電子回路搭載装置及びその製造方法
【課題】
格段と強度を向上し得るようにする。
【解決手段】
カード型半導体記憶装置１は、接続端子２以外の基板３全面を熱可塑性の樹脂で直接覆うように外装体４を構成したことにより、外装体４と基板３との間に空間が生じてしまうことを回避することができ、かくしてカード型半導体記憶装置１全体の厚み増加を抑制しつつ外装体４の厚みを増すことができる。
格段と強度を向上し得るようにする。
【解決手段】
カード型半導体記憶装置１は、接続端子２以外の基板３全面を熱可塑性の樹脂で直接覆うように外装体４を構成したことにより、外装体４と基板３との間に空間が生じてしまうことを回避することができ、かくしてカード型半導体記憶装置１全体の厚み増加を抑制しつつ外装体４の厚みを増すことができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子回路搭載装置及びその製造方法に関し、例えば、データを記憶するための半導体メモリが搭載された半導体記憶装置に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来この種の半導体記憶装置として、カード型に形成されたカード型半導体記憶装置が普及している。例えばこのカード型半導体記憶装置は、図７（Ａ）及び図７（Ａ）における破線A-A’の断面をとって観た図７（Ｂ）に示すように、半導体メモリ等の電子回路を搭載した基板１０１が、上ケース１０２及び下ケース１０３からなる外装体１０４によって覆われることにより、縦横が数センチメートル且つ厚さが数ミリメートル程度に形成される（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
因みにこのカード型半導体記憶装置としては、メモリースティック（Ｒ）等が広く知られている。例えば通常サイズのメモリースティックは、図８（Ａ）に示すような上ケースと、基板上の接続端子が露出するように窓孔が設けられた下ケースとを有する。また小型サイズのメモリースティックも、図８（Ｂ）に示すような小型の上ケースと、これに対応する下ケースとを有する。
【特許文献１】特開2002-74314公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところでかかる構成のカード型半導体記憶装置においては、例えば図７（Ｃ）に示すように、上ケース１０２及び下ケース１０３が溶着リブ１０５等を介して溶着されるようになされている。従ってこのカード型半導体記憶装置を製造する場合には、上ケース１０２と下ケース１０３とを溶着するための設備や人手が必要となり、簡易に製造し得るとは言い難い問題が生じる。
【０００５】
またこのようなカード型半導体記憶装置においては、例えば図７（Ｂ）に示すように、上ケース１０２及び下ケース１０３を薄肉に成形し、これにより上ケース１０２と基板１０１との接触を回避するための空間を設けつつカード型半導体記憶装置自体の厚みを薄くする手法が採られる。この場合には、上ケース１０２及び下ケース１０３を薄肉に成形する分、カード型半導体記憶装置の強度が低下してしまう問題が生じる。
【０００６】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、格段と強度を向上し得る電子回路搭載装置及びその製造方法を提案しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
かかる課題を解決するため本発明においては、電子回路が搭載されると共にこの電子回路を外部機器に接続するための接続端子が形成された基板と、接続端子以外の基板全面を樹脂で直接覆うように構成した外装体とを設けるようにした。
【０００８】
このように、接続端子以外の基板全面を熱可塑性の樹脂で直接覆うように外装体を構成したことにより、外装体と基板との間に空間が生じてしまうことを回避することができ、かくして電子回路搭載装置全体の厚み増加を抑制しつつ外装体の厚みを増すことができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、接続端子以外の基板全面を熱可塑性の樹脂で直接覆うように外装体を構成したことにより、外装体と基板との間に空間が生じてしまうことを回避することができ、かくして電子回路搭載装置全体の厚み増加を抑制しつつ外装体の厚みを増すことができる。この結果、格段と強度を向上し得る電子回路搭載装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下図面について、本発明の一実施の形態を詳述する。
