電気光学装置、およびその製造方法

【課題】有機ＥＬ表示装置等の電気光学装置における機能層膜厚の均一性を確保して、表示特性を向上させる。
【解決手段】画素電極２００と、当該画素電極の周縁部を囲む２層以上の材料層からなる隔壁３１４と、を有する電気光学装置であって、上記周縁部に第１の材料層３１０と、画素電極２００の中心部へ向けて庇状に張り出す第２の材料層３１３と、からなる空隙５０を具備することを特徴とする。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子等の薄膜発光素子を備える電気光学装置とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（以下、「ＥＬ」と称する。）表示装置の製造工程では、基板上にマトリクス状に配置されている各々の画素電極上に、発光層等の機能層を形成する工程がある。そして当該工程に用いる手法として、上記機能層形成材料を溶質とする液材の液滴を上記画素電極上に滴下した後、溶媒を乾燥除去するインクジェット法が有力とされている。
インクジェット法では、各々の画素電極を区画する隔壁を上記液滴が乗り越えないことと、上記隔壁と上記画素電極の境界近傍における上記液材のつきまわりの確保と、の両立が必要となる。そこで隔壁を、有機材料からなる上部隔壁と無機材料からなる下部隔壁とを階段状に積層して、２層構造にする手法が提案されている（特許文献１）。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−３３４７８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上述の構造の隔壁では、段差部において液溜まり、又ははじき等が発生することがあり、画素電極上に形成される機能層膜厚の均一性が低下し得るという課題があった。本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、機能層膜厚の均一性を確保して、電気光学装置の表示特性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために本発明にかかる電気光学装置は、画素電極と、当該画素電極の周縁部を囲む２層以上の材料層からなる隔壁と、を有する電気光学装置であって、上記周縁部に、第１の材料層と、上記画素電極の中心部へ向けて庇状に張り出す第２の材料層と、からなる空隙を有することを特徴とする。
【０００６】
かかる構成の電気光学装置であれば、上記画素電極上に滴下した、機能層形成材料を溶質とする液材を上記空隙で保持できる。したがって、上記液材から溶媒を乾燥除去する間に液面を平坦に保つことができ、画素電極上に平坦な機能層を形成でき、表示性能を向上できる。
【０００７】
好ましくは、上記第１の材料層が無機材料からなり、上記第２の材料層が有機材料層からなることを特徴とする。
【０００８】
一般に無機材料は親液性を有し、有機材料は撥液性を有する。したがって、かかる構成の電気光学装置であれば、画素電極上に滴下した液材を一層確実に保持できると共に、滴下した液材が隣接する画素電極上に流出することを抑制できる。その結果、一層平坦な機能層を形成でき、表示性能を一層向上できる。
【０００９】
また、好ましくは、上記第１の材料層と上記画素電極との間に、上記画素電極の中心部へ向けて、上記第１の材料層よりも内側に張り出して上記空隙の底部となる第３の材料層が配置されていることを特徴とする。
【００１０】
上記空隙は滴下された液材を保持するため、溶媒を乾燥除去後の機能層膜厚は若干厚めになる。しかし上記構成の電気光学装置であれば、当該空隙の底部を画素電極ではなく隔壁の一部である無機材料層にできる。したがって、表示領域における機能層膜厚をより一層均一化でき、より一層表示特性を向上できる。
【００１１】
また、上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、基板上に画素電極を整列配置する工程と、上記基板上に第１の材料層を形成する工程と、上記第１の材料層上に第２の材料層を積層する工程と、上記第２の材料層をパターニングして、上記画素電極の当該画素電極の周縁部を除く領域に重なる部分を選択的に除去する工程と、パターニング後の上記第２の材料層をマスクとして、上記第１の材料層をエッチングし、上記第２の材料層が庇部であり上記第１の材料層が側壁である空隙を形成する工程と、上記画素電極上に機能層形成材料を溶質とする液材を滴下する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１２】
かかる製造方法であれば、滴下した上記液滴を上記空隙で保持することができる。したがって、上記画素電極の周縁部において、上記液材がはじき等が発生することを抑制できる。その結果、上記画素電極上に平坦な機能層を形成でき、表示性能を向上できる。
【００１３】
好ましくは、上記第１の材料層と上記画素電極の間に第３の材料層を形成する工程と、上記第１の材料層のエッチングに続いて上記第３の材料層をエッチングする工程と、をさらに含むことを特徴とする。
