複数の接触部を有する発光素子
【課題】複数の接触部を有する発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の一実施例による発光素子は、支持基板と、該支持基板の上に位置する反射層と、該反射層の上に位置する透明層と、該透明層の上に位置する発光スタック層と、該透明層と該反射層との間に位置するエッチング阻止層と、該発光スタック層と該透明層との間に位置する複数の接触部とを有する。
【解決手段】本発明の一実施例による発光素子は、支持基板と、該支持基板の上に位置する反射層と、該反射層の上に位置する透明層と、該透明層の上に位置する発光スタック層と、該透明層と該反射層との間に位置するエッチング阻止層と、該発光スタック層と該透明層との間に位置する複数の接触部とを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子に関し、特に、複数の接触部を有する発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在のところ、発光ダイオード（ＬＥＤ）が例えば光学表示装置、交通信号装置、データ記憶装置、通信装置、照明装置及び医療機器に関する分野で幅広く使用されている。従来のＬＥＤは、基板と発光スタック層との間に位置する金属の電流拡散層、例えば、Ｔｉ／Ａｕ又はＣｒ／Ａｕの金属層を有する。しかし、金属の電流拡散層によりＬＥＤからの光を吸収することができるので、ＬＥＤの発光効率が低くなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、複数の接触部を有する発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
一実施例による発光素子は、支持基板と、該支持基板の上に形成される反射層と、該反射層の上に形成される透明層と、該透明層の上に形成される発光スタック層と、該発光スタック層と該反射層との間に形成されるエッチング阻止層と、該発光スタック層の中に形成される貫通孔と、該発光スタック層の側壁に位置し且つ該貫通孔を経由して該エッチング阻止層に実質的に接触する導電層と、を有する。
【０００５】
他の一実施例による発光素子は、支持基板と、該支持基板の上に形成される反射層と、該反射層の上に形成される透明層と、該透明層の上に形成される発光スタック層と、該透明層と該反射層との間に形成されるエッチング阻止層と、該発光スタック層と該透明層との間に形成される複数の接触部と、を有する。
【０００６】
また、一実施例による発光装置は、支持基板と、共に該支持基板の上に形成される第一発光素子及び第二発光素子であって、該第一発光素子は該支持基板の上に形成される透明層を有する第一発光素子及び第二発光素子と、該透明層の上に形成される第一発光スタック層と、該透明層と該第一発光スタック層との間に形成される接触部であって、該第二発光素子の電極と電気的に接続される接触部と、該電極と該支持基板との間に形成される第二発光スタック層と、該支持基板の上に形成され且つ該電極及び該接触部に電気的に接続される金属線と、を有する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の実施例によると、複数の接触部を有する発光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１Ａ】本発明の一実施例による発光素子の製造フローチャートである。
【図１Ｂ】本発明の一実施例による発光素子の製造フローチャートである。
【図１Ｃ】本発明の一実施例による発光素子の製造フローチャートである。
【図１Ｄ】本発明の一実施例による発光素子の製造フローチャートである。
【図１Ｅ】本発明の一実施例による発光素子の製造フローチャートである。
【図１Ｆ】本発明の一実施例による発光素子の製造フローチャートである。
【図２】本発明の他の実施例による発光素子の断面図である。
【図３】本発明の他の実施例による発光素子の断面図である。
【図４】本発明の一実施例による発光装置の断面図である。
【図５】本発明の他の実施例による発光装置の断面図である。
【図６】本発明の一実施例による光源生成装置を示す図である。
【図７】本発明の一実施例によるバックライトモジュールを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
次に、添付した図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。
【００１０】
図１Ａ〜図１Ｆは、本発明の一実施例による発光素子の製造フローチャートである。図１Ａに示すように、発光スタック層１２が成長基板１０の上に形成され、発光スタック層１２は、第一半導体層１２２と、第一半導体層１２２の上に形成される能動層１２４と、能動層１２４の上に形成される第二半導体層１２６と、を有し、そのうち、第一半導体層１２２及び第二半導体層１２６の極性は異なる。複数の導電部２０が第二の半導体層１２６の上に形成され、臨時基板１４が発光スタック層１２及び複数の導電部２０の上に形成される。図１Ｂに示すように、成長基板１０を除去した後に、複数の接触部１６は、第一半導体１２２の下に形成される。図１Ｃに示すように、透明層１８が第一半導体層１２２の下に形成され且つ複数の接触部１６を覆う。エッチング阻止層１１が透明層１８の下に形成され、及び、反射層１３が透明層１８の下に形成され且つエッチング阻止層１１を覆う。図１Ｄに示すように、支持基板１７が粘着層１５を経由して反射層１３に貼り付けられる。図１Ｅに示すように、臨時基板１４が除去された後に、一部の第一半導体層１２２を露出させるよう一部の第二半導体層１２６及び能動層１２４を除去する。貫通孔１９が第一半導体層１２２の露出した部分に形成され、また反射層１２６へ延伸して一部のエッチング阻止層１１を露出させる。図１Ｆに示すように、第二半導体層１２６の上表面が粗化されて粗化表面になる。第一電極２１が第一半導体層１２２の露出した部分に形成され、且つエッチング阻止層１１と電気的に接続するよう貫通孔１９に充填される。第二電極２２が第二半導体層１２６の上表面に形成され、複数の導電部２０と電気的に接続される。これにより、発光素子１が形成される。
【００１１】