【００１１】
（１）カード型半導体記憶装置の構成及びその製造方法
図１において、１は全体としてカード型半導体記憶装置を示し、このカード型半導体記憶装置１は、電子回路が搭載されると共にこの電子回路を外部機器５に接続するための接続端子２がその端部に形成された基板３と、この接続端子２以外の基板３全面を熱可塑性の樹脂で直接覆うように構成した外装体４とを有する。これによりこの基板３上の接続端子２は、外装体４に覆われず外部に露出された状態になるので、外部機器５と接続することができる。
【００１２】
因みに本実施の形態の場合この外装体４に用いる熱可塑性の樹脂として、ポリカーボネート樹脂を適用するようにしたが、本発明はこれに限らず、ＡＢＳ（アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂）等のこの他種々の熱可塑性の樹脂を適用するようにしても良い。
【００１３】
一方この基板３に搭載される電子回路としては、例えば図２に示すように、外部機器５と接続端子２を介してデータ通信するためのインターフェース部６、外部機器５からインターフェース部６を介して受信したデータを半導体メモリ７に書き込む処理や半導体メモリ７から読み出したデータをインターフェース部６を介して外部機器５に送出する処理等を制御するためのメモリ制御部８及びデータを記憶するための半導体メモリ７が設けられている。例えばこの半導体メモリ７としては、フラッシュメモリ等を適用することができる。
【００１４】
因みに本実施の形態における外部機器５は、一例として図１に示したように、カード型半導体記憶装置１が収容される収容穴９や表示部１０や電池収納部１１を有する。またこの外部機器５は、図２に示したように、収容穴９に収容されたカード型半導体記憶装置１と接続する接続端子１２と、カード型半導体記憶装置１から接続端子１２及びインターフェース部１３を順次介して受信したデータを表示部１０に表示させる表示制御部１４や、電池１５の電圧が所定電圧以下になった際に表示制御部１４をリセットするリセット監視部１６等を有する。
【００１５】
次に、このカード型半導体記憶装置１の外装体４を射出成形により製造する製造方法を説明する。まず図３（Ａ）に示すように、射出成形装置における第１の固定側金型１７及び第１の可動側金型１８のうちの第１の可動側金型１８上に、電子回路が搭載された基板３を位置決めして載置する。
【００１６】
実際上この第１の可動側金型１８においては、図４にも併せて示すように、略長方形状でなる基板３の両側面に設けられたへこみ部３Ａに対応するように２つの基板位置決めピン１８Ａが垂設されている。これによりこの基板３は、へこみ部３Ａがこの２つの基板位置決めピン１８Ａにそれぞれ対応するように、第１の可動側金型１８上に位置決めされる。
【００１７】
そしてこの状態で射出成形装置は、第１の可動側金型１８を動かして第１の固定側金型１７に接触させることにより、第１の可動側金型１８上に載置された基板３の表面側を覆うようなキャビティ１９を形成する。
【００１８】
次いで射出成形装置は、図３（Ｂ）に示すように、例えば３００〜３２０℃程度まで加熱溶融した熱可塑性の樹脂を、このキャビティ１９を満たすように注入すると共に、この第１の可動側金型１８及び第１の固定側金型１７を即時に冷却するようにする。
【００１９】
これにより、キャビティ１９内に載置された基板３を直接覆うようにして注入された熱可塑性の樹脂は、第１の可動側金型１８及び第１の固定側金型１７と同等の温度（例えば１００℃程度）まで即時に冷却されるので、基板３に搭載された電子回路にダメージを与えてしまうことを回避することができる。この結果、この電子回路が動作不能になってしまうことを回避することができる。
【００２０】
やがてこの射出成形装置は、キャビティ１９内の熱可塑性の樹脂が冷却固化すると、図３（Ｃ）に示すように第１の固定側金型１７から第１の可動側金型１８を引き離す。
【００２１】
続いてこの射出成形装置は、第１の可動側金型１８の内部に設けられた突出しピン１８Ａを突き出すことにより、基板３の表面側を覆うようにして固化した表面側樹脂４Ａの周縁部を上方に押し上げる。これにより、表面側樹脂４Ａによりほぼ上半分が覆われた基板３を、第１の可動側金型１８から取り出すことができる。
【００２２】
この後図５に示すように、射出成形装置における第２の固定側金型２０及び第２の可動側金型２１のうちの第２の可動側金型２１上に、表面側樹脂４Ａにより覆われた基板３を位置決めして載置する。
【００２３】
