電気光学装置の製造装置及び電気光学装置の製造方法
【課題】基板上に設けられる導電膜の変形を防ぎ、歩留まりの低下を回避することが可能な電気光学装置の製造装置及び電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】保持部材３２の内部に、保持部材３２の表面３２ａ及び金属膜３５の表面３５ａを加熱する加熱部３６が設けられているので、マザー基板Ｇを保持する際に当該表面３２ａ、３５ａを予め加熱しておくことできる。高温の状態にあるマザー基板Ｇを保持する場合には、加熱された表面３２ａ、３５ａをマザー基板Ｇに当接させることにより、マザー基板Ｇが急激に冷却されるのを防ぐことができる。
【解決手段】保持部材３２の内部に、保持部材３２の表面３２ａ及び金属膜３５の表面３５ａを加熱する加熱部３６が設けられているので、マザー基板Ｇを保持する際に当該表面３２ａ、３５ａを予め加熱しておくことできる。高温の状態にあるマザー基板Ｇを保持する場合には、加熱された表面３２ａ、３５ａをマザー基板Ｇに当接させることにより、マザー基板Ｇが急激に冷却されるのを防ぐことができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造装置及び電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置のうち、例えば有機ＥＬ装置は、例えばガラス基板上に発光素子である有機ＥＬ素子が形成され、当該有機ＥＬ素子が保護層で覆われた構成となっているのが一般的である。有機ＥＬ素子は、発光層と、この発光層を挟持する電極（陽極及び陰極）とで構成されており、発光層で発光した光が有機ＥＬ装置外部に取り出されて表示光や照明光として用いられるようになっている。
【０００３】
例えば表示装置として用いられる有機ＥＬ装置においては、基板上に有機ＥＬ素子が複数設けられている。各有機ＥＬ素子に対しては例えば薄膜トランジスタなどのスイッチング素子が接続されており、この薄膜トランジスタに対応してゲート電極やソース電極などの配線パターンが設けられている。
【０００４】
ゲート電極やソース電極などの配線パターンは、例えばフォトリソグラフィ法によって形成される。フォトリソグラフィ法では、基板をチャンバ内に収容してチャンバ内で基板を加熱しながらスパッタリングにより金属などの導電膜を形成し、基板をチャンバの外部に搬出して冷却し、その後この導電膜をパターニングする。
【０００５】
基板の搬出に用いられる搬送装置は、例えば特許文献１に開示されているように、Ｕ字型の保持部材を有する搬送装置を用いることができる。この搬送装置は、一般的にチャンバの外部に設けられている。
【特許文献１】特開２００５−１２１８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、チャンバの外部は室温になっており搬送装置の保持部材も室温のままであるため、基板を搬出するときには、高温に加熱された状態の基板に室温の保持部材が当接することになる。特許文献１に記載の保持部材はＵ字型であるため、基板のうち保持部材に当接された部分と当接されない部分とが生じる。保持部材に当接された部分は急激に冷却され、保持部材に当接されない部分との間に温度差が生じる。
【０００７】
特に、導電膜の形成された部分に保持部材が当接すると、導電膜の一部が急激に冷却され、導電膜全体で温度差が生じる。この温度差の発生に伴って、導電膜の結晶性、膜ストレス（マイグレーション）、表面ラフネスが導電膜全体で不均一になってしまう。このため、導電膜の一部が変形あるいは変質し、歩留まりの低下を招く原因になる。
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、基板上に設けられる導電膜の変形を防ぎ、歩留まりの低下を回避することが可能な電気光学装置の製造装置及び電気光学装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明に係る発光装置は、複数のパネル領域を表面に有する電気光学装置用基板のうち少なくとも前記複数のパネル領域の裏面全面に当接する当接部を有し、前記当接部を介して前記電気光学装置用基板を保持する保持部材と、前記保持部材を移動可能な移動手段と、前記保持部材の内部に設けられ、前記当接部を加熱する加熱部とを具備することを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、保持部材の内部に設けられ、当接部を加熱する加熱部を具備するので、電気光学装置用基板を保持する際に予め当接部を加熱しておくことができる。例えば高温の状態にある電気光学装置用基板を保持する場合には、加熱された当接部を電気光学装置用基板に当接させることにより、電気光学装置用基板が急激に冷却されるのを防ぐことができる。したがって、電気光学装置用基板に温度差が生じるのを防ぐことができ、当該電気光学装置用基板に形成される導電膜の結晶性、膜ストレス（マイグレーション）、表面ラフネスが導電膜全体で不均一になるのを防ぐことができる。これにより、導電膜の変形あるいは変質を防ぐことができ、歩留まりの低下を回避することができる。
【００１０】
加えて、本発明では、複数のパネル領域を表面に有する電気光学装置用基板のうち少なくともこの複数のパネル領域の裏面全面に当接部が当接する構成になっているので、導電膜が設けられる領域の温度を均一にすることができる。これにより、導電膜全体において結晶性、膜ストレス（マイグレーション）、表面ラフネスを均一にすることができるという利点を有している。
【００１１】
また、前記当接部のうち、少なくとも前記電気光学装置用基板に当接した状態で前記複数のパネル領域に平面視で重なる部分に金属膜が設けられていることが好ましい。
本発明によれば、当接部のうち、少なくとも電気光学装置用基板に当接した状態で複数のパネル領域に平面視で重なる部分に金属膜が設けられているので、当該金属膜が設けられた部分では熱伝導性が高くなる。このため、加熱部によって当接部を加熱したときに、特に金属膜に加熱部からの熱が伝わりやすく、しかも金属膜全体で均一に伝わることになる。これにより、パネル領域の裏面を効率的かつ均一に加熱することができる。
【００１２】
また、前記金属膜が、前記当接部の全面に設けられていることが好ましい。
本発明によれば、金属膜が、当接部の全面に設けられているので、加熱部による熱が当接部の全面に均一に伝わることになる。これにより、電気光学装置用基板の全面を均一に加熱することができ、当該電気光学装置用基板における温度分布の発生を防ぐことができる。
【００１３】
また、前記保持部材が、前記電気光学装置用基板に当接した状態で前記複数のパネル領域に平面視で重なる部分に凸部を有しており、前記凸部が前記当接部になっていることが好ましい。
本発明によれば、保持部材が、電気光学装置用基板に当接した状態で複数のパネル領域に平面視で重なる部分に凸部を有しており、凸部が当接部になっているので、加熱部からの熱が複数のパネル領域に集中的に伝わることになる。これにより、複数のパネル領域を効率的に加熱することができる。
【００１４】
また、前記当接部が前記電気光学装置用基板に当接した状態で前記複数のパネル領域に平面視で重なる位置に、前記加熱部が配置されていることが好ましい。
本発明では、当接部が電気光学装置用基板に当接した状態で複数のパネル領域に平面視で重なる位置に、加熱部が配置されているので、加熱部からの熱は、当接部のうち複数のパネル領域に平面視で重なる部分に伝わりやすくなる。これにより、複数のパネル領域を効率的に加熱することができる。
【００１５】