支持基板１７は、その上に位置する発光スタック層１２及び他の層又は構造を支持するために用いられ、その材料は透明材料又は高放熱材料であっても良い。透明材料は、サファイア、ダイヤモンド、ガラス、エポキシ、石英、アクリル、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、又はＡｌＮなどを含んでも良いが、これらに限定されない。高放熱材料は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｃｄ、Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ｃｏ、Ａｕ合金、ＤＬＣ(ダイヤモンドライクカーボン)、グラファイト（石墨）、カーボンファイバー、ＭＭＣ（金属基複合材料）、ＣＭＣ（セラミックス基複合材料）、Ｓｉ、ＩＰ、ＺｎＳｅ、ＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｓＰ、ＺｎＳｅ、ＩｎＰ、ＬｉＧａＯ２、又はＬｉＡｌＯ２を含んでも良いが、これらに限定されない。粘着層１５は、支持基板１７及び反射層１３に接続されても良く、且つ複数の従属層（図示せず）を有しても良い。粘着層１５の材料は、絶縁材料又は導電材料であっても良い。絶縁材料は、ＰＩ（ポリイミド）、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、ＰＦＣＢ（パーフルオロシクロブタン）、ＭｇＯ、Ｓｕ８、エポキシ、アクリル樹脂、ＣＯＣ（環状オレフィンコポリマー）、ＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル樹脂）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ポリエーテルイミド、フルオロカーボンポリマー、ガラス、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯＸ、ＴｉＯ２、ＳｉＮＸ、又はＳＯＧ（Spin
on Glass：塗布ガラス）を含んでも良いが、これらに限定されない。導電材料は、ＩＴＯ、ＩｎＯ、ＳｎＯ、ＣＴＯ、ＡＴＯ、ＡＺＯ、ＺＴＯ、ＧＺＯ、ＺｎＯ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＩＺＯ、Ｔａ２Ｏ５、ＤＬＣ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｐｏ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｗ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｌａ、Ａｇ−Ｔｉ、Ｃｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｃｄ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ｃｏ、又はＡｕ合金等を含んでも良いが、これらに限定されない。反射層１３は、発光スタック層１２からの光線を反射することができ、その材料は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｂ、Pd、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｐｏ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｗ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｌａ、Ａｇ−Ｔｉ、Ｃｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｃｄ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ｃｏ、又はＡｕ合金等を含んでも良いが、これらに限定されない。エッチング阻止層１１は、電流を伝達することができ、また、反射層１３を破壊から守ることができ、エッチング阻止層１１の材料は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｐｏ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｗ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｌａ、Ａｇ−Ｔｉ、Ｃｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｃｄ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ｃｏ、Ａｕ合金、Ｇｅ−Ａｕ−Ｎｉ，ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、又はＧａＡｓＰ等を含んでも良いが、これらに限定されない。透明層１８は、電流の拡散能力を向上し、反射層１３と合わせて全方向反射鏡を形成して発光スタック層１２からの光を反射する反射率を上げ、また、発光スタック層１２を、反射層１３から拡散されてきた元素による破壊から守ることができる。透明層１８は、さらに、複数の従属層（図示せず）を有しても良く、その材料は、絶縁材料又は導電材料であっても良い。絶縁材料は、ＰＩ、ＢＣＢ、ＰＦＣＢ、ＭｇＯ、Ｓｕ８、エポキシ、アクリル樹脂、ＣＯＣ、ＰＭＭＡ、ＰＥＴ、ＰＣ、ポリエーテルイミド、フルオロカーボンポリマー、ガラス、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯＸ、ＴｉＯ２、ＳｉＮＸ、又はＳＯＧを含んでも良いが、これらに限定されない。導電材料は、ＩＴＯ、ＩｎＯ、ＳｎＯ、ＣＴＯ、ＡＴＯ、ＡＺＯ、ＺＴＯ、ＧＺＯ、ＺｎＯ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＩＺＯ、Ｔａ２Ｏ５、又はＤＬＣを含んでも良いが、これらに限定されない。透明層１８は、導電可能な時に、電流を伝達及び拡散することができる。
【００１２】
複数の接触部１６は、電流を伝達及び拡散することができる。複数の接触部１６の各々は、他の接触部１６と分離し、且つ、複数の従属層（図示せず）を含んでも良い。複数の接触部１６の材料は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｐｏ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｗ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｌａ、Ａｇ−Ｔｉ、Ｃｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｃｄ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ｃｏ、Ａｕ合金、Ｇｅ−Ａｕ−Ｎｉ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、又はＧａＡｓＰ等を含んでも良いが、これらに限定されない。各接触部１６の上から見る時の形状は、三角形、矩形、台形又は円形等であっても良い。円形の接触部を例とすると、その直径は、３〜１５μｍであっても良く、好ましくは、６〜１０μｍである。複数の接触部１６の面積が能動層１２４の上表面の面積に対する比は、約０．５〜６％であり、好ましくは、１〜３％である。電流の拡散能力を向上するためには、透明層１８の側面の交わる辺に近い接触部の面積は、他の接触部の面積より大きく設定される。複数の接触部１６の互いの間の距離は第一半導体層１２２の厚みによる。例えば、第一半導体層１２２の厚みが３μｍである場合は、複数の接触部１６の互いの間の距離は２０〜４０μｍである。第一半導体層１２２の厚みは薄ければ薄いほど、複数の接触部１６の互いの間の距離は短い。電流の拡散能力を向上するためには、複数の接触部１６が任意の隣接する二つの導電部２０の間に二つのライン又は三つのラインに配列されても良い。また、複数の接触部１６は、第二電極２２及び複数の導電部２０に覆われない。言い換えると、第二電極２２及び複数の導電部２０は、複数の接触部１６の真上に位置しない。