この場合この第２の可動側金型２１においては、基板３を覆う表面側樹脂４Ａの形状に対応する位置決め穴２１Ａが設けられている。これによりこの基板３は、その裏面側を上方に向けつつ表面側樹脂４Ａがこの位置決め穴２１Ａに対応するように載置されることにより、第２の可動側金型２１上に位置決めされる。
【００２４】
そしてこの状態で射出成形装置は、第２の可動側金型２１を動かして第２の固定側金型２０に接触させることにより、第２の可動側金型２１上に載置された基板３の裏面側を覆うようなキャビティ２２を形成する。因みに本実施の形態の場合、例えばこの基板３の裏面側に接続端子２が設けられているので、第２の可動側金型２１及び第２の固定側金型２０により形成されるキャビティ２２は、この接続端子２を覆わないような形状でなる。
【００２５】
次いで射出成形装置は、図５（Ｂ）に示すように、例えば３００〜３２０℃程度まで加熱溶融した熱可塑性の樹脂を、このキャビティ２２を満たすように注入すると共に、この第２の可動側金型２１及び第２の固定側金型２０を即時に冷却するようにする。
【００２６】
これにより、キャビティ２２内に載置された基板３を直接覆うようにして注入された熱可塑性の樹脂は、第２の可動側金型２１及び第２の固定側金型２０と同等の温度（例えば１００℃程度）まで即時に冷却され、この結果この基板３に搭載された電子回路にダメージを与えてしまうことを回避することができる。
【００２７】
やがてこの射出成形装置は、キャビティ２２内の熱可塑性の樹脂が冷却固化すると、図５（Ｃ）に示すように第２の固定側金型２０から第２の可動側金型２１を引き離す。
【００２８】
続いてこの射出成形装置は、第２の可動側金型２１の内部に設けられた突出しピン２１Ｂを突き出すことにより、接続端子２を除く基板３の裏面側を覆うように且つ表面側樹脂４Ａと一体となるように固化した裏面側樹脂４Ｂと、表面側樹脂４Ａとからなる外装体４の周縁部を上方に押し上げる。これにより、接続端子２以外の基板３全面を覆う外装体４が一体成形されたカード型半導体記憶装置１を、第２の可動側金型２１から取り出すことができる。
【００２９】
（２）動作及び効果
以上の構成においてこのカード型半導体記憶装置１は、電子回路が搭載されると共にこの電子回路を外部機器５に接続するための接続端子２がその端部に形成された基板３と、この接続端子２以外の基板３全面を熱可塑性の樹脂で直接覆うように構成した外装体４とを有する。
【００３０】
このように、接続端子２以外の基板３全面を熱可塑性の樹脂で直接覆うように外装体４を構成したことにより、図６（Ａ）における破線A-A’を断面にとって観た図６（Ｂ）に示すように外装体４と基板３との間に空間が生じてしまうことを回避することができ、かくしてカード型半導体記憶装置１全体の厚み増加を抑制しつつ外装体４の厚みを増すことができる。この結果、外力に対する強度を格段と向上させたカード型半導体記憶装置１を実現することができる。
【００３１】
また従来のカード型半導体記憶装置１では、図７（Ｃ）に示したように上ケース１０２と下ケース１０３とを溶着する必要があることから、上ケース１０２と下ケース１０３との間に隙間が形成されてしまうのに対し、本実施の形態のカード型半導体記憶装置１では、接続端子２以外の基板３全面を熱可塑性の樹脂で直接覆うように外装体４が構成されていることにより、図６（Ｃ）に示すように外装体４の側面を滑らかにすることができ、かくして外観を向上させる等の効果も得ることができる。
【００３２】
ところでこのカード型半導体記憶装置１の製造方法では、電子回路が搭載されると共にこの電子回路を外部機器５に接続するための接続端子２がその端部に形成された基板３のうち、この接続端子２以外の全面を熱可塑性の樹脂で直接覆うようにして外装体４をモールド成形（本実施の形態では射出成形）するようにした。
【００３３】
これにより、従来手法では上ケース１０２と下ケース１０３とを溶着する作業を必要としたのに対し、本実施の形態ではこの作業を省くことができ、かくして簡易にカード型半導体記憶装置１を製造することができる。また外装体４を熱可塑性の樹脂で構成したことにより、例えば熱硬化性の樹脂を用いた場合と比べて製造作業を簡易化することができる。
【００３４】
また上述の実施の形態においては、半導体メモリ７等の電子回路が基板３に搭載されたカード型半導体記憶装置１に対して本発明を適用する場合について述べたが、これに限らず、エンコーダ回路やデコーダ回路等の電子回路が基板に搭載されたこの他種々の電子回路搭載装置に対して本発明を適用することができる。
【００３５】