【００１４】
かかる製造方法であれば、上記画素電極の周縁部を上記第３の材料層で覆うことができる。したがって、上記機能層の膜厚が比較的変動し易い上記周縁部を表示領域外とすることができ、表示領域における上記機能層の膜厚の均一性を向上できる。その結果、電気光学装置の表示性能を一層向上できる。
【００１５】
また、好ましくは、上記第３の材料層のエッチングを、上記第３の材料層のエッチングレートに比べて上記第１の材料層のエッチングレートが高くなる条件で行うことを特徴とする。
【００１６】
かかる製造方法により上記第３の材料層のエッチング時における上記第１の材料層の横方向へのエッチングを拡大できる。したがって、上記空隙を拡大でき、滴下された上記液材をより一層確実に保持でき、より一層均一な膜厚分布を持つ機能層を形成できる。その結果、電気光学装置の表示性能をより一層向上できる。
【００１７】
また、好ましくは、上記第１の材料層および上記第３の材料層の形成材料としてに無機材料用い、上記第２の材料層の形成材料として有機材料を用いることを特徴とする。
【００１８】
無機材料は親液性を有し、有機材料は撥液性を有する。したがって、かかる材料を用いて上記空隙を形成することで、上記液材をより一層確実に保持できる。その結果、上記画素電極上により一層平坦な機能層を形成でき、より一層表示性能を向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。本発明は隔壁内に液滴を滴下した後に溶媒を乾燥除去することで機能層を形成する工程を有する電気光学装置に対応するものであり、特に有機ＥＬ表示装置に対応するものである。そこで、まず図１および図２を用いて、後述する従来例および各実施形態において共通するアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の構成について説明する。
【００２０】
図１は、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の全体構成を示す回路構成図である。
【００２１】
画像表示領域１０には、複数の走査線１０２と、走査線１０２と直交する複数の信号線１０４と、信号線１０４と平行に延びる複数の電源供給線１０６が形成され、走査線１０２と信号線１０４との各々の交点近傍には、画素領域１００が形成されている。
各々の画素領域１００には、走査線１０２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１０８と、スイッチング用ＴＦＴ１０８を介して信号線１０４から供給される画素信号を保持する保持容量１１０と、保持容量１１０によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１１２と、駆動用ＴＦＴ１１２を介して電源供給線１０６から駆動電流が流れ込む発光素子１１４が形成されている。後述するように、発光素子１１４は画素電極である陽極と、画像表示領域１０の全範囲にわたって共通電位となる陰極とでＥＬ層を含む機能層を狭持しており、上記駆動電流は陽極に供給される。
【００２２】
画像表示領域１０の周辺には、走査線駆動回路１２０、及びデータ線駆動回路１３０が形成されている。走査線１０２には、走査線駆動回路１２０から、図示しない外部回路より供給される各種信号に応じて走査信号が順次供給される。そして、信号線１０４にはデータ線駆動回路１３０から画像信号が供給され、電源供給線１０６には図示しない外部回路から画素駆動電流が供給される。なお、走査線駆動回路１２０の動作とデータ線駆動回路１３０の動作とは、同期信号線１４０を介して外部回路から供給される同期信号により相互に同期が図られている。
【００２３】
走査線１０２が駆動されスイッチング用ＴＦＴ１０８がオン状態になると、その時点の信号線１０４の電位が保持容量１１０に保持され、保持容量１１０の状態に応じて駆動用ＴＦＴ１１２のレベルが決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１１２を介して電源供給線１０６から陽極に駆動電流が流れ、さらに機能層を介して陰極に駆動電流が流れる。その結果、機能層は駆動電流の大きさに応じて発光する。
【００２４】
次に、図２を用いて、画素領域１００の構成について説明する。図２は、基板上における、画素領域１００を構成する各要素を示す平面構成図である。
【００２５】
スイッチング用ＴＦＴ１０８は、走査線１０２から突き出した第１のゲート電極２０２と、方形にパターニングされた第１の半導体層２２１と、からなる。第１の半導体層２２１は、第１のチャネル領域２０４と、その両側の第１のソース領域２０６および第１のドレイン領域２０８と、からなる。そして第１のチャネル領域２０４は、第１のゲート電極２０２と対向している。
【００２６】
駆動用ＴＦＴ１１２は、容量電極から突き出した第２のゲート電極２１２と、方形にパターニングされた第２の半導体層２２２と、からなる。第２の半導体層２２２は、第２のチャネル領域２１４と、その両側の第２のソース領域２１６および第２のドレイン領域２１８と、からなる。そして第２のチャネル領域２１４は、第２のゲート電極２１２と対向している。
