配線基板の製造方法
【課題】
配線導体の幅が３０μｍ、配線導体同士の間隔が４０μｍ程度の薄型高密度配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】
絶縁層１の両面に銅箔６が張着された銅箔６付き絶縁層１を準備し、次に銅箔６付き絶縁層１に貫通孔３を形成し、次に貫通孔３内を充填する貫通導体５および貫通導体５に接続するランド７を形成するためのめっき金属層４を貫通孔３内およびその周辺に貫通孔３を完全に充填する厚みに選択的に被着させ、次にめっき金属層４から露出する銅箔６を所定パターンに選択的にエッチングして貫通孔３内にめっき金属層４から成る貫通導体５と、絶縁層１の両面に銅箔６およびめっき金属層４から成るランド７と、銅箔６から成る配線導体８とを残す。
配線導体の幅が３０μｍ、配線導体同士の間隔が４０μｍ程度の薄型高密度配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】
絶縁層１の両面に銅箔６が張着された銅箔６付き絶縁層１を準備し、次に銅箔６付き絶縁層１に貫通孔３を形成し、次に貫通孔３内を充填する貫通導体５および貫通導体５に接続するランド７を形成するためのめっき金属層４を貫通孔３内およびその周辺に貫通孔３を完全に充填する厚みに選択的に被着させ、次にめっき金属層４から露出する銅箔６を所定パターンに選択的にエッチングして貫通孔３内にめっき金属層４から成る貫通導体５と、絶縁層１の両面に銅箔６およびめっき金属層４から成るランド７と、銅箔６から成る配線導体８とを残す。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、薄型の配線基板として、例えば厚みが４０〜３００μｍ程度の薄い絶縁層に直径が３０〜１００μｍ程度のテーパ状の複数の貫通孔を設け、これらの貫通孔内をめっき金属層で充填して貫通導体を形成するとともに絶縁層の上下面に貫通導体と同じめっき金属層から成る配線導体を形成した配線基板が知られている。このような配線基板は、例えば厚みが４０〜３００μｍ程度の絶縁層にレーザ加工により直径が３０〜１００μｍ程度のテーパ状の貫通孔を複数形成するとともに、無電解めっき法により貫通孔内壁および絶縁層の上下面に０．１〜１μｍ程度の薄い無電解めっき層を被着させた後、この無電解めっき層上に電解めっき法により貫通孔内が完全に充填されるまでめっき金属層を析出させ、最後に絶縁層上のめっき金属層を配線導体に対応するパターンに選択的にエッチングする方法が好適に用いられる。
【０００３】
しかしながら、このような方法では貫通孔内を十分に充填するだけのめっき金属層を形成しようとすると、絶縁層の上下面にも例えば厚みが４０μｍ程度の厚いめっき金属層が形成されてしまう。このように絶縁層の上下面に形成されるめっき金属層の厚みが４０μｍ程度と厚いと、このめっき金属層を所定のパターンに選択的にエッチングすることにより形成される配線導体の幅は５０μｍ程度、配線導体同士の間隔においては６０μｍ程度が限界となり、それ以上に細い幅および狭い間隔の配線導体を形成することは困難である。したがって、このような従来の製造方法においては、例えば配線導体の幅が３０μｍ、および配線導体同士の間隔が４０μｍ程度の高密度配線を有する薄型の配線基板を得ることはできなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−４３７５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、両面に銅箔が張着された薄い絶縁層に設けられた貫通孔内を、めっき金属層で充填するとともに、絶縁層の上下面に銅箔から成る配線導体を備えた配線基板において、例えば配線導体の幅が３０μｍ、および配線導体同士の間隔が４０μｍ程度の高密度配線を有する薄型の配線基板の製造方法を提供することを課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の製造方法は、絶縁層の両面に銅箔が張着された銅箔付き絶縁層を準備する工程と、銅箔付き絶縁層に貫通孔を形成する工程と、貫通孔内を充填する貫通導体および貫通導体に接続するランドを形成するためのめっき金属層を貫通孔内およびその周辺に貫通孔を完全に充填する厚みに被着させる工程と、めっき金属層から露出する銅箔を所定パターンにエッチングして貫通孔内にめっき金属層から成る貫通導体と、絶縁層の両面に銅箔およびめっき金属層から成るランドと銅箔から成る配線導体とを残す工程とを行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の配線基板の製造方法によれば、貫通孔を有する絶