、
コントローラ３６０３から表示パネル３６０４に信号が入力される。
【００９８】
ここで、画像処理回路３６０１で画像処理が行われることにより、画素毎の表示素子の劣
化の差を小さくする処理を行うことができる。
【００９９】
以下の実施の形態において、画素毎の表示素子の劣化の差を小さくするための表示方法、
すなわち、画像処理回路３６０１によって画像処理を行うことにより実現する表示方法に
ついて説明する。
【０１００】
（実施の形態１）
本実施の形態では、条件を設定し、その条件を満たしたら表示画像の階調を反転させる。
つまり、表示画像の明暗を反転させる。そして、画素毎の表示素子の劣化の差を小さくす
ることで画素毎の輝度のバラツキを低減する。
【０１０１】
例えば、６４階調の表示の表示装置において、階調反転させる場合には、階調反転前の点
灯が階調０、階調１、階調２、階調３、・・・階調６２、階調６３の画素は、反転後はそ
れぞれ階調６３、階調６２、階調６１、階調６０、・・・階調１、階調０の点灯にする。
つまり、階調数Ｎの表示の表示装置において、階調反転前の階調を階調Ｘとし、階調反転
後の階調を階調Ｙとすると、Ｙ＝Ｎ−Ｘを満たす。
【０１０２】
また、表示画面に文字（ひらがな、カタカナ、漢字、数字、アルファベットなど）を表示
する場合においては、文字を白表示とする白文字モードと文字を黒表示とする黒文字モー
ドとを設定された条件を満たす毎に切り替える。図２（Ａ）には「あ」という文字の黒文
字モードの例を示している。そして、図２（Ｂ）には「あ」という文字の白文字モードの
例を示している。なお、文字を構成する画素数や文字の書体は例であってこれに限定され
ない。
【０１０３】
なお、図２（Ａ）、（Ｂ）において、四角形で表された１マスが１画素を示すものとする
。また、画素の表示素子の発光領域の形状はこのような四角形に限らず、他の多角形であ
ってもよいし、円形であってもよい。また、１画素は複数の色要素のドットから構成され
ていてもよい。
【０１０４】
なお、ここでの白表示とは、最も輝度の高い階調でなくともよい。つまり、黒表示よりも
輝度の高い階調であればよい。また、黒表示も最も輝度の低い階調でなくともよい。つま
り、白表示よりも輝度の低い階調であればよい。
【０１０５】
例えば、携帯電話機などの携帯端末機で文字を表示する場合において、周囲が明るいとき
（外光や室内光の得られる下）には、図２（Ｂ）のように、文字の背景を黒表示とし、文
字を白表示にする。そして、周囲が暗いとき（夜間の暗闇の中）には、図２（Ａ）に示す
ように文字の背景を白表示とし、文字を黒表示にする。なお、ここでは文字及び文字の背
景を階調反転させた図をしめしたが、文字のみ階調反転させたり、文字の背景のみ階調反
転させてもよい。
【０１０６】
こうすることで、外光や室内光の得られるような明るいところでは白文字モードにより消
費電力を低減できるとともに、焼き付き現象を低減することができる。つまり、文字の背
景は黒表示であるため焼き付き現象は生じないし、文字を表示するための画素の点灯領域
は狭く、焼き付き現象は視認しにくい。
【０１０７】
また、夜間の暗闇の中では、文字の背景を白表示にし、文字を黒表示にすることで、字を
見やすくすることができるし、白文字モードとは異なる領域（文字と文字の行間や文字と
文字の間隔の領域など）の画素を白表示にするため画素毎の表示素子の劣化の差を小さく
することができる。よって、焼き付き現象を低減することができる。
【０１０８】
また、白文字モードから黒文字モードに切り替わってから、文字の背景の白表示は徐々に
又は段階的に輝度を低くするようにしてもよい。つまり、暗闇の中で目が慣れてくれば、
コントラストを低くしても見えるようになるので、白表示の輝度を低くして消費電力の低
減を図ることができる。
【０１０９】
なお、階調反転表示の条件は上述したものに限らない。例えば、奇数日は白文字表示、偶
数日は黒文字表示にするなど日毎に切り替えてもいいし、奇数時間のときは白文字表示、
偶数時間のときは黒文字表示にするなど時間毎に切り替えてもいいし、電池の残量が充分
にあるときには、黒文字表示、電池の残量が少なくなると白文字表示にするなど電池の残
量によって切り替えてもいいし、電子機器を一定期間操作しないと黒文字表示から白文字
表示に切り替えるようにしてもいいし、電源の投入の度に白文字表示と黒文字表示を切り
替えてもいいし、電子メールの受信と送信のときで白文字表示と黒文字表示を切り替えて
もいい。
【０１１０】
なお、このような階調反転表示は画面上に現れる、あるウインドウ内で行うようにしても
よいし、表示画面全体で階調反転するようにしてもよい。画面上のウインドウ内で階調反
転表示を行う場合の例を図１（Ａ）、（Ｂ）に示す。図１（Ａ）はピクト表示領域１０１
と、メイン表示領域１０２とを有し、メイン表示領域１０２にウインドウ１０３が表示さ
れている。なお、ピクト表示領域１０１には、携帯端末機の状態（電池残量や電波受信状
態など）を表すピクトなどが表示される。そして、メイン表示領域１０２とは、携帯端末
機を操作して動画や静止画などを表示させることができるメインの表示領域をいう。また
、ウインドウ１０３とは、操作画面内にそれぞれ異なった情報を表示できる領域であって
、その中に画像や文書を表示する機能を有する。なお、ピクト表示領域１０１とメイン表
示領域１０２とは区別されていなくてもよい。つまり、メイン表示領域１０２にピクトが
表示されていてもよい。
【０１１１】
図１（Ａ）において、ウインドウ１０３は、文字が黒で背景が白である黒文字モードであ
る。そして、図１（Ｂ）においては、ウインドウ１０３は文字が白で背景が黒である白文
字モードである。ここで、ウインドウ１０３外のメイン表示領域１０２に表示される画像
は黒文字モードと白文字モードとで変化させなくてもいいし、階調反転させてもいい。ま
た、ピクト表示領域１０１も黒文字モードと白文字モードとで変化させなくてもいいし、
階調反転させてもいい。
【０１１２】
そして、文字以外の画像を階調反転させるときには、階調数の中間を境に反転させる。例
えば、簡単に説明するため８階調のグラデーション（明暗の段階的変化）を用いて説明す
る。図２１（Ａ）の第１領域２１０１、第２領域２１０２、第３領域２１０３、第４領域
２１０４、第５領域２１０５、第６領域２１０６は、それぞれ階調６、階調５、階調４、
階調３、階調２、階調１の表示を示し、第７領域２１０７は、背景を階調７とし、ピクト
を階調０で表示している。そして、図２１（Ａ）の表示を階調反転させた表示は図２１（
Ｂ）に示すように第１領域２１０１、第２領域２１０２、第３領域２１０３、第４領域２
１０４、第５領域２１０５、第６領域２１０６は、それぞれ階調１、階調２、階調３、階
調４、階調５、階調６の表示を示し、第７領域２１０７は、背景を階調０とし、ピクトを
階調７として表示している。
【０１１３】
なお、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の色要素を用いて、フルカラー表示を行う場合にお
いても反転表示を行うことができる。この場合には、例えばＲのドットのみ点灯していた
画素は、反転表示のとき、ＧとＢのドットを点灯にし、Ｒのドットを非点灯にする。また
、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｗ（白）の色要素を用いてフルカラー表示を行う場合
には、白表示をＲＧＢのドットを点灯させるか、Ｗのドットを点灯させるかを条件によっ
て切り替えてもよい。例えば、文字を表示する場合のように、焼き付きがシャープに見え
てしまうようなときに、劣化のしにくい色要素のドットを点灯させて白表示をする。また
は、白表示の輝度の半分は、ＲＧＢのドットの発光を用い、また半分はＷのドットの発光
を用いてもよい。図２８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）にＲのドット、Ｇのドット、Ｂのドット
、Ｗのドットでなる画素において、白表示を行う三通りの場合を示す。なお、点灯してい
るドットは点線で示しており、非点灯のドットは線で示してある。図２８（ａ）に示す場
合には、ＲＧＢのドット及びＷのドットを点灯させて白表示をしている。図２８（ｂ）に
示す場合には、Ｗのドットは非点灯の状態で、ＲＧＢのドットを点灯させて白表示をして
いる。図２８（ｃ）に示す場合には、ＲＧＢのドットは非点灯の状態で、Ｗのドットを点
灯させて白表示をしている。
【０１１４】
よって、本実施の形態で示したように階調反転表示を行うことで、画素毎の表示素子の劣
化の差を小さくすることができるため、画素の発光のバラツキを低減することができる。
つまり、焼き付きを低減することができる。
【０１１５】
なお。本実施の形態において示したような表示方法は、ハードウェアやソフトウェアを用
いて実現できる。ハードウェアとしては、ＣＰＵやメモリなどの機能回路、ソフトウェア
としては、メモリなどに記憶された手順や命令などの情報を含むプログラムがある。
【０１１６】
（実施の形態２）
本実施の形態では、表示画面に文字（ひらがな、カタカナ、漢字、数字、アルファベット
など）を表示する場合において、条件を設定し、その条件を満たしたら、文字を黒色とす
る黒文字モードと、文字の芯を白色とし文字の芯周辺を囲むように縁を黒色とした黒縁白
抜き文字モードとを切り替える。または、文字を白色とする白文字モードと、文字の芯を
黒色とし、文字の芯周辺を囲むように縁を白色とした白縁黒抜き文字モードとを切り替え
る。図４（Ａ）には「あ」という文字の黒縁白抜き文字モードの例を示している。また、
図４（Ｂ）には「あ」という文字の白縁黒抜き文字モードの例を示している。
【０１１７】
このように切り替えることにより、画素毎の表示素子の劣化の差を小さくすることができ
る。というのも、図２（Ａ）と図４（Ａ）を見ればわかるように、黒文字モードと黒縁白
抜き文字モードとを切り替える場合、黒文字モードで黒となっている文字を黒縁白抜き文
字モードでは白にすることができる。また、図２（Ｂ）と図４（Ｂ）を見ればわかるよう
に、白文字モードと白縁黒抜き文字モードとを切り替える場合、白文字モードで白となっ
ている文字を白縁黒抜き文字モードでは黒にすることができる。つまり、文字の画素を白
黒反転することができるので、焼き付き現象を低減することができる。
【０１１８】
また、このようなモードの切り替えは、画面上に現れる、あるウインドウ内で行うように
してもよいし、表示画面全体で行うようにしてもよい。画面上のウインドウ内で白黒反転
表示を行う場合の例を図３（Ａ）、（Ｂ）に示す。図３（Ａ）はピクト表示領域１０１と
、メイン表示領域１０２とを有し、メイン表示領域１０２にウインドウ１０３が表示され
ている。また、図３（Ａ）のウインドウ１０３には黒縁白抜き表示の表示例を示し、図３
（Ｂ）のウインドウ１０３には白縁黒抜き表示の表示例を示している。
【０１１９】
なお、モードの切り替えの条件は上述したものに限らない。例えば、奇数日は白文字モー
ド、偶数日は白縁黒抜き文字モードにする、または奇数日は黒文字モード、偶数日は黒縁
白抜き文字モードにするなど日毎に切り替えてもいいし、奇数時間のときは白文字モード
、偶数時間は白縁黒抜き文字モードにする、または奇数時間は黒文字モード、偶数時間は
黒縁白抜き文字モードにするなど時間毎に切り替えてもいいし、電池の残量が充分にある
ときには、黒縁白抜き文字モード、電池の残量が少なくなると白縁黒抜き文字モードにす
るなど電池の残量によって切り替えてもいいし、電子機器を一定期間操作しないと黒縁白
抜き文字モードから白縁黒抜き文字モードに切り替えるようにしてもいい。
【０１２０】
（実施の形態３）
本実施の形態では、画像をシフトさせることにより、焼き付き現象を低減する。特に、表
示画像が文字（ひらがな、カタカナ、漢字、数字、アルファベットなど）のようにグラデ
ーションの境界がはっきりしている場合などに有効である。
【０１２１】
図５に、「あ」という文字を右に一画素、下に一画素シフトさせたときの図を示す。シフ
ト前の文字「あ」は画素が斜線で塗られ、シフト後の文字「あ」は画素が黒で塗られてい
る。一例としてここでは、１文字を構成する文字ブロックを縦×横：７×７の矩形型に配
置された画素としている。なお、ここで、文字ブロックとは、同じ書体であり、同じサイ
ズの文字において、全ての種類の文字の一を表示することができる最少の矩形型の画素の
集まりをいうものとする。そして、シフト前の文字「あ」は文字ブロック５０１で構成さ
れ、シフト後の文字「あ」は文字ブロック５０２で構成される。つまり、シフト前の文字
ブロック５０１の中心の画素はｉ行ｊ列であり、シフト後の文字ブロック５０２の中心の
画素（ｉ＋１）行（ｊ＋１）列となる。
【０１２２】
なお、文字（文字ブロック）と文字（文字ブロック）の間には余白（文字を構成する画素
とは白黒反転表示する画素）がある。そして、黒文字モードの場合その余白は文字を構成
しないため白表示に偏ってしまう。もちろん文字が白文字表示のときには余白は黒表示に
偏ってしまう。また、文字ブロック内においても、中心付近と、四隅とでは、白表示にな
るか黒表示になるかの確率が偏ってしまう。
【０１２３】
そこで、図５に示すように文字をシフトさせることにより、画素毎の表示素子の劣化の差
が小さくなり、画素毎の発光のバラツキを低減することができる。なお、文字のシフト量
は、図６に示すように、縦横斜めにとなりあう一文字ブロック分までシフトさせてもいい
し、図７に示すように二つの文字ブロック分までシフトさせてもいい。
【０１２４】
つまり、文字ブロックの横の長さをａとし、縦の長さをｂとすると、図６の場合の文字「
あ」の移動範囲６０１の横の移動幅ｘと縦の移動幅ｙはそれぞれ、ａ＜ｘ≦３ａ、ｂ＜ｙ
≦３ｂとなる。よって、図６のような移動範囲であれば、最大でシフトしたときには、シ
フト前の文字とシフト後の文字が重ならないため画素の累積点灯時間を平均化しやすい。
また、図７の場合の文字「あ」の移動範囲６０１の横の移動幅ｘ’と縦の移動幅ｙ’はそ
れぞれ、ａ＜ｘ’≦５ａ、ｂ＜ｙ’≦５ｂとなる。図７のような移動範囲であれば、より
画素の累積点灯時間を平均化しやすい。
【０１２５】
また、文字のシフトのさせ方は色要素（１ドット）ずつシフトさせてもよいし、一画素ず
つシフトさせてもいいし、数画素ずつシフトさせてもよい。例えば、図８に示すようにＲ
（赤）の色要素と、Ｇ（緑）の色要素と、Ｂ（青）の色要素で画素を構成する場合には、
右に１ドットシフトし、下に１画素シフトしていてもよい。つまり、シフト前の点灯領域
８０１、シフト後の点灯領域８０２とすると、シフト前は左からＲＧＢで１画素を構成し
ており、シフト後は左からＧＢＲで１画素を構成している。
【０１２６】
なお、画像をシフトさせる条件は上述したものに限らない。例えば、日毎にシフトさせて
もいいし、時間毎にシフトさせてもいいし、電子機器を一定期間操作しないとシフトする
ようにしてもいい。
【０１２７】
また、文字のシフトのさせ方としては、ソフトウェアを用いて、文字の背景画像を動かさ
ずに、文字情報の位置座標を変えることで文字をシフトさせることができる。また、ウイ
ンドウ単位で画像をシフトさせてもよい。つまり、文字の表示されるウインドウ毎シフト
させてもよい。
【０１２８】
また、画素部において、表示画面に必要な画素より冗長に画素を設け、画素部内で表示画
面として用いる画素領域を変更することにより表示画面自体をシフトさせてもよい。
【０１２９】
また、文字入力可能なウインドウ内で文字をシフトさせる場合、文字を入力する度に文字
をシフトさせてもいいし、一行分の文字を入力したら文字全体をシフトさせてもいい。ま
た、複数のウインドウを表示しているとき、いずれか一のウインドウを選択する度、文字
がシフトするようにしてもよい。
【０１３０】
（実施の形態４）
本実施の形態では、表示画面に文字（ひらがな、カタカナ、漢字、数字、アルファベット
など）を表示する場合において、条件を設定し、その条件を満たしたら、文字の書体（フ
ォント）や大きさ（サイズ）を変更する。そして、書体の変更前後で文字を構成する画素
の重複を少なくすれば画素毎の表示素子の劣化の差を小さくすることができる。よって、
画素毎の発光のバラツキを低減することができる。
【０１３１】
