電気光学装置の製造方法
【課題】破損しにくい基板構造を有する電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ素子が設けられた第１基板と、第１基板に対向配置されこれを封着する第２基板と、を備えた表示パネル１２を有する有機ＥＬ装置の製造方法であって、第１基板が面付けされたマザー基板１２ａ’において、第２基板のコーナー部の領域を含む格子状にシール材２６を塗布する工程と、シール材２６を介してマザー基板１２ａ’に第２基板が面付けされたマザー基板を対向して貼り付ける工程と、一対のマザー基板を、表示パネル１２の形状に相当する切断ラインに沿って切断する工程と、を有する。
【解決手段】有機ＥＬ素子が設けられた第１基板と、第１基板に対向配置されこれを封着する第２基板と、を備えた表示パネル１２を有する有機ＥＬ装置の製造方法であって、第１基板が面付けされたマザー基板１２ａ’において、第２基板のコーナー部の領域を含む格子状にシール材２６を塗布する工程と、シール材２６を介してマザー基板１２ａ’に第２基板が面付けされたマザー基板を対向して貼り付ける工程と、一対のマザー基板を、表示パネル１２の形状に相当する切断ラインに沿って切断する工程と、を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置の１つとして、例えば、陽極と陰極との間に発光層などの有機膜が挟持された構造の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置がある。有機ＥＬ装置の製造方法としては、まず、複数の有機ＥＬ装置を形成するため、ガラス基板（マザー基板）上の複数の領域に有機ＥＬ層を形成する。次に、それぞれの有機ＥＬ層の領域毎にシール材を塗布し、その後、もう一つのガラス基板（マザー基板）を用いて各有機ＥＬ層を封止する。次に、有機ＥＬ装置の外形（四角形状）となる切断ラインに沿って一対のガラス基板に、例えば、特許文献１に記載のような、切断処理（例えば、ダイシング）を施し、複数の有機ＥＬ装置に分離する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２２３１１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ガラス基板の厚みを薄くすると有機ＥＬ装置の特にコーナーの強度が弱くなり、切断処理を行った際、切断する応力によってコーナーに欠けや割れが発生しやすい。言い換えれば、切断処理が安定してできないという課題があった。
【０００５】
また、完成品となった有機ＥＬ装置の取り扱いにおいて、コーナーに割れや欠けが発生し易いという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、電気光学素子が設けられた第１基板と、前記第１基板に対向配置されこれを封着する第２基板と、を備えた電気光学パネルを有する電気光学装置の製造方法であって、前記第１基板が面付けされた第１マザーガラス基板において、前記第２基板のコーナー部の領域を含む格子状にシール材を塗布する塗布工程と、前記シール材を介して前記第１マザーガラス基板に前記第２基板が面付けされた第２マザーガラス基板を対向して貼り付ける貼付工程と、前記第１マザーガラス基板及び前記第２マザーガラス基板を、前記電気光学パネルの形状に相当する切断ラインに沿って切断する切断工程と、を有することを特徴とする。
【０００８】
この方法によれば、塗布工程において第２基板のコーナー部の領域を含む格子状にシール材を塗布するので、切断工程において電気光学パネルの形状に切断した際、第１基板と第２基板とが重なるコーナー部にシール材を介在させることができる。つまり、格子状にシール材を塗布したことで、電気光学パネルの中で強度が比較的弱いコーナー部の部分にも、シール材を介在させることができる。よって、切断工程において電気光学パネルの形状に切断した際、コーナー部の強度を強くすることが可能となり、安定して切断することができる。これにより、コーナー部が割れたり欠けたりすることを抑えることができる。また、完成品となった電気光学パネルを扱う際に応力が加わった場合でも、コーナー部が破損することを抑えることができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記塗布工程は、前記第１マザーガラス基板における対向する一端から他端に亘って順に格子状に前記シール材を塗布することが好ましい。
【００１０】
この方法によれば、シール材を第１マザーガラス基板の一端から他端に亘って順に格子状に塗布するので、シール材の塗布する方向を何回も変えずに行うことができる。また、順に塗布していくので塗布量を比較的安定させることができる。また、一端から他端に亘ってシール材を塗布するので、電気光学パネルの形状に切断した場合でも、破材同士を繋ぎとめておくことが可能となり、破材がばらばらになることを抑えることができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記第１基板は、前記第２基板と平面的に重なり合わない端子部の領域を有し、前記塗布工程は、前記第２基板の辺より前記端子部側にはみ出さないように前記シール材を前記第１マザーガラス基板に塗布することが好ましい。
【００１２】
この方法によれば、第２基板の辺より端子部側にはみ出さないように塗布するので、切断工程において、第２マザーガラス基板における端子部の領域を切断する際、シール材の縁に沿って切断することが可能となる。よって、シール材に影響されることなく切断部分を取り除くことができる。また、切断した後の電気光学パネルの外周の縁にシール材を残すことが可能となり、電気光学パネルの中に不純物が侵入することを防ぐことができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記塗布工程は、前記電気光学パネルにおける前記端子部の領域を除くコーナー部の面形状に沿って前記シール材を塗布することが好ましい。
【００１４】
この方法によれば、コーナー部に面形状に沿ってシール材を塗布するので、電気光学パネルの形状に切断したとき、コーナー部の面形状に沿ってシール材を介在させることができる。よって、コーナー部における基板間に隙間がある場合と比較して、コーナー部の強度を向上させることができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記塗布工程は、前記シール材が交差する部分において、前記シール材の塗布量が他の部分の塗布量と同等になるように塗布量を変える、又は、塗布のタイミングを変えることが好ましい。
【００１６】
この方法によれば、交差部分において、シール材の塗布量、又は塗布タイミングを変えるので、交差部分にシール材が過剰に塗布されることを抑えることができる。これにより、電気光学パネルの表示領域にシール材がはみ出すことを抑えることができる。
【００１７】
［適用例６］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記第１マザーガラス基板には、複数の第１基板がマトリクス状に面付けされており、前記塗布工程は、前記複数の第１基板に跨るように前記シール材を格子状に塗布することが好ましい。
【００１８】
この方法によれば、複数の電気光学パネルを効率よく製造することが可能となり、多数個取り加工の生産性を向上させることができる。
【００１９】
［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記切断工程は、前記第１基板の前記端子部の領域のコーナー部を面取りするように切断することが好ましい。
【００２０】
この方法によれば、端子部の領域のコーナー部を面取りするので、コーナー部の強度を向上させることができる。
【００２１】
［適用例８］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記切断工程は、ダイシング法又はレーザー切断法を用いて、前記第１マザーガラス基板及び前記第２マザーガラス基板を切断することが好ましい。
【００２２】
この方法によれば、ダイシング法又はレーザー切断法を用いるので、シール材を含むガラス基板の部分を切断することができる。また、電気光学パネルとなった外周にシール材を介在させることが可能となり、電気光学パネルの強度を向上させることができる。
【００２３】
［適用例９］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記電気光学パネルの厚みが１００μｍ以下で構成され、少なくとも一方が透明な一対の樹脂フィルムで前記電気光学パネルを挟んでラミネートするラミネート工程を有することが好ましい。
【００２４】
この方法によれば、電気光学パネルを構成するガラス基板からなる第１基板及び第２基板を樹脂フィルムでラミネートするので、電気光学パネルのコーナー部への衝撃を緩和することができる。また、ガラス基板が破損したとき等、外部に飛散することを防ぐことが可能となり、安全性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】第１実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図。
【図２】図１に示す有機ＥＬ装置のＡ−Ａ'線に沿う模式断面図。
【図３】有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】有機ＥＬ装置を構成する表示パネルの構造を示す模式断面図。
【図５】有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。
【図６】有機ＥＬ装置の製造方法の一部を示す模式平面図。
【図７】有機ＥＬ装置の製造方法の一部を示す模式平面図。
【図８】有機ＥＬ装置の製造方法の一部を示す模式平面図。
【図９】有機ＥＬ装置の製造方法の一部を示す模式図。
【図１０】第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法の一部を示す模式平面図。
【図１１】有機ＥＬ装置の製造方法の一部を示す模式平面図。
【図１２】有機ＥＬ装置の製造方法の一部を示す模式平面図。
【図１３】有機ＥＬ装置の製造方法の変形例を示す模式平面図。
【図１４】有機ＥＬ装置の製造方法の変形例を示す模式平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２７】
（第１実施形態）
＜電気光学装置の構成＞
図１は、電気光学装置としての有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す有機ＥＬ装置のＡ−Ａ'線に沿う模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図１及び図２を参照しながら説明する。
【００２８】
図１に示すように、有機ＥＬ装置１１は、外形が矩形状の電気光学パネルとしての表示パネル１２を内包した表示部１３を備えている。表示パネル１２は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、３色の色表示が可能な複数の画素１４が設けられた表示領域１５を有している。複数の画素１４は、表示領域１５において３色のうち同色の画素１４が短辺に沿った方向に配列した所謂ストライプ状の配列となっている。なお、画素１４の配列はこれに限定されるものではない。
【００２９】
表示パネル１２の長辺に沿って設けられた端子部１６には、表示パネル１２を駆動制御する表示制御部（図示せず）との電気的な接続を図るべく、複数（例えば、３つ）の中継基板１７ａ，１７ｂ，１７ｃが実装されている。中継基板１７ａ，１７ｂ，１７ｃは、例えばフレキシブル回路基板（ＦＰＣ）であって、その表面に表示パネル１２を駆動する駆動回路の一部を構成する、例えばドライバーＩＣなどの電子部品を実装したものも採用することができる。
【００３０】
図２に示すように、有機ＥＬ装置１１の表示部１３は、中継基板１７ａが実装された表示パネル１２を樹脂フィルム２１と樹脂フィルム２２との間に挟んでラミネートされた構造となっている。
【００３１】
表示パネル１２は、画素１４ごとに対応して設けられた電気光学素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子２３（以降、「有機ＥＬ素子２３」と称する）を有する第１基板３１と、同じく画素１４ごとに対応して設けられた着色層を具備するカラーフィルター２４を有する第２基板３２とを、可視光透過性を有する封止樹脂２５を介してシール材２６により接合したものである。有機ＥＬ素子２３は白色光を発するものであり、白色光がカラーフィルター２４を透過して第２基板３２側から射出することにより、カラー表示を可能とする所謂トップエミッション構造となっている。
【００３２】
第１基板３１には、画素１４ごとに有機ＥＬ素子２３を駆動するための駆動回路（図示せず）が設けられており、有機ＥＬ素子２３は駆動回路上に形成されている。駆動回路は薄膜トランジスターなどのスイッチング素子やこれに繋がる配線等を含むものであって、公知の構成を採用することができる。
【００３３】