本発明に係る電気光学装置の製造方法は、電気光学装置用基板を加熱しながら、当該電気光学装置用基板の複数のパネル領域に導電膜を形成する成膜工程と、前記成膜工程後、所定の温度に加熱された保持部材により前記電気光学装置用基板の少なくとも前記複数のパネル領域の裏面を保持して前記電気光学装置用基板を搬送する搬送工程とを具備することを特徴とする。
【００１６】
本発明によれば、電気光学装置用基板を加熱しながら、当該電気光学装置用基板の複数のパネル領域に導電膜を形成し、導電膜を形成した後、所定の温度に加熱された保持部材により電気光学装置用基板の少なくとも複数のパネル領域の裏面を保持して電気光学装置用基板を搬送するので、電気光学装置用基板の一部が急激に冷却されるのを防ぐことができる。したがって、電気光学装置用基板に温度差が生じるのを防ぐことができ、結晶性、膜ストレス（マイグレーション）、表面ラフネスが導電膜全体で不均一になるのを防ぐことができる。これにより、導電膜の変形あるいは変質を防ぐことができ、動作不良を回避することができる。
【００１７】
また、前記電気光学装置用基板には、薄膜トランジスタが設けられており、前記成膜工程後、前記導電膜をパターニングして前記薄膜トランジスタのゲート電極、ソース電極および前記薄膜トランジスタ用配線のうちいずれかを形成するパターン形成工程を更に具備することが好ましい。
電気光学装置用基板上に形成される導電膜は、当該電気光学装置用基板上の凹凸が設けられた面上に形成されることが多いため、わずかな温度差によっても変形する虞がある。これに対して、本発明では、上述した方法により電気光学装置用基板を搬送するので、電気光学装置用基板に温度差が生じにくくなる。これにより、ゲート電極、ソース電極又は薄膜トランジスタ用配線のコンタクトカバレッジや配線の信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
［第１実施形態］
以下、本発明の第１実施形態を図面に基づき説明する。
（有機ＥＬ装置）
図１は、有機ＥＬ装置１の概略的な構成を示す断面図である。以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。本実施形態の有機ＥＬ装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタが設けられたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置である。
【００１９】
有機ＥＬ装置１は、素子基板２と、有機ＥＬ層３と、保護層４とを主体として構成されており、素子基板２上に有機ＥＬ層３が形成され、当該有機ＥＬ層３を覆うように保護層４が形成された構成になっている。本実施形態では、有機ＥＬ層３からの光が素子基板２の方向に射出される、いわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を例に挙げて説明する。
【００２０】
素子基板２は、基板５と、表面層６と、薄膜トランジスタ７と、ゲート絶縁層８と、ゲート電極９と、第１絶縁層１０と、ソース電極１１と、第２絶縁層１２とを有している。
基板５は、例えばガラスや石英などの光を透過可能な材料からなる矩形の基板である。表面層６は、基板５の表面に形成されており、例えば酸化シリコンや窒化シリコンなどからなる。
【００２１】
薄膜トランジスタ７は、例えばアモルファス・シリコンからなる薄膜を用い、有機ＥＬ装置１のスイッチング素子として設けられている。薄膜トランジスタ７の半導体層は、例えば５つの領域に区分されており、図中左右方向中央にはチャネル領域７ａが設けられている。チャネル領域７ａを基準としてソース側（図中右側）には、当該チャネル領域７ａの図中右隣に低濃度ソース領域７ｂが設けられており、当該低濃度ソース領域７ｂの図中右隣に高濃度ソース領域７ｃが設けられている。チャネル領域７ａのドレイン側（図中左側）には、当該チャネル領域７ａの図中左隣に低濃度ドレイン領域７ｄが設けられており、当該低濃度ドレイン領域７ｄの図中左隣に高濃度ドレイン領域７ｅが設けられている。
【００２２】
ゲート絶縁層８は、表面層６及び薄膜トランジスタ７の半導体層を覆うように設けられた絶縁層である。
ゲート電極９は、ゲート絶縁層８上に設けられた電極であり、薄膜トランジスタ７のチャネル領域７ａに平面視で重なる位置に配置されている。図示を省略するが、ゲート電極９は例えば金属層が３層重なった多層構造になっており、下層（ゲート絶縁層８の直上）が窒化チタン層、中層がアルミニウム・銅の混合層、上層がチタン層になっている。
第１絶縁層１０は、例えば酸化シリコンや窒化シリコンからなり、ゲート絶縁層８及びゲート電極９を覆うように設けられている。
【００２３】
ソース電極１１は、第１絶縁層１０上に設けられた電極であり、第１絶縁層１０及びゲート絶縁層８を貫通して形成されたコンタクトホール１３を介して薄膜トランジスタ７の高濃度ソース領域７ｃに接続されている。ソース電極１１は、単層の金属、あるいはゲート電極９と同様に、金属層が多層重なった構造になっており、例えば３層の場合、下層（第１絶縁層１０の直上）がチタン層（又は窒化チタン層）、中層がアルミニウム・銅の混合層、上層がチタン層になっている。
第２絶縁層１２は、例えば酸化シリコンや窒化シリコンからなり、第１絶縁層１０及びソース電極１１を覆うように設けられている。
【００２４】
有機ＥＬ層３は、陽極２１と、正孔注入層２２と、発光層２３と、陰極２４と、隔壁２５とを主体として構成されている。素子基板２の第２絶縁層１２の直上に隔壁２５が設けられ、隔壁２５で囲まれた領域に陽極２１、正孔注入層２２、発光層２３が積層され、発光層２３及び隔壁２５を覆うように陰極２４が設けられた構成になっている。
【００２５】
陽極２１は、素子基板２の第２絶縁層１２の直上に薄膜状に設けられており、例えばＩＴＯなどの透明な導電材料からなる。陽極２１は、第２絶縁層１２、第１絶縁層１０及びゲート絶縁層８の３つの絶縁層を貫通するコンタクトホール１４を介して薄膜トランジスタ７の高濃度ドレイン領域７ｅに接続されている。
【００２６】
正孔注入層２２は、陽極２１からの正孔を発光層２３に注入する層である。発光層２３は、正孔注入層２２からの正孔と陰極２４からの電子とが結合して発光する層である。正孔注入層２２及び発光層２３は、有機材料によって形成されている。
陰極２４は、導電率及び光反射率の高い金属、例えばアルミニウムや銀などからなる電極であり、発光層２３に電子を注入する電極である。陰極２４は、発光層２３で発光する光を基板５の側（図中下側）に反射する反射層としての機能も有している。隔壁２５は、上記の薄膜トランジスタ７に平面視で重なる位置に設けられている。
【００２７】
（製造装置）
有機ＥＬ装置１は、当該有機ＥＬ装置１を構成する配線・有機ＥＬ層などの構成要素をマザー基板上の複数のパネル領域に形成し、このマザー基板をスクライブして個々のパネル領域を取り出す方法（多面取り）で製造される。以下、図２及び図３をもとにして、上記有機ＥＬ装置１を製造する際に、このマザー基板を搬送する搬送装置について説明する。
【００２８】
図２は、搬送装置の構成を示す斜視図である。同図に示すように、搬送装置３０は、基板保持部３１と、アーム３３と、制御部３４とを主体として構成されている。基板保持部３１がアーム３３に接続され、アーム３３の動作によって基板保持部３１が移動するようになっている。アーム３３は制御部３４に接続されており、制御部３４によってアーム３３の動作が制御されるようになっている。
【００２９】
基板保持部３１は、例えば石英などによって板状に形成された保持部材３２を有している。保持部材３２の表面３２ａには、金属膜３５が設けられている。金属膜３５は、熱伝導率の高い金属、例えばアルミニウムによって形成されている。この金属膜３５は、保持部材３２がマザー基板Ｇを保持した状態で当該マザー基板Ｇ上に設けられたパネル領域Ｐに平面視で重なる部分に配置されている。図２では、パネル領域Ｐがマザー基板Ｇ上にマトリクス状に配置されており、これに対応するように、金属膜３５も保持部材３２の表面３２ａにマトリクス状に配置されている。