まず、文字の書体を変更する場合について説明する。例えば、縦×横：１０×１０の画素
で文字ブロックを構成する場合において、「あ」という文字を表示したときを例に説明す
る。あるときには、例えば図２３のような書体の「あ」を表示する。そして、ある条件を
満たしたら、図２４に示すような「あ」という文字の書体に変更する。すると、図２３の
書体のときには「あ」を構成する画素は４１個が黒表示となっている。また、図２４の書
体のときには「あ」を構成する画素は３８個が黒表示となっている。そして、図２５には
、図２３の書体の「あ」が右斜線で塗られた画素で構成され、図２４の書体の「あ」が左
斜線で塗られた画素で構成され、それぞれの書体の「あ」が重なっている画素が黒で塗ら
れている。つまり、ある条件を満たしたら、図２３の書体の「あ」から図２４の書体の「
あ」に変更すれば、どちらのときの文字も構成する画素は１３個の画素となる。つまり、
劣化の進行が進みやすい画素の数が減り、文字を構成する画素として用いられる画素が分
散する。よって、画素毎の表示素子の劣化の差を小さくし、焼き付き現象を低減すること
ができる。
【０１３２】
次に、文字の大きさを変更する場合について説明する。なお、図１０には、縦×横：１０
×１０の画素で文字ブロック１００１を構成する場合から縦×横：７×７の画素で文字ブ
ロック１００２を構成する場合へと変更する場合について示している。文字ブロック１０
０１の大きさの文字「あ」は、右斜線で塗られた画素で構成され、文字ブロック１００２
の大きさの文字「あ」は、左斜線で塗られた画素で構成され、それぞれの大きさの文字「
あ」が重なっている画素が黒で塗られている。文字ブロック１００１の大きさの文字「あ
」は３８個が黒表示となり、文字ブロック１００２の大きさの文字「あ」は２５個が黒表
示となる。つまり、ある条件を満たしたら、文字ブロック１００１の「あ」から文字ブロ
ック１００２の「あ」に変更すれば、どちらのときの文字も構成する画素は９個の画素と
なる。つまり、劣化の進行が進みやすい画素の数が減り、文字を構成する画素として用い
られる画素が分散する。よって、画素毎の表示素子の劣化の差を小さくし、焼き付き現象
を低減することができる。
【０１３３】
例えば、文字の書体の変更や大きさの変更はウインドウ内で行うようにしてもよい。図９
（Ａ）はピクト表示領域１０１と、メイン表示領域１０２とを有し、メイン表示領域１０
２にウインドウ１０３が表示されている。図９（Ａ）において、ウインドウ１０３には、
黒文字モードで文字が表示されている。そして、ある条件を満たしたら図９（Ｂ）のよう
にウインドウ１０３内に表示されている文字の書体を変更する。こうすることにより、劣
化の進行が進みやすい画素の数が減り、文字を構成する画素として用いられる画素が分散
する。よって、画素毎の表示素子の劣化の差を小さくし、焼き付き現象を低減することが
できる。
【０１３４】
また、大きさを工夫することにより、面内の画素の累積点灯時間が概略等しくなるように
するとよい。
【０１３５】
なお、書体の変更や大きさの変更の条件は上述したものに限らない。例えば、奇数日と、
偶数日とで変更するなど日毎に切り替えてもいいし、奇数時間と、偶数時間とで変更する
など時間毎に切り替えてもいいし、電子機器を一定期間操作しないと変更するようにして
もいい。
【０１３６】
（実施の形態５）
本実施の形態では、処理の内容や対象を小さな絵や記号で表現したもの（以下アイコンと
いう）のように、表示画面上に特定のパターンとして表示されることにより、そのパター
ンが焼き付いてしまうのを低減する方法を説明する。
【０１３７】
表示画面は、図１１のように、ピクト表示領域１０１と、メイン表示領域１０２とを有し
、メイン表示領域１０２にはアイコン１１０１やアイコン１１０２が表示されている。な
お、メイン表示領域１０２にはアイコン１１０１やアイコン１１０２の背景に背景画像が
表示されていてもよい。アイコン１１０１やアイコン１１０２は、ある条件を満たしたら
移動するようにする。移動方向としては、縦横斜めのいずれでもよい。
【０１３８】
なお、アイコンのシフト量としては、図１３に示すように、アイコンをブロックとして、
縦横斜めにとなりあうブロック分までシフトさせてもいいし、図１４に示すように二つの
ブロック分までシフトさせてもいい。なお、ここで、アイコンのブロックとは、アイコン
を構成することができる最少の矩形型の画素の集まりをいうものとする。
【０１３９】
つまり、アイコンのブロックの横の長さをａとし、縦の長さをｂとすると、図１３の場合
のアイコンの移動範囲１３０１の横の移動幅ｘと縦の移動幅ｙはそれぞれ、ａ＜ｘ≦３ａ
、ｂ＜ｙ≦３ｂとなる。よって、図１３のような移動範囲であれば、最大でシフトしたと
きには、シフト前のアイコンとシフト後のアイコンが重ならないため画素の累積点灯時間
を平均化しやすい。また、図１４の場合のアイコンの移動範囲１４０１の横の移動幅ｘ’
と縦の移動幅ｙ’はそれぞれ、ａ＜ｘ’≦５ａ、ｂ＜ｙ≦５ｂとなる。図１４のような移
動範囲であれば、より画素の累積点灯時間を平均化しやすい。
【０１４０】
また、文字のシフトのさせ方は色要素（１ドット）ずつシフトさせてもよいし、一画素ず
つシフトさせてもいいし、数画素ずつシフトさせてもよい。例えば、図８に示すようにＲ
（赤）の色要素と、Ｇ（緑）の色要素と、Ｂ（青）の色要素で画素を構成する場合には、
右に１ドットシフトし、下に１画素シフトしていてもよい。つまり、シフト前の点灯領域
８０１、シフト後の点灯領域８０２とすると、シフト前は左からＲＧＢで１画素を構成し
ており、シフト後は左からＧＢＲで１画素を構成している。
【０１４１】
また、移動しなくても、図１２（Ａ）に示すように、アイコン自身が回転してもよい。図
１２（Ａ）において、平面上に表示されるアイコン１１０１は表裏方向に回転している。
そして、平面上に表示されるアイコン１１０２は平面上の中心を軸として回転している。
よって、ある瞬間のアイコン１１０１は図１２（Ｂ）に示すように幅が狭くなっている。
また、ある瞬間のアイコン１１０２は図１２（Ｂ）に示すようにアイコン１１０２は傾い
ている。
【０１４２】
なお、アイコンをシフトさせる条件は上述したものに限らない。例えば、常に上下左右に
数画素分ずつシフトするようにしてもいいし、日毎にシフトさせてもいいし、時間毎にシ
フトさせてもいいし、電子機器を一定期間操作しないとシフトするようにしてもいい。ま
た、シフトする度に色を変えてもいいし、点滅させながらシフトさせてもいい。また、携
帯端末機がカメラ機能を搭載しているのであれば、シャッターを押すたびにシフトするよ
うにしてもいい。そして、露光スピードよりも速く動くようにするとよい。
【０１４３】
また、アイコンを半透明表示にしたり、アイコンをグラデーション表示にして、グラデー
ションを変化させてもいい。
【０１４４】
また、図２０に示すようにメイン表示領域１０２の背景画上にアイコン１１０１やアイコ
ン１１０２が表示されている場合において、携帯端末機を操作しない状態が続くとアイコ
ン１１０１やアイコン１１０２が表示されなくなるようにしてもよい。例えば、携帯端末
機を使用してから５分〜１０分くらい操作しない状態が続いたらアイコン１１０１やアイ
コン１１０２が表示されなくなるようにし、ボタンを押したり、携帯端末機を操作したと
きに、アイコン１１０１やアイコン１１０２が表示されるようにしてもよい。また、ボタ
ンを押すたびアイコン１１０１やアイコン１１０２の色が変わるようにしてもよい。
【０１４５】
また、起動時や設定した月日によって、アイコンの表示場所が変わるようにしてもいい。
【０１４６】
また、画素単位ではなく、アイコン単位でアイコンの表示時間をカウントし、アイコンを
構成する画素へ入力する信号の補正を行ってもよい。つまり、アイコンの表示累積時間と
、アイコンの表示されない領域の画素（以下、リファレンス画素という）の点灯累積時間
とをカウントして、累積時間からアイコン部の画素とリファレンス画素の表示素子の劣化
の差を求める。そして、アイコン部の画素とリファレンス画素の輝度が同じになるように
補正する。なお、画素の輝度の補正は、表示素子に印加する電流若しくは電圧または発光
時間などを制御して行うことができる。
【０１４７】
ここで、アイコン単位でアイコンの表示時間をカウントし、アイコンを構成する画素へ入
力する信号の補正を行うことが可能な表示装置のブロック図を図５３に示す。
【０１４８】
表示装置は、カウンタ５３０１、補正回路５３０２、揮発性メモリ５３０３、不揮発性メ
モリ５３０４、表示パネル５３０５及び補正データ格納部５３０６を有する。
【０１４９】
まず、表示パネルの有する表示素子の輝度特性の経時変化のデータを、補正データ格納部
５３０６にあらかじめ記憶させておく。このデータはアイコン部の画素とリファレンス画
素との輝度を同じにするため信号を補正する際に用いる。
【０１５０】
そして、カウンタ５３０１は、定期的に画像信号をサンプリングし、アイコンの表示、非
表示のデータと、リファレンス画素の点灯非点灯のデータをカウントする。カウンタ５３
０１によりカウントされたデータは、順次記憶回路部に記憶されていく。ここで、このデ
ータは累積していくため、記憶回路は不揮発性メモリを用いて構成するのが好ましいが、
不揮発性メモリは一般にその書き込み回数が限られているため、図５３に示すように、表
示装置の動作中は揮発性メモリ５３０３を用いて記憶を行い、一定時間毎に（例えば１時
間毎、あるいは電源のシャットダウン時など）に不揮発性メモリ５３０４に書き込むよう
にしてもよい。
【０１５１】
ここで、電源をシャットダウンするまでの、アイコンの表示時間及びリファレンス画素の
点灯時間のカウント動作と、表示時間と点灯時間のデータを記憶回路部へ記憶するまでの
フローチャートを図５４及び図５５に示す。
【０１５２】
図５４の場合には、定期的にアイコンの表示時間及びリファレンス画素の点灯時間をカウ
ントし、そのデータを揮発性メモリに記憶させる。そして、電源をシャットダウンすると
きには揮発性メモリに記憶されたデータを不揮発性メモリに記憶させる。
【０１５３】
図５５の場合には、定期的にアイコンの表示時間及びリファレンス画素の点灯時間をカウ
ントし、そのデータを揮発性メモリに記憶させる。そして、一定の期間が経過したら揮発
性メモリに記憶されたデータを不揮発性メモリに記憶させる。そして、電源をシャットダ
ウンしなければ、また上述の動作を繰り返す。なお、電源をシャットダウンするときにも
、揮発性メモリに記憶されたデータを不揮発性メモリに記憶させてもよい。
【０１５４】
また、表示素子を用いて階調表現が輝度制御によっても行われる場合には、そのときの表
示素子の点灯時間と点灯強度を共に検出し、点灯時間と点灯強度との両方から劣化の状態
を判断するとよい。この場合には、補正用のデータもそれに合わせて作成する。
【０１５５】
また、記憶回路に用いるメモリの種類としてはスタティックメモリ、ダイナミックメモリ
、強誘電体メモリ、フラッシュメモリなどがあげられるが、本発明の表示装置に適用する
ことができる記憶回路はこれに限定されない。ただし、揮発性メモリにダイナミックメモ
リを用いる場合には、定期的なリフレッシュ機能を付加する必要がある。
【０１５６】
次に、画像信号の補正動作に移る。補正回路５３０２には画像信号と、アイコンの累積表
示時間と、リファレンス画素の累積点灯時間とのデータが入力される。補正回路５３０２
は、アイコン累積表示時間とリファレンス画素の累積点灯時間のデータから、アイコン部
の画素とリファレンス画素との劣化の差を求め、あらかじめ補正データ格納部５３０６に
記憶されたデータを参照し、入力された画像信号の補正を行う。このようにして補正され
た画像信号が表示パネル５３０５へ入力される。なお、このときの補正とは、アイコン部
の画素とリファレンス画素との輝度の差が小さくなるようにすることをいう。
【０１５７】
電源遮断時には揮発性の記憶回路に記憶されている、アイコンの累積表示時間と、リファ
レンス画素の累積点灯時間とを、不揮発性の記憶回路に記憶されているアイコンの累積表
示時間と、リファレンス画素の累積点灯時間とにそれぞれ加算して記憶しておく。これに
より、次回の電源投入後、継続してアイコンの表示時間とリファレンス画素の点灯時間が
累積してカウントされる。
【０１５８】
以上のようにして、定期的にアイコンの表示時間とリファレンス画素の点灯時間の検出を
行い、累積表示時間と累積点灯時間を記憶しておくことで、表示頻度の高いアイコン部の
画素の劣化に対して補正をすることができる。つまり、画像信号を補正することにより、
アイコン部の画素の輝度と、リファレンス画素の輝度とを同等にすることができ、アイコ
ンのパターンの焼き付きを低減することができる。
【０１５９】
また、リファレンス画素は複数あってもよい。つまり、複数のリファレンス画素の平均の
点灯累積時間とアイコンの表示累積時間とから、複数のリファレンス画素の平均とアイコ
ン部の画素との劣化の差を求めてもよい。また、どのアイコンをティーチングするかユー
ザーが指定するようにしてもよい。
【０１６０】
また、アイコンの設定をユーザーが変えられるようにしてもよい。つまり、アイコンの表
示位置や色、輝度、アイコンの形、種類、大きさなどをユーザーが変更できるようにして
もよい。さらに、アイコンを点滅させたり、回転させたり、動く範囲を設定したりできる
ようにしてもよい。また、アニメーション（アイコンの形を連続的に変化（変化の前後で
動きにつながりがあれば不連続でもよい）させるような動き）の作成をユーザーができる
ようにしてもよい。
【０１６１】
（実施の形態６）
本実施の形態においては、ピクト表示領域に表示されるピクトのパターンが焼き付くのを
低減する方法について説明する。
【０１６２】
図１５に示すように、ピクト１５０１やピクト１５０２がピクト表示領域１０１をシフト
するようにしてもいい。なお、ここで、ピクトがシフトするとは、ピクトの表示に寄与す
る画素の組み合わせを変化させることをいう。なお、シフト方向は、図１５に示すように
横方向でなくとも縦方向であってもよい。また、ピクト１５０１やピクト１５０２が回転
するようにしてもよい。また、図１６に示すように、ピクト表示領域を白黒反転させても
よい。ある条件を満たすまでは図１６（Ａ）のようにピクト表示領域１０１の背景を白表
示とし、ピクト１５０１やピクト１５０２を黒表示とする。そしてある条件を満たしたら
、図１６（Ｂ）に示すようにピクト表示領域の背景を黒表示とし、ピクト１５０１やピク
ト１５０２を白表示とする。よって、本実施の形態で示したように白黒反転表示を行うこ
とで、画素毎の劣化の差を小さくすることができるため、画素の発光のバラツキを低減す
ることができる。
【０１６３】
なお、ピクトをシフトさせる条件は上述したものに限らない。例えば、日毎にシフトさせ
てもいいし、時間毎にシフトさせてもいいし、電子機器を一定期間操作しないとシフトす
るようにしてもいい。
【０１６４】
また、ピクトの焼き付きパターンをあらかじめ用意しておき、その部分の輝度をユーザー
が変えられるようにしてもよい。つまり、図１６（Ａ）のように、ピクト表示領域の背景
が白表示でピクト１５０１やピクト１５０２が黒表示の場合には、ユーザーの操作により
、背景の輝度を高くすることができる。また、図１６（Ｂ）のように、ピクト表示領域の
背景が黒表示でピクト１５０１やピクト１５０２が白表示の場合には、ユーザーの操作に
より、ピクト１５０１やピクト１５０２のそれぞれ輝度を高くすることができる。
【０１６５】
例えば、ボタンを押すたびにピクトやピクト表示領域の背景の輝度が変化するようにした
り、タッチパネル方式でタッチしたところの輝度が変化するようにしてもよい。以下にフ
ローチャートを用いて簡単に説明する。
【０１６６】
まず、ボタン操作によりピクトパターンの焼き付きを補正する場合のフローチャートを図
５７に示す。図５７に示すように、ピクトパターンの焼き付きが発生したら、その焼き付
きパターンの生じたピクト部の輝度を補正するためのボタンを押す。ボタンを押すたびに
ピクト又はピクトの背景の輝度が変化するようにする。そして、ピクトパターンの焼き付
きが低減されるまでボタンを押す。こうして、ピクトパターンの焼き付きが視認できなく