このように、有機ＥＬ素子２３を有する自発光型の表示パネル１２において、第１基板３１は透明なガラス基板を用いることができる。一方、有機ＥＬ素子２３からの発光が取り出される側の第２基板３２も透明なガラス基板を用いることができる。
【００３４】
本実施形態では、第１基板３１と第２基板３２とを接合した後に、その表面を機械的または化学的な研磨を施すことにより、それぞれの基板の厚みを薄くする加工が施されている。例えば、それぞれの基板の元の厚みは、およそ０．５ｍｍである。そして、加工後の総厚がおよそ１００μｍ以下（例えば、８０μｍ程度）となるように研磨されている。したがって、表示パネル１２自体がある程度の可撓性を有する構成となっている。
【００３５】
よって、表示パネル１２自体では外部からの衝撃に対して弱い、また衝撃で破損したときの飛散を防ぐ必要がある。また、有機ＥＬ素子２３を封着した密封構造とし、外部からの水分等の浸入を防ぎ、より長い発光寿命を確保したいなどの理由から、同じく可撓性を有する樹脂フィルム２１，２２でラミネートしている。
【００３６】
ラミネートに用いられる樹脂フィルム２１は、ガス透過性が低い透明な基材フィルム２１ａの一方の表面に接着剤を均一に塗布して形成された接着層２１ｂを有する。同様に樹脂フィルム２２は、ガス透過性が低い透明な基材フィルム２２ａの一方の表面に透明な接着剤を均一に塗布して形成された接着層２２ｂを有する。
【００３７】
基材フィルム２１ａ，２２ａとしては、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムやポリカーボネートフィルムなどが挙げられる。接着層２１ｂ，２２ｂは、例えば、熱硬化型のエポキシ樹脂を用いることができる。また、粘着性を有する粘着剤としてもよい。粘着剤を用いればリペア性を実現できる。
【００３８】
接着層２１ｂ，２２ｂが相対するように表示パネル１２を挟んで２つの樹脂フィルム２１，２２によりラミネートする。また、有機ＥＬ素子２３の防湿性、言い換えれば封止性を確保するために、ラミネート時に表示パネル１２の周辺に発生するおそれがある空間２７，２８を封止樹脂により埋めた構造となっている。すなわち、封止樹脂と一緒に表示パネル１２を挟んでラミネートしており、はみ出した封止樹脂の一部２９が樹脂フィルム２１，２２の端面に盛り上がった状態となっている。
【００３９】
素子基板３６の端子部１６には、異方性導電膜（ＡＣＦ）３３を用いて中継基板１７ａが実装されている。中継基板１７ａの接続部を除く表面は絶縁性を有する、例えばポリイミドやソルダーレジストなどの保護膜で覆われており、樹脂フィルム２１，２２の接着層２１ｂ，２２ｂと上記保護膜との接着性を確保するために、双方の界面に接着性を示す中間接着層３４，３５が設けられている。
【００４０】
このような構成の表示部１３は所謂シート状（板状）であって、外部応力にある程度追随して表示面を湾曲させることができる。
【００４１】
なお、表示パネル１２がトップエミッション構造の有機ＥＬ素子２３を有しているため、第１基板３１側から光を取り出す必要がない。したがって、第１基板３１側を覆う樹脂フィルム２２は透明性を有する必要はなく、ラミネートが可能な金属薄膜などの熱伝導体を備えた不透明な樹脂フィルムでもよい。熱伝導体により有機ＥＬ素子２３の発光に伴う発熱を放熱することが可能となる。
【００４２】
図３は、有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、有機ＥＬ装置の電気的な構成を、図３を参照しながら説明する。
【００４３】
図３に示すように、有機ＥＬ装置１１は、複数の走査線４１と、走査線４１に対して交差する方向に延びる複数の信号線４２と、信号線４２に並行に延びる複数の電源線４３とが、それぞれ格子状に配線されている。そして、走査線４１と信号線４２とにより区画された領域が画素領域として構成されている。信号線４２は、信号線駆動回路４４に接続されている。また、走査線４１は、走査線駆動回路４５に接続されている。
【００４４】
各画素領域には、走査線４１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（Thin Film Transistor）４６と、このスイッチング用ＴＦＴ４６を介して信号線４２から供給される画素信号を保持する保持容量４７と、保持容量４７によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ４８（以下、「ＴＦＴ素子４８」と称する。）とが設けられている。更に、各画素領域には、ＴＦＴ素子４８を介して電源線４３に電気的に接続したときに、電源線４３から駆動電流が流れ込む陽極５１と、陰極５２と、この陽極５１と陰極５２との間に挟持された機能層５３とが設けられている。
【００４５】
有機ＥＬ装置１１は、陽極５１と陰極５２と機能層５３とにより構成される有機ＥＬ素子２３を複数備えている。また、有機ＥＬ装置１１は、複数の有機ＥＬ素子２３で構成される表示領域を備えている。
【００４６】
この構成によれば、走査線４１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ４６がオン状態になると、そのときの信号線４２の電位が保持容量４７に保持され、保持容量４７の状態に応じて、ＴＦＴ素子４８のオン・オフ状態が決まる。そして、ＴＦＴ素子４８のチャネルを介して、電源線４３から陽極５１に電流が流れ、更に、機能層５３を介して陰極５２に電流が流れる。機能層５３は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。
【００４７】
図４は、有機ＥＬ装置を構成する表示パネルの構造を示す模式断面図である。以下、表示パネルの構造を、図４を参照しながら説明する。なお、構成をわかりやすく示すため、各構成要素の層厚や寸法の比率、角度等は適宜異ならせてある。
【００４８】
図４に示すように、本実施形態における表示パネル１２は、機能層５３で発する光を陰極５２側から射出させる、いわゆるトップエミッション構造である。この表示パネル１２は、第１基板３１と、第１基板３１に対向配置された第２基板３２とを有する。
【００４９】
第１基板３１としては、ガラス基板等が挙げられる。本実施形態では、第１基板３１の材料として無アルカリガラスを用いている。第１基板３１の厚さは、例えば、３０μｍ程度である。本実施形態では、第１基板３１は、材料として厚さが、例えば、０．５ｍｍ程度のガラス基板を用い、第２基板３２と接着された後にエッチングにより上述の厚さに加工される。
【００５０】
なお、表示パネル１２がトップエミッション型であることから、第１基板３１の材料として、光透過性を有する材料および光透過性を有していない材料のいずれを用いてもよい。
【００５１】
第１基板３１上には、回路素子層６１が設けられている。回路素子層６１は、下地保護膜（図示せず）やＴＦＴ素子４８、配線等を含んでいる。ＴＦＴ素子４８は、画素１４に対応して設けられている。
【００５２】
回路素子層６１上には、平坦化層６２が設けられている。平坦化層６２は、ＴＦＴ素子４８や配線等による表面の凹凸を緩和している。平坦化層６２には、陽極５１に平面的に重なるように、反射層６３が内装されている。反射層６３は、光反射性を有する金属材料等からなり、例えばアルミニウム合金等からなる。
【００５３】
平坦化層６２上には、陽極５１が設けられている。陽極５１は、例えば、ＩＴＯ（Indium Thin Oxide：インジウム錫酸化物）等の光透過性を有する金属酸化物導電膜からなる。陽極５１の材料は、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）（登録商標）であってもよい。陽極５１は、画素１４毎に回路素子層６１のＴＦＴ素子４８のドレイン端子と電気的に接続されている。
【００５４】
なお、表示パネル１２がトップエミッション型であることから、陽極５１の材料は必ずしも光透過性を有していなくてもよい。例えば、アルミニウム等からなる金属電極を用いるようにしてもよい。また、陽極５１の材料として光透過性を有していない材料を用いる場合は、反射層６３は設けなくてよい。
【００５５】
また、平坦化層６２上には、隔壁６４が設けられている。隔壁６４は、例えば、アクリル樹脂等からなり、画素１４の領域を区画している。
【００５６】
陽極５１及び隔壁６４上には、機能層５３が設けられている。本実施形態の機能層５３は、正孔注入層と、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層とが順に積層されて構成されている（図４では、１層で図示）。正孔注入層は、例えば、トリアリールアミン（ＡＴＰ）多量体で形成されている。正孔輸送層は、例えば、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）で形成されている。
【００５７】
発光層の発光色は白色である。白色発光材料としては、スチリルアミン系発光材料、アントラセン系ドーパミント（青色）、あるいはスチリルアミン系発光材料、ルブレン系ドーパミント（黄色）等が用いられる。電子輸送層は、例えばアルミニウムキノリノール錯体（Ａｌｑ3）で形成されている。機能層５３の各層は、例えば、真空蒸着法を用いて順次形成される。
【００５８】
機能層５３上には、陰極５２が設けられている。陰極５２は、本実施形態のようにトップエミッション構造である場合、光透過性を有する材料である、例えば、ＩＴＯ等の透明導電材料が用いられる。また、陰極５２は、マグネシウムと銀との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）で構成するようにしてもよい。なお、陰極５２の下層に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等からなる電子注入バッファー層が設けられていてもよい。
【００５９】
陰極５２及び隔壁６４上には、電極保護層６５が設けられている。電極保護層６５は、光透過性、密着性、耐水性、ガスバリアー性等を考慮して、例えば、珪素酸化物や珪素酸窒化物等の珪素化合物で構成される。また、電極保護層６５の厚さは１００ｎｍ以上が好ましく、隔壁６４を被覆することで発生する応力によるクラック発生を防ぐため、厚さの上限は２００ｎｍ以下とすることが好ましい。電極保護層６５は、ＰＶＤ（物理気相成長法）、ＣＶＤ（化学気相成長法）、またはイオンプレーティング法等を用いて形成される。
【００６０】
電極保護層６５上には、有機緩衝層６６が形成されている。この有機緩衝層６６は、隔壁６４の形状の影響により凹凸状に形成された電極保護層６５の凹凸部分を埋めるように設けられ、その上面は略平坦に形成される。
【００６１】
有機緩衝層６６としては、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂等からなる。有機緩衝層６６は、第１基板３１及び回路素子層６１等の反りや堆積膨張により発生する応力を緩和し、不安定な形状の隔壁６４から電極保護層６５が剥離することを防止する機能を有する。
【００６２】
また、有機緩衝層６６の上面が略平坦化されるので、有機緩衝層６６上に形成される硬い被膜からなる後述するガスバリアー層６７も平坦化される。したがって、応力が集中する部位がなくなり、これにより、ガスバリアー層６７でのクラックの発生を防止する。
【００６３】
有機緩衝層６６の厚さは、３μｍ〜５μｍ程度が好ましい。有機緩衝層６６は、例えば、真空スクリーン印刷法、スリットコート法、インクジェット法等を用いて形成される。
【００６４】
有機緩衝層６６上には、有機緩衝層６６を被覆し、かつ電極保護層６５の終端部まで覆うような広い範囲で、ガスバリアー層６７が形成されている。ガスバリアー層６７は、酸素や水分が浸入するのを防止するためのもので、これにより酸素や水分による有機ＥＬ素子２３の劣化等を抑えることができる。ガスバリアー層６７は、透明性、ガスバリアー性、耐水性を考慮して、好ましくは窒素を含む珪素化合物、すなわち珪素窒化物や珪素酸窒化物などによって形成される。なお、本実施形態では、第１基板３１からガスバリアー層６７までを、「素子基板３６」と称する。また、第２基板３２とカラーフィルター２４とを合わせて、「封止基板３７」と称する。
【００６５】
素子基板３６の有機ＥＬ素子２３が形成された面側、すなわちガスバリアー層６７が形成された面側には、封止基板３７が対向して配置されている。封止基板３７は、シール材２６および封止樹脂２５を介して、素子基板３６のガスバリアー層６７と接着されている。封止基板３７を構成する第２基板３２は、例えば、光透過性を有する無機ガラスからなる。本実施形態では、第２基板３２の材料として無アルカリガラスを用いている。
【００６６】
第２基板３２の厚さは、例えば、３０μｍ程度である。表示パネル１２では、第１基板３１および第２基板３２に、プラスチック基板に比べてガスバリアー性の高いガラス基板を用い、これらのガラス基板の厚さを薄くすることにより可撓性が付与されている。
【００６７】
シール材２６は、第１基板３１と第２基板３２との間の非表示領域に配置され、第１基板３１（第２基板３２）の外周に沿って枠状に設けられている。シール材２６は、水分透過率が低い材料からなる。シール材２６の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂に硬化剤として酸無水物を添加し、促進剤としてシランカップリング剤を添加した高接着性の接着剤を用いることができる。