縁層の貫通孔内およびその周辺に、貫通孔を完全に充填する厚みに選択的にめっき金属層を形成した後、めっき金属層から露出する銅箔をエッチングにより除去して銅箔のみから成る配線導体を形成することから、銅箔を例えば１０μｍ程度の厚みにしておくことによって、従来のように厚みが４０μｍ程度のめっき金属層をエッチングにより除去する必要がなく、配線導体の幅が３０μｍ、および配線導体同士の間隔が４０μｍ程度の微細な配線導体を高密度で形成することができ、それにより高密度配線で薄型の配線基板が製造可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本発明の製造方法により製造される配線基板の例を示す概略断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｈ）は、本発明の配線基板の製造方法における実施形態の一例を説明するための工程毎の要部概略断面図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｂ）は、本発明の配線基板の製造方法における別の実施形態の一例を説明するための工程の一部の要部概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
まず、本発明の製造方法により製造される配線基板の例を図１を基に説明する。図１に示すように、本発明の製造方法により製造される配線基板２０は、例えばコア用の絶縁層１の上下面にビルドアップ用の絶縁層２が積層されている。コア用の絶縁層１には、複数の貫通孔３が形成されており、この貫通孔３の内部にはめっき金属層４から成る貫通導体５が充填されている。また絶縁層１の上下面には、銅箔６およびめっき金属層４から成るランド７および銅箔６から成るコア用の配線導体８が被着されている。
【００１０】
絶縁層２には、ランド７や配線導体８を底面とする複数のビアホール９が形成されており、ビアホール９の内部および絶縁層２の表面には第三のめっき金属層１０から成るビルドアップ用の配線導体１１が被着されている。それによりコア用のランド７および配線導体８とビルドアップ用の配線導体１１とが電気的に接続されている。さらに、絶縁層２および配線導体１１の表面には配線導体１１の一部を電子部品や回路基板との接続に用いられる接続パッドとして露出させる開口部１２ａを有するソルダーレジスト層１２が被着されている。
【００１１】
次に、図２（ａ）〜（ｈ）を基に本発明の製造方法における実施形態の一例を説明する。なお、図２において図１と同様の箇所には同様の符号を付して説明する。まず、図２（ａ）に示すように、上面および下面に銅箔６が張着された絶縁層１を準備する。絶縁層１は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成る。絶縁層１の厚みは４０〜３００μｍ程度である。このような絶縁層１は、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化させたプリプレグの両面に厚みが８〜１２μｍ程度の銅箔６を張りつけたものを熱硬化させることにより得られる。なお、これより厚い銅箔６を張りつけた場合は、プリプレグを熱硬化した後に、銅箔６を厚みが８〜１２μｍ程度になるようにエッチングしてもよい。
【００１２】
次に、図２（ｂ）に示すように、銅箔６が張着された絶縁層１に貫通孔３を形成する。貫通孔３は、例えばレーザ加工により形成される。レーザ加工では、貫通孔３におけるレーザの入射側の開口径が出射側の開口径よりも大きくなる。貫通孔３の開口径は、レーザの入射側で８０〜１００μｍ程度、出射側で３０〜８０μｍ程度である。したがって、貫通孔３はテーパ形状となる。貫通孔３がこのようにテーパ形状であると、貫通孔３の内部をめっき金属層で良好に充填することが容易となる。なお、貫通孔３を形成した後には、デスミア処理をすることが好ましい。その後、貫通孔３内壁および銅箔６の表面に厚みが０．１〜１μｍ程度の薄い無電解めっき層（不図示）を被着させる。無電解めっき層は、後述するめっき金属層４の下地金属として機能し、例えば、無電解銅めっき層が好適に用いられる。
【００１３】
次に、図２（ｃ）に示すように、貫通孔３内およびその周辺を露出させる開口部を有するめっきレジスト１３を上下の銅箔６の表面に形成する。このとき、貫通孔３の周辺以外の銅箔６はめっきレジスト１３で覆われるようにしておく。
【００１４】
次に、図２（ｄ）に示すように、めっきレジスト１３から露出する貫通孔３内およびその周辺の銅箔６表面に電解めっき法によりめっき金属層４を、貫通孔３内を完全に充填する厚みに析出させてめっき金属層４から成る貫通導体５、および銅箔６とめっき金属層４とから成るランド７を形成する。なお、めっき金属層４としては、電解銅めっき層が好適に用いられる。このとき、貫通孔３周辺以外の銅箔６はめっきレジスト１３で覆われているので、めっき金属層４が被着されないままで残る。