なるまでユーザーが自由にピクトパターンの焼き付き補正を行うことができる。
【０１６７】
また、タッチパネル式を採用し、タッチ操作によりピクトパターンの焼き付きを補正する
場合のフローチャートを図５６に示す。図５６に示すように、ピクトパターンの焼き付き
が発生したら、その焼き付きパターンの生じたピクト部をタッチする。そのピクト部をタ
ッチするたびにピクト又はピクトの背景の輝度が変化するようにする。そして、ピクトパ
ターンの焼き付きが低減されるまでそのピクト部をタッチする。こうして、ピクトパター
ンの焼き付きが視認できなくなるまでユーザーが自由にピクトパターンの焼き付き補正を
行うことができる。
【０１６８】
（実施の形態７）
本実施の形態においては、画素毎に発光のバラツキが生じ、焼き付きが生じたら、エージ
ングを行う。なお、ここで、エージングとは画素の表示素子に電流を流し、画素の表示素
子を積極的に劣化させることをいう。つまり、充電などを行う際に、画素を点灯させ、画
素の表示素子を劣化させる。そして、劣化の進行の遅れている画素の表示素子を積極的に
劣化させることにより、画素部内の各画素の表示素子の劣化の差を縮める。
【０１６９】
本実施の形態に示す表示装置の画素構成を図１８に示す。画素は、トランジスタ１８０１
と、第１のスイッチ１８０２と、容量素子１８０３と、表示素子１８０４と、電流源回路
１８０５と、第２のスイッチ１８０６と、第３のスイッチ１８０７と、第１の配線１８０
９と、第２の配線１８１０と、第３の配線１８１１とを有する。なお、トランジスタ１８
０１はＰチャネル型トランジスタである。
【０１７０】
第１のスイッチ１８０２は、トランジスタ１８０１のゲート端子と第２の配線１８１０と
の導通または非導通を制御するように接続されている。そして、第１のスイッチ１８０２
の制御端子には第１の配線１８０９に供給される信号が入力される。そして、この信号に
より第１のスイッチ１８０２がオンまたはオフする。第１のスイッチ１８０２がオンする
ときには第２の配線１８１０とトランジスタ１８０１のゲート端子が導通し、第１のスイ
ッチ１８０２がオフするときには第２の配線１８１０とトランジスタ１８０１のゲート端
子は非導通となる。
【０１７１】
また、トランジスタ１８０１は、ゲート端子が容量素子１８０３を介して第３の配線１８
１１と接続され、第１端子（ソース端子またはドレイン端子の一方）が第２のスイッチ１
８０６を介して第３の配線１８１１と接続され、第２端子（ソース端子またはドレイン端
子の他方）が表示素子１８０４の画素電極と接続されている。つまり、トランジスタ１８
０１の第１端子と第３の配線１８１１との導通または非導通を制御するように第２のスイ
ッチ１８０６が接続され、第２のスイッチ１８０６がオンするときにはトランジスタ１８
０１の第１端子と第３の配線１８１１が導通し、第２のスイッチ１８０６がオフするとき
にはトランジスタ１８０１の第１端子と第３の配線１８１１とは非導通となる。
【０１７２】
また、直列に接続された第３のスイッチ１８０７及び電流源回路１８０５が、第２のスイ
ッチ１８０６と並列に接続されている。つまり、第３のスイッチ１８０７がオンすると、
電流源回路１８０５とトランジスタ１８０１の第１端子とが導通する。
【０１７３】
なお、表示素子１８０４の対向電極１８０８には所定の電位が入力されている。
【０１７４】
続いて、本画素の動作について説明する。
【０１７５】
画素への書き込み動作時には第１のスイッチ１８０２と第２のスイッチ１８０６をオンに
する。そして、第２の配線１８１０からビデオ信号に相当する電圧分の電荷を容量素子１
８０３に蓄積する。つまり、この電圧はトランジスタ１８０１のゲートソース間電圧とな
る。よって、この電圧によってトランジスタ１８０１のオンオフが制御される。なお、ト
ランジスタ１８０１がオンするために入力されるビデオ信号はトランジスタ１８０１が線
形領域で動作するような電圧である。
【０１７６】
そして、トランジスタ１８０１がオンするときは、第３の配線１８１１に供給される電位
と表示素子１８０４の対向電極１８０８に印加される電位との電位差となる電圧が表示素
子１８０４の両電極間に印加されることになる。そして画素は点灯状態になる。
【０１７７】
各画素毎にビデオ信号を入力すると、信号の書き込み動作が完了し、各画素は点灯または
非点灯の２状態となる。したがって、このままでは２階調しか表現できない。そこで、時
間階調法や面積階調法などを用いることによって多階調表示を行うことができる。
【０１７８】
ここでは、デジタル時間階調法について図２７を用いて説明する。
【０１７９】
図２７は時間経過に伴った１フレーム期間の動作について説明する図である。図２７にお
いて、横方向は時間経過を表し、縦方向は走査線の走査行数を表している。
【０１８０】
画像表示を行うとき、書き込み動作と発光動作とが繰り返し行われる。一画面（１フレー
ム）分の書き込み動作と発光動作を行う期間を１フレーム期間という。１フレーム分の信
号の処理について特に限定はないが、画像をみる人がちらつき（フリッカ）を感じないよ
うに少なくとも１秒間に６０回程度とすることが好ましい。
【０１８１】
１フレーム期間は、図２７に示すように、アドレス期間Ｔａ１、Ｔａ２、Ｔａ３、Ｔａ
４とサスティン期間Ｔｓ１、Ｔｓ２、Ｔｓ３、Ｔｓ４とを含む４つのサブフレーム期間に
時分割されている。つまり、それぞれの画素行については、書き込み時間Ｔｂ１、Ｔｂ２
、Ｔｂ３、Ｔｂ４と発光時間Ｔｓ１（ｉ）、Ｔｓ２（ｉ）、Ｔｓ３（ｉ）、Ｔｓ４（ｉ）
とに時分割されている。発光するための信号が入力された画素の発光素子は、サスティン
期間において発光状態となっている。各々のサブフレーム期間における発光時間の長さの
比は、Ｔｓ１（ｉ）：Ｔｓ２（ｉ）：Ｔｓ３（ｉ）：Ｔｓ４（ｉ）＝２３：２２：２１：
２０＝８：４：２：１となっている。これによって４ビット階調を表現することができる
。但し、ビット数及び階調数はここに記すものに限定されず、例えば８つのサブフレーム
期間を設け８ビット階調を行えるようにしてもよい。
【０１８２】
１フレーム期間における動作について説明する。まず、アドレス期間Ｔａ１において、
１行目から最終行まで、それぞれの行の書き込み時間Ｔｂ１に書き込み動作が行われる。
つまり、１行目から順に走査線に走査信号が入力され、画素が選択される。そして、画素
が選択されているときに、信号線から画素へビデオ信号が入力され、その電位によってサ
スティン期間Ｔｓ１における各画素の点灯、非点灯が制御される。従って、行によって画
素の書き込み動作の開始時間が異なる。書き込み動作が終了した行から順にサスティン期
間Ｔｓ１へと移る。当該サスティン期間において、発光するための信号が入力されている
画素の発光素子は発光状態となっている。また、サスティン期間Ｔｓ１が終了した行から
順に次のサブフレーム期間の信号書き込み動作に移り、それぞれの信号書き込み時間Ｔｂ
２において、同様に１行目から最終行まで順に書き込み動作が行われる。このように、同
様にアドレス期間Ｔａ２、Ｔａ３、Ｔａ４において画素へビデオ信号が入力され、その電
位によってサスティン期間Ｔｓ２、Ｔｓ３、Ｔｓ４における各画素の点灯、非点灯が制御
される。以上のような動作を繰り返し、サスティン期間Ｔｓ４迄終了する。
【０１８３】
このように、各サブフレーム期間において発光した時間の積算時間が、１フレーム期間に
おける各々の画素の発光時間となり、これによって階調が表現される。
【０１８４】
なお、サブフレーム期間におけるサスティン期間の長いものから順に並んでいるが、必
ずしもこのような並びにする必要はなく、例えばサスティン期間の短いものから順に並べ
られていてもよいし、またはサスティン期間の長いものと短いものとがランダムに並んで
いてもよい。
【０１８５】
以上が表示中の画素の動作である。続いて、本発明の画素を有する表示装置を画素部に有
する電子機器を充電するときにエージングを行う場合の画素の動作について説明する。充
電を行う際には、まず、第１のスイッチ１８０２及び第２のスイッチ１８０６をオンにし
、第２の配線１８１０から画素を点灯にするビデオ信号を入力する。そしてトランジスタ
１８０１をオンにする。すると、表示素子１８０４に電流が流れる。このときの電流値を
測定する。そして、全部の画素の電流値を測定した上で、互いの画素の表示素子に流れる
電流値から画素の表示素子の劣化の程度を比較する。そして、画素の表示素子の劣化に応
じた電流値を電流源回路１８０５にプログラミングする。この画素の表示素子の劣化に応
じた電流値とは、ある画素の表示素子が他の画素の表示素子に流れる電流値より大きいと
きには、ある画素の表示素子は他の画素の表示素子よりも劣化していないことになるので
、ある画素へのプログラミングの電流値は他の画素へのプログラミングの電流値よりも大
きくする。これらの画素毎の比較は、まず一番劣化している画素を基準に行うのがよい。
つまり、劣化の激しい画素にはこれ以上劣化させる必要がないためプログラミングによる
電流値は０にしてよいからである。
【０１８６】
こうして画素の電流源回路１８０５へのプログラミングが完了すると、第２のスイッチ１
８０６をオフにし、第３のスイッチ１８０７をオンにする。そして、第１のスイッチ１８
０２をオンにし、画素を点灯にする信号をトランジスタ１８０１のゲート端子に入力する
。こうして、画素の劣化の程度に応じたエージングを行うことができるため、画素毎の劣
化の差を小さくすることができる。よって、焼き付きを低減することができる。
【０１８７】
なお、図１８の画素を有する表示装置を図１７に示す。信号線駆動回路１７０１と、走査
線駆動回路１７０２と、画素部１７０３とを有する。信号線駆動回路１７０１から画素部
１７０３へ信号線Ｓ１〜Ｓｎが延長し、走査線駆動回路１７０２から画素部１７０３へ走
査線Ｇ１〜Ｇｍが延長し、信号線Ｓ１〜Ｓｎと走査園Ｇ１〜Ｇｍに対応してマトリクスに
画素１７０４が配置されている。また、信号線Ｓ１〜Ｓｎに対応して電源線Ｐ１〜Ｐｊが
配置されている。また、対向電極１７０６が画素部１７０３を覆って形成されている。
【０１８８】
なお、画素１７０４には、図１８で示した画素を適用することができる。このとき、第１
の配線１８０９が走査線Ｇｉ（走査線Ｇ１〜Ｇｍのうちいずれか一）に相当し、第２の配
線１８１０が信号線Ｓｊ（信号線Ｓ１〜Ｓｎのうちいずれか一）に相当する。また、第３
の配線１８１１が電源線Ｐｊ（電源線Ｐ１〜Ｐｎのうちいずれか一）に相当する。よって
、ｉ行ｊ列の画素は、走査線Ｇｉにより選択され、信号線Ｓｊから信号が書き込まれる、
そして、電源線Ｐｊから電源が供給される。また、図１８で示した対向電極１８０８は図
１７の対向電極１７０６の一部をさすものとする。
【０１８９】
信号の書き込みは、走査線Ｇ１〜Ｇｍにより順次画素が選択され、それぞれの信号線Ｓ１
〜Ｓｎからビデオ信号がそれぞれの画素１７０４に供給されて行われる。
【０１９０】
また、エージングを行う際には、各画素１７０４へ順々に画素を点灯にする信号を入力し
、そのときに電源線と対向電極の間に流れる電流値を電流計１７０５により測定する。電
流計１７０５によって測定した電流値の情報を含むデータはメモリ１７０７に記憶される
。そして、メモリ１７０７に記憶されたデータはプログラミング電流設定回路１７０８に
入力される。そして、プログラミング電流設定回路１７０８は、電流値の情報を含むデー
タから各画素毎の表示素子の劣化の進み具合を割り出す。そして、各画素へ一定の時間電
流を流すと劣化の差が小さくなるように、それぞれの画素に応じた電流値を設定する。こ
のプログラミング電流設定回路１７０８により設定された電流値が、画素１７０４内の電
流源回路にプログラミングされる。そして、エージング中において、各画素の表示素子に
は各画素の表示素子の劣化の差が小さくなるように一定時間電流が供給される。こうして
、充電中に焼き付きを低減することができる。
【０１９１】
なお、図１８で示した画素の電流源回路１８０５の構成の一例を示す画素を図１９に示す
。図１８と共通するところは共通の符号を用いてその説明を省略する。
【０１９２】
電流源回路１８０５はトランジスタ１９０１と容量素子１９０２と第４のスイッチ１９０
３と第５のスイッチ１９０４とを有する。なお、トランジスタ１９０１はＮチャネル型ト
ランジスタである。トランジスタ１９０１は、第１端子（ソース端子またはドレイン端子
の一方）が第３のスイッチ１８０７を介してトランジスタ１８０１の第１端子と接続され
、第２端子（ソース端子またはドレイン端子の他方）が第３の配線１８１１と接続されて
いる。また、トランジスタ１９０１のゲート端子は第４のスイッチ１９０４を介して第３
の配線１８１１と接続され、さらに容量素子１９０２を介してトランジスタ１９０１の第
１端子と接続されている。また、トランジスタ１９０１の第１端子は第５のスイッチ１９
０３を介して第４の配線１９０５と接続されている。
【０１９３】
よって、プログラミングのとき、第４のスイッチ１９０３及び第５のスイッチ１９０４を
オンにする。すると、電流源１９０６から第４の配線１９０５に供給される電流が電流源
回路１８０５に書き込まれる。つまり、このとき、トランジスタ１９０１の第１端子がソ
ース端子となり、トランジスタ１９０１のゲートソース間電圧分の電荷が容量素子１９０
２に蓄積される。そして、第４のスイッチ１９０３及び第５のスイッチ１９０４をオフに
すると、容量素子１９０２はトランジスタ１９０１のゲートソース間電圧を保持する。こ
うして、電流源回路１８０５へのプログラミングが完了する。
【０１９４】
（実施の形態８）
本実施の形態では、実施の形態７とは異なる方法でエージングを行うときの表示装置の構
成とその駆動方法について説明する。
【０１９５】
まず、本実施の形態の表示装置に適用可能な画素について説明する。
【０１９６】
画素は、トランジスタ２６０１と、スイッチ２６０２と、容量素子２６０３と、表示素子
２６０４と、第１の配線２６０５と、第２の配線２６０６と、第３の配線２６０７とを有
する。なお、トランジスタ２６０１はＰチャネル型トランジスタである。スイッチ２６０
２は第２の配線２６０６とトランジスタ２６０１のゲート端子とを導通または非導通を制
御するように接続されている。つまり、第１の配線２６０５に供給される信号により、ス
イッチ２６０２がオンオフする。そして、スイッチ２６０２がオンするときは第２の配線
２６０６とトランジスタ２６０１のゲート端子が導通し、スイッチ２６０２がオフすると
きは第２の配線２６０６とトランジスタ２６０１のゲート端子は非導通となる。また、ト
ランジスタ２６０１は、第１端子（ソース端子またはドレイン端子の一方）が第３の配線
２６０７と接続され、第２の端子（ソース端子またはドレイン端子の他方）は表示素子２
６０４の画素電極と接続されている。そして、トランジスタ２６０１のゲート端子はさら
に容量素子２６０３を介して第３の配線２６０７と接続されている。なお、表示素子２６
０４の対向電極２６０８には所定の電位が印加されている。
【０１９７】
画素への書き込み動作時にはスイッチ２６０２をオンにする。そして、第２の配線２６０
６からビデオ信号に相当する電圧分の電荷を容量素子２６０３に蓄積する。つまり、この
電圧はトランジスタ２６０１のゲートソース間電圧となる。よって、この電圧によってト
ランジスタ２６０１のオンオフが制御される。なお、トランジスタ２６０１がオンするた
めに入力されるビデオ信号はトランジスタ２６０１が線形領域で動作するような電圧であ
る。
【０１９８】
そして、トランジスタ２６０１がオンするときは、第３の配線２６０７に供給される電位
と表示素子２６０４の対向電極２６０８に印加される電位との電位差となる電圧が表示素
子２６０４の両電極間に印加されることになる。そして画素は点灯状態になる。
【０１９９】
各画素毎にビデオ信号を入力すると、信号の書き込み動作が完了し、各画素は点灯または
非点灯の２状態となる。したがって、このままでは２階調しか表現できない。そこで、時
間階調法や面積階調法などを用いることによって多階調表示を行うことができる。
【０２００】
続いて、図２６に示した画素を有する本実施の形態の表示装置について図２２を用いて説
明する。表示装置は、信号線駆動回路２２０１と、走査線駆動回路２２０２と、画素部２