【００６８】
封止樹脂２５は、素子基板３６と封止基板３７とシール材２６とで囲まれた領域に隙間なく充填されるように設けられている。封止樹脂２５は、例えば、アクリル系、エポキシ系、ウレタン系等の光透光性の高い樹脂からなる。耐熱性や耐水性を考慮すると、封止樹脂２５の材料として、エポキシ系樹脂を用いることが好ましい。
【００６９】
カラーフィルター２４は、第２基板３２の有機ＥＬ素子２３側に設けられている。カラーフィルター２４は、赤色（Ｒ）光に対応するカラーフィルター２４Ｒと、緑色（Ｇ）光に対応するカラーフィルター２４Ｇと、青色（Ｂ）光に対応するカラーフィルター２４Ｂとを有している（対応する色を区別しない場合には単にカラーフィルター２４とも呼ぶ）。カラーフィルター２４は、平面視で有機ＥＬ素子２３に重なるように設けられている。
【００７０】
カラーフィルター２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂを区画するように、遮光層６８が設けられている。遮光層６８は、隔壁６４に対応するように配置されている。遮光層６８は、遮光性を有する材料からなり、例えばＣｒ（クロム）等からなる。なお、カラーフィルター２４と遮光層６８とを覆うように、オーバーコート層が設けられていてもよい。
【００７１】
表示パネル１２は、赤色光を射出する画素１４Ｒと、緑色光を射出する画素１４Ｇと、青色光を射出する画素１４Ｂとを有している（対応する色を区別しない場合には単に画素１４とも呼ぶ）。カラーフィルター２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂは、画素１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂに対応して配置されている。
【００７２】
有機ＥＬ素子２３により発せられる白色光がカラーフィルター２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂを透過することで、画素１４Ｒ，１４Ｇ，１４ＢにおいてＲ、Ｇ、Ｂの３つの異なる色の光が射出される。画素１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂから一つの画素群が構成され、それぞれの画素群において画素１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂのそれぞれの輝度を適宜変えることで、種々の色の表示を行うことができる。したがって、フルカラー表示またはフルカラー発光が可能な表示パネルを提供できる。
【００７３】
表示パネル１２では、機能層５３から陰極５２側に発せられた光は、観察側に射出される。また、機能層５３から陽極５１側に発せられた光は、反射層６３により反射されて、観察側に射出される。以下、有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。
【００７４】
＜電気光学装置の製造方法＞
図５は、電気光学装置の製造方法としての有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャートである。図６〜図８は、有機ＥＬ装置の製造方法の一部を示す模式平面図である。図９は、有機ＥＬ装置の製造方法の一部を示す模式図である。以下、有機ＥＬ装置の製造方法を、図５〜図９を参照しながら説明する。
【００７５】
図５に示すように、ステップＳ１１（電気光学層形成工程）では、第１基板３１上に画素１４を形成する。詳しくは、図４に示すように、第１基板３１上に、回路素子層６１、隔壁６４、陽極５１、発光層を含む機能層５３、陰極５２等を形成する。なお、図４においては、これらの構成要素のいくつかを省略して描いている。
【００７６】
ステップＳ１２では、第１基板３１上の画素１４に対して薄膜封止を行う（図４参照）。詳しくは、画素１４を覆うようにして、電極保護層６５、有機緩衝層６６、ガスバリアー層６７を形成する。この工程は、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法、液滴吐出法、各種エッチング法等の種々の成膜方法、パターニング方法を用いて行うことができる。
【００７７】
ステップＳ１３（塗布工程）では、第１基板３１上の画素１４が形成された側にシール材２６を格子状に形成する。具体的には、図６を参照しながら説明する。なお、上記した画素１４などは、第１マザーガラス基板としてのマザー基板１２ａ’に形成されている。まず、図６に示すように、例えば、表示パネル１２となる第１外形ライン７１を含むようにマザー基板１２ａ’の第１辺８１（一端）から第２辺８２（他端）に亘って第１シール材２６ａを塗布する。なお、図６における破線は、後に表示パネル１２となる形状を示している。
【００７８】
次に、第２外形ライン７２を含むように第１辺８１から第２辺８２に亘って第２シール材２６ｂを塗布する。その後、第３外形ライン７３を含むように第３辺８３（一端）から第４辺８４（他端）に亘って第３シール材２６ｃを塗布する。そして、第２基板３２（封止基板３７）の外形ラインとなる第４外形ライン７４においては、第２基板３２の面内側に沿って第３辺８３から第４辺８４に亘って第４シール材２６ｄを塗布する。面内側に塗布することで、第４シール材２６ｄの幅は、他のシール材２６ａ〜２６ｃと比較して細いことが好ましい。このように、第１外形ライン７１から第４外形ライン７４に沿った格子状にシール材２６ａ〜２６ｄを塗布する。シール材２６の幅は、例えば、０．３〜０．４ｍｍである。
【００７９】
なお、格子状にシール材２６ａ〜２６ｄを塗布した場合、交差する部分３８（図６参照）のシール材２６の塗布量が多くなることが考えられる。よって、交差する部分３８の近傍では、シール材２６の塗布量や塗布タイミングを調整することが望ましい。例えば、一方の第１シール材２６ａを通常通り塗布し、他方の第３シール材２６ｃの塗布を中止する。また、例えば、交差する部分３８のみ、他のライン（交差しないライン）の塗布量に比べて、互いのシール材２６ａ，２６ｃの量を少なくする。なお、その他の交差する部分においても同様に調整する。これにより、交差部分にシール材２６を過剰に塗布することを抑えることができ、表示パネル１２の表示領域１５にシール材２６がはみ出すことを抑えることができる。
【００８０】
シール材２６としては、例えば、エポキシの接着剤が用いられる。シール材２６の形成方法としては、例えば、マザー基板１２ａ’上に、ディスペンサー塗布法（スクリーン印刷法）等により、紫外線硬化性樹脂からなるシール材２６を塗布することによって行う。また、シール材２６にはスペーサーを混入させておく。
【００８１】
ステップＳ１４では、マザー基板１２ａ’上のシール材２６で囲まれた領域に、封止樹脂２５を塗布する。詳しくは、マザー基板１２ａ’上に、ディスペンサー塗布法又は液滴吐出法により熱硬化性樹脂からなる封止樹脂２５を塗布することによって行う。また、封止樹脂２５は、硬化後に透明となるものを用いる。以上により、素子基板３６側が完成する。
【００８２】
ステップＳ２１では、第２基板３２が面付けされたマザー基板（第２マザーガラス基板）上にカラーフィルター２４及び遮光層６８を形成して、封止基板３７側が完成する。
【００８３】
ステップＳ３１（貼付工程）では、素子基板３６（マザー基板）と封止基板３７（マザー基板）とをシール材２６及び封止樹脂２５を介して貼り合わせる。詳しくは、減圧環境下において素子基板３６と封止基板３７との間でアライメント（位置合わせ）をした状態で接触、圧着させる。このとき、素子基板３６と封止基板３７とは、シール材２６に含まれるスペーサーによって支持され、一定の間隔を有した状態で貼り合わされる。このときのシール材２６の幅は、例えば、１．５ｍｍである。
【００８４】
ステップＳ３２では、シール材２６を硬化させる。詳しくは、紫外線硬化性樹脂からなるシール材２６に対し、封止基板３７側から紫外線を照射することにより、シール材２６を硬化させる。
【００８５】
ステップＳ３３では、封止樹脂２５を硬化させる。詳しくは、熱硬化性樹脂からなる封止樹脂２５に対し熱処理を行うことにより、封止樹脂２５を硬化させる。熱処理の方法としては、例えば、貼り合わせ後の素子基板３６及び封止基板３７を焼成炉内で加熱する方法を用いることができる。
【００８６】
ステップＳ３４では、第１基板３１及び第２基板３２をエッチングして、所定の厚さ、例えば、それぞれ３０μｍ程度まで薄くする。エッチング液としては、例えば、フッ酸（フッ化水素酸）を希釈した水溶液を用いる。エッチング液は、塩酸、硫酸、硝酸、燐酸等の水溶液であってもよい。エッチング方法は、第１基板３１および第２基板３２をエッチング液に浸漬してもよいし、エッチング液をシャワー照射してもよい。なお、この状態の基板を、表示パネル前駆体１２ａと称する。
【００８７】
ステップＳ３５（切断工程）では、表示パネル前駆体１２ａを表示パネル１２の形状に相当する切断ラインに沿って切断し個片化する（表示パネル１２を切り出す）。具体的には、図７を参照しながら説明する。まず、図７に示すように、例えば、第１外形ライン７１、第３外形ライン７３、第２外形ライン７２を切断する。切断する方法としては、例えば、レーザー切断法が用いられる。なお、レーザー切断法に限定されず、ダイシング法、またスクライブ及びブレイクを行って切断するようにしてもよい。その後、端子部１６の両端の第１面７６及び第２面７７を含む第５外形ライン７５を切断する。
【００８８】
その後、第４外形ライン７４に沿って、第２基板３２における端子部１６の領域に相当する領域を切断する。なお、第４外形ライン７４は、第４シール材２６ｄにおけるライン際である。
【００８９】
レーザー切断法による切断条件は、例えば、次の通りである。周波数は５０ｋＨｚである。レーザー出力は、１Ｗである。走査速度は、３０ｍｍ／ｓである。なお、第２基板３２における端子部１６に相当する領域のみを切断する場合、レーザー出力は、例えば、０．７５Ｗである。以上により、表示パネル前駆体１２ａから、図８に示すような表示パネル１２が切り出される。
【００９０】
このように、シール材２６を、切断ライン（第１外形ライン７１〜第４外形ライン７４）に沿って格子状に塗布するので、素子基板３６と封止基板３７との間にシール材２６を介した状態で、表示パネル１２の一部を切断することができる。これにより、表示パネル１２における強度的に弱い部分である第１コーナー８５〜第４コーナー８８は、素子基板３６と封止基板３７との間にシール材２６を介した隙間のない状態で切断することが可能となり、安定した状態で切断される。よって、第１コーナー８５〜第４コーナー８８が割れたり欠けたりすることを抑えることができる。
【００９１】
また、第１基板３１の端子部１６に第１面７６及び第２面７７を形成するので、表示パネル１２における端子部１６の強度を向上させることができる。また、後から面付け作業を行う場合と比較して、容易に面を形成することができる。
【００９２】
また、表示パネル１２の素子基板３６と封止基板３７との間における、第１コーナー８５〜第４コーナー８８、更に、第１外形ライン７１〜第４外形ライン７４に沿ってシール材２６が介在しているので、表示パネル１２、更には、有機ＥＬ装置１１を扱う際に、割れや欠けが発生することを抑えることができる。加えて、表示パネル１２の外周における、素子基板３６と封止基板３７との間に隙間がないので、ゴミなどの不純物が表示パネル１２内に入り込むことを防ぐことができる。
【００９３】
ステップＳ３６では、表示パネル１２の第１基板３１の端子部１６に、中継基板１７（１７ａ，１７ｂ，１７ｃ）を接続する（図１、図２参照）。第１基板３１と中継基板１７との接続は、異方性導電膜等の導電性の接着剤を用いて公知の方法を用いて行われる。
【００９４】
ステップＳ３７では、表示パネル１２をラミネートする。具体的には、例えば、図９（ａ）に示すように、各部材を重ね合わせた状態とし、ラミネート装置９１にセットする。詳しくは、樹脂フィルム２２上に、表示パネル１２と、樹脂フィルム２１（いずれも図２参照）とを重ねてラミネート装置９１にセットする。なお、図９では、ラミネート装置９１の加圧ローラー９２のみを図示している。
【００９５】
次に、図９（ｂ）に示すように、矢印で示す側から加圧し、８０℃〜１２０℃の範囲で加熱して圧着する。加圧ローラー９２に挟持された部分では、ローラーの熱によって樹脂フィルム２１，２２が溶解し、更に加圧されて相互に接着される。加熱圧着の方法は、ホットプレート型の並行板や一対の熱加圧ローラーを用いる方法が好ましい。また、真空圧着装置を用いてもよい。以上により、有機ＥＬ装置１１が完成する。
【００９６】
以上詳述したように、第１実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【００９７】