【００１５】
次に、図２（ｅ）に示すように、めっきレジスト１３をエッチングにより除去し、ランド７および銅箔６を露出させる。
【００１６】
次に、図２（ｆ）に示すように、ランド７および配線導体８を形成する位置に対応する銅箔６上にエッチングレジスト１４を被着させる。
【００１７】
次に、図２（ｇ）に示すように、エッチングレジスト１４から露出した銅箔６をエッチングして配線導体８となる個所以外の銅箔６を除去する。このとき、銅箔６の厚みが８〜１２μｍと薄くエッチング時間が短くて済むため、エッチング時に配線導体８となる銅箔６の側面が削られて細くなることを抑制できる。したがって、幅が３０μｍおよび隣接間隔が４０μｍ程度の微細な配線導体８を高密度で形成することができる。
【００１８】
次に、図２（ｈ）に示すように、レジスト１４を除去することで銅箔６およびめっき金属層４とから成るランド７と、銅箔６から成る配線導体８とを有する絶縁層１が得られる。その後、周知のビルドアップ技術を用いてビルドアップ用の絶縁層２および配線導体１１ならびにソルダーレジスト層１２を形成することにより図１に示した配線基板２０が完成する。本例の場合、貫通孔３を充填する貫通導体５のみをめっき金属層４で形成し、配線導体８は銅箔６のみで形成するため、例えば銅箔６の厚みを８〜１２μｍ程度の薄いものとしておけば、その薄い銅箔６のみをエッチングすることにより幅が３０μｍおよび隣接間隔が４０μｍ程度の微細な配線導体８を高密度で形成することができる。したがって、高密度配線で薄型の配線基板２０を製造可能である。さらに、本例の場合、配線導体８は絶縁層１の上下面に被着された銅箔６のみを用いることから、配線導体８を絶縁層１の上下面に極めて強固に接合させることができる。
【００１９】
なお、本発明は上述の実施形態の一例に特定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば上述した一例では、貫通孔３をめっき金属層４で充填する工程において一回の電解めっきで貫通孔３を充填する場合を説明したが、貫通孔３を複数回の電解めっきで充填しても良い。この場合、例えば図３（ａ）に示すように、上述の一例と同様にして絶縁層１に貫通孔３を形成した後、上下の銅箔６の表面に貫通孔３およびその周辺を露出させる開口部を有するめっきレジスト１３を形成するとともに、めっきレジスト１３から露出する貫通孔３内およびその周辺の銅箔６表面に電解めっき法により第一のめっき金属層１６を、貫通孔３内を完全に充填しない厚みに析出させる。なお、第一のめっき金属層１６としては、直流もしくは交流電解めっき法により析出される電解銅めっき層が選択的に用いられる。
【００２０】
次に図３（ｂ）に示すように、第一のめっき金属層１６のみを露出させるように第二のめっきレジスト１５を被着させた後、第一のめっき金属層１６の上に第二のめっき金属層１７を貫通孔３を完全に充填させる厚みに析出させ貫通導体５ａを形成する方法を採用し得る。なお、第二のめっき金属層１７としては、直流もしくは交流電解めっき法により析出される電解銅めっき層が選択的に用いられる。そのあとは、図２（ｅ）〜（ｈ）と同様の工程を行えば図１に示した配線基板２０と同様の配線基板を製造することができる。このような方法を採れば、貫通孔３内をより確実にめっき金属層１６および１７で充填することができる。
【符号の説明】
【００２１】
１ 絶縁層
３ 貫通孔
４ めっき金属層
５ 貫通導体
６ 銅箔
７ ランド
８ 配線導体
１６ 第一のめっき金属層
１７ 第二のめっき金属層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、薄型の配線基板として、例えば厚みが４０〜３００μｍ程度の薄い絶縁層に直径が３０〜１００μｍ程度のテーパ状の複数の貫通孔を設け、これらの貫通孔内をめっき金属層で充填して貫通導体を形成するとともに絶縁層の上下面に貫通導体と同じめっき金属層から成る配線導体を形成した配線基板が知られている。このような配線基板は、例えば厚みが４０〜３００μｍ程度の絶縁層にレーザ加工により直径が３０〜１００μｍ程度のテーパ状の貫通孔を複数形成するとともに、無電解めっき法により貫通孔内壁および絶縁層の上下面に０．１〜１μｍ程度の薄い無電解めっき層を被着させた後、この無電解めっき層上に電解めっき法により貫通孔内が完全に充填されるまでめっき金属層を析出させ、最後に絶縁層上のめっき金属層を配線導体に対応するパターンに選択的にエッチングする方法が好適に用いられる。