２０３とを有する。信号線駆動回路２２０１から画素部２２０３へ信号線Ｓ１〜Ｓｎが延
長し、走査線駆動回路２２０２から画素部２２０３へ延長して走査線Ｇ１〜Ｇｍが延長し
ている。そして、信号線Ｓ１〜Ｓｎと走査線Ｇ１〜Ｇｍに対応して複数の画素２２０４が
マトリクスに配置されている。また、画素部２２０３を覆うように全面に対向電極２２０
６が形成されている。
【０２０１】
なお、画素２２０４には、図２６で示した画素を適用することができる。このとき、第１
の配線２６０５が走査線Ｇｉ（走査線Ｇ１〜Ｇｍのうちいずれか一）に相当し、第２の配
線２６０６が信号線Ｓｊ（信号線Ｓ１〜Ｓｎのうちいずれか一）に相当する。また、第３
の配線２６０７が電源線Ｐｊ（電源線Ｐ１〜Ｐｎのうちいずれか一）に相当する。よって
、ｉ行ｊ列の画素は、走査線Ｇｉにより選択され、信号線Ｓｊにより信号が書き込まれる
、そして、電源線Ｐｊから電源が供給される。また、図２６で示した対向電極２６０８は
図２２の対向電極２２０６の一部をさすものとする。
【０２０２】
信号の書き込みは、走査線Ｇ１〜Ｇｍにより順次画素が選択され、それぞれの信号線Ｓ１
〜Ｓｎからビデオ信号がそれぞれの画素２２０４に供給されて行われる。
【０２０３】
また、エージングを行う際には、各画素２２０４へ順々に画素を点灯にする信号を入力し
、そのときに電源線と対向電極の間に流れる電流値を電流計２２０５により測定する。電
流計２２０５によって測定した電流値の情報を含むデータはメモリ２２０７に記憶される
。そして、メモリ２２０７に記憶されたデータは補正回路２２０８に入力される。そして
、補正回路２２０８は、電流値の情報を含むデータから各画素毎の表示素子の劣化の進み
具合を割り出す。そして、各画素へそれぞれの画素の劣化に応じた時間、点灯させるため
の信号を生成する。つまり、この信号は、上述したデジタル時間階調法の各サブフレーム
期間のうち、どのサブフレーム期間に画素を点灯させるかを制御する各ビットの信号であ
る。そして、補正回路２２０８によって生成されたこの信号がフレームメモリ２２０９に
記憶される。そして、エージング中において、フレームメモリ２２０９に記憶された各画
素へ入力する信号が補正回路２２０８から走査線駆動回路２２０２及び信号線駆動回路２
２０１に入力される。そして、各画素の表示素子には各画素の表示素子の劣化の差が小さ
くなるようにそれぞれの画素の点灯時間が制御される。こうして、充電中に焼き付きを低
減することができる。
【０２０４】
（実施の形態９）
本実施の形態に示す表示装置の表示パネルは、画素数が表示画素数よりも冗長に設けられ
た構成とする。つまり１フレームのデータに対応する画素数よりも多くの画素を表示パネ
ルに設ける。そして、１フレームのデータを入力する画素を選択することにより表示画面
をあるタイミングに従ってシフトさせる。
【０２０５】
本実施の形態の表示パネルについて図２９を用いて説明する。表示パネル２９００は画素
が複数設けられた画素部２９０１を有している。なお、画素部２９０１において、表示に
寄与する領域、つまり表示画面となる領域を表示領域という。そして、表示パネルが表示
中において、あるときは表示領域２９０２が図２９（ａ）のように画素部２９０１の左斜
め上にシフトしており、そしてまたあるときには、図２９（ｂ）のように表示領域２９０
２が画素部２９０１の右斜め上にシフトしており、そしてまたあるときには図２９（ｃ）
のように画素部２９０１の左下、図２９（ｄ）のように画素部２９０１の右下というよう
に表示領域２９０２がシフトする。
【０２０６】
こうすることで、表示画面の焼き付きを低減することができる。
【０２０７】
なお、図２９では表示領域２９０２が両角に最大限シフトしている図を示しているが、も
ちろん画素部２９０１の中心に表示領域が位置しても良く、画素部２９０１の中で様々な
方向にシフトするようにする。
【０２０８】
例えば、解像度がＱＶＧＡ（３２０×２４０＝７６８００画素）の表示パネルを用いて、
表示パネルの画素数を行列の各方向に４画素分の画素を冗長に設け、（３２４×２４４＝
７９０５６画素）の表示パネルとする。
【０２０９】
そして、表示領域をあるタイミングに従ってシフトさせる。例えば、シフトさせるタイミ
ングとしては、表示装置の電源投入の度にシフトさせる。なお、その度にシフト量をずら
すようにしてもよい。行方向及び列方向のそれぞれに４画素分、つまり、行方向に±２画
素、列方向に±２画素分の画素を冗長に設けた表示パネルにおいて、表示領域のシフト量
の幅は、行方向及び列方向とも±２画素である。そして、シフトパターンは、行方向に（
−２，−１，０，１，２）の５種類、列方向に（−２，−１，０，１，２）の５種類で、
計２５種類の組み合わせとなる。
【０２１０】
表示領域のシフトは走査開始信号ＳＰのタイミングをずらして行うことが出来る。表示領
域のシフト方法について図３０のタイミングチャートを用いて説明する。クロック信号Ｃ
ＬＫ、ＤＡＴＡ信号に対して、走査開始信号ＳＰとして、図３０に示すように信号ＳＰ１
、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４、ＳＰ５を生成することができるようにする。つまり、信号Ｓ
Ｐ１のときには＋２シフトし、信号ＳＰ２のときには＋１シフトし、信号ＳＰ３のときに
はシフトせず、信号ＳＰ４のときには−１シフトし、信号ＳＰ５のときには−２シフトす
る。
【０２１１】
ここで、本実施の形態の表示装置のブロック図の一例について図３１を用いて説明する。
図３１に示す表示装置は表示パネル３１０１、コントローラ３１０２、遅延回路３１０３
、メモリ３１０４を有する。
【０２１２】
コントローラ３１０２にＶＩＤＥＯ信号が入力される。そして、コントローラ３１０２は
表示パネルにＤＡＴＡ信号及びＣＬＫ信号を入力する。また、コントローラ３１０２は遅
延回路３１０３にＳＰ信号を入力する。そして、遅延回路３１０３はＳＰ信号をメモリ３
１０４から入力される遅延量に従って遅延させる。そして、その遅延させたＳＰ’信号を
表示パネル３１０１に入力する。このとき、メモリ３１０４から出力される遅延量は、例
えば前回の表示装置の電源投入時の遅延量などをメモリ３１０４に記憶させ、それに応じ
て前回とは異なる遅延量を決定すればよい。
（実施の形態１０）
【０２１３】
本実施の形態では、実施の形態９で示した表示装置の表示領域のシフトさせるタイミング
とは異なるタイミングで表示領域をシフトさせる方法について図３４に示す表示装置のブ
ロック図を用いて説明する。
【０２１４】
本実施の形態で示す表示装置は表示パネル３４０１、コントローラ３４０２、遅延回路３
４０３、メモリ３４０４、カウンタ３４０５を有する。
【０２１５】
コントローラ３４０２にＶＩＤＥＯ信号が入力される。そして、コントローラ３４０２は
表示パネルにＤＡＴＡ信号及びＣＬＫ信号を入力する。また、コントローラ３４０２は遅
延回路３４０３にＳＰ信号を入力する。そして、遅延回路３４０３はＳＰ信号をメモリ３
４０４から入力される遅延量に従って遅延させる。そして、その遅延させたＳＰ’信号を
表示パネル３４０１に入力する。
【０２１６】
なお、メモリ３４０４から遅延回路３４０３に入力される遅延量は次のように決定される
。カウンタ３４０５は表示装置の表示累積時間をカウントする。そして、カウンタ３４０
５によってカウントされた表示累積時間のデータがメモリ３４０４に入力される。この表
示累積時間のデータに基づき、メモリ３４０４は遅延量を決定し、遅延回路３４０３にこ
の遅延量を入力する。
【０２１７】
このように遅延量を決定すれば、各々の遅延パターンにおいての表示時間が平均化され、
より表示画面の焼き付きが低減される。
【０２１８】
この遅延量を決定する経過時間は例えば、１分単位や、約５分単位や、約１０分単位や、
約３０分単位や、約１時間単位等に設定するのが好ましい。短ければ短いほど遅延パター
ン毎の表示時間が頻繁に平均化され焼き付きの防止の効果は大きいが、あまり、短すぎる
と画面がちらついてしまうからである。
【０２１９】
なお、本実施の形態では、表示装置は表示中にも表示領域がシフトするため、シフトは少
しずつしていくようにして、シフトが目立たないようにするのが好ましい。
【０２２０】
（実施の形態１１）
本実施の形態では、実施の形態９及び１０の表示装置の具体的構成について説明する。
【０２２１】
まず、本発明をアクティブマトリクス型表示装置に適用した場合について、図３５を用い
て説明する。
【０２２２】
図３５のアクティブマトリクス型表示装置は行方向に配置されたゲート信号線Ｇ１〜Ｇｍ
に信号を出力するゲート信号線駆動回路３５０２と、列方向に配置されたソース信号線Ｓ
１〜Ｓｎへ信号を出力するソース信号線駆動回路３５０１と、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｍと
ソース信号線Ｓ１〜Ｓｎに対応してマトリクスに複数の画素３５０４が配置された画素部
３５０３を備えている。この画素３５０４は、１フレーム分の画素より行方向及び列方向
共、冗長に設けられている。好ましくは、画素部３５０３の画素数の１〜１０％の画素数
を冗長に設ける。より好ましくは画素部３５０３の画素数の１．５％〜７％、さらに好ま
しくは表示パネルの画素数の約３％の画素数を冗長に設けるようにするとよい。例えば、
解像度がＱＶＧＡ（３２０×２４０）の時は行方向及び列方向のそれぞれに２〜１０画素
分、ＣＩＦ（３５２×２８８）の時は行方向及び列方向のそれぞれに４〜１０画素分、Ｑ
ＣＩＦ（１７６×１４４）の時は行方向及び列方向のそれぞれに２〜５画素分、ＶＧＡ（
６４０×４８０）の時は行方向及び列方向のそれぞれに５〜２０画素分、ＳＶＧＡ（８０
０×６００）の時は行方向及び列方向のそれぞれに１０〜３０画素分、ＸＧＡ（１０２４
×７６８）の時は行方向及び列方向のそれぞれに１３〜３５画素分、ＳＸＧＡ（１２８０
×１０２４） の時は行方向及び列方向のそれぞれに１５〜４０画素分、ＵＸＧＡ（１６
００×１２００）の時は行方向及び列方向のそれぞれに、２０〜５０画素分、ＱＸＧＡ（
２０４８×１５３６）の時は行方向及び列方向のそれぞれに２５〜６０画素分の画素を冗
長に設けると良い。
【０２２３】
ソース信号線駆動回路３５０１にはシリアルにＤＡＴＡ信号が入力される。そしてパルス
出力回路３５０５にはＳＣＫ信号、ＳＣＫＢ信号が入力される。また、ＳＳＰ信号が遅延
回路３５１１を介してパルス出力回路に入力され、第１のラッチ回路３５０６の各列に順
次パルスが出力される。
【０２２４】
ここで、遅延回路３５１１では入力されたＳＳＰ信号を任意のタイミングに遅延させ、パ
ルス出力回路３５０５に入力する。つまり、メモリ３５０９により遅延量が入力され、そ
の遅延量にしたがって、ＳＳＰ信号を遅延させる。こうして、メモリ３５０９の遅延量に
より画素部において表示に寄与する画素列をシフトすることができる。
【０２２５】
つまり、このパルス出力回路３５０５から出力された信号に従って第１のラッチ回路３５
０６にＤＡＴＡ信号がパラレルに保存されることになる。そして、このとき、ＳＳＰ信号
の遅延量に従って、ＤＡＴＡ信号が入力されない画素列が決定される。
【０２２６】
そして、第２のラッチ回路３５０７にＳＬＡＴ信号が入力されると、この第１のラッチ回
路３５０６に保存されたＤＡＴＡ信号は第２のラッチ回路３５０７に転送される。この第
２のラッチ回路３５０７に保存されたＤＡＴＡ信号がソース信号線駆動回路３５０１から
出力される。
【０２２７】
また、ゲート信号線駆動回路３５０２にはＧＣＫ信号、ＧＣＫＢ信号が入力される。また
、ＧＳＰ信号が遅延回路３５０８を介してゲート信号線駆動回路３５０２に入力される。
すると、ゲート信号線駆動回路３５０２からゲート信号線Ｇ１〜Ｇｍに順次パルスが出力
される。そして、順次ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｍを選択する。
【０２２８】
ここで、遅延回路３５０８では入力されたＧＳＰ信号を任意のタイミングに遅延させ、ゲ
ート信号線駆動回路３５０２に出力する。この遅延させるタイミングはメモリ３５１０に
より遅延量が入力され、その遅延量にしたがって、ＧＳＰ信号を遅延させる。こうして、
メモリ３５１０からの遅延量により画素部において表示画面の表示に寄与する画素行をシ
フトすることができる。つまり、ＧＳＰ信号の遅延量に従って、ＤＡＴＡ信号が入力され
ない画素行が決定される。
【０２２９】
こうして、表示に寄与する画素行をシフトさせることができる。よって、表示装置の表示
画面の焼き付きを低減することができる。
【０２３０】
本実施の形態の表示装置に適用可能な遅延回路の構成の一例を図３２を用いて説明する。
なお、本実施例に示す遅延回路は例えば図３１の表示装置のブロック図における遅延回路
３１０３や図３４の遅延回路３４０３に用いることができる。
【０２３１】
本実施の形態に示す遅延回路はＤＦＦ３２０１〜３２０８が直列に接続されている。前列
のＤＦＦにＳＰ信号が入力される。すると出力２から信号が出力されるときにはＳＰ信号
が１パルス分遅延することになる。そして、さらに、出力３から信号が出力されるときに
はＳＰ信号が２パルス分遅延する。このように出力４、出力５となるにつれてさらに１パ
ルス分ずつ遅延する。つまり、ＳＰ信号が図３０のタイミングチャートのＳＰ１信号であ
るとすると、出力２から出力される信号はＳＰ２、出力３から出力される信号はＳＰ３、
出力４から出力される信号はＳＰ４、出力５から出力される信号はＳＰ５に対応すること
になる。
【０２３２】
つまり、上述したように表示装置の電源投入の度に遅延量を異ならせる場合には、電源投
入時に遅延回路からの出力として出力１、出力２、出力３、出力４、出力５のいずれかを
選択するようにすればよい。
【０２３３】
続いて、図３２に示した遅延回路のＤＦＦ３２０１〜３２０８の構成の一例を図３３に示
す。ＤＦＦ３３０１は、クロックドインバータ３３０２とクロックドインバータ３３０３
とインバータ３３０４とを有する。
【０２３４】
クロックドインバータ３３０２の入力端子にはＳＰ信号が入力され、出力端子はインバー
タ３３０４の入力端子に接続されている。インバータ３３０４の出力端子は次の列のＤＦ
Ｆの入力端子と接続されている。また、クロックドインバータ３３０３の入力端子はイン
バータ３３０４の出力端子と接続され、出力端子はインバータ３３０４の入力端子及びク
ロックドインバータ３３０２の出力端子と接続されている。
【０２３５】
なお、本実施の形態の表示装置の遅延回路に適用可能な構成はこれに限られないことは言
うまでもなく、図３２には一例として遅延回路の構成を示している。
【０２３６】
（実施の形態１２）
本実施の形態では、表示素子としてＥＬ素子を適用した表示パネルの構成について図３７
（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。
【０２３７】
なお、図３７（ａ）は、表示パネルを示す上面図、図３７（ｂ）は図３７（ａ）をＡ−Ａ
’で切断した断面図である。点線で示された信号線駆動回路３７０１、画素部３７０２、
第１の走査線駆動回路３７０３、を有する。また、封止基板３７０４、シール材３７０５
を有し、シール材３７０５で囲まれた内側は、空間３７０７になっている。
【０２３８】
なお、配線３７０８は第１の走査線駆動回路３７０３及び信号線駆動回路３７０１に入
力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプ
リントサーキット）３７０９からビデオ信号、クロック信号（ＣＬＫ）、スタートパルス
信号（ＳＰ）等を受け取る。ＦＰＣ３７０９と表示パネルとの接続部上にはＩＣチップ（
メモリ回路や、バッファ回路などが形成された半導体チップ）３７１９、３７２２がＣＯ
Ｇ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）等で実装されている。なお、ここではＦＰＣしか図示
されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良
い。本明細書における表示装置とは、表示パネル本体だけでなく、それにＦＰＣもしくは
ＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０２３９】