（１）第１実施形態によれば、封止基板３７（第２基板３２）のコーナー８５〜８８の領域を含む格子状にシール材２６を塗布するので、表示パネル前駆体１２ａを表示パネル１２の形状に切断した際、素子基板３６と封止基板３７とが重なるコーナー８５〜８８にシール材２６を介在させることができる。つまり、格子状にシール材２６を塗布することで、表示パネル１２の中で強度が比較的弱いコーナー８５〜８８の部分にも、シール材２６を残すことができる。よって、表示パネル１２の形状に切断する際、コーナー８５〜８８の強度を強くすることが可能となり、コーナー８５〜８８を安定して切断することができる。これにより、コーナー８５〜８８が割れたり欠けたりすることを抑えることができる。また、完成品となった有機ＥＬ装置１１を扱う際にコーナー８５〜８８などに応力が加わった場合でも、破損することを抑えることができる。また、封止基板３７の外周全域に沿ってシール材２６が設けられるので、外周の基板３６，３７間に隙間がなく、表示パネル１２の中（有機ＥＬ素子２３など）に不純物が入り込むことを防ぐことができる。
【００９８】
（２）第１実施形態によれば、表示パネル１２を樹脂フィルム２１，２２でラミネートするので、表示パネル１２のコーナー８５〜８８への衝撃を緩和させることができる。また、ガラス基板からなる第１基板３１及び第２基板３２が破損したとき等、外部に飛散することを防ぐことが可能となり、安全性を向上させることができる。
【００９９】
（３）第１実施形態によれば、表示パネル１２における端子部１６の両端に面付け（第１面７６、第２面７７）を行うので、素子基板３６の強度を向上させることができる。
【０１００】
（４）第１実施形態によれば、マザー基板１２ａ’の第１辺８１から第２辺８２、及び第３辺８３から第４辺８４まで、シール材２６を格子状に塗布するので、表示パネル１２の形状に切断した場合でも、破材同士を繋ぎとめておくことが可能となり、破材がばらばらになることを抑えることができる。
【０１０１】
（第２実施形態）
＜電気光学装置の製造方法＞
図１０〜図１２は、第２実施形態の電気光学装置の製造方法としての有機ＥＬ装置の製造方法の一部を示す模式平面図である。以下、有機ＥＬ装置の製造方法を、図５及び図１０〜図１２を参照しながら説明する。
【０１０２】
第２実施形態の有機ＥＬ装置（１１１）の製造方法は、１つの表示パネル前駆体１１２ａ（マザー基板１１２ａ’）から複数の表示パネル１１２を形成する部分が、第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。
【０１０３】
まず、図５に示すフローチャートにおいて、第１実施形態と同様に、ステップＳ１１及びステップＳ１２を行う。次に、ステップＳ１３では、素子基板３６（マザー基板１１２ａ’）における画素１４が形成された側に、複数の表示パネル１１２の領域に跨るようにシール材１２６を格子状に形成する。具体的には、図１０を参照しながら説明する。まず、図１０に示すように、例えば、複数の表示パネル１１２に跨る第１外形ライン１７１を含むように、マザー基板１１２ａ’の第１辺１８１から第２辺１８２に亘って複数本の第１シール材１２６ａを塗布する。なお、図１０における一点鎖線は、後に表示パネル１１２の外形となる形状を示している。
【０１０４】
次に、第２外形ライン１７２を含むように、第１辺１８１から第２辺１８２に亘って第２シール材１２６ｂを複数本塗布する。その後、第３外形ライン１７３を含むように、第３辺１８３から第４辺１８４に亘って第３シール材１２６ｃを複数本塗布する。そして、第２基板３２（封止基板３７）の外形ラインとなる第４外形ライン１７４においては、第２基板３２の面内側に沿って第３辺１８３から第４辺１８４に亘って複数本の第４シール材１２６ｄを塗布する。よって、第４シール材１２６ｄの幅は、他のシール材１２６ａ〜１２６ｃと比較して細いことが好ましい。このように、第１外形ライン１７１から第４外形ライン１７４に沿った格子状にシール材１２６ａ〜１２６ｄを塗布する。
【０１０５】
なお、第１実施形態と同様、格子状にシール材１２６ａ〜１２６ｄを塗布した場合、交差する部分のシール材１２６の量が多くなることが考えられる。よって、交差する部分の近傍では、シール材１２６の塗布量を調整することが望ましい。
【０１０６】
次に、第１実施形態と同様、ステップＳ１４及びステップＳ２１を行う（図５参照）。これにより、素子基板３６及び封止基板３７が完成する。その後、ステップＳ３１〜Ｓ３４を行う。
【０１０７】
次に、図１１に示すように（ステップＳ３５）、素子基板３６と封止基板３７とが貼り合わされた表示パネル前駆体１１２ａを切断して、それぞれの表示パネル１１２に個片化する（表示パネル１１２を切り出す）。まず、例えば、１つの表示パネル１１２における第１外形ライン１７１、第３外形ライン１７３、第２外形ライン１７２を切断する。切断する方法としては、第１実施形態と同様である。その後、端子部１６の両端の第１面７６及び第２面７７を含む第５外形ライン１７５を切断する。
【０１０８】
その後、第４外形ライン１７４に沿って、第２基板３２における端子部１６の領域に相当する領域を切断する。なお、第４外形ライン１７４は、第４シール材１２６ｄの縁に沿っている。
【０１０９】
このように、シール材１２６を、切断ライン（第１外形ライン１７１〜第４外形ライン１７４）に沿って格子状に塗布するので、素子基板３６と封止基板３７との間にシール材１２６を介した状態で、表示パネル１１２の一部を切断することができる。これにより、表示パネル１１２における強度的に弱い部分である第１コーナー８５〜第４コーナー８８においては、素子基板３６と封止基板３７との間にシール材１２６を介した隙間のない状態で切断することが可能となり、安定して切断することができる。よって、第１コーナー８５〜第４コーナー８８が割れたり欠けたりすることを抑えることができる。
【０１１０】
また、第１基板３１の端子部１６に第１面７６及び第２面７７を形成するので、表示パネル１１２における端子部１６の強度を向上させることができる。また、後から面付け作業を行う場合と比較して、容易に面を形成することができる。
【０１１１】
以上により、図１２に示すような複数の表示パネル１１２が切り出される。そして、引き続きステップＳ３６及びステップＳ３７を行って、有機ＥＬ装置（１１１）を完成させる。
【０１１２】
以上詳述したように、第２実施形態によれば、上記した第１実施形態の（１）〜（４）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【０１１３】
（５）第２実施形態によれば、複数の表示パネル１１２の領域に跨るように、マザー基板１１２ａ’の第１辺１８１から第２辺１８２、及び第３辺１８３から第４辺１８４まで、シール材１２６を格子状に塗布するので、シール材１２６を効率よく塗布することが可能となり、多数個取り加工の生産性を向上させることができる。
【０１１４】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【０１１５】
（変形例１）
上記したように、表示パネル１２，１１２における端子部１６のコーナーのみ面付け（第１面７６、第２面７７）を行うことに限定されず、例えば、図１３に示す表示パネル２１２のような面（７８，７９）を形成するようにしてもよい。図１３は、有機ＥＬ装置の製造方法の一部を示す模式平面図である。面付けを行う部分としては、パネル前駆体膜２１２ａにおける表示パネル２１２の４つのコーナーである。なお、第３面７８及び第４面７９において、シール材１２６が残るように、各シール材１２６の幅を設定することが好ましい。これによれば、表示パネル１２における４つのコーナーに面付け処理が施され、更に、その部分にシール材１２６が存在するので、曲げ応力などに対して強度を向上させることができる。
【０１１６】
（変形例２）
上記した変形例１ように、第３面７８及び第４面７９にシール材１２６が介在するようにシール材１２６の幅を設定することに代えて、例えば、図１４に示すように、シール材を塗布してもよい。図１４は、有機ＥＬ装置の製造方法の一部を示す模式平面図である。図１４に示すシール材の塗布方法は、マザー基板３１２ａ’に対し格子状にシール材１２６ａ〜１２６ｄを塗布することに加えて、表示パネル３１２の第３面７８及び第４面７９のラインに沿ってシール材２２６ａ，２２６ｂを塗布する。これにより、格子状のシール材１２６の幅を広くすることなく、第３面７８及び第４面７９に沿ってシール材２２６ａ，２２６ｂを設けた構造にすることができる。これによれば、表示パネル３１２のコーナーの強度を向上させることができる。
【０１１７】
（変形例３）
上記したように、トップエミッション型の有機ＥＬ装置１１，１１１に適用することに限定されず、例えば、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置に適用するようにしてもよい。
【０１１８】
（変形例４）
上記した電気光学装置は、有機ＥＬ装置１１，１１１に限定されず、例えば、液晶装置、プラズマディスプレイ、電子ペーパー等であってもよい。
【符号の説明】
【０１１９】
１１，１１１…電気光学装置としての有機ＥＬ装置、１２，１１２…電気光学パネルとしての表示パネル、１２ａ，１１２ａ…表示パネル前駆体、１２ａ’，１１２ａ’…第１マザーガラス基板としてのマザー基板、１３…表示部、１４，１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂ…画素、１５…表示領域、１６…端子部、１７ａ，１７ｂ，１７ｃ…中継基板、２１，２２…樹脂フィルム、２１ａ，２２ａ…基材フィルム、２１ｂ，２２ｂ…接着層、２３…電気光学素子としての有機ＥＬ素子、２４，２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ…カラーフィルター、２５…封止樹脂、２６，２６ａ〜２６ｄ，１２６，１２６ａ〜１２６ｄ…シール材、２７，２８…空間、２９…封止樹脂の一部、３１…第１基板、３２…第２基板、３３…異方性導電膜、３４，３５…中間接着層、３６…素子基板、３７…封止基板、３８…交差する部分、４１…走査線、４２…信号線、４３…電源線、４４…信号線駆動回路、４５…走査線駆動回路、４６…スイッチング用ＴＦＴ、４７…保持容量、４８…ＴＦＴ素子、５１…陽極、５２…陰極、５３…機能層、６１…回路素子層、６２…平坦化層、６３…反射層、６４…隔壁、６５…電極保護層、６６…有機緩衝層、６７…ガスバリアー層、６８…遮光層、７１〜７５，１７１〜１７５…外形ライン、７６〜７９…面、８１〜８４，１８１〜１８４…辺、８５〜８８…コーナー、９１…ラミネート装置、９２…加圧ローラー。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置の１つとして、例えば、陽極と陰極との間に発光層などの有機膜が挟持された構造の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置がある。有機ＥＬ装置の製造方法としては、まず、複数の有機ＥＬ装置を形成するため、ガラス基板（マザー基板）上の複数の領域に有機ＥＬ層を形成する。次に、それぞれの有機ＥＬ層の領域毎にシール材を塗布し、その後、もう一つのガラス基板（マザー基板）を用いて各有機ＥＬ層を封止する。次に、有機ＥＬ装置の外形（四角形状）となる切断ラインに沿って一対のガラス基板に、例えば、特許文献１に記載のような、切断処理（例えば、ダイシング）を施し、複数の有機ＥＬ装置に分離する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２２３１１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ガラス基板の厚みを薄くすると有機ＥＬ装置の特にコーナーの強度が弱くなり、切断処理を行った際、切断する応力によってコーナーに欠けや割れが発生しやすい。言い換えれば、切断処理が安定してできないという課題があった。
【０００５】
また、完成品となった有機ＥＬ装置の取り扱いにおいて、コーナーに割れや欠けが発生し易いという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、電気光学素子が設けられた第１基板と、前記第１基板に対向配置されこれを封着する第２基板と、を備えた電気光学パネルを有する電気光学装置の製造方法であって、前記第１基板が面付けされた第１マザーガラス基板において、前記第２基板のコーナー部の領域を含む格子状にシール材を塗布する塗布工程と、前記シール材を介して前記第１マザーガラス基板に前記第２基板が面付けされた第２マザーガラス基板を対向して貼り付ける貼付工程と、前記第１マザーガラス基板及び前記第２マザーガラス基板を、前記電気光学パネルの形状に相当する切断ラインに沿って切断する切断工程と、を有することを特徴とする。
【０００８】
この方法によれば、塗布工程において第２基板のコーナー部の領域を含む格子状にシール材を塗布するので、切断工程において電気光学パネルの形状に切断した際、第１基板と第２基板とが重なるコーナー部にシール材を介在させることができる。つまり、格子状にシール材を塗布したことで、電気光学パネルの中で強度が比較的弱いコーナー部の部分にも、シール材を介在させることができる。よって、切断工程において電気光学パネルの形状に切断した際、コーナー部の強度を強くすることが可能となり、安定して切断することができる。これにより、コーナー部が割れたり欠けたりすることを抑えることができる。また、完成品となった電気光学パネルを扱う際に応力が加わった場合でも、コーナー部が破損することを抑えることができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記塗布工程は、前記第１マザーガラス基板における対向する一端から他端に亘って順に格子状に前記シール材を塗布することが好ましい。