【０００３】
しかしながら、このような方法では貫通孔内を十分に充填するだけのめっき金属層を形成しようとすると、絶縁層の上下面にも例えば厚みが４０μｍ程度の厚いめっき金属層が形成されてしまう。このように絶縁層の上下面に形成されるめっき金属層の厚みが４０μｍ程度と厚いと、このめっき金属層を所定のパターンに選択的にエッチングすることにより形成される配線導体の幅は５０μｍ程度、配線導体同士の間隔においては６０μｍ程度が限界となり、それ以上に細い幅および狭い間隔の配線導体を形成することは困難である。したがって、このような従来の製造方法においては、例えば配線導体の幅が３０μｍ、および配線導体同士の間隔が４０μｍ程度の高密度配線を有する薄型の配線基板を得ることはできなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−４３７５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、両面に銅箔が張着された薄い絶縁層に設けられた貫通孔内を、めっき金属層で充填するとともに、絶縁層の上下面に銅箔から成る配線導体を備えた配線基板において、例えば配線導体の幅が３０μｍ、および配線導体同士の間隔が４０μｍ程度の高密度配線を有する薄型の配線基板の製造方法を提供することを課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の製造方法は、絶縁層の両面に銅箔が張着された銅箔付き絶縁層を準備する工程と、銅箔付き絶縁層に貫通孔を形成する工程と、貫通孔内を充填する貫通導体および貫通導体に接続するランドを形成するためのめっき金属層を貫通孔内およびその周辺に貫通孔を完全に充填する厚みに被着させる工程と、めっき金属層から露出する銅箔を所定パターンにエッチングして貫通孔内にめっき金属層から成る貫通導体と、絶縁層の両面に銅箔およびめっき金属層から成るランドと銅箔から成る配線導体とを残す工程とを行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の配線基板の製造方法によれば、貫通孔を有する絶縁層の貫通孔内およびその周辺に、貫通孔を完全に充填する厚みに選択的にめっき金属層を形成した後、めっき金属層から露出する銅箔をエッチングにより除去して銅箔のみから成る配線導体を形成することから、銅箔を例えば１０μｍ程度の厚みにしておくことによって、従来のように厚みが４０μｍ程度のめっき金属層をエッチングにより除去する必要がなく、配線導体の幅が３０μｍ、および配線導体同士の間隔が４０μｍ程度の微細な配線導体を高密度で形成することができ、それにより高密度配線で薄型の配線基板が製造可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本発明の製造方法により製造される配線基板の例を示す概略断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｈ）は、本発明の配線基板の製造方法における実施形態の一例を説明するための工程毎の要部概略断面図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｂ）は、本発明の配線基板の製造方法における別の実施形態の一例を説明するための工程の一部の要部概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
まず、本発明の製造方法により製造される配線基板の例を図１を基に説明する。図１に示すように、本発明の製造方法により製造される配線基板２０は、例えばコア用の絶縁層１の上下面にビルドアップ用の絶縁層２が積層されている。コア用の絶縁層１には、複数の貫通孔３が形成されており、この貫通孔３の内部にはめっき金属層４から成る貫通導体５が充填されている。また絶縁層１の上下面には、銅箔６およびめっき金属層４から成るランド７および銅箔６から成るコア用の配線導体８が被着されている。
【００１０】
絶縁層２には、ランド７や配線導体８を底面とする複数のビアホール９が形成されており、ビアホール９の内部および絶縁層２の表面には第三のめっき金属層１０から成るビルドアップ用の配線導体１１が被着されている。それによりコア用のランド７および配線導体８とビルドアップ用の配線導体１１とが電気的に接続されている。さらに、絶縁層２および配線導体１１の表面には配線導体１１の一部を電子部品や回路基板との接続に用いられる接続パッドとして露出させる開口部１２ａを有するソルダーレジスト層１２が被着されている。
【００１１】