【００３０】
図３は、図２におけるＡ−Ａ断面に沿った構成を示す図である。同図に示すように、保持部材３２には金属膜３５が配置される位置に窪み３２ｂが形成されており、金属膜３５がこの窪み３２ｂに埋め込まれるように設けられている。金属膜３５が埋め込まれた状態で、金属膜３５の表面３５ａと保持部材３２の表面３２ａとが同一となる面一状態になっている。マザー基板Ｇは、面一状態になっている保持部材３２の表面３２ａ及び金属膜３５の表面３５ａに当接されて保持されるようになっている。したがって、この保持部材３２の表面３２ａ及び金属膜３５の表面３５ａが当接面になっている。
【００３１】
保持部材３２の内部には、例えば電熱線などの加熱部３６が設けられている。加熱部３６で発生した熱は、保持部材３２の表面３２ａ及び金属膜３５の表面３５ａに伝わるようになっている。加熱部３６の加熱温度や加熱時間などについては、例えば上述した制御部３４によって制御されるようになっている。
【００３２】
（製造方法）
次に、上記のように構成された有機ＥＬ装置１の製造方法を説明する。
まず、マザー基板Ｇ上のパネル領域Ｐに表面層６を形成し、表面層６上に薄膜トランジスタ７の半導体層を形成する。薄膜トランジスタ７の半導体層を形成したら、表面層６及びパターニングされた薄膜トランジスタ７の半導体層を覆うようにゲート絶縁層８を形成する。ゲート絶縁層８を形成した後、当該ゲート絶縁層８上の全面にスパッタリング法によってゲート電極９となる導電膜５０を形成する（成膜工程）。この工程では、例えば加熱チャンバ内にマザー基板Ｇを収容し、加熱チャンバ内で加熱しながらスパッタリングを行う。
【００３３】
スパッタリングを行う間チャンバ内が加熱状態になるため、成膜工程後には、マザー基板Ｇの温度は約２００℃になっている。導電膜５０をパターニングしてゲート電極９を形成する前に、マザー基板Ｇを冷却するため、当該マザー基板Ｇを一旦チャンバの外部に搬送する。
【００３４】
具体的には、図４に示すように、基板保持部３１を移動させ、マザー基板Ｇのパネル領域Ｐと保持部材３２の金属膜３５とが平面視で重なるように位置合わせをする。位置合わせの段階で、加熱部３６の加熱温度を予め１００℃〜３００℃程度に設定し、基板保持部３１を加熱しておく。
【００３５】
パネル領域Ｐと金属膜３５との位置を合わせた後、図５に示すように、保持部材３２の表面３２ａ及び金属膜３５の表面３５ａをマザー基板Ｇの下面に当接させてマザー基板Ｇを保持し、この状態で基板保持部３１を移動させてマザー基板Ｇをチャンバの外部に搬送して冷却する。冷却には、基板保持部３１の温度を下げても良いが、急冷を回避できるような冷却室を用いることもできる。
【００３６】
マザー基板Ｇを冷却した後、ゲート電極、ゲート電極への配線(図示せず）をパターニングし、その後ゲート電極９及びその周辺のゲート絶縁層８上に第１絶縁層１０を形成し、コンタクトホール１３及びソース電極１１、(ドレイン電極）、配線層(図示せず）を形成する。ソース電極１１、配線の導電層についても、ゲート電極９と同様、チャンバ内で加熱しながらスパッタリング法によって導電膜を形成する。導電膜の形成後は、加熱部３６の温度を予め１００℃〜３００℃程度に設定して基板保持部３１を加熱しておき、当該基板保持部３１によってマザー基板Ｇを保持し、このマザー基板Ｇをチャンバの外部に搬送して冷却する。マザー基板Ｇを冷却後、当該導電膜をパターニングしてソース電極１１、その他の配線を形成する。なお、薄膜トランジスタ形成のパターニングにはウェット、ドライエッチングをその材料、工程に合わせ適宜用いる。
【００３７】
ソース電極１１を形成した後、当該ソース電極１１及び第１絶縁層１０を覆うように第２絶縁層を形成し、コンタクトホール１４を形成する。その後、コンタクトホール１４の表面に重なるように陽極２１を成膜し、パターニング後隔壁２５を形成する。隔壁２６内には正孔注入層２２、発光層２３を形成し、陰極２４をＥＬ素子上に全面形成して有機ＥＬ層３を形成する。さらに、当該有機ＥＬ層３を覆うように樹脂封止と保護膜４を形成して、有機ＥＬ装置１が完成する。
【００３８】
本実施形態によれば、保持部材３２の内部に、保持部材３２の表面３２ａ及び金属膜３５の表面３５ａを加熱する加熱部３６が設けられているので、マザー基板Ｇを保持する際に当該表面３２ａ、３５ａを予め加熱しておくことできる。高温の状態にあるマザー基板Ｇを保持する場合には、加熱された表面３２ａ、３５ａをマザー基板Ｇに当接させることにより、マザー基板Ｇが急激に冷却されるのを防ぐことができる。したがって、マザー基板に温度差が生じるのを防ぐことができ、結晶性、膜ストレス（マイグレーション）、表面ラフネスが導電膜５０全体で不均一になるのを防ぐことができる。これにより、導電膜５０の変形、変質を防ぐことができ、有機ＥＬ装置１の歩留まりの低下を回避することができる。
【００３９】
加えて、本発明では、少なくとも複数のパネル領域Ｐの裏面全面に表面３２ａ、３５が当接する構成になっているので、導電膜５０が設けられているパネル領域Ｐの温度を均一にすることができる。これにより、結晶性、膜ストレス（マイグレーション）、表面ラフネスを導電膜５０全体で均一にすることができ、ゲート電極９及びソース電極１１、(ドレイン電極）のコンタクトカバレッジの向上及び配線の信頼性を向上を図ることができるという利点も有している。
【００４０】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態を説明する。本実施形態では、基板保持部の構成が第１実施形態とは異なっており、他の構成は第１実施形態と同様である。したがって、本実施形態では、かかる相違点を中心に説明する。図６は、基板保持部の構成を示す断面図である。
【００４１】
図６に示すように、基板保持部１３１は、保持部材１３２及び加熱部１３６を主体として構成されている。保持部材１３２には、マザー基板Ｇを保持した状態でパネル領域Ｐに平面視で重なる部分に凸部１３２ａが設けられている。凸部１３２ａの上面１３２ｂがマザー基板Ｇに当接することにより、保持部材１３２がマザー基板Ｇを保持する構成になっている。したがって、凸部１３２ａの上面１３２ｂが当接面となる。
【００４２】
本実施形態では、保持部材１３２が、マザー基板Ｇに当接した状態で複数のパネル領域Ｐに平面視で重なる部分に凸部１３２ａを有しており、凸部１３２ａの上面１３２ｂが当接面になっているので、加熱部１３６からの熱が各パネル領域Ｐに集中的に伝わることになる。これにより、各パネル領域Ｐを効率的に加熱することができる。
【００４３】
［第３実施形態］
次に、本発明の第３実施形態を説明する。本実施形態では、基板保持部の構成が第１実施形態とは異なっており、他の構成は第１実施形態と同様である。したがって、本実施形態では、かかる相違点を中心に説明する。図７は、基板保持部の構成を示す断面図である。
【００４４】
図７に示すように、基板保持部２３１は、保持部材２３２及び加熱部２３６を主体として構成されている。保持部材２３２の表面２３２ａは平坦になっており、当該表面２３２ａ全面がマザー基板Ｇに当接するようになっている。したがって、当該保持部材２３２の表面２３２ａが当接面となる。加熱部２３６は、保持部材２３２マザー基板Ｇを保持した状態で複数のパネル領域Ｐに平面視で重なる位置に配置されている。
【００４５】
本実施形態では、保持部材２３２の表面２３２ａがマザー基板Ｇに当接した状態で複数のパネル領域Ｐに平面視で重なる位置に加熱部２３６が配置されているので、加熱部２３６からの熱は、保持部材２３２の表面２３２ａのうちそれぞれのパネル領域Ｐに平面視で重なる部分に伝わりやすくなる。これにより、各パネル領域Ｐを効率的に加熱することができる。