【００２７】
スイッチング用ＴＦＴ１０８の、第１のドレイン領域２０８は第１のコンタクトホール２１を介して信号線１０４と導通し、第１のソース領域２０６は第２のコンタクトホール２２を介してソース電極２３２と導通している。そして、ソース電極２３２は、第３のコンタクトホール２３を介して第２のゲート電極２１２と導通するとともに、第４のコンタクトホール２４を介して保持容量１１０の一方の電極層と導通している。
【００２８】
保持容量１１０のもう一方の電極層は、第１の半導体層２２１と同一の層をパターニングして形成され、第５のコンタクトホール２５を介して電源供給線１０６と導通している。
【００２９】
第２のソース領域２１６は第６のコンタクトホール２６を介して電源供給線１０６の突出部分と導通している。第２のドレイン領域２１８は第７のコンタクトホール２７を介してドレイン電極２３４と導通し、ドレイン電極２３４と画素電極２００は第８のコンタクトホール２８を介して導通している。
【００３０】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置はボトムエミッション方式である。基板は透光性材料からなり、画素電極２００はＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）等の導電性透光材料で形成される。そして図３以降で示すように、後述する隔壁３１４で画素の開口部が形成されている。そして隔壁３１４で囲まれる凹部内には、発光層としての有機ＥＬ材料を含む機能層がインクジェット法により形成され、画素の開口部介して光を出射している。
【００３１】
上述したように隔壁の断面形状は上記機能層の形成時に大きく影響する。本発明は隔壁の断面形状を工夫して機能層の均一化を目指すものである。具体的には、隔壁３１４を２層以上の材料層で形成し、画素電極上に形成される第１の材料層と、その上層に形成される第２の材料層と、その上層に形成される第２の材料層とで空隙５０を形成し、その保持力を利用している。以下、従来の有機ＥＬ表示装置の機能層の形成、及び本発明の実施形態における機能層の形成について、図２に示すＡ―Ａ´線における画素電極部分の断面図を用いて述べる。
【００３２】
まず図３（ａ）に示すように、基板２０上に第１の層間膜３１５、および第２の層間膜３１６を介して画素電極２００を形成する。なお、第１の層間膜３１５、および第２の層間膜３１６の間には信号線１０４、および電源供給線１０６が形成されている。そして、画素電極２００の周囲を囲む、無機材料層３０７と有機材料層３０８とからなる隔壁３１４を形成する。無機材料層３０７は酸化シリコン等からなり、親液性を有する。一方、有機材料層３０８はポリイミド等からなり、撥液性を有する。
【００３３】
次に図３（ｂ）に示すように、隔壁３１４で囲まれている画素電極２００上にインクジェット装置の滴下ノズル（以下、「ノズル」と称する。）３２０から機能層形成材料を溶質とする液材の液滴３２１を滴下する。上述したように有機材料層３０８は撥液性を有するため、滴下された液材は隔壁３１４に対して反発する力が働き、液面は安定しない。
【００３４】
次に図３（ｃ）に示すように、滴下された機能液３２１から溶媒を乾燥除去して機能層３２２を形成する。当該機能層は、少なくとも画素電極２００に直接接する領域において膜厚が均一であることが必要である。しかし上述したように、滴下された液材は隔壁３１４の上部を構成する有機材料層３０８と反発しあうため、溶媒の乾燥中も安定し得ない。その結果、画素電極２００上に形成される機能層３２２は波を打つような形状となり、膜厚の均一性が劣化する。そこで本発明の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置およびその製造方法は、隔壁３１４に空隙５０（図４等参照）を形成することで、機能層３２２の膜厚の均一性を向上させている。
（第１の実施形態）
【００３５】
図４に、本発明の第１の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の模式断面図を示す。また、図５〜図７に、本発明の第１の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程の模式断面図を示す。
【００３６】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、積層される各々の構成要素は上述した従来の有機ＥＬ表示装置と同一である。つまり、基板２０上に第１の層間膜３１５、および第２の層間膜３１６を介して画素電極２００が形成されており、画素電極２００の周囲には第１の材料層としての酸化シリコン層３１０と第２の材料層としてのポリイミド層３１３とからなる隔壁３１４が形成されている。そして、第１の層間膜３１５と第２の層間膜３１６との間には信号線１０４、および電源供給線１０６が形成されている。
【００３７】