次に、断面構造について図３７（ｂ）を用いて説明する。基板３７１０上には画素部３
７０２とその周辺駆動回路（走査線駆動回路３７０３、及び信号線駆動回路３７０１）が
形成されているが、ここでは、信号線駆動回路３７０１と、画素部３７０２が示されてい
る。
【０２４０】
なお、信号線駆動回路３７０１はＴＦＴ３７２０やＴＦＴ３７２１を有している。また
、本実施の形態では、基板上に周辺駆動回路を一体形成した表示パネルを示すが、必ずし
もその必要はなく、周辺駆動回路の全部若しくは一部をＩＣチップなどに形成し、ＣＯＧ
などで実装しても良い。
【０２４１】
また、画素部３７０２はＴＦＴ３７１１と、ＴＦＴ３７１２とを有している。なお、Ｔ
ＦＴ３７１２のソース電極は第１の電極（画素電極）３７１３と接続されている。また、
第１の電極３７１３の端部を覆って絶縁物３７１４が形成されている。ここでは、ポジ型
の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。
【０２４２】
また、カバレッジを良好なものとするため、絶縁物３７１４の上端部または下端部に曲
率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物３７１４の材料としてポジ型の
感光性アクリルを用いた場合、絶縁物３７１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３
μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物３７１４として、感光性の
光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解
性となるポジ型のいずれも使用することができる。
【０２４３】
第１の電極３７１３上には、有機化合物を含む層３７１６、および第２の電極（対向電
極）３７１７がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第１の電極３７１
３に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴ
Ｏ（インジウムスズ酸化物）膜、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜、窒化チタン膜、ク
ロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウム
を主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン
膜との３層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も
低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。
【０２４４】
また、有機化合物を含む層３７１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、またはインクジェ
ット法によって形成される。有機化合物を含む層３７１６には、元素周期表第４族金属錯
体をその一部に用いることとし、その他、組み合わせて用いることのできる材料としては
、低分子系材料であっても高分子系材料であっても良い。また、有機化合物を含む層に用
いる材料としては、通常、有機化合物を単層もしくは積層で用いる場合が多いが、本実施
の形態においては、有機化合物からなる膜の一部に無機化合物を用いる構成も含めること
とする。さらに、公知の三重項材料を用いることも可能である。
【０２４５】
さらに、有機化合物を含む層３７１６上に形成される第２の電極３７１７に用いる材料
としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡ
ｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ２、またはＣａ３Ｎ２）を用いればよい。なお、有機化
合物を含む層３７１６で生じた光が第２の電極３７１７を透過させる場合には、第２の電
極（陰極）３７１７として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（酸化イン
ジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛
（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。
【０２４６】
さらにシール材３７０５で封止基板３７０４を基板３７１０と貼り合わせることにより
、基板３７１０、封止基板３７０４、およびシール材３７０５で囲まれた空間３７０７に
ＥＬ素子３７１８が備えられた構造になっている。なお、空間３７０７には、不活性気体
（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材３７０５で充填される構成も含む
ものとする。
【０２４７】
なお、シール材３７０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材
料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板３７
０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒ
ｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイラー
、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【０２４８】
以上のようにして、本発明の画素構成を有する表示パネルを得ることができる。なお、
上述した構成は一例であって本発明の表示パネルの構成はこれに限定されない。
【０２４９】
図３７示すように、信号線駆動回路３７０１、画素部３７０２及び第１の走査線駆動回路
３７０３及びを一体形成することで、表示装置の低コスト化が図れる。
【０２５０】
なお、表示パネルの構成としては、図３７（ａ）に示したように信号線駆動回路３７０１
、画素部３７０２及び走査線駆動回路３７０３を一体形成した構成に限られず、信号線駆
動回路３７０１に相当する図４３に示す信号線駆動回路４３０１をＩＣチップ上に形成し
て、ＣＯＧ等で表示パネルに実装した構成としても良い。なお、図４３（ａ）の基板４３
００、画素部４３０２、走査線駆動回路４３０３、ＦＰＣ４３０５、ＩＣチップ４３０６
、ＩＣチップ４３０７、封止基板４３０８、シール材４３０９は図３７（ａ）の基板３７
１０、画素部３７０２、走査線駆動回路３７０３、ＦＰＣ３７０９、ＩＣチップ３７１９
、ＩＣチップ３７２２、封止基板３７０４、シール材３７０５に相当する。
【０２５１】
つまり、駆動回路の高速動作が要求される信号線駆動回路のみを、ＣＭＯＳ等を用いてＩ
Ｃチップに形成し、低消費電力化を図る。また、ＩＣチップはシリコンウエハ等の半導体
チップとすることで、より高速動作且つ低消費電力化を図れる。
【０２５２】
そして、走査線駆動回路４３０３を画素部４３０２と一体形成することで、低コスト化が
図れる。
【０２５３】
こうして、高精細な表示装置の低コスト化が図れる。また、ＦＰＣ４３０５と基板４３０
０との接続部において機能回路（メモリやバッファ）が形成されたＩＣチップを実装する
ことで基板面積を有効利用することができる。
【０２５４】
また、図４３（ａ）の信号線駆動回路４３０１、走査線駆動回路４３０３に相当する図４
３（ｂ）の信号線駆動回路４３１１、走査線駆動回路４３１３をＩＣチップ上に形成して
、ＣＯＧ等で表示パネルに実装した構成としても良い。この場合には高精細な表示装置を
より低消費電力にすることが可能である。よって、より消費電力が少ない表示装置とする
ためには、画素部に用いられるトランジスタの半導体層にはポリシリコンを用いることが
望ましい。なお、図４３（ｂ）の基板４３１０、画素部４３１２、ＦＰＣ４３１５、ＩＣ
チップ４３１６、ＩＣチップ４３１７、封止基板４３１８、シール材４３１９は図４３（
ａ）の基板４３００、画素部４３０２、ＦＰＣ４３０５、ＩＣチップ４３０６、ＩＣチッ
プ４３０７、封止基板４３０８、シール材４３０９に相当する。
【０２５５】
また、画素部４３１２のトランジスタの半導体層にアモルファスシリコンを用いることに
より低コスト化を図ることができる。さらに、大型の表示パネルを作製することも可能と
なる。
【０２５６】
また、画素の行方向及び列方向のそれぞれに信号線駆動回路及び走査線駆動回路を設けな
くても良い。例えば、図４４（ａ）に示すようにＩＣチップ上に形成された周辺駆動回路
４４０１が図４３（ｂ）に示す、走査線駆動回路４３１３及び信号線駆動回路４３１１の
機能を有するようにしても良い。なお、図４４（ａ）の基板４４００、画素部４４０２、
ＦＰＣ４４０４、ＩＣチップ４４０５、ＩＣチップ４４０６、封止基板４４０７、シール
材４４０８は図４３（ｂ）の基板４３１０、画素部４３１２、ＦＰＣ４３１５、ＩＣチッ
プ４３１６、ＩＣチップ４３１７、封止基板４３１８、シール材４３１９に相当する。
【０２５７】
なお、図４４（ａ）の表示装置の配線の接続を説明する模式図を図４４（ｂ）に示す。基
板４４１０、周辺駆動回路４４１１、画素部４４１２、ＦＰＣ４４１３、ＦＰＣ４４１４
有する。ＦＰＣ４４１３より周辺駆動回路４４１１に外部からの信号及び電源電位が入力
される。そして、周辺駆動回路４４１１からの出力は、画素部４４１２の有する画素に接
続された行方向及び列方向の配線に入力される。
【０２５８】
さらに、ＥＬ素子３７１８に適用可能なＥＬ素子の例を図３８（ａ）、（ｂ）に示す。つ
まり、実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、実施の形態４及び本実施の形態で示
した画素に適用可能なＥＬ素子の構成について図３８（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。
【０２５９】
図３８（ａ）のＥＬ素子は、基板３８０１の上に陽極３８０２、正孔注入材料からなる正
孔注入層３８０３、その上に正孔輸送材料からなる正孔輸送層３８０４、発光層３８０５
、電子輸送材料からなる電子輸送層３８０６、電子注入材料からなる電子注入層３８０７
、そして陰極３８０８を積層させた素子構造である。ここで、発光層３８０５は、一種類
の発光材料のみから形成されることもあるが、２種類以上の材料から形成されてもよい。
また本発明の素子の構造は、この構造に限定されない。
【０２６０】
また、図３８（ａ）で示した各機能層を積層した積層構造の他、高分子化合物を用いた
素子、発光層に三重項励起状態から発光する三重項発光材料を利用した高効率素子など、
バリエーションは多岐にわたる。ホールブロック層によってキャリヤの再結合領域を制御
し、発光領域を二つの領域にわけることによって得られる白色ＥＬ素子などにも応用可能
である。
【０２６１】
図３８（ａ）に示す本発明の素子作製方法は、まず、陽極３８０２（ＩＴＯ）を有する
基板３８０１に正孔注入材料、正孔輸送材料、発光材料を順に蒸着する。次に電子輸送材
料、電子注入材料を蒸着し、最後に陰極３８０８を蒸着で形成する。
【０２６２】
次に、正孔注入材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料の材料に
好適な材料を以下に列挙する。
【０２６３】
正孔注入材料としては、有機化合物でればポルフィリン系の化合物や、フタロシアニン（
以下「Ｈ２Ｐｃ」と記す）、銅フタロシアニン（以下「ＣｕＰｃ」と記す）などが有効で
ある。また、使用する正孔輸送材料よりもイオン化ポテンシャルの値が小さく、かつ、正
孔輸送機能をもつ材料であれば、これも正孔注入材料として使用できる。導電性高分子化
合物に化学ドーピングを施した材料もあり、ポリスチレンスルホン酸（以下「ＰＳＳ」と
記す）をドープしたポリエチレンジオキシチオフェン（以下「ＰＥＤＯＴ」と記す）や、
ポリアニリンなどが挙げられる。また、絶縁体の高分子化合物も陽極の平坦化の点で有効
であり、ポリイミド（以下「ＰＩ」と記す）がよく用いられる。さらに、無機化合物も用
いられ、金や白金などの金属薄膜の他、酸化アルミニウム（以下「アルミナ」と記す）の
超薄膜などがある。
【０２６４】
正孔輸送材料として最も広く用いられているのは、芳香族アミン系（すなわち、ベンゼ
ン環−窒素の結合を有するもの）の化合物である。広く用いられている材料として、４，
４’−ビス（ジフェニルアミノ）−ビフェニル（以下、「ＴＡＤ」と記す）や、その誘導
体である４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフ
ェニル（以下、「ＴＰＤ」と記す）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェ
ニル−アミノ］−ビフェニル（以下、「α−ＮＰＤ」と記す）がある。４，４’，４”−
トリス（Ｎ，Ｎ− ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（以下、「ＴＤＡＴＡ」
と記す）、４，４’，４”−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ− フェニル−ア
ミノ］−トリフェニルアミン（以下、「ＭＴＤＡＴＡ」と記す）などのスターバースト型
芳香族アミン化合物が挙げられる。
【０２６５】
電子輸送材料としては、金属錯体がよく用いられ、先に述べたＡｌｑ、ＢＡｌｑ、トリ
ス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（以下、「Ａｌｍｑ」と記す）、ビス
（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（以下、「ＢｅＢｑ」と記す
）などのキノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体などがある。また、ビ
ス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾラト］亜鉛（以下、「Ｚｎ（ＢＯ
Ｘ）２」と記す）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾチアゾラト］亜鉛（
以下、「Ｚｎ（ＢＴＺ）２」と記す）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有す
る金属錯体もある。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−
ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（以下、「ＰＢＤ」と記す
）、ＯＸＤ−７などのオキサジアゾール誘導体、ＴＡＺ、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−２，３、４−トリ
アゾール（以下、「ｐ−ＥｔＴＡＺ」と記す）などのトリアゾール誘導体、バソフェナン
トロリン（以下、「ＢＰｈｅｎ」と記す）、ＢＣＰなどのフェナントロリン誘導体が電子
輸送性を有する。
【０２６６】
電子注入材料としては、上で述べた電子輸送材料を用いることができる。その他に、フッ
化カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウムなどの金属ハロゲン化物や、酸化リチウ
ムなどのアルカリ金属酸化物のような絶縁体の、超薄膜がよく用いられる。また、リチウ
ムアセチルアセトネート（以下、「Ｌｉ（ａｃａｃ）」と記す）や８−キノリノラト−リ
チウム（以下、「Ｌｉｑ」と記す）などのアルカリ金属錯体も有効である。
【０２６７】
発光材料としては、先に述べたＡｌｑ、Ａｌｍｑ、ＢｅＢｑ、ＢＡｌｑ、Ｚｎ（ＢＯＸ）
２、Ｚｎ（ＢＴＺ）２などの金属錯体の他、各種蛍光色素が有効である。蛍光色素として
は、青色の４，４’−ビス（２，２ − ジフェニル−ビニル）−ビフェニルや、赤橙色