【００４６】
［第４実施形態］
次に、本発明の第４実施形態を説明する。本実施形態では、基板保持部の構成が第１実施形態とは異なっており、他の構成は第１実施形態と同様である。したがって、本実施形態では、かかる相違点を中心に説明する。図８は、基板保持部の構成を示す断面図である。
【００４７】
図８に示すように、基板保持部３３１は、保持部材３３２、金属膜３３５及び加熱部３３６を主体として構成されている。保持部材３３２の表面は平坦になっている。金属膜３３５は、この保持部材３３２の表面全面に形成されており、金属膜３３５の表面３３５ａがマザー基板Ｇに当接するようになっている。したがって、金属膜３３５の表面３３５ａが当接面になっている。
【００４８】
このように、本実施形態では、金属膜３３５が保持部材３３２の表面全面に形成されているので、加熱部３３６による熱が金属膜３３５の表面に均一に伝わることになる。これにより、金属膜３３５に当接するマザー基板Ｇの全面を均一に加熱することができるので、マザー基板Ｇにおける温度分布の発生を防ぐことができる。
【００４９】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば、上記第１実施形態では、マザー基板Ｇを保持した状態で当該マザー基板Ｇ上に設けられたパネル領域Ｐに平面視で重なる部分に金属膜３５が設けられた構成であると説明したが、これに限られることは無い。例えば、マザー基板Ｇ上のパネル領域Ｐからはみ出すように広い部分に金属膜３５を形成し、位置合わせのマージンを確保することも可能である。
【００５０】
また、上記第１実施形態では、保持部材３２の表面３２ａに窪み３２ｂを設けて、当該窪み３２ｂ内に金属膜３５を埋め込んだ構成であると説明したが、これに限られることは無い。例えば、保持部材３２の表面３２ａを平坦に設け、この平坦面に金属膜３５を配置する構成であっても構わない。この場合、金属膜３５の表面がマザー基板Ｇに当接することになる。したがって、金属膜３５の表面が当接面となる。
【００５１】
また、上記第１実施形態では、ゲート電極９の導電膜５０やソース電極１１の導電膜、あるいは配線層を形成した後に、基板保持部３１を加熱し、当該加熱した基板保持部によってマザー基板Ｇを搬送すると説明したが、これに限られることは無い。例えば、有機ＥＬ層３の陽極２１や陰極２４をスパッタリング法によって形成し、それぞれを形成した後に当該加熱した基板保持部３１によって搬送しても構わない。
【００５２】
陽極２１を形成した後は、マザー基板Ｇの温度が約１５０℃になり、１０℃から１５℃の温度分布が生じるため、基板保持部３１が室温だと、急激な温度差が発生することになる。したがって、この場合も加熱部３６の加熱温度を約１００℃〜３００℃に設定し、基板保持部３１を加熱しておくことが好ましい。これにより、マザー基板Ｇの搬送時に、マザー基板Ｇを急激に冷却するのを防ぐことができると共に、マザー基板Ｇの温度分布を５℃程度にまで抑えることができる。この結果、陽極２１全体で結晶性、表面ラフネス、膜ストレスの均一性が向上することになり、抵抗率や光透過率が均一になるという効果を有する。
【００５３】
また、陰極２４を形成した後は、マザー基板Ｇの温度がほぼ室温程度になるものの、マザー基板Ｇに１０℃〜１５℃の温度分布が生じることになる。したがって、この場合も加熱部３６の加熱温度を約１００℃〜２００℃に設定し、基板保持部３１を加熱した状態にしておくことが好ましい。これにより、マザー基板Ｇの搬送時に、マザー基板Ｇの温度分布を５℃程度にまで抑えることができる。この結果、陰極２４全体で結晶性、表面ラフネス、膜ストレスの均一性が向上することになり、抵抗率や光反射率が均一になるという効果を有する。
【００５４】
また、上記第２実施形態において、凸部１３２ａの上面１３２ｂに金属膜を設けた構成にしても構わない。上記第３実施形態においても同様であり、保持部材２３２の表面全面に金属膜を設けた構成でも構わないし、第１実施形態のように保持部材２３２に窪みを形成し、窪みの内部に金属膜を設けた構成にしても構わない。その他、上述した各実施形態の構成及び各実施形態の変形例の構成は適宜組み合わせることが可能であり、これにより、一層の効果を得ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す断面図。
【図２】本実施形態に係る搬送装置の構成を示す斜視図。
【図３】本実施形態に係る搬送装置の保持部材の構成を示す断面図。
【図４】本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造過程を示す工程図。
【図５】同、工程図。
【図６】本発明の第２実施形態に係る搬送装置の保持部材の構成を示す断面図。
【図７】本発明の第３実施形態に係る搬送装置の保持部材の構成を示す断面図。
【図８】本発明の第４実施形態に係る搬送装置の保持部材の構成を示す断面図。
【符号の説明】
【００５６】
Ｇ…マザー基板 Ｐ…パネル領域 １…有機ＥＬ装置 ９…ゲート電極 １１…ソース電極 ２１…陽極 ２４…陰極 ３０…搬送装置 ３１…基板保持部 ３２…保持部材 ３５…金属膜 ３６…加熱部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造装置及び電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置のうち、例えば有機ＥＬ装置は、例えばガラス基板上に発光素子である有機ＥＬ素子が形成され、当該有機ＥＬ素子が保護層で覆われた構成となっているのが一般的である。有機ＥＬ素子は、発光層と、この発光層を挟持する電極（陽極及び陰極）とで構成されており、発光層で発光した光が有機ＥＬ装置外部に取り出されて表示光や照明光として用いられるようになっている。
【０００３】
例えば表示装置として用いられる有機ＥＬ装置においては、基板上に有機ＥＬ素子が複数設けられている。各有機ＥＬ素子に対しては例えば薄膜トランジスタなどのスイッチング素子が接続されており、この薄膜トランジスタに対応してゲート電極やソース電極などの配線パターンが設けられている。
【０００４】
ゲート電極やソース電極などの配線パターンは、例えばフォトリソグラフィ法によって形成される。フォトリソグラフィ法では、基板をチャンバ内に収容してチャンバ内で基板を加熱しながらスパッタリングにより金属などの導電膜を形成し、基板をチャンバの外部に搬出して冷却し、その後この導電膜をパターニングする。
【０００５】
基板の搬出に用いられる搬送装置は、例えば特許文献１に開示されているように、Ｕ字型の保持部材を有する搬送装置を用いることができる。この搬送装置は、一般的にチャンバの外部に設けられている。
【特許文献１】特開２００５−１２１８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、チャンバの外部は室温になっており搬送装置の保持部材も室温のままであるため、基板を搬出するときには、高温に加熱された状態の基板に室温の保持部材が当接することになる。特許文献１に記載の保持部材はＵ字型であるため、基板のうち保持部材に当接された部分と当接されない部分とが生じる。保持部材に当接された部分は急激に冷却され、保持部材に当接されない部分との間に温度差が生じる。
【０００７】
特に、導電膜の形成された部分に保持部材が当接すると、導電膜の一部が急激に冷却され、導電膜全体で温度差が生じる。この温度差の発生に伴って、導電膜の結晶性、膜ストレス（マイグレーション）、表面ラフネスが導電膜全体で不均一になってしまう。このため、導電膜の一部が変形あるいは変質し、歩留まりの低下を招く原因になる。