【００１０】
この方法によれば、シール材を第１マザーガラス基板の一端から他端に亘って順に格子状に塗布するので、シール材の塗布する方向を何回も変えずに行うことができる。また、順に塗布していくので塗布量を比較的安定させることができる。また、一端から他端に亘ってシール材を塗布するので、電気光学パネルの形状に切断した場合でも、破材同士を繋ぎとめておくことが可能となり、破材がばらばらになることを抑えることができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記第１基板は、前記第２基板と平面的に重なり合わない端子部の領域を有し、前記塗布工程は、前記第２基板の辺より前記端子部側にはみ出さないように前記シール材を前記第１マザーガラス基板に塗布することが好ましい。
【００１２】
この方法によれば、第２基板の辺より端子部側にはみ出さないように塗布するので、切断工程において、第２マザーガラス基板における端子部の領域を切断する際、シール材の縁に沿って切断することが可能となる。よって、シール材に影響されることなく切断部分を取り除くことができる。また、切断した後の電気光学パネルの外周の縁にシール材を残すことが可能となり、電気光学パネルの中に不純物が侵入することを防ぐことができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記塗布工程は、前記電気光学パネルにおける前記端子部の領域を除くコーナー部の面形状に沿って前記シール材を塗布することが好ましい。
【００１４】
この方法によれば、コーナー部に面形状に沿ってシール材を塗布するので、電気光学パネルの形状に切断したとき、コーナー部の面形状に沿ってシール材を介在させることができる。よって、コーナー部における基板間に隙間がある場合と比較して、コーナー部の強度を向上させることができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記塗布工程は、前記シール材が交差する部分において、前記シール材の塗布量が他の部分の塗布量と同等になるように塗布量を変える、又は、塗布のタイミングを変えることが好ましい。
【００１６】
この方法によれば、交差部分において、シール材の塗布量、又は塗布タイミングを変えるので、交差部分にシール材が過剰に塗布されることを抑えることができる。これにより、電気光学パネルの表示領域にシール材がはみ出すことを抑えることができる。
【００１７】
［適用例６］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記第１マザーガラス基板には、複数の第１基板がマトリクス状に面付けされており、前記塗布工程は、前記複数の第１基板に跨るように前記シール材を格子状に塗布することが好ましい。
【００１８】
この方法によれば、複数の電気光学パネルを効率よく製造することが可能となり、多数個取り加工の生産性を向上させることができる。
【００１９】
［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記切断工程は、前記第１基板の前記端子部の領域のコーナー部を面取りするように切断することが好ましい。
【００２０】
この方法によれば、端子部の領域のコーナー部を面取りするので、コーナー部の強度を向上させることができる。
【００２１】
［適用例８］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記切断工程は、ダイシング法又はレーザー切断法を用いて、前記第１マザーガラス基板及び前記第２マザーガラス基板を切断することが好ましい。
【００２２】
この方法によれば、ダイシング法又はレーザー切断法を用いるので、シール材を含むガラス基板の部分を切断することができる。また、電気光学パネルとなった外周にシール材を介在させることが可能となり、電気光学パネルの強度を向上させることができる。
【００２３】
［適用例９］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記電気光学パネルの厚みが１００μｍ以下で構成され、少なくとも一方が透明な一対の樹脂フィルムで前記電気光学パネルを挟んでラミネートするラミネート工程を有することが好ましい。
【００２４】
この方法によれば、電気光学パネルを構成するガラス基板からなる第１基板及び第２基板を樹脂フィルムでラミネートするので、電気光学パネルのコーナー部への衝撃を緩和することができる。また、ガラス基板が破損したとき等、外部に飛散することを防ぐことが可能となり、安全性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】第１実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図。
【図２】図１に示す有機ＥＬ装置のＡ−Ａ'線に沿う模式断面図。
【図３】有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】有機ＥＬ装置を構成する表示パネルの構造を示す模式断面図。
【図５】有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。
【図６】有機ＥＬ装置の製造方法の一部を示す模式平面図。
【図７】有機ＥＬ装置の製造方法の一部を示す模式平面図。
【図８】有機ＥＬ装置の製造方法の一部を示す模式平面図。
【図９】有機ＥＬ装置の製造方法の一部を示す模式図。
【図１０】第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法の一部を示す模式平面図。
【図１１】有機ＥＬ装置の製造方法の一部を示す模式平面図。
【図１２】有機ＥＬ装置の製造方法の一部を示す模式平面図。
【図１３】有機ＥＬ装置の製造方法の変形例を示す模式平面図。
【図１４】有機ＥＬ装置の製造方法の変形例を示す模式平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２７】
（第１実施形態）
＜電気光学装置の構成＞
図１は、電気光学装置としての有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す有機ＥＬ装置のＡ−Ａ'線に沿う模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図１及び図２を参照しながら説明する。
【００２８】
図１に示すように、有機ＥＬ装置１１は、外形が矩形状の電気光学パネルとしての表示パネル１２を内包した表示部１３を備えている。表示パネル１２は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、３色の色表示が可能な複数の画素１４が設けられた表示領域１５を有している。複数の画素１４は、表示領域１５において３色のうち同色の画素１４が短辺に沿った方向に配列した所謂ストライプ状の配列となっている。なお、画素１４の配列はこれに限定されるものではない。
【００２９】
表示パネル１２の長辺に沿って設けられた端子部１６には、表示パネル１２を駆動制御する表示制御部（図示せず）との電気的な接続を図るべく、複数（例えば、３つ）の中継基板１７ａ，１７ｂ，１７ｃが実装されている。中継基板１７ａ，１７ｂ，１７ｃは、例えばフレキシブル回路基板（ＦＰＣ）であって、その表面に表示パネル１２を駆動する駆動回路の一部を構成する、例えばドライバーＩＣなどの電子部品を実装したものも採用することができる。
【００３０】
図２に示すように、有機ＥＬ装置１１の表示部１３は、中継基板１７ａが実装された表示パネル１２を樹脂フィルム２１と樹脂フィルム２２との間に挟んでラミネートされた構造となっている。
【００３１】
表示パネル１２は、画素１４ごとに対応して設けられた電気光学素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子２３（以降、「有機ＥＬ素子２３」と称する）を有する第１基板３１と、同じく画素１４ごとに対応して設けられた着色層を具備するカラーフィルター２４を有する第２基板３２とを、可視光透過性を有する封止樹脂２５を介してシール材２６により接合したものである。有機ＥＬ素子２３は白色光を発するものであり、白色光がカラーフィルター２４を透過して第２基板３２側から射出することにより、カラー表示を可能とする所謂トップエミッション構造となっている。
【００３２】
第１基板３１には、画素１４ごとに有機ＥＬ素子２３を駆動するための駆動回路（図示せず）が設けられており、有機ＥＬ素子２３は駆動回路上に形成されている。駆動回路は薄膜トランジスターなどのスイッチング素子やこれに繋がる配線等を含むものであって、公知の構成を採用することができる。
【００３３】
このように、有機ＥＬ素子２３を有する自発光型の表示パネル１２において、第１基板３１は透明なガラス基板を用いることができる。一方、有機ＥＬ素子２３からの発光が取り出される側の第２基板３２も透明なガラス基板を用いることができる。
【００３４】
本実施形態では、第１基板３１と第２基板３２とを接合した後に、その表面を機械的または化学的な研磨を施すことにより、それぞれの基板の厚みを薄くする加工が施されている。例えば、それぞれの基板の元の厚みは、およそ０．５ｍｍである。そして、加工後の総厚がおよそ１００μｍ以下（例えば、８０μｍ程度）となるように研磨されている。したがって、表示パネル１２自体がある程度の可撓性を有する構成となっている。
【００３５】
よって、表示パネル１２自体では外部からの衝撃に対して弱い、また衝撃で破損したときの飛散を防ぐ必要がある。また、有機ＥＬ素子２３を封着した密封構造とし、外部からの水分等の浸入を防ぎ、より長い発光寿命を確保したいなどの理由から、同じく可撓性を有する樹脂フィルム２１，２２でラミネートしている。
【００３６】
ラミネートに用いられる樹脂フィルム２１は、ガス透過性が低い透明な基材フィルム２１ａの一方の表面に接着剤を均一に塗布して形成された接着層２１ｂを有する。同様に樹脂フィルム２２は、ガス透過性が低い透明な基材フィルム２２ａの一方の表面に透明な接着剤を均一に塗布して形成された接着層２２ｂを有する。
【００３７】
基材フィルム２１ａ，２２ａとしては、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムやポリカーボネートフィルムなどが挙げられる。接着層２１ｂ，２２ｂは、例えば、熱硬化型のエポキシ樹脂を用いることができる。また、粘着性を有する粘着剤としてもよい。粘着剤を用いればリペア性を実現できる。
【００３８】
接着層２１ｂ，２２ｂが相対するように表示パネル１２を挟んで２つの樹脂フィルム２１，２２によりラミネートする。また、有機ＥＬ素子２３の防湿性、言い換えれば封止性を確保するために、ラミネート時に表示パネル１２の周辺に発生するおそれがある空間２７，２８を封止樹脂により埋めた構造となっている。すなわち、封止樹脂と一緒に表示パネル１２を挟んでラミネートしており、はみ出した封止樹脂の一部２９が樹脂フィルム２１，２２の端面に盛り上がった状態となっている。
【００３９】
素子基板３６の端子部１６には、異方性導電膜（ＡＣＦ）３３を用いて中継基板１７ａが実装されている。中継基板１７ａの接続部を除く表面は絶縁性を有する、例えばポリイミドやソルダーレジストなどの保護膜で覆われており、樹脂フィルム２１，２２の接着層２１ｂ，２２ｂと上記保護膜との接着性を確保するために、双方の界面に接着性を示す中間接着層３４，３５が設けられている。
【００４０】
このような構成の表示部１３は所謂シート状（板状）であって、外部応力にある程度追随して表示面を湾曲させることができる。
【００４１】
なお、表示パネル１２がトップエミッション構造の有機ＥＬ素子２３を有しているため、第１基板３１側から光を取り出す必要がない。したがって、第１基板３１側を覆う樹脂フィルム２２は透明性を有する必要はなく、ラミネートが可能な金属薄膜などの熱伝導体を備えた不透明な樹脂フィルムでもよい。熱伝導体により有機ＥＬ素子２３の発光に伴う発熱を放熱することが可能となる。
【００４２】
図３は、有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、有機ＥＬ装置の電気的な構成を、図３を参照しながら説明する。
【００４３】
図３に示すように、有機ＥＬ装置１１は、複数の走査線４１と、走査線４１に対して交差する方向に延びる複数の信号線４２と、信号線４２に並行に延びる複数の電源線４３とが、それぞれ格子状に配線されている。そして、走査線４１と信号線４２とにより区画された領域が画素領域として構成されている。信号線４２は、信号線駆動回路４４に接続されている。また、走査線４１は、走査線駆動回路４５に接続されている。
【００４４】