【００１３】
発光スタック層１２は、光線を生成し、且つ、半導体材料を含む。半導体材料は、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｐ、Ｎ、Ｚｎ、Ｃｄ及びＳｅからなるグループから選択される一つ以上の元素を有する。第一電極２１及び第二電極２２は、外部電圧を受けるために用いられ、その材料は、透明導電材料又は金属材料であってもよい。透明導電材料は、ＩＴＯ、ＩｎＯ、ＳｎＯ、ＣＴＯ、ＡＴＯ、ＡＺＯ、ＺＴＯ、ＧＺＯ、ＺｎＯ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＩＺＯ、Ｔａ２Ｏ５、又はＤＬＣを含んでも良いが、これらに限定されない。金属材料は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｐｏ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｗ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｌａ、Ａｇ−Ｔｉ、Ｃｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｃｄ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ｃｏ、又はＡｕ合金等を含んでもよいが、これらに限定されない。複数の導電部２０は、電流を伝達及び拡散することができ、その材料は、透明導電材料又は金属材料であっても良い。透明導電材料は、ＩＴＯ、ＩｎＯ、ＳｎＯ、ＣＴＯ、ＡＴＯ、ＡＺＯ、ＺＴＯ、ＧＺＯ、ＺｎＯ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＩＺＯ、Ｔａ２Ｏ５、又はＤＬＣを含んでも良いが、これらに限定されない。金属材料は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｐｏ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｗ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｌａ、Ａｇ−Ｔｉ、Ｃｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｃｄ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ｃｏ、又はＡｕ合金等を含んでもよいが、これらに限定されない。
【００１４】
図２に示す発光素子２では、発光スタック層１２及び透明層１８の一部を除去して一部の反射層１３及びエッチング阻止層１１を露出させ、第一電極２１が反射層１３及びエッチング層１１の露出した一部の上に形成される。
【００１５】
図３に示す発光素子３は、支持基板１７と、支持基板の上に形成される粘着層１５と、粘着層１５の上に形成される反射層１３と、反射層１３の上に形成される透明層１８と、透明層１８の上に形成される発光スタック層１２と、を有し、そのうち、複数の接触部１６及びエッチング阻止部１１が発光スタック層１２と反射層１３との間に形成され、且つ透明層１８により囲まれる。一部の発光スタック層１２を除去して一部の第一半導体１２２を露出させ、エッチング阻止層１１は、発光スタック層１２の下表面に形成される。複数の接触部１６及びエッチング阻止層１１は、反射層１３に実質的に接触しても良い。貫通孔１９が第一半導体層１２２の露出した部分に形成され、且つ、第一半導体層１２２へ延伸してそれを貫通し、一部のエッチング阻止層１１を露出させる。第一電極２１が発光スタック層１２の上において第二電極２２及び複数の導電部２０が形成されない部分に形成されても良く、発光スタック層１２の側壁に沿って延伸し、エッチング阻止層１１と電気的に接続される。第一電極２１は、選択的に、貫通孔１９に充填されてもよく、これにより、エッチング阻止層１１に電気的に接続され得る。また、発光スタック層１２の上に形成される導電層３２があっても良く、それは、発光スタック層１２の側壁に沿って延伸し、貫通孔１９に充満されてエッチング阻止層１１と電気的に接続され、第一電極２２は、さらに、発光スタック層１２及び導電層３２の上に形成されてエッチング阻止層１１と電気的に接続される。そのうち、発光スタック層１２の側壁は、上述の発光素子に面しない発光スタック層１２の側面である。導電層３２は、金属材料であっても良く、且つ、無メッキ法により形成される。金属材料は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｐｏ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｗ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｌａ、Ａｇ−Ｔｉ、Ｃｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｃｄ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ｃｏ、又はＡｕ合金等を含んでもよいが、これらに限定されない。導電層３２は、第一電極２２の形成品質を改善し、第一電極２２とエッチング阻止層との間の電気的な接続を向上することができる。
【００１６】
図４に示すように、発光装置４は、少なくとも、共に支持基板１７の上に位置する第一発光素子４１及び第二発光素子４２を有する。粘着層１５がさらに第一発光素子４１と第二発光素子４２との間に形成され、これにより、第一発光素子４１と第二発光素子４２とが分離される。粘着層１５は、絶縁材料であっても良い。粘着層１５は、接触部１６に実質的に接触してもよい。絶縁層４３が第一発光素子４１に近い第二発光スタック層４２の上表面及び側辺の部分に形成され、金属線４４が絶縁層４３及び粘着層１５の上に形成されて、第一発光素子４１の少なくとも一つの接触部１６及び第二発光素子４２の第二電極２２に電気的に接続される。他の実施例では、金属線４４はさらに第二発光素子４２の一部の発光スタック層１２に接触しても良い。本実施例では、第一発光素子４１及び第二発光素子４２は、他の実施例の第一電極２２を有しない。
【００１７】