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、基板上に設けられる導電膜の変形を防ぎ、歩留まりの低下を回避することが可能な電気光学装置の製造装置及び電気光学装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明に係る発光装置は、複数のパネル領域を表面に有する電気光学装置用基板のうち少なくとも前記複数のパネル領域の裏面全面に当接する当接部を有し、前記当接部を介して前記電気光学装置用基板を保持する保持部材と、前記保持部材を移動可能な移動手段と、前記保持部材の内部に設けられ、前記当接部を加熱する加熱部とを具備することを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、保持部材の内部に設けられ、当接部を加熱する加熱部を具備するので、電気光学装置用基板を保持する際に予め当接部を加熱しておくことができる。例えば高温の状態にある電気光学装置用基板を保持する場合には、加熱された当接部を電気光学装置用基板に当接させることにより、電気光学装置用基板が急激に冷却されるのを防ぐことができる。したがって、電気光学装置用基板に温度差が生じるのを防ぐことができ、当該電気光学装置用基板に形成される導電膜の結晶性、膜ストレス（マイグレーション）、表面ラフネスが導電膜全体で不均一になるのを防ぐことができる。これにより、導電膜の変形あるいは変質を防ぐことができ、歩留まりの低下を回避することができる。
【００１０】
加えて、本発明では、複数のパネル領域を表面に有する電気光学装置用基板のうち少なくともこの複数のパネル領域の裏面全面に当接部が当接する構成になっているので、導電膜が設けられる領域の温度を均一にすることができる。これにより、導電膜全体において結晶性、膜ストレス（マイグレーション）、表面ラフネスを均一にすることができるという利点を有している。
【００１１】
また、前記当接部のうち、少なくとも前記電気光学装置用基板に当接した状態で前記複数のパネル領域に平面視で重なる部分に金属膜が設けられていることが好ましい。
本発明によれば、当接部のうち、少なくとも電気光学装置用基板に当接した状態で複数のパネル領域に平面視で重なる部分に金属膜が設けられているので、当該金属膜が設けられた部分では熱伝導性が高くなる。このため、加熱部によって当接部を加熱したときに、特に金属膜に加熱部からの熱が伝わりやすく、しかも金属膜全体で均一に伝わることになる。これにより、パネル領域の裏面を効率的かつ均一に加熱することができる。
【００１２】
また、前記金属膜が、前記当接部の全面に設けられていることが好ましい。
本発明によれば、金属膜が、当接部の全面に設けられているので、加熱部による熱が当接部の全面に均一に伝わることになる。これにより、電気光学装置用基板の全面を均一に加熱することができ、当該電気光学装置用基板における温度分布の発生を防ぐことができる。
【００１３】
また、前記保持部材が、前記電気光学装置用基板に当接した状態で前記複数のパネル領域に平面視で重なる部分に凸部を有しており、前記凸部が前記当接部になっていることが好ましい。
本発明によれば、保持部材が、電気光学装置用基板に当接した状態で複数のパネル領域に平面視で重なる部分に凸部を有しており、凸部が当接部になっているので、加熱部からの熱が複数のパネル領域に集中的に伝わることになる。これにより、複数のパネル領域を効率的に加熱することができる。
【００１４】
また、前記当接部が前記電気光学装置用基板に当接した状態で前記複数のパネル領域に平面視で重なる位置に、前記加熱部が配置されていることが好ましい。
本発明では、当接部が電気光学装置用基板に当接した状態で複数のパネル領域に平面視で重なる位置に、加熱部が配置されているので、加熱部からの熱は、当接部のうち複数のパネル領域に平面視で重なる部分に伝わりやすくなる。これにより、複数のパネル領域を効率的に加熱することができる。
【００１５】
本発明に係る電気光学装置の製造方法は、電気光学装置用基板を加熱しながら、当該電気光学装置用基板の複数のパネル領域に導電膜を形成する成膜工程と、前記成膜工程後、所定の温度に加熱された保持部材により前記電気光学装置用基板の少なくとも前記複数のパネル領域の裏面を保持して前記電気光学装置用基板を搬送する搬送工程とを具備することを特徴とする。
【００１６】
本発明によれば、電気光学装置用基板を加熱しながら、当該電気光学装置用基板の複数のパネル領域に導電膜を形成し、導電膜を形成した後、所定の温度に加熱された保持部材により電気光学装置用基板の少なくとも複数のパネル領域の裏面を保持して電気光学装置用基板を搬送するので、電気光学装置用基板の一部が急激に冷却されるのを防ぐことができる。したがって、電気光学装置用基板に温度差が生じるのを防ぐことができ、結晶性、膜ストレス（マイグレーション）、表面ラフネスが導電膜全体で不均一になるのを防ぐことができる。これにより、導電膜の変形あるいは変質を防ぐことができ、動作不良を回避することができる。
【００１７】
また、前記電気光学装置用基板には、薄膜トランジスタが設けられており、前記成膜工程後、前記導電膜をパターニングして前記薄膜トランジスタのゲート電極、ソース電極および前記薄膜トランジスタ用配線のうちいずれかを形成するパターン形成工程を更に具備することが好ましい。
電気光学装置用基板上に形成される導電膜は、当該電気光学装置用基板上の凹凸が設けられた面上に形成されることが多いため、わずかな温度差によっても変形する虞がある。これに対して、本発明では、上述した方法により電気光学装置用基板を搬送するので、電気光学装置用基板に温度差が生じにくくなる。これにより、ゲート電極、ソース電極又は薄膜トランジスタ用配線のコンタクトカバレッジや配線の信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
［第１実施形態］
以下、本発明の第１実施形態を図面に基づき説明する。
（有機ＥＬ装置）
図１は、有機ＥＬ装置１の概略的な構成を示す断面図である。以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。本実施形態の有機ＥＬ装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタが設けられたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置である。
【００１９】
有機ＥＬ装置１は、素子基板２と、有機ＥＬ層３と、保護層４とを主体として構成されており、素子基板２上に有機ＥＬ層３が形成され、当該有機ＥＬ層３を覆うように保護層４が形成された構成になっている。本実施形態では、有機ＥＬ層３からの光が素子基板２の方向に射出される、いわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を例に挙げて説明する。
【００２０】
素子基板２は、基板５と、表面層６と、薄膜トランジスタ７と、ゲート絶縁層８と、ゲート電極９と、第１絶縁層１０と、ソース電極１１と、第２絶縁層１２とを有している。
基板５は、例えばガラスや石英などの光を透過可能な材料からなる矩形の基板である。表面層６は、基板５の表面に形成されており、例えば酸化シリコンや窒化シリコンなどからなる。
【００２１】
薄膜トランジスタ７は、例えばアモルファス・シリコンからなる薄膜を用い、有機ＥＬ装置１のスイッチング素子として設けられている。薄膜トランジスタ７の半導体層は、例えば５つの領域に区分されており、図中左右方向中央にはチャネル領域７ａが設けられている。チャネル領域７ａを基準としてソース側（図中右側）には、当該チャネル領域７ａの図中右隣に低濃度ソース領域７ｂが設けられており、当該低濃度ソース領域７ｂの図中右隣に高濃度ソース領域７ｃが設けられている。チャネル領域７ａのドレイン側（図中左側）には、当該チャネル領域７ａの図中左隣に低濃度ドレイン領域７ｄが設けられており、当該低濃度ドレイン領域７ｄの図中左隣に高濃度ドレイン領域７ｅが設けられている。