各画素領域には、走査線４１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（Thin Film Transistor）４６と、このスイッチング用ＴＦＴ４６を介して信号線４２から供給される画素信号を保持する保持容量４７と、保持容量４７によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ４８（以下、「ＴＦＴ素子４８」と称する。）とが設けられている。更に、各画素領域には、ＴＦＴ素子４８を介して電源線４３に電気的に接続したときに、電源線４３から駆動電流が流れ込む陽極５１と、陰極５２と、この陽極５１と陰極５２との間に挟持された機能層５３とが設けられている。
【００４５】
有機ＥＬ装置１１は、陽極５１と陰極５２と機能層５３とにより構成される有機ＥＬ素子２３を複数備えている。また、有機ＥＬ装置１１は、複数の有機ＥＬ素子２３で構成される表示領域を備えている。
【００４６】
この構成によれば、走査線４１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ４６がオン状態になると、そのときの信号線４２の電位が保持容量４７に保持され、保持容量４７の状態に応じて、ＴＦＴ素子４８のオン・オフ状態が決まる。そして、ＴＦＴ素子４８のチャネルを介して、電源線４３から陽極５１に電流が流れ、更に、機能層５３を介して陰極５２に電流が流れる。機能層５３は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。
【００４７】
図４は、有機ＥＬ装置を構成する表示パネルの構造を示す模式断面図である。以下、表示パネルの構造を、図４を参照しながら説明する。なお、構成をわかりやすく示すため、各構成要素の層厚や寸法の比率、角度等は適宜異ならせてある。
【００４８】
図４に示すように、本実施形態における表示パネル１２は、機能層５３で発する光を陰極５２側から射出させる、いわゆるトップエミッション構造である。この表示パネル１２は、第１基板３１と、第１基板３１に対向配置された第２基板３２とを有する。
【００４９】
第１基板３１としては、ガラス基板等が挙げられる。本実施形態では、第１基板３１の材料として無アルカリガラスを用いている。第１基板３１の厚さは、例えば、３０μｍ程度である。本実施形態では、第１基板３１は、材料として厚さが、例えば、０．５ｍｍ程度のガラス基板を用い、第２基板３２と接着された後にエッチングにより上述の厚さに加工される。
【００５０】
なお、表示パネル１２がトップエミッション型であることから、第１基板３１の材料として、光透過性を有する材料および光透過性を有していない材料のいずれを用いてもよい。
【００５１】
第１基板３１上には、回路素子層６１が設けられている。回路素子層６１は、下地保護膜（図示せず）やＴＦＴ素子４８、配線等を含んでいる。ＴＦＴ素子４８は、画素１４に対応して設けられている。
【００５２】
回路素子層６１上には、平坦化層６２が設けられている。平坦化層６２は、ＴＦＴ素子４８や配線等による表面の凹凸を緩和している。平坦化層６２には、陽極５１に平面的に重なるように、反射層６３が内装されている。反射層６３は、光反射性を有する金属材料等からなり、例えばアルミニウム合金等からなる。
【００５３】
平坦化層６２上には、陽極５１が設けられている。陽極５１は、例えば、ＩＴＯ（Indium Thin Oxide：インジウム錫酸化物）等の光透過性を有する金属酸化物導電膜からなる。陽極５１の材料は、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）（登録商標）であってもよい。陽極５１は、画素１４毎に回路素子層６１のＴＦＴ素子４８のドレイン端子と電気的に接続されている。
【００５４】
なお、表示パネル１２がトップエミッション型であることから、陽極５１の材料は必ずしも光透過性を有していなくてもよい。例えば、アルミニウム等からなる金属電極を用いるようにしてもよい。また、陽極５１の材料として光透過性を有していない材料を用いる場合は、反射層６３は設けなくてよい。
【００５５】
また、平坦化層６２上には、隔壁６４が設けられている。隔壁６４は、例えば、アクリル樹脂等からなり、画素１４の領域を区画している。
【００５６】
陽極５１及び隔壁６４上には、機能層５３が設けられている。本実施形態の機能層５３は、正孔注入層と、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層とが順に積層されて構成されている（図４では、１層で図示）。正孔注入層は、例えば、トリアリールアミン（ＡＴＰ）多量体で形成されている。正孔輸送層は、例えば、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）で形成されている。
【００５７】
発光層の発光色は白色である。白色発光材料としては、スチリルアミン系発光材料、アントラセン系ドーパミント（青色）、あるいはスチリルアミン系発光材料、ルブレン系ドーパミント（黄色）等が用いられる。電子輸送層は、例えばアルミニウムキノリノール錯体（Ａｌｑ3）で形成されている。機能層５３の各層は、例えば、真空蒸着法を用いて順次形成される。
【００５８】
機能層５３上には、陰極５２が設けられている。陰極５２は、本実施形態のようにトップエミッション構造である場合、光透過性を有する材料である、例えば、ＩＴＯ等の透明導電材料が用いられる。また、陰極５２は、マグネシウムと銀との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）で構成するようにしてもよい。なお、陰極５２の下層に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等からなる電子注入バッファー層が設けられていてもよい。
【００５９】
陰極５２及び隔壁６４上には、電極保護層６５が設けられている。電極保護層６５は、光透過性、密着性、耐水性、ガスバリアー性等を考慮して、例えば、珪素酸化物や珪素酸窒化物等の珪素化合物で構成される。また、電極保護層６５の厚さは１００ｎｍ以上が好ましく、隔壁６４を被覆することで発生する応力によるクラック発生を防ぐため、厚さの上限は２００ｎｍ以下とすることが好ましい。電極保護層６５は、ＰＶＤ（物理気相成長法）、ＣＶＤ（化学気相成長法）、またはイオンプレーティング法等を用いて形成される。
【００６０】
電極保護層６５上には、有機緩衝層６６が形成されている。この有機緩衝層６６は、隔壁６４の形状の影響により凹凸状に形成された電極保護層６５の凹凸部分を埋めるように設けられ、その上面は略平坦に形成される。
【００６１】
有機緩衝層６６としては、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂等からなる。有機緩衝層６６は、第１基板３１及び回路素子層６１等の反りや堆積膨張により発生する応力を緩和し、不安定な形状の隔壁６４から電極保護層６５が剥離することを防止する機能を有する。
【００６２】
また、有機緩衝層６６の上面が略平坦化されるので、有機緩衝層６６上に形成される硬い被膜からなる後述するガスバリアー層６７も平坦化される。したがって、応力が集中する部位がなくなり、これにより、ガスバリアー層６７でのクラックの発生を防止する。
【００６３】
有機緩衝層６６の厚さは、３μｍ〜５μｍ程度が好ましい。有機緩衝層６６は、例えば、真空スクリーン印刷法、スリットコート法、インクジェット法等を用いて形成される。
【００６４】
有機緩衝層６６上には、有機緩衝層６６を被覆し、かつ電極保護層６５の終端部まで覆うような広い範囲で、ガスバリアー層６７が形成されている。ガスバリアー層６７は、酸素や水分が浸入するのを防止するためのもので、これにより酸素や水分による有機ＥＬ素子２３の劣化等を抑えることができる。ガスバリアー層６７は、透明性、ガスバリアー性、耐水性を考慮して、好ましくは窒素を含む珪素化合物、すなわち珪素窒化物や珪素酸窒化物などによって形成される。なお、本実施形態では、第１基板３１からガスバリアー層６７までを、「素子基板３６」と称する。また、第２基板３２とカラーフィルター２４とを合わせて、「封止基板３７」と称する。
【００６５】
素子基板３６の有機ＥＬ素子２３が形成された面側、すなわちガスバリアー層６７が形成された面側には、封止基板３７が対向して配置されている。封止基板３７は、シール材２６および封止樹脂２５を介して、素子基板３６のガスバリアー層６７と接着されている。封止基板３７を構成する第２基板３２は、例えば、光透過性を有する無機ガラスからなる。本実施形態では、第２基板３２の材料として無アルカリガラスを用いている。
【００６６】
第２基板３２の厚さは、例えば、３０μｍ程度である。表示パネル１２では、第１基板３１および第２基板３２に、プラスチック基板に比べてガスバリアー性の高いガラス基板を用い、これらのガラス基板の厚さを薄くすることにより可撓性が付与されている。
【００６７】
シール材２６は、第１基板３１と第２基板３２との間の非表示領域に配置され、第１基板３１（第２基板３２）の外周に沿って枠状に設けられている。シール材２６は、水分透過率が低い材料からなる。シール材２６の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂に硬化剤として酸無水物を添加し、促進剤としてシランカップリング剤を添加した高接着性の接着剤を用いることができる。
【００６８】
封止樹脂２５は、素子基板３６と封止基板３７とシール材２６とで囲まれた領域に隙間なく充填されるように設けられている。封止樹脂２５は、例えば、アクリル系、エポキシ系、ウレタン系等の光透光性の高い樹脂からなる。耐熱性や耐水性を考慮すると、封止樹脂２５の材料として、エポキシ系樹脂を用いることが好ましい。
【００６９】
カラーフィルター２４は、第２基板３２の有機ＥＬ素子２３側に設けられている。カラーフィルター２４は、赤色（Ｒ）光に対応するカラーフィルター２４Ｒと、緑色（Ｇ）光に対応するカラーフィルター２４Ｇと、青色（Ｂ）光に対応するカラーフィルター２４Ｂとを有している（対応する色を区別しない場合には単にカラーフィルター２４とも呼ぶ）。カラーフィルター２４は、平面視で有機ＥＬ素子２３に重なるように設けられている。
【００７０】
カラーフィルター２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂを区画するように、遮光層６８が設けられている。遮光層６８は、隔壁６４に対応するように配置されている。遮光層６８は、遮光性を有する材料からなり、例えばＣｒ（クロム）等からなる。なお、カラーフィルター２４と遮光層６８とを覆うように、オーバーコート層が設けられていてもよい。
【００７１】
表示パネル１２は、赤色光を射出する画素１４Ｒと、緑色光を射出する画素１４Ｇと、青色光を射出する画素１４Ｂとを有している（対応する色を区別しない場合には単に画素１４とも呼ぶ）。カラーフィルター２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂは、画素１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂに対応して配置されている。
【００７２】
有機ＥＬ素子２３により発せられる白色光がカラーフィルター２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂを透過することで、画素１４Ｒ，１４Ｇ，１４ＢにおいてＲ、Ｇ、Ｂの３つの異なる色の光が射出される。画素１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂから一つの画素群が構成され、それぞれの画素群において画素１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂのそれぞれの輝度を適宜変えることで、種々の色の表示を行うことができる。したがって、フルカラー表示またはフルカラー発光が可能な表示パネルを提供できる。
【００７３】
表示パネル１２では、機能層５３から陰極５２側に発せられた光は、観察側に射出される。また、機能層５３から陽極５１側に発せられた光は、反射層６３により反射されて、観察側に射出される。以下、有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。
【００７４】
＜電気光学装置の製造方法＞
図５は、電気光学装置の製造方法としての有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャートである。図６〜図８は、有機ＥＬ装置の製造方法の一部を示す模式平面図である。図９は、有機ＥＬ装置の製造方法の一部を示す模式図である。以下、有機ＥＬ装置の製造方法を、図５〜図９を参照しながら説明する。
【００７５】
図５に示すように、ステップＳ１１（電気光学層形成工程）では、第１基板３１上に画素１４を形成する。詳しくは、図４に示すように、第１基板３１上に、回路素子層６１、隔壁６４、陽極５１、発光層を含む機能層５３、陰極５２等を形成する。なお、図４においては、これらの構成要素のいくつかを省略して描いている。
【００７６】