また上述の実施の形態においては、外装体４をカード状に形成したカード型半導体記憶装置１を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、この他種々の形状を適用するようにしても良い。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明は、例えば、データを記憶するための半導体メモリが搭載された半導体記憶装置等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本実施の形態におけるカード型半導体記憶装置及び外部機器の外観構成を示す略線図である。
【図２】カード型半導体記憶装置及び外部装置の回路構成を示す略線図である。
【図３】外装体の製造工程（１）の説明に供する略線図である。
【図４】第１の可動側金型の上面構成を示す略線図である。
【図５】外装体の製造工程（２）の説明に供する略線図である。
【図６】外装体の構成を示す略線図である。
【図７】従来における外装体の構成を示す略線図である。
【図８】従来における上ケース及び下ケースの構成を示す略線図である。
【符号の説明】
【００３８】
１……カード型半導体記憶装置、２……接続端子、３……基板、４……外装体、６、７、８……電子回路（インターフェース部、半導体メモリ、メモリ制御部）。
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子回路搭載装置及びその製造方法に関し、例えば、データを記憶するための半導体メモリが搭載された半導体記憶装置に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来この種の半導体記憶装置として、カード型に形成されたカード型半導体記憶装置が普及している。例えばこのカード型半導体記憶装置は、図７（Ａ）及び図７（Ａ）における破線A-A’の断面をとって観た図７（Ｂ）に示すように、半導体メモリ等の電子回路を搭載した基板１０１が、上ケース１０２及び下ケース１０３からなる外装体１０４によって覆われることにより、縦横が数センチメートル且つ厚さが数ミリメートル程度に形成される（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
因みにこのカード型半導体記憶装置としては、メモリースティック（Ｒ）等が広く知られている。例えば通常サイズのメモリースティックは、図８（Ａ）に示すような上ケースと、基板上の接続端子が露出するように窓孔が設けられた下ケースとを有する。また小型サイズのメモリースティックも、図８（Ｂ）に示すような小型の上ケースと、これに対応する下ケースとを有する。
【特許文献１】特開2002-74314公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところでかかる構成のカード型半導体記憶装置においては、例えば図７（Ｃ）に示すように、上ケース１０２及び下ケース１０３が溶着リブ１０５等を介して溶着されるようになされている。従ってこのカード型半導体記憶装置を製造する場合には、上ケース１０２と下ケース１０３とを溶着するための設備や人手が必要となり、簡易に製造し得るとは言い難い問題が生じる。
【０００５】
またこのようなカード型半導体記憶装置においては、例えば図７（Ｂ）に示すように、上ケース１０２及び下ケース１０３を薄肉に成形し、これにより上ケース１０２と基板１０１との接触を回避するための空間を設けつつカード型半導体記憶装置自体の厚みを薄くする手法が採られる。この場合には、上ケース１０２及び下ケース１０３を薄肉に成形する分、カード型半導体記憶装置の強度が低下してしまう問題が生じる。
【０００６】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、格段と強度を向上し得る電子回路搭載装置及びその製造方法を提案しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
かかる課題を解決するため本発明においては、電子回路が搭載されると共にこの電子回路を外部機器に接続するための接続端子が形成された基板と、接続端子以外の基板全面を樹脂で直接覆うように構成した外装体とを設けるようにした。
【０００８】