絶縁層４３の材料は、絶縁材料であっても良く、例えば、ＰＩ、ＢＣＢ、ＰＦＣＢ、ＭｇＯ、Ｓｕ８、エポキシ、アクリル樹脂、ＣＯＣ、ＰＭＭＡ、ＰＥＴ、ＰＣ、ポリエーテルイミド、フルオロカーボンポリマー、ガラス、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯＸ、ＴｉＯ２、ＳｉＮＸ、又はＳＯＧを含んでも良いが、これらに限定されない。金属線４４の材料は、金属材料でであっても良く、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｐｏ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｗ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｌａ、Ａｇ−Ｔｉ、Ｃｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｃｄ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ｃｏ、又はＡｕ合金等を含んでもよいが、これらに限定されない。
【００１８】
図５に示すように、発光装置５の第一発光素子４１及び第二発光素子４２は、それぞれ、発光スタック層１２と透明層１８との間に形成される電流阻止層５２をさらに有する。
【００１９】
複数の接触部１６は電流阻止層５２を囲む。電流阻止層５２は、第二電極２２の真下に位置し、第二電極２２と類似する複数の延伸部（図示せず）を有しても良い。金属線４４は、第一発光素子４１の透明層及び第二発光素子４２の第二電極２２に電気的に接続される。電流阻止層５２の材料は、絶縁材料であっても良く、例えば、ＰＩ、ＢＣＢ、ＰＦＣＢ、ＭｇＯ、Ｓｕ８、エポキシ、アクリル樹脂、ＣＯＣ、ＰＭＭＡ、ＰＥＴ、ＰＣ、ポリエーテルイミド、フルオロカーボンポリマー、ガラス、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯＸ、ＴｉＯ２、ＳｉＮＸ、又はＳＯＧを含んでも良いが、これらに限定されない。
【００２０】
図６は、光源生成装置６を示す。光源生成装置６は、ダイ(die)を含み、このダイ(die)は、本発明の任意の実施例による発光素子又は発光装置を有するウェハ（Wafer）から形成される。光源生成装置６は、照明装置、例えば、街灯、車灯、又は室内照明光源であっても良く、または、交通信号装置又は平面表示器のバックライトモジュールのバックライト光源であっても良い。光源生成装置６は、上述の発光素子又は発光装置からなる光源６１と、光源６１に電源を供給する電源供給システム６２と、電源供給システム６２を制御する制御ユニット６３とを有する。
【００２１】
図７は、バックライトモジュール７の断面を示す。バックライトモジュール７は、上述の実施例における光源生成装置６と、光学ユニット７１とを含む。光学ユニット７１は、光源生成装置６からの光を平面表示器に応用できるように処理し、この光は、例えば、光源生成装置６が乱射光源生成装置である場合に発される光である。
【００２２】
以上、本発明の好ましい実施形態を説明したが、本発明はこの実施形態に限定されず、本発明の趣旨を離脱しない限り、本発明に対するあらゆる変更は本発明の範囲に属する。
【符号の説明】
【００２３】
１、２、３ 発光素子
１０ 成長基板
１１ エッチング阻止層
１２ 発光スタック層
１２２ 第一半導体層
１２４ 能動層
１２６ 第二半導体層
１３ 反射層
１４ 臨時基板
１５ 粘着層
１６ 接触部
１７ 支持基板
１８ 透明層
１９ 貫通孔
２０ 導電部
２１ 第一電極
２２ 第二電極
３２ 導電層
４、５ 発光装置
４１ 第一発光素子
４２ 第二発光素子
４３ 絶縁層
４４ 金属線
５２ 電流阻止層
６ 光源生成装置
６１ 光源
６２ 電源供給システム
６３ 制御ユニット
７ バックライトモジュール
７１ 光学ユニット
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子に関し、特に、複数の接触部を有する発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在のところ、発光ダイオード（ＬＥＤ）が例えば光学表示装置、交通信号装置、データ記憶装置、通信装置、照明装置及び医療機器に関する分野で幅広く使用されている。従来のＬＥＤは、基板と発光スタック層との間に位置する金属の電流拡散層、例えば、Ｔｉ／Ａｕ又はＣｒ／Ａｕの金属層を有する。しかし、金属の電流拡散層によりＬＥＤからの光を吸収することができるので、ＬＥＤの発光効率が低くなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、複数の接触部を有する発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
一実施例による発光素子は、支持基板と、該支持基板の上に形成される反射層と、該反射層の上に形成される透明層と、該透明層の上に形成される発光スタック層と、該発光スタック層と該反射層との間に形成されるエッチング阻止層と、該発光スタック層の中に形成される貫通孔と、該発光スタック層の側壁に位置し且つ該貫通孔を経由して該エッチング阻止層に実質的に接触する導電層と、を有する。
【０００５】
他の一実施例による発光素子は、支持基板と、該支持基板の上に形成される反射層と、該反射層の上に形成される透明層と、該透明層の上に形成される発光スタック層と、該透明層と該反射層との間に形成されるエッチング阻止層と、該発光スタック層と該透明層との間に形成される複数の接触部と、を有する。
【０００６】
また、一実施例による発光装置は、支持基板と、共に該支持基板の上に形成される第一発光素子及び第二発光素子であって、該第一発光素子は該支持基板の上に形成される透明層を有する第一発光素子及び第二発光素子と、該透明層の上に形成される第一発光スタック層と、該透明層と該第一発光スタック層との間に形成される接触部であって、該第二発光素子の電極と電気的に接続される接触部と、該電極と該支持基板との間に形成される第二発光スタック層と、該支持基板の上に形成され且つ該電極及び該接触部に電気的に接続される金属線と、を有する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の実施例によると、複数の接触部を有する発光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１Ａ】本発明の一実施例による発光素子の製造フローチャートである。
【図１Ｂ】本発明の一実施例による発光素子の製造フローチャートである。
【図１Ｃ】本発明の一実施例による発光素子の製造フローチャートである。
【図１Ｄ】本発明の一実施例による発光素子の製造フローチャートである。
【図１Ｅ】本発明の一実施例による発光素子の製造フローチャートである。