【００２２】
ゲート絶縁層８は、表面層６及び薄膜トランジスタ７の半導体層を覆うように設けられた絶縁層である。
ゲート電極９は、ゲート絶縁層８上に設けられた電極であり、薄膜トランジスタ７のチャネル領域７ａに平面視で重なる位置に配置されている。図示を省略するが、ゲート電極９は例えば金属層が３層重なった多層構造になっており、下層（ゲート絶縁層８の直上）が窒化チタン層、中層がアルミニウム・銅の混合層、上層がチタン層になっている。
第１絶縁層１０は、例えば酸化シリコンや窒化シリコンからなり、ゲート絶縁層８及びゲート電極９を覆うように設けられている。
【００２３】
ソース電極１１は、第１絶縁層１０上に設けられた電極であり、第１絶縁層１０及びゲート絶縁層８を貫通して形成されたコンタクトホール１３を介して薄膜トランジスタ７の高濃度ソース領域７ｃに接続されている。ソース電極１１は、単層の金属、あるいはゲート電極９と同様に、金属層が多層重なった構造になっており、例えば３層の場合、下層（第１絶縁層１０の直上）がチタン層（又は窒化チタン層）、中層がアルミニウム・銅の混合層、上層がチタン層になっている。
第２絶縁層１２は、例えば酸化シリコンや窒化シリコンからなり、第１絶縁層１０及びソース電極１１を覆うように設けられている。
【００２４】
有機ＥＬ層３は、陽極２１と、正孔注入層２２と、発光層２３と、陰極２４と、隔壁２５とを主体として構成されている。素子基板２の第２絶縁層１２の直上に隔壁２５が設けられ、隔壁２５で囲まれた領域に陽極２１、正孔注入層２２、発光層２３が積層され、発光層２３及び隔壁２５を覆うように陰極２４が設けられた構成になっている。
【００２５】
陽極２１は、素子基板２の第２絶縁層１２の直上に薄膜状に設けられており、例えばＩＴＯなどの透明な導電材料からなる。陽極２１は、第２絶縁層１２、第１絶縁層１０及びゲート絶縁層８の３つの絶縁層を貫通するコンタクトホール１４を介して薄膜トランジスタ７の高濃度ドレイン領域７ｅに接続されている。
【００２６】
正孔注入層２２は、陽極２１からの正孔を発光層２３に注入する層である。発光層２３は、正孔注入層２２からの正孔と陰極２４からの電子とが結合して発光する層である。正孔注入層２２及び発光層２３は、有機材料によって形成されている。
陰極２４は、導電率及び光反射率の高い金属、例えばアルミニウムや銀などからなる電極であり、発光層２３に電子を注入する電極である。陰極２４は、発光層２３で発光する光を基板５の側（図中下側）に反射する反射層としての機能も有している。隔壁２５は、上記の薄膜トランジスタ７に平面視で重なる位置に設けられている。
【００２７】
（製造装置）
有機ＥＬ装置１は、当該有機ＥＬ装置１を構成する配線・有機ＥＬ層などの構成要素をマザー基板上の複数のパネル領域に形成し、このマザー基板をスクライブして個々のパネル領域を取り出す方法（多面取り）で製造される。以下、図２及び図３をもとにして、上記有機ＥＬ装置１を製造する際に、このマザー基板を搬送する搬送装置について説明する。
【００２８】
図２は、搬送装置の構成を示す斜視図である。同図に示すように、搬送装置３０は、基板保持部３１と、アーム３３と、制御部３４とを主体として構成されている。基板保持部３１がアーム３３に接続され、アーム３３の動作によって基板保持部３１が移動するようになっている。アーム３３は制御部３４に接続されており、制御部３４によってアーム３３の動作が制御されるようになっている。
【００２９】
基板保持部３１は、例えば石英などによって板状に形成された保持部材３２を有している。保持部材３２の表面３２ａには、金属膜３５が設けられている。金属膜３５は、熱伝導率の高い金属、例えばアルミニウムによって形成されている。この金属膜３５は、保持部材３２がマザー基板Ｇを保持した状態で当該マザー基板Ｇ上に設けられたパネル領域Ｐに平面視で重なる部分に配置されている。図２では、パネル領域Ｐがマザー基板Ｇ上にマトリクス状に配置されており、これに対応するように、金属膜３５も保持部材３２の表面３２ａにマトリクス状に配置されている。
【００３０】
図３は、図２におけるＡ−Ａ断面に沿った構成を示す図である。同図に示すように、保持部材３２には金属膜３５が配置される位置に窪み３２ｂが形成されており、金属膜３５がこの窪み３２ｂに埋め込まれるように設けられている。金属膜３５が埋め込まれた状態で、金属膜３５の表面３５ａと保持部材３２の表面３２ａとが同一となる面一状態になっている。マザー基板Ｇは、面一状態になっている保持部材３２の表面３２ａ及び金属膜３５の表面３５ａに当接されて保持されるようになっている。したがって、この保持部材３２の表面３２ａ及び金属膜３５の表面３５ａが当接面になっている。
【００３１】
保持部材３２の内部には、例えば電熱線などの加熱部３６が設けられている。加熱部３６で発生した熱は、保持部材３２の表面３２ａ及び金属膜３５の表面３５ａに伝わるようになっている。加熱部３６の加熱温度や加熱時間などについては、例えば上述した制御部３４によって制御されるようになっている。
【００３２】
（製造方法）
次に、上記のように構成された有機ＥＬ装置１の製造方法を説明する。
まず、マザー基板Ｇ上のパネル領域Ｐに表面層６を形成し、表面層６上に薄膜トランジスタ７の半導体層を形成する。薄膜トランジスタ７の半導体層を形成したら、表面層６及びパターニングされた薄膜トランジスタ７の半導体層を覆うようにゲート絶縁層８を形成する。ゲート絶縁層８を形成した後、当該ゲート絶縁層８上の全面にスパッタリング法によってゲート電極９となる導電膜５０を形成する（成膜工程）。この工程では、例えば加熱チャンバ内にマザー基板Ｇを収容し、加熱チャンバ内で加熱しながらスパッタリングを行う。
【００３３】
スパッタリングを行う間チャンバ内が加熱状態になるため、成膜工程後には、マザー基板Ｇの温度は約２００℃になっている。導電膜５０をパターニングしてゲート電極９を形成する前に、マザー基板Ｇを冷却するため、当該マザー基板Ｇを一旦チャンバの外部に搬送する。
【００３４】
具体的には、図４に示すように、基板保持部３１を移動させ、マザー基板Ｇのパネル領域Ｐと保持部材３２の金属膜３５とが平面視で重なるように位置合わせをする。位置合わせの段階で、加熱部３６の加熱温度を予め１００℃〜３００℃程度に設定し、基板保持部３１を加熱しておく。
【００３５】
パネル領域Ｐと金属膜３５との位置を合わせた後、図５に示すように、保持部材３２の表面３２ａ及び金属膜３５の表面３５ａをマザー基板Ｇの下面に当接させてマザー基板Ｇを保持し、この状態で基板保持部３１を移動させてマザー基板Ｇをチャンバの外部に搬送して冷却する。冷却には、基板保持部３１の温度を下げても良いが、急冷を回避できるような冷却室を用いることもできる。
【００３６】
マザー基板Ｇを冷却した後、ゲート電極、ゲート電極への配線(図示せず）をパターニングし、その後ゲート電極９及びその周辺のゲート絶縁層８上に第１絶縁層１０を形成し、コンタクトホール１３及びソース電極１１、(ドレイン電極）、配線層(図示せず）を形成する。ソース電極１１、配線の導電層についても、ゲート電極９と同様、チャンバ内で加熱しながらスパッタリング法によって導電膜を形成する。導電膜の形成後は、加熱部３６の温度を予め１００℃〜３００℃程度に設定して基板保持部３１を加熱しておき、当該基板保持部３１によってマザー基板Ｇを保持し、このマザー基板Ｇをチャンバの外部に搬送して冷却する。マザー基板Ｇを冷却後、当該導電膜をパターニングしてソース電極１１、その他の配線を形成する。なお、薄膜トランジスタ形成のパターニングにはウェット、ドライエッチングをその材料、工程に合わせ適宜用いる。