の４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ
−ピランなどがある。また、三重項発光材料も可能であり、白金ないしはイリジウムを中
心金属とする錯体が主体である。三重項発光材料として、トリス（２−フェニルピリジン
）イリジウム、ビス（２−（４’−トリル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）アセチルアセトナ
トイリジウム（以下「ａｃａｃＩｒ（ｔｐｙ）２」と記す）、 ２，３，７，８，１２，
１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈポルフィリン−白金などが知られてい
る。
【０２６８】
以上で述べたような各機能を有する材料を、各々組み合わせ、高信頼性のＥＬ素子を作製
することができる。
【０２６９】
また、図３８（ｂ）に示すように図３８（ａ）とは逆の順番に層を形成したＥＬ素子を用
いることができる。つまり、基板３８１１の上に陰極３８１８、電子注入材料からなる電
子注入層３８１７、その上に電子輸送材料からなる電子輸送層３８１６、発光層３８１５
、正孔輸送材料からなる正孔輸送層３８１４、正孔注入材料からなる正孔注入層３８１３
、そして陽極３８１２を積層させた素子構造である。
【０２７０】
また、ＥＬ素子は発光を取り出すために少なくとも陽極又は陰極の一方が透明であればよ
い。そして、基板上にＴＦＴ及びＥＬ素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取り出
す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反対側の
面から発光を取り出す両面射出構造のＥＬ素子があり、本発明の画素構成はどの射出構造
のＥＬ素子にも適用することができる。
【０２７１】
上面射出構造のＥＬ素子について図３９（ａ）を用いて説明する。
【０２７２】
基板３９００上に駆動用ＴＦＴ３９０１が形成され、駆動用ＴＦＴ３９０１のソース電極
に接して第１の電極３９０２が形成され、その上に有機化合物を含む層３９０３と第２の
電極３９０４が形成されている。
【０２７３】
また、第１の電極３９０２はＥＬ素子の陽極である。そして第２の電極３９０４はＥＬ素
子の陰極である。つまり、第１の電極３９０２と第２の電極３９０４とで有機化合物を含
む層３９０３が挟まれているところがＥＬ素子となる。
【０２７４】
また、ここで、陽極として機能する第１の電極３９０２に用いる材料としては、仕事関数
の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン
膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との
積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用
いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミッ
クコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。光を反射する金属膜を
用いることで光を透過させない陽極を形成することができる。
【０２７５】
また、陰極として機能する第２の電極３９０４に用いる材料としては、仕事関数の小さい
材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、Ｃ
ａＦ２、またはＣａ３Ｎ２）からなる金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（インジウムスズ
酸化物）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いる
のが良い。こうして薄い金属薄膜と、透明性を有する透明導電膜を用いることで光を透過
させることが可能な陰極を形成することができる。
【０２７６】
こうして、図３９（ａ）の矢印に示すようにＥＬ素子からの光を上面に取り出すことが可
能になる。つまり、図３７の表示パネルに適用した場合には、封止基板３７０４側に光が
射出することになる。従って上面射出構造のＥＬ素子を表示装置に用いる場合には封止基
板３７０４は光透過性を有する基板を用いる。
【０２７７】
また、光学フィルムを設ける場合には、封止基板３７０４に光学フィルムを設ければよ
い。
【０２７８】
なお、第１の電極３９０２を陰極として機能するＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ等の仕事
関数の小さい材料からなる金属膜を用いることができる。そして、第２の電極３９０４に
はＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電
膜を用いることができる。よって、この構成によれば、上面射出の透過率を高くすること
ができる。
【０２７９】
また、下面射出構造のＥＬ素子について図３９（ｂ）を用いて説明する。射出構造以外は
図３９（ａ）と同じ構造のＥＬ素子であるため同じ符号を用いて説明する。
【０２８０】
ここで、陽極として機能する第１の電極３９０２に用いる材料としては、仕事関数の大き
い材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、インジウ
ム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜などの透明導電膜を用いることができる。透明性を有する透明
導電膜を用いることで光を透過させることが可能な陽極を形成することができる。
【０２８１】
また、陰極として機能する第２の電極３９０４に用いる材料としては、仕事関数の小さい
材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、Ｃ
ａＦ２、またはＣａ３Ｎ２）からなる金属膜を用いることができる。こうして、光を反射
する金属膜を用いることで光が透過しない陰極を形成することができる。
【０２８２】
こうして、図３９（ｂ）の矢印に示すようにＥＬ素子からの光を下面に取り出すことが可
能になる。つまり、図３７の表示パネルに適用した場合には、基板３７１０側に光が射出
することになる。従って下面射出構造のＥＬ素子を表示装置に用いる場合には封止基板３
７０４は光透過性を有する基板を用いる。
【０２８３】
また、光学フィルムを設ける場合には、基板３７１０に光学フィルムを設ければよい。
【０２８４】
両面射出構造のＥＬ素子について図３９（ｃ）を用いて説明する。射出構造以外は図３９
（ａ）と同じ構造のＥＬ素子であるため同じ符号を用いて説明する。
【０２８５】
ここで、陽極として機能する第１の電極３９０２に用いる材料としては、仕事関数の大き
い材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、インジウ
ム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜などの透明導電膜を用いることができる。透明性を有する透明
導電膜を用いることで光を透過させることが可能な陽極を形成することができる。
【０２８６】
また、陰極として機能する第２の電極３９０４に用いる材料としては、仕事関数の小さい
材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、Ｃ
ａＦ２、またはＣａ３Ｎ２）からなる金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（インジウムスズ
酸化物）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等
）との積層を用いるのが良い。こうして薄い金属薄膜と、透明性を有する透明導電膜を用
いることで光を透過させることが可能な陰極を形成することができる。
【０２８７】
こうして、図３９（ｃ）の矢印に示すようにＥＬ素子からの光を両面に取り出すことが可
能になる。つまり、図３７の表示パネルに適用した場合には、基板３７１０側と封止基板
３７０４側に光が射出することになる。従って両面射出構造のＥＬ素子を表示装置に用い
る場合には基板３７１０および封止基板３７０４は、ともに光透過性を有する基板を用い
る。
【０２８８】
また、光学フィルムを設ける場合には、基板３７１０および封止基板３７０４の両方に
光学フィルムを設ければよい。
【０２８９】
また、白色のＥＬ素子とカラーフィルターを用いてフルカラー表示を実現する表示装置に
も本発明を適用することが可能である。
【０２９０】
図４０に示すように、基板４０００上に下地膜４００２が形成され、その上に駆動用ＴＦ
Ｔ４００１が形成され、駆動用ＴＦＴ４００１のソース電極に接して第１の電極４００３
が形成され、その上に有機化合物を含む層４００４と第２の電極４００５が形成されてい
る。
【０２９１】
また、第１の電極４００３はＥＬ素子の陽極である。そして第２の電極４００５はＥＬ素
子の陰極である。つまり、第１の電極４００３と第２の電極４００５とで有機化合物を含
む層４００４が挟まれているところがＥＬ素子となる。図４０の構成では白色光を発光す
る。そして、ＥＬ素子の上部に赤色のカラーフィルター４００６Ｒ、緑色のカラーフィル
ター４００６Ｇ、青色のカラーフィルター４００６Ｂを設けられており、フルカラー表示
を行うことができる。また、これらのカラーフィルターを隔離するブラックマトリクス（
ＢＭともいう）４００７が設けられている。
【０２９２】
上述したＥＬ素子の構成は組み合わせて用いることができ、本発明の画素構成を有する
表示装置に適宜用いることができる。また、上述した表示パネルの構成や、ＥＬ素子は例
示であり、もちろん本発明の画素構成は他の構成の表示装置に適用することもできる。
【０２９３】
次に、表示パネルの画素部の部分断面図を示す。
【０２９４】
まず、トランジスタの半導体層に結晶性半導体膜（ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）膜）を用い
た場合について図４１及び図４２を用いて説明する。
【０２９５】
ここで、半導体層は、例えば基板上にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を公知の成膜
法で形成する。なお、アモルファスシリコン膜に限定する必要はなく、非晶質構造を含む
半導体膜（微結晶半導体膜を含む）であれば良い。さらに非晶質シリコンゲルマニウム膜
などの非晶質構造を含む化合物半導体膜でも良い。
【０２９６】
そして、アモルファスシリコン膜をレーザ結晶化法や、ＲＴＡやファーネスアニール炉を
用いた熱結晶化法や、結晶化を助長する金属元素を用いた熱結晶化法などとにより結晶化
させる。もちろん、これらを組み合わせて行っても良い。
【０２９７】
上述した結晶化によって、非晶質半導体膜に部分的に結晶化された領域が形成される。
【０２９８】
さらに、部分的に結晶性が高められた結晶性半導体膜を所望の形状にパターニングして
、結晶化された領域から島状の半導体膜を形成する。この半導体膜をトランジスタの半導
体層に用いる。なお、パターニングとは、膜を形状加工することをいい、フォトリソグラ
フィー技術によって膜のパターンを形成すること（例えば、感光性アクリルにコンタクト
ホールを形成することや、感光性アクリルをスペーサとなるように形状加工することも含
む）や、フォトリソグラフィー技術によってマスクパターンを形成し、当該マスクパター
ンを用いてエッチング加工を行うことなどをいう。
【０２９９】
図４１に示すように、基板４１０１上に下地膜４１０２が形成され、その上に半導体層が
形成されている。半導体層は駆動トランジスタ４１１８のチャネル形成領域４１０３及び
ソース又はドレイン領域となる不純物領域４１０５、並びに容量素子４１１９の下部電極
となるチャネル形成領域４１０６、ＬＤＤ領域４１０７及び不純物領域４１０８を有する
。なお、チャネル形成領域４１０３及びチャネル形成領域４１０６にはチャネルドープが
行われていても良い。
【０３００】
基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板、プラスチック基板などを用いることがで
きる。また、下地膜４１０２としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ
２）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）などの単層やこれらの積層を用いることができる。
【０３０１】
半導体層上にはゲート絶縁膜４１０９を介してゲート電極４１１０及び容量素子の上部電
極４１１１が形成されている。
【０３０２】
駆動トランジスタ４１１８及び容量素子４１１９を覆って層間絶縁膜４１１２が形成され
、層間絶縁膜４１１２上にコンタクトホールを介して配線４１１３が不純物領域４１０５
と接している。配線４１１３に接して画素電極４１１４が形成され、画素電極４１１４の
端部及び配線４１１３を覆って絶縁物４１１５が形成されている。ここでは、ポジ型の感
光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。そして、画素電極４１１４上に有機化
合物を含む層４１１６及び対向電極４１１７が形成され、画素電極４１１４と対向電極４
１１７とで有機化合物を含む層４１１６が挟まれた領域ではＥＬ素子４１２０が形成され
ている。
【０３０３】
また、図４１（ｂ）に示すように、容量素子４１１９の下部電極の一部を構成するＬＤＤ
領域が、上部電極４１１１と重なるような領域４１２３を設けても良い。なお、図４１（
ａ）と共通するところは共通の符号を用い、説明は省略する。
【０３０４】
また、図４２（ａ）に示すように、駆動トランジスタ４１１８の不純物領域４１０５と接
する配線４１１３と同じ層に形成された第２の上部電極４１２１を有していても良い。な
お、図４１（ａ）と共通するところは共通の符号を用い、説明は省略する。第２の上部電
極４１２１と上部電極４１１１とで層間絶縁膜４１１２を挟みこみ、第２の容量素子を構
成している。また、第２の上部電極４１２１は不純物領域４１０８と接しているため、上
部電極４１１１とチャネル形成領域４１０６とでゲート絶縁膜４１０９を挟みこんで構成
される第１の容量素子と、上部電極４１１１と第２の上部電極４１２１とで層間絶縁膜４
１１２を挟みこんで構成される第２の容量素子と、が並列に接続され、第１の容量素子と
第２の容量素子からなる容量素子４１２２を構成している。この容量素子４１２２の容量
は第１の容量素子と第２の容量素子の容量を加算した合成容量であるため、小さい面積で
大きな容量の容量素子を形成することができる。つまり、本発明の画素構成の容量素子と
して用いるとより開口率の向上が図れる。
【０３０５】
また、図４２（ｂ）に示すような容量素子の構成としても良い。基板４２０１上に下地膜
４２０２が形成され、その上に半導体層が形成されている。半導体層は駆動トランジスタ
４２１８のチャネル形成領域４２０３及びソース又はドレイン領域となる不純物領域４２
０５を有する。なお、チャネル形成領域４２０３はチャネルドープが行われていても良い
。
【０３０６】
基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板、プラスチック基板などを用いることがで
きる。また、下地膜４１０２としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ
２）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）などの単層やこれらの積層を用いることができる。
【０３０７】
半導体層上にはゲート絶縁膜４２０６を介してゲート電極４２０７及び第１の電極４２０
８が形成されている。
【０３０８】
駆動トランジスタ４２１８及び第１の電極４２０８を覆って第１の層間絶縁膜４２０９が
形成され、第１の層間絶縁膜４２０９上にコンタクトホールを介して配線４２１０が不純
物領域４２０５と接している。また、配線４２１０と同じ材料からなる同層の第２の電極