【図１Ｆ】本発明の一実施例による発光素子の製造フローチャートである。
【図２】本発明の他の実施例による発光素子の断面図である。
【図３】本発明の他の実施例による発光素子の断面図である。
【図４】本発明の一実施例による発光装置の断面図である。
【図５】本発明の他の実施例による発光装置の断面図である。
【図６】本発明の一実施例による光源生成装置を示す図である。
【図７】本発明の一実施例によるバックライトモジュールを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
次に、添付した図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。
【００１０】
図１Ａ〜図１Ｆは、本発明の一実施例による発光素子の製造フローチャートである。図１Ａに示すように、発光スタック層１２が成長基板１０の上に形成され、発光スタック層１２は、第一半導体層１２２と、第一半導体層１２２の上に形成される能動層１２４と、能動層１２４の上に形成される第二半導体層１２６と、を有し、そのうち、第一半導体層１２２及び第二半導体層１２６の極性は異なる。複数の導電部２０が第二の半導体層１２６の上に形成され、臨時基板１４が発光スタック層１２及び複数の導電部２０の上に形成される。図１Ｂに示すように、成長基板１０を除去した後に、複数の接触部１６は、第一半導体１２２の下に形成される。図１Ｃに示すように、透明層１８が第一半導体層１２２の下に形成され且つ複数の接触部１６を覆う。エッチング阻止層１１が透明層１８の下に形成され、及び、反射層１３が透明層１８の下に形成され且つエッチング阻止層１１を覆う。図１Ｄに示すように、支持基板１７が粘着層１５を経由して反射層１３に貼り付けられる。図１Ｅに示すように、臨時基板１４が除去された後に、一部の第一半導体層１２２を露出させるよう一部の第二半導体層１２６及び能動層１２４を除去する。貫通孔１９が第一半導体層１２２の露出した部分に形成され、また反射層１２６へ延伸して一部のエッチング阻止層１１を露出させる。図１Ｆに示すように、第二半導体層１２６の上表面が粗化されて粗化表面になる。第一電極２１が第一半導体層１２２の露出した部分に形成され、且つエッチング阻止層１１と電気的に接続するよう貫通孔１９に充填される。第二電極２２が第二半導体層１２６の上表面に形成され、複数の導電部２０と電気的に接続される。これにより、発光素子１が形成される。
【００１１】
支持基板１７は、その上に位置する発光スタック層１２及び他の層又は構造を支持するために用いられ、その材料は透明材料又は高放熱材料であっても良い。透明材料は、サファイア、ダイヤモンド、ガラス、エポキシ、石英、アクリル、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、又はＡｌＮなどを含んでも良いが、これらに限定されない。高放熱材料は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｃｄ、Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ｃｏ、Ａｕ合金、ＤＬＣ(ダイヤモンドライクカーボン)、グラファイト（石墨）、カーボンファイバー、ＭＭＣ（金属基複合材料）、ＣＭＣ（セラミックス基複合材料）、Ｓｉ、ＩＰ、ＺｎＳｅ、ＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｓＰ、ＺｎＳｅ、ＩｎＰ、ＬｉＧａＯ２、又はＬｉＡｌＯ２を含んでも良いが、これらに限定されない。粘着層１５は、支持基板１７及び反射層１３に接続されても良く、且つ複数の従属層（図示せず）を有しても良い。粘着層１５の材料は、絶縁材料又は導電材料であっても良い。絶縁材料は、ＰＩ（ポリイミド）、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、ＰＦＣＢ（パーフルオロシクロブタン）、ＭｇＯ、Ｓｕ８、エポキシ、アクリル樹脂、ＣＯＣ（環状オレフィンコポリマー）、ＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル樹脂）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ポリエーテルイミド、フルオロカーボンポリマー、ガラス、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯＸ、ＴｉＯ２、ＳｉＮＸ、又はＳＯＧ（Spin
on Glass：塗布ガラス）を含んでも良いが、これらに限定されない。導電材料は、ＩＴＯ、ＩｎＯ、ＳｎＯ、ＣＴＯ、ＡＴＯ、ＡＺＯ、ＺＴＯ、ＧＺＯ、ＺｎＯ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＩＺＯ、Ｔａ２Ｏ５、ＤＬＣ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｐｏ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｗ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｌａ、Ａｇ−Ｔｉ、Ｃｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｃｄ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ｃｏ、又はＡｕ合金等を含んでも良いが、これらに限定されない。反射層１３は、発光スタック層１２からの光線を反射することができ、その材料は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｂ、Pd、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｐｏ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｗ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｌａ、Ａｇ−Ｔｉ、Ｃｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｃｄ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ｃｏ、又はＡｕ合金等を含んでも良いが、これらに限定されない。エッチング阻止層１１は、電流を伝達することができ、また、反射層１３を破壊から守ることができ、エッチング阻止層１１の材料は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｐｏ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｗ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｌａ、Ａｇ−Ｔｉ、Ｃｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｃｄ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ｃｏ、Ａｕ合金、Ｇｅ−Ａｕ−Ｎｉ，ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、又はＧａＡｓＰ等を含んでも良いが、これらに限定されない。