【００３７】
ソース電極１１を形成した後、当該ソース電極１１及び第１絶縁層１０を覆うように第２絶縁層を形成し、コンタクトホール１４を形成する。その後、コンタクトホール１４の表面に重なるように陽極２１を成膜し、パターニング後隔壁２５を形成する。隔壁２６内には正孔注入層２２、発光層２３を形成し、陰極２４をＥＬ素子上に全面形成して有機ＥＬ層３を形成する。さらに、当該有機ＥＬ層３を覆うように樹脂封止と保護膜４を形成して、有機ＥＬ装置１が完成する。
【００３８】
本実施形態によれば、保持部材３２の内部に、保持部材３２の表面３２ａ及び金属膜３５の表面３５ａを加熱する加熱部３６が設けられているので、マザー基板Ｇを保持する際に当該表面３２ａ、３５ａを予め加熱しておくことできる。高温の状態にあるマザー基板Ｇを保持する場合には、加熱された表面３２ａ、３５ａをマザー基板Ｇに当接させることにより、マザー基板Ｇが急激に冷却されるのを防ぐことができる。したがって、マザー基板に温度差が生じるのを防ぐことができ、結晶性、膜ストレス（マイグレーション）、表面ラフネスが導電膜５０全体で不均一になるのを防ぐことができる。これにより、導電膜５０の変形、変質を防ぐことができ、有機ＥＬ装置１の歩留まりの低下を回避することができる。
【００３９】
加えて、本発明では、少なくとも複数のパネル領域Ｐの裏面全面に表面３２ａ、３５が当接する構成になっているので、導電膜５０が設けられているパネル領域Ｐの温度を均一にすることができる。これにより、結晶性、膜ストレス（マイグレーション）、表面ラフネスを導電膜５０全体で均一にすることができ、ゲート電極９及びソース電極１１、(ドレイン電極）のコンタクトカバレッジの向上及び配線の信頼性を向上を図ることができるという利点も有している。
【００４０】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態を説明する。本実施形態では、基板保持部の構成が第１実施形態とは異なっており、他の構成は第１実施形態と同様である。したがって、本実施形態では、かかる相違点を中心に説明する。図６は、基板保持部の構成を示す断面図である。
【００４１】
図６に示すように、基板保持部１３１は、保持部材１３２及び加熱部１３６を主体として構成されている。保持部材１３２には、マザー基板Ｇを保持した状態でパネル領域Ｐに平面視で重なる部分に凸部１３２ａが設けられている。凸部１３２ａの上面１３２ｂがマザー基板Ｇに当接することにより、保持部材１３２がマザー基板Ｇを保持する構成になっている。したがって、凸部１３２ａの上面１３２ｂが当接面となる。
【００４２】
本実施形態では、保持部材１３２が、マザー基板Ｇに当接した状態で複数のパネル領域Ｐに平面視で重なる部分に凸部１３２ａを有しており、凸部１３２ａの上面１３２ｂが当接面になっているので、加熱部１３６からの熱が各パネル領域Ｐに集中的に伝わることになる。これにより、各パネル領域Ｐを効率的に加熱することができる。
【００４３】
［第３実施形態］
次に、本発明の第３実施形態を説明する。本実施形態では、基板保持部の構成が第１実施形態とは異なっており、他の構成は第１実施形態と同様である。したがって、本実施形態では、かかる相違点を中心に説明する。図７は、基板保持部の構成を示す断面図である。
【００４４】
図７に示すように、基板保持部２３１は、保持部材２３２及び加熱部２３６を主体として構成されている。保持部材２３２の表面２３２ａは平坦になっており、当該表面２３２ａ全面がマザー基板Ｇに当接するようになっている。したがって、当該保持部材２３２の表面２３２ａが当接面となる。加熱部２３６は、保持部材２３２マザー基板Ｇを保持した状態で複数のパネル領域Ｐに平面視で重なる位置に配置されている。
【００４５】
本実施形態では、保持部材２３２の表面２３２ａがマザー基板Ｇに当接した状態で複数のパネル領域Ｐに平面視で重なる位置に加熱部２３６が配置されているので、加熱部２３６からの熱は、保持部材２３２の表面２３２ａのうちそれぞれのパネル領域Ｐに平面視で重なる部分に伝わりやすくなる。これにより、各パネル領域Ｐを効率的に加熱することができる。
【００４６】
［第４実施形態］
次に、本発明の第４実施形態を説明する。本実施形態では、基板保持部の構成が第１実施形態とは異なっており、他の構成は第１実施形態と同様である。したがって、本実施形態では、かかる相違点を中心に説明する。図８は、基板保持部の構成を示す断面図である。
【００４７】
図８に示すように、基板保持部３３１は、保持部材３３２、金属膜３３５及び加熱部３３６を主体として構成されている。保持部材３３２の表面は平坦になっている。金属膜３３５は、この保持部材３３２の表面全面に形成されており、金属膜３３５の表面３３５ａがマザー基板Ｇに当接するようになっている。したがって、金属膜３３５の表面３３５ａが当接面になっている。
【００４８】
このように、本実施形態では、金属膜３３５が保持部材３３２の表面全面に形成されているので、加熱部３３６による熱が金属膜３３５の表面に均一に伝わることになる。これにより、金属膜３３５に当接するマザー基板Ｇの全面を均一に加熱することができるので、マザー基板Ｇにおける温度分布の発生を防ぐことができる。
【００４９】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば、上記第１実施形態では、マザー基板Ｇを保持した状態で当該マザー基板Ｇ上に設けられたパネル領域Ｐに平面視で重なる部分に金属膜３５が設けられた構成であると説明したが、これに限られることは無い。例えば、マザー基板Ｇ上のパネル領域Ｐからはみ出すように広い部分に金属膜３５を形成し、位置合わせのマージンを確保することも可能である。
【００５０】
また、上記第１実施形態では、保持部材３２の表面３２ａに窪み３２ｂを設けて、当該窪み３２ｂ内に金属膜３５を埋め込んだ構成であると説明したが、これに限られることは無い。例えば、保持部材３２の表面３２ａを平坦に設け、この平坦面に金属膜３５を配置する構成であっても構わない。この場合、金属膜３５の表面がマザー基板Ｇに当接することになる。したがって、金属膜３５の表面が当接面となる。
【００５１】
また、上記第１実施形態では、ゲート電極９の導電膜５０やソース電極１１の導電膜、あるいは配線層を形成した後に、基板保持部３１を加熱し、当該加熱した基板保持部によってマザー基板Ｇを搬送すると説明したが、これに限られることは無い。例えば、有機ＥＬ層３の陽極２１や陰極２４をスパッタリング法によって形成し、それぞれを形成した後に当該加熱した基板保持部３１によって搬送しても構わない。
【００５２】
陽極２１を形成した後は、マザー基板Ｇの温度が約１５０℃になり、１０℃から１５℃の温度分布が生じるため、基板保持部３１が室温だと、急激な温度差が発生することになる。したがって、この場合も加熱部３６の加熱温度を約１００℃〜３００℃に設定し、基板保持部３１を加熱しておくことが好ましい。これにより、マザー基板Ｇの搬送時に、マザー基板Ｇを急激に冷却するのを防ぐことができると共に、マザー基板Ｇの温度分布を５℃程度にまで抑えることができる。この結果、陽極２１全体で結晶性、表面ラフネス、膜ストレスの均一性が向上することになり、抵抗率や光透過率が均一になるという効果を有する。
【００５３】
また、陰極２４を形成した後は、マザー基板Ｇの温度がほぼ室温程度になるものの、マザー基板Ｇに１０℃〜１５℃の温度分布が生じることになる。したがって、この場合も加熱部３６の加熱温度を約１００℃〜２００℃に設定し、基板保持部３１を加熱した状態にしておくことが好ましい。これにより、マザー基板Ｇの搬送時に、マザー基板Ｇの温度分布を５℃程度にまで抑えることができる。この結果、陰極２４全体で結晶性、表面ラフネス、膜ストレスの均一性が向上することになり、抵抗率や光反射率が均一になるという効果を有する。