４２１１が形成される。
【０３０９】
さらに、配線４２１０及び第２の電極４２１１を覆うように第２の層間絶縁膜４２１２が
形成され、第２の層間絶縁膜４２１２上にコンタクトホールを介して、配線４２１０と接
して画素電極４２１３が形成されている。また、画素電極４２１３のと同じ材料からなる
同層の第３の電極４２１４が形成されている。ここで、第１の電極４２０８、第２の電極
４２１１及び第３の電極４２１４からなる容量素子４２１９が形成される。
【０３１０】
画素電極４２１３と第３の電極４２１４の端部を覆って絶縁物４２１５が形成され、第３
の絶縁物４２１５及び第３の電極４２１４上に有機化合物を含む層４２１６及び対向電極
４２１７が形成され、画素電極４２１３と対向電極４２１７とで有機化合物を含む層４２
１６が挟まれた領域ではＥＬ素子４２２０が形成されている。
【０３１１】
上述したように、結晶性半導体膜を半導体層に用いたトランジスタの構成は図４１及び図
４２に示したような構成が挙げられる。なお、図４１及び図４２に示したトランジスタの
構造はトップゲートの構造のトランジスタの一例である。つまり、トランジスタはＰ型で
もＮ型でもよい。Ｎ型の場合には、ＬＤＤ領域はゲート電極と重なっていても良いし、ゲ
ート電極と重なっていなくても良いし、又はＬＤＤ領域の一部の領域が重なっていてもよ
い。さらに、ゲート電極はテーパー形状でもよく、ゲート電極のテーパー部の下部にＬＤ
Ｄ領域が自己整合的に設けられていても良い。また、ゲート電極は二つに限られず三以上
のマルチゲート構造でも良いし、一つのゲート電極でも良い。
【０３１２】
また、半導体層にポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）を用いたトランジスタの構成として、基板と
半導体層の間にゲート電極が挟まれた構造、つまり、半導体層の下にゲート電極が位置す
るボトムゲートのトランジスタを適用した表示パネルの部分断面を図４５に示す。
【０３１３】
基板４５０１上に下地膜４５０２が形成されている。さらに下地膜４５０２上にゲート
電極４５０３が形成されている。また、ゲート電極と同層に同じ材料からなる第１の電極
４５０４が形成されている。ゲート電極４５０３の材料にはリンが添加された多結晶シリ
コンを用いることができる。多結晶シリコンの他に、金属とシリコンの化合物であるシリ
サイドでもよい。
【０３１４】
また、ゲート電極４５０３及び第１の電極４５０４を覆うようにゲート絶縁膜４５０５が
形成されている。ゲート絶縁膜４５０５としては酸化珪素膜や窒化珪素膜などが用いられ
る。
【０３１５】
また、ゲート絶縁膜４５０５上に、半導体層が形成されている。半導体層は駆動トラン
ジスタ４５２２のチャネル形成領域４５０６、ＬＤＤ領域４５０７及びソース又はドレイ
ン領域となる不純物領域４５０８、並びに容量素子４５２３の第２の電極となるチャネル
形成領域４５０９、ＬＤＤ領域４５１０及び不純物領域４５１１を有する。なお、チャネ
ル形成領域４５０６及びチャネル形成領域４５０９はチャネルドープが行われていても良
い。
【０３１６】
基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板、プラスチック基板などを用いることがで
きる。また、下地膜４５０２としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ
２）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）などの単層やこれらの積層を用いることができる。
【０３１７】
半導体層を覆って第１の層間絶縁膜４５１２が形成され、第１の層間絶縁膜４５１２上に
コンタクトホールを介して配線４５１３が不純物領域４５０８と接している。また、配線
４５１３と同層に同じ材料で第３の電極４５１４が形成されている。第１の電極４５０４
、第２の電極、第３の電極４５１４によって容量素子４５２３が構成されている。
【０３１８】
また、第１の層間絶縁膜４５１２には開口部４５１５が形成されている。駆動トランジス
タ４５２２、容量素子４５２３及び開口部４５１５を覆うように第２の層間絶縁膜４５１
６が形成され、第２の層間絶縁膜４５１６上にコンタクトホールを介して、画素電極４５
１７が形成されている。また、画素電極４５１７の端部を覆って絶縁物４５１８が形成さ
れている。例えば、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることができる。そして、画素
電極４５１７上に有機化合物を含む層４５１９及び対向電極４５２０が形成され、画素電
極４５１７と対向電極４５２０とで有機化合物を含む層４５１９が挟まれた領域ではＥＬ
素子４５２１が形成されている。そして、ＥＬ素子４５２１の下部に開口部４５１５が位
置している。つまり、ＥＬ素子４５２１からの発光を基板側から取り出すときには開口部
４５１５を有するため透過率を高めることができる。
【０３１９】
また、図４５（ａ）において画素電極４５１７と同層に同じ材料を用いて第４の電極４５
２４を形成して、図４５（ｂ）のような構成としてもよい。すると、第１の電極４５０４
、第２の電極、第３の電極４５１４及び第４の電極４５２４によって構成される容量素子
４５２５を形成することができる。
【０３２０】
次に、トランジスタの半導体層にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜を用いた場合
について説明する。図４６にはトップゲートのトランジスタ、図４７及び図４５にはボト
ムゲートのトランジスタの場合について示す。
【０３２１】
アモルファスシリコンを半導体層に用いた順スタガ構造のトランジスタの断面を図４６（
ａ）に示す。に示すように、基板４６０１上に下地膜４６０２が形成されている。さらに
下地膜４６０２上に画素電極４６０３が形成されている。また、画素電極４６０３と同層
に同じ材料からなる第１の電極４６０４が形成されている。
【０３２２】
基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板、プラスチック基板などを用いることがで
きる。また、下地膜４６０２としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ
２）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）などの単層やこれらの積層を用いることができる。
【０３２３】
また、下地膜４６０２上に配線４６０５及び配線４６０６が形成され、画素電極４６０３
の端部が配線４６０５で覆われている。配線４６０５及び配線４６０６の上部にＮ型の導
電型を有するＮ型半導体層４６０７及びＮ型半導体層４６０８が形成されている。また、
配線４６０６と配線４６０５の間であって、下地膜４６０２上に半導体層４６０９が形成
されている。そして、半導体層４６０９の一部はＮ型半導体層４６０７及びＮ型半導体層
４６０８上にまで延長されている。なお、この半導体層はアモルファスシリコン（ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ）、微結晶半導体（μ−Ｓｉ：Ｈ）等の非結晶性を有する半導体膜で形成されてい
る。また、半導体層４６０９上にゲート絶縁膜４６１０が形成されている。また、ゲート
絶縁膜４６１０と同層の同じ材料からなる絶縁膜４６１１が第１の電極４６０４上にも形
成されている。なお、ゲート絶縁膜４６１０としては酸化珪素膜や窒化珪素膜などが用い
られる。
【０３２４】
また、ゲート絶縁膜４６１０上に、ゲート電極４６１２が形成されている。また、ゲー
ト電極と同層に同じ材料でなる第２の電極４６１３が第１の電極４６０４上に絶縁膜４６
１１を介して形成されている。第１の電極４６０４及び第２の電極４６１３で絶縁膜４６
１１を挟まれた容量素子４６１９が形成されている。また、画素電極４６０３の端部、駆
動トランジスタ４６１８及び容量素子４６１９を覆い、層間絶縁膜４６１４が形成されて
いる。
【０３２５】
層間絶縁膜４６１４及びその開口部に位置する画素電極４６０３上に有機化合物を含む層
４６１５及び対向電極４６１６が形成され、画素電極４６０３と対向電極４６１６とで有
機化合物を含む層４６１５が挟まれた領域ではＥＬ素子４６１７が形成されている。
【０３２６】
また、図４６（ａ）に示す第１の電極４６０４を図４６（ｂ）に示すように第１の電極４
６２０で形成してもよい。第１の電極４６２０は配線４６０５及び４６０６と同層の同一
材料で形成されている。
【０３２７】
また、アモルファスシリコンを半導体層に用いたボトムゲート構造のトランジスタを用い
た表示パネルの部分断面を図４７に示す。
【０３２８】
基板４７０１上に下地膜４７０２が形成されている。さらに下地膜４７０２上にゲート
電極４７０３が形成されている。また、ゲート電極と同層に同じ材料からなる第１の電極
４７０４が形成されている。ゲート電極４７０３の材料にはリンが添加された多結晶シリ
コンを用いることができる。多結晶シリコンの他に、金属とシリコンの化合物であるシリ
サイドでもよい。
【０３２９】
また、ゲート電極４７０３及び第１の電極４７０４を覆うようにゲート絶縁膜４７０５が
形成されている。ゲート絶縁膜４７０５としては酸化珪素膜や窒化珪素膜などが用いられ
る。
【０３３０】
また、ゲート絶縁膜４７０５上に、半導体層４７０６が形成されている。また、半導体
層４７０６と同層に同じ材料からなる半導体層４７０７が形成されている。
【０３３１】
基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板、プラスチック基板などを用いることがで
きる。また、下地膜４７０２としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ
２）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）などの単層やこれらの積層を用いることができる。
【０３３２】
半導体層４７０６上にはＮ型の導電性を有するＮ型半導体層４７０８、４７０９が形成さ
れ、半導体層４７０７上にはＮ型半導体層４７１０が形成されている。
【０３３３】
Ｎ型半導体層４７０８、４７０９、４７１０上にはそれぞれ配線４７１１、４７１２が形
成され、Ｎ型半導体層４７１０上には配線４７１１及び４７１２と同層の同一材料からな
る導電層４７１３が形成されている。
【０３３４】
半導体層４７０７、Ｎ型半導体層４７１０及び導電層４７１３からなる第２の電極が構成
される。なお、この第２の電極と第１の電極４７０４でゲート絶縁膜４７０５を挟み込ん
だ構造の容量素子４７２０が形成されている。
【０３３５】
また、配線４７１１の一方の端部は延在し、その延在した配線４７１１上部に接して画素
電極４７１４が形成されている。
【０３３６】
また、画素電極４７１４の端部、駆動トランジスタ４７１９及び容量素子４７２０を覆う
ように絶縁物４７１５が形成されている。
【０３３７】
画素電極４７１４及び絶縁物４７１５上には有機化合物を含む層４７１６及び対向電極４
７１７が形成され、画素電極４７１４と対向電極４７１７とで有機化合物を含む層４７１
６が挟まれた領域ではＥＬ素子４７１８が形成されている。
【０３３８】
容量素子の第２の電極の一部となる半導体層４７０７及びＮ型半導体層４７１０は設けな
くても良い。つまり第２の電極は導電層４７１３とし、第１の電極４７０４と導電層４７
１３でゲート絶縁膜４７０５が挟まれた構造の容量素子としてもよい。
【０３３９】
なお、図４７（ａ）において、配線４７１１を形成する前に画素電極４７１４を形成する
ことで、図４７（ｂ）に示すような、画素電極４７１４からなる第２の電極４７２１と第
１の電極４７０４でゲート絶縁膜４７０５が挟まれた構造の容量素子４７２２を形成する
ことができる。
【０３４０】
なお、図４７では、逆スタガ型のチャネルエッチ構造のトランジスタについて示したが、
もちろんチャネル保護構造のトランジスタでも良い。チャネル保護構造のトランジスタの
場合について、図４８（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。
【０３４１】
図４８（ａ）に示すチャネル保護型構造のトランジスタは図４７（ａ）に示したチャネル
エッチ構造の駆動トランジスタ４７１９の半導体層４７０６のチャネルが形成される領域
上にエッチングのマスクとなる絶縁物４８０１が設けられている点が異なり、他の共通し
ているところは共通の符号を用いている。
【０３４２】
また、同様に、図４５（ｂ）に示すチャネル保護型構造のトランジスタは図４７（ｂ）に
示したチャネルエッチ構造の駆動トランジスタ４７１９の半導体層４７０６のチャネルが
形成される領域上にエッチングのマスクとなる絶縁物４８０１が設けられている点が異な
り、他の共通しているところは共通の符号を用いている。
【０３４３】
画素を構成するトランジスタの半導体層（チャネル形成領域やソース領域やドレイン領域
など）に非晶質半導体膜を用いることで、製造コストを削減することができる。
【０３４４】
なお、本発明の表示パネルに適用することができるトランジスタの構造や、容量素子の構
造は上述した構成に限られず、さまざまな構成のトランジスタの構造や、容量素子の構造
のものを用いることができる。
【０３４５】
（実施の形態１３）
本発明の表示装置は様々な電子機器に適用することができる。具体的には電子機器の表示
部に適用することができる。そのような電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ
、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、
オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュー
タ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体
的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し
、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。
【０３４６】
図４９（Ａ）はディスプレイであり、筐体４９００１、支持台４９００２、表示部４９０
０３、スピーカー部４９００４、ビデオ入力端子４９００５等を含む。本発明の表示装置
を表示部４９００３に用いることができる。なお、ディスプレイは、パーソナルコンピュ
ータ用、テレビジョン放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用表示装置が含まれ
る。本発明の表示装置を表示部４９００３に用いたディスプレイは、画面の焼き付きを低
減することができる。
【０３４７】
近年、ディスプレイの大型化のニーズが強くなっている。そして、ディスプレイの大型化
に伴い価格の上昇が問題となっている、よって、いかに製造コストの削減を図り、高品質
な製品を少しでも低価格に抑えるかが課題となる。
【０３４８】
図４９（Ｂ）はカメラであり、本体４９１０１、表示部４９１０２、受像部４９１０３、
操作キー４９１０４、外部接続ポート４９１０５、シャッター４９１０６等を含む。
【０３４９】
近年、デジタルカメラなどの高性能化に伴い、生産競争は激化している。そして、いかに
高性能なものを低価格に抑えるかが重要となる。本発明の表示装置を表示部４９１０２に
用いたデジタルカメラは、画面の焼き付きを低減することができる。
【０３５０】
図４９（Ｃ）はコンピュータであり、本体４９２０１、筐体４９２０２、表示部４９２
０３、キーボード４９２０４、外部接続ポート４９２０５、ポインティングマウス４９２
０６等を含む。本発明の表示装置を表示部４９２０３に用いたコンピュータは、画面の焼
き付きを低減することができる。
【０３５１】
図４９（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体４９３０１、表示部４９３０２、ス