透明層１８は、電流の拡散能力を向上し、反射層１３と合わせて全方向反射鏡を形成して発光スタック層１２からの光を反射する反射率を上げ、また、発光スタック層１２を、反射層１３から拡散されてきた元素による破壊から守ることができる。透明層１８は、さらに、複数の従属層（図示せず）を有しても良く、その材料は、絶縁材料又は導電材料であっても良い。絶縁材料は、ＰＩ、ＢＣＢ、ＰＦＣＢ、ＭｇＯ、Ｓｕ８、エポキシ、アクリル樹脂、ＣＯＣ、ＰＭＭＡ、ＰＥＴ、ＰＣ、ポリエーテルイミド、フルオロカーボンポリマー、ガラス、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯＸ、ＴｉＯ２、ＳｉＮＸ、又はＳＯＧを含んでも良いが、これらに限定されない。導電材料は、ＩＴＯ、ＩｎＯ、ＳｎＯ、ＣＴＯ、ＡＴＯ、ＡＺＯ、ＺＴＯ、ＧＺＯ、ＺｎＯ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＩＺＯ、Ｔａ２Ｏ５、又はＤＬＣを含んでも良いが、これらに限定されない。透明層１８は、導電可能な時に、電流を伝達及び拡散することができる。
【００１２】
複数の接触部１６は、電流を伝達及び拡散することができる。複数の接触部１６の各々は、他の接触部１６と分離し、且つ、複数の従属層（図示せず）を含んでも良い。複数の接触部１６の材料は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｐｏ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｗ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｌａ、Ａｇ−Ｔｉ、Ｃｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｃｄ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ｃｏ、Ａｕ合金、Ｇｅ−Ａｕ−Ｎｉ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、又はＧａＡｓＰ等を含んでも良いが、これらに限定されない。各接触部１６の上から見る時の形状は、三角形、矩形、台形又は円形等であっても良い。円形の接触部を例とすると、その直径は、３〜１５μｍであっても良く、好ましくは、６〜１０μｍである。複数の接触部１６の面積が能動層１２４の上表面の面積に対する比は、約０．５〜６％であり、好ましくは、１〜３％である。電流の拡散能力を向上するためには、透明層１８の側面の交わる辺に近い接触部の面積は、他の接触部の面積より大きく設定される。複数の接触部１６の互いの間の距離は第一半導体層１２２の厚みによる。例えば、第一半導体層１２２の厚みが３μｍである場合は、複数の接触部１６の互いの間の距離は２０〜４０μｍである。第一半導体層１２２の厚みは薄ければ薄いほど、複数の接触部１６の互いの間の距離は短い。電流の拡散能力を向上するためには、複数の接触部１６が任意の隣接する二つの導電部２０の間に二つのライン又は三つのラインに配列されても良い。また、複数の接触部１６は、第二電極２２及び複数の導電部２０に覆われない。言い換えると、第二電極２２及び複数の導電部２０は、複数の接触部１６の真上に位置しない。
【００１３】
発光スタック層１２は、光線を生成し、且つ、半導体材料を含む。半導体材料は、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｐ、Ｎ、Ｚｎ、Ｃｄ及びＳｅからなるグループから選択される一つ以上の元素を有する。第一電極２１及び第二電極２２は、外部電圧を受けるために用いられ、その材料は、透明導電材料又は金属材料であってもよい。透明導電材料は、ＩＴＯ、ＩｎＯ、ＳｎＯ、ＣＴＯ、ＡＴＯ、ＡＺＯ、ＺＴＯ、ＧＺＯ、ＺｎＯ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＩＺＯ、Ｔａ２Ｏ５、又はＤＬＣを含んでも良いが、これらに限定されない。金属材料は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｐｏ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｗ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｌａ、Ａｇ−Ｔｉ、Ｃｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｃｄ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ｃｏ、又はＡｕ合金等を含んでもよいが、これらに限定されない。複数の導電部２０は、電流を伝達及び拡散することができ、その材料は、透明導電材料又は金属材料であっても良い。透明導電材料は、ＩＴＯ、ＩｎＯ、ＳｎＯ、ＣＴＯ、ＡＴＯ、ＡＺＯ、ＺＴＯ、ＧＺＯ、ＺｎＯ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＩＺＯ、Ｔａ２Ｏ５、又はＤＬＣを含んでも良いが、これらに限定されない。金属材料は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｐｏ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｗ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｌａ、Ａｇ−Ｔｉ、Ｃｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｃｄ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ｃｏ、又はＡｕ合金等を含んでもよいが、これらに限定されない。
【００１４】
図２に示す発光素子２では、発光スタック層１２及び透明層１８の一部を除去して一部の反射層１３及びエッチング阻止層１１を露出させ、第一電極２１が反射層１３及びエッチング層１１の露出した一部の上に形成される。
【００１５】