このように、接続端子以外の基板全面を熱可塑性の樹脂で直接覆うように外装体を構成したことにより、外装体と基板との間に空間が生じてしまうことを回避することができ、かくして電子回路搭載装置全体の厚み増加を抑制しつつ外装体の厚みを増すことができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、接続端子以外の基板全面を熱可塑性の樹脂で直接覆うように外装体を構成したことにより、外装体と基板との間に空間が生じてしまうことを回避することができ、かくして電子回路搭載装置全体の厚み増加を抑制しつつ外装体の厚みを増すことができる。この結果、格段と強度を向上し得る電子回路搭載装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下図面について、本発明の一実施の形態を詳述する。
【００１１】
（１）カード型半導体記憶装置の構成及びその製造方法
図１において、１は全体としてカード型半導体記憶装置を示し、このカード型半導体記憶装置１は、電子回路が搭載されると共にこの電子回路を外部機器５に接続するための接続端子２がその端部に形成された基板３と、この接続端子２以外の基板３全面を熱可塑性の樹脂で直接覆うように構成した外装体４とを有する。これによりこの基板３上の接続端子２は、外装体４に覆われず外部に露出された状態になるので、外部機器５と接続することができる。
【００１２】
因みに本実施の形態の場合この外装体４に用いる熱可塑性の樹脂として、ポリカーボネート樹脂を適用するようにしたが、本発明はこれに限らず、ＡＢＳ（アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂）等のこの他種々の熱可塑性の樹脂を適用するようにしても良い。
【００１３】
一方この基板３に搭載される電子回路としては、例えば図２に示すように、外部機器５と接続端子２を介してデータ通信するためのインターフェース部６、外部機器５からインターフェース部６を介して受信したデータを半導体メモリ７に書き込む処理や半導体メモリ７から読み出したデータをインターフェース部６を介して外部機器５に送出する処理等を制御するためのメモリ制御部８及びデータを記憶するための半導体メモリ７が設けられている。例えばこの半導体メモリ７としては、フラッシュメモリ等を適用することができる。
【００１４】
因みに本実施の形態における外部機器５は、一例として図１に示したように、カード型半導体記憶装置１が収容される収容穴９や表示部１０や電池収納部１１を有する。またこの外部機器５は、図２に示したように、収容穴９に収容されたカード型半導体記憶装置１と接続する接続端子１２と、カード型半導体記憶装置１から接続端子１２及びインターフェース部１３を順次介して受信したデータを表示部１０に表示させる表示制御部１４や、電池１５の電圧が所定電圧以下になった際に表示制御部１４をリセットするリセット監視部１６等を有する。
【００１５】
次に、このカード型半導体記憶装置１の外装体４を射出成形により製造する製造方法を説明する。まず図３（Ａ）に示すように、射出成形装置における第１の固定側金型１７及び第１の可動側金型１８のうちの第１の可動側金型１８上に、電子回路が搭載された基板３を位置決めして載置する。
【００１６】
実際上この第１の可動側金型１８においては、図４にも併せて示すように、略長方形状でなる基板３の両側面に設けられたへこみ部３Ａに対応するように２つの基板位置決めピン１８Ａが垂設されている。これによりこの基板３は、へこみ部３Ａがこの２つの基板位置決めピン１８Ａにそれぞれ対応するように、第１の可動側金型１８上に位置決めされる。
【００１７】
そしてこの状態で射出成形装置は、第１の可動側金型１８を動かして第１の固定側金型１７に接触させることにより、第１の可動側金型１８上に載置された基板３の表面側を覆うようなキャビティ１９を形成する。
【００１８】
次いで射出成形装置は、図３（Ｂ）に示すように、例えば３００〜３２０℃程度まで加熱溶融した熱可塑性の樹脂を、このキャビティ１９を満たすように注入すると共に、この第１の可動側金型１８及び第１の固定側金型１７を即時に冷却するようにする。
【００１９】
これにより、キャビティ１９内に載置された基板３を直接覆うようにして注入された熱可塑性の樹脂は、第１の可動側金型１８及び第１の固定側金型１７と同等の温度（例えば１００℃程度）まで即時に冷却されるので、基板３に搭載された電子回路にダメージを与えてしまうことを回避することができる。この結果、この電子回路が動作不能になってしまうことを回避することができる。
【００２０】
やがてこの射出成形装置は、キャビティ１９内の熱可塑性の樹脂が冷却固化すると、図３（Ｃ）に示すように第１の固定側金型１７から第１の可動側金型１８を引き離す。
【００２１】
続いてこの射出成形装置は、第１の可動側金型１８の内部に設けられた突出しピン１８Ａを突き出すことにより、基板３の表面側を覆うようにして固化した表面側樹脂４Ａの周縁部を上方に押し上げる。これにより、表面側樹脂４Ａによりほぼ上半分が覆われた基板３を、第１の可動側金型１８から取り出すことができる。