従来の有機ＥＬ表示装置と異なる点は、隔壁の上層のポリイミド層３１３の幅が下層の酸化シリコン層３１０よりも広くなるように形成されている点である。ポリイミド層３１３の幅が広く画素電極２００上に庇状に張り出しているため、当該ポリイミド層の下方には酸化シリコン層３１０を側壁とし、画素電極２００の周縁部を下部とする空隙５０が形成されている。
【００３８】
当該空隙は、側壁が親液性を有する酸化シリコン層で形成されているため、画素電極２００上に滴下された液材を吸引して保持する機能を有する。本発明の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置は、上記機能により画素電極２００上に形成される機能層３２２の膜厚を均一化し、表示特性を向上させるものである。以下、上述の図４に示す有機ＥＬ表示装置の製造工程を、図５に基づき述べる。
【００３９】
まず図５（ａ）に示すように、基板２０上に第１の層間膜３１５、および第２の層間膜３１６を介して画素電極２００を形成する。そして当該画素電極上に、第１の材料層としての酸化シリコン層３１０と第２の材料層としてのポリイミド層３１３を形成する。
【００４０】
次に図５（ｂ）に示すように、基板２０上全面にフォトレジストを塗布した後、画素電極上の領域から選択的に除去して、基板２０上の画素電極２００が形成されていない領域を覆うレジスト層３５０を形成する。なお、画素電極２００の周縁部は画素電極２００とレジスト層３５０とが重なることが好ましい。
【００４１】
次に図５（ｃ）に示すように、レジスト層３５０をマスクとしてポリイミド層３１３をエッチングする。エッチングはやや等方的に進行するので、エッチング後のポリイミド層３１３の側面は傾斜を有する。そして、上記エッチング後にレジスト層３５０を除去する。
【００４２】
次に図６（ａ）に示すように、ポリイミド層３１３をマスクとして酸化シリコン層３１０をエッチングして、上層のポリイミド層３１３と下層の酸化シリコン層３１０とからなる隔壁３１４を形成する。エッチングは水平方向にも進むため、ポリイミド層３１３の端部では上層であるポリイミド層３１３の下部がエッチングされ、空隙５０が形成される。
【００４３】
次に図６（ｂ）に示すように、画素電極２００上に、ノズル３２０から、正孔輸送層形成材料を溶質とする液材の液滴３２３を滴下する。ポリイミド層３１３は撥液性を有するため、滴下された液材は隣接する画素電極２００上に流出することが抑制される。また、上述の空隙５０は、側壁が親液性を有する酸化シリコン層３１０からなるため、滴下された液材を吸引して保持する。その結果、当該液材は隔壁３１４にはじかれて液面が不安定化することが抑制される。
【００４４】
次に図６（ｃ）に示すように、上述の液材から溶媒を乾燥除去して、画素電極２００上に正孔輸送層３２４を形成する。液材が、画素電極２００上に安定的に保持されていたため、均一な膜厚分布を有する正孔輸送層３２４が形成される。
【００４５】
次に図７（ａ）に示すように、画素電極２００上に形成された正孔輸送層３２４上に、発光層形成材料を溶質とする液材の液滴３２５をノズル３２０から滴下する。滴下された液材は、上述の液滴３２３と同様に、空隙５０の効果により液面が不安定化することが抑制される。また隔壁３１４により、隣接する画素電極２００上への流出が回避される。
【００４６】
次に図７（ｂ）に示すように、上述の液材から溶媒を乾燥除去して、発光層３２６を形成する。上述の正孔輸送層３２４と同様に、均一な膜厚分布が得られる。なお、正孔輸送層３２４と発光層３２６とで機能層３２２となる。
【００４７】
次に図７（ｃ）に示すように、基板２０上全面に陰極層３２８を形成する。そして、若干の周知工程を付加して有機ＥＬ表示装置を完成させる。
上述したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置は画素電極の周縁部に空隙を形成して機能層膜厚の均一性を向上させているため、従来の有機ＥＬ表示装置にくらべて、表示特性、および寿命等が向上している。
（第２の実施形態）
【００４８】
図８に本発明の第２の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の模式断面図を示す。また、図９〜図１１に本発明の第２の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程の模式断面図を示す。本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、画素電極２００の周囲に空隙５０が形成されている点は上記第１の実施形態と同様であるが、空隙５０の側壁となる第１の材料層の下層に、空隙５０の底部となる第３の材料層が配置されている点が異なっている。
【００４９】
図８に示すように、隔壁３１４は第１の材料層としての窒化シリコン層３１２、第３の材料層としての酸化シリコン層３１１、および第２の材料層としてのポリイミド層３１３の３層で構成されている。空隙５０は、側壁が窒化シリコン層３１２で形成され、下部には酸化シリコン層３１１が配置されている。酸化シリコン層３１１は画素電極２００の周縁部と重なっており、当該画素電極が、後述する陰極層３２８との間で電圧を印加できる領域、すなわち発光領域を規定している。
【００５０】