図３に示す発光素子３は、支持基板１７と、支持基板の上に形成される粘着層１５と、粘着層１５の上に形成される反射層１３と、反射層１３の上に形成される透明層１８と、透明層１８の上に形成される発光スタック層１２と、を有し、そのうち、複数の接触部１６及びエッチング阻止部１１が発光スタック層１２と反射層１３との間に形成され、且つ透明層１８により囲まれる。一部の発光スタック層１２を除去して一部の第一半導体１２２を露出させ、エッチング阻止層１１は、発光スタック層１２の下表面に形成される。複数の接触部１６及びエッチング阻止層１１は、反射層１３に実質的に接触しても良い。貫通孔１９が第一半導体層１２２の露出した部分に形成され、且つ、第一半導体層１２２へ延伸してそれを貫通し、一部のエッチング阻止層１１を露出させる。第一電極２１が発光スタック層１２の上において第二電極２２及び複数の導電部２０が形成されない部分に形成されても良く、発光スタック層１２の側壁に沿って延伸し、エッチング阻止層１１と電気的に接続される。第一電極２１は、選択的に、貫通孔１９に充填されてもよく、これにより、エッチング阻止層１１に電気的に接続され得る。また、発光スタック層１２の上に形成される導電層３２があっても良く、それは、発光スタック層１２の側壁に沿って延伸し、貫通孔１９に充満されてエッチング阻止層１１と電気的に接続され、第一電極２２は、さらに、発光スタック層１２及び導電層３２の上に形成されてエッチング阻止層１１と電気的に接続される。そのうち、発光スタック層１２の側壁は、上述の発光素子に面しない発光スタック層１２の側面である。導電層３２は、金属材料であっても良く、且つ、無メッキ法により形成される。金属材料は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｐｏ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｗ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｌａ、Ａｇ−Ｔｉ、Ｃｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｃｄ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ｃｏ、又はＡｕ合金等を含んでもよいが、これらに限定されない。導電層３２は、第一電極２２の形成品質を改善し、第一電極２２とエッチング阻止層との間の電気的な接続を向上することができる。
【００１６】
図４に示すように、発光装置４は、少なくとも、共に支持基板１７の上に位置する第一発光素子４１及び第二発光素子４２を有する。粘着層１５がさらに第一発光素子４１と第二発光素子４２との間に形成され、これにより、第一発光素子４１と第二発光素子４２とが分離される。粘着層１５は、絶縁材料であっても良い。粘着層１５は、接触部１６に実質的に接触してもよい。絶縁層４３が第一発光素子４１に近い第二発光スタック層４２の上表面及び側辺の部分に形成され、金属線４４が絶縁層４３及び粘着層１５の上に形成されて、第一発光素子４１の少なくとも一つの接触部１６及び第二発光素子４２の第二電極２２に電気的に接続される。他の実施例では、金属線４４はさらに第二発光素子４２の一部の発光スタック層１２に接触しても良い。本実施例では、第一発光素子４１及び第二発光素子４２は、他の実施例の第一電極２２を有しない。
【００１７】
絶縁層４３の材料は、絶縁材料であっても良く、例えば、ＰＩ、ＢＣＢ、ＰＦＣＢ、ＭｇＯ、Ｓｕ８、エポキシ、アクリル樹脂、ＣＯＣ、ＰＭＭＡ、ＰＥＴ、ＰＣ、ポリエーテルイミド、フルオロカーボンポリマー、ガラス、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯＸ、ＴｉＯ２、ＳｉＮＸ、又はＳＯＧを含んでも良いが、これらに限定されない。金属線４４の材料は、金属材料でであっても良く、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｐｏ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｗ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｌａ、Ａｇ−Ｔｉ、Ｃｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｃｄ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ｃｏ、又はＡｕ合金等を含んでもよいが、これらに限定されない。
【００１８】
図５に示すように、発光装置５の第一発光素子４１及び第二発光素子４２は、それぞれ、発光スタック層１２と透明層１８との間に形成される電流阻止層５２をさらに有する。
【００１９】
複数の接触部１６は電流阻止層５２を囲む。電流阻止層５２は、第二電極２２の真下に位置し、第二電極２２と類似する複数の延伸部（図示せず）を有しても良い。金属線４４は、第一発光素子４１の透明層及び第二発光素子４２の第二電極２２に電気的に接続される。電流阻止層５２の材料は、絶縁材料であっても良く、例えば、ＰＩ、ＢＣＢ、ＰＦＣＢ、ＭｇＯ、Ｓｕ８、エポキシ、アクリル樹脂、ＣＯＣ、ＰＭＭＡ、ＰＥＴ、ＰＣ、ポリエーテルイミド、フルオロカーボンポリマー、ガラス、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯＸ、ＴｉＯ２、ＳｉＮＸ、又はＳＯＧを含んでも良いが、これらに限定されない。
【００２０】
図６は、光源生成装置６を示す。光源生成装置６は、ダイ(die)を含み、このダイ(die)は、本発明の任意の実施例による発光素子又は発光装置を有するウェハ（Wafer）から形成される。光源生成装置６は、照明装置、例えば、街灯、車灯、又は室内照明光源であっても良く、または、交通信号装置又は平面表示器のバックライトモジュールのバックライト光源であっても良い。光源生成装置６は、上述の発光素子又は発光装置からなる光源６１と、光源６１に電源を供給する電源供給システム６２と、電源供給システム６２を制御する制御ユニット６３とを有する。
【００２１】
図７は、バックライトモジュール７の断面を示す。バックライトモジュール７は、上述の実施例における光源生成装置６と、光学ユニット７１とを含む。光学ユニット７１は、光源生成装置６からの光を平面表示器に応用できるように処理し、この光は、例えば、光源生成装置６が乱射光源生成装置である場合に発される光である。
【００２２】
以上、本発明の好ましい実施形態を説明したが、本発明はこの実施形態に限定されず、本発明の趣旨を離脱しない限り、本発明に対するあらゆる変更は本発明の範囲に属する。
【符号の説明】
【００２３】
１、２、３ 発光素子
１０ 成長基板
１１ エッチング阻止層
１２ 発光スタック層
１２２ 第一半導体層
１２４ 能動層
１２６ 第二半導体層
１３ 反射層
１４ 臨時基板
１５ 粘着層
１６ 接触部
１７ 支持基板
１８ 透明層
１９ 貫通孔
２０ 導電部
２１ 第一電極
２２ 第二電極
３２ 導電層
４、５ 発光装置
４１ 第一発光素子
４２ 第二発光素子
４３ 絶縁層
４４ 金属線
５２ 電流阻止層
６ 光源生成装置
６１ 光源