ステップＳ１２では、第１基板３１上の画素１４に対して薄膜封止を行う（図４参照）。詳しくは、画素１４を覆うようにして、電極保護層６５、有機緩衝層６６、ガスバリアー層６７を形成する。この工程は、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法、液滴吐出法、各種エッチング法等の種々の成膜方法、パターニング方法を用いて行うことができる。
【００７７】
ステップＳ１３（塗布工程）では、第１基板３１上の画素１４が形成された側にシール材２６を格子状に形成する。具体的には、図６を参照しながら説明する。なお、上記した画素１４などは、第１マザーガラス基板としてのマザー基板１２ａ’に形成されている。まず、図６に示すように、例えば、表示パネル１２となる第１外形ライン７１を含むようにマザー基板１２ａ’の第１辺８１（一端）から第２辺８２（他端）に亘って第１シール材２６ａを塗布する。なお、図６における破線は、後に表示パネル１２となる形状を示している。
【００７８】
次に、第２外形ライン７２を含むように第１辺８１から第２辺８２に亘って第２シール材２６ｂを塗布する。その後、第３外形ライン７３を含むように第３辺８３（一端）から第４辺８４（他端）に亘って第３シール材２６ｃを塗布する。そして、第２基板３２（封止基板３７）の外形ラインとなる第４外形ライン７４においては、第２基板３２の面内側に沿って第３辺８３から第４辺８４に亘って第４シール材２６ｄを塗布する。面内側に塗布することで、第４シール材２６ｄの幅は、他のシール材２６ａ〜２６ｃと比較して細いことが好ましい。このように、第１外形ライン７１から第４外形ライン７４に沿った格子状にシール材２６ａ〜２６ｄを塗布する。シール材２６の幅は、例えば、０．３〜０．４ｍｍである。
【００７９】
なお、格子状にシール材２６ａ〜２６ｄを塗布した場合、交差する部分３８（図６参照）のシール材２６の塗布量が多くなることが考えられる。よって、交差する部分３８の近傍では、シール材２６の塗布量や塗布タイミングを調整することが望ましい。例えば、一方の第１シール材２６ａを通常通り塗布し、他方の第３シール材２６ｃの塗布を中止する。また、例えば、交差する部分３８のみ、他のライン（交差しないライン）の塗布量に比べて、互いのシール材２６ａ，２６ｃの量を少なくする。なお、その他の交差する部分においても同様に調整する。これにより、交差部分にシール材２６を過剰に塗布することを抑えることができ、表示パネル１２の表示領域１５にシール材２６がはみ出すことを抑えることができる。
【００８０】
シール材２６としては、例えば、エポキシの接着剤が用いられる。シール材２６の形成方法としては、例えば、マザー基板１２ａ’上に、ディスペンサー塗布法（スクリーン印刷法）等により、紫外線硬化性樹脂からなるシール材２６を塗布することによって行う。また、シール材２６にはスペーサーを混入させておく。
【００８１】
ステップＳ１４では、マザー基板１２ａ’上のシール材２６で囲まれた領域に、封止樹脂２５を塗布する。詳しくは、マザー基板１２ａ’上に、ディスペンサー塗布法又は液滴吐出法により熱硬化性樹脂からなる封止樹脂２５を塗布することによって行う。また、封止樹脂２５は、硬化後に透明となるものを用いる。以上により、素子基板３６側が完成する。
【００８２】
ステップＳ２１では、第２基板３２が面付けされたマザー基板（第２マザーガラス基板）上にカラーフィルター２４及び遮光層６８を形成して、封止基板３７側が完成する。
【００８３】
ステップＳ３１（貼付工程）では、素子基板３６（マザー基板）と封止基板３７（マザー基板）とをシール材２６及び封止樹脂２５を介して貼り合わせる。詳しくは、減圧環境下において素子基板３６と封止基板３７との間でアライメント（位置合わせ）をした状態で接触、圧着させる。このとき、素子基板３６と封止基板３７とは、シール材２６に含まれるスペーサーによって支持され、一定の間隔を有した状態で貼り合わされる。このときのシール材２６の幅は、例えば、１．５ｍｍである。
【００８４】
ステップＳ３２では、シール材２６を硬化させる。詳しくは、紫外線硬化性樹脂からなるシール材２６に対し、封止基板３７側から紫外線を照射することにより、シール材２６を硬化させる。
【００８５】
ステップＳ３３では、封止樹脂２５を硬化させる。詳しくは、熱硬化性樹脂からなる封止樹脂２５に対し熱処理を行うことにより、封止樹脂２５を硬化させる。熱処理の方法としては、例えば、貼り合わせ後の素子基板３６及び封止基板３７を焼成炉内で加熱する方法を用いることができる。
【００８６】
ステップＳ３４では、第１基板３１及び第２基板３２をエッチングして、所定の厚さ、例えば、それぞれ３０μｍ程度まで薄くする。エッチング液としては、例えば、フッ酸（フッ化水素酸）を希釈した水溶液を用いる。エッチング液は、塩酸、硫酸、硝酸、燐酸等の水溶液であってもよい。エッチング方法は、第１基板３１および第２基板３２をエッチング液に浸漬してもよいし、エッチング液をシャワー照射してもよい。なお、この状態の基板を、表示パネル前駆体１２ａと称する。
【００８７】
ステップＳ３５（切断工程）では、表示パネル前駆体１２ａを表示パネル１２の形状に相当する切断ラインに沿って切断し個片化する（表示パネル１２を切り出す）。具体的には、図７を参照しながら説明する。まず、図７に示すように、例えば、第１外形ライン７１、第３外形ライン７３、第２外形ライン７２を切断する。切断する方法としては、例えば、レーザー切断法が用いられる。なお、レーザー切断法に限定されず、ダイシング法、またスクライブ及びブレイクを行って切断するようにしてもよい。その後、端子部１６の両端の第１面７６及び第２面７７を含む第５外形ライン７５を切断する。
【００８８】
その後、第４外形ライン７４に沿って、第２基板３２における端子部１６の領域に相当する領域を切断する。なお、第４外形ライン７４は、第４シール材２６ｄにおけるライン際である。
【００８９】
レーザー切断法による切断条件は、例えば、次の通りである。周波数は５０ｋＨｚである。レーザー出力は、１Ｗである。走査速度は、３０ｍｍ／ｓである。なお、第２基板３２における端子部１６に相当する領域のみを切断する場合、レーザー出力は、例えば、０．７５Ｗである。以上により、表示パネル前駆体１２ａから、図８に示すような表示パネル１２が切り出される。
【００９０】
このように、シール材２６を、切断ライン（第１外形ライン７１〜第４外形ライン７４）に沿って格子状に塗布するので、素子基板３６と封止基板３７との間にシール材２６を介した状態で、表示パネル１２の一部を切断することができる。これにより、表示パネル１２における強度的に弱い部分である第１コーナー８５〜第４コーナー８８は、素子基板３６と封止基板３７との間にシール材２６を介した隙間のない状態で切断することが可能となり、安定した状態で切断される。よって、第１コーナー８５〜第４コーナー８８が割れたり欠けたりすることを抑えることができる。
【００９１】
また、第１基板３１の端子部１６に第１面７６及び第２面７７を形成するので、表示パネル１２における端子部１６の強度を向上させることができる。また、後から面付け作業を行う場合と比較して、容易に面を形成することができる。
【００９２】
また、表示パネル１２の素子基板３６と封止基板３７との間における、第１コーナー８５〜第４コーナー８８、更に、第１外形ライン７１〜第４外形ライン７４に沿ってシール材２６が介在しているので、表示パネル１２、更には、有機ＥＬ装置１１を扱う際に、割れや欠けが発生することを抑えることができる。加えて、表示パネル１２の外周における、素子基板３６と封止基板３７との間に隙間がないので、ゴミなどの不純物が表示パネル１２内に入り込むことを防ぐことができる。
【００９３】
ステップＳ３６では、表示パネル１２の第１基板３１の端子部１６に、中継基板１７（１７ａ，１７ｂ，１７ｃ）を接続する（図１、図２参照）。第１基板３１と中継基板１７との接続は、異方性導電膜等の導電性の接着剤を用いて公知の方法を用いて行われる。
【００９４】
ステップＳ３７では、表示パネル１２をラミネートする。具体的には、例えば、図９（ａ）に示すように、各部材を重ね合わせた状態とし、ラミネート装置９１にセットする。詳しくは、樹脂フィルム２２上に、表示パネル１２と、樹脂フィルム２１（いずれも図２参照）とを重ねてラミネート装置９１にセットする。なお、図９では、ラミネート装置９１の加圧ローラー９２のみを図示している。
【００９５】
次に、図９（ｂ）に示すように、矢印で示す側から加圧し、８０℃〜１２０℃の範囲で加熱して圧着する。加圧ローラー９２に挟持された部分では、ローラーの熱によって樹脂フィルム２１，２２が溶解し、更に加圧されて相互に接着される。加熱圧着の方法は、ホットプレート型の並行板や一対の熱加圧ローラーを用いる方法が好ましい。また、真空圧着装置を用いてもよい。以上により、有機ＥＬ装置１１が完成する。
【００９６】
以上詳述したように、第１実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【００９７】
（１）第１実施形態によれば、封止基板３７（第２基板３２）のコーナー８５〜８８の領域を含む格子状にシール材２６を塗布するので、表示パネル前駆体１２ａを表示パネル１２の形状に切断した際、素子基板３６と封止基板３７とが重なるコーナー８５〜８８にシール材２６を介在させることができる。つまり、格子状にシール材２６を塗布することで、表示パネル１２の中で強度が比較的弱いコーナー８５〜８８の部分にも、シール材２６を残すことができる。よって、表示パネル１２の形状に切断する際、コーナー８５〜８８の強度を強くすることが可能となり、コーナー８５〜８８を安定して切断することができる。これにより、コーナー８５〜８８が割れたり欠けたりすることを抑えることができる。また、完成品となった有機ＥＬ装置１１を扱う際にコーナー８５〜８８などに応力が加わった場合でも、破損することを抑えることができる。また、封止基板３７の外周全域に沿ってシール材２６が設けられるので、外周の基板３６，３７間に隙間がなく、表示パネル１２の中（有機ＥＬ素子２３など）に不純物が入り込むことを防ぐことができる。
【００９８】
（２）第１実施形態によれば、表示パネル１２を樹脂フィルム２１，２２でラミネートするので、表示パネル１２のコーナー８５〜８８への衝撃を緩和させることができる。また、ガラス基板からなる第１基板３１及び第２基板３２が破損したとき等、外部に飛散することを防ぐことが可能となり、安全性を向上させることができる。
【００９９】
（３）第１実施形態によれば、表示パネル１２における端子部１６の両端に面付け（第１面７６、第２面７７）を行うので、素子基板３６の強度を向上させることができる。
【０１００】
（４）第１実施形態によれば、マザー基板１２ａ’の第１辺８１から第２辺８２、及び第３辺８３から第４辺８４まで、シール材２６を格子状に塗布するので、表示パネル１２の形状に切断した場合でも、破材同士を繋ぎとめておくことが可能となり、破材がばらばらになることを抑えることができる。
【０１０１】
（第２実施形態）
＜電気光学装置の製造方法＞
図１０〜図１２は、第２実施形態の電気光学装置の製造方法としての有機ＥＬ装置の製造方法の一部を示す模式平面図である。以下、有機ＥＬ装置の製造方法を、図５及び図１０〜図１２を参照しながら説明する。
【０１０２】
第２実施形態の有機ＥＬ装置（１１１）の製造方法は、１つの表示パネル前駆体１１２ａ（マザー基板１１２ａ’）から複数の表示パネル１１２を形成する部分が、第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。
【０１０３】
まず、図５に示すフローチャートにおいて、第１実施形態と同様に、ステップＳ１１及びステップＳ１２を行う。次に、ステップＳ１３では、素子基板３６（マザー基板１１２ａ’）における画素１４が形成された側に、複数の表示パネル１１２の領域に跨るようにシール材１２６を格子状に形成する。具体的には、図１０を参照しながら説明する。まず、図１０に示すように、例えば、複数の表示パネル１１２に跨る第１外形ライン１７１を含むように、マザー基板１１２ａ’の第１辺１８１から第２辺１８２に亘って複数本の第１シール材１２６ａを塗布する。なお、図１０における一点鎖線は、後に表示パネル１１２の外形となる形状を示している。
【０１０４】
次に、第２外形ライン１７２を含むように、第１辺１８１から第２辺１８２に亘って第２シール材１２６ｂを複数本塗布する。その後、第３外形ライン１７３を含むように、第３辺１８３から第４辺１８４に亘って第３シール材１２６ｃを複数本塗布する。そして、第２基板３２（封止基板３７）の外形ラインとなる第４外形ライン１７４においては、第２基板３２の面内側に沿って第３辺１８３から第４辺１８４に亘って複数本の第４シール材１２６ｄを塗布する。よって、第４シール材１２６ｄの幅は、他のシール材１２６ａ〜１２６ｃと比較して細いことが好ましい。このように、第１外形ライン１７１から第４外形ライン１７４に沿った格子状にシール材１２６ａ〜１２６ｄを塗布する。
【０１０５】
なお、第１実施形態と同様、格子状にシール材１２６ａ〜１２６ｄを塗布した場合、交差する部分のシール材１２６の量が多くなることが考えられる。よって、交差する部分の近傍では、シール材１２６の塗布量を調整することが望ましい。
【０１０６】
次に、第１実施形態と同様、ステップＳ１４及びステップＳ２１を行う（図５参照）。これにより、素子基板３６及び封止基板３７が完成する。その後、ステップＳ３１〜Ｓ３４を行う。
【０１０７】