上記第１の実施形態で述べたように、空隙５０は、画素電極２００上に滴下された液材を吸引して保持することにより、機能層の膜厚分布の均一性を向上させる。しかし一方で、空隙５０内では、機能層の膜厚が若干厚めになるため、画素電極２００の周縁部では上記均一性を悪化させる要因にもなり得る。本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、空隙５０の形成領域と上記発光領域とが重なる領域を縮小することで、発行領域内における機能層膜厚の均一性を一層向上させるものである。以下、上述の図８に示す有機ＥＬ表示装置の製造工程を述べる。
【００５１】
まず図９（ａ）に示すように、基板２０上に第１の層間膜３１５、および第２の層間膜３１６を介して画素電極２００を形成する。そして当該画素電極上に、第３の材料層としての酸化シリコン層３１１、第１の材料層としての窒化シリコン層３１２、および第２の材料層としてのポリイミド層３１３を順に積層する。そして、基板２０上全面にフォトレジストを塗布した後、画素電極２００上の領域から選択的に除去して、基板２０上の画素電極２００が形成されていない領域、および画素電極２００の周縁部を覆うフォトレジスト層３５０を形成する。
【００５２】
次に、図９（ｂ）に示すように、フォトレジスト層３５０をマスクとして、ポリイミド層３１３をエッチングする。
【００５３】
次に、図９（ｃ）に示すように、エッチング後のポリイミド層３１３をマスクとして、窒化シリコン層３１２を例えばＳＦ₆をエッチャントに用いてエッチングする。上記エッチング前にレジスト層３５０を除去しているが、除去せずにエッチングすることも可能である。
【００５４】
そして、図１０（ａ）に示すように、エッチング後のポリイミド層３１３をマスクとして、酸化シリコン層３１１を同一条件で連続してエッチングする。ＳＦ₆をエッチャントに用いた場合、窒化シリコン層３１２のエッチングレートは、酸化シリコン層３１１のエッチングレートよりも速くなる。一方、ポリイミド層３１３に対してはエッチング能力を有しない。そのため、酸化シリコン層３１１をエッチングする間に、窒化シリコン層３１２が水平方向にエッチングされる。その結果、画素電極２００の周縁部には、窒化シリコン層３１２を側壁として、上下を酸化シリコン層３１１とポリイミド層３１３とで挟まれる空隙５０が形成される。
【００５５】
次に、図１０（ｂ）に示すように、隔壁３１４で囲まれた画素電極２００上に、ノズル３２０から、正孔輸送層形成材料を溶質とする液材の液滴３２３を滴下する。空隙５０の側壁となる窒化シリコン層３１２、および空隙５０の下部となる酸化シリコン層３１１は親液性なため、滴下された液材を吸引して保持する。その結果、上記液材は、隔壁３１４にはじかれて液面が不安定化することが抑制される。
【００５６】
次に図１０（ｃ）に示すように、上述の液材から溶媒を乾燥除去して、画素電極２００上に正孔輸送層３２４を形成する。上述するように滴下した液材が、画素電極２００上に安定的に保持されていたため、当該画素電極の周縁部以外は均一な膜厚分布を有する正孔輸送層３２４が形成される。
【００５７】
次に図１１（ａ）に示すように、画素電極２００上に形成された正孔輸送層３２４上に、発光層形成材料を溶質とする液材の液滴３２５をノズル３２０から滴下する。滴下された液材は、上述の液滴３２３と同様に、空隙５０の効果により安定的に保持される。
次に図１１（ｂ）に示すように、上述する液材から溶媒を乾燥除去して、発光層３２６を形成する。発光層３２６の膜厚分布は、上述の正孔輸送層３２４と同様に、間隙５０の効果により画素電極２００の周縁部以外は均一となる。なお、正孔輸送層３２４と発光層３２６とで機能層となる。
【００５８】
最後に図１１（ｃ）に示すように、基板２０上全面に陰極層３２８を形成する。そして、若干の周知工程を付加して有機ＥＬ表示装置を完成させる。
【００５９】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、画素電極の周縁部に空隙を形成することにより、機能層膜厚の均一性を向上させる点では上記第１の実施形態と同様である。しかし空隙の側壁を直接画素電極に接触させずに、上記空隙の下部となる無機材料層を画素電極上に別途配置している点が異なっている。空隙の下部にも親液性を有する無機材料層を配置することにより、上記空隙の液材を安定的に保持する機能をさらに高めることができる。その結果、より一層均一な膜厚分布を有する機能層を形成できる。
【００６０】
また、画素電極上に配置した無機材料層により発光領域を限定するため、上記空隙の保持機能により機能層の膜厚が若干厚めに形成される周縁部を、発光領域から除くことができる。したがって、上記発光領域内における機能層膜厚の均一性をより一層向上させることができ、より一層表示性能の向上した有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の全体構成を示す回路構成図。
【図２】画素領域を構成する各要素を示す平面構成図。
【図３】従来の有機ＥＬ表示装置の機能層の形成を示す断面図。