【００２２】
この後図５に示すように、射出成形装置における第２の固定側金型２０及び第２の可動側金型２１のうちの第２の可動側金型２１上に、表面側樹脂４Ａにより覆われた基板３を位置決めして載置する。
【００２３】
この場合この第２の可動側金型２１においては、基板３を覆う表面側樹脂４Ａの形状に対応する位置決め穴２１Ａが設けられている。これによりこの基板３は、その裏面側を上方に向けつつ表面側樹脂４Ａがこの位置決め穴２１Ａに対応するように載置されることにより、第２の可動側金型２１上に位置決めされる。
【００２４】
そしてこの状態で射出成形装置は、第２の可動側金型２１を動かして第２の固定側金型２０に接触させることにより、第２の可動側金型２１上に載置された基板３の裏面側を覆うようなキャビティ２２を形成する。因みに本実施の形態の場合、例えばこの基板３の裏面側に接続端子２が設けられているので、第２の可動側金型２１及び第２の固定側金型２０により形成されるキャビティ２２は、この接続端子２を覆わないような形状でなる。
【００２５】
次いで射出成形装置は、図５（Ｂ）に示すように、例えば３００〜３２０℃程度まで加熱溶融した熱可塑性の樹脂を、このキャビティ２２を満たすように注入すると共に、この第２の可動側金型２１及び第２の固定側金型２０を即時に冷却するようにする。
【００２６】
これにより、キャビティ２２内に載置された基板３を直接覆うようにして注入された熱可塑性の樹脂は、第２の可動側金型２１及び第２の固定側金型２０と同等の温度（例えば１００℃程度）まで即時に冷却され、この結果この基板３に搭載された電子回路にダメージを与えてしまうことを回避することができる。
【００２７】
やがてこの射出成形装置は、キャビティ２２内の熱可塑性の樹脂が冷却固化すると、図５（Ｃ）に示すように第２の固定側金型２０から第２の可動側金型２１を引き離す。
【００２８】
続いてこの射出成形装置は、第２の可動側金型２１の内部に設けられた突出しピン２１Ｂを突き出すことにより、接続端子２を除く基板３の裏面側を覆うように且つ表面側樹脂４Ａと一体となるように固化した裏面側樹脂４Ｂと、表面側樹脂４Ａとからなる外装体４の周縁部を上方に押し上げる。これにより、接続端子２以外の基板３全面を覆う外装体４が一体成形されたカード型半導体記憶装置１を、第２の可動側金型２１から取り出すことができる。
【００２９】
（２）動作及び効果
以上の構成においてこのカード型半導体記憶装置１は、電子回路が搭載されると共にこの電子回路を外部機器５に接続するための接続端子２がその端部に形成された基板３と、この接続端子２以外の基板３全面を熱可塑性の樹脂で直接覆うように構成した外装体４とを有する。
【００３０】
このように、接続端子２以外の基板３全面を熱可塑性の樹脂で直接覆うように外装体４を構成したことにより、図６（Ａ）における破線A-A’を断面にとって観た図６（Ｂ）に示すように外装体４と基板３との間に空間が生じてしまうことを回避することができ、かくしてカード型半導体記憶装置１全体の厚み増加を抑制しつつ外装体４の厚みを増すことができる。この結果、外力に対する強度を格段と向上させたカード型半導体記憶装置１を実現することができる。
【００３１】
また従来のカード型半導体記憶装置１では、図７（Ｃ）に示したように上ケース１０２と下ケース１０３とを溶着する必要があることから、上ケース１０２と下ケース１０３との間に隙間が形成されてしまうのに対し、本実施の形態のカード型半導体記憶装置１では、接続端子２以外の基板３全面を熱可塑性の樹脂で直接覆うように外装体４が構成されていることにより、図６（Ｃ）に示すように外装体４の側面を滑らかにすることができ、かくして外観を向上させる等の効果も得ることができる。
【００３２】
ところでこのカード型半導体記憶装置１の製造方法では、電子回路が搭載されると共にこの電子回路を外部機器５に接続するための接続端子２がその端部に形成された基板３のうち、この接続端子２以外の全面を熱可塑性の樹脂で直接覆うようにして外装体４をモールド成形（本実施の形態では射出成形）するようにした。
【００３３】
これにより、従来手法では上ケース１０２と下ケース１０３とを溶着する作業を必要としたのに対し、本実施の形態ではこの作業を省くことができ、かくして簡易にカード型半導体記憶装置１を製造することができる。また外装体４を熱可塑性の樹脂で構成したことにより、例えば熱硬化性の樹脂を用いた場合と比べて製造作業を簡易化することができる。
【００３４】