６２ 電源供給システム
６３ 制御ユニット
７ バックライトモジュール
７１ 光学ユニット
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子であって、
支持基板と、
前記支持基板の上に形成される反射層と、
前記反射層の上に形成される透明層と、
前記透明層の上に形成される発光スタック層と、
前記発光スタック層と前記反射層との間に形成されるエッチング阻止層と、
前記発光スタック層と前記反射層との間に形成される複数の接触部と、
前記発光スタック層の中に位置する貫通孔と、
前記発光スタック層の側壁に位置し、且つ前記貫通孔を経由して前記エッチング阻止層に実質的に接触する導電層と、
を含む、発光素子。
【請求項２】
前記導電層の上に位置する第一電極をさらに含む、
請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記発光スタック層の上に位置する複数の導電部をさらに含む、
請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
前記複数の接触部のうち任意の一つは、複数の従属層を含む、
請求項１に記載の発光素子。
【請求項５】
前記発光スタック層は、能動層を含み、
前記複数の接触部の面積が前記能動層の上表面の面積に対する比は、０.５〜６％である、
請求項１に記載の発光素子。
【請求項６】
前記発光スタック層は、第一半導体層を含み、
前記複数の接触部の間の距離は、前記第一半導体層の厚みの減少に伴って短くなる、
請求項１に記載の発光素子。
【請求項７】
前記複数の接触部は互いに分離される、
請求項１に記載の発光素子。
【請求項８】
前記複数の接触部は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｐｏ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｗ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｌａ、Ａｇ−Ｔｉ、Ｃｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｃｄ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ｃｏ、Ａｕ合金、Ｇｅ−Ａｕ−Ｎｉ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、及びＧａＡｓＰからなるグループから選択される材料を含む、
請求項１に記載の発光素子。
【請求項９】
前記エッチング阻止層は、前記透明層を突き抜ける、
請求項１に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記導電層は、前記貫通孔に充填される、
請求項１に記載の発光素子。
【請求項１】
発光素子であって、
支持基板と、
前記支持基板の上に形成される反射層と、
前記反射層の上に形成される透明層と、
前記透明層の上に形成される発光スタック層と、
前記発光スタック層と前記反射層との間に形成されるエッチング阻止層と、
前記発光スタック層と前記反射層との間に形成される複数の接触部と、
前記発光スタック層の中に位置する貫通孔と、
前記発光スタック層の側壁に位置し、且つ前記貫通孔を経由して前記エッチング阻止層に実質的に接触する導電層と、
を含む、発光素子。
【請求項２】
前記導電層の上に位置する第一電極をさらに含む、
請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記発光スタック層の上に位置する複数の導電部をさらに含む、
請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
前記複数の接触部のうち任意の一つは、複数の従属層を含む、
請求項１に記載の発光素子。
【請求項５】
前記発光スタック層は、能動層を含み、
前記複数の接触部の面積が前記能動層の上表面の面積に対する比は、０.５〜６％である、
請求項１に記載の発光素子。
【請求項６】
前記発光スタック層は、第一半導体層を含み、
前記複数の接触部の間の距離は、前記第一半導体層の厚みの減少に伴って短くなる、
請求項１に記載の発光素子。
【請求項７】
前記複数の接触部は互いに分離される、
請求項１に記載の発光素子。
【請求項８】
前記複数の接触部は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｐｏ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｗ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｌａ、Ａｇ−Ｔｉ、Ｃｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｃｄ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ｃｏ、Ａｕ合金、Ｇｅ−Ａｕ−Ｎｉ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、及びＧａＡｓＰからなるグループから選択される材料を含む、
請求項１に記載の発光素子。
【請求項９】
前記エッチング阻止層は、前記透明層を突き抜ける、
請求項１に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記導電層は、前記貫通孔に充填される、
請求項１に記載の発光素子。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図１Ｄ】
【図１Ｅ】
【図１Ｆ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図１Ｄ】
【図１Ｅ】
【図１Ｆ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１２−８００８９（Ｐ２０１２−８００８９Ａ）
【公開日】平成２４年４月１９日（２０１２．４．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１８６６４９（Ｐ２０１１−１８６６４９）
【出願日】平成２３年８月３０日（２０１１．８．３０）
【出願人】（５９８０６１３０２）晶元光電股▲ふん▼有限公司 (44)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月１９日（２０１２．４．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月３０日（２０１１．８．３０）
【出願人】（５９８０６１３０２）晶元光電股▲ふん▼有限公司 (44)
【Ｆターム（参考）】
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