【図４】第１の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の模式断面図。
【図５】第１の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を示す模式断面図。
【図６】第１の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を示す模式断面図。
【図７】第１の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を示す模式断面図。
【図８】第２の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の模式断面図。
【図９】第２の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を示す模式断面図。
【図１０】第２の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を示す模式断面図。
【図１１】第２の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を示す模式断面図。
【符号の説明】
【００６２】
１０…画像表示領域、２０…基板、２１…第１のコンタクトホール、２２…第２のコンタクトホール、２３…第３のコンタクトホール、２４…第４のコンタクトホール、２５…第５のコンタクトホール、２６…第６のコンタクトホール、２７…第７のコンタクトホール、２８…第８のコンタクトホール、５０…空隙、１００…画素領域、１０２…走査線、１０４…信号線、１０６…電源供給線、１０８…スイッチング用ＴＦＴ、１１０…保持容量、１１２…駆動用ＴＦＴ、１１４…発光素子、１２０…走査線駆動回路、１３０…データ線駆動回路、１４０…同期信号線、２００…画素電極、２０２…第１のゲート電極、２０４…第１のチャネル領域、２０６…第１のソース領域、２０８…第１のドレイン領域、２１２…第２のゲート電極、２１４…第２のチャネル領域、２１６…第２のソース領域、２１８…第２のドレイン領域、２２１…第１の半導体層、２２２…第２の半導体層、２３２…ソース電極、２３４…ドレイン電極、３０７…無機材料層、３０８…有機材料層、３１０…第１の材料層としての酸化シリコン層、３１１…第３の材料層としての酸化シリコン層、３１２…第１の材料層としての窒化シリコン層、３１３…第２の材料層としてのポリイミド層、３１４…隔壁、３２０…ノズル、３２１…機能層形成材料を溶質とする液材の液滴、３２２…機能層、３２３…正孔輸送層形成材料を溶質とする液材の液滴、３２４…正孔輸送層、３２５…発光層形成材料を溶質とする液材の液滴、３２６…発光層、３２８…陰極層。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極と、当該画素電極の周縁部を囲む２層以上の材料層からなる隔壁と、を有する電気光学装置であって、
前記周縁部に、第１の材料層と、前記画素電極の中心部へ向けて庇状に張り出す第２の材料層と、からなる空隙を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１の材料層が無機材料からなり、前記第２の材料層が有機材料層からなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１の材料層と前記画素電極との間に、前記画素電極の中心部へ向けて、前記第１の材料層よりも内側に張り出して前記空隙の底部となる第３の材料層が配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
基板上に画素電極を整列配置する工程と、
前記基板上に第１の材料層を形成する工程と、
前記第１の材料層上に第２の材料層を積層する工程と、
前記第２の材料層をパターニングして、前記画素電極の当該画素電極の周縁部を除く領域に重なる部分を選択的に除去する工程と、
パターニング後の前記第２の材料層をマスクとして、前記第１の材料層をエッチングし、前記第２の材料層が庇部であり前記第１の材料層が側壁である空隙を形成する工程と、
前記画素電極上に機能層形成材料を溶質とする液材を滴下する工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の材料層と前記画素電極の間に第３の材料層を形成する工程と、前記第１の材料層のエッチングに続いて前記第３の材料層をエッチングする工程と、をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記第３の材料層のエッチングを、前記第３の材料層のエッチングレートに比べて前記第１の材料層のエッチングレートが高くなる条件で行うことを特徴とする請求項４または５に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の材料層および前記第３の材料層の形成材料としてに無機材料用い、前記第２の材料層の形成材料として有機材料を用いることを特徴とする請求項５または６に記載の電気光学装置の製造方法。

【図１】