次に、図２（ａ）〜（ｈ）を基に本発明の製造方法における実施形態の一例を説明する。なお、図２において図１と同様の箇所には同様の符号を付して説明する。まず、図２（ａ）に示すように、上面および下面に銅箔６が張着された絶縁層１を準備する。絶縁層１は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成る。絶縁層１の厚みは４０〜３００μｍ程度である。このような絶縁層１は、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化させたプリプレグの両面に厚みが８〜１２μｍ程度の銅箔６を張りつけたものを熱硬化させることにより得られる。なお、これより厚い銅箔６を張りつけた場合は、プリプレグを熱硬化した後に、銅箔６を厚みが８〜１２μｍ程度になるようにエッチングしてもよい。
【００１２】
次に、図２（ｂ）に示すように、銅箔６が張着された絶縁層１に貫通孔３を形成する。貫通孔３は、例えばレーザ加工により形成される。レーザ加工では、貫通孔３におけるレーザの入射側の開口径が出射側の開口径よりも大きくなる。貫通孔３の開口径は、レーザの入射側で８０〜１００μｍ程度、出射側で３０〜８０μｍ程度である。したがって、貫通孔３はテーパ形状となる。貫通孔３がこのようにテーパ形状であると、貫通孔３の内部をめっき金属層で良好に充填することが容易となる。なお、貫通孔３を形成した後には、デスミア処理をすることが好ましい。その後、貫通孔３内壁および銅箔６の表面に厚みが０．１〜１μｍ程度の薄い無電解めっき層（不図示）を被着させる。無電解めっき層は、後述するめっき金属層４の下地金属として機能し、例えば、無電解銅めっき層が好適に用いられる。
【００１３】
次に、図２（ｃ）に示すように、貫通孔３内およびその周辺を露出させる開口部を有するめっきレジスト１３を上下の銅箔６の表面に形成する。このとき、貫通孔３の周辺以外の銅箔６はめっきレジスト１３で覆われるようにしておく。
【００１４】
次に、図２（ｄ）に示すように、めっきレジスト１３から露出する貫通孔３内およびその周辺の銅箔６表面に電解めっき法によりめっき金属層４を、貫通孔３内を完全に充填する厚みに析出させてめっき金属層４から成る貫通導体５、および銅箔６とめっき金属層４とから成るランド７を形成する。なお、めっき金属層４としては、電解銅めっき層が好適に用いられる。このとき、貫通孔３周辺以外の銅箔６はめっきレジスト１３で覆われているので、めっき金属層４が被着されないままで残る。
【００１５】
次に、図２（ｅ）に示すように、めっきレジスト１３をエッチングにより除去し、ランド７および銅箔６を露出させる。
【００１６】
次に、図２（ｆ）に示すように、ランド７および配線導体８を形成する位置に対応する銅箔６上にエッチングレジスト１４を被着させる。
【００１７】
次に、図２（ｇ）に示すように、エッチングレジスト１４から露出した銅箔６をエッチングして配線導体８となる個所以外の銅箔６を除去する。このとき、銅箔６の厚みが８〜１２μｍと薄くエッチング時間が短くて済むため、エッチング時に配線導体８となる銅箔６の側面が削られて細くなることを抑制できる。したがって、幅が３０μｍおよび隣接間隔が４０μｍ程度の微細な配線導体８を高密度で形成することができる。
【００１８】
次に、図２（ｈ）に示すように、レジスト１４を除去することで銅箔６およびめっき金属層４とから成るランド７と、銅箔６から成る配線導体８とを有する絶縁層１が得られる。その後、周知のビルドアップ技術を用いてビルドアップ用の絶縁層２および配線導体１１ならびにソルダーレジスト層１２を形成することにより図１に示した配線基板２０が完成する。本例の場合、貫通孔３を充填する貫通導体５のみをめっき金属層４で形成し、配線導体８は銅箔６のみで形成するため、例えば銅箔６の厚みを８〜１２μｍ程度の薄いものとしておけば、その薄い銅箔６のみをエッチングすることにより幅が３０μｍおよび隣接間隔が４０μｍ程度の微細な配線導体８を高密度で形成することができる。したがって、高密度配線で薄型の配線基板２０を製造可能である。さらに、本例の場合、配線導体８は絶縁層１の上下面に被着された銅箔６のみを用いることから、配線導体８を絶縁層１の上下面に極めて強固に接合させることができる。
【００１９】
なお、本発明は上述の実施形態の一例に特定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば上述した一例では、貫通孔３をめっき金属層４で充填する工程において一回の電解めっきで貫通孔３を充填する場合を説明したが、貫通孔３を複数回の電解めっきで充填しても良い。この場合、例えば図３（ａ）に示すように、上述の一例と同様にして絶縁層１に貫通孔３を形成した後、上下の銅箔６の表面に貫通孔３およびその周辺を露出させる開口部を有するめっきレジスト１３を形成するとともに、めっきレジスト１３から露出する貫通孔３内およびその周辺の銅箔６表面に電解めっき法により第一のめっき金属層１６を、貫通孔３内を完全に充填しない厚みに析出させる。なお、第一のめっき金属層１６としては、直流もしくは交流電解めっき法により析出される電解銅めっき層が選択的に用いられる。