次に、図１１に示すように（ステップＳ３５）、素子基板３６と封止基板３７とが貼り合わされた表示パネル前駆体１１２ａを切断して、それぞれの表示パネル１１２に個片化する（表示パネル１１２を切り出す）。まず、例えば、１つの表示パネル１１２における第１外形ライン１７１、第３外形ライン１７３、第２外形ライン１７２を切断する。切断する方法としては、第１実施形態と同様である。その後、端子部１６の両端の第１面７６及び第２面７７を含む第５外形ライン１７５を切断する。
【０１０８】
その後、第４外形ライン１７４に沿って、第２基板３２における端子部１６の領域に相当する領域を切断する。なお、第４外形ライン１７４は、第４シール材１２６ｄの縁に沿っている。
【０１０９】
このように、シール材１２６を、切断ライン（第１外形ライン１７１〜第４外形ライン１７４）に沿って格子状に塗布するので、素子基板３６と封止基板３７との間にシール材１２６を介した状態で、表示パネル１１２の一部を切断することができる。これにより、表示パネル１１２における強度的に弱い部分である第１コーナー８５〜第４コーナー８８においては、素子基板３６と封止基板３７との間にシール材１２６を介した隙間のない状態で切断することが可能となり、安定して切断することができる。よって、第１コーナー８５〜第４コーナー８８が割れたり欠けたりすることを抑えることができる。
【０１１０】
また、第１基板３１の端子部１６に第１面７６及び第２面７７を形成するので、表示パネル１１２における端子部１６の強度を向上させることができる。また、後から面付け作業を行う場合と比較して、容易に面を形成することができる。
【０１１１】
以上により、図１２に示すような複数の表示パネル１１２が切り出される。そして、引き続きステップＳ３６及びステップＳ３７を行って、有機ＥＬ装置（１１１）を完成させる。
【０１１２】
以上詳述したように、第２実施形態によれば、上記した第１実施形態の（１）〜（４）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【０１１３】
（５）第２実施形態によれば、複数の表示パネル１１２の領域に跨るように、マザー基板１１２ａ’の第１辺１８１から第２辺１８２、及び第３辺１８３から第４辺１８４まで、シール材１２６を格子状に塗布するので、シール材１２６を効率よく塗布することが可能となり、多数個取り加工の生産性を向上させることができる。
【０１１４】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【０１１５】
（変形例１）
上記したように、表示パネル１２，１１２における端子部１６のコーナーのみ面付け（第１面７６、第２面７７）を行うことに限定されず、例えば、図１３に示す表示パネル２１２のような面（７８，７９）を形成するようにしてもよい。図１３は、有機ＥＬ装置の製造方法の一部を示す模式平面図である。面付けを行う部分としては、パネル前駆体膜２１２ａにおける表示パネル２１２の４つのコーナーである。なお、第３面７８及び第４面７９において、シール材１２６が残るように、各シール材１２６の幅を設定することが好ましい。これによれば、表示パネル１２における４つのコーナーに面付け処理が施され、更に、その部分にシール材１２６が存在するので、曲げ応力などに対して強度を向上させることができる。
【０１１６】
（変形例２）
上記した変形例１ように、第３面７８及び第４面７９にシール材１２６が介在するようにシール材１２６の幅を設定することに代えて、例えば、図１４に示すように、シール材を塗布してもよい。図１４は、有機ＥＬ装置の製造方法の一部を示す模式平面図である。図１４に示すシール材の塗布方法は、マザー基板３１２ａ’に対し格子状にシール材１２６ａ〜１２６ｄを塗布することに加えて、表示パネル３１２の第３面７８及び第４面７９のラインに沿ってシール材２２６ａ，２２６ｂを塗布する。これにより、格子状のシール材１２６の幅を広くすることなく、第３面７８及び第４面７９に沿ってシール材２２６ａ，２２６ｂを設けた構造にすることができる。これによれば、表示パネル３１２のコーナーの強度を向上させることができる。
【０１１７】
（変形例３）
上記したように、トップエミッション型の有機ＥＬ装置１１，１１１に適用することに限定されず、例えば、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置に適用するようにしてもよい。
【０１１８】
（変形例４）
上記した電気光学装置は、有機ＥＬ装置１１，１１１に限定されず、例えば、液晶装置、プラズマディスプレイ、電子ペーパー等であってもよい。
【符号の説明】
【０１１９】
１１，１１１…電気光学装置としての有機ＥＬ装置、１２，１１２…電気光学パネルとしての表示パネル、１２ａ，１１２ａ…表示パネル前駆体、１２ａ’，１１２ａ’…第１マザーガラス基板としてのマザー基板、１３…表示部、１４，１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂ…画素、１５…表示領域、１６…端子部、１７ａ，１７ｂ，１７ｃ…中継基板、２１，２２…樹脂フィルム、２１ａ，２２ａ…基材フィルム、２１ｂ，２２ｂ…接着層、２３…電気光学素子としての有機ＥＬ素子、２４，２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ…カラーフィルター、２５…封止樹脂、２６，２６ａ〜２６ｄ，１２６，１２６ａ〜１２６ｄ…シール材、２７，２８…空間、２９…封止樹脂の一部、３１…第１基板、３２…第２基板、３３…異方性導電膜、３４，３５…中間接着層、３６…素子基板、３７…封止基板、３８…交差する部分、４１…走査線、４２…信号線、４３…電源線、４４…信号線駆動回路、４５…走査線駆動回路、４６…スイッチング用ＴＦＴ、４７…保持容量、４８…ＴＦＴ素子、５１…陽極、５２…陰極、５３…機能層、６１…回路素子層、６２…平坦化層、６３…反射層、６４…隔壁、６５…電極保護層、６６…有機緩衝層、６７…ガスバリアー層、６８…遮光層、７１〜７５，１７１〜１７５…外形ライン、７６〜７９…面、８１〜８４，１８１〜１８４…辺、８５〜８８…コーナー、９１…ラミネート装置、９２…加圧ローラー。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学素子が設けられた第１基板と、前記第１基板に対向配置されこれを封着する第２基板と、を備えた電気光学パネルを有する電気光学装置の製造方法であって、
前記第１基板が面付けされた第１マザーガラス基板において、前記第２基板のコーナー部の領域を含む格子状にシール材を塗布する塗布工程と、
前記シール材を介して前記第１マザーガラス基板に前記第２基板が面付けされた第２マザーガラス基板を対向して貼り付ける貼付工程と、
前記第１マザーガラス基板及び前記第２マザーガラス基板を、前記電気光学パネルの形状に相当する切断ラインに沿って切断する切断工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記塗布工程は、前記第１マザーガラス基板における対向する一端から他端に亘って順に格子状に前記シール材を塗布することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第１基板は、前記第２基板と平面的に重なり合わない端子部の領域を有し、
前記塗布工程は、前記第２基板の辺より前記端子部側にはみ出さないように前記シール材を前記第１マザーガラス基板に塗布することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記塗布工程は、前記電気光学パネルにおける前記端子部の領域を除くコーナー部の面形状に沿って前記シール材を塗布することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記塗布工程は、前記シール材が交差する部分において、前記シール材の塗布量が他の部分の塗布量と同等になるように塗布量を変える、又は、塗布のタイミングを変えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第１マザーガラス基板には、複数の第１基板がマトリクス状に面付けされており、
前記塗布工程は、前記複数の第１基板に跨るように前記シール材を格子状に塗布することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項３乃至請求項６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記切断工程は、前記第１基板の前記端子部の領域のコーナー部を面取りするように切断することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記切断工程は、ダイシング法又はレーザー切断法を用いて、前記第１マザーガラス基板及び前記第２マザーガラス基板を切断することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記電気光学パネルの厚みが１００μｍ以下で構成され、
少なくとも一方が透明な一対の樹脂フィルムで前記電気光学パネルを挟んでラミネートするラミネート工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１】
電気光学素子が設けられた第１基板と、前記第１基板に対向配置されこれを封着する第２基板と、を備えた電気光学パネルを有する電気光学装置の製造方法であって、
前記第１基板が面付けされた第１マザーガラス基板において、前記第２基板のコーナー部の領域を含む格子状にシール材を塗布する塗布工程と、
前記シール材を介して前記第１マザーガラス基板に前記第２基板が面付けされた第２マザーガラス基板を対向して貼り付ける貼付工程と、
前記第１マザーガラス基板及び前記第２マザーガラス基板を、前記電気光学パネルの形状に相当する切断ラインに沿って切断する切断工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記塗布工程は、前記第１マザーガラス基板における対向する一端から他端に亘って順に格子状に前記シール材を塗布することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第１基板は、前記第２基板と平面的に重なり合わない端子部の領域を有し、
前記塗布工程は、前記第２基板の辺より前記端子部側にはみ出さないように前記シール材を前記第１マザーガラス基板に塗布することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記塗布工程は、前記電気光学パネルにおける前記端子部の領域を除くコーナー部の面形状に沿って前記シール材を塗布することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記塗布工程は、前記シール材が交差する部分において、前記シール材の塗布量が他の部分の塗布量と同等になるように塗布量を変える、又は、塗布のタイミングを変えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第１マザーガラス基板には、複数の第１基板がマトリクス状に面付けされており、
前記塗布工程は、前記複数の第１基板に跨るように前記シール材を格子状に塗布することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項３乃至請求項６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記切断工程は、前記第１基板の前記端子部の領域のコーナー部を面取りするように切断することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記切断工程は、ダイシング法又はレーザー切断法を用いて、前記第１マザーガラス基板及び前記第２マザーガラス基板を切断することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記電気光学パネルの厚みが１００μｍ以下で構成され、
少なくとも一方が透明な一対の樹脂フィルムで前記電気光学パネルを挟んでラミネートするラミネート工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１１−１２３１５０（Ｐ２０１１−１２３１５０Ａ）
【公開日】平成２３年６月２３日（２０１１．６．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２７９２０８（Ｐ２００９−２７９２０８）
【出願日】平成２１年１２月９日（２００９．１２．９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年６月２３日（２０１１．６．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１２月９日（２００９．１２．９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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