また上述の実施の形態においては、半導体メモリ７等の電子回路が基板３に搭載されたカード型半導体記憶装置１に対して本発明を適用する場合について述べたが、これに限らず、エンコーダ回路やデコーダ回路等の電子回路が基板に搭載されたこの他種々の電子回路搭載装置に対して本発明を適用することができる。
【００３５】
また上述の実施の形態においては、外装体４をカード状に形成したカード型半導体記憶装置１を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、この他種々の形状を適用するようにしても良い。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明は、例えば、データを記憶するための半導体メモリが搭載された半導体記憶装置等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本実施の形態におけるカード型半導体記憶装置及び外部機器の外観構成を示す略線図である。
【図２】カード型半導体記憶装置及び外部装置の回路構成を示す略線図である。
【図３】外装体の製造工程（１）の説明に供する略線図である。
【図４】第１の可動側金型の上面構成を示す略線図である。
【図５】外装体の製造工程（２）の説明に供する略線図である。
【図６】外装体の構成を示す略線図である。
【図７】従来における外装体の構成を示す略線図である。
【図８】従来における上ケース及び下ケースの構成を示す略線図である。
【符号の説明】
【００３８】
１……カード型半導体記憶装置、２……接続端子、３……基板、４……外装体、６、７、８……電子回路（インターフェース部、半導体メモリ、メモリ制御部）。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子回路が搭載されると共に上記電子回路を外部機器に接続するための接続端子が形成された基板と、
上記接続端子以外の基板全面を樹脂で直接覆うように構成した外装体と
を具えることを特徴とする電子回路搭載装置。
【請求項２】
上記外装体を構成する上記樹脂は、熱可塑性の樹脂でなる
ことを特徴とする請求項１に記載の電子回路搭載装置。
【請求項３】
上記樹脂は、ポリカーボネート樹脂でなる
ことを特徴とする請求項２に記載の電子回路搭載装置。
【請求項４】
上記電子回路は、データを記憶するための半導体メモリを有する
ことを特徴とする請求項１に記載の電子回路搭載装置。
【請求項５】
電子回路が搭載されると共に上記電子回路を外部機器に接続するための接続端子が形成された基板のうち上記接続端子以外の全面を熱可塑性の樹脂で直接覆うようにして外装体をモールド成形するようにした
ことを特徴とする製造方法。
【請求項１】
電子回路が搭載されると共に上記電子回路を外部機器に接続するための接続端子が形成された基板と、
上記接続端子以外の基板全面を樹脂で直接覆うように構成した外装体と
を具えることを特徴とする電子回路搭載装置。
【請求項２】
上記外装体を構成する上記樹脂は、熱可塑性の樹脂でなる
ことを特徴とする請求項１に記載の電子回路搭載装置。
【請求項３】
上記樹脂は、ポリカーボネート樹脂でなる
ことを特徴とする請求項２に記載の電子回路搭載装置。
【請求項４】
上記電子回路は、データを記憶するための半導体メモリを有する
ことを特徴とする請求項１に記載の電子回路搭載装置。
【請求項５】
電子回路が搭載されると共に上記電子回路を外部機器に接続するための接続端子が形成された基板のうち上記接続端子以外の全面を熱可塑性の樹脂で直接覆うようにして外装体をモールド成形するようにした
ことを特徴とする製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２００６−３０２０２０（Ｐ２００６−３０２０２０Ａ）
【公開日】平成１８年１１月２日（２００６．１１．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１２３７３１（Ｐ２００５−１２３７３１）
【出願日】平成１７年４月２１日（２００５．４．２１）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１１月２日（２００６．１１．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年４月２１日（２００５．４．２１）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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