【００２０】
次に図３（ｂ）に示すように、第一のめっき金属層１６のみを露出させるように第二のめっきレジスト１５を被着させた後、第一のめっき金属層１６の上に第二のめっき金属層１７を貫通孔３を完全に充填させる厚みに析出させ貫通導体５ａを形成する方法を採用し得る。なお、第二のめっき金属層１７としては、直流もしくは交流電解めっき法により析出される電解銅めっき層が選択的に用いられる。そのあとは、図２（ｅ）〜（ｈ）と同様の工程を行えば図１に示した配線基板２０と同様の配線基板を製造することができる。このような方法を採れば、貫通孔３内をより確実にめっき金属層１６および１７で充填することができる。
【符号の説明】
【００２１】
１ 絶縁層
３ 貫通孔
４ めっき金属層
５ 貫通導体
６ 銅箔
７ ランド
８ 配線導体
１６ 第一のめっき金属層
１７ 第二のめっき金属層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層の両面に銅箔が張着された銅箔付き絶縁層を準備する工程と、前記銅箔付き絶縁層に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔内を充填する貫通導体および該貫通導体に接続するランドを形成するためのめっき金属層を前記貫通孔内およびその周辺に前記貫通孔を完全に充填する厚みに選択的に被着させる工程と、前記めっき金属層から露出する前記銅箔を所定パターンに選択的にエッチングして前記貫通孔内に前記めっき金属層から成る貫通導体と、絶縁層の両面に前記銅箔および前記めっき金属層から成るランドと、前記銅箔から成る配線導体とを残す工程とを行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記めっき金属層は、前記貫通孔内およびその周辺に前記貫通孔を完全に充填しない厚みの第一のめっき金属層を被着させた後、該第一のめっき金属層上に前記貫通孔を完全に充填する厚みの第二のめっき金属層を被着させることにより形成されることを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項１】
絶縁層の両面に銅箔が張着された銅箔付き絶縁層を準備する工程と、前記銅箔付き絶縁層に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔内を充填する貫通導体および該貫通導体に接続するランドを形成するためのめっき金属層を前記貫通孔内およびその周辺に前記貫通孔を完全に充填する厚みに選択的に被着させる工程と、前記めっき金属層から露出する前記銅箔を所定パターンに選択的にエッチングして前記貫通孔内に前記めっき金属層から成る貫通導体と、絶縁層の両面に前記銅箔および前記めっき金属層から成るランドと、前記銅箔から成る配線導体とを残す工程とを行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記めっき金属層は、前記貫通孔内およびその周辺に前記貫通孔を完全に充填しない厚みの第一のめっき金属層を被着させた後、該第一のめっき金属層上に前記貫通孔を完全に充填する厚みの第二のめっき金属層を被着させることにより形成されることを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１２−１６０５５８（Ｐ２０１２−１６０５５８Ａ）
【公開日】平成２４年８月２３日（２０１２．８．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１８８７４（Ｐ２０１１−１８８７４）
【出願日】平成２３年１月３１日（２０１１．１．３１）
【出願人】（３０４０２４８９８）京セラＳＬＣテクノロジー株式会社 (213)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月２３日（２０１２．８．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１月３１日（２０１１．１．３１）
【出願人】（３０４０２４８９８）京セラＳＬＣテクノロジー株式会社 (213)
【Ｆターム（参考）】
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