【００５４】
また、上記第２実施形態において、凸部１３２ａの上面１３２ｂに金属膜を設けた構成にしても構わない。上記第３実施形態においても同様であり、保持部材２３２の表面全面に金属膜を設けた構成でも構わないし、第１実施形態のように保持部材２３２に窪みを形成し、窪みの内部に金属膜を設けた構成にしても構わない。その他、上述した各実施形態の構成及び各実施形態の変形例の構成は適宜組み合わせることが可能であり、これにより、一層の効果を得ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す断面図。
【図２】本実施形態に係る搬送装置の構成を示す斜視図。
【図３】本実施形態に係る搬送装置の保持部材の構成を示す断面図。
【図４】本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造過程を示す工程図。
【図５】同、工程図。
【図６】本発明の第２実施形態に係る搬送装置の保持部材の構成を示す断面図。
【図７】本発明の第３実施形態に係る搬送装置の保持部材の構成を示す断面図。
【図８】本発明の第４実施形態に係る搬送装置の保持部材の構成を示す断面図。
【符号の説明】
【００５６】
Ｇ…マザー基板 Ｐ…パネル領域 １…有機ＥＬ装置 ９…ゲート電極 １１…ソース電極 ２１…陽極 ２４…陰極 ３０…搬送装置 ３１…基板保持部 ３２…保持部材 ３５…金属膜 ３６…加熱部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のパネル領域を表面に有する電気光学装置用基板のうち少なくとも前記複数のパネル領域の裏面全面に当接する当接部を有し、前記当接部を介して前記電気光学装置用基板を保持する保持部材と、
前記保持部材を移動可能な移動手段と、
前記保持部材の内部に設けられ、前記当接部を加熱する加熱部と
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項２】
前記当接部のうち、少なくとも前記電気光学装置用基板に当接した状態で前記複数のパネル領域に平面視で重なる部分に金属膜が設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項３】
前記金属膜が、前記当接部の全面に設けられている
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項４】
前記保持部材が、前記電気光学装置用基板に当接した状態で前記複数のパネル領域に平面視で重なる部分に凸部を有しており、
前記凸部が前記当接部になっている
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちいずれか一項に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項５】
前記当接部が前記電気光学装置用基板に当接した状態で前記複数のパネル領域に平面視で重なる位置に、前記加熱部が配置されている
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のうちいずれか一項に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項６】
電気光学装置用基板を加熱しながら、当該電気光学装置用基板の複数のパネル領域に導電膜を形成する成膜工程と、
前記成膜工程後、所定の温度に加熱された保持部材により前記電気光学装置用基板の少なくとも前記複数のパネル領域の裏面を保持して前記電気光学装置用基板を搬送する搬送工程と
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記電気光学装置用基板には、薄膜トランジスタが設けられており、
前記成膜工程後、前記導電膜をパターニングして前記薄膜トランジスタのゲート電極、ソース電極および前記薄膜トランジスタ用配線のうちいずれかを形成するパターン形成工程を更に具備する
ことを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１】
複数のパネル領域を表面に有する電気光学装置用基板のうち少なくとも前記複数のパネル領域の裏面全面に当接する当接部を有し、前記当接部を介して前記電気光学装置用基板を保持する保持部材と、
前記保持部材を移動可能な移動手段と、
前記保持部材の内部に設けられ、前記当接部を加熱する加熱部と
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項２】
前記当接部のうち、少なくとも前記電気光学装置用基板に当接した状態で前記複数のパネル領域に平面視で重なる部分に金属膜が設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項３】
前記金属膜が、前記当接部の全面に設けられている
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項４】
前記保持部材が、前記電気光学装置用基板に当接した状態で前記複数のパネル領域に平面視で重なる部分に凸部を有しており、
前記凸部が前記当接部になっている
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちいずれか一項に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項５】
前記当接部が前記電気光学装置用基板に当接した状態で前記複数のパネル領域に平面視で重なる位置に、前記加熱部が配置されている
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のうちいずれか一項に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項６】
電気光学装置用基板を加熱しながら、当該電気光学装置用基板の複数のパネル領域に導電膜を形成する成膜工程と、
前記成膜工程後、所定の温度に加熱された保持部材により前記電気光学装置用基板の少なくとも前記複数のパネル領域の裏面を保持して前記電気光学装置用基板を搬送する搬送工程と
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記電気光学装置用基板には、薄膜トランジスタが設けられており、
前記成膜工程後、前記導電膜をパターニングして前記薄膜トランジスタのゲート電極、ソース電極および前記薄膜トランジスタ用配線のうちいずれかを形成するパターン形成工程を更に具備する
ことを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２００７−２９２８５０（Ｐ２００７−２９２８５０Ａ）
【公開日】平成１９年１１月８日（２００７．１１．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１１７９２９（Ｐ２００６−１１７９２９）
【出願日】平成１８年４月２１日（２００６．４．２１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１１月８日（２００７．１１．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年４月２１日（２００６．４．２１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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