イッチ４９３０３、操作キー４９３０４、赤外線ポート４９３０５等を含む。本発明の表
示装置を表示部４９３０２に用いたモバイルコンピュータは、画面の焼き付きを低減する
ことができる。
【０３５２】
図４９（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）で
あり、本体４９４０１、筐体４９４０２、表示部Ａ４９４０３、表示部Ｂ４９４０４、記
録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部４９４０５、操作キー４９４０６、スピーカー部４９４０
７等を含む。表示部Ａ４９４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ４９４０４は主
として文字情報を表示することができる。本発明の表示装置を表示部Ａ４９４０３や表示
部Ｂ４９４０４に用いた画像再生装置は、画面の焼き付きを低減することができる。
【０３５３】
図４９（Ｆ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体４９５０１、表示部４９５０２、
アーム部４９５０３を含む。本発明の表示装置を表示部４９５０２に用いたゴーグル型デ
ィスプレイは、画面の焼き付きを低減することができる。
【０３５４】
図４９（Ｇ）はビデオカメラであり、本体４９６０１、表示部４９６０２、筐体４９６
０３、外部接続ポート４９６０４、リモコン受信部４９６０５、受像部４９６０６、バッ
テリー４９６０７、音声入力部４９６０８、操作キー４９６０９、接眼部４９６１０等を
含む。本発明の表示装置を表示部４９６０２に用いたビデオカメラは、画面の焼き付きを
低減することができる。
【０３５５】
図４９（Ｈ）は携帯電話機であり、本体４９７０１、筐体４９７０２、表示部４９７０
３、音声入力部４９７０４、音声出力部４９７０５、操作キー４９７０６、外部接続ポー
ト４９７０７、アンテナ４９７０８等を含む。
【０３５６】
このように本発明は、あらゆる電子機器に適用することが可能である。
【０３５７】
（実施の形態１４）
本実施の形態において、本発明の表示装置を表示部に有する携帯電話機の構成例について
図５２を用いて説明する。
【０３５８】
表示パネル５２１０はハウジング５２００に脱着自在に組み込まれる。ハウジング５２
００は表示パネル５２１０のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる
。表示パネル５２１０を固定したハウジング５２００はプリント基板５２０１に嵌入され
モジュールとして組み立てられる。
【０３５９】
表示パネル５２１０はＦＰＣ５２１１を介してプリント基板５２０１に接続される。プ
リント基板５２０１には、スピーカ５２０２、マイクロフォン５２０３、送受信回路５２
０４、ＣＰＵ及びコントローラなどを含む信号処理回路５２０５が形成されている。この
ようなモジュールと、入力手段５２０６、バッテリ５２０７を組み合わせ、筐体５２０９
に収納する。表示パネル５２１０の画素部は筐体５２０９に形成された開口窓から視認で
きように配置する。
【０３６０】
表示パネル５２１０は、画素部と一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周波
数の低い駆動回路）を基板上にＴＦＴを用いて一体形成し、一部の周辺駆動回路（複数の
駆動回路のうち動作周波数の高い駆動回路）をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップを
ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）で表示パネル５２１０に実装しても良い。あるい
は、そのＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏ Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を
用いてガラス基板と接続してもよい。なお、一部の周辺駆動回路を基板上に画素部と一体
形成し、他の周辺駆動回路を形成したＩＣチップをＣＯＧ等で実装した表示パネルの構成
は図４３（ａ）に一例を示してある。このような構成とすることで、表示装置の低消費電
力化を図り、携帯電話機の一回の充電による使用時間を長くすることができる。また、携
帯電話機の低コスト化を図ることができる。
【０３６１】
また、本実施の形態に示した構成は携帯電話の一例であって、本発明の表示装置はこのよ
うな構成の携帯電話機に限られず様々な構成の携帯電話機に適用することができる。
【０３６２】
（実施の形態１５）
図５０は表示パネル５００１と、回路基板５００２を組み合わせたＥＬモジュールを示
している。表示パネル５００１は画素部５００３、走査線駆動回路５００４及び信号線駆
動回路５００５を有している。回路基板５００２には、例えば、コントロール回路５００
６や信号分割回路５００７などが形成されている。表示パネル５００１と回路基板５００
２は接続配線５００８によって接続されている。接続配線にはＦＰＣ等を用いることがで
きる。
【０３６３】
表示パネル５００１は、画素部と一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周波数
の低い駆動回路）を基板上にＴＦＴを用いて一体形成し、一部の周辺駆動回路（複数の駆
動回路のうち動作周波数の高い駆動回路）をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップをＣ
ＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）などで表示パネル５００１に実装するとよい。ある
いは、そのＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏ Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板
を用いて表示パネル５００１に実装しても良い。なお、一部の周辺駆動回路を基板上に画
素部と一体形成し、他の周辺駆動回路を形成したＩＣチップをＣＯＧ等で実装した構成は
図４３（ａ）に一例を示してある。
【０３６４】
また、さらに消費電力の低減を図るため、ガラス基板上にＴＦＴを用いて画素部を形成し
、全ての周辺駆動回路をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏ
ｎ Ｇｌａｓｓ）表示パネルに実装してもよい。
【０３６５】
なお、非晶質半導体膜を、画素を構成するトランジスタの半導体層に適用する場合には、
基板上にＴＦＴを用いて画素部を形成し、全ての周辺駆動回路をＩＣチップ上に形成し、
そのＩＣチップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）で表示パネルに実装するとよい
。なお、基板上に画素部を形成し、その基板上に周辺駆動回路を形成したＩＣチップをＣ
ＯＧ等で実装した構成は図４３（ｂ）に一例を示してある。
【０３６６】
このＥＬモジュールによりＥＬテレビ受像機を完成させることができる。図５１は、Ｅ
Ｌテレビ受像機の主要な構成を示すブロック図である。チューナ５１０１は映像信号と音
声信号を受信する。映像信号は、映像信号増幅回路５１０２と、そこから出力される信号
を赤、緑、青の各色に対応した色信号に変換する映像信号処理回路５１０３と、その映像
信号を駆動回路の入力仕様に変換するためのコントロール回路５００６により処理される
。コントロール回路５００６は、走査線側と信号線側にそれぞれ信号が出力する。デジタ
ル駆動する場合には、信号線側に信号分割回路５００７を設け、入力デジタル信号をｍ個
に分割して供給する構成としても良い。
【０３６７】
チューナ５１０１で受信した信号のうち、音声信号は音声信号増幅回路５１０４に送ら
れ、その出力は音声信号処理回路５１０５を経てスピーカー５１０６に供給される。制御
回路５１０７は受信局（受信周波数）や音量の制御情報を入力部５１０８から受け、チュ
ーナ５１０１や音声信号処理回路５１０５に信号を送出する。
【０３６８】
図４９（Ａ）に示すように、図５０のＥＬモジュールを筐体４９００１に組みこんで、
テレビ受像機を完成させることができる。ＥＬモジュールにより、表示部４９００３が形
成される。また、スピーカー部４９００４、ビデオ入力端子４９００５などが適宜備えら
れている。
【０３６９】
勿論、本発明はテレビ受像機に限定されず、パーソナルコンピュータのモニタをはじめ
、鉄道の駅や空港などにおける情報表示盤や、街頭における広告表示盤など特に大面積の
表示媒体として様々な用途に適用することができる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第１のスイッチと、第２のスイッチと、第３のスイッチと、表示素子と、第１の電流源回路と、を有し、
前記第１のスイッチの第１の端子は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のスイッチの第２の端子は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第１の端子は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第２の端子は、前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のスイッチの第１の端子は、前記第１の電流源回路と電気的に接続され、
前記第３のスイッチの第２の端子は、前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記表示素子と電気的に接続されることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の電流源回路は、前記表示素子の劣化の程度に応じた電流を供給する機能を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記表示素子の劣化の程度が大きいほど、前記第１の電流源回路の電流は小さくなることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
充電中において、前記第１の電流源から前記発光素子に電流が供給されることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の電流源回路は、第２のトランジスタと、第４のスイッチと、第５のスイッチと、を有し、
前記第１のスイッチの第１の端子は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第２の端子は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第１の端子は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第２の端子は、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第３のスイッチの第１の端子と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項５において、
第２の電流源回路を有し、
前記第２の電流源回路は、前記第３の配線と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の表示装置と、操作スイッチとを有することを特徴とする電子機器。
【請求項１】
第１のトランジスタと、第１のスイッチと、第２のスイッチと、第３のスイッチと、表示素子と、第１の電流源回路と、を有し、
前記第１のスイッチの第１の端子は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のスイッチの第２の端子は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第１の端子は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第２の端子は、前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のスイッチの第１の端子は、前記第１の電流源回路と電気的に接続され、
前記第３のスイッチの第２の端子は、前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記表示素子と電気的に接続されることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の電流源回路は、前記表示素子の劣化の程度に応じた電流を供給する機能を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記表示素子の劣化の程度が大きいほど、前記第１の電流源回路の電流は小さくなることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
充電中において、前記第１の電流源から前記発光素子に電流が供給されることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の電流源回路は、第２のトランジスタと、第４のスイッチと、第５のスイッチと、を有し、
前記第１のスイッチの第１の端子は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第２の端子は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第１の端子は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第２の端子は、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第３のスイッチの第１の端子と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項５において、
第２の電流源回路を有し、
前記第２の電流源回路は、前記第３の配線と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の表示装置と、操作スイッチとを有することを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【図４５】
【図４６】
【図４７】
【図４８】
【図４９】
【図５０】
【図５１】
【図５２】
【図５３】
【図５４】
【図５５】
【図５６】
【図５７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【図４５】
【図４６】
【図４７】
【図４８】
【図４９】
【図５０】
【図５１】
【図５２】
【図５３】
【図５４】
【図５５】
【図５６】
【図５７】
【公開番号】特開２０１２−１２３４１４（Ｐ２０１２−１２３４１４Ａ）
【公開日】平成２４年６月２８日（２０１２．６．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−３３８６５（Ｐ２０１２−３３８６５）
【出願日】平成２４年２月２０日（２０１２．２．２０）
【分割の表示】特願２００６−２１９８７３（Ｐ２００６−２１９８７３）の分割
【原出願日】平成１８年８月１１日（２００６．８．１１）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年６月２８日（２０１２．６．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年２月２０日（２０１２．２．２０）
【分割の表示】特願２００６−２１９８７３（Ｐ２００６−２１９８７３）の分割
【原出願日】平成１８年８月１１日（２００６．８．１１）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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